WO2020196156A1 - フィルム状接着剤及び半導体加工用シート - Google Patents

フィルム状接着剤及び半導体加工用シート Download PDF

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WO2020196156A1
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thermosetting
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佑耶 田中
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リンテック株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a film-like adhesive and a sheet for semiconductor processing.
  • the present application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2019-054995 filed in Japan on March 22, 2019, the contents of which are incorporated herein by reference.
  • the semiconductor chip is usually die-bonded to the circuit forming surface of the substrate by a film-like adhesive attached to the back surface thereof. Then, a semiconductor package is manufactured using the obtained product, and finally, a target semiconductor device is manufactured using this semiconductor package.
  • a semiconductor chip having a film-like adhesive on the back surface is, for example, a semiconductor wafer having a film-like adhesive on the back surface, and the semiconductor wafer is divided into semiconductor chips and a film. It is produced by cutting the state adhesive at the same time.
  • a method for example, a method of dividing a semiconductor wafer by using a dicing blade and cutting a film-like adhesive at the same time is known (see Patent Document 1).
  • the film-like adhesive before cutting may be used as a dicing die bonding sheet that is laminated and integrated with a dicing sheet used for fixing a semiconductor wafer during dicing.
  • the semiconductor chip and the substrate are contained in the heated semiconductor package. Peeling occurs between the semiconductor chips or between the semiconductor chips, and the reliability of the semiconductor package is lowered.
  • an object of the present invention is to provide a semiconductor processing sheet provided with an agent and the film-like adhesive.
  • thermosetting film-like adhesive A film-like adhesive that satisfies the following requirements 1) and 2) before storage at 40 ° C. for 7 days and before thermosetting, and after storage at 40 ° C. for 7 days and before thermosetting.
  • the storage elastic modulus G'at 80 ° C. of the film-like adhesive is 3 ⁇ 10 4 Pa or less.
  • the film-like adhesive of 10 mm ⁇ 10 mm ⁇ 20 ⁇ m is applied to the copper wiring side of a glass substrate having copper wiring having a line / space (L / S) of 100 ⁇ m / 100 ⁇ m and a thickness of 10 ⁇ m at 80 ° C.
  • the air residual ratio in the space portion 100 area% is 20 area% or less.
  • the film-like adhesive according to (1) above wherein the film-like adhesive has a thickness of 5 to 50 ⁇ m.
  • a sheet for semiconductor processing comprising a support sheet and having the film-like adhesive according to (1) or (2) above on one surface of the support sheet.
  • the support sheet includes a base material and an adhesive layer provided on one surface of the base material.
  • a film capable of producing a semiconductor package having high storage stability and high reliability when a chip with a film-like adhesive is die-bonded to a circuit forming surface of a substrate and then a semiconductor package is manufactured, a film capable of producing a semiconductor package having high storage stability and high reliability.
  • a semiconductor processing sheet provided with a state adhesive and the film-like adhesive is provided.
  • the film-based adhesive according to an embodiment of the present invention is a thermosetting film-like adhesive, which is stored at 40 ° C. for 7 days and before thermosetting, and at 40 ° C. 7 After storage for a day and before thermosetting, the following requirements 1) and 2) are satisfied.
  • the storage elastic modulus G'at 80 ° C. of the film-like adhesive is 3 ⁇ 10 4 Pa or less.
  • the film-like adhesive of 10 mm ⁇ 10 mm ⁇ 20 ⁇ m is applied to the copper wiring side of a glass substrate having copper wiring having a line / space (L / S) of 100 ⁇ m / 100 ⁇ m and a thickness of 10 ⁇ m at 80 ° C.
  • the air residual ratio in the space portion 100 area% is 20 area% or less.
  • the film-like adhesive of the present embodiment in the case where the chip with the film-like adhesive is die-bonded to the circuit forming surface of the substrate by satisfying the above requirements 1) and 2), and then the semiconductor package is manufactured. It is possible to manufacture a highly reliable semiconductor package in which peeling is unlikely to occur between a semiconductor chip and a substrate or between semiconductor chips.
  • the relationship between the above requirements 1) and 2) is considered to be as follows.
  • the storage elastic modulus G'in the above requirement 1) is 3 ⁇ 10 4 Pa or less, it is considered that the space portion in the above requirement 2) is easily filled with the film-like adhesive and the air residual ratio is lowered.
  • the above requirements 1) and 2) are stored at 40 ° C. for 7 days and before thermosetting, and at 40 ° C. for 7 days and before thermosetting. It is filled with both.
  • Standing storage at 40 ° C. for 7 days is an accelerated treatment equivalent to standing storage at room temperature (about 25 ° C.) for 3 months. Therefore, the film-like adhesive of the present embodiment has high storage stability and can exhibit the above reliability even after long-term storage.
  • the storage elastic modulus G'at 80 ° C. of the film-like adhesive of the present embodiment is preferably 3 ⁇ 10 4 Pa or less, preferably 9 ⁇ 10 3 Pa or less. It is more preferably 7 ⁇ 10 3 Pa or less, and further preferably 5 ⁇ 10 3 Pa or less.
  • the temperature of 80 ° C. assumes the heating temperature of the bonding process in which the film-like adhesive of the present embodiment is used.
  • the lower limit of the storage elastic modulus G'at 80 ° C. of the film-like adhesive of the present embodiment is not particularly limited, but may be 1 ⁇ 10 3 Pa or more, and 1.5 ⁇ 10 3 Pa. It may be more than 2 ⁇ 10 3 Pa or more.
  • the storage elastic modulus G'at 80 ° C. is at least the above lower limit value, the thickness of the film-like adhesive is stable even when a load is applied in the die bonding step, and a more reliable semiconductor package can be manufactured.
  • the storage elastic modulus G'at 80 ° C. of the film-like adhesive of the present embodiment may be 1 ⁇ 10 3 Pa or more and 3 ⁇ 10 4 Pa or less, and 1 ⁇ 10 3 Pa or more. It may be 9 ⁇ 10 3 Pa or less, 1.5 ⁇ 10 3 Pa or more and 7 ⁇ 10 3 Pa or less, or 2 ⁇ 10 3 Pa or more and 5 ⁇ 10 3 Pa or less.
  • the air residual ratio can be reduced.
  • the air residual ratio in the above requirement 2) of the film-like adhesive of the present embodiment is 20 area% or less, preferably 19 area% or less, and more preferably 18 area% or less.
  • the lower limit of the air residual ratio may be 0 area%, and may be 5 area% or more or 10 area% or more in order to exhibit the reliability of the semiconductor package.
  • the above-mentioned air residual ratio shall be acquired by the acquisition method and conditions described in the examples described later.
  • the air residual ratio was determined by the film-like adhesive having a size of 10 mm ⁇ 10 mm ⁇ 20 ⁇ m with respect to the copper wiring side of a glass substrate having a copper wiring having a line / space (L / S) of 100 ⁇ m / 100 ⁇ m and a thickness of 10 ⁇ m.
  • L / S line / space
  • the chip may be a transparent one.
  • the air residual region can be easily distinguished visually. is there.
  • the remaining air portion can be distinguished by analyzing the difference in brightness, color, etc. with respect to the acquired image using an image analysis device.
  • the air residual ratio can be calculated using an image analyzer.
  • the film-like adhesive for which the above requirements 1) and 2) are to be obtained has not been stored under temperature conditions exceeding 25 ° C. and has a temperature condition of 25 ° C. or lower immediately after its production. Those with a storage time of 1 year or less are preferable.
  • the storage conditions of the film-like adhesive other than the temperature at this time are as follows. That is, the film-like adhesive is preferably stored in an air atmosphere, is preferably stored in a stationary state, and is preferably stored in a dark place. Then, it is more preferable to store so as to satisfy these two or more conditions, and it is particularly preferable to store so as to satisfy all the conditions.
  • the surface on which the circuit of the semiconductor chip is formed is referred to as a "circuit forming surface", and the surface opposite to the circuit forming surface is referred to as a "back surface”.
  • a structure including the semiconductor chip and the film-like adhesive provided on the back surface thereof is referred to as a "semiconductor chip with a film-like adhesive”.
  • the surface on which the circuit of the substrate is formed is also referred to as a “circuit forming surface”.
  • the semiconductor chip with a film-like adhesive provided with the film-like adhesive of the present embodiment can be die-bonded to the circuit-forming surface of the substrate in good condition by the film-like adhesive.
  • the film-like adhesive may be composed of one layer (single layer), may be composed of two or more layers, and when composed of a plurality of layers, the plurality of layers are the same as each other. However, they may be different, and the combination of these multiple layers is not particularly limited.
  • the thickness of the film-like adhesive is not particularly limited, but is preferably 1 to 50 ⁇ m, more preferably 3 to 50 ⁇ m, further preferably 5 to 50 ⁇ m, and 5 to 40 ⁇ m. Is particularly preferable, and 5 to 30 ⁇ m is most preferable.
  • the thickness of the film-like adhesive is at least the above lower limit value, the adhesive force of the film-like adhesive to the adherend (semiconductor wafer, semiconductor chip) becomes higher.
  • the thickness of the film-like adhesive is not more than the upper limit, the film-like adhesive can be cut more easily in the semiconductor chip manufacturing process described later, and cut pieces derived from the film-like adhesive are generated. The amount can be further reduced, which is advantageous for thinning the semiconductor device.
  • the "thickness of the film-like adhesive” means the thickness of the entire film-like adhesive, and for example, the thickness of the film-like adhesive composed of a plurality of layers is all that constitute the film-like adhesive. Means the total thickness of the layers of.
  • the film-like adhesive can be formed by using an adhesive composition containing the constituent material.
  • a film-like adhesive can be formed on a target portion by applying the adhesive composition to the surface to be formed of the film-like adhesive and drying it if necessary.
  • the ratio of the contents of the components that do not vaporize at room temperature in the adhesive composition is usually the same as the ratio of the contents of the components in the film-like adhesive.
  • "normal temperature” means a temperature which is not particularly cooled or heated, that is, a normal temperature, and examples thereof include a temperature of 15 to 25 ° C.
  • the coating of the adhesive composition may be carried out by a known method, for example, an air knife coater, a blade coater, a bar coater, a gravure coater, a roll coater, a roll knife coater, a curtain coater, a die coater, a knife coater, a screen coater. , A method using various coaters such as a Meyer bar coater and a kiss coater.
  • the drying conditions of the adhesive composition are not particularly limited, but when the adhesive composition contains a solvent described later, it is preferable to heat-dry the adhesive composition.
  • the solvent-containing adhesive composition is preferably dried, for example, at 70 to 130 ° C. for 10 seconds to 5 minutes.
  • the components contained in the film-like adhesive and the adhesive composition will be described in detail.
  • thermosetting adhesive compositions include those containing a polymer component (a) and a thermosetting component (b). Hereinafter, each component will be described.
  • the polymer component (a) is a component that can be regarded as being formed by a polymerization reaction of a polymerizable compound, and imparts film-forming property, flexibility, etc. to the film-like adhesive and is attached to an object to be bonded such as a semiconductor chip. It is a polymer compound for improving adhesiveness (stickability).
  • the polymer component (a) has thermoplasticity and does not have thermosetting property.
  • a polymer compound also includes a product of a polycondensation reaction.
  • the polymer component (a) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. ..
  • polymer component (a) examples include acrylic resin, urethane resin, phenoxy resin, silicone resin, saturated polyester resin, and the like, and acrylic resin is preferable.
  • the acrylic resin in the polymer component (a) examples include known acrylic polymers.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the acrylic resin is preferably 10,000 to 2000,000, more preferably 100,000 to 1,500,000.
  • Mw weight average molecular weight
  • the weight average molecular weight of the acrylic resin is within such a range, it becomes easy to adjust the adhesive force between the film-like adhesive and the adherend within a preferable range.
  • the weight average molecular weight of the acrylic resin is at least the above lower limit value, the shape stability (stability with time during storage) of the film-like adhesive is improved.
  • the weight average molecular weight of the acrylic resin is not more than the above upper limit value, the film-like adhesive can easily follow the uneven surface of the adherend, and voids or the like can be formed between the adherend and the film-like adhesive. Occurrence is more suppressed.
  • the "weight average molecular weight” is a polystyrene-equivalent value measured by a gel permeation chromatography (GPC) method unless otherwise specified.
  • the glass transition temperature (Tg) of the acrylic resin is preferably -60 to 70 ° C, more preferably -30 to 50 ° C.
  • Tg of the acrylic resin is at least the above lower limit value, the adhesive force between the film-like adhesive and the adherend is suppressed, and at the time of pickup, the support sheet of the semiconductor chip with the film-like adhesive, which will be described later. It will be easier to separate from.
  • the Tg of the acrylic resin is not more than the above upper limit value, the adhesive force between the film-like adhesive and the semiconductor chip is improved.
  • Examples of the (meth) acrylic acid ester constituting the acrylic resin include methyl (meth) acrylic acid, ethyl (meth) acrylic acid, n-propyl (meth) acrylic acid, isopropyl (meth) acrylic acid, and (meth).
  • N-butyl acrylate isobutyl (meth) acrylate, sec-butyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, (meth) acrylate Heptyl, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, n-octyl (meth) acrylate, n-nonyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, Undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate (lauryl acrylate), tridecyl (meth) acrylate, tetradecyl (meth) acrylate (myristyl (meth) acrylate), pentadecy
  • (Meta) Acrylic acid cycloalkyl esters such as (meth) acrylic acid isobornyl, (meth) acrylic acid dicyclopentanyl;
  • (Meta) Acrylic acid aralkyl esters such as benzyl (meth) acrylic acid;
  • (Meta) Acrylic acid cycloalkenyl ester such as (meth) acrylic acid dicyclopentenyl ester;
  • (Meta) Acrylic acid cycloalkenyloxyalkyl ester such as (meth) acrylic acid dicyclopentenyloxyethyl ester;
  • (Meta) acrylate imide Glycidyl group-containing (meth) acrylic acid ester such as (meth) glycidyl acrylate; (meth) hydroxymethyl acrylate, (meth) 2-hydroxyethyl acrylate, (meth) 2-hydroxypropyl acrylate, (meth) acrylic
  • (meth) acrylic acid is a concept including both “acrylic acid” and “methacrylic acid”. The same applies to terms similar to (meth) acrylic acid.
  • the acrylic resin may contain one or more monomers selected from (meth) acrylic acid, itaconic acid, vinyl acetate, acrylonitrile, styrene, N-methylolacrylamide and the like. It may be a resin obtained by copolymerization.
  • the monomer constituting the acrylic resin may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the acrylic resin may have a functional group capable of binding to other compounds such as a vinyl group, a (meth) acryloyl group, an amino group, a carboxy group and an isocyanate group, in addition to the above-mentioned hydroxyl group.
  • These functional groups such as the hydroxyl group of the acrylic resin may be bonded to another compound via a cross-linking agent (f) described later, or may be directly bonded to another compound without a cross-linking agent (f). You may be.
  • the acrylic resin is bonded to another compound by the functional group, the reliability of the package obtained by using the film-like adhesive tends to be improved.
  • the ratio (content) of the amount of the structural unit derived from the glycidyl group-containing monomer to the total amount of the constituent units constituting the acrylic resin is preferably 25% by mass or less, for example, 15% by mass or less. And 10% by mass or less.
  • the glycidyl group-containing monomer means a monomer having a glycidyl group, such as the glycidyl group-containing (meth) acrylic acid ester.
  • the lower limit of the ratio (content) of the amount of the structural unit derived from the glycidyl group-containing monomer to the total amount of the constituent units constituting the acrylic resin is not particularly limited.
  • the ratio (content) may be 0% by mass or more, and for example, if it is 2% by mass or more, the effect of using the glycidyl group-containing monomer can be more clearly obtained. ..
  • the ratio (content) of the amount of the structural unit derived from the glycidyl group-containing monomer to the total amount of the constituent units constituting the acrylic resin is arbitrarily set to any of the above lower limit value and upper limit value. It can be adjusted as appropriate within the range set in combination.
  • the proportion is preferably 0 to 25% by mass, and may be, for example, 0 to 15% by mass, or 0 to 10% by mass.
  • the ratio is preferably 2 to 25% by mass, and may be, for example, 2 to 15% by mass, or 2 to 10% by mass.
  • thermoplastic resin other than the acrylic resin
  • thermoplastic resin may be used alone without using the acrylic resin.
  • it may be used in combination with an acrylic resin.
  • the weight average molecular weight of the thermoplastic resin is preferably 1000 to 100,000, and more preferably 3000 to 80,000.
  • the glass transition temperature (Tg) of the thermoplastic resin is preferably ⁇ 30 to 150 ° C., more preferably ⁇ 20 to 120 ° C.
  • thermoplastic resin examples include polyester, polyurethane, phenoxy resin, polybutene, polybutadiene, polystyrene and the like.
  • thermoplastic resin contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the content ratio) of a) is preferably 5 to 40% by mass, more preferably 6 to 30% by mass, and for example, 7 to 20%, regardless of the type of the polymer component (a). It may be mass% or the like. When the ratio is equal to or higher than the lower limit, the structure of the film-like adhesive is more stabilized.
  • the ratio of the content of the acrylic resin to the total content of the polymer component (a) is preferably 25 to 100% by mass, for example, 50 to 100% by mass. , 70 to 100% by mass, and 90 to 100% by mass.
  • the ratio of the content is at least the lower limit value, the storage stability of the film-like adhesive becomes higher.
  • thermosetting component (b) has thermosetting property and is a component for thermosetting the film-like adhesive.
  • the thermosetting component (b) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be only one kind, two or more kinds, or a combination thereof when there are two or more kinds. And the ratio can be selected arbitrarily.
  • thermosetting component (b) examples include epoxy-based thermosetting resins, polyimide resins, unsaturated polyester resins, and the like.
  • thermosetting component (b) is preferably an epoxy-based thermosetting resin.
  • Epoxy-based thermosetting resin is composed of an epoxy resin (b1) and a thermosetting agent (b2).
  • the epoxy-based thermosetting resin contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. ..
  • Epoxy resin (b1) examples include known ones, such as polyfunctional epoxy resin, biphenyl compound, bisphenol A diglycidyl ether and its hydrogenated product, orthocresol novolac epoxy resin, and dicyclopentadiene type epoxy resin.
  • Biphenyl type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenylene skeleton type epoxy resin, and other bifunctional or higher functional epoxy compounds can be mentioned.
  • an epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group may be used as the epoxy resin (b1).
  • An epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group has higher compatibility with an acrylic resin described later than an epoxy resin having no unsaturated hydrocarbon group. Therefore, by using an epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group, the reliability of the package obtained by using the film-like adhesive is improved.
  • the epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group examples include a compound having a structure in which a part of the epoxy group of the polyfunctional epoxy resin is converted into a group having an unsaturated hydrocarbon group.
  • a compound can be obtained, for example, by subjecting an epoxy group to an addition reaction of (meth) acrylic acid or a derivative thereof.
  • the term "derivative” means a compound having a structure in which one or more groups of the original compound are substituted with other groups (substituents) unless otherwise specified.
  • the "group” includes not only an atomic group composed of a plurality of atoms bonded together, but also one atom.
  • examples of the epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group include a compound in which a group having an unsaturated hydrocarbon group is directly bonded to an aromatic ring or the like constituting the epoxy resin.
  • the unsaturated hydrocarbon group is a polymerizable unsaturated group, and specific examples thereof include an ethenyl group (vinyl group), a 2-propenyl group (allyl group), a (meth) acryloyl group, and a (meth) group. Examples thereof include an acrylamide group, and an acryloyl group is preferable.
  • the number average molecular weight of the epoxy resin (b1) is not particularly limited, but is preferably 300 to 30,000 from the viewpoint of the curability of the film-like adhesive and the strength and heat resistance of the cured product of the film-like adhesive. It is more preferably 400 to 10000, and particularly preferably 500 to 3000.
  • the epoxy equivalent of the epoxy resin (b1) is preferably 100 to 1000 g / eq, more preferably 150 to 800 g / eq.
  • the epoxy resin (b1) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the epoxy resin (b1) include those containing acrylic resin fine particles (fine particle acrylic resin).
  • the epoxy resin (b1) that does not contain the acrylic resin fine particles for example, as the polymer component (a)
  • one that easily aggregates the acrylic resin fine particles by interaction with the acrylic resin fine particles is used. Even when used, such agglomeration of acrylic resin fine particles may be suppressed, which may increase the storage stability of the film-like adhesive.
  • the ratio of the content of the acrylic resin fine particles to the total content of all the components other than the solvent that is, in the film-like adhesive.
  • the ratio of the content of the acrylic resin fine particles to the total mass of the film-like adhesive is preferably 0 to 5% by mass, more preferably 0 to 3% by mass, regardless of the origin of the acrylic resin fine particles. preferable.
  • thermosetting agent (b2) functions as a curing agent for the epoxy resin (b1).
  • thermosetting agent (b2) for example, the following general formula (1):
  • n is an integer of 1 or more.
  • resin (1) thermosetting agent
  • thermosetting agent (b2) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. ..
  • the adhesive composition and the film-like adhesive may contain only the resin (1) as the thermosetting agent (b2), or may contain only the thermosetting agent other than the resin (1).
  • the resin (1) and other thermosetting agents may be contained together.
  • the resin (1) is an o-cresol type novolak resin.
  • n is an integer of 1 or more, and may be, for example, any of 2 or more, 4 or more, and 6 or more.
  • the upper limit of n is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • the resin (1) having n of 10 or less is easier to manufacture or obtain.
  • these o-cresols of the methylene group (-CH 2- ) connecting the o-cresol-diyl groups (-C 6 H 4 (-OH) (-CH 3 )-) are connected to each other.
  • the bond position with respect to the diyl group is not particularly limited.
  • the softening point of the resin (1) is preferably 60 to 130 ° C.
  • the film-like adhesive tends to develop a force for adhering adherends to each other, that is, a so-called adhesive force.
  • the softening point of the resin (1) is 130 ° C. or lower, the die bonding temperature of the film-like adhesive can be lowered, and the warpage of the substrate after die bonding can be highly suppressed.
  • the resin (1) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • thermosetting agent other than the resin (1) is not particularly limited as long as it does not correspond to the resin (1).
