WO2019132386A1 - 발광소자 패키지 및 광원 장치 - Google Patents

발광소자 패키지 및 광원 장치 Download PDF

Info

Publication number
WO2019132386A1
WO2019132386A1 PCT/KR2018/016165 KR2018016165W WO2019132386A1 WO 2019132386 A1 WO2019132386 A1 WO 2019132386A1 KR 2018016165 W KR2018016165 W KR 2018016165W WO 2019132386 A1 WO2019132386 A1 WO 2019132386A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light emitting
frame
disposed
emitting device
conductive
Prior art date
Application number
PCT/KR2018/016165
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
김영신
강순용
공성민
오주현
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020170179453A external-priority patent/KR102471686B1/ko
Priority claimed from KR1020170180819A external-priority patent/KR102471691B1/ko
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to US16/958,043 priority Critical patent/US11417804B2/en
Publication of WO2019132386A1 publication Critical patent/WO2019132386A1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • An embodiment relates to a light emitting device package and a light source device having the same.
  • Emitting devices such as light emitting diodes and laser diodes using semiconductor materials of group 3 to 5 or group 2 to group 6 are used for the light emitting devices such as red, Ultraviolet rays and the like can be realized.
  • a light emitting device capable of providing a high output is required, studies have been made on a device capable of increasing output by applying a high power. Further, studies are being made to improve the light extraction efficiency of the light emitting device and improve the light intensity at the package end. Studies are being made on a method for improving bonding strength between an electrode of a light emitting device package and a light emitting device.
  • Embodiments of the present invention provide a light emitting device package capable of exposing or protruding a region of each frame corresponding to each bonding portion of a light emitting device.
  • Embodiments of the present invention provide a light emitting device package capable of arranging a body around a region of each frame corresponding to each bonding portion of a light emitting device or projecting the body in a vertical direction.
  • Embodiments of the present invention provide a light emitting device package in which protrusions of a frame facing each bonding portion of a light emitting device are protruded in a horizontal direction or a vertical direction.
  • Embodiments of the present invention provide a light emitting device package and a method of manufacturing the same that reduce an area of frames in which light emitting devices are disposed or disperse frames to reduce a color change area of a frame and increase a reflection area by a body.
  • Embodiments of the invention provide a light emitting device package having at least one or both of a recess and a spacer on an upper portion of a body.
  • a supporting portion of a body is disposed at a height different from a height of a conductive protrusion of the frame, so that the bonding portion of the light emitting device is separated from the conductive protrusion of the frame.
  • Embodiments of the present invention provide a light emitting device package in which a first resin is disposed around a conductive protrusion of a frame to improve light reflection efficiency and a method of manufacturing the same.
  • Embodiments of the present invention provide a light emitting device package and a method of manufacturing the same, in which a reflective wall made of a resin material having a multi-step structure is disposed around a lower portion of a light emitting device to reduce an exposed area of the frame.
  • Embodiments of the present invention provide a light emitting device package having a protrusion or a spacer for preventing the flow of a light emitting device around a light emitting device, and a method of manufacturing the same.
  • Embodiments can provide a light source device in which a light emitting device package is disposed on a substrate.
  • a light emitting device package including: a first frame and a second frame that are disposed apart from each other; A body disposed between the first frame and the second frame; And a light emitting device disposed on the first frame and the second frame, wherein the first frame includes a first end adjacent to the second frame, and the second frame is adjacent to the first frame And a second end facing the first end, the first end including a first projection projecting toward the second frame, and the second end projecting toward the first frame
  • the light emitting device includes a first bonding portion disposed on the first protrusion and a second bonding portion disposed on the second protrusion, the body including a first bonding portion facing the first frame, First and second reflecting portions extending to both sides of the first projection and third and fourth reflecting portions extending toward both sides of the second projection toward the second frame, 1 to 4 < th > It can be overlapped in a direction.
  • a light emitting device package comprising: a first frame and a second frame, the first frame and the second frame being separated from each other; A body disposed between the first frame and the second frame; And a light emitting element disposed on the body;
  • the first frame and the second frame each include a first conductive protrusion and a second conductive protrusion protruding from the upper surface of the first and second frames toward the light emitting element, A first bonding portion facing the first conductive protrusion, and a second bonding portion facing the second conductive protrusion.
  • the body includes first and second recesses spaced apart from each other between the first and second frames, the first and second recesses overlapping with the light emitting element in a vertical direction And an outer portion extending outward from a side surface of the light emitting device.
  • first end of the first frame includes third and fourth protrusions spaced on both sides of the first protrusion and protruding in the second frame direction and a second end of the second frame is protruded from the second protrusion
  • first and fourth projections are spaced apart from each other and protrude in the first frame direction
  • the first reflector is disposed between the first and third projections
  • the second reflector includes the first and fourth projections
  • the third reflecting portion may be disposed between the second and fifth projecting portions
  • the fourth reflecting portion may be disposed between the second and sixth projecting portions.
  • a first resin disposed between the light emitting device and the body.
  • the first to fourth reflectors include a plurality of spacers disposed on the lower surface of the corner of the light emitting element, respectively, and the plurality of spacers are disposed on the lower surface of the first and second protrusions And can be separated from the upper surface.
  • a conductive portion may be disposed between the first bonding portion of the light emitting element and the first projection, and between the second bonding portion of the light emitting element and the second projection.
  • the body may include a support protruding from the first and second protrusions.
  • the supporting portion of the body has a first height with respect to an upper surface of the first frame and the first and second conductive protrusions have a second height with respect to an upper surface of the first frame, The second heights can be different from each other.
  • the upper surface of the first frame and the upper surface of the second frame may be disposed on the same plane, and the first and second conductive protrusions may have first and second flat surfaces whose upper surfaces are flat, The width of the second bonding portion and the width of the first and second flat surfaces may be different from each other.
  • the first height may be higher than the second height
  • the upper surface of the support may be disposed higher than the upper surfaces of the first and second bonding units with respect to the upper surface of the first frame.
  • a first conductive portion between the first bonding portion and the first conductive protrusion and a second conductive portion between the second bonding portion and the second conductive protrusion May be equal to the difference between the first and second heights.
  • an upper body comprising a body and an upper body disposed about an upper portion of the first and second frames and having a cavity therein, the inner side of the cavity having a flat upper surface and extending inward Reflective walls.
  • the reflective wall has an angle larger than an inclination angle of the inner surface of the cavity and the second resin is disposed around the first and second conductive protrusions , And may protrude along the reflective wall.
  • a sub-reflecting wall extending inward from the reflecting wall at a side lower portion of the cavity, the upper surface of the sub-reflecting wall having a lower height than the upper surface of the reflecting wall, And the upper surface of the sub reflection wall is flat, and the area of the flat upper surface of the reflection wall may be larger than the area of the flat upper surface of the sub reflection wall.
  • the height of the sub reflection wall is lower than the lower face of the light emitting element and higher than the upper face of the first and second conductive protrusions, and the sub reflection wall can be connected to the support part.
  • a light source device includes: a circuit board; And one or a plurality of light emitting device packages on the circuit board.
  • the area of the body disposed under the light emitting element is increased and the area of the frame is reduced, thereby reducing the discoloration of the frame, improving the reflection efficiency by the body, and preventing the luminous flux from dropping.
  • the end portions of the frames corresponding to each other are divided into a plurality of portions and are coupled to the body, thereby dispersing thermal stress, and crack defects of the solder material due to thermal deformation of the body can be prevented.
  • at least one recess is provided to the body to improve adhesion between the resin disposed in the recess and the light emitting element, and tilt of the light emitting element can be prevented.
  • the supporting force of the light emitting device can be improved by the conductive part disposed between the bonding part of the light emitting device and the frame, and the heat radiation property and the heat conduction property can be improved.
  • the side surface of the cavity having a multi-step structure around the lower portion of the light emitting device is extended toward the light emitting device, thereby improving the reflection efficiency.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view showing the light emitting device of the light emitting device package in FIG.
  • FIG. 3 is a bottom view of the light emitting device package in Fig.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the light emitting device package taken along the line A-A in Fig.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken on the C-C side of the light emitting device package of FIG.
  • FIG. 7 is a view showing a region of the first resin of the light emitting device package of FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional side view showing a through hole of a body as another example of the light emitting device package of Fig.
  • FIG. 9 is a view showing a recess of a body as another example of the light emitting device package of Fig.
  • FIG. 10 is a sectional view of the light emitting device package of Fig. 9 on the E-E side.
  • FIG. 11 is a perspective view showing a first modification of the light emitting device package of FIG. 1
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 11 in a second direction with respect to the first frame.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 11 in a first direction passing through the first and second frames.
  • Fig. 14 is an example of a top view of a modification of the body in the light emitting device package of Fig. 11;
  • FIG. 15 is a perspective view showing a second modification of the light emitting device package of FIG.
  • FIG. 16 is a view showing a region of the first resin under the light emitting device in the light emitting device package of FIG. 15;
  • 17 is a perspective view showing a third modification of the light emitting device package according to the embodiment (s) of the present invention.
  • FIG. 18 is a perspective view showing a fourth modification of the light emitting device package according to the embodiment (s) of the present invention.
  • FIG. 19 is an example of a top view showing the structure of the frames of Figs. 18 and 19.
  • FIG. 20 is an exploded perspective view of a light emitting device package according to a second embodiment of the present invention.
  • 21 is a plan view showing the connection of the light emitting device package of Fig.
  • FIG. 22 is a bottom view of the light emitting device package of Fig.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view of the light emitting device package taken along the line A1-A1 in FIG. 21.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view of the light emitting device package taken along the line A1-A1 in FIG. 21.
  • FIG. 24 is an enlarged view of the conductive protrusion of the frame of the light emitting device package and the bonding portion of the light emitting device in FIG. 21.
  • FIG. 24 is an enlarged view of the conductive protrusion of the frame of the light emitting device package and the bonding portion of the light emitting device in FIG. 21.
  • FIG. 25 is a side sectional view showing a recess in a support portion of the body of the light emitting device package in Fig.
  • 26 is a cross-sectional view of the light emitting device package of Fig. 21 viewed from the B1-B1 side.
  • FIG. 27 is a view showing another example of the light emitting device package of FIG. 21.
  • FIG. 27 is a view showing another example of the light emitting device package of FIG. 21.
  • FIG. 28 is a plan view showing another example of the light emitting device package of Fig.
  • FIG. 29 is a side sectional view of the light emitting device package of Fig.
  • FIG. 30 is a view showing an example in which the fluorescent material is disposed on the inner surface of the cavity in the light emitting device package of Fig.
  • 31 is another example of the light emitting device package of Fig.
  • each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being “on” or “under” Quot; on “ and “under” are to be “directly” or “indirectly & All included.
  • the criteria for the top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to drawings, but the embodiment is not limited thereto.
  • the light emitting device package 100 may include a package body 110 and a light emitting device 120.
  • the length of the light emitting device package 100 in the first direction X may be greater than the length of the light emitting device package 100 in the second direction Y.
  • the length of the package body 110 in the first direction may be greater than the length of the package body 110 in the first direction and the length of the package body 110 in the first direction X may be longer than the length of the package body 110 in the second direction Y, May be equal or greater.
  • the first direction is the X direction
  • the second direction is the Y direction orthogonal to the X direction
  • the third direction may be the Z direction or the perpendicular direction orthogonal to the X and Y directions.
  • the first direction may be a direction of a longer side of the sides of the light emitting device 120. Both short sides of the light emitting device 120 may be disposed on opposite sides of the light emitting device 120 in the first direction and opposite sides of the light emitting device 120 may be disposed on opposite sides of the light emitting device 120 in the second direction.
  • the package body 110 may include first and second side faces S1 and S2 extending in a second direction and third and fourth side faces S3 and S4 extending in a first direction.
  • the first and second side faces S1 and S2 are opposite to each other and the third and fourth side faces S3 and S4 are opposite to each other. And the gap between the third and fourth sides S3 and S4 is equal to the distance between the first and second sides S1 and S2, In the second direction.
  • Each of the side surfaces S1, S2, S3, and S4 may be an outer surface of the body 115, and may be arranged vertically or inclined.
  • the package body 110 may include a body 115 and a plurality of frames.
  • the plurality of frames may include, for example, a first frame 111 and a second frame 113 spaced from each other in a first direction.
  • the body 115 may be disposed between the first and second frames 111 and 113 and may be coupled with the frames 111 and 113.
  • the body 115 may be disposed in the periphery of each frame, may function as an electrode separator, or may be referred to as an insulation body.
  • the body 115 may be disposed on the first and second frames 111 and 113.
  • the body 115 may provide a cavity 102 having an inner side 132 that is sloped above the first and second frames 111 and 113.
  • the package body 110 may be provided with a structure having a cavity 102 or may be provided with a flat structure without a cavity 102.
  • the body 115 may include an upper body 110A having a cavity 102.
  • the body 115 and the upper body 110A may be formed of the same material or different materials.
  • the upper body 110A may be integrally formed with the body 115 or may be formed separately.
  • the body 115 may be made of a resin material or an insulating resin material.
  • the body 115 may be formed of a material such as PPA (Polyphthalamide), PCT (Polychloro Tri phenyl), LCP (Liquid Crystal Polymer), PA9T (Polyamide9T), silicone, epoxy, epoxy molding compound, Photo sensitive glass (PSG), and sapphire (Al 2 O 3 ).
  • the resin material of the body 115 may include a high-refraction filler such as TiO 2 and SiO 2 .
  • the body 115 may be formed of a thermoplastic resin. Since the thermoplastic resin is a material that is retreated when heated and hardens again when it is cooled, when the frames 111 and 113 and the materials contacting the thermoplastic resin expand or contract due to heat The body 115 can be buffered.
  • the body 115 When the body 115 performs the buffering action, it is possible to prevent the conductive parts such as the solder-based paste, the Ag-based paste, and the SAC (Sn-Ag-Cu) -based paste from being damaged.
  • the coefficient of thermal expansion (CTE) of the package due to thermal expansion and contraction may be larger than the first direction.
  • the body 115 may include a PCT or PPA material, and the PCT or PPA material is a thermoplastic resin having a high melting point.
  • the inner surface 132 of the cavity 102 may be inclined at different angles in the first direction and the second direction.
  • the inner side surface of the reflective wall 134 extending below the side surface of the cavity 102 is inclined at a first angle and the inner surface of the light emitting element 120 ), And the upper surface may be formed as a flat surface.
  • the first angle may be greater than the second angle with respect to the horizontal straight line.
  • the first angle of the reflecting wall 134 may be formed at an angle of 45 degrees or more, for example, in a range of 45 degrees to 70 degrees, so that no material such as a burr is formed.
  • the thickness b3 of the reflective wall 134 may be set to be in the range of 100 to 200 mu m, for example, 100 to 200 mu m.
  • the distance b2 in the first direction between the reflective wall 134 and the light emitting device 120 may be 400 ⁇ or less and may be in the range of 200 to 400 ⁇ , May be equal to or smaller than the interval b2.
  • a maximum distance b1 from the side surface of the light emitting device 120 to the upper end of the reflective wall 134 may be set to be 700 mu m or less, for example, in a range of 450 to 700 mu m, thereby reducing light loss.
  • the width Wb of the reflecting wall 134 in the first direction may be in the range of 230 ⁇ or less, for example, 180-230 ⁇ , and the width in the second direction may be equal to or smaller than the width Wb of the first direction. And may be in the range of, for example, 200 mu m or less, for example, 130 to 200 mu m.
  • the width of the reflective wall 134 in the first and second directions may provide for a space for the device for underfilling or considering the light-directed angular distribution by the cavity 120.
  • the first and second frames 111 and 113 may be provided as a conductive or metal frame.
  • the frames 111 and 113 are made of a metal such as copper (Cu), titanium (Ti), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin Silver (Ag), and may be formed as a single layer or a multilayer.
  • the thickness of the first and second frames 111 and 113 can be set to be in the range of 100 ⁇ or more, for example, 100 to 300 ⁇ , thereby preventing heat radiation and deterioration of electric conduction efficiency.
  • the first extended portions 17 and 18 of the first frame 111 may extend in the direction of the first side S1 or may protrude outward from the first side S1. have.
  • the second extended portions 37 and 38 of the second frame 113 may extend toward the second side S2 or protrude outward from the second side S2.
  • the first extending portions 17 and 18 and the second extending portions 37 and 38 may be arranged in one or more than one.
  • the outer sides of the first and second frames 111 and 113 may be coupled to the body 115 by step structures ST1 and ST2.
  • the outer sides of the first and second extensions 17 and 18 and the second extensions 37 and 38 may be coupled to the body 115 by the stepped structures ST3 and ST4.
  • a portion of the body 115 may be disposed in a region between the first extending portions 17 and 18 and an area between the second extending portions 37 and 38, respectively.
  • the stepped structures ST1, ST2, ST3, and ST4 increase the bonding area between the frames 111 and 113 and the body 115, thereby preventing moisture penetration.
  • a plurality of holes H1, H2, H3 and H4 may be arranged in the extended portions 17, 18, 37 and 37 of the frames 111 and 113 and concave recesses Ra, Rb and Rc , Rd) can be disposed.
  • the concave portions Ra, Rb, Rc and Rd and the holes H1, H2, H3 and H4 are arranged in a region overlapping with the body 115 to enhance the binding force with the body, .
  • the first end of the first frame 111 has a plurality of protrusions 11, 12, and 13 protruding in the direction of the second frame 113 or the second side S2, . ≪ / RTI >
  • the second end of the second frame 113 may include a plurality of protrusions 31, 32, 33 protruding in the direction of the first frame 111 or the first side S1.
  • the first frame 111 may include a first protrusion 11 in the center region and the second frame 113 may include a second protrusion 31 in the center region.
  • the first frame 111 may include a third protrusion 12 adjacent to the third side S3 of the body 115 and a fourth protrusion 13 adjacent to the fourth side S4.
  • the second frame 113 may include a fifth protrusion 32 adjacent to the third side S3 of the body 115 and a sixth protrusion 33 adjacent to the fourth side S4.
  • the first and second protrusions 11 and 31 may overlap with the light emitting device 120 in the vertical direction Z.
  • the first protrusion 11 may be disposed between the third protrusion 12 and the fourth protrusion 13.
  • the second protrusion 31 may be disposed between the fifth and sixth protrusions 32 and 33.
  • the third protrusion 12 may be disposed between the first protrusion 11 and the third side S3 and the fourth protrusion 13 may protrude from the first protrusion 11 and the fourth side S4 As shown in FIG.
  • the fifth protrusion 32 may be disposed between the second protrusion 31 and the third side S3.
  • the sixth protrusion 33 may be disposed between the second protrusion 31 and the fourth side surface S4.
  • the first, third and fourth protrusions 11, 12 and 13 may overlap in a second direction.
  • the second, fifth, and sixth protrusions 31, 32, 33 may overlap in a second direction.
  • the third and fifth projections 12 and 32 may be spaced from the third side S3 and the fourth and sixth projections 32 and 33 may be spaced from the fourth side S4.
  • the second, fifth, and sixth protrusions 31, 32, 33 may overlap in a second direction.
  • first, third and fourth protrusions 11, 12 and 13 and the second, fifth and sixth protrusions 31, 32 and 33 may be exposed to the bottom of the body 15.
  • the outer sides of the third and fifth protrusions 12 and 32 and the fourth and sixth protrusions 13 and 33 may overlap with the upper body 110A in the vertical direction.
  • the first and second protrusions 11 and 31 are disposed at the center of the bottom of the cavity 102 and the inner regions of the third to sixth protrusions 12, Or may be partially exposed to the bottom of the cavity 102.
  • the top surface area of the first or second protrusions 11 and 31 may be larger than the top surface area of the third and fourth protrusions 12 and 13 or the top surface area of the fifth and sixth protrusions 32 and 33
  • the heat dissipation efficiency of the light emitting device 120 can be improved.
  • the upper surface area of the light emitting device 120 at the bottom of the cavity 102 is equal to the sum of the upper surface areas of the frames 111 and 113 disposed at the bottom of the cavity 102 or the sum of the upper surface areas of the first and second protrusions 11 and 31 May be greater than the sum of the top surface areas.
  • the number of the first and second protrusions 11 and 31 may be the same as the number of the light emitting devices 120.
  • the first and second protrusions 11 and 31 may be opposed to the bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120, respectively.
  • the conductive portion 321 is disposed between the first frame 111 and the first bonding portion 121, and between the second frame 113 and the second bonding portion 122, You can connect them.
  • a resin material around the conductive part 321 the diffusion of the conductive part provided in the liquid phase can be suppressed and a uniform and thick thickness can be provided.
  • the protrusions 11,12 and 13 of the first frame 111 and the protrusions 31,32 and 33 of the second frame 113 are at least partially overlapped in the second direction, Or the rigidity of the body 115 can be enhanced.
  • the end of the fourth protrusion 13 may protrude more toward the second frame than the first and third protrusions 11 and 12.
  • the end of the fifth protrusion 34 may protrude further toward the first frame than the second and the sixth protrusions 31 and 33.
  • the end of the fourth projection 13 and the end of the fifth projection 32 may overlap in the second direction.
  • the fourth protrusion 13 and the fifth protrusion 32 are disposed to overlap with each other in the second direction on opposite sides of the first and second protrusions 11 and 31, The rigidity of the center can be strengthened.
  • the first and second frames 111 and 113 may have four or more protrusions.
  • the third and fourth projections 12,13 and the fifth and sixth projections 32,33 May be disposed below the upper body 110A and may not be exposed at the bottom of the cavity 102.
  • the area of the body 115 may be wider than the area of the frames 111 and 113 at the bottom of the cavity 102. Since the reflection characteristic of the body 115 is higher than the reflection characteristic of the frames 111 and 113, the light reflection efficiency at the bottom of the cavity 102 can be improved.
  • the body 115 includes a first reflector C11 extending in a region between the first and third projections 11 and 13 and a second reflector C11 extending in a region between the first and fourth projections 11 and 13 2 reflection portion C12, a third reflective portion C13 extending to the region between the second and fifth projections 31 and 32, and a region between the second and sixth projections 31 and 33 And an extended second reflecting portion C14.
  • the reflective portions C11, C12, C13, and C14 are coupled to concave curved surfaces or rounded regions of the frames 111 and 113, and the contact areas with the projections 11, 12, 13, 31, 32, And can suppress moisture penetration.
  • the first and third reflecting portions C11 and C13 are overlapped in the first direction and extend in the opposite directions to each other, and the second and fourth reflecting portions C12 and C14 are overlapped in the first direction, Can be extended.
