WO2019026280A1 - 樹脂基板および表示デバイス - Google Patents

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WO2019026280A1
WO2019026280A1 PCT/JP2017/028400 JP2017028400W WO2019026280A1 WO 2019026280 A1 WO2019026280 A1 WO 2019026280A1 JP 2017028400 W JP2017028400 W JP 2017028400W WO 2019026280 A1 WO2019026280 A1 WO 2019026280A1
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resin
axis direction
layer
resin substrate
display device
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Inventor
徳生 吉田
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a resin substrate and a display device.
  • Patent Document 1 discloses a glass substrate and a polyimide (A) laminated on the glass substrate and having an average linear expansion coefficient of 0 to 30 ppm / K in a temperature range of 50 ° C. to 200 ° C. And a polyimide (B) laminated on at least a part of the surface of the first polyimide layer and having an average linear expansion coefficient of 40 to 100 ppm / K in the temperature range of 50 ° C. to 200 ° C.
  • a substrate laminate comprising a second polyimide layer is disclosed.
  • a first glass layer having a Young's modulus of 10 MPa or less is formed on a sheet glass having a thickness of 10 ⁇ m to 100 ⁇ m and at least one surface of the sheet glass, and a second resin layer having a Young's modulus of 100 MPa or more is formed thereon.
  • a flexible gas barrier member is disclosed, characterized in that
  • Patent Document 1 In the configuration of Patent Document 1, there is a problem that the reliability of the laminate for a substrate is lowered due to the occurrence of a crack.
  • Patent Document 2 The configuration of Patent Document 2 has the same problem.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to further improve the reliability of a resin substrate.
  • the resin substrate concerning one mode of the present invention has the 1st resin layer constituted by the 1st polymer resin which has the 1st major axis direction, and the 1st above-mentioned resin layer.
  • an effect is achieved that the reliability of the resin substrate can be further enhanced.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a cross section of the resin substrate 1.
  • FIG. 2 is a plan view of the resin substrate 1. The AA ′ cross section of FIG. 2 in the resin substrate 1 is shown in FIG.
  • the resin substrate 1 is a substrate made of resin that constitutes various display devices such as an organic EL display device. As shown in FIG. 1, the resin substrate 1 includes a first resin layer 11, an intermediate layer 12, a second resin layer 13, and a base coat 14 in order from the lower side.
  • the first resin layer 11 is made of a polymer resin (first polymer resin) such as polyimide, epoxy, or polyamide.
  • the intermediate layer 12 is an inorganic film composed of an inorganic material such as SiO 2 (silicon dioxide).
  • the second resin layer 13 is made of a polymer resin (second polymer resin) such as polyimide, epoxy, or polyamide.
  • the material of the first resin layer 11 and the material of the second resin layer 13 are both polyimides.
  • the thickness of the first resin layer 11 and the second resin layer 13 is about several ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • the total thickness of the resin substrate 1 is about 10 um to 20 um.
  • the polymer resin of the first resin layer 11 has a major axis direction 21 (first major axis direction).
  • the polymer resin of the second resin layer 13 has a major axis direction 23 (second major axis direction) inclined with respect to the major axis direction 21 when the resin substrate 1 is viewed in plan.
  • the long axis direction 21 of the polymer resin in the first resin layer 11 is parallel to the short side direction 31 of the resin substrate 1.
  • the long axis direction 23 of the polymer resin in the second resin layer 13 is parallel to the long side direction 32 of the resin substrate 1.
  • the major axis direction 21 and the major axis direction 23 are orthogonal to each other.
  • the resin substrate 1 has a two-layer resin structure constituted by the first resin layer 11 and the second resin layer 13. Because of this configuration, the resin substrate 1 is flexible as a whole.
  • the display device including the resin substrate 1 is temporarily warped in a warp direction 34 parallel to the short side direction 31 of the resin substrate 1 with the long side direction 32 of the resin substrate 1 as an axis.
  • a force may be applied to the resin substrate 1 to generate a crack parallel to the long side direction 32 in the resin substrate 1.
  • the long axis direction 21 of the polymer resin in the first resin layer 11 is orthogonal to the long side direction 32 of the resin substrate 1, the first resin layer 11 is hard to generate a crack. Therefore, even if a crack along the long side direction 32 is generated in the second resin layer 13 due to the warpage, the crack is prevented from being deep enough to penetrate the resin substrate 1. Since the waterproofness of the resin substrate 1 is maintained by this, the reliability of the resin substrate 1 can be improved more.
  • the crack is so deep that the reliability of the resin substrate 1 is impaired. Occurrence of 1 is prevented. This prevents the occurrence of a dark point in the display unit (display area) of the display device by causing the display unit (display area) to become wet or flooded, thereby further improving the reliability of the display device provided with the resin substrate 1. be able to.
  • FIG. 3 is a view for explaining a method of forming the resin substrate 1 on the glass substrate 41.
  • a glass substrate 41 which is a base on which the resin substrate 1 is to be formed is prepared.
  • the 1st resin layer 11 is formed in the surface of the glass substrate 41 by apply
  • the application direction 51 of the slit coater is made parallel to the short side direction 42 of the glass substrate 41.
  • the long axis direction 21 of the polymer resin substantially coincides with the application direction 51 of the slit coater. Therefore, the long axis direction 21 of the polymer resin in the formed first resin layer 11 is parallel to the short side direction 42.
  • the intermediate layer 12 is formed on the first resin layer 11 by any means (not shown).
  • the second resin layer 13 is formed on the surface of the intermediate layer 12 by applying a polymer resin to the surface of the intermediate layer 12 using a slit coater.
  • the application direction 52 of the slit coater is made different from the application direction 51 of the slit coater when the first resin layer 11 is formed.
  • the application direction 52 is orthogonal to the short side direction 42 of the glass substrate 41.
  • the long axis direction 23 of the polymer resin substantially coincides with the application direction 52 of the slit coater. Therefore, the long axis direction 23 of the polymer resin in the formed second resin layer 13 is orthogonal to the short side direction 42.
  • a base coat 14 is formed on the second resin layer 13 by an arbitrary means (not shown).
  • the formation of the resin substrate 1 is completed.
  • the various components of the display device are sequentially formed on the resin substrate 1, whereby the display device provided with the resin substrate 1 can be manufactured.
  • the polymer resin When forming the first resin layer 11, the polymer resin may be applied with the application direction 51 of the slit coater being parallel to the long side direction of the glass substrate 41 instead of the short side direction 42.
  • the application direction 52 of the slit coater may be made to coincide with the short side direction 42 of the glass substrate 41.
  • FIG. 4 is a plan view showing the configuration of the display device 2 provided with the resin substrate 1.
  • the display device 2 is a self-emission display device, and is configured, for example, as an organic EL light-emitting device.
  • the display device 2 includes a resin substrate 1, a display area 61, a frame area 62, a bent portion CL, a terminal wiring TW, and a terminal portion TM.
