WO2017191777A1 - ビーム走査装置および描画装置 - Google Patents

ビーム走査装置および描画装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2017191777A1
WO2017191777A1 PCT/JP2017/016274 JP2017016274W WO2017191777A1 WO 2017191777 A1 WO2017191777 A1 WO 2017191777A1 JP 2017016274 W JP2017016274 W JP 2017016274W WO 2017191777 A1 WO2017191777 A1 WO 2017191777A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
scanning
lens
optical
scanning direction
optical member
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/016274
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
加藤正紀
中山修一
Original Assignee
株式会社ニコン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社ニコン filed Critical 株式会社ニコン
Priority to CN201910171295.1A priority Critical patent/CN110031964B/zh
Priority to KR1020227012846A priority patent/KR102496906B1/ko
Priority to KR1020187035184A priority patent/KR102389080B1/ko
Priority to CN201780027995.2A priority patent/CN109196423B/zh
Priority to JP2018515430A priority patent/JP6954274B2/ja
Publication of WO2017191777A1 publication Critical patent/WO2017191777A1/ja
Priority to HK19101337.9A priority patent/HK1258865A1/zh
Priority to JP2021155417A priority patent/JP7226499B2/ja

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0875Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more refracting elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/10Scanning systems
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/10Scanning systems
    • G02B26/12Scanning systems using multifaceted mirrors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation

Definitions

  • the present invention relates to a beam scanning apparatus that scans a beam in a one-dimensional direction in the main scanning direction in order to draw a predetermined pattern on a substrate, and a drawing apparatus that draws a predetermined pattern using the beam scanning apparatus.
  • the beam projected on the photosensitive material can be scanned at a constant speed by using an f ⁇ lens system and a polygon mirror (rotating polygon mirror).
  • a polygon mirror rotating polygon mirror
  • Each reflection surface of a general polygon mirror is formed in parallel with a direction orthogonal to the rotation surface (plane including the rotation direction) of the polygon mirror, but the actual reflection surface is a direction orthogonal to the rotation surface of the polygon mirror.
  • there is an error that slightly inclines that is, a so-called surface tilt (inclination) error. Since this error differs for each reflecting surface, the image position of the spot light (beam projection position) formed on the photosensitive material by the f ⁇ lens system is shifted for each reflecting surface.
  • the polygon mirror deflection direction (scanning direction, polygon mirror rotation direction) is provided at two locations, before the polygon mirror and after the f ⁇ lens system.
  • a cylindrical lens having a refractive power is arranged only in a direction orthogonal to. That is, two cylindrical lenses are arranged so that the generatrix is parallel to the beam scanning direction.
  • the reflective surface of the polygon mirror and the irradiated surface of the photosensitive material can be in a conjugate relationship. Even if the surface tilt error varies for each reflecting surface, the projection position of the beam on the photosensitive material can be made constant in the sub-scanning direction.
  • a first aspect of the present invention is a beam scanning device that projects a beam from a light source device onto an irradiated object while scanning the beam on the irradiated object in a one-dimensional manner.
  • a first optical member that focuses light in a first direction corresponding to the direction of the light, and the beam that has passed through the first optical member is incident, and the beam is directed in the first direction for the one-dimensional scanning.
  • a deflecting beam deflecting member the beam deflected by the beam deflecting member is incident, a scanning optical system that projects toward the irradiated object, and the beam that has passed through the scanning optical system is incident;
  • a second optical member that condenses the beam in a second direction orthogonal to the first direction, and is provided between the first optical member and the beam deflection member, and passes through the first optical member. Forward the beam at the position of the beam deflection member Comprising a lens system for focusing the second direction.
  • the irradiated body and the beam are relatively moved in the sub-scanning direction, and the irradiated body is moved.
  • a drawing apparatus for drawing a pattern wherein the beam is incident and deflected in one dimension in the main scanning direction in order to scan the beam in the main scanning direction;
  • a scanning optical system that injects the beam deflected in a dimension, condenses and projects the beam on the irradiated object, and has an anisotropic refractive power, and travels toward the movable deflecting member.
  • a first optical member for converging the beam with respect to the main scanning direction; and an anisotropic refractive power that converges the beam emitted from the scanning optical system toward the irradiated body with respect to the sub-scanning direction.
  • the second optical member and the first optical member Isotropically provided between the movable deflecting member and incident on the beam converged in the main scanning direction, converted into a beam converged in the sub-scanning direction, and emitted toward the movable deflecting member.
  • a third optical member having a refractive power.
  • the beam deflected in the first direction by the movable deflecting member is projected along the first direction on the irradiated object while projecting the beam on the irradiated object by the scanning optical system.
  • a drawing apparatus for drawing a pattern on the irradiated object by performing dimension scanning, wherein the beam projected on the movable deflection member is converged in a second direction orthogonal to the first direction.
  • a first adjusting optical system including a first lens member having a refractive power; and an anisotropic refractive power for converging the beam from the scanning optical system toward the irradiated body in the second direction.
  • a second adjustment optical system including a second lens member, wherein the wavelength of the beam is ⁇ , the numerical aperture of the beam projected onto the irradiated object is NA y , and the second direction is NA y .
  • the numerical aperture NA x wherein the irradiated body S 1 the spherical aberration for the first direction of the beam Isa, when the spherical aberration relating to the second direction is S 2, the first first lens member and the second lens member, S 1 ⁇ lambda / NA y 2 and S 2 ⁇ / NA x 2 , and
  • ⁇ / NA x 2 Are set so as to satisfy one of the following conditions.
  • the pattern drawing beam is one-dimensionally scanned along the main scanning direction on the irradiated body, and the irradiated body and the beam are scanned in the sub-scanning direction intersecting the main scanning direction.
  • a scanning optical system for condensing the beam spot on the irradiated object, and between the beam expander and the beam deflecting member,
  • a first optical element having an anisotropic refractive power for entering the beam converted by the expander and converging the beam projected onto the beam deflecting member in a direction corresponding to the sub-scanning direction.
  • a second optical element having an anisotropic refractive power for converging the beam emitted from the scanning optical system and directed toward the irradiated object in the sub-scanning direction.
  • FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of a beam switching unit and a drawing head shown in FIG. 1 and a diagram showing an arrangement relationship of scanning lines of each scanning unit of the drawing head on a substrate.
  • FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of a beam switching unit and a drawing head shown in FIG. 1 and a diagram showing an arrangement relationship of scanning lines of each scanning unit of the drawing head on a substrate.
  • FIG. 5 is a schematic view of a beam from the aperture stop to the substrate shown in FIG. 4 as seen from a plane parallel to a plane including a beam deflection direction (main scanning direction). It is a figure which shows the lens data in the optical design example by the comparative example 1.
  • FIG. It is the schematic which looked at the state of the beam from the beam expander in Comparative Example 1 to the board
  • FIG. 10 is a graph simulating spherical aberration characteristics in the main scanning direction and sub-scanning direction of a beam generated by the optical design example of Comparative Example 1; 6 is a graph showing spherical aberration characteristics of a difference between spherical aberration in the main scanning direction and spherical aberration in the sub-scanning direction in Comparative Example 1; 6 is a diagram illustrating lens data in an optical design example according to Embodiment 1.
  • FIG. It is the schematic which looked at the state of the beam from the beam expander in Example 1 to the board
  • FIG. 3 is a graph showing the spherical aberration characteristic of the difference between the spherical aberration in the main scanning direction and the spherical aberration in the sub-scanning direction in Example 1.
  • 20A is a diagram illustrating a state in which the parallel flat plate is not inclined in the XZ plane
  • FIG. 20B is a diagram illustrating a state in which the parallel flat plate is inclined by an angle ⁇ with respect to the YZ plane.
  • FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a device manufacturing system 10 including an exposure apparatus EX that performs an exposure process on a substrate (irradiated body) P according to the first embodiment.
  • EX an exposure apparatus
  • FIG. 1 an XYZ orthogonal coordinate system in which the gravity direction is the Z direction is set, and the X direction, the Y direction, and the Z direction will be described according to the arrows shown in the drawing.
  • the device manufacturing system 10 is a system (substrate processing apparatus) that manufactures an electronic device by performing predetermined processing (such as exposure processing) on the substrate P.
  • a manufacturing line for manufacturing a flexible display as an electronic device for example, a film-like touch panel, a film-like color filter for a liquid crystal display panel, a flexible wiring, or a flexible sensor is constructed. It is a manufacturing system. The following description is based on the assumption that a flexible display is used as the electronic device. Examples of the flexible display include an organic EL display and a liquid crystal display.
  • the device manufacturing system 10 sends out a substrate P from a supply roll (not shown) obtained by winding a flexible sheet-like substrate (sheet substrate) P in a roll shape, and performs various processes on the delivered substrate P.
  • the substrate P after various treatments is wound up by a collection roll (not shown), and has a so-called roll-to-roll structure. Therefore, the substrate P after various treatments is in a state where a plurality of devices are connected in the transport direction of the substrate P, and is a multi-sided substrate.
  • the substrate P sent from the supply roll is sequentially subjected to various processes by the process apparatus PR1, the exposure apparatus EX, and the process apparatus PR2, and is taken up by the collection roll.
  • the substrate P has a belt-like shape in which the moving direction (transport direction) of the substrate P is the longitudinal direction (long) and the width direction is the short direction (short).
  • the X direction is a direction in which the substrate P is directed from the supply roll to the collection roll in a horizontal plane orthogonal to the Z direction.
  • the Y direction is a direction orthogonal to the X direction in a horizontal plane orthogonal to the Z direction, and is the width direction (short direction) of the substrate P.
  • the ⁇ Z direction is the direction in which gravity works (gravity direction), and the transport direction of the substrate P is the + X direction.
  • a resin film or a foil (foil) made of metal or alloy such as stainless steel is used.
  • the material of the resin film include polyethylene resin, polypropylene resin, polyester resin, ethylene vinyl copolymer resin, polyvinyl chloride resin, cellulose resin, polyamide resin, polyimide resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, and vinyl acetate resin. Among them, one containing at least one or more may be used. Further, the thickness and rigidity (Young's modulus) of the substrate P may be in a range that does not cause folds or irreversible wrinkles due to buckling in the substrate P when passing through the conveyance path of the device manufacturing system 10. .
  • a film such as PET (polyethylene terephthalate) or PEN (polyethylene naphthalate) having a thickness of about 25 ⁇ m to 200 ⁇ m is typical of a suitable sheet substrate.
  • the substrate P may receive heat in each process performed in the device manufacturing system 10, it is preferable to select the substrate P made of a material whose thermal expansion coefficient is not significantly large.
  • the thermal expansion coefficient can be suppressed by mixing an inorganic filler with a resin film.
  • the inorganic filler may be, for example, titanium oxide, zinc oxide, alumina, or silicon oxide.
  • the substrate P may be a single layer of ultrathin glass having a thickness of about 100 ⁇ m manufactured by a float process or the like, or a laminate in which the above resin film, foil, etc. are bonded to the ultrathin glass. It may be.
  • the flexibility of the substrate P means the property that the substrate P can be bent without being sheared or broken even when a force of its own weight is applied to the substrate P. .
  • flexibility includes a property of bending by a force of about its own weight.
  • the degree of flexibility varies depending on the material, size, and thickness of the substrate P, the layer structure formed on the substrate P, the environment such as temperature or humidity, and the like. In any case, when the substrate P is correctly wound around various transport rollers, rotary drums, and other transport direction changing members provided in the transport path in the device manufacturing system 10 according to the first embodiment, If the substrate P can be smoothly transported without being bent and creased or damaged (breaking or cracking), it can be said to be a flexible range.
  • the process apparatus (processing apparatus) PR1 conveys the substrate P sent from the supply roll to the exposure apparatus EX while conveying the substrate P toward the exposure apparatus EX at a predetermined speed in the conveyance direction along the longitudinal direction (+ X direction).
  • a pre-process is performed on the substrate P to be sent.
  • the substrate P sent to the exposure apparatus EX is a substrate (photosensitive substrate) having a photosensitive functional layer (photosensitive layer) formed on the surface thereof.
  • This photosensitive functional layer is applied as a solution on the substrate P and dried to form a layer (film).
  • a typical photosensitive functional layer is a photoresist (in liquid or dry film form), but as a material that does not require development processing, the photosensitivity of the part that has been irradiated with ultraviolet rays is modified.
  • SAM silane coupling agent
  • a photosensitive reducing agent When a photosensitive silane coupling agent is used as the photosensitive functional layer, the pattern portion exposed to ultraviolet rays on the substrate P is modified from lyophobic to lyophilic.
  • a thin film transistor (TFT) or the like can be formed by selectively applying a conductive ink (ink containing conductive nanoparticles such as silver or copper) or a liquid containing a semiconductor material on the lyophilic portion.
  • a pattern layer to be an electrode, a semiconductor, insulation, or a wiring for connection can be formed.
  • the plating reducing group is exposed to the pattern portion exposed to ultraviolet rays on the substrate P. Therefore, after exposure, the substrate P is immediately immersed in a plating solution containing palladium ions for a certain period of time, so that a pattern layer of palladium is formed (deposited).
  • Such a plating process is an additive process, but may be based on an etching process as a subtractive process.
  • the substrate P sent to the exposure apparatus EX is made of PET or PEN as a base material, and a metal thin film such as aluminum (Al) or copper (Cu) is vapor-deposited on the entire surface or selectively. It is preferable that a photoresist layer is laminated on the substrate.
  • the exposure apparatus (processing apparatus) EX performs exposure processing on the substrate P while transporting the substrate P transported from the process apparatus PR1 toward the process apparatus PR2 at a predetermined speed in the transport direction (+ X direction). It is a processing device.
  • the exposure apparatus EX uses light corresponding to a pattern for an electronic device (for example, a pattern of electrodes and wiring of TFTs constituting the electronic device) on the surface of the substrate P (the surface of the photosensitive functional layer, ie, the photosensitive surface). Irradiate the pattern. Thereby, a latent image (modified portion) corresponding to the pattern is formed on the photosensitive functional layer.
  • the exposure apparatus EX is a direct drawing type exposure apparatus that does not use a mask, that is, a so-called raster scan type exposure apparatus (drawing apparatus).
  • the exposure apparatus EX transfers the spot light SP of a pulsed beam LB (pulse beam) for exposure onto the irradiated surface (photosensitive surface) of the substrate P while transporting the substrate P in the + X direction (sub-scanning direction).
  • the intensity of the spot light SP is modulated (on / off) at high speed according to the pattern data (drawing data, pattern information) while one-dimensionally scanning (main scanning) in the predetermined scanning direction (Y direction).
  • a light pattern corresponding to a predetermined pattern such as an electronic device, a circuit, or a wiring is drawn and exposed on the irradiated surface of the substrate P. That is, the spot light SP is relatively two-dimensionally scanned on the surface to be irradiated (the surface of the photosensitive functional layer) of the substrate P by the sub-scanning of the substrate P and the main scanning of the spot light SP.
  • a predetermined pattern is drawn and exposed on the irradiated surface.
  • a plurality of exposure regions in which the pattern is exposed by the exposure apparatus EX are provided at predetermined intervals along the longitudinal direction of the substrate P. Will be provided. Since an electronic device is formed in this exposure region, the exposure region is also a device formation region.
  • the process apparatus (processing apparatus) PR2 transports the substrate P sent from the exposure apparatus EX toward the collection roll at a predetermined speed in the transport direction (+ X direction) along the longitudinal direction, while using the exposure apparatus EX. Subsequent processing (for example, plating, development / etching, etc.) is performed on the exposed substrate P. The pattern layer of the device is formed on the substrate P by the subsequent process.
  • the exposure apparatus EX is stored in the temperature control chamber ECV as shown in FIG.
  • This temperature control chamber ECV keeps the inside at a predetermined temperature and a predetermined humidity, thereby suppressing a change in shape due to the temperature of the substrate P transported inside, and occurring along with the hygroscopicity and transport of the substrate P. Suppresses static charge.
  • the temperature control chamber ECV is arranged on the installation surface E of the manufacturing factory via passive or active vibration isolation units SU1, SU2.
  • the anti-vibration units SU1 and SU2 reduce vibration from the installation surface E.
  • the installation surface E may be the floor surface of the factory itself, or may be a surface on an installation base (pedestal) that is exclusively installed on the floor surface in order to obtain a horizontal surface.
  • the exposure apparatus EX includes at least a substrate transport mechanism 12, a light source device 14, a beam switching unit BDU, a drawing head 16, and a control device 18.
  • the control device 18 controls each part of the exposure apparatus EX.
  • the control device 18 includes a computer and a recording medium on which the program is recorded, and functions as the control device 18 of the first embodiment when the computer executes the program.
  • the substrate transport mechanism 12 constitutes a part of the substrate transport apparatus of the device manufacturing system 10, and after transporting the substrate P transported from the process apparatus PR1 at a predetermined speed in the exposure apparatus EX, the process apparatus Sends to PR2 at a predetermined speed.
  • the substrate transport mechanism 12 includes an edge position controller EPC, a driving roller R1, a tension adjusting roller RT1, a rotating drum (cylindrical drum) DR, a tension adjusting roller RT2, in order from the upstream side ( ⁇ X direction side) in the transport direction of the substrate P.
  • a driving roller R2 and a driving roller R3 are provided.
  • the substrate P is transported in the exposure apparatus EX by being stretched over the edge position controller EPC of the substrate transport mechanism 12, the driving rollers R1 to R3, the tension adjusting rollers RT1 and RT2, and the rotating drum (cylindrical drum) DR.
  • a transport path for the substrate P is defined.
  • the edge position controller EPC adjusts the position in the width direction (the Y direction and the short direction of the substrate P) of the substrate P transported from the process apparatus PR1.
  • the edge position controller EPC has a position at the end (edge) in the width direction of the substrate P that is transported in a state of a predetermined tension, which is about ⁇ 10 ⁇ m to several tens ⁇ m with respect to the target position.
  • the position of the substrate P in the width direction is adjusted by moving the substrate P in the width direction so that it falls within this range (allowable range).
  • the edge position controller EPC includes a roller on which the substrate P is stretched in a state where a predetermined tension is applied, and an edge sensor (end detection unit) (not shown) that detects the position of the end portion (edge) in the width direction of the substrate P. And have.
  • the edge position controller EPC adjusts the position of the substrate P in the width direction by moving the roller of the edge position controller EPC in the Y direction based on the detection signal detected by the edge sensor.
  • the driving roller (nip roller) R1 rotates while holding both front and back surfaces of the substrate P conveyed from the edge position controller EPC, and conveys the substrate P toward the rotating drum DR.
  • the edge position controller EPC appropriately adjusts the position in the width direction of the substrate P so that the longitudinal direction of the substrate P wound around the rotating drum DR is always orthogonal to the central axis AXo of the rotating drum DR.
  • the parallelism between the rotation axis of the roller and the Y axis of the edge position controller EPC may be appropriately adjusted so as to correct the tilt error in the traveling direction of the substrate P.
  • the rotary drum DR has a central axis AXo extending in the Y direction and extending in a direction intersecting with the direction in which gravity works, and a cylindrical outer peripheral surface having a constant radius from the central axis AXo.
  • the rotating drum DR rotates around the central axis AXo while supporting (holding) a part of the substrate P by bending the outer surface (circumferential surface) into a cylindrical surface in the longitudinal direction. P is transported in the + X direction (long direction).
  • the rotating drum DR supports an area (portion) on the substrate P onto which the beam LB (spot light SP) from the drawing head 16 is projected on the outer peripheral surface thereof.
  • the rotating drum DR supports (holds and holds) the substrate P from the surface (back surface) opposite to the surface on which the electronic device is formed (surface on which the photosensitive surface is formed).
  • shafts Sft supported by annular bearings are provided so that the rotating drum DR rotates around the central axis AXo.
  • the rotary drum DR rotates at a constant rotational speed around the central axis AXo when a rotational torque from a rotation drive source (not shown) (for example, a motor or a speed reduction mechanism) controlled by the control device 18 is applied to the shaft Sft.
  • a rotation drive source not shown
  • a plane including the central axis AXo and parallel to the YZ plane is referred to as a central plane Poc.
  • the driving rollers (nip rollers) R2 and R3 are arranged at a predetermined interval along the transport direction (+ X direction) of the substrate P, and give a predetermined slack (play) to the substrate P after exposure.
  • the drive rollers R2 and R3 rotate while holding both front and back surfaces of the substrate P, and transport the substrate P toward the process apparatus PR2.
  • the tension adjusting rollers RT1 and RT2 are urged in the ⁇ Z direction, and apply a predetermined tension in the longitudinal direction to the substrate P that is wound around and supported by the rotary drum DR. As a result, the longitudinal tension applied to the substrate P applied to the rotating drum DR is stabilized within a predetermined range.
  • the control device 18 rotates the driving rollers R1 to R3 by controlling a rotation driving source (not shown) (for example, a motor or a speed reduction mechanism).
  • a rotation driving source for example, a motor or a speed reduction mechanism.
  • the rotation axes of the drive rollers R1 to R3 and the rotation axes of the tension adjustment rollers RT1 and RT2 are parallel to the center axis AXo of the rotation drum DR.
  • the light source device 14 generates and emits a pulsed beam (pulse beam, pulsed light, laser) LB.
  • the beam LB is ultraviolet light having a peak wavelength in a wavelength band of 370 nm or less, and the light emission frequency (oscillation frequency, predetermined frequency) of the beam LB is Fa.
  • the beam LB emitted from the light source device 14 enters the drawing head 16 via the beam switching unit BDU.
  • the light source device 14 emits and emits the beam LB at the emission frequency Fa according to the control of the control device 18.
  • the light source device 14 includes a semiconductor laser element that generates pulsed light in the infrared wavelength range, a fiber amplifier, and a wavelength conversion element (harmonic) that converts the amplified pulsed light in the infrared wavelength range into pulsed light in the ultraviolet wavelength range. It may be a fiber amplifier laser light source composed of a wave generating element). By configuring the light source device 14 in this way, high-intensity ultraviolet pulsed light having an oscillation frequency Fa of several hundred MHz and a light emission time of one pulse of several picoseconds can be obtained. It is assumed that the beam LB emitted from the emission window of the light source device 14 is a thin parallel light beam having a beam diameter of about 1 mm or less.
  • the scanning unit Un has a plurality of optical switching elements that are switched so that the beam LB is incident in a time division manner.
  • the plurality of switching elements sequentially switch the scanning unit Un on which the beam LB is incident among the scanning units U1 to U6.
  • the beam switching unit BDU repeatedly switches the scanning unit Un on which the beam LB is incident in the order of U 1 ⁇ U 2 ⁇ U 3 ⁇ U 4 ⁇ U 5 ⁇ U 6.
  • the beam LB from the light source device 14 that enters the scanning unit Un via the beam switching unit BDU may be represented as LBn.
  • the beam LBn incident on the scanning unit U1 may be represented by LB1
  • the beam LBn incident on each of the scanning units U2 to U6 may be represented by LB2 to LB6.
  • each of the scanning units U1 to U6 is provided with a polygon mirror PM for main scanning the incident beams LB1 to LB6.
  • each of the polygon mirrors PM of each scanning unit Un is synchronously controlled so as to maintain a constant rotational angle phase while precisely rotating at the same rotational speed.
  • the main scanning timing (main scanning period of the spot light SP) of each of the beams LB1 to LB6 projected onto the substrate P from each of the scanning units U1 to U6 can be set so as not to overlap each other. Therefore, the beam switching unit BDU switches and supplies the beam LB to any one of the scanning units Un so that the beam LB is incident on any one of the scanning units Un that scan the spot light SP.
  • the beam LB can be distributed in time division.
  • the scanning unit Un that performs main scanning of the spot light SP (scanning unit Un on which the beam LBn is incident) is repeated in the order of U1 ⁇ U2 ⁇ U3 ⁇ U4 ⁇ U5 ⁇ U6 ⁇ U1.
  • the configuration in which the beam LB from the light source device 14 is distributed to each of the plurality of scanning units Un in a time-sharing manner is disclosed in International Publication No. 2015/166910.
  • the drawing head 16 is a so-called multi-beam type drawing head in which a plurality of scanning units Un (U1 to U6) having the same configuration are arranged.
  • the drawing head 16 draws a pattern on a part of the substrate P supported by the outer peripheral surface (circumferential surface) of the rotary drum DR by a plurality of scanning units Un (U1 to U6).
  • Each scanning unit Un (U1 to U6) condenses (converges) the beam LBn on the substrate P while projecting the beam LBn from the beam switching unit BDU onto the substrate P (on the irradiated surface of the substrate P). .
  • the beams LBn (LB1 to LB6) projected onto the substrate P become the spot light SP.
  • the spot light SP of the beam LBn (LB1 to LB6) projected on the substrate P is scanned in the main scanning direction (Y direction) by the rotation of the polygon mirror PM of each scanning unit Un (U1 to U6).
  • the drawing line SLn indicates a scanning locus on the substrate P of the spot light SP of the beam LBn.
  • the scanning unit U1 scans the spot light SP along the drawing line SL1, and similarly, the scanning units U2 to U6 scan the spot light SP along the drawing lines SL2 to SL6.
  • the drawing lines SLn (SL1 to SL6) of the plurality of scanning units Un (U1 to U6) are arranged in two rows in the circumferential direction of the rotary drum DR with the center plane Poc (see FIG. 1) in between. Arranged in a staggered arrangement.
  • the odd-numbered drawing lines SL1, SL3, and SL5 are located on the irradiated surface of the substrate P on the upstream side ( ⁇ X direction side) in the transport direction of the substrate P with respect to the center plane Poc and along the Y direction.
  • the even-numbered drawing lines SL2, SL4, SL6 are located on the irradiated surface of the substrate P on the downstream side (+ X direction side) in the transport direction of the substrate P with respect to the center plane Poc, and along the Y direction. They are arranged in a row at a predetermined interval.
  • the plurality of scanning units Un are also arranged in a staggered arrangement in two rows in the transport direction of the substrate P across the center plane Poc. That is, the odd-numbered scanning units U1, U3, and U5 are separated by a predetermined distance along the Y direction on the upstream side ( ⁇ X direction side) in the transport direction of the substrate P with respect to the center plane Poc. Arranged in columns.
  • the even-numbered scanning units U2, U4, U6 are arranged in a line at a predetermined interval along the Y direction on the downstream side (+ X direction side) in the transport direction of the substrate P with respect to the center plane Poc. Yes.
  • the odd-numbered scanning units U1, U3, and U5 and the even-numbered scanning units U2, U4, and U6 are provided symmetrically with respect to the center plane Poc when viewed from the XZ plane.
  • the odd-numbered drawing lines SL1, SL3, SL5 and the even-numbered drawing lines SL2, SL4, SL6 are separated from each other, but the Y direction (the width direction of the substrate P).
  • the main scanning direction) is set to be joined without being separated from each other.
  • the drawing lines SL1 to SL6 are substantially parallel to the width direction of the substrate P, that is, the central axis AXo of the rotary drum DR.
  • joining the drawing lines SLn in the Y direction means that the ends of the drawing lines SLn are adjacent to each other or partially overlap in the Y direction.
  • the length of each drawing line SLn may be overlapped within a range of several percent or less in the Y direction including the drawing start point or the drawing end point. .
  • each scanning unit Un (U1 to U6) shares the scanning area so that the plurality of scanning units Un (U1 to U6) cover all of the exposure area in the width direction. Accordingly, each scanning unit Un (U1 to U6) can draw a pattern for each of a plurality of regions (drawing ranges) divided in the width direction of the substrate P. For example, if the scanning length in the Y direction (the length of the drawing line SLn) by one scanning unit Un is about 20 to 60 mm, the odd numbered scanning units U1, U3, U5 and the even numbered scanning unit U2 , U4, and U6, a total of six scanning units Un in the Y direction, the width in the Y direction that can be drawn is increased to about 120 to 360 mm.
  • each drawing line SLn (SL1 to SL6) (length of the drawing range) is the same. That is, the scanning distance of the spot light SP of the beam LBn scanned along each of the drawing lines SL1 to SL6 is basically the same.
  • the spot light SP projected on the drawing line SLn during the main scanning is the oscillation frequency Fa (for example, the beam LB) , 400 MHz). Therefore, it is necessary to overlap the spot light SP projected by one pulse light of the beam LB and the spot light SP projected by the next one pulse light in the main scanning direction.
  • the amount of overlap is set by the size ⁇ of the spot light SP, the scanning speed (main scanning speed) Vs of the spot light SP, and the oscillation frequency Fa of the beam LB.
  • the effective size (diameter) ⁇ of the spot light SP is 1 / e 2 (or 1/2) of the peak intensity of the spot light SP when the intensity distribution of the spot light SP is approximated by a Gaussian distribution. Determined by width dimension.
  • the scanning speed Vs of the spot light SP (the rotation of the polygon mirror PM) so that the spot light SP overlaps by about ⁇ ⁇ 1 ⁇ 2 with respect to the effective size (dimension) ⁇ .
  • Speed and oscillation frequency Fa are set. Therefore, the projection interval along the main scanning direction of the pulsed spot light SP is ⁇ / 2.
  • the substrate P is effective for the spot light SP between one scanning of the spot light SP along the drawing line SLn and the next scanning. It is desirable to set so as to move by a distance of about 1 ⁇ 2 of a large size ⁇ . Further, when drawing lines SLn adjacent in the Y direction are continued in the main scanning direction, it is desirable to overlap by ⁇ / 2. In the first embodiment, the size (dimension) ⁇ of the spot light SP is about 3 ⁇ m.
