WO2018110464A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2018110464A1
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idt
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mold resin
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徹 竹下
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device.
  • an element substrate may be covered with a mold resin in order to protect the element substrate on which an IDT (Interdigital ⁇ Transducer) electrode is formed or to enable printing.
  • IDT Interdigital ⁇ Transducer
  • FIG. 5 shows an acoustic wave device 1100 disclosed in Patent Document 1.
  • an element substrate (SAW chip) 103 on which an IDT electrode 104 is formed is mounted on a mounting substrate (ceramic substrate) 101.
  • the element substrate 103 is bonded to the mounting electrode 102 formed on the mounting substrate 101 by bumps (gold bumps) 105.
  • a mold resin 106 is formed so as to cover the element substrate 103.
  • the mold resin 106 serves to protect the element substrate 103 from the external environment. Further, the mold resin 106 plays a role as an adsorbing portion when the acoustic wave device 1100 is mounted by vacuum suction using a mounter. Note that, when the elastic wave device 1100 is vacuum-adsorbed by the mounter, an impact may be applied, but the mold resin 106 also serves as an impact absorbing material that protects the element substrate 103 from the impact.
  • the mold resin 106 plays a role as a printing portion for printing (stamping) information such as a product type, a product number, a production date, a production lot, and directionality on the elastic wave device 1100.
  • Information printing is generally used because the laser irradiation method is simple and the productivity is high.
  • the element substrate 103 is made of a lithium tantalate single crystal, a lithium niobate single crystal, or the like, if the top surface of the element substrate 103 is printed by laser irradiation, the element substrate 103 is melted. Therefore, printing cannot be performed by laser irradiation. Therefore, in the elastic wave device 1100, the element substrate 103 is covered with the mold resin 106, and printing is performed on the top surface of the mold resin 106 by laser irradiation.
  • the top surface of the mold resin 106 and the top surface of the element substrate 103 are both formed flat, and the top surface of the mold resin 106 and the top surface of the element substrate 103 are Were parallel.
  • the mold resin 106 is provided for protecting the element substrate 103 from the external environment, vacuum-sucking it with a mounter, and printing information.
  • the distance between the surface and the top surface of the element substrate 103 needs to have a certain size or more.
  • the element substrate 103 may be damaged by impact when vacuum-adsorbed by the mounter. . Further, when the distance between the top surface of the mold resin 106 and the top surface of the element substrate 103 is smaller than a predetermined size, the laser irradiation is performed when the information is printed on the top surface of the mold resin 106 by laser irradiation. Therefore, there is a possibility that the element substrate 103 is melted.
  • the acoustic wave device 1100 it is difficult for the acoustic wave device 1100 to reduce the height dimension by reducing the distance between the top surface of the mold resin 106 and the top surface of the element substrate 103, that is, to reduce the height.
  • an elastic wave device includes a piezoelectric element substrate having a first main surface and a second main surface. , An IDT electrode formed on the first main surface of the element substrate, and a mold resin formed to cover at least the second main surface of the element substrate, the element substrate is not flat on the second main surface, When the cross section perpendicular to the top surface of the mold resin is viewed, the element substrate includes an IDT formation region in which an IDT electrode is formed and a pair of IDTs in which an IDT electrode located on both sides of the IDT formation region is not formed.
  • the thickness dimension of the center portion in the width direction of the IDT formation region of the element substrate is the thickness dimension of the center portion in the width direction of one IDT non-formation region of the element substrate, and the other IDT of the element substrate At the center in the width direction of the non-forming area
  • the observed dimension was made to be smaller than at least one.
  • the IDT electrode is usually formed near the center of the first main surface of the element substrate (because it is not formed unevenly on the periphery of the first main surface of the element substrate).
  • a pair of IDT non-formation regions appear on both sides of the IDT formation region.
  • the cross section is perpendicular to the top surface of the mold resin, any cross section may be seen.
  • the cross section may be perpendicular to the direction in which the comb teeth of the IDT electrode extend, the cross section may be parallel to the direction in which the comb teeth of the IDT electrode extend, or any other cross section. .
  • the thickness dimension of the center part in the width direction of the IDT formation region of the element substrate is smaller than the thickness dimension of the center part in the width direction of one IDT non-formation region of the element substrate, and the width of the other IDT non-formation region of the element substrate It is preferable that the thickness is smaller than the thickness dimension of the central portion in the direction. In this case, since the cross section of the element substrate can be made symmetrical, the mechanical strength of the element substrate is improved and the electrical characteristics of the acoustic wave device are stabilized.
  • the mold resin preferably has a flat top surface. In this case, printing on the top surface and vacuum suction of the top surface by the mounter are facilitated.
  • the thickness dimension in the IDT formation region of the element substrate is smaller than the thickness dimension in the IDT non-formation region, the thickness dimension of the mold resin is reduced and the overall height dimension is reduced. (Even if the overall height is reduced), a sufficiently large distance from the top surface of the mold resin to the second main surface of the IDT formation region of the element substrate can be secured. Therefore, even if printing is performed by laser irradiation on the top surface of the mold resin corresponding to the IDT formation region of the element substrate, the laser irradiation does not reach the element substrate in the IDT formation region, and the element substrate is melted. There is no end.
  • the element substrate can be made of a lithium tantalate single crystal or a lithium niobate single crystal.
  • the elastic wave device of the present invention has a small thickness dimension in the IDT formation region of the element substrate. Therefore, even if the thickness dimension of the mold resin is reduced and the overall height direction dimension is reduced, the mold resin The distance from the top surface to the second main surface of the IDT formation region of the element substrate can be secured sufficiently large. Therefore, even if the element substrate is made of a lithium tantalate single crystal or a lithium niobate single crystal, laser irradiation does not reach the element substrate in the IDT formation region, and the element substrate does not melt.
  • a cover layer may be provided, the cover layer may be disposed to face the first main surface of the element substrate, and a gap may be formed between the cover layer and the IDT electrode. In this case, since the IDT electrode is protected by the gap, the function of the IDT electrode is not impaired by the mold resin.
  • a mounting substrate may be provided, and after the element substrate is mounted on the mounting substrate, a mold resin may be formed to cover the element substrate.
