WO2019026237A1 - 表示装置 - Google Patents

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Definitions

  • FIG. 5 is a top view which shows the bending part B of the frame area
  • 6 is a cross-sectional view of the bent portion B of the frame area F of the organic EL display device 30a taken along the line VI-VI in FIG.
  • FIGS. 7, 8 and 9 are cross-sectional views showing first, second and third steps for forming the remaining layer 11ab of the inorganic laminated film La constituting the organic EL display device 30a.
  • 10 and 11 are plan views of the bending portion B of the frame area F in the organic EL display devices 30ab and 30ac of the first and second modified examples of the organic EL display device 30a, and correspond to FIG. FIG.
  • the hole injection layer 1 is also referred to as an anode buffer layer, and has the function of improving the hole injection efficiency from the first electrode 14 to the organic EL layer 16 by bringing the energy levels of the first electrode 14 and the organic EL layer 16 closer.
  • the material constituting the hole injection layer for example, triazole derivative, oxadiazole derivative, imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative, phenylenediamine derivative, oxazole derivative, styrylanthracene derivative, fluorenone derivative, Hydrazone derivatives, stilbene derivatives and the like can be mentioned.
  • the inorganic insulating film 7 is formed of, for example, a single layer film such as a silicon nitride film.
  • the inorganic insulating film 8 is formed of, for example, a laminated film such as a silicon nitride film (upper layer) / a silicon oxide film (lower layer).
  • a silicon nitride film upper layer
  • a silicon oxide film lower layer

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Abstract

額縁領域（Ｆ）の折り曲げ部（Ｂ）では、ＴＦＴ層を構成する少なくとも一層の無機膜（Ｌａ）上に開口部（Ｓ）が形成されて無機膜（Ｌａ）の残層（１１ａｂ）が設けられ、無機膜（Ｌａ）の開口部（Ｓ）を埋めるように平坦化膜（２１ａ）が設けられ、平坦化膜（２１ａ）上に額縁配線（２２）が設けられている。

Description

表示装置
　本発明は、表示装置に関するものである。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置では、可撓性を有する樹脂基板上に有機ＥＬ素子等を形成したフレキシブルな有機ＥＬ表示装置が提案されている。ここで、有機ＥＬ表示装置では、画像表示を行う矩形状の表示領域と、その表示領域の周囲に額縁領域とが設けられ、額縁領域を縮小させることが要望されている。そして、フレキシブルな有機ＥＬ表示装置では、例えば、端子側の額縁領域を折り曲げることにより、額縁領域を縮小させると、その額縁領域に配置された配線が破断するおそれがある。
　例えば、特許文献１には、ベンディングホールを形成することにより、ベンディング領域に対応するバッファー膜、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜のそれぞれ一部を除去して、配線の断線を防止するフレキシブル表示装置が開示されている。