  • Each scanning unit Un (U1 to U6) irradiates each beam LBn toward the substrate P so that each beam LBn travels toward the central axis AXo of the rotating drum DR at least in the XZ plane.
  • the optical path (beam central axis) of the beam LBn traveling from each scanning unit Un (U1 to U6) toward the substrate P becomes parallel to the normal line of the irradiated surface of the substrate P in the XZ plane.
  • the traveling direction of the beam LB projected from the odd-numbered scanning units U1, U3, U5 toward the substrate P (the direction connecting the drawing lines SL1, SL3, SL5 and the central axis AXo) and the center
  • the traveling direction of the beam LB projected from the even-numbered scanning units U2, U4, U6 toward the substrate P (the drawing lines SL2, SL4, SL6 and the central axis AXo are connected).
  • the angle between the direction) and the center plane Poc is + ⁇ 1.
  • each scanning unit Un (U1 to U6) is configured such that the beam LBn irradiated to the drawing line SLn (SL1 to SL6) is perpendicular to the irradiated surface of the substrate P in a plane parallel to the YZ plane.
  • the beam LBn is irradiated toward the substrate P. That is, the beam LBn (LB1 to LB6) projected onto the substrate P is scanned in a telecentric state with respect to the main scanning direction of the spot light SP on the irradiated surface.
  • the beam switching unit BDU includes a selection optical element AOMn (AOM1 to AOM6) as a plurality of switching elements, a plurality of reflection mirrors M1 to M12, a plurality of incident mirrors IMn (IM1 to IM6), and an absorber TR.
  • AOMn AOM1 to AOM6
  • the selection optical elements AOMn are transparent to the beam LB, and are acousto-optic modulators (AOMs) driven by ultrasonic signals.
  • the plurality of optical elements for selection AOMn (AOM1 to AOM6) and the plurality of incident mirrors IMn (IM1 to IM6) are provided corresponding to the plurality of scanning units Un (U1 to U6).
  • the selection optical element AOM1 and the incident mirror IM1 are provided corresponding to the scanning unit U1
  • the selection optical element AOM2 to AOM6 and the incident mirror IM2 to IM6 correspond to the scanning units U2 to U6. Is provided.
  • the beam LB from the light source device 14 is guided by the reflecting mirrors M1 to M12 so that its optical path is bent into a curved shape and is guided to the absorber TR.
  • the case where all of the selection optical elements AOMn (AOM1 to AOM6) are in an off state (a state where no ultrasonic signal is applied) will be described in detail.
  • a plurality of lenses are provided in the beam optical path from the reflection mirror M1 to the absorber TR, and the beam LB is converged from the parallel light flux, or the beam LB that diverges after convergence is parallel. Return to luminous flux.
  • the configuration will be described later with reference to FIG.
  • the beam LB from the light source device 14 travels in the ⁇ X direction parallel to the X axis and enters the reflection mirror M1.
  • the beam LB reflected in the ⁇ Y direction by the reflection mirror M1 enters the reflection mirror M2.
  • the beam LB reflected in the + X direction by the reflection mirror M2 passes straight through the selection optical element AOM5 and reaches the reflection mirror M3.
  • the beam LB reflected in the ⁇ Y direction by the reflection mirror M3 enters the reflection mirror M4.
  • the beam LB reflected in the ⁇ X direction by the reflection mirror M4 passes straight through the selection optical element AOM6 and reaches the reflection mirror M5.
  • the beam LB reflected in the ⁇ Y direction by the reflection mirror M5 enters the reflection mirror M6.
  • the beam LB reflected in the + X direction by the reflection mirror M6 passes straight through the selection optical element AOM3 and reaches the reflection mirror M7.
  • the beam LB reflected by the reflecting mirror M7 in the ⁇ Y direction is incident on the reflecting mirror M8.
  • the beam LB reflected in the ⁇ X direction by the reflection mirror M8 passes straight through the selection optical element AOM4 and reaches the reflection mirror M9.
  • the beam LB reflected in the ⁇ Y direction by the reflection mirror M9 enters the reflection mirror M10.
  • the beam LB reflected in the + X direction by the reflection mirror M10 passes straight through the selection optical element AOM1 and reaches the reflection mirror M11.
  • the beam LB reflected by the reflection mirror M11 in the ⁇ Y direction is incident on the reflection mirror M12.
  • the beam LB reflected by the reflecting mirror M12 in the ⁇ X direction passes straight through the selection optical element AOM2 and is guided to the absorber TR.
  • the absorber TR is an optical trap that absorbs the beam LB in order to suppress leakage of the beam LB to the outside.
  • Each selection optical element AOMn emits a first-order diffracted light obtained by diffracting an incident beam (0th-order light) LB at a diffraction angle corresponding to a high-frequency frequency when an ultrasonic signal (high-frequency signal) is applied. It is generated as (beam LBn). Therefore, the beam emitted as the first-order diffracted light from the selection optical element AOM1 becomes LB1, and similarly, the beams emitted as the first-order diffracted light from the selection optical elements AOM2 to AOM6 become LB2 to LB6. As described above, each of the selection optical elements AOMn (AOM1 to AOM6) has a function of deflecting the optical path of the beam LB from the light source device 14.
  • the generation efficiency of the first-order diffracted light is about 80% of the zero-order light, so that the beams LBn (LB1 to LB1) deflected by the respective selection optical elements AOMn (AOM1 to AOM6) LB6) is lower than the intensity of the original beam LB. Further, when any one of the optical elements for selection AOMn (AOM1 to AOM6) is in the on state, about 20% of 0th-order light that travels straight without being diffracted remains, but it is finally absorbed by the absorber TR. .
  • Each of the plurality of selection optical elements AOMn (AOM1 to AOM6) is installed so as to deflect the deflected first-order diffracted beam LBn (LB1 to LB6) in the ⁇ Z direction with respect to the incident beam LB.
  • the Beams LBn (LB1 to LB6) deflected and emitted from each of the selection optical elements AOMn (AOM1 to AOM6) are provided at positions separated from each of the selection optical elements AOMn (AOM1 to AOM6) by a predetermined distance.
  • the light is projected onto the incident mirror IMn (IM1 to IM6).
  • Each incident mirror IMn (IM1 to IM6) reflects the incident beam LBn (LB1 to LB6) in the ⁇ Z direction, thereby guiding the beam LBn (LB1 to LB6) to the corresponding scanning unit Un (U1 to U6).
  • Each of the incident mirrors IMn is also referred to as an epi-illumination mirror because each of the beams LBn is incident on the ⁇ Z direction.
  • the same configuration, function, action, etc. of the optical elements for selection AOMn may be used.
  • the plurality of selection optical elements AOMn (AOM1 to AOM6) turn on / off generation of diffracted light obtained by diffracting the incident beam LB in accordance with on / off of a drive signal (high frequency signal) from the control device 18.
  • the selection optical element AOM5 transmits the incident beam LB from the light source device 14 without being diffracted when the drive signal (high frequency signal) from the control device 18 is not applied and is in the off state. Accordingly, the beam LB transmitted through the selection optical element AOM5 enters the reflection mirror M3.
  • the selection optical element AOM5 diffracts the incident beam LB toward the incident mirror IM5 when the drive signal (high-frequency signal) from the control device 18 is applied and turned on. That is, the selection optical element AOM6 is switched by this drive signal. In this way, by switching each optical element AOMn for selection, the beam LBn can be guided to any one scanning unit Un, and the scanning unit Un on which the beam LBn is incident can be switched.
  • the control device 18 shown in FIG. 1 controls on / off of the pulsed beam LB emitted from the light source device 14 in units of one pulse based on pattern data (drawing data) corresponding to a pattern to be drawn.
  • pattern data drawing data
  • the above-mentioned International Publication No. 2015/166910 pamphlet also relates to a configuration in which the pulsed beam LB from the light source device 14 is turned on / off (modulated) based on pattern data. Is disclosed.
  • the pattern data will be briefly described.
  • Pattern data (drawing data, design information) is provided for each scanning unit Un, and a pattern drawn by each scanning unit Un is divided by pixels having dimensions set in accordance with the size of the spot light SP, and a plurality of patterns are drawn.
  • Each pixel is represented by logical information (pixel data) corresponding to a pattern to be drawn. That is, the pattern data is two-dimensional so that the direction along the main scanning direction (Y direction) of the spot light SP is the row direction and the direction along the sub-scanning direction (X direction) of the substrate P is the column direction.
  • This is bitmap data composed of logical information of a plurality of pixels decomposed into two. The logical information of this pixel is 1-bit data of “0” or “1”.
  • the logical information of “0” means that the intensity of the spot light SP irradiated on the substrate P is set to a low level (non-drawing), and the logical information of “1” is the spot light SP irradiated on the substrate P. This means that the intensity is set to a high level (drawing).
  • the logical information of the pixels for one column of the pattern data corresponds to one drawing line SLn (SL1 to SL6). Therefore, the number of pixels for one column is determined according to the size of the pixel on the irradiated surface of the substrate P and the length of the drawing line SLn.
  • the size Pxy of one pixel is set to be equal to or larger than the size ⁇ of the spot light SP. For example, when the effective size ⁇ of the spot light SP is 3 ⁇ m, the size Pxy of one pixel is It is set to about 3 ⁇ m square or more.
  • the intensity of the spot light SP projected onto the substrate P along one drawing line SLn (SL1 to SL6) is modulated according to the logical information of the pixels for one column.
  • the pulsed seed light (light emission frequency Fa) in the infrared wavelength region incident on the fiber amplifier is controlled by the control device.
  • high speed is applied to either one of the pulse light with high peak intensity and sharpness, or the pulse light with low peak intensity and low speed.
  • the selection optical element AOMn has higher diffraction efficiency and response when the diameter of the beam LB incident on the selection optical element AOMn is reduced. Therefore, when the beam LB incident on the selection optical element AOMn is a parallel light beam, a beam shaping optical system is provided so that the diameter of the beam LB incident on the selection optical element AOMn is reduced in the state of the parallel light beam. Also good.
  • the diameter of the beam LB emitted from the light source device 14 is a parallel light beam of 1 mm or less, it can be passed through the selection optical element AOMn as it is.
  • the light source device 14 and the beam switching unit BDU constitute a beam supply unit (beam generation device) that supplies the drawing beam LBn to each of the scanning units Un.
  • the beam supply unit for the scanning unit U5 in FIG. 2 includes a light source device 14, mirrors M1, M2, a selection optical element AOM5, and an incident mirror IM5, and a beam supply unit for the scanning unit U6. Includes a light source device 14, mirrors M1 to M4, selection optical elements AOM5 and AOM6, and an incident mirror IM6.
  • the beam supply unit for the scanning unit U3 includes the light source device 14, mirrors M1 to M6, and the selection optical element AOM5.
  • AOM6, AOM3, and an incident mirror IM3 and a beam supply unit for the scanning unit U4 includes a light source device 14, mirrors M1 to M8, optical elements for selection AOM5, AOM6, AOM3, AOM4, and an incident mirror IM4.
  • the beam supply unit for the scanning unit U1 The light source device 14, mirrors M1 to M10, selection optical elements AOM5, AOM6, AOM3, AOM4, AOM1, and an incident mirror IM1, and the beam supply unit for the scanning unit U2 are the light source device 14, mirrors M1 to M12, selection optical elements AOM5, AOM6, AOM3, AOM4, AOM1, AOM2, and an incident mirror IM2.
  • the scanning unit U1 includes at least reflection mirrors M20 to M24, a polygon mirror PM, and an f ⁇ lens system FT.
  • the first cylindrical lens CY1 is disposed in front of the polygon mirror PM as viewed from the traveling direction of the beam LB1, and the second cylindrical lens CY2 is provided after the f ⁇ lens system FT. ing.
  • the first cylindrical lens CY1 and the second cylindrical lens CY2 will be described in detail later with reference to FIG.
  • the beam LB1 reflected in the ⁇ Z direction by the incident mirror IM1 enters the reflection mirror M20, and the beam LB1 reflected by the reflection mirror M20 advances in the ⁇ X direction and enters the reflection mirror M21.
  • the beam LB1 reflected in the ⁇ Z direction by the reflection mirror M21 enters the reflection mirror M22, and the beam LB1 reflected by the reflection mirror M22 advances in the + X direction and enters the reflection mirror M23.
  • the reflection mirror M23 reflects the incident beam LB1 toward the reflection surface RP of the polygon mirror PM.
  • the polygon mirror PM reflects the incident beam LB1 toward the + ⁇ direction toward the f ⁇ lens system FT.
  • the polygon mirror PM deflects (reflects) the incident beam LB1 one-dimensionally in a plane parallel to the XY plane in order to scan the spot light SP of the beam LB1 on the irradiated surface of the substrate P.
  • the polygon mirror (rotating polygonal mirror, movable deflecting member) PM includes a rotation axis AXp extending in the Z-axis direction and a plurality of reflecting surfaces RP (this first embodiment) formed around the rotation axis AXp. In this embodiment, the number of reflection surfaces RP is Np.
  • the reflection angle of the pulsed beam LB1 irradiated on the reflection surface RP can be continuously changed.
  • the beam LB1 is deflected by one reflecting surface RP, and the spot light SP of the beam LB1 irradiated on the irradiated surface of the substrate P is scanned along the main scanning direction (the width direction of the substrate P, the Y direction). can do. That is, the spot light SP of the beam LB1 can be scanned along the main scanning direction by using one reflecting surface RP.
  • the number of drawing lines SL1 in which the spot light SP is scanned on the irradiated surface of the substrate P by one rotation of the polygon mirror PM is eight, which is the same as the number of the reflecting surfaces RP.
  • the polygon mirror PM rotates accurately at a speed commanded by a rotation drive source (not shown) (for example, a digital motor) under the control of the control device 18.
  • the f ⁇ lens system (scanning lens, scanning optical system) FT is a telecentric scanning lens that projects the beam LB1 reflected by the polygon mirror PM onto the reflecting mirror M24.
  • the beam LB1 transmitted through the f ⁇ lens system FT is projected onto the substrate P as the spot light SP through the reflection mirror M24.
  • the reflection mirror M24 reflects the beam LB1 toward the substrate P so that the beam LB1 travels toward the central axis AXo of the rotary drum DR with respect to the XZ plane.
  • the incident angle ⁇ of the beam LB1 to the f ⁇ lens system FT varies depending on the rotation angle ( ⁇ / 2) of the polygon mirror PM.
  • the f ⁇ lens system FT projects the beam LB1 to the image height position on the irradiated surface of the substrate P in proportion to the incident angle ⁇ through the reflection mirror M24.
  • a surface (parallel to the XY plane) on which the beam LB1 incident on the f ⁇ lens system FT is deflected in one dimension by the polygon mirror PM is a surface including the optical axis AXf of the f ⁇ lens system FT.
  • FIG. 3 is a diagram showing a specific configuration around the optical element for selection AOMn and the incident mirror IMn. Since the configuration around the selection optical element AOMn and the incident mirror IMn is the same, only the configuration around the selection optical element AOM1 and the incident mirror IM1 will be described here as a representative.
  • the selection optical element AOM1 passes through the selection optical element AOM4 and the reflection mirrors M9 and M10 in the previous stage, and is parallel to a minute diameter (first diameter) of, for example, 1 mm or less.
  • the beam LB made into a light beam enters.
  • the selection optical element AOM1 transmits the incident beam LB without being diffracted.
  • the transmitted beam LB passes through the condensing lens G1 and the collimating lens G2a provided on the optical path along the optical axis AXa, and enters the selection optical element AOM2 at the subsequent stage.
  • the central axis of the beam LB passing through the selection optical element AOM1 and passing through the condenser lens G1 and the collimator lens G2a passes on the optical axis AXa.
  • the condensing lens G1 condenses the beam LB (parallel light beam) that has passed through the selection optical element AOM1 so as to be a beam waist at the position of the surface p1 located between the condensing lens G1 and the collimating lens G2a.
  • the collimating lens G2a converts the diverged beam LB into a parallel light beam after being condensed by the condenser lens G1.
  • the diameter of the beam LB converted into a parallel light beam by the collimating lens G2a is the first diameter.
  • the rear focal point of the condensing lens G1 and the front focal point of the collimating lens G2a coincide within a predetermined allowable range, and the front focal point of the condensing lens G1 corresponds to the diffraction point in the selection optical element AOM1 and a predetermined allowable value. Matches within range.
  • the condensing lens G1 and the collimating lens G2a constitute a relay lens system.
  • the selection optical element AOM1 generates a beam LB1 (diffracted light) obtained by diffracting the incident beam LB.
  • a beam LB1 (parallel light beam) deflected in the ⁇ Z direction with a diffraction angle corresponding to the frequency of the high-frequency signal passes through the condenser lens G1 and enters the incident mirror IM6 provided on the surface p1.
  • the condenser lens G1 refracts the beam LB1 so that the central axis AXb of the beam LB1 deflected in the ⁇ Z direction is parallel to the optical axis AXa through which the beam LB passes, and the beam LB1 is reflected on the reflection surface of the incident mirror IM1.
  • the light is condensed (converged) so that a beam waist is formed in the vicinity thereof.
  • the beam LB1 is reflected in the ⁇ Z direction by the incident mirror IM6 provided on the ⁇ Z direction side with respect to the optical path of the beam LB that has passed through the selection optical element AOM1, and is incident on the scanning unit U1 via the collimator lens G2b. .
  • the collimating lens G2b turns the beam LB1 converged / diverged by the condenser lens G1 into a parallel light beam coaxial with the optical axis of the collimating lens G2b.
  • the diameter of the beam LB1 collimated by the collimating lens G2b is the first diameter.
  • the rear focal point of the condenser lens G1 and the front focal point of the collimating lens G2b coincide with each other within a predetermined allowable range.
  • the condensing lens G1 and the collimating lens G2b constitute a relay lens system.
  • the condensing lens G1 and the collimating lenses G2a and G2b in FIG. 3 are also arranged in the optical path after each of the other optical elements for selection AOM2 to AOM6 shown in FIG. 2 under the same conditions as in FIG.
  • the condensing lens G1 and the collimating lenses G2a and G2b in FIG. 3 are also arranged in the optical path after each of the other optical
  • the optical axis of the f ⁇ lens system FT is illustrated in parallel with the XY plane, so that the central axis (principal ray) of the beam LB1 projected from the scanning unit U1 onto the substrate P rotates.
  • the reflection plane of the reflection mirror M24 at the front end is inclined at an angle other than 45 degrees with respect to the XY plane so as to face the central axis AXo of the drum DR.
  • the optical axis of the f ⁇ lens system FT is 90 by the reflection mirror M24. It is good also as a structure bent at a time.
  • FIG. 4 is a diagram showing a specific configuration of the scanning unit U1, as viewed from a plane (XZ plane) orthogonal to a plane (plane parallel to the XY plane) including the scanning direction (deflection direction) of the beam LB1. is there.
  • XZ plane plane orthogonal to a plane (plane parallel to the XY plane) including the scanning direction (deflection direction) of the beam LB1.
  • FIG. 4 it is assumed that the optical axis AXf of the f ⁇ lens system FT is arranged parallel to the XY plane, and the reflection mirror M24 at the tip is arranged so that the optical axis AXf is bent at 90 degrees.
  • a reflection mirror M20 In the scanning unit U1, along the light transmission path of the beam LB1 from the incident position of the beam LB1 to the irradiated surface (substrate P), a reflection mirror M20, a beam expander BE, a variable flat plate HVP with a variable tilt angle, and an aperture stop PA , A reflection mirror M21, a first cylindrical lens CY1, a spherical lens G10a, a reflection mirror M22, a spherical lens G10b, a reflection mirror M23, a polygon mirror PM, an f ⁇ lens system FT, a reflection mirror M24, and a second cylindrical lens CY2.
  • the parallel beam LB1 reflected in the ⁇ Z direction by the incident mirror IM1 shown in FIG. 3 is incident on the reflecting mirror M20 inclined by 45 degrees with respect to the XY plane.
  • the reflection mirror M20 reflects the incident beam LB1 in the ⁇ X direction toward the reflection mirror M21 that is separated from the reflection mirror M20 in the ⁇ X direction.
  • the beam LB1 reflected by the reflection mirror M20 passes through the beam expander BE and the aperture stop PA and enters the reflection mirror M21.
  • the beam expander BE expands the diameter of the transmitted beam LB1.
  • the beam expander BE includes a condensing lens Be1 and a collimating lens Be2 that makes the beam LB1 diverged after being converged by the condensing lens Be1 into a parallel light beam.
  • This beam expander BE makes it easy to irradiate the aperture portion of the aperture stop PA with the beam LB6.
  • a quartz parallel plate HVP between which the inclination angle with respect to the beam LBn can be changed in a plane parallel to the XZ plane by a drive motor (not shown) is provided between the condensing lens Be1 and the collimating lens Be2. Is arranged as.
  • the drawing line SLn which is the scanning locus of the spot light SP scanned on the substrate P, is slightly changed in the sub-scanning direction (for example, the effective diameter ⁇ of the spot light SP). It can be shifted by several times to several ten times. This function will be described in detail later.
  • the reflection mirror M21 is disposed with an inclination of 45 degrees with respect to the YZ plane, and reflects the incident beam LB1 in the ⁇ Z direction toward the reflection mirror M22 that is separated from the reflection mirror M21 in the ⁇ Z direction.
  • the beam LB1 reflected in the ⁇ Z direction by the reflection mirror M21 passes through the first cylindrical lens CY1 (first optical member) and the spherical lens G10a, and then reaches the reflection mirror M22.
  • the reflection mirror M22 is disposed with an inclination of 45 degrees with respect to the XY plane, and reflects the incident beam LB1 toward the reflection mirror M23 in the + X direction.
  • the beam LB1 reflected by the reflection mirror M22 enters the reflection mirror M23 via the spherical lens G10b.
  • the reflecting mirror M23 bends the incident beam LB1 in a plane parallel to the XY plane toward the polygon mirror (rotating polygonal mirror, movable deflecting member) PM.
  • One reflecting surface RP of the polygon mirror PM reflects the incident beam LB1 in the + X direction toward the f ⁇ lens system FT having the optical axis AXf extending in the X-axis direction.
  • the spherical lens G10a and the spherical lens G10b constitute a lens system (third optical member) G10.
  • the spherical lenses G10a and G10b have isotropic refractive power.
  • the plano-convex first cylindrical lens CY1 formed of a single lens is a lens having a refractive power in one direction and has an anisotropic refractive power.
  • FIG. 5 is a schematic view of the optical path of the beam LB from the aperture stop PA to the substrate P developed on the XY plane and viewed from a plane parallel to the plane including the deflection direction (main scanning direction) of the beam LB.
  • the first cylindrical lens CY1 is incident on the deflection direction of the beam LB1 by the polygon mirror PM (the main scanning direction and the rotation direction in the plane perpendicular to the rotation axis AXp of the polygon mirror PM).
  • the beam LB1 is focused (converged) one-dimensionally so as to be a beam waist on the surface p2 positioned in front of the polygon mirror PM.
  • a condensing position (position of the surface p2) in front of the polygon mirror PM is set as a first position.
  • This first position is a position in front of the lens system G10 (spherical lenses G10a and 10b).
  • the first cylindrical lens CY1 does not collect the incident beam LB1 as a parallel light beam as it is in the direction (sub scanning direction) orthogonal to the deflection direction (main scanning direction) of the beam LB1 by the polygon mirror PM. Transmits (see FIG. 4).
  • the first cylindrical lens CY1 is configured so that the beam LB1 transmitted through the first cylindrical lens CY1 is not condensed in a direction (sub-scanning direction) orthogonal to the deflection direction of the polygon mirror PM.
  • a bus line extending in a direction parallel to the direction (sub-scanning direction).
  • the lens system G10 (spherical lenses G10a and G10b), with respect to the deflection direction (main scanning direction and rotation direction) of the beam LB1 by the polygon mirror PM, the beam LB1 which is diverged after being condensed by the first cylindrical lens CY1.
  • a parallel light beam is used (see FIG. 5).
  • the lens system G10 (spherical lenses G10a and G10b) generates a parallel light beam LB1 transmitted through the first cylindrical lens CY1 in a direction (sub-scanning direction) orthogonal to the deflection direction of the beam LB1 of the polygon mirror PM.
  • the light is condensed (converged) on the reflection surface RP of the polygon mirror PM (see FIG. 4).
  • the beam LB1 projected on the polygon mirror PM is converged in a slit shape (ellipse shape) extending in a plane parallel to the XY plane on the reflection surface RP.
  • a slit shape ellipse shape
  • the reflection surface RP is inclined with respect to the Z direction by the first cylindrical lens CY1 and the lens system G10 and the second cylindrical lens CY2 described later (inclination of the reflection surface RP with respect to the normal line of the XY plane). ), The influence can be suppressed.
  • the irradiation position of the beam LB1 (drawing line SL1) irradiated on the irradiated surface of the substrate P is shifted in the X direction due to a slight tilt error (surface tilt) for each reflecting surface RP of the polygon mirror PM.
  • a slight tilt error surface tilt
  • the beam LB1 reflected by the reflecting surface RP is incident on the f ⁇ lens system FT as a substantially parallel light beam with respect to the deflection direction (main scanning direction, rotation direction) of the beam LB1 by the polygon mirror PM.
  • the light diverges at a predetermined numerical aperture (NA) and enters the f ⁇ lens system FT.
  • NA numerical aperture
  • the rear focal point corresponding to the refractive power of the first cylindrical lens CY1 in the deflection direction of the polygon mirror PM (the main scanning direction of the spot light SP) and the front focal point of the lens system G10 are within a predetermined allowable range. It is set to match at p2.
  • the rear focal point of the lens system G10 and the front focal point of the f ⁇ lens system FT are set to coincide with each other at the deflection position (on the reflection surface RP) of the polygon mirror PM within a predetermined allowable range.
  • the f ⁇ lens system FT With respect to the deflection direction (main scanning direction, rotation direction) of the beam LB1 by the polygon mirror PM, the f ⁇ lens system FT generates a substantially parallel light beam LB1 reflected by the reflecting surface RP on the substrate P as shown in FIG. Allow to converge. Further, as shown in FIG. 4, the f ⁇ lens system FT substantially irradiates the beam LB1 reflected and diverged by the reflecting surface RP in the direction (sub-scanning direction) orthogonal to the deflection direction of the beam LB1 of the polygon mirror PM. And projecting toward the second cylindrical lens CY2.
  • a plano-convex second cylindrical lens (second optical member) CY2 formed of a single lens has a bus in a direction parallel to the Y direction (main scanning direction), and has power in one direction (sub scanning direction).
  • This lens has an anisotropic refractive power.
  • the second cylindrical lens CY2 transmits the incident beam LB1 as it is with respect to the deflection direction (main scanning direction, rotation direction) of the beam LB1 by the polygon mirror PM. Therefore, as shown in FIG. 5, the beam LB1 that has passed through the second cylindrical lens CY2 is refracted by the refractive power of the f ⁇ lens system FT in the deflection direction (main scanning direction, rotation direction) of the beam LB1 by the polygon mirror PM.
  • the second cylindrical lens CY2 has a beam of a substantially parallel light beam incident thereon in the direction (sub-scanning direction) orthogonal to the deflection direction (main scanning direction) of the beam LB1 by the polygon mirror PM.
  • LB1 is condensed (converged) on the substrate P so as to be a beam waist. Therefore, the beam LB1 projected onto the substrate P becomes a substantially circular spot light SP (for example, a diameter of 3 ⁇ m) on the substrate P.
  • the first cylindrical lens CY1 and the second cylindrical lens CY2 are arranged so that the buses are orthogonal to each other so as to have power (refractive power) in directions orthogonal to each other.
  • the first cylindrical lens CY1 converges the beam LBn one-dimensionally with respect to the main scanning direction on the front surface p2 of the lens system G10, and then the beam LBn with respect to the sub-scanning direction on the reflection surface RP of the polygon mirror PM.
  • the second cylindrical lens CY2 functions so as to converge the beam LBn after the f ⁇ lens system FT in one dimension with respect to the sub-scanning direction.
  • the deflection direction of the beam LBn by the polygon mirror PM (by the lens system G10) It is possible to satisfactorily correct the spherical aberration of the beam LBn in both the main scanning direction) and the sub-scanning direction orthogonal to the main scanning direction. Therefore, it is possible to suppress the deterioration of the imaging performance on the substrate P.
  • the drawing line SLn is shaken in the X direction (sub-scanning direction) due to a slight tilt error (surface tilt) for each reflection surface RP of the polygon mirror PM.
  • Suppression i.e., surface tilt correction, is performed in the same manner as in the prior art.
  • the condensing position (best focus position) of the spot light SP of the beam LBn projected on the substrate P is a predetermined allowable value in the main scanning direction (deflection direction) and the sub-scanning direction orthogonal to the main scanning direction. It is assumed that it is optically designed to match within the range. Further, the numerical aperture NA y in the main scanning direction of the beam LBn (spot light SP) projected onto the substrate P and the numerical aperture NA x in the sub-scanning direction orthogonal to the main scanning direction are within a predetermined allowable range. Assume that they are designed to be equal.
  • the numerical aperture of the beam LBn projected onto the substrate P may be simply expressed by NA.
  • the spherical aberration of the beam LBn is such that, when the beam LBn is converged toward the designed best focus surface, an inclination angle (incident angle on the best focus surface) ⁇ with respect to the central axis (principal ray) of the beam LBn. It is expressed as a relative deviation in the focus direction at a position where each of different light rays is condensed.
  • a light beam having an inclination angle ⁇ with respect to a central axis (principal light beam) perpendicular to the best focus plane of the beam LBn is expressed as a numerical aperture NA ⁇ calculated by sin ⁇ .
  • the maximum numerical aperture NA of the beam LBn is generally determined by the wavelength ⁇ of the beam LBn, the effective diameter ⁇ of the spot light SP, and the focal length of the f ⁇ lens system FT.
  • the focal length of the first cylindrical lens CY1 is represented by f C1
  • the focal length of the second cylindrical lens CY2 is represented by f C2
  • the focal length of the lens system G10 is represented by f G
  • the focal length of the f ⁇ lens system FT is represented by f ⁇ .
  • the aperture stop diameter of the aperture stop PA is assumed to be ⁇ a.
  • the focal lengths f C1 , f C2 , f G , and f ⁇ have the relationship of the following formula (1).
  • a desired numerical aperture can be obtained by determining the aperture stop diameter ⁇ a based on the equation (2). Further, as the magnification of the beam expander BE is increased, the amount of light emitted by the aperture stop PA increases, so that the amount of light loss increases. On the other hand, the smaller the magnification of the beam expander BE, the smaller the effective numerical aperture on the image plane (on the substrate P), so the resolution (fineness of the diameter ⁇ of the spot light SP) decreases. For this reason, it is desirable to set an optimum magnification of the beam expander BE in consideration of the balance between the light amount and the resolution.
  • the spherical aberration S 1 in the main scanning direction (deflection direction) of the beam LBn, the beam a spherical aberration S 2 in the sub-scanning direction orthogonal to the main scanning direction of LBn is, so as to satisfy any one of the conditions in the formula shown in at least the following (3) to (6), the lens system G10 (spherical lens G10a, 10b) is set.
  • the optical system of the lens system G10 (spherical lenses G10a and 10b) is set so as to satisfy any one of the expressions (3) to (6). Specifications, optical specifications of the first cylindrical lens CY1 and the second cylindrical lens CY2 are set.
  • the focal lengths f C1 and f C2 have the relationship of the following formula (7).
  • the beam LBn projected onto the reflection surface RP of the polygon mirror PM by only the first cylindrical lens CY1 whose bus extension direction is parallel to the Y direction is a direction (mainly) on the reflection surface RP that is parallel to the XY plane.
  • the lens system G10 is not necessary because it is converged in a slit shape (long elliptical shape) extending in the scanning direction.
  • the surface tilt correction according to the first embodiment is compared with the surface tilt correction according to the conventional method. Since it is necessary to compare the two under the same conditions as much as possible, the specifications of the numerical aperture NA and the beam LBn incident on the scanning unit Un are the same.
  • the beam LBn is monochromatic light having a wavelength of 354.7 nm, and is a non-polarized Gaussian beam having an intensity of 1 / e 2 at a position of 0.25 mm from the optical axis center (beam center line).
  • the numerical aperture NA is the numerical aperture NA y in the plane (YZ plane) including the main scanning direction (deflection direction) and the numerical aperture in the plane (XZ plane) including the direction orthogonal to the main scanning direction (sub-scanning direction).
  • the same f ⁇ lens system FT and second cylindrical lens CY2 are employed in the first embodiment and the conventional system.
  • the f ⁇ lens system FT is a lens having ideal f- ⁇ characteristics in which no aberration occurs so that only the influence of spherical aberration generated in the first cylindrical lens CY1 and the second cylindrical lens CY2 can be evaluated.
  • FIG. 6 shows lens data according to an optical design example from the beam expander BE to the second cylindrical lens CY2 in Comparative Example 1.
  • FIG. 7 schematically shows the state of the beam LBn from the beam expander BE to the substrate (image plane) P in Comparative Example 1 in a plane parallel to the plane including the deflection direction of the beam LBn (scanning direction of the spot light SP).
  • FIG. FIG. 8 shows the state of the beam LBn from the beam expander BE to the reflecting surface RP of the polygon mirror PM shown in FIG.
  • FIG. 7 from a plane (surface including the sub-scanning direction) orthogonal to the deflection direction (main scanning direction) of the beam LBn.
  • FIG. FIG. 9 is a schematic view of the state of the beam LBn from the reflection surface RP of the polygon mirror PM shown in FIG. 7 to the substrate (image plane) P as seen from a plane orthogonal to the deflection direction (main scanning direction) of the beam LBn. .
  • FIG. 6 after the reflection by the polygon mirror PM, the positive and negative signs of the surface interval and the radius of curvature are reversed.
  • the optical members (the first cylindrical lens CY1 and the second cylindrical lens CY2, etc.) from the beam expander BE to the substrate P in Comparative Example 1 are arranged at a scale according to the numerical example of FIG. It is a figure which shows a mode.
  • a parallel light beam LBn (effective beam diameter ⁇ is 0.5 mm) incident on the scanning unit Un is converted into an expanded parallel light beam by a beam expander BE including five spherical lenses LG1 to LG5. After that, the light is shaped into a circular cross-section with a predetermined diameter by the aperture stop PA.
  • the aperture stop diameter ⁇ a of the aperture stop PA is set to 12 mm based on the above equation (8). Further, the magnification of the beam expander BE is set to 24 times so that the position where the intensity is 1 / e 2 on the axis is 6 mm which is the radius of the aperture stop diameter ⁇ a. At this time, the ratio of the light amount loss due to the aperture stop PA is about 13.5%.
  • a plano-convex first cylindrical lens CY1 composed of a single lens disposed behind the beam expander BE is configured to change the incident beam LBn in a direction orthogonal to the deflection direction (main scanning direction) of the beam LBn by the polygon mirror PM.
  • the light is condensed on the reflection surface RP of the polygon mirror PM (see FIG. 8).
  • the reflection surface RP of the polygon mirror PM is located at the rear focal point of the first cylindrical lens CY1.
  • the beam LBn transmitted through the first cylindrical lens CY1 remains parallel light (see FIG. 7). Therefore, the beam LBn projected on the polygon mirror PM is converged in a slit shape (ellipse shape) extending in the deflection direction on the reflection surface RP.
  • the beam LBn reflected by the reflecting surface RP of the polygon mirror PM is incident on the f ⁇ lens system FT having a focal length f ⁇ of 100 mm at an angle corresponding to the rotation angle of the polygon mirror PM.
  • the reflection surface RP of the polygon mirror PM is disposed so as to come to the position of the front focal point of the f ⁇ lens system FT. Therefore, in the f ⁇ lens system FT, with respect to the deflection direction (main scanning direction) of the beam LBn by the polygon mirror PM, the beam LBn reflected by the reflection surface RP of the polygon mirror PM is irradiated in the telecentric state ( The light is condensed on the image plane (see FIG. 7).
  • the f ⁇ lens system FT converts the beam LBn reflected and diverged from the reflecting surface RP of the polygon mirror PM into parallel light in the sub-scanning direction orthogonal to the deflection direction (main scanning direction) of the beam LBn by the polygon mirror PM. (See FIG. 9).
  • the beam LBn that has passed through the f ⁇ lens system FT is substrated in the sub-scanning direction of the beam LBn by the polygon mirror PM by the second cylindrical lens CY2 having a focal length f C2 of 14.5 mm arranged behind the f ⁇ lens system FT. It is condensed on the irradiated surface (image plane) of P (see FIG. 9).
  • the position of the second cylindrical lens CY2 is determined so that the condensing position of the beam LBn by the polygon mirror PM in the main scanning direction and the condensing position in the sub-scanning direction coincide within a predetermined allowable range with respect to the focus direction.
  • the condensing position is set to be the irradiated surface (image plane) of the substrate P.
  • the condensing position of the beam LBn is Aberrations that differ greatly between the main scanning direction and the sub-scanning direction occur. This is due to spherical aberration that occurs when the beam LBn converges as spot light.
  • 10 and 11 are diagrams for explaining the state of spherical aberration of the beam LBn toward the substrate P.
  • FIG. 10 shows the state of spherical aberration in the main scanning direction of the beam LBn
  • FIG. 11 shows sub-scanning of the beam LBn. It represents the state of spherical aberration with respect to direction.
  • the beam LBn becomes a parallel light flux having a certain thickness with respect to the main scanning direction and enters the f ⁇ lens system FT, and mainly on the principal ray (beam center line) Lpr by the f ⁇ lens system FT.
  • the light is condensed at a predetermined Z position (focus position).
  • the second cylindrical lens CY2 functions as a simple parallel plate.
  • the beam LBn includes a light beam LLb (incident angle is ⁇ b) smaller than the incident angle ⁇ a of the light beam LLa, a light beam LLc (incident angle is ⁇ c) smaller than the incident angle ⁇ b of the light beam LLb, and the like.
  • the condensing point by the light beam LLa at the incident angle ⁇ a is the focus position Zma in the Z-axis direction
  • the condensing point by the light beam LLc at the incident angle ⁇ c and the light beam LLc at the incident angle ⁇ c are all shifted in the Z-axis direction with respect to the focus position Zma. Such deviation is spherical aberration.
  • the beam LBn becomes a divergent light beam in the sub-scanning direction, enters the f ⁇ lens system FT, is converted into a parallel light beam by the f ⁇ lens system FT, and then is converted into the second cylindrical lens CY2.
  • the light is condensed at a predetermined Z position (focus position) on the principal ray (beam center line) Lpr.
  • the maximum numerical aperture NA x in the sub-scanning direction of the beam LBn emitted from the second cylindrical lens CY2 is set to be aligned with the maximum numerical aperture NA y in the main scanning direction.
  • the focus position Zsc at which the light beam LLc (incident angle ⁇ c) is smaller than the focus position Zsb and the incident angle ⁇ b is shifted in the Z-axis direction (focus direction) due to spherical aberration. 10 and 11, it has been described that spherical aberration is generated in the optical path from the f ⁇ lens system FT to the substrate P. However, the actual spherical aberration generated in the beam LBn reaching the substrate P is the light source device 14 in FIG. It is influenced by various optical members (lens, AOM, reflection mirror) through which the beam emitted from the beam passes.
  • the abscissa represents the focus position ( ⁇ m) with the designed best focus position as the zero point, and the ordinate represents the maximum incident angle ⁇ a (NAa of the light beam LLa corresponding to the maximum numerical aperture NA of the beam LBn.
  • Sin ⁇ a) represents an incident angle ⁇ normalized to 1.0 ( ⁇ max). Accordingly, in FIGS. 12 and 13, for example, an incident angle ⁇ of 0.5 means an angle that is half of the maximum incident angle ⁇ a.
  • a characteristic (A) indicated by a solid line in FIG. 12 is a spherical aberration characteristic in the main scanning direction of the beam LBn projected onto the substrate P
  • a characteristic (B) indicated by a broken line is the characteristic of the beam LBn projected onto the substrate P. It is a spherical aberration characteristic with respect to the sub-scanning direction.
  • a characteristic (C) shown in FIG. 13 represents a spherical aberration characteristic by a difference [(B)-(A)] between the characteristic (A) and the characteristic (B) in FIG. The best focus position is shifted according to the incident angle ⁇ of the beam LBn projected onto P, and a spherical aberration of several tens of ⁇ m is generated.
  • the characteristic (A) in FIG. 12 is a spherical aberration generated by the beam expander BE and the f ⁇ lens system FT
  • the characteristic (B) in FIG. 12 is the beam expander BE, the first cylindrical lens CY1, and the f ⁇ lens.
  • This is spherical aberration generated by the combining system of the system FT and the second cylindrical lens CY2. Therefore, the difference characteristic (C) between the characteristic (A) and the characteristic (B) mainly corresponds to the spherical aberration characteristic generated by the first cylindrical lens CY1 and the second cylindrical lens CY2.
  • Example 1 In Example 1, as described above, the extension direction of the bus line of the first cylindrical lens CY1 is the sub-scanning direction (X direction), and the extension direction of the bus line of the second cylindrical lens CY2 is the main scanning direction (Y direction).
  • a lens system G10 is provided between the first cylindrical lens CY1 and the polygon mirror PM.
  • FIG. 14 shows lens data for optical design from the beam expander BE to the second cylindrical lens CY2 in the first embodiment.
  • FIG. 15 shows the state of the beam LBn from the beam expander BE to the substrate (image plane) P in Example 1 in a plane parallel to the plane including the deflection direction of the beam LBn (scanning direction of the spot light SP).
  • FIG. 16 shows the state of the beam LBn from the beam expander BE shown in FIG. 15 to the reflecting surface RP of the polygon mirror PM in a plane orthogonal to the deflection direction (main scanning direction) of the beam LBn (in the plane including the sub scanning direction). ). 17 shows the beam LBn from the reflecting surface RP to the substrate (image plane) P of the polygon mirror PM shown in FIG. 15 in a plane (including the sub-scanning direction) orthogonal to the deflection direction (main scanning direction) of the beam LBn. It is the schematic seen in the inside. In FIG. 14, after the reflection by the polygon mirror PM, the positive and negative signs of the surface interval and the radius of curvature are reversed.
  • FIGS. 15 to 17 show the optical members (first cylindrical lens CY1 and second cylindrical lens CY2 etc.) from the beam expander BE to the substrate P in Example 1 on an actual scale according to the numerical example of FIG. The state of arrangement is shown.
  • a parallel light beam LBn (effective diameter 0.5 mm) incident on the scanning unit Un is expanded by a beam expander BE composed of four spherical lenses LGa to LGd, and then a predetermined light beam diameter by an aperture stop PA. To be shaped.
  • the aperture stop diameter ⁇ a of the aperture stop PA is set to 3.5 mm based on the above equation (2).
  • the magnification of the beam expander BE is such that the intensity of the light beam after being expanded by the beam expander BE is 1 / e 2 on the axis at a position of 1.75 mm which is the radius of the aperture stop diameter ⁇ a from the center. Is set to 7 times.
  • the magnification of the beam expander BE is smaller than that of the comparative example 1, the design of the beam expander BE is facilitated, and the spherical aberration generated in the beam expander BE can be reduced.
  • LBn is condensed on the rear focal plane p2 (first position) of the first cylindrical lens CY1 (see FIG. 15).
  • the position of the surface p2 is located between the first cylindrical lens CY1 and the lens system G10 disposed on the rear side of the first cylindrical lens CY1. Note that the beam LBn transmitted through the first cylindrical lens CY1 remains parallel light in the sub-scanning direction orthogonal to the deflection direction (main scanning direction) of the beam LBn by the polygon mirror PM (see FIG. 16).
  • the beam LBn transmitted through the lens system G10 is in the state of a parallel light beam in the main scanning direction of the beam LBn (see FIG. 15), and in the sub-scanning direction orthogonal to the main scanning direction of the beam LBn, The light is collected on the reflection surface RP (see FIG. 16).
  • the reflection surface RP of the polygon mirror PM is set so as to come to the position of the rear focal point of the lens system G10. Therefore, the beam LBn projected on the polygon mirror PM is converged in a slit shape (ellipse shape) extending in the deflection direction (main scanning direction) on the reflection surface RP.
  • the f ⁇ lens system FT is arranged so that the reflection surface RP of the polygon mirror PM is positioned at the front focal point of the f ⁇ lens system FT.
  • the beam LBn reflected by the reflecting surface RP of the polygon mirror PM is converted into a telecentric state (the principal ray Lpr of the beam LBn is The light is condensed on the irradiated surface (image surface) of the substrate P in a state that is always parallel to the optical axis AXf of the f ⁇ lens system FT (see FIG. 15).
  • the f ⁇ lens system FT converts the beam LBn reflected by the reflecting surface RP of the polygon mirror PM into a divergent light beam into a parallel light beam (see FIG. 17).
  • the position of the second cylindrical lens CY2 is determined so that the condensing position of the beam LBn by the polygon mirror PM in the main scanning direction and the condensing position in the sub-scanning direction coincide within a predetermined allowable range with respect to the focus direction.
  • the condensing position is set to be the irradiated surface (image plane) of the substrate P. 14 to 17 (and FIGS. 4 and 5), the beam expander BE, the aperture stop PA, the reflection mirror M21, the first cylindrical lens CY1, the reflection mirror M22, the lens system G10, and the reflection mirror M23.
  • the optical system includes a first optical element or a first lens having an anisotropic refractive power for converging the beam LBn projected on the polygon mirror PM (movable deflection member) in the sub-scanning direction orthogonal to the main scanning direction. It functions as a first adjustment optical system including a member (first cylindrical lens CY1). Further, in the configurations of FIGS. 14 to 17 (and FIGS.
  • the reflection mirror M24 and the second cylindrical lens CY2 after the f ⁇ lens system FT are separated from the f ⁇ lens system FT by the substrate P. It functions as a second adjustment optical system including a second optical element or a second lens member (second cylindrical lens CY2) having an anisotropic refractive power for converging the beam LBn toward the sub-scanning direction in the sub-scanning direction.
  • FIGS. 18 and 19 show the spherical aberration characteristics of the beam LBn that are simulated based on the lens data of the first embodiment shown in FIG. 14 with the maximum numerical aperture NAa of the beam LBn being 0.06. It represents the focus position ( ⁇ m) with the design best focus position as the zero point, and the vertical axis represents the standardized incident angle ⁇ as in FIGS.
  • a characteristic (A) indicated by a solid line in FIG. 18 is a spherical aberration characteristic in the main scanning direction of the beam LBn projected onto the substrate P
  • a characteristic (B) indicated by a broken line is a sub-scanning of the beam LBn projected onto the substrate P. It is a spherical aberration characteristic with respect to the direction.
  • a characteristic (C) shown in FIG. 19 represents a spherical aberration characteristic by a difference [(B) ⁇ (A)] between the characteristic (A) and the characteristic (B) in FIG.
  • the characteristic (A) in FIG. 18 is a spherical aberration generated by the combined system of the beam expander BE, the first cylindrical lens CY1, the lens system G10, and the f ⁇ lens system FT.
  • the characteristic (B) in FIG. ) Is a spherical aberration generated by the combined system of the beam expander BE, the lens system G10, the f ⁇ lens system FT, and the second cylindrical lens CY2. Therefore, the difference characteristic (C) between the characteristic (A) and the characteristic (B) mainly corresponds to the spherical aberration characteristic generated by the first cylindrical lens CY1 and the second cylindrical lens CY2.
  • the absolute value of the aberration amount is about one digit smaller than the spherical aberration characteristics (A) and (B) of Comparative Example 1 shown in FIG.
  • the characteristic (A) in FIG. 18 since the spherical aberration generated in the first cylindrical lens CY1 is corrected by the lens system G10, the incident angle ⁇ of the beam LBn projected onto the substrate P as the spot light SP. There is almost no deviation of the best focus position according to the above. This deviation, that is, spherical aberration, satisfies the conditions of the above-described equations (4) and (6).
  • reducing the spherical aberration of the beam projected on the substrate P corresponds to further reducing the minimum line width of the pattern that can be drawn (high resolution) on the substrate P. This is effective when the maximum numerical aperture NAa of the beam LBn is increased to 0.07 or more in order to reduce the effective diameter of the projected spot light SP.
  • the scanning unit Un in the first embodiment is unidirectional in order to scan the beam LBn one-dimensionally on the substrate P while projecting the beam LBn from the light source device 14 onto the substrate P.
  • the first cylindrical lens CY1 having power, the beam LBn transmitted through the first cylindrical lens CY1, and the polygon mirror PM deflected for one-dimensional scanning, and the beam LBn deflected by the polygon mirror PM are incident.
  • an f ⁇ lens system FT that projects the beam LBn onto the substrate P in a telecentric state, a beam LBn that has passed through the f ⁇ lens system FT, and a second cylindrical lens CY2 having power in one direction, and
  • the first cylindrical lens CY1 and the second cylindrical lens CY2 are passed through in a direction perpendicular to each other.
  • the lens system G10 for correcting aberration is disposed between the first cylindrical lens CY1 and the polygon mirror PM.
  • the first cylindrical lens CY1 condenses the incident beam LBn in front of the polygon mirror PM in the deflection direction of the polygon mirror PM, and the lens system G10 is condensed by the first cylindrical lens CY1 in the deflection direction.
  • the diverged beam LBn is converted into parallel light, and the incident beam LBn is condensed on the reflection surface RP of the polygon mirror PM in the sub-scanning direction orthogonal to the deflection direction.
  • the beam LBn projected on the polygon mirror PM can be converged in a slit shape (ellipse shape) extending in the deflection direction on the reflection surface RP.
  • the f ⁇ lens system FT condenses the incident beam LBn on the substrate P with respect to the deflection direction, and is condensed and diverged on the reflection surface RP by the lens system G10 with respect to the direction orthogonal to the deflection direction.
  • the subsequent beam LB is converted into parallel light, and the second cylindrical lens CY2 condenses the incident beam LBn on the substrate P in the direction orthogonal to the deflection direction.
  • each of the first cylindrical lens CY1 and the second cylindrical lens CY2 is constant in the sub-scanning direction. These are formed on a cylindrical surface having a radius of curvature, and the surface on the beam exit side is formed into a flat surface and is constituted by a lens.
  • each cylindrical surface of the first cylindrical lens CY1 and the second cylindrical lens CY2 may be a curved surface (aspherical surface in a cross-sectional shape perpendicular to the generatrix) obtained by smoothly connecting a plurality of surfaces having slightly different curvature radii. .
  • the wavelength ⁇ of the beam LBn (emitted beam of the light source device 14) incident on each of the scanning units Un is not limited to the ultraviolet wavelength of 354.7 nm set in Example 1 or Comparative Example 1, and other wavelengths (visible) Or light in the infrared region).
  • the lens system G10 is achromatic, a plurality of beams having different wavelengths are incident on the polygon mirror PM coaxially (or in parallel), and the surface of the substrate P is scanned with a plurality of spot lights SP having different wavelengths.
  • the beam LBn can be made into a wide wavelength band light whose intensity is distributed within a certain wavelength width with respect to the center wavelength by achromaticity of the lens system G10.
  • the beam LBn may have a polarization component instead of non-polarized light, and the intensity distribution in the beam cross section may be a uniform intensity distribution (substantially rectangular or trapezoidal distribution) instead of a Gaussian distribution.
  • the beam LBn is deflected using the polygon mirror PM.
  • the beam LBn may be deflected using a oscillating galvanometer mirror (movable deflecting member, oscillating reflecting mirror).
  • the galvanometer since the beam LBn reflected by the galvanometer mirror is projected onto the substrate P (irradiated surface) via the f ⁇ lens system FT, if correction due to the surface tilt of the reflecting surface of the galvanometer mirror is necessary, the galvanometer
  • the first cylindrical lens CY1 and the lens system G10 are similarly provided in front of the mirror, and the second cylindrical lens CY2 may be provided after the f ⁇ lens system FT.
  • the lens system G10 is composed of two spherical lenses G10a and G10b, but may be composed of a single lens or three or more lenses. Further, the spherical lenses G10a and G10b constituting the lens system G10 may be formed of aspherical lenses. Further, cylindrical lenses are used as the first optical member CY1 and the second optical member CY2, but if the refractive power in one direction is relatively large with respect to the refractive power in the direction orthogonal to the direction, Good. For example, a toric lens or an anamorphic lens may be employed as the first optical member CY1 and the second optical member CY2.
  • each of the first cylindrical lens CY1 and the second cylindrical lens CY2 is constituted by a single lens. This simplifies the manufacture and incorporation (adjustment) of the first cylindrical lens CY1 and the second cylindrical lens CY2, and can reduce the cost.
  • the second cylindrical lens CY2 can be composed of a plurality of lenses.
  • the second cylindrical lens CY ⁇ b> 2 is configured by a plurality of (for example, two) lenses, an adjustment operation is required to match the rotational orientations of the buses between the plurality of lenses with high accuracy.
  • the second cylindrical lens CY2 is composed of a plurality of (for example, two) lenses
  • the direction in which the generatrix of the first cylindrical lens CY1 extends is parallel to the main scanning direction as in Comparative Example 1, and the lens system Even if G10 is omitted, it is possible to satisfactorily correct the spherical aberration of the beam LBn projected onto the substrate P.
  • the focal length f C1 of the first cylindrical lens CY1 needs to be longer than the focal length f ⁇ of the f ⁇ lens system FT as shown in Comparative Example 1, the total length of the optical path of the scanning unit Un is long.
  • the focal length f C2 of the second cylindrical lens CY2 is set smaller than the focal length f ⁇ of the f ⁇ lens system FT, the spherical aberration can be suppressed to be small.
  • a beam scanning device (or drawing device) that scans the spot light SP of the beam LBn one-dimensionally on the substrate P (irradiated body),
  • a first cylindrical lens CY1 (first optical member) for projecting a beam LBn converged in the sub-scanning direction onto a reflecting surface RP of a polygon mirror PM (beam deflecting member) for deflecting the beam LBn, and a polygon mirror
  • a beam LBn deflected by PM is incident and projected toward the substrate P
  • an f ⁇ lens system FT scanning optical system for one-dimensional scanning on the substrate P, and the substrate P and the f ⁇ lens system FT
  • the second cylindrical lens CY2 is a single lens or a plurality of lenses that are arranged between the two lenses and converge the beam LBn emitted from the f ⁇ lens system FT in the sub-scanning direction.
  • the second optical member are provided, the relationship between the focal length f C2 of the focal point of the f [theta] lens system FT distance f [theta] and the second cylindrical lens CY2, With f [theta]> f C2, predetermined numerical aperture on the substrate P A beam scanning device (or drawing device) in which the spherical aberration of the beam LBn projected along with is reduced is obtained.
  • the drawing line SLn is slightly shifted in the sub-scanning direction (X direction) in the optical path between the lens systems Be1 and Be2 constituting the beam expander BE in the scanning unit Un. Therefore, an inclinable parallel flat plate HVP is provided as a soft optical member.
  • 20A and 20B illustrate how the drawing line SLn shifts due to the inclination of the parallel plate HVP.
  • FIG. 20A illustrates the parallel plane HVP where the parallel incident surface and exit surface are the center lines of the beam LBn (mainly It is a figure which shows the state which is 90 degree
  • FIG. 20B shows a case where the parallel plane HVP has an incident plane and an exit plane that are inclined from 90 degrees with respect to the center line (principal ray) of the beam LBn, that is, the parallel plane HVP is an angle ⁇ with respect to the YZ plane. It is a figure which shows the state which inclined.
  • the optical axis AXe of the lens systems Be1 and Be2 passes through the center of the circular aperture of the aperture stop PA. It is assumed that the center line of the beam LBn set and incident on the beam expander BE is adjusted to be coaxial with the optical axis AXe. Further, the rear focal point of the lens system Be2 is disposed so as to coincide with the circular aperture of the aperture stop PA.
  • the position of the aperture stop PA is determined by the position (or f ⁇ ) of the reflection surface RP of the polygon mirror PM in the sub-scanning direction by the first cylindrical lens CY1 and the lens system G10 (spherical lenses G10a and 10b) shown in FIG.
  • the lens system FT When viewed from the front focal point of the lens system FT, the lens system FT is set so as to be approximately at the pupil position.
  • the aperture stop PA is disposed so as to be optically conjugate with the position of the entrance pupil which is the position of the front focal point of the f ⁇ lens system FT. Therefore, when the parallel plate HVP is inclined by the angle ⁇ , the center line of the beam LBn (here, the divergent light beam) that passes through the parallel plate HVP and enters the lens system Be2 is very small in the ⁇ Z direction with respect to the optical axis AXe.
  • the beam LBn emitted from the lens system Be2 is converted into a parallel light beam, and the center line of the beam LBn is slightly inclined with respect to the optical axis AXe.
  • the beam LBn parallel light beam
  • the beam LBn that has passed through the circular aperture of the aperture stop PA is accurately cut in the sub-scanning direction within the XZ plane with respect to the optical axis AXe in a state where the intensity of the skirt of 1 / e 2 on the intensity distribution is accurately cut. It goes toward the first cylindrical lens CY1 at the rear stage at a slightly inclined angle.
  • the aperture stop PA corresponds to the pupil position when viewed from the reflection surface RP of the polygon mirror PM with respect to the sub-scanning direction, and according to the tilt angle of the beam LBn that has passed through the circular aperture of the aperture stop PA with respect to the sub-scanning direction.
  • the position on the reflecting surface of the beam LBn (converged with respect to the sub-scanning direction) incident on the reflecting surface RP of the polygon mirror PM is slightly shifted. Therefore, the beam LBn reflected by the reflecting surface RP of the polygon mirror PM is also slightly shifted in the Z direction with respect to the plane parallel to the XY plane including the optical axis AXf of the f ⁇ lens system FT shown in FIG. The light enters the lens system FT.
  • both the lens systems Be1 and Be2 constituting the beam expander BE are spherical lenses (convex lenses) having a positive refractive power, but the lens system Be1 on the incident side of the beam LBn is a negative lens system.
  • a spherical lens having a refractive power may be used.
  • the beam LBn emitted from the lens system Be1 enters the lens system Be2 as a divergent beam without being converged, and is converted into a parallel beam whose beam diameter is expanded by the lens system Be2.
  • large spherical aberration remains. Therefore, when the parallel plate HVP is provided and tilted in the beam expander BE (FIGS. 7 and 8) of the comparative example 1, the position and inclination of the beam LBn incident on the second cylindrical lens CY2 slightly change in the sub-scanning direction. As a result, a larger spherical aberration occurs.
  • the generatrix of the first cylindrical lens CY1 and the generatrix of the second cylindrical lens CY2 are arranged so as to be orthogonal to each other and the lens system G10 is provided as in the first embodiment, or a modification example
  • the second cylindrical lens CY2 is composed of a plurality of lenses as described in FIG. 3, the amount of spherical aberration is less than the effective size (diameter) ⁇ of the spot light SP as shown in FIGS. It can be corrected well.
  • the substrate P can be changed by continuously changing the inclination angle ⁇ of the parallel flat plate HVP for each scanning unit Un.
  • a local portion in the sub-scanning direction of the pattern drawn on the top can be expanded and contracted at a minute ratio. Therefore, even when the substrate P is partially expanded and contracted in the longitudinal direction (sub-scanning direction) of the substrate P, the first pattern with respect to the base pattern already formed on the substrate P (first layer pattern). It is possible to maintain good overlay accuracy when performing overlay exposure (drawing) of a pattern for two layers.
  • the local expansion and contraction of the substrate P in the longitudinal direction is performed by, for example, expanding an alignment mark formed at a constant pitch (for example, 10 mm) in the longitudinal direction on both sides in the width direction of the substrate P with an alignment microscope. Then, it is possible to predict immediately before each of the scanning units Un draws a pattern by sequentially capturing images with the image sensor and analyzing the image in the longitudinal direction of the mark position (such as a change in the pitch of the mark).
  • An example of the arrangement of the alignment mark and the arrangement of the alignment microscope is disclosed in, for example, International Publication No. 2015/152218 pamphlet.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Seal Device For Vehicle (AREA)
  • Confectionery (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)