  • the first protrusion 11 is disposed between the first and second reflectors C11 and C12 and the second protrusion 31 is disposed between the third and fourth reflectors C13 and C14 .
  • the first and second reflecting portions C11 and C12 are in contact with the outer surface of the first protruding portion 11 and the third and fourth reflecting portions C13 and C14 are in contact with the outer surface of the second protruding portion 31, As shown in FIG.
  • the light reflectance can be improved by the reflector of the body material disposed on the bottom of the cavity 102.
  • the reflective portions C11, C12, C13, and C14 may overlap the light emitting device 120 in a vertical direction and may reflect light traveling in a lateral direction or a downward direction from the light emitting device 120 .
  • the reflective portions C11, C12, C13, and C14 are formed of the same resin material as the body 115 and disposed in the dispersed region, thereby preventing the conductive portion 321 from being diffused.
  • the bonding strength of the conductive parts 321 disposed between the light emitting device 120 and the frames 111 and 113 is improved by preventing the conductive parts 321 from diffusing by the reflective parts C11, C12, C13, and C14 .
  • the reflective portions C11, C12, C13, and C14 may serve as a dam to prevent diffusion of the conductive portion 321, and the light emitting device 120 may be disposed between the first and second protrusions 11 , 31) can be prevented.
  • the conductive portion 321 may include a conductive paste such as a solder paste, an Ag paste, or a SAC (Sn-Ag-Cu) paste.
  • Embodiments of the invention can reduce the area of the frames and reduce the thermal deformation of the body due to thermal expansion. It is possible to reduce the occurrence of cracks in the conductive parts due to the reduction in thermal deformation of the body. Also, it is possible to improve the reflection efficiency by the material of the reflective portions C11, C12, C13, and C14 and improve the adhesion with the molding portion 190, thereby reducing the problem of discoloring the surface of the frame.
  • the light emitting device 120 may include a first bonding portion 121, a second bonding portion 122, and a light emitting structure 123.
  • the light emitting device 120 may include a substrate 124 on the light emitting structure 123.
  • the length of the light emitting device 120 in the first direction may be equal to or longer than the length of the second direction.
  • the first bonding part 121 is disposed between the light emitting structure 123 and the first frame 111 and the second bonding part 122 is disposed between the light emitting structure 123 and the second frame 113 As shown in FIG.
  • the first and second bonding portions 121 and 122 may be made of a metal material or a conductive material.
  • the first and second bonding portions 121 and 122 may be formed of a metal such as Ti, Al, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, At least one material or alloy selected from the group consisting of Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, Ni / IrOx / Au / ITO, .
  • the light emitting structure 123 may include an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer, the second conductive semiconductor layer, and the first and second conductive semiconductor layers.
  • the first bonding portion 121 may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer.
  • the second bonding portion 122 may be electrically connected to the second conductive semiconductor layer.
  • the substrate 124 may be a light-transmitting material and may be formed of an insulating material or a semiconductor material.
  • the light emitting structure 123 may be provided as a compound semiconductor, for example, a Group 2-VI-VI or a Group III-V compound semiconductor.
  • the first and second conductivity type semiconductor layers may be formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0?
  • the first conductive semiconductor layer may be an n-type semiconductor layer
  • the second conductive semiconductor layer may be a p-type semiconductor layer
  • the active layer may be formed of at least one of Group III-V-VI or Group V-VI compound semiconductors.
  • the light emitting device 120 may include one or more light emitting cells.
  • the light emitting cell may include at least one of an np junction, a pn junction, an npn junction, and a pnp junction.
  • the plurality of light emitting cells may be connected in series in one light emitting device.
  • the light emitting device may have one or a plurality of light emitting cells, and when n (n is two or more) light emitting cells are arranged in one light emitting device, the light emitting device may be driven with a driving voltage of n times.
  • the light emitting device 120 may be disposed on the body 115 and the first and second frames 111 and 113.
  • the first and second bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120 may be disposed on the first and second protrusions 11 and 31 of the first and second frames 111 and 113.
  • the light emitting device 120 may be disposed in the cavity 102 and the upper body 110A may be disposed around the light emitting device 120.
  • the sub-cavity 133A may be disposed on the third side or the side adjacent to the fourth side among the inner sides of the cavity 102.
  • a portion of the first and second frames 111 and 113 may be exposed to the bottom of the sub-cavity 133A, a protective element 125 may be disposed on one of the exposed frames, Or may be connected by wire 126.
  • a reflective resin 135 is disposed in the sub cavity 133A and the reflective resin 135 seals the protective element 125 and the wire 126.
  • the reflective resin 135 may be formed of a resin material such as silicon or epoxy, and may include a high refractive index filler.
  • the protection element 125 may be disposed on the third protrusion 12 of the first frame 111 and the fifth protrusion 32 of the second frame 113.
  • the sub-cavity 133A may be connected to the cavity 102 or may be separated into a resin wall.
  • the first resin 160 may be disposed between the body 115 and the light emitting device 120.
  • the first resin 160 may comprise an adhesive material and / or a reflective material.
  • the first resin 160 may be disposed between the upper surface of the body 115 and the lower surface of the light emitting device 120 and may overlap the light emitting device 120 in the vertical direction.
  • the first resin 160 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material .
  • the first resin 160 may include a white silicone and may include a filler such as TiO 2 , SiO 2 , or Al 2 O 3 therein.
  • the first resin 160 may be adhered to the light emitting device 120 and the body 115.
  • the first resin 160 may be disposed between the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 and may be in contact with the first and second bonding portions 121 and 122 .
  • the first resin 160 may be adhered to a region between the lower surface of the light emitting device 120 and the frames 111 and 113 and a region between the light emitting device 120 and the body 115. Accordingly, the first resin 160 can strengthen the lower adhesive force and the supporting force of the light emitting device 120.
  • the first resin 160 can prevent the light emitting device 120 from being tilted by the conductive part 321, And improve the reflection efficiency.
  • Each of the frames 111 and 113 and the bonding portions 121 and 122 may be bonded by an intermetallic compound layer.
  • the first and second protrusions 11 and 31 of the frames 111 and 113 and the bonding portions 121 and 122 may be bonded by an intermetallic compound layer.
  • the intermetallic compound layer may include a material constituting the conductive portion 321.
  • the conductive part 321 disposed on the first protrusion 11 of the first frame 111 directly contacts the lower surface of the first bonding part 121 and electrically contacts the first bonding part 121 Can be connected.
  • the conductive part 321 disposed on the second protrusion 31 of the second frame 113 is in direct contact with the lower surface of the second bonding part 122 and electrically connected to the second bonding part 122 .
  • the conductive portion 321 may include at least one of Ag, Au, Pt, Sn, Cu, Zn, In, Bi,
  • the conductive part 321 may be a solder paste, and may be formed by mixing powder particles or particle particles with flux.
  • the solder paste may include Sn-Ag-Cu, and the weight percentage of each metal may be varied.
  • the conductive part 321 may include SAC (Sn-Ag-Cu) or SAC-based material.
  • the conductive part 321 may include a solder-based paste or a silver-based paste.
  • the bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120 may be formed in the process of forming the conductive portion 321 and the material constituting the conductive portion 321 or in the heat treatment process after the conductive portion 321 is provided,
  • An intermetallic compound (IMC) layer may be formed between the first portion 321 and the first and second frames 111 and 113.
  • An alloy layer may be formed between the material of the conductive part 321 and the metal of the frames 111 and 113 so that the conductive part 321 and the frames 111 and 113 are physically And to be electrically coupled.
  • the alloy layer may include at least one of AgSn, CuSn, and AuSn.
  • An alloy layer may be formed between at least one layer of the conductive part 321 and the frame 111 or 113.
  • the alloy layer may be formed by bonding between a material constituting the conductive part 321 and a metal layer of the frames 111 and 113.
  • the conductive portion 321 includes at least one of Sn and Ag and the metal layer of the bonding portion or the frame includes at least one of Ag, Au, Sn, and Cu
  • the intermetallic compound layer may include AgSn, AuSn, CuSn, or AgSn.
  • the intermetallic compound layer may have a higher melting point than other bonding materials.
  • the heat treatment process in which the metal compound layer is formed can be performed at a lower temperature than the melting point of a general bonding material. Therefore, when the light emitting device package is bonded to the main substrate through a reflow process, there is no re-melting phenomenon, so electrical connection and physical bonding force are not deteriorated.
  • Embodiments can prevent the package body from being damaged or discolored due to exposure to high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package, and the selection range for the material constituting the body 115 can be widened.
  • the molding part 190 may be disposed on the light emitting device 120 and the first and second frames 111 and 113.
  • the molding part 190 may be disposed in the cavity 102.
  • the molding unit 190 may include an insulating material or may include a wavelength converting unit.
  • the molding part 190 may include at least one of a phosphor or a quantum dot.
  • the light emitting device 120 may emit light of blue, green, red, white, infrared, or ultraviolet rays.
  • the above-mentioned phosphors or quantum dots may emit blue, green and red light.
  • the molding part 190 may not be formed.
  • the distance between the side surface of the light emitting device 120 and the reflecting wall 134 of the cavity 102 is narrower than the distance between the light emitting device 120 and the side surface of the cavity 102,
  • the resin can be prevented from being formed, the exposed area of the frames 111 and 113 can be reduced, thermal deformation due to the frame can be reduced, and cracks in the conductive parts 321 can be suppressed.
  • the through hole TH1 may be disposed in the body 115 disposed between the first and second frames 111 and 113.
  • the through hole TH1 may have a depth equal to the thickness of the body 115 or may penetrate from the upper surface to the lower surface of the body 115.
  • the bottom surface area of the through hole TH1 may be equal to or larger than the top surface area.
  • the lower width b4 in the first direction in the through hole TH1 may be equal to or larger than the upper width.
  • the rigidity of the body 115 may be lowered if the lower width b4 is greater than 250 m, for example, 250 m to 350 m, The efficiency may be lowered.
  • the lower width in the second direction in the through hole TH1 may be equal to or greater than the upper width.
  • An upper width of the through hole TH1 in the first direction may be smaller than an interval between the first frame 111 and the second frame 113.
  • the upper width of the through hole TH1 in the second direction may be equal to or less than the width of the first and second projections 11 and 31.
  • the through hole TH1, the first and second projections 11 and 31 may overlap each other in the first direction.
  • the through hole TH1 may overlap the light emitting device 120 in the vertical direction.
  • the first resin 160 is disposed in the through hole TH1 and may be disposed between the body 115 and the light emitting device 120 and adhered thereto.
  • the first resin 160 may be injected through the through hole TH1 and then cured to attach the light emitting device 120 to the body 115.
  • the first resin 160 since the first resin 160 is injected through the through hole TH1 from the lower portion of the package, the space for dispensing the resin through the cavity 102 can be removed, The interval b1 between the side surfaces of the cavity 102 can be made narrower.
  • the light emitting device package may include one or a plurality of recesses in the bottom or the body 115 of the cavity 102.
  • the first and second recesses R1 and R2 may be spaced apart from each other in a second direction at an upper portion of the body 115 and may be concave in a downward direction from an upper surface of the body 115. [ At least some or all of the first and second recesses R1 and R2 may overlap with the light emitting device 120 in the vertical direction.
  • the first resin 160 may be disposed and supported in the first and second recesses R1 and R2.
  • the depth of the first and second recesses R 1 and R 2 may be smaller than the thickness of the first and second frames 111 and 113 and may be in the range of 300 ⁇ m or less such as 15 to 300 ⁇ m, If it is smaller than the above range, the rigidity of the body 115 may be lowered or the light leakage through the body 115 may be caused.
  • the first and second recesses R1 and R2 include an inner portion k1 that overlaps the light emitting device 120 in the vertical direction and an outer portion k2 that protrudes outward from the side surface of the light emitting device 120 .
  • the side surface of the light emitting device 120 overlapping the first and second recesses R1 and R2 may be both sides or long sides in the second direction.
  • the inner portion k1 of each of the recesses R1 and R2 may be disposed or spaced between the first and second protrusions 11 and 31. [ The outer portion k2 of each of the recesses R1 and R2 may not overlap the first and second protrusions 11 and 31 in the first direction.
  • the first recess R1 may be disposed between the first and third reflectors C11 and C13 and the second recess R2 may be disposed between the second and fourth reflectors C12 and C14. As shown in FIG.
  • the length ratio between the inner portion k1 and the outer portion k2 of each of the recesses R1 and R2 may range from 4: 6 to 6: 4.
  • the second resin 160 may extend on the outer portion k2 to reduce light loss.
  • the body 115 may include a recess having a length ranging from 40% to 120% of the length of the light emitting device 120 in the second direction to mitigate thermal deformation in the first direction, Negative cracks can be suppressed.
  • the outer portion k2 of each of the recesses R1 and R2 is spaced apart from the reflecting wall 134 of the cavity 102 so that the first resin 160 extends to the surface of the reflecting wall 134 .
  • the first direction width of the recesses (R1, R2) may be smaller than the distance between the first and second projections (11, 31).
  • the length of the recesses R1 and R2 in the second direction may be smaller than the length of the light emitting device 120 in the second direction so that the adhesive force of the recesses R1 and R2 .
  • the length of the recesses R1 and R2 in the second direction may be greater than the width of the recesses R1 and R2 in the first direction.
  • the top view shape of each of the recesses R1 and R2 may be a polygonal shape, for example, a triangular shape, a square shape, or a pentagonal shape.
  • each of the recesses R1 and R2 may be circular or elliptical in shape and may be provided in a shape that can guide the first resin 160.
  • Each of the recesses R1 and R2 may have a polygonal or curved cross-sectional shape, for example, a triangular shape, a rectangular shape, or a hemispherical shape.
  • the structure of each of the recesses R 1 and R 2 may be provided in a structure in which the supporting force is not reduced while the body 115 is affected.
  • the recesses R1 and R2 may be provided with an inclined surface because the upper width is larger than the lower width.
  • a through hole may be formed in the body between the first and second recesses R1 and R2.
  • the first and second recesses R1 and R2 and the first resin 160 disposed between the body 115 and the light emitting device 120 fix the light emitting device 120 and improve the reflection efficiency. .
  • 11 to 13 are views of a first modification of the light emitting device package according to the first embodiment.
  • the first modification may be selectively applied with reference to the configuration and description of the first embodiment disclosed above.
  • the body 115 may include a support portion 115A that protrudes from the upper surface of the frames 111 and 113. As shown in FIG.
  • the supporting portion 115A may be disposed on the bottom of the cavity 102 and protrude from the upper surface of the frames 111 and 113 toward the light emitting device 120.
  • the support portion 115A may protrude above the upper surface of the first and second projections 11 and 31.
  • the supporting portion 115A may protrude the body 115 and the first to fourth reflecting portions C11, C12, C13 and C14 higher than the upper surfaces of the frames 111 and 113.
  • the support portion 115A may serve as a dam around the first and second protrusions 11 and 31.
  • the first and second protrusions 11, 31 may be connected to the reflective wall 134 to function as a dam for the conductive portion on the first and second protrusions 11, 31.
  • the conductive parts 321 disposed on the first and second protrusions 11 and 31 can be uniformly distributed by the support part 115A. That is, since the resin wall is disposed around the conductive part 321 by using the support part 115A of the body 115, a uniform thickness of the conductive part can be secured to prevent the occurrence of cracks, The reliability can be improved.
  • the upper surface area of the support portion 115A may be larger than the upper surface area of the first and second protrusions 11 and 31 exposed at the bottom of the cavity 102.
  • the support portion 115A may separate the lower surface of the light emitting device 120 (except the bonding portion) from the upper surfaces of the first and second frames 111 and 113 or the first and second protrusions 11 and 31 .
  • the support portion 115A may be disposed in a region that does not overlap the first and second bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120 in the vertical direction. Since the pressure applied from the light emitting element 120 is cut off or reduced, the diffusion of the conductive part provided in a liquid phase during the bonding step can be suppressed, the thickness of the conductive part can be secured, and cracks can be suppressed.
  • the recesses R1 and R2 may be disposed on the support portion 115A of the body 115.
  • the depth of the recesses R1 and R2 arranged in the support part 115A may be in the range of 300 ⁇ m or less, for example, in the range of 15 to 300 ⁇ m. If the depth is smaller than the above range, The rigidity of the body 115 may be lowered, the improvement of the supporting force may be insignificant, and light leakage through the body 115 may be caused.
  • the light emitting device package may include a concave portion R1b in the corner region of the cavity 102.
  • the concave portion R1b may be disposed in a relatively large area in a space between the light emitting device 120 and the inner side surface 132 of the cavity 102, .
  • the recesses R1b may be arranged in one or a plurality of recesses R1b, and the recesses R1b may be arranged in a region corresponding to each of the corner portions of the light emitting device 120.
  • the concave portion R1b can provide a space in which the structure for dispensing the second resin 162 can be easily inserted.
  • the diameter of the concave portion R1b may be in the range of 300 to 400 ⁇ ⁇ to enable the insertion of the structure.
  • the second resin 162 may include a filler such as TiO 2 , SiO 2 , or Al 2 O 3 in the transparent resin.
  • the step of accelerating the precipitation phenomenon may include a step of accelerating using a centrifugal separator.
  • the second resin 162 may be connected to the first resin 160.
  • the second resin 162 may be disposed around the first resin 160.
  • the second resin 162 may be disposed around the bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120 to prevent the diffusion of the conductive portion to serve as a dam for the conductive portion.
  • the support portion 115B of the body 115 is positioned between the first protrusion 11 of the first frame 111 and the second protrusion 31 of the second frame 113 And one or a plurality of recesses (R1, R2) can be arranged.
  • the support portion 115B may have a long length in the second direction and may overlap the light emitting device 120 in the vertical direction.
  • the length of the support portion 115B may be longer than the length of the light emitting device 120 in the second direction.
  • the width of the support portion 115B in the first direction may be equal to or smaller than the distance between the first and second projections 11 and 31.
  • the support portion 115B may protrude from the upper surface of the first and second frames 111 and 113 or the upper surface of the first and second projections 11 and 31 toward the light emitting device 120.
  • the support part 115A may be disposed between the first and second bonding parts 121 and 122 of the light emitting device 120.
  • the support portion 115B may support a lower surface disposed between the first and second bonding portions 121 and 122.
  • the thickness of the support portion 115B may be 40 ⁇ m or less, for example, 30 to 40 ⁇ m from the top surfaces of the first and second frames 111 and 113.
  • the support portion 115A may serve as a dam for the conductive portion 321 between the first and second projections 11 and 31.
  • the first resin 160 is bonded between the support part 115B and the light emitting device 120 to prevent the light emitting device 120 from tilting or flowing.
  • the body 115 may include spacers P1, P2, P3, and P4.
  • the spacers P1, P2, P3, and P4 may separate the light emitting device 120 from the upper surfaces of the frames 111 and 113.
  • the plurality of spacers P1, P2, P3 and P4 may separate the first and second bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120 from the upper surfaces of the first and second frames 111 and 113 .
  • the upper surfaces of the plurality of spacers P1, P2, P3, and P4 may protrude higher than the lower surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122.
  • the spacers P1, P2, P3, and P4 may be disposed on the lower edge of the light emitting device 120 or may be overlapped with the lower edge of the light emitting device 1200.
  • the spacers P1, P2, and P3 And P4 may be the same material as the body 115.
  • the spacers P1, P2, P3 and P4 may be materials constituting the frames 111 and 113 or may be made of the same material as the frames 111 and 113 P2, P3, and P4 may be three or more, or may be four or more.
  • the spacers P1, P2, P3, and P4 may be spaced apart from the light emitting device 120, P2, P3, and P4 may be formed between the first and second protrusions (P1, P2, P3, and P4) by providing a space between the upper surfaces of the frames 111 and 113 to prevent the tilting of the light emitting device 120 in the manufacturing process. 11 and 31. This prevents the thickness of the conductive part 321 from being lowered and prevents the light emitting element 120 from being separated from the upper surface of the frame Given turn can provide the space necessary to facilitate the sentenced process.
  • the spacers P1, P2, P3 and P4 include first and second spacers P1 and P2 arranged on both sides in the second direction of the first projection 11 of the first frame 111, And third and fourth spacers P3 and P4 disposed on both sides of the second projection 31 of the first protrusion 113 in the second direction.
  • the first and second spacers P1 and P2 extend in the first lateral direction on the first and second reflective portions C11 and C12 and extend in the vertical direction of the first frame 111 or the first projection 11, Can be superimposed in the vertical direction.
  • the area of the first and second spacers P1 and P2 overlapped with the first and second reflective portions C11 and C12 is larger than the area of overlapping the first frame 111 or the first projection 11 So that the supporting force can be strengthened.
  • the third and fourth spacers P3 and P4 extend in the second lateral direction on the third reflecting portion C13 and are overlapped with the upper surface of the second frame 113 or the second projection 31 in the vertical direction .
  • the third and fourth spacers P3 and P4 are formed so that an area overlapping the third and fourth reflective portions C13 and C14 is larger than a region overlapping the second frame 113 or the second projection 31 So that the supporting force can be strengthened.
  • the distance between the first and second spacers P1 and P2 and the spacing between the third and fourth spacers P3 and P4 are equal to the lengths of the first and second projections 11 and 31 in the second direction Or smaller, and can support the lower surface of the light emitting device 120.
  • the distance between the first and third spacers P1 and P3 and the distance between the second and fourth spacers P2 and P4 may be smaller than the first direction length of the light emitting device 120, The lower surface of the base 120 can be supported.
  • the first through fourth spacers P1, P2, P3 and P4 may be disposed under the respective corners of the light emitting device 120 and correspond to the corners of the first and second bonding portions 121 and 122 .
  • the spacers P1, P2, P3 and P4 are made of the same material as the body 115 to suppress spreading of the conductive parts 321, 113 may be spaced apart from the upper surface.
  • the thickness of the spacers P1, P2, P3 and P4 is a vertical distance from the upper surface of the first and second frames 111 and 113 and is in the range of 35 to 75 mu m or 40 to 50 mu m Lt; / RTI >
  • the thickness of the phaser (P1, P2, P3, P4) is smaller than the above range, it is difficult to secure the thickness of the conductive portion 321 and cracks are generated in the conductive portion 321 or the electrical conduction characteristic or the heat conduction characteristic is deteriorated If it is larger than the above range, the amount of application of the conductive part 321 may increase, and the problem may occur that the conductive part 321 penetrates into another area.
  • the spacers P1, P2, P3, and P4 may have the same thickness. Each of the spacers P1, P2, P3, and P4 may include a top, a polygonal, an ellipse, or a polygonal shape with rounded corners.
  • the first to fourth spacers P1, P2, P3 and P4 may be connected to the reflective wall 134 of the inner side surface 132 of the cavity 102.
  • the first to fourth spacers P1, P2, P3, and P4 may protrude above the bottom of the cavity 102.
  • the first through fourth spacers P1, P2, P3, and P4 may be disposed higher than the upper surface of the body 115 or the lower surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122.
  • the area of the polygon connecting the inner sides of the plurality of spacers P1, P2, P3, and P4 in the first direction and the second direction is smaller than the bottom area of the light emitting device, Can be larger than the sum of the area of the lower surface of FIG.
  • the area of the polygon connecting the straight lines passing through the first direction and the second direction with respect to the outline lines of the plurality of spacers P1, P2, P3, and P4 may be larger than the bottom area of the light emitting device.
