WO2018135479A1 - メッキ部品の製造方法及びメッキ部品 - Google Patents

Abstract

簡易な製造プロセスにより、様々な種類の基材上に無電解メッキ膜を形成できるメッキ部品の製造方法を提供する。メッキ部品の製造方法であって、表面の少なくとも一部に、熱硬化性樹脂で形成された第１の領域を有する基材を用意することと、第１の領域の一部分を光照射又は加熱して、第２の領域を形成することと、第２の領域を含む前記基材の表面に、金属塩を含む無電解メッキ触媒液を接触させることと、前記無電解メッキ触媒液を接触させた後、第２の領域を含む前記基材の表面に無電解メッキ液を接触させて、第２の領域に無電解メッキ膜を形成することとを含む。

Description

メッキ部品の製造方法及びメッキ部品

　本発明は、表面に選択的にメッキ膜が形成されたメッキ部品の製造方法及びメッキ部品に関する。

　近年、射出成形体等の表面に電気回路を形成する立体回路成形部品は、ＭＩＤ（Ｍｏｌｄｅｄ　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ　Ｄｅｖｉｃｅ）と呼称され、その応用範囲が急速に広まっている。ＭＩＤは、小型で複雑形状の成形体の表面に回路を形成できるため、電子部品の軽薄短小のトレンドに合致している。例えば、スマートフォンの筐体の表面にアンテナ等を形成した小型部品は中国で大量生産されている。また、自動車分野でもセンサーや照明部品へのＭＩＤの適用が欧州を中心に活発に検討されている。また、自動車には、現在、大量のケーブルハーネス（ワイヤーハーネス）が使用されている。このケーブルハーネスをＭＩＤに置き換えることにより、軽量化と組み立て工程数削減によるコストダウンが期待できる。

　樹脂成形体等の絶縁性基材の表面に配線パターン（電気回路）を形成する方法として、例えば、以下に説明する方法が提案されている。まず、基材の表面全体に金属層を形成する。次に、形成した金属層をフォトレジストでパターニングし、その後、エッチングにより配線パターン以外の部分の金属層を除去する。これにより、基材表面に残された金属層によって配線パターンを形成できる。

　また、フォトレジストを使用しない配線パターン（電気回路）の形成方法としては、ＬＤＳ（Ｌａｓｅｒ　Ｄｉｒｅｃｔ　Ｓｔｒｕｃｔｕｒｉｎｇ）法が実用化されている（例えば、特許文献１）。ＬＤＳ法では、まず、銅錯体を熱可塑性樹脂に練り込んで射出成形し、該銅錯体を含有した成形体表面にレーザー描画を行う。レーザー光照射により銅錯体が金属化して無電解銅メッキの触媒活性が発現し、レーザー描画部分のメッキが可能となる。ＬＤＳ法は、複雑な形状の射出成形体の表面に回路を形成する立体回路成形部品（ＭＩＤ）の製造が可能であり、スマートフォンや自動車の製造において普及している。

　ＬＤＳ法のように触媒を成形体中に練り込む方法とは異なる方法も提案されている。特許文献２には、レーザー光照射によって基材の表面を部分的に粗化し、金属イオンからなる無電解メッキ触媒をレーザー照射部分に吸着させてから還元し、レーザー照射部分のみに無電解メッキ膜を形成する方法が開示されている。

　また、無電解メッキ触媒を樹脂成形体等の表面に付与する場合、主には、キャタリスト・アクセレレータ法と、センシタイザー・アクチベータ法との２種類の手法が用いられる。キャタリスト・アクセレレータ法では、パラジウムスズコロイドを基材に吸着させた後（キャタリスト）、濃硫酸等でパラジウムイオンを還元する（アクセレレータ）。センシタイザー・アクチベータ法では、還元剤であるスズコロイドを基材に吸着させた後（センシタイザー）、基材を塩化パラジウム溶液に浸漬して（アクチベータ）、パラジウムイオンを還元および析出させる。センシタイザー・アクチベータ法は、センシタイザー浴の寿命が短いため量産性が低いという課題があり、工業的には、キャタリスト・アクセレレータ法が採用されることが多い。

欧州特許第１２７４２８８号公報 特許第５０２２５０１号公報

　しかし、特許文献１で提案されているＬＤＳ法は、専用樹脂の開発が必要となり、樹脂材料のコストが大幅に増大する問題があった。そして多量の銅錯体を樹脂に練り込むことにより樹脂が着色するため、透明樹脂に適用することは困難であった。また、シート状の薄肉成形体等に適用する場合、専用樹脂を用いる必要があるため少量多品種の量産が困難であった。また、ＬＤＳ法を自動車のケーブルハーネスの代替部品等の大型部品の製造に適用しようとすると、次のような問題が生じる。まず、消費する専用樹脂材料が多くなるため、コストが上昇する。そして、レーザー装置を大型化する必要があり、量産において問題となる。

　また、特許文献２では、特殊な樹脂材料を用いずに成形体表面を選択的にメッキすることが検討されている。しかし、イオン性の金属触媒を吸着させて特定の波長のレーザーを用いた描画が必要であり、触媒吸着後の還元工程が必要とされる。還元工程を行うことにより、非レーザー描画部分における触媒も活性化してしまうために、描画部分とそれ以外の部分との成形体の表面特性に明確なコントラストをつけることは難しいと推測される。そのためにレーザー波長を短波長化することやメッキ方法を限定する必要があるものと推測される。

　また、これら方法においては、基材が限定されており、金属やガラス、セラミッックの高耐熱材料上に配線を形成することは困難であった。またフレキシビリテイの高いシートや金属薄膜上に部分的に信頼性の高いメッキ膜を形成することは困難であった。

　本発明は、これらの課題を解決するものであり、簡易な製造プロセスにより、様々な種類の基材上に無電解メッキ膜を形成できるメッキ部品の製造方法を提供する。

　本発明の第１の態様に従えば、メッキ部品の製造方法であって、表面の少なくとも一部に、熱硬化性樹脂で形成された第１の領域を有する基材を用意することと、第１の領域の一部分を光照射又は加熱して、第２の領域を形成することと、第２の領域を含む前記基材の表面に、金属塩を含む無電解メッキ触媒液を接触させることと、前記無電解メッキ触媒液を接触させた、第２の領域を含む前記基材の表面に無電解メッキ液を接触させて、第２の領域に無電解メッキ膜を形成することとを含むメッキ部品の製造方法が提供される。

　本態様において、前記基材が熱硬化性樹脂で形成されていてもよいし、又は、前記基材が、本体と、前記本体表面の少なくとも一部に形成される熱硬化性樹脂層とを含み、前記基材上の第１の領域が前記熱硬化性樹脂層により形成されていてもよい。前記基材を用意することが、前記本体を用意することと、前記本体の表面に前記熱硬化性樹脂層を形成することとを含んでもよい。前記本体が、樹脂、ガラス、金属及びセラミックからなる群から選択される１つで形成されていてもよい。

　本態様において、前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂及びフェノール樹脂からなる群から選択される１つであってもよい。

　本態様において、前記基材を用意することが、ガラスを含む前記本体を用意することと、前記本体の表面に、エポキシ樹脂を含む前記熱硬化性樹脂層を形成することとを含んでもよく、更に、前記基材が、透明であってもよい。また、前記基材を用意することが、３Ｄプリンタを用いて、熱可塑性樹脂を含む前記本体を成形することと、前記本体の表面に、前記熱硬化性樹脂層を形成することとを含んでもよい。また、前記本体は、発泡成形体であってもよい。

　本態様において、第１の領域の一部分を光照射又は加熱する前に、第１の領域に触媒失活剤を付与することを更に含んでもよい。

　本発明の第２の態様に従えば、メッキ部品であって、表面の少なくとも一部に熱硬化性樹脂で形成されている領域を有する基材と、前記熱硬化性樹脂で形成されている領域の一部分に形成されている無電解メッキ膜とを含むことを特徴とするメッキ部品が提供される。

　本態様において、前記無電解メッキ膜が、電気回路又はアンテナ回路を形成してもよい。

　本発明のメッキ部品の製造方法は、基材を構成する材料の選択肢を広げることができる。また、本実施形態では、従来から行われていた無電解メッキ触媒（金属イオン）の還元処理を省略できる。このため、製造コストを削減でき、スループットを向上できる。

