WO2019155835A1 - 試料支持体、イオン化法及び質量分析方法 - Google Patents
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Abstract
試料支持体(1)は、試料のイオン化用の試料支持体である。試料支持体は、互いに対向する第1表面(2a)及び第2表面(2b)を有する基板(2)と、少なくとも第1表面に設けられた導電層(4)と、を備える。基板のうち試料の成分をイオン化するための実効領域(R)には、第1表面及び第2表面に開口する複数の貫通孔(20)が形成されており、複数の貫通孔のそれぞれにおいて、第2表面側の第2開口部(20b)の幅は、第1表面側の第1開口部(20a)の幅よりも大きい。
Description
本開示は、試料支持体、イオン化法及び質量分析方法に関する。
従来、質量分析等を行うために生体試料等の試料をイオン化する手法として、レーザ脱離イオン化法が知られている。レーザ脱離イオン化法に用いられる試料支持体として、特許文献1には、複数の貫通孔が形成された基板と、基板における少なくとも一方の表面に設けられた導電層と、を備えるものが記載されている。
質量分析においては、イオン化された試料の成分が検出され、その検出結果に基づいて試料の質量分析が実施される。したがって、質量分析においては、イオン化された試料の成分の信号強度(感度)の向上が望まれる。
本開示は、質量分析においてイオン化された試料の成分の信号強度を向上させることができる試料支持体、イオン化法及び質量分析方法を提供することを目的とする。
本開示の一側面の試料支持体は、試料のイオン化用の試料支持体であって、互いに対向する第1表面及び第2表面を有する基板と、少なくとも第1表面に設けられた導電層と、を備え、基板のうち試料の成分をイオン化するための実効領域には、第1表面及び第2表面に開口する複数の貫通孔が形成されており、複数の貫通孔のそれぞれにおいて、第2表面側の第2開口部の幅は、第1表面側の第1開口部の幅よりも大きい。
この試料支持体では、複数の貫通孔のそれぞれにおいて、第2表面側の第2開口部の幅が、第1表面側の第1開口部の幅よりも大きい。そのため、例えば、試料に第2表面が対面するように試料支持体が配置されると、複数の貫通孔を介して試料の成分が第1表面側にスムーズに移動し、試料の成分が第1表面側に適切な状態で留まる。したがって、導電層に電圧が印加されつつ第1表面に対してエネルギー線が照射されると、試料の成分が確実にイオン化される。よって、この試料支持体によれば、質量分析においてイオン化された試料の成分の信号強度を向上させることができる。
本開示の一側面の試料支持体では、第1表面及び第2表面が互いに対向する方向から見た場合に、複数の貫通孔のそれぞれにおいて、第2開口部の外縁は、第1開口部の外縁の外側に位置していてもよい。これにより、例えば、試料に第2表面が対面するように試料支持体が配置された際に、複数の貫通孔を介して試料の成分を第1表面側によりスムーズに移動させ、試料の成分を第1表面側により適切な状態で留まらせることができる。
本開示の一側面の試料支持体では、複数の貫通孔のそれぞれは、第1開口部側の第1部分と、第2開口部側の第2部分と、を有し、第2部分は、第2開口部側に向かって広がるファネル状の形状を呈していてもよい。或いは、本開示の一側面の試料支持体では、複数の貫通孔のそれぞれは、第2開口部側に向かって広がる円錐台状の形状を呈していてもよい。いずれの場合にも、例えば、試料に第2表面が対面するように試料支持体が配置された際に、複数の貫通孔を介して試料の成分を第1表面側にスムーズに移動させ、試料の成分を第1表面側に適切な状態で留まらせることができる。
本開示の一側面の試料支持体では、複数の貫通孔のそれぞれにおいて、幅の最小値は1nmであり、幅の最大値は700nmであってもよい。これにより、例えば、試料に第2表面が対面するように試料支持体が配置された際に、複数の貫通孔を介して試料の成分を第1表面側にスムーズに移動させ、試料の成分を第1表面側に適切な状態で留まらせることができる。
本開示の一側面の試料支持体では、基板は、バルブ金属又はシリコンを陽極酸化することにより形成されていてもよい。これにより、複数の貫通孔が形成された基板を容易に且つ確実に得ることができる。
本開示の一側面の試料支持体では、導電層は、白金又は金によって形成されていてもよい。これにより、試料のイオン化に適した導電層を容易に且つ確実に得ることができる。
本開示の一側面のイオン化法は、上述した記載の試料支持体が用意される第1工程と、載置部の載置面に試料が載置され、試料に第2表面が対面するように載置面に試料支持体が載置される第2工程と、導電層に電圧が印加されつつ第1表面に対してエネルギー線が照射されることにより、複数の貫通孔を介して第1表面側に移動した試料の成分がイオン化される第3工程と、を備える。
このイオン化法によれば、上述した試料支持体が用いられるため、質量分析においてイオン化された試料の成分の信号強度を向上させることができる。
本開示の一側面の質量分析方法は、上述したイオン化法の第1工程、第2工程及び第3工程と、第3工程においてイオン化された成分が検出される第4工程と、を備える。
この質量分析方法によれば、上述した試料支持体が用いられるため、質量分析においてイオン化された試料の成分の信号強度を向上させることができる。
本開示によれば、質量分析においてイオン化された試料の成分の信号強度を向上させることができる試料支持体、イオン化法及び質量分析方法を提供することが可能となる。
以下、本開示の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
図1及び図2に示されるように、試料支持体1は、試料のイオン化に用いられるものであって、基板2と、フレーム3と、導電層4と、を備えている。基板2は、互いに対向する第1表面2a及び第2表面2bを有している。基板2には、複数の貫通孔20が一様に(均一な分布で)形成されている。各貫通孔20は、基板2の厚さ方向(第1表面2a及び第2表面2bが互いに対向する方向)に沿って延在しており、第1表面2a及び第2表面2bに開口している。
基板2は、例えば、絶縁性材料によって長方形板状に形成されている。基板2の厚さ方向から見た場合における基板2の一辺の長さは、例えば数cm程度である。基板2の厚さは、例えば1μm~50μm程度である。各貫通孔20において、第2表面2b側の第2開口部20bの幅は、第1表面2a側の第1開口部20aの幅よりも大きい。基板2の厚さ方向から見た場合に、各貫通孔20において、第2開口部20bの外縁は、第1開口部20aの外縁の外側に位置している。つまり、基板2の厚さ方向から見た場合に、各貫通孔20において、第2開口部20bの外縁は、第1開口部20aの外縁を含んでいる。
なお、第1開口部20aの幅とは、基板2の厚さ方向から見た場合における第1開口部20aの形状が略円形である場合には、第1開口部20aの直径を意味し、当該形状が略円形以外である場合には、当該形状に収まる仮想的な最大円の直径(有効径)を意味する。同様に、第2開口部20bの幅とは、基板2の厚さ方向から見た場合における第2開口部20bの形状が略円形である場合には、第2開口部20bの直径を意味し、当該形状が略円形以外である場合には、当該形状に収まる仮想的な最大円の直径(有効径)を意味する。本実施形態では、第2開口部20bの幅は、第1開口部20aの幅の2倍程度である。
各貫通孔20は、第1開口部20a側の第1部分21と、第2開口部20b側の第2部分22と、を有している。第1部分21は、円柱状の形状を呈している。第2部分22は、第2開口部20b側に向かって広がるファネル状の形状を呈している。第1部分21の中心線と第2部分22の中心線とは、互いに一致している。各貫通孔20において、幅の最小値は1nmであり、幅の最大値は700nmである。ここで、幅とは、基板2の厚さ方向に垂直な貫通孔20の断面形状が略円形である場合には、貫通孔20の直径を意味し、当該断面形状が略円形以外である場合には、当該断面形状に収まる仮想的な最大円の直径(有効径)を意味する。本実施形態では、幅の最小値は、第1部分21の直径であり、幅の最大値は、第2開口部20bの直径である。
フレーム3は、基板2の第1表面2aに設けられている。具体的には、フレーム3は、接着層5によって基板2の第1表面2aに固定されている。接着層5の材料としては、放出ガスの少ない接着材料(例えば、低融点ガラス、真空用接着剤等)が用いられることが好ましい。フレーム3は、基板2の厚さ方向から見た場合に基板2と略同一の外形を有している。フレーム3には、開口3aが形成されている。基板2のうち開口3aに対応する部分は、試料の成分をイオン化するための実効領域Rとして機能する。
フレーム3は、例えば、絶縁性材料によって長方形板状に形成されている。基板2の厚さ方向から見た場合におけるフレーム3の一辺の長さは、例えば数cm程度である。フレーム3の厚さは、例えば1mm以下である。基板2の厚さ方向から見た場合における開口3aの形状は、例えば円形であり、その場合における開口3aの直径は、例えば数mm~数十mm程度である。このようなフレーム3によって、試料支持体1のハンドリングが容易化すると共に、温度変化等に起因する基板2の変形が抑制される。
導電層4は、基板2の第1表面2aに設けられている。具体的には、導電層4は、基板2の第1表面2aのうちフレーム3の開口3aに対応する領域(すなわち、実効領域Rに対応する領域)、開口3aの内面、及びフレーム3における基板2とは反対側の表面3bに一続きに(一体的に)形成されている。導電層4は、実効領域Rにおいて、基板2の第1表面2aのうち貫通孔20が形成されていない部分を覆っている。つまり、実効領域Rにおいては、各貫通孔20が開口3aに露出している。
導電層4は、導電性材料によって形成されている。本実施形態では、導電層4は、Pt(白金)又はAu(金)によって形成されている。このように、導電層4の材料としては、以下に述べる理由により、試料との親和性(反応性)が低く且つ導電性が高い金属が用いられることが好ましい。
例えば、タンパク質等の試料と親和性が高いCu(銅)等の金属によって導電層4が形成されていると、後述する試料のイオン化の過程において、試料分子にCu原子が付着した状態で試料がイオン化され、Cu原子が付着した分だけ、後述する質量分析法において検出結果がずれるおそれがある。したがって、導電層4の材料としては、試料との親和性が低い金属が用いられることが好ましい。
一方、導電性の高い金属ほど一定の電圧を容易に且つ安定して印加し易くなる。そのため、導電性が高い金属によって導電層4が形成されていると、実効領域Rにおいて基板2の第1表面2aに均一に電圧を印加することが可能となる。また、導電性の高い金属ほど熱伝導性も高い傾向にある。そのため、導電性が高い金属によって導電層4が形成されていると、基板2に照射されたレーザ光(エネルギー線)のエネルギーを、導電層4を介して試料に効率的に伝えることが可能となる。したがって、導電層4の材料としては、導電性の高い金属が用いられることが好ましい。
以上の観点から、導電層4の材料としては、例えば、Pt、Au等が用いられることが好ましい。導電層4は、例えば、メッキ法、原子層堆積法(ALD:Atomic Layer Deposition)、蒸着法、スパッタ法等によって、厚さ1nm~350nm程度に形成される。なお、導電層4の材料としては、例えば、Cr(クロム)、Ni(ニッケル)、Ti(チタン)等が用いられてもよい。
図3は、基板2の厚さ方向から見た場合における基板2の拡大像を示す図である。図3において、黒色の部分は貫通孔20であり、白色の部分は貫通孔20間の隔壁部である。図3に示されるように、基板2には、略一定の幅を有する複数の貫通孔20が一様に形成されている。実効領域Rにおける貫通孔20の開口率(基板2の厚さ方向から見た場合に実効領域Rに対して全ての貫通孔20が占める割合)は、実用上は10~80%であり、特に60~80%であることが好ましい。複数の貫通孔20の大きさは互いに不揃いであってもよいし、部分的に複数の貫通孔20同士が互いに連結していてもよい。
図3に示される基板2は、Al(アルミニウム)を陽極酸化することにより形成されたアルミナポーラス皮膜である。具体的には、図4の(a)に示されるように、Al基板200に対して陽極酸化処理を施すことにより、Al基板200の表面部分200aを酸化すると共に、Al基板200の表面部分200aに複数の細孔201を形成する。続いて、図4の(b)に示されるように、Al基板200に対してポアワイドニング処理を施すことにより、各細孔201を拡径する。拡径された各細孔201は、基板2の第2部分22に相当する。続いて、図4の(c)に示されるように、Al基板200に対して陽極酸化処理を施すことにより、Al基板200の表面部分200aを更に深く酸化すると共に、拡径された各細孔201の底部に細孔202を形成する。各細孔202は、基板2の第1部分21に相当する。続いて、酸化された表面部分200aをAl基板200から剥離することにより、図4の(d)に示されるように、基板2を得る。
なお、基板2は、Ta(タンタル)、Nb(ニオブ)、Ti(チタン)、Hf(ハフニウム)、Zr(ジルコニウム)、Zn(亜鉛)、W(タングステン)、Bi(ビスマス)、Sb(アンチモン)等のAl以外のバルブ金属を陽極酸化することにより形成されてもよい。或いは、基板2は、Si(シリコン)を陽極酸化することにより形成されてもよい。
次に、試料支持体1を用いたイオン化法及び質量分析方法について説明する。図5~図7においては、試料支持体1における貫通孔20、導電層4及び接着層5の図示が省略されている。また、図1及び図2に示される試料支持体1と図5~図7に示される試料支持体1とでは、図示の便宜上、寸法の比率等が異なっている。
まず、上述した試料支持体1が用意される(第1工程)。試料支持体1は、イオン化法及び質量分析方法を実施する者によって製造されることで用意されてもよいし、試料支持体1の製造者又は販売者等から取得されることで用意されてもよい。
続いて、図5の(a)に示されるように、スライドグラス(載置部)6の載置面6aに試料Sが載置される(第2工程)。試料Sは、例えば組織切片等の薄膜状の生体試料(含水試料)である。スライドグラス6は、ITO(Indium Tin Oxide)膜等の透明導電膜が形成されたガラス基板であり、透明導電膜の表面が載置面6aとなっている。なお、スライドグラス6に限定されず、導電性を確保し得る部材(例えば、ステンレス等の金属材料等からなる基板等)を載置部として用いることができる。続いて、図5の(b)に示されるように、試料Sに基板2の第2表面2bが対面するように、載置面6aに試料支持体1が載置される(第2工程)。このとき、試料Sは、基板2の厚さ方向から見た場合に実効領域R内に配置される。続いて、図6の(a)に示されるように、導電性のテープ7(例えば、カーボンテープ等)によって、試料支持体1がスライドグラス6に固定される。
これにより、図6の(b)に示されるように、試料Sの成分S1が毛細管現象によって複数の貫通孔20(図2参照)を介して基板2の第1表面2a側に移動し、移動した試料Sの成分S1が表面張力によって第1表面2a側に留まる。したがって、基板2の第1表面2a側には、試料Sの成分S1が確実に留まる。
続いて、図7に示されるように、スライドグラス6と試料支持体1との間に試料Sが配置された状態で、スライドグラス6、試料支持体1及び試料Sが、質量分析装置10の支持部12(例えば、ステージ)上に載置される。続いて、質量分析装置10の電圧印加部14によって、スライドグラス6の載置面6a及びテープ7を介して試料支持体1の導電層4(図2参照)に電圧が印加される(第3工程)。続いて、質量分析装置10のレーザ光照射部13によって、フレーム3の開口3aを介して、基板2の第1表面2aに対してレーザ光(エネルギー線)Lが照射される(第3工程)。つまり、レーザ光Lは、基板2の第1表面2aのうちフレーム3の開口3aに対応する領域(すなわち、実効領域Rに対応する領域)に対して照射される。本実施形態では、レーザ光照射部13は、実効領域Rに対応する領域に対してレーザ光Lを走査する。なお、実効領域Rに対応する領域に対するレーザ光Lの走査は、支持部12及びレーザ光照射部13の少なくとも1つが動作させられることにより、実施可能である。
このように、導電層4に電圧が印加されつつ基板2の第1表面2aに対してレーザ光Lが照射されることにより、複数の貫通孔20を介して基板2の第1表面2a側に移動した試料Sの成分S1がイオン化され、試料イオンS2(イオン化された成分S1)が放出される(第3工程)。具体的には、レーザ光Lのエネルギーを吸収した導電層4(図2参照)から、基板2の第1表面2a側に留まっている試料Sの成分S1にエネルギーが伝達され、エネルギーを獲得した試料Sの成分S1が気化すると共に電荷を獲得して、試料イオンS2となる。以上の第1工程~第3工程が、試料支持体1を用いたイオン化法(本実施形態では、レーザ脱離イオン化法)に相当する。
放出された試料イオンS2は、試料支持体1とイオン検出部15との間に設けられたグランド電極(図示省略)に向かって加速しながら移動する。つまり、試料イオンS2は、電圧が印加された導電層4とグランド電極との間に生じた電位差によって、グランド電極に向かって加速しながら移動する。そして、質量分析装置10のイオン検出部15によって試料イオンS2が検出される(第4工程)。本実施形態では、イオン検出部15は、レーザ光Lの走査位置に対応するように、試料イオンS2を検出する。これにより、試料Sを構成する分子の二次元分布を画像化することができる。また、本実施形態では、質量分析装置10は、飛行時間型質量分析法(TOF-MS:Time-of-Flight Mass Spectrometry)を利用する走査型質量分析装置である。以上の第1工程~第4工程が、試料支持体1を用いた質量分析方法に相当する。
以上説明したように、試料支持体1では、複数の貫通孔20のそれぞれにおいて、第2表面2b側の第2開口部20bの幅が、第1表面2a側の第1開口部20aの幅よりも大きい。そのため、例えば、試料Sに第2表面2bが対面するように試料支持体1が配置されると、複数の貫通孔20を介して試料Sの成分S1が第1表面2a側にスムーズに移動し、試料Sの成分S1が第1表面2a側に適切な状態で留まる。したがって、導電層4に電圧が印加されつつ第1表面2aに対してレーザ光Lが照射されると、試料Sの成分S1が確実にイオン化される。よって、試料支持体1によれば、質量分析においてイオン化された試料Sの成分S1の信号強度を向上させることができる。
また、試料支持体1では、基板2の厚さ方向から見た場合に、複数の貫通孔20のそれぞれにおいて、第2開口部20bの外縁が、第1開口部20aの外縁の外側に位置している。これにより、例えば、試料Sに第2表面2bが対面するように試料支持体1が配置された際に、複数の貫通孔20を介して試料Sの成分S1を第1表面2a側によりスムーズに移動させ、試料Sの成分S1を第1表面2a側により適切な状態で留まらせることができる。
また、試料支持体1では、複数の貫通孔20のそれぞれが、第1開口部20a側の第1部分21と、第2開口部20b側の第2部分22と、を有し、第2部分22が、第2開口部20b側に向かって広がるファネル状の形状を呈している。これにより、例えば、試料Sに第2表面2bが対面するように試料支持体1が配置された際に、複数の貫通孔20を介して試料Sの成分S1を第1表面2a側にスムーズに移動させ、試料Sの成分S1を第1表面2a側に適切な状態で留まらせることができる。
また、試料支持体1では、複数の貫通孔20のそれぞれにおいて、幅の最小値が1nmであり、幅の最大値が700nmである。これにより、例えば、試料Sに第2表面2bが対面するように試料支持体1が配置された際に、複数の貫通孔20を介して試料Sの成分S1を第1表面2a側にスムーズに移動させ、試料Sの成分S1を第1表面2a側に適切な状態で留まらせることができる。
また、試料支持体1では、基板2が、バルブ金属又はシリコンを陽極酸化することにより形成されている。これにより、複数の貫通孔20が形成された基板2を容易に且つ確実に得ることができる。
また、試料支持体1では、導電層4が、Pt又はAuによって形成されている。これにより、試料Sのイオン化に適した導電層4を容易に且つ確実に得ることができる。
上述したイオン化法及び質量分析方法によれば、上述した試料支持体1が用いられるため、質量分析においてイオン化された試料Sの成分S1の信号強度を向上させることができる。
本開示は、上述した実施形態に限定されない。例えば、図8に示されるように、複数の貫通孔20のそれぞれは、第2開口部20b側に向かって広がる円錐台状の形状を呈していてもよい。この場合にも、例えば、試料Sに第2表面2bが対面するように試料支持体1が配置された際に、複数の貫通孔20を介して試料Sの成分S1を第1表面2a側にスムーズに移動させ、試料Sの成分S1を第1表面2a側に適切な状態で留まらせることができる。また、この場合には、基板2の強度を向上させることができる。なお、各貫通孔20の形状は、上述したものに限定されず、第2表面2b側の第2開口部20bの幅が第1表面2a側の第1開口部20aの幅よりも大きい形状(例えば、貫通孔20の幅が第2開口部20b側に向かって連続的又は段階的に大きくなる形状等)であればよい。ただし、基板2の厚さ方向から見た場合に、複数の貫通孔20のそれぞれにおいて、第2開口部20bの外縁が、第1開口部20aの外縁の外側に位置していることが好ましい。
また、上述した実施形態では、基板2に1つの実効領域Rが設けられていたが、基板2に複数の実効領域Rが設けられていてもよい。また、複数の貫通孔20は、実効領域Rのみに形成されている必要はなく、上述した実施形態のように、例えば、基板2の全体に形成されていてもよい。つまり、複数の貫通孔20は、少なくとも実効領域Rに形成されていればよい。また、上述した実施形態では、1つの実効領域Rに1つの試料Sが対応するように試料Sが配置されたが、1つの実効領域Rに複数の試料Sが対応するように試料Sが配置されてもよい。
また、導電層4は、少なくとも第1表面2aに設けられていればよい。したがって、導電層4は、第1表面2aに加え、例えば、各貫通孔20の第1部分21の内面に設けられていてもよい。或いは、導電層4は、第1表面2aに加え、例えば、基板2の第2表面2b及び各貫通孔20の内面に設けられていてもよい。
また、第2工程においては、テープ7以外の手段(例えば、接着剤、固定具等を用いる手段)で、スライドグラス6に試料支持体1が固定されてもよい。また、第3工程においては、スライドグラス6の載置面6a及びテープ7を介さずに導電層4に電圧が印加されてもよい。その場合、スライドグラス6及びテープ7は、導電性を有していなくてもよい。また、テープ7は、試料支持体1の一部であってもよい。テープ7が試料支持体1の一部である場合(すなわち、試料支持体1がテープ7を備える場合)には、例えば、テープ7は、基板2の周縁部において第1表面2a側に予め固定されていてもよいし、或いは、フレーム3の表面3b上に形成された導電層4上に予め固定されていてもよい。
また、質量分析装置10においては、レーザ光照射部13が、実効領域Rに対応する領域に対してレーザ光Lを一括で照射し、イオン検出部15が、当該領域の二次元情報を維持しながら、試料イオンS2を検出してもよい。つまり、質量分析装置10は、投影型質量分析装置であってもよい。また、上述したイオン化法は、イオンモビリティ測定等の他の測定・実験にも利用することができる。
また、試料支持体1の用途は、レーザ光Lの照射による試料Sのイオン化に限定されない。試料支持体1は、レーザ光、イオンビーム、電子線等のエネルギー線の照射による試料Sのイオン化に用いることができる。上述したイオン化法及び質量分析方法では、エネルギー線の照射によって試料Sをイオン化することができる。
また、試料Sは、含水試料に限定されず、乾燥試料であってもよい。その場合には、第2工程において、試料Sに第2表面2bが対面するように、載置面6aに試料支持体1が載置された後に、例えば、第1表面2a側から複数の貫通孔20に対して所定の溶液が滴下される。これにより、複数の貫通孔20を介して試料Sの成分S1を第1表面2a側にスムーズに移動させ、試料Sの成分S1を第1表面2a側に適切な状態で留まらせることができる。また、第2工程において、試料Sを含む溶液が載置面6aに載置され、試料Sを含む溶液に第2表面2bが対面するように、載置面6aに試料支持体1が載置されてもよい。その場合にも、複数の貫通孔20を介して試料Sの成分S1を第1表面2a側にスムーズに移動させ、試料Sの成分S1を第1表面2a側に適切な状態で留まらせることができる。
1…試料支持体、2…基板、2a…第1表面、2b…第2表面、4…導電層、6…スライドグラス(載置部)、6a…載置面、20…貫通孔、20a…第1開口部、20b…第2開口部、21…第1部分、22…第2部分、R…実効領域、L…レーザ光(エネルギー線)、S…試料、S1…成分。
Claims (9)
- 試料のイオン化用の試料支持体であって、
互いに対向する第1表面及び第2表面を有する基板と、
少なくとも前記第1表面に設けられた導電層と、を備え、
前記基板のうち前記試料の成分をイオン化するための実効領域には、前記第1表面及び前記第2表面に開口する複数の貫通孔が形成されており、
前記複数の貫通孔のそれぞれにおいて、前記第2表面側の第2開口部の幅は、前記第1表面側の第1開口部の幅よりも大きい、試料支持体。 - 前記第1表面及び前記第2表面が互いに対向する方向から見た場合に、前記複数の貫通孔のそれぞれにおいて、前記第2開口部の外縁は、前記第1開口部の外縁の外側に位置している、請求項1に記載の試料支持体。
- 前記複数の貫通孔のそれぞれは、前記第1開口部側の第1部分と、前記第2開口部側の第2部分と、を有し、
前記第2部分は、前記第2開口部側に向かって広がるファネル状の形状を呈している、請求項1又は2に記載の試料支持体。 - 前記複数の貫通孔のそれぞれは、前記第2開口部側に向かって広がる円錐台状の形状を呈している、請求項1又は2に記載の試料支持体。
- 前記複数の貫通孔のそれぞれにおいて、幅の最小値は1nmであり、幅の最大値は700nmである、請求項1~4のいずれか一項に記載の試料支持体。
- 前記基板は、バルブ金属又はシリコンを陽極酸化することにより形成されている、請求項1~5のいずれか一項に記載の試料支持体。
- 前記導電層は、白金又は金によって形成されている、請求項1~6のいずれか一項に記載の試料支持体。
- 請求項1~7のいずれか一項に記載の試料支持体が用意される第1工程と、
載置部の載置面に前記試料が載置され、前記試料に前記第2表面が対面するように前記載置面に前記試料支持体が載置される第2工程と、
前記導電層に電圧が印加されつつ前記第1表面に対してエネルギー線が照射されることにより、前記複数の貫通孔を介して前記第1表面側に移動した前記試料の成分がイオン化される第3工程と、を備えるイオン化法。 - 請求項8に記載のイオン化法の前記第1工程、前記第2工程及び前記第3工程と、
前記第3工程においてイオン化された前記成分が検出される第4工程と、を備える質量分析方法。
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