WO2020162436A1 - センサ装置 - Google Patents

センサ装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2020162436A1
WO2020162436A1 PCT/JP2020/004060 JP2020004060W WO2020162436A1 WO 2020162436 A1 WO2020162436 A1 WO 2020162436A1 JP 2020004060 W JP2020004060 W JP 2020004060W WO 2020162436 A1 WO2020162436 A1 WO 2020162436A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
sensor element
support
electrode
sensor device
Prior art date
Application number
PCT/JP2020/004060
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
耕一郎 中島
崇 内田
祐介 中村
英喜 上田
成人 野田
稔二 小西
稔夫 山崎
Original Assignee
パナソニックＩｐマネジメント株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by パナソニックＩｐマネジメント株式会社 filed Critical パナソニックＩｐマネジメント株式会社
Priority to US17/415,340 priority Critical patent/US11885621B2/en
Priority to JP2020571205A priority patent/JPWO2020162436A1/ja
Priority to EP20752631.0A priority patent/EP3922956A4/en
Publication of WO2020162436A1 publication Critical patent/WO2020162436A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5783—Mountings or housings not specific to any of the devices covered by groups G01C19/5607 - G01C19/5719
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0074—3D packaging, i.e. encapsulation containing one or several MEMS devices arranged in planes non-parallel to the mounting board
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0045—Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure
    • B81B7/0048—Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure between the MEMS die and the substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/007—Interconnections between the MEMS and external electrical signals
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/567—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using the phase shift of a vibration node or antinode
    • G01C19/5677—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using the phase shift of a vibration node or antinode of essentially two-dimensional vibrators, e.g. ring-shaped vibrators
    • G01C19/5684—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using the phase shift of a vibration node or antinode of essentially two-dimensional vibrators, e.g. ring-shaped vibrators the devices involving a micromechanical structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B81B2201/0242—Gyroscopes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/01—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS
    • B81B2207/012—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS the micromechanical device and the control or processing electronics being separate parts in the same package
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/07—Interconnects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D11/00—Component parts of measuring arrangements not specially adapted for a specific variable
    • G01D11/30—Supports specially adapted for an instrument; Supports specially adapted for a set of instruments
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P1/00—Details of instruments
    • G01P1/02—Housings
    • G01P1/023—Housings for acceleration measuring devices

