WO2019138909A1 - 半導体レーザ装置 - Google Patents

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WO2019138909A1
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mounting surface
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浩之 田尻
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Rohm Co Ltd
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Definitions

  • the present disclosure relates to a semiconductor laser device.
  • Semiconductor laser devices are widely used as light source devices for various electronic devices.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 201-147301 discloses an example of a conventional semiconductor laser device.
  • the semiconductor laser device disclosed in the document includes a disk-shaped base portion and a heat sink portion provided on the upper surface of the base portion.
  • a semiconductor laser element is mounted on the heat sink portion.
  • Two leads extend from the lower surface of the base portion.
  • This conventional semiconductor laser device is mounted on the circuit board in a state where the leads are inserted through the holes formed in the circuit board.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Publication No. 201-147301
  • a surface mount semiconductor laser device may be required depending on the type of electronic device.
  • An object of the present disclosure is to provide a semiconductor laser device capable of surface mounting.
  • a semiconductor laser device provided by the present disclosure includes: a semiconductor laser device; a base for supporting the semiconductor laser device; and a wiring portion which is formed on the base and which forms a conduction path to the semiconductor laser device.
  • the base is directed to one side in the thickness direction of the base and is opposite to the mounting surface on which the semiconductor laser device is mounted, and the semiconductor laser in a first direction perpendicular to the thickness direction.
  • an emitting unit located on the side. The light from the semiconductor laser device is emitted through the emission unit.
  • FIG. 1 is a plan view showing a semiconductor laser device according to a first embodiment. It is a front view showing a semiconductor laser device concerning a 1st embodiment. It is a side view showing a semiconductor laser device concerning a 1st embodiment. It is a bottom view showing a semiconductor laser device concerning a 1st embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line VV of FIG. 1; It is an expanded sectional view showing a part of semiconductor laser device concerning a 1st embodiment.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII in FIG. It is a top view which shows the substrate of the semiconductor laser device concerning a 1st embodiment.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view taken along the line XVII-XVII in FIG. It is a top view which shows the semiconductor laser device concerning a 2nd embodiment. It is a top view explaining the base material of the semiconductor laser device concerning a 2nd embodiment. It is a top view explaining the base material of the semiconductor laser device concerning a 2nd embodiment. It is a top view which shows the semiconductor laser device concerning a 3rd embodiment. It is a side view showing a semiconductor laser device concerning a 3rd embodiment. It is a bottom view showing a semiconductor laser device concerning a 3rd embodiment.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view taken along the line XVII-XVII in FIG. It is a top view which shows the semiconductor laser device concerning a 2nd embodiment. It is a top view explaining the base material of the semiconductor laser device concerning a 2nd embodiment. It is a top view which shows the semiconductor laser device concerning a 3rd embodiment. It is a side view showing a semiconductor laser device concerning a 3
  • FIG. 22 is a cross-sectional view taken along the line XXIV-XXIV of FIG. 21. It is a top view explaining the base material of the semiconductor laser device concerning a 3rd embodiment. It is a top view explaining the base material of the semiconductor laser device concerning a 3rd embodiment. It is a top view explaining the base material of the semiconductor laser device concerning a 3rd embodiment. It is sectional drawing which shows the 1st modification of the semiconductor laser apparatus concerning 3rd Embodiment. It is a top view which shows the semiconductor laser device concerning a 4th embodiment. It is a bottom view which shows the semiconductor laser device concerning a 4th embodiment.
  • FIG. 30 is a cross-sectional view taken along the line XXXI-XXXI of FIG. 29.
  • FIG. 30 is a cross-sectional view taken along the line XXXII-XXXII in FIG. It is a top view which shows the semiconductor laser device concerning a 5th embodiment. It is a front view showing a semiconductor laser device concerning a 5th embodiment.
  • FIG. 34 is a cross-sectional view taken along the line XXXV-XXXV in FIG. It is a top view which shows the semiconductor laser device concerning a 6th embodiment. It is a bottom view which shows the semiconductor laser device concerning a 6th embodiment.
  • FIG. 37 is a cross-sectional view taken along the line XXXVIII-XXXVIII of FIG. 36. It is a top view which shows the semiconductor laser device concerning a 7th embodiment. It is a bottom view which shows the semiconductor laser device concerning a 7th embodiment.
  • the semiconductor laser device A1 includes a base 1, a wiring portion 5, a semiconductor laser element 6, a plurality of through wires 69, a first cover 7 and a second cover 8.
  • the z direction corresponds to the thickness direction of the substrate 1.
  • the x direction corresponds to a first direction
  • the y direction corresponds to a second direction.
  • the upper side in the drawing corresponds to "one side”
  • the lower side corresponds to "the other side”.
  • the x direction it may be referred to as "front side” as corresponding to one side, and may be referred to as “rear side” as corresponding to the other side.
  • these terms “one”, “another”, “front”, and “rear” are for convenience of description, and do not limit the configuration of the semiconductor laser device of the present disclosure.
  • the substrate 1 supports the semiconductor laser device 6. At least the surface of the substrate 1 is made of an insulating material.
  • the base material 1 has a main surface 11, a back surface 12, a front end surface 13, a rear end surface 14, a pair of side surfaces 15, an opening 17, an emission portion 18, a plurality of rear groove portions 161, plural The front groove portion 163 and the front concave portion 171 of the
  • the dimensions in the x direction are about 2.0 mm to 7.0 mm
  • the dimensions in the y direction are about 1.5 mm to 7.0 mm
  • the dimensions in the z direction are about 0.7 mm to 2.5 mm.
  • the size and shape of the substrate 1 are not limited to this example.
  • the major surface 11 is a surface that faces one side (upper side) in the z direction.
  • the main surface 11 corresponds to a mounting surface.
  • the major surface 11 is perpendicular to the z-direction.
  • the main surface 11 is substantially rectangular.
  • the back surface 12 is on the opposite side of the main surface 11 and faces the other side (lower side) in the z direction. In the illustrated example, the back side 12 is perpendicular to the z-direction.
  • the back surface 12 is substantially rectangular.
  • the front end surface 13 is a surface facing the one side (front side) in the x direction, and connects the main surface 11 and the back surface 12. In the illustrated example, the front end face 13 is perpendicular to the x-direction.
  • the pair of side surfaces 15 connect the main surface 11 and the back surface 12 and connect the front end surface 13 and the rear end surface 14.
  • the pair of side surfaces 15 are separated from each other in the y direction.
  • each side surface 15 is substantially rectangular and perpendicular to the y direction.
  • the opening 17 is a portion that opens the internal space defined by the substrate 1 to one side (upper side) in the z direction. In the illustrated example, it has a substantially rectangular shape in the z direction (plan view) (see FIG. 10). The openings 17 are arranged to be biased to one side (front side) in the x direction. By providing the opening 17, the main surface 11 is a rectangular ring (closed frame shape) in a z-direction view.
  • the emitting portion 18 is a portion for emitting the laser beam from the semiconductor laser element 6 to one side (front side) in the x direction.
  • the internal space defined by the base material 1 is opened to one side (front side) in the x direction by the emission unit 18.
  • the emitting unit 18 is, for example, rectangular in the x-direction (see FIG. 2).
  • the front end surface 13 is rectangular annular shape in x direction view by the output part 18 being provided.
  • the plurality of rear grooves 161 are recessed from the rear end surface 14 (see FIG. 1), and each extend in the z direction (see FIG. 3). Each rear groove portion 161 reaches the main surface (mounting surface) 11. In the illustrated example, each rear groove portion 161 reaches the back surface 12.
  • the cross-sectional shape of the rear groove portion 161 is semicircular in the illustrated example, but the present disclosure is not limited thereto.
  • the plurality of rear grooves 161 are spaced apart from one another in the y direction.
  • the plurality of front grooves 163 are formed at the boundary between the pair of side surfaces 15 and the front end surface 13.
  • Each front groove portion 163 extends in the z direction and reaches the main surface 11 and the back surface 12.
  • the cross-sectional shape of the rear groove portion 161 is a quarter circle in the illustrated example, but the present disclosure is not limited thereto.
  • the front recess 171 is recessed from the front end face 13 to the other side (rear side) in the x direction, and surrounds the periphery of the emitting portion 18.
  • the front recess 171 has a rectangular ring shape in the x direction.
  • the front recess 171 is a portion for providing the first cover 7.
  • the substrate 1 includes a plurality of layers.
  • the substrate 1 comprises a first layer 2, a second layer 3 and a third layer 4.
  • the first layer 2, the second layer 3 and the third layer 4 are stacked in the z direction.
  • the first layer 2, the second layer 3 and the third layer 4 are formed of, for example, a ceramic such as alumina or aluminum nitride, but the present disclosure is not limited thereto.
  • Each layer itself may be composed of a plurality of ceramic layers.
  • FIG. 2, FIG. 3, FIG. 5 and FIG. 7, the alternate long and short dashed lines indicate the boundaries between adjacent ceramic layers.
  • the first layer 2 is located at the lowermost side in the z direction.
  • the first layer 2 has a first main surface 21, a first back surface 22, a first front end surface 23, a first rear end surface 24, a pair of first side surfaces 25, a first main portion 210, a pair of first side frame portions 220, a first front frame 230, a pedestal 240, a bottom 250, a plurality of first rear grooves 261, and a plurality of first front grooves 263.
  • the first major surface 21 is a surface facing the upper side in the z direction.
  • the first major surface 21 corresponds to a mounting surface.
  • the first major surface 21 is perpendicular to the z direction.
  • the first back surface 22 is on the opposite side to the first major surface 21 and faces the lower side in the z direction. In the illustrated example, the first back surface 22 is perpendicular to the z direction. The first back surface 22 constitutes the back surface 12.
  • the first front end surface 23 is a surface facing the one side (front side) in the x direction, and connects the first main surface 21 and the first back surface 22. In the illustrated example, the first front end face 23 is perpendicular to the x-direction. The first front end face 23 constitutes a part of the front end face 13.
  • the first rear end surface 24 is a surface facing the other side (rear side) in the x direction, and connects the first major surface 21 and the first back surface 22.
  • the first aft end face 24 is perpendicular to the x-direction.
  • the first rear end face 24 constitutes a part of the rear end face 14.
  • the first main portion 210 is a portion of the first layer 2 located on the rear side in the x direction. In the illustrated example, the first main portion 210 is substantially rectangular in the z direction. The thickness of the first main portion 210 is the same as the maximum thickness of the first layer 2.
  • the pair of first side frame portions 220 is a portion extending from the both sides of the first main portion 210 in the y direction to the front side in the x direction.
  • the thickness of the first side frame 220 is the same as the maximum thickness of the first layer 2.
  • the first front frame portion 230 connects one side end of the pair of first side frame portions 220 in the x direction to one another, and extends in the y direction.
  • the pair of first side frame portions 220 and the first front frame portion 230 constitute a frame-shaped portion.
  • a recess 231 is formed in the first front frame portion 230.
  • the concave portion 231 is a portion where the first front frame portion 230 is partially reduced in z-direction size, and constitutes a part of the front concave portion 171.
  • the pedestal portion 240 extends from the first main portion 210 to one side (front side) in the x direction, and in the illustrated example, has a substantially rectangular shape in the z direction.
  • the pedestal portion 240 is separated from the pair of first side frame portions 220 and the first front frame portion 230.
  • the semiconductor laser element 6 is mounted on the pedestal portion 240.
  • the bottom portion 250 is a portion located on the other side (lower side) in the z direction from the first major surface 21.
  • the bottom portion 250 is provided in a region surrounded by the pair of first side frame portions 220, the first front frame portion 230, and the pedestal portion 240 in the z direction.
  • the thickness of the bottom 250 is smaller than the maximum thickness in the z direction of the first layer 2.
  • the plurality of first rear grooves 261 are recessed from the first rear end surface 24 and extend in the z direction.
  • the first rear groove portion 261 reaches the first major surface 21 and the first back surface 22.
  • the cross-sectional shape of the first rear groove portion 261 is not particularly limited, and in the illustrated example, it is semicircular.
  • the plurality of first rear groove portions 261 are disposed apart from one another in the y direction.
  • the plurality of first rear groove portions 261 configure a part of each of the plurality of rear groove portions 161.
  • the plurality of first front groove portions 263 are formed at the boundary between the pair of first side surfaces 25 and the first front end surface 23.
  • the first front groove portion 263 extends in the z direction, and reaches the first major surface 21 and the first back surface 22.
  • the cross-sectional shape of the first front groove portion 263 is not particularly limited, and in the illustrated example, it has a quadrilateral shape.
  • the plurality of first front groove portions 263 constitute a part of each of the plurality of front groove portions 163.
  • the second layer 3 is stacked on one side (upper side) in the z direction of the first layer 2.
  • the second layer 3 has a second main surface 31, a second back surface 32, a second front end surface 33, a second rear end surface 34, a pair of second side surfaces 35, an inner end surface 36, a second main portion 310, a pair of second Two side frame portions 320 have a plurality of second rear grooves 361 and a plurality of second front grooves 363.
  • the second major surface 31 is a surface that faces one side in the z direction (upper side). In the illustrated example, the second major surface 31 is perpendicular to the z direction.
  • the second back surface 32 is a surface facing the other side (lower side) in the z direction, which is the side opposite to the side to which the second main surface 31 faces, and faces the first main surface 21 of the first layer 2 .
  • the second back surface 32 is perpendicular to the z direction.
  • the second front end surface 33 is a surface facing the one side (front side) in the x direction, and connects the second main surface 31 and the second back surface 32.
  • the second front end face 33 is perpendicular to the x-direction.
  • the second front end face 33 constitutes a part of the front end face 13.
  • the second front end face 33 includes two regions spaced apart on both sides in the y direction.
  • the second rear end surface 34 is a surface facing the other side (rear side) in the x direction, and connects the second main surface 31 and the second rear surface 32.
  • the second aft end face 34 is perpendicular to the x-direction.
  • the second rear end surface 34 constitutes a part of the rear end surface 14.
  • the pair of second side surfaces 35 connects the second main surface 31 and the second back surface 32, and connects the second front end surface 33 and the second rear end surface 34.
  • the pair of second side surfaces 35 respectively face the y direction.
  • the second side surface 35 is perpendicular to the y direction.
  • the second side surface 35 constitutes a part of the side surface 15.
  • the second main portion 310 is a portion of the second layer 3 located on the other side (rear side) in the x direction.
  • the second main portion 310 is substantially rectangular in the z direction.
  • the thickness of the second main portion 310 is the same as the maximum thickness of the second layer 3.
  • the inward end surface 36 is a surface located on one side (front side) in the x direction of the second main portion 310.
  • the inward end face 36 is inclined with respect to the z direction, and the z direction one side (the front side, the view, from the one side in the z direction (the upper side in the view in FIG. 6) to the other side (the lower side in the view in FIG. It inclines so that it may be located in the left in the figure in 6).
  • the pair of second side frame portions 320 is a portion extending from one side of the second main portion 310 in the y direction to one side (front side) in the x direction.
  • the thickness of the second side frame 320 is the same as the maximum thickness of the second layer 3.
  • Recesses 321 are formed in the pair of second side frame portions 320, respectively.