  • thermosetting agent other than the resin (1) include compounds having two or more functional groups capable of reacting with epoxy groups in one molecule.
  • the functional group include a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, an amino group, a carboxy group, a group in which an acid group is anhydrated, and the like.
  • the phenolic curing agent having a phenolic hydroxyl group includes, for example, polyfunctional phenol resin, biphenol, novolak type phenol resin, dicyclopentadiene type phenol resin, aralkyl type phenol resin and the like. Can be mentioned.
  • examples of the amine-based curing agent having an amino group include dicyandiamide (DICY) and the like.
  • Thermosetting agents other than the resin (1) may have unsaturated hydrocarbon groups.
  • the thermosetting agent other than the resin (1) having an unsaturated hydrocarbon group include a compound having a structure in which some of the hydroxyl groups of the phenol resin are substituted with a group having an unsaturated hydrocarbon group, a phenol resin. Examples thereof include compounds having a structure in which a group having an unsaturated hydrocarbon group is directly bonded to the aromatic ring of.
  • the unsaturated hydrocarbon group in the thermosetting agent other than the resin (1) is the same as the unsaturated hydrocarbon group in the epoxy resin having the unsaturated hydrocarbon group described above.
  • thermosetting agent other than the resin (1) When a phenolic curing agent is used as the thermosetting agent other than the resin (1), the adhesive strength of the film-like adhesive can be easily adjusted. Therefore, the thermosetting agent other than the resin (1) has a softening point. Alternatively, one having a high glass transition temperature is preferable.
  • the number average molecular weight of the resin components such as polyfunctional phenol resin, novolak type phenol resin, dicyclopentadiene type phenol resin, and aralkyl type phenol resin is 300 to 30,000. It is preferable, it is more preferably 400 to 10000, and particularly preferably 500 to 3000.
  • the molecular weight of the non-resin component such as biphenol and dicyandiamide is not particularly limited, but is preferably 60 to 500, for example.
  • thermosetting agent other than the resin (1) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be only one kind, may be two or more kinds, and when there are two or more kinds, the combination and ratio thereof are It can be selected arbitrarily.
  • the content of the thermosetting agent (b2) is 0 with respect to 100 parts by mass of the content of the epoxy resin (b1) regardless of the type of the thermosetting agent (b2). It is preferably 1 to 500 parts by mass, more preferably 1 to 200 parts by mass, and may be, for example, 5 to 100 parts by mass or 10 to 75 parts by mass.
  • the content of the thermosetting agent (b2) is at least the lower limit value, the curing of the film-like adhesive becomes easier to proceed.
  • the content of the thermosetting agent (b2) is not more than the upper limit value, the hygroscopicity of the film-like adhesive is reduced, and the reliability of the package obtained by using the film-like adhesive is further improved. ..
  • the content of the thermosetting component (b) (for example, the total content of the epoxy resin (b1) and the thermosetting agent (b2)) is the content of the polymer component (a).
  • the content is preferably 100 to 900 parts by mass, more preferably 130 to 850 parts by mass, still more preferably 160 to 800 parts by mass, and for example, 400 to 800 parts by mass with respect to 100 parts by mass. It may be any of parts, 500 to 800 parts by mass, and 600 to 800 parts by mass.
  • the content of the thermosetting component (b) is in such a range, it becomes easier to adjust the adhesive force between the film-like adhesive and the support sheet described later.
  • [amount (part by mass) of the resin (1) in the film-like adhesive] / [epoxy resin (b1) in the film-like adhesive) Amount (parts by mass)] (in the present specification, it may be abbreviated as "(1) / (b1) value") is preferably greater than 0 and less than or equal to 1.
  • (1) / (b1) value is 1 or less, the thermosetting of the film-like adhesive progresses to a high degree, and as a result, the film-like adhesive is stored regardless of whether or not the semiconductor processing sheet described later is stored. The reliability of the semiconductor package obtained by using the above is increased.
  • the amount (parts by mass) of the resin (1) in the film-like adhesive and the adhesive composition and the amount (parts by mass) of the epoxy resin (b1) in the film-like adhesive and the adhesive composition are Since both of them are positive values, the (1) / (b1) values do not become 0 (zero) and do not become negative values.
  • the values of [amount of resin (1) in film-like adhesive (parts by mass)] / [amount of epoxy resin (b1) in film-like adhesive (parts by mass)] are [in the adhesive composition. [Amount of resin (1) (parts by mass)] / [Amount of epoxy resin (b1) in the adhesive composition (parts by mass)] is synonymous with the value of.
  • the value (1) / (b1) may be, for example, 0.1 to 1, 0.2 to 1, 0.3 to 1, or 0.4 to 1 from the viewpoint of increasing the above-mentioned effect. It may be greater than 0, 0.9 or less, greater than 0, 0.8 or less, greater than 0, 0.7 or less, and greater than 0, 0.6 or less. It may be any of 0.1 to 0.9, 0.2 to 0.8, 0.3 to 0.7, and 0.4 to 0.6.
  • the values (1) / (b1) are, for example, [ratio of the content of the resin (1) to the total mass of the film-like adhesive in the film-like adhesive (mass%)] / [film-like adhesive. Is synonymous with [ratio of the content of the epoxy resin (b1) to the total mass of the film-like adhesive (% by mass)], and [with respect to the total content of all components other than the solvent in the adhesive composition. Ratio of content of resin (1) (% by mass)] / [Ratio of content of epoxy resin (b1) to total content of all components other than solvent in the adhesive composition (% by mass)] It is synonymous.
  • thermosetting agent (b2) When the resin (1) is used as the thermosetting agent (b2), the storage stability of the film-like adhesive and the adhesive composition is higher than when a thermosetting agent other than the resin (1) is used. These tend to be advantageous for storage at room temperature.
  • the film-like adhesive of the present embodiment has thermosetting property and is preferably pressure-sensitive adhesive property.
  • the film-like adhesive having both thermosetting property and pressure-sensitive adhesive property can be attached by lightly pressing against various adherends in an uncured state. Further, the film-like adhesive may be one that can be attached to various adherends by heating and softening. The film-like adhesive eventually becomes a cured product having high impact resistance by curing, and this cured product can retain sufficient adhesive properties even under severe high temperature and high humidity conditions.
  • the film-like adhesive in addition to the polymer component (a) and the thermosetting component (b), if necessary, other components not corresponding to these are contained. You may.
  • other components contained in the film-like adhesive include a curing accelerator (c), a filler (d), a coupling agent (e), a cross-linking agent (f), and an energy ray-curable resin (g). , Photopolymerization initiator (h), general-purpose additive (i) and the like.
  • preferable other components include a curing accelerator (c), a filler (d), and a coupling agent (e).
  • the "energy beam” means an electromagnetic wave or a charged particle beam having an energy quantum, and examples thereof include ultraviolet rays, radiation, and electron beams.
  • Ultraviolet rays can be irradiated by using, for example, a high-pressure mercury lamp, a fusion lamp, a xenon lamp, a black light, an LED lamp, or the like as an ultraviolet source.
  • the electron beam can be irradiated with an electron beam generated by an electron beam accelerator or the like.
  • energy ray curable means a property of being cured by irradiating with energy rays
  • non-energy ray curable means a property of not being cured by irradiating with energy rays. To do.
  • the curing accelerator (c) is a component for adjusting the curing rate of the adhesive composition and the film-like adhesive.
  • Preferred curing accelerators (c) include, for example, tertiary amines such as triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol and tris (dimethylaminomethyl) phenol; 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole.
  • 2-Phenyl-4-methylimidazole 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole and other imidazoles (one or more hydrogen atoms other than hydrogen atoms) (Imidazole substituted with an organic group); organic phosphines such as tributylphosphine, diphenylphosphine, triphenylphosphine (phosphine in which one or more hydrogen atoms are substituted with an organic group); tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, triphenylphosphine Tetraphenylborone salts such as tetraphenylborate; inclusion compounds having the above imidazoles as guest compounds can be mentioned.
  • organic phosphines such as tributylphosphine, diphenylphosphine, triphenylphosphine (phosphine in which one or more hydrogen atoms are substituted
  • the curing accelerator (c) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. ..
  • the content of the curing accelerator (c) in the adhesive composition and the film-like adhesive is the content of the thermosetting component (b) (for example, the epoxy resin (b1)).
  • the total content of the thermosetting agent (b2)) is preferably 0.01 to 5 parts by mass, and more preferably 0.1 to 2 parts by mass with respect to 100 parts by mass.
  • the content of the curing accelerator (c) is at least the lower limit value, the effect of using the curing accelerator (c) is more remarkable.
  • the content of the curing accelerator (c) is not more than the above upper limit value, for example, the highly polar curing accelerator (c) can be combined with the adherend in the film-like adhesive under high temperature and high humidity conditions. The effect of suppressing segregation by moving to the bonding interface side is enhanced, and the reliability of the package obtained by using the film-like adhesive is further improved.
  • the film-like adhesive makes it easy to adjust its coefficient of thermal expansion, and by optimizing this coefficient of thermal expansion for the object to which the film-like adhesive is attached, the film The reliability of the package obtained by using the state adhesive is further improved. Further, when the film-like adhesive contains the filler (d), it is possible to reduce the hygroscopicity of the cured product of the film-like adhesive and improve the heat dissipation.
  • the filler (d) may be either an organic filler or an inorganic filler, but is preferably an inorganic filler.
  • Preferred inorganic fillers include, for example, powders of silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium white, red iron oxide, silicon carbide, boron nitride and the like; spherical beads of these inorganic fillers; surface modification of these inorganic fillers. Goods; Single crystal fibers of these inorganic fillers; Glass fibers and the like.
  • the inorganic filler is preferably silica, alumina or a surface-modified product thereof.
  • the average particle size of the filler (d) is not particularly limited, but is preferably 10 nm to 5 ⁇ m, and may be any of, for example, 10 to 800 nm, 10 to 600 nm, 20 to 300 nm, and 30 to 150 nm. Good. When the average particle size of the filler (d) is in such a range, the effect of using the filler (d) can be sufficiently obtained, and the storage stability of the film-like adhesive becomes higher.
  • the "average particle size” means the value of the particle size (D 50 ) at an integrated value of 50% in the particle size distribution curve obtained by the laser diffraction / scattering method unless otherwise specified. ..
  • the filler (d) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the ratio of the content of the filler (d) to the total content of all the components other than the solvent in the adhesive composition is preferably 5 to 30% by mass, more preferably 7 to 25% by mass, and particularly preferably 9 to 20% by mass. preferable.
  • the content of the filler (d) is in such a range, the above-mentioned coefficient of thermal expansion can be easily adjusted.
  • ⁇ Coupling agent (e)> By containing the coupling agent (e) in the film-like adhesive, the adhesiveness and adhesion to the adherend are improved. Further, when the film-like adhesive contains the coupling agent (e), the cured product has improved water resistance without impairing heat resistance.
  • the coupling agent (e) has a functional group capable of reacting with an inorganic compound or an organic compound.
  • the coupling agent (e) is preferably a compound having a functional group capable of reacting with the functional groups of the polymer component (a), the thermosetting component (b) and the like, and is preferably a silane coupling agent. More preferred.
  • Preferred silane coupling agents include, for example, 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltriethoxysilane, 3-glycidyloxymethyldiethoxysilane, 2-.
  • the coupling agent (e) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. ..
  • the content of the coupling agent (e) in the adhesive composition and the film-like adhesive is the total content of the polymer component (a) and the thermosetting component (b). It is preferably 0.03 to 20 parts by mass, more preferably 0.05 to 10 parts by mass, and particularly preferably 0.1 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass.
  • the content of the coupling agent (e) is at least the lower limit value, the dispersibility of the filler (d) in the resin is improved, the adhesiveness of the film-like adhesive to the adherend is improved, and the like. , The effect of using the coupling agent (e) is more remarkable.
  • the content of the coupling agent (e) is not more than the upper limit value, the generation of outgas is further suppressed.
  • ⁇ Crosslinking agent (f)> As the polymer component (a), one having a functional group such as a vinyl group capable of binding to another compound, a (meth) acryloyl group, an amino group, a hydroxyl group, a carboxy group, and an isocyanate group, such as the above-mentioned acrylic resin, is used.
  • the adhesive composition and the film-like adhesive may contain a cross-linking agent (f) for bonding the functional group with another compound to cross-link. By cross-linking with the cross-linking agent (f), the initial adhesive force and the cohesive force of the film-like adhesive can be adjusted.
  • cross-linking agent (f) examples include an organic polyvalent isocyanate compound, an organic polyvalent imine compound, a metal chelate-based cross-linking agent (a cross-linking agent having a metal chelate structure), an aziridine-based cross-linking agent (a cross-linking agent having an aziridine group), and the like. Can be mentioned.
  • organic polyvalent isocyanate compound examples include an aromatic polyvalent isocyanate compound, an aliphatic polyvalent isocyanate compound, and an alicyclic polyvalent isocyanate compound (hereinafter, these compounds are collectively referred to as “aromatic polyvalent isocyanate compound and the like”. (May be abbreviated); trimerics such as the aromatic polyvalent isocyanate compound, isocyanurates and adducts; terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting the aromatic polyvalent isocyanate compound and the like with a polyol compound. And so on.
  • the "adduct” is a low content of the aromatic polyhydric isocyanate compound, the aliphatic polyhydric isocyanate compound or the alicyclic polyvalent isocyanate compound, and ethylene glycol, propylene glycol, neopentyl glycol, trimethylolpropane or castor oil. It means a reaction product with a molecularly active hydrogen-containing compound.
  • the adduct body include a xylylene diisocyanate adduct of trimethylolpropane, which will be described later.
  • the "terminal isocyanate urethane prepolymer” means a prepolymer having a urethane bond and an isocyanate group at the terminal portion of the molecule.
  • organic polyvalent isocyanate compound for example, 2,4-tolylene diisocyanate; 2,6-tolylene diisocyanate; 1,3-xylylene diisocyanate; 1,4-xylene diisocyanate; diphenylmethane-4.
  • organic polyvalent imine compound examples include N, N'-diphenylmethane-4,4'-bis (1-aziridinecarboxyamide), trimethylpropan-tri- ⁇ -aziridinyl propionate, and tetramethylolmethane.
  • examples thereof include -tri- ⁇ -aziridinyl propionate, N, N'-toluene-2,4-bis (1-aziridinecarboxyamide) triethylene melamine and the like.
  • the cross-linking agent (f) When an organic multivalent isocyanate compound is used as the cross-linking agent (f), it is preferable to use a hydroxyl group-containing polymer as the polymer component (a).
  • a hydroxyl group-containing polymer When the cross-linking agent (f) has an isocyanate group and the polymer component (a) has a hydroxyl group, the cross-linking structure is simplified to a film-like adhesive by the reaction between the cross-linking agent (f) and the polymer component (a). Can be introduced in.
  • the cross-linking agent (f) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the content of the cross-linking agent (f) is preferably 0 to 5 parts by mass, more preferably 0 to 3 parts by mass, and 0, based on 100 parts by mass of the polymer component (a). It is more preferably to 1 part by mass, and particularly preferably 0 part by mass, that is, the adhesive composition and the film-like adhesive do not contain the cross-linking agent (f).
  • the content of the cross-linking agent (f) is at least the lower limit value, the effect of using the cross-linking agent (f) is more remarkable.
  • the content of the cross-linking agent (f) is not more than the upper limit value, the storage stability of the film-like adhesive becomes higher.
  • the adhesive composition and the film-like adhesive may contain an energy ray-curable resin (g). Since the film-like adhesive contains an energy ray-curable resin (g), its characteristics can be changed by irradiation with energy rays.
  • the energy ray-curable resin (g) is obtained by polymerizing (curing) an energy ray-curable compound.
  • the energy ray-curable compound include compounds having at least one polymerizable double bond in the molecule, and acrylate-based compounds having a (meth) acryloyl group are preferable.
  • acrylate-based compound examples include trimethyl propantri (meth) acrylate, tetramethylol methanetetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, and dipentaerythritol monohydroxypenta ( Chain aliphatic skeleton-containing (meth) acrylates such as meta) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butylene glycol di (meth) acrylate, and 1,6-hexanediol di (meth) acrylate; Cyclic aliphatic skeleton-containing (meth) acrylate such as cyclopentanyldi (meth) acrylate; Polyalkylene glycol (meth) acrylate such as polyethylene glycol di (meth) acrylate; Oligoester (meth)
  • the weight average molecular weight of the energy ray-curable resin (g) is preferably 100 to 30,000, and more preferably 300 to 10,000.
  • the energy ray-curable resin (g) contained in the adhesive composition may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the ratio of the content of the energy ray-curable resin (g) to the total mass of the adhesive composition in the adhesive composition is 1 to 95% by mass. Is preferable, and for example, it may be any one of 1 to 50% by mass, 1 to 25% by mass, and 1 to 10% by mass.
  • the photopolymerization initiator (h) is used in order to efficiently proceed with the polymerization reaction of the energy ray-curable resin (g). It may be contained.
  • Examples of the photopolymerization initiator (h) include benzoin compounds such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, methyl benzoin benzoate, and benzoin dimethyl ketal; acetophenone, Acetphenone compounds such as 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propane-1-one, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one; bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) Acylphosphine oxide compounds such as phenylphosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide; sulfide compounds such as benzylphenyl sulfide and tetramethylthium monosulfide; ⁇ -ketol such as 1-hydroxycyclohexylphenylketone Compounds
  • the photopolymerization initiator (h) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof may be arbitrarily selected. it can.
  • the content of the photopolymerization initiator (h) in the adhesive composition is 0.1 with respect to 100 parts by mass of the content of the energy ray-curable resin (g).
  • the amount is preferably from 20 parts by mass, more preferably from 1 to 10 parts by mass, and particularly preferably from 2 to 5 parts by mass.
  • the general-purpose additive (I) may be a known one, and may be arbitrarily selected depending on the intended purpose, and is not particularly limited.
  • Preferred general-purpose additives (I) include, for example, plasticizers, antistatic agents, antioxidants, colorants (dye, pigment), gettering agents and the like.
  • the general-purpose additive (i) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. ..
  • the content of the general-purpose additive (i) in the adhesive composition and the film-like adhesive is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose.
  • the adhesive composition preferably further contains a solvent.
  • the adhesive composition containing a solvent has good handleability.
  • the solvent is not particularly limited, but preferred ones are, for example, hydrocarbons such as toluene and xylene; alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol, isobutyl alcohol (2-methylpropan-1-ol) and 1-butanol. Examples thereof include esters such as ethyl acetate; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; ethers such as tetrahydrofuran; amides such as dimethylformamide and N-methylpyrrolidone (compounds having an amide bond).
  • the solvent contained in the adhesive composition may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the solvent contained in the adhesive composition is preferably methyl ethyl ketone or the like from the viewpoint that the components contained in the adhesive composition can be mixed more uniformly.
  • thermosetting film-like adhesive which is before storage at 40 ° C. for 7 days and before heat curing, and after storage at 40 ° C. for 7 days. And before thermosetting, the following requirements 1) and 2): 1) The storage elastic modulus G'at 80 ° C. of the film-like adhesive is 3 ⁇ 10 4 Pa or less. 2) The film-like adhesive of 10 mm ⁇ 10 mm ⁇ 20 ⁇ m is applied to the copper wiring side of a glass substrate having copper wiring having a line / space (L / S) of 100 ⁇ m / 100 ⁇ m and a thickness of 10 ⁇ m at 80 ° C.
  • the film-like adhesive contains a polymer component (a), an epoxy resin (b1) and a thermosetting agent (b2), the polymer component (a) is an acrylic resin, and the thermosetting agent (b2). Is the resin (1).
  • the ratio of the content of the polymer component (a) to the total mass of the film-like adhesive is 6 to 30% by mass.
  • the total content of the epoxy resin (b1) and the thermosetting agent (b2) is 160 to 800 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the polymer component (a). , Film-like adhesives.
  • thermosetting film-like adhesive which is stored at 40 ° C. for 7 days before and before heat curing, and after storage at 40 ° C. for 7 days. And before thermosetting, the following requirements 1) and 2): 1) The storage elastic modulus G'at 80 ° C. of the film-like adhesive is 3 ⁇ 10 4 Pa or less. 2) The film-like adhesive of 10 mm ⁇ 10 mm ⁇ 20 ⁇ m is applied to the copper wiring side of a glass substrate having copper wiring having a line / space (L / S) of 100 ⁇ m / 100 ⁇ m and a thickness of 10 ⁇ m at 80 ° C.
  • L / S line / space
  • the film-like adhesive contains a polymer component (a), an epoxy resin (b1) and a thermosetting agent (b2), the polymer component (a) is an acrylic resin, and the thermosetting agent (b2).
  • the resin (1) having a softening point of 60 to 130 ° C.
  • the ratio of the content of the polymer component (a) to the total mass of the film-like adhesive is 6 to 30% by mass.
  • the total content of the epoxy resin (b1) and the thermosetting agent (b2) is 160 to 800 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the polymer component (a). , Film-like adhesives.
  • thermosetting film-like adhesive which is stored at 40 ° C. for 7 days before and before heat curing, and at 40 ° C. for 7 days. Later and before thermosetting, the following requirements 1) and 2): 1) The storage elastic modulus G'at 80 ° C. of the film-like adhesive is 3 ⁇ 10 4 Pa or less. 2) The film-like adhesive of 10 mm ⁇ 10 mm ⁇ 20 ⁇ m is applied to the copper wiring side of a glass substrate having copper wiring having a line / space (L / S) of 100 ⁇ m / 100 ⁇ m and a thickness of 10 ⁇ m at 80 ° C.
  • L / S line / space
  • the film-like adhesive contains a polymer component (a), an epoxy resin (b1) and a thermosetting agent (b2), the polymer component (a) is an acrylic resin, and the thermosetting agent (b2). Is the resin (1).
  • the ratio of the content of the polymer component (a) to the total mass of the film-like adhesive is 6 to 30% by mass.
  • the total content of the epoxy resin (b1) and the thermosetting agent (b2) is 160 to 800 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the polymer component (a).
  • the value of [amount (parts by mass) of the resin (1) in the film-like adhesive] / [amount (parts by mass) of the epoxy resin (b1) in the film-like adhesive] is larger than 0. Examples thereof include a film-like adhesive having a value of 1 or less.
