JP2010085878A - レジスト下層膜形成用組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係るレジスト下層膜形成用組成物は、下記一般式(1)で示される繰返し単位を有するシロキサンポリマー成分を含有することを特徴とする。
(式(1)中、R1は、水素原子又は1価の有機基であり、R2は、電子吸引性基を有する1価の有機基である。繰返しにおける複数のR1同士又はR2同士は互いに異なっていてもよい。aは、0又は1である。)
【選択図】図1
Description
<シロキサンポリマー成分>
(一般式(1)で示される繰返し単位)
本発明に係るレジスト下層膜形成用組成物は、下記一般式(1)で示される繰返し単位を有するシロキサンポリマー成分を含有することを特徴とする。
また、1価の有機基としては、エポキシ基やオキセタニル基を有する有機基といった架橋可能な有機基も挙げられる。このような架橋可能な有機基を有する場合には、レジスト下層膜の硬化性を高めることができる。
また、1価の有機基としては、炭素数6〜20のアルキルアリール基、炭素数6〜20のアリールアルキル基といった芳香環を有する有機基も挙げられる。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、及びフェナントリル基が挙げられる。R2がアリール基を含むことにより、反射防止機能を有し、かつ、酸素系プラズマに対するエッチング耐性が良好なレジスト下層膜を形成することができる。特にR2がフェニル基を含む場合、ArFレーザの193nmの波長に対する光吸収を良好にすることができる。また、R2がナフチル基、アントリル基、又はフェナントリル基を含む場合、形成されるレジスト下層膜とレジスト膜とのマッチングを良好にすることができる。
本発明に係るレジスト下層膜形成用組成物に含有されるシロキサンポリマー成分は、さらに、下記一般式(2)で示される繰返し単位を有することが好ましい。特に、上記一般式(1)で示される構成単位においてR2がアリール基を含まない場合には、この一般式(2)で示される繰返し単位を有することが好ましい。
本発明に係るレジスト下層膜形成用組成物に含有されるシロキサンポリマー成分は、さらに、下記一般式(3)で示される繰返し単位を有していてもよい。
本発明に係るレジスト下層膜形成用組成物に含有されるシロキサンポリマー成分は、さらに、下記一般式(4)で示される繰返し単位を有していてもよい。
上記一般式(1)〜(4)で示される繰返し単位は、単一のシロキサンポリマー中に含まれていてもよく、それぞれ異なるシロキサンポリマー中に含まれていてもよい。
また、シロキサンポリマー成分中のシロキサンポリマーの質量平均分子量は300〜400000が好ましい。シロキサンポリマーの質量平均分子量をこの範囲内とすることにより、レジスト下層膜形成用組成物の成膜性、塗布性を向上させることができる。シロキサンポリマーの質量平均分子量は、500〜100000がより好ましい。
本発明に係るレジスト下層膜形成用組成物は、溶剤を含有していてもよい。溶剤の種類は特に限定されず、従来公知の溶剤を用いることができる。具体的には、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール等の一価アルコール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ヘキサントリオール等のアルコール類や、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等のアルコールのモノエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル(EL)等のエステル類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロアルキルケトン、メチルイソアミルケトン等のケトン類、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル(PGDM)、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等のアルコールの水酸基を全てアルキルエーテル化させたアルコールエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)等のグリコールエーテルエステル類等が挙げられる。
本発明に係るレジスト下層膜形成用組成物は、架橋剤を含有していてもよい。架橋剤を含有させることにより、レジスト下層膜の成膜性をより向上させることができる。架橋剤の種類としては特に限定されず、従来公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のエポキシ化合物等が挙げられる。また、ジビニルベンゼン、ジビニルスルホン、トリアクリルホルマール、グリオキザールや多価アルコールのアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステル等を用いることもできる。さらには、メラミン、尿素、ベンゾグアナミン、グリコールウリルのアミノ基の少なくとも2つがメチロール基又は低級アルコキシメチル基で置換された、2個以上の反応性基を有する化合物等を用いることもできる。
本発明に係るレジスト下層膜形成用組成物は、酸発生剤を含有していてもよい。酸発生剤の種類としては特に限定されず、従来公知の酸発生剤を用いることができる。具体的には、オニウム塩、ジアゾメタン誘導体、グリオキシム誘導体、ビススルホン誘導体、β−ケトスルホン誘導体、ジスルホン誘導体、ニトロベンジルスルホネート誘導体、スルホン酸エステル誘導体、N−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル誘導体等を用いることができる。
本発明に係るレジスト下層膜形成用組成物は、第4級アンモニウム化合物を含有していてもよい。第4級アンモニウム化合物を含有させることにより、レジスト下層膜上に形成するレジスト膜の膜減りを防ぐことができ、形成されるレジストパターンの形状も良好になる。第4級アンモニウム化合物としては、具体的には、下記一般式(8)で示される第4級アンモニウム化合物が好ましい。
