TW202135638A - 電磁波屏蔽膜 - Google Patents

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Abstract

本揭示發明提供一種電磁波屏蔽膜，其經濟性優異，而且與印刷配線板之接著性優異，在歷經高熱環境下後，可發揮優異之屏蔽性能，且電磁波屏蔽層與接地電路之連接穩定性優異。 本揭示發明之電磁波屏蔽膜具備電磁波屏蔽層、及設置於電磁波屏蔽層之一面上的導電性接著劑層，且電磁波屏蔽層含有鋁作為構成材料，導電性接著劑層含有鎳粒子作為導電性粒子，而前述鎳粒子之圓形度之平均值在0.85以下，前述圓形度之10%累積值在0.65以下。

Description

電磁波屏蔽膜
發明領域 本揭示發明是有關於一種電磁波屏蔽膜。
背景技術 迄今，在以智慧型手機或平板終端為首的行動設備等中，為了阻隔從內部產生的電磁波抑或從外部侵入的電磁波，一直是使用黏貼有電磁波屏蔽膜的撓性印刷配線板(FPC)。
就電磁波屏蔽膜而言，已知的是例如具備金屬薄膜等電磁波屏蔽層、及含有導電性粒子之導電性接著劑層的電磁波屏蔽膜。將電磁波屏蔽膜之導電性接著劑層疊合於印刷配線板之被覆電路圖案之絕緣層上，並在此狀態下進行加熱壓製，藉此電磁波屏蔽膜可接著於印刷配線板而製作出屏蔽印刷配線板。
於絕緣層設置有露出接地電路的開口部，藉由在將電磁波屏蔽膜載置於印刷配線板上的狀態下進行加熱壓製，上述導電性接著劑層會流動而使上述開口部被導電性接著劑填充。藉此，電磁波屏蔽層與印刷配線板之電路圖案中所含接地電路會透過導電性接著劑而電連接，電磁波屏蔽膜可發揮屏蔽性能。
然後，藉由歷經焊料回流步驟，於屏蔽印刷配線板上安裝零件。焊料回流步驟是暴露在例如270℃之高溫下。
又，近年來，從削減成本之觀點來看，上述電磁波屏蔽膜已知的是使用鋁作為電磁波屏蔽層的電磁波屏蔽膜(例如參照專利文獻1及2)。
先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本特開平7-122883號公報 專利文獻2：國際公開第2017/164174號
發明概要 發明欲解決之課題 然而，專利文獻1中記載的電磁波屏蔽膜中，使用鋁的電磁波屏蔽層其與導電性粒子之組合會有以下問題：在通過上述焊料回流步驟後，電磁波屏蔽層與接地電路之導通電阻會上升，而無法發揮原有的屏蔽性能。又，專利文獻2中記載的電磁波屏蔽膜中，使用鋁的電磁波屏蔽層其與導電性粒子之組合則會有以下問題：與印刷配線板之接著性差，在通過上述焊料回流步驟後，無法獲得電磁波屏蔽層與接地電路之連接穩定性。因此，需要有一種電磁波屏蔽膜，其與印刷配線板之接著性優異，在歷經高熱環境下後可發揮優異之屏蔽性能，且電磁波屏蔽層與接地電路之連接穩定性優異。
故，本揭示發明之目的在提供一種電磁波屏蔽膜，其經濟性優異，而且與印刷配線板之接著性優異，在歷經高熱環境下後，可發揮優異之屏蔽性能，且電磁波屏蔽層與接地電路之連接穩定性優異。
用以解決課題之手段 本揭示發明的發明人等為了達成上述目的精心探討，結果發現，在電磁波屏蔽層中使用鋁而且使用特定鎳粒子作為導電性接著劑層中之導電性粒子，若藉由此種電磁波屏蔽膜，則經濟性優異，而且與印刷配線板之接著性優異，在歷經高熱環境下後，可發揮優異之屏蔽性能，且電磁波屏蔽層與接地電路之連接穩定性優異。本揭示發明是根據該等見解而完成。
本揭示發明提供一種電磁波屏蔽膜，其具備電磁波屏蔽層、及設置於上述電磁波屏蔽層之一面上的導電性接著劑層；上述電磁波屏蔽層含有鋁作為構成材料；上述導電性接著劑層含有鎳粒子作為導電性粒子，而上述鎳粒子之圓形度之平均值在0.85以下，上述圓形度之10%累積值在0.65以下。
