WO2018030757A1 - 발광 모듈, 플래시 모듈 및 이를 포함하는 단말기 - Google Patents

발광 모듈, 플래시 모듈 및 이를 포함하는 단말기 Download PDF

Info

Publication number
WO2018030757A1
WO2018030757A1 PCT/KR2017/008562 KR2017008562W WO2018030757A1 WO 2018030757 A1 WO2018030757 A1 WO 2018030757A1 KR 2017008562 W KR2017008562 W KR 2017008562W WO 2018030757 A1 WO2018030757 A1 WO 2018030757A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light emitting
emitting chip
module
disposed
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/KR2017/008562
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
이태성
정장훈
진민지
정영규
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Innotek Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020160101280A external-priority patent/KR20180017450A/ko
Priority claimed from KR1020160103696A external-priority patent/KR102600655B1/ko
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Priority to CN202210672130.4A priority Critical patent/CN115113457A/zh
Priority to US16/323,356 priority patent/US11300854B2/en
Priority to CN201780049327.XA priority patent/CN109565538A/zh
Publication of WO2018030757A1 publication Critical patent/WO2018030757A1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B15/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
    • G03B15/02—Illuminating scene
    • G03B15/03—Combinations of cameras with lighting apparatus; Flash units
    • G03B15/05—Combinations of cameras with electronic flash apparatus; Electronic flash units
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B15/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
    • G03B15/02—Illuminating scene
    • G03B15/03—Combinations of cameras with lighting apparatus; Flash units
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V5/00—Refractors for light sources
    • F21V5/04—Refractors for light sources of lens shape
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B30/00—Camera modules comprising integrated lens units and imaging units, specially adapted for being embedded in other devices, e.g. mobile phones or vehicles
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/02—Constructional features of telephone sets
    • H04M1/0202—Portable telephone sets, e.g. cordless phones, mobile phones or bar type handsets
    • H04M1/026—Details of the structure or mounting of specific components
    • H04M1/0264—Details of the structure or mounting of specific components for a camera module assembly
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • H10H20/8513—Wavelength conversion materials having two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/853—Encapsulations characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B2215/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
    • G03B2215/05—Combinations of cameras with electronic flash units
    • G03B2215/0564—Combinations of cameras with electronic flash units characterised by the type of light source
    • G03B2215/0567—Solid-state light source, e.g. LED, laser
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B2215/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
    • G03B2215/05—Combinations of cameras with electronic flash units
    • G03B2215/0589—Diffusors, filters or refraction means
    • G03B2215/0592—Diffusors, filters or refraction means installed in front of light emitter
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/02—Constructional features of telephone sets
    • H04M1/22—Illumination; Arrangements for improving the visibility of characters on dials

