WO2020054272A1 - 固体撮像装置及び電子機器 - Google Patents

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WO2020054272A1
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state imaging
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馬場　友彦
直樹 秀島
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ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
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Definitions

  • the present technology relates to a solid-state imaging device and an electronic device.
  • the present disclosure has an object to provide a solid-state imaging device and an electronic device capable of suppressing flare.
  • a solid-state imaging device includes: (a) a substrate on which a plurality of photodiodes are formed; (b) a groove provided on a light receiving surface side of the substrate; and (c) a concave / convex portion provided inside the groove. Is provided. Further, the solid-state imaging device of the present disclosure includes (a) a substrate on which a plurality of photoelectric conversion units are formed, and (b) a groove provided on the light receiving surface side of the substrate, and (c) a side wall surface of the groove. , The shape protrudes inward in the width direction of the groove toward the bottom side.
  • the solid-state imaging device of the present disclosure includes (a) a substrate on which a plurality of photoelectric conversion units are formed, and (b) a groove provided on the light receiving surface side of the substrate, and (c) a side wall surface of the groove.
  • the shape is such that the closer to the opening, the more protrudes inward in the width direction of the groove.
  • the solid-state imaging device of the present disclosure includes (a) a substrate on which a plurality of photoelectric conversion units are formed, and (b) a groove provided on the light receiving surface side of the substrate, and (c) a side wall surface of the groove.
  • the cross-sectional shape is an arc shape protruding outward or inward in the width direction of the groove.
  • the solid-state imaging device of the present disclosure includes (a) a substrate on which a plurality of photoelectric conversion units are formed, and (b) a groove provided on the light receiving surface side of the substrate, and (c) a bottom surface of the groove, It has a shape in which a plurality of conical solids are arranged in an array.
  • the solid-state imaging device of the present disclosure includes (a) a substrate on which a plurality of photoelectric conversion units are formed, and (b) a groove provided on a light receiving surface side of the substrate, and (c) a part of the groove. Alternatively, the whole is filled up to the opening with a substance different from the substrate.
  • the solid-state imaging device of the present disclosure includes (a) a substrate on which a plurality of photoelectric conversion units are formed, and (b) a groove provided on a light receiving surface side of the substrate, and (c) a width of the groove is: The reflected light obtained by reflecting the incident light from the light receiving surface side of the substrate at the groove portion is different for each location in the longitudinal direction of the groove portion so that the reflected light is directed in a direction different from the direction in which the incident light is incident.
  • the solid-state imaging device according to the present disclosure includes (a) a substrate on which a plurality of photoelectric conversion units are formed, (b) a groove provided on a light receiving surface side of the substrate, and (c) a plurality of photoelectric conversion units.
  • the distance between the pixel region having the groove and the groove is set such that the reflected light obtained by reflecting the incident light from the light receiving surface side of the substrate at the groove is directed in a direction different from the direction in which the incident light is incident.
  • the direction is different for each location.
  • an electronic apparatus includes: (a) a solid-state imaging device including: a substrate on which a plurality of photodiodes are formed; a groove provided on a light receiving surface side of the substrate; and an uneven portion provided inside the groove. b) an optical lens that forms image light from a subject on an imaging surface of the solid-state imaging device; and (c) a signal processing circuit that performs signal processing on a signal output from the solid-state imaging device.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of a solid-state imaging device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a planar configuration of a chip on which a solid-state imaging device is formed.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a plan configuration of a chip by enlarging a right end portion of FIG. 2.
  • FIG. 3B is a diagram showing a cross-sectional configuration of the chip taken along line AA in FIG. 3A.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a planar configuration of a wafer.
  • FIG. 4B is a diagram illustrating a planar configuration of a wafer by enlarging a region B in FIG. 4A.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a cross-sectional configuration of a camera module.
  • FIG. 7B is a diagram illustrating a cross-sectional configuration of the camera module by enlarging a region C in FIG. 7A.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a cross-sectional configuration of a camera module. It is a figure for explaining the calculation method of the pitch etc. of the uneven part. It is a figure for explaining the suitable range of the angle of a convex part. It is a figure for explaining the suitable range of the angle of a convex part.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a plan configuration of a chip on which the solid-state imaging device according to the first embodiment is formed.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating a plan configuration of a chip on which the solid-state imaging device according to the second embodiment is formed.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating a planar configuration of a chip on which the solid-state imaging device of Comparative Example 1 is formed. It is a figure showing the three-dimensional composition of a slot concerning a modification.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a method of forming a conical solid.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a method of forming a conical solid.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a method of forming a conical solid.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a method of forming a conical solid.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a method of forming a conical solid.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a method of forming a conical solid. It is a figure showing the three-dimensional composition of a slot concerning a modification. It is a figure showing the plane composition of the chip concerning a modification. It is a figure for explaining the suitable shape of a convex part. It is a figure for explaining the suitable shape of a convex part. It is a figure for explaining the suitable shape of a convex part. It is a figure for explaining the suitable shape of a convex part. It is a figure showing the plane composition of the chip concerning a modification. It is a figure showing the plane composition of the chip concerning a modification.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a relationship between an incident angle of incident light and a reflectance. It is a figure showing the plane composition of the chip concerning a modification.
  • FIG. 3 is a diagram for describing a reflection direction of incident light.
  • FIG. 3 is a diagram for describing a reflection direction of incident light.
  • FIG. 3 is a diagram for describing a reflection direction of incident light.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a relationship between an incident angle of incident light, a light amount, and a light amount of reflected light.
  • FIG. 13 is a schematic configuration diagram of an electronic device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • Solid-state imaging device 1-1 Overall configuration of solid-state imaging device 1-2 Configuration of main part 1-3 Example 1-4 Modification 2.
  • Second embodiment electronic device
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating the entire solid-state imaging device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the solid-state imaging device 1 in FIG. 1 is a back-illuminated CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor.
  • the solid-state imaging device 1 (101) captures image light (incident light 106) from a subject via an optical lens 102, and determines the amount of incident light 106 imaged on the imaging surface as a pixel. It is converted into an electric signal in units and output as a pixel signal.
  • the solid-state imaging device 1 according to the first embodiment includes a substrate 2, a pixel region 3, a vertical drive circuit 4, a column signal processing circuit 5, a horizontal drive circuit 6, and an output circuit 7. And a control circuit 8.
  • the pixel region 3 has a plurality of pixels 9 regularly arranged on the substrate 2 in a two-dimensional array.
  • the pixel 9 includes the photoelectric conversion unit 24 illustrated in FIG. 3B and a plurality of pixel transistors (not illustrated).
  • the plurality of pixel transistors for example, four transistors of a transfer transistor, a reset transistor, a selection transistor, and an amplifier transistor can be adopted. Further, for example, three transistors excluding the selection transistor may be employed.
  • the vertical drive circuit 4 is configured by, for example, a shift register, selects a desired pixel drive line 10, supplies a pulse for driving the pixel 9 to the selected pixel drive line 10, and controls each pixel 9 in a row unit. Drive. That is, the vertical drive circuit 4 selectively scans each pixel 9 of the pixel region 3 sequentially in the vertical direction on a row-by-row basis, and generates a pixel signal based on the signal charge generated in the photoelectric conversion unit 24 of each pixel 9 according to the amount of received light. , To the column signal processing circuit 5 through the vertical signal line 11.
  • the column signal processing circuit 5 is arranged, for example, for each column of the pixels 9 and performs signal processing such as noise removal on the signals output from the pixels 9 for one row for each pixel column.
  • the column signal processing circuit 5 performs signal processing such as CDS (Correlated Double Sampling) and AD (Analog Digital) conversion for removing pixel-specific fixed pattern noise.
  • the horizontal driving circuit 6 is configured by, for example, a shift register, sequentially outputs horizontal scanning pulses to the column signal processing circuit 5, selects each of the column signal processing circuits 5 in order, and, from each of the column signal processing circuits 5, The pixel signal subjected to the signal processing is output to the horizontal signal line 12.
  • the output circuit 7 performs signal processing on pixel signals sequentially supplied from each of the column signal processing circuits 5 through the horizontal signal line 12 and outputs the processed signal.
  • the signal processing for example, buffering, black level adjustment, column variation correction, various digital signal processing, and the like can be used.
  • the control circuit 8 generates a clock signal and a control signal, which serve as references for the operations of the vertical drive circuit 4, the column signal processing circuit 5, and the horizontal drive circuit 6, based on the vertical synchronization signal, the horizontal synchronization signal, and the master clock signal. Generate. Then, the control circuit 8 outputs the generated clock signal and control signal to the vertical drive circuit 4, the column signal processing circuit 5, the horizontal drive circuit 6, and the like.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a planar configuration of the pixel region 3 and a region around the pixel region 3 (hereinafter, also referred to as a “peripheral region 14”) in the chip 13 on which the solid-state imaging device 1 of the first embodiment is formed.
  • FIG. 3A is a diagram illustrating a plan configuration of the chip 13 by enlarging a right end portion of FIG. 2.
  • FIG. 3B is a diagram illustrating a cross-sectional configuration of the chip 13 taken along line AA in FIG. 3A.
  • a chip 13 on which the solid-state imaging device 1 of the first embodiment is formed has a light receiving layer in which a substrate 2, a protective film 15, a light shielding film 16, and a planarizing film 17 are laminated in this order. 18 are provided.
  • a light receiving layer 18 on the side of the flattening film 17 (hereinafter also referred to as “back surface S1 side”), a light collecting layer 21 in which a color filter layer 19 and an on-chip lens 20 are laminated in this order is formed.
  • a wiring layer 22 and a support substrate 23 are stacked in this order on the surface of the light receiving layer 18 on the substrate 2 side (hereinafter also referred to as “front surface S2 side”).
  • back surface S1 of the light receiving layer 18 and the back surface of the flattening film 17 are the same surface, the back surface of the flattening film 17 is also referred to as “back surface S1” in the following description.
  • surface S2 of the light receiving layer 18 and the surface of the substrate 2 are the same surface, the surface of the substrate 2 is also referred to as “surface S2” in the following description.
  • the substrate 2 is formed of, for example, a semiconductor substrate made of silicon (Si), and forms the pixel region 3 and the peripheral region 14. As shown in FIG. 3B, in the pixel region 3, a plurality of photoelectric conversion units 24 formed on the substrate 2, that is, a plurality of pixels 9 including a plurality of photoelectric conversion units 24 embedded in the substrate 2 are provided. , Are arranged in a two-dimensional array. In the photoelectric conversion unit 24, signal charges corresponding to the amount of incident light are generated, and the generated signal charges are accumulated.
  • the protective film 15 continuously covers the entire back surface S3 side (the entire light receiving surface side) of the substrate 2.
  • a material of the protective film 15 for example, silicon oxide (SiO 2 ) can be used.
  • the light shielding film 16 is formed in a lattice shape with openings on the light receiving surface sides of the plurality of photoelectric conversion units 24 on a part of the back surface S4 side of the protective film 15 so that light does not leak into the adjacent pixels 9. Is formed.
  • the flattening film 17 continuously covers the entire back surface S4 side (entire light receiving surface side) of the protective film 15 including the light shielding film 16 so that the back surface S1 of the light receiving layer 18 becomes a flat surface without unevenness. ing.
  • the color filter layer 19 has a plurality of color filters such as R (red), G (green), and B (blue) for each pixel 9 on the back surface S1 side (light receiving surface side) of the flattening film 17. .
  • the colors of the color filters are arranged, for example, according to a Bayer arrangement.
  • the color filter layer 19 transmits light of a specific wavelength and makes the transmitted light incident on the photoelectric conversion unit 24 in the substrate 2.
  • the on-chip lens 20 is formed on the back surface S7 side (light receiving surface side) of the color filter layer 19 so as to correspond to each pixel 9.
  • the on-chip lens 20 condenses the irradiation light, and makes the condensed light efficiently enter the photoelectric conversion unit 24 in the substrate 2 via the color filter layer 19.
  • the wiring layer 22 is formed on the surface S2 side of the substrate 2 and includes wiring (not shown) stacked in a plurality of layers (three layers in FIG. 3B) via an interlayer insulating film (not shown). ing.
  • the pixel transistors constituting each pixel 9 are driven via a plurality of layers of wiring formed in the wiring layer 22.
  • the support substrate 23 is formed on the surface of the wiring layer 22 opposite to the surface facing the substrate 2.
  • the support substrate 23 is a substrate for securing the strength of the substrate 2 at the stage of manufacturing the solid-state imaging device 1.
  • silicon (Si) can be used as a material of the support substrate 23, for example.
  • the solid-state imaging device 1 having the above configuration is formed, light is irradiated from the back surface side of the substrate 2 (the back surface S1 side of the light receiving layer 18), and the irradiated light is irradiated on the on-chip lens 20 and the color filter.
  • the signal transmitted through the layer 19 is photoelectrically converted by the photoelectric conversion unit 24 to generate signal charges. Then, the generated signal charge is output as a pixel signal on the vertical signal line 11 shown in FIG. 1 via a pixel transistor formed on the surface S2 side of the substrate 2.
  • a divided scribe region 25 is formed along the outer periphery of the pixel region 3 as shown in FIGS. 2, 3A and 3B.
  • the divided scribe region 25 is formed between the chips 13 formed on the wafer 26 and the groove-shaped scribe region 27 formed in the depth direction from the back surface S3 side of the substrate 2.
  • the bottom surface of the scribe area 27 (hereinafter, also referred to as “pre-division scribe area 27”) is an area formed by dicing (division) with a blade (not shown).
  • the width of the scribe region 27 before the division is larger than the width of the blade.
  • the bottom surface S5 of the divided scribe region 25 is formed inside the wiring layer 22.
  • the rear surface S3 of the substrate 2 is formed along the outer periphery of the pixel region 3 and the inner periphery of the scribe region 25 after division. It has a groove 28 formed in the depth direction from the side. That is, the groove portion 28 includes four straight grooves 29 a, 29 b, 29 c, and 29 d surrounding the pixel region 3 between the scribe region 25 after division and the pixel region 3.
  • the bottom surface S6 of the groove 28 is formed on the light receiving surface side of the wiring layer 22.
  • a plurality of uneven portions 31 are formed on the side wall surface 30 facing the photoelectric conversion unit 24 side of the side wall surface of the groove 28.
  • the uneven portion 31 for example, a shape that scatters incident light from the back surface S1 side of the substrate 2 can be used.
