WO2020194526A1 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

表示装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2020194526A1
WO2020194526A1 PCT/JP2019/012940 JP2019012940W WO2020194526A1 WO 2020194526 A1 WO2020194526 A1 WO 2020194526A1 JP 2019012940 W JP2019012940 W JP 2019012940W WO 2020194526 A1 WO2020194526 A1 WO 2020194526A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
display device
layer
insulating film
hole
oxide semiconductor
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/012940
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
通 園田
越智　貴志
純平 高橋
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Priority to PCT/JP2019/012940 priority Critical patent/WO2020194526A1/ja
Priority to US17/442,567 priority patent/US20220190291A1/en
Publication of WO2020194526A1 publication Critical patent/WO2020194526A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the present invention relates to a display device and a method for manufacturing the same.
  • a self-luminous organic EL display device that uses an organic electroluminescence (hereinafter, also referred to as EL) element has attracted attention.
  • EL organic electroluminescence
  • an island-shaped non-display area is provided inside the display area for displaying an image in order to install electronic components such as a camera and a fingerprint sensor, and the non-display area is provided in the thickness direction.
  • a structure has been proposed in which a through hole is provided to penetrate the.
  • Patent Document 1 discloses an electronic device including a display panel in which a module hole penetrating the front surface and the back surface of a base substrate is provided in a display area, and an electronic module housed in the module hole.
  • the organic EL element includes, for example, a first electrode, an organic EL layer, and a second electrode that are sequentially laminated on a substrate.
  • the common functional layer constituting the organic EL layer and the second electrode are formed by a vapor deposition method using a vapor deposition mask so as to be common to a plurality of sub-pixels constituting the display region. Therefore, if an island-shaped non-display area is arranged inside the display area, it is technically difficult to shield the non-display area with a vapor deposition mask. Therefore, the non-display area also has a common functional layer and a second. Electrodes are formed.
  • the light transmittance of the common functional layer deteriorates the performance of the electronic component, so it is necessary to remove the common functional layer formed in the non-display region.
  • a metal layer capable of converting light into heat is provided in the non-display region, and the metal layer is irradiated with laser light to be common.
  • the present invention has been made in view of this point, and an object of the present invention is to suppress damage to a functional layer in a display area and remove a common functional layer in a non-display area.
  • the display device is provided on the resin substrate, the thin film transistor layer provided on the resin substrate and containing the first inorganic insulating film, and the thin film transistor layer provided on the thin film transistor layer to provide a display area.
  • a light emitting element layer in which a plurality of light emitting elements are arranged corresponding to a plurality of constituent subpixels, and a sealing provided on the light emitting element layer so as to cover each of the light emitting elements and including a second inorganic insulating film.
  • a through hole is provided with a film, a frame area is provided around the display area, a non-display area is provided in an island shape inside the display area, and the non-display area penetrates in the thickness direction of the resin substrate.
  • an oxide semiconductor layer is provided in a frame shape along the peripheral edge of the through hole, and the first inorganic insulating film has the through hole in the non-display region in a plan view.
  • a first opening is provided so as to expose the oxide semiconductor layer
  • the common functional layer is provided so as to extend from the display region to the non-display region, and the common functional layer is provided with a flat surface.
  • a second opening is provided in a frame shape so as to visually surround the through hole and expose the oxide semiconductor layer, and the second inorganic insulating film is provided with the oxide through the second opening. It is characterized in that it is in contact with a semiconductor layer.
  • the method for manufacturing a display device includes a thin film layer forming step of forming a thin film layer including a first inorganic insulating film on a resin substrate, and a plurality of sub-pixels forming a display region on the thin film layer.
  • the sealing film forming step of forming is provided, the frame region is provided around the display region, the non-display region is provided in an island shape inside the display region, and the thickness of the resin substrate is provided in the non-display region.
  • a through hole penetrating in the direction is provided, and a first electrode, a functional layer, and a second electrode are laminated in this order on each of the light emitting elements, and the functional layer is provided in common to the plurality of sub-pixels.
  • the thin film layer forming step includes a semiconductor layer forming step of forming an oxide semiconductor layer in an island shape in the non-display region and the first in the non-display region.
  • the inorganic insulating film is provided with a first opening forming step of forming the first opening so as to expose the oxide semiconductor layer, and the light emitting element layer forming step is the oxide exposed from the first opening.
  • the oxide semiconductor layer is formed by covering the semiconductor layer and forming the common functional layer so as to extend from the display region to the non-display region, and by irradiating the oxide semiconductor layer with laser light.
  • the common functional layer of the covering portion is removed, and the peripheral end of the common functional layer is surrounded by the peripheral end of the first opening in a plan view, and the second opening so as to expose the oxide semiconductor layer.
  • the sealing film forming step the second inorganic insulating film is formed so as to cover the oxide semiconductor layer exposed from the second opening, and the sealing film is formed.
  • a through hole forming step of forming the through hole so as to be surrounded by the peripheral end of the second opening in a plan view is provided in the non-display region.
  • the non-display region is provided with an oxide semiconductor layer in a frame shape along the peripheral edge of the through hole, and the first inorganic insulating film surrounds the through hole in the non-display region in a plan view.
  • the first opening is provided so as to expose the oxide semiconductor layer, damage to the functional layer in the display region can be suppressed and the common functional layer in the non-display region can be removed.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of a display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the organic EL display device along the lines III-III in FIG.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of a thin film transistor layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of an organic EL layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display device along the VI-VI line in FIG. FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of a frame region of the organic EL display device along lines VII-VII in FIG.
  • FIG. 8 is a plan view of the non-display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention and its surroundings.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of a non-display area of the organic EL display device along the IX-IX line in FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a functional layer removing step of the organic EL element layer forming step in the method for manufacturing an organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of a non-display region of a first modification of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention, and is a view corresponding to FIG.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of a non-display region of a second modification of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention, and is a view corresponding to FIG.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of a non-display region of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention, and is a view corresponding to FIG.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50a of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view of the display area D of the organic EL display device 50a.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the organic EL display device 50a along the line III-III in FIG.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the thin film transistor layer 20 constituting the organic EL display device 50a.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the organic EL layer 23 constituting the organic EL display device 50a.
  • 6 and 7 are cross-sectional views of the frame region F of the organic EL display device 50a along the lines VI-VI and VII-VII in FIG.
  • FIG. 8 is a plan view of the non-display region N of the organic EL display device 50a and its surroundings.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of a non-display region N of the organic EL display device 50a along the IX-IX line in FIG.
  • the organic EL display device 50a includes, for example, a rectangular display area D for displaying an image and a frame area F provided around the display area D in a rectangular frame shape.
  • the rectangular display area D is illustrated, but the rectangular shape includes, for example, a shape in which the sides are arcuate, a shape in which the corners are arcuate, and a part of the sides. It also includes a substantially rectangular shape such as a shape with a notch.
  • a plurality of sub-pixels P are arranged in a matrix in the display area D. Further, in the display area D, as shown in FIG. 2, for example, a sub-pixel P having a red light emitting region Er for displaying red, and a sub pixel P having a green light emitting region Eg for displaying green, And sub-pixels P having a blue light emitting region Eb for displaying blue are provided so as to be adjacent to each other. In the display area D, for example, one pixel is composed of three adjacent sub-pixels P having a red light emitting region Er, a green light emitting region Eg, and a blue light emitting region Eb. Further, as shown in FIG.
  • a non-display area N is provided in an island shape inside the display area D.
  • the non-display region N is provided with a through hole H penetrating in the thickness direction of the resin substrate layer 10 described later in order to arrange the camera 45.
  • the detailed structure of the non-display area N will be described later with reference to FIGS. 8 and 9.
  • the terminal portion T is provided so as to extend in one direction (vertical direction in the figure). Further, in the frame area F, as shown in FIG. 1, on the display area D side of the terminal portion T, the vertical direction in the drawing is used as the axis of bending, and the bending is possible, for example, 180 ° (U-shape).
  • the portion B is provided so as to extend in one direction (vertical direction in the figure).
  • the flattening film 19a which will be described later, is provided with a substantially C-shaped trench G so as to penetrate the flattening film 19a, as shown in FIGS. 1, 3 and 6. ..
  • the trench G is provided in a substantially C shape so that the terminal portion T side opens in a plan view.
  • the organic EL display device 50a includes a resin substrate layer 10 provided as a resin substrate and a thin film transistor provided on the resin substrate layer 10.
  • a layer 20 hereinafter, also referred to as a TFT
  • an organic EL element layer 30 provided on the TFT layer 20
  • a sealing film 40 provided on the organic EL element layer 30 are provided.
  • the resin substrate layer 10 is made of, for example, a polyimide resin or the like.
  • the TFT layer 20 includes a gate insulating film 13, a first interlayer insulating film 15, and a first interlayer insulating film 13 which are sequentially provided on the resin substrate layer 10 as a first inorganic insulating film. It includes a two-thin film insulating film 17 and a flattening film 19a provided on the second interlayer insulating film 17.
  • the TFT layer 20 includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10 side, a plurality of first TFTs 9a provided on the base coat film 11, a plurality of second TFTs 9b, and a plurality of second TFTs 9b.
  • each capacitor 9c It includes a capacitor 9c, each first TFT 9a, each second TFT 9b, and a flattening film 19a provided on each capacitor 9c.
  • a plurality of gate lines 14 are provided so as to extend in parallel with each other in the lateral direction in the drawing.
  • a plurality of source lines 18f are provided so as to extend parallel to each other in the vertical direction in the drawing.
  • a plurality of power supply lines 18g are provided so as to extend in parallel with each other in the vertical direction in the drawing.
  • each power supply line 18g is provided so as to be adjacent to each source line 18f. Further, in the TFT layer 20, as shown in FIG. 4, each sub-pixel P is provided with a first TFT 9a, a second TFT 9b, and a capacitor 9c, respectively.
  • the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 are composed of, for example, a single-layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride. ing.
  • the first TFT 9a is electrically connected to the corresponding gate line 14 and the source line 18f in each sub-pixel P. Further, as shown in FIG. 3, the first TFT 9a includes a semiconductor layer 12a, a gate insulating film 13, a gate electrode 14a, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17, and the like, which are sequentially provided on the base coat film 11. A source electrode 18a and a drain electrode 18b are provided.
  • the semiconductor layer 12a includes, for example, an In—Ga—Zn—O-based semiconductor such as InGaZnO 4 , and is provided in an island shape on the base coat film 11 as shown in FIG. 3, and has a channel region and a source region.
  • the gate insulating film 13 is provided so as to cover the semiconductor layer 12a.
  • the gate electrode 14a is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap the channel region of the semiconductor layer 12a.
  • the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are provided in order so as to cover the gate electrode 14a as shown in FIG.
  • the source electrode 18a and the drain electrode 18b are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other. Further, as shown in FIG.
  • the source electrode 18a and the drain electrode 18b are provided through the contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. It is electrically connected to the source region and the drain region of the semiconductor layer 12a, respectively.
  • an In—Ga—Zn—O-based semiconductor is exemplified as a transparent amorphous oxide semiconductor (TaOS) constituting the semiconductor layer 12a.
  • TaOS transparent amorphous oxide semiconductor
  • In-Sn-Zn-O-based semiconductor for example, In 2 O 3 -SnO 2 -ZnO or the like.
  • examples of In—Ga—Zn—O-based semiconductors include InGaO 3 (ZnO) 5 .
  • Zn—O semiconductor at least one impurity element is added from Group 1 element, Group 13 element, Group 14 element, Group 15 element, Group 17 element and the like, or no impurity is added. It is possible to use ZnO in an amorphous state, a polycrystalline state, or a microcrystalline state in which an amorphous state and a polycrystalline state are mixed.
  • the second TFT 9b is electrically connected to the corresponding first TFT 9a and the power supply line 18g in each sub-pixel P.
  • the second TFT 9b includes a semiconductor layer 12b, a gate insulating film 13, a gate electrode 14b, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17, and the like, which are sequentially provided on the base coat film 11. It includes a source electrode 18c and a drain electrode 18d.
  • the semiconductor layer 12b includes, for example, an In—Ga—Zn—O-based semiconductor such as InGaZnO 4 , and is provided in an island shape on the base coat film 11 as shown in FIG.
  • the gate insulating film 13 is provided so as to cover the semiconductor layer 12b.
  • the gate electrode 14b is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap the channel region of the semiconductor layer 12b.
  • the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are provided in order so as to cover the gate electrode 14b as shown in FIG.
  • the source electrode 18c and the drain electrode 18d are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other. Further, as shown in FIG.
  • the source electrode 18c and the drain electrode 18d are provided through the contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. It is electrically connected to the source region and the drain region of the semiconductor layer 12b, respectively.
  • the top gate type first TFT 9a and the second TFT 9b are illustrated, but the first TFT 9a and the second TFT 9b may be a bottom gate type TFT.
  • the capacitor 9c is electrically connected to the corresponding first TFT 9a and the power supply line 18g in each sub-pixel P.
  • the capacitor 9c is provided so as to cover the lower conductive layer 14c formed of the same material as the gate electrodes 14a and 14b and the lower conductive layer 14c.