特開２０１４－２３２３００号公報
　ところで、フレキシブルな有機ＥＬ表示装置では、樹脂基板上にベースコート膜、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜等の無機膜が設けられているので、額縁領域に配置された配線の破断を抑制するために、額縁領域の折り曲げ部の無機膜を除去して、その除去した部分に平坦化膜を形成し、その平坦化膜上に配線を形成することがある。ここで、額縁領域の折り曲げ部の無機膜をドライエッチングにより除去すると、樹脂基板の表層もドライエッチングにより除去されてしまうので、樹脂基板と平坦化膜との密着性が低下するおそれがある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、額縁領域の折り曲げ部における樹脂基板と平坦化膜との密着性を向上させることにある。
　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、樹脂基板と、上記樹脂基板上にＴＦＴ層を介して設けられた表示領域を構成する発光素子と、上記表示領域の周囲に設けられた額縁領域と、上記額縁領域の端部に設けられた端子部と、上記表示領域及び端子部の間に設けられた折り曲げ部と、上記額縁領域に設けられ、上記発光素子に接続されて上記端子部に延びる額縁配線と、上記額縁領域に設けられ、上記樹脂基板上に積層された上記ＴＦＴ層を構成する少なくとも一層の無機膜とを備えた表示装置であって、上記折り曲げ部では、上記少なくとも一層の無機膜上に開口部が形成されて該無機膜の残層が設けられ、上記開口部を埋めるように平坦化膜が設けられ、該平坦化膜上に上記額縁配線が設けられていることを特徴とする。
　本発明によれば、額縁領域の折り曲げ部では、ＴＦＴ層を構成する少なくとも一層の無機膜上に開口部が形成されてその無機膜の残層が設けられ、その無機膜の開口部を埋めるように平坦化膜が設けられ、その平坦化膜上に額縁配線が設けられているので、額縁領域の折り曲げ部における樹脂基板と平坦化膜との密着性を向上させることができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面図である。 図２は、図１中のII－II線に沿った有機ＥＬ表示装置の断面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成するＴＦＴ層を示す等価回路図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層を示す断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域の折り曲げ部を示す平面図である。 図６は、図５中のVI－VI線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の折り曲げ部の断面図である。 図７は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する無機積層膜の残層を形成するための第１の工程を示す断面図である。 図８は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する無機積層膜の残層を形成するための第２の工程を示す断面図である。 図９は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する無機積層膜の残層を形成するための第３の工程を示す断面図である。 図１０は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第１の変形例における額縁領域の折り曲げ部の平面図であり、図５に相当する図である。 図１１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第２の変形例における額縁領域の折り曲げ部の平面図であり、図５に相当する図である。 図１２は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域の折り曲げ部の断面図であり、図６に相当する図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《第１の実施形態》
　図１～図１１は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａの平面図である。また、図２は、図１中のII－II線に沿った有機ＥＬ表示装置３０ａの断面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置３０ａを構成するＴＦＴ層２９を示す等価回路図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置３０ａを構成する有機ＥＬ層１６を示す断面図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置３０ａの額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂを示す平面図である。また、図６は、図５中のVI－VI線に沿った有機ＥＬ表示装置３０ａの額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂの断面図である。また、図７、図８及び図９は、有機ＥＬ表示装置３０ａを構成する無機積層膜Ｌａの残層１１ａｂを形成するための第１、第２及び第３の工程を示す断面図である。また、図１０及び図１１は、有機ＥＬ表示装置３０ａの第１及び第２の変形例の有機ＥＬ表示装置３０ａｂ及び３０ａｃにおける額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂの平面図であり、図５に相当する図である。