Definitions

  • Embodiments relate to a light emitting module, a camera flash, and a terminal including the same.
  • a semiconductor device including a compound such as GaN, AlGaN, etc. has many advantages, such as having a wide and easy-to-adjust band gap energy, and can be used in various ways as a light emitting device, a light receiving device, and various diodes.
  • light emitting devices such as light emitting diodes and laser diodes using semiconductors of Group 3-5 or Group 2-6 compound semiconductors have been developed through the development of thin film growth technology and device materials.
  • Various colors such as blue and ultraviolet light can be realized, and efficient white light can be realized by using fluorescent materials or combining colors, and low power consumption, semi-permanent life, and quick response compared to conventional light sources such as fluorescent and incandescent lamps. It has the advantages of speed, safety and environmental friendliness.
  • a light-receiving device such as a photodetector or a solar cell
  • a group 3-5 or 2-6 compound semiconductor material of a semiconductor the development of device materials absorbs light in various wavelength ranges to generate a photocurrent.
  • light in various wavelengths can be used from gamma rays to radio wavelengths. It also has the advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness and easy control of device materials, making it easy to use in power control or microwave circuits or communication modules.
  • a light emitting diode backlight which replaces a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of a liquid crystal display (LCD) display device, a transmission module of an optical communication means, and a white light emitting diode that can replace a fluorescent lamp or an incandescent bulb.
  • CCFL cold cathode fluorescent lamp
  • LCD liquid crystal display
  • a white light emitting diode that can replace a fluorescent lamp or an incandescent bulb.
  • Applications are expanding to lighting devices, car headlights and traffic lights, and sensors that detect gas or fire. In addition, applications can be extended to high frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.
  • Such a portable terminal has a built-in camera flash to provide the amount of light required for camera shooting.
  • a light emitting module is employed as a light source of a camera flash.
  • LEDs white light emitting diodes
  • a camera of a portable terminal for example, a mobile phone
  • a dual camera which is a wide angle and a general angle camera.
  • a camera flash Also requires a wide angle implementation to correspond to the camera field of view (FOV).
  • FOV camera field of view
  • the angle of view (FOV) of the camera flash (Flash) was difficult to implement more than 90 °.
  • the lens portion exposed to the outside in the prior art camera flash is formed of a plastic material, there is a problem that is vulnerable to scratches during manufacturing or use.
  • the light emitting module emits light according to the increase in the SMT tolerance and the tolerance when attaching the lens.
  • SMT Surface Mounting Technology
  • One of the technical problems of the embodiment is to provide a slim flash module, a camera flash, and a terminal including the same while maintaining a wide angle.
  • one of the technical problems of the embodiment is to provide a flash module, a camera flash, and a terminal including the sharp end of the lens pattern.
  • one of the technical problems of the embodiment is to provide a flash module, a camera flash, and a terminal including the same, including a lens unit having high scratch resistance.
  • one of the technical problems of the embodiment is a warm-white (cool-white) and cool-white integrated light emitting module, a flash module, a camera flash, and the like, which can implement emotional lighting in the camera flash technology area To provide a terminal.
  • one of the technical problems of the embodiment is to provide a light emitting module, a flash module, a camera flash, and a terminal including the same, which have high reliability according to a high heat dissipation effect during the flash operation in the light emitting module.
  • one of the technical problems of the embodiment is to provide a light emitting module, a flash module, a camera flash, and a terminal including the same, which can realize a uniform light distribution due to high alignment accuracy of the light emitting chip and the flash lens.
  • one of the technical problems of the embodiment is to provide a light emitting module, a flash module, a camera flash, and a terminal including the same, which have a strong coupling relationship between the light emitting module and the frame, thereby improving mechanical reliability.
  • the light emitting module includes a plurality of light emitting chips including a semiconductor layer, a phosphor layer disposed on one surface of the semiconductor layer, and a plurality of electrodes disposed on a surface facing one surface of the semiconductor layer; A first partition wall disposed on one side of the plurality of light emitting chips and a second partition wall disposed on the other side of the plurality of light emitting chips to face the first partition wall; And an opaque molding part surrounding the plurality of light emitting chips to expose the top surface of the phosphor layer and the bottom surfaces of the plurality of electrodes to the outside and disposed inside the first and second partition walls.
  • the first partition wall and the second partition wall surround the plurality of light emitting chips.
  • the plurality of light emitting chips may include a first light emitting chip and a second light emitting chip having a different color temperature (CCT).
  • CCT color temperature
  • the first light emitting chip may include a first phosphor layer disposed on an upper surface of a first semiconductor layer, a first n-type electrode and a first p-type electrode disposed on a bottom surface of the first semiconductor layer. At least a portion of each bottom surface of each of the first n-type electrode and the first p-type electrode may be exposed to a bottom surface of the opaque molding part.
  • a light emitting module includes: a first light emitting chip and a second light emitting chip having different color temperatures (CCTs) from one another; And an opaque molding part surrounding side surfaces of the first light emitting chip and the second light emitting chip.
  • the first light emitting chip and the second light emitting chip may be flip type light emitting chips, and an electrode of the first light emitting chip or an electrode of the second light emitting chip may be exposed to a bottom surface of the opaque molding part.
  • the first light emitting chip includes a first phosphor layer disposed on an upper surface of a first semiconductor layer, a first n-type electrode and a first p-type electrode disposed on a bottom surface of the first semiconductor layer. At least a portion of each bottom surface of the type electrode and the first p-type electrode may be exposed to the bottom surface of the opaque molding part.
  • the embodiment may further include spaced apart first and second partition walls, wherein the first light emitting chip and the second light emitting chip may be disposed between the first partition wall and the second partition wall.
  • the second light emitting chip may include a second phosphor layer disposed on an upper surface of a second semiconductor layer, a second n-type electrode and a second p-type electrode disposed on a bottom surface of the second semiconductor layer.
  • the phosphor content of the first phosphor layer of the first light emitting chip and the content of the second phosphor layer of the second light emitting chip may be different from each other.
  • the second light emitting chip may further include: an n-type pad electrode electrically connecting the second n-type electrode and a predetermined n-type semiconductor layer in the second semiconductor layer; And a p-type pad electrode disposed on the second p-type electrode.
  • the embodiment may further include a diffusion layer on the upper surface of the first light emitting chip and the second light emitting chip.
  • the diffusion layer may be disposed on upper surfaces of the first light emitting chip and the second light emitting chip, and may not be disposed on the first and second partition walls.
  • a flash module includes a plurality of light emitting chips including a semiconductor layer, a phosphor layer disposed on one surface of the semiconductor layer, and a plurality of electrodes disposed on a surface facing one surface of the semiconductor layer, and the phosphor layer.
  • a light emitting module including an opaque molding part surrounding the plurality of light emitting chips such that an upper surface and a bottom surface of the plurality of electrodes are exposed to the outside;
  • a frame disposed on the light emitting module; And a lens unit disposed on the frame.
  • the light emitting module may include spaced apart first and second partition walls, the flip first light emitting chip and the flip second light emitting chip disposed between the first and second partition walls.
  • the flip type first light emitting chip and the flip type second light emitting chip may have a different color temperature (CCT).
  • a flash module includes a first partition and a second partition that are spaced apart from each other, a first light emitting chip and a second light emitting chip disposed between the first partition and the second partition, the first partition, and the second partition.
  • the light emitting module may include an opaque molding unit disposed between the partition walls, a frame disposed on the light emitting module, and a lens unit disposed on the frame.
  • the first light emitting chip and the second light emitting chip may be flip type light emitting chips. Some of the flip type first light emitting chip or the flip type second light emitting chip may be exposed to a bottom surface of the opaque molding part.
  • the flip type first light emitting chip may include a first phosphor layer disposed on an upper surface of a first semiconductor layer, a first n-type electrode and a first p-type electrode disposed on a bottom surface of the first semiconductor layer. In addition, at least a portion of each bottom surface of the first n-type electrode and the first p-type electrode may be exposed to a bottom surface of the opaque molding part.
  • the frame may include a first frame and a second frame whose cross sections are spaced apart from each other, and the light emitting module may be disposed between the first frame and the second frame.
  • first frame may include a first support part and a first inner protrusion disposed on the first support part.
  • the second frame may include a second support part and a second inner protrusion disposed on the second support part.
  • the first partition wall and the second partition wall of the light emitting module may contact an inner surface of the first support part and an inner surface of the second support part.
  • the first partition wall and the second partition wall of the light emitting module may contact the bottom surface of the first inner protrusion and the bottom surface of the second inner protrusion.
  • the first frame may include a third inner protrusion disposed on the first inner protrusion and a first outer protrusion disposed on the third inner protrusion.
  • the second frame may include a fourth inner protrusion disposed on the second inner protrusion and a second outer protrusion disposed on the fourth inner protrusion.
  • the lens unit may contact the third inner protrusion and the fourth inner protrusion.
  • the height of the upper surface of the lens unit may be the same as the height of the upper surface of the frame.
  • the frame may include a predetermined recess outside the straight direction passing through the flip type first light emitting chip and the flip type second light emitting chip.
  • the embodiment may further include a diffusion layer 134 on an upper surface of the flip type first light emitting chip and the flip type second light emitting chip.
  • the diffusion layer may be disposed on an upper surface of the flip type first light emitting chip and the flip type second light emitting chip, and may not be disposed on the first partition wall and the second partition wall.
  • a flash module includes a plurality of light emitting chips comprising a semiconductor layer, a phosphor layer disposed on one surface of the semiconductor layer, and a plurality of electrodes disposed on a surface facing one surface of the semiconductor layer, and the plurality of electrodes.
  • a light emitting module including a molding part surrounding the plurality of light emitting chips to expose a bottom surface of the light emitting chip; A frame disposed on the light emitting module; And
  • It may include a lens unit disposed on the frame.
  • the lens unit may include a light diffusion unit in which a predetermined pattern is disposed and a lens support unit disposed in contact with an outer side of the light diffusion unit.
  • the light diffuser may include a glass material.
  • the light diffusion part of the lens part may include a pattern part in which the pattern is disposed and a light emission part of light emitted from the light emitting chip.
  • the light emitting part may include the glass material.
  • the molding part may include an opaque molding part.
  • the light emitting module may include spaced apart first and second partition walls, the flip first light emitting chip and the flip second light emitting chip disposed between the first and second partition walls.
  • the flip type first light emitting chip and the flip type second light emitting chip may have a different color temperature (CCT).
  • the flip type first light emitting chip may include a first phosphor layer disposed on an upper surface of a first semiconductor layer, a first n-type electrode and a first p-type electrode disposed on a bottom surface of the first semiconductor layer. At least a portion of each bottom surface of the first n-type electrode and the first p-type electrode may be exposed to a bottom surface of the opaque molding part.
  • the frame may include a first frame and a second frame whose cross sections are spaced apart from each other, and the light emitting module may be disposed between the first frame and the second frame.
  • the first frame may include a first support part and a first inner protrusion disposed on the first support part.
  • the second frame may include a second support part and a second inner protrusion disposed on the second support part.
  • first and second partitions of the light emitting module may contact an inner surface of the first support and an inner surface of the second support.
  • the height of the upper surface of the lens unit may be the same as the height of the upper surface of the frame.
  • the flash module according to the embodiment may include the light emitting module.
  • the terminal according to the embodiment may include the flash module or the light emitting module.
  • the embodiment can provide a super slim light emitting module, a camera module, and a terminal including the same while maintaining a wide angle.
  • the embodiment may provide a flash module, a camera module, and a terminal including the same, in which a sharp end portion of the pattern of the lens is a technical feature.
  • the embodiment may provide a flash module, a camera module, and a terminal including the same, including a lens unit having high scratch resistance.
  • the embodiment may provide a warm-white and cool-white integrated light emitting module, a camera module, and a terminal including the same, which can implement emotional lighting in a camera flash technology area.
  • the embodiment can provide a light emitting module having a high reliability, a camera module and a terminal including the same according to a high heat dissipation effect during the flash operation in the light emitting module.
  • the embodiment can provide a light emitting module, a camera module, and a terminal including the same, which can achieve a uniform light distribution due to high alignment accuracy of the light emitting chip and the flash lens.
  • the embodiment can provide a light emitting module, a camera module, and a terminal including the same, which has a strong coupling relationship between the light emitting module and the frame, thereby improving mechanical reliability.
  • FIG. 1 is a perspective view of a flash module according to the first embodiment
  • FIG. 2 is an exploded perspective view of a flash module according to the first embodiment
  • FIG. 3 is a plan view of a flash module according to the first embodiment
  • FIG. 4A is a sectional view of a flash module according to the first embodiment
  • FIG. 4B is an enlarged cross-sectional view of a lens unit in the flash module according to the first embodiment
  • FIG. 5 is a sectional view of a light emitting module in the flash module according to the first embodiment
  • FIG. 6 is a bottom view of the flash module according to the first embodiment
  • FIG. 7A is an enlarged partial view of a bottom view of a flash module according to the first embodiment
  • FIG. 7B is a partial sectional view of a flash module according to the first embodiment
  • FIGS. 8 to 15 are cross-sectional views illustrating manufacturing steps of the light emitting module and the flash module according to the first embodiment.
  • 16 is a sectional view of a flash module according to a second embodiment
  • 17 is a plan view of a flash module according to a third embodiment.
  • FIG. 18 is a sectional view of a flash module according to a third embodiment
  • 19A is an enlarged cross sectional view of a lens unit in the flash module according to the third embodiment.
  • 19B is an enlarged view of a portion of a lens unit in the flash module according to the third embodiment.
  • 20 is a sectional view of a light emitting module in the flash module according to the third embodiment.
  • 21 is an enlarged cross-sectional view of a second lens unit in the flash module according to the fourth embodiment.
  • the on or under when described as being formed on the "on or under” of each element, the on or under is It includes both the two elements are in direct contact with each other, or one or more other elements are formed indirectly between the two elements.
  • the on or under when expressed as “on” or “under”, it may include the meaning of the downward direction as well as the upward direction based on one element.
  • the semiconductor device may include various electronic devices such as a light emitting device and a light receiving device, and the light emitting device and the light receiving device may both include a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer.
  • the semiconductor device according to the embodiment may be a light emitting device.
  • the light emitting device emits light by recombination of electrons and holes, and the wavelength of the light is determined by the energy band gap inherent in the material. Thus, the light emitted may vary depending on the composition of the material.
  • the light emitting chip of the embodiment may be a flip type light emitting chip, but the embodiment is not limited thereto.
  • FIG. 1 is a perspective view of a flash module 200 according to the first embodiment
  • Figure 2 is an exploded perspective view of the flash module 200 according to the first embodiment.
  • the flash module 200 may include a frame 220, a light emitting module 100, and a lens unit 230.
  • the flash module 200 includes a light emitting module 100, a frame 220 disposed on the light emitting module 100, and a lens unit 230 disposed on the frame. It may include.
  • the embodiment is to provide a super slim light emitting module, a camera module and a terminal including the same while maintaining a wide angle as one of the technical problems.
  • FIGS. 4A and 4B First, a camera module capable of maintaining a wide angle will be described with reference to FIGS. 4A and 4B.
  • FIG. 4A is a cross-sectional view of the flash module 200 according to the first embodiment, and the flash module 200 of the first embodiment includes a first light emitting chip 121 and a second light emitting chip 122. ), The frame 220 and the lens unit 230.
  • the first light emitting chip 121 and the second light emitting chip 122 may be flip type light emitting chips, but embodiments are not limited thereto.
  • FIG. 4B is an enlarged cross-sectional view of the lens unit 230 in the flash module according to the first embodiment.
  • the lens unit 230 mounted on the flash module 200 according to the first embodiment includes a plurality of light diffusion patterns P1 and P2 to emit light from the first light emitting chip 121 and the second light emitting chip 122. It is possible to realize a wide angle of view (FOV) by increasing the light diffusion of the light.
  • FOV wide angle of view
  • the first light diffusing pattern P1 and the second light diffusing pattern are correspondingly provided. It may include (P2), but is not limited thereto. In the case of four light emitting chips, four light diffusion patterns may be provided.
  • the field of view (FOV) of the flash module required by the industry requires a wide angle of about 120 ° or more as a dual camera is continuously developed, and even a uniform optical table at the wide angle.
  • the property must also be implemented at the same time.
  • the field of view (FOV) of the camera flash can be implemented up to 120 °, and even up to 135 °.
  • the center of each light diffusion pattern and the center of each light emitting chip may coincide in the top view of the lens unit 230.
  • the embodiment controls the light diffusion pattern of the lens unit 230 and the alignment tolerance of the light emitting chip to about 25 ⁇ m or less, thereby matching the directivity angle characteristic of the light emitted from the light emitting chip with the light diffusion pattern of the lens unit.
  • a uniform light distribution can be obtained by improving the light distribution characteristics as well as realizing a wide angle of view (FOV).
  • the thickness of the flash module including the lens unit is about 2.5 mm or more, and it is difficult to reduce the thickness to less than that. This is because in the prior art, after the SMT operation of the light emitting module on the package substrate, the lens was attached to the camera cover case, thereby limiting the thickness of the camera flash module.
  • the lens part was formed into an injection structure on the frame so that the thickness of the camera flash module as slim as possible was about 1.4 mm in the internal technical limit.
  • the flash module 200 may surpass such technical limitations to super slim the thickness T of the flash module to a thickness of about 1 mm or less.
  • the thickness of the flash module 200 according to the embodiment may be such that the thickness T of the frame may be innovatively slimmed.
  • the thickness T of the flash module could be reduced to about 0.85 mm or less.
  • the embodiment may be ultra slim even if the thickness T of the flash module is about 0.65 mm or less.
  • the thickness T2 of the lens unit 230 may be controlled to be about 1/3 or less of the thickness T3 of the frame 220.
  • the thickness T2 of the lens unit 230 may be controlled to about 0.30 mm or less.
  • the thickness T2 of the lens unit 230 may be controlled to about 0.20 mm or less.
  • the thickness T1 of the light emitting module 100 may be controlled to a thickness of about 1/3 or less of the thickness of the frame 220.
  • the light emitting module 100 may be formed without a circuit board in the light emitting module 100 itself, as will be described later, so that the thickness T1 of the light emitting module may be innovatively reduced.
  • the thickness T1 of the light emitting module 100 may be controlled to about 0.30 mm or less.
  • the thickness T1 of the light emitting module 100 may be controlled to be ultra slim up to about 0.25 mm or less.
  • the embodiment can provide a super slim light emitting module, a camera module, and a terminal including the same while maintaining a wide angle of view.
  • FIG. 3 is a plan view of the flash module 200 according to the first embodiment.
  • the frame 220 is outside the straight line I-I ′ passing through the first light emitting chip 121 and the second light emitting chip 122 of the light emitting module 100. It may include a predetermined recess (R).
  • the first light emitting chip 121 may emit warm-white, and the second light emitting chip 122 may be cool-white. ) Can be emitted.
  • the embodiment can provide a camera module having a warm-white and cool-white integrated camera module capable of implementing emotional lighting in a camera flash technology and a terminal including the same.
  • the recess R is disposed outside the straight line I-I 'passing through the first light emitting chip 121 and the second light emitting chip 122, so that, for example, the second light emitting chip (
  • the recesses R By providing the recesses R on the side adjacent to 122, the first light emitting chip 121 or the second light emitting chip 122 can be identified, and thus warm-white and cool-white ( In a cool-white integrated camera module, mounting of each light emitting chip may be easy, and subsequent operation of each light emitting chip may be easily used when the camera module is used, and failure diagnosis may be easy.
  • the flash module 200 of the first embodiment may include a frame 220 disposed on the light emitting module 100 and a lens unit 230 disposed on the frame 220. .
  • the light emitting module 100 includes a first partition 111 and a second partition 112 having a cross-section spaced apart from each other, and the first partition wall ( The first light emitting chip 121 and the second light emitting chip 122 disposed between the second partition wall 112 and the second partition wall 112 and the first partition wall 111 and the second partition wall 112.
  • the opaque molding part 132 may be included.
  • the first and second partitions 111 and 112 may be formed of a metal material.
  • the first partition 111 and the second partition 112 may be employed in copper (Cu), aluminum (Al), but are not limited thereto.
  • the first and second barrier ribs 111 and 112 may be formed of a non-metallic material such as polyimide.
  • the first partition 111 and the second partition 112 are formed of the first light emitting chip 121 and the second light emitting chip 122 in the light emitting module 100 of the embodiment without a separate circuit board for the light emitting module itself.
  • the opaque molding 132 serves as a main function for forming.
  • a first partition 111 and a second partition 112 are formed on a predetermined support layer 190 (see FIG. 8), and the first light emitting chip 121 is disposed therebetween. ), The second light emitting chip 122 is disposed, the opaque molding part 132 is injected, and the support layer 190 is removed to form the light emitting module 100, but the manufacturing method is not limited thereto. .
  • the opaque molding part 132 may include a white mold, but is not limited thereto.
  • the opaque molding part 132 may be a white mold composition in which an oxide such as TiO 2 is dispersed in silicon, but is not limited thereto.
  • the opaque molding part 132 may prevent color mixing of the light emitted from the first light emitting chip 121 and the second light emitting chip 122, and may block light emitted from the side to emit light through the phosphor. By doing so, a uniform white color can be realized.
  • a portion of the first light emitting chip 121 or the second light emitting chip 122 may be exposed to the bottom surface of the opaque molding part 132.
  • the first light emitting chip 121 may include a first phosphor layer 121d disposed on an upper surface of the first semiconductor layer 121a and a first n disposed on a bottom surface of the first semiconductor layer 121a. It may include a type electrode 121b and a first p-type electrode 121c. In this case, a portion of each bottom surface of the first n-type electrode 121b and the first p-type electrode 121c may be exposed to the bottom surface of the opaque molding part 132.
  • the second light emitting chip 122 may include a second phosphor layer 122d disposed on an upper surface of the second semiconductor layer 122a and a second n-type electrode disposed on a bottom surface of the second semiconductor layer 122a. 122b) and the second p-type electrode 122c. In this case, some of the bottom surfaces of the second n-type electrode 122b and the second p-type electrode 122c may be exposed to the bottom of the opaque molding part 132.
  • the first semiconductor layer 121a and the second semiconductor layer 122a may be implemented as a semiconductor compound, for example, a compound semiconductor such as Group 3-5 or 2-6.
  • the first semiconductor layer 121a and the second semiconductor layer 122a may be light emitting structure layers including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer, respectively, but are not limited thereto.
  • the first conductivity type semiconductor layer is an n type semiconductor layer
  • an n type dopant group may be doped
  • the second conductivity type semiconductor layer is a p type semiconductor layer
  • a p type dopant group may be doped. have.
  • the thickness of the flash module including the lens unit is about 2.5 mm or more, and it is difficult to reduce the thickness to less than that. This is because in the prior art, after the SMT operation of the light emitting module on the package substrate, the lens is attached to the camera cover case to limit the thickness of the camera flash module.
  • the light emitting module has a limit in reducing the thickness of the light emitting module itself as the light emitting chip is SMT on a predetermined substrate, for example, a PCB.
  • the light emitting module has a technical limitation in reducing the thickness of the entire flash module as it occupies a separate thickness in addition to the thickness of the frame of the flash module.
  • the flash module 200 is able to slim the thickness (T) of the flash module to a thickness of about 1 mm or less beyond such technical limitations.
  • the thickness T1 of the light emitting module 100 may be controlled to be about 1/3 or less of the thickness T3 of the frame 220.
  • the thickness T1 of the light emitting module may be innovatively reduced.
  • the thickness T1 of the light emitting module 100 may be controlled to about 0.30 mm or less.
  • the thickness T1 of the light emitting module 100 may be controlled to be extremely slim up to about 0.25 mm or less.
  • the embodiment can provide a very slim light emitting module, a camera module, and a terminal including the same while maintaining a wide angle of view.
  • the frame 220 may include a first frame 220a and a second frame 220b, the cross sections of which are spaced apart from each other.
  • the frame 220 may include a first support part 222a and a second support part 222b that are spaced apart from each other.
  • the frame 220 may be formed of a resin-based insulating material, for example, a resin material such as polyphthalamide (PPA) or a ceramic material.
  • the frame 220 may be formed of a silicone, epoxy resin, or a thermosetting resin including a plastic material, or a high heat resistance and high light resistance material.
  • the silicon may include a white series resin.
  • the frame 220 may be formed of W-EMC, W-Silicone, polycarbonate, or the like.
  • the light emitting module 100 may be disposed between the first frame 220a and the second frame 220b.
  • a predetermined adhesive material is opened between the first partition 111 and the first frame 220a of the light emitting module 100 and between the second partition 112 and the second frame 220b to be coupled to each other. Can be.
  • white silicone is applied between the first partition 111 and the first frame 220a of the light emitting module 100 and between the second partition 112 and the second frame 220b. It may be, but is not limited to such.
  • the thickness of the light emitting module 100 itself may not cause an increase in the thickness of the entire flash module 200.
  • the thickness of the flash module 200 is such that the thickness T of the frame 220 may be innovatively slimmed.
  • the thickness T of the flash module can be reduced to about 0.85 mm or less.
  • the thickness T of the flash module can be reduced to about 0.65 mm or less.
  • the thickness of the flash module can be further innovatively reduced.
  • an embodiment of the present invention is to provide an integrated light emitting module, a camera module, and a terminal including the same in consideration of emotional lighting in a camera flash technology area.
  • the first light emitting chip 121 may include a first phosphor layer 121d disposed on an upper surface of the first semiconductor layer 121a and a first electrode disposed on a bottom surface of the first semiconductor layer 121a. It may include a 1 n-type electrode 121b and a first p-type electrode 121c.
  • the second light emitting chip 122 may include a second phosphor layer 122d disposed on an upper surface of the second semiconductor layer 122a and a second n-type electrode disposed on a bottom surface of the second semiconductor layer 122a. 122b) and the second p-type electrode 122c.
  • the color temperature CCT of the first light emitting chip 121 and the second light emitting chip 122 may be different from each other.
  • the first light emitting chip 121 may emit warm-white light and the second light emitting chip 122 may emit cool white light.
  • the first light emitting chip 121 may emit a warm-white of about 3,000K, and the second light emitting chip 122 may cool / white of about 5,000K. cool-white) can be emitted.
  • the relative ratio of the blue light may be lowered to implement warm-white.
  • cool-white may be implemented by increasing the relative ratio of blue light by lowering the ratio of the phosphor in the second phosphor 122d, but is not limited thereto.
  • the embodiment can provide an integrated light emitting module, a camera module, and a terminal including the same that enable emotional lighting through warm-white and cool-white light emission in a camera flash technology area.
  • the first phosphor 121d or the second phosphor 122d may be a yellow phosphor, but is not limited thereto.
  • the yellow phosphor may be YAG or the like, but is not limited thereto.
  • the first phosphor 121d or the second phosphor 122d may be a complex phosphor of a red phosphor and a green phosphor.
  • the red phosphor may include a compound-based phosphor such as (Ca, Sr) S: Eu 2+ or a nitride-based phosphor such as CaAlSiN 3 : Eu 2+ phosphor, but is not limited thereto.
  • the green phosphor is (Y, Gd, Lu, Tb) 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Ce, (Mg, Ca, Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu, (Ca, Sr) 3 SiO 5 : Eu , (La, Ca) 3 Si 6 N11: Ce, may include any one or more of ⁇ -SiAlON: Eu, ⁇ -SiAlON: Eu, but is not limited thereto.
  • the horizontal width of the phosphor layer is larger than the horizontal width of the epi semiconductor layer of the light emitting chip, so that the light emitted from the light emitting chip emits light through the phosphor layer, thereby enabling uniform white light emission.
  • the horizontal width of the epi semiconductor layer of the light emitting chip may be equal to the horizontal width of the phosphor layer.
  • the horizontal width W2 of the first phosphor layer 121d of the first light emitting chip 121 is greater than the horizontal width W1 of the first semiconductor layer 121a of the first light emitting chip 121. Since the light emitted from the light emitting chip is partially formed to pass through the opaque molding part 132, the light emitting chip may emit light through the phosphor layer, thereby enabling uniform white light emission.
  • the horizontal width W2 of the first phosphor layer 121d is about 10% to 40% of the horizontal width W1 of the first semiconductor layer 121a of the first light emitting chip 121. As large as the range is formed, even white light emitted from the light emitting chip may be emitted through the phosphor layer even though some light passes through the opaque molding part 132.
  • the first phosphor layer 121d may protrude to both outer surfaces of the first semiconductor layer 121a of the first light emitting chip 121, that is, the first outer surface and the second outer surface.
  • the distance D of the first phosphor layer 121d protruding to the first outer surface of the first semiconductor layer 121a of the first light emitting chip 121 is the first semiconductor layer of the first light emitting chip 121.
  • the distance of the first phosphor layer 121d protruding from the second outer surface opposite to the first outer surface may also be in the range of about 5% to 20% relative to the horizontal width W1 of 121a. It may be in a range of about 5% to 20% of the horizontal width W1 of the first semiconductor layer 121a of 121.
  • the distance D of the first phosphor layer 121d protruding to the first outer surface of the first semiconductor layer 121a of the first light emitting chip 121 is the first light emitting chip 121.
  • a portion of the light emitted from the first light emitting chip 121 may be emitted to the outside without passing through the phosphor layer.
  • the distance D of the first phosphor layer 121d protruding to the first outer surface of the first semiconductor layer 121a of the first light emitting chip 121 is the first of the first light emitting chip 121. If the semiconductor layer 121a is larger than 10% of the horizontal width W1, the size of the light emitting chip may be unnecessarily large.
  • the light emitting module 100 may include a first diffusion layer 134 on an upper surface of the first light emitting chip 121 and the second light emitting chip 122.
  • light extraction efficiency may be improved by light diffusion by the first diffusion layer 134.
  • the first diffusion layer 134 may be in a form in which SiO 2 or TiO 2 is mixed with resin, but is not limited thereto.
  • an embodiment of the present invention is to provide a light emitting module, a camera module, and a terminal including the same, which have high reliability according to a high heat dissipation effect during flash operation in a light emitting module.
  • an embodiment of the present invention is to provide a camera module having a strong coupling relationship between a light emitting module and a frame and an improved mechanical reliability, and a terminal including the same.
  • the first frame 220a in the flash module according to the embodiment includes a first support portion 222a and a first inner protrusion 223a disposed on the first support portion 222a.
  • the second frame 220b may include a second support part 222b and a second inner protrusion 223b disposed on the second support part 222b.
  • the first partition 111 and the second partition 112 of the light emitting module 100 are in contact with the inner surface of the first support portion 222a and the inner surface of the second support portion 222b to emit light.
  • heat is conducted to the frame 220 through the first and second partitions 111 and 112. Heat dissipation efficiency can be increased.
  • the first and second barrier ribs 111 and 112 of the light emitting module 100 may include a bottom surface of the first inner protrusion 223a and a bottom surface of the second inner protrusion 223b.
  • the contact between the light emitting module 100 and the frame 220 may be strengthened to improve mechanical reliability, and heat dissipation efficiency may be increased through the first and second partitions 111 and 112.
  • the first and second barrier ribs 111 and 112 may be bonded to the bottom of the first inner protrusion 223a and the bottom of the second inner protrusion 223b by a predetermined metallic or nonmetallic adhesive. But it is not limited thereto.
  • the embodiment is to provide a camera module and a terminal including the same that can achieve a uniform light distribution by increasing the alignment accuracy of the light emitting chip and the flash lens as one of the technical problems.
  • the first frame 220a is disposed on the third inner protrusion 224a and the third inner protrusion 224a disposed on the first inner protrusion 223a. It may include a first outer protrusion 226a disposed in.
  • the second frame 220b includes a fourth inner protrusion 224b disposed on the second inner protrusion 223b and a second outer protrusion 226b disposed on the fourth inner protrusion 224b. can do.
  • the lens unit 230 may be disposed to be in contact with the third inner protrusion 224a and the fourth inner protrusion 224b to increase the alignment accuracy of the light emitting chip and the flash lens to implement a uniform light distribution. have.
  • FOV the angle of view
  • the center of each light diffusion pattern and the center of each light emitting chip may coincide with each other in the top view of the lens unit 230.
  • the embodiment controls the light diffusion pattern of the lens unit 230 and the alignment tolerance of the light emitting chip to about 25 ⁇ m or less, thereby matching the directivity angle characteristic of the light emitted from the light emitting chip with the light diffusion pattern of the lens unit.