  • An interlayer insulating film 15 and an upper conductive layer 16 provided on the first interlayer insulating film 15 so as to overlap the lower conductive layer 14c are provided.
  • the upper conductive layer 16 is electrically connected to the power supply line 18g via a contact hole formed in the second interlayer insulating film 17.
  • the flattening film 19a is made of a positive photosensitive resin such as a polyimide resin.
  • the organic EL element layer 30 includes a plurality of organic EL elements 25 provided so as to be arranged in a matrix on the flattening film 19a.
  • the plurality of organic EL elements 25 are provided as a plurality of light emitting elements arranged corresponding to the plurality of sub-pixels P.
  • the organic EL element 25 includes a first electrode 21a, an organic EL layer 23, and a second electrode 24 that are sequentially laminated on the TFT layer 20.
  • the organic EL element 25 includes a first electrode 21a provided on the flattening film 19a of the TFT layer 20 and an organic EL provided as a functional layer on the first electrode 21a.
  • a layer 23 and a second electrode 24 provided on the organic EL layer 23 so as to be common to the plurality of sub-pixels P are provided.
  • the first electrode 21a is electrically connected to the drain electrode 18d of the second TFT 9b of each sub-pixel P via a contact hole formed in the flattening film 19a. Further, the first electrode 21a has a function of injecting holes into the organic EL layer 23. Further, the first electrode 21a is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the hole injection efficiency into the organic EL layer 23.
  • examples of the material constituting the first electrode 21a include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), and gold (Au).
  • the material constituting the first electrode 21a may be, for example, an alloy such as astatine (At) / oxidized astatine (AtO 2 ). Further, the material constituting the first electrode 21a is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), or indium zinc oxide (IZO). There may be.
  • the first electrode 21a may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials.
  • the compound material having a large work function include indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).
  • the peripheral end portion of the first electrode 21a is covered with an edge cover 22a provided in a grid pattern common to the plurality of sub-pixels P.
  • examples of the material constituting the edge cover 22a include positive photosensitive resins such as polyimide resin, acrylic resin, polysiloxane resin, and novolak resin.
  • a part of the surface of the edge cover 22a is a pixel photo spacer 22p that protrudes upward in the drawing and is provided in an island shape as a first photo spacer.
  • the organic EL layer 23 includes a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4, and an electron injection layer 5 which are sequentially provided on the first electrode 21a. ing.
  • the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer, and has a function of bringing the energy levels of the first electrode 21a and the organic EL layer 23 closer to each other and improving the hole injection efficiency from the first electrode 21a to the organic EL layer 23. It has and is provided as a common functional layer of an organic vapor deposition layer common to a plurality of sub-pixels P.
  • the material constituting the hole injection layer 1 for example, a triazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative, a phenylenediamine derivative, an oxazole derivative, a styrylanthracene derivative, a fluorenone derivative, etc.
  • Examples include hydrazone derivatives and stillben derivatives.
  • the common functional layer is a functional layer formed by using a CMM (common metal mask). Since this CMM is a mask provided with one opening corresponding to one display device, it is not possible to provide a pattern for shielding the island-shaped non-display area N.
  • the common functional layer is also deposited on the non-display region N.
  • the individual functional layer is a functional layer formed by using FMM (fine metal mask). This FMM is a mask in which openings are provided for each color (including, for example, a functional layer common to red and green).
  • the functional layer includes a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4, an electron injection layer 5, and the like.
  • the hole transport layer 2 has a function of improving the hole transport efficiency from the first electrode 21a to the organic EL layer 23, and is provided as a common functional layer of the organic vapor deposition layer common to the plurality of sub-pixels P.
  • the material constituting the hole transport layer 2 include a porphyrin derivative, an aromatic tertiary amine compound, a styrylamine derivative, polyvinylcarbazole, a poly-p-phenylene vinylene, a polysilane, a triazole derivative, and an oxadiazole.
  • Derivatives imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amine-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stillben derivatives, hydride amorphous silicon, Examples thereof include hydride amorphous silicon carbide, zinc sulfide, and zinc selenium.
  • the light emitting layer 3 is provided as an individual functional layer, and when a voltage is applied by the first electrode 21a and the second electrode 24, holes and electrons are injected from the first electrode 21a and the second electrode 24, respectively, and the light emitting layer 3 is positive. It is a region where holes and electrons are recombined.
  • the light emitting layer 3 is formed of a material having high luminous efficiency. Examples of the material constituting the light emitting layer 3 include a metal oxinoid compound [8-hydroxyquinolin metal complex], a naphthalene derivative, an anthracene derivative, a diphenylethylene derivative, a vinylacetone derivative, a triphenylamine derivative, a butadiene derivative, and a coumarin derivative.
  • the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer 3, and is provided as a common functional layer of an inorganic vapor deposition layer common to a plurality of subpixels P.
  • the material constituting the electron transport layer 4 for example, as an organic compound, an oxadiazole derivative, a triazole derivative, a benzoquinone derivative, a naphthoquinone derivative, an anthraquinone derivative, a tetracyanoanthracinodimethane derivative, a diphenoquinone derivative, and a fluorenone derivative , Cyrol derivatives, metal oxinoid compounds and the like.
  • the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy levels of the second electrode 24 and the organic EL layer 23 closer to each other and improving the efficiency of injecting electrons from the second electrode 24 into the organic EL layer 23.
  • the drive voltage of the organic EL element 25 can be lowered.
  • the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer, and is provided as a common functional layer of an inorganic vapor deposition layer common to a plurality of sub-pixels P.
  • examples of the material constituting the electron injection layer 5 include lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), and barium fluoride. Examples thereof include inorganic alkaline compounds such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO) and the like.
  • the common functional layer described above is an example, and any layer may be an individual functional layer. Further, for example, when a light emitting layer that emits ultraviolet light or blue light is color-converted by a QLED (Quantum-dot light emission diode) or the like to form a display device, the light emitting layer 3 is provided as a common functional layer. You may.
  • the second electrode 24 covers each organic EL layer 23 and the edge cover 22a and is provided so as to be common to the plurality of sub-pixels P. Further, the second electrode 24 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 23. Further, the second electrode 24 is more preferably made of a material having a small work function in order to improve the efficiency of electron injection into the organic EL layer 23.
  • the material constituting the second electrode 24 include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), and gold (Au).
  • the second electrode 24 is, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), asstatin (At) / oxidized asstatin (AtO 2).
  • the second electrode 24 may be formed of, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). .. Further, the second electrode 24 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials.
  • Examples of materials having a small work function include magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), and sodium.
  • (Na) / potassium (K) lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al) And so on.
  • the sealing film 40 is provided so as to cover each organic EL element 25, and has a function of protecting the organic EL layer 23 of each organic EL element 25 from moisture, oxygen, and the like. have.
  • the sealing film 40 includes a lower second inorganic insulating film 36 provided on the resin substrate layer 10 side so as to cover the second electrode 24.
  • An upper second inorganic insulating film 38 provided on the opposite side of the resin substrate layer 10 and an organic insulating film 37 provided between the lower second inorganic insulating film 36 and the upper second inorganic insulating film 38 are provided. There is.
  • the lower second inorganic insulating film 36 and the upper second inorganic insulating film 38 are made of, for example, silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), or trisilicon tetroxide (Si 3 N 4 ). It is composed of an inorganic material such as silicon nitride (SiNx (x is a positive number)) and silicon nitride (SiCN). Further, the organic insulating film 37 is made of an organic material such as an acrylic resin, a polyurea resin, a parylene resin, a polyimide resin, and a polyamide resin.
  • the organic EL display device 50a is provided in a frame shape so as to surround the display area D and overlap the outer peripheral end portion of the organic insulating film 37 in the frame area F. It includes an outer dam wall Wa and a second dam wall Wb provided in a frame shape so as to surround the first outer dam wall Wa.
  • the first outer dam wall Wa has a first resin layer 19b formed of the same material as the flattening film 19a and a first conductive layer 21b on the first resin layer 19b. It is provided with a second resin layer 22c formed in the same layer as the edge cover 22a by the same material.
  • the first conductive layer 21b has a substantially C shape so as to overlap the trench G, the first outer dam wall Wa, and the second outer dam wall Wb in the frame region F. It is provided.
  • the first conductive layer 21b is formed of the same material as the first electrode 21a.
  • the second outer dam wall Wb is formed on the first resin layer 19c and the first resin layer 19c formed of the same material as the flattening film 19a via the first conductive layer 21b.
  • the edge cover 22a is provided with a second resin layer 22d formed of the same material as the edge cover 22a.
  • the organic EL display device 50a surrounds the display area D in the frame area F so as to overlap the first external dam wall Wa and the second external dam wall Wb.
  • a first frame wiring 18h provided on the outside of the trench G is provided.
  • the first frame wiring 18h is electrically connected to the power supply terminal to which the low power supply voltage (ELVSS) is input at the terminal portion T.
  • the first frame wiring 18h is electrically connected to the second electrode 24 via the first conductive layer 21b.
  • the organic EL display device 50a includes a second frame wiring 18i provided inside the trench G in the frame area F.
  • the second frame wiring 18i is electrically connected to the power supply terminal to which the high power supply voltage (EL VDD) is input at the terminal portion T.
  • the second frame wiring 18i is electrically connected to a plurality of power supply lines 18g arranged in the display area D on the display area D side.
  • the organic EL display device 50a has a slit S formed in the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 in the bent portion B.
  • a lower layer flattening film 8a provided so as to be filled, a plurality of routing wires 18j provided on the lower layer flattening film 8a and the second interlayer insulating film 17, and a wiring coating provided so as to cover each routing wiring 18j. It has a layer 19d.
  • the slit S penetrates the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 so as to expose the surface of the resin substrate layer 10. It is provided in a groove shape that penetrates along the extending direction of the bent portion B.
  • the lower flattening film 8a is made of an organic resin material such as a polyimide resin.
  • the plurality of routing wires 18j are provided so as to extend parallel to each other in a direction orthogonal to the extending direction of the bent portion B.
  • both ends of the routing wiring 18j are formed in the first gate conductive layer via the contact holes formed in the laminated films of the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. It is electrically connected to the 14c and the second gate conductive layer 14d, respectively.
  • the routing wiring 18j is formed of the same material as the source line 18f and the power supply line 18g in the same layer. Further, as shown in FIG.
  • the first gate conductive layer 14c is provided between the gate insulating film 13 and the first interlayer insulating film 15, and the signal wiring (gate line 14, source line 18f, etc.) extending to the display area D is provided. ) Is electrically connected.
  • the second gate conductive layer 14d is provided between the gate insulating film 13 and the first interlayer insulating film 15, and is electrically connected to, for example, the signal terminal of the terminal portion T. ..
  • the wiring coating layer 19d is formed in the same layer as the flattening film 19a with the same material.
  • the organic EL display device 50a is provided in an island shape as a second photo spacer on the flattening film 19a in the frame region F so as to project upward in the drawing.
  • a plurality of picture frame photo spacers 22b are provided.
  • each frame photo spacer 22b is formed in the same layer with the same material as the edge cover 22a.
  • the frame photo spacer may be formed by laminating a resin layer formed of the same material as the edge cover 22a in the same layer and another layer.
  • the organic EL display device 50a has a circular frame shape from the display area D side so as to surround the oxide semiconductor layer 12c described later in a plan view in the non-display area N, respectively. It is provided with a first internal dam wall Wc and a second internal dam wall Wd.
  • the first internal dam wall Wc is provided on the first resin layer 19e and the first resin layer 19e formed in the same layer as the flattening film 19a, and the edge cover 22a. It is provided with a second resin layer 22e formed in the same layer with the same material.
  • the first internal dam wall Wc overlaps the inner peripheral end portion of the organic insulating film 37 constituting the sealing film 40 on the display region D side of the non-display region N. It is provided.
  • the second internal dam wall Wd is provided on the first resin layer 19f and the first resin layer 19f formed in the same layer as the flattening film 19a, and the edge cover 22a. It is provided with a second resin layer 22f formed in the same layer with the same material.
  • each hidden photo spacer 22c is formed in the same layer with the same material as the edge cover 22a.
  • the hidden photo spacer may be formed by laminating a resin layer formed in the same layer as the edge cover 22a with the same material and another layer.
  • the organic EL display device 50a has a circular frame shape in the non-display area N so as to be along the peripheral edge of the through hole H, that is, along the boundary with the display area D. It is provided with an oxide semiconductor layer 12c (see the dot portion in FIG. 8) provided in an island shape.
  • the oxide semiconductor layer 12c is provided on the base coat film 11 and is formed in the same layer as the semiconductor layers 12a and 12b with the same material.
  • the peripheral end portion of the oxide semiconductor layer 12c on the through hole H side is provided so that its side surface is flush with the side surface of the through hole H and is along the peripheral edge of the through hole H. ing.
  • the peripheral end portion of the oxide semiconductor layer 12c on the Wd side of the second internal dam wall is covered with the gate insulating film 13.
  • the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 surround the through hole H in a plan view and are oxidized in the non-display region N.
