WO2020171124A1 - 基板処理装置、及び基板処理方法 - Google Patents

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discharge port
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bubble
supply pipe
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朋宏 高橋
武知　圭
剛志 秋山
光敏 佐々木
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Screen Holdings Co Ltd
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Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
  • substrates used for electronic parts such as semiconductor devices and liquid crystal display devices are processed by a substrate processing apparatus.
  • the substrate processing apparatus processes the substrate by immersing it in the processing liquid in the processing bath (see, for example, Patent Document 1).
  • the substrate processing apparatus of Patent Document 1 includes a bubble generator. A discharge port is formed in the bubble generator.
  • the substrate processing apparatus of Patent Document 1 blows a mixed gas into the phosphoric acid aqueous solution from a discharge port of a bubble generator to generate bubbles and aerate and agitate the phosphoric acid aqueous solution.
  • the bubbles may be supplied to the phosphoric acid aqueous solution after the bubbles become large to the extent that they are present due to the influence of the surface tension of the discharge port.
  • An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of suppressing an increase in bubbles supplied to the processing liquid.
  • the substrate processing apparatus processes the substrate by immersing the substrate in the stored processing liquid that is the processing liquid stored in the storage unit.
  • the substrate processing apparatus includes a bubble supply unit and a liquid flow generation unit.
  • the bubble supply unit supplies bubbles to the stored treatment liquid.
  • the liquid flow generation unit generates a liquid flow of the stored treatment liquid for the bubble supply unit.
  • the bubble supply section has a first tube section through which gas flows.
  • the first pipe portion is formed with a bubble discharge port arranged in the stored treatment liquid.
  • the bubble discharge port discharges the gas bubble into the stored treatment liquid.
  • the liquid flow generation unit generates the liquid flow around the bubble discharge port.
  • a hydrophobic treatment is applied to a portion of the first pipe portion where the bubble discharge port is formed.
  • the liquid flow generation unit has a second pipe part through which the processing liquid flows.
  • a treatment liquid discharge port arranged in the stored treatment liquid is formed in the second pipe portion.
  • the processing liquid discharge port generates the liquid flow by discharging the processing liquid flowing through the second pipe portion into the stored processing liquid.
  • the processing liquid discharge port is arranged on the side of the bubble discharge port when viewed from above.
  • the processing liquid discharge port is arranged below the bubble discharge port.
  • the bubble discharge port is opened laterally.
  • the first pipe section has an inner surface and an outer surface.
  • the inner surface faces the inside of the first pipe portion.
  • the outer surface faces the outside of the first pipe portion.
  • the bubble outlet has an outer opening and an inner opening.
  • the outer opening is formed in the outer surface.
  • the inner opening is formed on the inner surface and communicates with the outer opening.
  • the opening area of the outer opening is smaller than the opening area of the inner opening.
  • the substrate processing apparatus processes the substrate by immersing the substrate in the stored processing liquid that is the processing liquid stored in the storage unit.
  • the substrate processing apparatus includes a bubble supply unit and a moving unit.
  • the bubble supply unit supplies bubbles to the stored treatment liquid.
  • the moving unit moves the bubble supply unit with respect to the storage unit.
  • the bubble supply section has a first tube section through which gas flows.
  • the first pipe portion is formed with a bubble discharge port arranged in the stored treatment liquid.
  • the bubble discharge port discharges the gas bubble into the stored treatment liquid.
  • the moving part moves the first pipe part with respect to the storage part.
  • the moving section vibrates the first pipe section.
  • the bubble supply unit contains polyetheretherketone.
  • the substrate is processed by immersing the substrate in the stored processing liquid that is the processing liquid stored in the storage unit.
  • the substrate processing method includes a step of arranging a bubble discharge port formed in the pipe part in the stored processing liquid.
  • the substrate processing method includes a step of flowing a gas through the tube portion.
  • the substrate processing method includes a step of applying a shearing force for shearing a raised portion of the gas, which is raised from the bubble discharge port into the stored treatment liquid, from the gas existing inside the pipe portion.
  • the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention it is possible to prevent the bubbles supplied to the processing liquid from increasing.
  • FIG. 1 It is a schematic diagram of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. It is a flowchart which shows the processing method of the board
  • (A) is a figure which shows the state before a board
  • (B) is a diagram showing a state in which the substrate is immersed in the storage treatment liquid. It is the figure which looked at a piping group from the Z-axis direction. It is a figure which shows the 1st example of the positional relationship of a bubble discharge port and a process liquid discharge port.
  • (A) is a 1st schematic diagram which shows the principle by which a bubble is discharged from a bubble discharge port.
  • 6B is a second schematic diagram showing the principle that bubbles are discharged from the bubble discharge port. It is a 3rd schematic diagram which shows the principle by which a bubble is discharged from a bubble discharge port. It is a figure which shows the 2nd example of the positional relationship of a bubble discharge port and a process liquid discharge port. It is a figure which shows the 3rd example of the positional relationship of a bubble discharge port and a process liquid discharge port. It is a figure which shows the 4th example of the positional relationship of a bubble discharge port and a process liquid discharge port. It is a figure which shows the 5th example of the positional relationship of a bubble discharge port and a process liquid discharge port.
  • FIG. 1 is a 4th schematic diagram which shows the principle by which a bubble is discharged from a bubble discharge port.
  • B is a 5th schematic diagram which shows the principle by which a bubble is discharged from a bubble discharge port. It is a figure which shows the 1st modification of a bubble discharge port. It is a figure which shows the 2nd modification of a bubble discharge port. It is a figure which shows the modification of a gas supply pipe. It is a table which shows the comparison result of PEEK, PFA, and PTFE.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention.
  • the substrate processing apparatus 100 collectively processes a plurality of substrates W.
  • the substrate processing apparatus 100 collectively etches a plurality of substrates W.
  • the substrate W has a thin plate shape. Typically, the substrate W is in the shape of a thin disk.
  • the substrate W is, for example, a semiconductor wafer, a liquid crystal display device substrate, a field emission display (FED) substrate, an optical disc substrate, a magnetic disc substrate, a magneto-optical disc substrate, a photomask substrate, or a ceramic substrate. And a substrate for a solar cell.
  • FED field emission display
  • the substrate processing apparatus 100 processes the substrate W.
  • the substrate processing apparatus 100 collectively processes a plurality of substrates W with the processing liquid L. At least one of etching, surface treatment, property imparting, treatment film formation, removal of at least a part of the film, and cleaning is performed on the substrate W by the treatment liquid L.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a processing tank 110, a substrate holding unit 120, a bubble supply unit 130, and a control unit 140.
  • the processing bath 110 stores the processing liquid L.
  • the processing bath 110 includes an inner bath 112, an outer bath 114, and a regulating portion 112a.
  • the processing bath 110 has a double bath structure including an inner bath 112 and an outer bath 114.
  • the inner tank 112 and the outer tank 114 each have an opening that opens upward.
  • the inner tank 112 is configured to store the processing liquid L and to accommodate a plurality of substrates W.
  • the outer tank 114 is provided outside the opening of the inner tank 112.
  • the height of the upper edge of the outer tank 114 is higher than the height of the upper edge of the inner tank 112.
  • the inner tank 112 is an example of the storage unit of the present invention.
  • the treatment liquid L stored in the inner tank 112 may be referred to as a stored treatment liquid L1.
  • a regulation unit 112a is provided in the inner tank 112.
  • the restriction portions 112a are provided so as to face both main surfaces of one substrate W at both ends in the X direction of the substrate W when the substrate W is processed.
  • the position of the substrate W is restricted by the restricting portion 112a. Therefore, the substrate W is uniformly processed at a predetermined position.
  • the processing tank 110 has a lid 116.
  • the lid 116 can be opened and closed with respect to the opening of the inner tank 112. By closing the lid 116, the lid 116 can close the opening of the inner tank 112.
  • the lid 116 has a door opening portion 116a and a door opening portion 116b.
  • the door opening portion 116a is located on the ⁇ X direction side of the opening of the inner tank 112.
  • the door opening portion 116 a is arranged near the upper edge of the inner tank 112 and can be opened and closed with respect to the opening of the inner tank 112.
  • the door opening 116b is located on the +X direction side of the opening of the inner tank 112.
  • the door opening 116b is arranged near the upper edge of the inner tank 112 and can be opened and closed with respect to the opening of the inner tank 112.
  • a drainage pipe 118a is connected to the bottom wall of the inner tank 112.
  • a valve 118b is arranged in the drainage pipe 118a. The valve 118b is opened and closed by the control unit 140. When the valve 118b is opened, the stored treatment liquid L1 is discharged to the outside of the inner tank 112 through the drainage pipe 118a and then sent to a drainage treatment device (not shown) for treatment.
  • the substrate holding unit 120 holds the substrate W.
  • the substrate holding unit 120 includes a lifter.
  • the substrate holding unit 120 holds a plurality of substrates W collectively and immerses them in the stored treatment liquid L1.
  • the substrate holding unit 120 may hold only one substrate W and immerse it in the stored treatment liquid L1.
  • the substrate holding unit 120 includes a main body plate 122 and a holding rod 124.
  • the main body plate 122 is a plate extending in the vertical direction (Z direction).
  • the holding bar 124 extends in the horizontal direction (Y direction) from one main surface of the main body plate 122.
  • the three holding bars 124 extend in the Y direction from one main surface of the main body plate 122.
  • the lower edges of the substrates W are held in an upright posture (vertical posture) by the plurality of holding rods 124 in a state where the plurality of substrates W are arranged in the front direction on the paper surface.
  • the substrate holding unit 120 may further include a lifting unit 126.
  • the processing position (the position shown in FIG. 10) in which the substrate W held by the substrate holder 120 is located in the inner tank 112 and the substrate W held in the substrate holder 120 are held in the inner tank 112.
  • the main body plate 122 is moved up and down between it and a retracted position (not shown) located above. Therefore, by moving the main body plate 122 to the processing position by the elevating unit 126, the plurality of substrates W held by the holding rods 124 are immersed in the stored processing liquid L1. As a result, the etching process is performed on the substrate W.
  • the bubble supply unit 130 supplies bubbles to the stored treatment liquid L1.
  • the bubble supply unit 130 includes a gas supply pipe 131.
  • the gas supply pipe 131 is a tubular member.
  • the gas supply pipe 131 is made of, for example, quartz.
  • the gas supply pipe 131 is arranged in the inner tank 112.
  • the gas supply pipe 131 is immersed in the stored treatment liquid L1.
  • the stored treatment liquid L1 exists outside the bubble supply unit 130.
  • the gas flows inside the gas supply pipe 131.
  • the gas is, for example, an inert gas.
  • the gas includes, for example, nitrogen gas.
  • the gas may be air.
  • a bubble outlet M is formed in the gas supply pipe 131.
  • the bubble discharge port M is a hole that connects the inside and the outside of the gas supply pipe 131.
  • the bubble discharge port M is placed in the stored treatment liquid L1 by being immersed in the stored treatment liquid L1.
  • the gas flowing inside the gas supply pipe 131 is discharged into the stored processing liquid L1 through the bubble discharge port M.
  • the gas flowing inside the gas supply pipe 131 becomes bubbles when being discharged from the bubble discharge port M. As a result, bubbles are discharged from the bubble discharge port M into the stored treatment liquid L1.
  • the gas supply pipe 131 is an example of the first pipe portion of the present invention.
  • the bubbles supplied from the bubble discharge port M into the stored treatment liquid L1 float inside the stored treatment liquid L1 and reach the upper surface of the stored treatment liquid L1.
  • the bubbles When the bubbles float in the stored treatment liquid L1, the bubbles come into contact with the surface of the substrate W. In this case, the bubbles move upward on the surface of the substrate W while pushing out the contact portion of the stored treatment liquid L1 with the substrate W. After the bubbles pass, the fresh processing liquid L existing around the bubbles comes into contact with the surface of the substrate W by entering the place where the bubbles existed. Therefore, the treatment liquid L around the surface of the substrate W can be agitated by the bubbles, so that the treatment liquid L contacting the surface of the substrate W can be replaced with the fresh treatment liquid L. As a result, the processing speed of the substrate W can be improved.
  • the control unit 140 is configured using, for example, a microcomputer.
  • the control unit 140 includes a processor such as a CPU (Central Processing Unit) and a storage device such as a fixed memory device or a hard disk drive.
  • the storage device stores a program executed by the processor.
