WO2018236201A1 - 기판 지지장치 - Google Patents

기판 지지장치 Download PDF

Info

Publication number
WO2018236201A1
WO2018236201A1 PCT/KR2018/007186 KR2018007186W WO2018236201A1 WO 2018236201 A1 WO2018236201 A1 WO 2018236201A1 KR 2018007186 W KR2018007186 W KR 2018007186W WO 2018236201 A1 WO2018236201 A1 WO 2018236201A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
temperature compensating
compensating member
edge
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/KR2018/007186
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
천동석
김정미
김종식
정원우
천민호
황철주
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jusung Engineering Co Ltd
Original Assignee
Jusung Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jusung Engineering Co Ltd filed Critical Jusung Engineering Co Ltd
Priority to US16/613,115 priority Critical patent/US11417562B2/en
Priority to JP2019559270A priority patent/JP7345397B2/ja
Priority to CN201880029938.2A priority patent/CN110622291B/zh
Publication of WO2018236201A1 publication Critical patent/WO2018236201A1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
    • H10P72/0602—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H10P72/7611—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H10P72/7616—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating, a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H10P72/7621—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting two or more semiconductor substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/002—Cooling arrangements

Definitions

  • Embodiments relate to a substrate support apparatus that compensates for the edge temperature of the substrate or further raises the edge temperature of the substrate in order to keep the temperature distribution of the substrate uniform.
  • a semiconductor memory device, a liquid crystal display device, an organic light emitting device, and the like are manufactured by stacking a structure having a desired shape by performing a plurality of semiconductor processes on a substrate.
  • the semiconductor manufacturing process includes a process of depositing a predetermined thin film on a substrate, a photolithography process of exposing a selected region of the thin film, an etching process of removing a thin film of the selected region, and the like.
  • a substrate processing process for manufacturing such a semiconductor is performed in a substrate processing apparatus including a chamber having an optimal environment for the process.
  • the chamber is provided with a substrate to be processed, a substrate supporting apparatus for supporting the substrate on which the substrate is mounted, and a process gas containing a source material is injected onto the substrate. Deposition and etching processes are performed on the substrate by the source material contained in the process gas.
  • Embodiments relate to a substrate support apparatus that compensates for the edge temperature of the substrate or further raises the edge temperature of the substrate in order to keep the temperature distribution of the substrate uniform.
  • One embodiment of the substrate support apparatus comprises: a support member for supporting a substrate; And a temperature compensating member disposed at an edge of the supporting member and compensating for a temperature of the substrate, wherein the supporting member is made of a light transmitting material, the temperature compensating member is made of an opaque material, May be made of a material having corrosion resistance against the cleaning gas.
  • the surface of the temperature compensating member may be coated with a material having corrosion resistance against the cleaning gas.
  • the support member may be formed of quartz and the temperature compensating member may be formed of at least one of silicon carbide (SiC), black ceramic, black quartz, and graphite. have.
  • the side surface of the substrate and the side surface of the temperature compensating member may be opposed to each other, and the substrate and the temperature compensating member may be disposed apart from each other.
  • the temperature compensating member may be made of a material having a higher thermal conductivity than the supporting member.
  • the temperature compensating member may include: a body portion formed of the same material as the supporting member; And a coating layer coated on the surface of the body portion and formed of a material different from that of the body portion.
  • the coating layer may be made of a material having a higher thermal conductivity than the body portion.
  • the support member and the body portion may be quartz, and the coating layer may be a black body.
  • the temperature compensating member may be formed in a ring shape and arranged to surround the substrate.
  • the support member includes: a seating portion on which the substrate is seated; And a ring-shaped depression formed between the seat and the inner surface of the temperature compensating member.
  • the substrate may be disposed on the depressed portion such that the side surface and the lower surface of the edge are exposed.
  • the substrate may be configured such that the upper surface, the side surface, and the lower surface of the edge are heated by heat emitted from the temperature compensating member.
  • the temperature compensating member and the substrate may be disposed on the upper surface of the supporting member, and the lower surface of the temperature compensating member and the lower surface of the substrate may be disposed at the same height in the vertical direction.
  • the substrate support apparatus comprises: a support member for supporting a substrate; And a temperature compensating member disposed at an edge of the supporting member, the temperature compensating member being made of a material different from the supporting member and compensating for the temperature of an edge of the substrate, wherein the supporting member includes: a seating part on which the substrate is mounted; And a ring-shaped depression formed between the seat portion and the inner surface of the temperature compensating member, wherein the surface of the temperature compensating member is made of a material having corrosion resistance against the cleaning gas, The lower surface of the temperature compensating member may be exposed by the heat emitted from the temperature compensating member.
  • the temperature compensating member may be made of a material having a higher thermal conductivity than the supporting member.
  • the support member may be made of quartz, and the temperature compensating member may be at least partly formed of a black body.
  • the temperature compensating member may include: a body portion formed of the same material as the supporting member; And a coating layer coated on a surface of the body portion and formed of a material different from that of the body portion, wherein a portion of the coating layer is disposed on a side surface and a bottom surface of the depression, As shown in FIG.
  • the coating layer may be made of a material having a higher thermal conductivity than the body portion.
  • the surface of the temperature compensating member may be coated with a material having corrosion resistance against the cleaning gas.
  • the black body may include at least one of silicon carbide (SiC), ceramic, aluminum oxide (Al 2 O 3 ), graphite, and quartz.
  • the temperature compensating member may further heat the edge of the substrate to compensate for the temperature of the edge of the substrate, which temperature is relatively low relative to the center of the substrate, to maintain the overall temperature distribution of the substrate uniform, It can serve to further raise the temperature.
  • the opaque temperature compensating member maintains a higher temperature than the light transmissive supporting member, so that effective heat transfer from the opaque temperature compensating member to the edge of the substrate can be made, which results in a uniform temperature distribution across the substrate, The temperature of the edge of the substrate can be further raised.
  • the substrate is provided such that the top surface, the side surface, and the bottom surface of the edge are raised in temperature by the heat emitted from the temperature compensating member, whereby the edge of the substrate can be elevated in temperature effectively by improving the heat transfer area .
  • the temperature compensating member includes a material having a high corrosion resistance against a cleaning gas or an etching gas introduced into the chamber of the substrate processing apparatus, a high heat absorption rate, and a high heat transfer rate inside the material, thereby effectively transferring heat to the edge of the substrate
  • the thickness of the thin film deposited on the edge of the substrate can be improved.
  • FIG. 1 is a plan view showing a substrate supporting apparatus of one embodiment.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along the AA line in FIG. 1.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing another embodiment of Fig.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing another embodiment of Fig.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing another embodiment of FIG. 2.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing another embodiment of FIG. 2.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing another embodiment of FIG. 2.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing another embodiment of FIG. 2.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus to which the embodiment of FIG. 1 is applied.
  • first and second can be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used for the purpose of distinguishing one component from another. In addition, terms specifically defined in consideration of the constitution and operation of the embodiment are only intended to illustrate the embodiments and do not limit the scope of the embodiments.
  • the upper or lower when it is described as being formed on the "upper” or “on or under” of each element, the upper or lower (on or under Quot; includes both that the two elements are in direct contact with each other or that one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as “on” or “on or under”, it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.
  • top / top / top and “bottom / bottom / bottom”, as used below, do not necessarily imply nor imply any physical or logical relationship or order between such entities or elements, And may be used to distinguish one entity or element from another entity or element.
  • FIG. 1 is a plan view showing a substrate supporting apparatus of one embodiment.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along the AA line in FIG. 1.
  • FIG. 1 is a plan view showing a substrate supporting apparatus of one embodiment.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along the AA line in FIG. 1.
  • the substrate supporting apparatus of the embodiment is arranged in a chamber (not shown) in which a substrate manufacturing process such as vapor deposition, etching, etc. of the substrate 10 is performed, and the substrate 10 is seated. During the substrate manufacturing process, Can support.
  • a substrate manufacturing process such as vapor deposition, etching, etc. of the substrate 10 is performed, and the substrate 10 is seated.
  • Can support During the substrate manufacturing process, Can support.
  • the chamber may include an injection unit for injecting a process gas, a purge gas, or the like containing a source material into the substrate 10.
  • the substrate processing apparatus including the chamber may be provided with a vacuum pump or the like to maintain a pressure close to vacuum or vacuum inside the chamber.
  • a plasma generating apparatus for manufacturing a substrate may be provided in the substrate processing apparatus.
  • the substrate support apparatus of the embodiment may include a support member 100 and a temperature compensating member 200.
  • the support member 100 may mount the substrate 10 on the upper surface thereof and support the substrate 10 during the substrate manufacturing process.
  • the temperature compensating member 200 can indirectly heat the edge of the substrate 10 by compensating for the temperature decrease of the edge portion of the substrate 10 or further raising the temperature.
  • the temperature compensating member 200 may be disposed at the edge of the support member 100 and may compensate the temperature of the substrate 10.
  • the temperature compensating member 200 receives heat from a heating device (not shown) provided in the chamber, and transfers heat to the substrate 10 to thereby heat the substrate 10 mounted on the supporting member 100 Quot; means a member that further heats the edge to compensate or further raise the temperature of the edge of the substrate 10.
  • the substrate 10 may be heated by the heating device provided in the chamber.
  • the substrate manufacturing process can be performed while the substrate 10 is heated to a high temperature by a heating device.
  • the temperature at the edge portion or the edge portion of the substrate 10 it is necessary to increase the temperature at the edge portion or the edge portion of the substrate 10 to be higher than the temperature at the central portion of the substrate 10 in the semiconductor process.
  • the edge of the substrate 10 can be partially exposed on the side surface, the upper surface and the lower surface, heat transfer to the outside can be actively performed as compared with the central portion of the substrate 10 on which only the upper surface is exposed.
  • the support member 100 supporting the substrate 10 may be exposed to the outside, since the edge portion and the side surface of the upper surface may be exposed as compared with the upper surface on which the substrate 10 is placed.
  • the edge of the substrate 10 may be lower in temperature than the central portion of the substrate 10.
  • the temperature compensating member 200 may further heat the edge of the substrate 10 to compensate for the temperature of the edge of the substrate 10 having a relatively lower temperature than the center of the substrate 10, Or by increasing the temperature of the edge portion of the substrate 10 by raising the temperature higher than the central portion of the substrate 10 to improve the thickness of the thin film deposited on the edge of the substrate 10 have. In addition, the temperature compensating member 200 may serve to reduce or prevent the temperature drop of the entire substrate 10.
  • the temperature compensating member 200 needs to be disposed adjacent to the edge of the substrate 10 in order to further heat the edge of the substrate 10 so that the temperature compensating member 200 is disposed on the substrate 10 As shown in FIG.
  • the temperature compensating member 200 may be formed in a ring shape so as to correspond to the shape of the substrate 10 .
  • the temperature compensating members 200A, 200B, 200C, 200D and 200E shown in FIGS. 2 to 6 respectively correspond to various embodiments of the temperature compensating member 200 shown in FIG.
  • the side surface of the substrate 10 and the side surface of the temperature compensating member 200A are opposed to each other, and the substrate 10 and the temperature compensating member 200A are disposed to face each other. May be spaced apart from one another.
  • the temperature at the periphery of the edge and the edge of the substrate 10 may be rather higher than the central portion of the substrate 10, and thus the temperature distribution over the entire substrate 10 may become uneven.
  • the temperature compensation member 200A and the substrate 10 can be easily mounted or detached by avoiding direct contact between the temperature compensating member 200A and the substrate 10, The occurrence of abrasion, breakage, or the like of the temperature compensating member 200A or the substrate 10 due to the contact of the temperature compensating member 200A or the substrate 10 can be effectively suppressed.