Definitions

  • the present disclosure relates generally to a sensor device, and more specifically to a sensor device including a sensor element and a substrate that supports the sensor element.
  • Patent Document 1 describes a sensor device (gyro module) including a sensor element (gyro sensor), a substrate, and a support member (support) that adheres the sensor element and the substrate to each other.
  • a sensor device including a sensor element (gyro sensor), a substrate, and a support member (support) that adheres the sensor element and the substrate to each other.
  • this sensor device there is a gap between the substrate and the sensor element around the support member.
  • a terminal (external terminal) provided on the outer bottom surface that is the +Z side surface of the sensor element is a terminal (relay terminal) provided on the bonding surface that is the +Z side surface of the substrate. ) With a bonding wire.
  • the bonding wires connect the upper surfaces (outer bottom surface and adhesive surface) of the substrate and the sensor element facing the same direction (+Z side). Therefore, the bonding wire projects from the upper surface (outer bottom surface) of the sensor element, and the height dimension of the sensor device is likely to increase by the amount of the bonding wire.
  • the present disclosure has been made in view of the above reasons, and an object of the present disclosure is to provide a sensor device that can easily improve the degree of freedom in shape or size.
  • a sensor device includes a sensor element, a substrate, and a bonding wire.
  • the sensor element is mounted on the substrate.
  • the bonding wire constitutes at least a part of a connection path that electrically connects the sensor element and the substrate.
  • the bonding wire is provided so as to connect between two connecting surfaces that intersect each other.
  • FIG. 1A is a perspective view showing a configuration of the sensor device according to the first embodiment, with a case removed.
  • FIG. 1B is an enlarged view of the area Z1 in FIG. 1A.
  • FIG. 1C is an enlarged view of the area Z2 in FIG. 1A.
  • FIG. 2 is a perspective view showing the configuration of the above-mentioned sensor device.
  • FIG. 3 is an exploded perspective view of the above sensor device with the case removed.
  • 4A is a plan view of the above-mentioned sensor device
  • FIG. 4B is a side view of the above-mentioned sensor device
  • FIG. 4C is an enlarged view of a region Z1 of FIG. 4B.
  • FIG. 5 is a schematic sectional drawing which shows the structure of the principal part of a sensor device same as the above.
  • 6A and 6B are conceptual diagrams for explaining the operating principle of the sensor element of the above-mentioned sensor device.
  • FIG. 7 is a schematic view of a support member in the above sensor device as viewed from the support surface side.
  • FIG. 8A is a schematic cross-sectional view showing a first aspect of an electrode of a support member in the same sensor device
  • FIG. 8B is a schematic cross-sectional view showing a second aspect of an electrode of a support member in the same sensor device.
  • FIG. 9A is a schematic cross-sectional view showing an element electrode of a sensor element in the above sensor device, and FIG.
  • FIG. 9B is a schematic cross-sectional view showing an element electrode of the sensor element after the heating step in the above sensor device.
  • FIG. 9C is a schematic cross-sectional view showing the element electrode of the sensor element after the heating step in the comparative example.
  • FIG. 10 is a perspective view showing the configuration of the sensor device according to the first modification of the first embodiment, with the case removed.
  • FIG. 11A is a partially cutaway side view of the sensor device according to the second embodiment.
  • 11B is an enlarged perspective view corresponding to the area Z1 in FIG. 11A.
  • FIG. 11C is an enlarged perspective view corresponding to the area Z2 in FIG. 11A.
  • FIG. 12 is a partially cutaway side view of a sensor device according to a modification of the second embodiment.
  • FIG. 13 is a perspective view showing the configuration of the sensor device according to the third embodiment, with the case removed.
  • FIG. 14 is a perspective view which shows the structure of a sensor device same as the above.
  • FIG. 15 is an exploded perspective view of the above sensor device with the case removed.
  • 16A is a plan view of the above sensor device
  • FIG. 16B is a side view of the above sensor device
  • FIG. 16C is an enlarged view of a region Z1X of FIG. 16B.
  • FIG. 17 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the main part of the above sensor device.
  • 18A and 18B are conceptual diagrams for explaining the operation principle of the sensor element of the above-mentioned sensor device.
  • FIG. 19 is a schematic view of a supporting member in the above sensor device as viewed from the supporting surface side.
  • FIG. 20A is a schematic cross-sectional view showing a first aspect of an electrode of a support member in the same sensor device
  • FIG. 20B is a schematic cross-sectional view showing a second aspect of an electrode of a support member in the same sensor device.
  • FIG. 21 is a partially broken side view of the sensor device according to the first modification of the third embodiment.
  • FIG. 22 is a disassembled perspective view showing the configuration of the sensor device according to the fourth embodiment, with the case removed.
  • FIG. 23 is a partially cutaway side view of the sensor device according to the first reference example.
  • FIG. 24 is a partially cutaway side view of the sensor device according to the first reference example.
  • FIG. 25A is a perspective view showing a sensor device according to the fifth embodiment.
  • FIG. 25B is a partial perspective view showing the sensor device according to the fifth embodiment.
  • FIG. 26A is a partial plan view showing the sensor device of the above.
  • FIG. 26B is a sectional view taken along the line AA in FIG. 26A.
  • FIG. 27 is a partial plan view showing the sensor device of the above.
  • FIG. 28A is a partial cross-sectional view showing the sensor device of the above.
  • FIG. 28B is a partial cross-sectional view showing the sensor device of the above.
  • FIG. 29 is a partial plan view showing the sensor device of the above.
  • FIG. 30A is a conceptual diagram showing a sensor element.
  • FIG. 30B is a conceptual diagram showing a sensor element.
  • the sensor device 1 includes a sensor element 2 and a substrate 3 supporting the sensor element 2, as shown in FIGS. 1A to 1C.
  • 1B is an enlarged view of the area Z1 of FIG. 1A
  • FIG. 1C is an enlarged view of the area Z2 of FIG. 1A.
  • the sensor device 1 uses the sensor element 2 to convert physical quantities such as angular velocity, acceleration, angular acceleration, velocity, pressure, weight, length (distance) and temperature into electrical signals. That is, the sensor element 2 functions as a transducer that converts a physical quantity into an electric signal.
  • the sensor device 1 of this type is, for example, various devices such as home electric appliances, mobile terminals, cameras, wearable terminals, game machines, vehicles (including automobiles and motorcycles), drones, moving bodies such as aircrafts or ships, etc. Used for.
  • the sensor device 1 further includes a bonding wire 6 in addition to the sensor element 2 and the substrate 3, as shown in FIGS. 1A to 1C. That is, the sensor device 1 includes the sensor element 2, the substrate 3, and the bonding wire 6.
  • the sensor element 2 is mounted on the substrate 3.
  • the bonding wire 6 constitutes at least a part of the connection path 60 that electrically connects the sensor element 2 and the substrate 3.
  • the bonding wire 6 is provided so as to connect two connecting surfaces (the mounting surface 31 and the supporting surface 41) intersecting each other.
  • connection path 60 for electrically connecting the sensor element 2 and the substrate 3 is between two connection surfaces (mounting surface 31 and support surface 41) intersecting each other. It is realized by the bonding wire 6 for connecting. Therefore, as compared with the case where the two connection surfaces oriented in the same direction are connected by the bonding wire 6, for example, the height of the sensor device 1 is increased due to the bonding wire 6 protruding from the connection surface. Can be suppressed. As a result, the sensor device 1 according to the present embodiment has an advantage that it is easy to improve the degree of freedom in shape or size.
  • the sensor element 2 is operated as compared with the case where two connecting surfaces intersecting each other are connected by a wiring member such as a lead frame or a flexible flat cable (FFC: Flexible Flat Cable). It is easy to suppress the stress that occurs. That is, in the sensor device 1 according to the present embodiment, since the wiring member that connects between the two connecting surfaces that intersect with each other is the bonding wire 6, there is a stress between the two connecting surfaces via the wiring member (bonding wire 6). Is difficult to convey. As a result, for example, the stress acting on the sensor element 2 from the substrate 3 or the like is easily suppressed, and the influence of the stress on the detection result of the sensor element 2 is unlikely to occur.
  • a wiring member such as a lead frame or a flexible flat cable (FFC: Flexible Flat Cable
  • the two connecting surfaces that intersect each other are directly connected by the bonding wire 6, so that a wiring member other than the bonding wire 6 is used to connect the two connecting surfaces. It is unnecessary, and it is possible to reduce the number of joints of the connection path 60.
  • the sensor device 1 is a gyro sensor (angular velocity sensor) that detects “angular velocity”.
  • the sensor device 1 according to the present embodiment is suitable when relatively high-accuracy detection (measurement) of the angular velocity is required as in the automatic vehicle driving technique.
  • the sensor device 1 according to the present embodiment can be adopted even when highly accurate detection (measurement) of the angular velocity is not required.
  • Y axis an axis along the normal line L1 of the support surface 41
  • Z axis The axis along the line.
  • the "X" axis is orthogonal to both the Y and Z axes.
  • the X-axis, the Y-axis, and the Z-axis are all virtual axes, and the arrows indicating “X”, “Y”, and “Z” in the drawings are shown only for the sake of explanation. , None of them are substantive. Further, these directions are not intended to limit the directions when the sensor device 1 is used.
  • the sensor device 1 uses the Y axis as the detection axis and the angular velocity around the Y axis as the detection target. Since the Y-axis is an axis along the normal L1 of the support surface 41, as a result, the sensor device 1 is attached to the sensor device 1 as the sensor device 1 rotates around the normal L1 of the support surface 41. The acting angular velocity is detected as a detection target. That is, the sensor element 2 outputs an electric signal according to the angular velocity around the normal line L1 (Y axis) of the support surface 41. Therefore, according to the output of the sensor device 1, it is possible to measure the magnitude of the angular velocity around the normal line L1 (Y axis) of the support surface 41.
  • the “bonding wire” as referred to in the present disclosure is a wiring material for electrically connecting two electrodes to each other, and includes various kinds of wiring materials having different materials and/or wire diameters.
  • the bonding wire is classified into a gold bonding wire, a gold alloy bonding wire, a copper bonding wire, an aluminum bonding wire, an aluminum-silicon bonding wire, a silver alloy bonding wire, etc., depending on the material.
  • the sensor device 1 according to the present embodiment includes the sensor element 2, the substrate 3, and the bonding wire 6, as described above.
  • the sensor device 1 includes at least one bonding wire 6.
  • a plurality of bonding wires 6 (18 in FIG. 1A) are provided. That is, the sensor device 1 according to the present embodiment includes a plurality of bonding wires 6.
  • the sensor device 1 further includes a support member 4, a connecting member 5, and a case 7 in addition to the sensor element 2, the substrate 3, and the bonding wire 6, as shown in FIGS. 1A to 4C.
  • the sensor device 1 includes the sensor element 2, the substrate 3, the support member 4, the connecting member 5, the bonding wire 6, and the case 7.
  • the illustration of the case 7 is omitted.
  • the sensor device 1 has a surface (mounting surface 32) opposite to the mounting surface 31 of the substrate 3 in a used state such as a printed wiring board. It is assumed that the mounting substrate 10 is flip-chip mounted in the posture toward the mounting substrate 10.
  • the mounting substrate 10 on which the sensor device 1 is mounted is a rigid substrate, but the mounting substrate 10 is not limited to this example and may be, for example, a flexible substrate or the like.
  • the sensor element 2 is an element that outputs an electric signal according to a physical quantity that is a detection target.
  • the detection target is the angular velocity around the Y axis (normal line L1 of the support surface 41), so the sensor element 2 outputs an electric signal according to the angular velocity around the Y axis.
  • the sensor element 2 is, for example, a vibration type gyro sensor, and detects the angular velocity around the Y axis by using the Coriolis force (turning force). That is, the sensor element 2 detects the angular velocity acting on the sensor element 2 by detecting the Coriolis force generated by the action of the rotational force from the outside while vibrating the movable portion 21 (see FIG. 6A). ..
  • the sensor element 2 includes a bare chip using a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) technology, that is, a so-called MEMS chip.
  • the sensor element 2 further includes, for example, a package such as a ceramic package, and the bare chip is housed in the package.
  • the sensor element 2 includes a movable portion 21 in a bare chip, and by vibrating the movable portion 21, the angular velocity can be detected.
  • the configuration of the sensor element 2 will be described in detail in the section “(2.4) Configuration of sensor element”.
  • the substrate 3 is formed in a flat plate shape and has a thickness in the Z-axis direction, as shown in FIG.
  • the substrate 3 has a mounting surface 31 and a mounting surface 32 on both sides in the thickness direction. That is, one surface in the thickness direction of the substrate 3 functions as a mounting surface 31 on which the sensor element 2 is mounted via the connecting member 5 and the supporting member 4.
  • the surface of the substrate 3 opposite to the mounting surface 31 in the thickness direction functions as a mounting surface 32 that faces the mounting substrate 10 with the sensor device 1 mounted on the mounting substrate 10.
  • the substrate 3 has a substantially square shape in plan view.
  • the substrate 3 is, for example, a ceramic substrate and has electrical insulation.
  • the substrate 3 has ribs 33 protruding from the mounting surface 31.
  • the rib 33 is formed along the outer peripheral edge of the mounting surface 31 so as to surround the central portion of the mounting surface 31 over the entire circumference.
  • the flange portion 72 (see FIG. 2) of the case 7 is joined to the tip end surface of the rib 33, so that the case 7 is joined to the substrate 3.
  • a space for accommodating the sensor element 2 and the like is formed between the case 7 and a region inside the rib 33 of the mounting surface 31.
  • the board 3 has a metal area 311 on the mounting surface 31.
  • the metal region 311 is made of, for example, a metal layer having a configuration in which a Ni plating layer and an Au plating layer are stacked in this order on a base electrode made of aluminum (Al) or the like.
  • the metal region 311 is formed in the vicinity of the central portion of the mounting surface 31 excluding the outer peripheral portion.
  • the metal region 311 has a substantially rectangular shape in a plan view.
  • the support member 4 is mounted on the metal region 311 of the mounting surface 31 via the connecting member 5.
  • the substrate 3 has a substrate side electrode 601 (see FIG. 1B), a back surface electrode 35 (see FIG. 5), and a via 36 (see FIG. 5).
  • the substrate side electrode 601, the back surface electrode 35, and the via 36 are made of a conductive material.
  • the substrate-side electrode 601 is an electrode for electrically connecting the bonding wire 6 and is formed on the mounting surface 31. That is, the substrate 3 has the substrate-side electrode 601 on the mounting surface 31 to which one end of the bonding wire 6 is connected.
  • the back surface electrode 35 is an electrode for electrically connecting the mounting substrate 10 and is formed on the mounting surface 32.
  • the via 36 electrically connects the substrate side electrode 601 and the back surface electrode 35.
  • the via 36 is a through-hole via that penetrates the substrate 3 between both surfaces (mounting surface 31 and mounting surface 32) in the thickness direction.
  • the support member 4 is formed in a flat plate shape and has a thickness in the Y-axis direction.
  • the support member 4 has a support surface 41 and a mounting surface 42 on both sides in the thickness direction. That is, one surface in the thickness direction of the support member 4 functions as the support surface 41 on which the sensor element 2 is mounted.
  • the surface of the support member 4 on the side opposite to the support surface 41 in the thickness direction functions as a mounting surface 42 that faces the connecting member 5.
  • the support member 4 has a substantially square shape in plan view.
  • the support member 4 is an ASIC (application specific integrated circuit). That is, the support member 4 has a structure in which a semiconductor chip is built in a package such as an electrically insulating resin package. Therefore, in this embodiment, the sensor element 2 is mounted on one surface (support surface 41) of the ASIC package as the support member 4.
  • the semiconductor chip functions as a processing circuit 43 (see FIG. 4A) described later.
  • the support member 4 has an electrode 81 (see FIG. 8A) and a support side electrode 602 (see FIG. 1C).
  • the electrode 81 is an electrode for electrically connecting the sensor element 2 and is formed on the support surface 41.
  • the support-side electrode 602 is an electrode for electrically connecting the bonding wire 6 and is formed on the support surface 41. That is, the support member 4 has the support-side electrode 602 on the support surface 41 to which one end of the bonding wire 6 is connected.
  • the electrode 81 and the support-side electrode 602 are provided on the same surface (support surface 41) of the support member 4.
  • the sensor element 2 mounted on the support surface 41 is electrically connected to the support member 4 (processing circuit 43).
  • the supporting member 4 (processing circuit 43) is electrically connected to the substrate 3 (substrate-side electrode 601) via the bonding wire 6.
  • the sensor element 2 is fixed to the support surface 41 of the support member 4.
  • “Fixed” in the present disclosure means being in a fixed state and in a stationary state by various means. That is, the sensor element 2 is in a state of not moving with respect to the support surface 41 of the support member 4.
  • an appropriate means such as adhesion, adhesion, brazing, welding or pressure bonding can be adopted.
  • the fixing means of the support member 4 (support surface 41) and the sensor element 2 is adhesion with a silicone adhesive.
  • the support member 4 is formed to be slightly larger than the sensor element 2, and the sensor element 2 is fixed to the central portion of the support surface 41.
  • connection members 44 which are bumps made of metal such as gold (Au) or copper (Cu), are provided between the support member 4 and the sensor element 2.
  • connection members 44 are bumps made of metal such as gold (Au) or copper (Cu).
  • Au gold
  • Cu copper
  • solder (AuSn solder) bumps made of AuSn alloy are used as the connecting members 44. Accordingly, even if the silicone-based adhesive is deformed, the sensor element 2 is supported by the one or more connecting members 44, so that the inclination of the sensor element 2 with respect to the support member 4 (support surface 41) is suppressed. .. Further, it is more preferable that the plurality of connecting members 44 are arranged on the support surface 41 in a circular ring shape on the central axis passing through the center of the sensor element 2 and around the central axis.
  • the connecting member 5 is formed in a rectangular parallelepiped shape as shown in FIG.
  • the connecting member 5 has a dimension (height) in the Z-axis direction larger than both the dimension (width) in the X-axis direction and the dimension (depth) in the Y-axis direction, that is, a vertically long rectangular parallelepiped shape. is there.
  • the connecting member 5 is made of resin, for example, and has electrical insulation.
  • the connecting member 5 is made of LCP (Liquid Crystal Polymer) resin.
  • connection member 5 is a member that is mounted on the mounting surface 31 of the substrate 3 and connects the substrate 3 and the support member 4.
  • the support member 4 on which the sensor element 2 is mounted (mounted) is fixed to the substrate 3 (mounting surface 31) by the connecting member 5. Therefore, the relative positional relationship between the substrate 3 and the supporting member 4 is defined by the connecting member 5.
  • the positional relationship between the substrate 3 and the support member 4 is defined such that the normal L1 (see FIG. 1A) of the support surface 41 of the support member 4 is along the mounting surface 31. ..
  • the term “along” as used in the present disclosure means that the two parties are substantially parallel to each other, that is, the two parties are exactly parallel to each other, and the angle between the two parties is within a range of several degrees (for example, less than 10 degrees). It means that there is. That is, the normal L1 of the support surface 41 is substantially parallel to the mounting surface 31 of the substrate 3 (strictly parallel, or the angle between them is within a few degrees). In the present embodiment, as an example, the normal line L1 of the support surface 41 is in a state of being strictly parallel to the mounting surface 31 of the substrate 3.
  • the connecting member 5 has a first surface 51 and a second surface 52, as shown in FIG.
  • the first surface 51 is fixed to the mounting surface 31 of the substrate 3.
  • the second surface 52 intersects with the first surface 51.
  • the support member 4 is fixed to the second surface 52. That is, the first surface 51 of the connecting member 5 is in a state of not moving with respect to the mounting surface 31 of the substrate 3.
  • the mounting surface 31 has the metal region 311 formed therein, and the connecting member 5 is fixed onto the metal region 311 of the mounting surface 31.
  • the second surface 52 of the connecting member 5 is kept stationary with respect to the mounting surface 42 of the support member 4.
  • the fixing means of the substrate 3 and the connecting member 5 (first surface 51) is adhesion with the adhesive layer 511 (see FIG. 1A).
  • the means for fixing the connecting member 5 (second surface 52) to the support member 4 (mounting surface 42) appropriate means such as adhesion, adhesion, brazing, welding or pressure bonding can be adopted.
  • the fixing means of the supporting member 4 and the connecting member 5 (second surface 52) is an adhesive layer 521 (see FIG. 1A).
  • the first surface 51 is one surface of the connecting member 5 in the Z-axis direction
  • the second surface 52 is one surface of the connecting member 5 in the Y-axis direction. Since the connecting member 5 has a rectangular parallelepiped shape as a whole, the first surface 51 and the second surface 52 are substantially orthogonal to each other and are adjacent to each other.
  • substantially orthogonal means that the two are substantially orthogonal, that is, the two are exactly orthogonal (cross at 90 degrees), and in addition to the angle between the two being 90 degrees to several degrees ( For example, it is within a range of less than 10 degrees).
  • the first surface 51 is strictly orthogonal to the second surface 52.
  • the connecting member 5 having the above-described shape is fixed to the substrate 3 (mounting surface 31) at the first surface 51 and fixed to the support member 4 (mounting surface 42) at the second surface 52.
  • the substrate 3 and the support member 4 are connected.
  • the sensor element 2 mounted on the support member 4 is indirectly supported by the substrate 3 via the support member 4 and the connecting member 5.
  • the normal line L1 of the support surface 41 of the support member 4 is along the mounting surface 31 (parallel in this embodiment).
  • the substrate 3 and the supporting member 4 are connected by the connecting member 5.
  • the Young's modulus of the adhesive layer 511 (also referred to as “first adhesive layer 511”) that joins the connecting member 5 and the substrate 3 is the adhesive layer 521 (“the second adhesive layer” that joins the connecting member 5 and the support member 4). It is also larger than the Young's modulus of the adhesive layer 521 ).
  • the “Young's modulus” referred to in the present disclosure is a proportional coefficient representing a proportional relationship between stress and strain in the elastic range where Hooke's law is satisfied, and is also referred to as “longitudinal elastic coefficient”. The higher the Young's modulus, the higher the rigidity of the object, and the higher the “elastic modulus”, which represents the difficulty of deforming the object (that is, the more difficult the object is to deform).
  • the sensor device 1 includes the connecting member 5 that connects the supporting member 4 and the substrate 3.
  • the support member 4 is indirectly mounted on the substrate 3 via the connecting member 5.
  • the Young's modulus of the first adhesive layer 511 which is the fixing means between the connecting member 5 and the substrate 3 is greater than the Young's modulus of the second adhesive layer 521 which is the fixing means between the connecting member 5 and the supporting member 4. Is also big.
  • the first adhesive layer 511 between the connecting member 5 and the substrate 3 has higher rigidity and is less likely to be deformed than the second adhesive layer 521 between the connecting member 5 and the supporting member 4.
  • the second adhesive layer 521 between the connecting member 5 and the support member 4 has lower rigidity and is more likely to be deformed than the first adhesive layer 511 between the connecting member 5 and the substrate 3.
  • the connecting member 5 is firmly fixed to the substrate 3, and the stress is transmitted from the connecting member 5 to the supporting member 4. It becomes difficult to be done.
  • the connecting member 5 is unlikely to tilt with respect to the substrate 3. ..
  • the connecting member 5 further includes a spacer 53 (see FIG. 3) protruding from the surface (second surface 52) facing the supporting member 4 toward the supporting member 4.
  • the connecting member 5 has a plurality of (four as an example) spacers 53.
  • Each spacer 53 is, for example, formed in a dome shape (hemispherical shape).
  • the plurality of (four) spacers 53 are arranged in the second surface 52, for example, at positions facing four corners of the mounting surface 42 of the support member 4.
  • each spacer 53 that is, the protruding amount of each spacer 53 from the second surface 52 is, for example, 0.05 mm or more and 0.2 mm or less. In the present embodiment, as an example, the height of each spacer 53 is 0.15 mm. As a result, a space (gap) of 0.15 mm is secured between the second surface 52 of the connecting member 5 and the mounting surface 42 of the supporting member 4.
  • the connecting member 5 is formed to be larger than the supporting member 4 in the Z-axis direction (thickness direction of the substrate 3 ). That is, the second surface 52 of the connecting member 5 has a larger dimension in the Z-axis direction than the mounting surface 42 of the support member 4. Then, the support member 4 is arranged close to the edge of the second surface 52 on the side opposite to the substrate 3. Therefore, a gap G1 is secured between the support member 4 and the mounting surface 31 of the substrate 3. That is, the supporting member 4 is only indirectly fixed to the substrate 3 via the connecting member 5, and does not directly contact the substrate 3.
  • the bonding wire 6 constitutes at least a part of the connection path 60 that electrically connects the sensor element 2 and the substrate 3. Particularly in this embodiment, the bonding wire 6 electrically connects the support member 4 and the substrate 3. That is, in the present embodiment, the electrical connection between the support member 4 (support side electrode 602) made of ASIC and the substrate 3 (substrate side electrode 601) is realized by the bonding wire 6. Specifically, one end of the bonding wire 6 is connected to the substrate-side electrode 601 of the substrate 3, and the other end of the bonding wire 6 is connected to the support-side electrode 602 of the support member 4, so that the bonding wire 6 is , The substrate 3 and the supporting member 4 are electrically connected.
  • the bonding wire 6 is joined to the substrate side electrode 601 and the support side electrode 602 by wedge bonding or ball bonding.
  • wedge bonding is used to bond the bonding wire 6 to the electrode (the substrate-side electrode 601 or the support-side electrode 602) by applying energy such as ultrasonic waves or heat to the bonding site.
  • the connection path 60 that electrically connects the sensor element 2 and the substrate 3 includes the bonding wire 6, the substrate-side electrode 601, and the support-side electrode 602. That is, the substrate-side electrode 601 of the substrate 3 is connected to the supporting-side electrode 602 of the supporting member 4 via the bonding wire 6, and the supporting-side electrode 602 is connected to the internal circuit (processing circuit 43) of the supporting member 4 including the ASIC. Connected. Furthermore, the internal circuit (processing circuit 43) of the support member 4 made of ASIC is connected to the sensor element 2 via the connection member 44 made of bumps. Therefore, the connection path 60 includes, in addition to the bonding wire 6, the substrate-side electrode 601, and the support-side electrode 602, the internal circuit (processing circuit 43) of the support member 4 made of ASIC and the connection member 44.
  • the bonding wire 6 is a part of the connection path 60 that electrically connects the sensor element 2 and the substrate 3, and the support member 4 (support side electrode 602) and the substrate 3 (support side electrode 602). A path to the substrate-side electrode 601) is formed.
  • the bonding wire 6 is provided on one surface of each of the substrate 3 and the support member 4 so as to connect two connecting surfaces that intersect each other. Specifically, the bonding wire 6 connects between the mounting surface 31 that is the connection surface of the substrate 3 and the support surface 41 that is the connection surface of the support member 4.
  • the sensor device 1 includes the support member 4 mounted on the substrate 3 with the sensor element 2 mounted thereon.
  • the sensor element 2 is electrically connected to the substrate 3 via the support member 4.
  • one of the two connecting surfaces intersecting with each other is one surface of the supporting member 4.
  • the substrate 3 has the mounting surface 31 on which the support member 4 is mounted.
  • the support member 4 has a support surface 41 on which the sensor element 2 is mounted.
  • the normal line L1 of the support surface 41 is along the mounting surface 31 (parallel in this embodiment). In other words, the support surface 41 and the mounting surface 31 intersect with each other (orthogonally in this embodiment).
  • one of the two connecting surfaces (one connecting surface) intersecting with each other is the supporting surface 41 as one surface of the supporting member 4. Further, one of the two connecting surfaces (the other connecting surface) intersecting with each other is one surface of the substrate 3 (here, the mounting surface 31).
  • the two connecting surfaces, which are connected by the bonding wires 6 and intersect each other are the mounting surface 31 which is one surface of the substrate 3 and the supporting surface 41 which is one surface of the supporting member 4.
  • both ends of the bonding wire 6 are connected to a substrate-side electrode 601 provided on the mounting surface 31 of the substrate 3 and a supporting-side electrode 602 provided on the supporting surface 41 of the supporting member 4, respectively.
  • the substrate 3 has the substrate-side electrode 601 to which one end of the bonding wire 6 is connected on the mounting surface 31 as a connection surface
  • the support member 4 is the support side to which one end of the bonding wire 6 is connected.
  • the electrode 602 is provided on the support surface 41 as a connection surface.
  • the two connection surfaces (mounting surface 31 and support surface 41) provided with the substrate-side electrode 601 and the support-side electrode 602 intersect each other.
  • the two connection surfaces (the mounting surface 31 and the support surface 41) are substantially orthogonal to each other (strictly as an example).
  • the two connecting surfaces (mounting surface 31 and supporting surface 41) intersecting with each other are directly connected by the bonding wire 6. Therefore, stress is generated between the two connecting surfaces (mounting surface 31 and supporting surface 41) that intersect with each other, as compared with the case where the connecting members are connected by a wiring member such as a lead frame or a flexible flat cable. It is hard to convey. That is, in the sensor device 1 according to the present embodiment, the wiring member that connects the two connection surfaces that intersect each other is the bonding wire 6, so that the stress from one connection surface is relieved by the bonding wire 6 and the other. Is less likely to be transmitted to the connection surface of.
  • a wiring member other than the bonding wire 6 is not required to connect the two connection surfaces (the mounting surface 31 and the support surface 41), and the seam of the connection path 60 can be suppressed to be small. .. That is, for example, in a configuration in which two connecting surfaces intersecting with each other are connected to a lead frame through bonding wires respectively, and the two connecting surfaces are connected by a pair of bonding wires and a lead frame, wiring other than the bonding wires is formed. Parts are required.
  • the two connection surfaces are directly connected by the bonding wire 6, no wiring member other than the bonding wire 6 is required, and the joint of the connection path 60 can be suppressed to be small.
  • the support-side electrode 602 is located on the support surface 41 on the substrate 3 side when viewed from the sensor element 2.
  • the support-side electrode 602 is located between the edge of the support surface 41 on the substrate 3 side (the lower edge of FIG. 4B) and the sensor element 2.
  • one end of the bonding wire 6 is connected to the area of the support surface 41 on the substrate 3 side when viewed from the sensor element 2. Therefore, the length of the bonding wire 6 can be kept relatively short.
  • the gap G1 exists between the support member 4 and the mounting surface 31 of the substrate 3.
  • the gap G1 secures the distance between the supporting-side electrode 602 and the substrate 3 and prevents the bonding wire 6 from interfering with the substrate 3. Easy to avoid.
  • the sensor device 1 includes a plurality of (18 in FIG. 1A) bonding wires 6 as described above.
  • a plurality of electrodes for connecting a plurality of bonding wires 6 are provided on each of the two connection surfaces.
  • the plurality of electrodes are arranged along a straight line parallel to both of the two connection surfaces.
  • the two connection surfaces connected by the plurality of bonding wires 6 are the mounting surface 31 and the support surface 41 as described above. Therefore, as shown in FIG. 1A, a plurality of electrodes (substrate side electrode 601 or support side electrode 602) for connecting a plurality of bonding wires 6 are provided on each of the mounting surface 31 and the support surface 41. ing. That is, a plurality of (18 in FIG.
  • substrate-side electrodes 601 are provided on the mounting surface 31, which is one of the connecting surfaces, and the plurality of substrate-side electrodes 601 include two connecting surfaces (the mounting surface 31 and the support surface). They are arranged along a straight line (X axis) parallel to both the surfaces 41).
  • a plurality of (18 in FIG. 1A) supporting-side electrodes 602 are provided on the supporting surface 41 that is the other connecting surface, and the plurality of supporting-side electrodes 602 include two connecting surfaces (mounting surface 31 and They are arranged along a straight line (X axis) parallel to both of the support surfaces 41).
  • the plurality of electrodes (the substrate-side electrode 601 or the support-side electrode 602) provided on each of the two connection surfaces (the mounting surface 31 and the support surface 41) have the X-axis parallel to both of the two connection surfaces. Are arranged in a line. Therefore, the plurality of bonding wires 6 that electrically connect the plurality of substrate-side electrodes 601 and the plurality of support-side electrodes 602, respectively, are arranged side by side along the X axis, as shown in FIG. 1A. Become. As a result, it is possible to suppress variations in the lengths of the plurality of bonding wires 6 to be small.
  • the metal region 311 is formed on the mounting surface 31 of the substrate 3 as described above, and the plurality of substrate-side electrodes 601 are arranged along one side of the metal region 311.
  • the plurality of bonding wires 6 pass above the metal region 311 to connect the plurality of substrate-side electrodes 601 and the plurality of support-side electrodes 602. Therefore, the metal region 311 can also function as a shield that reduces noise emitted from the bonding wire 6 and noise acting on the bonding wire 6.
  • the case 7 (see FIG. 2) is joined to the board 3.
  • the case 7 houses at least the sensor element 2 between itself and the mounting surface 31 of the substrate 3.
  • the case 7 is made of metal as an example.
  • the case 7 is fixed to the mounting surface 31 side of the substrate 3, so that the sensor element 2, the support member 4, the connecting member 5, and the bonding wire 6 are housed between the case 7 and the mounting surface 31 of the substrate 3. A space is created.
  • the case 7 has a case body 71 and a flange portion 72.
  • the case body 71 is formed in a box shape with one surface in the Z-axis direction (a surface facing the substrate 3) serving as an opening surface.
  • the case body 71 has a rounded (R) shape in which each corner is curved.
  • the flange portion 72 is a portion protruding outward from the outer peripheral edge of the opening surface of the case body 71.
  • the case 7 is joined to the substrate 3 by joining the flange portion 72 to the rib 33 of the substrate 3.
  • an appropriate means such as adhesion, adhesion, brazing, welding or pressure bonding can be adopted.
  • the fixing means for the substrate 3 and the case 7 is adhesive.
  • the case 7 is airtightly coupled to the substrate 3, so that an airtight space is formed between the case 7 and the mounting surface 31 of the substrate 3. Therefore, the sensor element 2 and the like are housed in the airtight space, and the sensor device 1 can suppress the influence of humidity and the like on the sensor element 2.
  • the sensor device 1 has a processing circuit 43 as shown in FIGS. 4A and 4B.
  • the processing circuit 43 is provided in the ASIC as the support member 4 in the present embodiment.
  • the processing circuit 43 executes processing relating to the electric signal output from the sensor element 2.
  • the processing circuit 43 is provided on the support member 4.
  • the support member 4 includes a processing circuit 43 that executes processing regarding the electric signal output from the sensor element 2.
  • the processing circuit 43 converts an analog electric signal (analog signal) output from the sensor element 2 into a digital signal.
  • the processing circuit 43 executes appropriate processing such as noise removal and temperature compensation. Further, the processing circuit 43 provides the sensor element 2 with a drive signal for driving the sensor element 2.
  • the processing circuit 43 may execute arithmetic processing such as integration processing or differentiation processing.
  • the processing circuit 43 performs integration processing on the electric signal output from the sensor element 2, so that the sensor device 1 can obtain an integrated value of angular velocities around the Y axis, that is, an angle around the Y axis. Is.
  • the processing circuit 43 performs the differential processing on the electric signal output from the sensor element 2, so that the sensor device 1 obtains the differential value of the angular velocity around the Y axis, that is, the angular acceleration around the Y axis. It is possible.
  • the sensor device 1 is mounted on the mounting substrate 10 with the surface (mounting surface 32) of the substrate 3 opposite to the mounting surface 31 facing the mounting substrate 10 such as a printed wiring board. It is assumed that it is flip-chip mounted. That is, the sensor device 1 is mounted on the mounting substrate 10 with the mounting surface 32 of the substrate 3 facing the one surface 101 of the mounting substrate 10, as shown in FIG.
  • the back electrode 35 formed on the mounting surface 32 of the substrate 3 is joined to the substrate electrode 102 formed on the one surface 101 of the mounting substrate 10 by the joining member 103.
  • the bonding member 103 is a conductive bonding member, and is, for example, a gold (Au) bump, solder, or the like.
  • the mounting surface 32 of the substrate 3 and the one surface 101 of the mounting substrate 10 may be mechanically coupled by underfill.
  • the back surface electrode 35 connected to the mounting board 10 (board electrode 102) is connected to the board side electrode 601 formed on the mounting surface 31 of the board 3 by the via 36.
  • the substrate-side electrode 601 is connected to the supporting-side electrode 602 (see FIG. 1C) of the supporting member 4 by the bonding wire 6. Therefore, the back surface electrode 35 connected to the mounting substrate 10 (substrate electrode 102) is electrically connected to the support side electrode 602 of the support member 4 via the via 36, the substrate side electrode 601, and the bonding wire 6. become. Since the support member 4 is an ASIC including the processing circuit 43 in the present embodiment, the electrical connection between the mounting substrate 10 and the processing circuit 43 is realized by the above configuration.
  • FIGS. 6A and 6B are conceptual diagrams for explaining the operating principle of the sensor element 2.
  • the sensor element 2 is a high-frequency (MHz band) driven capacitive bulk ultrasonic gyroscope.
  • This gyroscope (sensor element 2) includes a base plate, a movable portion 21, and a plurality of electrodes 22.
  • the movable part 21 is supported on the base plate via an insulating layer.
  • the plurality of electrodes 22 are arranged around the movable portion 21 so as to surround the movable portion 21. A very small gap is formed between each electrode 22 and the movable portion 21.
  • the plurality of electrodes 22 can excite and detect at least two modified bulk ultrasonic resonance modes in the movable part 21.
  • the movable part 21 is a resonance element and is formed in a disk shape (disk shape) that is circular in a plan view.
  • the movable portion 21 is a non-piezoelectric substance such as single crystal or polycrystalline silicon, and does not need to be made of a piezoelectric material.
  • the movable portion 21 may be made of, for example, a semiconductor or metal material such as silicon carbide, gallium nitride, aluminum nitride, or quartz.
  • the plurality of electrodes 22 include a drive electrode 221 and a detection electrode 222. Then, the movable portion 21 is deformed between the drive mode shown in FIG. 6A and the detection mode shown in FIG. 6B due to the precession movement. That is, the disk-shaped movable portion 21 vibrates so as to repeat deformations that alternately expand and contract in two directions orthogonal to each other within a plane orthogonal to the central axis (axis parallel to the Y axis). The sensor element 2 outputs the deformation amount (movement amount) of the movable portion 21 as an electric signal.
  • the sensor element 2 outputs an electric signal according to the change in the electrostatic capacitance. ..
  • FIG. 7 is a schematic view of the support member 4 as viewed from the support surface 41 side. In FIG. 7, the sensor element 2 is partially cut away. Further, FIG. 7 conceptually shows the arrangement of the connecting members 44, and as an example, nine connecting members 44 are arranged on the support surface 41, but the number of connecting members 44 is limited to nine. It's not the point. For example, as shown in FIG. 3 and the like, 17 connecting members 44 may be arranged on the support surface 41.
  • a plurality of AuSn solder bumps are provided as the connecting member 44 between the support member 4 and the sensor element 2.
  • the plurality of (nine in FIG. 7) connecting members 44 are arranged in point symmetry with respect to at least the center point P1 of the sensor element 2. That is, the plurality of connecting members 44 that connect the support member 4 and the sensor element 2 are arranged point-symmetrically in the support surface 41 with the center point P1 of the sensor element 2 as the point of symmetry (symmetry center).
  • connection member 44 is arranged on the center point P1 of the sensor element 2 when the support member 4 is viewed from the support surface 41 side, and a plurality of connecting members 44 are arranged on a ring centered on the center point P1 (see FIG. In FIG. 7, eight connection members 44 are arranged.
  • the plurality of connecting members 44 arranged around the center point P1 are arranged side by side in an annular shape centered on the center point P1.
  • the plurality of connecting members 44 arranged in an annular shape are arranged so as to surround one connecting member 44 located on the center point P1.
  • the plurality of connecting members 44 arranged in an annular shape are arranged at equal intervals in the circumferential direction of the center point P1.
  • each of the plurality (9 in FIG. 7) of connection members 44 is formed in a circular shape.
  • the center point P1 is set so that the shape of the one connecting member 44 when viewed from the support surface 41 side is also symmetrical with respect to the center point P1. It is formed in a circular shape around the center.
  • the center point P1 of the sensor element 2 is a point located at the center (or center of gravity) of the surface facing the support surface 41 of the sensor element 2, that is, the joint surface with the support member 4.
  • the sensor element 2 outputs an electric signal according to an angular velocity around the normal line L1 (Y axis) of the support surface 41 passing through the center point P1. That is, the normal line L1 (Y axis) of the support surface 41 passing through the center point P1 of the sensor element 2 becomes the detection axis of the sensor element 2.
  • the sensor device 1 further includes the plurality of connecting members 44 that connect the supporting member 4 and the sensor element 2.
  • the plurality of connecting members 44 are arranged point-symmetrically with respect to the center point P1 of the sensor element 2. Therefore, the distribution of the stress transmitted from the support member 4 to the sensor element 2 via the plurality of connecting members 44 is point-symmetric with respect to the center point P1. Therefore, for example, due to a difference in thermal expansion coefficient between the mounting substrate 10 and the substrate 3 (or the supporting member 4 or the connecting member 5), stress acts on the supporting member 4 from the mounting substrate 10 via the substrate 3 and the connecting member 5. However, the influence of stress on the detection result of the sensor element 2 is unlikely to occur.
  • the distribution of this stress is point-symmetric with respect to the center point P1, so that the sensor element 2 has a bias of the stress with respect to the center point P1. It is less likely to occur and less likely to affect the detection result of the sensor element 2.
  • the plurality of connecting members 44 may be arranged in point symmetry with respect to at least the center point P1 of the sensor element 2, and for example, a double or more circular ring shape (concentric circles) centering on the center point P1.
  • a plurality of connecting members 44 may be arranged in the. Further, it is not essential that the connecting member 44 is located on the center point P1, and the connecting member 44 on the center point P1 may be omitted.
  • FIGS. 8A and 8B show the structures of the electrode 81 and the support-side electrode 602 according to the first aspect
  • FIG. 8B shows the structure of the electrode 81 and the support-side electrode 602 according to the second aspect.
  • Is. 8A and 8B merely conceptually show the schematic structure of the electrode 81 and the support-side electrode 602, and the ratios of the sizes and thicknesses of the respective constituent elements in the drawings are the actual dimensional ratios. It is not the purpose of regulation.
  • the support member 4 is provided on the support member 4 via the electrode 81 (also referred to as “sensor electrode”) for electrically connecting the sensor element 2 to the support member 4 and the bonding wire 6. And a support-side electrode 602 for electrically connecting 3 to each other. Both the electrode 81 and the support side electrode 602 are arranged on the support surface 41 of the support member 4.
  • the support member 4 is an ASIC including the processing circuit 43, in order to electrically connect the sensor element 2 and the substrate 3 to the processing circuit 43, the electrode 81 and the support-side electrode 602 are connected to the support member 4. It is provided in.
  • the sensor electrode 81 is connected to the sensor element 2 by the connecting member 44.
  • the supporting side electrode 602 is connected to the substrate side electrode 601 by the bonding wire 6. That is, the AuSn solder bump as the connecting member 44 is connected to the sensor electrode 81, and the bonding wire 6 is connected to the supporting side electrode 602.
  • a plurality of sensor electrodes 81 are provided in a one-to-one correspondence with a plurality of connection members 44, and a plurality of support-side electrodes 602 are provided in a one-to-one correspondence with a plurality of bonding wires 6 (FIG. 7). That is, a plurality of electrodes 81 and a plurality of support-side electrodes 602 of the support member 4 are provided.
  • the electrode 81 of this kind and the support side electrode 602 in particular, the electrode 81 which is the sensor electrode, a Ni plating layer and an Au plating layer are laminated in this order on a base electrode such as aluminum (Al).
  • a base electrode such as aluminum (Al).
  • UBM Under Bump Metal
  • the step of connecting the support member 4 and the sensor element 2 includes a heating step of heating the connection member 44 in order to melt the AuSn solder bump as the connection member 44.
  • the electrode 81 and the support-side electrode 602 are also heated to a high temperature (for example, about 350° C.) in order to melt the AuSn solder bump.
  • nickel (Ni) in the Ni plating layer of the support-side electrode 602 may be deposited on the surface of the Au plating layer and may be oxidized. Nickel oxidized on the surface of the Au plating layer may hinder the connection of the bonding wire 6 and reduce the bonding strength between the bonding wire 6 and the supporting side electrode 602.
  • the bonding strength between the ball (Au ball) formed at the tip of the bonding wire 6 and the support side electrode 602 decreases.
  • the bonding strength between the bonding wire 6 and the supporting side electrode 602 decreases.
  • the electrode 81 and the support-side electrode 602 are illustrated in FIGS. 8A and 8B so that the bonding strength between the bonding wire 6 and the support member 4 (support-side electrode 602) is less likely to decrease.
  • the configuration shown in 8B is adopted.
  • the support-side electrode 602 has only the base electrode 821. That is, the support-side electrode 602 for electrically connecting the substrate 3 to the support member 4 via the bonding wire 6 does not have a plating layer and is composed of only the base electrode 821.
  • the sensor electrode 81 has a base electrode 811, a Ni plating layer 812, and an Au plating layer 813.
  • the base electrode 821 and the base electrode 811 are both aluminum (Al).
  • the Ni plating layer 812 and the Au plating layer 813 are laminated on the base electrode 811 in this order. That is, the Ni plating layer 812 is formed on the base electrode 811, and the Au plating layer 813 is formed on the Ni plating layer 812.
  • the support member 4 includes the sensor electrode 81 for electrically connecting the sensor element 2 and the support-side electrode 602 for electrically connecting the substrate 3.
  • the sensor electrode 81 includes a base electrode 811, and a plating layer (Ni plating layer 812 and Au plating layer 813).
  • the support-side electrode 602 is composed of only the base electrode 821. In this way, the plating layer (Ni plating layer 812 and Au plating layer 813) is formed on the base electrode 811 only on one electrode 81 of the electrode 81 of the supporting member 4 and the supporting side electrode 602, and the other is supported. Regarding the side electrode 602, there is no plating layer on the base electrode 811.
  • the UBM for forming the AuSn solder bump is configured by forming the plating layer (Ni plating layer 812 and Au plating layer 813) on the base electrode 811. To be done.
  • both the sensor electrode 81 and the support-side electrode 602 have barrier layers 810 and 820.
  • the sensor electrode 81 has a barrier layer 810 in addition to the base electrode 811, the Ni plating layer 812, and the Au plating layer 813.
  • the barrier layer 810 is arranged between the Ni plating layer 812 and the Au plating layer 813.
  • the Ni plating layer 812, the barrier layer 810, and the Au plating layer 813 are laminated on the base electrode 811 in this order. That is, the Ni plating layer 812 is formed on the base electrode 811 made of aluminum (Al), and the Au plating layer 813 is formed on the Ni plating layer 812 via the barrier layer 810.
  • the barrier layer 810 is disposed between the Ni plating layer 812 and the Au plating layer 813 to suppress the diffusion of nickel (Ni) from the Ni plating layer 812 to the Au plating layer 813.
  • the barrier layer 810 is, for example, palladium (Pd) or a palladium alloy.
  • the support-side electrode 602 also has the same configuration as the sensor electrode 81. That is, the support-side electrode 602 has a barrier layer 820 in addition to the base electrode 821, the Ni plating layer 822 and the Au plating layer 823.
  • the barrier layer 820 is arranged between the Ni plating layer 822 and the Au plating layer 823.
  • the Ni plating layer 822, the barrier layer 820, and the Au plating layer 823 are laminated on the base electrode 821 in this order. That is, the Ni plating layer 822 is formed on the base electrode 821 made of aluminum (Al), and the Au plating layer 823 is formed on the Ni plating layer 822 via the barrier layer 820.
  • the barrier layer 820 is disposed between the Ni plating layer 822 and the Au plating layer 823 to suppress the diffusion of nickel (Ni) from the Ni plating layer 822 to the Au plating layer 823.
  • the barrier layer 820 is, for example, palladium (Pd) or a palladium alloy.
  • the thickness of the Ni plating layer 812 is, for example, 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the thickness of the Ni plating layer 812 is more preferably 3 ⁇ m or more.
  • the thickness of the Ni plating layer 812 is more preferably 8 ⁇ m or less. In the present embodiment, as an example, the thickness of the Ni plating layer 812 is 5 ⁇ m.
  • the thickness of the barrier layer 810 is, for example, 0.01 ⁇ m or more and 1.0 ⁇ m or less.
  • the thickness of the barrier layer 810 is more preferably 0.05 ⁇ m or more.
  • the thickness of the barrier layer 810 is more preferably 0.5 ⁇ m or less. In the present embodiment, as an example, the thickness of the barrier layer 810 is 0.2 ⁇ m.
  • the thickness of the Au plating layer 813 is, for example, 0.01 ⁇ m or more and 1.0 ⁇ m or less.
  • the thickness of the Au plating layer 813 is more preferably 0.05 ⁇ m or more.
  • the thickness of the Au plating layer 813 is more preferably 0.5 ⁇ m or less. In the present embodiment, as an example, the thickness of the Au plating layer 813 is 0.15 ⁇ m.
  • the same thickness as the Ni plating layer 812, the barrier layer 810, and the Au plating layer 813 of the sensor electrode 81 can be adopted. is there.
  • the support member 4 includes the sensor electrode 81 for electrically connecting the sensor element 2 and the support-side electrode 602 for electrically connecting the substrate 3.
  • Each of the sensor electrode 81 and the support-side electrode 602 includes base electrodes 811 and 821, Ni plating layers 812 and 822, Au plating layers 813 and 823, and barrier layers 810 and 820.
  • base electrodes 811, 821, Ni plating layers 812, 822, barrier layers 810, 820, and Au plating layers 813, 823 are laminated in this order.
  • the electrode 81 (or 82) of the support member 4 has the barrier layer 810 (or 820) between the Ni plating layer 812 (or 822) and the Au plating layer 813 (or 823). .. Therefore, diffusion of nickel (Ni) from the Ni plating layer 812 (or 822) to the Au plating layer 813 (or 823) is suppressed by the barrier layer 810 (or 820). Therefore, in the heating step described above, even if the electrode 81 and the support-side electrode 602 are heated, the diffusion of nickel (Ni) is suppressed by the barrier layer 810 (or 820), and the Au plating layer 813 (or 823) is prevented. Precipitation of nickel (Ni) on the surface hardly occurs.
  • the UBM for forming the AuSn solder bump is formed by forming the plating layer (Ni plating layer 812 and Au plating layer 813) on the base electrode 811. To be done.
  • FIG. 9A shows the structure of the element electrode 200 in a state before connection with the support member 4 of the sensor element 2 according to the present embodiment
  • FIG. 9B shows connection with the support member 4 of the sensor element 2 according to the present embodiment
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a main part, showing the structure of a device electrode 200 in the previous state
  • FIG. 9C is a schematic cross-sectional view of a main part showing the structure of the element electrode 200 of the sensor element 2 according to the comparative example.
  • 9A to 9C merely conceptually show the schematic structure of the device electrode 200, and the ratio of the size and thickness of each component in the drawings defines the actual dimensional ratio. Absent.
  • the sensor element 2 is formed in a flat plate shape and has a thickness in the Y-axis direction.
  • the sensor element 2 has an electrode surface 201 on one surface side (support member 4 side) in the thickness direction. That is, the sensor element 2 is connected to the support member 4 with the electrode surface 201 facing the support member 4.
  • the element electrode 200 is connected to the sensor electrode 81 of the support member 4 by the connecting member 44. That is, the AuSn solder bump as the connecting member 44 is connected to the element electrode 200.
  • a plurality of element electrodes 200 are provided so as to correspond to the plurality of connecting members 44 one-to-one (see FIG. 7 ). That is, a plurality of element electrodes 200 of the sensor element 2 are provided.
  • the sensor element 2 includes a bare chip using a MEMS technique, that is, a so-called MEMS chip, and is formed on a substrate 24 made of silicon (Si) and a surface layer of the substrate 24 as shown in FIG. 9A. And a first oxide film 25 made of SiO 2 .
  • the sensor element 2 has the surface of the first oxide film 25 as an electrode surface 201, and has a plurality of element electrodes 200 on the electrode surface 201.
  • the second oxide film 26 made of SiO 2 and the nitride film 27 made of SiN stacked on the second oxide film 26 are provided on the electrode surface 201 and adjacent to the element electrode 200. And have.
  • the element electrode 200 of the sensor element 2 includes the Au electrode layer 220 formed on the electrode surface 201 and the UBM layer 23 laminated on the Au electrode layer 220, as shown in FIG. 9A. And, are included.
  • the UBM layer 23 is a UBM (Under Bump Metal) for forming the connection member 44 composed of AuSn solder bumps on the Au electrode layer 220.
  • the connecting member 44 is not directly laminated on the Au electrode layer 220, but the connecting member 44 is indirectly laminated via the UBM layer 23. Will be.
  • the UBM layer 23 has, for example, a Ni plating layer 231, a barrier layer 232, and an Au plating layer 233.
  • the barrier layer 232 is arranged between the Ni plating layer 231 and the Au plating layer 233.
  • the Ni plating layer 231, the barrier layer 232, and the Au plating layer 233 are stacked on the Au electrode layer 220 in this order. That is, the Ni plating layer 231 is formed on the Au electrode layer 220 made of gold (Au), and the Au plating layer 233 is formed on the Ni plating layer 231 via the barrier layer 232.
  • the barrier layer 232 is disposed between the Ni plating layer 231 and the Au plating layer 233 to suppress the diffusion of nickel (Ni) from the Ni plating layer 231 to the Au plating layer 233.
  • the barrier layer 232 is, for example, palladium (Pd) or a palladium alloy.
  • the barrier layer 232 is not an essential component and may be omitted as appropriate.
  • the thermal expansion coefficient (linear expansion coefficient) of the UBM layer 23 is the thermal expansion coefficient (linear expansion coefficient) of the connecting member 44 made of AuSn, and the thermal expansion coefficient (linear expansion coefficient) of the second oxide film 26 made of SiO 2. Coefficient) and a value between.
  • AuSn connection member 44
  • SiO 2 second oxide film 26
  • the coefficient of thermal expansion of the UBM layer 23 is larger than 0.5 ppm/°C and smaller than 17.5 ppm/°C.
  • the Ni plating layer 231 forming the UBM layer 23 has a thermal expansion coefficient of 12 ppm/° C.
  • the Au plating layer 233 forming the UBM layer 23 has a thermal expansion coefficient of 14.2 ppm/° C.