  • thermosetting film-like adhesive which is stored at 40 ° C. for 7 days before and before heat curing, and at 40 ° C. for 7 days. Later and before thermosetting, the following requirements 1) and 2): 1) The storage elastic modulus G'at 80 ° C. of the film-like adhesive is 3 ⁇ 10 4 Pa or less. 2) The film-like adhesive of 10 mm ⁇ 10 mm ⁇ 20 ⁇ m is applied to the copper wiring side of a glass substrate having copper wiring having a line / space (L / S) of 100 ⁇ m / 100 ⁇ m and a thickness of 10 ⁇ m at 80 ° C.
  • L / S line / space
  • the film-like adhesive contains a polymer component (a), an epoxy resin (b1) and a thermosetting agent (b2), the polymer component (a) is an acrylic resin, and the thermosetting agent (b2).
  • the resin (1) having a softening point of 60 to 130 ° C.
  • the ratio of the content of the polymer component (a) to the total mass of the film-like adhesive is 6 to 30% by mass.
  • the total content of the epoxy resin (b1) and the thermosetting agent (b2) is 160 to 800 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the polymer component (a).
  • the value of [amount (parts by mass) of the resin (1) in the film-like adhesive] / [amount (parts by mass) of the epoxy resin (b1) in the film-like adhesive] is larger than 0. Examples thereof include a film-like adhesive having a value of 1 or less.
  • the adhesive composition is obtained by blending each component for constituting the adhesive composition.
  • the order of addition of each component at the time of blending is not particularly limited, and two or more kinds of components may be added at the same time.
  • the solvent may be mixed with any compounding component other than the solvent and diluted in advance, or any compounding component other than the solvent may be diluted in advance. You may use it by mixing the solvent with these compounding components without leaving.
  • the method of mixing each component at the time of blending is not particularly limited, and from known methods such as a method of rotating a stirrer or a stirring blade to mix; a method of mixing using a mixer; a method of adding ultrasonic waves to mix. It may be selected as appropriate.
  • the temperature and time at the time of adding and mixing each component are not particularly limited as long as each compounding component does not deteriorate, and may be appropriately adjusted, but the temperature is preferably 15 to 30 ° C.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a film-like adhesive according to an embodiment of the present invention.
  • the main part may be enlarged for convenience, and the dimensional ratio and the like of each component are the same as the actual ones. Is not always the case.
  • the film-like adhesive 13 shown here has a first release film 151 on one surface (sometimes referred to as a “first surface” in the present specification) 13a, and is referred to as the first surface 13a.
  • a second release film 152 is provided on the other surface (sometimes referred to as the "second surface” in the present specification) 13b on the opposite side.
  • Such a film-like adhesive 13 is suitable for storage as, for example, a roll.
  • the film-like adhesive 13 can be formed by using the above-mentioned adhesive composition.
  • the first release film 151 and the second release film 152 may be known.
  • the first release film 151 and the second release film 152 may be the same as each other, or are different from each other, for example, the peeling force required for peeling from the film-like adhesive 13 is different from each other. May be good.
  • either the first release film 151 or the second release film 152 is removed, and the resulting exposed surface becomes the back surface of the semiconductor wafer (not shown). Then, the other remaining of the first release film 151 and the second release film 152 is removed, and the generated exposed surface becomes a sticking surface of a support sheet or a dicing sheet described later.
  • the semiconductor processing sheet according to the embodiment of the present invention includes a support sheet, and the film-like adhesive is provided on one surface of the support sheet.
  • the semiconductor processing sheet is suitable as, for example, a dicing die bonding sheet.
  • the semiconductor processing sheet of the present embodiment is configured by using the film-like adhesive, when the semiconductor wafer is divided into semiconductor chips and the film-like adhesive is cut at the same time by dicing. In addition, chip skipping can be suppressed. Further, the semiconductor package formed by incorporating the film-like adhesive using the semiconductor processing sheet has high reliability.
  • the support sheet may be composed of one layer (single layer) or may be composed of two or more layers.
  • the constituent materials and the thicknesses of the plurality of layers may be the same or different from each other, and the combination of the plurality of layers is not particularly limited as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • Preferred support sheets include, for example, those comprising only a base material; a base material and a pressure-sensitive adhesive layer provided on one surface of the base material.
  • the support sheet includes the base material and the pressure-sensitive adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive layer is arranged between the base material and the film-like adhesive in the semiconductor processing sheet.
  • the support sheet made of only a base material is suitable as a carrier sheet or a dicing sheet.
  • a semiconductor processing sheet provided with a support sheet composed of only such a base material is a surface of the film-like adhesive opposite to the side provided with the support sheet (that is, the base material) (in the present specification, The "first surface") is attached to the back surface of the semiconductor wafer and used.
  • the support sheet provided with the base material and the pressure-sensitive adhesive layer is suitable as a dicing sheet.
  • a semiconductor processing sheet provided with such a support sheet can also be used by attaching the surface (first surface) of the film-like adhesive opposite to the side provided with the support sheet to the back surface of the semiconductor wafer. Will be done.
  • the base material is in the form of a sheet or a film, and examples of the constituent material thereof include various resins.
  • the resin include polyethylenes such as low density polyethylene (LDPE), linear low density polyethylene (LLDPE), and high density polyethylene (HDPE); other than polyethylene such as polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, and norbornene resin.
  • Polyethylene polyethylene-based copolymers such as ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymer, and ethylene-norbornene copolymer (ethylene as monomer) (Copolymer obtained using); Vinyl chloride resin such as polyvinyl chloride and vinyl chloride copolymer (resin obtained by using vinyl chloride as a monomer); Polystyrene; Polycycloolefin; Polyethylene terephthalate, polyethylene Polyethylenes such as naphthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene isophthalate, polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate, all aromatic polyesters in which all constituent units have an aromatic cyclic group; co-operation of two or more of the above polyesters.
  • Polyethylene-based copolymers such as ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid cop
  • Polymers poly (meth) acrylic acid esters; polyurethanes; polyurethane acrylates; polyimides; polyamides; polycarbonates; fluororesins; polyacetals; modified polyphenylene oxides; polyphenylene sulfides; polysulfones; polyether ketones and the like.
  • the resin include polymer alloys such as a mixture of the polyester and other resins.
  • the polymer alloy of the polyester and the resin other than the polyester preferably has a relatively small amount of the resin other than the polyester.
  • the resin for example, a crosslinked resin obtained by cross-linking one or more of the resins exemplified above; modification of an ionomer or the like using one or more of the resins exemplified so far. Resin is also mentioned.
  • the resin constituting the base material may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the base material may be composed of one layer (single layer), may be composed of two or more layers, and when composed of a plurality of layers, these multiple layers are the same or different from each other.
  • the combination of these plurality of layers may be not particularly limited.
  • the thickness of the base material is preferably 50 to 300 ⁇ m, more preferably 60 to 150 ⁇ m.
  • the thickness of the base material is within such a range, the flexibility of the semiconductor processing sheet and the stickability to the semiconductor wafer or the semiconductor chip are further improved.
  • the "thickness of the base material” means the thickness of the entire base material, and for example, the thickness of the base material composed of a plurality of layers means the total thickness of all the layers constituting the base material. means.
  • the base material preferably has a high thickness accuracy, that is, a material in which variation in thickness is suppressed regardless of the site.
  • materials that can be used to compose such a highly accurate base material in thickness include, for example, polyethylene, polyolefins other than polyethylene, polyethylene terephthalate, ethylene-vinyl acetate copolymer, and the like. Can be mentioned.
  • the base material contains various known additives such as fillers, colorants, antistatic agents, antioxidants, organic lubricants, catalysts, and softeners (plasticizers). You may.
  • the base material may be transparent, opaque, colored depending on the purpose, or another layer may be vapor-deposited.
  • the base material is subjected to unevenness treatment by sandblasting treatment, solvent treatment, etc., corona discharge treatment, electron beam irradiation treatment, plasma treatment. , Ozone / ultraviolet irradiation treatment, flame treatment, chromic acid treatment, hot air treatment and other oxidation treatments may be applied to the surface.
  • the base material may have a surface surface treated with a primer.
  • the base material is an antistatic coat layer; a layer that prevents the base material from adhering to other sheets or adhering to the adsorption table when the semiconductor processing sheets are superposed and stored. It may have.
  • the base material can be produced by a known method.
  • a base material containing a resin can be produced by molding a resin composition containing the resin.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is in the form of a sheet or a film and contains a pressure-sensitive adhesive.
  • the pressure-sensitive adhesive include adhesive resins such as acrylic resin, urethane resin, rubber-based resin, silicone resin, epoxy-based resin, polyvinyl ether, polycarbonate, and ester-based resin.
  • the "adhesive resin” includes both a resin having adhesiveness and a resin having adhesiveness.
  • the adhesive resin includes not only the resin itself having adhesiveness, but also a resin showing adhesiveness when used in combination with other components such as additives, and adhesiveness due to the presence of a trigger such as heat or water. Also included are resins and the like.
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be composed of one layer (single layer), may be composed of two or more layers, and when composed of a plurality of layers, the plurality of layers may be the same or different from each other.
  • the combination of these plurality of layers is not particularly limited.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, but is preferably 1 to 100 ⁇ m, more preferably 1 to 60 ⁇ m, and particularly preferably 1 to 30 ⁇ m.
  • the "thickness of the pressure-sensitive adhesive layer” means the thickness of the entire pressure-sensitive adhesive layer, and for example, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer composed of a plurality of layers is the sum of all the layers constituting the pressure-sensitive adhesive layer. Means the thickness of.
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be formed by using an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, or may be formed by using a non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive. That is, the pressure-sensitive adhesive layer may be either energy ray-curable or non-energy ray-curable.
  • the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive layer can easily adjust its physical properties before and after curing.
  • the pressure-sensitive adhesive layer can be formed by using a pressure-sensitive adhesive composition containing a pressure-sensitive adhesive.
  • the pressure-sensitive adhesive layer can be formed on a target portion by applying the pressure-sensitive adhesive composition to the surface to be formed of the pressure-sensitive adhesive layer and drying it if necessary.
  • the ratio of the contents of the components that do not vaporize at room temperature in the pressure-sensitive adhesive composition is usually the same as the ratio of the contents of the components in the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the pressure-sensitive adhesive composition can be applied in the same manner as in the case of the above-mentioned adhesive composition.
  • examples of the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition include non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive resin (I-1a) (hereinafter, "sticky resin (I-)”. 1a) ”) and an energy ray-curable compound (adhesive composition (I-1); an unsaturated group is introduced into the side chain of the adhesive resin (I-1a).
  • a pressure-sensitive adhesive composition (I-2) containing the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive resin (I-2a) (hereinafter, may be abbreviated as "sticky resin (I-2a)"); Examples thereof include a pressure-sensitive adhesive composition (I-3) containing a sex resin (I-2a) and an energy ray-curable compound.
  • examples of the non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition include the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) containing the pressure-sensitive adhesive resin (I-1a). Can be mentioned.
  • the pressure-sensitive adhesive compositions such as the pressure-sensitive adhesive compositions (I-1) to (I-4) can be produced by the same method as in the case of the above-mentioned adhesive composition, except that the compounding components are different.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a semiconductor processing sheet according to an embodiment of the present invention.
  • the same components as those shown in the already explained figures are designated by the same reference numerals as in the case of the already explained figures, and detailed description thereof will be omitted.
  • the semiconductor processing sheet 101 shown here includes a support sheet 10, and a film-like adhesive 13 is provided on one surface of the support sheet 10 (sometimes referred to as a “first surface” in the present specification) 10a. It has.
  • the support sheet 10 is composed of only the base material 11, and the semiconductor processing sheet 101 is, in other words, on one surface of the base material 11 (sometimes referred to as a “first surface” in the present specification) 11a. It has a structure in which the film-like adhesive 13 is laminated. Further, the semiconductor processing sheet 101 further includes a release film 15 on the film-like adhesive 13.
  • the film-like adhesive 13 is laminated on the first surface 11a of the base material 11, and the surface of the film-like adhesive 13 opposite to the side on which the base material 11 is provided (this specification).
  • the adhesive layer 16 for jigs is laminated on a part of 13a (sometimes referred to as the "first surface"), that is, in the region near the peripheral edge portion, and the first surface 13a of the film-like adhesive 13 Among them, the release film 15 is formed on the surface on which the adhesive layer 16 for jigs is not laminated and the surface 16a (upper surface and side surface) of the adhesive layer 16 for jigs which is not in contact with the film-like adhesive 13. It is laminated.
  • the first surface 11a of the base material 11 is also referred to as the first surface 10a of the support sheet 10.
  • the release film 15 is the same as the first release film 151 or the second release film 152 shown in FIG.
  • the adhesive layer 16 for jigs may have, for example, a single-layer structure containing an adhesive component, or a multi-layer structure in which layers containing an adhesive component are laminated on both sides of a sheet serving as a core material. There may be.
  • the back surface of the semiconductor wafer (not shown) is attached to the first surface 13a of the film-like adhesive 13, and further, the adhesive layer 16 for jigs is attached.
  • the upper surface of the surface 16a is attached to a jig such as a ring frame and used.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a semiconductor processing sheet according to another embodiment of the present invention.
  • the semiconductor processing sheet 102 shown here is the same as the semiconductor processing sheet 101 shown in FIG. 2, except that the jig adhesive layer 16 is not provided. That is, in the semiconductor processing sheet 102, the film-like adhesive 13 is laminated on the first surface 11a of the base material 11 (the first surface 10a of the support sheet 10), and the entire surface of the first surface 13a of the film-like adhesive 13 is laminated.
  • the release film 15 is laminated on the surface.
  • the semiconductor processing sheet 102 is configured by laminating the base material 11, the film-like adhesive 13, and the release film 15 in this order in the thickness direction.
  • the semiconductor processing sheet 102 shown in FIG. 3 is in the center of the first surface 13a of the film-like adhesive 13 with the release film 15 removed.
  • the back surface of the semiconductor wafer (not shown) is attached to a part of the region on the side, and the region near the peripheral edge of the film-like adhesive 13 is attached to a jig such as a ring frame for use.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a semiconductor processing sheet according to still another embodiment of the present invention.
  • the semiconductor processing sheet 103 shown here is the same as the semiconductor processing sheet 101 shown in FIG. 2, except that the pressure-sensitive adhesive layer 12 is further provided between the base material 11 and the film-like adhesive 13. It is the same.
  • the support sheet 10 is a laminate of the base material 11 and the pressure-sensitive adhesive layer 12, and the semiconductor processing sheet 103 also has a structure in which the film-like adhesive 13 is laminated on the first surface 10a of the support sheet 10.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 12 is laminated on the first surface 11a of the base material 11, and the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 12 opposite to the base material 11 side (in the present specification, the "first surface”
  • the film-like adhesive 13 is laminated on the entire surface of the 12a (sometimes referred to as “one surface"), and is bonded to a part of the first surface 13a of the film-like adhesive 13, that is, a region near the peripheral edge.
  • the film-like adhesive 13 On which the agent layer 16 is laminated and the surface on which the jig adhesive layer 16 is not laminated and the jig adhesive layer 16, the film-like adhesive 13
  • the release film 15 is laminated on the surfaces 16a (upper surface and side surfaces) that are not in contact with the surface 16a.
  • the back surface of the semiconductor wafer (not shown) is attached to the first surface 13a of the film-like adhesive 13 in a state where the release film 15 is removed, and further, for a jig.
  • the upper surface of the surface 16a of the adhesive layer 16 is attached to a jig such as a ring frame and used.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a semiconductor processing sheet according to still another embodiment of the present invention.
  • the semiconductor processing sheet 104 shown here is the same as the semiconductor processing sheet 103 shown in FIG. 4, except that the jig adhesive layer 16 is not provided and the shape of the film-like adhesive is different. That is, the semiconductor processing sheet 104 includes the base material 11, the pressure-sensitive adhesive layer 12 on the base material 11, and the film-like adhesive 23 on the pressure-sensitive adhesive layer 12.
  • the support sheet 10 is a laminate of the base material 11 and the pressure-sensitive adhesive layer 12, and the semiconductor processing sheet 104 also has a structure in which the film-like adhesive 23 is laminated on the first surface 10a of the support sheet 10.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 12 is laminated on the first surface 11a of the base material 11, and a film-like adhesive is formed on a part of the first side surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12, that is, on the central region. 23 are laminated. Then, the area of the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12 on which the film-like adhesive 23 is not laminated and the surface of the film-like adhesive 23 opposite to the pressure-sensitive adhesive layer 12 side (the present specification).
  • the release film 15 is laminated on the 23a (sometimes referred to as the "first surface”).
  • reference numeral 23b indicates the other surface of the film-like adhesive 23 opposite to the first surface 23a (in the present specification, it may be referred to as “second surface”). ..
  • the film-like adhesive 23 When the semiconductor processing sheet 104 is viewed in a plan view from above on the release film 15 side, the film-like adhesive 23 has a smaller surface area than the pressure-sensitive adhesive layer 12, and has a shape such as a circular shape.
  • the back surface of the semiconductor wafer (not shown) is attached to the first surface 23a of the film-like adhesive 23 in a state where the release film 15 is removed, and further, the pressure-sensitive adhesive layer is attached.
  • a region of the first surface 12a of 12 on which the film-like adhesive 23 is not laminated is attached to a jig such as a ring frame and used.
  • the semiconductor processing sheet 104 shown in FIG. 5 similarly to those shown in FIGS. 2 and 4, in the region of the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12 where the film-like adhesive 23 is not laminated.
  • the jig adhesive layer may be laminated (not shown).
  • the upper surface of the surface of the jig adhesive layer is a ring, as in the case of the semiconductor processing sheet shown in FIGS. 2 and 4. It is used by being attached to a jig such as a frame.
  • the semiconductor processing sheet may be provided with an adhesive layer for jigs regardless of the form of the support sheet and the film-like adhesive.
  • the semiconductor processing sheet provided with the jig adhesive layer is usually preferably a sheet having a jig adhesive layer on a film-like adhesive.
  • the semiconductor processing sheet of the present embodiment is not limited to those shown in FIGS. 2 to 5, and a part of the configurations shown in FIGS. 2 to 5 are changed or deleted within a range that does not impair the effects of the present invention. It may be the one described above or the one described above with other configurations added.
  • layers other than the base material, the pressure-sensitive adhesive layer, the film-like adhesive, and the release film may be provided at arbitrary positions.
  • a partial gap may be formed between the release film and the layer in direct contact with the release film.
  • the size and shape of each layer can be arbitrarily adjusted according to the purpose.
  • the film-like adhesive and the semiconductor processing sheet of the present embodiment are used for manufacturing a semiconductor package and a semiconductor device after manufacturing a semiconductor chip with a film-like adhesive. , Can be used.
  • the release film is removed as needed, and the exposed surface (in other words, the side attached to the semiconductor wafer) is used.
  • a dicing sheet is attached to the opposite surface (sometimes referred to as the "second surface” in the present specification).
  • the laminated structure in which the dicing sheet, the film-like adhesive, and the semiconductor wafer thus obtained are laminated in this order in the thickness direction thereof is subsequently subjected to a known dicing step. ..
  • the laminated structure of the dicing sheet and the film-like adhesive can be regarded as a dicing die bonding sheet.
  • the laminated structure in which the dicing die bonding sheet or the semiconductor processing sheet and the semiconductor wafer are laminated in this way may be referred to as a "first laminated structure”. ..
  • the semiconductor wafer is divided into a plurality of semiconductor chips, and the film-like adhesive is also cut along the outer periphery of the semiconductor chip, and the cut film-like adhesive is provided on the back surface.
  • a plurality of semiconductor chips that is, semiconductor chips with a film-like adhesive
  • These plurality of semiconductor chips with a film-like adhesive are fixed in an aligned state on a dicing sheet.
  • a laminated structure in which a plurality of semiconductor chips with a film-like adhesive are fixed in an aligned state on a dicing sheet or the support sheet is referred to as a “second laminated structure”. May be called.
  • the semiconductor processing sheet already has a structure as a dicing die bonding sheet. Therefore, at the stage when the semiconductor processing sheet is attached to the back surface of the semiconductor wafer, the semiconductor processing sheet (dicing sheet, film-like adhesive) and the semiconductor wafer are laminated in this order in these thickness directions. A laminated structure (that is, the first laminated structure) is obtained. After that, as described above, the dicing step is performed in the same manner as when the film-like adhesive without the support sheet is used, so that the second lamination including the plurality of semiconductor chips with the film-like adhesive is included. The structure is obtained.
  • Examples of the method for dicing a semiconductor wafer include, but are not limited to, a method using a blade (that is, blade dicing), and a general known method for individualizing a semiconductor wafer can be applied.
  • the obtained semiconductor chip with the film-like adhesive is then separated from the dicing sheet or the support sheet, picked up, and adhered to the film.
  • the agent is diced to the circuit forming surface of the substrate.
  • the semiconductor package and the semiconductor device are manufactured by the same method as the conventional method. For example, if necessary, one or more semiconductor chips are further laminated on the die-bonded semiconductor chip, and then wire bonding is performed.
  • the film-like adhesive is heat-cured, and the entire obtained product is sealed with a resin. By going through these steps, a semiconductor package is manufactured. Then, the target semiconductor device is manufactured using this semiconductor package.
  • the semiconductor package thus obtained has high reliability by using the film-like adhesive of the present embodiment.
  • peeling is suppressed at the joint portion between the substrate and the semiconductor chip, the joint portion between the semiconductor chips, and the like where the film-like adhesive is involved.
  • ⁇ Monomer> The formal names of the abbreviated monomers in this example and comparative example are shown below.
  • BA n-butyl acrylate MA: methyl acrylate
  • EA ethyl acrylate
  • HEA 2-hydroxyethyl acrylate
  • AN acrylonitrile
  • GMA glycidyl methacrylate
  • (A) -1 Acrylic resin (weight average molecular weight 700,000, glass) obtained by copolymerizing BA (40 parts by mass), EA (25 parts by mass), AN (30 parts by mass) and GMA (5 parts by mass). Transition temperature 14 ° C.).
  • (A) -2 Acrylic resin (weight average molecular weight 800,000, glass) obtained by copolymerizing BA (55 parts by mass), MA (10 parts by mass), GMA (20 parts by mass) and HEA (15 parts by mass). Transition temperature -28 ° C).
