WO2017199680A1 - 電子部品、電子装置、電子部品の製造方法および電子装置の製造方法 - Google Patents

電子部品、電子装置、電子部品の製造方法および電子装置の製造方法 Download PDF

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main surface
hole
electronic component
pad portion
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優輝 稲垣
一志 浅海
悠希 大原
松井 正樹
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株式会社デンソー
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Definitions

  • the present disclosure relates to an electronic component, an electronic device, an electronic component manufacturing method, and an electronic device manufacturing method.
  • an electronic component for example, a substrate in which a hole is formed in a substrate and an electrode is embedded in the hole has been proposed (for example, see Patent Document 1).
  • the electrode is arranged so that at least a part thereof is exposed from the hole, and the exposed portion can be electrically connected to an external circuit.
  • Such an electronic component is configured by forming a hole in a substrate, filling the hole with a molten metal obtained by melting a metal material constituting the electrode, and solidifying the molten metal to form an electrode.
  • an electrode is formed by filling and solidifying a molten metal, it is comprised with metal materials, such as solder with a low melting
  • the present inventors configure the electrodes depending on the usage environment after mounting the electronic components on the mounted member or the like. It was found that the metal material to be melted again could flow out of the hole.
  • This disclosure is intended to provide an electronic component, an electronic device, a method for manufacturing the electronic component, and a method for manufacturing the electronic device that can prevent the metal material constituting the electrode from flowing out from the hole.
  • an electronic component that includes an electrode and the electrode is electrically connected to a pad portion formed on the mounted member, the first main surface and the side opposite to the first main surface
  • a component having a main substrate having a second main surface, and a hole formed in the component, the second main surface side of the main substrate being an opening, and the first main surface side being a bottom portion
  • An electrode made of a metal material, and the second main surface side of the main substrate closes the opening in the hole and is electrically connected to the electrode, and from the metal material constituting the electrode
  • a lid portion made of a metal material having a high melting point is formed, and the electrode is electrically connected to the pad portion via the lid portion.
  • the lid portion that closes the hole portion is formed and the lid portion is made of a metal material having a melting point higher than that of the electrode, when mounting the electronic component on the mounted member, the electrode Can be prevented from melting and flowing out of the hole.
  • the electrode is melted and the hole portion when the electronic device is used at a temperature equal to or higher than the melting point of the metal material constituting the electrode. Can be prevented from flowing out.
  • the electronic component in an electronic device including an electronic component having an electrode and a mounted member on which a pad portion electrically connected to the electrode is formed, the electronic component is a first main component. And a first main surface having a main substrate having a main substrate having a second main surface opposite to the first main surface and an opening formed on the second main surface side of the main substrate. And an electrode made of a metal material.
  • the mounted member has a pad portion formed on one side facing the second main surface of the main substrate. It has a substrate, and is made of a metal material that closes the opening in the hole and is electrically connected to the electrode and has a higher melting point than the metal material that constitutes the electrode, between the electrode and the pad portion.
  • a lid is formed, and the electrode and the pad are electrically connected via the lid.
  • the electrode when the electronic device is used at a temperature equal to or higher than the melting point of the metal material constituting the electrode, the electrode can be prevented from melting and flowing out from the hole.
  • the first main surface and the first main surface Preparing a constituent member having a main substrate having a second main surface opposite to the main surface; and the second main surface side of the main substrate being an opening with respect to the constituent member and the first main surface side of the main substrate being Forming a hole serving as a bottom, filling the hole with molten metal, cooling the molten metal to form an electrode in the hole, and temperature conditions below the melting point of the metal material constituting the electrode Below, on the second main surface side of the main substrate, a metal film that closes the opening in the hole and is electrically connected to the electrode and made of a metal material having a melting point higher than that of the metal material constituting the electrode Forming and blocking the opening on the second main surface side in the hole.
  • a metal film that closes the opening in the hole and is electrically connected to the electrode and made of a metal material having a melting point higher than that of the metal material constituting the electrode Forming and blocking the opening on the second main surface side in the hole.
  • the lid is formed of a metal material having a melting point higher than that of the electrode, when the electronic component is mounted on the mounted member, the electrode can be prevented from melting and flowing out of the hole.
  • the said cover part is formed on the temperature conditions below melting
  • an electronic device including an electronic component having an electrode and a mounted member on which a pad portion electrically connected to the electrode is formed, the first main surface And preparing a constituent member including a main substrate having a second main surface opposite to the first main surface, and the second main surface side of the main substrate being an opening relative to the constituent member, and the first main substrate.
  • the main board of the electrodes (2) A laminated body is constructed by mounting electronic components on a member to be mounted so that a portion exposed from the main surface side contacts the pad portion, and maintained at a temperature lower than the melting point of the metal material constituting the electrode. However, by pressing the laminated body in the lamination direction of the mounted member and the electronic component, the metal atom constituting the electrode and the metal atom constituting the pad portion are solid-phase diffused to cause the second main surface in the hole portion. The electrode and the pad are connected electrically and mechanically through the lid while forming a lid that closes the opening on the side.
  • the lid is formed of a metal material having a melting point higher than that of the electrode, when the electronic device is used at a temperature higher than the melting point of the metal material constituting the electrode, the electrode is melted. Outflow from the hole can be suppressed. Furthermore, since the lid is formed under a temperature condition lower than the melting point of the metal material constituting the electrode, it is possible to prevent the electrode from melting and flowing out of the hole when the lid is formed.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the electronic device shown in FIG. 1. It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the electronic device following FIG. 2A.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the electronic device following FIG. 2B.
  • FIG. 2D is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the electronic device following FIG. 2C. It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the electronic device following FIG. 2D. It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the electronic device following FIG. 2E.