上述電磁波屏蔽膜使用較銀或銅便宜的鋁作為電磁波屏蔽層之構成材料，因此經濟性優異。又，導電性接著劑層中之導電性粒子是使用圓形度之平均值在0.85以下、圓形度之10%累積值在0.65以下的鎳粒子。上述圓形度是顯示鎳粒子二維形狀與圓的相近度之指標，圓形度愈高，則二維形狀愈接近圓，若圓形度為1.0，則表示該形狀為正圓。即，鎳粒子之圓形度之平均值在0.85以下，就表示鎳粒子的二維形狀與正圓相差到一定程度，鎳粒子之圓形度之10%累積值在0.65以下，則表示圓形度小的鎳粒子之比率多到一定程度。藉由使用此種鎳粒子作為導電性粒子，上述電磁波屏蔽膜雖然使用鋁作為電磁波屏蔽層之構成材料，與印刷配線板之接著性卻優異，在歷經高熱環境下後，可發揮優異之屏蔽性能，且電磁波屏蔽層與接地電路之連接穩定性優異。
上述鎳粒子之形狀宜為絲狀。
上述鎳粒子之平均長寬比宜在0.70以下。
上述鎳粒子之長寬比之10%累積值宜在0.50以下。
上述鎳粒子之中位直徑宜為1~30μm。
上述導電性接著劑層中上述鎳粒子之含有比率宜為2~80質量%。
發明效果 本揭示發明之電磁波屏蔽膜，其經濟性優異，而且與印刷配線板之接著性優異，在歷經高熱環境下後，可發揮優異之屏蔽性能，且電磁波屏蔽層與接地電路之連接穩定性優異。
用以實施發明之形態 [電磁波屏蔽膜] 本揭示發明之電磁波屏蔽膜，至少具備電磁波屏蔽層、及設置於上述電磁波屏蔽層之至少一面上的導電性接著劑層。上述電磁波屏蔽膜亦可具備上述電磁波屏蔽層及上述導電性接著劑層以外的其他層。作為上述其他層，可於上述電磁波屏蔽層之與上述導電性接著劑層相反之側具備絕緣層。
以下說明上述電磁波屏蔽膜之一實施形態。圖1為截面示意圖，其顯示上述電磁波屏蔽膜之一實施形態。
圖1所示之電磁波屏蔽膜1具備：電磁波屏蔽層2；導電性接著劑層3，其鄰接設置於電磁波屏蔽層2之一面上；及絕緣層4，其鄰接設置於電磁波屏蔽層2之另一面上。換言之，電磁波屏蔽膜1依此順序具備：導電性接著劑層3、電磁波屏蔽層2及絕緣層4。
(電磁波屏蔽層) 上述電磁波屏蔽層含有鋁作為構成材料。含有鋁作為構成材料的上述電磁波屏蔽層可列舉：鋁層(由鋁構成的層體)、由鋁與其他金屬之合金構成的合金層、該等層體形成於其他層(膜或其他金屬層等)之表面而成者(已施以金屬鍍敷的層體)等。又，形成上述鋁層或上述合金層的方法並無特殊限制，例如可列舉：電解、蒸鍍(例如真空蒸鍍)、濺鍍、化學氣相蒸鍍(CVD)法、有機金屬沉積(MO)法、鍍敷、輥軋加工等。上述電磁波屏蔽層可為單層、複層(例如已施以金屬鍍敷的層體)中任一者。
上述電磁波屏蔽層之厚度並無特殊限制，宜為0.01μm以上，較佳為0.1μm以上。若上述厚度在0.01μm以上，屏蔽性能會變得更加良好；從柔軟性優異之觀點、以及10MHz以上高頻信號傳輸特性優異且高頻信號之屏蔽性能更加優異之觀點來看，上述厚度宜為12μm以下，較佳為10μm以下，更佳為3μm以下。又，鋁層之厚度宜在上述範圍內。
(導電性接著劑層) 上述導電性接著劑層例如具有用以將上述電磁波屏蔽膜接著於印刷配線板的接著性與導電性。導電性接著劑層宜與電磁波屏蔽層鄰接形成。導電性接著劑層可為單層、複層中任一者。
上述導電性接著劑層含有鎳粒子作為導電性粒子。電磁波屏蔽層中所使用的鋁雖容易氧化而於表面形成氧化膜，不過鎳粒子可利用其硬度等效果穿破上述氧化膜，而能穩定維持良好的電連接。另，若為其他柔軟的金屬粒子之情形時，即便是具有突起等的形狀，亦難以穿破氧化膜，便難以獲得良好的電連接。上述鎳粒子可僅使用一種，在無損本揭示發明之目的範圍內，亦可使用二種以上。
上述鎳粒子之圓形度之平均值在0.85以下，宜為0.84以下，較佳為0.83以下。上述圓形度之平均值宜小，不過，從在導電性接著劑層之厚度方向及面方向可獲得更加良好之導電性之觀點來看，則例如為0.60以上，宜為0.70以上，較佳為0.75以上。
上述鎳粒子之圓形度之10%累積值在0.65以下，宜為0.64以下，較佳為0.63以下。上述圓形度之10%累積值宜小，不過，從在導電性接著劑層之厚度方向及面方向可獲得更加良好之導電性之觀點來看，則例如為0.40以上，宜為0.45以上，較佳為0.50以上。
圓形度是：面積等同粒子投影影像的圓之周長除以粒子投影影像之圓周長後之值。又，圓形度之10%累積值是將頻率累積設為100%時相當於累積10%之值。關於上述圓形度的各種值可利用實施例中說明的方法來測定。
上述電磁波屏蔽膜使用較銀或銅便宜的鋁作為電磁波屏蔽層之構成材料，因此經濟性優異。又，導電性接著劑層中之導電性粒子是使用圓形度之平均值在0.85以下、上述圓形度之10%累積值在0.65以下的鎳粒子。上述圓形度是顯示鎳粒子的投影影像(二維形狀)與圓的相近度之指標，圓形度愈高，則二維形狀愈接近圓，若圓形度為1.0，則表示該形狀為正圓。即，鎳粒子之圓形度之平均值在0.85以下，就表示鎳粒子的二維形狀與正圓相差到一定程度；鎳粒子之圓形度之10%累積值在0.65以下，則表示圓形度小的鎳粒子之比率多到一定程度。藉由使用此種鎳粒子作為導電性粒子，上述電磁波屏蔽膜雖然使用鋁作為電磁波屏蔽層之構成材料，與印刷配線板之接著性卻優異，在歷經高熱環境下後，可發揮優異之屏蔽性能，且電磁波屏蔽層與接地電路之連接穩定性優異。
上述鎳粒子之平均長寬比宜為0.70以下，較佳為0.69以下。上述平均長寬比例如為0.60以上，宜為0.65以上。
上述鎳粒子之長寬比之10%累積值宜為0.50以下，較佳為0.49以下。上述長寬比之10%累積值例如為0.35以上，宜為0.40以上。
長寬比是：以長方形包圍投影影像中鎳粒子之粒子圖形時的最小長方形設為外接長方形，此時該外接長方形之長度與寬度的比(縱橫比)。上述平均長寬比在0.70以下，就表示上述最小長方形中長度相對於寬度長到一定程度；上述長寬比之10%累積值在0.50以下，則表示長寬比小的鎳粒子之比率多到一定程度。當使用此種鎳粒子作為導電性粒子時，於導電性接著劑層中在厚度方向上延伸配置時，厚度方向之導電性會變得更加優異，在歷經高熱環境下後，可發揮優異之屏蔽性能，且電磁波屏蔽層與接地電路之連接穩定性會更加優異。吾人推測這是因為導電性接著劑層中，上述鎳粒子容易配置在面方向上，結果電磁波屏蔽層與接地電路之連接處就會增加，因此可穩定電阻值。關於上述長寬比的各種值可利用實施例中說明的方法來測定。
上述鎳粒子之形狀宜為絲狀。絲狀鎳粒子例如為：10個~1000個左右之一次粒子連成鏈狀而形成絲狀二次粒子且以鎳作為主成分的粒子。若上述鎳粒子為絲狀，以該形狀所致之效果而言，穿破上述氧化膜變得更加容易，歷經高熱環境下後的連接穩定性會更加優異。
上述鎳粒子之中位直徑(D50)宜為1~30μm，較佳為2~20μm，更佳為3~13μm。若中位直徑在1μm以上，後述電阻值會降低，屏蔽性能變得更加良好。若中位直徑在30μm以下(尤其是13μm以下)，導電性接著劑層中上述鎳粒子會更加分散，與印刷配線板之接著性會更加優異，在歷經高熱環境下後，電磁波屏蔽層與接地電路之連接穩定性會更加優異。上述中位直徑是利用雷射繞射式粒徑分布測定裝置所測得的圓等效直徑。
上述導電性接著劑層中鎳粒子之含有比率並無特殊限制，相對於導電性接著劑層之總量100質量%，宜為2~60質量%，較佳為3~50質量%，更佳為4~40質量%，再更佳為4.5~30質量%，尤以5~25質量%為佳。若上述含有比率在2質量%以上，導電性會變得更加良好。又，即便上述含有比率已大量摻合到30質量%以上，上述電磁波屏蔽膜在歷經高熱環境下後仍可發揮與印刷配線板之接著性。若上述含有比率在60質量%以下，則可含有足量的黏結劑成分，對印刷配線板之接著性會變得更加良好。又，即便上述含有比率為25質量%以下的較少量摻合量，上述電磁波屏蔽膜在歷經高熱環境下後，仍可發揮優異之屏蔽性能及電磁波屏蔽層與接地電路之連接穩定性。