  • (A) -3 Thermoplastic resin, polyester ("Byron 220” manufactured by Toyobo Co., Ltd., number average molecular weight 3000, glass transition temperature 53 ° C.)
  • Epoxy resin (b1)] B1) -1: Bisphenol A type epoxy resin ("JER828” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent 184-194 g / eq)
  • B1) -2 Cresol novolac type epoxy resin ("EOCN-103S, epoxy equivalent 209 to 219 g / eq” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
  • (B1) -3 Phenolic novolac type epoxy resin (Nippon Kayaku Co., Ltd.
  • thermosetting agent (b20) -1 Manufacturing of other thermosetting agent (b20) -1>
  • o-cresol 100 parts by mass
  • paraformaldehyde 33.0 parts by mass
  • oxalic acid 1.0 parts by mass
  • Mass part was charged, and the obtained mixture was reacted for 4 hours while refluxing.
  • methyl isobutyl ketone 50.0 parts by mass was added to the obtained reaction solution, and the mixture was reacted at 120 ° C. for 5 hours. Then, the obtained reaction solution was heated to 180 ° C.
  • a release film (“SP-PET38131” manufactured by Lintec Corporation, thickness 38 ⁇ m) in which one side of a polyethylene terephthalate (PET) film is peeled by a silicone treatment is used, and the adhesion obtained above is applied to the peeled surface.
  • the agent composition was applied and dried by heating at 100 ° C. for 1 minute to form a film-like adhesive having a thickness of 20 ⁇ m.
  • a polyethylene film (manufactured by Gunze Co., Ltd., thickness 80 ⁇ m) is attached as a base material to the surface (in other words, the exposed surface) of the film-like adhesive obtained above on the side opposite to the side provided with the release film.
  • a sheet for semiconductor processing was obtained in which the base material, the film-like adhesive and the release film were laminated in this order in the thickness direction thereof.
  • the above-mentioned storage elastic modulus of the film-like adhesive obtained above immediately after production and before thermosetting is also stored in an air atmosphere at 40 ° C. for 7 days (with time).
  • the storage elastic modulus G' was measured in the same manner as G'(without aging), and the value of the storage elastic modulus G'(with aging) [Pa] at 80 ° C. was obtained.
  • the release film was removed from the semiconductor processing sheet obtained above immediately after production. Immediately at room temperature, the above semiconductor processing sheet is attached to a quartz glass wafer (150 mm diameter, thickness 100 ⁇ m) using a tape attachment device (“Adwill RAD2500” manufactured by Lintec Corporation) with the film-like adhesive. did.
  • the first laminated structure (the present specification) is formed by laminating a base material, a film-like adhesive, and a quartz glass wafer in this order in this order using a semiconductor processing sheet having no history of time. In the book, it may be referred to as "first laminated structure (1-1)").
  • the exposed surface near the peripheral edge portion not attached to the glass wafer was fixed to the dicing ring frame.
  • the glass wafer was divided and the film-like adhesive was also cut to obtain a glass chip having a size of 10 mm ⁇ 10 mm.
  • the moving speed of the dicing blade is 5 mm / sec
  • the rotation speed of the dicing blade is 50,000 rpm
  • the depth of the film-like adhesive is 40 ⁇ m from the sticking surface of the glass wafer on the semiconductor processing sheet.
  • FIG. 6 shows a schematic configuration diagram of the substrate used in the air residual ratio test.
  • comb-shaped electrodes 32 and 33 having a line / space (L / S) of 100 ⁇ m / 100 ⁇ m and an electrode thickness of 10 ⁇ m and a wiring pattern shown in FIG. 6 are formed on the glass substrate 30.
  • the dimensions and number of wiring patterns shown in FIG. 6 are different from the actual ones.
  • the chip with film-like adhesive in the second laminated structure (1-1) obtained above was picked up from the substrate.
  • the film-like adhesive in the picked-up film-like adhesive-attached chip is crimped to the bonding position (position B in the figure) of 10 mm ⁇ 10 mm shown in FIG. 6 on the circuit forming surface of the substrate.
  • a chip with a film-like adhesive was die-bonded onto the substrate.
  • a force of 1.96 N (200 gf) is applied to the silicon chip with a film-like adhesive heated to 80 ° C. in a direction orthogonal to the contact surface with the substrate for 1 second. I went there.
  • the semiconductor processing sheet immediately after production obtained above was stored standing for 7 days in an air atmosphere of 40 ° C.
  • the semiconductor processing sheet after static storage that is, after aging was used instead of the semiconductor processing sheet immediately after production.
  • the substrate was obtained in the same way as above. Based on the above, a substrate for air residual ratio test using a semiconductor processing sheet provided with a film-like adhesive before thermosetting, which has a history of aging (in the present specification, a substrate for air residual ratio test (with aging)". (Sometimes referred to as) was obtained.
  • the air residual rate test substrate (without aging) and the air residual ratio test substrate (with aging) prepared above are coaxially mounted from the glass chip side. We observed the fall. Since the line (L) portion of the substrate is formed to be convex in the direction of the film-like adhesive by the height of the wiring, it is easy to adhere to the film-like adhesive, and basically in all areas of the L portion. It was observed that they were in close contact with the film-like adhesive.
  • the space (S) portion is formed concave in the direction of the film-like adhesive by the height of the wiring, it is difficult to adhere to the film-like adhesive, and the glass substrate and the film-like adhesive In some cases, the presence of air (residual air) was observed in a part of the space. In the acquired image, the residual air portion was confirmed as white and the residual non-air portion was confirmed as gray, which could be easily distinguished as a color difference. After observing as described above, the image obtained above was binarized by the following method using image analysis software (“ImagePro” manufactured by Nippon Roper Co., Ltd.).
  • the image was automatically calculated on the software in a 256-pixel histogram, and processing was performed with an intermediate value of the histogram.
  • the air residual ratio measurement position position M in the figure, that is, the central portion of the bonding position B
  • the space portion of the space portion is extracted.
  • the region corresponding to the residual air portion was classified as a residual air region as white, and the remaining portion was classified as a non-residual region of air as black to correct the image.
  • a pseudo color profile was assigned and the relative area and ratio were calculated.
  • the release film was removed from the semiconductor processing sheet obtained above immediately after production.
  • a silicon wafer (diameter 200 mm, thickness 75 ⁇ m) whose back surface is polished with a dry polish finish is used, and a tape bonding device (Lintec's “Adwill RAD2500”) is immediately used on the back surface (polished surface) at room temperature.
  • the above-mentioned semiconductor processing sheet was attached by the film-like adhesive.
  • the first laminated structure (the present specification) is formed by laminating a base material, a film-like adhesive, and a silicon wafer in this order in the thickness direction of a semiconductor processing sheet having no time history. (Sometimes referred to as "first laminated structure (1-2)”) was obtained.
  • the exposed surface in the vicinity of the peripheral edge portion not attached to the silicon wafer was fixed to the ring frame for wafer dicing.
  • the silicon wafer was divided and the film-like adhesive was also cut to obtain a silicon chip having a size of 8 mm ⁇ 8 mm.
  • the moving speed of the dicing blade is 30 mm / sec
  • the rotation speed of the dicing blade is 30,000 rpm
  • the depth of the film-like adhesive is 40 ⁇ m from the surface to which the silicon wafer is attached to the semiconductor processing sheet.
  • a circuit pattern is formed on a copper foil (thickness 15 ⁇ m) of a copper foil-clad laminate (“CCL-HL830” manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company), and a solder resist (“PSR-” manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd.) is formed on this circuit pattern.
  • a substrate (“SM15-031-10A” manufactured by Cima Electronics Co., Ltd., size: 157.0 mm ⁇ 70.0 mm ⁇ 0.2 mm) on which a layer of (4000 AUS308”) was formed was prepared.
  • the silicon chip with film-like adhesive in the second laminated structure (1-2) obtained above is picked up from the base material. did.
  • the picked-up silicon chip with a film-like adhesive was die-bonded to the substrate by pressure-bonding the film-like adhesive in the silicon chip with the film-like adhesive onto the substrate.
  • a force of 2.45 N (250 gf) is applied to the silicon chip with a film-like adhesive heated to 120 ° C. in a direction orthogonal to the contact surface with the substrate by 0.5. I did it by adding seconds. From the above, a substrate on which a semiconductor chip with a film-like adhesive was die-bonded was obtained.
  • a dicing tape (“Adwill D-510T” manufactured by Lintec Corporation) is attached to this sealing substrate, and the sealing substrate is diced using a dicing device (“DFD6361” manufactured by Disco Corporation) to obtain a size. Obtained a semiconductor package of 15 mm ⁇ 15 mm.
  • the moving speed of the dicing blade is 50 mm / sec
  • the rotation speed of the dicing blade is 30,000 rpm
  • the dicing tape is cut into the dicing tape from the sticking surface of the sealing substrate to a depth of 40 ⁇ m. I went by.
  • semiconductor package (1) As the dicing blade, “ZHDG-SD400-D1-60 56 ⁇ 0.17 A3 ⁇ 40-LS3” manufactured by DISCO was used. As described above, a target semiconductor package (sometimes referred to as “semiconductor package (1)" in the present specification) was obtained by using a semiconductor processing sheet having no history of time. Here, 25 semiconductor packages (1) were obtained by the above method.
  • the semiconductor package after IR reflow was analyzed using a scanning ultrasonic flaw detector (“D-9600” manufactured by Sonoscan).
  • a cross-section polishing machine (“Refine Polisher HV” manufactured by Refine Tech) is used to cut the semiconductor package after IR reflow to form a cross-section, and a digital microscope (“VHX-1000” manufactured by KEYENCE). This cross section was observed using.
  • peeling with a width of 0.5 mm or more is observed at at least one of the joint portion between the substrate and the silicon chip and the joint portion between the silicon chips, it is determined that there is peeling, and it is not recognized. In this case, it was determined that there was no peeling.
  • the reliability of the semiconductor package (1) was evaluated according to the following criteria.
  • evaluation criteria A: The number of semiconductor packages determined to be “peeled” is 3 or less.
  • the reliability of the semiconductor package (2) was evaluated by the same method as in the case of the semiconductor package (1) described above.
  • the evaluation results of these semiconductor packages (1) and (2) are shown in Table 1 together with the number of semiconductor packages determined to be "peeled" (indicated in parentheses in the corresponding column of Table 1).
  • the storage elastic modulus G'at 80 ° C. of the film-like adhesive is 3 ⁇ 10 4 Pa or less, the air residual ratio of the film-like adhesive is low, and the film-like adhesive is peeled off in the manufactured semiconductor package. was unlikely to occur and was highly reliable.
  • the film-like adhesive of Example 1 has a storage elastic modulus G'of 3 ⁇ 10 4 Pa or less even after storage at 40 ° C. for 7 days (with aging), and the storage stability is remarkable. It was excellent.
  • the present invention can be used in the manufacture of semiconductor devices.
  • Semiconductor processing sheet 10 ... Support sheet, 10a ... First surface of support sheet, 11 ... Base material, 11a ... First surface of base material , 12 ... Adhesive layer, 13, 23 ... Film-like adhesive, 13a, 23a ... First surface of film-like adhesive, 13b, 23b ... Second surface of film-like adhesive, 130 ... substrate, 30 ... glass substrate, 32, 33 ... electrode, L ... line, S ... space, B ... bonding position, M ... air residual ratio measurement position

Abstract

熱硬化性のフィルム状接着剤であって、４０℃で７日間保存前後でありかつ熱硬化前で、下記要件１）及び２）を満たす、フィルム状接着剤。１）前記フィルム状接着剤の８０℃における貯蔵弾性率Ｇ'が３×１０４Ｐａ以下である。２）ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１００μｍ／１００μｍで厚みが１０μｍの銅配線を有するガラス基板の前記銅配線側に対して、１０ｍｍ×１０ｍｍ×２０μｍの前記フィルム状接着剤を８０℃で１．９６Ｎの荷重を１秒間与えて圧着した部分の中央部１．１ｍｍ×５ｍｍの領域において、前記スペース部分１００面積％のうちの空気残存率が２０面積％以下である。

