WO2019066304A9 - 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 - Google Patents

유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 Download PDF

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김병구
김창우
유은선
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    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Definitions

  • a compound for an organic optoelectronic device, an organic optoelectronic device and a display device is a compound for an organic optoelectronic device, an organic optoelectronic device and a display device.
  • An organic optoelectronic diode is an element that can switch between electrical and optical energy.
  • Organic optoelectronic devices can be roughly classified into two types according to the operating principle.
  • One is an optoelectronic device in which an exciton formed by light energy is separated into an electron and a hole, the electron and hole are transferred to different electrodes to generate electric energy, and the other is a voltage / Emitting device that generates light energy from energy.
  • organic optoelectronic devices examples include organic optoelectronic devices, organic light emitting devices, organic solar cells, and organic photo conductor drums.
  • organic light emitting diodes In recent years, organic light emitting diodes (OLEDs) have attracted considerable attention due to the demand for flat panel display devices.
  • the organic light emitting diode is a device for converting electrical energy into light by applying an electric current to the organic light emitting material.
  • the organic light emitting diode has a structure in which organic molecules are inserted between an anode and a cathode
  • the organic layer may include a light emitting layer and an optional auxiliary layer.
  • the auxiliary layer may include, for example, a hole injecting layer, a hole transporting layer, an electron blocking layer, an electron transporting layer, an electron injecting layer, Lt; / RTI > layer.
  • the performance of the organic light emitting device is greatly influenced by the characteristics of the organic layer, and the organic light emitting device is heavily influenced by the organic material contained in the organic layer.
  • An embodiment provides a compound for an organic optoelectronic device capable of implementing a high-efficiency and long-lived organic optoelectronic device.
  • Another embodiment provides an organic optoelectronic device comprising such a compound.
  • Another embodiment provides a display device comprising the organic opto-electronic device.
  • II 5 to II 8 each independently represent hydrogen, deuterium, cyano, substituted or unsubstituted (having 1 to 30 silyl groups, substituted or unsubstituted 01 to 30 alkyl groups, substituted or unsubstituted 06 to 30 aryl groups or A substituted or unsubstituted C2 to O30 heterocyclic group, and at least one of Q 1 to Q 8 is a quinazoline group or at least one of Q 1 to Q 8 is a substituted or unsubstituted quinazoline group,
  • substituted means that at least one hydrogen is substituted with deuterium, (1 to 10 alkyl, 06 to 030 aryl or 02 to 020 heterocyclic).
  • the organic light-emitting device includes an anode and a cathode facing each other, and at least one organic layer positioned between the anode and the cathode, An organic optoelectronic device including the above-mentioned compound for an organic optoelectronic device is provided. According to another embodiment, there is provided a display device including the organic optoelectronic device.
  • 1 and 2 are cross-sectional views illustrating an organic light emitting device according to one embodiment, respectively.
  • substituted means that at least one hydrogen in the substituent or compound is replaced by a substituent selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted 01 to O30 amine group, Or an unsubstituted (1 to 040 silyl group,
  • alkyl group (: 10 alkylsilyl group, A substituted or unsubstituted aryl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 1 to 20 carbon atoms, Alkyl group, cyano group, or a combination thereof.
  • substituted &quot means that at least one hydrogen in the substituent or compound is deuterium, To 030 alkyl group, (10 alkylsilyl group, 06 to 030 arylsilyl group, 03 to 030 cycloalkyl group, 03 to 030 heterocycloalkyl group,
  • " substituted &quot means that at least one hydrogen in the substituent or the compound is deuterium, (: 1 to 020 alkyl group, 06 to 030 aryl group,
  • substituted &quot means that at least one hydrogen in the substituent or the compound is substituted with deuterium,
  • the "substituted" Wherein at least one hydrogen in the substituent or the compound is a substituent selected from the group consisting of deuterium, methyl, ethyl, propanyl, butyl, phenyl, para-biphenyl, meta-biphenyl, ortho-biphenyl, , A pyrimidinyl group, a triazinyl group, a quinazolinyl group, a quinoxalinyl group, a naphthyridinyl group, a benzofuranpyrimidinyl group, a benzothiophene pyrimidinyl group, a dibenzofuranyl group or a dibenzothiophenyl group .
  • one functional group contains 1 to 3 heteroatoms selected from the group consisting of N, O, S, P, and Si, and the remainder is carbon do.
  • the alkyl group may be a "saturated alkyl group" which does not contain any double or triple bonds.
  • the alkyl group may be a C1 to C30 alkyl group. More specifically, the alkyl group may be a C1 to C20 alkyl group or a C1 to C10 alkyl group.
  • C1 to C4 alkyl groups mean that one to four carbon atoms are included in the alkyl chain and include methyl, ethyl, propyl, iso-propyl, n-butyl, iso-butyl, sec- ≪ / RTI >
  • alkyl group examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, a pentyl group, a nucleus group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, And the like.
  • &quot refers to a group consisting of a group having at least one hydrocarbon aromatic moiety
  • aryl group may be monocyclic, polycyclic or fused ring polycyclic (i. E.
  • heterocyclic group &quot is a superordinate concept including a heteroaryl group, and includes N, O (O) O in place of carbon (C) in a ring compound such as an aryl group, a cycloalkyl group, a fused ring thereof, , S, P and Si.
  • a ring compound such as an aryl group, a cycloalkyl group, a fused ring thereof, , S, P and Si.
  • the heterocyclic group is a fused ring, the whole heterocyclic group or each ring may contain one or more heteroatoms can do.
  • heteroaryl (heteroaryl) group means containing at least one hetero atom selected from the group consisting of N, O, S, P and Si in the aryl group. Two or more heteroaryl groups via a sigma bond When the heteroaryl group includes two or more rings, two or more rings may be fused to each other.
  • each ring may contain one to three of the above heteroatoms.
  • heterocyclic group examples include pyridinyl, pyrimidinyl, pyrazinyl, pyridazinyl, triazinyl, quinolinyl, isoquinolinyl, quinazolinyl, quinoxalinyl, benzofuranyl, A thienyl group, a thienyl group, a thienyl group, a thienyl group, a thienyl group, a thienyl group, a thienyl group, a thienyl group, a thienyl group, More specifically, the substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group and / or the substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group may be substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or unsubstituted anthra A substituted or unsub
  • Phenanthrenyl group a substituted or unsubstituted naphthacenyl group, a substituted or unsubstituted pyrenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted p-terphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthacenyl group,
  • the hole characteristic refers to a property that electrons can be donated to form holes by applying an electric field (Shin 1 : 11 11).
  • the hole property has a conduction characteristic along the level of Table 0, Quot; means a property that facilitates the movement of holes formed in the light emitting layer to the anode and the movement of the holes in the light emitting layer.
  • the electron characteristic refers to a characteristic that electrons can be received when an electric field is applied.
  • the electrons have a conduction characteristic along the 1? 10 level to inject electrons formed in the cathode into the light emitting layer, move electrons formed in the light emitting layer to the cathode, And the like.
  • the compound for organic optoelectronic devices may be represented by a combination of the following formulas (1) and (2). 2019/066304 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2018/010571
  • X is 0, Y or 1
  • II 5 to II 8 each independently represent hydrogen, deuterium, cyano, substituted or unsubstituted ⁇ 1 to 030 silyl groups, substituted or unsubstituted 01 to 030 alkyl groups, substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl groups or substituted or unsubstituted, and a 02 to 030 heterocyclic group ring, to at least one of which is a pyridazinyl or quinazolinyl group Mo 5 to 8 mu popularly least one is a substituted or unsubstituted quinazoline ring group,
  • the “substituted” means that at least one hydrogen is substituted with deuterium, (1 to 10 alkyl, 06 to 030 aryl or 02 to 020 heterocycle).
  • the additional benzo ring The compound represented by the combination of Formula 1 and Formula 2 may be represented by, for example, the following Formula 1.
  • the compound represented by Formula 1 may be a compound for a first organic optoelectronic device described later. [Chemical Formula 1
  • the T1 energy level is higher than about 0.1 leV and the T1 energy level is lowered when the substituent is substituted in the host, the T1 energy level is lower than that of the green device and the Red device when the red energy level is lower than the T1 energy level.
  • the formula may show an efficiency lower than that of the formula (1A).
  • T1 energy level is about 0.27 or more higher than that of Formula 1C and T1 energy level is lowered when a substituent is substituted in the host, the T1 energy level is lowered when a green device and a red device are applied,
  • the formula (1C) may exhibit an efficiency lower than that of the formula (1A).
  • Formula 1 A T1 energy level: 2.700 eV
  • R 1 to R 4 , L 1 to L 4 , and R 5 to R 8 are as described above, and R el , R e2 , R e3 and R e4 are the same as R e .
  • substitution may mean that at least one hydrogen is replaced by deuterium, a C1 to C4 alkyl group, or a C6 to C18 aryl group 2019/066304 91 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2018/010571, and, at least one hydrogen and more specifically deuterium, (to 04 alkyl group, a phenyl group, para- biphenyl group, a biphenyl group 11 ⁇ , 0 ⁇ 0 - By And examples thereof include a phenyl group, a terphenyl group, a fluorenyl group, a fused fluorenyl group, a pyrimidinyl group, a triazinyl group, a quinazolinyl group, a quinoxalinyl group, a naphthyridinyl group, a benzofuranpyrimidinyl group, a benzothiophenimidinyl group, Di- or di
  • the compound for an organic optoelectronic device according to the present invention can be used in combination with fused dibenzofurans,
  • heterocycle containing at least two Xs is introduced into the fused dibenzothiophene or the fused fluorenyl core, wherein the at least two X-containing heterocycles are substituted by a further fused benzo ring,
  • each of the moieties 5 to 11 is independently selected from the group consisting of hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted 01 to 030 alkyl groups, substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl groups or substituted or unsubstituted 02 to 030 A heterocyclic group,
  • One of the above Formulas 5 to 8 may be a substituted or unsubstituted 02 to 030 heterocyclic group.
  • the ⁇ to II 8 Chinese Language slow and one is a substituted or unsubstituted quinazoline group ring and the other is hydrogen, heavy hydrogen, a cyano group, a substituted or unsubstituted 01 to 030 silyl group, a substituted or unsubstituted (Which may be a 1-30 alkyl group or a substituted or unsubstituted 06-30 aryl group.
  • Each of which may be independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted 01 to 030 alkyl group or a substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl group,
  • II 6 is a substituted or unsubstituted quinazolinyl group
  • each of II 5 , II 7 , and I 8 is independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted 030 alkyl group or a substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl group,
  • each of II 5 , II 6 and II 8 is independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted 01 to 030 alkyl group or a substituted or unsubstituted quinazolinyl group, May be a 06 to 030 aryl group which is unsubstituted or substituted with 1 to 3 substituents,
  • II 8 is a substituted or unsubstituted quinazolinyl group and each of II 5 to II 7 is independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted 01 to 030 alkyl group or substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl group .
  • the formula (1) may be represented by the following formula: ⁇ A-aS.
  • the definitions of the elder brother to II 4 and mooses 5 to II 8 are as described above
  • a substituted or unsubstituted C6 to O30 arylene group or a quinazolylene group and each independently represents a group selected from the group consisting of hydrogen, deuterium, cyano, substituted or unsubstituted 0 to 030
  • R 1 is hydrogen
  • each of R 2 to R 4 is independently hydrogen, deuterium, or a substituted or unsubstituted 01 to 020 alkyl group
  • a quinazoline group may be, for example, a single bond, a substituted or unsubstituted phenylentene group, or a substituted or unsubstituted biphenylene group.
  • the phenylene group or biphenylene group may be selected from the linking groups listed in Group I below.
  • II 'and II are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted 06 to O30 aryl group or a substituted or unsubstituted 02 to 030 heterocyclic group.
  • II 'and II each independently may be a hydrogen atom, a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a dibenzothiophen yl group or a dibenzofuranyl group.
  • the formula (1) may be represented by one of the following formulas (1) - (1) to (1).
  • each of the above and may be independently hydrogen, deuterium, cyano, substituted or unsubstituted 06 to O30 aryl, oxygen-containing 02 to 030 heterocyclic group or sulfur-containing 02 to 030 heterocyclic group.
  • the above may be a substituted or unsubstituted C6 to O30 aryl group, an oxygen-containing C2 to O30 heterocyclic group, or a sulfur-containing 01 to 030 heterocyclic group.
  • the above is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted A substituted or unsubstituted triphenyl group, a substituted or unsubstituted quaterphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted spirobifluorine group, A substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, or a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, wherein the substituent is selected from the group consisting of a phenyl group, a cyano group, a biphenyl group, a naphthyl group It can mean.
  • the substituent may be a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted quaterphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, Substituted spirofluorenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, or a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group.
  • the compounds for organic optoelectronic devices according to the most specific embodiment of the present invention can be represented by the formula 1 show-1, the formula 1 show-3, the formula 1 show-5 or the formula 1 show-7,
  • Each of II 1 to II 4 , 3 and 4 is independently hydrogen
  • the compound represented by the formula 1 show-1, the formula 1 showan-3, the formula 1 show- 1 -5 or the formula 1 show-7 is the compound represented by the formula 1 show-2, the formula 1 show 4, Or the LUMO cloud of the quinazoline spreads more widely toward the fused ring (dibenzofuran or the dibenzothiophene-benzene fused ring) than the compound represented by the formula (1) -sho-8 and the characteristics of the strong electron transport host material So that it may be more suitable for use as a low driving voltage material having a high electron transporting ability, especially a red material.
  • the compounds for organic optoelectronic devices (compounds for first organic optoelectronic devices) represented by the combination of the above formulas (1) and (2) can be selected from, for example, compounds listed in the following Group 1, but are not limited thereto.
  • the above-mentioned compounds for organic optoelectronic devices can be applied to organic optoelectronic devices alone or in combination with other compounds for organic optoelectronic devices.
  • the above-mentioned compound for an organic optoelectronic device is used together with another compound for an organic optoelectronic device, it can be applied in the form of a composition.
  • the present invention also relates to a compound represented by the formula (1) (compound for a first organic optoelectronic device) and a second compound (compound for a second organic optoelectronic device) 2] and at least one compound selected from the group consisting of a combination of a moiety represented by Formula 3 and a moiety represented by Formula 4: .
  • each independently represents a single bond, a substituted or unsubstituted 06 to 030 arylene group, a substituted or unsubstituted 02 to 030 heteroarylene group, or a combination thereof
  • each of Sasa 1 and 2 is independently a substituted or unsubstituted A C6 to O30 aryl group, a substituted or unsubstituted 02 to O30 heterocyclic group, or a combination thereof
  • III is one of the integers 0 to 2;
  • V 3 and each independently represent a single bond, a substituted or unsubstituted 06 to 030 arylthienic group, a substituted or unsubstituted 02 to 030 heteroarylthienic group, or a combination thereof,
  • 3 and 4 are each independently a substituted or unsubstituted 06 to O30 aryl group, a substituted or unsubstituted 02 to 030 heterocyclic group, or a combination thereof,
  • Each of the moieties 16 to 19 is independently selected from the group consisting of hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted (the 1 to 020 alkyl group, the substituted or unsubstituted C6 to O50 aryl group, the substituted or unsubstituted 02 to 050 heterocyclic group, Lt; / RTI >
  • substituted as used herein means that at least one hydrogen is substituted with deuterium, 01 to 04 alkyl, 06 to 018 aryl, or 02 to 018 heteroaryl groups.
  • One embodiment of the present invention may be a composition for an organic light emitting device comprising [1] and [2].
  • An embodiment of the present invention provides an organic light emitting device comprising a red phosphorescent dopant containing a compound represented by formula (1) and a compound represented by formula (2) as a red host.
  • each of and in Formula 2 may be independently a single bond, or a substituted or unsubstituted C6 to 018 arylene group.
  • show / 2 of Formula 2 is independently a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group , A substituted or unsubstituted anthracenyl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted pyridinyl group,
  • 11 1 to 5 in Formula 2 may each independently be hydrogen, deuterium, or a substituted or unsubstituted 06 to 12 aryl group.
  • III in formula (2) may be 0 or 1.
  • the formula (2) is one of the structures listed in the following group III, May be any of the substituents listed in Group IV. 2019/066304 26 1 »(: 1/10/0/0 018/010571
  • Formula 2 is represented by 8 of Group III
  • * - - ⁇ may be represented by any one of 6-1 to 8-4 of Group IV. More specifically, * - -, and * - - 2 may be selected from 6-2, 6-3, and combinations thereof of Group IV.
  • the second organic optoelectronic device compound represented by Formula 2 may be, for example, compounds listed in the following Group 2, but is not limited thereto. [ ⁇ f-2]
  • a compound for a low-12 organic optoelectronic device comprising a combination of a moiety represented by Formula 3 and a moiety represented by Formula 4 may be represented by one of the following Formulas 3-1 to 2- have.
  • V 3 in the above formula (3-1) to (3-) may be a single bond, a phenylene group, a biphenylenegroup, a pyridylene group, or a pyrimidinylene group.
  • the above-mentioned formula (3-1-3) A substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted pyridyl group, a substituted or unsubstituted pyrimidinyl group, or a substituted or unsubstituted pyrimidinyl group, Transformed
  • II 16 to I 9 of the general formula (III-1) to (III-3) may be hydrogen.
  • One embodiment of the present invention is a composition for an organic light emitting device comprising: [Formula 1] and [Formula 3-111].
  • One embodiment of the present invention provides an organic light emitting device comprising a red phosphorescent dopant containing [1] and [3] as red hosts.
  • the compound for a second organic optoelectronic device composed of a combination of the moiety represented by Formula 3 and the moiety represented by Formula 4 may be, for example, compounds listed in Group 3 below, but is not limited thereto.
  • the compound for the second organic optoelectronic device can be used for the emission of electrons together with the compound for the first organic optoelectronic device to improve the mobility and stability of the charge and improve the luminous efficiency and lifetime.
  • the mobility of the charge can be controlled by controlling the ratio of the compound for the first organic optoelectronic device to the compound for the first organic optoelectronic device.
  • composition for an organic optoelectronic device can be used as a host of a green or red organic light emitting device.
  • the compound or composition for an organic optoelectronic device may further include at least one organic compound in addition to the compound for another organic optoelectronic device.
  • the compound or composition for an organic optoelectronic device may further include a dopant.
  • the dopant may be a red, green or blue dopant.
  • the dopant may be a material that emits light by mixing with a small amount and may be a metal complex such as a metal complex that emits light by multiple excitation that excites the triplet state.
  • the dopant may be, for example, an inorganic compound, an organic compound, or an organic compound, and may include one or more of these compounds.
  • Examples of the phosphorescent dopant include Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd or combinations thereof And the like.
  • the phosphorescent dopant may be, for example, a compound represented by the following formula, but is not limited thereto.
  • M is a gold ligand
  • L and X are the same or different from each other and are a ligand which forms a complex with M.
  • M may be, for example, Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd or a combination thereof, wherein L and X are, for example, bidentate ligands Can be.
  • L and X are, for example, bidentate ligands Can be.
  • the organic optoelectronic device includes an anode and a cathode facing each other, and at least one organic layer positioned between the anode and the cathode, and the organic layer may include the compound for the organic optoelectronic device described above.
  • the organic layer includes a light emitting layer
  • the light emitting layer may include a compound for an organic optoelectronic device of the present invention.
  • the compound for an organic optoelectronic device is a host of the light emitting layer, May be included, for example, as a green host or a red host.
  • the organic layer may include at least one auxiliary layer selected from the group consisting of a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a hole blocking layer, and the auxiliary layer may include the compound for the organic optoelectronic device.
  • the organic optoelectronic device is not particularly limited as long as it is a device capable of converting electric energy and optical energy.
  • Examples of the organic optoelectronic device include organic light emitting devices, organic solar cells, and organic photoconductor drums.
  • an organic optoelectronic device 100 according to an embodiment includes an anode 120 and a cathode 110 facing each other, and an organic layer 105 positioned between the anode 120 and the cathode 110 .
  • the anode 120 may be made, for example, of a high work function conductive body to facilitate hole injection, and may be made of, for example, a metal, a metal oxide, and / or a conductive polymer.
  • the anode 120 may be formed of a metal such as nickel, platinum, vanadium, chromium, copper, zinc, gold, or an alloy thereof, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide
  • Metal oxides such as indium zinc oxide (10); 3 ⁇ 4 10 Wash 3 ⁇ 40 or a combination of a metal and an oxide, such as 2 and; poly (3-methyl thiophene),
  • the cathode 110 may be made of a conductive material having a low work function, for example, to facilitate electron injection, and may be made of, for example, a metal, a metal oxide, and / or a conductive polymer.
  • the cathode 110 is made of a metal such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, lead, cesium, barium or the like or an alloy thereof; But are not limited to, multi-layer structure materials such as 1 / Shin, 002 / Si, 1 / Si / Si, and Manganese.
  • the organic layer 105 includes the light emitting layer 130 including the compound for the organic optoelectronic device described above.
  • the organic light emitting device 200 includes a hole-assist layer 140 in addition to the light-emitting layer 130.
  • the hole assist layer 140 can further enhance hole injection and / or hole mobility between the anode 120 and the light emitting layer 130 and block electrons.
  • the hole-assist layer 140 may be, for example, a hole transport layer, a hole injection layer, and / or an electron blocking layer, and may include at least one layer.
  • the organic layer 105 of FIG. 1 or 2 may include an additional layer of an electron injecting layer, an electron transporting layer, an electron transporting auxiliary layer, a hole transporting layer, a hole transporting auxiliary layer, a hole injecting layer, or a combination layer thereof.
  • the organic light emitting devices 100 and 200 may be formed by forming an anode or a cathode on a substrate and thereafter performing a vacuum evaporation process,
  • An organic layer may be formed by a dry film forming method such as ion plating or a wet film forming method such as a spin coating method, a dipping method and a flow coating method, and then a cathode or anode is formed thereon Can be manufactured.
  • a dry film forming method such as ion plating or a wet film forming method such as a spin coating method, a dipping method and a flow coating method, and then a cathode or anode is formed thereon Can be manufactured.
  • the organic light emitting device described above can be applied to an organic light emitting display.
  • Synthesis Example 1 Synthesis of Compound 3 2019/066304 38 1 »(: 1/10/0/0 018/010571
  • Methanesulfonic acid (10 ml) was added and stirred for 1 hour.
  • the glass substrate coated with ITO (Indium tin oxide) thin film with thickness of 1500 A was cleaned with distilled water ultrasonic wave . After the distilled water was washed, the substrate was ultrasonically washed with a solvent such as isopropyl alcohol , acetone , and methanol, dried, and transferred to a plasma cleaner. Then, the substrate was cleaned for m minutes using oxygen plasma, and then the substrate was transferred to a coagulant evaporator.
  • a solvent such as isopropyl alcohol , acetone , and methanol
  • the organic light emitting device has a structure having five organic thin film layers. Specifically, the organic light emitting device has the following structure.
  • Example 5 Except that the host compound in the light emitting layer of the compound 74 instead of compound 77, 78 and 89, respectively hagoneun Example 1 An organic light emitting device in the cavity in same manner, Example 2 to 4 were fabricated, respectively.
  • Example 5 An organic light emitting device in the cavity in same manner, Example 2 to 4 were fabricated, respectively.
  • An organic light emitting device was fabricated by the same method as in Example 1 except that the compound 74 and the compound 99 were used as the host compound in the light emitting layer. Examples 6 to 8
  • Example 9 The organic light-emitting devices of Examples 6 to 8 were formed in the same manner as in Example 5, except that the compounds 77, 78, and 89 were used instead of the compound 74 in the light- 2019/066304 52 1 (: 1 ⁇ ⁇ 2018/010571).
  • Example 9
  • An organic light emitting device was fabricated by the same method as in Example 1, except that Compound 3 and Compound & Examples 10 to 13
  • An organic light-emitting device was fabricated by the same method as in Example 1, except that the compound of the light-emitting layer was used as a host in Comparative Example 1 and Compound Table-46. Comparative Examples 5 to 6
  • the voltage Up to 10 ⁇ , 2400 was used to measure the current flowing through the unit device, and the measured current value was divided by the area to obtain the result.
  • the voltage To 10 ⁇ ⁇ the luminance was measured using the luminance meter off 0 3-1000 hour, and the results were obtained.
  • the current efficiency / current of the same current density (10 0 1 2 ) was calculated using the luminance and current density and voltage measured from the above (1) and (2).
  • the devices of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 4 were irradiated with an initial luminance (1/111 2 ) of 900 (1/111 2 ) The decrease in luminance over time was measured, and the point at which the luminance decreased to 97% of the initial luminance was measured to be 197 days.
  • the driving voltage of each device was measured at 15 111/011 2 and the results were obtained.
  • the organic luminescent devices according to Examples 1 to 4 have improved luminous efficiency and lifetime characteristics compared with the organic luminescent devices according to Comparative Example 1 and Comparative Example 2, You can see the improvements.
  • the organic luminescent devices according to Examples 5 to 13 have improved luminous efficiency and lifetime characteristics compared with the organic luminescent devices according to Comparative Example 3 and Comparative Example 6, It is also confirmed that the hole / electron transport characteristics are balanced by mixing with the second host having a strong hole characteristic, and the efficiency and lifetime characteristics are improved compared to a single host. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the following claims and their equivalents. It will be understood that the invention can be practiced. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative and non-restrictive in every respect. 2019/066304 55 1 »(: 1/10/0/0 018/010571

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Abstract

유기 광전자 소자용 화합물, 상기 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자용 조성물, 이를 적용한 유기 광전자 소자 및 표시 장치에 관한 것이다.

Description

【명세서】
【발명의 명칭】
유기 광전자소자용화합물,유기 광전자소자및표시 장치
【기술분야】
유기 광전자소자용화합물，유기 광전자소자및표시 장치에 관한것이다.
【배경기술】
유기 광전자소자 (organic optoelectronic diode)는전기 에너지와광에너지를 상호전환할수있는소자이다.
유기 광전자소자는동작원리에 따라크게두가지로나눌수있다.
하나는광에너지에 의해 형성된 엑시톤 (exciton)이 전자와정공으로분리되고상기 전자와정공이 각각다른전극으로전달되면서 전기 에너지를발생하는광전 소자이고,다른하나는전극에 전압또는전류를공급하여 전기 에너지로부터 광 에너지를발생하는발광소자이다.
유기 광전자소자의 예로는유기 광전소자，유기 발광소자,유기 태양전지 및유기 감광체드럼 (organic photo conductor drum)등을들수있다.
이 중,유기 발광소자 (organic light emitting diode, OLED)는근래 평판표시 장치 (flat panel display device)의 수요증가에 따라크게주목받고있다. 상기 유기 발광소자는유기 발광재료에 전류를가하여 전기 에너지를빛으로전환시키는 소자로서,통상양극 (anode)과음극 (cathode)사이에 유기 증이 삽입된구조로
이루어져 있다. 여기서 유기 층은발광층과선택적으로보조층을포함할수있으며, 상기보조층은예컨대유기발광소자의 효율과안정성을높이기 위한정공주입 층, 정공수송층,전자차단층，전자수송층,전자주입 층및정공차단층에서 선택된적어도 1층을포함할수있다.
유기 발광소자의 성능은상기 유기 층의 특성에 의해 영향을많이 받으며， 그중에서도상기 유기 층에 포함된유기 재료에 의해 영향을많이 받는다.
특히 상기 유기 발광소자가대형 평판표시 장치에 적용되기 위해서는정공 및 전자의 이동성을높이는동시에 전기화학적 안정성을높일수있는유기 재료의 개발이 필요하다.
【발명의 상세한설명】
【기술적 과제】 2019/066304 2 1»（：1^1{2018/010571 일구현예는고효율및 장수명 유기 광전자소자를구현할수있는유기 광전자소자용화합물을제공한다.
다른구현예는상기 화합물을포함하는유기 광전자소자를제공한다.
또다른구현예는상기 유기 광전자소자를포함하는표시 장치를제공한다. 【기술적 해결방법】
본발명의 일구현예에 따르면,하기 화학식 1쇼로표현되는유기 광전자 소자용화합물을제공한다.
［화학식 1시
Figure imgf000004_0001
독립적으로수소,중수소，시아노기, 치환또는비치환된（〕1내지 030실릴기,치환또는비치환된＜그1내지 030알킬기 또는치환또는비치환된 C6내지 030아릴기이고，
내지
Figure imgf000004_0002
독립적으로단일결합,치환또는비치환된 06내지 030 아릴렌기 또는퀴나졸린렌기이고，
II5내지 II8은각각독립적으로수소,중수소，시아노기,치환또는비치환된 （그1내지 030실릴기,치환또는비치환된 01내지 030알킬기，치환또는비치환된 06내지 030아릴기또는치환또는비치환된 C2내지 030헤테로고리기이고, 내지 중적어도하나는퀴나졸린텐기이거나또는 ^내지 II8중 적어도하나는치환또는비치환된퀴나졸린일기이고,
상기 "치환”이란，적어도하나의 수소가중수소，（:1내지 010알킬기， 06내지 030아릴기 또는 02내지 020헤테로고리기로치환된것을의미한다.
또다른구현예에 따르면，서로마주하는양극과음극,그리고상기 양극과 상기 음극사이에 위치하는적어도한층의 유기층을포함하고,상기 유기층은 2019/066304 3 1»（：1^1{2018/010571 전술한유기 광전자소자용화합물을포함하는유기 광전자소자를제공한다. 또다른구현예에 따르면상기 유기 광전자소자를포함하는표시 장치를 제공한다.
【유리한효과】
고효율장수명 유기 광전자소자를구현할수있다.
【도면의 간단한설명】
도 1 및도 2는각각독립적으로일구현예에 따른유기 발광소자를도시한 단면도이다.
【발명의 실시를위한최선의 형태】
이하,본발명의 구현예를상세히 설명하기로한다. 다만,이는예시로서 제시되는것으로，이에 의해본발명이 제한되지는않으며 본발명은후술할 청구범위의 범주에 의해정의될뿐이다.
본명세서에서 "치환”이란별도의 정의가없는한,치환기또는화합물중의 적어도하나의수소가중수소,할로겐기,히드록실기,아미노기，치환또는비치환된 01내지 030아민기，니트로기,치환또는비치환된（그1내지 040실릴기,이내지
030알킬기,
Figure imgf000005_0002
내지（：10알킬실릴기,
Figure imgf000005_0001
내지 030아릴실릴기, 03내지 030 시클로알킬기, 03내지 030헤테로시클로알킬기, 06내지 030아릴기, 02내지 030 헤테로아릴기,（〕1내지 020알콕시기,（그1내지（：10트리플루오로알킬기,시아노기， 또는이들의 조합으로치환된것을의미한다.
본명세서 내화학식에서 별도의 정의가없는한,화학결합이 그려져야 하는위치에 화학결합이 그려져 있지 않은경우는상기 위치에 수소원자가 결합되어 있음을의미한다.
본발명의 일 예에서, "치환”은치환기 또는화합물중의 적어도하나의 수소가중수소,
Figure imgf000005_0004
내지 030알킬기,
Figure imgf000005_0003
내지（：10알킬실릴기, 06내지 030 아릴실릴기, 03내지 030시클로알킬기, 03내지 030헤테로시클로알킬기, 06내지
030아릴기, 02내지 030헤테로아릴기로치환된것을의미한다. 또한，본발명의 구체적인 일 예에서，”치환”은치환기 또는화합물중의 적어도하나의수소가 중수소,（：1내지 020알킬기， 06내지 030아릴기,또는 02내지 030
헤테로아릴기로치환된것을의미한다.또한，본발명의 더욱구체적인 일 예에서, "치환”은치환기 또는화합물중의 적어도하나의 수소가중수소， 내지 05 알킬기，페닐기,바이페닐기,터페닐기,나프틸기，트리페닐기，플루오레닐기, 융합플루오레닐기，피리디닐기,피리미디닐기,트리아지닐기，퀴놀리닐기,
이소퀴놀리닐기,퀴나졸리닐기,퀴녹살리닐기,나프티리디닐기,
벤조퓨란피리미디닐기,벤조티오펜피리미디닐기，디벤조퓨란일기,디벤조티오펜일기 또는카바졸일기로치환된것을의미한다.또한,본발명의 가장구체적인 일 예에서，"치환’’은치환기 또는화합물중의 적어도하나의 수소가중수소，메틸기， 에틸기，프로판일기,부틸기,페닐기, para-바이페닐기, meta-바이페닐기, ortho-바이페닐기,터페닐기,플루오레닐기，융합플루오레닐기 ,피리미디닐기, 트리아지닐기，퀴나졸리닐기,퀴녹살리닐기,나프티리디닐기,벤조퓨란피리미디닐기, 벤조티오펜피리미디닐기,디벤조퓨란일기 또는디벤조티오펜일기로치환된것을 의미한다.
본명세서에서 "헤테로”란별도의 정의가없는한，하나의 작용기 내에 N, 0, S, P및 Si로이루어진군에서 선택되는헤테로원자를 1개내지 3개 함유하고, 나머지는탄소인것을의미한다.
본명세서에서 ”알킬 (alkyl)기”이란별도의 정의가없는한,지방족
탄화수소기를의미한다. 알킬기는어떠한이중결합이나삼중결합을포함하고있지 않은 "포화알킬 (saturated alkyl)기"일수있다.
상기 알킬기는 C1내지 C30알킬기일수있다. 보다구체적으로알킬기는 C1내지 C20알킬기 또는 C1내지 C10알킬기일수도있다. 예를들어， C1내지 C4알킬기는알킬쇄에 1개내지 4개의 탄소원자가포함되는것을의미하며,메틸, 에틸,프로필,이소-프로필, n-부틸，이소-부틸, sec-부틸및 t-부틸로이루어진군에서 선택됨을나타낸다.
상기 알킬기는구체적인 예를들어 메틸기，에틸기,프로필기,이소프로필기， 부틸기,이소부틸기, t-부틸기,펜틸기,핵실기,시클로프로필기,시클로부틸기, 시클로펜틸기,시클로핵실기 등을의미한다.
본명세서에서 ’’아릴 (aryl)기”는탄화수소방향족모이어티를하나이상갖는 그룹을총괄하는개념으로서，
탄화수소방향족모이어티의 모든원소가 p-오비탈을가지면서，이들 p-오비탈이 공액 (conjugation)을형성하고있는형태，예컨대페닐기，나프틸기등을 포함하고, 2이상의 탄화수소방향족모이어티들이 시그마결합을통하여 연결된형태, 예컨대 바이페닐기，터페닐기，쿼터페닐기 등을포함하며,
2이상의 탄화수소방향족모이어티들이 직접 또는간접적으로융합된 비방향족융합고리도포함할수있다. 예컨대,플루오레닐기 등을들수있다. 아릴기는모노시클릭,폴리시클릭 또는융합고리 폴리시클릭 (즉,
탄소원자들의 인접한쌍들을나눠 가지는고리)작용기를포함한다.
본명세서에서 "헤테로고리기 (heterocyclic group)’’는헤테로아릴기를포함하는 상위 개념으로서,아릴기,시클로알킬기,이들의 융합고리 또는이들의 조합과같은 고리 화합물내에 탄소 (C)대신 N, O, S, P및 Si로이루어진군에서 선택되는 헤테로원자를적어도한개를함유하는것을의미한다.상기 헤테로고리기가 융합고리인경우,상기 헤테로고리기 전체또는각각의 고리마다헤테로원자를한 개 이상포함할수있다.
일 예로 "헤테로아릴 (heteroaryl)기”는아릴기 내에 N, O, S, P및 Si로이루어진 군에서 선택되는헤테로원자를적어도한개를함유하는것을의미한다 . 2이상의 헤테로아릴기는시그마결합을통하여 직접 연결되거나，상기 헤테로아릴기가 2 이상의 고리를포함할경우, 2이상의 고리들은서로융합될수있다. 상기
헤테로아릴기가융합고리인경우,각각의 고리마다상기 헤테로원자를 1개 내지 3개포함할수있다.
상기 헤테로고리기는구체적인 예를들어,피리디닐기,피리미디닐기, 피라지닐기，피리다지닐기，트리아지닐기,퀴놀리닐기，이소퀴놀리닐기,퀴나졸리닐기， 퀴녹살리닐기,벤조퓨란피리미디닐기,벤조티오펜피리미디닐기 등을포함할수있다. 보다구체적으로,치환또는비치환된 C6내지 C30아릴기 및/또는치환 또는비치환된 C2내지 C30헤테로고리기는,치환또는비치환된페닐기,치환또는 비치환된나프틸기,치환또는비치환된안트라세닐기,치환또는비치환된
페난트레닐기,치환또는비치환된나프타세닐기,치환또는비치환된피레닐기, 치환또는비치환된바이페닐기,치환또는비치환된 p-터페닐기,치환또는
비치환된 m-터페닐기,치환또는비치환된 0-터페닐기,치환또는비치환된
크리세닐기，치환또는비치환된트리페닐텐기,치환또는비치환된페릴레닐기, 치환또는비치환된플루오레닐기，치환또는비치환된 인데닐기,치환또는
비치환된퓨라닐기，치환또는비치환된티오페닐기,치환또는비치환된피롤릴기, 2019/066304 1»（：1^1{2018/010571 치환또는비치환된피라졸릴기,치환또는비치환된 이미다졸일기，치환또는 비치환된트리아졸일기,치환또는비치환된옥사졸일기，치환또는비치환된 티아졸일기,치환또는비치환된옥사디아졸일기，치환또는비치환된
티아디아졸일기，치환또는비치환된피리딜기，치환또는비치환된피리미디닐기, 치환또는비치환된피라지닐기,치환또는비치환된트리아지닐기,치환또는 비치환된벤조퓨라닐기,치환또는비치환된벤조티오페닐기,치환또는비치환된 벤즈이미다졸일기，치환또는비치환된인돌일기,치환또는비치환된퀴놀리닐기， 치환또는비치환된 이소퀴놀리닐기,치환또는비치환된퀴나졸리닐기,치환또는 비치환된퀴녹살리닐기,치환또는비치환된나프티리디닐기,치환또는비치환된 아자트리페닐레닐기,치환또는비치환된벤조퓨란피리미디닐기，치환또는
비치환된벤조티오펜피리미디닐기,치환또는비치환된벤즈옥사진일기,치환또는 비치환된벤즈티아진일기,치환또는비치환된아크리디닐기，치환또는비치환된 페나진일기，치환또는비치환된페노티아진일기，치환또는비치환된페녹사진일기, 치환또는비치환된디벤조퓨란일기,또는치환또는비치환된디벤조티오펜일기, 또는이들의 조합일수있으나,이에 제한되지는않는다.
본명세서에서,정공특성이란,전기장 (신 1 ;¾11)을가했을때 전자를 공여하여 정공을형성할수있는특성을말하는것으로,표0 0준위를따라전도 특성을가져 양극에서 형성된정공의 발광층으로의주입，발광층에서 형성된정공의 양극으로의 이동및발광층에서의 이동을용이하게하는특성을의미한다.
또한전자특성이란，전기장을가했을때 전자를받을수있는특성을 말하는것으로, 1刀1 0준위를따라전도특성을가져 음극에서 형성된전자의 발광층으로의 주입,발광층에서 형성된 전자의 음극으로의 이동및 발광층에서의 이동을용이하게하는특성을의미한다.
이하일구현예에 따른유기 광전자소자용화합물을설명한다.
유기 광전자소자용화합물로서 하기 화학식 1 및화학식 2의 조합으로 표현된것일수있다. 2019/066304 1»（：1^1{2018/010571
[화학식 1] [화학식 2]
Figure imgf000009_0001
상기 화학식 1 및화학식 2에서,
X는 0,요또는 1 이고,
（:이며, * 및外2와의 결합지점이고,
Figure imgf000009_0002
결합되지 않은 2개는각각독립적으로
0?"이고，
Figure imgf000009_0003
독립적으로수소,중수소，시아노기,치환 또는비치환된 01내지 030실릴기,치환또는비치환된 01내지 030알킬기 또는 치환또는비치환된 06내지。30아릴기이고,
내지 는각각독립적으로단일결합,치환또는비치환된 06내지 030 아릴렌기 또는퀴나졸릴텐기이고,
II5내지 II8은각각독립적으로수소,중수소,시아노기,치환또는비치환된 ＜그1내지 030실릴기,치환또는비치환된 01내지 030알킬기，치환또는비치환된 06내지 030아릴기 또는치환또는비치환된 02내지 030헤테로고리기이고, 내지 는중적어도하나는퀴나졸릴렌기이거나모5내지묘8중적어도 하나는치환또는비치환된퀴나졸린일기이고,
상기 "치환’’이란，적어도하나의 수소가중수소,（：1내지 010알킬기， 06내지 030아릴기 또는 02내지 020헤테로고리로치환된것을의미한다.본발명의 일 실시예에서,추가벤조고리의융합지점에 따라상기 화학식 1및화학식 2의 조합으로표현되는화합물은예컨대 하기 화학식 1쇼로표현될수있다.상기 화학식 1쇼로표현되는화합물은후술하는제 1유기 광전자소자용화합물일수있다. ［화학식 1시
Figure imgf000010_0001
상기 화학식 1A의 경우하기 화학식 1B보다 T1 energy level이 약 0.1 leV 이상높고,모체에 치환기가치환되었을경우 T1 energy level이 더욱내려가는것을 고려할때, Green소자및 Red소자적용시 낮은 T1 energy level로인해상기 화학식 내는상기 화학식 1A보다낮은효율을나타낼수있다.
또한상기 화학식 1A의 경우하기 화학식 1C보다 T1 energy level이 약 0.27 이상높고，모체에 치환기가치환되었을경우 T1 energy level이 더욱내려가는것을 고려할때, Green소자및 Red소자적용시 낮은 T1 energy level로인해상기 화학식 1C는상기 화학식 1A보다낮은효율을나타낼수있다.
［화학식 1B］ ［화학식 1C］
Figure imgf000010_0002
화학식 1 A T1 energy level : 2.700 eV
화학식 IB T1 energy level : 2.589 eV
화학식 1C T1 energy level : 2.430 eV
상기 화학식 1A내지 화학식 1C에서, ^ R1내지 R4, L1내지 L4,및 R5내지 R8의 정의는전술한바와같고， Rel, Re2, Re3및 Re4는전술한 Re의 정의와같다. 본발명의 구체적인 일예에서,상기 "치환”이란,적어도하나의 수소가 중수소， C1내지 C4알킬기,또는 C6내지 C18아릴기로치환된것을의미할수 2019/066304 9 1»（：1^1{2018/010571 있고，더욱구체적으로적어도하나의 수소가중수소,（ 내지 04알킬기,페닐기, para-바이페닐기 , 11^ 바이페닐기， 0!此0 -바이페닐기 ,터페닐기，플루오레닐기 , 융합플루오레닐기，피리미디닐기,트리아지닐기,퀴나졸리닐기,퀴녹살리닐기， 나프티리디닐기,벤조퓨란피리미디닐기，벤조티오펜피리미디닐기,디벤조퓨란일기 또는디벤조티오펜일기로치환된 것을의미할수있다.
본발명에 따른유기 광전자소자용화합물은융합디벤조퓨란,
융합디벤조티오펜또는융합플루오레닐코어에 적어도 2개의 X을함유하는 헤테로고리가도입된재료로서，상기 적어도 2개의 X을함유하는헤테로고리가특히 추가융합된벤조고리에 치환됨으로써,상대적으로
Figure imgf000011_0001
특히
Figure imgf000011_0002
적합한에너지 레벨을가지게할수있으며 이는곧,구동전압을 낮출수있고장수명 및고효율의 소자를구현할수있다. 본발명의 구체적인 일실시예에서,상기모5내지 은각각독립적으로 수소，중수소,치환또는비치환된 01내지 030알킬기,치환또는비치환된 06 내지 030아릴기 또는치환또는비치환된 02내지 030헤테로고리기이고,
상기묘5내지 II8중적어도하나는치환또는비치환된 02내지 030 헤테로고리기일수있다.
더욱구체적인 일실시예에서，상기 ^내지 II8중어느하나가치환또는 비치환된퀴나졸린일기이고，나머지는수소,중수소，시아노기，치환또는비치환된 01내지 030실릴기，치환또는비치환된（그1내지 030알킬기 또는치환또는 비치환된 06내지 030아릴기일수있다.
가장구체적인 일실시예에서,상기묘5가치환또는비치환된
퀴나졸린일기이고,상기 ^내지 은각각독립적으로수소,중수소，치환또는 비치환된 01내지 030알킬기또는치환또는비치환된 06내지 030아릴기일수 있고，
상기 II6이 치환또는비치환된퀴나졸린일기이고,상기 II5, II7및모8은각각 독립적으로수소,중수소,치환또는비치환된
Figure imgf000011_0003
030알킬기 또는치환또는 비치환된 06내지 030아릴기일수있고，
상기 이 치환또는비치환된퀴나졸린일기이고,상기 II5, II6및 II8은각각 독립적으로수소,중수소,치환또는비치환된 01내지 030알킬기 또는치환또는 2019/066304 10 1»（：1^1{2018/010571 비치환된 06내지 030아릴기일수있으며，
상기 II8이 치환또는비치환된퀴나졸린일기이고,상기 II5내지 II7은각각 독립적으로수소，중수소，치환또는비치환된 01내지 030알킬기 또는치환또는 비치환된 06내지 030아릴기일수있다.
예컨대상기 화학식 1쇼는하기 화학식 \A-aS.표현될수있다.
［화학식 1 리
Figure imgf000012_0001
상기 화학식 1쇼 에서,兄 내지 II4및모5내지 II8의 정의는전술한바와
Figure imgf000012_0002
전술한 11。의 정의와같고，느은단일결합,치환또는비치환된 06 내지 030아릴렌기 또는퀴나졸릴렌기이고, 및 는각각독립적으로수소, 중수소,시아노기,치환또는비치환된 0\내지 030알킬기，치환또는비치환된 06 내지 030아릴기 또는치환또는비치환된 02내지 030헤테로고리기이다.예컨대 상기 는치환또는비치환된 06내지 030아릴기 또는치환또는비치환된 02 내지 030헤테로고리기이고, 는수소일수있다.
더욱구체적인 일실시예에서,상기 은수소이고,상기 내지 II4는각각 독립적으로수소,중수소또는치환또는비치환된 01내지 020알킬기일수
Figure imgf000012_0003
본발명의 구체적인 일실시예에서，상기 내지 및느은각각
독립적으로단일결합,치환또는비치환된 06내지 020아릴렌기 또는
퀴나졸일렌기일수있고,예컨대단일결합,치환또는비치환된페닐텐기 또는치환 또는비치환된바이페닐렌기일수있다. 2019/066304 11 1»（：1^1{2018/010571 일 예로상기 페닐렌기또는바이페닐텐기는하기 그룹 I에 나열된 연결기에서 선택될수있다.
[그룹 I]
Figure imgf000013_0001
상기 그룹 I에서, II’및 II "은각각독립적으로수소원자，치환또는비치환된 06내지 030아릴기 또는치환또는비치환된 02내지 030헤테로고리기이다. 상기 그룹 I에서,예를들어, II’및 II "은각각독립적으로수소원자，페닐기， 비페닐기,터페닐기,디벤조티오펜일기 또는디벤조퓨란일기일수있다.
예컨대상기 화학식 1쇼는하기 화학식 1쇼- 1내지 화학식 1쇼- 8중어느 하나로표현될수있다.
[화학식 1쇼- 1] [화학식 \A-a-2]
Figure imgf000013_0002
2019/066304 12 1»（：1^1{2018/010571
[화학식 1쇼- 5] [화학식 1쇼내-6]
Figure imgf000014_0001
또는치환 또는비치환된（그1내지 030알킬기이고,
내지 는각각독립적으로단일결합,치환또는비치환된 06내지 030 아릴텐기 또는퀴나졸릴렌기이고,
및 는각각독립적으로수소，중수소,시아노기，치환또는비치환된 01 내지 030알킬기，치환또는비치환된 06내지 030아릴기 또는치환또는 비치환된 02내지 030헤테로고리기이다.
예컨대,상기 및 는각각독립적으로수소,중수소,시아노기,치환또는 비치환된 06내지 030아릴기 ,산소함유 02내지 030헤테로고리기 또는황함유 02내지 030헤테로고리기일수있다.
구체적으로상기 는치환또는비치환된 06내지 030아릴기，산소함유 C2내지 030헤테로고리기 또는황함유 01내지 030헤테로고리기일수있다. 예를들어,상기 는치환또는비치환된페닐기，치환또는비치환된 2019/066304 13 1»（：1^1{2018/010571 비페닐기,치환또는비치환된터페닐기,치환또는비치환된쿼터페닐기,치환또는 비치환된나프틸기，치환또는비치환된스파이로플루오렌일기,치환또는비치환된 플루오렌일기，치환또는비치환된디벤조퓨란일기，또는치환또는비치환된 디벤조티오펜일기일수있으며，여기서 치환은페닐기，시아노기,비페닐기， 나프틸기를의미할수있다.
예를들어,상기於는치환또는비치환된페닐기，치환또는비치환된 비페닐기，치환또는비치환된터페닐기,치환또는비치환된쿼터페닐기,치환또는 비치환된나프틸기,치환또는비치환된스파이로플루오렌일기,치환또는비치환된 플루오렌일기,치환또는비치환된디벤조퓨란일기，또는치환또는비치환된 디벤조티오펜일기일수있다.
더욱구체적으로상기 는하기 그룹 II에 나열된연결기에서 선택될수 있다.
[그룹 II]
Figure imgf000015_0001
구체적으로
Figure imgf000015_0002
수소,중수소，시아노기 또는치환또는비치환된 06 내지 030아릴기일수있다.
본발명의 가장구체적인 일실시예에 따른유기 광전자소자용화합물은 상기 화학식 1쇼 -1,화학식 1쇼내-3,화학식 1쇼 -5또는화학식 1쇼 -7로표시될수 있고,
상기 X는 0또는 이고,
상기 II1내지 II4, 3및 4는각각독립적으로수소이고,
상기 내지 1/는각각독립적으로단일결합또는치환또는비치환된 06 내지 030아릴렌기이고, 2019/066304 14 1»（：1^1{2018/010571 상기 및於는각각독립적으로수소,중수소,시아노기,치환또는 비치환된 06내지 030아릴기，산소함유 02내지 030헤테로고리기 또는황함유 02내지 030헤테로고리기일 일수있다.
상기 화학식 1쇼 -1,화학식 1쇼낸-3,화학식 1쇼-£1-5또는화학식 1쇼 -7로 표시되는화합물이，상기 화학식 1쇼- 2,화학식 1쇼 4,화학식 1쇼- 6또는화학식 1쇼-조-8로표시되는화합물보다，퀴나졸린의 LUMO구름이 융합고리（다이벤조퓨란 또는다이벤조티오펜과벤젠간융합고리）쪽으로더 넓게 퍼지게 되며 강한 전자수송호스트재료의특성을가지게되므로,빠른전자수송능력을가지는낮은 구동전압재료,특히 적색 재료로사용하기에 더 적합할수있다.
상기 화학식 1및화학식 2의 조합으로표현되는유기 광전자소자용 화합물（제 1유기 광전자소자용화합물）은예컨대 하기 그룹 1에 나열된화합물에서 선택될수있으나，이에 한정되는것은아니다.
\\?0 2019/066304
[그룹
Figure imgf000017_0001
Figure imgf000017_0002
wo 2019/066304
Figure imgf000018_0001
o 2019/066304
Figure imgf000019_0001
Figure imgf000020_0001
Figure imgf000021_0001
Figure imgf000022_0001
Figure imgf000023_0001
WO 2019/066304 22
Figure imgf000024_0001
2019/066304 23 1»（：1^1{2018/010571
Figure imgf000025_0001
전술한유기 광전자소자용화합물은단독으로또는다른유기 광전자 소자용화합물과함께유기 광전자소자에 적용될수있다. 전술한유기 광전자 소자용화합물이 다른유기 광전자소자용화합물과함께사용되는경우,조성물의 형태로적용될수있다.
또한,본발명은제 1화합물로서 상기에서 언급한”［화학식 1시로표현된 화합물（제 1유기 광전자소자용화합물）"및 제 2화합물（제 2유기 광전자소자용 화합물）로서 "하기의 ［화학식 2］로표현되는화합물및［화학식 3］으로표현되는 모이어티와하기 ［화학식 4］로표현되는모이어티의 조합으로이루어진화합물중 적어도 1종의 화합물”을포함하는유기전자소자용조성물을제공한다.
［화학식 2］
Figure imgf000025_0002
2019/066304 24 1»（：1^1{2018/010571 상기 화학식 2에서,
및 는각각독립적으로단일결합，치환또는비치환된 06내지 030 아릴렌기,치환또는비치환된 02내지 030헤테로아릴렌기,또는이들의조합이고, 사1및 2는각각독립적으로치환또는비치환된 C6내지 030아릴기, 치환또는비치환된 02내지 030헤테로고리기,또는이들의 조합이고，
Figure imgf000026_0001
독립적으로수소，중수소,치환또는비치환된 0\내지 020알킬기,치환또는비치환된 06내지 030아릴기,치환또는비치환된 02내지 050헤테로고리기,또는이들의 조합이고,
III은 0내지 2의 정수중하나이고;
[화학식 3] [화학식 4]
Figure imgf000026_0002
상기 화학식 3및 4에서,
V3및 는각각독립적으로단일결합,치환또는비치환된 06내지 030 아릴텐기,치환또는비치환된 02내지 030헤테로아릴텐기 또는이들의 조합이고,
3및 4는각각독립적으로치환또는비치환된 06내지 030아릴기， 치환또는비치환된 02내지 030헤테로고리기,또는이들의 조합이고，
묘16내지묘19는각각독립적으로수소，중수소，치환또는비치환된（그1내지 020알킬기,치환또는비치환된 C6내지 050아릴기,치환또는비치환된 02내지 050헤테로고리기，또는이들의 조합이고，
상기 화학식 3의 인접한두개의 *는상기 화학식 4의 두개의 *와연결되어 융합고리를형성하고상기 화학식 3에서 융합고리를형성하지 않은 *는각각 독립적으로
^는수소,중수소,치환또는비치환된 01내지 010알킬기,치환또는 비치환된 06내지 012아릴기,치환또는비치환된 02내지 012헤테로고리기, 또는이들의 조합이고;
상기 "치환’’이란,적어도하나의 수소가중수소， 01내지 04알킬기, 06내지 018아릴기,또는 02내지 018헤테로아릴기로치환된것을의미한다. 2019/066304 25 1»（：1^1{2018/010571 본발명의 일실시예는,［화학식 1시및［화학식 2］을포함하는유기 발광 소자용조성물일수있다.
본발명의 일실시예는,레드호스트로서 ［화학식 1시및［화학식 2］을 포함하고레드인광도판트를포함하는유기 발광소자를제공한다.
본발명의 일실시예에서,화학식 2에서， 111=0일수있으며, 2및 1은 치환또는비치환된 06내지 030아릴기 또는치환또는비치환된 03내지 030 헤테로알릴기 일수있다.
본발명의 일실시예에서，화학식 2에서， 111=0일수있으며, 2및 1은 페닐기，비페닐기，터페닐기，쿼터페닐기,나프틸기,안트라센일기,트리페닐렌기， 디벤조퓨란일기,디벤조티오펜일기 또는이들의 조합일수있다.
본발명의 일실시예에서,상기 화학식 2의 및 는각각독립적으로 단일결합,또는치환또는비치환된 C6내지 018아릴렌기일수있다.
본발명의 일실시예에서，상기 화학식 2의쇼/및 2는각각독립적으로, 치환또는비치환된페닐기，치환또는비치환된바이페닐기,치환또는비치환된 터페닐기,치환또는비치환된나프틸기，치환또는비치환된안트라세닐기,치환 또는비치환된트리페닐레닐기,치환또는비치환된피리디닐기,치환또는
비치환된피리미디닐기,치환또는비치환된퀴나졸일기,치환또는비치환된 이소퀴나졸일기,치환또는비치환된디벤조티오펜일기，치환또는비치환된 디벤조퓨란일기,치환또는비치환된카바졸일기,치환또는비치환된플루오레닐기, 또는이들의조합일수있다.
본발명의 일실시예에서,상기 화학식 2의 111 내지 5는각각독립적으로 수소，중수소，또는치환또는비치환된 06내지 012아릴기일수있다.
본발명의 일실시예에서,상기 화학식 2의 III은 0또는 1일수있다.
본발명의 구체적인 일실시예에서,상기 화학식 2는하기 그룹 III에 나열된 구조중하나이고，상기
Figure imgf000027_0001
그룹 IV에 나열된치환기 중 하나일수있다. 2019/066304 26 1»（：1/10公018/010571
[그룹 01]
Figure imgf000028_0001
상기 그룹 ]! [및그룹 IV에서,*은연결지점이다.
구체적으로，상기 화학식 2는상기그룹 III의 8로표현되고，상기
Figure imgf000028_0002
및 *- -^는상기 그룹 IV의 6-1내지 8-4중어느하나로표현될수있다. 더욱구체적으로,상기 *- -세,및 *- - 2는상기 그룹 IV의 6-2, 6-3및 이들의조합에서 선택될수있다.
상기 화학식 2로표시되는제 2유기 광전자소자용화합물은예컨대하기 그룹 2에 나열된화합물일수있으나，이에 한정되는것은아니다. [^f- 2]
Figure imgf000029_0001
Figure imgf000030_0001
[B-61] [B-62] [B-63] [B-64] [B-65]
Figure imgf000031_0001
Figure imgf000032_0001
2019/066304 31 1»（그1^1{2018/010571
[6-131] [8-132] [6-133] [6-134] [6-135]
Figure imgf000033_0001
본발명의 일실시예에서 상기 화학식 3으로표현되는모이어티와하기 화학식 4로표현되는모이어티의조합으로이루어진저 12유기 광전자소자용 화합물은하기 화학식 3- 1 내지 2>- 중적어도하나로표현될수있다.
［화학식 3- 1］［화학식 3-11］［화학식 3-12］
Figure imgf000033_0002
상기 화학식 3- 1 내지 3- V에서, , 3, 4,및 II16내지 II19는전술한 바와같다.
본발명의 일실시예에서 상기 화학식 3- 1 내지 3-¥의 V3및 는 단일결합,페닐렌기,바이페닐텐기,피리딜렌기，또는피리미디닐렌기일수있다. 본발명의 일실시예에서 상기 화학식 3- 1 내지 3- 의요 및 는치환 2019/066304 32 1»（：1^1{2018/010571 또는비치환된페닐기,치환또는비치환된바이페닐기,치환또는비치환된 피리딜기，치환또는비치환된피리미디닐기,또는치환또는비치환된
트리아지닐기일수있다.
본발명의 일실시예에서상기 화학식 3- 1 내지 3-¥의 II16내지 9는 수소일수있다.
본발명의 일실시예는,［화학식 1시및［화학식 3-111］을포함하는유기 발광 소자용조성물일수있다.
본발명의 일실시예는,레드호스트로서 ［화학식 1시및［화학식 3-］고］을 포함하고레드인광도판트를포함하는유기 발광소자를제공한다.
상기 화학식 3으로표현되는모이어티와상기 화학식 4로표현되는 모이어티의 조합으로이루어진제 2유기 광전자소자용화합물은예컨대하기 그룹 3에 나열된화합물일수있으나,이에 한정되는것은아니다.
［그룹 3］
Figure imgf000034_0001
[E-21] [E-22] [E-23] [E-24] [E-25]
Figure imgf000035_0001
2019/066304 34 1»（：1^1{2018/010571
Figure imgf000036_0001
상기 제 2유기 광전자소자용화합물은상기 제 1유기 광전자소자용 화합물과함께 발광증에사용되어 전하의 이동성을높이고안정성을높임으로써 발광효율및수명 특성을개선시킬수있다.또한상기 제 2유기 광전자소자용 화합물과상기 제 1유기 광전자소자용화합물의 비율을조절함으로써 전하의 이동성을조절할수있다.
또한,상기 제 1유기 광전자소자용화합물과제 2유기 광전자소자용 화합물은예컨대 약 1:9내지 9:1, 2:8내지 8:2, 3:7내지 7:3, 4:6내지 6:4,그리고 5:5의 중량비로포함될수있고，구체적으로 1:9내지 8:2, 1:9내지 7:3, 1:9내지 6:4, 1:9내지 5:5의 중량비로포함될수있으며，더욱구체적으로, 2:8내지 7:3, 2:8내지
6:4,그리고 2:8내지 5:5의 중량비로포함될수있다. 또한, 3:7내지 6:4,그리고 3:7 내지 5:5의 중량비로포함될수있으며,가장구체적으로 3:7, 4:6또는 5:5의
중량비로포함될수있다.
상기 유기 광전자소자용조성물은그린또는레드유기발광소자의호스트로 사용될수있다.
상기 유기 광전자소자용화합물또는조성물은다른유기 광전자소자용 화합물외에 1종이상의 유기 화합물을더 포함할수있다.
상기 유기 광전자소자용화합물또는조성물은도펀트를더 포함할수있다. 상기 도펀트는적색,녹색또는청색의 도펀트일수있다.
상기 도펀트는미량혼합되어 발광을일으키는물질로,일반적으로삼중항 상태 이상으로여기시키는다중항여기 (multiple excitation)에 의해 발광하는금속 착체 (metal complex)와같은물질이사용될수있다. 상기 도펀트는예컨대무기， 유기,유무가화합물일수있으며, 1종또는 2종이상포함될수있다.
상기 도펀트의 일 예로인광도펀트를들수있으며,인광도펀트의 예로는 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd또는이들의 조합을포함하는 유기 금속화합물을들수있다. 상기 인광도펀트는예컨대하기 화학식 로 표현되는화합물을사용할수있으나，이에 한정되는것은아니다.
[화학식 Z]
L2MX
상기 화학식 Z에서, M은금속이고, L및 X는서로같거나다르며 M과 착화합물을형성하는리간드이다.
상기 M은예컨대 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd또는 이들의 조합일수있고,상기 L및 X는예컨대 바이덴테이트리간드일수있다. 이하전술한유기 광전자소자용화합물을적용한유기 광전자소자를 설명한다.
또다른구현예에 따른유기 광전자소자는서로마주하는양극과음극, 그리고상기 양극과상기 음극사이에 위치하는적어도한층의 유기층을포함하고， 상기 유기층은전술한유기 광전자소자용화합물을포함할수있다.
일 예로상기 유기층은발광층을포함하고,상기 발광층은본발명의 유기 광전자소자용화합물을포함할수있다.
구체적으로,상기 유기 광전자소자용화합물은상기 발광층의 호스트， 2019/066304 36 1»（：1^1{2018/010571 예컨대그린호스트또는레드호스트로서 포함될수있다.
또한,상기 유기층은발광층;및 전자수송층，전자주입층및 정공차단층에서 선택된적어도하나의 보조층을포함하고，상기 보조층은상기 유기 광전자소자용 화합물을포함할수있다.
상기 유기 광전자소자는전기 에너지와광에너지를상호전환할수있는 소자이면특별히 한정되지 않으며，예컨대유기 광전소자,유기 발광소자,유기 태양전지 및유기 감광체드럼 등을들수있다.
여기서는유기 광전자소자의 일 예인유기 발광소자를도면을참고하여 설명한다.
도 1및도 2는일구현예에 따른유기 발광소자를보여주는단면도이다. . 도 1을참고하면,일구현예에 따른유기 광전자소자 (100)는서로마주하는 양극 (120)과음극 (110),그리고양극 (120)과음극 (110)사이에 위치하는유기층 (105)을 포함한다.
양극 (120)은예컨대정공주입이 원활하도록일함수가높은도전체로 만들어질수있으며,예컨대금속,금속산화물및/또는도전성 고분자로만들어질 수있다. 양극 (120)은예컨대 니켈,백금,바나듐,크롬,구리,아연,금과같은금속 또는이들의 합금;아연산화물,인듐산화물,인듐주석산화물 ( 이,
인듐아연산화물 (1 0)과같은금속산화물; ¾10와시또는 ¾02와 와같은금속과 산화물의조합;폴리 (3 -메틸티오펜),
폴리(3,4-(에틸렌-1，2-디옥시)티오펜) 01 6¾ 크 에0 6116: ?표］)1’),들리피롤및 풀리아닐린과같은도전성 고분자등을들수있으나,이에 한정되는것은아니다. 음극 (110)은예컨대 전자주입이 원활하도록일 함수가낮은도전체로 만들어질수있으며,예컨대금속,금속산화물및/또는도전성 고분자로만들어질 수있다. 음극 (110)은예컨대마그네슘，칼슘,나트륨,칼륨,타이타늄,인둠,이트륨， 리튬,가돌리늄，알루미늄,은,주석,납,세슘，바륨등과같은금속또는이들의 합금; 1 /신, 002/시， 1 ^¾ 1 /시및묘크 幻크과같은다층구조물질을들수 있으나,이에 한정되는것은아니다.
유기층 (105)은전술한유기 광전자소자용화합물을포함하는발광층 (130)을 포함한다.
도 2는다른구현예에 따른유기 발광소자를보여주는단면도이다. 도 2를참고하면,유기 발광소자 (200)는발광층 (130)외에 정공 보조층 (140)을더 포함한다. 정공보조층 (140)은양극 (120)과발광층 (130)사이의 정공주입 및/또는정공이동성을더욱높이고전자를차단할수있다. 정공 보조층 (140)은예컨대 정공수송층,정공주입층및/또는전자차단층일수있으며, 적어도 1층을포함할수있다.
도 1또는도 2의 유기층 (105)은도시하지는않았지만，전자주입층, 전자수송층,전자수송보조층,정공수송층,정공수송보조층，정공주입층또는이들의 조합층을추가로더 포함할수있다. 본발명의 유기 광전자소자용화합물은이들 유기층에 포함될수있다.유기 발광소자 (100, 200)는기판위에 양극또는음극을 형성한후,진공증착법 (evaporation),스퍼터링 (sputtering),플라즈마도금및
이온도금과같은건식성막법;또는스핀코팅 (spin coating),침지법 (dipping), 유동코팅법 (flow coating)과같은습식성막법 등으로유기층을형성한후,그위에 음극또는양극을형성하여 제조할수있다.
전술한유기 발광소자는유기 발광표시 장치에 적용될수있다.
【발명의 실시를위한형태】
이하에서는본발명의 구체적인실시예들을제시한다. 다만，하기에 기재된 실시예들은본발명을구체적으로예시하거나설명하기 위한것에 불과하며,이로서 본발명이 제한되어서는아니된다.
이하，실시예 및합성예에서사용된출발물질및 반응물질은특별한언급이 없는한, Sigma-Al加 ch社또는 TCI社에서 구입하였거나，공지된방법을통해 합성하였다.
(유기 광전자소자용화합물의 제조)
본발명의 화합물의 보다구체적인 예로서 제시된화합물을하기 단계를 통해합성하였다.
(제 1유기 광전자소자용화합물)
합성예 1:화합물 3의 합성 2019/066304 38 1»(：1/10公018/010571
[반응식 1]
Figure imgf000040_0001
중간체 A의 합성
둥근바닥플라스크에 2-Benzofuranylboronic acid 21.95 g (135.53 mmol),
2-bromo-3-chlorobenzaldehyde 26.77 g (121.98 mmol), Pd(OAc)2 2.74 g (12.20 mmol), Na2C(¾ 25.86 g (243.96 mmol)을 Acetone 200 m/증류수 220 ml에 현탁시킨후 12시간동안 상온에서 교반한다.반응종료후농축하고 Methylene Chloride로추출하여 유기층을 Silicagel columm하여 목적 화합물인 중간체 A 21.4 g (Yield 68%)을획득하였다.
중간체 6의 합성
중간제 A 20.4 g (79.47 mmol)과 (methoxymethyl)triphenylphosphonium chloride
29.97 g (87.42 mmol)을 THF 400 ml에 현탁시킨후 Potassium tert-Butoxide 10.70 g (95.37 mmol)을가한후 12시간동안상온에서 교반하였다. 반응종료후증류수 400 ml를첨가한후추출하고，유기층을농축한후 Methylene Chloride로재추출하고 유기증을 Magnesium Sulfate를첨가한후 30분교반한후 Filter하고여액을
농축하였다.농축한여액에 다시 Methylene Chloride 100 ml를가한후
Methanesulfonic acid 10 ml를첨가한후 1시간교반하였다.
반응종료후생성된고체를 filter하고증류수및 Methyl Alcoh이로건조하여 목적 화합물인중간체 B 21.4 g (65% Yield)를 획득하였다.
중간체 C의 합성
중간체 B 12.55 g (49.66 mmol), Pd(dppf)Cl2 2.43 g (2.98 mmol),
Bis(pinacolato)diboron 15.13 g(59.60 mmol), KOAc 14.62 g (148.99 mmol), P(Cy)3 3.34 g (11.92 mmol)을 DMF 200 ml에 현탁시킨후 12시간동안환류교반한다.반응종료 후증류수 200 ml를첨가하여 생성된고체를 Filter하고, Methylene Chlor 로
정정용지（규칙제 91조） 2019/066304 39 1»(：1/10公018/010571 추출하여 유기층을 Hexane : EA = 4 : l(v/v)로컬럼하여 목적 화합물인 중간체 C 13 g (76% Yield)을획득하였다.
중간체 D의 합성
둥근바닥플라스크에 중간체 C 10 g (29.05 mmol), 2,4-dichloroquinazoline 5.78 g (29.05 mmol), Pd(PPh3)4 1.01 g (0.87 mmol), K2CO3 8.03 g (58.10 mmol)을 THF 100 ml및 증류수 50 ml에 현탁시킨후 12시간동안환류교반하였다. 반응종료후상온으로 냉각시킨후 Methyl Alcohol 300 ml를첨가한후생성된고체를 filter하고증류수및 Methyl Alcohol로세척 하였다.상기 고체를 Toluene 400 ml에 가열 용해하고 Silicagel Filter하여 여액을농축한후생성된고체를 Acetone 100 ml 30분간교반한후 Filter 하여 목적 화합물인 중간체 D 8.00 g (72% Yield)을획득하였다.
화합물 3의 합성
둥근바닥플라스크에 중간체 D 8.0 g (21.01 mmol),중간체 E 7.48 g (21.01 mmol), Pd(PPh3)4 0.73 g (0.63 mmol), K2C03 5.81 g (42.01 mmol)을 THF 100 ml및 증류수 50 ml에 현탁시킨후중간체 D합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인 화합물 3 10.0 g (83% yield)를획득하였다.
Figure imgf000041_0001
중간체 F합성
둥근바닥플라스크에 2-Benzofuranylboronic acid 21.95 g (135.53 mmol),
2-bromo-4-chlorobenzaldehyde 26. 77 g (121.98 mmol), Pd(OAc)2 2.74 g (12.20 mmol),
정정용지 (규칙제 91조) Na2C03 25.86 g (243.96 mmol)을 Acetone 200 m/증류수 220 ml에 현탁시킨후중간체 A합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인중간체 F 21.4 g (68% yield)을 획득하였다.
중간체 G의 합성
중간제 F 20.4 g (79.47 mmol)과 (methoxymethyl)triphenylphosphonium chloride
29.97 g (87.42 mmol)을 THF 400 ml에 현탁시킨후 Potassium tert-Butoxide 10.70 g (95.37 mmol)을가한후중간체 B합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인 중간체 G 21.4 g (65% yield)을획득하였다.
중간체묘의 합성
중간체 G 12.55 g (49.66 mmol), Pd(dppf)Cl2 2.43 g (2.98 mmol),
Bis(pinacolato)diboron 15.13 g(59.60 mmol), KOAc 14.62 g (148.99 mmol), P(Cy)3 3.34 g (11.92 mmol)을 DMF 200 ml에 현탁시킨후중간체 C합성과동일한방법으로 합성하여 목적 화합물인중간체 H 13 g (76% yield)을획득하였다.
중간체 I의 합성
둥근바닥플라스크에 중간체 H 10 g (29.05 mmol), 2,4-dichloroquinazoline 5.78 g
(29.05 mmol), Pd(PPh3)4 1.01 g (0.87 mmol), K2C03 8.03 g (58.10 mmol)을 THF 100 ml및 증류수 50 ml에 현탁시킨후중간체 D합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인중간체 I 9.0 g (81% yield)을획득하였다.
화합물 67의 합성
둥근바닥플라스크에 중간체 I 9.0 g (23.63 mmol),중간체 J 8.13 g (23.63 mmol),
Pd(PPh3)4 0.82 g (0.71 mmol), K2C03 6.53 g (47.27 mmol)을 THF 100 ml및증류수 50 ml에 현탁시킨후중간체 D합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인 화합물 67 11.0 g (83% yield)를획득하였다.
LC-Mass (이론치 : 562.61 g/mol,즉정치 : M+ = 562.45 g/mol) 합성예 3:화합물 74의 합성 2019/066304 41 1»(：1/10公018/010571
[반응식 3]
Figure imgf000043_0001
중간체 k합성
둥근바닥플라스크에 2~861 0¾1대11 1)01'011止 21.95온 (135.53 11111101)，
2-bromo-5 -chlorobenzaldehyde 26. 77 g (121.98 mmol), Pd(OAc)2 2.74 g (12.20 mmol), Na2C03 25.86 g (243.96 mmol)을 Acetone 200 m/증류수 220 ml에 현탁시킨후중간체 A합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인 중간체 K 21.4 g (68% yield)을 획득하였다.
중간체 L의 합성
중간제 K 20.4 g (79.47 mmol)과 (methoxymethyl)triphenylphosphonium chloride
29.97 g (87.42 mmol)을 THF 400 ml에 현탁시킨후 Potassium tert-Butoxide 10.70 g (95.37 mmol)을가한후중간체 B합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인 중간체 L 21.4 g (65% yield)을획득하였다.
중간체 M의 합성
중간체 L 12.55 g (49.66 mmol), Pd(dppf)Cl2 2.43 g (2.98 mmol),
Bis(pinacolato)diboron 15.13 g(59.60 mmol), KOAc 14.62 g (148.99 mmol), P(Cy)3 3.34 g (11.92 mmol)을 DMF 200 ml에 현탁시킨후중간체 C합성과동일한방법으로 합성하여 목적 화합물인 중간체 M 13 g (76% yield)을획득하였다.
중간체 N의 합성
둥근바닥플라스크에 중간체 M 13 g (37.77 mmol), 2,4-dichloroquinazoline 7.52 g
(37.77 mmol), Pd(PPh3)4 1.31 g (1.13 mmol), K2C03 10.44 g (75.54 mmol)을 THF 100 ml및 증류수 50 ml에 현탁시킨후중간체 D합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인 중간체 N 12.0 g (83% yield)을획득하였다.
정정용지 (규칙제 91조) 화합물 74의 합성
둥근바닥플라스크에 중간체 N 10.0 g (26.26 mmol),중간체 E 9.36 g (26.26 mmol), Pd(PPh3)4 0.91 g (0.79 rranol), K2CO3 7.26 g (52.52 mmol)을 THF 100 ml및 증류수 50 ml에 현탁시킨후중간체 D합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인 화합물 74 13.0 g (86% yield)를획득하였다.
LC-Mass (이론치 : 574.67 g/mol,즉정치 : M+ = 574.60 g/mol) 합성예 4:화합물 77의 합성
[반응식 4]
Figure imgf000044_0001
둥근바닥플라스크에 중간체 N 8.0 g (21.01 mmol),중간체 O 7.48 g (21.01 mmol), Pd(PPh3)4 0.73 g (0.63 mmol), K2CO3 5.81 g (42.01 mmol)을 THF 100 ml및 증류수 50 ml에 현탁시킨후중간체 D합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인 화합물 77 9.0 g (75% yield)를획득하였다.
LC-Mass (이론치 : 574.67 g/mol,즉정치 : M+ = 574.56 g/mol) 합성예 5:화합물 78의 합성
[반응식 5]
Figure imgf000044_0002
정정용지（규칙제 91조） 중간체 의 합성
둥근바닥플라스크에 2,6-dibromonaphthalene 50.0 g (174.85 mmol), phenylboronic acid 22.41 g (183.59 mmol), Pd(PPh3)4 6.06 g (5.25 mmol), K2C03 48.33 g (349.70 mmol)을 THF 500 ml및 증류수 250 ml에 현탁시킨후 12시간동안환류교반하였다.반응 종료후농축하고 Methylene Chloride로추출하여 유기층을 Silicagel columm하여 목적 화합물인 화합물 P 35.0 g ( Yield 71 %)을획득하였다.
중간체 O의 합성
중간체 PPd(dppf)Cl2 2.60 g (3.18 mmol), B is (pinaco lato )diboron 19.37 g(76.28 mmol), KOAc 18.72 g (190.70 mmol),을 DMF 200 ml에 현탁시킨후 12시간동안환류 교반한다.반응종료후증류수 200 ml를첨가하여 생성된고체를 Filter하고，
Methylene Chloride로주줄하여 유기증을농축하여 Hexane: EA = 10 : l(v/v)로
컬럼하여 목적 화합물인 화합물 Q 15 g (71% Yield)을획득하였다.
화합물 78의 합성
둥근바닥플라스크에 중간체 N 10.0 g (26.26 mmol),중간체 Q 8.67 g (26.26 mmol), Pd(PPh3)4 0.91 g (0.79 mmol), K2C03 7.26 g (52.52 mmol)을 THF 100 ml및 증류수 50 ml에 현탁시킨후중간체 D합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인 화합물 78 11.0 g (76% yield)를획득하였다.
LC-Mass (이론치 : 548.63 g/mol,즉정치 : M+ = 548.45 g/mol) 합성예 6:화합물 89의 합성
[반응식 6]
Figure imgf000045_0001
정정용지（규칙제 91조） 중간체묘의 합성
둥근바닥플라스크에 중간체 M 30.0 g (87.16 mmol), l-bromo-4-chlorobenzene 18.35 g (95.87 mmol), Pd(PPh3)4 3.02 g (2.61 mmol), K2C03 24.09 g (174.31 mmol)을 THF 200 ml및증류수 100 ml에 현탁시킨후중간체 D합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인중간체 R 41.0 g (86% yield)를획득하였다.
중간체요의 합성
중간체 R 30.0 g (91.24 mmol), Pd(dppf)Cl2 4.47 g (5.47 mmol),
Bis(pinacdato)diboron 27.80 g(l 09.49 mmol), KOAc 26.87 g (273.73 mmol), P(Cy)3 6.14 g (21.90 mmol)을 DMF 300 ml에 현탁시킨후중간체 C합성과동일한방법으로 합성하여 목적 화합물인중간체 S 29 g (76% yield)을획득하였다.
중간체 T의 합성
둥근바닥플라스크에 중간체 S 20.0 g (47.58 mmol), 2,4-dichloroquinazoline 9.47 g (47.58 mmol), Pd(PPh3)4 1.65 g (1.43 mmol), K2C03 13.15 g (95.17 mmol)을 THF 100 ml및 증류수 50 ml에 현탁시킨후중간체 D합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인중간체 T 15.0 g (69% yield)을획득하였다.
화합물 89의 합성
둥근바닥플라스크에 중간체 T 10.0 g (21.89 mmol), dibenzo[b,d]foran-3-ylboronic acid 5.10 g (24.07 mmol), Pd(PP¾)4 0.76 g (0.66 mmol), K2CO3 6.05 g (43.77 mmol)을 THF 100 ml및증류수 50 ml에 현탁시킨후중간체 D합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인화합물 89 10.0 g (78% )deld)를획득하였다.
LC-Mass (이론치 : 588.65 g/mol,즉정치 : M+ = 588.58 g/mol) 합성예 7:화합물 94의합성 2019/066304 45 1»(：1/10公018/010571
Figure imgf000047_0001
둥근바닥플라스크에 2 861犯01;1^01)11611)41)01011止 년 21.95은 (135.53 11^10!),
2-bromo-5-chlorobenzaldehyde 26.77 g (121.98 mmol), Pd(OAc)2 2.74 g (12.20 mmol),
Na2C03 25.86 g (243.96 mmol)을 Acetone 200 ml증류수 220 ml에 현탁시킨 후중간체 A합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인중간체 U 21.4 g (68% yield)을 획득하였다.
중간체 V의 합성
중간제 U 20.4 g (79.47 mmol)과 (methoxymethyl)triphenylphosphonium chloride
29.97 g (87.42 mmol)을 THF400 ml에 현탁시킨후 Potassium tert-Butoxide 10.70 g (95.37 mmol)을가한후중간체 B합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인 중간체 V 21.4 g (65% yield)을획득하였다.
중간체 의 합성
중간체 V 12.55 g (49.66 mmol), Pd(dppf)Cl2 2.43 g (2.98 mmol),
Figure imgf000047_0002
증류수 50 에 현탁시킨후중간체 합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인중간체 11.0 § (77% >加 )을획득하였다.
화합물 94의 합성 정정용지 (규칙제 91조) 둥근바닥플라스크에 중간체 X 10.0 £ (25.20 1111X101),중간체표 9.87 § (27.72 1x111101)，므산 1¾3)4 0.87은 (0.76 11111101)， 1¾(：03 6.96
Figure imgf000048_0001
증류수
50 에 현탁시킨후중간체 0합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인 화합물 94 12.0용(81% 1到를획득하였다.
1乂＞^½58 (이론치 : 590.73은/11101,즉정치 : 1 + = 590.76용/11101) 합성예 8:화합물 91의 합성
[반응식 8]
Figure imgf000048_0002
중간체 의 합성
둥근바닥플라스크에 중간체 E 20.0 g (56.14 mmol), 2,4-dichloroquinazoline 11.17 g (56.14 mmol), Pd(PPh3)4 1.95 g (1.68 mmol), K2C03 15.52 g (112.27 mmol)을 THF 200 ml 및 증류수 100 ml에 현탁시킨후중간체 D합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인 중간체 Y 18.0 g (82% yield)을획득하였다.
화합물 91의 합성
둥근바닥플라스크에 중간체 Y 10.0 g (25.45 mmol),중간체 M 9.64 g (28.00 mmol), Pd(PPh3)4 0.88 g (0.76 mmol)， K2C03 7.04 g (50.91 mmol)을 THF 100 ml및 증류수 50 ml에 현탁시킨후중간체 D합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인 화합물 91 10.0 g (68% yield)를 획득하였다.
LC-Mass (이론치 : 574.67 g/mol,측정치 : M+ = 574.54 g/mol) 합성예 9:화합물 104의 합성 정정용지 (규칙제 91조) 2019/066304 47 1»(：1/10公018/010571
[반응식 9]
Figure imgf000049_0001
중간체 104-쇼합성
둥근바닥플라스크에 2 86112061대11 1）이：011止 21.95은（135.53 11111101），
2-bromo-6-chlorobenzaldehyde 26. 77 g (121.98 mmol), Pd(OAc)2 2.74 g (12.20 mmol),
Na2C03 25.86 g (243.96 mmol)을 Acetone 200 m/증류수 220 ml에 현탁시킨 후중간체 A합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인 중간체 104-A 21.4 g (68% yield)을획득하였다.
중간체 104-B의 합성
중간제 104-A 20.4 g (79.47 mmol)과 (methoxymethyl)triphenylphosphonium chloride 29.97 g (87.42 mmol)을 THF 400 ml에 현탁시킨후 Potassium tert-Butoxide 10.70 g (95.37 mmol)을가한후중간체 B합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인 중간체 104-B 21.4 g (65% yield)을 획득하였다.
중간체 104-C의 합성
중간체 104-B 12.55 g (49.66 mmol), Pd(dppf)Cl2 2.43 g (2.98 mmol),
Bis(pinacolato)diboron 15.13 g(59.60 mmol), KOAc 14.62 g (148.99 mmol), P(Cy)3 3.34 g (11.92 mmol)을 DMF 200 ml에 현탁시킨후중간체 C합성과동일한방법으로 합성하여 목적 화합물인 중간체 104-C 13 g (76% yield)을획득하였다.
중간체 104-D의 합성
둥근바닥플라스크에 중간체 M 13 g (37.77 mmol), 2,4-dichloroquinazoline 7.52 g
(37.77 mmol), Pd(PPh3)4 1.31 g (1.13 mmol), K2C03 10.44 g (75.54 mmol)을 THF 100 ml및 증류수 50 ml에 현탁시킨후중간체 D합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인 중간체 104-D 12.0 g (83% yield)을 획득하였다.
화합물 104의 합성
정정용지（규칙제 91조） 둥근바닥플라스크에
Figure imgf000050_0001
10.0 § (26.26 11111101),중간체묘 9.36용 (26.26 11111101)， ＜1(?1¾3)4 0.91용 (0.79 11111101)， 1¾ 03 7.26은 (52.52 1111x101)을 "다!!7 100 1끄1및 증류수 50 에 현탁시킨후중간체 D합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인 화합물 104 13.0 ^86% 네를획득하였다.
1乂＞]^58 (이론치 : 574.67은/11101，즉정치 : 1 + = 574.58용/11101) 비교합성예 1：비교화합물 1의 합성
[비교화합물 1]
Figure imgf000050_0002
둥근바닥플라스크에 중간체 V-A 8.0 g (21.01 mmol), 2,4-dichloroquinazoline 7.48 g (21.01 mmol), Pd(PPh3)4 0.73 g (0.63 mmol), K2C03 5.81 g (42.01 mmol)을 THF 100 ml및 증류수 50 mH 현탁시킨후중간체 D합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인 중간체 V-B 9.0 g (75% yield)을획득하였다.
비교화합물 1의 합성
둥근바닥플라스크에 중간체 V-B 9.0 g (23.63 mmol),중간체 E 8.42 g (23.63 mmol), Pd(PPh3)4 0.82 g (0.71 mmol), K2C03 6.53 g (47.27 mmol)을 THF 100 ml및 증류수 50 ml에 현탁시킨후중간체 D합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인 비교화합물 1 9.0 g (66% yield)를획득하였다.
LC-Mass (이론치 : 574.67 g/mol,측정치 : M+ = 574.55 g/mol) 비교합성예 2:비교화합물 2의 합성
정정용지 (규칙제 91조) 2019/066304 49 1»（：1^1{2018/010571
［비교화합물 2］
Figure imgf000051_0001
중간체 \니:의 합성
둥근바닥플라스크에 중간체묘 20.0용 (56.14011X101)， 2, 4-(1 111010 ^^01 611.17 g (56.141x^101), (1 1¾3)41.95 ^ (1.6811111101)， 1¾(：0315.52용 (112.270111101)을 !¾ 200 및 증류수 100 에 현탁시킨후중간체 합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인중간체 \니： 16.0용 (73% )을획득하였다.
비교화합물 2의 합성
둥근바닥플라스크에
Figure imgf000051_0002
10.0은 (25.45 _01)，중간체］\19.64용 (28.00 11111101)， (1 1¾3)40.88 g (0.76 _01)， ¾0¾ 7.04
Figure imgf000051_0003
증류수
50 에 현탁시킨후중간체 D합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인 비교화합물 211.0§(75%＞如1(1)를획득하였다.
1乂］-1 388 (이론치 : 574.67은/11101,즉정치 :］ + = 574.57용/11101) 비교합성예 3;비교화합물 3의 합성
정정용지 (규칙제 91조) \¥0 2019/066304 50 1»（：1710{2018/010571
[비교화합물 3]
Figure imgf000052_0001
중간체 의 합성
둥근바닥플라스크에 중간체 V-D 10.0 g(29.05 mmol), 2,4-dichloroquinazoline 5.78 g (29.05 mmol), Pd(PPh3)4 1.01 g (0.87 mmol), K2C03 8.03 g (58.10 mmol)을 THF 100 ml및 증류수 50 ml에 현탁시킨후중간체 D합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인 중간체 V-E 9.0 g (81% yield)을획득하였다.
비교화합물 3의 합성
둥근바닥플라스크에 중간체 V-E 9.0 g (23.63 mmol),중간체 E 8.42 g (23.63 mmol), Pd(PPh3)4 0.82 g (0.71 mmol), K2C03 6.53 g (47.27 mmol)을 THF 100 ml및 증류수 50 ml에 현탁시킨 후중간체 D합성과동일한방법으로합성하여 목적 화합물인 비교화합물 3 10.0 g (74% yield)를획득하였다.
LC-Mass (이론치 : 574.67 g/mol,측정치 : M+ = 574.62 g/mol) (유기 발광소자의 제작)
적색발광소자
실시예 1
ITO (Indium tin oxide)가 1500 A두께로박막코팅된유리 기판을증류수 초음파로세척하였다.증류수세척이 끝나면 이소프로필 알코올,아세톤,메탄올 등의 용제로초음파세척을하고건조시킨후플라즈마세정기로이송시킨 다음 산소플라즈마를 이용하여 상기 기판을 m분간세정 한후진공증착기로기판을 이송하였다. 이렇게 준비된 ITO투명 전극을양극으로사용하여 ITO기판상부에 정정용지 (규칙제 91조) 2019/066304 51 1»（：1^1{2018/010571 화합물쇼을진공증착하여 700入두께의 정공주입층을형성하고상기 주입층 상부에 화합물 8를 50入의 두께로증착한후,화합물 (：를 1020쇼의 두께로 증착하여 정공수송층을형성하였다.정공수송층상부에 합성예 3의 화합물 74를 호스트로사용하고도판트로 [¾切切)2 ]를 5\^%로도핑하여 진공증착으로 400 두께의 발광층을형성하였다.화합물 1과화합물 199는 3:7중량비로사용되었으며 이어서상기 발광층상부에 화합물
Figure imgf000053_0001
동시에 1:1 비율로진공증착하여
300요두께의 전자수송증을형성하고상기 전자수송증상부에
Figure imgf000053_0002
1200入을순차적으로진공증착하여 음극을형성함으로써 유기발광소자를 제작하였다.
상기 유기발광소자는 5층의 유기 박막층을가지는구조로되어 있으며, 구체적으로다음과같다.
화합물
N4,N4'-diphenyl-N4,N4'-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4'-diamine
화합물 6： 1,4,5,8,9，11-1½표크32없1 11611>½116-116표 1501닌볘6 ᅀ子- 사)， 화합물 0:
N-(biphenyl-4-yl)-9,9-dimethyl-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluoGen-2-amine 화합물 I): 8-(4-(4,6-di(naphthalen-2-yl)-l,3,5-triazin-2-yl)phenyl)quinoline 실시예 2내지 4
발광층의 호스트화합물을화합물 74대신화합물 77, 78및 89를각각 사용한것을제외하고는실시예 1와동일한방법으로’실시예 2내지 4의 유기 발광 소자를각각제작하였다. 실시예 5
발광층의 호스트화합물을화합물 74와화합물 99를혼합사용한것을 제외하고는실시예 1와동일한방법으로유기 발광소자를제작하였다. 실시예 6내지 8
발광층에 화합물 74대신화합물 77, 78및 89를각각사용한것을 제외하고는실시예 5와동일한방법으로실시예 6내지 8의 유기 발광소자를각각 2019/066304 52 1»（：1^1{2018/010571 제작하였다. 실시예 9
발광층의 화합물을화합물 3과화합물 & 46을호스트로사용한것을제외 하고는실시예 1와동일한방법으로유기 발광소자를제작하였다. 실시예 10내지 13
발광층의 화합물을화합물 3대신화합물 74, 77, 78및 89를각각사용한 것을제외하고는실시예 9와동일한방법으로실시예 10내지 13의 유기 발광 소자를각각제작하였다. 비교예 1내지 2
발광층의 화합물을화합물 74대신비교화합물 1및 3을사용한것을 제외하고는실시예 1과동일한방법으로유기 발광소자를제작하였다. 비교예 3
발광증의 화합물을비교화합물 1과화합물 99을호스트로사용한것을 제외하고는실시예 1와동일한방법으로유기 발광소자를제작하였다. 비교예 4
발광층의 화합물을비교화합물 1과화합물표-46을호스트로사용한것을 제외하고는실시예 1와동일한방법으로유기 발광소자를제작하였다. 비교예 5내지 6
발광층의 화합물을비교화합물 1 대신비교화합물 2, 3을각각사용한것을 제외하고는비교예 4와동일한방법으로비교예 5내지 6의 유기 발광소자를각각 제작하였다. 평가
상기 실시예 1내지 13및 비교예 1내지 6에 따른유가발광소자의 발광효율 및수명 특성을평가하였다.구체적인측정방법은하기와같고,그결과는표 1과 2019/066304 53 1»(：1^1{2018/010571 같다.
(1)전압변화에 따른전류밀도의 변화측정
제조된유기발광소자에 대해,전압을
Figure imgf000055_0001
부터 10¥까지 상승시키면서 전류-전압계
Figure imgf000055_0002
2400)를이용하여 단위소자에흐르는전류값을측정하고,측정된 전류값을면적으로나누어 결과를얻었다.
(2)전압변화에 따른휘도변화측정
제조된유기발광소자에 대해，전압을
Figure imgf000055_0003
부터 10¥까지 상승시키면서 휘도계 切0 3-1000시를이용하여 그때의 휘도를측정하여 결과를얻었다.
(3)발광효율측정
상기 (1)및 (2)로부터 측정된휘도와전류밀도및 전압을이용하여 동일 전류밀도 (10 0!12)의 전류효율 /시을계산하였다.
(4)수명 측정
제조된유기발광소자에 대해폴라로닉스수명측정 시스템을사용하여 실시예 1내지 9및비교예 1내지 비교예 4의 소자를초기휘도仁(1/1112)를 900 (1/1112로 발광시키고시간경과에 따른휘도의 감소를측정하여 초기 휘도대비 97%로휘도가 감소된시점을 197수명으로측정하였다.
(5)구동전압측정
전류-전압계 ( 2400)를이용하여 15 111쇼/0112에서 각소자의 구동전압을 측정하여 결과를얻었다.
【표 1]
Figure imgf000055_0004
2019/066304 54 1»（：1/10公018/010571
Figure imgf000056_0001
표 1을참고하면，실시예 1내지 실시예 4에 따른유기발광소자는비교예 1 및 비교예 2에 따른유기발광소자와비교하여 발광효율및수명 특성이 모두 동시에 개선되며,특히 수명 면에서 월등히 향상된 것을확인할수있다.
표 1을참고하면，실시예 5내지 실시예 13에 따른유기발광소자는비교예 3 및 비교예 6에 따른유기발광소자와비교하여 발광효율및수명 특성이 모두 동시에 개선되며,특히 수명 면에서 월등히 향상된 것을확인할수있다.또한 홀특성 강한제 2호스트와혼합함으로써 정공/전자이동특성이 균형을이루게 되며， 단일호스트대비 효율및수명 특성이 향상된것을확인할수있다. 본발명은상기 실시예들에 한정되는것아아니라서로다른다양한형태로 제조될수있으며,본발명이 속하는기술분야에서 통상의 지식을가진자는본 발명의 기술적사상이나필수적인특징을변경하지 않고서 다른구체적인형태로 실시될수있다는것을이해할수있을것이다. 그러므로이상에서 기술한 실시예들은모든면에서 예시적인것이며 한정적이 아닌것으로이해해야만한다. 2019/066304 55 1»（：1/10公018/010571
【부호의 설명】
100, 200: 유기 발광소자
105: 유기증
110: 음극
120: 양극
130: 발광층
140: 정공보조증

Claims

2019/066304 56 1»（：1^1{2018/010571
【청구의 범위】
【청구항 11
하기 화학식 1 및 화학식 2의 조합으로표현된유기 광전자소자용화합물: [화학식 1] [화학식 2]
Figure imgf000058_0001
0이며， 및 2와의 결합지점이고,
Figure imgf000058_0002
결합되지 않은 2개는각각독립적으로 이고，
Figure imgf000058_0003
적으로수소,중수소，시아노기，치환 또는비치환된 01내지 030실릴기，치환또는비치환된 0\내지 30알킬기 또는 치환또는비치환된 06내지 030아릴기이고，
내지 1^ 4는각각독립적으로단일결합，치환또는비치환된 06내지 030 아릴텐기,또는퀴나졸릴텐기이고,
^내지모8은각각독립적으로수소，중수소,시아노기,치환또는비치환된 （그1내지 030실릴기，치환또는비치환된＜그1내지 030알킬기,치환또는비치환된 06내지 030아릴기 또는치환또는비치환된 02내지 030헤테로고리기이고, 내지 중적어도하나는퀴나졸린렌기이거나또는 115내지 118중 적어도하나는치환또는비치환된퀴나졸린일기이고,
상기 "치환”이란,적어도하나의 수소가중수소，（〕1내지 010알킬기, 06내지 030아릴기, 2내지 020헤테로고리또는시아노기로치환된것을의미한다.
【청구항 2】
제 1항에 있어서，
하기 화학식 1쇼로표현되는유기 광전자소자용화합물: 2019/066304 57 1»（：1^1{2018/010571
［화학식 1시
Figure imgf000059_0001
독립적으로수소，중수소,시아노기, 치환또는비치환된€1내지 030실릴기,치환또는비치환된 01내지 030알킬기 또는치환또는비치환된 06내지 030아릴기이고，
내지 는각각독립적으로단일결합또는치환또는비치환된 06내지 030아릴렌기또는퀴나졸릴렌기이고,
II5내지 II8은각각독립적으로수소,중수소,시아노기,치환또는비치환된 （그1내지 030실릴기，치환또는비치환된 01내지 030알킬기,치환또는비치환된 06내지 030아릴기또는치환또는비치환된 01내지 030헤테로고리기이고,
II5내지 II8중적어도하나는치환또는비치환된퀴나졸린일기이고, 상기 "치환’’이란,적어도하나의 수소가중수소,（그1내지 010알킬기， 06내지 030아릴기 또는 02내지 020헤테로고리기로치환된것을의미한다.
【청구항 3】
제 1항에 있어서,
하기 화학식 1 로표현되는유기 광전자소자용화합물:
［화학식 1쇼-리
Figure imgf000059_0002
2019/066304 58 1»（：1^1{2018/010571 상기 화학식 1쇼4에서,
는 0, 8또는 1¾1）이고，
Figure imgf000060_0001
독립적으로수소,중수소또는치환 또는비치환된 01내지 030알킬기이고,
은단일결합,치환또는비치환된 C6내지 030아릴텐기 또는
퀴나졸릴텐기이고,
^및 는각각독립적으로수소，중수소,시아노기,치환또는비치환된 01 내지 030알킬기,치환또는비치환된 06내지 030아릴기또는치환또는 비치환된 02내지 030헤테로고리기이다.
【청구항 4]
제 1항에 있어서,
하기 화학식 1쇼- 1내지 화학식 1쇼- 8중어느하나로표현되는유기 광전자소자용화합물:
[화학식 1쇼- 1] [화학식 1 _2]
Figure imgf000060_0002
2019/066304 59 1»（：1^1{2018/010571
［화학식 1쇼- 5］ ［화학식 1쇼- 6］
Figure imgf000061_0001
또는비치환된 01내지 030알킬기이고,
Figure imgf000061_0002
아릴텐기 또는퀴나졸릴렌기이고,
및於는각각독립적으로수소，중수소,시아노기,치환또는비치환된 01 내지 030알킬기,치환또는비치환된 06내지 030아릴기 또는치환또는 비치환된 02내지 030헤테로고리기이다.
【청구항 5】
제 4항에 있어서,
상기 ^및 는각각독립적으로수소,중수소,시아노기,치환또는 비치환된 06내지 030아릴기,산소함유 01내지 030헤테로고리기 또는황함유 02내지 030헤테로고리기인유기 광전자소자용화합물.
【청구항 6］ 2019/066304 60 1»（：1^¾2018/010571
제 1항에 있어서,
하기 그룹 1에 나열된화합물에서 선택되는유기 광전자소자용화합물:
Figure imgf000062_0001
Figure imgf000063_0001
WO 2019/066304
Figure imgf000064_0001
WO 2019/066304
Figure imgf000065_0001
WO 2019/066304
Figure imgf000066_0001
Figure imgf000067_0001
Figure imgf000068_0001
Figure imgf000069_0001
2019/066304 1»（：1^1{2018/010571
68
Figure imgf000070_0001
【청구항 7】
제 1항의 ［화학식 1시로표현되는제 1화합물및
하기 ［화학식 2］로표현되는화합물및하기 ［화학식 3］으로표현되는 모이어티와하기 ［화학식 4］로표현되는모이어티의 조합으로이루어진화합물중 적어도 1종의 화합물을포함하는제 2화합물
을포함하는유기 광전자소자용조성물:
［화학식 2］
Figure imgf000070_0002
상기 화학식 2에서，
및 는각각독립적으로단일결합,치환또는비치환된 6내지 030 아릴텐기,치환또는비치환된 02내지 030헤테로아릴렌기,또는이들의 조합이고, 2019/066304 69 1»（：1^1{2018/010571 1및 2는각각독립적으로치환또는비치환된 C6내지 030아릴기， 치환또는비치환된 01내지 030헤테로고리기 ,또는이들의 조합이고，
내지 5는각각독립적으로수소,중수소，치환또는비치환된 01내지 020알킬기,치환또는비치환된 6내지 030아릴기,치환또는비치환된 02내지 050헤테로고리기，또는이들의 조합이고，
111은 0내지 2의 정수중하나이고;
[화학식 3] [화학식 4]
Figure imgf000071_0001
상기 화학식 3및 4에서,
및 는각각독립적으로단일결합，치환또는비치환된 C6내지 030 아릴렌기,치환또는비치환된 02내지 030헤테로아릴렌기 또는이들의조합이고，
3및 4는각각독립적으로치환또는비치환된 06내지 030아릴기, 치환또는비치환된 02내지 030헤테로고리기,또는이들의 조합이고，
Figure imgf000071_0002
독립적으로수소,중수소,치환또는비치환된（그1내지 020알킬기,치환또는비치환된 06내지 050아릴기,치환또는비치환된 02내지 050헤테로고리기，또는이들의 조합이고,
상기 화학식 3의 인접한두개의 *는상기 화학식 4의 두개의 *와연결되어 융합고리를형성하고상기 화학식 3에서 융합고리를형성하지 않은 *는각각 독립적으로 이고,
^는수소,중수소，치환또는비치환된＜그1내지 010알킬기，치환또는 비치환된 06내지 012아릴기,치환또는비치환된 02내지 012헤테로고리기,또는이들의 조합이고;
상기 ’’치환’’이란,적어도하나의 수소가중수소,
Figure imgf000071_0003
킬기, 06내지 018아릴기,또는 02내지 018헤테로아릴기로치환된것을의미한다.
【청구항 8]
제 7항에 있어서， 2019/066304 70 1»（：1^1{2018/010571 상기 화학식 2의사1및사2는각각독립적으로치환또는비치환된페닐기, 치환또는비치환된바이페닐기，치환또는비치환된터페닐기,치환또는비치환된 나프틸기,치환또는비치환된안트라세닐기,치환또는비치환된트리페닐레닐기, 치환또는비치환된피리디닐기,치환또는비치환된피리미디닐기，치환또는 비치환된퀴나졸일기,치환또는비치환된이소퀴나졸일기,치환또는비치환된 디벤조티오펜일기,치환또는비치환된디벤조퓨란일기,치환또는비치환된 카바졸일기,치환또는비치환된플루오레닐기 또는이들의 조합인유기 광전자 소자용조성물.
【청구항 9]
제 7항에 있어서，
상기 화학삭 2는하기 그룹 III에 나열된구조중하나이고,
Figure imgf000072_0001
*- -^는하기 그룹 IV에 나열된치환기 중하나인유기 광전자소자용조성물:
[그룹 III]
Figure imgf000072_0002
2019/066304 71 1»（：1/10公018/010571
[그룹 IV]
Figure imgf000073_0001
상기 그룹 III및그룹 IV에서, *은연결지점이다.
【청구항 10】
제 9항에 있어서，
상기 화학식 2는상기 그룹 III의 (: -8로표현되고,상기 *-¥1-^1및
*- -쇼1·2는각각독립적으로상기 그룹 IV의 6-1내지 4중어느하나로표현되는 유기 광전자소자용조성물.
【청구항 11】
저 17항에 있어서，
상기 화학식 3으로표현되는모이어티와하기 화학식 4로표현되는 모이어티의 조합으로이루어진화합물은하기 화학식 3-1내지 3- 중적어도 하나로표현되는유기 광전자소자용조성물:
[화학식 3-1] [화학식 3-11] [화학식 3-111]
Figure imgf000073_0002
2019/066304 72 1»（：1^1{2018/010571
［화학식 3 - IV］ ［화학식 3-기
Figure imgf000074_0001
상기 화학식 3-1내지 3-¥에서， 및 는단일결합,페닐텐기，바이페닐렌기, 피리딜텐기，또는피리미디닐렌기이고,
쇼3및쇼1· 4는치환또는비치환된페닐기，치환또는비치환된바이페닐기, 치환또는비치환된피리딜기,치환또는비치환된피리미디닐기,또는치환또는 비치환된트리아지닐기이고,
II16내지 II19는수소이다.
【청구항 12】
서로마주하는양극과음극,그리고
상기 양극과상기 음극사이에 위치하는적어도한층의 유기층을포함하고， 상기 유기층은제 1항내지 제 6항중어느한항에 따른유기 광전자소자용 화합물또는제 7항내지 제 11항중어느한항에 따른유기 광전자소자용
조성물을포함하는유기 광전자소자.
【청구항 13】
제 12항에 있어서,
상기 유기층은발광층을포함하고，
상기 발광층은상기 유기 광전자소자용화합물또는유기 광전자소자용 조성물을포함하는유기 광전자소자.
【청구항 14】
제 13항에 있어서,
상기 유기 광전자소자용화합물또는유기 광전자소자용조성물은상기 발광층의 호스트로서 포함되는유기 광전자소자.
【청구항 15】
제 13항에 있어서, 2019/066304 73 1»（：1^1{2018/010571 상기 유기층은발광층;및
전자수송층,전자주입층및정공차단층에서 선택된적어도하나의 보조층을 더 포함하고,
상기 보조층은상기유기 광전자소자용화합물또는유기 광전자소자용 조성물을포함하는유기 광전자소자.
【청구항 16】
제 15항에 따른유기 광전자소자를포함하는표시장치.
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