CN111513880B - 一种种植体活化方法及活化种植体 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种种植体活化方法及活化种植体，属于医疗产品领域。该方法包括：将待活化的种植体于准分子光源的照射下进行活化处理；其中，准分子光源向待活化的种植体提供148‑196nm及具有6.3‑8.4eV光子能量的真空紫外线。通过上述活化方法，不仅能够在种植手术前快速获得亲水效果保持时间较久的亲水性种植体，而且还能降低种植体表面有机碳化物的污染，提高氧含量，使其表面吸附更多的生物活性物质与成骨蛋白，促进种植体与骨结合。活化处理后的活化种植体，表面接触角低且能较长时间保持亲水性，其表面氧和钛的含量较高，污染元素含量较低。

Description

一种种植体活化方法及活化种植体
技术领域
本发明涉及医疗产品技术领域，具体而言，涉及一种种植体活化方法及活化种植体。
背景技术
牙科种植体是通过外科手术的方式将其植入人体缺牙部位的上下颌骨内，待其手术伤口愈合后，在其上部安装修复基台以及牙冠的装置。对于现代口腔而言，种植牙因其美观、舒适，寿命长的特点，被广泛应用于牙齿缺失及修复，被称为人类的第三副牙齿。
亲水性牙科种植体往往具有更加优良的生物活性，一系列研究表明，亲水性种植体对于骨细胞的分化具有促进作用，对于早期骨整合尤其有效。但现有的种植体普遍接触角较高(90°以上)，部分亲水性种植体放置一段时间后亲水性明显下降。
紫外线照射是一种能在牙科种植手术前对种植体表面进行活化处理，使之重新获得亲水表面的工艺，虽然相应的种植体活化仪能在一定程度上使种植体达到亲水的水平，但其在市场上还没有大范围推广，其主要原因是普通UVC紫外线(波长253.7nm)活化功率低，能量不集中，活化所需时间长(一般都需要4h以上)。临床使用过程中，医生需要提前4h准备种植体的活化，在实际操作过程中比较繁琐耗时。且种植体取出后不能二次灭菌，一旦出现由于病人或医生的原因需要更改手术时间，将导致种植体无法继续使用，造成浪费。
鉴于此，特提出本发明。
发明内容
本发明的目的之一包括提供一种种植体活化方法，该方法简单，易操作，能够在种植手术前快速获得亲水效果保持时间较久的亲水性种植体。
本发明的目的之二包括提供一种由上述种植体活化方法活化而得的活化种植体，该活化种植体的表面接触角低且能较长时间保持亲水性，同时，其表面氧和钛的含量较高，污染元素含量较低。
本发明是这样实现的：
第一方面，本申请提供了一种种植体活化方法，包括以下步骤：将待活化的种植体于准分子光源的照射下进行活化处理。
其中，准分子光源向待活化的种植体提供148-196nm以及具有6.3-8.4eV的光子能量的真空紫外线。
在可选的实施方式中，种植体为牙科用种植体。
在可选的实施方式中，种植体包括钛种植体。
在可选的实施方式中，准分子光源为待活化的种植体提供160-184nm以及具有6.7-7.8eV光子能量的真空紫外线。优选地，提供172nm以及具有7.2eV光子能量的真空紫外线。
在可选的实施方式中，准分子光源与待活化的种植体之间的距离为10-100mm，活化时间为0.5-30min。
在可选的实施方式中，准分子光源与待活化的种植体之间的距离为10-50mm，优选为30mm。
在可选的实施方式中，活化时间为0.5-5min，优选为1min。
在可选的实施方式中，还包括在活化处理前，对待活化的种植体进行前处理以在种植体的表面形成孔洞。
在可选的实施方式中，前处理包括对待处理的种植体的表面进行喷砂处理以在表面形成一级孔洞。
在可选的实施方式中，一级孔洞的直径为20-200μm。
在可选的实施方式中，喷砂处理所用的喷砂材料包括金红石砂或刚玉砂。
在可选的实施方式中，喷砂处理过程中，喷砂距离为5-15mm，优选为8-12mm。