図１は、第１の実施形態のメッキ部品の製造方法を示すフローチャートである。 図２（ａ）～（ｃ）は、第１の実施形態のメッキ部品の製造方法を説明する図である。 図３は、第１の実施形態の変形例であり、レーザー描画後の基材を示す模式図である。 図４は、第２の実施形態のメッキ部品の製造方法を示すフローチャートである。 図５（ａ）～（ｄ）は、第２の実施形態のメッキ部品の製造方法を説明する図である。

［第１の実施形態］
　第１の実施形態として、図１に示すフローチャートに従ってメッキ部品の製造方法について説明する。本実施形態では、図２（ｃ）に示す、基材１０の表面に選択的にメッキ膜８５が形成されているメッキ部品１００を製造する。

（１）基材の用意
　まず、表面の少なくとも一部に、熱硬化性樹脂で形成された第１の領域を有する基材を用意する（図１のステップＳ１）。基材は、全体が熱硬化性樹脂で形成されていてもよいし、又は熱硬化性樹脂と他の材料との複合材料であってもよい。本実施形態では、図２（ａ）に示すように本体１１と、本体１１の表面に形成される熱硬化性樹脂層１２とを含み、熱硬化性樹脂層１２により、基材１０上に第１の領域１２ａが形成される基材１０を用いる。本実施形態の基材１０では、本体１１の全表面を熱硬化性樹脂層１２で覆っているため、基材１０全表面が第１の領域１２ａである。尚、熱硬化性樹脂層１２は、最終的に得られるメッキ部品１００の用途に応じて、本体１１の全表面を覆ってもよいし、表面の一部のみに形成されてもよい。熱硬化性樹脂層１２が表面の一部のみに形成される場合、その一部のみが第１の領域１２ａとなる。

　基材１０は、例えば、本体１１を用意し、本体１１表面の少なくとも一部に熱硬化性樹脂層１２を形成することにより製造できる。本体１１は、市販品を用いてもよいし、又は汎用の方法により、本体１１を構成する材料を所望の形状に成形してもよい。本体１１の材料は、特に限定されず、例えば、樹脂、ガラス、金属、セラミック等を用いることができる。樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂が挙げられ、例えば、ナイロン６Ｔ（ＰＡ６Ｔ）、ナイロン９Ｔ（ＰＡ９Ｔ）等の半芳香族ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリイミド等の耐熱性有する熱可塑性樹脂（耐熱樹脂）を用いることができる。これらの耐熱樹脂を含む基材１０は、ハンダリフロー耐性を有し、更に、高耐久性、高耐熱性、耐薬品性も有する。また、メッキ部品にハンダリフロー耐性が要求されない場合には、汎用エンプラであるＡＢＳ樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）、ＡＢＳ樹脂とＰＣとのポリマーアロイ（ＡＢＳ／ＰＣ）、ポリプロピレン等を用いることができる。寸法安定性や剛性向上の観点から、これらの樹脂は、ガラスフィラーやミネラルフィラー等の無機フィラーを含有してもよい。また、これらの樹脂は、単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。また、本体１１は、これらの樹脂の発泡成形体であってもよい。金属としては、放熱性のある金属を用いることが好ましく、例えば、鉄、銅、アルミニウム、チタン、マグネシウム、ステンレス鋼（ＳＵＳ）等を用いることができる。中でも、軽量化、放熱性及びコストの観点から、マグネシウム、アルミニウムを用いることが好ましい。これらの金属は、単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。

　熱硬化性樹脂層１２に含まれる熱硬化性樹脂は、特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラニン樹脂、ビニルエステル樹脂等を用いることができる。中でも、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フェノール樹脂が好ましく、エポキシ樹脂が特に好ましい。これらの熱硬化性樹脂は、接着剤や塗料としても用いられ、種々の材料に対して高い密着性を示す。また、これらの熱硬化性樹脂は、硬化前のモノマーの状態では粘度が低いため、成形性に優れ、硬化後の熱硬化性樹脂層１２の膜厚を比較的容易に制御できる。更に、これらの熱硬化性樹脂は、硬化後の耐熱性、耐薬品性及び寸法安定性に優れる。これらの熱硬化性樹脂は、ガラスフィラーやミネラルフィラー等の無機フィラーを含有してもよい。また、これらの熱硬化性樹脂は、単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。

　熱硬化性樹脂層１２の膜厚及び形成方法は、特に限定されず、最終的に得られるメッキ部品の用途に応じて適宜決定できる。後述する無電解メッキ触媒付与工程（図１のステップＳ３）において、無電解メッキ触媒を効率よく吸着する観点からは、熱硬化性樹脂層１２の膜厚は、例えば、１μｍ以上であり、好ましくは、１０μｍ以上であり、より好ましくは、１００μｍ以上である。また、本体１１の材質や形状を生かす場合には、熱硬化性樹脂層１２は薄い方が好ましく、その膜厚は、例えば、１μｍ～５０μｍであり、好ましくは、５μｍ～３０μｍである。このように薄い熱硬化性樹脂層１２は、例えば、硬化前の液状の熱硬化性樹脂（モノマー）を本体１１の表面にディップコ－ト、スプレーコート、ハケ塗り等により塗布し、その後、熱硬化して形成できる。一方で、メッキ部品の用途によっては、熱硬化性樹脂層１２の厚さをミリオーダーまで厚くしてもよい。この場合、射出成形、トランスファー成形により、熱硬化性樹脂層１２を形成（成形）できる。例えば、内部に本体１１が配置された金型を用意し、金型内に硬化前の液状の熱硬化性樹脂（モノマー）を充填して金型内で熱硬化させてもよい（インサート成形）。射出成形、トランスファー成形等により熱硬化性樹脂層１２を成形する場合、熱硬化性樹脂層１２の膜厚は、成形性の観点から、例えば、０．１ｍｍ以上であり、好ましくは、０．２ｍｍ以上であり、一方で、実質的な観点から、例えば、１０ｍｍ以下であり、好ましくは、２ｍｍ以下である。尚、本体１１と熱硬化性樹脂層１２との密着強度を高めるために、熱硬化性樹脂層１２を形成する前に、本体１１の表面処理を行ってもよい。

　本実施形態の熱硬化性樹脂層１２は、種々の材料に対して高い密着強度を示すため、本体１１に用いる材料の選択肢を広げることができる。これにより、例えば、以下に説明するような様々な性質の基材１０を製造できる。

　例えば、ガラスを含む透明な本体（ガラス基材）１１を用意し、本体１１の表面に透明なエポキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂層１２を形成して、透明な基材１０を製造してもよい。透明な基材１０を用いて、無電解メッキ膜８５により電気回路を形成すれば、メッキ部品１００として透明なＭＩＤを製造できる。ここで、「透明な基材」とは、波長４００ｎｍ～８００ｎｍ（可視光域）における透過率が６０％以上である基材を意味する。メッキ部品１００の透明性をより向上させる観点から、透明な基材の上述の透過率は、６５％以上が好ましく、８０％以上がより好ましい。

　また、例えば、３Ｄプリンタを用いて、ＡＢＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を含む本体１１を成形し、本体１１の表面に熱硬化性樹脂層１２を形成して基材１０を製造してもよい。３Ｄプリンタを用いて本体１１を成形することで、メッキ部品１００として複雑形状のＭＩＤを容易に製造できる。一方で、３Ｄプリンタは、ボトムアップ的に順次、熱可塑性樹脂の層を重ねて成形体を成形するため、得られる成形体は、各層の境界で凹凸が生じ易い。凹凸の多い成形体は、凹凸部でメッキ膜の形成にムラが生じる虞がある。しかし、本実施形態では、３Ｄプリンタで製造する本体１１上に熱硬化性樹脂層１２を形成することで、基材１０上の表面を滑らかにし、その上に形成する無電解メッキ膜のムラを抑制できる。

　また、例えば、本体１１として、発泡セルを内包した発泡成形体を成形し、本体１１の表面に熱硬化性樹脂層１２を形成して基材１０を製造してもよい。発泡成形体は、高寸法精度の成形体であり、軽量で断熱性が高いという特徴を有する。発泡成形体を本体１１として用いることで、これらの特徴を活かしたメッキ部品１００を製造できる。一方で、発泡成形体は表面性が低下する虞がある。この表面性の低下や、樹脂材料の疎水性は、発泡成形体上に形成するメッキ膜の成膜性及び均一性に悪影響を与える虞がある。しかし、本実施形態では、発泡成形体である本体１１上に熱硬化性樹脂層１２を形成することで、基材１０上の表面が平滑になり、その上に形成される無電解メッキ膜の成膜性及び均一性が向上する。発泡成形体は、例えば、化学発泡剤を用いた化学発泡法、マイクロバルーンを用いたビーズ発泡法、超臨界流体等を用いる物理発泡法等により成形できる。また、特開２０１５‐１７４２４０号公報、又は特開２０１６‐０８７８８７号公報に開示される、超臨界流体発生装置等の高圧装置を必要としない低圧の窒素ガスを用いた発泡成形法によっても成形できる。

　また、例えば、本体１１として樹脂製又は金属製のシートを用意し、本体１１の表面に薄い熱硬化性樹脂層１２を形成して、シート状の基材１０を製造してもよい。シート状の基材１０を用いて、無電解メッキ膜８５により電気回路やアンテナパターンを形成することで、シート状の電子部品やアンテナ、フレキシブルな回路を製造できる。シート状の基材１０の厚みは、例えば、１０μｍ～５００μｍであり、好ましくは、２０μｍ～３００μｍである。

　また、例えば、本体１１としてアルミ等の熱伝導率の高い金属を用意し、本体１１の表面に熱硬化性樹脂層１２を形成して基材１０を製造してもよい。このような基材１０を用いて、無電解メッキ膜８５により電気回路を形成すれば、メッキ部品１００として、放熱性の優れるＭＩＤを製造できる。また、金属の本体１１上に射出成形やトランスファー成形により、比較的厚い熱硬化性樹脂層１２を形成し、表面（第１の領域）１２ａに凹凸や、スルーホールを有する基材１０を製造してもよい。熱硬化性樹脂層１２の凹部は、特に放熱性の高く、ＬＥＤやＩＣチップ等を配置するのに適している。また、本体１１として金属を用いることで、基材１０の耐衝撃性、可撓性が向上する。したがって、本体１１として金属製のシートを用いたシート状の基材１０は、放熱性、耐衝撃性、可撓性に優れ、薄肉軽量の電子部品の基板となり得る。

（２）基材への光照射又は加熱
　次に、基材１０表面の第１の領域１２ａの一部分を光照射又は加熱して、図２（ｂ）に示すように、第２の領域１０ａを形成する（図１のステップＳ２）。光照射又は加熱することにより、基材１０の表面には、光照射又は加熱した部分（第２の領域）１０ａと、光照射又は加熱していない部分１０ｂが形成される。

　光を照射する方法は、特に限定されず、例えば、レーザー光を基材１０の表面に所定パターンに従って照射する方法（レーザー描画）や、光を照射しない部分をマスクした後に、基材１０の表面全体に光を照射する方法等が挙げられる。基材１０の表面の一部分に光を照射することにより、光が熱に変換され、基材１０の表面は加熱されると推測される。また、基材１０の表面に光を照射せずに基材１０の表面を加熱する方法としては、凸部によりパターンが形成された簡易金型等で基材１０の表面を直接、熱プレスする方法が挙げられる。作業の簡便性及び加熱部分の選択性に優れていること、更に、パターンの変更及び微細化が容易であることから、レーザー描画により基材１０を加熱することが好ましい。

　本実施形態では、基材１０にレーザー描画を行って、第２の領域１０ａを形成する。レーザー光は、例えば、ＣＯ_２レーザー、ＹＶＯ_４レーザー、ＹＡＧレーザー等のレーザー装置を用いて照射でき、これらのレーザー装置は、熱硬化性樹脂層１２に用いるポリマーの種類に応じて適宜選択できる。

　以下、図２（ｂ）に示す、光照射又は加熱した部分１０ａ、即ち、第２の領域を「レーザー描画部分１０ａ」と、光照射又は加熱していない部分１０ｂを「非レーザー描画部分１０ｂ」と記載する。発明者らは、後述する無電解メッキ触媒付与工程（図１のステップＳ３）において、レーザー描画部分１０ａに無電解メッキ触媒が吸着し易いことを見出した。このメカニズムは定かでは無いが、以下のように推測される。まず、熱硬化性樹脂層１２の熱分解物である有機物残渣が金属塩由来の金属イオン（無電解メッキ触媒）と何らかの相互作用を生じ、金属イオンを吸着すると推測される。そして、更に、熱硬化性樹脂は３次元架橋構造を有するため、レーザー描画部分１０ａには鋭い凹凸が形成される。これにより、金属イオン（無電解メッキ触媒）が更に吸着し易くなると推測される。熱硬化性樹脂とは対照的に、熱可塑性樹脂層に同様のレーザー描画を行っても、このような鋭い凹凸は形成され難い。熱可塑性樹脂層のレーザー描画部分では、熱可塑性樹脂の溶融及び固化を経て緩やかな凹凸が形成される。

　尚、レーザー描画部分１０ａでは、図２（ｂ）に示すように本体１１が露出していなくてもよいし、図３に示すように本体１１が露出していてもよい。本体１１が露出している場合であっても、レーザー描画部分１０ａに存在する熱硬化性樹脂層１２の熱分解物である有機物残渣により、無電解メッキ触媒となる金属イオンが吸着されると推測される。但し、本体１１が金属等の導電性材料であり、無電解メッキ膜８５が電気回路を形成する場合は、本体１１と無電解メッキ膜８５との間に熱硬化性樹脂層１２を配置してこれらを絶縁するために、レーザー描画部分１０ａにおいて本体１１は露出していない方が好ましい。

（３）無電解メッキ触媒の付与
　次に、第２の領域（レーザー描画部分）１０ａを含む基材１０の表面に、金属塩を含む無電解メッキ触媒液を接触させる（図１のステップＳ３）。

　一般に、無電解メッキ触媒となるパラジウム等の金属イオンは、そのままでは樹脂表面に吸着し難い。そのため、汎用の無電解メッキ触媒付与方法であるセンシタイザー・アクチベータ法やキャタリスト・アクセレレータ法では、まず、基材表面を粗化し、更に、パラジウムイオンを還元して酸化数０（ゼロ）の金属パラジウムとして基材に吸着させる。したがって、本実施形態の粗化されていない非レーザー描画部分１０ｂには、還元されていない金属イオンは、ほとんど吸着しないと推測される。一方で、上述したように、無電解メッキ触媒液を接触させることにより、レーザー描画部分１０ａに金属塩由来の金属イオンが吸着すると推測される。したがって、レーザー描画部分１０ａは、金属イオンを非常に吸着し易い状態にあり、非レーザー描画部分１０ｂは金属イオンを吸着し難い状態にある。このような表面状態の基材１０に、無電解メッキ触媒液を接触させることで、レーザー描画部分１０ａは、無電解メッキ膜を形成可能な量の金属イオンを吸着でき、一方、非レーザー描画部分１０ｂは無電解メッキ膜を形成可能な量の金属イオンを吸着できない。

　更に、無電解メッキ触媒は、通常、酸化数０（ゼロ）の金属状態において触媒活性を示す。このため、従来から知られている汎用の無電解メッキ触媒付与方法であるセンシタイザー・アクチベータ法及びキャタリスト－アクセレレータ法のどちらの方法においても、パラジウムを基材に吸着させつつ還元する。したがって、従来は、金属状態でないパラジウムイオンを基材に付与しても触媒活性を発現せず、無電解メッキ触媒として使用することは困難であった。しかし、本発明者らは、レーザー描画部分１０ａでは、金属イオンの還元処理を行わずとも、無電解メッキ工程において無電解メッキ反応が生じることを見出した。この理由は定かではないが、レーザー描画部分１０ａに吸着した金属イオンは、無電解メッキ工程において、無電解メッキ液中に含まれる還元剤により還元されて、無電解メッキ触媒能を発揮すると推測される。したがって、本実施形態では、無電解メッキ工程前において、無電解メッキ触媒（金属イオン）の還元処理を省略できる。このため、製造コストを削減でき、スループットを向上できる。

　無電解メッキ触媒液の含有する金属塩は、無電解触媒能を有する金属の塩であれば任意のものを用いることができ、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ等の塩が挙げられる。レーザー描画部分１０ａへの吸着し易さという観点から、塩化パラジウムが好ましい。