環状の炭化水素基としては、環状アルキル基、アリール基等が挙げられる。環状アルキル基としては、シクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基等が挙げられる。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、トリル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基等が挙げられる。
また、上記置換基としては、ヒドロキシル基、炭素数1〜3のアルコキシ基等が挙げられる。
本発明に係るレジスト下層膜形成用組成物は、有機酸を含有していてもよい。有機酸を含有させることにより、第4級アンモニウム化合物の添加によるレジスト下層膜形成用組成物の経時劣化を防止することができる。
有機酸としては、有機カルボン酸、有機ホスホン酸、有機スルホン酸等が挙げられる。有機カルボン酸としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、ラウリル酸、パルミチン酸、ステアリン酸等の脂肪族モノカルボン酸類;オレイン酸、リノール酸等の不飽和脂肪族モノカルボン酸類;シュウ酸、マロン酸、コハク酸、アジピン酸、マレイン酸等の脂肪族ジカルボン酸類;乳酸、グルコン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸等のオキシカルボン酸類;安息香酸、マンデル酸、サリチル酸、フタル酸等の芳香族カルボン酸類等が挙げられる。この中でも、マロン酸が特に好ましい。
本発明に係るレジスト下層膜形成用組成物は、シロキサンポリマー成分に、上記の溶剤、架橋剤、酸発生剤、第4級アンモニウム化合物、有機酸等を必要に応じて混合することにより得られる。得られたレジスト下層膜形成用組成物は、フィルター等で濾過することが好ましい。
基板等の被加工物上(好ましくは、基板上に形成された有機系ボトムレイヤー上)に、スピンコーターやスリットノズルコーター等を用いて本発明に係るレジスト下層膜形成用組成物を塗布した後、加熱乾燥することにより、レジスト下層膜を得ることができる。加熱は、一段階の加熱法又は多段階の加熱法が採用される。多段階の加熱法としては、例えば、100〜120℃下で60〜120秒間加熱した後、200〜250℃下で60〜120秒間加熱することが好ましい。このようにして形成されるレジスト下層膜の厚さは、好ましくは15〜200nmである。
シロキサンポリマーA1[R=i−プロピル]・・・(a1):(a2):(a3)=20:73:7(モル比)、質量平均分子量:17000
シロキサンポリマーA2[R=i−プロピル]・・・(a1):(a2):(a3)=22:75:3(モル比)、質量平均分子量:33400
シロキサンポリマーA3[R=i−プロピル]・・・(a1):(a2):(a3)=16:70:14(モル比)、質量平均分子量:8600
シロキサンポリマーA4[R=メチル]・・・(a1):(a2):(a3)=20:73:7(モル比)、質量平均分子量:17000
シロキサンポリマーA5[R=tert−ブチル]・・・(a1):(a2):(a3)=20:73:7(モル比)、質量平均分子量:23800)
(実施例1)
シロキサンポリマーA1に溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)を、シロキサンポリマー固形分濃度が2.5質量%となるように加え、レジスト下層膜形成用組成物を調製した。
シロキサンポリマーA2〜A6を用いたほかは実施例1と同様にして、レジスト下層膜形成用組成物を調製した。また、レジスト下層膜形成用組成物における固形分中のSi濃度を算出するとともに、レジスト下層膜の193nmにおけるk値及びn値を測定した。
下記式で表される共重合体 100質量部、グリコールウリル系架橋剤(製品名:ニカラックMX270、三和ケミカル社製) 20質量部、界面活性剤(製品名:XR104、大日本インキ化学社製) 0.05質量部、及び添加剤(製品名:キャタリスト602、日本サイテック社製) 1.0質量部を混合し、溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)/乳酸エチル(EL)=3/2(質量比)を固形分濃度が12質量%となるように加え、有機系ボトムレイヤー形成用組成物を調製した。
以下の各成分を混合し、溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)/乳酸エチル(EL)=3/2(質量比)を固形分濃度が6.3質量%となるように加え、レジスト組成物を調製した。
添加剤:γ−ブチロラクトン・・・10質量部
サリチル酸・・・1.32質量部
界面活性剤(製品名:XR104、大日本インキ化学社製)・・・0.10質量部
シリコンウェハ上に慣用のレジストコーターを用いて有機系ボトムレイヤー形成用組成物を塗布し、250℃で90秒間の加熱処理を行うことにより、厚さ300nmの有機系ボトムレイヤーを形成した。次いで、この有機系ボトムレイヤー上に、実施例1〜5、比較例1のレジスト下層膜形成用組成物を塗布し、250℃で90秒間の加熱処理を行うことにより、厚さ50nmのレジスト下層膜を形成した。さらに、このレジスト下層膜上にレジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成し、ArFエキシマレーザによる露光、現像することにより、ライン寸法120nm、ピッチ240nmのラインアンドスペースパターン(以下、L/Sパターンと記載)を形成した。
上記レジストパターン形成(1)と同様にして、ライン寸法50nm、ピッチ100nmのL/Sパターンを形成した。
上記レジストパターン形成(1)、(2)で形成されたレジストパターンの形状について評価を行った。評価は、レジストパターンの状態を、SEM(走査型電子顕微鏡)を用いて拡大観察することにより行った。なお、評価の基準(比較対象)は、有機系ボトムレイヤー上に形成した場合の(同寸法の)レジストパターンとした。すなわち、有機系ボトムレイヤー上のレジストパターンの形状と比べて同等以上であれば、無機性のレジスト下層膜形成用組成物と有機性のレジスト組成物とのマッチングが良好であるといえる。
