WO2019216485A1 - 임플란트 표면개질 처리장치 - Google Patents

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최병노
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    • H01J61/16—Selection of substances for gas fillings; Specified operating pressure or temperature having helium, argon, neon, krypton, or xenon as the principle constituent

Definitions

  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the use state of the present invention.
  • the material of the ultraviolet discharge vessel 20 should be expensive high-purity synthetic quartz glass, but in order to lower the manufacturing cost according to the material of the ultraviolet discharge vessel 20 in different wavelength bands.
  • a light source may also be used, and the surface modification treatment time of the implant fixture may increase slightly due to the difference in light energy according to the wavelength.
  • the external electrode 30 is a cylindrical structure having an accommodating space 31 therein, and the inner wall surface is preferably mirror-treated to reflect light.
  • the inner wall surface is preferably mirror-treated to reflect light.
  • it may be in the form of a thin foil (foil) or a mesh, and may be used regardless of the form as long as it is a conductive material for generating a discharge.
  • a cylindrical structure is most suitable for reflecting UV light inwards to increase efficiency.
  • the support part 40 may rotate inside the internal electrode.

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Abstract

본 발명은 임플란트 표면개질 처리장치에 관한 것으로, 통형 구조이며 면에 다수의 투과부를 가지는 내부전극과, 상기 내부전극이 수용되며, UV광원이 되는 방전용 가스가 충진되는 가스충진영역을 가지는 통형 구조의 자외선 방전용기와, 상기 자외선 방전용기가 내측에 수용되는 외부전극을 포함하며, 상기 내부전극의 내측에 임플란트 픽스쳐를 배치하여 표면개질을 행할 수 있다.

Description

임플란트 표면개질 처리장치
본 발명은 임플란트 표면개질 처리장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 치과용 임플란트의 표면을 UV(자외선)광 처리하는 임플란트 표면개질 처리장치에 관한 것이다.
최근 인공치아인 치과용 임플란트의 시술 비중이 확대되고 있다. 임플란트는 치골에 삽입되는 픽스쳐(Fixture)에 결합되어 치아 역할을 하는 것이다.
통상적으로 인공치아인 치과용 임플란트 구조는 Fixture(고정체-인공치근), Abutment(지대주), Crown(보철,인공치아) 　3개의 구조물로 이루어져 있고 Fixture재질은 티타늄 및 티타늄합금이 일반적이다.
임플란트 시술에 있어 치골에 삽입되는 임플란트 Fixture 부위는 치골에 완전하게 식립될 필요가 있다.
이를 위해 종래 기술로써, UV(자외선)광을 임플란트 표면 특히 Fixture 부위에 조사하면 UV(자외선)광 빛에너지와 UV(자외선)광에 의해 생성된 오존으로 인한 임플란트 표면개질 현상이 임플란트를 식립한 후 뼈 형성 세포의 증식, 부착 기능을 촉진시켜 뛰어난 치료 결과를 얻게해 주는 것으로 상세하게는 크게 3가지 이유로 설명되어 진다.
첫번째, UV(자외선)광 빛에너지와 UV(자외선)광에 의해 생성된 오존이 임플란트 표면에 붙어있는 탄소 분자를 분해, 증발시켜 뼈 형성세포가 임플란트 표면에 잘 부착 될 수 있게 하는 것이다.
두번째, UV(자외선)광 빛에너지와 UV(자외선)광에 의해 생성된 오존이 임플란트 표면 전하를 마이너스 전하에서 플러스 전하로 변화시켜 마이너스 전하를 띠고 있는 인체 세포 및 그 세포의 부착과 기능을 돕는 단백질을 정전기적으로 임플란트 표면으로 끌어 당겨 밀접한 결합이 될 수 있게 하는 것이다.
세번째, UV(자외선)광 빛에너지와 UV(자외선)광에 의해 생성된 오존이 임플란트 표면의 친수성을 증가시켜 임플란트 표면에 혈액이 잘 젖게하면, 임플란트 표면에 잘 형성된 혈병은 이후 뼈 형성 세포가 임플란트 표면에 잘 부착될 수 있게 돕는 것이다.
그러나, 종래 기술인 UV(자외선)광을 이용한 표면개질 처리장치의 표면개질 처리방법은 임플란트와 광원이 일정 위치 떨어져 임플란트에 빛이 조사되는 구조이기에 임플란트 Fixture부 표면 전체에 고르게 빛이 조사되기 위해선 임플란트와 광원간 일정 거리를 유지하며 임플란트를 회전 시키며 처리하는 것이 일반적 방법이었다.
이와 같은 방법으로 임플란트 표면개질 처리에 요구되는 처리시간은 일반 UV광(통상적으로 UVC파장 대역)에서 20~30분 정도 소요되며, 진공자외선 파장 중 172nm 엑시머UV광에서는 1~2분 정도 소요 되어진다.
공개특허 10-2016-0049683호(임플란트 산화막 제거장치, 2016년 5월 10일 공개)에는 챔버에 복수의 임플란트 픽스쳐를 고정시킨 후, 챔버의 내부에 플라즈마 가스를 공급하여 산화막을 제거하는 장치가 공개되어 있다.
상기 픽스쳐는 홀더에 각각 장착되며, 홀더에 장착된 픽스쳐를 회전시켜 전체적으로 고르게 산화막을 제거할 수 있는 장치의 구조에 대하여 기재되어 있다.
그러나 위의 공개특허는 장치의 구성이 매우 복잡하며, 픽스쳐의 표면과 플라즈마 가스가 직접 접촉되도록 하기 위하여 픽스쳐를 보관용 케이스로부터 분리하여 홀더에 장착해야 하며, 처리가 끝난 후 다시 픽스쳐를 보관용 케이스에 넣어 보관하거나 즉시 시술을 하게 된다.
이처럼 사용자가 직접 픽스쳐를 보관용 케이스에서 꺼내어 홀더에 장착하는 과정에서 시간이 많이 소요되며, 통상의 임플란트 시술에서 다수의 픽스쳐를 동시에 사용하지 않기 때문에 친수성 처리된 픽스쳐들을 다시 보관용 케이스에 수납하는 경우 다시 표면이 산화될 수 있는 등의 문제점이 있었다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 단순화한 장치 구성으로 임플란트 표면개질 처리시간을 최소화하는 임플란트 표면개질 처리장치를 제공함에 있다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 임플란트 픽스쳐를 보관용 케이스에서 꺼내지 않고, 보관용 케이스에 수용된 상태로 친수성 처리할 수 있는 임플란트 표면개질 처리장치를 제공함에 있다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명 임플란트 표면개질 처리장치는, 통형 구조이며 면에 다수의 투과부를 가지는 내부전극과, 상기 내부전극이 수용되며, UV광원이 되는 방전용 가스가 충진되는 가스충진영역을 가지는 통형 구조의 자외선 방전용기와, 상기 자외선 방전용기가 내측에 수용되는 외부전극을 포함하며, 상기 내부전극의 내측에 임플란트 픽스쳐를 배치하여 표면개질을 행할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, UV광원은 엑시머UV광일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, UV광원은 172nm 엑시머UV광일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, UV광원은 222nm 엑시머UV광일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, UV광원은 UVC파장대 UV광원일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 임플란트 픽스쳐는, 상기 UV광을 투과하는 케이스에 수용된 것일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 케이스는 두께 1mm 석영유리 기준으로 172nm 투과율 60% 이상을 가지는 합성석영유리 재질일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 내부전극의 내측에 삽입되어 임플란트 픽스쳐를 지지하는 지지부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 지지부는, 상기 내부전극의 내측에서 왕복 이동하여, 임플란트 픽스쳐를 내부전극의 내측으로 인입하거나 외부로 배출할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 지지부는, 상기 내부전극의 내측에서 회전될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 지지부는, 공기가 유입 및 유출될 수 있는 공기 유통구가 형성된 것일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 지지부는, 세라믹 재질일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 외부전극은, 발생된 UV광을 상기 내부전극측으로 반사하는 통형 구조로 할 수 있다.
본 발명은 단순한 구성으로 이중관 구조의 UV램프 안쪽에서 임플란트의 표면개질 처리를 함으로써 임플란트 픽스쳐 표면 전체에 균일한 UV를 동시에 조사함이 가능해 표면개질 처리시간을 급격히 단축할 수 있는 효과가 있다.
아울러 본 발명은 임플란트 픽스쳐를 보관하는 광투과 케이스를 장착한 상태 그대로 임플란트 픽스쳐의 표면 처리가 가능하여, 표면 처리에 소요되는 시간을 단축할 수 있는 효과가 있으며, 표면개질 처리 과정에서 발생될 수 있는 임플란트 픽스쳐의 오염을 방지할 수 있는 효과 또한 기대할 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 임플란트 표면개질 처리장치의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 결합상태 구성도이다.
도 3은 도 2의 단면 구성도이다.
도 4와 도 5는 내부전극의 다른 실시 구성도이다.
도 6은 외부전극의 다른 실시 구성도이다.
도 7은 본 발명의 사용상태 단면도이다.
- 부호의 설명 -
10:내부전극 11:전력공급선
12,21,31:수용공간 13:투과부
20:자외선 방전용기 22:가스충진영역
30:외부전극 40:지지부
41:배기관 50:케이스
이하, 본 발명 임플란트 표면개질 처리장치에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명의 실시 예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이며, 아래에 설명되는 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시 예는 본 발명을 더욱 충실하고 완전하게 하며 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시 예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는"포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.　
본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 부재, 영역 및/또는 부위들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부위들은 이들 용어에 의해 한정되지 않음은 자명하다. 이들 용어는 특정 순서나 상하, 또는 우열을 의미하지 않으며, 하나의 부재, 영역 또는 부위를 다른 부재, 영역 또는 부위와 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제1 부재, 영역 또는 부위는 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제2 부재, 영역 또는 부위를 지칭할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 예들은 본 발명의 실시 예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 임플란트 표면개질 처리장치의 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 결합 상태도이며, 도 3은 도 2의 단면 구성도이다.
도 1 내지 도 3을 각각 참조하면 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 임플란트 표면개질 처리장치는, 방전용 가스가 충진되는 가스충진영역을 가지는 원통형 구조의 자외선 방전용기(20)와, 상기 자외선 방전용기(20) 내측으로 면에 다수의 광 투과부를 가지는 내부전극(10)과, 상기 자외선 방전용기(20)의 외면에 형성된 외부전극(30)으로 구성된 UV광원(UV램프), 그리고 상기 내부전극(10)의 내측에 삽입되며 공기유입 및 유출이 가능한 구조의 공기 유통구(41)가 마련된 지지부(40)를 포함하여 구성된다.
이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 임플란트 표면개질 처리장치의 구성과 작용에 대하여 더 상세히 설명한다.
이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 임플란트 표면 처리장치의 구성과 작용에 대하여 더 상세히 설명한다.
먼저, 내부전극(10)의 형상은 원통형 구조이며, 상기 자외선 방전용기(20)의 내부에 삽입되었을 때 외부에서 전원 공급이 가능하도록 전력공급선(11)이 설치된다.
상기 내부전극(10)의 안쪽은 수용공간부(12)가 마련되어 있으며, 이후에 설명하겠지만 임플란트 픽스쳐가 수용공간부(12)에 위치한 상태로 픽스쳐의 표면개질 처리가 이루어진다.
상기 내부전극(10)은 도1 내지 도3 각각에 도시한 바와 같이 금속 와이어를 그물망 형태로 직조하여 투과부(13)가 다수로 형성될 수 있도록 한다.
내부전극(10)이 그물망 형태로 직조된 것은 하나의 예이며, 도 4와 같이 금속재 원통 구조의 면에 펀칭 등의 방법으로 다수의 투과부(13)를 형성한 구조 이거나 도 5와 같이 다수의 절결부를 형성하여 슬릿형상의 광투과부를 형성하는 등 다양한 구조를 적용할 수 있다.
도 5의 (a)는 절결부가 면의 상단으로부터 소정 길이로 형성되어 슬릿이 상부측으로 노출된 구조이고, 도 5의 (b)는 절결부가 중앙의 일부에만 형성된 구조이며, 도면에 도시하지는 않았으나 다수의 슬릿이 원통 형상에서 원부방향으로 구성되도록 절결부가 형성될 수 있다.
아울러 본 발명의 자외선 방전용기(20)는 '원통형'으로 한정하여 설명하지만 이는 도면과 설명을 일치시키기 위한 것이며, 다각통형 구조를 포함하는 '통형'구조이면 모두 적용 가능하다.
이후에 설명되는 내부전극(10)과 외부전극(30)도 형상을 '원통형'으로 특정하는 것은 도면에 도시된 구조를 설명하기 위한 것이며, UV램프 점등시 내부전극(10)과 외부전극(30)은 열팽창 될 수 있음을 고려해 절결을 행할 수도 있으며, 상기 자외선 방전용기(20) 내, 외측에 밀착될 수 있는 구조로 진공증착, 스크린인쇄 등 그 형상이나 구성방법이 국한되는 것은 아니다.
도 6의 (a)와 (b)에는 외부가 절결된 외부전극(30)의 실시예를 도시하였다.
자외선 방전용기(20)는 외부관 내면과 내부관 외면 사이에 가스충진영역(22)이 존재하는 구조로 상기 가스충진영역(22)에 방전가스가 봉입되어지고, 자외선 방전용기(20)의 외부관 외측표면에 외부전극(30)이, 내부관의 내측표면에 내부전극(10)이 형성되고, 내부전극(10)과 외부전극(30) 간에 전기에너지를 인가하면 방전가스의 에너지 변화에 의해 UV광이 발생되어진다.
방전용 가스로는 아래의 표 1에서 Xe (파장 172nm), ArF (파장 193nm), KrCl*(파장 222 nm), KrF (파장 248nm), XeCl (파장 308nm), XeF (파장 351nm) 등의 엑시머 UV광을 발생하는 방전가스가 사용되어지며, 그 외 아래의 표 2에서 UVC파장대 (100nm~280nm)의 자외선을 발생시킬 수 있는 물질을 사용할 수도 있다 다만, 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 전기에너지를 인가하는 전극 구조의 변경(방전공간내에 전극형성)이 필요할 수 있다.
충진가스 파장(nm) 에너지 (KJ/mole)
Xe 172 695
KrCl 222 540
XeCl 308 389
ArF 193 619
KrF 248 485
XeF 351 339
UV-C 100nm~280nm
UV-B 280nm~315nm
UV-A 315nm~400nm
본 발명에서는 일실시예로써 172nm의 엑시머(excimer)UV광을 이용하여 5 내지 40초에 임플란트 픽스쳐의 표면개질 처리를 수행할 수 있게 하였다.
다만, 172nm의 엑시머(excimer)UV광을 방출하기 위해서 상기 자외선 방전용기(20)의 재질은 고가인 고순도 합성석영유리을 사용해야 하는데 상기 자외선 방전용기(20) 재질에 따른 제조비용을 낮추기 위해서 다른 파장대의 광원을 사용할 수도 있으며 이때 파장에 따른 광 에너지 차이로 임플란트 픽스쳐의 표면개질 처리 시간은 다소 증가할 수 있다.
본 발명에서 상기 자외선 방전용기(20)의 수용공간부(21)를 한정하는 내부관의 내측면은 상기 내부전극(10)과 밀착된다.
그 다음, 외부전극(30)은 내측에 수용공간부(31)를 가지는 통형구조이며, 내벽면은 광을 반사할 수 있도록 경면 처리된 것이 바람직하다. 또한, 두께가 얇은 포일(foil) 형태이거나 메쉬 형태일 수 있으며, 방전을 일으키기 위한 도전성재질이면 형태와 관계없이 사용은 가능하다. 하지만, UV광을 내측으로 반사시켜 효율을 높이기 위해서는 통형 구조가 가장 적합하다.
외부전극(30)의 수용공간부(31)에는 상기 자외선 방전용기(20)의 전부 또는 일부가 삽입되는 것일 수 있다.
본 발명에서의 172nm의 엑시머(excimer)UV광은 상기 내부전극(10)과 자외선 방전용기(20) 및 외부전극(30)의 결합상태에서 내부전극(10)과 외부전극(30)에 전기에너지를 공급하여 방전가스 에너지 변화에 의해 172nm 엑시머UV광을 발생 시키고 발생된 172nm 엑시머UV광은 내부전극(10)의 투과부(13)를 통해 내부전극(10)의 수용공간부(12) 내부로 방출된다.
이때 수용공간부(12)에 앞서 설명한 임플란트 픽스쳐를 배치하여, 172nm 엑시머UV광에 의한 표면개질 처리를 수행할 수 있다.
이를 위하여 상기 내부전극(10)의 내측에는 지지부(40)가 삽입되어 삽입방향으로 왕복 이동이 가능한 상태로 결합된다.
상기 지지부(40)는 상향으로 이동하여 상기 내부전극(10), 자외선 방전용기(20) 및 외부전극(30) 결합구조의 상부측으로 상단부가 노출될 수 있으며, 노출된 상단부에 임플란트 픽스쳐를 고정하는 홀더를 마련하고, 임플란트 픽스쳐가 홀더에 고정된 상태에서 하향으로 이동하여 임플란트 픽스쳐를 내부전극(10)의 수용공간부(12)로 인입시킬 수 있다.
상기 UV광의 에너지 및 생성된 오존으로 임플란트 픽스쳐의 표면 개질 처리를 수행한다.
이때 UV광은 임플란트 픽스쳐의 둘레 전체로 조사되기 때문에 표면개질 처리 시간을 획기적으로 줄일 수 있으며, 구성을 매우 단순화할 수 있는 특징이 있다.
위에서는 임플란트 픽스쳐를 직접 내부전극(10)의 수용공간부(12)로 인입하는 예를 설명하였으나, 도 7에 도시한 바와 같이 임플란트 픽스쳐(51)가 담긴 케이스(50)가 인입될 수 있고 UV광은 케이스(50)를 투과하여 수용된 임플란트 픽스쳐를 표면개질 처리할 수 있다
상기 케이스(50)는 석영유리재질일 수 있으며, 두께 1mm 석영유리 기준으로 172nm 투과율 60% 이상의 합성석영유리가 바람직하다.
이와 같이 본 발명은 임플란트 픽스쳐 보관용 케이스에서 임플란트 픽스쳐를 인출하지 않은 상태로 표면개질 처리가 가능하기 때문에 표면개질 처리과정에서 발생될 수 있는 임플란트 픽스쳐의 오염을 방지할 수 있다.
상기 지지부(40)는 UV광 및 오존과 반응하지 않는 세라믹 재질로 하며, 내측에는 길이 방향을 따라 공기유입 및 유출이 가능한 구조의 공기 유통구(41)가 마련될 수 있다.
상기 공기 유통구(41)를 통해 외부 공기가 상기 내부전극(10)의 내부 또는, 임플란트 픽스쳐가 담긴 상기 케이스(50) 내부로 유입되도록 하여 UV광 조사에 의해 발생되는 오존을 임플란트 픽스쳐 주변 즉, 필요공간에 한정되게 오존 발생 농도를 조절 할 수 있다.
경우에 따라서 상기 지지부(40)는 상기 내부전극의 내측에서 회전할 수도 있다.
이처럼 본 발명은 단순한 구성으로 이중관 구조의 UV램프 안쪽에서 임플란트 픽스쳐 표면 전체에 균일한 UV를 동시에 조사함이 가능해 표면개질 처리시간을 급격히 단축할 수 있는 효과가 있다
또한, 케이스(50)에서 임플란트 픽스쳐를 인출하지 않고도 표면개질 처리가 가능하기 때문에 임플란트 픽스쳐의 오염을 방지하는 효과가 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정, 변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.
본 발명은 자외선을 이용한 인공 치아의 표면 개질과 관련된 것으로, 자외선과 오존을 이용하여 인공 치아의 표면의 탄소를 제거할 수 있다는 자연법칙을 이용하여, 인공 치아의 식립을 원활하게 할 수 있는 기술로 산업상 이용 가능성이 있다.

Claims (13)

  1. 통형 구조이며 면에 다수의 투과부를 가지는 내부전극과,
    상기 내부전극이 수용되며, UV광원이 되는 방전용 가스가 충진되는 가스충진영역을 가지는 통형 구조의 자외선 방전용기와,
    상기 자외선 방전용기가 내측에 수용되는 외부전극을 포함하며, 상기 내부전극의 내측에 임플란트 픽스쳐를 배치하여 표면개질을 행하는 임플란트 표면개질 처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    UV광원은 엑시머UV광인 것을 특징으로 하는 임플란트 표면개질 처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    UV광원은 172nm 엑시머UV광인 것을 특징으로 하는 임플란트 표면개질 처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    UV광원은 222nm 엑시머UV광인 것을 특징으로 하는 임플란트 표면개질 처리장치.
  5. 제1항에 있어서,
    UV광원은 UVC파장대 UV광원인 것을 특징으로 하는 임플란트 표면개질 처리장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 임플란트 픽스쳐는,
    상기 UV광을 투과하는 케이스에 수용된 것을 특징으로 하는 임플란트 표면개질 처리장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 케이스는,
    두께 1mm 석영유리 기준으로 172nm 투과율 60% 이상을 가지는 합성석영유리 재질임을 특징으로하는 임플란트 표면개질 처리장치.
  8. 제1항 있어서,
    상기 내부전극의 내측에 삽입되어 임플란트 픽스쳐를 지지하는 지지부를 더 포함하는 임플란트 표면개질 처리장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 지지부는,
    상기 내부전극의 내측에서 왕복 이동하여, 임플란트 픽스쳐를 내부전극의 내측으로 인입하거나 외부로 배출하는 것을 특징으로 하는 임플란트 표면개질 처리장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 지지부는,
    상기 내부전극의 내측에서 회전되는 것을 특징으로 하는 임플란트 표면개질 처리장치.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 지지부는,
    공기가 유입 및 유출될 수 있는 공기 유통구를 포함하는 임플란트 표면개질 처리장치.
  12. 제8항 또는 제10항에 있어서,
    상기 지지부는,
    세라믹 재질인 것을 특징으로 하는 임플란트 표면개질 처리장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 외부전극은,
    발생된 UV광을 상기 내부전극측으로 반사하는 통형 구조인 것을 특징으로 하는 임플란트 표면개질 처리장치.
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