WO2017221647A1 - 多層基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

多層基板（１０１）は、複数の絶縁基材層（１１，１２，１３，１４，１５）を積層して形成される積層体（１０）、絶縁基材層（１２，１４）（導体形成基材層）に形成される導体パターン（３１，３２，３３）を備える。絶縁基材層（１３）（厚み調整基材層）は、枠部（１）、枠部の内側に形成される開口部（２）、枠部（１）の内側に配置される島状部（３）、島状部（３）を枠部（１）に接続する複数の接続部（４）で構成される。導体パターン（３１，３２）は、複数の絶縁基材層（１１，１２，１３，１４，１５）の積層方向（Ｚ軸方向）から視て、島状部（３）を周回する。接続部（４）の線幅は島状部（３）の幅よりも細く、島状部（３）は複数の接続部（４）を介して枠部に接続される。開口部（２）は、Ｚ軸方向から視て、枠部（１）および島状部（３）よりも導体パターン（３１，３２）に重なる面積が大きい。

Description

多層基板およびその製造方法

　本発明は、多層基板に関し、特に絶縁基材層からなる積層体と、積層体内に形成される導体パターンとを備える多層基板、およびその製造方法に関する。

　従来、導体パターンが形成された複数の絶縁基材層を積層してなる多層基板が知られている。一般に、導体パターンが形成された複数の絶縁基材層を積層した場合、導体パターンが形成された部分には導体パターン分の厚みが加わるため、複数の絶縁基材層の積層方向の厚みが他の部分よりも大きくなり、多層基板の平坦性を確保できない虞がある。

　そこで、例えば特許文献１には、導体パターンが形成された絶縁基材層と、上記導体パターンの形状に合わせた開口部が形成された厚み調整基材層とを積層し、これらを加熱加圧して構成される積層体を備えた多層基板が開示されている。上記構成では、導体パターンが厚み調整基材層に形成された上記開口部に収まるように、絶縁基材層と厚み調整基材層とが積層されるため、平坦性が確保された多層基板を実現できる。

特開２００８－１６６３８５号公報

　しかし、特許文献１に示される構造では、導体パターンの形状が巻回形である場合、厚み調整基材層に部分的に接続された島状部が、開口部の内側に形成されるが、開口部で囲まれるこの島状部は変形しやすい。そのため、複数の絶縁基材層の積層が困難になることがある。

　本発明の目的は、厚み調整基材層を含んで構成される多層基板において、簡素な構成により、容易に平坦性が確保される多層基板を提供することにある。

（１）本発明の多層基板は、
　複数の絶縁基材層を積層して形成される積層体と、
　前記絶縁基材層に形成される導体パターンと、
　を備え、
　前記複数の絶縁基材層は、前記導体パターンが形成される導体形成基材層と、厚み調整基材層とを含み、
　前記厚み調整基材層は、
　　枠部と、
　　前記枠部の内側に形成される開口部と、
　　前記枠部の内側に配置される島状部と、
　　前記島状部を前記枠部に接続する複数の接続部と、
　で構成され、
　前記導体パターンは、前記複数の絶縁基材層の積層方向から視て、少なくとも一部が前記島状部を周回し、
　前記接続部の線幅は、前記島状部の幅よりも細く、
　前記島状部は、前記複数の接続部を介して前記枠部に接続され、
　前記開口部は、前記積層方向から視て、前記枠部および前記島状部よりも前記導体パターンに重なる面積が大きいことを特徴とする。

　この構成では、導体パターンが開口部に重なるように、複数の絶縁基材層が積層されるため、多層基板の平坦性が確保される。また、この構成により、単一の接続部を介して島状部を枠部に接続する場合に比べて、島状部が枠部に安定した状態で固定される。そのため、複数の絶縁基材層の積層が容易となり、平坦性を確保した多層基板の製造が容易となる。

（２）上記（１）において、前記絶縁基材層は、熱可塑性樹脂からなることが好ましい。この構成により、積層体を形成する際の加熱加圧時に、絶縁基材層（樹脂）が流動するため、多層基板の表面に生じる凹凸は抑制される。

（３）上記（１）または（２）において、前記導体パターンはコイルを構成してもよい。導体パターンでコイルを構成する際、所定のインダクタンスやターン数を確保するために、導体パターンが平面方向に高密度に配置されることが多い。このような場合に、導体損失を低減するために導体パターンの厚みを厚く形成することが多い。この構成においても、導体パターンが厚み調整基材層の開口部に重なるように、複数の絶縁基材層が積層されることにより、多層基板の平坦性が確保される。

（４）上記（１）から（３）のいずれかにおいて、前記島状部の幾何学的重心は、前記複数の接続部と前記枠部との複数の境界を結ぶ直線で囲まれる最大領域内に位置することが好ましい。この構成により、複数の接続部によって島状部の幾何学的重心を直線上で固定することができるため、島状部が枠部に、より安定した状態で固定される。したがって、複数の絶縁基材層を積層する際における厚み調整基材層の変形はさらに抑制される。

（５）上記（１）から（４）のいずれかにおいて、前記厚み調整基材層に形成され、前記導体パターンと電気的に独立するダミー導体を備えることが好ましい。この構成により、ダミー導体を利用した多層基板の厚み調整を行うことができ、多層基板の厚み調整の幅が広がる。

（６）上記（５）において、前記ダミー導体は、前記複数の絶縁基材層の積層方向から視て、前記導体パターンに重ならない位置に配置されることが好ましい。この構成により、積層体を形成する際の加熱加圧時に、導体パターンに重なる部分の絶縁基材層（樹脂）が流動しやすくなり、多層基板の表面には凹凸が生じ難い。

（７）上記（１）から（６）のいずれかにおいて、前記厚み調整基材層の数は複数であることが好ましい。この構成によると、厚み調整基材層の一層当たりの厚みを薄くしても、多層基板の表面に生じる凹凸は抑制される。また、一層当たりの厚みが薄い厚み調整基材層を複数有することにより、厚い厚み調整基材層を一層有する場合に比べて、積層時に一層の厚み調整基材層の開口部に流れ込む絶縁基材層の量は低減（分散）される。したがって、開口部に絶縁基材層が流れ込むことに伴う導体パターンの変形・位置ずれが抑制され、導体パターンの変形・位置ずれに伴う特性変化も生じ難くなる。

（８）上記（７）において、前記複数の厚み調整基材層にそれぞれ形成される前記接続部は、前記積層方向から視て、互いに重ならない位置に配置されることが好ましい。この構成により、積層方向から視て、異なる絶縁基材層にそれぞれ形成される接続部が互いに重なっている場合に比べて、多層基板の表面に生じる凹凸は抑制され、多層基板の平坦性が高まる。

（９）上記（１）から（８）のいずれかにおいて、導体形成基材層の数は複数であり、前記導体形成基材層に形成され、前記複数の導体形成基材層にそれぞれ形成される前記導体パターン同士を接続する、層間接続導体を備え、前記層間接続導体は、前記積層方向から視て、前記開口部に重なることが好ましい。この構成により、加熱加圧時において積層方向に縮み難い層間接続導体が、絶縁基材層の無い部分に収まるので、多層基板の平坦性を高めることができる。

（１０）本発明の多層基板の製造方法は、導体形成基材層と厚み調整基材層とを含む複数の絶縁基材層を積層して形成される積層体を備えるものであって、
　絶縁基材層に導体パターンを形成して、前記導体形成基材層を構成する、導体形成工程と、
　絶縁基材層に、枠部と、前記導体パターンの形状に合わせた開口部と、前記開口部の内側に配置される島状部と、前記島状部を前記枠部に接続する複数の接続部と、を形成して、前記厚み調整基材層を構成する、厚み調整基材層形成工程と、
　前記開口部が前記導体パターンに重なるように、前記導体形成基材層と前記厚み調整基材層とを積層し、積層した前記複数の絶縁基材層を加熱加圧することにより積層体を構成する、積層体形成工程と、
　を備えることを特徴とする。

　この製造方法により、厚み調整基材層を含んだ複数の絶縁基材層の積層が容易となり、平坦性を確保した多層基板を容易に製造できる。

（１１）上記（１０）において、前記厚み調整基材層形成工程は、前記厚み調整基材層のうち、積層した前記複数の絶縁基材層を積層方向から視て、前記導体パターンに重なりの少ない領域にダミー導体を形成する工程を含んでいてもよい。

　本発明によれば、厚み調整基材層を含んで構成される多層基板において、簡素な構成により、容易に平坦性が確保される多層基板を実現できる。

図１は第１の実施形態に係る多層基板１０１の斜視図である。 図２は多層基板１０１の分解斜視図である。 図３（Ａ）は枠部１、開口部２、島状部３および接続部４を示す絶縁基材層１３の平面図であり、図３（Ｂ）は島状部３の幾何学的重心Ｇ１と接続部４との位置関係を示す絶縁基材層１３の平面図である。 図４は、第１の実施形態に係る多層基板１０１の製造方法を示すフローチャートである。 図５（Ａ）は島状部３の幾何学的重心Ｇ２と３つの接続部４Ａ，４Ｂ，４Ｃとの位置関係を示す絶縁基材層１３ａの平面図であり、図５（Ｂ）は島状部３の幾何学的重心Ｇ３と４つの接続部４Ｄ，４Ｅ，４Ｆ，４Ｇとの位置関係を示す絶縁基材層１３ｂの平面図である。 図６は第２の実施形態に係る多層基板１０２の斜視図である。 図７は多層基板１０２の分解斜視図である。 図８（Ａ）は枠部１Ｃ、開口部２Ｃ、島状部３Ｃおよび接続部４Ｈを示す絶縁基材層１５ｃの平面図であり、図８（Ｂ）は島状部３Ｃの幾何学的重心Ｇ４と接続部４Ｈとの位置関係を示す絶縁基材層１５ｃの平面図である。 図９（Ａ）は第３の実施形態に係る多層基板１０３の斜視図であり、図９（Ｂ）は図９（Ａ）におけるＡ－Ａ断面図である。 図１０は多層基板１０３の分解斜視図である。 図１１は絶縁基材層１３ｄの平面図である。 図１２は、第３の実施形態に係る多層基板１０３の製造方法を示すフローチャートである。 図１３は第４の実施形態に係る多層基板１０４の斜視図である。 図１４は第４の実施形態に係る多層基板１０４の斜視図である。 図１５は第５の実施形態に係る多層基板１０５の斜視図である。 図１６（Ａ）は図１５におけるＢ－Ｂ断面図であり、図１６（Ｂ）は多層基板１０５の分解断面図である。

　以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

　《第１の実施形態》
　図１は第１の実施形態に係る多層基板１０１の斜視図である。図２は多層基板１０１の分解斜視図である。図３（Ａ）は枠部１、開口部２、島状部３および接続部４を示す絶縁基材層１３の平面図であり、図３（Ｂ）は島状部３の幾何学的重心Ｇ１と接続部４との位置関係を示す絶縁基材層１３の平面図である。図３（Ａ）では、構造を解りやすくするため、開口部２をドットパターンで示しており、島状部３をハッチングで示している。また、図３（Ｂ）では、最大領域ＧＥをドットパターンで示している。

　多層基板１０１は、複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５を積層して形成される積層体１０と、絶縁基材層１２，１４に形成される導体パターン３１，３２，３３とを備える。

　積層体１０は、熱可塑性樹脂製の直方体であり、第１主面ＶＳ１および第１主面ＶＳ１に対向する第２主面ＶＳ２を有する。複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５は、それぞれ平面形状が矩形の、例えば液晶ポリマーを主材料とする熱可塑性樹脂からなるシート状の平板である。

　複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５は、導体パターンが形成される「導体形成基材層」と、「厚み調整基材層」とを含む。本実施形態では、絶縁基材層１２，１４が「導体形成基材層」であり、絶縁基材層１３が「厚み調整基材層」である。ここで、絶縁基材層１１は、最上層である。

　絶縁基材層１２の表面には、導体パターン３１が形成されている。導体パターン３１は、絶縁基材層１１の外周に沿って巻回される約１ターンの矩形ループ状の導体である。導体パターン３１は、例えばＣｕ箔等による導体パターンである。

　絶縁基材層１３は、図３（Ａ）に示すように、枠部１、開口部２、島状部３および２つの接続部４で構成されている。枠部１は、絶縁基材層１３から開口部２を除いた枠状の部分であり、絶縁基材層１３の外周を含む。開口部２は、枠部１の内側に形成される平面形状が矩形の貫通孔である。開口部２は、複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５を積層した際に、複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５の積層方向（Ｚ軸方向）から視て、導体パターン３１，３２に重なる位置に形成される。島状部３は、枠部１の内側（開口部２の内側）中央に配置される矩形の島状の部分である。２つの接続部４は、Ｘ軸方向に延伸する線状の部分である。島状部３は、２つの接続部４を介して枠部１に接続されている。また、図３（Ａ）に示すように、接続部４の線幅（Ｙ軸方向の幅）は、島状部３の幅（Ｙ軸方向の幅）よりも細い。

　絶縁基材層１４の表面には、導体パターン３２，３３が形成されている。導体パターン３２は、絶縁基材層１４の外周に沿って巻回される約１ターンの矩形ループ状の導体である。導体パターン３３は、導体パターン３２で囲まれる領域内に配置される矩形の導体である。導体パターン３２，３３は、例えばＣｕ箔等による導体パターンである。なお、層間接続導体Ｖ３３と層間接続導体Ｖ３４とを接続する導体パターン３３（後に詳述する）は、必須ではない。

　絶縁基材層１５は最下層である。絶縁基材層１５の裏面には、２つの実装電極Ｐ１，Ｐ２が形成されている。実装電極Ｐ１，Ｐ２は、長手方向がＹ軸方向に一致する矩形の導体である。本実施形態に係る実装電極Ｐ１，Ｐ２は、絶縁基材層１５の第１辺（図２における絶縁基材層１５の左辺）付近および第２辺（絶縁基材層１５の右辺）付近にそれぞれ配置されている。実装電極Ｐ１，Ｐ２は、例えばＣｕ箔等による導体パターンである。

　図２に示すように、実装電極Ｐ１は、絶縁基材層１４，１５にそれぞれ形成される層間接続導体Ｖ３１を介して、導体パターン３２の第１端に接続される。導体パターン３２の第２端は、絶縁基材層１２に形成される層間接続導体Ｖ３２を介して、導体パターン３１の第１端に接続される。導体パターン３１の第２端は、絶縁基材層１２に形成される層間接続導体Ｖ３３を介して、導体パターン３３に接続される。導体パターン３３は、絶縁基材層１４，１５に形成される層間接続導体Ｖ３４を介して、実装電極Ｐ２に接続される。