  • the first opening Ma is provided so as to expose the physical semiconductor layer 12c.
  • the peripheral edge of the first opening Ma is provided so as to cover the outer peripheral end of the oxide semiconductor layer 12c, and when the oxide semiconductor layer 12c forms the first opening Ma. It is configured to function as an etch stopper for. Further, as shown in FIG.
  • the second electrode 24 is provided so as to extend from the display region D to the non-display region N. Further, as shown in FIGS. 8 and 9, the second electrode 24 is provided with a third opening Mc in a frame shape so as to surround the through hole H in a plan view and expose the oxide semiconductor layer 12c. ing. Although the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the electron transport layer 4 and the electron injection layer 5 are not shown in FIG. 9, the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, and the electron transport layer 4 are not shown.
  • the common functional layer including the electron injection layer 5 and the electron injection layer 5 is provided so as to extend from the display region D to the non-display region N as in the second electrode 24, and the common functional layer surrounds the through hole H in a plan view and
  • the second opening Mb is provided in a frame shape so as to expose the oxide semiconductor layer 12c.
  • the peripheral ends of the second opening Mb and the third opening Mc are aligned with each other, and the oxide semiconductor layer 12c and the lower second inorganic of the sealing film 40 are aligned with each other.
  • the insulating film 36 is in contact with each other via the second opening Mb and the third opening Mc.
  • the organic EL display device 50a in the non-display region N, the organic EL display device 50a penetrates the lower second inorganic insulating film 36 and the upper second inorganic insulating film 38 constituting the sealing film 40.
  • a fourth opening Md is provided so as to surround the hole H.
  • the second electrode 24 is exposed through the fourth opening Md.
  • the organic EL display device 50a includes a camera 45 installed as an electronic component inside the through hole H in the non-display area N.
  • the camera 45 is composed of, for example, a CCD (charge coupled device), a CMOS (complementary metal oxide semiconductor) image sensor, or the like, and is mounted inside a housing that houses the organic EL display device 50a.
  • the camera 45 is illustrated as an electronic component, but the electronic component may be a fingerprint sensor or the like.
  • the organic EL display device 50a described above turns on the first TFT 9a by inputting a gate signal to the first TFT 9a via the gate line 14 in each sub-pixel P, and turns on the first TFT 9a, and the gate electrode of the second TFT 9b via the source line 18f.
  • a data signal to the 14b and the capacitor 9c and supplying a current from the power supply line 18g corresponding to the gate voltage of the second TFT 9b to the organic EL layer 23
  • the light emitting layer 3 of the organic EL layer 23 emits light, and the image It is configured to display.
  • the gate voltage of the second TFT 9b is held by the capacitor 9c, so that the light emitting layer 3 emits light until the gate signal of the next frame is input. Be maintained.
  • the method for manufacturing the organic EL display device 50a of the present embodiment includes a TFT layer forming step, an organic EL element layer forming step, a sealing film forming step, a flexible step, and a component installation step.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a functional layer removing step of the organic EL element layer forming step in the manufacturing method of the organic EL display device 50a.
  • the base coat film 11, the first TFT 9a, the second TFT 9b, the capacitor 9c, and the flattening film 19a are formed on the surface of the resin substrate layer 10 formed on the glass substrate by a well-known method to form the TFT layer 20. Form.
  • the oxide semiconductor layer 12c is formed in an island shape in the non-display region N (semiconductor layer forming step). Further, when the contact hole is formed in the step of forming the first TFT 9a and the second TFT 9b, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are covered with an oxide semiconductor in the non-display region N.
  • the first opening Ma is formed so as to expose the layer 12c (first opening forming step).
  • the first electrode 21a and the edge cover 22a are formed on the flattening film 19a of the TFT layer 20 formed in the TFT layer forming step by using a well-known method.
  • the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the light emitting layer 3, the electron transport layer 4 and the electron injection layer 5 are sequentially placed on the first electrode 21a exposed from the edge cover 22a by, for example, a vacuum deposition method. It is formed to form the organic EL layer 23 (functional layer forming step).
  • CMM is used as a vapor deposition mask
  • FMM is used as.
  • the second electrode 24 is formed by using CMM, for example, by a vacuum vapor deposition method so as to cover the organic EL layer 23 and extend from the display region D to the non-display region N.
  • the oxide semiconductor layer 12c is oxidized by cyclically scanning the oxide semiconductor layer 12c in a plan view while irradiating the laser beam L having a wavelength in the ultraviolet region (for example, about 300 nm to 400 nm).
  • the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the electron transport layer 4, the electron injection layer 5, and the second electrode 24 are removed from the portion covering the product semiconductor layer 12c, and the peripheral end is the first opening Ma in a plan view.
  • a second opening Mb is formed in the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the electron transport layer 4, and the electron injection layer 5 so as to expose the oxide semiconductor layer 12c while being surrounded by the second.
  • a third opening Mc is formed in the electrode 24 (functional layer removing step).
  • the oxide semiconductor layer 12c is irradiated with the laser beam L to convert the energy of the laser beam L into heat, and at least the bottom hole injection layer 1 is sublimated and removed. Will be done. With the sublimation of the hole injection layer 1 which is at least the lowermost layer, the upper layer thereof is separated from the oxide semiconductor layer 12c and removed. Further, at least one layer of the hole transport layer 2, the electron transport layer 4, and the electron injection layer 5 above the hole injection layer 1 may be sublimated and removed. Further, the second electrode 24 is detached and removed as the lower layer is sublimated.
  • the organic EL element 25 is formed to form the organic EL element layer 30.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film is used on the surface of the substrate on which the organic EL element layer 30 formed in the organic EL element layer forming step is formed. Is formed into a film by a plasma CVD (chemical vapor deposition) method to form a lower second inorganic insulating film 36. As a result, in the non-display region N, the lower second inorganic insulating film 36 can be formed so as to cover the oxide semiconductor layer 12c exposed from the second opening Mb and the third opening Mc.
  • a plasma CVD chemical vapor deposition
  • an organic resin material such as an acrylic resin is formed on the surface of the substrate on which the lower second inorganic insulating film 36 is formed, for example, by an inkjet method to form the organic insulating film 37.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film is formed on the substrate on which the organic insulating film 37 is formed by a plasma CVD method using a mask, and the upper side is formed.
  • the second inorganic insulating film 38 is formed.
  • the upper second inorganic insulating film 38 and the lower second inorganic insulating film 36 exposed from the resist pattern are dry-etched.
  • the sealing film 40 is formed by removing it to form the fourth opening Md.
  • a protective sheet (not shown) is attached to the surface of the substrate on which the sealing film 40 is formed in the sealing film forming step, and then the resin substrate is irradiated with laser light from the glass substrate side of the resin substrate layer 10.
  • the glass substrate is peeled off from the lower surface of the layer 10, and then a protective sheet (not shown) is attached to the lower surface of the resin substrate layer 10 from which the glass substrate has been peeled off.
  • the second electrode 24, the oxide semiconductor layer 12c, the base coat film 11 and the resin substrate layer 10 exposed from the fourth opening Md are annularly scanned with laser light using, for example, a YAG (yttrium aluminum garnet) laser.
  • a through hole H is formed so as to be surrounded by the peripheral end of the fourth opening Md (through hole forming step).
  • the camera 45 is mounted in a housing accommodating the main body of the apparatus so as to be installed inside the through hole H formed in the flexible step.
  • the organic EL display device 50a of the present embodiment can be manufactured.
  • the organic EL display device 50a provided so that the second electrode 24 is exposed from the sealing film 40 is illustrated around the through hole H, but the resin substrate is provided around the through hole H.
  • the organic EL display devices 50b and 50c may be provided so that the layer 10 and the oxide semiconductor layer 12c are exposed from the sealing film 40.
  • the organic EL display device 50b and the organic EL display device 50c will be described below.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of a non-display region N of the organic EL display device 50b of the first modification, and is a view corresponding to FIG.
  • the same parts as those in FIGS. 1 to 10 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
  • the second electrode 24 exposed from the fourth opening Md formed in the sealing film 40 of the present embodiment around the through hole H in the non-display region N, the oxide semiconductor layer 12c, and the oxide semiconductor layer 12c. Since the base coat film 11 (see FIG. 9) has been further removed, the upper surface of the resin substrate layer 10 is provided so as to be exposed from the fourth opening Md, as shown in FIG.
  • the configuration of the display area D and the frame area F of the organic EL display device 50b is substantially the same as the configuration of the display area D and the frame area F of the organic EL display device 50a of the present embodiment.
  • the second electrode 24, the oxide semiconductor layer 12c, and the base coat film 11 are not arranged in the portion irradiated with the laser beam L when the through hole H is formed, so that the through hole H is penetrated.
  • the pores H are formed, the occurrence of cracks can be suppressed in the second electrode 24, the oxide semiconductor layer 12c, and the base coat film 11.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of a non-display region N of the organic EL display device 50c of the second modification, and is a diagram corresponding to FIG.
  • the second opening Mb formed in the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the electron transport layer 4, and the electron injection layer 5 and the second electrode 24 The third opening Mc formed in the above is provided up to the peripheral edge of the through hole H.
  • the configuration of the display area D and the frame area F of the organic EL display device 50c is substantially the same as the configuration of the display area D and the frame area F of the organic EL display device 50a of the present embodiment.
  • the organic EL display device 50c having the above configuration scans the oxide semiconductor layer 12c in a circular shape instead of an annular shape in a plan view while irradiating, for example, laser light L. This can be produced by removing the second electrode 24 (hole injection layer 1, hole transport layer 2, electron transport layer 4 and electron injection layer 5, see FIG. 9) on the through hole H side.
  • the island-shaped non-display area N arranged inside the display area D is oxidized.
  • the physical semiconductor layer 12c is provided in a circular frame shape.
  • the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 of the TFT layer 20 are provided with a first opening Ma so as to expose the oxide semiconductor layer 12c in the non-display region N. Has been done.
  • the oxide semiconductor layer 12c exposed from the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 is irradiated with laser light L.
  • the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the electron transport layer 4, the electron injection layer 5, and the second which are formed in the non-display region N by converting the laser beam L into heat.
  • the electrode 24 can be removed.
  • the oxide semiconductor layer 12c has a lower light reflectance than, for example, the metal layer, even if the oxide semiconductor layer 12c is irradiated with the laser light L, the reflection of the laser light L is suppressed.
  • the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the electron transport layer 4 and the electrons are formed in the non-display region N.
  • the lower second inorganic insulating film 36 and the oxide semiconductor layer 12c are in contact with each other via the second opening Mb formed in the injection layer 5 and the third opening Mc formed in the second electrode 24. Therefore, the sealing performance of the sealing film 40 can be reliably ensured.
  • FIG. 13 shows a second embodiment of the display device and the manufacturing method thereof according to the present invention.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of a non-display region of the organic EL display device 50d according to the present embodiment, and is a view corresponding to FIG.
  • the same parts as those in FIGS. 1 to 12 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
  • the organic EL display devices 50a to 50c in which the surface between the fourth opening Md and the through hole H is provided flat in the non-display region N are illustrated, but the fourth opening
  • the organic EL display device 50d may have a convex structure provided between the Md and the through hole H.
  • the organic EL display device 50d has, for example, a rectangular display area D for displaying an image and a rectangular frame around the display area D. It is provided with a frame area F provided.
  • the configuration of the display area D and the frame area F of the organic EL display device 50d is substantially the same as the configuration of the display area D and the frame area F of the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • the organic EL display device 50d is provided in a non-display region N in a circular frame shape from the display region D side so as to surround the oxide semiconductor layer 12d described later in a plan view. It is provided with an internal dam wall Wc and a second internal dam wall Wd.
  • the organic EL display device 50d has a position so as to project upward in the figure on the flattening film 19a on the display area D side of the first internal dam wall Wc in the non-display area N.
  • a plurality of hidden photo spacers 22c provided in an island shape are provided.
  • the organic EL display device 50d has a triple concentric circular frame shape in the non-display area N so as to be along the peripheral edge of the through hole H, that is, along the boundary with the display area D. It is provided with an oxide semiconductor layer 12d provided in an island shape.
  • the oxide semiconductor layer 12d is provided on the base coat film 11 and is formed in the same layer as the semiconductor layers 12a and 12b with the same material.
  • the peripheral end portion of the oxide semiconductor layer 12d on the through hole H side is provided so that the side surface thereof is flush with the side surface of the through hole H and is along the peripheral edge of the through hole H. ing. Further, as shown in FIG.
  • the peripheral end portion of the oxide semiconductor layer 12d on the second inner dammed wall Wd side is covered with the gate insulating film 13. Further, as shown in FIG. 13, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 surround the through hole H in a plan view in the non-display region N, and the oxide semiconductor layer.
  • a first opening Ma is provided so as to expose 12d. As shown in FIG. 13, the peripheral edge portion of the first opening Ma is provided so as to cover the outer peripheral end portion of the oxide semiconductor layer 12d, and when the oxide semiconductor layer 12d forms the first opening Ma. It is configured to function as an etch stopper for. Further, as shown in FIG.