  • the first and third spacers P1 and P3 may be disposed on both sides with respect to the support portion 115B.
  • the second and fourth spacers P2 and P4 may be disposed on both sides with respect to the support portion 115B.
  • the support portion 115B may be disposed between the first and second bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120. [
  • the thickness of the first to fourth spacers P1, P2, P3, and P4 may be greater than the thickness of the support portion 115B.
  • the thickness of the support portion 115B may be set to be lower than 10 m, for example, 10 m to 20 m, based on the thickness of the spacers P1, P2, P3 and P4. Accordingly, the first resin 160 may be adhered with a predetermined thickness between the upper surface of the support portion 115B and the lower surface of the light emitting device 120.
  • 17 to 19 are views showing third and fourth modifications of the light emitting device package.
  • the first frame 111 has a plurality of first projections 11A and 11B and the second frame 113 can have a plurality of second projections 31A and 31B .
  • the first frame 111 may have third and fourth protrusions, and the second frame 113 may have fifth and sixth protrusions.
  • the first frame 111 may have a concave groove C10 between the protrusions and the second frame 113 may have a concave groove C30 between the protrusions.
  • the first and second light emitting devices 120A and 120B may be disposed on the plurality of first protrusions 11A and 11B and the plurality of second protrusions 31A and 31B.
  • the reflector of the body 115 may be disposed between the plurality of first projections 11A and 11B and the plurality of second projections 31A and 31B.
  • a plurality of recesses (R3, R4, R5) may be disposed on the body (115).
  • the plurality of recesses R3, R4 and R5 may include first and third recesses R3 and R5 disposed below the first light emitting device 120A and second and third recesses R3 and R5 disposed below the second light emitting device 120B.
  • the third recess R5 may be disposed under the first and second light emitting devices 120A and 120B, respectively.
  • the first through third recesses R3, R4, and R5 may be spaced apart from each other in the second direction, and may be disposed on the same straight line.
  • the length of the third recess R5 in the second direction may be longer than the distance between the first and second light emitting devices 120A and 120B.
  • the first and third recesses R3 and R5 may include an inner portion that is partially overlapped with the first light emitting device 120A and an outer portion that is not overlapped with the first and third recesses R3 and R5.
  • the second and third recesses R4 and R5 may include an inner portion that overlaps with a portion of the second light emitting device 120B and an outer portion that does not overlap with the inner portion.
  • a first resin 160 see FIG.
  • the first resin 160 may include a plurality of The light emitting devices 120A and 120B may be attached to the first to third recesses R3, R4, and R5, respectively.
  • the body 115 may include a support region protruding from the upper surface of the frames 111 and 113.
  • the support region may include at least one of a support portion 115A as shown in FIG. 11 or a support portion 115B and spacers P1, P2, P3 and P4 as shown in FIG.
  • the light emitting devices 120A and 120B are disposed on the upper surfaces of the frames 111 and 113 such that the first protrusions 11A and 11B and the second protrusions 31A, and 31B.
  • a plurality of the first projections 11A and 11B are arranged in the first frame 111 and a plurality of the second projections 31A and 31B are arranged in the second frame 113 .
  • Light emitting devices 120A and 120B may be disposed on the plurality of first protrusions 11A and 11B and the plurality of second protrusions 31A and 31B.
  • 20 to 26 are views of a light emitting device package according to a second embodiment of the present invention.
  • the description of the second embodiment refers to the description and the configuration of the first embodiment disclosed above, and can be selectively applied.
  • the upper surface of the support portion 115B of the body 115 may be provided as a flat surface, and may be provided with a width equal to or narrower than the bottom width Wa.
  • the upper surface of the support portion 115B may include a convex curved surface, or may include at least one of convex curved surface and inclined surface.
  • Each of the third and fourth sides S3 and S4 of the body 115 or the package body 110 may include a plurality of step structures ST5.
  • the step structure ST5 may be a jaw for a finger when the package body 110 is injected.
  • the step structure ST5 may be disposed concavely inward of the third and fourth side surfaces S3 and S4.
  • the first frame 111 may include a first conductive protrusion F1 and the second frame 113 may include a second conductive protrusion F2.
  • the first and second conductive protrusions F1 and F2 may be spaced apart from each other in the first direction at the bottom of the cavity 102.
  • the first and second conductive protrusions F1 and F2 may be positioned below the region of the light emitting device 120, Lt; / RTI >
  • the first conductive protrusion F1 may be formed as the first frame 111 and protrude from the upper surface of the first frame 111 in the direction of the light emitting device 120.
  • the second conductive protrusion F2 may be formed as the second frame 113 and protrude from the upper surface of the second frame 113 toward the light emitting device 120.
  • the first and second conductive protrusions F1 and F2 may protrude in a direction Z perpendicular to the upper and lower surfaces of the first and second frames 111 and 113.
  • the first frame 111 includes a first recess F10 at a lower portion of the first conductive protrusion F1 and the second frame 113 includes a second conductive protrusion F1 at a lower portion of the second conductive protrusion F2.
  • And may include a concave portion F20.
  • the first and second concave portions F10 and F20 may be overlapped with the first and second conductive protrusions F1 and F2 in the vertical direction.
  • the first and second recesses F10 and F20 are concave in a direction toward the upper surface from the lower surface of each of the frames 111 and 113 and may be formed in a cup shape or a recessed structure.
  • the height Pb of the first and second conductive protrusions F1 and F2 may be equal to the depth e of the first and second concave portions F10 and F20.
  • the height Pb may be in the range of 50 ⁇ or less, for example, 25 to 50 ⁇ , based on the flat upper surface of the first and / or second frames 111 and 113, The light reflection efficiency may be lowered.
  • the height Pa of the support portion 115B may be referred to as a first height and the height Pb of the conductive protrusions F1 and F2 may be referred to as a second height. can be different. Or the first height may be greater than the second height.
  • the first direction may be a direction in which a virtual line connecting the centers of the first and second conductive projections F1 and F2 extends.
  • the first and second conductive protrusions F1 and F2 face the first and second bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120 and may overlap in the vertical direction.
  • the vertical direction may be a direction from a top surface of the first and second frames 111 and 113 to a bottom surface or a direction toward a light emitting device.
  • the supporting portion 115B of the body 115 is disposed between the first and second conductive protrusions F1 and F2 and is longer than the length of the first and second conductive protrusions F1 and F2 in the second direction It can have a length.
  • the thickness Pa of the support portion 115B may be arranged to be higher than the thickness Pb of the first and second conductive protrusions F1 and F2 with respect to the upper surface of the first and second frames 111 and 113 have.
  • the thickness Pa of the support part 115B may be in the range of 50 ⁇ or more, for example, 50 to 80 ⁇ from the upper surface of the first and second frames 111 and 113, It is difficult to secure the thickness of the conductive parts 127 and 129 because the difference in height from the conductive protrusions F1 and F2 is small and the light emitting device 120 can be tilted when the thickness is larger than the above range.
  • the upper surface of the support portion 115B may be disposed higher than the lower surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120.
  • the first and second bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120 are electrically connected to the first and second conductive protrusions 121 and 122, F1, and F2, respectively.
  • the height difference (Pc-Pb) between the support portion 115B and the conductive protrusions F1 and F2 may be in the range of 20 ⁇ ⁇ or more, for example, 20 to 50 ⁇ ⁇ .
  • the height difference Pc-Pb between the support portion 115B and the conductive protrusions F1 and F2 may be equal to the thickness of the conductive portions 127 and 129.
  • the upper surfaces of the first and second frames 111 and 113 may be disposed on the same plane.
  • the upper surfaces of the first and second conductive protrusions F1 and F2 have flat first and second flat surfaces and a width of the first and second flat surfaces is equal to a width of the first and second bonding portions 121 and 122 .
  • the width of the flat bottom surface of the first and second bonding portions 12 and 122 may be greater than the width of the first and second flat surfaces.
  • the spacing between each of the bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120 and each of the conductive protrusions F1 and F2 may be a distance between the bonding portions 121 and 122 and the conductive portions F1 and F2 127, 129) can be secured to a predetermined level or more.
  • a distance between the bonding portions 121 and 122 and the conductive portions F1 and F2 127, 129) can be secured to a predetermined level or more.
  • the conductive portions 127 and 129 may have increased spreadability, have a reduced thickness or have a non-uniform distribution, and the space between the bonding portions 121 and 122 and the conductive protrusions F1 and F2 The electrical conduction characteristics and the heat conduction characteristics may be degraded.
  • the conductive parts 127 and 129 are formed between the first bonding part 121 and the first conductive protrusion F1 and between the second bonding part 122 and the second conductive protrusion F2 And a second conductive portion 129 disposed on the second conductive portion 129.
  • the first conductive part 127 may be disposed between and bonded to the first conductive protrusion F1 of the first frame 111 and the first bonding part 121 of the light emitting device 120.
  • the second conductive part 129 may be disposed between and bonded to the second conductive protrusion F2 of the second frame 113 and the second bonding part 122 of the light emitting device 120.
  • the first and second conductive parts 127 and 129 connect between the first frame 111 and the first bonding part 121 and between the second frame 113 and the second bonding part 122, .
  • a portion of the first and second conductive portions 127 and 129 may be disposed around the first and second conductive protrusions F1 and F2.
  • the conductive portions 127 and 129 will be described with reference to the description of the material of the conductive portion, the intermetallic compound layer and the alloy layer disclosed in the first embodiment.
  • the height Pb of the conductive protrusions F1 and F2 in each of the frames 111 and 1112 may be smaller than the thickness T1 of the frames 111 and 112.
  • the height Pb may be in a range of 10% or more, for example, 10% to 50% of the thickness T1. If the height is less than the above range, the conductive part may extend to the side of the light emitting device 120, And if it exceeds the range, the rigidity of the frames 111 and 112 may be lowered.
  • the thickness T1 of the frames 111 and 112 may be in the range of 100 ⁇ ⁇ or more, for example, 100 to 300 ⁇ ⁇ or 200 to 270 ⁇ ⁇ .
  • the height Pb of the conductive protrusions F1 and F2 is smaller than the above range, the thickness of the second resin 162 becomes as thin as less than 50 microns, failing to function as a reflective resin. Accordingly, the height Pb of the conductive protrusions F1 and F2 can secure the thickness of the second resin 162, thereby preventing the decrease in the light reflection efficiency.
  • the outer surfaces F11 and F12 of the first and second conductive protrusions F1 and F2 may be inclined or curved.
  • the entire top surface area of each of the first and second conductive protrusions F1 and F2 may be equal to or less than the bottom area of the first and second bonding portions 121 and 122. [
  • the area of the upper surface of the first and second conductive projections F1 and F2 may be greater than the sum of the areas of the outer surfaces F11 and F12, thereby improving the contact efficiency of the bonding portion.
  • the width W1 in the upper region of the first and second conductive protrusions F1 and F2 in the first direction X is greater than the width W2 of the first and second bonding portions 121, Lt; / RTI >
  • the width W2 of the first and second bonding portions 121 and 122 may be 20% or more of the width of the light emitting device 120 in the first direction, for example, 20% to 40%.
  • the width W1 may be in the range of 50% or more, for example, 50% to 90% of the width W2 of the bonding portions 121 and 122, and the thermal conductivity and the electrical conductivity may be improved in the above range.
  • the length W7 of the upper region of the first and second conductive protrusions F1 and F2 in the second direction Y is equal to the length W3 of the first and second bonding portions 121 and 122, .
  • the length W3 of the first and second bonding portions 121 and 122 may be 70% or more, for example, 70% to 95% of the length of the first light emitting device 120 in the second direction.
  • the width W1 may be in the range of 200 ⁇ ⁇ or more, e.g., 200 to 300 ⁇ ⁇ .
  • the supporting force (for example, DST: Die shear terrest strength) of the bonding parts 121 and 122 firmly attached by the conductive parts 127 and 129 on the first and second frames 111 and 113 can be increased.
  • the distance W5 from the edge of the upper region of the first and second conductive protrusions F1 and F2 to the ends of the first and second bonding portions 121 and 122 may be 40 to 60 ⁇ ⁇ , Thereby improving processability and reliability due to parts.
  • the distance W6 between the first and second bonding portions 121 and 122 and the side surface of the light emitting device 120 may be set in a range of 60 ⁇ m or more, for example, 60 to 90 ⁇ m. If the distance W6 is not ensured, it is difficult to ensure the distance from the conductive parts 127 and 129, which may cause problems due to the conductive paste. That is, when the distance (W5 + W6) between the flat surface of the first and second bonding portions 121 and 122 and the side surface of the light emitting device 120 is at least 100 ⁇ m, the conductive protrusions F1 and F2, It is possible to secure a safety distance by the conductive parts 127 and 129 in the vicinity of the conductive parts 127 and 129. [
  • the width W1 and length W7 of the upper region of the first and second conductive protrusions F1 and F2 may be smaller than the width and length of the lower region. As a result, it is possible to prevent the problem that the strength of the portion protruding from the frame is lowered or the thickness of the inclined side portion is reduced.
  • the first and second conductive protrusions F1 and F2 may have a polygonal shape, an elliptical shape, or a circular shape.
  • the side cross-sectional shapes of the first and second conductive protrusions F1 and F2 may be polygonal, hemispherical or semi-elliptical.
  • the sides F11 and F12 may have inclined surfaces having different slopes or may be arranged with curved surfaces having different curvatures.
  • the distance between the first conductive projection F1 and the second conductive projection F2 in the lower region of the first frame 111 and the second frame 112 may be 100 or more, Mu m, and it is possible to prevent an electrical short on the
  • the conductive protrusions F1 and F2 A phenomenon that the frames 111 and 112 are curled or rolled in the body side direction may occur. The phenomenon that the end of such a frame is wound may deteriorate the reliability of the package in the process.
  • the distance W4 between the edges of the conductive protrusions F1 and F2 and the body 113 may be in the range of 120 ⁇ m or more, for example, 120 to 300 ⁇ m or 200 to 270 ⁇ m.
  • the ratio W4: T1 of the distance W4 to the thickness T1 of the frames 111 and 112 may be in the range of 0.8: 1 to 1: 0.8.
  • the distance W4 and the thickness T1 may be in a ratio of 1: .
  • the width W1 of the upper region of the conductive protrusions F1 and F2 or the distance W4 between the conductive protrusions F1 and F2 and the body is 80% to 80%, based on the thickness T1 of the frames 111 and 112, 120%.
  • the embodiment can prevent the frames 111 and 112 from being curled or rolled by the conductive protrusions F1 and F2 when the conductive protrusions F1 and F2 are formed on the frames 111 and 112 and the bonding portions 121 and 122 And the conductive projections F1 and F2 can be provided in a range in which thermal conductivity and electrical conductivity are not degraded.
  • a conductive protrusion can be provided as a metal mold on the upper part of the frames 111 and 112 without a separate half-etching process.
  • the distance Pr from the bottom of the support portion 115B of the body 115 to the recesses R1 and R2 may be spaced apart from the range of 15 ⁇ m or more, for example, 15 to 40 ⁇ m .
  • the separation distance Pr can prevent the rigidity of the support portion 115B from lowering in the region where the recesses R1 and R2 are formed in the support portion 115B.
  • the support portion 115B can be connected to the reflection wall 134 of the cavity 102, thereby preventing a decrease in external rigidity. That is, the length of the upper surface of the support portion 115B in the second direction may be greater than the length of the bottom of the cavity 102 in the second direction.
  • the first and second recesses R1 and R2 and the first resin 160 disposed on the body 115 or the support portion 115B will be described with reference to the description of the embodiments disclosed above.
  • the first resin 160 may be disposed between the first conductive protrusion F1 and the second conductive protrusion F2.
  • the first resin 160 is in contact with the side surface of the first bonding portion 121 and the side surface of the second bonding portion 122, and the first conductive protrusion F1 and the second conductive protrusion F2, respectively.
  • the thickness of the first resin 160 may be greater than the height Pb or the thickness of the conductive protrusions F1 and F2 and may be in contact with the light emitting device 120.
  • the second resin 162 may be formed by disposing the light emitting device 120.
  • the second resin 162 may be disposed between the first and second frames 111 and 113 and the lower portion of the light emitting device 120 and a side surface of the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122 And may be in contact with the lower surface of the light emitting device 120.
  • the thickness of the second resin 162 may be greater than the height Pb or thickness of the conductive protrusions F1 and F2 and may be in contact with the light emitting device 120.
  • the second resin 162 may surround or contact the outside of the conductive protrusions F1 and F2.
  • the first resin 160 and the second resin 162 may be in contact with the outside of the conductive parts 127 and 129 disposed on the side surfaces F11 and F12 of the conductive protrusions F1 and F2. Accordingly, the second resin 162 can prevent the material of the conductive portions 127 and 129 from flowing to other regions even if the conductive portions 127 and 129 are remyelinated.
  • the second resin 162 can ride on the reflective wall 134 of the cavity 102 and can be disposed higher than the upper surface of the other area.
  • FIG. 27 is another example of FIG. 21, and the same parts as those described above will be described with reference to the above description.
  • a support portion 115B of the body, a plurality of conductive protrusions F1 and F2 and a plurality of spacers Ps1 may be disposed on the bottom of the cavity 102.
  • the spacers Ps1 may separate the light emitting device 120 from the upper surfaces of the frames 111 and 113.
  • the plurality of spacers Ps1 refer to the configuration of the spacer disclosed in Fig.
  • the spacers Ps1 may be disposed at the same height as the support portion 115B or may be disposed at a lower height to separate the outer frame portion of the light emitting device 120 from the upper surface of the frames 111 and 113. [ The spacer Ps1 is disposed outside the first and second conductive protrusions F1 and F2 to block the pressure applied from the light emitting device 120 to prevent diffusion of the liquid conductive portion.
  • a reflection wall 134 and a sub reflection wall 136 adjacent to the light emitting device 120 are disposed under the inner side surface 132 of the cavity 102, and the reflection wall 134 And the sub reflection wall 136 can reduce the process of disposing the second resin and improve the light reflection efficiency by the body material. That is, since the sub reflection wall 136 having the same reflective resin material as the body extends to a region adjacent to the light emitting device 120 and covers the lower periphery of the light emitting device 120, Can be reduced. Referring to FIG. 30, the reflective wall 134 has a flat upper surface.
  • the phosphor 191 added in the molding part 190 When the phosphor 191 added in the molding part 190 is deposited, the phosphor 191 is piled on the flat upper surface, (191) may be located in a peripheral region (103) of the light emitting device (120).
  • the inclined angle of the inner surface 132 of the cavity 102 is inclined at a larger angle than the structure having no reflecting wall 134 so that the phosphor 191 can be moved to the peripheral region 103 .
  • the reflective wall 134 may have a phosphor 191 distributed on its surface.
  • the sub reflection wall 136 has a flat upper surface and the phosphor 191 may be distributed on the surface.
  • the phosphor 191 disposed on the surfaces of the reflecting wall 134 and the sub reflecting wall 136 is more likely to be distributed in the peripheral region 103 of the light emitting element 120, The wavelength conversion efficiency in the region 103 can be improved.
  • the active layer is located in a region adjacent to the frames 111 and 113, light having a predetermined light amount or more is emitted laterally through the active layer. These side lights can be reflected by the resin or can be wavelength-converted by the phosphor and emitted through the surface of the frame with little progress.
  • the upper surface height Ta of the reflective wall 134 is located at a half of a side height of the light emitting device 120 or a point between the upper surface and the lower surface of the substrate 124, And may be opposed to the light emitting structure 123. Accordingly, the wavelength conversion efficiency can be increased by the light emitted from the side surface of the light emitting device 120 by the fluorescent materials 191 disposed on the reflecting wall 134.
  • the height (Ta) of the upper surface of the reflective wall 134 may be set to be in the range of 200 ⁇ or less, for example, 120 to 200 ⁇ . If it is larger than the above range, the wavelength conversion efficiency may be reduced.
  • the inclination angle of the phosphor 191 is reduced and the function of guiding the phosphor 191 to the peripheral region 103 may be degraded.
  • the upper surface area or the upper surface width of the reflective wall 134 may be larger than the upper surface area or the upper surface width of the sub reflection wall 136.
  • the top surface height Tb of the sub reflection wall 136 may be smaller than the top surface height Ta of the reflection wall 134.
  • the sub reflection wall 136 may be disposed closer to the light emitting device 120 than the reflection wall 134 and may be disposed at a lower height.
  • the sub reflection wall 136 extends in the direction of the first and second conductive protrusions F1 and F2 lower than the lower surface of the light emitting device 120 (excluding the bonding part), and the exposed area of the frames 111 and 113 Can be reduced.
  • the distance Ga between the reflective wall 134 and the side surface of the light emitting device 120 may be in a range of 300 ⁇ or less, for example, 150 to 300 ⁇ .
  • the sub reflection wall 136 may have a gap Gb with the side surface of the light emitting device 120 of 80 ⁇ m or more, for example, 80 to 120 ⁇ m.
  • the difference between the intervals Ga and Gb may be set to be in the range of 70 ⁇ ⁇ or more, for example, 70 to 120 ⁇ ⁇ .
  • the sub reflecting wall 136 has a width of 70 to 120 mu m and extends from the reflecting wall 134 in the direction of the first and second conductive projections F1 and F2 so that the exposed area of the upper surface of the frames 111 and 113 It is possible to prevent the luminous flux from dropping due to the discoloration of the frames 111 and 113.
  • the intervals Ga and Gb are examples of distances with respect to the first direction, and the second direction may be equal to or smaller than the interval in the first direction.
  • the height Tb of the sub reflection wall 136 can be set to be 70 ⁇ m or less, for example, in the range of 30 to 70 ⁇ m. If the sub reflection wall 136 is smaller than the above range, the shape of the sub reflection wall 136 is not maintained, And if it is larger than the above range, the phosphor induction ratio may be lowered and the light reflection efficiency may be lowered without a difference in height from the reflecting wall 134.
  • the height of the upper surface of the sub reflection wall 136 may be lower than the lower surface of the light emitting device 120.
  • the height Tb of the sub reflection wall 136 may be equal to or greater than the thickness Pb of the first and second conductive protrusions F1 and F2 disclosed in the embodiment of the present invention.
  • the height Tb of the sub reflection wall 136 is set to be equal to or greater than a predetermined thickness to improve the light reflection efficiency and prevent the adhesion of the sub reflection walls 136 with the frames 111 and 113.
  • the inner surfaces of the first and sub reflecting walls 134 and 136 may include inclined surfaces or curved surfaces.
  • recesses R 3, R 4, and R 5 may be disposed in the support portion 115 B of the body 115.
  • the plurality of conductive protrusions F1a, F2a, F1b and F2b protruding from the respective frames 111 and 113 may correspond to the bonding portions 121 and 122 of the light emitting devices 120A and 120B, respectively.
  • the plurality of recesses R3, R4 and R5 may include first and third recesses R3 and R5 disposed below the first light emitting device 120A and second and third recesses R3 and R5 disposed below the second light emitting device 120B. Second, and third recesses R4 and R5.
  • the first and third recesses R3 and R5 may include an inner portion that is partially overlapped with the first light emitting device 120A and an outer portion that is not overlapped with the first and third recesses R3 and R5.
  • the second and third recesses R4 and R5 may include an inner portion that overlaps with a portion of the second light emitting device 120B and an outer portion that does not overlap with the inner portion.
  • the third recess R5 may be disposed between the first and second light emitting devices 120A and 120B and below the first and second light emitting devices 120A and 120B.
  • the configurations of the first and second embodiments, the configurations of other examples and the configurations of the variations may be selectively applied to or combined with other examples.
  • the through holes and / or spacers of the body disclosed in the first embodiment can be selectively applied to other examples.
  • One or a plurality of light emitting device packages according to an embodiment may be disposed on a circuit board and applied to a light source device.
  • the light source device may include a display device, a lighting device, a head lamp, and the like depending on an industrial field.
  • the features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to one embodiment.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

