JPWO2020162436A1 - センサ装置 - Google Patents

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Abstract

本開示の課題は、形状又は寸法の自由度の向上を図りやすくすることにある。センサ装置（１）は、センサ素子（２）と、基板（３）と、ボンディングワイヤ（６）と、を備える。基板（３）は、センサ素子（２）が搭載される。ボンディングワイヤ（６）は、センサ素子（２）と基板（３）との間を電気的に接続する接続経路（６０）の少なくとも一部を構成する。ボンディングワイヤ（６）は、互いに交差する２つの接続面間を接続するように設けられる。

Description

本開示は、一般にセンサ装置に関し、より詳細には、センサ素子と、センサ素子を支持する基板と、を備えるセンサ装置に関する。
特許文献１には、センサ素子（ジャイロセンサ）と、基板と、センサ素子と基板とを互いに接着する支持部材（支持体）と、を備えるセンサ装置（ジャイロモジュール）が記載されている。このセンサ装置においては、支持部材の周囲におけるセンサ素子と基板との間には、隙間がある。
特許文献１に記載のセンサ装置では、センサ素子の＋Ｚ側の面である外底面に設けられた端子（外部端子）が、基板の＋Ｚ側の面である接着面に設けられた端子（中継端子）と、ボンディングワイヤによって接続されている。
上述したような構成のセンサ装置では、ボンディングワイヤは、基板及びセンサ素子の同じ向き（＋Ｚ側）に向けられた上面（外底面及び接着面）同士を接続する。そのため、センサ素子の上面（外底面）からボンディングワイヤが突出することになり、ボンディングワイヤの分だけ、センサ装置の高さ寸法が大きくなりやすい。
特開２０１６−１７０００２号公報
本開示は上記事由に鑑みてなされており、形状又は寸法の自由度の向上を図りやすい、センサ装置を提供することを目的とする。
本開示の一態様に係るセンサ装置は、センサ素子と、基板と、ボンディングワイヤと、を備える。前記基板は、前記センサ素子が搭載される。前記ボンディングワイヤは、前記センサ素子と前記基板との間を電気的に接続する接続経路の少なくとも一部を構成する。前記ボンディングワイヤは、互いに交差する２つの接続面間を接続するように設けられる。
図１Ａは、実施形態１に係るセンサ装置の構成を示し、ケースを外した状態の斜視図である。図１Ｂは、図１Ａの領域Ｚ１の拡大図である。図１Ｃは、図１Ａの領域Ｚ２の拡大図である。 図２は、同上のセンサ装置の構成を示す斜視図である。 図３は、同上のセンサ装置のケースを外した状態の分解斜視図である。 図４Ａは、同上のセンサ装置の平面図、図４Ｂは、同上のセンサ装置の側面図、図４Ｃは、図４Ｂの領域Ｚ１の拡大図である。 図５は、同上のセンサ装置の要部の構成を示す概略断面図である。 図６Ａ及び図６Ｂは、同上のセンサ装置のセンサ素子の動作原理を説明するための概念図である。 図７は、同上のセンサ装置における支持部材を支持面側から見た概略図である。 図８Ａは、同上のセンサ装置における支持部材の電極について第１の態様を示す概略断面図であって、図８Ｂは、同上のセンサ装置における支持部材の電極について第２の態様を示す概略断面図である。 図９Ａは、同上のセンサ装置におけるセンサ素子の素子電極を示す概略断面図であって、図９Ｂは、同上のセンサ装置における加熱工程後のセンサ素子の素子電極を示す概略断面図である。図９Ｃは、比較例における加熱工程後のセンサ素子の素子電極を示す概略断面図である。 図１０は、実施形態１の第１変形例に係るセンサ装置の構成を示し、ケースを外した状態の斜視図である。 図１１Ａは、実施形態２に係るセンサ装置の一部破断した側面図である。図１１Ｂは、図１１Ａの領域Ｚ１に相当する拡大斜視図である。図１１Ｃは、図１１Ａの領域Ｚ２に相当する拡大斜視図である。 図１２は、実施形態２の変形例に係るセンサ装置の一部破断した側面図である。 図１３は、実施形態３に係るセンサ装置の構成を示し、ケースを外した状態の斜視図である。 図１４は、同上のセンサ装置の構成を示す斜視図である。 図１５は、同上のセンサ装置のケースを外した状態の分解斜視図である。 図１６Ａは、同上のセンサ装置の平面図、図１６Ｂは、同上のセンサ装置の側面図、図１６Ｃは、図１６Ｂの領域Ｚ１Ｘの拡大図である。 図１７は、同上のセンサ装置の要部の構成を示す概略断面図である。 図１８Ａ及び図１８Ｂは、同上のセンサ装置のセンサ素子の動作原理を説明するための概念図である。 図１９は、同上のセンサ装置における支持部材を支持面側から見た概略図である。 図２０Ａは、同上のセンサ装置における支持部材の電極について第１の態様を示す概略断面図であって、図２０Ｂは、同上のセンサ装置における支持部材の電極について第２の態様を示す概略断面図である。 図２１は、実施形態３の第１変形例に係るセンサ装置の一部破断した側面図である。 図２２は、実施形態４に係るセンサ装置の構成を示し、ケースを外した状態の分解斜視図である。 図２３は、参考例１に係るセンサ装置の一部破断した側面図である。 図２４は、参考例１に係るセンサ装置の一部破断した側面図である。 図２５Ａは、実施形態５に係るセンサ装置を示す斜視図である。図２５Ｂは、実施形態５に係るセンサ装置を示す一部の斜視図である。 図２６Ａは、同上のセンサ装置を示す一部の平面図である。図２６Ｂは、図２６ＡにおけるＡ−Ａ断面図である。 図２７は、同上のセンサ装置を示す一部の平面図である。 図２８Ａは、同上のセンサ装置を示す一部の断面図である。図２８Ｂは、同上のセンサ装置を示す一部の断面図である。 図２９は、同上のセンサ装置を示す一部の平面図である。 図３０Ａは、センサ素子を示す概念図である。図３０Ｂは、センサ素子を示す概念図である。
（実施形態１）
（１）概要
本実施形態に係るセンサ装置１は、図１Ａ〜図１Ｃに示すように、センサ素子２と、センサ素子２を支持する基板３と、を備えている。図１Ｂは、図１Ａの領域Ｚ１の拡大図、図１Ｃは、図１Ａの領域Ｚ２の拡大図である。
このセンサ装置１は、センサ素子２にて、例えば、角速度、加速度、角加速度、速度、圧力、重量、長さ（距離）及び温度等の物理量を、電気信号に変換する。すなわち、センサ素子２は、物理量を電気信号に変換するトランスデューサとして機能する。この種のセンサ装置１は、例えば、家電機器、携帯端末、カメラ、ウェアラブル端末、ゲーム機、又は車両（自動車及び二輪車等を含む）、ドローン、航空機若しくは船舶等の移動体等の、様々な機器に用いられる。
ここで、本実施形態に係るセンサ装置１は、図１Ａ〜図１Ｃに示すように、センサ素子２及び基板３に加えて、ボンディングワイヤ６を更に備えている。すなわち、センサ装置１は、センサ素子２と、基板３と、ボンディングワイヤ６と、を備えている。基板３は、センサ素子２が搭載される。ボンディングワイヤ６は、センサ素子２と基板３との間を電気的に接続する接続経路６０の少なくとも一部を構成する。ボンディングワイヤ６は、互いに交差する２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）間を接続するように設けられている。
上述した構成によれば、センサ素子２と基板３との間を電気的に接続するための接続経路６０の少なくとも一部が、互いに交差する２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）間を接続するボンディングワイヤ６にて実現される。そのため、同じ向きに向けられた２つの接続面同士をボンディングワイヤ６にて接続する場合に比べて、例えば、接続面からボンディングワイヤ６が突出することによる、センサ装置１の高さ寸法の増大等を抑えることが可能である。結果的に、本実施形態に係るセンサ装置１によれば、形状又は寸法の自由度の向上を図りやすい、という利点がある。
また、センサ装置１では、互いに交差する２つの接続面間を、例えば、リードフレーム又はフレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ：Flexible Flat Cable）等の配線部材で接続する場合に比較して、センサ素子２に作用する応力を小さく抑えやすい。つまり、本実施形態に係るセンサ装置１では、互いに交差する２つの接続面間を接続する配線部材はボンディングワイヤ６であるので、配線部材（ボンディングワイヤ６）を介して２つの接続面間で応力が伝わりにくい。その結果、例えば、基板３等からセンサ素子２に作用する応力を小さく抑えやすく、センサ素子２の検知結果に対する応力の影響が生じにくい。さらに、本実施形態に係るセンサ装置１では、互いに交差する２つの接続面間がボンディングワイヤ６にて直接接続されるので、２つの接続面間を接続するのにボンディングワイヤ６以外の配線部材が不要で、接続経路６０の継ぎ目を少なく抑えることが可能である。
（２）詳細
以下に、本実施形態に係るセンサ装置１の詳細な構成について、図１Ａ〜図６Ｂを参照して詳細に説明する。
（２．１）前提
本実施形態では、一例として、センサ装置１は、「角速度」を検知対象とするジャイロセンサ（角速度センサ）である。特に、車両の自動運転技術のように、比較的、高精度の角速度の検知（計測）が要求される場合に、本実施形態に係るセンサ装置１は好適である。ただし、高精度の角速度の検知（計測）が要求されない場合であっても、本実施形態に係るセンサ装置１は採用可能である。
以下では一例として、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸の３軸を設定し、特に、支持面４１の法線Ｌ１に沿った軸を「Ｙ軸」とし、搭載面３１の法線に沿った軸を「Ｚ軸」とする。「Ｘ」軸は、これらＹ軸及びＺ軸のいずれとも直交する。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は、いずれも仮想的な軸であり、図面中の「Ｘ」、「Ｙ」、「Ｚ」を示す矢印は、説明のために表記しているに過ぎず、いずれも実体を伴わない。また、これらの方向はセンサ装置１の使用時の方向を限定する趣旨ではない。
本実施形態では、一例として、センサ装置１は、Ｙ軸を検知軸とし、Ｙ軸周りの角速度を検知対象とする。Ｙ軸は、支持面４１の法線Ｌ１に沿った軸であるので、結果的に、センサ装置１は、支持面４１の法線Ｌ１周りでセンサ装置１が回転することに伴いセンサ装置１に作用する角速度を、検知対象として検知することになる。つまり、センサ素子２は、支持面４１の法線Ｌ１（Ｙ軸）周りの角速度に応じた電気信号を出力する。よって、センサ装置１の出力によれば、支持面４１の法線Ｌ１（Ｙ軸）周りの角速度の大きさを計測することが可能である。
本開示でいう「ボンディングワイヤ」は、２つの電極同士を電気的に接続するため配線材であって、材質及び／又は線径等が異なる多品種の配線材を含む。例えば、ボンディングワイヤは、その材質によって、金ボンディングワイヤ、金合金ボンディングワイヤ、銅ボンディングワイヤ、アルミボンディングワイヤ、アルミ−シリコンボンディングワイヤ又は銀合金ボンディングワイヤ等に分類される。
（２．２）センサ装置の全体構成
本実施形態に係るセンサ装置１は、上述したように、センサ素子２と、基板３と、ボンディングワイヤ６と、を備えている。センサ装置１は、ボンディングワイヤ６を少なくとも１本備えている。本実施形態では、ボンディングワイヤ６は複数本（図１Ａでは１８本）設けられている。つまり、本実施形態に係るセンサ装置１は、複数本のボンディングワイヤ６を備えている。
また、本実施形態では、センサ装置１は、図１Ａ〜図４Ｃに示すように、センサ素子２、基板３、ボンディングワイヤ６に加えて、支持部材４、連結部材５及びケース７を更に備えている。すなわち、センサ装置１は、センサ素子２と、基板３と、支持部材４と、連結部材５と、ボンディングワイヤ６と、ケース７と、を備えている。図２以外の図面では、ケース７の図示を省略している。
また、本実施形態では、センサ装置１は、図１Ａ〜図２に示すように、その使用状態において、基板３における搭載面３１とは反対側の面（実装面３２）をプリント配線板等の実装基板１０に向けた姿勢で、実装基板１０にフリップチップ実装される場合を想定する。ここでは、センサ装置１が実装される実装基板１０は、リジッド基板であることと仮定するが、この例に限らず、実装基板１０は、例えば、フレキシブル基板等であってもよい。
センサ素子２は、検知対象である物理量に応じた電気信号を出力する素子である。本実施形態では、上述したように検知対象は、Ｙ軸（支持面４１の法線Ｌ１）周りの角速度であるので、センサ素子２は、Ｙ軸周りの角速度に応じた電気信号を出力する。センサ素子２は、例えば、振動式のジャイロセンサであって、コリオリ力（転向力）を利用して、Ｙ軸周りの角速度を検知する。つまり、センサ素子２は、可動部２１（図６Ａ参照）を振動させた状態で、外部から回転力が作用することによって生じるコリオリ力を検知することで、センサ素子２に作用した角速度を検知する。
本実施形態では一例として、センサ素子２は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いたベアチップ、いわゆるＭＥＭＳチップを含んでいる。センサ素子２は、例えば、セラミックパッケージ等のパッケージを更に含んでおり、ベアチップはパッケージに収容されている。このセンサ素子２は、ベアチップに可動部２１を含み、この可動部２１を振動させることにより、角速度の検知を可能とする。センサ素子２の構成について詳しくは、「（２．４）センサ素子の構成」の欄で説明する。
基板３は、図３に示すように、平板状に形成されており、Ｚ軸方向に厚みを有している。基板３は、厚み方向の両側に、搭載面３１及び実装面３２を有している。つまり、基板３の厚み方向の一面は、連結部材５及び支持部材４を介してセンサ素子２が搭載される、搭載面３１として機能する。一方、基板３の厚み方向における搭載面３１とは反対側の面は、センサ装置１が実装基板１０に実装された状態で実装基板１０に対向する、実装面３２として機能する。
本実施形態では、一例として、基板３は、平面視において略正方形状である。基板３は、例えば、セラミック製の基板であって、電気的絶縁性を有している。基板３は、搭載面３１から突出するリブ３３を有している。リブ３３は、搭載面３１の外周縁に沿って、搭載面３１の中央部を全周にわたって囲むように形成されている。このリブ３３の先端面に、ケース７のフランジ部７２（図２参照）が結合されることにより、基板３に対してケース７が結合される。これにより、搭載面３１のうちリブ３３の内側となる領域と、ケース７との間には、センサ素子２等を収容する空間が形成されることになる。
また、基板３は、搭載面３１に金属領域３１１を有している。金属領域３１１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）等の下地電極上に、Ｎｉめっき層及びＡｕめっき層がこの順で積層された構成の金属層からなる。金属領域３１１は、搭載面３１の外周部を除く中央部付近に形成されている。金属領域３１１は、平面視において略長方形状である。このような搭載面３１の金属領域３１１上には、連結部材５を介して、支持部材４が搭載される。
詳しくは後述するが、基板３は、基板側電極６０１（図１Ｂ参照）と、裏面電極３５（図５参照）と、ビア３６（図５参照）と、を有している。基板側電極６０１、裏面電極３５及びビア３６は、導電性材料にて構成されている。基板側電極６０１は、ボンディングワイヤ６を電気的に接続するための電極であって、搭載面３１に形成されている。つまり、基板３は、ボンディングワイヤ６の一端部が接続される基板側電極６０１を搭載面３１に有している。裏面電極３５は、実装基板１０を電気的に接続するための電極であって、実装面３２に形成されている。ビア３６は、基板側電極６０１と裏面電極３５とを電気的に接続する。ビア３６は、基板３を厚み方向の両面（搭載面３１及び実装面３２）間にわたって貫通するスルーホールビアである。
支持部材４は、図３に示すように、平板状に形成されており、Ｙ軸方向に厚みを有している。支持部材４は、厚み方向の両側に、支持面４１及び取付面４２を有している。つまり、支持部材４の厚み方向の一面は、センサ素子２が搭載される、支持面４１として機能する。一方、支持部材４の厚み方向における支持面４１とは反対側の面は、連結部材５に対向する、取付面４２として機能する。
本実施形態では、一例として、支持部材４は、平面視において略正方形状である。ここで、支持部材４は、ＡＳＩＣ（application specific integrated circuit）である。つまり、支持部材４は、電気絶縁性を有する樹脂パッケージ等のパッケージに、半導体チップを内蔵した構成である。そのため、本実施形態では、センサ素子２は、支持部材４としてのＡＳＩＣのパッケージの一表面（支持面４１）上に、実装されることになる。本実施形態では、半導体チップは、後述する処理回路４３（図４Ａ参照）として機能する。
ここで、支持部材４は、電極８１（図８Ａ参照）、及び支持側電極６０２（図１Ｃ参照）を有している。電極８１は、センサ素子２を電気的に接続するための電極であって、支持面４１に形成されている。支持側電極６０２は、ボンディングワイヤ６を電気的に接続するための電極であって、支持面４１に形成されている。つまり、支持部材４は、ボンディングワイヤ６の一端部が接続される支持側電極６０２を支持面４１に有している。ここでは、電極８１及び支持側電極６０２は、支持部材４の同一面（支持面４１）に設けられている。これにより、支持面４１に搭載されるセンサ素子２は、支持部材４（処理回路４３）と電気的に接続されることになる。さらに、支持部材４（処理回路４３）は、ボンディングワイヤ６を介して基板３（基板側電極６０１）と電気的に接続されることになる。
支持部材４の支持面４１には、センサ素子２が固定されている。本開示でいう「固定」は、種々の手段により、一定の位置にあって動かない状態とされていることを意味する。つまり、センサ素子２は、支持部材４の支持面４１に対して動かない状態とされている。支持部材４（支持面４１）に対するセンサ素子２の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、支持部材４（支持面４１）とセンサ素子２との固定手段は、シリコーン系の接着剤による接着である。支持部材４は、センサ素子２よりも一回り大きく形成されており、センサ素子２は、支持面４１の中央部に固定されている。
ここで、支持部材４と、センサ素子２との間には、例えば、金（Ａｕ）又は銅（Ｃｕ）等の金属製のバンプからなる接続部材４４（図３参照）が１つ以上設けられていることが好ましい。本実施形態では一例として、ＡｕＳｎ合金からなる、はんだ（ＡｕＳｎはんだ）バンプを接続部材４４として用いている。これにより、シリコーン系の接着剤が変形しても、１つ以上の接続部材４４にてセンサ素子２を支持することで、支持部材４（支持面４１）に対するセンサ素子２の傾きが抑制される。さらに、支持面４１には、複数の接続部材４４が、センサ素子２の中心を通る中心軸上、及び中心軸周りに円環状に並んで配置されていることがより好ましい。
連結部材５は、図３に示すように、直方体状に形成されている。本実施形態では、連結部材５は、Ｚ軸方向の寸法（高さ）が、Ｘ軸方向の寸法（幅）及びＹ軸方向の寸法（奥行）のいずれよりも大きい、つまり縦長の直方体状である。連結部材５は、例えば、樹脂製であって、電気絶縁性を有している。本実施形態では一例として、連結部材５は、ＬＣＰ（Liquid Crystal Polymer）樹脂で形成されている。
連結部材５は、基板３の搭載面３１に搭載され、基板３と支持部材４とを連結する部材である。言い換えれば、センサ素子２が搭載（実装）された支持部材４は、連結部材５により基板３（搭載面３１）に固定されることになる。そのため、基板３と支持部材４との相対的な位置関係は、連結部材５にて規定される。本実施形態に係るセンサ装置１では、基板３と支持部材４との位置関係は、支持部材４の支持面４１の法線Ｌ１（図１Ａ参照）が搭載面３１に沿うように、規定される。本開示でいう「沿う」とは、２者間が略平行、つまり２者が厳密に平行な場合に加えて、２者間の角度が数度（例えば１０度未満）程度の範囲に収まる関係にあることをいう。つまり、支持面４１の法線Ｌ１は、基板３の搭載面３１に対して、略平行な状態にある（厳密に平行、又は両者間の角度が数度程度に収まる関係にある）。本実施形態では一例として、支持面４１の法線Ｌ１は、基板３の搭載面３１に対して厳密に平行な状態にある。
より詳細には、連結部材５は、図３に示すように、第１面５１と、第２面５２と、を有している。第１面５１は、基板３の搭載面３１に固定されている。第２面５２は、第１面５１と交差する。支持部材４は、第２面５２に固定されている。つまり、連結部材５の第１面５１は、基板３の搭載面３１に対して動かない状態とされている。本実施形態では、上述したように搭載面３１には金属領域３１１が形成されており、連結部材５は、搭載面３１の金属領域３１１上に固定される。同様に、連結部材５の第２面５２は、支持部材４の取付面４２に対して動かない状態とされている。
基板３（搭載面３１）に対する連結部材５（第１面５１）の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、基板３と連結部材５（第１面５１）との固定手段は、接着層５１１（図１Ａ参照）による接着である。同様に、支持部材４（取付面４２）に対する連結部材５（第２面５２）の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、支持部材４と連結部材５（第２面５２）との固定手段は、接着層５２１（図１Ａ参照）による接着である。
本実施形態では、第１面５１は、連結部材５におけるＺ軸方向の一面であって、第２面５２は、連結部材５におけるＹ軸方向の一面である。連結部材５は、全体として直方体状であるので、これら第１面５１及び第２面５２は、互いに略直交し、かつ互いに隣接している。本開示でいう「略直交」とは、２者間が略直交、つまり２者が厳密に直交する（９０度で交差する）場合に加えて、２者間の角度が９０度から数度（例えば１０度未満）程度の範囲に収まる関係にあることをいう。本実施形態では一例として、第１面５１は第２面５２に対して厳密に直交する。
そして、上述したような形状の連結部材５が、第１面５１にて基板３（搭載面３１）に固定され、第２面５２にて支持部材４（取付面４２）に固定されることにより、基板３と支持部材４とを連結する。言い換えれば、支持部材４に搭載されているセンサ素子２は、支持部材４及び連結部材５を介して、間接的に基板３に支持されることになる。ここで、第１面５１と第２面５２とは、互いに交差（本実施形態では直交）するので、支持部材４の支持面４１の法線Ｌ１は搭載面３１に沿う（本実施形態では平行となる）ように、連結部材５にて基板３と支持部材４とが連結される。
ここで、連結部材５と基板３とを接合する接着層５１１（「第１接着層５１１」ともいう）のヤング率は、連結部材５と支持部材４とを接合する接着層５２１（「第２接着層５２１」ともいう）のヤング率に比べて大きい。本開示でいう「ヤング率」は、フックの法則が成立する弾性範囲における応力とひずみとの比例関係を表す比例係数であって、「縦弾性係数」ともいう。ヤング率が大きくなる程、物体の剛性は高くなり、物体の変形のしにくさを表す「弾性率」が高くなる（つまり物体が変形しにくくなる）。
すなわち、本実施形態においては、センサ装置１は、支持部材４と基板３とを連結する連結部材５を備えている。これにより、支持部材４は、連結部材５を介して間接的に、基板３に搭載されている。そして、連結部材５と基板３との間の固定手段である第１接着層５１１のヤング率は、連結部材５と支持部材４との間の固定手段である第２接着層５２１のヤング率よりも大きい。言い換えれば、連結部材５と基板３との間の第１接着層５１１は、連結部材５と支持部材４との間の第２接着層５２１に比較して、剛性が高く変形しにくい。更に言い換えれば、連結部材５と支持部材４との間の第２接着層５２１は、連結部材５と基板３との間の第１接着層５１１に比較して、剛性が低く変形しやすい。
このような関係にある第１接着層５１１及び第２接着層５２１によれば、連結部材５は基板３に対しては堅牢に固定され、連結部材５から支持部材４に対しては応力が伝達されにくくなる。その結果、例えば、支持側電極６０２にボンディングワイヤ６を接合する際に、超音波等によりＹ軸に沿った外力が支持部材４に作用しても、基板３に対する連結部材５の傾きが生じにくい。その結果、支持部材４に作用するＹ軸に沿った超音波等の外力を、支持側電極６０２に対するボンディングワイヤ６の接合に効率的に利用することが可能である。また、基板３から連結部材５に応力が作用することがあっても、連結部材５から支持部材４には応力が伝わりにくいため、センサ素子２にまでは応力が作用しにくく、センサ素子２の検知結果に対する応力の影響が生じにくい。
