WO2018008512A1

WO2018008512A1 - 欠陥検出装置、欠陥検出方法、ウェハ、半導体チップ、半導体装置、ダイボンダ、ボンディング方法、半導体製造方法、および半導体装置製造方法

Info

Publication number: WO2018008512A1
Application number: PCT/JP2017/023932
Authority: WO
Inventors: 悠田井; 篤正上林
Original assignee: キヤノンマシナリー株式会社
Priority date: 2016-07-05
Filing date: 2017-06-29
Publication date: 2018-01-11
Also published as: MY202139A

Abstract

濃淡パターンのある濃淡層と、この濃淡層の濃淡パターンを覆う被覆層とを備えたワークにおける被覆層に形成された欠陥を検出する。照明器から照射される照明光は、少なくとも濃淡層から反射し撮像装置に入射する光よりも、前記被覆層から反射又は散乱されて撮像装置に入射する光の強度が大きい波長である。このため、濃淡層の濃淡パターンの影響を低くする光である。

Description

欠陥検出装置、欠陥検出方法、ウェハ、半導体チップ、半導体装置、ダイボンダ、ボンディング方法、半導体製造方法、および半導体装置製造方法

　本発明は、ウェハ、このウェハから切断されて個片化されたチップ等のワークに形成されるクラックを検出する欠陥検出装置、欠陥検出方法、ダイボンダ、ボンディング方法、関し、さらには、ウェハ、半導体チップ、半導体製造方法、および半導体装置製造方法に関するものである。

　チップ（半導体チップ）に発生したクラックを検出する検出装置としては、従来から種々提案されている（特許文献１～特許文献３）。特許文献１では、半導体表面の画像を撮像手段によって撮像し、検出手段によってこの撮像手段から出力される複数のカラー信号の相関係数を求め、これら相関係数より半導体表面の欠陥を検出するものである。このため、変色・汚れ等の欠陥を検出することができるというものである。

　特許文献２では、主面側を封止する樹脂層が形成されたウェハの裏面側から、光軸を前記ウェハの主面に交差させて赤外光線を照射し、その反射光を受光しつつ撮像することによりウェハ内部に発生したクラックを検出するものである。すなわち、ダイシングにより個片化したウェハの裏面側から赤外光線を照射することにより、赤外光線をウェハに透過させることができ、ウェハ内部に生じたクラックの界面で乱反射した赤外光線の反射光を受光しつつこれを結像することによって、ウェハ内部に生じたクラックを顕像化することができるというものである。

　特許文献３では、半導体チップからの弾性波を検出することによって、半導体チップの変形およびクラックの発生を検出するものである。

特開平６－８２３７７号公報特開２００８－４５９６５号公報特開２０１５－１７０７４６号公報

　ところで、ワークとして、図２８に示すように、配線パターンを配線パターン層１と、配線パターン層上にある被覆層２とを備えた半導体チップ３の場合がある。このような場合、照明光がこのワークの表面に入射された場合、照明光は、被覆層２の表面にて反射され、被覆層２を透過し、被覆層２に吸収され、被覆層２で散乱され、また、配線パターン層１から反射されたりする。

　このため、被覆層２の上面に形成された割れ等クラックを特許文献１等に記載された検出装置では検出しにくかった。また、特許文献２に記載の方法では、ウェハの裏面側から赤外光線を照射することにより、赤外光線をウェハに透過させて、ウェハ内部に生じたクラックを顕像化することができるというものであり、ウェハの表面のクラックを検出することができない。特許文献３では、半導体チップからの弾性波を検出して、クラックが発生しているか否か検出するものである。このため、クラックの位置の検出はできない。

　本発明は、上記課題に鑑みて、ワークに形成されたクラック等の欠陥の有無等を安定して検出することができる欠陥検出装置及び検出方法を提供する。また、クラック等の欠陥の有無等を安定して検出することが可能なダイボンダ及びボンディング方法を提供する。

　本発明の第１の欠陥検出装置は、半導体製造工程に由来する濃淡パターンのある濃淡層と、この濃淡層の濃淡パターンを覆う被覆層とを備えたワークにおける被覆層に形成された欠陥を検出する欠陥検出装置であって、前記ワークに対して照明を行う照明器と、この照明器にて照明された前記ワークの観察部位を観察する撮像装置とを有する観察機構を備え、前記照明器から照射される照明光は、少なくとも濃淡層から反射し前記撮像装置に入射する光よりも、前記被覆層から反射又は散乱されて撮像装置に入射する光の強度が大きい波長であり、前記濃淡層の濃淡パターンの影響を低くした光である。ここで、半導体製造工程に由来する濃淡パターンとは、半導体製造工程によって形成されるものであり、例えば、配線パターンにより生じるパターン、酸化や窒化したＳｉとこれらＳｉと異なるＳｉとを有することにより生じるパターン等がある。また、濃淡パターンの影響を低くするとは、欠陥を観察する際のこれらの濃淡パターンを消す乃至薄く映って欠陥の観察を損なわない場合をいう。すなわち、本欠陥検出装置にて用いる光では、この光以外の光を用いたときよりも濃淡パターンによって生じる輝度コントラストが低くなることである。

　本発明の第１の欠陥検出装置によれば、照明器から照射される照明光は、少なくとも濃淡層から反射し前記撮像装置に入射する光よりも、前記被覆層から反射又は散乱されて撮像装置に入射する光の強度が大きい波長であるので、被覆層から反射又は散乱された光を映し出すことができ、濃淡パターンによって生じる輝度コントラストが低くなって、濃淡パターンの影響を低く（少なく）することができる。

　本発明の第２の欠陥検出装置は、半導体製品又は半導体製品の一部であるワークにおいて少なくとも傾斜面部を有する欠陥を検出する欠陥検出装置であって、前記ワークに対して明視野照明光を照射する照明器と、観察光学系を構成し、前記照明器にて照射された前記ワークの観察部位を観察する撮像装置と、を有する検査機構を備え、前記検査機構は、光軸方向において合焦位置からデフォーカスされた非合焦位置から射出された前記ワークからの反射光を観察し、前記非合焦位置からの反射光により形成された観察画像上の欠陥を、合焦位置からの反射光により形成された観察画像上の欠陥よりも強調するものである。ここで、半導体製品とは、製品として完成されたものだけではなく、製造途中段階の未完成のものも含む。ここで、合焦位置とは、合焦面（像面（センサ面）と共役な関係にある面）の任意の位置であり、非合焦位置とは、前記合焦面以外の位置である。物体面が合焦位置と一致していない場合をデフォーカスしているという。

　本発明の第２の欠陥検出装置によれば、明視野照明光を照射し、反射光を観察するものにおいて、ワークからの反射光を、光軸方向において合焦位置からずれた非合焦位置から見かけ上射出させる、いわゆるデフォーカスを行う。ここで、明視野照明光とは、観察光学系の主光線の延長方向から照明する（略平行光）ことである。これにより、非合焦位置からの反射光により形成された観察画像上の欠陥を強調することができ、見えにくい欠陥が見えやすくなったり、既存の装置では見えなかった欠陥が見えるようになったりすることができる。ここで、強調とは、画像上の欠陥を、合焦位置からの反射光により形成された観察画像上の欠陥よりも拡大したり、観察画像上の欠陥と、その他の部分とのコントラストを大きくしたりすることである。すなわち、本発明における強調とは、拡大するか、コントラストを大きくするか、の少なくともいずれかが生じていることをいう。

　前記構成において、合焦位置と非合焦位置との少なくとも非合焦位置を含む２つの異なる位置から反射光が射出されるものとしてもよい。この位置には合焦位置を含む。すなわち、少なくとも２つの異なる位置とは、合焦位置及び１つ以上の非合焦位置である場合と、２つ以上の非合焦位置である場合とがある。また、少なくとも１つの前記位置からの反射光に基づいて検査又は画像上のワークの位置を検出する位置決めを行うものであってもよい。これにより、観察光学系は、検査機能に加えて位置決め機能を有するものとなる。

　前記検査機構は、前記合焦位置を境界として、前記撮像装置に近接する側の非合焦位置と、前記撮像装置から離間する側の非合焦位置との夫々から射出された反射光に基づいて検査するものであってもよい。これにより、合焦位置を境界として、撮像装置に近接する側の非合焦位置における観察画像上の欠陥の色と、撮像装置から離間する側の非合焦位置における観察画像上の欠陥の色とが異なるものとなる。

　前記照明器側のＮＡが、観察光学系側のＮＡよりも小さいものとしてもよい。これにより、相対する一対の傾斜面を有する欠陥において、相対する面の傾斜面同士の相対角（本明細書においてクラック角といい、一方の面の傾斜角度をθ₁（時計回り方向）、他方の面の傾斜角度をθ₂（反時計回り方向）としたとき、θ₁＋θ₂）が小さい場合であっても検査することが可能となる。

　前記ワークを非合焦位置に配置することにより、ワークからの反射光を光軸方向において合焦位置からずれた非合焦位置から射出させるようにしてもよい。また、前記検査機構が、ワークからの反射光を光軸方向において合焦位置からずれた非合焦位置から射出させるデフォーカス手段を備え、前記デフォーカス手段は、ワークと光学系とを光軸方向に相対移動させるもの、光学系を変更するもの、合焦位置の異なる複数の光学系及び受光素子を用いるもの、照明又は観察波長を変更するもの、のいずれかとすることができる。

　照明手段側のＮＡ及び観察光学系側のＮＡの少なくとも一方を可変可能な可変手段を設けてもよい。

　ワークの傾き又はデフォーカス量に応じて、少なくとも観察光学系側又は照明器側のＮＡを設定するＮＡ制御部を設けてもよい。

　観察光学系における合焦位置から、１００μｍ以上デフォーカスした位置で検査を行うものとしてもよい。

　検査対象のワークの欠陥が互いに方向の異なる一対の面部を有するとき、前記ワークの位置から前記非合焦位置までのデフォーカス量は、前記撮像装置の最小検出幅ε_min、光軸に直交する線と一方の面部とのなす角θ₁、光軸に直交する線と他方の面部とのなす角θ₂、一対の面部の離間幅ｗから、ε_min－ｗ／（ｔａｎ２θ₁＋ｔａｎ２θ₂）の式で算出される値よりも大きいものとすることができる。これにより、観察画像上の欠陥を拡大できる確実性を高めることができる。

　前記構成において、検査対象のワークのθ₁及びθ₂が、観察光学系の開口数ＮＡで制限されるとき、－ｓｉｎ^-1（ＮＡ）≦θ₁≦ｓｉｎ^-1（ＮＡ）、かつ、－ｓｉｎ^-1（ＮＡ）≦θ₂≦ｓｉｎ^-1（ＮＡ）とすることができる。

　所定のデフォーカス量となるように前記デフォーカス手段を制御する制御部を設けてもよい。これにより、欠陥検出装置が自動的にデフォーカスを行う。この場合、制御部は、所定のパラメータに基づいてデフォーカス量を演算する演算部を備えてもよい。これにより、ユーザがパラメータを設定するのみで、欠陥検出装置が自動的にデフォーカス量を決定する。

　前記照明器は、検査用光源と、位置決め用光源と、前記光源を切替えて電気的に照明側のＮＡを切替えるＮＡ切替部とを備えるものであってもよい。

　デフォーカス量と離間幅とから、面部の傾斜角度及び欠陥幅を検出する検出部を備えてもよい。これにより、欠陥の面部の角度計測を行うことができる。

　合焦位置と非合焦位置との少なくとも非合焦位置を含む２つの異なる位置から検査するとき、欠陥の明暗の変化及び／又は欠陥の大きさの変化に基づいて欠陥を判別する判別手段を備えてもよい。すなわち、欠陥の明暗の変化と拡大の変化とのいずれか、又はこれらの両方を判別することにより、例えば、欠陥の分類（傾斜面を有するいわゆるクラック、異物等）を行うことができる。

　前記ワークは多層構造からなり、検査対象の層から反射又は散乱されて撮像装置に入射する光の強度が、他層からの強度よりも大きい波長であってもよい。

　前記構成において、前記ワークは、半導体製造工程に由来する濃淡パターンのある濃淡層と、この濃淡層の濃淡パターンを覆う被覆層とを備え、前記照明器から照射される照明光は、少なくとも濃淡層から反射し前記撮像装置に入射する光よりも、前記被覆層から反射又は散乱されて撮像装置に入射する光の強度が大きい波長であり、前記濃淡層の濃淡パターンの影響を低くした光とすることができる。濃淡パターンの影響を低くするとは、欠陥を観察する際のこれらの濃淡パターンを消す乃至薄く映って欠陥の観察を損なわない場合をいう。すなわち、この光以外の光を用いたときよりも濃淡パターンによって生じる輝度コントラストが低くなることである。これにより、被覆層の表面から反射又は散乱された光を映し出すことができ、濃淡パターンによって生じる輝度コントラストが低くなって、濃淡パターンの影響を低く（少なく）することができる。

