WO2019124442A1 - レーザーマーク周辺の隆起を解消するための研磨用組成物 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a polishing composition used for polishing the surface of a wafer, and in particular, for polishing to obtain a flat polishing surface without height difference of the wafer peripheral portion (for example, also referred to as laser mark portion) in the polishing process of the wafer. It relates to a composition.
  • a silicon wafer used for semiconductor products is mirror finished through a lapping process (rough polishing process) and a polishing process (precision polishing process).
  • the polishing process includes a preliminary polishing process (pre-polishing process) and a finish polishing process (finish polishing process).
  • a mark such as a bar code, a numeral, or a symbol may be attached to the silicon wafer by irradiating the surface of the silicon wafer with laser light for the purpose of identification and the like.
  • the application of the laser marks is generally performed after finishing the lapping process of the silicon substrate and before starting the polishing process.
  • irradiation of a laser beam for attaching a laser mark produces a bump on the silicon wafer surface around the laser mark.
  • the yield may be lowered more than necessary if the above-mentioned ridges are not properly eliminated in the polishing step after the laser mark application.
  • To eliminate the ridges of the laser marks is to reduce the height from the reference plane (horizontal surface) around the laser marks on the wafer to the highest point of the ridges.
  • An object of the present invention is to provide a polishing composition which provides a flat polishing surface for the purpose of eliminating the bumps on the periphery of a laser mark in a wafer polishing process, and a wafer polishing method using the same.
  • a polishing composition for eliminating the bumps on the periphery of a laser mark on a wafer having a laser mark, wherein the polishing composition comprises a water soluble compound, a chelating agent and metal oxidation.
  • Water soluble compound having a hydrophobic portion and a hydrophilic portion, the hydrophilic portion having a hydroxyl group at its terminal or side chain The above polishing composition having an alkyl group, an acyloxy group, a carboxylic acid group, a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, or a sulfonic acid group, and the water-soluble compound having a content of 5 to 700 ppm in the polishing composition object,
  • the polishing composition according to the first aspect wherein the metal oxide particles are silica particles, zirconia particles, or ceria particles having an average primary particle diameter of 5 to 100 nm
  • the hydrophobic portion of the water-soluble compound has a glucose structure, an alkylene group, an alkylene oxide group, or a repeating unit thereof
  • the water-soluble compound is represented by the following formula (1), formula (2), or formula (3): (Where
  • the polishing composition according to any one of the first to third aspects which is a compound having a unit structure of As a fifth aspect, the polishing composition according to any one of the first to fourth aspects, wherein the chelating agent is an aminocarboxylic acid chelating agent or a phosphonic acid chelating agent,
  • the aminocarboxylic acid chelating agent is ethylenediaminetetraacetic acid, nitrilotriacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid, hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid, triethylenetetraminehexaacetic acid, 1,3-propanediaminetetraacetic acid, 1,3-propanediamine tetraacetic acid Diamine 2-hydroxypropane tetraacetic acid, hydroxyethyl iminodiacetic acid, dihydroxyethyl glycine, glycol ether diamine tetraacetic acid, dicarboxymethyl glutamic acid, or ethylenediamine
  • a method of polishing a wafer comprising the step of polishing the ridge of the peripheral portion, and as the eleventh aspect, the step of polishing the ridge comprises a laser having a height of 50 nm to 500 nm with respect to the horizontal surface of the wafer surface on which the laser mark is provided.
  • the method for polishing a wafer according to the ninth aspect or tenth aspect which is a step of polishing the bumps on the periphery of the mark to a height of 30 nm to minus 10 nm with respect to the horizontal surface.
  • the polishing composition of the present invention aims to eliminate the bumps on the periphery of the laser marks applied to the periphery of the wafer in the wafer polishing process.
  • the roles of silica particles and components other than water in the composition are significant.
  • the raised portion at the periphery of the laser mark is more wettable than the other portions, so that the abrasive composition is in contact with the abrasive composition efficiently, so that the balance of hydrophilicity and hydrophobicity is appropriate as an additive in the abrasive composition.
  • Compounds are sought. Water soluble compounds include, for example, compounds, oligomers and polymers having hydrophobic and hydrophilic moieties.
  • a substance having a hydrophobic core in the center of the polymer and having a hydrophilic periphery can efficiently contact the polishing component (eg, silica particles, zirconia particles, ceria particles, etc.) with the ridge of the laser mark peripheral portion.
  • the polishing component eg, silica particles, zirconia particles, ceria particles, etc.
  • the polishing component for example, silica particles, zirconia particles and ceria efficiently
  • water-soluble compounds such as polymers having such a hydrophilic portion and a hydrophobic portion
  • one of the hydrophilic portions is a hydroxyl group
  • the others are a hydroxyalkyl group, an acyloxy group, a carboxylic acid group, a carboxylic acid group, a sulfonic acid And sulfonate groups.
  • the combination of these functional groups is to modify the polymer, but the modification is to substitute part of the hydrogen atoms of the hydroxyl methyl group with the above-mentioned hydroxyethyl group or polyhydroxy alkyl group, or to substitute the hydrogen atoms of the hydroxyl group with acyl. It can be achieved by conversion to a group (resulting in the provision of an acyloxy group).
  • a combination of the above functional groups can be achieved by modifying a part of hydroxy groups such as cellulose, polyvinyl alcohol and polyglycerin to the above other hydrophilic groups.
  • carboxylic acid groups and sulfonic acid groups can be converted to carboxylic acid groups and sulfonic acid groups by neutralization with aqueous sodium hydroxide solution, aqueous potassium hydroxide solution, and aqueous ammonia solution.
  • the ratio of hydroxyl group to hydroxyalkyl group, acyloxy group, carboxylic acid group, carboxylic acid group, sulfonic acid group or sulfonic acid group increases the latter ratio as the molar ratio of the former to the latter To improve.
  • the polishing composition of the present invention can be used as a polishing component or an additive because the polishing component (for example, silica particles, zirconia particles, ceria particles, etc.) can efficiently contact the bumps of the peripheral portion of the laser mark. Even if the content of is lower than that of the conventional abrasive, good polishing performance can be exhibited. Further, since the polishing composition of the present invention contains the polishing component at a low concentration, the polishing resistance is relatively small, and the generation of flaws on the polishing surface can be suppressed.
  • the present invention is a polishing composition for eliminating the bumps on the periphery of a laser mark of a wafer having a laser mark, wherein the polishing composition comprises a water-soluble compound, a chelating agent and metal oxide particles. And a pH of 7 to 12, the water-soluble compound has a hydrophobic moiety and a hydrophilic moiety, and the hydrophilic moiety comprises a hydroxyl group at its terminal or side chain, a hydroxyethyl group, an acyloxy group
  • the polishing composition having a carboxylic acid group, a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, or a sulfonic acid group, wherein the water-soluble compound has a content of 5 to 700 ppm or 10 to 500 ppm in the polishing composition It is a thing.
  • the above-mentioned hydrophilic moiety has a hydroxyl group and a hydroxyalkyl group, an acyloxy group, a carboxylic acid group, a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, or a sulfonic acid group at its terminal or side chain; It means that a hydroxyalkyl group, an acyloxy group, a carboxylic acid group, a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, or a sulfonic acid group is present at the terminal or side chain part of the water-soluble compound to be a hydrophilic group. .
  • hydroxyalkyl group examples include hydroxyalkyl groups having 2 to 10 carbon atoms, such as hydroxyethyl and hydroxypropyl.
  • the polishing composition can contain water and be diluted to a desired concentration. Moreover, surfactant can be contained as needed.
  • the metal oxide particles may be added to the polishing composition as it is, or may be added in the form of a colloidal sol of an aqueous medium, more preferably a colloidal sol of water.
  • other components may be added to the colloidal sol of metal oxide fine particles to obtain a polishing composition.
  • coarse particles for example, 0.5 ⁇ m or more
  • the metal oxide particles are abrasive particles, and are silica particles having an average primary particle size of 5 to 100 nm in a colloidal sol, zirconia particles, or ceria particles, and metal oxide particles based on these metal oxide sols.
  • the polishing composition has a solid content of 0.1 to 15% by mass.