  • the second electrode 24 is provided so as to extend from the display region D to the non-display region N. Further, as shown in FIG. 13, the second electrode 24 is provided with a third opening Mc in a frame shape so as to surround the through hole H in a plan view and expose the oxide semiconductor layer 12d.
  • the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the electron transport layer 4 and the electron injection layer 5 are not shown in FIG. 13, the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, and the electron transport layer 4 are not shown.
  • the common functional layer including the electron injection layer 5 is provided so as to extend from the display region D to the non-display region N like the second electrode 24, and the common functional layer surrounds the through hole H in a plan view and A second opening Mb is provided in a frame shape so as to expose the oxide semiconductor layer 12d. Further, as shown in FIG. 13, the peripheral ends of the second opening Mb and the third opening Mc are aligned with each other, and the oxide semiconductor layer 12d and the lower second inorganic insulating film 36 of the sealing film 40 are formed. Are in contact with each other via the second opening Mb and the third opening Mc.
  • the organic EL display device 50d is located between the first opening Ma and the through hole H, specifically, between the fourth opening Md and the through hole H in the non-display region N.
  • a pair of laminated thick film portions E provided in a frame shape so as to surround the through hole H are provided.
  • the laminated thick film portion E includes a base coat film 11, a gate insulating film 13, a thick gate metal layer 14e, and a first interlayer insulation, which are sequentially provided as a plurality of inorganic films on the resin substrate layer 10. It includes a film 15, an intermediate metal layer 16d for a thick film, a second interlayer insulating film 17, and a source metal layer 18m for a thick film.
  • the total thickness of the plurality of inorganic films (base coat film 11 to the source metal layer for thick film 18 m) in the laminated thick film portion E is the plurality of inorganic films (base coat film 11 to oxide semiconductor layer 12d) in the through holes H. It is larger than the total thickness of.
  • the organic EL display device 50d is located between the first opening Ma and the through hole H, specifically, between the fourth opening Md and the through hole H in the non-display region N.
  • a resin layer 19 g is provided in a frame shape so as to surround the through hole H in a plan view.
  • the resin layer 19g is formed in the same layer as the flattening film 19a with the same material.
  • a plurality of fourth photo spacers 22 g are provided on the resin layer 19 g in an island shape. As shown in FIG.
  • the height Hd of the fourth photo spacer 22 g from the upper surface of the resin substrate layer 10 is the height Ha of the pixel photo spacer 22p from the upper surface of the resin substrate layer 10 (see FIG. 3).
  • the height Hb of the frame photo spacer 22b (see FIG. 6) and the height Hc of the hidden photo spacer 22c are the same.
  • a pair of laminated thick film portions E are provided inside the resin layer 19 g.
  • the lower second inorganic insulating film 36 and the upper second inorganic insulating film 38 of the sealing film 40 are provided so as to surround the resin layer 19 g and the laminated thick film portion E as shown in FIG.
  • the organic EL display device 50d includes a camera 45 installed as an electronic component inside the through hole H in the non-display area N.
  • the organic EL display device 50d described above has flexibility like the organic EL display device 50a of the first embodiment, and in each sub-pixel P, the organic EL layer 23 is interposed via the first TFT 9a and the second TFT 9b. It is configured to display an image by appropriately emitting light from the light emitting layer 3 of the above.
  • the organic EL display device 50d of the present embodiment forms a laminated thick film portion E when forming the first TFT 9a and the second TFT 9b in the method of manufacturing the organic EL display device 50a of the first embodiment, and forms a flattening film. It can be manufactured by forming a resin layer 19g when forming 19a and forming a fourth photospacer 22g when forming an edge cover 22a.
  • the oxide semiconductor layer 12d has a circular frame in the island-shaped non-display area N arranged inside the display area D. It is provided in a shape. Further, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 of the TFT layer 20 are provided with a first opening Ma so as to expose the oxide semiconductor layer 12d in the non-display region N. Has been done. Therefore, in the functional layer removing step of the organic EL element layer forming step, the oxide semiconductor layer 12d exposed from the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 is irradiated with laser light L.
  • the laser beam L can be converted into heat to remove the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the electron transport layer 4, the electron injection layer 5, and the second electrode 24 formed in the non-display region N. it can.
  • the oxide semiconductor layer 12d has a lower light reflectance than, for example, the metal layer, even if the oxide semiconductor layer 12d is irradiated with the laser light L, the reflection of the laser light L is suppressed. , Damage to the organic EL layer 23 due to stray light of the laser beam L can be suppressed.
  • the oxide semiconductor layer 12d has a low light reflectance, damage to the laser light irradiation device due to the reflected light of the laser light L can be suppressed. Further, since the oxide semiconductor layer 12d has a low light reflectance, reflection due to external light can be suppressed, so that deterioration of display quality due to unnecessary reflected light can be suppressed.
  • the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the electron transport layer 4, and the electron injection layer 5 are formed in the non-display region N. Since the lower second inorganic insulating film 36 and the oxide semiconductor layer 12d are in contact with each other via the second opening Mb and the third opening Mc formed in the second electrode 24, the sealing film 40 is used. The sealing performance can be reliably ensured.
  • the acoustic compliance (volume / (density x sound velocity 2 )) of the plurality of inorganic films constituting the laminated thick film portion E is about the same.
  • an organic EL layer having a five-layer laminated structure of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer has been exemplified. It may have a three-layer laminated structure of a layer / hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer / electron injection layer.
  • an organic EL display device having the first electrode as an anode and the second electrode as a cathode has been exemplified, but in the present invention, the laminated structure of the organic EL layer is inverted and the first electrode is used as a cathode.
  • the present invention can also be applied to an organic EL display device using the second electrode as an anode.
  • an organic EL display device in which the electrode of the TFT connected to the first electrode is used as the drain electrode is illustrated, but in the present invention, the electrode of the TFT connected to the first electrode is used as the source electrode. It can also be applied to an organic EL display device called.
  • the organic EL display devices 50a to 50d in which the circular through holes H are formed in the plan view are illustrated, but the through holes H have, for example, a polygonal shape such as a rectangular shape in the plan view. There may be.
  • the organic-deposited film is ashed to remove foreign matter with the organic-deposited film. It can also be applied to an organic EL display device to be coated. According to such a structure of the sealing film, even if a foreign substance is present on the display region, the sealing performance can be ensured by the upper second inorganic insulating film, and the reliability can be improved.
  • the organic EL display device has been described as an example of the display device, but the present invention is not limited to the organic EL display device, and any flexible display device can be applied.
  • it can be applied to a flexible display device provided with a QLED or the like which is a light emitting element using a quantum dot-containing layer.
  • the present invention is useful for flexible display devices.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

非表示領域（Ｎ）には、貫通孔（Ｈ）を周縁に沿って酸化物半導体層（１２ｃ）が枠状に設けられ、第１無機絶縁膜（１３、１５、１７）には、非表示領域（Ｎ）において、平面視で貫通孔（Ｈ）を囲むと共に、酸化物半導体層（１２ｃ）を露出させるように第１開口部（Ｍａ）が設けられ、共通機能層は、表示領域から非表示領域（Ｎ）にわたるように設けられ、共通機能層には、平面視で貫通孔（Ｈ）を囲むと共に、酸化物半導体層（１２ｃ）を露出させるように第２開口部（Ｍｂ）が枠状に設けられ、第２無機絶縁膜（３６）は、第２開口部（Ｍｂ）を介して酸化物半導体層（１２ｃ）に接している。

Description

表示装置及びその製造方法
　本発明は、表示装置及びその製造方法に関するものである。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（electroluminescence、以下、ＥＬとも称する）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置では、画像表示を行う表示領域の内部に、例えば、カメラや指紋センサー等の電子部品を設置するために、島状の非表示領域を設け、その非表示領域に厚さ方向に貫通する貫通孔を設ける構造が提案されている。