  • the display area 61 is a member having a display function in the display device 2 and is formed of, for example, an organic EL light emitting layer.
  • the frame area 62 surrounds the periphery of the display area 61.
  • the bent portion CL, the terminal wiring TW, and the terminal portion TM are formed in the frame region 62, respectively.
  • the position of the terminal portion TM is an end of the frame area 62.
  • the bent portion CL is provided between the display area 61 and the terminal portion TM.
  • the terminal portion TM is used to connect the display area 61 to an electronic circuit board such as an IC chip and an FPC.
  • the terminal wiring TW electrically connects the display area 61 and the terminal portion TM.
  • the bent portion CL is a portion where the display device 2 is bent.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a configuration example of the display area 61 of the display device 2.
  • the display device 2 includes the lower surface film 110, the resin substrate 1, the barrier layer 103, the TFT layer 104, the light emitting element layer 105, the sealing layer 106, and the functional film 139.
  • the barrier layer 103 is a layer that prevents moisture and impurities from reaching the TFT layer 104 and the light emitting element layer 105 when the display device is used.
  • the barrier layer 103 can be formed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a stacked film thereof formed by CVD.
  • the TFT layer 104 includes a semiconductor film 115, an inorganic insulating film 116 (gate insulating film) above the semiconductor film 115, a gate electrode GE above the inorganic insulating film 116, and an inorganic insulating layer above the gate electrode GE.
  • the thin film transistor Tr is configured to include the semiconductor film 115, the inorganic insulating film 116 (gate insulating film), and the gate electrode GE.
  • the semiconductor film 115 is made of, for example, low temperature polysilicon (LTPS) or an oxide semiconductor.
  • LTPS low temperature polysilicon
  • FIG. 5 shows a top gate TFT having a semiconductor film 115 as a channel, it may have a bottom gate structure (for example, when the channel of the TFT is an oxide semiconductor).
  • the gate electrode GE, the capacitor electrode CE, the source wiring SH, the terminal wiring TW, and the terminal portion TM are, for example, aluminum (Al), tungsten (W), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), chromium (Cr), titanium It is comprised by the single layer film or laminated film of the metal containing at least one of (Ti) and copper (Cu).
  • the inorganic insulating films 116, 118, and 120 can be formed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a laminated film thereof formed by a CVD method.
  • SiOx silicon oxide
  • SiNx silicon nitride
  • the planarizing film (interlayer insulating film) 121 can be made of, for example, a coatable photosensitive organic material such as polyimide or acrylic.
  • the light emitting element layer 105 (for example, an organic light emitting diode layer) includes an anode 122 above the planarization film 121, a bank 123 covering the edge of the anode 122, and an EL (electroluminescence) layer 124 above the anode 122.
  • a plurality of light emitting elements including the cathode 125 above the EL layer 124, and the island-like anode 122, the EL layer 124, and the cathode 125 for each sub-pixel, And a sub-pixel circuit for driving the
  • the bank 123 can be made of, for example, a coatable photosensitive organic material such as polyimide or acrylic.
  • the EL layer 124 is configured, for example, by stacking a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in this order from the lower layer side.
  • the light emitting layer is formed in an island shape for each sub-pixel by a vapor deposition method or an ink jet method, but the other layers can be a common layer in a solid state.
  • the structure which does not form one or more layers among a positive hole injection layer, a positive hole transport layer, an electron carrying layer, and an electron injection layer is also possible.
  • the anode (anode) 122 is formed of, for example, a laminate of ITO (Indium Tin Oxide) and an alloy containing Ag, and has light reflectivity.
  • the cathode 125 can be made of a translucent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), or MgAg.
  • the driving current between the anode 122 and the cathode 125 causes holes and electrons to recombine in the EL layer 124, and light generated thereby is dropped to a ground state. Released. Since the cathode 125 is translucent and the anode 122 is light reflective, light emitted from the EL layer 124 is directed upward to be top emission.
  • the light emitting element layer 105 is not limited to forming an OLED element, and may form an inorganic light emitting diode or a quantum dot light emitting diode.
  • the sealing layer 106 is translucent, and the first inorganic sealing film 126 covering the cathode 125, the organic sealing film 127 formed on the upper side of the first inorganic sealing film 126, and the organic sealing film 127. And a second inorganic sealing film 128 covering the The sealing layer 106 covering the light emitting element layer 105 prevents the penetration of foreign matter such as water and oxygen into the light emitting element layer 105.
  • Each of the first inorganic sealing film 126 and the second inorganic sealing film 128 may be formed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a laminated film thereof formed by CVD. it can.
  • the organic sealing film 127 is a translucent organic film that is thicker than the first inorganic sealing film 126 and the second inorganic sealing film 128, and is made of a coatable photosensitive organic material such as polyimide or acrylic. Can.
  • the lower surface film 110 is for adhering to the lower surface of the resin layer 112 after peeling off the support substrate to realize a display device excellent in flexibility, and examples of the material thereof include PET.
  • the functional film 139 has, for example, an optical compensation function such as a polarizing plate, a touch sensor function, and a protection function.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a configuration example of the bent portion CL of the display device 2.
  • the terminal portion TM is connected to the display area 61 by the terminal wiring TW which passes through the bent portion CL.
  • the reinforcing film EZ is made of, for example, a photosensitive organic material that can be applied, such as polyimide or acrylic, and is formed above the inorganic insulating film 120 and below the planarizing film 121.
  • the display device 2 is bent, for example, by 180 ° at the bending portion CL, whereby the terminal portion TM disposed on the lower surface side is connected to the electronic circuit board (such as an IC chip or a flexible printed board).
  • the lower surface film 110, the barrier layer 103, and the inorganic insulating films 116, 118, and 120 are penetrated in the bent portion CL.
  • a penetrating portion Nx is formed in lower surface film 110
  • a penetrating portion Na is formed in barrier layer 103
  • a penetrating portion Nb is formed in inorganic insulating film 116
  • a penetrating portion Nc is formed in inorganic insulating film 118.
  • the penetrating portion Nd is formed in the inorganic insulating film 120.
  • the penetration portion Nx ⁇ Nb ⁇ Nc ⁇ Nd is aligned, and the penetration portion Na aligned with the bending portion CL is located inside the penetration portions Nx ⁇ Nb ⁇ Nc ⁇ Nd.
  • the reinforcing film EZ is provided in the opening SS1 generated by the penetration portion Na and the penetration portion Nb ⁇ Nc ⁇ Nd.
  • the terminal wiring TW is a third wiring WS3 electrically connecting the first wiring WS1 and the second wiring WS2 through the bending portion CL and the first wiring WS1 and the second wiring WS2 positioned on both sides of the bending portion CL. And.
  • the first wiring WS1 is formed in the TFT layer 104 and applies a signal to the pixel circuit.
  • the third wiring WS3 electrically connects the first wiring WS1 and the terminal portion TM.
  • an opening SS1 is provided in at least one of the inorganic insulating films 116 and 118 constituting the TFT layer.
  • the reinforcing film EZ (first planarization film) is filled in the opening SS1.
  • the planarizing film 121 (second planarizing film) is formed to cover the third wiring WS3, and sandwich the third wiring WS3 above the opening SS1 with the reinforcing film EZ.
  • the TFT layer 104 disposed in the display area 61 pixel circuits provided in a matrix in the display area 61 are formed.
  • the thin film transistor Tr constitutes a pixel circuit.
  • the TFT layer 104 disposed in the frame area 62 includes a terminal portion TM used for connection with a gate driver circuit, an emission circuit, and an electronic circuit board such as an IC chip or FPC, a terminal portion TM, and a display area 61.
  • a terminal interconnection TW connecting interconnections and the like is formed.
  • the bent portion CL may be bent together with the resin substrate 1 as needed.
  • the display device 2 is bent at a bending portion CL in a bending direction 64 parallel to the long side direction of the resin substrate 1 along a bending axis parallel to the short side direction 63 of the display device 2.
  • the second resin layer 13 is hard to be cracked. Therefore, even if a crack is generated in the first resin layer 11 due to the bending of the display device 2, it is prevented that the crack has a depth sufficient to penetrate the resin substrate 1. Since the waterproofness of the resin substrate 1 is maintained by this, the reliability of the resin substrate 1 can be improved more. Furthermore, since the bent portion CL is also prevented from being wetted or flooded, the reliability of the display device 2 provided with the bent portion CL can also be enhanced.
  • the flattening film 121 has an opening SS2. Therefore, the directionality of the long axis is unnecessary for the resin material of the reinforcing film EZ. Since the reinforcing film EZ is formed only in the bent portion CL, the polymer resin constituting the reinforcing film EZ does not require the directionality of the long axis.
  • the application direction (the application direction of the slit coater) of the polymer resin constituting them is not particularly limited.
  • the application direction of the slit coater at the time of formation of the reinforcing film EZ may coincide with the application direction 51 at the time of formation of the first resin layer 11 or the application direction 52 at the time of formation of the second resin layer 13.
  • the application direction of the slit coater at the time of formation of the planarization film 121 may also coincide with the application direction 51 at the time of formation of the first resin layer 11 or the application direction 52 at the time of formation of the second resin layer 13.
  • at least one of the reinforcing film EZ and the flattening film 121 is a polymer resin (long-axis direction (third long-axis direction) coincident with the long-axis direction 21 and inclined to The third polymer resin).
  • process control in the long axis direction of the polymer resin forming the reinforcing film EZ or the planarizing film 121 becomes unnecessary when forming the reinforcing film EZ or the planarizing film 121. Furthermore, it is not necessary to rotate the glass substrate 41 or the slit coater at the time of forming the reinforcement film EZ or the planarization film 121. From these things, the tact at the time of manufacture of the display device 2 can be improved.
  • FIG. 7 is a plan view showing a planar configuration of a resin substrate 1B according to the second embodiment.
  • the respective components such as the first resin layer 11 and the like that constitute the resin substrate 1 B and the arrangement thereof are basically the same as the resin substrate 1.
  • the directions of the long axis direction 21 and the long axis direction 23 are different from the directions of the long axis direction 21 and the long axis direction 23 in the resin substrate 1.
  • the major axis direction 21 and the major axis direction 23 are both inclined with respect to the same side direction (long side direction or short side direction) of the resin substrate 1.
  • an angle ⁇ between the long axis direction 21 and the long axis direction 23 satisfies the relationship of 0 ° ⁇ ⁇ 90 °. Furthermore, the angle ⁇ 1 between the long axis direction 21 and the short side direction 31 of the resin substrate 1 B satisfies 0 ° ⁇ 1 ⁇ 45 °. Angle theta 2 formed by the short side direction 31 in the long axis direction 23 and the resin substrate 1B satisfies -45 ° ⁇ 2 ⁇ 0 ° .
  • FIG. 8 is a view for explaining a first method of forming the resin substrate 1 B on the glass substrate 41.
  • a slit coater capable of controlling the application width of the polymer resin is used.
  • the application direction 51 of the slit coater is controlled.
  • the glass substrate 41 is appropriately rotated in a planar manner while fixing the application direction 51 in the same direction during the formation of the first resin layer 11 and the formation of the second resin layer 13.
  • the direction of the glass substrate 41 with respect to the application direction 51 may be controlled.
  • the major axis direction 21 of the polymer resin substantially coincides with the application direction 51 of the slit coater. Therefore, to satisfy the relationship angle theta 5 is 0 ° ⁇ 5 ⁇ 45 ° formed of a polymer resin and the long axis direction 21 and the short-side direction 31 of the first resin layer 11, the first resin layer 11 is formed Be done.
  • the angle theta 4 is 0 ° formed by the short side direction 42 of the slit coater coating direction 51 and the glass substrate 41 ⁇
  • the application direction 51 of the slit coater is controlled to satisfy the relationship of ⁇ 4 ⁇ 45 °.
  • the major axis direction 23 of the polymer resin substantially coincides with the application direction 51 of the slit coater. Therefore, to satisfy the angle theta 6 is -45 ° ⁇ 6 ⁇ 0 ° relationship formed between the polymeric resin and the long axis direction 23 and the short side direction of the second resin layer 13, second resin layer 13 is formed Be done.
  • the polymer resin When forming the first resin layer 11, the polymer resin may be applied such that the application direction 51 of the slit coater is inclined to the long side of the glass substrate 41 instead of the short side direction 42. The same applies to the formation of the second resin layer 13.
  • FIG. 9 is a view for explaining a second method of forming the resin substrate 1 B on the glass substrate 41.
  • a slit coater which can not control the application width of the polymer resin is used.
  • the details of the forming method shown in FIG. 9 are the same as those in FIG. 8 except for the type of the slit coater and the same thereafter, so the specific description thereof will be omitted.
  • the resin substrate 1B in which the angle ⁇ between the long axis direction 21 and the long axis direction 23 satisfies the relationship of 0 ° ⁇ ⁇ 90 °.
  • FIG. 10 is a plan view showing the configuration of a display device 2B provided with a resin substrate 1B.
  • the configuration of the display device 2B is basically the same as that of the display device 2. However, in the display device 2B and the display device 2, the directions of the long axis direction 21 and the long axis direction 23 are different from each other.
  • the long axis direction 21 of the polymer resin in the first resin layer 11 is inclined with respect to the short side direction 63 of the display device 2. Therefore, when the bent portion CL is bent in the bending direction 64 along the short side direction 63, the first resin layer 11 is hard to generate a crack. Similarly, since the long axis direction 23 of the polymer resin in the second resin layer 13 is inclined with respect to the short side direction 63, the second resin layer 13 is hard to be cracked. From these things, the possibility that a deep crack may occur in the resin substrate 1B is lower than that of the resin substrate 1 of the first embodiment. Thereby, the waterproofness of the resin substrate 1B is better maintained, so that the reliability of the resin substrate 1 can be further enhanced. Furthermore, since the bent portion CL is further prevented from being flooded, the reliability of the display device 2 provided with the bent portion CL can be further enhanced.
  • the major axis direction 21 is preferably inclined at least 20 ° with respect to the major axis direction 23.
  • the major axis direction 23 of the polymer resin in the second resin layer 13 is sufficiently inclined with respect to the crack generation direction, so It does not extend to the resin layer 13.
  • the long axis direction 21 of the polymer resin in the first resin layer 11 is sufficiently inclined with respect to the crack generation direction. It does not extend to the resin layer 11.
  • the reliability of the resin substrate 1 can be enhanced.
  • the resin substrate (1) according to aspect 1 of the present invention is formed on a first resin layer (11) made of a first polymer resin having a first long axis direction (21), and the first resin layer.
  • the reliability of the resin substrate can be further enhanced.
  • the resin substrate according to aspect 2 of the present invention is characterized in that, in the aspect 1, the first major axis direction is inclined at least 20 ° with respect to the second major axis direction.
  • the resin substrate according to aspect 3 of the present invention is characterized in that, in the aspect 2, the second major axis direction is orthogonal to the first major axis direction.
  • both the first major axis direction and the second major axis direction are inclined with respect to the same side direction of the resin substrate. It is characterized by
  • the occurrence of cracks in the resin substrate can be further prevented when the resin substrate is bent.
  • the resin substrate according to aspect 5 of the present invention is characterized in that, in any one of the aspects 1 to 4, each of the first polymer resin and the second polymer resin is a polyimide.
  • the resin substrate according to aspect 6 of the present invention is characterized in that, in any one of the aspects 1 to 5, the intermediate layer is made of an inorganic material.
  • a display device (2) according to aspect 7 of the present invention includes the resin substrate according to any one of aspects 1 to 5.
  • the display device is provided at a display area provided with a plurality of light emitting elements, a frame area surrounding the display area, and an end of the frame area Terminal portion, a bent portion provided between the terminal portion and the display region, a TFT layer, a pixel circuit formed in the TFT layer, and provided in a matrix in the display region, the TFT An inorganic film which is formed in a layer and which is formed in the TFT layer, a wiring which applies a signal to the pixel circuit, a lead wiring which electrically connects the wiring and the terminal portion, and an opening is provided in the bent portion. And a first planarization film filling the opening, and a second planarization film sandwiching the lead wiring on the opening with the first planarization film.
  • At least one of the first planarizing film and the second planarizing film coincides with the first long axis direction in plan view, and It is characterized in that it is made of a third polymer resin having a third major axis direction inclined with respect to the second major axis direction.

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Abstract

樹脂基板の信頼性をより高める。第１樹脂層（１１）は、長軸方向（２１）を有する高分子樹脂によって構成される。第２樹脂層（１３）は、平面視した場合に長軸方向（２１）に対して傾いた長軸方向（２３）を有する高分子樹脂によって構成される。

Description

樹脂基板および表示デバイス
　本発明は、樹脂基板および表示デバイスに関する。
　特許文献１に、ガラス基材と、前記ガラス基材上に積層され、かつ、５０℃～２００℃の温度範囲における平均線膨張係数が０～３０ｐｐｍ／Ｋであるポリイミド（Ａ）からなる第一のポリイミド層と、該第一のポリイミド層の表面の少なくとも一部に積層され、かつ、５０℃～２００℃の温度範囲における平均線膨張係数が４０～１００ｐｐｍ／Ｋであるポリイミド（Ｂ）からなる第二のポリイミド層と、を備えることを特徴とする基板用積層体が開示されている。
　特許文献２に、厚み１０μｍ～１００μｍの板ガラスと、当該板ガラスの少なくとも一方の面上にヤング率が１０ＭＰａ以下の第一樹脂層が形成され、更にその上にヤング率が１００ＭＰａ以上の第二樹脂層が形成されたことを特徴とする柔軟ガスバリア性部材が開示されている。
特開２０１６－１３２１０３号公報 特開２００６－１３０８５５号公報
　特許文献１の構成では、クラックの発生によって基板用積層体の信頼性が低くなるという問題がある。特許文献２の構成にも同様の問題がある。
　本発明は、前記の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、樹脂基板の信頼性をより高めることにある。
　本発明の一態様に係る樹脂基板は、前記の課題を解決するために、第１長軸方向を有する第１高分子樹脂によって構成される第１樹脂層と、前記第１樹脂層の上に形成される中間層と、平面視した場合に前記第１長軸方向に対して傾いた第２長軸方向を有する第２高分子樹脂によって構成され、かつ前記中間層の上に形成される第２樹脂層とを備えていることを特徴としている。
　本発明の一態様によれば、樹脂基板の信頼性をより高めることができるという効果を奏する。
樹脂基板の断面を示す断面図である。 樹脂基板の平面構成を示す図である。 ガラス基板上に樹脂基板を形成する方法を説明する図である。 樹脂基板を備えた表示デバイスの構成を示す平面図である。 表示デバイスの表示領域の構成例を示す断面図である。 表示デバイスの折り曲げ部ＣＬの構成例を示す断面図である。 樹脂基板の構成を示す平面図である。 ガラス基板上に樹脂基板を形成する第１の方法を説明する図である。 ガラス基板上に樹脂基板を形成する第２の方法を説明する図である。 樹脂基板を備えた表示デバイスの構成を示す平面図である。
　（樹脂基板１の構成）
　図１は、樹脂基板１の断面を示す断面図である。図２は、樹脂基板１の平面構成を示す図である。樹脂基板１における図２のＡ－Ａ’断面が、図１に示される。
　樹脂基板１は、有機ＥＬ表示デバイスなどの各種の表示デバイスを構成する樹脂製の基板である。図１に示すように、樹脂基板１は、下側から順に第１樹脂層１１、中間層１２、第２樹脂層１３、およびベースコート１４を備えている。
　第１樹脂層１１は、ポリイミド、エポキシ、またはポリアミドなどの高分子樹脂（第１高分子樹脂）によって構成される。中間層１２は、ＳｉＯ２（二酸化珪素）などの無機材料によって構成される無機膜である。第２樹脂層１３は、ポリイミド、エポキシ、またはポリアミドなどの高分子樹脂（第２高分子樹脂）によって構成される。一例では、第１樹脂層１１の材料および第２樹脂層１３の材料は、いずれもポリイミドである。第１樹脂層１１および第２樹脂層１３の厚さは、数μｍ～２０μｍ程度である。樹脂基板１全体の厚さは、１０ｕｍ～２０ｕｍ程度である。
　第１樹脂層１１の高分子樹脂は、長軸方向２１（第１長軸方向）を有する。第２樹脂層１３の高分子樹脂は、樹脂基板１を平面視認した場合に長軸方向２１に対して傾いている長軸方向２３（第２長軸方向）を有する。図１では、第１樹脂層１１における高分子樹脂の長軸方向２１は、樹脂基板１の短辺方向３１と平行である。一方、第２樹脂層１３における高分子樹脂の長軸方向２３は、樹脂基板１の長辺方向３２と平行である。言い換えれば、長軸方向２１および長軸方向２３は直交している。
　樹脂基板１は、第１樹脂層１１および第２樹脂層１３によって構成される２層樹脂構造を有する。この構成のため、樹脂基板１は全体としてフレキシブルである。
　（樹脂基板１の利点）
　樹脂基板１を備える表示デバイスが、樹脂基板１の短辺方向３１を軸として、樹脂基板１の長辺方向３２に平行な反り方向３３に仮に反れたとする。この場合、樹脂基板１における短辺方向３１に平行なクラックを発生させる力が樹脂基板１に加わる恐れがある。しかし第２樹脂層１３における高分子樹脂の長軸方向２３は表示デバイスの短辺方向３１と直交するため、第２樹脂層１３にはクラックが発生し辛い。したがって、この反りを原因として、短辺方向３１に沿ったクラックが仮に第１樹脂層１１に発生したとしても、このクラックが樹脂基板１を貫通するほどの深さになることは防止される。これにより樹脂基板１の防水性が維持されるため、樹脂基板１の信頼性をより高めることができる。
　樹脂基板１を備える表示デバイスが、樹脂基板１の長辺方向３２を軸として、樹脂基板１の短辺方向３１に平行な反り方向３４に仮に反れたとする。この場合、樹脂基板１における長辺方向３２に平行なクラックを発生させる力が樹脂基板１に加わる恐れがある。しかし、第１樹脂層１１における高分子樹脂の長軸方向２１が樹脂基板１の長辺方向３２と直交するため、第１樹脂層１１にはクラックが発生し辛い。したがって、この反りを原因として、長辺方向３２に沿ったクラックが仮に第２樹脂層１３に発生したとしても、このクラックが樹脂基板１を貫通するほどの深さになることは防止される。これにより樹脂基板１の防水性が維持されるため、樹脂基板１の信頼性をより高めることができる。
　以上のように、樹脂基板１を備える表示デバイスが、表示デバイスの長辺方向および短辺方向のうちいずれの方向に仮に反れたとしても、樹脂基板１の信頼性を損ねるほど深いクラックが樹脂基板１に発生することは防止される。これにより、表示デバイスの表示部（表示領域）が浸湿または浸水されるなどして表示部に暗点が発生することが防止されるため、樹脂基板１を備える表示デバイスの信頼性をより高めることができる。
　（樹脂基板１の形成方法）
　図３は、ガラス基板４１上に樹脂基板１を形成する方法を説明する図である。まず、樹脂基板１が形成される土台であるガラス基板４１を用意する。次に、図３の（ａ）に示すように、スリットコーターを使用して高分子樹脂をガラス基板４１の表面に塗布することによって、ガラス基板４１の表面に第１樹脂層１１を形成する。その際、スリットコーターの塗布方向５１をガラス基板４１の短辺方向４２に平行にする。第１樹脂層１１の形成時、高分子樹脂の長軸方向２１はスリットコーターの塗布方向５１にほぼ一致する。したがって、形成された第１樹脂層１１における高分子樹脂の長軸方向２１は、短辺方向４２と平行になる。
　第１樹脂層１１の形成後、任意の手段によって第１樹脂層１１の上に中間層１２を形成する（不図示）。中間層１２の形成後、図３の（ｂ）に示すように、スリットコーターを使用して高分子樹脂を中間層１２の表面に塗布することによって、中間層１２の表面に第２樹脂層１３を形成する。その際、スリットコーターの塗布方向５２を、第１樹脂層１１の形成時におけるスリットコーターの塗布方向５１と異ならせる。図３では、塗布方向５２をガラス基板４１の短辺方向４２に直交させる。第２樹脂層１３の形成時、高分子樹脂の長軸方向２３はスリットコーターの塗布方向５２にほぼ一致する。したがって、形成された第２樹脂層１３における高分子樹脂の長軸方向２３は、短辺方向４２と直交する。
　第２樹脂層１３の形成後、任意の手段によって第２樹脂層１３の上にベースコート１４を形成する（不図示）。こうして樹脂基板１の形成が完了する。この後、樹脂基板１の上に表示デバイスの各種構成要素を順次形成することによって、樹脂基板１を備えた表示デバイスを製造することができる。
　第１樹脂層１１の形成時、スリットコーターの塗布方向５１をガラス基板４１の短辺方向４２ではなく長辺方向に対して平行にして高分子樹脂を塗布してもよい。第２樹脂層１３の形成時、スリットコーターの塗布方向５２をガラス基板４１の短辺方向４２に一致させてもよい。
　（表示デバイス２の構成）
　図４は、樹脂基板１を備えた表示デバイス２の構成を示す平面図である。表示デバイス２は、自発光型の表示デバイスであり、例えば有機ＥＬ発光デバイスとして構成される。表示デバイス２は、樹脂基板１、表示領域６１、額縁領域６２、折り曲げ部ＣＬ、端子配線ＴＷ、および端子部ＴＭを備えている。
　表示領域６１は、表示デバイス２における表示機能を担う部材であり、例えば有機ＥＬ発光層などによって構成される。額縁領域６２は、表示領域６１の周囲を囲む。折り曲げ部ＣＬ、端子配線ＴＷ、および端子部ＴＭは、額縁領域６２にそれぞれ形成される。端子部ＴＭの位置は額縁領域６２の端部である。折り曲げ部ＣＬは、表示領域６１と端子部ＴＭの間に設けられる。端子部ＴＭは、表示領域６１と、ＩＣチップおよびＦＰＣなどの電子回路基板との接続に用いられる。端子配線ＴＷは、表示領域６１と端子部ＴＭとを電気的に接続する。折り曲げ部ＣＬは、表示デバイス２が折り曲げられる箇所である。
　（表示領域６１の構成）
　図５は、表示デバイス２の表示領域６１の構成例を示す断面図である。この図に示すように、表示デバイス２は、下面フィルム１１０、樹脂基板１、バリア層１０３、ＴＦＴ層１０４、発光素子層１０５、封止層１０６、および機能フィルム１３９を備えている。
　バリア層１０３は、表示デバイスの使用時に、水分および不純物が、ＴＦＴ層１０４や発光素子層１０５に到達することを防ぐ層である。バリア層１０３は、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　ＴＦＴ層１０４は、半導体膜１１５と、半導体膜１１５よりも上層の無機絶縁膜１１６（ゲート絶縁膜）と、無機絶縁膜１１６よりも上層のゲート電極ＧＥと、ゲート電極ＧＥよりも上層の無機絶縁膜１１８と、無機絶縁膜１１８よりも上層の容量配線ＣＥと、容量配線ＣＥよりも上層の無機絶縁膜１２０と、無機絶縁膜１２０よりも上層の、ソース配線ＳＨおよび端子部ＴＭと、ソース配線ＳＨおよび端子部ＴＭよりも上層の平坦化膜１２１とを含む。
　半導体膜１１５、無機絶縁膜１１６（ゲート絶縁膜）、およびゲート電極ＧＥを含むように薄層トランジスタＴｒ（ＴＦＴ）が構成される。
　半導体膜１１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。なお、図５では、半導体膜１１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい（例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合）。
　ゲート電極ＧＥ、容量電極ＣＥ、ソース配線ＳＨ、端子配線ＴＷ、および端子部ＴＭは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。
　無機絶縁膜１１６・１１８・１２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。
　平坦化膜（層間絶縁膜）１２１は、例えば、ポリイミド、アクリルなどの塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
　発光素子層１０５（例えば、有機発光ダイオード層）は、平坦化膜１２１よりも上層のアノード１２２と、アノード１２２のエッジを覆うバンク１２３と、アノード１２２よりも上層のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層１２４と、ＥＬ層１２４よりも上層のカソード１２５とを含み、サブピクセルごとに、島状のアノード１２２、ＥＬ層１２４、およびカソード１２５を含む複数の発光素子（例えば、ＯＬＥＤ：有機発光ダイオード）と、これを駆動するサブ画素回路とが設けられる。バンク１２３（アノードエッジカバー）は、例えば、ポリイミド、アクリルなどの塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
　ＥＬ層１２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。発光層は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、サブピクセルごとに島状に形成されるが、その他の層はベタ状の共通層とすることもできる。また、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のうち１以上の層を形成しない構成も可能である。
　アノード（陽極）１２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。カソード１２５は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＭｇＡｇなどの透光性の導電材で構成することができる。
　発光素子層１０５がＯＬＥＤ層である場合、アノード１２２およびカソード１２５間の駆動電流によって正孔と電子がＥＬ層１２４内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。カソード１２５が透光性であり、アノード１２２が光反射性であるため、ＥＬ層１２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。
　発光素子層１０５は、ＯＬＥＤ素子を構成する場合に限られず、無機発光ダイオードあるいは量子ドット発光ダイオードを構成してもよい。
　封止層１０６は透光性であり、カソード１２５を覆う第１無機封止膜１２６と、第１無機封止膜１２６よりも上側に形成される有機封止膜１２７と、有機封止膜１２７を覆う第２無機封止膜１２８とを含む。発光素子層１０５を覆う封止層１０６は、水、酸素などの異物の発光素子層１０５への浸透を防いでいる。
　第１無機封止膜１２６および第２無機封止膜１２８はそれぞれ、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜１２７は、第１無機封止膜１２６および第２無機封止膜１２８よりも厚い、透光性有機膜であり、ポリイミド、アクリルなどの塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
　下面フィルム１１０は、支持基板を剥離した後に樹脂層１１２の下面に貼り付けることで、柔軟性に優れた表示デバイスを実現するためのものであり、その材料としては、ＰＥＴなどが挙げられる。機能フィルム１３９は、例えば、偏光板等の光学補償機能、タッチセンサ機能、および保護機能などを有する。
　（折り曲げ部ＣＬの構成）
　図６は、表示デバイス２の折り曲げ部ＣＬの構成例を示す断面図である。端子部ＴＭは、折り曲げ部ＣＬを通る端子配線ＴＷによって表示領域６１に接続される。補強膜ＥＺは、例えば、ポリイミド、アクリルなどの塗布可能な感光性有機材で構成され、無機絶縁膜１２０よりも上層かつ平坦化膜１２１よりも下層に形成される。表示デバイス２は、折り曲げ部ＣＬにおいて例えば１８０°折り曲げられ、これによって下面側に配された端子部ＴＭと電子回路基板（ＩＣチップまたはフレキシブルプリント基板など）とが接続される。
　図６に示すように、折り曲げ部ＣＬでは、下面フィルム１１０、バリア層１０３、および無機絶縁膜１１６・１１８・１２０が貫かれている。具体的には、下面フィルム１１０に貫き部Ｎｘが形成され、バリア層１０３に貫き部Ｎａが形成され、無機絶縁膜１１６に貫き部Ｎｂが形成され、無機絶縁膜１１８に貫き部Ｎｃが形成され、無機絶縁膜１２０に貫き部Ｎｄが形成される。表示デバイス２を平面視すると、貫き部Ｎｘ・Ｎｂ・Ｎｃ・Ｎｄが整合し、折り曲げ部ＣＬに整合する貫き部Ｎａが、貫き部Ｎｘ・Ｎｂ・Ｎｃ・Ｎｄの内側に位置する。補強膜ＥＺは、貫き部Ｎａおよび貫き部Ｎｂ・Ｎｃ・Ｎｄによって生じる開口ＳＳ１に設けられる。
　端子配線ＴＷは、折り曲げ部ＣＬの両側に位置する第１配線ＷＳ１および第２配線ＷＳ２と、折り曲げ部ＣＬを通り、第１配線ＷＳ１と第２配線ＷＳ２とを電気的に接続する第３配線ＷＳ３とを含む。第１配線ＷＳ１は、ＴＦＴ層１０４に形成され、画素回路に信号を印加する。第３配線ＷＳ３は、第１配線ＷＳ１と端子部ＴＭとを電気的に接続する。折り曲げ部ＣＬにおいて、ＴＦＴ層を構成する少なくとも一つの無機絶縁膜１１６および１１８に開口ＳＳ１が設けられる。開口ＳＳ１に補強膜ＥＺ（第１平坦化膜）が充填されている。平坦化膜１２１（第２平坦化膜）は、第３配線ＷＳ３を覆うように形成され、かつ、開口ＳＳ１の上の第３配線ＷＳ３を補強膜ＥＺとの間で挟んでいる。
　表示領域６１に配置されるＴＦＴ層１０４には、表示領域６１にマトリクス状に設けられる画素回路が形成される。薄膜トランジスタＴｒは、画素回路を構成する。額縁領域６２に配置されるＴＦＴ層１０４には、ゲートドライバー回路、エミッション回路、および、ＩＣチップ、ＦＰＣなどの電子回路基板との接続に用いられる端子部ＴＭと、端子部ＴＭと表示領域６１の配線などを繋ぐ端子配線ＴＷとが形成される。
　（表示デバイス２の利点）
　折り曲げ部ＣＬを備える樹脂基板１では、必要に応じて折り曲げ部ＣＬを樹脂基板１と共に折り曲げることがある。図４では、表示デバイス２を、表示デバイス２の短辺方向６３に平行な折り曲げ軸に沿って、樹脂基板１の長辺方向に平行な折り曲げ方向６４に向かって折り曲げ部ＣＬで折り曲げる。このとき、第２樹脂層１３における高分子樹脂の長軸方向２３が、表示デバイス２の短辺方向６３と直交するため、第２樹脂層１３にはクラックが発生し辛い。したがって、表示デバイス２の折り曲げによって仮に第１樹脂層１１にクラックが発生したとしても、このクラックが樹脂基板１を貫通するほどの深さになることは防止される。これにより樹脂基板１の防水性が維持されるため、樹脂基板１の信頼性をより高めることができる。さらに、折り曲げ部ＣＬが浸湿または浸水されることも防止されるため、折り曲げ部ＣＬを備えた表示デバイス２の信頼性も高めることができる。
　折り曲げ部ＣＬの付近では、平坦化膜１２１には開口ＳＳ２がある。そのため、補強膜ＥＺの樹脂材料には長軸の方向性が不要である。補強膜ＥＺは、折り曲げ部ＣＬ内にのみ形成されるので、補強膜ＥＺを構成する高分子樹脂には長軸の方向性が不要である。まとめると、補強膜ＥＺおよび平坦化膜１２１の形成時には、これらの構成する高分子樹脂の塗布方向（スリットコーターの塗布方向）は、特に限定されない。言い換えれば、補強膜ＥＺの形成時のスリットコーターの塗布方向は、第１樹脂層１１の形成時の塗布方向５１または第２樹脂層１３の形成時の塗布方向５２と一致してもよい。さらに、平坦化膜１２１の形成時のスリットコーターの塗布方向も、第１樹脂層１１の形成時の塗布方向５１または第２樹脂層１３の形成時の塗布方向５２と一致してもよい。言い換えれば、補強膜ＥＺおよび平坦化膜１２１の少なくともいずれかは、長軸方向２１と一致しかつ長軸方向２３に対して傾いた長軸方向（第３長軸方向）を有する高分子樹脂（第３高分子樹脂）によって構成される。
　このように塗布方向を共通化することによって、補強膜ＥＺまたは平坦化膜１２１の形成時に、補強膜ＥＺまたは平坦化膜１２１を構成する高分子樹脂の長軸方向の工程管理が不要になる。さらに、補強膜ＥＺまたは平坦化膜１２１の形成時に、ガラス基板４１またはスリットコーターを回転させる必要もなくなる。これらのことから、表示デバイス２の製造時のタクトを向上させることができる。
　〔実施形態２〕
　（樹脂基板１Ｂの構成）
　図７は、実施形態２に係る樹脂基板１Ｂの平面構成を示す平面図である。樹脂基板１Ｂを構成する第１樹脂層１１などの各構成要素およびそれらの配置は、樹脂基板１と基本的に同一である。しかし、樹脂基板１Ｂと樹脂基板１とでは、長軸方向２１および長軸方向２３の向きが、樹脂基板１における長軸方向２１および長軸方向２３の向きといずれも異なる。樹脂基板１Ｂでは、長軸方向２１および長軸方向２３が、いずれも樹脂基板１の同一辺方向（長辺方向または短辺方向）に対して傾いている。
　樹脂基板１Ｂにおいて、長軸方向２１と長軸方向２３との成す角度θは、０°＜θ＜９０°の関係を満たす。さらに、長軸方向２１と樹脂基板１Ｂの短辺方向３１との成す角度はθ１は、０°＜θ１＜４５°を満たす。長軸方向２３と樹脂基板１Ｂの短辺方向３１との成す角度θ２は、－４５°＜θ２＜０°を満たす。
　（樹脂基板１Ｂの第１の形成方法）
　図８は、ガラス基板４１上に樹脂基板１Ｂを形成する第１の方法を説明する図である。この方法には、高分子樹脂の塗布幅を制御可能なスリットコーターを用いる。本実施形態では、第１樹脂層１１の形成時、スリットコーターの塗布方向５１とガラス基板４１の短辺方向４２との成す角度θ３が－４５°＜θ３＜０°の関係を満たすように、スリットコーターの塗布方向５１を制御する。例えば、図８に示すように、第１樹脂層１１の形成時と第２樹脂層１３の形成時とで、塗布方向５１を同一方向に固定しつつ、ガラス基板４１を平面的に適宜回転させることによって、塗布方向５１に対するガラス基板４１の向きを制御すればよい。高分子樹脂の塗布時、高分子樹脂の長軸方向２１はスリットコーターの塗布方向５１にほぼ一致する。したがって、高分子樹脂の長軸方向２１と第１樹脂層１１の短辺方向３１との成す角度θ５が０°＜θ５＜４５°の関係を満たすように、第１樹脂層１１が形成される。
　本実施形態では、図８の（ｂ）に示すように、第２樹脂層１３の形成時、スリットコーターの塗布方向５１とガラス基板４１の短辺方向４２との成す角度θ４が０°＜θ４＜４５°の関係を満たすように、スリットコーターの塗布方向５１を制御する。高分子樹脂の塗布時、高分子樹脂の長軸方向２３はスリットコーターの塗布方向５１にほぼ一致する。したがって、高分子樹脂の長軸方向２３と第２樹脂層１３の短辺方向との成す角度θ６が－４５°＜θ６＜０°の関係を満たすように、第２樹脂層１３が形成される。
　第１樹脂層１１の形成時、スリットコーターの塗布方向５１をガラス基板４１の短辺方向４２ではなく長辺に対して傾けるようにして高分子樹脂を塗布してもよい。第２樹脂層１３の形成時も同様である。
　（樹脂基板１Ｂの第２の形成方法）
　図９は、ガラス基板４１上に樹脂基板１Ｂを形成する第２の方法を説明する図である。この方法には、高分子樹脂の塗布幅を制御不可能なスリットコーターを用いる。図９に示す形成方法の詳細は、図８のものとスリットコーターの種類が異なるだけで後は同一であるため、その具体的な説明を省略する。図９に示す形成方法を実行することによっても、長軸方向２１と長軸方向２３との成す角度θが０°＜θ＜９０°の関係を満たす樹脂基板１Ｂを形成することができる。
　（表示デバイス２Ｂの構成）
　図１０は、樹脂基板１Ｂを備えた表示デバイス２Ｂの構成を示す平面図である。表示デバイス２Ｂの構成は、表示デバイス２と基本的に同一である。しかし、表示デバイス２Ｂと表示デバイス２とでは、長軸方向２１および長軸方向２３の向きが互いに異なる。
