TW201801602A

TW201801602A - 電磁波屏蔽膜及其製造方法

Info

Publication number: TW201801602A
Application number: TW105143248A
Authority: TW
Inventors: 岩井靖; 柳善治; 都地輝明; 西山剛司; 藤信男
Original assignee: 拓自達電線股份有限公司; 東麗Kp薄膜股份有限公司
Priority date: 2015-12-25
Filing date: 2016-12-26
Publication date: 2018-01-01
Also published as: JP6949724B2; CN108476607A; WO2017111158A1; JPWO2017111158A1; KR102608700B1; CN108476607B; TWI748975B; KR20180097520A

Abstract

電磁波屏蔽膜(1)包括屏蔽層(2)、黏合劑層(3)以及保護層(4)。其中，該屏蔽層(2)由以鎳為主要成分的第一金屬層(5)和以銅為主要成分的第二金属層(6)構成；該黏合劑層(3)形成在屏蔽層(2)的靠第二金属層(6)一側的面上；該保護層(4)形成在屏蔽層(2)的靠第一金屬層(5)一側的面上。第二金属層(6)的平均晶體粒徑在50nm以上200nm以下。

Description

電磁波屏蔽膜及其製造方法

本發明關於一種電磁波屏蔽膜及其製造方法。

近年來，要求智慧型手機、平板型資訊終端具有高速地傳送大容量數據的性能，而且，為高速地傳送大容量數據，則需要使用高頻率訊號。然而，如果使用高頻率訊號，則會從形成在印刷配線板上的訊號電路產生電磁波噪音，週邊設備便容易誤動作。因此，為防止上述誤動作，非常重要的就是屏蔽電磁波以免印刷配線板遭受電磁波破壞。

已得到研究探討的屏蔽電磁波保護印刷配線板的方法，是使用具有屏蔽層和導電性黏合劑層的電磁波屏蔽膜(例如參照專利文献1~3)。

讓導電性黏合劑層與形成在覆蓋印刷配線板上的接地電路的絕緣層上的開口部重合並加熱加壓，將導電性黏合劑填充到開口部內，由此而將上述電磁波屏蔽膜與印刷配線板貼合在一起。這樣一來，屏蔽層和印刷配線板上的接地電路就會經導電性黏合劑連接起來，印刷配線板即會受到保護。之後，為了連接印刷配線板和電子部件，便在回流製程中讓屏蔽印刷配線板暴露在270℃左右的高溫下。

將電子部件貼到印刷配線板上之後，為了對電子部件的位置進行微修正，有時候進行被稱作修復的修復作業。即，加熱印刷配線板而將電子部件從印刷配線板上剝離下來之後，再次將電子部件貼到印刷配線板上。而且，經過了該修復作業之後，還需要將電子部件貼到印刷配線板上，因此需要再次在回流製程中將電磁波屏蔽膜暴露在高溫下。

【專利文献1】特開2004 - 095566號公報

【專利文献2】WO2006/088127號小冊子

【專利文献3】WO2009/019963號小冊子

此處，就上述專利文献1~3中記載的電磁波屏蔽膜而言，如果在回流製程中屏蔽印刷配線板多次暴露於高溫下，導電性黏合劑層就會流動，金属表面就會氧化，電磁波屏蔽膜和印刷配線板的電連接性就會下降。結果是，會出現屏蔽特性下降的問題。

於是，本發明正是為解決上述問題而完成的。其目的在於：提供一種電磁波屏蔽膜及其製造方法，就是在回流製程中多次暴露於高溫的情況下，也能夠維持該電磁波屏蔽膜和印刷配線板之間的穩定的連接狀態。

為達成上述目的，本發明之電磁波屏蔽膜包括屏蔽層、黏合劑層以及保護層。其中，該屏蔽層由以鎳為主要成分的第一金屬層和以銅為主要成分的第二金属層構成；該黏合劑層形成在屏蔽層的靠第二金属層一側；該保護層形成在屏蔽層的靠第一金屬層一側。第二金属層的平均晶體粒徑在50nm以上200nm以下。

