JP2016004826A

JP2016004826A - 半導体装置およびその製造方法

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Publication number: JP2016004826A
Application number: JP2014122632A
Authority: JP
Inventors: 油谷　明栄; Akishige Yuya; 明栄油谷
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2014-06-13
Filing date: 2014-06-13
Publication date: 2016-01-12

Abstract

【課題】光電変換部に対して斜め方向から入射した光に起因する迷光の発生を抑制することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板４と、光電変換部１と、転送電極２とを備えている。光電変換部１は半導体基板４内に形成され、転送電極２は光電変換部１に隣り合うように半導体基板４の主表面４ａ上に載置される。転送電極２の光電変換部１側の電極側壁面上の少なくとも一部には反射防止膜３が形成される。反射防止膜３は、主表面４ａに近い側よりも主表面４ａから離れた側において、主表面４ａに沿う方向に関する転送電極２の中心Ｃから反射防止膜３の反射防止膜側壁面３ｂｂまでの距離が大きい。【選択図】図１

Description

本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、特に、固体撮像素子を有する半導体装置およびその製造方法に関するものである。

半導体基板に複数の画素がアレイ状に配置されるように形成され、当該半導体基板上に信号の読み出し回路および出力アンプを備えたイメージセンサが開発されている。画素は光電変換部を含んでおり、光電変換部に光を入力させることにより電気信号を発生させ画像処理を行なうことを可能にしている。近年では携帯電話等にも多く用いられ、イメージセンサの小型化、高感度化、画素の微細化の要求が高まっている。

イメージセンサは、そのチップ内やチップ外、あるいはその両方に光学レンズを備えた構成とすることが多い。イメージセンサの単位画素を構成する集光レンズのように各単位画素の内部に形成される構成要素を本明細書では「内部光学系」と記載し、イメージセンサを構成する部材ではなく、たとえば集光効果を高めるために当該単位画素の外部に配置される集光レンズなどの構成要素を本明細書では「外部光学系」と記載することにする。

近年、これらの光学系を通してイメージセンサに斜めに入射する光の影響が顕著になっている。具体的には、たとえば外部光学系の小型化や明るい光学系の採用などにより、画素の光電変換部に角度の浅い、すなわち表面に対して小さい角度で入射する光が増加している。またイメージセンサの周辺領域ではもともと入射光が表面に対して斜めになっているが、これに加え収差によって光束が広がりやすくなる。さらに近年の画素の微細化により、単位画素のサイズは数μｍ以下と光の波長の数倍程度にまで縮小しており、今後さらに画素の微細化が進めば、回折による光の広がりが拡大し、いっそう角度の浅い光の入射成分が増加することが予想される。

また画素の微細化により光電変換部の面積が縮小すれば、内部光学系などの形状制御が困難になることから、本来光が入射されるべき光電変換部からずれた位置、たとえば光電変換部に隣り合う位置に形成された転送電極などに光が入射する可能性が高くなる。このようにずれた位置に入射した光は光電変換に寄与しないため、イメージセンサの光に対する感度を低下させる。また当該光の反射は迷光となり、本来入射すべき画素とは異なる他の画素に入射することによりフレア、ゴースト、コントラスト低下、解像力劣化などの不具合を引き起こす。したがって迷光を抑制することが重要である。

特許文献１においては、光電変換部に沿うようにその外側に配線層を形成し、その配線層で斜め方向から入射する光を反射させて光電変換部に導こうとする技術が開示されている。

特許文献２においては、外部光学系の光軸からずれた位置にある画素に対しては斜め入射光を考慮して光電変換部の位置をずらすことで斜め入射光を光電変換部に導きやすくし、さらに配線の側壁を逆テーパ形状とすることにより配線の側壁で反射した光を光電変換部に導きやすくしている。

特許文献３においては、周囲が反射率の高い金属からなる導波路構造を形成し、さらにその上部には焦点距離が導波路の長さより十分短いレンズを形成している。これにより、斜め入射光も含め、そのレンズに入射した光はすべて光電変換部に導こうとしている。

特許文献４においては、光電変換部（および転送電極）の上に反射防止膜を形成する技術が開示されている。

特開２００２−１９８５０５号公報特開２００３−２６４２８１号公報特開平７−４５８０５号公報特開昭６３−１４４６６号公報

特許文献１〜３の開示技術を用いれば、外部光学系からの入射光によって発生する迷光を抑制することができる。しかしイメージセンサの内部、特に半導体基板の表面にて反射した光による迷光を抑制する効果はほとんどない。この状況は上記に特許文献４に記載の技術を併用し、半導体基板の表面付近での光の反射を抑制すれば改善される。しかし特許文献４に記載の技術が効果を奏するのは反射防止膜が形成された光電変換部の表面または転送電極の上面のみであり、これら以外の領域、たとえばこれらの間に存在する転送電極の側壁部分に光が入射した場合の効果は弱いと思われる。これは、反射防止膜が光の反射を抑制する効果は、反射防止膜の表面の（法線が向かう）方向や膜厚を入射光に対して最適化すると、それ以外の方向から入射する光に対しては最適化されず、効果が弱くなるためである。具体的には反射防止膜が反射を抑制する効果は、たとえば半導体基板の主表面に垂直な方向から入射する光に対して反射防止膜の構造を最適化すると、そうでない方向から入射する光に対しては最適化されず、反射抑制効果は弱くなる。

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、光電変換部に対して斜め方向から入射した光に起因する迷光の発生を抑制することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することである。

本発明の半導体装置は、半導体基板と、光電変換部と、転送電極とを備えている。光電変換部は半導体基板内に形成され、転送電極は光電変換部に隣り合うように半導体基板の主表面上に載置される。転送電極の光電変換部側の電極側壁面上の少なくとも一部には反射防止膜が形成される。反射防止膜は、主表面に近い側よりも主表面から離れた側において、主表面に沿う方向に関する転送電極の中心から反射防止膜の反射防止膜側壁面までの距離が大きい。

本発明の半導体装置の製造方法は、まず半導体基板内に光電変換部が形成される。半導体基板の主表面上に、光電変換部に隣り合うように載置されるように転送電極が形成される。転送電極の光電変換部側の電極側壁面上の少なくとも一部に反射防止膜が形成される。反射防止膜を形成する工程においては、反射防止膜は、主表面に近い側よりも主表面から離れた側において、主表面に沿う方向に関する転送電極の中心から反射防止膜の防止膜側壁面までの距離が大きくなるように形成される。

本発明によれば、電極側壁面上の反射防止膜の側壁面が入射光に対して陰になる方向を向くため、電極側壁面上の反射防止膜側壁面に入射光が入射することが困難となる。このため転送電極の電極側壁面上に形成された反射防止膜に入射する光の量を減少させることができる。これにより迷光の発生を抑制することができ、他の画素への光の入射などの不具合を抑制することができる。

実施の形態１におけるイメージセンサの画素の構成を示す概略断面図である。図１に示す領域における転送電極およびこれを覆う反射防止膜の側壁面の形状、ならびに光線が入射する態様の一例を示す概略断面図である。実施の形態１における転送電極およびこれを覆う反射防止膜の側壁面の形状の第１変形例を示す概略断面図である。実施の形態１における転送電極およびこれを覆う反射防止膜の側壁面の形状の第２変形例を示す概略断面図である。実施の形態１における転送電極およびこれを覆う反射防止膜の側壁面の形状の第３変形例を示す概略断面図である。実施の形態１におけるイメージセンサの製造方法の第１工程を示す概略断面図である。実施の形態１におけるイメージセンサの製造方法の第２工程を示す概略断面図である。実施の形態１におけるイメージセンサの製造方法の第３工程を示す概略断面図である。実施の形態１におけるイメージセンサの製造方法の第４工程を示す概略断面図である。実施の形態１におけるイメージセンサの製造方法の第５工程を示す概略断面図である。実施の形態１におけるイメージセンサの製造方法の第６工程を示す概略断面図である。実施の形態１におけるイメージセンサの製造方法の第７工程を示す概略断面図である。実施の形態１におけるイメージセンサの製造方法の第８工程を示す概略断面図である。実施の形態１におけるイメージセンサの製造方法の第９工程を示す概略断面図である。実施の形態２におけるイメージセンサの画素の転送電極およびこれを覆う反射防止膜の側壁面の形状、ならびに光線が入射する態様の一例を示す概略断面図である。実施の形態２における転送電極およびこれを覆う反射防止膜の側壁面の形状の第１変形例を示す概略断面図である。実施の形態２における転送電極およびこれを覆う反射防止膜の側壁面の形状の第２変形例を示す概略断面図である。光線が主表面に対してなす角度を計算するための光学系を概略的に示す図である。実施の形態２におけるイメージセンサの製造方法の第１工程を示す概略断面図である。実施の形態２におけるイメージセンサの製造方法の第２工程を示す概略断面図である。実施の形態２におけるイメージセンサの製造方法の第３工程を示す概略断面図である。実施の形態２におけるイメージセンサの製造方法の第４工程を示す概略断面図である。実施の形態２におけるイメージセンサの製造方法の第５工程を示す概略断面図である。実施の形態２におけるイメージセンサの製造方法の第６工程を示す概略断面図である。実施の形態３におけるイメージセンサの画素の構成を示す概略断面図である。実施の形態３におけるイメージセンサの転送電極およびこれを覆う反射防止膜の側壁面の形状、ならびに光線が入射する態様の一例を示す概略断面図である。実施の形態３におけるイメージセンサの製造方法の第１工程を示す概略断面図である。実施の形態３におけるイメージセンサの製造方法の第２工程を示す概略断面図である。実施の形態３におけるイメージセンサの製造方法の第３工程を示す概略断面図である。実施の形態３におけるイメージセンサの製造方法の第４工程を示す概略断面図である。実施の形態４におけるＣＣＤイメージセンサの画素の構成を示す概略斜視図である。図３１のＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩ線に沿う部分の概略断面図である。実施の形態４におけるイメージセンサの製造方法の第１工程を示す概略断面図である。実施の形態４におけるイメージセンサの製造方法の第２工程を示す概略断面図である。実施の形態４におけるイメージセンサの製造方法の第３工程を示す概略断面図である。実施の形態４におけるイメージセンサの製造方法の第４工程を示す概略断面図である。実施の形態４におけるイメージセンサの製造方法の第５工程を示す概略断面図である。実施の形態４におけるイメージセンサの製造方法の第６工程を示す概略断面図である。実施の形態４におけるイメージセンサの製造方法の第７工程を示す概略断面図である。実施の形態４におけるイメージセンサの製造方法の第８工程を示す概略断面図である。実施の形態４におけるイメージセンサの製造方法の第９工程を示す概略断面図である。実施の形態４におけるイメージセンサの製造方法の第１０工程を示す概略断面図である。実施の形態４におけるイメージセンサの製造方法の第１１工程を示す概略断面図である。実施の形態５におけるＣＣＤイメージセンサの画素の構成を示す概略斜視図である。図４４のＸＬＶ−ＸＬＶ線に沿う部分の概略断面図である。実施の形態６におけるＣＭＯＳイメージセンサの画素の構成を示す概略斜視図である。図４６のＸＬＶＩＩ−ＸＬＶＩＩ線に沿う部分の概略断面図である。実施の形態６におけるイメージセンサの製造方法の第１工程を示す概略断面図である。実施の形態６におけるイメージセンサの製造方法の第２工程を示す概略断面図である。実施の形態６におけるイメージセンサの製造方法の第３工程を示す概略断面図である。実施の形態６におけるイメージセンサの製造方法の第４工程を示す概略断面図である。実施の形態６におけるイメージセンサの製造方法の第５工程を示す概略断面図である。実施の形態６におけるイメージセンサの製造方法の第６工程を示す概略断面図である。実施の形態６におけるイメージセンサの製造方法の第７工程を示す概略断面図である。実施の形態６におけるイメージセンサの製造方法の第８工程を示す概略断面図である。実施の形態６におけるイメージセンサの製造方法の第９工程を示す概略断面図である。実施の形態６におけるイメージセンサの製造方法の第１０工程を示す概略断面図である。実施の形態６におけるイメージセンサの製造方法の第１１工程を示す概略断面図である。実施の形態７におけるＣＭＯＳイメージセンサの画素の構成を示す概略斜視図である。図５９のＬＸ−ＬＸ線に沿う部分の概略断面図である。

以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
まず図１を用いて本実施の形態の半導体装置の構成としてイメージセンサの構成について説明する。なお以下においては、光は入射すべき表面に対して斜め方向から入射する場合もあるが、基本的に当該光は図の上側から下側に向けて進行するものとする。

図１を参照して、本実施の形態のイメージセンサの画素１００は、光電変換部１と、転送電極２と、反射防止膜３とを有している。光電変換部１は、たとえばシリコンからなる半導体基板４内に配置されるように、半導体基板４の一方の主表面４ａに形成されている。このように光電変換部１は半導体基板４の内部に形成されてもよいが、半導体基板４の一方の主表面４ａ上に形成されてもよい。

光電変換部１は、半導体基板４の導電型と逆の導電型を有するｐ型不純物領域またはｎ型不純物領域により形成され、これと半導体基板４とがｐｎ接合されることにより形成される。このｐｎ接合の部分に入射された光が光電変換することにより、電荷などの電気信号を発生させる。ここでは光電変換部１とは原則として半導体基板４内にｐｎ接合を形成するために形成された、半導体基板４の導電型と逆の導電型を有するｐ型不純物領域またはｎ型不純物領域のみをさすものとする。

転送電極２は、たとえば多結晶シリコンなどの導電性材料により形成され、光電変換部１に対して主表面４ａに沿う図の左右方向に関して互いに隣り合うように、主表面４ａ上に載置するように形成されている。つまり転送電極２の最上面は主表面４ａよりも図１の上方に形成されるが、光電変換部１の最上面は半導体基板４の主表面４ａに重なるように形成される。したがって光電変換部１の最上面と転送電極２の最上面との間には物理的な高低差が存在し、転送電極２の最上面の方が光電変換部１の最上面よりも上方に配置される。転送電極２は図１における左側の側壁面としての電極側壁面２ａと、図１における右側の側壁面としての電極側壁面２ｂとを有している。

転送電極２の最上面上および側壁上、ならびに光電変換部１の最上面上を覆うように、反射防止膜３が形成されている。反射防止膜３は図１においては、電極側壁面２ａ，２ｂ上の全面を覆うように形成されている。このようにすれば、後述する反射防止膜３の作用効果をいっそう高めることができる。しかし反射防止膜３は、少なくとも転送電極２の特に光電変換部１側（図１における右側）の電極側壁面２ｂ上の少なくとも一部に形成されていればよい。

反射防止膜３は、下地部材としての転送電極２および光電変換部１の表面上に、たとえばシリコン酸化膜とシリコン窒化膜とがこの順に積層された構成を有している。反射防止膜３は電極側壁面２ａを覆う反射防止膜側壁３ａと、電極側壁面２ｂを覆う反射防止膜側壁３ｂと、転送電極２の主表面４ａから最も離れた最上面を覆う電極上反射防止膜３ｃと、光電変換部１の表面上を覆う光電変換部上反射防止膜３ｄとを有している。

反射防止膜３は、主表面４ａに近い側（図１の下側）よりも、主表面４ａから離れた側（図１の上側）において、主表面４ａに沿う図の左右方向に関する、転送電極２の中心（図１の上下方向に延びる中心線Ｃ）から電極側壁面２ｂ上の反射防止膜側壁３ｂの表面である反射防止膜側壁面３ｂｂまでの距離が大きい。

このような形状は、転送電極２の形状により実現される。つまり転送電極２は、主表面４ａに近い側（図１の下側）における主表面４ａに沿う図の左右方向に関する寸法よりも、主表面４ａから離れた側（図１の上側）における主表面４ａに沿う図の左右方向に関する寸法のほうが長くなっている。

図１の転送電極２は中心線Ｃに関して左右対称な断面形状を有している。このため転送電極２の電極側壁面２ａおよび電極側壁面２ｂの双方の少なくとも一部（図１においてはその全体）が、主表面４ａから上側に離れるにつれて電極側壁面２ａと電極側壁面２ｂとの図の左右方向の距離が大きくなるように、主表面４ａに垂直な方向に対して傾斜した形状を有している。すなわち電極側壁面２ａ，２ｂは逆テーパ形状を有している。ただし図１において転送電極２は必ずしも中心線Ｃに関して左右対称な断面形状となっていなくてもよい。

転送電極２が以上のような断面形状を有するために、電極側壁面２ａ，２ｂを覆う反射防止膜側壁３ａ，３ｂの表面である反射防止膜側壁面３ａａおよび反射防止膜側壁面３ｂｂの、主表面４ａに沿う方向の間隔は、主表面４ａから離れる側（図１の上側）において主表面４ａに近い側（図１の下側）よりも大きくなっている。反射防止膜側壁面３ａａ，３ｂｂは、主表面４ａから上側に離れるにつれて反射防止膜側壁面３ａａと反射防止膜側壁面３ｂｂとの図の左右方向に関する間隔が徐々に大きくなる（単調増加する）ように、主表面４ａに垂直な方向に対して傾斜した形状を有している。

さらに言い換えれば、電極側壁面２ｂ、およびその上の反射防止膜３の反射防止膜側壁面３ｂｂがその外側で、転送電極２に隣接する半導体基板４の主表面４ａ（光電変換部１の表面）に対してなす角度θが鋭角となっている。ここで角度θは電極側壁面２ｂおよび反射防止膜側壁面３ｂｂが転送電極２の右側に隣接する半導体基板４の主表面４ａとなす角度を意味する。

以上により、転送電極２の電極側壁面２ｂの最下部（電極側壁面２ｂが主表面４ａと重なる位置）と、これに隣り合う光電変換部１とは、主表面４ａに沿う方向に関して互いに隣り合う位置にある（つまり電極側壁面２ｂの最下部と光電変換部１とは平面視において重ならない）。しかし電極側壁面２ｂは主表面４ａから上方に離れるにつれて光電変換部１側（図１の右側）に庇状にせり出す形状を有している。その結果、電極側壁面２ｂは特にその上方においては光電変換部１と平面視において重なる位置に配置されている。

図１においては、電極側壁面２ａ，２ｂおよびその上の反射防止膜側壁３ａ，３ｂの反射防止膜側壁面３ａａ，３ｂｂは平面形状を有している。

光電変換部１の上方には、たとえば機械的な機構（治具に嵌めこむなど）によって、イメージセンサの外部光学系としての集光レンズ５が配置されている。ここで上方とは、平面視における光電変換部１の真上に限らず、図１における光電変換部１の上側の任意の領域を含むものとする。集光レンズ５は図１の上下方向に関して光電変換部１と間隔をあけて、転送電極２よりも上方に配置されている。また集光レンズ５のさらに上方には、図示されないが画素１００に供給する光を供給する光源が配置されている。

集光レンズ５は一般に画素１００の外側（上方）にチップ単位で設置されるため、たとえば主表面４ａに沿う方向に関して図１の転送電極２の右側の領域に配置される。

外部光学系の集光レンズ５とは別の内部光学系は、画素１００の内部に配置される。内部光学系としては、集光レンズ５０のほか、反射鏡、光学絞り（遮光膜）、配線層の開口部などが配置されてもよい。内部光学系は外部光学系で集められた光を光電変換部１に導くため、外部光学系５と光電変換部１との間に配置される。図１の場合は、内部光学系は主表面４ａに沿う方向に関して転送電極２に隣り合うように転送電極２の右側の領域に配置される。これは転送電極２は光電変換部１に隣り合うように主表面４ａ上に載置するように形成されているためである。

光電変換部１の左側に隣り合う領域の主表面４ａには、たとえばシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜６が形成されており、ゲート絶縁膜６の最上面上に転送電極２が形成されている。言い換えれば、光電変換部１の左側に隣り合う半導体基板４上には、ゲート絶縁膜６を挟んで転送電極２が形成されている。

なお図１の画素１００は、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサとＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサとの双方を含む概念として記載している。このため図１には、上記両種類のイメージセンサの画素に共通の部分のみを示しており、その共通の部分の外側の領域については図示を省略している。また図２以降においては図１中の特に点線で囲んだ領域Ａのみが図示されている。

なお実際には画素１００には後述する層間絶縁膜１２などが併せて含まれるが、図１においては簡略化のためこれらを省略している。

次に図１および図２を用いて、本実施の形態のイメージセンサの動作について説明する。

図１に示されない、外部光学系の集光レンズ５のさらに上方の光源から、図の下方に光が供給される。集光レンズ５を通り内部光学系に達した光は、内部光学系のたとえば集光レンズ５０の光軸７に沿って図の下方に進行することが理想的である。しかし外部光学系の集光レンズ５の光軸からずれた位置にある内部光学系の集光レンズ５０には、原理的に光が斜めに入射する。また、画素１００の微細化により単位画素中の位置ずれなどの寸法誤差が画素全体の寸法に対して占める割合が大きくなっている。さらに画素１００の微細化により内部光学系による回折も顕著となる。これに伴い、当該光は光軸７に対して平行ではなく斜め方向に（主表面４ａに対して小さい角度すなわち鋭角の方向に）進行する場合がある。

図２を参照して、たとえば光軸７上から図の右側にずれた位置に配置される物体８を通るように、図示されない物体８よりも上方の光源から供給される光線９は、集光レンズ５によって集光されるが、光軸７に沿う方向に対して傾斜した方向に、すなわち主表面４ａに対して斜めの方向に進行する。この場合、たとえば転送電極２の最上面上の反射防止膜３である電極上反射防止膜３ｃに光線９が、電極上反射防止膜３ｃに対して斜め方向から入射する。以上、上方の光源からの光線９の斜め方向への進行と、画素１００の微細化で生じた寸法誤差や回折との相乗効果により、電極上反射防止膜３ｃに対してより浅い角度から光が入射することになる。

転送電極２の最上面上の電極上反射防止膜３ｃに入射する光は、その入射角が電極上反射防止膜３ｃの表面に対して最適化された角度により入射される場合には、電極上反射防止膜３ｃでの反射が高い割合で抑制できる。

一方、転送電極２の光電変換部１側（右側）の電極側壁面２ｂ上の反射防止膜側壁面３ｂｂに光が入射すれば、高い割合で反射が起きる。これは反射防止膜側壁面３ｂｂに対して光線９が入射する角度は電極上反射防止膜３ｃに対して光線９が入射する角度とは異なるため、反射防止膜側壁面３ｂｂが光線９の反射を抑制する効果が弱くなるためである。反射防止膜側壁３ｂにて反射された光線９は、以降、たとえば本来入射すべき光電変換部１に隣り合う他の光電変換部１に入射するなど、迷光としてランダムな方向に進行する可能性が高くなる。

このような反射防止膜側壁面３ｂｂにおける迷光の発生は、光線９が入射するターゲットの表面として反射防止膜側壁面３ｂｂを見通せる（つまり光線９が直進した結果、反射防止膜側壁面３ｂｂに入射することが可能な）角度となるように反射防止膜側壁３ｂが配置されており、かつその入射角度が光電変換部１に入射する角度とは異なることに起因している。たとえば転送電極２の最上面における主表面４ａに沿う方向の寸法が転送電極２の最下部における主表面４ａに沿う方向の寸法よりも短く、転送電極２の電極側壁面２ｂがその外側の主表面４ａに対して鈍角を形成する、言い換えれば電極側壁面２ｂが順テーパ形状を有する場合に、当該電極側壁面２ｂに角度の小さい光が入射しやすくなる。

しかし本実施の形態においては、転送電極２が、その最上面における主表面４ａに沿う方向の寸法が転送電極２の最下部における主表面４ａに沿う方向の寸法よりも長く、転送電極２の電極側壁面２ｂがその外側の主表面４ａに対して鋭角を形成している。言い換えれば電極側壁面２ｂは逆テーパ形状を有している。このため電極側壁面２ｂを覆う反射防止膜３の反射防止膜側壁面３ｂｂも同様に逆テーパ形状を有している。

反射防止膜側壁面３ｂｂが逆テーパ形状を有するため、たとえ光線９が図２のように光軸７および主表面４ａに対して斜め方向に進行しても、光線９は電極側壁面２ｂ上の反射防止膜側壁面３ｂｂに入射することが困難となる。これは反射防止膜側壁３ｂが光線９に対して陰となる方向を向いているために、光線９が入射するターゲットの表面として反射防止膜側壁面３ｂｂを見通すことが困難となるためである。

したがって反射防止膜側壁面３ｂｂにおける光線９の入射およびそれに伴う光線９の反射が起こりにくくなり、その結果、反射防止膜側壁面３ｂｂからの反射光としての迷光の発生する可能性を低減させることができる。このため、たとえば所望の光電変換部１以外の他の光電変換部１が意図せず受光することによる画素１００の誤動作などの不具合の可能性を低減することができ、イメージセンサの信頼性を向上させることができる。

次に図３〜図５を用いて、本実施の形態の変形例について説明する。
図３を参照して、本実施の形態の第１変形例のイメージセンサの画素１００は、基本的に図１の画素１００と同様の構成を有している。しかし図３においては、転送電極２の電極側壁面２ｂおよびその上の反射防止膜側壁面３ｂｂが曲面形状である。この曲面形状とはたとえば球面形状であってもよいし、ラグビー球の表面のような形状であってもよく、円筒形状または楕円筒形状であってもよい。図３の電極側壁面２ｂおよび反射防止膜側壁面３ｂｂは、転送電極２の内側から外側に向けて凸形状となるような曲面形状を有している。この点において図３の画素１００は、転送電極の電極側壁面２ｂおよびその上の反射防止膜側壁面３ｂｂが（一部の屈曲部を除いて）基本的に平面形状となっている図１の画素１００と構成が異なっている。

図４を参照して、本実施の形態の第２変形例の画素１００は、基本的に図３の画素１００と同様の構成を有している。つまり図４においても図３と同様に、転送電極２の電極側壁面２ｂおよびその上の反射防止膜側壁面３ｂｂが曲面形状を有している。しかし図４の電極側壁面２ｂおよび反射防止膜側壁面３ｂｂは、転送電極２の内側から外側に向けて凹形状となるような曲面形状を有している。

なお、上記以外の図３〜図４の構成は、図１および図２に示す画素１００の構成とほぼ同じであるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。

図３および図４のように反射防止膜側壁面３ｂｂが曲面形状を有していても、その曲面の全体を平面と近似するように見れば、図１および図２のようにこれらが平面形状を有する場合と同様に、これらの表面がその外側の主表面４ａに対して鋭角をなすように形成されているといえる。このため図１および図２の反射防止膜側壁面３ｂｂと同様に、光線９が入射するターゲットの表面として反射防止膜側壁面３ｂｂを見通すことが困難となる。したがって図１および図２の画素１００と同様に、反射防止膜側壁面３ｂｂからの反射光による迷光の発生を抑制することができる。

ただし迷光の発生を抑制する観点からは、反射防止膜側壁面３ｂｂなどの曲面形状としては、図３のように外側に向けて凸形状とする方が、図４のように外側に向けて凹形状とするよりもいっそう好ましい。

図５を参照して、本実施の形態の第３変形例の画素１００は、基本的に図１の画素１００と同様の構成を有している。しかし図５においては、転送電極２の電極側壁面２ｂは半導体基板４の主表面４ａに対してほぼ垂直な方向に延びている。一方図５の電極側壁面２ｂ上に形成される反射防止膜３の反射防止膜側壁３ｂは、その表面である反射防止膜側壁面３ｂｂが、主表面４ａに近い下側よりも主表面４ａから離れた上側で、主表面４ａに沿う方向に関する中心線Ｃからの距離が大きくなるように傾斜している。すなわち反射防止膜側壁３ｂは、主表面４ａに近い下側よりも主表面４ａから離れた上側で、主表面４ａに沿う方向に関する厚みが大きくなっている。図５においては特に、主表面４ａから上側に離れるにつれて反射防止膜側壁面３ｂｂの中心線Ｃからの左右方向の距離が徐々に大きくなるように単調増加している。

この場合においても上記の各例と同様に、光線９が入射するターゲットの表面として反射防止膜側壁面３ｂｂを見通すことが困難となり、反射防止膜側壁面３ｂｂに浅い角度で入射する光の反射を抑制することができる。このため、反射防止膜側壁面３ｂｂからの反射光による迷光の発生を抑制することができる。

なお以上の図２〜図５の画素１００中には内部光学系の集光レンズ５０が実際には存在するが、図中にはこれを省略している。

次に図６〜図１４を用いて、本実施の形態の半導体装置の製造方法としてのイメージセンサの製造方法について説明する。

図６を参照して、まずたとえばシリコンからなる半導体基板４が準備され、その一方の主表面４ａ上に、たとえば熱酸化処理法によりゲート絶縁膜６となるべき絶縁膜としてのシリコン酸化膜が形成される。そのシリコン酸化膜６上に、転送電極２となるべき導電性薄膜としての多結晶シリコン膜等が堆積される。

図７を参照して、次に多結晶シリコン膜２上に感光体としてのフォトレジスト１０が塗布され、通常の写真製版技術（露光処理および現像処理）によりフォトレジスト１０がパターニングされる。次にパターニングされたフォトレジスト１０をマスクとして通常のエッチングにより多結晶シリコン膜２が転送電極２の態様に近づくようにパターニングされる。

図８を参照して、次にパターニングされたフォトレジスト１０を用いて半導体基板４の主表面４ａに、通常のイオン注入技術を用いてたとえばｐ型不純物領域またはｎ型不純物領域が形成される。この不純物領域は、半導体基板４の導電型と逆の導電型とすることが好ましい。このようにすれば、当該不純物領域と半導体基板４とによりｐｎ接合が構成されるため、当該不純物領域は光電変換部１となる。このようにして、半導体基板４内に光電変換部１が形成される。

なお必要に応じて、光電変換部１の表面の近く（半導体基板４の主表面４ａの近く）に半導体基板４と同じ導電型の領域が形成されるように通常のイオン注入技術の処理が追加でなされ、この不純物領域と上記の先に形成された不純物領域とがｐｎ接合をなすように光電変換部１が形成されてもよい。この場合は例外的に、光電変換部１とは、ｐｎ接合をなすように半導体基板４内に形成された２つの不純物領域をさすものとする。

図９を参照して、図８の工程におけるフォトレジスト１０のパターンが除去された後、パターニングされた多結晶シリコン膜２をマスクとして、その下側の層としてのシリコン酸化膜６が選択的にエッチングされる。このエッチング処理は、フッ酸などを用いたウェットエッチングによりなされることが好ましいが、他の方法（たとえばドライエッチング）により形成されてもよい。

このとき、シリコン酸化膜６の最外周端６Ｅが多結晶シリコン膜２の最外周端２Ｅよりも多結晶シリコン膜２側（図９の左側）すなわち内側に形成されるように、シリコン酸化膜６がエッチングされる。

図１０を参照して、次に多結晶シリコン膜２、シリコン酸化膜６および半導体基板４が熱酸化処理法により酸化され、これらの表面に熱酸化膜１１が形成される。シリコンは酸化するとその体積が膨張するが、多結晶シリコン膜２の図１０の下側の面は半導体基板４およびシリコン酸化膜６に近接しているため、多結晶シリコン膜２のシリコン酸化膜６に近い下側の領域では下方に向けて膨張することができない。このため特に下側の領域では多結晶シリコン膜は酸化により上方のみに膨張し、その最外周端２Ｅの近くにおいては上方に反ったような断面形状となる。

その結果、多結晶シリコン膜２はその最外周端２Ｅの近くにおいて、主表面４ａ（に垂直な方向）に対して傾斜した電極側壁面２ｂを構成するように変形する。

なお図１〜図５においては転送電極２はその全体において電極側壁面２ｂが主表面４ａに垂直な方向に対して傾斜し中心線Ｃに対する距離が上方に向けて単調増加している。これに対し図１０においては転送電極２の比較的主表面４ａに近い下方の領域のみにおいて図１〜図５の電極側壁面２ｂと同様の形状を有するが、比較的主表面４ａから離れた上方の領域においては電極側壁面２ｂは主表面４ａにほぼ垂直に延びている。すなわち図１〜図５と図１０とは電極側壁面２ｂの形状が異なっている。これは図１〜図５においてはその動作および作用効果の説明のために本実施の形態の構成をより簡略化して（模式的に）示しているのに対し、図１０においては製造工程により実際に形成される構造の一例を示しているため、図１〜図５より実際の構造に近い態様を示しているためである。図１０のように少なくとも部分的に逆テーパ形状を有する電極側壁面２ｂ（反射防止膜側壁面３ｂｂ）が形成されれば本実施の形態の作用効果を奏する。このため、特に後述する実施の形態４以降においては、イメージセンサの構成を示す図中においても転送電極２の電極側壁面２ｂは基本的に図１０と同様の態様で示される。

ただし上記の多結晶シリコン膜２の熱酸化の条件を制御することにより、図１に示すように多結晶シリコン膜２の電極側壁面２ｂの全体が主表面４ａに対して傾斜した形状を有する態様とすることもできる。

図１１を参照して、必要に応じて図１０の工程において形成された熱酸化膜１１が除去される。これにより主表面４ａ（に垂直な方向）に対して傾斜した形状を有する電極側壁面２ｂなどが露出した転送電極２が、主表面４ａに沿う方向に関して光電変換部１に隣り合うように形成される。この転送電極２は、主表面４ａに近い下側における主表面４ａに沿う方向の寸法よりも主表面４ａから離れた上側における主表面４ａに沿う方向の寸法が長くなるように形成される。つまり主表面４ａに近い下側よりも主表面４ａから離れた上側の方が中心線Ｃからの主表面４ａに沿う寸法が長くなるように転送電極２が形成される。

図１０の熱酸化膜１１の形成と図１１の熱酸化膜１１の除去とは、必要に応じて複数回繰り返してもよいし、逆にこれらの工程は省略してもよい。

図１２を参照して、たとえば一般公知の減圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法またはプラズマＣＶＤ法により、転送電極２、熱酸化膜６および半導体基板４の露出している表面上に、たとえばシリコン酸化膜とシリコン窒化膜とがこの順に積層された構成を有する反射防止膜３が形成される。これらの方法はステップカバレッジに優れているため、反射防止膜３の表面は、その下地の転送電極２の電極側壁面２ｂの逆テーパ形状などをそのまま反映するように形成される。

このため電極側壁面２ｂを覆う反射防止膜３（反射防止膜側壁３ｂ）の表面である反射防止膜側壁面３ｂｂも逆テーパ形状となるように形成される。言い換えれば反射防止膜３は、主表面４ａに近い下側よりも主表面４ａから離れた上側において、主表面４ａに沿う方向に関する転送電極２の中心（中心線Ｃ）から反射防止膜側壁面３ｂｂまでの距離が大きくなるように形成される。

反射防止膜３は図１２においては電極側壁面２ｂ上の全面を覆うように形成されている。しかし反射防止膜３は、少なくとも転送電極２の特に光電変換部１側（図１２における右側）の電極側壁面２ｂ上の少なくとも一部に形成されていればよい。必要があれば反射防止膜３は部分的にドライエッチングなどにより除去されてもよい。

図１３を参照して、たとえば上記のＣＶＤ法を用いて、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜１２が形成される。その後、当該層間絶縁膜１２がＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）と呼ばれる化学機械的研磨法により上面が平坦となるように研磨される。

図１４を参照して、必要に応じて、層間絶縁膜１２の最上面上に、内部光学系としての集光レンズ５０などが形成される。内部光学系としての集光レンズ５０を形成する際には、たとえばシリコン窒化膜が形成され、これに対して通常の写真製版技術およびエッチングがなされる。なお内部光学系としては集光レンズ５０の代わりにたとえば配線層の開口部が形成されてもよく、この場合にはたとえば層間絶縁膜１２の最上面上に金属配線などを形成し、これにより配線層の開口部が形成されてもよい。また樹脂製の集光レンズが形成されてもよい。

なお実際の半導体装置においてはたとえばドライブ用のトランジスタおよび配線などが形成されるが、本実施の形態の説明には直接関係しないため、これらを形成するための詳細な説明を省略している。以上の各工程を経ることにより、本実施の形態のたとえば図１に示す態様の画素１００が形成される。

なお図１０における熱酸化膜１１の形成条件および図１１における熱酸化膜１１の除去条件などを制御することにより、たとえば図３および図４に示すような曲面形状を有する電極側壁面２ｂを形成することができる。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
上記のように、転送電極２の光電変換部１側に形成された電極側壁面２ｂの少なくとも一部を覆う反射防止膜３の反射防止膜側壁面３ｂｂが、主表面４ａから離れた側で転送電極２の中心線Ｃからの距離がより大きくなるよう主表面４ａに対して鋭角を形成することにより、集光レンズ５０からの光線９が当該反射防止膜側壁面３ｂｂに入射しにくくなる。これにより、入射した光が反射しやすい角度となるように形成された反射防止膜側壁面３ｂｂからの光の反射量を減少させることができ、イメージセンサ内での迷光による不具合の可能性を低減することができる。

上記の図６〜図１４に示す製造方法を用いれば、逆テーパ形状を有する転送電極２を容易に形成することができる。また減圧ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法により形成される薄膜のステップカバレッジが良好であることから、転送電極２が逆テーパ形状を有すれば、その上に形成される反射防止膜３も逆テーパ形状を有するように形成することができる。

なお図５のように転送電極２の電極側壁面２ｂとその上の反射防止膜側壁面３ｂｂとの延在する方向が異なる態様は、たとえば上記の図１２の工程で示した減圧ＣＶＤ法などに比べてステップカバレッジが劣る成膜方法を用いて反射防止膜３を形成することにより実現できる。

（実施の形態２）
図１５を参照して、本実施の形態のイメージセンサの画素２００においては、基本的に図１のイメージセンサの画素１００と同様の構成を有している。具体的には、電極側壁面２ｂおよび反射防止膜側壁面３ｂｂはいずれも平面形状を有している。

画素２００においては、反射防止膜側壁面３ｂｂが半導体基板４の主表面４ａ（および転送電極２の最上面）となす角度θが、光源から物体８を通り主表面４ａに供給される（集光レンズ５を通った）光線９が主表面４ａとの間に形成し得る最小角度φよりも小さくなっている。このことは、反射防止膜側壁面３ｂｂの主表面４ａから最も離れた最上部を通り、主表面４ａに対して最も浅い角度φで入射する光線と平行な直線を引いたとき、反射防止膜側壁面３ｂｂの全体がその直線に関して光電変換部１の配置される側（右側）と反対側（左側）に配置されるように構成することと等価である。

図１６および図１７を参照して、本実施の形態の第１および第２変形例の画素２００は、基本的に図１５の画素２００と同様の構成を有している。しかし図１６および図１７においては、電極側壁面２ｂおよび反射防止膜側壁面３ｂｂはいずれも曲面形状を有している。特に図１６においては図３と同様に、反射防止膜側壁面３ｂｂは転送電極２の内側から外側に向けて凸形状となるような曲面形状を有している。また図１７においては図４と同様に、反射防止膜側壁面３ｂｂは転送電極２の内側から外側に向けて凹形状となるような曲面形状を有している。

図１６および図１７においては、反射防止膜側壁面３ｂｂのうち主表面４ａから最も離れた図１６および図１７における右側の端部を通り、主表面４ａとの間に形成し得る最小角度φを有する光線９は、反射防止膜側壁面３ｂｂの全体を光線９に関して光電変換部１と反対側（左側）に配置する。

さらに、特に図１６のように反射防止膜側壁面３ｂｂが凸形状を有する場合には、転送電極２の主表面４ａから最も離れた最上部と図の上下方向の位置が等しい反射防止膜側壁面３ｂｂ上の点における接線が主表面４ａとなす角度が、当該接線が主表面４ａとなす最大角度となる。この角度をθとすると、この角度θが光線９の最小角度φよりも小さくなっている。なお図１７については必ずしも上記のθとφとの大小関係が成り立たなくてもよい。

次に、図１８を用いて、光線９が主表面４ａとの間に形成し得る最小角度φについてより具体的に説明する。

最小角度φを具体的に説明するために、たとえば画素２００の上方にある外部光学系としての集光レンズ５（内部光学系としての集光レンズは存在しない）が単レンズ（１枚のレンズにより形成されたもの）であり、物体が外部光学系としての集光レンズ５よりも無限に遠方（上方）に配置された場合を考える。この系において上記の最小角度φは、集光レンズ５の焦点距離およびＦ値（レンズの焦点距離を有効口径で除した値）と、注目している光電変換部１の集光レンズ５の光軸７からの（図１５の左右方向の）距離とによって幾何学的に決まる。なおこの最小角度φは画素２００の内部光学系にも依存する。

図１８を参照して、集光レンズ５が単レンズであり、光軸７から図の右側にずれ、かつ図の上側に無限遠の位置に配置された図示しない物体の像が、光軸７から図の左側にｘだけ離れた場所に結像する場合を考える。この物体の入射高は、外部光学系の集光レンズ５が結像できる最大入射高に等しいものとする。

集光レンズ５の入射高をｈ、焦点距離をｆ、Ｆ値をＦとする。このとき

の関係が成り立つ。またＦの定義から、

の関係が成り立つ。これらからｈを消去すれば

の関係が成り立つ。ただし物体が図の上側に無限遠の位置に配置されない場合には、集光レンズ５と結像面との距離が焦点距離ｆと等しくなくなるため、上記の数式の関係は必ずしも成り立たなくなる。

主表面４ａに対して斜め方向から入射する光の成分が非常に強い場合として、たとえば３５ｍｍカメラにきわめて明るいレンズを装着した場合を想定しＦ＝０．８、ｆ＝５０ｍｍ、ｘ＝２２ｍｍとすれば、φ＝４３°となる。また非常に明るい超短焦点の携帯電話のカメラを想定しＦ＝２．０、ｆ＝３ｍｍ、ｘ＝２ｍｍとすれば、φ＝４７°となる。よって現実的にはφの最大値はおよそ４０°であり、３０°の場合もあると考えられる。

このことから、反射防止膜側壁面３ｂｂの主表面４ａに対する角度θは少なくとも４７°未満とすることが好ましく、４３°未満、４０°未満、さらに３０°未満とすることがより好ましいといえる。

また上記と逆に、長い焦点の望遠鏡を想定しＦ＝１６，ｆ＝１００００ｍｍ、ｘ＝１０ｍｍとすれば、φ＝８８°すなわちほぼ直角となる。以上より、φは３０°以上８８°以下とすることが好ましい。使用する外部光学系および内部光学系に対してシミュレーションなどで最適化を行なったφを採用すれば、より好ましい。

なお、これ以外の本実施の形態の構成は、図１および図２に示す実施の形態１の構成とほぼ同じであるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。

本実施の形態においては、上記のように角度θが角度φよりも小さくなるように制御する必要があるものの、基本的に実施の形態１の図６〜図１４と同様の手順により画素２００を形成することができる。ここで本実施の形態においては以下の手順により画素２００を形成してもよい。次に図１９〜図２４を用いて、本実施の形態のイメージセンサの製造方法の変形例について説明する。

図１９を参照して、図６と同様に準備された半導体基板４の一方の主表面４ａ上にゲート絶縁膜６となるべき絶縁膜としてのシリコン酸化膜６が形成され、そのシリコン酸化膜６上に、たとえば減圧ＣＶＤ法により、薄膜としてのたとえばシリコン窒化膜１３が形成される。

図２０を参照して、次にシリコン窒化膜１３上にフォトレジスト１０が塗布され、通常の写真製版技術およびエッチングにより、シリコン窒化膜１３が部分的に除去されテンプレート膜１３として形成される。このテンプレート膜１３は、シリコン窒化膜が除去された側（左側）の最外周端１３Ｅが主表面４ａ（に垂直な方向）に対して傾斜するように形成されるような条件でエッチングされることにより形成される。

より具体的には、最外周端１３Ｅの主表面４ａに対する角度がより小さくなるよう加工するために、たとえばシリコン窒化膜のエッチング時の圧力を高くしたり、エッチング装置に用いられる高周波パワーを下げたりすることが好ましい。またシリコン窒化膜は一般的にフッ素含有有機ガス、アルゴンおよび酸素の混合ガス中でエッチングされるが、これらのうちフッ素含有有機ガスの分圧を高くし、アルゴンと酸素との分圧を低くすることが好ましい。

図２１を参照して、フォトレジスト１０が除去された後、シリコン酸化膜６およびテンプレート膜１３の双方を覆うように、転送電極２となるべき導電性薄膜として、たとえば多結晶シリコン膜が形成される。したがって多結晶シリコン膜２は、テンプレート膜１３の傾斜した最外周端１３Ｅも覆い、シリコン酸化膜６の最上面上から、それよりも上方のテンプレート膜１３の最上面上に乗り上げることにより、段差を有するように形成される。

図２２を参照して、多結晶シリコン膜２上にフォトレジスト１０が塗布され、通常の写真製版技術およびエッチングにより、多結晶シリコン膜２がパターニングされ転送電極２となる。

このとき多結晶シリコン膜２は、テンプレート膜１３の傾斜した最外周端１３Ｅを覆う部分が残存するように、主表面４ａに沿う方向に延びるテンプレート膜１３を覆うように形成された部分が除去されることが好ましい。この結果、形成される転送電極２は、テンプレート膜１３の傾斜した最外周端１３Ｅ上の部分が他の部分に対して上方に反った形状を有するため、最外周端１３Ｅ上の領域である最外周端２Ｅの少なくとも一部が主表面４ａ（に垂直な）方向に対して傾斜した形状となる。

図２３を参照して、フォトレジスト１０が除去された後、テンプレート膜１３が熱リン酸などにより除去される。この結果、転送電極２の逆テーパ形状を有する最外周端２Ｅが露出する。

図２４を参照して、図７および図８の工程と同様の処理がなされることにより、主表面４ａに沿う方向に関して転送電極２に隣り合う半導体基板４内に光電変換部１が形成される。これ以降においてはたとえば実施の形態１の図１３および図１４と同様の処理がなされる。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
上記のように主表面４ａに対する反射防止膜側壁面３ｂｂの（最大の）角度θを光線９が主表面４ａとの間に形成し得る最小角度φよりも小さくすれば、どのような入射光に対しても、反射防止膜側壁面３ｂｂは完全に陰になる。反射防止膜側壁面３ｂｂのうち主表面４ａから最も離れた端部を通り、主表面４ａとの間に形成し得る最小角度φを有する光線９が、反射防止膜側壁面３ｂｂの全体を光線９に関して光電変換部１と反対側に配置する場合についても同様である。このため光線９は電極側壁面２ｂ上の反射防止膜側壁面３ｂｂに入射することができなくなる。したがって光線９は反射防止膜側壁面３ｂｂには全く入射せず、たとえば電極上反射防止膜３ｃおよび光電変換部上反射防止膜３ｄなど、主表面４ａに平行で反射防止効果が十分である領域のみに入射する。このため、迷光の発生を最大限に抑制することができる。

また図１９〜図２４に示す製造方法を用いれば、傾斜した最外周端を有するテンプレート膜１３がシリコン酸化膜６上に段差を形成することから、その上の多結晶シリコン膜２も同様に、傾斜した段差を有するように形成することができる。このため最外周端が主表面４ａ(に垂直な方向）に対して傾斜した角度を有する転送電極２を容易に形成することができる。

なお図１９〜図２４において形成される転送電極２の逆テーパ形状は、たとえば図１および図１５に示す転送電極２の逆テーパ形状とは異なっている。しかし図１９〜図２４において形成される転送電極２の逆テーパ形状により、電極側壁面２ｂ上の少なくとも一部を覆う反射防止膜３の反射防止膜側壁面３ｂｂが逆テーパ形状を有するように形成されることは可能である。

（実施の形態３）
図２５を参照して、本実施の形態のイメージセンサの画素３００においては、基本的に図１のイメージセンサの画素１００と同様の構成を有している。しかしイメージセンサの画素３００においては、転送電極２の特に電極側壁面が、主表面４ａに近い下側から主表面４ａから離れた上側に向けて段階的に幅が広くなる逆階段状を有している。

具体的には、転送電極２は図２５における左側の側壁面としての電極側壁面２ｅ，２ｆと、図２５における右側の側壁面としての電極側壁面２ｇ，２ｈとを有している。つまり転送電極２は２つの電極側壁面を有している。電極側壁面２ｅ，２ｆ，２ｇ，２ｈは基本的に主表面４ａに交差する（ほぼ垂直な）方向に延びている。電極側壁面２ｅおよび電極側壁面２ｇは図の上下方向に関して主表面４ａに近い側（下側）に、電極側壁面２ｆおよび電極側壁面２ｈは図の上下方向に関して主表面４ａから離れた側（上側）に、それぞれ形成されている。

図２５の転送電極２は中心線Ｃに関して左右対称な断面形状を有しているため、中心線Ｃから電極側壁面２ｅまでの主表面４ａに沿う方向の距離と中心線Ｃから電極側壁面２ｇまでの主表面４ａに沿う方向の距離とはほぼ等しい。また同様に、中心線Ｃから電極側壁面２ｆまでの主表面４ａに沿う方向の距離と中心線Ｃから電極側壁面２ｈまでの主表面４ａに沿う方向の距離とはほぼ等しい。電極側壁面２ｅから電極側壁面２ｇまでの主表面４ａに沿う方向の距離に比べて、電極側壁面２ｆから電極側壁面２ｈまでの主表面４ａに沿う方向の距離が大きくなっている。

電極側壁面２ｅと電極側壁面２ｆとは互いに連続しておらず、両者は主表面４ａに沿う方向に延びる側壁接続面２ｉにより接続されている。また電極側壁面２ｇと電極側壁面２ｈとは互いに連続しておらず、両者は主表面４ａに沿う方向に延びる側壁接続面２ｊにより接続されている。

電極側壁面２ｅ〜２ｈが以上の構成を有するため、その上に良好なステップカバレッジで形成される反射防止膜３も電極側壁面２ｅ〜２ｈと同様の形状を有している。すなわち反射防止膜３は電極側壁面２ｅ，２ｆ，２ｇ，２ｈのそれぞれを覆い、主表面４ａに交差（ほぼ垂直）な方向に延びる反射防止膜側壁３ｅ，３ｆ，３ｇ，３ｈと、側壁接続面２ｉ，２ｊのそれぞれを覆い、主表面に沿う方向に延びる反射防止膜側壁接続面３ｉ，３ｊとを有している。

反射防止膜側壁３ｅから反射防止膜側壁３ｇまでの主表面４ａに沿う方向の距離に比べて、反射防止膜側壁３ｆから反射防止膜側壁３ｈまでの主表面４ａに沿う方向の距離が大きくなっている。したがって主表面４ａに近い下側の反射防止膜側壁３ｅ，３ｇのそれぞれの表面である反射防止膜側壁面３ｅｅ，３ｇｇ間よりも、主表面４ａから離れた上側に配置される反射防止膜側壁３ｆ，３ｈのそれぞれの表面である反射防止膜側壁面３ｆｆ，３ｈｈ間の方が、主表面４ａに沿う方向に関する距離（幅）が広くなっている。このため反射防止膜側壁面３ｅｅ〜３ｈｈは上方に向かうにつれてその幅が広くなる逆階段状を形成している。言い換えれば、反射防止膜３の主表面４ａから離れた反射防止膜側壁３ｆ，３ｈ（反射防止膜側壁面３ｆｆ，３ｈｈ）が、主表面４ａに近い反射防止膜側壁３ｅ，３ｇ（反射防止膜側壁面３ｅｅ，３ｇｇ）に対して逆階段状を形成するように、中心線Ｃに対して外側に突起した形状を有している。

なお図２５においては反射防止膜側壁面３ｅｅ，３ｇｇと、これと幅の異なる反射防止膜側壁面３ｆｆ，３ｈｈとの２段階の逆階段状を有しているが、逆階段状の段階数は任意であり、３段階以上を有していてもよい。

図２５に示すように、転送電極２のうち主表面４ａから離れた幅の広い（電極側壁面２ｆ，２ｈに挟まれた）領域の図の上下方向に関する厚みは、主表面４ａに近い幅の狭い（電極側壁面２ｅ，２ｇに挟まれた）領域の図の上下方向に関する厚みよりも薄いことが好ましい。

反射防止膜３は図２５においては電極側壁面２ｅ〜２ｈ上の全面を覆うように形成されている。このようにすれば、後述する反射防止膜３の作用効果をいっそう高めることができる。しかし反射防止膜３は、少なくとも転送電極２の特に光電変換部１側（図１における右側）の電極側壁面２ｇおよび電極側壁面２ｈ上の少なくとも一部に形成されていればよい。

図２６以降においては図２５中の特に点線で囲んだ領域Ｂのみが図示されている。図２６を参照して、本実施の形態の画素３００において、逆階段状に形成された複数の反射防止膜側壁面３ｇｇ，３ｈｈのうち（主表面４ａから最も離れた）最上段の反射防止膜側壁面３ｈｈの、主表面４ａに最も近い（すなわち下側の）端部１４を通る光線９を考える。この光線９は主表面４ａに入射するように進行し、主表面４ａとの間に形成し得る最小角度φを有している。この最小角度φについては実施の形態２で説明したとおりである。

このとき、当該光線９（と重なる直線）は、逆階段状を構成するすべての反射防止膜側壁面３ｇｇおよび反射防止膜側壁面３ｈｈの全体が、当該光線９に対して光電変換部１と反対側に配置される。すなわち図２６において光電変換部１は、反射防止膜側壁面３ｈｈの主表面４ａに最も近い端部１４を通る光線９（と重なる直線）の右側に配置されるのに対し、反射防止膜側壁面３ｇｇおよび反射防止膜側壁面３ｈｈはその全体が光線９の左側に配置される。

次に図２７〜図３０を用いて、本実施の形態のイメージセンサの製造方法について説明する。

図２７を参照して、図６と同様に準備された半導体基板４の一方の主表面４ａ上にゲート絶縁膜６となるべき絶縁膜としてのシリコン酸化膜が形成され、そのシリコン酸化膜６上に、転送電極２となるべき第１の導電性薄膜としてのたとえば多結晶シリコン膜２１と、第２の導電性薄膜としてのたとえば多結晶シリコン膜２２とがこの順に形成される。

多結晶シリコン膜２１と多結晶シリコン膜２２とは、たとえば含まれる導電性不純物の濃度が異なるように形成されることが好ましく、たとえば多結晶シリコン膜２１の方が多結晶シリコン膜２２よりも高濃度のリンが含まれるようにドーピングされていることが好ましい。

図２８を参照して、次に多結晶シリコン膜２２上にフォトレジスト１０が塗布され、通常の写真製版技術およびエッチングにより、多結晶シリコン膜２１，２２が転送電極２の態様に近づくようにパターニングされる。

図２９を参照して、次に図２８の工程においてパターニングされたフォトレジスト１０を用いて、図８の工程と同様の処理がなされることにより、多結晶シリコン膜２１，２２に隣り合う半導体基板４内に光電変換部１が形成される。

図３０を参照して、次に多結晶シリコン膜２１，２２およびシリコン酸化膜６が熱酸化処理法により酸化され、これらの表面に熱酸化膜１１が形成される。ここで多結晶シリコン膜２１と多結晶シリコン膜２２とは酸化速度の差が異なるように制御されており、たとえば上記のように多結晶シリコン膜２１の方が多結晶シリコン膜２２よりも導電性不純物の濃度が高くなっている。このため多結晶シリコン膜２１の方が多結晶シリコン膜２２よりも速い速度で熱酸化されることにより、多結晶シリコン膜２１の最外周端２１Ｅが多結晶シリコン膜２２の最外周端２２Ｅよりも多結晶シリコン膜２１，２２から見て多結晶シリコン膜２１，２２側（図３０の左側）すなわち内側に後退するように形成される。これにより形成される多結晶シリコン膜２１，２２は、図２５に示す、逆階段状を有する転送電極２を構成する。

これ以降は実施の形態１，２と同様に反射防止膜３、層間絶縁膜１２、内部光学系の集光レンズ５０などが形成されるため、詳細な説明を省略する。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
たとえば図２５の画素３００においては、光源に近い（図２５の上側の）反射防止膜側壁面３ｈｈには主表面４ａに対して斜め方向からの光線９が入射しやすいが、その下側の反射防止膜側壁面３ｇｇの少なくとも一部は反射防止膜側壁３ｈの陰になるため、光線９が反射防止膜側壁面３ｇｇに入射しにくくなる。このため少なくともたとえば反射防止膜３が段階的な逆階段状を有していない場合に比べて、本実施の形態においても反射防止膜側壁面３ｇｇから斜め向きに光線９が入射することによる反射光が迷光となる可能性を低減することができる。

なお図２５においては転送電極２の逆階段状を構成する上側の領域の方が下側の領域よりも薄くなっているが、反射防止膜３の反射防止膜側壁面については、反射防止膜側壁面３ｇｇよりも反射防止膜側壁面３ｈｈの方が上下方向に長く延びている。しかしたとえば転送電極２の逆階段状を構成する上側の領域を下側の領域よりもさらに薄くすることにより、反射防止膜側壁面３ｈｈよりも反射防止膜側壁面３ｇｇの方が上下方向に長く延びる態様とすることがより好ましい。このようにすれば、上記の斜め方向に入射する光による反射光および迷光の発生をいっそう抑制することができる。

たとえば図２６の画素３００においては、最上段の反射防止膜側壁面３ｈｈの下側の端部を通る光線９は、その下方の反射防止膜側壁面３ｇｇには入射できなくなる。これは反射防止膜側壁面３ｈｈの下側の端部を通った光線９はその下方の反射防止膜側壁面３ｇｇに対して完全に陰になり、光線９は入射するターゲットの表面として反射防止膜側壁面３ｇｇを見通すことができなくなるためである。したがって、反射防止膜側壁面に対して斜め方向から入射する光による反射光および迷光の発生をいっそう確実に抑制することができる。

なお図２７〜図３０に示す製造方法を用いることにより、図２５および図２６に示す逆階段状を有する転送電極２を容易に形成することができる。図２７〜図３０に示す転送電極２の製造方法は、たとえば実施の形態１，２の転送電極２の製造方法よりも工程数が少なくなるため製造工程を簡略化することができる。

また図２７〜図３０に示す転送電極２の製造方法は、多結晶シリコン膜２１と多結晶シリコン膜２２とに含まれる導電性不純物であるたとえばリンの濃度を制御することにより、多結晶シリコン膜２１と多結晶シリコン膜２２との熱酸化の速度を任意に制御することができる。このため多結晶シリコン膜２１，２２からなる転送電極２の断面形状を容易に制御することができる。

（実施の形態４）
図３１および図３２を参照して、本実施の形態においては実施の形態１，２の応用例として、逆テーパ形状を有する転送電極をＣＣＤイメージセンサに適用した例を示している。本実施の形態のＣＣＤイメージセンサの画素４００は、半導体基板４の一方の主表面４ａに光電変換部１が形成されており、この光電変換部１が半導体基板４内に配置されている。

主表面４ａ上には、たとえばシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜６を挟んで転送電極２３，２４が形成されている。転送電極２３，２４の最上面および側壁を覆うように反射防止膜３が形成されている。

転送電極２３，２４は実施の形態１の転送電極２と同様に、半導体基板４の主表面４ａに近い下側よりも主表面４ａから離れた上側において、各転送電極２３，２４の中心から光電変換部１側の側壁までの距離が大きくなる逆テーパ形状を有している。このため転送電極２３，２４の表面上を覆う反射防止膜３も同様に、特に転送電極２３，２４の光電変換部１側において、その表面は転送電極の中心から図の左右方向に関する距離が図の上側において図の下側よりも大きくなる逆テーパ形状を有するように形成されている。

転送電極２３，２４の最上面の少なくとも一部には開口部２５が形成されている。この開口部２５は光電変換部１の真上に形成されることが好ましい。また光電変換部１の上部には開口部２５および層間絶縁膜１２を挟んで集光レンズ５０が配置されている。

開口部２５を有することにより、集光レンズ５０から図の下方に進行する光線９が光電変換部１に到達しやすくなる。開口部２５は転送電極２３，２４の、図の左右方向に関して光電変換部１に対向する側の逆テーパ形状を有する側壁、およびその側壁を覆う反射防止膜の逆テーパ形状を有する側壁により形成されていることが好ましい。

図３２の中央部に示すように、特に転送電極２３と転送電極２４との間隔が狭い領域においては、これらの間にシリコン酸化膜２６が挟まれていてもよい。

図３２に示すように転送電極２３，２４の光電変換部１側の側壁の全体が反射防止膜３に覆われていることがより好ましいが、転送電極２３，２４の光電変換部１側の側壁の少なくとも一部が反射防止膜３に覆われていればよい。また実施の形態１，２と同様に、転送電極２３，２４の側壁を覆う逆テーパ形状の反射防止膜３の表面は平面形状であってもよいし、曲面形状であってもよい。実施の形態２と同様に、逆テーパ形状を有する反射防止膜３が主表面４ａとなす角度は、主表面４ａに入射する光線９が主表面４ａとの間に形成し得る最小角度よりも小さいことが好ましい。さらに内部光学系は図３１および図３２の集光レンズ５０により形成されてもよいが、実施の形態１，２と同様にその代わりに反射鏡、光学絞り、または配線層の開口部が用いられてもよい。

なお図３１は転送電極２３，２４に開口部２５が形成されている点を強調するために本実施の形態の構成をより簡略化して（模式的に）示しているのに対し、図３２においては実際に形成される構造の一例を実際の構造に近い態様で示している。このためたとえば図３２に示す層間絶縁膜１２が図３１において省略されていたり、集光レンズの種類が異なっているなど、一部において図３１と図３２とが整合しない部分が存在する。このことは以下の各実施の形態においても同様である。

これ以外の本実施の形態の構成は、図１および図２に示す実施の形態１の構成とほぼ同じであるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。

次に、図３３〜図４３を用いて、本実施の形態のイメージセンサの製造方法について説明する。

図３３を参照して、図６と同様に準備された半導体基板４の一方の主表面上に、（ゲート絶縁膜６となるべき）シリコン酸化膜と（転送電極２３となるべき）多結晶シリコン膜とがこの順に積層される。

図３４を参照して、多結晶シリコン膜２３上にフォトレジスト１０が塗布され、図７の工程と同様の処理がなされることにより、多結晶シリコン膜２３がパターニングされる。

図３５を参照して、図３４の工程におけるフォトレジスト１０のパターンが除去された後、多結晶シリコン膜２３が熱酸化されることにより、その最上面上および側壁上にシリコン酸化膜２６が形成される。

図３６を参照して、多結晶シリコン膜２３の最上面上および側壁上のシリコン酸化膜２６を覆うように、シリコン酸化膜２６上に（転送電極２４となるべき）多結晶シリコン膜が形成される。この結果、多結晶シリコン膜２４の一部は多結晶シリコン膜２３の上に乗り上げる。

図３７を参照して、図２６の多結晶シリコン膜２４上にフォトレジスト１０が塗布され、通常の写真製版技術およびエッチングにより、多結晶シリコン膜２３の図３７の右側の端部近くよりも右方の多結晶シリコン膜２４が残存するように、多結晶シリコン膜２４がパターニングされる。

図３８を参照して、図３７の工程におけるフォトレジスト１０のパターンが除去された後、シリコン酸化膜２６および多結晶シリコン膜２４上に再度フォトレジスト１０が塗布される。通常の写真製版技術およびエッチングにより、所望の領域に半導体基板４に達するようにシリコン酸化膜２６，６および多結晶シリコン膜２３，２４が除去される。これにより開口部２５が形成される。

このエッチングには具体的にはフッ酸などが用いられるが、たとえば異方性が強くない条件でドライエッチングが行われてもよい。これにより開口部２５と対向する（開口部２５を構成する）側壁において、シリコン酸化膜２６，６の外周端は多結晶シリコン膜２３の外周端に比べて多結晶シリコン膜から見た内側に退いた形状を有するように形成される。

図３９を参照して、次にパターニングされたフォトレジスト１０を用いて図８の工程と同様の処理がなされることにより、半導体基板４内の開口部２５の真下に光電変換部１が形成される。

図４０を参照して、次に多結晶シリコン膜２３，２４、シリコン酸化膜２６，６および半導体基板４が熱酸化処理法により酸化され、これらの表面に熱酸化膜２７が形成される。このとき図１０の工程と同様に、多結晶シリコン膜２３，２４のシリコン酸化膜６に近い下側の領域では下方に向けて膨張できず、酸化により上方のみに膨張し、上方に反ったような断面形状となる。その結果、多結晶シリコン膜２３，２４はその最外周端の近くにおいて、主表面４ａ（に垂直な方向）に対して傾斜した電極側壁面を構成するように変形する。

図４１を参照して、必要に応じて図１０の工程において形成された熱酸化膜１１が除去される。これにより主表面４ａ（に垂直な方向）に対して傾斜した形状を有する電極側壁面などが露出した転送電極２３，２４が形成される。なお図１０〜図１１の工程と同様に、図４０の熱酸化膜２７の形成と図４１の熱酸化膜２７の除去とは、必要に応じて複数回繰り返してもよいし、逆にこれらの工程は省略してもよい。

図４２〜図４３を参照して、図１２〜図１３の工程と同様に反射防止膜３、層間絶縁膜１２などが形成される。さらに集光レンズ５０などを形成することにより、図３２に示すＣＣＤイメージセンサの画素４００が形成される。

（実施の形態５）
図４４および図４５を参照して、本実施の形態においては実施の形態３の応用例として、逆階段状を有する転送電極をＣＣＤイメージセンサに適用した例を示している。

本実施の形態のＣＣＤイメージセンサの画素５００は、基本的に実施の形態４の画素４００と同様の構成を有しているが、転送電極２３，２４の特に開口部２５を構成する側壁が、逆テーパ形状ではなく、実施の形態３の転送電極２のように逆階段状を有している。

図４５に示すように転送電極２３，２４の側壁の全体が反射防止膜３に覆われていることがより好ましいが、転送電極２３，２４の側壁の少なくとも一部、特に転送電極２３，２４の逆階段状構造のうち最上段以外の側壁の少なくとも一部が反射防止膜３に覆われていればよい。

実施の形態３と同様に、逆階段状の転送電極２３，２４の側壁を覆う反射防止膜３の表面は、逆階段状の反射防止膜３の最上段の表面の下端部を通り半導体基板４の主表面との間に形成し得る最小角度を有する光線が、逆階段状の反射防止膜３の表面の全体を光線に対して光電変換部１（右側）と反対側（左側）になるように配置することが好ましい。

これ以外の本実施の形態の構成は、図３１および図３２に示す実施の形態４の構成とほぼ同じであるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。また当該イメージセンサの製造方法についても、基本的に実施の形態３に示す製造方法と実施の形態４に示す製造方法との組み合わせにより説明可能であるため、その説明を省略する。

（実施の形態６）
図４６および図４７を参照して、本実施の形態においては実施の形態１，２の応用例として、逆テーパ形状を有する転送電極をＣＭＯＳイメージセンサに適用した例を示している。本実施の形態のＣＭＯＳイメージセンサの画素６００は、半導体基板４の一方の主表面４ａに光電変換部１が形成されており、この光電変換部１が半導体基板４内に配置されている。

主表面４ａ上には、たとえばシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜６を挟んで転送電極２が形成されている。転送電極２の光電変換部１と反対側（左側）の側壁などがシリコン酸化膜２６に覆われていてもよい。このシリコン酸化膜２６と、転送電極２の最上面および特に逆テーパ形状を有する側壁とを覆うように、光電変換部１上に反射防止膜３が形成されている。

転送電極２は実施の形態１と同様に、半導体基板４の主表面４ａに近い下側よりも主表面４ａから離れた上側において、各転送電極２３，２４の中心から光電変換部１側（右側）の側壁までの距離が大きくなる逆テーパ形状を有している。このため特に転送電極２の光電変換部１側（右側）において、反射防止膜３の表面は転送電極２の中心から図の左右方向に関する距離が図の上側において図の下側よりも大きくなる逆テーパ形状を有するように形成されている。

半導体基板４内においては、光電変換部１と互いに間隔を置いて、フローティングディフュージョン２８が配置されている。フローティングディフュージョン２８は光電変換部１から転送された電荷を電圧の信号に変換する機能を有しており、たとえばｐ型不純物領域またはｎ型不純物領域により形成されている。転送電極２と光電変換部１とゲート絶縁膜６とフローティングディフュージョン２８とは、転送用トランジスタを構成している。すなわち転送電極２は転送用トランジスタのゲート電極に、光電変換部１はソース領域に、フローティングディフュージョン２８はドレイン領域に、それぞれ相当する。

反射防止膜３の表面を覆うように、たとえばシリコン酸化膜とシリコン窒化膜とからなるサイドウォール２９が形成されていてもよい。

図４７に示すように転送電極２の光電変換部１側の側壁の全体が反射防止膜３に覆われていることがより好ましいが、転送電極２の光電変換部１側の側壁の少なくとも一部が反射防止膜３に覆われていればよい。また実施の形態１，２と同様に、転送電極２の側壁を覆う逆テーパ形状の反射防止膜３の表面は平面形状であってもよいし、曲面形状であってもよい。実施の形態２と同様に、逆テーパ形状を有する反射防止膜３が主表面４ａとなす角度は、主表面４ａに入射する光線９が主表面４ａとの間に形成し得る最小角度よりも小さいことが好ましい。さらに内部光学系は図４６および図４７の集光レンズ５０により形成されてもよいが、実施の形態１，２と同様にその代わりに反射鏡、光学絞り、または配線層の開口部が用いられてもよい。

次に、図４８〜図５８を用いて、本実施の形態のイメージセンサの製造方法について説明する。

図４８〜図４９を参照して、図６〜図７の工程と同様の処理により、半導体基板４の一方の主表面上に、（ゲート絶縁膜６となるべき）シリコン酸化膜と（転送電極２となるべき）多結晶シリコン膜とがこの順に積層され、フォトレジスト１０により多結晶シリコン膜２がパターニングされる。なお基本的に図６〜図７と同様の処理がなされるが、ここでは図４７の断面図に示す態様の製造方法を示すために、たとえば多結晶シリコン膜２のパターンが形成される位置が図６〜図７とは異なっている。

図５０を参照して、図４９の工程におけるフォトレジスト１０のパターンが除去された後、通常の写真製版技術により、光電変換部１を形成すべき領域に開口を有するフォトレジスト１０のパターンが形成される。次にこのフォトレジスト１０のパターンを用いて通常のイオン注入技術により、図８の工程と同様に半導体基板４内に光電変換部１が形成される。

図５１を参照して、図５０の工程のフォトレジスト１０を用いて図９の工程と同様に、シリコン酸化膜６が選択的にエッチングされる。これにより、シリコン酸化膜６の最外周端６Ｅが多結晶シリコン膜２の最外周端２Ｅよりも多結晶シリコン膜２側（図９の左側）すなわち内側に形成されるように、シリコン酸化膜６がエッチングされる。

図５２を参照して、図１０の工程と同様に熱酸化がなされることによりシリコン酸化膜２６が形成される。

図５３を参照して、必要に応じて図５２の工程において形成された熱酸化膜であるシリコン酸化膜２６が部分的に（たとえば転送電極２の逆テーパ形状の側壁上、最上面上の少なくとも一部および光電変換部１上）除去される。これにより主表面４ａ（に垂直な方向）に対して傾斜した形状を有する電極側壁面などが露出した転送電極２が形成される。

図５４を参照して、フォトレジスト１０が除去された後、図１２の工程と同様に反射防止膜３が形成される。これにより逆テーパ形状の転送電極２の側壁上も反射防止膜３で覆われる。

図５５を参照して、転送電極２の側壁と同様に逆テーパ形状となっている反射防止膜３を覆うように、たとえば（サイドウォール２９となるべき）シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とからなる絶縁膜が形成される。

図５６を参照して、通常の写真製版技術により、フローティングディフュージョン２８を形成すべき領域およびサイドウォール２９の側部を形成すべき領域に少なくとも開口を有するように、フォトレジスト１０のパターンが形成される。このフォトレジスト１０のパターンを用いた通常のエッチングにより、図５６の転送電極２の左側の領域に側部を有するように絶縁膜２９が加工され、サイドウォール２９が形成される。

図５７を参照して、図５６のフォトレジスト１０のパターンが除去された後、通常の写真製版技術により、フローティングディフュージョン２８を形成すべき領域に開口を有するフォトレジスト１０のパターンが形成される。次にこのフォトレジスト１０のパターンとサイドウォール２９とを用いて、セルフアライン技術を用いた通常のイオン注入技術により、半導体基板４内に、光電変換部１と間隔をあけてフローティングディフュージョン２８が形成される。フローティングディフュージョン２８は、主表面４ａに沿う方向に関して、転送電極２を挟んで光電変換部１と反対側（転送電極２の左側）に形成される。またフローティングディフュージョン２８は、これが形成される半導体基板４と逆の導電型を有する不純物領域として形成される。

図５８を参照して、図５７のフォトレジスト１０のパターンが除去された後、たとえば図１３の工程と同様に層間絶縁膜１２などが形成される。さらに集光レンズ５０などを形成することにより、図４７に示すＣＭＯＳイメージセンサの画素６００が形成される。

（実施の形態７）
図５９および図６０を参照して、本実施の形態においては実施の形態３の応用例として、逆階段状を有する転送電極をＣＭＯＳイメージセンサに適用した例を示している。

本実施の形態のＣＭＯＳイメージセンサの画素７００は、基本的に実施の形態６の画素６００と同様の構成を有しているが、転送電極２の特に光電変換部１側（右側）の側壁が、逆テーパ形状ではなく、実施の形態３の転送電極２のように逆階段状を有している。

図６０に示すように転送電極２の光電変換部１側の側壁の全体が反射防止膜３に覆われていることがより好ましいが、転送電極２の光電変換部１側の側壁の少なくとも一部、特に転送電極２の逆階段状構造のうち最上段以外の側壁の少なくとも一部が反射防止膜３に覆われていればよい。

実施の形態３と同様に、逆階段状の転送電極２の側壁を覆う反射防止膜３の表面は、逆階段状の反射防止膜３の最上段の表面の下端部を通り半導体基板４の主表面との間に形成し得る最小角度を有する光線が、逆階段状の反射防止膜３の表面の全体を光線に対して光電変換部１（右側）と反対側（左側）になるように配置することが好ましい。

これ以外の本実施の形態の構成は、図４６および図４７に示す実施の形態６の構成とほぼ同じであるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。また当該イメージセンサ７００の製造方法についても、基本的に実施の形態３に示す製造方法と実施の形態６に示す製造方法との組み合わせにより説明可能であるため、その説明を省略する。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１光電変換部、２，２３，２４転送電極、２ａ，２ｂ，２ｅ，２ｆ，２ｇ，２ｈ電極側壁面、２Ｅ，６Ｅ，１３Ｅ最外周端、２ｉ，２ｊ側壁接続面、３反射防止膜、３ａ，３ｂ，３ｅ，３ｆ，３ｇ，３ｈ反射防止膜側壁、３ａａ，３ｂｂ，３ｅｅ，３ｆｆ，３ｇｇ，３ｈｈ反射防止膜側壁面、３ｃ電極上反射防止膜、３ｄ光電変換部上反射防止膜、３ｉ，３ｊ反射防止膜側壁接続面、４半導体基板、４ａ主表面、５，５０集光レンズ、６ゲート絶縁膜、７光軸、８物体、９光線、１０フォトレジスト、１１，２７熱酸化膜、１２層間絶縁膜、１３テンプレート膜、１４端部、２５開口部、２６シリコン酸化膜、２８フローティングディフュージョン、２９サイドウォール、１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００画素、Ｃ中心線。

Claims

主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板内に形成された光電変換部と、
前記光電変換部に隣り合うように前記主表面上に載置するように形成された転送電極とを備え、
前記転送電極の前記光電変換部側の電極側壁面上の少なくとも一部には反射防止膜が形成され、
前記反射防止膜は、前記主表面に近い側よりも前記主表面から離れた側において、前記主表面に沿う方向に関する前記転送電極の中心から前記反射防止膜の反射防止膜側壁面までの距離が大きい、半導体装置。
前記反射防止膜側壁面は、前記転送電極の外側で前記転送電極に隣接する前記主表面に対して鋭角をなすように配置される、請求項１に記載の半導体装置。
前記反射防止膜側壁面は平面形状であり、
前記反射防止膜側壁面と前記主表面とのなす角度が、前記主表面に入射する光が前記主表面との間に形成し得る最小角度より小さい、請求項２に記載の半導体装置。
前記反射防止膜側壁面は曲面形状であり、
前記反射防止膜側壁面のうち前記主表面から最も離れた端部を通り、前記主表面との間に形成し得る最小角度を有する光線は、前記反射防止膜側壁面の全体を前記光線に関して前記光電変換部と反対側に配置する、請求項２に記載の半導体装置。
前記反射防止膜側壁面は、前記主表面に近い側から前記主表面から離れた側に向けて段階的に前記主表面に沿う方向に関する幅が広くなる逆階段状を有している、請求項１に記載の半導体装置。
前記逆階段状の前記反射防止膜側壁面のうち最上段の前記反射防止膜側壁面の前記主表面に最も近い端部を通り、前記主表面との間に形成し得る最小角度を有する光線は、前記逆階段状を構成する前記反射防止膜側壁面の全体を前記光線に関して前記光電変換部と反対側に配置する、請求項５に記載の半導体装置。
半導体基板内に光電変換部を形成する工程と、
前記半導体基板の主表面上に、前記光電変換部に隣り合うように載置されるように転送電極を形成する工程と、
前記転送電極の前記光電変換部側の電極側壁面上の少なくとも一部に反射防止膜を形成する工程とを備え、
前記反射防止膜を形成する工程においては、前記反射防止膜は、前記主表面に近い側よりも前記主表面から離れた側において、前記主表面に沿う方向に関する前記転送電極の中心から前記反射防止膜の反射防止膜側壁面までの距離が大きくなるように形成される、半導体装置の製造方法。
前記転送電極を形成する工程においては、前記転送電極は、前記主表面に近い側における前記主表面に沿う方向の寸法よりも前記主表面から離れた側における前記主表面に沿う方向の寸法が長くなるように形成される、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
前記転送電極を形成する工程は、
前記半導体基板の前記主表面上に、絶縁膜と、導電性薄膜とをこの順に形成する工程と、
前記導電性薄膜をパターニングする工程と、
パターニングされた前記導電性薄膜をマスクとして前記絶縁膜の最外周端が前記導電性薄膜の最外周端よりも内側に形成されるように前記絶縁膜を選択的にエッチングする工程と、
パターニングされた前記導電性薄膜を熱酸化することにより、前記導電性薄膜の最外周端が前記主表面に対して傾斜するように加工する工程とを含む、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
前記転送電極を形成する工程は、
前記半導体基板の前記主表面上に、絶縁膜と、薄膜とをこの順に形成する工程と、
前記薄膜を部分的に除去することにより、前記薄膜の最外周端が前記主表面に対して傾斜するように加工する工程と、
前記絶縁膜および前記薄膜を覆うように導電性薄膜を形成する工程と、
前記薄膜の最外周端を覆う前記導電性薄膜が残存するように、前記主表面に沿う方向に延びる薄膜を覆う前記導電性薄膜を除去する工程とを含む、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
前記転送電極を形成する工程は、
前記半導体基板の前記主表面上に、絶縁膜と、第１の導電性薄膜と、前記第１の導電性薄膜とは導電性不純物の濃度が異なる第２の導電性薄膜とをこの順に形成する工程と、
前記第１および第２の導電性薄膜をパターニングする工程と、
前記第１および第２の導電性薄膜を熱酸化する工程とを備え、
前記熱酸化する工程においては、前記第１の導電性薄膜が前記第２の導電性薄膜よりも速い速度で熱酸化される、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。