　表示デバイス２Ｂでは、第１樹脂層１１における高分子樹脂の長軸方向２１が、表示デバイス２の短辺方向６３に対して傾いている。そのため、折り曲げ部ＣＬを短辺方向６３に沿って折り曲げ方向６４に折り曲げた場合、第１樹脂層１１にはクラックが発生し辛い。同様に、第２樹脂層１３における高分子樹脂の長軸方向２３が、短辺方向６３に対して傾いているため、第２樹脂層１３にもクラックが発生し辛い。これらのことから、樹脂基板１Ｂに深いクラックが発生する可能性が、実施形態１の樹脂基板１よりも低くなっている。これにより樹脂基板１Ｂの防水性がより良く維持されるため、樹脂基板１の信頼性をより一層高めることができる。さらに、折り曲げ部ＣＬが浸水されることがさらに防止されるため、折り曲げ部ＣＬを備えた表示デバイス２の信頼性をより一層高めることができる。
　樹脂基板１Ｂを平面視した際、長軸方向２１は長軸方向２３に対して少なくとも２０°傾いていることが好ましい。この場合、第１樹脂層１１に仮にクラックが発生したとしても、第２樹脂層１３における高分子樹脂の長軸方向２３はクラックの発生方向に対して充分に傾いているため、クラックが第２樹脂層１３にまで拡がることがない。同様に、第２樹脂層１３に仮にクラックが発生したとしても、第１樹脂層１１における高分子樹脂の長軸方向２１はクラックの発生方向に対して充分に傾いているため、クラックが第１樹脂層１１にまで拡がることがない。いずれの場合も、樹脂基板１Ｂを貫くほど深いクラックの発生が防止されるため、樹脂基板１の信頼性を高めることができる。
　〔まとめ〕
　本発明の態様１に係る樹脂基板（１）は、第１長軸方向（２１）を有する第１高分子樹脂によって構成される第１樹脂層（１１）と、前記第１樹脂層の上に形成される中間層（１２）と、平面視した場合に前記第１長軸方向に対して傾いた第２長軸方向（２３）を有する第２高分子樹脂によって構成され、かつ前記中間層の上に形成される第２樹脂層（１３）とを備えていることを特徴としている。
　前記の構成によれば、樹脂基板の信頼性をより高めることができる。
　本発明の態様２に係る樹脂基板は、前記態様１において、前記第１長軸方向が前記第２長軸方向に対して少なくとも２０°傾いていることを特徴としている。
　前記の構成によれば、第１樹脂層および第２樹脂層のいずれかにクラックが発生することを防止することができる。
　本発明の態様３に係る樹脂基板は、前記態様２において、前記第２長軸方向が前記第１長軸方向と直交することを特徴としている。
　前記の構成によれば、第１樹脂層および第２樹脂層のいずれかにクラックが発生することをより効果的に防止することができる。
　本発明の態様４に係る樹脂基板は、前記態様１～３のいずれかにおいて、前記第１長軸方向および前記第２長軸方向がいずれも前記樹脂基板の同一辺方向に対して傾いていることを特徴としている。
　前記の構成によれば、樹脂基板を折り曲げた場合に樹脂基板にクラックが発生することをより一層防止することができる。
　本発明の態様５に係る樹脂基板は、前記態様１～４のいずれかにおいて、前記第１高分子樹脂および前記第２高分子樹脂は、いずれもポリイミドであることを特徴としている。
　本発明の態様６に係る樹脂基板は、前記態様１～５のいずれかにおいて、前記中間層は、無機材料によって構成されることを特徴としている。
　本発明の態様７に係る表示デバイス（２）は、前記態様１～５のいずれかの樹脂基板を備えていることを特徴としている。
　本発明の態様８に係る表示デバイスは、前記態様７において、前記表示デバイスは、複数の発光素子を備えた表示領域と、前記表示領域を囲む額縁領域と、前記額縁領域の端部に設けられた端子部と、前記端子部と前記表示領域との間に設けられた折り曲げ部と、ＴＦＴ層と、前記ＴＦＴ層に形成され、前記表示領域にマトリクス状に設けられた画素回路と、前記ＴＦＴ層に形成され、前記画素回路に信号を印加する配線と、前記配線と前記端子部とを電気的に接続する引き回し配線と、前記ＴＦＴ層に形成され、前記折り曲げ部において開口が設けられる無機膜と、前記開口に充填される第１平坦化膜と、前記開口の上の前記引き回し配線を前記第１平坦化膜との間で挟む第２平坦化膜とをさらに備えていることを特徴としている。
　本発明の態様９に係る表示デバイスは、前記態様８において、平面視した場合に前記第１平坦化膜および前記第２平坦化膜の少なくともいずれかは、前記第１長軸方向と一致しかつ前記第２長軸方向に対して傾いた第３長軸方向を有する第３高分子樹脂によって構成されることを特徴としている。
　本発明は前述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態も、本発明の技術的範囲に含まれる。各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることによって、新しい技術的特徴を形成することもできる。
１，１Ｂ　樹脂基板、２，２Ｂ　表示デバイス、１１　第１樹脂層、１２　中間層、１３　第２樹脂層、１４　ベースコート、２１、２３　長軸方向、４１　ガラス基板、５１、５２　塗布方向、６１　表示領域、６２　端子部、ＴＭ　額縁領域、ＣＬ　折り曲げ部

Claims (9)

  1. 　第１長軸方向を有する第１高分子樹脂によって構成される第１樹脂層と、
    　前記第１樹脂層の上に形成される中間層と、
    　平面視した場合に前記第１長軸方向に対して傾いた第２長軸方向を有する第２高分子樹脂によって構成され、かつ前記中間層の上に形成される第２樹脂層とを備えていることを特徴とする樹脂基板。
  2. 　前記第１長軸方向が前記第２長軸方向に対して少なくとも２０°傾いていることを特徴とする請求項１に記載の樹脂基板。
  3. 　前記第２長軸方向が前記第１長軸方向と直交することを特徴とする請求項２に記載の樹脂基板。
  4. 　前記第１長軸方向および前記第２長軸方向がいずれも前記樹脂基板の同一辺方向に対して傾いていることを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の樹脂基板。
  5. 　前記第１高分子樹脂および前記第２高分子樹脂は、いずれもポリイミドであることを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の樹脂基板。
  6. 　前記中間層は、無機材料によって構成されることを特徴とする請求項１～５のいずれか１項に記載の樹脂基板。
  7. 　請求項１～６のいずれか１項に記載の樹脂基板を備えていることを特徴とする表示デバイス。
  8. 　前記表示デバイスは、
    　　複数の発光素子を備えた表示領域と、
    　　前記表示領域を囲む額縁領域と、
    　　前記額縁領域の端部に設けられた端子部と、
    　　前記端子部と前記表示領域との間に設けられた折り曲げ部と、
    　　ＴＦＴ層と、
    　　前記ＴＦＴ層に形成され、前記表示領域にマトリクス状に設けられた画素回路と、
    　　前記ＴＦＴ層に形成され、前記画素回路に信号を印加する配線と、
    　　前記配線と前記端子部とを電気的に接続する引き回し配線と、
    　　前記ＴＦＴ層に形成され、前記折り曲げ部において開口が設けられる無機膜と、
    　　前記開口に充填される第１平坦化膜と、
    　　前記開口の上の前記引き回し配線を前記第１平坦化膜との間で挟む第２平坦化膜とをさらに備えていることを特徴とする請求項７に記載の表示デバイス。
  9. 　前記第１平坦化膜および前記第２平坦化膜の少なくともいずれかは、平面視した場合に前記第１長軸方向と一致しかつ前記第２長軸方向に対して傾いた第３長軸方向を有する第３高分子樹脂によって構成されることを特徴とする請求項８に記載の表示デバイス。
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