WO2018159356A1 - Composition pour formation de film contenant du silicium, film contenant du silicium, procédé de formation de motif et polysiloxane - Google Patents
Composition pour formation de film contenant du silicium, film contenant du silicium, procédé de formation de motif et polysiloxane Download PDFInfo
- Publication number
- WO2018159356A1 WO2018159356A1 PCT/JP2018/005724 JP2018005724W WO2018159356A1 WO 2018159356 A1 WO2018159356 A1 WO 2018159356A1 JP 2018005724 W JP2018005724 W JP 2018005724W WO 2018159356 A1 WO2018159356 A1 WO 2018159356A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- group
- silicon
- containing film
- carbon atoms
- forming
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/22—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
- C08G77/28—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen sulfur-containing groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
- C09D183/08—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen, and oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/40—Additives
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Architecture (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
La présente invention a pour objet de réaliser : une composition pour la formation de film contenant du silicium capable de former un film contenant du silicium qui conserve l'aptitude à l'enlèvement par gravure avec un gaz à base de fluor et qui est excellent en termes d'inhibition de la chute des parois de motif de réserve ; le film contenant du silicium ; un procédé de formation de motif ; et un polysiloxane. La composition pour la formation de film contenant du silicium comprend un polysiloxane ayant un groupe représenté par la formule (1) et un solvant. Dans la formule (1), L est une liaison simple ou un groupe organique en C1-20 (n+1)-valent, E est un groupe représenté par la formule (2-1) ou (2-2), Y1 est un groupe aryle (non) substitué en C6-20 ou un groupe hydrocarboné aliphatique monovalent en C1-20 dans lequel un atome d'hydrogène a été remplacé par un groupe attirant les électrons, et Y2 est un groupe arylénediyle (non) substitué en C6-20 ou un groupe hydrocarboné aliphatique divalent en C1-20 dans lequel un atome d'hydrogène a été remplacé par un groupe attirant les électrons.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017-039801 | 2017-03-02 | ||
JP2017039801 | 2017-03-02 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2018159356A1 true WO2018159356A1 (fr) | 2018-09-07 |
Family
ID=63370038
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2018/005724 WO2018159356A1 (fr) | 2017-03-02 | 2018-02-19 | Composition pour formation de film contenant du silicium, film contenant du silicium, procédé de formation de motif et polysiloxane |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TW201841998A (fr) |
WO (1) | WO2018159356A1 (fr) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7357505B2 (ja) | 2018-11-21 | 2023-10-06 | 信越化学工業株式会社 | ヨウ素含有熱硬化性ケイ素含有材料、これを含むeuvリソグラフィー用レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03206461A (ja) * | 1990-01-09 | 1991-09-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物 |
JPH05262812A (ja) * | 1991-11-14 | 1993-10-12 | Dow Corning Ltd | 輻射線硬化性組成物 |
JP2000336093A (ja) * | 1999-05-26 | 2000-12-05 | Jsr Corp | 加水分解性シラン化合物およびその製造方法 |
JP2010085878A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト下層膜形成用組成物 |
JP2011515514A (ja) * | 2008-03-04 | 2011-05-19 | ダウ・コーニング・コーポレイション | シルセスキオキサン樹脂 |
WO2012114864A1 (fr) * | 2011-02-24 | 2012-08-30 | 日産化学工業株式会社 | Composé silane et composition pour la formation d'une monocouche ou d'une multicouche à l'aide de celui-ci |
WO2014098076A1 (fr) * | 2012-12-19 | 2014-06-26 | 日産化学工業株式会社 | Composition pour former un film de sous-couche résistant contenant du silicium et comprenant un groupe de diester cyclique |
WO2016111210A1 (fr) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | Jsr株式会社 | Composition pour former un film contenant du silicium et procédé de formation de motif utilisant ladite composition |
JP2016130809A (ja) * | 2015-01-14 | 2016-07-21 | Jsr株式会社 | 硬化膜形成用感放射線性組成物、硬化膜、表示素子及び硬化膜の形成方法 |
-
2018
- 2018-02-19 WO PCT/JP2018/005724 patent/WO2018159356A1/fr active Application Filing
- 2018-03-01 TW TW107106814A patent/TW201841998A/zh unknown
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03206461A (ja) * | 1990-01-09 | 1991-09-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物 |
JPH05262812A (ja) * | 1991-11-14 | 1993-10-12 | Dow Corning Ltd | 輻射線硬化性組成物 |
JP2000336093A (ja) * | 1999-05-26 | 2000-12-05 | Jsr Corp | 加水分解性シラン化合物およびその製造方法 |
JP2011515514A (ja) * | 2008-03-04 | 2011-05-19 | ダウ・コーニング・コーポレイション | シルセスキオキサン樹脂 |
JP2010085878A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト下層膜形成用組成物 |
WO2012114864A1 (fr) * | 2011-02-24 | 2012-08-30 | 日産化学工業株式会社 | Composé silane et composition pour la formation d'une monocouche ou d'une multicouche à l'aide de celui-ci |
WO2014098076A1 (fr) * | 2012-12-19 | 2014-06-26 | 日産化学工業株式会社 | Composition pour former un film de sous-couche résistant contenant du silicium et comprenant un groupe de diester cyclique |
WO2016111210A1 (fr) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | Jsr株式会社 | Composition pour former un film contenant du silicium et procédé de formation de motif utilisant ladite composition |
JP2016130809A (ja) * | 2015-01-14 | 2016-07-21 | Jsr株式会社 | 硬化膜形成用感放射線性組成物、硬化膜、表示素子及び硬化膜の形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201841998A (zh) | 2018-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI687773B (zh) | 圖案形成方法、積層體以及有機溶劑顯影用抗蝕劑組成物 | |
TWI521018B (zh) | Poly Silicon alumoxane composition and pattern forming method | |
TWI702469B (zh) | 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、圖案形成方法及電子元件的製造方法 | |
US11156917B2 (en) | Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device | |
WO2017110352A1 (fr) | Composition de résine sensible à la lumière active ou à un rayonnement, film sensible à la lumière active ou à un rayonnement, procédé de formation de motif, et procédé de production de dispositif électronique | |
TW201727365A (zh) | 阻劑組成物及阻劑圖型之形成方法 | |
TWI813634B (zh) | 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、抗蝕劑膜、圖案形成方法、電子元件的製造方法 | |
TW201701079A (zh) | 基板處理方法、樹脂組成物及電子裝置的製造方法 | |
JP6786783B2 (ja) | 多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成組成物及びパターン形成方法 | |
TWI811239B (zh) | 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、抗蝕劑膜、圖案形成方法及電子元件的製造方法 | |
WO2021220648A1 (fr) | Composition de résine sensible aux rayonnements, procédé de formation de motif de photorésine faisant appel à celle-ci et composé de sel d'acide sulfonique et générateur d'acide sensible aux rayonnements comprenant celui-ci | |
WO2019064961A1 (fr) | Composition de résine photosensible, film de réserve, procédé de formation de motif et procédé de production de dispositif électronique | |
KR102556781B1 (ko) | Euv 리소그래피용 규소 함유 막 형성 조성물, euv 리소그래피용 규소 함유 막 및 패턴 형성 방법 | |
US20200117091A1 (en) | Pattern-forming method, and silicon-containing film-forming composition | |
JP6897071B2 (ja) | レジストプロセス用膜形成材料、パターン形成方法及び重合体 | |
WO2018159356A1 (fr) | Composition pour formation de film contenant du silicium, film contenant du silicium, procédé de formation de motif et polysiloxane | |
US20180292753A1 (en) | Composition for forming silicon-containing film for euv lithography, silicon-containing film for euv lithography, and pattern-forming method | |
WO2020170934A1 (fr) | Composition pour formation de film et procede de production de substrat a semi-conducteurs | |
TW201443570A (zh) | 圖案形成方法、其所使用之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、及使用其之電子裝置及其製造方法 | |
JP6741957B2 (ja) | レジストプロセス用膜形成材料及びパターン形成方法 | |
JP2018159789A (ja) | レジストプロセス用ケイ素含有膜形成組成物、ケイ素含有膜及びパターン形成方法 | |
WO2018155377A1 (fr) | Matériau de formation de film pour procédé de réserve, procédé de formation de motif, et polysiloxane | |
WO2020066669A1 (fr) | Procédé de traitement de substrat semi-conducteur | |
JP7301151B2 (ja) | 下層膜形成用組成物、レジストパターン形成方法、電子デバイスの製造方法 | |
TWI726950B (zh) | 圖案形成方法、電子元件的製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 18760338 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 18760338 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: JP |