　被覆層は有機物層であり、また、その有機物層はポリイミド樹脂であるように設定できる。前記被覆層は膜厚が、１μｍ～１００μｍであるように設定できる。被覆層は、単層から構成されても、２層以上の複数層から構成されてよい。被覆層が複数層から構成される場合、各層が同一材質、各層が異なる材質、又は複数層の所定の層が同一材質とされるものであってもよい。

　前記照明器の照明光のうち観察される波長が、４５０ｎｍ以下又は１０００ｎｍ以上であるのが好ましい。このように、観察される波長が、４５０ｎｍ以下又は１０００ｎｍ以上であれば、被覆層がポリイミド樹脂にて構成され、かつ、濃淡パターンのある濃淡層が配線パターンの影響を安定して低くすることができる。

　前記撮像装置は、前記照明器にて照明されたワークの観察部位を上方から観察する暗視野観察を行うものであり、前記ワークの欠陥は、開口部と傾斜面部の少なくともいずれか一方を有し、前記ワークに形成された欠陥の観察画像上の欠陥を大きくする観察を行うことができる。

　このように設定することによって、濃淡パターンの影響を小さくし、かつ、ワークに形成された欠陥を大きくして観察したり、既存の装置では見えなかった欠陥を見えるようにできる。

　前記暗視野観察において、照明器を周方向に沿って所定ピッチで複数個配設するものであっても、前記撮像装置の撮影軸を取り囲むリング状に、少なくとも１列以上配置された複数の発光部からなるリング照明であってもよい。このように、リング照明を用いれば、欠陥の傾斜面部の向き(回転角)に関係なく、欠陥（クラック）を拡大して観察することが可能である。

　前記照明器の照明方向は、撮影軸とワークとが直交するように配置されているときに、ワークと照明軸とのなす角が５０°～８５°であるように設定できる。このように、５０°～８５°に設定することによって、大部分の発生する欠陥（クラック）に対応して拡大して観察することが可能である。

　ワークとして、その濃淡パターンを配線パターンが構成するウェハであったり、ウェハを個片化した個片体（半導体チップ）等であったりする。すなわち、ワークとしては、リードフレームや基板に搭載される個片体（パッケージされないもの、すなわち、個片体が被覆されないもの）、複数の個片体で構成されるもの（単一の個片体を積み重ねたもの、複数の個片体の集合体）であってもよく、例えば、積層されたメモリチップ、ＳｉＰ（Ｓｙｓｔｅｍ　ｉｎ　Ｐａｃｋａｇｅ）である。

　本発明の第１の欠陥検出方法は、濃淡パターンのある濃淡層と、この濃淡層の濃淡パターンを覆う被覆層とを備えたワークにおける被覆層に形成された欠陥を検出する欠陥検出方法であって、少なくとも前記濃淡層から反射し撮像装置に入射する光よりも、前記被覆層から反射又は散乱されて撮像装置に入射する光の強度が大きい波長である照明光を、前記ワークに対して照射し、前記濃淡層の濃淡パターンを、前記撮像装置にて、影響を低くしてワークを観察することができる。すなわち、本検出方法に用いる光では、この光以外の光を用いたときよりも濃淡パターンによって生じる輝度コントラストが低くなって、影響を低くしてワークを観察することができる。

　本発明の第１の欠陥検出方法によれば、照明光は、少なくとも濃淡層から反射し撮像装置に入射する光よりも、前記被覆層から反射又は散乱されて撮像装置に入射する光の強度が大きい波長であるので、被覆層から反射又は散乱された光を映し出すことができ、濃淡パターンの影響を低く（小さく）することができる。

　本発明の第２の欠陥検出方法は、半導体製品又は半導体製品の一部である少なくとも傾斜面部を有する欠陥を検出する欠陥検出方法であって、前記ワークに対して明視野照明光を照射し、ワークからの反射光を、光軸方向において合焦位置からデフォーカスされた非合焦位置から射出させて、前記非合焦位置からの反射光により形成された観察画像上の欠陥を、合焦位置からの反射光により形成された観察画像上の欠陥よりも強調するものである。

　本発明の第２の欠陥検出方法によれば、明視野照明光を照射し、反射光を観察するものにおいて、ワークからの反射光を、光軸方向において合焦位置からずれた非合焦位置から見かけ上射出させる、いわゆるデフォーカスを行う。ここで、明視野照明光とは、観察光学系の主光線の延長方向から照明する（略平行光）ことである。これにより、非合焦位置からの反射光により形成された観察画像上の欠陥を強調することができ、見えにくい欠陥が見えやすくなったり、既存の装置では見えなかった欠陥が見えるようになったりすることができる。

　欠陥検出方法として、前記欠陥検出装置を用いるものであってもよい。前記欠陥検出方法にて検出された欠陥が製品として不良か否かの判断基準を予め設定し、欠陥画像を判断基準によって、不良品か良品かの判断を行うものであってもよい。

　合焦位置と非合焦位置との少なくとも非合焦位置を含む２つの異なる位置から検査するとき、欠陥の明暗の変化及び／又は欠陥の大きさの変化に基づいて（つまり、欠陥の明暗の変化と欠陥の大きさの変化の少なくともいずれか一方に基づいて）欠陥を判別するものであってもよい。

　また、ウェハ、半導体チップとして、欠陥検出方法にて欠陥が検出されず又は検出された欠陥が前記欠陥検出方法にて良品と判断されているものを提供できる。

　半導体装置として、前記欠陥検出方法にて欠陥が検出されず又は検出された欠陥が前記欠陥検出方法にて良品と判断された個片体で構成されているものであってもよい。

　本発明のダイボンダは、ピックアップポジションにてワークをピックアップし、このピックアップしたワークをボンディングポジョンに搬送して、そのボンディングポジションにてワークをボンディングするダイボンダであって、ピックアップポジションからボンディングポジションのいずれかの位置で、前記欠陥検出装置を配置したものである。

　本発明のダイボンダによれば、ピックアップポジションからボンディングポジションのいずれかの位置で、ボンディングするワークにおけるクラック等の欠陥を検出することができる。すなわち、ボンディング動作中等にワーク（半導体チップ等）の欠陥（クラック）を検出し、不良品の出荷を防止できる。また、半導体チップ（ダイ）を積層（スタック）する製品の場合には歩溜まりを大きく改善することができる。例えば、不良チップの上にチップをボンディングしたり、良品チップが積層されている上に不良チップを積層すると、その積層体が不良となったり、製品のランクが下がったりする。

　前記ダイボンダにおいて、ピックアップポジションでの位置決め検出を可能とし、ボンディングポジションでの位置決め検出を可能とするようにできる。

　ダイボンダとして、ピックアップポジションとボンディングポジションとの間にワークが搬送される中間ステージを有し、この中間ステージにおいても前記請求項１～請求項１３のいずれか１項に記載の欠陥検出装置を配置したものであってよく、さらには、ピックアップポジション、ボンディングポジション、ピックアップポジションとボンディングポジションとの間の中間ステージの内少なくとも一つでの位置決め検出が可能であってもよい。

　本発明の第１のボンディング方法は、ピックアップポジションにてワークをピックアップし、このピックアップしたワークをボンディングポジョンに搬送して、そのボンディングポジションにてワークをボンディングするボンディング工程を備えたボンディング方法であって、ピックアップ前とピックアップ後の少なくともいずれか一方において、ワークに対して前記欠陥検出装置にて欠陥を検出するものである。

　本発明の第２のボンディング方法は、ピックアップポジションにてワークをピックアップし、このピックアップしたワークをボンディングポジョンに搬送して、そのボンディングポジションにてワークをボンディングするボンディング工程を備えたボンディング方法であって、ピックアップポジションとボンディングポジョンとの間に中間ステージを有し、中間ステージへのワーク供給前と中間ステージからのワーク排出後の少なくともいずれか一方において、ワークに対して前記欠陥検出装置にて欠陥を検出するものである。

　本発明の第３のボンディング方法は、ピックアップポジションにてワークをピックアップし、このピックアップしたワークをボンディングポジョンに搬送して、そのボンディングポジションにてワークをボンディングするボンディング工程を備えたボンディング方法であって、ボンディング前とボンディング後に少なくともいずれか一方において、ワークに対して前記欠陥検出装置にて欠陥を検出するものである。

　本発明の第４のボンディング方法は、ピックアップポジションにてワークをピックアップし、このピックアップしたワークをボンディングポジョンに搬送して、そのボンディングポジションにてワークをボンディングするボンディング工程を備えたボンディング方法であって、ボンディング工程へのワーク供給前と、ボンディング工程からのワーク排出後の少なくともいずれか一方において、前記記載の欠陥検出方法を用いた検査工程を行うものである。

　半導体製造方法は、前記欠陥検出方法を用いた検査工程を備え、さらに、ウェハを切断して個片化するダイシング工程と、個片化されてなる半導体チップを樹脂で封止するモールド封止工程の少なくともいずれか一方の工程を備えたものである。

　半導体装置製造方法は、複数の個片体からなる個片体集合体を備えた半導体装置を製造する半導体装置製造方法であって、１個の個片体又は所定数の個片体の集合体からなる被対象物と、この被対象物に集合すべき他の個片体の少なくともいずれか一方を前記陥検出方法を用いて検査するものである。

　第１の欠陥検出装置では、被覆層から反射又は散乱された光を映し出すことができ、（濃淡パターンによって生じる輝度コントラストが低くなって、）濃淡パターンの影響を低く（小さく）することができるので、安定して欠陥（クラック）を検出することができる。しかも、照明光を設定するのみで、欠陥（クラック）を検出することができ、装置としても、既存の検出装置を用いることができ、低コスト化を図ることができる。

　また、第２の欠陥検出装置では、非合焦位置からの反射光により形成された観察画像上の欠陥を、合焦位置からの反射光により形成された観察画像上の欠陥よりも拡大して観察したり、既存の装置では見えなかった欠陥を見えるようにできるので、安定して欠陥（クラック）を検出することができる。

本発明に係る第１の欠陥検出装置の簡略図である。ワークと照明器との関係を示す簡略図である。本発明に係る第１の欠陥検出装置に用いるリング照明の簡略図である。本発明のダイボンダを用いたボンディング工程を示す簡略図である。本発明のダイボンダの簡略斜視図である。本発明のダイボンダの全体簡略斜視図である。ウェハを示す簡略斜視図である。被覆層が単層であるワークの要部拡大断面図である。被覆層が２層であるワークの要部拡大断面図である。被覆層が３層であるワークの要部拡大断面図である。光の透過率の説明図である。ワークに生じる欠陥（クラック）を示し、ワークが切断された状態の簡略断面図である。ワークに生じる欠陥（クラック）を示し、一対の切断端面の上面に傾斜面部が形成された状態の簡略断面図である。ワークに生じる欠陥（クラック）を示し、一方の切断端面の上面に傾斜面部が形成された状態の簡略断面図である。ワークに生じる欠陥（クラック）を示し、断面Ｖ字形状とされた状態の簡略断面図である。ワークに生じる欠陥（クラック）を示し、断面直角三角形状とされた状態の簡略断面図である。ワークに生じる欠陥（クラック）を示し、谷折れ状にワークが切断されて、一対の切断端面の上面に傾斜面部が形成された状態の簡略断面図である。ワークに生じる欠陥（クラック）を示し、山折れ状にワークが切断されて、一方の切断端面の上面に傾斜面部が形成された状態の簡略断面図である。ワークに生じる欠陥（クラック）を示し、谷折れ状にワークが折れ曲がった状態の簡略断面図である。ワークに生じる欠陥（クラック）を示し、山折れ状にワークが折れ曲がった状態の簡略断面図である。ワークに生じる欠陥（クラック）を示し、谷折れ状にワークが切断されて、切断端面の上端から平坦に延びる傾斜面部が形成された状態の簡略断面図である。ワークに生じる欠陥（クラック）を示し、山折れ状にワークが切断されて、切断端面の上端から平坦に延びる傾斜面部が形成された状態の簡略断面図である。欠陥の傾斜面部の傾斜角と欠陥の傾斜面部の回転角と照明器の照明角度との関係を示し、傾斜面部の回転角が０°の状態の簡略斜視図である。欠陥の傾斜面部の傾斜角と欠陥の傾斜面部の回転角と照明器の照明角度との関係を示し、傾斜面部の回転角が２０°の状態の簡略斜視図である。欠陥の傾斜面部の回転角と見かけの傾斜角との関係を示すグラフ図である。明視野における輝度とピクセルサイズとの関係を示すグラフ図である。暗視野における輝度とピクセルサイズとの関係を示すグラフ図である。本発明に係る第２の欠陥検出装置の簡略図である。光の反射を示し、照明器側のＮＡが、観察光学系側のＮＡよりも小さい場合の説明図である。光の反射を示し、照明器側のＮＡが、観察光学系側のＮＡよりも大きい場合の説明図である。谷折れ状に切断された欠陥を有するワークの合焦位置及び非合焦位置の関係を示す説明図である。傾きθを有する物体面において、照明光と反射光との関係を示す説明図である。合焦位置からの反射光による像と、非合焦位置からの反射光による像とがずれることを示す説明図である。谷折れ状に切断された欠陥を有するワークからの反射光束、非合焦位置Ｆａの輝度断面、及び非合焦位置Ｆｂの輝度断面を示す図である。谷折れ状に切断された欠陥を有するワークの観察画像を示し、上方側の非合焦位置における画像である。谷折れ状に切断された欠陥を有するワークの観察画像を示し、上方側の非合焦位置における画像である。谷折れ状に切断された欠陥を有するワークの観察画像を示し、上方側の非合焦位置における画像である。谷折れ状に切断された欠陥を有するワークの観察画像を示し、上方側の非合焦位置における画像である。谷折れ状に切断された欠陥を有するワークの観察画像を示し、下方側の非合焦位置における画像である。谷折れ状に切断された欠陥を有するワークの観察画像を示し、下方側の非合焦位置における画像である。谷折れ状に切断された欠陥を有するワークの観察画像を示し、下方側の非合焦位置における画像である。山折れ状に切断された欠陥を有するワークの合焦位置及び非合焦位置の関係を示す説明図である。山折れ状に切断された欠陥を有するワークからの反射光束、非合焦位置Ｆａの輝度断面、及び非合焦位置Ｆｂの輝度断面を示す図である。傾斜角と最小デフォーカス量との関係を示すグラフ図である。他のデフォーカス手段を備えた欠陥検出装置の簡略図である。他のデフォーカス手段を備えた欠陥検出装置の簡略図である。他のデフォーカス手段を備えた欠陥検出装置の簡略図である。他の照明手段を備えた欠陥検出装置の簡略図である。半導体製造方法の工程図である。ワークである半導体チップに照明光を照射させた状態の簡略断面図である。