上記レジストパターン形成(1)と同様にして得られたレジストパターン(L/S=90nm/90nm、パターン高さ120nm)に対し、以下のとおりエッチングを行い、パターンを得た。装置としてはTelius(東京エレクトロン社製)を用いた。すなわち、パターン形成されたレジスト膜をマスクとして、レジスト下層膜のエッチング(CF4/Arの混合ガス)を行い、次に、レジスト膜及びレジスト下層膜をマスクとして、有機系ボトムレイヤーのエッチング(O2/N2混合ガス)を行った。このとき、マスクとして残っていたレジスト膜も除去された。続いて、レジスト下層膜及び有機系ボトムレイヤーをマスクとして、SiO2のエッチングを行い、同時にマスクとして残っていたレジスト下層膜も除去した。各エッチング条件を下記の表2に示す。
22 レジスト下層膜
24 レジスト膜
26 有機系ボトムレイヤー
Claims (6)
- 前記シロキサンポリマー成分における前記一般式(1)で示される繰返し単位の割合が0.5〜40モル%であることを特徴とする請求項1記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 前記電子吸引性基は、−SO3R、ハロゲン基、及び炭素数1〜8のハロゲン化アルキル基よりなる群から選択される少なくとも1つであり、Rは、水素原子、又は炭素数1〜10のアルキル基若しくはヒドロキシアルキル基であることを特徴とする請求項1又は2記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 前記R2は、電子吸引性基が結合した芳香環を有する1価の有機基であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載のレジスト下層膜形成用組成物。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010237667A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-10-21 | Jsr Corp | シリコン含有膜形成用組成物及びシリコン含有膜並びにパターン形成方法 |
JP2010262230A (ja) * | 2009-05-11 | 2010-11-18 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ケイ素含有反射防止膜形成用組成物、ケイ素含有反射防止膜形成基板及びパターン形成方法 |
WO2013051558A1 (ja) * | 2011-10-06 | 2013-04-11 | 日産化学工業株式会社 | ケイ素含有euvレジスト下層膜形成組成物 |
CN103838085A (zh) * | 2014-02-19 | 2014-06-04 | 昆山市板明电子科技有限公司 | 非蚀刻性光致抗蚀剂用附着力促进剂 |
WO2014098076A1 (ja) * | 2012-12-19 | 2014-06-26 | 日産化学工業株式会社 | 環状ジエステル基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
JP2014157242A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
JP5618095B2 (ja) * | 2009-06-02 | 2014-11-05 | 日産化学工業株式会社 | スルフィド結合を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
JPWO2013022099A1 (ja) * | 2011-08-10 | 2015-03-05 | 日産化学工業株式会社 | スルホン構造を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
US9656355B2 (en) | 2011-07-20 | 2017-05-23 | Kyoshin Kogyo Co., Ltd. | Manufacturing method for grip member for insertion tube in heat exchanger, manufacturing method for heat exchanger using said grip member, and air conditioner and/or outdoor unit having said heat exchanger |
WO2018159356A1 (ja) * | 2017-03-02 | 2018-09-07 | Jsr株式会社 | ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜、パターン形成方法及びポリシロキサン |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004310019A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-11-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 反射防止膜材料、反射防止膜を有する基板及びパターン形成方法 |
JP2005523474A (ja) * | 2002-04-16 | 2005-08-04 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ハードマスク層用の反射防止SiO含有組成物 |
JP2008158002A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Jsr Corp | レジスト下層膜用組成物及びその製造方法 |
JP2008163333A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-17 | Dongjin Semichem Co Ltd | 有機反射防止膜形成用ポリマー及びこれを含む組成物 |
JP2009244722A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Jsr Corp | レジスト下層膜用組成物及びその製造方法 |
-
2008
- 2008-10-02 JP JP2008257004A patent/JP5237743B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005523474A (ja) * | 2002-04-16 | 2005-08-04 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ハードマスク層用の反射防止SiO含有組成物 |