  • the thickness of the Ni plating layer 231 is, for example, 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the thickness of the Ni plating layer 231 is more preferably 3 ⁇ m or more.
  • the thickness of the Ni plating layer 231 is more preferably 8 ⁇ m or less. In the present embodiment, as an example, the thickness of the Ni plating layer 231 is 5 ⁇ m.
  • the thickness of the barrier layer 232 is, for example, 0.01 ⁇ m or more and 1.0 ⁇ m or less.
  • the thickness of the barrier layer 232 is more preferably 0.05 ⁇ m or more.
  • the thickness of the barrier layer 232 is more preferably 0.5 ⁇ m or less. In the present embodiment, as an example, the thickness of the barrier layer 232 is 0.2 ⁇ m.
  • the thickness of the Au plating layer 233 is, for example, 0.01 ⁇ m or more and 1.0 ⁇ m or less.
  • the thickness of the Au plating layer 233 is more preferably 0.05 ⁇ m or more.
  • the thickness of the Au plating layer 233 is more preferably 0.5 ⁇ m or less. In the present embodiment, as an example, the thickness of the Au plating layer 233 is 0.15 ⁇ m.
  • the sensor element 2 is expected to have an effect that the stress acting on the first oxide film 25 can be reduced by adopting the structure of the element electrode 200 including the UBM layer 23 as described above.
  • the structure in which the element electrode 200 does not include the UBM layer 23 is used as a comparative example (see FIG. 9C), and compared with the comparative example, the structure of the element electrode 200 of the sensor element 2 according to the present embodiment is expected. The effect will be described.
  • the comparative example shown in FIG. 9C the same configuration as that of the sensor element 2 according to the present embodiment is adopted, except that the element electrode 200 does not include the UBM layer 23.
  • the connecting member in the step of connecting the supporting member 4 and the sensor element 2, in order to melt the AuSn solder bump as the connecting member 44, the connecting member is formed.
  • a heating step of heating 44 is included.
  • the element electrode 200 is also heated to a high temperature (for example, about 350° C.) in order to melt the AuSn solder bump.
  • the connection member 44 made of AuSn is directly laminated on the Au electrode layer 220, Au of the Au electrode layer 220 becomes AuSn of the connection member 44 in the heating step. By diffusion, the AuSn layer 44B (see FIG. 9C) is formed. Therefore, in the comparative example, after the heating step, the Au electrode layer 220 apparently does not exist in the device electrode 200 as shown in FIG. 9C, and only the AuSn layer 44B exists. Then, on the surface of the first oxide film 25 serving as the electrode surface 201, the second oxide film 26 made of SiO 2 and the AuSn layer 44B are formed adjacent to each other.
  • the connecting member 44 made of AuSn is indirectly laminated on the Au electrode layer 220 via the UBM layer 23. Therefore, in the heating step, the Au plating layer 233 of the UBM layer 23 diffuses into AuSn of the connecting member 44, and the AuSn layer 44A (see FIG. 9B) is formed. Therefore, in the present embodiment, after the heating step, the element electrode 200 apparently does not have the Au plating layer 233, as shown in FIG. 9B, and the Au electrode layer 220, the Ni plating layer 231, and the barrier layer are not present. 232 and AuSn layer 44A will be present.
  • the second oxide film 26 made of SiO 2 and the Au electrode layer 220 are formed adjacent to each other on the surface of the first oxide film 25 as the electrode surface 201.
  • a difference in thermal expansion coefficient occurs between the second oxide film 26 having a thermal expansion coefficient of 0.5 ppm/° C. and the Au electrode layer 220 having a thermal expansion coefficient of 14.2 ppm/° C.
  • the difference is smaller than that of the comparative example.
  • a Ni plating layer 231 having a thermal expansion coefficient of 12 ppm/° C. is present on the Au electrode layer 220 having a thermal expansion coefficient of 14.2 ppm/° C., and a thermal expansion coefficient of 17.5 ppm/° C. is present thereon.
  • AuSn layer 44A is present.
  • the difference in the coefficient of thermal expansion on the electrode surface 201 is smaller than that in the comparative example, the stress acting on the first oxide film 25 is reduced, and cracks and the like occur in the first oxide film 25 made of SiO 2. It gets harder.
  • a base electrode such as aluminum (Al) or copper (Cu) may be interposed between the electrode surface 201 and the Au electrode layer 220. That is, in the device electrode 200, the Au electrode layer 220 may not be directly laminated on the electrode surface 201, but the Au electrode layer 220 may be indirectly laminated via the base electrode.
  • Embodiment 1 is only one of various embodiments of the present disclosure.
  • the drawings referred to in the first embodiment are all schematic diagrams, and the ratios of the sizes and thicknesses of the respective constituent elements in the drawings do not always reflect the actual dimensional ratios.
  • the first embodiment can be variously modified according to the design and the like as long as the object of the present disclosure can be achieved. The modifications described below can be applied in appropriate combination.
  • a sensor device 1A according to a first modification of the first embodiment is such that the position of the support side electrode 602 on the support surface 41 is the sensor device 1 according to the first embodiment. Is different from. That is, in the sensor device 1 according to the first embodiment, the support-side electrode 602 is located on the substrate 3 side when viewed from the sensor element 2 on the support surface 41, whereas in the present modification, the support-side electrode 602 is supported. The surface 41 is located on the side opposite to the substrate 3 when viewed from the sensor element 2.
  • the support-side electrode 602 is located between the sensor element 2 and the edge of the support surface 41 on the opposite side of the substrate 3 (upper edge in FIG. 10).
  • one end of the bonding wire 6 is connected to the region of the support surface 41 on the opposite side of the substrate 3 when viewed from the sensor element 2. That is, the sensor element 2 is arranged at a position surrounded by the bonding wire 6 and the two connecting surfaces (the mounting surface 31 and the supporting surface 41).
  • the sensor element 2 ensures the distance between the support-side electrode 602 and the substrate 3, so that the gap G1( between the support member 4 and the mounting surface 31 of the substrate 3 ( It is easy to avoid the interference between the bonding wire 6 and the substrate 3 regardless of (see FIG. 4B). Therefore, the support member 4 can be arranged closer to the edge of the second surface 52 on the substrate 3 side, and the dimension of the connecting member 5 in the Z-axis direction can be suppressed to be relatively small.
  • the amount of protrusion of the support member 4 and the connecting member 5 from the mounting surface 31 of the substrate 3 can be suppressed to a relatively small amount, and the overall size (height) of the sensor device 1A in the Z-axis direction can be made relatively small. This can be suppressed, which contributes to height reduction of the sensor device 1A.
  • the sensor element 2 detects the angular velocity around the Y axis, but the configuration is not limited to this, and the sensor element 2 may detect the angular velocity around the X axis or the Z axis, for example. Furthermore, the sensor element 2 is not limited to the angular velocity about one axis, and may have a configuration that detects the angular velocity of two or more axes. For example, the sensor element 2 may be a triaxial angular velocity sensor that detects the angular velocity around each of the three axes of the X axis, the Y axis, and the Z axis.
  • the sensor element 2 may be configured to detect a physical quantity other than the angular velocity.
  • the sensor element 2 may be configured to detect physical quantities such as acceleration, angular acceleration, speed, pressure, weight, length (distance) and temperature.
  • the sensor element 2 is not limited to one physical quantity, and may be configured to detect a plurality of physical quantities.
  • the sensor element 2 may detect angular velocity and acceleration.
  • the sensor element 2 is not limited to the element using the MEMS technology, and may be another element.
  • the number of spacers 53 provided on the connecting member 5 is not limited to four, and may be one, two, three, or five or more, for example. Further, the shape of each spacer 53 is not limited to the dome shape, and may be an appropriate shape such as a cylindrical shape, a polygonal pillar shape, a conical shape, a polygonal pyramid shape, or a spherical shape.
  • the sensor device 1 is flip-chip mounted on the mounting substrate 10, but the mounting method of the sensor device 1 is not limited to flip-chip mounting.
  • the sensor device 1 may have a surface mounting other than flip-chip mounting such as wire bonding, or a configuration in which lead terminals are provided on the substrate 3 and the sensor device 1 is inserted and mounted into the mounting substrate 10.
  • the shape and material of the substrate 3 are not limited to the example shown in the first embodiment.
  • the substrate 3 may be rectangular or circular in plan view.
  • the substrate 3 is not limited to be made of ceramic, but may be made of resin or silicon, for example.
  • the support member 4 is an ASIC including the processing circuit 43 is not an essential configuration of the sensor device 1, and an appropriate configuration can be adopted for the support member 4 as well. That is, the support member 4 need not be an electronic component, and may be a simple structure such as a plate material. Furthermore, the shape and material of the support member 4 are not limited to the example shown in the first embodiment. For example, the support member 4 may have a rectangular shape or a circular shape in a plan view. Further, the support member 4 may be a member made of resin, silicon, or ceramic, for example.
  • the shape and material of the connecting member 5 are not limited to the example shown in the first embodiment.
  • the connecting member 5 may have a cubic shape or a polygonal prism (triangular prism, hexagonal prism, etc.) shape.
  • the connecting member 5 may be, for example, a stay having an L-shaped side view or the like.
  • the connecting member 5 is not limited to be made of LCP resin, but may be made of, for example, silicon, metal, or ceramic.
  • connection path 60 may include a conductive path formed on the surface of the connecting member 5, a conductive path embedded in the connecting member 5, or the like.
  • the connecting member 5 may have a hollow structure, and in this case, the impact acting on the connecting member 5 can be reduced as compared with the connecting member 5 having a solid structure. Thereby, the impact resistance of the sensor device 1 can be improved.
  • the sensor device 1B according to the present embodiment differs from the sensor device 1 according to the first embodiment in the relative positional relationship between the substrate 3 and the support member 4.
  • the same components as those in the first embodiment are designated by the common reference numerals and the description thereof will be omitted as appropriate.
  • 11B is an enlarged perspective view corresponding to the area Z1 in FIG. 11A
  • FIG. 11C is an enlarged perspective view corresponding to the area Z2 in FIG. 11A.
  • the substrate 3 and the supporting member 4 are coupled so that the supporting surface 41 has a positional relationship along the mounting surface 31.
  • the support surface 41 and the mounting surface 31 are substantially parallel to each other.
  • the sensor element 2 is supported on the supporting surface 41 of the supporting member 4 via the connecting member 5.
  • the sensor element 2 is fixed to the second surface 52 of the connecting member 5.
  • the sensor element 2 is formed in a flat plate shape and has a thickness in the Y-axis direction.
  • the sensor element 2 has an electrode surface 201 on one surface side in the thickness direction (on the side opposite to the connecting member 5). That is, the surface of the sensor element 2 opposite to the electrode surface 201 in the thickness direction faces the connecting member 5.
  • connection member 5 is mounted on the support surface 41 of the support member 4, and connects the support member 4 and the sensor element 2.
  • the support member 4 on which the sensor element 2 is mounted (mounted) via the connecting member 5 is fixed to the substrate 3 (mounting surface 31). Therefore, the relative positional relationship between the support member 4 and the sensor element 2 is defined by the connecting member 5.
  • the positional relationship between the support member 4 and the sensor element 2 is defined such that the normal line of the electrode surface 201 of the sensor element 2 is along the support surface 41. That is, the normal line of the electrode surface 201 is substantially parallel to the support surface 41 of the support member 4 (strictly parallel, or the angle between them is within a few degrees).
  • the normal line of the electrode surface 201 is in a state in which it is strictly parallel to the support surface 41 of the support member 4 and the mounting surface 31 of the substrate 3.
  • the connecting member 5 and the sensor element 2 are fixed while standing on the supporting surface 41 of the supporting member 4.
  • the vertical member 50 including the sensor element 2 is mounted while standing on the support surface 41.
  • the vertical member 50 mounted on the support surface 41 includes the sensor element 2 and the connecting member 5. That is, the support member 4 has the support surface 41 on which the vertical member 50 including the sensor element 2 is mounted.
  • the vertical member 50 is fixed to the support surface 41 so that the normal line of the electrode surface 201 of the sensor element 2 has a positional relationship along the support surface 41.
  • the vertical member 50 includes a connecting member 5 that connects the sensor element 2 and the supporting member 4.
  • the sensor element 2 is mounted on the support member 4 indirectly via the connecting member 5.
  • the support member 4 As a means for fixing the support member 4 to the substrate 3 (mounting surface 31), for example, an appropriate means such as adhesion, adhesion, brazing, welding or pressure bonding can be adopted. In the present embodiment, as an example, the means for fixing the substrate 3 and the support member 4 is adhesion by the adhesive layer 501. Similarly, as a means for fixing the connecting member 5 to the support member 4 (support surface 41), an appropriate means such as adhesion, adhesion, brazing, welding or pressure bonding can be adopted. In the present embodiment, as an example, the fixing means of the supporting member 4 and the connecting member 5 is adhesion by the adhesive layer 502.
  • the connecting member 5 (second surface 52) to the sensor element 2
  • an appropriate means such as adhesion, adhesion, brazing, welding or pressure bonding can be adopted.
  • the fixing means of the sensor element 2 and the connecting member 5 is an adhesive layer 503.
  • the support member 4 has a plurality of support-side electrodes 602 and a plurality of feed electrodes 603, as shown in FIG. 11B.
  • the feed electrode 603 is provided in place of the electrode 81 (see FIG. 8A) and is made of a conductive material.
  • the feed electrode 603 is an electrode for electrically connecting the bonding wire 6A, and is formed on the support surface 41. That is, the support member 4 has the feed electrode 603 on the support surface 41 to which one end of the bonding wire 6A is connected.
  • the support-side electrode 602 and the feed electrode 603 are provided on the same surface (support surface 41) of the support member 4.
  • the sensor element 2 has a plurality of sensor side electrodes 604 as shown in FIG. 11C.
  • the sensor side electrode 604 is made of a conductive material.
  • the sensor-side electrode 604 is an electrode for electrically connecting the bonding wire 6A, and is formed on the electrode surface 201. That is, the sensor element 2 has, on the electrode surface 201, the sensor-side electrode 604 to which one end of the bonding wire 6A is connected.
  • the bonding wire 6A constitutes at least a part of the connection path 60 (see FIG. 1A) that electrically connects the sensor element 2 and the substrate 3. Particularly in the present embodiment, the bonding wire 6A electrically connects the sensor element 2 and the support member 4. That is, in the present embodiment, the electrical connection between the sensor element 2 (sensor side electrode 604) and the support member 4 (feed electrode 603) made of ASIC is realized by the bonding wire 6A. Specifically, one end of the bonding wire 6A is connected to the feed electrode 603 of the support member 4, and the other end of the bonding wire 6A is connected to the sensor-side electrode 604 of the sensor element 2, so that the bonding wire 6A is , The support member 4 and the sensor element 2 are electrically connected.
  • the connection path 60 that electrically connects the sensor element 2 and the substrate 3 includes a bonding wire 6A as a "first bonding wire” and a bonding wire 61 as a "second bonding wire”. I'm out.
  • the second bonding wire 61 electrically connects the support member 4 and the substrate 3. That is, in the present embodiment, the electrical connection between the support member 4 (the feed electrode 603) made of ASIC and the substrate 3 is realized by the second bonding wire 61.
  • one end of the bonding wire 61 is connected to the substrate side electrode 601 of the substrate 3, and the other end of the bonding wire 61 is connected to the support side electrode 602 of the support member 4, so that the bonding wire 61 is ,
  • the substrate 3 and the supporting member 4 are electrically connected.
  • the (first) bonding wire 6A is bonded to the feed electrode 603 and the sensor-side electrode 604 by wedge bonding or ball bonding.
  • wedge bonding is used, in which energy such as ultrasonic waves or heat is applied to the bonding site to bond the bonding wire 6A to the electrode (the feed electrode 603 or the sensor-side electrode 604).
  • the second bonding wire 61 is also joined by wedge bonding or ball bonding.
  • the (first) bonding wire 6A is provided on one surface of each of the support member 4 and the sensor element 2 so as to connect two connecting surfaces that intersect each other. Specifically, the bonding wire 6A connects between the support surface 41 that is the connection surface of the support member 4 and the electrode surface 201 that is the connection surface of the sensor element 2.
  • the sensor device 1B includes the support member 4 mounted on the substrate 3 with the sensor element 2 mounted thereon.
  • the sensor element 2 is electrically connected to the substrate 3 via the support member 4.
  • one of the two connecting surfaces intersecting with each other is one surface of the supporting member 4.
  • the sensor element 2 has the electrode surface 201 which is one of the two connection surfaces.
  • the support surface 41 and the electrode surface 201 intersect (orthogonally in this embodiment).
  • one of the two connecting surfaces (one connecting surface) intersecting with each other is the supporting surface 41 as one surface of the supporting member 4.
  • one of the two connecting surfaces that intersect with each other is the electrode surface 201 as one surface of the sensor element 2. That is, the two connecting surfaces, which are connected by the bonding wire 6A and intersect each other, are the electrode surface 201, which is one surface of the sensor element 2, and the supporting surface 41, which is one surface of the supporting member 4.
  • the Young's modulus of the adhesive layer 502 (also referred to as “second adhesive layer 502”) that joins the vertical member 50 and the support member 4 is the adhesive layer 501 (“the second adhesive layer 502” that joins the support member 4 and the substrate 3). 1 adhesive layer 501"). That is, in the present embodiment, the Young's modulus of the second adhesive layer 502, which is the fixing means between the connecting member 5 and the supporting member 4 included in the vertical member 50, is between the supporting member 4 and the substrate 3. It is larger than the Young's modulus of the first adhesive layer 501 which is the fixing means.
  • the second adhesive layer 502 between the connecting member 5 and the support member 4 has higher rigidity and is less likely to be deformed than the first adhesive layer 501 between the support member 4 and the substrate 3.
  • the first adhesive layer 501 between the support member 4 and the substrate 3 has lower rigidity and is more likely to be deformed than the second adhesive layer 502 between the connection member 5 and the support member 4.
  • the connecting member 5 (the vertical member 50) is firmly fixed to the supporting member 4, and the substrate 3 is transferred to the supporting member 4.
  • the bonding wire 6A is bonded to the sensor-side electrode 604
  • the vertical member 50 (coupling to the support member 4 (connection The inclination of the member 5) is unlikely to occur.
  • an external force such as an ultrasonic wave acting on the vertical member 50 along the Y axis can be efficiently used for bonding the bonding wire 6A to the sensor-side electrode 604. Further, since stress is less likely to be transmitted from the substrate 3 to the support member 4, the stress is less likely to act on the sensor element 2 and the influence of the stress on the detection result of the sensor element 2 is less likely to occur.
  • the Young's modulus of the second adhesive layer 502 that joins the connecting member 5 and the support member 4 is the Young's modulus of the adhesive layer 503 (also called “third adhesive layer 503”) that joins the connecting member 5 and the sensor element 2. Big compared to the rate. That is, in the present embodiment, the Young's modulus of the second adhesive layer 502, which is a fixing means between the connecting member 5 and the supporting member 4 included in the vertical member 50, is between the connecting member 5 and the sensor element 2. Is larger than the Young's modulus of the third adhesive layer 503, which is the fixing means.
  • the second adhesive layer 502 between the connecting member 5 and the support member 4 has higher rigidity and is less likely to be deformed than the third adhesive layer 503 between the connecting member 5 and the sensor element 2. Furthermore, in other words, the third adhesive layer 503 between the connecting member 5 and the sensor element 2 has lower rigidity and is more likely to be deformed than the second adhesive layer 502 between the connecting member 5 and the supporting member 4.
  • the connecting member 5 (the vertical member 50) is firmly fixed to the supporting member 4, and the connecting member 5 to the supporting member 4 are fixed. Is less likely to be transmitted to the.
  • the bonding wire 6A is bonded to the sensor-side electrode 604
  • the vertical member 50 (coupling to the support member 4 (connection The inclination of the member 5) is unlikely to occur.
  • an external force such as an ultrasonic wave acting on the vertical member 50 along the Y axis can be efficiently used for bonding the bonding wire 6A to the sensor-side electrode 604. Further, even if stress is applied from the substrate 3 to the connecting member 5, the stress is less likely to be transmitted from the connecting member 5 to the supporting member 4, so that the stress is less likely to act on the sensor element 2 as well. The influence of stress on the detection result is unlikely to occur.
  • the mounting mode on the mounting substrate 10 also differs from the sensor device 1 according to the first embodiment. That is, the sensor device 1 according to the first embodiment is bonded to the mounting substrate 10 by the bonding member 103 (see FIG. 5) made of gold (Au) bumps, solder, or the like, whereas the sensor device 1 according to the present embodiment.
  • the sensor device 1B is joined to the mounting substrate 10 by the terminal member 110.
  • the sensor device 1B is mounted on the mounting substrate 10 with the mounting surface 32 of the substrate 3 facing the one surface 101 of the mounting substrate 10 as shown in FIG. 11A.
  • the terminal member 110 is a member having elasticity (elasticity), and a part of the terminal member 110 is fixed to the substrate 3.
  • the terminal member 110 is a lead terminal made of a conductive metal (for example, copper or copper alloy).
  • the sensor device 1B has a plurality of terminal members 110 along the outer peripheral edge of the mounting surface 32 of the substrate 3. That is, the plurality of terminal members 110 are arranged side by side along the outer peripheral edge of the mounting surface 32.
  • each terminal member 110 has a first terminal piece 111, a second terminal piece 112, a third terminal piece 113, and a fourth terminal piece 114, and is formed into a substantially C-shape as a whole.
  • the first terminal piece 111 and the third terminal piece 113 are in a positional relationship parallel to each other.
  • the second terminal piece 112 connects one end of the first terminal piece 111 and one end of the third terminal piece 113.
  • the fourth terminal piece 114 projects from the end of the third terminal piece 113 opposite to the second terminal piece 112 toward the first terminal piece 111.
  • the first terminal piece 111 is connected to the mounting surface 32 of the board 3 by soldering or the like.
  • the third terminal piece 113 is connected to one surface of the mounting board 10 by soldering or the like. In this way, a part of the terminal member 110 is fixed to the substrate 3, and another part of the terminal member 110 is fixed to the mounting substrate 10.
  • the terminal member 110 can reduce the stress transmitted between the mounting substrate 10 and the substrate 3 by bending the second terminal piece 112 due to at least the elasticity (elasticity) of the second terminal piece 112. Therefore, for example, even if a stress acts on the terminal member 110 from the mounting substrate 10 due to a difference in thermal expansion coefficient between the mounting substrate 10 and the substrate 3, this stress is reduced by the terminal member 110, and It is difficult to transmit, and the influence of stress on the detection result of the sensor element 2 is unlikely to occur.
  • the mounting surface 32 of the substrate 3 and the one surface 101 of the mounting substrate 10 may be mechanically coupled by underfill.
  • FIG. 12 shows a sensor device 1C according to a modified example of the second embodiment.
  • the connecting member 5 is omitted. Therefore, the vertical member 50 mounted on the support surface 41 includes only the sensor element 2.
  • the same components as those in the second embodiment will be denoted by the same reference numerals and the description thereof will be appropriately omitted.
  • the vertical member 50 (sensor element 2) is fixed to the support surface 41 so that the normal line of the electrode surface 201 of the sensor element 2 has a positional relationship along the support surface 41.
  • the sensor element 2 is directly mounted on the support surface 41 of the support member 4.
  • an appropriate means such as adhesion, adhesion, brazing, welding or pressure bonding can be adopted.
  • the fixing means for fixing the support member 4 and the sensor element 2 is adhesion by the adhesive layer 504.
  • the Young's modulus of the adhesive layer 504 (also referred to as “fourth adhesive layer 504”) that joins the vertical member 50 (sensor element 2) and the support member 4 is the first that joins the support member 4 and the substrate 3. 1 is larger than the Young's modulus of the adhesive layer 501. That is, in the present embodiment, the Young's modulus of the fourth adhesive layer 504, which is a fixing means between the sensor element 2 and the support member 4 included in the vertical member 50, is between the support member 4 and the substrate 3. It is larger than the Young's modulus of the first adhesive layer 501 which is the fixing means. In other words, the fourth adhesive layer 504 between the sensor element 2 and the support member 4 has higher rigidity and is less likely to be deformed than the first adhesive layer 501 between the support member 4 and the substrate 3.
  • the sensor device 1X includes a sensor element 2X and a substrate 3X that supports the sensor element 2X.
  • the sensor device 1X uses the sensor element 2X to convert physical quantities such as angular velocity, acceleration, angular acceleration, velocity, pressure, weight, length (distance) and temperature into electrical signals. That is, the sensor element 2X functions as a transducer that converts a physical quantity into an electric signal.
  • the sensor device 1X of this type is, for example, various devices such as home electric appliances, portable terminals, cameras, wearable terminals, game machines, vehicles (including automobiles and motorcycles), drones, moving bodies such as aircraft or ships, etc. Used for.
  • the sensor device 1X further includes a support member 4X and a connecting member 5X in addition to the sensor element 2X and the substrate 3X. That is, the sensor device 1X includes the sensor element 2X, the substrate 3X, the support member 4X, and the connecting member 5X.
  • the substrate 3X has a mounting surface 31X.
  • the support member 4X has a support surface 41X.
  • the sensor element 2X is mounted on the support surface 41X.
  • the connecting member 5X is mounted on the mounting surface 31X.
  • the connection member 5X connects the substrate 3X and the support member 4X so that the normal L1X of the support surface 41X has a positional relationship along the mounting surface 31X.
  • the supporting member 4X on which the sensor element 2X is mounted is supported on the mounting surface 31X of the substrate 3X via the connecting member 5X, so that the mounting surface 31X of the substrate 3X is provided with the sensor.
  • the element 2X is mounted together with the support member 4X.
  • the substrate 3X indirectly supports the sensor element 2X via the connecting member 5X and the supporting member 4X.
  • the connecting member 5X connects the substrate 3X and the supporting member 4X so that the normal line L1X of the supporting surface 41X is in a positional relationship along the mounting surface 31X, and thus the supporting member on which the sensor element 2X is mounted.
  • the 4X support surface 41X is substantially orthogonal to the mounting surface 31X of the substrate 3X.
  • the orientation of the surface on which the sensor element 2X is mounted is converted by the connecting member 5X so that it rises up to approximately 90 degrees with respect to the mounting surface 31X of the substrate 3X. Therefore, for example, even when the sensor device 1X is mounted on the mounting substrate 10X with the surface of the substrate 3X opposite to the mounting surface 31X facing the mounting substrate 10X (see FIG. 13) such as a printed wiring board, The relative orientation of the sensor element 2X with respect to the mounting board 10X can be adjusted. That is, in the sensor device 1X according to the present embodiment, by rotating the substrate 3X in a plane along the one surface 101X of the mounting substrate 10X, the orientation of the surface (support surface 41X) on which the sensor element 2X is mounted is changed. Since it can be changed, it is possible to improve the degree of freedom of the detection target.
  • the sensor device 1X is a gyro sensor (angular velocity sensor) that detects “angular velocity”.
  • the sensor device 1X according to the present embodiment is suitable when relatively high-accuracy detection (measurement) of the angular velocity is required as in the automatic vehicle driving technique.
  • the sensor device 1X according to the present embodiment can be adopted even when highly accurate detection (measurement) of the angular velocity is not required.
  • X axis that is, an X axis, a Y axis, and a Z axis that are orthogonal to each other are set, and in particular, an axis along the normal line L1X of the support surface 41X is defined as a “Y axis”, and a normal line of the mounting surface 31X
  • the axis along the line is referred to as "Z axis”.
  • the "X" axis is orthogonal to both the Y and Z axes.
  • the X-axis, the Y-axis, and the Z-axis are all virtual axes, and the arrows indicating “X”, “Y”, and “Z” in the drawings are shown only for the sake of explanation. , None of them are substantive. Further, these directions are not intended to limit the directions when the sensor device 1X is used.
  • the sensor device 1X uses the Y axis as the detection axis and the angular velocity around the Y axis as the detection target.
  • the Y axis is an axis along the normal line L1X of the support surface 41X, and as a result, the sensor device 1X becomes the sensor device 1X as the sensor device 1X rotates around the normal line L1X of the support surface 41X.
  • the acting angular velocity is detected as a detection target. That is, the sensor element 2X outputs an electric signal according to the angular velocity around the normal line L1X (Y axis) of the support surface 41X. Therefore, according to the output of the sensor device 1X, it is possible to measure the magnitude of the angular velocity around the normal line L1X (Y axis) of the support surface 41X.
  • the sensor device 1X includes the sensor element 2X, the substrate 3X, the support member 4X, and the connecting member 5X. Further, in the present embodiment, as shown in FIGS. 13 to 16C, the sensor device 1X further includes a wiring member 6X and a case 7X in addition to the sensor element 2X, the substrate 3X, the supporting member 4X, and the connecting member 5X. There is. That is, the sensor device 1X includes the sensor element 2X, the substrate 3X, the support member 4X, the connecting member 5X, the wiring member 6X, and the case 7X. In the drawings other than FIG. 14, the case 7X is not shown.
  • a surface (mounting surface 32X) of the substrate 3X opposite to the mounting surface 31X is a printed wiring board or the like in its usage state. It is assumed that the mounting substrate 10X is flip-chip mounted in a posture facing the mounting substrate 10X.
  • the mounting substrate 10X on which the sensor device 1X is mounted is a rigid substrate, but the mounting substrate 10X is not limited to this example, and the mounting substrate 10X may be, for example, a flexible substrate or the like.
  • the sensor element 2X is an element that outputs an electric signal according to a physical quantity that is a detection target.
  • the detection target is the angular velocity around the Y axis (the normal line L1X of the support surface 41X), so the sensor element 2X outputs an electric signal according to the angular velocity around the Y axis.
  • the sensor element 2X is, for example, a vibration type gyro sensor, and detects the angular velocity around the Y axis by using the Coriolis force (turning force). That is, the sensor element 2X detects the angular velocity acting on the sensor element 2X by detecting the Coriolis force generated by the rotational force from the outside while vibrating the movable portion 21X (see FIG. 18A). ..
  • the sensor element 2X includes a bare chip using a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) technology, a so-called MEMS chip.
  • the sensor element 2X further includes, for example, a package such as a ceramic package, and the bare chip is housed in the package.
  • the sensor element 2X includes a movable portion 21X in a bare chip, and the angular velocity can be detected by vibrating the movable portion 21X.
  • the configuration of the sensor element 2X will be described in detail in the section "(2.3) Configuration of sensor element".
  • the substrate 3X is formed in a flat plate shape and has a thickness in the Z-axis direction, as shown in FIG.
  • the board 3X has a mounting surface 31X and a mounting surface 32X on both sides in the thickness direction. That is, one surface of the substrate 3X in the thickness direction functions as a mounting surface 31X on which the sensor element 2X is mounted via the connecting member 5X and the supporting member 4X.
  • the surface of the board 3X opposite to the mounting surface 31X in the thickness direction functions as a mounting surface 32X that faces the mounting board 10X with the sensor device 1X mounted on the mounting board 10X.
  • the substrate 3X has a substantially square shape in plan view.
  • the substrate 3X is, for example, a ceramic substrate and has electrical insulation.
  • the substrate 3X has ribs 33X protruding from the mounting surface 31X.
  • the rib 33X is formed along the outer peripheral edge of the mounting surface 31X so as to surround the central portion of the mounting surface 31X over the entire circumference.
  • the substrate 3X has a first electrode 34X (see FIG. 17), a second electrode 35X (see FIG. 17), and a via 36X (see FIG. 17).
  • the first electrode 34X, the second electrode 35X, and the via 36X are made of a conductive material.
  • the first electrode 34X is an electrode for electrically connecting the wiring member 6X, and is formed on the mounting surface 31X.
  • the second electrode 35X is an electrode for electrically connecting the mounting substrate 10X, and is formed on the mounting surface 32X.
  • the via 36X electrically connects the first electrode 34X and the second electrode 35X.
  • the via 36X is a through-hole via that penetrates the substrate 3X between both surfaces (mounting surface 31X and mounting surface 32X) in the thickness direction. Except for FIG. 17, the illustration of the first electrode 34X, the second electrode 35X, and the via 36X is omitted.
  • the support member 4X is formed in a flat plate shape and has a thickness in the Y-axis direction.
  • the support member 4X has a support surface 41X and a mounting surface 42X on both sides in the thickness direction. That is, one surface in the thickness direction of the support member 4X functions as the support surface 41X on which the sensor element 2X is mounted.
  • the surface of the support member 4X opposite to the support surface 41X in the thickness direction functions as a mounting surface 42X that faces the connecting member 5X.
  • the support member 4X has a substantially square shape in plan view.
  • the support member 4X is an ASIC (application specific integrated circuit). That is, the support member 4X has a structure in which a semiconductor chip is built in a package such as a resin package having electrical insulation. Therefore, in this embodiment, the sensor element 2X is mounted on one surface (support surface 41X) of the ASIC package as the support member 4X.
  • the semiconductor chip functions as a processing circuit 43X (see FIG. 16A) described later.
  • the support member 4X has an electrode 81X (see FIG. 20A) for electrically connecting the sensor element 2X and an electrode 82X (see FIG. 20A) for electrically connecting the wiring member 6X.
  • the sensor element 2X mounted on the support surface 41X is electrically connected to the support member 4X (processing circuit 43X).
  • the support member 4X (processing circuit 43X) is electrically connected to the substrate 3X (first electrode 34X) via the wiring member 6X.
  • FIGS. 13 to 16C illustration of the electrodes of the support member 4X is omitted.
  • the sensor element 2X is fixed to the support surface 41X of the support member 4X.
  • “Fixed” in the present disclosure means being in a fixed state and in a stationary state by various means. That is, the sensor element 2X does not move with respect to the support surface 41X of the support member 4X.
  • suitable means such as adhesion, adhesion, brazing, welding or pressure bonding can be adopted.
  • the fixing means for fixing the support member 4X (support surface 41X) and the sensor element 2X is adhesion with a silicone adhesive.
  • the support member 4X is formed to be slightly larger than the sensor element 2X, and the sensor element 2X is fixed to the central portion of the support surface 41X.
  • connection members 44X formed of bumps made of metal such as gold (Au) or copper (Cu) are provided.
  • a solder (AuSn solder) bump made of AuSn alloy is used as the connecting member 44X.
  • the plurality of connecting members 44X are arranged on the support surface 41X side by side in a ring shape on and around the central axis passing through the center of the sensor element 2X.
  • the connecting member 5X is formed in a rectangular parallelepiped shape as shown in FIG.
  • the connecting member 5X has a dimension (height) in the Z-axis direction that is larger than both the dimension (width) in the X-axis direction and the dimension (depth) in the Y-axis direction, that is, a vertically long rectangular parallelepiped shape. is there.
  • the connecting member 5X is made of resin, for example, and has electrical insulation.
  • the connecting member 5X is made of LCP (Liquid Crystal Polymer) resin.
  • the connecting member 5X is a member that is mounted on the mounting surface 31X of the substrate 3X and connects the substrate 3X and the supporting member 4X.
  • the support member 4X on which the sensor element 2X is mounted (mounted) is fixed to the substrate 3X (mounting surface 31X) by the connecting member 5X. Therefore, the relative positional relationship between the substrate 3X and the support member 4X is defined by the connecting member 5X.
  • the positional relationship between the substrate 3X and the support member 4X is defined such that the normal L1X (see FIG. 13) of the support surface 41X of the support member 4X is along the mounting surface 31X. ..
  • the term “along” as used in the present disclosure means that the two parties are substantially parallel to each other, that is, the two parties are exactly parallel to each other, and the angle between the two parties is within a range of several degrees (for example, less than 10 degrees). It means that there is. That is, the normal L1X of the support surface 41X is substantially parallel to the mounting surface 31X of the substrate 3X (strictly parallel, or the angle between them is within a few degrees). In the present embodiment, as an example, the normal line L1X of the support surface 41X is in a state of being strictly parallel to the mounting surface 31X of the substrate 3X.
  • the connecting member 5X has a first surface 51X and a second surface 52X, as shown in FIG.
  • the first surface 51X is fixed to the mounting surface 31X of the substrate 3X.
  • the second surface 52X intersects with the first surface 51X.
  • the support member 4X is fixed to the second surface 52X. That is, the first surface 51X of the connecting member 5X is in a state of not moving with respect to the mounting surface 31X of the substrate 3X.
  • the second surface 52X of the connecting member 5X is kept stationary with respect to the mounting surface 42X of the support member 4X.
  • the fixing means of the substrate 3X and the connecting member 5X (first surface 51X) is an adhesive layer 511X (see FIG. 13).
  • an appropriate means such as adhesion, adhesion, brazing, welding or pressure bonding can be adopted.
  • the fixing means of the supporting member 4X and the connecting member 5X (second surface 52X) is adhesion by the adhesive layer 521X (see FIG. 13).
  • the first surface 51X is one surface of the connecting member 5X in the Z-axis direction
  • the second surface 52X is one surface of the connecting member 5X in the Y-axis direction. Since the connecting member 5X has a rectangular parallelepiped shape as a whole, the first surface 51X and the second surface 52X are substantially orthogonal to each other and are adjacent to each other.
  • substantially orthogonal means that the two are substantially orthogonal, that is, the two are exactly orthogonal (cross at 90 degrees), and in addition to the angle between the two being 90 degrees to several degrees ( For example, it is within a range of less than 10 degrees).
  • the first surface 51X is strictly orthogonal to the second surface 52X.
  • the connecting member 5X having the above-described shape is fixed to the substrate 3X (mounting surface 31X) by the first surface 51X and fixed to the support member 4X (mounting surface 42X) by the second surface 52X.
  • the substrate 3X and the support member 4X are connected.
  • the sensor element 2X mounted on the support member 4X is indirectly supported by the substrate 3X via the support member 4X and the connecting member 5X.
  • the first surface 51X and the second surface 52X intersect with each other (orthogonally in this embodiment)
  • the normal L1X of the support surface 41X of the support member 4X is along the mounting surface 31X (parallel in this embodiment).
  • the substrate 3X and the supporting member 4X are connected by the connecting member 5X.
  • the connecting member 5X further includes a spacer 53X (see FIG. 15) projecting from the surface (second surface 52X) facing the supporting member 4X toward the supporting member 4X.
  • the connecting member 5X has a plurality of (four as an example) spacers 53X.
  • Each spacer 53X is, for example, formed in a dome shape (hemispherical shape).
  • the plurality (four) of spacers 53X are arranged in the second surface 52X, for example, at positions facing four corners of the mounting surface 42X of the support member 4X.
  • each spacer 53X that is, the protruding amount of each spacer 53X from the second surface 52X is, for example, 0.05 mm or more and 0.2 mm or less. In the present embodiment, as an example, the height of each spacer 53X is 0.15 mm. Thereby, a space (gap) of 0.15 mm is secured between the second surface 52X of the connecting member 5X and the mounting surface 42X of the supporting member 4X.
  • the connecting member 5X is formed to be larger than the supporting member 4X in the Z-axis direction (the thickness direction of the substrate 3X). That is, the second surface 52X of the connecting member 5X has a larger dimension in the Z-axis direction than the mounting surface 42X of the support member 4X.
  • the support member 4X is arranged near the edge of the second surface 52X on the opposite side of the substrate 3X. Therefore, a gap is secured between the support member 4X and the mounting surface 31X of the substrate 3X. That is, the support member 4X is only indirectly fixed to the substrate 3X via the connecting member 5X, and does not directly contact the substrate 3X.
  • the wiring member 6X is a member that electrically connects the support member 4X and the substrate 3X. That is, in the present embodiment, the electrical connection between the support member 4X (processing circuit 43X) made of ASIC and the substrate 3X (first electrode 34X) is realized by the wiring member 6X.
  • the wiring member 6X is fixed to the mounting surface 31X. That is, the wiring member 6X does not move with respect to the mounting surface 31X of the substrate 3X.
  • a means for fixing the wiring member 6X to the substrate 3X (mounting surface 31X) an appropriate means such as adhesion, adhesion, brazing, welding or pressure bonding can be adopted.
  • the means for fixing the substrate 3X (mounting surface 31X) and the wiring member 6X is adhesion with an adhesive layer 623X (see FIG. 13).
  • the wiring member 6X is also fixed to the connecting member 5X.
  • the wiring member 6X is in a state of not moving with respect to the second surface 52X of the connecting member 5X.
  • a means for fixing the wiring member 6X to the connecting member 5X (second surface 52X) for example, an appropriate means such as adhesion, adhesion, brazing, welding or pressure bonding can be adopted.
  • the fixing means of the connecting member 5X (second surface 52X) and the wiring member 6X is an adhesive layer 521X (see FIG. 13). That is, the adhesive layer 521X is also used for fixing the support member 4X to the connecting member 5X and fixing the wiring member 6X to the connecting member 5X.
  • the adhesive layer 521X is formed on substantially the entire second surface 52X of the connecting member 5X, and a gap between the support member 4X and the substrate 3X (mounting surface 31X) of the second surface 52X.
  • the wiring member 6X (a first holding piece 621X described later) is fixed to the portion that becomes.
  • the wiring member 6X has a plurality of lead terminals 61X and a holding portion 62X.
  • the holding portion 62X holds a plurality of lead terminals 61X.
  • the wiring member 6X further includes a plurality of bonding wires 63X in addition to the plurality of lead terminals 61X and the holding portion 62X.
  • the holder 62X is made of resin, for example, and has electrical insulation.
  • the holding portion 62X is made of LCP resin.
  • the wiring member 6X has 18 lead terminals 61X as an example.
  • Each of the plurality (18) of lead terminals 61X is made of a conductive metal (eg, copper or copper alloy).
  • the bonding wires 63X electrically connect both ends of the lead terminal 61X to the support member 4X (processing circuit 43X) and the substrate 3X (first electrode 34X), respectively. Therefore, in the wiring member 6X, the bonding wire 63X having, for example, 36 bonding wires 63X is made of a gold wire or the like which is sufficiently thinner than the lead terminal 61X.
  • the holding portion 62X includes a first holding piece 621X and a second holding piece 622X.
  • Each lead terminal 61X includes a portion extending along the mounting surface 31X of the substrate 3X and a portion extending along the second surface 52X of the connecting member 5X, and is formed in a substantially L shape as a whole. ..
  • the first holding piece 621X and the second holding piece 622X are separate bodies, the first holding piece 621X holds one end of the lead terminal 61X, and the second holding piece 622X is the other end of the lead terminal 61X. Holding a department. That is, the first holding piece 621X and the second holding piece 622X are mechanically connected by the plurality of lead terminals 61X.
  • each lead terminal 61X has higher rigidity than at least the bonding wire 63X. Therefore, the relative positional relationship between the first holding piece 621X and the second holding piece 622X is maintained by the lead terminals 61X.
  • the wiring member 6X is fixed to the connecting member 5X (second surface 52X) by the first holding piece 621X, and is fixed to the substrate 3X (mounting surface 31X) by the second holding piece 622X. Then, the tip end portion of the lead terminal 61X penetrating the first holding piece 621X is electrically connected to the electrode 82X (see FIG. 20A) of the support member 4X by the bonding wire 63X. On the other hand, the tip portion of the lead terminal 61X penetrating the second holding piece 622X is electrically connected to the first electrode 34X of the substrate 3X by the bonding wire 63X.
  • the case 7X (see FIG. 14) is connected to the board 3X.
  • the case 7X houses at least the sensor element 2X between itself and the mounting surface 31X of the substrate 3X.
  • the case 7X is made of metal as an example.
  • the case 7X is fixed to the mounting surface 31X side of the substrate 3X, so that the sensor element 2X, the support member 4X, the connecting member 5X, and the wiring member 6X are housed between the case 7X and the mounting surface 31X of the substrate 3X. A space is created.
  • the case 7X has a case main body 71X and a flange portion 72X, as shown in FIG.
  • the case body 71X is formed in a box shape with one surface in the Z-axis direction (a surface facing the substrate 3X) serving as an opening surface.
  • the case main body 71X has a rounded (R) shape in which each corner is curved.
  • the flange portion 72X is a portion that projects outward from the outer peripheral edge of the opening surface of the case body 71X.
  • the case 7X is joined to the substrate 3X by joining the flange portion 72X to the rib 33X of the substrate 3X.
  • the fixing means for the substrate 3X and the case 7X is adhesive.
  • the case 7X is airtightly coupled to the substrate 3X, so that an airtight space is formed between the case 7X and the mounting surface 31X of the substrate 3X. Therefore, the sensor element 2X and the like are housed in the airtight space, and the sensor device 1X can suppress the influence of humidity and the like on the sensor element 2X.
  • the sensor device 1X has a processing circuit 43X as shown in FIGS. 16A and 16B.
  • the processing circuit 43X is provided in the ASIC as the support member 4X in the present embodiment.
  • the processing circuit 43X executes processing relating to the electric signal output from the sensor element 2X.
  • the processing circuit 43X is provided on the support member 4X.
  • the support member 4X includes a processing circuit 43X that executes processing relating to the electric signal output from the sensor element 2X.
  • the processing circuit 43X converts the analog electric signal (analog signal) output from the sensor element 2X into a digital signal.
  • the processing circuit 43X executes appropriate processing such as noise removal and temperature compensation. Further, the processing circuit 43X gives a drive signal for driving the sensor element 2X to the sensor element 2X.
  • the processing circuit 43X may execute arithmetic processing such as integration processing or differentiation processing.
  • the processing circuit 43X performs integration processing on the electric signal output from the sensor element 2X, so that the sensor device 1X can obtain an integrated value of angular velocities around the Y axis, that is, an angle around the Y axis. Is.
  • the processing circuit 43X performs the differential processing on the electric signal output from the sensor element 2X, so that the sensor device 1X obtains the differential value of the angular velocity around the Y axis, that is, the angular acceleration around the Y axis. It is possible.
  • the sensor device 1X is mounted on the mounting board 10X in a posture in which the surface (mounting surface 32X) of the board 3X opposite to the mounting surface 31X faces the mounting board 10X such as a printed wiring board. It is assumed that it is flip-chip mounted. That is, as shown in FIG. 17, the sensor device 1X is mounted on the mounting substrate 10X with the mounting surface 32X of the substrate 3X facing the one surface 101X of the mounting substrate 10X.
  • the second electrode 35X formed on the mounting surface 32X of the substrate 3X is joined to the substrate electrode 102X formed on the one surface 101X of the mounting substrate 10X by the joining member 103X.
  • the joining member 103X is a joining member having conductivity, and is, for example, a gold (Au) bump, a solder, or the like.
  • the mounting surface 32X of the substrate 3X and the one surface 101X of the mounting substrate 10X may be mechanically coupled by underfill.
  • the second electrode 35X connected to the mounting substrate 10X (substrate electrode 102X) is connected to the first electrode 34X formed on the mounting surface 31X of the substrate 3X by a via 36X.
  • the first electrode 34X is connected to one end of the lead terminal 61X of the wiring member 6X by the bonding wire 63X, and the other end of the lead terminal 61X is connected by the bonding wire 63X to the electrode 82X of the support member 4X (FIG. 20A). (See)).
  • the second electrode 35X connected to the mounting substrate 10X (substrate electrode 102X) is electrically connected to the support member 4X via the via 36X, the first electrode 34X, the bonding wire 63X, the lead terminal 61X, and the bonding wire 63X. Will be connected. Since the support member 4X is an ASIC including the processing circuit 43X in the present embodiment, the above configuration realizes electrical connection between the mounting substrate 10X and the processing circuit 43X.
  • FIGS. 18A and 18B are conceptual diagrams for explaining the operating principle of the sensor element 2X.
  • the sensor element 2X is a high-frequency (MHz band) driven capacitive bulk ultrasonic gyroscope.
  • This gyroscope (sensor element 2X) includes a base plate, a movable portion 21X, and a plurality of electrodes 22X.
  • the movable part 21X is supported on the base plate via an insulating layer.
  • the plurality of electrodes 22X are arranged around the movable portion 21X so as to surround the movable portion 21X. A very small gap is formed between each electrode 22X and the movable portion 21X.
  • the plurality of electrodes 22X can excite and detect at least two modified bulk ultrasonic resonance modes in the movable portion 21X.
  • the movable portion 21X is a resonant element, and is formed in a disk shape (disk shape) that is circular in a plan view.
  • the movable portion 21X is a non-piezoelectric material such as single crystal or polycrystalline silicon, and does not need to be manufactured from a piezoelectric material.
  • the movable portion 21X may be made of, for example, a semiconductor or metal material such as silicon carbide, gallium nitride, aluminum nitride, or quartz.
  • the plurality of electrodes 22X include drive electrodes 221X and detection electrodes 222X. Then, the movable portion 21X is deformed between the drive mode shown in FIG. 18A and the detection mode shown in FIG. 18B due to the precession movement. That is, the disk-shaped movable portion 21X vibrates so as to repeat deformations that alternately expand and contract in two directions orthogonal to each other within a plane orthogonal to the central axis (axis parallel to the Y axis). The sensor element 2X outputs the deformation amount (movement amount) of the movable portion 21X as an electric signal.
  • the sensor element 2X outputs an electric signal according to the change in the electrostatic capacitance. ..
  • FIG. 19 is a schematic view of the support member 4X as seen from the support surface 41X side, and in FIG. 19, the sensor element 2X is partially cut away. Further, FIG. 19 conceptually shows the arrangement of the connecting members 44X, and as an example, nine connecting members 44X are arranged on the support surface 41X, but the number of connecting members 44X is limited to nine. It's not the point. For example, as shown in FIG. 15 and the like, 17 connecting members 44X may be arranged on the support surface 41X.
  • a plurality of AuSn solder bumps are provided as the connecting member 44X between the support member 4X and the sensor element 2X.
  • the plurality of (nine in FIG. 19) connecting members 44X are arranged point-symmetrically with respect to at least the center point P1X of the sensor element 2X. That is, the plurality of connecting members 44X that connect the support member 4X and the sensor element 2X are arranged point-symmetrically within the support surface 41X with the center point P1X of the sensor element 2X as the point of symmetry (symmetry center).
  • connection member 44X is arranged on the center point P1X of the sensor element 2X when the support member 4X is viewed from the side of the support surface 41X, and a plurality of connecting members 44X are arranged on a ring centered on the center point P1X (see FIG. In FIG. 19, eight connection members 44X are arranged.
  • the plurality of connecting members 44X arranged around the center point P1X are arranged side by side in an annular shape centered on the center point P1X.
  • the plurality of connecting members 44X arranged in an annular shape are arranged so as to surround one connecting member 44X located on the center point P1X.
  • the plurality of connecting members 44X arranged in an annular shape are arranged at equal intervals in the circumferential direction of the center point P1X.
  • each of the plurality (9 in FIG. 19) of connecting members 44X is formed in a circular shape.
  • the center point P1X is set so that its shape is point-symmetrical with respect to the center point P1X when the support member 4X is viewed from the support surface 41X side. It is formed in a circular shape around the center.
  • the center point P1X of the sensor element 2X is a point located at the center (or center of gravity) of the surface of the sensor element 2X facing the support surface 41X, that is, the joint surface with the support member 4X.
  • the sensor element 2X outputs an electric signal according to an angular velocity around the normal L1X (Y axis) of the support surface 41X passing through the center point P1X. That is, the normal line L1X (Y axis) of the support surface 41X passing through the center point P1X of the sensor element 2X becomes the detection axis of the sensor element 2X.
  • the sensor device 1X further includes the plurality of connecting members 44X that connect the support member 4X and the sensor element 2X.
  • the plurality of connecting members 44X are arranged point-symmetrically with respect to the center point P1X of the sensor element 2X. Therefore, the distribution of the stress transmitted from the support member 4X to the sensor element 2X via the plurality of connecting members 44X is point-symmetric with respect to the center point P1X. Therefore, for example, due to a difference in thermal expansion coefficient between the mounting substrate 10X and the substrate 3X (or the supporting member 4X or the connecting member 5X), stress acts on the supporting member 4X from the mounting substrate 10X via the substrate 3X and the connecting member 5X.
  • the influence of stress on the detection result of the sensor element 2X is unlikely to occur. That is, even when stress acts on the sensor element 2X from the support member 4X, the distribution of this stress is point-symmetric with respect to the center point P1X, so that the sensor element 2X has a bias of stress with respect to the center point P1X. It is less likely to occur and less likely to affect the detection result of the sensor element 2X.
  • the plurality of connecting members 44X may be arranged in point symmetry with respect to at least the center point P1X of the sensor element 2X, and for example, a double or more annular shape (concentric circles) centering on the center point P1X.
  • a plurality of connecting members 44X may be arranged in the.
  • FIG. 20A is a schematic cross-sectional view of a main part showing the structure of the electrodes 81X and 82X according to the first aspect
  • FIG. 20B is the structure of the electrodes 81X and 82X according to the second aspect.
  • 20A and 20B merely conceptually show the schematic structure of the electrodes 81X and 82X, and the ratio of the size and the thickness of each component in the drawings defines the actual dimensional ratio. is not.
  • the support member 4X includes the electrode 81X (also referred to as “sensor electrode”) for electrically connecting the sensor element 2X to the support member 4X, and the substrate on the support member 4X via the wiring member 6X. And an electrode 82X (also referred to as “a substrate electrode”) for electrically connecting 3X. Both of these electrodes 81X and 82X are arranged on the support surface 41X of the support member 4X. Particularly, in the present embodiment, since the support member 4X is an ASIC including the processing circuit 43X, the electrode 81X and the electrode 82X are provided on the support member 4X in order to electrically connect the sensor element 2X and the substrate 3X to the processing circuit 43X. Has been.
  • the sensor electrode 81X is connected to the sensor element 2X by the connecting member 44X.
  • the substrate electrode 82X is connected to one end of the lead terminal 61X by a bonding wire 63X. That is, the AuSn solder bump as the connecting member 44X is connected to the sensor electrode 81X, and the bonding wire 63X is connected to the substrate electrode 82X.
