WO2018179288A1 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

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WO2018179288A1
WO2018179288A1 PCT/JP2017/013436 JP2017013436W WO2018179288A1 WO 2018179288 A1 WO2018179288 A1 WO 2018179288A1 JP 2017013436 W JP2017013436 W JP 2017013436W WO 2018179288 A1 WO2018179288 A1 WO 2018179288A1
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organic
inorganic layer
layer
display device
peripheral end
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越智　貴志
通 園田
剛 平瀬
克彦 岸本
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シャープ株式会社
堺ディスプレイプロダクト株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a display device and a manufacturing method thereof.
  • Patent Document 1 discloses an organic EL light emitting device in which a concavo-convex structure for restricting spread after application of a resin serving as a buffer layer covering an organic EL element is provided in the periphery of the light emitting region.
  • an element stack is covered with a first barrier film formed by an ALD (Atomic Layer Deposition) method, and the first barrier film is formed by an isotropic film formation method.
  • a method of manufacturing an organic EL element structure is disclosed in which the film is covered with a film, the organic film is anisotropically etched, and the first barrier film is covered with a second barrier film.
  • FIG. 6 is a second cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a third cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a fourth cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a fifth cross-sectional view illustrating the method of manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment of the invention.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a first cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a second cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a third cross-sectional view illustrating the method of manufacturing the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a modified example of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of another modification of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to the third embodiment of the present invention.
  • the organic EL display device 30a includes a base substrate 10, an organic EL element 18 provided as a light emitting element on the base substrate 10 with a base coat film 11 interposed therebetween, and an organic EL element 18. And a sealing film 23a provided so as to cover it.
  • the sealing film 23a includes a second electrode 17 (to be described later) and a lower wiring connected to the second electrode 17 so as not to reach the terminal region T for electrical connection with an external circuit. It is provided to the outside from the connection part C. Furthermore, the sealing film 23a is provided further to the outside than the second electrode 17 formed on one surface so as to cover the display region D.
  • the connection portion C is formed so as to surround the display region D.
  • the TFT 12 is a switching element provided for each sub-pixel as shown in FIG.
  • the TFT 12 overlaps a part of the semiconductor layer on the gate insulating film, a semiconductor layer provided in an island shape on the base coat film 11, a gate insulating film provided so as to cover the semiconductor layer, and the like.
  • the top gate type TFT 12 is exemplified, but the TFT 12 may be a bottom gate type TFT.
  • the plurality of first electrodes 14 are provided in a matrix on the planarizing film 13 so as to correspond to the plurality of subpixels.
  • the first electrode 14 is connected to the drain electrode of each TFT 12 through a contact hole formed in the planarizing film 13.
  • the first electrode 14 has a function of injecting holes into the organic EL layer 16.
  • the first electrode 14 is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the efficiency of hole injection into the organic EL layer 16.
  • the plurality of organic EL layers 16 are arranged on each first electrode 14 and are provided in a matrix so as to correspond to the plurality of sub-pixels.
  • the organic EL layer 16 includes a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4, and an electron injection layer provided in this order on the first electrode 14. 5 is provided.
  • the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer 3.
  • examples of the material constituting the electron transport layer 4 include organic compounds such as oxadiazole derivatives, triazole derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane derivatives, diphenoquinone derivatives, and fluorenone derivatives. , Silole derivatives, metal oxinoid compounds and the like.
  • the second electrode 17 for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) And lithium fluoride (LiF).
  • the second electrode 17 is, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidized astatine (AtO 2).
  • Examples of materials having a small work function include magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), and sodium.
  • (Na) / potassium (K) lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al) Etc.
  • the organic layer 20a is made of, for example, an organic resin material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide.
  • the organic layer 20a may be provided thinner than the thickest inorganic layer among the first inorganic layer 19, the second inorganic layer 21a, and the third inorganic layer 22a.
  • the organic layer is formed by an inkjet method or the like, the organic layer (for example, 3 ⁇ m to 5 ⁇ m or more) is thicker than the inorganic layer, but in this embodiment, as described later, the organic layer 20a Since the organic film 20 to be formed is formed by a vacuum deposition method, the organic layer 20a can be thinly provided.
  • the position of the peripheral end surface of the organic layer 20a coincides with the position of the peripheral end surface of the second inorganic layer 21a as shown in FIG. 2 by a manufacturing method described later.
  • FIGS. 5 to 9 are cross-sectional views showing a method for manufacturing the organic EL display device 30a.
  • the manufacturing method of the organic EL display device 30a of this embodiment includes the organic EL element forming step, the first inorganic layer forming step, the organic film forming step, the second inorganic layer forming step, the organic layer forming step, and the third.
  • Organic EL element formation process For example, the base coat film 11 and the organic EL element 18 (TFT 12, planarization film 13, first electrode 14, edge cover 15, organic EL layer 16 ( A hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4, an electron injection layer 5) and a second electrode 17) are formed.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film is thickened by plasma CVD using a mask Ma so as to cover the organic EL element 18 formed in the organic EL element forming step.
  • the first inorganic layer 19 is formed to a thickness of about 500 nm (first inorganic layer forming step).
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film is formed to a thickness of about 200 nm by plasma CVD using a mask Mb on the substrate on which the organic film 20 is formed.
  • the second inorganic layer 21a is formed so as to overlap the first inorganic layer 19 (second inorganic layer forming step).
  • the opening area of the mask Mb is smaller than the opening area of the mask Ma (see FIGS. 5 and 7).
  • the organic film 20 exposed from the second inorganic layer 21a is removed by ashing (for example, using plasma P) to form the organic layer 20a.
  • ashing for example, using plasma P
  • the position of the peripheral end face of the organic layer 20a coincides (aligns) with the position of the peripheral end face of the second inorganic layer 21a.
  • the coincidence (position) of the peripheral end faces includes an approximate coincidence and means that the deviations of the peripheral end faces are within 1 ⁇ m to 2 ⁇ m.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film is formed to a thickness of about 400 nm to 500 nm by plasma CVD using a mask Ma on the substrate on which the organic layer 20a is formed.
  • the third inorganic layer 22a is formed so as to cover the peripheral end face of the organic layer 20a and the second inorganic layer 21a (third inorganic layer forming step).
  • the mask Ma used when forming the first inorganic layer 19 is used for forming the third inorganic layer 22 a
  • the peripheral end surface of the third inorganic layer 22 a is the same as the peripheral end surface of the first inorganic layer 19. Imitate.