また、連結部材５は、支持部材４との対向面（第２面５２）から支持部材４に向かって突出するスペーサ５３（図３参照）を更に有している。本実施形態では、連結部材５は、複数（一例として４つ）のスペーサ５３を有している。各スペーサ５３は、一例として、ドーム状（半球状）に形成されている。これら、複数（４つ）のスペーサ５３は、第２面５２のうち、例えば、支持部材４における取付面４２の四隅と対向する位置に配置されている。スペーサ５３が形成されることにより、図４Ｃに示すように、連結部材５の第２面５２と支持部材４の取付面４２との間には、一定の間隔が確保される。
各スペーサ５３の高さ、つまり第２面５２からの各スペーサ５３の突出量は、例えば、０．０５ｍｍ以上０．２ｍｍ以下である。本実施形態では、一例として、各スペーサ５３の高さは０．１５ｍｍである。これにより、連結部材５の第２面５２と支持部材４の取付面４２との間には、０．１５ｍｍの間隔（隙間）が確保される。
ここで、図４Ｂに示すように、Ｚ軸方向（基板３の厚み方向）においては、連結部材５の方が支持部材４よりも大きく形成されている。すなわち、連結部材５の第２面５２は、支持部材４の取付面４２よりも、Ｚ軸方向の寸法が大きい。そして、支持部材４は、第２面５２における基板３とは反対側の端縁に寄せて配置されている。そのため、支持部材４は、基板３の搭載面３１との間には、隙間Ｇ１が確保されている。つまり、支持部材４は、基板３に対しては連結部材５を介して間接的に固定されるだけであって、基板３に対して直接的に接触することはない。
ボンディングワイヤ６は、センサ素子２と基板３との間を電気的に接続する接続経路６０の少なくとも一部を構成する。特に本実施形態では、ボンディングワイヤ６は、支持部材４と基板３との間を電気的に接続する。すなわち、本実施形態では、ＡＳＩＣからなる支持部材４（支持側電極６０２）と、基板３（基板側電極６０１）との間の電気的な接続を、ボンディングワイヤ６にて実現する。具体的には、ボンディングワイヤ６の一端部は基板３の基板側電極６０１に接続され、ボンディングワイヤ６の他端部は支持部材４の支持側電極６０２に接続されることで、ボンディングワイヤ６は、基板３と支持部材４とを電気的に接続する。
ボンディングワイヤ６は、基板側電極６０１及び支持側電極６０２に対して、ウェッジボンディング又はボールボンディングにより接合される。本実施形態では一例として、超音波又は熱等のエネルギを接合部位に印加することで、ボンディングワイヤ６を電極（基板側電極６０１又は支持側電極６０２）に接合する、ウェッジボンディングが採用される。
センサ素子２と基板３との間を電気的に接続する接続経路６０は、ボンディングワイヤ６と、基板側電極６０１と、支持側電極６０２と、を含んでいる。つまり、基板３の基板側電極６０１は、ボンディングワイヤ６を介して支持部材４の支持側電極６０２に接続され、支持側電極６０２は、ＡＳＩＣからなる支持部材４の内部回路（処理回路４３）に接続される。さらに、ＡＳＩＣからなる支持部材４の内部回路（処理回路４３）は、バンプからなる接続部材４４を介して、センサ素子２に接続される。したがって、接続経路６０は、ボンディングワイヤ６、基板側電極６０１及び支持側電極６０２に加えて、ＡＳＩＣからなる支持部材４の内部回路（処理回路４３）、及び接続部材４４を含んでいる。
要するに、本実施形態では、ボンディングワイヤ６は、センサ素子２と基板３との間を電気的に接続する接続経路６０の一部であって、支持部材４（支持側電極６０２）と基板３（基板側電極６０１）との間の経路を構成する。
本実施形態では、ボンディングワイヤ６は、基板３及び支持部材４の各々の一面であって、互いに交差する２つの接続面間を接続するように設けられている。具体的には、ボンディングワイヤ６は、基板３の接続面である搭載面３１と、支持部材４の接続面である支持面４１と、の間を接続する。
このように、本実施形態に係るセンサ装置１は、センサ素子２が搭載された状態で基板３に搭載される支持部材４を備えている。センサ素子２は、支持部材４を介して基板３に電気的に接続されている。そして、互いに交差した２つの接続面のうちの１つは、支持部材４の一面である。さらに、本実施形態においては、上述したように基板３は、支持部材４が搭載される搭載面３１を有している。支持部材４は、センサ素子２が搭載される支持面４１を有している。ここで、支持面４１の法線Ｌ１が搭載面３１に沿っている（本実施形態では平行）。言い換えれば、支持面４１と搭載面３１とは互いに交差（本実施形態では直交）する。そして、互いに交差した２つの接続面のうちの１つ（一方の接続面）は、支持部材４の一面としての支持面４１である。また、互いに交差した２つの接続面のうちの１つ（他方の接続面）は、基板３の一面（ここでは搭載面３１）である。つまり、ボンディングワイヤ６にて接続される、互いに交差した２つの接続面は、基板３の一面である搭載面３１、及び支持部材４の一面である支持面４１からなる。
より詳細には、ボンディングワイヤ６の両端部は、基板３の搭載面３１に設けられた基板側電極６０１、及び支持部材４の支持面４１に設けられた支持側電極６０２にそれぞれ接続される。つまり、基板３は、ボンディングワイヤ６の一端部が接続される基板側電極６０１を、接続面としての搭載面３１に有し、支持部材４は、ボンディングワイヤ６の一端部が接続される支持側電極６０２を、接続面としての支持面４１に有している。そして、これら基板側電極６０１及び支持側電極６０２が設けられた２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）は互いに交差する。本実施形態では、２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）は互いに略直交（一例として厳密に直交）する。
要するに、本実施形態では、このように互いに交差（本実施形態では直交）する２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）間が、ボンディングワイヤ６にて直接的に接続されている。そのため、互いに交差する２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）間を、例えば、リードフレーム又はフレキシブルフラットケーブル等の配線部材で接続する場合に比較して、２つの接続面間で応力が伝わりにくい。つまり、本実施形態に係るセンサ装置１では、互いに交差する２つの接続面間を接続する配線部材はボンディングワイヤ６であるので、一方の接続面からの応力は、ボンディングワイヤ６で緩和され、他方の接続面に伝達されにくくなる。
しかも、本実施形態では、２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）間を接続するのにボンディングワイヤ６以外の配線部材が不要で、接続経路６０の継ぎ目を少なく抑えることが可能である。つまり、例えば、互いに交差する２つの接続面を、それぞれボンディングワイヤを介してリードフレームに接続し、２つの接続面を一対のボンディングワイヤ及びリードフレームで接続するような構成では、ボンディングワイヤ以外の配線部材が必要である。これに対し、本実施形態では、２つの接続面間がボンディングワイヤ６にて直接接続されるので、ボンディングワイヤ６以外の配線部材が不要で、かつ接続経路６０の継ぎ目を少なく抑えることができる。
さらに、本実施形態では、支持側電極６０２は、支持面４１におけるセンサ素子２から見て基板３側に位置する。言い換えれば、支持側電極６０２は、支持面４１における基板３側の端縁（図４Ｂの下端縁）と、センサ素子２と、の間に位置する。これにより、ボンディングワイヤ６の一端部は、支持面４１のうち、センサ素子２から見て基板３側の領域に接続されることになる。よって、ボンディングワイヤ６の長さを比較的短く抑えることが可能である。ここで、上述したように、支持部材４と基板３の搭載面３１との間には、隙間Ｇ１が存在する。そのため、支持側電極６０２がセンサ素子２から見て基板３側に位置しながらも、隙間Ｇ１によって、支持側電極６０２と基板３との距離が確保され、ボンディングワイヤ６と基板３との干渉を回避しやすい。
ここにおいて、センサ装置１は、上述したように複数本（図１Ａでは１８本）のボンディングワイヤ６を備えている。２つの接続面の各々には、複数本のボンディングワイヤ６を接続するための複数の電極が設けられている。複数の電極は、２つの接続面の両方に平行な一直線に沿って並んでいる。本実施形態では、複数本のボンディングワイヤ６にて接続される２つの接続面は、上述したように搭載面３１及び支持面４１からなる。そのため、これら搭載面３１及び支持面４１の各々には、図１Ａに示すように、複数本のボンディングワイヤ６を接続するための複数の電極（基板側電極６０１又は支持側電極６０２）が設けられている。つまり、一方の接続面である搭載面３１には、複数（図１Ａでは１８個）の基板側電極６０１が設けられ、これら複数の基板側電極６０１は、２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）の両方に平行な一直線（Ｘ軸）に沿って並んでいる。同様に、他方の接続面である支持面４１には、複数（図１Ａでは１８個）の支持側電極６０２が設けられ、これら複数の支持側電極６０２は、２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）の両方に平行な一直線（Ｘ軸）に沿って並んでいる。
このように、２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）の各々に設けられた複数の電極（基板側電極６０１又は支持側電極６０２）は、２つの接続面の両方に平行なＸ軸に沿って、一列に並ぶように配置されている。そのため、これら複数の基板側電極６０１と複数の支持側電極６０２とをそれぞれ電気的に接続する複数本のボンディングワイヤ６は、図１Ａに示すように、Ｘ軸に沿って並べて配置されることになる。結果的に、複数本のボンディングワイヤ６の長さのばらつきを小さく抑えることができる。
また、基板３の搭載面３１には、上述したように金属領域３１１が形成されており、複数の基板側電極６０１は、金属領域３１１の一辺に沿って配置されている。これにより、図１Ａに示すように、複数本のボンディングワイヤ６は、金属領域３１１の上方を通って、複数の基板側電極６０１と複数の支持側電極６０２とを接続することになる。そのため、金属領域３１１は、ボンディングワイヤ６から放射されるノイズ、及びボンディングワイヤ６に作用するノイズを低減するシールドとして機能することも可能である。
ケース７（図２参照）は、基板３と結合される。ケース７は、基板３の搭載面３１との間に少なくともセンサ素子２を収容する。ケース７は、一例として金属製である。ケース７は、基板３の搭載面３１側に固定され、これにより、ケース７と基板３の搭載面３１との間には、センサ素子２、支持部材４、連結部材５及びボンディングワイヤ６が収容される空間が形成される。
ケース７は、図２に示すように、ケース本体７１と、フランジ部７２と、を有している。ケース本体７１は、Ｚ軸方向の一面（基板３との対向面）を開口面とする、箱状に形成されている。ケース本体７１は、各角部が湾曲したアール（Ｒ）形状を有している。フランジ部７２は、ケース本体７１の開口面の外周縁から、外側に突出した部位である。ケース７は、このフランジ部７２を基板３のリブ３３に結合することにより、基板３に対して結合される。基板３に対するケース７の固定（結合）手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、基板３とケース７との固定手段は、接着である。
ここにおいて、本実施形態では、ケース７は基板３に対して気密結合されることにより、ケース７と基板３の搭載面３１との間には、気密空間が形成される。そのため、センサ素子２等は、気密空間に収容されることになり、センサ装置１では、センサ素子２に対する湿度等の影響を抑制することが可能である。
ところで、本実施形態に係るセンサ装置１は、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、処理回路４３を有している。処理回路４３は、本実施形態では、支持部材４としてのＡＳＩＣに設けられている。処理回路４３は、センサ素子２から出力される電気信号に関する処理を実行する。本実施形態では、処理回路４３は、支持部材４に設けられている。言い換えれば、支持部材４は、センサ素子２から出力される電気信号に関する処理を実行する処理回路４３を含んでいる。
本実施形態では、処理回路４３は、センサ素子２から出力されるアナログの電気信号（アナログ信号）を、デジタル信号に変換する。処理回路４３は、ノイズ除去及び温度補償等の適宜の処理を実行する。さらに、処理回路４３は、センサ素子２に対して、センサ素子２を駆動するための駆動信号を与える。
また、処理回路４３は、例えば、積分処理又は微分処理といった演算処理を実行してもよい。例えば、処理回路４３が、センサ素子２から出力される電気信号について積分処理を実行することで、センサ装置１は、Ｙ軸周りの角速度の積分値、つまりＹ軸周りの角度を求めることが可能である。一方、例えば、処理回路４３が、センサ素子２から出力される電気信号について微分処理を実行することで、センサ装置１は、Ｙ軸周りの角速度の微分値、つまりＹ軸周りの角加速度を求めることが可能である。
（２．３）実装基板への実装態様
次に、本実施形態に係るセンサ装置１の実装基板１０への実装態様について、図５を参照して説明する。
上述した通り、本実施形態では、センサ装置１は、基板３における搭載面３１とは反対側の面（実装面３２）をプリント配線板等の実装基板１０に向けた姿勢で、実装基板１０にフリップチップ実装される場合を想定する。すなわち、センサ装置１は、図５に示すように、基板３の実装面３２を実装基板１０の一表面１０１に対向させた状態で、実装基板１０上に実装される。
具体的には、センサ装置１は、基板３の実装面３２に形成された裏面電極３５を、実装基板１０の一表面１０１に形成された基板電極１０２に対して、接合部材１０３にて接合することにより、実装基板１０に実装される。接合部材１０３は、導電性を有する接合部材であって、一例として、金（Ａｕ）バンプ、又は、はんだ等である。基板３の実装面３２と実装基板１０の一表面１０１とは、アンダーフィルにより機械的に結合されていてもよい。
ここで、実装基板１０（基板電極１０２）に接続された裏面電極３５は、基板３の搭載面３１に形成された基板側電極６０１と、ビア３６にてつながっている。さらに、基板側電極６０１は、ボンディングワイヤ６にて支持部材４の支持側電極６０２（図１Ｃ参照）につながっている。したがって、実装基板１０（基板電極１０２）に接続された裏面電極３５は、ビア３６、基板側電極６０１及びボンディングワイヤ６を介して、支持部材４の支持側電極６０２に電気的に接続されることになる。支持部材４は、本実施形態では処理回路４３を含むＡＳＩＣであるので、上記構成により、実装基板１０と処理回路４３との間の電気的な接続が実現される。
（２．４）センサ素子の構成
次に、センサ素子２の構成について、図６Ａ及び図６Ｂを参照して説明する。図６Ａ及び図６Ｂは、センサ素子２の動作原理を説明するための概念図である。
本実施形態では一例として、センサ素子２は、高周波数（ＭＨｚ帯域）駆動の容量式バルク超音波ジャイロスコープである。このジャイロスコープ（センサ素子２）は、ベース板、可動部２１及び複数の電極２２を含んでいる。
可動部２１はベース板上に絶縁層を介して支持されている。また、複数の電極２２は、可動部２１を囲むように可動部２１の周囲に配置されている。各電極２２と可動部２１との間には、非常に小さい隙間が形成されている。これら複数の電極２２は、可動部２１中において少なくとも２つの変性バルク超音波共振モードを励振しかつ検知することができる。
可動部２１は、共振素子であって、平面視において円形状となる円盤状（ディスク状）に形成されている。ここで、可動部２１は、単結晶又は多結晶シリコン等の非圧電性物質であって、圧電性材料から製作されていることを必要としない。可動部２１は、例えば、シリコン炭化物、窒化ガリウム、窒化アルミニウム又は石英等の半導体又は金属材料にて構成されていてもよい。
複数個の電極２２は、駆動用電極２２１と検知用電極２２２とを含んでいる。そして、可動部２１は、歳差運動により、図６Ａに示す駆動モードと、図６Ｂに示す検知モードとの間で変形する。つまり、円盤状の可動部２１は、その中心軸（Ｙ軸に平行な軸）に直交する平面内で、互いに直交する２方向に交互に伸縮する変形を繰り返すように振動する。センサ素子２は、可動部２１の変形量（移動量）を電気信号として出力する。すなわち、可動部２１の変形量は、可動部２１と検知用電極２２２との間の静電容量の変化として現れるため、センサ素子２は、この静電容量の変化に応じた電気信号を出力する。
（２．５）接続部材の配置
次に、支持部材４とセンサ素子２とを接続する接続部材４４の配置について、図７を参照して説明する。図７は、支持部材４を支持面４１側から見た概略図であって、図７では、センサ素子２を一部破断して図示している。また、図７では、接続部材４４の配置を概念的に示しており、一例として、支持面４１に９個の接続部材４４が配置されているが、接続部材４４の数を９個に限定する趣旨ではない。例えば、図３等に示すように、支持面４１に１７個の接続部材４４が配置されていてもよい。
本実施形態においては、支持部材４とセンサ素子２との間には、接続部材４４として、ＡｕＳｎはんだバンプが複数設けられている。そして、これら複数（図７では９個）の接続部材４４（ＡｕＳｎはんだバンプ）は、少なくともセンサ素子２の中心点Ｐ１に対して、点対称に配置されている。つまり、支持部材４とセンサ素子２とを接続する複数の接続部材４４は、支持面４１内において、センサ素子２の中心点Ｐ１を対称点（対称中心）として、点対称に配置されている。
具体的には、支持部材４を支持面４１側から見てセンサ素子２の中心点Ｐ１上に１個の接続部材４４が配置され、かつ中心点Ｐ１を中心とする円環上に複数（図７では８個）の接続部材４４が配置されている。中心点Ｐ１の周囲に配置された複数の接続部材４４は、中心点Ｐ１を中心とする円環状に並んで配置されている。これにより、円環状に並ぶ複数の接続部材４４は、中心点Ｐ１上に位置する１個の接続部材４４を囲むように配置される。さらに、円環状に並ぶ複数の接続部材４４は、中心点Ｐ１の周方向において等間隔に配置されている。
ここで、支持部材４を支持面４１側から見て、複数（図７では９個）の接続部材４４の各々は円形状に形成されている。特に、中心点Ｐ１上に位置する１個の接続部材４４については、支持部材４を支持面４１側から見て、その形状も中心点Ｐ１に対して点対称となるように、中心点Ｐ１を中心とする円形状に形成されている。
ところで、センサ素子２の中心点Ｐ１は、センサ素子２における支持面４１との対向面、つまり支持部材４との接合面における中心（又は重心）に位置する点である。センサ素子２は、この中心点Ｐ１を通る支持面４１の法線Ｌ１（Ｙ軸）周りの角速度に応じた電気信号を出力する。つまり、センサ素子２の中心点Ｐ１を通る支持面４１の法線Ｌ１（Ｙ軸）が、センサ素子２の検知軸となる。
上述したように、センサ装置１は、支持部材４とセンサ素子２とを接続する複数の接続部材４４を更に備えている。複数の接続部材４４は、センサ素子２の中心点Ｐ１に対して点対称に配置されている。そのため、これら複数の接続部材４４を介して支持部材４からセンサ素子２に伝わる応力の分布は、中心点Ｐ１に対して点対称となる。よって、例えば、実装基板１０と基板３（又は支持部材４若しくは連結部材５）との熱膨張係数の違い等により、実装基板１０から基板３及び連結部材５を介して支持部材４に応力が作用しても、センサ素子２の検知結果に対する応力の影響が生じにくい。すなわち、支持部材４からセンサ素子２に応力が作用する場合でも、この応力の分布が中心点Ｐ１に対して点対称となることで、センサ素子２には中心点Ｐ１に対して応力の偏りが生じにくく、センサ素子２の検知結果に影響しにくくなる。
また、複数の接続部材４４は、少なくともセンサ素子２の中心点Ｐ１に対して、点対称に配置されていればよく、例えば、中心点Ｐ１を中心とする２重以上の円環状（同心円状）に複数の接続部材４４が配置されていてもよい。さらに、中心点Ｐ１上に接続部材４４が位置することは必須ではなく、中心点Ｐ１上の接続部材４４は省略されてもよい。
（２．６）電極構造
次に、支持部材４に設けられている電極８１及び支持側電極６０２の構造について、図８Ａ及び図８Ｂを参照して説明する。図８Ａは、第１の態様に係る電極８１及び支持側電極６０２の構造を示し、図８Ｂは、第２の態様に係る電極８１及び支持側電極６０２の構造を示す、要部の概略断面図である。図８Ａ及び図８Ｂは、電極８１及び支持側電極６０２の概略構造を概念的に示しているに過ぎず、図中の各構成要素の大きさ及び厚さそれぞれの比が、実際の寸法比を規定する趣旨ではない。
本実施形態においては、支持部材４は、支持部材４にセンサ素子２を電気的に接続するための電極８１（「センサ用電極」ともいう）と、ボンディングワイヤ６を介して支持部材４に基板３を電気的に接続するための支持側電極６０２と、を有している。これらの電極８１及び支持側電極６０２は、いずれも支持部材４の支持面４１に配置されている。特に、本実施形態では支持部材４は処理回路４３を含むＡＳＩＣであるので、処理回路４３にセンサ素子２及び基板３を電気的に接続するために、電極８１及び支持側電極６０２が支持部材４に設けられている。
センサ用電極８１は、接続部材４４によってセンサ素子２に接続される。支持側電極６０２は、ボンディングワイヤ６にて基板側電極６０１に接続される。つまり、センサ用電極８１には接続部材４４としてのＡｕＳｎはんだバンプが接続され、支持側電極６０２にはボンディングワイヤ６が接続される。センサ用電極８１は複数の接続部材４４に一対一に対応するように複数設けられており、支持側電極６０２は複数本のボンディングワイヤ６に一対一に対応するように複数設けられている（図７参照）。つまり、支持部材４の電極８１及び支持側電極６０２は複数ずつ設けられている。
ところで、この種の電極８１及び支持側電極６０２、特にセンサ用電極である電極８１においては、アルミニウム（Ａｌ）等の下地電極上に、Ｎｉめっき層及びＡｕめっき層がこの順で積層された構成の電極が採用されることがある。これにより、センサ用電極８１については、下地電極８１１上にＡｕＳｎはんだバンプを形成するためのＵＢＭ（Under Bump Metal）が構成されることになる。
ここで、支持部材４とセンサ素子２とを接続する工程には、接続部材４４としてのＡｕＳｎはんだバンプを溶融させるために、接続部材４４を加熱する加熱工程が含まれる。この加熱工程においては、ＡｕＳｎはんだバンプを溶融させるべく、電極８１及び支持側電極６０２についても高温（一例として、３５０℃程度）に加熱される。このとき、支持側電極６０２のＮｉめっき層のニッケル（Ｎｉ）が、Ａｕめっき層の表面上に析出し、かつ酸化する可能性がある。Ａｕめっき層の表面上で酸化したニッケルは、ボンディングワイヤ６の接続を阻害して、ボンディングワイヤ６と支持側電極６０２との接合強度を低下させる可能性がある。より詳細には、ボールボンディングによりボンディングワイヤ６を支持側電極６０２に接続する場合には、ボンディングワイヤ６の先端に形成されたボール（Ａｕボール）と支持側電極６０２との接合強度が低下する。ウェッジボンディングによりボンディングワイヤ６を支持側電極６０２に接続する場合には、ボンディングワイヤ６と支持側電極６０２との接合強度が低下する。
本実施形態に係るセンサ装置１では、このようなボンディングワイヤ６と支持部材４（支持側電極６０２）との接合強度の低下が生じにくいように、電極８１及び支持側電極６０２について図８Ａ及び図８Ｂに示すような構成を採用する。
第１の態様として、図８Ａに示すように、支持側電極６０２は、下地電極８２１のみを有している。つまり、ボンディングワイヤ６を介して支持部材４に基板３を電気的に接続するための支持側電極６０２については、めっき層が無く、下地電極８２１のみで構成されている。一方で、センサ用電極８１は、下地電極８１１、Ｎｉめっき層８１２及びＡｕめっき層８１３を有している。本実施形態では一例として、下地電極８２１及び下地電極８１１は、いずれもアルミニウム（Ａｌ）である。センサ用電極８１において、Ｎｉめっき層８１２、Ａｕめっき層８１３は、この順で下地電極８１１上に積層されている。つまり、下地電極８１１上にＮｉめっき層８１２が形成され、Ｎｉめっき層８１２上にＡｕめっき層８１３が形成されている。