　以下本発明の実施の形態を図１～図２７に基づいて説明する。

　図１に本発明に係る第１ものワークの欠陥検出装置の簡略図を示し、この欠陥検出装置１００（１００Ａ）（図４Ｂ参照）は、半導体ウェハ２９(図５参照)、この半導体ウェハ２９を個片化した半導体チップ２１(図４参照)やダイ等のワークに形成されるクラック等の欠陥４０（図８参照）の有無やその位置を検出するものである。

　ワークは、図６Ａ、図６Ｂ、及び図６Ｃに示すように、濃淡パターンである濃淡層１１と、この濃淡層１１の濃淡パターンを覆う被覆層１２とを有するものである。この場合、被覆層１２は、図６Ａでは一層から構成され、図６Ｂおよび図６Ｃでは複数の層からなる。すなわち、図６Ｂでは、濃淡層側の第１層１３（１３ａ）とこの第１層１３（１３ａ）の上層の第２層１３（１３ｂ）との２層からなり、図６Ｃでは、濃淡層側の第１層１３（１３ａ）とこの上の第２層１３（１３ｂ）とこの上の第３層１３（１３ｃ）とからなる。なお、濃淡パターンとして、配線パターンで構成することができ、配線パターンで構成した場合、濃淡層１１を配線パターン層と呼ぶことができる。また、被覆層１２としては、３層を越えて４層以上であってもよい。

　本願発明において、濃淡パターンとしては、半導体製造工程に由来するものであって、半導体製造工程によって形成されるものであり、例えば、配線パターンにより生じるパターン、酸化や窒化したＳｉとこれらＳｉと異なるＳｉとを有することにより生じるパターン等がある。このように、ワークの濃淡パターンは、半導体製造工程によって形成されるものであればよく、その基材は半導体であったり、ガラスであったり、高分子材料であったりする。なお、半導体製造前工程のプロセスとして、リソグラフィー（イオン打ち込みやエッチング等も含む）及び、成膜工程等がある。

　被覆層１２としては、例えば、シリコーン樹脂やポリイミド樹脂等で構成できる。また、図６Ｂおよび図６Ｃに示すように、複数層を有する場合、各層が同一材質であっても、相違する材質であってもよい。すなわち、図６Ａに示すように、被覆層１２が１層であれば、その材質をシリコーン樹脂やポリイミド樹脂等で構成でき、図６Ｂに示すように、被覆層１２が２層を有するものであれば、例えば、第１層１３ａをポリイミド樹脂とし、第２層１３ｂをシリコーン樹脂としたり、第１層１３ａをシリコーン樹脂とし、第２層１３ｂをポリイミド樹脂としたり、第１層１３ａと第２層１３ｂとをポリイミド樹脂とし、第１層１３ａと第２層１３ｂとをシリコーン樹脂としたりできる。図６Ｃに示すように、３層以上を有する場合、すべての層をシリコーン樹脂又はポリイミド樹脂の同一材質としたり、すべての層を相違する材質としたり、任意の複数層を同一の材質として他の層を相違する材質としたりできる。また、各層１３を同一種の樹脂を用いる場合であっても、特性等が相違するものを用いてもよい。

　被覆層１２の厚さ寸法として、例えば、図６Ａに示す単層であっても、図６Ｂおよび図６Ｃに示すように、複数層であっても、例えば、１μｍ～１００μｍであるように設定でき、より好ましくは、１μｍ～２０μｍ程度とすることができる。

　欠陥検出装置１００Ａは、図４Ａ～図４Ｃに示すようなダイボンダ１５０に配設される。ダイボンダ１５０は、ウェハ２９（図５参照）から切り出されるチップ２１をピックアップポジションＰにてピップアップして、リードフレームなどの基板２２のボンディングポジションＱに移送（搭載）するものである。ウェハ２９は、図１に示すように、ダイシング工程によって、多数のチップ２１に分断（分割）される。このため、このチップ２１は図５に示すようにマトリックス状に配列される。図４Ｂに示すダイボンダ１５０は、後述するように、ピックアップポジションＰとボンディングポジションＱとの間に中間ステージ１０１が配置されている。このように中間ステージ１０１を配置した場合、ボンディング工程において、ウェハ２９からピックアップしたワークを一旦中間ステージ１０１に載置し、この中間ステージ１０１から再度ワークをピックアップし、ボンディングするようにできる。従って、本発明に係る第１の欠陥検出装置１００Ａは、ピックアップポジションＰ、ボンディングポジションＱ、中間ステージ１０１上の少なくともいずれかに配置することになる。

　このダイボンダ１５０は、図４Ａに示すように、コレット（吸着コレット）２３を備える。このコレット２３は、図示省略の移動機構にて、ピックアップポジションＰ上での矢印Ｚ１方向の上昇および矢印Ｚ２方向の下降と、ボンディングポジションＱ上での矢印Ｚ３方向の上昇および矢印Ｚ４方向の下降と、ピックアップポジションＰとボンディングポジションＱとの間の矢印Ｘ１、Ｘ２方向の往復動とが可能とされる。移動機構は、例えばマイクロコンピュータ等にて構成される制御手段にて前記矢印Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、Ｘ１、Ｘ２の移動が制御される。なお、移動機構としては、シリンダ機構、ボールねじ機構、リニアモータ機構等の種々の機構にて構成することができる。

　吸着コレット２３はその下面に開口する吸着孔２８を有するヘッド（吸着のノズル）２４を備え、吸着孔２８を介してチップ２１が真空吸引され、このヘッド２４の下端面（先端面）にチップ２１が吸着する。この真空吸引（真空引き）が解除されれば、ヘッド２４からチップ２１が外れる。

　また、多数のチップ２１に分断（分割）されたウェハ２９は、例えばＸＹθテーブル２５（図５参照）上に配置され、このＸＹθテーブル２５には突き上げピンを備えた突き上げ手段が配置される。すなわち、突き上げ手段によって、ピックアップしようとするチップ２１を下方から突き上げ、粘着シートから剥離しやすくする。この状態で、下降してきた吸着コレット２３にこのチップ２１が吸着する。

　すなわち、コレットをこのピックアップすべきチップ２１の上方に位置させた後、矢印Ｚ２のようにコレット２３を下降させてこのチップ２１をピックアップする。その後、矢印Ｚ１のようにコレット２３を上昇させる。

　次に、コレットを矢印Ｘ１方向へ移動させて、このアイランド部の上方に位置させた後、コレットを矢印Ｚ４のように下降移動させて、このアイランド部にチップ２１を供給する。また、アイランド部にチップを供給した後は、コレットを矢印Ｚ３のように上昇させた後、矢印Ｘ２のように、ピップアップ位置の上方の待機位置に戻す。

　すなわち、コレット２３を、順次、矢印Ｚ１、Ｘ１、Ｚ４、Ｚ３、Ｘ２、Ｚ２のように移動させることによって、ピックアップ位置でチップ２１をコレット２３でピックアップし、このチップ２１をボンディング位置でチップ２１に実装することになる。

　ところで、ピックアップ位置においては、ピックアップすべきチップの位置確認（位置検出）を行い、ボンディング位置においても、ボンディングすべきリードフレームのアイランドの位置確認（位置検出）を行う必要がある。このため、一般には、ピックアップ位置の上方位置に配設された確認用カメラにてピックアップすべきチップを観察し、コレット２３をこのピックアップすべきチップの上方に位置させ、また、ボンディング位置の上方位置に配設された確認用カメラにてリードフレームのアイランドを観察し、コレット２３をこのアイランドの上方に位置させる。

　このため、このダイボンダ１５０では、ピックアップ位置には、図１に示すような位置決め装置が配置される。この位置決め装置には、本発明にかかる第１の欠陥検出装置１００が含まれる。位置決め装置は照明機構３０を備える。照明機構３０は、チップ２１を観察するための撮像装置３２と、このチップ２１を照明する照明手段３３とを備える。また、撮像装置３２や照明手段３３とは制御部３４にて制御される。なお、撮像装置３２は、カメラとレンズと有するものである。この場合のカメラとしては、ＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサ等から構成できる。すなわち、照明波長の光を画像化できるものであればよい。このため、可視光、紫外、赤外に感度を持ったものを用いてもよい。また、レンズとして、テレセントリックレンズやノンテレセントリックレンズ等で構成できる。

　照明手段３３は、図１に示すように、明視野用照明器３５と暗視野用照明器３６とを備える。明視野照明とは、測定対象物を照らす光線を光軸中心に沿って垂直に照明することをいう。暗視野照明とは、測定対象物を照らす光線を光軸中心ではなく、斜めから照射することをいう。すなわち、一般的に明視野は、直接光を観察するもので、その場合の照明方法は、直接光照明法という。本実施形態であれば、ワーク表面（例えば、半導体チップ表面：チップ表面）の正常部分が明るく観察され、欠陥部分が暗く観察される。また、暗視野は、散乱光を観察するもので、その場合の照明方法は散乱光照明法という。本実施形態であれば、チップ表面の正常部分は暗く観察され、欠陥部分が明るく観察される。ただし、本実施形態ではクラック開口部の反射光（直接光）を観察しているので厳密な暗視野の定義とは異なる。暗視野観察の構成をとっているというのが正しい表現となる。よって、チップ表面の大部分（正常部分）で反射された直接光を主に観察する方法を明視野、チップ表面の大部分（正常部分）で反射された直接光を観察せず、欠陥部（異常部）で散乱または反射された光を観察するものを暗視野とする。このため、暗視野照明では、明視野照明ではぼやけて見えなかった微細な構造、キズ等の欠陥を観察可能となる。

　すなわち、本発明では、明視野照明は、照明した光が反射もしくは透過した直接光を観察するタイプの照明であって、背景に対する明暗変化を観察しようとするものであり、一般的には試料（ワーク）の明るい背景部分と暗い部分の様子を観察するものである。これに対して、暗視野照明は、散乱または反射された光を観察するタイプの照明であって、背景に対する明暗変化を観察しようとするものであり、試料（ワーク）の暗い背景部分と明るい部分の様子を観察するものである。

　なお、この暗視野用照明器３６としては、図２に示すように、平行光を照射する発光部３８を有するものであって、少なくともこの発光部３８を１機有すればよいが、周方向に所定ピッチ（等ピッチであっても、不定ピッチであってもよい。）複数個配設したものであってもよい。このように、この実施形態では、平行光（光軸に平行な光線）を用いるように記載したが、照明光として、平行光に限るものではなく、平行光として呼ぶことができる範囲の略平行光であっても、さらには、平行光として呼ぶことができない範囲である放射角度が３０°程度のものであってもよい。

　制御部３４は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）を中心としてＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等がバスを介して相互に接続されたマイクロコンピュータで構成できる。マイクロコンピュータには記憶装置が接続される。記憶装置には、前記判断手段の判断基準となる判断基準等が記憶される。記憶装置は、ＨＤＤ（Hard Disc Drive）やＤＶＤ（Digital Versatile Disk）ドライブ、ＣＤ－Ｒ（Compact Disc-Recordable）ドライブ、ＥＥＰＲＯＭ（Electronically Erasable and Programmable Read Only Memory）等から構成できる。なお、ＲＯＭには、ＣＰＵが実行するプログラムやデータが格納されている。

　ところで、ワークの欠陥４０には、例えば、図８Ａ～図８Ｋに示すような種々の形状のものがある。図８Ａでは、ワークの被覆層１２が切断されたものであり、図８Ｂは一対の切断端面４１，４２の上端に傾斜面部Ｓ，Ｓが形成されたものであり、図８Ｃは一方の切断端面の上端に傾斜面部Ｓが形成されたものである。また、図８Ｄは断面Ｖ字形状の溝４３が形成されたものであり、一対の傾斜面部Ｓが形成されている。図８Ｅは断面直角三角形状とされた溝４４が形成されたものであり、傾斜面部Ｓが形成されている。図８Ｆは谷折れ状にワークの被覆層１２が切断されて、一対の切断端面４１，４２の上端に傾斜面部Ｓ，Ｓが形成されたものであり、図８Ｇは山折れ状にワークの被覆層１２が切断されて、一方の切断端面４１の上端に傾斜面部Ｓが形成されたものである。図８Ｈは谷折れ状にワークの被覆層１２が折れ曲がったものであり、折れ曲り線を介して傾斜面部Ｓ、Ｓが形成されたものであり、図８Ｉは山折れ状にワークの被覆層１２が折れ曲がったものであり、折れ曲り線を介して傾斜面部Ｓ、Ｓが形成されたものである。図８Ｊは谷折れ状にワークの被覆層１２が切断されて、切断端面４１，４２の上端から平坦に延びる傾斜面部Ｓ，Ｓが形成されたものであり、図８Ｋは山折れ状にワークの被覆層１２が切断されて、切断端面４１，４２の上端から平坦に延びる傾斜面部Ｓ，Ｓが形成されたものである。なお、この発明では、図８に示すような被覆層１２の欠陥４０（割れ、折れ曲がり、及び切断等）をワーク（ウエハや個片体等）の欠陥として検出することになる。

　前記欠陥４０の説明は、被覆層１２が単層の場合であったが、被覆層１２が複数層である場合、複数層のうち、いずれか１層にのみに欠陥４０がある場合であっても、複数層の全部の層に欠陥４０がある場合であっても、複数層の任意の層（例えば、被覆層１２が３層であれば、いずれかの２層）に欠陥がある場合であってもよい。また、欠陥４０は、各層においては、濃淡層対応面（裏面）と濃淡層反対応面（表面）と内部のいずれかに形成され、濃淡層対応面（裏面）から濃淡層反対応面（表面）に達するもの、濃淡層対応面（裏面）から内部（濃淡層反対応面（表面）に達しない部位）まで、濃淡層反対応面（表面）から内部（濃淡層対応面（裏面）に達しない部位）までのもの等がある。

　本発明に係る第１の欠陥検出装置１００（１００Ａ）は、暗視野照明であって、図８Ｂ～図８Ｋに示すように、少なくとも傾斜面部Ｓを有する欠陥を検出するものである。また、暗視野用照明としては、図２に示すように、例えば、照明器３６の照明方向は、撮影軸Ｌとワークとが直交するように配置されているときに、ワークと照明軸Ｌ１とのなす角（仰角）が所定角度となるように設定できる。なお、図例では、仰角として、６０°、７０°、及び８０°の場合を示しているが、これに限るものではなく、５０°～８５°の範囲で設定できる。

　この場合、図１に示す欠陥検出装置１００Ａは、例えば、ピックアップポジションＰにて配置される。このため、この場合、ワークがウェハ２９となる。ワークは回転テーブル２５に載置された状態となって、図２に示すようにその軸心廻りに回転することになる。また、明視野照明を、ピックアップすべきチップの位置確認（位置検出）を行うことができる。

　ところで、ワークに照明光を照射すれば、図６Ａ，図６Ｂ，及び図６Ｃに示すように、被覆層１２の各層１３（１３ａ、１３ｂ、１３ｃ）において、反射したり、透過したり、吸収されたり、散乱したりする。さらには、濃淡パターン（配線パターン）で反射したりする。

　しかしながら、被覆層１２の欠陥４０を検出するためには、被覆層１２の欠陥４０を有する層から反射光が撮像装置３２に入光すればよい。このため、照明光としては、少なくとも濃淡層から反射し前記撮像装置３２に入射する光よりも、前記被覆層１２の欠陥４０を有する層から反射又は散乱されて撮像装置に入射する光の強度が大きい波長であり、前記濃淡層１１の濃淡パターンの影響を低くした光であるのが好ましい。ここで、濃淡パターンの影響を低くするとは、欠陥を観察する際のこれらの濃淡パターンを消す乃至薄く映って欠陥の観察を損なわない場合をいう。すなわち、この光以外の光を用いたときよりも濃淡パターンによって生じる輝度コントラストが低くなることである。

　この場合、被覆層１２における光の透過率に基づいて照明光の波長を設定できる。透過率は、光学および分光法において、特定の波長の入射光が試料を通過する割合であらわされ、図７に示すように、入射光の放射発散度をＩ₀とし、試料（被覆層１２）を通過した光の放射発散度をＩとしたときに、透過率Ｔは、次の数１で表される。

　濃淡パターンの影響を低くした光として、被覆層１２における光の透過率は５０％以下であればよい。具体的には、照明器の照明光のうち観察される波長が、前記被覆層１２がポリイミド樹脂であれば、４５０ｎｍ以下又は１０００ｎｍ以上とするのが好ましい。

　このため、照明光に前記したように、濃淡パターンの影響を低く（小さく）することができ、被覆層１２から反射又は散乱された光を映し出すことができるので、安定して欠陥（クラック）４０を検出することができる。しかも、照明光を設定するのみで、欠陥（クラック）４０を検出することができ、装置としても、既存の検出装置を用いることができ、低コスト化を図ることができる。

　このため、濃淡パターンの影響を小さくする目的であれば、明視野照明でもって、濃淡パターンの影響を小さくすることができ、被覆層１２（実施形態では、被覆層１２の表面）に形成された欠陥を検出することができる。このため、欠陥４０として、傾斜面部Ｓを有さないものでも検出することができる。

　しかしながら、欠陥が小さい場合等においては、濃淡パターンの影響を小さくしても欠陥を検出しにくい。このため、測定対象物(ワーク)を照らす光線を光軸中心ではなく、斜めから照射する暗視野照明を用いることになる。

　暗視野照明では、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、照明光が、撮像装置３２の撮影軸Ｌよりも前記傾斜面部の下傾側から照射されるように設定すれば、撮影軸Ｌと平行に照射された場合に比べて、前記ワークに形成された欠陥４０の観察画像上の欠陥画像を大きくして観察することができる。

　この場合、傾斜面部Ｓの傾き(傾斜角)によって照明光の照明角度を決定することができる。すなわち、傾斜面部Ｓの傾斜角と仰角の面が同じ場合（図９Ａに示すように、傾斜面部Ｓの回転角が０°の場合）、観測側ＮＡの範囲に傾斜面部Ｓで反射した照明光が入るよう照明を照射する必要がある。傾斜面部Ｓが回転した場合、反射光の角度は見かけの傾斜角に応じて変化する。なお、傾斜角と反射光の関係は、傾斜がθ傾くと、反射光は２θ傾く。

　傾斜角をαとし、回転角をβとしたときに、見かけの傾斜角をγとしたときに、この見かけの傾斜角γは次の数２で表すことができる。

　このため、例えば、図９Ａに示すように、α＝１０°とし、β＝０°とした場合、γがαと同じ１０°となる。また、図９Ｂに示すように、α＝１０°とし、β＝２０°とした場合、数３に示すように、γが９．４°となる。なお、図１０に、傾斜面部の傾斜角を１０°としたときの回転角と見かけの傾斜角との関係を示している。

　このように、傾斜面部Ｓを有する欠陥４０が形成された場合、暗視野照明を行うともとに、ワークを回転させれば、傾斜面部Ｓの回転角がいずれの角度であっても、前記ワークに形成された欠陥４０の観察画像上の欠陥画像を大きくして観察することができる。

　暗視野照明を行うことで欠陥を大きくして（太らせて）観察できる理由について説明する。明視野では、正常部分（チップ表面）の明るさをセンサのダイナミックレンジに収まるように設定する必要がある。また、欠陥部分の形状に依存して反射した散乱光や直接光の一部がカメラに入射する。そのため、欠陥部とのコントラストは小さくなる。しかしながら、暗視野の場合は、異常部（欠陥部）がダイナミックレンジを越えるような明るさに設定されても、正常部分（チップ表面）からの直接光はカメラに入射しないため正常部は明るくならない（正常部は欠陥部と比較すると、平坦であり、散乱は小さい）。よって異常部の明るさはダイナミックレンジ上限（または十分に大きい）として観察され、正常部の明るさはダイナミックレンジ下限(または十分に小さい）となり、高コントラストで欠陥を検出できることになる。ここで、欠陥が物体上の分解能（ピクセルサイズ）よりも小さい場合を考える。ピクセルサイズより欠陥が小さい場合、ピクセルの輝度は、欠陥部と正常部の面積比と各輝度値によって決まる。

　また、明視野では、図１１に示すように、正常部と異常部の輝度差はダイナミックレンジに収まるように設定する必要があるため、正常部の輝度が支配的になる。よって周囲の正常部とのコントラストは小さくなる。しかしながら、暗視野では、図１２に示すように、欠陥部の輝度を、ダイナミックレンジを大きく超えるように設定できる。そのため、欠陥部の輝度を大きく設定することが可能である。よって、周囲の正常部とのコントラストが大きくなる。さらに、明暗の像が隣り合うときにボケがあると、明るい像のボケのほうが暗い像のボケより大きく広がって観察される。そのため、明視野では欠陥が小さくなる。すなわち、（周囲の正常部分の明像が広がるので埋もれる）コントラストが低くなる。逆に暗視野では、欠陥部が大きくなる。（欠陥部が広がる）ボケによってコントラストは低下するが、上述の通り欠陥部はダイナミックレンジを超える明るさに設定できるためコントラストは一定のまま欠陥が太ることになる。

　ところで、欠陥サイズよりも観察装置（照明機構３０）の分解能が大きれば、この観察装置（照明機構３０）で欠陥をみることができない。これに対して、欠陥サイズよりも観察装置（照明機構３０）の分解能が小さければ、この観察装置（照明機構３０）で欠陥をみることができる。このため、本発明のように、欠陥が太ることになるので、欠陥サイズよりも分解能が大きい観察装置（照明機構３０）を用いても、従来では見ること（観察すること）ができなかった欠陥を太らせることによって、見ることができるようになる。また、欠陥サイズよりも分解能が小さい観察装置（照明機構３０）を用いた場合、欠陥を太らせることにより観察性能の向上を図ることができる。

　ところで、欠陥には、図８Ａに示すように開口部を有する場合がある。このような場合にも、光の散乱によって観察できる。この理由について以下に説明する。開口部は微細な構造になっており、光の散乱が生じる。散乱した光は全周方向に拡散するため、一部の光はレンズに入射する。これに対して、正常部は鏡面とみなされる平坦な面であり、暗視野照明による光のほぼ全てが反射によってレンズに入射しない方向に進む。このため、図８Ａに示すように開口部を有する場合があっても、この開口部からなる欠陥を観察することができる。

　次に、本発明にかかる第２の欠陥検出装置１００（１００Ｂ）を説明する。この第２の欠陥検出装置１００（１００Ｂ）は図１３に示すような検査機構５５を備える。検査機構５５は、チップ２１を観察するための撮像装置６１と、チップ２１を照明する照明手段６２と、照明手段６２から照射された光を反射するハーフミラー６３と、チップ２１からの反射光を、光軸方向において合焦位置からずれた（デフォーカスされた）非合焦位置から射出させるデフォーカス手段６９とを備える。ここで、合焦位置は、レンズに平行光束を入れたときに光軸上で光線が交わる位置であり、非合焦位置とは、前記した合焦位置以外の位置であり、合焦位置からデフォーカスされた位置をいう。

　観察光学系を構成する撮像装置６１は、カメラ６４とレンズ６５とを有するものである。この場合のカメラ６４としては、ＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサ等から構成できる。すなわち、照明波長の光を画像化できるものであればよい。このため、可視光、紫外、赤外に感度を持ったものを用いてもよい。また、レンズ６５として、テレセントリックレンズやノンテレセントリックレンズ等で構成できる。撮像装置６１は、制御手段７３にて制御される。制御手段７３は、欠陥検査を行う検査用プロセッサ７４と、画像上のワークの位置を検出する（例えば画像マッチング）ための位置決め用プロセッサ７５とを備えている。

　照明手段６２は、図１３に示すように、光源６６及びレンズ６７を備えた明視野用照明器である。明視野照明とは、観察光学系の主光線の延長方向から照明する（平行光）ことをいう。すなわち、一般的に明視野は、照明した光が反射もしくは透過した直接光を観察するもので、その場合の照明方法は、直接光照明法という。本実施形態であれば、ワーク表面（チップ２１表面）の正常部分が明るく観察され、チップ２１表面の大部分（正常部分）で反射された直接光を主に観察する。「観察光学系の主光線の延長方向から照明する」とは、例えば特開２００２－３９９５６のように、発光手段からの射出光をレンズによって屈折させて平行に近い収束する向きの光とするとともに、このレンズで屈折させた光をハーフミラーによって反射させて、検査対象面の略全面に照射し、検査対象面で反射した光を、その光が収束する部位に設けた撮像手段に導く場合等を含む。

　本実施形態では、照明手段側のＮＡ（開口数）が、観察光学系側のＮＡよりも小さいものとしている。すなわち、ワーク（チップ２１）の傾いた面での反射（透過）で、図１４Ａ及び図１４Ｂに示すように光線が傾く。この場合、図１４Ｂのように、照明手段側のＮＡが、観察光学系側のＮＡよりも大きい場合、主光線以外は観察光学系の絞りで遮られて結像しない。このため、デフォーカスしても像の位置が変化しない（拡大されない）。一方、図１４Ａのように、照明手段側のＮＡが、観察光学系側のＮＡよりも小さい場合、観察光学系の絞りで遮られることがなく、デフォーカスすると像の位置が変化する（拡大される）。このため、ワークが傾いている場合や、クラック角が小さい場合であっても像を拡大することが可能となる。

　照明手段側のＮＡ及び観察光学系側のＮＡの少なくとも一方を可変可能な可変手段（図示省略）を設けている。可変手段としては、例えば開口絞り機構とすることができ、この開口絞り機構は、撮像装置６１及び照明手段６２のいずれか一方、又は両方に設けられる。開口絞り機構は、ワークの傾き又はデフォーカス量に応じて、所定のＮＡとなるように制御される。例えば、本実施形態では、開口絞り機構を撮像装置６１及び照明手段６２に夫々設けられており、後述する演算部７１においてデフォーカス量が決定されると、このデフォーカス量から、ＮＡ制御部７７においてＮＡが演算により決定されて、開口絞り機構を制御する。

　本実施形態のデフォーカス手段６９は、撮像装置６１の下方に設けられ、チップ２１を載置するテーブル６８と、このテーブル６８を上下に往復動させる駆動手段（図示省略）にて構成される。駆動手段は、例えば、シリンダ機構、ボールねじ機構、リニアモーター機構等、公知公用の種々の機構（高精度であることが好ましい）にて構成することができる。これにより、チップ２１は、図１３の矢印のように上下動が可能なものとなって、撮像装置６１に近接したり離間したりする。すなわち、デフォーカス手段６９は、チップ２１を上下動させて、チップ２１を合焦位置に位置させたり、非合焦位置に位置させたりして、チップ２１表面からの反射光を、光軸方向において合焦位置からずれた非合焦位置から射出させる、いわゆるデフォーカスを行う。

　デフォーカス手段６９（駆動手段）は、制御部７０の制御に基づいて駆動される。制御部７０は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）を中心としてＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等がバスを介して相互に接続されたマイクロコンピュータで構成できる。制御部７０は演算部７１を備えており、例えば後述する方法でユーザが所定のパラメータを設定するのみで、演算部７１が自動的にデフォーカス量を決定する。

　図１３に示す欠陥検出装置１００Ｂは、例えば、ピックアップポジションＰにて配置される。この場合、ワークがウェハ２９となる。また、撮像装置６１の下方に別の明視野照明手段７２を備え、この明視野照明手段７２にてピックアップすべきチップ２１の画像上の位置を検出し、位置決め用プロセッサ７５にて画像マッチング処理等を行って、ワークの位置決めを行うことができる。

　ところで、ワーク表面の欠陥４０には、例えば、前記したように、図８に示すような種々の形状のものがある。この第２の実施形態の欠陥検出装置では、被覆層１２の欠陥４０（割れ、折れ曲がり、及び切断等であって、いずれかの位置に傾斜面部Ｓを有するもの）をワーク（ウエハや個片体等）の欠陥として検出することになるので、図８Ａに示すような傾斜面部Ｓを有するものの欠陥を検出するのは困難となる。

　前記本実施形態の欠陥検出装置１００Ｂにより、ワークに形成された欠陥４０の観察画像上の欠陥画像を強調して観察することができる。強調とは、画像上の欠陥を、合焦位置からの反射光により形成された観察画像上の欠陥よりも拡大したり、観察画像上の欠陥と、その他の部分とのコントラストを大きくしたりすることである。すなわち、本発明における強調とは、拡大するか、コントラストを大きくするか、の少なくともいずれかが生じていることをいう。その理由について、例えば、図８Ｊ及び図１５に示すような欠陥（谷折れ状で切断部を有するもの）を検出する場合について説明する。図１５において、一方（図７の右側）の傾斜面部Ｓ１と他方（図１５の左側）の傾斜面部Ｓ２との離間幅（クラック幅）をｗ、光軸に直交する線と一方の傾斜面部Ｓ１とのなす角（傾斜角）をθ₁、光軸に直交する線と他方の傾斜面部Ｓ２とのなす角（傾斜角）をθ₂、クラック角θをθ₁＋θ₂とする。なお、図１５において点線を照明光、実線を反射光とする。

　図１６に示すように、傾斜角θの傾斜を有するワーク表面（傾斜面部Ｓ）から平行光が発射されるとする。この場合、反射光Ｌ２ｂの光線は照射光Ｌ１ａの光軸から２θ傾く。ワークが図１７に示す合焦位置Ｆにある場合、フォーカス面と、照射光Ｌ１ａの主交線との交点を通り、かつ±ＮＡ（照明側開口数）の範囲に入る反射光は像ＩＡを結ぶ。これにより、焦点の合っている像（物体面と合焦位置Ｆとが一致しているときの象）（図１１参照）を得ることができる。

　図１７に示すように、ワークを合焦位置Ｆから下方の非合焦位置Ｆｂに移動させてデフォーカスすることにより、反射光の発射位置が光軸上で移動（下方にずれる）し、観察側レンズから見ると、合焦位置Ｆ上の位置ずれ量だけ図面上の左側に移動した点Ｐ１から発射されたように見える。これにより、像面では、像ＩＢが像ＩＡに対して平行方向のずれとして観測される。この場合、像の位置ずれ量は、フォーカス移動量×ｔａｎ（２θ）として算出することができる。なお、欠陥４０を検査する前に照明側開口数ＮＡを小さくして、被写界深度（ぼけを許容できる範囲）を大きくするのが好ましい。これにより、デフォーカスした場合でも像がぼけないようにできる。

　このように、谷折れ状の場合、ワークを物体面（合焦位置Ｆ）から下方の非合焦位置Ｆｂにデフォーカスすると、図１８に示すように、反射光束Ａと反射光束Ｂとの見かけ上の位置がずれて広がる。これにより、非合焦位置Ｆｂを含む面における輝度断面は、反射光束Ａと反射光束Ｂとの象の間隔が広がり、欠陥４０は黒く（暗く）拡大する（太る）。つまり、物体面から下方にデフォーカスする程、図１９Ｅ～図１９Ｇに示すように、画像上の欠陥は黒く拡大することになる。なお、図１９Ｇは、物体面から最も離れた下方の非合焦位置における画像を示しており、欠陥４０は最も拡大されている（太っている）。図１９Ｅは、物体面に近い画像である。

　また、谷折れ状の場合、ワークを物体面（合焦位置Ｆ）から上方の非合焦位置Ｆａにデフォーカスすると、図１８に示すように、反射光束Ａと反射光束Ｂとの見かけ上の位置がずれて接近する。この場合、物体面から非合焦位置Ｆｃまでは、反射光束Ａと反射光束Ｂとが重ならないため、コントラストは大きくならず、画像上の欠陥は上方にデフォーカスする程小さくなる。そして、この非合焦位置Ｆｃよりも上方にデフォーカスすると、反射光束Ａと反射光束Ｂとが重なるため、画像上の欠陥は明るくなるとともに、重なり部分が拡大していくため、画像上の欠陥は上方にデフォーカスする程拡大されていく。非合焦位置Ｆａを含む面における輝度断面は、反射光束Ａと反射光束Ｂとが重なることから、画像上の欠陥は白くなってコントラストが大きくなり、クラック幅ｗの大きさとなる。そして、非合焦位置Ｆａから上方にデフォーカスする程、図１９Ａ～図１９Ｄに示すように、画像上の欠陥は白く拡大することになる。なお、図１９Ａは、物体面から最も離れた上方の非合焦位置における画像を示しており、欠陥４０は最も拡大されている（太っている）。図１９Ｄは、非合焦位置Ｆｃに近い画像である。

　なお、図８Ｈのようにクラック幅ｗが存在しない欠陥である場合は、物体面から非合焦位置Ｆｃの領域（コントラストが大きくならず、画像上の欠陥がｗより小さくなる領域）が存在しないことになる。このため、物体面から下方にデフォーカスする程、画像上の欠陥は黒く拡大することになり、物体面から上方にデフォーカスする程、画像上の欠陥は白く拡大することになる。

　図８Ｋに示すような欠陥（山折れ状で切断部を有するもの）の場合、ワークを物体面（合焦位置Ｆ）から下方の非合焦位置Ｆｂにデフォーカスすると、図２０に示すように、反射光束Ａと反射光束Ｂとの見かけ上の位置がずれて接近する。この場合、物体面から非合焦位置Ｆｃまでは、反射光束Ａと反射光束Ｂとが重ならないため、コントラストは大きくならず、画像上の欠陥は下方にデフォーカスする程小さくなる。そして、この非合焦位置Ｆｃよりも下方にデフォーカスすると、反射光束Ａと反射光束Ｂとが重なるため、画像上の欠陥は明るくなるとともに、重なり部分が拡大していくため、画像上の欠陥は下方にデフォーカスする程拡大されていく。非合焦位置Ｆｂを含む面における輝度断面は、反射光束Ａと反射光束Ｂとが重なることから、画像上の欠陥は白くなってコントラストが大きくなり、クラック幅ｗの大きさとなる。そして、非合焦位置Ｆｂから下方にデフォーカスする程、画像上の欠陥は白く拡大することになる。

　また、山折れ状の場合、ワークを物体面（合焦位置Ｆ）から上方の非合焦位置Ｆａにデフォーカスすると、図２１に示すように、反射光束Ａと反射光束Ｂとの見かけ上の位置がずれて広がる。これにより、非合焦位置Ｆａを含む面における輝度断面は、反射光束Ａと反射光束Ｂとの象の間隔が広がり、欠陥４０は黒く拡大する（太る）。つまり、物体面から上方にデフォーカスする程、画像上の欠陥は黒く拡大することになる。

　なお、図８Ｉのようにクラック幅ｗが存在しない欠陥である場合は、物体面から非合焦位置Ｆｃの領域（コントラストが大きくならず、画像上の欠陥がｗより小さくなる領域）が存在しないことになる。このため、物体面から上方にデフォーカスする程、画像上の欠陥は黒く拡大することになり、物体面から下方にデフォーカスする程、画像上の欠陥は白く拡大することになる。

　このように、少なくとも２つの異なる位置から反射光が射出されることにより、観察画像上の欠陥を強調（拡大させるか、その他の部分とのコントラストを大きくするか、拡大及びコントラスト大の両方が生じるか）させて、欠陥検査を行うことができる。しかも、少なくとも１つの前記位置からの反射光に基づいて検査又は画像上のワークの位置を検出する位置決めを行うことができる。この場合、観察光学系における合焦位置から、１００μｍ以上デフォーカスした位置で検査を行うのが好ましい。また、合焦位置Ｆを境界として、撮像装置５１に近接する側（上方側）の非合焦位置Ｆａと、撮像装置５１から離間する側（下方側）の非合焦位置Ｆｂとの夫々においてデフォーカスすることにより、夫々異なる色で欠陥４０を検査することができる。

　最小デフォーカス量ｚは、図１８に示すように、欠陥が黒く（暗く）なる場合、数４、数５から、数６のように、光軸に直交する線Ｌ５と一方の面部とのなす角θ₁、光軸に直交する線Ｌ５と他方の面部とのなす角θ₂、クラック幅ｗ、最小検出幅ε_minを用いて算出される。なお、Δｘ₁とは一方の面部側の拡大量、Δｘ₂とは他方の面部側の拡大量、ΔＸｄとは拡大した欠陥の寸法である。また、欠陥が白く（明るく）なる場合、数７、数８から、数９のように、θ₁、θ₂、ｗ、ε_minを用いて算出される。なお、Δｘ₁´（＝Δｘ₁）とは一方の面部側の拡大量、Δｘ₂´（＝Δｘ₂）とは他方の面部側の拡大量、ΔＸｌとは拡大した欠陥の寸法である。

　図２２に、最小検出幅ε_min＝１０μｍ、クラック幅ｗ＝０μｍにおけるクラック角θと最小デフォーカス量ｚとの関係をグラフで示す。また、観察光学系の開口数をＮＡとして、－ｓｉｎ^-1（ＮＡ）≦θ₁≦ｓｉｎ^-1（ＮＡ）、かつ、－ｓｉｎ^-1（ＮＡ）≦θ₂≦ｓｉｎ^-1（ＮＡ）とするのが好ましい。ここで、ε_minは、例えば撮像装置の分解能の１／５程度とする。これは、クラックは通常、線状に連続して発生すること、画像処理でダイナミックレンジ（ＤＲ）の１０％程度の輝度変動を安定して検出できるもの、デフォーカスにより、周囲の輝度をＤＲの中央値とした場合、暗側で０、明側でＤＲに変化し、輝度変動が中央値と等しい、及び、中央値×１／５＝ＤＲ×１０％の条件を満たす場合である。

　制御部７０には演算部７１を備えており、所定のパラメータに基づいてデフォーカス量を演算する。例えば、演算部７１が、前記数４に基づいてデフォーカス量を演算する場合、パラメータε_min、θ₁、θ₂、ｗが設定されると、演算部７１が最小デフォーカス量ｚを数４に基づいて演算する。なお、ユーザがパラメータを設定する際、θ₁とθ₂とを独立して２つのパラメータを設定してもよいし、クラック角θ（θ₁＋θ₂）として１つのパラメータを設定してもよい。１つのパラメータθとして設定する場合は、演算部７１は、例えば、θ₁＝θ／２及びθ₂＝θ／２として演算したり、θ₁＝０及びθ₂＝θとして演算したり等、θをθ₁とθ₂とに分配して演算する。制御部７０は、演算部７１にて演算されたデフォーカス量に基づいて、デフォーカス手段６９（駆動機構）の駆動を制御する。

　図１３に示す欠陥検出装置１００（１００Ｂ）において用いる光としても、濃淡パターンの影響を低くした光であって、被覆層１２における光の透過率は５０％以下であればよい。具体的には、照明手段の照明光のうち観察される波長が、前記被覆層１２がポリイミド樹脂であれば、４５０ｎｍ以下又は１０００ｎｍ以上とするのが好ましい。

　このため、照明光に前記したように、濃淡パターンの影響を低く（小さく）することができ、被覆層１２から反射又は散乱された光を映し出すことができるので、安定して欠陥（クラック）４０を検出することができる。

　本発明に係る第２の欠陥検出装置１００Ｂであっても、ピックアップポジションＰ、ボンディングポジションＱ、中間ステージ１０１上の少なくともいずれかに配置することができる。すなわち、ピックアップポジションＰとボンディングポジションＱと中間ステージ１０１上の少なくともいずれかで、チップ２１の表面の欠陥４０の検出を行うことができる。

　ところで、ボンディングポジションＱにおいて、ワーク（半導体チップやダイ）側に回転機構が配設されていない場合がある。このような場合には、第１の欠陥検出装置１００Ａの暗視野用照明器３６として、図３に示すようなリング照明器５０を用いるのが好ましい。リング照明器５０とは、撮像装置３２の撮影軸Ｌを取り囲むリング状に、少なくとも１列以上配置された複数の発光部５１を有する照明器である。

　このため、図３に示すようなリング照明器５０を有する欠陥検出装置１００（１００Ａ）をボンディングポジションＱに配置すれば、このボンディングポジションにおいて、濃淡パターン(配線パターン)の影響を小さくでき、しかも、欠陥４０の傾斜面部の回転角がいずれの場合であっても、ワークに形成された欠陥４０の観察画像上の欠陥画像を大きくして観察することができ、安定して欠陥（クラック）４０を検出することができる。なお、ボンディングポジションＱにおいて、リング照明器５０を用いない図１に示す欠陥検出装置１００（１００Ａ）を配置するようにしてもよい。

　また、第１の欠陥検出装置１００Ａや第２の欠陥検出装置１００ＢをボンディングポジションＱに配置すれば、明視野照明によって、リードフレームのアイランドの位置を観察する位置確認（位置決め）に用いることができる。

　図４等に示すダイボンダ１５０は、半導体チップ２１等のワークをピックアップポジションＰからボンディングポジションＱまで搬送するものであるが、このようなボンディング工程において、ウェハ２９からピックアップしたワークを一旦中間ステージ１０１に載置し、この中間ステージ１０１から再度ワークをピックアップし、ボンディングする場合もある。

　このため、中間ステージ１０１上に、図１に示す欠陥検出装置１００Ａや図３に示すリング照明器を用いた欠陥検出装置１００Ａ，さらには、図１３に示す欠陥検出装置１００Ｂを配置するようにできる。このように、欠陥検出装置１００（１００Ａ，１００Ｂ）を中間ステージ１０１上に配置すれば、この中間ステージ上のワーク（半導体チップ２１やダイ等）に対して、濃淡パターン(配線パターン)の影響を小さくでき、しかも、ワークに形成された欠陥４０の観察画像上の欠陥画像を大きくして観察することができ、安定して欠陥（クラック）を検出することができる。この欠陥検出装置１００（１００Ａ，１００Ｂ）を用いれば、この中間ステージにおいても位置決めを行うことができる。

　ところで、前記ダイボンダ１５０では、ピックアップポジション、ボンディングポジション、中間ステージ１０１上等で、欠陥検出を行うようにしていたが、ピックアップ前とピックアップ後の少なくもいずれか一方、すなわち、ピックアップ前とピックアップ後とのいずれか、又はピックアップ前とピックアップ後との両者において、欠陥検出を行うようにできる。

　また、ボンディング前とボンディング後の少なくもいずれか一方、すなわち、ボンディング前とボンディング後とのいずれか、又はボンディング前とボンディング後との両者において、欠陥検出を行うようにできる。

　さらには、中間ステージ１０１へのワーク供給前と中間ステージからのワーク排出後の少なくともいずれか一方、すなわち、中間ステージ１０１へのワーク供給前と中間ステージからのワーク排出後とのいずれか、又は中間ステージ１０１へのワーク供給前と中間ステージ１０１からのワーク排出後の両者において、欠陥検出を行うようにできる。

　このように、図１に示す欠陥検出装置１００Ａや図３に示すリング照明器５０を用いた欠陥検出装置１００Ａにおいて、検出された欠陥４０が製品として不良か否かの判断手段を設けるようにしてもよい。すなわち、欠陥検出装置１００Ａにて行う欠陥検出方法において、検出された欠陥が製品として不良か否かの判断基準を予め設定し、この判断基準と観察画像上の欠陥画像を比較して、不良品か良品かの判断を行うようにする。このような判断手段としては、前記制御部３４、７０で構成できる。

　このため、本発明では、欠陥検出方法にて欠陥が検出されず又は検出された欠陥が前記判断手段にて良品と判断されたものを製品（例えば、ウェハ２９、半導体チップ２１、又はダイ）とすることができる。

　このように、第１の欠陥検出装置１００（１００Ａ）では、濃淡パターンの影響を小さくでき、被覆層１２から反射又は散乱された光を映し出すことができるので、安定して欠陥（クラック）４０を検出することができる。しかも、照明光を設定するのみで、欠陥（クラック）４０を検出することができ、装置としても、既存の検出装置を用いることができ、低コスト化を図ることができる。

　第１の欠陥検出装置１００（１００Ａ）において、図３に示すようなリング照明器５０を用いれば、欠陥４０の傾斜面部Ｓの向きに関係なく、欠陥（クラック）を拡大して観察することが可能である。照明器３６の照明方向を５０°～８５°に設定することによって、大部分の発生する欠陥（クラック）４０に対応して拡大して観察することが可能である。

　第２の欠陥検出装置１００（１００Ｂ）では、非合焦位置Ｆａ、Ｆｂからの反射光により形成された観察画像上の欠陥４０を、合焦位置Ｆからの反射光により形成された観察画像上の欠陥４０よりも拡大して観察したり、既存の装置では見えなかった欠陥４０を見えるようにできるので、安定して欠陥４０を検出することができる。

　この第２の欠陥検出装置１００（１００Ｂ）でも、照明手段６２から照射される照明光は、少なくとも濃淡層１１から反射し撮像装置６１に入射する光よりも、被覆層１２から反射又は散乱されて撮像装置６１に入射する光の強度が大きい波長であり、濃淡層１１の濃淡パターンの影響を低くした光とすれば、被覆層１２から反射又は散乱された光を映し出すことができるので、安定して欠陥４０を検出することができる。

　第１の欠陥検出装置１００Ａ又は第２の欠陥検出装置１００Ｂが搭載されたダイボンダ１５０によれば、ピックアップポジションからボンディングポジションのいずれかの位置で、ボンディングするワークにおける表面のクラック等の欠陥４０を検出することができる。

　また、第１の欠陥検出装置１００Ａを用いて欠陥４０を検出する欠陥検出方法（第１の欠陥検出方法）又は第２の欠陥検出装置１００Ｂを用いて欠陥４０を検出する欠陥検出方法（第１の欠陥検出方法）にて検出された欠陥が製品として不良か否かの判断基準を予め設定して、不良品か良品かの判断を行うものであれば、ボンディング動作中等にワーク（半導体チップ等）の欠陥（クラック）４０を検出し、不良品の出荷を防止できる。前記ダイボンダ１５０において、位置決め検出が可能であり、安定した高精度のボンディング工程を行うことができる。

　ところで、半導体製造方法には、図２７には、ウェハを切断して個片化するダイシング工程１０５と、ダイシング工程にて個片化されてなる半導体チップをボンディングする工程（ダイボンディング工程１０６）と、個片体である半導体チップを樹脂で封止するモールド封止工程（モールド工程１０８）とを備える場合があり、さらには、図２７では、ワイヤをボンディングするワイヤボンディング工程１０７等がある。

　このため、このような工程を備えた半導体製造方法において、ボンディング動作中における前記欠陥検出方法を用いた検査工程を備えたものであってもよい。なお、半導体製造方法として、ダイシング工程１０５と検査工程とを備えたものであっても、検査工程とモールド封止工程１０８とを備えたものであっても、ダイシング工程１０５と検査工程とモールド封止工程１０８とを備えたものであってもよい。

　また、ワークとして、前記第１の欠陥検出方法又は第２の欠陥検出方法にて欠陥が検出されず又は検出された欠陥が第１の欠陥検出方法又は第２の欠陥検出方法にて良品と判断された個片体で構成されている半導体装置であってもよい。

　また、第１の欠陥検出装置、第２の欠陥検出装置、第１の欠陥検出方法、及び第２の欠陥検出方法のワークとして、複数の個片体を集合させた個片体集合体であってもよい。個片体集合体として、上下に積層してなるものであっても、横方向に並設してなるものであっても、さらには積層したものと並設したものとの組み合わせであってもよい。このような個片体集合体からなる半導体装置を製造する場合、１個の個片体又は所定数の個片体の集合体からなる被対象物と、この被対象物に集合すべき他の個片体の少なくともいずれか一方を前記欠陥検出方法を用いて検査するように構成できる。すなわち、１個の個片体又は所定数の個片体の集合体からなる被対象物側のみを前記検査方法にて検査したり、対象物に集合すべき他の個片体側のみを前記検査方法にて検査したり、被対象物側及び他の個片体側の両者を検査したりできる。

　また、ダイボンダ１５０等において、いずれかの検出位置で、そのワークに欠陥が見つかれば、その検出位置でワークの搬送を停止し、警報音と警報ライトの点灯の少なくともいずれか一方にて作業者に通知するように設定できる。また、不良品排出機構を設け、ワークに欠陥が見つかれば、その検出位置から装置外にその不良品を排出するように設定できる。

　ところで、図１３等に示す欠陥検出装置１００（１００Ｂ）では、デフォーカス手段としては、実施形態ではワークのみを上下動させる機構であったが、撮像装置６１のみを上下動させたり、ワーク及び撮像装置６１を上下動させるものであってもよい。

　また、デフォーカス手段６９として、光学系を変更するものであってもよい。その一例として、例えば図２３に示すように、撮像装置６１とワークとの間に、大気中とは異なる屈折率を有する物体（例えば厚板ガラス）７６を挿入する構成とする。また、光学系の変更としては、合焦位置を変更できるレンズ及びミラー（可変焦点レンズ、可変焦点ミラー）、又は光学的な厚みを変更できるウィンドウを用いてもよい。

　また、デフォーカス手段６９として、合焦位置の異なる複数の光学系及び受光素子を用いるものであってもよい。例えば図２４に示すように、第１の撮像装置６１ａ及び第２の撮像装置６１ｂを備え、第１の撮像装置６１ａが合焦位置よりも上方にデフォーカスする側とし、第２の撮像装置６１ｂが合焦位置よりも下方にデフォーカスする側とする。

　この場合、第１の撮像装置６１ａとデフォーカス手段６９との間に一対のハーフミラー９０、６３が配置されている。そして、第１の撮像装置６１ａのハーフミラー９０に対応した位置に第２の撮像装置６１ｂが配置されている。

　また、デフォーカス手段６９として、照明又は観察波長を変更するものであってもよい。例えば図２５に示すように、照明手段６２は、第１の光源６６ａと第２の光源６６ｂとを有し、第１の光源６６ａからの光の波長と、第２の光源６６ｂからの光の波長とを変更する。この場合、第１の光源６６ａと照明手段６２との間にハーフミラー９１が配置されている。

　さらには、デフォーカス手段６９を備えていなくてもよい。すなわち、予め、ワークを非合焦位置に配置することにより、ワークからの反射光を光軸方向において合焦位置からずれた非合焦位置から射出させることができる。

　図２６に示すように、照明手段６２は、検査用光源８０と、位置決め用光源８１と、これらの光源を切替えて電気的に照明側のＮＡを切替えるＮＡ切替部８２と、ハーフミラー９１とを備えたものであってもよい。

　また、前記実施形態では、ワークに形成された欠陥に対する観察画像上の欠陥を大きくして観察でき、しかも、濃淡パターン(配線パターン)の影響を小さくするものであったが、欠陥検出装置として、ワークに形成された欠陥に対する観察画像上の欠陥を大きくできる構成のみであってもよい。

　図１３等に示す第２の欠陥検出装置では、デフォーカス量と離間幅とから、面部の傾斜角度及び欠陥幅を検出することができる。すなわち、少なくとも非合焦位置を含む２つの異なる位置から検査するとき、欠陥が明るくなる場合の欠陥検出幅をΔＸｌ、欠陥が暗くなる場合の欠陥検出幅をΔＸｄ、相対する面部同士の相対角（クラック角）をθ＝θ₁＋θ₂とすると、θ₂＝０、θ₁＝θとして、数１０から、欠陥検出幅ΔＸｌ及びΔＸｄの検出によりθ及びｗを検出することができる。この場合、このような演算を行う検出部を、例えば制御手段７３に設けることができる。これにより、傾斜面部の角度計測を行うことができる。

　また、図１３等に示す欠陥検出装置において、少なくとも非合焦位置を含む２つの異なる位置から検査するとき、明暗に変化した欠陥とそれ以外の欠陥とを判別する判別手段（図示省略）を、例えば制御手段７３に設けてもよい。すなわち、判別手段は、明暗の両方に変化したものは傾斜がある欠陥（クラック）と、それ以外のもの（明暗に変化しなかったもの）は傾斜がない欠陥（異物等）と判別し、欠陥の分類（クラック、異物等）を行うことができる。これにより、例えば、明暗に変化した欠陥を有するワークのみを除く等とすることができ、歩留まりを向上させることができる。また、判別手段は、欠陥４０の大きさの変化、つまり拡大したか否かに基づいて、どのような欠陥であるかを判別することもでき、また、欠陥の明暗の変化と拡大の変化との両方に基づいて、どのような欠陥であるのかを判別することもできる。

　なお、図１３等に示す欠陥検出装置では、デフォーカス状態に応じて、撮像条件（露光時間や照明光量など）を適宜設定することができる。また、同一のデフォーカス状態においても、複数の撮像条件で複数の画像を撮影することができる。例えば、欠陥が黒色になると分かっているワークに対しては、周囲（正常部）の平均値を明るく設定すると、コントラストがつきやすくなる。

　本発明は前記実施形態に限定されることなく種々の変形が可能であって、例えば、前記実施形態では、濃淡パターン(配線パターン)の影響を小さくでき、しかも、ワークに形成された欠陥に対する観察画像上の欠陥を大きくして観察するものであったが、欠陥検出装置１００として、濃淡パターン(配線パターン)の影響を小さくできる構成のみであってもよい。

　図１に示す欠陥検出装置１００Ａでは、明視野用照明器を主に位置決め（位置合わせ）用に用い、暗視野用照明器を、濃淡パターン(配線パターン)の影響を小さく、しかも、ワークに形成された欠陥に対する観察画像上の欠陥を大きくして観察する照明に用いたが、明視野用照明器をもって、濃淡パターン(配線パターン)の影響を小さくする観察に用い、暗視野用照明器を、ワークに形成された欠陥の観察画像上の欠陥を大きくして観察する場合にのみに用いるものであってもよい。

　図１に示す欠陥検出装置１００Ａにおいて、観察画像上の欠陥を大きくして観察する方法として、光学的なぼけ手段を用いて大きくする（太らせる）方法を用いてもよい。光学的なぼけ手段としては、例えば、ローパスフィルタを用いれば構成することができる。すなわち、センサー面の前にローパスフィルタを設置することで、像がぼやけたり、ぼけが発生する。また、ぼけを引き起こさせるためには、信号を劣化させればよいので、レンズの性能を落とすことによっても、ぼけ手段を構成できる。さらに、軸上色収差という波長に依存してフォーカス位置が変化する収差を利用してデフォーカスさせてぼけを生じさせてもよい。

　第１の欠陥検出装置１００Ａの暗視野観察において、照明光の傾斜角（仰角）は、形成される欠陥４０の傾斜面部Ｓの傾斜角に応じて最良のものを選択することになるので、形成される欠陥４０の傾斜面部Ｓが一定であれば、それに対応した仰角に設定することになる。しかしながら、形成される欠陥４０の傾斜面部Ｓの傾斜角が種々の場合があり、このような場合、仰角を一定とすることができない。このため、照明光の仰角を任意に変更できる機構（照明器の角度変位機構）を設け、傾斜面部Ｓの傾斜角に対応した仰角とするのが好ましい。

　なお、観察に用いる波長の選択は波長選択フィルタ等を用いて行うことができる。ここで、波長選択フィルタは、特定の波長の光のみを透過させる光学フィルタであって、基材（ガラス）の表面に光学薄膜（誘導体または金属）を蒸着したもの、特定の波長を吸収する基材を使用するもの等がある。透過波長の設計によって各種名称（ショートパスフィルター，ロングパスフィルタ－，バンドパスフィルタ，ノッチフィルター，ホットミラー、コールドミラー等）がある。すなわち、この波長選択フィルタまたは照明光の波長を限定することによって、特定の波長での観察が可能となる。

　ところで、照明器として、周方向に沿って所定ピッチで発光部をリング状に配設される場合、その周方向に沿ってピッチは形成される欠陥の大きさ、形状、傾斜面の傾斜角度、欠陥の向き等に応じて、ワークに形成された欠陥を全周から観察できるように、任意に設定できる。

　また、発光部をリング状に配設する場合の「リング状」には、欠損のないリングと、欠損を有するリング等を含む。また、リング状にかぎらず、Ｃ型および半円等に配置してもよい。

　ところで、実施形態では、欠陥４０が被覆層１２の表面に形成されている場合を主に説明したが、欠陥４０が表面以外、すなわち、図６Ｂでは、第１層１３ａに形成されたり、図６Ｃでは、第１層１３ａや第２層１３ｂ等に形成されたりする場合がある。このため、欠陥４０が被覆層１２の内部に形成される場合もある。このように、被覆層１２の内部に欠陥４０が形成されていても、本発明の欠陥検出装置１００Ａおよび欠陥検出方法でもって、この欠陥４０を検出することができる。なお、図６Ａに示すように被覆層１２が単層で構成されている場合であっても、被覆層１２の内部や濃淡層対応面に欠陥４０が形成される場合があり、このようなものであっても、本発明の欠陥検出装置１００Ａおよび欠陥検出方法でもって、この欠陥４０を検出することができる。

　ワークＷの被覆層の膜厚としては、１μｍ～１００μｍに限定されるものではなく、また、被覆層の材質としても、ポリイミド樹脂やシリコーン樹脂に限るものではない。すなわち、被覆層の材質や被覆層の膜厚に対応して、被覆層の表面を観察する際に、濃淡パターン（配線パターン）の影響を低くする照明光の選択が可能であればよい。

　ところで、４５０ｎｍ以下又は１０００ｎｍ以上の範囲以外の波長の光（可視光）の照明光を用いた暗視野で観察する際に、照明光は配線パターン層に到達した場合に、配線パターン層のパターンピッチが光の波長レベルであれば、回折が発生して、濃淡パターンが撮像装置（カメラ）に入射することになる。しかしながら、可視光以外を使用することで回折を起こす照明光を減衰させ配線パターン層に到達するようにするとともに、回折光自身も減衰させることができる。

　欠陥を検査する場合、本発明では、第１の欠陥検出装置１００Ａを用いて欠陥４０を検出する第１の欠陥検出方法と、第２の欠陥検出装置１００Ｂを用いて欠陥４０を検出する第２の欠陥検出方法とがある。このため、本発明では、第１の欠陥検出方法と第２の欠陥検出方法とのすくなくともいずれか一方の方法が実施されればよい。すなわち、まず、いずれか一方の方法を行って、その後、（この一方の方法にて欠陥４０が検出されたり、検出されなかったりしても、）他の方法を行うようにしても、いずれか一方の方法を行って欠陥が検出されなかった場合のみ他方の方法を行うようにしてもよい。また、先に行う方法として、第１の欠陥検出方法であっても、第２の欠陥検出方法であってもよい。

　本発明に係る欠陥検出装置は、はんだ、金メッキ、樹脂を接合材料として、ダイ（電子回路を作り込んだシリコン基板のチップ）をリードフレームや基板等に接着する装置であるダイボンダに用いることができる。

Ｐ     ピックアップポジション
Ｑ     ボンディングポジション
Ｓ     傾斜面部
θ₁、θ₂   最小検出角
ｗ     クラック幅
ε_min  最小検出幅（パラメータ）
１１   濃淡層
１２   被覆層
２１   半導体チップ
２９   ウェハ
３０   照明機構
３２   撮像装置
３５   明視野用照明器
３６   暗視野用照明器
３８   発光部
４０   欠陥
５０   リング照明器
５１   発光部
５５   検査機構
６１   撮像装置（観察光学系）
６２   照明手段
６９   デフォーカス手段
７７   ＮＡ制御部

Claims

　半導体製造工程に由来する濃淡パターンのある濃淡層と、この濃淡層の濃淡パターンを覆う被覆層とを備えたワークにおける被覆層に形成された欠陥を検出する欠陥検出装置であって、
　前記ワークに対して照明を行う照明器と、この照明器にて照明された前記ワークの観察部位を観察する撮像装置とを有する観察機構を備え、
　前記照明器から照射される照明光は、少なくとも濃淡層から反射し前記撮像装置に入射する光よりも、前記被覆層から反射又は散乱されて撮像装置に入射する光の強度が大きい波長であり、前記濃淡層の濃淡パターンの影響を低くした光であることを特徴とする欠陥検出装置。
　前記撮像装置は、前記照明器にて照明されたワークの観察部位を上方から観察する暗視野観察を行うものであり、前記ワークの欠陥は、開口部と傾斜面部の少なくともいずれか一方を有し、前記ワークに形成された欠陥の観察画像上の欠陥を大きくする観察を行うことを特徴とする請求項１に記載の欠陥検出装置。
　前記照明器は、周方向に沿って所定ピッチで配設される複数個の発光部を備えたことを特徴とする請求項２に記載の欠陥検出装置。
　前記照明器は、前記撮像装置の撮影軸を取り囲むリング状に、少なくとも１列以上配置された複数の発光部からなるリング照明器であることを特徴とする請求項２に記載の欠陥検出装置。
　前記照明器の照明方向は、撮影軸とワークとが直交するように配置されているときに、ワークと照明軸とのなす角が５０°～８５°であることを特徴とする請求項２～請求項４のいずれか１項に記載の欠陥検出装置。
　半導体製品又は半導体製品の一部であるワークにおいて少なくとも傾斜面部を有する欠陥を検出する欠陥検出装置であって、
　前記ワークに対して明視野照明光を照射する照明手段と、観察光学系を構成し、前記照明手段にて照射された前記ワークの観察部位を観察する撮像装置と、を有する検査機構を備え、
　前記検査機構は、光軸方向において合焦位置からデフォーカスされた非合焦位置から射出された前記ワークからの反射光を観察し、前記非合位置からの反射光により形成された観察画像上の欠陥を、合焦位置からの反射光により形成された観察画像上の欠陥よりも強調することを特徴とする欠陥検出装置。
　合焦位置と非合焦位置との少なくとも非合焦位置を含む２つの異なる位置から反射光が射出されることを特徴とする請求項６に記載の欠陥検出装置。
　少なくとも１つの前記位置からの反射光に基づいて検査又は画像上のワークの位置を検出する位置決めを行うことを特徴とする請求項７に記載の欠陥検出装置。
　前記検査機構は、前記合焦位置を境界として、前記撮像装置に近接する側の非合焦位置と、前記撮像装置から離間する側の非合焦位置との夫々から射出された反射光に基づいて検査することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の欠陥検出装置。
　前記照明手段側のＮＡが、観察光学系側のＮＡよりも小さいことを特徴とする請求項６～請求項９のいずれか１項に記載の欠陥検出装置。
　前記ワークを非合焦位置に配置することにより、ワークからの反射光を光軸方向において合焦位置からずれた非合焦位置から射出させることを特徴とする請求項６～請求項１０のいずれか１項に記載の欠陥検出装置。
　前記検査機構が、ワークからの反射光を光軸方向において合焦位置からずれた非合焦位置から射出させるデフォーカス手段を備え、前記デフォーカス手段は、ワークと光学系とを光軸方向に相対移動させるもの、光学系を変更するもの、合焦位置の異なる複数の光学系及び受光素子を用いるもの、照明又は観察波長を変更するもの、のいずれかであることを特徴とする請求項６～請求項１０のいずれか１項に記載の欠陥検出装置。
　照明手段側のＮＡ及び観察光学系側のＮＡの少なくとも一方を可変可能な可変手段を設けたことを特徴とする請求項６～請求項１２のいずれか１項に記載の欠陥検出装置。
　ワークの傾き又はデフォーカス量に応じて、少なくとも観察光学系側又は照明手段側のＮＡを設定するＮＡ制御部を設けたことを特徴とする請求項６～請求項１３のいずれか１項に記載の欠陥検出装置。
　観察光学系における合焦位置から、１００μｍ以上デフォーカスした位置で検査を行うことを特徴とする請求項６～請求項１４のいずれか１項に記載の欠陥検出装置。
　検査対象のワークの欠陥が互いに方向の異なる一対の面部を有するとき、前記ワークの位置から前記非合焦位置までのデフォーカス量ｚは、前記撮像装置の最小検出幅ε_min、光軸に直交する線と一方の面部とのなす角θ₁、光軸に直交する線と他方の面部とのなす角θ₂、一対の面部の離間幅ｗから、ε_min－ｗ／（ｔａｎ２θ₁＋ｔａｎ２θ₂）の式で算出される値よりも大きいことを特徴とする請求項６～請求項１５のいずれか１項に記載の欠陥検出装置。
　検査対象のワークのθ₁及びθ₂が、観察光学系の開口数ＮＡで制限されるとき、－ｓｉｎ^-1（ＮＡ）≦θ₁≦ｓｉｎ^-1（ＮＡ）、かつ、－ｓｉｎ^-1（ＮＡ）≦θ₂≦ｓｉｎ^-1（ＮＡ）であることを特徴とする請求項１６に記載の欠陥検出装置。
　所定のデフォーカス量となるように前記デフォーカス手段を制御する制御部を設けたことを特徴とする請求項１２～請求項１７のいずれか１項に記載の欠陥検出装置。
前記制御部は、所定のパラメータに基づいてデフォーカス量を演算する演算部を備えたことを特徴とする請求項１８に記載の欠陥検出装置。
　前記照明手段は、検査用光源と、位置決め用光源と、前記光源を切替えて電気的に照明側のＮＡを切替えるＮＡ切替部とを備えたことを特徴とする請求項６～請求項１９のいずれか１項に記載の欠陥検出装置。
　デフォーカス量と離間幅とから、面部の傾斜角度及び欠陥幅を検出する検出部を備えたことを特徴とする請求項６～請求項２０のいずれか１項に記載の欠陥検出装置。
　合焦位置と非合焦位置との少なくとも非合焦位置を含む２つの異なる位置から検査するとき、欠陥の明暗の変化及び／又は欠陥の大きさの変化に基づいて欠陥を判別する判別手段を備えたことを特徴とする請求項６～請求項２１のいずれか１項に記載の欠陥検出装置。
　前記ワークは多層構造からなり、検査対象の層から反射又は散乱されて撮像装置に入射する光の強度が、他層からの強度よりも大きい波長であることを特徴とする請求項６～請求項２２のいずれか１項に記載の欠陥検出装置。
　前記ワークは、半導体製造工程に由来する濃淡パターンのある濃淡層と、この濃淡層の濃淡パターンを覆う被覆層とを備え、前記照明手段から照射される照明光は、少なくとも濃淡層から反射し前記撮像装置に入射する光よりも、前記被覆層から反射又は散乱されて撮像装置に入射する光の強度が大きい波長であり、前記濃淡層の濃淡パターンの影響を低くした光であることを特徴とする請求項６～請求項２３のいずれか１項に記載の欠陥検出装置。
　前記被覆層は、有機物層であることを特徴とする請求項１又は請求項６に記載の欠陥検出装置。
　前記有機物層は、ポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項２５に記載の欠陥検出装置。
　前記被覆層の膜厚が、１μｍ～１００μｍであることを特徴とする請求項１又は請求項６に記載の欠陥検出装置。
　前記被覆層は単層からなることを特徴とする請求項１に記載の欠陥検出装置。
　前記被覆層は２層以上の複数層からなり、各層が同一材質、各層が異なる材質、又は複数層の所定の層が同一材質とされることを特徴とする請求項１又は請求項６に記載の欠陥検出装置。
　前記照明器の照明光のうち観察される波長が、４５０ｎｍ以下又は１０００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１又は請求項６に記載の欠陥検出装置。
　濃淡パターンのある濃淡層と、この濃淡層の濃淡パターンを覆う被覆層とを備えたワークにおける被覆層に形成された欠陥を検出する欠陥検出方法であって、
　少なくとも前記濃淡層から反射し撮像装置に入射する光よりも、前記被覆層から反射又は散乱されて撮像装置に入射する光の強度が大きい波長である照明光を、前記ワークに対して照射し、前記濃淡層の濃淡パターンの影響を低くして観察することを特徴とする欠陥検出方法。
　半導体製品又は半導体製品の一部であるワークにおいて少なくとも傾斜面部を有する欠陥を検出する欠陥検出方法であって、
　前記ワークに対して明視野照明光を照射し、ワークからの反射光を、光軸方向において合焦位置からデフォーカスされた非合焦位置から射出させて、前記非合焦位置からの反射光により形成された観察画像上の欠陥を、合焦位置からの反射光により形成された観察画像上の欠陥よりも強調することを特徴とする欠陥検出方法。
　前記請求項１～請求項３０のいずれか１項に記載の欠陥検出装置を用いることを特徴とする欠陥検出方法。
　前記請求項３１～請求項３３のいずれか１項に記載の欠陥検出方法にて検出された欠陥が製品として不良か否かの判断基準を予め設定し、欠陥画像を判断基準によって、不良品か良品かの判断を行うことを特徴とする欠陥検出方法。
　合焦位置と非合焦位置との少なくとも非合焦位置を含む２つの異なる位置から検査するとき、欠陥の明暗の変化及び／又は欠陥の大きさの変化に基づいて欠陥を判別することを特徴とする請求項３２～請求項３４のいずれか１項に記載の欠陥検出方法。
　前記請求項３１～請求項３３のいずれか１項に記載の欠陥検出方法にて欠陥が検出されず又は検出された欠陥が請求項３４に記載の欠陥検出方法にて良品と判断されていることを特徴とするウェハ。
　前記請求項３１～請求項３３のいずれか１項に記載の欠陥検出方法にて欠陥が検出されず又は検出された欠陥が請求項３４に記載の欠陥検出方法にて良品と判断されていることを特徴とする半導体チップ。
　前記請求項３１～請求項３３のいずれか１項に記載の欠陥検出方法にて欠陥が検出されず又は検出された欠陥が請求項３４に記載の欠陥検出方法にて良品と判断された個片体で構成されていることを特徴とする半導体装置。
　ピックアップポジションにてワークとしての個片体をピックアップし、このピックアップした個片体をボンディングポジョンに搬送して、そのボンディングポジションにてワークをボンディングするダイボンダであって、ピックアップポジションからボンディングポジションのいずれかの位置で、前記請求項１～請求項３０のいずれか１項に記載の欠陥検出装置を配置したことを特徴とするダイボンダ。
　ピックアップポジションとボンディングポジションとの間にワークが搬送される中間ステージを有し、この中間ステージにおいて前記請求項１～請求項３０のいずれか１項に記載の欠陥検出装置を配置したことを特徴とするダイボンダ。
　ピックアップポジション、ボンディングポジション、ピックアップポジションとボンディングポジションとの間の中間ステージの内少なくとも一つでの位置決め検出が可能であることを特徴とする請求項３９又は請求項４０に記載のダイボンダ。
　ピックアップポジションにてワークをピックアップし、このピックアップしたワークをボンディングポジョンに搬送して、そのボンディングポジションにてワークをボンディングするボンディング工程を備えたボンディング方法であって、
　ピックアップ前とピックアップ後の少なくともいずれか一方において、ワークに対して前記請求項１～請求項３０のいずれか１項に記載の欠陥検出装置にて欠陥を検出することを特徴とするボンディング方法。
　ピックアップポジションにてワークをピックアップし、このピックアップしたワークをボンディングポジョンに搬送して、そのボンディングポジションにてワークをボンディングするボンディング工程を備えたボンディング方法であって、
　ピックアップポジションとボンディングポジョンとの間に中間ステージを有し、中間ステージへのワーク供給前と中間ステージからのワーク排出後の少なくともいずれか一方において、ワークに対して前記請求項１～請求項３０のいずれか１項に記載の欠陥検出装置にて欠陥を検出することを特徴とするボンディング方法。
　ピックアップポジションにてワークをピックアップし、このピックアップしたワークをボンディングポジョンに搬送して、そのボンディングポジションにてワークをボンディングするボンディング工程を備えたボンディング方法であって、
　ボンディング前とボンディング後に少なくともいずれか一方において、ワークに対して前記請求項１～請求項３０のいずれか１項に記載の欠陥検出装置にて欠陥を検出することを特徴とするボンディング方法。
　ピックアップポジションにてワークをピックアップし、このピックアップしたワークをボンディングポジョンに搬送して、そのボンディングポジションにてワークをボンディングするボンディング工程を備えたボンディング方法であって、
　ボンディング工程へのワーク供給前と、ボンディング工程からのワーク排出後の少なくともいずれか一方において、前記請求項３１～請求項３５のいずれか１項に記載の欠陥検出方法を用いた検査工程を行うことを特徴とするボンディング方法。
　前記請求項３１～請求項３５のいずれか１項に記載の欠陥検出方法を用いた検査工程を備え、さらに、ウェハを切断して個片化するダイシング工程と、個片化されてなる半導体チップを樹脂で封止するモールド封止工程の少なくともいずれか一方の工程を備えたことを特徴とする半導体製造方法。
　複数の個片体からなる個片体集合体を備えた半導体装置を製造する半導体装置製造方法であって、
　１個の個片体又は所定数の個片体の集合体からなる被対象物と、この被対象物に集合すべき他の個片体の少なくともいずれか一方を前記請求項３１～請求項３５のいずれか１項に記載の欠陥検出方法を用いて検査することを特徴とする半導体装置製造方法。