  • copying means that the peripheral end face of a thin film formed later conforms to some extent to the peripheral end face of a thin film previously formed in order to form a film using the same mask. This means that the peripheral end faces do not exactly coincide with each other due to the accuracy of the alignment and the wraparound of the CVD film forming material.
  • the organic EL display device 30a of this embodiment can be manufactured.
  • the organic EL display device 30a and the manufacturing method thereof of the present embodiment the following effects (1) and (2) can be obtained.
  • the organic film 20 exposed from the second inorganic layer 21a is removed to form the organic layer 20a, so that the peripheral end surface of the second inorganic layer 21a and the peripheral end surface of the organic layer 20a Since it corresponds, the peripheral edge part of the organic layer 20a can be formed accurately.
  • the third inorganic layer 22a is provided so as to cover the peripheral end surface of the second inorganic layer 21a, the organic layer so as to cover the foreign matter F even if the foreign matter F exists on the surface of the first inorganic layer 19. 20a is provided, and the second inorganic layer 21a and the third inorganic layer 22a are sequentially stacked on the organic layer 20a to form the sealing film 23a.
  • the sealing performance by the sealing film 23a can be ensured, in the sealing film 23a, the sealing performance is ensured, and the peripheral end portion of the organic layer 20a is accurately formed to reduce the frame. Can be planned. Furthermore, since the film thickness of the organic layer 20a can be reduced by vapor deposition, the strain of the first inorganic layer 19, the second inorganic layer 21a, and the third inorganic layer 22a when bent is reduced, and the sealing film The flexibility of 23a can be improved.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the organic EL display device 30b of the present embodiment.
  • the same parts as those in FIGS. 1 to 9 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
  • the organic EL display device 30a in which the position of the peripheral end surface of the third inorganic layer 22a coincides with the position of the peripheral end surface of the first inorganic layer 19 is exemplified.
  • Examples of the organic EL display device 30b and the like in which the position of the peripheral end surface of the layer 22b is outside the position of the peripheral end surface of the first inorganic layer 19 are illustrated.
  • the organic EL display device 30 b is provided so as to cover the base substrate 10, the organic EL element 18 provided on the base substrate 10 via the base coat film 11, and the organic EL element 18. And a sealing film 23b.
  • the display region D is provided in a rectangular shape by the organic EL element 18, and the display region D In D, a plurality of pixels are arranged in a matrix.
  • the sealing film 23 b includes a first inorganic layer 19 provided so as to cover the organic EL element 18, an organic layer 20 b provided so as to be sequentially stacked on the first inorganic layer 19, and A second inorganic layer 21b and a third inorganic layer 22b provided so as to cover the peripheral end face of the organic layer 20b and the second inorganic layer 21b are provided.
  • the first inorganic layer 19, the second inorganic layer 21b, and the third inorganic layer 22b are made of, for example, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film.
  • the second inorganic layer 21b is preferably made of, for example, a silicon nitride film having a high barrier property.
  • foreign matter F called particles is present on the surface of the first inorganic layer 19 on the organic layer 20 b side, but the foreign matter F is not present on the surface of the first inorganic layer 19. It goes without saying that is preferable.
  • the position of the peripheral end face of the first inorganic layer 19 follows (or conforms to) the position of the peripheral end face of the organic layer 20a and the second inorganic layer 21a as shown in FIG.
  • the organic layer 20b is made of an organic resin material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide.
  • the organic layer 20b is provided thinner than the thickest inorganic layer among the first inorganic layer 19, the second inorganic layer 21b, and the third inorganic layer 22b.
  • the position of the peripheral end face of the organic layer 20b coincides with the position of the peripheral end face of the second inorganic layer 21b as shown in FIG.
  • the organic EL display device 30b described above has flexibility, and is configured to display an image by appropriately emitting light from the light emitting layer 3 of the organic EL layer 16 via the TFT 12 in each sub-pixel. .
  • FIGS. 11 to 13 are cross-sectional views showing a method for manufacturing the organic EL display device 30b.
  • the manufacturing method of the organic EL display device 30b of this embodiment includes the organic EL element forming step, the first inorganic layer forming step, the organic film forming step, the second inorganic layer forming step, the organic layer forming step, and the third.
  • a sealing film forming step including an inorganic layer forming step since it is the same as the process demonstrated in the said 1st Embodiment about the organic EL element formation process of this embodiment, a 1st inorganic layer formation process, and an organic film formation process, it is after the 2nd inorganic layer formation process. Will be described.
  • the mask Ma used when forming the first inorganic layer 19 is formed on the substrate on which the organic film 20 has been formed in the organic film forming step of the first embodiment.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film is formed to a thickness of about 200 nm by a plasma CVD method, and the second inorganic layer 21b is formed so as to overlap the first inorganic layer 19 (second inorganic layer) Forming step).
  • the mask Ma used when forming the first inorganic layer 19 is used to form the second inorganic layer 21 b
  • the peripheral end surface of the second inorganic layer 21 b is the peripheral end surface of the first inorganic layer 19. To follow (conform).
  • the organic film 20 exposed from the second inorganic layer 21b is removed by ashing (for example, using plasma P), and the organic layer 20b is removed.
  • ashing for example, using plasma P
  • the organic layer 20b is removed.
  • Form organic layer forming step
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film is formed to a thickness of about 400 nm to 500 nm by plasma CVD using a mask Mc on the substrate on which the organic layer 20b is formed.
  • the third inorganic layer 22b is formed so as to cover the peripheral end surface of the organic layer 20b and the second inorganic layer 21b (second inorganic layer forming step).
  • the opening area of the mask Mc is larger than the opening area of the mask Ma (see FIGS. 11 and 13).
  • the organic EL display device 30b of this embodiment can be manufactured.
  • the organic EL display device 30b is illustrated in which the position of the peripheral end surface of the second inorganic layer 21b follows (or conforms to) the position of the peripheral end surface of the first inorganic layer 19.
  • the organic EL display devices 30c and 30d that do not follow the position of the peripheral end surface of the first inorganic layer 19 (or do not comply) may be used.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device 30c which is a modification of the organic EL display device 30b.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device 30d which is another modification of the organic EL display device 30b.