在可选的实施方式中，喷砂处理过程中，喷砂角度为30-60°，优选为40-50°。
在可选的实施方式中，喷砂处理过程中，喷砂时间为10-20s，优选为13-17s。
在可选的实施方式中，前处理还包括对喷砂处理后的种植体的表面进行酸蚀处理以在表面形成二级孔洞。
在可选的实施方式中，二级孔洞的直径小于5μm。
在可选的实施方式中，酸蚀处理所用的酸包括硫酸或盐酸。
在可选的实施方式中，酸蚀处理于50-100℃的条件下进行，优选于60℃的条件下进行。
在可选的实施方式中，酸蚀处理时间为3-120min，优选为60min。
在可选的实施方式中，准分子光源由准分子灯提供。
在可选的实施方式中，准分子灯包括同轴设置的内层石英管和外层石英管且内层石英管与外层石英管之间形成密闭的环形空腔，空腔用于填充惰性气体或卤素，内层石英管的内壁设有内电极，外层石英管的外壁设有外电极，外电极和内电极均与电源电连接。
在可选的实施方式中，外层石英管的长为100-500mm，宽为30-120mm，高为1-5mm。优选地，外层石英管的长为140mm，宽为40mm，高为1.5mm。
在可选的实施方式中，内层石英管的长为150-700mm，宽为20-90mm，高为0.8-2.5mm。优选地，内层石英管的长为200mm，宽为25mm，高为1mm。
在可选的实施方式中，准分子灯的放电间隙为5-7mm，优选为6mm。
在可选的实施方式中，惰性气体包括氙气。
在可选的实施方式中，内电极的材料包括不锈钢。
在可选的实施方式中，内电极呈片状。
在可选的实施方式中，内电极为不锈钢片。
在可选的实施方式中，内电极的厚度为0.02-0.1mm，优选为0.05mm。
在可选的实施方式中，外电极的材料包括不锈钢。
在可选的实施方式中，外电极呈网状。
在可选的实施方式中，外电极为不锈钢网。
在可选的实施方式中，准分子灯对200nm波长的紫外光的透过率＞80％。
第二方面，本申请还提供了一种活化种植体，其由如前述实施方式任一项的种植体活化方法活化而得。
在可选的实施方式中，活化种植体的接触角为0-0.5°，优选为0°；
在可选的实施方式中，以原子百分比计，活化种植体的表面C含量为9.1-16％。
在可选的实施方式中，以原子百分比计，活化种植体的表面N含量为0.5-0.7％。
在可选的实施方式中，以原子百分比计，活化种植体的表面O含量为57-64％。
在可选的实施方式中，以原子百分比计，活化种植体的表面Mg含量为0.3-0.9％。
在可选的实施方式中，以原子百分比计，活化种植体的表面Si含量低于1％，优选为0.6％。
在可选的实施方式中，以原子百分比计，活化种植体的表面S含量为0.2-0.4％。
在可选的实施方式中，以原子百分比计，种植体的表面Ca含量为0.4-0.7％。
在可选的实施方式中，以原子百分比计，活化种植体的表面Ti含量为20-23％。
在可选的实施方式中，以原子百分比计，活化种植体的表面Zn含量为0.1-0.4％。
在可选的实施方式中，以原子百分比计，活化种植体的表面I含量低于0.3％，优选低于0.1％。
本申请具有以下有益效果：
本申请提供的种植体活化方法通过采用准分子光源紫外活化技术，利用准分子光源放出单一、能量集中的148-196nm真空紫外线(VUV)的特点，发射出高达6.3-8.4eV的真空紫外光子能量，足以打开大多数分子键，实现种植体(例如牙科种植体)表面有机碳化物的快速去除，从而能够在种植手术前快速获得亲水效果保持时间较久的亲水性种植体，一方面能够改善目前紫外灯效率低下的问题，满足临床使用需求，另一方面可给予医生更多的手术准备时间。此外，准分子光源紫外活化过程可以在活化装置内形成臭氧，臭氧分解产生活性氧，这些活性氧可以附着在种植体表面，使之能更好的与体液中的成骨蛋白与成骨细胞发生直接的交互作用，具备更高的亲水性与生物活性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为常见化学键结合能图；
图2为本申请中准分子灯波长分布范围示意图；
图3为本申请实施例1中准分子灯的结构示意图；
图4为本申请实施例1中活化种植体的接触角测试结果图；
图5为申请实施例1中活化种植体的表面元素含量结果图；
图6为本申请实施例2中活化种植体的接触角测试结果图；
图7为申请实施例2中活化种植体的表面元素含量结果图；
图8为本申请对照例1中活化种植体的接触角测试结果图；
图9为本申请对照例2中活化种植体的接触角测试结果图；
图10为本申请对照例3中活化种植体的接触角测试结果图；
图11为本申请对照例4中活化种植体的接触角测试结果图；
图12为本申请对照例5中活化种植体的接触角测试结果图。
主要附图标记说明：1-外电极；2-空腔；3-内电极；4-外壁；5-内壁；6-高压电源；A-内层石英管；B-外层石英管。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
下面对本申请提供的种植体活化方法及活化种植体进行具体说明。
发明人经长期研究得出提前活化的种植体的亲水性难以长期保持的原因主要为表面碳化物的污染。在生产加工过程中由于环境中二氧化碳的存在，使得种植体的亲水性表面容易与碳分子形成分子键，粘附在种植体表面导致其无法与水分子结合，变得疏水，这个过程使得亲水性种植体的保存变得相当困难。
本申请提出一种种植体活化方法，包括以下步骤：将待活化的种植体于准分子光源的照射下进行活化处理。
其中，准分子光源向待活化的种植体提供148-196nm以及具有6.3-8.4eV的光子能量的真空紫外线。
在可选的实施方式中，准分子光源为待活化的种植体提供160-184nm以及具有6.7-7.8eV光子能量的真空紫外线。优选地，提供172nm以及具有7.2eV光子能量的真空紫外线。
在可选的实施方式中，准分子光源与待活化的种植体之间的距离为10-100mm，活化时间为0.5-30min。
在可选的实施方式中，准分子光源与待活化的种植体之间的距离为10-50mm，优选为30mm。
在可选的实施方式中，活化时间为0.5-5min，优选为1min。
在可选的实施方式中，上述种植体可以为牙科用种植体。
在可选的实施方式中，种植体包括钛种植体。
上述准分子光源是一种非相干性光源，这种特殊的发光源，既不是分子也不是原子，而是一种不能稳定存在的激发态分子。准分子作为一种非稳态的激发态分子存在的时间非常短，然后它便通过自发辐射的方式跃迁到基态而分解，同时辐射出光子和能量。
准分子可以分为四个类型：稀有气体双原子准分子(Rg2*)、卤素准分子(X2*)、稀有气体-卤素准分子(RgX*),以及汞-卤素准分子(HgX*)。
准分子的形成主要分为三个过程：分别是电离激发、准分子的形成和光子能量的辐射。以稀有气体-卤素准分子形成为例：首先，稀有气体分子与电子发生碰撞被激发和电离；然后，通过Harpooning反应或者三体碰撞反应生成稀有气体-卤素准分子；最后，准分子分解为原子并释放出能量。
由此可知，能量和气压是形成准分子的两个必要条件。首先，电子本身具有一定的能量，才能相互碰撞，产生激发态的原子、分子或离子；其次，体系本身具有一定的气压，使激发态的原子分子在衰减或淬灭之前，发生三体碰撞复合反应。
准分子的产生方式主要有：介质阻挡放电(DBD)、α粒子、高能电子束、微波放电及脉冲放电等。
与传统光源相比，准分子光源有以下几个优势：辐射光谱窄、可塑性强、光电转化效率高、无辐射自吸收、辐射面积大、使用寿命长等。
承上，本申请提供的种植体活化方法通过采用准分子光源紫外活化技术，利用准分子光源放出单一、能量集中的148-196nm(尤其是172nm)真空紫外线(VUV)的特点，发射出高达6.3-8.4eV(尤其是7.2eV)的真空紫外光子能量，足以打开大多数分子键，实现种植体(例如牙科种植体)表面有机碳化物的快速去除，从而能够在种植手术前快速获得亲水效果保持时间较久的亲水性种植体，一方面能够改善目前紫外灯效率低下的问题，满足临床使用需求，另一方面可给予医生更多的手术准备时间。此外，准分子光源紫外活化过程可以在活化装置内形成臭氧，臭氧分解产生活性氧，这些活性氧可以附着在种植体表面，使之能更好的与体液中的成骨蛋白与成骨细胞发生直接的交互作用，具备更高的亲水性与生物活性。
进一步地，种植体活化方法还可包括在活化处理前，对待活化的种植体进行前处理以在种植体的表面形成孔洞。
在可选的实施方式中，前处理包括对待处理的种植体的表面进行喷砂处理以在表面形成一级孔洞。可参考地，一级孔洞的直径可以为20-200μm。通过喷砂处理形成一级孔洞，可促进成骨细胞的附着。
可参考地，喷砂处理所用的喷砂材料例如可包括金红石砂或刚玉砂。优选采用金红石砂对种植体表面进行喷砂处理，金红石砂不仅使纯钛种植体表面没有其他杂质元素的干扰，大颗粒喷砂还能有效形成一级孔洞，达到促进骨结合的目的。
在可选的实施方式中，喷砂处理过程中，喷砂距离为5-15mm，如5mm、6mm、8mm、10mm、12mm或15mm等，优选为8-12mm。本申请中将喷砂距离控制在5-15mm，可提高喷砂效率，快速形成一级孔洞结构。
在可选的实施方式中，喷砂处理过程中，喷砂角度为30-60°，如30°、35°、40°、45°、50°、55°或60°等，优选为40-50°。本申请中将喷砂角度控制在30-60°，可使孔洞深度较深，利于成骨细胞附着。
在可选的实施方式中，喷砂处理过程中，喷砂时间为10-20s，如10s、12s、15s、18s或20s等，优选为13-17s。本申请中将喷砂时间控制在10-20s，可形成均匀的孔洞结构，也不会导致种植体尺寸发生改变。
进一步地，前处理还可包括对喷砂处理后的种植体的表面进行酸蚀处理以在表面形成二级孔洞。可参考地，二级孔洞的直径可以小于5μm。通过酸蚀处理形成二级孔洞，不仅可促使蛋白质的粘附，提高成骨效率，而且还能调控种植体表面孔洞的大小及分布，使得种植体更易与细胞结合。
可参照地，酸蚀处理所用的酸例如可包括硫酸或盐酸。
在可选的实施方式中，酸蚀处理可以于50-100℃的条件下进行，优选于50-70℃，更优于60℃的条件下进行。本申请中将酸蚀处理温度控制在50-70℃，可较温和的形成孔洞结构，防止酸液挥发。
在可选的实施方式中，酸蚀处理时间为3-120min，优选为50-70min，更优为60min。本申请中将酸蚀处理时间控制在50-70min，可形成均匀孔洞结构，也不会使表面过度腐蚀。
在可选的实施方式中，本申请中的准分子光源由准分子灯提供。
可参照地，本申请的准分子灯包括同轴设置的内层石英管和外层石英管，内层石英管与外层石英管之间形成密闭的环形空腔，空腔用于填充惰性气体或卤素，内层石英管的内壁设有内电极，外层石英管的外壁设有外电极，外电极和内电极均与电源电连接。
准分子灯的作用原理和使用方法可参照现有技术，在此不做过多赘述。
在可选的实施方式中，外层石英管的长为100-500mm，宽为30-120mm，高为1-5mm。优选地，外层石英管的长为140mm，宽为40mm，高为1.5mm。
在可选的实施方式中，内层石英管的长为150-700mm，宽为20-90mm，高为0.8-2.5mm。优选地，内层石英管的长为200mm，宽为25mm，高为1mm。
在可选的实施方式中，准分子灯的放电间隙为5-7mm，优选为6mm。
在可选的实施方式中，上述惰性气体例如可包括氙气。采用该气体作为惰性气体可较其它惰性气体更高色温、更聚集，且能耗更低。
在可选的实施方式中，内电极的材料可包括不锈钢。
在可选的实施方式中，内电极呈片状。
在可选的实施方式中，内电极为不锈钢片。
在可选的实施方式中，内电极的厚度可以为0.02-0.1mm，优选为0.05mm。
在可选的实施方式中，外电极的材料可包括不锈钢。
在可选的实施方式中，外电极呈网状。
在可选的实施方式中，外电极为不锈钢网。
在可选的实施方式中，上述准分子灯对200nm波长的紫外光的透过率＞80％，该灯体整体可采用GE公司的合成石英制成。
承上，常见化学键结合能如图1所示，利用准分子灯技术(准分子灯波长分布范围示意图如图2所示)，可产生172nm波长的真空紫外线，激发出7.2ev(166Kcal/mol)的光子能量，大于普通紫外线4.9eV(113Kcal/mol)，从而能快速切断大部分有机物的分子化学键，能达到表面改性，亲水活化的效果。且172nm波长的紫外线容易被氧气吸收，产生活性氧及臭氧，臭氧分解也可形成活性氧：O2+hv→活性氧，O3+hv→O2+活性氧。
表面碳化物化学键被切断后，钛金属表面原子能迅速与活性氧结合，经一系列反应后，生成亲水性氧化膜，减低材料润湿角，从而达到活化种植体表面的目的。
此外，本申请还提供了一种活化种植体，其由上述种植体活化方法活化而得。
在可选的实施方式中，活化后的活化种植体的接触角为0-0.5°，优选为0°。值得说明的是，将活化后的活化种植体在空气中放置15min后其接触角接近0°。
在可选的实施方式中，以原子百分比计，活化后的活化种植体的表面C含量为9.1-16％，N含量为0.5-0.7％，O含量为57-64％，Mg含量为0.3-0.9％，Si含量低于1，优选为0.6％，S含量为0.2-0.4％，Ca含量为0.4-0.7％，Ti含量为20-23％，Zn含量为0.1-0.4％，I含量低于0.3％，优选低于0.1％。
也即，通过准分子灯照射后的活化种植体表面接触角较低，能较长时间保持亲水性，其表面氧和钛的含量较高，污染元素含量较低。
以下结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例1
前处理：先用机加工准备好直径为10mm的，厚度为1mm的种植体小圆片，利用金红石砂对上述种植体的表面进行喷砂处理，喷砂距离为8mm，角度为45°，时间为15s，以形成一级孔洞。再利用硫酸在60℃对种植体表面进行酸蚀处理60min，以形成二级孔洞。
活化：待实验前，将前处理后的种植体取出，在准分子灯活化仪下对小圆片进行活化处理，准分子灯活化仪向该待活化的种植体提供172nm以及具有7.2eV的光子能量的真空紫外线。活化时间为1min，活化仪距离小圆片30mm。活化后立即测试。
其中，准分子灯的结构如图3所示，包括同轴设置的内层石英管A和外层石英管B，内层石英管A与外层石英管B之间形成密闭的环形的空腔2，空腔2用于填充氙气，内层石英管A的内壁5设有内电极3，外层石英管B的外壁4设有外电极1，外电极1和内电极3均与高压电源6电连接。
上述外层石英管B的宽为40mm，高为1.5mm，长为140mm。内层石英管A的长为200mm，宽为25mm，高为1mm。放电间隙为6mm。内电极3为厚度为0.05mm的不锈钢片，外电极1为不锈钢网。
该灯体整体可采用GE公司的合成石英制成，对200nm波长的紫外光的透过率＞80％。
测试数据：接触角(利用接触角测量仪)，表面元素含量(利用X射线光电子能谱分析(X-ray photoelectron spectroscopy，XPS)。
测试结果：接触角为0°(如图4所示)，表面元素含量如表1及图5所示。
实施例2：
前处理：先用机加工准备好直径为10mm的，厚度为1mm的小圆片，利用金红石砂对种植体表面进行喷砂处理，喷砂距离为8mm，角度为45°，时间为15s，以形成一级孔洞。再利用硫酸在60℃对种植体表面进行酸蚀处理60min，以形成二级孔洞。
活化：待实验前，将前处理后的种植体取出，在准分子灯活化仪下对小圆片进行活化处理，准分子灯活化仪向该待活化的种植体提供172nm以及具有7.2eV的光子能量的真空紫外线。活化时间为1min，活化仪距离小圆片30mm。活化后空气中放置15min后进行测试。
该实施例所用的准分子灯同实施例1。
测试数据：接触角和表面元素含量，测试仪器以及测试条件均同实施例1。
测试结果：接触角为0.5°(如图6所示)，表面元素含量如表1及图7所示。
对照例1：
前处理过程及条件同实施例1。
活化：利用253.7nm紫外灯照射前处理后的种植体表面4h，照射完后立即测试。
测试数据：接触角和表面元素含量，测试仪器以及测试条件均同实施例1。
测试结果：接触角为81.6°(如图8所示)，表面元素含量如表1所示。
对照例2：
前处理过程及条件同实施例1。
活化：利用253.7nm紫外灯照射材料表面48h，照射完后立即测试。
测试数据：接触角和表面元素含量，测试仪器以及测试条件均同实施例1。
测试结果：接触角为51.1°(如图9所示)，表面元素含量如表1所示。
对照例3：
前处理过程及条件同实施例1。
活化：无，前处理后立即测试。
测试数据：接触角和表面元素含量，测试仪器以及测试条件均同实施例1。
测试结果：接触角为100.4°(如图10所示)，表面元素含量如表1所示。
表1 XPS测试结果
Figure BDA0002481711170000131
由表1可以看出，本申请利用准分子灯对种植体表面进行活化处理取得了卓越的效果。实施例与对照例相比，明显降低了材料表面的接触角，达到了亲水的效果，且在空气中放置一段时间后亲水性没有明显下降(润湿角越小越好)。通过XPS分析可知，利用准分子灯照射后的种植体材料表面有机碳化物的污染明显减少，氧含量上升(氧含量和钛含量越高越好，其余是污染元素，越低越好)，可使种植体表面吸附更多的生物活性物质与成骨蛋白，促进种植体骨结合。
对照例4：
前处理：先用机加工准备好直径为10mm的，厚度为1mm的小圆片，利用金红石砂对种植体表面进行喷砂处理，喷砂距离为8mm，角度为45°，时间为15s，以形成一级孔洞。再利用硫酸在60℃对种植体表面进行酸蚀处理60min，以形成二级孔洞。
活化：待实验前，将前处理后的种植体取出，在准分子灯活化仪下对小圆片进行活化处理，准分子灯活化仪向该待活化的种植体提供172nm以及具有7.2eV的光子能量的真空紫外线。活化时间为1min，活化仪距离小圆片200mm。
测试结果：接触角为68°(如图11所示)。
对照例5：
前处理：先用机加工准备好直径为10mm的，厚度为1mm的小圆片，利用金红石砂对种植体表面进行喷砂处理，喷砂距离为8mm，角度为45°，时间为15s，以形成一级孔洞。再利用硫酸在60℃对种植体表面进行酸蚀处理60min，以形成二级孔洞。
活化：待实验前，将前处理后的种植体取出，在准分子灯活化仪下对小圆片进行活化处理，准分子灯活化仪向该待活化的种植体提供172nm以及具有7.2eV的光子能量的真空紫外线。活化时间为0.2min，活化仪距离小圆片3mm。
测试结果：接触角为63.6°(如图12所示)
通过对比对照组4、5以及实施例1可以看出，活化过程中，准分子光源与待活化的种植体之间的距离以及活化时间均会直接影响活化种植体最终的表面接触角，也即影响其保持亲水性的能力。
综上所述，本申请提供的种植体活化方法不仅能够在种植手术前快速获得亲水效果保持时间较久的亲水性种植体，一方面能够改善紫外灯效率低下的问题，满足临床使用需求，另一方面可给予医生更多的手术准备时间，而且还能降低种植体表面有机碳化物的污染，提高氧含量，使种植体表面吸附更多的生物活性物质与成骨蛋白，促进种植体与骨结合。经上述活化处理后的活化种植体，表面接触角低且能较长时间保持亲水性，其表面氧和钛的含量较高，污染元素含量较低。
以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (54)

1.一种种植体活化方法，其特征在于，步骤如下：对待活化的种植体进行前处理以在所述种植体的表面形成孔洞，随后于准分子光源的照射下进行活化处理；
其中，所述准分子光源向所述待活化的种植体提供148-196nm以及具有6.3-8.4eV光子能量的真空紫外线；
所述种植体为牙科用钛种植体；
所述准分子光源与所述待活化的种植体之间的距离为10-100mm，活化时间为0.5-30min；
前处理为：对所述待活化的种植体的表面进行喷砂处理以在所述表面形成一级孔洞，对喷砂处理后的所述种植体的表面进行酸蚀处理以在所述表面形成二级孔洞。
2.根据权利要求1所述的种植体活化方法，其特征在于，所述准分子光源为所述待活化的种植体提供160-184nm以及具有6.7-7.8eV光子能量的真空紫外线。
3.根据权利要求2所述的种植体活化方法，其特征在于，所述准分子光源为所述待活化的种植体提供172nm以及具有7.2eV光子能量的真空紫外线。
4.根据权利要求1所述的种植体活化方法，其特征在于，所述准分子光源与所述待活化的种植体之间的距离为10-50mm。
5.根据权利要求4所述的种植体活化方法，其特征在于，所述准分子光源与所述待活化的种植体之间的距离为30mm。
6.根据权利要求4所述的种植体活化方法，其特征在于，活化时间为0.5-5min。
7.根据权利要求6所述的种植体活化方法，其特征在于，活化时间为1min。
8.根据权利要求1-7任一项所述的种植体活化方法，其特征在于，所述一级孔洞的直径为20-200μm。
9.根据权利要求8所述的种植体活化方法，其特征在于，喷砂处理所用的喷砂材料包括金红石砂或刚玉砂。
10.根据权利要求9所述的种植体活化方法，其特征在于，喷砂处理过程中，喷砂距离为5-15mm。
11.根据权利要求10所述的种植体活化方法，其特征在于，喷砂处理过程中，喷砂距离为8-12mm。
12.根据权利要求9所述的种植体活化方法，其特征在于，喷砂处理过程中，喷砂角度为30-60°。
13.根据权利要求12所述的种植体活化方法，其特征在于，喷砂处理过程中，喷砂角度为40-50°。
14.根据权利要求9所述的种植体活化方法，其特征在于，喷砂处理过程中，喷砂时间为10-20s。
15.根据权利要求14所述的种植体活化方法，其特征在于，喷砂处理过程中，喷砂时间为13-17s。
16.根据权利要求1所述的种植体活化方法，其特征在于，所述二级孔洞的直径小于5μm。
17.根据权利要求1所述的种植体活化方法，其特征在于，酸蚀处理所用的酸包括硫酸或盐酸。
18.根据权利要求17所述的种植体活化方法，其特征在于，酸蚀处理于50-100℃的条件下进行。
19.根据权利要求18所述的种植体活化方法，其特征在于，酸蚀处理于60℃的条件下进行。
20.根据权利要求17所述的种植体活化方法，其特征在于，酸蚀处理时间为3-120min。
21.根据权利要求20所述的种植体活化方法，其特征在于，酸蚀处理时间为60min。
22.根据权利要求1所述的种植体活化方法，其特征在于，所述准分子光源由准分子灯提供。
23.根据权利要求22所述的种植体活化方法，其特征在于，所述准分子灯包括同轴设置的内层石英管和外层石英管且所述内层石英管与所述外层石英管之间形成密闭的环形空腔，所述空腔用于填充惰性气体或卤素，所述内层石英管的内壁设有内电极，所述外层石英管的外壁设有外电极，所述外电极和所述内电极均与电源电连接。
24.根据权利要求23所述的种植体活化方法，其特征在于，所述外层石英管的长为100-500mm，宽为30-120mm，高为1-5mm。
