WO2019009521A1 - 화합물을 포함하는 코팅 조성물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 - Google Patents

화합물을 포함하는 코팅 조성물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 Download PDF

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WO2019009521A1
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강에스더
김화경
배재순
신현아
유소영
이재철
정세진
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    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom

Definitions

  • the present disclosure relates to a coating composition comprising a compound and an organic light emitting device comprising the same.
  • the organic light emission phenomenon is one example in which current is converted into visible light by an internal process of a specific organic molecule.
  • the principle of organic luminescence phenomenon is as follows. When an organic layer is positioned between the anode and the cathode, electrons and holes are injected into the organic layer from the cathode and the anode, respectively, when an electric current is applied between the two electrodes. Electrons and holes injected into the organic material layer recombine to form an exciton, and the exciton falls back to the ground state to emit light.
  • An organic electroluminescent device using this principle can be generally constituted of an organic material layer including a cathode, an anode and an organic material layer disposed therebetween, for example, a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer.
  • a pure organic material or a complex in which an organic material and a metal form a complex is mostly used.
  • an organic material having a p-type property that is, an organic material that is easily oxidized and has an electrochemically stable state during oxidation is mainly used.
  • an electron injecting material or an electron transporting material an organic material having an n-type property, that is, an organic material which is easily reduced and electrochemically stable when being reduced is mainly used.
  • the light emitting layer material a material having both a p-type property and an n-type property, that is, a material having both a stable form in oxidation and in a reduced state is preferable, and a material having a high luminous efficiency for converting an exciton into light desirable.
  • the material used in the organic light emitting device further has the following properties.
  • the material used in the organic light emitting device is preferably excellent in thermal stability. This is because joule heating occurs due to the movement of charges in the organic light emitting device.
  • NPB n-proopyl bromide
  • NPB n-proopyl bromide
  • the material used in the organic light emitting device should have an appropriate band gap and a HOMO or LUMO energy level.
  • PEDOT poly (3,4-ethylenediocythiophene) doped with poly (styrenesulfonic acid)
  • LUMO The LUMO energy level is lower than the energy level, which makes it difficult to manufacture the organic light emitting device with high efficiency and long life.
  • materials used in organic light emitting devices should have excellent chemical stability, charge mobility, and interface characteristics with electrodes or adjacent layers. That is, the material used for the organic light emitting device should be less deformed by moisture or oxygen. In addition, by having appropriate hole or electron mobility, it is necessary to maximize the formation of excitons by balancing the density of holes and electrons in the light emitting layer of the organic light emitting device. And, for the stability of the device, the interface with the electrode including the metal or the metal oxide should be good.
  • the present disclosure relates to a coating composition comprising a compound and an organic light emitting device comprising the same.
  • the present invention provides a coating composition comprising a compound represented by the following formula (1) and a compound represented by the following formula (2).
  • Ar1 is a substituted or unsubstituted alkylene group; A substituted or unsubstituted divalent carbonyl group; A substituted or unsubstituted divalent amine group; Or a substituted or unsubstituted arylene group,
  • Ar2 and Ar3 are the same or different and each independently represents a substituted or unsubstituted arylene group
  • n1, m2, n1 and n2 are the same or different and each independently an integer of 1 to 10,
  • n1 and n2 are two or more, the structures in parentheses are the same or different from each other,
  • p is an integer of 2 to 10
  • Ar1 of 2 or more are the same or different from each other,
  • L1 and L2 are the same or different from each other and are each independently a direct bond; A substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
  • A, R1, Y1 and Y2 are the same or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted amine group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
  • a is an integer of 1 to 10
  • r1 is an integer of 1 to 4,
  • r1 is 2 or more, a plurality of R1s are the same or different from each other.
  • a plasma display panel comprising a first electrode; A second electrode facing the first electrode; And one or more organic layers disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic layers includes the coating composition.
  • the present disclosure also provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: preparing a substrate; Forming a first electrode on the substrate; Forming at least one organic layer on the first electrode; And forming a second electrode on the organic material layer, wherein the forming the organic material layer includes forming one or more organic material layers using the coating composition. do.
  • the coating composition according to one embodiment of the present invention does not have solubility in other solvents, and the lamination film forming process can be performed on the film by another solution process.
  • the coating composition according to one embodiment of the present invention can be used as an organic layer material of an organic light emitting device and can provide a long life characteristic.
  • FIG 1 shows an example of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.
  • the present invention provides a coating composition comprising the compound represented by Formula (1) and the compound represented by Formula (2).
  • the compound represented by Chemical Formula (1) can serve as a dopant in the hole injection layer, and the compound represented by Chemical Formula (2) can serve as a host in the hole injection layer.
  • the compound represented by formula (1) of the present specification can serve as a dopant of the compound represented by formula (2).
  • the fluorine-substituted phenyl group of formula (1) of the present invention may act on the compound represented by formula (2) to improve performance, and the sulfonate group of formula (1) And therefore, there is an excellent effect on the performance and the process.
  • substituted means that the hydrogen atom bonded to the carbon atom of the compound is replaced with another substituent, and the substituted position is not limited as long as the substituent is a substitutable position, , Two or more substituents may be the same or different from each other.
  • the term " substituted or unsubstituted" A halogen group; A nitrile group; A hydroxy group; A carbonyl group; An ester group; An alkyl group; A cycloalkyl group; An amine group; An aryl group; And a heterocyclic group containing at least one of N, O, S, Se and Si atoms, or wherein at least two of the substituents exemplified above are substituted with a substituent to which they are connected, Quot; means < / RTI >
  • examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine, and iodine.
  • the carbon number of the carbonyl group is not particularly limited, but is preferably 1 to 50 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.
  • the number of carbon atoms of the ester group is not particularly limited, but is preferably 1 to 50 carbon atoms. Specifically, it may be a compound of the following structural formula, but is not limited thereto.
  • the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 50.
  • Specific examples include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec- N-pentyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, Propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethylheptyl, 1-ethyl-propyl, isobutyl, sec-butyl, 1-dimethyl-propyl, isohexyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl and the like, but are not limited thereto.
  • the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms. Specific examples thereof include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, But are not limited to, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3,4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert- butylcyclohexyl, cycloheptyl, Do not.
  • the aryl group is a monocyclic aryl group
  • the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 6 to 50 carbon atoms.
  • Specific examples of the monocyclic aryl group include, but are not limited to, a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a quaterphenyl group, and the like.
  • the aryl group is a polycyclic aryl group
  • the number of carbon atoms is not particularly limited. And preferably has 10 to 50 carbon atoms.
  • Specific examples of the polycyclic aryl group include naphthyl, anthracenyl, phenanthryl, pyrenyl, perylenyl, klychenyl, fluorenyl, and the like.
  • the fluorenyl group may be substituted, and adjacent substituents may be bonded to each other to form a ring.
  • the heterocyclic group is a hetero atom and includes at least one of N, O, S, Si and Se, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 60 carbon atoms.
  • the heterocyclic group include a thiophene group, a furan group, a pyrrolyl group, an imidazole group, a thiazole group, an oxazole group, an oxadiazole group, a triazole group, a pyridyl group, a bipyridyl group, a pyrimidyl group, , A pyridazinyl group, a pyrazinyl group, a quinolinyl group, a quinazolinyl group, a quinoxalinyl group, a phthalazinyl group, a pyridopyrimidinyl group, a pyridopyranyl group, a pyrazinopyr
  • heteroaryl group may be selected from the examples of the heterocyclic group except that it is aromatic, but is not limited thereto.
  • an amine group is represented by -NR a R b , R a and R b are the same or different from each other and each independently represents hydrogen, deuterium, a halogen group, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, A heterocyclic group, a heterocyclic group, and a heterocyclic group.
  • substituents examples include -NH 2 , monoalkylamine group, dialkylamine group, N-alkylarylamine group, monoarylamine group, diarylamine group, N-arylheteroarylamine group, N-alkylheteroarylamine group, A heteroarylamine group and a diheteroarylamine group, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 30.
  • amine group examples include methylamine, dimethylamine, ethylamine, diethylamine, phenylamine, naphthylamine, biphenylamine, anthracenylamine, 9- Naphthylamine group, diphenylamine group, ditolylamine group, N-phenyltolylamine group, triphenylamine group, N-phenylbiphenylamine group, N-phenylnaphthylamine group, N- N-phenylphenanthrenylamine group, N-phenylphenylenediamine group, N-phenylphenylamine group, N-phenanthrenyl fluorene group, N-aminomethyl group, N-biphenylfluorenylamine group, and the like, but are not limited thereto.
  • examples of the arylamine group include a substituted or unsubstituted monoarylamine group, a substituted or unsubstituted diarylamine group, or a substituted or unsubstituted triarylamine group.
  • the aryl group in the arylamine group may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group.
  • the arylamine group having at least two aryl groups may contain a monocyclic aryl group, a polycyclic aryl group, or a monocyclic aryl group and a polycyclic aryl group at the same time.
  • the aryl group in the arylamine group may be selected from the examples of the aryl group described above.
  • examples of the heteroarylamine group include a substituted or unsubstituted monoheteroarylamine group, a substituted or unsubstituted diheteroarylamine group, or a substituted or unsubstituted triheteroarylamine group.
  • the heteroarylamine group having two or more heteroaryl groups may include a monocyclic heteroaryl group, a polycyclic heteroaryl group, or a monocyclic heteroaryl group and a polycyclic heteroaryl group at the same time.
  • the heteroaryl group in the heteroarylamine group may be selected from the examples of the above-mentioned heteroaryl group.
  • the aromatic ring group may be monocyclic or polycyclic, and may be selected from the examples of the aryl group except that it is not monovalent.
  • the 2- to 4-valent aromatic ring group may be monocyclic or polycyclic, meaning that the aryl group has 2 to 4 bonding positions, that is, 2 to 4 bonds.
  • the description of the aryl group described above can be applied, except that these are each 2 to 4 groups.
  • an alkylene group means that the alkyl group has two bonding positions, i.e., divalent.
  • the description of the above-mentioned alkyl groups can be applied, except that they are each 2 groups.
  • an arylene group means a divalent group having two bonding positions in an aryl group.
  • the description of the aryl group described above can be applied except that each of these is 2 groups.
  • the heteroarylene group means that the heteroaryl group has two bonding positions, that is, divalent.
  • the description of the above-mentioned heteroaryl groups can be applied, except that they are each 2 groups.
  • Ar1 represents a substituted or unsubstituted alkylene group; A substituted or unsubstituted divalent carbonyl group; A substituted or unsubstituted divalent amine group; Or a substituted or unsubstituted arylene group.
  • Ar1 is a substituted or unsubstituted alkylene group having 1 to 20 carbon atoms.
  • Ar1 is an alkylene group substituted or unsubstituted with hydrogen, deuterium, a halogen group, a nitrile group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an amine group, an aryl group, or a heterocyclic group.
  • Ar1 is an alkylene group substituted or unsubstituted with a trifluoroalkyl group.
  • Ar1 is a substituted or unsubstituted divalent carbonyl group having 1 to 20 carbon atoms.
  • Ar1 is a divalent carbonyl group substituted or unsubstituted with hydrogen, deuterium, a halogen group, a nitrile group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an amine group, an aryl group or a heterocyclic group.
  • Ar1 is a divalent carbonyl group.
  • Ar1 is a substituted or unsubstituted divalent amine group having 1 to 50 carbon atoms.
  • Ar1 is a divalent amine group substituted or unsubstituted with hydrogen, deuterium, a halogen group, a nitrile group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an amine group, an aryl group or a heterocyclic group.
  • Ar1 is a divalent amine group substituted or unsubstituted with an aryl group.
  • Ar1 is a divalent amine group substituted or unsubstituted with a phenyl group.
  • Ar1 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 50 carbon atoms.
  • Ar1 is an arylene group which is substituted or unsubstituted with hydrogen, deuterium, a halogen group, a nitrile group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an amine group, an aryl group or a heterocyclic group.
  • Ar1 is a phenylene group substituted or unsubstituted with hydrogen, deuterium, a halogen group, a nitrile group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an amine group, an aryl group or a heterocyclic group.
  • Ar1 is a phenylene group.
  • Ar1 is a divalent fluorenyl group substituted or unsubstituted with hydrogen, deuterium, a halogen group, a nitrile group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an amine group, an aryl group, or a heterocyclic group.
  • Ar1 is a divalent fluorenyl group.
  • Ar1 may be selected from the following A-1 to A-5.
  • R101 to R105 are the same or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A halogen group; A nitrile group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted amine group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
  • r101, r102, r104 and r105 are each an integer of 1 to 4
  • r103 is an integer of 1 to 5
  • r101 to r105 are each 2 or more, The same or different.
  • R101 to R105 are each hydrogen.
  • Ar2 and Ar3 are the same or different and each independently represents a substituted or unsubstituted arylene group.
  • Ar2 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 50 carbon atoms.
  • Ar2 is a substituted or unsubstituted naphthylene group.
  • Ar2 is a naphthylene group.
  • Ar3 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 50 carbon atoms.
  • Ar3 is a substituted or unsubstituted naphthylene group.
  • Ar3 is a naphthylene group.
  • M1, m2, n1 and n2 are the same or different and each independently an integer of 1 to 10, and when n1 and n2 are each 2 or more, the structures in parentheses are equal to or different from each other It is different.
  • m1 is an integer from 1 to 5.
  • m1 is two.
  • m2 is an integer from 1 to 5.
  • m2 is two.
  • n1 is an integer from 1 to 5.
  • n1 is 2.
  • n2 is an integer from 1 to 5.
  • n2 is 2.
  • p is an integer of 2 to 10
  • Ar1 of 2 or more are the same or different from each other.
  • p is an integer from 2 to 5.
  • p is 3.
  • p is 5.
  • - [Ar1] p- can be selected from the following A-11 to A-15.
  • the A-11 may be formed by combining A-2 and two A-1, and p is 3.
  • the A-12 may be formed by combining A-3 and two A-1, and p is 3.
  • the A-13 may be formed by combining A-5 and two A-1, and p is 3.
  • the A-14 may be formed by combining A-1 and two A-4, and p is 3.
  • the A-15 may be formed by combining A-5, 2 A-1, and 2 A-4, and p is 5.
  • R201 to R221 are the same or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A halogen group; A nitrile group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted amine group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
  • R212, r213, and r219 to r221 are each an integer of 1 to 5, and r216 is an integer of 1 to 3, And when r201 to r221 are each 2 or more, two or more R201 to R221 are the same or different from each other.
  • R201 to R221 are each hydrogen.
  • L 1 and L 2 are the same or different from each other and are each independently a direct bond; A substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group.
  • L1 is a direct bond.
  • L 1 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms.
  • L 1 is a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, or a substituted or unsubstituted naphthylene group.
  • L1 is a phenylene group.
  • L1 is a biphenylene group.
  • L1 is a naphthylene group.
  • L2 is a direct bond
  • L2 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms.
  • L2 is a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, or a substituted or unsubstituted naphthylene group.
  • L2 is a phenylene group.
  • L2 is a biphenylene group.
  • L2 is a naphthylene group.
  • A, R 1, Y 1 and Y 2 are the same or different and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted amine group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
  • a is an integer of 1 to 10, and when a is 2 or more, the structures in parentheses are the same or different, r1 is an integer of 1 to 4, and when r1 is 2 or more, Rl are the same or different.
  • A is hydrogen
  • R1 is hydrogen
  • Y1 is hydrogen
  • Y1 is a substituted or unsubstituted amine group having 1 to 50 carbon atoms.
  • Y1 is an amine group substituted or unsubstituted with an aryl group.
  • Y1 is an amine group substituted or unsubstituted with a phenyl group.
  • Y2 is hydrogen
  • Y2 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 carbon atoms.
  • Y2 is a substituted or unsubstituted phenyl group.
  • Y2 is a phenyl group.
  • the sulfonic acid group of formula (1) of the present invention can prevent the hole injection layer material from moving to the hole transport layer by using solvent resistance during the lamination of the hole injection layer and the hole transport layer in the solution process, the m1, m2, When n1 and n2 are in the above ranges, excellent effects on the performance and long life of the device are exhibited.
  • the compound represented by Formula 1 is any one selected from the following Formulas 1-1 to 1-5.
  • the compound represented by Formula 2 is represented by the following Formula 2-1 or 2-2.
  • the coating composition may further comprise a solvent.
  • the coating composition may be in a liquid phase.
  • the "liquid phase” means that the liquid phase is at normal temperature and pressure.
  • the solvent includes, for example, chlorinated solvents such as chloroform, methylene chloride, 1,2-dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, chlorobenzene and o-dichlorobenzene; Ether solvents such as tetrahydrofuran and dioxane; Aromatic hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, trimethylbenzene and mesitylene; Aliphatic hydrocarbon solvents such as cyclohexane, methylcyclohexane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane and n-decane; Ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone; Ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate and ethyl cellosolv
  • the solvents may be used alone or in combination of two or more solvents.
  • the boiling point of the solvent is preferably 40 ° C to 250 ° C, more preferably 60 ° C to 230 ° C, but is not limited thereto.
  • the viscosity of the single or mixed solvent is preferably 1 to 10 cP, more preferably 3 to 8 cP, but is not limited thereto.
  • the concentration of the coating composition is preferably 0.1 to 20 wt / v%, more preferably 0.5 to 5 wt / v%, but is not limited thereto.
  • the coating composition may further include one or more additives selected from the group consisting of a thermal polymerization initiator and a photopolymerization initiator.
  • thermal polymerization initiator examples include methyl ethyl ketone peroxide, methyl isobutyl ketone peroxide, acetylacetone peroxide, methyl cyclohexanone peroxide, cyclohexanone peroxide, isobutyryl peroxide, 2,4-dichlorobenzoyl peroxide P-chlorobenzoyl peroxide, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5- (t-butylperoxy) -2,5-dimethylhexanoyl peroxide, lauryl peroxide, benzoyl peroxide, Butylperoxy) -hexane, 1,3-bis (t-butylperoxy-isopropyl) benzene, t-butyl cumyl peroxide, di- (T-butylperoxy) hexane-3, tris- (t-butylperoxy) triazine, 1,1
  • photopolymerization initiator examples include diethoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one, 1 -hydroxy-cyclohexylphenyl-ketone, 4- (2-hydroxyethoxy (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) (4-methylthiophenyl) propan-1-one, 1-phenyl-1,2-propanedion-2- (o-ethoxycarbonyl) Oxime and the like, ketone-based photopolymerization initiators such as benzoin, benzoin methylurate, benzoin etchyrate, benzoin isobutyrate, benzoin isopropylacetal, etc., Based photopolymerization initiators such as benzophenone, 4-hydroxybenzophenone, 2-benzoylnaphthalene, 4-benzoylbiphenyl, 4-benzoylphenyl ether,
  • the photopolymerization initiator having the photopolymerization promoting effect may be used alone or in combination with the photopolymerization initiator.
  • Examples thereof include triethanolamine, methyldiethanolamine, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, isoamyl 4-dimethylaminobenzoate, benzoic acid (2-dimethylamino) ethyl and 4,4'-dimethylaminobenzophenone. Not limited.
  • the present disclosure also provides an organic light emitting device formed using the coating composition.
  • the first electrode A second electrode; And at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers is formed using the coating composition.
  • the first electrode is a cathode and the second electrode is an anode.
  • the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode.
  • the organic material layer formed using the coating composition is a hole transporting layer, a hole injecting layer, or a layer simultaneously transporting holes and injecting holes.
  • the organic light emitting element is a hole injection layer, a hole transport layer, An electron transport layer, an electron injection layer, an electron blocking layer, and a hole blocking layer.
  • the organic light emitting device may be a normal type organic light emitting device in which an anode, one or more organic compound layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.
  • the organic light emitting device may be an inverted type organic light emitting device in which a cathode, at least one organic layer, and an anode are sequentially stacked on a substrate.
  • the organic material layer of the organic light emitting device of the present invention may have a single layer structure, but may have a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked.
  • the organic light emitting device of the present invention may have a structure including a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer as an organic material layer.
  • the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic layers.
  • FIG. 1 For example, the structure of an organic light emitting device according to one embodiment of the present specification is illustrated in FIG. 1
  • FIG. 1 illustrates an organic light emitting device in which an anode 201, a hole injecting layer 301, a hole transporting layer 401, a light emitting layer 501, an electron transporting layer 601, and a cathode 701 are sequentially stacked on a substrate 101 The structure of the device is illustrated.
  • the hole injection layer 301, the hole transport layer 401, or the light emitting layer 501 of FIG. 1 may be formed using a coating composition comprising a compound represented by Chemical Formula (1).
  • the hole injection layer 301 of FIG. 1 may be formed using a coating composition comprising a compound represented by Formula 1.
  • the hole transport layer 401 of FIG. 1 may be formed using a coating composition containing a compound represented by Formula 1.
  • FIG. 1 illustrates an organic light emitting device and is not limited thereto.
  • the organic layers may be formed of the same material or different materials.
  • the organic light emitting device of the present invention can be manufactured by materials and methods known in the art, except that one or more of the organic layers are formed using the coating composition.
  • the organic light emitting device of the present specification can be manufactured by sequentially laminating an anode, an organic layer, and a cathode on a substrate.
  • a metal or a metal oxide having conductivity or an alloy thereof is deposited on the substrate by a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation to form an anode
  • PVD physical vapor deposition
  • an organic material layer including a hole injection layer, a hole transporting layer, a light emitting layer and an electron transporting layer thereon, and then depositing a material usable as a cathode thereon.
  • an organic light emitting device can be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer and an anode material on a substrate.
  • the present disclosure also provides a method of manufacturing an organic light emitting device formed using the coating composition.
  • a method comprising: preparing a substrate; Forming a cathode or an anode on the substrate; Forming at least one organic material layer on the cathode or the anode; And forming an anode or a cathode on the organic material layer, wherein at least one of the organic material layers is formed using the coating composition.
  • the organic layer formed using the coating composition is formed using spin coating.
  • the organic layer formed using the coating composition is formed by a printing method.
  • the printing method includes, for example, ink jet printing, nozzle printing, offset printing, transfer printing, or screen printing, but is not limited thereto.