　有機ＥＬ表示装置３０ａは、図１に示すように、矩形状に規定された画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に規定された額縁領域Ｆとを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置３０ａの表示領域Ｄには、図２に示すように、有機ＥＬ素子１９が設けられていると共に、複数の画素がマトリクス状に配列されている。なお、表示領域Ｄの各画素では、例えば、赤色の階調表示を行うためのサブ画素、緑色の階調表示を行うためのサブ画素、及び青色の階調表示を行うためのサブ画素が互いに隣り合うように配列されている。また、額縁領域Ｆの図中右端部には、図１に示すように、端子部Ｔが設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄ及び端子部Ｔの間には、図１に示すように、図中縦方向を折り曲げの軸として１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げられる折り曲げ部Ｂが表示領域Ｄの一辺（図中右辺）に沿うように設けられている。
　有機ＥＬ表示装置３０ａは、図２に示すように、表示領域Ｄにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０の表面に設けられたＴＦＴ層２９と、ＴＦＴ層２９の表面に発光素子として設けられた有機ＥＬ素子１９と、有機ＥＬ素子１９の表面に設けられた表面側保護層２５ａと、樹脂基板層１０の裏面に設けられた裏面側保護層２５ｂとを備えている。
　樹脂基板層１０は、例えば、厚さ１０μｍ～２０μｍ程度のポリイミド樹脂等により構成され、樹脂基板として設けられている。
　ＴＦＴ層２９は、図２に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１ａａと、ベースコート膜１１ａ上に設けられた複数の第１ＴＦＴ１２ａ（図３参照）及び複数の第２ＴＦＴ１２ｂと、各第１ＴＦＴ１２ａ及び各第２ＴＦＴ１２ｂ上に設けられた平坦化膜１３とを備えている。ここで、ＴＦＴ層２９では、図３に示すように、図中横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線２６が設けられている。また、ＴＦＴ層２９では、図３に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線２７ａが設けられている。また、ＴＦＴ層２９では、図３に示すように、各ソース線２７ａと隣り合って、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数の電源線２７ｂが設けられている。また、ＴＦＴ層２９では、図３に示すように、各サブ画素において、第１ＴＦＴ１２ａ、第２ＴＦＴ１２ｂ及びキャパシタ２８が設けられている。
　ベースコート膜１１ａａは、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第１ＴＦＴ１２ａは、図３に示すように、各サブ画素において、対応するゲート線２６及びソース線２７ａに接続されている。また、第２ＴＦＴ１２ｂは、図３に示すように、各サブ画素において、対応する第１ＴＦＴ１２ａ及び電源線２７ｂに接続されている。ここで、第１ＴＦＴ１２ａ及び第２ＴＦＴ１２ｂは、例えば、ベースコート膜１１ａａ上に島状に設けられた半導体層と、半導体層を覆うように設けられたゲート絶縁膜６ａ（図６参照）と、ゲート絶縁膜６ａ上に半導体層の一部と重なるように設けられたゲート電極と、ゲート電極を覆うように設けられた層間絶縁膜９ａ（図６参照）と、層間絶縁膜９ａ上に設けられ、互いに離間するように配置されたソース電極及びドレイン電極とを備えている。なお、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ１２ａ及び第２ＴＦＴ１２ｂを例示したが、第１ＴＦＴ１２ａ及び第２ＴＦＴ１２ｂは、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。
　キャパシタ２８は、図３に示すように、各サブ画素において、対応する第１ＴＦＴ１２ａ及び電源線２７ｂに接続されている。ここで、キャパシタ２８は、例えば、ゲート電極と同一材料により同一層に形成された一方の電極と、ソース電極及びドレイン電極と同一材料により同一層に形成された他方の電極と、それらの一対の電極の間に設けられた層間絶縁膜９ａ（図６参照）とにより構成されている。
　平坦化膜１３は、例えば、ポリイミド樹脂等の無色透明な有機樹脂材料により構成されている。
　有機ＥＬ素子１９は、図２に示すように、平坦化膜１３上に順に設けられた複数の第１電極１４、エッジカバー１５、複数の有機ＥＬ層１６、第２電極１７及び封止膜１８を備えている。