  • the support member 100 and the temperature compensating member 200A may be made of different materials. Therefore, the support member 100 and the temperature compensating member 200A may be made of different materials, and the temperature compensating member 200A may be coupled to the supporting member 100. [ At this time, the temperature compensating member 200A can be coupled to the support member 100 using a coupling mechanism.
  • the temperature compensating member 200A may be formed of a material having a thermal conductivity higher than that of the support member 100.
  • the temperature compensating member 200A may be made of a material having a higher heat absorption rate than the support member 100. [ The greater the amount of heat absorbed by the temperature compensating member 200A, the more heat may be discharged from the temperature compensating member 200A to the edge of the substrate 10. [ The heat emitted from the temperature compensating member 200A may compensate for the temperature of the edge of the substrate 10 or further raise the temperature.
  • the temperature compensating member 200 may be made of a corrosion resistant material against a cleaning gas or an etching gas introduced into the chamber of the substrate processing apparatus. In order to be able to be used continuously as a temperature compensating member, it can be formed of a material having high corrosion resistance against a cleaning gas or an etching gas in an environment of high temperature and vacuum.
  • the cleaning gas or the etching gas may be a fluorine compound including a halogen group element such as CF 4 - and a fluorine compound, and the temperature compensating member 200A may be exposed to the cleaning gas or the etching gas, The gas can be exposed in a state in which it is activated by the plasma.
  • examples of the highly corrosion resistant material may include at least one of silicon carbide (SiC), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), and ceramics, but these are merely illustrative.
  • the temperature compensating member 200A Since the temperature compensating member 200A has a higher thermal conductivity than the supporting member 100, the heat transfer from the temperature compensating member 200A, which is relatively smaller in volume than the supporting member 100, to the edge of the substrate 10 is effectively performed, The edge of the substrate 10 is heated so that the edge portion (or edge portion) of the substrate 10 can be further raised in temperature than the center portion.
  • the temperature compensating member 200A having a large thermal conductivity can quickly absorb the heat transmitted from the heating device provided in the chamber and deliver it to the edge of the substrate 10 more quickly than the supporting member 100 have.
  • the edge of the substrate 10 can effectively receive heat from the temperature compensating member 200A, and the temperature distribution of the entire substrate 10 can be uniformed.
  • the support member 100 is provided in quartz so that the temperature compensating member 200A has a thermal conductivity higher than that of the support member 100.
  • the temperature compensating member 200A is a black body, Or may be provided with a surface coated with a material close to a black body.
  • the present invention is not limited thereto.
  • the black body is an ideal substance, the black body referred to in the present invention is interpreted as meaning a substance which is close to the property of the black body, and it is intended to be used in the following description.
  • the black body may mean a material having excellent heat transfer efficiency, that is, heat absorption and heat emission efficiency.
  • the black body may be, for example, graphite, aluminum oxide (Al 2 O 3 ), a mixture of aluminum oxide and impurities, and the like.
  • the present invention is not limited thereto.
  • the support member 100 may be made of a translucent material, and the temperature compensating member 200A may be made of an opaque material.
  • the support member 100 may be made of translucent quartz, and the temperature compensating member 200A may be formed of an opaque black body.
  • the present invention is not limited thereto.
  • the temperature may be lower than that of the temperature compensating member 200A made of an opaque material.
  • all the heat transmitted from the heating device to the light-transmitting supporting member 100 may not be used for heating the supporting member 100, and some heat may be emitted to the outside by thermal radiation. This is because the support member 100 is transparent and radiant heat can be transmitted through the support member 100 and emitted to the outside.
  • the heat transmitted from the heating device is not radiated to the outside through the temperature compensating member 200A in the form of radiant heat, the heat transmitted from the heating device is transmitted to the temperature compensating member 200A can be effectively heated.
  • the opaque temperature compensating member 200A when the substrate supporting apparatus is heated during the substrate manufacturing process, can maintain a higher temperature than the translucent support member 100 when heated by the heating apparatus have.
  • the opaque temperature compensating member 200A maintains a higher temperature than the translucent support member 100 so that effective heat transfer from the opaque temperature compensating member 200A to the edge of the substrate 10 can be made, 10) temperature distribution of the whole can be made uniform.
  • the heating apparatus when a radiation heating type heating apparatus is used and the heating apparatus is disposed under the substrate supporting apparatus, radiant heat emitted from the heating apparatus is transmitted through the light transmissive supporting member 100, The member 200A can be easily heated.
  • the support member 100 of the embodiment may include a seating portion 110 and a depression 120.
  • the seating part 110 can seat the substrate 10.
  • the depression 120 is formed between the mounting portion 110 and the inner surface of the temperature compensating member 200A and is formed in a ring shape so as to correspond to the circular substrate 10 and the annular temperature compensating member 200A . That is, the depressed portion 120 may be provided so as to surround the seating portion 110 which protrudes relatively.
  • the depression 120 may be formed by a side surface of the temperature compensating member 200A and a side surface of the seating portion 110.
  • the substrate 10 may be disposed on the depression 120 such that the side surface and the lower edge of the edge are exposed when the substrate 10 is seated on the seating portion 110. Therefore, the substrate 10 may be disposed such that the side surfaces thereof are spaced apart from but adjacent to the temperature compensating member 200A.
  • the heat transfer from the temperature compensating member 200A to the edge of the substrate 10 can be effectively performed without being disturbed by the support member 100 Lt; / RTI >
  • the substrate 10 is provided so that the upper surface, the side surface, and the lower surface of the edge are heated by the heat emitted from the temperature compensating member 200A. As a result, the edge of the substrate 10 is heated .
  • the temperature compensating member 200B may include a body portion 210B and a coating layer 220B.
  • the body portion 210B may be formed of the same material as the support member 100 and may be formed integrally with the support member 100.
  • the coating layer 220B may be coated on the surface of the body 210B and may be formed of a material different from that of the body 210B.
  • the substrate supporting apparatus may be deformed or broken due to a difference in thermal expansion coefficient between the member 100 and the temperature compensating member 200.
  • the body 210B of the temperature compensating member 200B is made of the same material as that of the supporting member 100, so that the deformation, breakage, etc. of the substrate supporting apparatus due to the difference in the thermal expansion rate Can be effectively suppressed.
  • the lower surface of the body portion 210B is integrally coupled to the support member 100, and the coating layer 220B is integrally formed with the support member 100.
  • the body portion 210B is integrally formed with the support member 100, May be disposed on both sides and an upper surface of the body portion 210B.
  • the coating layer 220B may be made of a material having a higher thermal conductivity than the body 210B.
  • the coating layer 220B may be formed of ceramic.
  • the support member 100 may be formed of quartz, and the temperature compensating member 200B may be at least partially formed of a black body. That is, the support member 100 and the body portion 210B may be formed of quartz, and the coating layer 220B may be formed of a material similar to a black body.
  • materials close to the black body may include at least one of silicon carbide (SiC), black ceramic, aluminum oxide (Al 2 O 3 ), graphite, and black quartz
  • SiC silicon carbide
  • Al 2 O 3 aluminum oxide
  • graphite graphite
  • black quartz this is merely an example.
  • the support member 100 and the body portion 210B may be made of translucent quartz, and the coating layer 220B may be formed of an opaque black body.
  • the temperature compensating member 200C includes a body portion 210C and a coating layer 220C coated on the surface of the body portion 210C.
  • the temperature compensating member 200C can be manufactured separately from the supporting member 100 and can be coupled to the supporting member 100.
  • the temperature compensating member 200C can be coupled to the support member 100 using a coupling mechanism.
  • the coating layer 220C may be disposed on both sides, top and bottom surfaces of the body 210C. Accordingly, when the temperature compensating member 200C is viewed in cross section, the coating layer 220C may be provided to surround the body 210C.
  • the body 210C of the temperature compensating member 200C is made of the same material as that of the supporting member 100 in the same manner as the embodiment of FIG. 3, Deformation, breakage, and the like of the support device can be effectively suppressed.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing another embodiment of FIG. 2.
  • the temperature compensating member 200D includes a body portion 210D and a coating layer 220D coated on the surface of the body portion 210D, and the body portion 210D May be integrally formed with the support member 100.
  • the body 210D and the coating layer 220D may be formed of different materials, and the coating layer 220D may be formed of a material having a higher thermal conductivity than the body 210D.
  • the coating layer 220D may be formed of a material having a higher thermal conductivity than the body 210D.
  • a part of the coating layer 220D is disposed on the side surface and the bottom surface of the depression 120, and one side of the coating layer 220D contacts the lower surface of the edge of the substrate 10 .
  • This structure enlarges the surface area of the coating layer 220D opposed to the exposed portions of the side and edge of the substrate 10 and thus increases the amount of heat transferred from the coating layer 220D to the side surface and the edge of the substrate 10, The temperature compensation for the edge of the substrate 10 can be effectively performed.
  • One side of the coating layer 220D contacts the lower surface of the edge of the substrate 10 to allow heat conduction from the coating layer 220D to the edge of the substrate 10 by thermal conduction.
  • the temperature of the edge of the substrate 10 can be more effectively compensated.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing another embodiment of FIG. 2.
  • the temperature compensating member 200E and the substrate 10 may be disposed on the upper surface of the support member 100.
  • the temperature compensating member 200E and the respective side surfaces of the substrate 10 may be arranged to face each other and to be spaced apart from each other.
  • the lower surface of the temperature compensating member 200E and the lower surface of the substrate 10 may be arranged at the same height in the vertical direction. That is, the temperature compensating member 200E and the substrate 10 may be disposed on the same plane. In this case, the same plane may refer to the upper surface of the support member 100.
  • the depression 110 which is recessed with the seating portion 110 protruding from the upper surface of the supporting member 100, may not be formed.
  • the support member 100 can be easily processed because of this structure.
  • the temperature compensating member 200E and the lower surface of the substrate 10 are disposed on the same plane, the area of the side surfaces of the temperature compensating member 200E and the substrate 10 facing each other can be maximized, The heat transfer from the member 200E to the edge of the substrate 10 can be effectively performed.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus 800 to which the embodiment of FIG. 1 is applied.
  • the substrate processing apparatus 700 includes a chamber 600 for providing a reaction space for processing a substrate and one or more supports 100 for supporting the substrate 10 inside the chamber 600, A support carrier 300 for receiving the support part 100 and making it movable within the chamber 700 with respect to the center axis and a gas injection part for injecting a process gas onto the substrate 10 mounted on the support part 100. [ (500).
  • the substrate processing apparatus 700 may include heating means (not shown) for heating the substrate 10 under the support carrier 300.
  • the heating means may be, for example, an optical heating means.
  • the light emitted from the optical heating means passes through the support carrier 300 and can pass through the support 100 to heat the substrate 10.
  • the supporting part carrier 300 may be made of the same material as the supporting part 100.
  • the heating means may be an induction heating type heating means or a resistance heating type heating means other than the optical heating means.
  • the heating means may also be located inside the support carrier (300).
  • the supporting part 100 may protrude further from the supporting part carrier 300 toward the upper part of the chamber 600.
  • the substrate 10 seated on the support 100 may be positioned higher than the upper surface of the support carrier 300.
  • the support portion 100 may be coupled to the support portion carrier 300 or may be separated from the support portion carrier 300. When two or more supporting portions 100 are coupled to the supporting portion carrier 300, the supporting portion 100 may be detachably coupled to the supporting portion carrier 300.
  • the heat loss is increased as compared with the seated portion.
  • the heat loss may be relatively larger at the edge of the substrate that is seated on the support portion 100 than the center portion of the substrate. Therefore, when the temperature compensating member 200 described with reference to FIGS. 1 to 6 is installed in the supporting part 100, the heat loss at the edge of the substrate 10 is compensated for through the heat emitted from the temperature compensating member 200 So that the temperature of the substrate can be kept uniform. In addition, depending on the conditions, the edge temperature of the substrate can be kept higher.
  • the present invention relates to a substrate support apparatus. Therefore, the present invention is industrially applicable.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