  • the first inorganic layer 19c in the sealing film 23c including the first inorganic layer 19c, the organic layer 20c, the second inorganic layer 21c, and the third inorganic layer 22c, the first inorganic layer 19c The position of the peripheral end face is disposed outside the peripheral end face of the organic layer 20c and the peripheral end face of the second inorganic layer 21c. Further, in the organic EL display device 30d, as shown in FIG.
  • the first inorganic layer 19d is composed of, for example, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film. Has been.
  • the second inorganic layers 21c and 21d are preferably composed of, for example, a silicon nitride film having a high barrier property.
  • the organic layers 20c and 20d are made of an organic resin material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide.
  • the third inorganic layers 22 c and 22 d are in contact with the inorganic layer of the interlayer insulating film 7 constituting a part of the TFT 12 outside the display region D.
  • the configuration in which the third inorganic layers 22c and 22d are in contact with the inorganic layer of the interlayer insulating film 7 is exemplified.
  • the third inorganic layers 22c and 22d are gate insulating films that constitute a part of the TFT 12. 6 and the interlayer insulating film 7 and at least one inorganic layer of the base coat film 11 may be in contact with each other.
  • the effects (1) and (2) described above and the following effect (3) can be obtained.
  • the organic film 20 exposed from the second inorganic layer 21b is removed to form the organic layer 20b, whereby the peripheral end surface of the second inorganic layer 21b becomes an organic layer. Since it coincides with the peripheral end surface of 20b, the peripheral end portion of the organic layer 20b can be formed with high accuracy. Further, since the third inorganic layer 22b is provided so as to cover the peripheral end surface of the first inorganic layer 19 and the peripheral end surface of the second inorganic layer 21b, the foreign matter F exists on the surface of the first inorganic layer 19.
  • the organic layer 20b is formed so as to cover the foreign matter F, and the second inorganic layer 21b and the third inorganic layer 22b are sequentially stacked on the organic layer 20b to form the sealing film 23b.
  • the sealing performance by the sealing film 23b can be ensured, in the sealing film 23b, the sealing performance is ensured and the peripheral end portion of the organic layer 20b is accurately formed to reduce the frame. Can be planned.
  • the film thickness of the organic layer 20b can be reduced by the vapor deposition method, the strain of the first inorganic layer 19, the second inorganic layer 21b, and the third inorganic layer 22b when bent is reduced, and the sealing film The flexibility of 23b can be improved.
  • the organic film 20 exposed from the second inorganic layer 21b is removed using the second inorganic layer 21b as a mask. Therefore, the second inorganic layer 21b is prepared without preparing a separate mask. The position of the peripheral end face of the layer 21b and the position of the peripheral end face of the organic layer 20b can be matched.
  • the sealing performance by the sealing film 23b can be improved.
  • the deterioration of the organic EL element 18 can be suppressed as compared with the organic EL display device 30a of the first embodiment.
  • FIG. 16 shows a third embodiment of the organic EL display device according to the present invention.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the organic EL display device 30e of the present embodiment.
  • the organic EL display devices 30a and 30b (30c, 30d) that do not include the sealing substrate are exemplified.
  • the organic EL display device that includes the sealing substrate 26 is used. 30e is illustrated.
  • the organic EL display device 30 e is provided so as to cover the base substrate 10, the organic EL element 18 provided on the base substrate 10 via the base coat film 11, and the organic EL element 18.
  • a sealing film 23a and a sealing substrate 26 provided on the sealing film 23a via a sealing resin layer 25 and a sealing material 24 are provided.
  • the display region D is provided in a rectangular shape by the organic EL element 18, and the display region In D, a plurality of pixels are arranged in a matrix.
  • the sealing material 24 is provided in a frame shape so that the base substrate 10 and the sealing substrate 26 are bonded to each other at their peripheral ends.
  • the sealing material 24 is made of, for example, a sealing resin such as an epoxy resin, an acrylic resin, a polyimide resin, or a phenol resin having ultraviolet curable properties and / or thermosetting properties.
  • the sealing resin layer 25 is made of, for example, a thermosetting epoxy resin or silicon resin made of a sealing resin.
  • the sealing resin contains, for example, metal oxides such as calcium oxide (CaO), barium oxide (BaO), and aluminum oxide (Al 2 O 3 ), activated carbon, silica gel, zeolite, and the like.
  • the sealing resin layer 25 has a getter function for adsorbing moisture, oxygen, and the like.
  • the sealing substrate 26 is a flexible plastic substrate made of, for example, polyimide resin.
  • the organic EL display device 30e having the above configuration is flexible and configured to display an image by appropriately emitting light from the light emitting layer 3 of the organic EL layer 16 via the TFT 12 in each sub-pixel. Yes.
  • the organic EL display device 30e of the present embodiment can be manufactured by using the method for manufacturing the organic EL display device 30a of the first embodiment.
  • a seal resin is arranged in a frame shape by, for example, a dispenser method on the peripheral end portion of the base substrate 10 of the organic EL display device 30a manufactured in the first embodiment, and the seal resin.
  • a sealing resin is disposed inside the.
  • the base substrate 10 on which the sealing resin and the sealing resin are arranged on the surface and the sealing substrate 26 are bonded together in a reduced pressure atmosphere, and then the reduced pressure atmosphere is released to thereby release the base substrate 10 and the sealing substrate.
  • the outer surface of the substrate 26 is pressurized.
  • the irradiation body is heated to cure the sealing resin and the sealing resin, so that the sealing material 24 and the sealing material are sealed.
  • a stop resin layer 25 is formed.
  • the organic EL display device 30e of this embodiment can be manufactured.
  • the effects (1) and (2) described above and the following effect (4) can be obtained.
  • the organic EL element 18 is more effective than the organic EL display device 30a of the first embodiment. Can be prevented.
  • the configuration in which the sealing substrate 26 is added to the organic EL display device 30a of the first embodiment has been exemplified.
  • the sealing substrate is added to the organic EL display device 30b and the like of the second embodiment. 26 may be added.
  • an organic EL layer having a five-layer structure of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer has been exemplified.
  • a three-layer structure of a layer / hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer / electron injection layer may be employed.
  • the organic EL display device using the first electrode as an anode and the second electrode as a cathode has been exemplified.
  • the present invention reverses the stacked structure of the organic EL layers and uses the first electrode as a cathode.
  • the present invention can also be applied to an organic EL display device using the second electrode as an anode.
  • the organic EL display device including the element substrate using the TFT electrode connected to the first electrode as the drain electrode is illustrated.
  • the present invention is not limited to the TFT connected to the first electrode.
  • the present invention can also be applied to an organic EL display device including an element substrate whose electrode is called a source electrode.
  • the organic EL display device is described as an example of the display device.
  • the present invention can be applied to a display device including a plurality of light emitting elements driven by current.
  • the present invention can be applied to a display device including a QLED (Quantum-dot light emitting diode) that is a light-emitting element using a quantum dot-containing layer.
  • QLED Quantum-dot light emitting diode
  • the present invention is useful for flexible display devices.
  • Display area 7 Interlayer insulating film (inorganic layer) 10 Base substrate 12 TFT (switching element) 14 First electrode 16 Organic EL layer (light emitting layer) 17 Second electrode 18 Organic EL element (light emitting element) 19, 19c, 19d First inorganic layer 20 Organic films 20a to 20d Organic layers 21a to 21d Second inorganic layers 22a to 22d Third inorganic layers 23a to 23d Sealing films 30a to 30e Organic EL display device

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Abstract

発光素子１８を覆う封止膜（２３ａ）は、発光素子（１８）を覆うように設けられた第１無機層（１９）と、第１無機層（１９）上に設けられた有機層（２０ａ）と、有機層（２０ａ）上に設けられた第２無機層（２１ａ）と、第２無機層（２１ａ）上に設けられた第３無機層（２２ａ）とを備え、第２無機層（２１ａ）の周端面は、有機層（２０ａ）の周端面と一致しており、第３無機層（２２ａ）は、第１無機層（１９）の周端面又は第２無機層（２１ａ）の周端面を覆うように設けられている。

Description

表示装置及びその製造方法
　本発明は、表示装置及びその製造方法に関するものである。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。ここで、有機ＥＬ表示装置では、水分や酸素等の混入による有機ＥＬ素子の劣化を抑制するために、有機ＥＬ素子を覆う封止膜を無機層及び有機層の積層膜で構成する封止構造が提案されている。
　例えば、特許文献１には、有機ＥＬ素子を覆う緩衝層となる樹脂の塗布後の塗れ広がりを規制する凹凸構造が発光領域周辺部に設けられた有機ＥＬ発光装置が開示されている。
　また、特許文献２には、素子積層部をＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法によって形成される第１のバリア膜で覆い、その第１のバリア膜を等方的な成膜手法によって形成される有機膜で覆い、その有機膜を異方性エッチングし、さらに、第１バリア膜を第２のバリア膜で覆う、有機ＥＬ素子構造の製造方法が開示されている。
特開２０１１－１４６３２３号公報 特開２０１５－１７６７１７号公報
　ところで、上記特許文献１に開示された有機ＥＬ発光装置では、塗布後の樹脂の塗れ広がりを規制する凹凸構造を発光領域周辺部に設ける必要があるので、有機ＥＬ表示装置の狭額縁化が困難になってしまう。
　また、上記特許文献２に開示された有機ＥＬ素子構造の製造方法では、仮に、第１のバリア膜上に異物が存在すると、異方性エッチングによりその異物上の有機膜までなくなるおそれがあるので、封止性能が低下してしまう。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、封止膜において、封止性能を確保すると共に、有機層の周端部を精度よく形成して狭額縁化を図ることにある。
　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、ベース基板と、前記ベース基板に設けられた発光素子と、前記発光素子を覆うように設けられた封止膜とを備え、前記発光素子により表示領域が規定された表示装置であって、前記封止膜は、前記発光素子を覆うように設けられた第１無機層と、前記第１無機層上に設けられた有機層と、前記有機層上に設けられた第２無機層と、前記第２無機層上に設けられた第３無機層とを備え、前記第２無機層の周端面は、前記有機層の周端面と一致しており、前記第３無機層は、前記第１無機層の周端面又は前記第２無機層の周端面を覆うように設けられていることを特徴とする。
　第２無機層の周端面が有機層の周端面と一致しており、第３無機層が第１無機層の周端面又は第２無機層の周端面を覆うように設けられているので、封止膜において、封止性能を確保すると共に、有機層の周端部を精度よく形成して狭額縁化を図ることができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図２は、図１中のII－II線に沿った有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の内部構成を示す断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層を示す断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第１の断面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第２の断面図である。 図７は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第３の断面図である。 図８は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第４の断面図である。 図９は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第５の断面図である。 図１０は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。 図１１は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第１の断面図である。 図１２は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第２の断面図である。 図１３は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す第３の断面図である。 図１４は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例の概略構成を示す断面図である。 図１５は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の他の変形例の概略構成を示す断面図である。 図１６は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《第１の実施形態》
　図１～図９は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の第１の実施形態を示している。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、図１中のII－II線に沿った有機ＥＬ表示装置３０ａの概略構成を示す断面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置３０ａの内部構成を示す断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置３０ａを構成する有機ＥＬ層１６を示す断面図である。
　有機ＥＬ表示装置３０ａは、図１～図３に示すように、ベース基板１０と、ベース基板１０上にベースコート膜１１を介して発光素子として設けられた有機ＥＬ素子１８と、有機ＥＬ素子１８を覆うように設けられた封止膜２３ａとを備えている。ここで、封止膜２３ａは、図１に示すように、外部回路と電気的に接続するための端子領域Ｔに到達しないように、後述する第２電極１７とそれに接続される下層の配線との接続部Ｃよりも外側まで設けられている。さらには、封止膜２３ａは、表示領域Ｄを覆うように一面に形成された第２電極１７よりもさらに外側まで設けられている。なお、図１では、接続部Ｃが表示領域Ｄを囲うように一続きで形成されているが、接続部Ｃは、複数に分けて形成されていたり、表示領域Ｄの一辺に沿って又は表示領域Ｄの一辺の一部に沿って形成されていたりしてもよい。また、有機ＥＬ表示装置３０ａでは、図１及び図２に示すように、画像表示を行う表示領域Ｄが有機ＥＬ素子１８により矩形状に設けられ、表示領域Ｄには、複数の画素がマトリクス状に配列されている。そして、各画素では、例えば、赤色の階調表示を行うためのサブ画素、緑色の階調表示を行うためのサブ画素、及び青色の階調表示を行うためのサブ画素が互いに隣り合うように配列されている。なお、有機ＥＬ表示装置３０ａでは、矩形状の表示領域Ｄの周囲に枠状の額縁領域が設けられ、その額縁領域に上述した端子領域Ｔが設けられている。
　ベース基板１０は、例えば、ポリイミド樹脂製等の可撓性を有するプラスチック基板である。
　ベースコート膜１１は、例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜である。
　有機ＥＬ素子１８は、図３に示すように、ベースコート層１１上に順に設けられた複数のＴＦＴ１２、平坦化膜１３、複数の第１電極１４、エッジカバー１５、複数の有機ＥＬ層１６及び第２電極１７を備えている。
　ＴＦＴ１２は、図３に示すように、各サブ画素毎に設けられたスイッチング素子である。ここで、ＴＦＴ１２は、例えば、ベースコート膜１１上に島状に設けられた半導体層と、半導体層を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に半導体層の一部と重なるように設けられたゲート電極と、ゲート電極を覆うように設けられた層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に設けられ、互いに離間するように配置されたソース電極及びドレイン電極とを備えている。なお、本実施形態では、トップゲート型のＴＦＴ１２を例示したが、ＴＦＴ１２は、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。
　平坦化膜１３は、図３に示すように、各ＴＦＴ１２のドレイン電極の一部以外を覆うように設けられている。ここで、平坦化膜１３は、例えば、アクリル樹脂等の無色透明な有機樹脂材料により構成されている。
　複数の第１電極１４は、図３に示すように、複数のサブ画素に対応するように、平坦化膜１３上にマトリクス状に設けられている。ここで、第１電極１４は、図３に示すように、平坦化膜１３に形成されたコンタクトホールを介して、各ＴＦＴ１２のドレイン電極に接続されている。また、第１電極１４は、有機ＥＬ層１６にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極１４は、有機ＥＬ層１６への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極１４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極１４を構成する材料は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極１４を構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極１４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
　エッジカバー１５は、図３に示すように、各第１電極１４の周縁部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー１５を構成する材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＮＯ）等の無機膜、又はポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。
　複数の有機ＥＬ層１６は、図３に示すように、各第１電極１４上に配置され、複数のサブ画素に対応するように、マトリクス状に設けられている。ここで、有機ＥＬ層１６は、図４に示すように、第１電極１４上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極１４と有機ＥＬ層１６とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極１４から有機ＥＬ層１６への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
　正孔輸送層２は、第１電極１４から有機ＥＬ層１６への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　発光層３は、第１電極１４及び第２電極１７による電圧印加の際に、第１電極１４及び第２電極１７から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層５は、第２電極１７と有機ＥＬ層１６とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極１７から有機ＥＬ層１６へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子１８の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
　第２電極１７は、図３に示すように、各有機ＥＬ層１６及びエッジカバー１５を覆って、複数のサブ画素に共通するように設けられている。また、第２電極１７は、有機ＥＬ層１６に電子を注入する機能を有している。また、第２電極１７は、有機ＥＬ層１６への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極１７を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極１７は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極１７は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極１７は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　封止膜２３ａは、図２に示すように、有機ＥＬ素子１８を覆うように設けられた第１無機層１９と、第１無機層１９上に順に積層するように設けられた有機層２０ａ及び第２無機層２１ａと、有機層２０ａの周端面及び第２無機層２１ａを覆うように設けられた第３無機層２２ａとを備えている。
　第１無機層１９、第２無機層２１ａ及び第３無機層２２ａは、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。ここで、第２無機層２１ａについては、例えば、バリア性の高い窒化シリコン膜により構成されていることが好ましい。なお、第１無機層１９の有機層２０ａ側の表面には、図２に示すように、パーティクルと呼ばれる異物Ｆが存在しているが、第１無機層１９の表面に異物Ｆが存在しない方が好ましいことは言うまでもない。また、本実施形態では、第１無機層１９と有機層２０ａとの界面に異物Ｆが存在する構成を例示したが、異物Ｆは、例えば、有機ＥＬ素子１８と第１無機層１９との界面に存在していてもよく、有機層２０ａによる封止効果は、有機層２０ａのベース基板１０ａ側に存在する種々の異物Ｆに対して有効である。