　例えば、特許文献１には、ベース基板の前面及び背面を貫通するモジュールホールが表示領域に設けられた表示パネルと、モジュールホールに収容された電子モジュールとを備えた電子装置が開示されている。
特開２０１９－３５９５０号公報
　ところで、有機ＥＬ素子は、例えば、基板上に順に積層された第１電極、有機ＥＬ層及び第２電極を備えている。ここで、有機ＥＬ層を構成する共通機能層、及び第２電極は、表示領域を構成する複数のサブ画素に共通するように、蒸着マスクを用いて、蒸着法により形成される。そのため、表示領域の内部に島状の非表示領域が配置されていると、非表示領域を蒸着マスクで遮蔽することが技術的に困難であるので、非表示領域にも共通機能層及び第２電極が形成されてしまう。そうなると、例えば、共通機能層の光透過率により電子部品の性能が低下してしまうので、非表示領域に形成された共通機能層を除去する必要がある。ここで、非表示領域に形成された共通機能層を除去するには、例えば、光を熱に変換可能な金属層を非表示領域に設け、その金属層にレーザー光を照射することにより、共通機能層を昇華させることが考えられるものの、レーザー光の反射光の迷光により表示領域の有機ＥＬ層（機能層）を損傷するおそれがある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、表示領域の機能層の損傷を抑制して、非表示領域の共通機能層を除去することにある。
　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、樹脂基板と、上記樹脂基板上に設けられ、第１無機絶縁膜を含む薄膜トランジスタ層と、上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の発光素子が配列された発光素子層と、上記発光素子層上に上記各発光素子を覆うように設けられ、第２無機絶縁膜を含む封止膜とを備え、上記表示領域の周囲に額縁領域が設けられ、上記表示領域の内部に非表示領域が島状に設けられ、上記非表示領域に上記樹脂基板の厚さ方向に貫通する貫通孔が設けられ、上記各発光素子には、第１電極、機能層及び第２電極が順に積層され、上記機能層が上記複数のサブ画素に共通して設けられた共通機能層を含む表示装置であって、上記非表示領域には、上記貫通孔を周縁に沿って酸化物半導体層が枠状に設けられ、上記第１無機絶縁膜には、上記非表示領域において、平面視で上記貫通孔を囲むと共に、上記酸化物半導体層を露出させるように第１開口部が設けられ、上記共通機能層は、上記表示領域から上記非表示領域にわたるように設けられ、上記共通機能層には、平面視で上記貫通孔を囲むと共に、上記酸化物半導体層を露出させるように第２開口部が枠状に設けられ、上記第２無機絶縁膜は、上記第２開口部を介して、上記酸化物半導体層に接していることを特徴とする。
　また、本発明に係る表示装置の製造方法は、樹脂基板上に第１無機絶縁膜を含む薄膜トランジスタ層を形成する薄膜トランジスタ層形成工程と、上記薄膜トランジスタ層上に表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の発光素子が配列された発光素子層を形成する発光素子層形成工程と、上記発光素子層上に上記各発光素子を覆うように第２無機絶縁膜を含む封止膜を形成する封止膜形成工程とを備え、上記表示領域の周囲に額縁領域が設けられ、上記表示領域の内部に非表示領域が島状に設けられ、上記非表示領域に上記樹脂基板の厚さ方向に貫通する貫通孔が設けられ、上記各発光素子には、第１電極、機能層及び第２電極が順に積層され、上記機能層が上記複数のサブ画素に共通して設けられた共通機能層を含む表示装置の製造方法であって、上記薄膜トランジスタ層形成工程は、上記非表示領域において、酸化物半導体層を島状に形成する半導体層形成工程と、上記非表示領域において、上記第１無機絶縁膜に上記酸化物半導体層を露出させるように第１開口部を形成する第１開口部形成工程とを備え、上記発光素子層形成工程は、上記第１開口部から露出する上記酸化物半導体層を覆うと共に、上記表示領域から上記非表示領域にわたるように上記共通機能層を形成する機能層形成工程と、上記酸化物半導体層にレーザー光を照射することにより、該酸化物半導体層を覆う部分の上記共通機能層を除去して、該共通機能層に周端が平面視で上記第１開口部の周端に囲まれると共に、該酸化物半導体層を露出させるように第２開口部を形成する機能層除去工程とを備え、上記封止膜形成工程では、上記第２開口部から露出する上記酸化物半導体層を覆うように上記第２無機絶縁膜を形成し、上記封止膜形成工程の後に、上記非表示領域において、平面視で上記第２開口部の周端に囲まれるように上記貫通孔を形成する貫通孔形成工程を備えることを特徴とする。
　本発明によれば、非表示領域には、貫通孔を周縁に沿って酸化物半導体層が枠状に設けられ、第１無機絶縁膜には、非表示領域において、平面視で貫通孔を囲むと共に、酸化物半導体層を露出させるように第１開口部が設けられているので、表示領域の機能層の損傷を抑制して、非表示領域の共通機能層を除去することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の平面図である。 図３は、図１中のIII－III線に沿った有機ＥＬ表示装置の断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する薄膜トランジスタ層の等価回路図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層の断面図である。 図６は、図１中のVI－VI線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図である。 図７は、図１中のVII－VII線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図である。 図８は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の非表示領域及びその周囲の平面図である。 図９は、図８中のIX－IX線に沿った有機ＥＬ表示装置の非表示領域の断面図である。 図１０は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における有機ＥＬ素子層形成工程の機能層除去工程を示す断面図である。 図１１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第１変形例の非表示領域の断面図であり、図９に相当する図である。 図１２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第２変形例の非表示領域の断面図であり、図９に相当する図である。 図１３は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の非表示領域の断面図であり、図９に相当する図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《第１の実施形態》
　図１～図１２は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの平面図である。また、図３は、図１中のIII－III線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する薄膜トランジスタ層２０の等価回路図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層２３の断面図である。また、図６及び図７は、図１中のVI－VI線及びVII－VII線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの額縁領域Ｆの断面図である。また、図８は、有機ＥＬ表示装置５０ａの非表示領域Ｎ及びその周囲の平面図である。また、図９は、図８中のIX－IX線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの非表示領域Ｎの断面図である。
　有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、例えば、矩形状に設けられた画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に矩形枠状に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。なお、本実施形態では、矩形状の表示領域Ｄを例示したが、この矩形状には、例えば、辺が円弧状になった形状、角部が円弧状になった形状、辺の一部に切り欠きがある形状等の略矩形状も含まれている。
　表示領域Ｄには、図２に示すように、複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に配列されている。また、表示領域Ｄでは、図２に示すように、例えば、赤色の表示を行うための赤色発光領域Ｅｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の表示を行うための緑色発光領域Ｅｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の表示を行うための青色発光領域Ｅｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられている。なお、表示領域Ｄでは、例えば、赤色発光領域Ｅｒ、緑色発光領域Ｅｇ及び青色発光領域Ｅｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。また、表示領域Ｄの内部には、図１に示すように、非表示領域Ｎが島状に設けられている。ここで、非表示領域Ｎには、図１に示すように、カメラ４５を配置させるために、後述する樹脂基板層１０の厚さ方向に貫通する貫通孔Ｈが設けられている。なお、非表示領域Ｎの詳細な構造等については、図８及び図９を用いて、後述する。
　額縁領域Ｆの図１中右端部には、端子部Ｔが一方向（図中縦方向）に延びるように設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、図１に示すように、端子部Ｔの表示領域Ｄ側には、図中縦方向を折り曲げの軸として、例えば、１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げ可能な折り曲げ部Ｂが一方向（図中縦方向）に延びるように設けられている。ここで、額縁領域Ｆにおいて、後述する平坦化膜１９ａには、図１、図３及び図６に示すように、略Ｃ状のトレンチＧが平坦化膜１９ａを貫通するように設けられている。なお、トレンチＧは、図１に示すように、平面視で端子部Ｔ側が開口するように略Ｃ字状に設けられている。
　有機ＥＬ表示装置５０ａは、図３、図６、図７及び図９に示すように、樹脂基板として設けられた樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられた薄膜トランジスタ（thin film transistor、以下、ＴＦＴとも称する）層２０と、ＴＦＴ層２０上に設けられた有機ＥＬ素子層３０と、有機ＥＬ素子層３０上に設けられた封止膜４０とを備えている。
　樹脂基板層１０は、例えば、ポリイミド樹脂等により構成されている。
　ＴＦＴ層２０は、図３、図６、図７及び図９に示すように、樹脂基板層１０上に第１無機絶縁膜として順に設けられたゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７と、第２層間絶縁膜１７上に設けられた平坦化膜１９ａとを備えている。具体的に、ＴＦＴ層２０は、図３に示すように、樹脂基板層１０側に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ及び複数のキャパシタ９ｃと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に設けられた平坦化膜１９ａとを備えている。ここで、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４が設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数の電源線１８ｇが設けられている。そして、各電源線１８ｇは、図２に示すように、各ソース線１８ｆと隣り合うように設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃがそれぞれ設けられている。
　ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第１ＴＦＴ９ａは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応するゲート線１４及びソース線１８ｆに電気的に接続されている。また、第１ＴＦＴ９ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ａ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ａ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂを備えている。ここで、半導体層１２ａは、例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４等のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体を含み、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ａを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ａは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ａのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ａを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ａのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されている。なお、本実施形態では、半導体層１２ａを構成する透明アモルファス酸化物半導体（ＴａＯＳ：transparent amorphous oxide semiconductor）として、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体を例示したが、例えば、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系、Ｉｎ－Ａｌ－Ｚｎ－Ｏ系、Ｉｎ－Ａｌ－Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系、Ｚｎ－Ｏ系、Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ系、Ｚｎ－Ｔｉ－Ｏ系、Ｃｄ－Ｇｅ－Ｏ系、Ｃｄ－Ｐｂ－Ｏ系、Ｃｄ－Ｚｎ－Ｏ系、Ｃｄ－Ｏ系、Ｍｇ－Ｚｎ－Ｏ、Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｎ－Ｏ系、Ｉｎ－Ｇａ－Ｏ系、Ｚｒ－Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ系、Ｈｆ－Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ系、Ａｌ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系、Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｏ系等の他の半導体を含んでいてもよい。具体的に、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体としては、例えば、Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２－ＺｎＯ等が挙げられる。また、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体としては、他にＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５等が挙げられる。また、Ｚｎ－Ｏ系半導体としては、１族元素、１３族元素、１４族元素、１５族元素及び１７族元素等から少なくとも１種の不純物元素が添加された、若しくは不純物が何も添加されていないＺｎＯの非晶質（アモルファス）状態、多結晶状態、又は非晶質状態と多結晶状態とが混在する微結晶状態のものを用いることができる。
　第２ＴＦＴ９ｂは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに電気的に接続されている。また、第２ＴＦＴ９ｂは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ｂ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ｂ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄを備えている。ここで、半導体層１２ｂは、例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４等のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体を含み、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ｂを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ｂのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ｂを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ｂのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されている。
　なお、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを例示したが、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂは、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。
　キャパシタ９ｃは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに電気的に接続されている。ここで、キャパシタ９ｃは、図３に示すように、ゲート電極１４ａ及び１４ｂと同一材料により同一層に形成された下側導電層１４ｃと、下側導電層１４ｃを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上に下側導電層１４ｃと重なるように設けられた上側導電層１６とを備えている。なお、上側導電層１６は、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールを介して電源線１８ｇに電気的に接続されている。
　平坦化膜１９ａは、例えば、ポリイミド樹脂等のポジ型の感光性樹脂により構成されている。
　有機ＥＬ素子層３０は、図３に示すように、平坦化膜１９ａ上にマトリクス状に配列するように設けられた複数の有機ＥＬ素子２５を備えている。ここで、複数の有機ＥＬ素子２５は、複数のサブ画素Ｐに対応して配列された複数の発光素子として設けられている。
　有機ＥＬ素子２５は、図３に示すように、ＴＦＴ層２０上に順に積層された第１電極２１ａ、有機ＥＬ層２３及び第２電極２４を備えている。具体的に、有機ＥＬ素子２５は、図３に示すように、ＴＦＴ層２０の平坦化膜１９ａ上に設けられた第１電極２１ａと、第１電極２１ａ上に機能層として設けられた有機ＥＬ層２３と、複数のサブ画素Ｐに共通するように有機ＥＬ層２３上に設けられた第２電極２４とを備えている。