  • a uniform light distribution can be obtained by improving the light distribution characteristics as well as realizing a wide angle of view (FOV).
  • the lens unit 230 may include a lens support 234 and a light diffuser 232.
  • the lens unit 230 may be a plastic material, for example, an acrylic plastic material, and an example thereof may include polymethyl methacrylate (PMMA).
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • Such PMMA is advantageous in that transparency and glass are easier to process and form than glass.
  • the lens unit 230 may function as a lens such as a light extraction lens or a light diffusing lens, and is a member for changing the directivity characteristic of the light emitted from the light emitting chip, and is not particularly limited, but has a refractive index of 1.4.
  • the transparent material more than 1.7 can be used.
  • the lens unit 230 of the embodiment may be formed of a transparent resin material of polycarbonate (PC) or epoxy resin (EP) or transparent glass (Glass), sapphire, EMC or Silicone, but is not limited thereto.
  • the lens support part 234 may be formed of a transparent resin of polycarbonate (PC) or epoxy resin (EP), and the light diffusion part 232 may be formed of glass or sapphire, but is not limited thereto. It is not.
  • the height of the upper surface of the lens unit 230 may be equal to or less than the height of the upper surface of the frame 220. Accordingly, the thickness of the flash module 200 does not increase by the lens unit 230 in the entire thickness of the flash module 200, thereby making it possible to implement a very slim flash module.
  • the light emitting module 100 and the lens unit 230 may be spaced apart by a predetermined distance D.
  • the optical gap D between the first light emitting chip 121, the second light emitting chip 122, and the lens unit 230 may be precisely controlled to achieve a slim view with a wide angle of view.
  • Flash modules can be implemented.
  • the optical gap D between the first light emitting chip 121, the second light emitting chip 122, and the lens unit 230 is precisely controlled to about 0.2 to 0.5 mm.
  • a slim flash module can be realized.
  • FIG. 6 is a bottom view of the flash module according to the first embodiment
  • FIG. 7A is an enlarged view of a portion F of the bottom view of the flash module according to the first embodiment
  • FIG. 7B is a flash module according to the first embodiment Is a cross-sectional view of the light emitting module along the line II ′ of FIG. 7A.
  • a portion of the first light emitting chip 121 or the second light emitting chip 122 may be formed of the opaque molding part 132. Can be exposed to the bottom.
  • some of the bottom surfaces of the first n-type electrode 121b and the first p-type electrode 121c of the first light emitting chip 121 may be exposed to the bottom of the opaque molding 132. have.
  • some of the bottom surfaces of the second n-type electrode 122b and the second p-type electrode 122c of the second light emitting chip 122 may be exposed to the bottom of the opaque molding 132. .
  • the light emitting module 100 may be formed without the circuit board in the light emitting module 100 itself, and thus, the thickness T1 of the light emitting module 100 may be innovatively reduced.
  • the thickness T1 of the light emitting module 100 may be controlled to about 0.30 mm or less.
  • the thickness T1 of the light emitting module 100 may be controlled to be extremely slim up to about 0.25 mm or less.
  • the embodiment can provide a super slim light emitting module, a camera module, and a terminal including the same while maintaining a wide angle of view.
  • the second light emitting chip 122 of the embodiment includes an n-type pad electrode 122bn and a p-type pad electrode 122cp, so that the second light emitting chip 122 itself may be removed from the second light emitting chip 122 itself.
  • electrical and mechanical contact performance with a power terminal (not shown) of a terminal (not shown) may be improved.
  • the second light emitting chip 122 may include a second semiconductor layer 122a which is a light emitting structure layer, and the second semiconductor layer 122a may be a first conductive semiconductor.
  • the layer 122a3, the active layer 122a2, and the second conductivity type semiconductor layer 122a1 may be included.
  • the first conductivity type semiconductor layer 122a3 may be an n-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 122a1 may be a p-type semiconductor layer.
  • a portion of the second conductive semiconductor layer 122a1 and the active layer 122a2 may be removed to form a mesa etching region M, and the first conductive semiconductor layer ( A portion of 122a3) may be exposed.
  • a portion of the upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 122a3 may also be removed when the mesa etching region M is formed, but is not limited thereto.
  • the second n-type electrode 122b and the second p-type electrode 122c may be disposed on the second semiconductor layer 122a.
  • the second n-type electrode 122b and the second p-type electrode 122c may be disposed on the first conductive semiconductor layer 122a3 and the second conductive semiconductor layer 122a1, respectively.
  • the second light emitting chip 122 includes an n-type pad electrode 122bn and a p-type pad electrode 122cp on the 2 n-type electrode 122b and the second p-type electrode 122c, respectively. can do.
  • the n-type pad electrode 122bn and the p-type pad electrode 122cp may be disposed equal to or lower than the height of the 2n-type electrode 122b and the second p-type electrode 122c, respectively.
  • p is disposed on an n-type pad electrode 122bn and a second p-type electrode 122c that electrically connect the second n-type electrode 122b and the n-type semiconductor layer 122a3.
  • the carrier injection efficiency in the second light emitting chip 122 itself can be improved, and the electrical and mechanical contact performance with the RF terminal portion (not shown) of the terminal can be improved. have.
  • the embodiment is to provide a super slim light emitting module and a camera module as one of the technical problems.
  • a predetermined support layer 190 is prepared, and the first and second partition walls 111 and 112 spaced apart from each other are disposed.
  • the support layer 190 may be a foam tape, but is not limited thereto, and may be removed after completion of the light emitting module.
  • the foam tape may be an adhesive (Adhesive) to a polyester film, but is not limited thereto.
  • the first and second partitions 111 and 112 may be formed of a metal material.
  • the first partition 111 and the second partition 112 may be employed in copper (Cu), aluminum (Al), but are not limited thereto.
  • the first and second barrier ribs 111 and 112 may be formed of a non-metallic material such as polyimide.
  • the first light emitting chip 121 and the second light emitting chip 122 may be spaced apart from each other between the first partition wall 111 and the second partition wall 112.
  • the first light emitting chip 121 and the second light emitting chip 122 may be flip type light emitting chips, but are not limited thereto.
  • the first light emitting chip 121 may include the first n-type electrode 121b and the first p-type electrode 121c disposed on the first semiconductor layer 121a serving as a light emitting structure layer. It may include.
  • the second light emitting chip 122 may include a second n-type electrode 122b and a second p-type electrode 122c disposed on the second semiconductor layer 122a serving as a light emitting structure layer. have.
  • the first semiconductor layer 121a and the second semiconductor layer 122a may be implemented as a semiconductor compound, for example, a compound semiconductor such as Group 3-5 or 2-6.
  • the first semiconductor layer 121a and the second semiconductor layer 122a may be light emitting structure layers including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer, respectively, but are not limited thereto.
  • the first conductivity type semiconductor layer is an n type semiconductor layer
  • an n type dopant group may be doped
  • the second conductivity type semiconductor layer is a p type semiconductor layer
  • a p type dopant group may be doped. have.
  • bottom surfaces of the first n-type electrode 121b and the first p-type electrode 121c are disposed to contact the support layer 190, and the first n-type is removed when the support layer 190 is removed in a subsequent process.
  • a portion of each bottom surface of the electrode 121b and the first p-type electrode 121c may be exposed to the bottom surface of the opaque molding part 132.
  • each of the second n-type electrode 122b and the second p-type electrode 122c may be in contact with the support layer 190, and the second n-type may be removed when the support layer 190 is removed in a subsequent process. A portion of each bottom of the electrode 122b and the second p-type electrode 122c may be exposed to the bottom of the opaque molding 132.
  • the light emitting module 100 may be formed without a circuit board in the light emitting module 100 itself, and thus the thickness T1 of the light emitting module may be innovatively reduced.
  • the thickness T1 of the light emitting module 100 may be controlled to about 0.30 mm or less.
  • the thickness T1 of the light emitting module 100 may be controlled to be extremely slim up to about 0.25 mm or less. Accordingly, the embodiment can provide a very slim light emitting module, a camera module, and a terminal including the same while maintaining a wide angle of view.
  • a second phosphor layer 122d disposed on an upper surface of the first phosphor layer 121d and a second semiconductor layer 122a may be formed on an upper surface of the first semiconductor layer 121a.
  • the first phosphor 121d or the second phosphor 122d may be a yellow phosphor, but is not limited thereto.
  • the yellow phosphor may be YAG or the like, but is not limited thereto.
  • the first phosphor 121d or the second phosphor 122d may be a complex phosphor of a red phosphor and a green phosphor.
  • the red phosphor may include a compound-based phosphor such as (Ca, Sr) S: Eu 2+ or a nitride-based phosphor such as CaAlSiN 3 : Eu 2+ phosphor, but is not limited thereto.
  • the green phosphor is (Y, Gd, Lu, Tb) 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Ce, (Mg, Ca, Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu, (Ca, Sr) 3 SiO 5 : Eu , (La, Ca) 3 Si 6 N11: Ce, may include any one or more of ⁇ -SiAlON: Eu, ⁇ -SiAlON: Eu, but is not limited thereto.
  • One embodiment of the present invention provides an integrated light emitting module, a camera module, and a terminal including the same in consideration of emotional lighting in a camera flash technology area.
  • the color temperature CCT of the first light emitting chip 121 and the second light emitting chip 122 may be different from each other.
  • the first light emitting chip 121 may emit warm-white light and the second light emitting chip 122 may emit cool white light.
  • the first light emitting chip 121 may emit a warm-white of about 3,000K, and the second light emitting chip 122 may cool / white of about 5,000K. cool-white) can be emitted.
  • the relative ratio of the blue light may be lowered to implement warm-white.
  • cool-white may be implemented by increasing the relative ratio of blue light by lowering the ratio of the phosphor in the second phosphor 122d, but is not limited thereto.
  • the embodiment can provide an integrated light emitting module, a camera module, and a terminal including the same that enable emotional lighting through warm-white and cool-white light emission in a camera flash technology area.
  • the horizontal width of the phosphor layer is larger than the horizontal width of the epi semiconductor layer of the light emitting chip, so that the light emitted from the light emitting chip emits light through the phosphor layer, thereby enabling uniform white light emission.
  • the horizontal width W1 of the first phosphor layer 121d of the first light emitting chip 121 may be compared with the horizontal width W1 of the first semiconductor layer 121a of the first light emitting chip 121.
  • W2 is larger, even white light emitted from the light emitting chip may be emitted through the phosphor layer even though some of the light emitted from the light emitting chip passes through the opaque molding part 132.
  • an opaque molding part 132 is disposed between the first light emitting chip 121 and the second light emitting chip 122 disposed between the first and second partitions 111 and 112. Can be injected.
  • the opaque molding part 132 may include a white mold, but is not limited thereto.
  • the opaque molding part 132 may be a white mold composition in which an oxide such as TiO 2 is dispersed in silicon, but is not limited thereto.
  • the opaque molding part 132 may prevent the color mixture of the light emitted from the first light emitting chip 121 and the second light emitting chip 122, and blocks the light emitted from the side surface, thereby preventing the phosphor. By emitting light through it, a uniform white color can be realized.
  • a first diffusion layer 134 may be formed on upper surfaces of the first light emitting chip 121 and the second light emitting chip 122.
  • light extraction efficiency may be improved by light diffusion by the first diffusion layer 134.
  • the first diffusion layer 134 may be in a form in which SiO 2 or TiO 2 is mixed with resin, but is not limited thereto.
  • the light emitting module may be separated for each cell by using a predetermined blade B.
  • the light emitting module 100 may be manufactured by removing the support layer 190.
  • the light emitting module 100 may be disposed between the first frame 220a and the second frame 220b.
  • a predetermined adhesive material is opened between the first partition 111 and the first frame 220a of the light emitting module 100 and between the second partition 112 and the second frame 220b to be coupled to each other. Can be.
  • white silicone is applied between the first partition 111 and the first frame 220a of the light emitting module 100 and between the second partition 112 and the second frame 220b. It may be, but is not limited to such.
  • the thickness of the light emitting module 100 itself may not cause an increase in the thickness of the entire flash module 200.
  • the thickness of the flash module 200 is such that the thickness T of the frame 220 may be innovatively slimmed.
  • the thickness T of the flash module can be reduced to about 0.85 mm or less.
  • the thickness T of the flash module can be reduced to about 0.65 mm or less.
  • the thickness of the flash module can be further innovatively reduced.
  • Embodiments provide a light emitting module, a camera module, and a terminal including the same having high reliability according to a heat dissipation effect.
  • an embodiment of the present invention is to provide a camera module having a strong coupling relationship between a light emitting module and a frame and an improved mechanical reliability, and a terminal including the same.
  • the first frame 220a in the flash module according to the embodiment includes a first support portion 222a and a first inner protrusion 223a disposed on the first support portion 222a.
  • the second frame 220b may include a second support part 222b and a second inner protrusion 223b disposed on the second support part 222b.
  • the first partition 111 and the second partition 112 of the light emitting module 100 are in contact with the inner surface of the first support portion 222a and the inner surface of the second support portion 222b to emit light.
  • heat is conducted to the frame 220 through the first and second partitions 111 and 112. Heat dissipation efficiency can be increased.
  • the first and second barrier ribs 111 and 112 of the light emitting module 100 may include a bottom surface of the first inner protrusion 223a and a bottom surface of the second inner protrusion 223b.
  • the contact between the light emitting module 100 and the frame 220 may be strengthened to improve mechanical reliability, and heat dissipation efficiency may be increased through the first and second partitions 111 and 112.
  • the first and second barrier ribs 111 and 112 may be bonded to the bottom of the first inner protrusion 223a and the bottom of the second inner protrusion 223b by a predetermined metallic or nonmetallic adhesive. But it is not limited thereto.
  • the embodiment is to provide a camera module and a terminal including the same that can achieve a uniform light distribution by increasing the alignment accuracy of the light emitting chip and the flash lens as one of the technical problems.
  • the first frame 220a is disposed on the third inner protrusion 224a and the third inner protrusion 224a disposed on the first inner protrusion 223a. It may include a first outer protrusion 226a disposed in.
  • the second frame 220b includes a fourth inner protrusion 224b disposed on the second inner protrusion 223b and a second outer protrusion 226b disposed on the fourth inner protrusion 224b. can do.
  • the lens unit 230 may be disposed to be in contact with the third inner protrusion 224a and the fourth inner protrusion 224b to increase the alignment accuracy of the light emitting chip and the flash lens to implement a uniform light distribution. have.
  • FOV the angle of view
  • the center of each light diffusion pattern and the center of each light emitting chip may coincide with each other in the top view of the lens unit 230.
  • the embodiment controls the light diffusion pattern of the lens unit 230 and the alignment tolerance of the light emitting chip to about 25 ⁇ m or less, thereby matching the directivity angle characteristic of the light emitted from the light emitting chip with the light diffusion pattern of the lens unit.
  • a uniform light distribution can be obtained by improving the light distribution characteristics as well as realizing a wide angle of view (FOV).
  • the lens unit 230 may include a lens support 234 and a light diffuser 232.
  • the lens unit 230 may be a plastic material, for example, an acrylic plastic material, and an example thereof may include polymethyl methacrylate (PMMA).
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • Such PMMA is advantageous in that transparency and glass are easier to process and form than glass.
  • the lens unit 230 may function as a lens such as a light extraction lens or a light diffusing lens, and is a member for changing the directivity characteristic of the light emitted from the light emitting chip, and is not particularly limited, but has a refractive index of 1.4.
  • the transparent material more than 1.7 can be used.
  • the lens unit 230 of the embodiment may be formed of a transparent resin material of polycarbonate (PC) or epoxy resin (EP) or transparent glass (Glass), sapphire, EMC or Silicone, but is not limited thereto.
  • the lens support part 234 may be formed of a transparent resin of polycarbonate (PC) or epoxy resin (EP), and the light diffusion part 232 may be formed of glass or sapphire, but is not limited thereto. It is not.
  • the height of the upper surface of the lens unit 230 may be equal to or less than the height of the upper surface of the frame 220. Accordingly, the thickness of the flash module 200 does not increase by the lens unit 230 in the entire thickness of the flash module 200, thereby making it possible to implement a very slim flash module.
  • the light emitting module 100 and the lens unit 230 may be spaced apart by a predetermined distance D.
  • the optical gap D between the first light emitting chip 121, the second light emitting chip 122, and the lens unit 230 may be precisely controlled to achieve a slim view with a wide angle of view.
  • Flash modules can be implemented.
  • the optical gap D between the first light emitting chip 121, the second light emitting chip 122, and the lens unit 230 is precisely controlled to about 0.2 to 0.5 mm.
  • a slim flash module can be realized.
  • 16 is a cross-sectional view 202 of the flash module according to the second embodiment, which may employ the technical features of the first embodiment described above, and will be described below with reference to the main technical features of the second embodiment.
  • the second diffusion layer 134b is disposed on an upper surface of the first light emitting chip 121 and the second light emitting chip 122, and the first partition wall 111. And not disposed on the second partition wall 112, a coupling force between the first partition wall 111, the second partition wall 112, the bottom surface of the first inner protrusion 223a, and the second inner protrusion 223b. Can improve.
  • the embodiment may provide a warm-white and cool-white integrated light emitting module, a camera module, and a terminal including the same, which can implement emotional lighting in a camera flash technology area.
  • the embodiment can provide a light emitting module having a high reliability, a camera module and a terminal including the same according to a high heat dissipation effect during the flash operation in the light emitting module.
  • the embodiment can provide a light emitting module, a camera module, and a terminal including the same, which can achieve a uniform light distribution due to high alignment accuracy of the light emitting chip and the flash lens.
  • the embodiment can provide a light emitting module, a camera module, and a terminal including the same, which has a strong coupling relationship between the light emitting module and the frame, thereby improving mechanical reliability.
  • 17 is a plan view of a flash module 203 according to the third embodiment.
  • the light emitting module 100 of the third embodiment may include a first light emitting chip 121 and a second light emitting chip 122, and the frame 220 of the embodiment may include the light emitting module 100.
  • a predetermined recess R may be included outside the first light emitting chip 121 and the second light emitting chip 122 in a straight line I-I '.
  • the lens unit 230 includes a light diffusion unit 232 in which a predetermined pattern (see P1 and P2 of FIG. 19A) is disposed, and a lens support unit 234 disposed in contact with the outside of the light diffusion unit 232. can do.
  • the third embodiment can employ the technical features of the first and second embodiments.
  • the recesses R are disposed outside the straight line I-I 'passing through the first light emitting chip 121 and the second light emitting chip 122, thereby providing the first light emitting chip.
  • the second light emitting chip 122 or the second light emitting chip 122 may be identified.
  • each light emitting chip may be easily mounted.
  • the control of the operation of each light emitting chip may be easily performed, and the failure diagnosis may be easy.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 17 in the flash module 203 according to the third embodiment
  • FIG. 19A is an enlarged cross-sectional view of the lens unit 230 in the flash module according to the third embodiment
  • 19B is an enlarged view of a portion Q of the lens unit 230 in the flash module according to the third embodiment.
  • the flash module 200 of the third embodiment includes a light emitting module 100 including a first light emitting chip 121 and a second light emitting chip 122, a frame 220, and a lens unit 230. ) May be included.
  • the first light emitting chip 121 and the second light emitting chip 122 may be flip type light emitting chips, but embodiments are not limited thereto.
  • One of the technical problems of the embodiment is to provide a super slim light emitting module, a flash module, a camera module, and a terminal including the same while maintaining a wide angle.
  • one of the technical problems of the embodiment is to provide a flash module, a camera flash, and a terminal including the sharp end of the lens pattern.
  • one of the technical problems of the embodiment is to provide a flash module, a camera flash, and a terminal including the same, including a lens unit having high scratch resistance.
  • the lens unit 230 mounted to the flash module 203 according to the third exemplary embodiment includes a plurality of light diffusion patterns P1 and P2, and thus the first light emitting chip 121 and the first light emitting chip 121 may be formed.
  • a wide angle of view (FOV) may be realized by increasing light diffusion of light emitted from the second light emitting chip 122.
  • the first light diffusing pattern P1 and the second light diffusing pattern are correspondingly provided. It may include (P2), but is not limited thereto. In the case of four light emitting chips, four light diffusion patterns may be provided.
  • the first light diffusion pattern P1 may include a curvature pattern PR and an uneven pattern PC, but is not limited thereto.
  • the second light diffusion pattern P2 may also include a curvature pattern PR and an uneven pattern PC.
  • the field of view (FOV) of the flash module required by the industry requires a wide angle of about 120 ° or more as a dual camera is continuously developed, and even a uniform optical table at the wide angle.
  • the property must also be implemented at the same time.
  • the field of view (FOV) of the camera flash can be implemented up to 120 °, and even up to 135 °.
  • the centers of the light diffusion patterns P1 and P2 may coincide with the centers of the light emitting chips 121 and 122 in the top view of the lens unit 230.
  • the direct angle characteristic of the light emitted from the light emitting chip is controlled by controlling the alignment tolerances of the light diffusion patterns P1 and P2 of the lens unit 230 and the light emitting chips 121 and 122 to about 25 ⁇ m or less. As the concordance between the light diffusion pattern and the lens unit is remarkably improved, uniform light distribution can be obtained by realizing a wide angle of view (FOV) and improving light distribution characteristics.
  • FOV wide angle of view
  • an exemplary embodiment may provide an alignment tolerance between the centers of the curvature patterns PR of the first and second light diffusion patterns P1 and P2 of the light diffusion unit 232 and the light emitting chips 121 and 122.
  • the concordance between the directivity angle characteristic of the light emitted from the light emitting chip and the light diffusion pattern of the lens part is remarkably improved, thereby achieving a wide angle of view (FOV) and a uniform light distribution.
  • FOV wide angle of view
  • the lens unit 230 includes a light diffusion unit 232 in which predetermined light diffusion patterns P1 and P2 are disposed, and a lens support unit 234 on the outside of the light diffusion unit 232. ) May be included.
  • the first light diffusion pattern P1 may include a curvature pattern PR and an uneven pattern PC
  • the second light diffusion pattern P2 may also have a curvature pattern ( PR) and the uneven pattern PC may be included.
  • the curvature or radius of the curvature pattern PR may be about 0.3 mm or less.
  • the curvature or radius of the curvature pattern PR may be about 0.0001 mm to 0.3 mm. If the curvature or radius of the curvature pattern (PR) exceeds 0.3mm, there is a problem that the light collecting characteristics may be bad, the light distribution may be rough, or may appear rough in appearance.
  • curvature or radius of the curvature pattern PR is controlled to about 0.3 mm or less, screening is possible so that the light emitting chip inside the frame 220 of the camera flash is not visible, and the emotional characteristics are also designed.
  • the implementation of can have a possible technical effect.
  • the curvature or radius of the curvature pattern PR may be about 0.2 mm or less. Can be controlled.
  • the curvature or radius of the curvature pattern PR may be controlled to about 0.0001 mm to 0.2 mm to realize uniform light distribution and excellent condensing characteristics.
  • the height of the curvature patterns PR of the first and second light diffusion patterns P1 and P2 may be about 0.3 mm or less.
  • the height of the curvature pattern PR may be about 0.0001 mm to 0.3 mm.
  • the light condensing property may be bad.
  • the height of the curvature pattern PR is controlled to about 0.3 mm or less, for example, 0.2 mm or less, excellent condensing properties and uniform light distribution can be realized.
  • the light diffusion part 232 may include a glass material, and the support part 234 may be a plastic material.
  • the light diffusion part 232 may be formed of sapphire, and the support part 234 may be made of an acrylic plastic material, and examples thereof include, but are not limited to, polymethyl methacrylate (PMMA). .
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • the height H of the uneven pattern PC in the light diffusion patterns P1 and P2 in the lens unit 230 may be about 0.1 mm to 0.2 mm.
  • the height H of the uneven pattern PC may be precisely controlled to about 0.1 mm to 0.2 mm by etching. Through this, the embodiment can significantly reduce the thickness T2 of the lens unit, thereby providing a super slim flash module.
  • the embodiment can provide a flash module, a camera module, and a terminal including the same, having a super slim lens unit having a thickness of about 0.1 mm to 0.2 mm while maintaining a wide angle.
  • the pitch P of the uneven pattern PC in the light diffusion patterns P1 and P2 of the lens unit 230 may be precisely controlled to be about 0.1 mm to 0.2 mm.
  • the end of the pattern is very sharp, so the round shape does not occur.
  • PC pitch pointed concave-convex pattern
  • the outer surface of the light diffusion part 232 which is a lens part exposed to the outside, is formed of a glass material, a lens part having high resistance to scratches that may occur during processing or use may be provided.
  • a flash module, a camera module, and a terminal including the same can be provided.
  • the thickness of the flash module including the lens unit is about 2.5 mm or more, and it is difficult to reduce the thickness to less than that. This is because in the prior art, after the SMT operation of the light emitting module on the package substrate, the lens was attached to the camera cover case, thereby limiting the thickness of the camera flash module.
  • the lens part was formed into an injection structure on the frame so that the thickness of the camera flash module as slim as possible was about 1.4 mm in the internal technical limit.
  • the flash module 200 may surpass such technical limitations to super slim the thickness T of the flash module to a thickness of about 1 mm or less.
  • the thickness of the flash module 200 according to the embodiment may be such that the thickness T of the frame may be innovatively slimmed.
  • the thickness T of the flash module could be reduced to about 0.85 mm or less.
  • the embodiment may be ultra slim even if the thickness T of the flash module is about 0.65 mm or less. This may be possible by making the thickness T2 of the lens portion described above ultra thin.
  • the thickness T2 of the lens unit 230 may be controlled to be about 1/3 or less of the thickness T3 of the frame 220.
  • the thickness T2 of the lens unit 230 may be controlled to about 0.20 mm or less.
  • the thickness T2 of the lens unit 230 may be controlled to about 0.10 mm or less.
  • the thickness T1 of the light emitting module 100 may be controlled to a thickness of about 1/3 or less of the thickness of the frame 220.
  • the thickness T1 of the light emitting module may be innovatively reduced.
  • the thickness T1 of the light emitting module 100 may be controlled to about 0.30 mm or less.
  • the thickness T1 of the light emitting module 100 may be controlled to be ultra slim up to about 0.25 mm or less.
  • the embodiment can provide a super slim light emitting module, a camera module, and a terminal including the same while maintaining a wide angle of view.
  • the light emitting module 100 and the lens unit 230 may be spaced apart by a predetermined distance D1.
  • the optical gap D1 between the first light emitting chip 121, the second light emitting chip 122, and the lens unit 230 may be precisely controlled to achieve a slim view with a wide angle of view.
  • Flash modules can be implemented.
  • the optical gap D1 between the first light emitting chip 121, the second light emitting chip 122, and the lens unit 230 is precisely controlled to about 0.2 to 0.5 mm.
  • a slim flash module can be realized.
  • the height of the upper surface of the lens unit 230 may be equal to or less than the height of the upper surface of the frame 220. Accordingly, the thickness of the flash module 200 does not increase by the lens unit 230 in the entire thickness of the flash module 200, thereby making it possible to implement a very slim flash module.
  • 20 is a cross-sectional view of a light emitting module in the flash module according to the third embodiment.
  • the horizontal width of the phosphor layer is larger than the horizontal width of the epi semiconductor layer of the light emitting chip, so that the light emitted from the light emitting chip emits light through the phosphor layer, thereby enabling uniform white light emission. It is not limited.
  • the horizontal width of the epi semiconductor layer of the light emitting chip may be equal to the horizontal width of the phosphor layer.
  • the horizontal width W2 of the first phosphor layer 121d of the first light emitting chip 121 is greater than the horizontal width W1 of the first semiconductor layer 121a of the first light emitting chip 121. Since the light emitted from the light emitting chip is partially formed to pass through the opaque molding part 132, the light emitting chip may emit light through the phosphor layer, thereby enabling uniform white light emission.
  • the horizontal width W2 of the first phosphor layer 121d is about 10% to 40% of the horizontal width W1 of the first semiconductor layer 121a of the first light emitting chip 121. As large as the range is formed, even white light emitted from the light emitting chip may be emitted through the phosphor layer even though some light passes through the opaque molding part 132.
  • the first phosphor layer 121d may protrude to both outer surfaces of the first semiconductor layer 121a of the first light emitting chip 121, that is, the first outer surface and the second outer surface.
  • the distance D2 of the first phosphor layer 121d protruding from the first outer surface of the first semiconductor layer 121a of the first light emitting chip 121 is the first semiconductor layer of the first light emitting chip 121.
  • the distance of the first phosphor layer 121d protruding from the second outer surface opposite to the first outer surface may also be in the range of about 5% to 20% relative to the horizontal width W1 of 121a. It may be in a range of about 5% to 20% of the horizontal width W1 of the first semiconductor layer 121a of 121.
  • the distance D2 of the first phosphor layer 121d protruding to the first outer surface of the first semiconductor layer 121a of the first light emitting chip 121 is the first light emitting chip 121.
  • a portion of the light emitted from the first light emitting chip 121 may be emitted to the outside without passing through the phosphor layer.
  • the distance D2 of the first phosphor layer 121d protruding from the first outer surface of the first semiconductor layer 121a of the first light emitting chip 121 is the first of the first light emitting chip 121. If the semiconductor layer 121a is larger than 10% of the horizontal width W1, the size of the light emitting chip may be unnecessarily large.
  • FIG. 21 is an enlarged cross-sectional view of the second lens unit 231 in the flash module according to the fourth embodiment.
  • the second light diffusing part 232 of the second lens part 231 includes a pattern part 232b in which the light diffusing patterns P1 and P2 are disposed, and the light emitting chip 121,
  • the light emitting unit 232a may emit light emitted from the light 122.
  • the first light diffusion pattern P1 may include a curvature pattern PR and an uneven pattern PC, but is not limited thereto.
  • the second light diffusion pattern P2 may also include a curvature pattern PR and an uneven pattern PC.
  • the curvature or radius of the curvature pattern PR may be about 0.3 mm or less.
  • the curvature or radius of the curvature pattern PR may be about 0.0001 mm to 0.3 mm. If the curvature or radius of the curvature pattern (PR) exceeds 0.3mm, there is a problem that the light collecting characteristics may be bad, the light distribution may be rough, or may appear rough in appearance.
  • curvature or radius of the curvature pattern PR is controlled to about 0.3 mm or less, screening is possible so that the light emitting chip inside the frame 220 of the camera flash is not visible, and the emotional characteristics are also designed.
  • the implementation of can have a possible technical effect.
  • the curvature or radius of the curvature pattern PR may be about 0.2 mm or less. Can be controlled.
  • the curvature or radius of the curvature pattern PR may be controlled to about 0.0001 mm to 0.2 mm to realize uniform light distribution and excellent condensing characteristics.
  • the height of the curvature patterns PR of the first and second light diffusion patterns P1 and P2 may be about 0.3 mm or less.
  • the height of the curvature pattern PR may be about 0.0001 mm to 0.3 mm.
  • the light condensing property may be bad.
  • the height of the curvature pattern PR when the height of the curvature pattern PR is controlled to about 0.3 mm or less, for example, 0.2 mm or less, excellent condensing properties and uniform light distribution can be realized.
  • the centers of the light diffusion patterns P1 and P2 and the centers of the light emitting chips 121 and 122 may coincide with each other in the top view of the lens unit 230.
  • the embodiment emits light from the light emitting chip by controlling the alignment tolerance between the first and second light diffusion patterns P1 and P2 of the lens unit 230 and the light emitting chips 121 and 122 to about 25 ⁇ m or less.
  • a wider field of view (FOV) can be realized and a uniform light distribution can be obtained.
  • an alignment tolerance between the centers of the curvature patterns PR of the first and second light diffusion patterns P1 and P2 of the lens unit 232 and the light emitting chips 121 and 122 may be approximately 25 ⁇ m.
  • the light output part 232a may include a glass material
  • the pattern part 232b may be a plastic material.
  • the light output part 232a may be formed of sapphire
  • the pattern part 232b may be an acrylic plastic material, and an example thereof may include polymethyl methacrylate (PMMA), but is not limited thereto. no.
  • the pattern portion 232b may be formed by an imprinting process of a pattern transfer method by a thermal process or UV irradiation, but is not limited thereto.
  • the pattern part 232b is imprinted so that a distortion of the pattern does not occur and the light diffusion pattern is patterned. Can be maintained.
  • the lens portion having high resistance to scratches that may occur during the process or during use may be used.
  • a flash module, a camera module, and a terminal including the same.
  • the embodiment may provide a flash module having a super slim technical effect while maintaining a wide angle, a camera module, and a terminal including the same.
  • the embodiment may provide a flash module, a camera module, and a terminal including the same, in which a sharp end portion of the pattern of the lens is a technical feature.
  • the embodiment may provide a flash module, a camera module, and a terminal including the same, including a lens unit having high scratch resistance.
  • the embodiment also includes a light emitting module, a flash module, a camera module, and the like, which have a technical effect of enabling warm-white and cool-white integration of emotional lighting in a camera flash technology area.
  • a terminal can be provided.
  • the embodiment may provide a light emitting module, a flash module, a camera module, and a terminal including the same, having a technical effect having excellent reliability according to a high heat dissipation effect during flash operation in the light emitting module.
  • the embodiment may provide a light emitting module, a flash module, a camera module, and a terminal including the same, having a technical effect of achieving a uniform light distribution due to high alignment accuracy of the light emitting chip and the flash lens.
  • the embodiment can provide a light emitting module, a flash module, a camera module, and a terminal including the same having a technical effect of improving the mechanical reliability due to the strong coupling relationship between the light emitting module and the frame.
  • the flash module according to the embodiment may be employed in a terminal.
  • the terminal may include a mobile phone, a smartphone, a tablet PC, a notebook computer, a personal digital assistant (PDA), and the like, but is not limited thereto.
  • PDA personal digital assistant

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Stroboscope Apparatuses (AREA)

Abstract

실시예는 발광 모듈, 플래시 모듈 및 이를 포함하는 단말기이다. 실시예에 따른 발광 모듈은 반도체층, 상기 반도체층의 일면에 배치된 형광체층, 및 상기 반도체층의 일면과 마주보는 면에 배치된 복수의 전극을 포함하는 복수의 발광 칩; 상기 복수의 발광 칩의 일측에 배치된 제1 격벽, 상기 제1 격벽과 마주보도록 상기 상기 복수의 발광 칩의 타측에 배치된 제2 격벽; 및 상기 형광체층의 상면과 상기 복수의 전극의 저면이 외부로 노출되도록 상기 복수의 발광 칩을 에워싸며 상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽 내측에 배치되는 불투명 몰딩부;를 포함할 수 있다. 실시예에 따른 발광 모듈은 반도체층, 상기 반도체층의 일면에 배치된 형광체층, 및 상기 반도체층의 일면과 마주보는 면에 배치된 복수의 전극을 포함하는 복수의 발광 칩; 및 상기 형광체층의 상면과 상기 복수의 전극의 저면이 외부로 노출되도록 상기 복수의 발광 칩을 에워싸는 불투명 몰딩부를 포함할 수 있다.

Description

발광 모듈, 플래시 모듈 및 이를 포함하는 단말기
실시예는 발광 모듈, 카메라 플래시 및 이를 포함하는 단말기에 관한 것이다.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.
특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다.
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용할 수 있다.
따라서, 광통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 Gas나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.
최근에는 카메라 기능이 함께 제공되는 휴대용 단말기가 늘고 있다. 이와 같은 휴대용 단말기에는 카메라 촬영시 필요로 하는 광량을 제공하기 위해 카메라 플래시(camera flash)가 내장되고 있다. 이와 관련하여 카메라 플래시의 광원으로서 발광 모듈이 채용되고 있다. 이러한 발광 모듈로는 반도체 소자, 예를 들어 백색 LED(Light Emitting Diode: 발광 다이오드)의 사용이 증가하고 있다.
한편, 최근 휴대용 단말기, 예를 들어 휴대폰의 카메라가 광각과 일반각의 카메라인 듀얼(Dual) 카메라로 전환되는 기술발전이 있으며, 이러한 휴대폰 카메라의 기술적 발전의 추세에 대응하기 위해, 카메라 플래시(Flash)도 카메라 화각(FOV: field of view)에 대응하도록 광각 구현이 매우 필요한 상황이다. 반면, 종래기술에 의하면, 카메라 플래시(Flash)의 화각(FOV)은 90° 이상으로 구현하기 어려운 점이 있었다.
그런데, 이러한 광각의 화각을 요구하는 업계의 요구와 함께 휴대용 단말기의 슬림화(slim)와 트렌드는 지속화되고 있는데, 종래 카메라 플래시 모듈은 플래시 렌즈가 일정 이상의 두께를 유지해야 장착, 결합될 수 있는 상태라서 광각을 유지하면서 동시에 슬림화(slim) 트렌드 요구에 만족시키지 못하는 문제가 있다.
또한 종래기술에 의하면, 카메라 플래시의 렌즈는 금형을 이용하여 사출됨에 따라 렌즈의 패턴(Pattern)의 끝 부분에 라운드가 형성될 수 밖에 없는데, 이러한 라운드 형성은 렌즈부 하단의 내부 제품에 대한 스크리닝(Screening)의 한계와 광학 설계의 자유도가 제약되는 문제가 있다.
또한 종래기술에 의하면, 카메라 플래시의 렌즈의 스크래치(scratch) 취약성의 이슈가 있다. 예를 들어, 종래기술의 카메라 플래시에서 외측으로 노출되는 렌즈부의 재질이 플라스틱 재질로 형성됨에 따라 제작 또는 사용 중의 스크래치에 취약한 문제가 있다.
또한 종래기술의 카메라 플래시의 발광모듈에서 플래시 작동시 높은 발열에 따른 신뢰성 저하의 문제가 있다.
또한 종래기술에 의하면 설사 광각의 구현한다고 하더라도 카메라 촬상영역에 균일한 광의 분포를 구현해야 하는 점이 중요한데, 광각의 구현하기도 어려울뿐더러 광각이 될수록 균일한 광 분포를 구현하지 못하는 기술적 모순의 문제에 직면해 있다.
특히, 종래 조명기술에서는 웜-화이트(warm-white)와 쿨-화이트(cool-white) 발광 모듈을 이용한 다양한 감성조명이 요구되고 있는데, 카메라 플래시 기술영역에서는 아직 이러한 감성조명을 고려한 방안을 제시하지 못하고 있다.
또한 종래기술에 의하면 발광모듈 패키지를 SMT(Surface Mounting Technology) 진행하고, 플래시 렌즈를 별도의 단말기 커버에 부착하는 공정이 진행됨에 따라, SMT공차와 렌즈 부착시 공차 등이 가중됨에 따라 발광모듈의 발광 칩과 플래시 렌즈의 얼라인 정확도가 낮아져서 균일한 광 분포를 구현하지 못하는 문제가 있다.
또한 종래기술의 카메라 플래시에 의하면, 발광 모듈과 프레임간의 결합관계가 견고하지 못해 기계적 신뢰성이 저하되는 문제가 있다.
실시예의 기술적 과제 중의 하나는, 광각을 유지하면서 슬림한(slim) 플래시 모듈, 카메라 플래시 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함이다.
또한 실시예의 기술적 과제 중의 하나는, 렌즈의 패턴의 끝 부분이 샤프한 플래시 모듈, 카메라 플래시 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함이다.
또한 실시예의 기술적 과제 중의 하나는, 스크래치(scratch) 저항성이 높은 렌즈부를 구비한 플래시 모듈, 카메라 플래시 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함이다.
또한 실시예의 기술적 과제중의 하나는 카메라 플래시 기술영역에서는 감성조명 구현이 가능한 웜-화이트(warm-white)와 쿨-화이트(cool-white) 일체형의 발광 모듈, 플래시 모듈, 카메라 플래시 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함이다.
또한 실시예의 기술적 과제 중의 하나는 발광모듈에서 플래시 작동시 높은 방열효과에 따라 신뢰성이 우수한 발광 모듈, 플래시 모듈, 카메라 플래시 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함이다.
또한 실시예의 기술적 과제 중의 하나는, 발광 칩과 플래시 렌즈의 얼라인 정확도가 높아 균일한 광 분포를 구현할 수 있는 발광 모듈, 플래시 모듈, 카메라 플래시 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함이다.
또한 실시예의 기술적 과제 중의 하나는, 발광 모듈과 프레임간의 결합관계가 견고하여 기계적 신뢰성이 향상된 발광 모듈, 플래시 모듈, 카메라 플래시 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함이다.
실시예에 따른 발광 모듈은 반도체층, 상기 반도체층의 일면에 배치된 형광체층, 및 상기 반도체층의 일면과 마주보는 면에 배치된 복수의 전극을 포함하는 복수의 발광 칩; 상기 복수의 발광 칩의 일측에 배치된 제1 격벽, 상기 제1 격벽과 마주보도록 상기 상기 복수의 발광 칩의 타측에 배치된 제2 격벽; 및 상기 형광체층의 상면과 상기 복수의 전극의 저면이 외부로 노출되도록 상기 복수의 발광 칩을 에워싸며 상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽 내측에 배치되는 불투명 몰딩부;를 포함할 수 있다.
실시예에서 상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽은 상기 복수의 발광 칩을 둘러싸며,
상기 복수의 발광 칩은, 색온도(CCT)가 서로 다른 제1 발광 칩과 제2 발광 칩을 포함할 수 있다.
실시예에서 상기 제1 발광 칩은, 제1 반도체층 상면에 배치된 제1 형광체층과, 상기 제1 반도체층 저면에 배치된 제1 n형 전극과 제1 p형 전극;을 포함하며, 상기 제1 n형 전극과 상기 제1 p형 전극의 각각의 저면 중 적어도 일부가 상기 불투명 몰딩부의 저면으로 노출될 수 있다.
실시예에 따른 발광 모듈은 색온도(CCT)가 서로 다르며 이격 배치된 제1 발광 칩, 제2 발광 칩; 및 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩의 측면을 감싸는 불투명 몰딩부를 포함할 수 있다. 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩은 플립형 발광 칩이며, 상기 제1 발광 칩의 전극 또는 상기 제2 발광 칩의 전극이 상기 불투명 몰딩부의 저면으로 노출될 수 있다.
상기 제1 발광 칩은, 제1 반도체층 상면에 배치된 제1 형광체층과, 상기 제1 반도체층 저면에 배치된 제1 n형 전극과 제1 p형 전극;을 포함하며, 상기 제1 n형 전극과 상기 제1 p형 전극의 각각의 저면 중 적어도 일부가 상기 불투명 몰딩부의 저면으로 노출될 수 있다.
실시예는 이격된 제1 격벽과 제2 격벽을 더 포함하고, 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩은 상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽 사이에 배치될 수 있다.
또한 상기 제2 발광 칩은, 제2 반도체층 상면에 배치된 제2 형광체층과, 상기 제2 반도체층 저면에 배치된 제2 n형 전극과 제2 p형 전극;을 포함할 수 있다. 상기 제1 발광 칩의 제1 형광체층의 형광체 함량과 상기 제2 발광 칩의 제2 형광체층의 함량이 서로 다를 수 있다.
또한 상기 제2 발광 칩은, 상기 제2 n형 전극과 제2 반도체층 내의 소정의 n형 반도체층을 전기적으로 연결하는 n형 패드전극; 및 상기 제2 p형 전극 상에 배치된 p형 패드전극;을 포함할 수 있다.
또한 실시예는 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩 상면에 확산층을 더 포함할 수 있다.
또한 상기 확산층은 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩 상면에 배치되며, 상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽 상에 배치되지 않을 수 있다.
실시예에 따른 플래시 모듈은 반도체층, 상기 반도체층의 일면에 배치된 형광체층, 및 상기 반도체층의 일면과 마주보는 면에 배치된 복수의 전극을 포함하는 복수의 발광 칩과, 상기 형광체층의 상면과 상기 복수의 전극의 저면이 외부로 노출되도록 상기 복수의 발광 칩을 에워싸는 불투명 몰딩부를 포함하는 발광 모듈; 상기 발광 모듈 상에 배치되는 프레임; 및 상기 프레임 상에 배치되는 렌즈부를 포함할 수 있다.
상기 발광 모듈은, 이격된 제1 격벽과 제2 격벽과, 상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽 사이에 배치된 상기 플립형 제1 발광 칩과 상기 플립형 제2 발광 칩을 포함할 수 있다. 상기 플립형 제1 발광 칩과 상기 플립형 제2 발광 칩은 색온도(CCT)가 서로 다를 수 있다.
실시예에 따른 플래시 모듈은 이격된 제1 격벽과 제2 격벽과, 상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽 사이에 배치된 제1 발광 칩과 제2 발광 칩과, 상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽 사이에 배치된 불투명 몰딩부를 포함하는 발광 모듈;과, 상기 발광 모듈 상에 배치되는 프레임과, 상기 프레임 상에 배치되는 렌즈부;를 포함할 수 있다. 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩은 플립형 발광 칩일 수 있다. 상기 플립형 제1 발광 칩 또는 상기 플립형 제2 발광 칩 중 일부가 상기 불투명 몰딩부의 저면으로 노출될 수 있다.
또한 상기 플립형 제1 발광 칩은, 제1 반도체층 상면에 배치된 제1 형광체층과, 상기 제1 반도체층 저면에 배치된 제1 n형 전극과 제1 p형 전극;을 포함할 수 있다. 또한 상기 제1 n형 전극과 상기 제1 p형 전극의 각각의 저면 중 적어도 일부가 상기 불투명 몰딩부의 저면으로 노출될 수 있다.
또한 상기 프레임은, 단면이 상호 이격된 제1 프레임과 제2 프레임을 포함하고, 상기 발광 모듈은 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이에 배치될 수 있다.
또한 상기 제1 프레임은, 제1 지지부와 상기 제1 지지부 상에 배치된 제1 내측 돌출부를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임은, 제2 지지부와 상기 제2 지지부 상에 배치된 제2 내측 돌출부를 포함할 수 있다. 상기 발광 모듈의 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽은 상기 제1 지지부의 내측면 및 상기 제2 지지부의 내측면과 접할 수 있다.
또한 상기 발광 모듈의 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽은, 상기 제1 내측 돌출부의 저면 및 상기 제2 내측 돌출부의 저면과 접할 수 있다.
또한 상기 제1 프레임은, 상기 제1 내측 돌출부 상에 배치된 제3 내측 돌출부와 상기 제3 내측 돌출부 상에 배치된 제1 외측 돌출부를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임은, 상기 제2 내측 돌출부 상에 배치된 제4 내측 돌출부와 상기 제4 내측 돌출부 상에 배치된 제2 외측 돌출부를 포함할 수 있다. 상기 렌즈부는, 상기 제3 내측 돌출부 및 상기 제4 내측 돌출부와 접할 수 있다.
또한 상기 렌즈부의 상면의 높이는 상기 프레임의 상면의 높이와 동일할 수 있다.
또한 상기 프레임은, 상기 플립형 제1 발광 칩과 상기 플립형 제2 발광 칩을 지나는 직선 방향의 외측에 소정의 리세스를 포함할 수 있다.
또한 실시예는 상기 플립형 제1 발광 칩과 상기 플립형 제2 발광 칩 상면에 확산층(134)을 더 포함할 수 있다.
또한 상기 확산층은, 상기 플립형 제1 발광 칩과 상기 플립형 제2 발광 칩 상면에 배치되며, 상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽 상에 배치되지 않을 수 있다.
실시예에 따른 플래시 모듈은 반도체층, 상기 반도체층의 일면에 배치된 형광체층, 및 상기 반도체층의 일면과 마주보는 면에 배치된 복수의 전극을 포함하는 복수의 발광 칩과, 상기 복수의 전극의 저면이 외부로 노출되도록 상기 복수의 발광 칩을 에워싸는 몰딩부를 포함하는 발광 모듈; 상기 발광 모듈 상에 배치되는 프레임; 및
상기 프레임 상에 배치되는 렌즈부;를 포함할 수 있다.
상기 렌즈부는, 소정의 패턴이 배치된 광 확산부와, 상기 광 확산부의 외측에 접하여 배치된 렌즈 지지부를 포함할 수 있다. 상기 광 확산부는 글래스 재질을 포함할 수 있다.
상기 렌즈부의 광 확산부는, 상기 패턴이 배치되는 패턴부와, 상기 발광 칩에서 발광된 빛의 출사되는 광 출사부를 포함할 수 있다.
상기 광 출사부는, 상기 글래스 재질을 포함할 수 있다.
상기 몰딩부는, 불투명 몰딩부를 포함할 수 있다.
상기 발광 모듈은, 이격된 제1 격벽과 제2 격벽과, 상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽 사이에 배치된 상기 플립형 제1 발광 칩과 상기 플립형 제2 발광 칩을 포함할 수 있다. 상기 플립형 제1 발광 칩과 상기 플립형 제2 발광 칩은 색온도(CCT)가 서로 다를 수 있다.
또한 상기 플립형 제1 발광 칩은, 제1 반도체층 상면에 배치된 제1 형광체층과, 상기 제1 반도체층 저면에 배치된 제1 n형 전극과 제1 p형 전극;을 포함할 수 있다. 상기 제1 n형 전극과 상기 제1 p형 전극의 각각의 저면 중 적어도 일부가 상기 불투명 몰딩부의 저면으로 노출될 수 있다.
또한 상기 프레임은, 단면이 상호 이격된 제1 프레임과 제2 프레임을 포함하고, 상기 발광 모듈은 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이에 배치될 수 있다.
또한 상기 제1 프레임은, 제1 지지부와 상기 제1 지지부 상에 배치된 제1 내측 돌출부를 포함할 수 있다.
또한 상기 제2 프레임은, 제2 지지부와 상기 제2 지지부 상에 배치된 제2 내측 돌출부를 포함할 수 있다.
또한 상기 발광 모듈의 상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽은 상기 제1 지지부의 내측면 및 상기 제2 지지부의 내측면과 접할 수 있다.
또한 상기 렌즈부의 상면의 높이는 상기 프레임의 상면의 높이와 동일할 수 있다.
실시예에 따른 플래시 모듈은 상기 발광 모듈을 포함할 수 있다.
실시예에 따른 단말기는 상기 플래시 모듈 또는 상기 발광 모듈을 포함할 수 있다.
실시예는 광각을 유지하면서 초 슬림한(super slim) 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
또한 실시예는 렌즈의 패턴의 끝 부분이 샤프한 기술적 특징이 있는 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
또한 실시예는 스크래치(scratch) 저항성이 높은 렌즈부를 구비한 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
또한 실시예는 카메라 플래시 기술영역에서는 감성조명 구현이 가능한 웜-화이트(warm-white)와 쿨-화이트(cool-white) 일체형의 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
또한 실시예는 발광모듈에서 플래시 작동시 높은 방열효과에 따라 신뢰성이 우수한 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다
또한 실시예는 발광 칩과 플래시 렌즈의 얼라인 정확도가 높아 균일한 광 분포를 구현할 수 있는 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
또한 실시예는 발광 모듈과 프레임간의 결합관계가 견고하여 기계적 신뢰성이 향상된 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
도 1은 제1 실시예에 따른 플래시 모듈의 사시도.
도 2는 제1 실시예에 따른 플래시 모듈의 분해 사시도.
도 3은 제1 실시예에 따른 플래시 모듈의 평면도.
도 4a는 제1 실시예에 따른 플래시 모듈의 단면도.
도 4b는 제1 실시예에 따른 플래시 모듈에서 렌즈부의 확대 단면도.
도 5는 제1 실시예에 따른 플래시 모듈에서 발광 모듈의 단면도.
도 6은 제1 실시예에 따른 플래시 모듈의 저면도.
도 7a는 제1 실시예에 따른 플래시 모듈의 저면도의 부분 확대도.
도 7b는 제1실시예에 따른 플래시 모듈의 부분 단면도.
도 8 내지 도 15는 제1 실시예에 따른 발광 모듈, 플래시 모듈의 제조공정 단면도.
도 16은 제2 실시예에 따른 플래시 모듈의 단면도.
도 17은 제3 실시예에 따른 플래시 모듈의 평면도.
도 18은 제3 실시예에 따른 플래시 모듈의 단면도.
도 19a는 제3 실시예에 따른 플래시 모듈에서 렌즈부의 확대 단면도.
도 19b는 제3 실시예에 따른 플래시 모듈에서 렌즈부의 부분 확대도.
도 20은 제3 실시예에 따른 플래시 모듈에서 발광 모듈의 단면도.
도 21은 제4 실시예에 따른 플래시 모듈에서 제2 렌즈부의 확대 단면도.
이하 상기의 과제를 해결하기 위한 구체적으로 실현할 수 있는 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
반도체 소자는 발광소자, 수광 소자 등 각종 전자 소자 포함할 수 있으며, 발광소자와 수광소자는 모두 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다. 실시예에 따른 반도체 소자는 발광소자일 수 있다. 발광소자는 전자와 정공이 재결합함으로써 빛을 방출하게 되고, 이 빛의 파장은 물질 고유의 에너지 밴드갭에 의해서 결정된다. 따라서, 방출되는 빛은 상기 물질의 조성에 따라 다를 수 있다.
실시예의 발광 칩은 플립형 발광 칩일 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
(제1 실시예)
도 1은 제1 실시예에 따른 플래시 모듈(200)의 사시도이며, 도 2는 제1 실시예에 따른 플래시 모듈(200)의 분해 사시도이다.
도 2를 참조하면, 제1 실시예에 따른 플래시 모듈(200)은 프레임(220)과, 발광 모듈(100)과 렌즈부(230)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 제1 실시예에 따른 플래시 모듈(200)은 발광 모듈(100)과, 상기 발광 모듈(100) 상에 배치되는 프레임(220)과, 상기 프레임 상에 배치되는 렌즈부(230)를 포함할 수 있다.
실시예는 광각을 유지하면서 초 슬림한(super slim) 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함을 기술적 해결과제 중으로 하나로 한다.
우선, 도 4a와 도 4b를 참조하여 광각을 유지할 수 있는 카메라 모듈에 대해 설명하기로 한다.
도 4a는 제1 실시예에 따른 플래시 모듈(200)의 단면도이며, 제1 실시예의 플래시 모듈(200)은 제1 발광 칩(121)과 제2 발광 칩(122)을 포함하는 발광 모듈(100)과, 프레임(220)과 렌즈부(230)를 포함할 수 있다. 실시예의 제1 발광 칩(121)과 제2 발광 칩(122)은 플립형 발광 칩일 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
도 4b는 제1 실시예에 따른 플래시 모듈에서 렌즈부(230)의 확대 단면도이다.
제1 실시예에 따른 플래시 모듈(200)에 장착되는 렌즈부(230)는 복수의 광 확산 패턴(P1, P2)을 포함함으로써 제1 발광 칩(121)과 제2 발광 칩(122)에서 발광 된 빛의 광 확산을 높여 광각의 화각(FOV)을 구현할 수 있다.
예를 들어, 발광 모듈에 제1 발광 칩(121)과 제2 발광 칩(122)과 같이 2개의 발광 칩이 구비된 경우, 이에 대응하여 제1 광 확산 패턴(P1), 제2 광 확산 패턴(P2)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 발광 칩이 4개인 경우, 광 확산 패턴은 4개로 구비될 수 있다.
현재 광각 카메라기술에 따라, 업계에서 요구되는 플래시 모듈의 화각(FOV)은 듀얼 카메라(Dual Camera)가 지속 개발됨에 따라 약 120° 이상의 광각을 지속 요구하는 상황이며, 나아가 광각에서의 균일한 광분표 특성도 동시에 구현해야 한다.
실시예에 의하면, 카메라 플래시의 화각(FOV)은 120°까지 구현 가능하며, 135° 까지도 구현이 가능하다.
또한 실시예에 의하면, 제1 발광 칩(121)과 제2 발광 칩(122)에서 나오는 광(Ray)의 분포와 렌즈부(230)의 광 확산 패턴의 일치도가 높을수록 광 각의 화각(FOV)을 구현함과 동시에 균일한 광 분포를 얻을 수 있는 기술적 효과가 있다.
예를 들어, 실시예에서 렌즈부(230)의 탑뷰(top view)에서 각 광 확산 패턴의 중심과 각 발광 칩의 센터가 일치될 수 있다. 예를 들어, 실시예는 렌즈부(230)의 광 확산 패턴과 발광 칩의 얼라인 공차를 약 25㎛ 이하로 제어함으로써 발광 칩에서 발광되는 광의 지향각 특성과 렌즈부의 광 확산패턴의 일치성을 현저히 향상시킴에 따라 광각의 화각(FOV) 구현과 더불어 배광특성을 향상시켜 균일한 광 분포를 얻을 수 있다.