  • the processor of the control unit 140 controls each element of the substrate processing apparatus 100 by executing the program stored in the storage device.
  • the processor of the control unit 140 controls the supply of bubbles by the bubble supply unit 130 by controlling the bubble supply unit 130.
  • the processor of the controller 140 controls the start and stop of the supply of bubbles by the bubble supply unit 130.
  • the substrate processing apparatus 100 further includes a gas transfer unit 150 and a circulation unit 160.
  • the gas transfer unit 150 transfers gas into the gas supply pipe 131.
  • the gas transfer section 150 includes a pipe 152, a valve 154, and an adjusting valve 156.
  • the valve 154 and the adjusting valve 156 are arranged in the pipe 152.
  • the pipe 152 is connected to the gas supply pipe 131.
  • the pipe 152 guides gas into the gas supply pipe 131.
  • the valve 154 opens and closes the pipe 152.
  • the opening of the pipe 152 is adjusted by the adjusting valve 156 to adjust the flow rate of the gas carried into the gas supply pipe 131.
  • the circulation unit 160 circulates the stored treatment liquid L1 to generate a liquid flow of the stored treatment liquid L1.
  • the circulation unit 160 is an example of the liquid flow generation unit of the present invention.
  • the circulation unit 160 includes a pipe 161, a pump 162, a filter 163, a heater 164, an adjusting valve 165, a valve 166, and a processing liquid supply pipe 167.
  • the pipe 161 guides the processing liquid L discharged from the outer tank 114 to the inner tank 112.
  • a processing liquid supply pipe 167 is connected to the downstream end of the pipe 161.
  • the pump 162 sends the processing liquid L from the pipe 161 to the inside of the processing liquid supply pipe 167.
  • the filter 163 filters the processing liquid L flowing through the pipe 161.
  • the heater 164 heats the processing liquid L flowing through the pipe 161. The temperature of the processing liquid L is adjusted by the heater 164.
  • the adjustment valve 165 adjusts the flow rate of the processing liquid L supplied into the processing liquid supply pipe 167 by adjusting the opening of the pipe 161.
  • the adjustment valve 165 adjusts the flow rate of the processing liquid L.
  • the adjustment valve 165 includes a valve body (not shown) having a valve seat provided therein, a valve body that opens and closes the valve seat, and an actuator (not shown) that moves the valve body between an open position and a closed position. including. The same applies to other adjusting valves.
  • the valve 166 opens and closes the pipe 161.
  • the processing liquid supply pipe 167 is a tubular member.
  • the processing liquid supply pipe 167 is arranged in the inner tank 112 of the processing tank 110.
  • the processing liquid supply pipe 167 is immersed in the stored processing liquid L1.
  • the stored processing liquid L1 exists outside the processing liquid supply pipe 167.
  • a processing liquid discharge port N is formed in the processing liquid supply pipe 167.
  • the processing liquid discharge port N is a hole that connects the inside and the outside of the processing liquid supply pipe 167.
  • the treatment liquid discharge port N is placed in the stored treatment liquid L1 by being immersed in the stored treatment liquid L1.
  • the processing liquid L flowing inside the processing liquid supply pipe 167 is discharged to the outside of the processing liquid supply pipe 167 via the processing liquid discharge port N. As a result, the processing liquid L flowing inside the processing liquid supply pipe 167 is discharged from the processing liquid discharge port N into the stored processing liquid L1.
  • the processing liquid supply pipe 167 is an example of the second pipe portion of the present invention.
  • the adjusting valve 165 may be omitted. In this case, the flow rate of the processing liquid L supplied to the processing liquid supply pipe 167 is adjusted by the control of the pump 162.
  • the substrate processing apparatus 100 further includes a processing liquid supply unit 170 and a water supply unit 180.
  • the processing liquid supply unit 170 further includes a nozzle 172, a pipe 174, and a valve 176.
  • the nozzle 172 discharges the processing liquid L to the inner tank 112.
  • the nozzle 172 is connected to the pipe 174.
  • the processing liquid L from the processing liquid supply source is supplied to the pipe 174.
  • a valve 176 is arranged in the pipe 174.
  • the control unit 140 opens the valve 176, the processing liquid L discharged from the nozzle 172 is supplied into the inner tank 112.
  • the overflowing processing liquid L is received by the outer tank 114 and collected.
  • the water supply unit 180 supplies water to the outer tub 114.
  • the water supply unit 180 includes a nozzle 182, a pipe 184, and a valve 186.
  • the nozzle 182 discharges water into the outer tub 114.
  • the nozzle 182 is connected to the pipe 184.
  • any one of DIW (deionized water), carbonated water, electrolytic ion water, hydrogen water, ozone water, and hydrochloric acid water having a dilution concentration (for example, about 10 ppm to 100 ppm) may be adopted. It can.
  • Water from a water supply source is supplied to the pipe 184.
  • a valve 186 is arranged in the pipe 184. When the control unit 140 opens the valve 186, the water discharged from the nozzle 182 is supplied into the outer tub 114.
  • the substrate processing apparatus 100 performs an etching process of a silicon oxide film (oxide film) and a silicon nitride film (nitride film) on the surface of the substrate W made of a silicon substrate on the pattern formation side.
  • the oxide film and the nitride film are selectively removed from the surface of the substrate W.
  • the treatment liquid L is, for example, a liquid containing phosphoric acid.
  • the treatment liquid L may be a liquid containing mixed acid.
  • FIG. 2 is a flow chart showing the method for processing the substrate W of this embodiment.
  • FIG. 3A is a diagram showing a state before the substrate W is immersed in the stored treatment liquid L1.
  • FIG. 3B is a diagram showing a state in which the substrate W is immersed in the stored treatment liquid L1.
  • the circulation unit 160 starts circulating the processing liquid L.
  • the control unit 140 opens the valve 166, the processing liquid L flows in the order of the inner tank 112, the outer tank 114, the pipe 161, and the processing liquid supply pipe 167.
  • the processing liquid L supplied from the pipe 161 to the inside of the processing liquid supply pipe 167 is discharged from the processing liquid discharge port N into the stored processing liquid L1.
  • the processing liquid L circulates.
  • the elevating unit 126 lowers the substrate W while holding the substrate W by the main body plate 122 and the holding rod 124, so that the stored treatment liquid L1.
  • the substrate W is dipped in.
  • the bubble supply unit 130 starts the process of supplying bubbles into the stored treatment liquid L1.
  • the control unit 140 opens the valve 154, bubbles are discharged from the bubble discharge port M of the gas supply pipe 131 into the stored treatment liquid L1.
  • control unit 140 closes the valve 154 to end the bubble supply process by the bubble supply unit 130.
  • step S105 the elevating unit 126 raises the substrate W while holding the substrate W by the main body plate 122 and the holding rod 124, thereby pulling the substrate W out of the stored treatment liquid L1. As a result, the processing on the substrate W is completed.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a pipe group G1.
  • the pipe group G1 includes a gas supply pipe 131 and a pair of processing liquid supply pipes 167.
  • a plurality of pipe groups G1 are provided. Specifically, two pipe groups G1 are provided.
  • the two pipe groups G1 are arranged symmetrically about the virtual center line CL.
  • the virtual center line CL is a virtual line that passes through the center of the inner tank 112 and is parallel to the Z axis.
  • FIG. 4 is a view of the pipe group G1 viewed from the Z-axis direction.
  • the gas supply pipe 131 and the processing liquid supply pipe 167 are arranged at the bottom portion 12 a (see FIG. 5) of the inner tank 112.
  • the gas supply pipe 131 and the processing liquid supply pipe 167 are located below the substrate W immersed in the stored processing liquid L1.
  • Each of the gas supply pipe 131 and the processing liquid supply pipe 167 extends along the Y-axis direction.
  • a plurality of bubble outlets M are formed in the gas supply pipe 131.
  • the plurality of bubble discharge ports M are arranged along the Y-axis direction.
  • the inner diameter of the gas supply pipe 131 is, for example, about 1 mm or less.
  • the inner diameter of the bubble discharge port M is, for example, about 5 mm or less.
  • a plurality of processing liquid discharge ports N are formed in the processing liquid supply pipe 167.
  • the plurality of processing liquid discharge ports N are arranged along the Y-axis direction.
  • the inner diameter of the processing liquid supply pipe 167 is, for example, about 30 mm or less.
  • the inner diameter of the processing liquid discharge port N is, for example, about 2 mm or less.
  • the gas supply pipe 131 and the pair of processing liquid supply pipes 167 are arranged in parallel with each other.
  • the gas supply pipe 131 and the pair of processing liquid supply pipes 167 are arranged side by side along the X-axis direction.
  • the gas supply pipe 131 is arranged between the pair of processing liquid supply pipes 167.
  • the pair of processing liquid supply pipes 167 are arranged so as to sandwich the gas supply pipe 131.
  • FIG. 5 is a diagram showing a first example of the positional relationship between the bubble discharge port M and the treatment liquid discharge port N.
  • a pair of processing liquid supply pipes 167 is provided with a processing liquid discharge port N1.
  • the treatment liquid discharge port N1 is arranged on the side of the treatment liquid supply pipe 167 where the bubble discharge port M1 is located.
  • the gas supply pipe 131 is provided with a bubble discharge port M1.
  • the bubble discharge port M1 is arranged at the upper end of the gas supply pipe 131.
  • the pair of processing liquid discharge ports N1 are arranged at a distance from each other.
  • a bubble discharge port M1 is arranged between the pair of treatment liquid discharge ports N1.
  • the bubble discharge port M1 is arranged on the side of the treatment liquid discharge port N1.
  • the first direction D1 is a direction from the center T1 of the treatment liquid supply pipe 167 toward the gas supply pipe 131.
  • the first direction D1 is a direction from the center T1 of the treatment liquid supply pipe 167 toward the bubble discharge port M1 of the gas supply pipe 131.
  • the center T1 of the treatment liquid supply pipe 167 is formed by cutting the place where the treatment liquid discharge port N1 is located in the treatment liquid supply pipe 167 in a direction perpendicular to the extending direction (Y-axis direction) of the treatment liquid supply pipe 167. It is the center of the cross section of the processing liquid supply pipe 167 that is sometimes formed.
  • FIG. 6A is a first schematic diagram showing the principle of discharge of the bubbles KA from the bubble outlet M1.
  • FIG. 6B is a second schematic diagram showing the principle of discharge of the bubbles KA from the bubble outlet M1.
  • FIG. 7 is a third schematic diagram showing the principle of discharge of the bubbles KA from the bubble discharge port M1.
  • each of the pair of processing liquid discharge ports N1 opens in the first direction D1 and thus discharges the processing liquid L in the first direction D1.
  • the first liquid flow R1 of the stored treatment liquid L1 is generated from each of the pair of treatment liquid discharge ports N1 in the first direction D1.
  • the first liquid flow R1 flows toward the bubble outlet M1 and then flows around the bubble outlet M1.
  • a raised portion KI of the gas K is generated in the stored treatment liquid L1.
  • the raised portion KI is a portion of the gas K supplied to the gas supply pipe 131, which is raised from the bubble discharge port M1 into the stored treatment liquid L1.
  • the first liquid flow R1 flows around the raised portion KI.
  • the raised portion KI is located between the pair of first liquid flows R1.
  • the raised portion KI receives the pressure of the first liquid flow R1 flowing around the bubble outlet M1. As a result, the raised portion KI is easily sheared (separated) from the gas K existing inside the gas supply pipe 131.
  • the pressure due to the flow of the first liquid flow R1 is the first example of the shearing force of the present invention.
  • the circulation unit 160 discharges the treatment liquid L from the treatment liquid discharge port N1 of the treatment liquid supply pipe 167 to store the treatment liquid L in the bubble supply unit 130.
  • a first liquid flow R1 of the processing liquid L1 is generated. Therefore, as shown in FIG. 6B, the pressure of the first liquid flow R1 can be applied to the rising portion KI that is growing. As a result, the growing raised portion KI can be sheared at an early stage, so that the bubble KA can be prevented from becoming large.
  • FIG. 8 is a diagram showing a second example of the positional relationship between the bubble discharge port M and the treatment liquid discharge port N.
  • the second embodiment is different from the first embodiment in the opening direction of the processing liquid discharge port N1.
  • the differences from the first embodiment will be mainly described below. Further, the description will be given focusing on the pipe group G11.
  • the bubble discharge port M1 is arranged on the side of the treatment liquid discharge port N1 when viewed from the Z-axis direction.