발명의 실시 예에 개시된 발광소자 패키지는, 제1 및 제2프레임; 상기 제1 및 제2프레임 사이에 배치된 몸체; 및 상기 제1 및 제2 프레임 상에 배치되는 발광소자를 포함한다. 상기 제1 프레임은 상기 제2 프레임에 인접한 제1 단부를 포함하고, 상기 제2 프레임은 상기 제1 프레임에 인접하고 상기 제1 단부와 마주보는 제2 단부를 포함하고, 상기 제1 단부는 상기 제2 프레임을 향하여 돌출된 제1돌출부를 포함하고, 상기 제2 단부는 상기 제1 프레임을 향하여 돌출된 제2돌출부를 포함한다. 상기 발광소자는 상기 제1 및 제2돌출부 상에 배치되는 제1 및 제2본딩부를 포함한다. 상기 몸체는 상기 제1 프레임을 향하여 상기 제1돌출부의 양측면으로 연장된 제1 및 제2반사부와, 상기 제2 프레임을 향하여 상기 제2돌출부의 양측면으로 연장된 제3 및 제4반사부를 포함한다. 상기 발광소자는 상기 제1내지 제4반사부와 수직 방향으로 중첩될 수 있다.

Description

발광소자 패키지 및 광원 장치
실시 예는 발광소자 패키지 및 이를 갖는 광원 장치에 관한 것이다.
3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 고 출력을 제공할 수 있는 발광소자가 요청됨에 따라 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 소자에 대한 연구가 진행되고 있다. 또한, 발광 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 발광소자패키지의 전극과 발광소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
발명의 실시 예는 발광 소자의 각 본딩부에 대응되는 각 프레임들의 영역을 노출시켜 주거나 돌출시켜 줄 수 있는 발광소자 패키지를 제공한다. 발명의 실시 예는 발광소자의 각 본딩부에 대응되는 각 프레임의 영역의 주변에 몸체를 배치하거나 수직 방향으로 돌출시켜 줄 수 있는 발광소자 패키지를 제공한다. 발명의 실시 예는 발광소자의 각 본딩부와 대면하는 프레임의 돌출부를 수평 방향 또는 수직 방향으로 돌출시킨 발광소자 패키지를 제공한다.
발명의 실시 예는 발광소자가 배치된 프레임들의 면적을 줄이거나 프레임들을 분산시켜 주어, 프레임의 변색 영역을 줄이고 몸체에 의한 반사 면적을 증가시킨 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다. 발명의 실시 예는 몸체 상부에 리세스 및 스페이서 중 적어도 하나 또는 모두를 갖는 발광소자 패키지를 제공한다.
발명의 실시 예는 몸체의 지지부를 상기 프레임의 전도성 돌출부의 높이와 다른 높이로 배치하여, 발광소자의 본딩부가 프레임의 전도성 돌출부로부터 이격되도록 한 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다. 발명의 실시 예는 프레임의 전도성 돌출부의 둘레에 제1수지를 배치하여, 광 반사 효율을 개선한 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다. 발명의 실시 예는 발광소자의 하부 둘레에 다단 스텝 구조를 갖는 수지 재질의 반사벽을 배치하여, 프레임의 노출 면적을 줄일 수 있도록 한 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다. 발명의 실시 예는 발광소자의 주변에 발광소자의 유동을 방지하는 돌기나 스페이서를 갖는 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다. 실시 예는 발광 소자 패키지가 기판에 배치된 광원 장치를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 서로 이격되어 배치되는 제1 프레임 및 제2 프레임; 상기 제1 프레임 및 제2 프레임 사이에 배치된 몸체; 및 상기 제1 프레임 및 제2 프레임 상에 배치되는 발광소자;를 포함하고, 상기 제1 프레임은 상기 제2 프레임에 인접한 제1 단부를 포함하고, 상기 제2 프레임은 상기 제1 프레임에 인접하게 배치되고, 상기 제1 단부와 마주보는 제2 단부를 포함하고, 상기 제1 단부는 상기 제2 프레임을 향하여 돌출된 제1돌출부를 포함하고, 상기 제2 단부는 상기 제1 프레임을 향하여 돌출된 제2돌출부를 포함하고, 상기 발광소자는 상기 제1 돌출부 상에 배치되는 제1 본딩부, 및 상기 제2 돌출부 상에 배치되는 제2 본딩부를 포함하며, 상기 몸체는 상기 제1 프레임을 향하여, 상기 제1돌출부의 양측면으로 연장된 제1 및 제2반사부와, 상기 제2 프레임을 향하여, 상기 제2돌출부의 양측면으로 연장된 제3 및 제4반사부를 포함하며, 상기 발광소자는 상기 제1내지 제4반사부와 수직 방향으로 중첩될 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 서로 이격되어 배치되며, 상면과 하면을 각각 포함하는 제1 프레임 및 제2 프레임; 상기 제1 프레임 및 제2 프레임 사이에 배치된 몸체; 및 상기 몸체 상에 배치되는 발광소자; 를 포함하고, 상기 제1프레임 및 상기 제2프레임은, 상기 제1 및 제2프레임의 상면에서 상기 발광소자를 향하여 돌출되는 제1전도성 돌출부 및 제2전도성 돌출부를 각각 포함하고, 상기 발광소자는 상기 제1전도성 돌출부와 대면하는 제1본딩부와, 상기 제2전도성 돌출부와 대면하는 제2본딩부를 포함할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 몸체는 상기 제1 및 제2프레임 사이에 서로 이격된 제1 및 제2리세스를 포함하며, 상기 제1 및 제2리세스는 상기 발광 소자와 수직 방향으로 중첩된 내측부와, 상기 발광소자의 측면으로부터 외측으로 연장된 외측부를 포함할 수 있다. 상기 제1프레임의 제1단부는 상기 제1돌출부의 양측으로 이격되며 상기 제2프레임 방향으로 돌출된 제3 및 제4돌출부를 포함하며, 상기 제2프레임의 제2단부는 상기 제2돌출부의 양측으로 이격되며 상기 제1프레임 방향으로 돌출된 제5 및 제6돌출부를 포함하며, 상기 제1반사부는 상기 제1 및 제3돌출부 사이에 배치되며, 상기 제2반사부는 상기 제1 및 제4돌출부 사이에 배치되며, 상기 제3반사부는 상기 제2 및 제5돌출부 사이에 배치되며, 상기 제4반사부는 상기 제2 및 제6돌출부 사이에 배치될 수 있다. 상기 발광 소자와 상기 몸체 사이에 배치된 제1수지를 포함할 수 있다. 발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1 내지 제4반사부는 상기 발광소자의 코너부 하면에 각각 배치된 복수의 스페이서를 포함하며, 상기 복수의 스페이서는 상기 발광소자를 상기 제1 및 제2돌출부의 상면으로부터 이격시켜 줄 수 있다. 발명의 실시 예에 의하면, 상기 발광소자의 제1본딩부와 상기 제1돌출부 사이와, 상기 발광소자의 제2본딩부와 상기 제2돌출부 사이에 도전부가 배치될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 몸체는 상기 제1 및 제2돌출부보다 돌출된 지지부를 포함할 수 있다. 상기 몸체의 지지부는 상기 제1프레임의 상면을 기준으로 제1높이를 가지며, 상기 제1 및 제2전도성 돌출부는 상기 제1프레임의 상면을 기준으로 제2높이를 가지며, 상기 제1높이와 상기 제2높이는 서로 상이할 수 있다. 상기 제1프레임의 상면과 상기 제2프레임의 상면은 서로 동일 평면 상에 배치될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 전도성 돌출부는 상면이 평탄한 제1 및 제2 평탄면을 가지며, 상기 제1 및 제2 본딩부의 폭과 상기 제1 및 제2 평탄면의 폭은 서로 상이할 수 있다. 발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1높이는 상기 제2높이보다 높게 배치되며, 상기 지지부의 상면은 상기 제1프레임의 상면을 기준으로 상기 제1 및 제2본딩부의 상면보다 높게 배치될 수 있다. 상기 제1본딩부와 상기 제1전도성 돌출부 사이에 제1도전부 및, 상기 제2본딩부와 상기 제2전도성 돌출부 사이에 제2도전부를 포함하며, 상기 제1 및 제2도전부의 두께는 상기 제1 및 제2높이의 차이와 같을 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 몸체 및 상기 제1 및 제2프레임의 상부 둘레에 배치되고 내부에 캐비티를 갖는 상부 몸체를 포함하며, 상기 캐비티의 내측면은 플랫한 상면을 갖고 내측 방향으로 연장되는 반사벽을 포함할 수 있다. 상기 발광소자의 하부 둘레에 제2수지를 포함하며, 상기 반사벽은 상기 캐비티의 내측면의 경사 각도보다 큰 각도를 가지며, 상기 제2수지는 상기 제1 및 제2전도성 돌출부의 둘레에 배치되며, 상기 반사벽을 따라 돌출될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 캐비티의 측면 하부에 상기 반사벽으로부터 내측 방향으로 연장되는 서브 반사벽을 포함하며, 상기 서브 반사벽의 상면은 상기 반사벽의 상면보다 낮은 높이를 가지며, 상기 반사벽 및 서브 반사벽의 상면은 플랫하며, 상기 반사벽의 플랫한 상면의 면적이 상기 서브 반사벽의 플랫한 상면의 면적보다 클 수 있다. 상기 서브 반사벽의 높이는 상기 발광소자의 하면보다 낮고 상기 제1 및 제2전도성 돌출부의 상면보다 높게 배치되며, 상기 서브 반사벽은 상기 지지부에 연결될 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 광원 장치는, 회로 기판; 및 상기 회로 기판 상에 하나 또는 복수의 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 발광소자 하부에 배치되는 몸체의 면적은 늘리고 프레임의 면적은 줄여 줌으로써, 프레임의 변색을 줄일 수 있고 몸체에 의한 반사 효율을 개선시키고 광속의 저하를 방지할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 서로 대응되는 프레임의 단부들이 복수로 분할되어 몸체와 결합됨으로써, 열 응력을 분산시켜 줄 수 있고, 몸체의 열 변형에 의한 솔더 재질의 크랙 불량을 방지할 수 있다. 발명의 실시 예에 의하면, 몸체에 적어도 하나의 리세스를 주어, 상기 리세스에 배치된 수지와 발광 소자 간의 접착력을 개선시키고 발광소자의 틸트를 방지할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 발광소자의 본딩부와 프레임 사이에 배치되는 도전부에 의해 발광소자의 지지력을 개선시키고 방열 특성 및 열 전도 특성을 개선시켜 줄 수 있다. 발명의 실시 예에 의하면, 발광소자의 하부 둘레에 다단 스텝 구조를 갖는 캐비티의 측면을 발광소자 방향으로 연장해 줌으로써, 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 광 추출 효율 및 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 또한 발광소자를 수지로 접착시켜 주어, 외부 열에 의해 발광소자의 본딩 부분이 리멜팅(re-melting)되는 문제를 방지할 수 있다.
도 1은 발명의 제1실시 예에 따른 발광소자 패키지의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1에 발광소자 패키지의 발광소자의 결합 평면도이다.
도 3은 도 2에 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 4는 도 2에서 발광소자 패키지의 A-A측 단면도이다.
도 6은 도 1의 발광소자 패키지의 C-C 측에서 바라본 단면도이다.
도 7은 도 2의 발광소자 패키지의 제1수지의 영역을 나타낸 도면이다.
도 8은 도 7의 발광소자 패키지의 다른 예로서, 몸체의 관통홀을 나타낸 측 단면도이다.
도 9는 도 7의 발광소자 패키지의 다른 예로서, 몸체의 리세스를 나타낸 도면이다.
도 10은 도 9의 발광소자 패키지의 E-E측 단면도이다.
도 11은 도 1의 발광소자 패키지에서 제1변형 예를 나타낸 사시도이다
도 12은 도 11의 발광소자 패키지에서 제1프레임을 기준으로 제2방향의 단면을 나타낸 도면이다.
도 13은 도 11의 발광소자 패키지에서 제1 및 제2프레임을 지나는 제1방향의 단면을 나타낸 도면이다.
도 14은 도 11의 발광 소자 패키지에서 몸체를 변형한 평면도의 예이다.
도 15는 도 1의 발광소자 패키지의 제2변형 예를 나타낸 사시도이다.
도 16은 도 15의 발광소자 패키지에서 발광소자 아래에 제1수지의 영역을 나타낸 도면이다.
도 17은 발명의 실시 예(들)에 따른 발광소자 패키지의 제3변형 예를 나타낸 사시도이다.
도 18은 발명의 실시 예(들)에 따른 발광소자 패키지의 제4변형 예를 나타낸 사시도이다.
도 19는 도 18 및 도 19의 프레임들의 구조를 나타낸 평면도의 예이다.
도 20은 발명의 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지의 분해 사시도이다.
도 21은 도 20의 발광소자 패키지의 결합 평면도이다.
도 22는 도 21의 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 23는 도 21에서 발광소자 패키지의 A1-A1측 단면도이다.
도 24는 도 21에서 발광소자 패키지의 프레임의 전도성 돌출부와 발광소자의 본딩부를 나타낸 확대도이다.
도 25는 도 21에서 발광소자 패키지의 몸체의 지지부 내의 리세스를 나타낸 측단면도이다.
도 26은 도 21의 발광소자 패키지의 B1-B1 측에서 바라본 단면도이다.
도 27은 도 21의 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 28은 도 21의 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 평면도이다.
도 29은 도 28의 발광소자 패키지의 측 단면도이다.
도 30는 도 29의 발광소자 패키지에서 캐비티의 내측면으로 형광체가 배치되는 예를 나타낸 도면이다.
도 31은 도 28의 발광소자 패키지의 다른 예이다.
발명의 실시 예는 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 발명의 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.
<제1실시 예>
도 1 내지 도 6을 참조하면, 발광소자 패키지(100)는 패키지 몸체(110) 및 발광소자(120)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자 패키지(100)는 제1방향(X)의 길이가 제2방향(Y)의 길이보다 클 수 있다. 상기 패키지의 제1방향의 길이는 패키지 몸체(110)의 제1방향의 길이보다 클 수 있으며, 상기 패키지 몸체(110)의 제1방향(X)의 길이는 제2방향(Y)의 길이와 같거나 클 수 있다. 이하의 설명에서 제1방향은 X 방향이며, 제2방향은 X 방향과 직교하는 Y 방향이며, 제3방향은 X,Y 방향과 직교하는 Z 방향 또는 수직 방향일 수 있다. 상기 제1방향은 상기 발광소자(120)의 변들 중 길이가 더 긴 변의 방향일 수 있다. 상기 제1방향에는 발광소자(120)의 양 단변이 서로 반대측에 배치되며, 제2방향에는 발광소자(120)의 양 장변이 서로 반대측에 배치될 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)는 제2방향으로 연장된 제1 및 제2측면(S1,S2)과, 제1방향으로 연장된 제3 및 제4측면(S3,S4)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2측면(S1,S2)은 서로 반대측 면이며, 상기 제3 및 제4측면(S3,S4)은 서로 반대측 면이며, 상기 제1 및 제2측면(S1,S2) 사이의 간격은 상기 제3 및 제4측면(S3,S4)의 제1방향의 길이이며, 상기 제3 및 제4측면(S3,S4) 사이의 간격은 상기 제1 및 제2측면(S1,S2)의 제2방향의 길이일 수 있다. 상기 각 측면(S1,S2,S3,S4)들은 몸체(115)의 외 측면일 수 있으며, 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(115)와 복수의 프레임을 포함할 수 있다. 상기 복수의 프레임은 예컨대, 제1방향으로 서로 이격된 제1 프레임(111)과 제2 프레임(113)을 포함할 수 있다. 상기 몸체(115)는 제1 및 제2프레임(111,113) 사이에 배치되고 상기 프레임(111,113)들과 결합될 수 있다. 상기 몸체(115)는 상기 각 프레임의 주변에 배치될 수 있으며, 전극 분리부로 기능하거나, 절연 몸체로 지칭될 수 있다. 상기 몸체(115)는 상기 제1 및 제2 프레임(111,113) 위에 배치될 수 있다. 상기 몸체(115)는 상기 제1 및 제2 프레임(111,113) 위에서 경사진 내측면(132)을 갖는 캐비티(102)를 제공할 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(102)가 있는 구조로 제공되거나, 캐비티(102) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수 있다. 상기 몸체(115)는 캐비티(102)를 갖는 상부 몸체(110A)를 포함할 수 있으며, 상기 몸체(115)와 상기 상부 몸체(110A)는 동일한 재질로 형성되거나, 서로 다른 재질일 수 있다. 상기 상부 몸체(110A)는 상기 몸체(115)에 일체로 형성되거나, 별도로 형성될 수 있다. 예로서, 상기 몸체(115)는 수지 재질 또는 절연성 수지 재질일 수 있다. 상기 몸체(115)는 PPA(Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시, EMC(Epoxy molding compound), SMC(Silicon molding compound), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 중에서 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(115)의 수지 재질은 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 재질의 필러를 포함할 수 있다. 상기 몸체(115)는 열 가소성 수지로 형성될 수 있으며, 상기 열 가소성 수지는 가열하면 물러지고 냉각하면 다시 굳어지는 물질이므로, 상기 프레임(111,113) 및 이에 접촉되는 물질들이 열에 의해 팽창 또는 수축할 때 상기 몸체(115)가 완충 작용을 할 수 있다. 상기 몸체(115)가 완충 작용을 할 경우, 솔더계 페이스트, Ag계 페이스트, SAC(Sn-Ag-Cu)계 페이스트와 같은 도전부가 파손되는 것을 방지할 수 있다. 상기 패키지에서 열 팽창 및 수축에 따른 열팽창 계수(CTE: coefficient of Thermal expansion)은 제1방향이 제2방향보다 클 수 있다. 상기 몸체(115)는 PCT 또는 PPA 재질를 포함 수 있으며, 상기 PCT 또는 PPA 재질은 융점이 높고 열 가소성 수지이다.
도 4와 같이, 상기 캐비티(102)의 내측면(132)은 제1방향과 제2방향이 서로 다른 각도로 경사질 수 있다. 상기 내측면(132)은 수평한 직선에 대해 제2각도로 경사지며, 상기 캐비티(102)의 측면 하부에 연장된 반사벽(134)의 내측면은 제1각도로 경사지고 상기 발광소자(120)의 측면과 대면하며, 상면은 플랫한 면으로 형성될 수 있다. 상기 제1각도는 수평한 직선에 대해 제2각도보다 클 수 있다. 상기 반사벽(134)의 제1각도는 버(Burr)와 같은 물질이 형성되지 않도록 45도 이상 예컨대, 45도 내지 70도의 범위의 각도로 형성될 수 있다. 상기 반사벽(134)의 두께(b3, 도 4)는 100 ㎛ 이상 예컨대, 100 내지 200 ㎛의 범위로 배치될 수 있으며, 상기 두께(b3)가 상기 범위보다 작은 경우 반사벽(134)이 벗겨질 수 있고 상기 범위보다 두꺼운 경우 광 효율의 개선이 미미할 수 있다. 상기 반사벽(134)과 상기 발광소자(120) 사이의 제1방향의 간격(b2)은 400 ㎛ 이하일 수 있으며, 예컨대, 200 내지 400 ㎛의 범위로 배치될 수 있으며, 제2방향 간격은 상기 간격(b2)과 같거나 작을 수 있다. 상기 발광소자(120)의 측면에서 상기 반사벽(134)의 상단까지의 최대 거리(b1)는 700 ㎛ 이하 예컨대, 450 내지 700 ㎛의 범위로 배치되어, 광 손실을 줄여줄 수 있다. 상기 반사벽(134)의 제1방향의 폭(Wb)은 230 ㎛ 이하 예컨대, 180 내지 230 ㎛의 범위일 수 있으며, 제2방향의 폭은 제1방향의 폭(Wb)과 같거나 작을 수 있으며, 예컨대 200 ㎛ 이하 예컨대, 130 내지 200 ㎛의 범위일 수 있다. 상기 반사벽(134)의 제1 및 제2방향의 폭은 상기 캐비티(120)에 의한 광 지향각 분포를 고려하거나, 언더필(under fill) 공정을 위한 기구물의 공간을 제공할 수 있다.
상기 제1 및 제2 프레임(111,113)은 도전성 또는 금속 프레임으로 제공될 수도 있다. 상기 프레임(111,113)은 금속 예컨대, 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag) 중에서 선택될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2프레임(111,113)의 두께는 100 ㎛ 이상 예컨대 100 내지 300 ㎛의 범위로 형성될 수 있어, 방열 및 전기 전도 효율의 저하를 방지할 수 있다. 도 2 내지 도 4 와 같이, 상기 제1 프레임(111)의 제1연장부(17,18)는 상기 제1측면(S1) 방향으로 연장되거나 상기 제1측면(S1)보다 외측으로 돌출될 수 있다. 상기 제2 프레임(113)의 제2연장부(37,38)는 상기 제2측면(S2) 방향으로 연장되거나 상기 제2측면(S2)보다 외측으로 돌출될 수 있다. 상기 제1연장부(17,18) 및 제2연장부(37,38)은 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 프레임(111,113)의 외측은 스텝 구조(ST1,ST2)로 몸체(115)와 결합될 수 있다. 상기 제1연장부(17,18)와 제2연장부(37,38)의 외측은 단차 구조(ST3,ST4)로 몸체(115)와 결합될 수 있다. 상기 제1연장부(17,18) 사이의 영역 및 상기 제2연장부(37,38) 사이의 영역은 몸체(115)의 일부가 각각 배치될 수 있다. 상기 단차 구조(ST1,ST2,ST3,ST4)는 프레임(111,113)과 몸체(115) 사이의 결합 면적을 증가시키고, 습기 침투를 방지할 수 있다. 상기 각 프레임(111,113)의 연장부(17,18,37,37)의 내부에는 다수의 홀(H1,H2,H3,H4)이 배치될 수 있으며, 외측에는 오목한 오목부(Ra,Rb,Rc,Rd)가 배치될 수 있다. 상기 오목부(Ra,Rb,Rc,Rd)와 상기 홀(H1,H2,H3,H4)은 상기 몸체(115)와 중첩되는 영역에 배치되어, 몸체와의 결합력을 강화시키고 습기 침투를 억제할 수 있다.
도 2 및 도 3과 같이, 상기 제1프레임(111)의 제1단부는 상기 제2 프레임(113)의 방향 또는 제2측면(S2) 방향으로 돌출된 복수의 돌출부(11,12,13)를 포함할 수 있다. 상기 제2프레임(113)의 제2단부는 상기 제1 프레임(111)의 방향 또는 제1측면(S1) 방향으로 돌출된 복수의 돌출부(31,32,33)를 포함할 수 있다. 상기 제1프레임(111)은 센터 영역에 제1돌출부(11) 및 상기 제2프레임(113)은 센터 영역에 제2돌출부(31)를 포함할 수 있다. 상기 제1프레임(111)은 상기 몸체(115)의 제3측면(S3)에 인접한 제3돌출부(12) 및 제4측면(S4)에 인접한 제4돌출부(13)를 포함할 수 있다. 상기 제2프레임(113)은 상기 몸체(115)의 제3측면(S3)에 인접한 제5돌출부(32) 및 제4측면(S4)에 인접한 제6돌출부(33)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2돌출부(11,31)는 상기 발광소자(120)와 수직 방향(Z)으로 중첩될 수 있다. 상기 제1돌출부(11)는 제3 및 제4돌출부(12,13) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2돌출부(31)는 제5 및 제6돌출부(32,33) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제3돌출부(12)는 상기 제1돌출부(11)와 제3측면(S3) 사이에 배치될 수 있으며, 상기 제4돌출부(13)는 상기 제1돌출부(11)와 제4측면(S4) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제5돌출부(32)는 상기 제2돌출부(31)와 제3측면(S3) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제6돌출부(33)는 상기 제2돌출부(31)와 제4측면(S4) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1, 제3 및 제4돌출부(11,12,13)는 제2방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제2, 제5 및 제6돌출부(31,32,33)는 제2방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제3 및 제5돌출부(12,32)는 제3측면(S3)으로부터 이격될 수 있고, 상기 제4 및 제6돌출부(32,33)는 제4측면(S4)으로부터 이격될 수 있다. 상기 제2, 제5 및 제6돌출부(31,32,33)는 제2방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제1, 제3 및 제4돌출부(11,12,13)와 상기 제2, 제5 및 제6돌출부(31,32,33) 각각은 몸체(15)의 바닥에 노출될 수 있다. 상기 제3 및 제5돌출부(12,32)와 제4 및 제6돌출부(13,33)의 외측부는 상기 상부 몸체(110A)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 여기서, 캐비티(102)의 바닥의 센터에는 상기 제1 및 제2돌출부(11,31)가 배치되며, 상기 제3 내지 제6돌출부(12,13,32,33)의 내측 영역들은 캐비티(102)의 바닥으로부터 이격되거나 캐비티(102)의 바닥에 부분 노출될 수 있다. 상기 제1 또는 제2돌출부(11,31)의 상면 면적은 제3 및 제4돌출부(12,13)의 상면 면적 또는 제5 및 제6돌출부(32,33)의 상면 면적보다 더 넓을 수 있으며, 발광소자(120)의 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 캐비티(102)의 바닥에서 상기 발광소자(120)의 상면 면적은 상기 캐비티(102)의 바닥에 배치된 프레임(111,113)들의 상면 면적의 합 또는 제1 및 제2돌출부(11,31)의 상면 면적의 합보다 클 수 있다. 상기 제1 및 제2돌출부(11,31) 각각의 개수는 발광소자(120)의 개수와 동일할 수 있다.
상기 제1 및 제2돌출부(11,31) 각각은 발광소자(120)의 각 본딩부(121,122)와 대향될 수 있다. 도 4와 같이, 도전부(321)는 상기 제1프레임(111)과 제1본딩부(121) 사이와, 상기 제2프레임(113)과 제2본딩부(122) 사이에 배치되고 전기적으로 연결시켜 줄 수 있다. 상기 도전부(321)의 주변에 수지 재질을 배치해 줌으로써, 액상으로 제공되는 도전부의 확산을 억제해 주어 균일하고 두꺼운 두께로 제공될 수 있다.
상기 제1프레임(111)의 돌출부(11,12,13)와 제2프레임(113)의 돌출부(31,32,33)는 적어도 일부가 제2방향으로 중첩되게 배치되어, 패키지 몸체(110) 또는 몸체(115)의 강성을 강화시켜 줄 수 있다. 예를 들면, 상기 제4돌출부(13)의 단부는 상기 제1 및 제3돌출부(11,12)보다 제2프레임 방향으로 더 돌출될 수 있다. 상기 제5돌출부(34)의 단부는 상기 제2 및 제6돌출부(31,33)보다 제1프레임 방향으로 더 돌출될 수 있다. 상기 제4돌출부(13)의 단부와 제5돌출부(32)의 단부는 제2방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제4돌출부(13)와 상기 제5돌출부(32)는 상기 제1 및 제2돌출부(11,31)를 기준으로 서로 반대측 영역에서 제2방향으로 중첩되게 배치됨으로써, 상기 몸체(115)의 센터 측 강성을 강화시켜 줄 수 있다.
다른 예로서, 도 19와 같이, 상기 제1 및 제2프레임(111,113) 중 적어도 하나 또는 모두에 4개 이상의 돌출부가 배치될 수 있다. 다른 예로서, 상기 캐비티(102)의 바닥에서 상기 몸체(115)의 상면 면적을 늘려주기 위해, 상기 제3 및 제4돌출부(12,13)과, 상기 제5 및 제6돌출부(32,33)는 상기 상부 몸체(110A) 아래에 배치되고 상기 캐비티(102)의 바닥에 노출되지 않을 수 있다. 이에 따라 상기 캐비티(102)의 바닥에서 상기 프레임(111,113)의 면적보다는 몸체(115)의 면적이 더 넓게 제공될 수 있다. 상기 몸체(115)의 반사 특성이 상기 프레임(111,113)의 반사 특성보다 더 높기 때문에, 캐비티(102)의 바닥에서 광 반사 효율은 개선될 수 있다.
도 2 및 도 5와 같이, 상기 몸체(115)의 반사부는 상기 제1프레임(111)의 돌출부(11,12,13)들 사이와 제2프레임(113)의 돌출부(31,32,33)들 사이에 각각 배치될 수 있다. 상기 몸체(115)는 제1 및 제3돌출부(11,13) 사이의 영역으로 연장된 제1반사부(C11), 상기 제1 및 제4돌출부(11,13) 사이의 영역으로 연장된 제2반사부(C12), 상기 제2 및 제5돌출부(31,32) 사이의 영역으로 연장된 제3반사부(C13), 및 상기 제2 및 제6돌출부(31,33) 사이의 영역으로 연장된 제2반사부(C14)를 포함한다. 상기 각 반사부(C11,C12,C13,C14)는 상기 프레임(111,113)의 오목한 곡면이나 라운드된 영역에 결합되며, 각 돌출부(11,12,13,31,32,33)와의 접촉 면적이 증가되고 습기 침투를 억제할 수 있다.
상기 제1 및 제3반사부(C11,C13)는 제1방향으로 중첩되고 서로 반대측 방향으로 연장되며, 제2 및 제4반사부(C12,C14)는 제1방향으로 중첩되고 서로 반대측 방향으로 연장될 수 있다. 상기 상기 제1돌출부(11)는 제1 및 제2반사부(C11,C12) 사이에 배치되고, 상기 제2돌출부(31)는 제3 및 제4반사부(C13,C14) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2반사부(C11,C12)는 상기 제1돌출부(11)의 외면으로 접촉되며, 상기 제3 및 제4반사부(C13,C14)는 상기 제2돌출부(31)의 외면으로 접촉될 수 있다. 상기 캐비티(102)의 바닥에 배치된 몸체 재질의 반사부에 의해 광 반사율은 개선될 수 있다. 상기 각 반사부(C11,C12,C13,C14)는 상기 발광소자(120)과 수직 방향으로 중첩될 수 있으며, 상기 발광소자(120)로부터 측 방향으로 또는 하 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 줄 수 있다. 상기 각 반사부(C11,C12,C13,C14)는 상기 몸체(115)와 동일한 수지 재질로 형성되고 분산된 영역에 배치됨으로써, 상기 도전부(321)가 확산되는 것을 방지할 수 있다. 상기 반사부(C11,C12,C13,C14)가 도전부(321)의 확산을 방지함으로써, 상기 발광소자(120)와 프레임(111,113) 사이에 배치된 도전부(321)의 본딩력은 개선될 수 있다. 상기 각 반사부(C11,C12,C13,C14)는 도전부(321)의 확산을 방지하는 댐(dam) 역할을 할 수 있고, 상기 발광소자(120)가 상기 제1 및 제2 돌출부(11,31) 상에서 틀어지는 것을 방지할 수 있다. 상기 도전부(321)는 도전성 페이스트 예컨대, 솔더계 페이스트, Ag계 페이스트 또는 SAC(Sn-Ag-Cu) 계열을 포함할 수 있다. 발명의 실시 예는 프레임들의 면적을 줄여 열 팽창에 의한 몸체의 열 변형 문제를 줄여줄 수 있다. 상기 몸체의 열 변형의 감소로 인해 도전부의 크랙 발생을 줄일 수 있다. 또한 상기 반사부(C11,C12,C13,C14)의 재질에 의한 반사 효율을 개선시키고 몰딩부(190)와의 접착력을 개선시켜 상기 프레임의 표면이 변색되는 문제를 줄여줄 수 있다.
상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122) 및 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 발광 구조물(123) 위에 기판(124)을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 제1방향의 길이가 제2방향의 길이와 같거나 더 길 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치되며, 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제2 프레임(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 본딩부(121,122)는 금속 재질 또는 전도성 재질일 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2 본딩부(121,122)는 Ti, Al, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 및 제2도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 기판(124)은 투광 재질이며 절연성 재질 또는 반도체 재질로 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(123)은 화합물 반도체로 제공될 수 있으며, 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성되거나, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층은 n형 반도체층일 수 있으며, 상기 제2 도전형 반도체층은 p형 반도체층일 수 있다. 상기 활성층은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층이 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 내부에 하나 또는 복수의 발광 셀을 포함할 수 있다. 상기 발광 셀은 n-p 접합, p-n 접합, n-p-n 접합, p-n-p 접합 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 복수의 발광 셀은 하나의 발광소자 내에서 서로 직렬로 연결될 수 있다. 이에 따라 상기 발광소자는 하나 또는 복수의 발광 셀을 가질 수 있으며, 하나의 발광소자에 n(n은 2 이상)개의 발광 셀이 배치된 경우 n배의 구동 전압으로 구동될 수 있다.
상기 발광소자(120)는 몸체(115)와 상기 제1 및 제2프레임(111,113) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 제1 및 제2본딩부(121,122)는 제1 및 제2프레임(111,113)의 제1 및 제2돌출부(11,31) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 캐비티(102) 내에 배치될 수 있으며, 상기 상부 몸체(110A)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다. 서브 캐비티(133A)는 상기 캐비티(102)의 내측면들 중에서 제3측면 또는 제4측면에 인접한 측면에 배치될 수 있다. 상기 서브 캐비티(133A)의 바닥에 제1 및 제2프레임(111,113)의 일부가 노출될 수 있고, 상기 노출된 프레임들 중 어느 하나의 위에 보호 소자(125)가 배치되고, 다른 프레임과 전기적으로 연결되거나 와이어(126)로 연결될 수 있다. 상기 서브 캐비티(133A)에는 반사 수지(135)가 배치되며, 상기 반사 수지(135)는 상기 보호 소자(125)와 와이어(126)를 밀봉하게 된다. 상기 반사 수지(135)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질로 형성되고, 내부에 고 굴절 필러를 포함할 수 있다. 상기 보호소자(125)는 제1프레임(111)의 제3돌출부(12)와 제2프레임(113)의 제5돌출부(32) 상에 배치될 수 있다. 상기 서브 캐비티(133A)는 상기 캐비티(102)와 연결되거나 수지 벽으로 분리될 수 있다.
도 4 및 도 5와 같이, 제1수지(160)는 몸체(115)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 접착성 재질 또는/및 반사성 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 몸체(115)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있으며, 상기 발광소자(120)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 예로서, 상기 제1수지(160)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1수지(160)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있으며, 내부에 TiO2, SiO2, 또는 Al2O3와 같은 필러를 포함할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(115)에 접착될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 제1본딩부(121)과 제2본딩부(122) 사이에 배치되고 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)에 접촉될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 하면과 프레임(111,113) 사이의 영역과, 상기 발광소자(120)과 상기 몸체(115) 사이의 영역에 접착될 수 있다. 이에 따라 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 하부 접착력 및 지지력을 강화시켜 줄 수 있다. 상기 발광소자(120)를 회로 기판 상에 본딩할 때, 상기 제1수지(160)는 상기 도전부(321)에 의해 상기 발광소자(120)가 틸트되는 문제를 방지할 수 있으며, 광을 확산시키고 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 각 프레임(111,113)과 상기 각 본딩부(121,122)는 금속간 화합물층에 의해 결합될 수 있다. 상기 각 프레임(111,113)의 제1 및 제2돌출부(11,31)와 상기 각 본딩부(121,122)는 금속간 화합물층에 의해 결합될 수 있다. 상기 금속간 화합물은 CuxSny, AgxSny, AuxSny 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 x는 0<x<1, y=1-x, x>y의 조건을 만족할 수 있다. 상기 금속간 화합물층은 상기 도전부(321)를 구성하는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1프레임(111)의 제1돌출부(11) 상에 배치된 도전부(321)는 상기 제1 본딩부(121)의 하면과 직접 접촉되고, 상기 제1 본딩부(121)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2프레임(113)의 제2돌출부(31) 상에 배치된 상기 도전부(321)는 상기 제2 본딩부(122)의 하면과 직접 접촉되고, 상기 제2 본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 도전부(321)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu, Zn, In, Bi, 접촉, Ti 중에서 적어도 하나 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 도전부(321)는 솔더 페이스트로서, 파우더 입자 또는 파티클 입자와 플럭스의 혼합으로 형성될 수 있다. 상기 솔더 페이스트는 Sn-Ag-Cu를 포함할 수 있으며, 각 금속의 중량%는 달라질 수 있다. 상기 도전부(321)는 SAC(Sn-Ag-Cu) 또는 SAC계열의 물질을 포함할 수 있다. 상기 도전부(321)는 솔더계 페이스트 또는 실버계 페이스트를 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120)의 본딩부(121,122)는 상기 도전부(321)를 구성하는 물질과 상기 도전부(321)를 형성되는 과정 또는 상기 도전부(321)가 제공된 후 열처리 과정에서, 상기 도전부(321)와 상기 프레임(111,113) 사이에 금속간 화합물(IMC; intermetallic compound)층이 형성될 수 있다. 여기서, 상기 도전부(321)를 이루는 물질과 상기 프레임(111,113)의 금속 간의 결합에 의해 합금층이 형성될 수 있어, 상기 합금층은 상기 도전부(321)와 상기 프레임(111,113)은 물리적으로 및 전기적으로 결합될 수 있게 된다. 상기 합금층이 AgSn, CuSn, AuSn 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 프레임(111,113)이 베이스층 및 베이스층 표면에 도금층을 갖는 다층 구조인 경우, 상기 도전부(321)와 상기 프레임(111,113)의 적어도 한층 사이에는 합금층이 형성될 수 있다. 상기 합금층은 상기 도전부(321)를 구성하는 물질과 상기 프레임(111,113)의 금속층 간의 결합에 의해 형성될 수 있다. 상기 도전부(321)가 Sn 및 Ag 중 적어도 하나의 물질을 포함하고 상기 본딩부 또는 프레임의 금속층이 Ag, Au, Sn 및 Cu 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 경우, 상기 금속간 화합물층은 AgSn, AuSn, CuSn, 또는 AgSn 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 금속간 화합물층은 다른 본딩 물질에 비해 더 높은 용융점을 가질 수 있다. 상기 금속한 화합물층이 형성되는 열처리 공정은 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 낮은 온도에서 수행될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자 패키지가 메인 기판에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우, 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력은 열화되지 않는 장점이 있다. 실시 예는 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체가 고온에 노출되지 않아 손상되거나 변색되는 것을 방지할 수 있으며, 몸체(115)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있다.
몰딩부(190)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 및 제2 프레임(111,113) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 캐비티(102)에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 절연물질을 포함하거나, 내부에 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(190)는 형광체 또는 양자점 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 청색, 녹색, 적색, 백색, 적외선 또는 자외선의 광을 발광할 수 있다. 상기 형광체, 또는 양자점은 청색, 녹색, 적색의 광을 발광할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 형성하지 않을 수 있다.
발명에서 상기 발광소자(120)의 측면과 상기 캐비티(102)의 반사벽(134) 간의 거리가 좁게 배치되므로, 상기 발광 소자(120)과 상기 캐비티(102)의 측면 사이의 영역에는 별도의 반사 수지를 형성하지 않을 수 있으며, 상기 프레임(111,113)들의 노출 면적이 감소되고 프레임에 의한 열 변형이 줄어들 수 있고, 도전부(321)의 크랙 발생을 억제할 수 있다.
도 7 및 도 8은 제1실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예이다. 도 7 및 도 8을 참조하면, 관통홀(TH1)은 상기 제1 및 제2프레임(111,113) 사이에 배치된 몸체(115) 내에 배치될 수 있다. 상기 관통홀(TH1)은 상기 몸체(115)의 두께와 동일한 깊이이거나 상기 몸체(115)의 상면부터 하면까지 관통될 수 있다. 상기 관통홀(TH1)의 하면 면적은 상면 면적과 같거나 더 클 수 있다. 상기 관통홀(TH1)에서 제1방향으로 하부 너비(b4)는 상부 너비와 같거나 더 클 수 있다. 상기 하부 너비(b4)가 250 ㎛ 이상 예컨대, 250 내지 350 ㎛의 범위일 수 있으며, 상기 범위보다 크면 몸체(115)의 강성이 저하될 수 있고 상기 범위보다 작으면 제1수지(160)의 주입 효율이 저하될 수 있다. 상기 관통홀(TH1)에서 제2방향으로 하부 너비는 상부 너비와 같거나 더 클 수 있다. 상기 관통홀(TH1)에서 제1방향으로의 상부 너비는 상기 제1프레임(111)과 제2프레임(113) 사이의 간격보다 작을 수 있다. 상기 관통홀(TH1)에서 제2방향으로 상부 너비는 상기 제1 및 제2돌출부(11,31)의 너비와 같거나 작을 수 있다. 상기 관통홀(TH1), 상기 제1 및 제2돌출부(11,31)는 제1방향으로 서로 중첩될 수 있다. 상기 관통홀(TH1)은 상기 발광소자(120)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 관통홀(TH1)에 배치되고, 상기 몸체(115)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치되며 접착될 수 있다. 예컨대, 상기 제1수지(160)는 상기 관통홀(TH1)을 통해 주입된 후 경화되며 상기 발광소자(120)를 상기 몸체(115)에 부착시켜 줄 수 있다. 이 경우, 패키지의 하부에서 제1수지(160)가 관통홀(TH1)을 통해 주입되므로, 상기 캐비티(102)를 통해 수지를 디스펜싱하는 공간은 제거될 수 있고, 상기 발광소자(120)와 상기 캐비티(102)의 측면 사이의 간격(b1)은 더 좁게할 수 있다.
도 9 및 도 10은 제1실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예이다. 도 9 및 도 10을 참조하면, 발광소자 패키지는 캐비티(102)의 바닥 또는 몸체(115)에 하나 또는 복수의 리세스(recess)를 포함할 수 있다. 제1 및 제2리세스(R1,R2)는 몸체(115)의 상부에서 제2방향으로 이격될 수 있으며, 상기 몸체(115)의 상면에서 하면 방향으로 오목할 수 있다. 상기 제1 및 제2리세스(R1,R2)의 적어도 일부 또는 전부는 상기 발광소자(120)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 제1 및 제2리세스(R1,R2) 내에 배치되고 지지될 수 있다. 상기 제1 및 제2리세스(R1,R2)의 깊이는 상기 제1 및 제2프레임(111,113)의 두께에 비해 작을 수 있으며, 300 ㎛ 이하 예컨대 15 내지 300 ㎛ 범위일 수 있으며, 상기 범위보다 작은 경우 수지 지지력이 저하될 수 있고, 상기 범위보다 큰 경우 몸체(115)의 강성이 저하되거나 몸체(115)을 통한 광 누설의 원인이 될 수 있다. 상기 제1 및 제2리세스(R1,R2)는 상기 발광 소자(120)와 수직 방향으로 중첩되는 내측부(k1)와, 상기 발광소자(120)의 측면보다 외측으로 돌출된 외측부(k2)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2리세스(R1,R2)와 중첩되는 발광소자(120)의 측면은 제2방향의 양 측변 또는 장변일 수 있다. 상기 각 리세스(R1,R2)의 내측부(k1)는 상기 제1 및 제2돌출부(11,31) 사이에 배치되거나 이격될 수 있다. 상기 각 리세스(R1,R2)의 외측부(k2)는 상기 제1 및 제2돌출부(11,31)과 제1방향으로 중첩되지 않을 수 있다. 상기 제1리세스(R1)는 제1 및 제3반사부(C11,C13) 사이에 배치될 수 있으며, 상기 제2리세스(R2)는 제2 및 제4반사부(C12,C14) 사이에 배치될 수 있다. 상기 각 리세스(R1,R2)는 내측부(k1)와 외측부(k2)의 길이 비율이 4:6 내지 6:4의 범위일 수 있다. 상기 리세스(R1,R2)에 제2수지(160)가 배치되므로, 상기 제2수지(160)는 외측부(k2) 상에 연장되어, 광 손실을 줄여줄 수 있다. 다른 예로서, 상기 몸체(115)는 상기 발광 소자(120)의 제2방향 길이의 40% 내지 120% 범위의 길이를 갖는 리세스를 구비하여, 제1방향으로의 열 변형을 완화시켜 주고 도전부의 크랙을 억제할 수 있다. 상기 각 리세스(R1,R2)의 외측부(k2)는 상기 캐비티(102)의 반사벽(134)으로부터 이격되어, 상기 제1수지(160)가 상기 반사벽(134)의 표면으로 연장되는 것을 억제할 수 있다. 상기 리세스(R1,R2)의 제1방향 폭은 상기 제1 및 제2돌출부(11,31) 사이의 간격보다 작을 수 있다. 상기 리세스(R1,R2)의 제2 방향의 길이는 상기 발광 소자(120)의 제2 방향의 길이보다 작게 배치될 수 있어, 발광 소자(120)의 하부에서 제1수지와의 접착력을 강화시켜 줄 수 있다. 상기 리세스(R1,R2)의 제2 방향의 길이는 상기 리세스(R1,R2)의 제1방향의 폭보다 클 수 있다. 상기 각 리세스(R1,R2)는 탑뷰 형상이, 다각형 형상일 수 있으며, 예컨대 삼각형, 사각형, 또는 오각형 형상일 수 있다. 다른 예로서, 각 리세스(R1,R2)은 원 형상이거나 타원 형상일 수 있고 상기 제1수지(160)를 가이드할 수 있는 형상으로 제공될 수 있다. 상기 각 리세스(R1,R2)은 측 단면 형상이 다각형 형상 또는 곡면 형상일 수 있으며, 예컨대 삼각형 형상이거나 사각형 형상 또는 반구형 형상일 수 있다. 상기 각 리세스(R1,R2)의 구조는 몸체(115)에 영향을 줄이면서 지지력이 저하되지 않는 구조로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R1,R2)는 상부 너비가 하부 너비보다 넓게 배치되므로, 내부가 경사진 면으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2리세스(R1,R2) 사이의 몸체에는 관통홀이 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2리세스(R1,R2), 상기 몸체(115)와 발광소자(120) 사이에 배치된 제1수지(160)는 발광소자(120)를 고정하고 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
도 11 내지 도 13은 제1실시 예에 따른 발광소자 패키지의 제1변형 예의 도면이다. 제1변형 예는 상기에 개시된 제1실시 예의 구성 및 설명을 참조하며 선택적으로 적용할 수 있다. 도 11 내지 도 13을 참조하면, 몸체(115)는 상기 프레임(111,113)의 상면보다 돌출된 지지부(115A)를 포함할 수 있다. 상기 지지부(115A)는 상기 캐비티(102)의 바닥에 배치되며, 상기 프레임(111,113)의 상면에서 발광소자(120) 방향으로 돌출될 수 있다. 상기 지지부(115A)는 상기 제1 및 제2돌출부(11,31)의 상면보다 위로 돌출될 수 있다. 상기 지지부(115A)는 상기 몸체(115), 상기 제1 내지 제4반사부(C11,C12,C13,C14)를 상기 프레임(111,113)의 상면보다 더 높게 돌출시켜 줄 수 있다. 상기 지지부(115A)는 상기 제1 및 제2돌출부(11,31)의 둘레에 댐(dam) 역할을 수행할 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2돌출부(11,31)는 반사벽(134)과 연결되어, 상기 제1 및 제2돌출부(11,31) 상에서 도전부를 위한 댐으로 기능할 수 있다. 이에 따라 상기 제1 및 제2돌출부(11,31) 상에 배치된 도전부(321)는 상기 지지부(115A)에 의해 일정 이상의 두께를 갖고 균일한 분포로 제공될 수 있다. 즉, 상기 몸체(115)의 지지부(115A)를 이용하여 도전부(321)의 둘레에 수지 벽을 배치해 줌으로써, 도전부의 균일한 두께를 확보하여 크랙 발생을 방지될 수 있어, 발광소자의 전기적인 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 지지부(115A)의 상면 면적은 상기 캐비티(102) 바닥에 노출된 상기 제1 및 제2돌출부(11,31)의 상면 면적보다 클 수 있다. 상기 지지부(115A)는 상기 발광소자(120)의 하면(본딩부 제외)을 상기 제1 및 제2프레임(111,113) 또는 제1 및 제2돌출부(11,31)의 상면으로부터 이격시켜 줄 수 있다. 상기 지지부(115A)는 상기 발광소자(120)의 제1 및 제2본딩부(121,122)와 수직 방향으로 중첩되지 않는 영역에 배치될 수 있다. 여기서, 발광소자(120)로부터 가해지는 압력을 차단하거나 줄여주게 됨으로써, 본딩 공정 시 액상으로 제공되는 도전부의 확산이 억제되고 도전부의 두께 확보가 가능하며, 크랙 발생을 억제할 수 있다.
상기 리세스(R1,R2)는 상기 몸체(115)의 지지부(115A)에 배치될 수 있다. 상기 지지부(115A)에 배치된 상기 리세스(R1,R2)의 깊이는 300 ㎛ 이하 예컨대 15 내지 300 ㎛ 범위일 수 있으며, 상기 범위보다 작은 경우 수지 지지력이 저하될 수 있고 상기 범위보다 큰 경우 몸체(115)의 강성이 저하될 수 있고 지지력의 개선이 미미할 수 있으며 몸체(115)를 통한 광 누설의 원인이 될 수 있다.
도 15 및 도 11을 참조하면, 발광소자 패키지는 캐비티(102)의 코너 영역에 오목부(R1b)를 포함할 수 있다. 상기 오목부(R1b)는 상기 발광소자(120)와 상기 캐비티(102)의 내측면(132) 사이의 공간에서 상대적으로 넓은 영역에 배치되거나, 상기 캐비티(102)의 코너부로부터 외측 방향으로 함몰된 형상일 수 있다. 상기 오목부(R1b)는 하나 또는 복수로 배치될 수 있으며, 상기 복수의 오목부(R1b)는 상기 발광소자(120)의 코너부들 각각에 대응되는 영역에 배치될 수 있다. 상기 오목부(R1b)는 제2수지(162)를 디스펜싱하기 위한 구조물의 삽입이 용이할 수 있는 공간을 제공할 수 있다. 상기 오목부(R1b)의 직경은 300 내지 400 ㎛의 범위로 제공하여, 상기 구조물의 삽입을 가능케할 수 있다. 상기 제2수지(162)는 투명한 수지에 TiO2, SiO2, 또는 Al2O3와 같은 필러를 포함할 수 있다. 상기 제2수지(162)에 첨가된 필러들에 대해, 침전 현상을 가속시키는 공정을 진행할 경우, 상기 제2수지(162)에 첨가된 필러들은 바닥 방향으로 침전될 수 있다. 여기서, 상기 침전 현상을 가속시키는 공정은 원심 분리기를 이용하여 가속시키는 공정을 포함할 수 있다.
상기 제2수지(162)는 상기 제1수지(160)와 연결될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 제1수지(160)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 발광소자(120)의 본딩부(121,122) 둘레에 배치될 수 있어, 도전부의 확산을 방지하여 도전부의 댐 역할을 수행할 수 있다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 상기 몸체(115)의 지지부(115B)는 상기 제1프레임(111)의 제1돌출부(11)와 제2프레임(113)의 제2돌출부(31) 사이에 배치되며, 하나 또는 복수의 리세스(R1,R2)가 배치될 수 있다. 상기 지지부(115B)는 제2방향으로 긴 길이를 갖고 상기 발광소자(120)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 지지부(115B)의 길이는 상기 발광소자(120)의 제2방향 길이보다 긴 길이를 가질 수 있다. 상기 지지부(115B)의 제1방향 폭은 상기 제1 및 제2돌출부(11,31) 사이의 간격과 동일하거나 더 작을 수 있다. 상기 지지부(115B)는 상기 제1 및 제2프레임(111,113)의 상면 또는 상기 제1 및 제2돌출부(11,31)의 상면보다 발광소자(120) 방향으로 돌출될 수 있다. 상기 지지부(115A)는 상기 발광소자(120)의 제1 및 제2본딩부(121,122) 사이에 배치될 수 있다. 상기 지지부(115B)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122) 사이에 배치된 하면을 지지할 수 있다. 상기 지지부(115B)의 두께는 상기 제1 및 제2프레임(111,113)의 상면으로부터 40 ㎛ 이하 예컨대, 30 내지 40 ㎛의 범위로 형성될 수 있다. 상기 지지부(115A)는 제1 및 제2돌출부(11,31) 사이에서 상기 도전부(321)의 댐 역할을 수행할 수 있다. 상기 지지부(115B)와 상기 발광소자(120) 사이에는 제1수지(160)가 접착되어, 발광소자(120)가 틸트되거나 유동되는 것을 방지할 수 있다.
상기 몸체(115)는 스페이서(P1,P2,P3,P4)를 포함할 수 있다. 상기 스페이서(P1,P2,P3,P4)는 상기 발광소자(120)를 상기 프레임(111,113)의 상면으로부터 이격시켜 줄 수 있다. 상기 복수의 스페이서(P1,P2,P3,P4)는 상기 발광소자(120)의 제1 및 제2본딩부(121,122)를 상기 제1 및 제2프레임(111,113)의 상면으로부터 이격시켜 줄 수 있다. 상기 복수의 스페이서(P1,P2,P3,P4)의 상면은 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 하면보다 높게 돌출될 수 있다. 상기 스페이서(P1,P2,P3,P4)는 상기 발광소자(120)의 하면 에지에 배치되거나, 상기 발광소자(1200의 하면 에지와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 스페이서(P1,P2,P3,P4)는 상기 몸체(115)와 동일한 재질일 수 있다. 상기 스페이서(P1,P2,P3,P4)는 다른 예로서, 상기 프레임(111,113)을 구성하는 물질이거나 상기 프레임(111,113)과 동일한 재질로 형성될 수 있다. 상기 스페이서(P1,P2,P3,P4)의 개수는 3개 이상 또는 4개 이상일 수 있다. 상기 스페이서(P1,P2,P3,P4)는 상기 발광소자(120)와 상기 프레임(111,113) 상면 간의 간격을 제공하여, 제조 공정 상에서 상기 발광소자(120)가 틸트되는 문제를 방지할 수 있다. 상기 스페이서(P1,P2,P3,P4)는 상기 제1 및 제2돌출부(11,31)의 외측에 배치되고, 도전부(321)의 두께 저하를 방지할 수 있고, 상기 발광소자(120)를 프레임의 상면으로부터 이격시켜 주어 언도필 공정을 용이하도록 공간을 제공할 수 있다.
상기 스페이서(P1,P2,P3,P4)는 제1프레임(111)의 제1돌출부(11)의 제2방향 양측에 배치된 제1 및 제2스페이서(P1,P2)와, 상기 제2프레임(113)의 제2돌출부(31)의 제2방향 양측에 배치된 제3 및 제4스페이서(P3,P4)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2스페이서(P1,P2)는 상기 제1 및 제2반사부(C11,C12) 상에서 제1측면 방향으로 연장되고 제1프레임(111) 또는 제1돌출부(11)의 상면과 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제1 및 제2스페이서(P1,P2)는 상기 제1 및 제2 반사부(C11,C12)와 중첩되는 면적이 상기 제1프레임(111) 또는 제1돌출부(11)과 중첩되는 면적보다 크게 배치되어, 지지력을 강화시켜 줄 수 있다. 상기 제3 및 제4스페이서(P3,P4)는 상기 제3반사부(C13) 상에서 제2측면 방향으로 연장되며 상기 제2프레임(113) 또는 제2돌출부(31)의 상면과 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제3 및 제4스페이서(P3,P4)는 상기 제3 및 제4 반사부(C13,C14)와 중첩되는 면적이 상기 제2프레임(113) 또는 제2돌출부(31)과 중첩되는 영역보다 크게 배치되어, 지지력을 강화시켜 줄 수 있다. 상기 제1 및 제2스페이서(P1,P2) 간의 간격 및 상기 제3 및 제4스페이서(P3,P4) 간의 간격은 상기 제1 및 제2돌출부(11,31)의 제2방향의 길이와 같거나 작으며, 상기 발광소자(120)의 하면을 지지할 수 있다. 상기 제1 및 제3스페이서(P1,P3) 사이의 간격과 상기 제2 및 제4스페이서(P2,P4) 사이의 간격은 상기 발광소자(120)의 제1방향 길이보다 작을 수 있어, 발광소자(120)의 하면을 지지할 수 있다. 상기 제1 내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4)는 상기 발광소자(120)의 각 모서리 하부에 배치될 수 있고 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 코너와 대응될 수 있다. 상기 스페이서(P1,P2,P3,P4)는 상기 몸체(115)와 동일한 재질로 형성되어, 도전부(321)의 퍼짐성을 억제할 수 있고, 상기 발광소자(120)를 제1 및 제2프레임(111,113)의 상면으로부터 소정 이격시켜 줄 수 있다. 상기 스페이서(P1,P2,P3,P4)의 두께는 상기 제1 및 제2프레임(111,113)의 상면으로부터의 수직한 거리이며, 35 ㎛ 이상 예컨대, 35 내지 65 ㎛의 범위 또는 40 내지 50 ㎛의 범위일 수 있다. 상기 페이서(P1,P2,P3,P4)의 두께가 상기 범위보다 작은 경우 상기 도전부(321)의 두께 확보가 어려워 도전부(321)에 크랙이 발생되거나 전기 전도 특성 또는 열 전도 특성이 저하될 수 있으며, 상기 범위보다 큰 경우 도전부(321)의 도포 량이 증가되어 다른 영역으로 침투하는 문제가 발생될 수 있다. 상기 각 스페이서(P1,P2,P3,P4)는 서로 동일한 두께일 수 있다. 상기 각 스페이서(P1,P2,P3,P4) 각각은 탑뷰 형상이 원 형상, 다각형 형상, 타원 형상, 또는 모서리가 라운드된 다각형 형상을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4)는 상기 캐비티(102)의 내측면(132)의 반사벽(134)에 연결될 수 있다.
상기 제1 내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4)는 상기 캐비티(102)의 바닥보다 위로 돌출될 수 있다. 상기 제1 내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4)는 몸체(115)의 상면이나 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 하면보다 더 높게 배치될 수 있다. 복수의 스페이서(P1,P2,P3,P4)의 내측면을 제1방향과 제2방향으로 지나는 직선을 서로 연결한 다각형의 면적은 상기 발광 소자의 하면 면적보다 작거나, 상기 발광 소자의 본딩부들의 하면 면적의 합보다 클 수 있다. 또는 복수의 스페이서(P1,P2,P3,P4)의 외곽 라인에 대해 제1방향과 제2방향으로 지나는 직선을 서로 연결한 다각형의 면적은 상기 발광 소자의 하면 면적보다 클 수 있다. 상기 제1 및 제3스페이서(P1,P3)는 상기 지지부(115B)를 기준으로 양측에 배치될 수 있다. 상기 제2 및 제4스페이서(P2,P4)는 상기 지지부(115B)를 기준으로 양측에 배치될 수 있다. 상기 지지부(115B)는 상기 발광소자(120)의 제1 및 제2본딩부(121,122) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4)의 두께는 상기 지지부(115B)의 두께보다 두껍게 제공될 수 있다. 상기 지지부(115B)의 두께는 상기 스페이서(P1,P2,P3,P4)의 두께를 기준으로 10 ㎛ 이하 예컨대, 10 내지 20 ㎛의 범위로 낮게 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 지지부(115B)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 제1수지(160)가 소정 두께를 갖고 접착될 수 있다.
도 17 내지 도 19는 발광소자 패키지의 제3 및 제4변형 예를 나타낸 도면이다.
도 17 및 도 19를 참조하면, 제1프레임(111)은 복수의 제1돌출부(11A,11B)를 가지며, 제2프레임(113)은 복수의 제2돌출부(31A,31B)를 가질 수 있다. 상기 제1프레임(111)은 제3 및 제4돌출부를 가지며, 상기 제2프레임(113)은 제5 및 제6돌출부를 가질 수 있다. 상기 제1프레임(111)은 돌출부들 사이에 오목한 홈(C10)을 가지며, 상기 제2프레임(113)은 돌출부들 사이에 오목한 홈(C30)을 가질 수 있다. 상기 복수의 제1돌출부(11A,11B)와 상기 복수의 제2돌출부(31A,31B) 상에는 제1 및 제2발광소자(120A,120B)가 배치될 수 있다. 상기 복수의 제1돌출부(11A,11B) 및 복수의 제2돌출부(31A,31B) 사이에는 상기 몸체(115)의 반사부가 배치될 수 있다. 상기 몸체(115) 상에는 복수의 리세스(R3,R4,R5)가 배치될 수 있다. 상기 복수의 리세스(R3,R4,R5)는 제1 발광 소자(120A) 아래에 배치된 제1 및 제3리세스(R3,R5)와, 상기 제2발광소자(120B) 아래에 배치된 제2 및 제3리세스(R4,R5)를 포함할 수 있다. 상기 제3리세스(R5)는 상기 제1 및 제2발광소자(120A,120B) 아래에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제3리세스(R3,R4,R5)는 제2방향으로 서로 이격되며, 같은 직선 상에 배치될 수 있다. 상기 제3리세스(R5)의 제2방향 길이는 상기 제1 및 제2발광소자(120A,120B) 간의 간격보다 길게 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제3리세스(R3,R5)는 상기 제1발광소자(120A)와 일부가 중첩되는 내측부와, 중첩되지 않는 외측부를 포함할 수 있다. 상기 제2 및 제3리세스(R4,R5)는 상기 제2발광소자(120B)의 일부와 중첩되는 내측부와 중첩되지 않는 외측부를 포함할 수 있다. 상기 몸체(115)와 상기 복수의 발광소자(120A,120B) 사이에 제1수지(160, 도 4 참조)가 배치될 수 있으며, 상기 제1수지(160)는 몸체(115)에 상기 복수의 발광 소자(120A,120B)를 각각 부착시켜 줄 수 있고, 상기 제1 내지 제3리세스(R3,R4,R5)에 배치될 수 있다.
도 18 및 도 19를 참조하면, 발광소자 패키지는 도 11과 같은 몸체(115)의 구성을 참조하기로 한다. 상기 몸체(115)는 프레임(111,113)의 상면보다 돌출된 지지 영역을 포함할 수 있다. 상기 지지 영역은 도 11과 같은 지지부(115A), 또는 도 15와 같이 지지부(115B) 및 스페이서(P1,P2,P3,P4) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 몸체(115)에 상기 지지부(115A,115B) 또는 스페이서를 배치함으로써, 상기 발광소자(120A,120B)를 상기 프레임(111,113)의 상면 예컨대, 제1돌출부(11A,11B) 및 제2돌출부(31A,31B)의 상면으로부터 이격시켜 줄 수 있다. 여기서, 도 17과 같이, 상기 제1돌출부(11A,11B)는 제1프레임(111)에서 복수로 배치되며, 상기 제2돌출부(31A,31B)는 상기 제2프레임(113)에서 복수로 배치될 수 있다. 상기 복수의 제1돌출부(11A,11B)와 상기 복수의 제2돌출부(31A,31B) 상에는 발광소자(120A,120B)가 각각 배치될 수 있다.
<제2실시 예>
도 20 내지 도 26은 발명의 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지의 도면들이다. 제2실시 예의 설명은 상기에 개시된 제1실시 예의 설명 및 구성을 참조하며, 선택적으로 적용할 수 있다. 도 20 내지 도 26을 참조하면, 몸체(115)의 지지부(115B)의 상면은 평탄한 면으로 제공될 수 있으며, 상기 바닥 폭(Wa)과 같거나 좁은 폭으로 제공될 수 있다. 다른 예로서, 상기 지지부(115B)의 상면은 볼록한 곡면을 포함하거나, 볼록한 곡면 또는 경사진 면 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 몸체(115) 또는 패키지 몸체(110)의 제3 및 제4측면(S3,S4) 각각에는 복수의 스텝 구조(ST5)를 포함할 수 있다. 상기 스텝 구조(ST5)는 패키지 몸체(110)의 사출 시의 핑거용 걸림 턱일 수 있다. 상기 스텝 구조(ST5)는 상기 제3 및 제4측면(S3,S4)보다 내측 방향으로 오목하게 배치될 수 있다.
상기 제1 프레임(111)은 제1 전도성 돌출부(F1) 및 상기 제2 프레임(113)은 제2 전도성 돌출부(F2)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2전도성 돌출부(F1,F2)는 캐비티(102)의 바닥에서 제1방향으로 이격될 수 있으며, 상기 발광소자(120)의 영역 아래에 위치하고 상기 발광소자(120)과 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제1 전도성 돌출부(F1)는 상기 제1 프레임(111)으로 형성될 수 있으며, 상기 제1 프레임(111)의 상면보다 발광소자(120) 방향으로 돌출될 수 있다. 상기 제2 전도성 돌출부(F2)는 상기 제2 프레임(113)으로 형성될 수 있으며, 상기 제2 프레임(113)의 상면보다 상기 발광소자(120) 방향으로 돌출될 수 있다. 상기 제1 및 제2전도성 돌출부(F1,F2)는 상기 제1 및 제2 프레임(111,113)의 상면과 하면에 수직 방향(Z)으로 돌출될 수 있다. 상기 제1프레임(111)은 제1 전도성 돌출부(F1)의 하부에 제1오목부(F10)를 포함하며, 상기 제2프레임(113)은 상기 제2 전도성 돌출부(F2)의 하부에 제2오목부(F20)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2오목부(F10,F20)는 상기 제1 및 제2전도성 돌출부(F1,F2)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제1 및 제2오목부(F10,F20)는 상기 각 프레임(111,113)의 하면에서 상면을 향하는 방향으로 오목하며, 컵 형상 또는 리세스 구조로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2전도성 돌출부(F1,F2)의 높이(Pb)는 상기 제1 및 제2오목부(F10,F20)의 깊이(e)와 같을 수 있다. 상기 높이(Pb)는 상기 제1 또는/및 제2프레임(111,113)의 평탄한 상면을 기준으로 50 ㎛ 이하 예컨대, 25 내지 50 ㎛의 범위일 수 있으며, 상기 범위보다 작으면 제2수지(162)의 두께가 얇아져 광 반사 효율이 저하될 수 있으며, 상기 범위보다 크면 전도성 돌출부(F1,F2)의 크기가 증가될 수 있다. 여기서, 상기 지지부(115B)의 높이(Pa)를 제1높이라 하고, 상기 전도성 돌출부(F1,F2)의 높이(Pb)를 제2높이라 할 수 있으며, 상기 제1높이는 상기 제2높이와 다를 수 있다. 또는 상기 제1높이는 상기 제2높이보다 클 수 있다.
도 24 및 도 26과 같이, 상기 제1 및 제2전도성 돌출부(F1,F2)의 상면은 제1방향(X)의 너비(W1)보다 제2방향(Y)의 길이(W7>W1)가 더 클 수 있다. 상기 제1방향은 제1 및 2전도성 돌출부(F1,F2)의 중심을 연결한 가상선이 연장되는 방향일 수 있다. 상기 제1 및 제2전도성 돌출부(F1,F2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121,122)와 대면하며, 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 수직 방향은 상기 제1 및 제2프레임(111,113)의 상면에서 하면으로 향하거나 발광 소자로 향하는 방향일 수 있다.
상기 몸체(115)의 지지부(115B)는 상기 제1 및 제2전도성 돌출부(F1,F2) 사이에 배치되고, 상기 제1 및 제2전도성 돌출부(F1,F2)의 제2방향의 길이보다 긴 길이를 가질 수 있다. 상기 지지부(115B)의 두께(Pa)는 상기 제1 및 제2프레임(111,113)의 상면을 기준으로 상기 제1 및 제2전도성 돌출부(F1,F2)의 두께(Pb)보다 더 높게 배치될 수 있다. 상기 지지부(115B)의 두께(Pa)는 상기 제1 및 제2프레임(111,113)의 상면으로부터 50 ㎛ 이상 예컨대, 50 내지 80 ㎛의 범위로 형성될 수 있으며, 상기 두께(Pa)가 범위보다 작은 경우 전도성 돌출부(F1,F2)와의 높이 차이가 작아져 도전부(127,129)의 두께 확보가 어렵고 상기 범위보다 큰 경우 발광소자(120)가 틸트될 수 있는 문제가 있다. 상기 지지부(115B)의 상면은 상기 발광소자(120)의 제1 및 제2본딩부(121,122)의 하면보다 높게 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 지지부(115B)가 상기 발광소자(120)의 센터 측 하부를 지지하게 되므로, 상기 발광소자(120)의 제1 및 제2본딩부(121,122)는 상기 제1 및 제2전도성 돌출부(F1,F2)의 상면으로부터 이격될 수 있다. 상기 지지부(115B)와 상기 전도성 돌출부(F1,F2)의 높이 차이(Pc-Pb)는 20 ㎛ 이상 예컨대, 20 내지 50 ㎛의 범위일 수 있다. 상기 지지부(115B)와 상기 전도성 돌출부(F1,F2)의 높이 차이(Pc-Pb)는 도전부(127,129)의 두께와 같을 수 있다.
상기 제1 및 제2프레임(111,113)의 상면은 서로 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2전도성 돌출부(F1,F2)의 상면은 평탄한 제1 및 제2평탄면을 가지며, 상기 제1 및 제2평탄면의 폭은 제1 및 제2본딩부(121,122)의 폭과 서로 다를 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2본딩부(12,122)의 평탄한 하면의 폭은 상기 제1 및 제2평탄면의 폭보다 클 수 있다. 여기서, 발광소자(120)의 각 본딩부(121,122)와 상기 각 전도성 돌출부(F1,F2) 사이의 간격은 상기 본딩부(121,122)와 상기 전도성 돌출부(F1,F2) 사이에 배치되는 도전부(127,129)의 두께를 일정 이상으로 확보시켜 줄 수 있다. 이에 따라 상기 도전부(127,129)의 불 균일한 두께로 인한 크랙 문제와 전기 및 열 전도성 저하 문제를 방지할 수 있다. 여기서, 상기 지지부(115B)가 없는 경우 상기 도전부(127,129)는 퍼짐성이 증가되고 두께가 얇아지거나 불균일한 분포를 가지게 되고, 상기 본딩부(121,122)와 상기 전도성 돌출부(F1,F2) 사이의 공간에서 전기 전도 특성 및 열 전도 특성이 저하될 수 있다.
상기 도전부(127,129)는 제1본딩부(121)과 제1전도성 돌출부(F1) 사이에 제1도전부(127)과, 상기 제2본딩부(122)와 제2전도성 돌출부(F2) 사이에 배치된 제2도전부(129)를 포함할 수 있다. 상기 제1도전부(127)는 제1프레임(111)의 제1전도성 돌출부(F1)과 발광소자(120)의 제1본딩부(121) 사이에 배치되고 본딩될 수 있다. 상기 제2도전부(129)는 제2프레임(113)의 제2 전도성 돌출부(F2)와 발광소자(120)의 제2본딩부(122) 사이에 배치되고 본딩될 수 있다. 상기 제1 및 제2도전부(127,129)는 상기 제1프레임(111)과 제1본딩부(121) 사이와, 상기 제2프레임(113)과 제2본딩부(122) 사이를 연결시켜 줄 수 있다. 상기 제1,2도전부(127,129)의 일부는 제1 및 제2 전도성 돌출부(F1,F2)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 도전부(127,129)는 제1실시 예에 개시된 도전부의 물질, 금속간 화합물층 및 합금층의 설명을 참조하기로 한다.
도 24를 참조하면, 각 프레임(111,1112)에서 상기 전도성 돌출부(F1,F2)의 높이(Pb)는 프레임(111,112)의 두께(T1)보다 작을 수 있다. 상기 높이(Pb)는 두께(T1)의 10% 이상 예컨대, 10% 내지 50%의 범위일 수 있으며, 상기 범위보다 작으면 도전부가 발광소자(120)의 측면으로 연장되어 쇼트 문제나 광 손실이 발생될 수 있고, 상기 범위를 초과하게 되면 프레임(111,112)의 강성이 저하될 수 있다. 상기 프레임(111,112)의 두께(T1)는 100 ㎛ 이상 예컨대, 100 내지 300 ㎛의 범위 또는 200 내지 270 ㎛의 범위일 수 있다. 상기 전도성 돌출부(F1,F2)의 높이(Pb)가 상기 범위보다 작은 경우, 제2수지(162)의 두께가 50 마이크로 미만으로 얇아져 반사성 수지로서의 기능을 할 수 없는 문제가 있다. 이에 따라 상기 전도성 돌출부(F1,F2)의 높이(Pb)는 제2수지(162)의 두께를 확보할 수 있어 광 반사 효율의 저하를 방지할 수 있다. 여기서, 상기 제1,2 전도성 돌출부(F1,F2)의 외측면(F11,F12)은 경사진 면이거나 곡면을 갖는 면일 수 있다. 상기 제1 및 제2전도성 돌출부(F1,F2) 각각의 상면 전체 면적은 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 하면 면적과 같거나 작을 수 있다. 여기서, 상기 제1 및 제2전도성 돌출부(F1,F2)에서 상면의 면적은 외측면(F11,F12)의 면적의 합보다 클 수 있어, 본딩 부분의 접촉 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
도 24와 같이, 제1방향(X)으로 상기 제1 및 제2전도성 돌출부(F1,F2)의 상부 영역에서 폭(W1)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121)의 폭(W2)과 같거나 작을 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 폭(W2)는 발광소자(120)의 제1방향의 폭에 비해 20% 이상이며 예컨대, 20% 내지 40% 범위일 수 있다. 상기 너비(W1)는 본딩부(121,122)의 폭(W2)의 50% 이상 예컨대, 50% 내지 90%의 범위일 수 있으며, 상기 범위에서 열 전도성 및 전기 전도성이 개선될 수 있다. 도 26과 같이, 제2방향(Y)으로 상기 제1 및 제2전도성 돌출부(F1,F2)의 상부 영역의 길이(W7)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121,122)의 길이(W3)보다 작을 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 길이(W3)는 제1발광소자(120)의 제2방향의 길이에 비해 70% 이상이며 예컨대, 70% 내지 95% 범위일 수 있다. 상기 너비(W1)는 200 ㎛ 이상 예컨대, 200 내지 300 ㎛의 범위일 수 있다. 상기 제1 및 제2프레임(111,113) 상에서 도전부(127,129)에 의해 견고하게 부착되는 상기 본딩부(121,122)의 지지력(예: DST: Die shear terst strength)은 증가될 수 있다. 상기 제1 및 제2 전도성 돌출부(F1,F2)의 상부 영역의 에지으로부터 상기 제1 및 2 본딩부(121,122)의 끝단까지의 거리(W5)는 40 ㎛ 내지 60 ㎛로 제공될 수 있어, 도전부에 의한 공정이나 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 제1,2 본딩부(121,122)와 상기 발광소자(120)의 측면 사이의 거리(W6)는 60 ㎛ 이상 예컨대, 60 내지 90 ㎛의 범위로 배치될 수 있다. 상기 거리(W6)를 확보하지 않을 경우 도전부(127,129)과의 거리 확보가 어려워, 전도성 페이스트에 의한 문제가 발생될 수 있다. 즉, 상기 제1,2 본딩부(121,122)의 평탄한 면으로부터 상기 발광소자(120)의 측면 사이의 거리(W5+W6)는 최소 100 ㎛의 범위로 이격될 때, 전도성 돌출부(F1,F2)의 주변에서 도전부(127,129)에 의한 안전 거리를 확보할 수 있다.
상기 제1 및 제2전도성 돌출부(F1,F2)의 상부 영역의 폭(W1) 및 길이(W7)는 하부 영역의 폭 및 길이에 비해 작을 수 있다. 이에 따라 프레임에서 돌출되는 부분의 강도가 저하되거나 경사진 측면 부분의 두께가 얇아지는 문제를 방지할 수 있다. 상기 제1,2 전도성 돌출부(F1,F2)는 탑뷰 형상이 다각형 형상, 타원 형상 또는 원 형상일 수 있다. 상기 제1,2 전도성 돌출부(F1,F2)의 측 단면 형상은 다각형 형상, 반구형 형상 또는 반 타원 형상일 수 있다. 상기 측면(F11,F12)은 기울기가 서로 다른 경사면들을 가지거나, 서로 다른 곡률을 갖는 곡면들로 배치될 수 있다. 상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 제1 전도성 돌출부(F1)와 상기 제2 전도성 돌출부(F2) 사이의 간격은 예로서 100 이상 예컨대, 100 내지 내지 150 ㎛로 제공될 수 있어, 메인 기판 상에서 전기적인 단락(short)이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
도 24 및 도 25과 같이, 상기 전도성 돌출부(F1,F2)는 제1 및 제2 프레임(111,113) 사이에 배치된 몸체(113)에 인접하게 배치될 경우, 상기 전도성 돌출부(F1,F2)에 의해 프레임(111,112)이 몸체 측 방향에서 말리거나 감기게 되는 현상이 발생될 수 있다. 이러한 프레임의 단부가 감기는 현상은 패키지의 공정 상에서의 신뢰성을 저하될 수 있다. 이에 따라 상기 전도성 돌출부(F1,F2)의 에지와 상기 몸체(113) 사이의 거리(W4)는 120 ㎛ 이상 예컨대, 120 내지 300 ㎛의 범위 또는 200 내지 270 ㎛의 범위일 수 있다. 상기 거리(W4)와 상기 프레임(111,112)의 두께(T1)의 비율(W4:T1)은 0.8:1 내지 1:0.8의 범위일 수 있으며, 예컨대 거리 W4와 두께 T1는 1:1의 비율일 수 있다. 상기 프레임(111,112)의 두께(T1)를 기준으로 상기 전도성 돌출부(F1,F2)의 상부 영역의 폭(W1) 또는 상기 전도성 돌출부(F1,F2)와 몸체 사이의 거리(W4)는 80% 내지 120%의 범위일 수 있다. 예컨대, 상기 전도성 돌출부(F1,F2)의 상부 영역의 폭 W1, 상기 몸체(113)과의 거리 W4, 상기 프레임(111,112)의 두께 T1인 경우, W1:W4:T1는 1:1:1를 포함할 수 있다. 실시 예는 프레임(111,112)에 전도성 돌출부(F1,F2)를 형성할 때, 전도성 돌출부(F1,F2)에 의해 프레임(111,112)이 말리거나 감기는 문제를 방지할 수 있고, 상기 본딩부(121,122)와 전도성 돌출부(F1,F2)의 평탄한 면적을 열 전도성 및 전기 전도성이 저하되지 않는 범위로 제공할 수 있다. 또한 프레임(111,112)의 상부에 별도의 하프 에칭 공정 없이 금형으로 전도성 돌출부를 제공할 수 있다. 도 25를 참조하면, 상기 몸체(115)의 지지부(115B)의 바닥에서 상기 리세스(R1,R2) 까지의 거리(Pr)는 15 ㎛ 이상 예컨대, 15 내지 40 ㎛의 범위로 이격될 수 있다. 이러한 이격 거리(Pr)에 의해 상기 지지부(115B) 내에 리세스(R1,R2)를 형성한 영역에서 지지부(115B)의 강성 저하를 방지할 수 있다. 상기 지지부(115B)는 캐비티(102)의 반사벽(134)에 연결될 수 있어, 외부 강성 저하를 방지할 수 있다. 즉, 상기 지지부(115B)의 제2방향의 상면 길이는 캐비티(102)의 바닥의 제2방향 길이보다 클 수 있다.
상기 몸체(115) 또는 지지부(115B)에 배치된 제1 및 제2리세스(R1,R2)와 제1수지(160)는 상기에 개시된 실시 예의 설명을 참조하기로 한다. 상기 제1수지(160)는 상기 제1수지(160)는 상기 제1 전도성 돌출부(F1)과 상기 제2 전도성 돌출부(F2) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1수지(160)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되고 상기 제1 전도성 돌출부(F1)과 상기 제2 전도성 돌출부(F2)의 내측과 대응되거나 접촉될 수 있다. 상기 제1수지(160)의 두께는 상기 전도성 돌출부(F1,F2)의 높이(Pb) 또는 두께보다 클 수 있어, 발광소자(120)과 접촉될 수 있다. 제2수지(162)는 발광소자(120)를 배치한 다음 디스펜싱하는 공정으로 형성할 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 제1 및 제2프레임(111,113)과 상기 발광소자(120)의 하부 사이의 영역과, 상기 제1 본딩부(121) 및 제2 본딩부(122)의 측면, 상기 발광소자(120)의 하면과 접촉될 수 있다. 상기 제2수지(162)의 두께는 상기 전도성 돌출부(F1,F2)의 높이(Pb) 또는 두께보다 클 수 있어, 발광소자(120)와 접촉될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 전도성 돌출부(F1,F2)의 외부를 감싸거나 접촉될 수 있다. 상기 제1수지(160)과 상기 제2수지(162)는 전도성 돌출부(F1,F2)의 측면(F11,F12) 상에 배치된 도전부(127,129)의 외부에 접촉될 수 있다. 이에 따라 상기 제2수지(162)는 도전부(127,129)가 리멜팅되더라도, 상기 도전부(127,129)의 물질이 다른 영역으로 유동되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제2수지(162)는 캐비티(102)의 반사벽(134) 상으로 타고 올라갈 수 있어, 다른 영역의 상면보다 더 높게 배치될 수 있다.
도 27은 도 21의 다른 예이며, 상기에 개시된 구성과 동일한 부분은 상기의 설며을 참조하기로 한다. 도 27를 참조하면, 캐비티(102)의 바닥에는 몸체의 지지부(115B)와, 복수의 전도성 돌출부(F1,F2)와 복수의 스페이서(Ps1)가 배치될 수 있다. 상기 스페이서(Ps1)는 상기 발광소자(120)를 상기 프레임(111,113)의 상면으로부터 이격시켜 줄 수 있다. 상기 복수의 스페이서(Ps1)는 도 15에 개시된 스페이서의 구성을 참조하기로 한다. 상기 스페이서(Ps1)는 상기 지지부(115B)와 같은 높이로 배치되거나, 더 낮은 높이로 배치되고, 상기 발광소자(120)의 외곽부를 프레임(111,113)의 상면으로부터 이격시켜 줄 수 있다. 상기 스페이서(Ps1)는 상기 제1 및 제2 전도성 돌출부(F1,F2)의 외측에 배치되어, 발광소자(120)로부터 가압되는 압력을 차단하여 액상의 도전부가 확산되는 것을 방지할 수 있다.
도 29 내지 도 31은 도 21의 다른 패키지의 예를 나타낸 것이다. 도 29 내지 도 31을 참조하면, 상기 캐비티(102)의 내측면(132) 하부에는 발광소자(120)에 인접한 반사벽(134) 및 서브 반사벽(136)을 배치되며, 상기 반사벽(134) 및 서브 반사벽(136)은 제2수지를 배치하는 공정을 줄일 수 있고 몸체 재질에 의한 광 반사 효율이 개선될 수 있다. 즉, 몸체와 동일한 반사 성 수지 재질을 갖는 서브 반사벽(136)이 발광소자(120)에 인접한 영역까지 연장되고 발광소자(120)의 하부 둘레를 커버하게 되므로, 발광소자(120)의 하부 둘레에서의 광 손실을 줄여줄 수 있다. 도 30을 참조하면, 상기 반사벽(134)은 플랫한 상면을 갖고 있어, 몰딩부(190) 내에 첨가된 형광체(191)가 침전될 때, 플랫한 상면에 형광체(191)가 쌓이고, 일부 형광체(191)는 상기 발광소자(120)의 주변 영역(103)으로 위치될 수 있다. 이 경우 상기 캐비티(102)의 내측면(132)의 경사 각도는 반사벽(134)이 없는 구조에 비해 더 큰 각도로 경사지게 되므로, 형광체(191)가 상기 주변 영역(103)으로 이동될 수 있다. 상기 반사벽(134)은 표면에 형광체(191)가 분포될 수 있다. 상기 서브 반사벽(136)은 플랫한 상면을 갖고 표면에 형광체(191)가 분포될 수 있다. 이러한 반사벽(134) 및 서브 반사벽(136)의 표면에 배치된 형광체(191)는 발광소자(120)의 주변 영역(103)에 더 많은 양이 분포하게 되어, 발광소자(120)의 주변 영역(103)에서의 파장 변환 효율이 개선될 수 있다. 이는 플립 칩 형태로 배치된 발광소자(120)는 프레임(111,113)과 인접한 영역에 활성층이 위치하게 되므로, 상기 활성층을 통해 측 방향으로 소정 광량 이상의 광이 방출된다. 이러한 측면 광들은 프레임의 표면을 통해 거의 진행하지 않고 수지에 의해 반사되거나 형광체에 의해 파장 변환되어 방출될 수 있다.
상기 반사벽(134)의 상면 높이(Ta)는 상기 발광소자(120)의 측면 높이의 1/2지점 또는 기판(124)의 상면과 하면 사이의 지점까지 배치되어, 상기 발광소자(120)의 발광구조물(123)과 대향될 수 있다. 이에 따라 반사벽(134) 상에 배치되는 형광체(191)들은 발광소자(120)의 측면으로부터 방출된 광에 의해 파장 변환 효율이 증가될 수 있다. 상기 반사벽(134)의 상면 높이(Ta)는 200 ㎛ 이하 예컨대, 120 내지 200 ㎛의 범위로 배치될 수 있으며, 상기 범위보다 큰 경우 파장 변환 효율이 감소될 수 있고 상기 범위보다 작은 경우 측면(132)의 경사 각도가 감소되어 형광체(191)를 주변 영역(103)으로 유도하는 기능이 저하될 수 있다. 상기 반사벽(134)의 상면 면적 또는 상면 폭은 상기 서브 반사벽(136)의 상면 면적 또는 상면 폭보다 클 수 있다. 상기 서브 반사벽(136)의 상면 높이(Tb)는 상기 반사벽(134)의 상면 높이(Ta)보다 작을 수 있다. 상기 서브 반사벽(136)는 상기 반사벽(134)보다 발광소자(120)에 더 인접하게 배치되고 더 낮은 높이로 배치될 수 있다. 이에 따라 서브 반사벽(136)은 상기 발광소자(120)의 하면(본딩부 제외)보다 낮게 상기 제1 및 제2전도성 돌출부(F1,F2) 방향으로 연장되어, 상기 프레임(111,113)의 노출 면적을 줄여줄 수 있다. 상기 반사벽(134)는 상기 발광소자(120)의 측면과의 간격(Ga)이 300 ㎛ 이하 예컨대, 150 내지 300 ㎛의 범위일 수 있다. 상기 서브 반사벽(136)은 상기 발광소자(120)의 측면과의 간격(Gb)이 80 ㎛ 이상 예컨대, 80 내지 120 ㎛의 범위일 수 있다. 상기 간격 Ga와 Gb의 차이는 70 ㎛ 이상 예컨대, 70 내지 120 ㎛의 범위로 배치될 수 있다. 이는 상기 서브 반사벽(136)이 70 내지 120 ㎛의 폭을 갖고 상기 반사벽(134)으로부터 제1 및 제2전도성 돌출부(F1,F2) 방향으로 연장되어, 프레임(111,113)의 상면의 노출 면적을 줄여, 프레임(111,113)의 변색에 따른 광속 저하를 방지할 수 있다. 상기의 간격 Ga, Gb는 제1방향을 기준으로 거리의 예이며, 제2방향은 제1방향의 간격과 동일하거나 더 작을 수 있다.
상기 서브 반사벽(136)의 높이(Tb)는 70 ㎛ 이하 예컨대, 30 내지 70 ㎛의 범위로 배치될 수 있으며, 상기 범위보다 작으면 서브 반사벽(136)의 형상이 유지되지 않고 성형에 어려움이 있으며 상기 범위보다 크면 반사벽(134)와의 높이 차이가 없이 형광체 유도 비율이 낮아질 수 있고 광 반사 효율이 저하될 수 있다. 상기 서브 반사벽(136)의 상면 높이는 상기 발광소자(120)의 하면보다 낮게 배치될 수 있다. 상기 서브 반사벽(136)의 높이(Tb)는 발명의 실시 예에 개시된 제1 및 제2전도성 돌출부(F1,F2)의 두께(Pb)와 같거나 더 높게 배치될 수 있다. 이는 상기 서브 반사벽(136)의 높이(Tb)를 소정 두께 이상으로 제공하여, 광 반사 효율을 개선시키고, 프레임(111,113)과의 접착력 저하를 방지할 수 있다. 상기 제1 및 서브 반사벽(134,136)의 내측면은 경사진 면 또는 곡면을 포함할 수 있다.
도 31을 참조하면, 몸체(115)의 지지부(115B)는 리세스(R3,R4,R5)가 배치될 수 있다. 상기 각 프레임(111,113)에서 돌출된 복수의 전도성 돌출부(F1a,F2a,F1b,F2b)는 각 발광소자(120A,120B)의 본딩부(121,122)와 각각 대응될 수 있다. 상기 복수의 리세스(R3,R4,R5)는 제1 발광소자(120A) 아래에 배치된 제1 및 제3리세스(R3,R5)와, 상기 제2발광소자(120B) 아래에 배치된 제2 및 제3리세스(R4,R5)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제3리세스(R3,R5)는 상기 제1발광소자(120A)와 일부가 중첩되는 내측부와, 중첩되지 않는 외측부를 포함할 수 있다. 상기 제2 및 제3리세스(R4,R5)는 상기 제2발광소자(120B)의 일부와 중첩되는 내측부와 중첩되지 않는 외측부를 포함할 수 있다. 상기 제3리세스(R5)는 제1 및 제2발광소자(120A,120B) 사이와 상기 제1 및 제2발광소자(120A,120B)의 아래에 배치될 수 있다.
상기 제1 및 제2실시 예의 구성, 다른 예의 구성 및 변형 예들의 구성들은 선택적으로 다른 예에 적용하거나 병합될 수 있다. 예컨대, 제1실시 예에 개시된 몸체의 관통홀 또는/및 스페이서들은 다른 예에 선택적으로 적용될 수 있다. 실시 예에 따른 하나 또는 복수의 발광소자 패키지는 회로 기판 상에 배치되고 광원 장치에 적용될 수 있다. 상기 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다. 이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. 이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (11)