다음으로, 도 4a를 참조하여, 초 슬림한(super slim) 발광 모듈, 카메라 모듈에 대한 기술적 해결수단을 설명하기로 한다.
종래기술에서 렌즈부를 포함한 플래시 모듈의 두께는 약 2.5 mm 이상이며, 그 이하로 두께를 줄이기 어려운 점이 있었다. 이는 종래기술에서 발광모듈을 패키지 기판에 SMT 작업 후, 렌즈를 별도로 카메라 커버 케이스(Cover Case)에 붙임에 따라 카메라 플래시 모듈의 두께를 슬림화하는데 한계가 있었기 때문이다.
나아가 이건 출원인의 최근 미공개 내부 기술에 따라 렌즈부를 프레임에 사출 구조로 형성하여 카메라 플래시 모듈의 두께를 최대한 슬림화하여도 약 1.4mm 수준이 내부 기술적 한계인 상태였다.
실시예에 따른 플래시 모듈(200)은 이러한 기술적 한계를 비약적으로 넘어서 플래시 모듈의 두께(T)를 약 1mm 이하의 두께로 초 슬림화(super slim)할 있다. 이는 플래시 모듈(200)에서 발광 모듈의 두께(T1)를 혁신적으로 줄임과 아울러, 프레임(220) 내측에 발광 모듈(100)이 배치되도록 하고, 프레임(220) 상측 내부에 렌즈부(230)가 배치되도록 함으로써 달성할 수 있다.
즉, 실시예에 따른 플래시 모듈(200)의 두께는 프레임의 두께(T3)가 되도록 하여 플래시 모듈의 두께(T)를 혁신적으로 슬림화할 수 있다. 예를 들어, 플래시 모듈의 두께(T)를 약 0.85 mm이하로 줄일 수 있었다. 또한, 실시예는 플래시 모듈의 두께(T)를 약 0.65 mm이하까지도 극초 슬림화(ultra slim)할 수 있다.
실시예에서 렌즈부(230)의 두께(T2)는 프레임(220)의 두께(T3)의 약 1/3 이하의 두께로 제어할 수 있다. 예를 들어, 렌즈부(230)의 두께(T2)는 약 0.30mm 이하로 제어할 수 있다. 실시예는 상기 렌즈부(230)의 두께(T2)를 약 0.20mm 이하까지 제어할 수 있다.
또한 실시예에서 발광 모듈(100)의 두께(T1)는 프레임(220)의 두께의 약 1/3 이하의 두께로 제어할 수 있다. 특히 실시예에서 발광 모듈(100)은 이후 설명하는 바와 같이, 발광 모듈(100) 자체에 회로기판이 없는 상태로 형성이 가능하므로 발광 모듈의 두께(T1)를 혁신적으로 줄일 수 있다. 예를 들어, 발광 모듈(100)의 두께(T1)는 약 0.30mm 이하로 제어할 수 있다. 실시예는 상기 발광 모듈(100)의 두께(T1)를 약 0.25mm 이하까지 초 슬림하게 제어할 수 있다.
이를 통해, 실시예는 광각의 화각을 유지하면서도 초 슬림한(super slim) 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 도 3은 제1 실시예에 따른 플래시 모듈(200)의 평면도이다. 도 3을 참조하면, 제1 실시예에서 프레임(220)은 발광 모듈(100)의 제1 발광 칩(121)과 제2 발광 칩(122)을 지나는 직선 방향(I-I')의 외측에 소정의 리세스(R)를 포함할 수 있다.
후술되나, 실시예의 발광 모듈(100)에서 상기 제1 발광 칩(121)은 웜-화이트(warm-white)를 발광할 수 있으며, 상기 제2 발광 칩(122)은 쿨-화이트(cool-white)를 발광할 수 있다.
이를 통해 실시예는 카메라 플래시 기술영역에서는 감성조명 구현이 가능한 웜-화이트(warm-white)와 쿨-화이트(cool-white) 일체형의 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
한편, 실시예에서 제1 발광 칩(121)과 제2 발광 칩(122)을 지나는 직선 방향(I-I')의 외측에 리세스(R)를 포함함으로써, 예를 들어 제2 발광 칩(122)에 인접한 측면에 리세스(R)를 구비함으로써 제1 발광 칩(121) 또는 제2 발광 칩(122)을 식별할 수 있으며, 이에 따라 웜-화이트(warm-white)와 쿨-화이트(cool-white) 일체형의 카메라 모듈에서, 각 발광 칩의 장착이 용이하고, 추후 카메라 모듈 사용시 각 발광 칩 작동의 제어가 용이할 수 있고, 혹시 고장 진단도 용이할 수 있다.
이하, 도 4a, 도 4b 및 도 5를 참조하여 제1 실시예에 따른 플래시 모듈(200)의 기술적 특징을 좀 더 상술하기로 한다.
도 4a를 참조하면, 제1 실시예의 플래시 모듈(200)은 발광 모듈(100) 상에 배치되는 프레임(220)과, 상기 프레임(220) 상에 배치되는 렌즈부(230)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 도 5를 참조하면, 제1 실시예의 플래시 모듈(200)에서 발광 모듈(100)은 단면이 이격된 제1 격벽(111)과 제2 격벽(112)과, 상기 제1 격벽(111)과 상기 제2 격벽(112) 사이에 배치된 제1 발광 칩(121)과 제2 발광 칩(122)과 및 상기 제1 격벽(111)과 상기 제2 격벽(112) 사이에 배치된 불투명 몰딩부(132)를 포함할 수 있다.
상기 제1 격벽(111)과 제2 격벽(112)은 금속물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 격벽(111)과 제2 격벽(112)은 구리(Cu), 알루미늄(Al) 등에서 채용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 격벽(111)과 제2 격벽(112)은 폴리이미드(Polyimide)와 같은 비금속물질로도 형성은 가능할 수 있다.
상기 제1 격벽(111)과 제2 격벽(112)은 실시예의 발광 모듈(100)이 발광 모듈 자체를 위한 별도의 회로기판 없이 제1 발광 칩(121), 제2 발광 칩(122)이 형성되고, 불투명 몰딩부(132)가 형성되기 위한 주요한 기능을 한다. 이러한 발광 모듈(100)을 형성하기 위해, 소정의 지지층(190)(도 8 참조) 상에 제1 격벽(111)과 제2 격벽(112)을 형성하고, 그 사이에 제1 발광 칩(121), 제2 발광 칩(122)을 배치하고, 불투명 몰딩부(132)를 주입한 후 상기 지지층(190)은 제거되어 발광 모듈(100)이 형성될 수 있으나, 이러한 제조방법이 한정되는 것은 아니다.
상기 불투명 몰딩부(132)는 화이트 몰드를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 불투명 몰딩부(132)는 실리콘(Silicone)에 산화물, 예를 들어 TiO2 등이 분산된 화이트 몰드 조성물일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에서 상기 불투명 몰딩부(132)에서는 제1 발광 칩(121)과 제2 발광 칩(122)에서 발광되는 빛의 혼색을 방지할 수 있고, 측면 발광되는 빛을 차단하여 형광체를 통해서 발광 되도록 함으로써 균일한 화이트 컬러를 구현할 수 있다.
실시예의 플래시 모듈(200)에서, 상기 제1 발광 칩(121) 또는 상기 제2 발광 칩(122) 중 일부가 상기 불투명 몰딩부(132)의 저면으로 노출될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 발광 칩(121)은, 제1 반도체층(121a)의 상면에 배치된 제1 형광체층(121d)과, 상기 제1 반도체층(121a) 저면에 배치된 제1 n형 전극(121b)과 제1 p형 전극(121c)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제1 n형 전극(121b)과 상기 제1 p형 전극(121c)의 각각의 저면 중 일부는 상기 불투명 몰딩부(132)의 저면으로 노출될 수 있다.
또한, 상기 제2 발광 칩(122)은, 제2 반도체층(122a) 상면에 배치된 제2 형광체층(122d)과, 상기 제2 반도체층(122a) 저면에 배치된 제2 n형 전극(122b)과 제2 p형 전극(122c)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제2 n형 전극(122b)과 상기 제2 p형 전극(122c)의 각각의 저면 중 일부는 상기 불투명 몰딩부(132)의 저면으로 노출될 수 있다.
상기 제1 반도체층(121a)과 상기 제2 반도체층(122a)은 반도체 화합물, 예를 들어 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제1 반도체층(121a)과 상기 제2 반도체층(122a)은 각각 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조층일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 반도체층이 n형 반도체층인 경우, n형 도펀트기 도핑될 수 있고, 상기 제2 도전형 반도체층이 p형 반도체층인 경우, p형 도펀트기 도핑될 수 있다.
종래기술에서 렌즈부를 포함한 플래시 모듈의 두께는 약 2.5 mm 이상이며, 그 이하로 두께를 줄이기 어려운 점이 있었다. 이는 종래기술에서 발광모듈을 패키지 기판에 SMT 작업 후, 렌즈를 별도로 카메라 커버 케이스(Cover Case)에 붙임에 따라 카메라 플래시 모듈의 두께를 슬림화하는데 한계가 있기 때문이다.
특히, 종래기술에서 발광 모듈은 발광 칩이 소정의 기판, 예를 들어 PCB에 SMT됨에 따라, 발광 모듈 자체의 두께를 줄이는데 한계가 있었다.
또한 종래기술에서 발광 모듈은 플래시 모듈의 프레임의 두께 외에 별도의 두께를 차지함에 따라 전체 플래시 모듈의 두께를 줄이는데 기술적 한계가 있었다.
그런데, 실시예에 따른 플래시 모듈(200)은 이러한 기술적 한계를 비약적으로 넘어서 플래시 모듈의 두께(T)를 약 1mm 이하의 두께로 슬림화할 있다. 이는 플래시 모듈(200)에서 발광 모듈(100)의 두께(T1)를 혁신적으로 줄임과 아울러, 프레임(220) 내측에 발광 모듈(100)이 배치되도록 하고, 프레임(220) 상측 내부에 렌즈부(230)가 배치되도록 함으로써 달성할 수 있다.
실시예에서 발광 모듈(100)의 두께(T1)는 프레임(220)의 두께(T3)의 약 1/3 이하의 두께로 제어할 수 있다. 특히 실시예에서 발광 모듈(100)은 발광 모듈(100) 자체에 회로기판이 없는 상태로 형성이 가능하므로 발광 모듈의 두께(T1)를 혁신적으로 줄일 수 있다. 예를 들어, 발광 모듈(100)의 두께(T1)는 약 0.30mm 이하로 제어할 수 있다. 실시예는 상기 발광 모듈(100)의 두께(T1)를 약 0.25mm 이하까지도 초 슬림하게 제어할 수 있다.
이를 통해, 실시예는 광각의 화각을 유지하면서도 매우 슬림한(slim) 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
또한, 실시예에서 상기 프레임(220)은, 단면이 상호 이격된 제1 프레임(220a)과 제2 프레임(220b)을 포함할 수 있다. 상기 프레임(220)은, 단면이 상호 이격된 제1 지지부(222a)와 제2 지지부(222b)를 포함할 수 있다.
상기 프레임(220)은 수지 계열의 절연 물질 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질 또는 세라믹 재질로 형성될 수 있다. 또한 상기 프레임(220)는 실리콘, 또는 에폭시 수지, 또는 플라스틱 재질을 포함하는 열 경화성 수지, 또는 고내열성, 고 내광성 재질로 형성될 수 있다. 상기의 실리콘은 백색 계열의 수지를 포함할 수 있다. 상기 프레임(220)은 W-EMC, W-Silicone, 폴리카보네이트(Polycarbonate) 등으로 형성될 수 있다.
이때, 상기 발광 모듈(100)은 상기 제1 프레임(220a)와 상기 제2 프레임(220b) 사이에 배치될 수 있다.
예를 들어, 발광 모듈(100)의 제1 격벽(111)과 제1 프레임(220a) 사이, 제2 격벽(112)과 제2 프레임(220b) 사이에 소정의 접착물질을 개채하여 상호간에 결합될 수 있다.
예를 들어, 발광 모듈(100)의 제1 격벽(111)과 제1 프레임(220a) 사이, 제2 격벽(112)과 제2 프레임(220b) 사이에 화이트 실리콘(White Silicone)이 도포되어 부착될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
이를 통해, 발광 모듈(100)이 프레임 내측에 배치됨에 따라 발광 모듈(100) 자체의 두께는 전체 플래시 모듈(200)의 두께 증가를 유발하지 않을 수 있다.
실시예에 따른 플래시 모듈(200)의 두께는 프레임(220)의 두께(T3)가 되도록 하여 플래시 모듈의 두께(T)를 혁신적으로 슬림화할 수 있다. 예를 들어, 플래시 모듈의 두께(T)를 약 0.85 mm이하로 줄일 수 있다. 또한, 플래시 모듈의 두께(T)를 약 0.65 mm이하까지도 줄일 수 있다. 물론, 프레임(220) 자체의 두께를 줄이는 경우, 플래시 모듈의 두께는 더욱 혁신적으로 줄일 수 있다.
또한, 실시예는 카메라 플래시 기술영역에서 감성조명을 고려한 일체형의 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함을 기술적 해결과제 중으로 하나로 한다.
다시 도 5를 참조하면, 상기 제1 발광 칩(121)은, 제1 반도체층(121a) 상면에 배치된 제1 형광체층(121d)과, 상기 제1 반도체층(121a) 저면에 배치된 제1 n형 전극(121b)과 제1 p형 전극(121c)을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 발광 칩(122)은, 제2 반도체층(122a) 상면에 배치된 제2 형광체층(122d)과, 상기 제2 반도체층(122a) 저면에 배치된 제2 n형 전극(122b)과 제2 p형 전극(122c)을 포함할 수 있다.
이때, 상기 제1 발광 칩(121)과 상기 제2 발광 칩(122)의 색온도(CCT)는 서로 다를 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 발광 칩(121)은 웜-화이트(warm-white)를 발광할 수 있으며, 상기 제2 발광 칩(122)은 쿨-화이트(cool-white)를 발광할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 발광 칩(121)은 약 3,000K 전후의 웜-화이트(warm-white)를 발광할 수 있으며, 상기 제2 발광 칩(122)은 약 5,000K 전후의 쿨-화이트(cool-white)를 발광할 수 있다.
예를 들어, 실시예의 제1 발광 칩(121)이 청색 발광 칩인 경우, 제1 형광체(121d)에서 형광체의 비율을 높임으로써 청색 광의 상대적 비율을 낮추어 웜-화이트를 구현할 수 있다. 또한, 실시예의 제2 발광 칩(122)이 청색 발광 칩인 경우, 제2 형광체(122d)에서 형광체의 비율을 낮춤으로써 청색 광의 상대적 비율을 높여서 쿨-화이트를 구현할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예는 카메라 플래시 기술영역에서는 웜-화이트(warm-white)와 쿨-화이트(cool-white) 발광을 통한 감성조명이 가능한 일체형의 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
실시예에서 제1 형광체(121d) 또는 제2 형광체(122d)는 황색 형광체일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 황색 형광체는 YAG 등일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 실시예에서 제1 형광체(121d) 또는 제2 형광체(122d)는 적색 형광체와 녹색 형광체의 복합 형광체일 수 있다. 예를 들어, 적색 형광체는 화합물계 형광체 예컨대, (Ca,Sr)S:Eu2+ 또는 질화물계 예컨대, CaAlSiN3:Eu2+ 형광체를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 녹색 형광체는 (Y,Gd,Lu,Tb)3(Al,Ga)5O12:Ce, (Mg,Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu, (Ca,Sr)3SiO5:Eu, (La,Ca)3Si6N11:Ce, α-SiAlON:Eu, β-SiAlON:Eu 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에서 발광 칩의 에피 반도체층의 수평 폭에 비해, 형광체층의 수평 폭이 더 크게 형성됨으로써 발광 칩에서 발광 된 빛이 형광체층을 통해 발광되도록 함으로써 균일한 화이트 발광이 가능할 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 발광 칩의 에피 반도체층의 수평 폭이 형광체층의 수평 폭과 같을 수도 있다.
실시예에서 제1 발광 칩(121)의 제1 반도체층(121a)의 수평 폭(W1)에 비해, 제1 발광 칩(121)의 제1 형광체층(121d)의 수평 폭(W2)이 더 크게 형성됨으로써 발광 칩에서 발광 된 빛이 불투명 몰딩부(132)를 일부 통과하더라도 형광체층을 통해 발광되도록 함으로써 균일한 화이트 발광이 가능할 수 있다.
예를 들어, 실시예에서 제1 형광체층(121d)의 수평 폭(W2)은 제1 발광 칩(121)의 제1 반도체층(121a)의 수평 폭(W1)에 비해 약 10% 내지 40% 범위만큼 크게 형성됨으로써, 발광 칩에서 발광 된 빛이 불투명 몰딩부(132)를 일부 통과하더라도 형광체층을 통해 발광되도록 함으로써 균일한 백색 발광이 가능할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 형광체층(121d)은 제1 발광 칩(121)의 제1 반도체층(121a)의 양쪽 외측면, 즉 제1 외측면와 제2 외측면으로 각각 돌출될 수 있다.
이 중에 제1 발광 칩(121)의 제1 반도체층(121a)의 제1 외측면으로 돌출된 제1 형광체층(121d)의 거리(D)는 제1 발광 칩(121)의 제1 반도체층(121a)의 수평 폭(W1)에 비해 약 5% 내지 20% 범위일 수 있고, 제1 외측면의 반대편인 제2 외측면으로 돌출된 제1 형광체층(121d)의 거리도 제1 발광 칩(121)의 제1 반도체층(121a)의 수평 폭(W1)에 비해 약 5% 내지 20% 범위일 수 있다.
예를 들어, 실시예에서 제1 발광 칩(121)의 제1 반도체층(121a)의 제1 외측면으로 돌출된 제1 형광체층(121d)의 거리(D)가 제1 발광 칩(121)의 제1 반도체층(121a)의 수평 폭(W1)에 비해 5% 미만인 경우 제1 발광 칩(121)에서 발광 된 빛의 일부가 형광체층을 거치지 않고 외부로 발광될 수 있다.
또한 실시예에서 제1 발광 칩(121)의 제1 반도체층(121a)의 제1 외측면으로 돌출된 제1 형광체층(121d)의 거리(D)가 제1 발광 칩(121)의 제1 반도체층(121a)의 수평 폭(W1)에 비해 10% 초과인 경우 발광 칩의 크기가 불필요하게 커질 수 있다.
실시예의 플래시 모듈에서, 발광 모듈(100)은 상기 제1 발광 칩(121)과 상기 제2 발광 칩(122) 상면에 제1 확산층(134)을 포함할 수 있다. 실시예는 상기 제1 확산층(134)에 의해 광 확산에 의해 광 추출 효율이 향상될 수 있다. 상기 제1 확산층(134)은 레진에 SiO2 또는 TiO2 등이 혼합된 형태일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
또한 실시예는 발광모듈에서 플래시 작동시 높은 방열효과에 따라 신뢰성이 우수한 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함을 기술적 해결과제 중으로 하나로 한다.
또한 실시예는 발광 모듈과 프레임간의 결합관계가 견고하여 기계적 신뢰성이 향상된 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함을 기술적 해결과제 중으로 하나로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 실시예에 따른 플래시 모듈에서의 제1 프레임(220a)은, 제1 지지부(222a)와 상기 제1 지지부(222a) 상에 배치된 제1 내측 돌출부(223a)를 포함하고, 상기 제2 프레임(220b)은, 제2 지지부(222b)와 상기 제2 지지부(222b) 상에 배치된 제2 내측 돌출부(223b)를 포함할 수 있다.
이때, 상기 발광 모듈(100)의 상기 제1 격벽(111) 및 상기 제2 격벽(112)은 상기 제1 지지부(222a)의 내측면 및 상기 제2 지지부(222b)의 내측면과 접함으로써 발광 모듈(100)과 프레임(220) 간의 결합관계를 견고히 하여 기계적 신뢰성을 향상시킴과 아울러, 상기 제1 격벽(111)과 제2 격벽(112)을 통해 프레임(220) 방향으로 열이 전도됨에 따라 방열효율이 증대될 수 있다.
또한 실시에에서, 상기 발광 모듈(100)의 상기 제1 격벽(111) 및 상기 제2 격벽(112)은 상기 제1 내측 돌출부(223a)의 저면 및 상기 제2 내측 돌출부(223b)의 저면과 접함으로써 발광 모듈(100)과 프레임(220) 간의 결합관계를 견고히 하여 기계적 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 상기 제1 격벽(111)과 제2 격벽(112)을 통해 방열효율이 증대될 수 있다.
상기 제1 격벽(111) 및 상기 제2 격벽(112)은 상기 제1 내측 돌출부(223a)의 저면 및 상기 제2 내측 돌출부(223b)의 저면과 소정의 금속성 또는 비금속성 접착체에 의해 접착될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
또한 실시예는 발광 칩과 플래시 렌즈의 얼라인 정확도를 높여 균일한 광 분포를 구현할 수 있는 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함을 기술적 해결과제 중으로 하나로 한다.
이러한 과제를 해결하기 위해, 실시예의 플래시 모듈에서 상기 제1 프레임(220a)은, 상기 제1 내측 돌출부(223a) 상에 배치된 제3 내측 돌출부(224a)와 상기 제3 내측 돌출부(224a) 상에 배치된 제1 외측 돌출부(226a)를 포함할 수 있다.
상기 제2 프레임(220b)은, 상기 제2 내측 돌출부(223b) 상에 배치된 제4 내측 돌출부(224b)와 상기 제4 내측 돌출부(224b) 상에 배치된 제2 외측 돌출부(226b)를 포함할 수 있다.
이때, 상기 렌즈부(230)는, 상기 제3 내측 돌출부(224a) 및 상기 제4 내측 돌출부(224b)와 접하도록 배치되어 발광 칩과 플래시 렌즈의 얼라인 정확도를 높여 균일한 광 분포를 구현할 수 있다.
예를 들어, 실시예에 의하면, 제1 발광 칩(121)과 제2 발광 칩(122)에서 나오는 광(Ray)의 분포와 렌즈부(230)의 광 확산 패턴의 일치도 높을수록 광 각의 화각(FOV)과 함께 균일한 광 분포를 얻을 수 있다.
실시예에서 렌즈부(230)의 탑뷰(top view)에서 각 광 확산 패턴의 중심과 각 발광 칩의 센터가 일치될 수 있다. 예를 들어, 실시예는 렌즈부(230)의 광 확산 패턴과 발광 칩의 얼라인 공차를 약 25㎛ 이하로 제어함으로써 발광 칩에서 발광되는 광의 지향각 특성과 렌즈부의 광 확산패턴의 일치성을 현저히 향상시킴에 따라 광각의 화각(FOV) 구현과 더불어 배광특성을 향상시켜 균일한 광 분포를 얻을 수 있다.
실시예에서 렌즈부(230)는 렌즈 지지부(234)와 광 확산부(232)를 포함할 수 있다. 상기 렌즈부(230)는 플라스틱 재질 예컨대, 아크릴계 플라스틱 재료가 사용될 수 있고, 그 예는 PMMA (Polymethyl methacrylate)를 들 수 있다. 이러한 PMMA는 유리보다 투명성이 우수하고 가공 및 성형이 용이하다는 장점이 있다.
또한 상기 렌즈부(230)는 광 추출 렌즈, 또는 광 확산 렌즈와 같은 렌즈로 기능할 수 있으며, 상기 발광 칩으로부터 방출된 광의 지향 특성을 변화시키기 위한 부재이며, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 굴절률이 1.4 이상 1.7 이하인 투명 재료를 이용할 수 있다.
또한, 실시예의 렌즈부(230)는 폴리카보네이트(PC), 또는 에폭시 수지(EP)의 투명 수지 재료나 투명한 글래스(Glass), 사파이어, EMC 또는 Silicone에 의해 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 렌즈 지지부(234)는 폴리카보네이트(PC), 또는 에폭시 수지(EP)의 투명 수지로 형성되고, 광 확산부(232)는 글래스(Glass)나 사파이어로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에서 상기 렌즈부(230)의 상면의 높이는 상기 프레임(220)의 상면의 높이와 동일하거나 그 이하로 배치될 수 있다. 이에 따라, 플래시 모듈(200)의 전체 두께에서 렌즈부(230) 자체에 의해 플래시 모듈(200)의 두께가 증가하지 않음으로써 매우 슬림한 플래시 모듈을 구현할 수 있다.
또한 실시예에서 발광 모듈(100)과 렌즈부(230)는 소정 거리(D)로 이격될 수 있다.
예를 들어, 실시예에서 제1 발광 칩(121), 제2 발광 칩(122)과 렌즈부(230) 사이의 광학 갭(optical Gap)(D)을 정밀 제어하여 광각의 화각과 더불어 슬림한 플래시 모듈을 구현할 수 있다. 예를 들어, 실시예에서 제1 발광 칩(121), 제2 발광 칩(122)과 렌즈부(230) 사이의 광학 갭(optical Gap)(D)을 약 0.2~0.5mm 로 정밀하게 제어하여 광각의 화각과 더불어 슬림한 플래시 모듈을 구현할 수 있다.
도 6은 제1 실시예에 따른 플래시 모듈의 저면도이며, 도 7a는 제1 실시예에 따른 플래시 모듈의 저면도의 부분(F) 확대도이며, 도 7b는 제1 실시예에 따른 플래시 모듈에서 도 7a의 I-I'선을 따른 발광모듈의 단면도이다
도 6을 참조하면, 앞서 기술한 바와 같이, 제1 실시예의 플래시 모듈(200)에서, 상기 제1 발광 칩(121) 또는 상기 제2 발광 칩(122) 중 일부가 상기 불투명 몰딩부(132)의 저면으로 노출될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 발광 칩(121)의 제1 n형 전극(121b)과 제1 p형 전극(121c)의 각각의 저면 중 일부는 상기 불투명 몰딩부(132)의 저면으로 노출될 수 있다.
또한, 상기 제2 발광 칩(122)의 제2 n형 전극(122b)과 상기 제2 p형 전극(122c)의 각각의 저면 중 일부는 상기 불투명 몰딩부(132)의 저면으로 노출될 수 있다.
이를 통해 실시예에서 발광 모듈(100)은 발광 모듈(100) 자체에 회로기판이 없는 상태로 형성이 가능하므로 발광 모듈(100)의 두께(T1)를 혁신적으로 줄일 수 있다. 예를 들어, 발광 모듈(100)의 두께(T1)는 약 0.30mm 이하로 제어할 수 있다. 실시예는 상기 발광 모듈(100)의 두께(T1)를 약 0.25mm 이하까지도 초 슬림하게 제어할 수 있다.
이에 따라, 실시예는 광각의 화각을 유지하면서도 초 슬림한(super slim) 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
이때, 도 7a 및 도 7b를 참조하면, 실시예의 제2 발광 칩(122)은, n형 패드전극(122bn)과 p형 패드전극(122cp)을 구비하여 제2 발광 칩(122) 자체에서의 캐리어 주입효율을 향상시킴과 아울러, 단말기(미도시)의 전원 단자부(미도시)와 전기적, 기계적 접촉성능을 향상시킬 수 있다.
예를 들어, 도 7b와 같이, 상기 제2 발광 칩(122)은, 발광 구조층인 제2 반도체층(122a)을 구비할 수 있으며, 상기 제2 반도체층(122a)은 제1 도전형 반도체층(122a3), 활성층(122a2), 제2 도전형 반도체층(122a1)을 포함할 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(122a3)은 n형 반도체층일 수 있고, 상기 제2 도전형 반도체층(122a1)은 p형 반도체층일 수 있다. 이때, 실시예의 제2 발광 칩(122)은 제2 도전형 반도체층(122a1), 활성층(122a2)의 일부가 제거되어 메사 에칭영역(M)이 형성될 수 있고 상기 제1 도전형 반도체층(122a3)의 일부가 노출될 수 있다. 상기 메사 에칭영역(M) 형성 시 상기 제1 도전형 반도체층(122a3)의 상면의 일부도 제거될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에서 제2 반도체층(122a) 상에 제2 n형 전극(122b)과 제2 p형 전극(122c)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 n형 전극(122b)과 상기 제2 p형 전극(122c)은 각각 제1 도전형 반도체층(122a3)과 상기 제2 도전형 반도체층(122a1) 상에 배치될 수 있다. 이때, 실시예의 제2 발광 칩(122)은 상기 2 n형 전극(122b)과 상기 제2 p형 전극(122c) 상에 각각 n형 패드전극(122bn)과 p형 패드전극(122cp)을 포함할 수 있다.
상기 n형 패드전극(122bn)과 상기 p형 패드전극(122cp)은 각각 상기 2 n형 전극(122b)과 상기 제2 p형 전극(122c)의 높이와 같거나 낮게 배치될 수 있다.
예를 들어, 실시예는 상기 제2 n형 전극(122b)과 n형 반도체층(122a3)을 전기적으로 연결하는 n형 패드전극(122bn)과 제2 p형 전극(122c) 상에 배치된 p형 패드전극(122cp)을 구비하여 제2 발광 칩(122) 자체에서의 캐리어 주입효율을 향상시킴과 아울러, 단말기(미도시)의 RF 단자부(미도시)와 전기적, 기계적 접촉성능을 향상시킬 수 있다.
이하, 도 8 내지 도 15를 참조하여, 제1 실시예에 따른 발광 모듈, 플래시 모듈의 제조공정을 설명하기로 한다.
실시예는 초 슬림한(super slim) 발광 모듈, 카메라 모듈을 제공하고자 함을 기술적 과제 중의 하나로 한다.
이를 위해, 우선, 도 8과 같이 별도의 회로기판 없이 발광 칩을 형성하기 위해, 소정의 지지층(190)을 준비하고, 상호 이격된 제1 격벽(111), 제2 격벽(112)을 배치할 수 있다. 상기 지지층(190)은 발포 테이프일 수 있으나 이에 한정되지 않으며, 발광 모듈 완성 후 제거될 수 있다. 상기 발포 테이프는 폴리에스터 필름(Polyester film)에 접착제(Adhesive)를 점착한 것일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 격벽(111)과 제2 격벽(112)은 금속물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 격벽(111)과 제2 격벽(112)은 구리(Cu), 알루미늄(Al) 등에서 채용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 격벽(111)과 제2 격벽(112)은 폴리이미드(Polyimide)와 같은 비금속물질로도 형성은 가능할 수 있다.
다름으로 도 9와 같이, 상기 제1 격벽(111)과 제2 격벽(112) 사이에 제1 발광 칩(121)과 제2 발광 칩(122)을 이격되도록 배치할 수 있다. 상기 제1 발광 칩(121)과 상기 제2 발광 칩(122)은 플립형 발광 칩일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 상기 제1 발광 칩(121)은, 발광 구조층 기능을 하는 제1 반도체층(121a) 상에 배치된 제1 n형 전극(121b)과 제1 p형 전극(121c)을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 발광 칩(122)은, 발광 구조층 기능을 하는 제2 반도체층(122a) 상에 배치된 제2 n형 전극(122b)과 제2 p형 전극(122c)을 포함할 수 있다.
상기 제1 반도체층(121a)과 상기 제2 반도체층(122a)은 반도체 화합물, 예를 들어 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제1 반도체층(121a)과 상기 제2 반도체층(122a)은 각각 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조층일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 반도체층이 n형 반도체층인 경우, n형 도펀트기 도핑될 수 있고, 상기 제2 도전형 반도체층이 p형 반도체층인 경우, p형 도펀트기 도핑될 수 있다.
이때, 상기 제1 n형 전극(121b)과 상기 제1 p형 전극(121c)의 각각의 저면은 상기 지지층(190)과 접하도록 배치되어 이후 공정에서 지지층(190) 제거시 상기 제1 n형 전극(121b)과 상기 제1 p형 전극(121c)의 각각의 저면 중 일부는 상기 불투명 몰딩부(132)의 저면으로 노출될 수 있다.
또한, 상기 제2 n형 전극(122b)과 상기 제2 p형 전극(122c)의 각각의 저면은 상기 지지층(190)과 접하도록 배치되어 이후 공정에서 지지층(190) 제거시 상기 제2 n형 전극(122b)과 상기 제2 p형 전극(122c)의 각각의 저면 중 일부는 상기 불투명 몰딩부(132)의 저면으로 노출될 수 있다.
이를 통해, 실시예에서 발광 모듈(100)은 발광 모듈(100) 자체에 회로기판이 없는 상태로 형성이 가능하므로 발광 모듈의 두께(T1)를 혁신적으로 줄일 수 있다. 예를 들어, 발광 모듈(100)의 두께(T1)는 약 0.30mm 이하로 제어할 수 있다. 실시예는 상기 발광 모듈(100)의 두께(T1)를 약 0.25mm 이하까지도 초 슬림하게 제어할 수 있다. 이에 따라, 실시예는 광각의 화각을 유지하면서도 매우 슬림한(slim) 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
다음으로 도 10과 같이, 상기 제1 반도체층(121a) 상면에 제1 형광체층(121d)과 제2 반도체층(122a) 상면에 배치된 제2 형광체층(122d)을 형성할 수 있다.
실시예에서 제1 형광체(121d) 또는 제2 형광체(122d)는 황색 형광체일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 황색 형광체는 YAG 등일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 실시예에서 제1 형광체(121d) 또는 제2 형광체(122d)는 적색 형광체와 녹색 형광체의 복합 형광체일 수 있다. 예를 들어, 적색 형광체는 화합물계 형광체 예컨대, (Ca,Sr)S:Eu2+ 또는 질화물계 예컨대, CaAlSiN3:Eu2+ 형광체를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 녹색 형광체는 (Y,Gd,Lu,Tb)3(Al,Ga)5O12:Ce, (Mg,Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu, (Ca,Sr)3SiO5:Eu, (La,Ca)3Si6N11:Ce, α-SiAlON:Eu, β-SiAlON:Eu 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예는 카메라 플래시 기술영역에서 감성조명을 고려한 일체형의 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함을 기술적 해결과제 중으로 하나로 한다.
실시예에서 상기 제1 발광 칩(121)과 상기 제2 발광 칩(122)의 색온도(CCT)는 서로 다를 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 발광 칩(121)은 웜-화이트(warm-white)를 발광할 수 있으며, 상기 제2 발광 칩(122)은 쿨-화이트(cool-white)를 발광할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 발광 칩(121)은 약 3,000K 전후의 웜-화이트(warm-white)를 발광할 수 있으며, 상기 제2 발광 칩(122)은 약 5,000K 전후의 쿨-화이트(cool-white)를 발광할 수 있다.
예를 들어, 실시예의 제1 발광 칩(121)이 청색 발광 칩인 경우, 제1 형광체(121d)에서 형광체의 비율을 높임으로써 청색 광의 상대적 비율을 낮추어 웜-화이트를 구현할 수 있다. 또한, 실시예의 제2 발광 칩(122)이 청색 발광 칩인 경우, 제2 형광체(122d)에서 형광체의 비율을 낮춤으로써 청색 광의 상대적 비율을 높여서 쿨-화이트를 구현할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예는 카메라 플래시 기술영역에서는 웜-화이트(warm-white)와 쿨-화이트(cool-white) 발광을 통한 감성조명이 가능한 일체형의 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
실시예에서 발광 칩의 에피 반도체층의 수평 폭에 비해, 형광체층의 수평 폭이 더 크게 형성됨으로써 발광 칩에서 발광 된 빛이 형광체층을 통해 발광되도록 함으로써 균일한 화이트 발광이 가능할 수 있다.
예를 들어, 실시예에서 제1 발광 칩(121)의 제1 반도체층(121a)의 수평 폭(W1)에 비해, 제1 발광 칩(121)의 제1 형광체층(121d)의 수평 폭(W2)이 더 크게 형성됨으로써 발광 칩에서 발광 된 빛이 불투명 몰딩부(132)를 일부 통과하더라도 형광체층을 통해 발광되도록 함으로써 균일한 화이트 발광이 가능할 수 있다.
다음으로 도 11과 같이, 상기 제1 격벽(111) 및 제2 격벽(112) 사이에 배치된 상기 제1 발광 칩(121)과 상기 제2 발광 칩(122) 사이에 불투명 몰딩부(132)를 주입할 수 있다.
상기 불투명 몰딩부(132)는 화이트 몰드를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 불투명 몰딩부(132)는 실리콘(Silicone)에 산화물, 예를 들어 TiO2 등이 분산된 화이트 몰드 조성물일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
이에 따라, 실시예에서 상기 불투명 몰딩부(132)에서는 제1 발광 칩(121)과 제2 발광 칩(122)에서 발광되는 빛의 혼 색을 방지할 수 있고, 측면 발광되는 빛을 차단하여 형광체를 통해서 발광 되도록 함으로써 균일한 화이트 컬러를 구현할 수 있다.
다음으로, 도 12와 같이, 상기 제1 발광 칩(121)과 상기 제2 발광 칩(122) 상면에 제1 확산층(134)을 형성할 수 있다. 실시예는 상기 제1 확산층(134)에 의해 광 확산에 의해 광 추출 효율이 향상될 수 있다. 상기 제1 확산층(134)은 레진에 SiO2 또는 TiO2 등이 혼합된 형태일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
다음으로 도 13과 같이, 소정의 블레이드(B)를 이용하여 발광 모듈을 셀 별로 분리할 수 있다.
다음으로 도 14와 같이, 지지층(190)을 제거함으로써 실시예에 따른 발광 모듈(100)을 제조할 수 있다.
다음으로, 도 15와 같이 제1 프레임(220a)과 제2 프레임(220b) 사이에 발광 모듈(100)을 배치할 수 있다.
예를 들어, 발광 모듈(100)의 제1 격벽(111)과 제1 프레임(220a) 사이, 제2 격벽(112)과 제2 프레임(220b) 사이에 소정의 접착물질을 개채하여 상호간에 결합될 수 있다.
예를 들어, 발광 모듈(100)의 제1 격벽(111)과 제1 프레임(220a) 사이, 제2 격벽(112)과 제2 프레임(220b) 사이에 화이트 실리콘(White Silicone)이 도포되어 부착될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
이를 통해, 발광 모듈(100)이 프레임 내측에 배치됨에 따라 발광 모듈(100) 자체의 두께는 전체 플래시 모듈(200)의 두께 증가를 유발하지 않을 수 있다.
실시예에 따른 플래시 모듈(200)의 두께는 프레임(220)의 두께(T3)가 되도록 하여 플래시 모듈의 두께(T)를 혁신적으로 슬림화할 수 있다. 예를 들어, 플래시 모듈의 두께(T)를 약 0.85 mm이하로 줄일 수 있다. 또한, 플래시 모듈의 두께(T)를 약 0.65 mm이하까지도 줄일 수 있다. 물론, 프레임(220) 자체의 두께를 줄이는 경우, 플래시 모듈의 두께는 더욱 혁신적으로 줄일 수 있다.
실시예는 방열효과에 따라 신뢰성이 우수한 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함을 기술적 해결과제 중으로 하나로 한다. 또한 실시예는 발광 모듈과 프레임간의 결합관계가 견고하여 기계적 신뢰성이 향상된 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함을 기술적 해결과제 중으로 하나로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 실시예에 따른 플래시 모듈에서의 제1 프레임(220a)은, 제1 지지부(222a)와 상기 제1 지지부(222a) 상에 배치된 제1 내측 돌출부(223a)를 포함하고, 상기 제2 프레임(220b)은, 제2 지지부(222b)와 상기 제2 지지부(222b) 상에 배치된 제2 내측 돌출부(223b)를 포함할 수 있다.
이때, 상기 발광 모듈(100)의 상기 제1 격벽(111) 및 상기 제2 격벽(112)은 상기 제1 지지부(222a)의 내측면 및 상기 제2 지지부(222b)의 내측면과 접함으로써 발광 모듈(100)과 프레임(220) 간의 결합관계를 견고히 하여 기계적 신뢰성을 향상시킴과 아울러, 상기 제1 격벽(111)과 제2 격벽(112)을 통해 프레임(220) 방향으로 열이 전도됨에 따라 방열효율이 증대될 수 있다.
또한 실시예에서, 상기 발광 모듈(100)의 상기 제1 격벽(111) 및 상기 제2 격벽(112)은 상기 제1 내측 돌출부(223a)의 저면 및 상기 제2 내측 돌출부(223b)의 저면과 접함으로써 발광 모듈(100)과 프레임(220) 간의 결합관계를 견고히 하여 기계적 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 상기 제1 격벽(111)과 제2 격벽(112)을 통해 방열효율이 증대될 수 있다.
상기 제1 격벽(111) 및 상기 제2 격벽(112)은 상기 제1 내측 돌출부(223a)의 저면 및 상기 제2 내측 돌출부(223b)의 저면과 소정의 금속성 또는 비금속성 접착체에 의해 접착될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
또한 실시예는 발광 칩과 플래시 렌즈의 얼라인 정확도를 높여 균일한 광 분포를 구현할 수 있는 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함을 기술적 해결과제 중으로 하나로 한다.
이러한 과제를 해결하기 위해, 실시예의 플래시 모듈에서 상기 제1 프레임(220a)은, 상기 제1 내측 돌출부(223a) 상에 배치된 제3 내측 돌출부(224a)와 상기 제3 내측 돌출부(224a) 상에 배치된 제1 외측 돌출부(226a)를 포함할 수 있다.
상기 제2 프레임(220b)은, 상기 제2 내측 돌출부(223b) 상에 배치된 제4 내측 돌출부(224b)와 상기 제4 내측 돌출부(224b) 상에 배치된 제2 외측 돌출부(226b)를 포함할 수 있다.
이때, 상기 렌즈부(230)는, 상기 제3 내측 돌출부(224a) 및 상기 제4 내측 돌출부(224b)와 접하도록 배치되어 발광 칩과 플래시 렌즈의 얼라인 정확도를 높여 균일한 광 분포를 구현할 수 있다.
예를 들어, 실시예에 의하면, 제1 발광 칩(121)과 제2 발광 칩(122)에서 나오는 광(Ray)의 분포와 렌즈부(230)의 광 확산 패턴의 일치도 높을수록 광 각의 화각(FOV)과 함께 균일한 광 분포를 얻을 수 있다.
실시예에서 렌즈부(230)의 탑뷰(top view)에서 각 광 확산 패턴의 중심과 각 발광 칩의 센터가 일치될 수 있다. 예를 들어, 실시예는 렌즈부(230)의 광 확산 패턴과 발광 칩의 얼라인 공차를 약 25㎛ 이하로 제어함으로써 발광 칩에서 발광되는 광의 지향각 특성과 렌즈부의 광 확산패턴의 일치성을 현저히 향상시킴에 따라 광각의 화각(FOV) 구현과 더불어 배광특성을 향상시켜 균일한 광 분포를 얻을 수 있다.
실시예에서 렌즈부(230)는 렌즈 지지부(234)와 광 확산부(232)를 포함할 수 있다. 상기 렌즈부(230)는 플라스틱 재질 예컨대, 아크릴계 플라스틱 재료가 사용될 수 있고, 그 예는 PMMA (Polymethyl methacrylate)를 들 수 있다. 이러한 PMMA는 유리보다 투명성이 우수하고 가공 및 성형이 용이하다는 장점이 있다.
또한 상기 렌즈부(230)는 광 추출 렌즈, 또는 광 확산 렌즈와 같은 렌즈로 기능할 수 있으며, 상기 발광 칩으로부터 방출된 광의 지향 특성을 변화시키기 위한 부재이며, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 굴절률이 1.4 이상 1.7 이하인 투명 재료를 이용할 수 있다.
또한, 실시예의 렌즈부(230)는 폴리카보네이트(PC), 또는 에폭시 수지(EP)의 투명 수지 재료나 투명한 글래스(Glass), 사파이어, EMC 또는 Silicone에 의해 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 렌즈 지지부(234)는 폴리카보네이트(PC), 또는 에폭시 수지(EP)의 투명 수지로 형성되고, 광 확산부(232)는 글래스(Glass)나 사파이어로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에서 상기 렌즈부(230)의 상면의 높이는 상기 프레임(220)의 상면의 높이와 동일하거나 그 이하로 배치될 수 있다. 이에 따라, 플래시 모듈(200)의 전체 두께에서 렌즈부(230) 자체에 의해 플래시 모듈(200)의 두께가 증가하지 않음으로써 매우 슬림한 플래시 모듈을 구현할 수 있다.
또한 실시예에서 발광 모듈(100)과 렌즈부(230)는 소정 거리(D)로 이격될 수 있다.
예를 들어, 실시예에서 제1 발광 칩(121), 제2 발광 칩(122)과 렌즈부(230) 사이의 광학 갭(optical Gap)(D)을 정밀 제어하여 광각의 화각과 더불어 슬림한 플래시 모듈을 구현할 수 있다. 예를 들어, 실시예에서 제1 발광 칩(121), 제2 발광 칩(122)과 렌즈부(230) 사이의 광학 갭(optical Gap)(D)을 약 0.2~0.5mm 로 정밀하게 제어하여 광각의 화각과 더불어 슬림한 플래시 모듈을 구현할 수 있다.
(제2 실시예)
도 16은 제2 실시예에 따른 플래시 모듈의 단면도(202)이며, 이는 앞서 기술한 제1 실시예의 기술적 특징을 채용할 수 있으며, 이하 제2 실시예의 주요 기술적 특징을 중심으로 설명하기로 한다.
도 16에 도시된 제2 실시예의 플래시 모듈에서의 상기 제2 확산층(134b)은 상기 제1 발광 칩(121)과 상기 제2 발광 칩(122) 상면에 배치되며, 상기 제1 격벽(111)과 상기 제2 격벽(112) 상에 배치되지 않음으로써, 제1 격벽(111), 제2 격벽(112)과 상기 제1 내측 돌출부(223a)의 저면 및 상기 제2 내측 돌출부(223b)와의 결합력을 향상시킬 수 있다.
이상 설명된 실시예에 의하면, 광각을 유지하면서 초 슬림한(super slim) 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
또한 실시예는 카메라 플래시 기술영역에서는 감성조명 구현이 가능한 웜-화이트(warm-white)와 쿨-화이트(cool-white) 일체형의 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
또한 실시예는 발광모듈에서 플래시 작동시 높은 방열효과에 따라 신뢰성이 우수한 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다
또한 실시예는 발광 칩과 플래시 렌즈의 얼라인 정확도가 높아 균일한 광 분포를 구현할 수 있는 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
또한 실시예는 발광 모듈과 프레임간의 결합관계가 견고하여 기계적 신뢰성이 향상된 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
(제3) 실시예
도 17은 제3 실시예에 따른 플래시 모듈(203)의 평면도이다.
도 17을 참조하면, 제3 실시예의 발광 모듈(100)은 제1 발광 칩(121)과 제2 발광 칩(122)을 포함할 수 있으며, 실시예의 프레임(220)은 발광 모듈(100)의 제1 발광 칩(121)과 제2 발광 칩(122)을 지나는 직선 방향(I-I')의 외측에 소정의 리세스(R)를 포함할 수 있다.
상기 렌즈부(230)는 소정의 패턴(도 19a의 P1, P2 참조)이 배치된 광 확산부(232)와, 상기 광 확산부(232)의 외측에 접하여 배치된 렌즈 지지부(234)를 포함할 수 있다.
제3 실시예는 제1, 제2 실시예의 기술적 특징을 채용할 수 있다.
예를 들어, 제3 실시예에서 제1 발광 칩(121)과 제2 발광 칩(122)을 지나는 직선 방향(I-I')의 외측에 리세스(R)를 포함함으로써, 제1 발광 칩(121) 또는 제2 발광 칩(122)을 식별할 수 있으며, 이에 따라 웜-화이트(warm-white)와 쿨-화이트(cool-white) 일체형의 카메라 모듈에서, 각 발광 칩의 장착이 용이하고, 추후 카메라 모듈 사용시 각 발광 칩 작동의 제어가 용이할 수 있고, 고장 진단도 용이할 수 있다.
다음으로 도 18은 제3 실시예에 따른 플래시 모듈(203)에서 도 17의 I-I'선을 따른 단면도이며, 도 19a는 제3 실시예에 따른 플래시 모듈에서 렌즈부(230)의 확대 단면도이며, 도 19b는 제3 실시예에 따른 플래시 모듈에서 렌즈부(230)의 부분(Q) 확대도이다.
도 18을 참조하면, 제3 실시예의 플래시 모듈(200)은 제1 발광 칩(121)과 제2 발광 칩(122)을 포함하는 발광 모듈(100)과, 프레임(220)과 렌즈부(230)를 포함할 수 있다. 실시예의 제1 발광 칩(121)과 제2 발광 칩(122)은 플립형 발광 칩일 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예의 기술적 과제 중의 하나는, 광각을 유지하면서 초 슬림한(super slim) 발광 모듈, 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함이다. 또한 실시예의 기술적 과제 중의 하나는, 렌즈의 패턴의 끝 부분이 샤프한 플래시 모듈, 카메라 플래시 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함이다. 또한 실시예의 기술적 과제 중의 하나는, 스크래치(scratch) 저항성이 높은 렌즈부를 구비한 플래시 모듈, 카메라 플래시 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함이다.
우선, 도 19a 및 도 19b를 참조하여 위 세가지 기술적 과제를 해결하기 위한 제3 실시예에 따른 플래시 모듈에 대한 기술적 해결수단의 특징을 상술하기로 한다. 도 18에 도시된 각 구성의 특징은 제1 실시예, 제2 실시예의 기술적 특징을 채용할 수 있다.
우선, 도 19a를 참조하면, 제3 실시예에 따른 플래시 모듈(203)에 장착되는 렌즈부(230)는 복수의 광 확산 패턴(P1, P2)을 포함함으로써 제1 발광 칩(121)과 제2 발광 칩(122)에서 발광 된 빛의 광 확산을 높여 광각의 화각(FOV)을 구현할 수 있다.
예를 들어, 발광 모듈에 제1 발광 칩(121)과 제2 발광 칩(122)과 같이 2개의 발광 칩이 구비된 경우, 이에 대응하여 제1 광 확산 패턴(P1), 제2 광 확산 패턴(P2)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 발광 칩이 4개인 경우, 광 확산 패턴은 4개로 구비될 수 있다.
상기 제1 광 확산 패턴(P1)은 곡률 패턴(PR)과 요철 패턴(PC)를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 광 확산 패턴(P2)도 곡률 패턴(PR)과 요철 패턴(PC)를 포함할 수 있다.
현재 광각 카메라기술에 따라, 업계에서 요구되는 플래시 모듈의 화각(FOV)은 듀얼 카메라(Dual Camera)가 지속 개발됨에 따라 약 120° 이상의 광각을 지속 요구하는 상황이며, 나아가 광각에서의 균일한 광분표 특성도 동시에 구현해야 한다.
실시예에 의하면, 카메라 플래시의 화각(FOV)은 120°까지 구현 가능하며, 135° 까지도 구현이 가능하다.
또한 실시예에 의하면, 제1 발광 칩(121)과 제2 발광 칩(122)에서 나오는 광(Ray)의 분포와 렌즈부(230)의 광 확산 패턴의 일치도가 높을수록 광 각의 화각(FOV)을 구현함과 동시에 균일한 광 분포를 얻을 수 있는 기술적 효과가 있다.
예를 들어, 실시예에서 렌즈부(230)의 탑뷰(top view)에서 각 광 확산 패턴(P1, P2)의 중심과 각 발광 칩(121, 122)의 센터가 일치될 수 있다. 예를 들어, 실시예는 렌즈부(230)의 광 확산 패턴(P1, P2)과 발광 칩(121, 122)의 얼라인 공차를 약 25㎛ 이하로 제어함으로써 발광 칩에서 발광되는 광의 지향각 특성과 렌즈부의 광 확산패턴의 일치성을 현저히 향상시킴에 따라 광각의 화각(FOV) 구현과 더불어 배광특성을 향상시켜 균일한 광 분포를 얻을 수 있다.
예를 들어, 실시예는 광 확산부(232)의 제1, 제2 광 확산 패턴(P1, P2)의 곡률 패턴(PR)의 중심과 발광 칩(121, 122)의 얼라인 공차를 약 25㎛ 이하로 제어함으로써 발광 칩에서 발광되는 광의 지향각 특성과 렌즈부의 광 확산패턴의 일치성을 현저히 향상시킴에 따라 광각의 화각(FOV) 구현과 더불어 균일한 광분포를 얻을 수 있다.
제3 실시예에 따른 카메라 플래시에서 렌즈부(230)는 소정의 광 확산 패턴(P1, P2)이 배치된 광 확산부(232)와, 상기 광 확산부(232)의 외측에 렌즈 지지부(234)를 포함할 수 있다.
도 19a와 같이, 제3 실시예에서 상기 제1 광 확산 패턴(P1)은 곡률 패턴(PR)과 요철 패턴(PC)를 포함할 수 있으며, 상기 제2 광 확산 패턴(P2)도 곡률 패턴(PR)과 요철 패턴(PC)를 포함할 수 있다.
실시예에서 상기 곡률 패턴(PR)의 곡률이나 반경은 약 0.3mm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 곡률 패턴(PR)의 곡률이나 반경은 약 0.0001 mm 내지 0.3mm일 수 있다. 상기 곡률 패턴(PR)의 곡률이나 반경이 0.3mm를 초과하는 경우 집광 특성이 나쁠 수 있거나, 광 분포가 거칠어질 수 있거나, 외관 상 거칠어 보일 수 있는 문제가 있다.
상기 곡률 패턴(PR)의 곡률이나 반경은 약 0.3mm 이하로 제어됨으로써 카메라 플래시의 프레임(220) 내부의 발광 칩 등이 보이지 않게 스크리닝(Screening)이 가능하며, 디자인(Design) 적으로도 감성적 특성의 구현이 가능한 기술적 효과를 가질 수 있다.
실시예에서 렌즈부(231)의 두께(T2)를 약 0.1 mm 내지 0.2 mm의 초 슬림한(super slim)로 제어가 가능하므로, 상기 곡률 패턴(PR)의 곡률이나 반경을 약 0.2mm 이하로 제어할 수 있다. 예를 들어, 상기 곡률 패턴(PR)의 곡률이나 반경을 약 0.0001 mm 내지 0.2mm로 제어하여 균일한 광분포와 우수한 집광 특성을 구현할 수 있다.
실시예에서 상기 제1, 제2 광 확산 패턴(P1, P2)의 곡률 패턴(PR)의 높이는 약 0.3mm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 곡률 패턴(PR)의 높이는 약 0.0001 mm 내지 0.3mm일 수 있다. 상기 곡률 패턴(PR)의 높이가 0.3mm를 초과하는 경우 집광 특성이 나쁠 수 있다. 실시예에서 상기 곡률 패턴(PR)의 높이를 약 0.3mm 이하, 예를 들어 0.2mm 이하로 제어하는 경우 우수한 집광 특성과 균일한 광분포를 구현할 수 있다.
실시예에서 상기 광 확산부(232)는 글래스 재질을 포함할 수 있고, 상기 지지부(234)는 플라스틱 재질일 수 있다. 예를 들어, 상기 광 확산부(232)는 사파이어로 형성될 수 있으며, 상기 지지부(234)는 아크릴계 플라스틱 재료가 사용될 수 있고, 그 예는 PMMA (Polymethyl methacrylate)를 들 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 19b를 참조하면, 실시예의 렌즈부(230)에서 광 확산 패턴(P1,P2)에서의 요철 패턴(PC)의 높이(H)는 약 0.1 mm 내지 0.2 mm일 수 있다. 실시예에서 광 확산부(232)가 글래스 재질, 예를 들어 사파이어로 형성되는 경우 에칭 등에 의해 요철 패턴(PC)의 높이(H)를 약 0.1 mm 내지 0.2 mm로 정밀하게 제어할 수 있다. 이를 통해 실시예는 렌즈부의 두께(T2)를 현저히 감소시킬 수 있으므로 초 슬림한(super slim) 플래시 모듈을 제공할 수 있다.
반면, 종래기술에서 렌즈부의 두께를 약 0.2mm로 성형시 냉각(cooling) 공정에서 렌즈 패턴 형상의 뒤틀림 현상이 발생하므로 0.2mm 이하로 렌즈부를 형성할 수 없는 문제가 있었다.
반면, 실시예에 의하면 광각을 유지하면서 약 0.1 mm 내지 0.2 mm 두께로 초 슬림한(super slim) 렌즈부를 구비한 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
또한 도 19b를 참조하면, 실시예에서 렌즈부(230)의 광 확산 패턴(P1, P2)에서 요철 패턴(PC)의 피치(P)는 약 0.1 mm 내지 0.2 mm로 정밀하게 제어할 수 있으며 동시에 패턴의 끝부분이 매우 사프(sharp)하게 형성됨으로써 라운드 형상이 발생하지 않도록 제작이 가능하다. 이를 통해, 실시예에 의하면 매우 촘촘한 피치로 끝이 뾰족한 요철 패턴(PC)을 제공함에 따라 카메라 플래시의 프레임(220) 내부의 발광 칩 등이 보이지 않게 스크리닝(Screening)이 가능하며, 디자인(Design) 적으로도 감성적 특성의 구현이 가능한 기술적 효과를 가질 수 있다.
또한 도 19a를 참조하면, 외부로 노출되는 렌즈부인 광 확산부(232)의 외부 표면이 글래스 재질로 형성됨에 따라 공정 중 또는 사용 중에 발생할 수 있는 스크래치(scratch)에 대한 저항성이 높은 렌즈부를 구비한 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
다시, 도 18을 참조하여, 슬림한(slim) 발광 모듈, 플래시 모듈을 구현하기 위한 기술적 해결수단을 좀 더 설명하기로 한다.
종래기술에서 렌즈부를 포함한 플래시 모듈의 두께는 약 2.5 mm 이상이며, 그 이하로 두께를 줄이기 어려운 점이 있었다. 이는 종래기술에서 발광모듈을 패키지 기판에 SMT 작업 후, 렌즈를 별도로 카메라 커버 케이스(Cover Case)에 붙임에 따라 카메라 플래시 모듈의 두께를 슬림화하는데 한계가 있었기 때문이다.
나아가 이건 출원인의 최근 미공개 내부 기술에 따라 렌즈부를 프레임에 사출 구조로 형성하여 카메라 플래시 모듈의 두께를 최대한 슬림화하여도 약 1.4mm 수준이 내부 기술적 한계인 상태였다.
실시예에 따른 플래시 모듈(200)은 이러한 기술적 한계를 비약적으로 넘어서 플래시 모듈의 두께(T)를 약 1mm 이하의 두께로 초 슬림화(super slim)할 있다. 이는 플래시 모듈(200)에서 발광 모듈의 두께(T1)를 혁신적으로 줄임과 아울러, 프레임(220) 내측에 발광 모듈(100)이 배치되도록 하고, 프레임(220) 상측 내부에 슬림한 렌즈부(230)가 배치되도록 함으로써 달성할 수 있다.
즉, 실시예에 따른 플래시 모듈(200)의 두께는 프레임의 두께(T3)가 되도록 하여 플래시 모듈의 두께(T)를 혁신적으로 슬림화할 수 있다. 예를 들어, 플래시 모듈의 두께(T)를 약 0.85 mm이하로 줄일 수 있었다. 또한, 실시예는 플래시 모듈의 두께(T)를 약 0.65 mm이하까지도 극초 슬림화(ultra slim)할 수 있다. 이는 앞서 기술한 렌즈부의 두께(T2)를 초 슬림화함으로써 가능할 수 있다.
실시예에서 렌즈부(230)의 두께(T2)는 프레임(220)의 두께(T3)의 약 1/3 이하의 두께로 제어할 수 있다. 예를 들어, 렌즈부(230)의 두께(T2)는 약 0.20mm 이하로 제어할 수 있다. 실시예는 상기 렌즈부(230)의 두께(T2)를 약 0.10mm 이하까지 제어할 수 있다.
또한 실시예에서 발광 모듈(100)의 두께(T1)는 프레임(220)의 두께의 약 1/3 이하의 두께로 제어할 수 있다. 특히 실시예에서 발광 모듈(100)은 발광 모듈(100) 자체에 회로기판이 없는 상태로 형성이 가능하므로 발광 모듈의 두께(T1)를 혁신적으로 줄일 수 있다. 예를 들어, 발광 모듈(100)의 두께(T1)는 약 0.30mm 이하로 제어할 수 있다. 실시예는 상기 발광 모듈(100)의 두께(T1)를 약 0.25mm 이하까지 초 슬림하게 제어할 수 있다.
이를 통해, 실시예는 광각의 화각을 유지하면서도 초 슬림한(super slim) 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
또한 실시예에서 발광 모듈(100)과 렌즈부(230)는 소정 거리(D1)로 이격될 수 있다. 예를 들어, 실시예에서 제1 발광 칩(121), 제2 발광 칩(122)과 렌즈부(230) 사이의 광학 갭(optical Gap)(D1)을 정밀 제어하여 광각의 화각과 더불어 슬림한 플래시 모듈을 구현할 수 있다. 예를 들어, 실시예에서 제1 발광 칩(121), 제2 발광 칩(122)과 렌즈부(230) 사이의 광학 갭(optical Gap)(D1)을 약 0.2~0.5mm 로 정밀하게 제어하여 광각의 화각과 더불어 슬림한 플래시 모듈을 구현할 수 있다.
실시예에서 상기 렌즈부(230)의 상면의 높이는 상기 프레임(220)의 상면의 높이와 동일하거나 그 이하로 배치될 수 있다. 이에 따라, 플래시 모듈(200)의 전체 두께에서 렌즈부(230) 자체에 의해 플래시 모듈(200)의 두께가 증가하지 않음으로써 매우 슬림한 플래시 모듈을 구현할 수 있다.
도 20은 제3 실시예에 따른 플래시 모듈에서 발광 모듈의 단면도이다.
제3 실시예에서 발광 칩의 에피 반도체층의 수평 폭에 비해, 형광체층의 수평 폭이 더 크게 형성됨으로써 발광 칩에서 발광 된 빛이 형광체층을 통해 발광되도록 함으로써 균일한 화이트 발광이 가능할 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 발광 칩의 에피 반도체층의 수평 폭이 형광체층의 수평 폭과 같을 수도 있다.
실시예에서 제1 발광 칩(121)의 제1 반도체층(121a)의 수평 폭(W1)에 비해, 제1 발광 칩(121)의 제1 형광체층(121d)의 수평 폭(W2)이 더 크게 형성됨으로써 발광 칩에서 발광 된 빛이 불투명 몰딩부(132)를 일부 통과하더라도 형광체층을 통해 발광되도록 함으로써 균일한 화이트 발광이 가능할 수 있다.
예를 들어, 실시예에서 제1 형광체층(121d)의 수평 폭(W2)은 제1 발광 칩(121)의 제1 반도체층(121a)의 수평 폭(W1)에 비해 약 10% 내지 40% 범위만큼 크게 형성됨으로써, 발광 칩에서 발광 된 빛이 불투명 몰딩부(132)를 일부 통과하더라도 형광체층을 통해 발광되도록 함으로써 균일한 백색 발광이 가능할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 형광체층(121d)은 제1 발광 칩(121)의 제1 반도체층(121a)의 양쪽 외측면, 즉 제1 외측면와 제2 외측면으로 각각 돌출될 수 있다.
이 중에 제1 발광 칩(121)의 제1 반도체층(121a)의 제1 외측면으로 돌출된 제1 형광체층(121d)의 거리(D2)는 제1 발광 칩(121)의 제1 반도체층(121a)의 수평 폭(W1)에 비해 약 5% 내지 20% 범위일 수 있고, 제1 외측면의 반대편인 제2 외측면으로 돌출된 제1 형광체층(121d)의 거리도 제1 발광 칩(121)의 제1 반도체층(121a)의 수평 폭(W1)에 비해 약 5% 내지 20% 범위일 수 있다.
예를 들어, 실시예에서 제1 발광 칩(121)의 제1 반도체층(121a)의 제1 외측면으로 돌출된 제1 형광체층(121d)의 거리(D2)가 제1 발광 칩(121)의 제1 반도체층(121a)의 수평 폭(W1)에 비해 5% 미만인 경우 제1 발광 칩(121)에서 발광 된 빛의 일부가 형광체층을 거치지 않고 외부로 발광될 수 있다.
또한 실시예에서 제1 발광 칩(121)의 제1 반도체층(121a)의 제1 외측면으로 돌출된 제1 형광체층(121d)의 거리(D2)가 제1 발광 칩(121)의 제1 반도체층(121a)의 수평 폭(W1)에 비해 10% 초과인 경우 발광 칩의 크기가 불필요하게 커질 수 있다.
(제4 실시예)
다음으로, 도 21은 제4 실시예에 따른 플래시 모듈에서 제2 렌즈부(231)의 확대 단면도이다.
도 21을 참조하면, 실시예에서 제2 렌즈부(231)의 제2 광 확산부(232)는 광 확산 패턴(P1, P2)이 배치되는 패턴부(232b)와, 상기 발광 칩(121, 122)에서 발광된 빛의 출사되는 광 출사부(232a)를 포함할 수 있다.
실시예에서 상기 제1 광 확산 패턴(P1)은 곡률 패턴(PR)과 요철 패턴(PC)를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 광 확산 패턴(P2)도 곡률 패턴(PR)과 요철 패턴(PC)를 포함할 수 있다.
이때, 상기 곡률 패턴(PR)의 곡률이나 반경은 약 0.3mm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 곡률 패턴(PR)의 곡률이나 반경은 약 0.0001 mm 내지 0.3mm일 수 있다. 상기 곡률 패턴(PR)의 곡률이나 반경이 0.3mm를 초과하는 경우 집광 특성이 나쁠 수 있거나, 광 분포가 거칠어질 수 있거나, 외관 상 거칠어 보일 수 있는 문제가 있다.
상기 곡률 패턴(PR)의 곡률이나 반경은 약 0.3mm 이하로 제어됨으로써 카메라 플래시의 프레임(220) 내부의 발광 칩 등이 보이지 않게 스크리닝(Screening)이 가능하며, 디자인(Design) 적으로도 감성적 특성의 구현이 가능한 기술적 효과를 가질 수 있다.
실시예에서 렌즈부(231)의 두께(T2)를 약 0.1 mm 내지 0.2 mm의 초 슬림한(super slim)로 제어가 가능하므로, 상기 곡률 패턴(PR)의 곡률이나 반경을 약 0.2mm 이하로 제어할 수 있다. 예를 들어, 상기 곡률 패턴(PR)의 곡률이나 반경을 약 0.0001 mm 내지 0.2mm로 제어하여 균일한 광분포와 우수한 집광 특성을 구현할 수 있다.
실시예에서 상기 제1, 제2 광 확산 패턴(P1, P2)의 곡률 패턴(PR)의 높이는 약 0.3mm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 곡률 패턴(PR)의 높이는 약 0.0001 mm 내지 0.3mm일 수 있다. 상기 곡률 패턴(PR)의 높이가 0.3mm를 초과하는 경우 집광 특성이 나쁠 수 있다.
실시예에서 상기 곡률 패턴(PR)의 높이를 약 0.3mm 이하, 예를 들어 0.2mm 이하로 제어하는 경우 우수한 집광 특성과 균일한 광분포를 구현할 수 있다.
실시예에서 렌즈부(230)의 탑뷰(top view)에서 각 광 확산 패턴(P1, P2)의 중심과 각 발광 칩(121, 122)의 센터가 일치될 수 있다. 예를 들어, 실시예는 렌즈부(230)의 제1, 제2 광 확산 패턴(P1, P2)과 발광 칩(121, 122)의 얼라인 공차를 약 25㎛ 이하로 제어함으로써 발광 칩에서 발광되는 광의 지향각 특성과 렌즈부의 광 확산패턴의 일치성을 현저히 향상시킴에 따라 광각의 화각(FOV) 구현과 더불어 균일한 광분포를 얻을 수 있다.
예를 들어, 실시예는 렌즈부(232)의 제1, 제2 광 확산 패턴(P1, P2)의 곡률 패턴(PR)의 중심과 발광 칩(121, 122)의 얼라인 공차를 약 25㎛ 이하로 제어함으로써 발광 칩에서 발광되는 광의 지향각 특성과 렌즈부의 광 확산패턴의 일치성을 현저히 향상시킴에 따라 광각의 화각(FOV) 구현과 더불어 균일한 광분포를 얻을 수 있다.
실시예에서 광 출사부(232a)는 글래스 재질을 포함할 수 있으며, 상기 패턴부(232b)는 플라스틱 재질일 수 있다. 예를 들어, 상기 광 출사부(232a)는 사파이어로 형성될 수 있으며, 상기 패턴부(232b)는 아크릴계 플라스틱 재료가 사용될 수 있고, 그 예는 PMMA (Polymethyl methacrylate)를 들 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 패턴부(232b)는 열 공정 또는 UV 조사에 의한 패턴 전사 방식의 임프린팅(imprinting) 공정에 의해 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 실시예에 의하면, 상기 광 출사부(232a)가 약 260℃ 이상의 온도에서 리플로우(reflow) 된 이후에 패턴부(232b)가 임프린팅 됨으로써 패턴의 뒤틀림 현상 등이 발생하지 않고 광 확산 패턴이 패턴을 유지할 수 있다.
실시예에 의하면, 외부로 노출되는 제2 광 확산부(232)의 광 출사부(232a)가 글래스 재질로 형성됨에 따라 공정 중 또는 사용 중에 발생할 수 있는 스크래치(scratch)에 대한 저항성이 높은 렌즈부를 구비한 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
이상 설명된 실시예에 의하면 아래와 같은 기술적 효과가 있다.
우선 실시예는 광각을 유지하면서 초 슬림한(super slim) 기술적 효과가 있는 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
또한 실시예는 렌즈의 패턴의 끝 부분이 샤프한 기술적 특징이 있는 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
또한 실시예는 스크래치(scratch) 저항성이 높은 렌즈부를 구비한 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
또한 실시예는 카메라 플래시 기술영역에서는 감성조명 구현이 가능한 웜-화이트(warm-white)와 쿨-화이트(cool-white) 일체가 가능한 기술적 효과가 있는 발광 모듈, 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
또한 실시예는 발광모듈에서 플래시 작동시 높은 방열효과에 따라 신뢰성이 우수한 기술적 효과가 있는 발광 모듈, 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
또한 실시예는 발광 칩과 플래시 렌즈의 얼라인 정확도가 높아 균일한 광 분포를 구현할 수 있는 기술적 효과가 있는 발광 모듈, 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
또한 실시예는 발광 모듈과 프레임간의 결합관계가 견고하여 기계적 신뢰성이 향상된 기술적 효과가 있는 발광 모듈, 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
실시예에 따른 플래시 모듈은 단말기에 채용될 수 있다. 상기 단말기는 휴대폰, 스마트폰, 태블릿 PC, 노트북, PDA(Personal Digital Assistant) 등을 포함할 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.