すなわち、図８Ａに示す第１の態様では、支持部材４は、センサ素子２を電気的に接続するためのセンサ用電極８１と、基板３を電気的に接続するための支持側電極６０２と、を有している。センサ用電極８１は、下地電極８１１と、めっき層（Ｎｉめっき層８１２及びＡｕめっき層８１３）とを含んでいる。支持側電極６０２は、下地電極８２１のみからなる。このように、支持部材４の電極８１及び支持側電極６０２のうち、一方の電極８１にのみ、下地電極８１１上にめっき層（Ｎｉめっき層８１２及びＡｕめっき層８１３）が形成され、他方の支持側電極６０２については、下地電極８１１上にめっき層が無い。これにより、上述した加熱工程において、電極８１及び支持側電極６０２が加熱されたとしても、めっき層の無い支持側電極６０２については、Ｎｉめっき層のニッケル（Ｎｉ）が表面上に析出しない。そのため、第１の態様によれば、ボンディングワイヤ６と支持側電極６０２との接合強度の低下が生じにくい。さらに、センサ用電極８１については、下地電極８１１上にめっき層（Ｎｉめっき層８１２及びＡｕめっき層８１３）が形成されることで、ＡｕＳｎはんだバンプ（接続部材４４）を形成するためのＵＢＭが構成される。
第２の態様としては、図８Ｂに示すように、センサ用電極８１と支持側電極６０２とのいずれも、バリア層８１０，８２０を有している。
第２の態様において、センサ用電極８１は、下地電極８１１、Ｎｉめっき層８１２及びＡｕめっき層８１３に加えて、バリア層８１０を有している。バリア層８１０は、Ｎｉめっき層８１２とＡｕめっき層８１３との間に配置されている。センサ用電極８１において、Ｎｉめっき層８１２、バリア層８１０、Ａｕめっき層８１３は、この順で下地電極８１１上に積層されている。つまり、アルミニウム（Ａｌ）からなる下地電極８１１上に、Ｎｉめっき層８１２が形成され、Ｎｉめっき層８１２上には、バリア層８１０を介してＡｕめっき層８１３が形成されている。バリア層８１０は、Ｎｉめっき層８１２とＡｕめっき層８１３との間に配置されることにより、Ｎｉめっき層８１２からＡｕめっき層８１３へのニッケル（Ｎｉ）の拡散を抑制する。本実施形態では、バリア層８１０は、一例として、パラジウム（Ｐｄ）又はパラジウム合金である。
第２の態様では、支持側電極６０２についても、センサ用電極８１と同様の構成を採用している。つまり、支持側電極６０２は、下地電極８２１、Ｎｉめっき層８２２及びＡｕめっき層８２３に加えて、バリア層８２０を有している。バリア層８２０は、Ｎｉめっき層８２２とＡｕめっき層８２３との間に配置されている。支持側電極６０２において、Ｎｉめっき層８２２、バリア層８２０、Ａｕめっき層８２３は、この順で下地電極８２１上に積層されている。つまり、アルミニウム（Ａｌ）からなる下地電極８２１上に、Ｎｉめっき層８２２が形成され、Ｎｉめっき層８２２上には、バリア層８２０を介してＡｕめっき層８２３が形成されている。バリア層８２０は、Ｎｉめっき層８２２とＡｕめっき層８２３との間に配置されることにより、Ｎｉめっき層８２２からＡｕめっき層８２３へのニッケル（Ｎｉ）の拡散を抑制する。本実施形態では、バリア層８２０は、一例として、パラジウム（Ｐｄ）又はパラジウム合金である。
ここにおいて、Ｎｉめっき層８１２の厚みは、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下である。Ｎｉめっき層８１２の厚みは３μｍ以上であることがより好ましい。Ｎｉめっき層８１２の厚みは８μｍ以下であることがより好ましい。本実施形態では、一例として、Ｎｉめっき層８１２の厚みは５μｍである。バリア層８１０の厚みは、例えば、０．０１μｍ以上１．０μｍ以下である。バリア層８１０の厚みは０．０５μｍ以上であることがより好ましい。バリア層８１０の厚みは０．５μｍ以下であることがより好ましい。本実施形態では、一例として、バリア層８１０の厚みは０．２μｍである。Ａｕめっき層８１３の厚みは、例えば、０．０１μｍ以上１．０μｍ以下である。Ａｕめっき層８１３の厚みは０．０５μｍ以上であることがより好ましい。Ａｕめっき層８１３の厚みは０．５μｍ以下であることがより好ましい。本実施形態では、一例として、Ａｕめっき層８１３の厚みは０．１５μｍである。支持側電極６０２のＮｉめっき層８２２、バリア層８２０、Ａｕめっき層８２３の厚みについても、それぞれセンサ用電極８１のＮｉめっき層８１２、バリア層８１０、Ａｕめっき層８１３と同様の厚みを採用可能である。
すなわち、図８Ｂに示す第２の態様では、支持部材４は、センサ素子２を電気的に接続するためのセンサ用電極８１と、基板３を電気的に接続するための支持側電極６０２と、を有している。センサ用電極８１及び支持側電極６０２の各々は、下地電極８１１，８２１と、Ｎｉめっき層８１２，８２２、Ａｕめっき層８１３，８２３及びバリア層８１０，８２０を含んでいる。下地電極８１１，８２１上に、Ｎｉめっき層８１２，８２２、バリア層８１０，８２０及びＡｕめっき層８１３，８２３がこの順に積層されている。このように、支持部材４の電極８１（又は８２）は、Ｎｉめっき層８１２（又は８２２）とＡｕめっき層８１３（又は８２３）との間に、バリア層８１０（又は８２０）を有している。そのため、Ｎｉめっき層８１２（又は８２２）からＡｕめっき層８１３（又は８２３）へのニッケル（Ｎｉ）の拡散が、バリア層８１０（又は８２０）にて抑制される。よって、上述した加熱工程において、電極８１及び支持側電極６０２が加熱されたとしても、ニッケル（Ｎｉ）の拡散がバリア層８１０（又は８２０）にて抑制され、Ａｕめっき層８１３（又は８２３）の表面上へのニッケル（Ｎｉ）の析出が生じにくい。そのため、第２の態様によれば、ボンディングワイヤ６と支持側電極６０２との接合強度の低下が生じにくい。さらに、センサ用電極８１についても、下地電極８１１上にめっき層（Ｎｉめっき層８１２及びＡｕめっき層８１３）が形成されることで、ＡｕＳｎはんだバンプ（接続部材４４）を形成するためのＵＢＭが構成される。
（２．７）センサ素子の電極構造
次に、センサ素子２に設けられている素子電極２００の構造について、図９Ａ〜図９Ｃを参照して説明する。図９Ａは、本実施形態に係るセンサ素子２の支持部材４との接続前の状態における素子電極２００の構造を示し、図９Ｂは、本実施形態に係るセンサ素子２の支持部材４との接続前の状態における素子電極２００の構造を示す、要部の概略断面図である。図９Ｃは、比較例に係るセンサ素子２の素子電極２００の構造を示す、要部の概略断面図である。図９Ａ〜図９Ｃは、素子電極２００の概略構造を概念的に示しているに過ぎず、図中の各構成要素の大きさ及び厚さそれぞれの比が、実際の寸法比を規定する趣旨ではない。
本実施形態においては、センサ素子２は、平板状に形成されており、Ｙ軸方向に厚みを有している。センサ素子２は、厚み方向の一面側（支持部材４側）に、電極面２０１を有している。つまり、センサ素子２は、電極面２０１を支持部材４に対向させた状態で、支持部材４に接続される。
素子電極２００は、接続部材４４によって支持部材４のセンサ用電極８１に接続される。つまり、素子電極２００には接続部材４４としてのＡｕＳｎはんだバンプが接続される。素子電極２００は複数の接続部材４４に一対一に対応するように複数設けられている（図７参照）。つまり、センサ素子２の素子電極２００は複数設けられている。
ところで、本実施形態ではセンサ素子２は、ＭＥＭＳ技術を用いたベアチップ、いわゆるＭＥＭＳチップを含んでおり、図９Ａに示すように、シリコン（Ｓｉ）からなる基板２４と、基板２４の表層に形成されたＳｉＯ２からなる第１酸化膜２５と、を有している。センサ素子２は、第１酸化膜２５の表面を電極面２０１とし、この電極面２０１上に、複数の素子電極２００を有している。さらに、センサ素子２は、電極面２０１上であって素子電極２００に隣接する位置に、ＳｉＯ２からなる第２酸化膜２６と、第２酸化膜２６上に積層されたＳｉＮからなる窒化膜２７と、を有している。
ここで、本実施形態では、センサ素子２の素子電極２００は、図９Ａに示すように、電極面２０１上に形成されたＡｕ電極層２２０と、Ａｕ電極層２２０上に積層されたＵＢＭ層２３と、を含んでいる。ＵＢＭ層２３は、Ａｕ電極層２２０上にＡｕＳｎはんだバンプからなる接続部材４４を形成するためのＵＢＭ（Under Bump Metal）である。この構成により、センサ素子２の素子電極２００においては、Ａｕ電極層２２０上に、接続部材４４が直接的に積層されるのではなく、ＵＢＭ層２３を介して接続部材４４が間接的に積層されることになる。
ＵＢＭ層２３は、一例として、Ｎｉめっき層２３１、バリア層２３２及びＡｕめっき層２３３を有している。バリア層２３２は、Ｎｉめっき層２３１とＡｕめっき層２３３との間に配置されている。素子電極２００においては、Ｎｉめっき層２３１、バリア層２３２、Ａｕめっき層２３３は、この順でＡｕ電極層２２０上に積層されている。つまり、金（Ａｕ）からなるＡｕ電極層２２０上に、Ｎｉめっき層２３１が形成され、Ｎｉめっき層２３１上には、バリア層２３２を介してＡｕめっき層２３３が形成されている。バリア層２３２は、Ｎｉめっき層２３１とＡｕめっき層２３３との間に配置されることにより、Ｎｉめっき層２３１からＡｕめっき層２３３へのニッケル（Ｎｉ）の拡散を抑制する。本実施形態では、バリア層２３２は、一例として、パラジウム（Ｐｄ）又はパラジウム合金である。ただし、ＵＢＭ層２３として、バリア層２３２は必須の構成ではなく、適宜省略されてもよい。
ここで、ＵＢＭ層２３の熱膨張係数（線膨張係数）は、ＡｕＳｎからなる接続部材４４の熱膨張係数（線膨張係数）と、ＳｉＯ２からなる第２酸化膜２６の熱膨張係数（線膨張係数）と、の間の値である。一例として、ＡｕＳｎ（接続部材４４）の熱膨張係数が１７．５ｐｐｍ／℃であって、ＳｉＯ２（第２酸化膜２６）の熱膨張係数が０．５ｐｐｍ／℃であると仮定する。この場合、ＵＢＭ層２３の熱膨張係数は、０．５ｐｐｍ／℃より大きく、１７．５ｐｐｍ／℃より小さい。具体的には、ＵＢＭ層２３を構成するＮｉめっき層２３１の熱膨張係数は１２ｐｐｍ／℃であって、ＵＢＭ層２３を構成するＡｕめっき層２３３の熱膨張係数は１４．２ｐｐｍ／℃である。
また、Ｎｉめっき層２３１の厚みは、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下である。Ｎｉめっき層２３１の厚みは３μｍ以上であることがより好ましい。Ｎｉめっき層２３１の厚みは８μｍ以下であることがより好ましい。本実施形態では、一例として、Ｎｉめっき層２３１の厚みは５μｍである。バリア層２３２の厚みは、例えば、０．０１μｍ以上１．０μｍ以下である。バリア層２３２の厚みは０．０５μｍ以上であることがより好ましい。バリア層２３２の厚みは０．５μｍ以下であることがより好ましい。本実施形態では、一例として、バリア層２３２の厚みは０．２μｍである。Ａｕめっき層２３３の厚みは、例えば、０．０１μｍ以上１．０μｍ以下である。Ａｕめっき層２３３の厚みは０．０５μｍ以上であることがより好ましい。Ａｕめっき層２３３の厚みは０．５μｍ以下であることがより好ましい。本実施形態では、一例として、Ａｕめっき層２３３の厚みは０．１５μｍである。
センサ素子２は、上述したようなＵＢＭ層２３を含む素子電極２００の構造を採用することで、第１酸化膜２５に作用する応力の低減を図ることができる、という効果が期待される。以下、素子電極２００がＵＢＭ層２３を含まない場合の構成を比較例（図９Ｃ参照）として、比較例と比較しつつ、本実施形態に係るセンサ素子２の素子電極２００の構造により期待される効果について説明する。図９Ｃに示す比較例では、素子電極２００がＵＢＭ層２３を含まない点以外は、本実施形態に係るセンサ素子２と同様の構成を採用していることとする。
すなわち、「（２．６）電極構造」の欄でも説明したように、支持部材４とセンサ素子２とを接続する工程には、接続部材４４としてのＡｕＳｎはんだバンプを溶融させるために、接続部材４４を加熱する加熱工程が含まれる。この加熱工程においては、ＡｕＳｎはんだバンプを溶融させるべく、素子電極２００についても高温（一例として、３５０℃程度）に加熱される。
比較例においては、ＵＢＭ層２３がなく、ＡｕＳｎからなる接続部材４４がＡｕ電極層２２０上に直接的に積層されているので、加熱工程において、Ａｕ電極層２２０のＡｕが接続部材４４のＡｕＳｎに拡散し、ＡｕＳｎ層４４Ｂ（図９Ｃ参照）が形成される。そのため、比較例においては、加熱工程の後、素子電極２００には、図９Ｃに示すように、見かけ上、Ａｕ電極層２２０が存在せず、ＡｕＳｎ層４４Ｂのみが存在することになる。そうすると、電極面２０１としての第１酸化膜２５の表面上には、ＳｉＯ２からなる第２酸化膜２６と、ＡｕＳｎ層４４Ｂと、が隣接して形成されることになる。ここで、熱膨張係数が０．５ｐｐｍ／℃である第２酸化膜２６と、熱膨張係数が１７．５ｐｐｍ／℃であるＡｕＳｎ層４４Ｂと、の間には、比較的大きな熱膨張係数の差があるため、第１酸化膜２５に対して応力が作用する。つまり、ＳｉＯ２からなる第１酸化膜２５のうち、第２酸化膜２６とＡｕＳｎ層４４Ｂとの境界Ｌ１０付近で応力集中が生じ、条件によっては、クラック等の発生につながる可能性もある。
一方、本実施形態に係るセンサ素子２においては、図９Ａに示すように、ＡｕＳｎからなる接続部材４４は、ＵＢＭ層２３を介して、Ａｕ電極層２２０上に間接的に積層されている。そのため、加熱工程において、ＵＢＭ層２３のＡｕめっき層２３３が接続部材４４のＡｕＳｎに拡散し、ＡｕＳｎ層４４Ａ（図９Ｂ参照）が形成される。そのため、本実施形態においては、加熱工程の後、素子電極２００には、図９Ｂに示すように、見かけ上、Ａｕめっき層２３３が存在せず、Ａｕ電極層２２０、Ｎｉめっき層２３１、バリア層２３２及びＡｕＳｎ層４４Ａが存在することになる。そうすると、電極面２０１としての第１酸化膜２５の表面上には、ＳｉＯ２からなる第２酸化膜２６と、Ａｕ電極層２２０と、が隣接して形成されることになる。ここで、熱膨張係数が０．５ｐｐｍ／℃である第２酸化膜２６と、熱膨張係数が１４．２ｐｐｍ／℃であるＡｕ電極層２２０と、の間には、熱膨張係数の差が生じるものの、比較例に比べて小さな差となる。さらに、熱膨張係数が１４．２ｐｐｍ／℃であるＡｕ電極層２２０上には、熱膨張係数が１２ｐｐｍ／℃であるＮｉめっき層２３１が存在し、その上に熱膨張係数が１７．５ｐｐｍ／℃であるＡｕＳｎ層４４Ａが存在する。その結果、比較例に比べて、電極面２０１上における熱膨張係数の差が小さくなり、第１酸化膜２５に作用する応力が低減され、ＳｉＯ２からなる第１酸化膜２５にクラック等が生じにくくなる。
また、例えば、電極面２０１とＡｕ電極層２２０との間には、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）等の下地電極が介在してもよい。つまり、素子電極２００においては、電極面２０１上に、Ａｕ電極層２２０が直接的に積層されるのではなく、下地電極を介してＡｕ電極層２２０が間接的に積層されてもよい。
（３）変形例
実施形態１は、本開示の様々な実施形態の一つに過ぎない。実施形態１で参照する図面は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさ及び厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。実施形態１は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。以下に説明する変形例は、適宜組み合わせて適用可能である。
（３．１）第１変形例
実施形態１の第１変形例に係るセンサ装置１Ａは、図１０に示すように、支持面４１における支持側電極６０２の位置が実施形態１に係るセンサ装置１と相違する。すなわち、実施形態１に係るセンサ装置１では、支持側電極６０２は、支持面４１におけるセンサ素子２から見て基板３側に位置するのに対し、本変形例では、支持側電極６０２は、支持面４１におけるセンサ素子２から見て基板３とは反対側に位置する。
本変形例では、支持側電極６０２は、支持面４１における基板３とは反対側の端縁（図１０の上端縁）と、センサ素子２と、の間に位置する。これにより、ボンディングワイヤ６の一端部は、支持面４１のうち、センサ素子２から見て基板３とは反対側の領域に接続されることになる。つまり、センサ素子２は、ボンディングワイヤ６と２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）とで囲まれた位置に配置されることになる。
本変形例に係るセンサ装置１Ａによれば、センサ素子２によって、支持側電極６０２と基板３との距離が確保されるため、支持部材４と基板３の搭載面３１との間の隙間Ｇ１（図４Ｂ参照）によらずに、ボンディングワイヤ６と基板３との干渉を回避しやすい。そのため、支持部材４は、第２面５２上における基板３側の端縁に寄せて配置可能となり、連結部材５のＺ軸方向の寸法を比較的小さく抑えることが可能である。結果的に、基板３の搭載面３１からの支持部材４及び連結部材５の突出量を比較的小さく抑えることが可能となり、センサ装置１Ａ全体のＺ軸方向の寸法（高さ）を比較的小さく抑えることができ、センサ装置１Ａの低背化に寄与する。
（３．２）その他の変形例
以下、第１変形例以外の変形例を列挙する。
実施形態１では、センサ素子２はＹ軸周りの角速度を検知しているが、この構成に限らず、センサ素子２は、例えば、Ｘ軸又はＺ軸周りの角速度を検知してもよい。さらに、センサ素子２は、１軸についての角速度に限らず、２軸以上の角速度を検知する構成であってもよい。例えば、センサ素子２は、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の３軸について、各軸周りの角速度を検知する３軸角速度センサであってもよい。
また、センサ素子２は、角速度以外の物理量を検知する構成であってもよい。例えば、センサ素子２は、加速度、角加速度、速度、圧力、重量、長さ（距離）及び温度等の物理量を検知する構成であってもよい。さらに、センサ素子２は、１つの物理量に限らず、複数の物理量を検知する構成であってもよい。例えば、センサ素子２は、角速度と加速度とを検知してもよい。
また、センサ素子２は、ＭＥＭＳ技術を用いた素子に限らず、他の素子であってもよい。
また、連結部材５に設けられるスペーサ５３の数は、４つに限らず、例えば、１つ、２つ、３つ、又は５つ以上であってもよい。また、各スペーサ５３の形状についても、ドーム状に限らず、例えば、円柱状、多角柱状、円錐状、多角錐状又は球状等の適宜の形状を採用し得る。
また、実施形態１では、センサ装置１が実装基板１０にフリップチップ実装される場合を想定したが、センサ装置１の実装方法は、フリップチップ実装に限らない。一例として、センサ装置１は、ワイヤボンディング等のフリップチップ実装以外の表面実装、又は、基板３にリード端子を設けて実装基板１０に対して挿入実装される構成であってもよい。
また、基板３の形状及び材質は、実施形態１で示した例に限らない。例えば、基板３は、平面視において長方形状又は円形状等であってもよい。さらに、基板３は、セラミック製に限らず、例えば、樹脂製又はシリコン製等であってもよい。
また、支持部材４が処理回路４３を含むＡＳＩＣであることは、センサ装置１に必須の構成ではなく、支持部材４についても適宜の構成を採用可能である。つまり、支持部材４は、電子部品でなくてもよく、単なる板材等の構造体であってもよい。さらに、支持部材４の形状及び材質は、実施形態１で示した例に限らない。例えば、支持部材４は、平面視において長方形状又は円形状等であってもよい。さらに、支持部材４は、例えば、樹脂製、シリコン製又はセラミック製等の部材であってもよい。
また、連結部材５の形状及び材質は、実施形態１で示した例に限らない。例えば、連結部材５は、立方体状又は多角柱（三角柱、六角柱等）状等であってもよい。また、連結部材５は、例えば、側面視がＬ字状のステー等であってもよい。さらに、連結部材５は、ＬＣＰ樹脂製に限らず、例えば、シリコン製、金属製又はセラミック製等であってもよい。
また、接続経路６０は、連結部材５の表面に形成される導電路、又は連結部材５に埋設される導電路等を含んでいてもよい。
また、連結部材５は中空構造であってもよく、この場合、中実構造の連結部材５に比べて、連結部材５に対して作用する衝撃の緩和を図ることができる。これにより、センサ装置１としての耐衝撃性の向上を図ることができる。
（実施形態２）
本実施形態に係るセンサ装置１Ｂは、図１１Ａ〜図１１Ｃに示すように、基板３と支持部材４との相対的な位置関係が、実施形態１に係るセンサ装置１と相違する。以下、実施形態１と同様の構成については、共通の符号を付して適宜説明を省略する。図１１Ｂは、図１１Ａの領域Ｚ１に相当する拡大斜視図、図１１Ｃは、図１１Ａの領域Ｚ２に相当する拡大斜視図である。
本実施形態では、図１１Ａに示すように、支持面４１が搭載面３１に沿った位置関係となるように、基板３と支持部材４とが結合されている。特に、図１１Ａの例では、支持面４１と搭載面３１とは、互いに略平行な状態にある。また、本実施形態では、センサ素子２は、連結部材５を介して、支持部材４の支持面４１上に支持されている。センサ素子２は、連結部材５の第２面５２に固定されている。センサ素子２は、平板状に形成されており、Ｙ軸方向に厚みを有している。センサ素子２は、厚み方向の一面側（連結部材５とは反対側）に、電極面２０１を有している。つまり、センサ素子２の厚み方向における電極面２０１とは反対側の面は、連結部材５に対向する。
より詳細には、連結部材５は、支持部材４の支持面４１に搭載され、支持部材４とセンサ素子２とを連結する。言い換えれば、連結部材５を介してセンサ素子２が搭載（実装）された支持部材４は、基板３（搭載面３１）に固定されることになる。そのため、支持部材４とセンサ素子２との相対的な位置関係は、連結部材５にて規定される。本実施形態に係るセンサ装置１Ｂでは、支持部材４とセンサ素子２との位置関係は、センサ素子２の電極面２０１の法線が支持面４１に沿うように、規定される。つまり、電極面２０１の法線は、支持部材４の支持面４１に対して、略平行な状態にある（厳密に平行、又は両者間の角度が数度程度に収まる関係にある）。本実施形態では一例として、電極面２０１の法線は、支持部材４の支持面４１、及び基板３の搭載面３１に対して厳密に平行な状態にある。
そして、上述したような構成により、連結部材５及びセンサ素子２は、支持部材４の支持面４１上に立った状態で固定されることになる。言い換えれば、センサ素子２を含む縦型部材５０が、支持面４１上に立った状態で搭載される。ここでは、支持面４１に搭載される縦型部材５０は、センサ素子２と、連結部材５と、を備えている。つまり、支持部材４は、センサ素子２を含む縦型部材５０が搭載される支持面４１を有している。縦型部材５０は、センサ素子２の電極面２０１の法線が支持面４１に沿った位置関係となるように、支持面４１に固定されている。ここで、縦型部材５０は、センサ素子２と支持部材４とを連結する連結部材５を含んでいる。センサ素子２は、連結部材５を介して間接的に、支持部材４に搭載される。
基板３（搭載面３１）に対する支持部材４の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、基板３と支持部材４との固定手段は、接着層５０１による接着である。同様に、支持部材４（支持面４１）に対する連結部材５の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、支持部材４と連結部材５との固定手段は、接着層５０２による接着である。同様に、センサ素子２に対する連結部材５（第２面５２）の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、センサ素子２と連結部材５（第２面５２）との固定手段は、接着層５０３による接着である。
また、支持部材４は、図１１Ｂに示すように、複数の支持側電極６０２と、複数の送り電極６０３と、を有している。送り電極６０３は、電極８１（図８Ａ参照）に代えて設けられており、導電性材料にて構成されている。送り電極６０３は、ボンディングワイヤ６Ａを電気的に接続するための電極であって、支持面４１に形成されている。つまり、支持部材４は、ボンディングワイヤ６Ａの一端部が接続される送り電極６０３を支持面４１に有している。ここでは、支持側電極６０２及び送り電極６０３は、支持部材４の同一面（支持面４１）に設けられている。
さらに、センサ素子２は、図１１Ｃに示すように、複数のセンサ側電極６０４を有している。センサ側電極６０４は、導電性材料にて構成されている。センサ側電極６０４は、ボンディングワイヤ６Ａを電気的に接続するための電極であって、電極面２０１に形成されている。つまり、センサ素子２は、ボンディングワイヤ６Ａの一端部が接続されるセンサ側電極６０４を電極面２０１に有している。