上述導電性接著劑層宜含有可發揮接著劑機能的黏結劑成分。上述黏結劑成分可列舉：熱塑性樹脂、熱硬化型樹脂、活性能量線硬化型化合物等。上述黏結劑成分可僅使用一種，亦可使用二種以上。
上述熱塑性樹脂例如可列舉：聚苯乙烯系樹脂、乙酸乙烯酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚烯烴系樹脂(例如聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂組成物等)、聚醯亞胺系樹脂、丙烯酸系樹脂等。上述熱塑性樹脂可僅使用一種，亦可使用二種以上。
上述熱硬化型樹脂可列舉：具有熱硬化性的樹脂(熱硬化性樹脂)及令上述熱硬化性樹脂硬化而得的樹脂兩者。上述熱硬化性樹脂例如可列舉：酚系樹脂、環氧系樹脂、胺甲酸酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂、醇酸系樹脂等。上述熱硬化型樹脂可僅使用一種，亦可使用二種以上。
上述環氧系樹脂例如可列舉：雙酚型環氧系樹脂、螺環型環氧系樹脂、萘型環氧系樹脂、聯苯型環氧系樹脂、萜烯型環氧系樹脂、環氧丙基醚型環氧系樹脂、環氧丙基胺型環氧系樹脂、酚醛清漆型環氧系樹脂等。
上述雙酚型環氧樹脂例如可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、四溴雙酚A型環氧樹脂等。上述環氧丙基醚型環氧樹脂例如可列舉：參(環氧丙氧基苯基)甲烷、肆(環氧丙氧基苯基)乙烷等。上述環氧丙基胺型環氧樹脂可舉例如：四環氧丙基二胺基二苯甲烷等。上述酚醛清漆型環氧樹脂例如可列舉：甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、α-萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、溴化苯酚酚醛清漆型環氧樹脂等。
上述活性能量線硬化型化合物可列舉：可利用活性能量線照射而硬化的化合物(活性能量線硬化性化合物)及令上述活性能量線硬化性化合物硬化而得的化合物兩者。活性能量線硬化性化合物並無特殊限制，可舉例如：分子中具有1個以上(宜為2個以上)自由基反應性基(例如(甲基)丙烯醯基)的聚合性化合物等。上述活性能量線硬化型化合物可僅使用一種，亦可使用二種以上。
就上述黏結劑成分而言，其中又以熱硬化型樹脂為佳。在此情形下，在將電磁波屏蔽膜配置於印刷配線板上後，可利用加壓及加熱使黏結劑成分硬化，接著性會變得更加良好。
當上述黏結劑成分含有熱硬化型樹脂時，構成上述黏結劑成分的成分亦可含有用以促進熱硬化反應的硬化劑。上述硬化劑可依照上述熱硬化性樹脂之種類適當選擇。上述硬化劑可僅使用一種，亦可使用二種以上。
上述導電性接著劑層中黏結劑成分之含有比率並無特殊限制，相對於導電性接著劑層之總量100質量%，宜為40~98質量%，較佳為50~97質量%，更佳為60~96質量%，再更佳為70~95.5質量%，尤以75~95質量%為佳。若上述含有比率在40質量%以上，對印刷配線板之接著性會更加優異。若上述含有比率在98質量%以下，則可含有足量的導電性粒子。
上述導電性接著劑層可視需要設為具有各向同性導電性或各向異性導電性之層體。其中，從提升印刷配線板之信號電路傳輸高頻信號之傳輸特性之觀點來看，上述導電性接著劑層宜具有各向異性導電性。
在無損本揭示發明效果之範圍內，上述導電性接著劑層亦可含有上述各成分以外的其他成分。上述其他成分可舉如公知或慣用接著劑層中所含成分。上述其他成分例如可列舉：硬化促進劑、塑化劑、阻燃劑、消泡劑、黏度調節劑、抗氧化劑、稀釋劑、防沉劑、填充劑、著色劑、調平劑、耦合劑、紫外線吸收劑、賦黏樹脂、抗結塊劑等。上述其他成分可僅使用一種，亦可使用二種以上。另，導電性接著劑層所含全體導電性粒子之中，圓形度之平均值及10%累積值在上述範圍內的鎳粒子，其比率宜為90質量%以上，較佳為95質量%以上，更佳為98質量%以上。