　複数の第１電極１４は、図２に示すように、複数のサブ画素に対応するように、平坦化膜１３上にマトリクス状に設けられている。ここで、第１電極１４は、図２に示すように、平坦化膜１３に形成されたコンタクトホールを介して、各ＴＦＴ１２のドレイン電極に接続されている。また、第１電極１４は、有機ＥＬ層１６にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極１４は、有機ＥＬ層１６への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極１４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極１４を構成する材料は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極１４を構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極１４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
　エッジカバー１５は、図２に示すように、各第１電極１４の周縁部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー１５を構成する材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＮＯ）等の無機膜、又はポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。
　複数の有機ＥＬ層１６は、図２に示すように、各第１電極１４上に配置され、複数のサブ画素に対応するように、マトリクス状に設けられている。ここで、各有機ＥＬ層１６は、図４に示すように、第１電極１４上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極１４と有機ＥＬ層１６とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極１４から有機ＥＬ層１６への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
　正孔輸送層２は、第１電極１４から有機ＥＬ層１６への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　発光層３は、第１電極１４及び第２電極１７による電圧印加の際に、第１電極１４及び第２電極１７から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層５は、第２電極１７と有機ＥＬ層１６とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極１７から有機ＥＬ層１６へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子１９の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
　第２電極１７は、図２に示すように、各有機ＥＬ層１６及びエッジカバー１５を覆うように設けられている。また、第２電極１７は、有機ＥＬ層１６に電子を注入する機能を有している。また、第２電極１７は、有機ＥＬ層１６への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極１７を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極１７は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極１７は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極１７は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　封止膜１８は、図２に示すように、第２電極１７を覆うように設けられ、有機ＥＬ層１６を水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、封止膜１８を構成する材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機材料が挙げられる。
　表面側保護層２５ａ及び裏面側保護層２５ｂは、例えば、厚さ２μｍ程度のポリイミド樹脂等により構成されている。
　有機ＥＬ表示装置３０ａは、図５及び図６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０の表面に設けられた無機積層膜Ｌａ及び額縁平坦化膜２１ａと、無機積層膜Ｌａ及び額縁平坦化膜２１ａの表面に設けられた額縁配線２２と、額縁配線２２を覆うように設けられた表面側保護層２５ａとを備えている。なお、図５の平面図では、額縁配線２２上の表面側保護層２５ａが省略されている。
　無機積層膜Ｌａは、ＴＦＴ層２９を構成する少なくとも一層の無機膜であり、図６に示すように、樹脂基板層１０上に順に積層されたベースコート膜１１ａａと、ゲート絶縁膜６ａと、第１層間絶縁膜７ａ及び第２層間絶縁膜８ａからなる層間絶縁膜９ａとを備えている。また、無機積層膜Ｌａのベースコート膜１１ａａ、ゲート絶縁膜６ａ及び層間絶縁膜９ａは、図６に示すように、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂに設けられていない。さらに、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂでは、図６に示すように、無機積層膜Ｌａの表面に開口部Ｓが形成されて無機積層膜Ｌａの少なくとも一層からなる残層１１ａｂが設けられ、残層１１ａｂを覆うと共に開口部Ｓを埋めるように額縁平坦化膜２１ａが設けられている。なお、表示領域Ｄに配置された裏面側保護層２５ｂは、額縁領域Ｆの大部分にも設けられているが、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂには、設けられていない。
　残層１１ａｂは、図５に示すように、樹脂基板層１０上に平面視で千鳥状に配置されて複数の島状に設けられている。また、残層１１ａｂは、図５に示すように、額縁配線２２に重なるように、平面視で額縁配線２２の線幅よりも大きく設けられている。ここで、残層１１ａｂは、図１０及び図１１に示すような残層１１ａｃ及び１１ａｄであってもよい。具体的には、第１の変形例である有機ＥＬ表示装置３０ａｂでは、図１０に示すように、各残層１１ａｃが額縁配線２２、又は隣り合う一対の額縁配線２２の間の空間に重なるように設けられている。また、第２の変形例である有機ＥＬ表示装置３０ａｃでは、図１１に示すように、各残層１１ａｄが隣り合う一対の額縁配線２２に交差して重なるように設けられている。
　額縁平坦化膜２１ａは、例えば、厚さ２μｍ程度のポリイミド樹脂等の有機絶縁膜により構成されている。
　額縁配線２２は、表示領域Ｄの有機ＥＬ素子１９の信号配線（ゲート線、ソース線、電源線等）に接続されている。また、額縁配線２２は、例えば、チタン膜（厚さ２００ｎｍ程度）／アルミニウム膜（厚さ１００ｎｍ程度）／チタン膜（厚さ２００ｎｍ程度）等の金属積層膜により構成されている。なお、本実施形態では、金属積層膜により構成された額縁配線２２を例示したが、額縁配線２２は、金属単層膜により構成されていてもよい。
　上述した有機ＥＬ表示装置３０ａは、可撓性を有し、各サブ画素において、第１ＴＦＴ１２ａ及び第２ＴＦＴ１２ｂを介して有機ＥＬ層１６の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａは、以下のようにして製造することができる。
　例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１ａａ及び有機ＥＬ素子１９を形成し、有機ＥＬ素子１９上に接着層を介して表面側保護層２５ａを貼り付けた後に、ガラス基板を剥離させた樹脂基板層１０の裏面に接着層を介して裏面側保護層２５ｂを貼り付けることにより、製造することができる。ここで、額縁領域Ｆの額縁配線２２は、有機ＥＬ素子１９を構成するＴＦＴ１２のソース電極及びドレイン電極を形成する際に形成される。また、額縁領域Ｆの額縁平坦化膜２１は、有機ＥＬ素子１９を構成するＴＦＴ１２のソース電極及びドレイン電極を形成する前に、額縁領域Ｆだけにポリイミド樹脂等の感光性有機絶縁膜を成膜してパターニングすることにより形成される。なお、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂに配置する残層１１ａｂについては、例えば、以下のようにして、形成される。
　まず、図７に示すように、樹脂基板層１０上に成膜された無機絶縁膜１１、無機絶縁膜６、無機絶縁膜７及び無機絶縁膜８の積層膜上にハーフトーンマスクを用いてレジストＲａを形成する。ここで、無機絶縁膜１１は、例えば、酸化シリコン膜（上層）／窒化シリコン膜（中層）／酸化シリコン膜（下層）等の積層膜により構成されている。また、無機絶縁膜６は、例えば、窒化シリコン膜等の単層膜である。また、無機絶縁膜７は、例えば、窒化シリコン膜等の単層膜により構成されている。また、無機絶縁膜８は、例えば、窒化シリコン膜（上層）／酸化シリコン膜（下層）等の積層膜により構成されている。なお、レジストＲａは、図７に示すように、ベースコート膜１１ａａに対応する部分が相対的に厚く形成され、残層１１ａｂに対応する部分が相対的に薄く形成されている。
　続いて、レジストＲａから露出する無機絶縁膜１１、６、７及び８をドライエッチングにより除去した後に、レジストＲａをアッシングにより薄くしたレジストＲｂから露出する無機絶縁膜１１、６、７及び８をドライエッチングにより除去して、図８に示すように、無機絶縁膜１１ａ、ゲート絶縁膜６ａ、第１層間絶縁膜７ａ及び第２層間絶縁膜８ａを形成する。このとき、レジストＲｂは、ドライエッチングにより薄膜化されてレジストＲｃとなる。
　さらに、レジストＲｃから露出する無機絶縁膜１１ａをドライエッチングにより除去することにより、図９に示すように、ベースコート膜１１ａａ及び残層１１ａｂを形成した後に、レジストＲｃを除去する。ここで、残層１１ａｂは、無機絶縁膜１１の下層の酸化シリコン膜により厚さ３００ｎｍ程度に形成される。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａによれば、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂでは、ベースコート膜１１ａａ、ゲート絶縁膜６ａ及び層間絶縁膜９ａが順に積層された無機積層膜Ｌａ上に開口部Ｓが形成されて無機積層膜Ｌａの少なくとも一層からなる残層１１ａｂが設けられている。これにより、ベースコート膜１１ａａから露出する樹脂基板層１０の表面の一部が残層１１ａｂで覆われているので、無機積層膜Ｌａを形成する際にドライエッチングで発生する樹脂基板層１０に起因する残渣を少なくすることができる。