  • the element substrate can be easily covered with the mold resin.
  • the thickness dimension of the element substrate is partially reduced in the IDT formation region. If the thickness dimension of the element substrate is reduced over the entire element substrate, the mechanical strength of the element substrate is reduced, but the acoustic wave device of the present invention partially reduces the thickness dimension of the element substrate. Necessary mechanical strength is ensured.
  • the thickness dimension in the IDT formation region of the element substrate is smaller than the thickness dimension in the IDT non-formation region. Therefore, the thickness dimension of the mold resin is reduced and the overall height dimension is reduced. Even if it is made smaller, it is possible to ensure a sufficiently large distance from the top surface of the mold resin to the second main surface of the IDT formation region of the element substrate. That is, according to the acoustic wave device of the present invention, the height direction dimension of the acoustic wave device is reduced without reducing the distance from the top surface of the mold resin to the second main surface of the IDT formation region of the element substrate. It is possible to do.
  • the elastic wave device according to the present invention can extend from the top surface of the mold resin to the second main surface of the IDT formation region of the element substrate. Since the distance is sufficiently large, even if an impact is applied to the top surface of the mold resin corresponding to the IDT formation area when vacuum-adsorbed by the mounter, the impact is absorbed by the mold resin and the element substrate is damaged. There is no end. Further, the acoustic wave device of the present invention can reduce the thickness dimension of the mold resin and reduce the overall height direction dimension from the top surface of the mold resin to the second main region of the IDT formation region of the element substrate.
  • the distance to the surface is sufficiently large, even if information is printed on the top surface of the mold resin corresponding to the IDT formation region by laser irradiation, the laser irradiation does not reach the element substrate, The element substrate is not melted and the IDT electrode is not damaged.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an acoustic wave device 1100 disclosed in Patent Document 1.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an acoustic wave device 1100 disclosed in Patent Document 1.
  • each embodiment shows an embodiment of the present invention by way of example, and the present invention is not limited to the content of the embodiment. Moreover, it is also possible to implement combining the content described in different embodiment, and the implementation content in that case is also included in this invention.
  • the drawings are for helping the understanding of the specification, and may be schematically drawn, and the drawn components or the ratio of dimensions between the components are described in the specification. There are cases where the ratio of these dimensions does not match.
  • the constituent elements described in the specification may be omitted in the drawings or may be drawn with the number omitted.
  • FIG. 1 shows an acoustic wave device 100 according to the first embodiment. However, FIG. 1 is a cross-sectional view of the acoustic wave device 100.
  • the acoustic wave device 100 includes a mounting substrate 1.
  • the mounting substrate 1 is made of ceramic, more specifically, alumina.
  • the material of the mounting substrate 1 is arbitrary, and may be made of a ceramic other than alumina, or may be made of glass ceramic or resin instead of ceramic.
  • the external electrode 2 is formed on the lower main surface of the mounting substrate 1.
  • a via conductor 3 is formed inside the mounting substrate 1.
  • a mounting electrode 4 is formed on the upper main surface of the mounting substrate 1.
  • the external electrode 2 and the mounting electrode 4 are connected by the via conductor 3.
  • the external electrode 2, the via conductor 3, and the mounting electrode 4 are made of, for example, silver or copper.
  • the acoustic wave device 100 includes an element substrate 5 having piezoelectricity.
  • a 42 ° cut LT (lithium tantalate single crystal) substrate was used as the element substrate 5.
  • the type of the element substrate 5 is arbitrary, and instead of the LT substrate, an LN (lithium niobate single crystal) substrate, a quartz substrate, or the like may be used.
  • substrate should just be a board
  • a piezoelectric thin film may be provided on the surface, and the piezoelectric thin film may have a different sound velocity from the piezoelectric thin film, and a laminated body such as a support substrate.
  • the element substrate 5 includes a first main surface (lower main surface) and a second main surface (upper main surface).
  • An IDT electrode 6 and a terminal electrode 7 are formed on the first main surface of the element substrate 5.
  • the material of the IDT electrode 6 is arbitrary. For example, it is made of a metal selected from Pt, Au, Ag, Cu, Ni, W, Ta, Fe, Cr, Al, and Pd, or an alloy containing one or more of these metals. Is formed.
  • the IDT electrode 6 may be formed in a multilayer structure using a plurality of types of the above metals and alloys.
  • the material of the terminal electrode 7 is arbitrary, but is made of aluminum, for example. Although not shown, the IDT electrode 6 and the terminal electrode 7 are connected by a wiring electrode.
  • An annular support layer 8 is formed on the first main surface of the element substrate 5.
  • the support layer 8 is made of, for example, photosensitive polyimide.
  • the support layer 8 surrounds the IDT electrode 6 on the first main surface of the element substrate 5.
  • the support layer 8 is formed on the terminal electrode 7 on the first main surface of the element substrate 5.
  • a cover layer 9 is formed on the support layer 8.
  • a film made of an epoxy resin is used for the cover layer 9.
  • a gap 10 is formed by the first main surface of the element substrate 5, the annular support layer 8, and the cover layer 9.
  • An IDT electrode 6 is disposed inside the gap 10. Since the IDT electrode 6 is disposed inside the gap 10, vibration is not hindered by the mold resin 13 described later.
  • a through-hole penetrating the cover layer 9 and the support layer 8 is provided, and a conductive material is filled in the through-hole to form a UBM (under bump metal) 11.
  • the UBM 11 is mainly made of nickel.
  • the UBM 11 and the mounting electrode 4 of the mounting substrate 1 are joined by bumps 12.
  • the element substrate 5 to which the cover layer 9 is attached is mounted on the mounting substrate 1.
  • solder bumps are used for the bumps 12.
  • the type of the bump 12 is arbitrary, and may be a gold bump instead of the solder bump.
  • a mold resin 13 is formed on the mounting substrate 1 so as to cover the element substrate 5.
  • an epoxy resin is used as the material of the mold resin 13.
  • the material of the mold resin 13 is arbitrary, and may be, for example, a polyimide resin.
  • numbers, symbols, characters, etc. are printed (sealed) on the top surface of the mold resin 13 by laser irradiation.