25.根据权利要求24所述的种植体活化方法，其特征在于，所述外层石英管的长为140mm，宽为40mm，高为1.5mm。
26.根据权利要求23所述的种植体活化方法，其特征在于，所述内层石英管的长为150-700mm，宽为20-90mm，高为0.8-2.5mm。
27.根据权利要求26所述的种植体活化方法，其特征在于，所述内层石英管的长为200mm，宽为25mm，高为1mm。
28.根据权利要求23所述的种植体活化方法，其特征在于，所述准分子灯的放电间隙为5-7mm。
29.根据权利要求28所述的种植体活化方法，其特征在于，所述准分子灯的放电间隙为6mm。
30.根据权利要求23所述的种植体活化方法，其特征在于，所述惰性气体包括氙气。
31.根据权利要求23所述的种植体活化方法，其特征在于，所述内电极的材料包括不锈钢。
32.根据权利要求31所述的种植体活化方法，其特征在于，所述内电极呈片状。
33.根据权利要求32所述的种植体活化方法，其特征在于，所述内电极为不锈钢片。
34.根据权利要求23所述的种植体活化方法，其特征在于，所述内电极的厚度为0.02-0.10mm。
35.根据权利要求34所述的种植体活化方法，其特征在于，所述内电极的厚度为0.05mm。
36.根据权利要求23所述的种植体活化方法，其特征在于，所述外电极的材料包括不锈钢。
37.根据权利要求36所述的种植体活化方法，其特征在于，所述外电极呈网状。
38.根据权利要求37所述的种植体活化方法，其特征在于，所述外电极为不锈钢网。
39.根据权利要求38所述的种植体活化方法，其特征在于，所述准分子灯对200nm波长的紫外光的透过率＞80%。
40.一种活化种植体，其特征在于，所述活化种植体由如权利要求1-39任一项所述的种植体活化方法活化而得。
41.根据权利要求40所述的活化种植体，其特征在于，所述活化种植体的接触角为0-0.5°。
42.根据权利要求41所述的活化种植体，其特征在于，所述活化种植体的接触角为0°。
43.根据权利要求40所述的活化种植体，其特征在于，以原子百分比计，所述活化种植体的表面C含量为9.1-16%。
44.根据权利要求40所述的活化种植体，其特征在于，以原子百分比计，所述活化种植体的表面N含量为0.5-0.7%。
45.根据权利要求40所述的活化种植体，其特征在于，以原子百分比计，所述活化种植体的表面O含量为57-64%。
46.根据权利要求40所述的活化种植体，其特征在于，以原子百分比计，所述活化种植体的表面Mg含量为0.3-0.9%。
47.根据权利要求40所述的活化种植体，其特征在于，以原子百分比计，所述活化种植体的表面Si含量低于1%。
48.根据权利要求47所述的活化种植体，其特征在于，以原子百分比计，所述活化种植体的表面Si含量为0.6%。
49.根据权利要求40所述的活化种植体，其特征在于，以原子百分比计，所述活化种植体的表面S含量为0.2-0.4%。
50.根据权利要求40所述的活化种植体，其特征在于，以原子百分比计，所述种植体的表面Ca含量为0.4-0.7%。
51.根据权利要求40所述的活化种植体，其特征在于，以原子百分比计，所述活化种植体的表面Ti含量为20-23%。
52.根据权利要求40所述的活化种植体，其特征在于，以原子百分比计，所述活化种植体的表面Zn含量为0.1-0.4%。
53.根据权利要求40所述的活化种植体，其特征在于，以原子百分比计，所述活化种植体的表面I含量低于0.3%。
54.根据权利要求53所述的活化种植体，其特征在于，以原子百分比计，所述活化种植体的表面I含量低于0.1%。
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