上述導電性接著劑層之厚度宜為3~20μm，較佳為5~15μm。另，為了讓導電性接著劑層具有各向異性，導電性接著劑層之厚度宜設為上述鎳粒子之中位直徑以下。在此情形下，電磁波屏蔽膜與印刷配線板的電連接會變得良好。
(絕緣層) 上述絕緣層在上述電磁波屏蔽膜中，具有保護上述導電性接著劑層及/或上述電磁波屏蔽層之機能。
上述絕緣層宜含有黏結劑成分。上述黏結劑成分可列舉：熱塑性樹脂、熱硬化型樹脂、活性能量線硬化型化合物等。上述熱塑性樹脂、熱硬化型樹脂及活性能量線硬化型化合物分別可舉如：上述例示作為導電性接著劑層可含有的黏結劑成分。上述黏結劑成分可僅使用一種，亦可使用二種以上。
在無損本揭示發明之效果範圍內，上述絕緣層亦可含有上述黏結劑成分以外的其他成分。上述其他成分例如可列舉：硬化劑、硬化促進劑、塑化劑、阻燃劑、消泡劑、黏度調節劑、抗氧化劑、稀釋劑、防沉劑、填充劑、著色劑、調平劑、耦合劑、紫外線吸收劑、賦黏樹脂、抗結塊劑等。上述其他成分可僅使用一種，亦可使用二種以上。
上述絕緣層可為單層，亦可為複層。當上述絕緣層為複層時，例如可為2層以上材質不同或硬度、彈性模數等物性不同的積層體。舉例言之，低硬度外層與高硬度內層之積層體，其外層具有緩衝效果，故可緩和於印刷配線板上將電磁波屏蔽膜進行加熱加壓之步驟時施加於電磁波屏蔽層之壓力。因此，可抑制電磁波屏蔽層因印刷配線板上設有的高低差而受到破壞。
上述絕緣層之厚度並無特殊限制，可視需要適當設定，宜為1~20μm，較佳為2~15μm，更佳為3~10μm。若上述厚度在1μm以上，則可更充分保護電磁波屏蔽層及導電性接著劑層。若上述厚度在20μm以下，則柔軟性及撓曲性優異還有利於經濟。
上述電磁波屏蔽膜亦可於絕緣層側及/或導電性接著劑層側具有分離件(剝離膜)。分離件是以能從上述電磁波屏蔽膜剝離之方式積層。分離件是用以被覆並保護絕緣層、導電性接著劑層之要素，且會在使用電磁波屏蔽膜時剝下。
上述分離件例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、經氟系剝離劑或長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑塗佈表面的塑膠膜或紙類等。
上述分離件之厚度宜為10~200μm，較佳為15~150μm。若上述厚度在10μm以上，保護性能會更加優異。若上述厚度在200μm以下，使用時便容易剝離分離件。
上述電磁波屏蔽膜更可在絕緣層與電磁波屏蔽層間形成錨固塗佈層。當具有此種構造時，電磁波屏蔽層與絕緣層之接著性會變得更加良好。
形成上述錨固塗佈層的材料可列舉：胺甲酸酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、以胺甲酸酯系樹脂為殼且以丙烯酸系樹脂為核的核-殼型複合樹脂、環氧系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、三聚氰胺系樹脂、酚系樹脂、脲甲醛系樹脂、使苯酚等封端劑與聚異氰酸酯反應而得的封端異氰酸酯、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯啶酮等。上述材料可僅使用一種，亦可使用二種以上。
上述電磁波屏蔽膜利用下述導電性試驗求得的電阻值(初始電阻值)並無特殊限制，宜為500mΩ以下，較佳為400mΩ以下，更佳為小於300mΩ。若上述初始電阻值在500mΩ以下，電磁波屏蔽膜與接地電路之導通會變得良好。 [導電性試驗] 印刷配線板是使用具有以下構造的印刷配線板：在由聚醯亞胺膜構成的基底構件上，形成有擬似接地電路的2條銅箔圖案，且於其上形成有絕緣性接著劑層、及由厚度25μm之聚醯亞胺膜構成的覆蓋層。於覆蓋層上，形成有直徑1mm之模擬接地連接部的圓形開口部。又，使用壓機，於溫度170℃、壓力3.0MPa之條件下抽真空60秒鐘後，再加熱加壓180秒鐘以接著電磁波屏蔽膜與印刷配線板，並利用烘箱於150℃、60分之條件下加熱，利用電阻計測得2條銅箔圖案間的電阻值，設為電阻值。