Description

フィルム状接着剤及び半導体加工用シート
　本発明は、フィルム状接着剤及び半導体加工用シートに関する。
　本願は、２０１９年３月２２日に日本に出願された特願２０１９－０５４９９５号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　半導体チップは、通常、その裏面に貼付されているフィルム状接着剤によって、基板の回路形成面にダイボンディングされる。そして、得られたものを用いて、半導体パッケージが作製され、この半導体パッケージを用いて、最終的に、目的とする半導体装置が製造される。
　裏面にフィルム状接着剤を備えた半導体チップ（フィルム状接着剤付き半導体チップ）は、例えば、裏面にフィルム状接着剤を備えた半導体ウエハを用いて、半導体ウエハの半導体チップへの分割と、フィルム状接着剤の切断と、を同時に行うことによって作製される。このような方法としては、例えば、ダイシングブレードを用いて、半導体ウエハを分割するとともに、同時にフィルム状接着剤を切断する方法が知られている（特許文献１参照）。この場合、切断前のフィルム状接着剤は、ダイシング時に半導体ウエハを固定するために使用されるダイシングシートに対して積層されて一体化された、ダイシングダイボンディングシートとして利用されることもある。
日本国特開２０１２－２２２００２号公報
　上述の方法では、フィルム状接着剤の特性が不十分である場合、例えば、フィルム状接着剤付き半導体チップを用いて半導体パッケージを製造したとき、加熱を経た半導体パッケージ中で、半導体チップと基板との間、又は半導体チップ同士の間において、剥離が生じ、半導体パッケージの信頼性が低下してしまう。
　本発明は、フィルム状接着剤付きチップを基板の回路形成面にダイボンディングして、その後、半導体パッケージを製造する場合において、保存安定性が高く、信頼性が高い半導体パッケージを製造できるフィルム状接着剤、及び前記フィルム状接着剤を備えた半導体加工用シートを提供することを目的とする。
　すなわち、本発明は以下の態様を有する。
（１）熱硬化性のフィルム状接着剤であって、
　４０℃で７日間保存前でありかつ熱硬化前、及び４０℃で７日間保存後でありかつ熱硬化前で、下記要件１）及び２）を満たす、フィルム状接着剤。
　１）前記フィルム状接着剤の８０℃における貯蔵弾性率Ｇ’が３×１０４Ｐａ以下である。
　２）ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１００μｍ／１００μｍで厚みが１０μｍの銅配線を有するガラス基板の前記銅配線側に対して、１０ｍｍ×１０ｍｍ×２０μｍの前記フィルム状接着剤を８０℃で１．９６Ｎの荷重を１秒間与えて圧着した部分の中央部１．１ｍｍ×５ｍｍの領域において、前記スペース部分１００面積％のうちの空気残存率が２０面積％以下である。
（２）前記フィルム状接着剤の厚さが５～５０μｍである、前記（１）に記載のフィルム状接着剤。
（３）支持シートを備え、前記支持シートの一方の面上に、前記（１）又は（２）に記載のフィルム状接着剤を備えた、半導体加工用シート。
（４）前記支持シートが、基材と、前記基材の一方の面上に設けられた粘着剤層と、を備えており、
　前記粘着剤層が、前記基材と、前記フィルム状接着剤と、の間に配置されている、前記（３）に記載の半導体加工用シート。
　本発明によれば、フィルム状接着剤付きチップを基板の回路形成面にダイボンディングして、その後、半導体パッケージを製造する場合において、保存安定性が高く、信頼性が高い半導体パッケージを製造できるフィルム状接着剤、及び前記フィルム状接着剤を備えた半導体加工用シートが提供される。
本発明の一実施形態に係るフィルム状接着剤を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体加工用シートを模式的に示す断面図である。 本発明の他の実施形態に係る半導体加工用シートを模式的に示す断面図である。 本発明のさらに他の実施形態に係る半導体加工用シートを模式的に示す断面図である。 本発明のさらに他の実施形態に係る半導体加工用シートを模式的に示す断面図である。 実施例において、空気残存率試験に用いた基板の上面図である。
◇フィルム状接着剤
　本発明の一実施形態に係るフィルム状接着剤は、熱硬化性のフィルム状接着剤であって、４０℃で７日間保存前でありかつ熱硬化前、及び４０℃で７日間保存後でありかつ熱硬化前で、下記要件１）及び２）を満たすものである。
　１）前記フィルム状接着剤の８０℃における貯蔵弾性率Ｇ’が３×１０４Ｐａ以下である。
　２）ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１００μｍ／１００μｍで厚みが１０μｍの銅配線を有するガラス基板の前記銅配線側に対して、１０ｍｍ×１０ｍｍ×２０μｍの前記フィルム状接着剤を８０℃で１．９６Ｎの荷重を１秒間与えて圧着した部分の中央部１．１ｍｍ×５ｍｍの領域において、前記スペース部分１００面積％のうちの空気残存率が２０面積％以下である。
　本実施形態のフィルム状接着剤において、上記要件１）及び２）を満たすことにより、フィルム状接着剤付きチップを基板の回路形成面にダイボンディングして、その後、半導体パッケージを製造する場合において、半導体チップと基板との間、又は半導体チップ同士の間において、剥離が生じ難い、信頼性が高い半導体パッケージを製造できる。
　上記要件１）と２）との関係については、以下であると考えられる。上記要件１）における貯蔵弾性率Ｇ’が３×１０４Ｐａ以下であると、上記要件２）におけるスペース部分にフィルム状接着剤が充填されやすくなり、空気残存率が低下するものと考えられる。
　また、本実施形態のフィルム状接着剤は、上記要件１）及び２）を、４０℃で７日間保存前であり且つ熱硬化前、及び４０℃で７日間保存後であり且つ熱硬化前の両方で満たすものである。４０℃７日間の静置保存は、常温（約２５℃）３カ月の静置保存に相当する促進処理である。したがって、本実施形態のフィルム状接着剤は、長期間の保存を経た後であっても、保存安定性が高く上記の信頼性を発揮できる。
　上記の信頼性をより向上させる点では、本実施形態のフィルム状接着剤の８０℃における貯蔵弾性率Ｇ’が３×１０４Ｐａ以下であり、９×１０３Ｐａ以下であることが好ましく、７×１０３Ｐａ以下であることがより好ましく、５×１０３Ｐａ以下であることがさらに好ましい。８０℃という温度は、本実施形態のフィルム状接着剤が使用されるボンディングの工程の加熱温度を想定したものである。
　本実施形態のフィルム状接着剤の８０℃における貯蔵弾性率Ｇ’の下限値は、特に制限されるものではないが、１×１０３Ｐａ以上であってもよく、１．５×１０３Ｐａ以上であってもよく、２×１０３Ｐａ以上であってもよい。８０℃における貯蔵弾性率Ｇ’が上記下限値以上であると、ダイボンディングの工程において荷重をかけた際にもフィルム状接着剤の厚みが安定し、より信頼性の高い半導体パッケージを製造できる。
　本実施形態のフィルム状接着剤の８０℃における貯蔵弾性率Ｇ’の上記数値範囲の一例としては、１×１０３Ｐａ以上３×１０４Ｐａ以下であってもよく、１×１０３Ｐａ以上９×１０３Ｐａ以下であってもよく、１．５×１０３Ｐａ以上７×１０３Ｐａ以下であってもよく、２×１０３Ｐａ以上５×１０３Ｐａ以下であってもよい。
　後述の実施例において示されるように、フィルム状接着剤の８０℃における貯蔵弾性率Ｇ’の値が低いほど、フィルム状接着剤を基板の回路形成面に圧着した際に生じ得る、スペース部分の上記空気残存率を低減することができる。
　半導体パッケージの信頼性を向上させる観点からは、上記空気残存率の値は低いほど好ましい。本実施形態のフィルム状接着剤の上記要件２）における上記空気残存率は２０面積％以下であり、１９面積％以下であることが好ましく、１８面積％以下であることがより好ましい。空気残存率の下限は０面積％であってよく、半導体パッケージの信頼性を発揮する上では、５面積％以上であってもよく、１０面積％以上であってもよい。
　上記の空気残存率は、後述の実施例に記載の取得方法及び条件により、取得されたものとする。
　空気残存率は、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１００μｍ／１００μｍで厚みが１０μｍの銅配線を有するガラス基板の前記銅配線側に対して、１０ｍｍ×１０ｍｍ×２０μｍの前記フィルム状接着剤と、１０ｍｍ×１０ｍｍ×１００μｍの石英ガラスチップと、の積層体であるフィルム状接着剤付きチップの該フィルム状接着剤を、そのチップ側から８０℃で１．９６Ｎの荷重を１秒間与えて圧着した部分の中央部１．１ｍｍ×５ｍｍの領域において、前記チップの上面から圧着後の前記フィルム状接着剤を観察し、前記スペース部分１００面積％のうち、ガラス基板に前記フィルム状接着剤が接触していない部分（空気残存領域）の面積の割合〔スペース部分の領域の空気残存領域の面積値をＡ、スペース部分の領域の非空気残存領域の面積値をＢとしたとき、スペース部分の空気残存率（面積％）＝Ａ／（Ａ＋Ｂ）×１００〕として求めることができる。前記チップは、透明なものを使用すればよい。フィルム状接着剤が接触している非空気残存領域と、空気残存領域とでは、チップを透して見えるフィルム状接着剤の色合が異なって見えるので、空気残存領域は目視により容易に区別可能である。同様に、空気残存部分は、取得した画像に対し、画像解析装置を使用して明度や色等の違いを解析することによっても区別可能である。空気残存率は、画像解析装置を使用して算出可能である。
　本実施形態において、上記要件１）及び２）を求める対象となるフィルム状接着剤は、その製造直後から、２５℃を超える温度条件下では保存されておらず、かつ、２５℃以下の温度条件下での保存時間が１年以内であるもの、が好ましい。
　さらに、このときの温度以外のフィルム状接着剤の保存条件は、以下のとおりである。すなわち、フィルム状接着剤は、空気雰囲気下で保存することが好ましく、静置保存することが好ましく、暗所で保存することが好ましい。そして、これら２以上の条件を満たすように保存することがより好ましく、すべての条件を満たすように保存することが特に好ましい。
　本明細書においては、半導体チップの回路が形成されている面を「回路形成面」と称し、この回路形成面とは反対側の面を「裏面」と称する。そして、半導体チップと、その裏面に設けられたフィルム状接着剤と、を備えた構造体を、「フィルム状接着剤付き半導体チップ」と称する。
　また、本明細書においては、基板の回路が形成されている面も「回路形成面」と称する。
　本実施形態のフィルム状接着剤を備えたフィルム状接着剤付き半導体チップは、そのフィルム状接着剤によって、基板の回路形成面へ良好な状態でダイボンディングできる。
　前記フィルム状接着剤は１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
　なお、本明細書においては、フィルム状接着剤の場合に限らず、「複数層が互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよいし、一部の層のみが同一であってもよい」ことを意味し、さらに「複数層が互いに異なる」とは、「各層の構成材料及び厚さの少なくとも一方が互いに異なる」ことを意味する。
　前記フィルム状接着剤の厚さは、特に限定されないが、１～５０μｍであることが好ましく、３～５０μｍであることがより好ましく、５～５０μｍであることがさらに好ましく、５～４０μｍであることが特に好ましく、５～３０μｍであることが最も好ましい。フィルム状接着剤の厚さが前記下限値以上であることで、フィルム状接着剤の被着体（半導体ウエハ、半導体チップ）に対する接着力が、より高くなる。フィルム状接着剤の厚さが前記上限値以下であることで、後述する半導体チップの製造工程において、フィルム状接着剤をより容易に切断でき、また、フィルム状接着剤に由来する切断片の発生量をより低減でき、さらに、半導体装置を薄化するのに有利である。
　ここで、「フィルム状接着剤の厚さ」とは、フィルム状接着剤全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなるフィルム状接着剤の厚さとは、フィルム状接着剤を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
　前記フィルム状接着剤は、その構成材料を含有する接着剤組成物を用いて形成できる。例えば、フィルム状接着剤の形成対象面に接着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位にフィルム状接着剤を形成できる。
　接着剤組成物中の、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、フィルム状接着剤の前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。なお、本明細書において、「常温」とは、特に冷やしたり、熱したりしない温度、すなわち平常の温度を意味し、例えば、１５～２５℃の温度等が挙げられる。
　接着剤組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、例えば、エアーナイフコーター、ブレードコーター、バーコーター、グラビアコーター、ロールコーター、ロールナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ナイフコーター、スクリーンコーター、マイヤーバーコーター、キスコーター等の各種コーターを用いる方法が挙げられる。
　接着剤組成物の乾燥条件は、特に限定されないが、接着剤組成物は、後述する溶媒を含有している場合、加熱乾燥させることが好ましい。溶媒を含有する接着剤組成物は、例えば、７０～１３０℃で１０秒～５分の条件で乾燥させることが好ましい。
　以下、フィルム状接着剤及び接着剤組成物の含有成分について、詳細に説明する。
＜＜接着剤組成物＞＞
　好ましい接着剤組成物としては、熱硬化性の接着剤組成物が挙げられる。
　熱硬化性の接着剤組成物としては、例えば、重合体成分（ａ）及び熱硬化性成分（ｂ）を含有するものが挙げられる。以下、各成分について説明する。
＜重合体成分（ａ）＞
　重合体成分（ａ）は、重合性化合物が重合反応して形成されたとみなせる成分であり、フィルム状接着剤に造膜性や可撓性等を付与すると共に、半導体チップ等の接着対象への接着性（貼付性）を向上させるための重合体化合物である。重合体成分（ａ）は、熱可塑性を有し、熱硬化性を有しない。なお、本明細書において重合体化合物には、重縮合反応の生成物も含まれる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する重合体成分（ａ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　重合体成分（ａ）としては、例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、飽和ポリエステル樹脂等が挙げられ、アクリル樹脂が好ましい。
　重合体成分（ａ）における前記アクリル樹脂としては、公知のアクリル重合体が挙げられる。
　アクリル樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１００００～２００００００であることが好ましく、１０００００～１５０００００であることがより好ましい。アクリル樹脂の重量平均分子量がこのような範囲内であることで、フィルム状接着剤と被着体との間の接着力を好ましい範囲に調節することが容易となる。
　一方、アクリル樹脂の重量平均分子量が前記下限値以上であることで、フィルム状接着剤の形状安定性（保管時の経時安定性）が向上する。また、アクリル樹脂の重量平均分子量が前記上限値以下であることで、被着体の凹凸面へフィルム状接着剤が追従し易くなり、被着体とフィルム状接着剤との間でボイド等の発生がより抑制される。
　なお、本明細書において、「重量平均分子量」とは、特に断りのない限り、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値である。
　アクリル樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、－６０～７０℃であることが好ましく、－３０～５０℃であることがより好ましい。アクリル樹脂のＴｇが前記下限値以上であることで、フィルム状接着剤と被着体との間の接着力が抑制されて、ピックアップ時において、フィルム状接着剤付き半導体チップの、後述する支持シートからの引き離しがより容易となる。アクリル樹脂のＴｇが前記上限値以下であることで、フィルム状接着剤と半導体チップとの間の接着力が向上する。
　アクリル樹脂を構成する前記（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ－プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ－ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓｅｃ－ブチル、（メタ）アクリル酸ｔｅｒｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ｎ－オクチル、（メタ）アクリル酸ｎ－ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル（（メタ）アクリル酸ラウリル）、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル（（メタ）アクリル酸ミリスチル）、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル（（メタ）アクリル酸パルミチル）、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル（（メタ）アクリル酸ステアリル）等の、アルキルエステルを構成するアルキル基が、炭素数が１～１８の鎖状構造である（メタ）アクリル酸アルキルエステル；
　（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンタニル等の（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル；
　（メタ）アクリル酸ベンジル等の（メタ）アクリル酸アラルキルエステル；
　（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニルエステル等の（メタ）アクリル酸シクロアルケニルエステル；
　（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニルオキシエチルエステル等の（メタ）アクリル酸シクロアルケニルオキシアルキルエステル；
　（メタ）アクリル酸イミド；
　（メタ）アクリル酸グリシジル等のグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル；　（メタ）アクリル酸ヒドロキシメチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸３－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸３－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル等の水酸基含有（メタ）アクリル酸エステル；
　（メタ）アクリル酸Ｎ－メチルアミノエチル等の置換アミノ基含有（メタ）アクリル酸エステル等が挙げられる。ここで、「置換アミノ基」とは、アミノ基の１個又は２個の水素原子が水素原子以外の基で置換された構造を有する基を意味する。
　なお、本明細書において、「（メタ）アクリル酸」とは、「アクリル酸」及び「メタクリル酸」の両方を包含する概念とする。（メタ）アクリル酸と類似の用語についても同様である。
　アクリル樹脂は、例えば、前記（メタ）アクリル酸エステル以外に、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン及びＮ－メチロールアクリルアミド等から選択される１種又は２種以上のモノマーが共重合して得られた樹脂であってもよい。
　アクリル樹脂を構成するモノマーは、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　アクリル樹脂は、上述の水酸基以外に、ビニル基、（メタ）アクリロイル基、アミノ基、カルボキシ基、イソシアネート基等の他の化合物と結合可能な官能基を有していてもよい。アクリル樹脂の水酸基をはじめとするこれら官能基は、後述する架橋剤（ｆ）を介して他の化合物と結合してもよいし、架橋剤（ｆ）を介さずに他の化合物と直接結合していてもよい。アクリル樹脂が前記官能基により他の化合物と結合することで、フィルム状接着剤を用いて得られたパッケージの信頼性が向上する傾向がある。
　アクリル樹脂において、これを構成する構成単位の全量に対する、グリシジル基含有モノマーから誘導された構成単位の量の割合（含有量）は、２５質量％以下であることが好ましく、例えば、１５質量％以下及び１０質量％以下のいずれかであってもよい。前記割合（含有量）が前記上限値以下であることで、フィルム状接着剤の保存安定性がより高くなる。なお、前記グリシジル基含有モノマーとは、例えば、前記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル等の、グリシジル基を有するモノマーを意味する。
　アクリル樹脂において、これを構成する構成単位の全量に対する、グリシジル基含有モノマーから誘導された構成単位の量の割合（含有量）の下限値は、特に限定されない。　アクリル樹脂において、前記割合（含有量）は、０質量％以上であってもよいし、例えば、２質量％以上であれば、グリシジル基含有モノマーを用いたことによる効果が、より明らかに得られる。
　アクリル樹脂において、これを構成する構成単位の全量に対する、グリシジル基含有モノマーから誘導された構成単位の量の割合（含有量）は、上述のいずれかの下限値と、上限値と、を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。例えば、一実施形態において、前記割合は、好ましくは０～２５質量％であり、例えば、０～１５質量％、及び０～１０質量％のいずれかであってもよい。また、一実施形態において、前記割合は、好ましくは２～２５質量％でりあり、例えば、２～１５質量％、及び２～１０質量％のいずれかであってもよい。ただし、これらは、前記割合の一例である。
　本発明においては、重合体成分（ａ）として、アクリル樹脂以外の熱可塑性樹脂（以下、単に「熱可塑性樹脂」と略記することがある）を、アクリル樹脂を用いずに単独で用いてもよいし、アクリル樹脂と併用してもよい。前記熱可塑性樹脂を用いることで、ピックアップ時において、フィルム状接着剤付き半導体チップの、後述する支持シートからの引き離しがより容易となったり、被着体の凹凸面へフィルム状接着剤が追従し易くなり、被着体とフィルム状接着剤との間でボイド等の発生がより抑制されることがある。
　前記熱可塑性樹脂の重量平均分子量は１０００～１０００００であることが好ましく、３０００～８００００であることがより好ましい。
　前記熱可塑性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、－３０～１５０℃であることが好ましく、－２０～１２０℃であることがより好ましい。
　前記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリウレタン、フェノキシ樹脂、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリスチレン等が挙げられる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する前記熱可塑性樹脂は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　接着剤組成物において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する重合体成分（ａ）の含有量の割合（すなわち、フィルム状接着剤における、フィルム状接着剤の総質量に対する、重合体成分（ａ）の含有量の割合）は、重合体成分（ａ）の種類によらず、５～４０質量％であることが好ましく、６～３０質量％であることがより好ましく、例えば、７～２０質量％等であってもよい。前記割合が前記下限値以上であることで、フィルム状接着剤の構造がより安定化する。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤において、重合体成分（ａ）の総含有量に対する、アクリル樹脂の含有量の割合は、２５～１００質量％であることが好ましく、例えば、５０～１００質量％、７０～１００質量％、及び９０～１００質量％のいずれかであってもよい。前記含有量の割合が前記下限値以上であることで、フィルム状接着剤の保存安定性がより高くなる。
＜熱硬化性成分（ｂ）＞
　熱硬化性成分（ｂ）は、熱硬化性を有し、フィルム状接着剤を熱硬化させるための成分である。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する熱硬化性成分（ｂ）は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　熱硬化性成分（ｂ）としては、例えば、エポキシ系熱硬化性樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。
　これらの中でも、熱硬化性成分（ｂ）は、エポキシ系熱硬化性樹脂であることが好ましい。
〇エポキシ系熱硬化性樹脂
　エポキシ系熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）からなる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有するエポキシ系熱硬化性樹脂は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
［エポキシ樹脂（ｂ１）］
　エポキシ樹脂（ｂ１）としては、公知のものが挙げられ、例えば、多官能系エポキシ樹脂、ビフェニル化合物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル及びその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂等、２官能以上のエポキシ化合物が挙げられる。
　エポキシ樹脂（ｂ１）としては、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂を用いてもよい。不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂は、不飽和炭化水素基を有しないエポキシ樹脂よりも、後述するアクリル樹脂との相溶性が高い。そのため、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂を用いることで、フィルム状接着剤を用いて得られたパッケージの信頼性が向上する。
　不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、多官能系エポキシ樹脂のエポキシ基の一部が不飽和炭化水素基を有する基に変換された構造を有する化合物が挙げられる。このような化合物は、例えば、エポキシ基へ（メタ）アクリル酸又はその誘導体を付加反応させることにより得られる。なお、本明細書において「誘導体」とは、特に断りのない限り、元の化合物の１個以上の基がそれ以外の基（置換基）で置換された構造を有するものを意味する。ここで、「基」とは、複数個の原子が結合して構成された原子団だけでなく、１個の原子も包含するものとする。
　また、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を構成する芳香環等に、不飽和炭化水素基を有する基が直接結合した化合物等が挙げられる。　不飽和炭化水素基は、重合性を有する不飽和基であり、その具体的な例としては、エテニル基（ビニル基）、２－プロペニル基（アリル基）、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリルアミド基等が挙げられ、アクリロイル基が好ましい。
　エポキシ樹脂（ｂ１）の数平均分子量は、特に限定されないが、フィルム状接着剤の硬化性、並びにフィルム状接着剤の硬化物の強度及び耐熱性の点から、３００～３００００であることが好ましく、４００～１００００であることがより好ましく、５００～３０００であることが特に好ましい。
　エポキシ樹脂（ｂ１）のエポキシ当量は、１００～１０００ｇ／ｅｑであることが好ましく、１５０～８００ｇ／ｅｑであることがより好ましい。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有するエポキシ樹脂（ｂ１）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　エポキシ樹脂（ｂ１）の市販品としては、アクリル樹脂微粒子（微粒子状のアクリル樹脂）を含有するものがある。本実施形態においては、アクリル樹脂微粒子を含有しないエポキシ樹脂（ｂ１）を用いることで、例えば、重合体成分（ａ）として、アクリル樹脂微粒子との相互作用によって、アクリル樹脂微粒子を凝集させ易いものを用いた場合であっても、このようなアクリル樹脂微粒子の凝集が抑制されることがあり、これにより、フィルム状接着剤の保存安定性がより高くなることがある。
