KR102598589B1 - 헤테로 고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자, 이의 제조방법 및 유기물층용 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 명세서는 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자, 이의 제조 방법 및 유기물층용 조성물에 관한 것이다.
Description
본 발명은 헤테로 고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자, 이의 제조 방법 및 유기물층용 조성물에 관한 것이다.
유기 발광 소자는 자체 발광형 표시 소자의 일종으로서, 시야각이 넓고, 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있다.
유기 발광 소자는 2개의 전극 사이에 유기 박막을 배치시킨 구조를 가지고 있다. 이와 같은 구조의 유기 발광 소자에 전압이 인가되면, 2개의 전극으로부터 주입된 전자와 정공이 유기 박막에서 결합하여 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 발하게 된다. 상기 유기 박막은 필요에 따라 단층 또는 다층으로 구성될 수 있다.
유기 박막의 재료는 필요에 따라 발광 기능을 가질 수 있다. 예컨대, 유기 박막 재료로는 그 자체가 단독으로 발광층을 구성할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있고, 또는 호스트-도펀트계 발광층의 호스트 또는 도펀트 역할을 할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있다. 그 외에도, 유기 박막의 재료로서, 정공 주입, 정공 수송, 전자 차단, 정공 차단, 전자 수송, 전자 주입 등의 역할을 수행할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있다.
유기 발광 소자의 성능, 수명 또는 효율을 향상시키기 위하여, 유기 박막의 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
본 발명은 헤테로 고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자, 이의 제조 방법 및 유기물층용 조성물을 제공하고자 한다.
본 발명은, 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서,
X1은 N 또는 CR11이고, X2는 N 또는 CR12이고, X3는 N 또는 CR13이고, X4는 N 또는 CR14이고, X5는 N 또는 CR15이고, X6은 N 또는 CR16이고, X7은 N 또는 CR17이고, X8은 N 또는 CR18이고, X9은 N 또는 CR19이고, X10은 N 또는 CR20이고,
R1 내지 R6 및 R11 내지 R20은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -P(=O)R101R102; -SiR101R102R103; 및 -NR101R102로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로 고리를 형성하며, 상기 R101, R102, 및 R103은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이며,
R7은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이고,
L1은 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴렌기이며,
n은 0 내지 5의 정수이다.
또한, 본 발명은, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
또한, 본 발명은, 상기 유기물층이 하기 화학식 2로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 추가로 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
[화학식 2]
상기 화학식 2에 있어서,
N-Het는 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 포함하는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로고리기이고,
L3 및 L4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 헤테로아릴렌기이며, p는 0 내지 5의 정수이며, p가 2 이상인 경우 각각의 L3은 서로 같거나 상이하고, q는 0 내지 5의 정수이며, q가 2 이상인 경우 각각의 L4는 서로 같거나 상이하며,
A는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴고리; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 헤테로아릴고리이며,
R31 내지 R33은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -P(=O)R201R202; -SiR201R202R203; 및 -NR201R202로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로 고리를 형성하며, 상기 R201, R202, 및 R203은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이고,
r 및 s는 각각 0 내지 2의 정수이며, r이 2 이상인 경우, 각각의 R32는 서로 같거나 상이하고, s가 2 이상인 경우, 각각의 R33은 서로 같거나 상이하다.
또한, 본 발명은, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함하는 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기물층을 형성하는 단계가 상기 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계를 포함하는, 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 명세서에 기재된 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층 재료로서 사용할 수 있다. 상기 화합물은 유기 발광 소자에서 정공주입층 재료, 정공수송층 재료, 발광층 재료, 전자수송층 재료, 전자주입층 재료 등의 역할을 할 수 있다. 특히, 상기 화합물이 유기 발광 소자의 발광층 재료로 사용될 수 있다.
구체적으로, 상기 화합물은 단독으로 또는 다른 화합물과 조합하여 발광 재료로 사용될 수 있고, 발광층의 호스트 재료 또는 도펀트 재료로서 사용될 수 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 유기물층에 사용하는 경우, 유기 발광 소자의 구동전압을 낮추고, 발광 효율을 향상시키며, 수명 특성을 향상시킬 수 있다.
특히, 본 발명의 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물은 LUMO 오비탈이 비편재화 되어, 전자의 안정성 및 이동도를 향상시켜 유기 전계 발광 소자의 수명이 향상되는 효과를 나타낸다.
또한, 본 발명의 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물은 높은 삼중항 에너지 레벨(T1 level)을 가짐으로써, 도펀트에서 호스트로의 에너지 전달의 역행을 방지하고, 발광층 내 삼중항 엑시톤(triplet exciton)을 잘 보존하는 효과를 나타낸다.
또한, 본 발명의 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물은 분자 내 전하 이동(charge transfer)을 용이하게 하고, 단일항 에너지 레벨(S1)과 삼중항 에너지 레벨(T1)간의 에너지 갭을 감소시켜 엑시톤(exciton)을 잘 보존하는 효과를 나타낸다.
도 1 내지 도 4는 각각 본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 발광 소자의 적층구조를 개략적으로 나타낸 도이다.
이하 본 출원에 대해서 자세히 설명한다.
본 명세서에 있어서, 상기 "치환"이라는 용어는, 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에 있어서, "치환 또는 비치환"이란, C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알키닐; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴; -SiRR'R"; -P(=O)RR'; C1 내지 C20의 알킬아민; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴아민; 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중에서 선택된 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 상기 할로겐은 불소, 염소, 브롬 또는 요오드일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 탄소수 1 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 60, 구체적으로 1 내지 40, 더욱 구체적으로, 1 내지 20일 수 있다. 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-프로필기, 이소프로필기, 부틸기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, sec-부틸기, 1-메틸-부틸기, 1-에틸-부틸기, 펜틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, tert-펜틸기, 헥실기, n-헥실기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, 3,3-디메틸부틸기, 2-에틸부틸기, 헵틸기, n-헵틸기, 1-메틸헥실기, 시클로펜틸메틸기, 시클로헥실메틸기, 옥틸기, n-옥틸기, tert-옥틸기, 1-메틸헵틸기, 2-에틸헥실기, 2-프로필펜틸기, n-노닐기, 2,2-디메틸헵틸기, 1-에틸-프로필기, 1,1-디메틸-프로필기, 이소헥실기, 2-메틸펜틸기, 4-메틸헥실기, 5-메틸헥실기 등이 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 탄소수 2 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로, 2 내지 20일 수 있다. 구체적인 예로는 비닐기, 1-프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 1-펜테닐기, 2-펜테닐기, 3-펜테닐기, 3-메틸-1-부테닐기, 1,3-부타디에닐기, 알릴기, 1-페닐비닐-1-일기, 2-페닐비닐-1-일기, 2,2-디페닐비닐-1-일기, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일기, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일기, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알키닐기는 탄소수 2 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 상기 알키닐기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로, 2 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 시클로알킬기는 탄소수 3 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 시클로알킬기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 시클로알킬기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기 등일 수도 있다. 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 60, 구체적으로 3 내지 40, 더욱 구체적으로 5 내지 20일 수 있다. 구체적으로, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 3-메틸시클로펜틸기, 2,3-디메틸시클로펜틸기, 시클로헥실기, 3-메틸시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 2,3-디메틸시클로헥실기, 3,4,5-트리메틸시클로헥실기, 4-tert-부틸시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 헤테로시클로알킬기는 헤테로 원자로서 O, S, Se, N 또는 Si를 포함하고, 탄소수 2 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 헤테로시클로알킬기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 헤테로시클로알킬기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기 등일 수도 있다. 상기 헤테로시클로알킬기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로 3 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 아릴기는 탄소수 6 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 아릴기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 아릴기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 헤테로아릴기 등일 수도 있다. 상기 아릴기는 스피로기를 포함한다. 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 60, 구체적으로 6 내지 40, 더욱 구체적으로 6 내지 25일 수 있다. 상기 아릴기의 구체적인 예로는 페닐기, 비페닐기, 트리페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 크라이세닐기, 페난트레닐기, 페릴레닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 페날레닐기, 파이레닐기, 테트라세닐기, 펜타세닐기, 플루오레닐기, 인데닐기, 아세나프틸레닐기, 벤조플루오레닐기, 스피로비플루오레닐기, 2,3-디히드로-1H-인데닐기, 이들의 축합고리기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 포스핀옥사이드기는 -P(=O)R101R102로 표시되고, R101 및 R102는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로 고리기 중 적어도 하나로 이루어진 치환기일 수 있다. 구체적으로 아릴기로 치환될 수 있으며, 상기 아릴기는 전술한 예시가 적용될 수 있다. 예컨대, 포스핀옥사이드기는 디페닐포스핀옥사이드기, 디나프틸포스핀옥사이드 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 Si를 포함하고 상기 Si 원자가 라디칼로서 직접 연결되는 치환기이며, -SiR104R105R106로 표시되고, R104 내지 R106은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로 고리기 중 적어도 하나로 이루어진 치환기일 수 있다. 실릴기의 구체적인 예로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우, , , , , , 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 헤테로아릴기는 헤테로 원자로서 S, O, Se, N 또는 Si를 포함하고, 탄소수 2 내지 60인 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 상기 다환이란 헤테로아릴기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 헤테로아릴기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기 등일 수도 있다. 상기 헤테로아릴기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로 3 내지 25일 수 있다. 상기 헤테로아릴기의 구체적인 예로는 피리딜기, 피롤릴기, 피리미딜기, 피리다지닐기, 푸라닐기, 티오펜기, 이미다졸릴기, 피라졸릴기, 옥사졸릴기, 이속사졸릴기, 티아졸릴기, 이소티아졸릴기, 트리아졸릴기, 푸라자닐기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 디티아졸릴기, 테트라졸릴기, 파이라닐기, 티오파이라닐기, 디아지닐기, 옥사지닐기, 티아지닐기, 디옥시닐기, 트리아지닐기, 테트라지닐기, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴기, 퀴나졸리닐기, 이소퀴나졸리닐기, 퀴노졸리릴기, 나프티리딜기, 아크리디닐기, 페난트리디닐기, 이미다조피리디닐기, 디아자나프탈레닐기, 트리아자인덴기, 인돌릴기, 인돌리지닐기, 벤조티아졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티오펜기, 벤조푸란기, 디벤조티오펜기, 디벤조푸란기, 카바졸릴기, 벤조카바졸릴기, 디벤조카바졸릴기, 페나지닐기, 디벤조실롤기, 스피로비(디벤조실롤), 디히드로페나지닐기, 페녹사지닐기, 페난트리딜기, 이미다조피리디닐기, 티에닐기, 인돌로[2,3-a]카바졸릴기, 인돌로[2,3-b]카바졸릴기, 인돌리닐기, 10,11-디히드로-디벤조[b,f]아제핀기, 9,10-디히드로아크리디닐기, 페난트라지닐기, 페노티아티아지닐기, 프탈라지닐기, 나프틸리디닐기, 페난트롤리닐기, 벤조[c][1,2,5]티아디아졸릴기, 5,10-디히드로디벤조[b,e][1,4]아자실리닐, 피라졸로[1,5-c]퀴나졸리닐기, 피리도[1,2-b]인다졸릴기, 피리도[1,2-a]이미다조[1,2-e]인돌리닐기, 5,11-디히드로인데노[1,2-b]카바졸릴기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 아민기는 모노알킬아민기; 모노아릴아민기; 모노헤테로아릴아민기; -NH2; 디알킬아민기; 디아릴아민기; 디헤테로아릴아민기; 알킬아릴아민기; 알킬헤테로아릴아민기; 및 아릴헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 상기 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 디비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기, 비페닐나프틸아민기, 페닐비페닐아민기, 비페닐플루오레닐아민기, 페닐트리페닐레닐아민기, 비페닐트리페닐레닐아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것, 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다. 또한, 헤테로아릴렌기는 헤테로아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것, 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오쏘(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 “인접한”기로 해석될 수 있다.
본 발명에 있어서, "화학식 또는 화합물 구조에 치환기가 표시되지 않은 경우"는 탄소 원자에 수소 원자가 결합된 것을 의미한다. 다만, 중수소(2H, Deuterium)는 수소의 동위원소이므로, 일부 수소 원자는 중수소일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, "화학식 또는 화합물 구조에 치환기가 표시되지 않은 경우"는 치환기로 올 수 있는 위치가 모두 수소 또는 중수소인 것을 의미할 수 있다. 즉, 중수소의 경우 수소의 동위원소로, 일부의 수소 원자는 동위원소인 중수소일 수 있으며, 이 때 중수소의 함량은 0% 내지 100%일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, "화학식 또는 화합물 구조에 치환기가 표시되지 않은 경우"에 있어서, "중수소의 함량이 0%", "수소의 함량이 100%", "치환기는 모두 수소" 등 중수소를 명시적으로 배제하지 않는 경우에는 수소와 중수소는 화합물에 있어 혼재되어 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 중수소는 수소의 동위원소(isotope) 중 하나로 양성자(proton) 1개와 중성자(neutron) 1개로 이루어진 중양성자(deuteron)를 원자핵(nucleus)으로 가지는 원소로서, 수소-2로 표현될 수 있으며, 원소기호는 D 또는 2H로 쓸 수도 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 동위원소는 원자 번호(atomic number, Z)는 같지만, 질량수(mass number, A)가 다른 원자를 의미하는 동위원소는 같은 수의 양성자(proton)를 갖지만, 중성자(neutron)의 수가 다른 원소로도 해석할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 특정 치환기의 함량 T%의 의미는 기본이 되는 화합물이 가질 수 있는 치환기의 총 개수를 T1으로 정의하고, 그 중 특정의 치환기의 개수를 T2로 정의하는 경우 T2/T1×100 = T%로 정의할 수 있다.
즉, 일 예시에 있어서, 로 표시되는 페닐기에 있어서 중수소의 함량 20%라는 것은 페닐기가 가질 수 있는 치환기의 총 개수는 5(식 중 T1)개이고, 그 중 중수소의 개수가 1(식 중 T2)인 경우를 의미할 수 있다. 즉, 페닐기에 있어서 중수소의 함량 20%라는 것인 하기 구조식으로 표시될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시형태에 있어서, "중수소의 함량이 0%인 페닐기"의 경우 중수소 원자가 포함되지 않은, 즉 수소 원자 5개를 갖는 페닐기를 의미할 수 있다.