  • the concave portion 321 is a portion of the second side frame portion 320 which is recessed from the second front end surface 33 to the other side (rear side) in the x direction. Moreover, the recessed part 321 is located inside y direction.
  • the pair of recesses 321 constitute a part of the front recess 171.
  • the plurality of second rear grooves 361 are recessed from the second rear end surface 34 and extend in the z direction.
  • the second rear groove 361 reaches the second major surface 31 and the second back surface 32.
  • the cross-sectional shape of the second rear groove 361 is not particularly limited, and in the illustrated example, it is semicircular.
  • the plurality of second rear grooves 361 are disposed apart from one another in the y direction.
  • the plurality of second rear groove portions 361 constitute a part of each of the plurality of rear groove portions 161.
  • the plurality of second front grooves 363 are formed at the boundary between the pair of second side surfaces 35 and the second front end surface 33.
  • the second front groove portion 363 extends in the z direction, and reaches the second major surface 31 and the second back surface 32.
  • the cross-sectional shape of the second front groove portion 363 is not particularly limited, and in the illustrated example, it has a quarter circle shape.
  • the plurality of second front groove portions 363 configure a part of each of the plurality of front groove portions 163.
  • the third layer 4 is located on the most side (upper side) in the z direction.
  • the third layer 4 is stacked on one side (upper side) in the z direction of the second layer 3.
  • the third layer 4 has a third main surface 41, a third back surface 42, a third front end surface 43, a third rear end surface 44, a pair of third side surfaces 45, a third main portion 410, a pair of third side frame portions
  • a third front frame 430, a plurality of third rear grooves 461, and a plurality of third front grooves 463 are provided.
  • the third major surface 41 is a surface facing the one side (upper side) in the z direction. In the illustrated example, the third major surface 41 is perpendicular to the z direction. In the present embodiment, the third major surface 41 constitutes the major surface 11.
  • the third back surface 42 is a surface facing the other side (lower side) in the z direction, which is the opposite side to the side to which the third main surface 41 faces, and faces the second main surface 31 of the second layer 3 .
  • the third back surface 42 is perpendicular to the z-direction.
  • the third front end surface 43 is a surface facing the one side (front side) in the x direction, and connects the third main surface 41 and the third back surface 42. In the illustrated example, the third front end surface 43 is perpendicular to the x direction. The third front end surface 43 constitutes a part of the front end surface 13.
  • the third rear end surface 44 is a surface facing the other side (rear side) in the x direction, and connects the third main surface 41 and the third back surface 42.
  • the third aft end face 44 is perpendicular to the x-direction.
  • the third rear end surface 44 constitutes a part of the rear end surface 14.
  • the pair of third side surfaces 45 connects the third main surface 41 and the third back surface 42, and connects the third front end surface 43 and the third rear end surface 44.
  • the pair of third side surfaces 45 respectively face the y direction.
  • the third side 45 is perpendicular to the y direction.
  • the third side surface 45 constitutes a part of the side surface 15.
  • the third main portion 410 is a portion of the third layer 4 located on the other side (rear side) in the x direction.
  • the third main portion 410 is substantially rectangular in z-direction.
  • the thickness of the third main portion 410 is the same as the maximum thickness of the second layer 3.
  • the pair of third side frame portions 420 is a portion extending from one side of the third main portion 410 in the y direction to one side (front side) in the x direction.
  • the third front frame portion 430 connects one end of the pair of third side frame portions 420 in the x direction to one another, and extends in the y direction.
  • the pair of third side frame portions 420 and the third front frame portion 430 form a frame-shaped portion.
  • a recess 431 is formed in the third front frame 430.
  • the recess 431 is a portion recessed from the third front end surface 43 to the other side (rear side) in the x direction, and constitutes a part of the front recess 171.
  • the plurality of third rear grooves 461 are recessed from the third rear end surface 44 and extend in the z direction.
  • the third rear groove portion 461 reaches the third major surface 41 and the third back surface 42.
  • the cross-sectional shape of the third rear groove 461 is not particularly limited, and in the illustrated example, it is semicircular.
  • the plurality of third rear grooves 461 are disposed apart from one another in the y direction.
  • the plurality of third rear groove portions 461 configure a part of each of the plurality of rear groove portions 161.
  • the plurality of third front grooves 463 are formed at the boundary between the pair of third side surfaces 45 and the third front end surface 43.
  • the third front groove portion 463 extends in the z direction, and reaches the third major surface 41 and the third back surface 42.
  • the cross-sectional shape of the third front groove portion 463 is not particularly limited, and in the illustrated example, it has a quadrilateral shape.
  • the plurality of third front groove portions 463 configure a part of each of the plurality of front groove portions 163.
  • the opening 17 is formed in the third layer 4. Further, in the third layer 4, an annular recess 440 is formed. In the annular recess 440, a portion surrounding the opening 17 in the third layer 4 is a portion recessed from the third main surface 41 (main surface 11) to the other side (lower side) in the z direction.
  • the annular recess 440 has a rectangular annular shape in the z direction.
  • the annular recess 440 is a portion for providing the second cover 8.
  • the wiring portion 5 is formed on the base material 1 and constitutes a conduction path to the semiconductor laser element 6.
  • the wiring unit 5 includes a first wiring unit 51, a second wiring unit 52, a third wiring unit 53, and a plurality of rear connection units. 501 and a plurality of front portions 505.
  • the wiring portion 5 is made of a material having an appropriate conductivity, and is formed, for example, by plating or attachment.
  • a material of the wiring part 5 Cu, Ni, Ti, Au etc. are selected suitably, for example.
  • a surface layer made of Sn may be provided in a portion of the wiring portion 5 to which the solder is attached.
  • the first wiring portion 51 is a portion formed in the first layer 2 of the base 1.
  • the first wiring portion 51 includes an element mounting portion 511, a first strip portion 512, and a first connecting portion 513.
  • the element mounting portion 511 is formed on the first major surface 21 of the pedestal portion 240 of the first layer 2 of the base 1.
  • the element mounting portion 511 is a portion on which the semiconductor laser element 6 is mounted.
  • the element mounting portion 511 has a substantially rectangular shape in the z direction, and covers most of the pedestal portion 240.
  • the first strip portion 512 is formed in the first main portion 210 of the first layer 2 and reaches one of the plurality of first rear groove portions 261 that is located at the bottom of FIG. 8 in the y direction. ing. In addition, the first strip portion 512 extends from the first rear groove portion 261 along the x direction.
  • the first connecting portion 513 connects the element mounting portion 511 and the first band-shaped portion 512.
  • the shape and size of the first connection portion 513 are not particularly limited, and in the illustrated example, the shape has two bent portions.
  • the second wiring portion 52 is a portion formed on the second layer 3 of the base 1.
  • the second wiring portion 52 includes a plurality of wire bonding portions 521, a plurality of second strip portions 522, and a plurality of second connection portions 523.
  • the plurality of wire bonding portions 521 are portions to which the plurality of wires 67 are connected.
  • the plurality of wire bonding portions 521 are arranged in the y direction, and are formed on one side (front side) of the second main portion 310 in the x direction.
  • the shape of the wire bonding portion 521 is not particularly limited, and in the illustrated example, it is rectangular. As shown in FIG. 1, the plurality of wire bonding portions 521 are exposed from the third layer 4 in the z direction.
  • the plurality of second strip portions 522 are formed in the second main portion 310 of the second layer 3 and among the plurality of second rear groove portions 361, four second rear groove portions in the upper side in FIG. It has reached 361.
  • the second strip 522 extends from the second rear groove 361 along the x direction.
  • the first band-shaped portion 512 and the plurality of second band-shaped portions 522 are arranged separately in the y direction when viewed in the z-direction.
  • the plurality of second connection portions 523 connect the plurality of wire bonding portions 521 and the plurality of second strip portions 522.
  • the shape and size of the second connection portion 523 are not particularly limited, and in the illustrated example, the shape has two bent portions.
  • the third wiring portion 53 is a portion formed in the third layer 4 of the base 1.
  • the third wiring portion 53 has a plurality of mounting terminal portions 531 and mounting terminal portions 532.
  • the plurality of mounting terminal portions 531 are formed in the third main portion 410 of the third layer 4 and arranged to be separated from each other in the y direction.
  • the plurality of mounting terminal portions 531 reach the four third rear groove portions 461 in the upper side in FIG. 10 in the y direction in the plurality of third rear groove portions 461.
  • the mounting terminal portion 531 extends from the third rear groove 461 along the x direction.
  • the y-direction dimension of the mounting terminal portion 531 is larger than the y-direction dimension of the second strip portion 522.
  • the plurality of mounting terminal portions 531 are, for example, an anode electrode.
  • the mounting terminal portion 532 is formed in the third main portion 410 of the third layer 4.
  • the mounting terminal portion 532 reaches one of the plurality of third rear groove portions 461 that is located on the lowermost side in FIG. 10 in the y direction. Further, the mounting terminal 532 extends from the third rear groove 461 along the x direction.
  • the y-direction dimension of the mounting terminal portion 532 is larger than the y-direction dimension of the first strip portion 512.
  • the plurality of mounting terminal portions 531 and the mounting terminal portions 532 are arranged separately from each other in the y direction.
  • the mounting terminal 532 is, for example, a cathode electrode.
  • the center O1 of the wire bonding portion 521 and the center O2 of the mounting terminal portion 531 which are conductive to each other in the z direction are displaced by the distance G in the y direction There is.
  • the plurality of distances G shown in FIG. 1 may have the same size as each other or may have different sizes.
  • an extension line E obtained by virtually extending the y-direction end edge of the wire bonding portion 521 intersects the mounting terminal portion 531.
  • the plurality of rear communication portions 501 are formed so as to cover the four rear grooves 161 on the right side in the drawing among the plurality of rear grooves 161 of the base 1.
  • the rear communication portion 501 reaches the z-direction one side end (upper side end) of the rear groove portion 161. Further, in the illustrated example, the rear communication portion 501 reaches the other end (lower end) of the rear groove portion 161 in the z direction.
  • the rear connection portion 501 is in contact with the second strip portion 522 of the second wiring portion 52 and the mounting terminal portion 531 of the third wiring portion 53, and is electrically connected thereto.
  • the wire bonding portion 521 is electrically connected to the mounting terminal portion 531 through the second connection portion 523, the second strip portion 522, and the rear connection portion 501.
  • the rear communication portion 502 is formed to cover the rear groove portion 161 at the left end in FIG. 3 among the plurality of rear groove portions 161 of the base 1. In the present embodiment, the rear communication portion 502 reaches the z-direction one side end (upper side end) of the rear groove portion 161. Further, in the illustrated example, the rear communication portion 502 reaches the other end (lower end) of the rear groove portion 161 in the z direction.
  • the rear connection portion 502 is in contact with the first strip portion 512 of the first wiring portion 51 and the mounting terminal portion 532 of the third wiring portion 53, and is electrically connected thereto. As a result, the element mounting portion 511 is electrically connected to the mounting terminal portion 532 via the first connection portion 513, the first strip portion 512, and the rear connecting portion 502.
  • the plurality of front portions 505 respectively cover the plurality of front grooves 163.
  • the front portion 505 covers the entire front groove portion 163 and reaches both ends of the front groove portion 163 in the z direction.
  • the front portion 505 is not in contact with the first wiring portion 51, the second wiring portion 52, and the third wiring portion 53, and is not electrically connected to these portions.
  • the plurality of waveguides 62 are portions that generate laser light of a predetermined wavelength by repeatedly reflecting light emitted in the active layer in the x direction.
  • the plurality of waveguides 62 are arranged separately from one another in the y direction, and each extend along the x direction.
  • the semiconductor laser device 6 is a multi-beam type, and can emit laser light from each waveguide 62 individually (that is, independently from the other waveguides).
  • the plurality of electrodes 63 are provided corresponding to the plurality of waveguides 62 and arranged to be separated from each other in the y direction.
  • a plurality of wires 67 are connected to the plurality of electrodes 63 separately. In the illustrated example, a plurality of wires 67 are connected to one electrode 63 for the purpose of passing a larger current.
  • an electrode (not shown) provided on the lower surface of the semiconductor layer 61 of the semiconductor laser element 6 is conductively joined to the element mounting portion 511 by a conductive bonding material (not shown) such as Ag paste. .
  • the semiconductor laser device 6 is mounted on the first major surface 21 of the pedestal portion 240.
  • the one side end of the semiconductor laser device 6 in the x direction protrudes from the pedestal portion 240 by one length L in the x direction. This protrusion is preferable for suppressing interference of light from the semiconductor laser element 6 with the pedestal portion 240, and is shown as a similar configuration also in the subsequent drawings.
  • one side end of the semiconductor laser device 6 in the x direction substantially matches one side end of the pedestal portion 240 in the z direction, etc.
  • the semiconductor laser device 6 may not protrude from the pedestal 240.
  • the number of waveguides 62 provided in the semiconductor laser device 6 is not particularly limited.
  • the semiconductor laser device 6 has four waveguides 62.
  • the semiconductor laser device 6 has four electrodes 63.
  • the second wiring portion 52 also has four wire bonding portions 521, four second strip portions 522, and four second connection portions 523.
  • the substrate 1 has five back grooves 161, and the wiring part 5 has four back communication parts 501 and one back communication part 502.
  • the third wiring portion 53 has four mounting terminal portions 531 and one mounting terminal portion 532.
  • the first cover 7 closes the emitting portion 18 and is made of a material that transmits the light from the semiconductor laser device 6.
  • the first cover 7 is made of, for example, transparent glass.
  • the first cover 7 may be provided with a predetermined coating for improving the emission efficiency.
  • the first cover 7 is rectangular in the x direction, and is accommodated in the front recess 171 of the base 1.
  • the attachment method to the base material 1 of the 1st cover 7 is not specifically limited, For example, it adhere
  • the first cover 7 has a flat plate shape whose dimension in the x direction is uniform.
  • the second cover 8 closes the opening 17.
  • the material of the second cover 8 is not particularly limited, and in the present embodiment, it is made of, for example, glass. Further, the second cover 8 may be provided with a predetermined coating for attenuating a predetermined extraneous ray.
  • the second cover 8 is rectangular in the z direction, and is accommodated in the annular recess 440 of the base 1.
  • the attachment method to the base material 1 of the 2nd cover 8 is not specifically limited, For example, it adhere
  • the internal space defined by the base 1 may be sealed by the first cover 7 and the second cover 8.
  • the first cover 7 and the second cover 8 can It is preferable that it is the structure pressed on the material 1.
  • a plurality of mounting terminal portions 531 and mounting terminal portions 532 are formed on the main surface 11 (third main surface 41), and the main surface 11 (third main surface 41) is used as a mounting surface. ing. Therefore, the semiconductor laser device A1 can be surface mounted on a circuit board (not shown) or the like.
  • the main surface 11 is a mounting surface
  • laser light can be emitted from the semiconductor laser device A1 to one side (front side) in the x direction.
  • the emitting direction of the laser light can be made to differ by 90 ° with respect to the semiconductor laser device of the type mounted using the leads.
  • the opening 17 is configured to open from the main surface 11 as a mounting surface.
  • the opening 17 is in the posture of facing the upper side in the vertical direction.