ボンディングワイヤ６Ａは、センサ素子２と基板３との間を電気的に接続する接続経路６０（図１Ａ参照）の少なくとも一部を構成する。特に本実施形態では、ボンディングワイヤ６Ａは、センサ素子２と支持部材４との間を電気的に接続する。すなわち、本実施形態では、センサ素子２（センサ側電極６０４）と、ＡＳＩＣからなる支持部材４（送り電極６０３）との間の電気的な接続を、ボンディングワイヤ６Ａにて実現する。具体的には、ボンディングワイヤ６Ａの一端部は支持部材４の送り電極６０３に接続され、ボンディングワイヤ６Ａの他端部はセンサ素子２のセンサ側電極６０４に接続されることで、ボンディングワイヤ６Ａは、支持部材４とセンサ素子２とを電気的に接続する。
センサ素子２と基板３との間を電気的に接続する接続経路６０は、「第１のボンディングワイヤ」としてのボンディングワイヤ６Ａに加えて、「第２のボンディングワイヤ」としてのボンディングワイヤ６１を含んでいる。第２のボンディングワイヤ６１は、支持部材４と基板３との間を電気的に接続する。すなわち、本実施形態では、ＡＳＩＣからなる支持部材４（送り電極６０３）と、基板３との間の電気的な接続を、第２のボンディングワイヤ６１にて実現する。具体的には、ボンディングワイヤ６１の一端部は基板３の基板側電極６０１に接続され、ボンディングワイヤ６１の他端部は支持部材４の支持側電極６０２に接続されることで、ボンディングワイヤ６１は、基板３と支持部材４とを電気的に接続する。
（第１の）ボンディングワイヤ６Ａは、送り電極６０３及びセンサ側電極６０４に対して、ウェッジボンディング又はボールボンディングにより接合される。本実施形態では一例として、超音波又は熱等のエネルギを接合部位に印加することで、ボンディングワイヤ６Ａを電極（送り電極６０３又はセンサ側電極６０４）に接合する、ウェッジボンディングが採用される。同様に、第２のボンディングワイヤ６１についても、ウェッジボンディング又はボールボンディングにより接合される。
本実施形態では、（第１の）ボンディングワイヤ６Ａは、支持部材４及びセンサ素子２の各々の一面であって、互いに交差する２つの接続面間を接続するように設けられている。具体的には、ボンディングワイヤ６Ａは、支持部材４の接続面である支持面４１と、センサ素子２の接続面である電極面２０１と、の間を接続する。
このように、本実施形態に係るセンサ装置１Ｂは、センサ素子２が搭載された状態で基板３に搭載される支持部材４を備えている。センサ素子２は、支持部材４を介して基板３に電気的に接続されている。そして、互いに交差した２つの接続面のうちの１つは、支持部材４の一面である。さらに、本実施形態においては、上述したようにセンサ素子２は、２つの接続面のうちの１つである電極面２０１を有している。言い換えれば、支持面４１と電極面２０１とは互いに交差（本実施形態では直交）する。そして、互いに交差した２つの接続面のうちの１つ（一方の接続面）は、支持部材４の一面としての支持面４１である。また、互いに交差した２つの接続面のうちの１つ（他方の接続面）は、センサ素子２の一面としての電極面２０１である。つまり、ボンディングワイヤ６Ａにて接続される、互いに交差した２つの接続面は、センサ素子２の一面である電極面２０１、及び支持部材４の一面である支持面４１からなる。
ここで、縦型部材５０と支持部材４とを接合する接着層５０２（「第２接着層５０２」ともいう）のヤング率は、支持部材４と基板３とを接合する接着層５０１（「第１接着層５０１」ともいう）のヤング率に比べて大きい。すなわち、本実施形態においては、縦型部材５０に含まれる連結部材５と支持部材４との間の固定手段である第２接着層５０２のヤング率は、支持部材４と基板３との間の固定手段である第１接着層５０１のヤング率よりも大きい。言い換えれば、連結部材５と支持部材４との間の第２接着層５０２は、支持部材４と基板３との間の第１接着層５０１に比較して、剛性が高く変形しにくい。更に言い換えれば、支持部材４と基板３との間の第１接着層５０１は、連結部材５と支持部材４との間の第２接着層５０２に比較して、剛性が低く変形しやすい。
このような関係にある第１接着層５０１及び第２接着層５０２によれば、連結部材５（縦型部材５０）は支持部材４に対しては堅牢に固定され、基板３から支持部材４に対しては応力が伝達されにくくなる。その結果、例えば、センサ側電極６０４にボンディングワイヤ６Ａを接合する際に、超音波等によりＹ軸に沿った外力が縦型部材５０に作用しても、支持部材４に対する縦型部材５０（連結部材５）の傾きが生じにくい。その結果、縦型部材５０に作用するＹ軸に沿った超音波等の外力を、センサ側電極６０４に対するボンディングワイヤ６Ａの接合に効率的に利用することが可能である。また、基板３から支持部材４には応力が伝わりにくいため、センサ素子２にまでは応力が作用しにくく、センサ素子２の検知結果に対する応力の影響が生じにくい。
また、連結部材５と支持部材４とを接合する第２接着層５０２のヤング率は、連結部材５とセンサ素子２とを接合する接着層５０３（「第３接着層５０３」ともいう）のヤング率に比べて大きい。すなわち、本実施形態においては、縦型部材５０に含まれる連結部材５と支持部材４との間の固定手段である第２接着層５０２のヤング率は、連結部材５とセンサ素子２との間の固定手段である第３接着層５０３のヤング率よりも大きい。言い換えれば、連結部材５と支持部材４との間の第２接着層５０２は、連結部材５とセンサ素子２との間の第３接着層５０３に比較して、剛性が高く変形しにくい。更に言い換えれば、連結部材５とセンサ素子２との間の第３接着層５０３は、連結部材５と支持部材４との間の第２接着層５０２に比較して、剛性が低く変形しやすい。
このような関係にある第３接着層５０３及び第２接着層５０２によれば、連結部材５（縦型部材５０）は支持部材４に対しては堅牢に固定され、連結部材５から支持部材４に対しては応力が伝達されにくくなる。その結果、例えば、センサ側電極６０４にボンディングワイヤ６Ａを接合する際に、超音波等によりＹ軸に沿った外力が縦型部材５０に作用しても、支持部材４に対する縦型部材５０（連結部材５）の傾きが生じにくい。その結果、縦型部材５０に作用するＹ軸に沿った超音波等の外力を、センサ側電極６０４に対するボンディングワイヤ６Ａの接合に効率的に利用することが可能である。また、基板３から連結部材５に応力が作用することがあっても、連結部材５から支持部材４には応力が伝わりにくいため、センサ素子２にまでは応力が作用しにくく、センサ素子２の検知結果に対する応力の影響が生じにくい。
また、本実施形態では、実装基板１０への実装態様についても実施形態１に係るセンサ装置１と相違する。すなわち、実施形態１に係るセンサ装置１は、金（Ａｕ）バンプ、又は、はんだ等からなる接合部材１０３（図５参照）にて実装基板１０に接合されるのに対し、本実施形態に係るセンサ装置１Ｂは、端子部材１１０にて実装基板１０に接合される。
本実施形態において、センサ装置１Ｂは、図１１Ａに示すように、基板３の実装面３２を実装基板１０の一表面１０１に対向させた状態で、実装基板１０上に実装される。端子部材１１０はばね性（弾性）を有する部材であって、端子部材１１０の一部が基板３に固定されている。ここでは一例として、端子部材１１０は、導電性を有する金属（例えば、銅又は銅合金等）にて構成されたリード端子である。センサ装置１Ｂは、基板３の実装面３２の外周縁に沿って複数の端子部材１１０を有している。つまり、複数の端子部材１１０は、実装面３２の外周縁に沿って並んで配置されている。
各端子部材１１０は、図１１Ａに示すように、第１端子片１１１、第２端子片１１２、第３端子片１１３及び第４端子片１１４を有し、全体として略Ｃ字状に形成されている。第１端子片１１１と第３端子片１１３とは、互いに平行な位置関係にある。第２端子片１１２は、第１端子片１１１の一端と第３端子片１１３の一端とを連結する。第４端子片１１４は、第３端子片１１３における第２端子片１１２とは反対側の端部から、第１端子片１１１に向けて突出している。このような形状の端子部材１１０において、第１端子片１１１が、はんだ等により基板３の実装面３２に接続される。また、第３端子片１１３は、はんだ等により実装基板１０の一表面に接続される。このようにして、端子部材１１０は、その一部が基板３に固定され、他の一部が実装基板１０に固定される。
以上説明した構成によれば、少なくとも第２端子片１１２の一部（中央部付近）は、基板３と実装基板１０とのいずれに対しても、直接的には固定されない状態となる。そのため、端子部材１１０は、少なくとも第２端子片１１２のばね性（弾性）により、第２端子片１１２がたわむことで、実装基板１０と基板３との間で伝達される応力を低減できる。よって、例えば、実装基板１０と基板３との熱膨張係数の違い等により、実装基板１０から端子部材１１０に応力が作用しても、この応力は端子部材１１０にて低減され、基板３には伝わりにくく、センサ素子２の検知結果に対する応力の影響が生じにくい。
また、本実施形態においても、基板３の実装面３２と実装基板１０の一表面１０１とは、アンダーフィルにより機械的に結合されていてもよい。
図１２は、実施形態２の変形例に係るセンサ装置１Ｃを示している。本変形例に係るセンサ装置１Ｃでは、連結部材５が省略されている。そのため、支持面４１に搭載される縦型部材５０は、センサ素子２のみからなる。以下、実施形態２と同様の構成については、共通の符号を付して適宜説明を省略する。
このセンサ装置１Ｃでは、縦型部材５０（センサ素子２）は、センサ素子２の電極面２０１の法線が支持面４１に沿った位置関係となるように、支持面４１に固定されている。ここで、センサ素子２は、支持部材４の支持面４１上に直接的に搭載される。支持部材４（支持面４１）に対するセンサ素子２の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、支持部材４とセンサ素子２との固定手段は、接着層５０４による接着である。
ここで、縦型部材５０（センサ素子２）と支持部材４とを接合する接着層５０４（「第４接着層５０４」ともいう）のヤング率は、支持部材４と基板３とを接合する第１接着層５０１のヤング率に比べて大きい。すなわち、本実施形態においては、縦型部材５０に含まれるセンサ素子２と支持部材４との間の固定手段である第４接着層５０４のヤング率は、支持部材４と基板３との間の固定手段である第１接着層５０１のヤング率よりも大きい。言い換えれば、センサ素子２と支持部材４との間の第４接着層５０４は、支持部材４と基板３との間の第１接着層５０１に比較して、剛性が高く変形しにくい。
実施形態２で説明した構成（変形例を含む）は、実施形態１で説明した種々の構成（変形例を含む）と適宜組み合わせて採用可能である。
（実施形態３）
（１）概要
本実施形態に係るセンサ装置１Ｘは、図１３に示すように、センサ素子２Ｘと、センサ素子２Ｘを支持する基板３Ｘと、を備えている。
このセンサ装置１Ｘは、センサ素子２Ｘにて、例えば、角速度、加速度、角加速度、速度、圧力、重量、長さ（距離）及び温度等の物理量を、電気信号に変換する。すなわち、センサ素子２Ｘは、物理量を電気信号に変換するトランスデューサとして機能する。この種のセンサ装置１Ｘは、例えば、家電機器、携帯端末、カメラ、ウェアラブル端末、ゲーム機、又は車両（自動車及び二輪車等を含む）、ドローン、航空機若しくは船舶等の移動体等の、様々な機器に用いられる。
ここで、本実施形態に係るセンサ装置１Ｘは、図１３に示すように、センサ素子２Ｘ及び基板３Ｘに加えて、支持部材４Ｘ、及び連結部材５Ｘを更に備えている。すなわち、センサ装置１Ｘは、センサ素子２Ｘと、基板３Ｘと、支持部材４Ｘと、連結部材５Ｘと、を備えている。基板３Ｘは、搭載面３１Ｘを有している。支持部材４Ｘは、支持面４１Ｘを有している。支持面４１Ｘにはセンサ素子２Ｘが搭載される。連結部材５Ｘは、搭載面３１Ｘに搭載されている。連結部材５Ｘは、支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘが搭載面３１Ｘに沿った位置関係となるように、基板３Ｘと支持部材４Ｘとを連結する。
上述した構成によれば、センサ素子２Ｘが搭載された支持部材４Ｘが、連結部材５Ｘを介して、基板３Ｘの搭載面３１Ｘ上に支持されることで、基板３Ｘの搭載面３１Ｘには、センサ素子２Ｘが支持部材４Ｘごと搭載される。言い換えれば、基板３Ｘは、連結部材５Ｘ及び支持部材４Ｘを介して、センサ素子２Ｘを間接的に支持することになる。ここで、連結部材５Ｘは、支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘが搭載面３１Ｘに沿った位置関係となるように、基板３Ｘと支持部材４Ｘとを連結するので、センサ素子２Ｘが搭載される支持部材４Ｘの支持面４１Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに対して略直交する。すなわち、センサ素子２Ｘが搭載される面（支持面４１Ｘ）の向きは、連結部材５Ｘによって、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに対して略９０度起き上がるように変換されることになる。したがって、例えば、基板３Ｘにおける搭載面３１Ｘとは反対側の面をプリント配線板等の実装基板１０Ｘ（図１３参照）に向けた姿勢で、センサ装置１Ｘが実装基板１０Ｘに実装された場合でも、実装基板１０Ｘに対するセンサ素子２Ｘの相対的な向きを調整可能である。つまり、本実施形態に係るセンサ装置１Ｘにおいては、実装基板１０Ｘの一表面１０１Ｘに沿った平面内で基板３Ｘを回転させることで、センサ素子２Ｘが実装される面（支持面４１Ｘ）の向きを変更可能であるので、検知対象の自由度の向上を図ることが可能である。
（２）詳細
以下に、本実施形態に係るセンサ装置１Ｘの構成について、図１３〜図１８Ｂを参照して詳細に説明する。
本実施形態では、一例として、センサ装置１Ｘは、「角速度」を検知対象とするジャイロセンサ（角速度センサ）である。特に、車両の自動運転技術のように、比較的、高精度の角速度の検知（計測）が要求される場合に、本実施形態に係るセンサ装置１Ｘは好適である。ただし、高精度の角速度の検知（計測）が要求されない場合であっても、本実施形態に係るセンサ装置１Ｘは採用可能である。
以下では一例として、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸の３軸を設定し、特に、支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘに沿った軸を「Ｙ軸」とし、搭載面３１Ｘの法線に沿った軸を「Ｚ軸」とする。「Ｘ」軸は、これらＹ軸及びＺ軸のいずれとも直交する。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は、いずれも仮想的な軸であり、図面中の「Ｘ」、「Ｙ」、「Ｚ」を示す矢印は、説明のために表記しているに過ぎず、いずれも実体を伴わない。また、これらの方向はセンサ装置１Ｘの使用時の方向を限定する趣旨ではない。
本実施形態では、一例として、センサ装置１Ｘは、Ｙ軸を検知軸とし、Ｙ軸周りの角速度を検知対象とする。Ｙ軸は、支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘに沿った軸であるので、結果的に、センサ装置１Ｘは、支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘ周りでセンサ装置１Ｘが回転することに伴いセンサ装置１Ｘに作用する角速度を、検知対象として検知することになる。つまり、センサ素子２Ｘは、支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘ（Ｙ軸）周りの角速度に応じた電気信号を出力する。よって、センサ装置１Ｘの出力によれば、支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘ（Ｙ軸）周りの角速度の大きさを計測することが可能である。
（２．１）センサ装置の全体構成
本実施形態に係るセンサ装置１Ｘは、上述したように、センサ素子２Ｘと、基板３Ｘと、支持部材４Ｘと、連結部材５Ｘと、を備えている。また、本実施形態では、センサ装置１Ｘは、図１３〜図１６Ｃに示すように、センサ素子２Ｘ、基板３Ｘ、支持部材４Ｘ及び連結部材５Ｘに加えて、配線部材６Ｘ及びケース７Ｘを更に備えている。すなわち、センサ装置１Ｘは、センサ素子２Ｘと、基板３Ｘと、支持部材４Ｘと、連結部材５Ｘと、配線部材６Ｘと、ケース７Ｘと、を備えている。図１４以外の図面では、ケース７Ｘの図示を省略している。
また、本実施形態では、センサ装置１Ｘは、図１３及び図１４に示すように、その使用状態において、基板３Ｘにおける搭載面３１Ｘとは反対側の面（実装面３２Ｘ）をプリント配線板等の実装基板１０Ｘに向けた姿勢で、実装基板１０Ｘにフリップチップ実装される場合を想定する。ここでは、センサ装置１Ｘが実装される実装基板１０Ｘは、リジッド基板であることと仮定するが、この例に限らず、実装基板１０Ｘは、例えば、フレキシブル基板等であってもよい。
センサ素子２Ｘは、検知対象である物理量に応じた電気信号を出力する素子である。本実施形態では、上述したように検知対象は、Ｙ軸（支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘ）周りの角速度であるので、センサ素子２Ｘは、Ｙ軸周りの角速度に応じた電気信号を出力する。センサ素子２Ｘは、例えば、振動式のジャイロセンサであって、コリオリ力（転向力）を利用して、Ｙ軸周りの角速度を検知する。つまり、センサ素子２Ｘは、可動部２１Ｘ（図１８Ａ参照）を振動させた状態で、外部から回転力が作用することによって生じるコリオリ力を検知することで、センサ素子２Ｘに作用した角速度を検知する。
本実施形態では一例として、センサ素子２Ｘは、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いたベアチップ、いわゆるＭＥＭＳチップを含んでいる。センサ素子２Ｘは、例えば、セラミックパッケージ等のパッケージを更に含んでおり、ベアチップはパッケージに収容されている。このセンサ素子２Ｘは、ベアチップに可動部２１Ｘを含み、この可動部２１Ｘを振動させることにより、角速度の検知を可能とする。センサ素子２Ｘの構成について詳しくは、「（２．３）センサ素子の構成」の欄で説明する。
基板３Ｘは、図１５に示すように、平板状に形成されており、Ｚ軸方向に厚みを有している。基板３Ｘは、厚み方向の両側に、搭載面３１Ｘ及び実装面３２Ｘを有している。つまり、基板３Ｘの厚み方向の一面は、連結部材５Ｘ及び支持部材４Ｘを介してセンサ素子２Ｘが搭載される、搭載面３１Ｘとして機能する。一方、基板３Ｘの厚み方向における搭載面３１Ｘとは反対側の面は、センサ装置１Ｘが実装基板１０Ｘに実装された状態で実装基板１０Ｘに対向する、実装面３２Ｘとして機能する。
本実施形態では、一例として、基板３Ｘは、平面視において略正方形状である。基板３Ｘは、例えば、セラミック製の基板であって、電気的絶縁性を有している。基板３Ｘは、搭載面３１Ｘから突出するリブ３３Ｘを有している。リブ３３Ｘは、搭載面３１Ｘの外周縁に沿って、搭載面３１Ｘの中央部を全周にわたって囲むように形成されている。このリブ３３Ｘの先端面に、ケース７Ｘのフランジ部７２Ｘ（図１４参照）が結合されることにより、基板３Ｘに対してケース７Ｘが結合される。これにより、搭載面３１Ｘのうちリブ３３Ｘの内側となる領域と、ケース７Ｘとの間には、センサ素子２Ｘ等を収容する空間が形成されることになる。
詳しくは後述するが、基板３Ｘは、第１電極３４Ｘ（図１７参照）と、第２電極３５Ｘ（図１７参照）と、ビア３６Ｘ（図１７参照）と、を有している。第１電極３４Ｘ、第２電極３５Ｘ及びビア３６Ｘは、導電性材料にて構成されている。第１電極３４Ｘは、配線部材６Ｘを電気的に接続するための電極であって、搭載面３１Ｘに形成されている。第２電極３５Ｘは、実装基板１０Ｘを電気的に接続するための電極であって、実装面３２Ｘに形成されている。ビア３６Ｘは、第１電極３４Ｘと第２電極３５Ｘとを電気的に接続する。ビア３６Ｘは、基板３Ｘを厚み方向の両面（搭載面３１Ｘ及び実装面３２Ｘ）間にわたって貫通するスルーホールビアである。図１７以外では、第１電極３４Ｘ、第２電極３５Ｘ及びビア３６Ｘの図示は省略する。
支持部材４Ｘは、図１５に示すように、平板状に形成されており、Ｙ軸方向に厚みを有している。支持部材４Ｘは、厚み方向の両側に、支持面４１Ｘ及び取付面４２Ｘを有している。つまり、支持部材４Ｘの厚み方向の一面は、センサ素子２Ｘが搭載される、支持面４１Ｘとして機能する。一方、支持部材４Ｘの厚み方向における支持面４１Ｘとは反対側の面は、連結部材５Ｘに対向する、取付面４２Ｘとして機能する。
本実施形態では、一例として、支持部材４Ｘは、平面視において略正方形状である。ここで、支持部材４Ｘは、ＡＳＩＣ（application specific integrated circuit）である。つまり、支持部材４Ｘは、電気絶縁性を有する樹脂パッケージ等のパッケージに、半導体チップを内蔵した構成である。そのため、本実施形態では、センサ素子２Ｘは、支持部材４ＸとしてのＡＳＩＣのパッケージの一表面（支持面４１Ｘ）上に、実装されることになる。本実施形態では、半導体チップは、後述する処理回路４３Ｘ（図１６Ａ参照）として機能する。
ここで、支持部材４Ｘは、センサ素子２Ｘを電気的に接続するための電極８１Ｘ（図２０Ａ参照）、及び配線部材６Ｘを電気的に接続するための電極８２Ｘ（図２０Ａ参照）を有している。これにより、支持面４１Ｘに搭載されるセンサ素子２Ｘは、支持部材４Ｘ（処理回路４３Ｘ）と電気的に接続されることになる。さらに、支持部材４Ｘ（処理回路４３Ｘ）は、配線部材６Ｘを介して基板３Ｘ（第１電極３４Ｘ）と電気的に接続されることになる。ただし、図１３〜図１６Ｃにおいては、支持部材４Ｘの電極の図示は省略する。
支持部材４Ｘの支持面４１Ｘには、センサ素子２Ｘが固定されている。本開示でいう「固定」は、種々の手段により、一定の位置にあって動かない状態とされていることを意味する。つまり、センサ素子２Ｘは、支持部材４Ｘの支持面４１Ｘに対して動かない状態とされている。支持部材４Ｘ（支持面４１Ｘ）に対するセンサ素子２Ｘの固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、支持部材４Ｘ（支持面４１Ｘ）とセンサ素子２Ｘとの固定手段は、シリコーン系の接着剤による接着である。支持部材４Ｘは、センサ素子２Ｘよりも一回り大きく形成されており、センサ素子２Ｘは、支持面４１Ｘの中央部に固定されている。
ここで、支持部材４Ｘと、センサ素子２Ｘとの間には、例えば、金（Ａｕ）又は銅（Ｃｕ）等の金属製のバンプからなる接続部材４４Ｘ（図１５参照）が１つ以上設けられていることが好ましい。本実施形態では一例として、ＡｕＳｎ合金からなる、はんだ（ＡｕＳｎはんだ）バンプを接続部材４４Ｘとして用いている。これにより、シリコーン系の接着剤が変形しても、１つ以上の接続部材４４Ｘにてセンサ素子２Ｘを支持することで、支持部材４Ｘ（支持面４１Ｘ）に対するセンサ素子２Ｘの傾きが抑制される。さらに、支持面４１Ｘには、複数の接続部材４４Ｘが、センサ素子２Ｘの中心を通る中心軸上、及び中心軸周りに円環状に並んで配置されていることがより好ましい。
連結部材５Ｘは、図１５に示すように、直方体状に形成されている。本実施形態では、連結部材５Ｘは、Ｚ軸方向の寸法（高さ）が、Ｘ軸方向の寸法（幅）及びＹ軸方向の寸法（奥行）のいずれよりも大きい、つまり縦長の直方体状である。連結部材５Ｘは、例えば、樹脂製であって、電気絶縁性を有している。本実施形態では一例として、連結部材５Ｘは、ＬＣＰ（Liquid Crystal Polymer）樹脂で形成されている。
連結部材５Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに搭載され、基板３Ｘと支持部材４Ｘとを連結する部材である。言い換えれば、センサ素子２Ｘが搭載（実装）された支持部材４Ｘは、連結部材５Ｘにより基板３Ｘ（搭載面３１Ｘ）に固定されることになる。そのため、基板３Ｘと支持部材４Ｘとの相対的な位置関係は、連結部材５Ｘにて規定される。本実施形態に係るセンサ装置１Ｘでは、基板３Ｘと支持部材４Ｘとの位置関係は、支持部材４Ｘの支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘ（図１３参照）が搭載面３１Ｘに沿うように、規定される。本開示でいう「沿う」とは、２者間が略平行、つまり２者が厳密に平行な場合に加えて、２者間の角度が数度（例えば１０度未満）程度の範囲に収まる関係にあることをいう。つまり、支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに対して、略平行な状態にある（厳密に平行、又は両者間の角度が数度程度に収まる関係にある）。本実施形態では一例として、支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに対して厳密に平行な状態にある。