  • Each of the pair of processing liquid discharge ports N1 is arranged on the lower end side of the processing liquid supply pipe 167.
  • Each of the pair of processing liquid discharge ports N1 opens in the second direction D2.
  • the second direction D2 is a direction from the center T1 of the treatment liquid supply pipe 167 toward the bottom portion 12a of the inner tank 112, after being reflected by the bottom portion 12a of the inner tank 112, toward the gas supply pipe 131.
  • the second liquid flow R2 is generated in the second direction D2 so that the second liquid flow R2 moves toward the bottom portion 12a of the inner tank 112, reflects at the bottom portion 12a of the inner tank 112, and then heads toward the gas supply pipe 131.
  • the second liquid flow R2 reaching the gas supply pipe 131 flows along the outer circumference of the gas supply pipe 131. Then, the second liquid flow R2 flows around the bubble discharge port M1 and then passes through the gas supply pipe 131.
  • the second liquid flow R2 flowing around the bubble discharge port M1 applies a pressure due to the flow of the second liquid flow R2 to the raised portion KI of the gas K (see FIG. 6B). Therefore, the pressure of the second liquid flow R2 can early shear the growing ridge KI. As a result, it is possible to prevent the bubble KA from increasing.
  • the pressure due to the flow of the second liquid flow R2 is the second example of the shearing force of the present invention.
  • FIG. 9 is a diagram showing a third example of the positional relationship between the bubble discharge port M and the treatment liquid discharge port N.
  • the third embodiment differs from the first embodiment in the position of the processing liquid supply pipe 167 with respect to the gas supply pipe 131.
  • the differences from the first embodiment will be mainly described below. Further, the description will be given focusing on the pipe group G11.
  • the pipe group G1 includes one gas supply pipe 131 and one processing liquid supply pipe 167.
  • the processing liquid supply pipe 167 is arranged below the gas supply pipe 131.
  • the processing liquid discharge port N1 is arranged below the bubble discharge port M1.
  • the processing liquid discharge port N1 is arranged on the upper end side of the processing liquid supply pipe 167.
  • the processing liquid discharge port N1 opens in the third direction D3.
  • the third direction D3 is a direction from the center T1 of the treatment liquid supply pipe 167 toward the gas supply pipe 131. In the third embodiment, the third direction D3 is the upward direction.
  • the processing liquid discharge port N1 opens in the third direction D3, the processing liquid L is discharged in the third direction D3.
  • the third liquid flow R3 of the stored processing liquid L1 is generated from the processing liquid discharge port N1 toward the third direction D3.
  • the third liquid flow R3 is directed toward the gas supply pipe 131 by being generated in the third direction D3.
  • the third liquid flow R3 that has reached the gas supply pipe 131 flows along the outer periphery of the gas supply pipe 131. Then, the third liquid flow R3 flows around the bubble discharge port M1 and then passes through the gas supply pipe 131.
  • the third liquid flow R3 reaches the gas supply pipe 131, the third liquid flow R3 separates into a pair of third liquid flows R3, and the pair of third liquid flows R3 sandwiches the gas supply pipe 131 and the outer circumference of the gas supply pipe 131. Flowing along.
  • the third liquid flow R3 flowing around the bubble discharge port M1 applies pressure to the raised portion KI of the gas K (see FIG. 6B) due to the flow of the third liquid flow R3. Therefore, the pressure of the third liquid flow R3 can early shear the growing ridge KI. As a result, it is possible to prevent the bubble KA from increasing.
  • the pressure due to the flow of the third liquid flow R3 is the third example of the shearing force of the present invention.
  • FIG. 10 is a diagram showing a fourth example of the positional relationship between the bubble discharge port M and the treatment liquid discharge port N.
  • the fourth embodiment is different from the first embodiment in the position of the processing liquid supply pipe 167 with respect to the gas supply pipe 131.
  • the differences from the first embodiment will be mainly described below. Further, the description will be given focusing on the pipe group G11.
  • the pair of processing liquid supply pipes 167 are arranged below the gas supply pipe 131 and spaced from each other.
  • the bubble discharge port M1 is arranged on the side of the treatment liquid discharge port N1 when viewed from the Z-axis direction.
  • Each of the pair of processing liquid discharge ports N1 is arranged on the upper end side of the processing liquid supply pipe 167.
  • the processing liquid discharge port N1 opens in the fourth direction D4.
  • the fourth direction D4 is a direction from the center T1 of the treatment liquid supply pipe 167 toward the gas supply pipe 131.
  • the fourth direction D4 is an obliquely upper direction.
  • the fourth liquid flow R4 is directed toward the gas supply pipe 131 by being generated in the fourth direction D4.
  • the fourth liquid flow R4 that has reached the gas supply pipe 131 flows along the outer periphery of the gas supply pipe 131. Then, the fourth liquid flow R4 flows around the bubble discharge port M1 and then passes through the gas supply pipe 131.
  • the fourth liquid flow R4 flowing around the bubble outlet M1 applies pressure to the raised portion KI of the gas K (see FIG. 6B) by the flow of the fourth liquid flow R4. Therefore, the pressure of the fourth liquid flow R4 can early shear the growing raised portion KI. As a result, it is possible to prevent the bubble KA from increasing.
  • the pressure due to the flow of the fourth liquid flow R4 is the fourth example of the shearing force of the present invention.
  • FIG. 11 is a diagram showing a fifth example of the positional relationship between the bubble discharge port M and the treatment liquid discharge port N.
  • the fifth embodiment is different from the first embodiment in that the processing liquid L is discharged from the processing liquid supply pipe 167 in a plurality of directions.
  • the differences from the first embodiment will be mainly described below. Further, the description will be given focusing on the pipe group G11.
  • each of the pair of processing liquid supply pipes 167 has a plurality of processing liquid discharge ports N formed therein.
  • three processing liquid discharge ports N are formed in each of the pair of processing liquid supply pipes 167.
  • the three processing liquid discharge ports N are composed of a processing liquid discharge port N1, a processing liquid discharge port N2, and a processing liquid discharge port N3.
  • the processing liquid discharge port N1 corresponds to the processing liquid discharge port N1 shown in FIG. 5 and opens in the first direction D1. As a result, since the first liquid flow R1 is generated by the processing liquid discharge port N1, the same effect as that of the first embodiment is achieved.
  • the processing liquid discharge port N2 opens in a sixth direction D6 different from the first direction D1 to generate a liquid flow of the stored processing liquid L1 from the processing liquid discharge port N2 toward the sixth direction D6. ..
  • the processing liquid discharge port N3 opens in a seventh direction D7 different from the first direction D1 and the sixth direction D6, so that the stored processing liquid L1 flows from the processing liquid discharge port N3 toward the seventh direction D7. Generate a liquid stream.
  • the seventh direction D7 is a direction symmetrical to the first direction D1 with the sixth direction D6 as the center.
  • FIG. 12 is a schematic diagram showing an example of a configuration for applying a shearing force to the raised portion KI of the gas K.
  • the sixth embodiment differs from the first embodiment in that a shear force is applied to the raised portion KI of the gas K by moving the bubble discharge port M without using the liquid flow of the stored treatment liquid L1.
  • the differences from the first embodiment will be mainly described below.
  • the substrate processing apparatus 100 further includes a moving unit 190.
  • the moving unit 190 moves the gas supply pipe 131 with respect to the inner tank 112 (see FIG. 1).
  • the moving unit 190 includes, for example, a motor.
  • the moving unit 190 vibrates the gas supply pipe 131, for example.
  • the moving unit 190 is controlled by the control unit 140.
  • FIG. 13A is a fourth schematic diagram showing the principle of discharge of the bubble KA from the bubble discharge port M1.
  • FIG. 13B is a fifth schematic diagram showing the principle of discharge of the bubbles KA from the bubble outlet M1.
  • the moving portion 190 vibrates the gas supply pipe 131, so that the raised portion KI of the gas K vibrates.
  • the raised portion KI is easily sheared by the gas K existing inside the gas supply pipe 131.
  • the vibration applied to the gas supply pipe 131 is the fifth example of the shearing force of the present invention.
  • the moving unit 190 vibrates the gas supply pipe 131. Therefore, it is possible to apply vibration to the growing raised portion KI. As a result, the growing raised portion KI can be sheared at an early stage, so that the bubble KA can be prevented from becoming large.
  • the moving unit 190 may vibrate the gas supply pipe 131 by applying ultrasonic waves to the gas supply pipe 131.
  • the moving unit 190 may move the gas supply pipe 131 in parallel.
  • the raised portion KI projects from the gas supply pipe 131 into the stored treatment liquid L1, so that the pressure is applied from the stored treatment liquid L1 in the direction opposite to the moving direction of the gas supply pipe 131.
  • the rising portion KI that is growing can be sheared at an early stage by the pressure from the stored treatment liquid L1, so that the bubble KA can be prevented from becoming large.
  • the pressure that the raised portion KI receives from the stored treatment liquid L1 when the gas supply pipe 131 moves in parallel is the sixth example of the shearing force of the present invention.
  • the direction in which the gas supply pipe 131 is moved in parallel is not particularly limited.
  • the moving unit 190 may rotate the gas supply pipe 131 around the axis of the gas supply pipe 131.
  • the raised portion KI protrudes from the gas supply pipe 131 into the stored treatment liquid L1, so that the pressure is applied from the stored treatment liquid L1 in the direction opposite to the rotation direction of the gas supply pipe 131. receive.
  • the rising portion KI that is growing can be sheared at an early stage by the pressure from the stored treatment liquid L1, so that the bubble KA can be prevented from becoming large.
  • the pressure that the raised portion KI receives from the stored treatment liquid L1 when the gas supply pipe 131 rotates is the seventh example of the shearing force of the present invention.
  • FIG. 1 to 13B The embodiment of the present invention has been described above with reference to the drawings (FIGS. 1 to 13B).
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be carried out in various modes without departing from the gist thereof (for example, (1) to (5)).
  • various inventions can be formed by appropriately combining the plurality of constituent elements disclosed in the above-described embodiments.
  • some components may be deleted from all the components shown in the embodiment.
  • the drawings mainly show respective constituent elements, and the number of the constituent elements shown in the drawings may be different from the actual one due to the convenience of drawing.
  • each component shown in the above-described embodiment is an example and is not particularly limited, and various modifications can be made within a range that does not substantially deviate from the effect of the present invention.
  • control unit 140 adjusts the opening degree of the pipe 161 by the adjusting valve 165, so that the first liquid flow R1 to the fourth liquid flow R1 to the fourth liquid flow given to the gas supply pipe 131.
  • the magnitude of each pressure of the liquid flow R4 is controlled.
  • the control unit 140 may make the magnitudes of the pressures of the first liquid flow R1 to the fourth liquid flow R4 constant by making the opening of the pipe 161 constant. Further, the control unit 140 may periodically change the magnitude of each pressure of the first liquid flow R1 to the fourth liquid flow R4 by changing the opening degree of the pipe 161 at predetermined time intervals. That is, the control unit 140 may increase or decrease the magnitude of the pressure of each of the first liquid flow R1 to the fourth liquid flow R4.
  • the portion of the gas supply pipe 131 (see FIG. 4) where the bubble outlet M is formed is subjected to a hydrophobic treatment, for example, by being coated with fluorine. May be.
  • a hydrophobic treatment for example, by being coated with fluorine. May be.
  • the hydrophobic treatment may be performed not only on the portion of the gas supply pipe 131 where the bubble outlet M is formed, but also on the entire gas supply pipe 131.
  • the bubble discharge port M opens upward.
  • the present invention is not limited to this.
  • FIG. 14 is a diagram showing a first modification of the bubble outlet M.
  • the bubble discharge port M opens laterally.
  • the horizontal direction is a direction parallel to the horizontal direction (X-axis direction). Therefore, when the raised portion KI of the gas K tries to float from the bubble outlet M, it contacts the upper end of the bubble outlet M, so that the upper end of the bubble outlet M can effectively shear the raised portion KI. it can. As a result, it is possible to prevent the bubble KA from increasing.
  • FIG. 15 is a diagram showing a second modification of the bubble discharge port M.
  • the opening area of the bubble discharge port M becomes smaller toward the outside of the gas supply pipe 131.
  • the 2nd modification of the bubble discharge port M is demonstrated in detail.
  • the gas supply pipe 131 has an inner surface 131b and an outer surface 131c.