由於第二金属層的平均晶體粒徑在50nm以上200nm以下，因此，即使本發明之電磁波屏蔽膜在回流製程中多次暴露於高高溫下，也能夠穩定地維持該電磁波屏蔽膜與印刷配線板之間的連接狀態。

1‧‧‧電磁波屏蔽膜

2‧‧‧屏蔽層

3‧‧‧黏合劑層

4‧‧‧保護層

5‧‧‧第一金屬層

6‧‧‧第二金属層

11‧‧‧底層

12‧‧‧印刷電路(接地電路)

13‧‧‧絕緣性黏合劑層

14‧‧‧覆蓋層

15‧‧‧開口部

20‧‧‧印刷配線板

30‧‧‧屏蔽印刷配線板

圖1係本發明之實施方式所關係之電磁波屏蔽膜的剖視圖。

圖2係本發明之實施方式所關係之屏蔽印刷配線板的剖視圖。

圖3係用於說明在實施例的抗回流性評價中電阻值的測量方法的圖。

以下，具體說明本發明之電磁波屏蔽膜。需要說明的是，本發明並不限於以下實施方式，在不改變本發明之要旨的範圍內做出的適當變更，都屬於本發明的保護範圍內。

<電磁波屏蔽膜>

如圖1所示，本發明之電磁波屏蔽膜1包括：由第一金屬層5和第二金属層6構成的屏蔽層2、形成在屏蔽層2的靠第二金属層6一側的面上的黏合劑層3、以及形成在屏蔽層2的靠第一金屬層5一側的面上的保護層4。

<屏蔽層>

如圖1所示，屏蔽層2由形成在保護層4的一個面上的第一金屬層5、和形成在第一金屬層5的表面上的第二金属層6構成。

此處，本實施方式中，從防止電磁波屏蔽膜1和印刷配線板之間的電連接性下降的觀點出發，需要將第二金属層6的平均晶體粒徑控制在50nm以上200nm以下，尤佳為控制在50nm以上150nm以下。為抑制表面氧化，平均晶體粒徑越小越好，但平均晶體粒徑越小，成膜速度則會越慢。因此，利用真空蒸鍍法成膜並使平均晶體粒徑達到50nm以上，就能夠穩定地進行製造。而且，藉由使平均晶體粒徑在200nm以下，則能夠收到防止第二金属層6的表面氧化的防氧化效果。藉由使平均晶體粒徑在150nm以下，則會收到更好的效果。

能夠使第一金屬層5和第二金属層6為金属膜，或者為由導電性微粒形成的導電膜等。本實施方式中，第一金屬層5以鎳為主要成分，第二金属層6以銅為主要成分。這是因為如果僅利用真空蒸鍍法在保護層4上形成銅膜，就無法充分地確保保護層4和銅膜之間的附著力，為確保附著力則採用以下方法。即，利用濺鍍法在保護層4上形成第一金屬層5做底層，再在第一金屬層5上蒸鍍出以銅為主要成分的第二金属層6。但是，如果利用濺鍍法形成銅膜作底層即第一金屬層5，那麼，受利用濺鍍法形成的平均晶體粒徑較大的銅的影響，利用真空蒸鍍法在第一金屬層5上形成的第二金属層6的平均晶體粒徑也會較大，結果是難以控制第二金属層6的平均晶體粒徑。因此，較佳為，利用濺鍍法且使用對第二金属層6的平均晶體粒徑影響較小的鎳形成膜並以該膜作第一金屬層5用。

因此，可以推測出：在該構成方式下，會在第二金属層6的靠黏合劑層3一側的表面上形成穩定的薄氧化膜。而且，一般認為：該薄氧化膜在高溫環境也會起保護膜的作用，抑制氧化的發展。因此，即使是在回流製程中讓屏蔽印刷配線板多次暴露於高溫的情況，也能夠防止由於電磁波屏蔽膜1和印刷配線板之間的氧化膜增加而導致電連接性下降。結果是，能夠維持電磁波屏蔽膜1和印刷配線板之間的穩定的連接狀態。