Claims (10)

  1. 반도체층, 상기 반도체층의 일면에 배치된 형광체층, 및 상기 반도체층의 일면과 마주보는 면에 배치된 복수의 전극을 포함하는 복수의 발광 칩;
    상기 복수의 발광 칩의 일측에 배치된 제1 격벽, 상기 제1 격벽과 마주보도록 상기 상기 복수의 발광 칩의 타측에 배치된 제2 격벽; 및
    상기 형광체층의 상면과 상기 복수의 전극의 저면이 외부로 노출되도록 상기 복수의 발광 칩을 에워싸며 상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽 내측에 배치되는 불투명 몰딩부;를 포함하는 발광 모듈.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽은 상기 복수의 발광 칩을 둘러싸며,
    상기 복수의 발광 칩은, 색온도(CCT)가 서로 다른 제1 발광 칩과 제2 발광 칩을 포함하는 발광 모듈.
  3. 색온도(CCT)가 서로 다르며 이격 배치된 제1 발광 칩, 제2 발광 칩; 및
    상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩의 측면을 감싸는 불투명 몰딩부를 포함하며,
    상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩은 플립형 발광 칩이며,
    상기 제1 발광 칩의 전극 또는 상기 제2 발광 칩의 전극이 상기 불투명 몰딩부의 저면으로 노출되는 발광 모듈.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 발광 칩은,
    제1 반도체층 상면에 배치된 제1 형광체층과,
    상기 제1 반도체층 저면에 배치된 제1 n형 전극과 제1 p형 전극;을 포함하며,
    상기 제1 n형 전극과 상기 제1 p형 전극의 각각의 저면 중 적어도 일부가 상기 불투명 몰딩부의 저면으로 노출되는 발광 모듈.
  5. 반도체층, 상기 반도체층의 일면에 배치된 형광체층, 및 상기 반도체층의 일면과 마주보는 면에 배치된 복수의 전극을 포함하는 복수의 발광 칩과,
    상기 복수의 전극의 저면이 외부로 노출되도록 상기 복수의 발광 칩을 에워싸는 몰딩부를 포함하는 발광 모듈;
    상기 발광 모듈 상에 배치되는 프레임; 및
    상기 프레임 상에 배치되는 렌즈부;를 포함하며,
    상기 렌즈부는,
    소정의 패턴이 배치된 광 확산부와,
    상기 광 확산부의 외측에 접하여 배치된 렌즈 지지부를 포함하고,
    상기 광 확산부는 글래스 재질을 포함하는 플래시 모듈.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 렌즈부의 광 확산부는,
    상기 패턴이 배치되는 패턴부와,
    상기 발광 칩에서 발광된 빛의 출사되는 광 출사부를 포함하는 플래시 모듈.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 발광 모듈은,
    이격된 제1 격벽과 제2 격벽과, 상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽 사이에 배치된 상기 플립형 제1 발광 칩과 상기 플립형 제2 발광 칩을 포함하고,
    상기 플립형 제1 발광 칩과 상기 플립형 제2 발광 칩은 색온도(CCT)가 서로 다른 플래시 모듈.
  8. 반도체층, 상기 반도체층의 일면에 배치된 형광체층, 및 상기 반도체층의 일면과 마주보는 면에 배치된 복수의 전극을 포함하는 복수의 발광 칩과,
    상기 형광체층의 상면과 상기 복수의 전극의 저면이 외부로 노출되도록 상기 복수의 발광 칩을 에워싸는 불투명 몰딩부를 포함하는 발광 모듈;
    상기 발광 모듈 상에 배치되는 프레임; 및
    상기 프레임 상에 배치되는 렌즈부를 포함하는 플래시 모듈.
  9. 이격된 제1 격벽과 제2 격벽과, 상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽 사이에 배치된 제1 발광 칩과 제2 발광 칩과, 상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽 사이에 배치된 불투명 몰딩부를 포함하는 발광 모듈;과,
    상기 발광 모듈 상에 배치되는 프레임과,
    상기 프레임 상에 배치되는 렌즈부;를 포함하고,
    상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩은 플립형 발광 칩이며,
    상기 플립형 제1 발광 칩 또는 상기 플립형 제2 발광 칩 중 일부가 상기 불투명 몰딩부의 저면으로 노출되는 플래시 모듈.
  10. 제 5항 내지 제9항 중 어느 하나의 플래시 모듈을 포함하는 단말기.
PCT/KR2017/008562 2016-08-09 2017-08-08 발광 모듈, 플래시 모듈 및 이를 포함하는 단말기 Ceased WO2018030757A1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210672130.4A CN115113457A (zh) 2016-08-09 2017-08-08 发光模块、闪光模块和包括该闪光模块的终端
US16/323,356 US11300854B2 (en) 2016-08-09 2017-08-08 Light emitting module, flash module, and terminal including same
CN201780049327.XA CN109565538A (zh) 2016-08-09 2017-08-08 发光模块、闪光模块和包括该闪光模块的终端

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0101280 2016-08-09
KR1020160101280A KR20180017450A (ko) 2016-08-09 2016-08-09 발광 모듈, 플래시 모듈 및 이를 포함하는 단말기
KR1020160103696A KR102600655B1 (ko) 2016-08-16 2016-08-16 플래시 모듈 및 이를 포함하는 단말기
KR10-2016-0103696 2016-08-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018030757A1 true WO2018030757A1 (ko) 2018-02-15

Family

ID=61163023

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2017/008562 Ceased WO2018030757A1 (ko) 2016-08-09 2017-08-08 발광 모듈, 플래시 모듈 및 이를 포함하는 단말기

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11300854B2 (ko)
CN (2) CN109565538A (ko)
WO (1) WO2018030757A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN210607317U (zh) * 2019-11-18 2020-05-22 福建天电光电有限公司 一种多色温多通道emc支架结构
WO2026015594A1 (en) * 2024-07-10 2026-01-15 Corning Incorporated Display apparatus and method of manufacturing a display apparatus

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004327955A (ja) * 2003-04-09 2004-11-18 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄランプ
JP2010040801A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
KR20160014968A (ko) * 2014-07-30 2016-02-12 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR20160080089A (ko) * 2014-12-29 2016-07-07 주식회사 아모센스 듀얼 플래쉬 엘이디 모듈
KR20160089293A (ko) * 2015-01-19 2016-07-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1306629A (zh) 1998-05-13 2001-08-01 光谱科学公司 微型激光小珠及其结构,以及相关方法
KR100604469B1 (ko) * 2004-08-25 2006-07-25 박병재 발광소자와 그 패키지 구조체 및 제조방법
US20060187653A1 (en) 2005-02-10 2006-08-24 Olsson Mark S LED illumination devices
KR100700063B1 (ko) 2005-11-22 2007-03-28 샤닝포터 주식회사 광범위 적용이 가능한 초소형 카메라용 광학계
KR200408497Y1 (ko) 2005-11-22 2006-02-13 샤닝포터 주식회사 광범위 적용이 가능한 초소형 카메라용 광학계
US9046634B2 (en) 2007-06-14 2015-06-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Thin flash or video recording light using low profile side emitting LED
DE102008054029A1 (de) * 2008-10-30 2010-05-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
KR100972983B1 (ko) 2009-01-09 2010-07-29 삼성엘이디 주식회사 카메라 플래쉬 렌즈 및 이를 포함하는 휴대용 기기
KR101086997B1 (ko) 2009-04-29 2011-11-29 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지와 그의 제조 방법 및 그를 이용한 카메라 플래시 모듈
KR101064090B1 (ko) 2009-11-17 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
TWI426594B (zh) * 2010-02-08 2014-02-11 柏友照明科技股份有限公司 能夠提高演色性之混光式發光二極體封裝結構
KR102108204B1 (ko) * 2013-08-26 2020-05-08 서울반도체 주식회사 면 조명용 렌즈 및 발광 모듈
TWI649900B (zh) 2015-02-04 2019-02-01 Everlight Electronics Co., Ltd. Ｌｅｄ封裝結構及其製造方法
CN204592956U (zh) 2015-04-29 2015-08-26 厦门福鑫德进出口贸易有限公司 透镜、led光源及格栅灯
US10008648B2 (en) * 2015-10-08 2018-06-26 Semicon Light Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
CN205350927U (zh) 2015-12-31 2016-06-29 晶能光电（江西）有限公司 一种闪光灯

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004327955A (ja) * 2003-04-09 2004-11-18 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄランプ
JP2010040801A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
KR20160014968A (ko) * 2014-07-30 2016-02-12 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR20160080089A (ko) * 2014-12-29 2016-07-07 주식회사 아모센스 듀얼 플래쉬 엘이디 모듈
KR20160089293A (ko) * 2015-01-19 2016-07-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
CN115113457A (zh) 2022-09-27
CN109565538A (zh) 2019-04-02
US11300854B2 (en) 2022-04-12
US20210286235A1 (en) 2021-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2019240538A1 (ko) 인쇄회로기판 및 이를 포함하는 카메라 장치
WO2019135606A1 (en) Light emitting device with led stack for display and display apparatus having the same
WO2011083923A2 (en) Light emitting diode having electrode pads
WO2019054547A1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명장치
WO2017160119A1 (ko) 반도체 소자 및 이를 포함하는 표시장치
WO2016129873A2 (ko) 발광소자 및 발광 다이오드
WO2016018016A1 (en) Display assembly and display apparatus using the same background
WO2019004518A1 (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
WO2018164371A1 (ko) 반도체 소자 및 반도체 소자 패키지
WO2018139770A1 (ko) 반도체 소자 및 반도체 소자 패키지
WO2018139877A1 (ko) 반도체 소자
WO2019059690A2 (ko) 발광소자 패키지
WO2013183950A1 (ko) 발광 소자 패키지
WO2018004183A1 (en) Solar cell module, method for manufacturing solar cell module, method for manufacturing electronic device having solar cell module
WO2018139838A1 (ko) 조명 구동 장치 및 이의 조명 구동 방법
WO2019045166A1 (ko) 발광소자 패키지
WO2016144103A1 (ko) 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
WO2020105956A1 (ko) 이미지 센서용 기판
WO2019045513A1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명장치
WO2019054802A1 (ko) 발광소자 패키지
WO2019190026A1 (ko) 퀀텀닷 플레이트 조립체와 이를 포함하는 발광소자 패키지 및 led 모듈
WO2018110981A1 (ko) 광 전송 모듈
WO2019054548A1 (ko) 발광소자 패키지
WO2018030757A1 (ko) 발광 모듈, 플래시 모듈 및 이를 포함하는 단말기
WO2022154649A1 (ko) 발광 장치

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17839775

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17839775

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1