令上述電磁波屏蔽膜通過已設定為暴露在265℃熱風下5秒鐘的溫度曲線之回流步驟3個循環後，其利用導電性試驗求得的電阻值(回流後電阻值)並無特殊限制，宜為1000mΩ以下，較佳為700mΩ以下，更佳為小於500mΩ。若上述電阻值在1000mΩ以下，歷經高溫環境下後的電磁波屏蔽膜與接地電路之導通會變得良好。另，上述回流後電阻值是針對已通過上述回流步驟3個循環後的電磁波屏蔽膜，以與上述初始電阻值之導電性試驗相同方式來測定。
上述電磁波屏蔽膜利用下述接著性試驗求得的接著力並無特殊限制，宜為3.0N/10mm以上，較佳為3.5N/10mm以上，更佳為大於4.0N/10mm。若上述接著力在3.0N/10mm以上，歷經高溫環境下後與印刷配線板之接著性優異。 [接著性試驗] 於電磁波屏蔽膜之導電性接著劑層面上，貼合厚度25μm之聚醯亞胺膜，並使用壓機，於溫度170℃、壓力3.0MPa之條件下抽真空60秒鐘後，再加熱加壓180秒鐘以進行接著。然後，於150℃、60分之條件下進行加熱處理，製作出測定試樣。然後，將測定試樣切割成10mm寬，並使用拉伸試驗機，以剝離速度50mm/min、剝離角度180°對導電性接著劑層與聚醯亞胺膜之界面進行剝離，藉此測得接著強度，設為接著力。
上述電磁波屏蔽膜宜為印刷配線板用途，且以撓性印刷配線板(FPC)用途尤佳。
(電磁波屏蔽膜之製造方法) 說明上述電磁波屏蔽膜之製造方法之一實施形態。製作圖1所示之電磁波屏蔽膜1時，首先，個別製作絕緣層4與電磁波屏蔽層2之積層體、及導電性接著劑層3。然後，將個別製作的積層體與導電性接著劑層3加以貼合(層合法)。
製作上述積層體時，絕緣層4例如可將用以形成絕緣層4的樹脂組成物塗佈(塗敷)於分離膜等暫時基材或基材上，並視需要去溶劑及/或局部硬化而形成。
除了上述絕緣層中所含各成分外，上述樹脂組成物例如含有溶劑(溶媒)。溶劑例如可列舉：甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲醇、乙醇、丙醇、二甲基甲醯胺等。樹脂組成物之固體成分濃度可依照所欲形成的絕緣層之厚度等適當設定。
上述樹脂組成物之塗佈可使用公知塗佈法。舉例言之，可使用凹版輥式塗佈機、反向輥式塗佈機、接觸輥式塗佈機、模唇塗佈機、浸漬輥式塗佈機、棒式塗佈機、刀式塗佈機、噴霧塗佈機、缺角輪塗佈機、直接塗佈機、狹縫式模具塗佈機等塗佈機。
然後，在分離件上所形成的絕緣層4之表面，形成電磁波屏蔽層2。電磁波屏蔽層2之形成宜利用蒸鍍法或濺鍍法來進行。上述蒸鍍法及濺鍍法可採用公知或慣用方法。如此一來，便製作出絕緣層4/電磁波屏蔽層2之積層體。
另一方面，製作導電性接著劑3時，例如可將用以形成導電性接著劑層3的接著劑組成物，塗佈(塗敷)於分離膜等暫時基材或基材上，並且視需要去溶劑及/或局部硬化而形成導電性接著劑層3。
除了上述導電性接著劑層中所含各成分外，上述接著劑組成物例如含有溶劑(溶媒)。溶劑可舉如：上述例示作為樹脂組成物可含有的溶劑。上述接著劑組成物之固體成分濃度可依照所欲形成的導電性接著劑層之厚度等適當設定。
上述接著劑組成物之塗佈可使用公知塗佈法。可舉例如：上述例示作為用來塗布樹脂組成物的塗佈機。
接著，將分別製作的積層體之露出面(電磁波屏蔽層2側)與導電性接著劑層3予以貼合，製作出電磁波屏蔽膜1。
作為上述層合法以外的其他態樣，電磁波屏蔽膜1亦可藉由依序積層各層的方法來製造(直接塗佈法)。舉例言之，圖1所示之電磁波屏蔽膜1可依下述來製造：於上述積層體之電磁波屏蔽層2表面，塗佈(塗敷)用以形成導電性接著劑層3的接著劑組成物，並且視需要去溶劑及/或局部硬化，以形成導電性接著劑層3。