より詳細には、連結部材５Ｘは、図１５に示すように、第１面５１Ｘと、第２面５２Ｘと、を有している。第１面５１Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに固定されている。第２面５２Ｘは、第１面５１Ｘと交差する。支持部材４Ｘは、第２面５２Ｘに固定されている。つまり、連結部材５Ｘの第１面５１Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに対して動かない状態とされている。同様に、連結部材５Ｘの第２面５２Ｘは、支持部材４Ｘの取付面４２Ｘに対して動かない状態とされている。
基板３Ｘ（搭載面３１Ｘ）に対する連結部材５Ｘ（第１面５１Ｘ）の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、基板３Ｘと連結部材５Ｘ（第１面５１Ｘ）との固定手段は、接着層５１１Ｘ（図１３参照）による接着である。同様に、支持部材４Ｘ（取付面４２Ｘ）に対する連結部材５Ｘ（第２面５２Ｘ）の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、支持部材４Ｘと連結部材５Ｘ（第２面５２Ｘ）との固定手段は、接着層５２１Ｘ（図１３参照）による接着である。
本実施形態では、第１面５１Ｘは、連結部材５ＸにおけるＺ軸方向の一面であって、第２面５２Ｘは、連結部材５ＸにおけるＹ軸方向の一面である。連結部材５Ｘは、全体として直方体状であるので、これら第１面５１Ｘ及び第２面５２Ｘは、互いに略直交し、かつ互いに隣接している。本開示でいう「略直交」とは、２者間が略直交、つまり２者が厳密に直交する（９０度で交差する）場合に加えて、２者間の角度が９０度から数度（例えば１０度未満）程度の範囲に収まる関係にあることをいう。本実施形態では一例として、第１面５１Ｘは第２面５２Ｘに対して厳密に直交する。
そして、上述したような形状の連結部材５Ｘが、第１面５１Ｘにて基板３Ｘ（搭載面３１Ｘ）に固定され、第２面５２Ｘにて支持部材４Ｘ（取付面４２Ｘ）に固定されることにより、基板３Ｘと支持部材４Ｘとを連結する。言い換えれば、支持部材４Ｘに搭載されているセンサ素子２Ｘは、支持部材４Ｘ及び連結部材５Ｘを介して、間接的に基板３Ｘに支持されることになる。ここで、第１面５１Ｘと第２面５２Ｘとは、互いに交差（本実施形態では直交）するので、支持部材４Ｘの支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘは搭載面３１Ｘに沿う（本実施形態では平行となる）ように、連結部材５Ｘにて基板３Ｘと支持部材４Ｘとが連結される。
また、連結部材５Ｘは、支持部材４Ｘとの対向面（第２面５２Ｘ）から支持部材４Ｘに向かって突出するスペーサ５３Ｘ（図１５参照）を更に有している。本実施形態では、連結部材５Ｘは、複数（一例として４つ）のスペーサ５３Ｘを有している。各スペーサ５３Ｘは、一例として、ドーム状（半球状）に形成されている。これら、複数（４つ）のスペーサ５３Ｘは、第２面５２Ｘのうち、例えば、支持部材４Ｘにおける取付面４２Ｘの四隅と対向する位置に配置されている。スペーサ５３Ｘが形成されることにより、図１６Ｃに示すように、連結部材５Ｘの第２面５２Ｘと支持部材４Ｘの取付面４２Ｘとの間には、一定の間隔が確保される。
各スペーサ５３Ｘの高さ、つまり第２面５２Ｘからの各スペーサ５３Ｘの突出量は、例えば、０．０５ｍｍ以上０．２ｍｍ以下である。本実施形態では、一例として、各スペーサ５３Ｘの高さは０．１５ｍｍである。これにより、連結部材５Ｘの第２面５２Ｘと支持部材４Ｘの取付面４２Ｘとの間には、０．１５ｍｍの間隔（隙間）が確保される。
ここで、図１６Ｂに示すように、Ｚ軸方向（基板３Ｘの厚み方向）においては、連結部材５Ｘの方が支持部材４Ｘよりも大きく形成されている。すなわち、連結部材５Ｘの第２面５２Ｘは、支持部材４Ｘの取付面４２Ｘよりも、Ｚ軸方向の寸法が大きい。そして、支持部材４Ｘは、第２面５２Ｘにおける基板３Ｘとは反対側の端縁に寄せて配置されている。そのため、支持部材４Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘとの間には、隙間が確保されている。つまり、支持部材４Ｘは、基板３Ｘに対しては連結部材５Ｘを介して間接的に固定されるだけであって、基板３Ｘに対して直接的に接触することはない。
配線部材６Ｘは、支持部材４Ｘと基板３Ｘとを電気的に接続する部材である。すなわち、本実施形態では、ＡＳＩＣからなる支持部材４Ｘ（処理回路４３Ｘ）と、基板３Ｘ（第１電極３４Ｘ）との間の電気的な接続を、配線部材６Ｘにて実現する。
本実施形態では、配線部材６Ｘは、搭載面３１Ｘに固定されている。つまり、配線部材６Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに対して動かない状態とされている。基板３Ｘ（搭載面３１Ｘ）に対する配線部材６Ｘの固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、基板３Ｘ（搭載面３１Ｘ）と配線部材６Ｘとの固定手段は、接着層６２３Ｘ（図１３参照）による接着である。
また、本実施形態では、配線部材６Ｘは、連結部材５Ｘに対しても固定されている。ここでは、配線部材６Ｘは、連結部材５Ｘの第２面５２Ｘに対して動かない状態とされている。連結部材５Ｘ（第２面５２Ｘ）に対する配線部材６Ｘの固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、連結部材５Ｘ（第２面５２Ｘ）と配線部材６Ｘとの固定手段は、接着層５２１Ｘ（図１３参照）による接着である。つまり、接着層５２１Ｘは、連結部材５Ｘに対する支持部材４Ｘの固定と、連結部材５Ｘに対する配線部材６Ｘの固定とに兼用されている。具体的には、接着層５２１Ｘは、連結部材５Ｘにおける第２面５２Ｘの略全面に形成されており、第２面５２Ｘのうちの支持部材４Ｘと基板３Ｘ（搭載面３１Ｘ）との間の隙間となる部位に、配線部材６Ｘ（後述する第１保持片６２１Ｘ）が固定されている。
また、配線部材６Ｘは、複数本のリード端子６１Ｘと、保持部６２Ｘと、を有している。保持部６２Ｘは、複数本のリード端子６１Ｘを保持している。本実施形態では、配線部材６Ｘは、これら複数本のリード端子６１Ｘ及び保持部６２Ｘに加えて、複数本のボンディングワイヤ６３Ｘを更に有している。
保持部６２Ｘは、例えば、樹脂製であって、電気絶縁性を有している。本実施形態では一例として、保持部６２Ｘは、ＬＣＰ樹脂で形成されている。本実施形態では、配線部材６Ｘは、一例として１８本のリード端子６１Ｘを有している。これら複数本（１８本）のリード端子６１Ｘは、それぞれ導電性を有する金属（例えば、銅又は銅合金等）にて構成されている。ボンディングワイヤ６３Ｘは、リード端子６１Ｘの両端部を、それぞれ支持部材４Ｘ（処理回路４３Ｘ）及び基板３Ｘ（第１電極３４Ｘ）に対して電気的に接続する。そのため、配線部材６Ｘは、一例として３６本のボンディングワイヤ６３Ｘを有しているボンディングワイヤ６３Ｘは、リード端子６１Ｘに比べて十分に細い、金ワイヤ等からなる。
より詳細には、保持部６２Ｘは、第１保持片６２１Ｘと、第２保持片６２２Ｘと、を含んでいる。各リード端子６１Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに沿って延びる部位と、連結部材５Ｘの第２面５２Ｘに沿って延びる部位と、を含んでおり、全体として略Ｌ字状に形成されている。ここで、第１保持片６２１Ｘ及び第２保持片６２２Ｘは互いに別体であって、第１保持片６２１Ｘがリード端子６１Ｘの一端部を保持し、第２保持片６２２Ｘがリード端子６１Ｘの他端部を保持している。つまり、第１保持片６２１Ｘと第２保持片６２２Ｘとの間は、複数本のリード端子６１Ｘにて機械的につながっている。ここで、各リード端子６１Ｘは、少なくともボンディングワイヤ６３Ｘに比べて高い剛性を有している。そのため、第１保持片６２１Ｘ及び第２保持片６２２Ｘの相対的な位置関係は、複数本のリード端子６１Ｘにて維持される。
そして、配線部材６Ｘは、第１保持片６２１Ｘにて連結部材５Ｘ（第２面５２Ｘ）に固定され、第２保持片６２２Ｘにて基板３Ｘ（搭載面３１Ｘ）に固定されている。そして、第１保持片６２１Ｘを貫通したリード端子６１Ｘの先端部は、ボンディングワイヤ６３Ｘにて、支持部材４Ｘの電極８２Ｘ（図２０Ａ参照）に電気的に接続されている。一方、第２保持片６２２Ｘを貫通したリード端子６１Ｘの先端部は、ボンディングワイヤ６３Ｘにて、基板３Ｘの第１電極３４Ｘに電気的に接続されている。
ケース７Ｘ（図１４参照）は、基板３Ｘと結合される。ケース７Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘとの間に少なくともセンサ素子２Ｘを収容する。ケース７Ｘは、一例として金属製である。ケース７Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘ側に固定され、これにより、ケース７Ｘと基板３Ｘの搭載面３１Ｘとの間には、センサ素子２Ｘ、支持部材４Ｘ、連結部材５Ｘ及び配線部材６Ｘが収容される空間が形成される。
ケース７Ｘは、図１４に示すように、ケース本体７１Ｘと、フランジ部７２Ｘと、を有している。ケース本体７１Ｘは、Ｚ軸方向の一面（基板３Ｘとの対向面）を開口面とする、箱状に形成されている。ケース本体７１Ｘは、各角部が湾曲したアール（Ｒ）形状を有している。フランジ部７２Ｘは、ケース本体７１Ｘの開口面の外周縁から、外側に突出した部位である。ケース７Ｘは、このフランジ部７２Ｘを基板３Ｘのリブ３３Ｘに結合することにより、基板３Ｘに対して結合される。基板３Ｘに対するケース７Ｘの固定（結合）手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本実施形態では一例として、基板３Ｘとケース７Ｘとの固定手段は、接着である。
ここにおいて、本実施形態では、ケース７Ｘは基板３Ｘに対して気密結合されることにより、ケース７Ｘと基板３Ｘの搭載面３１Ｘとの間には、気密空間が形成される。そのため、センサ素子２Ｘ等は、気密空間に収容されることになり、センサ装置１Ｘでは、センサ素子２Ｘに対する湿度等の影響を抑制することが可能である。
ところで、本実施形態に係るセンサ装置１Ｘは、図１６Ａ及び図１６Ｂに示すように、処理回路４３Ｘを有している。処理回路４３Ｘは、本実施形態では、支持部材４ＸとしてのＡＳＩＣに設けられている。処理回路４３Ｘは、センサ素子２Ｘから出力される電気信号に関する処理を実行する。本実施形態では、処理回路４３Ｘは、支持部材４Ｘに設けられている。言い換えれば、支持部材４Ｘは、センサ素子２Ｘから出力される電気信号に関する処理を実行する処理回路４３Ｘを含んでいる。
本実施形態では、処理回路４３Ｘは、センサ素子２Ｘから出力されるアナログの電気信号（アナログ信号）を、デジタル信号に変換する。処理回路４３Ｘは、ノイズ除去及び温度補償等の適宜の処理を実行する。さらに、処理回路４３Ｘは、センサ素子２Ｘに対して、センサ素子２Ｘを駆動するための駆動信号を与える。
また、処理回路４３Ｘは、例えば、積分処理又は微分処理といった演算処理を実行してもよい。例えば、処理回路４３Ｘが、センサ素子２Ｘから出力される電気信号について積分処理を実行することで、センサ装置１Ｘは、Ｙ軸周りの角速度の積分値、つまりＹ軸周りの角度を求めることが可能である。一方、例えば、処理回路４３Ｘが、センサ素子２Ｘから出力される電気信号について微分処理を実行することで、センサ装置１Ｘは、Ｙ軸周りの角速度の微分値、つまりＹ軸周りの角加速度を求めることが可能である。
（２．２）実装基板への実装態様
次に、本実施形態に係るセンサ装置１Ｘの実装基板１０Ｘへの実装態様について、図１７を参照して説明する。
上述した通り、本実施形態では、センサ装置１Ｘは、基板３Ｘにおける搭載面３１Ｘとは反対側の面（実装面３２Ｘ）をプリント配線板等の実装基板１０Ｘに向けた姿勢で、実装基板１０Ｘにフリップチップ実装される場合を想定する。すなわち、センサ装置１Ｘは、図１７に示すように、基板３Ｘの実装面３２Ｘを実装基板１０Ｘの一表面１０１Ｘに対向させた状態で、実装基板１０Ｘ上に実装される。
具体的には、センサ装置１Ｘは、基板３Ｘの実装面３２Ｘに形成された第２電極３５Ｘを、実装基板１０Ｘの一表面１０１Ｘに形成された基板電極１０２Ｘに対して、接合部材１０３Ｘにて接合することにより、実装基板１０Ｘに実装される。接合部材１０３Ｘは、導電性を有する接合部材であって、一例として、金（Ａｕ）バンプ、又は、はんだ等である。基板３Ｘの実装面３２Ｘと実装基板１０Ｘの一表面１０１Ｘとは、アンダーフィルにより機械的に結合されていてもよい。
ここで、実装基板１０Ｘ（基板電極１０２Ｘ）に接続された第２電極３５Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに形成された第１電極３４Ｘと、ビア３６Ｘにてつながっている。さらに、第１電極３４Ｘは、ボンディングワイヤ６３Ｘにて配線部材６Ｘのリード端子６１Ｘの一端部につながっており、リード端子６１Ｘの他端部はボンディングワイヤ６３Ｘにて支持部材４Ｘの電極８２Ｘ（図２０Ａ参照）につながっている。したがって、実装基板１０Ｘ（基板電極１０２Ｘ）に接続された第２電極３５Ｘは、ビア３６Ｘ、第１電極３４Ｘ、ボンディングワイヤ６３Ｘ、リード端子６１Ｘ及びボンディングワイヤ６３Ｘを介して、支持部材４Ｘに電気的に接続されることになる。支持部材４Ｘは、本実施形態では処理回路４３Ｘを含むＡＳＩＣであるので、上記構成により、実装基板１０Ｘと処理回路４３Ｘとの間の電気的な接続が実現される。
（２．３）センサ素子の構成
次に、センサ素子２Ｘの構成について、図１８Ａ及び図１８Ｂを参照して説明する。図１８Ａ及び図１８Ｂは、センサ素子２Ｘの動作原理を説明するための概念図である。
本実施形態では一例として、センサ素子２Ｘは、高周波数（ＭＨｚ帯域）駆動の容量式バルク超音波ジャイロスコープである。このジャイロスコープ（センサ素子２Ｘ）は、ベース板、可動部２１Ｘ及び複数の電極２２Ｘを含んでいる。
可動部２１Ｘはベース板上に絶縁層を介して支持されている。また、複数の電極２２Ｘは、可動部２１Ｘを囲むように可動部２１Ｘの周囲に配置されている。各電極２２Ｘと可動部２１Ｘとの間には、非常に小さい隙間が形成されている。これら複数の電極２２Ｘは、可動部２１Ｘ中において少なくとも２つの変性バルク超音波共振モードを励振しかつ検知することができる。
可動部２１Ｘは、共振素子であって、平面視において円形状となる円盤状（ディスク状）に形成されている。ここで、可動部２１Ｘは、単結晶又は多結晶シリコン等の非圧電性物質であって、圧電性材料から製作されていることを必要としない。可動部２１Ｘは、例えば、シリコン炭化物、窒化ガリウム、窒化アルミニウム又は石英等の半導体又は金属材料にて構成されていてもよい。
複数個の電極２２Ｘは、駆動用電極２２１Ｘと検知用電極２２２Ｘとを含んでいる。そして、可動部２１Ｘは、歳差運動により、図１８Ａに示す駆動モードと、図１８Ｂに示す検知モードとの間で変形する。つまり、円盤状の可動部２１Ｘは、その中心軸（Ｙ軸に平行な軸）に直交する平面内で、互いに直交する２方向に交互に伸縮する変形を繰り返すように振動する。センサ素子２Ｘは、可動部２１Ｘの変形量（移動量）を電気信号として出力する。すなわち、可動部２１Ｘの変形量は、可動部２１Ｘと検知用電極２２２Ｘとの間の静電容量の変化として現れるため、センサ素子２Ｘは、この静電容量の変化に応じた電気信号を出力する。
（２．４）接続部材の配置
次に、支持部材４Ｘとセンサ素子２Ｘとを接続する接続部材４４Ｘの配置について、図１９を参照して説明する。図１９は、支持部材４Ｘを支持面４１Ｘ側から見た概略図であって、図１９では、センサ素子２Ｘを一部破断して図示している。また、図１９では、接続部材４４Ｘの配置を概念的に示しており、一例として、支持面４１Ｘに９個の接続部材４４Ｘが配置されているが、接続部材４４Ｘの数を９個に限定する趣旨ではない。例えば、図１５等に示すように、支持面４１Ｘに１７個の接続部材４４Ｘが配置されていてもよい。
本実施形態においては、支持部材４Ｘとセンサ素子２Ｘとの間には、接続部材４４Ｘとして、ＡｕＳｎはんだバンプが複数設けられている。そして、これら複数（図１９では９個）の接続部材４４Ｘ（ＡｕＳｎはんだバンプ）は、少なくともセンサ素子２Ｘの中心点Ｐ１Ｘに対して、点対称に配置されている。つまり、支持部材４Ｘとセンサ素子２Ｘとを接続する複数の接続部材４４Ｘは、支持面４１Ｘ内において、センサ素子２Ｘの中心点Ｐ１Ｘを対称点（対称中心）として、点対称に配置されている。
具体的には、支持部材４Ｘを支持面４１Ｘ側から見てセンサ素子２Ｘの中心点Ｐ１Ｘ上に１個の接続部材４４Ｘが配置され、かつ中心点Ｐ１Ｘを中心とする円環上に複数（図１９では８個）の接続部材４４Ｘが配置されている。中心点Ｐ１Ｘの周囲に配置された複数の接続部材４４Ｘは、中心点Ｐ１Ｘを中心とする円環状に並んで配置されている。これにより、円環状に並ぶ複数の接続部材４４Ｘは、中心点Ｐ１Ｘ上に位置する１個の接続部材４４Ｘを囲むように配置される。さらに、円環状に並ぶ複数の接続部材４４Ｘは、中心点Ｐ１Ｘの周方向において等間隔に配置されている。
ここで、支持部材４Ｘを支持面４１Ｘ側から見て、複数（図１９では９個）の接続部材４４Ｘの各々は円形状に形成されている。特に、中心点Ｐ１Ｘ上に位置する１個の接続部材４４Ｘについては、支持部材４Ｘを支持面４１Ｘ側から見て、その形状も中心点Ｐ１Ｘに対して点対称となるように、中心点Ｐ１Ｘを中心とする円形状に形成されている。
ところで、センサ素子２Ｘの中心点Ｐ１Ｘは、センサ素子２Ｘにおける支持面４１Ｘとの対向面、つまり支持部材４Ｘとの接合面における中心（又は重心）に位置する点である。センサ素子２Ｘは、この中心点Ｐ１Ｘを通る支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘ（Ｙ軸）周りの角速度に応じた電気信号を出力する。つまり、センサ素子２Ｘの中心点Ｐ１Ｘを通る支持面４１Ｘの法線Ｌ１Ｘ（Ｙ軸）が、センサ素子２Ｘの検知軸となる。
上述したように、センサ装置１Ｘは、支持部材４Ｘとセンサ素子２Ｘとを接続する複数の接続部材４４Ｘを更に備えている。複数の接続部材４４Ｘは、センサ素子２Ｘの中心点Ｐ１Ｘに対して点対称に配置されている。そのため、これら複数の接続部材４４Ｘを介して支持部材４Ｘからセンサ素子２Ｘに伝わる応力の分布は、中心点Ｐ１Ｘに対して点対称となる。よって、例えば、実装基板１０Ｘと基板３Ｘ（又は支持部材４Ｘ若しくは連結部材５Ｘ）との熱膨張係数の違い等により、実装基板１０Ｘから基板３Ｘ及び連結部材５Ｘを介して支持部材４Ｘに応力が作用しても、センサ素子２Ｘの検知結果に対する応力の影響が生じにくい。すなわち、支持部材４Ｘからセンサ素子２Ｘに応力が作用する場合でも、この応力の分布が中心点Ｐ１Ｘに対して点対称となることで、センサ素子２Ｘには中心点Ｐ１Ｘに対して応力の偏りが生じにくく、センサ素子２Ｘの検知結果に影響しにくくなる。
また、複数の接続部材４４Ｘは、少なくともセンサ素子２Ｘの中心点Ｐ１Ｘに対して、点対称に配置されていればよく、例えば、中心点Ｐ１Ｘを中心とする２重以上の円環状（同心円状）に複数の接続部材４４Ｘが配置されていてもよい。さらに、中心点Ｐ１Ｘ上に接続部材４４Ｘが位置することは必須ではなく、中心点Ｐ１Ｘ上の接続部材４４Ｘは省略されてもよい。
（２．５）電極構造
次に、支持部材４Ｘに設けられている電極８１Ｘ，８２Ｘの構造について、図２０Ａ及び図２０Ｂを参照して説明する。図２０Ａは、第１の態様に係る電極８１Ｘ，８２Ｘの構造を示し、図２０Ｂは、第２の態様に係る電極８１Ｘ，８２Ｘの構造を示す、要部の概略断面図である。図２０Ａ及び図２０Ｂは、電極８１Ｘ，８２Ｘの概略構造を概念的に示しているに過ぎず、図中の各構成要素の大きさ及び厚さそれぞれの比が、実際の寸法比を規定する趣旨ではない。
本実施形態においては、支持部材４Ｘは、支持部材４Ｘにセンサ素子２Ｘを電気的に接続するための電極８１Ｘ（「センサ用電極」ともいう）と、配線部材６Ｘを介して支持部材４Ｘに基板３Ｘを電気的に接続するための電極８２Ｘ（「基板用電極」ともいう）と、を有している。これらの電極８１Ｘ，８２Ｘは、いずれも支持部材４Ｘの支持面４１Ｘに配置されている。特に、本実施形態では支持部材４Ｘは処理回路４３Ｘを含むＡＳＩＣであるので、処理回路４３Ｘにセンサ素子２Ｘ及び基板３Ｘを電気的に接続するために、電極８１Ｘ及び電極８２Ｘが支持部材４Ｘに設けられている。
センサ用電極８１Ｘは、接続部材４４Ｘによってセンサ素子２Ｘに接続される。基板用電極８２Ｘは、ボンディングワイヤ６３Ｘにてリード端子６１Ｘの一端部に接続される。つまり、センサ用電極８１Ｘには接続部材４４ＸとしてのＡｕＳｎはんだバンプが接続され、基板用電極８２Ｘにはボンディングワイヤ６３Ｘが接続される。センサ用電極８１Ｘは複数の接続部材４４Ｘに一対一に対応するように複数設けられており、基板用電極８２Ｘは複数本のボンディングワイヤ６３Ｘに一対一に対応するように複数設けられている（図１９参照）。つまり、支持部材４Ｘの電極８１Ｘ，８２Ｘは複数ずつ設けられている。
ところで、この種の電極８１Ｘ，８２Ｘ、特にセンサ用電極８１Ｘにおいては、アルミニウム（Ａｌ）等の下地電極上に、Ｎｉめっき層及びＡｕめっき層がこの順で積層された構成の電極が採用されることがある。これにより、センサ用電極８１Ｘについては、下地電極８１１Ｘ上にＡｕＳｎはんだバンプを形成するためのＵＢＭ（Under Bump Metal）が構成されることになる。
ここで、支持部材４Ｘとセンサ素子２Ｘとを接続する工程には、接続部材４４ＸとしてのＡｕＳｎはんだバンプを溶融させるために、接続部材４４Ｘを加熱する加熱工程が含まれる。この加熱工程においては、ＡｕＳｎはんだバンプを溶融させるべく、電極８１Ｘ，８２Ｘについても高温（一例として、３５０℃程度）に加熱される。このとき、基板用電極８２ＸのＮｉめっき層のニッケル（Ｎｉ）が、Ａｕめっき層の表面上に析出し、かつ酸化する可能性がある。Ａｕめっき層の表面上で酸化したニッケルは、ボンディングワイヤ６３Ｘの接続を阻害して、ボンディングワイヤ６３Ｘと基板用電極８２Ｘとの接合強度を低下させる可能性がある。より詳細には、ボールボンディングによりボンディングワイヤ６３Ｘを電極８２Ｘに接続する場合には、ボンディングワイヤ６３Ｘの先端に形成されたボール（Ａｕボール）と電極８２Ｘとの接合強度が低下する。ウェッジボンディングによりボンディングワイヤ６３Ｘを電極８２Ｘに接続する場合には、ボンディングワイヤ６３Ｘと電極８２Ｘとの接合強度が低下する。
本実施形態に係るセンサ装置１Ｘでは、このようなボンディングワイヤ６３Ｘと支持部材４Ｘ（基板用電極８２Ｘ）との接合強度の低下が生じにくいように、電極８１Ｘ，８２Ｘについて図２０Ａ及び図２０Ｂに示すような構成を採用する。
第１の態様として、図２０Ａに示すように、基板用電極８２Ｘは、下地電極８２１Ｘのみを有している。つまり、配線部材６Ｘを介して支持部材４Ｘに基板３Ｘを電気的に接続するための基板用電極８２Ｘについては、めっき層が無く、下地電極８２１Ｘのみで構成されている。一方で、センサ用電極８１Ｘは、下地電極８１１Ｘ、Ｎｉめっき層８１２Ｘ及びＡｕめっき層８１３Ｘを有している。本実施形態では一例として、下地電極８２１Ｘ及び下地電極８１１Ｘは、いずれもアルミニウム（Ａｌ）である。センサ用電極８１Ｘにおいて、Ｎｉめっき層８１２Ｘ、Ａｕめっき層８１３Ｘは、この順で下地電極８１１Ｘ上に積層されている。つまり、下地電極８１１Ｘ上にＮｉめっき層８１２Ｘが形成され、Ｎｉめっき層８１２Ｘ上にＡｕめっき層８１３Ｘが形成されている。
すなわち、図２０Ａに示す第１の態様では、支持部材４Ｘは、センサ素子２Ｘを電気的に接続するためのセンサ用電極８１Ｘと、基板３Ｘを電気的に接続するための基板用電極８２Ｘと、を有している。センサ用電極８１Ｘは、下地電極８１１Ｘと、めっき層（Ｎｉめっき層８１２Ｘ及びＡｕめっき層８１３Ｘ）とを含んでいる。基板用電極８２Ｘは、下地電極８２１Ｘのみからなる。このように、支持部材４Ｘの電極８１Ｘ，８２Ｘのうち、一方の電極８１Ｘにのみ、下地電極８１１Ｘ上にめっき層（Ｎｉめっき層８１２Ｘ及びＡｕめっき層８１３Ｘ）が形成され、他方の電極８２Ｘについては、下地電極８１１Ｘ上にめっき層が無い。これにより、上述した加熱工程において、電極８１Ｘ，８２Ｘが加熱されたとしても、めっき層の無い電極８２Ｘ（基板用電極）については、Ｎｉめっき層のニッケル（Ｎｉ）が表面上に析出しない。そのため、第１の態様によれば、ボンディングワイヤ６３Ｘと基板用電極８２Ｘとの接合強度の低下が生じにくい。さらに、センサ用電極８１Ｘについては、下地電極８１１Ｘ上にめっき層（Ｎｉめっき層８１２Ｘ及びＡｕめっき層８１３Ｘ）が形成されることで、ＡｕＳｎはんだバンプ（接続部材４４Ｘ）を形成するためのＵＢＭが構成される。