기판 지지장치의 일 실시예는, 기판을 지지하는 지지부재; 및 상기 지지부재의 가장자리에 배치되고, 상기 기판의 온도를 보상하는 온도보상부재를 포함하고, 상기 지지부재는 투광성 재질로 구비되고, 상기 온도보상부재는 불투광성 재질로 구비되며, 상기 온도보상부재의 표면은, 세정가스에 대해서 내부식성을 갖는 재질로 구성되는 것일 수 있다.

Description

기판 지지장치
실시예는, 기판의 온도분포를 균일하게 유지하기 위해, 기판의 가장자리 온도를 보상하거나 또는 기판의 가장자리 온도를 추가로 상승시키는 기판 지지장치에 관한 것이다.
이 부분에 기술된 내용은 단순히 실시예에 대한 배경 정보를 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것은 아니다.
일반적으로, 반도체 메모리 소자, 액정표시장치 및 유기발광장치 등은 기판상에 복수회의 반도체 공정을 실시하여 원하는 형상의 구조물을 적층하여 제조한다.
반도체 제조공정은 기판상에 소정의 박막을 증착하는 공정, 박막의 선택된 영역을 노출시키는 포토리소그래피(photolithography) 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하는 식각 공정 등을 포함한다. 이러한 반도체를 제조하는 기판 처리공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경이 조성된 챔버를 포함하는 기판 처리장치에서 진행된다.
챔버에는 가공의 대상인 기판과 상기 기판이 안착되고 상기 기판을 지지하는 기판 지지장치가 구비되고, 상기 기판에 소스 물질을 함유하는 공정 가스가 분사된다. 이러한 공정 가스에 함유된 소스 물질에 의해 기판에 증착 및 식각 공정 등이 진행된다.
실시예는, 기판의 온도분포를 균일하게 유지하기 위해, 기판의 가장자리 온도를 보상하거나 또는 기판의 가장자리 온도를 추가로 상승시키는 기판 지지장치에 관한 것이다.
실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 실시예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
기판 지지장치의 일 실시예는, 기판을 지지하는 지지부재; 및 상기 지지부재의 가장자리에 배치되고, 상기 기판의 온도를 보상하는 온도보상부재를 포함하고, 상기 지지부재는 투광성 재질로 구비되고, 상기 온도보상부재는 불투광성 재질로 구비되며, 상기 온도보상부재의 표면은, 세정가스에 대해서 내부식성을 갖는 재질로 구성되는 것일 수 있다.
그리고, 상기 온도보상부재의 표면은, 세정가스에 대해서 내부식성을 갖는 재질로 코팅되는 것일 수 있다.
상기 지지부재는 석영(quartz)으로 구비되고, 상기 온도보상부재는 실리콘 카바이드(SiC), 블랙 세라믹(Black ceramic), 블랙 석영(Black Quartz), 및 그라파이트(graphite) 중 적어도 어느 하나로 구비되는 것일 수 있다.
상기 기판의 측면과 상기 온도보상부재의 측면은 서로 대향되도록 구비되고, 상기 기판과 상기 온도보상부재는 서로 이격되어 배치되는 것일 수 있다.
상기 온도보상부재는 상기 지지부재보다 열전도율(thermal conductivity)이 더 큰 재질로 구비되는 것일 수 있다.
상기 온도보상부재는, 상기 지지부재와 동일재질로 형성되는 몸체부; 및 상기 몸체부의 표면에 코팅되고, 상기 몸체부와 다른 재질로 형성되는 코팅층을 포함하는 것일 수 있다.
상기 코팅층은 상기 몸체부보다 열전도율이 더 큰 재질로 구비되는 것일 수 있다.
상기 지지부재 및 상기 몸체부는 석영으로 구비되고, 상기 코팅층은 흑체로 구비되는 것일 수 있다.
상기 온도보상부재는, 링형상으로 형성되고, 상기 기판을 둘러싸도록 배치되는 것일 수 있다.
상기 지지부재는, 상기 기판이 안착되는 안착부; 및 상기 안착부와 상기 온도보상부재의 내측면 사이에 형성되는 링형상의 함몰부를 포함하는 것일 수 있다.
상기 기판은, 측면과 가장자리의 하면이 노출되도록 상기 함몰부에 배치되는 것일 수 있다.
상기 기판은, 가장자리의 상면, 측면 및 하면이 상기 온도보상부재로부터 방출되는 열에 의해 가열되도록 구비되는 것일 수 있다.
상기 온도보상부재와 상기 기판은 상기 지지부재의 상면에 배치되고, 상기 온도보상부재의 하면과 상기 기판의 하면은 상하방향으로 동일한 높이로 배치되는 것일 수 있다.
기판 지지장치의 다른 실시예는, 기판을 지지하는 지지부재; 및 상기 지지부재의 가장자리에 배치되고, 상기 지지부재와 다른 재질로 구비되며, 상기 기판의 가장자리의 온도를 보상하는 온도보상부재를 포함하고, 상기 지지부재는, 상기 기판이 안착되는 안착부; 및 상기 안착부와 상기 온도보상부재의 내측면 사이에 형성되는 링형상의 함몰부를 포함하며, 상기 온도보상부재의 표면은 세정가스에 대해서 내부식성을 갖는 재질로 구성되고, 상기 기판은 측면과 가장자리의 하면이 노출되도록 상기 함몰부에 배치되고, 상기 온도보상부재로부터 방출되는 열에 의해 가열되도록 구비되는 것일 수 있다.
상기 온도보상부재는 상기 지지부재보다 열전도율이 더 큰 재질로 구비되는 것일 수 있다.
상기 지지부재는 석영으로 구비되고, 상기 온도보상부재는 적어도 일부가 흑체로 구비되는 것일 수 있다.
상기 온도보상부재는, 상기 지지부재와 동일재질로 형성되는 몸체부; 및 상기 몸체부의 표면에 코팅되고, 상기 몸체부와 다른 재질로 형성되는 코팅층을 포함하고, 상기 코팅층의 일부는 상기 함몰부의 측면 및 바닥면 상에 배치되고, 상기 코팅층의 일측은 상기 기판의 상기 가장자리의 하면과 접촉하도록 구비되는 것일 수 있다.
상기 코팅층은 상기 몸체부보다 열전도율이 더 큰 재질로 구비되는 것일 수 있다.
상기 온도보상부재의 표면은, 세정가스에 대해서 내부식성을 갖는 재질로 코팅되는 것일 수 있다.
상기 흑체는, 실리콘 카바이드(SiC), 세라믹(ceramic), 산화알루미늄(Al2O3), 그라파이트(graphite), 및 석영(Quartz) 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 것일 수 있다.
실시예에서, 상기 온도보상부재는 상기 기판의 가장자리를 추가적으로 가열함으로써, 기판의 중앙부에 비해 상대적으로 온도가 낮은 기판의 가장자리의 온도를 보상하여 기판의 전체적인 온도분포를 균일하게 유지하거나 기판의 가장자리의 온도를 추가로 상승시키는 역할을 할 수 있다.
실시예에서, 불투광성 온도보상부재는 투광성 지지부재보다 더 높은 온도를 유지하므로, 불투광성 온도보상부재로부터 기판의 가장자리로 효과적인 열전달이 이루어질 수 있고, 이로 인해 기판 전체의 온도분포가 균일해지거나 또는 기판의 가장자리의 온도가 더 상승될 수 있다.
실시예에서, 상기 기판은 가장자리의 상면, 측면 및 하면이 상기 온도보상부재로부터 방출되는 열에 의해 온도가 상승되도록 구비되고, 이로 인해 상기 기판의 가장자리는 전열면적이 향상되어 효과적으로 온도가 상승될 수 있다.
실시예에서, 온도보상부재는 기판처리장치의 챔버 내부로 유입되는 세정가스 또는 식각가스에 대한 내부식성이 강하고 열흡수율이 높으며 재료 내부의 열전달율이 높은 재료를 포함함으로써, 기판의 가장자리로 효과적으로 열전달을 하고 지속가능하게 그 기능을 유지할 수 있으므로, 상기 기판의 가장자리에 증착되는 박막의 두께가 개선될 수 있다.
도 1은 일 실시예의 기판 지지장치를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에서 AA방향으로 바라본 단면도이다.
도 3은 도 2의 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 2의 또 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 2의 또 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 6은 도 2의 또 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 7은 도 1의 일 실시예를 적용한 기판처리장치를 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 실시예를 상세히 설명한다. 실시예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 실시예를 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 실시예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