可使用上述電磁波屏蔽膜來製作屏蔽印刷配線板。舉例言之，藉由將上述電磁波屏蔽膜之導電性接著劑層貼合於印刷配線板(例如覆蓋層)，可製得於印刷配線板上貼合有上述電磁波屏蔽膜的屏蔽印刷配線板。上述屏蔽印刷配線板中，上述導電性接著劑層例如可藉由後續加熱加壓處理而熱硬化。
實施例 以下，根據實施例，更詳細說明本揭示發明之電磁波屏蔽膜之一實施形態，惟本揭示發明之電磁波屏蔽膜並非僅限於該等實施例。
實施例1 (絕緣層之形成) 以固體成分量為20質量%之方式，於甲苯中摻合雙酚A型環氧系樹脂(商品名「jER1256」，三菱化學股份有限公司製造)100質量份、硬化劑(商品名「ST14」，三菱化學股份有限公司製造)0.1質量份，攪拌混合後，調製出樹脂組成物。將所得樹脂組成物，塗佈於表面經過脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜之脫模處理面上，並利用加熱進行去溶劑，藉此形成絕緣層(厚度6μm)。
(電磁波屏蔽層之形成) 利用蒸鍍法，於所得絕緣層之表面形成厚度為0.1μm之鋁層，製得絕緣層與電磁波屏蔽層之積層體。具體而言，將形成有絕緣層的PET膜載置於分批式真空蒸鍍裝置(商品名「EBH-800」，優貝克(ULVAC)股份有限公司製造)內，於氬氣環境氣體中，調整為極限真空度5×10-1 Pa以下，並利用磁控濺鍍法(DC電源輸出：3.0kW)，蒸鍍鋁至0.1μm之厚度。
(導電性接著劑層之形成) 以固體成分量為20質量%之方式，於甲苯中摻合雙酚A型環氧系樹脂(商品名「jER1256」，三菱化學股份有限公司製造)95質量份、硬化劑(商品名「ST14」，三菱化學股份有限公司製造)0.1質量份及由絲狀鎳粒子(No.1)構成的導電性粒子5質量份，攪拌混合後，調製出接著劑組成物。另，使用的導電性粒子之性質如表2所示。將所得接著劑組成物，塗佈於表面經過脫模處理的PET膜之脫模處理面上，並利用加熱進行去溶劑，藉此形成導電性接著劑層(厚度12μm)。
(電磁波屏蔽膜之製作) 將所得上述導電性接著劑層，貼合於由絕緣層及電磁波屏蔽層構成的上述積層體之電磁波屏蔽層面上，製作出由導電性接著劑層/電磁波屏蔽層/絕緣層之構造構成的實施例1之電磁波屏蔽膜。
實施例2~4及比較例1~8 除了如表1所示變更導電性接著劑層中鎳粒子之種類及含有比率外，以與實施例1相同方式，製作出電磁波屏蔽膜。另，於各例中使用的導電性粒子之性質如表2所示。
(評價) 針對實施例及比較例中製得的各電磁波屏蔽膜，如下述般進行評價。評價結果記載於表1中。
(1)圓形度、長寬比及中位直徑 針對導電性粒子之圓形度、長寬比及中位直徑，使用流動式粒子影像分析裝置(商品名「FPIA-3000」，希森美康(SYSMEX)股份有限公司製造)來測定。具體而言，使用10倍物鏡，於明視野之光學系統內，在LPF測定模式下，利用已調整為4000~20000個/μl之濃度的導電性粒子分散液來計測。上述導電性粒子分散液是在已調整為0.2質量%的六偏磷酸鈉水溶液中加入界面活性劑0.1~0.5ml，並加入測定試料之導電性粒子0.1±0.01g來調製。分散有導電性粒子的懸浮液是利用超音波分散器進行1~3分之分散處理，並供用於測定。表2中分別顯示藉由測定所得的導電性粒子之圓形度之平均值、圓形度之10%累積值、平均長寬比、長寬比之10%累積值及中位直徑。
(2)導電性試驗 將實施例及比較例中製作的電磁波屏蔽膜積層於評價用印刷配線板上，然後，使用壓機，於溫度170℃、壓力3.0MPa之條件下抽真空60秒鐘後，再加熱加壓180秒鐘以進行接著。然後，剝離絕緣層上的PET膜，並利用烘箱於150℃、60分之條件下加熱，製作出評價用基板。另，上述印刷配線板具有相互隔著間隔而平行延伸的2條銅箔圖案、以及覆蓋上述銅箔圖案且由聚醯亞胺構成的絕緣保護層(厚度：25μm)，於上述絕緣保護層上設置有露出各銅箔圖案的開口部(直徑：1mm)。在疊合電磁波屏蔽膜之導電性接著劑層與印刷配線板時，作成該開口部被電磁波屏蔽膜完全覆蓋。又，使用電阻計，測定所得評價用基板之2條銅箔圖案間的電阻值，設為回流前的印刷配線板與電磁波屏蔽層間的電阻值(初始電阻值)。
然後，進行已假定為回流處理的熱處理，並測定回流後的電阻值(回流後電阻值)。將該熱處理及電阻值之測定反覆3次。熱處理是假定為使用無鉛銲料，並設定為評價用基板中的電磁波屏蔽膜暴露在265℃下5秒鐘的溫度曲線。又，針對初始電阻值及回流後電阻值，分別根據下述評價基準進行評價。 (初始電阻值) ○(良好)：小於300mΩ △(可)：300mΩ以上且500mΩ以下 ×(不良)：大於500mΩ (回流後電阻值) ○(良好)：小於500mΩ △(可)：500mΩ以上且1000mΩ以下 ×(不良)：大於1000mΩ
(3)接著性 於實施例及比較例中製作的電磁波屏蔽膜之導電性接著劑層面上，貼合厚度25μm之聚醯亞胺膜(商品名「KAPTON 100EN」，東麗杜邦(DU PONT-TORAY)股份有限公司製造)，並使用壓機，於溫度170℃、壓力3.0MPa之條件下抽真空60秒鐘後，再加熱加壓180秒鐘以進行接著。然後，利用烘箱於150℃、60分之條件下進行加熱處理，製作出測定試樣。然後，為了測定接著強度，將該測定試樣切割成10mm寬，並使用拉伸試驗機(商品名「AGS-X50N」，島津製作所股份有限公司製造)，於剝離速度50mm/min、剝離角度180°之條件下對導電性接著劑層與聚醯亞胺膜之界面進行剝離，藉此測定接著強度。 ○(良好)：大於4.0N/10mm △(可)：3.0N/10mm以上且4.0N/10mm以下 ×(不良)：小於3.0N/10mm
[表1]
Figure 02_image001
[表2]
Figure 02_image003
實施例之電磁波屏蔽膜在使用鋁層作為電磁波屏蔽層時，接著性優異，初始電阻值低，且回流處理後電阻值低。因此，實施例之電磁波屏蔽膜，可判斷為經濟性優異，而且與印刷配線板之接著性優異，在歷經高熱環境下後，可發揮優異之屏蔽性能，且電磁波屏蔽層與接地電路之連接穩定性優異。另一方面，當使用圓形度之平均值及10%累積值超過特定值的鎳粒子作為導電性接著劑層中之導電性粒子時(比較例)，即便變更導電性粒子之含有比率，亦無法獲得能兼顧接著性及回流處理後之電阻值者。
1:電磁波屏蔽膜 2:電磁波屏蔽層 3:導電性接著劑層 4:絕緣層
圖1為截面示意圖，其顯示本揭示發明之電磁波屏蔽膜之一實施形態。
1:電磁波屏蔽膜
2:電磁波屏蔽層
3:導電性接著劑層
4:絕緣層

Claims (6)

  1. 一種電磁波屏蔽膜，具備電磁波屏蔽層、及設置於前述電磁波屏蔽層之一面上的導電性接著劑層；前述電磁波屏蔽層含有鋁作為構成材料；前述導電性接著劑層含有鎳粒子作為導電性粒子，而前述鎳粒子之圓形度之平均值在0.85以下，前述圓形度之10%累積值在0.65以下。
  2. 如請求項1之電磁波屏蔽膜，其中前述鎳粒子之形狀為絲狀。
  3. 如請求項1或2之電磁波屏蔽膜，其中前述鎳粒子之平均長寬比在0.70以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之電磁波屏蔽膜，其中前述鎳粒子之長寬比之10%累積值在0.50以下。
  5. 如請求項1至4中任一項之電磁波屏蔽膜，其中前述鎳粒子之中位直徑為1~30μm。
  6. 如請求項1至5中任一項之電磁波屏蔽膜，其中前述導電性接著劑層中前述鎳粒子之含有比率為2~80質量%。
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