  • a plurality of sensor electrodes 81X are provided so as to correspond to the plurality of connecting members 44X one-to-one, and a plurality of substrate electrodes 82X are provided so as to correspond to the plurality of bonding wires 63X one-to-one (FIG. 19). That is, a plurality of electrodes 81X and 82X of the support member 4X are provided.
  • the electrodes 81X and 82X of this type particularly in the sensor electrode 81X, an electrode having a structure in which a Ni plating layer and an Au plating layer are laminated in this order on a base electrode such as aluminum (Al) is adopted.
  • a base electrode such as aluminum (Al)
  • a UBM Under Bump Metal
  • the step of connecting the support member 4X and the sensor element 2X includes a heating step of heating the connection member 44X in order to melt the AuSn solder bump as the connection member 44X.
  • the electrodes 81X and 82X are also heated to a high temperature (for example, about 350° C.) in order to melt the AuSn solder bumps.
  • nickel (Ni) in the Ni plating layer of the substrate electrode 82X may be deposited on the surface of the Au plating layer and may be oxidized. Nickel oxidized on the surface of the Au plating layer may hinder the connection of the bonding wire 63X and reduce the bonding strength between the bonding wire 63X and the substrate electrode 82X.
  • the bonding strength between the ball (Au ball) formed at the tip of the bonding wire 63X and the electrode 82X is reduced.
  • the bonding strength between the bonding wire 63X and the electrode 82X decreases.
  • the electrodes 81X and 82X are shown in FIGS. 20A and 20B so that the bonding strength between the bonding wire 63X and the supporting member 4X (substrate electrode 82X) does not easily decrease. Adopt such a configuration.
  • the substrate electrode 82X has only the base electrode 821X.
  • the substrate electrode 82X for electrically connecting the substrate 3X to the support member 4X via the wiring member 6X does not have a plating layer and is composed of only the base electrode 821X.
  • the sensor electrode 81X has a base electrode 811X, a Ni plating layer 812X, and an Au plating layer 813X.
  • both the base electrode 821X and the base electrode 811X are aluminum (Al).
  • the Ni plating layer 812X and the Au plating layer 813X are laminated on the base electrode 811X in this order. That is, the Ni plating layer 812X is formed on the base electrode 811X, and the Au plating layer 813X is formed on the Ni plating layer 812X.
  • the support member 4X includes a sensor electrode 81X for electrically connecting the sensor element 2X, and a substrate electrode 82X for electrically connecting the substrate 3X.
  • the sensor electrode 81X includes a base electrode 811X and a plating layer (Ni plating layer 812X and Au plating layer 813X).
  • the substrate electrode 82X includes only the base electrode 821X. In this way, the plating layer (Ni plating layer 812X and Au plating layer 813X) is formed on the base electrode 811X only on one electrode 81X of the electrodes 81X and 82X of the support member 4X, and the other electrode 82X is formed.
  • the UBM for forming the AuSn solder bump is configured by forming the plating layer (Ni plating layer 812X and Au plating layer 813X) on the base electrode 811X. To be done.
  • both the sensor electrode 81X and the substrate electrode 82X have barrier layers 810X and 820X.
  • the sensor electrode 81X has a barrier layer 810X in addition to the base electrode 811X, the Ni plating layer 812X and the Au plating layer 813X.
  • the barrier layer 810X is arranged between the Ni plating layer 812X and the Au plating layer 813X.
  • the Ni plating layer 812X, the barrier layer 810X, and the Au plating layer 813X are laminated on the base electrode 811X in this order. That is, the Ni plating layer 812X is formed on the base electrode 811X made of aluminum (Al), and the Au plating layer 813X is formed on the Ni plating layer 812X via the barrier layer 810X.
  • the barrier layer 810X is arranged between the Ni plating layer 812X and the Au plating layer 813X, and suppresses the diffusion of nickel (Ni) from the Ni plating layer 812X to the Au plating layer 813X.
  • the barrier layer 810X is, for example, palladium (Pd) or a palladium alloy.
  • the substrate electrode 82X has the same configuration as the sensor electrode 81X. That is, the substrate electrode 82X has the barrier layer 820X in addition to the base electrode 821X, the Ni plating layer 822X, and the Au plating layer 823X.
  • the barrier layer 820X is arranged between the Ni plating layer 822X and the Au plating layer 823X.
  • the Ni plating layer 822X, the barrier layer 820X, and the Au plating layer 823X are laminated on the base electrode 821X in this order.
  • the Ni plating layer 822X is formed on the base electrode 821X made of aluminum (Al), and the Au plating layer 823X is formed on the Ni plating layer 822X via the barrier layer 820X.
  • the barrier layer 820X is arranged between the Ni plating layer 822X and the Au plating layer 823X, and thereby suppresses the diffusion of nickel (Ni) from the Ni plating layer 822X to the Au plating layer 823X.
  • the barrier layer 820X is, for example, palladium (Pd) or a palladium alloy.
  • the thickness of the Ni plating layer 812X is, for example, 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the thickness of the Ni plating layer 812X is more preferably 3 ⁇ m or more.
  • the thickness of the Ni plating layer 812X is more preferably 8 ⁇ m or less. In the present embodiment, as an example, the thickness of the Ni plating layer 812X is 5 ⁇ m.
  • the thickness of the barrier layer 810X is, for example, 0.01 ⁇ m or more and 1.0 ⁇ m or less.
  • the thickness of the barrier layer 810X is more preferably 0.05 ⁇ m or more.
  • the thickness of the barrier layer 810X is more preferably 0.5 ⁇ m or less.
  • the thickness of the barrier layer 810X is 0.2 ⁇ m.
  • the thickness of the Au plating layer 813X is, for example, 0.01 ⁇ m or more and 1.0 ⁇ m or less.
  • the thickness of the Au plating layer 813X is more preferably 0.05 ⁇ m or more.
  • the thickness of the Au plated layer 813X is more preferably 0.5 ⁇ m or less. In the present embodiment, as an example, the thickness of the Au plating layer 813X is 0.15 ⁇ m.
  • the same thickness as the Ni plating layer 812X, the barrier layer 810X, and the Au plating layer 813X of the sensor electrode 81X can be adopted. is there.
  • the support member 4X includes a sensor electrode 81X for electrically connecting the sensor element 2X and a substrate electrode 82X for electrically connecting the substrate 3X.
  • Each of the sensor electrode 81X and the substrate electrode 82X includes base electrodes 811X and 821X, Ni plating layers 812X and 822X, Au plating layers 813X and 823X, and barrier layers 810X and 820X.
  • Ni plating layers 812X and 822X, barrier layers 810X and 820X, and Au plating layers 813X and 823X are stacked in this order on the base electrodes 811X and 821X.
  • the electrode 81X (or 82) of the support member 4X has the barrier layer 810X (or 820X) between the Ni plating layer 812X (or 822X) and the Au plating layer 813X (or 823X). .. Therefore, diffusion of nickel (Ni) from the Ni plating layer 812X (or 822X) to the Au plating layer 813X (or 823X) is suppressed by the barrier layer 810X (or 820X). Therefore, in the heating step described above, even if the electrodes 81X and 82X are heated, the diffusion of nickel (Ni) is suppressed by the barrier layer 810X (or 820X), and onto the surface of the Au plating layer 813X (or 823X).
  • the bonding strength between the bonding wire 63X and the substrate electrode 82X is less likely to decrease.
  • the UBM for forming the AuSn solder bump is formed by forming the plating layer (Ni plating layer 812X and Au plating layer 813X) on the base electrode 811X. To be done.
  • the third embodiment is only one of various embodiments of the present disclosure.
  • the drawings referred to in the third embodiment are all schematic views, and the size and thickness ratios of the respective constituent elements in the drawings do not always reflect the actual dimensional ratios.
  • the third embodiment can be variously modified according to the design and the like as long as the object of the present disclosure can be achieved. The modifications described below can be applied in appropriate combination.
  • a sensor device 1X according to a first modification of the third embodiment is different from the sensor device 1X according to the third embodiment in the mounting mode on the mounting substrate 10X. .. That is, the sensor device 1X according to the third embodiment is joined to the mounting substrate 10X by the joining member 103X (see FIG. 17) made of gold (Au) bumps or solder, whereas the sensor device 1X according to the present modification. The sensor device 1X is joined to the mounting substrate 10X by the terminal member 110X.
  • the sensor device 1X is mounted on the mounting board 10X with the mounting surface 32X of the board 3X facing the one surface 101X of the mounting board 10X as shown in FIG.
  • the terminal member 110X is a member having elasticity (elasticity), and a part of the terminal member 110X is fixed to the substrate 3X.
  • the terminal member 110X is a lead terminal made of a conductive metal (eg, copper or copper alloy).
  • the sensor device 1X has a plurality of terminal members 110X along the outer peripheral edge of the mounting surface 32X of the substrate 3X. That is, the plurality of terminal members 110X are arranged side by side along the outer peripheral edge of the mounting surface 32X.
  • each terminal member 110X has a first terminal piece 111X, a second terminal piece 112X, a third terminal piece 113X and a fourth terminal piece 114X, and is formed into a substantially C-shape as a whole. There is.
  • the first terminal piece 111X and the third terminal piece 113X are in a positional relationship parallel to each other.
  • the second terminal piece 112X connects one end of the first terminal piece 111X and one end of the third terminal piece 113X.
  • the fourth terminal piece 114X projects from the end of the third terminal piece 113X on the opposite side of the second terminal piece 112X toward the first terminal piece 111X.
  • the first terminal piece 111X is connected to the mounting surface 32X of the substrate 3X by soldering or the like.
  • the third terminal piece 113X is connected to one surface of the mounting board 10X by soldering or the like. In this way, part of the terminal member 110X is fixed to the board 3X, and the other part is fixed to the mounting board 10X.
  • the stress transmitted between the mounting substrate 10X and the substrate 3X can be reduced by bending the second terminal piece 112X due to at least the elasticity (elasticity) of the second terminal piece 112X. Therefore, for example, even when a stress acts on the terminal member 110X from the mounting substrate 10X due to a difference in thermal expansion coefficient between the mounting substrate 10X and the substrate 3X, the stress is reduced by the terminal member 110X and the substrate 3X It is hard to be transmitted, and the influence of stress on the detection result of the sensor element 2X hardly occurs.
  • the stress acting on the sensor element 2X from the support member 4X due to the arrangement of the plurality of connecting members 44X as described in the section "(2.4) Arrangement of connecting member” is also detected by the sensor element 2X. Hard to affect. Therefore, according to the configuration of the present modification, the influence of stress on the detection result of the sensor element 2X is less likely to occur due to the synergistic effect of the arrangement of the connecting member 44X and the terminal member 110X.
  • the mounting surface 32X of the substrate 3X and the one surface 101X of the mounting substrate 10X may be mechanically coupled by underfill.
  • the sensor element 2X detects the angular velocity around the Y axis, but the configuration is not limited to this, and the sensor element 2X may detect the angular velocity around the X axis or the Z axis, for example. Furthermore, the sensor element 2X is not limited to the angular velocity about one axis, and may be configured to detect the angular velocity of two or more axes. For example, the sensor element 2X may be a triaxial angular velocity sensor that detects the angular velocity around each of the three axes of the X axis, the Y axis, and the Z axis.
  • the sensor element 2X may be configured to detect a physical quantity other than the angular velocity.
  • the sensor element 2X may be configured to detect physical quantities such as acceleration, angular acceleration, speed, pressure, weight, length (distance) and temperature.
  • the sensor element 2X is not limited to one physical quantity, and may be configured to detect a plurality of physical quantities.
  • the sensor element 2X may detect angular velocity and acceleration.
  • the sensor element 2X is not limited to the element using the MEMS technology, and may be another element.
  • the number of spacers 53X provided on the connecting member 5X is not limited to four, and may be one, two, three, or five or more, for example. Further, the shape of each spacer 53X is not limited to the dome shape, but may be an appropriate shape such as a cylindrical shape, a polygonal pillar shape, a conical shape, a polygonal pyramid shape, or a spherical shape.
  • the sensor device 1X is flip-chip mounted on the mounting substrate 10X, but the mounting method of the sensor device 1X is not limited to flip-chip mounting.
  • the sensor device 1X may have a surface mounting method other than flip-chip mounting such as wire bonding, or a configuration in which lead terminals are provided on the substrate 3X and the sensor device 1X is inserted and mounted in the mounting substrate 10X.
  • the shape and material of the substrate 3X are not limited to the example shown in the third embodiment.
  • the substrate 3X may be rectangular or circular in plan view.
  • the substrate 3X is not limited to be made of ceramic, but may be made of resin or silicon, for example.
  • the fact that the support member 4X is an ASIC including the processing circuit 43X is not an essential configuration for the sensor device 1X, and an appropriate configuration can be adopted for the support member 4X. That is, the support member 4X does not have to be an electronic component and may be a simple structure such as a plate material. Further, the shape and material of the support member 4X are not limited to the example shown in the third embodiment. For example, the support member 4X may have a rectangular shape or a circular shape in a plan view. Furthermore, the support member 4X may be, for example, a member made of resin, silicon, or ceramic.
  • the shape and material of the connecting member 5X are not limited to the example shown in the third embodiment.
  • the connecting member 5X may have a cubic shape or a polygonal prism (triangular prism, hexagonal prism, etc.) shape.
  • the connecting member 5X may be, for example, a stay or the like having an L shape in a side view.
  • the connecting member 5X is not limited to being made of LCP resin, but may be made of, for example, silicon, metal, or ceramic.
  • the wiring member 6X is not limited to the example shown in the third embodiment, and may be realized by, for example, a lead wire, a flexible board, a harness, a connector, or the like. Furthermore, the wiring member 6X may include a conductive path formed on the surface of the connecting member 5X, a conductive path embedded in the connecting member 5X, or the like.
  • the sensor device 1AX according to the present embodiment differs from the sensor device 1X according to the third embodiment in that the connecting member 5AX has a hollow structure.
  • the same components as those in the third embodiment will be denoted by the same reference numerals and the description thereof will be appropriately omitted.
  • the connecting member 5AX is formed in a rectangular parallelepiped shape having a hollow structure.
  • the connecting member 5AX has a hollow portion 54X.
  • the hollow portion 54X is a concave portion (a depression) that opens on the surface opposite to the support member 4X in the Y-axis direction, that is, on the back surface side of the second surface 52X. That is, the connecting member 5AX has a hollow structure by forming the hollow portion 54X that is a recess. In this configuration, the support member 4X on which the sensor element 2X is mounted is fixed to the bottom wall of the hollow portion 54X (recess) of the connecting member 5AX.
  • the sensor device 1AX it is possible to reduce the impact that acts on the connecting member 5AX as compared with the connecting member 5X having a solid structure. Thereby, the impact resistance of the sensor device 1AX can be improved.
  • the shape of the connecting member 5AX illustrated in FIG. 22 is merely an example, and the connecting member 5AX may have a hollow shape having no opening, for example.
  • the sensor device 1BX according to the present reference example is different from the sensor device 1X according to the third embodiment in the relative positional relationship between the substrate 3X and the support member 4X.
  • the same components as those in the third embodiment will be denoted by the same reference numerals and the description thereof will be appropriately omitted.
  • the substrate 3X and the support member 4X are coupled so that the support surface 41X has a positional relationship along the mounting surface 31X.
  • the support surface 41X and the mounting surface 31X are substantially parallel to each other.
  • the support member 4X on which the sensor element 2X is mounted is supported on the mounting surface 31X of the substrate 3X via the connecting member 5BX.
  • the sensor element 2X has the Z axis as the detection axis and the angular velocity around the Z axis as the detection target.
  • the sensor device 1BX Since the Z-axis is an axis along the normal line of the support surface 41X (mounting surface 31X), the sensor device 1BX consequently rotates the sensor device 1BX around the normal line of the support surface 41X (mounting surface 31X). Accordingly, the angular velocity acting on the sensor device 1BX is detected as a detection target.
  • the supporting member 4X and the substrate 3X are directly connected by the bonding wire 63X. Therefore, in the sensor device 1BX according to the present reference example, the plurality of lead terminals 61X (see FIG. 13) and the holding portions 62X (see FIG. 13) are omitted.
  • the sensor device 1BX includes the sensor element 2X, the substrate 3X, the support member 4X, and the connection member 5BX.
  • the substrate 3X has a mounting surface 31X.
  • the support member 4X has a support surface 41X.
  • the sensor element 2X is mounted on the support surface 41X.
  • the connecting member 5BX is mounted on the mounting surface 31X.
  • the support member 4X on which the sensor element 2X is mounted is supported on the mounting surface 31X of the substrate 3X via the connecting member 5BX.
  • the connecting member 5BX has a dimension (height H1X) in the Z-axis direction smaller than both the dimension (width) in the X-axis direction and the dimension (depth) in the Y-axis direction, that is, a rectangular parallelepiped with a low profile. It is a state.
  • the connecting member 5BX has a back surface 55X and a front surface 56X on both sides in the Z-axis direction (the height direction of the connecting member 5BX).
  • the back surface 55X is fixed to the mounting surface 31X of the substrate 3X.
  • the support member 4X is fixed to the surface 56X.
  • the back surface 55X of the connecting member 5BX is in a state of not moving with respect to the mounting surface 31X of the substrate 3X.
  • the surface 56X of the connecting member 5BX is kept stationary with respect to the mounting surface 42X of the support member 4X.
  • the connecting member 5BX having the above-described shape is fixed to the substrate 3X (mounting surface 31X) at the back surface 55X and fixed to the support member 4X (mounting surface 42X) at the front surface 56X, whereby the connecting member 5BX is connected to the substrate 3X. It connects with the support member 4X.
  • the sensor element 2X mounted on the support member 4X is indirectly supported by the substrate 3X via the support member 4X and the connecting member 5BX.
  • the back surface 55X and the front surface 56X are substantially parallel to each other, the board 3X and the support member 4X are connected by the connection member 5BX so that the support surface 41X of the support member 4X is along the mounting surface 31X. ..
  • the coupling member 5BX, the support member 4X, and the sensor element 2X are laminated in this order in one direction (Z-axis direction) along the normal to the mounting surface 31X. ..
  • the fixing means of the substrate 3X and the connecting member 5BX (rear surface 55X) is adhesion by the adhesive layer 511X.
  • suitable means such as adhesion, adhesion, brazing, welding or pressure bonding can be adopted.
  • the fixing means of the supporting member 4X and the connecting member 5BX (front surface 56X) is adhesion by the adhesive layer 521X.
  • a spacer 57X is provided between the substrate 3X and the connecting member 5BX.
  • the sensor device 1BX has a plurality (four as an example) of spacers 57X.
  • Each spacer 57X is, for example, formed in a dome shape (hemispherical shape).
  • the plurality (four) of spacers 57X are arranged on the mounting surface 31X of the substrate 3X, for example, at positions facing four corners of the back surface 55X of the connecting member 5BX.
  • the support member 4X on which the sensor element 2X is mounted is supported on the mounting surface 31X of the substrate 3X via the connection member 5BX, and thus the connection member 5BX.
  • stress is less likely to be transmitted from the substrate 3X to the sensor element 2X. That is, compared to a configuration in which the support member 4X is directly fixed to the substrate 3X, in the sensor device 1BX, since the connection member 5BX is interposed between the support member 4X and the substrate 3X, the substrate 3X is moved to the support member 4X. The stress is less likely to be transmitted, and as a result, the stress is less likely to be transmitted to the sensor element 2X.
  • the sensor element 2X is also used. It is difficult to affect the detection result of. Therefore, according to the configuration of the present reference example, due to the synergistic effect of the arrangement of the connecting member 44X and the connecting member 5BX, the influence of stress on the detection result of the sensor element 2X is less likely to occur. Similarly, as for the stress acting on the substrate 3X from the mounting substrate 10X due to the springiness (elasticity) of the terminal member 110X as described in the section "(3.1) First modified example" of the third embodiment, the sensor is also used.
  • the influence of stress on the detection result of the sensor element 2X is less likely to occur due to the synergistic effect of the spring property (elasticity) of the terminal member 110X and the connecting member 5BX.
  • the support member 4X on which the sensor element 2X is mounted is supported on the mounting surface 31X of the substrate 3X via the connecting member 5BX, so that the structure without the connecting member 5BX is compared. Then, the influence of vibration on the detection result of the sensor element 2X is less likely to occur. That is, for example, even if vibration (including impact) is transmitted from the mounting substrate 10X to the substrate 3X, this vibration is reduced by the coupling member 5BX and transmitted to the sensor element 2X mounted on the support member 4X. It gets harder. As a result, even if vibration is applied to the sensor device 1BX, the influence of the vibration on the detection result of the sensor element 2X is unlikely to occur.
  • the height H1X (dimension in the Z-axis direction) of the connecting member 5BX is preferably, for example, 0.1 mm or more and 1.5 mm or less.
  • the height H1X of the connecting member 5BX is more preferably 0.5 mm or more.
  • the height H1X of the connecting member 5BX is more preferably 1.0 mm or less. In this reference example, as an example, the height H1X of the connecting member 5BX is 0.725 mm.
  • the thermal expansion coefficient of the connecting member 5BX is preferably between the thermal expansion coefficient of the substrate 3X and the thermal expansion coefficient of the support member 4X.
  • the thermal expansion coefficient of the connecting member 5BX is preferably 2 ppm/° C. or more and 8 ppm/° C. or less, for example.
  • the thermal expansion coefficient of the connecting member 5BX is more preferably 2.5 ppm/° C. or higher.
  • the thermal expansion coefficient of the connecting member 5BX is more preferably 7.5 ppm/° C. or less. In this reference example, as an example, the thermal expansion coefficient of the connecting member 5BX is 3 ppm/°C.
  • the influences of stress and vibration on the detection result of the sensor element 2X by the connecting members 5X and 5AX It is possible to obtain the effect of making it less likely to occur. That is, in the present reference example, the connection member 5BX, the support member 4X, and the sensor element 2X are laminated in this order on the mounting surface 31X of the substrate 3X in the Z-axis direction along the normal to the mounting surface 31X. , But not limited to this configuration.
  • the support member 4X on which the sensor element 2X is mounted can be mounted on the substrate 3X via the connection members 5X and 5AX. By being supported on 31X, it becomes difficult for stress and vibration to be transmitted from the substrate 3X to the sensor element 2X.
  • the invention is not limited to this example, and the sensor device 1BX may include the joining member 103X made of solder or the like (see FIG. 17), and may be joined to the mounting substrate 10X.
  • the configuration (including modified examples) described in Reference Example 1 can be appropriately combined with the various configurations (including modified examples) described in Embodiment 3 or Embodiment 4.
  • the configurations described in the sections of “(2.4) Arrangement of connection members”, “(2.5) Electrode structure” and “(3.1) First modified example” of Embodiment 3 refer to The configuration described in Example 1 can be appropriately combined and employed.
  • Reference example 2 The sensor device 1CX according to the present reference example is different from the sensor device 1BX according to the first reference example in that the support member 4X is directly fixed to the substrate 3X, as shown in FIG.
  • components similar to those in Reference Example 1 will be designated by common reference numerals and description thereof will be appropriately omitted.
  • the connecting member 5BX (see FIG. 23) is omitted, and as shown in FIG. 24, the supporting member 4X is directly coupled to the substrate 3X. That is, the support member 4X on which the sensor element 2X is mounted is directly supported on the mounting surface 31X of the substrate 3X. In other words, on the mounting surface 31X of the substrate 3X, the support member 4X and the sensor element 2X are laminated in this order in one direction (Z-axis direction) along the normal to the mounting surface 31X.
  • the support member 4X (mounting surface 42X) to the substrate 3X (mounting surface 31X)
  • an appropriate means such as adhesion, adhesion, brazing, welding or pressure bonding can be adopted.
  • the fixing means of the substrate 3X and the support member 4X is adhesion by the adhesive layer 511X.
  • the sensor device 1CX can be downsized because there is no connecting member.
  • the present invention is not limited to this example, and the sensor device 1CX is, for example, a joining member 103X made of solder or the like (see FIG. 17), and may be joined to the mounting substrate 10X.
  • the configuration (including the modified example) described in the reference example 2 can be appropriately combined with the various configurations (including the modified example) described in the third or fourth embodiment.
  • the configurations described in the sections of “(2.4) Arrangement of connection members”, “(2.5) Electrode structure” and “(3.1) First modified example” of Embodiment 3 refer to The configuration described in Example 2 can be appropriately combined and used.
  • the sensor device 10Y is, for example, an angular velocity sensor using a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) technology.
  • the sensor device 10Y includes a base substrate 11Y, an intermediate substrate 12Y, an adhesive portion 13Y (see FIG. 26B), a support portion 14Y (see FIG. 26B), and a sensor element 15Y.
  • a base substrate 11Y is mounted on the surface of a mounting substrate 200Y such as a circuit board, and the plurality of terminals 201Y electrically connect the base substrate 11Y and the mounting substrate 200Y.
  • the base substrate 11Y, the intermediate substrate 12Y, and the sensor element 15Y are laminated on the mounting substrate 200Y in the order of the base substrate 11Y, the intermediate substrate 12Y, and the sensor element 15Y.
  • the base substrate 11Y is a ceramic circuit substrate formed in a flat plate shape
  • the intermediate substrate 12Y is an ASIC (application specific integrated circuit). That is, in the present embodiment, the sensor element 15Y is mounted on the package of the intermediate substrate 12Y (ASIC) mounted on the base substrate 11Y.
  • ASIC application specific integrated circuit
  • a cap 300Y is provided on the surface of the base substrate 11Y.
  • the cap 300Y is joined to the surface of the base substrate 11Y by a frame-shaped joint portion 301Y such as an adhesive.
  • the intermediate substrate 12Y, the adhesive portion 13Y, and the support portion 14Y are housed inside the cap 300Y.
  • FIG. 25B shows a state in which the cap 300Y is removed from the joint portion 301Y.
  • the sensor element 15Y is mounted on the intermediate substrate 12Y. That is, the sensor element 15Y is bonded to the surface of the intermediate substrate 12Y.
  • a center PY along the mounting direction of the sensor element 15Y and the intermediate substrate 12Y and a center PY of the intermediate substrate 12Y along the joining direction between the intermediate substrate 12Y and the base substrate 11Y are seen in a plan view. They are mounted on the intermediate substrate 12Y so as to coincide with each other. That is, the sensor element 15Y is located at the center of the surface of the intermediate substrate 12Y.
  • the intermediate board 12Y is mounted on the surface of the base board 11Y.
  • the intermediate substrate 12Y is joined to the base substrate 11Y by the adhesive portion 13Y. That is, the bonding portion 13Y is located between the intermediate substrate 12Y and the base substrate 11Y and bonds the intermediate substrate 12Y and the base substrate 11Y.
  • the adhesive portion 13Y is formed in a disc shape between the intermediate substrate 12Y and the base substrate 11Y.
  • the center PY of the adhesive portion 13Y along the bonding direction is coincident with the center PY of the intermediate substrate 12Y along the bonding direction in plan view. That is, the intermediate substrate 12Y is located at the center of the surface of the base substrate 11Y.
  • the adhesive portion 13Y is a cured product of a silicone adhesive.
  • At least one support portion 14Y is provided around the adhesive portion 13Y between the intermediate substrate 12Y and the base substrate 11Y. That is, one or a plurality of supporting portions 14Y are provided between the intermediate substrate 12Y and the base substrate 11Y around the adhesive portion 13Y.
  • supporting portions 14Ya, 14Yb, 14Yc, and 14Yd are provided near the four corners of the intermediate substrate 12Y. Therefore, when the intermediate substrate 12Y is tilted with respect to the axis QY passing through the center PY, the supporting portions 14Ya, 14Yb, 14Yc, and 14Yd hit and are supported near the four corners of the intermediate substrate 12Y, respectively.
  • Each support part 14Y is made of metal. That is, each support portion 14Y is a bump made of metal such as gold (Au) or copper (Cu).
  • Each support portion 14Y has a cylindrical shape.
  • the hardness of each support portion 14Y is higher than the hardness of the adhesive portion 13Y. That is, each support portion 14Y is harder and less likely to be deformed than the adhesive portion 13Y. Therefore, even if the adhesive portion 13Y is distorted and deformed, the support portion 14Y is not deformed and can support the intermediate substrate 12Y.
  • the volume change rate of each support portion 14Y is smaller than the volume change rate of the adhesive portion 13Y. That is, each supporting portion 14Y has a smaller rate of expansion and contraction due to temperature and humidity than the adhesive portion 13Y.
  • Each supporting portion 14Y does not always contact the intermediate substrate 12Y.
  • the supporting portion 14Y contacts any one of the supporting portions 14Y, and the supporting substrate 14Y hits the intermediate substrate 12Y. Therefore, the intermediate substrate 12Y does not tilt further.
  • the tip of the supporting portion 14Y is not adhered to the surface of the intermediate substrate 12Y.
  • the intermediate substrate 12Y does not easily follow the expansion or contraction, and the intermediate substrate 12Y is less likely to warp or distort. Therefore, there is an advantage that the temperature characteristics or the humidity characteristics of the sensor element 15Y are less likely to deteriorate.
  • Each support portion 14Y passes through a part of the adhesive portion 13Y and is point-symmetric about the axis along the joining direction between the intermediate substrate 12Y and the base substrate 11Y. That is, as shown in FIG. 26B, an axis QY passing through the center PY and extending along the joining direction of the intermediate substrate 12Y and the base substrate 11Y is assumed, and each support portion 14Y is rotated 180° about this axis QY.
  • the supporting portion 14Ya and the supporting portion 14Yc are in a positional relationship of overlapping with each other
  • the supporting portion 14Yb and the supporting portion 14Yd are in a positional relationship of overlapping with each other.
  • the supporting portion 14Y passes through a part of the adhesive portion 13Y and is line-symmetric about an axis orthogonal to the joining direction of the intermediate substrate 12Y and the base substrate 11Y. That is, as shown in FIG. 26A, an axis RY that passes through the center PY and is orthogonal to the joining direction between the intermediate substrate 12Y and the base substrate 11Y is assumed, and each support portion 14Y is inverted by 90° about this axis RY.
  • the supporting portion 14Ya and the supporting portion 14Yd are in a positional relationship where they overlap each other
  • the supporting portion 14Yb and the supporting portion 14Yc are in a positional relationship where they overlap each other.
  • the support portion 14Y is arranged concentrically with the center PY of the sensor element 15Y when viewed from the joining direction of the intermediate substrate 12Y and the base substrate 11Y. That is, when a circle centered on the center PY of the sensor element 15Y is assumed, the support portion 14Ya, the support portion 14Yb, the support portion 14Yc, and the support portion 14Yd are viewed on the circumference of the circle from the direction along the axis QY. And are arranged.
  • the adhesive portion 13Y is a silicone adhesive, it is relatively soft and easily deformed, so that it absorbs the stress generated in the base substrate 11Y and makes it difficult to transmit this stress to the intermediate substrate 12Y.
  • the intermediate substrate 12Y is supported only by the flexible adhesive portion 13Y, the intermediate substrate 12Y is easily tilted due to the influence of vibration and the like, and this tilt may affect the sensing of the sensor element 15Y. .. Therefore, in the present embodiment, the support portion 14Y that is harder and less deformable than the adhesive portion 13Y is arranged between the base substrate 11Y and the intermediate substrate 12Y.
  • the lower surface of the intermediate substrate 12Y hits and is supported by the supporting portion 14Y, which has the advantage that the inclination of the intermediate substrate 12Y can be reduced.
  • the intermediate substrate 12Y may be electrically connected to the base substrate 11Y by wire bonding, but when the wire is connected to the intermediate substrate 12Y, even if the intermediate substrate 12Y is pressed from above by the capillary, it can be supported by the support portion 14Y. Hard to tilt and easy to connect wires.
  • the adhesive portion 13Y is located near the center of one surface of the intermediate substrate 12Y in the thickness direction, and the adhesive portion 13Y does not exist on the outer peripheral portion of this one surface. Therefore, even if the stress is transmitted from the adhesive portion 13Y to the intermediate substrate 12Y, the stress is less likely to be transmitted to the outer peripheral portion of the intermediate substrate 12Y and the intermediate substrate 12Y is less likely to tilt.
  • the sensor element 15Y is bonded to the surface of the intermediate substrate 12Y by a plurality of bonding portions 17Y.
  • the plurality of joint portions 17Y are formed by bumps.
  • the plurality of joint portions 17Y are arranged on the circumference centered on the center PY of the sensor element 15Y. That is, the circle assumed to be lined up with the plurality of support portions 14Y and the circle assumed to be lined up with the plurality of joint portions 17Y are concentric circles.
  • the sensor element 15Y has a movable part 20Y and outputs an electric signal according to the amount of movement of the movable part 20Y. That is, the sensor element 15Y outputs, as an electric signal, a change in length caused by the movement of the movable portion 20Y.
  • the sensor element 15Y detects a physical quantity related to the mounting direction of the sensor element 15Y on the intermediate substrate 12Y. That is, the sensor element 15Y detects the variation amount in the direction along the axis QY. In this embodiment, since the sensor element 15Y is an angular velocity sensor, it detects the angular velocity around the axis QY.
  • FIGS. 28A and 28B show a capacitive bulk ultrasonic gyroscope driven by a high frequency (MHz region).
  • the gyroscope includes a resonant element as the handle substrate and the movable portion 20Y.
  • the movable portion 20Y is supported by the insulating layer on the handle substrate.
  • a plurality of electrodes 23Y surround the movable portion 20Y and are separated from the movable portion 20Y by a very small capacitive gap.
  • the electrode 23Y can excite and detect at least two modified bulk ultrasonic resonance modes in the movable portion 20Y.
  • the movable portion 20Y has a disk shape (disk shape) and a circular shape.
  • the movable portion 20Y does not need to be manufactured from a piezoelectric material, and is a non-piezoelectric material such as single crystal or other crystalline silicon. Other semiconductor or metal materials such as silicon carbide, gallium nitride, aluminum nitride, quartz, etc. can be used to fabricate the movable part 20Y.
  • the plurality of electrodes 23Y include a drive electrode 23Ya and a detection electrode 23Yb. The movable portion 20Y is deformed between the drive mode shown in FIG. 28A and the detection mode shown in FIG. 28B due to the precession movement.
  • the disk-shaped movable portion 20Y vibrates so as to repeat the deformation of expanding and contracting alternately in two directions orthogonal to each other within a plane orthogonal to the central axis (axis QY).
  • the sensor element 15Y outputs the deformation amount (movement amount) of the movable portion 20Y as an electric signal. That is, since the deformation amount of the movable portion 20Y appears as a change in the electrostatic capacitance between the movable portion 20Y and the detection electrode 23Yb, the sensor element 15Y outputs an electric signal according to the change in the electrostatic capacitance. ..
  • sensing is performed by vibrating (deforming) the movable portion 20Y along one surface in the thickness direction of the intermediate substrate 12Y.
  • Distortion may occur at the positions of the plurality of electrodes 23Y of the element 15Y.
  • the gap between the plurality of electrodes 23Y and the movable portion 20Y changes, which may affect the output of the sensor element 15Y.
  • the intermediate substrate 12Y is supported by the support portion 14Y that is less likely to be deformed than the adhesive portion 13Y, stress is less likely to occur in the intermediate substrate 12Y, and the movable portion 20Y vibrates as described above.
  • the sensing performance is not easily impaired. Further, since the intermediate substrate 12Y is less likely to be tilted, the central axis of the disk-shaped movable portion 20Y is less likely to be tilted, and the angular velocity around the axis QY detected by the sensor element 15Y is less likely to be affected.
  • the sensor device 10Y includes the four support portions 14Y in the above description, the number of support portions 14Y is not limited thereto.
  • a sensor device 10Y including 28 support portions 14Y is shown. These supporting portions 14Y are arranged side by side on the circumference of the circle, assuming a circle centered on the center PY of the sensor element 15Y. That is, as in the case of FIG. 27, the circle in which a plurality of support portions 14Y are supposed to be arranged side by side and the circle in which a plurality of joint portions 17Y are supposed to be arranged are concentric circles.
  • the shape and height of the support portion 14Y are set arbitrarily according to the type of the sensor device 10Y. As shown in FIG. 30A, the supporting portion 141Y has a truncated cone shape in cross section along the axis QY, and its height is about 150 ⁇ m.
  • the material of the supporting portion 141Y is a synthetic resin such as a silicone resin.
  • the support portion 14Y is a cured product of a silicone adhesive
  • the base substrate 11Y is coated with the silicone adhesive, dried and cured to form the support portion 14Y, and then the intermediate substrate 12Y is arranged. To do. This makes it difficult for the supporting portion 14Y to adhere to the intermediate substrate 12Y, and the supporting portion 14Y is in contact with the intermediate substrate 12Y.
  • the support portion 142Y has a shape like a bump crushed between the intermediate substrate 12Y and the base substrate 11Y.
  • the diameter of the supporting portion 142Y on the base substrate 11Y side is larger than that on the intermediate substrate 12Y side.
  • the height of the supporting portion 142Y is about 50 ⁇ m.
  • the material of the supporting portion 142Y is a metal such as gold (Au) or copper (Cu).
  • the resin support portion 142Y is easier to form the sensor device 10Y than the metal support portion 142Y.
  • the metal support portion 142Y is less likely to expand and contract due to temperature change or humidity change than the resin support portion 142Y. Therefore, even if the resin adhesive portion 13Y expands and contracts, the metal supporting portion 142Y does not easily expand and contract, the intermediate substrate 12Y can be prevented from tilting easily by the supporting portion 142Y, and the temperature characteristics or humidity characteristics of the sensor element 15Y deteriorate. There is an advantage that it becomes difficult to do.
  • the support portion 14Y may be formed in a ring shape by one member.
  • the sensor device 10Y may be, for example, an acceleration sensor or an image sensor.
  • the sensor element 15Y of the sensor device 10Y is not limited to the element using the MEMS technology, but may be another element. That is, various sensor devices can be realized by changing the type of the sensor element 15Y.
  • the support portion 14Y is not adhered to the intermediate substrate 12Y, but the support portion 14Y may be adhered to the intermediate substrate 12Y. That is, the tip of the support portion 14Y and the lower surface of the intermediate substrate 12Y may be joined together. In this case, the intermediate substrate 12Y and the support portion 14Y are firmly bonded, and the intermediate substrate 12Y is less likely to tilt.
  • the sensor device (1, 1A to 1C) includes the sensor element (2), the substrate (3), and the bonding wire (6, 6A).
  • the sensor element (2) is mounted on the substrate (3).
  • the bonding wires (6, 6A) form at least a part of a connection path (60) that electrically connects the sensor element (2) and the substrate (3).
  • the bonding wires (6, 6A) are provided so as to connect the two connecting surfaces (31, 41, 201) intersecting each other.
  • connection path (60) for electrically connecting between the sensor element (2) and the substrate (3) has two connection surfaces (mounting surface 31 and It is realized by bonding wires (6, 6A) connecting between the support surfaces 41). Therefore, as compared with the case where the two connection surfaces oriented in the same direction are connected to each other by the bonding wires (6, 6A), for example, the bonding wire (6, 6A) protrudes from the connection surface, and thus the sensor device It is possible to suppress an increase in the height dimension of (1, 1A to 1C). As a result, the sensor device (1, 1A to 1C) has an advantage that it is easy to improve the degree of freedom in shape or size.
  • the sensor device (1, 1A to 1C) according to the second aspect further includes a support member (4) mounted on the substrate (3) with the sensor element (2) mounted in the first aspect. ..
  • the sensor element (2) is electrically connected to the substrate (3) via the support member (4).
  • One of the two connection surfaces (31, 41, 201) is one surface of the support member (4).
  • the sensor element (2) is mounted on the substrate (3) via the support member (4), it is possible to prevent stress from acting on the sensor element (2) from the substrate (3).
  • the sensor device (1, 1A to 1C) according to the third aspect further includes a connecting member (5) that connects the support member (4) and the substrate (3) in the second aspect.
  • the supporting member (4) is indirectly mounted on the substrate (3) via the connecting member (5).
  • the supporting member (4) is mounted on the substrate (3) via the connecting member (5), stress from the substrate (3) to the sensor element (2) can be made less likely to act.
  • the Young's modulus of the adhesive layer (511) that joins the connecting member (5) and the substrate (3) is the connecting member ( 5) is larger than the Young's modulus of the adhesive layer (521) that joins the support member (4).
  • the connecting member (5) can be firmly fixed to the substrate (3). Further, even if stress is applied to the connecting member (5) from the substrate (3), it is difficult for the stress to be transferred from the connecting member (5) to the support member (4). Stress is less likely to act, and stress is less likely to affect the detection result of the sensor element (2).
  • the substrate (3) has a mounting surface (31) on which the support member (4) is mounted. ..
  • the support member (4) has a support surface (41) on which the sensor element (2) is mounted.
  • the normal (L1) of the support surface (41) is along the mounting surface (31).
  • One of the two connection surfaces (31, 41, 201) is a support surface (41).
  • the sensor element (2) can be mounted together with the support member (4) in a state of standing on the mounting surface (31) of the substrate (3).
  • the support member (4) has a support-side electrode (602) to which one end of the bonding wire (6, 6A) is connected. On the support surface (41).
  • the supporting electrode (602) is located on the substrate (3) side of the supporting surface (41) when viewed from the sensor element (2).
  • the length of the bonding wire (6, 6A) can be kept relatively short.
  • the support member (4) has a support-side electrode (602) to which one end of the bonding wire (6, 6A) is connected. On the support surface (41).
  • the support-side electrode (602) is located on the opposite side of the support surface (41) from the substrate (3) when viewed from the sensor element (2).
  • the height of the sensor element (2) from the substrate (3) can be kept relatively low.
  • one of the two connection surfaces (31, 41, 201) is a substrate (3). It is one side.
  • the bonding wires (6, 6A) can be directly connected to the substrate (3).
  • the sensor element (2) is an electrode surface that is one of the two connection surfaces (31, 41, 201). It has (201).
  • the bonding wires (6, 6A) can be directly connected to the sensor element (2).
  • the support member (4) has a support surface (on which a vertical member (50) including the sensor element (2) is mounted. 41).
  • the vertical member (50) is fixed to the support surface (41) so that the normal line of the electrode surface (201) of the sensor element (2) has a positional relationship along the support surface (41).
  • the sensor element (2) can be mounted in an upright state on the support surface (41) of the support member (4).
  • the Young's modulus of the adhesive layer (502, 504) joining the vertical member (50) and the support member (4) is , Young's modulus of the adhesive layer (501) for joining the support member (4) and the substrate (3) is larger.
  • the vertical member (50) can be firmly fixed to the support member (4). Further, even if stress is applied to the substrate (3), stress is less likely to be transmitted from the substrate (3) to the support member (4), so that stress is less likely to act on the sensor element (2), and The influence of stress on the detection result of the element (2) hardly occurs.
  • the vertical member (50) is a connection member that connects the sensor element (2) and the support member (4). Further includes (5).
  • the sensor element (2) is indirectly mounted on the support member (4) via the connecting member (5).
  • the sensor element (2) is mounted on the support member (4) via the connecting member (5), it is possible to prevent stress from acting on the sensor element (2) from the support member (4).
  • the Young's modulus of the adhesive layer (502) for joining the connecting member (5) and the supporting member (4) is the connecting member. It is larger than the Young's modulus of the adhesive layer (503) that joins (5) and the sensor element (2).
  • the connecting member (5) can be firmly fixed to the supporting member (4). Further, even if stress is applied to the connecting member (5) from the support member (4), the stress is hard to be transmitted from the connecting member (5) to the sensor element (2), and thus even to the sensor element (2). Is less likely to exert stress, and the influence of stress on the detection result of the sensor element (2) is less likely to occur.
  • any one of the first to thirteenth aspects there are a plurality of bonding wires (6, 6A).
  • Each of the two connection surfaces (31, 41, 201) is provided with a plurality of electrodes (601 to 604) for connecting a plurality of bonding wires (6, 6A).
  • the plurality of electrodes (601 to 604) are arranged along a straight line parallel to both of the two connection surfaces (31, 41, 201).
  • the sensor element (2) has an element electrode (200).
  • the device electrode (200) includes an Au electrode layer (220) and a UBM layer (23) laminated on the Au electrode layer (220).
  • the thermal expansion coefficient of the UBM layer (23) is a value between the thermal expansion coefficient of AuSn and the thermal expansion coefficient of SiO 2 .
  • the configuration according to the second to fifteenth aspects is not an essential configuration for the sensor device (1, 1A to 1C) and can be omitted as appropriate.
  • the sensor device (1X, 1AX) includes a sensor element (2X), a substrate (3X), a support member (4X), and a connecting member (5X, 5AX).
  • the substrate (3X) has a mounting surface (31X).
  • the support member (4X) has a support surface (41X).
  • the sensor element (2X) is mounted on the support surface (41X) of the support member (4X).
  • the connecting members (5X, 5AX) are mounted on the mounting surface (31X).
  • the connection members (5X, 5AX) connect the substrate (3X) and the support member (4X) so that the normal line (L1X) of the support surface (41X) has a positional relationship along the mounting surface (31X). ..
  • the support member (4X) on which the sensor element (2X) is mounted is supported on the mounting surface (31X) of the substrate (3X) via the connecting members (5X, 5AX).
  • the sensor element (2X) is mounted on the mounting surface (31X) of the substrate (3X) together with the support member (4X).
  • the connection members (5X, 5AX) connect the substrate (3X) and the support member (4X) so that the normal line (L1X) of the support surface (41X) has a positional relationship along the mounting surface (31X). .. Therefore, the support surface (41X) of the support member (4X) on which the sensor element (2X) is mounted is substantially orthogonal to the mounting surface (31X) of the substrate (3X).
  • the orientation of the support surface (41X) on which the sensor element (2X) is mounted can be changed by rotating the substrate (3X) within a plane along the one surface (101X) of the mounting substrate (10X). Therefore, it is possible to improve the degree of freedom of the detection target.
  • the sensor device (1X, 1AX) according to the seventeenth aspect further includes a wiring member (6X) in the sixteenth aspect.
  • the wiring member (6X) electrically connects the support member (4X) and the substrate (3X).
  • the wiring member (6X) is fixed to the mounting surface (31X).
  • the wiring member (6X) holds a plurality of lead terminals (61X) and a plurality of lead terminals (61X). And a holding portion (62X) for performing.
  • the electrical connection between the support member (4X) and the substrate (3X) by the wiring member (6X) can be realized with a relatively simple structure.
  • the coupling member (5X, 5AX) is a support member (4X) from a surface facing the support member (4X). It further has a spacer (53X) protruding toward.
  • a gap can be secured between the connecting member (5X, 5AX) and the supporting member (4X), and it is possible to make it difficult for stress to act on the supporting member (4X) from the connecting member (5X, 5AX).
  • the sensor element (2X) is provided around the axis along the normal line (L1X) of the support surface (41X). It outputs an electrical signal according to the angular velocity.
  • the support member (4X) includes a processing circuit (43X).
  • the processing circuit (43X) executes processing relating to the electric signal output from the sensor element (2X).
  • the processing circuit (43X) is arranged near the sensor element (2X), the electric signal output from the sensor element (2X) is less likely to be affected by noise.
  • the connecting member (5X, 5AX) has a hollow portion (54X).
  • the connecting member (5X, 5AX) is fixed to the mounting surface (31X) of the substrate (3X). It has one surface (51X) and a second surface (52X) intersecting the first surface (51X).
  • the support member (4X) is fixed to the second surface (52X).
  • the connecting member (5X, 5AX) can be stably fixed to the substrate (3X) and the support member (4X).
  • the sensor device (1X, 1AX) according to the twenty-fifth aspect further includes a case (7X) in any one of the sixteenth to twenty-fourth aspects.
  • the case (7X) is coupled to the board (3X) and houses at least the sensor element (2X) between the case (7X) and the mounting surface (31X) of the board (3X).
  • the sensor element (2X) and the like can be protected by the case (7).
  • the support member (4X) includes a sensor electrode (for electrically connecting the sensor element (2X) ( 81X) and a substrate electrode (82X) for electrically connecting the substrate (3X).
  • the sensor electrode (81X) includes a base electrode (811X) and a plating layer (Ni plating layer 812X and Au plating layer 813X).
  • the substrate electrode (82X) is composed only of the base electrode (821X).
  • nickel is less likely to be deposited on the surface of the plating layer, and the bonding strength between the bonding wire (63X) and the substrate electrode (82X) is less likely to decrease.
  • the support member (4X) has a sensor electrode (for electrically connecting the sensor element (2X) ( 81X) and a substrate electrode (82X) for electrically connecting the substrate (3X).
  • Each of the sensor electrode (81X) and the substrate electrode (82X) includes a base electrode (811X, 821X), a Ni plating layer (812X, 822X), an Au plating layer (813X, 823X), and a barrier layer (810X, 820X). ) Is included.
  • a Ni plating layer (812X, 822X), a barrier layer (810X, 820X), and an Au plating layer (813X, 823X) are laminated in this order on the base electrode (811X, 821X).
  • nickel is less likely to be deposited on the surface of the Au plating layer (813X, 823X), and the bonding strength between the bonding wire (63X) and the substrate electrode (82X) is less likely to decrease.
  • the sensor device (1X, 1AX) according to the twenty-eighth aspect is the sensor device according to any one of the sixteenth to twenty-seventh aspects, further including a plurality of connecting members (44X) for connecting the support member (4X) and the sensor element (2X). I have it.
  • the plurality of connecting members (44X) are arranged point-symmetrically with respect to the center point (P1X) of the sensor element (2X).
  • the distribution of this stress is point-symmetric with respect to the center point (P1X), and thus the sensor element (2X). The stress is less likely to affect the detection result of.
  • the configuration according to the seventeenth to twenty-eighth aspects is not an essential configuration for the sensor device (1X, 1AX), and can be omitted as appropriate.
  • the configurations according to the twenty-sixth to twenty-eighth aspects can be applied to various sensor devices 1X and 1AX to 1CX without assuming the sixteenth aspect. That is, the configurations according to the twenty-sixth to twenty-eighth aspects are not limited to the various configurations (including the modified examples) described in the third or fourth embodiment, but the various configurations described in the first reference example or the second reference example. (Including modified examples) can be appropriately combined and employed.
  • the sensor device (10Y) includes an adhesive portion (13Y) and at least one support portion (14Y).
  • the adhesive portion (13Y) joins the intermediate substrate (12Y) on which the sensor element (15Y) is mounted and the base substrate (11Y).
  • At least one support part (14Y) is located around the adhesive part (13Y) between the intermediate substrate (12Y) and the base substrate (11Y).
  • the intermediate substrate (12Y) is supported by the support portion (14Y) even if the adhesive portion (13Y) expands and contracts, and the inclination of the intermediate substrate (12Y) is reduced. Therefore, the sensor element (15Y) mounted on the intermediate substrate (12Y) is less likely to be affected by the inclination of the intermediate substrate (12Y), and the detection performance of the sensor element (15Y) is less likely to deteriorate.
  • the sensor device (10Y) according to the thirtieth aspect is the sensor device (10Y) according to the twenty-ninth aspect, in which the support portion (14Y) passes through a part of the adhesive portion (13Y) and is formed of the intermediate substrate (12Y) and the base substrate (11Y). It is point-symmetric about the axis along the joining direction.
  • the supporting portion (14Y) supports the intermediate substrate (12Y) in a well-balanced manner, and the inclination of the intermediate substrate (12Y) is reduced. Therefore, the sensor element (15Y) mounted on the intermediate substrate (12Y) is less likely to be affected by the inclination of the intermediate substrate (12Y), and the detection performance of the sensor element (15Y) is less likely to deteriorate.
  • a sensor device (10Y) according to a thirty-first aspect is the sensor device (10Y) according to the twenty-ninth aspect, in which the support portion (14Y) passes through a part of the adhesive portion (13Y), and includes the intermediate substrate (12Y) and the base substrate (11Y). It is line-symmetrical around an axis orthogonal to the joining direction.
  • the supporting portion (14Y) supports the intermediate substrate (12Y) in a well-balanced manner, and the inclination of the intermediate substrate (12Y) is reduced. Therefore, the sensor element (15Y) mounted on the intermediate substrate (12Y) is less likely to be affected by the inclination of the intermediate substrate (12Y), and the detection performance of the sensor element (15Y) is less likely to deteriorate.
  • the sensor device (10Y) according to the thirty-second aspect is the sensor device (10Y) according to any one of the twenty-ninth to thirty-first aspects, wherein the hardness of the support portion (14Y) is greater than the hardness of the adhesive portion (13Y).
  • the intermediate substrate (12Y) hits the support portion (14Y)
  • the intermediate substrate (12Y) is less likely to be deformed, and the intermediate substrate (12Y) is easily supported by the support portion (14Y).
  • the volume change rate of the support section (14Y) is smaller than the volume change rate of the adhesive section (13Y).
  • the support portion (14Y) is made of metal.
  • the sensor device (10Y) according to the thirty-fifth aspect is the sensor device according to any one of the twenty-ninth to thirty-fourth aspects, in which the support portion (14Y) is the sensor seen from the bonding direction of the intermediate substrate (12Y) and the base substrate (11Y). It is arranged concentrically with the center of the element (15Y).
  • the sensor element (15Y) mounted on the intermediate substrate (12Y) is less likely to be affected by the inclination of the intermediate substrate (12Y), and the detection performance of the sensor element (15Y) is less likely to deteriorate.
  • the support portion (14Y) is bonded to the intermediate substrate (12Y).
  • the support portion (14Y) can more firmly support the intermediate substrate (12Y), and the support portion (14Y) easily reduces the inclination of the intermediate substrate (12Y).
  • a sensor device (10Y) according to a thirty-seventh aspect is the sensor device (15Y) according to any one of the twenty-ninth to thirty-sixth aspects, wherein the sensor element (15Y) has a movable portion (20Y) and is adapted to a moving amount of the movable portion (20Y). Output an electric signal.
  • the movement of the movable portion (20Y) is less likely to be affected by the inclination of the intermediate substrate (12Y), and the detection performance of the sensor element (15Y) is less likely to deteriorate.
  • a sensor device (10Y) according to a thirty-eighth aspect is the sensor device (15Y) according to any one of the twenty-ninth to thirty-seventh aspects, wherein the sensor element (15Y) is a physical quantity related to a mounting direction of the sensor element (15Y) on the intermediate substrate (12Y). To detect.
  • the movement of the movable portion (20Y) is less likely to be affected by the inclination of the intermediate substrate (12Y), and the detection performance of the sensor element (15Y) is less likely to deteriorate.
  • the configurations according to the 30th to 38th aspects are not essential for the sensor device (10Y) and can be omitted as appropriate.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)