  • the electronic device of the present embodiment is configured by mounting an electronic component 10 on a mounted member 50.
  • the electronic component 10 includes a main substrate 11 having a first main surface 11a and a second main surface 11b opposite to the first main surface 11a, on which semiconductor elements such as transistors (not shown) are formed.
  • a silicon substrate, a silicon carbide substrate, or the like is used as the main substrate 11.
  • the first main surface 11a of the main board 11 is provided with a wiring layer 20.
  • the wiring layer 20 is a multilayer wiring in which the wiring portion 22 is stacked along the normal direction to the first main surface 11 a of the main substrate 11 in the interlayer insulating film 21.
  • the interlayer insulating film 21 is shown in a simplified manner, but the interlayer insulating film 21 is actually configured by laminating a plurality of insulating films.
  • the wiring portions 22 are electrically connected to each other through through via electrodes as appropriate, and the semiconductor elements formed on the main substrate 11 and the through via electrodes as appropriate are connected to each other. Is electrically connected.
  • the main board 11 and the wiring layer 20 constitute the constituent member 12.
  • a main surface insulating film 30 is formed on the second main surface 11 b side of the main substrate 11.
  • the main surface insulating film 30 is made of TEOS (that is, Tetra ethyl ortho silicate) or the like.
  • the electronic component 10 is provided with a hole 40 that penetrates the main surface insulating film 30 and the main substrate 11 and exposes the wiring part 22. That is, the component member 12 is formed with a hole 40 having an opening on the second main surface 11b side of the main substrate 11 and a bottom on the first main surface 11a side. Below, the wiring part 22 exposed in the hole part 40 of the wiring part 22 is demonstrated as the connection wiring part 22a.
  • a side insulating film 41 is formed on the side surface of the hole 40, and an electrode 42 is embedded via the side insulating film 41.
  • the side insulating film 41 is made of TEOS or the like, and the electrode 42 is made of solder.
  • the mounted member 50 has a mounted substrate 51 having one surface 51a and a wiring portion 52 formed on the one surface 51a side.
  • a silicon substrate, a silicon carbide substrate, or the like is used as the mounted substrate 51.
  • a single-side insulating film 53 having a contact hole 53a that exposes the wiring portion 52 is disposed on the one surface 51a of the mounted substrate 51, and is electrically connected to the wiring portion 52 through the contact hole 53a.
  • a pad portion 54 to be connected is formed.
  • the pad portion 54 is configured by using a metal material having a melting point higher than that of the metal material constituting the electrode 42 provided in the electronic component 10.
  • any one metal of a Ni film, a Ti film, a TiW film, and a Cu film is used. A film or a plurality of these metal films are stacked.
  • one end portion of the electrode 42 opposite to the connection wiring portion 22 a side (hereinafter referred to as one end portion of the electrode 42) is electrically and mechanically connected to the pad portion 54 of the mounted member 50. It is mounted on the mounted member 50 so as to be connected. Specifically, a lid 60 is formed at the interface between the electrode 42 and the pad 54 so as to close the hole 40. In other words, a lid 60 that prevents the electrode 42 from being exposed from the hole 40 is formed at the interface between the electrode 42 and the pad 54.
  • the lid 60 is an alloy layer formed by solid-phase diffusion of metal atoms constituting the electrode 42 and metal atoms constituting the pad portion 54. The electrode 42 and the pad portion 54 are electrically and mechanically connected via the lid portion 60.
  • the lid 60 is configured by solid-phase diffusion of the metal atoms constituting the electrode 42 and the metal atoms constituting the pad portion 54, so that the melting point is higher than that of the electrode 42 and lower than that of the pad portion 54. It becomes an alloy layer.
  • the pad portion 54 has a length along the outer periphery of the pad portion 54 on the outer periphery of the electrode 42 when viewed from the stacking direction of the mounted member 50 and the electronic component 10 (hereinafter simply referred to as the stacking direction). It is longer than the length along. That is, when viewed from the stacking direction, the pad portion 54 has a planar shape (ie, area) larger than that of the electrode 42. In other words, the pad portion 54 protrudes from the electrode 42 when viewed from the stacking direction.
  • the above is the configuration of the electronic device in the present embodiment. Next, a method for manufacturing the electronic device will be described.
  • the constituent member 12 is prepared by forming the wiring layer 20 on the first main surface 11a side.
  • the semiconductor element and the wiring layer 20 are formed by a known semiconductor manufacturing process.
  • a mask (not shown) is disposed on the second main surface 11b side of the main substrate 11, and the hole 40 reaching the connection wiring portion 22a through the main substrate 11 by dry etching or the like.
  • the hole 40 is formed in the component member 12 such that the second main surface 11b side of the main substrate 11 serves as an opening and the first main surface 11a side of the main substrate 11 serves as a bottom.
  • an insulating film such as TEOS is formed from the second main surface 11 b side of the main substrate 11.
  • the side surface insulating film 41 is formed on the side surface of the hole 40, and the main surface insulating film 30 is formed on the second main surface 11 b of the main substrate 11.
  • the insulating film formed on the bottom of the hole 40 is removed by dry etching or the like, and the connection wiring portion 22a is exposed from the hole 40 again.
  • an electrode 42 that is electrically connected to the connection wiring portion 22 a is formed in the hole 40.
  • the electrode 42 is formed as follows. That is, first, what has been performed up to the step of FIG. 2B is immersed in a molten metal in which solder is melted, and the molten metal is poured into the hole 40 and filled. Thereafter, this is pulled up and cooled, and the molten metal filled in the hole 40 is solidified to form the electrode 42.
  • a metal film having high wettability of molten metal (that is, solder) is formed on the side insulating film 41 so that the molten metal can easily flow into the hole 40. Also good.
  • the molten metal is directly poured into the hole 40, and then cooled, thereby cooling the electrode 42. May be formed.