본 발명에 있어서, 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물에서 중수소의 함량은 0 내지 100%일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 30 내지 100%일 수 있다.
본 발명에 있어서, C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리는 C6 내지 C60의 탄소와 수소로 이루어진 방향족 고리를 포함하는 화합물을 의미하며, 예를 들어, 벤젠, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 아줄렌 등을 들 수 있으나, 이들로 한정되는 것은 아니며, 상기 탄소수를 충족하는 것으로서 이 분야에 공지된 방향족 탄화수소 고리 화합물을 모두 포함한다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서,
X1은 N 또는 CR11이고, X2는 N 또는 CR12이고, X3는 N 또는 CR13이고, X4는 N 또는 CR14이고, X5는 N 또는 CR15이고, X6은 N 또는 CR16이고, X7은 N 또는 CR17이고, X8은 N 또는 CR18이고, X9은 N 또는 CR19이고, X10은 N 또는 CR20이고,
R1 내지 R6 및 R11 내지 R20은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -P(=O)R101R102; -SiR101R102R103; 및 -NR101R102로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로 고리를 형성하며, 상기 R101, R102, 및 R103은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이며,
L1은 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴렌기이며,
n은 0 내지 5의 정수이다.
상기 인접한 기들이 형성할 수 있는 지방족 또는 방향족 탄화수소 고리 또는 헤테로고리는 1가기가 아닌 것을 제외하고는 전술한 시클로알킬기, 시클로헤테로알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기로 예시된 구조들이 적용될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3 중 어느 하나로 표시되는 헤테로 고리 화합물일 수 있다.
[화학식 1-1]
[화학식 1-2]
[화학식 1-3]
상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3에 있어서,
상기 R1 내지 R7, R11 내지 R20, L1 및 n의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 R11 내지 R13 및 R20 중 적어도 하나가 하기 화학식 1-4로 표시되는 기일 수 있다.
[화학식 1-4]
상기 화학식 1-4에 있어서,
Ra 및 Rb는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이고,
L2는 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴렌기이며,
m은 0 내지 5의 정수이다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R11 내지 R13 및 R20 중 하나가 상기 화학식 1-4로 표시되는 기일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 Ra 및 Rb는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 Ra 및 Rb는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 Ra 및 Rb는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 플루오레닐기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 L2는 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 L2는 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 L2는 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 나프틸렌기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 m은 1 내지 3의 정수일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 m은 1 내지 2의 정수일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 R7은 하기 화학식 1-5로 표시되는 기일 수 있다.
[화학식 1-5]
상기 화학식 1-5에 있어서,
상기 R21 내지 R28은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -P(=O)R101R102; -SiR101R102R103; 및 -NR101R102로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로 고리를 형성하며, 상기 R101, R102, 및 R103은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R21 내지 R28은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로 고리를 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R21 내지 R28은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로 고리를 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R21 내지 R28은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로 고리를 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R21 내지 R28은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 벤젠고리를 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-6 내지 화학식 1-9 중 어느 하나로 표시되는, 헤테로 고리 화합물일 수 있다.
[화학식 1-6]
[화학식 1-7]
[화학식 1-8]
[화학식 1-9]
상기 화학식 1-6 내지 화학식 1-9에 있어서,
상기 R11 내지 R20은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로 고리를 형성하며,
상기 L2는 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴렌기이며,
m은 0 내지 5의 정수이고,
상기 R1 내지 R7, L1 및 n의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 R11 내지 R20은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로 고리를 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R11 내지 R20은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R11 내지 R20은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R11 내지 R20은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; tert-부틸기; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R11 내지 R20 중 적어도 하나가 tert-부틸기; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이고, 나머지가 수소; 또는 중수소일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R11 내지 R20 중 하나가 tert-부틸기; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이고, 나머지가 수소; 또는 중수소일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R11 내지 R20 중 R14 및 R19가 tert-부틸기이고, 나머지가 수소; 또는 중수소일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R11 내지 R20 중 R15 및 R18이 페닐기이고, 나머지가 수소; 또는 중수소일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 R1 내지 R6는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로 고리를 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R1 내지 R6는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R1 내지 R6는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 R7은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R7은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R7은 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 페난트레닐기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 L1은 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 L1은 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 L1은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 나프틸렌기일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 L2는 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 L2는 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 L2는 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 나프틸렌기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 n 및 m은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 n 및 m은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 1 내지 2의 정수일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 L1, L2, Ra, Rb, R1 내지 R7 및 R11 내지 R20의 상기 '치환'은 C1 내지 C10의 알킬; C2 내지 C10의 알케닐; C2 내지 C10의 알키닐; C3 내지 C15의 시클로알킬; C2 내지 C20의 헤테로시클로알킬; C6 내지 C30의 아릴; C2 내지 C30의 헤테로아릴; C1 내지 C10의 알킬아민; C6 내지 C30의 아릴아민; 및 C2 내지 C30의 헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 L1, L2, Ra, Rb, R1 내지 R7 및 R11 내지 R20의 상기 '치환'은 C1 내지 C10의 알킬; C6 내지 C30의 아릴; C2 내지 C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 L1, L2, Ra, Rb, R1 내지 R7 및 R11 내지 R20의 상기 '치환'은 C1 내지 C5의 알킬; C6 내지 C20의 아릴; 및 C2 내지 C20의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 L1, L2, Ra, Rb, R1 내지 R7 및 R11 내지 R20의 '치환'은 메틸, 에틸, 직쇄 또는 분지쇄의 프로필, 직쇄 또는 분지쇄의 부틸, 직쇄 또는 분지쇄의 펜틸, 페닐, 나프탈레닐, 피리디닐, 안트라세닐, 카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조퓨란, 및 페난트레닐기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 L1, L2, Ra, Rb, R1 내지 R7 및 R11 내지 R20의 '치환'은 메틸, 에틸, 직쇄 또는 분지쇄의 프로필, 직쇄 또는 분지쇄의 부틸, 및 직쇄 또는 분지쇄의 펜틸기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-10으로 표시되는 헤테로 고리 화합물일 수 있다.
[화학식 1-10]
상기 화학식 1-10에 있어서,
상기 R11 내지 R20은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로 고리를 형성하며,
상기 R21 내지 R28은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -P(=O)R101R102; -SiR101R102R103; 및 -NR101R102로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로 고리를 형성하며, 상기 R101, R102, 및 R103은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이며,
상기 R1 내지 R6, L1 및 n의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 R11 내지 R20 및 상기 R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로 고리를 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R11 내지 R20은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R11 내지 R20은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R11 내지 R20은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 L1은 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 L1은 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 L1은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 n은 1 내지 3의 정수일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 n은 1 내지 2의 정수일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R1 내지 R7, R11 내지 R20, R21 내지 R28, Ra, Rb, L1 및 L2의 상기 '치환'은 C1 내지 C10의 알킬; C2 내지 C10의 알케닐; C2 내지 C10의 알키닐; C6 내지 C30의 아릴; 및 C2 내지 C30의 헤테로아릴으로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R1 내지 R7, R11 내지 R20, R21 내지 R28, Ra, Rb, L1 및 L2의 상기 '치환'은 C1 내지 C5의 알킬; C6 내지 C20의 아릴; 및 C2 내지 C20의 헤테로아릴기로 이루어진 군부터 선택된 1 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R1 내지 R7, R11 내지 R20, R21 내지 R28, Ra, Rb, L1 및 L2의 상기 '치환'은 C1 내지 C5의 알킬; C6 내지 C12의 아릴; 및 C2 내지 C12의 헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R1 내지 R7, R11 내지 R20, R21 내지 R28, Ra, Rb, L1 및 L2의 상기 '치환'은 메틸, 에틸, 직쇄 또는 분지쇄의 프로필, 직쇄 또는 분지쇄의 부틸, 직쇄 또는 분지쇄의 펜틸, 페닐, 및 나프탈레닐로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R1 내지 R7, R11 내지 R20, R21 내지 R28, Ra, Rb, L1 및 L2의 상기 '치환'은 메틸, 에틸, 직쇄 또는 분지쇄의 프로필, 직쇄 또는 분지쇄의 부틸, 및 직쇄 또는 분지쇄의 펜틸로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물은 하기 화합물 중 선택되는 1종 이상일 수 있다.
또한, 상기 화학식 1의 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기 발광 소자 제조시 사용되는 정공 주입층 물질, 정공 수송층 물질, 발광층 물질, 전자 수송층 물질 및 전하 생성층 물질에 주로 사용되는 치환기를 상기 코어 구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 합성할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1의 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 에너지 밴드갭을 미세하게 조절이 가능하게 하며, 한편으로 유기물 사이에서의 계면에서의 특성을 향상되게 하며 물질의 용도를 다양하게 할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극일 수 있고, 상기 제2 전극은 음극일 수 있다.
또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극일 수 있고, 상기 제2 전극은 양극일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 청색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1으로 표시되는 헤테로 고리 화합물은 청색 유기 발광 소자의 재료로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 녹색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1으로 표시되는 헤테로 고리 화합물은 녹색 유기 발광 소자의 재료로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 적색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1으로 표시되는 헤테로 고리 화합물은 적색 유기 발광 소자의 재료로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 청색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1으로 표시되는 헤테로 고리 화합물은 청색 유기 발광 소자의 발광층 재료로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 녹색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1으로 표시되는 헤테로 고리 화합물은 녹색 유기 발광 소자의 발광층 재료로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 적색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1으로 표시되는 헤테로 고리 화합물은 적색 유기 발광 소자의 발광층 재료로 사용될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물에 대한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하다.
본 발명의 유기 발광 소자는 전술한 헤테로 고리 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.
상기 헤테로 고리 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함하는 유기물층은 하기 화학식 2로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 추가로 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
[화학식 2]
상기 화학식 2에 있어서,
N-Het는 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 포함하는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로고리기이고,
L3 및 L4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 헤테로아릴렌기이며, p는 0 내지 5의 정수이며, p가 2 이상인 경우 각각의 L3은 서로 같거나 상이하고, q는 0 내지 5의 정수이며, q가 2 이상인 경우 각각의 L4는 서로 같거나 상이하며,
A는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴고리; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 헤테로아릴고리이며,
R31 내지 R33은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -P(=O)R201R202; -SiR201R202R203; 및 -NR201R202로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로 고리를 형성하며, 상기 R201, R202, 및 R203은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이고,
r 및 s는 각각 0 내지 2의 정수이며, r이 2 이상인 경우, 각각의 R32는 서로 같거나 상이하고, s가 2 이상인 경우, 각각의 R33은 서로 같거나 상이하다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 N-Het는 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 포함하는 C2 내지 C30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 N-Het는 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 3개 이하로 포함하는 C3 내지 C30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 N-Het는 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 3개 이하로 포함하는 C3 내지 C10의 단환 또는 다환의 헤테로고리기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 N-Het는 C6 내지 C60의 아릴기 및 C3 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 포함하는 단환 또는 다환의 C2 내지 C30의 헤테로고리기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 N-Het는 C6 내지 C60의 아릴기 및 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고, 트리아진기; 피리미딘기; 피리딘기; 퀴놀린기; 퀴나졸린기; 페난트롤린기; 이미다졸기; 벤조티아졸기; 또는 벤조[4,5]티에노[2,3-d]피리미딘기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 N-Het는 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 트리페닐레닐기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 피리딘기, 디메틸플루오렌기, 디페닐플로오렌기, 및 스피로비플루오렌기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 트리아진기; 피리미딘기; 피리딘기; 퀴놀린기; 퀴나졸린기; 페난트롤린기; 이미다졸기; 벤조티아졸기; 또는 벤조[4,5]티에노[2,3-d]피리미딘기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시 형태에 있어서, 상기 N-Het는 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 트리페닐레닐기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 피리딘기, 디메틸플루오렌기, 디페닐플로오렌기, 및 스피로비플루오렌기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 트리아진기; 피리미딘기; 퀴나졸린기; 또는 벤조[4,5]티에노[2,3-d]피리미딘기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 N-Het은 다시 -CN; 페닐기; P(=O)RR'; 또는 SiRR'R"로 치환될 수 있다. 상기 R, R', 및 R''은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 L3 및 L4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 L3 및 L4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 L3 및 L4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10의 아릴렌기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 L3 및 L4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 페닐렌기; 또는 나프틸렌기일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 p 및 q는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수일 수 있고, p가 2 이상인 경우 각각의 L4는 서로 같거나 상이할 수 있고, q가 2 이상인 경우 각각의 L3은 서로 같거나 상이할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 A는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴고리; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 헤테로아릴고리일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 A는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴고리일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 A는 치환 또는 비치환된 벤젠고리; 또는 치환 또는 비치환된 나프틸고리일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 A는 벤젠고리일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 A가 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴고리를 갖는다는 것은, 비치환된 C6 내지 C40의 아릴고리; 또는 치환된 C6 내지 C40의 아릴고리를 포함함을 의미하며, 치환된 C6 내지 C40의 아릴고리에서의 치환기는 인접한 기와 결합하여 축합된 형태를 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 R31은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R31은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R31은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R31은 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 R32 및 R33은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴기; -P(=O)R201R202; -SiR201R202R203; 및 -NR201R202로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로 고리를 형성하며, 상기 R201, R202, 및 R203은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴기일 수 있으며, 상기 R32 및 R33이 복수인 경우, 각각의 R32 및 R33은 서로 같거나 상이할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R32 및 R33은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴기일 수 있으며, 상기 R32 및 R33이 복수인 경우, 각각의 R32 및 R33은 서로 같거나 상이할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R32 및 R33은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C5의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C5의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기일 수 있으며, 상기 R32 및 R33이 복수인 경우, 각각의 R32 및 R33은 서로 같거나 상이할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R32 및 R33은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기일 수 있으며, 상기 R32 및 R33이 복수인 경우, 각각의 R32 및 R33은 서로 같거나 상이할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R32 및 R33은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5의 알킬기, 치환 또는 비치환된 페닐, 나프탈레닐, 피리디닐, 안트라세닐, 카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조퓨란, 또는 페난트레닐기일 수 있으며, 상기 R32 및 R33이 복수인 경우, 각각의 R32 및 R33은 서로 같거나 상이할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R32 및 R33은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5의 알킬기일 수 있다. 상기에서 C1 내지 C5의 알킬기는 메틸, 에틸, 직쇄 또는 분지쇄의 프로필, 직쇄 또는 분지쇄의 부틸, 또는 직쇄 또는 분지쇄의 펜틸기 일 수 있으며, 상기 R32 및 R33이 복수인 경우, 각각의 R32 및 R33은 서로 같거나 상이할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R32 및 R33은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 또는 중수소일 수 있으며, 상기 R32 및 R33이 복수인 경우, 각각의 R32 및 R33은 서로 같거나 상이할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 r 및 s는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 1 내지 2의 정수일 수 있고, r이 2인 경우 각각의 R32는 서로 같거나 상이할 수 있고, s가 2인 경우 각각의 R33은 서로 같거나 상이할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 N-Het, L3, L4, A 및 R31 내지 R33의 상기 '치환'은 C1 내지 C10의 알킬; C2 내지 C10의 알케닐; C2 내지 C10의 알키닐; C3 내지 C15의 시클로알킬; C2 내지 C20의 헤테로시클로알킬; C6 내지 C30의 아릴; C2 내지 C30의 헤테로아릴; C1 내지 C10의 알킬아민; C6 내지 C30의 아릴아민; 및 C2 내지 C30의 헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 N-Het, L3, L4, A 및 R31 내지 R33의 상기 '치환'은 C1 내지 C10의 알킬; C6 내지 C30의 아릴; C2 내지 C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 N-Het, L3, L4, A 및 R31 내지 R33의 상기 '치환'은 C1 내지 C5의 알킬; C6 내지 C20의 아릴; 및 C2 내지 C20의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 N-Het, L3, L4, A 및 R31 내지 R33의 '치환'은 메틸, 에틸, 직쇄 또는 분지쇄의 프로필, 직쇄 또는 분지쇄의 부틸, 직쇄 또는 분지쇄의 펜틸, 페닐, 나프탈레닐, 피리디닐, 안트라세닐, 카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조퓨란, 및 페난트레닐기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 N-Het, L3, L4, A 및 R31 내지 R33의 '치환'은 메틸, 에틸, 직쇄 또는 분지쇄의 프로필, 직쇄 또는 분지쇄의 부틸, 및 직쇄 또는 분지쇄의 펜틸기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-3 중 어느 하나로 표시되는 헤테로 고리 화합물일 수 있다.
[화학식 2-1]
[화학식 2-2]
[화학식 2-3]
상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-3에 있어서,
R34 내지 R37은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -P(=O)R201R202; -SiR201R202R203; 및 -NR201R202로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로 고리를 형성하며, 상기 R201, R202, 및 R203은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이고,
N-Het, L3, L4, R31 내지 R33, p, q, r 및 s의 정의는 상기 화학식 2에서의 정의와 동일하다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 R34 내지 R37은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -P(=O)R201R202; -SiR201R202R203; 및 -NR201R202로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로 고리를 형성하며, 상기 R201, R202, 및 R203은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R34 내지 R37은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R34 내지 R37은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C5의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C5의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R34 내지 R37은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R34 내지 R37은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5의 알킬기, 치환 또는 비치환된 페닐, 나프탈레닐, 피리디닐, 안트라세닐, 카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조퓨란, 또는 페난트레닐기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R34 내지 R37은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5의 알킬기일 수 있다. 상기에서 C1 내지 C5의 알킬기는 메틸, 에틸, 직쇄 또는 분지쇄의 프로필, 직쇄 또는 분지쇄의 부틸, 또는 직쇄 또는 분지쇄의 펜틸기 일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R34 내지 R37은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 또는 중수소일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R34 내지 R37의 상기 '치환'은 C1 내지 C10의 알킬; C2 내지 C10의 알케닐; C2 내지 C10의 알키닐; C3 내지 C15의 시클로알킬; C2 내지 C20의 헤테로시클로알킬; C6 내지 C30의 아릴; C2 내지 C30의 헤테로아릴; C1 내지 C10의 알킬아민; C6 내지 C30의 아릴아민; 및 C2 내지 C30의 헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R34 내지 R37의 상기 '치환'은 C1 내지 C10의 알킬; C6 내지 C30의 아릴; C2 내지 C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R34 내지 R37의 상기 '치환'은 C1 내지 C5의 알킬; C6 내지 C20의 아릴; 및 C2 내지 C20의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R34 내지 R37의 '치환'은 메틸, 에틸, 직쇄 또는 분지쇄의 프로필, 직쇄 또는 분지쇄의 부틸, 직쇄 또는 분지쇄의 펜틸, 페닐, 나프탈레닐, 피리디닐, 안트라세닐, 카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조퓨란, 및 페난트레닐기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R34 내지 R37의 '치환'은 메틸, 에틸, 직쇄 또는 분지쇄의 프로필, 직쇄 또는 분지쇄의 부틸, 및 직쇄 또는 분지쇄의 펜틸기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 N-Het는 하기 화학식 3-1 내지 화학식 3-4 중 어느 하나로 표시되는 헤테로 고리 화합물일 수 있다.
[화학식 3-1]
[화학식 3-2]
[화학식 3-3]
[화학식 3-4]
상기 화학식 3-1 내지 화학식 3-4에 있어서,
X11 내지 X13은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, N 또는 CR41이고, X11 내지 X13 중 적어도 2개는 N이며,
Y는 O; 또는 S이고,
R42 내지 R44는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이며,
R41 및 R45 내지 R48은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -P(=O)R301R302; -SiR301R302R303; 및 -NR301R302로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로 고리를 형성하며, 상기 R301, R302, 및 R303은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 X11 내지 X13은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, N 또는 CR41이고, X11 내지 X13 중 2개 또는 모두는 N일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 Y는 O 또는 S일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 Y는 O일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 Y는 S일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 R42 내지 R44는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R42 내지 R44는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R42 내지 R44는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프틸기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 R41 및 R45 내지 R48은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴기; -P(=O)R301R302; -SiR301R302R303; 및 -NR301R302로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로 고리를 형성하며, 상기 R301, R302, 및 R303은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R41 및 R45 내지 R48은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R41 및 R45 내지 R48은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C5의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C5의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R41 및 R45 내지 R48은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R41 및 R45 내지 R48은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5의 알킬기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프탈레닐기, 피리디닐기, 안트라세닐기, 카르바졸릴기, 디벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 또는 페난트레닐기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R41 및 R45 내지 R48은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5의 알킬기일 수 있다. 상기에서 C1 내지 C5의 알킬기는 메틸기, 에틸기, 직쇄 또는 분지쇄의 프로필기, 직쇄 또는 분지쇄의 부틸기, 또는 직쇄 또는 분지쇄의 펜틸기일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R41 및 R45 내지 R48은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 또는 중수소일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R41 내지 R48의 상기 '치환'은 C1 내지 C10의 알킬; C2 내지 C10의 알케닐; C2 내지 C10의 알키닐; C3 내지 C15의 시클로알킬; C2 내지 C20의 헤테로시클로알킬; C6 내지 C30의 아릴; C2 내지 C30의 헤테로아릴; C1 내지 C10의 알킬아민; C6 내지 C30의 아릴아민; 및 C2 내지 C30의 헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R41 내지 R48의 상기 '치환'은 C1 내지 C10의 알킬; C6 내지 C30의 아릴; C2 내지 C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R41 내지 R48의 상기 '치환'은 C1 내지 C5의 알킬; C6 내지 C20의 아릴; 및 C2 내지 C20의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R41 내지 R48의 '치환'은 메틸, 에틸, 직쇄 또는 분지쇄의 프로필, 직쇄 또는 분지쇄의 부틸, 직쇄 또는 분지쇄의 펜틸, 페닐, 나프탈레닐, 피리디닐, 안트라세닐, 카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조퓨란, 및 페난트레닐기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 있어서, 상기 R41 내지 R48의 '치환'은 메틸, 에틸, 직쇄 또는 분지쇄의 프로필, 직쇄 또는 분지쇄의 부틸, 및 직쇄 또는 분지쇄의 펜틸기로 각각 독립적으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로 고리 화합물은 하기 화합물 중 선택되는 1종 이상일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시형태는, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물, 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함하는 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물을 제공한다.
상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물, 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로 고리 화합물에 대한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물 내 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로 고리 화합물의 중량비는 1 : 10 내지 10 : 1일 수 있고, 1 : 8 내지 8 : 1일 수 있고, 1 : 5 내지 5 : 1 일 수 있으며, 1 : 2 내지 2 : 1일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물은 유기 발광 소자의 유기물 형성시 이용할 수 있고, 특히, 발광층의 호스트 형성시 보다 바람직하게 이용할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물, 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함하고, 인광 도펀트와 함께 사용할 수 있다.
상기 인광 도펀트 재료로는 당 기술분야에 알려져 있는 것들을 사용할 수 있다. 예컨대, LL'MX', LL'L"M, LMX'X", L2MX' 및 L3M로 표시되는 인광 도펀트 재료를 사용할 수 있으나, 이들 예에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
상기 M은 이리듐, 백금, 오스뮴 등이 될 수 있다.
상기 L은 sp2 탄소 및 헤테로 원자에 의하여 상기 M에 배위되는 음이온성 2좌 배위자이고, X는 전자 또는 정공을 트랩하는 기능을 할 수 있다. L의 비한정적인 예로는 2-(1-나프틸)벤조옥사졸, (2-페닐벤조옥사졸), (2-페닐벤조티아졸), (2-페닐벤조티아졸), (7,8-벤조퀴놀린), (티오펜기피리진), 페닐피리딘, 벤조티오펜기피리진, 3-메톡시-2-페닐피리딘, 티오펜기피리진, 톨릴피리딘 등이 있다. X' 및 X"의 비한정적인 예로는 아세틸아세토네이트(acac), 헥사플루오로아세틸아세토네이트, 살리실리덴, 피콜리네이트, 8-히드록시퀴놀리네이트 등이 있다.
상기 인광 도펀트의 구체적인 예를 하기에 표시하나, 이들 예로만 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물, 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함하고, 이리듐계 도펀트와 함께 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 이리듐계 도펀트로는 적색 인광 도펀트로 (piq)2(Ir)(acac)이 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 도펀트의 함량은 발광층 전체를 기준으로 1중량% 내지 15중량%, 바람직하게는 3중량% 내지 10중량%의 함량을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자주입층 또는 전자수송층을 포함하고, 상기 전자주입층 또는 전자수송층은 상기 헤테로 고리 화합물을 포함할 수 있다.
또 다른 실시형태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자저지층 또는 정공저지층을 포함하고, 상기 전자저지층 또는 정공저지층은 상기 헤테로 고리 화합물을 포함할 수 있다.
또 다른 실시형태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자수송층, 발광층 또는 정공저지층을 포함하고, 상기 전자수송층, 발광층 또는 정공저지층은 상기 헤테로 고리 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 발광 소자는 발광층, 정공주입층, 정공수송층. 전자주입층, 전자수송층, 전자차단층 및 정공차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함할 수 있다.
도 1 내지 도 3에 본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 발광 소자의 전극과 유기물층의 적층 순서를 예시하였다. 그러나, 이들 도면에 의하여 본 출원의 범위가 한정될 것을 의도한 것은 아니며, 당 기술분야에 알려져 있는 유기 발광 소자의 구조가 본 출원에도 적용될 수 있다.
도 1에 따르면, 기판(100) 상에 양극(200), 유기물층(300) 및 음극(400)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자가 도시된다. 그러나, 이와 같은 구조에만 한정되는 것은 아니고, 도 2와 같이, 기판 상에 음극, 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자가 구현될 수도 있다.
도 3은 유기물층이 다층인 경우를 예시한 것이다. 도 3에 따른 유기 발광 소자는 정공 주입층(301), 정공 수송층(302), 발광층(303), 정공 저지층(304), 전자 수송층(305) 및 전자 주입층(306)을 포함한다. 그러나, 이와 같은 적층 구조에 의하여 본 출원의 범위가 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 발광층을 제외한 나머지 층은 생략될 수도 있고, 필요한 다른 기능층이 더 추가될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 두 개 이상의 독립된 소자가 직렬로 연결된 탠덤 구조일 수 있다. 일 실시상태에 있어서, 상기 탠덤 구조는 각각의 유기 발광 소자가 전하 생성층을 통하여 접합된 형태일 수 있다. 탠덤 구조의 소자는 동일한 휘도를 기준으로 각각의 단위 소자에 비하여 낮은 전류에서 구동이 가능하므로, 소자의 수명 특성이 크게 향상되는 장점이 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 유기물층은 1층 이상의 발광층을 포함하는 제1 스택; 1층 이상의 발광층을 포함하는 제2 스택; 및 상기 제1 스택과 상기 제2 스택의 사이에 구비된 1층 이상의 전하 생성층을 포함한다.
본 발명의 다른 실시형태에 따르면, 상기 유기물층은 1층 이상의 발광층을 포함하는 제1 스택; 1층 이상의 발광층을 포함하는 제2 스택; 및 1층 이상의 발광층을 포함하는 제3 스택을 포함하고, 상기 제1 스택과 상기 제2 스택의 사이 및 상기 제2 스택과 상기 제3 스택의 사이에 각각 1층 이상의 전하 생성층을 포함한다.
상기 전하 생성층(Charge Generating layer)이란, 전압을 가해지게 되면 정공과 전자를 발생시키는 층을 의미할 수 있다. 상기 전하 생성층은 N형 전하 생성층 또는 P형 전하 생성층일 수 있다. 본 발명에서, N형 전하 생성층이란, P형 전하 생성층보다 양극에 가깝게 위치한 전하 생성층을 의미하고, P형 전하 생성층이란 N형 전하 생성층보다 음극에 가깝게 위치한 전하 생성층을 의미한다.