  • mounting of the semiconductor laser element 6, bonding of the wire 67, and attachment of the first cover 7 and the second cover 8 are performed.
  • the conduction test and the light emission test of the semiconductor laser device 6 can be performed by using the plurality of mounting terminal portions 531 and the mounting terminal portions 532 which are in the state of turning upward in the vertical direction.
  • the first major surface 21 on one side in the x direction of the pedestal portion 240 is located on the one side in the z direction from the bottom portion 250.
  • the first main surface 21 as a mounting surface, it is possible to suppress that the laser light emitted from the semiconductor laser element 6 is blocked by the pedestal portion 240 and the bottom portion 250.
  • the configuration in which the x direction one side end (front side end) of the semiconductor laser element 6 is protruded from the pedestal portion 240 to the x direction one side (front side) is preferable for preventing the laser light from being blocked.
  • the semiconductor laser device 6 is not limited to the configuration that protrudes from the pedestal portion 240.
  • the plurality of second strip portions 522 extend to the other side (rear side) in the x direction with respect to the semiconductor laser device 6. That is, the plurality of second band-shaped portions 522 are provided on the side opposite to the side from which the laser light of the semiconductor laser element 6 is emitted. Thereby, it is possible to make the plurality of second band-shaped portions 522 linear, and to be arranged so that their distances do not differ significantly. This is suitable for equalizing the path lengths of the conduction paths to the plurality of waveguides 62 and the plurality of electrodes 63 of the semiconductor laser device 6.
  • first band-like portions 512 are linear as in the case of the plurality of second band-like portions 522, and are arranged separately from the plurality of second band-like portions 522 in the y direction when viewed in the z direction. Unintended mutual interference at the time of energization can be suppressed. This is preferable for individually emitting the plurality of semiconductor laser devices 6 at desired timings.
  • An inner end face 36 is formed on the base 1.
  • Light may be emitted from the semiconductor laser element 6 not only to the one side (front side) in the x direction but also to the other side (rear side) in the x direction.
  • the light emitted backward does not overlap with the light emitted forward.
  • the inward end face 36 is provided on the other side (rear side) of the semiconductor laser element 6 in the x direction. Thereby, it is possible to suppress that the laser light which has traveled from the semiconductor laser element 6 to the rear side is directed to the emission unit 18.
  • the plurality of mounting terminal portions 531 and the mounting terminal portions 532 are disposed to be biased to the other side (rear side) in the x direction.
  • the plurality of front portions 505 are spaced apart from the plurality of mounting terminal portions 531 and the mounting terminal portions 532 and are disposed on one side (front side) in the x direction.
  • FIG. 11 is an enlarged sectional view of an essential part showing a first modified example of the semiconductor laser device A1.
  • the inner end face 36 has a shape along the z direction and is not inclined with respect to the z direction.
  • FIG. 12 is an enlarged sectional view of an essential part showing a second modification of the semiconductor laser device A1.
  • the inclination of the inward end surface 36 is different from that of the inward end surface 36 of the semiconductor laser device A1.
  • the inward end surface 36 is inclined to be positioned on the other side in the x direction (rear side) as it goes from the z direction one side (upper side) to the other side in the z direction (lower side).
  • the angle of the inner end face 36 can be set variously.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing a third modification of the semiconductor laser device A1.
  • the semiconductor laser device A13 of this modification is different from the above-described semiconductor laser device A1 in the method of attaching the first cover 7 to the base material 1.
  • the base 1 is not provided with the above-described front concave portion 171.
  • the first cover 7 is attached to the front end surface 13 of the substrate 1 by adhesion, for example.
  • the method and structure for attaching the first cover 7 to the substrate 1 is not particularly limited.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing a fourth modification of the semiconductor laser device A1.
  • the configuration of the first cover 7 is different from that of the semiconductor laser device A1 described above.
  • the first cover 7 has a lens portion 71.
  • the lens portion 71 has a shape that bulges in the x direction, and constitutes a so-called convex lens.
  • Such first cover 7 can improve the directivity in the x direction by refracting the laser light from the semiconductor laser element 6 by the lens unit 71.
  • the lens part 71 which consists of convex lenses is an example, and the lens part 71 can employ
  • FIG. 15 is a cross-sectional view showing a fifth modification of the semiconductor laser device A1.
  • the configuration of the semiconductor laser element 6 is different from that of the semiconductor laser device A1 described above.
  • the semiconductor laser device 6 has a submount 68.
  • the submount 68 is made of, for example, a material such as Si, GaN, SiC, or AlN.
  • the semiconductor layer 61 is formed on the upper surface of the submount 68.
  • a through wire 69 is formed in the submount 68.
  • the through wiring 69 is a conductive member that penetrates the submount 68 in the z direction.
  • the through wiring 69 is electrically connected to an electrode (not shown) of the semiconductor layer 61.
  • the first layer 2 of this modification does not have the pedestal portion 240 in the semiconductor laser device A1.
  • the first main portion 210 and the bottom portion 250 have the same thickness.
  • the element mounting portion 511 of the first wiring portion 51 of the wiring portion 5 is formed on the first major surface 21 of the bottom portion 250.
  • the through wiring 69 of the submount 68 is electrically connected to the element mounting portion 511.
  • the semiconductor laser device A15 can also be surface mounted by this modification.
  • the semiconductor laser device 6 may be of a type having the submount 68 or of the type not having the submount 68.
  • Various types of semiconductor laser elements 6 can be adopted by appropriately changing the configurations of the base 1 and the wiring portion 5.
  • FIG. 16 is a plan view showing a sixth modification of the semiconductor laser device A1.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view taken along the line XVII-XVII in FIG.
  • the one side end of the semiconductor laser element 6 in the x direction is positioned on the other side in the x direction with respect to the one side end of the pedestal portion 240 in the x direction. That is, the semiconductor laser element 6 is not configured to protrude from the pedestal portion 240, but is disposed so as to be retracted to the other side in the x direction from one side end of the pedestal portion 240 in the x direction.
  • the positional relationship between the x-direction one side end of the semiconductor laser device 6 and the x-direction one side end of the pedestal portion 240 (or the x-direction one side end of the submount 68) is It is not limited. This point is the same as in the other modifications and embodiments.
  • FIG. 18 to 20 show a semiconductor laser device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 18 is a plan view showing a semiconductor laser device A2 of the present embodiment.
  • FIG. 19 is a plan view of relevant parts showing the base material 1 of the semiconductor laser device A2.
  • FIG. 20 is a plan view of relevant parts showing the base material 1 of the semiconductor laser device A2.
  • the arrangement of the first strip portion 512 of the first wiring portion 51 and the plurality of second strip portions 522 of the second wiring portion 52 is different from that of the semiconductor laser device A1 described above.
  • the plurality of second strip portions 522 are disposed on both sides in the y direction across the first strip portion 512 in the z direction.
  • two second band-shaped portions 522 are disposed on both sides in the y direction with the first band-shaped portion 512 interposed therebetween.
  • the first band-shaped portion 512 is provided substantially at the center of the first main portion 210 in the x direction.
  • the first connection portion 513 has a linear shape extending in the x direction, and does not have a bent shape.
  • the four second connection parts 523 have bending shapes opposite to each other between the two second connection parts 523 on one side in the y direction and the two second connection parts 523 on the other side in the y direction. It has become.
  • the semiconductor laser device A2 can be surface mounted. Further, according to the present embodiment, it is easy to make the path lengths of the plurality of second band-shaped portions 522 more uniform. Further, since both the first strip portion 512 and the first connecting portion 513 are linear, the inductance component of the path can be reduced.
  • FIG. 21 to 27 show a semiconductor laser device according to a third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 21 is a plan view showing a semiconductor laser device A3 of the present embodiment.
  • FIG. 22 is a side view showing the semiconductor laser device A3.
  • FIG. 23 is a bottom view showing the semiconductor laser device A3.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view taken along the line XXIV-XXIV in FIG.
  • FIG. 25 is a plan view of relevant parts showing the base material 1 of the semiconductor laser device A3.
  • FIG. 26 is a plan view of relevant parts showing the base material 1 of the semiconductor laser device A3.
  • FIG. 27 is a plan view of relevant parts showing the base material 1 of the semiconductor laser device A3.
  • the back surface 12 of the base 1 is a mounting surface.
  • the substrate 1 has a lateral groove portion 162.
  • the side groove portion 162 is recessed from one side surface 15 and is along the z direction. In the present embodiment, the side groove portion 162 reaches the first back surface 22 (back surface 12). Further, in the illustrated example, the side groove portion 162 reaches the third main surface 41 (main surface 11).
  • the first layer 2 has a first lateral groove 262.
  • the first lateral groove portion 262 is recessed from the first side surface 25 and extends along the z direction.
  • the second layer 3 has a second lateral groove 362.
  • the second side groove 362 is recessed from the second side surface 35 and extends along the z direction.
  • the third layer 4 has a third lateral groove 462.
  • the third side groove 462 is recessed from the third side surface 45 and extends along the z direction.
  • the rear groove portion 161 includes a first side groove portion 262, a second side groove portion 362, and a third side groove portion 462.
  • the wiring unit 5 has a plurality of rear communication units 501 and side communication units 503.
  • the plurality of rear communication portions 501 cover the plurality of rear grooves 161 as in the above-described embodiment.
  • the side connection portion 503 covers the side groove portion 162 and reaches the other z-direction side end (lower side end) of the side groove portion 162. Further, in the illustrated example, the side connection portion 503 reaches the z-direction one side end (upper side end) of the side groove portion 162.
  • the first wiring unit 51 includes an element mounting unit 511, a first connecting unit 513, a plurality of mounting terminal units 514, a mounting terminal unit 515, and a first connecting unit 518.
  • the first connecting portion 513 extends from the element mounting portion 511 in the y direction toward the first lateral groove 262 and reaches the first lateral groove 262. Thereby, the first connecting portion 513 is in contact with the side communication portion 503.
  • the mounting terminal portion 515 is formed on the first back surface 22 (back surface 12).
  • the mounting terminal 515 has a rectangular shape in the z direction, and is larger than the mounting terminal 514.
  • the first connecting portion 518 extends from the mounting terminal portion 515 in the y direction, and reaches the first lateral groove portion 262. Thereby, the first connecting portion 518 is in contact with the side communication portion 503.
  • the element mounting portion 511 is electrically connected to the mounting terminal portion 515 via the first connection portion 513 and the side connection portions 503 and 581.
  • the mounting terminal portion 515 preferably overlaps the semiconductor laser device 6 in the z direction.
  • the mounting terminal 515 is, for example, a cathode electrode.
  • the plurality of mounting terminal portions 514 are formed on the other side (rear side) in the x direction of the first back surface 22 (back surface 12).
  • the plurality of mounting terminal portions 514 separately reach the plurality of first rear groove portions 261. Thereby, the plurality of mounting terminal portions 514 are in contact with the plurality of rear communication portions 501 separately.
  • the plurality of mounting terminal portions 514 overlap the plurality of wire bonding portions 521 in the z direction.
  • the mounting terminal portion 514 is, for example, an anode electrode.
  • the second wiring portion 52 includes the plurality of wire bonding portions 521 and the plurality of second strip portions 522, and does not include the second connection portion 523 of the embodiment described above. Moreover, the wiring part 5 does not have the 3rd wiring part 53 of embodiment mentioned above.
  • the second belt-like portion 522 is in contact with the rear communication portion 501.
  • the plurality of wire bonding portions 521 are separately conducted to the plurality of mounting terminal portions 514 via the plurality of second strip portions 522 and the plurality of back connection portions 501.
  • the second wiring portion 52 may have the second connection portion 523 and the wiring portion 5 may have the third wiring portion 53.
  • the semiconductor laser device A3 can be surface mounted with the back surface 12 as the mounting surface. Further, according to the present embodiment, it is not necessary to form the wiring portion 5 on the main surface 11 of the base 1. Further, the mounting terminal portion 515 can be configured to overlap the semiconductor laser element 6 in the z direction. Further, the plurality of mounting terminal portions 514 can be configured to overlap the plurality of wire bonding portions 521 in the z direction. This is preferable for the miniaturization of the semiconductor laser device A3.
  • FIG. 28 is a cross-sectional view showing a first modified example of the semiconductor laser device A3.
  • the method of attaching the second cover 8 to the base 1 is different from the example described above.
  • the base 1 is not provided with the above-described annular recess 440.
  • the second cover 8 is attached to the major surface 11 of the substrate 1 by adhesion, for example.
  • the method and structure for attaching the second cover 8 to the base 1 is not particularly limited.
  • FIG. 29 to 32 show a semiconductor laser device according to a fourth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 29 is a plan view showing a semiconductor laser device A4 of this embodiment.
  • FIG. 30 is a bottom view showing A4.
  • 31 is a cross-sectional view taken along the line XXXI-XXXI in FIG. 32 is a cross-sectional view taken along the line XXXII-XXXII in FIG.
  • the semiconductor laser device A4 includes a thermistor 9.
  • the thermistor 9 is an example of a temperature detection element for detecting the operating temperature of the semiconductor laser element 6.
  • the thermistor 9 is formed on the submount 68 of the semiconductor laser device 6.
  • the submount 68 includes a through wire 91 and a through wire 92 in addition to the through wire 69.
  • the through wiring 91 and the through wiring 92 penetrate from the thermistor 9 to the lower surface in the drawing of the submount 68 and are made of a conductor such as metal.
  • 31 and 32 schematically show the configuration in which the thermistor 9 is formed on the submount 68.
  • the specific configuration of the thermistor 9 in the submount 68 can be set variously.
  • the first wiring portion 51 of the wiring portion 5 includes a pair of element mounting portions 511, a pair of first connection portions 513, a plurality of mounting terminal portions 514, a mounting terminal portion 515, and a mounting terminal.
  • a portion 516 and a plurality of first connecting portions 518 are provided.
  • the base 1 also has a pair of lateral grooves 162.
  • the pair of side groove portions 162 is formed to be divided into the pair of side surfaces 15.
  • the wiring unit 5 has a pair of side communication units 503.
  • the pair of side connection portions 503 covers the pair of side groove portions 162 separately.
  • the plurality of element mounting portions 511 are formed on the first major surface 21 of the first layer 2. They are spaced apart in the y direction.
  • the through wiring 69 and the through wiring 91 are connected to one of the element mounting portions 511.
  • a through wire 92 is connected to the other element mounting portion 511.
  • the pair of first connection portions 513 extends in the y direction from the pair of element mounting portions 511 toward the pair of side groove portions 162.
  • the pair of first connecting portions 513 is in contact with the pair of side communication portions 503 separately.
  • the plurality of mounting terminal portions 514 and the mounting terminal portions 515 have the same configuration as the mounting terminal portions 514 and the mounting terminal portions 515 of the semiconductor laser device A3 described above.
  • the mounting terminal portion 515 is electrically connected to, for example, a cathode electrode (not shown) of the thermistor 9 through the first connection portion 518, the side connection portion 503, the first connection portion 513, the element mounting portion 511 and the through wiring 91. There is.
  • the mounting terminal portion 516 is spaced apart from the mounting terminal portion 515 in the y direction.
  • One mounting portion 516 is connected to one first connecting portion 518.
  • the first connecting portion 518 is in contact with one side communication portion 503.
  • the mounting terminal 516 is, for example, an anode electrode of the thermistor 9 via the first connecting portion 518, the side connecting portion 503, the first connecting portion 513, the element mounting portion 511 and the through wiring 92. (Not shown).
  • the semiconductor laser device A4 can be surface mounted. Further, by providing the thermistor 9, it is possible to monitor the operating temperature of the semiconductor laser device 6 from the outside. By incorporating the thermistor 9 in the submount 68, the semiconductor laser device A4 can be miniaturized. The configuration in which the first back surface 22 (back surface 12) is a mounting surface is advantageous for downsizing of the semiconductor laser device A4.
  • FIG. 33 to 35 show a semiconductor laser device according to a fifth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 33 is a plan view showing a semiconductor laser device A5 according to the present embodiment.
  • FIG. 34 is a front view showing a semiconductor laser device A5.
  • FIG. 35 is a cross-sectional view taken along the line XXXV-XXXV in FIG.
  • the semiconductor laser device A5 includes the thermistor 9 in the same manner as the semiconductor laser device A4.
  • the thermistor 9 is configured as an element separate from the semiconductor laser element 6.
  • the semiconductor laser device 6 may or may not have the submount 68. In the illustrated example, the semiconductor laser device 6 does not have the submount 68.
  • the semiconductor laser device 6 is mounted on the pedestal portion 240 of the first layer 2.
  • the first wiring portion 51 includes an element mounting portion 5111, a wire bonding portion 5112, and a connecting portion 5113 in addition to the element mounting portion 511 and the first connecting portion 513.
  • the element mounting portion 5111 is disposed apart from the element mounting portion 511 in the y direction.
  • the element mounting portion 511 and the element mounting portion 5111 are connected by a first connection portion 513.
  • the element mounting portion 5111 is a portion on which the thermistor 9 is mounted.
  • the wire bonding portion 5112 is disposed apart from the element mounting portion 5111 in the x direction.
  • the wire 99 is connected to the wire bonding portion 5112.
  • the wire 99 connects the thermistor 9 and the wire bonding portion 5112.
  • the connection portion 5113 extends from the wire bonding portion 5112 toward the side groove portion 162 in the y direction.
  • the connection part 5113 is in contact with the side communication part 503.
  • the configuration of the back surface 12 of the semiconductor laser A5 is similar to that of the above-described semiconductor laser A4, for example. Further, as shown in FIG. 33, the thermistor 9 and the wire 99 are exposed from the opening 17 of the base 1 in the z direction. Further, as shown in FIG. 34, a part of the thermistor 9 protrudes from the emission part 18, and is arranged so as to be hidden by the front end face 13 in the x-direction view.
  • the semiconductor laser device A5 can be surface mounted. Further, by providing the thermistor 9, it is possible to monitor the operating temperature of the semiconductor laser device 6 from the outside. Further, as understood from the present embodiment, the structure on which the thermistor 9 is mounted can be set variously, and the configurations of the base 1 and the wiring portion 5 may be made to correspond appropriately.
  • FIG. 36 to 38 show a semiconductor laser device according to a sixth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 36 is a plan view showing a semiconductor laser device A6 according to the present embodiment.
  • FIG. 37 is a bottom view showing the semiconductor laser device A6.
  • FIG. 38 is a cross-sectional view taken along line XXXVIII-XXXVIII of FIG.
  • the substrate 1 is composed of the first layer 2 and the second layer 3.
  • the first layer 2 is flat and made of, for example, glass epoxy resin.
  • the second layer 3 is made of, for example, an epoxy resin.
  • the base 1 may be configured by a plurality of members made of different materials.
  • the first layer 2 is rectangular in the z direction, and has a first major surface 21, a first back surface 22, a first front end surface 23, a first rear end surface 24, and a pair of first side surfaces 25.
  • the first back surface 22 constitutes the back surface 12 and is a mounting surface in the present embodiment.
  • the second layer 3 is formed, for example, by molding an epoxy resin and bonding it to the first layer 2.
  • the second layer 3 has an opening 17 and an emitting portion 18, and in the illustrated example, has an annular recess 340 and a front recess 171.
  • the annular recess 340 is a recess similar to the annular recess 440 in the embodiment described above, and is for providing the second cover 8.
  • the wiring unit 5 includes an element mounting unit 591, a plurality of wire bonding units 592, a mounting terminal unit 593, a plurality of mounting terminal units 594, a plurality of through wirings 595, and a plurality of through wirings 596.
  • the element mounting portion 591 is formed on the first major surface 21 of the first layer 2, and the semiconductor laser element 6 is mounted.
  • the plurality of wire bonding portions 592 are formed on the other side (rear side) in the x direction with respect to the element mounting portion 591 and are disposed apart from each other in the y direction.
  • the mounting terminal portion 593 is formed on the first back surface 22 (back surface 12), and overlaps the element mounting portion 591 in the z direction.
  • the plurality of wire bonding portions 592 are formed on the first back surface 22 (the back surface 12), and overlap the plurality of wire bonding portions 592 separately in the z direction.
  • the plurality of through wires 595 pass through the first layer 2 in the z direction, and are made of a conductor such as metal.
  • the plurality of through wires 595 connect the element mounting portion 591 and the mounting terminal portion 593.
  • the plurality of through wires 595 are arranged in a matrix.
  • the plurality of through wires 596 pass through the first layer 2 in the z direction, and are made of a conductor such as metal.
  • the plurality of through wires 596 individually connect the plurality of wire bonding portions 592 and the plurality of mounting terminal portions 594.
  • the through wiring 596 is arranged to overlap the wire bonding portion 592 near the other side in the z direction as viewed in the z direction. Such an arrangement is suitable for providing the bonding portion of the wire 97 at a distance from the through wire 596.
  • the semiconductor laser device A6 can be surface mounted. Further, by adopting the through wiring 595 and the through wiring 596, the area required for the arrangement of the wiring portion 5 can be reduced, which is preferable for the miniaturization of the semiconductor laser device A6. Further, by providing the plurality of through wires 595, the heat generated from the semiconductor laser device 6 can be transferred to the outside more efficiently.
  • FIG. 39 and 40 show a semiconductor laser device according to a seventh embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 39 is a plan view showing a semiconductor laser device A7 according to this embodiment.
  • FIG. 40 is a bottom view showing the semiconductor laser device A7.
  • the semiconductor laser device 6 has only one waveguide 62 and an electrode 63.
  • the number of wire bonding parts 592 and mounting terminal parts 594 is one.
  • the semiconductor laser device A7 can be surface mounted.
  • the number of waveguides 62 and electrodes 63 of the semiconductor laser device 6 in the present disclosure is not particularly limited.
  • the number of waveguides 62 and the number of electrodes 63 may be one, or plural other than four. Further, for example, in the semiconductor laser device A1, when there is no need to emit laser light from the plurality of waveguides 62 at different timings, only one mounting terminal portion 531 may be provided.
  • the semiconductor laser device according to the present disclosure is not limited to the embodiments described above.
  • the specific configuration of each part of the semiconductor laser device according to the present disclosure can be varied in design in many ways.
  • the emission unit includes a first cover that transmits light from the semiconductor laser device.
  • the first cover has a lens portion that refracts light from the semiconductor laser element.
  • the semiconductor laser device according to any one of appendices 2 to 4 further comprising a second cover closing the opening.
  • the substrate has a mounting surface facing the thickness direction, The semiconductor laser device according to any one of appendices 2 to 5, wherein the wiring portion has a mounting terminal portion formed on the mounting surface.
  • the semiconductor laser device according to appendix 11 or 12, wherein the base has an inner end face located on the other side in the first direction with respect to the semiconductor laser element and inclined with respect to the thickness direction.
  • the wiring portion has at least one wire bonding portion positioned on the other side in the first direction with respect to the semiconductor laser device and positioned on the one side in the thickness direction with respect to the mounting surface.
  • the semiconductor laser device according to any one of appendices 11 to 13, wherein the wire is connected to the semiconductor laser element and the wire bonding portion.
  • the semiconductor laser devices are arranged in a second direction perpendicular to both the first direction and the thickness direction, and each of the semiconductor laser devices independently emits light toward one side in the first direction.
  • the at least one back groove includes a plurality of back grooves arranged in the second direction
  • the at least one wire bonding unit includes a plurality of wire bonding units arranged in the second direction
  • the at least one back communication portion includes a plurality of back communication portions respectively formed in the plurality of back grooves.
  • the wiring portion has a plurality of second strip portions, and each of the second strip portions electrically connects one of the plurality of wire bonding portions and one of the plurality of rear communication portions to each other.

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Abstract

半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子を支持する基材と、前記基材に形成され、前記半導体レーザ素子への導通経路を構成する配線部と、を備える。前記基材は、当該基材の厚さ方向の一方側を向き且つ前記半導体レーザ素子が搭載された搭載面と、前記厚さ方向と直角である第１方向において前記半導体レーザ素子に対して一方側に位置する出射部と、を有する。前記半導体レーザ素子からの光は、前記出射部を通じて出射される。

Description

半導体レーザ装置
　本開示は、半導体レーザ装置に関する。
　半導体レーザ装置は、各種の電子機器の光源デバイスとして広く用いられている。たとえば、特開２０１７－１４７３０１号公報には、従来の半導体レーザ装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体レーザ装置は、円板状のベース部と、ベース部の上面に設けられたヒートシンク部とを備える。ヒートシンク部には、半導体レーザ素子が搭載されている。ベース部の下面からは、２つのリードが延出している。この従来の半導体レーザ装置は、各リードを回路基板に形成された孔に挿通させた状態で、当該回路基板に実装される。
特開２０１７－１４７３０１号公報
　上述した形態とは異なり、電子機器の種類によっては、表面実装型の半導体レーザ装置が求められる場合がある。
　本開示は、表面実装が可能な半導体レーザ装置を提供することをその一の課題とする。
　本開示によって提供される半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子を支持する基材と、前記基材に形成され、前記半導体レーザ素子への導通経路を構成する配線部と、を備える。前記基材は、当該基材の厚さ方向の一方側を向き且つ前記半導体レーザ素子が搭載された搭載面と、前記厚さ方向と直角である第１方向において前記半導体レーザ素子に対して一方側に位置する出射部と、を有する。前記半導体レーザ素子からの光は、前記出射部を通じて出射される。
　本開示の半導体レーザ装置によれば、表面実装が可能である。
　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。 第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す正面図である。 第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す側面図である。 第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す底面図である。 図１のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。 第１実施形態に係る半導体レーザ装置の一部を示す拡大断面図である。 図１のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。 第１実施形態に係る半導体レーザ装置の基材を示す平面図である。 第１実施形態に係る半導体レーザ装置の基材を示す平面図である。 第１実施形態に係る半導体レーザ装置の基材を示す平面図である。 第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を説明する拡大断面図である。 第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第２変形例を説明する拡大断面図である。 第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第３変形例を示す断面図である。 第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第４変形例を示す断面図である。 第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第５変形例を示す断面図である。 第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第６変形例を示す平面図である。 図１６のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。 第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。 第２実施形態に係る半導体レーザ装置の基材を説明する平面図である。 第２実施形態に係る半導体レーザ装置の基材を説明する平面図である。 第３実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。 第３実施形態に係る半導体レーザ装置を示す側面図である。 第３実施形態に係る半導体レーザ装置を示す底面図である。 図２１のＸＸＩＶ－ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。 第３実施形態に係る半導体レーザ装置の基材を説明する平面図である。 第３実施形態に係る半導体レーザ装置の基材を説明する平面図である。 第３実施形態に係る半導体レーザ装置の基材を説明する平面図である。 第３実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す断面図である。 第４実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。 第４実施形態に係る半導体レーザ装置を示す底面図である。 図２９のＸＸＸＩ－ＸＸＸＩ線に沿う断面図である。 図２９のＸＸＸＩＩ－ＸＸＸＩＩ線に沿う断面図である。 第５実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。 第５実施形態に係る半導体レーザ装置を示す正面図である。 図３３のＸＸＸＶ－ＸＸＸＶ線に沿う断面図である。 第６実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。 第６実施形態に係る半導体レーザ装置を示す底面図である。 図３６のＸＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 第７実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。 第７実施形態に係る半導体レーザ装置を示す底面図である。
　以下、本開示に係る実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
　図１～図１０は、本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置Ａ１を示している。半導体レーザ装置Ａ１は、基材１、配線部５、半導体レーザ素子６、複数の貫通配線６９、第１カバー７および第２カバー８を備えている。
　以降の説明において、ｚ方向は、基材１の厚さ方向に相当する。また、ｘ方向は、第１方向に相当し、ｙ方向は、第２方向に相当する。ｚ方向において、図中の上側が「一方側」に相当し、下側が「他方側」に相当する。ｘ方向において、一方側に相当するものとして「前側」と称し、他方側に相当するものとして、「後側」と称する場合もある。ただし、これらの「一方」「他方」「前」「後」の語句は、説明の便宜上のものであり、本開示の半導体レーザ装置の構成を限定するものではない。
　本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に要素を区別するためのものであり、それらの要素に順位を付することを意図していない。
　基材１は、半導体レーザ素子６を支持する。少なくとも基材１の表面は、絶縁性の材料からなる。たとえば図１～図５に示すように、基材１は、主面１１、裏面１２、前方端面１３、後方端面１４、一対の側面１５、開口１７、出射部１８、複数の後方溝部１６１、複数の前方溝部１６３および前方凹部１７１を有する。基材１の大きさの一例を挙げると、ｘ方向寸法が２．０ｍｍ～７．０ｍｍ程度、ｙ方向寸法が１．５ｍｍ～７．０ｍｍ程度、ｚ方向寸法が０．７ｍｍ～２．５ｍｍ程度であるが、基材１の大きさや形状がこの例に限定されるわけではない。
　主面１１は、ｚ方向一方側（上側）を向く面である。本実施形態においては、主面１１は、実装面に相当する。図示された例においては、主面１１は、ｚ方向に対して直角である。主面１１は、略矩形状である。
　裏面１２は、主面１１の反対側にあり、ｚ方向他方側（下側）を向く。図示された例においては、裏面１２は、ｚ方向に対して直角である。裏面１２は、略矩形状である。
　前方端面１３は、ｘ方向一方側（前側）を向く面であり、主面１１と裏面１２とを繋いでいる。図示された例においては、前方端面１３は、ｘ方向に対して直角である。
　後方端面１４は、ｘ方向他方側（後側）を向く面であり、主面１１と裏面１２とを繋いでいる。図示された例においては、後方端面１４は、ｘ方向に対して直角である。
　一対の側面１５は、主面１１および裏面１２を繋いでおり、かつ前方端面１３および後方端面１４を繋いでいる。一対の側面１５は、互いにｙ方向に離間している。図示された例においては、各側面１５は、ｙ方向に対して直角であり、略矩形状である。
　開口１７は、基材１によって規定された内部空間をｚ方向一方側（上側）に開放する部位である。図示された例においては、ｚ方向視（平面視）において略矩形状である（図１０参照）。開口１７は、ｘ方向一方側（前側）に偏って配置されている。開口１７が設けられていることにより、主面１１は、ｚ方向視において矩形の環状（閉じた枠状）である。
　出射部１８は、半導体レーザ素子６からのレーザ光をｘ方向一方側（前側）に出射させるための部位である。図示された例においては、基材１によって規定された内部空間が、出射部１８によりｘ方向一方側（前側）に開放している。出射部１８は、たとえばｘ方向視において矩形状である（図２参照）。また、出射部１８が設けられていることにより、前方端面１３は、ｘ方向視において矩形環状である。
　複数の後方溝部１６１は、後方端面１４から凹んでおり（図１参照）、それぞれがｚ方向に延びている（図３参照）。各後方溝部１６１は、主面（実装面）１１に到達している。また、図示された例においては、各後方溝部１６１は、裏面１２に到達している。後方溝部１６１の断面形状は、図示された例においては、半円形状であるが、本開示がこれに限定されるわけではない。複数の後方溝部１６１は、ｙ方向に互いに離間して配置されている。
　図１に示すように、複数の前方溝部１６３は、一対の側面１５と前方端面１３との境界部分に形成されている。各前方溝部１６３は、ｚ方向に延びており、主面１１および裏面１２に到達している。後方溝部１６１の断面形状は、図示された例においては、四半円形状であるが、本開示がこれに限定されるわけではない。
　図２および図５に示すように、前方凹部１７１は、前方端面１３からｘ方向他方側（後側）に凹んでおり、出射部１８の周囲を取り囲んでいる。前方凹部１７１は、ｘ方向視において矩形環状である。前方凹部１７１は、第１カバー７を設けるための部分である。
　図３に示すように、基材１は、複数の層を含む。図示された例では、基材１は、第１層２、第２層３および第３層４からなる。第１層２、第２層３および第３層４は、ｚ方向に積層されている。第１層２、第２層３および第３層４は、たとえば、アルミナ、窒化アルミニウム等のセラミックスから形成されるが、本開示がこれに限定されるわけではない。なお、各層自体が、複数のセラミックス層から構成されていてもよい。図２、図３、図５および図７において、一点鎖線は、隣接するセラミックス層の境界を示している。
　第１層２は、ｚ方向において最も下側に位置している。第１層２は、第１主面２１、第１裏面２２、第１前方端面２３、第１後方端面２４、一対の第１側面２５、第１主部２１０、一対の第１側方枠部２２０、第１前方枠部２３０、台座部２４０、底部２５０、複数の第１後方溝部２６１および複数の第１前方溝部２６３を有する。
　第１主面２１は、ｚ方向上側を向く面である。本実施形態においては、第１主面２１は、搭載面に相当する。図示された例においては、第１主面２１は、ｚ方向に対して直角である。
　第１裏面２２は、第１主面２１とは反対側にあり、ｚ方向下側を向く。図示された例においては、第１裏面２２は、ｚ方向に対して直角である。第１裏面２２は、裏面１２を構成している。
　第１前方端面２３は、ｘ方向一方側（前側）を向く面であり、第１主面２１と第１裏面２２とを繋いでいる。図示された例においては、第１前方端面２３は、ｘ方向に対して直角である。第１前方端面２３は、前方端面１３の一部を構成している。
　第１後方端面２４は、ｘ方向他方側（後側）を向く面であり、第１主面２１と第１裏面２２とを繋いでいる。図示された例においては、第１後方端面２４は、ｘ方向に対して直角である。第１後方端面２４は、後方端面１４の一部を構成している。
　一対の第１側面２５は、第１主面２１および第１裏面２２を繋いでおり、第１前方端面２３および第１後方端面２４を繋いでいる。一対の第１側面２５は、それぞれｙ方向を向いている。図示された例においては、第１側面２５は、ｙ方向に対して直角である。第１側面２５は、側面１５の一部を構成している。
　第１主部２１０は、第１層２のうちｘ方向後側に位置する部位である。図示された例においては、第１主部２１０は、ｚ方向視において略矩形状である。第１主部２１０の厚さは、第１層２の最大厚さと同じである。
　一対の第１側方枠部２２０は、第１主部２１０のｙ方向両側から、ｘ方向前側に延出した部分である。第１側方枠部２２０の厚さは、第１層２の最大厚さと同じである。
　第１前方枠部２３０は、一対の第１側方枠部２２０のｘ方向一方側端を繋いでおり、ｙ方向に延びている。一対の第１側方枠部２２０および第１前方枠部２３０は、枠状の部位を構成している。第１前方枠部２３０には、凹部２３１が形成されている。凹部２３１は、第１前方枠部２３０が部分的にｚ方向寸法が小さくなった部位であり、前方凹部１７１の一部を構成する。
　台座部２４０は、第１主部２１０からｘ方向一方側（前側）に延出しており、図示された例においては、ｚ方向視において略矩形状である。台座部２４０は、一対の第１側方枠部２２０および第１前方枠部２３０から離間している。台座部２４０には、半導体レーザ素子６が搭載される。
　底部２５０は、第１主面２１からｚ方向他方側（下側）に位置する部位である。底部２５０は、ｚ方向視において一対の第１側方枠部２２０、第１前方枠部２３０および台座部２４０に囲まれた領域に設けられている。底部２５０の厚さは、第１層２のｚ方向の最大厚さよりも小さい。
　複数の第１後方溝部２６１は、第１後方端面２４から凹んでおり、ｚ方向に延びている。第１後方溝部２６１は、第１主面２１および第１裏面２２に到達している。第１後方溝部２６１の断面形状は特に限定されず、図示された例においては、半円形状である。複数の第１後方溝部２６１は、ｙ方向に互いに離間して配置されている。複数の第１後方溝部２６１は、複数の後方溝部１６１の一部ずつを構成している。
　複数の第１前方溝部２６３は、一対の第１側面２５と第１前方端面２３との境界部分に形成されている。第１前方溝部２６３は、ｚ方向に延びており、第１主面２１および第１裏面２２に到達している。第１前方溝部２６３の断面形状は特に限定されず、図示された例においては、四半円形状である。複数の第１前方溝部２６３は、複数の前方溝部１６３の一部ずつを構成している。
　第２層３は、第１層２のｚ方向一方側（上側）に積層されている。第２層３は、第２主面３１、第２裏面３２、第２前方端面３３、第２後方端面３４、一対の第２側面３５、内方端面３６、第２主部３１０、一対の第２側方枠部３２０複数の第２後方溝部３６１および複数の第２前方溝部３６３を有する。
　第２主面３１は、ｚ方向一方側（上側）を向く面である。図示された例においては、第２主面３１は、ｚ方向に対して直角である。
　第２裏面３２は、第２主面３１が向く側とは反対側である、ｚ方向他方側（下側）を向く面であり、第１層２の第１主面２１と対面している。図示された例においては、第２裏面３２は、ｚ方向に対して直角である。
　第２前方端面３３は、ｘ方向一方側（前側）を向く面であり、第２主面３１と第２裏面３２とを繋いでいる。図示された例においては、第２前方端面３３は、ｘ方向に対して直角である。第２前方端面３３は、前方端面１３の一部を構成している。第２前方端面３３は、ｙ方向両側に離間した２つの領域を含む。
　第２後方端面３４は、ｘ方向他方側（後側）を向く面であり、第２主面３１と第２裏面３２とを繋いでいる。図示された例においては、第２後方端面３４は、ｘ方向に対して直角である。第２後方端面３４は、後方端面１４の一部を構成している。
　一対の第２側面３５は、第２主面３１および第２裏面３２を繋いでおり、第２前方端面３３および第２後方端面３４を繋いでいる。一対の第２側面３５は、それぞれｙ方向を向いている。図示された例においては、第２側面３５は、ｙ方向に対して直角である。第２側面３５は、側面１５の一部を構成している。
　第２主部３１０は、第２層３のうちｘ方向他方側（後側）に位置する部位である。図示された例においては、第２主部３１０は、ｚ方向視において略矩形状である。第２主部３１０の厚さは、第２層３の最大厚さと同じである。
　内方端面３６は、第２主部３１０のｘ方向一方側（前側）に位置する面である。内方端面３６は、ｚ方向に対して傾いており、ｚ方向一方側（図６における図中上側）から他方側（図６における図中下側）に向かうほどｚ方向一方側（前側、図６における図中左側）に位置するように傾斜している。
　一対の第２側方枠部３２０は、第２主部３１０のｙ方向両側から、ｘ方向一方側（前側）に延出した部分である。第２側方枠部３２０の厚さは、第２層３の最大厚さと同じである。
　一対の第２側方枠部３２０には、それぞれ凹部３２１が形成されている。凹部３２１は、第２側方枠部３２０のうち第２前方端面３３からｘ方向他方側（後側）に凹む部位である。また、凹部３２１は、ｙ方向内側に位置している。一対の凹部３２１は、前方凹部１７１の一部を構成する。
　複数の第２後方溝部３６１は、第２後方端面３４から凹んでおり、ｚ方向に延びている。第２後方溝部３６１は第２主面３１および第２裏面３２に到達している。第２後方溝部３６１の断面形状は特に限定されず、図示された例においては、半円形状である。複数の第２後方溝部３６１は、ｙ方向に互いに離間して配置されている。複数の第２後方溝部３６１は、複数の後方溝部１６１の一部ずつを構成している。
　複数の第２前方溝部３６３は、一対の第２側面３５と第２前方端面３３との境界部分に形成されている。第２前方溝部３６３は、ｚ方向に延びており、第２主面３１および第２裏面３２に到達している。第２前方溝部３６３の断面形状は特に限定されず、図示された例においては、四半円形状である。複数の第２前方溝部３６３は、複数の前方溝部１６３の一部ずつを構成している。
　第３層４は、ｚ方向において最も一方側（上側）に位置している。第３層４は、第２層３のｚ方向一方側（上側）に積層されている。第３層４は、第３主面４１、第３裏面４２、第３前方端面４３、第３後方端面４４、一対の第３側面４５、第３主部４１０、一対の第３側方枠部４２０、第３前方枠部４３０、複数の第３後方溝部４６１および複数の第３前方溝部４６３を有する。
　第３主面４１は、ｚ方向一方側（上側）を向く面である。図示された例においては、第３主面４１は、ｚ方向に対して直角である。本実施形態においては、第３主面４１は、主面１１を構成している。
　第３裏面４２は、第３主面４１が向く側とは反対側である、ｚ方向他方側（下側）を向く面であり、第２層３の第２主面３１と対面している。図示された例においては、第３裏面４２は、ｚ方向に対して直角である。
　第３前方端面４３は、ｘ方向一方側（前側）を向く面であり、第３主面４１と第３裏面４２とを繋いでいる。図示された例においては、第３前方端面４３は、ｘ方向に対して直角である。第３前方端面４３は、前方端面１３の一部を構成している。
　第３後方端面４４は、ｘ方向他方側（後側）を向く面であり、第３主面４１と第３裏面４２とを繋いでいる。図示された例においては、第３後方端面４４は、ｘ方向に対して直角である。第３後方端面４４は、後方端面１４の一部を構成している。
　一対の第３側面４５は、第３主面４１および第３裏面４２を繋いでおり、第３前方端面４３および第３後方端面４４を繋いでいる。一対の第３側面４５は、それぞれｙ方向を向いている。図示された例においては、第３側面４５は、ｙ方向に対して直角である。第３側面４５は、側面１５の一部を構成している。
　第３主部４１０は、第３層４のうちｘ方向他方側（後側）に位置する部位である。図示された例においては、第３主部４１０は、ｚ方向視において略矩形状である。第３主部４１０の厚さは、第２層３の最大厚さと同じである。
　一対の第３側方枠部４２０は、第３主部４１０のｙ方向両側から、ｘ方向一方側（前側）に延出した部分である。
　第３前方枠部４３０は、一対の第３側方枠部４２０のｘ方向一方側端を繋いでおり、ｙ方向に延びている。一対の第３側方枠部４２０および第３前方枠部４３０は、枠状の部位を構成している。図５に示すように、第３前方枠部４３０には、凹部４３１が形成されている。凹部４３１は、第３前方端面４３からｘ方向他方側（後側）に凹んだ部位であり、前方凹部１７１の一部を構成する。
　複数の第３後方溝部４６１は、第３後方端面４４から凹んでおり、ｚ方向に延びている。第３後方溝部４６１は、第３主面４１および第３裏面４２に到達している。第３後方溝部４６１の断面形状は特に限定されず、図示された例においては、半円形状である。複数の第３後方溝部４６１は、ｙ方向に互いに離間して配置されている。複数の第３後方溝部４６１は、複数の後方溝部１６１の一部ずつを構成している。
　複数の第３前方溝部４６３は、一対の第３側面４５と第３前方端面４３との境界部分に形成されている。第３前方溝部４６３は、ｚ方向に延びており、第３主面４１および第３裏面４２に到達している。第３前方溝部４６３の断面形状は特に限定されず、図示された例においては、四半円形状である。複数の第３前方溝部４６３は、複数の前方溝部１６３の一部ずつを構成している。
　本実施形態においては、第３層４に、開口１７が形成されている。また、第３層４には、環状凹部４４０が形成されている。環状凹部４４０は、第３層４のうち開口１７を取り囲む部分が、第３主面４１（主面１１）からｚ方向他方側（下側）に凹んだ部分である。環状凹部４４０は、ｚ方向視において、矩形環状である。環状凹部４４０は、第２カバー８を設けるための部位である。
　配線部５は、基材１に形成されており、半導体レーザ素子６への導通経路を構成するものである。図１～図３および図５～図１０に示すように、本実施形態においては、配線部５は、第１配線部５１、第２配線部５２、第３配線部５３、複数の後方連絡部５０１および複数の前方部５０５を有する。配線部５は、適切な導電性を有する材質からなり、たとえばめっきや貼り付け等によって形成される。配線部５の材質としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕ等が適宜選択される。また、配線部５のうち、はんだを付着させる部位には、Ｓｎからなる表層を設けておいてもよい。
　第１配線部５１は、基材１の第１層２に形成された部分である。本実施形態においては、第１配線部５１は、素子搭載部５１１、第１帯状部５１２および第１連結部５１３を有する。
　素子搭載部５１１は、基材１の第１層２の台座部２４０の第１主面２１に形成されている。素子搭載部５１１は、半導体レーザ素子６が搭載される部分である。図示された例においては、素子搭載部５１１は、ｚ方向視において略矩形状であり、台座部２４０の大部分を覆っている。
　第１帯状部５１２は、第１層２の第１主部２１０に形成されており、複数の第１後方溝部２６１のうちｙ方向において図８における最も図中下側に位置するものに到達している。また、第１帯状部５１２は、この第１後方溝部２６１からｘ方向に沿って延びている。
　第１連結部５１３は、素子搭載部５１１と第１帯状部５１２とを連結している。第１連結部５１３の形状や大きさは特に限定されず、図示された例においては、２つの屈曲部分を有する形状である。
　第２配線部５２は、基材１の第２層３に形成された部分である。第２配線部５２は、複数のワイヤボンディング部５２１、複数の第２帯状部５２２および複数の第２連結部５２３を有する。
　複数のワイヤボンディング部５２１は、複数のワイヤ６７が接続される部位である。本実施形態においては、複数のワイヤボンディング部５２１は、ｙ方向に配列されており、第２主部３１０のｘ方向一方側（前側）部分に形成されている。ワイヤボンディング部５２１の形状は特に限定されず、図示された例においては、矩形状である。図１に示すように、複数のワイヤボンディング部５２１は、ｚ方向視において第３層４から露出している。
　複数の第２帯状部５２２は、第２層３の第２主部３１０に形成されており、複数の第２後方溝部３６１のうちｙ方向において図９における図中上側の４つの第２後方溝部３６１に到達している。第２帯状部５２２は、第２後方溝部３６１からｘ方向に沿って延びている。なお、図８に示すように、第１帯状部５１２と複数の第２帯状部５２２とは、ｚ方向視において互いにｙ方向に離間して配列されている。
　複数の第２連結部５２３は、複数のワイヤボンディング部５２１と複数の第２帯状部５２２とを連結している。第２連結部５２３の形状や大きさは特に限定されず、図示された例においては、２つの屈曲部分を有する形状である。
　第３配線部５３は、基材１の第３層４に形成された部分である。第３配線部５３は、複数の実装端子部５３１および実装端子部５３２を有する。
　複数の実装端子部５３１は、第３層４の第３主部４１０に形成されており、ｙ方向に互いに離間して配列されている。複数の実装端子部５３１は、複数の第３後方溝部４６１のうちｙ方向において図１０における図中上側の４つの第３後方溝部４６１に到達している。実装端子部５３１は、第３後方溝部４６１からｘ方向に沿って延びている。実装端子部５３１のｙ方向寸法は、第２帯状部５２２のｙ方向寸法よりも大きい。複数の実装端子部５３１は、たとえばアノード電極である。
　実装端子部５３２は、第３層４の第３主部４１０に形成されている。実装端子部５３２は、複数の第３後方溝部４６１のうちｙ方向において図１０における最も図中下側に位置するものに到達している。また、実装端子部５３２は、この第３後方溝部４６１からｘ方向に沿って延びている。実装端子部５３２のｙ方向寸法は、第１帯状部５１２のｙ方向寸法よりも大きい。複数の実装端子部５３１および実装端子部５３２は、ｙ方向に互いに離間配列されている。実装端子部５３２は、たとえばカソード電極である。
　図１に示すように、本実施形態においては、ｚ方向視において、互いに導通するワイヤボンディング部５２１の中心Ｏ１と実装端子部５３１の中心Ｏ２とは、ｙ方向において距離Ｇだけずれて配置されている。なお、図１に示された複数の距離Ｇは、互いに同じ寸法でもよいし、互いに異なる寸法であってもよい。また、ワイヤボンディング部５２１のｙ方向端縁を仮想的に延長した延長線Ｅは、実装端子部５３１と交差している。
　図３に示すように、複数の後方連絡部５０１は、基材１の複数の後方溝部１６１のうち図中右側の４つの後方溝部１６１を覆うように形成されている。本実施形態においては、後方連絡部５０１は、後方溝部１６１のｚ方向一方側端（上側端）に到達している。また、図示された例においては、後方連絡部５０１は、後方溝部１６１のｚ方向他方側端（下側端）に到達している。後方連絡部５０１は、それぞれ第２配線部５２の第２帯状部５２２および第３配線部５３の実装端子部５３１と接しており、これらと導通している。これにより、ワイヤボンディング部５２１は、第２連結部５２３、第２帯状部５２２および後方連絡部５０１を介して実装端子部５３１に導通している。
　後方連絡部５０２は、基材１の複数の後方溝部１６１のうち図３における図中左端の後方溝部１６１を覆うように形成されている。本実施形態においては、後方連絡部５０２は、後方溝部１６１のｚ方向一方側端（上側端）に到達している。また、図示された例においては、後方連絡部５０２は、後方溝部１６１のｚ方向他方側端（下側端）に到達している。後方連絡部５０２は、第１配線部５１の第１帯状部５１２および第３配線部５３の実装端子部５３２と接しており、これらと導通している。これにより、素子搭載部５１１は、第１連結部５１３、第１帯状部５１２および後方連絡部５０２を介して実装端子部５３２に導通している。
　図２に示すように、複数の前方部５０５は、複数の前方溝部１６３をそれぞれ覆っている。図示された例においては、前方部５０５は、前方溝部１６３の全体を覆っており、前方溝部１６３のｚ方向両端に到達している。前方部５０５は、第１配線部５１、第２配線部５２および第３配線部５３とは接しておらず、これらの各部とは導通していない。
　半導体レーザ素子６は、所定の波長のレーザ光を出射する素子である。半導体レーザ素子６の具体的構成は特に限定されず、本実施形態においては、半導体レーザ素子６は、半導体層６１、複数の導波路６２および複数の電極６３を有する。
　半導体層６１は、半導体材料からなる複数の層が積層されたものであり、たとえば活性層とこれを挟むｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層を含む。活性層内において電子と正孔とが再結合することにより、光が発せられる。
　複数の導波路６２は、活性層において発せられた光をｘ方向において繰り返し反射させることにより、所定波長のレーザ光を生成する部位である。本実施形態においては、複数の導波路６２は、ｙ方向に互いに離間して配列されており、各々がｘ方向に沿って延びている。半導体レーザ素子６は、マルチビームタイプであり、各導波路６２から個別に（すなわち、他の導波路とは独立に）レーザ光を出射可能である。
　複数の電極６３は、複数の導波路６２に対応して設けられており、ｙ方向に互いに離間して配列されている。複数の電極６３には、複数のワイヤ６７が各別に接続されている。なお、図示された例においては、より大きな電流を流すことを目的として、１つの電極６３に複数のワイヤ６７が接続されている。
　本実施形態においては、半導体レーザ素子６の半導体層６１の下面に設けられた電極（図示略）が、Ａｇペースト等の導電性接合材（図示略）によって素子搭載部５１１に導通接合されている。これにより、半導体レーザ素子６は、台座部２４０の第１主面２１に搭載されている。なお、図示された例においては、図１および図５に示すように、半導体レーザ素子６のｘ方向一方側端は、台座部２４０からｘ方向一方側に長さＬだけ突出している。この突出は、半導体レーザ素子６からの光が台座部２４０に干渉することを抑制するのに好ましく、以降の図においても、同様の構成として示されている。ただし、半導体レーザ素子６からの光の干渉が許容される場合等は、半導体レーザ素子６のｘ方向一方側端と台座部２４０のｘ方向一方側端とが、ｚ方向視において略一致するなど、半導体レーザ素子６が台座部２４０から突出しない構成であってもよい。
　半導体レーザ素子６が備える導波路６２の個数は、特に限定されない。図示された例においては、半導体レーザ素子６は、４つの導波路６２を有している。これに対応して、半導体レーザ素子６は、４つの電極６３を有する。また、第２配線部５２は、４つのワイヤボンディング部５２１、４つの第２帯状部５２２および４つの第２連結部５２３を有する。基材１は、５つの後方溝部１６１を有しており、配線部５は、４つの後方連絡部５０１と１つの後方連絡部５０２とを有する。また、第３配線部５３は、４つの実装端子部５３１と１つの実装端子部５３２とを有する。
　第１カバー７は、出射部１８を塞いでおり、半導体レーザ素子６からの光を透過させる材質からなる。本実施形態においては、第１カバー７は、たとえば透明なガラスからなる。また、第１カバー７は、出射効率を改善するための所定のコーティングが施されていてもよい。図示された例においては、第１カバー７は、ｘ方向視において矩形状であり、基材１の前方凹部１７１に収容されている。第１カバー７の基材１への取付け手法は特に限定されず、たとえば紫外線硬化樹脂等の接着材によって接合される。また、図示された例においては、第１カバー７は、ｘ方向寸法が一様である平板状である。
　第２カバー８は、開口１７を塞いでいる。第２カバー８の材質は特に限定されず、本実施形態においては、たとえばガラスからなる。また、第２カバー８は、所定の外来光線を減衰させるための所定のコーティングが施されていてもよい。図示された例においては、第２カバー８は、ｚ方向視において矩形状であり、基材１の環状凹部４４０に収容されている。第２カバー８の基材１への取付け手法は特に限定されず、たとえば紫外線硬化樹脂等の接着材によって接合される。また、図示された例においては、第２カバー８は、ｚ方向寸法が一様である平板状である。
　なお、第１カバー７および第２カバー８を備える構成においては、第１カバー７および第２カバー８によって、基材１によって規定された内部空間を密閉する構造であってもよい。この場合、第１カバー７および第２カバー８の基材１への取り付けを減圧環境において行うことにより、半導体レーザ装置Ａ１の完成後において、第１カバー７および第２カバー８が大気圧によって基材１に押し付けられる構成であることが好ましい。
　次に、半導体レーザ装置Ａ１の作用について説明する。
　本実施形態によれば、主面１１（第３主面４１）に複数の実装端子部５３１および実装端子部５３２が形成されており、主面１１（第３主面４１）が実装面とされている。このため、半導体レーザ装置Ａ１を回路基板（図示略）等に表面実装することができる。
　主面１１を実装面とした場合、半導体レーザ装置Ａ１からは、ｘ方向一方側（前側）へとレーザ光を出射することが可能である。これにより、リードを用いて実装するタイプの半導体レーザ装置に対し、レーザ光の出射方向を９０°異ならせることができる。
　開口１７は、実装面としての主面１１から開口する構成である。これにより、半導体レーザ装置Ａ１の製造工程において、基材１を形成した後に、たとえば開口１７が鉛直方向上側を向く姿勢とする。次いで、この状態で、半導体レーザ素子６の搭載、ワイヤ６７のボンディング、第１カバー７および第２カバー８の取り付けを行う。そして、鉛直方向上側を向く状態である複数の実装端子部５３１および実装端子部５３２を用いて、半導体レーザ素子６の導通試験や発光試験を行うことが可能である。このため、複数の実装端子部５３１および実装端子部５３２を用いた試験を行うために、半導体レーザ装置Ａ１の完成後に半導体レーザ装置Ａ１を反転させる等の作業が不要となる。また、基材１が、出射部１８において中空となっていることにより、半導体レーザ装置Ａ１の作動に伴って生じる応力を緩和することができる。
　台座部２４０および底部２５０を設けることにより、台座部２４０のｘ方向一方側の第１主面２１は、底部２５０からｚ方向一方側に位置する構成となる。この第１主面２１を搭載面として用いることにより、半導体レーザ素子６から出射されたレーザ光が、台座部２４０および底部２５０によって遮られることを抑制することが可能である。また、半導体レーザ素子６のｘ方向一方側端（前側端）を台座部２４０からｘ方向一方側（前側）に突出させる構成は、レーザ光が遮られることを抑制するのに好ましい。ただし、半導体レーザ素子６は、台座部２４０から突出する構成には限定されない。
　複数の第２帯状部５２２は、半導体レーザ素子６に対してｘ方向他方側（後側）に延びている。すなわち、複数の第２帯状部５２２は、半導体レーザ素子６のレーザ光が出射される側とは反対側に設けられている。これにより、複数の第２帯状部５２２を直線状とし、互いの距離が大きく異ならない配置とすることが可能である。これは、半導体レーザ素子６の複数の導波路６２および複数の電極６３への導通経路の経路長を均一化するのに適している。また、第１帯状部５１２が、複数の第２帯状部５２２と同様に直線状であり、且つｚ方向視において複数の第２帯状部５２２とｙ方向に離間して配列されていることにより、通電時の意図しない相互干渉を抑制することができる。これは、複数の半導体レーザ素子６を所望のタイミングで個別に発光させるのに好ましい。
　基材１には、内方端面３６が形成されている。半導体レーザ素子６からは、ｘ方向一方側（前側）だけでなく、ｘ方向他方側（後側）にも光が出射される場合がある。好ましくは、後方に出射された光は、前方へ出射された光と重畳しない方がよい。本実施形態では、半導体レーザ素子６のｘ方向他方側（後側）に内方端面３６が設けられている。これにより、半導体レーザ素子６から後側に進行したレーザ光が出射部１８へと向かうことを抑制することができる。
　実装面としての主面１１において、複数の実装端子部５３１および実装端子部５３２は、ｘ方向他方側（後方側）に偏って配置されている。一方、複数の前方部５０５は、複数の実装端子部５３１および実装端子部５３２とは離間しており、ｘ方向一方側（前方側）に配置されている。これにより、半導体レーザ装置Ａ１を回路基板等に実装した際に、溶融はんだの表面張力を半導体レーザ装置Ａ１に、よりバランス良く作用させることが可能である。したがって、半導体レーザ装置Ａ１の実装位置や姿勢をより適切に設定することができる。
　図１１～図４０は、本開示の変形例および他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。なお、上述した実施形態と、以下に説明する変形例および実施形態とは、互いの部分的な構成を適宜採用可能であることはもちろんであり、様々な組み合わせが実現される。
　図１１は、半導体レーザ装置Ａ１の第１変形例を示す要部拡大断面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ１１においては、内方端面３６は、ｚ方向に沿った形状であり、ｚ方向に対して傾斜していない。
　図１２は、半導体レーザ装置Ａ１の第２変形例を示す要部拡大断面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ１２においては、内方端面３６の傾きが、半導体レーザ装置Ａ１の内方端面３６とは、異なっている。本変形例においては、内方端面３６は、ｚ方向一方側（上側）からｚ方向他方側（下側）に向かうほど、ｘ方向他方側（後側）に位置するように傾いている。
　これらの変形例から理解されるように、内方端面３６の角度は、種々に設定可能である。
　図１３は、半導体レーザ装置Ａ１の第３変形例を示す断面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ１３においては、第１カバー７の基材１への取付け手法が上述した半導体レーザ装置Ａ１と異なっている。
　本変形例においては、基材１には、上述の前方凹部１７１が設けられていない。第１カバー７は、基材１の前方端面１３にたとえば接着によって取り付けられている。本変形例から理解されるように、第１カバー７の基材１への取付け手法や取付け構造は特に限定されない。
　図１４は、半導体レーザ装置Ａ１の第４変形例を示す断面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ１４においては、第１カバー７の構成が上述した半導体レーザ装置Ａ１と異なっている。
　本変形例においては、第１カバー７は、レンズ部７１を有する。レンズ部７１は、ｘ方向に膨出する形状であり、いわゆる凸レンズを構成している。このような第１カバー７は、レンズ部７１によって半導体レーザ素子６からのレーザ光を屈折させることにより、ｘ方向における指向性をより高めることができる。なお、凸レンズからなるレンズ部７１は一例であり、レンズ部７１は、凹レンズ等の様々な形状のレンズを適宜採用可能である。
　図１５は、半導体レーザ装置Ａ１の第５変形例を示す断面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ１５においては、半導体レーザ素子６の構成が上述した半導体レーザ装置Ａ１と異なっている。
　本変形例においては、半導体レーザ素子６は、サブマウント６８を有する。サブマウント６８は、たとえばＳｉ、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＡｌＮ等の材料からなる。サブマウント６８は、その上面に半導体層６１が形成されている。
　サブマウント６８には、貫通配線６９が形成されている。貫通配線６９は、サブマウント６８をｚ方向に貫通する導通部材である。貫通配線６９は、半導体層６１の電極（図示略）に導通している。
　本変形例の第１層２は、半導体レーザ装置Ａ１における台座部２４０を有していない。また、第１主部２１０と底部２５０とは、互いの厚さが同じである。配線部５の第１配線部５１の素子搭載部５１１は、底部２５０の第１主面２１に形成されている。サブマウント６８の貫通配線６９は、素子搭載部５１１に導通している。
　本変形例によっても、半導体レーザ装置Ａ１５を表面実装することができる。また、半導体レーザ素子６は、サブマウント６８を有するタイプのものでも、サブマウント６８を有さないタイプのものであってもよい。基材１および配線部５の構成を適宜変更する事により、様々なタイプの半導体レーザ素子６を採用可能である。
　図１６は、半導体レーザ装置Ａ１の第６変形例を示す平面図である。図１７は、図１６のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。
　本変形例の半導体レーザ装置Ａ１６においては、半導体レーザ素子６のｘ方向一方側端が、台座部２４０のｘ方向一方側端に対して長さＬ’だけｘ方向他方側に位置している。すなわち、半導体レーザ素子６は、台座部２４０から突出した構成ではなく、台座部２４０のｘ方向一方側端からｘ方向他方側に退避した配置とされている。
　このような変形例によれば、半導体レーザ素子６と素子搭載部５１１（台座部２４０）とが重なり合う面積を増大させることが可能である。これにより、半導体レーザ素子６の発光に伴う熱を台座部２４０（基材１）へとより効率よく伝達することができる。また、半導体レーザ素子６と素子搭載部５１１（台座部２４０）との接合面積が増大することにより、互いの接合強度を高めることができる。また、本変形例から理解されるように、半導体レーザ素子６のｘ方向一方側端と台座部２４０のｘ方向一方側端（あるいはサブマウント６８のｘ方向一方側端）との位置関係は何ら限定されない。この点は、他の変形例および実施形態においても同様である。
　図１８～図２０は、本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。図１８は、本実施形態の半導体レーザ装置Ａ２を示す平面図である。図１９は、半導体レーザ装置Ａ２の基材１を示す要部平面図である。図２０は、半導体レーザ装置Ａ２の基材１を示す要部平面図である。
　半導体レーザ装置Ａ２においては、第１配線部５１の第１帯状部５１２と第２配線部５２の複数の第２帯状部５２２との配置が、上述した半導体レーザ装置Ａ１と異なっている。
　本実施形態においては、複数の第２帯状部５２２は、ｚ方向視において第１帯状部５１２を挟んでｙ方向両側に配置されている。図示された例においては、２つずつの第２帯状部５２２が第１帯状部５１２を挟んでｙ方向両側に配置されている。
　図１９に示すように、第１帯状部５１２は、第１主部２１０のｘ方向略中央に設けられている。また、第１連結部５１３は、ｘ方向に延びる直線状であり、屈曲形状ではない。
　図２０に示すように、４つの第２連結部５２３は、ｙ方向一方側の２つの第２連結部５２３とｙ方向他方側の２つの第２連結部５２３とで、屈曲形状が互いに反対向きとなっている。
　このような実施形態によっても、半導体レーザ装置Ａ２を表面実装することができる。また、本実施形態によれば、複数の第２帯状部５２２の経路長をより均一にしやすい。また、第１帯状部５１２および第１連結部５１３がともに直線状であることにより、当該経路のインダクタンス成分を縮小させることができる。
　図２１～図２７は、本開示の第３実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。図２１は、本実施形態の半導体レーザ装置Ａ３を示す平面図である。図２２は、半導体レーザ装置Ａ３を示す側面図である。図２３は、半導体レーザ装置Ａ３を示す底面図である。図２４は、図２１のＸＸＩＶ－ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。図２５は、半導体レーザ装置Ａ３の基材１を示す要部平面図である。図２６は、半導体レーザ装置Ａ３の基材１を示す要部平面図である。図２７は、半導体レーザ装置Ａ３の基材１を示す要部平面図である。
　半導体レーザ装置Ａ３においては、図２３および図２４に示すように、基材１の裏面１２が実装面とされている。
　基材１は、側方溝部１６２を有する。側方溝部１６２は、一方の側面１５から凹んでおり、ｚ方向に沿っている。本実施形態においては、側方溝部１６２は、第１裏面２２（裏面１２）に到達している。また、図示された例においては、側方溝部１６２は、第３主面４１（主面１１）に到達している。
　第１層２は、第１側方溝部２６２を有する。第１側方溝部２６２は、第１側面２５から凹んでおり、ｚ方向に沿っている。第２層３は、第２側方溝部３６２を有する。第２側方溝部３６２は、第２側面３５から凹んでおり、ｚ方向に沿っている。第３層４は、第３側方溝部４６２を有する。第３側方溝部４６２は、第３側面４５から凹んでおり、ｚ方向に沿っている。後方溝部１６１は、第１側方溝部２６２、第２側方溝部３６２および第３側方溝部４６２からなる。
　配線部５は、複数の後方連絡部５０１および側方連絡部５０３を有する。複数の後方連絡部５０１は、上述した実施形態と同様に、複数の後方溝部１６１を覆っている。側方連絡部５０３は、側方溝部１６２を覆っており、側方溝部１６２のｚ方向他方側端（下側端）に到達している。また、図示された例においては、側方連絡部５０３は、側方溝部１６２のｚ方向一方側端（上側端）に到達している。
　図２３および図２５に示すように、第１配線部５１は、素子搭載部５１１、第１連結部５１３、複数の実装端子部５１４、実装端子部５１５および第１連結部５１８を有する。第１連結部５１３は、素子搭載部５１１から第１側方溝部２６２に向かってｙ方向に延びており、第１側方溝部２６２に到達している。これにより、第１連結部５１３は、側方連絡部５０３に接している。
　実装端子部５１５は、第１裏面２２（裏面１２）に形成されている。実装端子部５１５は、ｚ方向視矩形状であり、実装端子部５１４より大きい。第１連結部５１８は、実装端子部５１５からｙ方向に延びており、第１側方溝部２６２に到達している。これにより、第１連結部５１８は、側方連絡部５０３に接している。この結果、素子搭載部５１１は、第１連結部５１３、側方連絡部５０３および５８１を介して、実装端子部５１５と導通している。なお、図２４および図２５に示すように、実装端子部５１５は、ｚ方向視において半導体レーザ素子６と重なる構成とすることが好ましい。実装端子部５１５は、たとえばカソード電極である。
　複数の実装端子部５１４は、第１裏面２２（裏面１２）のｘ方向他方側（後側）寄りに形成されている。複数の実装端子部５１４は、複数の第１後方溝部２６１に各別に到達している。これにより、複数の実装端子部５１４は、複数の後方連絡部５０１と各別に接している。なお、図２４および図２６に示すように、複数の実装端子部５１４は、複数のワイヤボンディング部５２１とｚ方向視において重なる構成とすることが好ましい。実装端子部５１４は、たとえばアノード電極である。
　図示された例においては、第２配線部５２は、複数のワイヤボンディング部５２１および複数の第２帯状部５２２を有しており、上述した実施形態の第２連結部５２３を有していない。また、配線部５は、上述した実施形態の第３配線部５３を有さない。第２帯状部５２２は、後方連絡部５０１に接している。この結果、複数のワイヤボンディング部５２１は、複数の第２帯状部５２２および複数の後方連絡部５０１を介して、複数の実装端子部５１４に各別に導通している。ただし、第２配線部５２が第２連結部５２３を有し、配線部５が第３配線部５３を有する構成であってもよい。
　このような実施形態によっても、裏面１２を実装面として、半導体レーザ装置Ａ３を表面実装することができる。また、本実施形態によれば、基材１の主面１１には、配線部５を形成する必要がない。また、実装端子部５１５を半導体レーザ素子６とｚ方向視において重なる構成とすることができる。また、複数の実装端子部５１４を複数のワイヤボンディング部５２１とｚ方向視において重なる構成とすることができる。これは、半導体レーザ装置Ａ３の小型化に好ましい。
　図２８は、半導体レーザ装置Ａ３の第１変形例を示す断面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ３１においては、第２カバー８の基材１への取付け手法が上述した例と異なっている。
　本変形例においては、基材１には、上述の環状凹部４４０が設けられていない。第２カバー８は、基材１の主面１１にたとえば接着によって取り付けられている。本変形例から理解されるように、第２カバー８の基材１への取付け手法や取付け構造は特に限定されない。
　図２９～図３２は、本開示の第４実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。図２９は、本実施形態の半導体レーザ装置Ａ４を示す平面図である。図３０は、Ａ４を示す底面図である。図３１は、図２９のＸＸＸＩ－ＸＸＸＩ線に沿う断面図である。図３２は、図２９のＸＸＸＩＩ－ＸＸＸＩＩ線に沿う断面図である。
　本実施形態においては、半導体レーザ装置Ａ４は、サーミスタ９を備える。サーミスタ９は、半導体レーザ素子６の動作温度を検出するための温度検出素子の一例である。
　図示された例においては、サーミスタ９は、半導体レーザ素子６のサブマウント６８に形成されている。図３２に示すように、サブマウント６８は、貫通配線６９に加えて、貫通配線９１および貫通配線９２を有する。貫通配線９１および貫通配線９２は、サーミスタ９からサブマウント６８の図中下面までを貫通しており、金属等の導電体からなる。なお、図３１および図３２は、サブマウント６８にサーミスタ９が形成された構成を模式的に示したものである。サブマウント６８におけるサーミスタ９の具体的構成は、種々に設定可能である。
　図３０～図３２に示すように、配線部５の第１配線部５１は、一対の素子搭載部５１１、一対の第１連結部５１３、複数の実装端子部５１４、実装端子部５１５、実装端子部５１６および複数の第１連結部５１８を有する。また、基材１は、一対の側方溝部１６２を有する。一対の側方溝部１６２は、一対の側面１５に分かれて形成されている。配線部５は、一対の側方連絡部５０３を有する。一対の側方連絡部５０３は、一対の側方溝部１６２を各別に覆っている。
　複数の素子搭載部５１１は、第１層２の第１主面２１に形成されており。ｙ方向に離間して配置されている。一方の素子搭載部５１１には、貫通配線６９と貫通配線９１とが繋がっている。他方の素子搭載部５１１には、貫通配線９２が繋がっている。
　一対の第１連結部５１３は、一対の素子搭載部５１１から一対の側方溝部１６２に向けてｙ方向に延びている。一対の第１連結部５１３は、一対の側方連絡部５０３に各別に接している。
　複数の実装端子部５１４および実装端子部５１５は、上述した半導体レーザ装置Ａ３の実装端子部５１４および実装端子部５１５と同様の構成である。実装端子部５１５は、第１連結部５１８、側方連絡部５０３、第１連結部５１３、素子搭載部５１１および貫通配線９１を介して、サーミスタ９のたとえばカソード電極（図示略）に導通している。
　実装端子部５１６は、実装端子部５１５に対してｙ方向に離間して配置されている。実装端子部５１６には、一方の第１連結部５１８が繋がっている。第１連結部５１８は、一方の側方連絡部５０３に接している。図３２に示すように、実装端子部５１６は、第１連結部５１８、側方連絡部５０３、第１連結部５１３、素子搭載部５１１および貫通配線９２を介して、サーミスタ９のたとえばアノード電極（図示略）に導通している。
　このような実施形態によっても、半導体レーザ装置Ａ４を表面実装することができる。また、サーミスタ９を備えることにより、半導体レーザ素子６の動作温度を外部から監視することが可能である。サーミスタ９をサブマウント６８に内蔵することにより、半導体レーザ装置Ａ４の小型化を図ることができる。第１裏面２２（裏面１２）を実装面とする構成は、半導体レーザ装置Ａ４の小型化に有利である。
　図３３～図３５は、本開示の第５実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。図３３は、本実施形態に係る半導体レーザ装置Ａ５を示す平面図である。図３４は、半導体レーザ装置Ａ５を示す正面図である。図３５は、図３３のＸＸＸＶ－ＸＸＸＶ線に沿う断面図である。
　半導体レーザ装置Ａ５は、半導体レーザ装置Ａ４と同様にサーミスタ９を備える。本実施形態においては、サーミスタ９は、半導体レーザ素子６とは別体の素子として構成されている。なお、半導体レーザ素子６は、サブマウント６８を有していても有していなくてもよい。図示された例においては、半導体レーザ素子６は、サブマウント６８を有していない。半導体レーザ素子６は、第１層２の台座部２４０に搭載されている。
　第１配線部５１は、素子搭載部５１１および第１連結部５１３に加えて、素子搭載部５１１１、ワイヤボンディング部５１１２および連結部５１１３を有する。素子搭載部５１１１は、素子搭載部５１１に対してｙ方向に離間して配置されている。素子搭載部５１１と素子搭載部５１１１とは、第１連結部５１３によって連結されている。素子搭載部５１１１は、サーミスタ９が搭載される部位である。ワイヤボンディング部５１１２は、素子搭載部５１１１に対してｘ方向に離間して配置されている。ワイヤボンディング部５１１２には、ワイヤ９９が接続される。ワイヤ９９は、サーミスタ９とワイヤボンディング部５１１２とを接続している。連結部５１１３は、ワイヤボンディング部５１１２から側方溝部１６２に向かってｙ方向に延びている。連結部５１１３は、側方連絡部５０３に接している。
　半導体レーザ装置Ａ５の裏面１２における構成は、たとえば上述した半導体レーザ装置Ａ４と同様である。また、図３３に示すように、サーミスタ９およびワイヤ９９は、ｚ方向視において基材１の開口１７から露出している。また、図３４に示すように、サーミスタ９は、その一部が出射部１８からはみ出しており、ｘ方向視において前方端面１３に隠れた配置となっている。
　このような実施形態によっても、半導体レーザ装置Ａ５を表面実装することができる。また、サーミスタ９を備えることにより、半導体レーザ素子６の動作温度を外部から監視することが可能である。また、本実施形態から理解されるように、サーミスタ９を搭載する構造は、様々に設定可能であり、基材１および配線部５の構成を適宜対応させればよい。