  1. 서로 이격되고, 서로 마주보며 배치된 제1 프레임 및 제2 프레임;
    상기 제1 프레임 및 제2 프레임 사이에 배치된 몸체; 및
    상기 제1 프레임 및 제2 프레임 상에 배치되는 발광소자;를 포함하고,
    상기 제1 프레임은 상기 제2 프레임에 인접한 제1 단부를 포함하고,
    상기 제2 프레임은 상기 제1 프레임에 인접하게 배치되고, 상기 제1 단부와 마주보는 제2 단부를 포함하고,
    상기 제1 단부는 상기 제2 프레임을 향하여 돌출된 제1돌출부를 포함하고,
    상기 제2 단부는 상기 제1 프레임을 향하여 돌출된 제2돌출부를 포함하고,
    상기 발광소자는 상기 제1 돌출부 상에 배치되는 제1 본딩부, 및 상기 제2 돌출부 상에 배치되는 제2 본딩부를 포함하며,
    상기 몸체는 상기 제1 프레임을 향하여 상기 제1돌출부의 양측면으로 연장된 제1 및 제2반사부와, 상기 제2 프레임을 향하여, 상기 제2돌출부의 양측면으로 연장된 제3 및 제4반사부를 포함하며,
    상기 발광소자는 상기 제1내지 제4반사부와 수직 방향으로 중첩되는 발광소자 패키지.
  2. 서로 이격되고, 서로 마주보며 배치된 제1 프레임 및 제2 프레임;
    상기 제1 프레임 및 제2 프레임 사이에 배치된 몸체; 및
    상기 몸체 상에 배치되는 발광소자; 를 포함하고,
    상기 제1프레임 및 상기 제2프레임은, 상기 제1 및 제2프레임의 상면에서 상기 발광소자를 향하여 돌출되는 제1전도성 돌출부 및 제2 전도성 돌출부를 각각 포함하고,
    상기 발광소자는 상기 제1전도성 돌출부와 대면하는 제1본딩부와, 상기 제2전도성 돌출부와 대면하는 제2본딩부를 포함하는 발광소자 패키지.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1프레임의 제1단부는 상기 제1돌출부의 양측으로 이격되며 상기 제2프레임 방향으로 돌출된 제3 및 제4돌출부를 포함하며,
    상기 제2프레임의 제2단부는 상기 제2돌출부의 양측으로 이격되며 상기 제1프레임 방향으로 돌출된 제5 및 제6돌출부를 포함하며,
    상기 제1반사부는 상기 제1 및 제3돌출부 사이에 배치되며, 상기 제2반사부는 상기 제1 및 제4돌출부 사이에 배치되며, 상기 제3반사부는 상기 제2 및 제5돌출부 사이에 배치되며, 상기 제4반사부는 상기 제2 및 제6돌출부 사이에 배치되는 발광소자 패키지.
  4. 제1항에 있어서, 상기 몸체는 상기 제1 및 제2돌출부보다 돌출된 지지부를 포함하는 발광소자 패키지.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 몸체는 상기 제1 및 제2프레임 사이에 서로 이격된 제1 및 제2리세스를 포함하며,
    상기 제1 및 제2리세스는 상기 발광 소자와 수직 방향으로 중첩된 내측부와, 상기 발광소자의 측면으로부터 외측으로 연장된 외측부를 포함하는 발광소자 패키지.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광 소자와 상기 몸체 사이에 배치된 제1수지, 상기 발광소자의 하부 둘레에 제2수지 및, 상기 발광소자의 측면에 인접한 반사벽을 포함하는 발광소자 패키지.
  7. 제6항에 있어서, 상기 몸체에 상기 제1 및 제2돌출부 사이에 수직하게 관통되는 관통홀을 포함하는 발광소자 패키지.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 몸체는 상기 발광소자의 코너부 하면에 각각 배치된 복수의 스페이서를 포함하며,
    상기 복수의 스페이서는 상기 발광소자를 상기 제1 및 제2프레임의 상면으로부터 이격시켜 주는 발광소자 패키지.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 몸체는 상기 복수의 스페이서로부터 이격되며 상기 스페이서의 두께보다 얇은 두께로 돌출되는 지지부를 포함하며,
    상기 지지부는 상기 발광소자의 제1 및 제2본딩부 사이에 배치되는 발광소자 패키지.
  10. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광소자의 제1본딩부와 상기 제1프레임 사이와, 상기 발광소자의 제2본딩부와 상기 제2프레임 사이에 도전부가 배치되는 발광소자 패키지.
  11. 제2항에 있어서, 상기 몸체는 상기 제1 및 제2프레임의 상면보다 돌출되며 상기 제1 및 2프레임 사이에 배치된 지지부를 포함하며,
    상기 지지부는 상기 제1프레임의 상면을 기준으로 제1높이를 가지며,
    상기 제1 및 제2전도성 돌출부는 상기 제1프레임의 상면을 기준으로 제2높이를 가지며,
    상기 제1높이는 상기 제2높이보다 높게 배치되며,
    상기 지지부의 상면은 상기 제1프레임의 상면을 기준으로 상기 제1 및 제2본딩부의 상면보다 높게 배치되는 발광소자 패키지.
PCT/KR2018/016165 2017-12-26 2018-12-18 발광소자 패키지 및 광원 장치 WO2019132386A1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/958,043 US11417804B2 (en) 2017-12-26 2018-12-18 Light emitting device package and light source device