　第１無機層１９の周端面の位置は、図２に示すように、有機層２０ａ及び第２無機層２１ａの周端面の位置よりも外側に配置されている。
　有機層２０ａは、例えば、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機樹脂材料により構成されている。また、有機層２０ａは、第１無機層１９、第２無機層２１ａ及び第３無機層２２ａのうち最も厚い無機層よりも薄く設けられていてもよい。なお、従来は、インクジェット法等により有機層を形成していたので、無機層よりも有機層（例えば、３μｍ～５μｍ以上）が厚くなるものの、本実施形態では、後述するように、有機層２０ａとなる有機膜２０を真空蒸着法により成膜するので、有機層２０ａを薄く設けることができる。ここで、有機層２０ａの周端面の位置は、後述する製造方法により、図２に示すように、第２無機層２１ａの周端面の位置と一致している。
　上述した有機ＥＬ表示装置３０ａは、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２を介して有機ＥＬ層１６の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａの製造方法について、図５～図９を用いて説明する。ここで、図５～図９は、有機ＥＬ表示装置３０ａの製造方法を示す断面図である。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａの製造方法は、有機ＥＬ素子形成工程、並びに第１無機層形成工程、有機膜成膜工程、第２無機層形成工程、有機層形成工程及び第３無機層形成工程を含む封止膜形成工程を備える。
　＜有機ＥＬ素子形成工程＞
　例えば、ポリイミド樹脂製のベース基板１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１及び有機ＥＬ素子１８（ＴＦＴ１２、平坦化膜１３、第１電極１４、エッジカバー１５、有機ＥＬ層１６（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）、第２電極１７）を形成する。
　＜封止膜形成工程＞
　まず、図５に示すように、上記有機ＥＬ素子形成工程で形成された有機ＥＬ素子１８を覆うように、マスクＭａを用いて、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ５００ｎｍ程度に成膜して、第１無機層１９を形成する（第１無機層形成工程）。
　続いて、図６に示すように、第１無機層１９が形成された基板の表面全体に、例えば、アクリレート等の有機膜２０を真空蒸着法により厚さ１００ｎｍ～３００ｎｍ程度に成膜する（有機膜成膜工程）。
　その後、図７に示すように、有機膜２０が成膜された基板に対して、マスクＭｂを用いて、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ２００ｎｍ程度に成膜して、第１無機層１９と重なるように第２無機層２１ａを形成する（第２無機層形成工程）。ここで、マスクＭｂの開口面積は、マスクＭａの開口面積よりも小さくなっている（図５及び図７参照）。
　さらに、図８に示すように、第２無機層２１ａをマスクとして、第２無機層２１ａから露出する有機膜２０を（例えば、プラズマＰを利用する）アッシングにより除去して、有機層２０ａを形成する（有機層形成工程）。このように、第２無機層２１ａをマスクとして有機膜２０をアッシングするために、有機層２０ａの周端面の位置は、第２無機層２１ａの周端面の位置と一致する（揃う）ことになる。なお、本明細書において、周端面の（位置の）一致とは、おおよその一致を含み、互いの周端面のずれが１μｍ～２μｍ以内であることを言う。
　最後に、図９に示すように、有機層２０ａが形成された基板に対して、マスクＭａを用いて、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ４００ｎｍ～５００ｎｍ程度に成膜して、有機層２０ａの周端面及び第２無機層２１ａを覆うように第３無機層２２ａを形成する（第３無機層形成工程）。ここで、第３無機層２２ａの形成には、第１無機層１９を形成する際に用いたマスクＭａを用いるので、第３無機層２２ａの周端面は、第１無機層１９の周端面に倣って（準じて）いる。なお、本明細書において、倣うとは、同じマスクを用いて成膜するために、後に成膜された薄膜の周端面が前に成膜された薄膜の周端面にある程度準じることを指し、マスクのアライメントの精度やＣＶＤ成膜材料の回り込みによって、互いの周端面が厳密に一致しないことを意味する。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａを製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａ及びその製造方法によれば、以下の（１）及び（２）の効果を得ることができる。
　（１）有機層形成工程において、第２無機層２１ａから露出する有機膜２０を除去して、有機層２０ａを形成することにより、第２無機層２１ａの周端面が有機層２０ａの周端面と一致しているので、有機層２０ａの周端部を精度よく形成することができる。また、第３無機層２２ａが第２無機層２１ａの周端面を覆うように設けられているので、第１無機層１９の表面に異物Ｆが存在しても、異物Ｆを覆うように有機層２０ａが設けられ、さらに、有機層２０ａ上に第２無機層２１ａ及び第３無機層２２ａが順に積層されて封止膜２３ａが形成される。これにより、封止膜２３ａによる封止性能を確保することができるので、封止膜２３ａにおいて、封止性能を確保すると共に、有機層２０ａの周端部を精度よく形成して狭額縁化を図ることができる。さらに、蒸着法により有機層２０ａの膜厚を薄くすることができるので、屈曲させた際の第１無機層１９、第２無機層２１ａ及び第３無機層２２ａのひずみが小さくなり、封止膜２３ａの屈曲性を向上させることができる。
　（２）有機層形成工程では、第２無機層２１ａをマスクとして、第２無機層２１ａから露出する有機膜２０を除去するので、別途マスクを準備することなく、第２無機層２１ａの周端面の位置と有機層２０ａの周端面の位置とを一致させることができる。
　《第２の実施形態》
　図１０～図１５は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図１０は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂの概略構成を示す断面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図９と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記第１の実施形態では、第３無機層２２ａの周端面の位置が第１無機層１９の周端面の位置と一致する有機ＥＬ表示装置３０ａを例示したが、本実施形態では、第３無機層２２ｂの周端面の位置が第１無機層１９の周端面の位置よりも外側にある有機ＥＬ表示装置３０ｂ等を例示する。
　有機ＥＬ表示装置３０ｂは、図１０に示すように、ベース基板１０と、ベース基板１０上にベースコート膜１１を介して設けられた有機ＥＬ素子１８と、有機ＥＬ素子１８を覆うように設けられた封止膜２３ｂとを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置３０ｂでは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａと同様に、図１０に示すように、表示領域Ｄが有機ＥＬ素子１８により矩形状に設けられ、表示領域Ｄには、複数の画素がマトリクス状に配列されている。
　封止膜２３ｂは、図１０に示すように、有機ＥＬ素子１８を覆うように設けられた第１無機層１９と、第１無機層１９上に順に積層するように設けられた有機層２０ｂ及び第２無機層２１ｂと、有機層２０ｂの周端面及び第２無機層２１ｂを覆うように設けられた第３無機層２２ｂとを備えている。
　第１無機層１９、第２無機層２１ｂ及び第３無機層２２ｂは、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。ここで、第２無機層２１ｂについては、例えば、バリア性の高い窒化シリコン膜により構成されていることが好ましい。なお、第１無機層１９の有機層２０ｂ側の表面には、図１０に示すように、パーティクルと呼ばれる異物Ｆが存在しているが、第１無機層１９の表面に異物Ｆが存在しない方が好ましいことは言うまでもない。
　第１無機層１９の周端面の位置は、後述する製造方法により、図１０に示すように、有機層２０ａ及び第２無機層２１ａの周端面の位置に倣って（準じて）いる。
　有機層２０ｂは、例えば、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機樹脂材料により構成されている。また、有機層２０ｂは、第１無機層１９、第２無機層２１ｂ及び第３無機層２２ｂのうち最も厚い無機層よりも薄く設けられている。ここで、有機層２０ｂの周端面の位置は、図１０に示すように、第２無機層２１ｂの周端面の位置と一致している。
　上述した有機ＥＬ表示装置３０ｂは、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２を介して有機ＥＬ層１６の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂの製造方法について、図１１～図１３を用いて説明する。ここで、図１１～図１３は、有機ＥＬ表示装置３０ｂの製造方法を示す断面図である。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂの製造方法は、有機ＥＬ素子形成工程、並びに第１無機層形成工程、有機膜成膜工程、第２無機層形成工程、有機層形成工程及び第３無機層形成工程を含む封止膜形成工程を備える。そして、本実施形態の有機ＥＬ素子形成工程、第１無機層形成工程及び有機膜成膜工程については、上記第１の実施形態で説明した工程と同じであるので、第２無機層形成工程以降について説明する。
　＜封止膜形成工程＞
　まず、図１１に示すように、上記第１の実施形態の有機膜成膜工程で有機膜２０が成膜された基板に対して、第１無機層１９を形成する際に用いたマスクＭａを用いて、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ２００ｎｍ程度に成膜して、第１無機層１９と重なるように第２無機層２１ｂを形成する（第２無機層形成工程）。このように、第２無機層２１ｂの形成には、第１無機層１９を形成する際に用いたマスクＭａを用いるので、第２無機層２１ｂの周端面は、第１無機層１９の周端面に倣う（準じる）ことになる。
　続いて、図１２に示すように、第２無機層２１ｂをマスクとして、第２無機層２１ｂから露出する有機膜２０を（例えば、プラズマＰを利用する）アッシングにより除去して、有機層２０ｂを形成する（有機層形成工程）。このように、第２無機層２１ｂをマスクとして有機膜２０をアッシングするために、有機層２０ｂの周端面の位置は、第２無機層２１ｂの周端面の位置と一致する（揃う）ことになる。
　最後に、図１３に示すように、有機層２０ｂが形成された基板に対して、マスクＭｃを用いて、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ４００ｎｍ～５００ｎｍ程度に成膜して、有機層２０ｂの周端面及び第２無機層２１ｂを覆うように第３無機層２２ｂを形成する（第２無機層形成工程）。ここで、マスクＭｃの開口面積は、マスクＭａの開口面積よりも大きくなっている（図１１及び図１３参照）。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂを製造することができる。
　なお、本実施形態では、第２無機層２１ｂの周端面の位置が第１無機層１９の周端面の位置に倣う（準じる）有機ＥＬ表示装置３０ｂを例示したが、第２無機層２１ｂの周端面の位置が第１無機層１９の周端面の位置に倣わない（準じない）有機ＥＬ表示装置３０ｃ及び３０ｄであってもよい。ここで、図１４は、有機ＥＬ表示装置３０ｂの変形例である有機ＥＬ表示装置３０ｃの概略構成を示す断面図である。また、図１５は、有機ＥＬ表示装置３０ｂの他の変形例である有機ＥＬ表示装置３０ｄの概略構成を示す断面図である。
　有機ＥＬ表示装置３０ｃでは、図１４に示すように、第１無機層１９ｃ、有機層２０ｃ、第２無機層２１ｃ及び第３無機層２２ｃを備えた封止膜２３ｃにおいて、第１無機層１９ｃの周端面の位置が有機層２０ｃの周端面及び第２無機層２１ｃの周端面の位置よりも外側に配置されている。また、有機ＥＬ表示装置３０ｄでは、図１５に示すように、第１無機層１９ｄ、有機層２０ｄ、第２無機層２１ｄ及び第３無機層２２ｄを備えた封止膜２３ｄにおいて、第１無機層１９ｄの周端面の位置が有機層２０ｄの周端面及び第２無機層２１ｄの周端面の位置よりも内側に配置されている。ここで、第１無機層１９ｃ及び１９ｄ、第２無機層２１ｃ及び２１ｄ、並びに第３無機層２２ｃ及び２２ｄは、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。なお、第２無機層２１ｃ及び２１ｄについては、例えば、バリア性の高い窒化シリコン膜により構成されていることが好ましい。また、有機層２０ｃ及び２０ｄは、例えば、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機樹脂材料により構成されている。さらに、第３無機層２２ｃ及び２２ｄは、図１４及び図１５に示すように、表示領域Ｄの外側において、ＴＦＴ１２の一部を構成する層間絶縁膜７の無機層と接触している。なお、本実施形態では、第３無機層２２ｃ及び２２ｄが層間絶縁膜７の無機層と接触する構成を例示したが、第３無機層２２ｃ及び２２ｄは、ＴＦＴ１２の一部を構成するゲート絶縁膜６及び層間絶縁膜７、並びにベースコート膜１１の少なくとも１つの無機層と接触していてもよい。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂ及びその製造方法によれば、上述した（１）及び（２）の効果、並びに以下の（３）の効果を得ることができる。
　（１）について詳述すると、有機層形成工程において、第２無機層２１ｂから露出する有機膜２０を除去して、有機層２０ｂを形成することにより、第２無機層２１ｂの周端面が有機層２０ｂの周端面と一致しているので、有機層２０ｂの周端部を精度よく形成することができる。また、第３無機層２２ｂが第１無機層１９の周端面及び第２無機層２１ｂの周端面を覆うように設けられているので、第１無機層１９の表面に異物Ｆが存在しても、異物Ｆを覆うように有機層２０ｂを形成し、さらに、有機層２０ｂ上に第２無機層２１ｂ及び第３無機層２２ｂが順に積層されて封止膜２３ｂが形成される。これにより、封止膜２３ｂによる封止性能を確保することができるので、封止膜２３ｂにおいて、封止性能を確保すると共に、有機層２０ｂの周端部を精度よく形成して狭額縁化を図ることができる。さらに、蒸着法により有機層２０ｂの膜厚を薄くすることができるので、屈曲させた際の第１無機層１９、第２無機層２１ｂ及び第３無機層２２ｂのひずみが小さくなり、封止膜２３ｂの屈曲性を向上させることができる。
　（２）について詳述すると、有機層形成工程では、第２無機層２１ｂをマスクとして、第２無機層２１ｂから露出する有機膜２０を除去するので、別途マスクを準備することなく、第２無機層２１ｂの周端面の位置と有機層２０ｂの周端面の位置とを一致させることができる。
　（３）第３無機層形成工程において、第１無機層１９の周端面を覆うように第３無機層２２ｂを形成するので、封止膜２３ｂによる封止性能を向上させることができ、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａよりも、有機ＥＬ素子１８の劣化を抑制することができる。
　《第３の実施形態》
　図１６は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の第３の実施形態を示している。ここで、図１６は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｅの概略構成を示す断面図である。
　上記第１及び第２の実施形態では、封止基板を備えない有機ＥＬ表示装置３０ａ及び３０ｂ（３０ｃ、３０ｄ）を例示したが、本実施形態では、封止基板２６を備えた有機ＥＬ表示装置３０ｅを例示する。
　有機ＥＬ表示装置３０ｅは、図１６に示すように、ベース基板１０と、ベース基板１０上にベースコート膜１１を介して設けられた有機ＥＬ素子１８と、有機ＥＬ素子１８を覆うように設けられた封止膜２３ａと、封止膜２３ａ上に封止樹脂層２５及びシール材２４を介して設けられた封止基板２６とを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置３０ｅでは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａと同様に、図１６に示すように、表示領域Ｄが有機ＥＬ素子１８により矩形状に設けられ、表示領域Ｄには、複数の画素がマトリクス状に配列されている。
　シール材２４は、ベース基板１０及び封止基板２６をそれらの周端部で互いに接着されるように枠状に設けられている。ここで、シール材２４は、例えば、紫外線硬化性及び／又は熱硬化性を有するエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂等のシール樹脂により構成されている。
　封止樹脂層２５は、例えば、熱硬化性を有するエポキシ樹脂やシリコン樹脂等が封止樹脂により構成されている。ここで、封止樹脂には、例えば、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のような金属酸化物、活性炭、シリカゲル、ゼオライト等が含有されているので、封止樹脂層２５は、水分や酸素等を吸着させるゲッター機能を有している。
　封止基板２６は、例えば、ポリイミド樹脂製等の可撓性を有するプラスチック基板である。
　上記構成の有機ＥＬ表示装置３０ｅは、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２を介して有機ＥＬ層１６の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｅは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａの製造方法を利用して製造することができる。
　具体的には、まず、上記第１の実施形態で製造した有機ＥＬ表示装置３０ａのベース基板１０の周端部に、例えば、ディスペンサ方式により、シール樹脂を枠状に配置すると共に、そのシール樹脂の内側に封止樹脂を配置する。
　続いて、上記シール樹脂及び封止樹脂が表面に配置されたベース基板１０と、封止基板２６とを減圧雰囲気で貼り合わせた後に、その減圧雰囲気を開放することにより、ベース基板１０及び封止基板２６の外側の表面を加圧する。
　さらに、例えば、ベース基板１０及び封止基板２６に挟まれたシール樹脂に紫外線を照射した後に、その照射体を加熱することにより、シール樹脂及び封止樹脂を硬化させて、シール材２４及び封止樹脂層２５を形成する。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｅを製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｅ及びその製造方法によれば、上述の（１）及び（２）の効果、並びに以下の（４）の効果を得ることができる。
　（４）封止膜２３ａの外側にシール材２４、封止樹脂層２５及び封止基板２６が設けられているので、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａよりも、有機ＥＬ素子１８の劣化を抑制することができる。
　なお、本実施形態では、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａに封止基板２６を付加する構成を例示したが、上記第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂ等に封止基板２６を付加する構成であってもよい。
　《その他の実施形態》
　上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｃ　　　接続部
Ｄ　　　表示領域
７　　　層間絶縁膜（無機層）
１０　　ベース基板
１２　　ＴＦＴ（スイッチング素子）
１４　　第１電極
１６　　有機ＥＬ層（発光層）
１７　　第２電極
１８　　有機ＥＬ素子（発光素子）
１９，１９ｃ，１９ｄ　　第１無機層
２０　　有機膜
２０ａ～２０ｄ　　有機層
２１ａ～２１ｄ　　第２無機層
２２ａ～２２ｄ　　第３無機層
２３ａ～２３ｄ　　封止膜
３０ａ～３０ｅ　　有機ＥＬ表示装置

Claims (14)

  1. 　ベース基板と、
    　前記ベース基板に設けられた発光素子と、
    　前記発光素子を覆うように設けられた封止膜とを備え、前記発光素子により表示領域が規定された表示装置であって、
    　前記封止膜は、
    　前記発光素子を覆うように設けられた第１無機層と、
    　前記第１無機層上に設けられた有機層と、
    　前記有機層上に設けられた第２無機層と、
    　前記第２無機層上に設けられた第３無機層とを備え、
    　前記第２無機層の周端面は、前記有機層の周端面と一致しており、
    　前記第３無機層は、前記第１無機層の周端面又は前記第２無機層の周端面を覆うように設けられていることを特徴とする表示装置。
  2. 　前記有機層及び前記第２無機層の周端面は、前記表示領域よりも外側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記ベース基板と前記発光素子との間には、スイッチング素子が設けられ、
    　前記第３無機層は、前記表示領域の外側において、前記スイッチング素子の一部を構成する無機層と接触していることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
  4. 　前記第１無機層の周端面は、前記有機層及び前記第２無機層の周端面よりも外側に配置されていることを特徴とする請求項１～３の何れか１つに記載の表示装置。
  5. 　前記有機層及び前記第２無機層は、前記第１無機層の周端面を覆うように設けられていることを特徴とする請求項１～３の何れか１つに記載の表示装置。
  6. 　前記有機層は、前記第１無機層、前記第２無機層及び前記第３無機層のうち最も厚い無機層よりも薄く設けられていることを特徴とする請求項１～５の何れか１つに記載の表示装置。
  7. 　前記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１～６の何れか１つに記載の表示装置。
  8. 　前記ベース基板は、可撓性を有していることを特徴とする請求項１～７の何れか１つに記載の表示装置。
  9. 　前記発光素子は、前記ベース基板側に設けられた複数の第１電極と、該複数の第１電極に対応して設けられた複数の発光層と、該複数の発光層に共通するように設けられた第２電極とを順に備え、
    　前記封止膜は、前記第２電極とそれに接続される配線との接続部よりも外側まで設けられていることを特徴とする請求項１～８の何れか１つに記載の表示装置。
  10. 　ベース基板に発光素子を形成する発光素子形成工程と、
    　前記発光素子を覆うように封止膜を形成する封止膜形成工程とを備える表示装置の製造方法であって、
    　前記封止膜形成工程は、
    　前記発光素子を覆うように第１無機層を形成する第１無機層形成工程と、
    　前記第１無機層を覆うように有機膜を成膜する有機膜成膜工程と、
    　前記有機膜上に前記第１無機層に重なるように第２無機層を形成する第２無機層形成工程と、
    　前記第２無機層から露出する前記有機膜をアッシングにより除去して有機層を形成する有機層形成工程と、
    　前記有機層の周端面及び前記第２無機層を覆うように第３無機層を形成する第３無機層形成工程とを備え、
    　前記有機層形成工程では、前記第２無機層の周端面と前記有機層の周端面とを一致させるように、前記有機膜を除去し、
    　前記第３無機層形成工程では、前記第１無機層の周端面又は前記第２無機層の周端面を覆うように前記第３無機層を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
  11. 　前記有機層形成工程では、前記第２無機層をマスクとして、前記有機膜を除去することを特徴とする請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
  12. 　前記有機膜成膜工程では、前記有機膜を蒸着法により成膜することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の表示装置の製造方法。
  13. 　前記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１０～１２の何れか１つに記載の表示装置の製造方法。
  14. 　前記ベース基板は、可撓性を有していることを特徴とする請求項１０～１３の何れか１つに記載の表示装置の製造方法。
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