  • the inner surface 131b faces the inside 131a of the gas supply pipe 131.
  • the outer surface 131c faces the inside of the gas supply pipe 131.
  • the bubble outlet M has an outer opening Ma and an inner opening Mb.
  • the outer opening Ma is formed on the outer surface 131c.
  • the inner opening Mb is formed in the inner surface 131b.
  • the inner opening Mb communicates with the outer opening Ma.
  • the opening area V1 of the outer opening Ma is smaller than the opening area V2 of the inner opening Mb (V1 ⁇ V2).
  • the opening area is the area of the cross section of the bubble outlet M perpendicular to the direction from the inner opening Mb to the outer opening Ma.
  • the opening area of the bubble discharge port M may be gradually reduced from the inner opening Mb toward the outer opening Ma. Further, the opening area of the bubble discharge port M may be gradually reduced from the inner opening Mb toward the outer opening Ma.
  • FIG. 16 is a diagram showing a modified example of the gas supply pipe 131.
  • a modified example of the gas supply pipe 131 shown in FIG. 16 has a double pipe structure. Below, the modification of the gas supply pipe 131 is demonstrated in detail.
  • the gas supply pipe 131 has an outer pipe 131d and an inner pipe 131e.
  • Each of the outer pipe 131d and the inner pipe 131e is a tubular member.
  • the outer diameter of the outer pipe 131d is larger than the outer diameter of the inner pipe 131e.
  • the inner pipe 131e is arranged inside the outer pipe 131d.
  • the gas K flows through the inside 131f of the inner pipe 131e.
  • the bubble discharge port M has a first opening MA and a second opening MB.
  • the first opening MA is formed in the outer pipe 131d and connects the inside and the outside of the outer pipe 131d.
  • the second opening MB is formed in the inner pipe 131e and connects the inside 131f and the outside of the inner pipe 131e.
  • the first opening MA and the second opening MB open in the same direction as each other.
  • the opening area V3 of the first opening MA is substantially the same as the opening area V4 of the second opening MB (V3 ⁇ V4).
  • double pressure can be applied to the raised portion KI (see FIG. 6B) by the first opening MA and the second opening MB, so that the growth of the raised portion KI can be suppressed.
  • the opening area V3 of the first opening MA may be smaller than the opening area V4 of the second opening MB (V3 ⁇ V4).
  • the gas supply pipe 131 which is the bubble supply unit 130, contains quartz.
  • the present invention is not limited to this.
  • the gas supply pipe 131 may include PEEK (polyether ether ketone). That is, in the first to sixth embodiments, the PEEK gas supply pipe 131 may be used.
  • the gas supply pipe 131 is immersed in the processing liquid L (phosphoric acid aqueous solution) at a high temperature (for example, about 160° C.). (See Figure 1).
  • the gas supply pipe 131 is made of quartz and the gas supply pipe 131 is used for a long time (for example, from half a year to one year), the gas supply pipe 131 may be immersed in the high-temperature treatment liquid L for a long time. Therefore, the diameter of the bubble discharge port M may increase.
  • the bubbles KA are emitted from the bubble emission port M having an enlarged diameter, so that the emission of the bubbles KA from the plurality of bubble emission ports M varies, and the substrate processing apparatus.
  • the processing capability of the substrate W by 100 may decrease. Therefore, the gas supply pipe 131 made of quartz has been replaced in about half a year to one year.
  • the present inventor suppresses the expansion of the diameter of the bubble outlet M and extends the replacement life of the gas supply pipe 131. It was decided to use a resin that can withstand the period. Further, the inventor of the present application listed PEEK, PFA (tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer), and PTFE (polytetrafluoroethylene) as candidates as the resin for the gas supply pipe 131. .. Then, the inventor of the present application has verified which of PEEK, PFA, and PTFE is most suitable as a material for the gas supply pipe 131.
  • the inner diameter of the bubble discharge port M is 0.2 mm.
  • the outer diameter of the gas supply pipe 131 used in the verification is 8 mm, and the inner diameter is 4 mm.
  • the length of the gas supply pipe 131 used in the verification is 400 mm.
  • the dimensions of the gas supply pipe 131 are not limited to these, and for example, the outer diameter of the gas supply pipe 131 may be 6 mm or more and 12 mm or less, and the inner diameter may be 2 mm or more and 10 mm or less.
  • the inner diameter of the treatment liquid discharge port N is, for example, 1 mm. From the treatment liquid discharge port N, the treatment liquid L is discharged instead of the bubbles KA. Therefore, the treatment liquid supply pipe 167 does not have the problem caused by the variation of the bubbles KA like the gas supply pipe 131. Therefore, the replacement life (about several years) of the treatment liquid supply pipe 167 is equal to that of the gas supply pipe 131. It is longer than the life (half a year to a year). Therefore, since the gas supply pipe 131 is replaced more frequently than the processing liquid supply pipe 167, the inventor of the present application has an object to extend the replacement life of the gas supply pipe 131. Then, the present inventor devised a material of the gas supply pipe 131 in order to solve the problem.
  • FIG. 17 is Table H showing the comparison results of PEEK, PFA, and PTFE. Note that, in Table H of FIG. 17, information regarding quartz is also described as a reference.
  • PEEK has the lowest linear expansion coefficient among various resin materials (PEEK, PFA, and PTFE). Therefore, among the various gas supply pipes, the PEEK gas supply pipe 131 is most resistant to thermal expansion, which is advantageous in that positional deviation due to thermal expansion is most unlikely to occur in the inner tank 112.
  • the PEEK gas supply pipe 131 is advantageous in that it is the most difficult to deform even when pressure is applied from the outside.