Abstract

ビーム(LBn)を基板(P)上で1次元に走査するビーム走査装置である走査ユニット(Un)は、一方向にパワーを有する第1シリンドリカルレンズ(CY1)と、第1シリンドリカルレンズ(CY1)を透過したビーム(LBn)を1次元の走査のために偏向するポリゴンミラー(PM)と、テレセントリックな状態で偏向されたビーム(LBn)を基板(P)に投射するfθレンズ系(FT)と、fθレンズ系(FT)を透過したビーム(LBn)を入射し、一方向にパワーを有する第2シリンドリカルレンズ(CY2)とを備え、第1シリンドリカルレンズ(CY1)と第2シリンドリカルレンズ(CY2)とは互いに直交する方向にパワーを有し、第1シリンドリカルレンズ(CY1)とポリゴンミラー(PM)との間に設けられたレンズ系(G10)をさらに備える。

Description

ビーム走査装置および描画装置
 本発明は、基板に所定のパターンを描画するためにビームを主走査方向に一次元に走査するビーム走査装置、および、このビーム走査装置を用いて所定のパターンを描画する描画装置に関する。
 fθレンズ系とポリゴンミラー(回転多面鏡)を用いることで、感材上に投射されたビームを等速で走査できることが知られている。一般的なポリゴンミラーの各反射面は、ポリゴンミラーの回転面(回転方向を含む平面)と直交する方向と平行に形成されるが、実際の反射面は、ポリゴンミラーの回転面と直交する方向に対して僅かに傾斜するような誤差、いわゆる面倒れ(傾斜)誤差を伴っている。この誤差は、反射面毎に異なるため、fθレンズ系によって感材上に結像するスポット光の像位置(ビームの投射位置)が反射面毎にずれてしまう。
 その投射位置のずれを防ぐために、下記特開平8-297255号公報では、ポリゴンミラーの手前とfθレンズ系の後との2ヶ所に、ポリゴンミラーの偏向方向(走査方向、ポリゴンミラーの回転方向)に対して直交した方向にのみ屈折力を持つシリンドリカルレンズを配置している。つまり、母線がビームの走査方向と平行となるような2つのシリンドリカルレンズを配置している。これにより、ビームの走査方向(主走査方向)と直交した方向(副走査方向)に関しては、ポリゴンミラーの反射面上と感材の被照射面とを共役関係にすることができ、ポリゴンミラーの反射面毎に面倒れ誤差がばらついても、ビームの感材上での投射位置を副走査方向においては一定にすることができる。
 しかしながら、特開平8-297255号公報のように、ポリゴンミラーの手前に配置する第1シリンドリカルレンズと、fθレンズ系(複数枚の球面レンズで構成される)の後に配置する第2シリンドリカルレンズとの各々を単レンズで構成し、第1シリンドリカルレンズの母線と第2シリンドリカルレンズの母線とを平行にする場合、シリンドリカルレンズによって発生する収差(例えばビームの球面収差)を良好に低減するための光学設計(収差補正)が難しいと言った問題があった。
 本発明の第1の態様は、光源装置からのビームを被照射体に投射しつつ、前記ビームを前記被照射体上で1次元に走査するビーム走査装置であって、前記ビームを前記1次元の方向に対応した第1の方向に集光する第1光学部材と、前記第1光学部材を通った前記ビームを入射し、前記1次元の走査のために前記ビームを前記第1の方向に偏向するビーム偏向部材と、前記ビーム偏向部材によって偏向された前記ビームを入射し、前記被照射体に向けて投射する走査用光学系と、前記走査用光学系を通った前記ビームを入射し、前記第1の方向と直交する第2の方向に前記ビームを集光する第2光学部材と、前記第1光学部材と前記ビーム偏向部材との間に設けられ、前記第1光学部材を通った前記ビームを前記ビーム偏向部材の位置で前記第2の方向に集光するレンズ系と、を備える。
 本発明の第2の態様は、光源装置からのビームを被照射体上で主走査方向に走査しつつ、前記被照射体と前記ビームを副走査方向に相対移動させて、前記被照射体にパターンを描画する描画装置であって、前記ビームを前記主走査方向に走査するために、前記ビームを入射して前記主走査方向に1次元に偏向する可動偏向部材と、前記可動偏向部材で1次元に偏向される前記ビームを入射し、前記ビームを前記被照射体上に集光して投射する走査用光学系と、非等方的な屈折力を有し、前記可動偏向部材に向かう前記ビームを前記主走査方向に関して収斂する第1光学部材と、非等方的な屈折力を有し、前記走査用光学系から射出して前記被照射体に向かう前記ビームを前記副走査方向に関して収斂する第2光学部材と、前記第1光学部材と前記可動偏向部材との間に設けられ、前記主走査方向に関して収斂した前記ビームを入射して、前記副走査方向に関して収斂するビームに変換して前記可動偏向部材に向けて射出する等方的な屈折力を有する第3光学部材と、を備える。
 本発明の第3の態様は、可動偏向部材で第1方向に偏向されるビームを、走査用光学系によって被照射体上に投射しつつ前記被照射体上で前記第1方向に沿って1次元走査して前記被照射体にパターンを描画する描画装置であって、前記可動偏向部材に投射される前記ビームを前記第1方向と直交した第2方向に関して収斂させるための非等方的な屈折力を有する第1レンズ部材を含む第1調整光学系と、前記走査用光学系から前記被照射体に向かう前記ビームを前記第2方向に関して収斂させるための非等方的な屈折力を有する第2レンズ部材を含む第2調整光学系と、を備え、前記ビームの波長をλ、前記被照射体に投射される前記ビームの前記第1方向に関する開口数をNAy、前記第2方向に関する開口数をNAx、前記被照射体に投射される前記ビームの前記第1方向に関する球面収差をS1、前記第2方向に関する球面収差をS2としたとき、前記第1第1レンズ部材と前記第2レンズ部材は、S1<λ/NAy 2、且つ、S2<λ/NAx 2、となる条件と、|S1-S2|<λ/NAy 2、且つ、|S1-S2|<λ/NAx 2、となる条件とのいずれか一方を満たすように設定される。
 本発明の第4の態様は、被照射体上の主走査方向に沿ってパターン描画用のビームを1次元走査すると共に、前記主走査方向と交差した副走査方向に前記被照射体と前記ビームとを相対移動させて、前記被照射体にパターンを描画する描画装置であって、前記ビームを発生する為のビーム生成装置と、前記ビーム生成装置からの前記ビームを、ビーム径を拡大させた平行光束に変換するビームエキスパンダーと、前記ビームエキスパンダーで変換された前記ビームを入射して前記主走査方向に対応した方向に1次元偏向するビーム偏向部材と、前記1次元偏向された前記ビームを入射して前記被照射体上に前記ビームのスポットを集光する為の走査用光学系と、前記ビームエキスパンダーと前記ビーム偏向部材との間に設けられ、前記ビームエキスパンダーで変換された前記ビームを入射して、前記ビーム偏向部材上に投射される前記ビームを前記副走査方向に対応した方向に収斂させるための非等方的な屈折力を有する第1光学素子を含む第1光学系と、前記走査用光学系から射出して前記被照射体に向かう前記ビームを前記副走査方向に収斂させるための非等方的な屈折力を有する第2光学素子を含む第2光学系と、前記ビームエキスパンダーの光路中に設けられ、前記ビームの光路を前記副走査方向に対応した方向にシフトさせるシフト用光学部材と、を備える。
実施の形態の基板に露光処理を施す露光装置を含むデバイス製造システムの概略構成を示す図である。 図1に示すビーム切換部および描画ヘッドの概略構成を示すとともに、描画ヘッドの各走査ユニットの走査ラインの基板上における配置関係を示す図である。 図2に示すビーム切換部の選択用光学素子および入射ミラー回りの具体的な構成を示す図である。 図2に示す走査ユニットの具体的な構成を示す図であり、ビームの走査方向(偏向方向)を含む平面(XY平面と平行な平面)と直交する平面(XZ平面)からみた図である。 図4に示す開口絞りから基板までのビームを、ビームの偏向方向(主走査方向)を含む平面と平行な平面からみた概略図である。 比較例1による光学設計例におけるレンズデータを示す図である。 比較例1におけるビームエキスパンダーから基板(像面)までのビームの状態を、ビームの偏向方向(スポット光の主走査方向)を含む平面と平行な面内でみた概略図である。 図7に示すビームエキスパンダーからポリゴンミラーの反射面までのビームの状態を、ビームの主走査方向と直交する平面からみた概略図である。 図7に示すポリゴンミラーの反射面から基板(像面)までのビームの状態を、ビームの主走査方向と直交する平面からみた概略図である。 fθレンズ系から基板(像面)に投射されるビームの主走査方向に関する球面収差の発生状態を誇張して説明する図である。 fθレンズ系から基板(像面)に投射されるビームの副走査方向に関する球面収差の発生状態を誇張して説明する図である。 比較例1の光学設計例によって発生するビームの主走査方向と副走査方向の球面収差特性をシミュレーションしたグラフである。 比較例1における主走査方向の球面収差と副走査方向の球面収差との差分の球面収差特性を表したグラフである。 実施例1による光学設計例におけるレンズデータを示す図である。 実施例1におけるビームエキスパンダーから基板(像面)までのビームの状態を、ビームの偏向方向(スポット光の主走査方向)を含む平面と平行な面内でみた概略図である。 図15に示すビームエキスパンダーからポリゴンミラーの反射面までのビームの状態を、ビームの主走査方向と直交する面内でみた概略図である。 図15に示すポリゴンミラーの反射面から基板(像面)までのビームの状態を、ビームの主走査方向と直交する面内でみた概略図である。 実施例1の光学設計例によって発生するビームの主走査方向と副走査方向の球面収差特性をシミュレーションしたグラフである。 実施例1における主走査方向の球面収差と副走査方向の球面収差との差分の球面収差特性を表したグラフである。 図20Aは、平行平板がXZ面内で傾斜していない状態を示す図であり、図20Bは、平行平板がYZ面に対して角度ηだけ傾斜している状態を示す図である。
 本発明の態様に係るビーム走査装置および描画装置について、好適な実施の形態を掲げ、添付の図面を参照しながら以下、詳細に説明する。なお、本発明の態様は、これらの実施の形態に限定されるものではなく、多様な変更または改良を加えたものも含まれる。つまり、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれ、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換または変更を行うことができる。
 [第1の実施の形態]
 図1は、第1の実施の形態の基板(被照射体)Pに露光処理を施す露光装置EXを含むデバイス製造システム10の概略構成を示す図である。なお、以下の説明においては、特に断わりのない限り、重力方向をZ方向とするXYZ直交座標系を設定し、図に示す矢印にしたがって、X方向、Y方向、およびZ方向を説明する。
 デバイス製造システム10は、基板Pに所定の処理(露光処理など)を施して、電子デバイスを製造するシステム(基板処理装置)である。デバイス製造システム10は、例えば、電子デバイスとしてのフレキシブル・ディスプレイ、フィルム状のタッチパネル、液晶表示パネル用のフィルム状のカラーフィルター、フレキシブル配線、または、フレキシブル・センサなどを製造する製造ラインが構築された製造システムである。以下、電子デバイスとしてフレキシブル・ディスプレイを前提として説明する。フレキシブル・ディスプレイとしては、例えば、有機ELディスプレイ、液晶ディスプレイなどがある。デバイス製造システム10は、フレキシブル(可撓性)のシート状の基板(シート基板)Pをロール状に巻いた図示しない供給ロールから基板Pが送出され、送出された基板Pに対して各種処理を連続的に施した後、各種処理後の基板Pを図示しない回収ロールで巻き取る、いわゆる、ロール・ツー・ロール(Roll To Roll)方式の構造を有する。そのため、各種処理後の基板Pは、複数のデバイスが基板Pの搬送方向に連なった状態となっており、多面取り用の基板となっている。前記供給ロールから送られた基板Pは、順次、プロセス装置PR1、露光装置EX、およびプロセス装置PR2で各種処理が施され、前記回収ロールで巻き取られる。基板Pは、基板Pの移動方向(搬送方向)が長手方向(長尺)となり、幅方向が短手方向(短尺)となる帯状の形状を有する。
 本第1の実施の形態では、X方向は、Z方向と直交する水平面内において、基板Pが供給ロールから回収ロールに向かう方向である。Y方向は、Z方向と直交する水平面内においてX方向と直交する方向であり、基板Pの幅方向(短尺方向)である。なお、-Z方向を、重力が働く方向(重力方向)とし、基板Pの搬送方向を+X方向とする。
 基板Pは、例えば、樹脂フィルム、若しくは、ステンレス鋼などの金属または合金からなる箔(フォイル)などが用いられる。樹脂フィルムの材質としては、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、および酢酸ビニル樹脂のうち、少なくとも1つ以上を含んだものを用いてもよい。また、基板Pの厚みや剛性(ヤング率)は、デバイス製造システム10の搬送路を通る際に、基板Pに座屈による折れ目や非可逆的なシワが生じないような範囲であればよい。基板Pの母材として、厚みが25μm~200μm程度のPET(ポリエチレンテレフタレート)やPEN(ポリエチレンナフタレート)などのフィルムは、好適なシート基板の典型である。
 基板Pは、デバイス製造システム10内で施される各処理において熱を受ける場合があるため、熱膨張係数が顕著に大きくない材質の基板Pを選定することが好ましい。例えば、無機フィラーを樹脂フィルムに混合することによって熱膨張係数を抑えることができる。無機フィラーは、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、または酸化ケイ素などでもよい。また、基板Pは、フロート法などで製造された厚さ100μm程度の極薄ガラスの単層体であってもよいし、この極薄ガラスに上記の樹脂フィルム、箔などを貼り合わせた積層体であってもよい。
 ところで、基板Pの可撓性(flexibility)とは、基板Pに自重程度の力を加えてもせん断したり破断したりすることはなく、その基板Pを撓めることが可能な性質をいう。また、自重程度の力によって屈曲する性質も可撓性に含まれる。また、基板Pの材質、大きさ、厚さ、基板P上に成膜される層構造、温度、または、湿度などの環境などに応じて、可撓性の程度は変わる。いずれにしろ、本第1の実施の形態によるデバイス製造システム10内の搬送路に設けられる各種の搬送用ローラ、回転ドラムなどの搬送方向転換用の部材に基板Pを正しく巻き付けた場合に、座屈して折り目がついたり、破損(破れや割れが発生)したりせずに、基板Pを滑らかに搬送できれば、可撓性の範囲といえる。
 プロセス装置(処理装置)PR1は、供給ロールから送られてきた基板Pを露光装置EXに向けて所定の速度で長尺方向に沿った搬送方向(+X方向)に搬送しつつ、露光装置EXへ送られる基板Pに対して前工程の処理を行う。この前工程の処理により、露光装置EXへ送られる基板Pは、その表面に感光性機能層(光感応層)が形成された基板(感光基板)となっている。
 この感光性機能層は、溶液として基板P上に塗布され、乾燥することによって層(膜)となる。感光性機能層の典型的なものはフォトレジスト(液状またはドライフィルム状)であるが、現像処理が不要な材料として、紫外線の照射を受けた部分の親撥液性が改質される感光性シランカップリング剤(SAM)、或いは紫外線の照射を受けた部分にメッキ還元基が露呈する感光性還元剤などがある。感光性機能層として感光性シランカップリング剤を用いる場合は、基板P上の紫外線で露光されたパターン部分が撥液性から親液性に改質される。そのため、親液性となった部分の上に導電性インク(銀や銅などの導電性ナノ粒子を含有するインク)または半導体材料を含有した液体などを選択塗布することで、薄膜トランジスタ(TFT)などを構成する電極、半導体、絶縁、或いは接続用の配線となるパターン層を形成することができる。感光性機能層として、感光性還元剤を用いる場合は、基板P上の紫外線で露光されたパターン部分にメッキ還元基が露呈する。そのため、露光後、基板Pを直ちにパラジウムイオンなどを含むメッキ液中に一定時間浸漬することで、パラジウムによるパターン層が形成(析出)される。このようなメッキ処理はアディティブ(additive)なプロセスであるが、その他、サブトラクティブ(subtractive)なプロセスとしてのエッチング処理を前提にしてもよい。その場合、露光装置EXへ送られる基板Pは、母材をPETやPENとし、その表面にアルミニウム(Al)や銅(Cu)などの金属性薄膜を全面または選択的に蒸着し、さらにその上にフォトレジスト層を積層したものとするのがよい。
 露光装置(処理装置)EXは、プロセス装置PR1から搬送されてきた基板Pをプロセス装置PR2に向けて所定の速度で搬送方向(+X方向)に搬送しつつ、基板Pに対して露光処理を行う処理装置である。露光装置EXは、基板Pの表面(感光性機能層の表面、すなわち、感光面)に、電子デバイス用のパターン(例えば、電子デバイスを構成するTFTの電極や配線などのパターン)に応じた光パターンを照射する。これにより、感光性機能層に前記パターンに対応した潜像(改質部)が形成される。
 本第1の実施の形態においては、露光装置EXは、マスクを用いない直描方式の露光装置、いわゆるラスタースキャン方式の露光装置(描画装置)である。露光装置EXは、基板Pを+X方向(副走査の方向)に搬送しながら、露光用のパルス状のビームLB(パルスビーム)のスポット光SPを、基板Pの被照射面(感光面)上で所定の走査方向(Y方向)に1次元に走査(主走査)しつつ、スポット光SPの強度をパターンデータ(描画データ、パターン情報)に応じて高速に変調(オン/オフ)する。これにより、基板Pの被照射面に電子デバイス、回路または配線などの所定のパターンに応じた光パターンが描画露光される。つまり、基板Pの副走査と、スポット光SPの主走査とで、スポット光SPが基板Pの被照射面(感光性機能層の表面)上で相対的に2次元走査されて、基板Pの被照射面に所定のパターンが描画露光される。また、基板Pは、搬送方向(+X方向)に沿って搬送されているので、露光装置EXによってパターンが露光される露光領域は、基板Pの長尺方向に沿って所定の間隔をあけて複数設けられることになる。この露光領域に電子デバイスが形成されるので、露光領域は、デバイス形成領域でもある。
 プロセス装置(処理装置)PR2は、露光装置EXから送られてきた基板Pを回収ロールに向けて所定の速度で長尺方向に沿った搬送方向(+X方向)に搬送しつつ、露光装置EXで露光処理された基板Pに対しての後工程の処理(例えばメッキ処理や現像・エッチング処理等)を行う。この後工程の処理により、基板P上にデバイスのパターン層が形成される。
 次に、露光装置EXについて、図2~図5も参照して、さらに詳しく説明する。露光装置EXは、図1のように温調チャンバーECV内に格納されている。この温調チャンバーECVは、内部を所定の温度、所定の湿度に保つことで、内部において搬送される基板Pの温度による形状変化を抑制するとともに、基板Pの吸湿性や搬送に伴って発生する静電気の帯電などを抑制する。温調チャンバーECVは、パッシブまたはアクティブな防振ユニットSU1、SU2を介して製造工場の設置面Eに配置される。防振ユニットSU1、SU2は、設置面Eからの振動を低減する。この設置面Eは、工場の床面自体であってもよいし、水平面を出すために床面上に専用に設置される設置土台(ペデスタル)上の面であってもよい。露光装置EXは、基板搬送機構12と、光源装置14と、ビーム切換部BDUと、描画ヘッド16と、制御装置18とを少なくとも備えている。制御装置18は、露光装置EXの各部を制御するものである。この制御装置18は、コンピュータとプログラムが記録された記録媒体などとを含み、該コンピュータがプログラムを実行することで、本第1の実施の形態の制御装置18として機能する。
 基板搬送機構12は、デバイス製造システム10の基板搬送装置の一部を構成するものであり、プロセス装置PR1から搬送される基板Pを、露光装置EX内で所定の速度で搬送した後、プロセス装置PR2に所定の速度で送り出す。基板搬送機構12は、基板Pの搬送方向の上流側(-X方向側)から順に、エッジポジションコントローラEPC、駆動ローラR1、テンション調整ローラRT1、回転ドラム(円筒ドラム)DR、テンション調整ローラRT2、駆動ローラR2、および、駆動ローラR3を有している。基板Pが、基板搬送機構12のエッジポジションコントローラEPC、駆動ローラR1~R3、テンション調整ローラRT1、RT2、および、回転ドラム(円筒ドラム)DRに掛け渡されることで、露光装置EX内で搬送される基板Pの搬送路が規定される。
 エッジポジションコントローラEPCは、プロセス装置PR1から搬送される基板Pの幅方向(Y方向であって基板Pの短尺方向)における位置を調整する。つまり、エッジポジションコントローラEPCは、所定のテンションがかけられた状態で搬送されている基板Pの幅方向の端部(エッジ)における位置が、目標位置に対して±十数μm~数十μm程度の範囲(許容範囲)に収まるように、基板Pを幅方向に移動させて、基板Pの幅方向における位置を調整する。エッジポジションコントローラEPCは、所定のテンションがかけられた状態で基板Pが掛け渡されるローラと、基板Pの幅方向の端部(エッジ)の位置を検出する図示しないエッジセンサ(端部検出部)とを有する。エッジポジションコントローラEPCは、前記エッジセンサが検出した検出信号に基づいて、エッジポジションコントローラEPCの前記ローラをY方向に移動させて、基板Pの幅方向における位置を調整する。駆動ローラ(ニップローラ)R1は、エッジポジションコントローラEPCから搬送される基板Pの表裏両面を保持しながら回転し、基板Pを回転ドラムDRへ向けて搬送する。なお、エッジポジションコントローラEPCは、回転ドラムDRに巻き付く基板Pの長尺方向が、回転ドラムDRの中心軸AXoに対して常に直交するように、基板Pの幅方向における位置と適宜調整するとともに、基板Pの進行方向における傾き誤差を補正するように、エッジポジションコントローラEPCの前記ローラの回転軸とY軸との平行度を適宜調整してもよい。
 回転ドラムDRは、Y方向に延びるとともに重力が働く方向と交差した方向に延びた中心軸AXoと、中心軸AXoから一定半径の円筒状の外周面とを有する。回転ドラムDRは、この外周面(円周面)に倣って基板Pの一部を長尺方向に円筒面状に湾曲させて支持(保持)しつつ、中心軸AXoを中心に回転して基板Pを+X方向(長尺方向)に搬送する。回転ドラムDRは、描画ヘッド16からのビームLB(スポット光SP)が投射される基板P上の領域(部分)をその外周面で支持する。回転ドラムDRは、電子デバイスが形成される面(感光面が形成された側の面)とは反対側の面(裏面)側から基板Pを支持(密着保持)する。回転ドラムDRのY方向の両側には、回転ドラムDRが中心軸AXoの周りを回転するように環状のベアリングで支持されたシャフトSftが設けられている。回転ドラムDRは、制御装置18によって制御される図示しない回転駆動源(例えば、モータや減速機構など)からの回転トルクがシャフトSftに与えられることで中心軸AXo回りに一定の回転速度で回転する。なお、便宜的に、中心軸AXoを含み、YZ平面と平行な平面を中心面Pocと呼ぶ。
 駆動ローラ(ニップローラ)R2、R3は、基板Pの搬送方向(+X方向)に沿って所定の間隔を空けて配置されており、露光後の基板Pに所定の弛み(あそび)を与えている。駆動ローラR2、R3は、駆動ローラR1と同様に、基板Pの表裏両面を保持しながら回転し、基板Pをプロセス装置PR2へ向けて搬送する。テンション調整ローラRT1、RT2は、-Z方向に付勢されており、回転ドラムDRに巻き付けられて支持されている基板Pに長尺方向に所定のテンションを与えている。これにより、回転ドラムDRにかかる基板Pに付与される長尺方向のテンションを所定の範囲内に安定化させている。制御装置18は、図示しない回転駆動源(例えば、モータや減速機構など)を制御することで、駆動ローラR1~R3を回転させる。なお、駆動ローラR1~R3の回転軸、および、テンション調整ローラRT1、RT2の回転軸は、回転ドラムDRの中心軸AXoと平行している。
 光源装置14は、パルス状のビーム(パルスビーム、パルス光、レーザ)LBを発生して射出する。このビームLBは、370nm以下の波長帯域にピーク波長を有する紫外線光であり、ビームLBの発光周波数(発振周波数、所定周波数)をFaとする。光源装置14が射出したビームLBは、ビーム切換部BDUを介して描画ヘッド16に入射する。光源装置14は、制御装置18の制御にしたがって、発光周波数FaでビームLBを発光して射出する。この光源装置14は、赤外波長域のパルス光を発生する半導体レーザ素子、ファイバー増幅器、および、増幅された赤外波長域のパルス光を紫外波長域のパルス光に変換する波長変換素子(高調波発生素子)などで構成されるファイバーアンプレーザ光源としてもよい。このように光源装置14を構成することで、発振周波数Faが数百MHzで、1パルス光の発光時間が数ピコ秒程度の高輝度な紫外線のパルス光が得られる。なお、光源装置14の射出窓から射出されるビームLBは、そのビーム径が1mm程度、若しくはそれ以下の細い平行光束になっているものとする。
 ビーム切換部BDUは、詳しくは図2も参照して後述するが、描画ヘッド16を構成する複数の走査ユニットUn(なお、n=1、2、・・・、6)のうちいずれか1つの走査ユニットUnに、ビームLBを時分割で入射させるように切り換える複数の光学的なスイッチング素子を有する。複数のスイッチング素子は、ビームLBが入射する走査ユニットUnを走査ユニットU1~U6の中で順番に切り換える。例えば、ビーム切換部BDUは、ビームLBが入射する走査ユニットUnを、U1→U2→U3→U4→U5→U6、の順番で切り換えることを繰り返す。なお、ビーム切換部BDUを介して走査ユニットUnに入射する光源装置14からのビームLBをLBnと表す場合がある。そして、走査ユニットU1に入射するビームLBnをLB1で表し、同様に、走査ユニットU2~U6の各々に入射するビームLBnをLB2~LB6で表す場合がある。
 図2に示すように、走査ユニットU1~U6の各々には、入射してきたビームLB1~LB6を主走査するためのポリゴンミラーPMが設けられる。本第1の実施の形態では、各走査ユニットUnのポリゴンミラーPMの各々が、同一の回転速度で精密に回転しつつ、互いに一定の回転角度位相を保つように同期制御される。これによって、走査ユニットU1~U6の各々から基板Pに投射されるビームLB1~LB6の各々の主走査のタイミング(スポット光SPの主走査期間)を、互いに重複しないように設定することができる。そのため、ビーム切換部BDUは、スポット光SPの走査を行う走査ユニットUnのいずれか1つにビームLBが入射するように、ビームLBを走査ユニットUnのいずれか1つに切り換えて供給すること、すなわち時分割にビームLBを振り分けることができる。なお、スポット光SPの主走査を行う走査ユニットUn(ビームLBnが入射する走査ユニットUn)は、U1→U2→U3→U4→U5→U6→U1・・・、の順番で繰り返される。このように、光源装置14からのビームLBを複数の走査ユニットUnの各々に時分割で振り分ける構成については、国際公開第2015/166910号パンフレットに開示されている。
 図2に示すように、描画ヘッド16は、同一構成の複数の走査ユニットUn(U1~U6)を配列した、いわゆるマルチビーム型の描画ヘッドとなっている。描画ヘッド16は、回転ドラムDRの外周面(円周面)で支持されている基板Pの一部分に、複数の走査ユニットUn(U1~U6)によってパターンを描画する。各走査ユニットUn(U1~U6)は、ビーム切換部BDUからのビームLBnを基板P上(基板Pの被照射面上)に投射しつつ、基板P上でビームLBnを集光(収斂)する。これにより、基板P上に投射されるビームLBn(LB1~LB6)は、スポット光SPとなる。また、各走査ユニットUn(U1~U6)のポリゴンミラーPMの回転によって、基板P上に投射されるビームLBn(LB1~LB6)のスポット光SPを主走査方向(Y方向)に走査する。このスポット光SPの走査によって、基板P上に、1ライン分のパターンが描画される直線的な描画ライン(走査ライン)SLn(なお、n=1、2、・・・、6)が規定される。つまり、描画ラインSLnは、ビームLBnのスポット光SPの基板P上における走査軌跡を示すものである。
 走査ユニットU1は、スポット光SPを描画ラインSL1に沿って走査し、同様に、走査ユニットU2~U6は、スポット光SPを描画ラインSL2~SL6に沿って走査する。図2に示すように、複数の走査ユニットUn(U1~U6)の描画ラインSLn(SL1~SL6)は、中心面Poc(図1参照)を挟んで、回転ドラムDRの周方向に2列に千鳥配列で配置される。奇数番の描画ラインSL1、SL3、SL5は、中心面Pocに対して基板Pの搬送方向の上流側(-X方向側)の基板Pの被照射面上に位置し、且つ、Y方向に沿って所定の間隔だけ離して1列に配置されている。偶数番の描画ラインSL2、SL4、SL6は、中心面Pocに対して基板Pの搬送方向の下流側(+X方向側)の基板Pの被照射面上に位置し、且つ、Y方向に沿って所定の間隔だけ離して1列に配置されている。
 そのため、複数の走査ユニットUn(U1~U6)も、中心面Pocを挟んで基板Pの搬送方向に2列に千鳥配列で配置される。つまり、奇数番の走査ユニットU1、U3、U5は、中心面Pocに対して基板Pの搬送方向の上流側(-X方向側)で、且つ、Y方向に沿って所定の間隔だけ離して1列に配置されている。偶数番の走査ユニットU2、U4、U6は、中心面Pocに対して基板Pの搬送方向の下流側(+X方向側)で、Y方向に沿って所定の間隔だけ離して1列に配置されている。奇数番の走査ユニットU1、U3、U5と、偶数番の走査ユニットU2、U4、U6とは、XZ平面からみて、中心面Pocに対して対称に設けられている。
 X方向(基板Pの搬送方向)に関しては、奇数番の描画ラインSL1、SL3、SL5と偶数番の描画ラインSL2、SL4、SL6とが互いに離間しているが、Y方向(基板Pの幅方向、主走査方向)に関しては互いに分離することなく継ぎ合わされるように設定されている。描画ラインSL1~SL6は、基板Pの幅方向、つまり、回転ドラムDRの中心軸AXoと略並行となっている。なお、描画ラインSLnをY方向に継ぎ合わせるとは、描画ラインSLnの端部同士をY方向に関して隣接または一部重複させることを意味する。描画ラインSLnの端部同士を重複させる場合は、例えば、各描画ラインSLnの長さに対して、描画開始点、または描画終了点を含んでY方向に数%以下の範囲で重複させるとよい。
 このように、複数の走査ユニットUn(U1~U6)は全部で露光領域の幅方向の全てをカバーするように、各走査ユニットUn(U1~U6)は、走査領域を分担している。これにより、各走査ユニットUn(U1~U6)は、基板Pの幅方向に分割された複数の領域(描画範囲)毎にパターンを描画することができる。例えば、1つの走査ユニットUnによるY方向の走査長(描画ラインSLnの長さ)を20~60mm程度とすると、奇数番の走査ユニットU1、U3、U5の3個と、偶数番の走査ユニットU2、U4、U6の3個との計6個の走査ユニットUnをY方向に配置することによって、描画可能なY方向の幅を120~360mm程度まで広げている。各描画ラインSLn(SL1~SL6)の長さ(描画範囲の長さ)は、原則として同一とする。つまり、描画ラインSL1~SL6の各々に沿って走査されるビームLBnのスポット光SPの走査距離は、原則として同一とする。
 本第1の実施の形態の場合、光源装置14からのビームLBがパルス光であるため、主走査の間に描画ラインSLn上に投射されるスポット光SPは、ビームLBの発振周波数Fa(例えば、400MHz)に応じて離散的になる。そのため、ビームLBの1パルス光によって投射されるスポット光SPと次の1パルス光によって投射されるスポット光SPとを、主走査方向にオーバーラップさせる必要がある。そのオーバーラップの量は、スポット光SPのサイズφ、スポット光SPの走査速度(主走査の速度)Vs、および、ビームLBの発振周波数Faによって設定される。スポット光SPの実効的なサイズ(直径)φは、スポット光SPの強度分布がガウス分布で近似される場合、スポット光SPのピーク強度の1/e2(または1/2)の強度となる幅寸法で決まる。本第1の実施の形態では、実効的なサイズ(寸法)φに対して、φ×1/2程度スポット光SPがオーバーラップするように、スポット光SPの走査速度Vs(ポリゴンミラーPMの回転速度)および発振周波数Faが設定される。したがって、パルス状のスポット光SPの主走査方向に沿った投射間隔は、φ/2となる。そのため、副走査方向(描画ラインSLnと直交した方向)に関しても、描画ラインSLnに沿ったスポット光SPの1回の走査と、次の走査との間で、基板Pがスポット光SPの実効的なサイズφの略1/2の距離だけ移動するように設定することが望ましい。さらに、Y方向に隣り合う描画ラインSLnを主走査方向に継ぐ場合も、φ/2だけオーバーラップさせることが望ましい。本第1の実施の形態では、スポット光SPのサイズ(寸法)φを3μm程度とする。
 各走査ユニットUn(U1~U6)は、少なくともXZ平面において、各ビームLBnが回転ドラムDRの中心軸AXoに向かって進むように、各ビームLBnを基板Pに向けて照射する。これにより、各走査ユニットUn(U1~U6)から基板Pに向かって進むビームLBnの光路(ビーム中心軸)は、XZ平面において、基板Pの被照射面の法線と平行となる。このとき、XZ平面に関して、奇数番の走査ユニットU1、U3、U5から基板Pに向かって投射されるビームLBの進行方向(描画ラインSL1、SL3、SL5と中心軸AXoとを結ぶ方向)と中心面Pocとの角度は-θ1とすると、偶数番の走査ユニットU2、U4、U6から基板Pに向かって投射されるビームLBの進行方向(描画ラインSL2、SL4、SL6と中心軸AXoとを結ぶ方向)と中心面Pocとの角度は+θ1となっている。つまり、XZ平面に関して、奇数番の走査ユニットU1、U3、U5から基板Pに向かって投射されるビームLBの進行方向と、偶数番の走査ユニットU2、U4、U6から基板Pに向かって投射されるビームの進行方向とは、中心面Pocに対して対称となっている。また、各走査ユニットUn(U1~U6)は、描画ラインSLn(SL1~SL6)に照射するビームLBnが、YZ平面と平行な面内では基板Pの被照射面に対して垂直となるように、ビームLBnを基板Pに向けて照射する。すなわち、被照射面でのスポット光SPの主走査方向に関して、基板Pに投射されるビームLBn(LB1~LB6)はテレセントリックな状態で走査される。
 さらに、図2を用いてビーム切換部BDUおよび描画ヘッド16の走査ユニットUn(U1~U6)の構成を簡単に説明する。ビーム切換部BDUは、複数のスイッチング素子としての選択用光学素子AOMn(AOM1~AOM6)と、複数の反射ミラーM1~M12と、複数の入射ミラーIMn(IM1~IM6)と、吸収体TRとを有する。選択用光学素子AOMn(AOM1~AOM6)は、ビームLBに対して透過性を有するものであり、超音波信号で駆動される音響光学変調素子(AOM:Acousto-Optic Modulator)である。この複数の選択用光学素子AOMn(AOM1~AOM6)および複数の入射ミラーIMn(IM1~IM6)は、複数の走査ユニットUn(U1~U6)に対応して設けられている。例えば、選択用光学素子AOM1および入射ミラーIM1は、走査ユニットU1に対応して設けられ、同様に、選択用光学素子AOM2~AOM6および入射ミラーIM2~IM6は、走査ユニットU2~U6に対応して設けられている。
 光源装置14からビームLBは、反射ミラーM1~M12によってその光路がつづらおり状に曲げられて、吸収体TRまで導かれる。以下、選択用光学素子AOMn(AOM1~AOM6)がいずれもオフ状態(超音波信号が印加されていない状態)の場合で、詳述する。なお、図2では図示を省略したが、反射ミラーM1から吸収体TRまでのビーム光路中には複数のレンズが設けられ、ビームLBを平行光束から収斂したり、収斂後に発散するビームLBを平行光束に戻したりする。その構成については図3を用いて後述する。
 図2において、光源装置14からのビームLBは、X軸と平行に-X方向に進んで反射ミラーM1に入射する。反射ミラーM1で-Y方向に反射したビームLBは、反射ミラーM2に入射する。反射ミラーM2で+X方向に反射したビームLBは、選択用光学素子AOM5をストレートに透過して反射ミラーM3に至る。反射ミラーM3で-Y方向に反射したビームLBは、反射ミラーM4に入射する。反射ミラーM4で-X方向に反射したビームLBは、選択用光学素子AOM6をストレートに透過して反射ミラーM5に至る。反射ミラーM5で-Y方向に反射したビームLBは、反射ミラーM6に入射する。反射ミラーM6で+X方向に反射したビームLBは、選択用光学素子AOM3をストレートに透過して反射ミラーM7に至る。反射ミラーM7で-Y方向に反射したビームLBは、反射ミラーM8に入射する。反射ミラーM8で-X方向に反射したビームLBは、選択用光学素子AOM4をストレートに透過して反射ミラーM9に至る。反射ミラーM9で-Y方向に反射したビームLBは反射ミラーM10に入射する。反射ミラーM10で+X方向に反射したビームLBは、選択用光学素子AOM1をストレートに透過して反射ミラーM11に至る。反射ミラーM11で-Y方向に反射したビームLBは、反射ミラーM12に入射する。反射ミラーM12で-X方向に反射したビームLBは、選択用光学素子AOM2をストレートに透過して吸収体TRに導かれる。この吸収体TRは、ビームLBの外部への漏れを抑制するためにビームLBを吸収する光トラップである。
 各選択用光学素子AOMnは、超音波信号(高周波信号)が印加されると、入射したビーム(0次光)LBを、高周波の周波数に応じた回折角で回折させた1次回折光を射出ビーム(ビームLBn)として発生させるものである。したがって、選択用光学素子AOM1から1次回折光として射出されるビームがLB1となり、同様に選択用光学素子AOM2~AOM6から1次回折光として射出されるビームがLB2~LB6となる。このように、各選択用光学素子AOMn(AOM1~AOM6)は、光源装置14からのビームLBの光路を偏向する機能を奏する。但し、実際の音響光学変調素子は、1次回折光の発生効率が0次光の80%程度であるため、各選択用光学素子AOMn(AOM1~AOM6)の各々で偏向されたビームLBn(LB1~LB6)は、元のビームLBの強度より低下している。また、選択用光学素子AOMn(AOM1~AOM6)のいずれか1つがオン状態のとき、回折されずに直進する0次光が20%程度残存するが、それは最終的に吸収体TRによって吸収される。
 複数の選択用光学素子AOMn(AOM1~AOM6)の各々は、偏向された1次回折光であるビームLBn(LB1~LB6)を、入射するビームLBに対して-Z方向に偏向するように設置される。選択用光学素子AOMn(AOM1~AOM6)の各々から偏向して射出するビームLBn(LB1~LB6)は、選択用光学素子AOMn(AOM1~AOM6)の各々から所定距離だけ離れた位置に設けられた入射ミラーIMn(IM1~IM6)に投射される。各入射ミラーIMn(IM1~IM6)は、入射したビームLBn(LB1~LB6)を-Z方向に反射することで、ビームLBn(LB1~LB6)を対応する走査ユニットUn(U1~U6)に導く。なお、入射ミラーIMnの各々は、ビームLBnの各々を-Z方向に落射させることから、落射用ミラーとも呼ばれる。
 各選択用光学素子AOMn(AOM1~AOM6)の構成、機能、作用などは互いに同一のものを用いてもよい。複数の選択用光学素子AOMn(AOM1~AOM6)は、制御装置18からの駆動信号(高周波信号)のオン/オフにしたがって、入射したビームLBを回折させた回折光の発生をオン/オフする。例えば、選択用光学素子AOM5は、制御装置18からの駆動信号(高周波信号)が印加されずにオフの状態のときは、入射した光源装置14からのビームLBを回折させずに透過する。したがって、選択用光学素子AOM5を透過したビームLBは、反射ミラーM3に入射する。一方、選択用光学素子AOM5は、制御装置18からの駆動信号(高周波信号)が印加されてオンの状態のときは、入射したビームLBを回折させて入射ミラーIM5に向かわせる。つまり、この駆動信号によって選択用光学素子AOM6がスイッチングする。このようにして、各選択用光学素子AOMnをスイッチングすることで、ビームLBnをいずれか1つの走査ユニットUnに導くことができ、且つ、ビームLBnが入射する走査ユニットUnを切り換えることができる。
 図1に示した制御装置18は、描画したいパターンに応じたパターンデータ(描画データ)に基づいて、光源装置14から射出されるパルス状のビームLBのオン/オフを1パルス単位で制御する。光源装置14をファイバーアンプレーザ光源とした場合に、光源装置14からのパルス状のビームLBをパターンデータに基づいてオン/オフ(変調)する構成に関しても、前述の国際公開第2015/166910号パンフレットに開示されている。ここで、パターンデータについて簡単に説明する。パターンデータ(描画データ、設計情報)は、走査ユニットUn毎に設けられ、各走査ユニットUnによって描画されるパターンを、スポット光SPのサイズに応じて設定される寸法の画素によって分割し、複数の画素の各々を描画したいパターンに応じた論理情報(画素データ)で表したものである。つまり、このパターンデータは、スポット光SPの主走査方向(Y方向)に沿った方向を行方向とし、基板Pの副走査方向(X方向)に沿った方向を列方向とするように2次元に分解された複数の画素の論理情報で構成されているビットマップデータである。この画素の論理情報は、「0」または「1」の1ビットのデータである。「0」の論理情報は、基板Pに照射するスポット光SPの強度を低レベル(非描画)にすることを意味し、「1」の論理情報は、基板P上に照射するスポット光SPの強度を高レベル(描画)にすることを意味する。
 パターンデータの1列分の画素の論理情報は、1本分の描画ラインSLn(SL1~SL6)に対応するものである。したがって、1列分の画素の数は、基板Pの被照射面上での画素の寸法と描画ラインSLnの長さとに応じて決まる。この1画素の寸法Pxyは、スポット光SPのサイズφと同程度、或いは、それ以上に設定され、例えば、スポット光SPの実効的なサイズφが3μmの場合は、1画素の寸法Pxyは、3μm角程度以上に設定される。1列分の画素の論理情報に応じて、1本の描画ラインSLn(SL1~SL6)に沿って基板Pに投射されるスポット光SPの強度が変調される。光源装置14がファイバーアンプレーザ光源の場合、国際公開2015/166910号パンフレットに開示されているように、ファイバー増幅器に入射する赤外波長域のパルス状の種光(発光周波数Fa)は、制御装置18から送られてくるパターンデータの画素の論理情報「1」、「0」に応じて、ピーク強度が大きく俊鋭なパルス光と、ピーク強度が低く緩慢なパルス光とのいずれか一方に高速にスイッチングされる。
 なお、選択用光学素子AOMnは、選択用光学素子AOMnに入射するビームLBの径が小さくなると、回折効率および応答性が高くなる。そのため、選択用光学素子AOMnに入射するビームLBを平行光束とする場合は、選択用光学素子AOMnに入射するビームLBの径が平行光束の状態で縮小されるようなビーム整形光学系を設けてもよい。本第1の実施の形態では、光源装置14から射出するビームLBの直径を1mm以下の平行光束としたので、そのままの状態で選択用光学素子AOMnに通すことができる。
 以上の図2、図3の構成において、光源装置14とビーム切換部BDUとは走査ユニットUnの各々に描画用のビームLBnを供給するビーム供給ユニット(ビーム生成装置)を構成する。より厳密に定義するなら、図2中の走査ユニットU5に対するビーム供給ユニットは、光源装置14、ミラーM1、M2、選択用光学素子AOM5、及び入射ミラーIM5で構成され、走査ユニットU6に対するビーム供給ユニットは、光源装置14、ミラーM1~M4、選択用光学素子AOM5、AOM6、及び入射ミラーIM6で構成され、走査ユニットU3に対するビーム供給ユニットは、光源装置14、ミラーM1~M6、選択用光学素子AOM5、AOM6、AOM3、及び入射ミラーIM3で構成され、走査ユニットU4に対するビーム供給ユニットは、光源装置14、ミラーM1~M8、選択用光学素子AOM5、AOM6、AOM3、AOM4、及び入射ミラーIM4で構成され、走査ユニットU1に対するビーム供給ユニットは、光源装置14、ミラーM1~M10、選択用光学素子AOM5、AOM6、AOM3、AOM4、AOM1、及び入射ミラーIM1で構成され、そして、走査ユニットU2に対するビーム供給ユニットは、光源装置14、ミラーM1~M12、選択用光学素子AOM5、AOM6、AOM3、AOM4、AOM1、AOM2、及び入射ミラーIM2で構成される。
 次に、走査ユニット(ビーム走査装置)Unの構成について説明する。各走査ユニットUn(U1~U6)は、同一構成となっていることから、走査ユニットU1についてのみ簡単に説明する。走査ユニットU1は、反射ミラーM20~M24、ポリゴンミラーPM、および、fθレンズ系FTを少なくとも備えている。なお、図2では、図示していないが、ビームLB1の進行方向からみて、ポリゴンミラーPMの手前には第1シリンドリカルレンズCY1が配置され、fθレンズ系FTの後に第2シリンドリカルレンズCY2が設けられている。第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2については後で図4を参照して詳しく説明する。
 入射ミラーIM1で-Z方向に反射されたビームLB1は、反射ミラーM20に入射し、反射ミラーM20で反射したビームLB1は、-X方向に進んで反射ミラーM21に入射する。反射ミラーM21で-Z方向に反射したビームLB1は、反射ミラーM22に入射し、反射ミラーM22で反射したビームLB1は、+X方向に進んで反射ミラーM23に入射する。反射ミラーM23は、入射したビームLB1をポリゴンミラーPMの反射面RPに向けて反射する。
 ポリゴンミラーPMは、入射したビームLB1を、fθレンズ系FTに向けて+X方向側に反射する。ポリゴンミラーPMは、ビームLB1のスポット光SPを基板Pの被照射面上で走査するために、入射したビームLB1をXY平面と平行な面内で1次元に偏向(反射)する。具体的には、ポリゴンミラー(回転多面鏡、可動偏向部材)PMは、Z軸方向に延びる回転軸AXpと、回転軸AXpの周りに形成された複数の反射面RP(本第1の実施の形態では反射面RPの数Npを8とする)とを有する回転多面鏡である。回転軸AXpを中心にこのポリゴンミラーPMを所定の回転方向に回転させることで反射面RPに照射されるパルス状のビームLB1の反射角を連続的に変化させることができる。これにより、1つの反射面RPによってビームLB1が偏向され、基板Pの被照射面上に照射されるビームLB1のスポット光SPを主走査方向(基板Pの幅方向、Y方向)に沿って走査することができる。つまり、1つの反射面RPによって、ビームLB1のスポット光SPを主走査方向に沿って走査することができる。このため、ポリゴンミラーPMの1回転で、基板Pの被照射面上にスポット光SPが走査される描画ラインSL1の数は、最大で反射面RPの数と同じ8本となる。ポリゴンミラーPMは、制御装置18の制御の下、図示しない回転駆動源(例えば、デジタルモータなど)によって指令された速度で正確に回転する。
 fθレンズ系(走査系レンズ、走査用光学系)FTは、ポリゴンミラーPMによって反射されたビームLB1を、反射ミラーM24に投射するテレセントリック系のスキャンレンズである。fθレンズ系FTを透過したビームLB1は、反射ミラーM24を介してスポット光SPとなって基板P上に投射される。このとき、反射ミラーM24は、XZ平面に関して、ビームLB1が回転ドラムDRの中心軸AXoに向かって進むように、ビームLB1を基板Pに向けて反射する。ビームLB1のfθレンズ系FTへの入射角θは、ポリゴンミラーPMの回転角(θ/2)に応じて変わる。fθレンズ系FTは、反射ミラーM24を介して、その入射角θに比例した基板Pの被照射面上の像高位置にビームLB1を投射する。焦点距離をfoとし、像高位置をyoとすると、fθレンズ系FTは、yo=fo×θ、の関係(歪曲収差)を満たすように設計されている。したがって、このfθレンズ系FTによって、ビームLB1をY方向に正確に等速で走査することが可能になる。なお、fθレンズ系FTに入射するビームLB1がポリゴンミラーPMによって1次元に偏向される面(XY面と平行)は、fθレンズ系FTの光軸AXfを含む面となる。
 図3は、選択用光学素子AOMnおよび入射ミラーIMn回りの具体的な構成を示す図である。なお、選択用光学素子AOMnおよび入射ミラーIMn回りの構成は互いに同一であることから、ここでは代表して選択用光学素子AOM1および入射ミラーIM1回りの構成についてのみ説明する。
 選択用光学素子AOM1には、図2に示したように、前段の選択用光学素子AOM4、反射ミラーM9、M10を通った後に、例えば直径1mm以下の微小な径(第1の径)の平行光束にされたビームLBが入射する。高周波信号(超音波信号)である駆動信号が入力されていない期間(駆動信号がオフ)では、選択用光学素子AOM1は、入射したビームLBを回折させずにそのまま透過する。透過したビームLBは、その光路上に光軸AXaに沿って設けられた集光レンズG1およびコリメートレンズG2aを透過して、後段の選択用光学素子AOM2に入射する。このとき選択用光学素子AOM1を通って集光レンズG1およびコリメートレンズG2aを通過するビームLBの中心軸は、光軸AXa上を通るものとする。集光レンズG1は、選択用光学素子AOM1を透過したビームLB(平行光束)を、集光レンズG1とコリメートレンズG2aとの間に位置する面p1の位置でビームウェストとなるように集光する。コリメートレンズG2aは、集光レンズG1によって集光された後、発散したビームLBを平行光束にする。コリメートレンズG2aによって平行光束にされたビームLBの径は、第1の径となる。集光レンズG1の後側焦点とコリメートレンズG2aの前側焦点とは、所定の許容範囲内で一致しており、集光レンズG1の前側焦点は選択用光学素子AOM1内の回折点と所定の許容範囲内で一致している。この集光レンズG1とコリメートレンズG2aとはリレーレンズ系を構成する。
 一方、高周波信号である駆動信号が選択用光学素子AOM1に印加されている期間では、選択用光学素子AOM1は、入射したビームLBを回折させたビームLB1(回折光)を発生する。高周波信号の周波数に応じた回折角で-Z方向に偏向したビームLB1(平行光束)は、集光レンズG1を透過して、面p1上に設けられた入射ミラーIM6に入射する。集光レンズG1は、-Z方向に偏向したビームLB1の中心軸AXbがビームLBが通る光軸AXaと平行となるようにビームLB1を屈折させ、且つ、ビームLB1を入射ミラーIM1の反射面上またはその近傍でビームウェストとなるように集光(収斂)する。選択用光学素子AOM1を透過したビームLBの光路に対して-Z方向側に設けられた入射ミラーIM6によって、ビームLB1は-Z方向に反射され、コリメートレンズG2bを介して走査ユニットU1に入射する。コリメートレンズG2bは、集光レンズG1によって収斂/発散されたビームLB1を、コリメートレンズG2bの光軸と同軸の平行光束にする。コリメートレンズG2bによって平行光束されたビームLB1の径は、第1の径となる。集光レンズG1の後側焦点とコリメートレンズG2bの前側焦点とは、所定の許容範囲内で一致している。この集光レンズG1とコリメートレンズG2bとはリレーレンズ系を構成する。なお、図3の集光レンズG1、コリメートレンズG2a、G2bは、図2で示した他の選択用光学素子AOM2~AOM6の各々の後の光路中にも、図3と同様の条件で配置される。
 ところで、図2に示した走査ユニットU1では、fθレンズ系FTの光軸をXY面と平行に図示したので、走査ユニットU1から基板Pに投射されるビームLB1の中心軸(主光線)が回転ドラムDRの中心軸AXoに向かうように、先端の反射ミラーM24の反射平面は、XY面に対して45度以外の角度で傾けて配置される。しかしながら、fθレンズ系FTの光軸がXY面に対して傾くように走査ユニットU1~U6の各々の全体をXZ面内で傾けられる場合は、fθレンズ系FTの光軸が反射ミラーM24で90度に折り曲げられるような構成としてもよい。
 図4は、走査ユニットU1の具体的な構成を示す図であり、ビームLB1の走査方向(偏向方向)を含む平面(XY平面と平行な平面)と直交する平面(XZ平面)からみた図である。なお、図4では、fθレンズ系FTの光軸AXfがXY面と平行に配置され、先端の反射ミラーM24が光軸AXfを90度で折り曲げるように配置されるものとする。走査ユニットU1内には、ビームLB1の入射位置から被照射面(基板P)までのビームLB1の送光路に沿って、反射ミラーM20、ビームエキスパンダーBE、傾斜角可変の平行平板HVP、開口絞りPA、反射ミラーM21、第1シリンドリカルレンズCY1、球面レンズG10a、反射ミラーM22、球面レンズG10b、反射ミラーM23、ポリゴンミラーPM、fθレンズ系FT、反射ミラーM24、および、第2シリンドリカルレンズCY2が設けられる。
 図3で示した入射ミラーIM1によって-Z方向に反射された平行光束のビームLB1は、XY平面に対して45度傾いた反射ミラーM20に入射する。この反射ミラーM20は、入射したビームLB1を、反射ミラーM20から-X方向に離れた反射ミラーM21に向けて-X方向に反射する。反射ミラーM20で反射したビームLB1は、ビームエキスパンダーBEおよび開口絞りPAを透過して反射ミラーM21に入射する。ビームエキスパンダーBEは、透過するビームLB1の径を拡大させる。ビームエキスパンダーBEは、集光レンズBe1と、集光レンズBe1によって収斂された後に発散するビームLB1を平行光束にするコリメートレンズBe2とを有する。このビームエキスパンダーBEによりビームLB6を開口絞りPAの開口部分に照射することが容易になる。なお、集光レンズBe1とコリメートレンズBe2の間には、ビームLBnに対する傾斜角度を不図示の駆動モータ等でXZ面と平行な面内で変更可能とした石英の平行平板HVPがシフト用光学部材として配置されている。この平行平板HVPの傾斜角を変えることで、基板P上で走査されるスポット光SPの走査軌跡である描画ラインSLnを副走査方向に微少量(例えば、スポット光SPの実効的な直径φの数倍~十数倍程度)だけシフトさせることができる。この機能については、後で詳述する。
 反射ミラーM21は、YZ平面に対して45度傾いて配置され、入射したビームLB1を、反射ミラーM21から-Z方向に離れた反射ミラーM22に向けて-Z方向に反射する。反射ミラーM21で-Z方向に反射されたビームLB1は、第1シリンドリカルレンズCY1(第1光学部材)および球面レンズG10aを透過した後、反射ミラーM22に至る。反射ミラーM22は、XY平面に対して45度傾いて配置され、入射したビームLB1を反射ミラーM23に向けて+X方向に反射する。反射ミラーM22で反射したビームLB1は、球面レンズG10bを介して反射ミラーM23に入射する。反射ミラーM23は、入射したビームLB1をポリゴンミラー(回転多面鏡、可動偏向部材)PMに向けて、XY面と平行な面内で折り曲げる。ポリゴンミラーPMの1つの反射面RPは、入射したビームLB1を、X軸方向に延びる光軸AXfを有するfθレンズ系FTに向けて+X方向に反射する。この球面レンズG10aと球面レンズG10bとはレンズ系(第3光学部材)G10を構成する。球面レンズG10a、G10bは、等方的な屈折力を有する。
 単レンズで構成される平凸の第1シリンドリカルレンズCY1は、1方向に屈折力(パワー)を有するレンズであり、非等方的な屈折力を有する。図5は、開口絞りPAから基板PまでのビームLBの光路をXY面上に展開し、ビームLBの偏向方向(主走査方向)を含む平面と平行な平面からみた概略図である。図5に示すように、第1シリンドリカルレンズCY1は、ポリゴンミラーPMによるビームLB1の偏向方向(ポリゴンミラーPMの回転軸AXpと垂直な面内での主走査方向、回転方向)に関しては、入射したビームLB1を、ポリゴンミラーPMの手前に位置する面p2において、ビームウェストとなるように1次元に集光(収斂)する。このポリゴンミラーPMの手前の集光位置(面p2の位置)を第1の位置とする。この第1の位置は、レンズ系G10(球面レンズG10a、10b)の手前の位置である。また、第1シリンドリカルレンズCY1は、ポリゴンミラーPMによるビームLB1の偏向方向(主走査方向)とは直交する方向(副走査方向)に関しては、入射したビームLB1を集光させずにそのまま平行光束として透過する(図4参照)。このように、第1シリンドリカルレンズCY1は、第1シリンドリカルレンズCY1を透過したビームLB1が、ポリゴンミラーPMの偏向方向とは直交する方向(副走査方向)に関しては非集光となるように、X方向と平行な方向(副走査方向)に延びた母線を有する。
 レンズ系G10(球面レンズG10a、G10b)は、ポリゴンミラーPMによるビームLB1の偏向方向(主走査方向、回転方向)に関しては、第1シリンドリカルレンズCY1によって集光された後、発散したビームLB1をほぼ平行光束にする(図5参照)。また、レンズ系G10(球面レンズG10a、G10b)は、ポリゴンミラーPMのビームLB1の偏向方向とは直交する方向(副走査方向)に関しては、第1シリンドリカルレンズCY1を透過した平行光束のビームLB1を、ポリゴンミラーPMの反射面RP上で集光(収斂)する(図4参照)。これにより、ポリゴンミラーPMに投射されるビームLB1は、反射面RP上でXY平面と平行な面内で延びたスリット状(長楕円状)に収斂される。このように、第1シリンドリカルレンズCY1およびレンズ系G10と、後述する第2シリンドリカルレンズCY2とによって、反射面RPがZ方向に対して傾いている場合(XY平面の法線に対する反射面RPの傾き)があっても、その影響を抑制することができる。例えば、基板Pの被照射面上に照射されるビームLB1(描画ラインSL1)の照射位置が、ポリゴンミラーPMの各反射面RP毎の僅かな傾き誤差(面倒れ)によってX方向にずれることを抑制すること、すなわち、各反射面RPの面倒れ補正を行うことができる。なお、反射面RPで反射されたビームLB1は、ポリゴンミラーPMによるビームLB1の偏向方向(主走査方向、回転方向)に関しては、ほぼ平行光束のままfθレンズ系FTに入射し、ポリゴンミラーPMのビームLB1の偏向方向と直交する方向(副走査方向)に関しては、所定の開口数(NA)で発散した状態でfθレンズ系FTに入射する。
 なお、第1シリンドリカルレンズCY1のポリゴンミラーPMの偏向方向(スポット光SPの主走査方向)に関する屈折力に応じた後側焦点と、レンズ系G10の前側焦点とは所定の許容範囲内で、面p2で一致するように設定されている。レンズ系G10の後側焦点とfθレンズ系FTの前側焦点とは、所定の許容範囲内でポリゴンミラーPMの偏向位置(反射面RP上)で一致するように設定されている。
 fθレンズ系FTは、ポリゴンミラーPMによるビームLB1の偏向方向(主走査方向、回転方向)に関しては、図5のように、反射面RPで反射されたほぼ平行光束のビームLB1を基板P上で収斂(集光)させる。さらにfθレンズ系FTは、図4のように、ポリゴンミラーPMのビームLB1の偏向方向とは直交する方向(副走査方向)に関しては、反射面RPで反射されて発散したビームLB1をほぼ平行光束にして、第2シリンドリカルレンズCY2に向けて投射する。
 単レンズで構成される平凸の第2シリンドリカルレンズ(第2光学部材)CY2は、Y方向(主走査方向)と平行な方向に母線を有し、1方向(副走査方向)にパワーを有する非等方的な屈折力を持つレンズである。第2シリンドリカルレンズCY2は、ポリゴンミラーPMによるビームLB1の偏向方向(主走査方向、回転方向)に関しては、入射したビームLB1をそのまま透過する。したがって、図5に示すように、第2シリンドリカルレンズCY2を透過したビームLB1は、ポリゴンミラーPMによるビームLB1の偏向方向(主走査方向、回転方向)に関しては、fθレンズ系FTの屈折力によって基板P上でビームウェストとなるように集光される。一方、第2シリンドリカルレンズCY2は、ポリゴンミラーPMによるビームLB1の偏向方向(主走査方向)とは直交する方向(副走査方向)に関しては、図4に示すように、入射したほぼ平行光束のビームLB1を基板P上でビームウェストとなるように集光(収斂)する。したがって、基板Pに投射されるビームLB1は、基板P上で略円形のスポット光SP(例えば、直径が3μm)となる。以上のように、第1シリンドリカルレンズCY1と第2シリンドリカルレンズCY2とは、互いに直交する方向にパワー(屈折力)を有するように、母線が互いに直交するように配置される。これによって、第1シリンドリカルレンズCY1は、レンズ系G10の手前の面p2でビームLBnを主走査方向に関して1次元に収斂させた後、ポリゴンミラーPMの反射面RP上ではビームLBnを副走査方向に関して1次元に収斂させるように機能し、第2シリンドリカルレンズCY2は、fθレンズ系FTの後のビームLBnを副走査方向に関して1次元に収斂させるように機能する。
 このように、母線が互いに直交するように単レンズで構成される第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2を設置しているため、レンズ系G10によって、ポリゴンミラーPMによるビームLBnの偏向方向(主走査方向)と主走査方向と直交する副走査方向との両方向におけるビームLBnの球面収差を良好に補正することができる。したがって、基板P上での結像性能の劣化を抑制することができる。また、第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2を設けることによって、ポリゴンミラーPMの反射面RP毎の僅かな傾き誤差(面倒れ)による描画ラインSLnのX方向(副走査方向)へのぶれの抑制、すなわち面倒れ補正も従来と同様に行われる。
 なお、基板P上に投射されるビームLBnのスポット光SPの集光位置(ベストフォーカス位置)は、主走査方向(偏向方向)と、主走査方向と直交する副走査方向とで、所定の許容範囲内で一致するように光学設計されているものとする。また、基板P上に投射されるビームLBn(スポット光SP)の主走査方向における開口数NAyと、主走査方向と直交する副走査方向における開口数NAxとは、所定の許容範囲内で等しくなる(揃う)ように設計されているものとする。なお、本第1の実施の形態では、開口数NAx≒開口数NAy、とするので、基板Pに投射されるビームLBnの開口数を単にNAで表すこともある。ビームLBnの球面収差は、設計上のベストフォーカス面に向けてビームLBnを収斂させたときに、ビームLBnの中心軸(主光線)に対して傾き角(ベストフォーカス面への入射角度)βが異なる光線の各々が集光する位置のフォーカス方向の相対偏差として表される。ビームLBnのベストフォーカス面と垂直な中心軸(主光線)に対して傾き角βの光線は、sinβで計算される開口数NAβとして表される。ビームLBnの最大の開口数NAは、ビームLBnの波長λとスポット光SPの実効的な直径φ、fθレンズ系FTの焦点距離によって概ね決められる。
 次に、第1シリンドリカルレンズCY1、第2シリンドリカルレンズCY2、レンズ系G10、および、fθレンズ系FTの各々の焦点距離と、開口絞りPAの開口絞り径と、ビームエキスパンダーBEの拡大倍率の決定方法について説明する。なお、第1シリンドリカルレンズCY1の焦点距離をfC1、第2シリンドリカルレンズCY2の焦点距離をfC2、レンズ系G10の焦点距離をfG、fθレンズ系FTの焦点距離をfθで表す。また、開口絞りPAの開口絞り径をφaとする。
 焦点距離fC1、fC2、fG、fθは、下記に示す式(1)の関係を有する。この式(1)に基づき、第1シリンドリカルレンズCY1、第2シリンドリカルレンズCY2、レンズ系G10、および、fθレンズ系FTの各々の焦点距離を決定することで、基板Pに投射されるビームLBnの開口数NAxと開口数NAyとを等しくすることができる。
   fG 2/fC1=fθ2/fC2 ・・・ (1)
 また、開口絞り径φaと開口数NA(=NAx≒NAy)は、下記に示す式(2)の関係を有する。
  φa=2×NA(fθ×fC1/fG)=2×NA×(fG×fC2/fθ)・・・(2)
 この式(2)に基づいて開口絞り径φaを決定することで、所望の開口数を得ることができる。また、ビームエキスパンダーBEの拡大倍率については、大きくする程、開口絞りPAによってけられる光量が多くなるため、光量損失は大きくなる。一方で、ビームエキスパンダーBEの拡大倍率が小さい程、像面(基板P上)での実効的な開口数が小さくなるため、解像度(スポット光SPの径φの微細度)が低下する。そのため、光量と解像度とのバランスを考え、最適なビームエキスパンダーBEの拡大倍率を設定することが望ましい。
 また、第1シリンドリカルレンズCY1、第2シリンドリカルレンズCY2、およびfθレンズ系FT等の各光学諸元が概ね定まっている場合、ビームLBnの主走査方向(偏向方向)における球面収差S1と、ビームLBnの主走査方向と直交する副走査方向における球面収差S2とが、少なくとも下記に示す式(3)~(6)のいずれか1つの条件を満たすように、レンズ系G10(球面レンズG10a、10b)の光学諸元が設定される。また、fθレンズ系FTの光学諸元のみが概ね定まっている場合は、式(3)~(6)のいずれか1つの条件を満たすように、レンズ系G10(球面レンズG10a、10b)の光学諸元、第1シリンドリカルレンズCY1と第2シリンドリカルレンズCY2の各光学諸元とが設定される。
 |S1-S2|<SC1×fθ2/fG 2-SC2   ・・・(3)
 S1<SC1×fθ2/fG 2、且つ、S2<SC2  ・・・(4)
 |S1-S2|<λ/NAy 2、且つ、|S1-S2|<λ/NAx 2  ・・・(5)
 S1<λ/NAy 2、且つ、S2<λ/NAx 2  ・・・(6)
 但し、|S1-S2|は球面収差S1と球面収差S2との差の絶対値を表し、SC1は第1シリンドリカルレンズCY1単体にて生じる球面収差を表し、SC2は第2シリンドリカルレンズCY2単体にて生じる球面収差を表し、λはビームLBnの波長を表すものとする。なお、球面収差S1と球面収差S2との差の絶対値|S1-S2|は|S2-S1|であっても同じである。また、走査ユニットU1を例に挙げて説明したが、他の走査ユニットU2~U6に関しても同様に光学設計されることは言うまでもない。
 ここで、従来の方式、つまり、第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2の各母線の延長方向をともに主走査方向(Y方向)と平行に設定した場合は、焦点距離fC1、fC2、fθは、下記に示す式(7)の関係を有する。この場合は、母線の延長方向がY方向と平行な第1シリンドリカルレンズCY1のみによって、ポリゴンミラーPMの反射面RPに投射されるビームLBnは、反射面RP上でXY平面と平行な方向(主走査方向)に延びたスリット状(長楕円状)に収斂されるので、レンズ系G10は不要となる。
   fC1×fC2=fθ2  ・・・(7)
 また、開口絞りPAの円形開口の直径φaと開口数NAは、下記に示す式(8)の関係を有する。
   φa=2×NA×fθ=2×NA×(fC1×fC2/fθ)  ・・・(8)