"제1", "제2" 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는 데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 또한, 실시예의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것일 뿐이고, 실시예의 범위를 한정하는 것이 아니다.
실시예의 설명에 있어서, 각 element의 "상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
또한, 이하에서 이용되는 "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서 이용될 수도 있다.
도 1은 일 실시예의 기판 지지장치를 나타낸 평면도이다. 도 2는 도 1에서 AA방향으로 바라본 단면도이다.
실시예의 기판 지지장치는 기판(10)의 증착, 식각 등 기판 제조공정이 진행되는 챔버(미도시)에 배치되어 상기 기판(10)이 안착되며, 기판 제조공정이 진행되는 동안 기판(10)을 지지할 수 있다.
도시되지는 않았으나, 상기 챔버는 내부에 상기 기판(10)에 소스물질을 포함하는 공정가스, 퍼지가스 등을 분사하는 분사부가 구비될 수 있다. 또한 상기 챔버를 포함하는 기판 처리장치에는 챔버 내부가 진공 또는 진공에 가까운 압력을 유지하기 위해 진공펌프 등의 배치장치가 구비될 수도 있다.
또한, 상기 챔버 내부에 기판 제조를 위한 플라즈마 발생장치가 상기 기판 처리장치에 구비될 수도 있다.
실시예의 기판 지지장치는 지지부재(100) 및 온도보상부재(200)를 포함할 수 있다. 지지부재(100)는 상면에 기판(10)이 안착되고, 기판 제조공정이 진행되는 동안 기판(10)을 지지할 수 있다. 여기서, 온도보상부재(200)는 기판(10)의 가장자리부의 온도 감소를 보상하거나 온도를 추가로 상승시켜 기판(10)의 가장자리를 간접적으로 가열 할 수 있다.
온도보상부재(200)는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 지지부재(100)의 가장자리에 배치되고, 상기 기판(10)의 온도를 보상하는 역할을 할 수 있다.
이때, 상기 온도보상부재(200)는 상기 챔버에 구비되는 가열장치(미도시)로부터 열을 전달받아 다시 기판(10)에 열을 전달함으로써, 지지부재(100)에 안착된 기판(10)의 가장자리를 추가적으로 가열하여 상기 기판(10)의 가장자리의 온도를 보상하거나 더 상승시키는 부재를 의미한다.
기판 제조공정 동안, 기판(10)은 상기 챔버에 구비되는 상기 가열장치에 의해 가열될 수 있다. 기판 제조공정은 기판(10)이 가열장치에 의해 고온으로 가열된 상태에서 진행될 수 있다.
이때, 기판(10)은 전체적으로 균일한 온도를 유지하거나, 상기 기판(10)의 가장자리부-또는 에지부-의 온도를 더 높일 필요가 있다. 만약, 기판(10)의 전체적인 온도분포가 불균일할 경우, 이로 인해 기판(10)의 증착두께 또는 식각두께가 불균일해 질 수 있고, 이는 기판(10)의 제품불량의 원인이 된다.
또는, 경우에 따라 반도체 공정상 상기 기판(10)의 가장자리부-또는 에지부-의 온도를 기판(10)의 중앙부의 온도보다 더 높일 필요가 있다.
특히, 기판(10)의 가장자리는 측면, 상면 및 하면의 일부가 노출될 수 있으므로, 상면만 노출되는 기판(10)의 중앙부에 비하여, 외부로 열전달이 활발히 일어날 수 있다.
또한, 기판(10)을 지지하는 지지부재(100) 역시 기판(10)을 안치하는 상면에 비하여 상면의 가장자리부와 측면 등이 노출될 수 있으므로 외부로 열전달이 상대적으로 더 크게 일어날 수 있다.
이러한 이유로, 기판(10)이 고온으로 가열된 경우, 기판(10)의 가장자리는 기판(10)의 중앙부보다 상대적으로 온도가 낮을 수 있다.
따라서, 상기 온도보상부재(200)는 상기 기판(10)의 가장자리를 추가적으로 가열함으로써, 기판(10)의 중앙부에 비해 상대적으로 온도가 낮은 기판(10)의 가장자리의 온도를 보상하여 기판(10)의 전체적인 온도분포를 균일하게 유지하거나 또는 기판(10)의 중앙부보다 온도를 더 높여 기판(10)의 가장자리부의 온도분포를 상승시킴으로써, 기판의 가장자리에 증착되는 박막의 두께를 개선하는 역할을 할 수 있다. 또한, 온도보상부재(200)는 기판(10) 전체의 온도 저하를 감소 또는 방지하는 역할을 수행할 수도 있다.
상기 온도보상부재(200)는 기판(10)의 가장자리를 추가적으로 가열하기 위해 상기 기판(10)의 가장자리에 인접하도록 배치될 필요가 있고, 따라서 상기 온도보상부재(200)는 상기 기판(10)을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
한편, 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(10)이 디스크 형상의 웨이퍼인 경우, 기판(10)의 형상에 대응되도록 상기 온도보상부재(200)는 링형상으로 형성될 수 있다.
그리고 후술할 도 2 내지 도 6에 각각 도시된 온도보상부재(200A, 200B, 200C, 200D, 200E)는 도 1에 도시된 온도보상부재(200)의 다양한 실시예에 해당된다.
도 2를 참조하면, 실시예의 기판 지지장치에서, 상기 기판(10)의 측면과 상기 온도보상부재(200A)의 측면은 서로 대향되도록 구비되고, 상기 기판(10)과 상기 온도보상부재(200A)는 서로 이격되어 배치될 수 있다.
만약, 온도보상부재(200A)와 기판(10)이 서로 직접 접촉하는 경우, 지지부재(100)보다 열전도율(thermal conductivity)이 높은 온도보상부재(200A)로부터 열전도에 의해 과도한 열이 기판(10)의 가장자리 및/또는 가장자리의 주변부로 전달될 수 있다.
이러한 경우, 기판(10)의 가장자리 및 가장자리의 주변부의 온도는 오히려 기판(10)의 중앙부보다 높아질 수 있고, 따라서 기판(10) 전체의 온도분포가 불균일해 질 수 있다.
이러한 기판(10)의 온도분포 불균일을 억제하기 위해, 실시예에서는 상기한 구조를 채용하여 온도보상부재(200A)와 기판(10)이 서로 직접 접촉하는 것을 회피하는 것이 적절할 수 있다.
또한, 온도보상부재(200A)와 기판(10)의 직접 접촉을 회피함으로써, 기판(10)을 기판 지지장치에 안착 또는 탈거를 용이하게 할 수 있고, 온도보상부재(200A)와 기판(10)의 접촉으로 인한 온도보상부재(200A) 또는 기판(10)의 마모, 파손 등의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.
상기 지지부재(100)와 상기 온도보상부재(200A)는 서로 다른 재질로 구비될 수 있다. 따라서, 상기 지지부재(100)와 상기 온도보상부재(200A)는 각각 서로 다른 재질로 제작되고, 온도보상부재(200A)를 지지부재(100)에 결합할 수 있다. 이때, 결합기구를 사용하여 상기 온도보상부재(200A)를 상기 지지부재(100)에 결합할 수 있다.
실시예에서, 상기 온도보상부재(200A)는 상기 지지부재(100)보다 열전도율이 더 큰 재질로 구비될 수 있다.
실시예에서, 상기 온도보상부재(200A)는 상기 지지부재(100)보다 열흡수율이 더 큰 재질로 구비될 수 있다. 상기 온도보상부재(200A)에 흡수된 열이 많을수록 상기 온도보상부재(200A)에서 상기 기판(10)의 가장자리로 열이 많이 방출될 수 있다. 상기 온도보상부재(200A)에서 방출된 열은 상기 기판(10)의 가장자리의 온도를 보상하거나 더 상승시킬 수 있다.