　無電解メッキ触媒液中の金属塩の濃度は、無電解メッキ触媒液の温度、無電解メッキ触媒液と基材との接触時間等の条件に基づき、適宜調整できるが、例えば、０．０５ｍｇ／Ｌ～１００ｇ／Ｌ、好ましくは、１ｍｇ／Ｌ～２０ｇ／Ｌ、より好ましくは、５ｍｇ／Ｌ～１０ｇ／Ｌである。金属塩の濃度が上記範囲より低いと、基材への金属塩の吸着量にムラができ、メッキ膜の欠陥ができる虞がある。また、金属塩の濃度が上記範囲を超えると、基材１０の最表面でのメッキ反応が支配的となり、メッキ膜の密着強度が低下する虞がある。

　金属塩を溶解させる無電解メッキ触媒液の溶媒としては、特に限定されず、金属塩の種類に応じて選択でき、例えば、水；エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール、アセトン、エチルメチルケトン等の有機溶媒；これらの混合溶媒が挙げられる。更に、金属塩の溶解度を上げるために、塩酸、硝酸、アンモニア、水酸化ナトリウムなどを加えて、液体のｐＨを調整していてもよい。例えば、無電解メッキ触媒液が塩酸を含む場合、無電解メッキ触媒液中の塩酸の濃度は、例えば、０.１～１２Ｎであり、０.１～５Ｎが好ましく、１．０～４．０Ｎがより好ましい。また、基材が炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム等の酸に溶解可能なミネラルを含む場合、無電解メッキ触媒液に酸を用いることで、基材中のミネラルを溶解して基材表面に凹凸が形成され、金属塩の基材への吸着を促進できる。

　無電解メッキ触媒液は、金属塩及び溶媒のみから構成されても良いし、必要に応じて、汎用の添加剤を含んでもよい。無電解メッキ触媒液は、例えば、界面活性剤を含んでも良い。界面活性剤を含有することで無電解メッキ触媒液の表面張力が低下し、基材表面への濡れ性が向上して、金属塩が基材の内部へ浸透し易くなる。界面活性剤は、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、及び両性界面活性剤等、汎用の界面活性剤を使用できる。

　無電解メッキ触媒液は、金属塩と、溶媒と、更に必要に応じて汎用の添加剤等を混合して調製してもよいし、市販品を用いてもよい。市販品としては、例えば、センシタイザー・アクチベータ法に用いる触媒化処理剤（アクチベータ）を用いることができる。通常のセンシタイザー・アクチベータ法では、Ｐｄ^２+を含む触媒化処理剤（アクチベータ）を用いるアクチベータ処理の前に、Ｓｎ^２+を含む感応性付与剤（センシタイザー）を用いたセンシタイザー処理が必要であるが、本実施形態ではセンシタイザー処理は不要である。このため、本実施形態の無電解メッキ触媒付与方法は、センシタイザー・アクチベータ法よりも製造コストを削減でき、スループットを向上できる。

　基材１０に無電解メッキ触媒液を接触させる方法は任意であり、目的に応じて種々の方法を用いることができる。例えば、無電解メッキ触媒液に基材１０全体を浸漬させてもよいし、基材１０の一部分のみを無電解メッキ触媒液と接触させてもよい。

　基材１０に無電解メッキ触媒液を接触させる時間は、例えば、５秒～３０分が好ましい。５秒未満であると、基材１０への金属塩の吸着量にムラができる虞がある。また、３０分を超えると、基材１０へ浸透した無電解メッキ触媒液による基材の劣化や、レーザー描画部分１０ａ以外への触媒の付着によるメッキ膜析出の虞がある。

（４）無電解メッキ
　基材１０に無電解メッキ触媒液を接触させた後、レーザー描画部分（第２の領域）１０ａを含む基材１０の表面に無電解メッキ液を接触させる（図１のステップＳ４）。上述のように、無電解メッキ触媒液を接触させた基材１０において、レーザー描画部分１０ａは、無電解メッキ膜を形成可能な量の金属イオンを吸着しており、一方、非レーザー描画部分１０ｂは無電解メッキ膜を形成可能な量の金属イオンを吸着していない。このような基材１０に無電解メッキ液を接触させることで、レーザー描画部分１０ａに選択的に無電解メッキ膜を形成できる。これにより、レーザー描画部分１０ａに無電解メッキ膜８５が形成され、図２（ｃ）に示すメッキ部品１００が得られる。メッキ部品１００は、表面の少なくとも一部に熱硬化性樹脂で形成されている領域（第１の領域１２ａ）を有する基材１０と、熱硬化性樹脂で形成されている領域（第１の領域１２ａ）の一部分に形成されている無電解メッキ膜８５とを含む。

　尚、第１の領域１２ａを形成する熱硬化性樹脂の種類によっては、無電解メッキ触媒液を接触させることにより（図１のステップＳ３）、非レーザー描画部分１０ｂに、多少の金属イオンが吸着する場合もある。しかし、このような場合であっても、レーザー描画部分１０ａには、非レーザー描画部分１０ｂと比較して、より多くの金属イオンが吸着し、レーザー描画部分１０ａと非レーザー描画部分１０ｂとには、金属イオンの吸着量の差が生じる。このため、例えば、無電解メッキ触媒付与工程（図１のステップＳ３）及び無電解メッキ工程（図１のステップＳ４）の諸条件を調整することにより、レーザー描画部分１０ａのみに選択的に無電解メッキ膜を形成できる。

　無電解メッキ液としては、目的に応じて任意の汎用の無電解メッキ液を使用しできるが、触媒活性が高く液が安定であるという点から、無電解銅メッキ液、無電解ニッケルメッキ液、無電解ニッケルリンメッキ液が好ましい。

　無電解メッキ液の温度、無電解メッキ時間（基材１０に無電解メッキ液を接触させる時間）は、無電解メッキ液及び熱硬化性樹脂の種類等に応じて適宜決定できる。例えば、無電解メッキ液の温度は、５０℃～８０℃であり、無電解メッキ時間は、１分～１時間である。

　無電解メッキ膜８５上には、メッキ部品１００の用途及び意匠性向上等の目的から、更に異なる種類の無電解メッキ膜を複数層形成してもよいし、電解メッキにより電解メッキ膜を形成してもよい。また、無電解メッキ膜８５が形成された基材１０は、無電解メッキ後にアニール処理を施してもよいし、室温で放置して自然乾燥してもよい。また、アニール処理や自然乾燥を行わず、連続して電解メッキ膜を形成する等の次の工程を行ってもよい。

　無電解メッキ膜８５は導電性を有していてもよい。この場合、無電解メッキ膜８５は、配線パターン、電気回路、アンテナ等として機能でき、メッキ膜８５を有するメッキ部品１００は、電子部品として機能する。また、無電解メッキ膜８５は、基材１０の一面のみに平面的に形成させてもよいし、基材１０の複数の面に亘って立体的に形成されてもよい。また、基材１０が球面等を含む立体形状の表面を有する場合には、無電解メッキ膜８５は、その立体形状の表面に沿って立体的に形成されてもよい。無電解メッキ膜８５が成形体の複数の面に亘って、又は球面等を含む立体形状の表面に沿って立体的に形成され、且つ導電性を有する場合、無電解メッキ膜８５は立体電気回路として機能し、このような所定パターンのメッキ膜を有するメッキ部品は、立体回路成形部品（ＭＩＤ：Ｍｏｌｄｅｄ　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ　Ｄｅｖｉｃｅ）として機能する。

　以上説明したように、本実施形態では、本体１１の種類に関わらず、その表面の少なくとも一部に熱硬化性樹脂層１２を形成し、熱硬化性樹脂層１２を光照射又は加熱することで、光照射又は加熱した部分に選択的に無電解メッキ膜を形成できる。このため、基材１０の材料の選択肢を広げることができる。また、本実施形態では、従来、行われていた、無電解メッキ触媒（金属イオン）の還元処理を省略できる。このため、製造コストを削減でき、スループットを向上できる。

［第２の実施形態］
　第２の実施形態として、図４に示すフローチャートに従ってメッキ部品の製造方法について説明する。本実施形態では、第１の領域１２ａの一部分を光照射又は加熱する前に、第１の領域に触媒失活剤を付与する（図４のステップＳ１１）。それ以外は、第１の実施形態と同様の方法により、メッキ部品を製造する。

　まず、第１の実施形態と同様に、表面の少なくとも一部に、熱硬化性樹脂で形成された第１の領域１２ａを有する基材１０を用意する（図４のステップＳ１及び図５（ａ））。次に、第１の領域１２ａに触媒失活剤を付与する（図４のステップＳ１１）。触媒失活剤としては、無電解メッキ触媒が触媒能を発揮することを妨げ、結果として、無電解メッキの反応を抑制する物質であれば、任意の物質を用いることができる。触媒失活剤は、無電解メッキ触媒と直接反応して無電解メッキ触媒を被毒するか、又は無電解メッキ触媒と直接反応せずとも、触媒付与工程のいずれかの段階において、無電解メッキ触媒が触媒能を発揮することを妨げると推測される。このような触媒失活剤としては、例えば、亜鉛（Ｚｎ）、鉛（Ｐｂ）、錫（Ｓｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）等のメッキ触媒毒となる重金属及びその化合物、ヨウ素及びその化合物、過酸化物等の酸化剤等が挙げられる。中でも、亜鉛（Ｚｎ）、鉛（Ｐｂ）、錫（Ｓｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）及びその化合物は、無電解メッキ触媒に対しての被毒性が強いという点で好ましく、ヨウ素は、基材への浸透性が高い点で好ましい。これらの触媒失活剤は、例えば、特許第５９０２８５３号公報に開示される方法により、基材１０への付与できる。基材１０への付与されたこれらの触媒失活剤は、基材１０に浸透するか、又は強固に吸着すると推測される。

　また、図５（ｂ）に示すように、触媒失活剤を含む触媒活性妨害層１３（以下、適宜、単に「妨害層」と記載する）を基材１０の表面に形成することにより、触媒失活剤を基材１０の表面に付与してもよい。例えば、上述したヨウ素等の触媒失活剤と、バインダとなる樹脂とを含む妨害層１３を形成する。バインダとなる樹脂を用いることで、触媒失活剤が直接、吸着又は浸透し難い基材１０の表面にも触媒失活剤を留めることができる。

　また、触媒失活剤として、触媒活性を妨害する樹脂を用いてもよい。樹脂である触媒失活剤は、妨害層１３として基材１０上に付与できる。樹脂である触媒失活剤としては、側鎖にアミド基及びジチオカルバメート基を有するポリマーが好ましい。側鎖のアミド基及びジチオカルバメート基が無電解メッキ触媒となる金属イオンに作用し、無電解メッキ触媒が触媒能を発揮することを妨げると推測される。また、樹脂である触媒失活剤は、デンドリマー、ハイパーブランチポリマー等のデンドリティックポリマーが好ましい。

　妨害層１３は、コスト低減の観点より機能が発現する最低限の厚みに薄くすることが好ましい。妨害層１３の厚みは、例えば、５０００ｎｍ以下が好ましく、１０００ｎｍ以下がより好ましく、３００ｎｍ以下が更により好ましい。一方で、無電解メッキ触媒の触媒活性を妨害する観点からは、例えば、１０ｎｍ以上が好ましく、３０ｎｍ以上がより好ましい。

　基材１０の表面に妨害層１３を形成する方法は、特に限定されない。例えば、溶媒にデンドリティックポリマー等の触媒失活剤を溶解させた樹脂溶液を調製し、樹脂溶液を基材１０に接触させて妨害層１３を形成してもよい。樹脂溶液を基材１０に接触させる方法としては、樹脂溶液を基材１０に塗布してもよいし、樹脂溶液に基材１０を浸漬してもよい。具体的な形成方法としては、ディップコート、スクリーンコート、スプレーコート等が挙げられる。

　樹脂溶液中のデンドリティックポリマー等の触媒失活剤の配合量は、特に限定されず、妨害層１３の膜厚等を考慮して適宜決定できるが、例えば、０．０１重量％～５重量％であり、０．１重量％～２重量％であることが好ましい。

　樹脂溶液に用いる溶媒は、デンドリティックポリマー等の触媒失活剤が溶解可能な溶媒であり、且つ基材１０を変質させない溶媒であれば特に限定されない。例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどケトン類、エタノール、メタノール、イソプロピルアルコールなどアルコール類、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、２－ブトキシエタノールなどグリコールエーテル類、トルエン、ベンゼンなど芳香環を持つ化合物、Ｎ-メチルピロリドン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン及びそれらの混合物が好ましい。樹脂溶液は、デンドリティックポリマー等の触媒失活剤、溶媒に加えて、必要に応じて、汎用の添加剤を含有してもよい。樹脂溶液は、これら構成成分を従来公知の方法により混合して調製できる。

　樹脂溶液に基材１０を浸漬するときの樹脂溶液の温度及び浸漬時間は特に限定されず、形成される妨害層１３の膜厚等を考慮して適宜決定できる。樹脂溶液の温度は、例えば、０℃～１００℃であり、１０℃～５０℃であることが好ましく、浸漬時間は、例えば、１秒～１０分であり、５秒～２分であることが好ましい。

　次に、図４に示すように、第１の実施形態と同様の以下の工程を行う。まず、触媒失活剤が付与された基材１０の一部分を光照射又は加熱する（図４のステップＳ２）。本実施形態では、第１の実施形態と同様にレーザー描画を行う。レーザー描画により、図５（ｃ）に示すように、基材１０の表面には、レーザー描画部分１０ａと、非レーザー描画部分１０ｂが形成される。レーザー描画部分１０ａでは、触媒失活剤は除去されるか、変性又は変質して触媒失活剤として作用しなくなる。また、第１の実施形態と同様に、レーザー描画部分１０ａには熱硬化性樹脂層１２の熱分解物である有機物残渣が存在し、更に鋭い凹凸が形成される。

　次に、基材１０に金属塩を含む無電解メッキ触媒液を接触させる（図４のステップＳ３）。無電解メッキ触媒液を接触させることにより、レーザー描画部分１０ａに金属塩由来の金属イオンが吸着する。そして、無電解メッキ触媒液を接触させた基材１０に無電解メッキ液を接触させる（図４のステップＳ４）。これにより、図５（ｄ）に示すように、レーザー描画部分１０ａに無電解メッキ膜８５が形成され、メッキ部品２００が得られる。メッキ部品２００は、表面の少なくとも一部に熱硬化性樹脂で形成されている領域（第１の領域１２ａ）を有する基材１０と、熱硬化性樹脂で形成されている領域（第１の領域１２ａ）の一部分に形成されている無電解メッキ膜８５と、熱硬化性樹脂で形成されている領域（第１の領域１２ａ）の無電解メッキ膜８５が形成されていない部分に形成されている触媒活性妨害層１３とを含む。

　本実施形態では、第１の実施形態と同様に、基材１０のレーザー描画部分１０ａのみに選択的に無電解メッキ膜８５が形成される。また、本実施形態では、非レーザー描画部分１０ｂに残存する触媒失活剤（図５に示す妨害層１３）により、非レーザー描画部分１０ｂにおけるメッキ膜の形成をより確実に抑制できる。これにより、基材１０の表面において、無電解メッキ膜が形成される部分と形成されない部分とのコントラストをより明確にできる。特に、無電解メッキ液の触媒活性が高い場合には、非レーザー描画部分１０ｂにおけるメッキ膜の形成をより確実に抑制するために、基材１０に触媒失活剤を付与することが好ましい。例えば、無電解メッキ液中の還元剤濃度や無電解メッキ液の温度が高い場合、又は浴負荷が低い場合に、無電解メッキ液の触媒活性は高くなる。また、一般的には、無電解ニッケルリンメッキ液の方が、無電解銅メッキ液よりも、強い還元剤を含むため、触媒活性が高い。

　尚、触媒失活剤付与工程（図４のステップＳ１１）を含む本実施形態では、第１の実施形態とは異なり、無電解メッキ触媒の無電解メッキ工程前において、無電解メッキ触媒（金属イオン）の還元処理を行ってもよい。これにより、非レーザー描画部分１０ｂに、還元された無電解メッキ触媒が付着する虞があるが、触媒失活剤（図５に示す妨害層１３）により、非レーザー描画部分１０ｂにおけるメッキ膜の形成を抑制できる。

　以下、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例及び比較例により制限されない。

　[実施例１]
　本実施例では、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）にエポキシ樹脂を主成分とする塗料を塗布して基材を製造した。製造した基材に、レーザー描画、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行って、メッキ部品を得た。

（１）基材の製造
　ガラスフィラー入りのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）（ＤＩＣ製、ＦＺ－３６００）を４０ｍｍ×６０ｍｍ×２ｍｍの平板状に射出成形し、基材の本体を得た。射出成形において、金型温度は１４５℃、樹脂温度は３３０℃とした。得られた射出成形体（本体）の片面に、２液混合した直後にスプレー塗布を行う変性エポキシ塗料（日新インダストリー製、２液型変成エポキシスプエーＮＥＸＴ）をスプレー塗装した。塗布後に１００℃で２時間硬化させて熱硬化性樹脂層（エポキシ樹脂層）を形成して、基材を得た。エポキシ樹脂層は白に近い灰色であり、その膜厚は約２０～４０μｍであった。また、熱硬化後に、基材の本体の変形は認められなかった。

（２）レーザー描画
　本実施例では、触媒妨害層を形成しなかった。製造した基材に、レーザー描画装置として、ＣＯ_２レーザー描画装置（パナソニック製、ＬＰ－３１０、光源ＣＯ_２、レーザー発振部の出力：平均１２Ｗ、発光ピーク波長：１０．６μｍ）を用い、レーザー強度８０％、描画速度１６００ｍｍ／ｓｅｃでレーザー描画を行った。描画パターンは、コイル状のパターンであり、パターンのライン・アンド・スペース（Ｌ／Ｓ）は、２００μｍ／２００μｍであった。描画部分は薄い茶色に変色した。

（３）無電解メッキ触媒の付与
　塩化パラジウムを５０ｐｐｍ含有し、塩酸の濃度が２．０Ｎである無電解メッキ触媒液を調製した。無電解メッキ触媒液の温度を３０℃に調整し、基材を無電解メッキ触媒液に５分間浸漬した。浸漬後、基材を無電解メッキ触媒液から取り出して純水で洗浄した。

（４）無電解メッキ
　析出レートの高い無電解銅メッキ液（奥野製薬製、ＯＰＣカッパーＮＣＡ）の温度を６０℃に調整し、無電解メッキ触媒を付与した基材を３０分間浸漬して、基材表面に無電解銅メッキ膜を約５μｍ成長させた。その後、基材を無電解メッキ液から取り出して、十分に水洗した。以上説明した製造方法により、本実施例のメッキ部品を得た。

　[実施例２]
　本実施例では、３Ｄプリンタを用いて成形したＡＢＳ樹脂の本体に、エポキシ樹脂を主成分とする塗料を塗布して基材を製造した。それ以外は、実施例１と同様の方法により、メッキ部品を製造した。

（１）基材の製造
　３Ｄプリンタ（スリーディ・システムズ社製、ＣｕｂｅＸ　３Ｄ　Ｐｒｉｎｔｅｒ）を用いて、ＡＢＳ樹脂（スリーディ・システムズ社製、ＣｕｂｅＸ（登録商標）マテリアルカートリッジ）を成形して本体を得た。得られた成形体（本体）の全面に、実施例１で用いたものと同じエポキシ塗料をスプレー塗装により重ね塗りした。スプレー塗布後、まず、初期硬化として常温で２４時間放置し、ＡＢＳ樹脂の本体を硬い熱硬化性樹脂層で覆った。次に、本硬化として、１００℃で３時間硬化させた。本硬化後の熱硬化性樹脂層の膜厚は約１００μｍであった。本硬化後に、熱可塑性樹脂であるＡＢＳ樹脂からなる本体の変形は認められなかった。本実施例では、本体の全面をエポキシ塗料で重ね塗りし、更に初期硬化を経ることで、本体の熱変形を抑制できたと推測される。また、本体の表面には、３Ｄプリンタを用いて成形されたときに生じる凹凸があったが、この凹凸は熱硬化性樹脂層に覆われ、基材の表面は滑らかであった。

（２）レーザー描画、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキ
　製造した基材に、実施例１と同様の方法により、レーザー描画、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行って、メッキ部品を得た。

　[実施例３]
　本実施例では、ポリイミド製の樹脂シートの本体に、エポキシ樹脂を主成分とする塗料を塗布して基材を製造した。それ以外は、実施例１と同様の方法により、メッキ部品を製造した。

（１）基材の製造
　基材の本体として、厚み４０μｍのポリイミドシートを用意し、片面のみに実施例１と同様の方法によりエポキシ樹脂層（熱硬化性樹脂層）を形成して、基材を製造した。硬化後のエポキシ樹脂層の膜厚は約１０μｍであった。本実施例の基材は、片面のみにエポキシ樹脂層を形成したため、熱硬化後に基材がカールした。尚、別途、同様のポリイミドシートを用意し、その両面に熱硬化性樹脂層を形成すれば、基材のカールを抑制できることを確認した。

（２）レーザー描画、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキ
　製造した基材に、実施例１と同様の方法により、レーザー描画、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行って、メッキ部品を得た。尚、レーザー描画、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキを行う間は、基材はガラス基板に貼り付けて変形を矯正した。

 [実施例４]
　本実施例では、ガラス板の本体上に、透明なエポキシ樹脂層（熱硬化性樹脂層）を形成して透明な基材を製造した。それ以外は、実施例１と同様の方法により、メッキ部品を製造した。

（１）基材の製造
　基材の本体として、ガラス板を用意し、ガラス板の片面（一方の面）のみにエポキシ樹脂層を形成した。まず、ガラス板の他方の面にエポキシ樹脂が回り込まないように、ガラス板の一方の面の周囲をマスキングした。周囲をマスキングしたガラス板の一方の面上に、２液混合型の透明エポキシ接着剤（株式会社ＩＴＷパフォーマンスポリマーズ＆フルイズジャパン製、デブコンＥＴ）を厚み０．５ｍｍの深さになるように流しこんだ。２４時間自然硬化させた後に、１００℃で１０時間硬化させた。このようにして、ガラス板の一方の面のみにエポキシ樹脂層（熱硬化性樹脂層）を形成して、基材を製造した。硬化後のエポキシ樹脂層の膜厚は約０．５ｍｍであった。製造した基材の波長４００～８００ｎｍ（可視光域）における透過率は、８０～８５％であった。

（２）レーザー描画、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキ
　製造した基材に、実施例１と同様の方法により、レーザー描画、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行って、メッキ部品を得た。尚、本実施例のレーザー描画に用いたＣＯ_２レーザーは、透明な基材でも熱を吸収し易いレーザーである。

　　[実施例５]
　本実施例では、ポリプロピレン（ＰＰ）の発泡成形体の本体に、エポキシ樹脂を主成分とする塗料を塗布して基材を製造した。それ以外は、実施例１と同様の方法により、メッキ部品を製造した。

（１）本体の発泡成形
　ガラス繊維強化プリプロピレン（プライムポリマー社製、プライムポリプロＲ－２００Ｇ）を平板形状に発泡成形し、基材の本体を得た。発泡成形は、特開２０１５‐１７４２４０号公報に開示された方法により、以下のように行った。発泡剤としては、窒素を用いた。まず、窒素ボンベに収容されている窒素を１０ＭＰａに減圧した後、射出成形機に導入して溶融樹脂と混合した。次に、溶融樹脂と物理発泡剤の混合物を４ＭＰａに減圧して、混合物から余剰な窒素を分離した。４０ｍｍ×６０ｍｍ×厚み１ｍｍのキャビティを有する金型に、余剰な物理発泡剤を分離した混合物を１ｓの充填時間にて射出充填し、その後、３ｍｍまでキャビティを開いた（コアバック法）。これにより、３倍発泡ＰＰ成形体（基材の本体）を得た。金型温度は４０℃、樹脂温度は２２０℃とした。

（２）基材の製造
　得られた３倍発泡ＰＰ成形体（本体）の片面のみに、実施例１と同様の方法によりエポキシ樹脂層（熱硬化性樹脂層）を形成した。硬化後のエポキシ樹脂層の膜厚は約３０μｍであった。

（３）レーザー描画、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキ
　製造した基材に、実施例１と同様の方法により、レーザー描画、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行って、メッキ部品を得た。

＜実施例１～５で得られたメッキ部品の評価＞
（１）メッキ部分の光学顕微鏡観察
　実施例１～５で製造したメッキ部品のメッキ部分を光学顕微鏡で観察した。いずれのメッキ部品においても、無電解メッキ膜は、レーザー描画部分のみに成長しており、無電解メッキ膜が形成される部分（レーザー描画部分）と形成されない部分（非レーザー描画部分）とのコントラストが明確であった。また、描画パターンにおいて、ライン間の連結は確認されなかった。

（２）ヒートショック試験
　実施例１、３及び４で製造したメッキ部品に対して、１２０℃の環境下に３０分放置、－３５℃の環境下に３０分放置を交互に１００回繰り返す（１００サイクル）ヒートショック試験を行った。ヒートショック試験後、いずれのメッキ部品においてメッキ膜の剥離は認められず、高い信頼性を有していることが確認できた。

　実施例２及び５で製造したメッキ部品に対して、８０℃の環境下に３０分放置、－３０℃の環境下に３０分放置を交互に１０回繰り返す（１０サイクル）ヒートショック試験を行った。ヒートショック試験後、メッキ部品においてメッキ膜の剥離は認められず、高い信頼性を有していることが確認できた。

（３）ハンダリフロー耐性試験
　実施例１及び３で製造したメッキ部品を２５０℃のリフロー炉に５分間放置した。放置後、いずれのメッキ部品において、熱硬化性樹脂層及び無電解銅メッキ膜の剥離は認められなかった。この結果から、実施例１及び３のメッキ部品は、ハンダリフロー可能であることが確認できた。

　[実施例６]
　本実施例では、アルミ板の本体の両面に、エポキシ樹脂層（熱硬化性樹脂層）を形成して基材を製造した。そして、製造した基材上に触媒活性妨害層を形成し、その後、レーザー描画、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行い、更に、基材にＬＥＤを実装してメッキ部品を得た。

（１）基材の製造
　基材の本体として厚み０．３ｍｍで、名刺サイズのアルミ板を用意した。アルミ板（本体）と、その上に形成されるエポキシ樹脂層（熱硬化性樹脂層）との接合強度を高めるために、アルミ板を特開２００４－２１６６０９号公報等に開示される方法によりエッチングし、その表面に微細は凹凸を形成した。エッチングしたアルミ板の両面に、トランスファー成形により膜厚０．３ｍｍのエポキシ樹脂層を形成して、基材を得た。エポキシ樹脂としては、非導電性の熱伝導材料を包含する黒色の熱伝導エポキシ樹脂（信越化学製、エポキシ封止材料、ＫＭＣ－１２０ＭＫ、熱伝導率：２．５Ｗ／ｍｋ）を用いた。基材の厚みは、約０．９ｍｍであった。

（２）触媒失活剤の付与
　本実施例では、触媒失活剤であるハイパーブランチポリマーを含む触媒活性妨害層を基材の表面に形成した。ハイパーブランチポリマーとしては、下記式（１）で表される、側鎖にアミド基及びジチオカルバメート基を有するポリマーＡを用いた。

（ａ）ポリマーＡの合成
　下記式（２）で表される、市販のハイパーブランチポリマー（ポリマーＢ）にアミド基を導入して、式（１）で表されるポリマーＡを合成した。

　まず、式（２）で表されるハイパーブランチポリマー（日産化学工業製、ハイパーテック　ＨＰＳ－２００）（１．３ｇ、ジチオカルバメート基：４．９ｍｍｏｌ）、Ｎ‐イソプロピルアクリルアミド（ＮＩＰＡＭ）（１．１０ｇ、９．８ｍｍｏｌ）、α,α’‐アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）（８１ｍｇ、０．４９ｍｍｏｌ）、脱水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（１０ｍＬ）をシュレンク管へ加え、凍結脱気を３回行った。その後、オイルバスを用いて７０℃で一晩（１８時間）撹拌して反応させ、反応終了後、氷水によって冷却し、ＴＨＦで適度に希釈した。次に、ヘキサン中で再沈殿させ、得られた固体の生成物を６０℃で一晩真空乾燥させた。生成物のＮＭＲ（核磁気共鳴）測定及びＩＲ（赤外吸収スペクトル）測定を行った。この結果、式（２）で表される市販のハイパーブランチポリマーにアミド基が導入されて、式（１）で表されるポリマーＡが生成したことが確認できた。次に、生成物の分子量をＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）で測定した。分子量は、数平均分子量（Ｍｎ）＝９,９４６、重量平均分子量（Ｍｗ）＝２４,７９２であり、ハイパーブランチ構造独特の数平均分子量（Ｍｎ）と重量平均分子量（Ｍｗ）とが大きく異なった値であった。ポリマーＡの収率は、９２％であった。

（ｂ）触媒活性妨害層の形成
　合成した式（１）で表されるポリマーＡをメチルエチルケトンに溶解して、ポリマー濃度０．３重量％のポリマー溶液を調製した。製造した基材を調製したポリマー溶液に室温で５秒間浸漬し、その後、８５℃乾燥機中で５分間乾燥した。これにより、基材表面に触媒活性妨害層が形成された。

　触媒活性妨害層の膜厚を以下に説明する方法により測定した。まず、本実施例と同一の条件で樹脂層を形成した膜厚測定用試料を作製した。膜厚測定用試料の樹脂層の一部を金属製スパチュラで傷をつけて基材を露出させ、レーザー顕微鏡（キーエンス製、ＶＫ－９７１０）で樹脂層表面と露出した基材表面との段差を測定し、この測定値を触媒活性妨害層の膜厚とした。触媒活性妨害層の膜厚は、約６０ｎｍであった。

（３）レーザー描画
　触媒活性妨害層を形成した基材にＹＶＯ_４レーザー（キーエンス製、ＭＤ－Ｖ９９２９ＷＡ、ＹＶＯ_４レーザー、波長１０６４ｎｍ）を用いて、ＬＥＤを実装する電気回路パターンをレーザー描画した。描画速度は１５００ｍｍ／ｓｅｃ、周波数は５０ｋＨｚとした。これにより、エポキシ樹脂層の表面にＲｚ１００μｍ程度の大きな凹凸が形成された。

（４）無電解メッキ触媒の付与
　実施例１と同様の方法により、基材に無電解メッキ触媒を付与した。

（５）無電解メッキ
　温度６０℃、ｐＨ６．８の中性浴である無電解ニッケルリンメッキ液（奥野製薬工業製、トップニコロンＬＣＮ）に、基材を５分間浸漬した。これにより、レーザー描画部分のみに、無電解メッキニッケルリンメッキ膜が約１μｍ成長した。その後、無電解ニッケルリンメッキ膜上に、汎用の方法により、２０μｍの電解銅メッキ膜、１０μｍの電解ニッケルメッキ膜、０．１μｍの電解金メッキ膜をこの順に形成した。

（６）ＬＥＤの実装
　無電解メッキ膜により電気回路を形成した基材に、ＬＥＤを実装した。ＬＥＤの実装後、所定の電圧を電気回路に印可し、ＬＥＤが点灯することを確認した。

　[実施例７]
　本実施例では、エポキシ樹脂として、標準エポキシ封止材料（信越化学製、ＫＭＣ－１８０）を用いた。それ以外は、実施例６と同様の方法で、触媒活性妨害層を形成、レーザー描画、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行い、更に、基材にＬＥＤを実装してメッキ部品を得た。

　[実施例８]
　本実施例では、実施例６で用いたエポキシ樹脂を実施例６で用いた基材と同じサイズ（厚み約０．９ｍｍの名刺サイズ）の樹脂板にトランスファー成形して、基材として用いた。即ち、本実施例では、基材として、アルミ板とエポキシ樹脂との複合材料ではなく、エポキシ樹脂のみからなる樹脂板を用いた。それ以外は、実施例６と同様の方法で、触媒活性妨害層を形成、レーザー描画、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行いメッキ部品を得た。尚、本実施例では、実施例６及び７とは異なり、基材にＬＥＤの実装は行わなかった。

＜実施例６～８で得られたメッキ部品の評価＞
（１）メッキ部分の光学顕微鏡観察
　実施例６～８で製造したメッキ部品のメッキ部分を光学顕微鏡で観察した。いずれのメッキ部品においても、無電解メッキ膜は、レーザー描画部分のみに成長しており、無電解メッキ膜が形成される部分（レーザー描画部分）と形成されない部分（非レーザー描画部分）とのコントラストが明確であった。

　実施例６～８では、触媒活性の高い無電解ニッケルリンメッキ液を用いたが、非レーザー描画部分に残存する触媒失活剤により、メッキ膜の形成が確実に抑制されたと推測される。

（２）メッキ膜の密着強度
　実施例６～８で製造したメッキ部品のメッキ膜の密着強度を測定するために、メッキ部品とは別に、各実施例のメッキ部品と同様の製造方法により、線幅０．５ｍｍのメッキ膜を有する測定用試料を製造した。メッキ膜引きはがし試験により、測定用試料のメッキ膜の密着強度を測定した。各実施例の密着強度は、以下である。実施例６：１５Ｎ／ｃｍ、実施例７：１０Ｎ／ｃｍ、実施例８：１３Ｎ/ｃｍ。実施例６～８のいずれのメッキ膜も、目標の５Ｎ／ｃｍを上回る高い密着強度を有していることが確認できた。

（３）放熱性評価
　実施例６及び７で製造したメッキ部品の電気回路に所定の電圧を印可してＬＥＤを点灯させた。点灯してから１時間後のＬＥＤにおけるハンダ端子近傍の表面温度をサーモグラフィで測定した。各実施例のＬＥＤ表面温度は、以下である。実施例６：７０℃、実施例７：９０℃。実施例６及び７のいずれのメッキ部品も、ＬＥＤジャンクション温度の仕様より計算したハンダ端子表面温度の目標値である１１０℃を下回り、放熱性が高いことが確認できた。また、実施例６のメッキ部品の方が、実施例７のメッキ部品よりも放熱性が高かった。これは、実施例６は実施例７よりも熱伝導性の高い樹脂を熱硬化性樹脂層に用いているためだと推測される。

（４）基材の強度評価
　実施例６～８で得られたメッキ部品を手で折り曲げ、基材の強度を評価した。アルミ板とエポキシ樹脂との複合材料である実施例６及び７の基材は、折り曲げても割れなかった。一方、エポキシ樹脂からなる実施例８の基材は、折り曲げることにより破損した。エポキシ樹脂は、厚肉の成形体から薄肉の成形体まで、高精度に成形が可能であるという利点を有するが、一方で、得られる成形体が硬くて脆いという欠点を有する。実施例６及び７では、エポキシ樹脂と、衝撃強度の高いアルミ板との複合材料を基材として用いることで、エポキシ樹脂の欠点を克服し、耐衝撃性及び可撓性のある基材が得られた。

　[実施例９]
　本実施例では、フェノール樹脂であるノボラック（住友ベークライト製、ＰＲ－５００６４）を実施例６で用いた基材と同じサイズの樹脂板に射出成形して、基材として用いた。それ以外は、実施例６と同様の方法で、触媒活性妨害層を形成、レーザー描画、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行いメッキ部品を得た。

 [実施例１０]
　本実施例では、基材として白色の繊維強化プラスチック（ＦＲＰ）の板材を用いた。本実施例で用いたＦＲＰは、ガラス繊維等の繊維と、熱硬化性樹脂である不飽和ポリエステル樹脂との複合材料である。本実施例の基材のサイズは、実施例６で用いた基材と同じサイズとした。基材にＦＲＰの板材を用いた以外は、実施例１と同様の方法で、レーザー描画、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行い、メッキ部品を得た。

＜実施例９及び１０で得られたメッキ部品の光学顕微鏡観察＞
　実施例９及び１０で製造したメッキ部品のメッキ部分を光学顕微鏡で観察した。いずれのメッキ部品においても、無電解メッキ膜は、レーザー描画部分のみに成長しており、無電解メッキ膜が形成される部分（レーザー描画部分）と形成されない部分（非レーザー描画部分）とのコントラストが明確であった。

　実施例９で基材に用いたフェノール樹脂は、機械的強度、耐熱性、難燃性、電気的特性等に優れており、実施例１０で基材に用いた不飽和ポリエステル樹脂も、機械的強度及び耐熱性に優れている。これらの熱硬化性樹脂は、実施例１～７で用いたエポキシ樹脂と同様に、ＭＩＤや回路基板の基材に適している。

［比較例１］
　熱硬化性樹脂層を設けないこと以外は実施例２と同様の基材を製造し、製造した基材に実施例２と同様の処理を施した。即ち、３Ｄプリンタを用いてＡＢＳ樹脂を成形して基材を製造し、実施例１と同様の方法により、レーザー描画、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行った。

［比較例２］
　熱硬化性樹脂層を設けないこと以外は実施例４と同様の基材を用意し、用意した基材に実施例４と同様の処理を施した。即ち、基材としてガラス板を用意し、実施例１と同様の方法により、レーザー描画、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行った。

＜比較例１及び２におけるメッキ処理後の基材の目視観察＞
　比較例１及び２におけるメッキ処理後の基材表面を目視で観察した。比較例１及び２のいずれの基材表面においても、レーザー描画の有無にかかわらず、無電解メッキ膜の形成は確認できなかった。

　本発明のメッキ部品の製造方法によれば、簡易な製造プロセスにより、多種多様な基材において、所定パターンのみにメッキ膜を形成できる。したがって、本発明は、電気回路を有する電子部品や、三次元回路部品（ＭＩＤ：Ｍｏｌｄｅｄ　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ　Ｄｅｖｉｃｅ）の製造に利用できる。

１０　　　基材
１１　　　本体
１２　　　熱硬化性樹脂層
１２ａ　　第１の領域
１０ａ　　第２の領域（光照射又は加熱した部分、レーザー描画部分）
１０ｂ　　光照射又は加熱していない部分（非レーザー描画部分）
８５　　　無電解メッキ膜
１３　　　触媒活性妨害層
１００、２００　メッキ部品

Claims (17)

1. 　メッキ部品の製造方法であって、
   　表面の少なくとも一部に、熱硬化性樹脂で形成された第１の領域を有する基材を用意することと、
   　第１の領域の一部分を光照射又は加熱して、第２の領域を形成することと、
   　第２の領域を含む前記基材の表面に、金属塩を含む無電解メッキ触媒液を接触させることと、
   　前記無電解メッキ触媒液を接触させた、第２の領域を含む前記基材の表面に無電解メッキ液を接触させて、第２の領域に無電解メッキ膜を形成することとを含むメッキ部品の製造方法。
2. 　前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂及びフェノール樹脂からなる群から選択される１つであることを特徴とする請求項１に記載のメッキ部品の製造方法。
3. 　前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項２に記載のメッキ部品の製造方法。
4. 　前記基材が、前記熱硬化性樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載のメッキ部品の製造方法。
5. 　前記基材が、本体と、前記本体表面の少なくとも一部に形成される熱硬化性樹脂層とを含み、前記基材上の第１の領域が前記熱硬化性樹脂層により形成されており、
   　前記基材を用意することが、
   　　前記本体を用意することと、
   　　前記本体の表面に前記熱硬化性樹脂層を形成することとを含む請求項１～３のいずれか一項に記載のメッキ部品の製造方法。
6. 　前記本体が、樹脂、ガラス、金属及びセラミックからなる群から選択される１つで形成されていることを特徴とする請求項５に記載のメッキ部品の製造方法。
7. 　前記基材を用意することが、
   　ガラスを含む前記本体を用意することと、
   　前記本体の表面に、エポキシ樹脂を含む前記熱硬化性樹脂層を形成することとを含む請求項５に記載のメッキ部品の製造方法。
8. 　前記基材が、透明であることを特徴とする請求項７に記載のメッキ部品の製造方法。
9. 　前記基材を用意することが、
   　３Ｄプリンタを用いて、熱可塑性樹脂を含む前記本体を成形することと、
   　前記本体の表面に、前記熱硬化性樹脂層を形成することとを含む請求項５に記載のメッキ部品の製造方法。
10. 　前記本体が、発泡成形体であることを特徴とする請求項５に記載のメッキ部品の製造方法。
11. 　第１の領域の一部分を光照射又は加熱する前に、第１の領域に触媒失活剤を付与することを更に含む請求項１～１０のいずれか一項に記載のメッキ部品の製造方法。
12. 　メッキ部品であって、
    　表面の少なくとも一部に熱硬化性樹脂で形成されている領域を有する基材と、
    　前記熱硬化性樹脂で形成されている領域の一部分に形成されている無電解メッキ膜とを含むことを特徴とするメッキ部品。
13. 　前記基材が、本体と、前記本体の表面に形成されている熱硬化性樹脂層とを含み、前記基材上の前記熱硬化性樹脂で形成されている領域が、前記熱硬化性樹脂層により形成されていることを特徴とする請求項１２に記載のメッキ部品。
14. 　前記基材の本体が、樹脂、ガラス、金属及びセラミックからなる群から選択される１つで形成されていることを特徴とする請求項１３に記載のメッキ部品。
15. 　前記本体が、発泡成形体であることを特徴とする請求項１３に記載のメッキ部品。
16. 　前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂及びフェノール樹脂からなる群から選択される１つであることを特徴とする請求項１２～１５のいずれか一項に記載のメッキ部品。
17. 　前記無電解メッキ膜が、電気回路又はアンテナ回路を形成していることを特徴とする請求項１２～１６のいずれか一項に記載のメッキ部品。
     

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