　第１電極２１ａは、図３に示すように、平坦化膜１９ａに形成されたコンタクトホールを介して、各サブ画素Ｐの第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに電気的に接続されている。また、第１電極２１ａは、有機ＥＬ層２３にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極２１ａは、有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極２１ａを構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、スズ（Ｓｎ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極２１ａを構成する材料は、例えば、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極２１ａを構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極２１ａは、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな化合物材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。さらに、第１電極２１ａの周端部は、複数のサブ画素Ｐに共通して格子状に設けられたエッジカバー２２ａで覆われている。ここで、エッジカバー２２ａを構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等のポジ型の感光性樹脂が挙げられる。また、エッジカバー２２ａの表面の一部は、図３に示すように、図中上方に突出して、第１フォトスペーサとして島状に設けられた画素フォトスペーサ２２ｐになっている。
　有機ＥＬ層２３は、図５に示すように、第１電極２１ａ上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極２１ａと有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極２１ａから有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を改善する機能を有し、複数のサブ画素Ｐに共通する有機蒸着層の共通機能層として設けられている。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。なお、共通機能層は、ＣＭＭ（コモンメタルマスク）を用いて形成される機能層である。このＣＭＭは、１つの表示装置に対応して、１つの開口が設けられたマスクであるため、島状の非表示領域Ｎを遮蔽するパターンを設けることができない。そのため、共通機能層は、非表示領域Ｎにも蒸着されてしまう。これに対して、個別機能層は、ＦＭＭ（ファインメタルマスク）を用いて形成される機能層である。このＦＭＭは、色毎に（例えば、赤色及び緑色で共通である機能層も含む）に開口が設けられたマスクである。また、機能層は、上述した正孔注入層１の他に、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５等を含む。
　正孔輸送層２は、第１電極２１ａから有機ＥＬ層２３への正孔の輸送効率を向上させる機能を有し、複数のサブ画素Ｐに共通する有機蒸着層の共通機能層として設けられている。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　発光層３は、個別機能層として設けられ、第１電極２１ａ及び第２電極２４による電圧印加の際に、第１電極２１ａ及び第２電極２４から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有し、複数のサブ画素Ｐに共通する無機蒸着層の共通機能層として設けられている。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層５は、第２電極２４と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極２４から有機ＥＬ層２３へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子２５の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれ、複数のサブ画素Ｐに共通する無機蒸着層の共通機能層として設けられている。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
　なお、上述した共通機能層は、例示であって、何れかの層が個別機能層であってもよい。また、例えば、紫外光や青色光を発光する発光層からＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）等で色変換を行い、表示装置を構成する場合は、発光層３が共通機能層として設けられていてもよい。
　第２電極２４は、図３に示すように、各有機ＥＬ層２３及びエッジカバー２２ａを覆って、複数のサブ画素Ｐに共通するように設けられている。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３に電子を注入する機能を有している。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極２４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極２４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　封止膜４０は、図３、図６及び図９に示すように、各有機ＥＬ素子２５を覆うように設けられ、各有機ＥＬ素子２５の有機ＥＬ層２３を水分や酸素等から保護する機能を有している。具体的に、封止膜４０は、図３、図６及び図９に示すように、第２電極２４を覆うように樹脂基板層１０側に設けられた下側第２無機絶縁膜３６と、樹脂基板層１０と反対側に設けられた上側第２無機絶縁膜３８と、下側第２無機絶縁膜３６及び上側第２無機絶縁膜３８の間に設けられた有機絶縁膜３７とを備えている。ここで、下側第２無機絶縁膜３６及び上側第２無機絶縁膜３８は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料により構成されている。また、有機絶縁膜３７は、例えば、アクリル樹脂、ポリ尿素樹脂、パリレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等の有機材料により構成されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１及び図６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄを囲むと共に有機絶縁膜３７の外周端部に重なるように枠状に設けられた第１外部堰止壁Ｗａと、第１外部堰止壁Ｗａを囲むように枠状に設けられた第２堰止壁Ｗｂとを備えている。
　第１外部堰止壁Ｗａは、図６に示すように、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成された第１樹脂層１９ｂと、第１樹脂層１９ｂ上に第１導電層２１ｂを介して設けられ、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された第２樹脂層２２ｃとを備えている。ここで、第１導電層２１ｂは、図６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧ、第１外部堰止壁Ｗａ及び第２外部堰止壁Ｗｂと重なるように、略Ｃ字状に設けられている。なお、第１導電層２１ｂは、第１電極２１ａと同一材料により同一層に形成されている。
　第２外部堰止壁Ｗｂは、図６に示すように、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成された第１樹脂層１９ｃ、第１樹脂層１９ｃ上に第１導電層２１ｂを介して設けられ、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された第２樹脂層２２ｄとを備えている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図３及び図６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄを囲んで第１外部堰止壁Ｗａ及び第２外部堰止壁Ｗｂと重なるように、トレンチＧの外側に設けられた第１額縁配線１８ｈを備えている。ここで、第１額縁配線１８ｈは、端子部Ｔにおいて、低電源電圧（ＥＬＶＳＳ）が入力される電源端子に電気的に接続されている。また、第１額縁配線１８ｈは、図６に示すように、第１導電層２１ｂを介して、第２電極２４に電気的に接続されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図３に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの内側に設けられた第２額縁配線１８ｉを備えている。ここで、第２額縁配線１８ｉは、端子部Ｔにおいて、高電源電圧（ＥＬＶＤＤ）が入力される電源端子に電気的に接続されている。また、第２額縁配線１８ｉは、表示領域Ｄ側において、表示領域Ｄに配置された複数の電源線１８ｇに電気的に接続されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図７に示すように、折り曲げ部Ｂにおいて、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成されたスリットＳを埋めるように設けられた下層平坦化膜８ａと、下層平坦化膜８ａ及び第２層間絶縁膜１７上に設けられた複数の引き回し配線１８ｊと、各引き回し配線１８ｊを覆うように設けられた配線被覆層１９ｄとを備えている。
　スリットＳは、図７に示すように、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７を貫通して、樹脂基板層１０の表面を露出させるように、折り曲げ部Ｂの延びる方向に沿って突き抜ける溝状に設けられている。
　下層平坦化膜８ａは、例えば、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。
　複数の引き回し配線１８ｊは、折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられている。ここで、各引き回し配線１８ｊの両端部は、図７に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して第１ゲート導電層１４ｃ及び第２ゲート導電層１４ｄにそれぞれ電気的に接続されている。なお、引き回し配線１８ｊは、ソース線１８ｆや電源線１８ｇと同一材料により同一層に形成されている。また、第１ゲート導電層１４ｃは、図７に示すように、ゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１５の間に設けられ、表示領域Ｄに延びる信号配線（ゲート線１４、ソース線１８ｆ等）に電気的に接続されている。また、第２ゲート導電層１４ｄは、図７に示すように、ゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１５の間に設けられ、例えば、端子部Ｔの信号端子に電気的に接続されている。また、配線被覆層１９ｄは、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図３及び図６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、平坦化膜１９ａ上に、図中上方に突出するように、第２フォトスペーサとして島状に設けられた複数の額縁フォトスペーサ２２ｂを備えている。ここで、各額縁フォトスペーサ２２ｂは、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成されている。この額縁フォトスペーサは、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された樹脂層と、他の層とを積層して形成されていてもよい。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図８及び図９に示すように、非表示領域Ｎにおいて、平面視で後述する酸化物半導体層１２ｃを囲むように、表示領域Ｄ側から円形枠状にそれぞれ設けられた第１内部堰止壁Ｗｃ及び第２内部堰止壁Ｗｄを備えている。
　第１内部堰止壁Ｗｃは、図９に示すように、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成された第１樹脂層１９ｅと、第１樹脂層１９ｅ上に設けられ、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された第２樹脂層２２ｅとを備えている。ここで、第１内部堰止壁Ｗｃは、図９に示すように、非表示領域Ｎの表示領域Ｄ側において、封止膜４０を構成する有機絶縁膜３７の内周端部と重なるように設けられている。
　第２内部堰止壁Ｗｄは、図９に示すように、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成された第１樹脂層１９ｆと、第１樹脂層１９ｆ上に設けられ、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された第２樹脂層２２ｆとを備えている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図９に示すように、非表示領域Ｎにおける第１内部堰止壁Ｗｃの表示領域Ｄ側において、平坦化膜１９ａ上に、図中上方に突出するように、第３フォトスペーサとして島状に設けられた複数の非表示フォトスペーサ２２ｃを備えている。ここで、各非表示フォトスペーサ２２ｃは、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成されている。この非表示フォトスペーサは、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された樹脂層と、他の層とを積層して形成されていてもよい。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図８及び図９に示すように、非表示領域Ｎにおいて、貫通孔Ｈの周縁に沿って、すなわち、表示領域Ｄとの境界に沿うように、円形枠状の島状に設けられた酸化物半導体層１２ｃ（図８中のドット部参照）を備えている。ここで、酸化物半導体層１２ｃは、図９に示すように、ベースコート膜１１上に設けられ、半導体層１２ａ及び１２ｂと同一材料により同一層に形成されている。また、酸化物半導体層１２ｃの貫通孔Ｈ側の周端部は、図９に示すように、その側面が貫通孔Ｈの側面と面一であり、貫通孔Ｈの周縁に沿うように設けられている。また、酸化物半導体層１２ｃの第２内部堰止壁Ｗｄ側の周端部は、図９に示すように、ゲート絶縁膜１３により覆われている。また、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７には、図８及び図９に示すように、非表示領域Ｎにおいて、平面視で貫通孔Ｈを囲むと共に、酸化物半導体層１２ｃを露出させるように第１開口部Ｍａが設けられている。なお、第１開口部Ｍａの周縁部は、図９に示すように、酸化物半導体層１２ｃの外周端部を覆うように設けられ、酸化物半導体層１２ｃが第１開口部Ｍａを形成する際のエッチストッパとして機能するように構成されている。また、第２電極２４は、図９に示すように、表示領域Ｄから非表示領域Ｎにわたるように設けられている。また、第２電極２４には、図８及び図９に示すように、平面視で貫通孔Ｈを囲むと共に、酸化物半導体層１２ｃを露出させるように第３開口部Ｍｃが枠状に設けられている。なお、図９では、正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５が図示されていないが、正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５を含む共通機能層は、第２電極２４と同様に、表示領域Ｄから非表示領域Ｎにわたるように設けられ、共通機能層には、平面視で貫通孔Ｈを囲むと共に、酸化物半導体層１２ｃを露出させるように第２開口部Ｍｂが枠状に設けられている。さらに、第２開口部Ｍｂ及び第３開口部Ｍｃは、図８及び図９に示すように、周端が互いに一致しており、酸化物半導体層１２ｃ及び封止膜４０の下側第２無機絶縁膜３６は、図９に示すように、第２開口部Ｍｂ及び第３開口部Ｍｃを介して、互いに接している。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、図８及び図９に示すように、非表示領域Ｎにおいて、封止膜４０を構成する下側第２無機絶縁膜３６及び上側第２無機絶縁膜３８に貫通孔Ｈを囲むように第４開口部Ｍｄが設けられている。ここで、貫通孔Ｈの周囲では、図９に示すように、第４開口部Ｍｄを介して第２電極２４が露出している。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１及び図８に示すように、非表示領域Ｎにおいて、貫通孔Ｈの内部に電子部品として設置されたカメラ４５を備えている。ここで、カメラ４５は、例えば、ＣＣＤ（charge coupled device）やＣＭＯＳ（complementary metal oxide semiconductor）イメージセンサー等により構成され、有機ＥＬ表示装置５０ａを収容する筐体の内部に取り付けられている。なお、本実施形態では、電子部品としてカメラ４５を例示したが、電子部品は、指紋センサー等であってもよい。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ａは、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１４を介して第１ＴＦＴ９ａにゲート信号を入力することにより、第１ＴＦＴ９ａをオン状態にし、ソース線１８ｆを介して第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極１４ｂ及びキャパシタ９ｃにデータ信号を書き込み、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧に応じた電源線１８ｇからの電流が有機ＥＬ層２３に供給されることにより、有機ＥＬ層２３の発光層３が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１ＴＦＴ９ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層３による発光が維持される。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法について説明する。ここで、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、ＴＦＴ層形成工程、有機ＥＬ素子層形成工程、封止膜形成工程、フレキ化工程及び部品設置工程を備える。なお、図１０は、有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法における有機ＥＬ素子層形成工程の機能層除去工程を示す断面図である。
　＜ＴＦＴ層形成工程＞
　例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ、及び平坦化膜１９ａを形成して、ＴＦＴ層２０を形成する。
　ここで、第１ＴＦＴ９ａの半導体層１２ａ、及び第２ＴＦＴ９ｂの半導体層１２ｂを形成する際には、非表示領域Ｎにおいて、酸化物半導体層１２ｃを島状に形成する（半導体層形成工程）。また、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを形成する工程でコンタクトホールを形成する際には、非表示領域Ｎにおいて、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に、酸化物半導体層１２ｃを露出させるように、第１開口部Ｍａを形成する（第１開口部形成工程）。
　＜有機ＥＬ素子層形成工程（発光素子層形成工程）＞
　まず、上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０の平坦化膜１９ａ上に、周知の方法を用いて、第１電極２１ａ及びエッジカバー２２ａを形成する。
　続いて、エッジカバー２２ａから露出する第１電極２１ａ上に、例えば、真空蒸着法により、正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を順に形成して、有機ＥＬ層２３を形成する（機能層形成工程）。なお、正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５を形成する際には、蒸着マスクとして、ＣＭＭを用い、発光層３を形成する際には、蒸着マスクとして、ＦＭＭを用いる。
　その後、有機ＥＬ層２３を覆うと共に、表示領域Ｄから非表示領域Ｎにわたるように、例えば、真空蒸着法により、ＣＭＭを用いて、第２電極２４を形成する。
