WO2020039755A1 - 感光性樹脂組成物、レジストパターンの形成方法、メッキ造形物の製造方法、および半導体装置 - Google Patents

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直希 西口
朋之 松本
宏和 榊原
昭人 廣
尚徳 秋丸
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Definitions

  • the present invention relates to a photosensitive resin composition, a method for forming a resist pattern, a method for manufacturing a plated product, and a semiconductor device.
  • the manufacture of a circuit board is a process conventionally performed after cutting out chips from a wafer, such as wiring, connection terminals, and sealing resin.
  • the processing is performed at a wafer level before chips are cut out from a wafer.
  • wiring and connection terminals are generally formed on a substrate such as a wafer by forming a coating film of a resist composition by a spin coating method (spin coating method) and exposing the coating film. By developing, a resist is created, and the resist is used as a mold to form a plating process or the like (photo fabrication).
  • the present disclosure provides a photosensitive resin composition that forms a resist pattern useful as a plating mold, that is, it has excellent resolution for miniaturization of wiring and connection terminals, and is compatible with plating.
  • the purpose of the present invention is to provide a photosensitive resin composition in which a resist pattern having excellent plating solution resistance can be formed, and further, the coating film of the photosensitive resin composition does not remain undissolved on the periphery of the substrate by EBR treatment.
  • the present disclosure provides a method for forming a resist pattern using the photosensitive resin composition, and provides a method for producing a plated molded article using the resist pattern formed by the method for forming a resist pattern. It is another object of the present invention to provide a semiconductor device using a plated object obtained by the method of manufacturing a plated object.
  • R 11, R 21, R 31 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a halogen atom,; R 12, R 32 each independently represents a divalent organic group; R 22 represents a substituted or unsubstituted alkanediyl group having 2 to 10 carbon atoms; R 13 represents an acid-labile group having an alicyclic structure; R 23 represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; R 33 represents a hydroxyaryl group; l, m, and n each independently represent an integer of 0 to 10.)
  • the content of the structural unit (a2) contained in the polymer (A) is 1 to 50 when the total of all the structural units constituting the polymer (A) is 100 mol%.
  • the total content ratio of the structural unit (a1) and the structural unit (a3) contained in the polymer (A) is 100 with respect to the total of all the structural units constituting the polymer (A).
  • the photosensitive resin composition according to the above [1] or [2], wherein the content is 50 to 95% by mole in terms of mole%.
  • R 14 and R 15 form an alicyclic structure together with the carbon atoms to be bonded;
  • R 16 represents a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; * represents a bond)
  • the content ratio of the total of the structural units (a1) to (a3) contained in the polymer (A) is 100 mol of the total of all the structural units constituting the polymer (A).
  • the content of the photoacid generator (B) contained in the photosensitive resin composition is 0.1 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the polymer (A). ]
  • the composition further contains an organic solvent (C), and the content ratio of the organic solvent (C) contained in the photosensitive resin composition is such that the solid content concentration becomes 10 to 60% by mass.
  • the photosensitive resin composition according to any one of [6].
  • a method of manufacturing a plated object comprising a step (4) of performing plating using a resist pattern formed by the method of forming a resist pattern according to [9] as a mask.
  • the photosensitive resin composition of the present disclosure is a resist excellent in plating solution resistance because the coating film of the photosensitive resin composition does not remain undissolved on the periphery of the substrate due to the EBR treatment, and has excellent resolution, and is compatible with plating treatment. A pattern can be formed.
  • the photosensitive resin composition of the present disclosure (hereinafter, also referred to as “the present composition”), a method of forming a resist pattern, a method of manufacturing a plated molded article, and a semiconductor device will be described in detail.
  • the present composition each component exemplified in the present specification, for example, each component in the photosensitive resin composition and each structural unit in the polymer (A) may be contained alone, unless otherwise specified. Two or more can be contained.
  • Photosensitive resin composition is a polymer having a structural unit (a1) represented by the formula (a1), a structural unit (a2) represented by the formula (a2), and a structural unit (a3) represented by the formula (a3) (A); a photoacid generator (B).
  • an organic solvent (C), a quencher (D), a surfactant (E), and other components can be contained, if necessary, as long as the effects of the present composition are not impaired.
  • the polymer (A) has a structural unit (a1), a structural unit (a2), and a structural unit (a3) each having an acid-dissociable group.
  • structural units having a group that promotes solubility in an alkaline developer other than the structural unit (a3) hereinafter, also referred to as “solubility promoting group”
  • structural unit having an acid dissociable group other than the structural unit (a1) hereinafter, also referred to as a “structural unit (a5)”
  • structural unit (a5)) hereinafter, also referred to as a “structural unit”.
  • the structural units (a1) to (a3) can be contained in the same or different polymers, but it is preferable to contain the structural units (a1) to (3) in the same polymer.
  • the polymer (A) may contain one type alone or two or more types.
  • the polymer (A) has an acid-dissociable group in the structural unit (a1).
  • the acid dissociable group is dissociated by the action of an acid generated from the photoacid generator (B).
  • a carboxy group is generated, and the solubility of the polymer (A) in an alkaline developer is changed, so that the present composition can form a resist pattern.
  • the polymer (A) contained in the composition of the present disclosure contains the structural unit (a3) for the purpose of increasing the dissolution rate in an alkali developer and the structural unit (a2) for improving the solubility in an EBR solvent.
  • the structural unit (a3) By having the structural unit (a2) and the structural unit (a3), the dissolution rate in an alkali developing solution can be increased, and the solubility in an EBR solvent can be improved, resulting in excellent resolution. It is also presumed that the EBR treatment resulted in a photosensitive resin composition in which the resin coating of the photosensitive resin composition remained undissolved on the periphery of the substrate.
  • ⁇ “ Structural unit ”in the present specification means a structure derived from a monomer used for synthesis of a polymer.
  • a monomer having a polymerizable unsaturated double bond represented by the following formula (a1 ′) can be mentioned.
  • R11, R12, R13, and 1 have the same meanings as R11, R12, R13, and 1 in formula (a1), respectively.
  • the structural unit (a1) is a structural unit having an acid dissociable group having an alicyclic structure represented by the following formula (a1).
  • R 11 represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a halogen atom
  • R 12 represents a divalent organic group
  • R 13 represents an alicyclic structure. 1 represents an integer of 0 to 5, preferably 0 to 3.
  • Examples of the halogen atom for R 11 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
  • Examples of the substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms for R 11 include an unsubstituted alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, a pentyl group and a decyl group;
  • a substituted alkyl group in which one or more hydrogen atoms of a group are substituted with another group such as a halogen atom such as a fluorine atom and a bromine atom, an aryl group such as a phenyl group, a hydroxyl group, and an alkoxy group;
  • Examples of the divalent organic group for R 12 include an alkanediyl group such as a methylene group, an ethylene group, a propane-1,3-diyl group, a propane-1,2-diyl group, and a decane-1,10-diyl group; And a group in which one or more hydrogen atoms of the alkanediyl group are substituted with another group such as a halogen atom such as a fluorine atom and a bromine atom, an aryl group such as a phenyl group, a hydroxyl group, and an alkoxy group. .
  • an alkanediyl group such as a methylene group, an ethylene group, a propane-1,3-diyl group, a propane-1,2-diyl group, and a decane-1,10-diyl group
  • Examples of the acid dissociable group having an alicyclic structure represented by R 13 include an acid dissociable group represented by the following formula (1), a 1-alkylcyclopentan-1-yl group and a 2-alkyladamantan-2-yl group. And a lower alkyl group.
  • an acid dissociable group represented by the following formula (1) is not dissolved in the coating film of the photosensitive resin composition on the periphery of the substrate by the EBR treatment, has excellent resolution, and is compatible with plating treatment. This is preferable because a resist pattern having excellent liquid resistance can be formed.
  • R 14 and R 15 form an alicyclic structure together with the carbon atom to be bonded;
  • R 16 represents a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; * represents a bond
  • Examples of the alicyclic structure comprising R 14 and R 15 and a carbon atom include monocyclic saturated cyclic hydrocarbon structures such as cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl, and cyclooctyl; cyclobutenyl, cyclopentenyl, and cyclohexenyl And polycyclic saturated cyclic hydrocarbon structures such as norbornyl, adamantyl, tricyclodecyl, and tetracyclododecyl. Among these, a monocyclic saturated cyclic hydrocarbon structure is preferable.
  • Examples of the substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms for R 16 include an unsubstituted alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, a pentyl group and a decyl group;
  • a substituted alkyl group in which one or more hydrogen atoms of a group are substituted with another group such as a halogen atom such as a fluorine atom and a bromine atom, an aryl group such as a phenyl group, a hydroxyl group, and an alkoxy group;
  • Examples of the structural unit (a1) include a structural unit represented by the following chemical formula.
  • R 11 has the same meaning as R 11 in the formula (a1).
  • One or more structural units (a1) can be contained in the polymer (A).
  • the content ratio of the structural unit (a1) contained in the polymer (A) is 1 to 55 mol%, when the total of all the structural units constituting the polymer (A) is 100 mol%,
  • the lower limit is 1 mol%, preferably 2 mol%, more preferably 5 mol%, and the upper limit is 55 mol%, preferably 50 mol%, more preferably 45 mol%.
  • the content ratio of the structural unit (a1) may be any combination of upper and lower limits.
  • the content of the structural unit (a1) contained in the polymer (A) is within the above range, the coating of the photosensitive resin composition does not remain undissolved on the periphery of the substrate due to the EBR treatment, and the resolution is excellent. Therefore, a resist pattern having excellent plating solution resistance can be formed in order to cope with the plating process.
  • the structural unit (a2) is a structural unit represented by the following formula (a2).
  • the solubility of the polymer (A) in the EBR solvent can be improved.
  • R 21 represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a halogen atom
  • R 22 represents a substituted or unsubstituted alkanediyl having 2 to 10 carbon atoms.
  • Examples of the substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms for R 21 include the groups described for the substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms for R 11 .
  • Examples of the substituted or unsubstituted alkanediyl group having 2 to 10 carbon atoms for R 22 include an ethylene group, a propane-1,3-diyl group, a propane-1,2-diyl group, a butane-1,4-diyl group, Pentane-1,5-diyl group, hexane-1,6-diyl group, heptane-1,7-diyl group, octane-1,8-diyl group, nonane-1,9-diyl group, decane-1,10 -Diyl group, dodecane-1,12-diyl group, tetradecane-1,14-diyl group, heptadecane-1,17-diyl group, ethane-1,1-diyl group, propane-1,1-diyl group, propane -2,2-diyl group, butane-1,3-
  • a substituted alkanediyl group substituted with another group The substituted or unsubstituted alkanediyl group having 2 to 10 carbon atoms for R 22 preferably has 2 to 5 carbon atoms.
  • m is preferably from 0 to 4, more preferably from 0 to 1.
  • Examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms for R 23 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, a pentyl group, and a decyl group.
  • the number of carbon atoms of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms of R 23 is preferably 1 to 6, more preferably 1 to 4.
  • Examples of the monomer (a2 ′) serving as the structural unit (a2) include 2-methoxyethyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, and n- Dodecyl (meth) acrylate, 2-methoxybutyl (meth) acrylate, lauroxytetraethylene glycol (meth) acrylate, lauroxydipropylene glycol (meth) acrylate, lauroxytripropylene glycol (meth) acrylate, and lauroxytetrapropylene Glycol (meth) acrylate.
  • One or more structural units (a2) can be contained in the polymer (A).
  • the content ratio of the structural unit (a2) contained in the polymer (A) is 1 to 50% by mole, assuming that the total of all the structural units constituting the polymer (A) is 100% by mole. 1 mol%, preferably 2 mol%, more preferably 5 mol%, and the upper limit is 50 mol%, preferably 45 mol, more preferably 40 mol%.
  • any combination of upper and lower limits can be used.
  • the content of the structural unit (a2) contained in the polymer (A) is within the above range, the coating of the photosensitive resin composition does not remain undissolved on the periphery of the substrate due to the EBR treatment, and the resolution is excellent. Therefore, a resist pattern having excellent plating solution resistance can be formed in order to cope with the plating process.
  • the structural unit (a3) is a structural unit represented by the following formula (a3) and has a hydroxyaryl group that is a solubility promoting group.
  • the solubility in a solvent can be improved.
  • R 31 represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a halogen atom
  • R 32 represents a divalent organic group
  • R 33 represents a hydroxyaryl group
  • n represents an integer of 0 to 10.
  • Examples of the substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms for R 31 include the groups described as the substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms for R 11 .
  • Examples of the hydroxyaryl group for R 33 include a 2-hydroxyphenyl group, a 3-hydroxyphenyl group, a 4-hydroxyphenyl group, a 3-methyl-4-hydroxyphenyl group, a trihydroxyphenyl group, a tetrahydroxyphenyl group, and a dihydroxy group.
  • a hydroxyphenyl group such as a biphenyl group and a hydroxybenzenecarbonyl group; a hydroxynaphthyl group such as a hydroxynaphthyl group, a dihydroxynaphthyl group and a hydroxynaphthalenecarbonyl group; and a hydroxyanthryl group such as a hydroxyanthracenecarbonyl group.
  • the hydroxyphenyl group is capable of forming a resist pattern having excellent plating solution resistance because it corresponds to the plating treatment, and furthermore, the EBR treatment makes it possible to form a residual residue of the coating film of the photosensitive resin composition on the periphery of the substrate. It is preferable because the resulting photosensitive resin composition does not.
  • a preferable structure of the structural unit (a3) includes a structural unit (a31) represented by the following formula (a31).
  • R 31, R 32 and n are each located at R 31, R 32 and n as defined in the structural unit (a3);
  • R 34 is bonded to the benzene ring, a halogen atom, an alkyl group Or an aryl group;
  • -OH is bonded to a benzene ring;
  • o is an integer of 0 to 4;
  • p is an integer of 1 to 5;
  • Examples of the monomer to be the structural unit (a31) include a monomer (a31 ′) represented by the following formula (a31 ′).
  • R 31 , R 32 , n, R 34 , o, and p are respectively R 31 , R 32 , n of the structural unit (a3), R 34 , o, and p of (a31). Is synonymous with
  • One or more structural units (a3) can be contained in the polymer (A).
  • the content ratio of the structural unit (a3) contained in the polymer (A) is 15 to 80 mol%, assuming that the total of all the structural units constituting the polymer (A) is 100 mol%, Is 15 mol%, preferably 20 mol%, more preferably 25 mol%, and the upper limit is 80 mol%, preferably 75 mol%, more preferably 70 mol%.
  • the content ratio of the structural unit (a3) may be any combination of upper and lower limits.
  • the content ratio of the total of the structural unit (a1) and the structural unit (a3) contained in the polymer (A) is assuming that the total of all the structural units constituting the polymer (A) is 100 mol%. , 50 to 95 mol%, with the lower limit being 50 mol%, preferably 60 mol%, more preferably 65 mol%, and the upper limit being 95 mol%, preferably 90 mol%, more preferably 85 mol%.
  • any combination of upper and lower limits can be used.
  • the content of the structural unit (a3) contained in the polymer (A) is within the above range, the coating of the photosensitive resin composition does not remain undissolved on the periphery of the substrate due to the EBR treatment, and the resolution is excellent. Therefore, a resist pattern having excellent plating solution resistance can be formed in order to cope with the plating process.
  • the content ratio of the total of the structural units (a1) to (a3) contained in the polymer (A) is based on the assumption that the total of all the structural units constituting the polymer (A) is 100 mol%.
  • the lower limit is 51 mol%, preferably 55 mol%, more preferably 60 mol%, and the upper limit is 100 mol%, preferably 95 mol%, more preferably 90 mol%.
  • any combination of upper and lower limits can be used.
  • the photosensitive resin composition is applied to the periphery of the substrate by EBR treatment. It is possible to form a resist pattern that is excellent in resolution without plating film remaining undissolved, and excellent in plating solution resistance for plating.
  • the structural unit (a4) is a structural unit having a solubility-promoting group other than the structural unit (a3), and the polymer (A) has the structural unit (a4) to form a resin coating film formed from the present composition. Lithography such as resolution, sensitivity, depth of focus, and exposure latitude can be adjusted.
  • Examples of the structural unit (a4) include a structural unit having a carboxy group, a hydroxyaryl group, a hydroxy group, a lactone structure, a cyclic carbonate structure, a sultone structure, and a fluoroalcohol structure.
  • a structural unit having a hydroxyaryl group is preferred because it is resistant to intrusion from plating at the time of forming a plated molded article of a resist pattern formed from the present composition.
  • Examples of the structural unit having a carboxy group include (meth) acrylic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, cinnamic acid, 2-carboxyethyl (meth) acrylate, 2-carboxypropyl (meth) acrylate, and Structural units derived from monomers such as 3-carboxypropyl (meth) acrylate;
  • Examples of the structural unit having a hydroxyaryl group include simple units such as 2-hydroxystyrene, 4-hydroxystyrene, 4-isopropenylphenol, 4-hydroxy-1-vinylnaphthalene, and 4-hydroxy-2-vinylnaphthalene. Structural units derived from the dimer;
  • Examples of the structural unit having a hydroxy group include structural units derived from monomers such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and 3- (meth) acryloyloxy-4-hydroxytetrahydrofuran; The structural unit described in paragraph [0030] of 276607;
  • Examples of the structural unit having a lactone structure include the structural units described in paragraphs [0104] to [0107] of JP-A-2017-058421, and the paragraph [0028] of WO 2009/113228. , The structural units described in paragraphs [0133] to [0134] of JP-A-2010-138330, and the paragraphs [0064], [0093] and [0095] of JP-A-2010-275555. ], The structural unit derived from the monomer described in paragraph [0019] of JP-A-2016-098350, and the structural units described in paragraphs [0017] to [0023] of JP-A-2015-214634. A structural unit derived from the described monomer;
  • Examples of the structural unit having a cyclic carbonate structure include the structural units described in paragraphs [0105] to [0106] of JP-A-2017-058421, and the paragraph [0034] of JP-A-2009-223294.
  • Examples of the structural unit having a sultone structure include the structural units described in Paragraph Nos. [0045] to [0046] of JP-A-2017-058421, and the paragraph numbers [0024] to Paragraph of JP-A-2014-029518. No. [0028], the structural unit described in paragraphs [0033] and [0036] of JP-A-2016-061933, and the structural unit described in paragraph [0087] of JP-A-2013-007846.
  • Examples of the structural unit having a fluoroalcohol structure include structural units derived from monomers described in paragraphs [0066], [0069] and [0071] of JP-A-2004-083900, and JP-A-2003-002925.
  • the content ratio of the total of the structural unit (a3) and the structural unit (a4) contained in the polymer (A) is assuming that the total of all the structural units constituting the polymer (A) is 100 mol%. , Usually 10 to 80 mol%.
  • the structural unit (a5) is a structural unit having an acid-dissociable group other than the structural unit (a1), and having the structural unit (a5) in the polymer (A) enables the polymer (A5) to have a structure from the photosensitive resin composition of the present invention.
  • the resolution, sensitivity, depth of focus, and lithographic properties such as exposure latitude of the resin coating film to be formed can be adjusted.
  • Examples of the structural unit (a5) include structural units derived from t-butyl (meth) acrylate and benzyl (meth) acrylate; paragraphs [0038] to [0040], [0051] of JP-A-2005-208366.
  • a structural unit having a crosslinkable acid-dissociable group described in the structural unit are described in this specification.
  • the content ratio of the total of the structural unit (a1) and the structural unit (a5) contained in the polymer (A) is assuming that the total of all the structural units constituting the polymer (A) is 100 mol%. , Usually 5 to 60 mol%.
  • the structural unit (a6) is a structural unit other than the structural units (a1) to (a5).
  • Examples of the structural unit (a6) include structural units derived from vinyl compounds such as styrene, 2-methylstyrene, 3-methylstyrene, 4-methylstyrene, 2-methoxystyrene, 3-methoxystyrene, and 4-methoxystyrene.
  • Aliphatic (meth) acrylic acid such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-pentyl (meth) acrylate, neopentyl (meth) acrylate, n-hexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate Ester compounds; Cyclopentyl (meth) acrylate, norbornyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, tricyclodecanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, tetrahydrofuranyl (meth) acrylate, and tetrahydropyranyl (meth) acrylate Structural units derived from an alicyclic (meth) acrylate compound such as Structural units derived from aromatic-containing (meth) acrylate compounds such as phenyl (meth)
  • Structural units derived from unsaturated nitrile compounds such as (meth) acrylonitrile, crotonitrile, maleinitrile, fumaronitrile; Structural units derived from unsaturated amide compounds such as (meth) acrylamide and N, N-dimethyl (meth) acrylamide; and structural units derived from unsaturated imide compounds such as maleimide, N-phenylmaleimide and N-cyclohexylmaleimide.
  • unsaturated nitrile compounds such as (meth) acrylonitrile, crotonitrile, maleinitrile, fumaronitrile
  • Structural units derived from unsaturated amide compounds such as (meth) acrylamide and N, N-dimethyl (meth) acrylamide
  • structural units derived from unsaturated imide compounds such as maleimide, N-phenylmaleimide and N-cyclohexylmaleimide.
  • the content ratio of the structural unit (a6) contained in the polymer (A) is usually 40 mol% or less when the total of all the structural units constituting the polymer (A) is 100 mol%. is there.
  • the polymer (A) can be produced by a known polymerization method, such as an ionic polymerization method or a radical polymerization method, from a monomer to be each structural unit. Among these, from the viewpoint of mass productivity, it is preferable to produce the polymer by a radical polymerization method.
  • radical polymerization initiator used in the radical polymerization method examples include azo compounds such as 2,2′-azobisisobutyronitrile and 2,2′-azobis- (2,4-dimethylvaleronitrile), benzoyl peroxide, Organic peroxides such as lauryl peroxide, t-butyl peroxide and the like can be mentioned.
  • the polymerization solvent used in the radical polymerization method is not particularly limited as long as it does not react with the monomer components and dissolves the produced polymer. Examples include n-butyl acetate, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, cyclohexanone, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, and ethyl lactate.
  • the polymerization solvents can be used alone or in combination of two or more.
  • the weight average molecular weight in terms of polystyrene (hereinafter, referred to as “Mw”) of the polymer (A) measured by gel permeation chromatography is generally 1,000 to 500,000, preferably 3,000 to 300,000. More preferably, it is 10,000 to 100,000, and still more preferably 20,000 to 60,000.
  • the ratio (Mw / Mn) of the Mw of the polymer (A) to the number average molecular weight in terms of polystyrene (hereinafter, referred to as “Mn”) measured by gel permeation chromatography is usually 1 to 5, preferably 1 to 5. 3.
  • a molecular weight regulator such as a mercaptan compound or a halogenated hydrocarbon can be used as necessary.
  • the photoacid generator (B) is a compound that generates an acid upon exposure. By the action of this acid, the acid dissociable group in the polymer (A) is dissociated, and an acidic functional group such as a carboxy group or a hydroxyaryl group is generated. As a result, the exposed portion of the photosensitive resin coating film formed from the photosensitive resin composition becomes easily soluble in an alkali developing solution, and a positive resist pattern can be formed.
  • Examples of the photoacid generator (B) include, for example, paragraph numbers [0017] to [0026], [0028] to [0039], [0042] to [0046], [0049], and paragraphs in JP-A-2004-317907.
  • Compounds described in [0053] compounds described in paragraphs [0090] to [0106] of JP-A-2014-157252, and compounds described in paragraphs [0117] to [0123] of JP-A-2002-268223.
  • the compounds described in paragraphs [0038] to [0041] of JP-A-2017-102260 are as described herein.
  • Examples of the photoacid generator (B) include diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium p-toluenesulfonate, diphenyliodonium hexafluoroantimonate, diphenyliodonium hexafluorophosphate, diphenyliodonium tetrafluoroborate, and triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate , Triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, triphenylsulfonium hexafluorophosphate, 4-t-butylphenyl / diphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-t-butylphenyl / diphenylsulfoniumbenzenesulfonate, 4,7-di-n-butoxy Naphthyltetrahydrothiophen
  • 1,10-dibromo-n-decane 1,1-bis (4-chlorophenyl) -2,2,2-trichloroethane
  • phenyl-bis trichloromethyl
  • 4-methoxyphenyl-bis trichloro Halogen-containing compounds such as methyl) -s-triazine, styryl-bis (trichloromethyl) -s-triazine, and naphthyl-bis (trichloromethyl) -s-triazine
  • 4-methoxyphenyl-bis (trichloro Halogen-containing compounds such as methyl) -s-triazine, styryl-bis (trichloromethyl) -s-triazine, and naphthyl-bis (trichloromethyl) -s-triazine
  • @Sulfone compounds such as 4-trisphenacylsulfone, mesitylphenacylsulfone, and bis (phenylsulfonyl) methane;
  • ⁇ Sulfonate compounds such as benzoin tosylate, pyrogallol tristrifluoromethanesulfonate, o-nitrobenzyltrifluoromethanesulfonate, and o-nitrobenzyl-p-toluenesulfonate; ⁇
  • Bis (trifluoromethylsulfonyl) diazomethane bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (phenylsulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane, methylsulfonyl-p-toluenesulfonyldiazomethane, cyclohexylsulfonyl-1,1-dimethylethyl And diazomethane compounds such as sulfonyldiazomethane and bis (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane.
  • onium salt compounds or sulfonimide compounds are preferable because they can form a resist pattern having excellent resolution and plating solution resistance.
  • the photoacid generator (B) can be contained alone or in combination of two or more.
  • the content of the photoacid generator (B) contained in the composition is usually 0.1 to 20 parts by mass, preferably 0.3 to 15 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer (A). , More preferably 0.5 to 10 parts by mass, still more preferably 1 to 5 parts by mass.
  • a resist pattern having a large thickness and excellent resolution can be obtained, and a pattern having an excellent shape can be obtained.
  • Organic solvent (C) is a component used for uniformly mixing each component contained in the present composition.
  • Examples of the organic solvent (C) include alcohols such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol, diethylene glycol monoethyl ether, ethyl lactate, and propylene glycol monomethyl ether; ethyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, Esters such as ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl acetoacetate and ethyl ethoxyacetate; ketones such as methylamyl ketone and cyclohexanone; diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol di-n-propyl ether; And alkylene glycol dialkyl ethers such as dipropylene glycol dimethyl ether; Glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoe
  • the organic solvent (C) can be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the organic solvent (C) contained in the present composition is such that the solid content concentration is usually 10 to 60% by mass, preferably 20 to 55% by mass, and more preferably 25 to 50% by mass. is there. When the thickness is within the above range, a thick resist pattern can be formed favorably.
  • the said solid content concentration means the content rate of all components other than the organic solvent (C) contained in this composition.
  • the quencher (D) is a component used for controlling the diffusion of the acid generated from the photoacid generator (B) in the resist film upon exposure, and as a result, improves the resolution of the present composition. Can be.
  • Examples of the quencher (D) include a basic compound and a compound generating a base.
  • Examples of the quencher include compounds described in paragraphs [0076], [0079], and [0081] of JP-A-2014-013381. And the compounds described in paragraphs [0101] to [0104] of JP-A-2016-099483, and the compounds described in paragraphs [0221] to [0224] of JP-A-2017-037320. These are as described herein.
  • quencher (D) examples include alkylamines such as n-hexylamine, n-heptylamine, di-n-butylamine and triethylamine; aromatic amines such as aniline and 1-naphthylamine; triethanolamine and the like.
  • Alkanolamines such as ethylenediamine, 1,3-bis [1- (4-aminophenyl) -1-methylethyl] benzene, and polyethyleneimine; amide compounds such as formamide; urea compounds such as urea and methylurea; Nitrogen-containing heterocyclic compounds such as imidazole and benzimidazole; N- (t-butoxycarbonyl) piperidine, N- (t-butoxycarbonyl) imidazole, N- (t-butoxycarbonyl) benzimidazole, N- (t-butoxy) Carbo Le) nitrogen-containing compound having a 2-phenyl-acid dissociable group benzimidazole, and the like.
  • polyamino compounds such as ethylenediamine, 1,3-bis [1- (4-aminophenyl) -1-methylethyl] benzene, and polyethyleneimine
  • amide compounds such as formamide
  • urea compounds such as
  • the quencher (D) can be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the quencher (D) contained in the present composition is usually 0.001 to 10 parts by mass based on 100 parts by mass of the polymer (A).
  • the surfactant (E) has an effect of improving the coating properties, defoaming properties, etc. of the present composition.
  • surfactant (E) a known surfactant can be used.
  • examples of commercially available surfactants include NBX-15, FTX-204D, FTX-208D, FTX-212D (all manufactured by Neos Co., Ltd.), BM-1100 (all manufactured by BM Chemie), Mega Facque F142D (above, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), Florado FC-135, FC-170C, FC-430, and FC-431 (above, manufactured by Sumitomo 3M Limited), Surflon S-112 And S-145 (all manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), SH-28PA and SH-190 (all manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.).
  • the surfactant (E) can be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the surfactant contained in the composition is usually 2 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the polymer (A).
  • Other components include, for example, a sensitizer that absorbs exposure light to improve the acid generation efficiency of the photoacid generator; and controls the dissolution rate of a resin coating film formed from the photosensitive resin composition in an alkali developer.
  • Alkali-soluble resins such as phenol novolak resin and poly (hydroxystyrene) and low molecular weight phenol compounds; UV absorbers that block the light reaction caused by scattered light upon exposure to unexposed parts; Thermal polymerization that enhances storage stability Agents; antioxidants; adhesion aids; and inorganic fillers.
  • the present composition can be produced by uniformly mixing the components. After the components are uniformly mixed to remove dust, the resulting mixture can be filtered with a filter or the like.
  • the method for forming a resist pattern according to the present disclosure includes a step (1) of applying the present composition on a substrate to form a resin coating film; Exposing the resin coating film (2); (3) developing the exposed resin coating film.
  • Step (1) is a step of forming a resin coating film of the present composition on a substrate.
  • the substrate include a semiconductor substrate, a glass substrate, and a substrate provided with various metal films on the surface of the substrate.
  • the shape of the substrate is not particularly limited, and the surface shape may be flat or uneven, and the shape of the substrate may be circular or square. There is no limit on the size of the substrate.
  • the metal film examples include aluminum, copper, silver, gold, and palladium, and alloys of two or more of these metals.
  • the metal layer can be formed by a sputtering method or the like.
  • the thickness of the metal film is usually from 100 to 10,000 °, preferably from 500 to 2,000 °.
  • Examples of the application method of the present composition include a spin coating method, a roll coating method, a screen printing method, and an applicator method. Among them, the spin coating method is preferable. In the case of the spin coating method, the rotation speed is usually 500 to 4000 rpm, preferably 800 to 3500 rpm.
  • an EBR process is usually performed.
  • an EBR solvent is discharged from the periphery of the resin coating on the surface of the substrate to within 0.1 to 10 mm from the peripheral edge of the resin coating while forming or after forming the resin coating by spin coating. It is done by doing.
  • the EBR solvent include the organic solvents described in “[Organic solvent (C)]” described in “1. Photosensitive resin composition”.
  • an organic solvent can be discharged to the peripheral portion of the back surface of the substrate to clean the back surface of the substrate.
  • heat treatment can be performed.
  • the conditions of the heat treatment are usually 50 to 200 ° C. and 0.5 to 20 minutes.
  • the thickness of the resin coating is usually 1 to 100 ⁇ m, preferably 5 to 80 ⁇ m.
  • Step (2) is a step of exposing the resin coating film formed in step (1).
  • the exposure is usually performed selectively on a resin coating film by a reduced projection exposure through a photomask having a predetermined mask pattern.
  • laser light having a wavelength of 150 to 600 nm preferably laser light having a wavelength of 200 to 500 nm is used.
  • the amount of light for exposure can be appropriately selected depending on the type of light, the type of the present composition, the thickness of the resin coating film, and the like, and is usually 100 to 20,000 mJ / cm 2 .
  • heat treatment can be performed.
  • the condition of the heat treatment is usually at 70 to 180 ° C. for 1 to 10 minutes.
  • Step (3) is a step of forming a resist pattern by developing the exposed resin coating film of step (2).
  • the development is usually performed with an alkaline developer.
  • Examples of the developing method include a shower developing method, a spray developing method, an immersion developing method, and a paddle developing method.
  • the processing conditions for the development are usually at 23 ° C. for 1 to 30 minutes.
  • alkaline developer examples include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, aqueous ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, triethylamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, and tetramethylamine.
  • An aqueous solution containing one or more alkaline substances such as ammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, choline, pyrrole, and piperidine can be given.
  • the alkaline developer may contain, for example, an organic solvent such as methanol or ethanol, a surfactant, or the like.
  • the resist pattern can be washed with water or the like. Thereafter, the resist pattern can be dried using an air gun or a hot plate.
  • the method of manufacturing the plated object of the present disclosure includes a plating process using a resist pattern formed by the method of forming a resist pattern as a mask. (Hereinafter, also referred to as “step (4)”).
  • Step (4) the resist pattern formed by the present method for forming a resist pattern is used as a template, and a plated object is formed by plating in the opening formed by the resist pattern.
  • plating treatment examples include wet plating treatment such as electrolytic plating treatment, electroless plating treatment, and hot-dip plating treatment, and dry plating treatment such as chemical vapor deposition and sputtering.
  • wet plating treatment such as electrolytic plating treatment, electroless plating treatment, and hot-dip plating treatment
  • dry plating treatment such as chemical vapor deposition and sputtering.
  • pretreatments such as ashing, fluxing, and desmearing can be performed to increase the affinity between the inner wall surface of the resist pattern and the plating solution.
  • the one formed on the inner wall of the resist pattern by sputtering or electroless plating can be used as a seed layer, and when a substrate having a metal film on the surface is used as the substrate, the metal film is used as a seed layer. Can also be used.
  • the barrier layer may be formed before forming the seed layer, and the seed layer may be used as the barrier layer.
  • Examples of the plating solution used in the electrolytic plating process include a copper plating solution containing copper sulfate or copper pyrophosphate; a gold plating solution containing gold potassium cyanide; and a nickel plating solution containing nickel sulfate or nickel carbonate; Is mentioned.
  • the conditions of the electrolytic plating treatment can be appropriately selected depending on the type of the plating solution and the like.
  • the temperature is usually 10 to 90 ° C. and the current density is 0.1 to 100 A / dm 2 .
  • different plating processes can be sequentially performed.
  • solder copper pillar bumps can be formed by first performing copper plating, then performing nickel plating, and then performing molten solder plating.
  • the thickness of the plated object varies depending on its use. For example, when the plated object is a bump, it is usually 5 to 100 ⁇ m, and when the plated object is a wiring, it is usually 1 to 30 ⁇ m.
  • Step (5) a step of removing the resist pattern after the step (4) (hereinafter, also referred to as “step (5)”) may be mentioned.
  • Step (5) is performed using, for example, a resist stripping solution containing tetramethylammonium hydroxide, dimethylsulfoxide, and / or N, N-dimethylformamide.
  • the method for producing a plated object can include a step of removing a metal film other than a region where the plated object is formed by, for example, a wet etching method.
  • the semiconductor device of the present disclosure includes a plated object obtained by the method of manufacturing a plated object.
  • This semiconductor device uses the present resist pattern, which is useful as a mold for plating, performs plating to deposit plating components, and is equipped with a plated model that captures the resist pattern, improving reliability.
  • a multilayer LSI see semiconductor integrated circuit http://www.jmq.jsr.co.jp/products.html can be given.
  • Method of measuring physical properties (Method of measuring weight average molecular weight (Mw) of polymer) The weight average molecular weight (Mw) of the alkali-soluble resin was measured by gel permeation chromatography under the following conditions.
  • -Column TSK-M and TSK2500 from Tosoh Corporation connected in series-Solvent: tetrahydrofuran-Flow rate: 0.35 mL / min-Temperature: 40 ° C
  • -Detection method Refractive index method-Standard substance: polystyrene-GPC device: manufactured by Tosoh Corporation, device name "HLC-8220-GPC"
  • B2 a compound having a structure represented by the following formula (B2)
  • ⁇ D2 a compound having a structure represented by the following formula (D2)
  • the EBR solvent used in the EBR treatment is a mixed solvent containing propylene glycol monomethyl ether 60% by mass and propylene glycol monomethyl ether acetate 40% by mass (hereinafter, referred to as “EBR solvent A”), and a solvent composed of propylene glycol monomethyl ether acetate (hereinafter, referred to as “EBR solvent A”).
  • EBR solvent B a solvent composed of ethyl lactate
  • EBR solvent C a solvent composed of ethyl lactate
  • A There is no undissolved coating film on the periphery of the 12-inch silicon wafer.
  • B The undissolved area of the coating film on the periphery of the 12-inch silicon wafer is larger than 0% and 50% or less of the total area of the coating film to be removed.
  • C The undissolved area of the coating on the periphery of the 12-inch silicon wafer is greater than 50% of the total area of the coating to be removed.
  • patterned substrate The substrate on which the resist pattern has been formed is referred to as a “patterned substrate”. Using this patterned substrate, “resolution” and “plating solution resistance” were evaluated by the methods described below.
  • the patterned substrate was immersed in 1 liter of a copper plating solution (product name “MICROFAB Cu300”, manufactured by EEJA) at 25 ° C. for 15 minutes, and the resist pattern before and after immersion was observed with an optical microscope and a scanning electron microscope.
  • the plating solution resistance (swelling resistance) was evaluated according to the following criteria. Table 4 shows the evaluation results.
  • B The reduction ratio of the line width of the resist pattern before and after immersion is more than 5% and 10% or less.
  • C The reduction ratio of the line width of the resist pattern before and after immersion is larger than 10%.
  • Example 1C ⁇ Manufacture of plated objects>
  • the patterning substrate of Example 1B was subjected to an ashing process using oxygen plasma (output: 100 W, oxygen flow rate: 100 ml, processing time: 60 seconds).
  • the patterned substrate after the ashing process is immersed in 1 liter of a copper plating solution (product name “MICROFAB Cu300”, manufactured by EEJA), set to a plating bath temperature of 25 ° C. and a current density of 3 A / dm 2 , and subjected to electrolytic plating for 15 minutes.
  • a copper plating solution product name “MICROFAB Cu300”, manufactured by EEJA

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Abstract

メッキ処理のマスクとして有用なレジストパターンを形成する感光性樹脂組成物、前記感光性樹脂組成物を用いたレジストパターンの形成方法、前記形成方法により形成したレジストパターンを用いたメッキ造形物の製造方法、および前記メッキ造形物を有する半導体装置を提供することを目的として、感光性樹脂組成物は、下記式（ａ１）に示す構造単位（ａ１）、下記式（ａ２）に示す構造単位（ａ２）、および下記式（ａ３）に示す構造単位（ａ３）を有する重合体（Ａ）ならびに光酸発生剤（Ｂ）を含有する。式（ａ３）中、Ｒ３３はヒドロキシアリール基を示す。

Description

感光性樹脂組成物、レジストパターンの形成方法、メッキ造形物の製造方法、および半導体装置
　本発明は、感光性樹脂組成物、レジストパターンの形成方法、メッキ造形物の製造方法、および半導体装置に関する。
　半導体素子や表示素子等の素子は高密度に実装することが求められていることから、回路基板の製造は、配線や接続端子や封止樹脂といった、従来はウエハからチップ切り出した後に行う処理を、ウエハからチップを切り出す前に行うウエハーレベルでの加工処理で行われている。ウエハーレベルでの加工において、配線や接続端子等は、一般的に、ウエハなどの基板上に、回転塗布法（スピンコート法）にてレジスト組成物の塗膜を作成し、塗膜を露光・現像することで、レジストを作成し、このレジストを鋳型にして、メッキ処理等を行う手法（フォトファブリケーション）にて形成している。
　ところで、基板上に、スピンコート法にてレジスト組成物の塗膜を形成する場合、基板の周縁部に塗膜の盛り上がりや、基板の裏面にレジスト組成物が回り込むという問題があることが知られており、盛り上がった塗膜や裏面に回り込むレジスト組成物を除去するために、スピンコート中に、基板の周縁部および裏面に溶剤を吐出することで、盛り上がった塗膜や裏面に回り込むレジスト組成物を除去する処理、ＥＢＲ（Ｅｄｇｅ　Ｂｅａｄ　Ｒｅｍｏｖａｌ）処理が行われている。
特開２００８－２４３９４５号公報
　本開示は、メッキ処理の鋳型として有用なレジストパターンを形成する感光性樹脂組成物を提供すること、つまり、配線や接続端子の微細化に対応するため解像性に優れ、およびメッキ処理に対応するためメッキ液耐性に優れたレジストパターンを形成することができ、さらに、ＥＢＲ処理により基板周縁部に感光性樹脂組成物の塗膜の溶け残りのない感光性樹脂組成物を提供することを目的とする。
　また、本開示は、前記感光性樹脂組成物を用いたレジストパターンの形成方法を提供すること、前記レジストパターンの形成方法により形成したレジストパターンを用いたメッキ造形物の製造方法を提供すること、および前記メッキ造形物の製造方法によって得られるメッキ造形物を用いた半導体装置を提供することを目的とする。
　本開示は、例えば、以下の〔１〕～〔１２〕である。
〔１〕下記式（ａ１）に示す構造単位（ａ１）、下記式（ａ２）に示す構造単位（ａ２）、および下記式（ａ３）に示す構造単位（ａ３）を有する重合体（Ａ）；ならびに
　光酸発生剤（Ｂ）；を
　含有する感光性樹脂組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
（式（ａ１）～（ａ３）中、Ｒ１１、Ｒ２１、Ｒ３１はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基、もしくはハロゲン原子を示し；Ｒ１２、Ｒ３２はそれぞれ独立に２価の有機基を示し；Ｒ２２は、炭素数２～１０の置換または非置換のアルカンジイル基を示し；Ｒ１３は脂環構造を有する酸解離性基を示し；Ｒ２３は炭素数１～１０のアルキル基を示し；Ｒ３３はヒドロキシアリール基を示し；ｌ、ｍ、およびｎはそれぞれ独立に０～１０の整数を示す。）
〔２〕前記重合体（Ａ）中に含まれる前記構造単位（ａ２）の含有割合が、前記重合体（Ａ）を構成する全ての構造単位の合計を１００モル％とした場合、１～５０モル％である前記〔１〕に記載の感光性樹脂組成物。
〔３〕前記重合体（Ａ）中に含まれる前記構造単位（ａ１）および前記構造単位（ａ３）の合計の含有割合が、前記重合体（Ａ）を構成する全ての構造単位の合計を１００モル％とした場合、５０～９５モル％である前記〔１〕または〔２〕に記載の感光性樹脂組成物。
〔４〕前記Ｒ１３が、下記式（１）に示す酸解離性基である前記〔１〕乃至〔３〕のいずれか１つに記載の感光性樹脂組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
（式（１）中、Ｒ１４およびＲ１５は結合する炭素原子とともに脂環構造を形成し；Ｒ１６は炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基を示し；＊は結合手を示す）
〔５〕前記重合体（Ａ）中に含まれる、構造単位（ａ１）～構造単位（ａ３）の合計の含有割合は、前記重合体（Ａ）を構成する全ての構造単位の合計を１００モル％とした場合、５１～１００モル％である、前記〔１〕～〔４〕のいずれか１つに記載の感光性樹脂組成物。
〔６〕感光性樹脂組成物中に含まれる前記光酸発生剤（Ｂ）の含有量は、前記重合体（Ａ）１００質量部に対して０．１～２０質量部である、前記〔１〕～〔５〕のいずれか１つに記載の感光性樹脂組成物。
〔７〕さらに有機溶剤（Ｃ）を含有し、感光性樹脂組成物中に含まれる前記有機溶剤（Ｃ）の含有割合は、固形分濃度が１０～６０質量％となる量である、前記〔１〕～〔６〕のいずれか１つに記載の感光性樹脂組成物。
〔８〕メッキ造形物製造用である、前記〔１〕～〔７〕のいずれか１つに記載の感光性樹脂組成物。
〔９〕前記〔１〕乃至〔８〕のいずれか１つに記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布して樹脂塗膜を形成する工程（１）；
　前記樹脂塗膜を露光する工程（２）；および
　露光後の前記樹脂塗膜を現像する工程（３）；
を有する、レジストパターンの形成方法。
〔１０〕前記〔９〕に記載のレジストパターンの形成方法によって形成したレジストパターンをマスクにしてメッキ処理を行う工程（４）を有する、メッキ造形物の製造方法。
〔１１〕前記メッキ処理が、銅メッキ処理およびニッケルメッキ処理から選ばれる少なくとも１種である、前記〔１０〕のメッキ造形物の製造方法。
〔１２〕前記〔１０〕または前記〔１１〕のメッキ造形物の製造方法によって得られるメッキ造形物を有する半導体装置。
　本開示の感光性樹脂組成物は、ＥＢＲ処理により基板周縁部に感光性樹脂組成物の塗膜の溶け残りなく、解像性に優れ、およびメッキ処理に対応するためメッキ液耐性に優れたレジストパターンを形成することができる。
　以下、本開示の感光性樹脂組成物（以下、「本組成物」ともいう）、レジストパターンの形成方法、メッキ造形物の製造方法、および半導体装置について詳細に説明する。
　本明細書中で例示する各成分、例えば感光性樹脂組成物中の各成分や、重合体（Ａ）中の各構造単位は、特に言及しない限り、それぞれ１種単独で含有してもよく、２種以上を含有することができる。
１．感光性樹脂組成物
　本組成物は、式（ａ１）に示す構造単位（ａ１）、式（ａ２）に示す構造単位（ａ２）、および式（ａ３）に示す構造単位（ａ３）を有する重合体（Ａ）；光酸発生剤（Ｂ）；を含有する。
　また、本組成物の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、有機溶剤（Ｃ）、クエンチャー（Ｄ）、および界面活性剤（Ｅ）、ならびにその他成分を含有することができる。
　〔重合体（Ａ）〕
　重合体（Ａ）は、酸解離性基を有する構造単位（ａ１）、構造単位（ａ２）、および構造単位（ａ３）を有する。
　構造単位（ａ１）～（ａ３）以外に、構造単位（ａ３）以外のアルカリ性の現像液への溶解性を促進する基（以下、「溶解性促進基」ともいう）を有する構造単位（以下、「構造単位（ａ４）」ともいう）、構造単位（ａ１）以外の酸解離性基を有する構造単位（以下、「構造単位（ａ５）」ともいう）、およびその他構造単位（以下、「構造単位（ａ６）」ともいう）を有することができる。
　構造単位（ａ１）～構造単位（ａ３）は同一または異なる重合体中に含有することができるが、同一の重合体中に構造単位（ａ１）～構造単位（３）を含有することが好ましい。重合体（Ａ）は１種単独又は２種以上を含有することができる。
　重合体（Ａ）は、構造単位（ａ１）に酸解離性基を有する。酸解離性基は、光酸発生剤（Ｂ）から生じる酸の作用により解離する。その結果、カルボキシ基が生成し、重合体（Ａ）のアルカリ性現像液に対する溶解性が変化し、本組成物は、レジストパターンを形成することができる。
　一般的に、厚膜のレジストパターンを形成するための感光性樹脂組成物の解像性を向上させるためには、感光性樹脂組成物中に含まれる酸解離性基を有する重合体の酸解離性基を解離後のアルカリ現像液に対する溶解速度を早くすることで可能となる。一方で、アルカリ現像液に対する溶解速度を早くするということは、ＥＢＲ処理に用いられる溶剤（以下、「ＥＢＲ溶剤」ともいう）に対する溶解性が低下するため、ＥＢＲ処理により基板周縁部に感光性樹脂組成物の樹脂塗膜の溶け残りが生じやすくなる。
　本開示の組成物中に含まれる重合体（Ａ）は、アルカリ現像液に対する溶解速度を早くする目的で構造単位（ａ３）を、ＥＢＲ溶剤に対する溶解性を向上させるために構造単位（ａ２）を有している。構造単位（ａ２）および構造単位（ａ３）を有することで、アルカリ現像液に対する溶解速度を早くすることができ、且つＥＢＲ溶剤に対する溶解性を向上させることができ、その結果、解像性に優れ、且つＥＢＲ処理により基板周縁部に感光性樹脂組成物の樹脂塗膜の溶け残りのない感光性樹脂組成物となったと推定される。
　感光性樹脂組成物中の重合体のＥＢＲ溶剤のような有機溶剤に対する溶解性が向上すると、そこから形成されるレジストパターンを用いたメッキ処理におけるマスクは、メッキ液に含まれる有機溶剤が染み込みやすくなりメッキ処理中にレジストパターンが膨潤する問題が生じると考えられる。しかしながら、重合体（Ａ）のように構造単位（ａ２）および構造単位（ａ３）を有していれば、メッキ液に含まれる有機溶剤の染み込みが抑えられる。その結果、メッキ液耐性に優れたレジストパターンを形成することができる感光性樹脂組成物になったと推定される。
　本明細書における「構造単位」は、重合体の合成に用いられる単量体由来の構造を意味する。例えば、構造単位（ａ１）となる単量体（ａ１’）としては、下記式（ａ１’）に示す重合性不飽和二重結合を有する単量体が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
　式（ａ１’）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、およびｌは、それぞれ式（ａ１）中のＲ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、およびｌと同義である。
〔構造単位（ａ１）〕
　構造単位（ａ１）は下記式（ａ１）に示す脂環式構造を有する酸解離性基を有する構造単位である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
　式（ａ１）中、Ｒ１１は水素原子、炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基、またはハロゲン原子を示し、Ｒ１２は２価の有機基を示し、Ｒ１３は脂環構造を有する酸解離性基を示し、ｌは０～５の整数、好ましくは０～３の整数である。
　Ｒ１１のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子等が挙げられる。
　Ｒ１１の炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ペンチル基、およびデシル基等の非置換のアルキル基；ならびに前記アルキル基の１または２以上の水素原子を、フッ素原子および臭素原子等のハロゲン原子、フェニル基等のアリール基、水酸基、およびアルコキシ基等の別の基に置換した置換のアルキル基；が挙げられる。
　Ｒ１２の２価の有機基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン－１，３－ジイル基、プロパン－１，２－ジイル基、およびデカン－１，１０－ジイル基等のアルカンジイル基；ならびに前記アルカンジイル基の１または２以上の水素原子を、フッ素原子および臭素原子等のハロゲン原子、フェニル基等のアリール基、水酸基、およびアルコキシ基等の別の基に置換した基；が挙げられる。
　Ｒ１３の脂環構造を有する酸解離性基としては、下記式（１）に示す酸解離性基、１－アルキルシクロペンタン－１－イル基、２－アルキルアダマンタン－２－イル基等の３級アルキル基が挙げられる。これらの中でも下記式（１）に示す酸解離性基が、ＥＢＲ処理により基板周縁部に感光性樹脂組成物の塗膜の溶け残りなく、解像性に優れ、およびメッキ処理に対応するためメッキ液耐性に優れたレジストパターンを形成することができるため好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　式（１）中、Ｒ１４およびＲ１５は結合する炭素原子とともに脂環構造を形成し；Ｒ１６は炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基を示し；＊は結合手を示す
　Ｒ１４およびＲ１５並びに炭素原子からなる前記脂環構造としては、例えば、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、及びシクロオクチル等の単環式飽和環状炭化水素構造；シクロブテニル、シクロペンテニル、及びシクロヘキセニル等の単環式不飽和環状炭化水素構造；ノルボルニル、アダマンチル、トリシクロデシル、及びテトラシクロドデシル等の多環式飽和環状炭化水素構造；が挙げられる。
　これらの中でも、単環式飽和環状炭化水素構造が好ましい。
　Ｒ１６の炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ペンチル基、およびデシル基等の非置換のアルキル基；ならびに前記アルキル基の１または２以上の水素原子を、フッ素原子および臭素原子等のハロゲン原子、フェニル基等のアリール基、水酸基、およびアルコキシ基等の別の基に置換した置換のアルキル基；が挙げられる。
　構造単位（ａ１）としては、例えば、下記化学式で表される構造単位が挙げられる。
　下記化学式中、Ｒ１１は、前記式（ａ１）中のＲ１１と同義である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
　構造単位（ａ１）は、重合体（Ａ）中に１種または２種以上含むことができる。
　重合体（Ａ）中に含まれる構造単位（ａ１）の含有割合は、前記重合体（Ａ）を構成する全ての構造単位の合計を１００モル％とした場合、１～５５モル％であり、下限は、１モル％、好ましくは２モル％、より好ましくは５モル％、上限は５５モル％、好ましくは５０モル％、より好ましくは４５モル％である。また、構造単位（ａ１）の含有割合は、いずれの上下限の組合せも用いることができる。
　重合体（Ａ）中に含まれる構造単位（ａ１）の含有割合が上記範囲内であれば、ＥＢＲ処理により基板周縁部に感光性樹脂組成物の塗膜の溶け残りなく、解像性に優れ、およびメッキ処理に対応するためメッキ液耐性に優れたレジストパターンを形成することができる。
〔構造単位（ａ２）〕
　構造単位（ａ２）は下記式（ａ２）に示す構造単位である。重合体（Ａ）が構造単位（ａ２）を有することで、重合体（Ａ）のＥＢＲ溶剤に対する溶解性を向上させることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
　式（ａ２）中、Ｒ２１は、水素原子、炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基、またはハロゲン原子を示し、Ｒ２２は、炭素数２～１０の置換または非置換のアルカンジイル基を示し；Ｒ２３は炭素数１～１０のアルキル基を示し；ｍは０～１０の整数を示す。
　Ｒ２１の炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基としては、Ｒ１１の炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基に挙げた基が挙げられる。
　Ｒ２２の炭素数２～１０の置換または非置換のアルカンジイル基としては、エチレン基、プロパン－１，３－ジイル基、プロパン－１，２－ジイル基、ブタン－１，４－ジイル基、ペンタン－１，５－ジイル基、ヘキサン－１，６－ジイル基、ヘプタン－１，７－ジイル基、オクタン－１，８－ジイル基、ノナン－１，９－ジイル基、デカン－１，１０－ジイル基、ドデカン－１，１２－ジイル基、テトラデカン－１，１４－ジイル基、ヘプタデカン－１，１７－ジイル基、エタン－１，１－ジイル基、プロパン－１，１－ジイル基、プロパン－２，２－ジイル基、ブタン－１，３－ジイル基、２－メチルプロパン－１，３－ジイル基、２－メチルプロパン－１，２－ジイル基、ペンタン－１，４－ジイル基及び２－メチルブタン－１，４－ジイル基等の非置換のアルカンジイル基；ならびに前記アルカンジイル基の１または２以上の水素原子を、フッ素原子および臭素原子等のハロゲン原子、フェニル基等のアリール基、水酸基、およびアルコキシ基等の別の基に置換した置換のアルカンジイル基；が挙げられる。
　Ｒ２２の炭素数２～１０の置換または非置換のアルカンジイル基の炭素数は、２～５が好ましい。
　ｍは０～４が好ましく、０～１がより好ましい。
　Ｒ２３の炭素数１～１０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ペンチル基、およびデシル基が挙げられる。
　Ｒ２３の炭素数１～１０のアルキル基の炭素数は、１～６が好ましく、１～４がより好ましい。
　構造単位（ａ２）となる単量体（ａ２’）としては、例えば、２－メトキシエチル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ドデシル（メタ）アクリレート、２－メトキシブチル（メタ）アクリレート、ラウロキシテトラエチレングリコール（メタ）アクリレート、ラウロキシジプロピレングリコール（メタ）アクリレート、ラウロキシトリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、およびラウロキシテトラプロピレングリコール（メタ）アクリレートが挙げられる。
　構造単位（ａ２）は、重合体（Ａ）中に１種または２種以上含むことができる。
　重合体（Ａ）中に含まれる構造単位（ａ２）の含有割合は、前記重合体（Ａ）を構成する全ての構造単位の合計を１００モル％とした場合、１～５０モル％、下限は１モル％、好ましくは２モル％、より好ましくは５モル％、上限は５０モル％、好ましくは４５モル、より好ましくは４０モル％である。また、構造単位（ａ２）の含有割合は、いずれの上下限の組合せも用いることができる。
　重合体（Ａ）中に含まれる構造単位（ａ２）の含有割合が上記範囲内であれば、ＥＢＲ処理により基板周縁部に感光性樹脂組成物の塗膜の溶け残りなく、解像性に優れ、およびメッキ処理に対応するためメッキ液耐性に優れたレジストパターンを形成することができる。
〔構造単位（ａ３）〕
　構造単位（ａ３）は下記式（ａ３）に示す構造単位であり、溶解性促進基であるヒドロキシアリール基を有する。重合体（Ａ）が構造単位（ａ３）を有することで、本組成物の厚膜での解像性を向上させ、メッキ処理中にレジストパターンが膨潤することなく、重合体（Ａ）のＥＢＲ溶剤に対する溶解性を向上させることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
　式（ａ３）中、Ｒ３１は、水素原子、炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基、またはハロゲン原子を示し；Ｒ３２は２価の有機基を示し；Ｒ３３はヒドロキシアリール基を示し；ｎは０～１０の整数を示す。
　Ｒ３１の炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基としては、Ｒ１１の炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基に挙げた基が挙げられる。
　Ｒ３３のヒドロキシアリール基としては、例えば、２－ヒドロキシフェニル基、３－ヒドロキシフェニル基、４－ヒドロキシフェニル基、３－メチル－４－ヒドロキシフェニル基、トリヒドロキシフェニル基、テトラヒドロキシフェニル基、ジヒドロキシビフェニル基、およびヒドロキシベンゼンカルボニル基等のヒドロキシフェニル基；ヒドロキシナフチル基、ジヒドロキシナフチル基、ヒドロキシナフタレンカルボニル基等のヒドロキシナフチル基；ヒドロキシアントラセンカルボニル基等のヒドロキシアントリル基；が挙げられる。
　これらの中でもヒドロキシフェニル基が、メッキ処理に対応するためメッキ液耐性に優れたレジストパターンを形成することができ、さらに、ＥＢＲ処理により基板周縁部に感光性樹脂組成物の塗膜の溶け残りのない感光性樹脂組成物となることから好ましい。
　構造単位（ａ３）の、好ましい構造としては下記式（ａ３１）に示す構造単位（ａ３１）が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
　式（ａ３１）中、Ｒ３１、Ｒ３２およびｎは、それぞれ構造単位（ａ３）のＲ３１、Ｒ３２およびｎと同義であり；Ｒ３４はベンゼン環に結合しており、ハロゲン原子、アルキル基またはアリール基を示し；－ＯＨはベンゼン環に結合しており；ｏは０～４の整数を示し；ｐは１～５の整数を示し；ｏ＋ｐ＝５の関係を満たす。
　構造単位（ａ３１）となる単量体としては、下記式（ａ３１’）に示す単量体（ａ３１’）が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
　式（ａ３１’）中、Ｒ３１、Ｒ３２、ｎ、Ｒ３４、ｏ、およびｐは、それぞれ構造単位（ａ３）のＲ３１、Ｒ３２、ｎ、（ａ３１）のＲ３４、ｏ、およびｐと同義である。
　構造単位（ａ３）は、重合体（Ａ）中に１種または２種以上含むことができる。
　重合体（Ａ）中に含まれる、構造単位（ａ３）の含有割合は、前記重合体（Ａ）を構成する全ての構造単位の合計を１００モル％とした場合、１５～８０モル％、下限は１５モル％、好ましくは２０モル％、より好ましくは２５モル％、上限は８０モル％、好ましくは７５モル％、より好ましくは７０モル％である。また、構造単位（ａ３）の含有割合は、いずれの上下限の組合せも用いることができる。
　重合体（Ａ）中に含まれる、構造単位（ａ１）および構造単位（ａ３）の合計の含有割合は、前記重合体（Ａ）を構成する全ての構造単位の合計を１００モル％とした場合、５０～９５モル％であり、下限は５０モル％、好ましくは６０モル％、より好ましくは６５モル％、上限は９５モル％、好ましくは９０モル％、より好ましくは８５モル％である。また、構造単位（ａ１）および構造単位（ａ３）の合計の含有割合は、いずれの上下限の組合せも用いることができる。
　重合体（Ａ）中に含まれる構造単位（ａ３）の含有割合が上記範囲内であれば、ＥＢＲ処理により基板周縁部に感光性樹脂組成物の塗膜の溶け残りなく、解像性に優れ、およびメッキ処理に対応するためメッキ液耐性に優れたレジストパターンを形成することができる。
　重合体（Ａ）中に含まれる、構造単位（ａ１）～構造単位（ａ３）の合計の含有割合は、前記重合体（Ａ）を構成する全ての構造単位の合計を１００モル％とした場合、５１～１００モル％であり、下限は５１モル％、好ましくは５５モル％、より好ましくは６０モル％、上限は１００モル％、好ましくは９５モル％、より好ましくは９０モル％である。また、構造単位（ａ１）～構造単位（ａ３）の合計の含有割合は、いずれの上下限の組合せも用いることができる。
　重合体（Ａ）中に含まれる、構造単位（ａ１）～構造単位（ａ３）の合計の含有割合が上記範囲内であれば、本組成物は、ＥＢＲ処理により基板周縁部に感光性樹脂組成物の塗膜の溶け残りなく、解像性に優れ、およびメッキ処理に対応するためメッキ液耐性に優れたレジストパターンを形成することができる。
〔構造単位（ａ４）〕
　構造単位（ａ４）は、構造単位（ａ３）以外の溶解性促進基を有する構造単位であり、重合体（Ａ）に構造単位（ａ４）を有することで、本組成物から形成する樹脂塗膜の解像性、感度、焦点深度、および露光ラチチュード等のリソ性を調節することができる。
　構造単位（ａ４）としては、例えば、カルボキシ基、ヒドロキシアリール基、ヒドロキシ基、ラクトン構造、環状カーボネート構造、スルトン構造、およびフッ素アルコール構造を有する構造単位が挙げられる。これらの中でも本組成物から形成するレジストパターンのメッキ造形物形成時のメッキからの押し込みに対して強いことから、ヒドロキシアリール基を有する構造単位が好ましい。
　前記カルボキシ基を有する構造単位としては、例えば、（メタ）アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、ケイ皮酸、２－カルボキシエチル（メタ）アクリレート、２－カルボキシプロピル（メタ）アクリレート、および３－カルボキシプロピル（メタ）アクリレート等の単量体由来の構造単位；
　前記ヒドロキシアリール基を有する構造単位としては、例えば、２－ヒドロキシスチレン、４－ヒドロキシスチレン、４－イソプロペニルフェノール、４－ヒドロキシ－１－ビニルナフタレン、および４－ヒドロキシ－２－ビニルナフタレン等の単量体由来の構造単位；
　前記ヒドロキシ基を有する構造単位としては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、および３－（メタ）アクリロイロオキシ－４－ヒドロキシテトラヒドロフラン等の単量体由来の構造単位、ならびに特開２００９－２７６６０７号公報の段落番号［００３０］に記載の構造単位；
　前記ラクトン構造を有する構造単位としては、例えば、特開２０１７－０５８４２１号公報の段落番号［０１０４］～段落番号［０１０７］に記載の構造単位、国際公開２００９／１１３２２８号公報の段落番号［００２８］に記載の構造単位、特開２０１０－１３８３３０号公報の段落番号［０１３３］～段落番号［０１３４］に記載の構造単位、特開２０１０－２７５５５５号公報の段落［００６４］、［００９３］および［００９５］に記載の構造単位、特開２０１６－０９８３５０号公報の段落番号［００１９］に記載の単量体由来の構造単位、および特開２０１５－２１４６３４号公報の段落番号［００１７］～［００２３］に記載の単量体由来の構造単位；
　前記環状カーボネート構造を有する構造単位としては、特開２０１７－０５８４２１号公報の段落番号［０１０５］～段落番号［０１０６］に記載の構造単位、特開２００９－２２３２９４号公報の段落番号［００３４］に記載の単量体由来の構造単位記載の構造単位；
　前記スルトン構造を有する構造単位としては、特開２０１７－０５８４２１号公報の段落番号［００４５］～段落番号［００４６］に記載の構造単位、特開２０１４－０２９５１８号公報の段落番号［００２４］～段落番号［００２８］に記載の構造単位、特開２０１６－０６１９３３号公報の段落［００３３］、および［００３６］に記載の構造単位、および特開２０１３－００７８４６号公報の段落番号［００８７］に記載の構造単位に記載の構造単位；
　前記フッ素アルコール構造を有する構造単位としては、特開２００４－０８３９００号公報の段落番号［００６６］、［００６９］および［００７１］に記載の単量体由来の構造単位、特開２００３－００２９２５号公報の段落番号［００２３］に記載の構造単位、特開２００４－１４５０４８号公報の段落番号［００４３］、［００４５］、および［００４７］に記載の構造単位、および特開２００５－１３３０６６号公報の段落番号［００３４］に記載の単量体由来の構造単位に記載の構造単位；が挙げられる。
　なお、上記公知文献に記載の構造単位は本明細書に記載されているものとする。
　重合体（Ａ）中に含まれる、構造単位（ａ３）および構造単位（ａ４）の合計の含有割合は、前記重合体（Ａ）を構成する全ての構造単位の合計を１００モル％とした場合、通常、１０～８０モル％である。
〔構造単位（ａ５）〕
　構造単位（ａ５）は、構造単位（ａ１）以外の酸解離性基を有する構造単位であり、重合体（Ａ）に構造単位（ａ５）を有することで、本発明の感光性樹脂組成物から形成する樹脂塗膜の解像性、感度、焦点深度、および露光ラチチュード等のリソ性を調節することができる。
　構造単位（ａ５）としては、例えば、ｔ－ブチル（メタ）アクリレート、およびベンジル（メタ）アクリレート由来の構造単位；特開２００５－２０８３６６号公報の段落番号［００３８］～［００４０］、［００５１］～［００４３］に記載の基を有する構造単位に記載のアセタール系酸解離性基を有する構造単位；特開２０００－２１４５８７号公報の段落番号［００２７］～［００３３］に記載の単量体由来の構造単位に記載の架橋型酸解離性基を有する構造単位；が挙げられる。
　上記公知文献に記載の構造単位は本明細書に記載されているものとする。
　重合体（Ａ）中に含まれる、構造単位（ａ１）および構造単位（ａ５）の合計の含有割合は、前記重合体（Ａ）を構成する全ての構造単位の合計を１００モル％とした場合、通常、５～６０モル％である。
〔構造単位（ａ６）〕
　構造単位（ａ６）は前記構造単位（ａ１）～（ａ５）以外の他の構造単位である。
　構造単位（ａ６）としては、例えば、スチレン、２－メチルスチレン、３－メチルスチレン、４－メチルスチレン、２－メトキシスチレン、３－メトキシスチレン、および４－メトキシスチレン等のビニル化合物由来の構造単位；
　メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ－ペンチル（メタ）アクリレート、ネオペンチル（メタ）アクリレート、ｎ－ヘキシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート等の脂肪族（メタ）アクリル酸エステル化合物；
　シクロペンチル（メタ）アクリレート、ノルボルニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフラニル（メタ）アクリレート、およびテトラヒドロピラニル（メタ）アクリレート等の脂環式（メタ）アクリル酸エステル化合物由来の構造単位；
　フェニル（メタ）アクリレート、フェネチル（メタ）アクリレート等の芳香族含有（メタ）アクリル酸エステル化合物由来の構造単位；
　（メタ）アクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル等の不飽和ニトリル化合物由来の構造単位；
　（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、等の不飽和アミド化合物由来の構造単位；ならびに
　マレイミド、Ｎ－フェニルマレイミド、Ｎ－シクロヘキシルマレイミド等の不飽和イミド化合物由来の構造単位；を挙げることができる。
　重合体（Ａ）中に含まれる、構造単位（ａ６）の含有割合は、前記重合体（Ａ）を構成する全ての構造単位の合計を１００モル％とした場合、通常、４０モル％以下である。
〔重合体（Ａ）の製造方法〕
　重合体（Ａ）は、各構造単位となる単量体を、イオン重合法またはラジカル重合法等の公知の重合方法により製造することができる。これらの中でも量産性の点から、ラジカル重合法により製造することが好ましい。
　前記ラジカル重合法に用いるラジカル重合開始剤としては、２，２’－アゾビスイソブチロニトリル、２，２’－アゾビス－（２，４－ジメチルバレロニトリル）等のアゾ化合物や、ベンゾイルペルオキシド、ラウリルペルオキシド、ｔ－ブチルペルオキシド等の有機過酸化物等が挙げられる。
　ラジカル重合法に用いる重合溶媒は、単量体成分と反応せず、生成する重合体を溶解するものであれば特に限定されない。例えば、酢酸ｎ－ブチル、メチルイソブチルケトン、２－ヘプタノン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、および乳酸エチル等が挙げられる。前記重合溶媒は、単独または２種以上を併用して用いることができる。
　重合体（Ａ）のゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」という。）は、通常、１，０００～５００，０００、好ましくは３，０００～３００，０００、より好ましくは１０，０００～１００，０００、さらに好ましくは２０，０００～６０，０００である。
　重合体（Ａ）のＭｗとゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算数平均分子量（以下、「Ｍｎ」という。）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常、１～５、好ましくは１～３である。
　重合体（Ａ）のＭｗ、およびＭｗ／Ｍｎの重合に際しては、必要に応じて、例えば、メルカプタン化合物、ハロゲン炭化水素等の分子量調節剤を使用することができる。
　〔光酸発生剤（Ｂ）〕
　光酸発生剤（Ｂ）は、露光により酸を発生する化合物である。この酸の作用により、重合体（Ａ）中の酸解離性基が解離して、カルボキシ基やヒドロキシアリール基等の酸性官能基が生成する。その結果、感光性樹脂組成物から形成された感光性樹脂塗膜の露光部がアルカリ現像液に易溶性となり、ポジ型のレジストパターンを形成することができる。
　光酸発生剤（Ｂ）としては、例えば、特開２００４－３１７９０７号公報の段落番号［００１７］～［００２６］、［００２８］～［００３９］、［００４２］～［００４６］、［００４９］および［００５３］に記載の化合物、特開２０１４－１５７２５２号公報の段落番号［００９０］～［０１０６］に記載の化合物、特開２００２－２６８２２３号公報の段落番号［０１１７］～［０１２３］に記載の化合物、および特開２０１７－１０２２６０号公報の段落番号［００３８］～［００４１］に記載の化合物が挙げられる。これらは本明細書に記載されているものとする。
　光酸発生剤（Ｂ）としては、例えば、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｐ－トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、４－ｔ－ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４－ｔ－ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、４，７－ジ－ｎ－ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４，７－ジ－ｎ－ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドアニオン、および４，７－ジ－ｎ－ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウム・トリス（ノナフルオロブチルスルホニル）メチド等のオニウム塩化合物；　
　１，１０－ジブロモ－ｎ－デカン、１，１－ビス（４－クロロフェニル）－２，２，２－トリクロロエタンや、フェニル－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、４－メトキシフェニル－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、スチリル－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、およびナフチル－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン等のハロゲン含有化合物；
　４－トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、およびビス（フェニルスルホニル）メタン等のスルホン化合物；
　ベンゾイントシレート、ピロガロールトリストリフルオロメタンスルホネート、ｏ－ニトロベンジルトリフルオロメタンスルホネート、およびｏ－ニトロベンジル－ｐ－トルエンスルホネート等のスルホン酸化合物；　
　Ｎ－（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ－（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ－（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ－（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）－４－ブチル－ナフチルイミド、Ｎ－（４－メチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ－（４－メチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ－（４－メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ－（４－メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシイミド、Ｎ－（４－フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．１．１］ヘプタン－５，６－オキシ－２，３－ジカルボキシイミド、Ｎ－（４－フルオロフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、およびＮ－（１０－カンファ－スルホニルオキシ）ナフチルイミド等のスルホンイミド化合物；　ならびに
　ビス（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ－トルエンスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル－ｐ－トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル－１，１－ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、およびビス（１，１－ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン等のジアゾメタン化合物；が挙げられる。
　これらの中でも、オニウム塩化合物、またはスルホンイミド化合物、が解像性およびメッキ液耐性に優れたレジストパターンを形成できることから好ましい。
　光酸発生剤（Ｂ）は、単独で又は２種以上を併用して含有することができる。
　本組成物中に含まれる光酸発生剤（Ｂ）の含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、通常、０．１～２０質量部、好ましくは０．３～１５質量部、より好ましくは０．５～１０質量部、さらに好ましくは１～５質量部である。光酸発生剤（Ｂ）の含有量が上記範囲内であると、厚膜で解像性に優れたレジストパターンが得られるとともに、優れた形状のパターンが得られる。
　〔有機溶剤（Ｃ）〕
　有機溶剤（Ｃ）は、本組成物中に含まれる各成分を均一に混合するために用いる成分である。
　有機溶剤（Ｃ）としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、乳酸エチル、およびプロピレングリコールモノメチエーテル等のアルコール類；酢酸エチル、２－ヒドロキシプロピオン酸エチル、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオン酸エチル、アセト酢酸メチル、およびエトキシ酢酸エチル等のエステル類；メチルアミルケトン、およびシクロヘキサノン等のケトン類；ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ－ｎ－プロピルエーテル、およびジプロピレングリコールジメチルエーテル等のアルキレングリコールジアルキルエーテル；ならびにエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、およびプロピレングリコールモノ－ｎ－プロピルエーテルアセテート等のアルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテートが挙げられる。
　有機溶剤（Ｃ）は１種単独または２種以上を併用して含有することができる。
本組成物中に含まれる有機溶剤（Ｃ）の含有量は、固形分濃度が、通常、１０～６０質量％、好ましくは２０～５５質量％、さらに好ましくは２５～５０質量％となる量である。前記範囲内であると厚膜のレジストパターンを良好に形成することができる。なお、前記固形分濃度とは、本組成物に含まれる有機溶剤（Ｃ）以外の全成分の含有割合をいう。
　〔クエンチャー（Ｄ）〕
　クエンチャー（Ｄ）は、露光により光酸発生剤（Ｂ）から生じる酸のレジスト膜中での拡散を制御するために用いる成分であり、その結果、本組成物の解像性を向上することができる。
　クエンチャー（Ｄ）としては、塩基性化合物または塩基を発生する化合物等が挙げられ、例えば、特開２０１４－０１３３８１号公報の段落番号［００７６］、［００７９］、および［００８１］に記載の化合物、特開２０１６－０９９４８３号公報の段落番号［０１０１］～［０１０４］に記載の化合物、および特開２０１７－０３７３２０号公報の段落番号［０２２１］～［０２２４］に記載の化合物が挙げられる。これらは本明細書に記載されているものとする。
　クエンチャー（Ｄ）としては、例えば、ｎ－ヘキシルアミン、ｎ－ヘプチルアミン、ジ－ｎ－ブチルアミン、およびトリエチルアミン等のアルキルアミン；アニリン、および１－ナフチルアミン等の芳香族アミン；トリエタノールアミン等のアルカノールアミン；エチレンジアミン、１，３－ビス［１－（４－アミノフェニル）－１－メチルエチル］ベンゼン、およびポリエチレンイミン等のポリアミノ化合物；ホルムアミド等のアミド化合物；尿素、およびメチルウレア等のウレア化合物；イミダゾール、およびベンズイミダゾール等の含窒素複素環化合物；Ｎ－（ｔ－ブトキシカルボニル）ピペリジン、Ｎ－（ｔ－ブトキシカルボニル）イミダゾール、Ｎ－（ｔ－ブトキシカルボニル）ベンズイミダゾール、Ｎ－（ｔ－ブトキシカルボニル）－２－フェニルベンズイミダゾール等の酸解離性基を有する含窒素化合物が挙げられる。
　クエンチャー（Ｄ）は１種単独または２種以上を併用して含有することができる。
　本組成物中に含まれるクエンチャー（Ｄ）の含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、通常、０．００１～１０質量部である。
　〔界面活性剤（Ｅ）〕
　界面活性剤（Ｅ）は、本組成物の塗布性、消泡性等を改良する作用を示す。
　界面活性剤（Ｅ）としては、公知の界面活性剤を用いることができる。市販されている界面活性剤としては、例えば、ＮＢＸ－１５、ＦＴＸ－２０４Ｄ、ＦＴＸ－２０８Ｄ、ＦＴＸ－２１２Ｄ（以上、（株）ネオス製）、ＢＭ－１１００（以上、ＢＭケミー社製）、メガファックＦ１４２Ｄ（以上、大日本インキ化学工業（株）製）、フロラードＦＣ－１３５、同ＦＣ－１７０Ｃ、同ＦＣ－４３０、同ＦＣ－４３１（以上、住友スリーエム（株）製）、サーフロンＳ－１１２、同Ｓ－１４５（以上、旭硝子（株）製）、ＳＨ－２８ＰＡ、同－１９０（以上、東レダウコーニングシリコーン（株）製）が挙げられる。
　界面活性剤（Ｅ）は、１種単独で又は２種以上を併用して含有することができる。
　本組成物中に含まれる前記界面活性剤の含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、通常、２質量部以下である。
　〔その他成分〕
　その他成分としては、例えば、露光光を吸収して光酸発生剤の酸発生効率を向上させる増感剤；感光性樹脂組成物から形成した樹脂塗膜のアルカリ現像液への溶解速度を制御するフェノールノボラック樹脂やポリ（ヒドロキシスチレン）などのアルカリ可溶性樹脂および低分子フェノール化合物；露光時の散乱光の未露光部への回り込みによる光反応を阻止する紫外線吸収剤；保存安定性を高める熱重合禁止剤；酸化防止剤；接着助剤；および無機フィラー；が挙げられる。
　〔感光性樹脂組成物の製造〕
　本組成物は、各成分を均一に混合することにより製造することができる。また、ゴミを取り除くために、各成分を均一に混合した後、得られた混合物をフィルター等で濾過することができる。
２．レジストパターンの形成方法
　本開示のレジストパターンの形成方法（以下、「本レジストパターンの形成方法」）は、本組成物を基板上に塗布して樹脂塗膜を形成する工程（１）；
　前記樹脂塗膜を露光する工程（２）；
　露光後の樹脂塗膜を現像する工程（３）；を有する。
〔工程（１）〕
　工程（１）は、基板上に、本組成物の樹脂塗膜を形成する工程である。
　前記基板としては、例えば、半導体基板、およびガラス基板ならびにこれら基板の表面に各種金属膜などを設けた基板を挙げることができる。基板の形状には特に制限はなく、表面形状は平坦状および凸凹状が挙げられ、基板の形状としては円形および正方形が挙げられる。また、基板の大きさに制限はない。
　前記金属膜としては、アルミニウム、銅、銀、金、およびパラジウム、ならびにこれらの金属２種以上の合金等が挙げられる。金属層は、スパッタ法等により形成することができる。金属膜の厚さは、通常、１００～１０，０００Å、好ましくは５００～２，０００Åである。
　本組成物の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、スクリーン印刷、およびアプリケーター法が挙げられ、これらの中でもスピンコート法が好ましい。
　スピンコート法の場合、回転速度は通常５００～４０００ｒｐｍ、好ましくは８００～３５００ｒｐｍである。
　スピンコート法の場合、通常、ＥＢＲ処理が行われる。
　ＥＢＲ処理は、例えば、スピンコート法により樹脂塗膜を形成中または形成後、基板を回転中に、ＥＢＲ溶剤を基板表面の樹脂塗膜の周縁端部から０．１～１０ｍｍの内側に吐出することにより行う。
　ＥＢＲ溶剤としては、「１．感光性樹脂組成物」に記載の「〔有機溶剤（Ｃ）〕」に記載の有機溶剤が挙げられる。
　ＥＢＲ処理の際、基板裏面の周縁部にも有機溶剤を吐出して、基板裏面を洗浄することができる。
　本組成物を塗布した後、加熱処理することができる。前記加熱処理の条件は、通常、５０～２００℃、０．５～２０分間である。
　樹脂塗膜の膜厚は、通常、１～１００μｍ、好ましくは５～８０μｍである。
〔工程（２）〕
　工程（２）は、工程（１）で形成した樹脂塗膜を露光する工程である。
　前記露光は、通常、所定のマスクパターンを有するフォトマスクを介して、縮小投影露光で、樹脂塗膜に選択的に行う。
　露光の光は、通常、波長１５０～６００ｎｍのレーザー光、好ましくは、２００～５００ｎｍのレーザー光を用いる。
　露光の光量は、前記光の種類、本組成物の種類、および樹脂塗膜の厚さ等によって適宜選択でき、通常、１００～２０，０００ｍＪ／ｃｍ２である。
　露光後、加熱処理することができる。前記加熱処理の条件は、通常、７０～１８０℃で１～１０分間である。
〔工程（３）〕
　工程（３）は、工程（２）の露光後の樹脂塗膜を現像してレジストパターンを形成する工程である。
　前記現像は、通常、アルカリ性現像液にて行う。前記現像の現像方法としては、シャワー現像法、スプレー現像法、浸漬現像法、およびパドル現像法等が挙げられる。前記現像の処理条件は、通常、２３℃で１～３０分間である。
　前記アルカリ性現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、ｎ－プロピルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロール、およびピペリジン等のアルカリ性物質を１種又は２種以上含有する水溶液を挙げることができる。前記アルカリ性現像液は、例えば、メタノール、エタノール等の有機溶剤や界面活性剤等を含有することができる。
　現像後、レジストパターンを水等により洗浄することができる。その後、エアーガンまたはホットプレートによりレジストパターンを乾燥することができる。
３．メッキ造形物の製造方法
　本開示のメッキ造形物の製造方法（以下、「本メッキ造形物の製造方法」ともいう）は、本レジストパターンの形成方法によって形成するレジストパターンをマスクにしてメッキ処理を行う工程（以下、「工程（４）」ともいう）を有する。
〔工程（４）〕
　工程（４）は、本レジストパターンの形成方法によって形成するレジストパターンを鋳型とし、レジストパターンによって形成した開口部に、メッキ処理によりメッキ造形物を形成する。
　メッキ処理としては、電解メッキ処理、無電解メッキ処理、および溶融メッキ処理等の湿式メッキ処理、化学気層蒸着、およびスパッタ等の乾式メッキ処理が挙げられる。ウエハーレベルでの加工における配線や接続端子を形成する場合、通常、電解メッキ処理により行われる。
　電解メッキ処理を行う前に、レジストパターンの内壁表面とメッキ液との親和性を高めるため、アッシング処理、フラックス処理、およびデスミア処理等の前処理を行うことができる。
　電解メッキ処理の場合、スパッタまたは無電解メッキ処理によりレジストパターン内壁に形成したものをシード層として用いることができ、また、表面に金属膜を有する基板を基板に用いる場合は前記金属膜をシード層として用いることもできる。
　シード層を形成する前にバリア層を形成してもよく、シード層をバリア層として用いることもできる。
　電解メッキ処理に使用されるメッキ液としては、例えば、硫酸銅、またはピロリン酸銅等を含む銅メッキ液；シアン化金カリウムを含む金メッキ液処理；ならびに硫酸ニッケルまたは炭酸ニッケルを含むニッケルメッキ液；が挙げられる。
　電解メッキ処理の条件は、メッキ液の種類等により適宜選択でき、例えば、硫酸銅を含む電解メッキ処理の場合、通常、温度１０～９０℃、電流密度０．１～１００Ａ／ｄｍ２である。
　メッキ処理は、異なるメッキ処理を順次行うことができる。例えば、はじめに銅メッキ処理を行い、次にニッケルメッキ処理を行い、次に溶融はんだメッキ処理を行うことで、はんだ銅ピラーバンプを形成することができる。
　メッキ造形物の厚さは、その用途によって異なるが、例えば、メッキ造形物がバンプの場合、通常、５～１００μｍであり、メッキ造形物が配線の場合、通常、１～３０μｍである。
〔他の工程〕
　本メッキ造形物の製造方法において、他の工程としては、工程（４）の後に、レジストパターンを除去する工程（以下、「工程（５）」ともいう）が挙げられる。
　工程（５）は、例えば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、ジメチルスルホキシド、および／またはＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを含有するレジスト剥離液により行う。
　更に、本メッキ造形物の製造方法は、メッキ造形物を形成した領域以外の金属膜を、例えば、ウェットエッチング法等により除去する工程を含むことができる。
４．半導体装置
　本開示の半導体装置は、本メッキ造形物の製造方法によって得られるメッキ造形物を備える。本半導体装置は、メッキ処理用の鋳型として有用である本レジストパターンを用い、メッキ成分を堆積させるメッキ処理を行い、レジストパターンを写しとったメッキ造形物を備えるものであるため、信頼性が高められる。本半導体装置として、具体的には、多層ＬＳＩ（半導体集積回路　ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｊｍｑ．ｊｓｒ．ｃｏ．ｊｐ／ｐｒｏｄｕｃｔｓ．ｈｔｍｌ参照）を挙げることができる。
　以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。以下の実施例等の記載において、「部」は「質量部」の意味で用いる。
＜物性の測定方法＞
（重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）の測定方法）
　下記条件下でゲルパーミエーションクロマトグラフィー法にてアルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）を測定した。
・カラム：東ソー株式会社製カラムのＴＳＫ－ＭおよびＴＳＫ２５００を直列に接続
・溶媒：テトラヒドロフラン
・流速：０．３５ｍＬ／分
・温度：４０℃
・検出方法：屈折率法
・標準物質：ポリスチレン
・ＧＰＣ装置：東ソー株式会社製、装置名「ＨＬＣ－８２２０－ＧＰＣ」
＜重合体の製造＞
［合成例１～１０］
　２，２’－アゾビス（イソ酪酸メチル）をラジカル重合開始剤として用いたラジカル重合により、表１に示す構造単位およびその含有割合を有する重合体（Ａ１）～（Ａ６）および（ＲＡ１）～（ＲＡ４）を製造した。表１中に示す構造単位の詳細を下記式（ａ１－１）～（ａ１－３）、（ａ２－１）～（ａ２－２）、（ａ３－１）、（ａ４－１）～（ａ４－２）、（ａ５－１）～（ａ５－２）、および（ａ６－１）に示す。なお、表１中の数値の単位はモル％である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000018
＜感光性樹脂組成物の製造＞
［実施例１Ａ～８Ａ、比較例１Ａ～４Ａ］感光性樹脂組成物の製造
　下記表２に示す成分の種類および量を含有する感光樹脂組成物を、各成分を均一に混合することにより、実施例１Ａ～８Ａ、比較例１Ａ～４Ａの感光性樹脂組成物を製造した。表２に示す重合体以外の成分の詳細は以下のとおりである。なお、表２中の数値の単位は質量部である。
　Ｂ１：下記式（Ｂ１）に示す構造を有する化合物
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
　Ｂ２：下記式（Ｂ２）に示す構造を有する化合物
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
　Ｄ１：下記式（Ｄ１）に示す構造を有する化合物
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
　Ｄ２：下記式（Ｄ２）に示す構造を有する化合物
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
　Ｅ１：商品名「ＮＢＸ－１５」（ネオス株式会社製）
　Ｃ１：γ－ブチロラクトン
　Ｃ２：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000023
＜ＥＢＲの形状評価＞
［実験例１Ａ～８Ａ、比較実験例１Ａ～４Ａ］
　１２インチシリコンウエハ上、実施例１Ａ～８Ａ、比較例１Ａ～４Ａの感光性樹脂組成物を１５ｃｃ滴下し、ＣＬＥＡＮ　ＴＲＡＣＫ　ＡＣＴ１２（装置名、東京エレクトロン株式会社製）を用い、スピンコート法（最大回転数６００ｒｐｍを６０秒間）にて、５ｍｍ幅のＥＢＲ処理を、バックリンスを行いながら、実施例１Ａ～８Ａ、比較例１Ａ～４Ａの感光性樹脂組成物の塗膜を形成した。ＥＢＲ処理に用いたＥＢＲ溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテル６０質量％およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４０質量％含有する混合溶剤（以下、「ＥＢＲ溶剤Ａ」）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートからなる溶剤（以下、「ＥＢＲ溶剤Ｂ」）、乳酸エチルからなる溶剤（以下、「ＥＢＲ溶剤Ｃ」）の３種類で行い、それぞれのＥＢＲ溶剤でＥＢＲ処理を行った後の、１２インチシリコンウエハ周縁部の状態を光学顕微鏡にて確認し、以下の基準にて評価した。評価結果を下記表３に示す。
　Ａ：１２インチシリコンウエハ周縁部に塗膜の溶け残りがない。
　Ｂ：１２インチシリコンウエハ周縁部に塗膜の溶け残り面積が、除去すべき塗膜の全面積に対して０％より大きく、５０％以下ある。
　Ｃ：１２インチシリコンウエハ周縁部に塗膜の溶け残り面積が、除去すべき塗膜の全面積に対して５０％より大きい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000024
＜レジストパターンの形成＞
［実施例１Ｂ～８Ｂ、比較例１Ｂ～４Ｂ］レジストパターンの形成
　銅スパッタ膜を備えてなるシリコンウエハ基板の銅スパッタ膜上にスピンコーターを用いて、実施例１Ａ～８Ａ、比較例１Ａ～４Ａの感光性樹脂組成物を塗布し、ホットプレートにて１２０℃で３００秒間加熱し、膜厚２０μｍの塗膜を形成した。塗膜を、ステッパー（ニコン社製、型式「ＮＳＲ－ｉ１０Ｄ」）を用い、パターンマスクを介して、露光した。露光後の塗膜を、９０℃で１８０秒間加熱し、次いで、２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液に１８０秒間浸漬して現像した。その後、流水洗浄し、窒素ブローして、基板上に実施例１Ｂ～８Ｂ、比較例１Ｂ～４Ｂのレジストパターン（ライン／スペース＝１／１）を形成した。このレジストパターンを形成した基板を、「パターニング基板」という。このパターニング基板を用いて、下記に示す方法にて、「解像性」、「メッキ液耐性」を評価した。
「解像性」
　前記パターニング基板を走査型電子顕微鏡にて観察し、以下の基準にて解像性を評価した。評価結果を下記表４に示す。
　Ａ：ライン幅５μｍのレジストパターンを解像することができる。
　Ｂ：ライン幅５μｍのレジストターンは解像できないが、ライン幅１０μｍのレジストターンは解像できる。
　Ｃ：ライン幅１０μｍのレジストターンは解像できないが、ライン幅１５μｍのレジストターンは解像できる。
「メッキ液耐性（膨潤耐性）」
　前記パターニング基板を銅メッキ液（製品名「ＭＩＣＲＯＦＡＢ　Ｃｕ３００」、ＥＥＪＡ社製）１リットル中に２５℃で１５分間浸漬し、浸漬前後のレジストパターン形状を光学顕微鏡および走査型電子顕微鏡にて観察し、以下の基準にてメッキ液耐性（膨潤耐性）を評価した。評価結果を表４に示す。
　Ａ：浸漬前後のレジストパターンのライン幅の縮小率が５％以下である。
　Ｂ：浸漬前後のレジストパターンのライン幅の縮小率が５％より大きく、１０％以下である。
　Ｃ：浸漬前後のレジストパターンのライン幅の縮小率が１０％より大きい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000025
＜メッキ造形物の製造＞
［実施例１Ｃ］
　実施例１Ｂのパターニング基板を、酸素プラズマによるアッシング処理（出力１００Ｗ、酸素流量１００ミリリットル、処理時間６０秒間）を行った。アッシング処理後のパターニング基板を銅メッキ液（製品名「ＭＩＣＲＯＦＡＢ　Ｃｕ３００」、ＥＥＪＡ社製）１リットル中に浸漬し、メッキ浴温度２５℃、電流密度３Ａ／ｄｍ２に設定して、１５分電界メッキを行い、メッキ造形物を製造した。このメッキ造形物は良好な形状を有していた。

Claims (12)

  1. 　下記式（ａ１）に示す構造単位（ａ１）、下記式（ａ２）に示す構造単位（ａ２）、および下記式（ａ３）に示す構造単位（ａ３）を有する重合体（Ａ）；ならびに
    　光酸発生剤（Ｂ）；を
    　含有する感光性樹脂組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （式（ａ１）～（ａ３）中、Ｒ１１、Ｒ２１、Ｒ３１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基、もしくはハロゲン原子を示し；Ｒ１２、Ｒ３２はそれぞれ独立に２価の有機基を示し；Ｒ２２は、炭素数２～１０の置換または非置換のアルカンジイル基を示し；Ｒ１３は脂環構造を有する酸解離性基を示し；Ｒ２３は炭素数１～１０のアルキル基を示し；Ｒ３３はヒドロキシアリール基を示し；ｌ、ｍ、およびｎはそれぞれ独立に０～１０の整数を示す。）
  2. 　前記重合体（Ａ）中に含まれる前記構造単位（ａ２）の含有割合が、前記重合体（Ａ）を構成する全ての構造単位の合計を１００モル％とした場合、１～５０モル％である請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
  3. 　前記重合体（Ａ）中に含まれる前記構造単位（ａ１）および前記構造単位（ａ３）の合計の含有割合が、前記重合体（Ａ）を構成する全ての構造単位の合計を１００モル％とした場合、５０～９５モル％である請求項１または２に記載の感光性樹脂組成物。
  4. 　前記Ｒ１３が、下記式（１）に示す酸解離性基である請求項１～３のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （式（１）中、Ｒ１４およびＲ１５は結合する炭素原子とともに脂環構造を形成し；Ｒ１６は炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基を示し；＊は結合手を示す）
  5. 　前記重合体（Ａ）中に含まれる、構造単位（ａ１）～構造単位（ａ３）の合計の含有割合は、前記重合体（Ａ）を構成する全ての構造単位の合計を１００モル％とした場合、５１～１００モル％である、請求項１～４のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  6. 　感光性樹脂組成物中に含まれる前記光酸発生剤（Ｂ）の含有量は、前記重合体（Ａ）１００質量部に対して０．１～２０質量部である、請求項１～５のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  7. 　さらに有機溶剤（Ｃ）を含有し、感光性樹脂組成物中に含まれる前記有機溶剤（Ｃ）の含有割合は、固形分濃度が１０～６０質量％となる量である、請求項１～６のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  8. 　メッキ造形物製造用である、請求項１～７のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  9. 　請求項１～８のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布して樹脂塗膜を形成する工程（１）；
    　前記樹脂塗膜を露光する工程（２）；および
    　露光後の樹脂塗膜を現像する工程（３）；
    　を有するレジストパターンの形成方法。
  10. 　請求項９に記載のレジストパターンの形成方法によって形成したレジストパターンをマスクにしてメッキ処理を行う工程（４）を有するメッキ造形物の製造方法。
  11. 　前記メッキ処理が、銅メッキ処理およびニッケルメッキ処理から選ばれる少なくとも１種である、請求項１０に記載のメッキ造形物の製造方法。
  12. 　請求項１０または１１に記載のメッキ造形物の製造方法によって得られるメッキ造形物を有する半導体装置。
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