  • the numbers, symbols, and characters display information such as the type, product number, production date, production lot, and direction of the acoustic wave device 100, for example.
  • the element substrate 5 when the cross section of the acoustic wave device 100 perpendicular to the top surface of the mold resin 13 is viewed, the element substrate 5 includes the IDT formation region A in which the IDT electrode 6 is formed and the IDT formation. A pair of IDT non-formation regions B1 and B2 in which the IDT electrodes 6 located on both sides of the region A are not formed are provided.
  • the top surface of the mold resin 13 is flat.
  • the second main surface (upper main surface) of the element substrate 5 is not flat.
  • the thickness dimension X in the center portion in the width direction of the IDT formation region A is smaller than the thickness dimension Y1 in the center portion in the width direction of the IDT non-formation region B1, and the IDT non-formation region B2 It is smaller than the thickness dimension Y2 of the center part in the width direction. That is, the element substrate 5 is formed such that the IDT formation region A is partially thinner than other portions.
  • the distance S from the top surface of the mold resin 13 to the second main surface in the center in the width direction of the IDT formation region A of the element substrate 5 is such that the top surface of the mold resin 13 and the element substrate 5
  • the center in the width direction of the other IDT non-formation region B2 of the element substrate 5 from the top surface of the mold resin 13 is larger than the distance T1 to the second main surface in the width direction central portion of the one IDT non-formation region B1.
  • the distance T2 is greater than the distance T2 to the second main surface.
  • the acoustic wave device 100 is intended to reduce the thickness (reduction in height) of the acoustic wave device 100 by making the element substrate 5 thinner. However, if the element substrate 5 is made thinner overall. Since the mechanical strength of the element substrate 5 is lowered, the element substrate 5 is partially thinned around the IDT formation region A. More specifically, since the IDT non-formation regions B1 and B2 of the element substrate 5 are joined to the cover layer 9 by the support layer 8, at least one of them needs to have a certain large thickness. is there. On the other hand, the IDT formation region A of the element substrate 5 can be thinned if at least one of the IDT non-formation regions B1 and B2 has a predetermined thickness. Therefore, in the acoustic wave device 100, the element substrate 5 is partially thinned around the IDT formation region A.
  • the acoustic wave device 100 is able to reduce the second main main surface of the IDT formation region A of the element substrate 5 from the top surface of the mold resin 13. Since the distance S to the surface can be secured sufficiently large, even if information is printed on the top surface corresponding to the IDT formation region A of the mold resin 13 by laser irradiation, the laser irradiation reaches the element substrate 5. The IDT formation region A of the element substrate 5 is not melted. If the IDT formation region A of the element substrate 5 is melted, the acoustic wave device 100 cannot satisfy the necessary electrical characteristics and may become a defective product.
  • the acoustic wave device 100 can prevent the IDT formation region A of the element substrate 5 from the top surface of the mold substrate 13. 2 Since the distance S to the principal surface can be secured sufficiently large, even when an impact is applied when vacuum-adsorbed by the mounter, the impact is absorbed by the mold resin 13 and the element substrate 5 may be damaged. Absent. In addition, since the vacuum suction by the mounter is usually performed on the center portion of the top surface of the mold resin 13, in order to absorb the impact, the mold resin is located directly below the center portion of the top surface of the mold resin 13. It is important to ensure a large distance S from the top surface of 13 to the second main surface of the IDT formation region A of the element substrate 5.
  • the acoustic wave device 100 can be manufactured by a manufacturing method generally used for manufacturing an acoustic wave device.
  • the thickness dimension X of the width direction center part of the IDT formation area A of the element substrate 5 is the thickness dimension Y1 of the width direction center part of the IDT non-formation area B1, or the thickness dimension of the width direction center part of the IDT non-formation area B2.
  • the IDT formation region A may be ground deeper than the IDT non-formation regions B1 and B2.
  • FIG. 2 shows an acoustic wave device 200 according to the second embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the acoustic wave device 200.
  • the elastic wave device 200 is a modification of the elastic wave device 100 according to the first embodiment. Specifically, the element substrate 5 of the acoustic wave device 100 was replaced with an element substrate 15 having a different cross-sectional shape. The other structure of the acoustic wave device 200 is the same as that of the acoustic wave device 100.
  • the thickness dimension X in the center portion in the width direction of the IDT formation region A is smaller than the thickness dimension Y2 in the center portion in the width direction of the IDT non-formation region B2.
  • the thickness dimension X at the center in the width direction of the IDT formation area A is the same as the thickness dimension Y1 at the center in the width direction of the IDT non-formation area B1, or from the thickness dimension Y1 at the center in the width direction of the IDT non-formation area B1. Is slightly larger. That is, in the element substrate 15, the IDT formation region A and the IDT non-formation region B1 are thinner than the IDT non-formation region B2.
  • the element substrate 15 is joined to the cover layer 9 via the support layer 8 in the IDT non-formation regions B1 and B2, but has a necessary mechanical strength because the IDT non-formation region B2 is sufficiently thick. ing.
  • the second main main part of the IDT formation region A of the element substrate 5 can be seen from the top surface of the mold resin 13. Since the distance S to the surface can be secured sufficiently large, even if information is printed on the top surface corresponding to the IDT formation region A of the mold resin 13 by laser irradiation, the laser irradiation reaches the element substrate 15. The IDT formation region A of the element substrate 15 is not melted. In addition, even if an impact is applied when the elastic wave device 100 is vacuum-sucked by the mounter, the impact is absorbed by the mold resin 13 and the element substrate 15 is not damaged.
  • FIG. 3 shows an acoustic wave device 300 according to the third embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the acoustic wave device 300.
  • the elastic wave device 300 is also modified from the elastic wave device 100 according to the first embodiment. Specifically, the elastic wave device 300 omits the cover layer 9 provided in the elastic wave device 100.
  • the acoustic wave device 300 includes an element substrate 25.
  • the element substrate 25 is the same as the element substrate 5 of the acoustic wave device 100, but is given a different reference for convenience.
  • a relatively thick pad 17 is formed on the first main surface (lower main surface) of the element substrate 25.
  • the pad 17 is made of aluminum, for example.
  • Bumps 22 are formed on the pads 17.