  • PEEK has the highest heat distortion temperature among various resin materials. Therefore, among the various gas supply pipes, the PEEK gas supply pipe 131 is advantageous in that it is most resistant to thermal deformation.
  • the inventor of the present application has discovered that the wettability (contact angle) of the surface of the gas supply pipe 131 affects the breakage of the bubbles KA discharged from the bubble discharge port M. Specifically, the inventor of the present application is able to discharge the small bubbles KA from the bubble outlet M as the wettability of the surface of the gas supply pipe 131 becomes smaller (the contact angle becomes larger) so that the bubbles KA are broken. I have found Further, the inventor of the present application has the smallest wettability of the surface of the gas supply pipe 131 made of PEEK among the various gas supply pipes, and thus the small bubbles KA are effective from the bubble discharge port M of the gas supply pipe 131 made of PEEK. It has been discovered that it can be released.
  • the inventor of the present application comprehensively judges the viewpoints of the linear expansion coefficient, the hardness, the heat distortion temperature, and the wettability described above, and among the various gas supply pipes, gas supply made of PEEK is supplied. It has been determined that the use of tube 131 is most advantageous. As a result, in the substrate processing apparatus 100, the PEEK gas supply pipe 131 is used.
  • the durability of the gas supply pipe 131 with respect to the processing liquid L can be improved, and the replacement life of the gas supply pipe 131 can be improved. It can be postponed.
  • the present invention can be used in the field of substrate processing apparatuses and substrate processing methods.

Landscapes

  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

基板処理装置（１００）は、内槽（１１２）に貯留される処理液（Ｌ）である貯留処理液（Ｌ１）に基板（Ｗ）を浸漬して基板（Ｗ）の処理を行う。基板処理装置（１００）は、気泡供給部（１３０）と、循環部（１６０）とを備える。気泡供給部（１３０）は、貯留処理液（Ｌ１）に気泡（ＫＡ）を供給する。循環部（１６０）は、気泡供給部（１３０）に対して貯留処理液（Ｌ１）の第１液流（Ｒ１）を生成する。

Description

基板処理装置、及び基板処理方法
　本発明は、基板処理装置、及び基板処理方法に関する。
　半導体装置及び液晶表示装置のような電子部品に用いられる基板は、基板処理装置によって処理されることが知られている。基板処理装置は、処理槽内の処理液に浸漬することによって基板を処理する（例えば、特許文献１参照）。
　特許文献１の基板処理装置は、気泡発生器を備える。気泡発生器には吐出口が形成される。特許文献１の基板処理装置は、燐酸水溶液で基板を処理する際に、気泡発生器の吐出口から燐酸水溶液中に混合気体を吹きだして気泡を発生させて燐酸水溶液を曝気攪拌している。
特開２０１８－５６２５８号公報
　しかし、特許文献１の基板処理装置では、吐出口の表面張力の影響により気泡が有る程度大きくなってから、燐酸水溶液中に気泡が供給されることがあった。また、燐酸水溶液中に発生される気泡を小さくしたいとする要望があった。理由は、気泡が小さい方が気泡による基板の表面付近の燐酸水溶液（処理液）の攪拌の程度が大きくなるので、基板の表面に接触する燐酸水溶液を新鮮な燐酸水溶液に効果的に置換できるからである。
　本発明は、処理液に供給される気泡が大きくなることを抑制できる基板処理装置、及び基板処理方法を提供することを目的とする。
　本発明の第１の局面によれば、基板処理装置は、貯留部に貯留される処理液である貯留処理液に基板を浸漬して前記基板の処理を行う。基板処理装置は、気泡供給部と、液流生成部とを備える。気泡供給部は、前記貯留処理液に気泡を供給する。液流生成部は、前記気泡供給部に対して前記貯留処理液の液流を生成する。
　本発明の基板処理装置において、前記気泡供給部は、気体が流れる第１管部を有する。前記第１管部には、前記貯留処理液内に配置される気泡放出口が形成される。前記気泡放出口は、前記貯留処理液内に前記気体の気泡を放出する。前記液流生成部は、前記気泡放出口の周辺に前記液流を生成する。
　本発明の基板処理装置において、前記第１管部のうち前記気泡放出口が形成される部分には、疎水処理が施される。
　本発明の基板処理装置において、前記液流生成部は、前記処理液が流れる第２管部を有する。前記第２管部には、前記貯留処理液内に配置される処理液放出口が形成される。前記処理液放出口は、前記貯留処理液内に前記第２管部を流れる前記処理液を放出することで前記液流を生成する。
　本発明の基板処理装置において、前記処理液放出口は、上方から見て前記気泡放出口の側方に配置される。
　本発明の基板処理装置において、前記処理液放出口は、前記気泡放出口の下方に配置される。
　本発明の基板処理装置において、前記気泡放出口は、横向きに開口する。
　本発明の基板処理装置において、前記第１管部は、内面と、外面とを有する。内面は、前記第１管部の内部に対向する。外面は、前記第１管部の外部に対向する。前記気泡放出口は、外側開口と、内側開口とを有する。外側開口は、前記外面に形成される。内側開口は、前記内面に形成され、前記外側開口に連通する。前記外側開口の開口面積の方が、前記内側開口の開口面積よりも小さい。
　本発明の第２の局面によれば、基板処理装置は、貯留部に貯留される処理液である貯留処理液に基板を浸漬して前記基板の処理を行う。基板処理装置は、気泡供給部と、移動部とを備える。気泡供給部は、前記貯留処理液に気泡を供給する。移動部は、前記貯留部に対して前記気泡供給部を移動させる。
　本発明の基板処理装置において、前記気泡供給部は、気体が流れる第１管部を有する。前記第１管部には、前記貯留処理液内に配置される気泡放出口が形成される。前記気泡放出口は、前記貯留処理液内に前記気体の気泡を放出する。前記移動部は、前記貯留部に対して前記第１管部を移動させる。
　本発明の基板処理装置において、前記移動部は、前記第１管部を振動させる。
　本発明の基板処理装置において、前記気泡供給部は、ポリエーテルエーテルケトンを含む。
　本発明の第３の局面によれば、基板処理方法は、貯留部に貯留される処理液である貯留処理液に基板を浸漬して前記基板の処理を行う。基板処理方法は、管部に形成される気泡放出口を前記貯留処理液内に配置する工程を備える。基板処理方法は、前記管部に気体を流す工程を備える。基板処理方法は、前記気体のうち前記気泡放出口から前記貯留処理液内に隆起する隆起部分を、前記管部の内部に存在する前記気体からせん断するためのせん断力を付与する工程を備える。
　本発明の基板処理装置、及び基板処理方法によれば、処理液に供給される気泡が大きくなることを抑制できる。
本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の模式図である。 本実施形態の基板の処理方法を示すフロー図である。 （ａ）は、基板が貯留処理液に浸漬される前の状態を示す図である。（ｂ）は、基板が貯留処理液に浸漬された状態を示す図である。 配管群をＺ軸方向から見た図である。 気泡放出口と処理液放出口との位置関係の第１例を示す図である。 （ａ）は、気泡放出口から気泡が放出される原理を示す第１の模式図である。（ｂ）は、気泡放出口から気泡が放出される原理を示す第２の模式図である。 気泡放出口から気泡が放出される原理を示す第３の模式図である。 気泡放出口と処理液放出口との位置関係の第２例を示す図である。 気泡放出口と処理液放出口との位置関係の第３例を示す図である。 気泡放出口と処理液放出口との位置関係の第４例を示す図である。 気泡放出口と処理液放出口との位置関係の第５例を示す図である。 気体の隆起部分に対してせん断力を付与するための構成の一例を示す模式図である。 （ａ）は、気泡放出口から気泡が放出される原理を示す第４の模式図である。（ｂ）は、気泡放出口から気泡が放出される原理を示す第５の模式図である。 気泡放出口の第１変形例を示す図である。 気泡放出口の第２変形例を示す図である。 気体供給管の変形例を示す図である。 ＰＥＥＫと、ＰＦＡと、ＰＴＦＥとの比較結果を示す表である。
　本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。なお、本願明細書では、発明の理解を容易にするため、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を記載することがある。典型的には、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。
［第１実施形態］
　図１を参照して、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１００を説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１００の模式図である。基板処理装置１００は、複数の基板Ｗを一括して処理する。例えば、基板処理装置１００は複数の基板Ｗに対して一括してエッチングする。
　基板Ｗは、薄い板状である。典型的には、基板Ｗは、薄い略円板状である。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板及び太陽電池用基板を含む。
　基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。基板処理装置１００は、処理液Ｌにより基板Ｗを複数枚まとめて処理する。処理液Ｌにより、基板Ｗには、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去及び洗浄のうちの少なくとも１つが行われる。
　基板処理装置１００は、処理槽１１０と、基板保持部１２０と、気泡供給部１３０と、制御部１４０とを備える。処理槽１１０は、処理液Ｌを貯留する。
　処理槽１１０は、内槽１１２と、外槽１１４と、規制部１１２ａとを含む。処理槽１１０は、内槽１１２と外槽１１４とにより構成される二重槽構造を有している。内槽１１２及び外槽１１４は、それぞれ上向きに開いた開口を有する。内槽１１２は、処理液Ｌを貯留し、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。外槽１１４は、内槽１１２の開口の外側に設けられる。外槽１１４の上縁の高さは、内槽１１２の上縁の高さよりも高い。
　内槽１１２は、本発明の貯留部の一例である。以下では、内槽１１２に貯留される処理液Ｌを、貯留処理液Ｌ１と記載することがある。
　内槽１１２には、規制部１１２ａが設けられる。規制部１１２ａは、基板Ｗを処理する際の基板ＷのＸ方向両端部において、１枚の基板Ｗの両方の主面と対向するように設けられる。規制部１１２ａにより、基板Ｗの位置が規制される。このため、基板Ｗは、所定の位置で均一に処理される。
　処理槽１１０は、蓋１１６を有する。蓋１１６は、内槽１１２の開口に対して開閉可能である。蓋１１６が閉じることにより、蓋１１６は、内槽１１２の開口を塞ぐことができる。
　蓋１１６は、開戸部１１６ａと、開戸部１１６ｂとを有する。開戸部１１６ａは、内槽１１２の開口のうちの－Ｘ方向側に位置する。開戸部１１６ａは、内槽１１２の上縁近傍に配置されており、内槽１１２の開口に対して開閉可能である。開戸部１１６ｂは、内槽１１２の開口のうちの＋Ｘ方向側に位置する。開戸部１１６ｂは、内槽１１２の上縁近傍に配置されており、内槽１１２の開口に対して開閉可能である。開戸部１１６ａ及び開戸部１１６ｂが閉じて内槽１１２の開口を覆うことにより、処理槽１１０の内槽１１２を塞ぐことができる。
　内槽１１２の底壁には、排液配管１１８ａが接続される。排液配管１１８ａにはバルブ１１８ｂが配置される。バルブ１１８ｂは、制御部１４０によって開閉する。バルブ１１８ｂが開くことにより、貯留処理液Ｌ１は排液配管１１８ａを通って内槽１１２の外部に排出された後、排液処理装置（不図示）へと送られて処理される。
　基板保持部１２０は、基板Ｗを保持する。基板保持部１２０は、リフターを含む。基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを一括して保持して、貯留処理液Ｌ１に浸漬させる。なお、基板保持部１２０は、１枚のみの基板Ｗを保持して、貯留処理液Ｌ１に浸漬させてもよい。
　基板保持部１２０は、本体板１２２と、保持棒１２４とを含む。本体板１２２は、鉛直方向（Ｚ方向）に延びる板である。保持棒１２４は、本体板１２２の一方の主面から水平方向（Ｙ方向）に延びる。第１実施形態では、３つの保持棒１２４が本体板１２２の一方の主面からＹ方向に延びる。複数の基板Ｗは、紙面の奥手前方向に複数の基板Ｗを配列した状態で、複数の保持棒１２４によって各基板Ｗの下縁が起立姿勢（鉛直姿勢）で保持される。
　基板保持部１２０は、昇降ユニット１２６をさらに含んでもよい。昇降ユニット１２６は、基板保持部１２０に保持されている基板Ｗが内槽１１２内に位置する処理位置（図１０に示す位置）と、基板保持部１２０に保持されている基板Ｗが内槽１１２の上方に位置する退避位置（図示しない）との間で本体板１２２を昇降させる。従って、昇降ユニット１２６によって本体板１２２が処理位置に移動させられることにより、保持棒１２４に保持されている複数の基板Ｗが貯留処理液Ｌ１に浸漬される。これにより、基板Ｗに対するエッチング処理が施される。
　気泡供給部１３０は、貯留処理液Ｌ１に気泡を供給する。
　気泡供給部１３０は、気体供給管１３１を含む。気体供給管１３１は、管状の部材である。気体供給管１３１は、例えば、石英により形成される。気体供給管１３１は、内槽１１２内に配置される。気体供給管１３１は、貯留処理液Ｌ１に浸漬される。気泡供給部１３０の外部には、貯留処理液Ｌ１が存在する。
　気体供給管１３１の内部には、気体が流れる。気体は、例えば不活性ガスである。気体は、例えば、窒素ガスを含む。気体は、空気でもよい。
　気体供給管１３１には、気泡放出口Ｍが形成される。気泡放出口Ｍは、気体供給管１３１の内部と外部とを連通する孔である。気泡放出口Ｍは、貯留処理液Ｌ１に浸漬されることで、貯留処理液Ｌ１内に配置される。
　気体供給管１３１の内部を流れる気体は、気泡放出口Ｍを介して貯留処理液Ｌ１内に放出される。気体供給管１３１の内部を流れる気体は、気泡放出口Ｍから放出される際、気泡になる。その結果、気泡放出口Ｍから貯留処理液Ｌ１内に気泡が放出される。
　気体供給管１３１は、本発明の第１管部の一例である。
　気泡放出口Ｍから貯留処理液Ｌ１内に供給された気泡は、貯留処理液Ｌ１内を浮上し、貯留処理液Ｌ１の上面にまで達する。
　気泡が貯留処理液Ｌ１中を浮上する際に、気泡は基板Ｗの表面に接触する。この場合、気泡は、貯留処理液Ｌ１中の基板Ｗとの接触部分を押し出しながら基板Ｗの表面を上方に向けて移動する。気泡が通過した後には、気泡の周囲に存在していた新鮮な処理液Ｌが気泡の存在していた場所へ進入することで基板Ｗの表面に接触する。従って、気泡により基板Ｗの表面の周囲の処理液Ｌを攪拌できるので、基板Ｗの表面に接触する処理液Ｌを新鮮な処理液Ｌに置換できる。その結果、基板Ｗの処理速度を向上させることができる。
　制御部１４０は、例えば、マイクロコンピュータを用いて構成される。制御部１４０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）のようなプロセッサーと、固定メモリデバイス、又はハードディスクドライブのような記憶装置とを有する。記憶装置には、プロセッサーにより実行されるプログラムが記憶されている。制御部１４０のプロセッサーが、記憶装置に記憶されるプログラムを実行することにより、基板処理装置１００の各要素を制御する。
　制御部１４０のプロセッサーは、気泡供給部１３０を制御することで、気泡供給部１３０による気泡の供給を制御する。制御部１４０のプロセッサーは、気泡供給部１３０による気泡の供給の開始及び停止を制御する。
　基板処理装置１００は、気体搬送部１５０と、循環部１６０とをさらに備える。
　気体搬送部１５０は、気体供給管１３１の内部に気体を搬送する。
　気体搬送部１５０は、配管１５２と、バルブ１５４と、調整バルブ１５６とを備える。バルブ１５４及び調整バルブ１５６は、配管１５２に配置される。配管１５２は、気体供給管１３１に連結する。配管１５２は、気体供給管１３１の内部に気体を導く。バルブ１５４は、配管１５２を開閉する。調整バルブ１５６により、配管１５２の開度を調節して、気体供給管１３１の内部に搬送する気体の流量を調整する。
　循環部１６０は、貯留処理液Ｌ１を循環させることで、貯留処理液Ｌ１の液流を生成する。循環部１６０は、本発明の液流生成部の一例である。
　循環部１６０は、配管１６１と、ポンプ１６２と、フィルタ１６３と、ヒータ１６４と、調整バルブ１６５と、バルブ１６６と、処理液供給管１６７を含む。
　配管１６１は、外槽１１４から排出された処理液Ｌを内槽１１２に導く。配管１６１の下流端には、処理液供給管１６７が接続される。
　ポンプ１６２は、配管１６１から処理液供給管１６７の内部に処理液Ｌを送る。フィルタ１６３は、配管１６１を流れる処理液Ｌをろ過する。ヒータ１６４は、配管１６１を流れる処理液Ｌを加熱する。ヒータ１６４により、処理液Ｌの温度が調整される。
　調整バルブ１６５は、配管１６１の開度を調節することで、処理液供給管１６７の内部に供給される処理液Ｌの流量を調整する。調整バルブ１６５は、処理液Ｌの流量を調整する。調整バルブ１６５は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。他の調整バルブについても同様である。バルブ１６６は配管１６１を開閉する。
　処理液供給管１６７は、管状の部材である。処理液供給管１６７は、処理槽１１０の内槽１１２内に配置される。処理液供給管１６７は、貯留処理液Ｌ１に浸漬される。処理液供給管１６７の外部には、貯留処理液Ｌ１が存在する。
　処理液供給管１６７には、処理液放出口Ｎが形成される。処理液放出口Ｎは、処理液供給管１６７の内部と外部とを連通する孔である。処理液放出口Ｎは、貯留処理液Ｌ１に浸漬されることで、貯留処理液Ｌ１内に配置される。
　処理液供給管１６７の内部を流れる処理液Ｌは、処理液放出口Ｎを介して処理液供給管１６７の外部に放出される。その結果、処理液放出口Ｎから貯留処理液Ｌ１内に、処理液供給管１６７の内部を流れる処理液Ｌが放出される。
　処理液供給管１６７は、本発明の第２管部の一例である。
　なお、調整バルブ１６５を省略してもよい。この場合、処理液供給管１６７に供給される処理液Ｌの流量は、ポンプ１６２の制御よって調整される。
　基板処理装置１００は、処理液供給部１７０と、水供給部１８０とをさらに備える。
　処理液供給部１７０は、ノズル１７２と、配管１７４と、バルブ１７６とをさらに含む。ノズル１７２は処理液Ｌを内槽１１２に吐出する。ノズル１７２は、配管１７４に接続される。配管１７４には、処理液供給源からの処理液Ｌが供給される。配管１７４には、バルブ１７６が配置される。
　制御部１４０がバルブ１７６を開くと、ノズル１７２から吐出された処理液Ｌが、内槽１１２内に供給される。そして、内槽１１２の上縁から処理液Ｌが溢れると、溢れた処理液Ｌは、外槽１１４によって受け止められ、回収される。
　水供給部１８０は、水を外槽１１４に供給する。水供給部１８０は、ノズル１８２と、配管１８４と、バルブ１８６とを含む。ノズル１８２は、水を外槽１１４に吐出する。ノズル１８２は、配管１８４に接続される。配管１８４に供給される水は、ＤＩＷ（脱イオン水）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水及び希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかを採用することができる。配管１８４には、水供給源からの水が供給される。配管１８４には、バルブ１８６が配置される。制御部１４０がバルブ１８６を開くと、ノズル１８２から吐出された水が、外槽１１４内に供給される。
　例えば、基板処理装置１００は、シリコン基板からなる基板Ｗのパターン形成側の表面に対して、シリコン酸化膜（酸化膜）及びシリコン窒化膜（窒化膜）のエッチング処理を施す。このようなエッチング処理では、基板Ｗの表面から酸化膜及び窒化膜が選択的に除去される。処理液Ｌは、例えば、燐酸を含む液体である。なお、処理液Ｌは、混酸を含む液体でもよい。
　次に、図１～図３（ｂ）を参照して、基板処理装置１００による基板Ｗの処理方法を説明する。図２は、本実施形態の基板Ｗの処理方法を示すフロー図である。図３（ａ）は、基板Ｗが貯留処理液Ｌ１に浸漬される前の状態を示す図である。図３（ｂ）は、基板Ｗが貯留処理液Ｌ１に浸漬された状態を示す図である。
　図１及び図２に示すように、Ｓ１０１において、循環部１６０は処理液Ｌの循環を開始する。制御部１４０がバルブ１６６を開くことにより、処理液Ｌが内槽１１２、外槽１１４、配管１６１、及び処理液供給管１６７の順番に流れる。配管１６１から処理液供給管１６７の内部に供給された処理液Ｌは、処理液放出口Ｎから貯留処理液Ｌ１内に放出される。その結果、処理液Ｌが循環する。
　図２、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、Ｓ１０２において、昇降ユニット１２６は、本体板１２２及び保持棒１２４によって基板Ｗを保持したまま下降させることで、貯留処理液Ｌ１に基板Ｗを浸漬する。
　図１及び図２に示すように、Ｓ１０３において、気泡供給部１３０は、貯留処理液Ｌ１内に気泡を供給する処理を開始する。制御部１４０がバルブ１５４を開くことにより、気体供給管１３１の気泡放出口Ｍから貯留処理液Ｌ１内に気泡が放出される。
　Ｓ１０４において、制御部１４０は、バルブ１５４を閉じることにより、気泡供給部１３０による気泡の供給処理を終了する。
　Ｓ１０５において、昇降ユニット１２６は、本体板１２２及び保持棒１２４によって基板Ｗを保持したまま上昇させることで、貯留処理液Ｌ１内から基板Ｗを引き上げる。その結果、基板Ｗに対する処理が終了する。
　次に、図１及び図４を参照して、気体供給管１３１と処理液供給管１６７とについて説明する。
　図１に示すように、基板処理装置１００は、配管群Ｇ１を含む。配管群Ｇ１は、気体供給管１３１と、一対の処理液供給管１６７とで構成される。第１実施形態では、複数の配管群Ｇ１が設けられる。具体的には、２つの配管群Ｇ１が設けられる。２つの配管群Ｇ１は、仮想中心線ＣＬを中心に対称に配置される。仮想中心線ＣＬは、内槽１１２の中心を通り、かつ、Ｚ軸に平行な仮想線である。
　図４は、配管群Ｇ１をＺ軸方向から見た図である。
　図１及び図４に示すように、気体供給管１３１と処理液供給管１６７とは、内槽１１２の底部１２ａ（図５参照）に配置される。気体供給管１３１と処理液供給管１６７とは、貯留処理液Ｌ１に浸漬された基板Ｗよりも下方に位置する。気体供給管１３１と処理液供給管１６７との各々は、Ｙ軸方向に沿って延びる。
　気体供給管１３１には、複数の気泡放出口Ｍが形成される。複数の気泡放出口Ｍは、Ｙ軸方向に沿って並ぶ。気体供給管１３１の内径は、例えば、約１ｍｍ以下である。気泡放出口Ｍの内径は、例えば、約５ｍｍ以下である。
　処理液供給管１６７には、複数の処理液放出口Ｎが形成される。複数の処理液放出口Ｎは、Ｙ軸方向に沿って並ぶ。処理液供給管１６７の内径は、例えば、約３０ｍｍ以下である。処理液放出口Ｎの内径は、例えば、約２ｍｍ以下である。
　配管群Ｇ１において、気体供給管１３１と、一対の処理液供給管１６７とは、互いに平行に配置される。配管群Ｇ１において、気体供給管１３１と、一対の処理液供給管１６７とは、Ｘ軸方向に沿って並ぶ。配管群Ｇ１において、一対の処理液供給管１６７の間には、気体供給管１３１が配置される。一対の処理液供給管１６７は、気体供給管１３１を挟むようにして配置される。
　次に、図４及び図５を参照して、気泡放出口Ｍと処理液放出口Ｎとの位置関係の第１例について説明する。図５は、気泡放出口Ｍと処理液放出口Ｎとの位置関係の第１例を示す図である。
　以下では、２つの配管群Ｇ１のうちの１つである配管群Ｇ１１に着目して説明する。また、複数の気泡放出口Ｍのうちの１つである気泡放出口Ｍ１と、複数の処理液放出口Ｎのうちの１つである処理液放出口Ｎ１とに着目して説明する。
　図４及び図５に示すように、配管群Ｇ１１において、一対の処理液供給管１６７には、それぞれ、処理液放出口Ｎ１が形成される。処理液放出口Ｎ１は、処理液供給管１６７のうち気泡放出口Ｍ１が位置する側に配置される。
　配管群Ｇ１１において、気体供給管１３１には、気泡放出口Ｍ１が形成される。気泡放出口Ｍ１は、気体供給管１３１の上端部に配置される。
　一対の処理液放出口Ｎ１は、互いに間隔を空けて配置されている。一対の処理液放出口Ｎ１の間には、気泡放出口Ｍ１が配置される。Ｚ軸方向から見て（上方から見て）、処理液放出口Ｎ１の側方に気泡放出口Ｍ１が配置される。
　一対の処理液放出口Ｎ１の各々は、第１方向Ｄ１に向かって開口する。第１方向Ｄ１は、処理液供給管１６７の中心Ｔ１から気体供給管１３１に向かう方向である。詳細には、第１方向Ｄ１は、処理液供給管１６７の中心Ｔ１から気体供給管１３１の気泡放出口Ｍ１に向かう方向である。処理液供給管１６７の中心Ｔ１は、処理液供給管１６７のうち処理液放出口Ｎ１が位置する場所を、処理液供給管１６７の延びる方向（Ｙ軸方向）に対して垂直な方向に切断したときに形成される処理液供給管１６７の断面の中心である。
　次に、図５～図７を参照して、気体供給管１３１の気泡放出口Ｍ１から気泡ＫＡが放出される原理について説明する。図６（ａ）は、気泡放出口Ｍ１から気泡ＫＡが放出される原理を示す第１の模式図である。図６（ｂ）は、気泡放出口Ｍ１から気泡ＫＡが放出される原理を示す第２の模式図である。図７は、気泡放出口Ｍ１から気泡ＫＡが放出される原理を示す第３の模式図である。