JP2004310019A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-11-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 反射防止膜材料、反射防止膜を有する基板及びパターン形成方法 |
JP2008158002A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Jsr Corp | レジスト下層膜用組成物及びその製造方法 |
JP2008163333A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-17 | Dongjin Semichem Co Ltd | 有機反射防止膜形成用ポリマー及びこれを含む組成物 |
JP2009244722A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Jsr Corp | レジスト下層膜用組成物及びその製造方法 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010237667A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-10-21 | Jsr Corp | シリコン含有膜形成用組成物及びシリコン含有膜並びにパターン形成方法 |
JP2010262230A (ja) * | 2009-05-11 | 2010-11-18 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ケイ素含有反射防止膜形成用組成物、ケイ素含有反射防止膜形成基板及びパターン形成方法 |
US8697330B2 (en) | 2009-05-11 | 2014-04-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming a silicon-containing antireflection film, substrate having the silicon-containing antireflection film from the composition and patterning process using the same |
JP5618095B2 (ja) * | 2009-06-02 | 2014-11-05 | 日産化学工業株式会社 | スルフィド結合を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
US9656355B2 (en) | 2011-07-20 | 2017-05-23 | Kyoshin Kogyo Co., Ltd. | Manufacturing method for grip member for insertion tube in heat exchanger, manufacturing method for heat exchanger using said grip member, and air conditioner and/or outdoor unit having said heat exchanger |
JPWO2013022099A1 (ja) * | 2011-08-10 | 2015-03-05 | 日産化学工業株式会社 | スルホン構造を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
WO2013051558A1 (ja) * | 2011-10-06 | 2013-04-11 | 日産化学工業株式会社 | ケイ素含有euvレジスト下層膜形成組成物 |
US9337052B2 (en) | 2011-10-06 | 2016-05-10 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Silicon-containing EUV resist underlayer film forming composition |
US9290623B2 (en) | 2012-12-19 | 2016-03-22 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming silicon-containing resist underlayer film having cyclic diester group |
WO2014098076A1 (ja) * | 2012-12-19 | 2014-06-26 | 日産化学工業株式会社 | 環状ジエステル基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
JPWO2014098076A1 (ja) * | 2012-12-19 | 2017-01-12 | 日産化学工業株式会社 | 環状ジエステル基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
JP2014157242A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
CN103838085A (zh) * | 2014-02-19 | 2014-06-04 | 昆山市板明电子科技有限公司 | 非蚀刻性光致抗蚀剂用附着力促进剂 |
CN103838085B (zh) * | 2014-02-19 | 2017-09-05 | 昆山市板明电子科技有限公司 | 非蚀刻性光致抗蚀剂用附着力促进剂 |
WO2018159356A1 (ja) * | 2017-03-02 | 2018-09-07 | Jsr株式会社 | ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜、パターン形成方法及びポリシロキサン |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5237743B2 (ja) | 2013-07-17 |
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