　このような効果がより明確に得られる点では、例えば、接着剤組成物において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する、アクリル樹脂微粒子の含有量の割合（すなわち、フィルム状接着剤における、フィルム状接着剤の総質量に対する、アクリル樹脂微粒子の含有量の割合）は、アクリル樹脂微粒子の由来によらず、０～５質量％であることが好ましく、０～３質量％であることがより好ましい。
［熱硬化剤（ｂ２）］
　熱硬化剤（ｂ２）は、エポキシ樹脂（ｂ１）に対する硬化剤として機能する。
　熱硬化剤（ｂ２）としては、例えば、下記一般式（１）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 　（一般式（１）中、ｎは１以上の整数である。）
で表される樹脂（本明細書においては、「樹脂（１）」と称することがある）と、それ以外の熱硬化剤と、が挙げられる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する熱硬化剤（ｂ２）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。例えば、接着剤組成物及びフィルム状接着剤は、熱硬化剤（ｂ２）として、樹脂（１）のみを含有していてもよいし、樹脂（１）以外の熱硬化剤のみを含有していてもよいし、樹脂（１）とそれ以外の熱硬化剤をともに含有していてもよい。
・樹脂（１）
　樹脂（１）は、より具体的には、ｏ－クレゾール型ノボラック樹脂である。
　一般式（１）中、ｎは１以上の整数であり、例えば、２以上、４以上、及び６以上のいずれかであってもよい。
　ｎの上限値は、本発明の効果を損なわない範囲で、特に限定されない。例えば、ｎが１０以下である樹脂（１）は、その製造又は入手がより容易である。
　一般式（１）中、ｏ－クレゾール－ジイル基（－Ｃ６Ｈ４（－ＯＨ）（－ＣＨ３）－）同士を連結しているメチレン基（－ＣＨ２－）の、これらｏ－クレゾール－ジイル基に対する結合位置は、特に限定されない。
　さらに、樹脂（１）の軟化点は、６０～１３０℃であることが好ましい。樹脂（１）の軟化点が６０℃以上であることで、フィルム状接着剤が被着体同士を接着する力、いわゆる接着力を発現しやすい。樹脂（１）の軟化点が１３０℃以下であることで、フィルム状接着剤のダイボンディング温度を低くでき、ダイボンディング後の基板の反りを高度に抑制できる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する樹脂（１）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
・樹脂（１）以外の熱硬化剤
　樹脂（１）以外の熱硬化剤は、樹脂（１）に該当しないものであれば、特に限定されない。
　樹脂（１）以外の熱硬化剤としては、例えば、１分子中にエポキシ基と反応し得る官能基を２個以上有する化合物が挙げられる。前記官能基としては、例えば、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシ基、酸基が無水物化された基等が挙げられる。
　樹脂（１）以外の熱硬化剤のうち、フェノール性水酸基を有するフェノール系硬化剤としては、例えば、多官能フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂等が挙げられる。　樹脂（１）以外の熱硬化剤のうち、アミノ基を有するアミン系硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）等が挙げられる。
　樹脂（１）以外の熱硬化剤は、不飽和炭化水素基を有していてもよい。
　不飽和炭化水素基を有する、樹脂（１）以外の熱硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂の水酸基の一部が、不飽和炭化水素基を有する基で置換された構造を有する化合物、フェノール樹脂の芳香環に、不飽和炭化水素基を有する基が直接結合した構造を有する化合物等が挙げられる。
　樹脂（１）以外の熱硬化剤における前記不飽和炭化水素基は、上述の不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂における不飽和炭化水素基と同様である。
　樹脂（１）以外の熱硬化剤としてフェノール系硬化剤を用いる場合には、フィルム状接着剤の接着力を調節することが容易となる点から、樹脂（１）以外の熱硬化剤は軟化点又はガラス転移温度が高いものが好ましい。
　樹脂（１）以外の熱硬化剤のうち、例えば、多官能フェノール樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂等の樹脂成分の数平均分子量は、３００～３００００であることが好ましく、４００～１００００であることがより好ましく、５００～３０００であることが特に好ましい。
　樹脂（１）以外の熱硬化剤のうち、例えば、ビフェノール、ジシアンジアミド等の非樹脂成分の分子量は、特に限定されないが、例えば、６０～５００であることが好ましい。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する、樹脂（１）以外の熱硬化剤は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤において、熱硬化剤（ｂ２）の含有量は、熱硬化剤（ｂ２）の種類によらず、エポキシ樹脂（ｂ１）の含有量１００質量部に対して、０．１～５００質量部であることが好ましく、１～２００質量部であることがより好ましく、例えば、５～１００質量部、及び１０～７５質量部のいずれかでってもよい。熱硬化剤（ｂ２）の前記含有量が前記下限値以上であることで、フィルム状接着剤の硬化がより進行し易くなる。熱硬化剤（ｂ２）の前記含有量が前記上限値以下であることで、フィルム状接着剤の吸湿率が低減されて、フィルム状接着剤を用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤において、熱硬化性成分（ｂ）の含有量（例えば、エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）の総含有量）は、重合体成分（ａ）の含有量１００質量部に対して、１００～９００質量部であることが好ましく、１３０～８５０質量部であることがより好ましく、１６０～８００質量部であることがさらに好ましく、例えば、４００～８００質量部、５００～８００質量部、及び６００～８００質量部のいずれかであってもよい。熱硬化性成分（ｂ）の前記含有量がこのような範囲であることで、フィルム状接着剤と、後述する支持シートと、の間の接着力を調節することがより容易となる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が樹脂（１）を含有する場合、［フィルム状接着剤中の樹脂（１）の量（質量部）］／［フィルム状接着剤中のエポキシ樹脂（ｂ１）の量（質量部）］の値（本明細書においては、「（１）／（ｂ１）値」と略記することがある）は、０より大きく、１以下であることが好ましい。（１）／（ｂ１）値が１以下であることにより、フィルム状接着剤の熱硬化が高度に進行し、その結果、後述する半導体加工用シートの保存の有無に関わらず、フィルム状接着剤を用いて得られた半導体パッケージの信頼性が高くなる。一方、フィルム状接着剤中及び接着剤組成物中の樹脂（１）の量（質量部）と、フィルム状接着剤中及び接着剤組成物中のエポキシ樹脂（ｂ１）の量（質量部）は、いずれも正の値であるため、（１）／（ｂ１）値が０（ゼロ）になることはなく、負の値になることもない。
　なお、［フィルム状接着剤中の樹脂（１）の量（質量部）］／［フィルム状接着剤中のエポキシ樹脂（ｂ１）の量（質量部）］の値は、［接着剤組成物中の樹脂（１）の量（質量部）］／［接着剤組成物中のエポキシ樹脂（ｂ１）の量（質量部）］の値と同義である。
　上述の効果がより高くなる点から、（１）／（ｂ１）値は、例えば、０．１～１、０．２～１、０．３～１、及び０．４～１のいずれかであってもよいし、０より大きく、０．９以下、０より大きく、０．８以下、０より大きく、０．７以下、及び０より大きく、０．６以下、のいずれかであってもよいし、０．１～０．９、０．２～０．８、０．３～０．７、及び０．４～０．６のいずれかであってもよい。
　なお、（１）／（ｂ１）値は、例えば、［フィルム状接着剤における、フィルム状接着剤の総質量に対する、樹脂（１）の含有量の割合（質量％）］／［フィルム状接着剤における、フィルム状接着剤の総質量に対する、エポキシ樹脂（ｂ１）の含有量の割合（質量％）］と同義であり、［接着剤組成物における、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する、樹脂（１）の含有量の割合（質量％）］／［接着剤組成物における、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する、エポキシ樹脂（ｂ１）の含有量の割合（質量％）］と同義である。
　熱硬化剤（ｂ２）として、樹脂（１）を用いた場合には、樹脂（１）以外の熱硬化剤を用いた場合よりも、フィルム状接着剤及び接着剤組成物の保存安定性が高くなる傾向があり、これらを室温下で保存するのに有利である。
　本実施形態のフィルム状接着剤は、熱硬化性を有しており、さらに感圧接着性を有することが好ましい。熱硬化性及び感圧接着性をともに有するフィルム状接着剤は、未硬化状態では各種被着体に軽く押圧することで貼付できる。また、フィルム状接着剤は、加熱して軟化させることで各種被着体に貼付できるものであってもよい。フィルム状接着剤は、硬化によって最終的には耐衝撃性が高い硬化物となり、この硬化物は、厳しい高温・高湿度条件下においても十分な接着特性を保持し得る。
　前記フィルム状接着剤は、その各種物性を改良するために、重合体成分（ａ）及び熱硬化性成分（ｂ）以外に、さらに必要に応じて、これらに該当しない他の成分を含有していてもよい。
　前記フィルム状接着剤が含有する他の成分としては、例えば、硬化促進剤（ｃ）、充填材（ｄ）、カップリング剤（ｅ）、架橋剤（ｆ）、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）、光重合開始剤（ｈ）、汎用添加剤（ｉ）等が挙げられる。これらの中でも、好ましい前記他の成分としては、硬化促進剤（ｃ）、充填材（ｄ）、カップリング剤（ｅ）が挙げられる。
　本明細書において、「エネルギー線」とは、電磁波又は荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものを意味し、その例として、紫外線、放射線、電子線等が挙げられる。
　紫外線は、例えば、紫外線源として高圧水銀ランプ、ヒュージョンランプ、キセノンランプ、ブラックライト又はＬＥＤランプ等を用いることで照射できる。電子線は、電子線加速器等によって発生させたものを照射できる。
　本明細書において、「エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射することにより硬化する性質を意味し、「非エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射しても硬化しない性質を意味する。
＜硬化促進剤（ｃ）＞
　硬化促進剤（ｃ）は、接着剤組成物及びフィルム状接着剤の硬化速度を調節するための成分である。
　好ましい硬化促進剤（ｃ）としては、例えば、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の第３級アミン；２－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール類（１個以上の水素原子が水素原子以外の基で置換されたイミダゾール）；トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類（１個以上の水素原子が有機基で置換されたホスフィン）；テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩；前記イミダゾール類をゲスト化合物とする包接化合物等が挙げられる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する硬化促進剤（ｃ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　硬化促進剤（ｃ）を用いる場合、接着剤組成物及びフィルム状接着剤において、硬化促進剤（ｃ）の含有量は、熱硬化性成分（ｂ）の含有量（例えば、エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）の総含有量）１００質量部に対して、０．０１～５質量部であることが好ましく、０．１～２質量部であることがより好ましい。硬化促進剤（ｃ）の前記含有量が前記下限値以上であることで、硬化促進剤（ｃ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。硬化促進剤（ｃ）の含有量が前記上限値以下であることで、例えば、高極性の硬化促進剤（ｃ）が、高温・高湿度条件下でフィルム状接着剤中において被着体との接着界面側に移動して偏析することを抑制する効果が高くなり、フィルム状接着剤を用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。
＜充填材（ｄ）＞
　フィルム状接着剤は、充填材（ｄ）を含有することにより、その熱膨張係数の調整が容易となり、この熱膨張係数をフィルム状接着剤の貼付対象物に対して最適化することで、フィルム状接着剤を用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。また、フィルム状接着剤が充填材（ｄ）を含有することにより、フィルム状接着剤の硬化物の吸湿率を低減したり、放熱性を向上させたりすることもできる。
　充填材（ｄ）は、有機充填材及び無機充填材のいずれであってもよいが、無機充填材であることが好ましい。
　好ましい無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化ケイ素、窒化ホウ素等の粉末；これら無機充填材を球形化したビーズ；これら無機充填材の表面改質品；これら無機充填材の単結晶繊維；ガラス繊維等が挙げられる。
　これらの中でも、無機充填材は、シリカ、アルミナ又はこれらの表面改質品であることが好ましい。
　充填材（ｄ）の平均粒子径は、特に限定されないが、１０ｎｍ～５μｍであることが好ましく、例えば、１０～８００ｎｍ、１０～６００ｎｍ、２０～３００ｎｍ、及び３０～１５０ｎｍのいずれかであってもよい。充填材（ｄ）の平均粒子径がこのような範囲であることで、充填材（ｄ）を用いたことによる効果を十分に得られるとともに、フィルム状接着剤の保存安定性がより高くなる。
　なお、本明細書において「平均粒子径」とは、特に断りのない限り、レーザー回折散乱法によって求められた粒度分布曲線における、積算値５０％での粒子径（Ｄ５０）の値を意味する。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する充填材（ｄ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　充填材（ｄ）を用いる場合、接着剤組成物において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する充填材（ｄ）の含有量の割合（すなわち、フィルム状接着剤における、フィルム状接着剤の総質量に対する、充填材（ｄ）の含有量の割合）は、５～３０質量％であることが好ましく、７～２５質量％であることがより好ましく、９～２０質量％であることが特に好ましい。充填材（ｄ）の含有量がこのような範囲であることで、上記の熱膨張係数の調整がより容易となる。
＜カップリング剤（ｅ）＞
　フィルム状接着剤は、カップリング剤（ｅ）を含有することにより、被着体に対する接着性及び密着性が向上する。また、フィルム状接着剤がカップリング剤（ｅ）を含有することにより、その硬化物は耐熱性を損なうことなく、耐水性が向上する。カップリング剤（ｅ）は、無機化合物又は有機化合物と反応可能な官能基を有する。
　カップリング剤（ｅ）は、重合体成分（ａ）、熱硬化性成分（ｂ）等が有する官能基と反応可能な官能基を有する化合物であることが好ましく、シランカップリング剤であることがより好ましい。
　好ましい前記シランカップリング剤としては、例えば、３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、３－グリシジルオキシメチルジエトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチルアミノ）プロピルメチルジエトキシシラン、３－（フェニルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３－アニリノプロピルトリメトキシシラン、３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス（３－トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシラン、オリゴマー型又はポリマー型オルガノシロキサン等が挙げられる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有するカップリング剤（ｅ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　カップリング剤（ｅ）を用いる場合、接着剤組成物及びフィルム状接着剤において、カップリング剤（ｅ）の含有量は、重合体成分（ａ）及び熱硬化性成分（ｂ）の総含有量１００質量部に対して、０．０３～２０質量部であることが好ましく、０．０５～１０質量部であることがより好ましく、０．１～５質量部であることが特に好ましい。カップリング剤（ｅ）の前記含有量が前記下限値以上であることで、充填材（ｄ）の樹脂への分散性の向上や、フィルム状接着剤の被着体との接着性の向上など、カップリング剤（ｅ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。カップリング剤（ｅ）の前記含有量が前記上限値以下であることで、アウトガスの発生がより抑制される。
＜架橋剤（ｆ）＞
　重合体成分（ａ）として、上述のアクリル樹脂等の、他の化合物と結合可能なビニル基、（メタ）アクリロイル基、アミノ基、水酸基、カルボキシ基、イソシアネート基等の官能基を有するものを用いる場合、接着剤組成物及びフィルム状接着剤は、前記官能基を他の化合物と結合させて架橋するための架橋剤（ｆ）を含有していてもよい。架橋剤（ｆ）を用いて架橋することにより、フィルム状接着剤の初期接着力及び凝集力を調節できる。
　架橋剤（ｆ）としては、例えば、有機多価イソシアネート化合物、有機多価イミン化合物、金属キレート系架橋剤（金属キレート構造を有する架橋剤）、アジリジン系架橋剤（アジリジニル基を有する架橋剤）等が挙げられる。
　前記有機多価イソシアネート化合物としては、例えば、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物及び脂環族多価イソシアネート化合物（以下、これら化合物をまとめて「芳香族多価イソシアネート化合物等」と略記することがある）；前記芳香族多価イソシアネート化合物等の三量体、イソシアヌレート体及びアダクト体；前記芳香族多価イソシアネート化合物等とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等が挙げられる。前記「アダクト体」は、前記芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物又は脂環族多価イソシアネート化合物と、エチレングリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールプロパン又はヒマシ油等の低分子活性水素含有化合物との反応物を意味する。前記アダクト体の例としては、後述するようなトリメチロールプロパンのキシリレンジイソシアネート付加物等が挙げられる。また、「末端イソシアネートウレタンプレポリマー」とは、ウレタン結合を有するとともに、分子の末端部にイソシアネート基を有するプレポリマーを意味する。
　前記有機多価イソシアネート化合物として、より具体的には、例えば、２，４－トリレンジイソシアネート；２，６－トリレンジイソシアネート；１，３－キシリレンジイソシアネート；１，４－キシレンジイソシアネート；ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート；ジフェニルメタン－２，４’－ジイソシアネート；３－メチルジフェニルメタンジイソシアネート；ヘキサメチレンジイソシアネート；イソホロンジイソシアネート；ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート；ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート；トリメチロールプロパン等のポリオールのすべて又は一部の水酸基に、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート及びキシリレンジイソシアネートのいずれか１種又は２種以上が付加した化合物；リジンジイソシアネート等が挙げられる。
　前記有機多価イミン化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ’－ジフェニルメタン－４，４’－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ’－トルエン－２，４－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）トリエチレンメラミン等が挙げられる。
　架橋剤（ｆ）として有機多価イソシアネート化合物を用いる場合、重合体成分（ａ）としては、水酸基含有重合体を用いることが好ましい。架橋剤（ｆ）がイソシアネート基を有し、重合体成分（ａ）が水酸基を有する場合、架橋剤（ｆ）と重合体成分（ａ）との反応によって、フィルム状接着剤に架橋構造を簡便に導入できる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する架橋剤（ｆ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　架橋剤（ｆ）の含有量は、重合体成分（ａ）の含有量１００質量部に対して、０～５質量部であることが好ましく、０～３質量部であることがより好ましく、０～１質量部であることがさらに好ましく、０質量部であること、すなわち、接着剤組成物及びフィルム状接着剤が架橋剤（ｆ）を含有していないことが特に好ましい。架橋剤（ｆ）の前記含有量が前記下限値以上であることで、架橋剤（ｆ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。架橋剤（ｆ）の前記含有量が前記上限値以下であることで、フィルム状接着剤の保存安定性がより高くなる。
＜エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）＞
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤は、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）を含有していてもよい。フィルム状接着剤は、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）を含有していることにより、エネルギー線の照射によって特性を変化させることができる。
　エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）は、エネルギー線硬化性化合物を重合（硬化）して得られたものである。
　前記エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、分子内に少なくとも１個の重合性二重結合を有する化合物が挙げられ、（メタ）アクリロイル基を有するアクリレート系化合物が好ましい。
　前記アクリレート系化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４－ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート等の鎖状脂肪族骨格含有（メタ）アクリレート；ジシクロペンタニルジ（メタ）アクリレート等の環状脂肪族骨格含有（メタ）アクリレート；ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート等のポリアルキレングリコール（メタ）アクリレート；オリゴエステル（メタ）アクリレート；ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマー；エポキシ変性（メタ）アクリレート；前記ポリアルキレングリコール（メタ）アクリレート以外のポリエーテル（メタ）アクリレート；イタコン酸オリゴマー等が挙げられる。
　エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）の重量平均分子量は、１００～３００００であることが好ましく、３００～１００００であることがより好ましい。
　接着剤組成物が含有するエネルギー線硬化性樹脂（ｇ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）を用いる場合、接着剤組成物において、接着剤組成物の総質量に対する、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）の含有量の割合は、１～９５質量％であることが好ましく、例えば、１～５０質量％、１～２５質量％、及び１～１０質量％のいずれかであってもよい。
＜光重合開始剤（ｈ）＞
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤は、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）を含有する場合、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）の重合反応を効率よく進めるために、光重合開始剤（ｈ）を含有していてもよい。
　前記光重合開始剤（ｈ）としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール等のベンゾイン化合物；アセトフェノン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン等のアセトフェノン化合物；ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド化合物；ベンジルフェニルスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィド等のスルフィド化合物；１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα－ケトール化合物；アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物；チタノセン等のチタノセン化合物；チオキサントン等のチオキサントン化合物；パーオキサイド化合物；ジアセチル等のジケトン化合物；ベンジル；ジベンジル；ベンゾフェノン；２，４－ジエチルチオキサントン；１，２－ジフェニルメタン；２－ヒドロキシ－２－メチル－１－［４－（１－メチルビニル）フェニル］プロパノン；１－クロロアントラキノン、２－クロロアントラキノン等のキノン化合物等が挙げられる。
　また、光重合開始剤（ｈ）としては、例えば、アミン等の光増感剤等も挙げられる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する光重合開始剤（ｈ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　光重合開始剤（ｈ）を用いる場合、接着剤組成物において、光重合開始剤（ｈ）の含有量は、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）の含有量１００質量部に対して、０．１～２０質量部であることが好ましく、１～１０質量部であることがより好ましく、２～５質量部であることが特に好ましい。
＜汎用添加剤（ｉ）＞