  • the thickness of the main surface insulating film 30 is entirely reduced by dry etching or the like, and one end of the electrode 42 is protruded from the main surface insulating film 30.
  • a mounted member 50 having the pad portion 54 and the like is prepared.
  • the second main surface 11b of the main substrate 11 of the electronic component 10 and one surface 51a of the mounted substrate 51 are opposed to each other, and one end portion of the electrode 42 and the pad portion 54 are in contact with each other on the mounted member 50.
  • a laminated body 70 is configured by laminating the electronic components 10 on the substrate.
  • the main surface insulating film 30 comes into contact with the one surface insulating film 53, so that the electrode 42 and the pad portion 54 are connected. It is suppressed that it does not contact.
  • the electrode 42 and the pad portion 54 are configured such that the planar shape of the pad portion 54 is larger than the planar shape of the electrode 42 when viewed from the stacking direction. For this reason, even if a positional shift occurs, it is possible to prevent the tip portion at one end portion of the electrode 42 from coming into contact with the pad portion 54.
  • the electrode 42 and the pad portion 54 are electrically connected to each other through the lid portion 60 while forming the lid portion 60 that closes the hole portion 40 at the interface between the electrode 42 and the pad portion 54.
  • the electronic device shown in FIG. 1 is manufactured.
  • the stacked body 70 is pressed in the stacking direction while maintaining a temperature lower than the melting point of the metal material (that is, solder) constituting the electrode 42.
  • the metal atoms constituting the electrode 42 and the metal atoms constituting the pad portion 54 are solid-phase diffused to form the lid portion 60, and the electrode 42 and the pad portion 54 are electrically connected via the lid portion 60.
  • the pressurizing conditions and the like are adjusted so that the lid 60 that closes the hole 40 is formed.
  • the planar shape, the protruding amount, and the like of the electrode 42 are also adjusted so that the lid 60 that closes the hole 40 is formed in the step of FIG. 2F.
  • the lid portion 60 is disposed so as to close the hole portion 40, and the electrode 42 and the pad portion 54 are electrically and mechanically connected via the lid portion 60.
  • the lid 60 is made of a material having a melting point higher than that of the electrode 42. For this reason, when the electronic device is used at a temperature equal to or higher than the melting point of the metal material constituting the electrode 42, the electrode 42 can be prevented from melting and flowing out of the hole 40, and the electronic device has a problem. This can be suppressed.
  • the laminate 70 is pressed in the laminating direction at a temperature lower than the melting point of the metal material constituting the electrode 42, thereby forming the lid 60 and the electrode 42 via the lid 60.
  • the pad portion 54 is electrically and mechanically connected. That is, the step of forming the lid portion 60 and the step of electrically and mechanically connecting the electrode 42 and the pad portion 54 are performed in the same step. For this reason, it can suppress that the number of manufacturing processes increases.
  • the temperature of the metal material constituting the electrode 42 is maintained at a temperature lower than the melting point when the lid 60 is formed, the metal material constituting the electrode 42 is melted when the lid 60 is formed. It can suppress that the malfunction that 60 is not formed generate
  • the thickness of the main surface insulating film 30 is reduced, and one end of the electrode 42 is protruded from the main surface insulating film 30. For this reason, it can suppress that the electrode 42 and the pad part 54 do not contact
  • the electrode 42 and the pad portion 54 have a planar shape of the electrode 42 larger than that of the pad portion 54 when viewed from the stacking direction. For this reason, even if a positional shift occurs when the electronic component 10 is mounted on the mounted member 50, it is possible to prevent the tip portion at one end portion of the electrode 42 from coming into contact with the pad portion 54. That is, it is possible to suppress the occurrence of the problem that the lid 60 is not properly formed even when the stacked body 70 is pressed.
  • a lid 60 is formed on the electronic component 10 so as to close the hole 40 on the second main surface 11 b side of the main substrate 11.
  • the lid portion 60 that prevents the electrode 42 from being exposed from the hole portion 40 is formed. That is, the lid 60 is formed in advance on the electronic component 10 before being mounted on the mounted member 50.
  • the cover part 60 is comprised with the metal material whose melting
  • the electronic device has a conductive adhesive or the like so that the electrode 42 of the electronic component 10 is electrically and mechanically connected to the pad portion 54 formed on the mounted member 50.
  • the electronic component 10 is mounted on the mounted member 50 through the bonding member 80.
  • the electronic device is configured such that the bonding member 80 is disposed between the lid portion 60 (that is, the electrode 42) and the pad portion 54.
  • the electronic component 10 is manufactured by forming the lid portion 60 after performing the same steps as those in FIGS. 2A to 2C. Specifically, after the step of FIG. 2C, as shown in FIG. 5A, by performing low-temperature sputtering at a temperature lower than the melting point of the electrode 42, the component 12 on the second main surface 11b side of the main substrate 11 is formed. A metal film 60a is formed on the portion. In this step, a metal film 60a having a melting point higher than that of the metal material constituting the electrode 42 is formed. For example, as the metal film 60a, any one metal film such as a Ni film, a TiW film, a Ti film, or a Cu film, or a plurality of these metal films are stacked.
  • the electronic film 10 shown in FIG. 3 is manufactured by patterning the metal film 60a to form the lid 60 that closes the hole 40.
  • the mounted member 50 is prepared, and the pad portion 54 of the mounted member 50 and the lid portion 60 of the electronic component 10 are electrically and mechanically connected via a bonding member 80 such as a conductive adhesive.
  • a bonding member 80 such as a conductive adhesive.
  • the electrode 42 can be prevented from melting and flowing out of the hole 40, and the first embodiment described above. The same effect can be obtained.
  • the planar shape of the pad portion 54 and the planar shape of the electrode 42 may be the same when viewed from the stacking direction. Even in such a configuration, the hole 40 is closed by the lid 60, so that the same effects as those of the above embodiments can be obtained.
  • the process up to the process of FIG. 2C may be mounted on the mounted member 50 without performing the process of thinning the main surface insulating film 30 in the process of FIG. 2D.

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Abstract

第1主面(11a)および第1主面(11a)と反対側の第2主面(11b)を有する主基板(11)を備える構成部材(12)と、構成部材(12)に形成された主基板の第2主面(11b)側が開口部とされていると共に第1主面(11a)側が底部とされた孔部(40)に配置され、金属材料で構成されている電極(42)と、を備える。そして、主基板(11)の第2主面(11b)側に、孔部(40)における開口部を閉塞すると共に電極(42)と電気的に接続され、電極(42)を構成する金属材料よりも融点の高い金属材料で構成された蓋部(60)を形成し、電極(42)が蓋部(60)を介して被実装部材(50)のパッド部(54)と電気的に接続されるようにする。

Description

電子部品、電子装置、電子部品の製造方法および電子装置の製造方法 関連出願への相互参照
 本出願は、2016年5月19日に出願された日本特許出願番号2016-100856号に基づくもので、ここにその記載内容が参照により組み入れられる。
 本開示は、電子部品、電子装置、電子部品の製造方法および電子装置の製造方法に関する。
 従来より、例えば、電子部品として、基板に孔部が形成され、当該孔部に電極が埋め込まれたものが提案されている(例えば、特許文献1参照)。なお、電極は、少なくとも一部が孔部から露出するように配置され、露出されている部分にて外部回路との電気的な接続が図れるようになっている。
 このような電子部品は、基板に孔部を形成した後、孔部内に電極を構成する金属材料を溶融した溶融金属を充填し、当該溶融金属を固化して電極を形成することで構成される。なお、電極は、溶融金属を充填して固化することで形成されるため、融点の低いはんだ等の金属材料で構成される。
特開2007-208296号公報
 ところで、このような電子部品は、パッド部が形成された被実装部材上に、パッド部と電極とが電気的に接続されるように搭載されて用いられる。しかしながら、本発明者らは、上記電子部品は、電極が融点の低い金属材料で構成されているため、電子部品を被実装部材に搭載する際や搭載した後の使用環境等により、電極を構成する金属材料が再び溶融して孔部から流出してしまう可能性があることを見出した。
 本開示は、孔部から電極を構成する金属材料が流出することを抑制できる電子部品、電子装置、電子部品の製造方法、および電子装置の製造方法を提供することを目的とする。
 本開示の1つの観点によれば、電極を有し、当該電極が被実装部材に形成されたパッド部と電気的に接続される電子部品において、第1主面および第1主面と反対側の第2主面を有する主基板を備える構成部材と、構成部材に形成された、主基板の第2主面側が開口部とされていると共に第1主面側が底部とされた孔部に配置され、金属材料で構成されている電極と、を備え、主基板の第2主面側には、孔部における開口部を閉塞すると共に電極と電気的に接続され、電極を構成する金属材料よりも融点の高い金属材料で構成された蓋部が形成されており、電極は、蓋部を介してパッド部と電気的に接続されている。
 これによれば、孔部を閉塞する蓋部が形成されており、当該蓋部が電極よりも融点の高い金属材料で構成されているため、電子部品を被実装部材に搭載する際において、電極が溶融して孔部から流出することを抑制できる。また、この電子部品を被実装部材に搭載して電子装置を構成した後は、電子装置が電極を構成する金属材料の融点以上の温度で使用される場合等において、電極が溶融して孔部から流出することを抑制できる。
 また、本開示の別の観点によれば、電極を有する電子部品と、電極と電気的に接続されるパッド部が形成された被実装部材とを備える電子装置において、電子部品は、第1主面および第1主面と反対側の第2主面を有する主基板を備える構成部材と、構成部材に形成された、主基板の第2主面側が開口部とされていると共に第1主面側が底部とされた孔部に配置され、金属材料で構成されている電極と、を備え、被実装部材は、パッド部が主基板の第2主面と対向する一面側に形成された被実装基板を有し、電極とパッド部との間には、孔部における開口部を閉塞すると共に電極と電気的に接続され、かつ電極を構成する金属材料よりも融点の高い金属材料で構成された蓋部が形成され、電極とパッド部とは、蓋部を介して電気的に接続されている。
 これによれば、電子装置が電極を構成する金属材料の融点以上の温度で使用される場合等において、電極が溶融して孔部から流出することを抑制できる。
 さらに、本開示の別の観点によれば、電極を有し、当該電極が被実装部材に形成されたパッド部と電気的に接続される電子部品の製造方法において、第1主面および第1主面と反対側の第2主面を有する主基板を有する構成部材を用意することと、構成部材に対し、主基板の第2主面側が開口部となると共に主基板の第1主面側が底部となる孔部を形成することと、孔部に溶融金属を充填し、当該溶融金属を冷却することで孔部に電極を形成することと、電極を構成する金属材料の融点未満の温度条件下において、主基板の第2主面側に、孔部における開口部を閉塞すると共に電極と電気的に接続され、電極を構成する金属材料よりも融点の高い金属材料で構成される金属膜を形成することと、孔部における第2主面側の開口部の閉塞が維持されるように、金属膜をパターニングすることと、を行うこととしている。
 これによれば、電極よりも融点の高い金属材料で蓋部を形成しているため、電子部品を被実装部材に搭載する際において、電極が溶融して孔部から流出することを抑制できる。また、電極を構成する金属材料の融点未満の温度条件下において当該蓋部を形成するため、蓋部を形成する際に電極が溶融して孔部から流出することも抑制できる。
 また、本開示の別の観点によれば、電極を有する電子部品と、電極と電気的に接続されるパッド部が形成された被実装部材とを備える電子装置の製造方法において、第1主面および第1主面と反対側の第2主面を有する主基板を備える構成部材を用意することと、構成部材に対し、主基板の第2主面側が開口部となると共に主基板の第1主面側が底部となる孔部を形成することと、孔部に溶融金属を充填し、当該溶融金属を冷却することで孔部に電極を形成することと、一面を有し、当該一面側にパッド部が形成された被実装基板を有する被実装部材を用意することと、電極とパッド部とが電気的に接続されるように、被実装部材上に電子部品を搭載することと、を行い、被実装部材に電子部品を搭載することでは、電極のうちの主基板の第2主面側から露出する部分とパッド部とが当接するように、被実装部材上に電子部品を搭載して積層体を構成することと、電極を構成する金属材料の融点未満の温度に維持しつつ、被実装部材と電子部品との積層方向に積層体を加圧することにより、電極を構成する金属原子とパッド部を構成する金属原子とを固相拡散させて孔部における第2主面側の開口部を閉塞する蓋部を形成しつつ、当該蓋部を介して電極とパッド部とを電気的、機械的に接続することを行うこととしている。
 これによれば、電極よりも融点の高い金属材料で蓋部を形成しているため、電子装置が電極を構成する金属材料の融点以上の温度で使用される場合等において、電極が溶融して孔部から流出することを抑制できる。さらに、電極を構成する金属材料の融点未満の温度条件下において当該蓋部を形成するため、蓋部を形成する際に電極が溶融して孔部から流出することも抑制できる。また、電極を構成する金属材料の融点未満の温度に維持しつつ、被実装部材と電子部品との積層方向に積層体を加圧することにより、蓋部を形成することと、電極とパッド部とを電気的、機械的に接続することとを同一工程で行っているため、製造工程数が増加することを抑制できる。
第1実施形態における電子装置の断面図である。 図1に示す電子装置の製造工程を示す断面図である。 図2Aに続く電子装置の製造工程を示す断面図である。 図2Bに続く電子装置の製造工程を示す断面図である。 図2Cに続く電子装置の製造工程を示す断面図である。 図2Dに続く電子装置の製造工程を示す断面図である。 図2Eに続く電子装置の製造工程を示す断面図である。 第2実施形態における電子部品の断面図である。 図3に示す電子部品を被実装部材に搭載してなる電子装置の断面図である。 図3に示す電子部品の製造工程を示す断面図である。 図5Aに続く電子部品の製造工程を示す断面図である。
 以下、本開示の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
 (第1実施形態)
 第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。まず、本実施形態の電子装置の構造について説明する。本実施形態の電子装置は、図1に示されるように、電子部品10が被実装部材50に搭載されて構成されている。
 電子部品10は、第1主面11aおよび当該第1主面11aと反対側の第2主面11bを有し、図示しないトランジスタ等の半導体素子が形成された主基板11を備えている。なお、本実施形態では、主基板11としてシリコン基板や炭化珪素基板等が用いられる。
 そして、主基板11の第1主面11aには、配線層20が備えられている。本実施形態では、配線層20は、層間絶縁膜21内において、配線部22が主基板11の第1主面11aに対する法線方向に沿って積層された多層配線とされている。
 なお、図1では、層間絶縁膜21を簡略して示しているが、実際には層間絶縁膜21は複数層の絶縁膜が積層されて構成されている。また、図1とは別断面において、各配線部22は、適宜貫通ビア電極等を介して互いに電気的に接続されていると共に、主基板11に形成された半導体素子と適宜貫通ビア電極等を介して電気的に接続されている。そして、本実施形態では、主基板11および配線層20にて構成部材12が構成されている。
 主基板11の第2主面11b側には、主面絶縁膜30が形成されている。なお、主面絶縁膜30は、TEOS(すなわち、Tetra ethyl ortho silicate)等で構成されている。
 そして、電子部品10には、主面絶縁膜30および主基板11を貫通して配線部22を露出させる孔部40が形成されている。つまり、構成部材12には、主基板11の第2主面11b側が開口部とされていると共に第1主面11a側が底部とされた孔部40が形成されている。以下では、配線部22のうちの孔部40にて露出される配線部22を接続配線部22aとして説明する。そして、孔部40には、側面に側面絶縁膜41が形成されていると共に、側面絶縁膜41を介して電極42が埋め込まれている。本実施形態では、側面絶縁膜41は、TEOS等で構成され、電極42は、はんだで構成されている。
 被実装部材50は、一面51aを有し、当該一面51a側に配線部52が形成された被実装基板51を有している。なお、本実施形態では、被実装基板51としてシリコン基板や炭化珪素基板等が用いられる。そして、被実装基板51の一面51a上には、配線部52を露出させるコンタクトホール53aが形成された一面絶縁膜53が配置されていると共に、コンタクトホール53aを介して配線部52と電気的に接続されるパッド部54が形成されている。
 パッド部54は、電子部品10に備えられた電極42を構成する金属材料より融点が高い金属材料を用いて構成され、例えば、Ni膜、Ti膜、TiW膜、Cu膜のいずれか1つの金属膜、またはこれらの金属膜が複数積層されることで構成されている。
 そして、電子部品10は、電極42のうちの接続配線部22a側と反対側の一端部(以下では、電極42の一端部という)が被実装部材50のパッド部54と電気的、機械的に接続されるように、被実装部材50に搭載されている。具体的には、電極42とパッド部54と界面には、孔部40を閉塞するように蓋部60が形成されている。言い換えると、電極42とパッド部54との界面には、電極42を孔部40から露出させないようにする蓋部60が形成されている。この蓋部60は、具体的には後述するが、電極42を構成する金属原子と、パッド部54を構成する金属原子とが固相拡散することで構成される合金層である。そして、電極42とパッド部54とは、当該蓋部60を介して電気的、機械的に接続されている。
 なお、蓋部60は、電極42を構成する金属原子とパッド部54を構成する金属原子とが固相拡散することで構成されるため、電極42より融点が高く、パッド部54より融点が低い合金層となる。
 また、パッド部54は、被実装部材50と電子部品10との積層方向(以下では、単に積層方向という)から視たとき、当該パッド部54の外周に沿った長さが電極42の外周に沿った長さより長くされている。つまり、積層方向から視たとき、パッド部54は、電極42より平面形状(すなわち、面積)が大きくされている。言い換えると、積層方向から視たとき、パッド部54は電極42から突出している。
 以上が本実施形態における電子装置の構成である。次に、上記電子装置の製造方法について説明する。
 まず、図2Aに示されるように、半導体素子が形成されている主基板11を用意した後、第1主面11a側に配線層20を形成することで構成部材12を用意する。なお、半導体素子および配線層20は、周知の半導体製造プロセスによって形成される。
 次に、図2Bに示されるように、主基板11の第2主面11b側に図示しないマスクを配置し、ドライエッチング等により、主基板11を貫通して接続配線部22aに達する孔部40を形成する。つまり、構成部材12に対し、主基板11の第2主面11b側が開口部となると共に、主基板11の第1主面11a側が底部となる孔部40を形成する。続いて、主基板11の第2主面11b側からTEOS等の絶縁膜を成膜する。これにより、孔部40の側面に側面絶縁膜41が形成されると共に、主基板11の第2主面11bに主面絶縁膜30が形成される。その後、絶縁膜は孔部40の底部にも成膜されるため、孔部40の底部に成膜された絶縁膜をドライエッチング等により除去し、再び孔部40から接続配線部22aを露出させる。
 続いて、図2Cに示されるように、孔部40に、接続配線部22aと電気的に接続される電極42を形成する。本実施形態では、電極42を次のように形成する。すなわち、まず、はんだを溶融した溶融金属中に図2Bの工程まで行ったものを浸漬させ、孔部40内に溶融金属を流入させて充填する。その後、このものを引き上げて冷却し、孔部40内に充填された溶融金属を固化することで電極42を形成する。
 なお、図2Cの工程を行う前に、側面絶縁膜41上に溶融金属(すなわち、はんだ)の濡れ性が高い金属膜を形成し、溶融金属が孔部40内に流入し易くなるようにしてもよい。また、孔部40に電極42を形成する工程では、図2Bの工程まで行ったものを溶融金属中に浸漬させる代わりに、溶融金属を孔部40に直接流し込み、その後に冷却することで電極42を形成するようにしてもよい。
 次に、図2Dに示されるように、ドライエッチング等により、主面絶縁膜30の厚さを全体的に薄くし、電極42の一端部を主面絶縁膜30から突出させる。
 続いて、図2Eに示されるように、上記パッド部54等を有する被実装部材50を用意する。そして、電子部品10における主基板11の第2主面11bと被実装基板51の一面51aとが対向し、かつ電極42の一端部とパッド部54とが当接するように、被実装部材50上に電子部品10を積層して積層体70を構成する。この際、上記のように、電極42の一端部を主面絶縁膜30から突出させているため、主面絶縁膜30が一面絶縁膜53と当接することにより、電極42とパッド部54とが当接しないことが抑制される。また、電極42およびパッド部54は、積層方向から視たとき、パッド部54の平面形状が電極42の平面形状より大きくされている。このため、位置ずれが発生したとしても電極42の一端部における先端部がパッド部54と当接しないことが抑制される。
 その後、図2Fに示されるように、電極42とパッド部54との界面に孔部40を閉塞する蓋部60を形成しつつ、蓋部60を介して電極42とパッド部54とを電気的、機械的に接続することにより、図1に示す電子装置が製造される。
 具体的には、図2Fの工程では、電極42を構成する金属材料(すなわち、はんだ)における融点未満の温度に維持しつつ、積層方向に積層体70を加圧する。これにより、電極42を構成する金属原子とパッド部54を構成する金属原子とが固相拡散されて蓋部60が形成され、蓋部60を介して電極42とパッド部54とが電気的、機械的に接続される。なお、図2Fの工程では、孔部40を閉塞する蓋部60が形成されるように、加圧条件等が調整される。また、上記各工程では、図2Fの工程にて孔部40を閉塞する蓋部60が形成されるように、電極42の平面形状や突出量等も調整される。
 以上説明したように、本実施形態では、孔部40を閉塞するように蓋部60が配置され、電極42とパッド部54とは蓋部60を介して電気的、機械的に接続されている。また、蓋部60は、電極42よりも融点の高い材料で構成されている。このため、電子装置が電極42を構成する金属材料の融点以上の温度で使用される場合等において、電極42が溶融して孔部40から流出することを抑制でき、電子装置に不具合が発生することを抑制できる。
 また、本実施形態では、電極42を構成する金属材料における融点未満の温度で積層体70を積層方向に加圧することにより、蓋部60を形成しつつ、当該蓋部60を介して電極42とパッド部54とを電気的、機械的に接続している。つまり、蓋部60を形成する工程と、電極42とパッド部54とを電気的、機械的に接続する工程とを同一の工程にて行っている。このため、製造工程数が増加することを抑制することができる。
 さらに、蓋部60を形成する際、電極42を構成する金属材料における融点未満の温度に維持しているため、蓋部60を形成する際に電極42を構成する金属材料が溶融し、蓋部60が形成されないという不具合が発生することを抑制できる。
 また、被実装部材50上に電子部品10を搭載する前に、主面絶縁膜30の厚さを薄くし、電極42の一端部を主面絶縁膜30から突出させている。このため、主面絶縁膜30が一面絶縁膜53と当接することにより、電極42とパッド部54とが当接しないことを抑制できる。つまり、積層体70を加圧しても蓋部60が適切に形成されないという不具合が発生することを抑制できる。
 さらに、電極42およびパッド部54は、積層方向から視たとき、電極42の平面形状がパッド部54の平面形状より大きくされている。このため、被実装部材50に電子部品10を搭載する際に位置ずれが発生したとしても、電極42の一端部における先端部がパッド部54と当接しないことが抑制される。つまり、積層体70を加圧しても蓋部60が適切に形成されないという不具合が発生することを抑制できる。
 (第2実施形態)
 第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、蓋部60の形成方法を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、説明を省略する。
 まず、本実施形態の電子部品10について説明する。本実施形態では、図3に示されるように、電子部品10には、主基板11の第2主面11b側に孔部40を閉塞するように蓋部60が形成されている。言い換えると、電極42を孔部40から露出させないようにする蓋部60が形成されている。つまり、電子部品10には、被実装部材50に搭載される前に、予め蓋部60が形成されている。なお、蓋部60は、上記のように、電極42より融点が高い金属材料で構成されている。
 そして、電子装置は、図4に示されるように、電子部品10の電極42が被実装部材50に形成されたパッド部54と電気的、機械的に接続されるように、導電性接着剤等の接合部材80を介して被実装部材50上に電子部品10が搭載されることで構成される。言い換えると、電子装置は、蓋部60(すなわち、電極42)とパッド部54との間に接合部材80が配置された構成とされている。
 次に、上記電子部品10の製造方法、およびこの電子部品10を被実装部材50に搭載した電子装置の製造方法について説明する。
 まず、電子部品10は、上記図2A~図2Cの工程と同様の工程を行った後、蓋部60を形成することで製造される。具体的には、図2Cの工程の後、図5Aに示されるように、電極42の融点未満の温度で低温スパッタを行うことにより、構成部材12における主基板11の第2主面11b側の部分に金属膜60aを成膜する。なお、この工程では、電極42を構成する金属材料の融点より高い融点を有する金属膜60aが成膜される。例えば、金属膜60aとして、Ni膜、TiW膜、Ti膜、Cu膜等のいずれか1つの金属膜、またはこれらの金属膜が複数積層される。
 続いて、図5Bに示されるように、金属膜60aをパターニングして孔部40を閉塞する蓋部60を形成することにより、上記図3に示す電子部品10が製造される。
 その後、上記被実装部材50を用意し、被実装部材50のパッド部54と電子部品10の蓋部60とを導電性接着剤等の接合部材80を介して電気的、機械的に接続することにより、上記図4に示す電子装置が製造される。なお、この工程では、電子部品10には予め蓋部60が形成されているため、蓋部60の融点より低い温度であれば電極42が溶融したとしても孔部40から流出することはない。
 以上説明したように、電子部品10に孔部40を閉塞する蓋部60を予め形成するようにしても、電極42が溶融して孔部40から流出することを抑制でき、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
 (他の実施形態)
 本開示は、実施形態に準拠して記述されたが、本開示は当該実施形態や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
 例えば、上記各実施形態において、積層方向から視たとき、パッド部54の平面形状と電極42の平面形状とが同一であってもよい。このような構成としても、孔部40が蓋部60にて閉塞されることにより、上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。
 また、上記第1実施形態において、図2Dの工程において主面絶縁膜30を薄くする工程を行わず、図2Cの工程まで行ったものを被実装部材50に搭載してもよい。

Claims (10)

  1.  電極(42)を有し、当該電極が被実装部材(50)に形成されたパッド部(54)と電気的に接続される電子部品において、
     第1主面(11a)および前記第1主面と反対側の第2主面(11b)を有する主基板(11)を備える構成部材(12)と、
     前記構成部材に形成された、前記主基板の第2主面側が開口部とされていると共に前記第1主面側が底部とされた孔部(40)に配置され、金属材料で構成されている前記電極と、を備え、
     前記主基板の第2主面側には、前記孔部における開口部を閉塞すると共に前記電極と電気的に接続され、前記電極を構成する金属材料よりも融点の高い金属材料で構成された蓋部(60)が形成されており、
     前記電極は、前記蓋部を介して前記パッド部と電気的に接続される電子部品。
  2.  前記電極は、はんだで構成されている請求項1に記載の電子部品。
  3.  電極(42)を有する電子部品(10)と、前記電極と電気的に接続されるパッド部(54)が形成された被実装部材(50)とを備える電子装置において、
     前記電子部品は、第1主面(11a)および前記第1主面と反対側の第2主面(11b)を有する主基板(11)を備える構成部材(12)と、前記構成部材に形成された、前記主基板の第2主面側が開口部とされていると共に前記第1主面側が底部とされた孔部(40)に配置され、金属材料で構成されている前記電極と、を備え、
     前記被実装部材は、前記パッド部が前記主基板の第2主面と対向する一面(51a)側に形成された被実装基板(51)を有し、
     前記電極と前記パッド部との間には、前記孔部における開口部を閉塞すると共に前記電極と電気的に接続され、かつ前記電極を構成する金属材料よりも融点の高い金属材料で構成された蓋部(60)が形成され、
     前記電極と前記パッド部とは、前記蓋部を介して電気的に接続されている電子装置。
  4.  前記電極は、はんだで構成されている請求項3に記載の電子装置。
  5.  電極(42)を有し、当該電極が被実装部材(50)に形成されたパッド部(54)と電気的に接続される電子部品の製造方法において、
     第1主面(11a)および前記第1主面と反対側の第2主面(11b)を有する主基板(11)を備える構成部材(12)を用意することと、
     前記構成部材に対し、前記主基板の第2主面側が開口部となると共に前記主基板の第1主面側が底部となる孔部(40)を形成することと、
     前記孔部に溶融金属を充填し、当該溶融金属を冷却することで前記孔部に前記電極を形成することと、
     前記電極を構成する金属材料の融点未満の温度条件下において、前記主基板の第2主面側に、前記孔部における開口部を閉塞すると共に前記電極と電気的に接続され、前記電極を構成する金属材料よりも融点の高い金属材料で構成される金属膜(60a)を形成することと、
     前記孔部における前記第2主面側の開口部の閉塞が維持されるように、前記金属膜をパターニングすることと、を行う電子部品の製造方法。
  6.  前記孔部に前記電極を形成することでは、はんだを溶融した溶融金属を充填する請求項5に記載の電子部品の製造方法。
  7.  電極(42)を有する電子部品(10)と、前記電極と電気的に接続されるパッド部(54)が形成された被実装部材(50)とを備える電子装置の製造方法において、
     第1主面(11a)および前記第1主面と反対側の第2主面(11b)を有する主基板(11)を備える構成部材(12)を用意することと、
     前記構成部材に対し、前記主基板の第2主面側が開口部となると共に前記主基板の第1主面側が底部となる孔部(40)を形成することと、
     前記孔部に溶融金属を充填し、当該溶融金属を冷却することで前記孔部に前記電極を形成することと、
     一面(51a)を有し、当該一面側に前記パッド部が形成された被実装基板(51)を有する前記被実装部材を用意することと、
     前記電極と前記パッド部とが電気的に接続されるように、前記被実装部材上に前記電子部品を搭載することと、を行い、
     前記被実装部材に前記電子部品を搭載することでは、前記電極のうちの前記主基板の第2主面側から露出する部分と前記パッド部とが当接するように、前記被実装部材上に前記電子部品を搭載して積層体(70)を構成することと、前記電極を構成する金属材料の融点未満の温度に維持しつつ、前記被実装部材と前記電子部品との積層方向に前記積層体を加圧することにより、前記電極を構成する金属原子と前記パッド部を構成する金属原子とを固相拡散させて前記孔部における前記第2主面側の開口部を閉塞する蓋部(60)を形成しつつ、当該蓋部を介して前記電極と前記パッド部とを電気的、機械的に接続することと、を行う電子装置の製造方法。
  8.  前記電極を形成すること、および前記被実装部材を用意することでは、前記被実装部材上に前記電子部品を搭載することの際、前記積層方向から視たとき、前記パッド部の平面形状が前記電極の平面形状より大きくなるように、前記パッド部および前記電極を形成する請求項7に記載の電子装置の製造方法。
  9.  前記孔部を形成することの後であって、前記電極を形成することの前に、前記主基板の第2主面側に絶縁膜(30)を形成することを行い、
     前記電極を形成することの後であって、前記被実装部材上に前記電子部品を搭載することの前に、前記絶縁膜を薄くすることにより、前記電極の一部を前記絶縁膜から突出させることを行う請求項7または8に記載の電子装置の製造方法。
  10.  前記孔部に前記電極を形成することでは、はんだを溶融した溶融金属を充填する請求項7ないし9のいずれか1つに記載の電子装置の製造方法。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000068410A (ja) * 1998-08-20 2000-03-03 Nishihara Riko Kk Pbに代わる接合材料で接合端子部にバンプメッキを施した BGA又は CSP等のICパッケ−ジ
JP2001102475A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Kyocera Corp 半導体素子用パッケージおよびその実装構造
JP2001298111A (ja) * 2000-04-12 2001-10-26 Sharp Corp 半導体装置、その実装構造およびその実装方法
JP2002043751A (ja) * 2000-07-21 2002-02-08 Toshiba Chem Corp 多層プリント配線板
JP2003110243A (ja) * 2000-12-26 2003-04-11 Denso Corp プリント基板およびその製造方法
WO2005093827A1 (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Fujikura Ltd. 貫通配線基板及びその製造方法
JP2007201188A (ja) * 2006-01-26 2007-08-09 Fujitsu Ltd 構造体および配線基板並びに配線付き構造体の製造方法
JP2008153366A (ja) * 2006-12-15 2008-07-03 Omron Corp 接合装置による接合方法
JP2015153805A (ja) * 2014-02-12 2015-08-24 セイコーエプソン株式会社 配線基板の製造方法、配線基板、電子デバイス、電子機器および移動体

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000068410A (ja) * 1998-08-20 2000-03-03 Nishihara Riko Kk Pbに代わる接合材料で接合端子部にバンプメッキを施した BGA又は CSP等のICパッケ−ジ
JP2001102475A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Kyocera Corp 半導体素子用パッケージおよびその実装構造
JP2001298111A (ja) * 2000-04-12 2001-10-26 Sharp Corp 半導体装置、その実装構造およびその実装方法
JP2002043751A (ja) * 2000-07-21 2002-02-08 Toshiba Chem Corp 多層プリント配線板
JP2003110243A (ja) * 2000-12-26 2003-04-11 Denso Corp プリント基板およびその製造方法
WO2005093827A1 (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Fujikura Ltd. 貫通配線基板及びその製造方法
JP2007201188A (ja) * 2006-01-26 2007-08-09 Fujitsu Ltd 構造体および配線基板並びに配線付き構造体の製造方法
JP2008153366A (ja) * 2006-12-15 2008-07-03 Omron Corp 接合装置による接合方法
JP2015153805A (ja) * 2014-02-12 2015-08-24 セイコーエプソン株式会社 配線基板の製造方法、配線基板、電子デバイス、電子機器および移動体

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