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170179453A KR102471686B1 (ko) 2017-12-26 2017-12-26 발광소자 패키지 및 광원 장치
KR10-2017-0179453 2017-12-26
KR10-2017-0180819 2017-12-27
KR1020170180819A KR102471691B1 (ko) 2017-12-27 2017-12-27 발광소자 패키지 및 광원 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019132386A1 true WO2019132386A1 (ko) 2019-07-04

Family

ID=67067746

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2018/016165 WO2019132386A1 (ko) 2017-12-26 2018-12-18 발광소자 패키지 및 광원 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11417804B2 (ko)
WO (1) WO2019132386A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020118693A1 (de) 2020-07-15 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bauelement und verfahren zur herstellung eines bauelements

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110875408A (zh) * 2018-08-30 2020-03-10 深圳市聚飞光电股份有限公司 高强度led支架、led及发光装置
JP6916450B2 (ja) * 2019-04-01 2021-08-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP7389363B2 (ja) * 2021-05-26 2023-11-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20230207757A1 (en) * 2021-12-27 2023-06-29 Yongbing Zhang Led light source and packaging method thereof

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070058306A (ko) * 2006-10-11 2007-06-08 주식회사 쎄라텍 발광소자용 패키지
KR100765714B1 (ko) * 2005-12-15 2007-10-11 엘지전자 주식회사 리드프레임, 그를 이용한 발광 소자 패키지 및 그의 제조방법
KR101047778B1 (ko) * 2010-04-01 2011-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR101064036B1 (ko) * 2010-06-01 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
KR20170003198A (ko) * 2015-06-30 2017-01-09 서울반도체 주식회사 기판 및 상기 기판을 포함하는 발광 다이오드 패키지

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101415930B1 (ko) * 2012-09-17 2014-07-04 주식회사 루멘스 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
JP6471416B2 (ja) 2014-04-23 2019-02-20 株式会社カネカ 光半導体装置用樹脂成形体、光半導体パッケージ及び光半導体装置
KR102335216B1 (ko) * 2017-04-26 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100765714B1 (ko) * 2005-12-15 2007-10-11 엘지전자 주식회사 리드프레임, 그를 이용한 발광 소자 패키지 및 그의 제조방법
KR20070058306A (ko) * 2006-10-11 2007-06-08 주식회사 쎄라텍 발광소자용 패키지
KR101047778B1 (ko) * 2010-04-01 2011-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR101064036B1 (ko) * 2010-06-01 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
KR20170003198A (ko) * 2015-06-30 2017-01-09 서울반도체 주식회사 기판 및 상기 기판을 포함하는 발광 다이오드 패키지

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020118693A1 (de) 2020-07-15 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bauelement und verfahren zur herstellung eines bauelements

Also Published As

Publication number Publication date
US11417804B2 (en) 2022-08-16
US20210066552A1 (en) 2021-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2019132386A1 (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
JP6953021B2 (ja) 発光素子パッケージ及び光源装置
JP5687200B2 (ja) マルチチップ発光ダイオードモジュール
US9306139B2 (en) Light emitting device, method of fabricating the same and lighting system
JP7182782B2 (ja) 発光素子パッケージ及び光源装置
JP6964345B2 (ja) 発光素子パッケージ及び光源装置
US20200303596A1 (en) Light-emitting device package and lighting module
JP2012114311A (ja) Ｌｅｄモジュール
WO2019112345A1 (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
JP2020537329A (ja) 発光素子パッケージ及び光源装置
WO2019112250A1 (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
KR20190031092A (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
US11398589B2 (en) Light emitting device package and light source device
KR102471686B1 (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
US20220302363A1 (en) Light emitting device package and light source device
KR102535234B1 (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
KR102407337B1 (ko) 발광소자 패키지 및 조명 모듈
KR102455087B1 (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
KR20130080299A (ko) 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치
KR102501888B1 (ko) 반도체 소자 및 반도체 소자 패키지
KR20190065011A (ko) 발광소자 패키지
KR20190044449A (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
KR20190078968A (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
KR20210017280A (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR20200090393A (ko) 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 광원 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18894835

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18894835

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1