  • the bump 22 is, for example, a solder bump.
  • the bumps 22 are connected to the mounting electrodes 14 formed on the mounting substrate 1, and the element substrate 25 is mounted on the mounting substrate 1.
  • a mold resin 23 is formed (molded) on the mounting substrate 1 so as to cover the element substrate 25. However, the mold resin 23 does not enter between the mounting substrate 1 and the element substrate 25, and a gap 20 is formed in this portion.
  • the IDT electrode 6 formed on the element substrate 25 is disposed inside the gap 20, and vibration is not hindered by the mold resin 23.
  • the gap 20 can be formed by adjusting the distance between the mounting substrate 1 and the element substrate 25, the type of resin of the mold resin 23, the viscosity, the magnitude of pressure applied during molding, and the like.
  • the structure of the elastic wave device is arbitrary, and the cover layer can be omitted as in the elastic wave device 300.
  • the elastic wave device 300 can have a lower height than the elastic wave device 100 by omitting the cover layer.
  • FIG. 4 shows an acoustic wave device 400 according to the fourth embodiment.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the acoustic wave device 400.
  • the elastic wave device 400 is a modification of the elastic wave device 300 according to the third embodiment. Specifically, in the acoustic wave device 300, the element substrate 25 is mounted on the mounting substrate 1 by the solder bumps 22, but in the elastic wave device 400, the element substrate 35 is mounted on the mounting substrate 1 by a large number of gold bumps 32. did.
  • the element substrate 35 has a larger dimension in the planar direction than the element substrate 25, and a plurality of IDT electrodes 6 are formed on the first main surface.
  • the elastic wave devices 100, 200, 300, and 400 according to the first to fourth embodiments have been described above.
  • the present invention is not limited to the contents described above, and various modifications can be made in accordance with the spirit of the invention.
  • one element substrate 5, 15, 25, and 35 having piezoelectricity is mounted on one mounting substrate 1, but this is changed.
  • a plurality of element substrates having piezoelectricity may be mounted on one mounting substrate 1.
  • it is sufficient that the characteristic structure of the present invention is adopted in at least one element substrate, and such a case is also included in the scope of the right of the present invention.
  • an element substrate having no piezoelectricity and other types of electronic components may be mounted on the mounting substrate 1.
  • the type, structure, number, etc., of the IDT electrodes 6 formed on the element substrates 5, 15, 25, 35 are arbitrary, and various variations can be adopted.