  • the coating composition according to one embodiment of the present invention has a structural characteristic and is suitable for a solution process
  • the coating composition can be formed by a printing method, so that there is an economical effect in time and cost in manufacturing a device.
  • the step of forming an organic layer formed using the coating composition comprises: coating the coating composition on the cathode or the anode; And heat treating or light treating the coated coating composition.
  • the time for heat-treating the organic material layer formed using the coating composition is preferably within 1 hour, more preferably within 30 minutes.
  • the atmosphere for heat-treating the organic compound layer formed using the coating composition is preferably an inert gas such as argon or nitrogen.
  • the organic compound layer formed using the coating composition includes the heat treatment or the light treatment step, it is possible to provide an organic compound layer having a structure in which a plurality of compounds of Chemical Formula 1 contained in the coating composition form a cross- have. In this case, it can be prevented that it is dissolved, morphologically affected or decomposed by the solvent deposited on the surface of the organic layer formed using the coating composition.
  • the organic material layer formed using the coating composition is formed by including the heat treatment or the light treatment step, the resistance to the solvent is increased, so that the multilayer can be formed by repeating the solution deposition and crosslinking method, Life characteristics can be increased.
  • the coating composition containing the compound may be a coating composition prepared by mixing and dispersing a polymer binder.
  • the polymer binder is preferably one that does not extremely inhibit charge transport, and that does not strongly absorb visible light.
  • the polymeric binder include poly (N-vinylcarbazole), polyaniline and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, poly (p-phenylenevinylene) and derivatives thereof, poly (2,5-thienylenevinylene) A derivative thereof, a polycarbonate, a polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, polysiloxane and the like.
  • the compound according to one embodiment of the present invention may contain the compound alone in the organic material layer, or the coating composition containing the compound may be thinned through heat treatment or light treatment, and the coating composition mixed with other monomer may be used To be incorporated as a copolymer. Also, copolymers, or mixtures thereof, may be included using coating compositions mixed with other polymers.
  • anode material a material having a large work function is preferably used so that injection of holes into the organic material layer is smooth.
  • the anode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ZnO: Al or SnO 2: a combination of a metal and an oxide such as Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDOT), polypyrrole and polyaniline.
  • metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof.
  • Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO)
  • ZnO Al or SnO 2: a combination of a
  • the cathode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer.
  • Specific examples of the cathode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof; Layer structure materials such as LiF / Al or LiO 2 / Al, but are not limited thereto.
  • the hole injecting layer is a layer for injecting holes from the electrode.
  • the hole injecting layer has a hole injecting effect for hole injecting effect on the anode, a hole injecting effect for the light emitting layer or the light emitting material due to its ability to transport holes to the hole injecting material, A compound which prevents migration of the exciton to the electron injection layer or the electron injecting material and is excellent in the thin film forming ability is preferable. It is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injecting material be between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic layer.
  • HOMO highest occupied molecular orbital
  • the hole injecting material include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic materials, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic materials, quinacridone-based organic materials, and perylene- , Anthraquinone, polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but the present invention is not limited thereto.
  • the hole transport layer is a layer that transports holes from the hole injection layer to the light emitting layer and transports holes from the anode or the hole injection layer to the light emitting layer as the hole transport material.
  • the material is suitable. Specific examples include arylamine-based organic materials, conductive polymers, and block copolymers having a conjugated portion and a non-conjugated portion together, but are not limited thereto.
  • the light emitting material is preferably a material capable of emitting light in the visible light region by transporting and receiving holes and electrons from the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively, and having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence.
  • Specific examples include 8-hydroxyquinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compounds; Compounds of the benzoxazole, benzothiazole and benzimidazole series; Polymers of poly (p-phenylenevinylene) (PPV) series; Spiro compounds; Polyfluorene; Or rubrene, but are not limited thereto.
  • the light emitting layer may include a host material and a dopant material.
  • the host material of the light emitting layer is a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic compound.
  • the condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds.
  • the heterocycle-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.
  • Examples of the dopant material of the light emitting layer include aromatic amine derivatives, styrylamine compounds, boron complexes, fluoranthene compounds, and metal complexes.
  • Specific examples of the aromatic amine derivatives include condensed aromatic ring derivatives having substituted or unsubstituted arylamino groups, and examples thereof include pyrene, anthracene, chrysene, and peripherrhene having an arylamino group.
  • styrylamine compound examples include substituted or unsubstituted Wherein at least one aryl vinyl group is substituted with at least one aryl vinyl group, and at least one substituent selected from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group and an arylamino group is substituted or unsubstituted. Specific examples thereof include, but are not limited to, styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine, and the like.
  • the metal complex examples include iridium complex, platinum complex, and the like, but are not limited thereto.
  • the electron transporting layer is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports electrons to the light emitting layer.
  • the electron transporting material is a material capable of transferring electrons from the cathode well to the light emitting layer. Do. Specific examples include an Al complex of 8-hydroxyquinoline; Complexes containing Alq 3 ; Organic radical compounds; Or hydroxyflavone-metal complexes, but are not limited thereto.
  • the electron transporting layer can be used with any desired cathode material as used according to the prior art.
  • an example of a suitable cathode material is a conventional material having a low work function followed by an aluminum layer or a silver layer. Specifically cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, in each case followed by an aluminum layer or a silver layer.
  • the electron injecting layer is a layer for injecting electrons from the electrode.
  • the electron injecting layer has an ability to transport electrons, has an electron injecting effect from the cathode, an excellent electron injecting effect to the light emitting layer or the light emitting material, A compound which prevents migration to a layer and is excellent in a thin film forming ability is preferable.
  • Specific examples thereof include fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, A complex compound and a nitrogen-containing five-membered ring derivative, but are not limited thereto.
  • Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis (8-hydroxyquinolinato) zinc, bis (8-hydroxyquinolinato) copper, bis (8- Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (8- hydroxyquinolinato) gallium, bis (10- Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8- quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (2-naphtholato) gallium, and the like, But is not limited thereto.
  • the hole blocking layer is a layer which prevents the cathode from reaching the hole, and can be generally formed under the same conditions as the hole injecting layer. Specific examples thereof include, but are not limited to, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, and aluminum complexes.
  • the organic light emitting device according to the present invention may be of a top emission type, a back emission type, or a both-side emission type, depending on the material used.
  • the compound may be included in an organic solar cell or an organic transistor in addition to the organic light emitting device.
  • Degassing was carried out with 1,4-dibromobenzene (10 g, 42.4 mmol), 4- (phenylamino) phenol (16.5 g, 89.02 mmol) and sodium tert- butoxide (NaOtBu, 12.2 g, 127.2 mmol) 150 ml of toluene was added to dissolve it. After the temperature was raised to 100 ° C, bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (0.866 g, 1.69 mmol) was added and reacted for about 18 hours. After the temperature was lowered to room temperature, water was added thereto, and the organic layer was extracted with ethyl acetate. Dried over magnesium sulfate (MgSO 4 ), adsorbed on palladium, and then filtered through celite and silica, respectively. The reaction solution was concentrated and flash column to synthesize Formula 1-3-a.
  • MgSO 4 magnesium sulfate
  • the intermediate (0.50 g) was dissolved in 30 ml of water and 10 ml of methanol, and the resulting solution was poured into an ion exchange resin (650 CDOWEX ⁇ MONOSPHERE ⁇ 650C) of about 100 mL to synthesize Formulas 1-4.
  • an ion exchange resin 650 CDOWEX ⁇ MONOSPHERE ⁇ 650C
  • the formula 1-5-b (300 mg) was dissolved in 10 g of water, and the Na was exchanged with H through an ion exchange resin. The water thus obtained was removed under reduced pressure to obtain Formulas 1-5.
  • p-Phenylenediamine (2 g, 18.5 mmol) was dissolved in 308 ml of toluene, tetra-n-butoxy titanium was added thereto, and the mixture was heated and stirred at 70 ⁇ ⁇ .
  • p-hydroxydiphenylamine (8.15 g, 44.4 mmol) was added, and the mixture was reacted at 100 ⁇ ⁇ for 24 hours under a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the reaction solution was filtered, washed sequentially with toluene and ether, and dried to obtain silver crystals.
  • the coating composition 1 was prepared by dissolving the above Formulas 2-1 and 1-1 in a ratio of 1: 4 to dimethylacetamide (Dimethylacetamide) to prepare a 2 wt% solution.
  • a coating composition 3 of 2 wt% was prepared by dissolving the above Formulas 2-1 and 1-4 in dimethylacetamide at a ratio of 1: 4.
  • a coating composition 4 of 2 wt% was prepared by dissolving the above Formula 2-1 and Formula 1-5 in dimethylacetamide at a ratio of 1: 4.
  • 2-2 and 1-5 were dissolved in dimethylacetamide (dimethylacetamide) at a ratio of 1: 4 to prepare a coating composition 6 of 2 wt% solution.
  • a coating composition 7 of 2 wt% was prepared by dissolving the compound of Formula 2-1 and the following compound D1 in dimethylacetamide at a ratio of 1: 4.
  • the glass substrate on which ITO (indium tin oxide) was deposited to a thickness of 1500 ⁇ was immersed in distilled water containing detergent and washed with ultrasonic waves. After the ITO was washed for 30 minutes, ultrasonic washing was repeated 10 times with distilled water twice. After the distilled water was washed, ultrasonic washing was performed for 30 minutes each with a solvent of isopropyl alcohol and acetone, and the substrate was transported to a glove box.
  • ITO indium tin oxide
  • the thus prepared substrate was spin-coated with the coating composition 1 to a thickness of 300 ⁇ , and the coating composition was heat-treated at 230 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere to form a hole injection layer. Then, the following compound HT-1 was dissolved in toluene at 1 wt / v% on the hole injection layer and spin-coated to form a hole transport layer.
  • the compound EM-1 and the compound EM-2 were vacuum deposited at a thickness of 200 ⁇ at a ratio of 0.92: 0.08 on the hole transport layer to form a light emitting layer.
  • the compound ET-1 was vacuum deposited on the light emitting layer to a thickness of 350 ⁇ to form an electron injection and transport layer.
  • Aluminum was sequentially deposited on the electron injecting and transporting layer to a thickness of 12 ⁇ and a thickness of 2000 ⁇ to form a cathode.
  • sealing was performed by bonding the sealing glass and the glass substrate to the glass using a photo-curable epoxy resin to prepare an organic light emitting device having a multilayer structure. Subsequent operations were performed at room temperature (25 ⁇ ) in the atmosphere.
  • An organic light emitting device was fabricated in the same manner as in Example 1 except that the coating composition 2 was used instead of the coating composition 1 in Example 1.
  • An organic light emitting device was fabricated in the same manner as in Example 1, except that the coating composition 3 was used instead of the coating composition 1 in Example 1.
  • An organic light emitting device was fabricated in the same manner as in Example 1, except that the coating composition 4 was used instead of the coating composition 1 in Example 1.
  • An organic light emitting device was fabricated in the same manner as in Example 1, except that the coating composition 5 was used instead of the coating composition 1 in Example 1.
  • An organic light emitting device was fabricated in the same manner as in Example 1, except that the coating composition 6 was used instead of the coating composition 1 in Example 1.