　さらに、図１０に示すように、酸化物半導体層１２ｃに対して、紫外線領域の波長（例えば、３００ｎｍ～４００ｎｍ程度）を有するレーザー光Ｌを照射しながら平面視で環状に走査することにより、酸化物半導体層１２ｃを覆う部分の正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４、電子注入層５及び第２電極２４を除去して、周端が平面視で第１開口部Ｍａに囲まれると共に、酸化物半導体層１２ｃを露出させるように、正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５に第２開口部Ｍｂを形成すると共に、第２電極２４に第３開口部Ｍｃを形成する（機能層除去工程）。ここで、機能層除去工程では、酸化物半導体層１２ｃにレーザー光Ｌを照射することにより、レーザー光Ｌのエネルギーを熱に変換して、少なくとも最下層の正孔注入層１を昇華して除去することになる。この少なくとも最下層の正孔注入層１の昇華に伴って、その上層が酸化物半導体層１２ｃ上から脱離して除去される。また、正孔注入層１よりも上層の正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５の少なくとも１層も、昇華して除去されてもよい。さらに、第２電極２４は、その下層の昇華に伴って、脱離して除去される。
　以上のようにして、有機ＥＬ素子２５を形成して、有機ＥＬ素子層３０を形成する。
　＜封止膜形成工程＞
　まず、上記有機ＥＬ素子層形成工程で形成された有機ＥＬ素子層３０が形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により成膜して、下側第２無機絶縁膜３６を形成する。これにより、非表示領域Ｎでは、第２開口部Ｍｂ及び第３開口部Ｍｃから露出する酸化物半導体層１２ｃを覆うように、下側第２無機絶縁膜３６を形成することができる。
　続いて、下側第２無機絶縁膜３６が形成された基板表面に、例えば、インクジェット法により、アクリル樹脂等の有機樹脂材料を成膜して、有機絶縁膜３７を形成する。
　その後、有機絶縁膜３７が形成された基板に対して、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して、上側第２無機絶縁膜３８を形成する。
　さらに、上側第２無機絶縁膜３８上にレジストパターンを形成した後に、非表示領域Ｎにおいて、そのレジストパターンから露出する上側第２無機絶縁膜３８及び下側第２無機絶縁膜３６をドライエッチングにより除去して、第４開口部Ｍｄを形成することにより、封止膜４０を形成する。
　＜フレキ化工程＞
　まず、上記封止膜形成工程で封止膜４０が形成された基板表面に保護シート（不図示）を貼付した後に、樹脂基板層１０のガラス基板側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層１０の下面からガラス基板を剥離させ、続いて、ガラス基板を剥離させた樹脂基板層１０の下面に保護シート（不図示）を貼付する。
　さらに、第４開口部Ｍｄから露出する第２電極２４、酸化物半導体層１２ｃ、ベースコート膜１１及び樹脂基板層１０に、例えば、ＹＡＧ（yttrium aluminium garnet）レーザーを用いてレーザー光を環状に走査しながら照射することにより、第４開口部Ｍｄの周端に囲まれるように、貫通孔Ｈを形成する（貫通孔形成工程）。
　＜部品設置工程＞
　上記フレキ化工程で形成した貫通孔Ｈの内部に設置されるように、例えば、装置本体を収容する筐体内にカメラ４５を取り付ける。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。
　なお、本実施形態では、貫通孔Ｈの周囲において、第２電極２４が封止膜４０から露出するように設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、貫通孔Ｈの周囲において、樹脂基板層１０及び酸化物半導体層１２ｃが封止膜４０から露出するように設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｂ及び５０ｃであってもよい。
　以下に、有機ＥＬ表示装置５０ｂ及び有機ＥＬ表示装置５０ｃについて、説明する。
　（第１変形例）
　図１１は、第１変形例の有機ＥＬ表示装置５０ｂの非表示領域Ｎの断面図であり、図９に相当する図である。なお、以下の各変形例において、図１～図１０と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂでは、非表示領域Ｎの貫通孔Ｈの周囲において、本実施形態の封止膜４０に形成された第４開口部Ｍｄから露出する第２電極２４、酸化物半導体層１２ｃ及びベースコート膜１１（図９参照）がさらに除去されているので、図１１に示すように、樹脂基板層１０の上面が第４開口部Ｍｄから露出するように設けられている。なお、有機ＥＬ表示装置５０ｂの表示領域Ｄ及び額縁領域Ｆの構成は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄ及び額縁領域Ｆの構成と実質的に同じである。
　上記構成の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、貫通孔Ｈを形成する際にレーザー光Ｌを照射する部分に第２電極２４、酸化物半導体層１２ｃ及びベースコート膜１１が配置されていないので、貫通孔Ｈを形成する際に、第２電極２４、酸化物半導体層１２ｃ及びベースコート膜１１において、クラックの発生を抑制することができる。
　（第２変形例）
　図１２は、第２変形例の有機ＥＬ表示装置５０ｃの非表示領域Ｎの断面図であり、図９に相当する図である。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃでは、図１２に示すように、正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５に形成された第２開口部Ｍｂ、並びに第２電極２４に形成された第３開口部Ｍｃが貫通孔Ｈの周縁まで設けられている。なお、有機ＥＬ表示装置５０ｃの表示領域Ｄ及び額縁領域Ｆの構成は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄ及び額縁領域Ｆの構成と実質的に同じである。
　上記構成の有機ＥＬ表示装置５０ｃは、本実施形態の機能層除去工程において、酸化物半導体層１２ｃに対して、例えば、レーザー光Ｌを照射しながら平面視で環状でなく円形状に走査することにより、貫通孔Ｈ側の第２電極２４（正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５、図９参照）を除去することにより、製造することができる。
　以上説明したように、各変形例を含む本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ～５０ｃ及びその製造方法によれば、表示領域Ｄの内部に配置された島状の非表示領域Ｎには、酸化物半導体層１２ｃが円形枠状に設けられている。さらに、ＴＦＴ層２０のゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７には、非表示領域Ｎにおいて、酸化物半導体層１２ｃを露出させるように第１開口部Ｍａが設けられている。そのため、有機ＥＬ素子層形成工程の機能層除去工程において、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７から露出する酸化物半導体層１２ｃにレーザー光Ｌを照射することにより、レーザー光Ｌを熱に変換して、非表示領域Ｎに形成された、共通機能層としての正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５、並びに第２電極２４を除去することができる。ここで、酸化物半導体層１２ｃは、例えば、金属層よりも低い光反射率を有しているので、酸化物半導体層１２ｃにレーザー光Ｌを照射しても、レーザー光Ｌの反射が抑制され、レーザー光Ｌの反射光の迷光による有機ＥＬ層２３の損傷を抑制することができる。これにより、表示領域Ｄの各サブ画素Ｐに設けられた有機ＥＬ層２３の損傷が抑制されるので、表示領域Ｄの有機ＥＬ層２３の損傷を抑制して、非表示領域Ｎの共通機能層を除去することができる。また、上述したように、酸化物半導体層１２ｃが低い光反射率を有しているので、レーザー光Ｌの反射光によるレーザー光照射装置の損傷を抑制することができる。さらに、酸化物半導体層１２ｃが低い光反射率を有していることにより、外光による反射を抑制することができるので、不要な反射光による表示品位の低下を抑制することができる。
　また、各変形例を含む本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ～５０ｃ及びその製造方法によれば、非表示領域Ｎにおいて、正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５に形成された第２開口部Ｍｂ、並びに第２電極２４に形成された第３開口部Ｍｃを介して、下側第２無機絶縁膜３６及び酸化物半導体層１２ｃが互いに接しているので、封止膜４０による封止性能を確実に確保することができる。
　《第２の実施形態》
　図１３は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第２の実施形態を示している。ここで、図１３は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置５０ｄの非表示領域の断面図であり、図９に相当する図である。なお、以下の実施形態において、図１～図１２と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記第１の実施形態では、非表示領域Ｎにおいて、第４開口部Ｍｄと貫通孔Ｈとの間の表面が平坦に設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａ～５０ｃを例示したが、第４開口部Ｍｄと貫通孔Ｈとの間に凸状の構造物が設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｄであってもよい。
　有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、例えば、矩形状に設けられた画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に矩形枠状に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｄの表示領域Ｄ及び額縁領域Ｆの構成は、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄ及び額縁領域Ｆの構成と実質的に同じである。
　有機ＥＬ表示装置５０ｄは、図１３に示すように、非表示領域Ｎにおいて、平面視で後述する酸化物半導体層１２ｄを囲むように、表示領域Ｄ側から円形枠状にそれぞれ設けられた第１内部堰止壁Ｗｃ及び第２内部堰止壁Ｗｄを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｄは、図１３に示すように、非表示領域Ｎにおける第１内部堰止壁Ｗｃの表示領域Ｄ側において、平坦化膜１９ａ上に、図中上方に突出するように、第３フォトスペーサとして島状に設けられた複数の非表示フォトスペーサ２２ｃを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｄは、図１３に示すように、非表示領域Ｎにおいて、貫通孔Ｈの周縁に沿って、すなわち、表示領域Ｄとの境界に沿うように、３重の同心の円形枠状の島状に設けられた酸化物半導体層１２ｄを備えている。ここで、酸化物半導体層１２ｄは、ベースコート膜１１上に設けられ、半導体層１２ａ及び１２ｂと同一材料により同一層に形成されている。また、酸化物半導体層１２ｄの貫通孔Ｈ側の周端部は、図１３に示すように、その側面が貫通孔Ｈの側面と面一であり、貫通孔Ｈの周縁に沿うように設けられている。また、酸化物半導体層１２ｄの第２内部堰止壁Ｗｄ側の周端部は、図１３に示すように、ゲート絶縁膜１３により覆われている。また、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７には、図１３に示すように、非表示領域Ｎにおいて、平面視で貫通孔Ｈを囲むと共に、酸化物半導体層１２ｄを露出させるように第１開口部Ｍａが設けられている。なお、第１開口部Ｍａの周縁部は、図１３に示すように、酸化物半導体層１２ｄの外周端部を覆うように設けられ、酸化物半導体層１２ｄが第１開口部Ｍａを形成する際のエッチストッパとして機能するように構成されている。また、第２電極２４は、図１３に示すように、表示領域Ｄから非表示領域Ｎにわたるように設けられている。また、第２電極２４には、図１３に示すように、平面視で貫通孔Ｈを囲むと共に、酸化物半導体層１２ｄを露出させるように第３開口部Ｍｃが枠状に設けられている。なお、図１３では、正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５が図示されていないが、正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５を含む共通機能層は、第２電極２４と同様に、表示領域Ｄから非表示領域Ｎにわたるように設けられ、共通機能層には、平面視で貫通孔Ｈを囲むと共に、酸化物半導体層１２ｄを露出させるように第２開口部Ｍｂが枠状に設けられている。さらに、第２開口部Ｍｂ及び第３開口部Ｍｃは、図１３に示すように、周端が互いに一致しており、酸化物半導体層１２ｄ及び封止膜４０の下側第２無機絶縁膜３６は、第２開口部Ｍｂ及び第３開口部Ｍｃを介して、互いに接している。
　有機ＥＬ表示装置５０ｄは、図１３に示すように、非表示領域Ｎにおいて、第１開口部Ｍａと貫通孔Ｈとの間、具体的には、第４開口部Ｍｄと貫通孔Ｈとの間に、貫通孔Ｈを囲むように、枠状に設けられた一対の積層厚膜部Ｅを備えている。
　積層厚膜部Ｅは、図１３に示すように、樹脂基板層１０上に順に複数の無機膜として設けられたベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、厚膜用ゲート金属層１４ｅ、第１層間絶縁膜１５、厚膜用中間金属層１６ｄ、第２層間絶縁膜１７及び厚膜用ソース金属層１８ｍを備えている。ここで、積層厚膜部Ｅにおける複数の無機膜（ベースコート膜１１～厚膜用ソース金属層１８ｍ）の総厚は、貫通孔Ｈにおける複数の無機膜（ベースコート膜１１～酸化物半導体層１２ｄ）の総厚よりも大きくなっている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｄは、図１３に示すように、非表示領域Ｎにおいて、第１開口部Ｍａ及び貫通孔Ｈの間、具体的には、第４開口部Ｍｄと貫通孔Ｈとの間に、平面視で貫通孔Ｈを囲むように樹脂層１９ｇが枠状に設けられている。ここで、樹脂層１９ｇは、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成されている。また、樹脂層１９ｇ上には、図１３に示すように、複数の第４フォトスペーサ２２ｇが島状に設けられている。なお、樹脂基板層１０の上面からの第４フォトスペーサ２２ｇの高さＨｄは、図１３に示すように、樹脂基板層１０の上面からの画素フォトスペーサ２２ｐの高さＨａ（図３参照）、額縁フォトスペーサ２２ｂの高さＨｂ（図６参照）、及び非表示フォトスペーサ２２ｃの高さＨｃと同じになっている。また、樹脂層１９ｇの内部には、図１３に示すように、一対の積層厚膜部Ｅが設けられている。また、封止膜４０の下側第２無機絶縁膜３６及び上側第２無機絶縁膜３８は、図１３に示すように、樹脂層１９ｇ及び積層厚膜部Ｅを囲むように設けられている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｄは、非表示領域Ｎにおいて、貫通孔Ｈの内部に電子部品として設置されたカメラ４５を備えている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して有機ＥＬ層２３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法において、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを形成する際に積層厚膜部Ｅを形成し、平坦化膜１９ａを形成する際に樹脂層１９ｇを形成し、エッジカバー２２ａを形成する際に、第４フォトスペーサ２２ｇを形成することにより製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄ及びその製造方法によれば、表示領域Ｄの内部に配置された島状の非表示領域Ｎには、酸化物半導体層１２ｄが円形枠状に設けられている。さらに、ＴＦＴ層２０のゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７には、非表示領域Ｎにおいて、酸化物半導体層１２ｄを露出させるように第１開口部Ｍａが設けられている。そのため、有機ＥＬ素子層形成工程の機能層除去工程において、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７から露出する酸化物半導体層１２ｄにレーザー光Ｌを照射することにより、レーザー光Ｌを熱に変換して、非表示領域Ｎに形成された正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４、電子注入層５及び第２電極２４を除去することができる。ここで、酸化物半導体層１２ｄは、例えば、金属層よりも低い光反射率を有しているので、酸化物半導体層１２ｄにレーザー光Ｌを照射しても、レーザー光Ｌの反射が抑制され、レーザー光Ｌの迷光による有機ＥＬ層２３の損傷を抑制することができる。これにより、表示領域Ｄの各サブ画素Ｐに設けられた有機ＥＬ層２３の損傷が抑制されるので、表示領域Ｄの有機ＥＬ層２３を抑制して、非表示領域Ｎの共通機能層を除去することができる。また、上述したように、酸化物半導体層１２ｄが低い光反射率を有しているので、レーザー光Ｌの反射光によるレーザー光照射装置の損傷を抑制することができる。さらに、酸化物半導体層１２ｄが低い光反射率を有していることにより、外光による反射を抑制することができるので、不要な反射光による表示品位の低下を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄ及びその製造方法によれば、非表示領域Ｎにおいて、正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５に形成された第２開口部Ｍｂ、並びに第２電極２４に形成された第３開口部Ｍｃを介して、下側第２無機絶縁膜３６及び酸化物半導体層１２ｄが互いに接しているので、封止膜４０による封止性能を確実に確保することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄ及びその製造方法によれば、積層厚膜部Ｅを構成する複数の無機膜の音響コンプライアンス（体積／（密度×音速２））が同程度であるので、貫通孔Ｈにおける無機膜の総膜厚よりも厚い積層厚膜部Ｅを貫通孔Ｈの周囲に配置することにより、貫通孔Ｈの側面に形成されたクラックの表示領域Ｄ側への伝播を抑制することができる。
　《その他の実施形態》
　上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、平面視で円形状の貫通孔Ｈが形成された有機ＥＬ表示装置５０ａ～５０ｄを例示したが、貫通孔Ｈは、例えば、平面視で矩形状等の多角形状であってもよい。
　また、上記各実施形態では、下側第２無機絶縁膜３６及び上側第２無機絶縁膜３８の間に有機絶縁膜３７が設けられた封止膜４０を備えた有機ＥＬ表示装置５０ａ～５０ｄを例示したが、本発明は、下側第２無機絶縁膜３６及び上側第２無機絶縁膜３８の間に有機蒸着膜を形成した後に、その有機蒸着膜をアッシングして、異物を有機蒸着膜で被覆する有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。このような封止膜の構成によれば、表示領域上に異物が存在しても、上側第２無機絶縁膜で封止性能を確保することができ、信頼性を向上させることができる。
　また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、有機ＥＬ表示装置に限定されず、フレキシブルな表示装置であれば適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ等を備えたフレキシブルな表示装置に適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｄ　　　　　表示領域
Ｅ　　　　　積層厚膜部
Ｆ　　　　　額縁領域