실시예에서, 온도보상부재(200)는 기판처리장치의 챔버 내부로 유입되는 세정가스 또는 식각가스에 대한 내부식성이 강한 재질로 구비될 수 있다. 온도보상부재로서 지속적인 사용이 가능하려면, 고온과 진공이라는 환경에서 세정가스나 식각가스에 대하여 내부식성이 강한 재질로 형성될 수 있다. 이때 세정가스나 식각가스는 할로겐족 원소-예컨대, CF4-를 포함하는 플루오린(Fluorine) 및 플루오린 화합물일 수 있으며, 상기 온도보상부재(200A)는 상기 세정가스나 식각가스에 그대로 노출되거나 상기 가스가 플라즈마에 의해서 할성화된 상태로 노출될 수 있다.
여기서, 내부식성이 강한 재질의 일예로 실리콘카바이드(SiC), 산화알루미늄(Al2O3), 및 세라믹(ceramic) 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있으나, 이는 예시적인 것에 불과하다.
온도보상부재(200A)가 지지부재(100)보다 열전도율이 크므로, 지지부재(100)보다 상대적으로 체적이 작은 온도보상부재(200A)로부터 기판(10)의 가장자리로 열전달이 효과적으로 일어나고, 따라서 효과적으로 기판(10)의 가장자리가 가열되어 기판(10)의 가장자리부-또는 에지부-가 중앙부보다 온도가 더 상승될 수 있다.
즉, 열전도율이 상태적으로 큰 온도보상부재(200A)는, 지지부재(100)에 비해, 상기 챔버에 구비되는 상기 가열장치로부터 전달되는 열을 신속히 흡수하여 기판(10)의 가장자리로 신속히 전달할 수 있다.
이로 인해, 기판(10)의 가장자리는 온도보상부재(200A)로부터 효과적으로 열을 전달받아 기판(10) 전체의 온도분포가 균일해 질 수 있다.
온도보상부재(200A)가 지지부재(100)보다 열전도율이 크도록, 예를 들어, 상기 지지부재(100)는 석영(quartz)으로 구비되고, 상기 온도보상부재(200A)는 흑체(black body)에 가까운 재질이거나 흑체(black body)에 가까운 재질로 표면이 코팅되어 구비될 수 있다. 다만, 이에 한정되지는 않는다.
흑체(Black Body)는 이상적인 물질이므로 본 발명에서 언급되는 흑체는 흑체가 가지는 성질에 가까운 물질을 의미하는 것으로 해석하여 이하의 설명에서 사용하고자 한다. 여기서 흑체는 열전달 효율 즉, 열흡수 및 열방출 효율이 우수한 물질을 의미할 수 있다. 상기 흑체는 예를 들어 그라파이트(graphite), 산화알루미늄(Al2O3), 산화알루미늄과 불순물의 혼합물질 등일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않는다.
한편, 상기 지지부재(100)는 투광성 재질로 구비되고, 상기 온도보상부재(200A)는 불투광성 재질로 구비될 수 있다. 예를 들어, 상기 지지부재(100)는 투광성 석영으로 구비되고, 상기 온도보상부재(200A)는 불투광성 흑체로 구비될 수 있다. 다만, 이에 한정되지는 않는다.
지지부재(100)는 투광성 재질로 구비되므로, 불투광성 재질의 온도보상부재(200A)에 비해, 온도가 낮을 수 있다.
예를 들어, 상기 가열장치로부터 투광성 지지부재(100)에 전달되는 열은 모두 지지부재(100)의 가열에 사용되지 않고, 일부는 열복사(thermal radiation) 현상에 의해 외부로 방출될 수 있다. 이는 지지부재(100)가 투광성이므로 복사열은 지지부재(100)를 투과하여 외부로 방출될 수 있기 때문이다.
반면, 불투광성 온도보상부재(200A)는 상기 가열장치로부터 전달되는 열이 복사열의 형태로 온도보상부재(200A)를 투과하여 외부로 방출되지 않으므로, 가열장치로부터 전달되는 열이 상기 온도보상부재(200A)를 효과적으로 가열할 수 있다.
상기한 이유로, 실시예에서는, 기판 제조공정이 진행되는 동안 기판 지지장치가 가열되면 가열장치에 의해 가열되는 경우 투광성 지지부재(100)보다 불투광성 온도보상부재(200A)가 더 높은 온도를 유지할 수 있다.
불투광성 온도보상부재(200A)는 투광성 지지부재(100)보다 더 높은 온도를 유지하므로, 불투광성 온도보상부재(200A)로부터 기판(10)의 가장자리로 효과적인 열전달이 이루어질 수 있고, 이로 인해 기판(10) 전체의 온도분포가 균일해 질 수 있다.
또한, 예를 들어 복사가열 방식의 가열장치가 사용되고, 기판 지지장치의 하부에 상기 가열장치가 배치되는 경우, 가열장치로부터 방출되는 복사열은 상기 투광성 지지부재(100)를 투과하여 상기 불투광성 온도보상부재(200A)를 용이하게 가열할 수 있다.
도 2를 참조하면, 실시예의 지지부재(100)는 안착부(110) 및 함몰부(120)를 포함할 수 있다. 안착부(110)는 상기 기판(10)이 안착될 수 있다.
함몰부(120)는 상기 안착부(110)와 상기 온도보상부재(200A)의 내측면 사이에 형성되고, 원형의 기판(10) 및 링형상의 온도보상부재(200A)와 대응하도록 링형상으로 형성될 수 있다. 즉, 함몰부(120)는 상대적으로 돌출되는 안착부(110)를 둘러싸도록 구비될 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 함몰부(120)는 온도보상부재(200A)의 측면과 안착부(110)의 측면에 의해 형성될 수 있다.
이러한 구조로 인해, 상기 기판(10)은, 상기 안착부(110)에 안착되면, 측면과 가장자리의 하면이 노출되도록 상기 함몰부(120)에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 기판(10)은 측면이 상기 온도보상부재(200A)와 이격되지만 인접하도록 배치될 수 있다.
또한, 상기 기판(10)의 가장자리의 상면, 측면 및 하면이 모두 노출되므로 상기 지지부재(100)의 방해를 받지 않고, 상기 온도보상부재(200A)로부터 상기 기판(10)의 가장자리로 열전달이 효과적으로 이루어질 수 있다.
따라서, 상기 기판(10)은 가장자리의 상면, 측면 및 하면이 상기 온도보상부재(200A)로부터 방출되는 열에 의해 가열되도록 구비되고, 이로 인해 상기 기판(10)의 가장자리는 전열면적이 향상되어 효과적으로 가열될 수 있다.
도 3은 도 2의 다른 실시예를 나타낸 단면도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 온도보상부재(200B)는 몸체부(210B)와 코팅층(220B)을 포함할 수 있다.
몸체부(210B)는 상기 지지부재(100)와 동일재질로 형성되고, 상기 지지부재(100)와 일체로 형성될 수 있다. 코팅층(220B)은 상기 몸체부(210B)의 표면에 코팅되고, 상기 몸체부(210B)와 다른 재질로 형성될 수 있다.
지지부재(100)와 온도보상부재(200)가 서로 다른 재질로 구비되는 경우, 지지부재(100)와 온도보상부재(200)의 열팽창율이 서로 다르므로, 기판 지지장치가 고온으로 가열되면 지지부재(100)와 온도보상부재(200)의 열팽창율의 차이로 인해 기판 지지장치의 변형, 파손 등이 발생할 수 있다.
따라서, 도 3에 도시된 실시예에서는 온도보상부재(200B)의 몸체부(210B)를 지지부재(100)와 동일재질로 형성함으로써 상기한 열팽창율의 차이로 인한 기판 지지장치의 변형, 파손 등을 효과적으로 억제할 수 있다.
상기 몸체부(210B)는 상기 지지부재(100)와 일체로 형성되므로, 도 3에 도시된 바와 같이, 몸체부(210B)의 하면은 지지부재(100)와 일체로 결합하고, 코팅층(220B)은 상기 몸체부(210B)의 양 측면 및 상면에 배치될 수 있다.
또한, 상기 코팅층(220B)은 상기 몸체부(210B)보다 열전도율이 더 큰 재질로 구비될 수 있으며, 일 예로 상기 코팅층(220B)은 세라믹(ceramic)으로 구비될 수도 있다.
한편, 상기 지지부재(100)는 석영으로 구비되고, 상기 온도보상부재(200B)는 적어도 일부가 흑체로 구비될 수 있다. 즉, 상기 지지부재(100) 및 상기 몸체부(210B)는 석영으로 구비되고, 상기 코팅층(220B)은 흑체에 가까운 재질로 구비될 수 있다. 여기서, 흑체에 가까운 재질로는 실리콘 카바이드(SiC), 블랙 세라믹(Black ceramic), 산화알루미늄(Al2O3), 그라파이트(graphite) 및 블랙 석영(Black Quartz) 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있으나, 이는 예시적인 것에 불과하다.