  • An organic light emitting device was fabricated in the same manner as in Example 1, except that the coating composition 7 was used instead of the coating composition 1 in Example 1.
  • An organic light emitting device was fabricated in the same manner as in Example 1 except that the coating composition 8 was used instead of the coating composition 1 in Example 1.
  • An organic light emitting device was fabricated in the same manner as in Example 1, except that the coating composition 9 was used instead of the coating composition 1 in Example 1.
  • T90 means the time required to reduce the luminance to 90% of the initial luminance
  • T95 means the time required to reduce the luminance to 95% of the initial luminance
  • the organic light emitting device manufactured using the coating composition containing the compound represented by Chemical Formula 1 and the compound represented by Chemical Formula 2 as the hole injection layer had a longer life As shown in Fig.

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Abstract

본 명세서는 화합물을 포함하는 코팅 조성물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.

Description

화합물을 포함하는 코팅 조성물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
본 출원은 2017년 07월 07일 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2017-0086663호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 화합물을 포함하는 코팅 조성물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 현상은 특정 유기 분자의 내부 프로세스에 의하여 전류가 가시광으로 전환되는 예의 하나이다. 유기 발광 현상의 원리는 다음과 같다. 애노드와 캐소드 사이에 유기물층을 위치시켰을 때, 두 전극 사이에 전류를 걸어주게 되면 캐소드와 애노드로부터 각각 전자와 정공이 유기물층으로 주입된다. 유기물층으로 주입된 전자와 정공은 재결합하여 엑시톤(exciton)을 형성하고, 이 엑시톤이 다시 바닥 상태로 떨어지면서 빛이 나게 된다. 이러한 원리를 이용하는 유기전계 발광소자는 일반적으로 캐소드와 애노드 및 그 사이에 위치한 유기물층, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층을 포함하는 유기물층으로 구성될 수 있다.
유기 발광 소자에서 사용되는 물질로는 순수 유기 물질 또는 유기 물질과 금속이 착물을 이루는 착화합물이 대부분을 차지하고 있으며, 용도에 따라 정공주입물질, 정공수송물질, 발광물질, 전자수송물질, 전자주입물질 등으로 구분될 수 있다. 여기서, 정공주입물질이나 정공수송물질로는 p-타입의 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 산화가 되고 산화시 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 한편, 전자주입물질이나 전자수송물질로는 n-타입 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 환원이 되고 환원시 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 발광층 물질로는 p-타입 성질과 n-타입 성질을 동시에 가진 물질, 즉 산화와 환원 상태에서 모두 안정한 형태를 갖는 물질이 바람직하며, 엑시톤이 형성되었을 때 이를 빛으로 전환하는 발광 효율이 높은 물질이 바람직하다.
위에서 언급한 외에, 유기 발광 소자에서 사용되는 물질은 다음과 같은 성질을 추가적으로 갖는 것이 바람직하다.
첫째로, 유기 발광 소자에서 사용되는 물질은 열적 안정성이 우수한 것이 바람직하다. 유기 발광 소자내에서는 전하들의 이동에 의한 줄열(joule heating)이 발생하기 때문이다. 현재 정공수송층 물질로 주로 사용되는 NPB(n-proopyl bromide)는 유리 전이 온도가 100℃ 이하의 값을 가지므로, 높은 전류를 필요로 하는 유기 발광 소자에는 사용하기 힘든 문제가 있다.
둘째로, 저전압 구동 가능한 고효율의 유기 발광 소자를 얻기 위해서는 유기 발광 소자내로 주입된 정공 또는 전자들이 원활하게 발광층으로 전달되는 동시에, 주입된 정공과 전자들이 발광층 밖으로 빠져나가지 않도록 하여야 한다. 이를 위해서 유기 발광 소자에 사용되는 물질은 적절한 밴드갭(band gap)과 HOMO 또는 LUMO 에너지 준위를 가져야 한다. 현재 용액 도포법에 의해 제조되는 유기 발광 소자에서 정공수송물질로 사용되는 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenediocythiophene) doped with poly(styrenesulfonic acid)))의 경우, 발광층 물질로 사용되는 유기물의 LUMO 에너지 준위에 비하여 LUMO 에너지 준위가 낮기 때문에 고효율, 장수명의 유기 발광 소자 제조에 어려움이 있다.
이외에도 유기 발광 소자에 사용되는 물질은 화학적 안정성, 전하이동도, 전극이나 인접한 층과의 계면 특성 등이 우수하여야 한다. 즉, 유기 발광 소자에 사용되는 물질은 수분이나 산소에 의한 물질의 변형이 적어야 한다. 또한, 적절한 정공 또는 전자 이동도를 가짐으로써 유기 발광 소자의 발광층에서 정공과 전자의 밀도가 균형을 이루도록 하여 엑시톤 형성을 극대화할 수 있어야 한다. 그리고, 소자의 안정성을 위해 금속 또는 금속 산화물을 포함한 전극과의 계면을 좋게 할 수 있어야 한다.
따라서, 당 기술 분야에서는 상기와 같은 요건을 갖춘 유기물의 개발이 요구되고 있다.
본 명세서는 화합물을 포함하는 코팅 조성물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
본 명세서는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure PCTKR2018006286-appb-I000001
상기 화학식 1에 있어서,
Ar1은 치환 또는 비치환된 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 2가의 카보닐기; 치환 또는 비치환된 2가의 아민기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,
Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴렌기이며,
m1, m2, n1 및 n2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,
상기 n1 및 n2가 각각 2 이상일 때, 괄호내의 구조는 서로 같거나 상이하며,
p는 2 내지 10의 정수이고, 2 이상의 Ar1은 서로 같거나 상이하며,
[화학식 2]
Figure PCTKR2018006286-appb-I000002
상기 화학식 2에 있어서,
L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
A, R1, Y1 및 Y2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
a는 1 내지 10의 정수이고,
a가 2 이상일 때, 괄호내의 구조는 서로 같거나 상이하며,
r1은 1 내지 4의 정수이고,
r1이 2 이상일 때, 복수개의 R1은 서로 같거나 상이하다.
또한, 본 명세서는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 코팅 조성물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
또한, 본 명세서는 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기물층을 형성하는 단계는 상기 코팅 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계를 포함하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 코팅조성물은 타 용매에 대한 용해성을 가지지 않아, 상기 성막 위에 또 다른 용액 공정을 통하여 적층 성막 공정을 수행할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 코팅조성물은 유기 발광 소자의 유기물층 재료로 사용될 수 있으며, 장수명의 특성을 제공할 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 화합물 1-1의 NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 3은 화학식 1-2의 NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 4는 화학식 1-3의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 5는 화학식 1-4의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 6은 화학식 1-5의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 7은 화학식 2-1의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 8은 화학식 2-2의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
101: 기판
201: 애노드
301: 정공주입층
401: 정공수송층
501: 발광층
601: 전자수송층
701: 캐소드
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 제공한다.
본 명세서의 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공 주입층에서 도펀트의 역할을 수행할 수 있고, 본 명세서의 화학식 2로 표시되는 화합물은 정공 주입층에서 호스트의 역할을 수행할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 화학식 1로 표시되는 화합물은 본 명세서의 화학식 2로 표시되는 화합물의 도펀트 역할을 할 수 있다.
또한, 본 명세서의 화학식 1의 불소가 치환된 페닐기는 본 명세서의 화학식 2로 표시되는 화합물과 작용하여 성능을 향상시켜줄 수 있고, 본 명세서의 화학식 1의 술폰산기는 OLED의 용액 공정 중에 용해되어 이동되는 것을 방지할 수 있으므로, 성능 및 공정에 우수한 효과가 있다.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서,
Figure PCTKR2018006286-appb-I000003
는 연결되는 부위를 의미한다.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 같거나 상이할 수 있다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 알킬기; 시클로알킬기; 아민기; 아릴기; 및 N, O, S, Se 및 Si 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬, 또는 요오드가 있다.
본 명세서에 있어서, 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure PCTKR2018006286-appb-I000004
본 명세서에 있어서, 에스테르기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure PCTKR2018006286-appb-I000005
본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure PCTKR2018006286-appb-I000006
Figure PCTKR2018006286-appb-I000007
등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종원자로 N, O, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 것으로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도피리미디닐기, 피리도피라지닐기, 피라지노피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 방향족인 것을 제외하고는 상기 헤테로고리기의 예시 중에서 선택될 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아민기는 -NRaRb로 표시되고, Ra 및 Rb는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 시클로알킬기, 아릴기, 및 헤테로고리기 중 적어도 하나로 이루어진 치환기일 수 있다. 예컨대, -NH2, 모노알킬아민기, 디알킬아민기, N-알킬아릴아민기, 모노아릴아민기, 디아릴아민기, N-아릴헤테로아릴아민기, N-알킬헤테로아릴아민기, 모노헤테로아릴아민기 및 디헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 디톨릴아민기, N-페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기, N-페닐비페닐아민기, N-페닐나프틸아민기, N-비페닐나프틸아민기, N-나프틸플루오레닐아민기, N-페닐페난트레닐아민기, N-비페닐페난트레닐아민기, N-페닐플루오레닐아민기, N-페닐터페닐아민기, N-페난트레닐플루오레닐아민기, N-비페닐플루오레닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 2 이상을 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식 아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노헤테로아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리헤테로아릴아민기가 있다. 상기 헤테로아릴기가 2 이상을 포함하는 헤테로아릴아민기는 단환식 헤테로아릴기, 다환식 헤테로아릴기, 또는 단환식 헤테로아릴기와 다환식 헤테로아릴기를 동시에 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기는 전술한 헤테로아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 방향족고리기는 단환 또는 다환일 수 있으며, 1가가 아닌 것을 제외하고 상기 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 2 내지 4가의 방향족고리기는 단환 또는 다환일 수 있으며, 상기 아릴기에 결합위치가 2 내지 4개 있는 것, 즉, 2 내지 4가기를 의미한다. 이들은 각각 2 내지 4가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알킬렌기는 알킬기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 알킬기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 헤테로아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 2가의 카보닐기; 치환 또는 비치환된 2가의 아민기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 수소, 중수소, 할로겐기, 니트릴기, 알킬기, 시클로알킬기, 아민기, 아릴기, 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 알킬렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 트리플루오로알킬기로 치환 또는 비치환된 알킬렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 2가의 카보닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 수소, 중수소, 할로겐기, 니트릴기, 알킬기, 시클로알킬기, 아민기, 아릴기, 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 2가의 카보닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 2가의 카보닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 2가의 아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 수소, 중수소, 할로겐기, 니트릴기, 알킬기, 시클로알킬기, 아민기, 아릴기, 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 2가의 아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 아릴기로 치환 또는 비치환된 2가의 아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 페닐기로 치환 또는 비치환된 2가의 아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 수소, 중수소, 할로겐기, 니트릴기, 알킬기, 시클로알킬기, 아민기, 아릴기, 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 수소, 중수소, 할로겐기, 니트릴기, 알킬기, 시클로알킬기, 아민기, 아릴기, 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 수소, 중수소, 할로겐기, 니트릴기, 알킬기, 시클로알킬기, 아민기, 아릴기, 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 2가의 플루오레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 2가의 플루오레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 하기 A-1 내지 A-5 중에서 선택될 수 있다.
Figure PCTKR2018006286-appb-I000008
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R101 내지 R105는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, r101, r102, r104 및 r105는 각각 1 내지 4의 정수이며, r103은 1 내지 5의 정수이고, r101 내지 r105가 각각 2 이상일 때, 2 이상의 R101 내지 R105는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R101 내지 R105는 각각 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 나프틸렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 치환 또는 비치환된 나프틸렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 나프틸렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, m1, m2, n1 및 n2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 1 내지 10의 정수이며, 상기 n1 및 n2가 각각 2 이상일 때, 괄호내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, m1은 1 내지 5의 정수이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, m1은 2이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, m2는 1 내지 5의 정수이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, m2는 2이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n1은 1 내지 5의 정수이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n1은 2이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n2는 1 내지 5의 정수이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n2는 2이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, p는 2 내지 10의 정수이고, 2 이상의 Ar1은 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, p는 2 내지 5의 정수이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, p는 3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, p는 5이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, -[Ar1]p- 은 하기 A-11 내지 A-15 중에서 선택될 수 있다.
Figure PCTKR2018006286-appb-I000009
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A-11은 상기 A-2 및 2개의 A-1이 결합하여 형성될 수 있고, p는 3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A-12는 상기 A-3 및 2개의 A-1이 결합하여 형성될 수 있고, p는 3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A-13은 상기 A-5 및 2개의 A-1이 결합하여 형성될 수 있고, p는 3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A-14는 상기 A-1 및 2개의 A-4가 결합하여 형성될 수 있고, p는 3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A-15는 상기 A-5, 2개의 A-1 및 2개의 A-4가 결합하여 형성될 수 있고, p는 5이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R201 내지 R221은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, r201 내지 r211, r214, r215, r217 및 r218은 각각 1 내지 4의 정수이며, r212, r213 및 r219 내지 r221은 각각 1 내지 5의 정수이고, r216은 1 내지 3의 정수이고, r201 내지 r221이 각각 2 이상일 때, 2 이상의 R201내지 R221은 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R201 내지 R221은 각각 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1은 직접결합이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1은 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 비페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1은 페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1은 비페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L1은 나프틸렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L2는 직접결합이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L2는 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 비페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L2는 페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L2는 비페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L2는 나프틸렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, A, R1, Y1 및 Y2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, a는 1 내지 10의 정수이고, a가 2 이상일 때, 괄호내의 구조는 서로 같거나 상이하며, r1은 1 내지 4의 정수이고, r1이 2 이상일 때, 복수개의 R1은 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, A는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Y1은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Y1은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Y1은 아릴기로 치환 또는 비치환된 아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Y1은 페닐기로 치환 또는 비치환된 아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Y2는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Y2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Y2는 치환 또는 비치환된 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Y2는 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, (m1 + m2) / (n1 + n2) ≤ 1이다.
본 명세서의 화학식 1의 술폰산기는 용액 공정에서 정공 주입층과 정공 수송층의 적층시에 용매 내성을 이용하여 정공 주입층 물질이 정공 수송층으로 이동하는 것을 막아줄 수 있으므로, 전기적 특성을 나타내는 m1, m2, n1 및 n2가 상기 범위일 때, 소자의 성능 및 장수명에 우수한 효과를 나타낸다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-5 중에서 선택되는 어느 하나이다.
[화학식 1-1]
Figure PCTKR2018006286-appb-I000010
[화학식 1-2]
Figure PCTKR2018006286-appb-I000011
[화학식 1-3]
Figure PCTKR2018006286-appb-I000012
[화학식 1-4]
Figure PCTKR2018006286-appb-I000013
[화학식 1-5]
Figure PCTKR2018006286-appb-I000014
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2-1 또는 2-2이다.
[화학식 2-1]
Figure PCTKR2018006286-appb-I000015
[화학식 2-2]
Figure PCTKR2018006286-appb-I000016
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅조성물은 용매를 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 액상일 수 있다. 상기 "액상"은 상온 및 상압에서 액체 상태인 것을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 용매는 예컨대, 클로로포름, 염화메틸렌, 1,2-디클로로에탄, 1,1,2-트리클로로에탄, 클로로벤젠, o-디클로로벤젠 등의 염소계 용매; 테트라히드로푸란, 디옥산 등의 에테르계 용매; 톨루엔, 크실렌, 트리메틸벤젠, 메시틸렌 등의 방향족 탄화수소계 용매; 시클로헥산, 메틸시클로헥산, n-펜탄, n-헥산, n-헵탄, n-옥탄, n-노난, n-데칸 등의 지방족 탄화수소계 용매; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에스테르계 용매; 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디메톡시에탄, 프로필렌글리콜, 디에톡시메탄, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 글리세린, 1,2-헥산디올 등의 다가 알코올 및 그의 유도체; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 시클로헥산올 등의 알코올계 용매; 디메틸술폭시드 등의 술폭시드계 용매;및 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드 등의 아미드계 용매; 메틸 벤조에이트, 부틸 벤조에이트, 3-페녹시 벤조에이트 등의 벤조에이트계 용매; 테트랄린 등의 용매가 예시되나, 본원 발명의 일 실시상태에 따른 화합물을 용해 또는 분산시킬 수 있는 용매면 족하고, 이들을 한정하지 않는다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 용매는 1 종 단독으로 사용하거나, 또는 2 종 이상의 용매를 혼합하여 사용할 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 용매의 비점은 바람직하게 40℃ 내지 250℃, 더욱 바람직하게는 60℃ 내지 230℃이나, 이에 한정되지 않는다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 단독 혹은 혼합 용매의 점도는 바람직하게 1 내지 10 cP, 더욱 바람직하게는 3 내지 8 cP이나, 이에 한정되지 않는다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물의 농도는 바람직하게 0.1 내지 20 wt/v%, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 5 wt/v%, 이나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 열중합 개시제 및 광중합 개시제로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2 종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 열중합 개시제로서는, 메틸에틸케톤퍼옥사이드, 메틸이소부틸 케톤퍼옥사이드, 아세틸아세톤퍼옥사이드, 메틸사이클로헥사논 퍼옥사이드, 시클로헥사논 퍼옥사이드, 이소부티릴 퍼옥사이드, 2,4-디클로로벤조일 퍼옥사이드, 비스-3,5,5-트리메틸 헥사노일 퍼옥사이드, 라우릴 퍼옥사이드, 벤조일 퍼옥사이드, p-크롤 벤조일 퍼옥사이드, 디큐밀퍼옥시드, 2,5-디메틸-2,5-(t-부틸 옥시)-헥산, 1,3-비스(t-부틸 퍼옥시-이소프로필) 벤젠, t-부틸 쿠밀(cumyl) 퍼옥사이드, 디-t부틸 퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-( 디t-부틸 퍼옥시) 헥산-3, 트리스-(t-부틸 퍼옥시) 트리아진, 1,1-디t-부틸 퍼옥시-3,3,5-트리메틸 사이클로헥산, 1,1-디t-부틸 퍼옥시 사이클로헥산, 2,2-디( t-부틸 퍼옥시) 부탄, 4,4-디-t-브치르파오키시바레릭크앗시드 n-부틸 에스테르, 2,2-비스(4,4-t-부틸 퍼옥시 사이클로헥실)프로판, t-부틸퍼옥시이소부틸레이트, 디t-부틸 퍼옥시 헥사하이드로 테레프탈레이트, t-부틸 퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사에이트, t-부틸퍼옥시벤조에이트, 디t-부틸 퍼옥시 트리메틸 아디페이트 등의 과산화물, 혹은 아조비스 이소부틸니트릴, 아조비스디메틸발레로니트릴, 아조비스 시클로헥실 니트릴 등의 아조계가 있으나, 이를 한정하지 않는다.
상기 광중합 개시제로서는, 디에톡시 아세토페논, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐 에탄-1-온,1-하이드록시-사이클로헥실-페닐-케톤,4-(2-히드록시 에톡시) 페닐-(2-하이드록시-2-프로필) 케톤,2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐) 부타논- 1,2-하이드록시-2-메틸-1-페닐 프로판-1-온,2-메틸-2-모르폴리노(4-메틸 티오 페닐) 프로판-1-온,1-페닐-1,2-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐) 옥심, 등의 아세토페논계 또는 케탈계 광중합 개시제, 벤조인, 벤조인메치르에이텔, 벤조인에치르에이텔, 벤조인이소브치르에이텔, 벤조인이소프로피르에이텔, 등의 벤조인에테르계 광중합 개시제, 벤조페논,4-하이드록시벤조페논, 2-벤조일 나프탈렌,4-벤조일 비페닐,4-벤조일 페닐 에테르, 아크릴화 벤조페논, 1,4-벤조일 벤젠, 등의 벤조페논계 광중합 개시제,2-이소프로필티옥산톤,2-클로로티옥산톤, 2,4-디메틸 티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤, 2,4-디클로로티옥산톤, 등의 티옥산톤계 광중합 개시제, 기타 광중합 개시제로서는, 에틸 안트라퀴논, 2,4,6-트리메틸벤조일 디페닐 포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일 페닐 에톡시 포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일) 페닐 포스핀옥사이드, 비스(2,4-디메톡시 벤조일)-2,4,4-트리메틸 펜틸포스핀 옥사이드, 메치르페니르그리오키시에스텔, 9,10-페난트렌, 아크리딘계 화합물, 트리아진계 화합물, 이미다졸계 화합물 등을 들 수 있다. 또, 광중합 촉진 효과를 가지는 것을 단독 또는 상기 광 중합 개시제와 병용해 이용할 수도 있다. 예를 들면, 트리에탄올아민, 메틸 디에탄올 아민,4-디메틸아미노 안식향산 에틸,4-디메틸아미노 안식향산 이소아밀, 안식향산(2-디메틸아미노) 에틸, 4,4'-디메틸아미노벤조페논 등이 있으나, 이를 한정하지 않는다.
본 명세서는 또한 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 캐소드이고, 상기 제2 전극은 애노드이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층은 정공수송층, 정공주입층 또는 정공수송과 정공주입을 동시에 하는 층이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 정공주입층, 정공수송층. 전자수송층, 전자주입층, 전자저지층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함한다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 1층 이상의 유기물층 및 캐소드가 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 캐소드, 1층 이상의 유기물층 및 애노드가 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1에 예시되어 있다.
상기 도 1에는 기판(101) 상에 애노드(201), 정공주입층(301), 정공수송층(401), 발광층(501), 전자수송층(601) 및 캐소드(701)가 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 도 1의 정공주입층(301), 정공수송층(401) 또는 발광층(501)은 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 이용하여 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 도 1의 정공주입층(301)은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 이용하여 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 도 1의 정공수송층(401)은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 도 1은 유기 발광 소자를 예시한 것이며 이에 한정되지 않는다.
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 코팅 조성물을이용하여 형성되는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 유기물층 및 캐소드를 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 애노드를 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 캐소드로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 캐소드 물질부터 유기물층 및 애노드 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다.
본 명세서는 또한, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
구체적으로 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 캐소드 또는 애노드를 형성하는 단계; 상기 캐소드 또는 애노드 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 애노드 또는 캐소드를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층은 스핀 코팅을 이용하여 형성된다.
또 다른 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층은 인쇄법에 의하여 형성된다.
본 명세서의 상태에 있어서, 상기 인쇄법은 예컨대, 잉크젯 프린팅, 노즐 프린팅, 오프셋 프린팅, 전사 프린팅 또는 스크린 프린팅 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 코팅 조성물은 구조적인 특성으로 용액공정이 적합하여 인쇄법에 의하여 형성될 수 있으므로 소자의 제조 시에 시간 및 비용적으로 경제적인 효과가 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층을 형성하는 단계는 상기 캐소드 또는 애노드 상에 상기 코팅 조성물을 코팅하는 단계; 및 상기 코팅된 코팅 조성물을 열처리 또는 광처리 하는 단계를 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층을 열처리하는 시간은 바람직하게 1시간 이내, 더욱 바람직하게 30분 이내이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층을 열처리하는 분위기는 바람직하게 아르곤, 질소 등의 불활성 기체이다.
상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층을 형성하는 단계에서 상기 열처리 또는 광처리 단계를 포함하는 경우에는 코팅 조성물에 포함된 복수 개의 화학식 1의 화합물이 가교를 형성하여 박막화된 구조가 포함된 유기물층을 제공할 수 있다. 이 경우, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층의 표면 위에 증착된 용매에 의하여 용해되거나, 형태학적으로 영향을 받거나 분해되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층이 열처리 또는 광처리 단계를 포함하여 형성된 경우에는 용매에 대한 저항성이 증가하여 용액 증착 및 가교 방법을 반복 수행하여 다층을 형성할 수 있으며, 안정성이 증가하여 소자의 수명 특성을 증가시킬 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물을 포함하는 코팅 조성물은 고분자 결합제에 혼합하여 분산시킨 코팅 조성물을 이용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 고분자 결합제로서는, 전하 수송을 극도로 저해하지 않는 것이 바람직하고, 또한 가시광에 대한 흡수가 강하지 않은 것이 바람직하게 이용된다. 고분자 결합제로서는, 폴리(N-비닐카르바졸), 폴리아닐린 및 그의 유도체, 폴리티오펜 및 그의 유도체, 폴리(p-페닐렌비닐렌) 및 그의 유도체, 폴리(2,5-티에닐렌비닐렌) 및 그의 유도체, 폴리카보네이트, 폴리아크릴레이트, 폴리메틸아크릴레이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리실록산 등이 예시된다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기물층에 화합물 단독으로 포함할 수도 있고, 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 열처리 또는 광처리를 통하여 박막화를 진행시킬 수도 있으며, 다른 모노머와 혼합한 코팅 조성물을 사용하여 공중합체로서 포함시킬 수 있다. 또한, 다른 고분자와 혼합한 코팅 조성물을 사용하여 공중합체, 또는 혼합물을 포함할 수 있다.
상기 애노드 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 애노드 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 캐소드 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 캐소드 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 애노드에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 엑시톤의 전자 주입층 또는 전자 주입 재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 애노드 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.
상기 정공 수송층은 정공 주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 애노드나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌; 또는 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다.
상기 발광층의 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 발광층의 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 전자 수송층은 전자 주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 캐소드로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 또는 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.
상기 전자 주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 캐소드로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 엑시톤의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 정공 저지층은 정공의 캐소드 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공 주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
<제조예>
<제조예 1-1> - 화학식 1-1의 제조
Figure PCTKR2018006286-appb-I000017
(1) 화학식 1-1-a의 제조
4,4'-(퍼플루오로프로판-2,2-디일)디페놀 1g에 질소 분위기에서 데카플루오로디페닐 9.94g, 포타슘카보네이트 0.82g 및 디메틸포름아미드(DMF) 30ml를 넣고 반응용기 내부를 질소로 치환한 후, 내온을 100℃로 하여 6시간 회전 혼합했다. 실온까지 온도를 낮추고 석출되는 화합물을 재용해 하기 위해 N,N-다이메틸포름아미드를 150ml 넣은 후, 실온에서 90분간 회전 혼합했다. 혼합 종료 후, 상기 용액을 여과해 탄산칼륨 찌꺼기를 제거하고 감압 농축했다. 이후, 잔존하고있는 불순물을 제거하기 위해, 컬럼크로마토그래피 정제를 진행했고, 이때 잔존하는 데카플루오로비페닐을 회수하여, 화학식 1-1-a를 제조하였다.
(2) 화학식 1-1-b의 제조
디소듐1-나프톨-3,6,-디설포네이트하이드레이트 1.91g에 질소분위기 에서 화학식 1-1-a 2.4g, 포타슘카보네이트 0.72g 및 DMF 25ml를 넣고 반응용기 내부를 질소로 치환한 후, 내온을 100℃로 하여 6시간 동안 회전 혼합한다. 실온까지 온도를 낮추고 석출되는 화합물을 재용해 하기 위해 DMF를 125ml 더해 실온에서 90분간 회전 혼합했다. 혼합 후 용액을 여과해 탄산염 찌꺼기를 제거하고 용액을 감압 농축했다. 잔존하는 불순물을 제거하기 위해 메탄올 90ml를 더해 실온에서 30분 이상 회전혼합 한 후 혼탁액을 여과해 여과액을 취했다. 이 때 메탄올 90 ml를 첨가하여 잔존하는 불순물을 침전 형태로 분리하고, 이를 여과하여 불순물을 걸러냈다. 메탄올 용해시 불순물로 인해 탁해지지 않을 때까지 2회 이상 반복하여 정제했다. 이후, 진공오븐에서 건조하여 화학식 1-1-b를 제조하였다.
(3) 화학식 1-1의 제조
화학식 1-1-b 1g에 초순수 30ml를 더해 용해한 후 양이온 교환수지 DOWEX Monosphereⓡ 650C를 이용한 컬럼 크로마토그래피를 통해 이온교환을 했다. 이후, pH 1 이하의 것을 감압조건에서 농축 건조했다. 농축 후 용매를 제거하고 메틸렌클로라이드를 넣어 24시간 교반하여 용매상에서 분말화했고, 여과하여 여과지 위의 분말을 다시 진공오븐에서 건조하여 화합물 1-1을 얻었다.
도 2는 화합물 1-1의 NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
<제조예 1-2> - 화학식 1-2의 제조
Figure PCTKR2018006286-appb-I000018
(1) 화학식 1-2-a의 제조
4,4'-디하이드로벤조페논 1.2g에 질소 분위기에서 데카플루오로비페닐 15.0g, 포타슘카보네이트 1.55g및 DMF 56ml를 순차적으로 더해 반응계를 질소치환한 후 용액 온도 100℃로 6시간 회전 혼합했다. 실온까지 방치해 온도를 낮추고 석출되는 화합물을 재용해 하기 위해 N,N-다이메틸포름아미드를 150ml 더해 실온에서 90분간 회전 혼합했다. 혼합 종료 후, 이 용액을 여과해 탄산칼륨 찌꺼기를 제거하고 감압 농축했다. 농축한 화합물에 에탄올 100ml를 첨가하고 50℃ 이상으로 가열하여 잔류한 데카플루오로비페닐을 모두 용해하고 hot-filter를 통과했다. 여과액은 잔존하는 데카플루오로비페닐로 용매를 제거하고 정제 회수했으며 여과지 위의 고체는 컬럼크로마토그래피를 통해 최종 정제하여, 화학식 1-2-a를 제조하였다.
(2) 화학식 1-2-b의 제조
디소듐1-나프톨-3,6,-디설포네이트하이드레이트 1.91g에 질소분위기 에서 화학식 1-2-a 2.4g, 포타슘카보네이트 0.72g 및 DMF 25ml를 넣고 반응용기 내부를 질소로 치환한 후, 내온을 100℃로 하여 6시간 동안 회전 혼합했다. 실온까지 온도를 낮추고 석출되는 화합물을 재용해 하기 위해 DMF를 125ml 더해 실온에서 90분간 회전 혼합했다. 혼합 후 용액을 여과해 탄산염 찌꺼기를 제거하고 용액을 감압 농축했다. 잔존하는 불순물을 제거하기 위해 메탄올 90ml를 더해 실온에서 30분 이상 회전혼합 한 후 혼탁액을 여과해 여과액을 취했다. 이 때 메탄올 90 ml를 첨가하여 잔존하는 불순물을 침전 형태로 분리하고, 이를 여과하여 불순물을 걸러냈다. 메탄올 용해시 불순물로 인해 탁해지지 않을 때까지 2회 이상 반복하여 정제했다. 이후, 진공오븐에서 건조하여 화학식 1-2-b를 제조하였다.
(3) 화학식 1-2의 제조
화학식 1-2-b 1g에 초순수 30ml를 더해 용해한 후 양이온 교환수지 DOWEX Monosphereⓡ 650C를 이용한 컬럼 크로마토그래피를 통해 이온교환을 했다. 이후, pH 1 이하의 것을 감압조건에서 농축 건조했다. 농축 후 용매를 제거하고 메틸렌클로라이드를 넣어 24시간 교반하여 용매상에서 분말화했고, 여과하여 여과지 위의 분말을 다시 진공오븐에서 건조하여 화학식 1-2를 제조하였다.
도 3은 화학식 1-2의 NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
<제조예 1-3> - 화학식 1-3의 제조
Figure PCTKR2018006286-appb-I000019
(1) 화학식 1-3-a의 제조
1,4-디브로모벤젠 (10g, 42.4mmol), 4-(페닐아미노)페놀 (16.5g, 89.02mmol) 및 소듐-tert-부톡사이드(NaOtBu, 12.2g, 127.2mmol)에 탈기(degassing)한 톨루엔(toluene) 150ml을 넣어 녹여주었다. 온도를 100℃까지 올린 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0.866g, 1.69mmol)을 넣어주고 약 18시간 반응하였다. 온도를 상온으로 낮춘 후 물을 넣어주고 에틸아세테이트(ethyl acetate)를 이용하여 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘(MgSO4)으로 건조하고 팔라듐(palladium)을 흡착시킨 다음 셀라이트(celite) 및 실리카(silica)에 각각 여과시켰다. 반응 용액을 농축하고 플래시 컬럼하여 화학식 1-3-a을 합성하였다.
(2) 화학식 1-3-b의 제조
화학식 1-3-a (3g, 6.75mmol) 및 포타슘카보네이트(2.33g, 16.8mmol)에 DMF(dimethyl formamide) 150ml을 넣어 녹여주었다. 60℃에서 약 30분간 교반한 후 퍼플루오로-1,1'-비페닐(22.5g, 67.5mmol)을 넣어주고 온도를 90℃로 올려 약 4시간동안 교반한 후 반응 온도를 식혀주었다. 물을 넣어주고 에틸아세테이트(ethyl acetate)를 이용하여 유기층을 추출하고 MgSO4로 드라이해주고 반응물을 농축시킨 후 플래시 컬럼하여 화학식 1-3-b를 합성하였다.
(3) 화학식 1-3-c의 제조
화학식 1-3-b (2.4g, 2.23mmol) 및 포타슘카보네이트(0.62g, 4.46mmol)에 DMF 25ml을 넣어 녹여주었다. 60℃에서 약 30분간 교반해준 후 소듐-4-히드록시나프탈렌-2,7-디설포네이트(1.7g, 4.9mmol)를 넣어주고 온도를 90℃로 올려 약 18시간동안 교반한 후 반응 온도를 식혀주었다. DMF를 75mL 더 넣어주고 여과하여 염을 제거하고 메탄올에 녹지 않는 부분이 없어질 때까지 여과를 반복하여 화학식 1-3-c을 합성하였다.
(4) 화학식 1-3의 제조
화학식 1-3-c (1g)에 물 30ml 및 메탄올 10ml을 넣어 녹인 후 이온교환수지(650CDOWEX쪠 MONOSPHERE쪠 650C)에 흘려주어 화학식 1-3을 합성하였다.
도 4는 화학식 1-3의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
<제조예 1-4> - 화학식 1-4의 제조
Figure PCTKR2018006286-appb-I000020
(1) 화학식 1-4-a의 제조
4,4'-(2-브로모-9H-플루오렌-9,9-디일)디페놀(3.00 g, 6.99 mmol), 트리페닐아민(2.59 g, 7.68 mmol) 및 NaOtBu (3.36 g, 34.9 mmol)에 질소 분위기하에서 탈기(degassing)한 톨루엔(toluene) 및 테트라하이드로퓨란(THF)을 각각 200 mL, 50 mL 넣어 녹여주었다. 온도를 60℃까지 올려 30분 정도 혼합한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 (Pd(PtBu3)2,0.18 g, 0.35 mmol)을 THF에 녹인 것을 넣어주고, 약 18시간 반응하였다. 온도를 상온으로 낮춰주고, 용매를 제거한 후 CH2Cl2/H2O로 유기층을 여러 번 추출하였다. MgSO4로 건조하고 팔라듐(palladium)을 흡착시킨 다음 셀라이트(celite), 실리카(silica)에 각각 여과해주었다. 반응 용액을 농축하고 플래시 컬럼하여 화합물 1-4-a을 합성하였다.
(2) 화학식 1-4-b의 제조
화학식 1-4-a (1.00 g, 1.46 mmol), 퍼플루오로-1,1'-비페닐(4.88 g, 14.6 mmol) 및 포타슘카보네이트(0.30 g, 2.19 mmol)에 DMF 50ml을 넣어 녹여주었다. 이 후 100℃에서 약 3 시간 교반했다. 반응 온도를 식힌 후 과량의 물을 넣어주고 ethyl acetate를 이용하여 유기층을 추출하고 MgSO4로 건조하고 반응물을 농축시킨 후 플래시 컬럼하여 화학식 1-4-b를 합성하였다.
(3) 화학식 1-4의 제조
화학식 1-4-b (0.41 g, 0.31 mmol), 소듐-4-히드록시나프탈렌-2,7-디술포네이트 (0.33 g, 0.94 mmol) 및 포타슘카보네이트(0.04 g, 0.31 mmol)에 DMF 10 mL을 넣어 녹여주었다. 이 후 100℃에서 약 5 시간 교반하여 반응을 진행했다. 반응 온도를 식힌 후 DMF를 75mL 더 넣어주고 여과하여 염을 제거하고 메탄올에 녹지 앟는 부분이 없어질 때까지 여과를 반복하여 금속염 중간체를 합성하였다. 이 중간체 (0.50 g)에 물 30ml 및 메탄올 10ml을 넣어 녹인 후 약 100 mL의 부피의 이온교환수지(650CDOWEX쪠 MONOSPHERE쪠 650C)에 흘려주어 화학식 1-4를 합성하였다.
도 5는 화학식 1-4의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
<제조예 1-5> - 화학식 1-5의 제조
Figure PCTKR2018006286-appb-I000021
(1) 화학식 1-5-a의 제조
데카플루오로페닐(9.53g), 4,4'-(9H-플루오렌-9,9-디일)디페놀(1g) 및 포타슘카보네이트(788mg)을 DMF(28ml)에 녹인 후 100℃에서 14 시간 반응한 뒤 에틸아세테이트와 물을 이용하여 세척 및 추출하고 MgSO4로 건조시킨 뒤 감압한 후 컬럼크로마토그래피하여 화학식 1-5-a을 합성했다
(2) 화학식 1-5-b의 제조
화학식 1-5-a (1.5g) 및 1-나프톨-3,6-디설폰산 디나트륨염(1-naphthol-3,6-disulfonic acid disodium salt)(1.235g), 소듐카보네이트(341mg)를 DMF(15ml)에 녹여 100℃에서 24시간 반응 후 이를 DMF 300ml에 녹여 여과하여 고체를 제거한 후 감압하여 DMF를 제거했다. 이를 메탄올에 녹인 후 여과하는 과정을 5회 반복했다. 얻어진 고체를 메틸렌클로라이드로 추가 불순물을 제거한 뒤 건조하여 화학식 1-5-b를 합성했다.
(3) 화학식 1-5의 제조
화학식 1-5-b (300mg)를 물 10g 에 녹인 뒤 이온교환수지를 통과시켜 Na을 H로 교환했다. 이 때 얻어진 물을 감압하여 제거하여 화학식 1-5를 얻었다.
도 6은 화학식 1-5의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
<제조예 1-6> - 화학식 2-1의 제조
Figure PCTKR2018006286-appb-I000022
p-페닐렌디아민(p-Phenylenediamine) (2g, 18.5mmol)을 톨루엔 308ml 에 용해시키고 여기에 테트라-n-부톡시 티타늄(tetra-n-butoxy titanium)을 넣은 후 70℃로 가열교반했다. p-히드록시디페닐렌아민(p-hydroxydiphenylamine) (8.15g, 44.4mmol)을 첨가해 질소분위기 하에서 100℃로 24시간동안 반응시켰다. 반응종료 후 반응액을 여과하여 톨루엔 및 에테르로 순차적으로 세정한 후 건조하여 은색 결정을 얻었다. 얻어진 결정에 대하여, 중량비 25배의 무수 디옥신(dioxane anhydrous), 중량비 0.2배 몰의 하이드라진 모노하이드레이트(hydrazine monohydrate)를 더해 반응계 질소치환하여 가열환류한 뒤 결정을 용해했다. 얻어진 용액에 톨루엔을 넣어 용액을 현탁하고 가열 환류한 다음 여과하여 고체를 얻었다. 노액에서 석출한 고체를 질소분위기 하에서 톨루엔:디옥산 = 1:1 로 재결정하고 에테르로 순차적으로 세정하며 밝은 회색 고체를 얻었다. 상기 재결정 과정을 반복하여 보다 정제된 화학식 2-1를 얻었다.
도 7은 화학식 2-1의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
<제조예 1-7> - 화학식 2-2의 제조
Figure PCTKR2018006286-appb-I000023
(1) 화학식 2-2-a의 제조
4-(디페닐아미노)페닐4-보론 산((diphenylamino)phenylboronic acid) (2.46g, 8.89mmol)을 염화 메틸렌(methylene chloride) 25ml에 녹이고 디이소프로필아민(diisopropylamine) (3.2ml, 22.23mmol)을 첨가하여 0℃에 맞춰 교반 시켰다. 30분 뒤 N-페닐-비스(트리플루오로메탄설폰이미드) (N-phenyl-bis(trifluoromethanesulfonimide)) (5.2g, 17.78mmol)를 천천히 첨가했다. 이 후 상온으로 온도를 서서히 올려 계속하여 교반 시켰다. 1시간 뒤 반응 종결 후 물을 첨가하고 methylene chloride를 뒤이어 첨가했다. H2O 와 brine으로 세정한 뒤 유기용매를 분리하여 MgSO4로 건조시킨다. 이 후 여과액을 celite 및 silica에 여과했다. 컬럼 크로마토그래피를 통해 화학식 2-2-a를 얻었다.
(2) 화학식 2-2의 제조
아민(Amine) (2.55g, 5.43mmol) 과 [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]디클로로 팔라듐(II) ([1,1′-Bis(diphenylphosphino)ferrocene]dichloropalladium(II)) (119mg, 0.163mmol), 소듐 tert-부톡사이드(sodium tert-butoxide) (1.8g, 19mmol)에 염화 메틸렌(methylene chloride) 18ml를 넣고 용해시켰다. 질소 분위기 하에서 90℃로 가열 교반했다. 30분 뒤 트리플레이트 시약(triflate reagent) (1g, 5.43mmol)를 염화 메틸렌(methylene chloride) 에 녹여 천천히 첨가했다. 1시간 반 교반시킨 뒤 반응이 종결되면 에틸아세테이트 및 물로 workup을 진행했다. 소금물(Brine)으로 혼합물을 씻어준 뒤 유기층을 분리하여 MgSO4로 건조시켰다. 활성탄 처리까지 한 뒤 여과(Filtration)를 진행했다. 이후 여과액의 용매를 감압증발장치를 이용하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피를 통해 정제를 진행했다. EA/HEX 5%의 용리액(eluent)를 사용하여 물질을 불순물로부터 분리하고, MC/HEX 50%의 용리액(eluent)를 사용하여 재컬럼 한 뒤 물질의 색을 제거하였다. 분홍빛의 고체 물질인 화학식 2-2를 약 5%의 수득률로 얻었다(80mg).
도 8은 화학식 2-2의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
<제조예 2> - 코팅 조성물의 제조
<제조예 2-1>
디메틸아세트아미드(Dimethylacetamide)에 상기 화학식 2-1 및 화학식 1-1을 1:4의 비율로 녹여 2wt% 용액의 코팅 조성물 1을 제조하였다.
<제조예 2-2>
디메틸아세트아미드(Dimethylacetamide)에 상기 화학식 2-1 및 화학식 1-2를 1:4의 비율로 녹여 2wt% 용액의 코팅 조성물 2를 제조하였다.
<제조예 2-3>
디메틸아세트아미드(Dimethylacetamide)에 상기 화학식 2-1 및 화학식 1-4를 1:4의 비율로 녹여 2wt% 용액의 코팅 조성물 3을 제조하였다.
<제조예 2-4>
디메틸아세트아미드(Dimethylacetamide)에 상기 화학식 2-1 및 화학식 1-5를 1:4의 비율로 녹여 2wt% 용액의 코팅 조성물 4를 제조하였다.
<제조예 2-5>
디메틸아세트아미드(Dimethylacetamide)에 상기 화학식 2-2 및 화학식 1-2를 1:4의 비율로 녹여 2wt% 용액의 코팅 조성물 5를 제조하였다.
<제조예 2-6>
디메틸아세트아미드(Dimethylacetamide)에 상기 화학식 2-2 및 화학식 1-5를 1:4의 비율로 녹여 2wt% 용액의 코팅 조성물 6을 제조하였다.
<비교예 2-1>
디메틸아세트아미드(Dimethylacetamide)에 상기 화학식 2-1 및 하기 화합물 D1을 1:4의 비율로 녹여 2wt% 용액의 코팅 조성물 7을 제조하였다.
[D1]
Figure PCTKR2018006286-appb-I000024
<비교예 2-2>
디메틸아세트아미드(Dimethylacetamide)에 상기 화학식 2-2 및 상기 화합물 D1을 1:4의 비율로 녹여 2wt% 용액의 코팅 조성물 8을 제조하였다.
<비교예 2-3>
디메틸아세트아미드(Dimethylacetamide)에 상기 화학식 2-2 및 하기 화합물 D2를 1:4의 비율로 녹여 2wt% 용액의 코팅 조성물 9를 제조하였다.
[D2]
Figure PCTKR2018006286-appb-I000025
<실시예> - 유기 발광 소자의 제조
<실시예 1>
ITO (indium tin oxide)가 1500Å의 두께로 박막 증착된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 아이소프로필알콜 및 아세톤의 용제로 초음파 세척을 각각 30분씩 하고 건조시킨 후, 상기 기판을 글러브박스로 수송시켰다.
이렇게 준비된 기판에 코팅 조성물 1을 스핀 코팅하여 300Å 두께로 코팅하고 질소 분위기 하에 230℃에서 30분 동안 코팅 조성물을 열처리하여 정공 주입층을 형성하였다. 이후, 상기 정공 주입층 위에 하기 화합물 HT-1을 1wt/v%로 톨루엔(toluene)에 녹여 스핀 코팅하여 정공 수송층을 형성하였다.
Figure PCTKR2018006286-appb-I000026
이어서 진공 증착기로 이송한 후, 상기 정공 수송층 위에 상기 화합물 EM-1와 화합물 EM-2를 0.92:0.08의 비율로 200Å의 두께로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 상기 화합물 ET-1를 350Å의 두께로 진공 증착하여 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å의 두께로 LiF와 2000Å의 두께로 알루미늄을 증착하여 캐소드를 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착 속도는 0.4 내지 0.7Å/sec 를 유지하였고, 캐소드의 LiF는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 x 10-7 내지 5 x 10-8 torr를 유지하였다.
그 후, 유리에 밀봉 유리와 유리 기판을, 광경화성 에폭시 수지를 이용하여 접합 시킴으로써 밀봉을 행하여, 다층 구조의 유기 발광 소자를 제작했다. 이후의 조작은 대기 중, 실온(25℃)에서 행했다.
<실시예 2>
상기 실시예 1에서 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 2를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실시예 3>
상기 실시예 1에서 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 3을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실시예 4>
상기 실시예 1에서 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 4를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실시예 5>
상기 실시예 1에서 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 5를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실시예 6>
상기 실시예 1에서 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 6을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1>
상기 실시예 1에서 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 7을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 2>
상기 실시예 1에서 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 8을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 3>
상기 실시예 1에서 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 9를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
상기 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 3에 의해 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 전압, 효율, 색좌표 및 수명을 측정하고 그 결과를 하기 [표 1] 및 [표 2]에 나타내었다. T90은 휘도가 초기 휘도 보다 90%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미하고, T95는 휘도가 초기 휘도 보다 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다.
실험 결과 코팅조성물 Volt(V) QE(%) CIEx CIEy T90(hr)
실시예 1 코팅조성물1 4.21 4.68 0.136 0.106 71
실시예 2 코팅조성물2 4.33 4.64 0.135 0.116 135
실시예 3 코팅조성물3 4.58 4.70 0.137 0.105 90
실시예 4 코팅조성물4 4.23 4.92 0.137 0.105 68
비교예 1 코팅조성물7 4.35 4.42 0.137 0.105 45
상기 표 1에서 보는 바와 같이, 본 명세서의 화학식 1로 표시되는 화합물 및 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 정공 주입층으로 사용하여 제작한 유기 발광 소자의 경우, 비교예 1에 비하여 장수명의 특성을 보이는 것을 알 수 있다.
실험 결과 코팅조성물 Volt(V) QE(%) CIEx CIEy T95(hr)
실시예 5 코팅조성물5 4.95 4.32 0.137 0.117 141
실시예 6 코팅조성물6 4.70 4.66 0.136 0.114 82
비교예 2 코팅조성물8 4.76 4.34 0.137 0.114 42
비교예 3 코팅조성물9 4.32 4.41 0.137 0.116 67
상기 표 2에서 보는 바와 같이, 본 명세서의 화학식 1로 표시되는 화합물 및 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 정공 주입층으로 사용하여 제작한 유기 발광 소자의 경우, 비교예 2 및 3에 비하여 장수명의 특성을 보이는 것을 알 수 있다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실험예(정공 주입층)에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 발명의 범주에 속한다.

Claims (10)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 코팅 조성물:
    [화학식 1]
    Figure PCTKR2018006286-appb-I000027
    상기 화학식 1에 있어서,
    Ar1은 치환 또는 비치환된 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 2가의 카보닐기; 치환 또는 비치환된 2가의 아민기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,
    Ar2 및 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴렌기이며,
    m1, m2, n1 및 n2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,
    상기 n1 및 n2가 각각 2 이상일 때, 괄호내의 구조는 서로 같거나 상이하며,
    p는 2 내지 10의 정수이고, 2 이상의 Ar1은 서로 같거나 상이하며,
    [화학식 2]
    Figure PCTKR2018006286-appb-I000028
    상기 화학식 2에 있어서,
    L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
    A, R1, Y1 및 Y2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
    a는 1 내지 10의 정수이고,
    a가 2 이상일 때, 괄호내의 구조는 서로 같거나 상이하며,
    r1은 1 내지 4의 정수이고,
    r1이 2 이상일 때, 복수개의 R1은 서로 같거나 상이하다.
  2. 청구항 1에 있어서, (m1 + m2) / (n1 + n2) ≤ 1인 것인 코팅 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 Ar1은 하기 A-1 내지 A-5 중에서 선택되는 것인 코팅 조성물:
    Figure PCTKR2018006286-appb-I000029
    상기 A-1 내지 A-5에 있어서,
    R101 내지 R105는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
    r101, r102, r104 및 r105는 각각 1 내지 4의 정수이며,
    r103은 1 내지 5의 정수이고,
    r101 내지 r105가 각각 2 이상일 때, 2 이상의 R101 내지 R105는 서로 같거나 상이하다.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 -[Ar1]p- 은 하기 A-11 내지 A-15 중에서 선택되는 것인 코팅 조성물:
    Figure PCTKR2018006286-appb-I000030
    상기 A-11 내지 A-15에 있어서,
    R201 내지 R221은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
    r201 내지 r211, r214, r215, r217 및 r218은 각각 1 내지 4의 정수이며,
    r212, r213 및 r219 내지 r221은 각각 1 내지 5의 정수이고,
    r216은 1 내지 3의 정수이고,
    r201 내지 r221이 각각 2 이상일 때, 2 이상의 R201내지 R221은 서로 같거나 상이하다.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-5 중에서 선택되는 것인 코팅 조성물:
    [화학식 1-1]
    Figure PCTKR2018006286-appb-I000031
    [화학식 1-2]
    Figure PCTKR2018006286-appb-I000032
    [화학식 1-3]
    Figure PCTKR2018006286-appb-I000033
    [화학식 1-4]
    Figure PCTKR2018006286-appb-I000034
    [화학식 1-5]
    Figure PCTKR2018006286-appb-I000035
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2-1 또는 화학식 2-2인 것인 코팅 조성물:
    [화학식 2-1]
    Figure PCTKR2018006286-appb-I000036
    [화학식 2-2]
    Figure PCTKR2018006286-appb-I000037
  7. 제1 전극;
    상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하고,
    상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 따른 코팅 조성물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 정공 수송층, 정공 주입층 또는 정공수송과 정공 주입을 동시에 하는 층을 포함하고, 상기 정공 수송층, 정공 주입층 또는 정공 수송과 정공 주입을 동시에 하는 층은 상기 코팅 조성물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  9. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 유기물층을 형성하는 단계는 상기 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 따른 코팅 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계를 포함하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층은 스핀 코팅 또는 잉크젯팅을 이용하여 형성되는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113214469A (zh) * 2021-05-17 2021-08-06 吉林大学 一种可熔融加工的半结晶型含氟聚芳醚及其制备方法
JPWO2023013697A1 (ko) * 2021-08-03 2023-02-09

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070051288A (ko) * 2004-08-31 2007-05-17 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 아릴술폰산 화합물 및 전자 수용성 물질로서의 이용
WO2010041701A1 (ja) * 2008-10-09 2010-04-15 日産化学工業株式会社 電荷輸送性ワニス
KR20100119876A (ko) * 2008-01-29 2010-11-11 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 아릴술폰산 화합물 및 전자수용성 물질로서의 이용
WO2015115515A1 (ja) * 2014-01-31 2015-08-06 日産化学工業株式会社 アリールスルホン酸化合物及びその利用
KR20150143574A (ko) * 2013-04-16 2015-12-23 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 금속 양극용 정공 수송성 바니시 및 복합 금속 양극

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3244298B2 (ja) * 1991-04-30 2002-01-07 松下電器産業株式会社 帯電防止化学吸着単分子膜およびその製造方法
TW349984B (en) * 1993-09-13 1999-01-11 Starck H C Gmbh Co Kg Pastes for the coating of substrates, methods for manufacturing them and their use
JPH09225021A (ja) * 1995-12-22 1997-09-02 Toto Ltd 医用材料
US6001934A (en) 1997-09-03 1999-12-14 Tonen Chemical Co. Process for the preparation of a functional group-containing polyarylene sulfide resin
US6678082B2 (en) * 2001-09-12 2004-01-13 Harris Corporation Electro-optical component including a fluorinated poly(phenylene ether ketone) protective coating and related methods
EP1501821B1 (en) 2002-05-07 2016-07-20 LG Chem, Ltd. New organic compounds for electroluminescence and organic electroluminescent devices using the same
DE102004007777A1 (de) * 2004-02-18 2005-09-08 Covion Organic Semiconductors Gmbh Lösungen organischer Halbleiter
JP5359865B2 (ja) * 2007-04-12 2013-12-04 日産化学工業株式会社 オリゴアニリン化合物
KR100963409B1 (ko) 2008-06-02 2010-06-14 광주과학기술원 술폰화된 폴리(아릴렌 에테르) 교대 공중합체와 고분자사슬 말단에 가교구조를 함유한 술폰화된 폴리(아릴렌에테르) 교대 공중합체 및 이를 이용한 고분자 전해질막
JP2011119411A (ja) * 2009-12-02 2011-06-16 Sony Corp 有機電界発光素子および表示装置
EP2551937B1 (en) * 2010-03-23 2016-03-23 LG Chem, Ltd. Separator for electrochemical device, manufacturing method thereof, and electrochemical device comprising the same
KR101226229B1 (ko) * 2011-08-26 2013-01-28 주식회사 엘지화학 반사 방지 필름
CN106025098B (zh) 2011-09-21 2018-10-02 日产化学工业株式会社 电荷传输性清漆

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070051288A (ko) * 2004-08-31 2007-05-17 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 아릴술폰산 화합물 및 전자 수용성 물질로서의 이용
KR20100119876A (ko) * 2008-01-29 2010-11-11 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 아릴술폰산 화합물 및 전자수용성 물질로서의 이용
WO2010041701A1 (ja) * 2008-10-09 2010-04-15 日産化学工業株式会社 電荷輸送性ワニス
KR20150143574A (ko) * 2013-04-16 2015-12-23 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 금속 양극용 정공 수송성 바니시 및 복합 금속 양극
WO2015115515A1 (ja) * 2014-01-31 2015-08-06 日産化学工業株式会社 アリールスルホン酸化合物及びその利用

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