Ｈ　　　　　貫通孔
Ｌ　　　　　レーザー光
Ｍａ　　　　第１開口部
Ｍｂ　　　　第２開口部
Ｍｃ　　　　第３開口部
Ｎ　　　　　非表示領域
Ｐ　　　　　サブ画素
Ｗａ　　　　第１外部堰止壁
Ｗｂ　　　　第２外部堰止壁
Ｗｃ　　　　第１内部堰止壁
Ｗｄ　　　　第２内部堰止壁
１　　　　　正孔注入層
２　　　　　正孔輸送層
４　　　　　電子輸送層
５　　　　　電子注入層
９ａ　　　　第１ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
９ｂ　　　　第２ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
１０　　　　樹脂基板層
１２ａ，１２ｂ　　半導体層
１２ｃ，１２ｄ　　酸化物半導体層
１３　　　　ゲート絶縁膜（第１無機絶縁膜）
１５　　　　第１層間絶縁膜（第１無機絶縁膜）
１７　　　　第２層間絶縁膜（第１無機絶縁膜）
１９ｇ　　　樹脂層
２０　　　　ＴＦＴ層（薄膜トランジスタ層）
２１ａ　　　第１電極
２２ｓ　　　画素フォトスペーサ（第１フォトスペーサ）
２２ｂ　　　額縁フォトスペーサ（第２フォトスペーサ）
２２ｃ　　　非表示フォトスペーサ（第３フォトスペーサ）
２２ｇ　　　第４フォトスペーサ
２３　　　　有機ＥＬ層（機能層）
２４　　　　第２電極
２５　　　　有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子、発光素子）
３０　　　　有機ＥＬ素子層（発光素子層）
３６　　　　下側第２無機絶縁膜
３７　　　　有機絶縁膜
３８　　　　上側第２無機絶縁膜
４０　　　　封止膜
４５　　　　カメラ（電子部品）
５０ａ～５０ｄ　　有機ＥＬ表示装置

Claims (29)

  1. 　樹脂基板と、
    　上記樹脂基板上に設けられ、第１無機絶縁膜を含む薄膜トランジスタ層と、
    　上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の発光素子が配列された発光素子層と、
    　上記発光素子層上に上記各発光素子を覆うように設けられ、第２無機絶縁膜を含む封止膜とを備え、
    　上記表示領域の周囲に額縁領域が設けられ、
    　上記表示領域の内部に非表示領域が島状に設けられ、
    　上記非表示領域に上記樹脂基板の厚さ方向に貫通する貫通孔が設けられ、
    　上記各発光素子には、第１電極、機能層及び第２電極が順に積層され、
    　上記機能層が上記複数のサブ画素に共通して設けられた共通機能層を含む表示装置であって、
    　上記非表示領域には、上記貫通孔を周縁に沿って酸化物半導体層が枠状に設けられ、
    　上記第１無機絶縁膜には、上記非表示領域において、平面視で上記貫通孔を囲むと共に、上記酸化物半導体層を露出させるように第１開口部が設けられ、
    　上記共通機能層は、上記表示領域から上記非表示領域にわたるように設けられ、
    　上記共通機能層には、平面視で上記貫通孔を囲むと共に、上記酸化物半導体層を露出させるように第２開口部が枠状に設けられ、
    　上記第２無機絶縁膜は、上記第２開口部を介して、上記酸化物半導体層に接していることを特徴とする表示装置。
  2. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記酸化物半導体層は、上記表示領域と上記非表示領域との境界に沿うように設けられていることを特徴とする表示装置。
  3. 　請求項１又は２に記載された表示装置において、
    　上記酸化物半導体層の上記貫通孔側の周端部は、上記貫通孔の周縁に沿うように設けられていることを特徴とする表示装置。
  4. 　請求項３に記載された表示装置において、
    　上記第２開口部は、上記貫通孔の周縁まで設けられていることを特徴とする表示装置。
  5. 　請求項１～４の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記第２無機絶縁膜は、上記樹脂基板側に設けられた下側第２無機絶縁膜と、上記樹脂基板と反対側に設けられた上側第２無機絶縁膜とを備え、
    　上記封止膜は、上記下側第２無機絶縁膜及び上記上側第２無機絶縁膜の間に設けられた有機絶縁膜を備え、
    　上記額縁領域には、平面視で上記表示領域を囲むと共に、上記有機絶縁膜の外周端部と重なるように外部堰止壁が枠状に設けられていることを特徴とする表示装置。
  6. 　請求項５に記載された表示装置において、
    　上記非表示領域には、上記有機絶縁膜の内周端部と重なるように内部堰止壁が枠状に設けられていることを特徴とする表示装置。
  7. 　請求項６に記載された表示装置において、
    　上記内部堰止壁は、平面視で上記酸化物半導体層を囲むように設けられていることを特徴とする表示装置。
  8. 　請求項６又は７に記載された表示装置において、
    　上記表示領域及び上記額縁領域には、複数の第１フォトスペーサ及び複数の第２フォトスペーサが島状にそれぞれ設けられ、
    　上記内部堰止壁の上記表示領域側には、複数の第３フォトスペーサが島状に設けられていることを特徴とする表示装置。
  9. 　請求項１～８の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記第１無機絶縁膜の上記第１開口部側の周縁部は、上記酸化物半導体層の外周端部を覆うように設けられていることを特徴とする表示装置。
  10. 　請求項１～９の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記第１開口部及び上記貫通孔の間には、平面視で該貫通孔を囲むように樹脂層が枠状に設けられていることを特徴とする表示装置。
  11. 　請求項１０に記載された表示装置において、
    　上記第２無機絶縁膜は、平面視で上記樹脂層を囲むように設けられていることを特徴とする表示装置。
  12. 　請求項１０に記載された表示装置において、
    　上記樹脂層上には、複数の第４フォトスペーサが島状に設けられていることを特徴とする表示装置。
  13. 　請求項１０～１２の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記第１開口部及び上記貫通孔の間には、平面視で該貫通孔を囲むように積層厚膜部が枠状に設けられていることを特徴とする表示装置。
  14. 　請求項１３に記載された表示装置において、
    　上記第２無機絶縁膜は、平面視で上記積層厚膜部を囲むように設けられていることを特徴とする表示装置。
  15. 　請求項１３又は１４に記載された表示装置において、
    　上記積層厚膜部は、上記樹脂層の内部に設けられていることを特徴とする表示装置。
  16. 　請求項１～１５の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記第２電極には、上記第２開口部と周端が一致するように第３開口部が設けられていることを特徴とする表示装置。
  17. 　請求項１～１６の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記第２無機絶縁膜は、平面視で上記貫通孔を囲むように設けられていることを特徴とする表示装置。
  18. 　請求項１～１７の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記薄膜トランジスタ層は、上記複数のサブ画素に対応して設けられた複数の薄膜トランジスタを備え、
    　上記酸化物半導体層は、上記各薄膜トランジスタを構成する半導体層と同一材料により同一層に形成されていることを特徴とする表示装置。
  19. 　請求項１～１８の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記薄膜トランジスタ層は、上記第１無機絶縁膜として設けられたゲート絶縁膜を備え、
    　上記酸化物半導体層の周端部は、上記ゲート絶縁膜により覆われていることを特徴とする表示装置。
  20. 　請求項１～１９の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記貫通孔には、電子部品が設置されていることを特徴とする表示装置。
  21. 　請求項２０に記載された表示装置において、
    　上記電子部品は、カメラ又は指紋センサーであることを特徴とする表示装置。
  22. 　請求項１～２１の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記各発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする表示装置。
  23. 　樹脂基板上に第１無機絶縁膜を含む薄膜トランジスタ層を形成する薄膜トランジスタ層形成工程と、
    　上記薄膜トランジスタ層上に表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の発光素子が配列された発光素子層を形成する発光素子層形成工程と、
    　上記発光素子層上に上記各発光素子を覆うように第２無機絶縁膜を含む封止膜を形成する封止膜形成工程とを備え、
    　上記表示領域の周囲に額縁領域が設けられ、上記表示領域の内部に非表示領域が島状に設けられ、上記非表示領域に上記樹脂基板の厚さ方向に貫通する貫通孔が設けられ、上記各発光素子には、第１電極、機能層及び第２電極が順に積層され、上記機能層が上記複数のサブ画素に共通して設けられた共通機能層を含む表示装置の製造方法であって、
    　上記薄膜トランジスタ層形成工程は、
    　上記非表示領域において、酸化物半導体層を島状に形成する半導体層形成工程と、
    　上記非表示領域において、上記第１無機絶縁膜に上記酸化物半導体層を露出させるように第１開口部を形成する第１開口部形成工程とを備え、
    　上記発光素子層形成工程は、
    　上記第１開口部から露出する上記酸化物半導体層を覆うと共に、上記表示領域から上記非表示領域にわたるように上記共通機能層を形成する機能層形成工程と、
    　上記酸化物半導体層にレーザー光を照射することにより、該酸化物半導体層を覆う部分の上記共通機能層を除去して、該共通機能層に周端が平面視で上記第１開口部の周端に囲まれると共に、該酸化物半導体層を露出させるように第２開口部を形成する機能層除去工程とを備え、
    　上記封止膜形成工程では、上記第２開口部から露出する上記酸化物半導体層を覆うように上記第２無機絶縁膜を形成し、
    　上記封止膜形成工程の後に、上記非表示領域において、平面視で上記第２開口部の周端に囲まれるように上記貫通孔を形成する貫通孔形成工程を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
  24. 　請求項２３に記載された表示装置の製造方法において、
    　上記貫通孔形成工程の後に、上記貫通孔に電子部品を設置する部品設置工程を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
  25. 　請求項２３又は２４に記載された表示装置の製造方法において、
    　上記機能層除去工程では、上記酸化物半導体層にレーザー光を照射することにより、該レーザー光のエネルギーを熱に変換して、上記共通機能層の一部を除去することを特徴とする表示装置の製造方法。
  26. 　請求項２５に記載された表示装置の製造方法において、
    　上記機能層除去工程では、上記酸化物半導体層にレーザー光を環状に照射することを特徴とする表示装置の製造方法。
  27. 　請求項２５又は２６に記載された表示装置の製造方法において、
    　上記レーザー光は、紫外線領域の波長を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
  28. 　請求項２３～２７の何れか１つに記載された表示装置の製造方法において、
    　上記封止膜形成工程では、上記封止膜を形成した後に、上記貫通孔形成工程で形成される貫通孔の周囲に対応する部分の上記第２無機絶縁膜を除去することを特徴とする表示装置の製造方法。
  29. 　請求項２３～２８の何れか１つに記載された表示装置の製造方法において、
    　上記各発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする表示装置の製造方法。
PCT/JP2019/012940 2019-03-26 2019-03-26 表示装置及びその製造方法 WO2020194526A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2019/012940 WO2020194526A1 (ja) 2019-03-26 2019-03-26 表示装置及びその製造方法
US17/442,567 US20220190291A1 (en) 2019-03-26 2019-03-26 Display device and method for manufacturing same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2019/012940 WO2020194526A1 (ja) 2019-03-26 2019-03-26 表示装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020194526A1 true WO2020194526A1 (ja) 2020-10-01

Family

ID=72609656

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/012940 WO2020194526A1 (ja) 2019-03-26 2019-03-26 表示装置及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20220190291A1 (ja)
WO (1) WO2020194526A1 (ja)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010197740A (ja) * 2009-02-25 2010-09-09 Kyocera Corp 液晶表示パネル、およびこれを備えた液晶表示装置
WO2015029704A1 (ja) * 2013-08-29 2015-03-05 シャープ株式会社 表示パネル
US20160066409A1 (en) * 2014-08-30 2016-03-03 Lg Display Co., Ltd. Flexible Display Device With Side Crack Protection Structure And Manufacturing Method For The Same
US20170110532A1 (en) * 2015-10-16 2017-04-20 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
US20170288004A1 (en) * 2016-04-05 2017-10-05 Samsung Display Co., Ltd. Display device
JP2018087863A (ja) * 2016-11-28 2018-06-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2018097361A (ja) * 2016-12-07 2018-06-21 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機発光表示装置およびその製造方法
WO2019009184A1 (ja) * 2017-07-05 2019-01-10 シャープ株式会社 アクティブマトリックス基板、表示装置、およびアクティブマトリックス基板の製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010197740A (ja) * 2009-02-25 2010-09-09 Kyocera Corp 液晶表示パネル、およびこれを備えた液晶表示装置
WO2015029704A1 (ja) * 2013-08-29 2015-03-05 シャープ株式会社 表示パネル
US20160066409A1 (en) * 2014-08-30 2016-03-03 Lg Display Co., Ltd. Flexible Display Device With Side Crack Protection Structure And Manufacturing Method For The Same
US20170110532A1 (en) * 2015-10-16 2017-04-20 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
US20170288004A1 (en) * 2016-04-05 2017-10-05 Samsung Display Co., Ltd. Display device
JP2018087863A (ja) * 2016-11-28 2018-06-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2018097361A (ja) * 2016-12-07 2018-06-21 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機発光表示装置およびその製造方法
WO2019009184A1 (ja) * 2017-07-05 2019-01-10 シャープ株式会社 アクティブマトリックス基板、表示装置、およびアクティブマトリックス基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20220190291A1 (en) 2022-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11329110B2 (en) Display device having organic buffer layer between inorganic sealing films and method of manufacturing display device
EP3018714B1 (en) Organic light-emitting diode display and method for manufacturing the same
WO2020174612A1 (ja) 表示装置
WO2021079412A1 (ja) 表示装置
WO2020202325A1 (ja) 表示装置
WO2020194525A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2020039555A1 (ja) 表示装置
WO2020202293A1 (ja) 表示装置
WO2020178910A1 (ja) 表示装置
WO2021149108A1 (ja) 表示装置
WO2020194427A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2020194526A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2021176508A1 (ja) 表示装置
WO2020008588A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2019142261A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2022018846A1 (ja) 表示装置
WO2023007549A1 (ja) 表示装置の製造方法
WO2021260901A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2021144835A1 (ja) 表示装置
WO2023079680A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2022064562A1 (ja) 表示装置
JP7352652B2 (ja) 表示装置
WO2023073781A1 (ja) 表示装置
WO2022269756A1 (ja) 表示装置
WO2024013806A1 (ja) 表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19921950

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19921950

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP