WO2018159356A1 - Composition pour formation de film contenant du silicium, film contenant du silicium, procédé de formation de motif et polysiloxane - Google Patents

Composition pour formation de film contenant du silicium, film contenant du silicium, procédé de formation de motif et polysiloxane Download PDF

Info

Publication number
WO2018159356A1
WO2018159356A1 PCT/JP2018/005724 JP2018005724W WO2018159356A1 WO 2018159356 A1 WO2018159356 A1 WO 2018159356A1 JP 2018005724 W JP2018005724 W JP 2018005724W WO 2018159356 A1 WO2018159356 A1 WO 2018159356A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
silicon
containing film
carbon atoms
forming
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/005724
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Inventor
裕介 大坪
俊輔 栗田
Original Assignee
Jsr株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jsr株式会社 filed Critical Jsr株式会社
Publication of WO2018159356A1 publication Critical patent/WO2018159356A1/fr

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/22Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
    • C08G77/28Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen sulfur-containing groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04Polysiloxanes
    • C09D183/08Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen, and oxygen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40Additives
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

La présente invention a pour objet de réaliser : une composition pour la formation de film contenant du silicium capable de former un film contenant du silicium qui conserve l'aptitude à l'enlèvement par gravure avec un gaz à base de fluor et qui est excellent en termes d'inhibition de la chute des parois de motif de réserve ; le film contenant du silicium ; un procédé de formation de motif ; et un polysiloxane. La composition pour la formation de film contenant du silicium comprend un polysiloxane ayant un groupe représenté par la formule (1) et un solvant. Dans la formule (1), L est une liaison simple ou un groupe organique en C1-20 (n+1)-valent, E est un groupe représenté par la formule (2-1) ou (2-2), Y1 est un groupe aryle (non) substitué en C6-20 ou un groupe hydrocarboné aliphatique monovalent en C1-20 dans lequel un atome d'hydrogène a été remplacé par un groupe attirant les électrons, et Y2 est un groupe arylénediyle (non) substitué en C6-20 ou un groupe hydrocarboné aliphatique divalent en C1-20 dans lequel un atome d'hydrogène a été remplacé par un groupe attirant les électrons.
PCT/JP2018/005724 2017-03-02 2018-02-19 Composition pour formation de film contenant du silicium, film contenant du silicium, procédé de formation de motif et polysiloxane WO2018159356A1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-039801 2017-03-02
JP2017039801 2017-03-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018159356A1 true WO2018159356A1 (fr) 2018-09-07

Family

ID=63370038

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/005724 WO2018159356A1 (fr) 2017-03-02 2018-02-19 Composition pour formation de film contenant du silicium, film contenant du silicium, procédé de formation de motif et polysiloxane

Country Status (2)

Country Link
TW (1) TW201841998A (fr)
WO (1) WO2018159356A1 (fr)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7357505B2 (ja) 2018-11-21 2023-10-06 信越化学工業株式会社 ヨウ素含有熱硬化性ケイ素含有材料、これを含むeuvリソグラフィー用レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03206461A (ja) * 1990-01-09 1991-09-09 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
JPH05262812A (ja) * 1991-11-14 1993-10-12 Dow Corning Ltd 輻射線硬化性組成物
JP2000336093A (ja) * 1999-05-26 2000-12-05 Jsr Corp 加水分解性シラン化合物およびその製造方法
JP2010085878A (ja) * 2008-10-02 2010-04-15 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト下層膜形成用組成物
JP2011515514A (ja) * 2008-03-04 2011-05-19 ダウ・コーニング・コーポレイション シルセスキオキサン樹脂
WO2012114864A1 (fr) * 2011-02-24 2012-08-30 日産化学工業株式会社 Composé silane et composition pour la formation d'une monocouche ou d'une multicouche à l'aide de celui-ci
WO2014098076A1 (fr) * 2012-12-19 2014-06-26 日産化学工業株式会社 Composition pour former un film de sous-couche résistant contenant du silicium et comprenant un groupe de diester cyclique
WO2016111210A1 (fr) * 2015-01-09 2016-07-14 Jsr株式会社 Composition pour former un film contenant du silicium et procédé de formation de motif utilisant ladite composition
JP2016130809A (ja) * 2015-01-14 2016-07-21 Jsr株式会社 硬化膜形成用感放射線性組成物、硬化膜、表示素子及び硬化膜の形成方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03206461A (ja) * 1990-01-09 1991-09-09 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
JPH05262812A (ja) * 1991-11-14 1993-10-12 Dow Corning Ltd 輻射線硬化性組成物
JP2000336093A (ja) * 1999-05-26 2000-12-05 Jsr Corp 加水分解性シラン化合物およびその製造方法
JP2011515514A (ja) * 2008-03-04 2011-05-19 ダウ・コーニング・コーポレイション シルセスキオキサン樹脂
JP2010085878A (ja) * 2008-10-02 2010-04-15 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト下層膜形成用組成物
WO2012114864A1 (fr) * 2011-02-24 2012-08-30 日産化学工業株式会社 Composé silane et composition pour la formation d'une monocouche ou d'une multicouche à l'aide de celui-ci
WO2014098076A1 (fr) * 2012-12-19 2014-06-26 日産化学工業株式会社 Composition pour former un film de sous-couche résistant contenant du silicium et comprenant un groupe de diester cyclique
WO2016111210A1 (fr) * 2015-01-09 2016-07-14 Jsr株式会社 Composition pour former un film contenant du silicium et procédé de formation de motif utilisant ladite composition
JP2016130809A (ja) * 2015-01-14 2016-07-21 Jsr株式会社 硬化膜形成用感放射線性組成物、硬化膜、表示素子及び硬化膜の形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201841998A (zh) 2018-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI687773B (zh) 圖案形成方法、積層體以及有機溶劑顯影用抗蝕劑組成物
TWI521018B (zh) Poly Silicon alumoxane composition and pattern forming method
TWI702469B (zh) 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、圖案形成方法及電子元件的製造方法
US11156917B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device
WO2017110352A1 (fr) Composition de résine sensible à la lumière active ou à un rayonnement, film sensible à la lumière active ou à un rayonnement, procédé de formation de motif, et procédé de production de dispositif électronique
TW201727365A (zh) 阻劑組成物及阻劑圖型之形成方法
TWI813634B (zh) 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、抗蝕劑膜、圖案形成方法、電子元件的製造方法
TW201701079A (zh) 基板處理方法、樹脂組成物及電子裝置的製造方法
JP6786783B2 (ja) 多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成組成物及びパターン形成方法
TWI811239B (zh) 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、抗蝕劑膜、圖案形成方法及電子元件的製造方法
WO2021220648A1 (fr) Composition de résine sensible aux rayonnements, procédé de formation de motif de photorésine faisant appel à celle-ci et composé de sel d'acide sulfonique et générateur d'acide sensible aux rayonnements comprenant celui-ci
WO2019064961A1 (fr) Composition de résine photosensible, film de réserve, procédé de formation de motif et procédé de production de dispositif électronique
KR102556781B1 (ko) Euv 리소그래피용 규소 함유 막 형성 조성물, euv 리소그래피용 규소 함유 막 및 패턴 형성 방법
US20200117091A1 (en) Pattern-forming method, and silicon-containing film-forming composition
JP6897071B2 (ja) レジストプロセス用膜形成材料、パターン形成方法及び重合体
WO2018159356A1 (fr) Composition pour formation de film contenant du silicium, film contenant du silicium, procédé de formation de motif et polysiloxane
US20180292753A1 (en) Composition for forming silicon-containing film for euv lithography, silicon-containing film for euv lithography, and pattern-forming method
WO2020170934A1 (fr) Composition pour formation de film et procede de production de substrat a semi-conducteurs
TW201443570A (zh) 圖案形成方法、其所使用之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、及使用其之電子裝置及其製造方法
JP6741957B2 (ja) レジストプロセス用膜形成材料及びパターン形成方法
JP2018159789A (ja) レジストプロセス用ケイ素含有膜形成組成物、ケイ素含有膜及びパターン形成方法
WO2018155377A1 (fr) Matériau de formation de film pour procédé de réserve, procédé de formation de motif, et polysiloxane
WO2020066669A1 (fr) Procédé de traitement de substrat semi-conducteur
JP7301151B2 (ja) 下層膜形成用組成物、レジストパターン形成方法、電子デバイスの製造方法
TWI726950B (zh) 圖案形成方法、電子元件的製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18760338

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18760338

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP