WO2018196124A1

WO2018196124A1 - 一种顶发射oled器件及制备方法、显示面板

Info

Publication number: WO2018196124A1
Application number: PCT/CN2017/088354
Authority: WO
Inventors: 郝鹏; 张育楠
Original assignee: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Current assignee: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date: 2017-04-28
Filing date: 2017-06-15
Publication date: 2018-11-01
Anticipated expiration: 2019-10-28
Also published as: CN106992267A

Abstract

一种顶发射OLED器件及制备方法、显示面板，该OLED器件包括依次设置的基板（1）、阳极层（2）、有机功能层（3）、阴极层（4）和辅助电极层（5），其中，该辅助电极层（5）设置于该阴极层（4）的非发光区，且该辅助电极层（5）的材料具备导电性。能够增加阴极层（4）的导电率，减小屏幕中心与边缘的压差，提高显示效果；同时又不会遮挡发光区，不影响发光区的显示亮度。

Description

一种顶发射OLED器件及制备方法、显示面板

【技术领域】

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种顶发射OLED器件及制备方法、显示面板。

【背景技术】

OLED（Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管）器件以其自发光、全固态、高对比度等优点，成为近年来最具潜力的新型显示器件。在大尺寸OLED屏幕制作中，由于底部发光结构的OLED受到开口率的影响，难以实现较高的分辨率，因此，越来越多的厂商通过开发顶部发光结构的OLED实现更高的分辨率。

本申请的发明人在长期的研发中发现，制作顶部发光的OLED器件时，为了兼顾光的透过率，采用较薄的透明金属作为阴极，与屏幕的边缘电路连接。但是由于较薄的透明金属电阻较大，当屏幕尺寸较大时，造成屏幕中心与边缘的驱动电压差距过大，产生压降问题，影响显示效果。

【发明内容】

本发明主要解决的技术问题是提供一种顶发射OLED器件及制备方法、显示面板，能够减小屏幕中心与边缘的压差，提高显示效果。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是提供一种顶发射OLED器件，包括：

依次设置的基板、阳极层、有机功能层、阴极层和辅助电极层，其中，所述辅助电极层设置于所述阴极层的非发光区，且所述辅助电极层的材料具备导电性。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是提供一种顶发射OLED器件的制备方法，包括：

在基板上依次制备阳极层、有机功能层、阴极层；

在所述阴极层的非发光区形成辅助电极层，其中，所述辅助电极层的材料具备导电性。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是提供一种显示面板，包括：

顶发射OLED器件，包括依次设置的基板、阳极层、有机功能层、阴极层和辅助电极层，其中，所述辅助电极层设置于所述阴极层的非发光区，且所述辅助电极层的材料具备导电性；

驱动电路，耦接所述阳极层和/或阴极层，用于控制所述OLED器件发光。

本发明通过在OLED器件的阴极层的非发光区设置具备导电性的辅助电极层，能够增加阴极层的导电率，减小屏幕中心与边缘的压差，提高显示效果；同时又不会遮挡发光区，不影响发光区的显示亮度。

【附图说明】

图1是本发明顶发射OLED器件一实施例的结构示意图；

图2是本发明顶发射OLED器件另一实施例的结构示意图；

图3是本发明顶发射OLED器件另一实施例的阴极层与辅助电极层的俯视示意图；

图4是本发明顶发射OLED器件又一实施例的结构示意图；

图5是本发明顶发射OLED器件的制备方法一实施例的流程示意图；

图6是本发明顶发射OLED器件的制备方法另一实施例的流程示意图;

图7是本发明显示面板实施例的结构示意图。

【具体实施方式】

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

参见图1，本发明顶发射OLED器件一实施例包括：

依次设置的基板1、阳极层2、有机功能层3、阴极层4和辅助电极层5，其中，辅助电极层5设置于阴极层4的非发光区，且辅助电极层5的材料具备导电性。

可选地，基板1可以是透明且便于制成轻薄产品的材料，例如玻璃等；阳极层2可以是具有高导电性的材料，例如银、铝或ITO（Indium Tin Oxide，氧化铟锡）等；有机功能层3可以包括多层导电材料，例如CuPc（酞菁铜）、Alq3（三(8-羟基喹啉)铝）或LiF（氟化锂）等；阴极层4可以是具有高导电性和高透明度的材料，例如银、镁或ITO等；辅助电极层5可以是具有高导电性的材料，例如纳米银等。

光源从有机功能层3入射至阴极层4，从阴极层4的发光区射出，由于辅助电极层5具有高导电性，减小了整个阴极层4的电阻，使屏幕中心与边缘的压差变小，有机功能层3中对应屏幕中心和边缘的位置产生的光的亮度差变小，使整个屏幕的显示亮度更均匀；同时辅助电极层5只覆盖于阴极层4的非发光区，不会阻挡穿过阴极层4发光区的光，也不会对屏幕的显示亮度造成影响。

本发明实施例通过在OLED器件的阴极层的非发光区设置具备导电性的辅助电极层，能够增加阴极层的导电率，减小屏幕中心与边缘的压差，提高显示效果；同时又不会遮挡发光区，不影响发光区的显示亮度。

参见图2至图3，本发明顶发射OLED器件另一实施例包括：

依次设置的基板10、阳极层20、有机功能层30、阴极层40和辅助电极层50，其中，辅助电极层50设置于阴极层40的非发光区，且辅助电极层50的材料具备导电性。

可选地，有机功能层30包括空穴注入层301、空穴传输层302、发光层303、电子传输层304和电子注入层305，其中，空穴注入层301、空穴传输层302、发光层303、电子传输层304和电子注入层305依次电性连接，空穴注入层301与阳极层20电性连接，电子注入层305与阴极层40电性连接。

可选地，空穴注入层301可以是便于控制空穴注入速度的材料，例如CuPc等；空穴传输层302可以是具有高的热稳定性，利于空穴传输的材料，例如NPB（N，N′-(1-萘基)-N，N′-二苯基-4，4′-联苯二胺）等；发光层303可以是发光效率高的材料，例如Alq3等；电子传输层304可以是具有高的热稳定性，利于电子传输的材料，例如PBD（2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-恶二唑）等；电子注入层305可以是便于控制电子注入速度的材料，例如LiF等。

可选地，辅助电极层50为网状结构，网口对应发光区401，且辅助电极层50的线宽小于阴极层40的发光区401之间的间距。

可选地，辅助电极层50的厚度大于500纳米，并小于阴极层40与盖板（未示出）之间的距离，若OLED器件采用柔性封装，则辅助电极层50的厚度小于5微米。

在外界驱动下，电子从阴极层40穿过电子注入层305和电子传输层304到达发光层303，空穴从阳极层20穿过空穴注入层301和空穴传输层302到达发光层303，电子和空穴在发光层303相互作用从而发光，光穿过电子传输层304和电子注入层304，入射至阴极层40，从阴极层40的发光区401射出。由于辅助电极层50只覆盖于阴极层40的非发光区，不会阻挡穿过阴极层40的发光区401的光，所以辅助电极层50的材料可以是透光率高于阴极层的材料，也可以是透光率低于阴极层的材料，例如纳米银等。

参见图4，本发明顶发射OLED器件又一实施例包括：

依次设置的基板100、阳极层200、有机功能层300、阴极层400、阴极保护层500和辅助电极层600，其中，辅助电极层600设置于阴极保护层500上对应阴极层400的非发光区，且辅助电极层600的材料具备导电性。

可选地，阴极保护层500设置于阴极层400和辅助电极层600之间，用于保护阴极层400不被辅助电极层600污染。

可选地，阴极保护层500可以是透明导电薄膜，辅助电极层600通过阴极保护层500与阴极层400电性连接。

可选地，阴极保护层500可以是具有高透光性和高导电性的材料，例如IGO（Indium Gallium Zinc Oxide，氧化铟镓）等。

具体的，辅助电极层600的结构参见上述顶发射OLED器件另一实施例中的辅助电极层。

本发明实施例通过在OLED器件的阴极层设置阴极保护层，在阴极保护层上对应阴极层的非发光区设置具备导电性的辅助电极层，能够在不影响阴极层的同时，增加阴极层的导电率，减小屏幕中心与边缘的压差，提高显示效果；同时又不会遮挡发光区，不影响发光区的显示亮度。

参见图5，本发明顶发射OLED器件的制备方法一实施例包括：

S1、在基板上依次制备阳极层、有机功能层、阴极层；

可选地，可以通过蒸镀、打印等方法制备阳极层、有机功能层、阴极层。

S2、在阴极层的非发光区形成辅助电极层。

具体的，可以通过IJP（Ink Jet Printing，喷墨印刷）、点胶机或丝网印刷等在阴极层的非发光区涂布纳米银墨水作为辅助电极层，其中，辅助电极层的线宽小于发光区之间的间距，厚度大于500纳米并小于阴极层与盖板之间的距离；然后对OLED器件进行热处理，以除去纳米银墨水中的溶剂，其中，热处理的温度小于80℃。

可选地，辅助电极层的材料还可以是其他具备导电性的材料。

可选的，纳米银墨水中的溶剂可以是不会污染或干涉其他元件层的溶剂。

参见图6，本发明顶发射OLED器件的制备方法另一实施例包括：

S61、在基板上依次制备阳极层、有机功能层、阴极层；

S62、在阴极层上形成阴极保护层；

可选地，可以在阴极层的整面溅射IGO作为阴极保护层，由于IGO的制程温度小于80℃，不会对阴极层造成污染和损伤。

可选地，还可以通过镀膜、印刷等方法制备阴极保护层。

可选地，阴极保护层的材料还可以是其他制程温度小于阴极层制程温度的材料。

S63、在阴极保护层上对应阴极层的非发光区形成辅助电极层。

具体的，辅助电极层的制备方法参见上述顶发射OLED器件的制备方法一实施例中辅助电极层的制备方法。

参见图7，本发明显示面板实施例包括：

顶发射OLED器件701，顶发射OLED器件701包括依次设置的基板、阳极层、有机功能层、阴极层和辅助电极层，其中，辅助电极层设置于阴极层的非发光区，且辅助电极层的材料具备导电性；

驱动电路702，耦接阳极层和/或阴极层，用于控制OLED器件701发光。

具体的，顶发射OLED器件701的结构参见上述顶发射OLED器件实施例。

以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims

一种显示面板，其中，包括：

顶发射OLED器件，包括依次设置的基板、阳极层、有机功能层、阴极层、阴极保护层和辅助电极层，其中，所述阴极保护层用于保护所述阴极层不被所述辅助电极层污染；所述辅助电极层为网状结构，设置于所述阴极层的非发光区，网口对应发光区，且所述辅助电极层的材料具备导电性；

驱动电路，耦接所述阳极层和/或阴极层，用于控制所述OLED器件发光。
根据权利要求1所述的显示面板，其中，

所述辅助电极层的线宽小于所述阴极层发光区之间的间距。
根据权利要求2所述的显示面板，其中，

所述辅助电极层的厚度大于500纳米，并小于所述阴极层与盖板之间的距离，若所述OLED器件采用柔性封装，则所述辅助电极层的厚度小于5微米。
根据权利要求1所述的显示面板，其中，

所述阴极保护层为透明导电薄膜，所述辅助电极层通过所述阴极保护层与所述阴极层电性连接。
一种顶发射OLED器件，其中，包括：

依次设置的基板、阳极层、有机功能层、阴极层和辅助电极层，其中，所述辅助电极层设置于所述阴极层的非发光区，且所述辅助电极层的材料具备导电性。
根据权利要求5所述的OLED器件，其中，

所述辅助电极层为网状结构，网口对应发光区，且所述辅助电极层的线宽小于所述阴极层发光区之间的间距。
根据权利要求6所述的OLED器件，其中，

所述辅助电极层的厚度大于500纳米，并小于所述阴极层与盖板之间的距离，若所述OLED器件采用柔性封装，则所述辅助电极层的厚度小于5微米。
根据权利要求5所述的OLED器件，其中，还包括：

阴极保护层，设置于所述阴极层与所述辅助电极层之间，用于保护所述阴极层不被所述辅助电极层污染。
根据权利要求8所述的OLED器件，其中，

所述阴极保护层为透明导电薄膜，所述辅助电极层通过所述阴极保护层与所述阴极层电性连接。
根据权利要求5所述的OLED器件，其中，

所述有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，其中，所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层依次电性连接，所述空穴注入层与所述阳极层电性连接，所述电子注入层与所述阴极层电性连接。
一种顶发射OLED器件的制备方法，其中，包括：

在基板上依次制备阳极层、有机功能层、阴极层；

在所述阴极层的非发光区形成辅助电极层，其中，所述辅助电极层的材料具备导电性。
根据权利要求11所述的制备方法，其中，还包括：

在形成辅助电极层之前，在所述阴极层上形成阴极保护层，以保护所述阴极层不被所述辅助电极层污染。
根据权利要求12所述的制备方法，其中，

所述阴极保护层为透明导电薄膜，所述辅助电极层通过所述阴极保护层与所述阴极层电性连接。
根据权利要求11所述的制备方法，其中，

所述在阴极层的非发光区形成辅助电极层的方法具体包括：

通过喷墨印刷在阴极层的非发光区涂布纳米银墨水作为所述辅助电极层。
根据权利要求14所述的制备方法，其中，

所述对辅助电极层进行热处理的温度小于80℃。
根据权利要求12所述的制备方法，其中，

所述在阴极层上形成阴极保护层的方法具体包括：

通过溅射氧化铟镓作为所述阴极保护层。
根据权利要求16所述的制备方法，其中，

所述对阴极保护层进行热处理的温度小于80℃。