需要說明的是，這裡所說的“平均晶體粒徑”是利用X射線衍射(RIGAKU Ultima IV)測得的。測量條件為：X射線管球的電壓和電流：40kV-40mA，掃描速度：2°/min，發散縫隙(divergence slit)(DS)：2/3°，散射縫隙(scatter slit)(SS)：2/3°，受光縫隙(RS)：0.3mm。平均晶體粒徑係用謝樂公式(Scherrer equation)從第二金属層6的優先配向面即(111)衍射線的半高寬(FWHM)計算得出的。

本實施方式中，較佳為，第一金屬層5的厚度T₁和第二金属層6的厚度T₂之和在0.105μm以上3.03μm以下(即，0.105μm

T₁+T₂

3.03μm)。這樣設定係出於有時會產生以下不良現象之故。即，如果小於0.105μm，則屏蔽電磁波的性能會不足，而且，從提高電磁波屏蔽性能的觀點出發，第二金属層6的厚度越厚越佳，但如果大於3.03μm，第二金属層6的平均晶體粒徑會過大，而得不到防止第二金属層6的表面氧化的防氧化效果。

本實施方式中，較佳為第二金属層6的厚度T₂在0.1μm以上3μm以下，尤佳為0.2μm以上1.5μm以下。這是因為：如果小於0.1μm，有時則會出現電磁波屏蔽性能不足這樣的不良現象之故。而且，即使在0.1μm以上，在某些用途下，電磁波屏蔽性能也會不足。從提高電磁波屏蔽性能的觀點出發，較佳為第二金属層6的厚度T₂在0.2μm以上。而且，如果大於3μm，則會出現以下不良現象之故。即，第二金属層6的平均晶體粒徑會進一步過大，而得不到防止第二金属層6的表面氧化的防氧化效果。從防止表面氧化的觀點出發，較佳為第二金属層6更薄，但是，於使用無鉛焊料而導致回流時的加熱条件更加嚴峻的情況下，尤佳為第二金属層6的厚度T₂在1.5μm以下。

本實施方式中，較佳為第一金屬層5的厚度T₁在5nm以上30nm以下，尤佳為在7nm以上15nm以下。這是因為：如果小於5nm，有時則會出現第一金屬層5和保護層4之間的附著性下降這樣的不良現象之故。在焊料安裝等中進行的回流中，使用無鉛焊料而導致加熱条件更加嚴峻的情況下，需要進一步使附著力穩定，因此尤佳為7nm以上。而且，如果大於30nm，則會出現以下不良現象之故。即，形成在第一金屬層5上的第二金属層6的平均晶體粒徑會進一步增大，而得不到防止第二金属層6的表面氧化的防氧化效果。為防止表面氧化，較佳為第一金屬層5的厚度T₁較薄，在焊料安裝等中進行的回流中，使用無鉛焊料而導致加熱条件更加嚴峻的情況下，較佳為在15nm以下。

<黏合劑層>

黏合劑層3只要能夠將電磁波屏蔽膜1固定到印刷配線板上即可，並無特別限定。較佳為，使黏合劑層3為具有黏合性樹脂組合物和導電性填料的導電性黏合劑層。

黏合性樹脂組合物並無特別限定，能夠使用苯乙烯類樹脂組合物、酢酸乙烯酯類樹脂組合物、聚酯類樹脂組合物、聚乙烯類樹脂組合物、聚丙烯類樹脂組合物、醯亞胺類樹脂組合物、醯胺類樹脂組合物或丙烯酸類樹脂組合物等熱塑性樹脂組合物；黏合性樹脂組合物還能夠使用苯酚類樹脂組合物、環氧類樹脂組合物、聚氨酯類樹脂組合物、三聚氰胺類樹脂組合物或醇酸類樹脂組合物等熱固性樹脂組合物等。上述黏合性樹脂組合物既可以單獨使用，也可以兩種以上同時使用。

黏合劑層3，還可以根據需要含有固化促進劑、黏著性賦予劑、抗氧化劑、顏料、染料、增塑劑、紫外線吸收劑、消泡劑、平整劑(leveling agent)、填充劑、阻燃劑以及黏度調節劑等中的至少一種物質。

黏合劑層3的厚度無特別限定，能夠根據需要適當地設定。能夠使黏合劑層3的厚度在3μm以上，較佳為4μm以上；能夠使黏合劑層3的厚度在10μm以下，較佳為7μm以下。

導電性填料並無特別限定，例如，能夠使用金属填料、由金属覆蓋的樹脂填料、碳填料及這些物質的混合物。上述金属填料有：銅粉、銀粉、鎳粉、鍍銀銅粉、鍍金銅粉、鍍銀鎳粉、鍍金鎳粉，上述金属粉末可以利用電解法、霧化法或還原法製備。

特別是，為使填料彼此間易於接觸，較佳為使導電性填料的平均粒徑在3~50μm這一範圍內。導電性填料的形狀例如有：球狀、片狀、樹枝狀、纖維狀等。從連接電阻、成本的觀點出發，較佳為從由其中的銀粉、鍍銀銅粉、銅粉構成的群中選出的至少一種粉末。

藉由讓黏合劑層3含有導電性填料，便能夠使黏合劑層3為各向異性導電性黏合劑層或各向同性導電性黏合劑層。

在導電性黏合劑層為各向同性導電性黏合劑層的情況下，相對於黏合劑層3的總量，能夠使導電性填料的配合量在大於39wt%且不小於400wt%的範圍內。在導電性黏合劑層為各向異性導電性黏合劑層的情況下，相對於黏合劑層3的總量，能夠使導電性填料的配合量在3wt%~39wt%的範圍內。

<保護層>

保護層4只要具有能夠保護屏蔽層2的規定的機械強度、抗化性以及耐熱性等即可。保護層4具有足夠的絕緣性，只要能夠保護黏合劑層3和屏蔽層2即可，無特別限定。能夠使用例如熱塑性樹脂組合物、熱固性樹脂組合物或者活性能射線固化性組合物等。

熱塑性樹脂組合物並無特別限定，能夠使用苯乙烯類樹脂組合物、酢酸乙烯酯類樹脂組合物、聚酯類樹脂組合物、聚乙烯類樹脂組合物、聚丙烯類樹脂組合物、醯亞胺類樹脂組合物或丙烯酸類樹脂組合物等。熱固性樹脂組合物並無特別限定，能夠使用苯酚類樹脂組合物、環氧類樹脂組合物、末端具有异氰酸酯基的聚氨酯類樹脂組合物、末端具有异氰酸酯基的尿素類樹脂組合物、末端具有异氰酸酯基的聚氨酯尿素類樹脂組合物、三聚氰胺類樹脂組合物或醇酸類樹脂組合物等。活性能射線固化性組合物並無特別限定，能夠使用例如分子中具有至少兩個(甲基)丙烯醯氧基((Meth)acryloyloxy group)的聚合性化合物等。上述樹脂既可以單獨使用，也可以兩種以上同時使用。

其中，從提高抗回流性，防止電磁波屏蔽膜1和印刷配線板之間的電連接性下降的觀點出發，較佳為，末端具有异氰酸酯基的尿素類樹脂組合物或同時使用了末端具有异氰酸酯基的聚氨酯尿素類樹脂組合物與環氧類樹脂的樹脂。而且，較佳為，末端具有异氰酸酯基的聚氨酯類樹脂組合物或末端具有异氰酸酯基的尿素聚氨酯類樹脂組合物具有1~30mgKOH/g的酸值，尤佳為具有3~20mgKOH/g的酸值。酸值在1~30mgKOH/g的範圍內且酸值不同的兩個以上的聚氨酯類樹脂或聚氨酯尿素類樹脂可以同時使用。如果酸值在1mgKOH/g以上，則電磁波屏蔽膜的抗回流性良好；如果酸值在30mgKOH/g以下，則電磁波屏蔽膜的抗彎性良好。需要說明的是，按照JIS K 0070-1992測量酸值。保護層4既可以由單獨的一種材料形成，又可以由兩種以上的材料形成。

保護層4，還可以根據需要，含有固化促進劑、黏著性賦予劑、抗氧化劑、顏料、染料、增塑劑、紫外線吸收劑、消泡劑、平整劑、填充劑、阻燃劑、黏度調節劑以及抗黏劑等中的至少一種物質。

保護層4可以為材質、硬度或彈性模量等物性不同的兩層以上的疊層體。例如，如果使保護層4為具有硬度較低的外層和硬度較高的內層的疊層體，外層便具有緩衝效果。在印刷配線板上對電磁波屏蔽膜1加熱加壓的製程中，能夠減輕施加給屏蔽層2的壓力。因此，能夠抑制屏蔽層2遭受形成在印刷配線板上的高低台階破壞。

保護層4的厚度並無特別限定，能夠根據需要適當地設定，能夠使保護層4的厚度在1μm以上，較佳為4μm以上；能夠使保護層4的厚度在20μm以下，較佳為10μm以下，尤佳為5μm以下。藉由將保護層4的厚度設定在1μm以上，能夠充分地對黏合劑層3和屏蔽層2進行保護。藉由將保護層4的厚度設定在20μm以下，能夠確保電磁波屏蔽膜1的折彎性。從而易於將一張電磁波屏蔽膜1應用到需要有折彎性的部件中。

(電磁波屏蔽膜的製造方法)

接下來，說明本發明之電磁波屏蔽膜2的製造方法之一例。本發明之電磁波屏蔽膜2的製造方法並無特別限定。例如，能夠示例出的製造製程包括以下製程：形成保護層4的製程、在保護層4的表面上形成第一金屬層5的製程、在第一金屬層5的與保護層4相反一側的表面上形成第二金属層6的製程、將黏合劑層用組合物塗佈在第二金属層6的與第一金屬層5相反一側的表面上之後，將黏合劑組成用組合物固化而形成黏合劑層3的製程。

<保護層形成製程>

首先，製備保護層用組合物。將適量的溶劑及其它配合劑添加到該保護層用組合物中，即能夠製備出保護層用組合物。溶劑例如有：甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲醇、乙醇、丙醇、二甲基甲醯胺等。其它配合劑有交聯劑、聚合用触媒、固化促進劑以及著色劑等。根據需要，添加其它配合劑即可。

其次，將製備好的保護層用組合物塗佈在支撐基材的一個面上。將保護層用組合物塗佈在支撐基材的一個面上的方法並無特別限定，能夠採用唇塗佈(LIP Coating)、缺角輪塗佈(COMMA Coating)、凹版印刷塗佈(Gravure Coating)或狹縫型擠壓式塗佈(Slot Die Coating)等公知技術。

能夠使支撐基材例如為膜狀。支撐基材並無特別限定，例如，能夠用聚烯烴類、聚酯類、聚醯亞胺類、聚苯硫醚系等材料形成支撐基材。需要說明的是，可以在支撐基材和保護層用組合物之間設置脫模劑層。

將保護層用組合物塗布在支撐基材上以後，進行加熱乾燥除去溶劑，即會形成保護層4。需要說明的是，能夠從保護層4上將支撐基材剝離下來。即，在將電磁波屏蔽膜1貼到印刷配線板上以後，能夠進行支撐基材的剝離。這樣，就能夠利用支撐基材來保護電磁波屏蔽膜1。