또한, 상기 지지부재(100) 및 상기 몸체부(210B)는 투광성 석영으로 구비되고, 상기 코팅층(220B)은 불투광성 흑체로 구비될 수 있다.
도 4는 도 2의 또 다른 실시예를 나타낸 단면도이다. 도 4의 실시예에서는, 도 3과 마찬가지로 온도보상부재(200C)는 몸체부(210C) 및 상기 몸체부(210C)의 표면에 코팅되는 코팅층(220C)을 포함한다.
다만, 도 3의 실시예와 달리, 도 4의 실시예에서 온도보상부재(200C)는 지지부재(100)와 별도로 제작되어 지지부재(100)에 결합할 수 있다. 이때, 결합기구를 사용하여 상기 온도보상부재(200C)를 상기 지지부재(100)에 결합할 수 있다.
도 4를 참조하면, 실시예에서 상기 코팅층(220C)은 상기 몸체부(210C)의 양 측면, 상면 및 하면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 온도보상부재(200C)를 단면으로 보았을 때, 상기 코팅층(220C)은 상기 몸체부(210C)를 둘러싸도록 구비될 수 있다.
도 4에 도시된 실시예에서는, 도 3의 실시예와 마찬가지로, 온도보상부재(200C)의 몸체부(210C)를 지지부재(100)와 동일재질로 형성함으로써 상기한 열팽창율의 차이로 인한 기판 지지장치의 변형, 파손 등을 효과적으로 억제할 수 있다.
도 5는 도 2의 또 다른 실시예를 나타낸 단면도이다. 도 5의 실시예에서는, 상기 다른 실시예와 마찬가지로, 온도보상부재(200D)는 몸체부(210D) 및 상기 몸체부(210D)의 표면에 코팅되는 코팅층(220D)을 포함하고, 몸체부(210D)는 지지부재(100)와 일체로 형성될 수 있다.
물론, 상기 몸체부(210D)와 상기 코팅층(220D)은 서로 다른 재질로 형성되고, 상기 코팅층(220D)은 상기 몸체부(210D)보다 열전도율이 더 큰 재질로 구비될 수 있다. 이하에서는 도 3 및 도 4의 실시예에서 이미 설명한 내용과 동일한 내용에 대한 중복설명은 생략한다.
도 5를 참조하면, 상기 코팅층(220D)의 일부는 상기 함몰부(120)의 측면 및 바닥면 상에 배치되고, 상기 코팅층(220D)의 일측은 상기 기판(10)의 상기 가장자리의 하면과 접촉하도록 구비될 수 있다.
이러한 구조로 인해, 기판(10)의 측면 및 가장자리의 노출부위와 대향하는 코팅층(220D)의 표면적이 확장되고, 따라서, 코팅층(220D)으로부터 기판(10)의 측면 및 가장자리로 열전달량이 증가하므로, 기판(10)의 가장자리에 대한 온도보상이 효과적으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 코팅층(220D)의 일측이 상기 기판(10)의 가장자리의 하면과 접촉함으로써, 코팅층(220D)으로부터 기판(10)의 가장자리로 열전도(thermal conduction)에 의한 열전달이 이루어질 수 있다.
이러한 열전도에 의한 코팅층(220D)으로부터 기판(10)의 가장자리로 열전달이 활발하게 일어나므로, 기판(10)의 가장자리에 대한 온도보상이 더욱 효과적으로 이루어질 수 있다.
도 6은 도 2의 또 다른 실시예를 나타낸 단면도이다. 실시예에서, 상기 온도보상부재(200E)와 상기 기판(10)은 상기 지지부재(100)의 상면에 배치될 수 있다.
물론, 다른 실시예와 마찬가지로, 상기 온도보상부재(200E)와 상기 기판(10)의 각각의 측면은 서로 대향되고 이격되도록 배치될 수 있다.
이때, 상기 온도보상부재(200E)의 하면과 상기 기판(10)의 하면은 상하방향으로 동일한 높이로 배치될 수 있다. 즉, 상기 온도보상부재(200E)와 상기 기판(10)은 동일평면 상에 배치될 수 있다. 이때, 상기 동일평면은 지지부재(100)의 상면을 의미할 수 있다.
따라서, 실시예에서는, 상기한 다른 실시에와 달리, 지지부재(100)의 상면에는 돌출된 상기 안착부(110)와 함몰된 상기 함몰부(110)가 형성되지 않을 수 있다.
도 6의 실시예에서는, 이러한 구조로 인해, 지지부재(100)의 가공을 용이하게 할 수 있다.
또한, 온도보상부재(200E)와 기판(10)의 하면이 동일평면 상에 배치되므로, 온도보상부재(200E)와 기판(10)의 서로 대향하는 측면의 면적을 최대로 할 수 있어, 온도보상부재(200E)으로부터 기판(10)의 가장자리로의 열전달이 효과적으로 일어날 수 있다.
도 7은 도 1의 일 실시예를 적용한 기판처리장치(800)를 나타낸 단면도이다. 상기 기판처리장치(700)는 기판을 처리하기 위한 반응공간을 제공하는 챔버(600)와 챔버(600) 내부에서 기판(10)을 안치하는 하나 또는 둘 이상의 지지부(100)와 상기 하나 또는 둘 이상의 지지부(100)를 수용하고 중심축을 기준으로 상기 챔버(700) 내에서 이동 가능하게 하는 지지부 캐리어(300)와 상기 지지부(100)에 안착된 기판(10)에 대해서 공정가스를 분사하는 가스분사부(500)를 포함할 수 있다.
상기 기판처리장치(700)는 상기 지지부 캐리어(300) 하부에 상기 기판(10)을 가열하기 위한 가열수단(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 가열수단은 일 예로 광학식 가열수단일 수 있다. 상기 광학식 가열수단에서 방출된 빛은 상기 지지부 캐리어(300)를 관통하고 상기 지지부(100)를 관통하여 상기 기판(10)을 가열할 수 있다. 이때 상기 지지부 캐리어(300)는 상기 지지부(100)와 같은 재질일 수 있다.
한편, 상기 가열수단은 광학식 가열수단 외에 유도가열방식의 가열 수단이거나 저항가열식 가열수단 일 수도 있다. 또한 상기 가열수단은 상기 지지부 캐리어(300) 내부에 위치할 수도 있다.
한편, 상기 지지부(100)는 상기 지지부 캐리어(300)에서 상기 챔버(600)의 상부방향으로 더 돌출될 수 있다. 상기 지지부(100)에 안착된 기판(10)은 상기 지지부 캐리어(300)의 상부 표면보다 더 높은 위치에 놓여질 수 있다. 또한 상기 지지부(100)는 상기 지지부 캐리어(300)와 결합되거나, 상기 지지부 캐리어(300)에서 분리될 수도 있다. 상기 지지부 캐리어(300)에 둘 이상의 지지부(100)가 결합되는 경우에는 상기 지지부(100)는 상기 지지부 캐리어(300)에서 분리될 수 있도록 결합될 수도 있다.
상기 기판처리장치(700)에서 상기 지지부(100)가 상기 지지부 캐리어(300) 상면으로부터 돌출될 때, 상기 지지부(300)의 상면의 가장자리와 측면은 반응공간에 노출되어 상기 지지부(100)의 기판이 안착된 부분보다 열손실이 증가하게 된다. 상기 지지부(100)에 안착된 기판의 가장자리에서는 기판의 중심부보다 열손실이 상대적으로 크게 될 수 있다. 따라서 상기 지지부(100)에 상기 도 1 내지 도 6에서 설명한 온도보상부재(200)가 설치되면, 상기 온도보상부재(200)에서 방출되는 열을 통하여 상기 기판(10)의 가장자리의 열손실을 보상되어 상기 기판의 온도가 균일하게 유지될 수 있다. 또한 조건에 따라서는 상기 기판의 가장자리 온도를 더 높게 유지할 수 있다.
한편, 도 3 내지 도 6을 참조하여 설명한 기판 지지장치의 구조에서 연유하는 다른 효과는 도 1 및 도 2를 참조하여 상기한 효과와 동일 또는 유사하므로 이에 대한 중복설명은 생략한다.
실시예와 관련하여 전술한 바와 같이 몇 가지만을 기술하였지만, 이외에도 다양한 형태의 실시가 가능하다. 앞서 설명한 실시예들의 기술적 내용들은 서로 양립할 수 없는 기술이 아닌 이상은 다양한 형태로 조합될 수 있으며, 이를 통해 새로운 실시형태로 구현될 수도 있다.
발명의 실시를 위한 형태는 전술한 "발명의 실시를 위한 최선의 형태"에서 충분히 설명되었다.
본 발명은 기판 지지장치에 관한 것이다. 따라서, 본 발명은 산업상 이용가능성이 있다.