　このように、多層基板１０１では、複数の絶縁基材層１２，１４にそれぞれ形成される導体パターン３１，３２，３３、および層間接続導体Ｖ３２，Ｖ３３を含んで約２ターンの矩形ヘリカル状のコイル３０が構成される。コイル３０の両端はそれぞれ実装電極Ｐ１，Ｐ２に接続される。また、コイル３０は、Ｚ軸方向に巻回軸を有する。

　なお、図３（Ａ）では、複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５を積層した際における、導体パターン３１，３２および層間接続導体Ｖ３２，Ｖ３３の位置を破線で示している。

　図３（Ａ）に示すように、枠部１および島状部３は、Ｚ軸方向から視て、導体パターン３１，３２等に重なっていない。また、導体パターン３１，３２は、Ｚ軸方向から視て、島状部３を周回し、開口部２に重なる領域に形成されている。また、層間接続導体Ｖ３２，Ｖ３３は、Ｚ軸方向から視て、開口部２に重なる位置に形成されている。一方、接続部４の一部は、Ｚ軸方向から視て、導体パターン３１，３２に重なる。

　また、図３（Ｂ）に示すように、島状部３の幾何学的重心Ｇ１は、Ｚ軸方向から視て、２つの接続部４と枠部１との４つの境界ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４（部分）を結ぶ直線で囲まれる最大領域ＧＥ内に位置している。

　本実施形態によれば、次のような効果を奏する。

（ａ）本実施形態に係る多層基板１０１では、枠部１および島状部３が、Ｚ軸方向から視て、導体パターン３１，３２等に重なっておらず、導体パターン３１，３２が、Ｚ軸方向から視て、島状部３を周回し、開口部２に重なる領域に形成されている。すなわち、開口部２は、Ｚ軸方向から視て、枠部１および島状部３よりも導体パターン３１，３２等に重なる面積が大きい。この構成により、開口部２に導体パターン３１，３２の少なくとも一部が重なるように、複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５が積層されるため、多層基板の平坦性が確保される。

　なお、本実施形態では、枠部１および島状部３が、Ｚ軸方向から視て、導体パターン３１，３２等に重なっていない多層基板１０１を示したが、導体パターンの一部は、Ｚ軸方向から視て、厚み調整基材層の他の部分（枠部１または島状部３）に重なっていてもよい。すなわち、導体パターンは、Ｚ軸方向から視て、全体が開口部２に収まって（重なって）いなくてもよい。但し、その場合には、Ｚ軸方向から視た開口部２が導体パターンに重なる面積は、Ｚ軸方向から視た枠部１または島状部３に重なる面積よりも大きい構成であることを条件とする。この構成により、上述したように、多層基板の平坦性は確保される。

　なお、本実施形態のように、Ｚ軸方向から視て、導体パターン３１，３２が開口部２に収まる（重なる）構成により、導体パターン３１，３２全体が開口部２に重なっていない場合に比べて、さらに平坦性が確保された多層基板を実現できる。

（ｂ）また、本実施形態では、島状部３が複数の接続部４を介して枠部１に接続されている。この構成により、単一の接続部４を介して島状部３を枠部１に接続する場合に比べて、島状部３が枠部１に安定した状態で固定される。そのため、複数の絶縁基材層を積層する際における島状部３の変形や位置ずれが抑制される。

（ｃ）また、本実施形態では、島状部３の幾何学的重心Ｇ１が、Ｚ軸方向から視て、２つの接続部４と枠部１との４つの境界ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４を結ぶ直線で囲まれる最大領域ＧＥ内に位置している。この構成により、複数の接続部４によって島状部３の幾何学的重心Ｇ１を直線上で固定することができるため、島状部３が枠部１に、より安定した状態で固定される。したがって、この構成により、複数の絶縁基材層を積層する際における厚み調整基材層の変形はさらに抑制される。

（ｄ）本実施形態では、複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５が熱可塑性樹脂からなる。この構成により、積層体１０を形成する際の加熱加圧時に、絶縁基材層（樹脂）が流動するため、多層基板の表面に生じる凹凸は抑制される。

（ｅ）本実施形態に示すように、導体パターンはコイルを構成してもよい。なお、導体パターンでコイル（例えば平面ループ状または平面スパイラル状等のコイル）を構成する際、所定のインダクタンスやターン数を確保するために、導体パターンが平面方向に高密度に配置されることが多い。このような場合に、導体損失を低減するために導体パターンの厚みを厚く形成することが多い。この構成においても、導体パターンが厚み調整基材層の開口部に重なるように、複数の絶縁基材層が積層されることにより、多層基板の平坦性が確保される。

　また、一般に、積層方向（Ｚ軸方向）に巻回軸を有するコイルを構成する場合、磁界形成を妨げないようコイルの開口部分には導体パターンを配置しないことが多く、コイルの開口部の厚みを調整するために島状部を有する厚み調整基材層を用いることがある。但し、上述したように、本実施形態によれば、複数の絶縁基材層を積層する際における島状部３の変形や位置ずれが抑制される。

　さらに、積層方向（Ｚ軸方向）に複数の導体パターンが重なるようなヘリカル状のコイルが構成されている場合、積層方向に導体パターンが高密度に配置されるため、特に厚み調整基材層による多層基板の平坦性の確保が重要であるが、本発明の構成により、顕著な効果を得ることができる。

（ｆ）本実施形態では、接続部４の線幅（Ｙ軸方向の幅）は、島状部３の幅（Ｙ軸方向の幅）よりも細い。この構成では、Ｚ軸方向から視て、接続部４が導体パターン３１，３２等と重なる面積は小さい。そのため、Ｚ軸方向から視て、接続部４の一部が導体パターン３１，３２に重なる構成でも、積層体１０を形成する際の加熱加圧時に、絶縁基材層（樹脂）が流動し、多層基板の表面には凹凸が生じ難い。すなわち、多層基板の平坦性を確保するという点では接続部４の線幅を細くすることが好ましいが、上述したように、島状部３の幾何学的重心Ｇ１は、複数の接続部４と枠部１との複数の境界ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４を結ぶ直線で囲まれる最大領域ＧＥ内に位置することが好ましい。

（ｇ）また、本実施形態では、層間接続導体Ｖ３２，Ｖ３３等が、Ｚ軸方向から視て、開口部２に重なる。この構成により、加熱加圧時において積層方向（Ｚ軸方向）に縮み難い層間接続導体が、絶縁基材層の無い部分（開口部２）に収まるので、多層基板の平坦性を高めることができる。

　本実施形態に係る多層基板１０１は、例えば次に示す製造方法によって製造される。図４は、第１の実施形態に係る多層基板１０１の製造方法を示すフローチャートである。

　まず、熱可塑性樹脂からなる絶縁基材層１２，１４（導体形成基材層）の表面に、導体パターン３１，３２，３３を形成する（Ｓ１）。具体的には、絶縁基材層１２，１４の片側主面に金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングすることで、導体パターン３１，３２，３３をそれぞれ形成する。

　絶縁基材層に導体パターンを形成して、導体形成基材層を構成するこの工程が、本発明における「導体形成工程」の一例である。

　次に、熱可塑性樹脂からなる絶縁基材層１３（厚み調整基材層）に、開口部２（貫通孔）と、島状部３と、複数の接続部４と、を形成する（Ｓ２）。開口部２は、導体パターン３１，３２，３３の形状に合わせた形状の貫通孔であり、島状部３は開口部２の内側に配置される島状の部分である。複数の接続部４は、島状部３を絶縁基材層１３の枠部１に接続する部分である。具体的には、開口部２のうち島状部３および接続部４以外の除いた部分を、レーザ等によってエッチングすることで、枠部１、開口部２、島状部３および複数の接続部４を形成する。あるいは、開口部２のうち島状部３および接続部４以外の部分を、パンチング等によって型抜きしてもよい。

　絶縁基材層に、枠部と、導体パターンの形状に合わせた開口部と、開口部の内側に配置される島状部と、島状部を枠部１に接続する複数の接続部と、を形成して、厚み調整基材層を構成するこの工程が、本発明の「厚み調整基材層形成工程」の一例である。

　次に、Ｚ軸方向から視て、開口部２が導体パターン３１，３２，３３に重なるように、複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５を積層し、積層した複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５を加熱加圧することにより積層体１０を形成する（Ｓ３）。

　開口部が導体パターンに重なるように、導体形成基材層および厚み調整基材層を積層し、積層した複数の絶縁基材層を加熱加圧して積層体を形成するこの工程が、本発明における「積層体形成工程」の一例である。

　上記の工程の後、集合基板から個々の個片に分離して、多層基板１０１を得る。

　この製造方法により、厚み調整基材層を含んだ複数の絶縁基材層を積層する際に、各部材の変形等が抑制されるため、複数の絶縁基材層の積層が容易となり、平坦性を確保した多層基板を容易に製造できる。

　なお、上述の製造方法では、「導体形成工程」の後に、「厚み調整基材層形成工程」が行われる例を示したが、この構成に限定されるものではない。「積層体形成工程」の前に行われるのであれば、「導体形成工程」は、「厚み調整基材層形成工程」の後に行われてもよい。

　また、上述の説明では、実装電極Ｐ１，Ｐ２の製造方法を記載していないが、概略的には「導体形成工程」と同様の工程で、ステップＳ３の工程の前に、熱可塑性樹脂からなる絶縁基材層１５の裏面に実装電極Ｐ１，Ｐ２を形成する。また、実装電極Ｐ１，Ｐ２は、「積層体形成工程」の後に、積層体１０の第１主面ＶＳ１に実装電極Ｐ１，Ｐ２を形成してもよい。

　上述の説明では、層間接続導体Ｖ３１，Ｖ３２，Ｖ３３，Ｖ３４の製造方法を記載していないが、概略的には、レーザ等で層間接続導体用の貫通孔を設けた後、層間接続導体の貫通孔に導電性ペーストを充填して形成すればよい。その後、上述のステップＳ３を行えばよい。層間接続導体は、「積層体形成工程」の加熱加圧で硬化させることによって得られる。そのため、層間接続導体は、加熱加圧時の温度よりも融点（溶融温度）が低い材料とする。

　次に、一つの島状部が３つ以上の接続部を介して枠部に接続される場合について、図を参照して説明する。図５（Ａ）は島状部３の幾何学的重心Ｇ２と３つの接続部４Ａ，４Ｂ，４Ｃとの位置関係を示す絶縁基材層１３ａの平面図であり、図５（Ｂ）は島状部３の幾何学的重心Ｇ３と４つの接続部４Ｄ，４Ｅ，４Ｆ，４Ｇとの位置関係を示す絶縁基材層１３ｂの平面図である。図５（Ａ）および図５（Ｂ）では、最大領域ＧＥ１，ＧＥ２をドットパターンで示している。

　絶縁基材層１３ａは、図５（Ａ）に示すように、枠部１、開口部２、島状部３および３つの接続部４Ａ，４Ｂ，４Ｃで構成されている。絶縁基材層１３ａは、接続部の構成が上述した絶縁基材層１３とは異なり、その他の構成は絶縁基材層１３と同じである。

　３つの接続部４Ａ，４Ｂ，４Ｃは、それぞれＸ軸方向に延伸する線状の部分である。島状部３は、３つの接続部４Ａ，４Ｂ，４Ｃを介して枠部１に接続されている。また、図５（Ａ）に示すように、接続部４Ａ，４Ｂ，４Ｃの線幅（Ｙ軸方向の幅）は、島状部３の幅（Ｙ軸方向の幅）よりも細い。なお、接続部４Ａは、接続部４Ｂ，４Ｃよりも線幅が太い。

　図５（Ａ）に示すように、島状部３の幾何学的重心Ｇ２は、Ｚ軸方向から視て、３つの接続部４Ａ，４Ｂ，４Ｃと枠部１との６つの境界ＢＬ１ａ，ＢＬ２ａ，ＢＬ３ａ，ＢＬ４ａ，ＢＬ５ａ，ＢＬ６ａを結ぶ直線で囲まれる最大領域ＧＥ１内に位置する。なお、図５（Ａ）に示すように、複数の接続部の線幅は同一でなくてもよい。

　絶縁基材層１３ｂは、図５（Ｂ）に示すように、枠部１、開口部２、島状部３および４つの接続部４Ｄ，４Ｅ，４Ｆ，４Ｇで構成されている。絶縁基材層１３ｂは、接続部の構成が上述した絶縁基材層１３とは異なり、その他の構成は絶縁基材層１３と同じである。

　接続部４Ｄ，４Ｆは、それぞれＹ軸方向に延伸する線状の部分であり、接続部４Ｅ，４Ｇは、それぞれＸ軸方向に延伸する線状の部分である。島状部３は、４つの接続部４Ｄ，４Ｅ，４Ｆ，４Ｇを介して枠部１に接続されている。

　図５（Ｂ）に示すように、島状部３の幾何学的重心Ｇ３は、Ｚ軸方向から視て、４つの接続部４Ｄ，４Ｅ，４Ｆ，４Ｇと枠部１との境界ＢＬ１ｂ，ＢＬ２ｂ，ＢＬ３ｂ，ＢＬ４ｂ，ＢＬ５ｂ，ＢＬ６ｂ，ＢＬ７ｂ，ＢＬ８ｂを結ぶ直線で囲まれる最大領域ＧＥ２内に位置する。

　このように、一つの島状部３が３つ以上の接続部を介して枠部に接続される場合であっても、Ｚ軸方向から視て、島状部３の幾何学的重心が、各接続部と枠部１との複数の境界を結ぶ直線で囲まれる最大領域内に位置する構成であれば、島状部３は枠部１に安定した状態で固定される。

　《第２の実施形態》
　第２の実施形態では、複数の厚み調整基材層を有する多層基板の例を示す。

　図６は第２の実施形態に係る多層基板１０２の斜視図である。図７は多層基板１０２の分解斜視図である。図８（Ａ）は枠部１Ｃ、開口部２Ｃ、島状部３Ｃおよび接続部４Ｈを示す絶縁基材層１５ｃの平面図であり、図８（Ｂ）は島状部３Ｃの幾何学的重心Ｇ４と接続部４Ｈとの位置関係を示す絶縁基材層１５ｃの平面図である。図８（Ａ）では、構造を解りやすくするため、開口部２Ｃをドットパターンで示しており、島状部３Ｃをハッチングで示している。また、図８（Ｂ）では、最大領域ＧＥ３をドットパターンで示している。

　多層基板１０２は、２つの厚み調整基材層を有する点で第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。その他の構成については多層基板１０１と実質的に同じである。以下、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる部分について説明する。

　多層基板１０２は、複数の絶縁基材層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃ，１４ｃ，１５ｃ，１６ｃを積層して形成される積層体１０Ｃと、絶縁基材層１２ｃ，１４ｃに形成される導体パターン３１，３２，３３とを備える。

　積層体１０Ｃは、熱可塑性樹脂製の直方体であり、第１主面ＶＳ１および第１主面ＶＳ１に対向する第２主面ＶＳ２を有する。本実施形態では、絶縁基材層１２ｃ，１４ｃが「導体形成基材層」であり、絶縁基材層１３ｃ，１５ｃが「厚み調整基材層」である。

　絶縁基材層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃ，１４ｃの構成は、第１の実施形態で示した絶縁基材層１１，１２，１３，１４と同じである。

　絶縁基材層１５ｃは、図８（Ｂ）に示すように、枠部１Ｃ、開口部２Ｃ、島状部３Ｃおよび２つの接続部４Ｈで構成されている。枠部１Ｃは、絶縁基材層１５ｃから開口部２Ｃを除いた枠状の部分であり、絶縁基材層１５ｃの外周を含む（構成する）。開口部２Ｃは、枠部１Ｃの内側に形成される平面形状が矩形の貫通孔である。開口部２Ｃは、複数の絶縁基材層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃ，１４ｃ，１５ｃ，１６ｃを積層した際に、Ｚ軸方向から視て、導体パターン３１，３２，３３が重なる位置を含むように形成される。島状部３Ｃは、枠部１Ｃの内側（開口部２Ｃの内側）中央に配置される矩形の島状の部分である。２つの接続部４Ｈは、Ｙ軸方向に延伸する線状の部分である。島状部３Ｃは、２つの接続部４Ｈを介して枠部１Ｃに接続されている。また、図８（Ｂ）に示すように、接続部４Ｈの線幅（Ｘ軸方向の幅）は、島状部３Ｃの幅（Ｘ軸方向の幅）よりも細い。

　絶縁基材層１６ｃの裏面には、２つの実装電極Ｐ１，Ｐ２が形成されている。実装電極Ｐ１，Ｐ２は、長手方向がＹ軸方向に一致する矩形の導体である。本実施形態に係る実装電極Ｐ１，Ｐ２は、絶縁基材層１６ｃの第１辺（図７における絶縁基材層１６ｃの左辺）付近および第２辺（絶縁基材層１６ｃの右辺）付近にそれぞれ配置されている。

　図７に示すように、実装電極Ｐ１は、絶縁基材層１４ｃ，１６ｃにそれぞれ形成される層間接続導体Ｖ３１を介して、導体パターン３２の第１端に接続される。導体パターン３２の第２端は、絶縁基材層１２ｃに形成される層間接続導体Ｖ３２を介して、導体パターン３１の第１端に接続される。導体パターン３１の第２端は、絶縁基材層１２ｃに形成される層間接続導体Ｖ３３を介して、導体パターン３３に接続される。導体パターン３３は、絶縁基材層１４ｃ，１６ｃに形成される層間接続導体Ｖ３４を介して、実装電極Ｐ２に接続される。

　このように、多層基板１０２では、複数の絶縁基材層１２ｃ，１４ｃにそれぞれ形成される導体パターン３１，３２，３３、および層間接続導体Ｖ３２，Ｖ３３を含んで約２ターンの矩形ヘリカル状のコイル３０が構成される。

　また、図８（Ａ）では、複数の絶縁基材層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃ，１４ｃ，１５ｃ，１６ｃを積層した際における、導体パターン３１，３２および層間接続導体Ｖ３２，Ｖ３３の位置を破線で示している。図８（Ａ）に示すように、導体パターン３１，３２は、Ｚ軸方向から視て、島状部３Ｃを周回し、開口部２Ｃに重なる領域に形成されている。さらに、層間接続導体Ｖ３２，Ｖ３３は、Ｚ軸方向から視て、開口部２Ｃに重なる位置に形成されている。

　図８（Ｂ）に示すように、島状部３Ｃの幾何学的重心Ｇ４は、Ｚ軸方向から視て、２つの接続部４Ｈと枠部１Ｃとの４つの境界ＢＬ１ｃ，ＢＬ２ｃ，ＢＬ３ｃ，ＢＬ４ｃを結ぶ直線で囲まれる最大領域ＧＥ３内に位置している。

　さらに、図７等に示すように、厚み調整基材層（絶縁基材層１３ｃ，１５ｃ）にそれぞれ形成される接続部４，４Ｈは、Ｚ軸方向から視て、互いに重ならない位置に配置されている。

　本実施形態に係る多層基板１０２によれば、第１の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

（ｈ）多層基板１０２では、異なる絶縁基材層１３ｃ，１５ｃにそれぞれ形成される接続部４，４Ｈが、Ｚ軸方向から視て、互いに重ならない位置に配置されている。この構成により、Ｚ軸方向から視て、異なる絶縁基材層１３ｃ，１５ｃにそれぞれ形成される接続部４，４Ｈが互いに重なっている場合に比べて、多層基板の表面に生じる凹凸は抑制され、多層基板の平坦性が高まる。

　なお、本実施形態に示すように、厚み調整基材層（絶縁基材層１３ｃ，１５ｃ）の数は複数であると、厚み調整基材層の一層当たりの厚み（Ｚ軸方向の厚み）を薄くしても、多層基板の表面に生じる凹凸は抑制される。また、一層当たりの厚みが薄い厚み調整基材層を複数有することにより、厚い厚み調整基材層を一層有する場合に比べて、積層時に一層の厚み調整基材層の開口部に流れ込む絶縁基材層の量は低減（分散）される。したがって、開口部に絶縁基材層が流れ込むことに伴う導体パターンの変形・位置ずれが抑制され、導体パターンの変形・位置ずれに伴う特性変化も生じ難くなる。

　なお、厚み調整基材層は、導体形成基材層と同数であることが好ましく、厚み調整基材層は、導体形成基材層に形成された導体パターンの形状に合わせた開口部を有することが好ましい。すなわち、導体形成基材層が複数である場合、厚み調整基材層の数が導体形成基材層と同数であり、且つ、複数の導体形成基材層に形成された各々の導体パターンの形状に合わせた開口部を、各々の厚み形成基材層が有することが好ましい。

　また、厚み調整基材層の数が複数である場合には、異なる厚み調整基材層の島状部３，３Ｃの形状が異なっていてもよい。

　《第３の実施形態》
　第３の実施形態では、厚み調整基材層にダミー導体が形成された例を示す。

　図９（Ａ）は第３の実施形態に係る多層基板１０３の斜視図であり、図９（Ｂ）は図９（Ａ）におけるＡ－Ａ断面図である。図１０は多層基板１０３の分解斜視図である。図１１は絶縁基材層１３ｄの平面図である。図１１では、構造を解りやすくするため、ダミー導体５Ａ，５Ｂをドットパターンで示している。また、図１１では、絶縁基材層１３ｄのうち、Ｚ軸方向から視て、導体パターン３１に重なる部分に隣接する領域Ｎｄｅをハッチングで示している。

　多層基板１０３は、厚み調整基材層にダミー導体が形成されている点で、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。その他の構成については多層基板１０１と実質的に同じである。以下、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる部分について説明する。

　多層基板１０３は、複数の絶縁基材層１１ｄ，１２ｄ，１３ｄ，１４ｄ，１５ｄを積層して形成される積層体１０Ｄを備える。本実施形態では、絶縁基材層１２ｄ，１４ｄが「導体形成基材層」であり、絶縁基材層１３ｄが「厚み調整基材層」である。絶縁基材層１１ｄ，１２ｄ，１４ｄ，１５ｄの構成は、第１の実施形態で示した絶縁基材層１１，１２，１４，１５と同じである。

　絶縁基材層１３ｄの構成は、第１の実施形態で示した絶縁基材層１３と実質的に同じである。絶縁基材層１３ｄの表面には、ダミー導体５Ａ，５Ｂが形成されている。ダミー導体５Ａは、枠部１と略同じ形状に形成された環状の導体パターンである。ダミー導体５Ｂは、島状部３と略同じ形状に形成される矩形の導体パターンである。ダミー導体５Ａ，５Ｂは、例えばＣｕ箔等による導体パターンである。

　なお、絶縁基材層１３ｄのうち接続部４には、ダミー導体が形成されていない。具体的には、絶縁基材層１３ｄのうち、Ｚ軸方向から視て、導体パターン３１に重なる部分に隣接する領域（隣接領域Ｎｄｅ）にはダミー導体が形成されていない。

　ダミー導体５Ａ，５Ｂは、図１０に示すように、絶縁基材層１２ｄ，１４ｄに形成される導体パターン３１，３２，３３に接続されておらず、導体パターン３１，３２，３３とは電気的に独立している。また、ダミー導体５Ａ，５Ｂは、図１１に示すように、Ｚ軸方向から視て、導体パターン３１，３２，３３に重ならない位置に配置されている。

　本実施形態に係る多層基板１０３によれば、第１の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

（ｉ）本実施形態では、絶縁基材層１３ｄ（厚み調整基材層）にダミー導体５Ａ，５Ｂが形成されている。この構成により、ダミー導体５Ａ，５Ｂを利用した多層基板の厚み調整を行うことができ、多層基板の厚み調整の幅が広がる。

（ｊ）本実施形態では、Ｚ軸方向から視て、ダミー導体５Ａ，５Ｂが導体パターン３１，３２を挟み込むように配置されているため、積層体１０Ｄを形成する際の加熱加圧時における不均一な絶縁基材層（樹脂）の流動は抑制される。したがって、加熱加圧時における絶縁基材層の流動に伴う導体パターン３１，３２の変形や位置ずれは抑制される。特に、本実施形態のように導体パターン３１，３２でコイル３０を構成する場合には、加熱加圧後のコイル３０の形状は安定化し、電気的特性のばらつき（層間容量の変動、コイル特性の変動）が小さく、電気的信頼性の高いコイルを形成できる。

（ｋ）また、本実施形態では、ダミー導体５Ａ，５Ｂが、導体パターン３１，３２が形成される絶縁基材層１２ｄ，１４ｄと異なる絶縁基材層１３ｄに形成されている。この構成により、ダミー導体を導体パターン３１，３２が形成される絶縁基材層１２ｄ，１４ｄに形成する場合に比べて、ダミー導体５Ａ，５Ｂと導体パターン３１，３２との接触は生じ難い。また、この構成により、Ｚ軸方向から視て、ダミー導体５Ａ，５Ｂと導体パターン３１，３２とを近接して配置することができるため、加熱加圧時における不均一な絶縁基材層の流動をさらに抑制できる。

（ｌ）本実施形態では、Ｚ軸方向から視て、導体パターン３１に重なる接続部４にはダミー導体が形成されていない。そのため、積層体１０Ｄを形成する際の加熱加圧時に、導体パターン３１に重なる部分の絶縁基材層（樹脂）が流動しやすくなり、多層基板の表面には凹凸が生じ難い。

　さらに本実施形態では、Ｚ軸方向から視て、絶縁基材層１３ｄのうち、導体パターン３１に重なる部分の隣接領域Ｎｄｅには、ダミー導体が形成されていない。この構成により、導体パターン３１に重なる部分の隣接領域に、導体パターン３１に重なる部分の絶縁基材層（樹脂）が加熱加圧時に流入しやすくなり（図９（Ｂ）における白抜き矢印を参照）、結果的に多層基板の表面に生じる凹凸は抑制される。

　なお、本実施形態では、Ｚ軸方向から視て、ダミー導体５Ａ，５Ｂが導体パターン３１，３２，３３に重ならない位置に配置される例について示したが、Ｚ軸方向から視て、ダミー導体５Ａ，５Ｂが導体パターン３１，３２，３３に重なる構成でもよい。但し、ダミー導体は、Ｚ軸方向から視て、導体同士の重なりの少ないところに配置することが好ましい。これにより、多層基板の表面に生じる凹凸を抑制しやすくできる。

　また、本実施形態では、１つのダミー導体５Ａが枠部１全体に形成され、１つのダミー導体５Ｂが島状部３全体に形成される例について示したが、この構成に限定されるものではない。ダミー導体が、厚み調整基材層の表面に部分的に形成される構成でもよく、複数のダミー導体が、厚み調整基材層に形成される構成でもよい。この構成により、ダミー導体と厚み調整基材層との物性差（熱膨張係数など）に起因する内部応力が分散されるため、上記内部応力に伴う積層体の反り、絶縁基材層の剥離等が抑制される。

　本実施形態に係る多層基板１０３は、例えば次に示す製造方法によって製造される。図１２は、第３の実施形態に係る多層基板１０３の製造方法を示すフローチャートである。

　まず、熱可塑性樹脂からなる絶縁基材層１２ｄ，１４ｄ（導体形成基材層）の表面に、導体パターン３１，３２を形成する（Ｓ１）（導体形成工程）。

　次に、熱可塑性樹脂からなる絶縁基材層１３ｄ（厚み調整基材層）に、開口部２と、島状部３と、複数の接続部４と、を形成する（Ｓ２）（厚み調整基材層形成工程）。

　また、絶縁基材層１３ｄの表面にダミー導体５Ａ，５Ｂを形成する。具体的には、絶縁基材層１３ｄのうち、積層した複数の絶縁基材層１１ｄ，１２ｄ，１３ｄ，１４ｄ，１５ｄをＺ軸方向から視て、導体パターン３１，３２，３３に重なりの少ない領域にダミー導体５Ａ，５Ｂを形成する（Ｓ２－１）。

　本実施形態の「厚み調整基材層形成工程」には、絶縁基材層１３ｄのうち、積層した複数の絶縁基材層１１ｄ，１２ｄ，１３ｄ，１４ｄ，１５ｄを積層方向（Ｚ軸方向）から視て、導体パターン３１，３２に重なりの少ない領域にダミー導体５Ａ，５Ｂを形成する工程が含まれる。

　その後、Ｚ軸方向から視て、開口部２が導体パターン３１，３２，３３に重なるように、複数の絶縁基材層１１ｄ，１２ｄ，１３ｄ，１４ｄ，１５ｄを積層し、積層した複数の絶縁基材層１１ｄ，１２ｄ，１３ｄ，１４ｄ，１５ｄを加熱加圧することにより積層体１０Ｄを形成する（Ｓ３）。

　上記の工程の後、集合基板から個々の個片に分離して、多層基板１０３を得る。

　《第４の実施形態》
　第４の実施形態では、ダミー導体が形成された複数の厚み調整基材層を有する例を示す。

　図１３は第４の実施形態に係る多層基板１０４の斜視図である。図１４は第４の実施形態に係る多層基板１０４の分解斜視図である。

　多層基板１０４は、厚み調整基材層にダミー導体が形成されている点で、第２の実施形態に係る多層基板１０２と異なる。また、多層基板１０４では、第２の実施形態で示した絶縁基材層１１ｃに相当する絶縁基材層を有していない。その他の構成については多層基板１０２と実質的に同じである。以下、第２の実施形態に係る多層基板１０２と異なる部分について説明する。

　多層基板１０４は、複数の絶縁基材層１１ｅ，１２ｅ，１３ｅ，１４ｅ，１５ｅを積層して形成される積層体１０Ｅを備える。本実施形態では、絶縁基材層１１ｅ，１３ｅが「導体形成基材層」であり、絶縁基材層１２ｅ，１４ｅが「厚み調整基材層」である。絶縁基材層１１ｅ，１３ｅ，１５ｅの構成は、第２の実施形態で示した絶縁基材層１２ｃ，１４ｃ，１６ｃと同じである。

　絶縁基材層１２ｅの構成は、第２の実施形態で示した絶縁基材層１３ｃと実質的に同じである。絶縁基材層１２ｅの表面には、ダミー導体５Ｂが形成されている。ダミー導体５Ｂは、島状部３と略同じ形状に形成される矩形の導体パターンである。

　絶縁基材層１５ｅの構成は、第２の実施形態で示した絶縁基材層１５ｃと実質的に同じである。絶縁基材層１５ｅの表面には、ダミー導体５Ｄが形成されている。ダミー導体５Ｂは、島状部３Ｃと略同じ形状に形成される矩形の導体パターンである。

　本実施形態では、厚み調整基材層（絶縁基材層１２ｅ，１５ｅ）が、積層体１０Ｅの第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２に近い位置に配置されている。この構成により、積層体１０Ｅを形成する際の加熱加圧時に、特に変形しやすい積層体の表面近傍の導体パターン３１の位置ずれを抑制できる。

　なお、本実施形態では、全ての厚み調整基材層（絶縁基材層１２ｅ，１５ｅ）にダミー導体が形成される例について示したが、この構成に限定されるものではない。本発明の積層体は、導体形成基材層と、ダミー導体が形成される厚み調整基材層と、ダミー導体が形成されていない厚み調整基材層と、を積層して形成されていてもよい。

　《第５の実施形態》
　第５の実施形態では、導体形成基材層に支持導体が形成される例を示す。

　図１５は第５の実施形態に係る多層基板１０５の斜視図である。図１６（Ａ）は図１５におけるＢ－Ｂ断面図であり、図１６（Ｂ）は多層基板１０５の分解断面図である。

　多層基板１０５は、厚み調整基材層にダミー導体が形成されており、導体形成基材層に支持導体が形成されている点で、第２の実施形態に係る多層基板１０２と異なる。その他の構成については多層基板１０２と実質的に同じである。以下、第２の実施形態に係る多層基板１０２と異なる部分について説明する。

　多層基板１０５は、複数の絶縁基材層１１ｆ，１２ｆ，１３ｆ，１４ｆ，１５ｆ，１６ｆを積層して形成される積層体１０Ｆを備える。本実施形態では、絶縁基材層１２ｆ，１４ｆが「導体形成基材層」であり、絶縁基材層１３ｆ，１５ｆが「厚み調整基材層」である。絶縁基材層１１ｆ，１６ｆの構成は、第２の実施形態で示した絶縁基材層１１ｃ，１６ｃと同じである。

　絶縁基材層１２ｆの構成は、第２の実施形態で示した絶縁基材層１２ｃと実質的に同じである。絶縁基材層１２ｆの表面には、支持導体６Ａが形成されている。支持導体６Ａは、例えばスパイラル状の導体パターンである。

　絶縁基材層１３ｆの構成は、第２の実施形態で示した絶縁基材層１３ｃと実質的に同じである。絶縁基材層１３ｆの島状部３の表面には、ダミー導体５Ａ，５Ｂが形成されている。ダミー導体５Ａは、例えばループ状の導体パターンである。ダミー導体５Ｂは、ダミー導体５Ａの外周を巻回するループ状の導体パターンである。ダミー導体５Ｂの線幅は、ダミー導体５Ａの線幅よりも広い。

　絶縁基材層１４ｆの構成は、第２の実施形態で示した絶縁基材層１４ｃと実質的に同じである。絶縁基材層１４ｆの表面には、支持導体６Ｂが形成されている。支持導体６Ｂは、例えばスパイラル状の導体パターンである。

　絶縁基材層１５ｆの構成は、第２の実施形態で示した絶縁基材層１５ｃと実質的に同じである。絶縁基材層１５ｆの島状部３Ｃの表面には、ダミー導体５Ｃ，５Ｄが形成されている。ダミー導体５Ｃは、例えばループ状の導体パターンである。ダミー導体５Ｄは、ダミー導体５Ｃの外周を巻回するループ状の導体パターンである。ダミー導体５Ｄの線幅は、ダミー導体５Ｃの線幅よりも広い。

　図１６（Ａ）等に示すように、ダミー導体５Ｂ，５Ｃは、Ｚ軸方向から視て、ループ状の導体パターン３１，３２で囲まれる領域内に配置され、導体パターン３１，３２の内周に沿って形成されている。そのため、ダミー導体５Ｂ，５Ｃは、ダミー導体５Ａ，５Ｃよりも導体パターン３１，３２に近接した位置に配置されている。

　一方、ダミー導体５Ａ，５Ｃは、図１６（Ｂ）に示すように、Ｚ軸方向から視て、支持導体６Ａ，６Ｂに重ならない位置に配置されている。言い換えると、厚み調整基材層に形成されるダミー導体５Ａ，５Ｃは、複数の絶縁基材層１１ｆ，１２ｆ，１３ｆ，１４ｆ，１５ｆ，１６ｆを積層したときに、導体形成基材層に形成された支持導体６Ａ，６Ｂと嵌合する位置に配置されている（図１６（Ｂ）における嵌合部ＦＰを参照）。

　なお、上記「嵌合する位置に配置されている」とは、ダミー導体５Ａ，５Ｃと支持導体６Ａ，６Ｂとが、積層方向（Ｚ軸方向）おいて同じ層に配置されるように嵌め合うような状態を言うものではない。上記「嵌合する位置に配置されている」とは、Ｚ軸方向から視て、支持導体６Ａ，６Ｂが形成されていない部分を概略的に埋めるように、ダミー導体５Ａ，５Ｃが配置されているような状態を言う。

　本実施形態に係る多層基板１０５によれば、次のような効果を奏する。

（ｍ）本実施形態では、ダミー導体５Ｂ，５Ｄが、複数の絶縁基材層１１ｆ，１２ｆ，１３ｆ，１４ｆ，１５ｆ，１６ｆを積層したときに、支持導体６Ａ，６Ｂと嵌合する位置に配置されている。この構成により、絶縁基材層の積みずれや加熱加圧時の絶縁基材層の流動に伴う、ダミー導体５Ａ，５Ｂの位置ずれを抑制できる。

　なお、本実施形態では、ダミー導体５Ｂ，５Ｄ全体が支持導体６Ａ，６Ｂと嵌合する位置に配置された例を示したが、この構成に限定されるものではない。ダミー導体５Ｂ，５Ｄの一部が支持導体６Ａ，６Ｂと嵌合する位置に配置されていてもよい。但し、上記作用・効果の点から、ダミー導体５Ｂ，５Ｄは、全体が支持導体６Ａ，６Ｂと嵌合する位置に配置されていることが好ましい。

（ｎ）また、本実施形態では、ダミー導体５Ｂ，５Ｃが、Ｚ軸方向から視て、導体パターン３１，３２に沿って形成されている。この構成により、加熱加圧時における導体パターン３１，３２近傍の、絶縁性基材の過度な流動は抑制される。そのため、加熱加圧時の絶縁性基材の流動に伴う導体パターン３１，３２の移動や変形等が抑制される。

（о）さらに、本実施形態では、相対的に線幅の広いダミー導体５Ｂ，５Ｄが、他のダミー導体５Ａ，５Ｂよりも、導体パターン３１，３２に近接した位置に配置されている。この構成により、相対的に線幅の狭いダミー導体を導体パターン３１，３２に近接して配置する場合に比べて、加熱加圧時の絶縁基材の流動がさらに抑制される。

　《その他の実施形態》
　以上に示した各実施形態では、積層体が直方体状である例を示したが、この構成に限定されるものではない。積層体の平面形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、例えば多角形、円形、楕円形、Ｌ字形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形等であってもよい。

　また、以上に示した各実施形態では、５つまたは６つの絶縁基材層を積層して形成される積層体を備えた多層基板について示したが、この構成に限定されるものではない。積層体を形成する絶縁基材層の層数（「導体形成基材層」および「厚み調整基材層」の数）は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、例えば導体形成基材層の数が一つであってもよい。

　以上に示した各実施形態では、複数の絶縁基材層にそれぞれ形成される導体パターンを含んで約２ターンのヘリカル状のコイルが構成される例について示したが、この構成に限定されるものではない。また、一つの絶縁基材層に形成される導体パターンでコイルが構成されていてもよい。コイルの形状は、例えば平面ループ状、平面スパイラル状等であってもよい。また、導体パターンで構成されるコイルのターン数は、適宜変更可能である。

　また、以上に示した各実施形態では、導体パターン３１，３２，３３全体が、Ｚ軸方向から視て、島状部を周回している例を示したが、この構成に限定されるものではない。導体パターン３１，３２，３３の少なくとも一部が、Ｚ軸方向から視て、島状部を周回していてもよい。なお、多層基板が備える導体パターンは、コイルを構成する用途に限定されるものではなく、多層基板に形成される回路の一部を構成していればよい。

　以上に示した各実施形態では、開口部および島状部の平面形状が矩形である例について示したが、この構成に限定されるものではない。開口部および島状部の平面形状は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。

　以上に示した各実施形態では、平面形状が矩形の実装電極Ｐ１，Ｐ２が第１主面ＶＳ１に形成された多層基板について示したが、この構成に限定されるものではない。実装電極は第２主面ＶＳ２に形成されていてもよい。また、実装電極の配置・個数については、多層基板の回路構成によって適宜変更可能である。また、実装電極の形状についても適宜変更可能であり、例えば正方形、多角形、円形、楕円形、Ｌ字形、Ｔ字形等であってもよい。なお、実装電極は本発明の多層基板において必須ではない。

　最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ＢＬ，ＢＬ１，ＢＬ１ａ，ＢＬ１ｂ，ＢＬ１ｃ，ＢＬ２，ＢＬ２ａ，ＢＬ２ｂ，ＢＬ２ｃ，ＢＬ３，ＢＬ３ａ，ＢＬ３ｂ，ＢＬ３ｃ，ＢＬ４，ＢＬ４ａ，ＢＬ４ｂ，ＢＬ４ｃ，ＢＬ５，ＢＬ５ａ，ＢＬ５ｂ，ＢＬ６，ＢＬ６ａ，ＢＬ６ｂ，ＢＬ７，ＢＬ７ｂ，ＢＬ８，ＢＬ８ｂ…接続部と枠部との境界
Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４…島状部の幾何学的重心
ＧＥ，ＧＥ１，ＧＥ２，ＧＥ３…接続部と枠部との複数の境界を結ぶ直線で囲まれる最大領域
ＦＰ…嵌合部
Ｎｄｅ…厚み調整基材層のうち、導体パターンに重なる部分の隣接領域
Ｐ１，Ｐ２…実装電極
Ｖ３１，Ｖ３２，Ｖ３３，Ｖ３４…層間接続導体
ＶＳ１…第１主面
ＶＳ２…第２主面
１，１Ｃ…枠部
２，２Ｃ…開口部
３，３Ｃ…島状部
４，４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄ，４Ｅ，４Ｆ，４Ｇ，４Ｈ…接続部
５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ，６Ａ，６Ｂ…ダミー導体
１０，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ…積層体
１１，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ，１２，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１３，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｅ，１３ｆ，１４，１４ｃ，１４ｄ，１４ｅ，１４ｆ，１５，１５ｃ，１５ｄ，１５ｆ，１６ｃ，１６ｄ，１６ｆ…絶縁基材層
３０…コイル
３１，３２，３３…導体パターン
１０１，１０２，１０３，１０４，１０５…多層基板

Claims (11)

1. 　複数の絶縁基材層を積層して形成される積層体と、
   　前記絶縁基材層に形成される導体パターンと、
   　を備え、
   　前記複数の絶縁基材層は、前記導体パターンが形成される導体形成基材層と、厚み調整基材層とを含み、
   　前記厚み調整基材層は、
   　　枠部と、
   　　前記枠部の内側に形成される開口部と、
   　　前記枠部の内側に配置される島状部と、
   　　前記島状部を前記枠部に接続する複数の接続部と、
   　で構成され、
   　前記導体パターンは、前記複数の絶縁基材層の積層方向から視て、少なくとも一部が前記島状部を周回し、
   　前記接続部の線幅は、前記島状部の幅よりも細く、
   　前記島状部は、前記複数の接続部を介して前記枠部に接続され、
   　前記開口部は、前記積層方向から視て、前記枠部および前記島状部よりも前記導体パターンに重なる面積が大きい、多層基板。
2. 　前記絶縁基材層は、熱可塑性樹脂からなる、請求項１に記載の多層基板。
3. 　前記導体パターンはコイルを構成する、請求項１または２に記載の多層基板。
4. 　前記島状部の幾何学的重心は、前記複数の接続部と前記枠部との複数の境界を結ぶ直線で囲まれる最大領域内に位置する、請求項１から３のいずれかに記載の多層基板。
5. 　前記厚み調整基材層に形成され、前記導体パターンと電気的に独立するダミー導体を備える、請求項１から４のいずれかに記載の多層基板。
6. 　前記ダミー導体は、前記複数の絶縁基材層の積層方向から視て、前記導体パターンに重ならない位置に配置される、請求項５に記載の多層基板。
7. 　前記厚み調整基材層の数は複数である、請求項１から６のいずれかに記載の多層基板。
8. 　前記複数の厚み調整基材層にそれぞれ形成される前記接続部は、前記積層方向から視て、互いに重ならない位置に配置される、請求項７に記載の多層基板。
9. 　導体形成基材層の数は複数であり、
   　前記導体形成基材層に形成され、前記複数の導体形成基材層にそれぞれ形成される前記導体パターン同士を接続する、層間接続導体を備え、
   　前記層間接続導体は、前記積層方向から視て、前記開口部に重なる、請求項１から８のいずれかに記載の多層基板。
10. 　導体形成基材層と厚み調整基材層とを含む複数の絶縁基材層を積層して形成される積層体を備える多層基板の製造方法であって、
    　絶縁基材層に導体パターンを形成して、前記導体形成基材層を構成する、導体形成工程と、
    　絶縁基材層に、枠部と、前記導体パターンの形状に合わせた開口部と、前記開口部の内側に配置される島状部と、前記島状部を前記枠部に接続する複数の接続部と、を形成して、前記厚み調整基材層を構成する、厚み調整基材層形成工程と、
    　前記開口部が前記導体パターンに重なるように、前記導体形成基材層と前記厚み調整基材層とを積層し、積層した前記複数の絶縁基材層を加熱加圧することにより積層体を構成する、積層体形成工程と、
    　を備える、多層基板の製造方法。
11. 　前記厚み調整基材層形成工程は、前記厚み調整基材層のうち、積層した前記複数の絶縁基材層を積層方向から視て、前記導体パターンに重なりの少ない領域にダミー導体を形成する工程を含む、請求項１０に記載の多層基板の製造方法。

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