<第一金屬層形成製程>

其次，在保護層4的表面上形成第一金屬層5。更具體而言，將膜設置在分批處理式真空蒸鍍裝置(ALVAC株式會社製EBH-800)內，使用大小為50mm×550mm的鎳靶，在氬氣環境中將真空度調節到5×10^-1Pa以下，連續施加DC電源的時間要保證該膜達到規定的金属膜厚，由此即能夠形成第一金屬層5。需要說明的是，濺鍍後進行的形成第二金属層6的真空蒸鍍是連續進行的，且在濺鍍和蒸鍍之間使處理中的支撐基材不與大氣接觸。

這裡，本實施方式中，如果採用濺鍍法形成第一金屬層5，就能夠使第一金屬層5和保護層4之間具有足夠大的附著力。而且，藉由用鎳形成第一金屬層5，就能夠抑制第二金属層6的平均晶體粒徑，從而抑制第二金属層6的表面氧化。

<第二金属層形成製程>

其次，在第一金屬層5的與保護層4相反一側的表面上形成第二金属層6。更具體而言，將膜設置在分批處理式真空蒸鍍裝置(ALVAC株式會社製EBH-800)內，將銅載置於蒸鍍板上，銅的量要保證能夠達到目標厚度，之後，抽真空直到真空度達到9.0×10^-3Pa以下為止，然後加熱蒸鍍板進行了真空蒸鍍。需要說明的是，形成第一金屬層5和形成第二金属層6時，都連續進行了處理，且在濺鍍和蒸鍍之間使處理中的支撐基材不與大氣接觸。

這裡，本實施方式中，形成平均晶體粒徑較小的第二金属層6的方法，較佳為真空蒸鍍法。如果採用濺鍍法等，金属晶體的生長速度就會較快，而難以將平均晶體粒徑抑制在200nm以下。因此，較佳為採用真空蒸鍍法形成第二金属層6。

<黏合劑層形成製程>

其次，將黏合劑層用組合物塗布在第二金属層6的與第一金屬層5相反一側的表面上，來形成黏合劑層3。這裡，黏合劑層用組合物含有樹脂組合物和溶劑。樹脂組合物並無特別限定，能夠使用苯乙烯類樹脂組合物、酢酸乙烯酯類樹脂組合物、聚酯類樹脂組合物、聚乙烯類樹脂組合物、聚丙烯類樹脂組合物、醯亞胺類樹脂組合物、醯胺類樹脂組合物或丙烯酸類樹脂組合物等熱塑性樹脂組合物；黏合性樹脂組合物還能夠使用苯酚類樹脂組合物、環氧類樹脂組合物、聚氨酯類樹脂組合物、三聚氰胺類樹脂組合物或醇酸類樹脂組合物等熱固性樹脂組合物等。上述黏合性樹脂組合物既可以單獨使用，也可以兩種以上同時使用。

溶劑，例如能夠使用甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲醇、乙醇、丙醇、二甲基甲醯胺等。

還可以根據需要，讓黏合劑層用組合物中含有固化促進劑、黏著性賦予劑、抗氧化劑、顏料、染料、增塑劑、紫外線吸收劑、消泡劑、平整劑、填充劑、阻燃劑以及黏度調節劑等中的至少一種物質。只要根據黏合劑層3的厚度等適宜地設定樹脂組合物在黏合劑層用組合物中的比率即可。

將黏合劑層用組合物塗布在第二金属層6上的方法並無特別限定，能夠採用唇塗佈、缺角輪塗佈、凹版印刷塗佈、狹縫型擠壓式塗佈等方法。

將黏合劑層用組合物塗布在第二金属層6上以後，進行加熱乾燥除去溶劑，即會形成黏合劑層3。需要說明的是，還可以根據需要，將脫模膜貼在黏合劑層3的表面上。

(屏蔽印刷配線板)