상기 N형 전하 생성층 및 P형 전하 생성층은 접하여 구비될 수 있으며, 이 경우 N+P 접합을 형성한다. N+P 접합에 의하여 P형 전하 생성층 내에서 정공이, N형 전하 생성층 내에서 전자가 용이하게 형성된다. 전자는 N형 전하 생성층의 LUMO 준위를 통하여 양극 방향으로 수송되고, 정공은 P형 전하 생성층의 HOMO 준위를 통하여 음극 방향으로 수송된다.
상기 제1 스택, 제2 스택 및 제3 스택은 각각 독립적으로 1층 이상의 발광층을 포함하며, 추가로 정공주입층, 정공수송층, 전자차단층, 전자주입층, 전자수송층, 정공차단층, 정공수송 및 정공주입을 동시에 하는 층(정공주입 및 수송층), 및 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층(전자 주입 및 수송층) 중 1층 이상의 층을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 스택 및 제2 스택을 포함하는 유기 발광 소자를 도 4에 예시하였다. 그러나, 이들 도면에 의하여 본 발명의 범위가 한정될 것을 의도한 것은 아니며, 해당 기술분야에 알려져 있는 유기 발광 소자의 구조가 본 발명에도 적용될 수 있다.
상기 도 4에 기재된 제 1 전자저지층, 제 1 정공저지층 및 제 2 정공저지층 등은 경우에 따라 생략될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법으로서, 상기 유기물층을 형성하는 단계가 본 발명의 일 실시형태에 따른 유기물층용 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계를 포함하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 유기물층을 형성하는 단계는 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 예비 혼합(pre-mixed)하고, 열 진공 증착 방법을 이용하여 형성하는 것일 수 있다.
상기 예비 혼합(pre-mixed)은, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 유기물층에 증착하기 전 먼저 재료를 섞어서 하나의 공급원에 담아 혼합하는 것을 의미한다.
예비 혼합된 재료는 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기물층용 조성물로 언급될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함하는 유기물층은, 필요에 따라 다른 물질을 추가로 포함할 수 있다.
상기 화학식 1 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 동시에 포함하는 유기물층은, 필요에 따라 다른 물질을 추가로 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 화학식 1 또는 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로 고리 화합물 이외의 재료를 하기에 예시하지만, 이들은 예시를 위한 것일 뿐 본 출원의 범위를 한정하기 위한 것은 아니며, 당 기술분야에 공지된 재료들로 대체될 수 있다.
양극 재료로는 비교적 일함수가 큰 재료들을 이용할 수 있으며, 투명 전도성 산화물, 금속 또는 전도성 고분자 등을 사용할 수 있다. 상기 양극 재료의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
음극 재료로는 비교적 일함수가 낮은 재료들을 이용할 수 있으며, 금속, 금속 산화물 또는 전도성 고분자 등을 사용할 수 있다. 상기 음극 재료의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
정공 주입층 재료로는 공지된 정공 주입층 재료를 이용할 수도 있는데, 예를 들면, 미국 특허 제4,356,429호에 개시된 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 문헌 [Advanced Material, 6, p.677 (1994)]에 기재되어 있는 스타버스트형 아민 유도체류, 예컨대 트리스(4-카바조일-9-일페닐)아민(TCTA), 4,4',4"-트리[페닐(m-톨릴)아미노]트리페닐아민(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[4-(3-메틸페닐페닐아미노)페닐]벤젠(m-MTDAPB), 용해성이 있는 전도성 고분자인 폴리아닐린/도데실벤젠술폰산(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid) 또는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), 폴리아닐린/캠퍼술폰산(Polyaniline/Camphor sulfonic acid) 또는 폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트)(Polyaniline/Poly(4-styrene-sulfonate))등을 사용할 수 있다.
정공 수송층 재료로는 피라졸린 유도체, 아릴아민계 유도체, 스틸벤 유도체, 트리페닐디아민 유도체 등이 사용될 수 있으며, 저분자 또는 고분자 재료가 사용될 수도 있다.
전자 수송층 재료로는 옥사디아졸 유도체, 안트라퀴노디메탄 및 이의 유도체, 벤조퀴논 및 이의 유도체, 나프토퀴논 및 이의 유도체, 안트라퀴논 및 이의 유도체, 테트라시아노안트라퀴노디메탄 및 이의 유도체, 플루오레논 유도체, 디페닐디시아노에틸렌 및 이의 유도체, 디페노퀴논 유도체, 8-히드록시퀴놀린 및 이의 유도체의 금속 착체 등이 사용될 수 있으며, 저분자 물질뿐만 아니라 고분자 물질이 사용될 수도 있다.
전자 주입층 재료로는 예를 들어, LiF가 당업계 대표적으로 사용되나, 본 출원이 이에 한정되는 것은 아니다.
발광층 재료로는 적색, 녹색 또는 청색 발광재료가 사용될 수 있으며, 필요한 경우, 2 이상의 발광 재료를 혼합하여 사용할 수 있다. 이 때, 2 이상의 발광 재료를 개별적인 공급원으로 증착하여 사용하거나, 예비혼합하여 하나의 공급원으로 증착하여 사용할 수 있다. 또한, 발광층 재료로서 형광 재료를 사용할 수도 있으나, 인광 재료로서 사용할 수도 있다. 발광층 재료로는 단독으로서 양극과 음극으로부터 각각 주입된 정공과 전자를 결합하여 발광시키는 재료가 사용될 수도 있으나, 호스트 재료와 도펀트 재료가 함께 발광에 관여하는 재료들이 사용될 수도 있다.
발광층 재료의 호스트를 혼합하여 사용하는 경우에는, 동일 계열의 호스트를 혼합하여 사용할 수도 있고, 다른 계열의 호스트를 혼합하여 사용할 수도 있다. 예를 들어, n 타입 호스트 재료 또는 p 타입 호스트 재료 중 어느 두 종류 이상의 재료를 선택하여 발광층의 호스트 재료로 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 헤테로 고리 화합물은 유기 태양 전지, 유기 감광체, 유기 트랜지스터 등을 비롯한 유기 전자 소자에서도 유기 발광 소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위해 바람직한 실시예를 제시하지만, 하기의 실시예는 본 발명을 보다 쉽게 이해하기 위하여 제공되는 것일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
<제조예>
<제조예 1-1> 화합물 A7(71) 및 화합물 A'(98)의 제조
1) 화합물 A2의 제조
나프탈렌-1-일 보론산(naphthalen-1-ylboronic acid) 20.0g(116.28 mmol), 1-브로모-2-아이오도-3-니트로벤젠(1-bromo-2-iodo-3-nitrobenzene) 38.13g(116.28 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(tetrakis(triphenylhosphine)palladium(0), Pd(PPh3)4 6.72g(5.814 mmol), K2CO3 32.14g(232.56 mmol)를 1,4-다이옥산(1,4-Dioxane)/H2O 200ml/40ml에 녹인 후 3시간동안 환류하였다. 반응이 완결된 후, 실온에서 증류수와 디클로로메탄(DCM)을 넣고 추출한 다음, 유기층을 MgSO4로 건조시킨 후, 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 반응물을 컬럼 크로마토그래피 (DCM:Hex=1:5)로 정제하여 화합물 A2 30.0g(78.6%)을 얻었다.
2) 화합물 A3의 제조
상기 화합물 A2 30.0g(91.41 mmol), 트리페닐포스핀(Triphenylphosphine, PPh3) 59.94g(228.54 mmol)을 1,2-디클로로벤젠(1,2-DCB) 300ml에 녹인 후, 5시간동안 200 °C에서 환류하였다. 반응이 완결된 후, 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 반응물을 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex=1:4)로 정제하여 화합물 A3 19.0g(70.37%)을 얻었다.
3) 화합물 A4의 제조
상기 화합물 A3 19.0g(64.15 mmol), N-브로모숙신이미드(NBS) 11.41g (64.15 mmol)을 클로로포름(Chloroform) 200ml에 녹인 후, 상온에서 7시간동안 교반하였다. 반응이 완결된 다음, 실온에서 증류수와 DCM을 넣고 추출한 후, 유기층을 MgSO4로 건조시킨 다음, 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 반응물을 컬럼 크로마토그래피 (DCM:Hex=1:5)로 정제하여 화합물 A4 17.8g(74.01%)을 얻었다.
4) 화합물 A5의 제조
상기 화합물 A4 17.8g(47.46 mmol), 아이오도벤젠(iodobenzene) 9.68g(47.46 mmol), CuI 10.85g(56.95 mmol), 1,2-에탄디아민(1,2-Ethanediamine) 3.42g(56.95 mmol), K2CO3 19.68g (142.38 mmol)을 1,4-다이옥산(1,4-dioxane) 180ml에 녹인 후, 12시간 동안 200 °C에서 환류하였다. 반응이 완결된 다음, 실온에서 증류수와 DCM을 넣고 추출한 후, 유기층을 MgSO4로 건조시킨 다음 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 반응물을 컬럼 크로마토그래피 (DCM:Hex=1:7)로 정제하여 화합물 A5 18.62g(87%)을 얻었다.
5) 화합물 A6의 제조
상기 화합물 A5 18.62g(21.83 mmol), 디([1,1'-바이페닐]-4-일)아민(di([1,1'-biphenyl]-4-yl)amine) 7.02g(21.83 mmol), CuI 4.99g(26.19mmol), 1,2-에탄디아민(1,2-Ethanediamine) 1.31g(21.83 mmol), K2CO3 9.05g(65.49 mmol)을 1,4-다이옥산(1,4-dioxane) 180ml에 녹인 후, 12시간 동안 200 °C에서 환류하였다. 반응이 완결된 다음, 실온에서 증류수와 DCM을 넣고 추출한 후, 유기층을 MgSO4로 건조시킨 다음 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 반응물을 컬럼 크로마토그래피 (DCM:Hex=1:4)로 정제하여 화합물 A6 7.40g(49%)을 얻었다.
6) 화합물 A6'의 제조
상기 화합물 A5 18.62g(21.83 mmol), (4-([1,1'-바이페닐]-4-일(페닐)아미노)페닐)보론산((4-([1,1'-biphenyl]-4-yl(phenyl)amino)phenyl)boronic acid) 7.97g(21.83 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(tetrakis(triphenylhosphine)palladium(0), Pd(PPh3)4 1.3g (1.0915 mmol), K2CO3 6.03g (46.33 mmol)를 1,4-Dioxane/H2O 200ml/40ml에 녹인 후 3시간동안 환류하였다. 반응이 완결된 다음, 실온에서 증류수와 DCM을 넣고 추출하였고, 유기층을 MgSO4로 건조시킨 후, 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 반응물을 컬럼 크로마토그래피 (DCM:Hex=1:4)로 정제하여 화합물 A6' 7.85g(52%)을 얻었다.
7) 화합물 A7의 제조
상기 화합물 A6 7.40g(10.70 mmol)을 250mL 둥근바닥 플라스크에 넣고, 질소분위기 하에서 테트라하이드로퓨란(THF) 80mL를 넣고, 반응 용기의 내부온도를 -78℃로 낮추었다. 2.5M의 n-BuLi/헥산(Hx) 4.71 mL을 천천히 적가한 후, 2시간 동안 교반시킨 다음, 9H-플루오렌-9-온(9H-fluoren-9-one) 2.9g(16.05 mmol)을 실온에서 천천히 적가하였다. 12시간 후 반응이 종결된 뒤, Ac2O:HCl(1:1) 10ml을 사용하여 반응을 완전히 종결시킨 다음, 실온에서 증류수와 DCM을 넣고 추출하였고 유기층을 MgSO4로 건조시킨 후, 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 반응물을 컬럼 크로마토그래피 (DCM:Hex=1:5)로 정제하여 목적 화합물 A7(71) 3.56g (43%)을 얻었다.
상기 제조예 1-1에서 하기 표 1의 B1와 B2/B2'를 중간체로 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1-1과 같은 방법으로 합성하여, 하기 목적 화합물을 제조하였다.
| 화합물 번호 |
중간체 B1 | 중간체 B2 / B2' | 목적 화합물 | 수율 |
| 71 |
|
50% | ||
| 73 |
|
46% | ||
| 79 |
|
43% | ||
| 87 |
|
38% | ||
| 95 |
|
44% | ||
| 98 |
|
51% | ||
| 101 |
|
50% | ||
| 103 |
|
48% | ||
| 108 |
|
45% | ||
| 110 |
|
49% |
<제조예 1-2> 화합물 C6(153) 및 화합물 C6'(171)의 제조
상기 제조예 1-2에서 하기 표 2의 D1와 D2/D2'를 중간체로 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1-1과 같은 방법으로 합성하여, 하기 목적 화합물을 합성하였다.
| 화합물 번호 |
중간체 D1 | 중간체 D2 / D2' | 목적화합물 | 수율 |
| 146 |
|
57% | ||
| 148 |
|
51% | ||
| 153 |
|
55% | ||
| 154 |
|
48% | ||
| 159 |
|
42% | ||
| 162 |
|
39% | ||
| 168 |
|
44% | ||
| 170 |
|
45% | ||
| 171 |
|
50% | ||
| 173 |
|
45% |
<제조예 1-3> 화합물 E6(118) 및 화합물 E6'(140)의 제조
상기 제조예 1-3에서 하기 표 3의 F1와 F2/F2'를 중간체로 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1-1과 같은 방법으로 합성하여, 하기 목적 화합물을 제조하였다.
| 화합물 번호 |
중간체 F1 | 중간체 F2 / F2' | 목적 화합물 | 수율 |
| 113 |
|
45% | ||
| 118 |
|
43% | ||
| 120 |
|
52% | ||
| 121 |
|
56% | ||
| 127 |
|
55% | ||
| 130 |
|
48% | ||
| 133 |
|
52% | ||
| 137 |
|
45% | ||
| 140 |
|
51% | ||
| 141 |
|
44% |
<제조예 1-4> 화합물 G5(16) 및 화합물 G5'(60)의 제조
상기 제조예 1-4에서 하기 표 4의 H1와 H2/H2'를 중간체로 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1-1과 같은 방법으로 합성하여, 하기 목적 화합물을 제조하였다.