  • a plurality of IDT electrodes 6 may be formed on the element substrates 5, 15, 25, and 35, and an electronic circuit may be configured using these IDT electrodes 6.

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Abstract

印字の際のレーザ照射や、実装の際のマウンターによる衝撃に対する耐性を損なうことなく、低背化することが可能な弾性波装置を提供する。　圧電性を有する素子基板５と、素子基板５に形成されたＩＤＴ電極６と、素子基板５を覆って形成されたモールド樹脂１３と、を備え、断面を見たとき、素子基板５は、ＩＤＴ電極６が形成されたＩＤＴ形成領域Ａと、ＩＤＴ形成領域Ａの両側に位置するＩＤＴ電極６が形成されていない１対のＩＤＴ非形成領域Ｂ１、Ｂ２とを備え、ＩＤＴ形成領域Ａの幅方向中央部の厚み寸法Ｘが、一方のＩＤＴ非形成領域Ｂ１の幅方向中央部の厚み寸法Ｙ１、および、他方のＩＤＴ非形成領域Ｂ２の幅方向中央部の厚み寸法Ｙ２の、少なくとも一方よりも小さくなるようにする。

Description

弾性波装置
　本発明は弾性波装置に関する。
　弾性波装置において、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極が形成された素子基板を保護したり、印字を可能にしたりするために、素子基板をモールド樹脂で覆う場合がある。たとえば、特許文献１（特開２００９-２１５５９号公報）に、そのような弾性波装置が開示されている。図５に、特許文献１に開示された弾性波装置１１００を示す。
　弾性波装置１１００は、ＩＤＴ電極１０４が形成された素子基板（ＳＡＷチップ）１０３が、実装基板（セラミック基板）１０１に実装されている。具体的には、素子基板１０３が、実装基板１０１に形成された実装用電極１０２に、バンプ（金バンプ）１０５によって接合されている。そして、素子基板１０３を覆うように、モールド樹脂１０６が形成され
　モールド樹脂１０６は、素子基板１０３を外部環境から保護する役割を果たしている。また、モールド樹脂１０６は、弾性波装置１１００をマウンターで真空吸着して実装する場合に、吸着部分としての役割を果たしている。なお、弾性波装置１１００をマウンターで真空吸着する際には、衝撃が加わる場合があるが、モールド樹脂１０６は、素子基板１０３を衝撃から保護する衝撃吸収材としての役割も果たしている。
　さらに、モールド樹脂１０６は、弾性波装置１１００に、品種、製品番号、生産日、生産ロット、方向性などの情報を、印字（捺印）する印字部分としての役割を果たしている。情報の印字は、レーザ照射による方法が簡易であり、生産性が高いため、一般的に使用されている。しかしながら、素子基板１０３がタンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶などによって作製されている場合には、素子基板１０３の天面にレーザ照射によって印字を施すと、素子基板１０３が溶融してしまうため、レーザ照射によって印字を施すことができない。そこで、弾性波装置１１００では、素子基板１０３をモールド樹脂１０６によって覆い、モールド樹脂１０６の天面にレーザ照射によって印字を施すようにしている。
特開２００９-２１５５９号公報
　特許文献１に開示された弾性波装置１１００では、モールド樹脂１０６の天面と素子基板１０３の天面とが、いずれも平坦に形成され、モールド樹脂１０６の天面と素子基板１０３の天面とが平行になっていた。
　一方、上述したとおり、モールド樹脂１０６は、素子基板１０３を外部環境から保護したり、マウンターによって真空吸着したり、情報を印字したりするために設けられたものであるため、モールド樹脂１０６の天面と素子基板１０３の天面と間の距離は、一定以上の大きさが必要である。
　すなわち、モールド樹脂１０６の天面と素子基板１０３の天面と間の距離が所定の大きさよりも小さくなると、マウンターで真空吸着する際に、素子基板１０３が衝撃で破損してしまう虞があった。また、モールド樹脂１０６の天面と素子基板１０３の天面と間の距離が所定の大きさよりも小さくなると、モールド樹脂１０６の天面にレーザ照射によって情報を印字する際に、レーザ照射が素子基板１０３に到達してしまい、素子基板１０３が溶融してしまう虞があった。
　したがって、弾性波装置１１００は、モールド樹脂１０６の天面と素子基板１０３の天面と間の距離を小さくして、高さ寸法を小さくすること、すなわち低背化をはかることが難しかった。
　本発明は、上述した従来の課題を解決するためになされたものであり、その手段として本発明の弾性波装置は、第１主面および第２主面を備えた圧電性を有する素子基板と、素子基板の第１主面に形成されたＩＤＴ電極と、素子基板の少なくとも第２主面を覆って形成されたモールド樹脂と、を備え、素子基板は、第２主面が平坦ではなく、モールド樹脂の天面に対して垂直な断面を見たとき、素子基板は、ＩＤＴ電極が形成されたＩＤＴ形成領域と、ＩＤＴ形成領域の両側に位置するＩＤＴ電極が形成されていない１対のＩＤＴ非形成領域と、を備え、素子基板のＩＤＴ形成領域の幅方向中央部の厚み寸法が、素子基板の一方のＩＤＴ非形成領域の幅方向中央部の厚み寸法、および、素子基板の他方のＩＤＴ非形成領域の幅方向中央部の厚み寸法の、少なくとも一方よりも小さくなるようにした。
　なお、ＩＤＴ電極は、通常、素子基板の第１主面の中央寄りに形成されるため（素子基板の第1主面の周縁に偏在させて形成されないため）、断面を見た場合、素子基板のＩＤＴ形成領域の両側に、１対のＩＤＴ非形成領域が現れる。断面は、モールド樹脂の天面に対して垂直な断面であれば、どの断面を見ても良い。たとえば、ＩＤＴ電極の櫛歯が伸びる方向に対して垂直な断面であっても良く、ＩＤＴ電極の櫛歯が伸びる方向に対して平行な断面であっても良く、その他の断面であっても良い。
　素子基板のＩＤＴ形成領域の幅方向中央部の厚み寸法が、素子基板の一方のＩＤＴ非形成領域の幅方向中央部の厚み寸法よりも小さく、かつ、素子基板の他方のＩＤＴ非形成領域の幅方向中央部の厚み寸法よりも小さいことが好ましい。この場合には、素子基板の断面を左右対称形にすることができるため、素子基板の機械的強度が向上するとともに、弾性波装置の電気的特性が安定するからである。
　モールド樹脂は、天面が平坦であることが好ましい。この場合には、天面への印字や、マウンターによる天面の真空吸着が容易になるからである。