そのため、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上の残層１１ａｂを覆うと共に無機積層膜Ｌａの開口部Ｓを埋めるように設けられた額縁平坦化膜２１ａとの間には、樹脂基板層１０に起因する残渣が存在し難くなり、樹脂基板層１０と額縁平坦化膜２１ａとの密着性を向上させることができる。したがって、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおける樹脂基板層１０と額縁平坦化膜２１ａとの密着性を向上させることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａによれば、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂでは、無機積層膜Ｌａが島状の残層１１ａｂだけになっているので、折り曲げ部Ｂでの無機積層膜Ｌａの膜破断を抑制することができる。
　《第２の実施形態》
　図１２は、本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図１２は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂの額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂの断面図である。なお、以下の実施形態において、図１～図１１と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記第１の実施形態では、残層１１ａｂが島状に設けられた有機ＥＬ表示装置３０ａを例示したが、本実施形態では、残層１１ｂｂが樹脂基板層１０を覆うように設けられた有機ＥＬ表示装置３０ｂを例示する。
　有機ＥＬ表示装置３０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａと同様に、矩形状に規定された画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に規定された端子部Ｔを有する額縁領域Ｆとを備えている。
　有機ＥＬ表示装置３０ｂの表示領域Ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａと同様な構成になっている。
　有機ＥＬ表示装置３０ｂは、図１２に示すように、額縁領域Ｆにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０の表面に設けられた無機積層膜Ｌｂと、無機積層膜Ｌｂの凹部を覆うように設けられた額縁平坦化膜２１ｂと、無機積層膜Ｌｂ及び額縁平坦化膜２１ｂの表面に設けられた額縁配線２２と、額縁配線２２を覆うように設けられた表面側保護層２５ａとを備えている。なお、表示領域Ｄに配置された裏面側保護層２５ｂは、額縁領域Ｆの大部分にも設けられているが、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂには、設けられていない。
　無機積層膜Ｌｂは、ＴＦＴ層２９を構成する少なくとも一層の無機膜であり、図１２に示すように、樹脂基板層１０上に順に積層されたベースコート膜１１ｂａと、ゲート絶縁膜６ａと、第１層間絶縁膜７ａ及び第２層間絶縁膜８ａからなる層間絶縁膜９ａとを備えている。また、無機積層膜Ｌａのゲート絶縁膜６ａ及び層間絶縁膜９ａは、図１２に示すように、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂに設けられていない。さらに、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂでは、図１２に示すように、無機積層膜Ｌｂの表面に開口部Ｓが形成されて無機積層膜Ｌｂの少なくとも一層からなる残層１１ｂｂが設けられ、残層１１ｂｂを覆うと共に開口部Ｓを埋めるように額縁平坦化膜２１ｂが設けられている。なお、残層１１ｂｂは、例えば、上記第１の実施形態で説明した無機絶縁膜１１における下層の酸化シリコン膜（厚さ３００ｎｍ程度）により、樹脂基板層１０を覆うように設けられている。
　額縁平坦化膜２１ｂは、例えば、厚さ２μｍ程度のポリイミド樹脂等の有機絶縁膜により構成されている。
　上述した有機ＥＬ表示装置３０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素において、第１ＴＦＴ１２ａ及び第２ＴＦＴ１２ｂを介して有機ＥＬ層１６の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａの製造方法において、ベースコート膜１１ａａ及び残層１１ａｂのパターン形状を変更することにより、製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂによれば、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂでは、ベースコート膜１１ｂａ、ゲート絶縁膜６ａ及び層間絶縁膜９ａが順に積層された無機積層膜Ｌｂ上に開口部Ｓが形成されて無機積層膜Ｌｂの少なくとも一層からなる残層１１ｂｂが設けられている。これにより、ベースコート膜１１ｂａから露出する樹脂基板層１０の表面が残層１１ｂｂで覆われているので、無機積層膜Ｌｂを形成する際にドライエッチングで発生する樹脂基板層１０に起因する残渣を大幅に削減することができる。