　図５及び図６（ａ）に示すように、一対の処理液放出口Ｎ１の各々は、第１方向Ｄ１に向かって開口するので、第１方向Ｄ１に処理液Ｌを放出する。その結果、一対の処理液放出口Ｎ１の各々から第１方向Ｄ１に向かうように、貯留処理液Ｌ１の第１液流Ｒ１が生成される。
　第１液流Ｒ１は、第１方向Ｄ１に向かって生成されることで、気泡放出口Ｍ１に向かった後、気泡放出口Ｍ１の周辺を流れる。
　図５及び図６（ｂ）に示すように、貯留処理液Ｌ１内に気体Ｋの隆起部分ＫＩが発生する。隆起部分ＫＩは、気体供給管１３１に供給された気体Ｋのうち、気泡放出口Ｍ１から貯留処理液Ｌ１内に隆起する部分である。隆起部分ＫＩの周辺には、第１液流Ｒ１が流れる。第１実施形態では、一対の第１液流Ｒ１の間に隆起部分ＫＩが位置する。
　隆起部分ＫＩは、気泡放出口Ｍ１の周辺を流れる第１液流Ｒ１の圧力を受ける。その結果、気体供給管１３１の内部に存在する気体Ｋから、隆起部分ＫＩがせん断（分離）されやすくなる。
　第１液流Ｒ１の流れによる圧力は、本発明のせん断力の第１例である。
　図５及び図７に示すように、隆起部分ＫＩがせん断されると、気泡ＫＡになる。気泡ＫＡは、貯留処理液Ｌ１内を浮上する。
　以上、図１～図７を参照して説明したように、循環部１６０は、処理液供給管１６７の処理液放出口Ｎ１から処理液Ｌを放出することで、気泡供給部１３０に対して貯留処理液Ｌ１の第１液流Ｒ１を生成する。従って、図６（ｂ）に示すように、成長中の隆起部分ＫＩに対して、第１液流Ｒ１の圧力を作用させることができる。その結果、成長中の隆起部分ＫＩを早期にせん断できるので、気泡ＫＡが大きくなることを抑制できる。
　また、早期に隆起部分ＫＩがせん断されることで、単位時間当たりに生成される気泡ＫＡの個数を増やすことができる。その結果、多数の小さい気泡ＫＡを用いて基板Ｗの処理を迅速に行うことができる。
［第２実施形態］
　図８を参照して、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置１００を説明する。図８は、気泡放出口Ｍと処理液放出口Ｎとの位置関係の第２例を示す図である。
　第２実施形態は、処理液放出口Ｎ１の開口する方向が第１実施形態と異なる。以下では、主に第１実施形態と異なる点を説明する。また、配管群Ｇ１１に着目して説明する。
　図８に示すように、Ｚ軸方向から見て、処理液放出口Ｎ１の側方に気泡放出口Ｍ１が配置される。
　一対の処理液放出口Ｎ１の各々は、処理液供給管１６７の下端側に配置される。一対の処理液放出口Ｎ１の各々は、第２方向Ｄ２に向かって開口する。第２方向Ｄ２は、処理液供給管１６７の中心Ｔ１から内槽１１２の底部１２ａに向かい、内槽１１２の底部１２ａで反射した後、気体供給管１３１に向かう方向である。
　一対の処理液放出口Ｎ１の各々は、第２方向Ｄ２に向かって開口するので、第２方向Ｄ２に処理液Ｌを放出する。その結果、一対の処理液放出口Ｎ１の各々から第２方向Ｄ２に向かうように、貯留処理液Ｌ１の第２液流Ｒ２が生成される。
　第２液流Ｒ２は、第２方向Ｄ２に向かって生成されることで、内槽１１２の底部１２ａに向かい、内槽１１２の底部１２ａで反射した後、気体供給管１３１に向かう。気体供給管１３１に到達した第２液流Ｒ２は、気体供給管１３１の外周に沿って流れる。そして、第２液流Ｒ２は、気泡放出口Ｍ１の周辺を流れた後、気体供給管１３１を通過する。
　気泡放出口Ｍ１の周辺を流れる第２液流Ｒ２は、気体Ｋの隆起部分ＫＩ（図６（ｂ）参照）に対して、第２液流Ｒ２の流れによる圧力を付与する。従って、第２液流Ｒ２の圧力により、成長中の隆起部分ＫＩを早期にせん断できる。その結果、気泡ＫＡが大きくなることを抑制できる。
　第２液流Ｒ２の流れによる圧力は、本発明のせん断力の第２例である。
［第３実施形態］
　図９を参照して、本発明の第３実施形態に係る基板処理装置１００を説明する。図９は、気泡放出口Ｍと処理液放出口Ｎとの位置関係の第３例を示す図である。
　第３実施形態は、気体供給管１３１に対する処理液供給管１６７の位置が第１実施形態と異なる。以下では、主に第１実施形態と異なる点を説明する。また、配管群Ｇ１１に着目して説明する。
　図９に示すように、第３実施形態では、配管群Ｇ１は、１つの気体供給管１３１と、１つの処理液供給管１６７とで構成される。処理液供給管１６７は、気体供給管１３１の下方に配置される。
　処理液放出口Ｎ１は、気泡放出口Ｍ１の下方に配置される。処理液放出口Ｎ１は、処理液供給管１６７の上端側に配置される。処理液放出口Ｎ１は、第３方向Ｄ３に向かって開口する。第３方向Ｄ３は、処理液供給管１６７の中心Ｔ１から気体供給管１３１に向かう方向である。第３実施形態では、第３方向Ｄ３は、上方向である。
　処理液放出口Ｎ１は、第３方向Ｄ３に向かって開口するので、第３方向Ｄ３に処理液Ｌを放出する。その結果、処理液放出口Ｎ１から第３方向Ｄ３に向かうように、貯留処理液Ｌ１の第３液流Ｒ３が生成される。
　第３液流Ｒ３は、第３方向Ｄ３に向かって生成されることで、気体供給管１３１に向かう。気体供給管１３１に到達した第３液流Ｒ３は、気体供給管１３１の外周に沿って流れる。そして、第３液流Ｒ３は、気泡放出口Ｍ１の周辺を流れた後、気体供給管１３１を通過する。なお、第３液流Ｒ３は、気体供給管１３１に到達すると分離して一対の第３液流Ｒ３になり、一対の第３液流Ｒ３が気体供給管１３１を挟むようにして気体供給管１３１の外周に沿って流れる。
　気泡放出口Ｍ１の周辺を流れる第３液流Ｒ３は、気体Ｋの隆起部分ＫＩ（図６（ｂ）参照）に対して、第３液流Ｒ３の流れによる圧力を付与する。従って、第３液流Ｒ３の圧力により、成長中の隆起部分ＫＩを早期にせん断できる。その結果、気泡ＫＡが大きくなることを抑制できる。
　第３液流Ｒ３の流れによる圧力は、本発明のせん断力の第３例である。
［第４実施形態］
　図１０を参照して、本発明の第４実施形態に係る基板処理装置１００を説明する。図１０は、気泡放出口Ｍと処理液放出口Ｎとの位置関係の第４例を示す図である。
　第４実施形態は、気体供給管１３１に対する処理液供給管１６７の位置が第１実施形態と異なる。以下では、主に第１実施形態と異なる点を説明する。また、配管群Ｇ１１に着目して説明する。
　図１０に示すように、一対の処理液供給管１６７は、気体供給管１３１の下方で互いに間隔を空けて配置される。
　Ｚ軸方向から見て、処理液放出口Ｎ１の側方に気泡放出口Ｍ１が配置される。
　一対の処理液放出口Ｎ１の各々は、処理液供給管１６７の上端側に配置される。処理液放出口Ｎ１は、第４方向Ｄ４に向かって開口する。第４方向Ｄ４は、処理液供給管１６７の中心Ｔ１から気体供給管１３１に向かう方向である。第４実施形態では、第４方向Ｄ４は、斜め上方向である。
　一対の処理液放出口Ｎ１の各々は、第４方向Ｄ４に向かって開口するので、第４方向Ｄ４に処理液Ｌを放出する。その結果、一対の処理液放出口Ｎ１の各々から第４方向Ｄ４に向かうように、貯留処理液Ｌ１の第４液流Ｒ４が生成される。
　第４液流Ｒ４は、第４方向Ｄ４に向かって生成されることで、気体供給管１３１に向かう。気体供給管１３１に到達した第４液流Ｒ４は、気体供給管１３１の外周に沿って流れる。そして、第４液流Ｒ４は、気泡放出口Ｍ１の周辺を流れた後、気体供給管１３１を通過する。
　気泡放出口Ｍ１の周辺を流れる第４液流Ｒ４は、気体Ｋの隆起部分ＫＩ（図６（ｂ）参照）に対して、第４液流Ｒ４の流れによる圧力を付与する。従って、第４液流Ｒ４の圧力により、成長中の隆起部分ＫＩを早期にせん断できる。その結果、気泡ＫＡが大きくなることを抑制できる。
　第４液流Ｒ４の流れによる圧力は、本発明のせん断力の第４例である。
［第５実施形態］
　図１１を参照して、本発明の第５実施形態に係る基板処理装置１００を説明する。図１１は、気泡放出口Ｍと処理液放出口Ｎとの位置関係の第５例を示す図である。
　第５実施形態は、処理液Ｌが処理液供給管１６７から複数の方向に放出される点が第１実施形態と異なる。以下では、主に第１実施形態と異なる点を説明する。また、配管群Ｇ１１に着目して説明する。
　図１１に示すように、一対の処理液供給管１６７の各々には、複数の処理液放出口Ｎが形成される。第３実施形態では、一対の処理液供給管１６７の各々には、３つの処理液放出口Ｎが形成される。３つの処理液放出口Ｎは、処理液放出口Ｎ１と、処理液放出口Ｎ２と、処理液放出口Ｎ３とで構成される。
　処理液放出口Ｎ１は、図５に示す処理液放出口Ｎ１に相当し、第１方向Ｄ１に向かって開口する。その結果、処理液放出口Ｎ１により第１液流Ｒ１が生成されるので、第１実施形態と同様の効果を奏する。
　処理液放出口Ｎ２は、第１方向Ｄ１とは異なる第６方向Ｄ６に向かって開口することで、処理液放出口Ｎ２から第６方向Ｄ６に向かうように貯留処理液Ｌ１の液流を生成する。処理液放出口Ｎ３は、第１方向Ｄ１及び第６方向Ｄ６とは異なる第７方向Ｄ７に向かって開口することで、処理液放出口Ｎ３から第７方向Ｄ７に向かうように貯留処理液Ｌ１の液流を生成する。第７方向Ｄ７は、第６方向Ｄ６を中心にして、第１方向Ｄ１と対称な方向である。第１液流Ｒ１以外にも貯留処理液Ｌ１の液流を生成することで、貯留処理液Ｌ１の攪拌を効果的に行うことができる。
［第６実施形態］
　図１２～図１３（ｂ）を参照して、本発明の第６実施形態に係る基板処理装置１００を説明する。図１２は、気体Ｋの隆起部分ＫＩに対してせん断力を付与するための構成の一例を示す模式図である。
　第６実施形態は、貯留処理液Ｌ１の液流を用いず、気泡放出口Ｍを移動させることによって気体Ｋの隆起部分ＫＩに対してせん断力を付与する点が第１実施形態と異なる。以下では、主に第１実施形態と異なる点を説明する。
　図１２に示すように、基板処理装置１００は、移動部１９０をさらに備える。
　移動部１９０は、内槽１１２（図１参照）に対して気体供給管１３１を移動させる。移動部１９０は、例えば、モータを含む。移動部１９０は、例えば、気体供給管１３１を振動させる。移動部１９０は、制御部１４０によって制御される。
　次に、図１２～図１３（ｂ）を参照して、気体供給管１３１の気泡放出口Ｍ１から気泡ＫＡが放出される原理について説明する。図１３（ａ）は、気泡放出口Ｍ１から気泡ＫＡが放出される原理を示す第４の模式図である。図１３（ｂ）は、気泡放出口Ｍ１から気泡ＫＡが放出される原理を示す第５の模式図である。
　図１２及び図１３（ａ）に示すように、移動部１９０が気体供給管１３１を振動させることで、気体Ｋの隆起部分ＫＩが振動する。その結果、気体供給管１３１の内部に存在する気体Ｋから、隆起部分ＫＩがせん断されやすくなる。
　気体供給管１３１に付与される振動は、本発明のせん断力の第５例である。
　図１２及び図１３（ｂ）に示すように、隆起部分ＫＩがせん断されると、気泡ＫＡになる。気泡ＫＡは、貯留処理液Ｌ１内を浮上する。
　以上、図１２～図１３（ｂ）を参照して説明したように、移動部１９０が気体供給管１３１を振動させる。従って、成長中の隆起部分ＫＩに対して、振動を付与することができる。その結果、成長中の隆起部分ＫＩを早期にせん断できるので、気泡ＫＡが大きくなることを抑制できる。
　なお、移動部１９０は、気体供給管１３１に超音波を付与することで気体供給管１３１を振動させてもよい。
　また、移動部１９０は、気体供給管１３１を平行移動させてもよい。気体供給管１３１が平行移動する際、隆起部分ＫＩは、気体供給管１３１から貯留処理液Ｌ１内に突出しているので、気体供給管１３１の移動方向とは反対方向に、貯留処理液Ｌ１から圧力を受ける。その結果、貯留処理液Ｌ１からの圧力により、成長中の隆起部分ＫＩを早期にせん断できるので、気泡ＫＡが大きくなることを抑制できる。
　気体供給管１３１が平行移動する際、隆起部分ＫＩが貯留処理液Ｌ１から受ける圧力は、本発明のせん断力の第６例である。なお、気体供給管１３１を平行移動させる方向は、特に限定されない。
　また、移動部１９０は、気体供給管１３１を気体供給管１３１の軸回りに回転させてもよい。気体供給管１３１が回転する際、隆起部分ＫＩは、気体供給管１３１から貯留処理液Ｌ１内に突出しているので、気体供給管１３１の回転方向とは反対方向に、貯留処理液Ｌ１から圧力を受ける。その結果、貯留処理液Ｌ１から圧力により、成長中の隆起部分ＫＩを早期にせん断できるので、気泡ＫＡが大きくなることを抑制できる。
　気体供給管１３１が回転する際、隆起部分ＫＩが貯留処理液Ｌ１から受ける圧力は、本発明のせん断力の第７例である。
　以上、図面（図１～図１３（ｂ））を参照しながら本発明の実施形態について説明した。但し、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である（例えば、（１）～（５））。また、上記の実施形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の個数等は、図面作成の都合から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
　（１）第１実施形態～第５実施形態において、制御部１４０は、調整バルブ１６５により配管１６１の開度を調整することで、気体供給管１３１に付与される第１液流Ｒ１～第４液流Ｒ４の各々の圧力の大きさを制御する。
　制御部１４０は、配管１６１の開度を一定にすることで、第１液流Ｒ１～第４液流Ｒ４の各々の圧力の大きさを一定にしてよい。また、制御部１４０は、配管１６１の開度を所定時間間隔で変更することで、第１液流Ｒ１～第４液流Ｒ４の各々の圧力の大きさを周期的に変更してもよい。すなわち、制御部１４０は、第１液流Ｒ１～第４液流Ｒ４の各々の圧力の大きさに強弱をつけてもよい。
　（２）第１実施形態～第６実施形態において、気体供給管１３１（図４参照）のうち気泡放出口Ｍが形成される部分は、例えば、フッ素コーティングされることで、疎水処理が施されてもよい。その結果、気泡ＫＡの泡切れをよくすることができるので、気泡ＫＡが大きくなることを効果的に抑制できる。なお、疎水処理は、気体供給管１３１のうち気泡放出口Ｍが形成される部分のみならず、気体供給管１３１全体に施されてもよい。
　（３）第１実施形態～第６実施形態において、気泡放出口Ｍは、上方に向かって開口する。しかし、本発明はこれに限定されない。