　汎用添加剤（Ｉ）は、公知のものでよく、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。好ましい汎用添加剤（Ｉ）としては、例えば、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、着色剤（染料、顔料）、ゲッタリング剤等が挙げられる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する汎用添加剤（ｉ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤の汎用添加剤（ｉ）の含有量は、特に限定されず、目的に応じて適宜選択すればよい。
＜溶媒＞
　接着剤組成物は、さらに溶媒を含有することが好ましい。溶媒を含有する接着剤組成物は、取り扱い性が良好となる。
　前記溶媒は特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、トルエン、キシレン等の炭化水素；メタノール、エタノール、２－プロパノール、イソブチルアルコール（２－メチルプロパン－１－オール）、１－ブタノール等のアルコール；酢酸エチル等のエステル；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン；テトラヒドロフラン等のエーテル；ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルピロリドン等のアミド（アミド結合を有する化合物）等が挙げられる。
　接着剤組成物が含有する溶媒は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　接着剤組成物が含有する溶媒は、接着剤組成物中の含有成分をより均一に混合できる点から、メチルエチルケトン等であることが好ましい。
　本実施形態の好ましいフィルム状接着剤の一例としては、熱硬化性のフィルム状接着剤であって、４０℃で７日間保存前でありかつ熱硬化前、及び４０℃で７日間保存後でありかつ熱硬化前で、下記要件１）及び２）：
　１）前記フィルム状接着剤の８０℃における貯蔵弾性率Ｇ’が３×１０４Ｐａ以下である。
　２）ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１００μｍ／１００μｍで厚みが１０μｍの銅配線を有するガラス基板の前記銅配線側に対して、１０ｍｍ×１０ｍｍ×２０μｍの前記フィルム状接着剤を８０℃で１．９６Ｎの荷重を１秒間与えて圧着した部分の中央部１．１ｍｍ×５ｍｍの領域において、前記スペース部分１００面積％のうちの空気残存率が２０面積％以下である。
を満たし、
　前記フィルム状接着剤が、重合体成分（ａ）、エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）を含有し、前記重合体成分（ａ）がアクリル樹脂であり、前記熱硬化剤（ｂ２）が前記樹脂（１）であり、
　前記フィルム状接着剤において、前記フィルム状接着剤の総質量に対する、前記重合体成分（ａ）の含有量の割合が、６～３０質量％であり、
　前記フィルム状接着剤において、前記エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）の総含有量が、前記重合体成分（ａ）の含有量１００質量部に対して、１６０～８００質量部である、フィルム状接着剤が挙げられる。
　本実施形態の好ましいフィルム状接着剤の他の例としては、熱硬化性のフィルム状接着剤であって、４０℃で７日間保存前でありかつ熱硬化前、及び４０℃で７日間保存後でありかつ熱硬化前で、下記要件１）及び２）：
　１）前記フィルム状接着剤の８０℃における貯蔵弾性率Ｇ’が３×１０４Ｐａ以下である。
　２）ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１００μｍ／１００μｍで厚みが１０μｍの銅配線を有するガラス基板の前記銅配線側に対して、１０ｍｍ×１０ｍｍ×２０μｍの前記フィルム状接着剤を８０℃で１．９６Ｎの荷重を１秒間与えて圧着した部分の中央部１．１ｍｍ×５ｍｍの領域において、前記スペース部分１００面積％のうちの空気残存率が２０面積％以下である。
を満たし、
　前記フィルム状接着剤が、重合体成分（ａ）、エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）を含有し、前記重合体成分（ａ）がアクリル樹脂であり、前記熱硬化剤（ｂ２）が、軟化点が６０～１３０℃の前記樹脂（１）であり、
　前記フィルム状接着剤において、前記フィルム状接着剤の総質量に対する、前記重合体成分（ａ）の含有量の割合が、６～３０質量％であり、
　前記フィルム状接着剤において、前記エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）の総含有量が、前記重合体成分（ａ）の含有量１００質量部に対して、１６０～８００質量部である、フィルム状接着剤が挙げられる。
　本実施形態の好ましいフィルム状接着剤のさらに他の例としては、熱硬化性のフィルム状接着剤であって、４０℃で７日間保存前でありかつ熱硬化前、及び４０℃で７日間保存後でありかつ熱硬化前で、下記要件１）及び２）：
　１）前記フィルム状接着剤の８０℃における貯蔵弾性率Ｇ’が３×１０４Ｐａ以下である。
　２）ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１００μｍ／１００μｍで厚みが１０μｍの銅配線を有するガラス基板の前記銅配線側に対して、１０ｍｍ×１０ｍｍ×２０μｍの前記フィルム状接着剤を８０℃で１．９６Ｎの荷重を１秒間与えて圧着した部分の中央部１．１ｍｍ×５ｍｍの領域において、前記スペース部分１００面積％のうちの空気残存率が２０面積％以下である。
を満たし、
　前記フィルム状接着剤が、重合体成分（ａ）、エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）を含有し、前記重合体成分（ａ）がアクリル樹脂であり、前記熱硬化剤（ｂ２）が前記樹脂（１）であり、
　前記フィルム状接着剤において、前記フィルム状接着剤の総質量に対する、前記重合体成分（ａ）の含有量の割合が、６～３０質量％であり、
　前記フィルム状接着剤において、前記エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）の総含有量が、前記重合体成分（ａ）の含有量１００質量部に対して、１６０～８００質量部であり、
　［前記フィルム状接着剤中の前記樹脂（１）の量（質量部）］／［前記フィルム状接着剤中の前記エポキシ樹脂（ｂ１）の量（質量部）］の値が、０より大きく、１以下である、フィルム状接着剤が挙げられる。
　本実施形態の好ましいフィルム状接着剤のさらに他の例としては、熱硬化性のフィルム状接着剤であって、４０℃で７日間保存前でありかつ熱硬化前、及び４０℃で７日間保存後でありかつ熱硬化前で、下記要件１）及び２）：
　１）前記フィルム状接着剤の８０℃における貯蔵弾性率Ｇ’が３×１０４Ｐａ以下である。
　２）ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１００μｍ／１００μｍで厚みが１０μｍの銅配線を有するガラス基板の前記銅配線側に対して、１０ｍｍ×１０ｍｍ×２０μｍの前記フィルム状接着剤を８０℃で１．９６Ｎの荷重を１秒間与えて圧着した部分の中央部１．１ｍｍ×５ｍｍの領域において、前記スペース部分１００面積％のうちの空気残存率が２０面積％以下である。
を満たし、
　前記フィルム状接着剤が、重合体成分（ａ）、エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）を含有し、前記重合体成分（ａ）がアクリル樹脂であり、前記熱硬化剤（ｂ２）が、軟化点が６０～１３０℃の前記樹脂（１）であり、
　前記フィルム状接着剤において、前記フィルム状接着剤の総質量に対する、前記重合体成分（ａ）の含有量の割合が、６～３０質量％であり、
　前記フィルム状接着剤において、前記エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）の総含有量が、前記重合体成分（ａ）の含有量１００質量部に対して、１６０～８００質量部であり、
　［前記フィルム状接着剤中の前記樹脂（１）の量（質量部）］／［前記フィルム状接着剤中の前記エポキシ樹脂（ｂ１）の量（質量部）］の値が、０より大きく、１以下である、フィルム状接着剤が挙げられる。
＜接着剤組成物の製造方法＞
　接着剤組成物は、これを構成するための各成分を配合することで得られる。
　各成分の配合時における添加順序は特に限定されず、２種以上の成分を同時に添加してもよい。
　溶媒を用いる場合には、溶媒を溶媒以外のいずれかの配合成分と混合してこの配合成分を予め希釈しておくことで用いてもよいし、溶媒以外のいずれかの配合成分を予め希釈しておくことなく、溶媒をこれら配合成分と混合することで用いてもよい。
　配合時に各成分を混合する方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサーを用いて混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
　各成分の添加及び混合時の温度並びに時間は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されず、適宜調節すればよいが、温度は１５～３０℃であることが好ましい。
　図１は、本発明の一実施形態に係るフィルム状接着剤を模式的に示す断面図である。なお、以下の説明で用いる図は、本発明の特徴を分かり易くするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。
　ここに示すフィルム状接着剤１３は、その一方の面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）１３ａ上に第１剥離フィルム１５１を備え、前記第１面１３ａとは反対側の他方の面（本明細書においては、「第２面」と称することがある）１３ｂ上に第２剥離フィルム１５２を備えている。
　このようなフィルム状接着剤１３は、例えば、ロール状として保存するのに好適である。
　フィルム状接着剤１３は、上述の接着剤組成物を用いて形成できる。
　第１剥離フィルム１５１及び第２剥離フィルム１５２は、いずれも公知のものでよい。　第１剥離フィルム１５１及び第２剥離フィルム１５２は、互いに同じものであってもよいし、例えば、フィルム状接着剤１３から剥離させるときに必要な剥離力が互いに異なるなど、互いに異なるものであってもよい。
　図１に示すフィルム状接着剤１３は、第１剥離フィルム１５１及び第２剥離フィルム１５２のいずれか一方が取り除かれ、生じた露出面が、半導体ウエハ（図示略）の裏面の貼付面となる。そして、第１剥離フィルム１５１及び第２剥離フィルム１５２の残りの他方が取り除かれ、生じた露出面が、後述する支持シート又はダイシングシートの貼付面となる。
◇半導体加工用シート
　本発明の一実施形態に係る半導体加工用シートは、支持シートを備え、前記支持シートの一方の面上に、前記フィルム状接着剤を備える。
　前記半導体加工用シートは、例えば、ダイシングダイボンディングシートとして好適である。
　本実施形態の半導体加工用シートは、前記フィルム状接着剤を用いて構成されているため、ダイシングによって、半導体ウエハの半導体チップへの分割と、フィルム状接着剤の切断と、を同時に行ったときに、チップ飛びを抑制できる。また、前記半導体加工用シートを用いて、前記フィルム状接着剤を取り込んで形成された半導体パッケージは、信頼性が高い。
＜＜支持シート＞＞
　前記支持シートは、１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよい。支持シートが複数層からなる場合、これら複数層の構成材料及び厚さは、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは、本発明の効果を損なわない限り、特に限定されない。
　好ましい支持シートとしては、例えば、基材のみからなるもの；基材と、前記基材の一方の面上に設けられた粘着剤層と、を備えたもの等が挙げられる。
　支持シートが前記基材及び粘着剤層を備えている場合、前記半導体加工用シートにおいては、前記粘着剤層が、前記基材と、前記フィルム状接着剤と、の間に配置される。
　基材のみからなる前記支持シートは、キャリアシート又はダイシングシートとして好適である。このような基材のみからなる支持シートを備えた半導体加工用シートは、フィルム状接着剤の、支持シート（すなわち基材）を備えている側とは反対側の面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）が、半導体ウエハの裏面に貼付されて、使用される。
　一方、基材及び粘着剤層を備えた前記支持シートは、ダイシングシートとして好適である。このような支持シートを備えた半導体加工用シートも、フィルム状接着剤の、支持シートを備えている側とは反対側の面（第１面）が、半導体ウエハの裏面に貼付されて、使用される。
　半導体加工用シートの使用方法は、後ほど詳しく説明する。
　以下、支持シートを構成する各層について、説明する。
＜基材＞
　前記基材は、シート状又はフィルム状であり、その構成材料としては、例えば、各種樹脂が挙げられる。
　前記樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）等のポリエチレン；ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ノルボルネン樹脂等のポリエチレン以外のポリオレフィン；エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エチレン－ノルボルネン共重合体等のエチレン系共重合体（モノマーとしてエチレンを用いて得られた共重合体）；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂（モノマーとして塩化ビニルを用いて得られた樹脂）；ポリスチレン；ポリシクロオレフィン；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリエチレン－２，６－ナフタレンジカルボキシレート、すべての構成単位が芳香族環式基を有する全芳香族ポリエステル等のポリエステル；２種以上の前記ポリエステルの共重合体；ポリ（メタ）アクリル酸エステル；ポリウレタン；ポリウレタンアクリレート；ポリイミド；ポリアミド；ポリカーボネート；フッ素樹脂；ポリアセタール；変性ポリフェニレンオキシド；ポリフェニレンスルフィド；ポリスルホン；ポリエーテルケトン等が挙げられる。
　また、前記樹脂としては、例えば、前記ポリエステルとそれ以外の樹脂との混合物等のポリマーアロイも挙げられる。前記ポリエステルとそれ以外の樹脂とのポリマーアロイは、ポリエステル以外の樹脂の量が比較的少量であるものが好ましい。
　また、前記樹脂としては、例えば、ここまでに例示した前記樹脂の１種又は２種以上が架橋した架橋樹脂；ここまでに例示した前記樹脂の１種又は２種以上を用いたアイオノマー等の変性樹脂も挙げられる。
　基材を構成する樹脂は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　基材は１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
　基材の厚さは、５０～３００μｍであることが好ましく、６０～１５０μｍであることがより好ましい。基材の厚さがこのような範囲であることで、半導体加工用シートの可撓性と、半導体ウエハ又は半導体チップへの貼付性がより向上する。
　ここで、「基材の厚さ」とは、基材全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる基材の厚さとは、基材を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
　基材は、厚さの精度が高いもの、すなわち、部位によらず厚さのばらつきが抑制されたものが好ましい。上述の構成材料のうち、このような厚さの精度が高い基材を構成するのに使用可能な材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリエチレン以外のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、エチレン－酢酸ビニル共重合体等が挙げられる。
　基材は、前記樹脂等の主たる構成材料以外に、充填材、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、有機滑剤、触媒、軟化剤（可塑剤）等の公知の各種添加剤を含有していてもよい。
　基材は、透明であってもよいし、不透明であってもよく、目的に応じて着色されていてもよいし、他の層が蒸着されていてもよい。
　基材は、その上に設けられる粘着剤層等の他の層との密着性を向上させるために、サンドブラスト処理、溶剤処理等による凹凸化処理や、コロナ放電処理、電子線照射処理、プラズマ処理、オゾン・紫外線照射処理、火炎処理、クロム酸処理、熱風処理等の酸化処理等が表面に施されたものであってもよい。
　また、基材は、表面がプライマー処理を施されたものであってもよい。
　また、基材は、帯電防止コート層；半導体加工用シートを重ね合わせて保存する際に、基材が他のシートに接着することや、基材が吸着テーブルに接着することを防止する層等を有するものであってもよい。
　基材は、公知の方法で製造できる。例えば、樹脂を含有する基材は、前記樹脂を含有する樹脂組成物を成形することで製造できる。
＜粘着剤層＞
　前記粘着剤層は、シート状又はフィルム状であり、粘着剤を含有する。
　前記粘着剤としては、例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ系樹脂、ポリビニルエーテル、ポリカーボネート、エステル系樹脂等の粘着性樹脂が挙げられる。
　本明細書において、「粘着性樹脂」には、粘着性を有する樹脂と、接着性を有する樹脂と、の両方が包含される。例えば、前記粘着性樹脂には、樹脂自体が粘着性を有するものだけでなく、添加剤等の他の成分との併用により粘着性を示す樹脂や、熱又は水等のトリガーの存在によって接着性を示す樹脂等も含まれる。
　粘着剤層は１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
　粘着剤層の厚さは、特に限定されないが、１～１００μｍであることが好ましく、１～６０μｍであることがより好ましく、１～３０μｍであることが特に好ましい。
　ここで、「粘着剤層の厚さ」とは、粘着剤層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる粘着剤層の厚さとは、粘着剤層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
　粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤を用いて形成されたものであってもよいし、非エネルギー線硬化性粘着剤を用いて形成されたものであってもよい。すなわち、粘着剤層は、エネルギー線硬化性及び非エネルギー線硬化性のいずれであってもよい。エネルギー線硬化性の粘着剤層は、その硬化前及び硬化後での物性を容易に調節できる。
　粘着剤層は、粘着剤を含有する粘着剤組成物を用いて形成できる。例えば、粘着剤層の形成対象面に粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位に粘着剤層を形成できる。粘着剤組成物における、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、粘着剤層における前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。
　粘着剤組成物は、上述の接着剤組成物の場合と同じ方法で、塗工できる。
　粘着剤層がエネルギー線硬化性である場合、エネルギー線硬化性の粘着剤組成物としては、例えば、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）（以下、「粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）」と略記することがある）と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する粘着剤組成物（Ｉ－１）；前記粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）の側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ－２ａ）（以下、「粘着性樹脂（Ｉ－２ａ）」と略記することがある）を含有する粘着剤組成物（Ｉ－２）；前記粘着性樹脂（Ｉ－２ａ）と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する粘着剤組成物（Ｉ－３）等が挙げられる。
　粘着剤層が非エネルギー線硬化性である場合、非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物としては、例えば、前記粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）を含有する粘着剤組成物（Ｉ－４）等が挙げられる。
　粘着剤組成物（Ｉ－１）～（Ｉ－４）等の粘着剤組成物は、配合成分が異なる点以外は、上述の接着剤組成物の場合と同じ方法で、製造できる。
　次に、本実施形態の半導体加工用シートの例を、支持シートの種類ごとに、以下、図面を参照しながら説明する。
　図２は、本発明の一実施形態に係る半導体加工用シートを模式的に示す断面図である。なお、図２以降の図において、既に説明済みの図に示すものと同じ構成要素には、その説明済みの図の場合と同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
　ここに示す半導体加工用シート１０１は、支持シート１０を備え、支持シート１０の一方の面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）１０ａ上に、フィルム状接着剤１３を備えている。支持シート１０は、基材１１のみからなり、半導体加工用シート１０１は、換言すると、基材１１の一方の面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）１１ａ上にフィルム状接着剤１３が積層された構成を有する。また、半導体加工用シート１０１は、さらにフィルム状接着剤１３上に剥離フィルム１５を備えている。
　半導体加工用シート１０１においては、基材１１の第１面１１ａにフィルム状接着剤１３が積層され、フィルム状接着剤１３の、基材１１を備えている側とは反対側の面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）１３ａの一部、すなわち、周縁部近傍の領域に治具用接着剤層１６が積層され、フィルム状接着剤１３の第１面１３ａのうち、治具用接着剤層１６が積層されていない面と、治具用接着剤層１６のうち、フィルム状接着剤１３と接触していない面１６ａ（上面及び側面）に、剥離フィルム１５が積層されている。
　ここで、基材１１の第１面１１ａは、支持シート１０の第１面１０ａとも称する。
　剥離フィルム１５は、図１に示す第１剥離フィルム１５１又は第２剥離フィルム１５２と同様のものである。
　治具用接着剤層１６は、例えば、接着剤成分を含有する単層構造であってもよいし、芯材となるシートの両面に接着剤成分を含有する層が積層された複数層構造であってもよい。
　半導体加工用シート１０１は、剥離フィルム１５が取り除かれた状態で、フィルム状接着剤１３の第１面１３ａに、半導体ウエハ（図示略）の裏面が貼付され、さらに、治具用接着剤層１６の面１６ａのうち上面が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。
　図３は、本発明の他の実施形態に係る半導体加工用シートを模式的に示す断面図である。
　ここに示す半導体加工用シート１０２は、治具用接着剤層１６を備えていない点以外は、図２に示す半導体加工用シート１０１と同じである。すなわち、半導体加工用シート１０２においては、基材１１の第１面１１ａ（支持シート１０の第１面１０ａ）にフィルム状接着剤１３が積層され、フィルム状接着剤１３の第１面１３ａの全面に、剥離フィルム１５が積層されている。
　換言すると、半導体加工用シート１０２は、基材１１、フィルム状接着剤１３及び剥離フィルム１５がこの順に、これらの厚さ方向において積層されて、構成されている。
　図３に示す半導体加工用シート１０２は、図２に示す半導体加工用シート１０１の場合と同様に、剥離フィルム１５が取り除かれた状態で、フィルム状接着剤１３の第１面１３ａのうち、中央側の一部の領域に、半導体ウエハ（図示略）の裏面が貼付され、さらに、フィルム状接着剤１３の周縁部近傍の領域が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。
　図４は、本発明のさらに他の実施形態に係る半導体加工用シートを模式的に示す断面図である。
　ここに示す半導体加工用シート１０３は、基材１１と、フィルム状接着剤１３と、の間に、さらに、粘着剤層１２を備えている点以外は、図２に示す半導体加工用シート１０１と同じである。支持シート１０は、基材１１及び粘着剤層１２の積層体であり、半導体加工用シート１０３も、支持シート１０の第１面１０ａ上にフィルム状接着剤１３が積層された構成を有する。
　半導体加工用シート１０３においては、基材１１の第１面１１ａに粘着剤層１２が積層され、粘着剤層１２の、基材１１側とは反対側の面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）１２ａの全面に、フィルム状接着剤１３が積層され、フィルム状接着剤１３の第１面１３ａの一部、すなわち、周縁部近傍の領域に、治具用接着剤層１６が積層され、フィルム状接着剤１３の第１面１３ａのうち、治具用接着剤層１６が積層されていない面と、治具用接着剤層１６のうち、フィルム状接着剤１３と接触していない面１６ａ（上面及び側面）に、剥離フィルム１５が積層されている。
　図４に示す半導体加工用シート１０３は、剥離フィルム１５が取り除かれた状態で、フィルム状接着剤１３の第１面１３ａに、半導体ウエハ（図示略）の裏面が貼付され、さらに、治具用接着剤層１６の面１６ａのうち上面が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。
　図５は、本発明のさらに他の実施形態に係る半導体加工用シートを模式的に示す断面図である。
　ここに示す半導体加工用シート１０４は、治具用接着剤層１６を備えておらず、かつフィルム状接着剤の形状が異なる点以外は、図４に示す半導体加工用シート１０３と同じである。すなわち、半導体加工用シート１０４は、基材１１を備え、基材１１上に粘着剤層１２を備え、粘着剤層１２上にフィルム状接着剤２３を備えている。支持シート１０は、基材１１及び粘着剤層１２の積層体であり、半導体加工用シート１０４も、支持シート１０の第１面１０ａ上にフィルム状接着剤２３が積層された構成を有する。
　半導体加工用シート１０４においては、基材１１の第１面１１ａに粘着剤層１２が積層され、粘着剤層１２の第１面１２ａの一部、すなわち、中央側の領域に、フィルム状接着剤２３が積層されている。そして、粘着剤層１２の第１面１２ａのうち、フィルム状接着剤２３が積層されていない領域と、フィルム状接着剤２３のうち、粘着剤層１２側とは反対側の面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）２３ａ上に、剥離フィルム１５が積層されている。図５中、符号２３ｂは、フィルム状接着剤２３の、前記第１面２３ａとは反対側の他方の面（本明細書においては、「第２面」と称することがある）を示している。
　半導体加工用シート１０４を、その剥離フィルム１５側の上方から見下ろして平面視したときに、フィルム状接着剤２３は粘着剤層１２よりも表面積が小さく、例えば、円形状等の形状を有する。
　図５に示す半導体加工用シート１０４は、剥離フィルム１５が取り除かれた状態で、フィルム状接着剤２３の第１面２３ａに、半導体ウエハ（図示略）の裏面が貼付され、さらに、粘着剤層１２の第１面１２ａのうち、フィルム状接着剤２３が積層されていない領域が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。
　なお、図５に示す半導体加工用シート１０４においては、粘着剤層１２の第１面１２ａのうち、フィルム状接着剤２３が積層されていない領域に、図２及び図４に示すものと同様に治具用接着剤層が積層されていてもよい（図示略）。このような治具用接着剤層を備えた半導体加工用シート１０４は、図２及び図４に示す半導体加工用シートの場合と同様に、治具用接着剤層の面のうち上面が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。
　このように、半導体加工用シートは、支持シート及びフィルム状接着剤がどのような形態であっても、治具用接着剤層を備えたものであってもよい。ただし、通常は、図２及び図４に示すように、治具用接着剤層を備えた半導体加工用シートとしては、フィルム状接着剤上に治具用接着剤層を備えたものが好ましい。