Abstract

本開示の課題は、形状又は寸法の自由度の向上を図りやすくすることにある。センサ装置（１）は、センサ素子（２）と、基板（３）と、ボンディングワイヤ（６）と、を備える。基板（３）は、センサ素子（２）が搭載される。ボンディングワイヤ（６）は、センサ素子（２）と基板（３）との間を電気的に接続する接続経路（６０）の少なくとも一部を構成する。ボンディングワイヤ（６）は、互いに交差する２つの接続面間を接続するように設けられる。

Description

センサ装置
　本開示は、一般にセンサ装置に関し、より詳細には、センサ素子と、センサ素子を支持する基板と、を備えるセンサ装置に関する。
　特許文献１には、センサ素子（ジャイロセンサ）と、基板と、センサ素子と基板とを互いに接着する支持部材（支持体）と、を備えるセンサ装置（ジャイロモジュール）が記載されている。このセンサ装置においては、支持部材の周囲におけるセンサ素子と基板との間には、隙間がある。
　特許文献１に記載のセンサ装置では、センサ素子の＋Ｚ側の面である外底面に設けられた端子（外部端子）が、基板の＋Ｚ側の面である接着面に設けられた端子（中継端子）と、ボンディングワイヤによって接続されている。
　上述したような構成のセンサ装置では、ボンディングワイヤは、基板及びセンサ素子の同じ向き（＋Ｚ側）に向けられた上面（外底面及び接着面）同士を接続する。そのため、センサ素子の上面（外底面）からボンディングワイヤが突出することになり、ボンディングワイヤの分だけ、センサ装置の高さ寸法が大きくなりやすい。
特開２０１６－１７０００２号公報
　本開示は上記事由に鑑みてなされており、形状又は寸法の自由度の向上を図りやすい、センサ装置を提供することを目的とする。
　本開示の一態様に係るセンサ装置は、センサ素子と、基板と、ボンディングワイヤと、を備える。前記基板は、前記センサ素子が搭載される。前記ボンディングワイヤは、前記センサ素子と前記基板との間を電気的に接続する接続経路の少なくとも一部を構成する。前記ボンディングワイヤは、互いに交差する２つの接続面間を接続するように設けられる。
図１Ａは、実施形態１に係るセンサ装置の構成を示し、ケースを外した状態の斜視図である。図１Ｂは、図１Ａの領域Ｚ１の拡大図である。図１Ｃは、図１Ａの領域Ｚ２の拡大図である。 図２は、同上のセンサ装置の構成を示す斜視図である。 図３は、同上のセンサ装置のケースを外した状態の分解斜視図である。 図４Ａは、同上のセンサ装置の平面図、図４Ｂは、同上のセンサ装置の側面図、図４Ｃは、図４Ｂの領域Ｚ１の拡大図である。 図５は、同上のセンサ装置の要部の構成を示す概略断面図である。 図６Ａ及び図６Ｂは、同上のセンサ装置のセンサ素子の動作原理を説明するための概念図である。 図７は、同上のセンサ装置における支持部材を支持面側から見た概略図である。 図８Ａは、同上のセンサ装置における支持部材の電極について第１の態様を示す概略断面図であって、図８Ｂは、同上のセンサ装置における支持部材の電極について第２の態様を示す概略断面図である。 図９Ａは、同上のセンサ装置におけるセンサ素子の素子電極を示す概略断面図であって、図９Ｂは、同上のセンサ装置における加熱工程後のセンサ素子の素子電極を示す概略断面図である。図９Ｃは、比較例における加熱工程後のセンサ素子の素子電極を示す概略断面図である。 図１０は、実施形態１の第１変形例に係るセンサ装置の構成を示し、ケースを外した状態の斜視図である。 図１１Ａは、実施形態２に係るセンサ装置の一部破断した側面図である。図１１Ｂは、図１１Ａの領域Ｚ１に相当する拡大斜視図である。図１１Ｃは、図１１Ａの領域Ｚ２に相当する拡大斜視図である。 図１２は、実施形態２の変形例に係るセンサ装置の一部破断した側面図である。 図１３は、実施形態３に係るセンサ装置の構成を示し、ケースを外した状態の斜視図である。 図１４は、同上のセンサ装置の構成を示す斜視図である。 図１５は、同上のセンサ装置のケースを外した状態の分解斜視図である。 図１６Ａは、同上のセンサ装置の平面図、図１６Ｂは、同上のセンサ装置の側面図、図１６Ｃは、図１６Ｂの領域Ｚ１Ｘの拡大図である。 図１７は、同上のセンサ装置の要部の構成を示す概略断面図である。 図１８Ａ及び図１８Ｂは、同上のセンサ装置のセンサ素子の動作原理を説明するための概念図である。 図１９は、同上のセンサ装置における支持部材を支持面側から見た概略図である。 図２０Ａは、同上のセンサ装置における支持部材の電極について第１の態様を示す概略断面図であって、図２０Ｂは、同上のセンサ装置における支持部材の電極について第２の態様を示す概略断面図である。 図２１は、実施形態３の第１変形例に係るセンサ装置の一部破断した側面図である。 図２２は、実施形態４に係るセンサ装置の構成を示し、ケースを外した状態の分解斜視図である。 図２３は、参考例１に係るセンサ装置の一部破断した側面図である。 図２４は、参考例１に係るセンサ装置の一部破断した側面図である。 図２５Ａは、実施形態５に係るセンサ装置を示す斜視図である。図２５Ｂは、実施形態５に係るセンサ装置を示す一部の斜視図である。 図２６Ａは、同上のセンサ装置を示す一部の平面図である。図２６Ｂは、図２６ＡにおけるＡ－Ａ断面図である。 図２７は、同上のセンサ装置を示す一部の平面図である。 図２８Ａは、同上のセンサ装置を示す一部の断面図である。図２８Ｂは、同上のセンサ装置を示す一部の断面図である。 図２９は、同上のセンサ装置を示す一部の平面図である。 図３０Ａは、センサ素子を示す概念図である。図３０Ｂは、センサ素子を示す概念図である。
　（実施形態１）
　（１）概要
　本実施形態に係るセンサ装置１は、図１Ａ～図１Ｃに示すように、センサ素子２と、センサ素子２を支持する基板３と、を備えている。図１Ｂは、図１Ａの領域Ｚ１の拡大図、図１Ｃは、図１Ａの領域Ｚ２の拡大図である。
　このセンサ装置１は、センサ素子２にて、例えば、角速度、加速度、角加速度、速度、圧力、重量、長さ（距離）及び温度等の物理量を、電気信号に変換する。すなわち、センサ素子２は、物理量を電気信号に変換するトランスデューサとして機能する。この種のセンサ装置１は、例えば、家電機器、携帯端末、カメラ、ウェアラブル端末、ゲーム機、又は車両（自動車及び二輪車等を含む）、ドローン、航空機若しくは船舶等の移動体等の、様々な機器に用いられる。
　ここで、本実施形態に係るセンサ装置１は、図１Ａ～図１Ｃに示すように、センサ素子２及び基板３に加えて、ボンディングワイヤ６を更に備えている。すなわち、センサ装置１は、センサ素子２と、基板３と、ボンディングワイヤ６と、を備えている。基板３は、センサ素子２が搭載される。ボンディングワイヤ６は、センサ素子２と基板３との間を電気的に接続する接続経路６０の少なくとも一部を構成する。ボンディングワイヤ６は、互いに交差する２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）間を接続するように設けられている。
　上述した構成によれば、センサ素子２と基板３との間を電気的に接続するための接続経路６０の少なくとも一部が、互いに交差する２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）間を接続するボンディングワイヤ６にて実現される。そのため、同じ向きに向けられた２つの接続面同士をボンディングワイヤ６にて接続する場合に比べて、例えば、接続面からボンディングワイヤ６が突出することによる、センサ装置１の高さ寸法の増大等を抑えることが可能である。結果的に、本実施形態に係るセンサ装置１によれば、形状又は寸法の自由度の向上を図りやすい、という利点がある。
　また、センサ装置１では、互いに交差する２つの接続面間を、例えば、リードフレーム又はフレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ：Flexible Flat Cable）等の配線部材で接続する場合に比較して、センサ素子２に作用する応力を小さく抑えやすい。つまり、本実施形態に係るセンサ装置１では、互いに交差する２つの接続面間を接続する配線部材はボンディングワイヤ６であるので、配線部材（ボンディングワイヤ６）を介して２つの接続面間で応力が伝わりにくい。その結果、例えば、基板３等からセンサ素子２に作用する応力を小さく抑えやすく、センサ素子２の検知結果に対する応力の影響が生じにくい。さらに、本実施形態に係るセンサ装置１では、互いに交差する２つの接続面間がボンディングワイヤ６にて直接接続されるので、２つの接続面間を接続するのにボンディングワイヤ６以外の配線部材が不要で、接続経路６０の継ぎ目を少なく抑えることが可能である。
　（２）詳細
　以下に、本実施形態に係るセンサ装置１の詳細な構成について、図１Ａ～図６Ｂを参照して詳細に説明する。
　（２．１）前提
　本実施形態では、一例として、センサ装置１は、「角速度」を検知対象とするジャイロセンサ（角速度センサ）である。特に、車両の自動運転技術のように、比較的、高精度の角速度の検知（計測）が要求される場合に、本実施形態に係るセンサ装置１は好適である。ただし、高精度の角速度の検知（計測）が要求されない場合であっても、本実施形態に係るセンサ装置１は採用可能である。
　以下では一例として、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸の３軸を設定し、特に、支持面４１の法線Ｌ１に沿った軸を「Ｙ軸」とし、搭載面３１の法線に沿った軸を「Ｚ軸」とする。「Ｘ」軸は、これらＹ軸及びＺ軸のいずれとも直交する。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は、いずれも仮想的な軸であり、図面中の「Ｘ」、「Ｙ」、「Ｚ」を示す矢印は、説明のために表記しているに過ぎず、いずれも実体を伴わない。また、これらの方向はセンサ装置１の使用時の方向を限定する趣旨ではない。
　本実施形態では、一例として、センサ装置１は、Ｙ軸を検知軸とし、Ｙ軸周りの角速度を検知対象とする。Ｙ軸は、支持面４１の法線Ｌ１に沿った軸であるので、結果的に、センサ装置１は、支持面４１の法線Ｌ１周りでセンサ装置１が回転することに伴いセンサ装置１に作用する角速度を、検知対象として検知することになる。つまり、センサ素子２は、支持面４１の法線Ｌ１（Ｙ軸）周りの角速度に応じた電気信号を出力する。よって、センサ装置１の出力によれば、支持面４１の法線Ｌ１（Ｙ軸）周りの角速度の大きさを計測することが可能である。
　本開示でいう「ボンディングワイヤ」は、２つの電極同士を電気的に接続するため配線材であって、材質及び／又は線径等が異なる多品種の配線材を含む。例えば、ボンディングワイヤは、その材質によって、金ボンディングワイヤ、金合金ボンディングワイヤ、銅ボンディングワイヤ、アルミボンディングワイヤ、アルミ－シリコンボンディングワイヤ又は銀合金ボンディングワイヤ等に分類される。
　（２．２）センサ装置の全体構成
　本実施形態に係るセンサ装置１は、上述したように、センサ素子２と、基板３と、ボンディングワイヤ６と、を備えている。センサ装置１は、ボンディングワイヤ６を少なくとも１本備えている。本実施形態では、ボンディングワイヤ６は複数本（図１Ａでは１８本）設けられている。つまり、本実施形態に係るセンサ装置１は、複数本のボンディングワイヤ６を備えている。
　また、本実施形態では、センサ装置１は、図１Ａ～図４Ｃに示すように、センサ素子２、基板３、ボンディングワイヤ６に加えて、支持部材４、連結部材５及びケース７を更に備えている。すなわち、センサ装置１は、センサ素子２と、基板３と、支持部材４と、連結部材５と、ボンディングワイヤ６と、ケース７と、を備えている。図２以外の図面では、ケース７の図示を省略している。
　また、本実施形態では、センサ装置１は、図１Ａ～図２に示すように、その使用状態において、基板３における搭載面３１とは反対側の面（実装面３２）をプリント配線板等の実装基板１０に向けた姿勢で、実装基板１０にフリップチップ実装される場合を想定する。ここでは、センサ装置１が実装される実装基板１０は、リジッド基板であることと仮定するが、この例に限らず、実装基板１０は、例えば、フレキシブル基板等であってもよい。
　センサ素子２は、検知対象である物理量に応じた電気信号を出力する素子である。本実施形態では、上述したように検知対象は、Ｙ軸（支持面４１の法線Ｌ１）周りの角速度であるので、センサ素子２は、Ｙ軸周りの角速度に応じた電気信号を出力する。センサ素子２は、例えば、振動式のジャイロセンサであって、コリオリ力（転向力）を利用して、Ｙ軸周りの角速度を検知する。つまり、センサ素子２は、可動部２１（図６Ａ参照）を振動させた状態で、外部から回転力が作用することによって生じるコリオリ力を検知することで、センサ素子２に作用した角速度を検知する。
　本実施形態では一例として、センサ素子２は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いたベアチップ、いわゆるＭＥＭＳチップを含んでいる。センサ素子２は、例えば、セラミックパッケージ等のパッケージを更に含んでおり、ベアチップはパッケージに収容されている。このセンサ素子２は、ベアチップに可動部２１を含み、この可動部２１を振動させることにより、角速度の検知を可能とする。センサ素子２の構成について詳しくは、「（２．４）センサ素子の構成」の欄で説明する。
　基板３は、図３に示すように、平板状に形成されており、Ｚ軸方向に厚みを有している。基板３は、厚み方向の両側に、搭載面３１及び実装面３２を有している。つまり、基板３の厚み方向の一面は、連結部材５及び支持部材４を介してセンサ素子２が搭載される、搭載面３１として機能する。一方、基板３の厚み方向における搭載面３１とは反対側の面は、センサ装置１が実装基板１０に実装された状態で実装基板１０に対向する、実装面３２として機能する。
　本実施形態では、一例として、基板３は、平面視において略正方形状である。基板３は、例えば、セラミック製の基板であって、電気的絶縁性を有している。基板３は、搭載面３１から突出するリブ３３を有している。リブ３３は、搭載面３１の外周縁に沿って、搭載面３１の中央部を全周にわたって囲むように形成されている。このリブ３３の先端面に、ケース７のフランジ部７２（図２参照）が結合されることにより、基板３に対してケース７が結合される。これにより、搭載面３１のうちリブ３３の内側となる領域と、ケース７との間には、センサ素子２等を収容する空間が形成されることになる。
　また、基板３は、搭載面３１に金属領域３１１を有している。金属領域３１１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）等の下地電極上に、Ｎｉめっき層及びＡｕめっき層がこの順で積層された構成の金属層からなる。金属領域３１１は、搭載面３１の外周部を除く中央部付近に形成されている。金属領域３１１は、平面視において略長方形状である。このような搭載面３１の金属領域３１１上には、連結部材５を介して、支持部材４が搭載される。
　詳しくは後述するが、基板３は、基板側電極６０１（図１Ｂ参照）と、裏面電極３５（図５参照）と、ビア３６（図５参照）と、を有している。基板側電極６０１、裏面電極３５及びビア３６は、導電性材料にて構成されている。基板側電極６０１は、ボンディングワイヤ６を電気的に接続するための電極であって、搭載面３１に形成されている。つまり、基板３は、ボンディングワイヤ６の一端部が接続される基板側電極６０１を搭載面３１に有している。裏面電極３５は、実装基板１０を電気的に接続するための電極であって、実装面３２に形成されている。ビア３６は、基板側電極６０１と裏面電極３５とを電気的に接続する。ビア３６は、基板３を厚み方向の両面（搭載面３１及び実装面３２）間にわたって貫通するスルーホールビアである。
　支持部材４は、図３に示すように、平板状に形成されており、Ｙ軸方向に厚みを有している。支持部材４は、厚み方向の両側に、支持面４１及び取付面４２を有している。つまり、支持部材４の厚み方向の一面は、センサ素子２が搭載される、支持面４１として機能する。一方、支持部材４の厚み方向における支持面４１とは反対側の面は、連結部材５に対向する、取付面４２として機能する。
　本実施形態では、一例として、支持部材４は、平面視において略正方形状である。ここで、支持部材４は、ＡＳＩＣ（application specific integrated circuit）である。つまり、支持部材４は、電気絶縁性を有する樹脂パッケージ等のパッケージに、半導体チップを内蔵した構成である。そのため、本実施形態では、センサ素子２は、支持部材４としてのＡＳＩＣのパッケージの一表面（支持面４１）上に、実装されることになる。本実施形態では、半導体チップは、後述する処理回路４３（図４Ａ参照）として機能する。
　ここで、支持部材４は、電極８１（図８Ａ参照）、及び支持側電極６０２（図１Ｃ参照）を有している。電極８１は、センサ素子２を電気的に接続するための電極であって、支持面４１に形成されている。支持側電極６０２は、ボンディングワイヤ６を電気的に接続するための電極であって、支持面４１に形成されている。つまり、支持部材４は、ボンディングワイヤ６の一端部が接続される支持側電極６０２を支持面４１に有している。ここでは、電極８１及び支持側電極６０２は、支持部材４の同一面（支持面４１）に設けられている。これにより、支持面４１に搭載されるセンサ素子２は、支持部材４（処理回路４３）と電気的に接続されることになる。さらに、支持部材４（処理回路４３）は、ボンディングワイヤ６を介して基板３（基板側電極６０１）と電気的に接続されることになる。
　支持部材４の支持面４１には、センサ素子２が固定されている。本開示でいう「固定」は、種々の手段により、一定の位置にあって動かない状態とされていることを意味する。つまり、センサ素子２は、支持部材４の支持面４１に対して動かない状態とされている。支持部材４（支持面４１）に対するセンサ素子２の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、支持部材４（支持面４１）とセンサ素子２との固定手段は、シリコーン系の接着剤による接着である。支持部材４は、センサ素子２よりも一回り大きく形成されており、センサ素子２は、支持面４１の中央部に固定されている。
　ここで、支持部材４と、センサ素子２との間には、例えば、金（Ａｕ）又は銅（Ｃｕ）等の金属製のバンプからなる接続部材４４（図３参照）が１つ以上設けられていることが好ましい。本実施形態では一例として、ＡｕＳｎ合金からなる、はんだ（ＡｕＳｎはんだ）バンプを接続部材４４として用いている。これにより、シリコーン系の接着剤が変形しても、１つ以上の接続部材４４にてセンサ素子２を支持することで、支持部材４（支持面４１）に対するセンサ素子２の傾きが抑制される。さらに、支持面４１には、複数の接続部材４４が、センサ素子２の中心を通る中心軸上、及び中心軸周りに円環状に並んで配置されていることがより好ましい。
　連結部材５は、図３に示すように、直方体状に形成されている。本実施形態では、連結部材５は、Ｚ軸方向の寸法（高さ）が、Ｘ軸方向の寸法（幅）及びＹ軸方向の寸法（奥行）のいずれよりも大きい、つまり縦長の直方体状である。連結部材５は、例えば、樹脂製であって、電気絶縁性を有している。本実施形態では一例として、連結部材５は、ＬＣＰ（Liquid Crystal Polymer）樹脂で形成されている。
　連結部材５は、基板３の搭載面３１に搭載され、基板３と支持部材４とを連結する部材である。言い換えれば、センサ素子２が搭載（実装）された支持部材４は、連結部材５により基板３（搭載面３１）に固定されることになる。そのため、基板３と支持部材４との相対的な位置関係は、連結部材５にて規定される。本実施形態に係るセンサ装置１では、基板３と支持部材４との位置関係は、支持部材４の支持面４１の法線Ｌ１（図１Ａ参照）が搭載面３１に沿うように、規定される。本開示でいう「沿う」とは、２者間が略平行、つまり２者が厳密に平行な場合に加えて、２者間の角度が数度（例えば１０度未満）程度の範囲に収まる関係にあることをいう。つまり、支持面４１の法線Ｌ１は、基板３の搭載面３１に対して、略平行な状態にある（厳密に平行、又は両者間の角度が数度程度に収まる関係にある）。本実施形態では一例として、支持面４１の法線Ｌ１は、基板３の搭載面３１に対して厳密に平行な状態にある。
　より詳細には、連結部材５は、図３に示すように、第１面５１と、第２面５２と、を有している。第１面５１は、基板３の搭載面３１に固定されている。第２面５２は、第１面５１と交差する。支持部材４は、第２面５２に固定されている。つまり、連結部材５の第１面５１は、基板３の搭載面３１に対して動かない状態とされている。本実施形態では、上述したように搭載面３１には金属領域３１１が形成されており、連結部材５は、搭載面３１の金属領域３１１上に固定される。同様に、連結部材５の第２面５２は、支持部材４の取付面４２に対して動かない状態とされている。
　基板３（搭載面３１）に対する連結部材５（第１面５１）の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、基板３と連結部材５（第１面５１）との固定手段は、接着層５１１（図１Ａ参照）による接着である。同様に、支持部材４（取付面４２）に対する連結部材５（第２面５２）の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、支持部材４と連結部材５（第２面５２）との固定手段は、接着層５２１（図１Ａ参照）による接着である。
　本実施形態では、第１面５１は、連結部材５におけるＺ軸方向の一面であって、第２面５２は、連結部材５におけるＹ軸方向の一面である。連結部材５は、全体として直方体状であるので、これら第１面５１及び第２面５２は、互いに略直交し、かつ互いに隣接している。本開示でいう「略直交」とは、２者間が略直交、つまり２者が厳密に直交する（９０度で交差する）場合に加えて、２者間の角度が９０度から数度（例えば１０度未満）程度の範囲に収まる関係にあることをいう。本実施形態では一例として、第１面５１は第２面５２に対して厳密に直交する。
　そして、上述したような形状の連結部材５が、第１面５１にて基板３（搭載面３１）に固定され、第２面５２にて支持部材４（取付面４２）に固定されることにより、基板３と支持部材４とを連結する。言い換えれば、支持部材４に搭載されているセンサ素子２は、支持部材４及び連結部材５を介して、間接的に基板３に支持されることになる。ここで、第１面５１と第２面５２とは、互いに交差（本実施形態では直交）するので、支持部材４の支持面４１の法線Ｌ１は搭載面３１に沿う（本実施形態では平行となる）ように、連結部材５にて基板３と支持部材４とが連結される。
　ここで、連結部材５と基板３とを接合する接着層５１１（「第１接着層５１１」ともいう）のヤング率は、連結部材５と支持部材４とを接合する接着層５２１（「第２接着層５２１」ともいう）のヤング率に比べて大きい。本開示でいう「ヤング率」は、フックの法則が成立する弾性範囲における応力とひずみとの比例関係を表す比例係数であって、「縦弾性係数」ともいう。ヤング率が大きくなる程、物体の剛性は高くなり、物体の変形のしにくさを表す「弾性率」が高くなる（つまり物体が変形しにくくなる）。
　すなわち、本実施形態においては、センサ装置１は、支持部材４と基板３とを連結する連結部材５を備えている。これにより、支持部材４は、連結部材５を介して間接的に、基板３に搭載されている。そして、連結部材５と基板３との間の固定手段である第１接着層５１１のヤング率は、連結部材５と支持部材４との間の固定手段である第２接着層５２１のヤング率よりも大きい。言い換えれば、連結部材５と基板３との間の第１接着層５１１は、連結部材５と支持部材４との間の第２接着層５２１に比較して、剛性が高く変形しにくい。更に言い換えれば、連結部材５と支持部材４との間の第２接着層５２１は、連結部材５と基板３との間の第１接着層５１１に比較して、剛性が低く変形しやすい。
　このような関係にある第１接着層５１１及び第２接着層５２１によれば、連結部材５は基板３に対しては堅牢に固定され、連結部材５から支持部材４に対しては応力が伝達されにくくなる。その結果、例えば、支持側電極６０２にボンディングワイヤ６を接合する際に、超音波等によりＹ軸に沿った外力が支持部材４に作用しても、基板３に対する連結部材５の傾きが生じにくい。その結果、支持部材４に作用するＹ軸に沿った超音波等の外力を、支持側電極６０２に対するボンディングワイヤ６の接合に効率的に利用することが可能である。また、基板３から連結部材５に応力が作用することがあっても、連結部材５から支持部材４には応力が伝わりにくいため、センサ素子２にまでは応力が作用しにくく、センサ素子２の検知結果に対する応力の影響が生じにくい。
　また、連結部材５は、支持部材４との対向面（第２面５２）から支持部材４に向かって突出するスペーサ５３（図３参照）を更に有している。本実施形態では、連結部材５は、複数（一例として４つ）のスペーサ５３を有している。各スペーサ５３は、一例として、ドーム状（半球状）に形成されている。これら、複数（４つ）のスペーサ５３は、第２面５２のうち、例えば、支持部材４における取付面４２の四隅と対向する位置に配置されている。スペーサ５３が形成されることにより、図４Ｃに示すように、連結部材５の第２面５２と支持部材４の取付面４２との間には、一定の間隔が確保される。
　各スペーサ５３の高さ、つまり第２面５２からの各スペーサ５３の突出量は、例えば、０．０５ｍｍ以上０．２ｍｍ以下である。本実施形態では、一例として、各スペーサ５３の高さは０．１５ｍｍである。これにより、連結部材５の第２面５２と支持部材４の取付面４２との間には、０．１５ｍｍの間隔（隙間）が確保される。
　ここで、図４Ｂに示すように、Ｚ軸方向（基板３の厚み方向）においては、連結部材５の方が支持部材４よりも大きく形成されている。すなわち、連結部材５の第２面５２は、支持部材４の取付面４２よりも、Ｚ軸方向の寸法が大きい。そして、支持部材４は、第２面５２における基板３とは反対側の端縁に寄せて配置されている。そのため、支持部材４は、基板３の搭載面３１との間には、隙間Ｇ１が確保されている。つまり、支持部材４は、基板３に対しては連結部材５を介して間接的に固定されるだけであって、基板３に対して直接的に接触することはない。
　ボンディングワイヤ６は、センサ素子２と基板３との間を電気的に接続する接続経路６０の少なくとも一部を構成する。特に本実施形態では、ボンディングワイヤ６は、支持部材４と基板３との間を電気的に接続する。すなわち、本実施形態では、ＡＳＩＣからなる支持部材４（支持側電極６０２）と、基板３（基板側電極６０１）との間の電気的な接続を、ボンディングワイヤ６にて実現する。具体的には、ボンディングワイヤ６の一端部は基板３の基板側電極６０１に接続され、ボンディングワイヤ６の他端部は支持部材４の支持側電極６０２に接続されることで、ボンディングワイヤ６は、基板３と支持部材４とを電気的に接続する。
　ボンディングワイヤ６は、基板側電極６０１及び支持側電極６０２に対して、ウェッジボンディング又はボールボンディングにより接合される。本実施形態では一例として、超音波又は熱等のエネルギを接合部位に印加することで、ボンディングワイヤ６を電極（基板側電極６０１又は支持側電極６０２）に接合する、ウェッジボンディングが採用される。
　センサ素子２と基板３との間を電気的に接続する接続経路６０は、ボンディングワイヤ６と、基板側電極６０１と、支持側電極６０２と、を含んでいる。つまり、基板３の基板側電極６０１は、ボンディングワイヤ６を介して支持部材４の支持側電極６０２に接続され、支持側電極６０２は、ＡＳＩＣからなる支持部材４の内部回路（処理回路４３）に接続される。さらに、ＡＳＩＣからなる支持部材４の内部回路（処理回路４３）は、バンプからなる接続部材４４を介して、センサ素子２に接続される。したがって、接続経路６０は、ボンディングワイヤ６、基板側電極６０１及び支持側電極６０２に加えて、ＡＳＩＣからなる支持部材４の内部回路（処理回路４３）、及び接続部材４４を含んでいる。
　要するに、本実施形態では、ボンディングワイヤ６は、センサ素子２と基板３との間を電気的に接続する接続経路６０の一部であって、支持部材４（支持側電極６０２）と基板３（基板側電極６０１）との間の経路を構成する。
　本実施形態では、ボンディングワイヤ６は、基板３及び支持部材４の各々の一面であって、互いに交差する２つの接続面間を接続するように設けられている。具体的には、ボンディングワイヤ６は、基板３の接続面である搭載面３１と、支持部材４の接続面である支持面４１と、の間を接続する。
　このように、本実施形態に係るセンサ装置１は、センサ素子２が搭載された状態で基板３に搭載される支持部材４を備えている。センサ素子２は、支持部材４を介して基板３に電気的に接続されている。そして、互いに交差した２つの接続面のうちの１つは、支持部材４の一面である。さらに、本実施形態においては、上述したように基板３は、支持部材４が搭載される搭載面３１を有している。支持部材４は、センサ素子２が搭載される支持面４１を有している。ここで、支持面４１の法線Ｌ１が搭載面３１に沿っている（本実施形態では平行）。言い換えれば、支持面４１と搭載面３１とは互いに交差（本実施形態では直交）する。そして、互いに交差した２つの接続面のうちの１つ（一方の接続面）は、支持部材４の一面としての支持面４１である。また、互いに交差した２つの接続面のうちの１つ（他方の接続面）は、基板３の一面（ここでは搭載面３１）である。つまり、ボンディングワイヤ６にて接続される、互いに交差した２つの接続面は、基板３の一面である搭載面３１、及び支持部材４の一面である支持面４１からなる。
　より詳細には、ボンディングワイヤ６の両端部は、基板３の搭載面３１に設けられた基板側電極６０１、及び支持部材４の支持面４１に設けられた支持側電極６０２にそれぞれ接続される。つまり、基板３は、ボンディングワイヤ６の一端部が接続される基板側電極６０１を、接続面としての搭載面３１に有し、支持部材４は、ボンディングワイヤ６の一端部が接続される支持側電極６０２を、接続面としての支持面４１に有している。そして、これら基板側電極６０１及び支持側電極６０２が設けられた２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）は互いに交差する。本実施形態では、２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）は互いに略直交（一例として厳密に直交）する。
　要するに、本実施形態では、このように互いに交差（本実施形態では直交）する２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）間が、ボンディングワイヤ６にて直接的に接続されている。そのため、互いに交差する２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）間を、例えば、リードフレーム又はフレキシブルフラットケーブル等の配線部材で接続する場合に比較して、２つの接続面間で応力が伝わりにくい。つまり、本実施形態に係るセンサ装置１では、互いに交差する２つの接続面間を接続する配線部材はボンディングワイヤ６であるので、一方の接続面からの応力は、ボンディングワイヤ６で緩和され、他方の接続面に伝達されにくくなる。
　しかも、本実施形態では、２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）間を接続するのにボンディングワイヤ６以外の配線部材が不要で、接続経路６０の継ぎ目を少なく抑えることが可能である。つまり、例えば、互いに交差する２つの接続面を、それぞれボンディングワイヤを介してリードフレームに接続し、２つの接続面を一対のボンディングワイヤ及びリードフレームで接続するような構成では、ボンディングワイヤ以外の配線部材が必要である。これに対し、本実施形態では、２つの接続面間がボンディングワイヤ６にて直接接続されるので、ボンディングワイヤ６以外の配線部材が不要で、かつ接続経路６０の継ぎ目を少なく抑えることができる。
　さらに、本実施形態では、支持側電極６０２は、支持面４１におけるセンサ素子２から見て基板３側に位置する。言い換えれば、支持側電極６０２は、支持面４１における基板３側の端縁（図４Ｂの下端縁）と、センサ素子２と、の間に位置する。これにより、ボンディングワイヤ６の一端部は、支持面４１のうち、センサ素子２から見て基板３側の領域に接続されることになる。よって、ボンディングワイヤ６の長さを比較的短く抑えることが可能である。ここで、上述したように、支持部材４と基板３の搭載面３１との間には、隙間Ｇ１が存在する。そのため、支持側電極６０２がセンサ素子２から見て基板３側に位置しながらも、隙間Ｇ１によって、支持側電極６０２と基板３との距離が確保され、ボンディングワイヤ６と基板３との干渉を回避しやすい。
　ここにおいて、センサ装置１は、上述したように複数本（図１Ａでは１８本）のボンディングワイヤ６を備えている。２つの接続面の各々には、複数本のボンディングワイヤ６を接続するための複数の電極が設けられている。複数の電極は、２つの接続面の両方に平行な一直線に沿って並んでいる。本実施形態では、複数本のボンディングワイヤ６にて接続される２つの接続面は、上述したように搭載面３１及び支持面４１からなる。そのため、これら搭載面３１及び支持面４１の各々には、図１Ａに示すように、複数本のボンディングワイヤ６を接続するための複数の電極（基板側電極６０１又は支持側電極６０２）が設けられている。つまり、一方の接続面である搭載面３１には、複数（図１Ａでは１８個）の基板側電極６０１が設けられ、これら複数の基板側電極６０１は、２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）の両方に平行な一直線（Ｘ軸）に沿って並んでいる。同様に、他方の接続面である支持面４１には、複数（図１Ａでは１８個）の支持側電極６０２が設けられ、これら複数の支持側電極６０２は、２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）の両方に平行な一直線（Ｘ軸）に沿って並んでいる。
　このように、２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）の各々に設けられた複数の電極（基板側電極６０１又は支持側電極６０２）は、２つの接続面の両方に平行なＸ軸に沿って、一列に並ぶように配置されている。そのため、これら複数の基板側電極６０１と複数の支持側電極６０２とをそれぞれ電気的に接続する複数本のボンディングワイヤ６は、図１Ａに示すように、Ｘ軸に沿って並べて配置されることになる。結果的に、複数本のボンディングワイヤ６の長さのばらつきを小さく抑えることができる。
　また、基板３の搭載面３１には、上述したように金属領域３１１が形成されており、複数の基板側電極６０１は、金属領域３１１の一辺に沿って配置されている。これにより、図１Ａに示すように、複数本のボンディングワイヤ６は、金属領域３１１の上方を通って、複数の基板側電極６０１と複数の支持側電極６０２とを接続することになる。そのため、金属領域３１１は、ボンディングワイヤ６から放射されるノイズ、及びボンディングワイヤ６に作用するノイズを低減するシールドとして機能することも可能である。
　ケース７（図２参照）は、基板３と結合される。ケース７は、基板３の搭載面３１との間に少なくともセンサ素子２を収容する。ケース７は、一例として金属製である。ケース７は、基板３の搭載面３１側に固定され、これにより、ケース７と基板３の搭載面３１との間には、センサ素子２、支持部材４、連結部材５及びボンディングワイヤ６が収容される空間が形成される。
　ケース７は、図２に示すように、ケース本体７１と、フランジ部７２と、を有している。ケース本体７１は、Ｚ軸方向の一面（基板３との対向面）を開口面とする、箱状に形成されている。ケース本体７１は、各角部が湾曲したアール（Ｒ）形状を有している。フランジ部７２は、ケース本体７１の開口面の外周縁から、外側に突出した部位である。ケース７は、このフランジ部７２を基板３のリブ３３に結合することにより、基板３に対して結合される。基板３に対するケース７の固定（結合）手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、基板３とケース７との固定手段は、接着である。
　ここにおいて、本実施形態では、ケース７は基板３に対して気密結合されることにより、ケース７と基板３の搭載面３１との間には、気密空間が形成される。そのため、センサ素子２等は、気密空間に収容されることになり、センサ装置１では、センサ素子２に対する湿度等の影響を抑制することが可能である。
　ところで、本実施形態に係るセンサ装置１は、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、処理回路４３を有している。処理回路４３は、本実施形態では、支持部材４としてのＡＳＩＣに設けられている。処理回路４３は、センサ素子２から出力される電気信号に関する処理を実行する。本実施形態では、処理回路４３は、支持部材４に設けられている。言い換えれば、支持部材４は、センサ素子２から出力される電気信号に関する処理を実行する処理回路４３を含んでいる。
　本実施形態では、処理回路４３は、センサ素子２から出力されるアナログの電気信号（アナログ信号）を、デジタル信号に変換する。処理回路４３は、ノイズ除去及び温度補償等の適宜の処理を実行する。さらに、処理回路４３は、センサ素子２に対して、センサ素子２を駆動するための駆動信号を与える。
　また、処理回路４３は、例えば、積分処理又は微分処理といった演算処理を実行してもよい。例えば、処理回路４３が、センサ素子２から出力される電気信号について積分処理を実行することで、センサ装置１は、Ｙ軸周りの角速度の積分値、つまりＹ軸周りの角度を求めることが可能である。一方、例えば、処理回路４３が、センサ素子２から出力される電気信号について微分処理を実行することで、センサ装置１は、Ｙ軸周りの角速度の微分値、つまりＹ軸周りの角加速度を求めることが可能である。
　（２．３）実装基板への実装態様
　次に、本実施形態に係るセンサ装置１の実装基板１０への実装態様について、図５を参照して説明する。
　上述した通り、本実施形態では、センサ装置１は、基板３における搭載面３１とは反対側の面（実装面３２）をプリント配線板等の実装基板１０に向けた姿勢で、実装基板１０にフリップチップ実装される場合を想定する。すなわち、センサ装置１は、図５に示すように、基板３の実装面３２を実装基板１０の一表面１０１に対向させた状態で、実装基板１０上に実装される。
　具体的には、センサ装置１は、基板３の実装面３２に形成された裏面電極３５を、実装基板１０の一表面１０１に形成された基板電極１０２に対して、接合部材１０３にて接合することにより、実装基板１０に実装される。接合部材１０３は、導電性を有する接合部材であって、一例として、金（Ａｕ）バンプ、又は、はんだ等である。基板３の実装面３２と実装基板１０の一表面１０１とは、アンダーフィルにより機械的に結合されていてもよい。
　ここで、実装基板１０（基板電極１０２）に接続された裏面電極３５は、基板３の搭載面３１に形成された基板側電極６０１と、ビア３６にてつながっている。さらに、基板側電極６０１は、ボンディングワイヤ６にて支持部材４の支持側電極６０２（図１Ｃ参照）につながっている。したがって、実装基板１０（基板電極１０２）に接続された裏面電極３５は、ビア３６、基板側電極６０１及びボンディングワイヤ６を介して、支持部材４の支持側電極６０２に電気的に接続されることになる。支持部材４は、本実施形態では処理回路４３を含むＡＳＩＣであるので、上記構成により、実装基板１０と処理回路４３との間の電気的な接続が実現される。
　（２．４）センサ素子の構成
　次に、センサ素子２の構成について、図６Ａ及び図６Ｂを参照して説明する。図６Ａ及び図６Ｂは、センサ素子２の動作原理を説明するための概念図である。
　本実施形態では一例として、センサ素子２は、高周波数（ＭＨｚ帯域）駆動の容量式バルク超音波ジャイロスコープである。このジャイロスコープ（センサ素子２）は、ベース板、可動部２１及び複数の電極２２を含んでいる。
　可動部２１はベース板上に絶縁層を介して支持されている。また、複数の電極２２は、可動部２１を囲むように可動部２１の周囲に配置されている。各電極２２と可動部２１との間には、非常に小さい隙間が形成されている。これら複数の電極２２は、可動部２１中において少なくとも２つの変性バルク超音波共振モードを励振しかつ検知することができる。
　可動部２１は、共振素子であって、平面視において円形状となる円盤状（ディスク状）に形成されている。ここで、可動部２１は、単結晶又は多結晶シリコン等の非圧電性物質であって、圧電性材料から製作されていることを必要としない。可動部２１は、例えば、シリコン炭化物、窒化ガリウム、窒化アルミニウム又は石英等の半導体又は金属材料にて構成されていてもよい。
　複数個の電極２２は、駆動用電極２２１と検知用電極２２２とを含んでいる。そして、可動部２１は、歳差運動により、図６Ａに示す駆動モードと、図６Ｂに示す検知モードとの間で変形する。つまり、円盤状の可動部２１は、その中心軸（Ｙ軸に平行な軸）に直交する平面内で、互いに直交する２方向に交互に伸縮する変形を繰り返すように振動する。センサ素子２は、可動部２１の変形量（移動量）を電気信号として出力する。すなわち、可動部２１の変形量は、可動部２１と検知用電極２２２との間の静電容量の変化として現れるため、センサ素子２は、この静電容量の変化に応じた電気信号を出力する。
　（２．５）接続部材の配置
　次に、支持部材４とセンサ素子２とを接続する接続部材４４の配置について、図７を参照して説明する。図７は、支持部材４を支持面４１側から見た概略図であって、図７では、センサ素子２を一部破断して図示している。また、図７では、接続部材４４の配置を概念的に示しており、一例として、支持面４１に９個の接続部材４４が配置されているが、接続部材４４の数を９個に限定する趣旨ではない。例えば、図３等に示すように、支持面４１に１７個の接続部材４４が配置されていてもよい。
　本実施形態においては、支持部材４とセンサ素子２との間には、接続部材４４として、ＡｕＳｎはんだバンプが複数設けられている。そして、これら複数（図７では９個）の接続部材４４（ＡｕＳｎはんだバンプ）は、少なくともセンサ素子２の中心点Ｐ１に対して、点対称に配置されている。つまり、支持部材４とセンサ素子２とを接続する複数の接続部材４４は、支持面４１内において、センサ素子２の中心点Ｐ１を対称点（対称中心）として、点対称に配置されている。
　具体的には、支持部材４を支持面４１側から見てセンサ素子２の中心点Ｐ１上に１個の接続部材４４が配置され、かつ中心点Ｐ１を中心とする円環上に複数（図７では８個）の接続部材４４が配置されている。中心点Ｐ１の周囲に配置された複数の接続部材４４は、中心点Ｐ１を中心とする円環状に並んで配置されている。これにより、円環状に並ぶ複数の接続部材４４は、中心点Ｐ１上に位置する１個の接続部材４４を囲むように配置される。さらに、円環状に並ぶ複数の接続部材４４は、中心点Ｐ１の周方向において等間隔に配置されている。
　ここで、支持部材４を支持面４１側から見て、複数（図７では９個）の接続部材４４の各々は円形状に形成されている。特に、中心点Ｐ１上に位置する１個の接続部材４４については、支持部材４を支持面４１側から見て、その形状も中心点Ｐ１に対して点対称となるように、中心点Ｐ１を中心とする円形状に形成されている。
　ところで、センサ素子２の中心点Ｐ１は、センサ素子２における支持面４１との対向面、つまり支持部材４との接合面における中心（又は重心）に位置する点である。センサ素子２は、この中心点Ｐ１を通る支持面４１の法線Ｌ１（Ｙ軸）周りの角速度に応じた電気信号を出力する。つまり、センサ素子２の中心点Ｐ１を通る支持面４１の法線Ｌ１（Ｙ軸）が、センサ素子２の検知軸となる。
　上述したように、センサ装置１は、支持部材４とセンサ素子２とを接続する複数の接続部材４４を更に備えている。複数の接続部材４４は、センサ素子２の中心点Ｐ１に対して点対称に配置されている。そのため、これら複数の接続部材４４を介して支持部材４からセンサ素子２に伝わる応力の分布は、中心点Ｐ１に対して点対称となる。よって、例えば、実装基板１０と基板３（又は支持部材４若しくは連結部材５）との熱膨張係数の違い等により、実装基板１０から基板３及び連結部材５を介して支持部材４に応力が作用しても、センサ素子２の検知結果に対する応力の影響が生じにくい。すなわち、支持部材４からセンサ素子２に応力が作用する場合でも、この応力の分布が中心点Ｐ１に対して点対称となることで、センサ素子２には中心点Ｐ１に対して応力の偏りが生じにくく、センサ素子２の検知結果に影響しにくくなる。
　また、複数の接続部材４４は、少なくともセンサ素子２の中心点Ｐ１に対して、点対称に配置されていればよく、例えば、中心点Ｐ１を中心とする２重以上の円環状（同心円状）に複数の接続部材４４が配置されていてもよい。さらに、中心点Ｐ１上に接続部材４４が位置することは必須ではなく、中心点Ｐ１上の接続部材４４は省略されてもよい。
　（２．６）電極構造
　次に、支持部材４に設けられている電極８１及び支持側電極６０２の構造について、図８Ａ及び図８Ｂを参照して説明する。図８Ａは、第１の態様に係る電極８１及び支持側電極６０２の構造を示し、図８Ｂは、第２の態様に係る電極８１及び支持側電極６０２の構造を示す、要部の概略断面図である。図８Ａ及び図８Ｂは、電極８１及び支持側電極６０２の概略構造を概念的に示しているに過ぎず、図中の各構成要素の大きさ及び厚さそれぞれの比が、実際の寸法比を規定する趣旨ではない。
　本実施形態においては、支持部材４は、支持部材４にセンサ素子２を電気的に接続するための電極８１（「センサ用電極」ともいう）と、ボンディングワイヤ６を介して支持部材４に基板３を電気的に接続するための支持側電極６０２と、を有している。これらの電極８１及び支持側電極６０２は、いずれも支持部材４の支持面４１に配置されている。特に、本実施形態では支持部材４は処理回路４３を含むＡＳＩＣであるので、処理回路４３にセンサ素子２及び基板３を電気的に接続するために、電極８１及び支持側電極６０２が支持部材４に設けられている。
　センサ用電極８１は、接続部材４４によってセンサ素子２に接続される。支持側電極６０２は、ボンディングワイヤ６にて基板側電極６０１に接続される。つまり、センサ用電極８１には接続部材４４としてのＡｕＳｎはんだバンプが接続され、支持側電極６０２にはボンディングワイヤ６が接続される。センサ用電極８１は複数の接続部材４４に一対一に対応するように複数設けられており、支持側電極６０２は複数本のボンディングワイヤ６に一対一に対応するように複数設けられている（図７参照）。つまり、支持部材４の電極８１及び支持側電極６０２は複数ずつ設けられている。
　ところで、この種の電極８１及び支持側電極６０２、特にセンサ用電極である電極８１においては、アルミニウム（Ａｌ）等の下地電極上に、Ｎｉめっき層及びＡｕめっき層がこの順で積層された構成の電極が採用されることがある。これにより、センサ用電極８１については、下地電極８１１上にＡｕＳｎはんだバンプを形成するためのＵＢＭ（Under Bump Metal）が構成されることになる。
　ここで、支持部材４とセンサ素子２とを接続する工程には、接続部材４４としてのＡｕＳｎはんだバンプを溶融させるために、接続部材４４を加熱する加熱工程が含まれる。この加熱工程においては、ＡｕＳｎはんだバンプを溶融させるべく、電極８１及び支持側電極６０２についても高温（一例として、３５０℃程度）に加熱される。このとき、支持側電極６０２のＮｉめっき層のニッケル（Ｎｉ）が、Ａｕめっき層の表面上に析出し、かつ酸化する可能性がある。Ａｕめっき層の表面上で酸化したニッケルは、ボンディングワイヤ６の接続を阻害して、ボンディングワイヤ６と支持側電極６０２との接合強度を低下させる可能性がある。より詳細には、ボールボンディングによりボンディングワイヤ６を支持側電極６０２に接続する場合には、ボンディングワイヤ６の先端に形成されたボール（Ａｕボール）と支持側電極６０２との接合強度が低下する。ウェッジボンディングによりボンディングワイヤ６を支持側電極６０２に接続する場合には、ボンディングワイヤ６と支持側電極６０２との接合強度が低下する。
　本実施形態に係るセンサ装置１では、このようなボンディングワイヤ６と支持部材４（支持側電極６０２）との接合強度の低下が生じにくいように、電極８１及び支持側電極６０２について図８Ａ及び図８Ｂに示すような構成を採用する。
　第１の態様として、図８Ａに示すように、支持側電極６０２は、下地電極８２１のみを有している。つまり、ボンディングワイヤ６を介して支持部材４に基板３を電気的に接続するための支持側電極６０２については、めっき層が無く、下地電極８２１のみで構成されている。一方で、センサ用電極８１は、下地電極８１１、Ｎｉめっき層８１２及びＡｕめっき層８１３を有している。本実施形態では一例として、下地電極８２１及び下地電極８１１は、いずれもアルミニウム（Ａｌ）である。センサ用電極８１において、Ｎｉめっき層８１２、Ａｕめっき層８１３は、この順で下地電極８１１上に積層されている。つまり、下地電極８１１上にＮｉめっき層８１２が形成され、Ｎｉめっき層８１２上にＡｕめっき層８１３が形成されている。
　すなわち、図８Ａに示す第１の態様では、支持部材４は、センサ素子２を電気的に接続するためのセンサ用電極８１と、基板３を電気的に接続するための支持側電極６０２と、を有している。センサ用電極８１は、下地電極８１１と、めっき層（Ｎｉめっき層８１２及びＡｕめっき層８１３）とを含んでいる。支持側電極６０２は、下地電極８２１のみからなる。このように、支持部材４の電極８１及び支持側電極６０２のうち、一方の電極８１にのみ、下地電極８１１上にめっき層（Ｎｉめっき層８１２及びＡｕめっき層８１３）が形成され、他方の支持側電極６０２については、下地電極８１１上にめっき層が無い。これにより、上述した加熱工程において、電極８１及び支持側電極６０２が加熱されたとしても、めっき層の無い支持側電極６０２については、Ｎｉめっき層のニッケル（Ｎｉ）が表面上に析出しない。そのため、第１の態様によれば、ボンディングワイヤ６と支持側電極６０２との接合強度の低下が生じにくい。さらに、センサ用電極８１については、下地電極８１１上にめっき層（Ｎｉめっき層８１２及びＡｕめっき層８１３）が形成されることで、ＡｕＳｎはんだバンプ（接続部材４４）を形成するためのＵＢＭが構成される。
　第２の態様としては、図８Ｂに示すように、センサ用電極８１と支持側電極６０２とのいずれも、バリア層８１０，８２０を有している。
　第２の態様において、センサ用電極８１は、下地電極８１１、Ｎｉめっき層８１２及びＡｕめっき層８１３に加えて、バリア層８１０を有している。バリア層８１０は、Ｎｉめっき層８１２とＡｕめっき層８１３との間に配置されている。センサ用電極８１において、Ｎｉめっき層８１２、バリア層８１０、Ａｕめっき層８１３は、この順で下地電極８１１上に積層されている。つまり、アルミニウム（Ａｌ）からなる下地電極８１１上に、Ｎｉめっき層８１２が形成され、Ｎｉめっき層８１２上には、バリア層８１０を介してＡｕめっき層８１３が形成されている。バリア層８１０は、Ｎｉめっき層８１２とＡｕめっき層８１３との間に配置されることにより、Ｎｉめっき層８１２からＡｕめっき層８１３へのニッケル（Ｎｉ）の拡散を抑制する。本実施形態では、バリア層８１０は、一例として、パラジウム（Ｐｄ）又はパラジウム合金である。
　第２の態様では、支持側電極６０２についても、センサ用電極８１と同様の構成を採用している。つまり、支持側電極６０２は、下地電極８２１、Ｎｉめっき層８２２及びＡｕめっき層８２３に加えて、バリア層８２０を有している。バリア層８２０は、Ｎｉめっき層８２２とＡｕめっき層８２３との間に配置されている。支持側電極６０２において、Ｎｉめっき層８２２、バリア層８２０、Ａｕめっき層８２３は、この順で下地電極８２１上に積層されている。つまり、アルミニウム（Ａｌ）からなる下地電極８２１上に、Ｎｉめっき層８２２が形成され、Ｎｉめっき層８２２上には、バリア層８２０を介してＡｕめっき層８２３が形成されている。バリア層８２０は、Ｎｉめっき層８２２とＡｕめっき層８２３との間に配置されることにより、Ｎｉめっき層８２２からＡｕめっき層８２３へのニッケル（Ｎｉ）の拡散を抑制する。本実施形態では、バリア層８２０は、一例として、パラジウム（Ｐｄ）又はパラジウム合金である。
　ここにおいて、Ｎｉめっき層８１２の厚みは、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下である。Ｎｉめっき層８１２の厚みは３μｍ以上であることがより好ましい。Ｎｉめっき層８１２の厚みは８μｍ以下であることがより好ましい。本実施形態では、一例として、Ｎｉめっき層８１２の厚みは５μｍである。バリア層８１０の厚みは、例えば、０．０１μｍ以上１．０μｍ以下である。バリア層８１０の厚みは０．０５μｍ以上であることがより好ましい。バリア層８１０の厚みは０．５μｍ以下であることがより好ましい。本実施形態では、一例として、バリア層８１０の厚みは０．２μｍである。Ａｕめっき層８１３の厚みは、例えば、０．０１μｍ以上１．０μｍ以下である。Ａｕめっき層８１３の厚みは０．０５μｍ以上であることがより好ましい。Ａｕめっき層８１３の厚みは０．５μｍ以下であることがより好ましい。本実施形態では、一例として、Ａｕめっき層８１３の厚みは０．１５μｍである。支持側電極６０２のＮｉめっき層８２２、バリア層８２０、Ａｕめっき層８２３の厚みについても、それぞれセンサ用電極８１のＮｉめっき層８１２、バリア層８１０、Ａｕめっき層８１３と同様の厚みを採用可能である。
　すなわち、図８Ｂに示す第２の態様では、支持部材４は、センサ素子２を電気的に接続するためのセンサ用電極８１と、基板３を電気的に接続するための支持側電極６０２と、を有している。センサ用電極８１及び支持側電極６０２の各々は、下地電極８１１，８２１と、Ｎｉめっき層８１２，８２２、Ａｕめっき層８１３，８２３及びバリア層８１０，８２０を含んでいる。下地電極８１１，８２１上に、Ｎｉめっき層８１２，８２２、バリア層８１０，８２０及びＡｕめっき層８１３，８２３がこの順に積層されている。このように、支持部材４の電極８１（又は８２）は、Ｎｉめっき層８１２（又は８２２）とＡｕめっき層８１３（又は８２３）との間に、バリア層８１０（又は８２０）を有している。そのため、Ｎｉめっき層８１２（又は８２２）からＡｕめっき層８１３（又は８２３）へのニッケル（Ｎｉ）の拡散が、バリア層８１０（又は８２０）にて抑制される。よって、上述した加熱工程において、電極８１及び支持側電極６０２が加熱されたとしても、ニッケル（Ｎｉ）の拡散がバリア層８１０（又は８２０）にて抑制され、Ａｕめっき層８１３（又は８２３）の表面上へのニッケル（Ｎｉ）の析出が生じにくい。そのため、第２の態様によれば、ボンディングワイヤ６と支持側電極６０２との接合強度の低下が生じにくい。さらに、センサ用電極８１についても、下地電極８１１上にめっき層（Ｎｉめっき層８１２及びＡｕめっき層８１３）が形成されることで、ＡｕＳｎはんだバンプ（接続部材４４）を形成するためのＵＢＭが構成される。
　（２．７）センサ素子の電極構造
　次に、センサ素子２に設けられている素子電極２００の構造について、図９Ａ～図９Ｃを参照して説明する。図９Ａは、本実施形態に係るセンサ素子２の支持部材４との接続前の状態における素子電極２００の構造を示し、図９Ｂは、本実施形態に係るセンサ素子２の支持部材４との接続前の状態における素子電極２００の構造を示す、要部の概略断面図である。図９Ｃは、比較例に係るセンサ素子２の素子電極２００の構造を示す、要部の概略断面図である。図９Ａ～図９Ｃは、素子電極２００の概略構造を概念的に示しているに過ぎず、図中の各構成要素の大きさ及び厚さそれぞれの比が、実際の寸法比を規定する趣旨ではない。
　本実施形態においては、センサ素子２は、平板状に形成されており、Ｙ軸方向に厚みを有している。センサ素子２は、厚み方向の一面側（支持部材４側）に、電極面２０１を有している。つまり、センサ素子２は、電極面２０１を支持部材４に対向させた状態で、支持部材４に接続される。
　素子電極２００は、接続部材４４によって支持部材４のセンサ用電極８１に接続される。つまり、素子電極２００には接続部材４４としてのＡｕＳｎはんだバンプが接続される。素子電極２００は複数の接続部材４４に一対一に対応するように複数設けられている（図７参照）。つまり、センサ素子２の素子電極２００は複数設けられている。
　ところで、本実施形態ではセンサ素子２は、ＭＥＭＳ技術を用いたベアチップ、いわゆるＭＥＭＳチップを含んでおり、図９Ａに示すように、シリコン（Ｓｉ）からなる基板２４と、基板２４の表層に形成されたＳｉＯ２からなる第１酸化膜２５と、を有している。センサ素子２は、第１酸化膜２５の表面を電極面２０１とし、この電極面２０１上に、複数の素子電極２００を有している。さらに、センサ素子２は、電極面２０１上であって素子電極２００に隣接する位置に、ＳｉＯ２からなる第２酸化膜２６と、第２酸化膜２６上に積層されたＳｉＮからなる窒化膜２７と、を有している。
　ここで、本実施形態では、センサ素子２の素子電極２００は、図９Ａに示すように、電極面２０１上に形成されたＡｕ電極層２２０と、Ａｕ電極層２２０上に積層されたＵＢＭ層２３と、を含んでいる。ＵＢＭ層２３は、Ａｕ電極層２２０上にＡｕＳｎはんだバンプからなる接続部材４４を形成するためのＵＢＭ（Under Bump Metal）である。この構成により、センサ素子２の素子電極２００においては、Ａｕ電極層２２０上に、接続部材４４が直接的に積層されるのではなく、ＵＢＭ層２３を介して接続部材４４が間接的に積層されることになる。
　ＵＢＭ層２３は、一例として、Ｎｉめっき層２３１、バリア層２３２及びＡｕめっき層２３３を有している。バリア層２３２は、Ｎｉめっき層２３１とＡｕめっき層２３３との間に配置されている。素子電極２００においては、Ｎｉめっき層２３１、バリア層２３２、Ａｕめっき層２３３は、この順でＡｕ電極層２２０上に積層されている。つまり、金（Ａｕ）からなるＡｕ電極層２２０上に、Ｎｉめっき層２３１が形成され、Ｎｉめっき層２３１上には、バリア層２３２を介してＡｕめっき層２３３が形成されている。バリア層２３２は、Ｎｉめっき層２３１とＡｕめっき層２３３との間に配置されることにより、Ｎｉめっき層２３１からＡｕめっき層２３３へのニッケル（Ｎｉ）の拡散を抑制する。本実施形態では、バリア層２３２は、一例として、パラジウム（Ｐｄ）又はパラジウム合金である。ただし、ＵＢＭ層２３として、バリア層２３２は必須の構成ではなく、適宜省略されてもよい。
　ここで、ＵＢＭ層２３の熱膨張係数（線膨張係数）は、ＡｕＳｎからなる接続部材４４の熱膨張係数（線膨張係数）と、ＳｉＯ２からなる第２酸化膜２６の熱膨張係数（線膨張係数）と、の間の値である。一例として、ＡｕＳｎ（接続部材４４）の熱膨張係数が１７．５ｐｐｍ／℃であって、ＳｉＯ２（第２酸化膜２６）の熱膨張係数が０．５ｐｐｍ／℃であると仮定する。この場合、ＵＢＭ層２３の熱膨張係数は、０．５ｐｐｍ／℃より大きく、１７．５ｐｐｍ／℃より小さい。具体的には、ＵＢＭ層２３を構成するＮｉめっき層２３１の熱膨張係数は１２ｐｐｍ／℃であって、ＵＢＭ層２３を構成するＡｕめっき層２３３の熱膨張係数は１４．２ｐｐｍ／℃である。
　また、Ｎｉめっき層２３１の厚みは、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下である。Ｎｉめっき層２３１の厚みは３μｍ以上であることがより好ましい。Ｎｉめっき層２３１の厚みは８μｍ以下であることがより好ましい。本実施形態では、一例として、Ｎｉめっき層２３１の厚みは５μｍである。バリア層２３２の厚みは、例えば、０．０１μｍ以上１．０μｍ以下である。バリア層２３２の厚みは０．０５μｍ以上であることがより好ましい。バリア層２３２の厚みは０．５μｍ以下であることがより好ましい。本実施形態では、一例として、バリア層２３２の厚みは０．２μｍである。Ａｕめっき層２３３の厚みは、例えば、０．０１μｍ以上１．０μｍ以下である。Ａｕめっき層２３３の厚みは０．０５μｍ以上であることがより好ましい。Ａｕめっき層２３３の厚みは０．５μｍ以下であることがより好ましい。本実施形態では、一例として、Ａｕめっき層２３３の厚みは０．１５μｍである。
　センサ素子２は、上述したようなＵＢＭ層２３を含む素子電極２００の構造を採用することで、第１酸化膜２５に作用する応力の低減を図ることができる、という効果が期待される。以下、素子電極２００がＵＢＭ層２３を含まない場合の構成を比較例（図９Ｃ参照）として、比較例と比較しつつ、本実施形態に係るセンサ素子２の素子電極２００の構造により期待される効果について説明する。図９Ｃに示す比較例では、素子電極２００がＵＢＭ層２３を含まない点以外は、本実施形態に係るセンサ素子２と同様の構成を採用していることとする。
　すなわち、「（２．６）電極構造」の欄でも説明したように、支持部材４とセンサ素子２とを接続する工程には、接続部材４４としてのＡｕＳｎはんだバンプを溶融させるために、接続部材４４を加熱する加熱工程が含まれる。この加熱工程においては、ＡｕＳｎはんだバンプを溶融させるべく、素子電極２００についても高温（一例として、３５０℃程度）に加熱される。
　比較例においては、ＵＢＭ層２３がなく、ＡｕＳｎからなる接続部材４４がＡｕ電極層２２０上に直接的に積層されているので、加熱工程において、Ａｕ電極層２２０のＡｕが接続部材４４のＡｕＳｎに拡散し、ＡｕＳｎ層４４Ｂ（図９Ｃ参照）が形成される。そのため、比較例においては、加熱工程の後、素子電極２００には、図９Ｃに示すように、見かけ上、Ａｕ電極層２２０が存在せず、ＡｕＳｎ層４４Ｂのみが存在することになる。そうすると、電極面２０１としての第１酸化膜２５の表面上には、ＳｉＯ２からなる第２酸化膜２６と、ＡｕＳｎ層４４Ｂと、が隣接して形成されることになる。ここで、熱膨張係数が０．５ｐｐｍ／℃である第２酸化膜２６と、熱膨張係数が１７．５ｐｐｍ／℃であるＡｕＳｎ層４４Ｂと、の間には、比較的大きな熱膨張係数の差があるため、第１酸化膜２５に対して応力が作用する。つまり、ＳｉＯ２からなる第１酸化膜２５のうち、第２酸化膜２６とＡｕＳｎ層４４Ｂとの境界Ｌ１０付近で応力集中が生じ、条件によっては、クラック等の発生につながる可能性もある。
　一方、本実施形態に係るセンサ素子２においては、図９Ａに示すように、ＡｕＳｎからなる接続部材４４は、ＵＢＭ層２３を介して、Ａｕ電極層２２０上に間接的に積層されている。そのため、加熱工程において、ＵＢＭ層２３のＡｕめっき層２３３が接続部材４４のＡｕＳｎに拡散し、ＡｕＳｎ層４４Ａ（図９Ｂ参照）が形成される。そのため、本実施形態においては、加熱工程の後、素子電極２００には、図９Ｂに示すように、見かけ上、Ａｕめっき層２３３が存在せず、Ａｕ電極層２２０、Ｎｉめっき層２３１、バリア層２３２及びＡｕＳｎ層４４Ａが存在することになる。そうすると、電極面２０１としての第１酸化膜２５の表面上には、ＳｉＯ２からなる第２酸化膜２６と、Ａｕ電極層２２０と、が隣接して形成されることになる。ここで、熱膨張係数が０．５ｐｐｍ／℃である第２酸化膜２６と、熱膨張係数が１４．２ｐｐｍ／℃であるＡｕ電極層２２０と、の間には、熱膨張係数の差が生じるものの、比較例に比べて小さな差となる。さらに、熱膨張係数が１４．２ｐｐｍ／℃であるＡｕ電極層２２０上には、熱膨張係数が１２ｐｐｍ／℃であるＮｉめっき層２３１が存在し、その上に熱膨張係数が１７．５ｐｐｍ／℃であるＡｕＳｎ層４４Ａが存在する。その結果、比較例に比べて、電極面２０１上における熱膨張係数の差が小さくなり、第１酸化膜２５に作用する応力が低減され、ＳｉＯ２からなる第１酸化膜２５にクラック等が生じにくくなる。
　また、例えば、電極面２０１とＡｕ電極層２２０との間には、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）等の下地電極が介在してもよい。つまり、素子電極２００においては、電極面２０１上に、Ａｕ電極層２２０が直接的に積層されるのではなく、下地電極を介してＡｕ電極層２２０が間接的に積層されてもよい。
　（３）変形例
　実施形態１は、本開示の様々な実施形態の一つに過ぎない。実施形態１で参照する図面は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさ及び厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。実施形態１は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。以下に説明する変形例は、適宜組み合わせて適用可能である。
　（３．１）第１変形例
　実施形態１の第１変形例に係るセンサ装置１Ａは、図１０に示すように、支持面４１における支持側電極６０２の位置が実施形態１に係るセンサ装置１と相違する。すなわち、実施形態１に係るセンサ装置１では、支持側電極６０２は、支持面４１におけるセンサ素子２から見て基板３側に位置するのに対し、本変形例では、支持側電極６０２は、支持面４１におけるセンサ素子２から見て基板３とは反対側に位置する。
　本変形例では、支持側電極６０２は、支持面４１における基板３とは反対側の端縁（図１０の上端縁）と、センサ素子２と、の間に位置する。これにより、ボンディングワイヤ６の一端部は、支持面４１のうち、センサ素子２から見て基板３とは反対側の領域に接続されることになる。つまり、センサ素子２は、ボンディングワイヤ６と２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）とで囲まれた位置に配置されることになる。
　本変形例に係るセンサ装置１Ａによれば、センサ素子２によって、支持側電極６０２と基板３との距離が確保されるため、支持部材４と基板３の搭載面３１との間の隙間Ｇ１（図４Ｂ参照）によらずに、ボンディングワイヤ６と基板３との干渉を回避しやすい。そのため、支持部材４は、第２面５２上における基板３側の端縁に寄せて配置可能となり、連結部材５のＺ軸方向の寸法を比較的小さく抑えることが可能である。結果的に、基板３の搭載面３１からの支持部材４及び連結部材５の突出量を比較的小さく抑えることが可能となり、センサ装置１Ａ全体のＺ軸方向の寸法（高さ）を比較的小さく抑えることができ、センサ装置１Ａの低背化に寄与する。
　（３．２）その他の変形例
　以下、第１変形例以外の変形例を列挙する。
　実施形態１では、センサ素子２はＹ軸周りの角速度を検知しているが、この構成に限らず、センサ素子２は、例えば、Ｘ軸又はＺ軸周りの角速度を検知してもよい。さらに、センサ素子２は、１軸についての角速度に限らず、２軸以上の角速度を検知する構成であってもよい。例えば、センサ素子２は、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の３軸について、各軸周りの角速度を検知する３軸角速度センサであってもよい。
　また、センサ素子２は、角速度以外の物理量を検知する構成であってもよい。例えば、センサ素子２は、加速度、角加速度、速度、圧力、重量、長さ（距離）及び温度等の物理量を検知する構成であってもよい。さらに、センサ素子２は、１つの物理量に限らず、複数の物理量を検知する構成であってもよい。例えば、センサ素子２は、角速度と加速度とを検知してもよい。
　また、センサ素子２は、ＭＥＭＳ技術を用いた素子に限らず、他の素子であってもよい。
　また、連結部材５に設けられるスペーサ５３の数は、４つに限らず、例えば、１つ、２つ、３つ、又は５つ以上であってもよい。また、各スペーサ５３の形状についても、ドーム状に限らず、例えば、円柱状、多角柱状、円錐状、多角錐状又は球状等の適宜の形状を採用し得る。
　また、実施形態１では、センサ装置１が実装基板１０にフリップチップ実装される場合を想定したが、センサ装置１の実装方法は、フリップチップ実装に限らない。一例として、センサ装置１は、ワイヤボンディング等のフリップチップ実装以外の表面実装、又は、基板３にリード端子を設けて実装基板１０に対して挿入実装される構成であってもよい。
　また、基板３の形状及び材質は、実施形態１で示した例に限らない。例えば、基板３は、平面視において長方形状又は円形状等であってもよい。さらに、基板３は、セラミック製に限らず、例えば、樹脂製又はシリコン製等であってもよい。
　また、支持部材４が処理回路４３を含むＡＳＩＣであることは、センサ装置１に必須の構成ではなく、支持部材４についても適宜の構成を採用可能である。つまり、支持部材４は、電子部品でなくてもよく、単なる板材等の構造体であってもよい。さらに、支持部材４の形状及び材質は、実施形態１で示した例に限らない。例えば、支持部材４は、平面視において長方形状又は円形状等であってもよい。さらに、支持部材４は、例えば、樹脂製、シリコン製又はセラミック製等の部材であってもよい。
　また、連結部材５の形状及び材質は、実施形態１で示した例に限らない。例えば、連結部材５は、立方体状又は多角柱（三角柱、六角柱等）状等であってもよい。また、連結部材５は、例えば、側面視がＬ字状のステー等であってもよい。さらに、連結部材５は、ＬＣＰ樹脂製に限らず、例えば、シリコン製、金属製又はセラミック製等であってもよい。
　また、接続経路６０は、連結部材５の表面に形成される導電路、又は連結部材５に埋設される導電路等を含んでいてもよい。
　また、連結部材５は中空構造であってもよく、この場合、中実構造の連結部材５に比べて、連結部材５に対して作用する衝撃の緩和を図ることができる。これにより、センサ装置１としての耐衝撃性の向上を図ることができる。
　（実施形態２）
　本実施形態に係るセンサ装置１Ｂは、図１１Ａ～図１１Ｃに示すように、基板３と支持部材４との相対的な位置関係が、実施形態１に係るセンサ装置１と相違する。以下、実施形態１と同様の構成については、共通の符号を付して適宜説明を省略する。図１１Ｂは、図１１Ａの領域Ｚ１に相当する拡大斜視図、図１１Ｃは、図１１Ａの領域Ｚ２に相当する拡大斜視図である。
　本実施形態では、図１１Ａに示すように、支持面４１が搭載面３１に沿った位置関係となるように、基板３と支持部材４とが結合されている。特に、図１１Ａの例では、支持面４１と搭載面３１とは、互いに略平行な状態にある。また、本実施形態では、センサ素子２は、連結部材５を介して、支持部材４の支持面４１上に支持されている。センサ素子２は、連結部材５の第２面５２に固定されている。センサ素子２は、平板状に形成されており、Ｙ軸方向に厚みを有している。センサ素子２は、厚み方向の一面側（連結部材５とは反対側）に、電極面２０１を有している。つまり、センサ素子２の厚み方向における電極面２０１とは反対側の面は、連結部材５に対向する。
　より詳細には、連結部材５は、支持部材４の支持面４１に搭載され、支持部材４とセンサ素子２とを連結する。言い換えれば、連結部材５を介してセンサ素子２が搭載（実装）された支持部材４は、基板３（搭載面３１）に固定されることになる。そのため、支持部材４とセンサ素子２との相対的な位置関係は、連結部材５にて規定される。本実施形態に係るセンサ装置１Ｂでは、支持部材４とセンサ素子２との位置関係は、センサ素子２の電極面２０１の法線が支持面４１に沿うように、規定される。つまり、電極面２０１の法線は、支持部材４の支持面４１に対して、略平行な状態にある（厳密に平行、又は両者間の角度が数度程度に収まる関係にある）。本実施形態では一例として、電極面２０１の法線は、支持部材４の支持面４１、及び基板３の搭載面３１に対して厳密に平行な状態にある。
　そして、上述したような構成により、連結部材５及びセンサ素子２は、支持部材４の支持面４１上に立った状態で固定されることになる。言い換えれば、センサ素子２を含む縦型部材５０が、支持面４１上に立った状態で搭載される。ここでは、支持面４１に搭載される縦型部材５０は、センサ素子２と、連結部材５と、を備えている。つまり、支持部材４は、センサ素子２を含む縦型部材５０が搭載される支持面４１を有している。縦型部材５０は、センサ素子２の電極面２０１の法線が支持面４１に沿った位置関係となるように、支持面４１に固定されている。ここで、縦型部材５０は、センサ素子２と支持部材４とを連結する連結部材５を含んでいる。センサ素子２は、連結部材５を介して間接的に、支持部材４に搭載される。
　基板３（搭載面３１）に対する支持部材４の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、基板３と支持部材４との固定手段は、接着層５０１による接着である。同様に、支持部材４（支持面４１）に対する連結部材５の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、支持部材４と連結部材５との固定手段は、接着層５０２による接着である。同様に、センサ素子２に対する連結部材５（第２面５２）の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、センサ素子２と連結部材５（第２面５２）との固定手段は、接着層５０３による接着である。
　また、支持部材４は、図１１Ｂに示すように、複数の支持側電極６０２と、複数の送り電極６０３と、を有している。送り電極６０３は、電極８１（図８Ａ参照）に代えて設けられており、導電性材料にて構成されている。送り電極６０３は、ボンディングワイヤ６Ａを電気的に接続するための電極であって、支持面４１に形成されている。つまり、支持部材４は、ボンディングワイヤ６Ａの一端部が接続される送り電極６０３を支持面４１に有している。ここでは、支持側電極６０２及び送り電極６０３は、支持部材４の同一面（支持面４１）に設けられている。
　さらに、センサ素子２は、図１１Ｃに示すように、複数のセンサ側電極６０４を有している。センサ側電極６０４は、導電性材料にて構成されている。センサ側電極６０４は、ボンディングワイヤ６Ａを電気的に接続するための電極であって、電極面２０１に形成されている。つまり、センサ素子２は、ボンディングワイヤ６Ａの一端部が接続されるセンサ側電極６０４を電極面２０１に有している。
　ボンディングワイヤ６Ａは、センサ素子２と基板３との間を電気的に接続する接続経路６０（図１Ａ参照）の少なくとも一部を構成する。特に本実施形態では、ボンディングワイヤ６Ａは、センサ素子２と支持部材４との間を電気的に接続する。すなわち、本実施形態では、センサ素子２（センサ側電極６０４）と、ＡＳＩＣからなる支持部材４（送り電極６０３）との間の電気的な接続を、ボンディングワイヤ６Ａにて実現する。具体的には、ボンディングワイヤ６Ａの一端部は支持部材４の送り電極６０３に接続され、ボンディングワイヤ６Ａの他端部はセンサ素子２のセンサ側電極６０４に接続されることで、ボンディングワイヤ６Ａは、支持部材４とセンサ素子２とを電気的に接続する。
　センサ素子２と基板３との間を電気的に接続する接続経路６０は、「第１のボンディングワイヤ」としてのボンディングワイヤ６Ａに加えて、「第２のボンディングワイヤ」としてのボンディングワイヤ６１を含んでいる。第２のボンディングワイヤ６１は、支持部材４と基板３との間を電気的に接続する。すなわち、本実施形態では、ＡＳＩＣからなる支持部材４（送り電極６０３）と、基板３との間の電気的な接続を、第２のボンディングワイヤ６１にて実現する。具体的には、ボンディングワイヤ６１の一端部は基板３の基板側電極６０１に接続され、ボンディングワイヤ６１の他端部は支持部材４の支持側電極６０２に接続されることで、ボンディングワイヤ６１は、基板３と支持部材４とを電気的に接続する。
　（第１の）ボンディングワイヤ６Ａは、送り電極６０３及びセンサ側電極６０４に対して、ウェッジボンディング又はボールボンディングにより接合される。本実施形態では一例として、超音波又は熱等のエネルギを接合部位に印加することで、ボンディングワイヤ６Ａを電極（送り電極６０３又はセンサ側電極６０４）に接合する、ウェッジボンディングが採用される。同様に、第２のボンディングワイヤ６１についても、ウェッジボンディング又はボールボンディングにより接合される。
　本実施形態では、（第１の）ボンディングワイヤ６Ａは、支持部材４及びセンサ素子２の各々の一面であって、互いに交差する２つの接続面間を接続するように設けられている。具体的には、ボンディングワイヤ６Ａは、支持部材４の接続面である支持面４１と、センサ素子２の接続面である電極面２０１と、の間を接続する。
　このように、本実施形態に係るセンサ装置１Ｂは、センサ素子２が搭載された状態で基板３に搭載される支持部材４を備えている。センサ素子２は、支持部材４を介して基板３に電気的に接続されている。そして、互いに交差した２つの接続面のうちの１つは、支持部材４の一面である。さらに、本実施形態においては、上述したようにセンサ素子２は、２つの接続面のうちの１つである電極面２０１を有している。言い換えれば、支持面４１と電極面２０１とは互いに交差（本実施形態では直交）する。そして、互いに交差した２つの接続面のうちの１つ（一方の接続面）は、支持部材４の一面としての支持面４１である。また、互いに交差した２つの接続面のうちの１つ（他方の接続面）は、センサ素子２の一面としての電極面２０１である。つまり、ボンディングワイヤ６Ａにて接続される、互いに交差した２つの接続面は、センサ素子２の一面である電極面２０１、及び支持部材４の一面である支持面４１からなる。
　ここで、縦型部材５０と支持部材４とを接合する接着層５０２（「第２接着層５０２」ともいう）のヤング率は、支持部材４と基板３とを接合する接着層５０１（「第１接着層５０１」ともいう）のヤング率に比べて大きい。すなわち、本実施形態においては、縦型部材５０に含まれる連結部材５と支持部材４との間の固定手段である第２接着層５０２のヤング率は、支持部材４と基板３との間の固定手段である第１接着層５０１のヤング率よりも大きい。言い換えれば、連結部材５と支持部材４との間の第２接着層５０２は、支持部材４と基板３との間の第１接着層５０１に比較して、剛性が高く変形しにくい。更に言い換えれば、支持部材４と基板３との間の第１接着層５０１は、連結部材５と支持部材４との間の第２接着層５０２に比較して、剛性が低く変形しやすい。
　このような関係にある第１接着層５０１及び第２接着層５０２によれば、連結部材５（縦型部材５０）は支持部材４に対しては堅牢に固定され、基板３から支持部材４に対しては応力が伝達されにくくなる。その結果、例えば、センサ側電極６０４にボンディングワイヤ６Ａを接合する際に、超音波等によりＹ軸に沿った外力が縦型部材５０に作用しても、支持部材４に対する縦型部材５０（連結部材５）の傾きが生じにくい。その結果、縦型部材５０に作用するＹ軸に沿った超音波等の外力を、センサ側電極６０４に対するボンディングワイヤ６Ａの接合に効率的に利用することが可能である。また、基板３から支持部材４には応力が伝わりにくいため、センサ素子２にまでは応力が作用しにくく、センサ素子２の検知結果に対する応力の影響が生じにくい。
　また、連結部材５と支持部材４とを接合する第２接着層５０２のヤング率は、連結部材５とセンサ素子２とを接合する接着層５０３（「第３接着層５０３」ともいう）のヤング率に比べて大きい。すなわち、本実施形態においては、縦型部材５０に含まれる連結部材５と支持部材４との間の固定手段である第２接着層５０２のヤング率は、連結部材５とセンサ素子２との間の固定手段である第３接着層５０３のヤング率よりも大きい。言い換えれば、連結部材５と支持部材４との間の第２接着層５０２は、連結部材５とセンサ素子２との間の第３接着層５０３に比較して、剛性が高く変形しにくい。更に言い換えれば、連結部材５とセンサ素子２との間の第３接着層５０３は、連結部材５と支持部材４との間の第２接着層５０２に比較して、剛性が低く変形しやすい。
　このような関係にある第３接着層５０３及び第２接着層５０２によれば、連結部材５（縦型部材５０）は支持部材４に対しては堅牢に固定され、連結部材５から支持部材４に対しては応力が伝達されにくくなる。その結果、例えば、センサ側電極６０４にボンディングワイヤ６Ａを接合する際に、超音波等によりＹ軸に沿った外力が縦型部材５０に作用しても、支持部材４に対する縦型部材５０（連結部材５）の傾きが生じにくい。その結果、縦型部材５０に作用するＹ軸に沿った超音波等の外力を、センサ側電極６０４に対するボンディングワイヤ６Ａの接合に効率的に利用することが可能である。また、基板３から連結部材５に応力が作用することがあっても、連結部材５から支持部材４には応力が伝わりにくいため、センサ素子２にまでは応力が作用しにくく、センサ素子２の検知結果に対する応力の影響が生じにくい。
　また、本実施形態では、実装基板１０への実装態様についても実施形態１に係るセンサ装置１と相違する。すなわち、実施形態１に係るセンサ装置１は、金（Ａｕ）バンプ、又は、はんだ等からなる接合部材１０３（図５参照）にて実装基板１０に接合されるのに対し、本実施形態に係るセンサ装置１Ｂは、端子部材１１０にて実装基板１０に接合される。
　本実施形態において、センサ装置１Ｂは、図１１Ａに示すように、基板３の実装面３２を実装基板１０の一表面１０１に対向させた状態で、実装基板１０上に実装される。端子部材１１０はばね性（弾性）を有する部材であって、端子部材１１０の一部が基板３に固定されている。ここでは一例として、端子部材１１０は、導電性を有する金属（例えば、銅又は銅合金等）にて構成されたリード端子である。センサ装置１Ｂは、基板３の実装面３２の外周縁に沿って複数の端子部材１１０を有している。つまり、複数の端子部材１１０は、実装面３２の外周縁に沿って並んで配置されている。
　各端子部材１１０は、図１１Ａに示すように、第１端子片１１１、第２端子片１１２、第３端子片１１３及び第４端子片１１４を有し、全体として略Ｃ字状に形成されている。第１端子片１１１と第３端子片１１３とは、互いに平行な位置関係にある。第２端子片１１２は、第１端子片１１１の一端と第３端子片１１３の一端とを連結する。第４端子片１１４は、第３端子片１１３における第２端子片１１２とは反対側の端部から、第１端子片１１１に向けて突出している。このような形状の端子部材１１０において、第１端子片１１１が、はんだ等により基板３の実装面３２に接続される。また、第３端子片１１３は、はんだ等により実装基板１０の一表面に接続される。このようにして、端子部材１１０は、その一部が基板３に固定され、他の一部が実装基板１０に固定される。
　以上説明した構成によれば、少なくとも第２端子片１１２の一部（中央部付近）は、基板３と実装基板１０とのいずれに対しても、直接的には固定されない状態となる。そのため、端子部材１１０は、少なくとも第２端子片１１２のばね性（弾性）により、第２端子片１１２がたわむことで、実装基板１０と基板３との間で伝達される応力を低減できる。よって、例えば、実装基板１０と基板３との熱膨張係数の違い等により、実装基板１０から端子部材１１０に応力が作用しても、この応力は端子部材１１０にて低減され、基板３には伝わりにくく、センサ素子２の検知結果に対する応力の影響が生じにくい。
　また、本実施形態においても、基板３の実装面３２と実装基板１０の一表面１０１とは、アンダーフィルにより機械的に結合されていてもよい。
　図１２は、実施形態２の変形例に係るセンサ装置１Ｃを示している。本変形例に係るセンサ装置１Ｃでは、連結部材５が省略されている。そのため、支持面４１に搭載される縦型部材５０は、センサ素子２のみからなる。以下、実施形態２と同様の構成については、共通の符号を付して適宜説明を省略する。
　このセンサ装置１Ｃでは、縦型部材５０（センサ素子２）は、センサ素子２の電極面２０１の法線が支持面４１に沿った位置関係となるように、支持面４１に固定されている。ここで、センサ素子２は、支持部材４の支持面４１上に直接的に搭載される。支持部材４（支持面４１）に対するセンサ素子２の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、支持部材４とセンサ素子２との固定手段は、接着層５０４による接着である。
　ここで、縦型部材５０（センサ素子２）と支持部材４とを接合する接着層５０４（「第４接着層５０４」ともいう）のヤング率は、支持部材４と基板３とを接合する第１接着層５０１のヤング率に比べて大きい。すなわち、本実施形態においては、縦型部材５０に含まれるセンサ素子２と支持部材４との間の固定手段である第４接着層５０４のヤング率は、支持部材４と基板３との間の固定手段である第１接着層５０１のヤング率よりも大きい。言い換えれば、センサ素子２と支持部材４との間の第４接着層５０４は、支持部材４と基板３との間の第１接着層５０１に比較して、剛性が高く変形しにくい。
　実施形態２で説明した構成（変形例を含む）は、実施形態１で説明した種々の構成（変形例を含む）と適宜組み合わせて採用可能である。
　（実施形態３）
　（１）概要
　本実施形態に係るセンサ装置１Ｘは、図１３に示すように、センサ素子２Ｘと、センサ素子２Ｘを支持する基板３Ｘと、を備えている。
　このセンサ装置１Ｘは、センサ素子２Ｘにて、例えば、角速度、加速度、角加速度、速度、圧力、重量、長さ（距離）及び温度等の物理量を、電気信号に変換する。すなわち、センサ素子２Ｘは、物理量を電気信号に変換するトランスデューサとして機能する。この種のセンサ装置１Ｘは、例えば、家電機器、携帯端末、カメラ、ウェアラブル端末、ゲーム機、又は車両（自動車及び二輪車等を含む）、ドローン、航空機若しくは船舶等の移動体等の、様々な機器に用いられる。
　ここで、本実施形態に係るセンサ装置１Ｘは、図１３に示すように、センサ素子２Ｘ及び基板３Ｘに加えて、支持部材４Ｘ、及び連結部材５Ｘを更に備えている。すなわち、センサ装置１Ｘは、センサ素子２Ｘと、基板３Ｘと、支持部材４Ｘと、連結部材５Ｘと、を備えている。基板３Ｘは、搭載面３１Ｘを有している。支持部材４Ｘは、支持面４１Ｘを有している。支持面４１Ｘにはセンサ素子２Ｘが搭載される。連結部材５Ｘは、搭載面３１Ｘに搭載されている。連結部材５Ｘは、支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘが搭載面３１Ｘに沿った位置関係となるように、基板３Ｘと支持部材４Ｘとを連結する。
　上述した構成によれば、センサ素子２Ｘが搭載された支持部材４Ｘが、連結部材５Ｘを介して、基板３Ｘの搭載面３１Ｘ上に支持されることで、基板３Ｘの搭載面３１Ｘには、センサ素子２Ｘが支持部材４Ｘごと搭載される。言い換えれば、基板３Ｘは、連結部材５Ｘ及び支持部材４Ｘを介して、センサ素子２Ｘを間接的に支持することになる。ここで、連結部材５Ｘは、支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘが搭載面３１Ｘに沿った位置関係となるように、基板３Ｘと支持部材４Ｘとを連結するので、センサ素子２Ｘが搭載される支持部材４Ｘの支持面４１Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに対して略直交する。すなわち、センサ素子２Ｘが搭載される面（支持面４１Ｘ）の向きは、連結部材５Ｘによって、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに対して略９０度起き上がるように変換されることになる。したがって、例えば、基板３Ｘにおける搭載面３１Ｘとは反対側の面をプリント配線板等の実装基板１０Ｘ（図１３参照）に向けた姿勢で、センサ装置１Ｘが実装基板１０Ｘに実装された場合でも、実装基板１０Ｘに対するセンサ素子２Ｘの相対的な向きを調整可能である。つまり、本実施形態に係るセンサ装置１Ｘにおいては、実装基板１０Ｘの一表面１０１Ｘに沿った平面内で基板３Ｘを回転させることで、センサ素子２Ｘが実装される面（支持面４１Ｘ）の向きを変更可能であるので、検知対象の自由度の向上を図ることが可能である。
　（２）詳細
　以下に、本実施形態に係るセンサ装置１Ｘの構成について、図１３～図１８Ｂを参照して詳細に説明する。
　本実施形態では、一例として、センサ装置１Ｘは、「角速度」を検知対象とするジャイロセンサ（角速度センサ）である。特に、車両の自動運転技術のように、比較的、高精度の角速度の検知（計測）が要求される場合に、本実施形態に係るセンサ装置１Ｘは好適である。ただし、高精度の角速度の検知（計測）が要求されない場合であっても、本実施形態に係るセンサ装置１Ｘは採用可能である。
　以下では一例として、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸の３軸を設定し、特に、支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘに沿った軸を「Ｙ軸」とし、搭載面３１Ｘの法線に沿った軸を「Ｚ軸」とする。「Ｘ」軸は、これらＹ軸及びＺ軸のいずれとも直交する。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は、いずれも仮想的な軸であり、図面中の「Ｘ」、「Ｙ」、「Ｚ」を示す矢印は、説明のために表記しているに過ぎず、いずれも実体を伴わない。また、これらの方向はセンサ装置１Ｘの使用時の方向を限定する趣旨ではない。
　本実施形態では、一例として、センサ装置１Ｘは、Ｙ軸を検知軸とし、Ｙ軸周りの角速度を検知対象とする。Ｙ軸は、支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘに沿った軸であるので、結果的に、センサ装置１Ｘは、支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘ周りでセンサ装置１Ｘが回転することに伴いセンサ装置１Ｘに作用する角速度を、検知対象として検知することになる。つまり、センサ素子２Ｘは、支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘ（Ｙ軸）周りの角速度に応じた電気信号を出力する。よって、センサ装置１Ｘの出力によれば、支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘ（Ｙ軸）周りの角速度の大きさを計測することが可能である。
　（２．１）センサ装置の全体構成
　本実施形態に係るセンサ装置１Ｘは、上述したように、センサ素子２Ｘと、基板３Ｘと、支持部材４Ｘと、連結部材５Ｘと、を備えている。また、本実施形態では、センサ装置１Ｘは、図１３～図１６Ｃに示すように、センサ素子２Ｘ、基板３Ｘ、支持部材４Ｘ及び連結部材５Ｘに加えて、配線部材６Ｘ及びケース７Ｘを更に備えている。すなわち、センサ装置１Ｘは、センサ素子２Ｘと、基板３Ｘと、支持部材４Ｘと、連結部材５Ｘと、配線部材６Ｘと、ケース７Ｘと、を備えている。図１４以外の図面では、ケース７Ｘの図示を省略している。
　また、本実施形態では、センサ装置１Ｘは、図１３及び図１４に示すように、その使用状態において、基板３Ｘにおける搭載面３１Ｘとは反対側の面（実装面３２Ｘ）をプリント配線板等の実装基板１０Ｘに向けた姿勢で、実装基板１０Ｘにフリップチップ実装される場合を想定する。ここでは、センサ装置１Ｘが実装される実装基板１０Ｘは、リジッド基板であることと仮定するが、この例に限らず、実装基板１０Ｘは、例えば、フレキシブル基板等であってもよい。
　センサ素子２Ｘは、検知対象である物理量に応じた電気信号を出力する素子である。本実施形態では、上述したように検知対象は、Ｙ軸（支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘ）周りの角速度であるので、センサ素子２Ｘは、Ｙ軸周りの角速度に応じた電気信号を出力する。センサ素子２Ｘは、例えば、振動式のジャイロセンサであって、コリオリ力（転向力）を利用して、Ｙ軸周りの角速度を検知する。つまり、センサ素子２Ｘは、可動部２１Ｘ（図１８Ａ参照）を振動させた状態で、外部から回転力が作用することによって生じるコリオリ力を検知することで、センサ素子２Ｘに作用した角速度を検知する。
　本実施形態では一例として、センサ素子２Ｘは、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いたベアチップ、いわゆるＭＥＭＳチップを含んでいる。センサ素子２Ｘは、例えば、セラミックパッケージ等のパッケージを更に含んでおり、ベアチップはパッケージに収容されている。このセンサ素子２Ｘは、ベアチップに可動部２１Ｘを含み、この可動部２１Ｘを振動させることにより、角速度の検知を可能とする。センサ素子２Ｘの構成について詳しくは、「（２．３）センサ素子の構成」の欄で説明する。
　基板３Ｘは、図１５に示すように、平板状に形成されており、Ｚ軸方向に厚みを有している。基板３Ｘは、厚み方向の両側に、搭載面３１Ｘ及び実装面３２Ｘを有している。つまり、基板３Ｘの厚み方向の一面は、連結部材５Ｘ及び支持部材４Ｘを介してセンサ素子２Ｘが搭載される、搭載面３１Ｘとして機能する。一方、基板３Ｘの厚み方向における搭載面３１Ｘとは反対側の面は、センサ装置１Ｘが実装基板１０Ｘに実装された状態で実装基板１０Ｘに対向する、実装面３２Ｘとして機能する。
　本実施形態では、一例として、基板３Ｘは、平面視において略正方形状である。基板３Ｘは、例えば、セラミック製の基板であって、電気的絶縁性を有している。基板３Ｘは、搭載面３１Ｘから突出するリブ３３Ｘを有している。リブ３３Ｘは、搭載面３１Ｘの外周縁に沿って、搭載面３１Ｘの中央部を全周にわたって囲むように形成されている。このリブ３３Ｘの先端面に、ケース７Ｘのフランジ部７２Ｘ（図１４参照）が結合されることにより、基板３Ｘに対してケース７Ｘが結合される。これにより、搭載面３１Ｘのうちリブ３３Ｘの内側となる領域と、ケース７Ｘとの間には、センサ素子２Ｘ等を収容する空間が形成されることになる。
　詳しくは後述するが、基板３Ｘは、第１電極３４Ｘ（図１７参照）と、第２電極３５Ｘ（図１７参照）と、ビア３６Ｘ（図１７参照）と、を有している。第１電極３４Ｘ、第２電極３５Ｘ及びビア３６Ｘは、導電性材料にて構成されている。第１電極３４Ｘは、配線部材６Ｘを電気的に接続するための電極であって、搭載面３１Ｘに形成されている。第２電極３５Ｘは、実装基板１０Ｘを電気的に接続するための電極であって、実装面３２Ｘに形成されている。ビア３６Ｘは、第１電極３４Ｘと第２電極３５Ｘとを電気的に接続する。ビア３６Ｘは、基板３Ｘを厚み方向の両面（搭載面３１Ｘ及び実装面３２Ｘ）間にわたって貫通するスルーホールビアである。図１７以外では、第１電極３４Ｘ、第２電極３５Ｘ及びビア３６Ｘの図示は省略する。
　支持部材４Ｘは、図１５に示すように、平板状に形成されており、Ｙ軸方向に厚みを有している。支持部材４Ｘは、厚み方向の両側に、支持面４１Ｘ及び取付面４２Ｘを有している。つまり、支持部材４Ｘの厚み方向の一面は、センサ素子２Ｘが搭載される、支持面４１Ｘとして機能する。一方、支持部材４Ｘの厚み方向における支持面４１Ｘとは反対側の面は、連結部材５Ｘに対向する、取付面４２Ｘとして機能する。
　本実施形態では、一例として、支持部材４Ｘは、平面視において略正方形状である。ここで、支持部材４Ｘは、ＡＳＩＣ（application specific integrated circuit）である。つまり、支持部材４Ｘは、電気絶縁性を有する樹脂パッケージ等のパッケージに、半導体チップを内蔵した構成である。そのため、本実施形態では、センサ素子２Ｘは、支持部材４ＸとしてのＡＳＩＣのパッケージの一表面（支持面４１Ｘ）上に、実装されることになる。本実施形態では、半導体チップは、後述する処理回路４３Ｘ（図１６Ａ参照）として機能する。
　ここで、支持部材４Ｘは、センサ素子２Ｘを電気的に接続するための電極８１Ｘ（図２０Ａ参照）、及び配線部材６Ｘを電気的に接続するための電極８２Ｘ（図２０Ａ参照）を有している。これにより、支持面４１Ｘに搭載されるセンサ素子２Ｘは、支持部材４Ｘ（処理回路４３Ｘ）と電気的に接続されることになる。さらに、支持部材４Ｘ（処理回路４３Ｘ）は、配線部材６Ｘを介して基板３Ｘ（第１電極３４Ｘ）と電気的に接続されることになる。ただし、図１３～図１６Ｃにおいては、支持部材４Ｘの電極の図示は省略する。
　支持部材４Ｘの支持面４１Ｘには、センサ素子２Ｘが固定されている。本開示でいう「固定」は、種々の手段により、一定の位置にあって動かない状態とされていることを意味する。つまり、センサ素子２Ｘは、支持部材４Ｘの支持面４１Ｘに対して動かない状態とされている。支持部材４Ｘ（支持面４１Ｘ）に対するセンサ素子２Ｘの固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、支持部材４Ｘ（支持面４１Ｘ）とセンサ素子２Ｘとの固定手段は、シリコーン系の接着剤による接着である。支持部材４Ｘは、センサ素子２Ｘよりも一回り大きく形成されており、センサ素子２Ｘは、支持面４１Ｘの中央部に固定されている。
　ここで、支持部材４Ｘと、センサ素子２Ｘとの間には、例えば、金（Ａｕ）又は銅（Ｃｕ）等の金属製のバンプからなる接続部材４４Ｘ（図１５参照）が１つ以上設けられていることが好ましい。本実施形態では一例として、ＡｕＳｎ合金からなる、はんだ（ＡｕＳｎはんだ）バンプを接続部材４４Ｘとして用いている。これにより、シリコーン系の接着剤が変形しても、１つ以上の接続部材４４Ｘにてセンサ素子２Ｘを支持することで、支持部材４Ｘ（支持面４１Ｘ）に対するセンサ素子２Ｘの傾きが抑制される。さらに、支持面４１Ｘには、複数の接続部材４４Ｘが、センサ素子２Ｘの中心を通る中心軸上、及び中心軸周りに円環状に並んで配置されていることがより好ましい。
　連結部材５Ｘは、図１５に示すように、直方体状に形成されている。本実施形態では、連結部材５Ｘは、Ｚ軸方向の寸法（高さ）が、Ｘ軸方向の寸法（幅）及びＹ軸方向の寸法（奥行）のいずれよりも大きい、つまり縦長の直方体状である。連結部材５Ｘは、例えば、樹脂製であって、電気絶縁性を有している。本実施形態では一例として、連結部材５Ｘは、ＬＣＰ（Liquid Crystal Polymer）樹脂で形成されている。
　連結部材５Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに搭載され、基板３Ｘと支持部材４Ｘとを連結する部材である。言い換えれば、センサ素子２Ｘが搭載（実装）された支持部材４Ｘは、連結部材５Ｘにより基板３Ｘ（搭載面３１Ｘ）に固定されることになる。そのため、基板３Ｘと支持部材４Ｘとの相対的な位置関係は、連結部材５Ｘにて規定される。本実施形態に係るセンサ装置１Ｘでは、基板３Ｘと支持部材４Ｘとの位置関係は、支持部材４Ｘの支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘ（図１３参照）が搭載面３１Ｘに沿うように、規定される。本開示でいう「沿う」とは、２者間が略平行、つまり２者が厳密に平行な場合に加えて、２者間の角度が数度（例えば１０度未満）程度の範囲に収まる関係にあることをいう。つまり、支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに対して、略平行な状態にある（厳密に平行、又は両者間の角度が数度程度に収まる関係にある）。本実施形態では一例として、支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに対して厳密に平行な状態にある。
　より詳細には、連結部材５Ｘは、図１５に示すように、第１面５１Ｘと、第２面５２Ｘと、を有している。第１面５１Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに固定されている。第２面５２Ｘは、第１面５１Ｘと交差する。支持部材４Ｘは、第２面５２Ｘに固定されている。つまり、連結部材５Ｘの第１面５１Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに対して動かない状態とされている。同様に、連結部材５Ｘの第２面５２Ｘは、支持部材４Ｘの取付面４２Ｘに対して動かない状態とされている。
　基板３Ｘ（搭載面３１Ｘ）に対する連結部材５Ｘ（第１面５１Ｘ）の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、基板３Ｘと連結部材５Ｘ（第１面５１Ｘ）との固定手段は、接着層５１１Ｘ（図１３参照）による接着である。同様に、支持部材４Ｘ（取付面４２Ｘ）に対する連結部材５Ｘ（第２面５２Ｘ）の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、支持部材４Ｘと連結部材５Ｘ（第２面５２Ｘ）との固定手段は、接着層５２１Ｘ（図１３参照）による接着である。
　本実施形態では、第１面５１Ｘは、連結部材５ＸにおけるＺ軸方向の一面であって、第２面５２Ｘは、連結部材５ＸにおけるＹ軸方向の一面である。連結部材５Ｘは、全体として直方体状であるので、これら第１面５１Ｘ及び第２面５２Ｘは、互いに略直交し、かつ互いに隣接している。本開示でいう「略直交」とは、２者間が略直交、つまり２者が厳密に直交する（９０度で交差する）場合に加えて、２者間の角度が９０度から数度（例えば１０度未満）程度の範囲に収まる関係にあることをいう。本実施形態では一例として、第１面５１Ｘは第２面５２Ｘに対して厳密に直交する。
　そして、上述したような形状の連結部材５Ｘが、第１面５１Ｘにて基板３Ｘ（搭載面３１Ｘ）に固定され、第２面５２Ｘにて支持部材４Ｘ（取付面４２Ｘ）に固定されることにより、基板３Ｘと支持部材４Ｘとを連結する。言い換えれば、支持部材４Ｘに搭載されているセンサ素子２Ｘは、支持部材４Ｘ及び連結部材５Ｘを介して、間接的に基板３Ｘに支持されることになる。ここで、第１面５１Ｘと第２面５２Ｘとは、互いに交差（本実施形態では直交）するので、支持部材４Ｘの支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘは搭載面３１Ｘに沿う（本実施形態では平行となる）ように、連結部材５Ｘにて基板３Ｘと支持部材４Ｘとが連結される。
　また、連結部材５Ｘは、支持部材４Ｘとの対向面（第２面５２Ｘ）から支持部材４Ｘに向かって突出するスペーサ５３Ｘ（図１５参照）を更に有している。本実施形態では、連結部材５Ｘは、複数（一例として４つ）のスペーサ５３Ｘを有している。各スペーサ５３Ｘは、一例として、ドーム状（半球状）に形成されている。これら、複数（４つ）のスペーサ５３Ｘは、第２面５２Ｘのうち、例えば、支持部材４Ｘにおける取付面４２Ｘの四隅と対向する位置に配置されている。スペーサ５３Ｘが形成されることにより、図１６Ｃに示すように、連結部材５Ｘの第２面５２Ｘと支持部材４Ｘの取付面４２Ｘとの間には、一定の間隔が確保される。
　各スペーサ５３Ｘの高さ、つまり第２面５２Ｘからの各スペーサ５３Ｘの突出量は、例えば、０．０５ｍｍ以上０．２ｍｍ以下である。本実施形態では、一例として、各スペーサ５３Ｘの高さは０．１５ｍｍである。これにより、連結部材５Ｘの第２面５２Ｘと支持部材４Ｘの取付面４２Ｘとの間には、０．１５ｍｍの間隔（隙間）が確保される。
　ここで、図１６Ｂに示すように、Ｚ軸方向（基板３Ｘの厚み方向）においては、連結部材５Ｘの方が支持部材４Ｘよりも大きく形成されている。すなわち、連結部材５Ｘの第２面５２Ｘは、支持部材４Ｘの取付面４２Ｘよりも、Ｚ軸方向の寸法が大きい。そして、支持部材４Ｘは、第２面５２Ｘにおける基板３Ｘとは反対側の端縁に寄せて配置されている。そのため、支持部材４Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘとの間には、隙間が確保されている。つまり、支持部材４Ｘは、基板３Ｘに対しては連結部材５Ｘを介して間接的に固定されるだけであって、基板３Ｘに対して直接的に接触することはない。
　配線部材６Ｘは、支持部材４Ｘと基板３Ｘとを電気的に接続する部材である。すなわち、本実施形態では、ＡＳＩＣからなる支持部材４Ｘ（処理回路４３Ｘ）と、基板３Ｘ（第１電極３４Ｘ）との間の電気的な接続を、配線部材６Ｘにて実現する。
　本実施形態では、配線部材６Ｘは、搭載面３１Ｘに固定されている。つまり、配線部材６Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに対して動かない状態とされている。基板３Ｘ（搭載面３１Ｘ）に対する配線部材６Ｘの固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、基板３Ｘ（搭載面３１Ｘ）と配線部材６Ｘとの固定手段は、接着層６２３Ｘ（図１３参照）による接着である。
　また、本実施形態では、配線部材６Ｘは、連結部材５Ｘに対しても固定されている。ここでは、配線部材６Ｘは、連結部材５Ｘの第２面５２Ｘに対して動かない状態とされている。連結部材５Ｘ（第２面５２Ｘ）に対する配線部材６Ｘの固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、連結部材５Ｘ（第２面５２Ｘ）と配線部材６Ｘとの固定手段は、接着層５２１Ｘ（図１３参照）による接着である。つまり、接着層５２１Ｘは、連結部材５Ｘに対する支持部材４Ｘの固定と、連結部材５Ｘに対する配線部材６Ｘの固定とに兼用されている。具体的には、接着層５２１Ｘは、連結部材５Ｘにおける第２面５２Ｘの略全面に形成されており、第２面５２Ｘのうちの支持部材４Ｘと基板３Ｘ（搭載面３１Ｘ）との間の隙間となる部位に、配線部材６Ｘ（後述する第１保持片６２１Ｘ）が固定されている。
　また、配線部材６Ｘは、複数本のリード端子６１Ｘと、保持部６２Ｘと、を有している。保持部６２Ｘは、複数本のリード端子６１Ｘを保持している。本実施形態では、配線部材６Ｘは、これら複数本のリード端子６１Ｘ及び保持部６２Ｘに加えて、複数本のボンディングワイヤ６３Ｘを更に有している。
　保持部６２Ｘは、例えば、樹脂製であって、電気絶縁性を有している。本実施形態では一例として、保持部６２Ｘは、ＬＣＰ樹脂で形成されている。本実施形態では、配線部材６Ｘは、一例として１８本のリード端子６１Ｘを有している。これら複数本（１８本）のリード端子６１Ｘは、それぞれ導電性を有する金属（例えば、銅又は銅合金等）にて構成されている。ボンディングワイヤ６３Ｘは、リード端子６１Ｘの両端部を、それぞれ支持部材４Ｘ（処理回路４３Ｘ）及び基板３Ｘ（第１電極３４Ｘ）に対して電気的に接続する。そのため、配線部材６Ｘは、一例として３６本のボンディングワイヤ６３Ｘを有しているボンディングワイヤ６３Ｘは、リード端子６１Ｘに比べて十分に細い、金ワイヤ等からなる。
　より詳細には、保持部６２Ｘは、第１保持片６２１Ｘと、第２保持片６２２Ｘと、を含んでいる。各リード端子６１Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに沿って延びる部位と、連結部材５Ｘの第２面５２Ｘに沿って延びる部位と、を含んでおり、全体として略Ｌ字状に形成されている。ここで、第１保持片６２１Ｘ及び第２保持片６２２Ｘは互いに別体であって、第１保持片６２１Ｘがリード端子６１Ｘの一端部を保持し、第２保持片６２２Ｘがリード端子６１Ｘの他端部を保持している。つまり、第１保持片６２１Ｘと第２保持片６２２Ｘとの間は、複数本のリード端子６１Ｘにて機械的につながっている。ここで、各リード端子６１Ｘは、少なくともボンディングワイヤ６３Ｘに比べて高い剛性を有している。そのため、第１保持片６２１Ｘ及び第２保持片６２２Ｘの相対的な位置関係は、複数本のリード端子６１Ｘにて維持される。
　そして、配線部材６Ｘは、第１保持片６２１Ｘにて連結部材５Ｘ（第２面５２Ｘ）に固定され、第２保持片６２２Ｘにて基板３Ｘ（搭載面３１Ｘ）に固定されている。そして、第１保持片６２１Ｘを貫通したリード端子６１Ｘの先端部は、ボンディングワイヤ６３Ｘにて、支持部材４Ｘの電極８２Ｘ（図２０Ａ参照）に電気的に接続されている。一方、第２保持片６２２Ｘを貫通したリード端子６１Ｘの先端部は、ボンディングワイヤ６３Ｘにて、基板３Ｘの第１電極３４Ｘに電気的に接続されている。
　ケース７Ｘ（図１４参照）は、基板３Ｘと結合される。ケース７Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘとの間に少なくともセンサ素子２Ｘを収容する。ケース７Ｘは、一例として金属製である。ケース７Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘ側に固定され、これにより、ケース７Ｘと基板３Ｘの搭載面３１Ｘとの間には、センサ素子２Ｘ、支持部材４Ｘ、連結部材５Ｘ及び配線部材６Ｘが収容される空間が形成される。
　ケース７Ｘは、図１４に示すように、ケース本体７１Ｘと、フランジ部７２Ｘと、を有している。ケース本体７１Ｘは、Ｚ軸方向の一面（基板３Ｘとの対向面）を開口面とする、箱状に形成されている。ケース本体７１Ｘは、各角部が湾曲したアール（Ｒ）形状を有している。フランジ部７２Ｘは、ケース本体７１Ｘの開口面の外周縁から、外側に突出した部位である。ケース７Ｘは、このフランジ部７２Ｘを基板３Ｘのリブ３３Ｘに結合することにより、基板３Ｘに対して結合される。基板３Ｘに対するケース７Ｘの固定（結合）手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、基板３Ｘとケース７Ｘとの固定手段は、接着である。
　ここにおいて、本実施形態では、ケース７Ｘは基板３Ｘに対して気密結合されることにより、ケース７Ｘと基板３Ｘの搭載面３１Ｘとの間には、気密空間が形成される。そのため、センサ素子２Ｘ等は、気密空間に収容されることになり、センサ装置１Ｘでは、センサ素子２Ｘに対する湿度等の影響を抑制することが可能である。
　ところで、本実施形態に係るセンサ装置１Ｘは、図１６Ａ及び図１６Ｂに示すように、処理回路４３Ｘを有している。処理回路４３Ｘは、本実施形態では、支持部材４ＸとしてのＡＳＩＣに設けられている。処理回路４３Ｘは、センサ素子２Ｘから出力される電気信号に関する処理を実行する。本実施形態では、処理回路４３Ｘは、支持部材４Ｘに設けられている。言い換えれば、支持部材４Ｘは、センサ素子２Ｘから出力される電気信号に関する処理を実行する処理回路４３Ｘを含んでいる。
　本実施形態では、処理回路４３Ｘは、センサ素子２Ｘから出力されるアナログの電気信号（アナログ信号）を、デジタル信号に変換する。処理回路４３Ｘは、ノイズ除去及び温度補償等の適宜の処理を実行する。さらに、処理回路４３Ｘは、センサ素子２Ｘに対して、センサ素子２Ｘを駆動するための駆動信号を与える。
　また、処理回路４３Ｘは、例えば、積分処理又は微分処理といった演算処理を実行してもよい。例えば、処理回路４３Ｘが、センサ素子２Ｘから出力される電気信号について積分処理を実行することで、センサ装置１Ｘは、Ｙ軸周りの角速度の積分値、つまりＹ軸周りの角度を求めることが可能である。一方、例えば、処理回路４３Ｘが、センサ素子２Ｘから出力される電気信号について微分処理を実行することで、センサ装置１Ｘは、Ｙ軸周りの角速度の微分値、つまりＹ軸周りの角加速度を求めることが可能である。
　（２．２）実装基板への実装態様
　次に、本実施形態に係るセンサ装置１Ｘの実装基板１０Ｘへの実装態様について、図１７を参照して説明する。
　上述した通り、本実施形態では、センサ装置１Ｘは、基板３Ｘにおける搭載面３１Ｘとは反対側の面（実装面３２Ｘ）をプリント配線板等の実装基板１０Ｘに向けた姿勢で、実装基板１０Ｘにフリップチップ実装される場合を想定する。すなわち、センサ装置１Ｘは、図１７に示すように、基板３Ｘの実装面３２Ｘを実装基板１０Ｘの一表面１０１Ｘに対向させた状態で、実装基板１０Ｘ上に実装される。
　具体的には、センサ装置１Ｘは、基板３Ｘの実装面３２Ｘに形成された第２電極３５Ｘを、実装基板１０Ｘの一表面１０１Ｘに形成された基板電極１０２Ｘに対して、接合部材１０３Ｘにて接合することにより、実装基板１０Ｘに実装される。接合部材１０３Ｘは、導電性を有する接合部材であって、一例として、金（Ａｕ）バンプ、又は、はんだ等である。基板３Ｘの実装面３２Ｘと実装基板１０Ｘの一表面１０１Ｘとは、アンダーフィルにより機械的に結合されていてもよい。
　ここで、実装基板１０Ｘ（基板電極１０２Ｘ）に接続された第２電極３５Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに形成された第１電極３４Ｘと、ビア３６Ｘにてつながっている。さらに、第１電極３４Ｘは、ボンディングワイヤ６３Ｘにて配線部材６Ｘのリード端子６１Ｘの一端部につながっており、リード端子６１Ｘの他端部はボンディングワイヤ６３Ｘにて支持部材４Ｘの電極８２Ｘ（図２０Ａ参照）につながっている。したがって、実装基板１０Ｘ（基板電極１０２Ｘ）に接続された第２電極３５Ｘは、ビア３６Ｘ、第１電極３４Ｘ、ボンディングワイヤ６３Ｘ、リード端子６１Ｘ及びボンディングワイヤ６３Ｘを介して、支持部材４Ｘに電気的に接続されることになる。支持部材４Ｘは、本実施形態では処理回路４３Ｘを含むＡＳＩＣであるので、上記構成により、実装基板１０Ｘと処理回路４３Ｘとの間の電気的な接続が実現される。
　（２．３）センサ素子の構成
　次に、センサ素子２Ｘの構成について、図１８Ａ及び図１８Ｂを参照して説明する。図１８Ａ及び図１８Ｂは、センサ素子２Ｘの動作原理を説明するための概念図である。
　本実施形態では一例として、センサ素子２Ｘは、高周波数（ＭＨｚ帯域）駆動の容量式バルク超音波ジャイロスコープである。このジャイロスコープ（センサ素子２Ｘ）は、ベース板、可動部２１Ｘ及び複数の電極２２Ｘを含んでいる。
　可動部２１Ｘはベース板上に絶縁層を介して支持されている。また、複数の電極２２Ｘは、可動部２１Ｘを囲むように可動部２１Ｘの周囲に配置されている。各電極２２Ｘと可動部２１Ｘとの間には、非常に小さい隙間が形成されている。これら複数の電極２２Ｘは、可動部２１Ｘ中において少なくとも２つの変性バルク超音波共振モードを励振しかつ検知することができる。
　可動部２１Ｘは、共振素子であって、平面視において円形状となる円盤状（ディスク状）に形成されている。ここで、可動部２１Ｘは、単結晶又は多結晶シリコン等の非圧電性物質であって、圧電性材料から製作されていることを必要としない。可動部２１Ｘは、例えば、シリコン炭化物、窒化ガリウム、窒化アルミニウム又は石英等の半導体又は金属材料にて構成されていてもよい。
　複数個の電極２２Ｘは、駆動用電極２２１Ｘと検知用電極２２２Ｘとを含んでいる。そして、可動部２１Ｘは、歳差運動により、図１８Ａに示す駆動モードと、図１８Ｂに示す検知モードとの間で変形する。つまり、円盤状の可動部２１Ｘは、その中心軸（Ｙ軸に平行な軸）に直交する平面内で、互いに直交する２方向に交互に伸縮する変形を繰り返すように振動する。センサ素子２Ｘは、可動部２１Ｘの変形量（移動量）を電気信号として出力する。すなわち、可動部２１Ｘの変形量は、可動部２１Ｘと検知用電極２２２Ｘとの間の静電容量の変化として現れるため、センサ素子２Ｘは、この静電容量の変化に応じた電気信号を出力する。
　（２．４）接続部材の配置
　次に、支持部材４Ｘとセンサ素子２Ｘとを接続する接続部材４４Ｘの配置について、図１９を参照して説明する。図１９は、支持部材４Ｘを支持面４１Ｘ側から見た概略図であって、図１９では、センサ素子２Ｘを一部破断して図示している。また、図１９では、接続部材４４Ｘの配置を概念的に示しており、一例として、支持面４１Ｘに９個の接続部材４４Ｘが配置されているが、接続部材４４Ｘの数を９個に限定する趣旨ではない。例えば、図１５等に示すように、支持面４１Ｘに１７個の接続部材４４Ｘが配置されていてもよい。
　本実施形態においては、支持部材４Ｘとセンサ素子２Ｘとの間には、接続部材４４Ｘとして、ＡｕＳｎはんだバンプが複数設けられている。そして、これら複数（図１９では９個）の接続部材４４Ｘ（ＡｕＳｎはんだバンプ）は、少なくともセンサ素子２Ｘの中心点Ｐ１Ｘに対して、点対称に配置されている。つまり、支持部材４Ｘとセンサ素子２Ｘとを接続する複数の接続部材４４Ｘは、支持面４１Ｘ内において、センサ素子２Ｘの中心点Ｐ１Ｘを対称点（対称中心）として、点対称に配置されている。
　具体的には、支持部材４Ｘを支持面４１Ｘ側から見てセンサ素子２Ｘの中心点Ｐ１Ｘ上に１個の接続部材４４Ｘが配置され、かつ中心点Ｐ１Ｘを中心とする円環上に複数（図１９では８個）の接続部材４４Ｘが配置されている。中心点Ｐ１Ｘの周囲に配置された複数の接続部材４４Ｘは、中心点Ｐ１Ｘを中心とする円環状に並んで配置されている。これにより、円環状に並ぶ複数の接続部材４４Ｘは、中心点Ｐ１Ｘ上に位置する１個の接続部材４４Ｘを囲むように配置される。さらに、円環状に並ぶ複数の接続部材４４Ｘは、中心点Ｐ１Ｘの周方向において等間隔に配置されている。
　ここで、支持部材４Ｘを支持面４１Ｘ側から見て、複数（図１９では９個）の接続部材４４Ｘの各々は円形状に形成されている。特に、中心点Ｐ１Ｘ上に位置する１個の接続部材４４Ｘについては、支持部材４Ｘを支持面４１Ｘ側から見て、その形状も中心点Ｐ１Ｘに対して点対称となるように、中心点Ｐ１Ｘを中心とする円形状に形成されている。
　ところで、センサ素子２Ｘの中心点Ｐ１Ｘは、センサ素子２Ｘにおける支持面４１Ｘとの対向面、つまり支持部材４Ｘとの接合面における中心（又は重心）に位置する点である。センサ素子２Ｘは、この中心点Ｐ１Ｘを通る支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘ（Ｙ軸）周りの角速度に応じた電気信号を出力する。つまり、センサ素子２Ｘの中心点Ｐ１Ｘを通る支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘ（Ｙ軸）が、センサ素子２Ｘの検知軸となる。
　上述したように、センサ装置１Ｘは、支持部材４Ｘとセンサ素子２Ｘとを接続する複数の接続部材４４Ｘを更に備えている。複数の接続部材４４Ｘは、センサ素子２Ｘの中心点Ｐ１Ｘに対して点対称に配置されている。そのため、これら複数の接続部材４４Ｘを介して支持部材４Ｘからセンサ素子２Ｘに伝わる応力の分布は、中心点Ｐ１Ｘに対して点対称となる。よって、例えば、実装基板１０Ｘと基板３Ｘ（又は支持部材４Ｘ若しくは連結部材５Ｘ）との熱膨張係数の違い等により、実装基板１０Ｘから基板３Ｘ及び連結部材５Ｘを介して支持部材４Ｘに応力が作用しても、センサ素子２Ｘの検知結果に対する応力の影響が生じにくい。すなわち、支持部材４Ｘからセンサ素子２Ｘに応力が作用する場合でも、この応力の分布が中心点Ｐ１Ｘに対して点対称となることで、センサ素子２Ｘには中心点Ｐ１Ｘに対して応力の偏りが生じにくく、センサ素子２Ｘの検知結果に影響しにくくなる。
　また、複数の接続部材４４Ｘは、少なくともセンサ素子２Ｘの中心点Ｐ１Ｘに対して、点対称に配置されていればよく、例えば、中心点Ｐ１Ｘを中心とする２重以上の円環状（同心円状）に複数の接続部材４４Ｘが配置されていてもよい。さらに、中心点Ｐ１Ｘ上に接続部材４４Ｘが位置することは必須ではなく、中心点Ｐ１Ｘ上の接続部材４４Ｘは省略されてもよい。
　（２．５）電極構造
　次に、支持部材４Ｘに設けられている電極８１Ｘ，８２Ｘの構造について、図２０Ａ及び図２０Ｂを参照して説明する。図２０Ａは、第１の態様に係る電極８１Ｘ，８２Ｘの構造を示し、図２０Ｂは、第２の態様に係る電極８１Ｘ，８２Ｘの構造を示す、要部の概略断面図である。図２０Ａ及び図２０Ｂは、電極８１Ｘ，８２Ｘの概略構造を概念的に示しているに過ぎず、図中の各構成要素の大きさ及び厚さそれぞれの比が、実際の寸法比を規定する趣旨ではない。
　本実施形態においては、支持部材４Ｘは、支持部材４Ｘにセンサ素子２Ｘを電気的に接続するための電極８１Ｘ（「センサ用電極」ともいう）と、配線部材６Ｘを介して支持部材４Ｘに基板３Ｘを電気的に接続するための電極８２Ｘ（「基板用電極」ともいう）と、を有している。これらの電極８１Ｘ，８２Ｘは、いずれも支持部材４Ｘの支持面４１Ｘに配置されている。特に、本実施形態では支持部材４Ｘは処理回路４３Ｘを含むＡＳＩＣであるので、処理回路４３Ｘにセンサ素子２Ｘ及び基板３Ｘを電気的に接続するために、電極８１Ｘ及び電極８２Ｘが支持部材４Ｘに設けられている。
　センサ用電極８１Ｘは、接続部材４４Ｘによってセンサ素子２Ｘに接続される。基板用電極８２Ｘは、ボンディングワイヤ６３Ｘにてリード端子６１Ｘの一端部に接続される。つまり、センサ用電極８１Ｘには接続部材４４ＸとしてのＡｕＳｎはんだバンプが接続され、基板用電極８２Ｘにはボンディングワイヤ６３Ｘが接続される。センサ用電極８１Ｘは複数の接続部材４４Ｘに一対一に対応するように複数設けられており、基板用電極８２Ｘは複数本のボンディングワイヤ６３Ｘに一対一に対応するように複数設けられている（図１９参照）。つまり、支持部材４Ｘの電極８１Ｘ，８２Ｘは複数ずつ設けられている。
　ところで、この種の電極８１Ｘ，８２Ｘ、特にセンサ用電極８１Ｘにおいては、アルミニウム（Ａｌ）等の下地電極上に、Ｎｉめっき層及びＡｕめっき層がこの順で積層された構成の電極が採用されることがある。これにより、センサ用電極８１Ｘについては、下地電極８１１Ｘ上にＡｕＳｎはんだバンプを形成するためのＵＢＭ（Under Bump Metal）が構成されることになる。
　ここで、支持部材４Ｘとセンサ素子２Ｘとを接続する工程には、接続部材４４ＸとしてのＡｕＳｎはんだバンプを溶融させるために、接続部材４４Ｘを加熱する加熱工程が含まれる。この加熱工程においては、ＡｕＳｎはんだバンプを溶融させるべく、電極８１Ｘ，８２Ｘについても高温（一例として、３５０℃程度）に加熱される。このとき、基板用電極８２ＸのＮｉめっき層のニッケル（Ｎｉ）が、Ａｕめっき層の表面上に析出し、かつ酸化する可能性がある。Ａｕめっき層の表面上で酸化したニッケルは、ボンディングワイヤ６３Ｘの接続を阻害して、ボンディングワイヤ６３Ｘと基板用電極８２Ｘとの接合強度を低下させる可能性がある。より詳細には、ボールボンディングによりボンディングワイヤ６３Ｘを電極８２Ｘに接続する場合には、ボンディングワイヤ６３Ｘの先端に形成されたボール（Ａｕボール）と電極８２Ｘとの接合強度が低下する。ウェッジボンディングによりボンディングワイヤ６３Ｘを電極８２Ｘに接続する場合には、ボンディングワイヤ６３Ｘと電極８２Ｘとの接合強度が低下する。
　本実施形態に係るセンサ装置１Ｘでは、このようなボンディングワイヤ６３Ｘと支持部材４Ｘ（基板用電極８２Ｘ）との接合強度の低下が生じにくいように、電極８１Ｘ，８２Ｘについて図２０Ａ及び図２０Ｂに示すような構成を採用する。
　第１の態様として、図２０Ａに示すように、基板用電極８２Ｘは、下地電極８２１Ｘのみを有している。つまり、配線部材６Ｘを介して支持部材４Ｘに基板３Ｘを電気的に接続するための基板用電極８２Ｘについては、めっき層が無く、下地電極８２１Ｘのみで構成されている。一方で、センサ用電極８１Ｘは、下地電極８１１Ｘ、Ｎｉめっき層８１２Ｘ及びＡｕめっき層８１３Ｘを有している。本実施形態では一例として、下地電極８２１Ｘ及び下地電極８１１Ｘは、いずれもアルミニウム（Ａｌ）である。センサ用電極８１Ｘにおいて、Ｎｉめっき層８１２Ｘ、Ａｕめっき層８１３Ｘは、この順で下地電極８１１Ｘ上に積層されている。つまり、下地電極８１１Ｘ上にＮｉめっき層８１２Ｘが形成され、Ｎｉめっき層８１２Ｘ上にＡｕめっき層８１３Ｘが形成されている。
　すなわち、図２０Ａに示す第１の態様では、支持部材４Ｘは、センサ素子２Ｘを電気的に接続するためのセンサ用電極８１Ｘと、基板３Ｘを電気的に接続するための基板用電極８２Ｘと、を有している。センサ用電極８１Ｘは、下地電極８１１Ｘと、めっき層（Ｎｉめっき層８１２Ｘ及びＡｕめっき層８１３Ｘ）とを含んでいる。基板用電極８２Ｘは、下地電極８２１Ｘのみからなる。このように、支持部材４Ｘの電極８１Ｘ，８２Ｘのうち、一方の電極８１Ｘにのみ、下地電極８１１Ｘ上にめっき層（Ｎｉめっき層８１２Ｘ及びＡｕめっき層８１３Ｘ）が形成され、他方の電極８２Ｘについては、下地電極８１１Ｘ上にめっき層が無い。これにより、上述した加熱工程において、電極８１Ｘ，８２Ｘが加熱されたとしても、めっき層の無い電極８２Ｘ（基板用電極）については、Ｎｉめっき層のニッケル（Ｎｉ）が表面上に析出しない。そのため、第１の態様によれば、ボンディングワイヤ６３Ｘと基板用電極８２Ｘとの接合強度の低下が生じにくい。さらに、センサ用電極８１Ｘについては、下地電極８１１Ｘ上にめっき層（Ｎｉめっき層８１２Ｘ及びＡｕめっき層８１３Ｘ）が形成されることで、ＡｕＳｎはんだバンプ（接続部材４４Ｘ）を形成するためのＵＢＭが構成される。
　第２の態様としては、図２０Ｂに示すように、センサ用電極８１Ｘと基板用電極８２Ｘとのいずれも、バリア層８１０Ｘ，８２０Ｘを有している。
　第２の態様において、センサ用電極８１Ｘは、下地電極８１１Ｘ、Ｎｉめっき層８１２Ｘ及びＡｕめっき層８１３Ｘに加えて、バリア層８１０Ｘを有している。バリア層８１０Ｘは、Ｎｉめっき層８１２ＸとＡｕめっき層８１３Ｘとの間に配置されている。センサ用電極８１Ｘにおいて、Ｎｉめっき層８１２Ｘ、バリア層８１０Ｘ、Ａｕめっき層８１３Ｘは、この順で下地電極８１１Ｘ上に積層されている。つまり、アルミニウム（Ａｌ）からなる下地電極８１１Ｘ上に、Ｎｉめっき層８１２Ｘが形成され、Ｎｉめっき層８１２Ｘ上には、バリア層８１０Ｘを介してＡｕめっき層８１３Ｘが形成されている。バリア層８１０Ｘは、Ｎｉめっき層８１２ＸとＡｕめっき層８１３Ｘとの間に配置されることにより、Ｎｉめっき層８１２ＸからＡｕめっき層８１３Ｘへのニッケル（Ｎｉ）の拡散を抑制する。本実施形態では、バリア層８１０Ｘは、一例として、パラジウム（Ｐｄ）又はパラジウム合金である。
　第２の態様では、基板用電極８２Ｘについても、センサ用電極８１Ｘと同様の構成を採用している。つまり、基板用電極８２Ｘは、下地電極８２１Ｘ、Ｎｉめっき層８２２Ｘ及びＡｕめっき層８２３Ｘに加えて、バリア層８２０Ｘを有している。バリア層８２０Ｘは、Ｎｉめっき層８２２ＸとＡｕめっき層８２３Ｘとの間に配置されている。基板用電極８２Ｘにおいて、Ｎｉめっき層８２２Ｘ、バリア層８２０Ｘ、Ａｕめっき層８２３Ｘは、この順で下地電極８２１Ｘ上に積層されている。つまり、アルミニウム（Ａｌ）からなる下地電極８２１Ｘ上に、Ｎｉめっき層８２２Ｘが形成され、Ｎｉめっき層８２２Ｘ上には、バリア層８２０Ｘを介してＡｕめっき層８２３Ｘが形成されている。バリア層８２０Ｘは、Ｎｉめっき層８２２ＸとＡｕめっき層８２３Ｘとの間に配置されることにより、Ｎｉめっき層８２２ＸからＡｕめっき層８２３Ｘへのニッケル（Ｎｉ）の拡散を抑制する。本実施形態では、バリア層８２０Ｘは、一例として、パラジウム（Ｐｄ）又はパラジウム合金である。
　ここにおいて、Ｎｉめっき層８１２Ｘの厚みは、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下である。Ｎｉめっき層８１２Ｘの厚みは３μｍ以上であることがより好ましい。Ｎｉめっき層８１２Ｘの厚みは８μｍ以下であることがより好ましい。本実施形態では、一例として、Ｎｉめっき層８１２Ｘの厚みは５μｍである。バリア層８１０Ｘの厚みは、例えば、０．０１μｍ以上１．０μｍ以下である。バリア層８１０Ｘの厚みは０．０５μｍ以上であることがより好ましい。バリア層８１０Ｘの厚みは０．５μｍ以下であることがより好ましい。本実施形態では、一例として、バリア層８１０Ｘの厚みは０．２μｍである。Ａｕめっき層８１３Ｘの厚みは、例えば、０．０１μｍ以上１．０μｍ以下である。Ａｕめっき層８１３Ｘの厚みは０．０５μｍ以上であることがより好ましい。Ａｕめっき層８１３Ｘの厚みは０．５μｍ以下であることがより好ましい。本実施形態では、一例として、Ａｕめっき層８１３Ｘの厚みは０．１５μｍである。基板用電極８２ＸのＮｉめっき層８２２Ｘ、バリア層８２０Ｘ、Ａｕめっき層８２３Ｘの厚みについても、それぞれセンサ用電極８１ＸのＮｉめっき層８１２Ｘ、バリア層８１０Ｘ、Ａｕめっき層８１３Ｘと同様の厚みを採用可能である。
　すなわち、図２０Ｂに示す第２の態様では、支持部材４Ｘは、センサ素子２Ｘを電気的に接続するためのセンサ用電極８１Ｘと、基板３Ｘを電気的に接続するための基板用電極８２Ｘと、を有している。センサ用電極８１Ｘ及び基板用電極８２Ｘの各々は、下地電極８１１Ｘ，８２１Ｘと、Ｎｉめっき層８１２Ｘ，８２２Ｘ、Ａｕめっき層８１３Ｘ，８２３Ｘ及びバリア層８１０Ｘ，８２０Ｘを含んでいる。下地電極８１１Ｘ，８２１Ｘ上に、Ｎｉめっき層８１２Ｘ，８２２Ｘ、バリア層８１０Ｘ，８２０Ｘ及びＡｕめっき層８１３Ｘ，８２３Ｘがこの順に積層されている。このように、支持部材４Ｘの電極８１Ｘ（又は８２）は、Ｎｉめっき層８１２Ｘ（又は８２２Ｘ）とＡｕめっき層８１３Ｘ（又は８２３Ｘ）との間に、バリア層８１０Ｘ（又は８２０Ｘ）を有している。そのため、Ｎｉめっき層８１２Ｘ（又は８２２Ｘ）からＡｕめっき層８１３Ｘ（又は８２３Ｘ）へのニッケル（Ｎｉ）の拡散が、バリア層８１０Ｘ（又は８２０Ｘ）にて抑制される。よって、上述した加熱工程において、電極８１Ｘ，８２Ｘが加熱されたとしても、ニッケル（Ｎｉ）の拡散がバリア層８１０Ｘ（又は８２０Ｘ）にて抑制され、Ａｕめっき層８１３Ｘ（又は８２３Ｘ）の表面上へのニッケル（Ｎｉ）の析出が生じにくい。そのため、第２の態様によれば、ボンディングワイヤ６３Ｘと基板用電極８２Ｘとの接合強度の低下が生じにくい。さらに、センサ用電極８１Ｘについても、下地電極８１１Ｘ上にめっき層（Ｎｉめっき層８１２Ｘ及びＡｕめっき層８１３Ｘ）が形成されることで、ＡｕＳｎはんだバンプ（接続部材４４Ｘ）を形成するためのＵＢＭが構成される。
　（３）変形例
　実施形態３は、本開示の様々な実施形態の一つに過ぎない。実施形態３で参照する図面は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさ及び厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。実施形態３は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。以下に説明する変形例は、適宜組み合わせて適用可能である。
　（３．１）第１変形例
　実施形態３の第１変形例に係るセンサ装置１Ｘは、図２１に示すように、実装基板１０Ｘへの実装態様が実施形態３に係るセンサ装置１Ｘと相違する。すなわち、実施形態３に係るセンサ装置１Ｘは、金（Ａｕ）バンプ、又は、はんだ等からなる接合部材１０３Ｘ（図１７参照）にて実装基板１０Ｘに接合されるのに対し、本変形例に係るセンサ装置１Ｘは、端子部材１１０Ｘにて実装基板１０Ｘに接合される。
　本変形例において、センサ装置１Ｘは、図２１に示すように、基板３Ｘの実装面３２Ｘを実装基板１０Ｘの一表面１０１Ｘに対向させた状態で、実装基板１０Ｘ上に実装される。端子部材１１０Ｘはばね性（弾性）を有する部材であって、端子部材１１０Ｘの一部が基板３Ｘに固定されている。ここでは一例として、端子部材１１０Ｘは、導電性を有する金属（例えば、銅又は銅合金等）にて構成されたリード端子である。センサ装置１Ｘは、基板３Ｘの実装面３２Ｘの外周縁に沿って複数の端子部材１１０Ｘを有している。つまり、複数の端子部材１１０Ｘは、実装面３２Ｘの外周縁に沿って並んで配置されている。
　各端子部材１１０Ｘは、図２１に示すように、第１端子片１１１Ｘ、第２端子片１１２Ｘ、第３端子片１１３Ｘ及び第４端子片１１４Ｘを有し、全体として略Ｃ字状に形成されている。第１端子片１１１Ｘと第３端子片１１３Ｘとは、互いに平行な位置関係にある。第２端子片１１２Ｘは、第１端子片１１１Ｘの一端と第３端子片１１３Ｘの一端とを連結する。第４端子片１１４Ｘは、第３端子片１１３Ｘにおける第２端子片１１２Ｘとは反対側の端部から、第１端子片１１１Ｘに向けて突出している。このような形状の端子部材１１０Ｘにおいて、第１端子片１１１Ｘが、はんだ等により基板３Ｘの実装面３２Ｘに接続される。また、第３端子片１１３Ｘは、はんだ等により実装基板１０Ｘの一表面に接続される。このようにして、端子部材１１０Ｘは、その一部が基板３Ｘに固定され、他の一部が実装基板１０Ｘに固定される。
　以上説明した構成によれば、少なくとも第２端子片１１２Ｘの一部（中央部付近）は、基板３Ｘと実装基板１０Ｘとのいずれに対しても、直接的には固定されない状態となる。そのため、端子部材１１０Ｘは、少なくとも第２端子片１１２Ｘのばね性（弾性）により、第２端子片１１２Ｘがたわむことで、実装基板１０Ｘと基板３Ｘとの間で伝達される応力を低減できる。よって、例えば、実装基板１０Ｘと基板３Ｘとの熱膨張係数の違い等により、実装基板１０Ｘから端子部材１１０Ｘに応力が作用しても、この応力は端子部材１１０Ｘにて低減され、基板３Ｘには伝わりにくく、センサ素子２Ｘの検知結果に対する応力の影響が生じにくい。さらに、「（２．４）接続部材の配置」の欄で説明したような複数の接続部材４４Ｘの配置によって、支持部材４Ｘからセンサ素子２Ｘに作用する応力についても、センサ素子２Ｘの検知結果に影響しにくい。そのため、本変形例に係る構成によれば、このような接続部材４４Ｘの配置と、端子部材１１０Ｘとの相乗効果により、センサ素子２Ｘの検知結果に対する応力の影響がより生じにくい。
　また、本変形例においても、基板３Ｘの実装面３２Ｘと実装基板１０Ｘの一表面１０１Ｘとは、アンダーフィルにより機械的に結合されていてもよい。
　（３．２）その他の変形例
　以下、第１変形例以外の変形例を列挙する。
　実施形態３では、センサ素子２ＸはＹ軸周りの角速度を検知しているが、この構成に限らず、センサ素子２Ｘは、例えば、Ｘ軸又はＺ軸周りの角速度を検知してもよい。さらに、センサ素子２Ｘは、１軸についての角速度に限らず、２軸以上の角速度を検知する構成であってもよい。例えば、センサ素子２Ｘは、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の３軸について、各軸周りの角速度を検知する３軸角速度センサであってもよい。
　また、センサ素子２Ｘは、角速度以外の物理量を検知する構成であってもよい。例えば、センサ素子２Ｘは、加速度、角加速度、速度、圧力、重量、長さ（距離）及び温度等の物理量を検知する構成であってもよい。さらに、センサ素子２Ｘは、１つの物理量に限らず、複数の物理量を検知する構成であってもよい。例えば、センサ素子２Ｘは、角速度と加速度とを検知してもよい。
　また、センサ素子２Ｘは、ＭＥＭＳ技術を用いた素子に限らず、他の素子であってもよい。
　また、連結部材５Ｘに設けられるスペーサ５３Ｘの数は、４つに限らず、例えば、１つ、２つ、３つ、又は５つ以上であってもよい。また、各スペーサ５３Ｘの形状についても、ドーム状に限らず、例えば、円柱状、多角柱状、円錐状、多角錐状又は球状等の適宜の形状を採用し得る。
　また、実施形態３では、センサ装置１Ｘが実装基板１０Ｘにフリップチップ実装される場合を想定したが、センサ装置１Ｘの実装方法は、フリップチップ実装に限らない。一例として、センサ装置１Ｘは、ワイヤボンディング等のフリップチップ実装以外の表面実装、又は、基板３Ｘにリード端子を設けて実装基板１０Ｘに対して挿入実装される構成であってもよい。
　また、基板３Ｘの形状及び材質は、実施形態３で示した例に限らない。例えば、基板３Ｘは、平面視において長方形状又は円形状等であってもよい。さらに、基板３Ｘは、セラミック製に限らず、例えば、樹脂製又はシリコン製等であってもよい。
　また、支持部材４Ｘが処理回路４３Ｘを含むＡＳＩＣであることは、センサ装置１Ｘに必須の構成ではなく、支持部材４Ｘについても適宜の構成を採用可能である。つまり、支持部材４Ｘは、電子部品でなくてもよく、単なる板材等の構造体であってもよい。さらに、支持部材４Ｘの形状及び材質は、実施形態３で示した例に限らない。例えば、支持部材４Ｘは、平面視において長方形状又は円形状等であってもよい。さらに、支持部材４Ｘは、例えば、樹脂製、シリコン製又はセラミック製等の部材であってもよい。
　また、連結部材５Ｘの形状及び材質は、実施形態３で示した例に限らない。例えば、連結部材５Ｘは、立方体状又は多角柱（三角柱、六角柱等）状等であってもよい。また、連結部材５Ｘは、例えば、側面視がＬ字状のステー等であってもよい。さらに、連結部材５Ｘは、ＬＣＰ樹脂製に限らず、例えば、シリコン製、金属製又はセラミック製等であってもよい。
　また、配線部材６Ｘは、実施形態３で示した例に限らず、例えば、リード線、フレキシブル基板、ハーネス又はコネクタ等で実現されてもよい。さらに、配線部材６Ｘは、連結部材５Ｘの表面に形成される導電路、又は連結部材５Ｘに埋設される導電路等を含んでいてもよい。
　（実施形態４）
　本実施形態に係るセンサ装置１ＡＸは、図２２に示すように、連結部材５ＡＸが中空構造である点で、実施形態３に係るセンサ装置１Ｘと相違する。以下、実施形態３と同様の構成については、共通の符号を付して適宜説明を省略する。
　本実施形態では、連結部材５ＡＸは、中空構造の直方体状に形成されている。この連結部材５ＡＸは、中空部５４Ｘを有している。中空部５４Ｘは、Ｙ軸方向における支持部材４Ｘとは反対側の面、つまり第２面５２Ｘの裏面側に開口する凹部（窪み）である。すなわち、連結部材５ＡＸは、凹部からなる中空部５４Ｘが形成されることにより、中空構造を具現化している。この構成では、センサ素子２Ｘが搭載された支持部材４Ｘは、連結部材５ＡＸにおける中空部５４Ｘ（凹部）の底壁に固定されることになる。
　本実施形態に係るセンサ装置１ＡＸによれば、中実構造の連結部材５Ｘに比べて、連結部材５ＡＸに対して作用する衝撃の緩和を図ることができる。これにより、センサ装置１ＡＸとしての耐衝撃性の向上を図ることができる。
　図２２に例示する連結部材５ＡＸの形状は一例に過ぎず、連結部材５ＡＸは、例えば、開口を有さない中空形状であってもよい。
　実施形態４で説明した構成（変形例を含む）は、実施形態３で説明した種々の構成（変形例を含む）と適宜組み合わせて採用可能である。
　（参考例１）
　本参考例に係るセンサ装置１ＢＸは、図２３に示すように、基板３Ｘと支持部材４Ｘとの相対的な位置関係が、実施形態３に係るセンサ装置１Ｘと相違する。以下、実施形態３と同様の構成については、共通の符号を付して適宜説明を省略する。
　本参考例では、図２３に示すように、支持面４１Ｘが搭載面３１Ｘに沿った位置関係となるように、基板３Ｘと支持部材４Ｘとが結合されている。特に、図２３の例では、支持面４１Ｘと搭載面３１Ｘとは、互いに略平行な状態にある。また、本参考例では、センサ素子２Ｘが搭載された支持部材４Ｘは、連結部材５ＢＸを介して、基板３Ｘの搭載面３１Ｘ上に支持されている。ここで、センサ素子２Ｘは、Ｚ軸を検知軸とし、Ｚ軸周りの角速度を検知対象とする。Ｚ軸は、支持面４１Ｘ（搭載面３１Ｘ）の法線に沿った軸であるので、結果的に、センサ装置１ＢＸは、支持面４１Ｘ（搭載面３１Ｘ）の法線周りでセンサ装置１ＢＸが回転することに伴いセンサ装置１ＢＸに作用する角速度を、検知対象として検知することになる。
　また、本参考例では、支持部材４Ｘと基板３Ｘとの間はボンディングワイヤ６３Ｘにて直接的に接続されている。そのため、本参考例に係るセンサ装置１ＢＸでは、複数本のリード端子６１Ｘ（図１３参照）及び保持部６２Ｘ（図１３参照）は省略されている。
　このように、本参考例に係るセンサ装置１ＢＸは、センサ素子２Ｘと、基板３Ｘと、支持部材４Ｘと、連結部材５ＢＸと、を備えている。基板３Ｘは、搭載面３１Ｘを有している。支持部材４Ｘは、支持面４１Ｘを有している。支持面４１Ｘにはセンサ素子２Ｘが搭載される。連結部材５ＢＸは、搭載面３１Ｘに搭載されている。センサ素子２Ｘが搭載された支持部材４Ｘは、連結部材５ＢＸを介して、基板３Ｘの搭載面３１Ｘ上に支持されている。
　より詳細には、連結部材５ＢＸは、Ｚ軸方向の寸法（高さＨ１Ｘ）が、Ｘ軸方向の寸法（幅）及びＹ軸方向の寸法（奥行）のいずれよりも小さい、つまり低背の直方体状である。連結部材５ＢＸは、図２３に示すように、Ｚ軸方向（連結部材５ＢＸの高さ方向）の両側に、裏面５５Ｘと、表面５６Ｘと、を有している。裏面５５Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに固定されている。支持部材４Ｘは、表面５６Ｘに固定されている。つまり、連結部材５ＢＸの裏面５５Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに対して動かない状態とされている。同様に、連結部材５ＢＸの表面５６Ｘは、支持部材４Ｘの取付面４２Ｘに対して動かない状態とされている。
　そして、上述したような形状の連結部材５ＢＸが、裏面５５Ｘにて基板３Ｘ（搭載面３１Ｘ）に固定され、表面５６Ｘにて支持部材４Ｘ（取付面４２Ｘ）に固定されることにより、基板３Ｘと支持部材４Ｘとを連結する。言い換えれば、支持部材４Ｘに搭載されているセンサ素子２Ｘは、支持部材４Ｘ及び連結部材５ＢＸを介して、間接的に基板３Ｘに支持されることになる。ここで、裏面５５Ｘと表面５６Ｘとは、互いに略平行であるので、支持部材４Ｘの支持面４１Ｘは搭載面３１Ｘに沿うように、連結部材５ＢＸにて基板３Ｘと支持部材４Ｘとが連結される。言い換えれば、基板３Ｘの搭載面３１Ｘには、搭載面３１Ｘの法線に沿った一方向（Ｚ軸方向）に、連結部材５ＢＸ、支持部材４Ｘ及びセンサ素子２Ｘが、この順で積層されている。
　基板３Ｘ（搭載面３１Ｘ）に対する連結部材５ＢＸ（裏面５５Ｘ）の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本参考例では一例として、基板３Ｘと連結部材５ＢＸ（裏面５５Ｘ）との固定手段は、接着層５１１Ｘによる接着である。同様に、支持部材４Ｘ（取付面４２Ｘ）に対する連結部材５ＢＸ（表面５６Ｘ）の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本参考例では一例として、支持部材４Ｘと連結部材５ＢＸ（表面５６Ｘ）との固定手段は、接着層５２１Ｘによる接着である。
　さらに、本参考例では、基板３Ｘと連結部材５ＢＸとの間には、スペーサ５７Ｘが設けられている。センサ装置１ＢＸは、複数（一例として４つ）のスペーサ５７Ｘを有している。各スペーサ５７Ｘは、一例として、ドーム状（半球状）に形成されている。これら、複数（４つ）のスペーサ５７Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘのうち、例えば、連結部材５ＢＸにおける裏面５５Ｘの四隅と対向する位置に配置されている。スペーサ５７Ｘが形成されることにより、図２３に示すように、基板３Ｘの搭載面３１Ｘと連結部材５ＢＸの裏面５５Ｘとの間には、一定の間隔が確保される。
　以上説明した参考例１に係るセンサ装置１ＢＸによれば、センサ素子２Ｘが搭載された支持部材４Ｘは、連結部材５ＢＸを介して、基板３Ｘの搭載面３１Ｘ上に支持されるので、連結部材５ＢＸが無い構成に比較して、基板３Ｘからセンサ素子２Ｘに応力が伝達されにくくなる。すなわち、支持部材４Ｘが基板３Ｘに直接的に固定される構成に比較すると、センサ装置１ＢＸでは、支持部材４Ｘと基板３Ｘとの間に連結部材５ＢＸが介在する分、基板３Ｘから支持部材４Ｘに応力が伝達されにくく、結果的に、センサ素子２Ｘに応力が伝達されにくくなる。そのため、例えば、実装基板１０Ｘと基板３Ｘとの熱膨張係数の違い等により、実装基板１０Ｘから基板３Ｘに応力が作用しても、センサ素子２Ｘの検知結果に対する応力の影響が生じにくい。また、例えば、基板３Ｘと支持部材４Ｘとの熱膨張係数の違い等により、基板３Ｘから支持部材４Ｘに応力が作用し得る場合でも、この応力が連結部材５ＢＸで低減されるため、センサ素子２Ｘの検知結果に対する応力の影響が生じにくい。
　さらに、実施形態３の「（２．４）接続部材の配置」の欄で説明したような複数の接続部材４４Ｘの配置によって、支持部材４Ｘからセンサ素子２Ｘに作用する応力についても、センサ素子２Ｘの検知結果に影響しにくい。そのため、本参考例に係る構成によれば、このような接続部材４４Ｘの配置と、連結部材５ＢＸとの相乗効果により、センサ素子２Ｘの検知結果に対する応力の影響がより生じにくい。同様に、実施形態３の「（３．１）第１変形例」の欄で説明したような端子部材１１０Ｘのばね性（弾性）によって、実装基板１０Ｘから基板３Ｘに作用する応力についても、センサ素子２Ｘの検知結果に影響しにくい。そのため、本参考例に係る構成によれば、このような端子部材１１０Ｘのばね性（弾性）と、連結部材５ＢＸとの相乗効果により、センサ素子２Ｘの検知結果に対する応力の影響がより生じにくい。
　さらには、センサ装置１ＢＸによれば、センサ素子２Ｘが搭載された支持部材４Ｘは、連結部材５ＢＸを介して、基板３Ｘの搭載面３１Ｘ上に支持されるので、連結部材５ＢＸが無い構成に比較して、センサ素子２Ｘの検知結果に対する振動の影響についても生じにくくなる。つまり、例えば、実装基板１０Ｘから基板３Ｘに振動（衝撃を含む）が伝わることがあっても、この振動は、連結部材５ＢＸにて低減され、支持部材４Ｘに搭載されたセンサ素子２Ｘには伝わりにくくなる。結果的に、センサ装置１ＢＸに振動が加わったとしても、センサ素子２Ｘの検知結果に対する振動の影響が生じにくくなる。
　ここにおいて、基板３Ｘからセンサ素子２Ｘに応力及び振動がどの程度、伝達されにくくなるかは、例えば、連結部材５ＢＸの大きさ、材質及び形状等により変わる。この点に鑑みて、連結部材５ＢＸの高さＨ１Ｘ（Ｚ軸方向の寸法）は、例えば、０．１ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であることが好ましい。連結部材５ＢＸの高さＨ１Ｘは０．５ｍｍ以上であることがより好ましい。連結部材５ＢＸの高さＨ１Ｘは１．０ｍｍ以下であることがより好ましい。本参考例では、一例として、連結部材５ＢＸの高さＨ１Ｘは０．７２５ｍｍである。また、連結部材５ＢＸの熱膨張係数は、基板３Ｘの熱膨張係数と、支持部材４Ｘの熱膨張係数と、の間であることが好ましい。具体的には、連結部材５ＢＸの熱膨張係数は、例えば、２ｐｐｍ／℃以上、８ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。連結部材５ＢＸの熱膨張係数は、２．５ｐｐｍ／℃以上であることがより好ましい。連結部材５ＢＸの熱膨張係数は、７．５ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。本参考例では、一例として、連結部材５ＢＸの熱膨張係数は、３ｐｐｍ／℃である。
　ところで、本参考例に係るセンサ装置１ＢＸに限らず、実施形態３，４に係るセンサ装置１Ｘ，１ＡＸであっても、連結部材５Ｘ，５ＡＸにより、センサ素子２Ｘの検知結果に対する応力及び振動の影響が生じにくくなる効果は奏し得る。つまり、本参考例では、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに、搭載面３１Ｘの法線に沿ったＺ軸方向において、連結部材５ＢＸ、支持部材４Ｘ及びセンサ素子２Ｘが、この順で積層されているが、この構成に限らない。連結部材５Ｘ，５ＡＸの第２面５２Ｘに支持部材４Ｘが固定された構成であっても、センサ素子２Ｘが搭載された支持部材４Ｘが、連結部材５Ｘ，５ＡＸを介して、基板３Ｘの搭載面３１Ｘ上に支持されることで、基板３Ｘからセンサ素子２Ｘに応力及び振動が伝達されにくくなる。
　また、図２３では、センサ装置１ＢＸが端子部材１１０Ｘにて実装基板１０Ｘに接合される例を示したが、この例に限らず、センサ装置１ＢＸは、例えば、はんだ等からなる接合部材１０３Ｘ（図１７参照）にて実装基板１０Ｘに接合されてもよい。
　参考例１で説明した構成（変形例を含む）は、実施形態３又は実施形態４で説明した種々の構成（変形例を含む）と適宜組み合わせて採用可能である。例えば、実施形態３の「（２．４）接続部材の配置」、「（２．５）電極構造」及び「（３．１）第１変形例」の欄で説明した各構成については、参考例１で説明した構成と、適宜組み合わせて採用可能である。
　（参考例２）
　本参考例に係るセンサ装置１ＣＸは、図２４に示すように、支持部材４Ｘが基板３Ｘに直接的に固定される点で、参考例１に係るセンサ装置１ＢＸと相違する。以下、参考例１と同様の構成については、共通の符号を付して適宜説明を省略する。
　本参考例では、連結部材５ＢＸ（図２３参照）が省略され、図２４に示すように、支持部材４Ｘが基板３Ｘに直接的に結合されている。つまり、センサ素子２Ｘが搭載された支持部材４Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘ上に直接的に支持されている。言い換えれば、基板３Ｘの搭載面３１Ｘには、搭載面３１Ｘの法線に沿った一方向（Ｚ軸方向）に、支持部材４Ｘ及びセンサ素子２Ｘが、この順で積層されている。
　基板３Ｘ（搭載面３１Ｘ）に対する支持部材４Ｘ（取付面４２Ｘ）の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本参考例では一例として、基板３Ｘと支持部材４Ｘとの固定手段は、接着層５１１Ｘによる接着である。
　本参考例に係るセンサ装置１ＣＸによれば、連結部材が無い分、センサ装置１ＣＸの小型化を図ることができる。特に、図２４に示すように、基板３Ｘの搭載面３１Ｘの法線に沿った一方向（Ｚ軸方向）において、センサ装置１ＣＸの寸法を小さく抑えることが可能である。
　また、図２４では、センサ装置１ＣＸが端子部材１１０Ｘにて実装基板１０Ｘに接合される例を示したが、この例に限らず、センサ装置１ＣＸは、例えば、はんだ等からなる接合部材１０３Ｘ（図１７参照）にて実装基板１０Ｘに接合されてもよい。
　参考例２で説明した構成（変形例を含む）は、実施形態３又は実施形態４で説明した種々の構成（変形例を含む）と適宜組み合わせて採用可能である。例えば、実施形態３の「（２．４）接続部材の配置」、「（２．５）電極構造」及び「（３．１）第１変形例」の欄で説明した各構成については、参考例２で説明した構成と、適宜組み合わせて採用可能である。
　（実施形態５）
　図２５Ａ及び図２５Ｂは本実施形態のセンサ装置１０Ｙを示している。このセンサ装置１０Ｙは、一例としてＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いた角速度センサである。センサ装置１０Ｙはベース基板１１Ｙと中間基板１２Ｙと接着部１３Ｙ（図２６Ｂ参照）と支持部１４Ｙ（図２６Ｂ参照）とセンサ素子１５Ｙとを備えている。センサ装置１０Ｙはベース基板１１Ｙが回路基板等の搭載基板２００Ｙの表面に搭載されており、複数の端子２０１Ｙでベース基板１１Ｙと搭載基板２００Ｙとが電気的に接続されている。ベース基板１１Ｙ、中間基板１２Ｙ及びセンサ素子１５Ｙは、搭載基板２００Ｙに対して、ベース基板１１Ｙ、中間基板１２Ｙ、センサ素子１５Ｙの順で積層されている。
　ベース基板１１Ｙは平板状に形成されたセラミック製の回路基板であり、中間基板１２ＹはＡＳＩＣ（application specific integrated circuit、特定用途向け集積回路）である。つまり、本実施形態では、ベース基板１１Ｙに実装された中間基板１２Ｙ（ＡＳＩＣ）のパッケージ上に、センサ素子１５Ｙが実装されている。
　ベース基板１１Ｙの表面にはキャップ３００Ｙが設けられている。キャップ３００Ｙは接着剤等の枠状のジョイント部３０１Ｙでベース基板１１Ｙの表面に接合されている。キャップ３００Ｙの内側には中間基板１２Ｙと接着部１３Ｙ及び支持部１４Ｙが収容されている。
　図２５Ｂは、キャップ３００Ｙをジョイント部３０１Ｙから外した状態を示す。センサ素子１５Ｙが中間基板１２Ｙに搭載されている。すなわち、センサ素子１５Ｙは中間基板１２Ｙの表面に接合されている。センサ素子１５Ｙは、センサ素子１５Ｙと中間基板１２Ｙとの搭載方向に沿った中心ＰＹと、中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの接合方向に沿った中間基板１２Ｙの中心ＰＹとが、平面視において、一致するように、中間基板１２Ｙに搭載されている。すなわち、センサ素子１５Ｙは中間基板１２Ｙの表面の中央部に位置している。
　中間基板１２Ｙはベース基板１１Ｙの表面に搭載されている。中間基板１２Ｙはベース基板１１Ｙと接着部１３Ｙにより接合されている。すなわち、接着部１３Ｙは中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの間に位置し、中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとを接着している。図２６Ａ及び図２６Ｂのように、接着部１３Ｙは中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙの間で円盤状に形成されている。接着部１３Ｙの上記接合方向に沿った中心ＰＹは、上記接合方向に沿った中間基板１２Ｙの中心ＰＹと、平面視において、一致している。すなわち、中間基板１２Ｙはベース基板１１Ｙの表面の中央部に位置している。接着部１３Ｙはシリコーン系接着剤の硬化物である。
　中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの間において、接着部１３Ｙの周囲には少なくとも１つの支持部１４Ｙが設けられている。すなわち、１又は複数の支持部１４Ｙが接着部１３Ｙの周囲において中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの間に設けられている。図２６Ａでは、中間基板１２Ｙの四隅の近傍に支持部１４Ｙａ、１４Ｙｂ、１４Ｙｃ、１４Ｙｄが設けられている。したがって、中間基板１２Ｙが中心ＰＹを通る軸ＱＹに対して傾いたときに、中間基板１２Ｙの四隅の近傍に支持部１４Ｙａ、１４Ｙｂ、１４Ｙｃ、１４Ｙｄがそれぞれ当たって支持される。
　各支持部１４Ｙは金属製である。すなわち、各支持部１４Ｙは金（Ａｕ）又は銅（Ｃｕ）などの金属製のバンプである。各支持部１４Ｙは円柱状である。各支持部１４Ｙの硬度は接着部１３Ｙの硬度よりも大きい。すなわち、各支持部１４Ｙは接着部１３Ｙよりも硬くて変形しにくい。このため、接着部１３Ｙが歪んで変形しても支持部１４Ｙは変形せずに中間基板１２Ｙを支持することができる。各支持部１４Ｙの体積変化率は、接着部１３Ｙの体積変化率より小さい。すわなち、各支持部１４Ｙは接着部１３Ｙと比較して、温度及び湿度による伸縮の割合が小さい。各支持部１４Ｙは、中間基板１２Ｙに常に当たっておらず、例えば、中間基板１２Ｙが傾くと、いずれかの支持部１４Ｙに当って、この当たった支持部１４Ｙで中間基板１２Ｙが支持される。したがって、中間基板１２Ｙは更に傾くことが無くなる。
　支持部１４Ｙの先端は中間基板１２Ｙの表面には接着されていない。この場合、支持部１４Ｙ又は接着部１３Ｙに温度変化又は湿度変化による膨張又は収縮が生じても、この膨張又は収縮に中間基板１２Ｙが追従しにくくなり、中間基板１２Ｙに反り及び歪が生じにくい。したがって、センサ素子１５Ｙの温度特性又は湿度特性が低下しにくくなる、という利点がある。
　各支持部１４Ｙは、接着部１３Ｙの一部を通り、中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの接合方向に沿った軸回りで点対称である。すなわち、図２６Ｂのように、上記中心ＰＹを通り、中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの接合方向に沿った軸ＱＹを想定し、この軸ＱＹを中心として各支持部１４Ｙを１８０°回転させることを想定した場合、支持部１４Ｙａと支持部１４Ｙｃとが重なる位置関係であり、支持部１４Ｙｂと支持部１４Ｙｄとが重なる位置関係となっている。
　また支持部１４Ｙは、接着部１３Ｙの一部を通り、中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの接合方向に直交する軸回りで線対称である。すなわち、図２６Ａのように、上記中心ＰＹを通り、中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの接合方向に直交する軸ＲＹを想定し、この軸ＲＹを中心として各支持部１４Ｙを９０°反転させた場合、支持部１４Ｙａと支持部１４Ｙｄとが重なる位置関係であり、支持部１４Ｙｂと支持部１４Ｙｃとが重なる位置関係となっている。また上記中心ＰＹを通り、中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの接合方向に直交する軸ＳＹを想定し、この軸ＳＹを中心として各支持部１４Ｙを９０°反転させた場合、支持部１４Ｙａと支持部１４Ｙｂとが重なる位置関係であり、支持部１４Ｙｃと支持部１４Ｙｄとが重なる位置関係となっている。
　また支持部１４Ｙは、中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの接合方向から見たセンサ素子１５Ｙの中心ＰＹと同心円状に配置されている。すなわち、センサ素子１５Ｙの中心ＰＹを中心とする円を想定した場合に、その円周上に、軸ＱＹに沿った方向から見て、支持部１４Ｙａと支持部１４Ｙｂと支持部１４Ｙｃと支持部１４Ｙｄとが配置されている。
　接着部１３Ｙはシリコーン系接着剤であるため、比較的軟らかく変形しやすいため、ベース基板１１Ｙで生じる応力を吸収し、この応力を中間基板１２Ｙに伝えにくくする。一方、柔軟性のある接着部１３Ｙのみで中間基板１２Ｙを支持していると、中間基板１２Ｙが振動などの影響を受けて傾きやすく、この傾きがセンサ素子１５Ｙのセンシングに影響を与えることがある。そこで、本実施形態では、接着部１３Ｙよりも硬くて変形しにくい支持部１４Ｙをベース基板１１Ｙと中間基板１２Ｙとの間に配置している。これにより、中間基板１２Ｙの下面が支持部１４Ｙに当たって支持されるため、中間基板１２Ｙの傾きを低減できる、という利点がある。また中間基板１２Ｙはベース基板１１Ｙとワイヤボンディングにより電気的に接続されることがあるが、中間基板１２Ｙにワイヤを接続する際にキャピラリで上から押さえられても支持部１４Ｙで支えることができて傾きにくく、ワイヤが接続しやすい。
　また接着部１３Ｙは中間基板１２Ｙの厚み方向の一面における中心付近に位置し、この一面における外周部には接着部１３Ｙは存在しない。したがって、接着部１３Ｙから中間基板１２Ｙに応力が伝わったとしても、中間基板１２Ｙの外周部には応力は伝わりにくく、中間基板１２Ｙが傾きにくい。
　図２７に示すように、センサ素子１５Ｙは複数の接合部１７Ｙにより中間基板１２Ｙの表面に接合されている。複数の接合部１７Ｙはバンプで形成されている。複数の接合部１７Ｙはセンサ素子１５Ｙの中心ＰＹを中心とする円周上に並んでいる。すなわち、複数の支持部１４Ｙが並んで想定される円と、複数の接合部１７Ｙが並んで想定される円とは、同心円である。
　センサ素子１５Ｙは、可動部２０Ｙを有し、可動部２０Ｙの移動量に応じた電気信号を出力する。すなわち、センサ素子１５Ｙは可動部２０Ｙが移動することにより生じる長さ変化を電気信号として出力する。またセンサ素子１５Ｙは、中間基板１２Ｙへのセンサ素子１５Ｙの搭載方向に関連する物理量を検知する。すなわち、センサ素子１５Ｙは、軸ＱＹに沿った方向に対する変動量を検知する。本実施形態では、センサ素子１５Ｙは角速度センサであるので、軸ＱＹ周りの角速度を検知する。
　センサ素子１５Ｙの一例として、図２８Ａ及び図２８Ｂに、高周波数（ＭＨｚ領域）駆動の容量式バルク超音波ジャイロスコープを示す。このジャイロスコープはハンドル基板及び可動部２０Ｙとして共振素子を含んでいる。可動部２０Ｙはハンドル基板上の絶縁層により支持されている。また複数個の電極２３Ｙが可動部２０Ｙを囲み、可動部２０Ｙからは非常に小さい容量式間隙により隔離されている。電極２３Ｙは可動部２０Ｙ中において少なくとも２つの変性バルク超音波共振モードを励振しかつ検知することができる。可動部２０Ｙは円盤状（ディスク状）であり、円形状である。可動部２０Ｙは圧電性材料から製作されていることを必要とせず、単結晶または他結晶シリコンなどの非圧電性物質である。シリコン炭化物・窒化ガリウム・窒化アルミニウム・石英などの他の半導体又は金属材料は可動部２０Ｙを製作するのに使用可能である。複数個の電極２３Ｙは、駆動用電極２３Ｙａと検知用電極２３Ｙｂとを含む。そして、可動部２０Ｙは歳差運動により、図２８Ａに示す駆動モードと、図２８Ｂに示す検知モードとの間で変形する。つまり、円盤状の可動部２０Ｙは、その中心軸（軸ＱＹ）に直交する平面内で、互いに直交する２方向に交互に伸縮する変形を繰り返すように振動する。センサ素子１５Ｙは可動部２０Ｙの変形量（移動量）を電気信号として出力する。すなわち、可動部２０Ｙの変形量は、可動部２０Ｙと検知用電極２３Ｙｂとの間の静電容量の変化として現れるため、センサ素子１５Ｙは、この静電容量の変化に応じた電気信号を出力する。
　センサ素子１５Ｙでは中間基板１２Ｙの厚み方向の一面に沿って可動部２０Ｙが振動（変形）することでセンシングを行うが、中間基板１２Ｙで生じる応力の影響をセンサ素子１５Ｙが受けてしまうと、センサ素子１５Ｙの複数個の電極２３Ｙの位置に歪みが生じることがある。その結果、これら複数個の電極２３Ｙと可動部２０Ｙとの間のギャップが変化し、センサ素子１５Ｙの出力に影響が及ぶ可能性がある。本実施形態では、中間基板１２Ｙを接着部１３Ｙよりも変形しにくい支持部１４Ｙで中間基板１２Ｙを支持しているため、中間基板１２Ｙに応力が生じにくくなり、可動部２０Ｙが上述したような振動をするセンサ素子１５Ｙでもセンシング性能が損なわれにくい。さらに、中間基板１２Ｙに傾きが生じにくくなることで、円盤状の可動部２０Ｙの中心軸に傾きが生じにくくなり、センサ素子１５Ｙで検知される軸ＱＹ周りの角速度への影響が生じにくい。
　（支持部の変形例）
　上記では、センサ装置１０Ｙは４個の支持部１４Ｙを備えていたが、これに限られない。図２９では、２８個の支持部１４Ｙを備えたセンサ装置１０Ｙを示している。これらの支持部１４Ｙは、センサ素子１５Ｙの中心ＰＹを中心とする円を想定した場合に、その円周上に、各支持部１４Ｙが並んで配置されている。すなわち、図２７の場合と同様に、複数の支持部１４Ｙが並んで想定される円と、複数の接合部１７Ｙが並んで想定される円とは、同心円である。
　また支持部１４Ｙの形状及び高さは、センサ装置１０Ｙの種類などに応じて任意に設定される。図３０Ａに示すように、支持部１４１Ｙは軸ＱＹに沿った方向の断面形状が円錐台であり、その高さは約１５０μｍである。また支持部１４１Ｙの材質はシリコーン系樹脂などの合成樹脂である。
　支持部１４Ｙがシリコーン系接着剤の硬化物である場合は、ベース基板１１Ｙにシリコーン系接着剤を塗布した後、乾燥させて硬化させて支持部１４Ｙを形成し、この後、中間基板１２Ｙを配置する。これにより、支持部１４Ｙが中間基板１２Ｙに接着しにくくなり、支持部１４Ｙが中間基板１２Ｙに当たっている状態となる。
　図３０Ｂに示すように、支持部１４２Ｙは中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの間で押しつぶされたバンプのような形状である。この場合、支持部１４２Ｙはベース基板１１Ｙ側の直径が中間基板１２Ｙ側の直径よりも大きくなっている。支持部１４２Ｙの高さは約５０μｍである。また支持部１４２Ｙの材質は金（Ａｕ）又銅（Ｃｕ）などの金属である。
　中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの間に比較的広い間隔が必要な場合は、金属製よりも樹脂製の支持部１４２Ｙの方が、センサ装置１０Ｙを形成しやすい。一方、金属製の支持部１４２Ｙは樹脂製の支持部１４２Ｙに比べて、温度変化又は湿度変化による伸縮が生じにくい。したがって、樹脂製の接着部１３Ｙが伸縮しても金属製の支持部１４２Ｙは伸縮しにくく、支持部１４２Ｙで中間基板１２Ｙが傾きにくくすることができ、センサ素子１５Ｙの温度特性又は湿度特性が低下しにくくなる、という利点がある。
　また支持部１４Ｙは一つの部材でリング状に形成されていてもよい。
　（その他の変形例）
　上記では、センサ装置１０Ｙが角速度センサ（ジャイロセンサ）である場合について説明したが、これに限らず、センサ装置１０Ｙは、例えば加速度センサ又はイメージセンサであってもよい。また、センサ装置１０Ｙのセンサ素子１５Ｙは、ＭＥＭＳ技術を用いた素子に限らず、他の素子であってもよい。すなわち、センサ素子１５Ｙの種類を変えることにより、各種のセンサ装置を実現可能である。
　また上記では、支持部１４Ｙが中間基板１２Ｙに接着されていなかったが、支持部１４Ｙは中間基板１２Ｙに接着していてもよい。すなわち、支持部１４Ｙの先端と中間基板１２Ｙの下面とが接合されていてもよい。この場合、中間基板１２Ｙと支持部１４Ｙとが強固に接合され、中間基板１２Ｙの傾きがより生じにくくなる。
　（まとめ）
　以上説明したように、第１の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ～１Ｃ）は、センサ素子（２）と、基板（３）と、ボンディングワイヤ（６，６Ａ）と、を備える。基板（３）は、センサ素子（２）が搭載される。ボンディングワイヤ（６，６Ａ）は、センサ素子（２）と基板（３）との間を電気的に接続する接続経路（６０）の少なくとも一部を構成する。ボンディングワイヤ（６，６Ａ）は、互いに交差する２つの接続面（３１，４１，２０１）間を接続するように設けられる。
　この態様によれば、センサ素子（２）と基板（３）との間を電気的に接続するための接続経路（６０）の少なくとも一部が、互いに交差する２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）間を接続するボンディングワイヤ（６，６Ａ）にて実現される。そのため、同じ向きに向けられた２つの接続面同士をボンディングワイヤ（６，６Ａ）にて接続する場合に比べて、例えば、接続面からボンディングワイヤ（６，６Ａ）が突出することによる、センサ装置（１，１Ａ～１Ｃ）の高さ寸法の増大等を抑えることが可能である。結果的に、センサ装置（１，１Ａ～１Ｃ）によれば、形状又は寸法の自由度の向上を図りやすい、という利点がある。
　第２の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ～１Ｃ）は、第１の態様において、センサ素子（２）が搭載された状態で基板（３）に搭載される支持部材（４）を更に備える。センサ素子（２）は、支持部材（４）を介して基板（３）に電気的に接続されている。２つの接続面（３１，４１，２０１）のうちの１つは、支持部材（４）の一面である。
　この態様によれば、センサ素子（２）は支持部材（４）を介して基板（３）に搭載されるので、基板（３）からセンサ素子（２）に応力を作用しにくくできる。
　第３の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ～１Ｃ）は、第２の態様において、支持部材（４）と基板（３）とを連結する連結部材（５）を更に備える。支持部材（４）は、連結部材（５）を介して間接的に、基板（３）に搭載される。
　この態様によれば、支持部材（４）は連結部材（５）を介して基板（３）に搭載されるので、基板（３）からセンサ素子（２）への応力をより作用しにくくできる。
　第４の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ～１Ｃ）では、第３の態様において、連結部材（５）と基板（３）とを接合する接着層（５１１）のヤング率は、連結部材（５）と支持部材（４）とを接合する接着層（５２１）のヤング率に比べて大きい。
　この態様によれば、連結部材（５）を基板（３）に対して堅牢に固定できる。また、基板（３）から連結部材（５）に応力が作用することがあっても、連結部材（５）から支持部材（４）には応力が伝わりにくいため、センサ素子（２）にまでは応力が作用しにくく、センサ素子（２）の検知結果に対する応力の影響が生じにくい。
　第５の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ～１Ｃ）では、第２～４のいずれかの態様において、基板（３）は、支持部材（４）が搭載される搭載面（３１）を有する。支持部材（４）は、センサ素子（２）が搭載される支持面（４１）を有する。支持面（４１）の法線（Ｌ１）が搭載面（３１）に沿っている。２つの接続面（３１，４１，２０１）のうちの１つは、支持面（４１）である。
　この態様によれば、センサ素子（２）を支持部材（４）ごと、基板（３）の搭載面（３１）に立てた状態で搭載できる。
　第６の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ～１Ｃ）では、第５の態様において、支持部材（４）は、ボンディングワイヤ（６，６Ａ）の一端部が接続される支持側電極（６０２）を支持面（４１）に有する。支持側電極（６０２）は、支持面（４１）におけるセンサ素子（２）から見て基板（３）側に位置する。
　この態様によれば、ボンディングワイヤ（６，６Ａ）の長さを比較的短く抑えることができる。
　第７の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ～１Ｃ）では、第５の態様において、支持部材（４）は、ボンディングワイヤ（６，６Ａ）の一端部が接続される支持側電極（６０２）を支持面（４１）に有する。支持側電極（６０２）は、支持面（４１）におけるセンサ素子（２）から見て基板（３）とは反対側に位置する。
　この態様によれば、基板（３）からのセンサ素子（２）の高さを比較的低く抑えることができる。
　第８の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ～１Ｃ）では、第１～７のいずれかの態様において、２つの接続面（３１，４１，２０１）のうちの１つは、基板（３）の一面である。
　この態様によれば、基板（３）に対してボンディングワイヤ（６，６Ａ）を直接的に接続することができる。
　第９の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ～１Ｃ）では、第２の態様において、センサ素子（２）は、２つの接続面（３１，４１，２０１）のうちの１つである電極面（２０１）を有する。
　この態様によれば、センサ素子（２）に対してボンディングワイヤ（６，６Ａ）を直接的に接続することができる。
　第１０の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ～１Ｃ）では、第９の態様において、支持部材（４）は、センサ素子（２）を含む縦型部材（５０）が搭載される支持面（４１）を有する。縦型部材（５０）は、センサ素子（２）の電極面（２０１）の法線が支持面（４１）に沿った位置関係となるように、支持面（４１）に固定されている。
　この態様によれば、センサ素子（２）を、支持部材（４）の支持面（４１）に立てた状態で搭載できる。
　第１１の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ～１Ｃ）では、第１０の態様において、縦型部材（５０）と支持部材（４）とを接合する接着層（５０２，５０４）のヤング率は、支持部材（４）と基板（３）とを接合する接着層（５０１）のヤング率に比べて大きい。
　この態様によれば、縦型部材（５０）を支持部材（４）に対して堅牢に固定できる。また、基板（３）に応力が作用することがあっても、基板（３）から支持部材（４）には応力が伝わりにくいため、センサ素子（２）にまでは応力が作用しにくく、センサ素子（２）の検知結果に対する応力の影響が生じにくい。
　第１２の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ～１Ｃ）では、第１０又は１１の態様において、縦型部材（５０）は、センサ素子（２）と支持部材（４）とを連結する連結部材（５）を更に含む。センサ素子（２）は、連結部材（５）を介して間接的に、支持部材（４）に搭載される。
　この態様によれば、センサ素子（２）は連結部材（５）を介して支持部材（４）に搭載されるので、支持部材（４）からセンサ素子（２）に応力を作用しにくくできる。
　第１３の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ～１Ｃ）では、第１２の態様において、連結部材（５）と支持部材（４）とを接合する接着層（５０２）のヤング率は、連結部材（５）とセンサ素子（２）とを接合する接着層（５０３）のヤング率に比べて大きい。
　この態様によれば、連結部材（５）を支持部材（４）に対して堅牢に固定できる。また、支持部材（４）から連結部材（５）に応力が作用することがあっても、連結部材（５）からセンサ素子（２）には応力が伝わりにくいため、センサ素子（２）にまでは応力が作用しにくく、センサ素子（２）の検知結果に対する応力の影響が生じにくい。
　第１４の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ～１Ｃ）では、第１～１３のいずれかの態様において、ボンディングワイヤ（６，６Ａ）は複数本ある。２つの接続面（３１，４１，２０１）の各々には、複数本のボンディングワイヤ（６，６Ａ）を接続するための複数の電極（６０１～６０４）が設けられている。複数の電極（６０１～６０４）は、２つの接続面（３１，４１，２０１）の両方に平行な一直線に沿って並んでいる。
　この態様によれば、複数本のボンディングワイヤ（６，６Ａ）の長さのばらつきを小さく抑えることができる。
　第１５の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ～１Ｃ）では、第１～１４のいずれかの態様において、センサ素子（２）は、素子電極（２００）を有する。素子電極（２００）は、Ａｕ電極層（２２０）と、Ａｕ電極層（２２０）上に積層されるＵＢＭ層（２３）と、を含む。ＵＢＭ層（２３）の熱膨張係数は、ＡｕＳｎの熱膨張係数と、ＳｉＯ２の熱膨張係数と、の間の値である。
　この態様によれば、センサ素子（２）に作用する応力の低減を図ることができる。
　第２～１５の態様に係る構成については、センサ装置（１，１Ａ～１Ｃ）に必須の構成ではなく、適宜省略可能である。
　第１６の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）は、センサ素子（２Ｘ）と、基板（３Ｘ）と、支持部材（４Ｘ）と、連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）と、を備える。基板（３Ｘ）は、搭載面（３１Ｘ）を有する。支持部材（４Ｘ）は、支持面（４１Ｘ）を有する。支持部材（４Ｘ）は、支持面（４１Ｘ）にセンサ素子（２Ｘ）が搭載される。連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）は、搭載面（３１Ｘ）に搭載される。連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）は、支持面（４１Ｘ）の法線（Ｌ１Ｘ）が搭載面（３１Ｘ）に沿った位置関係となるように、基板（３Ｘ）と支持部材（４Ｘ）とを連結する。
　この態様によれば、センサ素子（２Ｘ）が搭載された支持部材（４Ｘ）が、連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）を介して、基板（３Ｘ）の搭載面（３１Ｘ）上に支持されることで、基板（３Ｘ）の搭載面（３１Ｘ）には、センサ素子（２Ｘ）が支持部材（４Ｘ）ごと搭載される。連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）は、支持面（４１Ｘ）の法線（Ｌ１Ｘ）が搭載面（３１Ｘ）に沿った位置関係となるように、基板（３Ｘ）と支持部材（４Ｘ）とを連結する。そのため、センサ素子（２Ｘ）が搭載される支持部材（４Ｘ）の支持面（４１Ｘ）は、基板（３Ｘ）の搭載面（３１Ｘ）に対して略直交する。したがって、実装基板（１０Ｘ）の一表面（１０１Ｘ）に沿った平面内で基板（３Ｘ）を回転させることで、センサ素子（２Ｘ）が実装される支持面（４１Ｘ）の向きを変更可能であるので、検知対象の自由度の向上を図ることが可能である。
　第１７の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）は、第１６の態様において、配線部材（６Ｘ）を更に備える。配線部材（６Ｘ）は、支持部材（４Ｘ）と基板（３Ｘ）とを電気的に接続する。
　この態様によれば、支持部材（４Ｘ）と基板（３Ｘ）の電気的に接続を実現できるので、支持部材（４Ｘ）に電気的な機能を付加することが可能である。
　第１８の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）では、第１７の態様において、配線部材（６Ｘ）は、搭載面（３１Ｘ）に固定されている。
　この態様によれば、配線部材（６Ｘ）から支持部材（４Ｘ）に応力を作用しにくくできる。
　第１９の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）では、第１７又は１８の態様において、配線部材（６Ｘ）は、複数本のリード端子（６１Ｘ）と、複数本のリード端子（６１Ｘ）を保持する保持部（６２Ｘ）と、を有する。
　この態様によれば、配線部材（６Ｘ）による支持部材（４Ｘ）と基板（３Ｘ）の電気的に接続を、比較的簡単な構造で実現可能である。
　第２０の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）では、第１６～１９のいずれかの態様において、連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）は、支持部材（４Ｘ）との対向面から支持部材（４Ｘ）に向かって突出するスペーサ（５３Ｘ）を更に有する。
　この態様によれば、連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）と支持部材（４Ｘ）との間に隙間を確保でき、連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）から支持部材（４Ｘ）に応力を作用しにくくできる。
　第２１の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）では、第１６～２０のいずれかの態様において、センサ素子（２Ｘ）は、支持面（４１Ｘ）の法線（Ｌ１Ｘ）に沿った軸周りの角速度に応じた電気信号を出力する。
　この態様によれば、実装基板（１０Ｘ）の一表面（１０１Ｘ）に沿った平面内で基板（３Ｘ）を回転させることで、いずれの向きの角速度を検知対象とするかを調整可能となる。
　第２２の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）では、第１６～２１のいずれかの態様において、支持部材（４Ｘ）は、処理回路（４３Ｘ）を含む。処理回路（４３Ｘ）は、センサ素子（２Ｘ）から出力される電気信号に関する処理を実行する。
　この態様によれば、センサ素子（２Ｘ）の近傍に処理回路（４３Ｘ）が配置されるので、センサ素子（２Ｘ）から出力される電気信号がノイズの影響を受けにくくなる。
　第２３の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）では、第１６～２２のいずれかの態様において、連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）は、中空部（５４Ｘ）を有する。
　この態様によれば、連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）が中実構造である場合に比べて、連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）に対して作用する衝撃の緩和を図ることができる。
　第２４の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）では、第１６～２３のいずれかの態様において、連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）は、基板（３Ｘ）の搭載面（３１Ｘ）に固定される第１面（５１Ｘ）と、第１面（５１Ｘ）と交差する第２面（５２Ｘ）と、を有する。支持部材（４Ｘ）は、第２面（５２Ｘ）に固定されている。
　この態様によれば、基板（３Ｘ）の搭載面（３１Ｘ）に第１面（５１Ｘ）を固定し、支持部材（４Ｘ）に第２面（５２Ｘ）を固定することで、連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）を基板（３Ｘ）及び支持部材（４Ｘ）に対して、安定的に固定できる。
　第２５の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）は、第１６～２４のいずれかの態様において、ケース（７Ｘ）を更に備える。ケース（７Ｘ）は、基板（３Ｘ）と結合され、基板（３Ｘ）の搭載面（３１Ｘ）との間に少なくともセンサ素子（２Ｘ）を収容する。
　この態様によれば、ケース（７）にてセンサ素子（２Ｘ）等を保護できる。
　第２６の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）では、第１６～２５のいずれかの態様において、支持部材（４Ｘ）は、センサ素子（２Ｘ）を電気的に接続するためのセンサ用電極（８１Ｘ）と、基板（３Ｘ）を電気的に接続するための基板用電極（８２Ｘ）と、を有している。センサ用電極（８１Ｘ）は、下地電極（８１１Ｘ）と、めっき層（Ｎｉめっき層８１２Ｘ及びＡｕめっき層８１３Ｘ）と、を含んでいる。基板用電極（８２Ｘ）は、下地電極（８２１Ｘ）のみからなる。
　この態様によれば、めっき層の表面上へのニッケルの析出が生じにくく、ボンディングワイヤ（６３Ｘ）と基板用電極（８２Ｘ）との接合強度の低下が生じにくい。
　第２７の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）では、第１６～２５のいずれかの態様において、支持部材（４Ｘ）は、センサ素子（２Ｘ）を電気的に接続するためのセンサ用電極（８１Ｘ）と、基板（３Ｘ）を電気的に接続するための基板用電極（８２Ｘ）と、を有している。センサ用電極（８１Ｘ）及び基板用電極（８２Ｘ）の各々は、下地電極（８１１Ｘ，８２１Ｘ）と、Ｎｉめっき層（８１２Ｘ，８２２Ｘ）、Ａｕめっき層（８１３Ｘ，８２３Ｘ）及びバリア層（８１０Ｘ，８２０Ｘ）を含んでいる。下地電極（８１１Ｘ，８２１Ｘ）上に、Ｎｉめっき層（８１２Ｘ，８２２Ｘ）、バリア層（８１０Ｘ，８２０Ｘ）及びＡｕめっき層（８１３Ｘ，８２３Ｘ）がこの順に積層されている。
　この態様によれば、Ａｕめっき層（８１３Ｘ，８２３Ｘ）の表面上へのニッケルの析出が生じにくく、ボンディングワイヤ（６３Ｘ）と基板用電極（８２Ｘ）との接合強度の低下が生じにくい。
　第２８の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）は、第１６～２７のいずれかの態様において、支持部材（４Ｘ）とセンサ素子（２Ｘ）とを接続する複数の接続部材（４４Ｘ）を更に備えている。複数の接続部材（４４Ｘ）は、センサ素子（２Ｘ）の中心点（Ｐ１Ｘ）に対して点対称に配置されている。
　この態様によれば、支持部材（４Ｘ）からセンサ素子（２Ｘ）に応力が作用する場合でも、この応力の分布が中心点（Ｐ１Ｘ）に対して点対称となることで、センサ素子（２Ｘ）の検知結果に応力が影響しにくくなる。
　第１７～２８の態様に係る構成については、センサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）に必須の構成ではなく、適宜省略可能である。
　また、第２６～２８の態様に係る構成については、第１６の態様を前提とせずとも、種々のセンサ装置１Ｘ，１ＡＸ～１ＣＸに適用可能である。つまり、第２６～２８の態様に係る構成については、実施形態３又は実施形態４で説明した種々の構成（変形例を含む）に限らず、参考例１又は参考例２で説明した種々の構成（変形例を含む）と、適宜組み合わせて採用可能である。
　第２９の態様に係るセンサ装置（１０Ｙ）は、接着部（１３Ｙ）と少なくとも１つの支持部（１４Ｙ）とを備える。接着部（１３Ｙ）は、センサ素子（１５Ｙ）が搭載された中間基板（１２Ｙ）とベース基板（１１Ｙ）とを接合する。少なくとも１つの支持部（１４Ｙ）は、中間基板（１２Ｙ）とベース基板（１１Ｙ）との間において、接着部（１３Ｙ）の周囲に位置する。
　この態様によれば、接着部（１３Ｙ）が伸縮しても支持部（１４Ｙ）で中間基板（１２Ｙ）が支持され、中間基板（１２Ｙ）の傾きが低減される。したがって中間基板（１２Ｙ）に搭載されたセンサ素子（１５Ｙ）が中間基板（１２Ｙ）の傾きによる影響を受けにくくなり、センサ素子（１５Ｙ）による検知性能が低下しにくい。
　第３０の態様に係るセンサ装置（１０Ｙ）は、第２９の態様において、支持部（１４Ｙ）は、接着部（１３Ｙ）の一部を通り、中間基板（１２Ｙ）とベース基板（１１Ｙ）との接合方向に沿った軸回りで点対称である。
　この態様によれば、接着部（１３Ｙ）が伸縮しても支持部（１４Ｙ）でバランスよく中間基板（１２Ｙ）が支持され、中間基板（１２Ｙ）の傾きが低減される。したがって中間基板（１２Ｙ）に搭載されたセンサ素子（１５Ｙ）が中間基板（１２Ｙ）の傾きによる影響を受けにくくなり、センサ素子（１５Ｙ）による検知性能が低下しにくい。
　第３１の態様に係るセンサ装置（１０Ｙ）は、第２９の態様において、支持部（１４Ｙ）は、接着部（１３Ｙ）の一部を通り、中間基板（１２Ｙ）とベース基板（１１Ｙ）との接合方向に直交する軸回りで線対称である。
　この態様によれば、接着部（１３Ｙ）が伸縮しても支持部（１４Ｙ）でバランスよく中間基板（１２Ｙ）が支持され、中間基板（１２Ｙ）の傾きが低減される。したがって中間基板（１２Ｙ）に搭載されたセンサ素子（１５Ｙ）が中間基板（１２Ｙ）の傾きによる影響を受けにくくなり、センサ素子（１５Ｙ）による検知性能が低下しにくい。
　第３２の態様に係るセンサ装置（１０Ｙ）は、第２９～３１のいずれかの態様において、支持部（１４Ｙ）の硬度は、接着部（１３Ｙ）の硬度より大きい。
　この態様によれば、支持部（１４Ｙ）に中間基板（１２Ｙ）が当たっても変形しにくくなり、支持部（１４Ｙ）により中間基板（１２Ｙ）を支持しやすい。
　第３３の態様に係るセンサ装置（１０Ｙ）は、第２９～３２のいずれかの態様において、支持部（１４Ｙ）の体積変化率は、接着部（１３Ｙ）の体積変化率より小さい。
　この態様によれば、接着部（１３Ｙ）の体積が変化しても支持部（１４Ｙ）に当たりやすくなり、支持部（１４Ｙ）により中間基板（１２Ｙ）を支持しやすい。
　第３４の態様に係るセンサ装置（１０Ｙ）は、第２９～３３のいずれかの態様において、支持部（１４Ｙ）は金属製である。
　この態様によれば、中間基板（１２Ｙ）が支持部（１４Ｙ）に当たっても変形しにくくなり、支持部（１４Ｙ）により中間基板（１２Ｙ）を支持しやすい。
　第３５の態様に係るセンサ装置（１０Ｙ）は、第２９～３４のいずれかの態様において、支持部（１４Ｙ）は、中間基板（１２Ｙ）とベース基板（１１Ｙ）との接合方向から見たセンサ素子（１５Ｙ）の中心と同心円状に配置されている。
　この態様によれば、中間基板（１２Ｙ）に搭載されたセンサ素子（１５Ｙ）が中間基板（１２Ｙ）の傾きによる影響を受けにくくなり、センサ素子（１５Ｙ）による検知性能が低下しにくい。
　第３６の態様に係るセンサ装置（１０Ｙ）は、第２９～３５のいずれかの態様において、支持部（１４Ｙ）は中間基板（１２Ｙ）と接着されている。
　この態様によれば、支持部（１４Ｙ）は中間基板（１２Ｙ）をより強固に支持することができ、支持部（１４Ｙ）により中間基板（１２Ｙ）の傾きを低減しやすい。
　第３７の態様に係るセンサ装置（１０Ｙ）は、第２９～３６のいずれかの態様において、センサ素子（１５Ｙ）は可動部（２０Ｙ）を有し、可動部（２０Ｙ）の移動量に応じた電気信号を出力する。
　この態様によれば、可動部（２０Ｙ）による移動が中間基板（１２Ｙ）の傾きに影響されにくくなり、センサ素子（１５Ｙ）による検知性能が低下しにくい。
　第３８の態様に係るセンサ装置（１０Ｙ）は、第２９～３７のいずれかの態様において、センサ素子（１５Ｙ）は、中間基板（１２Ｙ）へのセンサ素子（１５Ｙ）の搭載方向に関連する物理量を検知する。
　この態様によれば、可動部（２０Ｙ）による移動が中間基板（１２Ｙ）の傾きに影響されにくくなり、センサ素子（１５Ｙ）による検知性能が低下しにくい。
　第３０～３８の態様に係る構成については、センサ装置（１０Ｙ）に必須の構成ではなく、適宜省略可能である。
　１，１Ａ～１Ｃ　センサ装置
　２　センサ素子
　３　基板
　４　支持部材
　５　連結部材
　６，６Ａ　ボンディングワイヤ
　２３　ＵＢＭ層
　５０　縦型部材
　６０　接続経路
　３１　搭載面（接続面）
　４１　支持面（接続面）
　２００　素子電極
　２２０　Ａｕ電極層
　２０１　電極面（接続面）
　５０１，５０２，５０３，５０４，５１１，５２１　接着層
　６０１　基板側電極
　６０２　支持側電極
　６０３　送り電極
　６０４　センサ側電極
　Ｌ１　法線
　１Ｘ，１ＡＸ　センサ装置
　２Ｘ　センサ素子
　３Ｘ　基板
　４Ｘ　支持部材
　５Ｘ，５ＡＸ　連結部材
　６Ｘ　配線部材
　７Ｘ　ケース
　３１Ｘ　搭載面
　４１Ｘ　支持面
　４３Ｘ　処理回路
　４４Ｘ　接続部材
　５１Ｘ　第１面
　５２Ｘ　第２面
　５３Ｘ　スペーサ
　５４Ｘ　中空部
　６１Ｘ　リード端子
　６２Ｘ　保持部
　８１Ｘ　センサ用電極
　８２Ｘ　基板用電極
　８１１Ｘ，８２１Ｘ　下地電極
　８１２Ｘ，８２２Ｘ　Ｎｉめっき層
　８１３Ｘ，８２３Ｘ　Ａｕめっき層
　８１０Ｘ，８２０Ｘ　バリア層
　Ｌ１Ｘ　支持面の法線
　Ｐ１Ｘ　中心点
　１０Ｙ　センサ装置
　１１Ｙ　ベース基板
　１２Ｙ　中間基板
　１３Ｙ　接着部
　１４Ｙ　支持部
　１５Ｙ　センサ素子
　２０Ｙ　可動部

Claims (38)

  1. 　センサ素子と、
    　前記センサ素子が搭載される基板と、
    　前記センサ素子と前記基板との間を電気的に接続する接続経路の少なくとも一部を構成し、互いに交差する２つの接続面間を接続するように設けられるボンディングワイヤと、を備える、
    　センサ装置。
  2. 　前記センサ素子が搭載された状態で前記基板に搭載される支持部材を更に備え、
    　前記センサ素子は、前記支持部材を介して前記基板に電気的に接続されており、
    　前記２つの接続面のうちの１つは、前記支持部材の一面である、
    　請求項１に記載のセンサ装置。
  3. 　前記支持部材と前記基板とを連結する連結部材を更に備え、
    　前記支持部材は、前記連結部材を介して間接的に、前記基板に搭載される、
    　請求項２に記載のセンサ装置。
  4. 　前記連結部材と前記基板とを接合する接着層のヤング率は、前記連結部材と前記支持部材とを接合する接着層のヤング率に比べて大きい、
    　請求項３に記載のセンサ装置。
  5. 　前記基板は、前記支持部材が搭載される搭載面を有し、
    　前記支持部材は、前記センサ素子が搭載される支持面を有し、
    　前記支持面の法線が前記搭載面に沿っており、
    　前記２つの接続面のうちの１つは、前記支持面である、
    　請求項２～４のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  6. 　前記支持部材は、前記ボンディングワイヤの一端部が接続される支持側電極を前記支持面に有し、
    　前記支持側電極は、前記支持面における前記センサ素子から見て前記基板側に位置する、
    　請求項５に記載のセンサ装置。
  7. 　前記支持部材は、前記ボンディングワイヤの一端部が接続される支持側電極を前記支持面に有し、
    　前記支持側電極は、前記支持面における前記センサ素子から見て前記基板とは反対側に位置する、
    　請求項５に記載のセンサ装置。
  8. 　前記２つの接続面のうちの１つは、前記基板の一面である、
    　請求項１～７のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  9. 　前記センサ素子は、前記２つの接続面のうちの１つである電極面を有する、
    　請求項２に記載のセンサ装置。
  10. 　前記支持部材は、前記センサ素子を含む縦型部材が搭載される支持面を有し、
    　前記縦型部材は、前記センサ素子の前記電極面の法線が前記支持面に沿った位置関係となるように、前記支持面に固定されている、
    　請求項９に記載のセンサ装置。
  11. 　前記縦型部材と前記支持部材とを接合する接着層のヤング率は、前記支持部材と前記基板とを接合する接着層のヤング率に比べて大きい、
    　請求項１０に記載のセンサ装置。
  12. 　前記縦型部材は、前記センサ素子と前記支持部材とを連結する連結部材を更に含み、
    　前記センサ素子は、前記連結部材を介して間接的に、前記支持部材に搭載される、
    　請求項１０又は１１に記載のセンサ装置。
  13. 　前記連結部材と前記支持部材とを接合する接着層のヤング率は、前記連結部材と前記センサ素子とを接合する接着層のヤング率に比べて大きい、
    　請求項１２に記載のセンサ装置。
  14. 　前記ボンディングワイヤは複数本あって、
    　前記２つの接続面の各々には、前記複数本のボンディングワイヤを接続するための複数の電極が設けられており、
    　前記複数の電極は、前記２つの接続面の両方に平行な一直線に沿って並んでいる、
    　請求項１～１３のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  15. 　前記センサ素子は、素子電極を有し、
    　前記素子電極は、Ａｕ電極層と、前記Ａｕ電極層上に積層されるＵＢＭ層と、を含み、
    　前記ＵＢＭ層の熱膨張係数は、ＡｕＳｎの熱膨張係数と、ＳｉＯ２の熱膨張係数と、の間の値である、
    　請求項１～１４のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  16. 　センサ素子と、
    　搭載面を有する基板と、
    　支持面を有し、前記支持面に前記センサ素子が搭載される支持部材と、
    　前記搭載面に搭載され、前記支持面の法線が前記搭載面に沿った位置関係となるように、前記基板と前記支持部材とを連結する連結部材と、を備える、
    　センサ装置。
  17. 　前記支持部材と前記基板とを電気的に接続する配線部材を更に備える、
    　請求項１６に記載のセンサ装置。
  18. 　前記配線部材は、前記搭載面に固定されている、
    　請求項１７に記載のセンサ装置。
  19. 　前記配線部材は、複数本のリード端子と、前記複数本のリード端子を保持する保持部と、を有する、
    　請求項１７又は１８に記載のセンサ装置。
  20. 　前記連結部材は、前記支持部材との対向面から前記支持部材に向かって突出するスペーサを更に有する、
    　請求項１６～１９のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  21. 　前記センサ素子は、前記支持面の前記法線に沿った軸周りの角速度に応じた電気信号を出力する、
    　請求項１６～２０のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  22. 　前記支持部材は、前記センサ素子から出力される電気信号に関する処理を実行する処理回路を含む、
    　請求項１６～２１のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  23. 　前記連結部材は、中空部を有する、
    　請求項１６～２２のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  24. 　前記連結部材は、
    　　前記基板の前記搭載面に固定される第１面と、
    　　前記第１面と交差する第２面と、を有し、
    　前記支持部材は、前記第２面に固定されている、
    　請求項１６～２３のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  25. 　前記基板と結合され、前記基板の前記搭載面との間に少なくとも前記センサ素子を収容するケースを更に備える、
    　請求項１６～２４のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  26. 　前記支持部材は、前記センサ素子を電気的に接続するためのセンサ用電極と、前記基板を電気的に接続するための基板用電極と、を有し、
    　前記センサ用電極は、下地電極と、めっき層と、を含み、
    　前記基板用電極は、下地電極のみからなる、
    　請求項１６～２５のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  27. 　前記支持部材は、前記センサ素子を電気的に接続するためのセンサ用電極と、前記基板を電気的に接続するための基板用電極と、を有し、
    　前記センサ用電極及び前記基板用電極の各々は、下地電極、Ｎｉめっき層、Ａｕめっき層及びバリア層を含み、前記下地電極上に、前記Ｎｉめっき層、前記バリア層及び前記Ａｕめっき層がこの順に積層されている、
    　請求項１６～２５のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  28. 　前記支持部材と前記センサ素子とを接続する複数の接続部材を更に備え、
    　前記複数の接続部材は、前記センサ素子の中心点に対して点対称に配置されている、
    　請求項１６～２７のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  29. 　センサ素子が搭載された中間基板とベース基板とを接合する接着部と、
    　前記中間基板と前記ベース基板との間において、前記接着部の周囲に位置する少なくとも１つの支持部と、
    　を備えるセンサ装置。
  30. 　前記支持部は、前記接着部の一部を通り、前記中間基板と前記ベース基板との接合方向に沿った軸回りで点対称である、
    　請求項２９に記載のセンサ装置。
  31. 　前記支持部は、前記接着部の一部を通り、前記中間基板と前記ベース基板との接合方向に直交する軸回りで線対称である、
    　請求項２９に記載のセンサ装置。
  32. 　前記支持部の硬度は、前記接着部の硬度より大きい、
    　請求項２９～３１のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  33. 　前記支持部の体積変化率は、前記接着部の体積変化率より小さい、
    　請求項２９～３２のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  34. 　前記支持部は金属製である、
    　請求項２９～３３のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  35. 　前記支持部は、前記中間基板と前記ベース基板との接合方向から見た前記センサ素子の中心と同心円状に配置されている、
    　請求項２９～３４のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  36. 　前記支持部は前記中間基板と接着されている、
    　請求項２９～３５のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  37. 　前記センサ素子は可動部を有し、前記可動部の移動量に応じた電気信号を出力する、
    　請求項２９～３６のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  38. 　前記センサ素子は、前記中間基板への前記センサ素子の搭載方向に関連する物理量を検知する、
    　請求項２９～３７のいずれか１項に記載のセンサ装置。
PCT/JP2020/004060 2019-02-05 2020-02-04 センサ装置 WO2020162436A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/415,340 US11885621B2 (en) 2019-02-05 2020-02-04 Sensor device
JP2020571205A JPWO2020162436A1 (ja) 2019-02-05 2020-02-04 センサ装置
EP20752631.0A EP3922956A4 (en) 2019-02-05 2020-02-04 SENSING DEVICE

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019019086 2019-02-05
JP2019-019086 2019-02-05
JP2019-098036 2019-05-24
JP2019098036 2019-05-24
JPPCT/JP2019/027805 2019-07-12
PCT/JP2019/027805 WO2020161937A1 (ja) 2019-02-05 2019-07-12 センサ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020162436A1 true WO2020162436A1 (ja) 2020-08-13

Family

ID=71947413

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/027805 WO2020161937A1 (ja) 2019-02-05 2019-07-12 センサ装置
PCT/JP2020/004060 WO2020162436A1 (ja) 2019-02-05 2020-02-04 センサ装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/027805 WO2020161937A1 (ja) 2019-02-05 2019-07-12 センサ装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11885621B2 (ja)
EP (1) EP3922956A4 (ja)
JP (1) JPWO2020162436A1 (ja)
WO (2) WO2020161937A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10855826B2 (en) * 2019-01-10 2020-12-01 Scott Phillip Shaw Spinning accessory for mobile device
US20220044979A1 (en) * 2020-08-04 2022-02-10 Qorvo Us, Inc. Hermetic package for high cte mismatch

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000249562A (ja) * 1999-03-03 2000-09-14 Murata Mfg Co Ltd 角速度センサ
JP2003021647A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Denso Corp 電子装置
JP2013183115A (ja) * 2012-03-05 2013-09-12 Seiko Epson Corp 電子部品の製造方法
JP2013183083A (ja) * 2012-03-02 2013-09-12 Seiko Epson Corp 電子部品の製造方法
US20160027992A1 (en) * 2014-07-22 2016-01-28 Freescale Semiconductor, Inc. Package-in-package semiconductor sensor device
JP2016170002A (ja) 2015-03-12 2016-09-23 セイコーエプソン株式会社 ジャイロモジュール、電子機器及び移動体

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01299415A (ja) 1988-05-28 1989-12-04 Alps Electric Co Ltd 磁気式エンコーダ
TW571409B (en) * 2002-12-03 2004-01-11 Advanced Semiconductor Eng Optical device and packaging method thereof
JP2005292114A (ja) * 2004-03-11 2005-10-20 Denso Corp センサ装置
JP4969822B2 (ja) * 2004-12-06 2012-07-04 株式会社デンソー センサ装置
JP4704084B2 (ja) * 2005-03-29 2011-06-15 三菱電機株式会社 半導体装置
US8100010B2 (en) * 2008-04-14 2012-01-24 Honeywell International Inc. Method and system for forming an electronic assembly having inertial sensors mounted thereto
JP2011027708A (ja) 2009-07-03 2011-02-10 Panasonic Corp 角速度センサユニット
JP2011058944A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧力センサー
JP5315268B2 (ja) 2010-03-10 2013-10-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電子装置
JP2012193971A (ja) * 2011-03-15 2012-10-11 Seiko Epson Corp センサーモジュール、センサーデバイス、センサーデバイスの製造方法及び電子機器
JP5914010B2 (ja) * 2012-01-30 2016-05-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
JP2015002308A (ja) * 2013-06-18 2015-01-05 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルＰＳ４ Ｌｕｘｃｏ Ｓ．ａ．ｒ．ｌ． 半導体装置及びその製造方法
JP6286278B2 (ja) * 2014-05-16 2018-02-28 アズビル株式会社 差圧センサおよび差圧センサの製造方法
JP5908136B1 (ja) 2015-03-03 2016-04-26 株式会社ハーモテック 吸引装置
KR20230169471A (ko) * 2015-03-31 2023-12-15 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 반도체 장치
JP6677616B2 (ja) 2016-09-29 2020-04-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000249562A (ja) * 1999-03-03 2000-09-14 Murata Mfg Co Ltd 角速度センサ
JP2003021647A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Denso Corp 電子装置
JP2013183083A (ja) * 2012-03-02 2013-09-12 Seiko Epson Corp 電子部品の製造方法
JP2013183115A (ja) * 2012-03-05 2013-09-12 Seiko Epson Corp 電子部品の製造方法
US20160027992A1 (en) * 2014-07-22 2016-01-28 Freescale Semiconductor, Inc. Package-in-package semiconductor sensor device
JP2016170002A (ja) 2015-03-12 2016-09-23 セイコーエプソン株式会社 ジャイロモジュール、電子機器及び移動体

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3922956A4

Also Published As

Publication number Publication date
EP3922956A1 (en) 2021-12-15
JPWO2020162436A1 (ja) 2021-12-16
WO2020161937A1 (ja) 2020-08-13
US20220057211A1 (en) 2022-02-24
US11885621B2 (en) 2024-01-30
EP3922956A4 (en) 2022-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8631701B2 (en) Sensor device, motion sensor, and electronic device
JP2012193971A (ja) センサーモジュール、センサーデバイス、センサーデバイスの製造方法及び電子機器
US9093638B2 (en) Vibrating element, sensor unit and electronic apparatus
WO2020162436A1 (ja) センサ装置
US11879796B2 (en) Force torque sensor device including sensor chip bonded to strain body by adhesive
JP5779946B2 (ja) センサーデバイスの製造方法
JP2003329703A (ja) 静電容量式センサ
CN112113552A (zh) 一种微型振动陀螺仪敏感单元及陀螺仪
US9123883B2 (en) Vibration device
WO2018131404A1 (ja) センサデバイス及び電子機器
CN212378765U (zh) 一种微型振动陀螺仪敏感单元及陀螺仪
JP2011112480A (ja) 物理量検出装置
CN212539193U (zh) 具有高mtbf的微型振动陀螺仪敏感单元及陀螺仪
JP7352797B2 (ja) センサ装置及びセンサ
WO2019240175A1 (ja) センサ素子および角速度センサ
JP2013164279A (ja) 半導体装置及び電子機器
JP5764898B2 (ja) センサーデバイスの製造方法
JP7191118B2 (ja) 多軸角速度センサ
JP5167848B2 (ja) 支持基板及びそれを用いた静電容量型力学量検出センサの製造方法
JP2007316090A (ja) 慣性センサ
JP5776278B2 (ja) センサーデバイスの製造方法
JP2013245938A (ja) 半導体装置、電子機器及び移動体
JP2012088137A (ja) センサーモジュール、センサーデバイス、センサーモジュールの製造方法及び電子機器
JP2012251925A (ja) 物理量センサー、物理量センサーの制御方法、電子機器
CN116488606A (zh) 振动器件

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20752631

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020571205

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020752631

Country of ref document: EP

Effective date: 20210906