  • the shape of the uneven portion 31 may be a sawtooth shape in which triangles are continuous when viewed from the back surface S1 side of the substrate 2.
  • FIG. 3B when viewed from the side of the substrate 2, a linear shape extending in a direction perpendicular to the back surface S1 of the substrate 2 can be employed. As shown in FIG. 5 and FIG.
  • FIG. 5 illustrates an example in which the entire side wall surface 30 has a curved shape.
  • FIG. 6 illustrates an example in which only the protective film 15 side of the side wall surface 30 has a curved shape.
  • the grooves 28 are provided so that peeling and cracks hardly proceed in the pixel region 3.
  • a flare may occur. That is, when the camera module 32 in which the cover glass 33 is disposed on the solid-state imaging device 1 and the imaging lenses 34a, 34b, 34c, 34d, and 34e are disposed thereon, the imaging lenses 34a to 34e and the cover glass 33 are 7B, the incident light 35 is reflected on the side wall surface 30 or the bottom surface S6 of the groove 28 and proceeds to the pixel region 3 side, and the incident light 35 is There is a possibility that the incident light 35 reflected and reflected by the imaging lenses 34a to 34e and the like enters the pixel region 3 and flare occurs.
  • the uneven portion 31 is a surface parallel to the side surface of the chip 13 and passing through the bottom of the uneven portion 31. It can be explained that it is composed of the convex portion 37.
  • the reference surface 51 when a surface parallel to the side surface of the chip 13 and passing through the top of the concave-convex portion 31 is used as the reference surface 51, it can be described as being configured with a plurality of concave portions. Furthermore, when the surface located between the reference surface 50 and the reference surface 51 is defined as the reference surface 52, it can be described that the reference surface 52 includes a plurality of concave portions and convex portions. These are essentially the same, only differing in the viewpoint of explanation.
  • the pitch p of the unevenness of the uneven portion 31 is preferably, for example, 0.1 ⁇ m or more and less than 100 ⁇ m.
  • a distance between the bottoms of adjacent concave portions formed between continuous convex portions 37, 37, and 37 is used as the pitch p of the uneven portions 31.
  • the distance between the tops of the adjacent convex portions 37 can be used. There is no essential difference in either case.
  • a tangent line 36 is drawn on the uneven portion 31.
  • the pitch p may be defined.
  • the pitch of the unevenness of the uneven portion 31 is less than 0.1 ⁇ m, it is difficult to process the uneven portion 31, and the shape of the uneven portion 31 is not the intended shape. On the other hand, if the pitch of the irregularities is 100 ⁇ m or more, it is disadvantageous in terms of cost.
  • the pitch of the projections and depressions is 100 ⁇ m and the angle ⁇ of the apex of the projections 37 of the projections and depressions 31 is 1 ° (a lower limit of a preferable angle ⁇ in a range of 1 ° to 80 ° described later), Since the height is 5.73 mm and the uneven portion 31 occupies the layout of the pixel region 3 or more, the number of chips 13 that can be formed on the wafer 26 is reduced, and the cost is increased.
  • the pitch p of the concave and convex portions of the concave and convex portion 31 is 100 ⁇ m and the angle ⁇ of the apex of the convex portion 37 of the concave and convex portion 31 is 80 ° (upper limit of a suitable angle ⁇ described later in a range of 1 ° to 80 °).
  • the height of the projections 37 is about 60 ⁇ m.
  • occupation of such a layout has a small effect on the number of chips 13 that can be formed, and is cost-acceptable.
  • the uneven portion 31 may be provided on the whole of each of the linear grooves 29a to 29d, or may be provided only on a part thereof. When provided only in a part, it is preferable to provide it near the center of the linear grooves 29a to 29d because the influence of flare can be made less noticeable. Further, it is preferable that at least 20 convex portions 37 of the concave-convex portion 31 are continuous with each of the linear grooves 29a to 29d. That is, when light from a light source or the like is imaged on the groove 28 by the on-chip lens 20, the spot diameter of the light to be imaged is about 2 ⁇ m.
  • the protrusion 37 is required. Is required to be continuous at least 20, and the area where the convex portions 37 are continuous must be larger than the spot diameter.
  • the angle ⁇ of the apex of the convex portion 37 is preferably set to 1 ° or more and less than 80 °.
  • ⁇ is more preferably 1 ° or more and 60 ° or less, and most preferably 30 ° ⁇ 10 °.
  • a tangent line 36 is drawn on the uneven portion 31 to change the angle ⁇ . It may be specified.
  • the angle ⁇ of the apex of the convex portion 37 is 80 ° or more (for example, 90 °), as shown in FIG. 10, the incident light 35 on the convex portion 37 is reflected on the surface of the convex portion 37, and the reflected incident light The light 35 is reflected by the surface of another adjacent convex portion 37, so that the traveling direction of the incident light 35 is opposite to that at the time of incidence. Therefore, the incident light 35 enters the pixel region 3 and the amount of flare suppression is reduced.
  • the angle ⁇ of the apex of the convex portion 37 is less than 1 °, manufacturing is difficult and stable mass production is difficult.
  • a method of forming the groove 28 for example, a method of selectively etching in the depth direction from the back surface S3 side of the substrate 2 so as to have a square shape surrounding the pixel region 3 of the substrate 2 can be adopted.
  • a mask having an opening for forming the groove 28 and the uneven portion 31 is provided on the back surface S3.
  • a method of performing etching through a mask can be employed.
  • the step of forming the groove 28 can be shared with the step of forming the scribe region 27 before division. When the steps are shared, the number of steps can be reduced.
  • the substrate 2 on which the plurality of photoelectric conversion units 24 are formed the groove 28 provided on the light receiving surface side of the substrate 2, and the photoelectric conversion of the groove 28.
  • An uneven portion 31 provided on the side wall surface 30 facing the conversion portion 24 is provided. Therefore, the incident light 35 on the side wall surface 30 of the groove 28 is diffused or attenuated by being reflected a plurality of times in the uneven portion 31, so that the solid-state imaging device 1 capable of suppressing flare can be provided.
  • the concave and convex portions 31 can be formed simultaneously with the groove portions 28, no additional man-hours are required, and inexpensive flare measures can be taken.
  • Example 2 is diagrams illustrating a cross-sectional configuration of the chip 13 on which the solid-state imaging devices 1 according to the first, second, and comparative examples 1 are formed.
  • Example 1 In Example 1, as shown in FIG. 12, the chip 13 was manufactured with the angle ⁇ of the apex of the convex portion 37 of the uneven portion 31 being 60 ° and the pitch p being 20 ⁇ m.
  • Example 2 In the second embodiment, as shown in FIG.
  • the chip 13 is manufactured in the same manner as in the first embodiment except that the angle ⁇ of the apex of the convex portion 37 of the concave-convex portion 31 is 30 ° and the pitch p is 2 ⁇ m. did.
  • Comparative Example 1 As shown in FIG. 14, the chip 13 was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the uneven portion 31 was omitted and the side wall surface 30 of the groove 28 was a flat surface without unevenness. .
  • a cover glass 33 is disposed on each of the solid-state imaging devices 1 of Example 1, Example 2, and Comparative Example 1, and imaging lenses 34a, 34b, 34c, 34d, and 34e are disposed thereon.
  • the camera module 32 was constructed.
  • incident light 35 from a light source or the like was applied to the uneven portion 31 of the groove 28 via the imaging lenses 34 a to 34 e and the cover glass 33.
  • the incident light 35 incident on the uneven portion 31 illustrated in FIG. 3A is reflected in various directions, and the traveling direction of the incident light 35 is complicated, and the incident light 35 is incident.
  • the light 35 was scattered and flare could be suppressed.
  • the angle ⁇ of the apex of the convex portion 37 is small, the effect of suppressing the flare is potentially high. It was confirmed that the increase of the occupied area could be suppressed.
  • the pitch p is increased as much as possible, so that the reflection between the convex portions 37 occurs twice from the point of the three-dimensional structure. It was confirmed that the effect of suppressing flare could be enhanced because it became difficult.
  • the incident light 35 incident on the uneven portion 31 is reflected in the opposite direction, and the reflected incident light 35 is reflected on the cover glass 33 and the imaging lens.
  • the incident light 35 is reflected by the pixels 34a to 34e and enters the pixel region 3 to generate a flare.
  • the concavo-convex portion 31 may have a shape in which a plurality of conical solids 53 are arranged in an array (hereinafter, also referred to as a “moth-eye structure”).
  • a plurality of conical solids 53 are arranged in an array
  • the conical solid 53 for example, a quadrangular pyramid or a cone can be adopted.
  • FIG. 15 shows an example in which a quadrangular pyramid is adopted as the pyramid-shaped solid 53.
  • the concave-convex portion 31 has the moth-eye structure, the refractive index gradually changes from the tip of the conical solid 53 to the root thereof, so that the reflection of the incident light 35 on the side wall surface 30 can be suppressed, and the intensity of the reflected light decreases. it can.
  • the present modification is not limited to the configuration shown in FIG. 15.
  • the side wall 54 facing the side wall 30 may have a moth-eye structure.
  • a DSA (Direct Self-Assmbly) technique can be used as a method of forming the conical solid 53 on the side wall surfaces 30 and 54. Specifically, first, as shown in FIG. 16A, a diblock copolymer 62 is applied to the two side walls 30 and 54 and the bottom surface S6 of the groove 28. As the diblock copolymer 62, for example, polystyrene-polymethyl methacrylate (PS-PMMA) can be adopted. Further, a resist 56 is applied to the back surface S3 of the substrate 2.
  • FIG. 16A shows an example in which a silicon nitride film 57 is provided at the interface between the substrate 2 and the wiring layer 22. Subsequently, as shown in FIG.
  • the applied diblock copolymer 62 is irradiated with ultraviolet rays 58.
  • the ultraviolet rays 58 By irradiation of the ultraviolet rays 58, as shown in FIG. 16C, a phase separation structure of several nm to several tens nm is generated due to repulsion of polystyrene and polymethyl methacrylate.
  • FIG. 16C shows an example in which polymethyl methacrylate forms a sphere 59 and polystyrene cross-links to form an etching plate 60.
  • the shape and pitch of the phase separation structure are adjusted by the volume ratio between polystyrene and polymethyl methacrylate.
  • the sphere 59 of polymethyl methacrylate is removed, and isotropic dry etching is performed using an etching plate 60 of polystyrene, so that a plurality of spheres 59 are formed on the side wall surface 30 as shown in FIG. 16E. Is formed.
  • FIG. 16E shows a state after the etching plate 60 and the resist 56 have been removed.
  • the bottom surface S6 of the groove 28 may have a shape (moth-eye structure) in which a plurality of conical solids 53 are arranged in an array.
  • FIG. 17 shows an example in which each of the side wall surface 30 and the bottom surface S6 of the groove 28 has a moth-eye structure. Note that this modification is not limited to the configuration shown in FIG. 17.
  • the side wall surface 30 of the groove 28 may not have the moth-eye structure, and only the bottom surface S6 may have the moth-eye structure. Since the bottom surface S6 of the groove 28 has a moth-eye structure, the refractive index gradually changes from the tip of the conical solid 53 to the root thereof. Therefore, the reflection of the incident light 35 on the bottom surface S6 can be suppressed, and the intensity of the reflected light can be reduced. Can be lowered.
  • the shape of the uneven portion 31 is a shape in which the same triangle repeatedly appears, but another configuration may be employed.
  • the shape of the concavo-convex portion 31, that is, the triangular shape may be different for each location in the longitudinal direction of the groove 28.
  • the isosceles side wall surface 30 of the central portion of the pixel region 3 is formed.
  • a triangular projection 37 is provided.
  • the number of times of reflection of the incident light 35 in the vicinity of the center in the longitudinal direction of the linear grooves 29a, 29b, 29c, and 29d can be increased as compared with the case where there is no projection 37 at all.
  • the optical path of the light 35 can be dispersed.
  • the dotted line in FIG. 18A indicates the optical path of the incident light 35 incident on each vertex of the convex portion 37.
  • the protrusions provided on the side wall surface 30 at the end side of the pixel region 3. 37 has a triangular shape in which the side on the end side is longer than the side on the center side.
  • the distance represented can be employed.
  • the convex portion 37 provided at the end portion side of the pixel region 3 is also formed as an isosceles triangular convex portion 37.
  • the number of reflections of the incident light 35 is reduced, and the number of optical paths through which the reflected incident light 35 returns to the center of the pixel region 3 increases.
  • the reflected incident light 35 concentrates the optical path toward the center of the pixel region 3.
  • FIGS. 19A and 19B show an example in which the convex portions 37 of the concave and convex portions 31 of the side wall surface 30 and the convex portions 37 of the concave and convex portion 31 of the side wall surface 54 are provided so as to face each other.
  • FIG. 19A shows an example in which the convex portions 37 of the concave and convex portions 31 of the side wall surface 30 and the convex portions 37 of the concave and convex portion 31 of the side wall surface 54 are provided so as to face each other.
  • FIG. 19A shows an example in which the convex portions 37 of the concave and convex portions 31 of the side wall surface 30 and the convex portions 37 of the concave and convex portion 31 of the side wall surface 54 are provided so as to face each other.
  • 19B shows an example in which the convex portions 37 of the concave-convex portions 31 of the side wall surface 30 and the convex portions 37 of the concave-convex portions 31 of the side wall surface 54 are provided alternately.
  • the protrusions 37 on the side wall 54 are provided.
  • the incident light 35 is reflected on the surface of the convex portion 37, and the reflected incident light 35 can be reflected on the surface of another adjacent convex portion 37, and the incident direction is made more complicated by making the traveling direction more complicated.
  • the light 35 is more scattered, and the flare can be more appropriately suppressed.
  • the uneven portion 31 is provided in the entire groove 28 surrounding the pixel region 3 .
  • another configuration may be employed.
  • the concave / convex portion 31 is formed on the side of the groove 28 surrounding the pixel region 3, the portion facing the pixel region 3, of a portion having a distance of not more than the predetermined value a from the pixel region 3. You may make it provide only in the wall surface 30.
  • FIG. 20 the concave / convex portion 31 is formed on the side of the groove 28 surrounding the pixel region 3, the portion facing the pixel region 3, of a portion having a distance of not more than the predetermined value a from the pixel region 3. You may make it provide only in the wall surface 30.