　図１４を参照して、気泡放出口Ｍの第１変形例について説明する。図１４は、気泡放出口Ｍの第１変形例を示す図である。
　図１４に示すように、第１変形例において、気泡放出口Ｍは、横向きに開口する。横向きは、水平方向（Ｘ軸方向）に平行な向きである。従って、気体Ｋの隆起部分ＫＩが気泡放出口Ｍから浮上しようとする際に、気泡放出口Ｍの上端に接触するので、気泡放出口Ｍの上端により隆起部分ＫＩを効果的にせん断することができる。その結果、気泡ＫＡが大きくなることを抑制できる。
　（４）図１５を参照して、気泡放出口Ｍの第２変形例について説明する。図１５は、気泡放出口Ｍの第２変形例を示す図である。
　図１５に示すように、第２変形例において、気泡放出口Ｍの開口面積が、気体供給管１３１の外部に向かうに従って小さくなる。以下では、気泡放出口Ｍの第２変形例について詳細に説明する。
　気体供給管１３１は、内面１３１ｂと、外面１３１ｃとを有する。内面１３１ｂは、気体供給管１３１の内部１３１ａに対向する。外面１３１ｃは、気体供給管１３１の内部に対向する。
　気泡放出口Ｍは、外側開口Ｍａと、内側開口Ｍｂとを有する。外側開口Ｍａは、外面１３１ｃに形成される。内側開口Ｍｂは、内面１３１ｂに形成される。内側開口Ｍｂは、外側開口Ｍａに連通する。
　外側開口Ｍａの開口面積Ｖ１は、内側開口Ｍｂの開口面積Ｖ２よりも小さい（Ｖ１＜Ｖ２）。その結果、内側開口Ｍｂから外側開口Ｍａに向かうに従って、気泡放出口Ｍの開口面積が小さくなるので、気泡ＫＡが大きくなることを効果的に抑制できる。開口面積は、内側開口Ｍｂから外側開口Ｍａに向かう方向に対して垂直な気泡放出口Ｍの断面の面積である。
　なお、内側開口Ｍｂから外側開口Ｍａに向かうに従って、気泡放出口Ｍの開口面積が徐々に小さくなってもよい。また、内側開口Ｍｂから外側開口Ｍａに向かうに従って、気泡放出口Ｍの開口面積が段階的に小さくなってもよい。
　（５）図１６を参照して、気体供給管１３１の変形例について説明する。図１６は、気体供給管１３１の変形例を示す図である。
　図１６に示す気体供給管１３１の変形例は、二重管構造を有する。以下では、気体供給管１３１の変形例について詳細に説明する。
　気体供給管１３１は、外側配管１３１ｄと、内側配管１３１ｅとを有する。外側配管１３１ｄ、及び内側配管１３１ｅの各々は、管状の部材である。外側配管１３１ｄの外径は、内側配管１３１ｅの外径よりも大きい。外側配管１３１ｄの内部には、内側配管１３１ｅが配置される。内側配管１３１ｅの内部１３１ｆには気体Ｋが流れる。
　気泡放出口Ｍは、第１開口ＭＡと、第２開口ＭＢとを有する。第１開口ＭＡは、外側配管１３１ｄに形成され、外側配管１３１ｄの内部と外部とを連通する。第２開口ＭＢは、内側配管１３１ｅに形成され、内側配管１３１ｅの内部１３１ｆと外部とを連通する。第１開口ＭＡと、第２開口ＭＢとは、互いに同じ向きに開口する。第１開口ＭＡの開口面積Ｖ３は、第２開口ＭＢの開口面積Ｖ４と略同じである（Ｖ３≒Ｖ４）。その結果、第１開口ＭＡと、第２開口ＭＢとにより隆起部分ＫＩ（図６（ｂ）参照）に対して二重に圧力を加えることができるので、隆起部分ＫＩの成長を抑制できる。なお、第１開口ＭＡの開口面積Ｖ３が、第２開口ＭＢの開口面積Ｖ４よりも小さくてもよい（Ｖ３＜Ｖ４）。
　（６）第１実施形態～第６実施形態において、気泡供給部１３０である気体供給管１３１は、石英を含む。しかし、本発明はこれに限定されない。第１実施形態～第６実施形態において、気体供給管１３１は、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）を含んでいてもよい。すなわち、第１実施形態～第６実施形態において、ＰＥＥＫ製の気体供給管１３１が用いられてもよい。
　以下では、図１、図４、及び図１７を参照して、基板処理装置１００において、ＰＥＥＫ製の気体供給管１３１が用いられる理由について説明する。
　図１及び図４に示すように、基板処理装置１００による基板Ｗの処理が行われる際、気体供給管１３１は、高温（例えば、１６０℃程度）の処理液Ｌ（燐酸水溶液）に浸漬される（図１参照）。しかし、気体供給管１３１を石英により形成した場合、気体供給管１３１が長期間（例えば、半年から１年）使用されると、気体供給管１３１が高温の処理液Ｌに長期間浸漬されることで、気泡放出口Ｍの径が拡大することがある。この場合、複数の気泡放出口Ｍのうち、径が拡大した気泡放出口Ｍから気泡ＫＡが放出されることで、複数の気泡放出口Ｍからの気泡ＫＡの放出にバラツキが生じ、基板処理装置１００による基板Ｗの処理能力が低下する可能性がある。そこで、石英製の気体供給管１３１は、半年から１年程度で交換されていた。
　本願発明者は、気泡放出口Ｍの径が拡大することを抑制して、気体供給管１３１の交換寿命を延ばすため、気体供給管１３１の材料として、石英よりも処理液Ｌへの浸漬に長期間耐え得る樹脂を用いることとした。また、本願発明者は、気体供給管１３１の材料とする樹脂として、ＰＥＥＫと、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン－パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）と、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）とを候補に挙げた。そして、本願発明者は、ＰＥＥＫ、ＰＦＡ、及びＰＴＦＥのうちのどの樹脂が気体供給管１３１の材料として最も適しているかを検証した。
　なお、検証で用いられた気体供給管１３１において、気泡放出口Ｍの内径は、０．２ｍｍである。また、検証で用いられた気体供給管１３１の外径は、８ｍｍであり、内径は、４ｍｍである。また、検証で用いられた気体供給管１３１の長さは４００ｍｍである。なお、気体供給管１３１の寸法はこれらに限られず、例えば、気体供給管１３１の外径は、６ｍｍ以上、１２ｍｍ以下であってもよく、内径は、２ｍｍ以上、１０ｍｍ以下であってもよい。
　また、処理液供給管１６７において、処理液放出口Ｎの内径は、例えば、１ｍｍである。処理液放出口Ｎからは、気泡ＫＡではなく、処理液Ｌが放出される。従って、処理液供給管１６７は、気体供給管１３１のような気泡ＫＡのバラツキに起因した問題が生じないので、処理液供給管１６７の交換寿命（数年程度）は、気体供給管１３１の交換寿命（半年から一年程度）よりも長くなる。そこで、気体供給管１３１の方が処理液供給管１６７よりも交換頻度が多くなるので、本願発明者は、気体供給管１３１の交換寿命を延ばすことを課題とした。そして、本願発明者は、当該課題を解決するために、気体供給管１３１の材料を工夫した。
　以下では、図１７を参照して、ＰＥＥＫと、ＰＦＡと、ＰＴＦＥとの比較結果について説明する。図１７は、ＰＥＥＫと、ＰＦＡと、ＰＴＦＥとの比較結果を示す表Ｈである。なお、図１７の表Ｈには、参考として石英に関する情報も記載されている。
　図１７の表Ｈに示すように、耐熱温度については、ＰＥＥＫと、ＰＦＡと、ＰＴＦＥとが略同じである。従って、耐熱温度については、各種気体供給管（ＰＥＥＫ製の気体供給管１３１、ＰＦＡ製の気体供給管１３１、及びＰＴＦＥ製の気体供給管１３１）の間では差が生じない。
　表Ｈに示すように、線膨張係数については、各種樹脂材料（ＰＥＥＫ、ＰＦＡ、及びＰＴＦＥ）の間では、ＰＥＥＫが最も低い。従って、各種気体供給管の間では、ＰＥＥＫ製の気体供給管１３１が、最も熱膨張しにくいので、内槽１１２内において熱膨張による位置ズレが最も生じにくい点で有利である。
　表Ｈに示すように、硬さについては、各種樹脂材料の間では、ＰＥＥＫが最も硬い。従って、各種気体供給管の間では、ＰＥＥＫ製の気体供給管１３１が、外部から圧力を加えられても最も変形しにくい点で有利である。
　表Ｈに示すように、熱変形温度については、各種樹脂材料の間では、ＰＥＥＫが最も高い。従って、各種気体供給管の間では、ＰＥＥＫ製の気体供給管１３１が、最も熱変形しにくい点で有利である。
　なお、表Ｈには、ＰＥＥＫが、１．８ＭＰａの圧力を加えられた状態で、１５２℃まで加熱されることで熱変形する情報が記載されている。しかし、基板処理装置１００による基板Ｗの処理が行われる際、１６０℃程度の処理液Ｌが用いられるが、気体供給管１３１に対して１．８ＭＰａのような高い圧力が加えられることは通常はない。その結果、基板処理装置１００による基板Ｗの処理が行われる際、１６０℃程度の処理液Ｌが用いられても、ＰＥＥＫ製の気体供給管１３１が熱変形することが抑制される。
　また、本願発明者は、気体供給管１３１の表面の濡れ性（接触角）によって、気泡放出口Ｍから吐出される気泡ＫＡの泡切れが影響を受けることを発見した。具体的には、本願発明者は、気体供給管１３１の表面の濡れ性が小さくなるほど（接触角が大きくなるほど）、気泡ＫＡの泡切れがよくなり、気泡放出口Ｍから小さい気泡ＫＡを放出できることを発見した。また、本願発明者は、各種気体供給管のうちで、ＰＥＥＫ製の気体供給管１３１の表面の濡れ性が最も小さいので、ＰＥＥＫ製の気体供給管１３１の気泡放出口Ｍから小さい気泡ＫＡを効果的に放出できることを発見した。
　本願発明者は、上記した線膨張係数の観点、硬さの観点、熱変形温度の観点、及び濡れ性の観点を総合的に判断して、各種気体供給管のうちで、ＰＥＥＫ製の気体供給管１３１を用いることが最も有利であることを確認した。その結果、基板処理装置１００において、ＰＥＥＫ製の気体供給管１３１が用いられる。
　以上のように、基板処理装置１００において、ＰＥＥＫ製の気体供給管１３１が用いられることで、処理液Ｌに対する気体供給管１３１の耐久性を向上させることができ、気体供給管１３１の交換寿命を延ばすことができる。
　本発明は、基板処理装置、及び基板処理方法の分野に利用可能である。
１００　基板処理装置
１１２　内槽（貯留部）
１３０　気泡供給部
１６０　循環部（液流生成部）
ＫＡ　　気泡
Ｌ　　　処理液
Ｌ１　　貯留処理液
Ｒ１　　第１液流（液流）
Ｒ２　　第２液流（液流）
Ｒ３　　第３液流（液流）
Ｒ４　　第４液流（液流）
Ｗ　　　基板

Claims (13)

  1. 　貯留部に貯留される処理液である貯留処理液に基板を浸漬して前記基板の処理を行う基板処理装置であって、
    　前記貯留処理液に気泡を供給する気泡供給部と、
    　前記気泡供給部に対して前記貯留処理液の液流を生成する液流生成部と
    　を備える、基板処理装置。
  2. 　前記気泡供給部は、気体が流れる第１管部を有し、
    　前記第１管部には、前記貯留処理液内に配置される気泡放出口が形成され、
    　前記気泡放出口は、前記貯留処理液内に前記気体の気泡を放出し、
    　前記液流生成部は、前記気泡放出口の周辺に前記液流を生成する、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記第１管部のうち前記気泡放出口が形成される部分には、疎水処理が施される、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 　前記液流生成部は、前記処理液が流れる第２管部を有し、
    　前記第２管部には、前記貯留処理液内に配置される処理液放出口が形成され、
    　前記処理液放出口は、前記貯留処理液内に前記第２管部を流れる前記処理液を放出することで前記液流を生成する、請求項２又は請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 　前記処理液放出口は、上方から見て前記気泡放出口の側方に配置される、請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 　前記処理液放出口は、前記気泡放出口の下方に配置される、請求項４に記載の基板処理装置。
  7. 　前記気泡放出口は、横向きに開口する、請求項２から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  8. 　前記第１管部は、
    　前記第１管部の内部に対向する内面と、
    　前記第１管部の外部に対向する外面と
    　を有し、
    　前記気泡放出口は、
    　前記外面に形成される外側開口と、
    　前記内面に形成され、前記外側開口に連通する内側開口と
    　を有し、
    　前記外側開口の開口面積の方が、前記内側開口の開口面積よりも小さい、請求項２から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  9. 　貯留部に貯留される処理液である貯留処理液に基板を浸漬して前記基板の処理を行う基板処理装置であって、
    　前記貯留処理液に気泡を供給する気泡供給部と、
    　前記貯留部に対して前記気泡供給部を移動させる移動部と
    　を備える、基板処理装置。
  10. 　前記気泡供給部は、気体が流れる第１管部を有し、
    　前記第１管部には、前記貯留処理液内に配置される気泡放出口が形成され、
    　前記気泡放出口は、前記貯留処理液内に前記気体の気泡を放出し、
    　前記移動部は、前記貯留部に対して前記第１管部を移動させる、請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 　前記移動部は、前記第１管部を振動させる、請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 　前記気泡供給部は、ポリエーテルエーテルケトンを含む、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  13. 　貯留部に貯留される処理液である貯留処理液に基板を浸漬して前記基板の処理を行う基板処理方法であって、
    　管部に形成される気泡放出口を前記貯留処理液内に配置する工程と、
    　前記管部に気体を流す工程と、
    　前記気体のうち前記気泡放出口から前記貯留処理液内に隆起する隆起部分を、前記管部の内部に存在する前記気体からせん断するためのせん断力を付与する工程と
    　を備える、基板処理方法。
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