　本発明の弾性波装置は、素子基板のＩＤＴ形成領域における厚み寸法がＩＤＴ非形成領域における厚み寸法よりも小さいため、モールド樹脂の厚み寸法を小さくして、全体の高さ方向の寸法を小さくしたとしても（全体を低背化したとしても）、モールド樹脂の天面から、素子基板のＩＤＴ形成領域の第２主面までの距離を十分に大きく確保することができる。そのため、素子基板のＩＤＴ形成領域に対応するモールド樹脂の天面にレーザ照射によって印字を施しても、レーザ照射がＩＤＴ形成領域において素子基板に到達してしまうことがなく、素子基板が溶融してしまうことがない。
　また、素子基板を、タンタル酸リチウム単結晶、または、ニオブ酸リチウム単結晶によって作製することができる。上述したとおり、本発明の弾性波装置は、素子基板のＩＤＴ形成領域における厚み寸法が小さいため、モールド樹脂の厚み寸法を小さくして、全体の高さ方向の寸法を小さくしたとしても、モールド樹脂の天面から、素子基板のＩＤＴ形成領域の第２主面までの距離を十分に大きく確保することができる。そのため、素子基板がタンタル酸リチウム単結晶やニオブ酸リチウム単結晶によって作製されていても、レーザ照射がＩＤＴ形成領域において素子基板に到達することがなく、素子基板が溶融してしまうことがない。
　さらにカバー層を備え、カバー層が素子基板の第１主面に対向して配置され、かつ、カバー層とＩＤＴ電極との間に空隙が形成されたものとすることができる。この場合には、空隙によってＩＤＴ電極が保護されるため、モールド樹脂によってＩＤＴ電極の機能が損なわれることがない。
　さらに実装基板を備え、素子基板が実装基板に実装されたうえで、素子基板を覆ってモールド樹脂が形成されたものとすることができる。この場合には、容易に、素子基板をモールド樹脂で覆うことができる。
　本発明の弾性波装置は、素子基板の厚み寸法を、ＩＤＴ形成領域において部分的に小さくしている。素子基板の厚み寸法を、素子基板全体にわたって小さくすると、素子基板の機械的強度が低下してしまうが、本発明の弾性波装置は、素子基板の厚み寸法を部分的に小さくしているため、必要な機械的強度が確保されている。
　そして、本発明の弾性波装置は、素子基板のＩＤＴ形成領域における厚み寸法がＩＤＴ非形成領域における厚み寸法よりも小さいため、モールド樹脂の厚み寸法を小さくして、全体の高さ方向の寸法を小さくしたとしても、モールド樹脂の天面から、素子基板のＩＤＴ形成領域の第２主面までの距離を十分に大きく確保することができる。すなわち、本発明の弾性波装置によれば、モールド樹脂の天面から、素子基板のＩＤＴ形成領域の第２主面までの距離を小さくすることなく、弾性波装置の高さ方向の寸法を小さくすることが可能になっている。
　本発明の弾性波装置は、モールド樹脂の厚み寸法を小さくして、全体の高さ方向の寸法を小さくしたとしても、モールド樹脂の天面から、素子基板のＩＤＴ形成領域の第２主面までの距離が十分に大きく確保されているため、マウンターで真空吸着する際にＩＤＴ形成領域に対応するモールド樹脂の天面に衝撃が加わっても、モールド樹脂によって衝撃が吸収され、素子基板が破損してしまうことがない。また、本発明の弾性波装置は、モールド樹脂の厚み寸法を小さくして、全体の高さ方向の寸法を小さくしたとしても、モールド樹脂の天面から、素子基板のＩＤＴ形成領域の第２主面までの距離が十分に大きく確保されているため、レーザ照射によってＩＤＴ形成領域に対応するモールド樹脂の天面に情報を印字しても、レーザ照射が素子基板に到達してしまうことがなく、素子基板が溶融してしまったり、ＩＤＴ電極が破損してしまったりすることがない。
第１実施形態にかかる弾性波装置１００を示す断面図である。 第２実施形態にかかる弾性波装置２００を示す断面図である。 第３実施形態にかかる弾性波装置３００を示す断面図である。 第４実施形態にかかる弾性波装置４００を示す断面図である。 特許文献１に開示された弾性波装置１１００を示す断面図である。
　以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。
　なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。また、図面は、明細書の理解を助けるためのものであって、模式的に描画されている場合があり、描画された構成要素または構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。
　［第１実施形態］
　図１に、第１実施形態にかかる弾性波装置１００を示す。ただし、図１は、弾性波装置１００の断面図である。
　弾性波装置１００は、実装基板１を備える。本実施形態においては、実装基板１は、セラミック、より詳細にはアルミナによって作製されている。ただし、実装基板１の材質は任意であり、アルミナ以外のセラミックによって作製されても良いし、あるいは、セラミックに代えて、ガラスセラミックや樹脂などによって作製されていても良い。
　実装基板１の下側主面に、外部電極２が形成されている。また、実装基板１の内部に、ビア導体３が形成されている。さらに、実装基板１の上側主面に、実装用電極４が形成されている。そして、外部電極２と実装用電極４とが、ビア導体３によって接続されている。外部電極２、ビア導体３、実装用電極４は、たとえば、銀、銅などによって形成されている。
　弾性波装置１００は、圧電性を有する素子基板５を備える。本実施形態においては、素子基板５に、４２°カットのＬＴ（タンタル酸リチウム単結晶）基板を使用した。ただし、素子基板５の種類は任意であり、ＬＴ基板に代えて、ＬＮ（ニオブ酸リチウム単結晶）基板、水晶基板などであっても良い。また、基板は、少なくとも表面に圧電性を有する基板であればよい。例えば、表面に圧電薄膜を備え、当該圧電薄膜と音速の異なる膜、および支持基板などの積層体で構成されていてもよい。
　素子基板５は、第１主面（下側主面）と第２主面（上側主面）とを備える。
　素子基板５の第１主面に、ＩＤＴ電極６と、端子電極７とが形成されている。ＩＤＴ電極６の材質は任意であるが、たとえば、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｒ、ＡｌおよびＰｄから選ばれる金属、もしくはこれらの金属を1種以上含む合金によって形成されている。ＩＤＴ電極６は、複数種類の上記の金属や合金を使って、多層構造に形成されても良い。端子電極７の材質は任意であるが、たとえば、アルミニウムによって形成されている。図示しないが、ＩＤＴ電極６と端子電極７とが、配線電極によって接続されている。
　素子基板５の第１主面に、環状の支持層８が形成されている。支持層８は、たとえば、感光性ポリイミドによって形成されている。支持層８は、素子基板５の第１主面において、ＩＤＴ電極６を囲んでいる。また、支持層８は、素子基板５の第１主面において、端子電極７上に形成されている。
　支持層８上に、カバー層９が形成されている。カバー層９には、たとえば、エポキシ樹脂からなるフィルムが使用されている。
　素子基板５の第１主面と、環状の支持層８と、カバー層９とで、空隙１０が形成されている。空隙１０の内部に、ＩＤＴ電極６が配置されている。ＩＤＴ電極６は、空隙１０の内部に配置されているため、後述するモールド樹脂１３によって、振動が妨げられることがない。
　カバー層９および支持層８を貫通する貫通孔が設けられ、その貫通孔内に導電性物質が充填されて、ＵＢＭ（アンダー・バンプ・メタル）１１が形成されている。ＵＢＭ１１は、たとえば、主にニッケルによって形成されている。
　ＵＢＭ１１と、実装基板１の実装用電極４とが、バンプ１２によって接合されている。この結果、実装基板１に、カバー層９が取付けられた素子基板５が実装されている。本実施形態においては、バンプ１２に、はんだバンプを使用した。ただし、バンプ１２の種類は任意であり、はんだバンプに代えて、金バンプなどであっても良い。
　素子基板５を覆うように、実装基板１上に、モールド樹脂１３が形成されている。本実施形態においては、モールド樹脂１３の材質に、エポキシ樹脂を使用した。ただし、モールド樹脂１３の材質は任意であり、たとえば、ポリイミド樹脂などであっても良い。
　モールド樹脂１３の天面に、図示しないが、数字、記号、文字などが、レーザ照射によって印字（捺印）が施されている。数字、記号、文字は、たとえば、弾性波装置１００の品種、製品番号、生産日、生産ロット、方向性などの情報を表示している。
　たとえば図１に示すように、モールド樹脂１３の天面に対して垂直な弾性波装置１００の断面を見たとき、素子基板５は、ＩＤＴ電極６が形成されたＩＤＴ形成領域Ａと、ＩＤＴ形成領域Ａの両側に位置するＩＤＴ電極６が形成されていない１対のＩＤＴ非形成領域Ｂ１、Ｂ２とを備えている。
　弾性波装置１００において、モールド樹脂１３の天面は平坦である。一方、素子基板５の第２主面（上側主面）は平坦ではない。
　弾性波装置１００の素子基板５は、ＩＤＴ形成領域Ａの幅方向中央部の厚み寸法Ｘが、ＩＤＴ非形成領域Ｂ１の幅方向中央部の厚み寸法Ｙ１よりも小さく、かつ、ＩＤＴ非形成領域Ｂ２の幅方向中央部の厚み寸法Ｙ２よりも小さくなっている。すなわち、素子基板５は、ＩＤＴ形成領域Ａが、他の部分に比べて、部分的に薄く形成されている。
　この結果、弾性波装置１００は、モールド樹脂１３の天面から素子基板５のＩＤＴ形成領域Ａの幅方向中央部における第２主面までの距離Ｓが、モールド樹脂１３の天面から素子基板５の一方のＩＤＴ非形成領域Ｂ１の幅方向中央部における第２主面までの距離Ｔ１よりも大きく、かつ、モールド樹脂１３の天面から素子基板５の他方のＩＤＴ非形成領域Ｂ２の幅方向中央部における第２主面までの距離Ｔ２よりも大きくなっている。
　すなわち、弾性波装置１００は、素子基板５を薄型化することによって、弾性波装置１００の薄型化（高さ寸法の縮小）をはかったものであるが、素子基板５を全体的に薄型化すると、素子基板５の機械的強度が低下してしまうため、ＩＤＴ形成領域Ａを中心にして素子基板５の部分的な薄型化をはかったものである。より具体的に説明すると、素子基板５のＩＤＴ非形成領域Ｂ１、Ｂ２は、支持層８によってカバー層９と接合されているため、少なくとも一方が、ある程度、大きな厚みを備えていることが必要である。一方、素子基板５のＩＤＴ形成領域Ａは、ＩＤＴ非形成領域Ｂ１、Ｂ２の少なくとも一方が所定の厚みを備えていれば、薄型化することが可能である。そこで、弾性波装置１００は、ＩＤＴ形成領域Ａを中心にして素子基板５の部分的な薄型化をはかったのである。
　弾性波装置１００は、モールド樹脂１３の厚み寸法を小さくして、全体の高さ方向の寸法を小さくしたとしても、モールド樹脂１３の天面から、素子基板５のＩＤＴ形成領域Ａの第２主面までの距離Ｓを十分に大きく確保することができるため、レーザ照射によってモールド樹脂１３のＩＤＴ形成領域Ａに対応する天面に情報を印字しても、レーザ照射が素子基板５に到達してしまうことがなく、素子基板５のＩＤＴ形成領域Ａが溶融してしまうことがない。なお、素子基板５のＩＤＴ形成領域Ａが溶融してしまうと、弾性波装置１００は必要な電気的特性を満たすことができず、故障品となってしまう虞がある。
　また、弾性波装置１００は、モールド樹脂１３の厚み寸法を小さくして、全体の高さ方向の寸法を小さくしたとしても、モールド樹脂１３の天面から、素子基板５のＩＤＴ形成領域Ａの第２主面までの距離Ｓを十分に大きく確保することができるため、マウンターで真空吸着する際に衝撃が加わっても、モールド樹脂１３によって衝撃が吸収され、素子基板５が破損してしまうことがない。なお、マウンターによる真空吸着は、通常、モールド樹脂１３の天面の中央部分に対しておこなわれるため、衝撃を吸収するためには、モールド樹脂１３の天面の中央部分の直下である、モールド樹脂１３の天面から素子基板５のＩＤＴ形成領域Ａの第２主面までの距離Ｓを大きく確保することが重要である。
　弾性波装置１００は、従来から弾性波装置を作製するのに一般的に使用されている製造方法によって作製することができる。なお、素子基板５のＩＤＴ形成領域Ａの幅方向中央部の厚み寸法Ｘを、ＩＤＴ非形成領域Ｂ１の幅方向中央部の厚み寸法Ｙ１や、ＩＤＴ非形成領域Ｂ２の幅方向中央部の厚み寸法Ｙ２よりも小さくするためには、素子基板５をグラインドする際に、ＩＤＴ形成領域Ａを、ＩＤＴ非形成領域Ｂ１、Ｂ２よりも、深くグラインドすれば良い。
　［第２実施形態］
　図２に、第２実施形態にかかる弾性波装置２００を示す。ただし、図２は、弾性波装置２００の断面図である。
　弾性波装置２００は、第１実施形態にかかる弾性波装置１００に変更を加えた。具体的には、弾性波装置１００の素子基板５を、断面形状が異なる素子基板１５に置換えた。弾性波装置２００の他の構造は、弾性波装置１００と同じにした。
　図２に示すように、弾性波装置２００の素子基板１５は、ＩＤＴ形成領域Ａの幅方向中央部の厚み寸法Ｘが、ＩＤＴ非形成領域Ｂ２の幅方向中央部の厚み寸法Ｙ２よりも小さい。しかしながら、ＩＤＴ形成領域Ａの幅方向中央部の厚み寸法Ｘは、ＩＤＴ非形成領域Ｂ１の幅方向中央部の厚み寸法Ｙ１と同じ、あるいはＩＤＴ非形成領域Ｂ１の幅方向中央部の厚み寸法Ｙ１よりも僅かに大きい。すなわち、素子基板１５は、ＩＤＴ形成領域ＡとＩＤＴ非形成領域Ｂ１とが、ＩＤＴ非形成領域Ｂ２に対して薄型化されている。
　素子基板１５は、ＩＤＴ非形成領域Ｂ１、Ｂ２において、支持層８を介してカバー層９と接合されているが、ＩＤＴ非形成領域Ｂ２の厚みが十分に大きいため、必要な機械的強度を備えている。
　弾性波装置２００も、モールド樹脂１３の厚み寸法を小さくして、全体の高さ方向の寸法を小さくしたとしても、モールド樹脂１３の天面から、素子基板５のＩＤＴ形成領域Ａの第２主面までの距離Ｓを十分に大きく確保することができるため、レーザ照射によってモールド樹脂１３のＩＤＴ形成領域Ａに対応する天面に情報を印字しても、レーザ照射が素子基板１５に到達してしまうことがなく、素子基板１５のＩＤＴ形成領域Ａが溶融してしまうことがない。また、弾性波装置１００は、マウンターで真空吸着する際に衝撃が加わっても、モールド樹脂１３によって衝撃が吸収され、素子基板１５が破損してしまうことがない。
　［第３実施形態］
　図３に、第３実施形態にかかる弾性波装置３００を示す。ただし、図３は、弾性波装置３００の断面図である。
　弾性波装置３００も、第１実施形態にかかる弾性波装置１００に変更を加えた。具体的には、弾性波装置３００は、弾性波装置１００が備えていたカバー層９を省略した。
　弾性波装置３００は、素子基板２５を備える。素子基板２５は、弾性波装置１００の素子基板５と同一のものであるが、便宜上、異なる符号を付している。
　素子基板２５の第１主面（下側主面）に、比較的厚みの大きいパッド１７が形成されている。パッド１７は、たとえば、アルミニウムによって形成されている。
　パッド１７上に、バンプ２２が形成されている。バンプ２２は、たとえば、はんだバンプである。そして、バンプ２２が実装基板１に形成された実装用電極１４に接続されて、素子基板２５が実装基板１に実装されている。
　素子基板２５を覆うように、実装基板１上にモールド樹脂２３が形成（成形）されている。ただし、モールド樹脂２３は、実装基板１と素子基板２５との間には入り込まず、この部分に空隙２０が形成されている。素子基板２５に形成されたＩＤＴ電極６は、空隙２０の内部に配置されており、モールド樹脂２３によって振動が妨げられることがない。なお、空隙２０は、実装基板１と素子基板２５との間隔の大きさ、モールド樹脂２３の樹脂の種類、粘度、成形時に印加する圧力の大きさなどを調整することにより形成することがきる。
　本発明において、弾性波装置の構造は任意であり、弾性波装置３００のように、カバー層を省略することもできる。なお、弾性波装置３００は、カバー層を省略したことにより、弾性波装置１００に比べて、より低背化することが可能である。
　［第４実施形態］
　図４に、第４実施形態にかかる弾性波装置４００を示す。ただし、図４は、弾性波装置４００の断面図である。
　弾性波装置４００は、第３実施形態にかかる弾性波装置３００に変更を加えた。具体的には、弾性波装置３００は、素子基板２５をはんだバンプ２２によって実装基板１に実装していたが、弾性波装置４００では、素子基板３５を多数の金バンプ３２によって実装基板１に実装した。
　なお、素子基板３５は、素子基板２５よりも平面方向の寸法が大きく、第１主面に複数のＩＤＴ電極６が形成されている。
　弾性波装置４００の他の構成は、弾性波装置３００と同じにした。
　以上、第１実施形態～第４実施形態にかかる弾性波装置１００、２００、３００、４００について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って種々の変更をなすことができる。
　たとえば、弾性波装置１００、２００、３００、４００においては、１個の実装基板１に１個の圧電性を有する素子基板５、１５、２５、３５を実装しているが、これを変更して、１個の実装基板１に複数個の圧電性を有する素子基板を実装しても良い。ただし、その場合には、少なくとも１個の素子基板において、本発明の特徴的構造が採用されていれば良く、そのような場合も本発明の権利範囲に含まれる。
　また、実装基板１に、圧電性を有する素子基板５、１５、２５、３５に加えて、圧電性を有しない素子基板や、他の種類の電子部品が実装されていても良い。
　また、素子基板５、１５、２５、３５に形成されるＩＤＴ電極６の種類、構造、個数なども任意であり、種々のバリエーションを採用することができる。たとえば、素子基板５、１５、２５、３５に、複数のＩＤＴ電極６が形成され、それらのＩＤＴ電極６を使って電子回路が構成されていても良い。
１・・・実装基板
２・・・外部電極
３・・・ビア導体
４、１４・・・実装用電極
５、１５、２５、３５・・・素子基板（圧電性を有する素子基板）
６・・・ＩＤＴ電極
７・・・端子電極
８・・・支持層
９・・・カバー層
１０、２０・・・空隙
１１・・・ＵＢＭ（アンダー・バンプ・メタル）
１２、２２、３２・・・バンプ
１３、２３・・・モールド樹脂
１７・・・パッド
Ａ・・・ＩＤＴ形成領域
Ｂ１、Ｂ２・・・ＩＤＴ非形成領域

Claims (7)

  1. 　第１主面および第２主面を備えた圧電性を有する素子基板と、
    　前記素子基板の前記第１主面に形成されたＩＤＴ電極と、
    　前記素子基板の少なくとも前記第２主面を覆って形成されたモールド樹脂と、を備えた弾性波装置であって、
    　前記素子基板は、前記第２主面が平坦ではなく、
    　前記モールド樹脂の前記天面に対して垂直な断面を見たとき、
    　前記素子基板は、前記ＩＤＴ電極が形成されたＩＤＴ形成領域と、前記ＩＤＴ形成領域の両側に位置する前記ＩＤＴ電極が形成されていない１対のＩＤＴ非形成領域とを備え、
    　前記素子基板の前記ＩＤＴ形成領域の幅方向中央部の厚み寸法が、前記素子基板の一方の前記ＩＤＴ非形成領域の幅方向中央部の厚み寸法、および、前記素子基板の他方の前記ＩＤＴ非形成領域の幅方向中央部の厚み寸法の、少なくとも一方よりも小さい弾性波装置。
  2. 　前記素子基板の前記ＩＤＴ形成領域の幅方向中央部の厚み寸法が、前記素子基板の一方の前記ＩＤＴ非形成領域の幅方向中央部の厚み寸法よりも小さく、かつ、前記素子基板の他方の前記ＩＤＴ非形成領域の幅方向中央部の厚み寸法よりも小さい、請求項１に記載された弾性波装置。
  3. 　前記モールド樹脂は、天面が平坦である、請求項１または２に記載された弾性波装置。
  4. 　前記素子基板の前記ＩＤＴ形成領域に対応する、前記モールド樹脂の前記天面に印字が施された、請求項１ないし３のいずれか１項に記載された弾性波装置。
  5. 　前記素子基板が、タンタル酸リチウム単結晶、または、ニオブ酸リチウム単結晶により作製された、請求項１ないし４のいずれか１項に記載された弾性波装置。
  6. 　さらにカバー層を備え、
    　前記カバー層は、前記素子基板の前記第１主面に対向して配置され、
    　前記ＩＤＴ電極と前記カバー層との間に空隙が形成された、請求項１ないし５のいずれか１項に記載された弾性波装置。
  7. 　さらに実装基板を備え、
    　前記実装基板に前記素子基板が実装され、
    　前記実装基板に実装された前記素子基板を覆って前記モールド樹脂が形成された、請求項１ないし６のいずれか１項に記載された弾性波装置。
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