Claims (20)

  1. 기판을 지지하는 지지부재; 및
    상기 지지부재의 가장자리에 배치되는 온도보상부재;
    를 포함하고,
    상기 지지부재는 투광성 재질로 구비되고, 상기 온도보상부재는 불투광성 재질로 구비되며,
    상기 온도보상부재의 표면은, 세정가스에 대해서 내부식성을 갖는 재질로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 지지장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 온도보상부재의 표면은, 세정가스에 대해서 내부식성을 갖는 재질로 코팅되는 것을 특징으로 하는 기판 지지장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 지지부재는 석영(quartz)으로 구비되고,
    상기 온도보상부재는 실리콘 카바이드(SiC), 블랙 세라믹(Black ceramic), 블랙 석영(Black Quartz), 및 그라파이트(graphite) 중 적어도 어느 하나로 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 지지장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기판의 측면과 상기 온도보상부재의 측면은 서로 대향되도록 구비되고, 상기 기판과 상기 온도보상부재는 서로 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 지지장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 온도보상부재는 상기 지지부재보다 열전도율(thermal conductivity)이 더 큰 재질로 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 지지장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 온도보상부재는,
    상기 지지부재와 동일재질로 형성되는 몸체부; 및
    상기 몸체부의 표면에 코팅되고, 상기 몸체부와 다른 재질로 형성되는 코팅층;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 코팅층은 상기 몸체부보다 열전도율이 더 큰 재질로 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 지지장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 지지부재 및 상기 몸체부는 석영으로 구비되고,
    상기 코팅층은 흑체로 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 지지장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 온도보상부재는,
    링형상으로 형성되고, 상기 기판을 둘러싸도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 지지장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 지지부재는,
    상기 기판이 안착되는 안착부; 및
    상기 안착부와 상기 온도보상부재의 내측면 사이에 형성되는 링형상의 함몰부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 기판은,
    측면과 가장자리의 하면이 노출되도록 상기 함몰부에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 지지장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 기판은,
    가장자리의 상면, 측면 및 하면이 상기 온도보상부재로부터 방출되는 열에 의해 가열되도록 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 지지장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 온도보상부재와 상기 기판은 상기 지지부재의 상면에 배치되고,
    상기 온도보상부재의 하면과 상기 기판의 하면은 상하방향으로 동일한 높이로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 지지장치.
  14. 기판을 지지하는 지지부재; 및
    상기 지지부재의 가장자리에 배치되고, 상기 지지부재와 다른 재질로 구비되는 온도보상부재를 포함하고,
    상기 지지부재는,
    상기 기판이 안착되는 안착부; 및
    상기 안착부와 상기 온도보상부재의 내측면 사이에 형성되는 링형상의 함몰부를 포함하며,
    상기 온도보상부재의 표면은 세정가스에 대해서 내부식성을 갖는 재질로 구성되고,
    상기 기판은 측면과 가장자리의 하면이 노출되도록 상기 함몰부에 배치되고, 상기 온도보상부재로부터 방출되는 열에 의해 가열되도록 구비되는 기판 지지장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 온도보상부재는 상기 지지부재보다 열전도율이 더 큰 재질로 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 지지장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 지지부재는 석영으로 구비되고, 상기 온도보상부재는 적어도 일부가 흑체로 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 지지장치.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 온도보상부재는,
    상기 지지부재와 동일재질로 형성되는 몸체부; 및
    상기 몸체부의 표면에 코팅되고, 상기 몸체부와 다른 재질로 형성되는 코팅층
    을 포함하고,
    상기 코팅층의 일부는 상기 함몰부의 측면 및 바닥면 상에 배치되고, 상기 코팅층의 일측은 상기 기판의 상기 가장자리의 하면과 접촉하도록 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 지지장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 코팅층은 상기 몸체부보다 열전도율이 더 큰 재질로 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 지지장치.
  19. 제14항에 있어서,
    상기 온도보상부재의 표면은, 세정가스에 대해서 내부식성을 갖는 재질로 코팅되는 것을 특징으로 하는, 기판 지지장치.
  20. 제8항 또는 16항에 있어서,
    상기 흑체는, 실리콘 카바이드(SiC), 세라믹(ceramic), 산화알루미늄(Al2O3), 그라파이트(graphite), 및 석영(Quartz) 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 지지장치.
PCT/KR2018/007186 2017-06-23 2018-06-25 기판 지지장치 Ceased WO2018236201A1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/613,115 US11417562B2 (en) 2017-06-23 2018-06-25 Substrate supporting apparatus
JP2019559270A JP7345397B2 (ja) 2017-06-23 2018-06-25 基板支持装置
CN201880029938.2A CN110622291B (zh) 2017-06-23 2018-06-25 基板支撑设备

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0079595 2017-06-23
KR20170079595 2017-06-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018236201A1 true WO2018236201A1 (ko) 2018-12-27

Family

ID=64737692

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2018/007186 Ceased WO2018236201A1 (ko) 2017-06-23 2018-06-25 기판 지지장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11417562B2 (ko)
JP (1) JP7345397B2 (ko)
KR (1) KR102147326B1 (ko)
CN (1) CN110622291B (ko)
TW (1) TWI793137B (ko)
WO (1) WO2018236201A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021209578A1 (de) * 2020-04-17 2021-10-21 Aixtron Se Cvd-verfahren und cvd-reaktor mit austauschbaren mit dem substrat wärme austauschenden körpern

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6795998B1 (en) * 2000-07-24 2004-09-28 Illinois Tool Works, Inc. Swab with pull-truded tip
KR100766017B1 (ko) * 2004-09-23 2007-10-10 유계춘 스티로폴 관
KR100780703B1 (ko) * 2005-04-11 2007-11-30 전남대학교산학협력단 연속압출식 추출장치
KR100723262B1 (ko) * 2005-06-14 2007-05-31 오현오 휴대용 온수공급기
KR100743596B1 (ko) * 2005-08-16 2007-07-27 주식회사 협성히스코 압력계
KR100720002B1 (ko) * 2006-06-09 2007-05-21 조현찬 금속무늬를 인쇄한 보석 및 그 제조방법
KR100712227B1 (ko) * 2006-06-15 2007-04-27 이운갑 정미기 및 그 정미기를 이용하여 도정된 흑미
KR100764123B1 (ko) * 2006-07-20 2007-10-09 광신금속(주) 외줄형 가시철선 및 이를 이용한 윤형 철조망
KR100746236B1 (ko) * 2006-10-02 2007-08-06 정광용 자연적인 그늘막을 형성하는 나뭇가지 및 나뭇잎과 열매,꽃들로 구성된 자연 파라솔
KR100741292B1 (ko) * 2007-02-16 2007-07-23 종 완 김 신발끈에 의해 다양한 형태가 가능한 신발
KR100733029B1 (ko) * 2007-02-27 2007-06-28 주식회사 누리플랜 가로등
KR100727289B1 (ko) * 2007-02-27 2007-06-13 주식회사삼영이앤티 슬러지 수집기의 장력조절장치
KR100746353B1 (ko) * 2007-05-21 2007-08-03 (주)맥스미디어 방습스피커 어셈블리
KR100778779B1 (ko) * 2007-06-22 2007-11-27 통명석재 주식회사 석재용 스크래치 장치
US20240247404A1 (en) * 2023-01-25 2024-07-25 Applied Materials, Inc. Pre-heat rings and processing chambers including black quartz, and related methods
CN117594489A (zh) * 2023-11-21 2024-02-23 深圳市华盈微技术有限公司 均温盘组件、半导体晶圆烘烤设备和晶圆烘烤热辐射补偿方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030059745A (ko) * 2002-01-04 2003-07-10 주성엔지니어링(주) 반사기를 이용한 웨이퍼 온도 보상기
US20040003780A1 (en) * 1999-12-10 2004-01-08 Applied Materials, Inc. Self aligning non contact shadow ring process kit
KR101002748B1 (ko) * 2009-11-17 2010-12-21 (주)앤피에스 서셉터 유닛 및 이를 구비하는 기판 열처리 장치
JP2013070007A (ja) * 2011-09-26 2013-04-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理方法および熱処理装置
JP2016065276A (ja) * 2014-09-24 2016-04-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板載置ユニットの製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01291421A (ja) * 1988-05-19 1989-11-24 Toshiba Corp 気相成長装置
US6530994B1 (en) * 1997-08-15 2003-03-11 Micro C Technologies, Inc. Platform for supporting a semiconductor substrate and method of supporting a substrate during rapid high temperature processing
DE10261362B8 (de) * 2002-12-30 2008-08-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Substrat-Halter
JP4441356B2 (ja) * 2003-10-16 2010-03-31 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US6888104B1 (en) * 2004-02-05 2005-05-03 Applied Materials, Inc. Thermally matched support ring for substrate processing chamber
CN101587881A (zh) * 2008-05-19 2009-11-25 海华科技股份有限公司 具有温度补偿控制石英振荡器的模块集成电路封装结构
JP2010225645A (ja) * 2009-03-19 2010-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
JP2011018772A (ja) * 2009-07-09 2011-01-27 Nippon Steel Corp 炭化珪素単結晶成膜装置用サセプタ
KR20120071695A (ko) * 2010-12-23 2012-07-03 삼성엘이디 주식회사 화학 기상 증착 장치용 서셉터, 화학 기상 증착 장치 및 화학 기상 증착 장치를 이용한 기판의 가열 방법
US8979087B2 (en) 2011-07-29 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Substrate supporting edge ring with coating for improved soak performance
US9403251B2 (en) * 2012-10-17 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Minimal contact edge ring for rapid thermal processing
CN103074673A (zh) 2012-12-26 2013-05-01 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 衬底支撑结构及沉积装置
US10047457B2 (en) * 2013-09-16 2018-08-14 Applied Materials, Inc. EPI pre-heat ring
JP6602145B2 (ja) * 2015-10-13 2019-11-06 大陽日酸株式会社 基板載置台及び気相成長装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040003780A1 (en) * 1999-12-10 2004-01-08 Applied Materials, Inc. Self aligning non contact shadow ring process kit
KR20030059745A (ko) * 2002-01-04 2003-07-10 주성엔지니어링(주) 반사기를 이용한 웨이퍼 온도 보상기
KR101002748B1 (ko) * 2009-11-17 2010-12-21 (주)앤피에스 서셉터 유닛 및 이를 구비하는 기판 열처리 장치
JP2013070007A (ja) * 2011-09-26 2013-04-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理方法および熱処理装置
JP2016065276A (ja) * 2014-09-24 2016-04-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板載置ユニットの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021209578A1 (de) * 2020-04-17 2021-10-21 Aixtron Se Cvd-verfahren und cvd-reaktor mit austauschbaren mit dem substrat wärme austauschenden körpern

Also Published As

Publication number Publication date
US20210082738A1 (en) 2021-03-18
TWI793137B (zh) 2023-02-21
CN110622291A (zh) 2019-12-27
CN110622291B (zh) 2024-05-14
JP7345397B2 (ja) 2023-09-15
KR102147326B1 (ko) 2020-08-24
KR20190000850A (ko) 2019-01-03
JP2020524892A (ja) 2020-08-20
TW201906069A (zh) 2019-02-01
US11417562B2 (en) 2022-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11417562B2 (en) Substrate supporting apparatus
KR100403078B1 (ko) 매엽식열처리장치
US6448536B2 (en) Single-substrate-heat-processing apparatus for semiconductor process
KR100883285B1 (ko) 열 분산 플레이트 및 에지 지지대를 구비하는 어셈블리
US20040089239A1 (en) Method for dechucking a substrate
WO2021085913A1 (ko) 결합형 포커스 링
KR20110046579A (ko) 반도체 프로세스 챔버
TW201029104A (en) Substrate support stage of plasma processing apparatus
WO2014193138A1 (ko) 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US20210287925A1 (en) Substrate support plate and semiconductor manufacturing apparatus
WO2017122963A2 (ko) 에피텍셜 웨이퍼 제조 방법
WO2013022127A1 (ko) Ｍｏｃｖｄ 장치
WO2022080637A1 (ko) 기판 처리 장치
WO2011136604A2 (ko) 기판 처리 장치
JP3429101B2 (ja) バレル型気相成長装置
WO2022010105A1 (ko) 증착 장치
WO2024025333A1 (ko) 로드락 챔버 및 코팅 공정 시스템
WO2020139030A1 (ko) 서셉터 어셈블리, 이를 포함하는 mocvd 장치 및 mocvd 장치로부터 상측 서셉터를 인출하기 위한 제어 방법
KR100890921B1 (ko) 반도체 제조 장치
WO2019059728A2 (ko) 서셉터 및 이를 포함하는 mocvd 장치
WO2026063707A1 (ko) 웨이퍼 지지용 에지링
WO2014115969A1 (ko) 단결정 성장 장치
WO2025095689A1 (ko) 기판 지지 유닛 및 기판 처리 장치
WO2014175573A1 (ko) 클러스터형 배치식 기판처리 시스템
WO2020189812A1 (ko) 서셉터 및 반도체 제조장치

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18821187

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019559270

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18821187

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1