| 화합물 번호 |
중간체 H1 | 중간체 H2 / H2' | 목적 화합물 | 수율 |
| 3 |
|
39% | ||
| 4 |
|
57% | ||
| 16 |
|
47% | ||
| 30 |
|
52% | ||
| 42 |
|
56% | ||
| 55 |
|
32% | ||
| 60 |
|
42% | ||
| 62 |
|
44% | ||
| 63 |
|
|
48% | |
| 67 |
|
50% |
상기 제조예 1-1 내지 1-4 및 표 1 내지 표 4에 기재된 화합물 이외의 나머지 화합물도 전술한 제조예에 기재된 방법과 동일한 방법으로 제조하였으며, 하기 표 5 및 6에 합성결과를 나타내었다. 하기 표 5는 1H NMR(CDCl3, 300Mz)의 측정값이고, 하기 표 6은 FD-질량분석계(FD-MS: Field desorption mass spectrometry)의 측정값이다.
| NO | 1H NMR(CDCl3, 300Mz) |
| 3 | 7.90 (d, 2H), 7.75 (d, 4H), 7.75-7.24 (m, 27H), 7.08-7.00 (m, 4H), 6.66 (d, 1H) |
| 4 | 7.90 (d, 2H), 7.75 (d, 2H), 7.62-7.24 (m, 25H), 7.08-6.93 (m, 4H), 6.66 (d, 1H) |
| 16 | 7.90 (d, 3H), 7.62-7.50 (m, 12H), 7.38-7.17 (m, 11H), 7.08-6.93 (m, 5H), 6.66 (d, 1H) |
| 30 | 8.21 (d, 1H), 7.98 (d, 1H), 7.90 (d, 2H), 7.75-7.08 (m, 31H), 6.66 (d, 1H) |
| 42 | 7.98 (d, 1H), 7.90 (d, 2H), 7.75 (d, 2H), 7.55-7.17 (m, 27H), 7.08-7.00 (dd, 3H), 6.66 (d, 1H) |
| 55 | 7.90-7.87 (d, 3H), 7.62-7.27 (m, 31H), 7.17-7.11 (m, 3H), 6.93 (d, 1H) |
| 60 | 8.22 (s, 1H), 7.98 (d, 1H), 7.90-7.87 (d, 3H), 7.55-7.17 (m, 26H), 7.08-6.98 (m, 5H), |
| 62 | 7.90-7.75 (m, 8H), 7.62-7.17 (m, 28H), 7.08-6.98 (m, 4H) |
| 63 | 8.03 (dd, 3H), 7.90-7.83 (m, 4H), 7.75(d, 2H), 7.58-7.27 (m, 27H), 7.08-6.98 (m, 4H) |
| 67 | 7.98 (d, 1H), 7.90-7.87 (d, 3H), 7.62-7.52 (m, 12H), 7.39-6.98 (m, 20H) |
| 71 | 7.95 (d, 1H), 7.90 (d, 2H), 7.75 (d, 4H), 7.49-7.27(m, 28H), 7.18-7.17 (m, 2H), 6.93 (d, 1H) |
| 73 | 7.95 (d, 1H), 7.90 (d, 2H), 7.62-7.50 (m, 10H), 7.38-7.17 (m, 12H), 7.03-6.93 (m, 5H) |
| 79 | 8.95 (d, 1H), 8.50 (d, 1H), 8.20 (d, 2H), 7.95-7.89 (m, 6H), 7.78 (d, 1H), 7.77 (t, 1H), 7.55 (d 2H), 7.41-6.93 (m, 22H) |
| 87 | 7.96-7.90 (m, 5H), 7.75 (d, 1H), 7.69 (d, 1H), 7.55-7.18 (m, 31H), 7.08-6.93 (m, 4H) |
| 95 | 9.27 (s, 1H), 8.85 (d, 1H), 8.37-8.35 (dd, 2H), 7.90 (d, 3H), 7.75-7.50 (m, 13H), 7.38-6.98 (m, 17H) |
| 98 | 8.80 (d, 1H), 7.90 (d, 2H), 7.75 (d, 2H), 7.62-7.24 (m, 29H), 7.24-6.93 (m, 4H) |
| 101 | 8.98 (d, 1H), 8.84-8.80 (m, 2H), 8.11 (d, 1H), 7.90 (d, 3H), 7.68-7.49 (m, 14H), 7.38-7.17 (m, 12H), 7.08-6.93 (m, 5H) |
| 103 | 8.80 (d, 1H), 8.22 (d, 1H), 7.98 (d, 1H), 7.90 (d, 2H), 7.62-7.17 (m, 24H), 7.08-6.93 (m, 6H) |
| 108 | 8.80 (d, 1H), 7.98 (d, 1H), 7.90 (d, 1H), 7.62-7.50 (m, 9H), 7.39-6.93 (m, 24H) |
| 110 | 8.80 (d, 1H), 7.98 (d, 1H), 7.90 (d, 2H), 7.64-7.54 (m, 7H), 7.39-6.93 (m, 25H) |
| 113 | 8.09-7.99 (d, 3H), 7.90 (d, 2H), 7.67-7.50 (m, 15H), 7.38-7.27 (m, 10H), 7.08-6.93 (m, 4H), 6.68 (s, 1H) |
| 118 | 7.90 (d, 2H), 7.75 (d, 1H), 7.67-7.24 (m, 26H), 7.08-6.93 (m, 4H), 6.68 (s, 1H) |
| 120 | 8.45 (d, 1H), 7.95-7.85 (m, 5H), 7.97-7.50 (m, 11H), 7.41-7.24 (m, 5H), 6.68 (s, 1H) |
| 121 | 7.90 (d, 3H), 7.75 (d, 2H), 7.67-7.28 (m, 26H), 7.15 (d, 1H), 7.06 (d, 1H), 6.93 (d, 1H), 6.68 (s, 1H) |
| 127 | 7.90 (d, 2H), 7.75-7.41 (m, 28H), 7.18-7.15 (m, 5H), 6.93 (d, 2H), 6.68 (s, 1H) |
| 130 | 8.22 (d, 1H), 7.90-7.84 (m, 4H), 7.71-7.27 (m, 31H), 7.11 (s, 1H), 6.93 (d, 1H) |
| 133 | 8.21 (s, 1H), 7.90-7.84 (m, 3H), 7.75-7.24 (m, 27H), 7.08-6.93 (m, 7H) |
| 137 | 7.98 (d, 1H), 7.90-7.84 (m, 3H), 7.73-7.67 (d, 2H), 7.64 (s, 1H), 7.55-7.52 (m, 8H), 7.39-7.24 (m, 14H), 7.24-6.93 (m, 7H) |
| 140 | 7.90 (d, 2H), 7.84 (s, 1H), 7.71-7.24 (m, 28H), 7.11-6.93 (m, 5H) |
| 141 | 8.95 (d, 1H), 8.50 (d, 1H), 8.20 (d, 2H), 7.92-7.77 (m, 8H), 7.67-7.64 (d, 2H), 7.55-7.52 (m, 6H), 7.41-7.24 (m, 13H), 7.24-7.08 (m, 6H) |
| 146 | 8.95 (d, 1H), 8.50 (d, 1H), 8.21 (s, 1H), 7.90-7.89 (d, 3H), 7.78-7.77 (m, 2H), 7.66-6.89 (m, 28H) |
| 148 | 7.96 (s, 1H), 7.90 (d, 3H), 7.69 (d, 1H), 7.55-7.52 (m, 5H), 7.38-7.17 (m, 13H), 7.08-6.93 (m, 8H) |
| 153 | 8.22 (d, 1H), 7.90-7.84 (d, 3H), 7.63-7.38 (m, 26H), 7.17 (t, 1H), 7.11 (s, 1H), 6.93 (d, 2H) |
| 154 | 8.95 (d, 1H), 8.50 (d, 1H), 8.21 (s, 1H), 7.90 (d, 2H), 7.89 (d, 1H), 7.78-7.24 (m, 30H), 7.08-6.93 (m, 4H) |
| 159 | 8.20 (d, 1H), 7.92 (d, 1H), 7.90 (d, 2H), 7.80 (t, 1H), 7.71 (d, 1H), 7.49-6.93 (m, 30H) |
| 162 | 8.04 (d, 1H), 7.90 (d, 3H), 7.67 (s, 1H), 7.55-7.50 (m, 7H), 7.38-7.17 (m, 16H), 7.08-6.93 (m, 8H) |
| 168 | 7.90 (d, 2H), 7.84 (d, 2H), 7.80 (d, 1H), 7.62-7.48 (m, 10H), 7.38-7.15 (m, 13H), 7.03 (d, 4H), 6.93 (d, 2H) |
| 170 | 8.12 (d, 2H), 7.99 (d, 1H), 7.90 (d, 2H), 7.74 (d, 1H), 7.62-6.93 (m, 30H) |
| 171 | 8.19(d, 1H), 8.04 (s, 1H), 7.90 (d, 2H), 7.65-7.48 (m, 13H), 7.38-6.39 (m, 19H) |
| 173 | 7.90 (d, 2H), 7.62-7.55 (m, 11H), 7.38-7.17 (m, 17H), 7.08-6.93 (m, 8H) |
| 화합물 | FD-MS | 화합물 | FD-MS |
| 1 | m/z= 698.27 (C53H34N2=698.87) | 2 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) |
| 3 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) | 4 | m/z= 698.27 (C53H34N2=698.87) |
| 5 | m/z= 650.27 (C49H34N2=650.83) | 6 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) |
| 7 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) | 8 | m/z= 672.26 (C51H32N2=672.83) |
| 9 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) | 10 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) |
| 11 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) | 12 | m/z= 712.25 (C53H32N2O=712.85) |
| 13 | m/z= 712.25 (C53H32N2O=712.85) | 14 | m/z= 728.23 (C53H32N2S=728.91) |
| 15 | m/z= 728.23 (C53H32N2S=728.91) | 16 | m/z= 738.30 (C56H38N2=738.93) |
| 17 | m/z= 698.27 (C53H34N2=698.87) | 18 | m/z= 698.27 (C53H34N2=698.87) |
| 19 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) | 20 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) |
| 21 | m/z= 698.27 (C53H34N2=698.87) | 22 | m/z= 788.28 (C59H36N2O=788.95) |
| 23 | m/z= 788.28 (C59H36N2O=788.95) | 24 | m/z= 788.28 (C59H36N2O=788.95) |
| 25 | m/z= 788.28 (C59H36N2O=788.95) | 26 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) |
| 27 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) | 28 | m/z= 804.26 (C59H36N2S=805.01) |
| 29 | m/z= 788.28 (C59H36N2O=788.95) | 30 | m/z= 788.28 (C59H36N2O=788.95) |
| 31 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) | 32 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) |
| 33 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) | 34 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) |
| 35 | m/z= 762.27 (C57H34N2O=762.91) | 36 | m/z= 762.27 (C57H34N2O=762.91) |
| 37 | m/z= 778.24 (C57H34N2S=778.97) | 38 | m/z= 788.32 (C60H40N2=788.99) |
| 39 | m/z= 672.26 (C51H32N2=672.83) | 40 | m/z= 672.26 (C51H32N2=672.83) |
| 41 | m/z= 788.28 (C59H36N2O=788.95) | 42 | m/z= 788.28 (C59H36N2O=788.95) |
| 43 | m/z= 712.25 (C53H32N2O=712.85) | 44 | m/z= 712.25 (C53H32N2O=712.85) |
| 45 | m/z= 762.27 (C57H34N2O=762.91) | 46 | m/z= 778.24 (C57H34N2S=778.97) |
| 47 | m/z= 728.23 (C53H32N2S=728.91) | 48 | m/z= 728.23 (C53H32N2S=728.91) |
| 49 | m/z= 738.30 (C56H38N2=738.93) | 50 | m/z= 788.32 (C60H40N2=788.99) |
| 51 | m/z= 788.32 (C60H40N2=788.99) | 52 | m/z= 738.30 (C56H38N2=738.93) |
| 53 | m/z= 698.27 (C53H34N2=698.87) | 54 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) |
| 55 | m/z= 798.30 (C61H38N2= 798.99) | 56 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) |
| 57 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) | 58 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) |
| 59 | m/z= 788.28 (C59H36N2O=788.95) | 60 | m/z= 788.28 (C59H36N2O=788.95) |
| 61 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) | 62 | m/z= 824.32 (C63H40N2=825.03) |
| 63 | m/z= 824.32 (C63H40N2=825.03) | 64 | m/z= 798.30 (C61H38N2= 798.99) |
| 65 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) | 66 | m/z= 824.32 (C63H40N2=825.03) |
| 67 | m/z= 788.28 (C59H36N2O=788.95) | 68 | m/z= 712.25 (C53H32N2O=712.85) |
| 69 | m/z= 712.25 (C53H32N2O=712.85) | 70 | m/z= 728.23 (C53H32N2S=728.91) |
| 71 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) | 72 | m/z= 722.27 (C55H34N2=722.89) |
| 73 | m/z= 738.30 (C56H38N2=738.93) | 74 | m/z= 788.32 (C60H40N2=788.99) |
| 75 | m/z= 814.33 (C62H42N2=815.03) | 76 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) |
| 77 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) | 78 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) |
| 79 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) | 80 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) |
| 81 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) | 82 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) |
| 83 | m/z= 650.27 (C49H34N2=650.83) | 84 | m/z= 798.30 (C61H38N2= 798.99) |
| 85 | m/z= 814.33 (C62H42N2=815.03) | 86 | m/z= 788.32 (C60H40N2=788.99) |
| 87 | m/z= 814.33 (C62H42N2=815.03) | 88 | m/z= 788.28 (C59H36N2O=788.95) |
| 89 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) | 90 | m/z= 698.27 (C53H34N2=698.87) |
| 91 | m/z= 728.23 (C53H32N2S=728.91) | 92 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) |
| 93 | m/z= 722.27 (C55H34N2=722.89) | 94 | m/z= 722.27 (C55H34N2=722.89) |
| 95 | m/z= 798.30 (C61H38N2= 798.99) | 96 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) |
| 97 | m/z= 814.33 (C62H42N2=815.03) | 98 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) |
| 99 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) | 100 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) |
| 101 | m/z= 798.30 (C61H38N2= 798.99) | 102 | m/z= 798.30 (C61H38N2= 798.99) |
| 103 | m/z= 788.28 (C59H36N2O=788.95) | 104 | m/z= 804.26 (C59H36N2S=805.01) |