本實施方式中的電磁波屏蔽膜1例如能夠用在圖2所示的屏蔽印刷配線板30上。該屏蔽印刷配線板30包括印刷配線板20和電磁波屏蔽膜1。

印刷配線板20包括底層11、印刷電路(接地電路)12、絕緣性黏合劑層13以及絕緣性覆蓋層14。其中，該印刷電路(接地電路)12形成在底層11上；該絕緣性黏合劑層13形成在底層11上且與印刷電路12相鄰；在該絕緣性覆蓋層14上形成有用於讓印刷電路12的一部分露出的開口部15，該絕緣性覆蓋層14覆蓋絕緣性黏合劑層13。需要說明的是，由絕緣性黏合劑層13和覆蓋層14構成印刷配線板20的絕緣層。

底層11、絕緣性黏合劑層13以及覆蓋層14並無特別限定，例如能夠使它們為樹脂膜等。在該情況下，能夠由聚丙烯、交聯聚乙烯、聚酯、聚苯並咪唑、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺、聚醚醯亞胺或聚苯硫醚等樹脂形成底層11、絕緣性黏合劑層13以及覆蓋層14。還能夠使印刷電路12為例如形成在底層11上的銅配線圖案等。

需要說明的是，讓黏合劑層3位於覆蓋層14這一側，這樣將電磁波屏蔽膜1與印刷配線板20黏合在一起。

其次，說明屏蔽印刷配線板30的製造方法。將電磁波屏蔽膜1載置於印刷配線板20上，利用壓力機一邊加熱一邊加壓。藉由加壓讓由於加熱而變軟的黏合劑層3的一部分流入形成在覆蓋層14上的開口部15內。這樣一來，屏蔽層2和印刷配線板20的接地電路12便經導電性黏合劑連接起來，屏蔽層2和接地電路12即被連接在一起了。

【實施例】

下面，參照實施例說明本發明。需要說明的是，本發明並不限於以下實施例，能夠基於本發明之主旨對下述實施例進行變形、變更等，這些變形、變更等不應被排除在發明範圍外。

(實施例1) <電磁波屏蔽膜的製造>

支撐基材使用了厚度為60μm且表面經過了脫模處理的PET膜。接下來，將雙酚A型環氧類樹脂(三菱化學株式會社製，jER1256)和甲乙酮形成的保護層用組合物(固形物的量為30質量%)塗布在支撐基材上，並加熱乾燥，由此而製作出厚度為5μm的帶保護層的支撐基材。

其次，在保護層的表面上形成了屏蔽層。更具體而言，將帶保護層的支撐基材設置在分批處理式真空蒸鍍裝置(ALVAC株式會社製EBH-800)內，在氬氣環境中將真空度調節到5×10^-1Pa以下，利用磁控濺鍍法(DC電源輸出：3.0kW)蒸鍍厚度為5nm的鎳而形成了第一金屬層。

其次，將銅載置於蒸鍍板上，抽真空而使真空度達到9.0×10^-3Pa以下為止，之後，加熱蒸鍍板進行了真空蒸鍍，形成了厚度為0.5μm的第二金属層。需要說明的是，形成第一金屬層和形成第二金属層時，都連續進行了處理，且在濺鍍和蒸鍍之間使處理中的基材不與大氣接觸。

其次，將由環氧類樹脂和平均晶體粒徑為3μm的球狀鍍銀銅粉(配合量為50wt%)形成的黏合劑塗布在屏蔽層的表面上，形成了厚度為5μm的黏合劑層。

<屏蔽印刷配線板的製作>

其次，使已製作出的電磁波屏蔽膜的黏合劑層和印刷配線板相對，這樣將該已製作出的電磁波屏蔽膜與印刷配線板摞起來，用壓力機在170℃、3.0MPa的条件下加熱加壓1分鐘後，再在相同的溫度和壓力下加熱加壓3分鐘，將支撐基材從保護層上剝離下來，而製作出了屏蔽印刷配線板。

需要說明的是，印刷配線板的具體情況如下：其具有彼此之間留有間隔且平行延伸的兩條銅箔圖案和覆蓋銅箔圖案且由聚醯亞胺形成的絕緣層(厚度：25μm)，在絕緣層上形成有讓各銅箔圖案露出的開口部(直徑：1mm)。將電磁波屏蔽膜的黏合劑層和印刷配線板摞起來，讓該開口部完全被電磁波屏蔽膜覆蓋。