第２の態様としては、図２０Ｂに示すように、センサ用電極８１Ｘと基板用電極８２Ｘとのいずれも、バリア層８１０Ｘ，８２０Ｘを有している。
第２の態様において、センサ用電極８１Ｘは、下地電極８１１Ｘ、Ｎｉめっき層８１２Ｘ及びＡｕめっき層８１３Ｘに加えて、バリア層８１０Ｘを有している。バリア層８１０Ｘは、Ｎｉめっき層８１２ＸとＡｕめっき層８１３Ｘとの間に配置されている。センサ用電極８１Ｘにおいて、Ｎｉめっき層８１２Ｘ、バリア層８１０Ｘ、Ａｕめっき層８１３Ｘは、この順で下地電極８１１Ｘ上に積層されている。つまり、アルミニウム（Ａｌ）からなる下地電極８１１Ｘ上に、Ｎｉめっき層８１２Ｘが形成され、Ｎｉめっき層８１２Ｘ上には、バリア層８１０Ｘを介してＡｕめっき層８１３Ｘが形成されている。バリア層８１０Ｘは、Ｎｉめっき層８１２ＸとＡｕめっき層８１３Ｘとの間に配置されることにより、Ｎｉめっき層８１２ＸからＡｕめっき層８１３Ｘへのニッケル（Ｎｉ）の拡散を抑制する。本実施形態では、バリア層８１０Ｘは、一例として、パラジウム（Ｐｄ）又はパラジウム合金である。
第２の態様では、基板用電極８２Ｘについても、センサ用電極８１Ｘと同様の構成を採用している。つまり、基板用電極８２Ｘは、下地電極８２１Ｘ、Ｎｉめっき層８２２Ｘ及びＡｕめっき層８２３Ｘに加えて、バリア層８２０Ｘを有している。バリア層８２０Ｘは、Ｎｉめっき層８２２ＸとＡｕめっき層８２３Ｘとの間に配置されている。基板用電極８２Ｘにおいて、Ｎｉめっき層８２２Ｘ、バリア層８２０Ｘ、Ａｕめっき層８２３Ｘは、この順で下地電極８２１Ｘ上に積層されている。つまり、アルミニウム（Ａｌ）からなる下地電極８２１Ｘ上に、Ｎｉめっき層８２２Ｘが形成され、Ｎｉめっき層８２２Ｘ上には、バリア層８２０Ｘを介してＡｕめっき層８２３Ｘが形成されている。バリア層８２０Ｘは、Ｎｉめっき層８２２ＸとＡｕめっき層８２３Ｘとの間に配置されることにより、Ｎｉめっき層８２２ＸからＡｕめっき層８２３Ｘへのニッケル（Ｎｉ）の拡散を抑制する。本実施形態では、バリア層８２０Ｘは、一例として、パラジウム（Ｐｄ）又はパラジウム合金である。
ここにおいて、Ｎｉめっき層８１２Ｘの厚みは、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下である。Ｎｉめっき層８１２Ｘの厚みは３μｍ以上であることがより好ましい。Ｎｉめっき層８１２Ｘの厚みは８μｍ以下であることがより好ましい。本実施形態では、一例として、Ｎｉめっき層８１２Ｘの厚みは５μｍである。バリア層８１０Ｘの厚みは、例えば、０．０１μｍ以上１．０μｍ以下である。バリア層８１０Ｘの厚みは０．０５μｍ以上であることがより好ましい。バリア層８１０Ｘの厚みは０．５μｍ以下であることがより好ましい。本実施形態では、一例として、バリア層８１０Ｘの厚みは０．２μｍである。Ａｕめっき層８１３Ｘの厚みは、例えば、０．０１μｍ以上１．０μｍ以下である。Ａｕめっき層８１３Ｘの厚みは０．０５μｍ以上であることがより好ましい。Ａｕめっき層８１３Ｘの厚みは０．５μｍ以下であることがより好ましい。本実施形態では、一例として、Ａｕめっき層８１３Ｘの厚みは０．１５μｍである。基板用電極８２ＸのＮｉめっき層８２２Ｘ、バリア層８２０Ｘ、Ａｕめっき層８２３Ｘの厚みについても、それぞれセンサ用電極８１ＸのＮｉめっき層８１２Ｘ、バリア層８１０Ｘ、Ａｕめっき層８１３Ｘと同様の厚みを採用可能である。
すなわち、図２０Ｂに示す第２の態様では、支持部材４Ｘは、センサ素子２Ｘを電気的に接続するためのセンサ用電極８１Ｘと、基板３Ｘを電気的に接続するための基板用電極８２Ｘと、を有している。センサ用電極８１Ｘ及び基板用電極８２Ｘの各々は、下地電極８１１Ｘ，８２１Ｘと、Ｎｉめっき層８１２Ｘ，８２２Ｘ、Ａｕめっき層８１３Ｘ，８２３Ｘ及びバリア層８１０Ｘ，８２０Ｘを含んでいる。下地電極８１１Ｘ，８２１Ｘ上に、Ｎｉめっき層８１２Ｘ，８２２Ｘ、バリア層８１０Ｘ，８２０Ｘ及びＡｕめっき層８１３Ｘ，８２３Ｘがこの順に積層されている。このように、支持部材４Ｘの電極８１Ｘ（又は８２）は、Ｎｉめっき層８１２Ｘ（又は８２２Ｘ）とＡｕめっき層８１３Ｘ（又は８２３Ｘ）との間に、バリア層８１０Ｘ（又は８２０Ｘ）を有している。そのため、Ｎｉめっき層８１２Ｘ（又は８２２Ｘ）からＡｕめっき層８１３Ｘ（又は８２３Ｘ）へのニッケル（Ｎｉ）の拡散が、バリア層８１０Ｘ（又は８２０Ｘ）にて抑制される。よって、上述した加熱工程において、電極８１Ｘ，８２Ｘが加熱されたとしても、ニッケル（Ｎｉ）の拡散がバリア層８１０Ｘ（又は８２０Ｘ）にて抑制され、Ａｕめっき層８１３Ｘ（又は８２３Ｘ）の表面上へのニッケル（Ｎｉ）の析出が生じにくい。そのため、第２の態様によれば、ボンディングワイヤ６３Ｘと基板用電極８２Ｘとの接合強度の低下が生じにくい。さらに、センサ用電極８１Ｘについても、下地電極８１１Ｘ上にめっき層（Ｎｉめっき層８１２Ｘ及びＡｕめっき層８１３Ｘ）が形成されることで、ＡｕＳｎはんだバンプ（接続部材４４Ｘ）を形成するためのＵＢＭが構成される。
（３）変形例
実施形態３は、本開示の様々な実施形態の一つに過ぎない。実施形態３で参照する図面は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさ及び厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。実施形態３は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。以下に説明する変形例は、適宜組み合わせて適用可能である。
（３．１）第１変形例
実施形態３の第１変形例に係るセンサ装置１Ｘは、図２１に示すように、実装基板１０Ｘへの実装態様が実施形態３に係るセンサ装置１Ｘと相違する。すなわち、実施形態３に係るセンサ装置１Ｘは、金（Ａｕ）バンプ、又は、はんだ等からなる接合部材１０３Ｘ（図１７参照）にて実装基板１０Ｘに接合されるのに対し、本変形例に係るセンサ装置１Ｘは、端子部材１１０Ｘにて実装基板１０Ｘに接合される。
本変形例において、センサ装置１Ｘは、図２１に示すように、基板３Ｘの実装面３２Ｘを実装基板１０Ｘの一表面１０１Ｘに対向させた状態で、実装基板１０Ｘ上に実装される。端子部材１１０Ｘはばね性（弾性）を有する部材であって、端子部材１１０Ｘの一部が基板３Ｘに固定されている。ここでは一例として、端子部材１１０Ｘは、導電性を有する金属（例えば、銅又は銅合金等）にて構成されたリード端子である。センサ装置１Ｘは、基板３Ｘの実装面３２Ｘの外周縁に沿って複数の端子部材１１０Ｘを有している。つまり、複数の端子部材１１０Ｘは、実装面３２Ｘの外周縁に沿って並んで配置されている。
各端子部材１１０Ｘは、図２１に示すように、第１端子片１１１Ｘ、第２端子片１１２Ｘ、第３端子片１１３Ｘ及び第４端子片１１４Ｘを有し、全体として略Ｃ字状に形成されている。第１端子片１１１Ｘと第３端子片１１３Ｘとは、互いに平行な位置関係にある。第２端子片１１２Ｘは、第１端子片１１１Ｘの一端と第３端子片１１３Ｘの一端とを連結する。第４端子片１１４Ｘは、第３端子片１１３Ｘにおける第２端子片１１２Ｘとは反対側の端部から、第１端子片１１１Ｘに向けて突出している。このような形状の端子部材１１０Ｘにおいて、第１端子片１１１Ｘが、はんだ等により基板３Ｘの実装面３２Ｘに接続される。また、第３端子片１１３Ｘは、はんだ等により実装基板１０Ｘの一表面に接続される。このようにして、端子部材１１０Ｘは、その一部が基板３Ｘに固定され、他の一部が実装基板１０Ｘに固定される。
以上説明した構成によれば、少なくとも第２端子片１１２Ｘの一部（中央部付近）は、基板３Ｘと実装基板１０Ｘとのいずれに対しても、直接的には固定されない状態となる。そのため、端子部材１１０Ｘは、少なくとも第２端子片１１２Ｘのばね性（弾性）により、第２端子片１１２Ｘがたわむことで、実装基板１０Ｘと基板３Ｘとの間で伝達される応力を低減できる。よって、例えば、実装基板１０Ｘと基板３Ｘとの熱膨張係数の違い等により、実装基板１０Ｘから端子部材１１０Ｘに応力が作用しても、この応力は端子部材１１０Ｘにて低減され、基板３Ｘには伝わりにくく、センサ素子２Ｘの検知結果に対する応力の影響が生じにくい。さらに、「（２．４）接続部材の配置」の欄で説明したような複数の接続部材４４Ｘの配置によって、支持部材４Ｘからセンサ素子２Ｘに作用する応力についても、センサ素子２Ｘの検知結果に影響しにくい。そのため、本変形例に係る構成によれば、このような接続部材４４Ｘの配置と、端子部材１１０Ｘとの相乗効果により、センサ素子２Ｘの検知結果に対する応力の影響がより生じにくい。
また、本変形例においても、基板３Ｘの実装面３２Ｘと実装基板１０Ｘの一表面１０１Ｘとは、アンダーフィルにより機械的に結合されていてもよい。
（３．２）その他の変形例
以下、第１変形例以外の変形例を列挙する。
実施形態３では、センサ素子２ＸはＹ軸周りの角速度を検知しているが、この構成に限らず、センサ素子２Ｘは、例えば、Ｘ軸又はＺ軸周りの角速度を検知してもよい。さらに、センサ素子２Ｘは、１軸についての角速度に限らず、２軸以上の角速度を検知する構成であってもよい。例えば、センサ素子２Ｘは、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の３軸について、各軸周りの角速度を検知する３軸角速度センサであってもよい。
また、センサ素子２Ｘは、角速度以外の物理量を検知する構成であってもよい。例えば、センサ素子２Ｘは、加速度、角加速度、速度、圧力、重量、長さ（距離）及び温度等の物理量を検知する構成であってもよい。さらに、センサ素子２Ｘは、１つの物理量に限らず、複数の物理量を検知する構成であってもよい。例えば、センサ素子２Ｘは、角速度と加速度とを検知してもよい。
また、センサ素子２Ｘは、ＭＥＭＳ技術を用いた素子に限らず、他の素子であってもよい。
また、連結部材５Ｘに設けられるスペーサ５３Ｘの数は、４つに限らず、例えば、１つ、２つ、３つ、又は５つ以上であってもよい。また、各スペーサ５３Ｘの形状についても、ドーム状に限らず、例えば、円柱状、多角柱状、円錐状、多角錐状又は球状等の適宜の形状を採用し得る。
また、実施形態３では、センサ装置１Ｘが実装基板１０Ｘにフリップチップ実装される場合を想定したが、センサ装置１Ｘの実装方法は、フリップチップ実装に限らない。一例として、センサ装置１Ｘは、ワイヤボンディング等のフリップチップ実装以外の表面実装、又は、基板３Ｘにリード端子を設けて実装基板１０Ｘに対して挿入実装される構成であってもよい。
また、基板３Ｘの形状及び材質は、実施形態３で示した例に限らない。例えば、基板３Ｘは、平面視において長方形状又は円形状等であってもよい。さらに、基板３Ｘは、セラミック製に限らず、例えば、樹脂製又はシリコン製等であってもよい。
また、支持部材４Ｘが処理回路４３Ｘを含むＡＳＩＣであることは、センサ装置１Ｘに必須の構成ではなく、支持部材４Ｘについても適宜の構成を採用可能である。つまり、支持部材４Ｘは、電子部品でなくてもよく、単なる板材等の構造体であってもよい。さらに、支持部材４Ｘの形状及び材質は、実施形態３で示した例に限らない。例えば、支持部材４Ｘは、平面視において長方形状又は円形状等であってもよい。さらに、支持部材４Ｘは、例えば、樹脂製、シリコン製又はセラミック製等の部材であってもよい。
また、連結部材５Ｘの形状及び材質は、実施形態３で示した例に限らない。例えば、連結部材５Ｘは、立方体状又は多角柱（三角柱、六角柱等）状等であってもよい。また、連結部材５Ｘは、例えば、側面視がＬ字状のステー等であってもよい。さらに、連結部材５Ｘは、ＬＣＰ樹脂製に限らず、例えば、シリコン製、金属製又はセラミック製等であってもよい。
また、配線部材６Ｘは、実施形態３で示した例に限らず、例えば、リード線、フレキシブル基板、ハーネス又はコネクタ等で実現されてもよい。さらに、配線部材６Ｘは、連結部材５Ｘの表面に形成される導電路、又は連結部材５Ｘに埋設される導電路等を含んでいてもよい。
（実施形態４）
本実施形態に係るセンサ装置１ＡＸは、図２２に示すように、連結部材５ＡＸが中空構造である点で、実施形態３に係るセンサ装置１Ｘと相違する。以下、実施形態３と同様の構成については、共通の符号を付して適宜説明を省略する。
本実施形態では、連結部材５ＡＸは、中空構造の直方体状に形成されている。この連結部材５ＡＸは、中空部５４Ｘを有している。中空部５４Ｘは、Ｙ軸方向における支持部材４Ｘとは反対側の面、つまり第２面５２Ｘの裏面側に開口する凹部（窪み）である。すなわち、連結部材５ＡＸは、凹部からなる中空部５４Ｘが形成されることにより、中空構造を具現化している。この構成では、センサ素子２Ｘが搭載された支持部材４Ｘは、連結部材５ＡＸにおける中空部５４Ｘ（凹部）の底壁に固定されることになる。
本実施形態に係るセンサ装置１ＡＸによれば、中実構造の連結部材５Ｘに比べて、連結部材５ＡＸに対して作用する衝撃の緩和を図ることができる。これにより、センサ装置１ＡＸとしての耐衝撃性の向上を図ることができる。
図２２に例示する連結部材５ＡＸの形状は一例に過ぎず、連結部材５ＡＸは、例えば、開口を有さない中空形状であってもよい。
実施形態４で説明した構成（変形例を含む）は、実施形態３で説明した種々の構成（変形例を含む）と適宜組み合わせて採用可能である。
（参考例１）
本参考例に係るセンサ装置１ＢＸは、図２３に示すように、基板３Ｘと支持部材４Ｘとの相対的な位置関係が、実施形態３に係るセンサ装置１Ｘと相違する。以下、実施形態３と同様の構成については、共通の符号を付して適宜説明を省略する。
本参考例では、図２３に示すように、支持面４１Ｘが搭載面３１Ｘに沿った位置関係となるように、基板３Ｘと支持部材４Ｘとが結合されている。特に、図２３の例では、支持面４１Ｘと搭載面３１Ｘとは、互いに略平行な状態にある。また、本参考例では、センサ素子２Ｘが搭載された支持部材４Ｘは、連結部材５ＢＸを介して、基板３Ｘの搭載面３１Ｘ上に支持されている。ここで、センサ素子２Ｘは、Ｚ軸を検知軸とし、Ｚ軸周りの角速度を検知対象とする。Ｚ軸は、支持面４１Ｘ（搭載面３１Ｘ）の法線に沿った軸であるので、結果的に、センサ装置１ＢＸは、支持面４１Ｘ（搭載面３１Ｘ）の法線周りでセンサ装置１ＢＸが回転することに伴いセンサ装置１ＢＸに作用する角速度を、検知対象として検知することになる。
また、本参考例では、支持部材４Ｘと基板３Ｘとの間はボンディングワイヤ６３Ｘにて直接的に接続されている。そのため、本参考例に係るセンサ装置１ＢＸでは、複数本のリード端子６１Ｘ（図１３参照）及び保持部６２Ｘ（図１３参照）は省略されている。
このように、本参考例に係るセンサ装置１ＢＸは、センサ素子２Ｘと、基板３Ｘと、支持部材４Ｘと、連結部材５ＢＸと、を備えている。基板３Ｘは、搭載面３１Ｘを有している。支持部材４Ｘは、支持面４１Ｘを有している。支持面４１Ｘにはセンサ素子２Ｘが搭載される。連結部材５ＢＸは、搭載面３１Ｘに搭載されている。センサ素子２Ｘが搭載された支持部材４Ｘは、連結部材５ＢＸを介して、基板３Ｘの搭載面３１Ｘ上に支持されている。
より詳細には、連結部材５ＢＸは、Ｚ軸方向の寸法（高さＨ１Ｘ）が、Ｘ軸方向の寸法（幅）及びＹ軸方向の寸法（奥行）のいずれよりも小さい、つまり低背の直方体状である。連結部材５ＢＸは、図２３に示すように、Ｚ軸方向（連結部材５ＢＸの高さ方向）の両側に、裏面５５Ｘと、表面５６Ｘと、を有している。裏面５５Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに固定されている。支持部材４Ｘは、表面５６Ｘに固定されている。つまり、連結部材５ＢＸの裏面５５Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに対して動かない状態とされている。同様に、連結部材５ＢＸの表面５６Ｘは、支持部材４Ｘの取付面４２Ｘに対して動かない状態とされている。
そして、上述したような形状の連結部材５ＢＸが、裏面５５Ｘにて基板３Ｘ（搭載面３１Ｘ）に固定され、表面５６Ｘにて支持部材４Ｘ（取付面４２Ｘ）に固定されることにより、基板３Ｘと支持部材４Ｘとを連結する。言い換えれば、支持部材４Ｘに搭載されているセンサ素子２Ｘは、支持部材４Ｘ及び連結部材５ＢＸを介して、間接的に基板３Ｘに支持されることになる。ここで、裏面５５Ｘと表面５６Ｘとは、互いに略平行であるので、支持部材４Ｘの支持面４１Ｘは搭載面３１Ｘに沿うように、連結部材５ＢＸにて基板３Ｘと支持部材４Ｘとが連結される。言い換えれば、基板３Ｘの搭載面３１Ｘには、搭載面３１Ｘの法線に沿った一方向（Ｚ軸方向）に、連結部材５ＢＸ、支持部材４Ｘ及びセンサ素子２Ｘが、この順で積層されている。
基板３Ｘ（搭載面３１Ｘ）に対する連結部材５ＢＸ（裏面５５Ｘ）の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本参考例では一例として、基板３Ｘと連結部材５ＢＸ（裏面５５Ｘ）との固定手段は、接着層５１１Ｘによる接着である。同様に、支持部材４Ｘ（取付面４２Ｘ）に対する連結部材５ＢＸ（表面５６Ｘ）の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本参考例では一例として、支持部材４Ｘと連結部材５ＢＸ（表面５６Ｘ）との固定手段は、接着層５２１Ｘによる接着である。
さらに、本参考例では、基板３Ｘと連結部材５ＢＸとの間には、スペーサ５７Ｘが設けられている。センサ装置１ＢＸは、複数（一例として４つ）のスペーサ５７Ｘを有している。各スペーサ５７Ｘは、一例として、ドーム状（半球状）に形成されている。これら、複数（４つ）のスペーサ５７Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘのうち、例えば、連結部材５ＢＸにおける裏面５５Ｘの四隅と対向する位置に配置されている。スペーサ５７Ｘが形成されることにより、図２３に示すように、基板３Ｘの搭載面３１Ｘと連結部材５ＢＸの裏面５５Ｘとの間には、一定の間隔が確保される。
以上説明した参考例１に係るセンサ装置１ＢＸによれば、センサ素子２Ｘが搭載された支持部材４Ｘは、連結部材５ＢＸを介して、基板３Ｘの搭載面３１Ｘ上に支持されるので、連結部材５ＢＸが無い構成に比較して、基板３Ｘからセンサ素子２Ｘに応力が伝達されにくくなる。すなわち、支持部材４Ｘが基板３Ｘに直接的に固定される構成に比較すると、センサ装置１ＢＸでは、支持部材４Ｘと基板３Ｘとの間に連結部材５ＢＸが介在する分、基板３Ｘから支持部材４Ｘに応力が伝達されにくく、結果的に、センサ素子２Ｘに応力が伝達されにくくなる。そのため、例えば、実装基板１０Ｘと基板３Ｘとの熱膨張係数の違い等により、実装基板１０Ｘから基板３Ｘに応力が作用しても、センサ素子２Ｘの検知結果に対する応力の影響が生じにくい。また、例えば、基板３Ｘと支持部材４Ｘとの熱膨張係数の違い等により、基板３Ｘから支持部材４Ｘに応力が作用し得る場合でも、この応力が連結部材５ＢＸで低減されるため、センサ素子２Ｘの検知結果に対する応力の影響が生じにくい。
さらに、実施形態３の「（２．４）接続部材の配置」の欄で説明したような複数の接続部材４４Ｘの配置によって、支持部材４Ｘからセンサ素子２Ｘに作用する応力についても、センサ素子２Ｘの検知結果に影響しにくい。そのため、本参考例に係る構成によれば、このような接続部材４４Ｘの配置と、連結部材５ＢＸとの相乗効果により、センサ素子２Ｘの検知結果に対する応力の影響がより生じにくい。同様に、実施形態３の「（３．１）第１変形例」の欄で説明したような端子部材１１０Ｘのばね性（弾性）によって、実装基板１０Ｘから基板３Ｘに作用する応力についても、センサ素子２Ｘの検知結果に影響しにくい。そのため、本参考例に係る構成によれば、このような端子部材１１０Ｘのばね性（弾性）と、連結部材５ＢＸとの相乗効果により、センサ素子２Ｘの検知結果に対する応力の影響がより生じにくい。
さらには、センサ装置１ＢＸによれば、センサ素子２Ｘが搭載された支持部材４Ｘは、連結部材５ＢＸを介して、基板３Ｘの搭載面３１Ｘ上に支持されるので、連結部材５ＢＸが無い構成に比較して、センサ素子２Ｘの検知結果に対する振動の影響についても生じにくくなる。つまり、例えば、実装基板１０Ｘから基板３Ｘに振動（衝撃を含む）が伝わることがあっても、この振動は、連結部材５ＢＸにて低減され、支持部材４Ｘに搭載されたセンサ素子２Ｘには伝わりにくくなる。結果的に、センサ装置１ＢＸに振動が加わったとしても、センサ素子２Ｘの検知結果に対する振動の影響が生じにくくなる。
ここにおいて、基板３Ｘからセンサ素子２Ｘに応力及び振動がどの程度、伝達されにくくなるかは、例えば、連結部材５ＢＸの大きさ、材質及び形状等により変わる。この点に鑑みて、連結部材５ＢＸの高さＨ１Ｘ（Ｚ軸方向の寸法）は、例えば、０．１ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であることが好ましい。連結部材５ＢＸの高さＨ１Ｘは０．５ｍｍ以上であることがより好ましい。連結部材５ＢＸの高さＨ１Ｘは１．０ｍｍ以下であることがより好ましい。本参考例では、一例として、連結部材５ＢＸの高さＨ１Ｘは０．７２５ｍｍである。また、連結部材５ＢＸの熱膨張係数は、基板３Ｘの熱膨張係数と、支持部材４Ｘの熱膨張係数と、の間であることが好ましい。具体的には、連結部材５ＢＸの熱膨張係数は、例えば、２ｐｐｍ／℃以上、８ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。連結部材５ＢＸの熱膨張係数は、２．５ｐｐｍ／℃以上であることがより好ましい。連結部材５ＢＸの熱膨張係数は、７．５ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。本参考例では、一例として、連結部材５ＢＸの熱膨張係数は、３ｐｐｍ／℃である。
ところで、本参考例に係るセンサ装置１ＢＸに限らず、実施形態３，４に係るセンサ装置１Ｘ，１ＡＸであっても、連結部材５Ｘ，５ＡＸにより、センサ素子２Ｘの検知結果に対する応力及び振動の影響が生じにくくなる効果は奏し得る。つまり、本参考例では、基板３Ｘの搭載面３１Ｘに、搭載面３１Ｘの法線に沿ったＺ軸方向において、連結部材５ＢＸ、支持部材４Ｘ及びセンサ素子２Ｘが、この順で積層されているが、この構成に限らない。連結部材５Ｘ，５ＡＸの第２面５２Ｘに支持部材４Ｘが固定された構成であっても、センサ素子２Ｘが搭載された支持部材４Ｘが、連結部材５Ｘ，５ＡＸを介して、基板３Ｘの搭載面３１Ｘ上に支持されることで、基板３Ｘからセンサ素子２Ｘに応力及び振動が伝達されにくくなる。
また、図２３では、センサ装置１ＢＸが端子部材１１０Ｘにて実装基板１０Ｘに接合される例を示したが、この例に限らず、センサ装置１ＢＸは、例えば、はんだ等からなる接合部材１０３Ｘ（図１７参照）にて実装基板１０Ｘに接合されてもよい。
参考例１で説明した構成（変形例を含む）は、実施形態３又は実施形態４で説明した種々の構成（変形例を含む）と適宜組み合わせて採用可能である。例えば、実施形態３の「（２．４）接続部材の配置」、「（２．５）電極構造」及び「（３．１）第１変形例」の欄で説明した各構成については、参考例１で説明した構成と、適宜組み合わせて採用可能である。
（参考例２）
本参考例に係るセンサ装置１ＣＸは、図２４に示すように、支持部材４Ｘが基板３Ｘに直接的に固定される点で、参考例１に係るセンサ装置１ＢＸと相違する。以下、参考例１と同様の構成については、共通の符号を付して適宜説明を省略する。
本参考例では、連結部材５ＢＸ（図２３参照）が省略され、図２４に示すように、支持部材４Ｘが基板３Ｘに直接的に結合されている。つまり、センサ素子２Ｘが搭載された支持部材４Ｘは、基板３Ｘの搭載面３１Ｘ上に直接的に支持されている。言い換えれば、基板３Ｘの搭載面３１Ｘには、搭載面３１Ｘの法線に沿った一方向（Ｚ軸方向）に、支持部材４Ｘ及びセンサ素子２Ｘが、この順で積層されている。
基板３Ｘ（搭載面３１Ｘ）に対する支持部材４Ｘ（取付面４２Ｘ）の固定手段としては、例えば、接着、粘着、ろう付け、溶着又は圧着等の適宜の手段を採用可能である。本参考例では一例として、基板３Ｘと支持部材４Ｘとの固定手段は、接着層５１１Ｘによる接着である。
本参考例に係るセンサ装置１ＣＸによれば、連結部材が無い分、センサ装置１ＣＸの小型化を図ることができる。特に、図２４に示すように、基板３Ｘの搭載面３１Ｘの法線に沿った一方向（Ｚ軸方向）において、センサ装置１ＣＸの寸法を小さく抑えることが可能である。
また、図２４では、センサ装置１ＣＸが端子部材１１０Ｘにて実装基板１０Ｘに接合される例を示したが、この例に限らず、センサ装置１ＣＸは、例えば、はんだ等からなる接合部材１０３Ｘ（図１７参照）にて実装基板１０Ｘに接合されてもよい。
参考例２で説明した構成（変形例を含む）は、実施形態３又は実施形態４で説明した種々の構成（変形例を含む）と適宜組み合わせて採用可能である。例えば、実施形態３の「（２．４）接続部材の配置」、「（２．５）電極構造」及び「（３．１）第１変形例」の欄で説明した各構成については、参考例２で説明した構成と、適宜組み合わせて採用可能である。
（実施形態５）
図２５Ａ及び図２５Ｂは本実施形態のセンサ装置１０Ｙを示している。このセンサ装置１０Ｙは、一例としてＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いた角速度センサである。センサ装置１０Ｙはベース基板１１Ｙと中間基板１２Ｙと接着部１３Ｙ（図２６Ｂ参照）と支持部１４Ｙ（図２６Ｂ参照）とセンサ素子１５Ｙとを備えている。センサ装置１０Ｙはベース基板１１Ｙが回路基板等の搭載基板２００Ｙの表面に搭載されており、複数の端子２０１Ｙでベース基板１１Ｙと搭載基板２００Ｙとが電気的に接続されている。ベース基板１１Ｙ、中間基板１２Ｙ及びセンサ素子１５Ｙは、搭載基板２００Ｙに対して、ベース基板１１Ｙ、中間基板１２Ｙ、センサ素子１５Ｙの順で積層されている。
ベース基板１１Ｙは平板状に形成されたセラミック製の回路基板であり、中間基板１２ＹはＡＳＩＣ（application specific integrated circuit、特定用途向け集積回路）である。つまり、本実施形態では、ベース基板１１Ｙに実装された中間基板１２Ｙ（ＡＳＩＣ）のパッケージ上に、センサ素子１５Ｙが実装されている。
ベース基板１１Ｙの表面にはキャップ３００Ｙが設けられている。キャップ３００Ｙは接着剤等の枠状のジョイント部３０１Ｙでベース基板１１Ｙの表面に接合されている。キャップ３００Ｙの内側には中間基板１２Ｙと接着部１３Ｙ及び支持部１４Ｙが収容されている。
図２５Ｂは、キャップ３００Ｙをジョイント部３０１Ｙから外した状態を示す。センサ素子１５Ｙが中間基板１２Ｙに搭載されている。すなわち、センサ素子１５Ｙは中間基板１２Ｙの表面に接合されている。センサ素子１５Ｙは、センサ素子１５Ｙと中間基板１２Ｙとの搭載方向に沿った中心ＰＹと、中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの接合方向に沿った中間基板１２Ｙの中心ＰＹとが、平面視において、一致するように、中間基板１２Ｙに搭載されている。すなわち、センサ素子１５Ｙは中間基板１２Ｙの表面の中央部に位置している。
中間基板１２Ｙはベース基板１１Ｙの表面に搭載されている。中間基板１２Ｙはベース基板１１Ｙと接着部１３Ｙにより接合されている。すなわち、接着部１３Ｙは中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの間に位置し、中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとを接着している。図２６Ａ及び図２６Ｂのように、接着部１３Ｙは中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙの間で円盤状に形成されている。接着部１３Ｙの上記接合方向に沿った中心ＰＹは、上記接合方向に沿った中間基板１２Ｙの中心ＰＹと、平面視において、一致している。すなわち、中間基板１２Ｙはベース基板１１Ｙの表面の中央部に位置している。接着部１３Ｙはシリコーン系接着剤の硬化物である。
中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの間において、接着部１３Ｙの周囲には少なくとも１つの支持部１４Ｙが設けられている。すなわち、１又は複数の支持部１４Ｙが接着部１３Ｙの周囲において中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの間に設けられている。図２６Ａでは、中間基板１２Ｙの四隅の近傍に支持部１４Ｙａ、１４Ｙｂ、１４Ｙｃ、１４Ｙｄが設けられている。したがって、中間基板１２Ｙが中心ＰＹを通る軸ＱＹに対して傾いたときに、中間基板１２Ｙの四隅の近傍に支持部１４Ｙａ、１４Ｙｂ、１４Ｙｃ、１４Ｙｄがそれぞれ当たって支持される。
各支持部１４Ｙは金属製である。すなわち、各支持部１４Ｙは金（Ａｕ）又は銅（Ｃｕ）などの金属製のバンプである。各支持部１４Ｙは円柱状である。各支持部１４Ｙの硬度は接着部１３Ｙの硬度よりも大きい。すなわち、各支持部１４Ｙは接着部１３Ｙよりも硬くて変形しにくい。このため、接着部１３Ｙが歪んで変形しても支持部１４Ｙは変形せずに中間基板１２Ｙを支持することができる。各支持部１４Ｙの体積変化率は、接着部１３Ｙの体積変化率より小さい。すわなち、各支持部１４Ｙは接着部１３Ｙと比較して、温度及び湿度による伸縮の割合が小さい。各支持部１４Ｙは、中間基板１２Ｙに常に当たっておらず、例えば、中間基板１２Ｙが傾くと、いずれかの支持部１４Ｙに当って、この当たった支持部１４Ｙで中間基板１２Ｙが支持される。したがって、中間基板１２Ｙは更に傾くことが無くなる。
支持部１４Ｙの先端は中間基板１２Ｙの表面には接着されていない。この場合、支持部１４Ｙ又は接着部１３Ｙに温度変化又は湿度変化による膨張又は収縮が生じても、この膨張又は収縮に中間基板１２Ｙが追従しにくくなり、中間基板１２Ｙに反り及び歪が生じにくい。したがって、センサ素子１５Ｙの温度特性又は湿度特性が低下しにくくなる、という利点がある。
各支持部１４Ｙは、接着部１３Ｙの一部を通り、中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの接合方向に沿った軸回りで点対称である。すなわち、図２６Ｂのように、上記中心ＰＹを通り、中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの接合方向に沿った軸ＱＹを想定し、この軸ＱＹを中心として各支持部１４Ｙを１８０°回転させることを想定した場合、支持部１４Ｙａと支持部１４Ｙｃとが重なる位置関係であり、支持部１４Ｙｂと支持部１４Ｙｄとが重なる位置関係となっている。
また支持部１４Ｙは、接着部１３Ｙの一部を通り、中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの接合方向に直交する軸回りで線対称である。すなわち、図２６Ａのように、上記中心ＰＹを通り、中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの接合方向に直交する軸ＲＹを想定し、この軸ＲＹを中心として各支持部１４Ｙを９０°反転させた場合、支持部１４Ｙａと支持部１４Ｙｄとが重なる位置関係であり、支持部１４Ｙｂと支持部１４Ｙｃとが重なる位置関係となっている。また上記中心ＰＹを通り、中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの接合方向に直交する軸ＳＹを想定し、この軸ＳＹを中心として各支持部１４Ｙを９０°反転させた場合、支持部１４Ｙａと支持部１４Ｙｂとが重なる位置関係であり、支持部１４Ｙｃと支持部１４Ｙｄとが重なる位置関係となっている。
また支持部１４Ｙは、中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの接合方向から見たセンサ素子１５Ｙの中心ＰＹと同心円状に配置されている。すなわち、センサ素子１５Ｙの中心ＰＹを中心とする円を想定した場合に、その円周上に、軸ＱＹに沿った方向から見て、支持部１４Ｙａと支持部１４Ｙｂと支持部１４Ｙｃと支持部１４Ｙｄとが配置されている。
接着部１３Ｙはシリコーン系接着剤であるため、比較的軟らかく変形しやすいため、ベース基板１１Ｙで生じる応力を吸収し、この応力を中間基板１２Ｙに伝えにくくする。一方、柔軟性のある接着部１３Ｙのみで中間基板１２Ｙを支持していると、中間基板１２Ｙが振動などの影響を受けて傾きやすく、この傾きがセンサ素子１５Ｙのセンシングに影響を与えることがある。そこで、本実施形態では、接着部１３Ｙよりも硬くて変形しにくい支持部１４Ｙをベース基板１１Ｙと中間基板１２Ｙとの間に配置している。これにより、中間基板１２Ｙの下面が支持部１４Ｙに当たって支持されるため、中間基板１２Ｙの傾きを低減できる、という利点がある。また中間基板１２Ｙはベース基板１１Ｙとワイヤボンディングにより電気的に接続されることがあるが、中間基板１２Ｙにワイヤを接続する際にキャピラリで上から押さえられても支持部１４Ｙで支えることができて傾きにくく、ワイヤが接続しやすい。
また接着部１３Ｙは中間基板１２Ｙの厚み方向の一面における中心付近に位置し、この一面における外周部には接着部１３Ｙは存在しない。したがって、接着部１３Ｙから中間基板１２Ｙに応力が伝わったとしても、中間基板１２Ｙの外周部には応力は伝わりにくく、中間基板１２Ｙが傾きにくい。
図２７に示すように、センサ素子１５Ｙは複数の接合部１７Ｙにより中間基板１２Ｙの表面に接合されている。複数の接合部１７Ｙはバンプで形成されている。複数の接合部１７Ｙはセンサ素子１５Ｙの中心ＰＹを中心とする円周上に並んでいる。すなわち、複数の支持部１４Ｙが並んで想定される円と、複数の接合部１７Ｙが並んで想定される円とは、同心円である。
センサ素子１５Ｙは、可動部２０Ｙを有し、可動部２０Ｙの移動量に応じた電気信号を出力する。すなわち、センサ素子１５Ｙは可動部２０Ｙが移動することにより生じる長さ変化を電気信号として出力する。またセンサ素子１５Ｙは、中間基板１２Ｙへのセンサ素子１５Ｙの搭載方向に関連する物理量を検知する。すなわち、センサ素子１５Ｙは、軸ＱＹに沿った方向に対する変動量を検知する。本実施形態では、センサ素子１５Ｙは角速度センサであるので、軸ＱＹ周りの角速度を検知する。
センサ素子１５Ｙの一例として、図２８Ａ及び図２８Ｂに、高周波数（ＭＨｚ領域）駆動の容量式バルク超音波ジャイロスコープを示す。このジャイロスコープはハンドル基板及び可動部２０Ｙとして共振素子を含んでいる。可動部２０Ｙはハンドル基板上の絶縁層により支持されている。また複数個の電極２３Ｙが可動部２０Ｙを囲み、可動部２０Ｙからは非常に小さい容量式間隙により隔離されている。電極２３Ｙは可動部２０Ｙ中において少なくとも２つの変性バルク超音波共振モードを励振しかつ検知することができる。可動部２０Ｙは円盤状（ディスク状）であり、円形状である。可動部２０Ｙは圧電性材料から製作されていることを必要とせず、単結晶または他結晶シリコンなどの非圧電性物質である。シリコン炭化物・窒化ガリウム・窒化アルミニウム・石英などの他の半導体又は金属材料は可動部２０Ｙを製作するのに使用可能である。複数個の電極２３Ｙは、駆動用電極２３Ｙａと検知用電極２３Ｙｂとを含む。そして、可動部２０Ｙは歳差運動により、図２８Ａに示す駆動モードと、図２８Ｂに示す検知モードとの間で変形する。つまり、円盤状の可動部２０Ｙは、その中心軸（軸ＱＹ）に直交する平面内で、互いに直交する２方向に交互に伸縮する変形を繰り返すように振動する。センサ素子１５Ｙは可動部２０Ｙの変形量（移動量）を電気信号として出力する。すなわち、可動部２０Ｙの変形量は、可動部２０Ｙと検知用電極２３Ｙｂとの間の静電容量の変化として現れるため、センサ素子１５Ｙは、この静電容量の変化に応じた電気信号を出力する。
センサ素子１５Ｙでは中間基板１２Ｙの厚み方向の一面に沿って可動部２０Ｙが振動（変形）することでセンシングを行うが、中間基板１２Ｙで生じる応力の影響をセンサ素子１５Ｙが受けてしまうと、センサ素子１５Ｙの複数個の電極２３Ｙの位置に歪みが生じることがある。その結果、これら複数個の電極２３Ｙと可動部２０Ｙとの間のギャップが変化し、センサ素子１５Ｙの出力に影響が及ぶ可能性がある。本実施形態では、中間基板１２Ｙを接着部１３Ｙよりも変形しにくい支持部１４Ｙで中間基板１２Ｙを支持しているため、中間基板１２Ｙに応力が生じにくくなり、可動部２０Ｙが上述したような振動をするセンサ素子１５Ｙでもセンシング性能が損なわれにくい。さらに、中間基板１２Ｙに傾きが生じにくくなることで、円盤状の可動部２０Ｙの中心軸に傾きが生じにくくなり、センサ素子１５Ｙで検知される軸ＱＹ周りの角速度への影響が生じにくい。
（支持部の変形例）
上記では、センサ装置１０Ｙは４個の支持部１４Ｙを備えていたが、これに限られない。図２９では、２８個の支持部１４Ｙを備えたセンサ装置１０Ｙを示している。これらの支持部１４Ｙは、センサ素子１５Ｙの中心ＰＹを中心とする円を想定した場合に、その円周上に、各支持部１４Ｙが並んで配置されている。すなわち、図２７の場合と同様に、複数の支持部１４Ｙが並んで想定される円と、複数の接合部１７Ｙが並んで想定される円とは、同心円である。
また支持部１４Ｙの形状及び高さは、センサ装置１０Ｙの種類などに応じて任意に設定される。図３０Ａに示すように、支持部１４１Ｙは軸ＱＹに沿った方向の断面形状が円錐台であり、その高さは約１５０μｍである。また支持部１４１Ｙの材質はシリコーン系樹脂などの合成樹脂である。
支持部１４Ｙがシリコーン系接着剤の硬化物である場合は、ベース基板１１Ｙにシリコーン系接着剤を塗布した後、乾燥させて硬化させて支持部１４Ｙを形成し、この後、中間基板１２Ｙを配置する。これにより、支持部１４Ｙが中間基板１２Ｙに接着しにくくなり、支持部１４Ｙが中間基板１２Ｙに当たっている状態となる。
図３０Ｂに示すように、支持部１４２Ｙは中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの間で押しつぶされたバンプのような形状である。この場合、支持部１４２Ｙはベース基板１１Ｙ側の直径が中間基板１２Ｙ側の直径よりも大きくなっている。支持部１４２Ｙの高さは約５０μｍである。また支持部１４２Ｙの材質は金（Ａｕ）又銅（Ｃｕ）などの金属である。
中間基板１２Ｙとベース基板１１Ｙとの間に比較的広い間隔が必要な場合は、金属製よりも樹脂製の支持部１４２Ｙの方が、センサ装置１０Ｙを形成しやすい。一方、金属製の支持部１４２Ｙは樹脂製の支持部１４２Ｙに比べて、温度変化又は湿度変化による伸縮が生じにくい。したがって、樹脂製の接着部１３Ｙが伸縮しても金属製の支持部１４２Ｙは伸縮しにくく、支持部１４２Ｙで中間基板１２Ｙが傾きにくくすることができ、センサ素子１５Ｙの温度特性又は湿度特性が低下しにくくなる、という利点がある。
また支持部１４Ｙは一つの部材でリング状に形成されていてもよい。
（その他の変形例）
上記では、センサ装置１０Ｙが角速度センサ（ジャイロセンサ）である場合について説明したが、これに限らず、センサ装置１０Ｙは、例えば加速度センサ又はイメージセンサであってもよい。また、センサ装置１０Ｙのセンサ素子１５Ｙは、ＭＥＭＳ技術を用いた素子に限らず、他の素子であってもよい。すなわち、センサ素子１５Ｙの種類を変えることにより、各種のセンサ装置を実現可能である。
また上記では、支持部１４Ｙが中間基板１２Ｙに接着されていなかったが、支持部１４Ｙは中間基板１２Ｙに接着していてもよい。すなわち、支持部１４Ｙの先端と中間基板１２Ｙの下面とが接合されていてもよい。この場合、中間基板１２Ｙと支持部１４Ｙとが強固に接合され、中間基板１２Ｙの傾きがより生じにくくなる。
（まとめ）
以上説明したように、第１の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ〜１Ｃ）は、センサ素子（２）と、基板（３）と、ボンディングワイヤ（６，６Ａ）と、を備える。基板（３）は、センサ素子（２）が搭載される。ボンディングワイヤ（６，６Ａ）は、センサ素子（２）と基板（３）との間を電気的に接続する接続経路（６０）の少なくとも一部を構成する。ボンディングワイヤ（６，６Ａ）は、互いに交差する２つの接続面（３１，４１，２０１）間を接続するように設けられる。
この態様によれば、センサ素子（２）と基板（３）との間を電気的に接続するための接続経路（６０）の少なくとも一部が、互いに交差する２つの接続面（搭載面３１及び支持面４１）間を接続するボンディングワイヤ（６，６Ａ）にて実現される。そのため、同じ向きに向けられた２つの接続面同士をボンディングワイヤ（６，６Ａ）にて接続する場合に比べて、例えば、接続面からボンディングワイヤ（６，６Ａ）が突出することによる、センサ装置（１，１Ａ〜１Ｃ）の高さ寸法の増大等を抑えることが可能である。結果的に、センサ装置（１，１Ａ〜１Ｃ）によれば、形状又は寸法の自由度の向上を図りやすい、という利点がある。
第２の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ〜１Ｃ）は、第１の態様において、センサ素子（２）が搭載された状態で基板（３）に搭載される支持部材（４）を更に備える。センサ素子（２）は、支持部材（４）を介して基板（３）に電気的に接続されている。２つの接続面（３１，４１，２０１）のうちの１つは、支持部材（４）の一面である。
この態様によれば、センサ素子（２）は支持部材（４）を介して基板（３）に搭載されるので、基板（３）からセンサ素子（２）に応力を作用しにくくできる。
第３の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ〜１Ｃ）は、第２の態様において、支持部材（４）と基板（３）とを連結する連結部材（５）を更に備える。支持部材（４）は、連結部材（５）を介して間接的に、基板（３）に搭載される。
この態様によれば、支持部材（４）は連結部材（５）を介して基板（３）に搭載されるので、基板（３）からセンサ素子（２）への応力をより作用しにくくできる。
第４の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ〜１Ｃ）では、第３の態様において、連結部材（５）と基板（３）とを接合する接着層（５１１）のヤング率は、連結部材（５）と支持部材（４）とを接合する接着層（５２１）のヤング率に比べて大きい。
この態様によれば、連結部材（５）を基板（３）に対して堅牢に固定できる。また、基板（３）から連結部材（５）に応力が作用することがあっても、連結部材（５）から支持部材（４）には応力が伝わりにくいため、センサ素子（２）にまでは応力が作用しにくく、センサ素子（２）の検知結果に対する応力の影響が生じにくい。
第５の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ〜１Ｃ）では、第２〜４のいずれかの態様において、基板（３）は、支持部材（４）が搭載される搭載面（３１）を有する。支持部材（４）は、センサ素子（２）が搭載される支持面（４１）を有する。支持面（４１）の法線（Ｌ１）が搭載面（３１）に沿っている。２つの接続面（３１，４１，２０１）のうちの１つは、支持面（４１）である。
この態様によれば、センサ素子（２）を支持部材（４）ごと、基板（３）の搭載面（３１）に立てた状態で搭載できる。
第６の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ〜１Ｃ）では、第５の態様において、支持部材（４）は、ボンディングワイヤ（６，６Ａ）の一端部が接続される支持側電極（６０２）を支持面（４１）に有する。支持側電極（６０２）は、支持面（４１）におけるセンサ素子（２）から見て基板（３）側に位置する。
この態様によれば、ボンディングワイヤ（６，６Ａ）の長さを比較的短く抑えることができる。
第７の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ〜１Ｃ）では、第５の態様において、支持部材（４）は、ボンディングワイヤ（６，６Ａ）の一端部が接続される支持側電極（６０２）を支持面（４１）に有する。支持側電極（６０２）は、支持面（４１）におけるセンサ素子（２）から見て基板（３）とは反対側に位置する。
この態様によれば、基板（３）からのセンサ素子（２）の高さを比較的低く抑えることができる。
第８の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ〜１Ｃ）では、第１〜７のいずれかの態様において、２つの接続面（３１，４１，２０１）のうちの１つは、基板（３）の一面である。
この態様によれば、基板（３）に対してボンディングワイヤ（６，６Ａ）を直接的に接続することができる。
第９の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ〜１Ｃ）では、第２の態様において、センサ素子（２）は、２つの接続面（３１，４１，２０１）のうちの１つである電極面（２０１）を有する。
この態様によれば、センサ素子（２）に対してボンディングワイヤ（６，６Ａ）を直接的に接続することができる。
第１０の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ〜１Ｃ）では、第９の態様において、支持部材（４）は、センサ素子（２）を含む縦型部材（５０）が搭載される支持面（４１）を有する。縦型部材（５０）は、センサ素子（２）の電極面（２０１）の法線が支持面（４１）に沿った位置関係となるように、支持面（４１）に固定されている。
この態様によれば、センサ素子（２）を、支持部材（４）の支持面（４１）に立てた状態で搭載できる。
第１１の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ〜１Ｃ）では、第１０の態様において、縦型部材（５０）と支持部材（４）とを接合する接着層（５０２，５０４）のヤング率は、支持部材（４）と基板（３）とを接合する接着層（５０１）のヤング率に比べて大きい。
この態様によれば、縦型部材（５０）を支持部材（４）に対して堅牢に固定できる。また、基板（３）に応力が作用することがあっても、基板（３）から支持部材（４）には応力が伝わりにくいため、センサ素子（２）にまでは応力が作用しにくく、センサ素子（２）の検知結果に対する応力の影響が生じにくい。
第１２の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ〜１Ｃ）では、第１０又は１１の態様において、縦型部材（５０）は、センサ素子（２）と支持部材（４）とを連結する連結部材（５）を更に含む。センサ素子（２）は、連結部材（５）を介して間接的に、支持部材（４）に搭載される。
この態様によれば、センサ素子（２）は連結部材（５）を介して支持部材（４）に搭載されるので、支持部材（４）からセンサ素子（２）に応力を作用しにくくできる。
第１３の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ〜１Ｃ）では、第１２の態様において、連結部材（５）と支持部材（４）とを接合する接着層（５０２）のヤング率は、連結部材（５）とセンサ素子（２）とを接合する接着層（５０３）のヤング率に比べて大きい。
この態様によれば、連結部材（５）を支持部材（４）に対して堅牢に固定できる。また、支持部材（４）から連結部材（５）に応力が作用することがあっても、連結部材（５）からセンサ素子（２）には応力が伝わりにくいため、センサ素子（２）にまでは応力が作用しにくく、センサ素子（２）の検知結果に対する応力の影響が生じにくい。
第１４の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ〜１Ｃ）では、第１〜１３のいずれかの態様において、ボンディングワイヤ（６，６Ａ）は複数本ある。２つの接続面（３１，４１，２０１）の各々には、複数本のボンディングワイヤ（６，６Ａ）を接続するための複数の電極（６０１〜６０４）が設けられている。複数の電極（６０１〜６０４）は、２つの接続面（３１，４１，２０１）の両方に平行な一直線に沿って並んでいる。
この態様によれば、複数本のボンディングワイヤ（６，６Ａ）の長さのばらつきを小さく抑えることができる。
第１５の態様に係るセンサ装置（１，１Ａ〜１Ｃ）では、第１〜１４のいずれかの態様において、センサ素子（２）は、素子電極（２００）を有する。素子電極（２００）は、Ａｕ電極層（２２０）と、Ａｕ電極層（２２０）上に積層されるＵＢＭ層（２３）と、を含む。ＵＢＭ層（２３）の熱膨張係数は、ＡｕＳｎの熱膨張係数と、ＳｉＯ２の熱膨張係数と、の間の値である。
この態様によれば、センサ素子（２）に作用する応力の低減を図ることができる。
第２〜１５の態様に係る構成については、センサ装置（１，１Ａ〜１Ｃ）に必須の構成ではなく、適宜省略可能である。
第１６の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）は、センサ素子（２Ｘ）と、基板（３Ｘ）と、支持部材（４Ｘ）と、連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）と、を備える。基板（３Ｘ）は、搭載面（３１Ｘ）を有する。支持部材（４Ｘ）は、支持面（４１Ｘ）を有する。支持部材（４Ｘ）は、支持面（４１Ｘ）にセンサ素子（２Ｘ）が搭載される。連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）は、搭載面（３１Ｘ）に搭載される。連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）は、支持面（４１Ｘ）の法線（Ｌ１Ｘ）が搭載面（３１Ｘ）に沿った位置関係となるように、基板（３Ｘ）と支持部材（４Ｘ）とを連結する。
この態様によれば、センサ素子（２Ｘ）が搭載された支持部材（４Ｘ）が、連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）を介して、基板（３Ｘ）の搭載面（３１Ｘ）上に支持されることで、基板（３Ｘ）の搭載面（３１Ｘ）には、センサ素子（２Ｘ）が支持部材（４Ｘ）ごと搭載される。連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）は、支持面（４１Ｘ）の法線（Ｌ１Ｘ）が搭載面（３１Ｘ）に沿った位置関係となるように、基板（３Ｘ）と支持部材（４Ｘ）とを連結する。そのため、センサ素子（２Ｘ）が搭載される支持部材（４Ｘ）の支持面（４１Ｘ）は、基板（３Ｘ）の搭載面（３１Ｘ）に対して略直交する。したがって、実装基板（１０Ｘ）の一表面（１０１Ｘ）に沿った平面内で基板（３Ｘ）を回転させることで、センサ素子（２Ｘ）が実装される支持面（４１Ｘ）の向きを変更可能であるので、検知対象の自由度の向上を図ることが可能である。
第１７の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）は、第１６の態様において、配線部材（６Ｘ）を更に備える。配線部材（６Ｘ）は、支持部材（４Ｘ）と基板（３Ｘ）とを電気的に接続する。
この態様によれば、支持部材（４Ｘ）と基板（３Ｘ）の電気的に接続を実現できるので、支持部材（４Ｘ）に電気的な機能を付加することが可能である。
第１８の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）では、第１７の態様において、配線部材（６Ｘ）は、搭載面（３１Ｘ）に固定されている。
この態様によれば、配線部材（６Ｘ）から支持部材（４Ｘ）に応力を作用しにくくできる。
第１９の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）では、第１７又は１８の態様において、配線部材（６Ｘ）は、複数本のリード端子（６１Ｘ）と、複数本のリード端子（６１Ｘ）を保持する保持部（６２Ｘ）と、を有する。
この態様によれば、配線部材（６Ｘ）による支持部材（４Ｘ）と基板（３Ｘ）の電気的に接続を、比較的簡単な構造で実現可能である。
第２０の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）では、第１６〜１９のいずれかの態様において、連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）は、支持部材（４Ｘ）との対向面から支持部材（４Ｘ）に向かって突出するスペーサ（５３Ｘ）を更に有する。
この態様によれば、連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）と支持部材（４Ｘ）との間に隙間を確保でき、連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）から支持部材（４Ｘ）に応力を作用しにくくできる。
第２１の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）では、第１６〜２０のいずれかの態様において、センサ素子（２Ｘ）は、支持面（４１Ｘ）の法線（Ｌ１Ｘ）に沿った軸周りの角速度に応じた電気信号を出力する。
この態様によれば、実装基板（１０Ｘ）の一表面（１０１Ｘ）に沿った平面内で基板（３Ｘ）を回転させることで、いずれの向きの角速度を検知対象とするかを調整可能となる。
第２２の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）では、第１６〜２１のいずれかの態様において、支持部材（４Ｘ）は、処理回路（４３Ｘ）を含む。処理回路（４３Ｘ）は、センサ素子（２Ｘ）から出力される電気信号に関する処理を実行する。
この態様によれば、センサ素子（２Ｘ）の近傍に処理回路（４３Ｘ）が配置されるので、センサ素子（２Ｘ）から出力される電気信号がノイズの影響を受けにくくなる。
第２３の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）では、第１６〜２２のいずれかの態様において、連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）は、中空部（５４Ｘ）を有する。
この態様によれば、連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）が中実構造である場合に比べて、連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）に対して作用する衝撃の緩和を図ることができる。
第２４の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）では、第１６〜２３のいずれかの態様において、連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）は、基板（３Ｘ）の搭載面（３１Ｘ）に固定される第１面（５１Ｘ）と、第１面（５１Ｘ）と交差する第２面（５２Ｘ）と、を有する。支持部材（４Ｘ）は、第２面（５２Ｘ）に固定されている。
この態様によれば、基板（３Ｘ）の搭載面（３１Ｘ）に第１面（５１Ｘ）を固定し、支持部材（４Ｘ）に第２面（５２Ｘ）を固定することで、連結部材（５Ｘ，５ＡＸ）を基板（３Ｘ）及び支持部材（４Ｘ）に対して、安定的に固定できる。
第２５の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）は、第１６〜２４のいずれかの態様において、ケース（７Ｘ）を更に備える。ケース（７Ｘ）は、基板（３Ｘ）と結合され、基板（３Ｘ）の搭載面（３１Ｘ）との間に少なくともセンサ素子（２Ｘ）を収容する。
この態様によれば、ケース（７）にてセンサ素子（２Ｘ）等を保護できる。
第２６の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）では、第１６〜２５のいずれかの態様において、支持部材（４Ｘ）は、センサ素子（２Ｘ）を電気的に接続するためのセンサ用電極（８１Ｘ）と、基板（３Ｘ）を電気的に接続するための基板用電極（８２Ｘ）と、を有している。センサ用電極（８１Ｘ）は、下地電極（８１１Ｘ）と、めっき層（Ｎｉめっき層８１２Ｘ及びＡｕめっき層８１３Ｘ）と、を含んでいる。基板用電極（８２Ｘ）は、下地電極（８２１Ｘ）のみからなる。
この態様によれば、めっき層の表面上へのニッケルの析出が生じにくく、ボンディングワイヤ（６３Ｘ）と基板用電極（８２Ｘ）との接合強度の低下が生じにくい。
第２７の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）では、第１６〜２５のいずれかの態様において、支持部材（４Ｘ）は、センサ素子（２Ｘ）を電気的に接続するためのセンサ用電極（８１Ｘ）と、基板（３Ｘ）を電気的に接続するための基板用電極（８２Ｘ）と、を有している。センサ用電極（８１Ｘ）及び基板用電極（８２Ｘ）の各々は、下地電極（８１１Ｘ，８２１Ｘ）と、Ｎｉめっき層（８１２Ｘ，８２２Ｘ）、Ａｕめっき層（８１３Ｘ，８２３Ｘ）及びバリア層（８１０Ｘ，８２０Ｘ）を含んでいる。下地電極（８１１Ｘ，８２１Ｘ）上に、Ｎｉめっき層（８１２Ｘ，８２２Ｘ）、バリア層（８１０Ｘ，８２０Ｘ）及びＡｕめっき層（８１３Ｘ，８２３Ｘ）がこの順に積層されている。
この態様によれば、Ａｕめっき層（８１３Ｘ，８２３Ｘ）の表面上へのニッケルの析出が生じにくく、ボンディングワイヤ（６３Ｘ）と基板用電極（８２Ｘ）との接合強度の低下が生じにくい。
第２８の態様に係るセンサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）は、第１６〜２７のいずれかの態様において、支持部材（４Ｘ）とセンサ素子（２Ｘ）とを接続する複数の接続部材（４４Ｘ）を更に備えている。複数の接続部材（４４Ｘ）は、センサ素子（２Ｘ）の中心点（Ｐ１Ｘ）に対して点対称に配置されている。
この態様によれば、支持部材（４Ｘ）からセンサ素子（２Ｘ）に応力が作用する場合でも、この応力の分布が中心点（Ｐ１Ｘ）に対して点対称となることで、センサ素子（２Ｘ）の検知結果に応力が影響しにくくなる。
第１７〜２８の態様に係る構成については、センサ装置（１Ｘ，１ＡＸ）に必須の構成ではなく、適宜省略可能である。
また、第２６〜２８の態様に係る構成については、第１６の態様を前提とせずとも、種々のセンサ装置１Ｘ，１ＡＸ〜１ＣＸに適用可能である。つまり、第２６〜２８の態様に係る構成については、実施形態３又は実施形態４で説明した種々の構成（変形例を含む）に限らず、参考例１又は参考例２で説明した種々の構成（変形例を含む）と、適宜組み合わせて採用可能である。
第２９の態様に係るセンサ装置（１０Ｙ）は、接着部（１３Ｙ）と少なくとも１つの支持部（１４Ｙ）とを備える。接着部（１３Ｙ）は、センサ素子（１５Ｙ）が搭載された中間基板（１２Ｙ）とベース基板（１１Ｙ）とを接合する。少なくとも１つの支持部（１４Ｙ）は、中間基板（１２Ｙ）とベース基板（１１Ｙ）との間において、接着部（１３Ｙ）の周囲に位置する。
この態様によれば、接着部（１３Ｙ）が伸縮しても支持部（１４Ｙ）で中間基板（１２Ｙ）が支持され、中間基板（１２Ｙ）の傾きが低減される。したがって中間基板（１２Ｙ）に搭載されたセンサ素子（１５Ｙ）が中間基板（１２Ｙ）の傾きによる影響を受けにくくなり、センサ素子（１５Ｙ）による検知性能が低下しにくい。
第３０の態様に係るセンサ装置（１０Ｙ）は、第２９の態様において、支持部（１４Ｙ）は、接着部（１３Ｙ）の一部を通り、中間基板（１２Ｙ）とベース基板（１１Ｙ）との接合方向に沿った軸回りで点対称である。
この態様によれば、接着部（１３Ｙ）が伸縮しても支持部（１４Ｙ）でバランスよく中間基板（１２Ｙ）が支持され、中間基板（１２Ｙ）の傾きが低減される。したがって中間基板（１２Ｙ）に搭載されたセンサ素子（１５Ｙ）が中間基板（１２Ｙ）の傾きによる影響を受けにくくなり、センサ素子（１５Ｙ）による検知性能が低下しにくい。
第３１の態様に係るセンサ装置（１０Ｙ）は、第２９の態様において、支持部（１４Ｙ）は、接着部（１３Ｙ）の一部を通り、中間基板（１２Ｙ）とベース基板（１１Ｙ）との接合方向に直交する軸回りで線対称である。
この態様によれば、接着部（１３Ｙ）が伸縮しても支持部（１４Ｙ）でバランスよく中間基板（１２Ｙ）が支持され、中間基板（１２Ｙ）の傾きが低減される。したがって中間基板（１２Ｙ）に搭載されたセンサ素子（１５Ｙ）が中間基板（１２Ｙ）の傾きによる影響を受けにくくなり、センサ素子（１５Ｙ）による検知性能が低下しにくい。
第３２の態様に係るセンサ装置（１０Ｙ）は、第２９〜３１のいずれかの態様において、支持部（１４Ｙ）の硬度は、接着部（１３Ｙ）の硬度より大きい。
この態様によれば、支持部（１４Ｙ）に中間基板（１２Ｙ）が当たっても変形しにくくなり、支持部（１４Ｙ）により中間基板（１２Ｙ）を支持しやすい。
第３３の態様に係るセンサ装置（１０Ｙ）は、第２９〜３２のいずれかの態様において、支持部（１４Ｙ）の体積変化率は、接着部（１３Ｙ）の体積変化率より小さい。
この態様によれば、接着部（１３Ｙ）の体積が変化しても支持部（１４Ｙ）に当たりやすくなり、支持部（１４Ｙ）により中間基板（１２Ｙ）を支持しやすい。
第３４の態様に係るセンサ装置（１０Ｙ）は、第２９〜３３のいずれかの態様において、支持部（１４Ｙ）は金属製である。
この態様によれば、中間基板（１２Ｙ）が支持部（１４Ｙ）に当たっても変形しにくくなり、支持部（１４Ｙ）により中間基板（１２Ｙ）を支持しやすい。
第３５の態様に係るセンサ装置（１０Ｙ）は、第２９〜３４のいずれかの態様において、支持部（１４Ｙ）は、中間基板（１２Ｙ）とベース基板（１１Ｙ）との接合方向から見たセンサ素子（１５Ｙ）の中心と同心円状に配置されている。
この態様によれば、中間基板（１２Ｙ）に搭載されたセンサ素子（１５Ｙ）が中間基板（１２Ｙ）の傾きによる影響を受けにくくなり、センサ素子（１５Ｙ）による検知性能が低下しにくい。
第３６の態様に係るセンサ装置（１０Ｙ）は、第２９〜３５のいずれかの態様において、支持部（１４Ｙ）は中間基板（１２Ｙ）と接着されている。
この態様によれば、支持部（１４Ｙ）は中間基板（１２Ｙ）をより強固に支持することができ、支持部（１４Ｙ）により中間基板（１２Ｙ）の傾きを低減しやすい。
第３７の態様に係るセンサ装置（１０Ｙ）は、第２９〜３６のいずれかの態様において、センサ素子（１５Ｙ）は可動部（２０Ｙ）を有し、可動部（２０Ｙ）の移動量に応じた電気信号を出力する。
この態様によれば、可動部（２０Ｙ）による移動が中間基板（１２Ｙ）の傾きに影響されにくくなり、センサ素子（１５Ｙ）による検知性能が低下しにくい。
第３８の態様に係るセンサ装置（１０Ｙ）は、第２９〜３７のいずれかの態様において、センサ素子（１５Ｙ）は、中間基板（１２Ｙ）へのセンサ素子（１５Ｙ）の搭載方向に関連する物理量を検知する。
この態様によれば、可動部（２０Ｙ）による移動が中間基板（１２Ｙ）の傾きに影響されにくくなり、センサ素子（１５Ｙ）による検知性能が低下しにくい。
第３０〜３８の態様に係る構成については、センサ装置（１０Ｙ）に必須の構成ではなく、適宜省略可能である。
１，１Ａ〜１Ｃ センサ装置
２ センサ素子
３ 基板
４ 支持部材
５ 連結部材
６，６Ａ ボンディングワイヤ
２３ ＵＢＭ層
５０ 縦型部材
６０ 接続経路
３１ 搭載面（接続面）
４１ 支持面（接続面）
２００ 素子電極
２２０ Ａｕ電極層
２０１ 電極面（接続面）
５０１，５０２，５０３，５０４，５１１，５２１ 接着層
６０１ 基板側電極
６０２ 支持側電極
６０３ 送り電極
６０４ センサ側電極
Ｌ１ 法線
１Ｘ，１ＡＸ センサ装置
２Ｘ センサ素子
３Ｘ 基板
４Ｘ 支持部材
５Ｘ，５ＡＸ 連結部材
６Ｘ 配線部材
７Ｘ ケース
３１Ｘ 搭載面
４１Ｘ 支持面
４３Ｘ 処理回路
４４Ｘ 接続部材
５１Ｘ 第１面
５２Ｘ 第２面
５３Ｘ スペーサ
５４Ｘ 中空部
６１Ｘ リード端子
６２Ｘ 保持部
８１Ｘ センサ用電極
８２Ｘ 基板用電極
８１１Ｘ，８２１Ｘ 下地電極
８１２Ｘ，８２２Ｘ Ｎｉめっき層
８１３Ｘ，８２３Ｘ Ａｕめっき層
８１０Ｘ，８２０Ｘ バリア層
Ｌ１Ｘ 支持面の法線
Ｐ１Ｘ 中心点
１０Ｙ センサ装置
１１Ｙ ベース基板
１２Ｙ 中間基板
１３Ｙ 接着部
１４Ｙ 支持部
１５Ｙ センサ素子
２０Ｙ 可動部

Claims (38)

  1. センサ素子と、
    前記センサ素子が搭載される基板と、
    前記センサ素子と前記基板との間を電気的に接続する接続経路の少なくとも一部を構成し、互いに交差する２つの接続面間を接続するように設けられるボンディングワイヤと、を備える、
    センサ装置。
  2. 前記センサ素子が搭載された状態で前記基板に搭載される支持部材を更に備え、
    前記センサ素子は、前記支持部材を介して前記基板に電気的に接続されており、
    前記２つの接続面のうちの１つは、前記支持部材の一面である、
    請求項１に記載のセンサ装置。
  3. 前記支持部材と前記基板とを連結する連結部材を更に備え、
    前記支持部材は、前記連結部材を介して間接的に、前記基板に搭載される、
    請求項２に記載のセンサ装置。
  4. 前記連結部材と前記基板とを接合する接着層のヤング率は、前記連結部材と前記支持部材とを接合する接着層のヤング率に比べて大きい、
    請求項３に記載のセンサ装置。
  5. 前記基板は、前記支持部材が搭載される搭載面を有し、
    前記支持部材は、前記センサ素子が搭載される支持面を有し、
    前記支持面の法線が前記搭載面に沿っており、
    前記２つの接続面のうちの１つは、前記支持面である、
    請求項２〜４のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  6. 前記支持部材は、前記ボンディングワイヤの一端部が接続される支持側電極を前記支持面に有し、
    前記支持側電極は、前記支持面における前記センサ素子から見て前記基板側に位置する、
    請求項５に記載のセンサ装置。
  7. 前記支持部材は、前記ボンディングワイヤの一端部が接続される支持側電極を前記支持面に有し、
    前記支持側電極は、前記支持面における前記センサ素子から見て前記基板とは反対側に位置する、
    請求項５に記載のセンサ装置。
  8. 前記２つの接続面のうちの１つは、前記基板の一面である、
    請求項１〜７のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  9. 前記センサ素子は、前記２つの接続面のうちの１つである電極面を有する、
    請求項２に記載のセンサ装置。
  10. 前記支持部材は、前記センサ素子を含む縦型部材が搭載される支持面を有し、
    前記縦型部材は、前記センサ素子の前記電極面の法線が前記支持面に沿った位置関係となるように、前記支持面に固定されている、
    請求項９に記載のセンサ装置。
  11. 前記縦型部材と前記支持部材とを接合する接着層のヤング率は、前記支持部材と前記基板とを接合する接着層のヤング率に比べて大きい、
    請求項１０に記載のセンサ装置。
  12. 前記縦型部材は、前記センサ素子と前記支持部材とを連結する連結部材を更に含み、
    前記センサ素子は、前記連結部材を介して間接的に、前記支持部材に搭載される、
    請求項１０又は１１に記載のセンサ装置。
  13. 前記連結部材と前記支持部材とを接合する接着層のヤング率は、前記連結部材と前記センサ素子とを接合する接着層のヤング率に比べて大きい、
    請求項１２に記載のセンサ装置。
  14. 前記ボンディングワイヤは複数本あって、
    前記２つの接続面の各々には、前記複数本のボンディングワイヤを接続するための複数の電極が設けられており、
    前記複数の電極は、前記２つの接続面の両方に平行な一直線に沿って並んでいる、
    請求項１〜１３のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  15. 前記センサ素子は、素子電極を有し、
    前記素子電極は、Ａｕ電極層と、前記Ａｕ電極層上に積層されるＵＢＭ層と、を含み、
    前記ＵＢＭ層の熱膨張係数は、ＡｕＳｎの熱膨張係数と、ＳｉＯ２の熱膨張係数と、の間の値である、
    請求項１〜１４のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  16. センサ素子と、
    搭載面を有する基板と、
    支持面を有し、前記支持面に前記センサ素子が搭載される支持部材と、
    前記搭載面に搭載され、前記支持面の法線が前記搭載面に沿った位置関係となるように、前記基板と前記支持部材とを連結する連結部材と、を備える、
    センサ装置。
  17. 前記支持部材と前記基板とを電気的に接続する配線部材を更に備える、
    請求項１６に記載のセンサ装置。
  18. 前記配線部材は、前記搭載面に固定されている、
    請求項１７に記載のセンサ装置。
  19. 前記配線部材は、複数本のリード端子と、前記複数本のリード端子を保持する保持部と、を有する、
    請求項１７又は１８に記載のセンサ装置。
  20. 前記連結部材は、前記支持部材との対向面から前記支持部材に向かって突出するスペーサを更に有する、
    請求項１６〜１９のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  21. 前記センサ素子は、前記支持面の前記法線に沿った軸周りの角速度に応じた電気信号を出力する、
    請求項１６〜２０のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  22. 前記支持部材は、前記センサ素子から出力される電気信号に関する処理を実行する処理回路を含む、
    請求項１６〜２１のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  23. 前記連結部材は、中空部を有する、
    請求項１６〜２２のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  24. 前記連結部材は、
    前記基板の前記搭載面に固定される第１面と、
    前記第１面と交差する第２面と、を有し、
    前記支持部材は、前記第２面に固定されている、
    請求項１６〜２３のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  25. 前記基板と結合され、前記基板の前記搭載面との間に少なくとも前記センサ素子を収容するケースを更に備える、
    請求項１６〜２４のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  26. 前記支持部材は、前記センサ素子を電気的に接続するためのセンサ用電極と、前記基板を電気的に接続するための基板用電極と、を有し、
    前記センサ用電極は、下地電極と、めっき層と、を含み、
    前記基板用電極は、下地電極のみからなる、
    請求項１６〜２５のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  27. 前記支持部材は、前記センサ素子を電気的に接続するためのセンサ用電極と、前記基板を電気的に接続するための基板用電極と、を有し、
    前記センサ用電極及び前記基板用電極の各々は、下地電極、Ｎｉめっき層、Ａｕめっき層及びバリア層を含み、前記下地電極上に、前記Ｎｉめっき層、前記バリア層及び前記Ａｕめっき層がこの順に積層されている、
    請求項１６〜２５のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  28. 前記支持部材と前記センサ素子とを接続する複数の接続部材を更に備え、
    前記複数の接続部材は、前記センサ素子の中心点に対して点対称に配置されている、
    請求項１６〜２７のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  29. センサ素子が搭載された中間基板とベース基板とを接合する接着部と、
    前記中間基板と前記ベース基板との間において、前記接着部の周囲に位置する少なくとも１つの支持部と、
    を備えるセンサ装置。
  30. 前記支持部は、前記接着部の一部を通り、前記中間基板と前記ベース基板との接合方向に沿った軸回りで点対称である、
    請求項２９に記載のセンサ装置。
  31. 前記支持部は、前記接着部の一部を通り、前記中間基板と前記ベース基板との接合方向に直交する軸回りで線対称である、
    請求項２９に記載のセンサ装置。
  32. 前記支持部の硬度は、前記接着部の硬度より大きい、
    請求項２９〜３１のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  33. 前記支持部の体積変化率は、前記接着部の体積変化率より小さい、
    請求項２９〜３２のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  34. 前記支持部は金属製である、
    請求項２９〜３３のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  35. 前記支持部は、前記中間基板と前記ベース基板との接合方向から見た前記センサ素子の中心と同心円状に配置されている、
    請求項２９〜３４のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  36. 前記支持部は前記中間基板と接着されている、
    請求項２９〜３５のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  37. 前記センサ素子は可動部を有し、前記可動部の移動量に応じた電気信号を出力する、
    請求項２９〜３６のいずれか１項に記載のセンサ装置。
  38. 前記センサ素子は、前記中間基板への前記センサ素子の搭載方向に関連する物理量を検知する、
    請求項２９〜３７のいずれか１項に記載のセンサ装置。
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