WO2020005009A1 - 반도체 소자 - Google Patents

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성연준
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Definitions

  • UV light emitting devices are difficult to implement vertically, and there is a problem in that light output is degraded due to oxidation of peeling and moisture.
  • the embodiment can provide a semiconductor device having excellent current dispersion efficiency.
  • a semiconductor device resistant to peeling and moisture can be provided.
  • a semiconductor device a conductive substrate; A second conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer, the second conductive semiconductor layer being disposed on the conductive substrate; A semiconductor structure including a conductive semiconductor layer, a plurality of recesses passing through the active layer and a portion of the first conductive semiconductor layer; A first electrode electrically connecting the first conductive semiconductor layer and the conductive substrate; A second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer; And an insulating layer disposed in the plurality of recesses, the plurality of recesses including a first recess extending along an outer surface of the semiconductor structure and a plurality of second recesses disposed inside the first recess.
  • the first electrode including a plurality of protruding electrodes extending into the second recess and electrically connected to the first conductive semiconductor layer, wherein the active layer is formed on a side surface of the semiconductor structure and the first electrode;
  • An inactive region disposed between the recesses, and an active region disposed inside the first recess, wherein the emission intensity of the inactive region is smaller than that of the active region.
  • FIG. 4 is a plan view of a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 5 is an enlarged view of a portion C of FIG. 4;
  • FIG. 8 is a plan view of a semiconductor device according to a third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 12 is a plan view of a semiconductor device according to a seventh embodiment of the present disclosure.
  • ordinal numbers such as second and first
  • first and second components may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.
  • second component may be referred to as the first component, and similarly, the first component may also be referred to as the second component.
  • the semiconductor structure according to the embodiment of the present invention may output light in the ultraviolet wavelength band.
  • the semiconductor structure may output light in the near ultraviolet wavelength range (UV-A), may output light in the far ultraviolet wavelength range (UV-B), and may emit light in the deep ultraviolet wavelength range (UV-C).
  • UV-A near ultraviolet wavelength range
  • UV-B far ultraviolet wavelength range
  • UV-C deep ultraviolet wavelength range
  • the wavelength range may be determined by the composition ratio of Al of the semiconductor structure.
  • the semiconductor structure may output light of various wavelengths having different intensities of light, and the peak wavelength of light having the strongest intensity relative to the intensity of other wavelengths among the wavelengths of light emitted is near ultraviolet, far ultraviolet, or seam. May be ultraviolet light.
  • the light of the near ultraviolet wavelength range may have a wavelength in the range of 320 nm to 420 nm
  • the light of the far ultraviolet wavelength range (UV-B) may have a wavelength in the range of 280 nm to 320 nm
  • deep ultraviolet Light in the wavelength band (UV-C) may have a wavelength in the range of 100nm to 280nm.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram of a semiconductor device according to a first embodiment
  • FIG. 2 is an enlarged view of portion A of FIG. 1
  • FIG. 3 is an enlarged view of portion B of FIG. 1.
  • the semiconductor device 10 may include a conductive substrate 170, a first conductive semiconductor layer 124, a second conductive semiconductor layer 127, and an active layer 126.
  • the first conductive semiconductor layer 124 may be formed of a compound semiconductor such as a group III-V group or a group II-VI, and may be doped with a first dopant.
  • the first conductive semiconductor layer 124 is a semiconductor material having a composition formula of In x1 Al y1 Ga 1-x1-y1 N (0 ⁇ x1 ⁇ 1, 0 ⁇ y1 ⁇ 1, 0 ⁇ x1 + y1 ⁇ 1), for example For example, it may be selected from AlGaN, InGaN, InAlGaN and the like.
  • the first dopant may be an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, or Te. When the first dopant is an n-type dopant, the first conductive semiconductor layer 124 doped with the first dopant may be an n-type semiconductor layer.
  • the active layer 126 may be disposed between the first conductivity type semiconductor layer 124 and the second conductivity type semiconductor layer 127.
  • the active layer 126 may be a layer in which electrons (or holes) injected through the first conductive semiconductor layer 124 and holes (or electrons) injected through the second conductive semiconductor layer 127 are recombined.
  • the active layer 126 may transition to a low energy level, and may generate light having a wavelength corresponding to the bandgap energy of the well layer to be described later included in the active layer 126.
  • the wavelength of the light having the greatest intensity among the wavelengths of the light emitted by the semiconductor device may be ultraviolet rays, and the ultraviolet rays may be the above-described near ultraviolet rays, deep ultraviolet rays, or deep ultraviolet rays.
  • the active layer 126 may have any one of a single well structure, a multi well structure, a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum dot structure, or a quantum line structure, and the active layer 126.
  • the structure of is not limited to this.
  • the second conductive semiconductor layer 127 is formed on the active layer 126, and may be implemented as a compound semiconductor such as a group III-V group or a group II-VI.
  • the second conductive semiconductor layer 127 may be a second semiconductor layer 127.
  • Dopants may be doped.
  • the second conductivity-type semiconductor layer 127 is a semiconductor material or AlGaN having a composition formula of In x5 Al y2 Ga 1-x5-y2 N (0 ⁇ x5 ⁇ 1, 0 ⁇ y2 ⁇ 1, 0 ⁇ x5 + y2 ⁇ 1). , AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP may be formed of a material selected from.
  • the second dopant is a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba
  • the second conductive semiconductor layer 127 doped with the second dopant may be a p-type semiconductor layer.
  • the semiconductor structure 120 penetrates through the second conductivity type semiconductor layer 127 and the active layer 126 and is disposed up to a partial region of the first conductivity type semiconductor layer 124 and the plurality of second recesses 128. It may include a recess 129.
  • the first recess 128 may extend continuously along the side of the semiconductor structure 120.
  • the first recess 128 may be a single recess extending along an outer surface of the semiconductor structure 120 to form a closed loop, but is not necessarily limited thereto, and may be divided into a plurality of recesses.
  • the semiconductor structure 120 may be formed by the first recess 128 so that the semiconductor structure 120 may have a first region OA1 disposed outside the first recess 128 and a second region disposed inside the first recess 128. IA1).
  • the plurality of second recesses 129 may be disposed inside the first recess 128.
  • the second recess 129 may have a first connection electrode 142 disposed therein to serve as a passage for injecting current into the first conductive semiconductor layer 124.
  • the active layer 126 has an inactive region in the first region OA1 and an active region in the second region OA2.
  • electrons and holes may be injected through the first conductive semiconductor layer 124 and the second conductive semiconductor layer 127 to generate light having a maximum intensity in the ultraviolet wavelength range.
  • the inactive region of the active layer 126 may absorb light radiated from the active region or the outside to weakly emit excited electrons through recombination. Thus, the active region may have a higher emission intensity than the inactive region.
  • the passivation layer 180 surrounding the side surface and the upper surface of the semiconductor structure 120 may be exposed to the semiconductor structure 120 by heat generation due to the operation of the semiconductor device, external high temperature, high humidity, and thermal expansion coefficient difference from the semiconductor structure 120. Peeling may occur. Alternatively, cracks may occur in the passivation layer 180.
  • the semiconductor structure 120 may be oxidized by external moisture or contaminants that penetrate into the semiconductor structure 120 from the outside.
  • the first recess 128 may be disposed between the active layer 126 of the first region OA1 and the active layer 126 of the second region IA1.
  • the distance between the active layer 126 of the first region OA1 and the active layer 126 of the second region IA1 may increase by the first recess 128. Therefore, even if the active layer 126 of the first region OA1 is oxidized, the active layer 126 of the second region IA1 may be prevented from being oxidized by the first recess 128.
  • the ratio of the area of the first recess 128 to the area of the second recess 129 may be 1: 6 to 1:10.
  • the area ratio is smaller than 1: 6 (eg, 1: 5)
  • the ratio of the second recesses 129 to the semiconductor elements may be reduced, thereby lowering the light output.
  • the area ratio is greater than 1:10, the maximum width of the first recess 128 may be reduced, which may make it difficult to effectively block humidity or crack propagation from the outside.
  • the first insulating layer 131 is disposed under the semiconductor structure 120 to electrically connect the first connection electrode 142 with the active layer 126 and the second conductive semiconductor layer 127. It can be insulated.
  • the first insulating layer 131 may be formed by selecting at least one selected from the group consisting of SiO 2 , SixOy, Si 3 N 4 , SixNy, SiOxNy, Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, and the like, but is not limited thereto. .
  • the first insulating layer 131 may be formed in a single layer or multiple layers.
  • the first insulating layer 131 may be a distributed Bragg reflector (DBR) having a multilayer structure including an Si oxide or a Ti compound.
  • DBR distributed Bragg reflector
  • the present invention is not limited thereto, and the first insulating layer 131 may include various reflective structures.
  • the first insulating layer 131 may include a first insulating portion 131b disposed inside the first recess 128 and a second insulating portion 131a disposed inside the second recess 129. Can be.
  • the first insulating portion 131b and the second insulating portion 131a may be connected to each other on the bottom surface of the second conductive semiconductor layer 127.
  • the first insulating portion 131b may be disposed in the entirety of the first recess 128 to electrically insulate the first conductive layer 165 from the first conductive semiconductor layer 124. Therefore, current may be hardly dispersed in the active layer 126 disposed outside the first recess 128. Since the first insulating part 131b is disposed inside the first recess 128, the side surface of the active layer 126 may be more effectively prevented from being oxidized.
  • the second recess 129 should be formed to a region where the contact resistance of the first conductive type semiconductor layer 124 and the first connection electrode 142 are low, whereas the first recess 128 is formed of an active layer ( 126) may be sufficient to separate the height.
  • the height of the second recess 129 may be higher than the first recess 128.
  • the height of the first recess 128 may be higher than the height of the second recess 129 to effectively prevent lateral oxidation.
  • the first connection electrode 142 may be disposed in the second recess 129 to be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 124.
  • the second conductive semiconductor layer 127 of the second connection electrode 146 may be disposed on the bottom of the electrically connected.
  • the first conductive layer 165 may include a plurality of protruding electrodes 165a that are electrically connected to the plurality of first connection electrodes 142 through the second recess 129 and the second insulating layer 132. Can be. Therefore, the first conductive layer 165 and the plurality of first connection electrodes 142 may be defined as first electrodes.
  • the second conductive layer 150 may be disposed on the conductive substrate 170 and may be disposed between the electrode pad and the semiconductor structure 120 and the substrate 170.
  • the second conductive layer 150 may be disposed between the first insulating layer 131 and the second connection electrode 146.
  • the second conductive layer 150 may include a first conductive region 150-1 and a second conductive region 150-2.
  • the first conductive region 150-1 is disposed inside the first recess 128, and the second conductive region 150-2 faces the electrode pad in the 2-1 conductive region 150-1. Can be extended.
  • the second conductive layer 150 is disposed to be surrounded by the first recess 128, but extends from the portion adjacent to the electrode pad 166 to the electrode pad 166 disposed outside the semiconductor structure 120. Can be arranged. That is, the first conductive region 150-1 is surrounded by the first recess 128, and the second conductive region 150-2 is external to the semiconductor structure 120 in the first conductive region 150-1. It may extend to the electrode pad 166 disposed in the.
  • the second insulating layer 132 may electrically insulate the first conductive layer 165 and the second conductive layer 150.
  • the first insulating layer 131 and the second insulating layer 132 may be made of the same material or may be made of different materials.
  • first insulating layer 131 and the second insulating layer 132 are formed of one layer, defects such as cracks may easily propagate in the thickness direction. Therefore, external moisture or contaminants may penetrate into the semiconductor structure 120 through defects exposed to the outside.
  • the bonding layer 160 may be disposed along the shape of the bottom surface of the semiconductor structure 120 and the second recess 129.
  • the bonding layer 160 may comprise a conductive material.
  • the bonding layer 160 may include a material selected from the group consisting of gold, tin, indium, aluminum, silicon, silver, nickel, and copper, or an alloy thereof.
  • Unevenness may be formed on the upper surface of the semiconductor structure 120. Such unevenness may improve extraction efficiency of light emitted from the semiconductor structure 120.
  • the unevenness may have a different average height according to the ultraviolet wavelength, and in the case of UV-C, the light extraction efficiency may be improved when the UV-C has a height of about 300 nm to 800 nm and an average of about 500 nm to 600 nm.
  • the maximum height h3 of the bonding layer 165 from the bottom surface 132a in the first recess 128 may be 0.4 ⁇ m to 0.6 ⁇ m.
  • the maximum height h5 of the second insulating layer 132 from the bottom surface 132a in the vertical direction (Z direction) in the first recess 128 may be 1.7 ⁇ m to 2.1 ⁇ m.
  • the maximum height h6 of the first insulating layer 131 from the bottom surface 132a in the vertical direction in the first recess 128 may be 2.4 ⁇ m to 2.6 ⁇ m.
  • the upper surface of the first recess 128 may have a horizontal minimum width W5 of 2 ⁇ m to 8 ⁇ m.
  • An area of the first active layer 126a disposed outside the first recess 128 may be larger than an area of the second active layer 126b disposed inside the first recess 128.
  • FIG. 4 is a plan view of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 5 is an enlarged view of a portion C of FIG. 4
  • FIG. 6 is a plan view of a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention
  • FIG. 7. Is a graph showing the correlation between the number of recesses and the light output.
  • the first recess 128 may be disposed along the outer surface of the semiconductor structure 120 to form a closed-loop in plan view. Therefore, the semiconductor structure 120 may be partitioned into the first region OA1 and the second region IA1 by a closed loop formed of the first recess 128.
  • the present invention is not limited thereto, and a plurality of first recesses 128 may be disposed along the edge of the semiconductor structure 120.
  • the first region OA1 may be an outer region of the first recess 128, and the second region IA1 may be an inner region of the first recess 128.
  • the first region OA1 may be an inactive region in which electrons and holes are not bonded, and the second region IA1 may be an active region which is disposed inside the first recess 128 to emit light. Therefore, the light emission intensity of the first region OA1 may be lower than the light emission intensity of the second region IA1.
  • electrons and holes may be injected through the first conductive semiconductor layer 124 and the second conductive semiconductor layer 127 to generate light having a maximum intensity in the ultraviolet wavelength range.
  • the inactive region OA1 absorbs light emitted from the active region or the outside and emits the excited electrons through recombination.
  • the emission intensity of the inactive region may be very weak compared to the emission intensity of the active region.
  • the inactive region may not emit light at all.
  • the semiconductor structure 120 may be oxidized by external moisture or contaminants that penetrate into the semiconductor structure 120 from the outside. Since the active layer 126 of the ultraviolet light emitting device has a high Al composition, the active layer 126 may be more vulnerable to oxidation. The first recess 128 may block the active layer 126 of the second region IA1 from being oxidized when the active layer 126a of FIG. 3 is oxidized.
  • the effective light emitting area P2 may be defined as an area up to a boundary point having a current density of 40% or less based on the current density in the first connection electrode 142 having the highest current density.
  • the first connection electrode 142 may be defined as a region that is 2 to 5 times the diameter. For example, the distance between 5 ⁇ m and 40 ⁇ m from the center of the inner recess 129a may be defined as the boundary point.
  • the effective light emitting region P2 may vary depending on the level of the injection current and the composition of Al.
  • the low current density region P3, which is outside the effective light emitting region P2, may have a low current density and hardly contribute to light emission. Accordingly, the ultraviolet semiconductor device may improve the light output by disposing more first connection electrodes 142 in the low current density region P3 having a low current density.
  • the area of the low current density region P3 is reduced by increasing the number of first connection electrodes 142 in the central portion.
  • the active layer should include Al to emit ultraviolet light, and in order to secure crystallinity, the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer also need to include Al having a high composition.
  • the first connection electrode 142 may not be sufficiently disposed at the edge of the semiconductor structure 120, so that a region having a relatively low emission intensity may occur. That is, even if the number of recesses increases, the edge of the semiconductor structure 120 may not be injected with current, so that the low current density region P3 may partially occur.
  • the plurality of second recesses 129 may be divided into an inner recess and an outer recess.
  • the inner recess may be defined as a recess in which the number of the nearest second recesses 129 is smaller than N
  • the outer recess is a recess in which the number of the nearest second recesses 129 is smaller than N.
  • the inner recess may be defined as a recess surrounded by six recesses
  • the outer recess may be defined as a recess surrounded by two to five recesses.
  • the emission intensity ratio of the second-second area A12 and the second-first area A11 may be 1: 0.5 to 1: 0.8.
  • the emission intensity ratio is greater than or equal to 1: 0.5
  • the area of the first recess 128 and the first connection electrode 142 is increased to increase the emission intensity of the second-first region A11, and the emission intensity ratio is less than 1: 0.8.
  • an area of the light-emitting active layer 126 may be secured, thereby preventing the light output from being excessively reduced.
  • the emission intensity of the second-first region A11 may be lower than that of the second-second region A12 and higher than the outer region (first region) of the first recess 128.
  • the plurality of second recesses 129 may include a plurality of inner recesses 129a having the number of the nearest second recesses 129 and the number of the nearest second recesses 129. It may include a plurality of outer recesses (129b) less than N.
  • the outer recess 129b may be the second recess 129 closest to the side surfaces S1, S2, S3, and S4 of the semiconductor structure 120.
  • the inner recesses 129a may be surrounded by the six nearest recesses 129. That is, the distance between the six recesses 129 constituting the vertex of the hexagon BL2 and the second recess 129 disposed in the hexagon may be the same.
  • the present invention is not limited thereto, and the inner recess 129a may be a structure (eg, a pentagon or an octagon) surrounded by the five or eight adjacent second recesses 129.
  • the outer recesses 129b may have fewer than N neighboring recesses. For example, when the number of the closest recesses surrounding the inner recess 129a is six, the outer recess 129b may be surrounded by two to five recesses. The outer recess 129b may be surrounded by two second recesses 129, or may be surrounded by four second recesses 129.
  • the outer recess 129b may be defined as a recess disposed at the nearest position along the side surfaces S1, S2, S3, and S4 of the semiconductor structure 120. That is, the outer recess 129b may be a collection of second recesses 129 disposed on the outermost side of the plurality of second recesses 129. Therefore, since the recesses cannot be disposed between the outer recesses 129b and the side surfaces S1, S2, S3, and S4 of the semiconductor structure 120, the number of recesses surrounding the outer recesses 129b is equal to the inner recesses. It may be less than the number of recesses surrounding the recess 129a.
  • the outer recess 129b may have at least one of a diameter and a shape different from the inner recess 129a.
  • the outer recess 129b may have a different diameter from the inner recess 129a, or may have a different shape.
  • both a shape and a diameter may differ.
  • the light emission intensity ratio of the outer region of the closed loop BL1 extending from the center of the plurality of outer recesses 129b and the inner region of the closed loop BL1 can be controlled to be 1: 0.5 to 1: 0.8.
  • the semiconductor structure 120 has a first side surface S1 and a third side surface S3 facing each other on a plane, a second side surface S2 and a fourth side surface S4 facing each other, a first side surface S1 and a first side surface.
  • a third edge portion V3 connecting S4 and a fourth edge portion V4 connecting the fourth side surface S4 and the first side surface S1 may be included.
  • the current spreading efficiency may be lowered because the area of the pad is relatively small.
  • the current injection efficiency may be lowered when a high current is applied.
  • the current injection efficiency may be defined as a ratio of the amount of the total current applied to the optical device to reach the active layer 126, but is not necessarily limited thereto. That is, the number of electrode pads may be appropriately adjusted according to the characteristics and uses of the semiconductor device.
  • the plurality of first outer recesses 129b-1 are different from the shortest distance from the first side surface S1
  • the plurality of second outer recesses 129b-2 are different from the second side surface S2.
  • the shortest distances are the same
  • the plurality of third outer recesses 129b-3 differ from the shortest distance from the third side surface S3
  • the plurality of fourth outer recesses 129b-4 have the fourth side surface (
  • the shortest distance from S4) may be the same
  • the plurality of fifth outer recesses 129b-5 may have a shortest distance from the recess.
  • first outer recess 129b-1 and the third outer recess 129b-3 may be zigzag in the first direction.
  • second outer recess 129b-2 and the fourth outer recess 129b-4 may be disposed parallel to the side surface of the semiconductor structure 120 in the second direction.
  • the diameter d2 of the first outer recess 129b-1 and the third outer recess 129b-3 may correspond to the second outer recess 129b-2 and the fourth outer recess 129b-2.
  • 129b-4) may be larger than the diameter (d3).
  • the first outer recess 129b-1 and the third outer recess 129b-3 may be a set of recesses 123-1 having a first diameter, and the second outer recess 129b-2 is formed.
  • the fourth outer recess 129b-4 may be a set of recesses 123-2 having a second diameter. Accordingly, the area of the first connection electrode 142 disposed in the recess 123-1 having the first diameter is equal to that of the first connection electrode 142 disposed in the recess 123-2 having the second diameter. It may be larger than the area.
  • the diameter d2 of the first outer recess 129b-1 is equal to the second interval. It may be larger than the diameter (d3) of the outer recess (129b-2). Similarly, the diameter d2 of the third outer recess 129b-3 may be larger than the diameter d2 of the fourth outer recess 129b-4.
  • the first outer recess 129b-1 having a relatively large spacing is formed to have a wide diameter to distribute current to the side surface of the semiconductor structure 120, and the second outer recess 129b-2 having a relatively narrow spacing. ) Can be made small in diameter to prevent unnecessary light emission area.
  • the diameter ratio d1: d2 of the inner recess 129a and the first outer recess 129b-1 may be 1: 1.4 to 1: 2.0.
  • the diameter ratio d1: d2 is greater than 1: 1.4, the area of the first outer recess 129b-1 may increase to distribute current to the side surface of the semiconductor structure 120.
  • the diameter ratio d1: d2 is smaller than 1: 2.0, the area of the first outer recess 129b-1 may be too large to prevent the emission area from being excessively reduced.
  • a plurality of second recesses 129 may include a second recess nearest to a plurality of inner recesses 129a having the number of the nearest second recesses 129 (N).
  • a plurality of outer recesses 129b having a smaller number than 129 and a plurality of third recesses 129c disposed between the plurality of outer recesses 129b may be included.
  • the inner recesses 129a may be surrounded by the six nearest recesses.
  • the nearest recess may be the same diameter as the inner recess 129a. That is, the distance between the six recesses forming the vertex of the hexagon and the second recess 129 disposed in the hexagon may be the same.
  • the present invention is not limited thereto, and the inner recess 129a may be a structure (eg, a pentagon or an octagon) surrounded by the five or eight nearest recesses.
  • the shape of the third recess 129c may be variously modified.
  • the third recess 129c may have a shape different from that of the inner recess 129a and the outer recess 129b.
  • the inner recess 129a and the outer recess 129b may have a circular shape, whereas the third recess 129c may have an elliptic shape.
  • the light transmitting layer 4 may cover the groove 3.
  • the light transmitting layer 4 may be made of glass, but is not limited thereto.
  • the light transmitting layer 4 is not particularly limited as long as it is a material that can effectively transmit ultraviolet light.
  • the inside of the groove 3 may be an empty space.
  • the semiconductor device can be applied to various kinds of light source devices.
  • the light source device may be a concept including a sterilizing device, a curing device, a lighting device, and a display device and a vehicle lamp. That is, the semiconductor device may be applied to various electronic devices disposed in a case to provide light.
  • the sterilization apparatus may include a semiconductor device according to the embodiment to sterilize a desired region.
  • the sterilizer may be applied to household appliances such as water purifiers, air conditioners and refrigerators, but is not necessarily limited thereto. That is, the sterilization apparatus can be applied to all the various products (eg, medical devices) requiring sterilization.
  • the water purifier may be provided with a sterilizing device according to the embodiment to sterilize the circulating water.
  • the sterilization apparatus may be disposed at a nozzle or a discharge port through which water circulates to irradiate ultraviolet rays.
  • the sterilization apparatus may include a waterproof structure.
  • the curing apparatus includes a semiconductor device according to an embodiment to cure various kinds of liquids.
  • the liquid may be a concept including all of various materials that are cured when ultraviolet rays are irradiated.
  • the curing apparatus may cure various kinds of resins.
  • the curing device may be applied to cure a cosmetic product such as a nail polish.
  • the lighting apparatus may include a light source module including a substrate and the semiconductor device of the embodiment, a heat dissipation unit for dissipating heat of the light source module, and a power supply unit for processing or converting an electrical signal provided from the outside and providing the light source module to the light source module.
  • the lighting apparatus may include a lamp, a head lamp, or a street lamp.
  • the reflecting plate is disposed on the bottom cover, and the light emitting module may emit light.
  • the light guide plate may be disposed in front of the reflective plate to guide light emitted from the light emitting module to the front, and the optical sheet may include a prism sheet or the like to be disposed in front of the light guide plate.
  • the display panel is disposed in front of the optical sheet, the image signal output circuit supplies an image signal to the display panel, and the color filter may be disposed in front of the display panel.

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Abstract

실시 예는, 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 배치되며, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하고, 상기 제2 도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제1 도전형 반도체층의 일부 영역까지 관통하는 복수의 리세스를 포함하는 반도체 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 도전성 기판을 전기적으로 연결하는 제1 전극; 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극; 및 상기 복수의 리세스 내에 배치되는 절연층을 포함하고, 상기 복수의 리세스는 상기 반도체 구조물의 외측면을 따라 연장되는 제1 리세스 및 상기 제1 리세스의 내측에 배치되는 복수 개의 제2 리세스를 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 제2 리세스 내로 연장되어 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 복수의 돌출 전극을 포함하고, 상기 활성층은 상기 반도체 구조물 측면과 상기 제1 리세스 사이에 배치된 비활성영역, 및 상기 제1 리세스의 내측에 배치된 활성영역을 포함하고, 상기 비활성영역의 발광 강도는 상기 활성영역의 발광 강도보다 작은 반도체 소자를 개시한다.

Description

반도체 소자
실시 예는 반도체 소자에 관한 것이다.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.
특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해, 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다.
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용할 수 있다.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 Gas나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.
특히, 자외선 파장 영역의 광을 방출하는 발광소자는 경화작용이나 살균 작용을 하여 경화용, 의료용, 및 살균용으로 사용될 수 있다
최근 자외선 발광소자에 대한 연구가 활발하나, 아직까지 자외선 발광소자는 수직형으로 구현하기 어려운 문제가 있으며, 박리와 습기에 산화되어 광출력이 저하되는 문제가 존재한다.
또한, 자외선 파장대의 광을 생성하기 위해서는 알루미늄 조성이 높아지므로 전류 분산 효율이 저하되는 문제가 있다. 따라서, 반도체 구조물의 측면에서 발광 효율이 저하되는 문제가 있다.
실시 예는 전류 분산 효율이 우수한 반도체 소자를 제공할 수 있다.
또한, 박리와 습기에 강한 반도체 소자를 제공할 수 있다.
또한, 발광 균일도가 개선된 반도체 소자를 제공할 수 있다.
또한, 광 출력이 우수한 반도체 소자를 제공할 수 있다.
실시 예에서 해결하고자 하는 과제는 이에 한정되는 것은 아니며, 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 포함된다고 할 것이다.
본 발명의 일 특징에 따른 반도체 소자는, 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 배치되며, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하고, 상기 제2 도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제1 도전형 반도체층의 일부 영역까지 관통하는 복수의 리세스를 포함하는 반도체 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 도전성 기판을 전기적으로 연결하는 제1 전극; 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극; 및 상기 복수의 리세스 내에 배치되는 절연층을 포함하고, 상기 복수의 리세스는 상기 반도체 구조물의 외측면을 따라 연장되는 제1 리세스 및 상기 제1 리세스의 내측에 배치되는 복수 개의 제2 리세스를 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 제2 리세스 내로 연장되어 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 복수의 돌출 전극을 포함하고, 상기 활성층은 상기 반도체 구조물 측면과 상기 제1 리세스 사이에 배치된 비활성영역, 및 상기 제1 리세스의 내측에 배치된 활성영역을 포함하고, 상기 비활성영역의 발광 강도는 상기 활성영역의 발광 강도보다 작다.
실시 예에 따르면, 반도체 소자의 광 출력이 개선될 수 있다.
또한, 반도체 소자의 발광 영역을 외부의 수분이나 기타 오염 물질로부터 차단함에 따라 신뢰성이 개선된 반도체 소자를 제작할 수 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 소자의 개념도이고,
도 2는 도 1의 A 부분 확대도이고,
도 3은 도 1의 B 부분 확대도이고,
도 4는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면도이고,
도 5는 도 4의 C 부분 확대도이고,
도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면도이고,
도 7은 리세스의 개수와 광 출력의 상관관계를 보여주는 그래프이고,
도 8은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면도이고,
도 9는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면도이고,
도 10은 본 발명의 제5 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면도이고,
도 11은 본 발명의 제6 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면도이고,
도 12는 본 발명의 제7 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면도이고,
도 13은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 개념도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제2, 제1 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 구조물은 자외선 파장대의 광을 출력할 수 있다. 예시적으로 반도체 구조물은 근자외선 파장대의 광(UV-A)을 출력할 수도 있고, 원자외선 파장대의 광(UV-B)을 출력할 수 도 있고, 심자외선 파장대의 광(UV-C)을 출력할 수 있다. 파장범위는 반도체 구조물의 Al의 조성비에 의해 결정될 수 있다. 또한, 반도체 구조물은 광의 세기가 서로 다른 다양한 파장의 광을 출력할 수 있고, 발광하는 광의 파장 중 다른 파장의 세기에 비해 상대적으로 가장 강한 세기를 갖는 광의 피크 파장이 근자외선, 원자외선, 또는 심자외선일 수 있다.
예시적으로, 근자외선 파장대의 광(UV-A)은 320nm 내지 420nm 범위의 파장을 가질 수 있고, 원자외선 파장대의 광(UV-B)은 280nm 내지 320nm 범위의 파장을 가질 수 있으며, 심자외선 파장대의 광(UV-C)은 100nm 내지 280nm 범위의 파장을 가질 수 있다.
도 1은 제1 실시예에 따른 반도체 소자의 개념도이고, 도 2는 도 1의 A부분 확대도이고, 도 3은 도 1의 B부분 확대도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 실시 예에 따른 반도체 소자(10)는 도전성 기판(170), 제1 도전형 반도체층(124), 제2 도전형 반도체층(127), 및 활성층(126)을 포함하는 반도체 구조물(120), 제1 도전형 반도체층(124)과 전기적으로 연결되는 제1 연결전극(142), 제2 도전형 반도체층(127)과 전기적으로 연결되는 제2 연결전극(146)을 포함할 수 있다.
제1 도전형 반도체층(124)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(124)은 Inx1Aly1Ga1-x1-y1N(0≤x1≤1, 0≤y1≤1, 0≤x1+y1≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 AlGaN, InGaN, InAlGaN 등에서 선택될 수 있다. 그리고, 제1 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te와 같은 n형 도펀트일 수 있다. 제1 도펀트가 n형 도펀트인 경우, 제1 도펀트가 도핑된 제1 도전형 반도체층(124)은 n형 반도체층일 수 있다.
활성층(126)은 제1 도전형 반도체층(124)과 제2 도전형 반도체층(127) 사이에 배치될 수 있다. 활성층(126)은 제1 도전형 반도체층(124)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 제2 도전형 반도체층(127)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 재결합되는 층일 수 있다.
활성층(126)은 전자와 정공이 재결합함에 따라, 전자가 낮은 에너지 준위로 천이하며, 활성층(126)이 포함하는 후술될 우물층의 밴드갭 에너지에 대응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다. 상기 반도체 소자가 방출하는 광의 파장 중 상대적으로 가장 큰 세기를 갖는 광의 파장은 자외선일 수 있고, 상기 자외선은 상술한 근자외선, 원자외선, 심자외선일 수 있다.
활성층(126)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(Multi Quantum Well; MQW) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나의 구조를 가질 수 있으며, 활성층(126)의 구조는 이에 한정하지 않는다.
제2 도전형 반도체층(127)은 활성층(126) 상에 형성되며, Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(127)에 제2 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(127)은 Inx5Aly2Ga1-x5-y2N (0≤x5≤1, 0≤y2≤1, 0≤x5+y2≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 선택된 물질로 형성될 수 있다. 제2 도펀트가 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트인 경우, 제2 도펀트가 도핑된 제2 도전형 반도체층(127)은 p형 반도체층일 수 있다.
활성층(126)과 제2 도전형 반도체층(127) 사이에는 전자 차단층(미도시됨)이 배치될 수 있다. 전자 차단층(미도시됨)은 제1 도전형 반도체층(124)에서 활성층(126)으로 공급되는 전자(electron)가 활성층(126)에서 재결합하여 발광하지 않고, 제2 도전형 반도체층(127)으로 빠져나가는 흐름을 차단하여, 활성층(126) 내에서 전자와 정공이 재결합할 확률을 높일 수 있다. 전자 차단층(미도시됨)의 에너지 밴드갭은 활성층(126) 및/또는 제2 도전형 반도체층(127)의 에너지 밴드갭보다 클 수 있다.
제1 도전형 반도체층(124), 활성층(126), 및 제2 도전형 반도체층(127)은 모두 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 따라서, 제1 도전형 반도체층(124), 활성층(126), 및 제2 도전형 반도체층(127)의 조성은 모두 AlGaN일 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 반도체층의 조성은 출력 파장에 따라 적절히 조절될 수 있다.
반도체 구조물(120)은 제2 도전형 반도체층(127) 및 활성층(126)을 관통하고 제1 도전형 반도체층(124)의 일부 영역까지 배치되는 제1 리세스(128) 및 복수 개의 제2 리세스(129)를 포함할 수 있다.
제1 리세스(128)는 반도체 구조물(120)의 측면을 따라 연속적으로 연장될 수 있다. 제1 리세스(128)는 반도체 구조물(120)의 외측면을 따라 연장되어 폐루프를 이루는 단일의 리세스일 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 복수 개의 리세스로 분할될 수도 있다.
제1 리세스(128)에 의해 반도체 구조물(120)은 제1 리세스(128)의 외측에 배치되는 제1 영역(OA1) 및 제1 리세스(128)의 내측에 배치되는 제2 영역(IA1)으로 구분될 수 있다.
복수 개의 제2 리세스(129)는 제1 리세스(128)의 내측에 배치될 수 있다. 제2 리세스(129)는 내부에 제1 연결전극(142)이 배치되어 제1 도전형 반도체층(124)에 전류를 주입하는 통로 역할을 수행할 수 있다.
제1 영역(OA1)은 제1 리세스(128)의 외측 영역일 수 있고, 제2 영역(IA1)은 제1 리세스(128)의 내측 영역일 수 있다. 그리고 제1 영역(OA1)은 전자와 정공 결합이 일어나지 않는 비 발광 영역이며, 제2 영역(IA1)은 전류가 분산되는 영역이므로 발광 영역일 수 있다.
활성층(126)은 제1 영역(OA1)에서 비활성영역을 갖고, 제2 영역(OA2)에서 활성영역을 갖는다. 활성영역은 제1 도전형 반도체층(124) 및 제2 도전형 반도체층(127)을 통해 전자와 정공이 주입되어 자외선 파장대에서 최대 강도를 갖는 광이 생성될 수 있다. 활성층(126)의 비활성영역은 활성영역 또는 외부에서 조사되는 빛을 흡수하여 여기된 전자가 재결합을 통해 약하게 발광할 수 있다. 따라서, 활성영역은 비활성영역보다 발광 강도가 높을 수 있다.
반도체 구조물(120)의 측면, 상면을 감싸는 패시베이션층(180)은 반도체 소자의 동작에 의한 발열, 외부의 고온, 고습, 및 반도체 구조물(120)과의 열팽창 계수 차이 등에 의해 반도체 구조물(120)과 박리가 발생할 수 있다. 또는 패시베이션층(180)에 크랙 등이 발생할 수 있다.
패시베이션층(180)에 박리, 크랙 등이 발생할 경우, 외부에서 반도체 구조물(120)로 침투하는 외부의 수분이나 오염 물질 등에 의해 반도체 구조물(120)이 산화될 수 있다.
자외선 발광소자의 경우 활성층(126)의 Al 조성이 상대적으로 높으므로 산화에 더욱 취약할 수 있다. 만약 반도체 구조물(120)의 측벽이 크랙 등에 의해 노출된 경우 활성층(126)은 급격히 산화될 수 있다. 따라서, 광 출력이 저하될 수 있다.
그러나, 실시예에 따르면 제1 리세스(128)가 제1 영역(OA1)의 활성층(126)과 제2 영역(IA1)의 활성층(126) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 제1 리세스(128)에 의해 제1 영역(OA1)의 활성층(126)과 제2 영역(IA1)의 활성층(126) 사이의 거리가 증가할 수 있다. 따라서, 제1 영역(OA1)의 활성층(126)이 산화되더라도 제2 영역(IA1)의 활성층(126)은 제1 리세스(128)에 의해 산화가 방지될 수 있다.
제1 리세스(128)의 면적과 제2 리세스(129)의 면적의 비는 1:6 내지 1:10일 수 있다. 면적 비가 1:6보다 작은 경우(예: 1:5), 제2 리세스(129)가 반도체 소자에서 차지하는 비율이 감소하여 광 출력이 저하될 수 있다. 또한, 면적 비가 1:10보다 큰 경우, 제1 리세스(128)의 최대 폭이 감소하여 외부에서 유입되는 습도 또는 크랙 전파를 효과적으로 차단하기 어려워질 수 있다.
도 2를 참조하면, 제1 절연층(131)은 반도체 구조물(120)의 하부에 배치되어, 제1 연결전극(142)을 활성층(126) 및 제2 도전형 반도체층(127)과 전기적으로 절연시킬 수 있다.
제1 절연층(131)은 SiO2, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 제1 절연층(131)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 예시적으로 제1 절연층(131)은 Si 산화물이나 Ti 화합물을 포함하는 다층 구조의 DBR(distributed Bragg reflector)일 수도 있다. 그러나, 반드시 이에 한정하지 않고 제1 절연층(131)은 다양한 반사 구조를 포함할 수 있다.
제1 절연층(131)은 제1 리세스(128)의 내부에 배치되는 제1 절연부(131b) 및 제2 리세스(129)의 내부에 배치되는 제2 절연부(131a)를 포함할 수 있다. 제1 절연부(131b)와 제2 절연부(131a)는 제2 도전형 반도체층(127)의 하부면에서 서로 연결될 수 있다.
제1 절연부(131b)는 제1 리세스(128)의 내부에 전체적으로 배치되어 제1 도전층(165)과 제1 도전형 반도체층(124)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 따라서 제1 리세스(128)의 외측에 배치되는 활성층(126)에는 전류가 거의 분산되지 않을 수 있다. 제1 리세스(128)의 내부에 제1 절연부(131b)가 배치되므로 활성층(126)의 측면이 산화되는 것을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다.
제2 절연부(131a)는 제2 리세스(129)의 내부에 배치되고 관통홀(TH1)이 형성될 수 있다. 제1 연결전극(142)은 제2 절연부(131a)의 관통홀(TH1) 내에 배치되어 제1 도전형 반도체층(124)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로 제1 연결전극(142)은 제1 도전형 반도체층(124) 내에서 상대적으로 저알루미늄층(142b)에 배치될 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다.
제2 리세스(129)의 높이(h1)는 제1 리세스(128)의 높이(h1)와 동일할 수 있다. 또한, 제2 리세스(129)의 경사각도(θ1)는 제1 리세스(128)의 경사각도(θ2)와 동일할 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 제1 리세스(128)와 제2 리세스(129)의 높이는 상이할 수도 있고, 제1 리세스(128)와 제2 리세스(129)의 경사 각도는 상이할 수도 있다. 또한, 제2 리세스(129)의 제1방향(X축 방향) 폭은 제1 리세스(128)의 제1방향 폭보다 클 수 있다.
예시적으로 제2 리세스(129)는 제1 도전형 반도체층(124) 중에서 제1 연결전극(142)과 접촉 저항이 낮은 영역까지 형성되어야 하는 반면, 제1 리세스(128)는 활성층(126)을 분리시킬 수 있는 높이이면 충분할 수도 있다. 따라서, 제2 리세스(129)의 높이는 제1 리세스(128) 보다 높을 수도 있다. 이와 반대로 측면 산화를 효과적으로 방지하기 위해 제1 리세스(128)의 높이가 제2 리세스(129)의 높이보다 높을 수도 있다.
제1 연결전극(142)은 제2 리세스(129)의 내부에 배치되어 제1 도전형 반도체층(124)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제2 연결전극(146)의 제2 도전형 반도체층(127)의 저면에 배치되어 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 연결전극(142)과 제2 연결전극(146)은 오믹전극일 수 있다. 제1 연결전극(142)과 제2 연결전극(146)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 이러한 재료에 한정되는 않는다. 예시적으로, 제1 연결전극(142)은 복수의 금속층(예: Cr/Al/Ni)을 갖고, 제2 연결전극(146)은 ITO일 수 있다.
제1 도전층(165)은 제2 리세스(129) 및 제2 절연층(132)을 관통하여 복수 개의 제1 연결전극(142)과 전기적으로 연결되는 복수 개의 돌출 전극(165a)을 포함할 수 있다. 따라서, 제1 도전층(165)과 복수 개의 제1 연결전극(142)은 제1 전극으로 정의할 수 있다.
제1 도전층(165)은 반사율이 우수한 물질로 이루어질 수 있다. 예시적으로 제1 도전층(165)은 Ti, Ni, Al 등의 금속을 포함할 수 있다. 예시적으로 제1 도전층(165)이 알루미늄을 포함하는 경우 활성층(126)에서 출사된 자외선 광을 상부로 반사시킬 수 있다.
제2 도전층(150)은 제2 연결전극(146)을 덮을 수 있다. 따라서, 제2 연결전극패드(166)와, 제2 도전층(150), 및 제2 연결전극(146)은 하나의 전기적 채널을 형성할 수 있다. 따라서, 제2 연결전극(146)과 제2 도전층(150)을 제2 전극으로 정의할 수도 있다. 제2 도전층(150)은 제2 연결전극(146)과 제1 절연층(131) 사이의 이격 공간(D1)에 배치되어 제1 도전형 반도체층(124)과 쇼트키 접합될 수 있다. 따라서, 전류 분산 효율이 개선될 수 있다.
제2 도전층(150)은 제1 절연층(131)과 접착력이 좋은 물질로 이루어지며, Cr, Ti, Ni, Au 등의 물질로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질 및 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 단일층 혹은 복수의 층으로 이루어질 수 있다.
제2 도전층(150)은 제1 절연층(131)의 하부에 배치될 수 있다. 제2 도전층(150)은 제1 절연층(131)과 제2 절연층(132) 사이에 배치될 수 있다. 이에 따라, 제2 도전층(150)은 외부 습기 또는 오염 물질의 침투로부터 제1 절연층(131) 및 제2 절연층(132)에 의해 보호될 수 있다. 또한, 제2 도전층(150)은 반도체 소자의 내부에 배치되며, 반도체 소자의 최외측에서 노출되지 않도록, 제1 절연층(131) 및 제2 절연층(132)에 의해 감싸질 수 있다.
제2 도전층(150)은 도전성 기판(170) 상에 배치되고, 전극패드 및 반도체 구조물(120)과 기판(170) 사이에 배치될 수 있다. 그리고 제2 도전층(150)은 제1 절연층(131)과 제2 연결전극(146) 사이에 배치될 수 있다.
제2 도전층(150)은 제1 도전 영역(150-1), 제2 도전 영역(150-2)을 포함할 수 있다. 먼저, 제1 도전 영역(150-1)은 제1 리세스(128) 내측에 배치되고, 제2 도전 영역(150-2)은 제2-1 도전 영역(150-1)에서 전극패드를 향해 연장될 수 있다.
제2 도전층(150)은 대부분이 제1 리세스(128)에 의해 둘러싸도록 배치되나, 전극패드(166)와 인접한 부분에서 반도체 구조물(120) 외부에 배치된 전극패드(166)로 연장되도록 배치될 수 있다. 즉, 제1 도전 영역(150-1)은 제1 리세스(128)에 의해 둘러싸이고, 제2 도전 영역(150-2)은 제1 도전 영역(150-1)에서 반도체 구조물(120) 외부에 배치된 전극패드(166)로 연장될 수 있다.
제2 절연층(132)은 제1 도전층(165)과 제2 도전층(150)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 제1 절연층(131)과 제2 절연층(132)은 서로 동일한 물질로 이루어질 수 있고, 서로 다른 물질로 이루어질 수 있다.
제2 절연층(132)은 제1 리세스(128)와 제2 리세스(129)에 각각 배치될 수 있다. 따라서, 제1 리세스(128)와 제2 리세스(129)의 내부에는 제1 절연층(131)과 제2 절연층(132)이 모두 배치될 수 있다. 따라서, 제1 절연층(131) 또는 제2 절연층(132) 중 어느 하나에 결함이 발생한 경우에도 나머지 절연층이 외부의 습기 및/또는 기타 오염 물질의 침투를 방지할 수 있다.
예시적으로, 제1 절연층(131)과 제2 절연층(132)이 하나의 층으로 구성된 경우, 크랙과 같은 결함이 두께 방향으로 쉽게 전파될 수 있다. 따라서, 외부로 노출된 결함을 통해 외부의 습기나 오염 물질이 반도체 구조물(120)로 침투할 수 있다.
그러나, 실시 예에 따르면, 제1 절연층(131) 상에 별도의 제2 절연층(132)이 배치되므로 제1 절연층(131)에 형성된 결함이 제2 절연층(132)으로 전파되기 어려울 수 있다. 즉, 제1 절연층(131)과 제2 절연층(132) 사이의 계면이 결함의 전파를 차폐하는 역할을 수행할 수 있다.
접합층(160)은 반도체 구조물(120)의 하부면과 제2 리세스(129)의 형상을 따라 배치될 수 있다. 접합층(160)은 도전성 재료를 포함할 수 있다. 예시적으로 접합층(160)은 금, 주석, 인듐, 알루미늄, 실리콘, 은, 니켈, 및 구리로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
도전성 기판(170)은 금속 또는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 도전성 기판(170)은 전기 전도도 및/또는 열 전도도가 우수한 금속일 수 있다. 이 경우 반도체 소자 동작시 발생하는 열을 신속이 외부로 방출할 수 있다. 또한 도전성 기판(170)을 통해 제1 연결전극(142)은 외부에서 전류를 공급받을 수 있다.
도전성 기판(170)은 실리콘, 몰리브덴, 실리콘, 텅스텐, 구리 및 알루미늄으로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
반도체 구조물(120)의 상면과 측면에는 패시베이션층(180)이 배치될 수 있다. 패시베이션층(180)의 두께는 200㎚ 이상 내지 500㎚ 이하일 수 있다. 200㎚이상일 경우, 소자를 외부의 수분이나 이물질로부터 보호하여 소자의 전기적, 광학적 신뢰성을 개선할 수 있고, 500㎚ 이하일 경우 반도체 소자에 인가되는 스트레스를 줄일 수 있고, 상기 반도체 소자의 광학적, 전기적 신뢰성이 저하되거나 반도체 소자의 공정 시간이 길어짐에 따라 반도체 소자의 단가가 높아지는 문제점을 개선할 수 있다.
반도체 구조물(120)의 상면에는 요철이 형성될 수 있다. 이러한 요철은 반도체 구조물(120)에서 출사되는 광의 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 요철은 자외선 파장에 따라 평균 높이가 다를 수 있으며, UV-C의 경우 300㎚ 내지 800㎚ 정도의 높이를 갖고, 평균 500㎚ 내지 600㎚ 정도의 높이를 가질 때 광 추출 효율이 향상될 수 있다.
도 3을 참조하면, 제1 리세스(128)에서 최하면(132a)으로부터 접합층(165)의 최대 높이(h3)는 0.4㎛ 내지 0.6㎛일 수 있다. 또한, 제1 리세스(128)에서 수직 방향(Z 방향)으로 최하면(132a)으로부터 제2 절연층(132)의 최대 높이(h5)는 1.7㎛ 내지 2.1㎛일 수 있다. 또한, 제1 리세스(128)에서 수직 방향으로 최하면(132a)으로부터 제1 절연층(131)의 최대 높이(h6)는 2.4㎛ 내지 2.6㎛일 수 있다. 또한, 제1 리세스(128)의 상면은 수평방향 최소 폭(W5)은 2㎛ 내지 8㎛일 수 있다.
제1 리세스(128)의 외측에서 배치되는 제1활성층(126a)의 면적은 제1 리세스(128)의 내측에 배치되는 제2활성층(126b)의 면적보다 넓을 수 있다.
반도체 구조물(120)의 최대 면적과 제1 리세스(128) 최대 면적의 비는 1:0.01 내지 1:0.03일 수 있다. 반도체 구조물(120)의 면적과 제1 리세스(128) 면적의 비가 1:0.01보다 작은 경우, 오염 물질로부터 활성층(126)의 산화를 방지하기 어려울 수 있다. 또한, 면적비가 1:0.03보다 큰 경우, 광 효율이 저하될 수 있다.
제1 리세스(128)는 반도체 구조물(120)의 외측면과 최대 이격 거리(OA1과 동일)가 3㎛ 내지 5㎛일 수 있다. 3㎛ 보다 작은 경우 외부 습기의 침투가 용이해지고, 5㎛ 보다 큰 경우 비발광영역이 넓어지는 문제가 있다. 그러나, 최대 이격 거리는 이는 반도체 소자나 반도체 구조물(120)의 크기에 따라 변형될 수 있다.
도 4는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면도이고, 도 5는 도 4의 C 부분 확대도이고, 도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면도이고, 도 7은 리세스의 개수와 광 출력의 상관관계를 보여주는 그래프이다.
도 4 및 도 5를 참고하면, 제1 리세스(128)는 반도체 구조물(120)의 외측면을 따라 배치되어 평면상으로 폐루프(closed-loop)를 이룰 수 있다. 따라서, 반도체 구조물(120)은 제1 리세스(128)로 이루어진 폐루프에 의해 제1 영역(OA1)과 제2 영역(IA1)으로 구획될 수 있다. 다만, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 제1 리세스(128)는 반도체 구조물(120)의 가장자리를 따라 복수 개가 이격 배치될 수도 있다.
제1 영역(OA1)은 제1 리세스(128)의 외측 영역일 수 있고, 제2 영역(IA1)은 제1 리세스(128)의 내측 영역일 수 있다. 제1 영역(OA1)은 전자, 정공 결합이 일어나지 않는 비활성영역이며, 제2 영역(IA1)은 제1 리세스(128)의 내측에 배치되어 발광하는 활성영역일 수 있다. 따라서, 제1 영역(OA1)의 발광 강도는 제2 영역(IA1)의 발광 강도보다 낮을 수 있다.
활성영역(IA1)은 제1 도전형 반도체층(124) 및 제2 도전형 반도체층(127)을 통해 전자와 정공이 주입되어 자외선 파장대에서 최대 강도를 갖는 광을 생성할 수 있다.
비활성영역(OA1)은 활성영역 또는 외부에서 조사되는 빛을 흡수하여 여기된 전자가 재결합을 통해 발광할 수 있다. 그러나 비활성영역의 발광 강도는 활성영역의 발광강도에 비해 매우 약할 수 있다. 또는 비활성영역은 전혀 발광하지 않을 수도 있다.
반도체 구조물(120)은 외부에서 반도체 구조물(120)로 침투하는 외부의 수분이나 오염 물질 등에 의해 산화될 수 있다. 자외선 발광소자의 활성층(126)은 Al의 조성이 높으므로 산화에 더 취약할 수 있다. 제1 리세스(128)는 제1 영역(OA1)의 활성층(도 3의 126a)이 산화된 경우 제2 영역(IA1)의 활성층(126)이 산화되는 것을 차단할 수 있다.
반도체 구조물(120)은 자외선 광을 생성하는 경우, 높은 밴드갭 에너지를 갖기 때문에 반도체 구조물(120)의 전류 분산 특성이 떨어질 수 있고, 유효 발광 영역(P2)이 적을 수 있다. 따라서, 실질적인 전류 분산은 제2 영역(IA1) 내에서 이루어질 수 있다. 따라서, 반도체 소자는 제1 리세스(128)를 가지더라도 충분한 광 출력을 유지할 수 있다.
뿐만 아니라, 제1 리세스(128)는 활성층(126)에서 수분 등에 의해 산화가 이루어지는 영역을 제1 영역(OA1)으로 제한하여, 유효 발광 영역(P2)이 위치한 제2 영역(IA1)을 보호함으로써 광 출력을 유지할 수 있다.
유효 발광 영역(P2)은 전류 밀도가 가장 높은 제1 연결전극(142)에서의 전류 밀도를 기준으로 전류 밀도가 40%이하인 경계지점까지의 영역으로 정의할 수 있다. 또한, 제1 연결전극(142)의 직경의 2배 내지 5배인 영역으로 정의할 수도 있다. 예를 들어, 내측 리세스(129a)의 중심으로부터 5㎛ 내지 40㎛ 떨어진 거리를 경계지점으로 정의할 수 있다. 그러나, 유효 발광 영역(P2)은 주입 전류의 레벨, Al의 조성에 따라 가변적일 수 있다.
유효 발광 영역(P2)의 외측인 저전류밀도영역(P3)은 전류밀도가 낮아서 발광에 거의 기여하지 못할 수 있다. 따라서, 자외선 반도체 소자는 전류밀도가 낮은 저전류밀도영역(P3)에 제1 연결전극(142)을 더 많이 배치하여 광 출력을 향상시킬 수 있다.
도 6의 경우, 중앙 부위에는 제1 연결전극(142)의 개수가 많아져 저전류밀도영역(P3)의 면적이 줄어들었음을 확인할 수 있다. 일반적으로 GaN 반도체층의 경우 상대적으로 전류 분산 특성이 우수하므로 제2 리세스 및 제1 연결전극의 면적을 최소화하는 것이 바람직하다. 제2 리세스와 제1 연결전극의 면적이 커질수록 활성층의 면적이 줄어들기 때문이다.
그러나, 실시 예의 경우 자외선 발광을 위해 활성층이 Al을 포함하여야 하고, 결정성을 확보하기 위해 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층 역시 높은 조성의 Al을 포함할 필요가 있다.
그 결과, 제1, 제2 도전형 반도체층의 Al 조성이 높아져, 저항이 커지고 전류 분산 특성이 저하되는 문제가 있다. 따라서, 활성층의 면적을 희생하더라도 제1 연결전극의 개수를 증가시키는 것이 바람직할 수 있다.
도 7과 같이 제2 리세스(129) 및 제1 연결전극(142)의 개수가 너무 많아지면(DR2 방향), 활성층(126)의 면적이 줄어들어 발광 강도가 오히려 낮아질 수 있다. 따라서, 제2 리세스(129)의 개수를 적정하게 조절할 필요가 있다.
도 6을 참조하면, 리세스의 개수가 많아져도 반도체 구조물(120)의 가장자리에는 충분히 제1 연결전극(142)이 배치되기 어려우므로 상대적으로 발광 강도가 약한 영역이 발생할 수 있다. 즉, 리세스의 개수가 많아져도 반도체 구조물(120)의 가장자리는 전류가 주입되지 않아 부분적으로 저전류밀도영역(P3)이 발생할 수 있다.
따라서, 제2 영역(IA1)에서는 최외측에 배치된 제2 리세스(129)의 외측에 배치되는 저전류밀도영역이 형성될 수 있으며, 저전류밀도영역에서의 발광 강도는 제1 영역(OA1)보다는 크고, 제2 리세스(129)가 배치된 반도체 구조물(120)의 중앙 영역보다는 낮을 수 있다.
제2 영역(IA1)은 최외측에 배치되는 복수 개의 제2 리세스(129)의 중심을 연결한 폐루프(BL1)를 기준으로 외측에 배치되는 제2-1영역(A11) 및 폐루프(BL1)의 내측에 배치되는 제2-2영역(A12)으로 구분할 수 있다. 제2 영역은 활성영역일 수 있다.
복수 개의 제2 리세스(129)는 내측 리세스와 외측리세스로 구분될 수 있다. 내측 리세스는 가장 인접한 제2 리세스(129)의 개수가 N개보다 작은 리세스로 정의할 수 있으며, 외측 리세스는 가장 인접한 제2 리세스(129)의 개수가 N개보다 작은 리세스로 정의할 수 있다.
예시적으로 내측 리세스는 6개의 리세스로 둘러싸인 리세스로 정의할 수 있으며, 외측 리세스는 2개 내제 5개의 리세스로 둘러싸인 리세스로 정의할 수 있다.
제2-2영역(A12)과 제2-1영역(A11)의 발광 강도비는 1:0.5 내지 1:0.8일 수 있다. 발광 강도비가 1:0.5 이상인 경우 제1 리세스(128) 및 제1 연결전극(142)의 면적이 증가하여 제2-1영역(A11)의 발광 강도가 증가하며, 발광 강도비가 1:0.8 이하인 경우 발광 가능한 활성층(126)의 면적을 확보할 수 있어 광 출력이 과도하게 줄어드는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 제2-1 영역(A11)의 발광 강도가 제2-2 영역(A12)의 발광 강도보다 낮고, 제1 리세스(128)의 외측 영역(제1영역) 보다는 높을 수 있다.
도 8은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면도이고, 도 9는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면도이고, 도 10은 본 발명의 제5 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면도이다.
도 8을 참조하면, 복수 개의 제2 리세스(129)는 가장 인접한 제2 리세스(129)의 개수가 N개인 복수 개의 내측 리세스(129a) 및 가장 인접한 제2 리세스(129)의 개수가 N개보다 작은 복수 개의 외측 리세스(129b)를 포함할 수 있다. 외측 리세스(129b)는 반도체 구조물(120)의 측면(S1, S2, S3, S4)에 가장 가까운 제2 리세스(129)일 수 있다.
예시적으로 내측 리세스(129a)는 가장 인접한 6개의 리세스(129)에 둘러싸일 수 있다. 즉, 육각형(BL2)의 꼭지점을 이루는 6개의 리세스(129)와 육각형 안에 배치된 제2 리세스(129) 사이의 거리는 모두 동일할 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 내측 리세스(129a)는 가장 인접한 5개 또는 8개의 제2 리세스(129)에 둘러싸인 구조(예: 오각형, 팔각형)일 수도 있다.
외측 리세스(129b)는 가장 인접한 리세스의 개수가 N개보다 작을 수 있다. 예시적으로 내측 리세스(129a)를 둘러싸는 가장 인접한 리세스의 개수가 6개인 경우, 외측 리세스(129b)는 2개 내지 5개의 리세스에 둘러싸일 수 있다. 외측 리세스(129b)는 2개의 제2 리세스(129)에 둘러싸일 수도 있고, 4개의 제2 리세스(129)에 둘러싸일 수도 있다.
외측 리세스(129b)는 반도체 구조물(120)의 측면(S1, S2, S3, S4)을 따라 가장 가까운 위치에 배치되는 리세스로 정의할 수도 있다. 즉, 외측 리세스(129b)는 복수 개의 제2 리세스(129) 중 가장 외측에 배치되는 제2 리세스(129)들의 집합일 수 있다. 따라서, 외측 리세스(129b)와 반도체 구조물(120)의 측면(S1, S2, S3, S4) 사이에는 리세스가 배치될 수 없으므로 외측 리세스(129b)를 둘러싸는 리세스들의 개수는 내측 리세스(129a)를 둘러싸는 리세스들의 개수보다 작을 수 있다.
외측 리세스(129b)는 직경 및 형상 중 적어도 하나가 내측 리세스(129a)와 상이할 수 있다. 외측 리세스(129b)는 내측 리세스(129a)와 직경이 상이할 수도 있고, 형상이 상이할 수도 있다. 또한, 형상과 직경이 모두 상이할 수도 있다.
외측 리세스(129b)의 직경(d2)은 내측 리세스(129a)의 직경(d1)보다 클 수 있다. 전술한 바와 같이 외측 리세스(129b)의 주변에는 제2 리세스(129)의 개수가 상대적으로 적으므로 반도체 구조물(120)의 측면까지 전류가 분산되지 않아 저전류밀도영역(P3)이 발생할 수 있다. 따라서, 가장 외측에 배치된 외측 리세스(129b) 및 제1 연결전극(142)의 직경을 증가시킴으로써 반도체 구조물(120)의 측면까지 전류를 분산시킬 수 있다. 따라서, 반도체 구조물(120) 측면에서의 발광 강도가 증가할 수 있다. 또한, 반도체 구조물(120) 측면의 저전류밀도영역(P3)이 줄어들어 광 균일도 역시 증가할 수 있다.
따라서, 복수 개의 외측 리세스(129b)의 중심을 연장한 폐루프(BL1)의 외측 영역과 폐루프(BL1)의 내측 영역의 발광 강도비를 1:0.5 내지 1:0.8로 제어할 수 있다.
내측 리세스(129a)와 외측 리세스(129b)의 직경비(d1:d2)는 1:1.2 내지 1:2일 수 있다. 직경비가 1:1.2 이상인 경우 외측 리세스(129b)의 내부에 배치되는 제1 연결전극(142)의 면적이 넓어져 반도체 구조물(120)의 측면까지 전류가 분산되어 발광할 수 있다. 또한, 직경비가 1:2보다 작은 경우 외측 리세스(129b)의 면적이 너무 넓어져 발광면적이 줄어드는 것을 방지할 수 있다.
반도체 구조물(120)은 평면상에서 서로 마주보는 제1측면(S1)과 제3측면(S3), 서로 마주보는 제2측면(S2)과 제4측면(S4), 제1측면(S1)과 제2측면(S2)을 연결하는 제1에지부(V1), 제2측면(S2)과 제3측면(S3)을 연결하는 제2에지부(V2), 제3측면(S3)과 제4측면(S4)을 연결하는 제3에지부(V3), 및 제4측면(S4)과 제1측면(S1)을 연결하는 제4에지부(V4)를 포함할 수 있다.
이때, 제3에지부(V3) 및 제4에지부(V4) 중 적어도 하나는 전극패드(166)와 마주보는 오목부를 포함할 수 있다. 실시 예에서는 제3에지부(V3)와 제3에지부(V3)에 각각 오목부가 형성된 것을 예시하였으나, 제3에지부(V3) 및 제4에지부(V4) 중 어느 하나에만 오목부가 형성될 수도 있다.
예시적으로 도 9와 같이 제4에지부(V4)에만 오목부가 형성될 수도 있다.
리세스 및 제1 연결전극(142)의 개수를 늘리기 위해 전극패드가 하나인 것이 유리할 수 있다. 그러나, 전극패드가 하나만 배치되는 경우 패드의 면적이 상대적으로 작기 때문에 전류 분산 효율이 저하될 수 있다. 또한, 저항이 커지므로 고전류 인가시 전류 주입 효율이 저하될 수도 있다.
전류 주입 효율은 외부에서 광소자에 인가한 총전류량 중 활성층(126)에 도달하는 양의 비율로 정의할 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. 즉, 해당 반도체 소자의 특성 및 용도에 따라 전극패드의 개수는 적절히 조절될 수 있다.
도 9를 참조하면, 외측 리세스(129b)는 제1측면(S1)을 따라 배치되는 복수 개의 제1외측리세스(129b-1), 제2측면(S2)을 따라 배치되는 복수 개의 제2외측리세스(129b-2), 제3측면(S3)을 따라 배치되는 복수 개의 제3외측리세스(129b-3), 제4측면(S4)을 따라 배치되는 복수 개의 제4외측리세스(129b-4), 및 오목부를 따라 배치되는 복수 개의 제5외측리세스(129b-5)를 포함할 수 있다. 같은 리세스를 점선으로 묶어 표시하였다.
이때, 복수 개의 제1외측리세스(129b-1)는 제1측면(S1)과의 최단 거리가 상이하고, 복수 개의 제2외측리세스(129b-2)는 제2측면(S2)과의 최단 거리가 동일하고, 복수 개의 제3외측리세스(129b-3)는 제3측면(S3)과의 최단 거리가 상이하고, 복수 개의 제4외측리세스(129b-4)는 제4측면(S4)과의 최단 거리가 동일하고, 복수 개의 제5외측리세스(129b-5)는 오목부와의 최단 거리가 상이할 수 있다.
실시 예에서는 제1외측리세스(129b-1)와 제3외측리세스(129b-3)는 제1방향으로 지그재그로 배치될 수 있다. 또한, 제2외측리세스(129b-2)와 제4외측리세스(129b-4)는 제2방향으로 반도체 구조물(120)의 측면과 평행하게 배치될 수 있다.
도 10을 참조하면, 제1외측리세스(129b-1)와 제3외측리세스(129b-3)의 직경(d2)은 제2외측리세스(129b-2)와 제4외측리세스(129b-4)의 직경(d3)보다 클 수 있다. 제1외측리세스(129b-1)와 제3외측리세스(129b-3)는 제1직경을 갖는 리세스(123-1)의 집합일 수 있고, 제2외측리세스(129b-2)와 제4외측리세스(129b-4)는 제2직경을 갖는 리세스(123-2)의 집합일 수 있다. 따라서, 제1직경을 갖는 리세스(123-1)에 배치된 제1 연결전극(142)의 면적은 제2직경을 갖는 리세스(123-2)에 배치된 제1 연결전극(142)의 면적보다 클 수 있다.
제1외측리세스(129b-1)의 간격은 제2외측리세스(129b-2)의 간격보다 넓기 때문에 이를 보상하기 위해 제1외측리세스(129b-1)의 직경(d2)은 제2외측리세스(129b-2)의 직경(d3)보다 크게 형성될 수 있다. 이와 동일하게 제3외측리세스(129b-3)의 직경(d2)은 제4외측리세스(129b-4)의 직경(d2)보다 클 수 있다.
즉, 상대적으로 간격이 넓은 제1외측리세스(129b-1)는 직경을 넓게 형성하여 반도체 구조물(120)의 측면까지 전류를 분산시키고, 상대적으로 간격이 좁은 제2외측리세스(129b-2)는 직경을 작게 형성하여 불필요하게 발광면적이 줄어드는 것을 방지할 수 있다.
내측 리세스(129a)와 제1외측리세스(129b-1)의 직경비(d1:d2)는 1:1.4 내지 1:2.0일 수 있다. 직경비(d1:d2)가 1:1.4보다 큰 경우 제1외측리세스(129b-1)의 면적이 증가하여 반도체 구조물(120)의 측면까지 전류가 분산될 수 있다. 또한, 직경비(d1:d2)가 1:2.0보다 작은 경우 제1외측리세스(129b-1)의 면적이 너무 커져 발광면적이 과도하게 줄어드는 것을 방지할 수 있다.
내측 리세스(129a)와 제2외측리세스(129b-2)의 직경비(d1:d3)는 1:1.2 내지 1:1.4일 수 있다. 직경비(d1:d3)가 1:1.2보다 큰 경우 제2외측리세스(129b-2)의 면적이 증가하여 반도체 구조물(120)의 측면까지 전류가 분산될 수 있다. 또한, 직경비(d1:d3)가 1:1.4보다 작은 경우 제2외측리세스(129b-2)의 면적이 너무 커져 발광면적이 과도하게 줄어드는 것을 방지할 수 있다.
도 11은 본 발명의 제6 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면도이고, 도 12는 본 발명의 제7 실시 예에 따른 반도체 소자의 평면도이다.
도 11을 참조하면, 외측 리세스(129b)의 형상은 내측 리세스(129a)의 형상과 상이할 수 있다. 예시적으로 외측 리세스(129b)의 타원 형상일 수 있다. 이 경우 인접 영역까지 전류 주입 효율이 증가하여 발광 면적이 넓어질 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 외측 리세스(129b)의 형상은 전류 주입 면적이 넓어지도록 적절히 변형될 수도 있다.
도 12를 참조하면, 실시 예에 따른 복수 개의 제2 리세스(129)는 가장 인접한 제2 리세스(129)의 개수가 N개인 복수 개의 내측 리세스(129a)와 가장 인접한 제2 리세스(129)의 개수가 N개보다 작은 복수 개의 외측 리세스(129b), 및 복수 개의 외측 리세스(129b) 사이에 배치되는 복수 개의 제3리세스(129c)를 포함할 수 있다.
예시적으로 내측 리세스(129a)는 가장 인접한 6개의 리세스에 둘러싸일 수 있다. 가장 인접한 리세스는 내측 리세스(129a)와 직경이 동일할 수 있다. 즉, 육각형의 꼭지점을 이루는 6개의 리세스와 육각형 안에 배치된 제2 리세스(129) 사이의 거리는 모두 동일할 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 내측 리세스(129a)는 가장 인접한 5개 또는 8개의 리세스에 둘러싸인 구조(예: 오각형, 팔각형)일 수도 있다.
외측 리세스(129b)는 가장 인접한 리세스의 개수가 N개보다 작을 수 있다. 가장 인접한 리세스는 내측 리세스(129a) 및 외측 리세스(129b)와 직경이 동일할 수 있다. 즉, 제3리세스(129c)는 직경이 다르므로 가장 인접한 리세스에서 제외될 수 있다.
예시적으로 내측 리세스(129a)를 둘러싸는 가장 인접한 리세스의 개수가 6개인 경우, 외측 리세스(129b)는 2개 내지 5개의 리세스에 둘러싸일 수 있다. 외측 리세스(129b)는 2개의 리세스에 둘러싸일 수도 있고, 4개의 리세스에 둘러싸일 수도 있다.
제3리세스(129c)는 복수 개의 외측 리세스(129b) 사이에 배치될 수 있다. 제3리세스(129c)는 복수 개의 외측 리세스(129b)의 중심을 연결한 폐루프(BL1)의 외측에 배치될 수 있다. 폐루프(BL1)의 내측에는 복수 개의 내측 리세스(129a)가 조밀하게 배치되어 발광 강도가 상대적으로 강할 수 있다. 따라서, 제3리세스(129c)는 상대적으로 발광 강도가 약한 폐루프(BL1)의 외측에 배치될 수 있다.
제3리세스(129c)는 내측 리세스(129a) 및 외측 리세스(129b)의 직경보다 크기가 작게 형성되므로 제3리세스(129c) 내부에 배치되는 제1 연결전극(142)의 직경 역시 제1, 제2 리세스(128, 129)의 내부에 배치되는 제1 연결전극(142)의 직경보다 작을 수 있다.
실시 예에 따르면, 제3리세스(129c)가 발광 강도가 약한 지점에 배치되어 전류를 분산시키므로 발광 강도가 개선되고 전체적인 광 균일도가 개선될 수 있다.
제3리세스(129c)의 형상은 다양하게 변형될 수 있다. 예시적으로 제3리세스(129c)는 내측 리세스(129a) 및 외측 리세스(129b)의 형상과 다른 형상을 가질 수 있다. 예시적으로 내측 리세스(129a)와 외측 리세스(129b)는 원 형상을 갖는데 반해, 제3리세스(129c)는 타원 형상을 가질 수도 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 개념도이다.
도 13을 참고하면, 반도체 소자 패키지는 홈(3)이 형성된 몸체(2), 몸체(2)에 배치되는 반도체 소자(1), 및 몸체(2)에 배치되어 반도체 소자(1)와 전기적으로 연결되는 한 쌍의 리드 프레임(5a, 5b)을 포함할 수 있다. 반도체 소자(1)는 전술한 구성을 모두 포함할 수 있다.
몸체(2)는 자외선 광을 반사하는 재질 또는 코팅층을 포함할 수 있다. 몸체(2)는 복수의 층(2a, 2b, 2c, 2d, 2e)을 적층하여 형성할 수 있다. 복수의 층(2a, 2b, 2c, 2d, 2e)은 동일한 재질일 수도 있고 상이한 재질을 포함할 수도 있다.
홈(3)은 반도체 소자에서 멀어질수록 넓어지게 형성되고, 경사면에는 단차(3a)가 형성될 수 있다.
투광층(4)은 홈(3)을 덮을 수 있다. 투광층(4)은 글라스 재질일 있으나, 반드시 이에 한정하지 않는다. 투광층(4)은 자외선 광을 유효하게 투과할 수 있는 재질이면 특별히 제한하지 않는다. 홈(3)의 내부는 빈 공간일 수 있다.
반도체 소자는 다양한 종류의 광원 장치에 적용될 수 있다. 예시적으로 광원장치는 살균 장치, 경화 장치, 조명 장치, 및 표시 장치 및 차량용 램프 등을 포함하는 개념일 수 있다. 즉, 반도체 소자는 케이스에 배치되어 광을 제공하는 다양한 전자 디바이스에 적용될 수 있다.
살균 장치는 실시 예에 따른 반도체 소자를 구비하여 원하는 영역을 살균할 수 있다. 살균 장치는 정수기, 에어컨, 냉장고 등의 생활 가전에 적용될 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. 즉, 살균 장치는 살균이 필요한 다양한 제품(예: 의료 기기)에 모두 적용될 수 있다.
예시적으로 정수기는 순환하는 물을 살균하기 위해 실시 예에 따른 살균 장치를 구비할 수 있다. 살균 장치는 물이 순환하는 노즐 또는 토출구에 배치되어 자외선을 조사할 수 있다. 이때, 살균 장치는 방수 구조를 포함할 수 있다.
경화 장치는 실시 예에 따른 반도체 소자를 구비하여 다양한 종류의 액체를 경화시킬 수 있다. 액체는 자외선이 조사되면 경화되는 다양한 물질을 모두 포함하는 개념일 수 있다. 예시적으로 경화장치는 다양한 종류의 레진을 경화시킬 수 있다. 또는 경화장치는 매니큐어와 같은 미용 제품을 경화시키는 데 적용될 수도 있다.
조명 장치는 기판과 실시 예의 반도체 소자를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열부 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 또한, 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등 등을 포함할 수 있다.
표시 장치는 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 광학 시트, 디스플레이 패널, 화상 신호 출력 회로 및 컬러 필터를 포함할 수 있다. 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 구성할 수 있다.
반사판은 바텀 커버 상에 배치되고, 발광 모듈은 광을 방출할 수 있다. 도광판은 반사판의 전방에 배치되어 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하고, 광학 시트는 프리즘 시트 등을 포함하여 이루어져 도광판의 전방에 배치될 수 있다. 디스플레이 패널은 광학 시트 전방에 배치되고, 화상 신호 출력 회로는 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하며, 컬러 필터는 디스플레이 패널의 전방에 배치될 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 도전성 기판;
    상기 도전성 기판 상에 배치되며, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하고, 상기 제2 도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제1 도전형 반도체층의 일부 영역까지 관통하는 복수의 리세스를 포함하는 반도체 구조물;
    상기 제1 도전형 반도체층과 상기 도전성 기판을 전기적으로 연결하는 제1 전극;
    상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극; 및
    상기 복수의 리세스 내에 배치되는 절연층을 포함하고,
    상기 복수의 리세스는 상기 반도체 구조물의 외측면을 따라 연장되는 제1 리세스 및 상기 제1 리세스의 내측에 배치되는 복수 개의 제2 리세스를 포함하고,
    상기 제1 전극은 상기 제2 리세스 내로 연장되어 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 복수 개의 돌출 전극을 포함하고,
    상기 활성층은 상기 반도체 구조물 측면과 상기 제1 리세스 사이에 배치된 비활성영역, 및 상기 제1 리세스의 내측에 배치된 활성영역을 포함하고,
    상기 비활성영역의 발광 강도는 상기 활성영역의 발광 강도보다 작은 반도체 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 활성영역은 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층을 통해 전자와 정공이 주입되어 자외선 파장대에서 최대 강도를 갖는 광을 생성하는 반도체 소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 비활성영역은 상기 활성영역 또는 외부에서 조사되는 빛을 흡수하여 여기된 전자가 재결합을 통해 발광하는 반도체 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수 개의 제2 리세스는 가장 인접한 리세스의 개수가 N개인 복수 개의 내측 리세스 및 가장 인접한 리세스의 개수가 N개보다 작은 복수 개의 외측 리세스를 포함하고,
    상기 활성영역은 상기 복수 개의 외측 리세스와 상기 제2 리세스 사이에 배치되는 제2-1영역, 및 상기 복수 개의 외측 리세스의 내측에 배치되는 제2-2영역을 포함하고,
    상기 제2-2영역의 발광강도와 상기 제2-1영역의 발광강도의 비는 1:0.5 내지 1:0.8인 반도체 소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2-1영역은 상기 복수 개의 외측 리세스 중 가장 인접한 외측 리세스들의 중심을 연결한 폐루프의 외측에 배치되고,
    상기 제2-2영역은 상기 폐루프의 내측에 배치되는 반도체 소자.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 외측 리세스의 직경은 상기 내측 리세스의 직경보다 큰 반도체 소자.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 내측 리세스와 상기 외측 리세스의 직경비는 1:1.2 내지 1:2인 반도체 소자.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 외측 리세스의 형상은 상기 내측 리세스의 형상과 상이하고,
    상기 외측 리세스는 타원 형상을 갖는 반도체 소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 리세스의 면적과 상기 제2 리세스의 면적의 비는 1:6 내지 1:10이고,
    상기 제1 리세스의 경사각도는 상기 제2 리세스의 경사각도와 동일하고,
    상기 제1 리세스의 높이와 상기 제2 리세스의 높이는 동일하고,
    상기 제2 리세스의 폭은 상기 제1 리세스의 폭보다 큰 반도체 소자.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 구조물의 최대 면적과 상기 제1 리세스의 면적의 비는 1:0.01 내지 1:0.03이고,
    상기 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 활성층은 알루미늄을 포함하는 반도체 소자.
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