  • the solid content is the remaining component of the polishing composition from which the aqueous medium is removed.
  • the aqueous medium is a liquid containing water as a main component, and may contain a hydrophilic organic solvent.
  • the metal oxide particles can be contained in the range of 0.1 to 10% by mass, 0.1 to 5% by mass, or 0.1 to 1% by mass in the polishing composition. Especially as a metal oxide particle, a silica particle is preferable.
  • the metal oxide particles to be used commercially available products or those manufactured by known methods can be used, and although not particularly limited, for example, those having an average primary particle diameter of 5 to 100 nm can be used.
  • silica particles used silica particles with an aqueous dispersion of silica particles having an average primary particle diameter of 5 to 100 nm can be used.
  • These aqueous dispersions are silica sols, silica in the silica sol is silica particles in the polishing composition of the present invention, and the aqueous medium in the silica sol can replace water in the polishing composition.
  • the water in the polishing composition is attributable to the water in the silica sol, but other water to be added as dilution water can be added.
  • the silica particles used in the present invention are preferably colloidal silica particles having an average primary particle diameter of 5 to 100 nm as determined by a nitrogen adsorption method. If the average primary particle size is less than 5 nm, the polishing rate may be low, and the aggregation of the silica particles is likely to occur, resulting in a decrease in the stability of the polishing composition. If the average primary particle size is larger than 100 nm, scratches may easily occur on the wafer surface, and the flatness of the polished surface may be deteriorated. The same applies to other metal oxide particles such as zirconia particles and ceria particles.
  • the silica sol in which silica particles are dispersed in an aqueous medium contains coarse particles of 0.5 ⁇ m or more, it is preferable to remove the coarse particles.
  • metal oxide particle sols in which other metal oxide particles such as zirconia particles and ceria particles are dispersed Removal of coarse particles includes forced sedimentation and precision filtration.
  • filters used for microfiltration there are depth filters, pleated filters, membrane filters, hollow fiber filters, etc. Any of them can be used.
  • the material of the filter includes cotton, polypropylene, polystyrene, polysulfone, polyether sulfone, nylon, cellulose, glass and the like, any of which can be used.
  • the filtration accuracy of the filter is expressed by the absolute filtration accuracy (the size of the particle to be captured 99.9% or more), but in the case of metal oxide particles such as silica particles, the production efficiency (treatment time, clogging of the filter It is preferable to treat with a filter with an absolute filtration accuracy of 0.5 ⁇ m to 1.0 ⁇ m from the viewpoint of
  • the pH of the metal oxide aqueous sol such as silica sol, zirconia sol, ceria sol, etc. is adjusted with ammonia or the like, and a polymer, a chelating agent or the like can be added to the aqueous sol.
  • the pH adjustment of the metal oxide sol can be performed before, after, or both of the addition of the compound (polymer) and the chelating agent.
  • the pH of the polishing composition of the present invention can be set in the range of 7 to 12, 9 to 12, or 9.5 to 11, or 10 to 11.
  • an alkali component for setting to these pHs sodium hydroxide, potassium hydroxide, ammonia, primary ammonium hydroxide, secondary ammonium hydroxide, tertiary ammonium hydroxide, quaternary ammonium hydroxide,
  • An aqueous solution of an organic amine, an alkali metal carbonate or the like can be used.
  • ammonium salts based on ammonia examples include ammonium hydroxide, ammonium carbonate, ammonium hydrogen carbonate and the like. Among them, ammonium hydroxide is preferred.
  • quaternary ammonium salts may be mentioned as ammonium salts based on ammonia, such as tetramethyl ammonium hydroxide, ethyl trimethyl ammonium hydroxide, diethyl dimethyl ammonium hydroxide, triethyl methyl ammonium hydroxide, tetraethyl ammonium hydroxide, tetramethyl chloride. Ammonium, tetraethylammonium chloride and the like can be mentioned.
  • organic amines include methylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N-methylethanolamine, N-methyl-N, N-diethanolamine, N, N-dimethylamine Ethanolamine, N, N-diethylethanolamine, N, N-dibutylethanolamine, ethylenediamine, hexaethylenediamine, ethylethylenediaminepiperazine hexahydrate, anhydrous piperazine, N-methylpiperazine, hydroxyethylpiperazine, N-aminoethylpiperazine 1,3-propanediamine N, N-dimethylethylenediamine, diethyleneamine, monoisopropanolamine, diisopropanolamine Li iso Buropa alkanolamines and the like, among which even monoethanolamine, ethylenediamine, or piperazine is preferred.
  • alkali metal carbonate examples include lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium hydrogen carbonate, sodium hydrogen carbonate and potassium hydrogen carbonate.
  • sodium carbonate or potassium carbonate is preferred.
  • polishing composition 5 to 1000 ppm, or 10 to 500 ppm of an alkali component can be contained in the polishing composition by pH adjustment
  • the average primary particle size of the metal oxide particles can also be measured by observation with a transmission electron microscope.
  • the range of the average primary particle size can be in the range of 5 to 100 nm, or 5 to 80 nm.
  • the water-soluble compound used in the present invention has a hydrophobic moiety and a hydrophilic moiety, and the hydrophilic moiety is a hydroxyl group and a hydroxyethyl group, an acyloxy group, a carboxylic acid group, a carboxylic acid group, a sulfonic acid group or a sulfone
  • the acid group and the acid group constitute the hydrophilic end or side chain of the compound.
  • the hydrophobic portion of the water-soluble compound is not particularly limited, but preferably has a glucose structure, an alkylene group, an alkylene oxide group, or a repeating unit thereof.
  • the water-soluble compound having a repeating unit (unit structure) of the formula (1) is a polymer and is hydroxyethyl cellulose.
  • the hydrogen atom of the hydroxyl group of the hydroxymethyl group extending from the glucose skeleton can be rendered hydrophilic by substituting it with a hydroxyethyl group via an oxyethylene group.
  • the hydrogen atoms of the hydroxyl group of the hydroxymethyl group extending from the glucose skeleton can be substituted in part or in whole, but it is preferable to substitute 50 mol% or more of the total.
  • the above hydroxyethyl cellulose can be used in an average molecular weight of 100,000 to 1,500,000, or 500,000 to 1,300,000, or 600,000 to 1,200,000.
  • trade name SE-400 average molecular weight 600,000
  • trade name CF-X average molecular weight 1.2 million manufactured by Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd.
  • the water-soluble compound having a repeating unit (unit structure) of the formula (2) is glycerin or polyglycerin.
  • n3 is an integer of 1 to 30.
  • Glycerin or polyglycerin is one having a hydroxyl group and a hydroxyethyl or hydroxypropyl group in the structure. For example, those having a hydroxyl group and a hydroxypropyl group in the structure can be exemplified.
  • the hydrogen atom of the hydroxyl group at the terminal or side chain of the polyoxyalkylene skeleton can be rendered hydrophilic by substitution with a hydroxyethyl group or a hydroxypropyl group via an oxyalkylene group, and a part or all of them can be substituted Although it is possible, it is preferable to replace 50 mol% or more of the whole.
  • the polyglycerin include (manufactured by Sakamoto Yakuhin Kogyo Co., Ltd., trade name: polyglycerin # 750, average molecular weight 750). They exhibit good laser mark removability at a content of 10 to 500 ppm, or 10 to 100 ppm in the polishing composition.
  • a water-soluble compound having a unit structure of Formula (3) that is, a water-soluble compound having a repeating unit (unit structure) of Formula (3-1) and Formula (3-2) is a polymer and is a modified polyvinyl alcohol .
  • R 1 represents an acetoxy group, a carboxylic acid group (carboxyl group), a carboxylic acid group, a sulfonic acid group or a sulfonic acid group.
  • the carboxylic acid and the sulfonic acid can be introduced with counter ions such as Na + , K + , NH 4 + and the like by neutralizing them with an aqueous solution of sodium hydroxide, potassium hydroxide, ammonia and the like.
  • the acetoxy group can be introduced into the alkylene skeleton by reacting polyvinyl acetate with acetic acid and replacing the hydrogen atom of the hydroxyl group with an acetyl group.