  • the distance between the straight grooves 29a, 29b, 29c, 29d surrounding the pixel region 3 is larger than a predetermined value a
  • the straight grooves 29b, 29d shows an example in which the distance from the pixel region 3 is equal to or less than a predetermined value a.
  • the uneven portions 31 are provided only on the side wall surfaces 30 of the linear grooves 29b and 29d.
  • the predetermined value a for example, a distance between the pixel region 3 and the groove 28 where flare does not occur due to the incident light 35 reflected by the groove 28 can be adopted. For example, 10 ⁇ m is used.
  • the flare occurs. It has been found that when a portion where the distance between is less than or equal to the predetermined value a reflects the incident light 35, flare does not occur. Therefore, by providing the uneven portion 31 only on the side wall surface 30 of the portion of the groove portion 28 whose distance from the pixel region 3 is equal to or less than the predetermined value a, for example, the uneven portion 31 is formed on the entire groove portion 28 surrounding the pixel region 3.
  • the range in which the uneven portion 31 is formed can be reduced, and generation of dust due to chipping of the tip of the protrusion 37 can be suppressed. As a result, it is possible to more appropriately prevent the solid-state imaging device 1 from becoming defective due to dust adhesion.
  • the side wall surface 30 is formed in a straight line extending in the direction perpendicular to the back surface S1 of the substrate 2 has been described, but another configuration may be adopted.
  • at least one of the side wall surface 30 and the side wall surface 54 may be formed so as to protrude inward in the width direction of the groove 28 toward the bottom surface S6.
  • a slope shape protruding inward in the width direction of the groove 28 toward the S6 side can be adopted.
  • the side wall surface 30 By forming the side wall surface 30 in such a shape, the possibility that the incident light 35 reflected on the bottom surface S6 of the groove 28 hits the side wall surface 30 can be reduced, and the incident light 35 reflected on the bottom surface S6 is further reflected on the side wall surface 30. As a result, the possibility of incidence on the photoelectric conversion unit 24 can be reduced.
  • the side wall surface 54 By forming the side wall surface 54 in such a shape, when the incident light 35 reflected on the side wall surface 30 hits the side wall surface 54, the incident light 35 can be reflected above the side wall surface 30, and the side wall surface 54 can be reflected. It is possible to reduce the possibility that the incident light 35 reflected on the side surface 30 is further reflected on the side wall surface 30 and enters the photoelectric conversion unit 24.
  • FIG. 21 shows an example in which the two side wall surfaces 30 and 54 of the groove 28 are stepped without providing the uneven portion 31 on the side wall 30 of the groove 28.
  • the present modification is not limited to the configuration shown in FIG. 21.
  • the configuration may be such that the side walls 30 and 54 of the groove 28 have a stepped shape and the unevenness 31 is provided on the side wall 30.
  • the side wall surface 54 of the two side wall surfaces 30 and 54 of the groove 28 may not be stepped, and only the side wall surface 30 facing the photoelectric conversion unit 24 may be stepped.
  • the configuration may be such that the side wall surface 30 facing the portion 24 is not stepped, and only the side wall surface 54 is stepped.
  • FIG. 21 shows an example in which the two side wall surfaces 30 and 54 of the groove 28 are stepped without providing the uneven portion 31 on the side wall 30 of the groove 28.
  • the present modification is not limited to the configuration shown in FIG. 21.
  • the configuration may be such that the side walls 30 and 54 of the groove 28 have a stepped shape and
  • FIG. 22 shows an example in which the two side wall surfaces 30 and 54 of the groove portion 28 are formed as slopes without providing the uneven portion 31 on the side wall surface 30 of the groove portion 28.
  • the present modification is not limited to the configuration shown in FIG. 22.
  • a configuration may be adopted in which the side wall surface 30 of the groove 28 is provided with a slope and the uneven portion 31 is provided.
  • the side wall surface 54 of the two side wall surfaces 30 and 54 may not be inclined, and only the side wall surface 30 facing the photoelectric conversion unit 24 may be configured to be inclined, or may be facing the photoelectric conversion unit 24 side.
  • the side wall surface 30 may not be formed into a slope, and only the side wall 54 may be formed into a slope. Further, as shown in FIG.
  • the groove 30 when the side wall surface 30 of the groove 28 has a slope shape protruding inward in the width direction of the groove 28 toward the bottom surface 6S, when viewed from the longitudinal direction of the groove 28, the groove 30
  • the angle ⁇ is the angle at which the intensity of the incident light 35 is the strongest among the incident angles having a certain range. .
  • it can be calculated by performing a simulation of an optical system when the camera module 32 is configured. As shown in FIG. 22, when ⁇ ⁇ ⁇ , for example, the incidence of incident light 35 reflected on the side wall surface 30 facing the photoelectric conversion unit 24 side to the photoelectric conversion unit 24 can be suppressed, and the flare can be reduced. Can be suppressed.
  • At least one of the side wall surface 30 and the side wall surface 54 may have a shape protruding inward in the width direction of the groove 28 toward the opening.
  • a shape protruding inward in the width direction of the groove 28 toward the opening a stepped shape protruding inward in the width direction of the groove 28 as shown in FIG. It is possible to adopt a slope shape that protrudes inward in the width direction of the groove 28 toward the part.
  • the incident light 35 reflected on the bottom surface S6 of the groove 28 can be repeatedly reflected between the side walls 30 and 54 of the groove 28, and the intensity of the incident light 35 can be reduced by increasing the number of times of reflection. Further, by forming the side wall surface 54 in such a shape, the incident light 35 reflected on the side wall surface 30 and hitting the side wall surface 54 can be repeatedly reflected between the side wall surfaces 30 and 54 of the groove 28, and the number of reflections can be reduced. By the increase, the intensity of the incident light 35 can be reduced.
  • FIG. 23 shows an example in which the two side wall surfaces 30 and 54 of the groove 28 are stepped without providing the uneven portion 31 on the side wall 30 of the groove 28.
  • the present modification is not limited to the configuration shown in FIG. 23.
  • the configuration may be such that the side walls 30 and 54 of the groove 28 have a stepped shape and the unevenness 31 is provided on the side wall 30.
  • the side wall surface 54 of the two side wall surfaces 30 and 54 of the groove 28 may not be stepped, and only the side wall surface 30 facing the photoelectric conversion unit 24 may be stepped.
  • the side wall surface 30 facing the 24 side may not be stepped, and only the side wall surface 54 may be stepped. Further, as shown in FIG.
  • the incident light 35 reflected on the bottom surface S6 of the groove 28 is Can be repeatedly reflected between the bottom surface S6 and the side wall surface 30, and the intensity of the incident light 35 can be reduced by increasing the number of reflections.
  • FIG. 24 shows an example in which the two side wall surfaces 30 and 54 of the groove portion 28 are formed as slopes without providing the uneven portion 31 on the side wall surface 30 of the groove portion 28.
  • the present modification is not limited to the configuration shown in FIG. 24.
  • the configuration may be such that the side wall surface 30 of the groove 28 has a sloped shape and the uneven portion 31 is provided.
  • the side wall surface 54 of the two side wall surfaces 30 and 54 may not be inclined, and only the side wall surface 30 facing the photoelectric conversion unit 24 may be inclined.
  • the side wall surface 54 facing the photoelectric conversion unit 24 may be inclined.
  • a configuration may be adopted in which only the side wall surface 54 is formed into a slope without forming the side wall surface 30 having a slope.
  • the groove 30 when the side wall surface 30 of the groove 28 is formed as a slope protruding inward in the width direction of the groove 28 toward the opening, the groove 30 is viewed from the longitudinal direction of the groove 28.
  • ⁇ ⁇ ⁇ for example, the incident light 35 reflected on the bottom surface S6 of the groove 28 can be repeatedly reflected between the bottom surface S6 and the slope, and the incident light 35 35 can be reduced.
  • the groove 28 may be formed in an arc shape protruding inward in the width direction.
  • FIGS. 25 and 26 show an example in which the concave / convex portion 31 is not provided on the side wall surface 30 of the groove portion 28 and each of the two side wall surfaces 30 and 54 of the groove portion 28 has an arc-shaped cross section.
  • the present modification is not limited to the configuration shown in FIGS. 25 and 26.
  • the configuration may be such that the cross-sectional shape of the side wall surface 30 of the groove 28 is arc-shaped and the uneven portion 31 is provided.
  • the cross-sectional shape of the side wall surface 54 may not be arc-shaped, and only the cross-sectional shape of the side wall surface 30 facing the photoelectric conversion unit 24 may be arc-shaped, or may be facing the photoelectric conversion unit 24 side.
  • the cross-sectional shape of the side wall surface 30 may not be an arc shape, and only the cross-sectional shape of the side wall surface 54 may be an arc shape. Further, as shown in FIG.
  • the bottom surface S6 of the groove portion 28 is formed. Can be reduced.
  • the incident light 35 reflected on the bottom surface S6 of the groove 28 can be repeatedly reflected between the side walls 30 and 54 of the groove 28, and the intensity of the incident light 35 can be reduced by increasing the number of reflections.
  • FIG. 26 for example, the possibility that the incident light 35 reflected on the bottom surface S6 of the groove 28 hits the side wall surface 30 can be reduced, and the incident light 35 reflected on the bottom surface S6 is further reflected on the side wall surface 30. The possibility of incidence on the photoelectric conversion unit 24 can be reduced.
  • FIG. 27 shows an example in which the inside of the groove 28 is a gap, but another configuration may be adopted.
  • a configuration may be employed in which a part or the entire inside of the groove 28 is filled with a substance 55 different from the substrate 2 up to the opening.
  • FIG. 27 shows an example in which the side wall surface 30 is flattened without providing the uneven portion 31 on the side wall surface 30 of the groove 28.
  • the present modification is not limited to the configuration shown in FIG. 27.
  • the configuration may be such that the substance 55 is buried partially or entirely in the groove 28 up to the opening and the uneven portion 31 is provided.
  • the material 55 that fills the groove 28 for example, silicon oxide (SiO 2 ) is preferable.
  • Silicon oxide (SiO 2 ) is easy to handle as a semiconductor material, for example, it is also used for the insulating film of the wiring layer 22. Further, as shown in FIG. 28, when the incident angle of the incident light 35 into the groove 28 is 45 degrees and the wavelength ⁇ of the incident light 35 is 630 nm, the side wall surfaces 30 and 54 and the bottom surface S6 are made of silicon (Si). Since the reflectance at the opening of the groove 28 can be expected to increase by about 10% as compared with a configuration in which silicon oxide (SiO 2 ) is not buried in the groove 28 to be formed, the amount of light contributing to flare can be reduced. .
  • the ability of the groove 28 to prevent the crack from proceeding into the pixel region 3 may be weakened.
  • silicon oxide (SiO 2 ) is Since the mechanical strength is lower than that of Si), the effect of absorbing the energy of the crack and stopping the progress of the crack into the pixel region 3 can be expected.
  • the width of the groove 28 is set so that the incident light 35 reflected by the groove 28 goes to the side opposite to the photoelectric conversion unit 24 when the incident light 35 goes out of the groove 28.
  • the configuration may be different for each location in the longitudinal direction of the groove 28.
  • FIG. 29 shows an example in which the side wall surface 30 is flattened without providing the uneven portion 31 on the side wall surface 30 of the groove 28.
  • the present modification is not limited to the configuration shown in FIG. 29.
  • the configuration may be such that an uneven portion 31 is provided on the side wall surface 30 of the groove 28, or the uneven portion 31 may be provided and the inside of the groove 28 may be provided.
  • the whole or a part of the inside may be filled with the substance 55, or the whole or a part of the inside of the groove 28 may be filled with the substance 55 to the opening without providing the uneven portion 31.
  • the incident light 35 incident on the groove portion 28 at a certain angle ⁇ is incident on the groove portion 28 (hereinafter, also referred to as “reverse direction”). It is possible to return to the normal direction or to proceed in the direction opposite to the incident direction (hereinafter also referred to as “forward direction”).
  • a first rectangular row 63 in which a plurality of rectangles having the same shape as the cross-sectional shape of the groove 28 are arranged in the right direction of the groove 28,
  • a grid diagram is created that includes a second rectangular row 64 in which rectangular rows similar to the first rectangular row 63 are arranged below the first rectangular row 63.
  • the incident light 35 incident on the groove 28 at a certain angle ⁇ is drawn in the diagram of the created lattice. In the drawing of the grating, the incident light 35 is drawn so as to pass through another rectangle of the first rectangular row 63 and the second rectangular row 64 without being reflected by the side wall surface 30.
  • the incident light 35 incident on the opening end of the side wall surface 30 of the groove 28 at a certain angle ⁇ and the incident light 35 incident on the opening end of the side wall 54 of the groove 28 at a certain angle ⁇ are drawn in the drawing of the lattice.
  • the incident light 35 can be directed in the forward direction, that is, in the direction opposite to the photoelectric conversion unit 24 side.
  • the angle ⁇ at which the incident light 35 enters differs depending on each longitudinal position of the groove 28.
  • the distance between the pixel region 3 and the groove 28 (the distance between the pixel region 3 and the linear groove 29a, the distance between the pixel region 3 and the linear groove 29b,
  • the distance between the pixel region 3 and the linear groove 29c and the distance between the pixel region 3 and the linear groove 29d are constant
  • the distance between the pixel region 3 and the groove 28 is set such that the incident light 35 reflected by the groove 28 goes to the side opposite to the photoelectric conversion unit 24 when the incident light 35 goes out of the groove 28.
  • the configuration may be different for each location in the longitudinal direction of the groove 28.
  • the present modification is not limited to the configuration shown in FIG. 29, and for example, the configuration may be such that an uneven portion 31 is provided on the side wall surface 30 of the groove portion 28, or the uneven portion 31 may be provided on the side wall surface 30 of the groove portion 28. It is also possible to provide a structure in which the entirety or a part of the inside of the groove 28 is filled with the substance 55 up to the opening, or the unevenness 31 is not provided on the side wall surface 30 of the groove 28, and the whole or a part of the inside of the groove 28 is provided. May be filled with the substance 55 up to the opening.
  • the width of the groove 28 may be constant in the longitudinal direction.
  • FIGS. 31A and 31B when the angle ⁇ at which the incident light 35 enters gradually changes, The angle at which the light 35 is reflected in the reverse direction and the angle at which the incident light 35 is reflected in the forward direction appear alternately.
  • FIG. 31B shows the amount of incident light 35 reflected by the groove 28 and entering the pixel region 3.