　本実施形態の半導体加工用シートは、図２～図５に示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、図２～図５に示すものの一部の構成が変更又は削除されたものや、これまでに説明したものにさらに他の構成が追加されたものであってもよい。
　例えば、図２～図５に示す半導体加工用シートは、基材、粘着剤層、フィルム状接着剤及び剥離フィルム以外の層が、任意の箇所に設けられていてもよい。
　また、半導体加工用シートにおいては、剥離フィルムと、この剥離フィルムと直接接触している層との間に、一部隙間が生じていてもよい。
　また、半導体加工用シートにおいては、各層の大きさや形状は、目的に応じて任意に調節できる。
◇フィルム状接着剤及び半導体加工用シートの使用方法
　本実施形態のフィルム状接着剤及び半導体加工用シートは、フィルム状接着剤付き半導体チップの製造を経て、半導体パッケージ及び半導体装置を製造するために、使用できる。
　支持シートを備えていないフィルム状接着剤は、半導体ウエハの裏面に貼付された後、例えば、必要に応じて剥離フィルムが取り除かれ、その露出面（換言すると、半導体ウエハに貼付されている側と反対側の面。本明細書においては、「第２面」と称することがある。）に、ダイシングシートが貼付される。このようにして得られた、ダイシングシート、フィルム状接着剤及び半導体ウエハがこの順に、これらの厚さ方向において積層されて構成された積層構造体は、この後、公知のダイシング工程に供される。なお、ダイシングシート及びフィルム状接着剤の積層構造は、ダイシングダイボンディングシートと見做すことができる。
　本明細書においては、このように、ダイシングダイボンディングシート又は前記半導体加工用シートと、半導体ウエハと、が積層されて構成された積層構造体を、「第１積層構造体」と称することがある。
　ダイシング工程を行うことによって、半導体ウエハは複数個の半導体チップへと分割されるとともに、フィルム状接着剤も半導体チップの外周に沿って切断され、この切断後のフィルム状接着剤を裏面に備えた複数個の半導体チップ（すなわち、フィルム状接着剤付き半導体チップ）が得られる。これら複数個のフィルム状接着剤付き半導体チップは、ダイシングシート上で、整列した状態で固定されている。
　本明細書においては、このように、複数個のフィルム状接着剤付き半導体チップが、ダイシングシート又は前記支持シート上で、整列した状態で固定されている積層構造体を、「第２積層構造体」と称することがある。
　一方、前記半導体加工用シートは、すでにダイシングダイボンディングシートとしての構造を有している。したがって、半導体加工用シートが半導体ウエハの裏面に貼付された段階で、半導体加工用シート（ダイシングシート、フィルム状接着剤）及び半導体ウエハがこの順に、これらの厚さ方向において積層されて構成された積層構造体（すなわち、前記第１積層構造体）が得られる。以降は、上述のように、支持シートを備えていないフィルム状接着剤を用いた場合と同様の方法で、ダイシング工程を行うことによって、複数個のフィルム状接着剤付き半導体チップを含む第２積層構造体が得られる。
　半導体ウエハのダイシングの方法としては、例えば、ブレードを用いる方法（すなわち、ブレードダイシング）が挙げられるが、これに限定されず、半導体ウエハを個片化する公知の方法全般を適用できる。
　フィルム状接着剤及び半導体加工用シートのいずれを用いた場合であっても、ダイシング工程においては、半導体ウエハの裏面に本実施形態のフィルム状接着剤が設けられているため、チップ飛びが抑制される。
　フィルム状接着剤及び半導体加工用シートのいずれを用いた場合であっても、得られたフィルム状接着剤付き半導体チップは、この後、ダイシングシート又は支持シートから引き離されてピックアップされ、フィルム状接着剤によって、基板の回路形成面にダイボンディングされる。そして、ダイボンディング後は、従来法と同様の方法で、半導体パッケージ及び半導体装置が製造される。例えば、必要に応じて、このダイボンディングされた半導体チップに、さらに半導体チップを１個以上積層した後、ワイヤボンディングを行う。次いで、フィルム状接着剤を熱硬化させ、さらに得られたもの全体を樹脂により封止する。これらの工程を経ることにより、半導体パッケージが作製される。そして、この半導体パッケージを用いて、目的とする半導体装置が作製される。
　このようにして得られた半導体パッケージは、本実施形態のフィルム状接着剤を用いていることによって、信頼性が高いものとなる。例えば、実装前後の半導体パッケージにおいては、基板と半導体チップとの接合部、並びに、半導体チップ同士の接合部等、フィルム状接着剤が関わる接合部において、剥離が抑制される。
　以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。
＜モノマー＞
　本実施例及び比較例において、略記しているモノマーの正式名称を、以下に示す。
　ＢＡ：アクリル酸ｎ－ブチル
　ＭＡ：アクリル酸メチル
　ＥＡ：アクリル酸エチル
　ＨＥＡ：アクリル酸２－ヒドロキシエチル
　ＡＮ：アクリロニトリル
　ＧＭＡ：メタクリル酸グリシジル
＜接着剤組成物の製造原料＞
　本実施例及び比較例において、接着剤組成物の製造に用いた原料を以下に示す。
［重合体成分（ａ）］
　（ａ）－１：ＢＡ（４０質量部）、ＥＡ（２５質量部）、ＡＮ（３０質量部）及びＧＭＡ（５質量部）を共重合して得られたアクリル樹脂（重量平均分子量７０００００、ガラス転移温度１４℃）。
　（ａ）－２：ＢＡ（５５質量部）、ＭＡ（１０質量部）、ＧＭＡ（２０質量部）及びＨＥＡ（１５質量部）を共重合して得られたアクリル樹脂（重量平均分子量８０００００、ガラス転移温度－２８℃）。
　（ａ）－３：熱可塑性樹脂、ポリエステル（東洋紡社製「バイロン２２０」、数平均分子量３０００、ガラス転移温度５３℃）
［エポキシ樹脂（ｂ１）］
　（ｂ１）－１：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＪＥＲ８２８」、エポキシ当量１８４～１９４ｇ／ｅｑ）
　（ｂ１）－２：クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＥＯＣＮ－１０３Ｓ、エポキシ当量２０９～２１９ｇ／ｅｑ）
　（ｂ１）－３：フェノールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＥＯＣＮ－１０４Ｓ、エポキシ当量２１３～２２３ｇ／ｅｑ）
　（ｂ１）－４：液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及びアクリルゴム微粒子の混合物（日本触媒社製「ＢＰＡ３２８」、エポキシ当量２３５ｇ／ｅｑ）
　（ｂ１）－５：多官能芳香族型（トリフェニレン型）エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＥＰＰＮ－５０２Ｈ」、エポキシ当量１６７ｇ／ｅｑ、軟化点５４℃、重量平均分子量１２００）
　（ｂ１）－６：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＪＥＲ１０５５」、エポキシ当量８００～９００ｇ／ｅｑ）
［熱硬化剤（ｂ２）］
　（ｂ２）－１：ｏ－クレゾール型ノボラック樹脂（ＤＩＣ社製「フェノライトＫＡ－１１６０」、水酸基当量１１７ｇ／ｅｑ、軟化点８０℃、一般式（１）で表され、ｎが６～７である樹脂）
　（ｂ２）－２：ノボラック型フェノール樹脂（昭和電工社製「ＢＲＧ５５６」）
　（ｂ２）－３：熱活性潜在性エポキシ樹脂硬化剤：ジシアンジアミド（ＡＤＥＫＡ社製「ＥＨ－３６３６ＡＳ」、活性水素量２１ｇ／ｅｑ）
［硬化促進剤（ｃ）］
　（ｃ）－１：２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業社製「キュアゾール２ＰＨＺ－ＰＷ」
［充填材（ｄ）］
　（ｄ）－１：エポキシ基で修飾された球状シリカ（アドマテックス社製「アドマナノ　ＹＡ０５０Ｃ－ＭＫＫ」、平均粒子径５０ｎｍ）
　（ｄ）－２：シリカフィラー（アドマテックス社製「ＳＣ２０５０ＭＡ」、エポキシ系化合物で表面修飾されたシリカフィラー、平均粒子径５００ｎｍ）
［カップリング剤（ｅ）］
　（ｅ）－１：エポキシ基、メチル基及びメトキシ基を有するオリゴマー型シランカップリング剤（信越シリコーン社製「Ｘ－４１－１０５６」、エポキシ当量２８０ｇ／ｅｑ）　（ｅ）－２：３－グリシドキシプロピルトリメトキシシランを付加させたシリケート化合物（三菱化学社製「ＭＫＣシリケートＭＳＥＰ２」）
　（ｅ）－３：トリメトキシ［３－（フェニルアミノ）プロピル］シラン（東レ・ダウ社製「ＳＺ６０８３」、シランカップリング剤）
［架橋剤（ｆ）］
　（ｆ）－１：ＴＤＩ系イソシアネート架橋剤（トーソー社製　コロネートL固形分濃度７５質量％）
［エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）］
　（ｇ）－１：トリシクロデカンジメチロールジアクリレート（日本化薬社製「ＫＡＹＡＲＡＤ　Ｒ－６８４」、紫外線硬化性樹脂、分子量３０４）
　（ｇ）－２：ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（６官能紫外線硬化性化合物、分子量５７８）及びジペンタエリスリトールペンタアクリレート（５官能紫外線硬化性化合物、分子量５２５）の混合物（日本化薬社製「ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＨＡ」）
［光重合開始剤（ｈ）］
　（ｈ）－１：１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（ＢＡＳＦ社製「ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）１８４」）
［他の熱硬化剤（ｂ２０）］
　（ｂ２０）－１：後述する方法で製造された、軟化点が１６０℃のｏ－クレゾール型ノボラック樹脂。一般式（１）中のｎに相当する繰り返し数：１８～２４
［製造例１］
＜他の熱硬化剤（ｂ２０）－１の製造＞
　温度計、撹拌機及び還流冷却器を備えたセパラブルフラスコに、ｏ－クレゾール（１００質量部）、濃度が９２質量％であるパラホルムアルデヒド（３３．０質量部）、及びシュウ酸（１．０質量部）を仕込み、得られた混合物を還流させながら４時間反応させた。次いで、得られた反応液に、メチルイソブチルケトン（５０．０質量部）を添加し、１２０℃で５時間反応させた。次いで、得られた反応液を１８０℃まで加熱し、減圧することにより、反応液からメチルイソブチルケトンを取り除いた。次いで、１８０℃で溶融した樹脂を抜き出し、これを冷却することにより、固形のｏ－クレゾール型ノボラック樹脂（他の熱硬化剤（ｂ２０）－１）を得た。
［実施例１］
＜＜フィルム状接着剤の製造＞＞
＜接着剤組成物の製造＞
　重合体成分（ａ）－１（１０質量部）、エポキシ樹脂（ｂ１）－１（２５．８質量部）、エポキシ樹脂（ｂ１）－２（２３質量部）、熱硬化剤（ｂ２）－１（２５質量部）、硬化促進剤（ｃ）－１（０．２質量部）、充填材（ｄ）－１（１５質量部）、及びカップリング剤（ｅ）－１（１質量部）をメチルエチルケトンに溶解又は分散させて、２３℃で撹拌することにより、上述のすべての成分の合計濃度が５０質量％である接着剤組成物を得た。なお、ここに示すメチルエチルケトン以外の成分の配合量はすべて、溶媒成分を含まない目的物の量である。
＜フィルム状接着剤の製造＞
　ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理されている剥離フィルム（リンテック社製「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」、厚さ３８μｍ）を用い、その前記剥離処理面に、上記で得られた接着剤組成物を塗工し、１００℃で１分加熱乾燥させることにより、厚さ２０μｍのフィルム状接着剤を形成した。
＜＜半導体加工用シートの製造＞＞
　上記で得られたフィルム状接着剤の、剥離フィルムを備えている側とは反対側の表面（換言すると露出面）に、基材としてポリエチレン製フィルム（グンゼ社製、厚さ８０μｍ）を貼り合せることにより、基材、フィルム状接着剤及び剥離フィルムがこの順に、これらの厚さ方向において積層されて構成された、半導体加工用シートを得た。
＜＜フィルム状接着剤の評価＞＞
＜貯蔵弾性率Ｇ’の測定＞
　上記で得た製造直後、熱硬化前の厚さ２０μｍのフィルム状接着剤を積層後、その積層体を打ち抜き、φ１０ｍｍ×１ｍｍの試験片を得た。粘弾性計測定装置（Rheometric scientific社製 ARES））を用いて、周波数：１１Ｈｚ、昇温速度：１０℃／ｍｉｎの測定条件で、０℃から１００℃までの貯蔵弾性率Ｇ’を測定した。このうち、８０℃における貯蔵弾性率Ｇ’（経時なし）〔Ｐａ〕の値を得た。
　また、上記で得た製造直後、熱硬化前のフィルム状接着剤を、４０℃の空気雰囲気下で７日間静置保存した後（経時あり）のフィルム状接着剤についても、上記の貯蔵弾性率Ｇ’（経時なし）同様に貯蔵弾性率Ｇ’を測定し、８０℃における貯蔵弾性率Ｇ’（経時あり）〔Ｐａ〕の値を得た。
＜空気残存率試験＞
［フィルム状接着剤付きチップの製造］
　上記で得られた製造直後の半導体加工用シートから、剥離フィルムを取り除いた。石英ガラスウエハ（150ｍｍ径、厚さ100μｍ）に、常温下で直ちに、テープ貼合装置 （リンテック社製「Ａｄｗｉｌｌ　ＲＡＤ２５００」）を用いて、上記の半導体加工用シートを、そのフィルム状接着剤によって貼付した。以上により、経時履歴のない半導体加工用シートを用いて、基材、フィルム状接着剤及び石英ガラスウエハがこの順に、これらの厚さ方向において積層されて構成された第１積層構造体（本明細書においては、「第１積層構造体（１－１）」と称することがある）を得た。
　次いで、この第１積層構造体（１－１）中のフィルム状接着剤のうち、ガラスウエハに貼付されていない周縁部近傍の露出面を、ダイシング用リングフレームに固定した。
　次いで、ダイシング装置（ディスコ社製「ＤＦＤ６３６２」）を用いてダイシングすることにより、ガラスウエハを分割するとともに、フィルム状接着剤も切断し、大きさが１０ｍｍ×１０ｍｍのガラスチップを得た。このときのダイシングは、ダイシングブレードの移動速度を５ｍｍ／ｓｅｃ、ダイシングブレードの回転数を５００００ｒｐｍとし、半導体加工用シートに対して、そのフィルム状接着剤のガラスウエハの貼付面から４０μｍの深さの領域まで（すなわち、フィルム状接着剤の厚さ方向の全領域と、基材のフィルム状接着剤側との積層面から２０μｍの深さの領域まで）ダイシングブレードで切り込むことにより行った。ダイシングブレードとしては、ディスコ社製「Ｒ０７－ＳＤＣ４００－ＢＢ３００－１００　５４×０．２３Ａ２×４０」を用いた。
　以上により、経時履歴のない熱硬化前のフィルム状接着剤を備えた半導体加工用シートを用いて、裏面に切断後のフィルム状接着剤を備えた複数個のチップ（換言すると、複数個のフィルム状接着剤付きチップ）が、フィルム状接着剤によって、基材上に整列した状態で固定されている、第２積層構造体（本明細書においては、「第２積層構造体（１－１）」と称することがある）を得た。
［フィルム状接着剤付きチップの基板へのダイボンディング］
　空気残存率試験に用いる基板（３０ｍｍ×３０ｍｍ×０．５ｍｍのガラス基板上にＣｕ電極が形成されている）を用意した。
　図６に、空気残存率試験に用いた上記基板の概略構成図を示す。この基板１３０には、ガラス基板３０上に、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１００μｍ／１００μｍ、電極厚み１０μｍで、図６に示す配線パターンのくし型電極３２，３３が形成されている。なお、図６に示す配線パターンの寸法及び数は、実際とは異なっている。
　マニュアルダイボンディング装置（CAMMAX Precima社製「EDB65」）を用い、上記で得られた第２積層構造体（１－１）中のフィルム状接着剤付きチップを、基材からピックアップした。次いで、このピックアップしたフィルム状接着剤付きチップの中のフィルム状接着剤を、前記基板の回路形成面の図６に示すボンディング位置（図中のＢの位置）１０ｍｍ×１０ｍｍに圧着することにより、フィルム状接着剤付きチップを前記基板上にダイボンディングした。このときのダイボンディングは、８０℃に加熱したフィルム状接着剤付きシリコンチップに対して、その前記基板への接触面に対して直交する方向に、１．９６Ｎ（２００ｇｆ）の力を１秒加えることで行った。
　以上により、経時履歴のない熱硬化前のフィルム状接着剤を備えた半導体加工用シートを用いて、空気残存率試験用基板（本明細書においては、「空気残存率試験用基板（経時なし）」と称することがある）を得た。
　上記で得られた製造直後の半導体加工用シートを、４０℃の空気雰囲気下で、７日間静置保存した。
　次いで、上述の製造直後の半導体加工用シートに代えて、この静置保存後、すなわち経時後の半導体加工用シートを用いた点以外は、上述の空気残存率試験用基板（経時なし）の場合と同じ方法で、基板を得た。
　以上により、経時履歴のある熱硬化前のフィルム状接着剤を備えた半導体加工用シートを用いて空気残存率試験用基板（本明細書においては、「空気残存率試験用基板（経時あり）」と称することがある）を得た。
　その後、デジタル顕微鏡（キーエンス社製　VHX-1000）を用いて、上記で作製した空気残存率試験用基板（経時なし）、及び空気残存率試験用基板（経時あり）を、そのガラスチップ側から同軸落斜観察をした。基板のライン（Ｌ）部分は配線の高さの分、フィルム状接着剤の方向に凸に形成されているので、フィルム状接着剤と密着し易く、基本的にＬ部分の全ての領域で、フィルム状接着剤と密着している様子が観察された。対して、スペース（Ｓ）部分は、配線の高さの分、フィルム状接着剤の方向に凹に形成されているので、フィルム状接着剤と密着し難く、ガラス基板とフィルム状接着剤との間の一部に、空気が存在している様子（空気残存）が観察される場合があった。取得した画像において、空気残存部分は白色、非空気残存部分はグレーで確認され、色差として容易に区別できた。上記のように観察した後、画像解析ソフトウエア（日本ローパー社製「ＩｍａｇｅＰｒｏ」）を用いて、上記で取得した画像を、下記方法により二値化処理した。すなわち、前記画像について、２５６ピクセルヒストグラムにおいて前記ソフトウエア上で自動計算を行い、ヒストグラムの中間値で処理を実施した。図６に示す空気残存率測定位置（図中のＭの位置、すなわち、ボンディング位置Ｂの中央部分）１．１ｍｍ×５．０ｍｍから、５本分のスペース部分の領域を抜き取り、それらスペース部分の領域のうち、空気残存部分に対応する領域を白色として空気残存領域に分類し、残りの部分を黒色として非空気残存領域に分類して、前記画像を修正した。得られた修正画像において、擬似カラープロファイルを割り当てて、相対面積及び比率を算出した。
　以上により、二値化後の画像を取得し、スペース部分の領域の空気残存領域の面積値Ａと、スペース部分の領域の非空気残存領域の面積値Ｂと、を求め、スペース部分１００面積％における空気残存率（面積％）＝Ａ／（Ａ＋Ｂ）×１００を算出した。結果を表１に示す。
＜半導体パッケージの信頼性の評価＞
［フィルム状接着剤付き半導体チップの製造］
　上記で得られた製造直後の半導体加工用シートにおいて、剥離フィルムを取り除いた。裏面をドライポリッシュ仕上げで研磨したシリコンウエハ（直径２００ｍｍ、厚さ７５μｍ）を用い、その裏面（研磨面）に、常温下で直ちに、テープ貼合装置 （リンテック社製「Ａｄｗｉｌｌ　ＲＡＤ２５００」）を用いて、上記の半導体加工用シートを、そのフィルム状接着剤によって貼付した。以上により、経時履歴のない半導体加工用シートを用いて、基材、フィルム状接着剤及びシリコンウエハがこの順に、これらの厚さ方向において積層されて構成された第１積層構造体（本明細書においては、「第１積層構造体（１－２）」と称することがある）を得た。
　次いで、この第１積層構造体（１－２）中のフィルム状接着剤のうち、シリコンウエハに貼付されていない周縁部近傍の露出面を、ウエハダイシング用リングフレームに固定した。　次いで、ダイシング装置（ディスコ社製「ＤＦＤ６３６１」）を用いてダイシングすることにより、シリコンウエハを分割するとともに、フィルム状接着剤も切断し、大きさが８ｍｍ×８ｍｍのシリコンチップを得た。このときのダイシングは、ダイシングブレードの移動速度を３０ｍｍ／ｓｅｃ、ダイシングブレードの回転数を３００００ｒｐｍとし、半導体加工用シートに対して、そのフィルム状接着剤のシリコンウエハの貼付面から４０μｍの深さの領域まで（すなわち、フィルム状接着剤の厚さ方向の全領域と、基材のフィルム状接着剤側の面から２０μｍの深さの領域まで）ダイシングブレードで切り込むことにより行った。ダイシングブレードとしては、ディスコ社製「Ｚ０５－ＳＤ２０００－Ｄ１－９０　ＣＣ」を用いた。
　以上により、経時履歴のない半導体加工用シートを用いて、裏面に切断後のフィルム状接着剤を備えた複数個のシリコンチップ（換言すると、複数個のフィルム状接着剤付きシリコンチップ）が、フィルム状接着剤によって、基材上に整列した状態で固定されている、第２積層構造体（本明細書においては、「第２積層構造体（１－２）」と称することがある）を得た。
［フィルム状接着剤付き半導体チップの基板へのダイボンディング］
　基板として、銅箔張り積層板（三菱ガス化学社製「ＣＣＬ－ＨＬ８３０」）の銅箔（厚さ１５μｍ）に回路パターンが形成され、この回路パターン上にソルダーレジスト（太陽インキ社製「ＰＳＲ－４０００　ＡＵＳ３０８」）の層が形成されている基板（シーマ電子社製「ＳＭ１５－０３１－１０Ａ」、サイズ：１５７．０ｍｍ×７０．０ｍｍ×０．２ｍｍ）を用意した。
　ピックアップ・ダイボンディング装置（キャノンマシナリー社製「ＢＥＳＴＥＭ　Ｄ－０２」）を用い、上記で得られた第２積層構造体（１－２）中のフィルム状接着剤付きシリコンチップを、基材からピックアップした。次いで、このピックアップしたフィルム状接着剤付きシリコンチップを、その中のフィルム状接着剤を前記基板上に圧着することにより、フィルム状接着剤付きシリコンチップを前記基板上にダイボンディングした。このときのダイボンディングは、１２０℃に加熱したフィルム状接着剤付きシリコンチップに対して、その前記基板への接触面に対して直交する方向に、２．４５Ｎ（２５０ｇｆ）の力を０．５秒加えることで行った。
　以上により、フィルム状接着剤付き半導体チップがダイボンディングされた基板を得た。
［半導体パッケージ（１）の製造］
　上記で得られた、ダイボンディング後の基板を、１６０℃で１時間加熱することにより、この基板上のフィルム状接着剤を熱硬化させた。
　次いで、封止装置（アピックヤマダ社製「ＭＰＣ－０６Ｍ　ＴｒｉＡｌ　Ｐｒｅｓｓ」）を用いて、このダイボンディング後及び熱硬化後の基板上に封止樹脂（京セラケミカル社製「ＫＥ－１１００ＡＳ３」）を載せ、この封止樹脂を１７５℃に加熱し、さらにこの状態の封止樹脂に７ＭＰａの圧力を２分加えることにより、厚さ４００μｍの封止樹脂からなる層（封止層）を形成した。次いで、この封止層を形成している封止樹脂を、１７５℃で５時間加熱することにより、熱硬化させ、封止基板を得た。
　次いで、この封止基板にダイシングテープ（リンテック社製「Ａｄｗｉｌｌ　Ｄ－５１０Ｔ」）を貼付し、ダイシング装置（ディスコ社製「ＤＦＤ６３６１」）を用いて、この封止基板をダイシングすることにより、大きさが１５ｍｍ×１５ｍｍの半導体パッケージを得た。このときのダイシングは、ダイシングブレードの移動速度を５０ｍｍ／ｓｅｃ、ダイシングブレードの回転数を３００００ｒｐｍとし、ダイシングテープに対して、その封止基板の貼付面から４０μｍの深さの領域までダイシングブレードで切り込むことにより行った。ダイシングブレードとしては、ディスコ社製「ＺＨＤＧ－ＳＤ４００－Ｄ１－６０　５６×０．１７Ａ３×４０－Ｌ－Ｓ３」を用いた。
　以上により、経時履歴のない半導体加工用シートを用いて、目的とする半導体パッケージ（本明細書においては、「半導体パッケージ（１）」と称することがある）を得た。　ここでは、上記の方法で、２５個の半導体パッケージ（１）を得た。
［半導体パッケージ（２）の製造］
　上記で得られた製造直後の半導体加工用シートを、４０℃の空気雰囲気下で、７日間静置保存した。
　次いで、上述の製造直後の半導体加工用シートに代えて、この静置保存後、すなわち経時後の半導体加工用シートを用いた点以外は、上述の半導体パッケージ（１）の場合と同じ方法で、半導体パッケージを得た。
　以上により、経時履歴のある半導体加工用シートを用いて、目的とする半導体パッケージ（本明細書においては、「半導体パッケージ（２）」と称することがある）を得た。　ここでは、上記の方法で、２５個の半導体パッケージ（２）を得た。
［半導体パッケージの信頼性の評価］
　上記で得られた２５個の半導体パッケージ（１）を、温度８５℃、相対湿度６０％の環境下で１６８時間静置保存することにより吸湿させた。
　次いで、直ちに、この吸湿後の半導体パッケージ（１）に対して、温度１６０℃で予備加熱を行った後、最高温度を２６０℃として１分加熱するＩＲリフローを３回行った。このときのＩＲリフローは、卓上リフロー炉（千住金属工業社製「ＳＴＲ－２０１０Ｎ２Ｍ」）を用いて行った。
　次いで、走査型超音波探傷装置（Ｓｏｎｏｓｃａｎ社製「Ｄ－９６００」）を用いて、このＩＲリフロー後の半導体パッケージを解析した。また、断面研磨機（リファインテック社製「リファイン・ポリッシャーＨＶ」）を用いて、このＩＲリフロー後の半導体パッケージを切断することにより断面を形成し、デジタル顕微鏡（キーエンス社製「ＶＨＸ－１０００」）を用いて、この断面を観察した。そして、基板とシリコンチップとの接合部と、シリコンチップ同士の接合部と、の少なくとも一方において、幅が０．５ｍｍ以上の剥離が認められた場合を「剥離あり」と判定し、認められなかった場合を「剥離なし」と判定した。さらにこの判定結果に基づいて、下記基準により、半導体パッケージ（１）の信頼性を評価した。
（評価基準）
　Ａ：「剥離あり」と判定された半導体パッケージの個数が３個以下である。
　Ｂ：「剥離あり」と判定された半導体パッケージの個数が４個以上である。
　さらに、上述の半導体パッケージ（１）の場合と同じ方法で、半導体パッケージ（２）の信頼性を評価した。
　これら半導体パッケージ（１）及び（２）の評価結果を、「剥離あり」と判定された半導体パッケージの個数（表１の該当欄中、括弧内に示している）とともに、表１に示す。
＜＜フィルム状接着剤の製造及び評価＞＞
［比較例１～３］
　接着剤組成物の含有成分の種類及び含有量が、表１に示すとおりとなるように、接着剤組成物の製造時における、配合成分の種類及び配合量のいずれか一方又は両方を変更した点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、フィルム状接着剤及び半導体加工用シートを製造し、フィルム状接着剤を評価した。結果を表１に示す。
　なお、表１中の含有成分の欄の「－」との記載は、接着剤組成物がその成分を含有していないことを意味する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　上記結果から明らかなように、フィルム状接着剤の８０℃における貯蔵弾性率Ｇ’が３×１０４Ｐａ以下であると、フィルム状接着剤の空気残存率が低く、製造された半導体パッケージにおける剥離が生じ難く、信頼性の高いものであった。
　実施例１のフィルム状接着剤は、４０℃で７日間保存後（経時あり）であっても、貯蔵弾性率Ｇ’が３×１０４Ｐａ以下に抑えられており、保存安定性が顕著に優れるものであった。
　本発明は、半導体装置の製造に利用可能である。
　１０１，１０２，１０３，１０４・・・半導体加工用シート、１０・・・支持シート、１０ａ・・・支持シートの第１面、１１・・・基材、１１ａ・・・基材の第１面、１２・・・粘着剤層、１３，２３・・・フィルム状接着剤、１３ａ，２３ａ・・・フィルム状接着剤の第１面、１３ｂ，２３ｂ・・・フィルム状接着剤の第２面、１３０・・・基板、３０・・・ガラス基板、３２，３３・・・電極、Ｌ・・・ライン、Ｓ・・・スペース、Ｂ・・・ボンディング位置、Ｍ・・・空気残存率測定位置

Claims (4)

  1. 　熱硬化性のフィルム状接着剤であって、
    　４０℃で７日間保存前でありかつ熱硬化前、及び４０℃で７日間保存後でありかつ熱硬化前で、下記要件１）及び２）を満たす、フィルム状接着剤。
    　１）前記フィルム状接着剤の８０℃における貯蔵弾性率Ｇ’が３×１０４Ｐａ以下である。
    　２）ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１００μｍ／１００μｍで厚みが１０μｍの銅配線を有するガラス基板の前記銅配線側に対して、１０ｍｍ×１０ｍｍ×２０μｍの前記フィルム状接着剤を８０℃で１．９６Ｎの荷重を１秒間与えて圧着した部分の中央部１．１ｍｍ×５ｍｍの領域において、前記スペース部分１００面積％のうちの空気残存率が２０面積％以下である。
  2. 　前記フィルム状接着剤の厚さが５～５０μｍである、請求項１に記載のフィルム状接着剤。
  3. 　支持シートを備え、前記支持シートの一方の面上に、請求項１又は２に記載のフィルム状接着剤を備えた、半導体加工用シート。
  4. 　前記支持シートが、基材と、前記基材の一方の面上に設けられた粘着剤層と、を備えており、
    　前記粘着剤層が、前記基材と、前記フィルム状接着剤と、の間に配置されている、請求項３に記載の半導体加工用シート。
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