  • the carboxylic acid group and the sulfonic acid group can be introduced by copolymerizing acrylic acid, methacrylic acid, vinyl sulfonic acid and vinyl alcohol.
  • Acrylic acid, methacrylic acid, vinyl sulfonic acid and vinyl alcohol can be block copolymerized or random copolymerized.
  • the sum n4 + n5 of the number n4 of the unit structures of the formula (3-1) and the number n5 of the unit structures of the formula (3-2) represents an integer of 100 to 10,000. it can.
  • the hydroxyl group of the side chain of the polyalkylene skeleton can be rendered hydrophilic by conversion with an acetoxy group of R 1 , a carboxylic acid group (carboxyl group), a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, or a sulfonic acid group. Although it is possible to convert all or part, it is preferable to convert 50 mol% or more of the whole.
  • water-soluble compounds are acetoxy group-introduced polyvinyl alcohol (Nippon Acetate Bipobar Co., Ltd., trade name JP-03, average molecular weight 15,000), sulfonic acid group-introduced polyvinyl alcohol (Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd. , Trade name L-3266, average molecular weight 20,000), carboxylic acid base-introduced polyvinyl alcohol (Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd. trade name T-330, average molecular weight 140,000).
  • sulfonic acid group-introduced polyvinyl alcohol and carboxylic acid group-introduced polyvinyl alcohol are preferred. They exhibit good laser mark removability at a content of 10 to 500 ppm, or 10 to 100 ppm in the polishing composition.
  • a chelating agent can be added.
  • chelating agents aminocarboxylic acid type chelating agents and phosphonic acid type chelating agents can be mentioned.
  • aminocarboxylic acid chelating agent ethylenediaminetetraacetic acid, nitrilotriacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid, hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid, triethylenetetraminehexaacetic acid, 1,3-propanediaminetetraacetic acid, 1,3-diamine-2-hydroxypropane Examples include tetraacetic acid, hydroxyethyl iminodiacetic acid, dihydroxyethyl glycine, glycol ether diamine tetraacetic acid, dicarboxymethyl glutamic acid, and ethylenediamine-N, N'-disuccinic acid.
  • phosphonic acid chelating agents examples include hydroxyethylidene diphosphonic acid, nitrilotris (methylene phosphonic acid), phosphonobutane tricarboxylic acid, and ethylene diamine tetra (methylene phosphonic acid).
  • the chelating agent can be contained in a proportion of 0.005 to 1.0% by mass with respect to the total mass of the polishing composition of the present invention.
  • the wafer to which the composition for polishing a wafer of the present invention can be applied is a silicon wafer, a SiC wafer, a GaN wafer, a GaAs wafer, a GaP wafer, a glass wafer, an aluminum wafer, a sapphire wafer and the like.
  • the polishing apparatus for polishing a wafer includes a single-side polishing method and a double-side polishing method, and the polishing composition for a wafer of the present invention can be used in any of the devices.
  • the polishing composition of the present invention By performing polishing using the polishing composition of the present invention, it is possible to produce a wafer giving a flat polishing surface having a small difference in height between the central portion and the peripheral portion (laser mark portion) of the wafer in the wafer polishing step. .
  • the polishing composition of the present invention can be used to polish the ridges on the periphery of the laser mark of a wafer having a laser mark.
  • the step of polishing the ridge on the periphery of the laser mark of the wafer having the laser mark may be performed using the polishing composition of the present invention. it can.
  • the ridge of the laser mark peripheral portion with a height of 50 to 500 nm or 50 to 200 nm with respect to the horizontal surface of the wafer surface on which the laser mark is applied, and a height of 30 nm to ⁇ 10 nm, preferably 25 to 0 nm with respect to the horizontal surface. More preferably, polishing can be performed to 0 nm.
  • the reason why the peripheral portion of the laser mark after polishing becomes about -10 nm is that the peripheral portion of the laser mark may be lowered to about -10 nm toward the depression of the laser mark portion due to the polishing. They are those in which the edge of the depression is polished and show a negative value, and it is preferable that it is ideally 0 nm.
  • a commercially available silicon wafer was polished by the following method. 1) Preparation of a composition containing a chelating agent and metal oxide particles 0.33% by mass of colloidal silica (silica particles based on silica sol) having an average primary particle diameter of 40 nm determined from a nitrogen adsorption method, and a basic compound (alkali component And 25 ppm of ammonium hydroxide, 110 ppm of sodium ethylenediaminetetraacetate (reagent) as a chelating agent, and various additives as shown in Table 1 below, and the balance is water, and the chelating agent and metal oxide particles
  • the composition (A) was produced. Each component was added in the same manner as the composition (A) to prepare each composition.
  • composition (A) the content (% by mass) of colloidal silica (silica particles based on silica sol) having an average primary particle diameter of 40 nm, the type and content (ppm) of basic substances, the type and content of chelating agents Compositions (B) to (J) were similarly prepared by changing the amount (ppm) to the ratio shown in Table 1 below.
  • sodium ethylenediaminetetraacetate is represented by EDTA
  • ammonium hydroxide is represented by NH 4 OH
  • potassium hydroxide is represented by KOH
  • ethyltrimethylammonium hydroxide is represented by ETMAH.
  • Example 1 In the composition (A) prepared in the preparation of the above composition, hydroxyethyl cellulose (average molecular weight 600,000, Daicel Finechem Co., Ltd., trade name SE-400) as a water-soluble compound is added in the polishing composition
  • the polishing composition of Example 1 was manufactured to 100 ppm.
  • the silicon wafer was polished for 5 minutes using the polishing composition. Subsequently, the silicon wafer was washed and the laser mark height was measured. Although the height of the peripheral portion of the laser mark before polishing was 151 nm, the height of the laser mark after polishing was 0 nm, and good results were obtained.
  • the polishing rate was 0.06 ⁇ m / min.
  • Examples 2 to 20, Comparative Examples 1 to 5 As shown in Table 2 below, a water-soluble compound was added to each composition in the same manner as in Example 1 to prepare polishing compositions of Examples 2 to 20 and Comparative Examples 1 to 5. The type of the composition used in each example and the type and concentration (ppm) of the water-soluble compound in the polishing composition are shown in Table 2 below. The pHs of the polishing compositions of Examples 1 to 20 and Comparative Examples 1 to 5 were the same as the pHs of the compositions (A) to (J) used.
  • hydroxyethyl cellulose (average molecular weight 600,000, manufactured by Daicel Finechem Co., Ltd., trade name SE-400) is a water soluble compound (a), Hydroxyethylcellulose (average molecular weight: 1.2 million, manufactured by Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd., trade name CF-X) as a water-soluble compound (b), Water-soluble compound (c), glycerin (manufactured by Sakamoto Yakuhin Kogyo Co., Ltd., trade name: purified glycerin); Water-soluble compound (d) polyglycerin (average molecular weight 750, manufactured by Sakamoto Yakuhin Kogyo Co., Ltd., trade name polyglycerin # 750), A sulfonic acid group-modified polyvinyl alcohol (average molecular weight: 20,000, manufactured by Japan Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., trade name L-3266) as a water-soluble compound (e
  • Water-soluble compound modified polyglycerin manufactured by Sakamoto Yakuhin Kogyo Co., Ltd., polyoxypropylene polyglyceryl ether, trade name SC-E1600, hydrogen atom of hydroxyl group of polyglycerin was converted to 1-methylhydroxyethyl group).
  • Polyvinyl alcohol average molecular weight 3500, reagent was used as the water soluble compound (j).
  • the value of the polishing rate is a value obtained by determining the polishing rate of the silicon wafer, but the magnitude of the polishing rate on the silicon wafer is not necessarily related to the elimination (polishing) of the ridge around the laser mark. It is considered that the raised portion at the periphery of the laser mark can be efficiently contacted with the polishing component by the contact with the hydrophilic portion of the water-soluble compound, and the raised portion is polished. This shows from the known polishing compositions for silicon wafers that one can not expect a polishing composition which eliminates the bumps on the periphery of the laser mark.
  • polishing composition of the present invention it is possible to eliminate the bumps on the periphery of the laser mark in the wafer polishing process and to provide a flat polishing surface.

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Abstract

【課題】　ウェハーの研磨工程でレーザーマーク周辺部の隆起の解消を行う研磨用組成物、及びそれを用いた研磨方法を提供する。 【解決手段】　レーザーマークが付されたウェハーのレーザーマーク周辺部の隆起を解消するための研磨用組成物であって、該研磨用組成物は水溶性化合物とキレート剤と金属酸化物粒子とを含み、且つ７～１２のｐＨを有し、該水溶性化合物は疎水性部分と親水性部分とを有し、該親水性部分は、その末端もしくは側鎖にヒドロキシル基と、ヒドロキシエチル基、アシルオキシ基、カルボン酸基、カルボン酸塩基、スルホン酸基、又はスルホン酸塩基とを有し、該水溶性化合物は研磨用組成物中で５～７００ｐｐｍの含有量となる上記研磨用組成物。 金属酸化物粒子が、コロイドゾル中の５～１００ｎｍの平均一次粒子径を有するシリカ粒子、ジルコニア粒子、又はセリア粒子である。レーザーマーク周辺部の隆起を研磨するウェハーの研磨方法。

Description

レーザーマーク周辺の隆起を解消するための研磨用組成物
　本発明はウェハー表面の研磨に用いられる研磨用組成物に係り、特にウェハーの研磨工程でウェハー周辺部（例えばレーザーマーク部分とも呼ぶ）の高低差がなく、フラットな研磨面にするための研磨用組成物に関する。
　半導体製品に用いられるシリコンウェハーはラッピング工程（粗研磨工程）とポリッシング工程（精密研磨工程）とを経て鏡面に仕上げられる。ポリッシング工程は予備ポリッシング工程（予備研磨工程）と仕上げポリッシング工程（仕上げ研磨工程）を含むものである。
　シリコンウェハーには、識別等の目的で、該シリコンウェハーの表面にレーザー光を照射することによって、バーコード、数字、記号等のマーク（レーザーマーク）が付されることがある。レーザーマークの付与は、一般に、シリコン基板のラッピング工程を終えた後、ポリシング工程を開始する前に行われる。通常、レーザーマークを付すためのレーザー光の照射によって、レーザーマーク周縁のシリコンウェハー表面には隆起（盛り上がり）が生じる。シリコンウェハーのうちレーザーマークの部分自体は最終製品には用いられないが、レーザーマーク付与後のポリシング工程において上記隆起が適切に解消されないと、必要以上に歩留りが低下することがあり得る。そのため、予備研磨工程においてレーザーマーク周縁の隆起を適切に解消することが望ましい。
　レーザーマークの隆起を解消することとは、ウェハーのレーザーマーク周辺の基準平面（水平面）から隆起の最高点までの高さを小さくすることである。
国際公開２０１５／０１９７０６パンフレット 国際公開２０１７／１１０３１５パンフレット 特開２０１７－１８３３５９
　本発明はウェハーの研磨工程でレーザーマーク周辺部の隆起の解消を目的としてフラットな研磨面を与える研磨用組成物と、それを用いたウェハーの研磨方法を提供することを目的とする。
　本願発明は第１観点として、レーザーマークが付されたウェハーのレーザーマーク周辺部の隆起を解消するための研磨用組成物であって、該研磨用組成物は水溶性化合物とキレート剤と金属酸化物粒子とを含み、且つ７～１２のｐＨを有し、該水溶性化合物は疎水性部分と親水性部分とを有し、該親水性部分は、その末端もしくは側鎖にヒドロキシル基と、ヒドロキシアルキル基、アシルオキシ基、カルボン酸基、カルボン酸塩基、スルホン酸基、又はスルホン酸塩基とを有し、該水溶性化合物は研磨用組成物中で５～７００ｐｐｍの含有量となる上記研磨用組成物、
　第２観点として、前記金属酸化物粒子が、５～１００ｎｍの平均一次粒子径を有するシリカ粒子、ジルコニア粒子、又はセリア粒子である第１観点に記載の研磨用組成物、
　第３観点として、前記水溶性化合物の疎水性部分は、グルコース構造、アルキレン基、アルキレンオキシド基、又はその繰り返し単位を有するものである第１観点に記載の研磨用組成物、
　第４観点として、前記水溶性化合物が、下記式（１）、式（２）、又は式（３）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 （式中、ｎ１は１～５の整数、ｎ２は１００～１００００の整数、ｎ３は１～３０の整数、Ｒ１は－ＯＣＯＣＨ３基、－ＣＯＯＨ基、－ＣＯＯＭ基、－ＳＯ３Ｈ基、又は－ＳＯ３Ｍ基を示し、ＭはＮａ、Ｋ、又はＮＨ４を示し、式（３－１）の単位構造の数ｎ４と、式（３－２）の単位構造の数ｎ５との合計ｎ４＋ｎ５は１００～１００００の整数を示す。）の単位構造を有する化合物である第１観点乃至第３観点の何れか一つに記載の研磨用組成物、
　第５観点として、前記キレート剤が、アミノカルボン酸系キレート剤又はホスホン酸系キレート剤である第１観点乃至第４観点の何れか一つに記載の研磨用組成物、
　第６観点として、前記アミノカルボン酸系キレート剤が、エチレンジアミンテトラ酢酸、ニトリロトリ酢酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミントリ酢酸、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸、１，３－プロパンジアミンテトラ酢酸、１，３－ジアミン－２－ヒドロキシプロパンテトラ酢酸、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、ジヒドロキシエチルグリシン、グリコールエーテルジアミンテトラ酢酸、ジカルボキシメチルグルタミン酸、又はエチレンジアミン－Ｎ，Ｎ’－ジコハク酸である第１観点乃至第５観点の何れか一つに記載の研磨用組成物、
　第７観点として、前記ホスホン酸系キレート剤が、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、ホスホノブタントリカルボン酸、又はエチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）である第１観点乃至第５観点の何れか一つに記載の研磨用組成物、
　第８観点として、更にアルカリ成分として、水酸化アンモニウム、水酸化第１級アンモニウム、水酸化第２級アンモニウム、水酸化第３級アンモニウム、水酸化第４級アンモニウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、又は水酸化カリウムを含む、第１観点乃至第７観点の何れか一つに記載の研磨用組成物、
　第９観点として、第１観点乃至第８観点の何れか一つに記載の研磨用組成物を用いてレーザーマークが付されたウェハーのレーザーマーク周辺部の隆起を研磨する工程を含むウェハーの研磨方法、
　第１０観点として、レーザーマークが付されたウェハーを予備研磨する工程、第１観点乃至第８観点の何れか一つに記載の研磨用組成物を用いてレーザーマークが付されたウェハーのレーザーマーク周辺部の隆起を研磨する工程を含むウェハーの研磨方法、及び
　第１１観点として、前記隆起を研磨する工程が、前記レーザーマークが賦されたウェハー表面の水平面に対して高さ５０ｎｍから５００ｎｍのレーザーマーク周辺部の隆起を、該水平面に対して高さ３０ｎｍからマイナス１０ｎｍになるまで研磨する工程である、第９観点又は第１０観点に記載のウェハーの研磨方法である。
　本発明の研磨用組成物はウェハーの研磨工程でウェハー周辺部に付与されるレーザーマークの周辺部の隆起を解消することを目的とする。
　研磨用組成物の研磨性能は、組成物中のシリカ粒子と水以外の成分の役割が大きい。
　レーザーマーク周辺部の隆起部分は他の部分よりヌレ性が高いため、研磨成分が効率よく接触するために、研磨剤組成物には添加剤として親水性と疎水性のバランスが適切である水溶性化合物が求められる。水溶性化合物として、たとえば疎水性部分及び親水性部分を有する化合物、オリゴマー及びポリマーが挙げられる。
　たとえばポリマーの中心部が疎水性であり、周囲が親水性の物質は効率的に研磨成分（例えば、シリカ粒子、ジルコニア粒子及びセリア粒子等）とレーザーマーク周辺部の隆起とを接触させることが可能であることを見出した。
　たとえば、ポリマーの疎水性主鎖と、親水性の末端及び／又は側鎖を含む構造の物質を研磨用組成物中に介在する事で効率的に研磨成分（例えば、シリカ粒子、ジルコニア粒子及びセリア粒子等）と、レーザーマークの周辺部の隆起とを接触させる事が可能である。
　このような親水性部分と疎水性部分を有するポリマー等の水溶性化合物において、親水性部分は一つがヒドロキシル基であり、その他はヒドロキシアルキル基、アシルオキシ基、カルボン酸基、カルボン酸塩基、スルホン酸基、及びスルホン酸塩基である。ポリマー等の水溶性化合物には、親水性部分にヒドロキシル基とその他の親水性基とを持つことが必須である。この官能基の組み合わせにより、本発明の研磨用組成物は良好なレーザーマーク解消性を達成することができる。この官能基の組み合わせはポリマーを変性させることであるが、変性はヒドロキシルメチル基の水素原子の一部を上記ヒドロキシエチル基や、ポリヒドロキシアルキル基に置換することや、ヒドロキシル基の水素原子をアシル基（結果としてアシルオキシ基の付与）に変換することで達成できる。
　例えば、セルロース、ポリビニルアルコール、ポリグリセリン等のヒドロキシ基の一部を上記その他の親水性基に変性することにより、上記官能基の組み合せを達成することができる。
　また、ビニルアルコールと、その他のカルボン酸基、スルホン酸基を有するビニル基含有モノマーを共重合する事でも達成することができる。これらのカルボン酸基、スルホン酸基は水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、アンモニア水溶液で中和することでカルボン酸塩基、スルホン酸塩基にすることができる。
　親水性部分において、ヒドロキシル基と、ヒドロキシアルキル基、アシルオキシ基、カルボン酸基、カルボン酸塩基、スルホン酸基、又はスルホン酸塩基との割合は、前者と後者のモル比として後者の割合を高くすることで、より向上する。
　また、研磨成分（例えば、シリカ粒子、ジルコニア粒子及びセリア粒子等）と、レーザーマークの周辺部の隆起が効率的に接触可能であるため、本発明の研磨用組成物は、研磨成分や添加剤の含有量が従来の研磨剤よりも低濃度でも良好な研磨性能を発揮することができる。また本発明の研磨用組成物は、研磨成分を低濃度で含有するため研磨抵抗が比較的小さく、研磨面のキズの発生を抑制することができる。
　本発明はレーザーマークが付されたウェハーのレーザーマーク周辺部の隆起を解消するための研磨用組成物であって、該研磨用組成物は水溶性化合物とキレート剤と金属酸化物粒子とを含み、且つ７～１２のｐＨを有し、該水溶性化合物は疎水性部分と親水性部分とを有し、該親水性部分は、その末端もしくは側鎖にヒドロキシル基と、ヒドロキシエチル基、アシルオキシ基、カルボン酸基、カルボン酸塩基、スルホン酸基、又はスルホン酸塩基とを有し、該水溶性化合物は研磨用組成物中で５～７００ｐｐｍ、又は１０～５００ｐｐｍの含有量となる上記研磨用組成物である。
　上記親水性部分は、その末端もしくは側鎖にはヒドロキシル基と、ヒドロキシアルキル基、アシルオキシ基、カルボン酸基、カルボン酸塩基、スルホン酸基、又はスルホン酸塩基とを有するとは、ヒドロキシル基と、ヒドロキシアルキル基、アシルオキシ基、カルボン酸基、カルボン酸塩基、スルホン酸基、又はスルホン酸塩基とが該水溶性化合物の末端もしくは側鎖の部分に存在していて親水性基になる事を意味する。また、式（３）の単位構造を有する化合物においては化合物の側鎖にヒドロキシル基と、その他の親水性基を有することが好ましく、この場合に該化合物の末端は重合停止基になる。
　ヒドロキシアルキル基としては例えば炭素原子数２～１０のヒドロキシアルキル基が挙げられ、例えばヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基が挙げられる。
　上記研磨用組成物は水を含み所望の濃度に希釈することができる。また必要に応じて界面活性剤を含有することができる。
　金属酸化物粒子は、研磨用組成物にそのまま添加してもよく、また水性媒体のコロイドゾル、より好ましくは水のコロイドゾルの形態で添加しても良い。また、金属酸化物微粒子のコロイドゾルに他の成分を添加して研磨用組成物を得ることもできる。コロイドゾル中に粗大粒子（例えば、０．５μｍ以上）が含まれている場合には、公知の方法で除去してから、研磨用組成物に用いることが好ましい。
　金属酸化物粒子は研磨粒子であって、コロイドゾル中の５～１００ｎｍの平均一次粒子径を有するシリカ粒子、ジルコニア粒子、又はセリア粒子であり、これら金属酸化物ゾルに基づく金属酸化物粒子である。
　上記研磨用組成物は固形分０．１～１５質量％である。固形分は研磨用組成物から水性媒体を除いた残りの成分である。水性媒体とは、水を主成分とする液体であり、親水性有機溶剤を含有していてもよい。
　金属酸化物粒子は研磨用組成物中で０．１～１０質量％、又は０．１～５質量％、又は０．１～１質量％の範囲で含有することができる。金属酸化物粒子としては特にシリカ粒子が好ましい。
　用いられる金属酸化物粒子としては、市販の製品或いは公知の方法で製造したものを使用でき、特に限定されないが、例えば５～１００ｎｍの平均一次粒子径を有するものを使用できる。例えば、用いられるシリカ粒子は、５～１００ｎｍの平均一次粒子径を有するシリカ粒子の水性分散体によるシリカ粒子を用いることができる。これらの水性分散体はシリカゾルであり、シリカゾル中のシリカが本発明の研磨組成物中のシリカ粒子であり、シリカゾル中の水性媒体は研磨用組成物中の水に置き換わることができる。研磨用組成物中の水は、上記シリカゾル中の水に起因するが、それ以外に希釈水として加える水を加算することができる。
　本発明に用いられるシリ力粒子は、窒素吸着法から求められる平均一次粒子径が５～１００ｎｍのコロイダルシリ力であることが好ましい。平均一次粒子径が５ｎｍより小さいと研磨速度が低くなる可能性があり、またシリ力粒子の凝集が起こりやすいために研磨液組成物の安定性が低くなる。平均一次粒子径が１００ｎｍより大きいとウェハー表面にスクラッチが発生しやすく、また研磨面の平坦性は悪くなる可能性がある。
　ジルコニア粒子及びセリア粒子等のその他の金属酸化物粒子も同様である。
　シリ力粒子が水性媒体に分散されたシリ力ゾルに０．５μｍ以上の粗大粒子が含まれている場合には、その粗大粒子を除去することが好ましい。ジルコニア粒子及びセリア粒子等のその他の金属酸化物粒子が分散された金属酸化物粒子ゾルも同様である。粗大粒子の除去には、強制沈降法や精密ろ過法が挙げられる。精密ろ過に使用するフィルターには、デプスフィルター、プリーツフィルター、メンブレンフィルター、中空糸フィルタ一等があり、いずれも使用することができる。また、フィルターの材質にはコットン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ナイロン、セルロース、ガラス等があるが、いずれも使用することができる。フィルターのろ過精度は絶対ろ過精度（９９．９％以上補足される粒子の大きさ）で表されるが、前記シリカ粒子等の金属酸化物粒子においては、生産効率（処理時間、フィルターの目詰まりの程度等）の観点から、絶対ろ過精度０．５μｍ～１．０μｍのフィルターで処理することが好ましい。
　シリカゾル、ジルコニアゾル、セリアゾル等の金属酸化物水性ゾルをアンモニア等でｐＨ調整し、それらの水性ゾル中にポリマー、キレート剤等を添加することができる。金属酸化物ゾルのｐＨ調整は化合物（ポリマー）やキレート剤の添加の前、後、又は両方で行うことができる。
　本発明の研磨用組成物のｐＨは７～１２、９～１２、又は９．５～１１、又は１０～１１の範囲に設定することができる。
　これらのｐＨに設定するためのアルカリ成分として、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、水酸化第１級アンモニウム、水酸化第２級アンモニウム、水酸化第３級アンモニウム、水酸化第４級アンモニウム、有機アミン、アルカリ金属炭酸塩等の水溶液を用いることができる。特にアンモニア水溶液、水酸化カリウム水溶液を用いることが好ましい。
　アンモニアに基づくアンモニウム塩は例えば、水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム等が挙げられる。その中でも水酸化アンモニウムが好ましい。
　また、アンモニアに基づくアンモニウム塩として第４級アンモニウム塩が挙げられ、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化エチルトリメチルアンモニウム、水酸化ジエチルジメチルアンモニウム、水酸化トリエチルメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、塩化テトラエチルアンモニウム等が挙げられる。
　有機アミンとしては、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ－メチルエタノールアミン、Ｎ－メチル－Ｎ，Ｎ－ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジブチルエタノールアミン、エチレンジアミン、ヘキサエチレンジアミン、エチルエチレンジアミンピペラジン・六水和物、無水ピペラジン、Ｎ－メチルピペラジン、ヒドロキシエチルピペラジン、Ｎ－アミノエチルピペラジン、１，３－プロパンジアミンＮ，Ｎ－ジメチルエチレンジアミン、ジエチレン卜リアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソブロパノールアミン等が挙げられ、その中でもモノエタノールアミン、エチレンジアミン、又はピペラジンが好ましい。
　アルカリ金属炭酸塩としては、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等が挙げられる。特に炭酸ナトリウム、又は炭酸カリウムが好ましい。
　ｐＨ調整によって研磨用組成物中に５～１０００ｐｐｍ、又は１０～５００ｐｐｍのアルカリ成分を含有することができる
　金属酸化物粒子の平均一次粒子径は透過型電子顕微鏡の観察によっても測定することができる。平均一次粒子径の範囲は５～１００ｎｍ、又は５～８０ｎｍの範囲とすることができる。
　本発明に用いられる水溶性化合物は疎水性部分と親水性部分とを有し、親水性部分はヒドロキシル基と、ヒドロキシエチル基、アシルオキシ基、カルボン酸基、カルボン酸塩基、スルホン酸基、又はスルホン酸塩基とが該化合物の親水性末端もしくは側鎖を構成している。
　水溶性化合物の疎水性部分は特に限定されるものではないが、好ましくはグルコース構造、アルキレン基、アルキレンオキシド基、又はその繰り返し単位を有するものである。
　式（１）の繰り返し単位（単位構造）を有する水溶性化合物はポリマーであって、ヒドロキシエチルセルロースである。式（１）においてｎ１は１～５の整数、典型的にはｎ１＝２の整数であり、ｎ２は１００～１００００の整数である。グルコース骨格から延びるヒドロキシメチル基のヒドロキシル基の水素原子はオキシエチレン基を介したヒドロキシエチル基で置換することにより親水性を付与することができる。グルコース骨格から延びるヒドロキシメチル基のヒドロキシル基の水素原子は、その一部又は全部を置換数することが可能であるが、全体の５０モル％以上を置換することが好ましい。
　上記ヒドロキシエチルセルロースは平均分子量１０万～１５０万、又は５０万～１３０万、又は６０万～１２０万の範囲で使用することができる。例えばダイセルファインケム（株）社製の商品名ＳＥ－４００（平均分子量６０万）、住友精化(株)社製の商品名ＣＦ－Ｘ（平均分子量１２０万）を用いることができる。これらは研磨用組成物中で１０～５００ｐｐｍ、又は１０～１００ｐｐｍの含有量で良好なレーザーマーク解消性を示す。
　式（２）の繰り返し単位（単位構造）を有する水溶性化合物はグリセリン又はポリグリセリンである。式（２）においてｎ３は１～３０の整数である。
　グリセリン又はポリグリセリンはヒドロキシル基と、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基とを構造に含むものである。例えば、ヒドロキシル基と、ヒドロキシプロピル基とを構造に含むものを例示することができる。
　ポリオキシアルキレン骨格の末端もしくは側鎖のヒドロキシル基の水素原子は、オキシアルキレン基を介したヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基による置換により親水性を付与することができ、その一部又は全部を置換することが可能であるが、全体の５０モル％以上を置換する事が好ましい。
　上記ポリグリセリンは（阪本薬品工業（株）社製、商品名ポリグリセリン♯７５０、平均分子量７５０）が挙げられる。
　これらは研磨用組成物中で１０～５００ｐｐｍ、又は１０～１００ｐｐｍの含有量で良好なレーザーマーク解消性を示す。
　式（３）の単位構造を有する水溶性化合物、即ち式（３－１）及び式（３－２）の繰り返し単位（単位構造）を有する水溶性化合物はポリマーであって、変性ポリビニルアルコールである。式（３－２）において、Ｒ１はアセトキシ基、カルボン酸基（カルボキシル基）、カルボン酸塩基、スルホン酸基、スルホン酸塩基である。カルボン酸、及びスルホン酸は水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア等の水溶液で中和する事によりＮａ＋、Ｋ＋、ＮＨ４ ＋等の対イオンを導入する事ができる。アセトキシ基の導入はポリビニルアルコールに酢酸を反応させ、ヒドロキシル基の水素原子をアセチル基で置き換える事でアルキレン骨格にアセトキシ基を導入する事ができる。カルボン酸基やスルホン酸基は、アクリル酸、メタクリル酸、ビニルスルホン酸と、ビニルアルコールとを共重合させることで導入する事ができる。アクリル酸、メタクリル酸、ビニルスルホン酸と、ビニルアルコールとはブロック共重合でも、ランダム共重合でも可能である。また、アクリル酸、メタクリル酸、ビニルスルホン酸と、酢酸ビニルとを共重合させ、その後アセチル基の一部又は全部を加水分解させることで、カルボン酸基やスルホン酸基を導入した式（３）の単位構造を有する水溶性化合物を得る事ができる。ヒドロキシル基を有するアルキレン単位（式（３－１））と、Ｒ１のアセトキシ基、カルボン酸基（カルボキシル基）、カルボン酸塩基、スルホン酸基、又はスルホン酸塩基を有するアルキレン単位（式（３－２））とは、それらがブロック体でも、ランダム体でも存在するが、一般的にランダム共重合体を好ましく用いることができる。式（３）の変性ポリビニルアルコール中で式（３－１）の単位構造の数ｎ４と、式（３－２）の単位構造の数ｎ５との合計ｎ４＋ｎ５は１００～１００００の整数を示す事ができる。
　ポリアルキレン骨格の側鎖のヒドロキシル基は、Ｒ１のアセトキシ基、カルボン酸基（カルボキシル基）、カルボン酸塩基、スルホン酸基、スルホン酸塩基による変換により親水性を付与することができ、その一部又は全部を変換することが可能であるが、全体の５０モル％以上を変換する事が好ましい。
　これらの水溶性化合物（ポリマー）はアセトキシ基導入ポリビニルアルコール（日本酢ビポバール（株）製、商品名ＪＰ－０３、平均分子量１万５千）、スルホン酸塩基導入ポリビニルアルコール（日本合成化学工業（株）、商品名Ｌ－３２６６、平均分子量２万）、カルボン酸塩基導入ポリビニルアルコール（日本合成化学工業（株）、商品名Ｔ－３３０、平均分子量１４万）が挙げられる。特にスルホン酸塩基導入ポリビニルアルコールとカルボン酸塩基導入ポリビニルアルコールが好ましい。
　これらは研磨用組成物中で１０～５００ｐｐｍ、又は１０～１００ｐｐｍの含有量で良好なレーザーマーク解消性を示す。
　本発明ではキレート剤を添加する事ができる。キレート剤として、アミノカルボン酸系キレート剤及びホスホン酸系キレート剤を挙げる事ができる。
　アミノカルボン酸系キレート剤として、エチレンジアミンテトラ酢酸、ニトリロトリ酢酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミントリ酢酸、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸、１，３－プロパンジアミンテトラ酢酸、１，３－ジアミン－２－ヒドロキシプロパンテトラ酢酸、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、ジヒドロキシエチルグリシン、グリコールエーテルジアミンテトラ酢酸、ジカルボキシメチルグルタミン酸、及びエチレンジアミン－Ｎ，Ｎ’－ジコハク酸が挙げられる。
　ホスホン酸系キレート剤として、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、ホスホノブタントリカルボン酸、及びエチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）が挙げられる。
　キレート剤は、本発明の研磨用組成物の全質量に対して０．００５～１．０質量％の割合で含有する事ができる。
　本発明のウェハーの研磨用組成物を適用できるウェハーとは、シリコンウェハー、ＳｉＣウェハー、ＧａＮウェハー、ＧａＡｓウェハー、ＧａＰウェハー、ガラスウェハー、アルミウェハー、サファイアウェハー等である。
　ウェハーを研磨するときの研磨装置には、片面研磨方式と両面研磨方式があり、本発明のウェハー用研磨液組成物は、いずれの装置にも用いることができる。
　本発明の研磨用組成物を用いて研磨を行うことにより、ウェハーの研磨工程でウェハーの中心部と周辺部（レーザーマーク部分）の高低差が小さいフラット研磨面を与えるウェハーを製造することができる。
　本発明の研磨用組成物を用いてレーザーマークが付されたウェハーのレーザーマーク周辺部の隆起を研磨する事ができる。
　本発明ではレーザーマークが付されたウェハーを予備研磨する工程を経て、本願発明の研磨用組成物を用いてレーザーマークが付されたウェハーのレーザーマーク周辺部の隆起を研磨する工程を行う事ができる。
　レーザーマークが付されたウェハー表面の水平面に対して高さ５０から５００ｎｍ、又は５０から２００ｎｍのレーザーマーク周辺部の隆起を、該水平面に対して高さ３０ｎｍからマイナス１０ｎｍ、好ましくは２５ｎｍから０ｎｍ、より好ましくは０ｎｍになるまで研磨する事ができる。研磨後のレーザーマーク周辺部がマイナス１０ｎｍ程度になるのは、研磨によってレーザーマーク周辺部がレーザーマーク部分の窪みに向かってマイナス１０ｎｍ程度に下降した状態になることがある。それらは窪みの縁が研磨されマイナスの数値を示しているものであって、理想的には０ｎｍであることが好ましい。
　市販のシリコンウェハーを以下の方法で研磨した。
１）キレート剤と金属酸化物粒子とを含む組成物の調製
　窒素吸着法から求められる平均一次粒子径４０ｎｍのコロイダルシリカ（シリカゾルに基づくシリカ粒子）０．３３質量％と、塩基性化合物（アルカリ成分）として、水酸化アンモニウム２５ｐｐｍ、キレート剤として、エチレンジアミンテトラ酢酸ナトリウム（試薬）１１０ｐｐｍ、各種添加剤を下記表１に示す割合で添加し、残部は水となるようなキレート剤と金属酸化物粒子とを含む組成物（Ａ）を製造した。
　組成物（Ａ）と同様に各成分の添加を行い、各組成物を作成した。上記組成物（Ａ）中において、平均一次粒子径４０ｎｍのコロイダルシリカ（シリカゾルに基づくシリカ粒子）の含有量（質量％）、塩基性物質の種類と含有量（ｐｐｍ）、キレート剤の種類と含有量（ｐｐｍ）を以下表１に示す割合に変更して同様に組成物（Ｂ）～（Ｊ）を作成した。
　表中、エチレンジアミンテトラ酢酸ナトリウムはＥＤＴＡ、水酸化アンモニウムはＮＨ４ＯＨ、水酸化カリウムはＫＯＨ、水酸化エチルトリメチルアンモニウムはＥＴＭＡＨで示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
２）研磨条件
　研磨機：浜井産業社製両面研磨機１３ＢＦ
　荷重：１５０ｇ／ｃｍ2
　上定盤回転数：７ｒｐｍ
　下定盤回転数：２０ｒｐｍ
　研磨パッド：発泡ポリウレタン製研磨パッド
　研磨希釈液の供給量：６．０Ｌ／分
　研磨時間：５分
　シリコンウェハー：直径２００ｍｍ、伝導型Ｐ型、結晶方位が＜１００＞、抗率が１００Ω・ｃｍ未満
３）洗浄条件
　水洗浄を行った後、４０℃に加温したＳＣ１洗浄液（２９％アンモニア水：３０％過酸化水素水：水の重量比＝１：１：２８の洗浄液）で洗浄し、ウェハー表面の不純物を除去した。
４）レーザーマーク高さの測定方法
　（株）ニコンインステック社製光干渉顕微鏡システムＢＷ－Ｍ７０００を用い、一定幅（５００μｍ）をスキャンして得られる粗さ曲線に対し、ウェハー表面の最も高い部分と最も低い部分の高さの差分を測定した。
＜実施例１＞
　上記組成物の調製で調製した組成物（Ａ）に、水溶性化合物としてヒドロキシエチルセルロース（平均分子量６０万、ダイセルファインケム（株）社製、商品名ＳＥ－４００）を添加量が研磨用組成物中に１００ｐｐｍとなるように加え、実施例１の研磨用組成物を製造した。該研摩用組成物を用いてシリコンウェハーを５分間研磨した。引き続きシリコンウェハーを洗浄し、レーザーマーク高さの測定を行った。研磨前のレーザーマーク周辺部の高さが１５１ｎｍであったものが、研磨後にレーザーマーク高さは０ｎｍとなり、良好な結果を得た。研磨速度は０．０６μｍ／分であった。
＜実施例２～２０、比較例１～５＞
　下記表２に示す様に、実施例１と同様に各組成物に水溶性化合物の添加を行い各実施例２～２０及び各比較例１～５の研磨用組成物を作成した。各実施例において使用した上記組成物の種類と、研磨用組成物中での水溶性化合物の種類と濃度（ｐｐｍ）を下表２に示した。実施例１～実施例２０、比較例１～５の研磨用組成物のｐＨは、使用した組成物（Ａ）～（Ｊ）のｐＨと同じであった。
　下表２では、ヒドロキシエチルセルロース（平均分子量６０万、ダイセルファインケム（株）社製、商品名ＳＥ－４００）を水溶性化合物（ａ）、
　ヒドロキシエチルセルロース（平均分子量１２０万、住友精化（株）製、商品名ＣＦ－Ｘ）を水溶性化合物（ｂ）、
　グリセリン（阪本薬品工業（株）社製、商品名精製グリセリン）を水溶性化合物（ｃ）、
　ポリグリセリン（平均分子量７５０、阪本薬品工業（株）社製、商品名ポリグリセリン♯７５０）を水溶性化合物（ｄ）、
　スルホン酸基変性ポリビニルアルコール（平均分子量２万、日本合成化学工業（株）社製、商品名Ｌ－３２６６）を水溶性化合物（ｅ）、
　カルボキシル基変性ポリビニルアルコール（平均分子量１４万、日本合成化学工業（株）社製、商品名Ｔ－３３０）を水溶性化合物（ｆ）、
　変性ポリグリセリン（阪本薬品工業（株）社製、ポリオキシエチレンポリグリセリルエーテル、商品名ＳＣ－Ｅ１５００、ポリグリセリンのヒドロキシル基の水素原子を、ヒドロキシエチル基に変換した。）を水溶性化合物（ｇ）、
　変性ポリグリセリン（阪本薬品工業（株）社製、カプリル酸エステル、商品名ＭＣＡ７５０、ポリグリセリンのヒドロキシル基とカプリル酸とを反応させた。）を水溶性化合物（ｈ）、
　変性ポリグリセリン（阪本薬品工業（株）社製、ポリオキシプロピレンポリグリセリルエーテル、商品名ＳＣ－Ｅ１６００、ポリグリセリンのヒドロキシル基の水素原子を、１－メチルヒドロキシエチル基に変換した。）を水溶性化合物（ｉ）、
　ポリビニルアルコール（平均分子量３５００、試薬）を水溶性化合物（ｊ）とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　各実施例において、研磨試験の条件と研磨試験結果を下表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　研磨速度の値はシリコンウェハーの研磨速度を求めたものであるが、シリコンウェハー上での研磨速度の大小はレーザーマーク周辺部の隆起の解消（研磨）に必ずしも関連するものではない。レーザーマーク周辺部の隆起部分が水溶性化合物の親水性部分とのコンタクトにより、効率的に研磨成分と接触でき、その隆起部分が研磨されたものと考えられる。これはシリコンウェハー用の公知の研磨用組成物からは、レーザーマーク周辺部の隆起を解消する研磨用組成物を予期できないことを示すものである。
　本発明の研磨用組成物を用いることで、ウェハーの研磨工程でレーザーマーク周辺部の隆起の解消を行いフラットな研磨面を与えることができる。
 

Claims (11)

  1. レーザーマークが付されたウェハーのレーザーマーク周辺部の隆起を解消するための研磨用組成物であって、該研磨用組成物は水溶性化合物とキレート剤と金属酸化物粒子とを含み、且つ７～１２のｐＨを有し、該水溶性化合物は疎水性部分と親水性部分とを有し、該親水性部分は、その末端もしくは側鎖にヒドロキシル基と、ヒドロキシアルキル基、アシルオキシ基、カルボン酸基、カルボン酸塩基、スルホン酸基、又はスルホン酸塩基とを有し、該水溶性化合物は研磨用組成物中で５～７００ｐｐｍの含有量となる上記研磨用組成物。
  2. 前記金属酸化物粒子が、５～１００ｎｍの平均一次粒子径を有するシリカ粒子、ジルコニア粒子、又はセリア粒子である請求項１に記載の研磨用組成物。
  3. 前記水溶性化合物の疎水性部分は、グルコース構造、アルキレン基、アルキレンオキシド基、又はその繰り返し単位を有するものである請求項１に記載の研磨用組成物。
  4. 前記水溶性化合物が、下記式（１）、式（２）、又は式（３）：
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （式中、ｎ１は１～５の整数、ｎ２は１００～１００００の整数、ｎ３は１～３０の整数、Ｒ１は－ＯＣＯＣＨ３基、－ＣＯＯＨ基、－ＣＯＯＭ基、－ＳＯ３Ｈ基、又は－ＳＯ３Ｍ基を示し、ＭはＮａ、Ｋ、又はＮＨ４を示し、式（３－１）の単位構造の数ｎ４と、式（３－２）の単位構造の数ｎ５との合計ｎ４＋ｎ５は１００～１００００の整数を示す。）の単位構造を有する化合物である請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の研磨用組成物。
  5. 前記キレート剤が、アミノカルボン酸系キレート剤又はホスホン酸系キレート剤である請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の研磨用組成物。
  6. 前記アミノカルボン酸系キレート剤が、エチレンジアミンテトラ酢酸、ニトリロトリ酢酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミントリ酢酸、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸、１，３－プロパンジアミンテトラ酢酸、１，３－ジアミン－２－ヒドロキシプロパンテトラ酢酸、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、ジヒドロキシエチルグリシン、グリコールエーテルジアミンテトラ酢酸、ジカルボキシメチルグルタミン酸、又はエチレンジアミン－Ｎ，Ｎ’－ジコハク酸である請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の研磨用組成物。
  7. 前記ホスホン酸系キレート剤が、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、ホスホノブタントリカルボン酸、又はエチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）である請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の研磨用組成物。
  8. 更にアルカリ成分として、水酸化アンモニウム、水酸化第１級アンモニウム、水酸化第２級アンモニウム、水酸化第３級アンモニウム、水酸化第４級アンモニウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、又は水酸化カリウムを含む、請求項１乃至請求項７の何れか１項に記載の研磨用組成物。
  9. 請求項１乃至請求項８の何れか１項に記載の研磨用組成物を用いてレーザーマークが付されたウェハーのレーザーマーク周辺部の隆起を研磨する工程を含むウェハーの研磨方法。
  10. レーザーマークが付されたウェハーを予備研磨する工程、請求項１乃至請求項８の何れか１項に記載の研磨用組成物を用いてレーザーマークが付されたウェハーのレーザーマーク周辺部の隆起を研磨する工程を含むウェハーの研磨方法。
  11. 前記隆起を研磨する工程が、前記レーザーマークが付されたウェハー表面の水平面に対して高さ５０ｎｍから５００ｎｍのレーザーマーク周辺部の隆起を、該水平面に対して高さ３０ｎｍからマイナス１０ｎｍになるまで研磨する工程である、請求項９又は請求項１０に記載のウェハーの研磨方法。
     
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220136130A1 (en) * 2019-03-20 2022-05-05 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Apparatus for manufacturing single crystal
WO2023063213A1 (ja) * 2021-10-14 2023-04-20 日産化学株式会社 シリコンウェハーの１次研磨後に用いられる後研磨用組成物
WO2024043061A1 (ja) * 2022-08-26 2024-02-29 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113937193A (zh) * 2020-06-29 2022-01-14 福建晶安光电有限公司 外延用衬底及其制造方法以及半导体器件及其制造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013165173A (ja) * 2012-02-10 2013-08-22 Fujimi Inc 研磨用組成物、及び半導体基板の製造方法
WO2015019706A1 (ja) 2013-08-09 2015-02-12 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨済研磨対象物の製造方法および研磨用組成物キット
JP2015233031A (ja) * 2014-06-09 2015-12-24 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
WO2017110315A1 (ja) 2015-12-24 2017-06-29 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びシリコン基板の研磨方法
JP2017183359A (ja) 2016-03-28 2017-10-05 株式会社フジミインコーポレーテッド シリコン基板の研磨方法および研磨用組成物セット

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5756218A (en) * 1997-01-09 1998-05-26 Sandia Corporation Corrosion protective coating for metallic materials
US7531431B2 (en) * 2006-05-19 2009-05-12 Cree, Inc. Methods for reducing contamination of semiconductor devices and materials during wafer processing
WO2008053440A1 (en) * 2006-10-31 2008-05-08 The Procter & Gamble Company Portable bio-chemical decontaminant system and method of using the same
US20100006511A1 (en) * 2008-07-11 2010-01-14 Walterick Jr Gerald C Treatment additives and methods for treating an aqueous medium
US8557125B2 (en) * 2010-06-07 2013-10-15 General Electric Company Treatment additives, methods for making and methods for clarifying aqueous media
US8969498B2 (en) * 2010-08-02 2015-03-03 Dow Global Technologies Llc Compositions and method of inhibiting polymerization of vinyl-aryl monomers
KR102127385B1 (ko) 2013-08-14 2020-06-26 엘지전자 주식회사 세탁장치의 운전방법
US20170243752A1 (en) * 2014-08-29 2017-08-24 Fujimi Incorporated Polishing composition and method for producing polishing composition
KR20170110315A (ko) 2016-03-23 2017-10-11 (주)연우 회전 토출식 염색제 용기

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013165173A (ja) * 2012-02-10 2013-08-22 Fujimi Inc 研磨用組成物、及び半導体基板の製造方法
WO2015019706A1 (ja) 2013-08-09 2015-02-12 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨済研磨対象物の製造方法および研磨用組成物キット
JP6068647B2 (ja) * 2013-08-09 2017-01-25 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨済研磨対象物の製造方法および研磨用組成物キット
JP2015233031A (ja) * 2014-06-09 2015-12-24 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
WO2017110315A1 (ja) 2015-12-24 2017-06-29 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びシリコン基板の研磨方法
JP2017183359A (ja) 2016-03-28 2017-10-05 株式会社フジミインコーポレーテッド シリコン基板の研磨方法および研磨用組成物セット

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3731261A4

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220136130A1 (en) * 2019-03-20 2022-05-05 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Apparatus for manufacturing single crystal
US11821104B2 (en) * 2019-03-20 2023-11-21 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Apparatus for manufacturing single crystal
WO2023063213A1 (ja) * 2021-10-14 2023-04-20 日産化学株式会社 シリコンウェハーの１次研磨後に用いられる後研磨用組成物
JP7268808B1 (ja) * 2021-10-14 2023-05-08 日産化学株式会社 シリコンウェハーの１次研磨後に用いられる後研磨用組成物
US11884844B2 (en) 2021-10-14 2024-01-30 Nissan Chemical Corporation Composition for post-polishing to be used after primary polishing of silicon wafers
WO2024043061A1 (ja) * 2022-08-26 2024-02-29 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物

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