  • Each of the angles ⁇ 1 and ⁇ 2 in FIG. 31B corresponds to the angles ⁇ 1 and ⁇ 2 in FIG. 31A.
  • the angle ⁇ increases as the distance between the pixel region 3 and the groove 28 increases, and the angle ⁇ decreases as the distance between the pixel region 3 and the groove 28 decreases. Therefore, by adjusting the distance between the pixel region 3 and the groove 28 at each location in the longitudinal direction of the groove 28, the incident light 35 reflected by the groove 28 at each location in the longitudinal direction of the groove 28 is 28 can be directed to the side opposite to the photoelectric conversion unit 24 side. Note that the adjustment of the width of the groove 28 as described in the above (14) may be performed simultaneously.
  • FIG. 32 is a schematic configuration diagram of an electronic device 100 according to the second embodiment of the present disclosure.
  • the electronic device 100 according to the second embodiment includes a solid-state imaging device 101, an optical lens 102, a shutter device 103, a drive circuit 104, and a signal processing circuit 105.
  • the electronic device 100 according to the second embodiment shows an embodiment in which the solid-state imaging device 1 according to the first embodiment of the present disclosure or a comparative example is used as the solid-state imaging device 101 in an electronic device (for example, a camera).
  • the optical lens 102 forms image light (incident light 106) from a subject on an imaging surface of the solid-state imaging device 101. As a result, signal charges are accumulated in the solid-state imaging device 101 for a certain period.
  • the shutter device 103 controls a light irradiation period and a light blocking period to the solid-state imaging device 101.
  • the drive circuit 104 supplies a drive signal for controlling the transfer operation of the solid-state imaging device 101 and the shutter operation of the shutter device 103.
  • the signal transfer of the solid-state imaging device 101 is performed by a drive signal (timing signal) supplied from the drive circuit 104.
  • the signal processing circuit 105 performs various signal processing on a signal (pixel signal) output from the solid-state imaging device 101.
  • the video signal on which the signal processing has been performed is stored in a storage medium such as a memory or output to a monitor.
  • a storage medium such as a memory or output to a monitor.
  • the electronic device 100 to which the solid-state imaging device 1 can be applied is not limited to a camera, but can be applied to other electronic devices.
  • the present invention may be applied to an imaging device such as a camera module for a mobile device such as a mobile phone.
  • the solid-state imaging device 101 according to the first embodiment is used for an electronic device as the solid-state imaging device 101, but another configuration may be used.
  • the solid-state imaging device 1 according to the modified example may be used for an electronic device.
  • the present technology may have the following configurations.
  • a substrate on which a plurality of photoelectric conversion units are formed A groove provided on the light receiving surface side of the substrate, And a concave / convex portion provided on a side wall surface of the groove portion facing the photoelectric conversion portion side.
  • the groove portion is provided between the scribe region to be diced with a blade and the pixel region having the plurality of photoelectric conversion units, in a square shape surrounding the pixel region,
  • the concave and convex portions are formed in an isosceles triangular shape on the side wall surface of the central portion of the pixel region in the groove portion forming the quadrangular side, and are formed on an end portion of the pixel region.
  • the solid-state imaging device according to any one of (1) to (10), wherein the uneven portion is provided on each of two sidewall surfaces of the groove.
  • the groove is provided in a square shape surrounding the pixel region between a scribe region to be diced by a blade and a pixel region having the plurality of photoelectric conversion units. Any of (1) to (12) above A solid-state imaging device according to any one of claims 1 to 3.
  • the uneven portion is provided only on a side wall surface facing the pixel region side of a portion of the groove forming the square side, the distance to the pixel region being equal to or less than a predetermined value.
  • the solid-state imaging device according to (13).
  • a side wall surface of the groove has a stepped shape protruding inward in a width direction of the groove toward a bottom side.
  • a side wall surface of the groove has a slope shape protruding inward in a width direction of the groove toward a bottom side.
  • a substrate on which a plurality of photoelectric conversion units are formed A groove provided on the light receiving surface side of the substrate, A solid-state imaging device in which part or all of the inside of the groove is filled up to the opening with a substance different from the substrate.
  • a substrate on which a plurality of photoelectric conversion units are formed A groove provided on the light receiving surface side of the substrate, The width of the groove is different for each location in the longitudinal direction of the groove so that when the incident light reflected by the groove goes out of the groove, it goes to the side opposite to the photoelectric conversion unit side. apparatus.
  • a substrate on which a plurality of photoelectric conversion units are formed A groove provided on the light receiving surface side of the substrate, The distance between the pixel region having the plurality of photoelectric conversion portions and the groove portion is such that the incident light reflected by the groove portion is directed to the opposite side to the photoelectric conversion portion side when exiting the groove portion.
  • a solid-state imaging device that differs for each location in the longitudinal direction.
  • a substrate on which a plurality of photodiodes are formed a solid-state imaging device including a groove provided on the light receiving surface side of the substrate and an uneven portion provided inside the groove, An optical lens that forms image light from a subject on an imaging surface of the solid-state imaging device, An electronic device comprising: a signal processing circuit that performs signal processing on a signal output from the solid-state imaging device.
  • SYMBOLS 1 Solid-state imaging device, 2 ... Substrate, 3 ... Pixel area, 4 ... Vertical drive circuit, 5 ... Column signal processing circuit, 6 ... Horizontal drive circuit, 7 ... Output circuit, 8 ... control circuit, 9 ... pixel, 10 ... pixel drive wiring, 11 ... vertical signal line, 12 ... horizontal signal line, 13 ... chip, 14 ... Surrounding area, 15 ... Protective film, 16 ... Light shielding film, 17 ... Planarization film, 18 ... Light receiving layer, 19 ... Color filter layer, 20 ... On-chip lens, 21. ..Concentration layer, 22 ... wiring layer, 23 ... support substrate, 24 ... photoelectric conversion unit, 25 ...
  • scribe area 26 ... wafer, 27 ... scribe area, 28. ..Grooves, 29a, 29b, 29c, 29d ... straight grooves, 30 ... side wall surfaces, 31 ... uneven portions, 32 ... camera module, 33 ... cover glass, 34a ... imaging Lens, 34b ... Imaging lens, 34c ... Imaging lens, 34d ... Imaging lens, 34e ... Image lens, 35 ... incident light, 36 ... tangent, 37 ... convex, 50, 51, 52 ... reference plane, 53 ... conical solid, 54 ... side wall surface 55 ... material, 56 ... resist, 57 ... silicon nitride film, 58 ... ultraviolet light, 59 ... sphere, 60 ...
  • etching plate 61 ... isosceles triangle, 62 ... .Diblock copolymer, 63 ... First rectangular row, 64 ... Second rectangular row, 100 ... Electronic equipment, 101 ... Solid-state imaging device, 102 ... Optical lens, 103 ... Shutter Device, 104 ... Drive circuit, 105 ... Signal processing circuit, 106 ... Incoming light

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Abstract

複数の光電変換部が形成された基板と、基板の受光面側に設けられた溝部と、溝部の光電変換部側を向いている側壁面に設けられた凹凸部と、を備える。

Description

固体撮像装置及び電子機器
　本技術は、固体撮像装置及び電子機器に関する。
　従来、スクライブ領域と画素領域との間に、画素領域を取り囲む溝部が形成された固体撮像装置が提案されている（例えば特許文献１参照）。特許文献１に記載の固体撮像装置では、ウェハの分割時に発生する膜剥がれやクラックを溝部で止めるようになっている。
特開２０１５－１５９２７５号公報
　しかし、特許文献１に記載の固体撮像装置では、固体撮像装置への入射光が溝部の側壁面や底面で反射し、反射した入射光が固体撮像装置の受光面側に配置されたカバーガラスや撮像レンズで反射して、画素領域に不要光が入射し、フレアが発生する可能性がある。
　本開示は、フレアを抑制可能な固体撮像装置及び電子機器を提供することを目的とする。
　本開示の固体撮像装置は、（ａ）複数のフォトダイオードが形成された基板と、（ｂ）基板の受光面側に設けられた溝部と、（ｃ）溝部の内部に設けられた凹凸部とを備える。
　また、本開示の固体撮像装置は、（ａ）複数の光電変換部が形成された基板と、（ｂ）基板の受光面側に設けられた溝部とを備え、（ｃ）溝部の側壁面は、底面側ほど溝部の幅方向内側に突出した形状となっている。
　また、本開示の固体撮像装置は、（ａ）複数の光電変換部が形成された基板と、（ｂ）基板の受光面側に設けられた溝部とを備え、（ｃ）溝部の側壁面は、開口部側ほど溝部の幅方向内側に突出した形状となっている。
　また、本開示の固体撮像装置は、（ａ）複数の光電変換部が形成された基板と、（ｂ）基板の受光面側に設けられた溝部とを備え、（ｃ）溝部の側壁面の断面形状は、溝部の幅方向外側又は幅方向内側に突出した円弧形状である。
　また、本開示の固体撮像装置は、（ａ）複数の光電変換部が形成された基板と、（ｂ）基板の受光面側に設けられた溝部とを備え、（ｃ）溝部の底面は、複数の錐状の立体がアレイ状に配置された形状となっている。
　また、本開示の固体撮像装置は、（ａ）複数の光電変換部が形成された基板と、（ｂ）基板の受光面側に設けられた溝部とを備え、（ｃ）溝部内の一部又は全部は、基板とは異なる物質で開口部まで埋められている。
　また、本開示の固体撮像装置は、（ａ）複数の光電変換部が形成された基板と、（ｂ）基板の受光面側に設けられた溝部とを備え、（ｃ）溝部の幅は、基板の受光面側からの入射光を溝部で反射して得られる反射光が、入射光が入射してきた方向と異なる方向に向かうように、溝部の長手方向の各場所毎に異なっている。
　また、本開示の固体撮像装置は、（ａ）複数の光電変換部が形成された基板と、（ｂ）基板の受光面側に設けられた溝部とを備え、（ｃ）複数の光電変換部を有する画素領域と溝部との距離は、基板の受光面側からの入射光を溝部で反射して得られる反射光が、入射光が入射してきた方向と異なる方向に向かうように、溝部の長手方向の各場所毎に異なっている。
　また、本開示の電子機器は、（ａ）複数のフォトダイオードが形成された基板、基板の受光面側に設けられた溝部及び溝部の内部に設けられた凹凸部を備える固体撮像装置と、（ｂ）被写体からの像光を固体撮像装置の撮像面上に結像させる光学レンズと、（ｃ）固体撮像装置から出力される信号に信号処理を行う信号処理回路とを備える。
本開示の第１の実施形態に係る固体撮像装置の全体構成を示す図である。 固体撮像装置が形成されたチップの平面構成を示す図である。 図２の右側端部を拡大してチップの平面構成を示す図である。 図３ＡのＡ－Ａ線で破断してチップの断面構成を示す図である。 ウェハの平面構成を示す図である。 図４ＡのＢ領域を拡大してウェハの平面構成を示す図である。 変形例に係るチップの断面構成を示す図である。 変形例に係るチップの断面構成を示す図である。 カメラモジュールの断面構成を示す図である。 図７ＡのＣ領域を拡大してカメラモジュールの断面構成を示す図である。 カメラモジュールの断面構成を示す図である。 凹凸部のピッチ等の算出方法を説明するための図である。 凸部の角度の好適な範囲を説明するための図である。 凸部の角度の好適な範囲を説明するための図である。 凸部の角度の好適な範囲を説明するための図である。 実施例１の固体撮像装置が形成されたチップの平面構成を示す図である。 実施例２の固体撮像装置が形成されたチップの平面構成を示す図である。 比較例１の固体撮像装置が形成されたチップの平面構成を示す図である。 変形例に係る溝部の立体構成を示す図である。 錐状の立体の形成方法を説明するための図である。 錐状の立体の形成方法を説明するための図である。 錐状の立体の形成方法を説明するための図である。 錐状の立体の形成方法を説明するための図である。 錐状の立体の形成方法を説明するための図である。 変形例に係る溝部の立体構成を示す図である。 変形例に係るチップの平面構成を示す図である。 凸部の好適な形状を説明するための図である。 凸部の好適な形状を説明するための図である。 凸部の好適な形状を説明するための図である。 変形例に係るチップの平面構成を示す図である。 変形例に係るチップの平面構成を示す図である。 変形例に係るチップの平面構成を示す図である。 変形例に係るチップの断面構成を示す図である。 変形例に係るチップの断面構成を示す図である。 変形例に係るチップの断面構成を示す図である。 変形例に係るチップの断面構成を示す図である。 変形例に係るチップの断面構成を示す図である。 変形例に係るチップの断面構成を示す図である。 変形例に係るチップの断面構成を示す図である。 入射光の進入角度と反射率との関係を示す図である。 変形例に係るチップの平面構成を示す図である。 入射光の反射方向を説明するための図である。 入射光の反射方向を説明するための図である。 入射光の反射方向を説明するための図である。 入射光の進入角度と光量と反射光の光量との関係を示す図である。 本開示の第２の実施形態に係る電子機器の概略構成図である。
　以下に、本開示の実施形態に係る固体撮像装置及び電子機器の一例を、図１～図３２を参照しながら説明する。本開示の実施形態は、以下の順序で説明する。なお、本開示は以下の例に限定されるものではない。また、本明細書に記載された効果は例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
１．第１の実施形態：固体撮像装置
　１－１　固体撮像装置の全体の構成
　１－２　要部の構成
　１－３　実施例
　１－４　変形例
２．第２の実施形態：電子機器
〈１．第１の実施形態〉
［１－１　固体撮像装置の全体の構成］
　本開示の第１の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。図１は、本開示の第１の実施形態に係る固体撮像装置の全体を示す概略構成図である。
　図１の固体撮像装置１は、裏面照射型のＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサである。図３２に示すように、固体撮像装置１（１０１）は、光学レンズ１０２を介して被写体からの像光（入射光１０６）を取り込み、撮像面上に結像された入射光１０６の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。
　図１に示すように、第１の実施形態の固体撮像装置１は、基板２と、画素領域３と、垂直駆動回路４と、カラム信号処理回路５と、水平駆動回路６と、出力回路７と、制御回路８とを備えている。
　画素領域３は、基板２上に、２次元アレイ状に規則的に配列された複数の画素９を有している。画素９は、図３Ｂに示した光電変換部２４と、複数の画素トランジスタ（不図示）とを有している。複数の画素トランジスタとしては、例えば、転送トランジスタ、リセットトランジスタ、選択トランジスタ、アンプトランジスタの４つのトランジスタを採用できる。また、例えば選択トランジスタを除いた３つのトランジスタを採用してもよい。
　垂直駆動回路４は、例えば、シフトレジスタによって構成され、所望の画素駆動配線１０を選択し、選択した画素駆動配線１０に画素９を駆動するためのパルスを供給し、各画素９を行単位で駆動する。即ち、垂直駆動回路４は、画素領域３の各画素９を行単位で順次垂直方向に選択走査し、各画素９の光電変換部２４において受光量に応じて生成した信号電荷に基づく画素信号を、垂直信号線１１を通してカラム信号処理回路５に供給する。
　カラム信号処理回路５は、例えば、画素９の列毎に配置されており、１行分の画素９から出力される信号に対して画素列毎にノイズ除去等の信号処理を行う。例えばカラム信号処理回路５は画素固有の固定パターンノイズを除去するためのＣＤＳ(Correlated Double Sampling：相関２重サンプリング)及びＡＤ(Analog Digital)変換等の信号処理を行う。
　水平駆動回路６は、例えば、シフトレジスタによって構成され、水平走査パルスをカラム信号処理回路５に順次出して、カラム信号処理回路５の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路５の各々から、信号処理が行われた画素信号を水平信号線１２に出力させる。
　出力回路７は、カラム信号処理回路５の各々から水平信号線１２を通して、順次に供給される画素信号に対し信号処理を行って出力する。信号処理としては、例えば、バファリング、黒レベル調整、列ばらつき補正、各種デジタル信号処理等を用いることができる。
　制御回路８は、垂直同期信号、水平同期信号、及びマスタクロック信号に基づいて、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５、及び水平駆動回路６等の動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、制御回路８は、生成したクロック信号や制御信号を、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５、及び水平駆動回路６等に出力する。
［１－２　要部の構成］
　次に、図１の固体撮像装置１が形成されているチップ１３の詳細構造について説明する。図２は、第１の実施形態の固体撮像装置１が形成されているチップ１３における、画素領域３及びその周囲の領域（以下、「周囲領域１４」とも呼ぶ）の平面構成を示す図である。また、図３Ａは、図２の右側端部を拡大してチップ１３の平面構成を示す図である。また、図３Ｂは、図３ＡのＡ－Ａ線で破断してチップ１３の断面構成を示す図である。
　図３Ｂに示すように、第１の実施形態の固体撮像装置１が形成されているチップ１３は、基板２、保護膜１５、遮光膜１６及び平坦化膜１７がこの順に積層されてなる受光層１８を備えている。また、受光層１８の平坦化膜１７側の面（以下、「裏面Ｓ１側」とも呼ぶ）には、カラーフィルタ層１９及びオンチップレンズ２０がこの順に積層されてなる集光層２１が形成されている。さらに、受光層１８の基板２側の面（以下「表面Ｓ２側」とも呼ぶ）には、配線層２２及び支持基板２３がこの順に積層されている。なお、受光層１８の裏面Ｓ１と平坦化膜１７の裏面とは同一の面であるため、以下の記載では、平坦化膜１７の裏面についても「裏面Ｓ１」と表す。また、受光層１８の表面Ｓ２と基板２の表面とは同一の面であるため、以下の記載では基板２の表面についても「表面Ｓ２」と表す。
　基板２は、例えば、シリコン（Si）からなる半導体基板によって構成され、画素領域３及び周囲領域１４を形成している。画素領域３には、図３Ｂに示すように基板２に形成された複数の光電変換部２４、つまり、基板２に埋設された複数の光電変換部２４を含んで構成される複数の画素９が、二次元アレイ状に配置されている。光電変換部２４では、入射された光の光量に応じた信号電荷が生成され、生成された信号電荷が蓄積される。
　保護膜１５は、基板２の裏面Ｓ３側全体（受光面側全体）を連続的に被覆している。保護膜１５の材料としては、例えば、シリコン酸化物（SiO2）を用いることができる。また、遮光膜１６は、隣接する画素９へ光が漏れ込まないように、保護膜１５の裏面Ｓ４側の一部に、複数の光電変換部２４のそれぞれの受光面側を開口する格子状に形成されている。また、平坦化膜１７は、受光層１８の裏面Ｓ１が凹凸がない平坦面となるように、遮光膜１６を含む保護膜１５の裏面Ｓ４側全体（受光面側全体）を連続的に被覆している。
　カラーフィルタ層１９は、平坦化膜１７の裏面Ｓ１側（受光面側）に、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）等の複数のカラーフィルタを画素９毎に有している。各カラーフィルタの色は、例えば、ベイヤー配列に従って並べられている。カラーフィルタ層１９は、特定の波長の光を透過させ、透過させた光を基板２内の光電変換部２４に入射させる。
　オンチップレンズ２０は、カラーフィルタ層１９の裏面Ｓ７側（受光面側）に、各画素９に対応して形成されている。オンチップレンズ２０は、照射光を集光し、集光した光を、カラーフィルタ層１９を介して、基板２内の光電変換部２４に効率よく入射させる。
　配線層２２は、基板２の表面Ｓ２側に形成されており、層間絶縁膜（不図示）を介して複数層（図３Ｂでは３層）に積層された配線（不図示）を含んで構成されている。配線層２２に形成された複数層の配線を介して各画素９を構成する画素トランジスタが駆動される。配線層２２の材料としては、例えばシリコン酸化物（SiO2）を用いることができる。
　支持基板２３は、配線層２２の基板２に面する側とは反対側の面に形成されている。支持基板２３は、固体撮像装置１の製造段階において、基板２の強度を確保するための基板である。支持基板２３の材料としては、例えば、シリコン(Si)を用いることができる。
　以上の構成を有する固体撮像装置１が形成されているチップ１３では、基板２の裏面側（受光層１８の裏面Ｓ１側）から光が照射され、照射された光がオンチップレンズ２０及びカラーフィルタ層１９を透過し、透過した光が光電変換部２４で光電変換されることで信号電荷が生成される。そして、生成された信号電荷が、基板２の表面Ｓ２側に形成された画素トランジスタを介して図１に示した垂直信号線１１で画素信号として出力される。
　また、周囲領域１４の外周側には、図２、図３Ａ、図３Ｂに示すように、画素領域３の外周に沿うように形成された、分割後のスクライブ領域２５を有している。分割後のスクライブ領域２５は、図４Ａ、図４Ｂに示すように、ウェハ２６に形成された各チップ１３間に、基板２の裏面Ｓ３側から深さ方向に形成された溝状のスクライブ領域２７（以下、「分割前のスクライブ領域２７」とも呼ぶ）の底面がブレード（不図示）でダイシング（分割）されてなる領域である。分割前のスクライブ領域２７の幅は、ブレードの幅よりも大きくする。これにより、チップ１３のダイシング時に、ブレードが基板２に接触することを防止でき、歪の発生を防止でき、基板２の剥がれやクラックの発生を防止できる。そのため、剥がれ等からの水の浸入を防止でき、結露の発生を防止でき、画質劣化を防止できる。分割後のスクライブ領域２５の底面Ｓ５は、配線層２２内部に形成されている。
　また、周囲領域１４の内周側には、図２、図３Ａ、図３Ｂに示すように、画素領域３の外周及び分割後のスクライブ領域２５の内周に沿うように、基板２の裏面Ｓ３側から深さ方向に形成された溝部２８を有している。すなわち、溝部２８は、分割後のスクライブ領域２５と画素領域３との間に画素領域３を取り囲む４つの直線溝２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄからなる。溝部２８の底面Ｓ６は配線層２２の受光面側の面に形成されている。
　上述したように、第１の実施形態の固体撮像装置１では、分割前のスクライブ領域２７を設けることにより、基板２に歪が発生し難く、基板２の剥がれやクラックが発生し難い構造にしているが、このような構造にしても、ブレードが基板２に接触し、基板２に剥がれやクラックが発生する可能性がある。それゆえ、溝部２８も設けることにより、剥がれやクラックが発生しても、剥がれやクラックの画素領域３内への進行を防止可能とした。
　溝部２８の側壁面のうち、光電変換部２４側を向いている側壁面３０には、複数の凹凸部３１が形成されている。凹凸部３１としては、例えば、基板２の裏面Ｓ１側からの入射光を散乱する形状を用いることができる。例えば、凹凸部３１の形状としては、図３Ａに示すように、基板２の裏面Ｓ１側から見た場合に、三角形が連続した鋸刃形状のものを採用することができる。また、例えば、図３Ｂに示すように、基板２の側方から見た場合に、基板２の裏面Ｓ１と垂直な方向に伸びている直線状のものを採用することができる。なお、図５、図６に示すように、製造過程で意図せずに曲線状となったもの、人為的に曲線状としたものも採用できる。図５では、側壁面３０全体が曲線状となったものを例示している。図６では、側壁面３０の保護膜１５側のみが曲線状となったものを例示している。
　上述したように、第１の実施形態の固体撮像装置１では、溝部２８を設けることにより、剥がれやクラックが画素領域３内に進行し難い構造にしているが、このような構造にすると、図７Ａに示すように、カメラモジュール３２を構成した場合に、フレアが発生する可能性がある。すなわち、固体撮像装置１上にカバーガラス３３を配置し、その上に撮像レンズ３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄ、３４ｅを配置したカメラモジュール３２を構成した場合、撮像レンズ３４ａ～３４ｅ及びカバーガラス３３を介して溝部２８に入射光３５が入射すると、図７Ｂに示すように、入射光３５が溝部２８の側壁面３０や底面Ｓ６で反射して画素領域３側に進み、入射光３５がカバーガラス３３や撮像レンズ３４ａ～３４ｅ等で反射し、反射した入射光３５が画素領域３に入射して、フレアが発生する可能性がある。それゆえ、溝部２８の側壁面３０に凹凸部３１を設けることにより、溝部２８に入射光３５が入射しても、図８に示すように、入射した入射光３５が凹凸部３１によって拡散し、または、凹凸部３１内で複数回反射して減衰するため、フレアを抑制可能とした。
　なお、第１の実施形態の固体撮像装置１では、凹凸部３１について、図３Ａに示すように、チップ１３の側面と平行な面であって、凹凸部３１の底部を通る面を基準面５０とした、凸部３７から構成されていると説明できる。しかしながら、チップ１３の側面と平行な面であって、凹凸部３１の頂部を通る面を基準面５１とした場合には、複数の凹部から構成されていると説明することもできる。さらに、基準面５０と基準面５１との間に位置する面を基準面５２とした場合には、複数の凹部と凸部とから構成されていると説明することもできる。これらは、説明するうえでの視点が違うだけで、本質的には同じである。
　また、凹凸部３１の凹凸のピッチｐは、例えば、０．１ｕｍ以上１００ｕｍ未満が好ましい。凹凸部３１の凹凸のピッチｐとしては、図３Ａに示すように、例えば、平面視において、連続する凸部３７、３７、３７間に形成される、隣り合う凹部の底部間の距離を用いることができる。また、例えば、平面視において、隣り合う凸部３７、３７の頂部間の距離を用いることもできる。これらは、いずれを用いても本質的な違いはない。なお、図９に示すように、凹凸部３１が製造過程で角部が丸まったものや、人為的に角部を丸めたものである場合には、凹凸部３１に接線３６を引くことで、ピッチｐを規定すればよい。
　凹凸部３１の凹凸のピッチが０．１ｕｍ未満である場合には、凹凸部３１の加工が困難なため、凹凸部３１の形状が狙ったものにならない。一方、凹凸のピッチが１００ｕｍ以上である場合には、コスト面で不利となる。すなわち、凹凸のピッチを１００ｕｍとし、凹凸部３１の凸部３７の頂点の角度θを１°（後述する、好適な角度θの範囲１°～８０°の下限値）とすると、凸部３７の高さが５．７３ｍｍとなり、凹凸部３１が画素領域３以上のレイアウトを占有することになるため、ウェハ２６に形成できるチップ１３の数が低減し、コストが増大する。また、凹凸部３１の凹凸のピッチｐを１００ｕｍとし、凹凸部３１の凸部３７の頂点の角度θを８０°（後述する、好適な角度θの範囲１°～８０°の上限値）とすると、凸部３７の高さが６０ｕｍ程度となることになるが、この程度のレイアウトの占有は、形成できるチップ１３数への影響が低く、コスト的に許容できる。
　また、凹凸部３１は、直線溝２９ａ～２９ｄそれぞれの全体に設けるようにしてもよいし、一部にのみ設けるようにしてもよい。一部にのみ設ける場合には、フレアの影響を目立ち難くできるという点から、直線溝２９ａ～２９ｄの中心付近に設けるのが好ましい。
　また、各直線溝２９ａ～２９ｄのそれぞれには、凹凸部３１の凸部３７が２０個以上連続しているのが好ましい。すなわち、オンチップレンズ２０により光源等からの光が溝部２８に結像する場合、結像する光のスポット径は２ｕｍ程度になる。それゆえ、例えば、凹凸のピッチｐが０．１ｕｍ（ピッチｐの下限値）である場合には、溝部２８の側壁面３０で光が反射することによるフレアを抑制するためには、凸部３７を最低でも２０個連続させて、凸部３７が連続している領域をスポット径よりも大きくする必要がある。
　また、基板２の裏面Ｓ１側からの形状が鋸刃形状の凹凸部３１を用いる場合、凸部３７の頂点の角度θは１°以上８０°未満とするのが好ましい。特に、入射光３５の拡散の点からは、θは１°以上６０°以下がより好ましく、３０°±１０°が最も好適である。なお、図９に示すように、凹凸部３１が製造過程で角部が丸まったものや、人為的に角部を丸めたものである場合、凹凸部３１に接線３６を引いて、角度θを規定すればよい。凸部３７の頂点の角度θが８０°以上（例えば９０°）である場合は、図１０に示すように、凸部３７への入射光３５が凸部３７の表面で反射し、反射した入射光３５が隣接する他の凸部３７の表面で反射することで、入射光３５の進行方向が入射時と反対向きになる。それゆえ、入射光３５が画素領域３に進入し、フレアの抑制量が小さくなる。一方、凸部３７の頂点の角度θが１°未満である場合には、製造が難しく、安定量産が困難となる。
　これに対し、図１１Ａ、図１１Ｂに示すように凸部３７の頂点の角度θが１°以上８０°未満である場合には、凸部３７に入射した入射光３５をいろいろな方向に反射させ、進行方向を複雑化させることで、入射光３５を散乱させ、フレアをより適切に抑制できる。
　溝部２８の形成方法としては、例えば、基板２の画素領域３を取り囲む四角形状となるように、基板２の裏面Ｓ３側から深さ方向に選択的にエッチングする方法を採用することができる。エッチングの方法としては、例えば、基板２の画素領域３の裏面Ｓ３にオンチップレンズ２０まで積層した後に、裏面Ｓ３に、溝部２８及び凹凸部３１を形成するための開口を有するマスクを設け、このマスクを介してエッチングを行う方法を採用できる。
　なお、溝部２８を形成する工程は、分割前のスクライブ領域２７を形成する工程等と共通化することが可能である。工程を共通化した場合、工程数の削減を図ることができる。
　以上説明したように、第１の実施形態の固体撮像装置１では、複数の光電変換部２４が形成された基板２と、基板２の受光面側に設けられた溝部２８と、溝部２８の光電変換部２４側を向いている側壁面３０に設けられた凹凸部３１とを備えるようにした。それゆえ、溝部２８の側壁面３０への入射光３５が拡散し、または、凹凸部３１内で複数回反射して減衰するため、フレアを抑制可能な固体撮像装置１を提供できる。また、凹凸部３１を溝部２８と同時に形成できるため、追加の工数がかからず、安価なフレア対策ができる。
［１－３　実施例］
　次に、図１の固体撮像装置１が形成されているチップ１３の実施例について説明する。図１２、図１３及び図１４のそれぞれは、実施例１、実施例２及び比較例１の固体撮像装置１が形成されたチップ１３の断面構成を示す図である。
（実施例１）
　実施例１では、図１２に示すように、凹凸部３１の凸部３７の頂点の角度θを６０°とし、ピッチｐを２０ｕｍとして、チップ１３を製作した。
（実施例２）
　実施例２では、図１３に示すように、凹凸部３１の凸部３７の頂点の角度θを３０°とし、ピッチｐを２ｕｍとし、それ以外は実施例１と同様にして、チップ１３を製作した。（比較例１）
　比較例１では、図１４に示すように、凹凸部３１を省略して、溝部２８の側壁面３０を凹凸がない平坦面とし、それ以外は実施例１と同様にして、チップ１３を製作した。
（性能評価）
　図７に示すように、実施例１、実施例２、比較例１のそれぞれの固体撮像装置１上にカバーガラス３３を配置し、その上に撮像レンズ３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄ、３４ｅを配置したカメラモジュール３２を構成した。そして、撮像レンズ３４ａ～３４ｅ及びカバーガラス３３を介して、光源等からの入射光３５を溝部２８の凹凸部３１に当てた。
　その結果、実施例１、２の固体撮像装置１では、図３Ａに示した凹凸部３１に入射した入射光３５がいろいろな方向に反射され、入射光３５の進行方向が複雑化されて、入射光３５が散乱され、フレアを抑制できることが確認できた。特に、実施例２の固体撮像装置１により、凸部３７の頂点の角度θが小さいときは、フレアの抑制効果が潜在的に高いので、ピッチｐを小さくすることで、凹凸部３１でレイアウトの占有面積の増大を抑制できることが確認できた。一方、実施例１の固体撮像装置１により、凸部３７の頂点の角度θが大きいときには、なるべくピッチｐを大きくすることで、３次元構造の点から、凸部３７間の２回反射が起こり難くなるのでフレア抑制の効果を高められることが確認できた。
　一方、比較例１の固体撮像装置１では、図７Ａ、図７Ｂに示すように凹凸部３１に入射した入射光３５が反対方向に反射され、反射された入射光３５がカバーガラス３３や撮像レンズ３４ａ～３４ｅで反射され、画素領域３に入射光３５が進入しフレアが発生した。
［１－４　変形例］
（１）なお、第１の実施形態では、凹凸部３１を三角形が連続した鋸刃形状とする例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、図１５に示すように、凹凸部３１を、複数の錐状の立体５３がアレイ状に配置されてなる形状（以下、「モスアイ構造」とも呼ぶ）としてもよい。錐状の立体５３としては、例えば、四角錐、円錐を採用できる。図１５では、錐状の立体５３として四角錐を採用した一例を示している。凹凸部３１をモスアイ構造とすることにより、錐状の立体５３の先端から根本まで屈折率が緩やかに変化するため、側壁面３０での入射光３５の反射を抑制でき、反射光の強度を低下できる。なお、本変形例は、図１５に示した構成に限定されるものではなく、例えば、溝部２８の側壁面のうち、側壁面３０と対向している側壁面５４についてもモスアイ構造としてもよい。
　側壁面３０、５４への錐状の立体５３の形成方法としては、例えば、ＤＳＡ（Direct Self-Assmbly）技術を用いることができる。具体的には、まず、図１６Ａに示すように、溝部２８の２つの側壁面３０、５４及び底面Ｓ６にジブロックコポリマー６２を塗布する。ジブロックコポリマー６２としては、例えば、ポリスチレンーポリメチルメタクリレート（PS-PMMA:Polystyrene-Polymethylmethacry-late）を採用できる。また、基板２の裏面Ｓ３にレジスト５６を塗布する。図１６Ａでは、基板２と配線層２２との界面にシリコン窒化膜５７を有する一例を示している。続いて、図１６Ｂに示すように、塗布したジブロックコポリマー６２に紫外線５８を照射する。紫外線５８の照射により、図１６Ｃに示すように、ポリスチレンとポリメチルメタクリレートとの反発により数ｎｍから数十ｎｍの相分離構造を生じる。図１６Ｃでは、ポリメチルメタクリレートがスフィア５９を形成し、ポリスチレンが架橋してエッチングプレート６０を形成した一例を示している。
　相分離構造の形状やピッチは、ポリスチレンとポリメチルメタクリレートとの体積比によって調整する。続いて、図１６Ｄに示すように、ポリメチルメタクリレートのスフィア５９を除去し、ポリスチレンのエッチングプレート６０を用いて等方性ドライエッチングを行うことで、図１６Ｅに示すように、側壁面３０に複数の錐状の立体５３が形成される。図１６Ｅでは、エッチングプレート６０とレジスト５６とを除去した後を示している。
（２）また、例えば、図１７に示すように、溝部２８の底面Ｓ６を、複数の錐状の立体５３がアレイ状に配置された形状（モスアイ構造）としてもよい。図１７では、溝部２８の側壁面３０及び底面Ｓ６のそれぞれをモスアイ構造とした一例を示している。なお、本変形例は、図１７に示した構成に限定されるものではなく、例えば、溝部２８の側壁面３０をモスアイ構造とせず、底面Ｓ６のみをモスアイ構造としてもよい。溝部２８の底面Ｓ６をモスアイ構造とすることにより、錐状の立体５３の先端から根本まで屈折率が緩やかに変化するため、底面Ｓ６での入射光３５の反射を抑制でき、反射光の強度を低下できる。
（３）また、第１の実施形態では、凹凸部３１の形状を、同じ三角形が繰り返し現れる形状とする例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、凹凸部３１の形状、つまり、三角形の形状を、溝部２８の長手方向の各場所毎に異なったものとしてもよい。具体的には、図１８Ａ、図１８Ｂに示すように、画素領域３を取り囲む４つの直線溝２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄのうちの、画素領域３の中央側の部分の側壁面３０に二等辺三角形状の凸部３７を設けた。このような三角形状を用いることにより、凸部３７が全くない場合に比べ、直線溝２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄの長手方向の中央付近における、入射光３５の反射回数を増大でき、反射した入射光３５の光路を分散できる。図１８Ａの点線は、凸部３７の各頂点に入射される入射光３５の光路を表している。
　また、図１８Ａ、図１８Ｃに示すように、画素領域３を取り囲む４つの直線溝２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄのうちの、画素領域３の端部側の部分の側壁面３０に設けられる凸部３７を、中央側の辺よりも端部側の辺が長い三角形状とした。このような三角形を用いることにより、二等辺三角形６１を用いる場合に比べ、直線溝２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄの長手方向の端部付近における、入射光３５の反射回数を増大でき、反射した入射光３５の光路を分散できる。凸部３７の頂点の移動距離ｘとしては、例えば、図１８Ｄに示すように、平面視における入射光３５の投影角度ψと凸部３７の高さｈとを基に式ｘ＝ｈ・tanψで表される距離を採用できる。なお、上式によるｘの実現が困難である場合には、画素領域３の端部側の部分の側壁面３０の凸部３７を省略して平坦としてもよい。
　ちなみに、画素領域３を取り囲む４つの直線溝２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄのうちの、画素領域３の端部側の部分に設けられる凸部３７も、二等辺三角形状の凸部３７とする方法では、入射光３５の反射回数が低減し、反射した入射光３５が画素領域３の中央側へ戻るような光路が増える。特に、このような傾向は、画素領域３の端部側ほど顕著となるため、反射した入射光３５による画素領域３の中央側への光路の集中も懸念される。
（４）また、第１の実施形態では、凹凸部３１を、溝部２８の画素領域３側を向いている側壁面３０にのみ設ける例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、図１９Ａ、図１９Ｂに示すように、凹凸部３１を、溝部２８の２つの側壁面３０、５４それぞれに設けてもよい。図１９Ａでは、側壁面３０の凹凸部３１の凸部３７と、側壁面５４の凹凸部３１の凸部３７とを互いに対向させて設けた一例を示している。また、図１９Ｂでは、側壁面３０の凹凸部３１の凸部３７と、側壁面５４の凹凸部３１の凸部３７とが互い違いになるように設けた一例を示している。凹凸部３１を２つの側壁面３０、５４に設けることにより、側壁面３０の凸部３７で反射された入射光３５が側壁面５４の凸部３７に入射した場合、側壁面５４の凸部３７への入射光３５を凸部３７の表面で反射させ、反射させた入射光３５を、隣接する他の凸部３７の表面で反射させることができ、進行方向をより複雑化させることで、入射光３５をより散乱させ、フレアをより適切に抑制できる。
（５）また、第１の実施形態では、凹凸部３１を、画素領域３を取り囲む溝部２８の全部に設ける例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、図２０に示すように、凹凸部３１を、画素領域３を取り囲む溝部２８のうちの、画素領域３との距離が所定値ａ以下である部分の、画素領域３側を向いている側壁面３０にのみ設けるようにしてもよい。図２０では、画素領域３を取り囲む４つの直線溝２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄのうちの、直線溝２９ａ、２９ｃが画素領域３との距離が所定値ａより大きくなっており、直線溝２９ｂ、２９ｄが画素領域３との距離が所定値ａ以下となっている一例を示している。図２０に示した一例では、直線溝２９ｂ、２９ｄの側壁面３０にのみ凹凸部３１が設けられる。所定値ａとしては、例えば、溝部２８で反射した入射光３５によってフレアが発生することがない、画素領域３と溝部２８との間の距離を採用できる。例えば、１０μｍが用いられる。すなわち、本発明者らは、溝部２８のうちの、画素領域３との間の距離が所定値ａ以下である部分が入射光３５を反射した場合にはフレアが発生するが、画素領域３との間の距離が所定値ａ以下である部分が入射光３５を反射した場合には、フレアが発生しないことを発見した。それゆえ、画素領域３との距離が所定値ａ以下である溝部２８の部分の側壁面３０にのみ凹凸部３１を設けることにより、例えば、画素領域３を取り囲む溝部２８の全部に凹凸部３１を設ける方法に比べ、凹凸部３１を形成する範囲を小さくすることができ、凸部３７の先端部の欠け等によるダストの発生を抑制できる。その結果、ダストが付着して固体撮像装置１が不良品化することをより適切に防止できる。
（６）また、第１の実施形態では、側壁面３０を、基板２の裏面Ｓ１と垂直な方向に伸びている直線状に形成する例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、側壁面３０及び側壁面５４の少なくとも一方を、底面Ｓ６側ほど溝部２８の幅方向内側に突出した形状に形成してもよい。底面Ｓ６側ほど溝部２８の幅方向内側に突出した形状としては、例えば、図２１に示すように、底面Ｓ６側ほど溝部２８の幅方向内側に突出した階段状、図２２に示すように、底面Ｓ６側ほど溝部２８の幅方向内側に突出した斜面状を採用できる。側壁面３０をこのような形状とすることにより、溝部２８の底面Ｓ６で反射した入射光３５が側壁面３０に当たる可能性を低減でき、底面Ｓ６で反射した入射光３５が側壁面３０でさらに反射して光電変換部２４に入射する可能性を低減できる。また、側壁面５４をこのような形状とすることにより、側壁面３０で反射した入射光３５が側壁面５４に当たった場合に、入射光３５を側壁面３０の上方に反射でき、側壁面５４で反射した入射光３５が側壁面３０でさらに反射して光電変換部２４に入射する可能性を低減できる。
（７）図２１では、溝部２８の側壁面３０に凹凸部３１を設けず、溝部２８の２つの側壁面３０、５４のそれぞれを階段状とする一例を示している。しかし、本変形例は、図２１に示した構成に限定されるものではなく、例えば、溝部２８の側壁面３０、５４を階段状とすると共に側壁面３０に凹凸部３１を設ける構成としてもよいし、溝部２８の２つの側壁面３０、５４のうちの側壁面５４を階段状とせず、光電変換部２４側を向いている側壁面３０のみを階段状とする構成としてもよいし、光電変換部２４側を向いている側壁面３０を階段状とせず、側壁面５４のみを階段状とする構成としてもよい。また図２１に示すように、溝部２８の側壁面３０を、底面Ｓ６側ほど溝部２８の幅方向内側に突出した階段状とした場合には、例えば、溝部２８に入射した入射光３５があった場合、入射光３５のうちのある部分は階段の途中の段で反射され、他のある部分は底面Ｓ６で反射されるというように、入射光３５を構成する部分毎に反射先を異ならせ、光電変換部２４に反射光が入射する際の光路を複数に分けて各反射光の強度を低下でき、フレアを抑制できる。
（８）同様に、図２２では、溝部２８の側壁面３０に凹凸部３１を設けず、溝部２８の２つの側壁面３０、５４のそれぞれを斜面状とする一例を示している。しかし、本変形例は、図２２に示した構成に限定されるものではなく、例えば、溝部２８の側壁面３０を斜面状とすると共に凹凸部３１を設ける構成としてもよいし、溝部２８の２つの側壁面３０、５４のうち側壁面５４を斜面状とせず、光電変換部２４側を向いている側壁面３０のみを斜面状とする構成としてもよいし、光電変換部２４側を向いている側壁面３０を斜面状とせず、側壁面５４のみを斜面状とする構成としてもよい。また、図２２に示すように、溝部２８の側壁面３０を、底面６Ｓ側ほど溝部２８の幅方向内側に突出した斜面状とした場合には、溝部２８の長手方向から見た場合に、溝部２８の側壁面３０と溝部２８の底面６Ｓの法線とがなす角度φを、固体撮像装置１を用いて図７Ａ及び図８に示すようなカメラモジュール３２を構成した場合に溝部２８に入射することが想定される入射光３５と溝部２８の底面Ｓ６の法線とがなす角度γ以下とする。なお、溝部２８の底面Ｓ６への入射光３５の入射角度はある範囲を持っているが、角度γは、ある範囲を持った入射角度のうちの最も入射光３５の強度が強くなる角度である。例えば、カメラモジュール３２を構成した場合の光学系のシミュレーションを行うことで算出することができる。図２２に示すように、φ≦γとした場合には、例えば、光電変換部２４側を向いている側壁面３０で反射する入射光３５の光電変換部２４への入射を抑制でき、フレアを抑制できる。
（９）また、例えば、側壁面３０及び側壁面５４の少なくとも一方を、開口部側ほど溝部２８の幅方向内側に突出した形状としてもよい。開口部側ほど溝部２８の幅方向内側に突出した形状としては、例えば、図２３に示すように、開口部側ほど溝部２８の幅方向内側に突出した階段状、図２４に示すように、開口部側ほど溝部２８の幅方向内側に突出した斜面状を採用できる。側壁面３０をこのような形状とすることにより、溝部２８の底面Ｓ６に到達する入射光３５を低減することができる。また、溝部２８の底面Ｓ６で反射する入射光３５を、溝部２８の側壁面３０、５４間で繰り返し反射でき、反射回数の増加によって入射光３５の強度を低減できる。また、側壁面５４をこのような形状とすることにより、側壁面３０で反射して側壁面５４に当たった入射光３５を、溝部２８の側壁面３０、５４間で繰り返し反射でき、反射回数の増加によって入射光３５の強度を低減できる。
（１０）図２３では、溝部２８の側壁面３０に凹凸部３１を設けず、溝部２８の２つの側壁面３０、５４のそれぞれを階段状とする一例を示している。しかし、本変形例は、図２３に示した構成に限定されるものではなく、例えば、溝部２８の側壁面３０、５４を階段状とすると共に側壁面３０に凹凸部３１を設ける構成としてもよいし、溝部２８の２つの側壁面３０、５４のうちの側壁面５４を階段状とせず光電変換部２４側を向いている側壁面３０のみを階段状とする構成としてもよいし、光電変換部２４側を向いている側壁面３０を階段状とせず側壁面５４のみを階段状とする構成としてもよい。また図２３に示すように、溝部２８の側壁面３０を開口部側ほど溝部２８の幅方向内側に突出した階段状とした場合には、例えば、溝部２８の底面Ｓ６で反射する入射光３５を、底面Ｓ６と側壁面３０との間で繰り返し反射でき、反射回数の増加によって入射光３５の強度を低減できる。
（１１）同様に図２４では、溝部２８の側壁面３０に凹凸部３１を設けず、溝部２８の２つの側壁面３０、５４のそれぞれを斜面状とする一例を示している。しかし、本変形例は、図２４に示した構成に限定されるものではなく、例えば、溝部２８の側壁面３０を斜面状とすると共に凹凸部３１を設ける構成としてもよいし、溝部２８の２つの側壁面３０、５４のうちの側壁面５４を斜面状とせず、光電変換部２４側を向いている側壁面３０のみを斜面状とする構成としてもよいし、光電変換部２４側を向いている側壁面３０を斜面状とせず、側壁面５４のみを斜面状とする構成としてもよい。また、図２４に示すように、溝部２８の側壁面３０を、開口部側ほど溝部２８の幅方向内側に突出した斜面状とする場合には、溝部２８の長手方向から見た場合に、溝部２８の側壁面３０と溝部２８の底面６Ｓの法線とがなす角度φを、固体撮像装置１を用いて図７Ａ及び図８に示すようなカメラモジュール３２を構成した場合に溝部２８に入射することが想定される入射光３５と溝部２８の底面Ｓ６の法線とがなす角度γ以上とする。図２４に示すように、φ≧γとした場合には、例えば、溝部２８の底面Ｓ６で反射する入射光３５を、底面Ｓ６と斜面との間で繰り返し反射でき、反射回数の増加によって入射光３５の強度を低減することができる。
（１２）また、第１の実施形態では、例えば、側壁面３０の断面形状及び側壁面５４の断面形状の少なくとも一方を、図２５に示すように、溝部２８の幅方向外側に突出した円弧形状や、図２６に示すように、溝部２８の幅方向内側に突出した円弧形状に形成してもよい。図２５、図２６では、溝部２８の側壁面３０に凹凸部３１を設けず、溝部２８の２つの側壁面３０、５４のそれぞれの断面形状を円弧状とする一例を示している。しかし、本変形例は、図２５、図２６に示した構成に限定されるものではなく、例えば、溝部２８の側壁面３０の断面形状を円弧状とすると共に凹凸部３１を設ける構成としてもよいし、側壁面５４の断面形状を円弧状とせず、光電変換部２４側を向いている側壁面３０の断面形状のみを円弧状とする構成としてもよいし、光電変換部２４側を向いている側壁面３０の断面形状を円弧状とせず、側壁面５４の断面形状のみを円弧状とする構成としてもよい。
　また、図２５に示すように、例えば、側壁面３０の断面形状及び側壁面５４の断面形状の少なくとも一方を溝部２８の幅方向外側に突出した円弧形状とした場合には、溝部２８の底面Ｓ６に到達する入射光３５を低減できる。また、溝部２８の底面Ｓ６で反射する入射光３５を溝部２８の側壁面３０、５４間で繰り返し反射でき、反射回数の増加によって入射光３５の強度を低減できる。また、図２６に示すように、例えば、溝部２８の底面Ｓ６で反射した入射光３５が側壁面３０に当たる可能性を低減でき、底面Ｓ６で反射した入射光３５が側壁面３０でさらに反射して光電変換部２４に入射する可能性を低減できる。
（１３）また、第１の実施形態では、溝部２８内を空隙とする例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、図２７に示すように、溝部２８内の一部又は全部を、基板２とは異なる物質５５で開口部まで埋める構成としてもよい。図２７では、溝部２８の側壁面３０に凹凸部３１を設けず側壁面３０を平坦とする一例を示している。しかし、本変形例は、図２７に示した構成に限定されるものではなく、例えば、溝部２８内の一部又は全部に物質５５を開口部まで埋めると共に凹凸部３１を設ける構成としてもよい。溝部２８内を埋める物質５５としては、例えば、シリコン酸化物（SiO2）が好ましい。シリコン酸化物（SiO2）は、配線層２２の絶縁膜にも使用される等、半導体材料として扱いやすい。また、図２８に示すように、溝部２８への入射光３５の進入角度が４５度、入射光３５の波長λ＝６３０ｎｍである場合、側壁面３０、５４及び底面Ｓ６がシリコン(Si)から構成される溝部２８内にシリコン酸化物（SiO2）を埋めない構成に比べ、溝部２８の開口部で反射率が１割程度増加することが見込めるため、フレアに寄与する光量を低減することができる。なお、溝部２８内を物質５５で埋めることにより、溝部２８による、クラックが画素領域３内へ進行することを防止する能力が弱まる可能性があるが、シリコン酸化物（SiO2）は、シリコン（Si）と比べて、機械的強度が低いため、クラックのエネルギーを吸収し、クラックの画素領域３内への進行を止める効果を期待することができる。
（１４）また、例えば、図２９に示すように、溝部２８の幅を、溝部２８で反射した入射光３５が溝部２８の外へ出たときに光電変換部２４側と逆側に向かうように、溝部２８の長手方向の各場所毎に異ならせた構成としてもよい。図２９では、溝部２８の側壁面３０に凹凸部３１を設けず側壁面３０を平坦とする一例を示している。しかし、本変形例は、図２９に示した構成に限定されるものではなく、例えば、溝部２８の側壁面３０に凹凸部３１を設ける構成としてもよいし、凹凸部３１を設けると共に溝部２８内内の全部又は一部を物質５５で埋める構成としてもよいし、凹凸部３１を設けず溝部２８内内の全部又は一部を物質５５で開口部まで埋める構成としてもよい。
　ここで、溝部２８の幅等を変更することにより、図３０Ａに示すように、ある角度ηで溝部２８内へ入射した入射光３５を、入射してきた方向（以下、「逆方向」とも呼ぶ）に戻らせることや、入射してきた方向と反対方向（以下、「順方向」とも呼ぶ）へ進ませることが可能である。まず、図３０Ｂに示すように、溝部２８の断面形状が矩形であると仮定し、溝部２８の断面形状と同形状の複数の矩形を溝部２８の右方向に並べてなる第１矩形列６３と、第１矩形列６３と同様の矩形列を第１矩形列６３の下に並べてなる第２矩形列６４とからなる格子の図を作成する。続いて、作成した格子の図に、ある角度ηで溝部２８に入射した入射光３５を描き入れる。格子の図では、入射光３５は、側壁面３０で反射せずに、第１矩形列６３の他の矩形や第２矩形列６４を通過するように描く。このように入射光３５を描き入れた格子の図を参照することにより、第２矩形列６４を構成する矩形のうちの、溝部２８から奇数番目の矩形の底部を入射光３５が通過する場合には、入射光３５が逆方向に進むと判定することができる。一方、溝部２８から偶数番目の矩形の底部を入射光３５が通過する場合には入射光３５が順方向に進むと判定することができる。
　したがって、格子の図に、ある角度ηで溝部２８の側壁面３０の開口端へ入射した入射光３５と、ある角度ηで溝部２８の側壁面５４の開口端へ入射した入射光３５とを描き入れ、描き入れた２つの入射光３５の両方が、第２矩形列６４を構成する矩形のうちの、溝部２８から偶数番目の矩形の底部を通過するように溝部２８の幅を調整することで、入射光３５を順方向、つまり光電変換部２４側と逆側に向かわせることができる。さらに、溝部２８の長手方向の各場所によって入射光３５が進入する角度ηは異なる。それゆえ、溝部２８の長手方向の各場所毎に溝部２８の幅を調整することで、溝部２８の長手方向の各場所において、溝部２８で反射した入射光３５が溝部２８の外へ出たときに順方向、つまり光電変換部２４側と逆側に向かわせることができる。
（１５）また、第１の実施形態では、画素領域３と溝部２８との間の距離（画素領域３と直線溝２９ａとの間の距離、画素領域３と直線溝２９ｂとの間の距離、画素領域３と直線溝２９ｃとの間の距離、画素領域３と直線溝２９ｄとの間の距離）を一定とする例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、図２９に示すように、画素領域３と溝部２８との距離を、溝部２８で反射した入射光３５が溝部２８の外へ出たときに光電変換部２４側と逆側に向かうように、溝部２８の長手方向の各場所毎に異ならせた構成としてもよい。図２９では、溝部２８の側壁面３０に凹凸部３１を設けず側壁面３０を平坦とする一例を示している。しかし、本変形例は、図２９に示した構成に限定されるものではなく、例えば、溝部２８の側壁面３０に凹凸部３１を設ける構成としてもよいし、溝部２８の側壁面３０に凹凸部３１を設けると共に溝部２８内内の全部又は一部を物質５５で開口部まで埋める構成としてもよいし、溝部２８の側壁面３０に凹凸部３１を設けず、溝部２８内内の全部又は一部を物質５５で開口部まで埋める構成としてもよい。また、溝部２８の幅を長手方向に亘って一定とする構成としてもよい。
　ここで、上記したような図３０Ｂの格子の図を参照する方法を用いた場合、図３１Ａ、図３１Ｂに示すように、入射光３５が進入する角度ηを徐々に変化させていくと、入射光３５が逆方向へ反射する角度と、入射光３５が順方向へ反射する角度とが交互に現れる。図３１Ｂは、溝部２８で反射されて画素領域３に進入する入射光３５の光量を示している。また、図３１Ｂの角度η１、η２のそれぞれは、図３１Ａの角度η１、η２に対応している。また、画素領域３と溝部２８との間の距離が長くなるほど角度ηが大きくなり、画素領域３と溝部２８との間の距離が短くなるほど角度ηが小さくなる。それゆえ、溝部２８の長手方向の各場所毎に画素領域３と溝部２８との間の距離を調整することで、溝部２８の長手方向の各場所において、溝部２８で反射した入射光３５が溝部２８の外へ出たときに光電変換部２４側と逆側に向かわせることができる。なお上記（１４）で説明したような溝部２８の幅の調整を同時に行うようにしてもよい。