<抗回流性評價>

其次，對製作出的屏蔽印刷配線板進行了抗回流性評價。回流的条件如下：假定是無鉛焊料，設定了將屏蔽印刷配線板上的屏蔽膜暴露在265℃之溫度下1秒鐘那樣的溫度曲線。

將屏蔽印刷配線板暴露在上述曲線的溫度条件下1次到5次，之後，如圖3所示，用電阻計42測量了形成在印刷配線板40上的兩條銅箔圖案41間的電阻值，對銅箔圖案41和電磁波屏蔽膜43之間的電連接性做了評價。

上述回流製程進行了5次，對每次回流後的電阻值的變化情況做了評價。以上結果示於表1。

(實施例2)

除了將第一金屬層的鎳膜厚變更為10nm以外，其它方面都與實施例1一樣，在這樣的條件下製作了電磁波屏蔽膜和屏蔽印刷配線板，對抗回流性做了評價。以上結果示於表1。

(實施例3)

除了將第一金屬層的鎳膜厚變更為7nm以外，其它方面都與實施例1一樣，在這樣的條件下製作了電磁波屏蔽膜和屏蔽印刷配線板，對抗回流性做了評價。以上結果示於表1。

(實施例4)

除了將第一金屬層的鎳膜厚變更為3nm以外，其它方面都與實施例1一樣，在這樣的條件下製作了電磁波屏蔽膜和屏蔽印刷配線板，對抗回流性做了評價。以上結果示於表1。

(比較例1)

除了將形成第一金屬層的金属變更為銅且將銅膜厚變更為10nm以外，其它方面都與實施例1一樣，在這樣的條件下製作了電磁波屏蔽膜和屏蔽印刷配線板，對抗回流性做了評價。以上結果示於表1。

由表1可知，在第二金属層的平均晶體粒徑在50nm以上200nm以下的實施例1~4中，即使是在回流製程中多次暴露的情況下，也能夠抑制電阻值上昇，穩定地維持了電磁波屏蔽膜和印刷配線板之間的電連接性。

1‧‧‧電磁波屏蔽膜

2‧‧‧屏蔽層

3‧‧‧黏合劑層

4‧‧‧保護層

5‧‧‧第一金屬層

6‧‧‧第二金属層

T₁‧‧‧第一金屬層5的厚度

T₂‧‧‧第二金屬層6的厚度

Claims

一種電磁波屏蔽膜，其包括屏蔽層、黏合劑層以及保護層，其中，該屏蔽層由以鎳為主要成分的第一金屬層和以銅為主要成分的第二金属層構成，該黏合劑層形成在前述屏蔽層的靠前述第二金属層一側的面上，該保護層形成在前述屏蔽層的靠前述第一金屬層一側的面上，其特徵在於：前述第二金属層的平均晶體粒徑在50nm以上200nm以下。
如請求項1所述的電磁波屏蔽膜，其中：前述第一金屬層的厚度和前述第二金属層的厚度之和在0.105μm以上3.03μm以下。
如請求項1或2所述的電磁波屏蔽膜，其中：前述第二金属層的厚度在0.1μm以上3μm以下。
如請求項1到3中任一項所述的電磁波屏蔽膜，其中：前述第一金屬層的厚度在5nm以上30nm以下。
一種電磁波屏蔽膜的製造方法，該電磁波屏蔽膜包括屏蔽層、黏合劑層以及保護層，其中，該屏蔽層由以鎳為主要成分的第一金屬層和以銅為主要成分的第二金属層構成，該黏合劑層形成在前述屏蔽層的靠前述第二金属層一側，該保護層形成在前述屏蔽層的靠前述第一金屬層一側；前述第一金屬層係利用濺鍍法形成，前述第二金属層係利用真空蒸鍍法形成。