 本第1の実施の形態の面倒れ補正と、従来の方式による面倒れ補正とを比較する。両者をなるべく同一条件で比較する必要があるため、開口数NAおよび走査ユニットUnに入射するビームLBnの仕様は互いに同一とする。このビームLBnは、波長が、354.7nmの単色光であり、光軸中心(ビーム中心線)から0.25mmの位置で強度が1/e2となる非偏光のガウスビームとする。開口数NAは、主走査方向(偏向方向)を含む平面(YZ平面)内における開口数NAyと、主走査方向と直交する方向(副走査方向)を含む平面(XZ平面)内における開口数NAxとに分けて扱い、NAy=NAx=0.06とする。また、fθレンズ系FTおよび第2シリンドリカルレンズCY2についても、本第1の実施の形態と従来の方式とで同一のものを採用する。fθレンズ系FTの焦点距離fθはfθ=100mmとし、単レンズで構成された平凸の第2シリンドリカルレンズCY2の焦点距離fC2をfC2=14.5mmとする。なお、第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2にて発生する球面収差の影響のみを評価できるよう、fθレンズ系FTは、収差の発生しない理想のf-θ特性を持つレンズとする。まず、比較例1で従来の方式による走査ユニットUnの面倒れ補正用の光学系の具体的な設計例について説明した後、実施例1で本第1の実施の形態の走査ユニットUnの面倒れ補正用の光学系の具体的な設計例について説明する。なお、本第1の実施の形態と従来の方式とにおいて、互いに構成が共通する部材、または、機能が共通する部材については同一の符号を付して説明する。また、簡単のために、反射ミラーM21、M22、M23の各々は設計例(レンズデータ)から省略してある。
 (比較例1)
 比較例1では、第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2の母線をともに主走査方向(Y方向)に設定し、レンズ系G10は設けられていない。比較例1におけるビームエキスパンダーBEから第2シリンドリカルレンズCY2までの光学設計例によるレンズデータを図6に示す。図7は、比較例1におけるビームエキスパンダーBEから基板(像面)PまでのビームLBnの状態を、ビームLBnの偏向方向(スポット光SPの走査方向)を含む平面と平行な面内で示す概略図である。図8は、図7に示すビームエキスパンダーBEからポリゴンミラーPMの反射面RPまでのビームLBnの状態を、ビームLBnの偏向方向(主走査方向)と直交する平面(副走査方向を含む面)からみた概略図である。図9は、図7に示すポリゴンミラーPMの反射面RPから基板(像面)PまでのビームLBnの状態を、ビームLBnの偏向方向(主走査方向)と直交する平面からみた概略図である。なお、図6においては、ポリゴンミラーPMの反射後は、面間隔と曲率半径の正負の符号を逆転して表してある。図7~図9は、比較例1におけるビームエキスパンダーBE~基板Pまでの各光学部材(第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2など)を、図6の数値例に則った縮尺で配置した様子を示す図である。
 走査ユニットUnに入射した平行光束のビームLBn(実効的なビーム径φは0.5mmとする)は、5枚の球面レンズLG1~LG5からなるビームエキスパンダーBEにて拡大された平行光束に変換された後、開口絞りPAにて所定の直径の円形断面の光束に整形される。開口絞りPAの開口絞り径φaは、上記した式(8)に基づき、12mmとする。また、強度が軸上の1/e2となる位置が開口絞り径φaの半径である6mmとなるように、ビームエキスパンダーBEの拡大倍率を24倍に設定する。このとき、開口絞りPAによる光量損失の比率は約13.5%となる。
 ビームエキスパンダーBEの後方に配置した単レンズで構成される平凸の第1シリンドリカルレンズCY1は、ポリゴンミラーPMによるビームLBnの偏向方向(主走査方向)とは直交する方向に関して、入射したビームLBnをポリゴンミラーPMの反射面RP上に集光する(図8参照)。第1シリンドリカルレンズCY1の焦点距離fC1は、上記した式(7)に基づき、fC1=693.1mmとする。ポリゴンミラーPMの反射面RPは、第1シリンドリカルレンズCY1の後側焦点に位置している。なお、ポリゴンミラーPMによるビームLBnの偏向方向(主走査方向)に関しては、第1シリンドリカルレンズCY1を透過したビームLBnは平行光のままである(図7参照)。したがって、ポリゴンミラーPMに投射されるビームLBnは、反射面RP上で偏向方向に延びたスリット状(長楕円状)に収斂される。
 ポリゴンミラーPMの反射面RPで反射したビームLBnは、ポリゴンミラーPMの回転角度に応じた角度で、焦点距離fθが100mmのfθレンズ系FTに入射する。ポリゴンミラーPMの反射面RPはfθレンズ系FTの前側焦点の位置に来るように配置されている。そのため、fθレンズ系FTは、ポリゴンミラーPMによるビームLBnの偏向方向(主走査方向)に関しては、ポリゴンミラーPMの反射面RPで反射したビームLBnを、テレセントリックな状態で基板Pの被照射面(像面)上で集光する(図7参照)。一方、fθレンズ系FTは、ポリゴンミラーPMによるビームLBnの偏向方向(主走査方向)と直交する副走査方向に関しては、ポリゴンミラーPMの反射面RPで反射して発散したビームLBnを平行光にする(図9参照)。
 fθレンズ系FTを透過したビームLBnは、fθレンズ系FTの後方に配置された焦点距離fC2が14.5mmの第2シリンドリカルレンズCY2によって、ポリゴンミラーPMによるビームLBnの副走査方向に関しても基板Pの被照射面(像面)上で集光される(図9参照)。この第2シリンドリカルレンズCY2の位置は、ポリゴンミラーPMによるビームLBnの主走査方向に関する集光位置と、副走査方向に関する集光位置とがフォーカス方向に関して所定の許容範囲内で一致するように定められ、その集光位置が基板Pの被照射面(像面)になるように設定される。
 このように、第1シリンドリカルレンズCY1、fθレンズ系FT、および第2シリンドリカルレンズCY2による光路を介して、ビームLBnを基板P上でスポット光SPとして集光する場合、ビームLBnの集光位置が主走査方向と副走査方向とで大きく異なるような収差が発生する。これは、ビームLBnがスポット光として収斂する際に発生する球面収差によるものである。図10、図11は、基板Pに向かうビームLBnの球面収差の状態を説明する図であり、図10はビームLBnの主走査方向に関する球面収差の状態を表し、図11はビームLBnの副走査方向に関する球面収差の状態を表す。
 図10に示すように、ビームLBnは、主走査方向に関してはある太さの平行光束となってfθレンズ系FTに入射し、主にfθレンズ系FTによって主光線(ビーム中心線)Lpr上の所定のZ位置(フォーカス位置)に集光される。その際、第2シリンドリカルレンズCY2は単なる平行平板として作用する。fθレンズ系FTから射出するビームLBnの主走査方向に関する最大の開口数NAyは、集光点に向かう光線LLaの主光線Lprに対する傾き角(入射角)βaより、NAy=sinβaで決まる。ビームLBnには、光線LLaの入射角βaよりも入射角が小さい光線LLb(入射角をβb)、光線LLbの入射角βbよりも入射角が小さい光線LLc(入射角をβc)等が含まれる。ここで、入射角βaの光線LLaによる集光点がZ軸方向のフォーカス位置Zmaであるとすると、入射角βbの光線LLbによる集光点のフォーカス位置Zmb、入射角βcの光線LLcによる集光点のフォーカス位置Zmcは、いずれもフォーカス位置Zmaに対してZ軸方向にずれている。そのようなずれが球面収差である。
 また、図11に示すように、ビームLBnは、副走査方向に関しては、発散光束となってfθレンズ系FTに入射し、fθレンズ系FTによって平行光束に変換された後、第2シリンドリカルレンズCY2の屈折作用を受けて、主光線(ビーム中心線)Lpr上の所定のZ位置(フォーカス位置)に集光される。第2シリンドリカルレンズCY2から射出するビームLBnの副走査方向に関する最大の開口数NAxは、主走査方向に関する最大の開口数NAyと揃うように設定される。したがって、副走査方向に関しても、NAx=sinβaで決まる光線LLa(入射角βa)が集光するフォーカス位置Zsa、入射角βaよりも入射角が小さい光線LLb(入射角をβb)が集光するフォーカス位置Zsb、入射角βbよりも入射角が小さい光線LLc(入射角をβc)が集光するフォーカス位置Zscの各々は、球面収差によってZ軸方向(フォーカス方向)にずれている。なお、図10、図11では、fθレンズ系FTから基板Pまでの光路で球面収差が生じるように説明したが、基板Pに達するビームLBnに生じる実際の球面収差は、図2の光源装置14から射出したビームが通る各種の光学部材(レンズ、AOM、反射ミラー)の影響を受けたものとなる。
 図12と図13は、図6に示した比較例1のレンズデータに基づいて、ビームLBnの最大の開口数NA(=NAy≒NAx)を0.06としてシミュレーションされたビームLBnの球面収差特性であり、横軸は設計上のベストフォーカス位置をゼロ点としたフォーカス位置(μm)を表し、縦軸はビームLBnの最大の開口数NAに対応する光線LLaの最大入射角βa(NAa=sinβa)を1.0(βmax)に規格化した入射角βを表す。したがって、図12、図13において、例えば入射角βが0.5とは、最大入射角βaの半分の角度を意味する。さらに、図12中の実線で示す特性(A)は基板Pに投射されるビームLBnの主走査方向に関する球面収差特性であり、破線で示す特性(B)は基板Pに投射されるビームLBnの副走査方向に関する球面収差特性である。図13中に示す特性(C)は、図12中の特性(A)と特性(B)の差分〔(B)-(A)〕による球面収差特性を表したもので、スポット光SPとして基板P上に投射されるビームLBnの入射角度βに応じてベストフォーカス位置がずれており、数十μmの球面収差が発生している。
 ここで、図12中の特性(A)はビームエキスパンダーBEとfθレンズ系FTとによって発生する球面収差であり、図12中の特性(B)はビームエキスパンダーBE、第1シリンドリカルレンズCY1、fθレンズ系FT、および第2シリンドリカルレンズCY2の合成系によって発生する球面収差である。したがって、特性(A)と特性(B)の差分の特性(C)は、主に第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2によって発生する球面収差特性に対応する。
 (実施例1)
 実施例1では、上述したように、第1シリンドリカルレンズCY1の母線の延長方向を副走査方向(X方向)とし、第2シリンドリカルレンズCY2の母線の延長方向を主走査方向(Y方向)とし、第1シリンドリカルレンズCY1とポリゴンミラーPMとの間にレンズ系G10が設けられている。実施例1におけるビームエキスパンダーBEから第2シリンドリカルレンズCY2までの光学設計用のレンズデータを図14に示す。また、図15は、実施例1におけるビームエキスパンダーBEから基板(像面)PまでのビームLBnの状態を、ビームLBnの偏向方向(スポット光SPの走査方向)を含む平面と平行な面内でみた概略図である。図16は、図15に示すビームエキスパンダーBEからポリゴンミラーPMの反射面RPまでのビームLBnの状態を、ビームLBnの偏向方向(主走査方向)と直交する面内(副走査方向を含む面内)でみた概略図である。図17は、図15に示すポリゴンミラーPMの反射面RPから基板(像面)PまでのビームLBnを、ビームLBnの偏向方向(主走査方向)と直交する面内(副走査方向を含む面内)でみた概略図である。なお、図14においては、ポリゴンミラーPMの反射後は、面間隔と曲率半径の正負の符号を逆転して表してある。図15~図17は、実施例1におけるビームエキスパンダーBE~基板Pまでの各光学部材(第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2など)を、図14の数値例に則った実際の縮尺で配置した様子を示す。
 実施例1では、第1シリンドリカルレンズCY1から像面(基板Pの被照射面)までの距離(光路長)が、比較例1に比べて300mm程度短くなるように、上記の式(1)に基づいて、レンズ系G10の焦点距離fGをfG=201.2mm、第1シリンドリカルレンズCY1の焦点距離fC1をfC1=58mmにした。これにより、本実施例1では、比較例1の設計例に比べ、省スペースな光学系を実現することができる。さらに、走査ユニットUnの筐体についても小さくすることができるため、軽量化も図れる。
 走査ユニットUnに入射した平行光束のビームLBn(実効的な直径0.5mm)は、4枚の球面レンズLGa~LGdからなるビームエキスパンダーBEで拡大された後、開口絞りPAにて所定の光束径に整形される。開口絞りPAの開口絞り直径φaは、上記した式(2)に基づき、3.5mmとする。ビームエキスパンダーBEによって拡大された後の光束において、中心からの開口絞り直径φaの半径である1.75mmの位置にて強度が軸上の1/e2となるように、ビームエキスパンダーBEの拡大倍率を7倍に設定する。このように、比較例1と比較してビームエキスパンダーBEの拡大倍率が小さくなるため、ビームエキスパンダーBEの設計が容易になり、ビームエキスパンダーBEで発生する球面収差も小さくすることができる。
 ビームエキスパンダーBEの後方に配置した単レンズで構成される焦点距離fC1が58mmの平凸の第1シリンドリカルレンズCY1は、ポリゴンミラーPMによるビームLBnの偏向方向(主走査方向)に関して、入射したビームLBnを第1シリンドリカルレンズCY1の後側焦点の面p2(第1の位置)に集光する(図15参照)。この面p2の位置は、第1シリンドリカルレンズCY1と、第1シリンドリカルレンズCY1の後方側に配置されたレンズ系G10との間に位置する。なお、ポリゴンミラーPMによるビームLBnの偏向方向(主走査方向)と直交する副走査方向に関しては、第1シリンドリカルレンズCY1を透過したビームLBnは平行光のままである(図16参照)。
 2枚の球面レンズG10a、G10bで構成されるレンズ系G10(焦点距離fG=201.2mm)は、レンズ系G10の前側焦点と第1シリンドリカルレンズCY1との後側焦点の位置(面p2)とが所定の許容範囲内で一致するように配置されている。そのため、レンズ系G10を透過したビームLBnは、ビームLBnの主走査方向に関しては平行光束の状態であり(図15参照)、ビームLBnの主走査方向と直交する副走査方向に関してはポリゴンミラーPMの反射面RP上で集光される(図16参照)。ポリゴンミラーPMの反射面RPは、レンズ系G10の後側焦点の位置に来るように設定されている。したがって、ポリゴンミラーPMに投射されるビームLBnは、反射面RP上で偏向方向(主走査方向)に延びたスリット状(長楕円状)に収斂される。
 ポリゴンミラーPMの反射面RPで反射したビームLBnは、ポリゴンミラーPMの回転角度に応じた角度で、焦点距離fθ=100mmのfθレンズ系FTに入射する。fθレンズ系FTは、ポリゴンミラーPMの反射面RPがfθレンズ系FTの前側焦点の位置に来るように配置されている。そのため、fθレンズ系FTは、ポリゴンミラーPMによるビームLBnの偏向方向(主走査方向)に関しては、ポリゴンミラーPMの反射面RPで反射したビームLBnを、テレセントリックな状態(ビームLBnの主光線Lprがfθレンズ系FTの光軸AXfと常に平行な状態)で基板Pの被照射面(像面)上に集光する(図15参照)。一方、主走査方向と直交する副走査方向に関しては、fθレンズ系FTは、ポリゴンミラーPMの反射面RPで反射して発散光束となったビームLBnを平行光束に変換する(図17参照)。
 最後に、fθレンズ系FTを透過したビームLBnは、fθレンズ系FTの後方に配置された焦点距離fC2=14.5mmの第2シリンドリカルレンズCY2によって、ポリゴンミラーPMによるビームLBnの偏向方向(主走査方向)と直交する副走査方向に関しても基板Pの被照射面(像面)上でスポット光SPとなるように集光される(図17参照)。この第2シリンドリカルレンズCY2の位置は、ポリゴンミラーPMによるビームLBnの主走査方向に関する集光位置と、副走査方向に関する集光位置とがフォーカス方向に関して所定の許容範囲内で一致するように定められ、その集光位置が基板Pの被照射面(像面)になるように設定される。以上の図14~図17(および図4、図5)の構成において、ビームエキスパンダーBE、開口絞りPA、反射ミラーM21、第1シリンドリカルレンズCY1、反射ミラーM22、レンズ系G10、反射ミラーM23までの光学系は、ポリゴンミラーPM(可動偏向部材)に投射されるビームLBnを主走査方向と直交した副走査方向に関して収斂させるための非等方的な屈折力を有する第1光学素子又は第1レンズ部材(第1シリンドリカルレンズCY1)を含む第1調整光学系として機能する。さらに、図14~図17(および図4、図5)の構成において、fθレンズ系FT(走査用光学系)の後の反射ミラーM24と第2シリンドリカルレンズCY2は、fθレンズ系FTから基板Pに向かうビームLBnを副走査方向に関して収斂させるための非等方的な屈折力を有する第2光学素子又は第2レンズ部材(第2シリンドリカルレンズCY2)を含む第2調整光学系として機能する。
 図18と図19は、図14に示した実施例1のレンズデータに基づいて、ビームLBnの最大の開口数NAaを0.06としてシミュレーションされたビームLBnの球面収差特性であり、横軸は設計上のベストフォーカス位置をゼロ点としたフォーカス位置(μm)を表し、縦軸は先の図12、図13と同様に規格化した入射角βを表す。図18中の実線で示す特性(A)は基板Pに投射されるビームLBnの主走査方向に関する球面収差特性であり、破線で示す特性(B)は基板Pに投射されるビームLBnの副走査方向に関する球面収差特性である。また、図19中に示す特性(C)は、図18中の特性(A)と特性(B)の差分〔(B)-(A)〕による球面収差特性を表したものである。ここで、図18中の特性(A)は、ビームエキスパンダーBE、第1シリンドリカルレンズCY1、レンズ系G10、およびfθレンズ系FTの合成系によって発生する球面収差であり、図18中の特性(B)は、ビームエキスパンダーBE、レンズ系G10、fθレンズ系FT、および第2シリンドリカルレンズCY2の合成系によって発生する球面収差である。したがって、特性(A)と特性(B)の差分の特性(C)は、主に第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2によって発生する球面収差特性に対応する。
 シミュレーションの結果、先の図12に示した比較例1の球面収差の特性(A)、(B)と比べて、実施例1の場合は収差量の絶対値が1ケタ程度小さくなっている。図18中の特性(A)から分かるように、レンズ系G10によって第1シリンドリカルレンズCY1で発生する球面収差が補正されるため、スポット光SPとして基板P上に投射されるビームLBnの入射角度βに応じたベストフォーカス位置のずれが殆ど生じていない。このずれ、すなわち球面収差は上述した式(4)、(6)の条件を満たしている。同様に、図18中の特性(B)から分かるように、レンズ系G10によって第2シリンドリカルレンズCY2で発生する球面収差が補正されるため、スポット光SPとして基板P上に投射されるビームLBnの入射角度βに応じたベストフォーカス位置のずれが殆ど生じていない。このずれ、すなわち球面収差は上述した式(4)、(6)の条件を満たしている。そして、図19の特性(C)から分かるように、レンズ系G10によって第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2で発生する球面収差が補正されるため、スポット光SPとして基板P上に投射されるビームLBnの入射角βに応じたベストフォーカス位置の差分が殆ど生じていない。このベストフォーカス位置の差分、すなわち球面収差の差分は上述した式(3)、(5)の条件を満たしている。このように、基板Pに投射されるビームの球面収差を小さくしておくことは、描画可能なパターンの最小線幅をさらに小さくすること(高解像化)に対応して、基板P上に投射されるスポット光SPの実効的な直径を小さくするためにビームLBnの最大の開口数NAaを0.07以上に大きくする場合に有効である。
 以上のように、本第1の実施の形態における走査ユニットUnは、光源装置14からのビームLBnを基板Pに投射しつつ、ビームLBnを基板P上で1次元に走査するために、一方向にパワーを有する第1シリンドリカルレンズCY1と、第1シリンドリカルレンズCY1を透過したビームLBnを入射し、1次元の走査のために偏向するポリゴンミラーPMと、ポリゴンミラーPMによって偏向されたビームLBnを入射し、テレセントリックな状態でビームLBnを基板Pに投射するfθレンズ系FTと、fθレンズ系FTを透過したビームLBnを入射し、一方向にパワーを有する第2シリンドリカルレンズCY2とを備え、そして、第1シリンドリカルレンズCY1と第2シリンドリカルレンズCY2とを互いに直交する方向にパワー(屈折力)を有するように配置し、さらに第1シリンドリカルレンズCY1とポリゴンミラーPMとの間に、収差(球面収差)補正のためのレンズ系G10を設けるようにした。
 これにより、ポリゴンミラーPMの各反射面による面倒れによって生じるビームLBnの投射位置のずれを補正することができるとともに、第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2によって生じる球面収差を簡単な構成で補正することができる。したがって、スポット光SPの結像性能の劣化を抑制して、基板P上に描画されるパターンの解像度(微細度)を高めることができる。また、第1シリンドリカルレンズCY1の焦点距離fC1と第2シリンドリカルレンズCY2の焦点距離fC2を、共にfθレンズ系FTの焦点距離fθよりも小さくできるため、省スペースな光学系を実現することができ(図7~図9と図15~図17とを参照)、走査ユニットUnの筐体についても小さくすることができるため、軽量化も図れる。
 第1シリンドリカルレンズCY1は、ポリゴンミラーPMの偏向方向に関して、入射したビームLBnをポリゴンミラーPMの手前で集光し、レンズ系G10は、前記偏向方向に関して、第1シリンドリカルレンズCY1によって集光されて発散した後のビームLBnを平行光にし、前記偏向方向と直交する副走査方向に関して、入射したビームLBnをポリゴンミラーPMの反射面RP上で集光する。これにより、ポリゴンミラーPMに投射されるビームLBnを、反射面RP上で偏向方向に延びたスリット状(長楕円状)に収斂することができる。そして、fθレンズ系FTは、前記偏向方向に関して、入射したビームLBnを基板P上で集光し、前記偏向方向と直交する方向に関して、レンズ系G10によって反射面RP上で集光されて発散した後のビームLBを平行光にし、第2シリンドリカルレンズCY2は、前記偏向方向と直交する方向に関して、入射したビームLBnを基板P上で集光する。これにより、反射面RPがZ方向に対して傾いている場合(XY平面の法線に対する反射面RPの傾き)があっても、反射面RPと基板Pとは副走査方向に関しては共役関係(結像関係)になっているため、反射面RP毎にビームLBnの投射位置が副走査方向にずれることを抑制することができる。
 〔変形例1〕
 本第1の実施の形態によれば、第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2の各々は、実施例1(図14)に示したように、ビーム入射側の面が副走査方向に関して一定の曲率半径を有する円筒面に形成され、ビーム射出側の面が平面に形成されレンズで構成される。しかしながら、第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2の各々の円筒面は、曲率半径が僅かに異なる複数の面を滑らかにつなげた湾曲面(母線と垂直な断面形状では非球面)としてもよい。また、第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2の各々の平面側を、主走査方向、或いは副走査方向に所定の曲率半径(∞以外の有限値)を有する円筒面状に加工してもよい。また走査ユニットUnの各々に入射するビームLBn(光源装置14の射出ビーム)の波長λは、実施例1や比較例1で設定した紫外域の波長354.7nmに限られず、他の波長(可視域、赤外域の光)でもよい。また、レンズ系G10にて色消しを行えば、波長が異なる複数のビームを同軸(または平行)にポリゴンミラーPMに入射させて、波長が異なる複数のスポット光SPで基板Pの表面を走査することができる。或いは、レンズ系G10の色消しによって、ビームLBnを中心波長に対して一定の波長幅内に強度が分布する広波長帯光とすることもできる。また、ビームLBnは非偏光ではなく偏光成分を持っていてもよいし、ビーム断面内の強度分布がガウス分布でなく均一な強度分布(ほぼ矩形または台形の分布)であってもよい。
 〔変形例2〕
 上記第1の実施の形態では、ポリゴンミラーPMを用いて、ビームLBnを偏向させたが、揺動可能なガルバノミラー(可動偏向部材、揺動反射鏡)を用いてビームLBnを偏向させてもよい。この場合も、ガルバノミラーで反射されたビームLBnはfθレンズ系FTを介して基板P(被照射面)に投射されるので、ガルバノミラーの反射面の面倒れによる補正が必要な場合は、ガルバノミラーの手前に、第1シリンドリカルレンズCY1とレンズ系G10を同様に設け、fθレンズ系FTの後に第2シリンドリカルレンズCY2を設ければよい。また、レンズ系G10は、2枚の球面レンズG10a、G10bで構成したが単一のレンズ、或いは3枚以上のレンズで構成してもよい。また、レンズ系G10を構成する球面レンズG10a、G10bは、非球面レンズで構成してもよい。さらに、第1光学部材CY1および第2光学部材CY2として、シリンドリカルレンズを用いたが、1方向の屈折力が、その方向と直交する方向の屈折力に対して相対的に大きくなるレンズであればよい。例えば、第1光学部材CY1および第2光学部材CY2として、トーリックレンズまたはアナモフィックレンズを採用してもよい。
 〔変形例3〕
 本第1の実施の形態によれば、第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2の各々は単レンズで構成される。これによって、第1シリンドリカルレンズCY1および第2シリンドリカルレンズCY2の製作や組込み(調整)が簡単となり、コストを抑えることができる。しかしながら、ビームLBnの球面収差の補正のために、特に第2シリンドリカルレンズCY2を複数枚のレンズで構成することも可能である。第2シリンドリカルレンズCY2を複数枚(例えば2枚)のレンズで構成する場合、複数枚のレンズ間の母線同士の回転方位を高精度に合致させるための調整作業が必要となる。なお、第2シリンドリカルレンズCY2を複数枚(例えば2枚)のレンズで構成する場合、第1シリンドリカルレンズCY1の母線が延びる方向を、比較例1のように主走査方向と平行にして、レンズ系G10を省略しても、基板Pに投射されるビームLBnの球面収差を良好に補正することが可能になる。但し、その場合、比較例1で示したように第1シリンドリカルレンズCY1の焦点距離fC1をfθレンズ系FTの焦点距離fθよりも長くする必要が生じるため、走査ユニットUnの光路の全長は長くなる。しかしながら、fθレンズ系FTの焦点距離fθに対して第2シリンドリカルレンズCY2の焦点距離fC2を小さく設定することもあって、球面収差を小さく抑えることができる。
 この変形例3、或いは実施例1(図14~図17)では、ビームLBnのスポット光SPを基板P(被照射体)で1次元に走査するビーム走査装置(または描画装置)であって、ビームLBnを偏向するためのポリゴンミラーPM(ビーム偏向部材)の反射面RP上に、副走査方向に関して収斂したビームLBnを投射するための第1シリンドリカルレンズCY1(第1光学部材)と、ポリゴンミラーPMで偏向されたビームLBnを入射して基板Pに向けて投射するとともに、基板P上で1次元に走査するためのfθレンズ系FT(走査用光学系)と、基板Pとfθレンズ系FTの間に配置されて、fθレンズ系FTから射出されるビームLBnを副走査方向に収斂する単レンズまたは複数枚のレンズによる第2シリンドリカルレンズCY2(第2光学部材)とが設けられ、fθレンズ系FTの焦点距離fθと第2シリンドリカルレンズCY2の焦点距離fC2との関係を、fθ>fC2とすることで、基板Pに所定の開口数を伴って投射されるビームLBnの球面収差を低減したビーム走査装置(または描画装置)が得られる。
 [第2の実施の形態]
 先の図4でも簡単に説明したが、走査ユニットUn内のビームエキスパンダーBEを構成するレンズ系Be1、Be2の間の光路中には、描画ラインSLnを副走査方向(X方向)に微小シフトさせるために、ソフト用光学部材としての傾斜可能な平行平板HVPが設けられている。図20A、図20Bは、平行平板HVPの傾斜によって描画ラインSLnがシフトする様子を説明するもので、図20Aは、平行平板HVPの互いに平行な入射面と射出面がビームLBnの中心線(主光線)に対して90度になっている状態を示す図であり、すなわち平行平板HVPがXZ面内で傾斜していない状態を示す図である。図20Bは、平行平板HVPの互いに平行な入射面と射出面がビームLBnの中心線(主光線)に対して90度から傾いている場合、すなわち平行平板HVPがYZ面に対して角度ηだけ傾斜している状態を示す図である。
 さらに、図20A、図20Bでは、平行平板HVPが傾斜していない状態(角度η=0度)のとき、レンズ系Be1、Be2の光軸AXeは開口絞りPAの円形開口の中心を通るように設定され、ビームエキスパンダーBEに入射するビームLBnの中心線は光軸AXeと同軸になるように調整されているものとする。また、レンズ系Be2の後側焦点の位置は開口絞りPAの円形開口の位置に一致するように配置される。開口絞りPAの位置は、先の図16に示した第1シリンドリカルレンズCY1とレンズ系G10(球面レンズG10a、10b)によって、副走査方向に関しては、ポリゴンミラーPMの反射面RPの位置(或いはfθレンズ系FTの前側焦点の位置)からみると、ほぼ瞳の位置になるように設定されている。一方で、主走査方向に関しては、開口絞りPAは、fθレンズ系FTの前側焦点の位置である入射瞳の位置と光学的に共役になるように配置されている。そのため、平行平板HVPを角度ηだけ傾けた場合、平行平板HVPを透過してレンズ系Be2に入射するビームLBn(ここでは発散光束)の中心線は、光軸AXeに対して-Z方向に微小に平行移動し、レンズ系Be2から射出するビームLBnは平行光束に変換されるとともに、ビームLBnの中心線は光軸AXeに対して僅かに傾く。
 レンズ系Be2の後側焦点の位置は開口絞りPAの円形開口の位置に一致するように配置されているので、レンズ系Be2から傾いて射出するビームLBn(平行光束)は、開口絞りPA上でZ方向にずれることは無く、円形開口に投射され続ける。したがって、開口絞りPAの円形開口を通過したビームLBnは、強度分布上の1/e2の裾野の強度を正確にカットされた状態で、光軸AXeに対してXZ面内で副走査方向に僅かに傾いた角度で、後段の第1シリンドリカルレンズCY1に向かう。開口絞りPAは、副走査方向に関してはポリゴンミラーPMの反射面RPからみると瞳位置に対応しており、開口絞りPAの円形開口を通過したビームLBnの副走査方向に関する傾き角に応じて、ポリゴンミラーPMの反射面RPに入射するビームLBn(副走査方向に関して収斂)の反射面上での位置が僅かにシフトする。したがって、ポリゴンミラーPMの反射面RPで反射したビームLBnも、図4に示したfθレンズ系FTの光軸AXfを含むXY面と平行な面に対して僅かにZ方向にシフトした状態でfθレンズ系FTに入射する。その結果、先の図17で示した光路の場合は、第2シリンドリカルレンズCY2に入射するビームLBnが副走査方向に僅かに傾き、基板P上に投射されるビームLBnのスポット光SPの位置が副走査方向に僅かにシフトすることになる。なお、図4、図20では、ビームエキスパンダーBEを構成するレンズ系Be1、Be2の双方を正の屈折力を有する球面レンズ(凸レンズ)としたが、ビームLBnの入射側のレンズ系Be1を負の屈折力を有する球面レンズ(凹レンズ)としても良い。この場合、レンズ系Be1から射出するビームLBnは収斂されることなく発散光束となってレンズ系Be2に入射し、レンズ系Be2によってビーム径が拡大された平行光束に変換される。
 先の比較例1のように、第1シリンドリカルレンズCY1の母線と第2シリンドリカルレンズCY2の母線とを互いに平行に配置し、第2シリンドリカルレンズCY2を単レンズで構成した場合、図12、図13で示したように、大きな球面収差が残存する。そのため、平行平板HVPを比較例1のビームエキスパンダーBE(図7、図8)内に設けて傾けると、第2シリンドリカルレンズCY2に入射するビームLBnの位置や傾きが副走査方向に僅かに変化することに起因して、さらに大きな球面収差が発生することになる。これに対して、実施例1のように、第1シリンドリカルレンズCY1の母線と第2シリンドリカルレンズCY2の母線とを互いに直交する関係で配置するとともに、レンズ系G10を設けた場合、或いは、変形例3で説明したように第2シリンドリカルレンズCY2を複数枚のレンズで構成した場合は、図18、図19で示したように球面収差量をスポット光SPの実効的なサイズ(直径)φ以下に良好に補正することができる。そのため、平行平板HVPを傾ける際に、第2シリンドリカルレンズCY2に入射するビームLBnの位置や傾きが副走査方向に僅かに変化することに起因して生じる球面収差量の増分も小さく抑えられる。
 図4(図20)に示した平行平板HVPは、走査ユニットUnの各々に設けられているので、走査ユニットUn毎に、平行平板HVPの傾き角度ηを連続的に変化させることで、基板P上に描画されるパターンの副走査方向の局所的な部分を微少な比率で伸縮させることができる。そのため、基板Pの長尺方向(副走査方向)に関して基板Pが部分的に伸縮している場合であっても、基板P上に既に形成された下地パターン(第1層パターン)に対して第2層用のパターンを重ね合せ露光(描画)する際の重ね合せ精度を良好に維持できる。基板Pの長尺方向(副走査方向)の局所的な伸縮は、例えば、基板Pの幅方向の両側に長尺方向に一定のピッチ(例えば10mm)で形成されるアライメントマークをアライメント顕微鏡で拡大して撮像素子で順次撮像し、マーク位置の長尺方向の変化(マークのピッチ変化等)を画像解析することによって、走査ユニットUnの各々がパターン描画する直前に予測できる。アライメントマークの配置やアライメント顕微鏡の配置等の一例は、例えば国際公開第2015/152218号パンフレットに開示されている。

Claims (40)

  1.  光源装置からのビームを被照射体に投射しつつ、前記ビームを前記被照射体上で1次元に走査するビーム走査装置であって、
     前記ビームを前記1次元の方向に対応した第1の方向に集光する第1光学部材と、
     前記第1光学部材を通った前記ビームを入射し、前記1次元の走査のために前記ビームを前記第1の方向に偏向するビーム偏向部材と、
     前記ビーム偏向部材によって偏向された前記ビームを入射し、前記被照射体に向けて投射する走査用光学系と、
     前記走査用光学系を通った前記ビームを入射し、前記第1の方向と直交する第2の方向に前記ビームを集光する第2光学部材と、
     前記第1光学部材と前記ビーム偏向部材との間に設けられ、前記第1光学部材を通った前記ビームを前記ビーム偏向部材の位置で前記第2の方向に集光するレンズ系と、
     を備える、ビーム走査装置。
  2.  請求項1に記載のビーム走査装置であって、
     前記第1の方向は前記ビーム偏向部材によって前記ビームを前記1次元に走査する主走査方向であり、前記第2の方向は前記主走査方向と直交する副走査方向である、ビーム走査装置。
  3.  請求項2に記載のビーム走査装置であって、
     前記ビーム偏向部材は、複数の反射面が連続して回転することによって、前記ビームを前記主走査方向に繰り返し偏向する回転多面鏡である、ビーム走査装置。
  4.  請求項3に記載のビーム走査装置であって、
     前記第1光学部材は、前記ビームを前記レンズ系に入射する手前の位置で前記主走査方向に関して集光し、
     前記第2光学部材は、前記ビームを前記被照射体の位置で前記副走査方向に関して集光する、ビーム走査装置。
  5.  請求項4に記載のビーム走査装置であって、
     前記レンズ系は、前記第1光学部材によって前記主走査方向に集光された後に発散する前記ビームを入射して前記主走査方向に関してはほぼ平行光にするとともに、前記副走査方向に関しては前記回転多面鏡の反射面上で集光する収斂光にする、ビーム走査装置。
  6.  請求項1~5のいずれか1項に記載のビーム走査装置であって、
     前記第1光学部材、前記レンズ系、前記ビーム偏向部材、および前記走査用光学系の各々は、
     前記第1光学部材の後側焦点の位置と前記レンズ系の前側焦点の位置とが所定の許容範囲内で一致し、
     前記レンズ系の後側焦点の位置と前記走査用光学系の前側焦点の位置とが所定の許容範囲内で前記ビーム偏向部材に位置するように配置される、ビーム走査装置。
  7.  請求項1~6のいずれか1項に記載のビーム走査装置であって、
     前記被照射体に投射される前記ビームの前記第1の方向における開口数と前記第2の方向における開口数とが所定の許容範囲内で等しく設定される、ビーム走査装置。
  8.  請求項7に記載のビーム走査装置であって、
     前記第1光学部材の焦点距離をfC1、前記第2光学部材の焦点距離をfC2、前記レンズ系の焦点距離をfG、および、前記走査用光学系の焦点距離をfθとしたとき、
      fG 2/fC1=fθ2/fC2
     の関係を有する、ビーム走査装置。
  9.  請求項7または8に記載のビーム走査装置であって、
     前記第1光学部材に入射する前記ビームを、所定の直径を有する円形断面の光束に整形する開口絞りをさらに備える、ビーム走査装置。
  10.  請求項9に記載のビーム走査装置であって、
     前記被照射体に投射される前記ビームの開口数NAと前記開口絞りの直径φaは、
      φa=2×NA(fθ×fC1/fG)=2×NA×(fG×fC2/fθ)
     の関係を有する、ビーム走査装置。
     (但し、fC1:前記第1光学部材の焦点距離、fC2:前記第2光学部材の焦点距離、fG:前記レンズ系の焦点距離、fθ:前記走査用光学系の焦点距離)
  11.  請求項1~10のいずれか1項に記載のビーム走査装置であって、
     前記第1光学部材に入射する前記ビームは、ビームエキスパンダーによって拡大された光束である、ビーム走査装置。
  12.  請求項1~11のいずれか1項に記載のビーム走査装置であって、
     前記第1光学部材および前記第2光学部材は単レンズであり、
     前記レンズ系は複数枚のレンズから構成される、ビーム走査装置。
  13.  請求項1~12のいずれか1項に記載のビーム走査装置であって、
     前記走査用光学系は、前記ビームの主走査方向の偏向角度の変化と前記被照射体上での投射位置の変化とを比例関係にするfθレンズ系であり、
     前記レンズ系は、少なくとも1つの球面レンズまたは非球面レンズで構成される、ビーム走査装置。
  14.  請求項1~13のいずれか1項に記載のビーム走査装置であって、
     前記第1光学部材および前記第2光学部材は、母線の延長方向が互いに直交した関係に設置されるシリンドリカルレンズである、ビーム走査装置。
  15.  請求項14に記載のビーム走査装置であって、
     前記第1光学部材単体にて生じる前記第1の方向に関する球面収差をSC1とし、前記第2光学部材単体にて生じる前記第2の方向に関する球面収差をSC2としたとき、前記被照射体に投射される前記ビームの前記第1の方向における球面収差S1と、前記第2の方向における球面収差S2との差分|S1-S2|が、
      |S1-S2|<SC1×fθ2/fG 2-SC2
     の関係式を満たすように設定されている、ビーム走査装置。
    (但し、fG:前記レンズ系の焦点距離、fθ:前記走査用光学系の焦点距離)
  16.  請求項14または15に記載のビーム走査装置であって、
     前記被照射体に投射される前記ビームの前記第1の方向に関する球面収差S1と、前記第2の方向に関する球面収差S2とが、
      S1<SC1×fθ2/fG 2、且つ、S2<SC2
     の関係式を満たすように設定されている、ビーム走査装置。
    (但し、fG:前記レンズ系の焦点距離、fθ:前記走査用光学系の焦点距離、SC1:前記第1光学部材単体にて生じる前記第1の方向に関する球面収差、SC2:前記第2光学部材単体にて生じる前記第2の方向に関する球面収差)
  17.  請求項14~16のいずれか1項に記載のビーム走査装置であって、
     前記被照射体に投射される前記ビームの前記第1の方向に関する球面収差S1と、前記第2の方向に関する球面収差S2との差分|S1-S2|が、
      |S1-S2|<λ/NAy 2、且つ、|S1-S2|<λ/NAx 2
     の関係式を満たすように設定されている、ビーム走査装置。
    (但し、λ:前記ビームの波長、NAy:前記ビームの前記第1の方向に関する開口数、NAx: 前記ビームの前記第2の方向に関する開口数)
  18.  請求項14~17のいずれか1項に記載のビーム走査装置であって、
     前記被照射体に投射される前記ビームの前記第1の方向に関する球面収差S1と、前記第2の方向に関する球面収差S2とが、
      S1<λ/NAy 2、且つ、S2<λ/NAx 2
     の関係式を満たすように設定されている、ビーム走査装置。
    (但し、λ:前記ビームの波長、NAy:前記ビームの前記第1の方向に関する開口数、NAx: 前記ビームの前記第2の方向に関する開口数)
  19.  光源装置からのビームを被照射体上で主走査方向に走査しつつ、前記被照射体と前記ビームを副走査方向に相対移動させて、前記被照射体にパターンを描画する描画装置であって、
     前記ビームを前記主走査方向に走査するために、前記ビームを入射して前記主走査方向に1次元に偏向する可動偏向部材と、
     前記可動偏向部材で1次元に偏向される前記ビームを入射し、前記ビームを前記被照射体上に集光して投射する走査用光学系と、
     非等方的な屈折力を有し、前記可動偏向部材に向かう前記ビームを前記主走査方向に関して収斂する第1光学部材と、
     非等方的な屈折力を有し、前記走査用光学系から射出して前記被照射体に向かう前記ビームを前記副走査方向に関して収斂する第2光学部材と、
     前記第1光学部材と前記可動偏向部材との間に設けられ、前記主走査方向に関して収斂した前記ビームを入射して、前記副走査方向に関して収斂するビームに変換して前記可動偏向部材に向けて射出する等方的な屈折力を有する第3光学部材と、
     を備える、描画装置。
  20.  請求項19に記載の描画装置であって、
     前記第1光学部材は、前記可動偏向部材に向かう前記ビームを前記第1光学部材と前記可動偏向部材との間の第1の位置において前記主走査方向に関してはビームウェストとなるように集光させ、前記副走査方向に関しては非集光な状態とする、描画装置。
  21.  請求項20に記載の描画装置であって、
     前記第3光学部材は、前記第1光学部材からの前記ビームを前記可動偏向部材の偏向位置において前記副走査方向に関してはビームウェストとなるように集光させ、前記主走査方向に関しては非集光な状態とする、描画装置。
  22.  請求項21に記載の描画装置であって、
     前記第1光学部材の前記主走査方向に関する屈折力に応じた後側焦点の位置と前記第3光学部材の前側焦点の位置とを、所定の許容範囲内で前記第1の位置と一致させ、
     前記第3光学部材の後側焦点の位置と前記走査用光学系の前側焦点の位置とを、所定の許容範囲内で前記可動偏向部材の偏向位置と一致させる、描画装置。
  23.  請求項19~22のいずれか1項に記載の描画装置であって、
     前記被照射体上に投射される前記ビームの前記主走査方向の開口数と前記副走査方向の開口数とを所定の許容範囲内で揃えた、描画装置。
  24.  請求項23に記載の描画装置であって、
     前記第1光学部材の前記主走査方向に関する屈折力に応じた焦点距離をfC1、前記第2光学部材の前記副走査方向に関する屈折力に応じた焦点距離をfC2、前記第3光学部材の焦点距離をfG、および、前記走査用光学系の焦点距離をfθとしたとき、
      fG 2/fC1=fθ2/fC2
     の関係を所定の誤差範囲内で満たすように設定される、描画装置。
  25.  請求項24に記載の描画装置であって、
     前記第1光学部材に入射する前記ビームを、所定の直径の円形断面の光束に整形する開口絞りをさらに備える、描画装置。
  26.  請求項25に記載の描画装置であって、
     前記被照射体上に投射される前記ビームの開口数NAと前記開口絞りで整形された前記ビームの直径φaは、
      φa=2×NA(fθ×fC1/fG)=2×NA×(fG×fC2/fθ)
     の関係を所定の誤差範囲内で満たすように設定される、描画装置。
  27.  請求項19~26のいずれか1項に記載の描画装置であって、
     前記第1光学部材および前記第2光学部材は非等方な屈折力を有する単レンズで構成され、前記第3光学部材は等方的な屈折力を有する複数枚のレンズで構成される、描画装置。
  28.  請求項19~27のいずれか1項に記載の描画装置であって、
     前記第1光学部材および前記第2光学部材は、前記ビームが進む光路と垂直な面内で互いに直交する方向に関する屈折力が異なるシリンドリカルレンズ、トーリックレンズ、およびアナモフィックレンズのいずれか1つを含み、
     前記第3光学部材は、前記ビームが進む光路と垂直な面内で等方的な屈折力を有する球面レンズまたは非球面レンズを含む、描画装置。
  29.  請求項19~28のいずれか1項に記載の描画装置であって、
     前記可動偏向部材は、前記ビームを反射させる反射面を有し、該反射面の角度が前記主走査方向に関して変化する回転多面鏡、または揺動反射鏡であり、
     前記走査用光学系は、前記可動偏向部材で偏向される前記ビームの偏向角と前記被照射体上に投射される前記ビームの像高位置とが比例関係になるfθレンズ系である、描画装置。
  30.  可動偏向部材で第1方向に偏向されるビームを、走査用光学系によって被照射体上に投射しつつ前記被照射体上で前記第1方向に沿って1次元走査して前記被照射体にパターンを描画する描画装置であって、
     前記可動偏向部材に投射される前記ビームを前記第1方向と直交した第2方向に関して収斂させるための非等方的な屈折力を有する第1レンズ部材を含む第1調整光学系と、
     前記走査用光学系から前記被照射体に向かう前記ビームを前記第2方向に関して収斂させるための非等方的な屈折力を有する第2レンズ部材を含む第2調整光学系と、
    を備え、
     前記ビームの波長をλ、前記被照射体に投射される前記ビームの前記第1方向に関する開口数をNAy、前記第2方向に関する開口数をNAx、前記被照射体に投射される前記ビームの前記第1方向に関する球面収差をS1、前記第2方向に関する球面収差をS2としたとき、前記第1レンズ部材と前記第2レンズ部材は、
      S1<λ/NAy 2、且つ、S2<λ/NAx 2、となる条件と、
      |S1-S2|<λ/NAy 2、且つ、|S1-S2|<λ/NAx 2、となる条件とのいずれか一方を満たすように設定される、描画装置。
  31.  請求項30に記載の描画装置であって、
     前記第1調整光学系は、前記第1レンズ部材を通った前記ビームを入射して前記可動偏向部材に向けて投射する等方的な屈折力を有する第3レンズ部材を含み、
     前記第1レンズ部材は、前記第1レンズ部材と前記第3レンズ部材との間で前記ビームを前記第1方向に関して収斂するように配置される、描画装置。
  32.  請求項31に記載の描画装置であって、
     前記ビームを発生する光源装置をさらに備え、
     前記第1調整光学系は、前記光源装置から射出される前記ビームの直径を拡大するビームエキスパンダー系をさらに含む、描画装置。
  33.  請求項32に記載の描画装置であって、
     前記第1方向に関する前記球面収差S1は、前記ビームエキスパンダー系、前記第1レンズ部材、前記第3レンズ部材、および前記走査用光学系によって発生し、
     前記第2方向に関する前記球面収差S2は、前記ビームエキスパンダー系、前記第3レンズ部材、前記走査用光学系、および前記第2レンズ部材によって発生する、描画装置。
  34.  被照射体上の主走査方向に沿ってパターン描画用のビームを1次元走査すると共に、前記主走査方向と交差した副走査方向に前記被照射体と前記ビームとを相対移動させて、前記被照射体にパターンを描画する描画装置であって、
     前記ビームを発生する為のビーム生成装置と、
     前記ビーム生成装置からの前記ビームを、ビーム径を拡大させた平行光束に変換するビームエキスパンダーと、
     前記ビームエキスパンダーで変換された前記ビームを入射して前記主走査方向に対応した方向に1次元偏向するビーム偏向部材と、
     前記1次元偏向された前記ビームを入射して前記被照射体上に前記ビームのスポットを集光する為の走査用光学系と、
     前記ビームエキスパンダーと前記ビーム偏向部材との間に設けられ、前記ビームエキスパンダーで変換された前記ビームを入射して、前記ビーム偏向部材上に投射される前記ビームを前記副走査方向に対応した方向に収斂させるための非等方的な屈折力を有する第1光学素子を含む第1光学系と、
     前記走査用光学系から射出して前記被照射体に向かう前記ビームを前記副走査方向に収斂させるための非等方的な屈折力を有する第2光学素子を含む第2光学系と、
     前記ビームエキスパンダーの光路中に設けられ、前記ビームの光路を前記副走査方向に対応した方向にシフトさせるシフト用光学部材と、
     を備える、描画装置。
  35.  請求項34に記載の描画装置であって、
     前記ビームエキスパンダーは、前記ビーム生成装置からの前記ビームを入射する第1レンズ系と、該第1レンズ系を通った前記ビームを平行光束に変換する第2レンズ系と含み、
     前記シフト用光学部材は、前記第1レンズ系と前記第2レンズ系との間に傾斜角可変に配置される平行平板である、描画装置。
  36.  請求項35に記載の描画装置であって、
     前記ビームエキスパンダーの前記第2レンズ系の後側焦点の位置に配置され、前記ビームエキスパンダーで拡大された前記ビームの強度分布上の裾野の強度をカットする開口絞りを、更に備える、描画装置。
  37.  請求項36に記載の描画装置であって、
     前記ビーム偏向部材は、前記ビームエキスパンダーからの前記ビームを前記走査用光学系に向けて反射させると共に、前記主走査方向に対応した方向に角度が変化する反射面を有し、
     前記ビーム偏向部材の前記反射面は、前記副走査方向に対応した方向については、前記走査用光学系と前記第2光学系とによって、前記被照射体と光学的に共役になるように配置され、前記主走査方向に対応した方向については、前記走査用光学系の前側焦点の位置に配置される、描画装置。
  38.  請求項37に記載の描画装置であって、
     前記開口絞りの位置は、前記ビーム偏向部材の前記反射面からみたとき、前記副走査方向に対応した方向については、前記第1光学系のほぼ瞳の位置に設定され、前記主走査方向に対応した方向については、前記第1光学系によって前記ビーム偏向部材の前記反射面の位置又は前記走査用光学系の前側焦点の位置と光学的に共役になるように設定される、描画装置。
  39.  請求項38に記載の描画装置であって、
     前記第1光学系の前記第1光学素子は、前記主走査方向に対応した方向にだけ屈折力を有し、前記開口絞りを通った前記ビームを入射する第1シリンドリカルレンズであり、
    前記第2光学系の前記第2光学素子は、前記副走査方向に対応した方向にだけ屈折力を有する第2シリンドリカルレンズである、描画装置。
  40.  請求項39に記載の描画装置であって、
     前記第1光学系は、前記第1シリンドリカルレンズを通った前記ビームを入射して、前記ビーム偏向部材の前記反射面に向けて射出する等方的な屈折力を有する球面又は非球面のレンズを含む、描画装置。
PCT/JP2017/016274 2016-05-06 2017-04-25 ビーム走査装置および描画装置 WO2017191777A1 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910171295.1A CN110031964B (zh) 2016-05-06 2017-04-25 描绘装置
KR1020227012846A KR102496906B1 (ko) 2016-05-06 2017-04-25 빔 주사 장치 및 묘화 장치
KR1020187035184A KR102389080B1 (ko) 2016-05-06 2017-04-25 빔 주사 장치 및 묘화 장치
CN201780027995.2A CN109196423B (zh) 2016-05-06 2017-04-25 光束扫描装置
JP2018515430A JP6954274B2 (ja) 2016-05-06 2017-04-25 ビーム走査装置
HK19101337.9A HK1258865A1 (zh) 2016-05-06 2019-01-25 光束掃描裝置及描繪裝置
JP2021155417A JP7226499B2 (ja) 2016-05-06 2021-09-24 描画装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-093180 2016-05-06
JP2016093180 2016-05-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017191777A1 true WO2017191777A1 (ja) 2017-11-09

Family

ID=60203629

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/016274 WO2017191777A1 (ja) 2016-05-06 2017-04-25 ビーム走査装置および描画装置

Country Status (6)

Country Link
JP (3) JP6954274B2 (ja)
KR (2) KR102389080B1 (ja)
CN (3) CN110031964B (ja)
HK (1) HK1258865A1 (ja)
TW (2) TWI811646B (ja)
WO (1) WO2017191777A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6998488B1 (ja) * 2021-07-07 2022-01-18 川崎重工業株式会社 レーザ走査装置及びレーザ走査方法
US11409199B2 (en) 2017-10-25 2022-08-09 Nikon Corporation Pattern drawing device
TWI834211B (zh) 2021-07-07 2024-03-01 日商川崎重工業股份有限公司 雷射掃描裝置及雷射掃描方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006267719A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Hitachi Via Mechanics Ltd パターン露光方法及び装置
JP2007299918A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Nikon Corp 露光装置及び方法、露光用マスク、並びにデバイス製造方法
JP2009210726A (ja) * 2008-03-03 2009-09-17 Hitachi Via Mechanics Ltd マスクレス露光装置
WO2015152217A1 (ja) * 2014-04-01 2015-10-08 株式会社ニコン 基板処理装置、デバイス製造方法及び基板処理装置の調整方法
JP2016033960A (ja) * 2014-07-31 2016-03-10 セイコーエプソン株式会社 露光方法および露光装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6187123A (ja) * 1984-10-05 1986-05-02 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 走査光学系
JP3373079B2 (ja) * 1995-04-27 2003-02-04 大日本スクリーン製造株式会社 光学装置
JP3771328B2 (ja) * 1996-07-31 2006-04-26 株式会社東芝 マルチビーム露光装置
US5852490A (en) * 1996-09-30 1998-12-22 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
AU1891299A (en) * 1998-01-19 1999-08-02 Nikon Corporation Illuminating device and exposure apparatus
JP2002040345A (ja) * 2000-07-26 2002-02-06 Sharp Corp レーザ走査装置
TW528879B (en) * 2001-02-22 2003-04-21 Ishikawajima Harima Heavy Ind Illumination optical system and laser processor having the same
JP2002350763A (ja) * 2001-05-25 2002-12-04 Kyocera Mita Corp レーザ走査装置およびこれを備えた画像形成装置
JP2006030791A (ja) 2004-07-20 2006-02-02 Fuji Photo Film Co Ltd 光学装置
JP2006301252A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Konica Minolta Business Technologies Inc レーザ光学ユニット、レーザ光学装置及び画像形成装置
TWI426295B (zh) * 2007-03-05 2014-02-11 尼康股份有限公司 反射折射投影光學系統、投影光學裝置以及掃描型曝光裝置
TW200844478A (en) * 2007-05-03 2008-11-16 E Pin Optical Industry Co Ltd MEMS oscillating laser scanning unit and assembly method of the same
JP4986754B2 (ja) * 2007-07-27 2012-07-25 キヤノン株式会社 照明光学系及びそれを有する露光装置
US7885012B2 (en) * 2008-07-23 2011-02-08 Eastman Kodak Company Shearing radiation beam for imaging printing media
DE102008043324B4 (de) * 2008-10-30 2010-11-11 Carl Zeiss Smt Ag Optische Anordnung zur dreidimensionalen Strukturierung einer Materialschicht
JP2011118134A (ja) * 2009-12-03 2011-06-16 Sharp Corp 光走査装置およびそれを備えた画像形成装置
JP2012037843A (ja) * 2010-08-11 2012-02-23 Kyocera Mita Corp 光走査装置及び画像形成装置
JP5401629B2 (ja) * 2011-03-08 2014-01-29 川崎重工業株式会社 光走査装置及びレーザ加工装置
BR112013031745B1 (pt) * 2011-06-10 2021-08-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Aparelho de digitalização ótica, sistema de digitalização de disposição por laser e método de digitalização ótica
CN104380204B (zh) * 2012-06-21 2016-10-19 株式会社尼康 照明装置、处理装置、及元件制造方法
JP6459234B2 (ja) 2014-06-16 2019-01-30 株式会社ニコン 基板処理装置
CN106489093B (zh) * 2014-04-28 2019-04-19 株式会社尼康 图案描绘装置、图案描绘方法、器件制造方法、激光光源装置、光束扫描装置及方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006267719A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Hitachi Via Mechanics Ltd パターン露光方法及び装置
JP2007299918A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Nikon Corp 露光装置及び方法、露光用マスク、並びにデバイス製造方法
JP2009210726A (ja) * 2008-03-03 2009-09-17 Hitachi Via Mechanics Ltd マスクレス露光装置
WO2015152217A1 (ja) * 2014-04-01 2015-10-08 株式会社ニコン 基板処理装置、デバイス製造方法及び基板処理装置の調整方法
JP2016033960A (ja) * 2014-07-31 2016-03-10 セイコーエプソン株式会社 露光方法および露光装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11409199B2 (en) 2017-10-25 2022-08-09 Nikon Corporation Pattern drawing device
JP6998488B1 (ja) * 2021-07-07 2022-01-18 川崎重工業株式会社 レーザ走査装置及びレーザ走査方法
WO2023282223A1 (ja) * 2021-07-07 2023-01-12 川崎重工業株式会社 レーザ走査装置及びレーザ走査方法
TWI834211B (zh) 2021-07-07 2024-03-01 日商川崎重工業股份有限公司 雷射掃描裝置及雷射掃描方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220053054A (ko) 2022-04-28
CN110031965B (zh) 2021-09-10
KR102496906B1 (ko) 2023-02-08
CN110031964A (zh) 2019-07-19
JP6954274B2 (ja) 2021-10-27
TWI811646B (zh) 2023-08-11
TWI724165B (zh) 2021-04-11
JP6888700B2 (ja) 2021-06-16
CN110031964B (zh) 2022-06-10
JP2020101808A (ja) 2020-07-02
TW201804212A (zh) 2018-02-01
JP2022008529A (ja) 2022-01-13
TW202127096A (zh) 2021-07-16
JP7226499B2 (ja) 2023-02-21
CN109196423B (zh) 2021-08-27
KR20190003748A (ko) 2019-01-09
CN110031965A (zh) 2019-07-19
CN109196423A (zh) 2019-01-11
KR102389080B1 (ko) 2022-04-22
HK1258865A1 (zh) 2019-11-22
JPWO2017191777A1 (ja) 2019-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6927348B2 (ja) パターン形成方法
JP7226499B2 (ja) 描画装置
KR102007627B1 (ko) 기판 처리 장치, 디바이스 제조 시스템, 디바이스 제조 방법, 및 패턴 형성 장치
JP6614319B2 (ja) パターン描画装置
KR20150033614A (ko) 조명 장치, 처리 장치, 및 디바이스 제조 방법
WO2013179977A1 (ja) 照明装置、処理装置、及びデバイス製造方法
JP6520590B2 (ja) パターン描画装置およびパターン描画方法
KR101988818B1 (ko) 기판 처리 장치, 디바이스 제조 방법 및 노광 방법
CN108885337B (zh) 光束扫描装置及图案描绘装置

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018515430

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17792710

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20187035184

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17792710

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1