| 105 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) | 106 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) |
| 107 | m/z= 814.33 (C62H42N2=815.03) | 108 | m/z= 788.28 (C59H36N2O=788.95) |
| 109 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) | 110 | m/z= 788.28 (C59H36N2O=788.95) |
| 111 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) | 112 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) |
| 113 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) | 114 | m/z= 814.33 (C62H42N2=815.03) |
| 115 | m/z= 788.32 (C60H40N2=788.99) | 116 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) |
| 117 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) | 118 | m/z= 698.27 (C53H34N2=26698.87) |
| 119 | m/z= 788.28 (C59H36N2O=788.95) | 120 | m/z= 728.23 (C53H32N2S=728.91) |
| 121 | m/z= 814.33 (C62H42N2=815.03) | 122 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) |
| 123 | m/z= 738.30 (C56H38N2=738.93) | 124 | m/z= 788.32 (C60H40N2=788.99) |
| 125 | m/z= 824.32 (C63H40N2=825.03) | 126 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) |
| 127 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) | 128 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) |
| 129 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) | 130 | m/z= 798.30 (C61H38N2= 798.99) |
| 131 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) | 132 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) |
| 133 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) | 134 | m/z= 698.27 (C53H34N2=698.87) |
| 135 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) | 136 | m/z= 788.28 (C59H36N2O=788.95) |
| 137 | m/z= 788.28 (C59H36N2O=788.95) | 138 | m/z= 814.33 (C62H42N2=815.03) |
| 139 | m/z= 788.28 (C59H36N2O=788.95) | 140 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) |
| 141 | m/z= 824.32 (C63H40N2=825.03) | 142 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) |
| 143 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) | 144 | m/z= 814.33 (C62H42N2=815.03) |
| 145 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) | 146 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) |
| 147 | m/z= 672.26 (C51H32N2=672.83) | 148 | m/z= 738.30 (C56H38N2=738.93) |
| 149 | m/z= 712.25 (C53H32N2O=712.85) | 150 | m/z= 762.27 (C57H34N2O=762.91) |
| 151 | m/z= 728.23 (C53H32N2S=728.91) | 152 | m/z= 738.30 (C56H38N2=738.93) |
| 153 | m/z= 722.27 (C55H34N2=722.89) | 154 | m/z= 824.32 (C63H40N2=825.03) |
| 155 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) | 156 | m/z= 698.27 (C53H34N2=698.87) |
| 157 | m/z= 698.27 (C53H34N2=698.87) | 158 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) |
| 159 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) | 160 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) |
| 161 | m/z= 814.33 (C62H42N2=815.03) | 162 | m/z= 814.33 (C62H42N2=815.03) |
| 163 | m/z= 788.28 (C59H36N2O=788.95) | 164 | m/z= 788.28 (C59H36N2O=788.95) |
| 165 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) | 166 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) |
| 167 | m/z= 814.33 (C62H42N2=815.03) | 168 | m/z= 776.32 (C59H40N2=776.98) |
| 169 | m/z= 788.28 (C59H36N2O=788.95) | 170 | m/z= 804.26 (C59H36N2S=805.01) |
| 171 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) | 172 | m/z= 698.27 (C53H34N2=698.87) |
| 173 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) | 174 | m/z= 748.29 (C57H36N2=748.93) |
| 175 | m/z= 788.28 (C59H36N2O=788.95) | 176 | m/z= 698.27 (C53H34N2=698.87) |
| 177 | m/z= 850.33 (C65H42N2=851.07) | 178 | m/z= 810.40 (C61H50N2=811.09) |
| 179 | m/z= 784.38 (C59H48N2=785.05) | 180 | m/z= 784.38 (C59H48N2=785.05) |
| 181 | m/z= 810.40 (C61H50N2=811.09) | 182 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) |
| 183 | m/z= 784.38 (C59H48N2=785.05) | 184 | m/z= 734.37 (C55H46N2=734.99) |
| 185 | m/z= 774.30 (C59H38N2=774.97) | 186 | m/z= 824.32 (C63H40N2=825.03) |
| 187 | m/z= 824.32 (C63H40N2=825.03) | 188 | m/z= 733.26 (C53H27D5N2S=733.94) |
| 189 | m/z= 793.31 (C59H31D5N2O=793.98) | 190 | m/z= 708.33 (C53H24D10N2=708.93) |
| 191 | m/z= 778.33 (C59H34D4N2=778.99) | 192 | m/z= 630.29 (C47H22D8N2=630.82) |
| 193 | m/z= 674.25 (C49H30N4=674.81) | 194 | m/z= 724.26 (C53H32N4=724.87) |
| 195 | m/z= 699.27 (C52H33N3=699.86) | 196 | m/z= 749.28 (C56H35N3=749.92) |
| 197 | m/z= 620.23 (C47H28N2=620.76) | 198 | m/z= 670.24 (C51H30N2=670.82) |
| 199 | m/z= 699.26 (C53H32N2=699.85) | 200 | m/z= 720.26 (C55H32N2=720.88) |
<제조예 2> 화합물 10의 제조
1) 화합물 1-1-2의 제조
1-브로모-3-클로로디벤조[b,d]푸란(1-bromo-3-chloronaphtho[2,3-b]benzofuran) 6.0 g(18.09 mmol), 페닐보론산(phenylboronic acid)(C) 2.65 g(21.71 mmol), Pd(PPh3)4 1.23g(1.07 mmol), 및 K2CO3 5.89g(42.62 mmol)를 1,4-다이옥산/물(1,4-dioxane/H2O) 30mL/6mL에 녹인 후, 24시간동안 환류하였다. 반응이 완결된 후, 실온에서 증류수와 디클로로메탄(dichloromethane, DCM)을 넣고 추출하였고, 유기층을 MgSO4로 건조시킨 후, 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 용매를 제거한 반응물을 실리카 정제하였고, 반응물을 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex=1:5)로 정제하여 화합물 1-1-2 5g(45%)을 얻었다. 상기 Hex는 헥산(Hexane)을 의미한다.
2) 화합물 1-1-1의 제조
상기 화합물 1-1-2 5.0g(15.21 mmol), 비스(피나콜라토)디보론(bis(pinacolato)diboron) 4.3g(16.73 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0)(Pd2(dba)3) 0.44g(1.07 mmol), 디시클로헥실-(2',6'-디메톡시바이페닐-2-일)포스핀(Sphos) 0.4g(0.958 mmol), 및 KOAc 1.9g(19.16 mmol)를 1,4-디옥산(1,4-dioxane) 50mL에 녹인 후 5시간동안 환류하였다. 반응이 완결된 다음, 실온에서 증류수와 디클로로메탄(dichloromethane, DCM)을 넣고 추출하였고, 유기층을 MgSO4로 건조시킨 후, 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 용매를 제거한 반응물을 실리카 정제 후 메탄올로 재결정하여 화합물 1-1-1 3.27g(56%)을 얻었다.
3) 목적 화합물 1-1의 제조
상기 화합물 1-1-1 3.27g(7.8 mmol), 2-클로로-4-페닐퀴나졸린(2-chloro-4-phenylquinazoline)(D) 1.9g(7.8 mmol), Pd(PPh3)4 0.31g(0.27 mmol), 및 K2CO3 1.47 g(10.66 mmol)를 1,4-디옥산/물(1,4-dioxane/H2O) 25mL/5mL에 녹인 후 3시간동안 환류하였다. 반응이 완결된 다음, 생성된 고체를 필터하고, 증류수로 씻고, 건조시켰다. 건조된 고체를 클로로포름에 녹여 실리카 정제한 후, 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 아세톤으로 재결정하여 목적 화합물 1-1 3.1g(80%)을 얻었다.
상기 제조예 2에서 페닐보론산(phenylboronic acid)(C) 및 2-클로로-4-페닐퀴나졸린(2-chloro-4-phenylquinazoline)(D) 대신 하기 표 7의 C와 D를 중간체로 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 2와 같은 방법으로 제조하여, 하기 표 7의 목적 화합물을 추가로 제조하였다.
| 화합물 번호 |
중간체 C | 중간체 D | 목적 화합물 | 수율 |
| 1-2 |
|
63% | ||
| 1-3 |
|
59% | ||
| 1-5 |
|
69% | ||
| 1-6 |
|
48% |
상기 제조예 2 및 표 7에 기재된 화합물 이외의 나머지 화합물도 전술한 제조예에 기재된 방법과 동일한 방법으로 제조하였으며, 하기 표 8 및 9에 합성결과를 나타내었다. 하기 표 8은 1H NMR(CDCl3, 300Mz)의 측정값이고, 하기 표 9는 FD-질량분석계(FD-MS: Field desorption mass spectrometry)의 측정값이다.
| NO | 1H NMR(CDCl3, 300Mz) |
| 1-1 | 8.28 (d, 1H), 8.13 (d, 1H), 8.86-7.75 (m, 10H), 7.55-7.39 (m, 24H), 7.65-7.41 (m, 10H) |
| 1-5 | 8.30 (d, 2H), 8.09 (d, 1H), 8.06 (d, 1H), 7.99 (d, 1H), 7.86-7.75 (m, 10H), 7.63-7.31(m, 12H), |
| 1-6 | 8.28 (d, 1H), 7.98 (d, 1H), 7.86-7.75 (m, 10H), 7.54-7.31 (m, 12H) |
| 1-7 | 8.97 (d, 2H), 8.95 (d, 1H), 8.50 (dd, 1H), 7.86-7.76 (m, 9H), 7.53-7.25 (m, 15H) |
| 1-8 | 8.95 (dd, 1H), 8.50 (dd, 1H), 8.36 (d, 2H), 8.25 (d, 2H), 8.19 (d, 1H), 7.89-7.75 (m, 8H), 7.50-7.35 (m, 10H), 7.25 (d, 2H), 7.23 (d, 1H), |
| 1-10 | 8.55 (d, 1H),8.38 (d, 1H), 8.36 (dd, 4H), 8.28 (d, 1H), 8.20-8.19 (m, 3H), 7.94-7.84(m, 6H), 7.75-7.71 (t, 2H), 7.52-7.40 (m, 11H), 7.20-7.11(m, 4H) |
| 1-12 | 9.09 (s, 1H), 8.55-8.49 (d, 2H), 8.38 (d, 1H), 8.28-8.16 (m, 5H), 8.00-7.84 (m, 5H), 7.75-7.40 (m, 16H), 7.20-7.11(m, 4H) |
| 1-13 | 8.95 (d, 1H), 8.50 (d, 1H), 8.36-8.25 (dd, 5H), 7.93-7.75 (m, 6H), 7.51-7.35 (m, 12H), 7.25 (d, 2H) |
| 1-15 | 9.09 (d, 2H), 8.49 (d, 2H), 8.38 (d, 1H), 8.28 (d, 1H), 8.16-7.41 (m, 25H) |
| 1-16 | 9.09 (d, 1H), 9.02-8.95 (dd, 2H), 8.49 (d, 1H), 8.36-8.28 (d, 3H), 8.08 (d, 1H), 8.00 (d, 1H), 7.84-7.75 (m, 5H), 7.51-7.35 (m, 15H) |
| 화합물 | FD-MS | 화합물 | FD-MS |
| 1-1 | m/z= 498.17 (C36H22N2O=498.59) | 1-5 | m/z= 680.19 (C48H28N2OS=680.83) |
| 1-6 | m/z= 644.16 (C44H24N2O2S=644.75) | 1-7 | m/z= 680.19 (C48H28N2OS=680.83) |
| 1-8 | m/z= 651.23 (C47H29N3O=651.77) | 1-10 | m/z= 766.27 (C55H34N4O=766.90) |
| 1-12 | m/z= 816.29 (C59H36N4O=816.96) | 1-13 | m/z= 651.23 (C47H29N3O=651.77) |
| 1-15 | m/z= 701.25 (C51H31N3O=701.83) | 1-16 | m/z= 701.25 (C51H31N3O=701.83) |
<실험예 1>
(1) 유기 발광 소자의 제조
115Å/100Å/15Å의 두께로 ITO/Ag/ITO(Indium Tin Oxide)가 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면, 아세톤, 메탄올 및 이소프로필 알코올 등의 용제로 초음파 세척을 하고, 건조시킨 후, UV 세정기에서 UV를 이용하여 5분간 UVO(Ultraviolet ozone)처리하였다. 이후, 기판을 플라즈마 세정기(PT)로 이송시킨 후, 진공상태에서 ITO 일함수 증대 및 잔막 제거를 위해 플라즈마 처리를 하여, 유기증착용 열증착 장비로 이송하였다.
상기 ITO 전극(양극)위에 공통층인 정공 주입층 HAT-CN(Hexaazatriphenylenehexacarbonitrile), 정공 수송층 α-NPB(N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine), 광보조층 TPD(N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-N,1'-diphenyl-1'H-spiro[fluorene-9,5'-naphtho[8,1,2,3-cdef]carbazol]-7'-amine) 700~900Å 및 전자 저지층 TAPC(N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-N,1'-diphenyl-1'H-spiro[fluorene-9,5'-naphtho[8,1,2,3-cdef]carbazol]-7'-amine) 100~150Å 또는 여기자 저지층 TCTA(Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine)을 형성시켰다.
그 위에 발광층을 다음과 같이 열 진공 증착시켰다. 발광층은 적색 호스트로 하기 표 10 및 11에 기재된 화합물 단일 또는 두 종을 하나의 공급원을 통하여 증착하였고, 적색 인광 도펀트로 하기 (piq)2(Ir)(acac)을 사용하여 호스트에 (piq)2(Ir)(acac)를 3% 도핑하여 400Å의 두께로 증착하였다. 이후, 정공 저지층으로 하기 Bphen을 60Å의 두께로 증착하였으며, 그 위에 전자 수송층으로 TPBI를 200Å의 두께로 증착하였다. 마지막으로, 전자 수송층 위에 리튬 플루오라이드(lithium fluoride: LiF)를 10Å의 두께로 증착하여 전자 주입층을 형성한 후, 전자 주입층 위에 은(Ag) 음극을 200Å의 두께로 증착하여 음극을 형성함으로써 유기 전계 발광 소자를 제조하였다(실시예 1 내지 40 및 비교예 1 내지 6).
한편, OLED 소자 제작에 필요한 모든 유기 화합물은 재료 별로 각각 10-6~10-8torr 하에서 진공 승화 정제하여 OLED(Organic Light Emitting Device) 제작에 사용하였다.
(2) 유기 전계 발광 소자의 구동 전압 및 발광 효율
상기와 같이 제작된 유기 전계 발광 소자에 대하여 맥사이어스사의 M7000으로 전계 발광(EL)특성을 측정하였으며, 그 측정 결과를 가지고 맥사이언스사에서 제조된 수명장비측정장비(M6000)를 통해 기준 휘도가 6,000 cd/m2 일 때, T90을 측정하였다. 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 특성은 하기 표 10 및 표 11과 같다. 상기, T90은 초기 휘도 대비 90%가 되는 시간인 수명(단위: h, 시간)을 의미한다.
본 발명에 따라 제조된 유기 발광 소자의 구동전압, 발광효율, 색좌표(CIE), 수명을 측정한 결과는 하기 표 7에 나타낸 바와 같다. 또한, 발광층 화합물로서 하기 비교 화합물을 사용하여 제조된 유기 발광 소자의 구동전압, 발광효율, 색좌표(CIE), 수명을 측정한 결과는 하기 표 10 및 표 11에 나타낸 바와 같다.
이 때, 하기 표 10은 단일의 호스트 물질을 적용한 경우에 해당하며, 표 11은 제1 호스트는 정공 수송 능력이 우수한 본 발명의 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물(donor(p-Host))을, 제2 호스트는 전자 수송 능력이 우수한 본 발명의 화학식 2로 표시되는 헤테로 고리 화합물(n-host) 중 어느 하나에 해당하는 화합물(acceptor(n-Host))로 하여, 두 개의 호스트 화합물을 하나의 공급원을 통하여 증착한 경우에 해당한다.
|
|
화합물 | 구동전압 (V) |
효율 (cd/A) |
색좌표 (x, y) |
수명 (T90) |
| 실시예1 | 3 | 3.84 | 21.7 | (0.682, 0.317) | 98 |
| 실시예2 | 4 | 3.75 | 26.4 | (0.675, 0.325) | 120 |
| 실시예3 | 16 | 3.78 | 26.6 | (0.682, 0.317) | 115 |
| 실시예4 | 30 | 3.86 | 20.0 | (0.691, 0.309) | 95 |
| 실시예5 | 42 | 4.03 | 20.2 | (0.691, 0.309) | 96 |
| 실시예6 | 55 | 4.01 | 20.8 | (0.675, 0.325) | 100 |
| 실시예7 | 60 | 3.91 | 20.8 | (0.681, 0.319) | 102 |
| 실시예8 | 62 | 3.96 | 19.5 | (0.682, 0.317) | 97 |
| 실시예9 | 63 | 4.07 | 20.0 | (0.675, 0.325) | 105 |
| 실시예10 | 67 | 4.11 | 18.3 | (0.669, 0.321) | 80 |
| 실시예11 | 71 | 3.90 | 21.1 | (0.681, 0.319) | 106 |
| 실시예12 | 73 | 3.78 | 22.5 | (0.691, 0.309) | 113 |
| 실시예13 | 79 | 3.92 | 18.9 | (0.681, 0.319) | 95 |
| 실시예14 | 87 | 4.00 | 20.5 | (0.678, 0.322) | 98 |
| 실시예15 | 95 | 4.01 | 19.8 | (0.674, 0.326) | 85 |
| 실시예16 | 98 | 3.98 | 18.5 | (0.682, 0.317) | 101 |
| 실시예17 | 101 | 4.04 | 18.9 | (0.691, 0.309) | 87 |
| 실시예18 | 103 | 4.06 | 19.9 | (0.675, 0.325) | 88 |
| 실시예19 | 108 | 4.10 | 18.5 | (0.681, 0.319) | 85 |
| 실시예20 | 110 | 4.08 | 19.9 | (0.675, 0.325) | 90 |
| 실시예21 | 113 | 4.03 | 19.5 | (0.669, 0.321) | 92 |
| 실시예22 | 118 | 3.76 | 26.7 | (0.691, 0.309) | 120 |
| 실시예23 | 120 | 4.12 | 19.2 | (0.681, 0.319) | 86 |
| 실시예24 | 121 | 3.85 | 21.8 | (0.678, 0.322) | 109 |
| 실시예25 | 127 | 3.86 | 20.0 | (0.685, 0.315) | 92 |
| 실시예26 | 130 | 3.99 | 19.3 | (0.668, 0.351) | 95 |
| 실시예27 | 133 | 3.98 | 19.6 | (0.685, 0.315) | 92 |
| 실시예28 | 137 | 4.00 | 19.0 | (0.691, 0.309) | 90 |
| 실시예29 | 140 | 3.92 | 20.6 | (0.681, 0.319) | 96 |
| 실시예30 | 141 | 4.02 | 19.4 | (0.678, 0.322) | 99 |
| 실시예31 | 146 | 4.08 | 18.9 | (0.674, 0.326) | 89 |
| 실시예32 | 148 | 3.98 | 20.5 | (0.683, 0.317) | 99 |
| 실시예33 | 153 | 3.95 | 20.6 | (0.681, 0.319) | 101 |
| 실시예34 | 154 | 3.98 | 20.5 | (0.685, 0.315) | 100 |
| 실시예35 | 159 | 4.00 | 20.1 | (0.676, 0.324) | 98 |
| 실시예36 | 162 | 3.99 | 20.6 | (0.674, 0.326) | 106 |
| 실시예37 | 168 | 4.15 | 18.2 | (0.691, 0.309) | 83 |
| 실시예38 | 170 | 4.20 | 17.9 | (0.681, 0.319) | 80 |
| 실시예39 | 171 | 4.11 | 18.6 | (0.685, 0.315) | 87 |
| 실시예40 | 173 | 4.17 | 18.1 | (0.691, 0.309) | 88 |
| 비교예1 | A | 4.77 | 7.9 | (0.682, 0.317) | 50 |
| 비교예2 | B | 4.67 | 7.1 | (0.691, 0.309) | 45 |
| 비교예3 | C | 4.67 | 9.9 | (0.675, 0.325) | 55 |
| 비교예4 | D | 4.96 | 5.5 | (0.681, 0.319) | 40 |
| 비교예5 | E | 4.64 | 5.2 | (0.675, 0.325) | 55 |
| 비교예6 | F | 4.42 | 7.5 | (0.684, 0.316) | 42 |
| 제1 호스트 |
제2 호스트 |
비율 (N:P) |
구동전압 (V) |
효율 (cd/A) |
색좌표 (x, y) |
수명 (T95) |
|
| 비교예10 | A | 1-8 | 1:1 | 3.99 | 12.6 | (0.669, 0.321) | 70 |
| 비교예11 | D | 4.32 | 12.2 | (0.691, 0.309) | 40 | ||
| 비교예12 | F | 3.98 | 13.1 | (0.681, 0.319) | 55 | ||
| 실시예44 | 4 | 3.64 | 38.9 | (0.678, 0.322) | 250 | ||
| 실시예45 | 67 | 1-3 | 1:2 | 3.96 | 25.1 | (0.685, 0.315) | 179 |
| 실시예46 | 1-5 | 3.89 | 26.5 | (0.668, 0.351) | 186 | ||
| 실시예47 | 1-8 | 3.85 | 28.0 | (0.681, 0.319) | 200 | ||
| 실시예48 | 79 | 1-1 | 1:3 | 3.83 | 22.4 | (0.683, 0.317) | 199 |
| 실시예49 | 1-6 | 3.75 | 26.7 | (0.675, 0.325) | 208 | ||
| 실시예50 | 1-13 | 3.69 | 35.5 | (0.684, 0.316) | 227 | ||
| 실시예51 | 101 | 1-7 | 3.92 | 24.3 | (0.682, 0.317) | 191 | |
| 실시예52 | 118 | 1-16 | 1:2 | 3.64 | 36.8 | (0.675, 0.325) | 243 |
| 실시예53 | 154 | 3.86 | 30.0 | (0.682, 0.317) | 209 | ||
| 실시예54 | 162 | 1-14 | 1:1 | 3.80 | 34..5 | (0.691, 0.309) | 236 |
| 실시예55 | 171 | 3.91 | 28.6 | (0.681, 0.319) | 189 | ||
| 실시예56 | 16 | 3.67 | 37.9 | (0.682, 0.317) | 246 | ||
| 실시예57 | 137 | 3.88 | 29.9 | (0.691, 0.309) | 199 | ||
| 실시예58 | 127 | 1-2 |
2:1 | 3.80 | 24.8 | (0.684, 0.316) | 207 |
| 실시예59 | 1-7 | 2:1 | 3.72 | 29.7 | (0.683, 0.317) | 216 | |
| 실시예60 | 1-10 | 1:3 | 3.70 | 30.4 | (0.669, 0.321) | 224 |
이 때, 비교예 1 내지 6에 사용된 비교 화합물 A 내지 F는 하기와 같다.
상기 표 10에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 유기 발광 소자의 유기물층에 포함하는 경우, 정공 이동도(Hole mobility)의 증가로 인하여 구동전압을 현저히 개선시킬 수 있음을 확인할 수 있었다. 또한, 전자 저지(Electron block)를 통한 전류 누설(Current leakage)의 감소와 전자 구속(Electron confinement)으로 인해 효율 또한 개선된다.
구체적으로, 비교 화합물 A, B와 같이 아릴아민(Aryl Amine)이 선형으로 결합되는 경우, T1 레벨이 높아져 적색 도판트로의 에너지 전달이 용이하지 않으며, 밴드갭(band gap)이 커져 저항이 증가하므로, 안정성이 떨어져 수명 특성을 저하시키게 된다. 반면에, 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물과 같이 아릴아민(Aryl Amine)이 R11, R12, R13, R17의 위치에 결합하여 꺾이게 되면 보다 밴드갭(band gap)이 줄어들고 T1 레벨이 낮아져 수명과 효율을 현저히 개선시킬 수 있음을 확인할 수 있었다.
또한, 상기 표 11는, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 동시에 유기 발광 소자의 유기물층에 포함하는 경우로 구동전압, 효율 및 수명을 개선시킬 수 있음을 확인할 수 있었다. 이로부터 상기 두 화합물을 동시에 포함되는 경우, 엑시플렉스(exciplex)현상이 일어남을 예상할 수 있다.
상기 엑시플렉스(exciplex) 현상은 두 분자간 전자 교환으로 도너(donor, p-host)의 HOMO 에너지 레벨, 억셉터(acceptor, n-host) LUMO 에너지 레벨 크기의 에너지를 방출하는 현상이다. 두 분자간 엑시플렉스(exciplex) 현상이 일어나게 되면, 새로운 단일항 에너지 레벨(S1)과 삼중항 에너지 레벨(T1)이 형성되고, 이는, 각각의 분자들에 비하여 적색편이(red shift)된 광발광(photoluminescence, PL)을 확인할 수 있다.
특히, n-Host에 강한 억셉터(acceptor)인 트리아진(triazine)이나 벤조 티에노 피리미딘(benzo thieno pyrimidine)이 존재하는 경우, 퀴나졸린(quinazoline)에 비하여 수명이 개선되는 효과가 더 크게 나타남을 확인할 수 있었다.
또한, 두 분자간 엑시플렉스(exciplex) 현상이 일어나면, 역항간 교차(Reverse Intersystem Crossing, RISC)가 일어나게 되고, 이로 인하여 형광의 내부양자 효율이 100%까지 증가할 수 있다. 정공 수송 능력이 좋은 도너(donor, p-host)와 전자 수송 능력이 좋은 억셉터(acceptor, n-host)가 발광층의 호스트로 사용될 경우, 정공은 p-host로 주입되고, 전자는 n-host로 주입되기 때문에 구동 전압을 낮출 수 있고, 그로 인해 수명 향상에 도움을 줄 수 있다.
특히, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물의 경우, 전자 수송 능력이 좋은 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로 고리 화합물인 억셉터(acceptor, n-Host)를 주입함에 따라, 적색편이(red shift)된 PL의 변화를 보이는 것으로 보아, 이는 엑시플렉스(ecxiplex)를 형성할 수 있고, 이로 인해 발광 특성 향상에 도움을 줄 수 있음을 확인할 수 있었다. 또한, 전자 수송 능력이 좋은 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로 고리 화합물인 억셉터(acceptor, n-Host)이 주입됨에 따라 발광층 내의 발광영역의 적절한 이동으로 수명이 현저히 개선되었음을 확인할 수 있었다.
한편, 하기 표 12에서는 본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물과 비교 화합물 A 내지 F의 HOMO 에너지 레벨, LUMO 에너지 레벨, 밴드갭 및 삼중항 에너지 레벨(T1 level)을 표시하였다.
하기 표 12에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물은 정공 수송 능력이 좋은 도너(donor)가 스피로-나프토카바졸 코어(spiro-naphtho carbazole core)에 결합되어 높은 HOMO 에너지 레벨을 나타내고, 밴드갭이 감소하며, T1 레벨이 감소하여 유기 발광 소자의 적색 호스트로 적합함을 확인할 수 있었다.
| 화합물 | HOMO (eV) | LUMO (eV) | Band Gap | T1 (eV) |
| 비교 화합물 A | -5.26 | -1.47 | 3.78 | 2.40 |
| 비교 화합물 B | -5.22 | -1.49 | 3.73 | 2.40 |
| 비교 화합물 C | -5.24 | -1.69 | 3.55 | 2.50 |
| 비교 화합물 D | -5.34 | -1.72 | 3.62 | 2.41 |
| 비교 화합물 E | -5.53 | -1.60 | 3.92 | 2.40 |
| 비교 화합물 F | -5.47 | -1.65 | 3.81 | 2.41 |
| 본원 화합물 4 | -5.01 | -1.57 | 3.44 | 2.24 |
| 본원 화합물 71 | -5.15 | -1.70 | 3.45 | 2.20 |
| 본원 화합물 118 | -5.01 | -1.56 | 3.45 | 2.22 |
<실험예 2>
(1) 유기 발광 소자의 제조(2 스택 포함하는 유기 발광 소자)
1,500Å의 두께로 ITO(Indium Tin Oxide)가 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면, 아세톤, 메탄올 및 이소프로필 알코올 등의 용제로 초음파 세척을 하고, 건조시킨 후, UV 세정기에서 UV를 이용하여 5분간 UVO(Ultraviolet ozone)처리하였다. 이후, 기판을 플라즈마 세정기(PT)로 이송시킨 후, 진공상태에서 ITO 일함수 증대 및 잔막 제거를 위해 플라즈마 처리를 하여, 유기증착용 열증착 장비로 이송하였다.
상기 ITO 투명 전극(양극)위에 공통층인 정공 주입층으로 하기 2-TNATA(4,4′,4′′-Tris[2-naphthyl(phenyl)amino]triphenylamine)를, 정공 수송층으로 하기 NPB(N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine)을 형성시켰다.
그 위에 발광층을 다음과 같이 열 진공 증착시켰다. 발광층은 적색 호스트로 하기 표 13에 기재된 화합물을 증착하였고, 적색 인광 도펀트로 하기 (piq)2(Ir)(acac)을 사용하여 호스트에 (piq)2(Ir)(acac)를 2wt%로 도핑하여 400Å의 두께로 증착하였다.
이후, 전자 수송층으로 Alq3를 120Å의 두께로 증착하였으며, 그 위에 전하 생성층으로 하기 Bphen를 120Å의 두께로 증착하였다. 또한, 그 위에 전하 생성층으로 MoO3를 100Å의 두께로 증착하였으며, 그 위에 정공 수송층으로 NPB(N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine)을 형성시켰다. 그 위에 발광층을 다음과 같이 열 진공 증착시켰다. 발광층은 적색 호스트로 하기 표 13에 기재된 화합물을 증착하였고, 적색 인광 도펀트로 하기 (piq)2(Ir)(acac)을 사용하여 호스트에 (piq)2(Ir)(acac)를 2wt%로 도핑하여 400Å의 두께로 증착하였다.
이후, 전자 수송층으로 Alq3를 300Å의 두께로 증착하였다. 마지막으로, 전자 수송층 위에 리튬 플루오라이드(lithium fluoride: LiF)를 20Å의 두께로 증착하여 전자 주입층을 형성한 후, 전자 주입층 위에 알루미늄(Al) 음극을 1,200Å의 두께로 증착하여 음극을 형성함으로써 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
한편, OLED 소자 제작에 필요한 모든 유기 화합물은 재료 별로 각각 10-6~10-8torr 하에서 진공 승화 정제하여 OLED(Organic Light Emitting Device) 제작에 사용하였다.
(2) 유기 전계 발광 소자의 구동 전압 및 발광 효율
상기와 같이 제작된 유기 전계 발광 소자에 대하여 맥사이어스사의 M7000으로 전계 발광(EL)특성을 측정하였으며, 그 측정 결과를 가지고 맥사이언스사에서 제조된 수명장비측정장비(M6000)를 통해 기준 휘도가 6,000 cd/m2 일 때, T90을 측정하였다. 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 특성은 하기 표 1와 같다. 상기, T90은 초기 휘도 대비 90%가 되는 시간인 수명(단위: h, 시간)을 의미한다.
본 발명에 따라 제조된 유기 발광 소자의 구동전압, 발광효율, 색좌표(CIE), 수명을 측정한 결과는 하기 표 13에 나타낸 바와 같다. 또한, 발광층 화합물로서 하기 비교 화합물을 사용하여 제조된 유기 발광 소자의 구동전압, 발광효율, 색좌표(CIE), 수명을 측정한 결과는 하기 표 13에 나타낸 바와 같다.
| 제1 호스트 | 제2 호스트 | 비율 (N:P) |
구동전압 (V) |
효율 (cd/A) |
색좌표 (x, y) |
수명 (T95) |
|
| 실시예62 | 67 | 1-3 | 1:2 | 6.33 | 52.3 | (0.685, 0.315) | 359 |
| 실시예63 | 1-5 | 6.22 | 55.5 | (0.668, 0.351) | 390 | ||
| 실시예64 | 1-8 | 6.16 | 57.8 | (0.681, 0.319) | 420 | ||
| 실시예65 | 79 | 1-1 | 1:3 | 6.13 | 45.1 | (0.683, 0.317) | 408 |
| 실시예66 | 1-6 | 6.00 | 52.1 | (0.675, 0.325) | 421 | ||
| 실시예67 | 1-13 | 4.77 | 71.1 | (0.684, 0.316) | 453 | ||
| 실시예68 | 101 | 1-7 | 6.27 | 49.0 | (0.682, 0.317) | 399 | |
| 실시예69 | 118 | 1-16 | 1:2 | 5.82 | 73.3 | (0.675, 0.325) | 527 |
| 실시예70 | 154 | 6.19 | 60.9 | (0.682, 0.317) | 416 | ||
| 실시예71 | 162 | 1-14 | 1:1 | 6.01 | 67.8 | (0.691, 0.309) | 488 |
| 실시예72 | 171 | 6.20 | 59.9 | (0.681, 0.319) | 386 | ||
| 실시예73 | 16 | 5.87 | 75.5 | (0.682, 0.317) | 490 | ||
| 실시예74 | 137 | 6.21 | 61.1 | (0.691, 0.309) | 404 | ||
| 실시예75 | 127 | 1-2 | 2:1 | 6.11 | 59.9 | (0.684, 0.316) | 416 |
| 실시예76 | 1-7 | 2:1 | 5.90 | 60.7 | (0.683, 0.317) | 434 | |
| 실시예77 | 1-10 | 1:3 | 5.88 | 61.9 | (0.669, 0.321) | 456 | |
| 비교예13 | A | 1-8 | 1:1 | 6.59 | 24.7 | (0.669, 0.321) | 141 |
| 비교예14 | D | 7.21 | 24.4 | (0.691, 0.309) | 80 | ||
| 비교예15 | F | 6.60 | 25.3 | (0.681, 0.319) | 100 | ||
| 실시예61 | 4 | 5.82 | 81.1 | (0.678, 0.322) | 530 |
상기 표 13에서 나타난 바와 같이, 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물과 화학식 2로 표시되는 화합물을 모두 포함하는 발광층을 2 스택으로 적층하여 유기 발광 소자를 제조한 경우에, 발광층이 2회 증착 되어, 단일 스택으로 제조한 경우에 비하여 효율이 증가됨을 확인할 수 있었다.
한편, 2 스택을 포함하는 유기 발광 소자에 있어서도, 단일 스택으로 제조한 유기 발광 소자에서와 마찬가지로, 본 발명의 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 유기 발광 소자의 유기물층에 포함함으로써, 정공 이동도(Hole mobility)의 증가로 인하여 구동전압을 현저히 개선시킬 수 있음을 확인할 수 있었다. 또한, 전자 저지(Electron block)를 통한 전류 누설(Current leakage)의 감소와 전자 구속(Electron confinement)으로 인해 효율 또한 개선됨을 확인할 수 있었다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것이며, 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
100 : 기판
200 : 양극
300 : 유기물층
301 : 정공 주입층
302 : 정공 수송층
303 : 발광층
304: 정공 저지층
305 : 전자 수송층
306 : 전자 주입층
400 : 음극
200 : 양극
300 : 유기물층
301 : 정공 주입층
302 : 정공 수송층
303 : 발광층
304: 정공 저지층
305 : 전자 수송층
306 : 전자 주입층
400 : 음극
Claims (18)
- 하기 화학식 1-6 내지 1-9 중 어느 하나로 표시되는 헤테로 고리 화합물:
[화학식 1-6]
[화학식 1-7]
[화학식 1-8]
[화학식 1-9]
상기 화학식 1-6 내지 화학식 1-9에 있어서,
R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소; 또는 중수소이며,
R7은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기이고,
L1은 직접결합; 페닐렌기; 또는 나프틸렌기이며,
n은 0 내지 5의 정수이며,
R11 내지 R20은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기이며,
Ra 및 Rb는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기이며,
L2는 직접결합; 페닐렌기; 나프틸렌기; 디벤조퓨라닐렌기; 또는 디벤조티오페닐렌기이며,
m은 0 내지 5의 정수이며,
상기 치환은 메틸기, 페닐기, 나프탈레닐기 및 페난트레닐기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어진 것이다. - 제1항에 있어서,
상기 R7은 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기이고,
상기 Ra 및 Rb는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기인, 헤테로 고리 화합물. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 화학식 1-6 내지 1-9 중 어느 하나로 표시되는 헤테로 고리 화합물은 하기 화합물 중 어느 하나로 표시되는 것인 헤테로 고리 화합물:
- 제1 전극;
상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층;을 포함하는 유기 발광 소자로서,
상기 유기물층 중 1 층 이상은 제1항, 제2항 및 제7항 중 어느 한 항에 따른 헤테로 고리 화합물을 포함하는 것인, 유기 발광 소자. - 제8항에 있어서,
상기 유기물층은 하기 화학식 2-1 내지 2-3 중 어느 하나로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 추가로 포함하는 것인, 유기 발광 소자:
[화학식 2-1]
[화학식 2-2]
[화학식 2-3]
상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-3에 있어서,
N-Het는 하기 화학식 3-1 내지 3-3 중 어느 하나로 표시되는 헤테로 고리 화합물이고,
L3 및 L4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10의 아릴렌기이며, p는 0 내지 5의 정수이며, p가 2 이상인 경우 각각의 L3은 서로 같거나 상이하고, q는 0 내지 5의 정수이며, q가 2 이상인 경우 각각의 L4는 서로 같거나 상이하며,
R31은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기이고,
R32 내지 R37은 수소이고,
r 및 s는 각각 0 내지 2의 정수이며,
[화학식 3-1]
[화학식 3-2]
[화학식 3-3]
상기 화학식 3-1 내지 3-3에 있어서,
X11 내지 X13은 N이고,
Y는 S이고,
R42 내지 R44는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기이고,
R45 내지 R48은 수소이며,
상기 치환은 페닐기, 나프탈레닐기 및 카르바졸기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어진 것이다. - 삭제
- 삭제
- 제9항에 있어서,
상기 화학식 2-1 내지 2-3 중 어느 하나로 표시되는 헤테로 고리 화합물은 하기 화합물 중 선택되는 어느 하나인 것인 유기 발광 소자:
- 제8항에 있어서,
상기 유기물층은 발광층을 포함하고,
상기 발광층은 호스트 물질을 포함하며,
상기 호스트 물질은 상기 화학식 1-6 내지 1-9 중 어느 하나로 표시되는 헤테로 고리 화합물 및 하기 화학식 2-1 내지 2-3 중 어느 하나로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자:
[화학식 2-1]
[화학식 2-2]
[화학식 2-3]
상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-3에 있어서,
N-Het는 하기 화학식 3-1 내지 3-3 중 어느 하나로 표시되는 헤테로 고리 화합물이고,
L3 및 L4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10의 아릴렌기이며, p는 0 내지 5의 정수이며, p가 2 이상인 경우 각각의 L3은 서로 같거나 상이하고, q는 0 내지 5의 정수이며, q가 2 이상인 경우 각각의 L4는 서로 같거나 상이하며,
R31은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기이고,
R32 내지 R37은 수소이고,
r 및 s는 각각 0 내지 2의 정수이며,
[화학식 3-1]
[화학식 3-2]
[화학식 3-3]
상기 화학식 3-1 내지 3-3에 있어서,
X11 내지 X13은 N이고,
Y는 S이고,
R42 내지 R44는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기이고,
R45 내지 R48은 수소이며,
상기 치환은 페닐기, 나프탈레닐기 및 카르바졸기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어진 것이다. - 제8항에 있어서,
상기 유기 발광 소자는 발광층, 정공주입층, 정공수송층. 전자주입층, 전자수송층, 전자저지층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함하는 것인 유기 발광 소자. - 제1항, 제2항 및 제7항 중 어느 한 항에 따른 헤테로 고리 화합물 및 하기 화학식 2-1 내지 2-3 중 어느 하나로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물:
[화학식 2-1]
[화학식 2-2]
[화학식 2-3]
상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-3에 있어서,
N-Het는 하기 화학식 3-1 내지 3-3 중 어느 하나로 표시되는 헤테로 고리 화합물이고,
L3 및 L4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10의 아릴렌기이며, p는 0 내지 5의 정수이며, p가 2 이상인 경우 각각의 L3은 서로 같거나 상이하고, q는 0 내지 5의 정수이며, q가 2 이상인 경우 각각의 L4는 서로 같거나 상이하며,
R31은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기이고,
R32 내지 R37은 수소이고,
r 및 s는 각각 0 내지 2의 정수이며,
[화학식 3-1]
[화학식 3-2]
[화학식 3-3]
상기 화학식 3-1 내지 3-3에 있어서,
X11 내지 X13은 N이고,
Y는 S이고,
R42 내지 R44는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기이고,
R45 내지 R48은 수소이며,
상기 치환은 페닐기, 나프탈레닐기 및 카르바졸기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환기로 각각 독립적으로 이루어진 것이다. - 제15항에 있어서,
상기 제1항, 제2항 및 제7항 중 어느 한 항에 따른 헤테로 고리 화합물: 상기 화학식 2-1 내지 2-3 중 어느 하나로 표시되는 헤테로 고리 화합물의 중량비가 1:10 내지 10:1인, 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물. - 기판을 준비하는 단계;
상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 전극 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및
상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 유기물층을 형성하는 단계는 제15항에 따른 유기물층용 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계를 포함하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법. - 제17항에 있어서,
상기 유기물층을 형성하는 단계는 상기 화학식 1-6 내지 1-9 중 어느 하나로 표시되는 헤테로 고리 화합물 및 상기 화학식 2-1 내지 2-3 중 어느 하나로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 예비 혼합(pre-mixed)하고, 열 진공 증착 방법을 이용하여 형성하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법.
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