〈２．第２の実施形態：電子機器〉
　次に、本開示の第２の実施形態に係る電子機器について説明する。図３２は、本開示の第２の実施形態に係る電子機器１００の概略構成図である。
　第２の実施形態に係る電子機器１００は、固体撮像装置１０１と、光学レンズ１０２と、シャッタ装置１０３と、駆動回路１０４と、信号処理回路１０５とを備えている。第２の実施形態の電子機器１００は、固体撮像装置１０１として本開示の第１の実施形態や比較例に係る固体撮像装置１を電子機器（例えばカメラ）に用いた場合の実施形態を示す。
　光学レンズ１０２は、被写体からの像光（入射光１０６）を固体撮像装置１０１の撮像面上に結像させる。これにより、固体撮像装置１０１内に一定期間にわたって信号電荷が蓄積される。シャッタ装置１０３は、固体撮像装置１０１への光照射期間及び遮光期間を制御する。駆動回路１０４は、固体撮像装置１０１の転送動作及びシャッタ装置１０３のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路１０４から供給される駆動信号（タイミング信号）により、固体撮像装置１０１の信号転送を行なう。信号処理回路１０５は、固体撮像装置１０１から出力される信号（画素信号）に各種信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリ等の記憶媒体に記憶され、或いはモニタに出力される。
　このような構成により、第２の実施形態の電子機器１００では、固体撮像装置１０１において光学混色の抑制が図られるため、映像信号の画質の向上を図ることができる。
　なお、固体撮像装置１を適用できる電子機器１００としては、カメラに限られるものではなく、他の電子機器にも適用することができる。例えば、携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュール等の撮像装置に適用してもよい。
　また、第２の実施形態では、固体撮像装置１０１として、第１の実施形態に係る固体撮像装置１を電子機器に用いる構成としたが、他の構成としてもよい。例えば、変形例に係る固体撮像装置１を電子機器に用いてもよい。
　なお、本技術は、以下のような構成を取ることができる。
（１）
　複数の光電変換部が形成された基板と、
　前記基板の受光面側に設けられた溝部と、
　前記溝部の前記光電変換部側を向いている側壁面に設けられた凹凸部と、を備える
　固体撮像装置。
（２）
　前記凹凸部は、前記基板の受光面側からの入射光を散乱する形状になっている
　前記（１）に記載の固体撮像装置。
（３）
　前記凹凸部は、凹凸のピッチが０．１ｕｍ以上１００ｕｍ未満である
　前記（１）または（２）に記載の固体撮像装置。
（４）
　前記凹凸部は、前記基板の受光面側から見た場合に、三角形が連続した鋸刃形状である
　前記（１）から（３）の何れかに記載の固体撮像装置。
（５）
　前記凹凸部は、前記三角形の角度が１°以上８０°未満である
　前記（４）に記載の固体撮像装置。
（６）
　前記凹凸部は、前記三角形の角度が１°以上６０°以下である
　前記（５）に記載の固体撮像装置。
（７）
　前記凹凸部は、前記三角形の角度が３０°±１０°である
　前記（６）に記載の固体撮像装置。
（８）
　前記三角形の形状は、前記溝部の長手方向の各場所毎に異なっている
　前記（３）から（７）の何れかに記載の固体撮像装置。
（９）
　前記溝部は、ブレードでダイシングされるスクライブ領域と前記複数の前記光電変換部を有する画素領域との間に、前記画素領域を取り囲む四角形状に設けられており、
　前記凹凸部は、前記四角形状の辺を構成する前記溝部のうちの、前記画素領域の中央側の部分の前記側壁面に二等辺三角形状に形成され、前記画素領域の端部側の部分の前記側壁面に当該中央側の辺よりも当該端部側の辺が長い三角形状に形成されている
　前記（８）に記載の固体撮像装置。
（１０）
　前記凹凸部は、複数の錐状の立体がアレイ状に配置されてなる形状である
　前記（１）から（９）の何れかに記載の固体撮像装置。
（１１）
　前記凹凸部は、前記溝部の２つの側壁面それぞれに設けられている
　前記（１）から（１０）の何れかに記載の固体撮像装置。
（１２）
　前記基板は、シリコンからなる
　前記（１）から（１１）の何れか１項に記載の固体撮像装置。
（１３）
　前記溝部は、ブレードでダイシングされるスクライブ領域と前記複数の前記光電変換部を有する画素領域との間に、前記画素領域を取り囲む四角形状に設けられている
　前記（１）から（１２）の何れかに記載の固体撮像装置。
（１４）
　前記凹凸部は、前記四角形状の辺を構成する前記溝部のうちの、前記画素領域との距離が所定値以下である部分の、前記画素領域側を向いている側壁面にのみ設けられている
　前記（１３）に記載の固体撮像装置。
（１５）
　複数の光電変換部が形成された基板と、
　前記基板の受光面側に設けられた溝部とを備え、
　前記溝部の側壁面は、底面側ほど前記溝部の幅方向内側に突出した形状となっている
　固体撮像装置。
（１６）
　前記溝部の側壁面は、底面側ほど前記溝部の幅方向内側に突出した階段状である
　前記（１５）に記載の固体撮像装置。
（１７）
　前記溝部の側壁面は、底面側ほど前記溝部の幅方向内側に突出した斜面状である
　前記（１５）に記載の固体撮像装置。
（１８）
　前記溝部の長手方向から見た場合に、前記溝部の側壁面と前記溝部の底面の法線とがなす角度が、当該固体撮像装置を用いてカメラモジュールを構成した場合に前記溝部に入射することが想定される入射光と前記溝部の底面の法線とがなす角度以下である
　前記（１７）に記載の固体撮像装置。
（１９）
　複数の光電変換部が形成された基板と、
　前記基板の受光面側に設けられた溝部とを備え、
　前記溝部の側壁面は、開口部側ほど前記溝部の幅方向内側に突出した形状となっている
　固体撮像装置。
（２０）
　前記溝部の側壁面は、開口部側ほど前記溝部の幅方向内側に突出した階段状である
　前記（１９）に記載の固体撮像装置。
（２１）
　前記溝部の側壁面は、開口部側ほど前記溝部の幅方向内側に突出した斜面状である
　前記（１９）に記載の固体撮像装置。
（２２）
　前記溝部の長手方向から見た場合に、前記溝部の側壁面と前記溝部の底面の法線とがなす角度が、固体撮像装置を用いてカメラモジュールを構成した場合に前記溝部に入射することが想定される入射光と前記溝部の底面の法線とがなす角度以上である
　前記（２１）に記載の固体撮像装置。
（２３）
　複数の光電変換部が形成された基板と、
　前記基板の受光面側に設けられた溝部とを備え、
　前記溝部の側壁面の断面形状は、前記溝部の幅方向外側又は幅方向内側に突出した円弧形状である
　固体撮像装置。
（２４）
　複数の光電変換部が形成された基板と、
　前記基板の受光面側に設けられた溝部とを備え、
　前記溝部の底面は、複数の錐状の立体がアレイ状に配置された形状となっている
　固体撮像装置。
（２５）
　複数の光電変換部が形成された基板と、
　前記基板の受光面側に設けられた溝部とを備え、
　前記溝部内の一部又は全部は、前記基板とは異なる物質で開口部まで埋められている
　固体撮像装置。
（２６）
　複数の光電変換部が形成された基板と、
　前記基板の受光面側に設けられた溝部とを備え、
　前記溝部の幅は、前記溝部で反射した入射光が前記溝部の外へ出たときに光電変換部側と逆側に向かうように、前記溝部の長手方向の各場所毎に異なっている
　固体撮像装置。
（２７）
　複数の光電変換部が形成された基板と、
　前記基板の受光面側に設けられた溝部とを備え、
　複数の前記光電変換部を有する画素領域と前記溝部との距離は、前記溝部で反射した入射光が前記溝部の外へ出たときに光電変換部側と逆側に向かうように、前記溝部の長手方向の各場所毎に異なっている
　固体撮像装置。
（２８）
　複数のフォトダイオードが形成された基板、前記基板の受光面側に設けられた溝部及び前記溝部の内部に設けられた凹凸部を備える固体撮像装置と、
　被写体からの像光を前記固体撮像装置の撮像面上に結像させる光学レンズと、
　前記固体撮像装置から出力される信号に信号処理を行う信号処理回路とを備える
　電子機器。
　１...固体撮像装置、２...基板、３...画素領域、４...垂直駆動回路、５...カラム信号処理回路、６...水平駆動回路、７...出力回路、８...制御回路、９...画素、１０...画素駆動配線、１１...垂直信号線、１２...水平信号線、１３...チップ、１４...周囲領域、１５...保護膜、１６...遮光膜、１７...平坦化膜、１８...受光層、１９...カラーフィルタ層、２０...オンチップレンズ、２１...集光層、２２...配線層、２３...支持基板、２４...光電変換部、２５...スクライブ領域、２６...ウェハ、２７...スクライブ領域、２８...溝部、２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄ...直線溝、３０...側壁面、３１...凹凸部、３２...カメラモジュール、３３...カバーガラス、３４ａ...撮像レンズ、３４ｂ...撮像レンズ、３４ｃ...撮像レンズ、３４ｄ...撮像レンズ、３４ｅ...撮像レンズ、３５...入射光、３６...接線、３７...凸部、５０、５１、５２...基準面、５３...錐状の立体、５４...側壁面、５５...物質、５６...レジスト、５７...シリコン窒化膜、５８...紫外線、５９...スフィア、６０...エッチングプレート、６１...二等辺三角形、６２...ジブロックコポリマー、６３...第１矩形列、６４...第２矩形列、１００...電子機器、１０１...固体撮像装置、１０２...光学レンズ、１０３...シャッタ装置、１０４...駆動回路、１０５...信号処理回路、１０６...入射光

Claims (28)

  1. 　複数の光電変換部が形成された基板と、
    　前記基板の受光面側に設けられた溝部と、
    　前記溝部の前記光電変換部側を向いている側壁面に設けられた凹凸部とを備える
    　固体撮像装置。
  2. 　前記凹凸部は、前記基板の受光面側からの入射光を散乱する形状になっている
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  3. 　前記凹凸部は、平面視における、隣り合う凹部の底部間の距離、または隣り合う凸部の頂部間の距離である凹凸のピッチが０．１ｕｍ以上１００ｕｍ未満である
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  4. 　前記凹凸部は、前記基板の受光面側から見た場合に、三角形が連続した鋸刃形状である
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  5. 　前記凹凸部は、前記三角形の角度が１°以上８０°未満である
    　請求項４に記載の固体撮像装置。
  6. 　前記凹凸部は、前記三角形の角度が１°以上６０°以下である
    　請求項５に記載の固体撮像装置。
  7. 　前記凹凸部は、前記三角形の角度が３０°±１０°である
    　請求項６に記載の固体撮像装置。
  8. 　前記三角形の形状は、前記溝部の長手方向の各場所毎に異なっている
    　請求項３に記載の固体撮像装置。
  9. 　前記溝部は、ブレードでダイシングされるスクライブ領域と前記複数の前記光電変換部を有する画素領域との間に、前記画素領域を取り囲む四角形状に設けられており、
    　前記凹凸部は、前記四角形状の辺を構成する前記溝部のうちの、前記画素領域の中央側の部分の前記側壁面に二等辺三角形状に形成され、前記画素領域の端部側の部分の前記側壁面に当該中央側の辺よりも当該端部側の辺が長い三角形状に形成されている
    　請求項８に記載の固体撮像装置。
  10. 　前記凹凸部は、複数の錐状の立体がアレイ状に配置されてなる形状である
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  11. 　前記凹凸部は、前記溝部の２つの側壁面それぞれに設けられている
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  12. 　前記基板は、シリコンからなる
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  13. 　前記溝部は、ブレードでダイシングされるスクライブ領域と前記複数の前記光電変換部を有する画素領域との間に、前記画素領域を取り囲む四角形状に設けられている
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  14. 　前記凹凸部は、前記四角形状の辺を構成する前記溝部のうちの、前記画素領域との距離が所定値以下である部分の、前記画素領域側を向いている側壁面にのみ設けられている
    　請求項１３に記載の固体撮像装置。
  15. 　複数の光電変換部が形成された基板と、
    　前記基板の受光面側に設けられた溝部とを備え、
    　前記溝部の側壁面は、底面側ほど前記溝部の幅方向内側に突出した形状となっている
    　固体撮像装置。
  16. 　前記溝部の側壁面は、底面側ほど前記溝部の幅方向内側に突出した階段状である
    　請求項１５に記載の固体撮像装置。
  17. 　前記溝部の側壁面は、底面側ほど前記溝部の幅方向内側に突出した斜面状である
    　請求項１５に記載の固体撮像装置。
  18. 　前記溝部の長手方向から見た場合に、前記溝部の側壁面と前記溝部の底面の法線とがなす角度が、当該固体撮像装置を用いてカメラモジュールを構成した場合に前記溝部に入射することが想定される入射光と前記溝部の底面の法線とがなす角度以下である
    　請求項１７に記載の固体撮像装置。
  19. 　複数の光電変換部が形成された基板と、
    　前記基板の受光面側に設けられた溝部とを備え、
    　前記溝部の側壁面は、開口部側ほど前記溝部の幅方向内側に突出した形状となっている
    　固体撮像装置。
  20. 　前記溝部の側壁面は、開口部側ほど前記溝部の幅方向内側に突出した階段状である
    　請求項１９に記載の固体撮像装置。
  21. 　前記溝部の側壁面は、開口部側ほど前記溝部の幅方向内側に突出した斜面状である
    　請求項１９に記載の固体撮像装置。
  22. 　前記溝部の長手方向から見た場合に、前記溝部の側壁面と前記溝部の底面の法線とがなす角度が、固体撮像装置を用いてカメラモジュールを構成した場合に前記溝部に入射することが想定される入射光と前記溝部の底面の法線とがなす角度以上である
    　請求項２１に記載の固体撮像装置。
  23. 　複数の光電変換部が形成された基板と、
    　前記基板の受光面側に設けられた溝部とを備え、
    　前記溝部の側壁面の断面形状は、前記溝部の幅方向外側又は幅方向内側に突出した円弧形状である
    　固体撮像装置。
  24. 　複数の光電変換部が形成された基板と、
    　前記基板の受光面側に設けられた溝部とを備え、
    　前記溝部の底面は、複数の錐状の立体がアレイ状に配置された形状となっている
    　固体撮像装置。
  25. 　複数の光電変換部が形成された基板と、
    　前記基板の受光面側に設けられた溝部とを備え、
    　前記溝部内の一部又は全部は、前記基板とは異なる物質で開口部まで埋められている
    　固体撮像装置。
  26. 　複数の光電変換部が形成された基板と、
    　前記基板の受光面側に設けられた溝部とを備え、
    　前記溝部の幅は、前記溝部で反射した入射光が前記溝部の外へ出たときに光電変換部側と逆側に向かうように、前記溝部の長手方向の各場所毎に異なっている
    　固体撮像装置。
  27. 　複数の光電変換部が形成された基板と、
    　前記基板の受光面側に設けられた溝部とを備え、
    　複数の前記光電変換部を有する画素領域と前記溝部との距離は、前記溝部で反射した入射光が前記溝部の外へ出たときに光電変換部側と逆側に向かうように、前記溝部の長手方向の各場所毎に異なっている
    　固体撮像装置。
  28. 　複数のフォトダイオードが形成された基板、前記基板の受光面側に設けられた溝部及び前記溝部の内部に設けられた凹凸部を備える固体撮像装置と、
    　被写体からの像光を前記固体撮像装置の撮像面上に結像させる光学レンズと、
    　前記固体撮像装置から出力される信号に信号処理を行う信号処理回路とを備える
    　電子機器。
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