そのため、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上の残層１１ｂｂを覆うと共に無機積層膜Ｌｂの開口部Ｓを埋めるように設けられた額縁平坦化膜２１ｂとの間には、樹脂基板層１０に起因する残渣が大幅に削減され、樹脂基板層１０と額縁平坦化膜２１ｂとの密着性を向上させることができる。したがって、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおける樹脂基板層１０と額縁平坦化膜２１ｂとの密着性を向上させることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂによれば、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂでは、無機積層膜Ｌｂが薄い残層１１ｂｂだけになっているので、折り曲げ部Ｂでの無機積層膜Ｌｂの膜破断を抑制することができる。
　《その他の実施形態》
　なお、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置、例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
　また、上記各実施形態では、単線の額縁配線２２を例示したが、額縁配線２２は、互いに並行に延びる複線により冗長化されていてもよい。
　また、上記各実施形態では、無機絶縁膜１１における下層の酸化シリコン膜により構成された残層１１ａｂ及び１１ｂｂを例示したが、残層１１ａｂ及び１１ｂｂは、無機絶縁膜１１における下層の酸化シリコン膜及び中層の窒化シリコン膜の積層膜、又は無機絶縁膜１１における下層の酸化シリコン膜、中層の窒化シリコン膜及び上層の酸化シリコン膜の積層膜等により構成されていてもよい。さらに、残層１１ａｂ及び１１ｂｂは、ベースコート膜１１ａａとなる無機絶縁膜１１、及びゲート絶縁膜６ａとなる無機絶縁膜６等の積層膜により構成されていてもよい。
　また、上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｂ　　　折り曲げ部
Ｄ　　　表示領域
Ｆ　　　額縁領域
Ｌａ，Ｌｂ　　無機積層膜（少なくとも一層の無機膜）
Ｓ　　　開口部
Ｔ　　　端子部
６ａ　　　　　ゲート絶縁膜
９ａ　　　　　層間絶縁膜
１０　　樹脂基板層（樹脂基板）
１１ａａ　　ベースコート膜
１１ａｂ，１１ｂｂ　　残層
１９　　有機ＥＬ素子（発光素子）
２１ａ，２１ｂ　　額縁平坦化膜
２２　　額縁配線
２９　　　ＴＦＴ層
３０ａ，３０ｂ　　有機ＥＬ表示装置

Claims (10)

  1. 　樹脂基板と、
    　上記樹脂基板上にＴＦＴ層を介して設けられた表示領域を構成する発光素子と、
    　上記表示領域の周囲に設けられた額縁領域と、
    　上記額縁領域の端部に設けられた端子部と、
    　上記表示領域及び端子部の間に設けられた折り曲げ部と、
    　上記額縁領域に設けられ、上記発光素子に接続されて上記端子部に延びる額縁配線と、
    　上記額縁領域に設けられ、上記樹脂基板上に積層された上記ＴＦＴ層を構成する少なくとも一層の無機膜とを備えた表示装置であって、
    　上記折り曲げ部では、上記少なくとも一層の無機膜上に開口部が形成されて該無機膜の残層が設けられ、上記開口部を埋めるように平坦化膜が設けられ、該平坦化膜上に上記額縁配線が設けられていることを特徴とする表示装置。
  2. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記残層は、島状に複数設けられていることを特徴とする表示装置。
  3. 　請求項２に記載された表示装置において、
    　上記残層は、平面視で上記額縁配線の線幅よりも大きく設けられていることを特徴とする表示装置。
  4. 　請求項３に記載された表示装置において、
    　上記残層は、複数の上記額縁配線に交差するように設けられていることを特徴とする表示装置。
  5. 　請求項２～４の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記残層は、平面視で千鳥状に設けられていることを特徴とする表示装置。
  6. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記残層は、上記樹脂基板を覆うように設けられていることを特徴とする表示装置。
  7. 　請求項１～６の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記残層は、上記樹脂基板上に設けられたベースコート膜の一部により構成されていることを特徴とする表示装置。
  8. 　請求項７に記載された表示装置において、
    　上記ベースコート膜は、複数の無機絶縁膜を積層して設けられ、
    　上記残層は、複数の無機絶縁膜のうちの最下層の無機絶縁膜により構成されていることを特徴とする表示装置。
  9. 　請求項１～８の何れか１つに記載の表示装置において、
    　上記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする表示装置。
  10. 　請求項１～９の何れか１つに記載の表示装置において、
    　上記樹脂基板及び平坦化膜は、ポリイミド樹脂により構成されていることを特徴とする表示装置。
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