　図３６～図３８は、本開示の第６実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。図３６は、本実施形態に係る半導体レーザ装置Ａ６を示す平面図である。図３７は、半導体レーザ装置Ａ６を示す底面図である。図３８は、図３６のＸＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。
　本実施形態においては、基材１は、第１層２および第２層３からなる。第１層２は、たとえばガラスエポキシ樹脂からなる、平板状である。第２層３は、たとえばエポキシ樹脂からなる。このように、基材１は、互いに異なる材質からなる複数の部材によって構成されていてもよい。
　第１層２は、ｚ方向視において矩形状であり、第１主面２１、第１裏面２２、第１前方端面２３、第１後方端面２４および一対の第１側面２５を有する。第１裏面２２は、裏面１２を構成しており、本実施形態における実装面である。
　第２層３は、たとえば、エポキシ樹脂を金型成形したものを第１層２に接合したものである。第２層３は、開口１７および出射部１８を有しており、図示された例においては、環状凹部３４０および前方凹部１７１を有する。環状凹部３４０は、上述した実施形態における環状凹部４４０と同様の凹部であり、第２カバー８を設けるためのものである。
　配線部５は、素子搭載部５９１、複数のワイヤボンディング部５９２、実装端子部５９３、複数の実装端子部５９４、複数の貫通配線５９５および複数の貫通配線５９６を有する。
　素子搭載部５９１は、第１層２の第１主面２１に形成されており、半導体レーザ素子６が搭載されている。複数のワイヤボンディング部５９２は、素子搭載部５９１に対してｘ方向他方側（後側）に形成されており、ｙ方向に互いに離間して配置されている。
　実装端子部５９３は、第１裏面２２（裏面１２）に形成されており、ｚ方向視において素子搭載部５９１と重なる。複数のワイヤボンディング部５９２は、第１裏面２２（裏面１２）に形成されており、複数のワイヤボンディング部５９２とｚ方向視において各別に重なる。
　複数の貫通配線５９５は、第１層２をｚ方向に貫通しており、金属等の導電体からなる。複数の貫通配線５９５は、素子搭載部５９１と実装端子部５９３とを繋いでいる。図示された例においては、複数の貫通配線５９５は、マトリクス状に配置されている。
　複数の貫通配線５９６は、第１層２をｚ方向に貫通しており、金属等の導電体からなる。複数の貫通配線５９６は、複数のワイヤボンディング部５９２と複数の実装端子部５９４とを各別に繋いでいる。図３６に示すように、貫通配線５９６は、ｚ方向視においてワイヤボンディング部５９２のｘ方向他方側寄り部分に重なるように配置されている。このような配置は、ワイヤ９７のボンディング部分を、貫通配線５９６から離れた位置に設けるのに適している。
　このような実施形態によっても、半導体レーザ装置Ａ６を表面実装することができる。また、貫通配線５９５および貫通配線５９６を採用することにより、配線部５の配置に要する面積を縮小することが可能であり、半導体レーザ装置Ａ６の小型化に好ましい。また、複数の貫通配線５９５を備えることにより、半導体レーザ素子６から発した熱をより効率よく外部に伝達することができる。
　図３９および図４０は、本開示の第７実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。図３９は、本実施形態に係る半導体レーザ装置Ａ７を示す平面図である。図４０は、半導体レーザ装置Ａ７を示す底面図である。
　本実施形態においては、半導体レーザ素子６が、１つのみの導波路６２および電極６３を有する。これに対応して、ワイヤボンディング部５９２および実装端子部５９４の個数は、１つである。
　このような実施形態によっても、半導体レーザ装置Ａ７を表面実装することができる。また、本実施形態から理解されるように、本開示における半導体レーザ素子６の導波路６２および電極６３の個数は特に限定されない。導波路６２および電極６３の個数は、それぞれ１つでもよいし、それぞれが４つ以外の複数個であってもよい。また、たとえば、半導体レーザ装置Ａ１において、複数の導波路６２から別々のタイミングでレーザ光を出射する必要が無い場合、１つのみの実装端子部５３１を備える構成であってもよい。
　本開示に係る半導体レーザ装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体レーザ装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
　〔付記１〕
　半導体レーザ素子と、
　前記半導体レーザ素子を支持する基材と、
　前記基材に形成され、前記半導体レーザ素子への導通経路を構成する配線部と、
を備え、
　前記基材は、当該基材の厚さ方向の一方側を向き且つ前記半導体レーザ素子が搭載された搭載面と、前記厚さ方向と直角である第１方向において前記半導体レーザ素子に対して一方側に位置する出射部と、を有し、
　前記半導体レーザ素子からの光が、前記出射部を通じて出射される、半導体レーザ装置。
　〔付記２〕
　前記基材は、前記半導体レーザ素子に対して前記厚さ方向の前記一方側に位置する開口を有する、付記１に記載の半導体レーザ装置。
　〔付記３〕
　前記出射部は、前記半導体レーザ素子からの光を透過させる第１カバーを含む、付記２に記載の半導体レーザ装置。
　〔付記４〕
　前記第１カバーは、前記半導体レーザ素子からの光を屈折させるレンズ部を有する、付記３に記載の半導体レーザ装置。
　〔付記５〕
　前記開口を塞ぐ第２カバーを更に備える、付記２ないし４のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
　〔付記６〕
　前記基材は、前記厚さ方向を向く実装面を有し、
　前記配線部は、前記実装面に形成された実装端子部を有する、付記２ないし５のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
　〔付記７〕
　前記実装面は、前記厚さ方向の前記一方側を向く、付記６に記載の半導体レーザ装置。
　〔付記８〕
　前記実装面は、前記厚さ方向の他方側を向く、付記６に記載の半導体レーザ装置。
　〔付記９〕
　前記配線部は、前記搭載面に形成され且つ前記半導体レーザ素子が搭載された素子搭載部を有する、付記８に記載の半導体レーザ装置。
　〔付記１０〕
　前記基材は、前記第１方向の他方側を向き且つ前記実装面に到達する後方端面と、前記後方端面から凹み且つ前記実装面に到達する少なくとも１つの後方溝部とを有し、
　前記配線部は、少なくとも１つの後方連絡部を有し、当該後方連絡部は、前記後方溝部に形成され且つ前記半導体レーザ素子および前記実装端子部を導通させる、付記９に記載の半導体レーザ装置。
　〔付記１１〕
　前記基材は、前記搭載面に対して前記厚さ方向の前記他方側に位置する底部と、前記底部から前記厚さ方向の前記一方側に突出し且つ前記搭載面を構成する台座部を有する、付記１０に記載の半導体レーザ装置。
　〔付記１２〕
　前記半導体レーザ素子は、発光機能を果たす半導体層と前記半導体層を支持するサブマウントとを有する、付記１０に記載の半導体レーザ装置。
　〔付記１３〕
　前記基材は、前記半導体レーザ素子に対して前記第１方向の前記他方側に位置し且つ前記厚さ方向に対して傾斜した内方端面を有する、付記１１または１２に記載の半導体レーザ装置。
　〔付記１４〕
　ワイヤを更に備える構成において、
　前記配線部は、前記半導体レーザ素子に対して前記第１方向の前記他方側に位置し且つ前記搭載面に対して前記厚さ方向の前記一方側に位置する少なくとも１つのワイヤボンディング部を有し、
　前記ワイヤは、前記半導体レーザ素子と前記ワイヤボンディング部とに接続されている、付記１１ないし１３のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
　〔付記１５〕
　前記半導体レーザ素子は、前記第１方向および前記厚さ方向のいずれに対しても直角である第２方向に配列され且つ各々が独立して前記第１方向一方側に光を出射する複数の導波路を有している、付記１４に記載の半導体レーザ装置。
　〔付記１６〕
　前記少なくとも１つの後方溝部は、前記第２方向に配列された複数の後方溝部を含み、
　前記少なくとも１つのワイヤボンディング部は、前記第２方向に配列された複数のワイヤボンディング部を含み、
　前記少なくとも１つの後方連絡部は、前記複数の後方溝部にそれぞれ形成された複数の後方連絡部を含み、
　前記配線部は、複数の第２帯状部を有し、各第２帯状部は、前記複数のワイヤボンディング部の１つおよび前記複数の後方連絡部の１つを互いに導通させており、
　前記複数の第２帯状部は、前記第２方向に配列されており、各々が前記第１方向に延びている、付記１５に記載の半導体レーザ装置。
　〔付記１７〕
　前記基材に支持され且つ前記配線部に導通する温度検出素子を更に備える、付記１ないし１６のいずれかに記載の半導体レーザ装置。

Claims (17)

  1. 　半導体レーザ素子と、
    　前記半導体レーザ素子を支持する基材と、
    　前記基材に形成され、前記半導体レーザ素子への導通経路を構成する配線部と、
    を備え、
    　前記基材は、当該基材の厚さ方向の一方側を向き且つ前記半導体レーザ素子が搭載された搭載面と、前記厚さ方向と直角である第１方向において前記半導体レーザ素子に対して一方側に位置する出射部と、を有し、
    　前記半導体レーザ素子からの光が、前記出射部を通じて出射される、半導体レーザ装置。
  2. 　前記基材は、前記半導体レーザ素子に対して前記厚さ方向の前記一方側に位置する開口を有する、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
  3. 　前記出射部は、前記半導体レーザ素子からの光を透過させる第１カバーを含む、請求項２に記載の半導体レーザ装置。
  4. 　前記第１カバーは、前記半導体レーザ素子からの光を屈折させるレンズ部を有する、請求項３に記載の半導体レーザ装置。
  5. 　前記開口を塞ぐ第２カバーを更に備える、請求項２ないし４のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
  6. 　前記基材は、前記厚さ方向を向く実装面を有し、
    　前記配線部は、前記実装面に形成された実装端子部を有する、請求項２ないし５のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
  7. 　前記実装面は、前記厚さ方向の前記一方側を向く、請求項６に記載の半導体レーザ装置。
  8. 　前記実装面は、前記厚さ方向の他方側を向く、請求項６に記載の半導体レーザ装置。
  9. 　前記配線部は、前記搭載面に形成され且つ前記半導体レーザ素子が搭載された素子搭載部を有する、請求項８に記載の半導体レーザ装置。
  10. 　前記基材は、前記第１方向の他方側を向き且つ前記実装面に到達する後方端面と、前記後方端面から凹み且つ前記実装面に到達する少なくとも１つの後方溝部とを有し、
    　前記配線部は、少なくとも１つの後方連絡部を有し、当該後方連絡部は、前記後方溝部に形成され且つ前記半導体レーザ素子および前記実装端子部を導通させる、請求項９に記載の半導体レーザ装置。
  11. 　前記基材は、前記搭載面に対して前記厚さ方向の前記他方側に位置する底部と、前記底部から前記厚さ方向の前記一方側に突出し且つ前記搭載面を構成する台座部を有する、請求項１０に記載の半導体レーザ装置。
  12. 　前記半導体レーザ素子は、発光機能を果たす半導体層と前記半導体層を支持するサブマウントとを有する、請求項１０に記載の半導体レーザ装置。
  13. 　前記基材は、前記半導体レーザ素子に対して前記第１方向の前記他方側に位置し且つ前記厚さ方向に対して傾斜した内方端面を有する、請求項１１または１２に記載の半導体レーザ装置。
  14. 　ワイヤを更に備える構成において、
    　前記配線部は、前記半導体レーザ素子に対して前記第１方向の前記他方側に位置し且つ前記搭載面に対して前記厚さ方向の前記一方側に位置する少なくとも１つのワイヤボンディング部を有し、
    　前記ワイヤは、前記半導体レーザ素子と前記ワイヤボンディング部とに接続されている、請求項１１ないし１３のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
  15. 　前記半導体レーザ素子は、前記第１方向および前記厚さ方向のいずれに対しても直角である第２方向に配列され且つ各々が独立して前記第１方向一方側に光を出射する複数の導波路を有している、請求項１４に記載の半導体レーザ装置。
  16. 　前記少なくとも１つの後方溝部は、前記第２方向に配列された複数の後方溝部を含み、
    　前記少なくとも１つのワイヤボンディング部は、前記第２方向に配列された複数のワイヤボンディング部を含み、
    　前記少なくとも１つの後方連絡部は、前記複数の後方溝部にそれぞれ形成された複数の後方連絡部を含み、
    　前記配線部は、複数の第２帯状部を有し、各第２帯状部は、前記複数のワイヤボンディング部の１つおよび前記複数の後方連絡部の１つを互いに導通させており、
    　前記複数の第２帯状部は、前記第２方向に配列されており、各々が前記第１方向に延びている、請求項１５に記載の半導体レーザ装置。
  17. 　前記基材に支持され且つ前記配線部に導通する温度検出素子を更に備える、請求項１ないし１６のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019215098A1 (de) * 2019-10-01 2021-04-01 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisch-optisches Bauteil und Herstellungsverfahren
JP7460880B2 (ja) * 2019-10-31 2024-04-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7600630B2 (ja) * 2020-11-09 2024-12-17 住友電気工業株式会社 光半導体モジュール
JP2024018311A (ja) * 2022-07-29 2024-02-08 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ装置
JP2024018423A (ja) * 2022-07-29 2024-02-08 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ装置
CN119856351A (zh) * 2022-12-30 2025-04-18 青岛海信激光显示股份有限公司 激光器系统
JPWO2024195643A1 (ja) * 2023-03-20 2024-09-26

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001094189A (ja) * 1999-09-22 2001-04-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> セラミックパッケージ
JP2010040841A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 光送信デバイス
CN102377104A (zh) * 2010-08-20 2012-03-14 住友电气工业株式会社 具有陶瓷封装的光学模块
JP2012160527A (ja) * 2011-01-31 2012-08-23 Hitachi Cable Ltd 光電変換モジュール及び光電変換モジュールの製造方法
JP2015095471A (ja) * 2013-11-08 2015-05-18 住友電気工業株式会社 発光モジュール
WO2016047417A1 (ja) * 2014-09-24 2016-03-31 京セラ株式会社 電子モジュール
JP2016092260A (ja) * 2014-11-06 2016-05-23 住友電気工業株式会社 発光モジュール
WO2016171103A1 (ja) * 2015-04-24 2016-10-27 京セラ株式会社 光素子搭載用パッケージ、電子装置および電子モジュール
JP2017112138A (ja) * 2015-12-14 2017-06-22 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012033733A (ja) * 2010-07-30 2012-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置および光装置
JP2013153136A (ja) * 2011-12-27 2013-08-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光モジュール及び光トランシーバ
US8897327B2 (en) * 2012-04-16 2014-11-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laser diode devices
JP2015019066A (ja) 2013-07-10 2015-01-29 エクセリタス カナダ，インコーポレイテッド 成形境界を制御したｌｌｃ組立における光半導体デバイス及びこれを形成するための方法
JP6272131B2 (ja) * 2014-05-02 2018-01-31 日本電信電話株式会社 光モジュール
DE102015106712A1 (de) 2015-04-30 2016-11-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung mit einem Substrat und einem Halbleiterlaser
JP6304282B2 (ja) 2016-02-16 2018-04-04 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001094189A (ja) * 1999-09-22 2001-04-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> セラミックパッケージ
JP2010040841A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 光送信デバイス
CN102377104A (zh) * 2010-08-20 2012-03-14 住友电气工业株式会社 具有陶瓷封装的光学模块
JP2012160527A (ja) * 2011-01-31 2012-08-23 Hitachi Cable Ltd 光電変換モジュール及び光電変換モジュールの製造方法
JP2015095471A (ja) * 2013-11-08 2015-05-18 住友電気工業株式会社 発光モジュール
WO2016047417A1 (ja) * 2014-09-24 2016-03-31 京セラ株式会社 電子モジュール
JP2016092260A (ja) * 2014-11-06 2016-05-23 住友電気工業株式会社 発光モジュール
WO2016171103A1 (ja) * 2015-04-24 2016-10-27 京セラ株式会社 光素子搭載用パッケージ、電子装置および電子モジュール
JP2017112138A (ja) * 2015-12-14 2017-06-22 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置

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