JP2016033960A - 露光方法および露光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】比較的簡単に、装置自体が有する精度に起因する露光パターンのずれを低減することのできる露光方法および露光装置を提供する。
【解決手段】露光方法は、理想露光パターンＰ１で露光されるように、被露光基板２００にレーザー光を走査して入射する工程と、被露光基板２００に形成される現実露光パターンＰ２と理想露光パターンＰ１とのずれを検知する工程と、前記ずれが小さくなるようにレーザー光の出射タイミングを調整する工程と、調整された出射タイミングで別の被露光基板２００にレーザー光を走査して露光する工程と、を含む。
【選択図】図７

Description

本発明は、露光方法および露光装置に関するものである。

サンプルの加工方法としてフォトリソグラフィー加工とエッチング加工を用いた方法が知られている。そして、特許文献１には、フォトリソグラフィー加工に含まれる露光方法が開示されている。特許文献１には、熱や応力によるサンプルの変形によって、サンプル上の露光パターンが設定パターンからずれてしまうことを防止するために、サンプルの変形に応じてパターンデータを補正（引用文献１では「ダイナミック補正」と呼ばれている。）する露光方法が記載されている。しかしながら、特許文献１の露光方法では、露光光にＤＭＤ（デジタルマイクロデバイス）で変調された２次元的な広がりを有する光を用いているため、上記のパターンデータの補正も２次元的なものとなり、補正処理が複雑化する。また、露光装置自体が有する露光誤差を補正することができない。

特開２００５−３１０９５８号公報

本発明の目的は、比較的簡単に、装置自体が有する精度に起因する露光パターンのずれを低減することのできる露光方法および露光装置を提供することにある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。

［適用例１］
本適用例の露光方法は、理想露光パターンで露光されるように、被露光基板に露光光を走査して入射する工程と、
前記被露光基板に形成される現実露光パターンと前記理想露光パターンとのずれを検知する工程と、
前記ずれが小さくなるように前記露光光の出射タイミングを調整する工程と、
前記調整された出射タイミングで別の前記被露光基板に前記露光光を走査して露光する工程と、
を含むことを特徴とする。

このような露光方法によれば、比較的簡単に、装置自体が有する精度に起因する理想露光パターンからのずれを低減することができる。

［適用例２］
本適用例の露光方法では、前記検知する工程では、前記露光する工程での露光パターンに基づいたパターンで前記被露光基板を露光することが好ましい。
これにより、パターンずれをより効果的に小さくすることができる。

［適用例３］
本適用例の露光方法では、前記露光光を第１方向に走査しながら、前記被露光基板を前記第１方向に交差する方向に移動させることが好ましい。
これにより、被露光基板に対して露光光を２次元的に走査することができる。

［適用例４］
本適用例の露光方法では、前記検知する工程では、前記被露光基板の一方の主面および他方の主面の両面について前記ずれを検知することが好ましい。
これにより、被露光基板の両面のパターンずれを小さくすることができる。

［適用例５］
本適用例の露光方法では、前記露光する工程では、前記被露光基板の一方の主面側および前記他方の主面側から前記露光光を入射することが好ましい。
これにより、被露光基板を両面側から同時に露光することができる。

［適用例６］
本適用例の露光装置は、第１方向に走査される露光光を被露光基板に入射する露光光入射部と、
前記露光光入射部の駆動を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、設定された理想露光パターンに対応する駆動信号を基準クロックに基づいて前記露光光入射部へ出力し、次に、前記理想露光パターンおよび前記駆動信号による前記露光光入射部の駆動によって前記被露光基板が露光されたときの現実露光パターンに基づいて、前記理想露光パターンと前記現実露光パターンとの差が小さくなるように前記基準クロックを補正した疑似基準クロックに基づいて前記駆動信号を前記露光光入射部へ出力することを特徴とする。

このような露光装置によれば、主に、基準クロックを補正するだけで、現実露光パターンを理想露光パターンに近づける（好ましくは一致させる）ことができる。そのため、このような露光装置によれば、比較的簡単に、装置自体が有する精度に起因する理想露光パターンからのずれを低減することができる。

［適用例７］
本適用例の露光装置では、前記駆動信号は、前記露光光入射部からの前記露光光の出射タイミングを定めている信号であることが好ましい。
これにより、駆動信号の生成が容易となる。

［適用例８］
本適用例の露光装置では、前記制御部は、前記現実露光パターンの前記理想露光パターンに対する前記第１方向に沿ったずれ量が小さくなるように前記疑似基準クロックを生成することが好ましい。
これにより、より簡単に、現実露光パターンを理想露光パターンに近づけることができる。

［適用例９］
本適用例の露光装置では、前記被露光基板を前記第１方向に交差する方向に移動させる移動部を有していることが好ましい。
これにより、被露光基板に対して露光光を２次元的に走査することができる。

［適用例１０］
本適用例の露光装置では、前記露光光入射部は、前記被露光基板の一方の主面側から前記露光光を入射する第１露光光入射部と、前記被露光基板の他方の主面側から前記露光光を入射する第２露光光入射部と、を有していることが好ましい。
これにより、被露光基板を両面側から同時に露光することができる。

本発明の第１実施形態に係る露光装置の構成図である。 図１に示す露光装置が有する制御部のブロック図である。 被露光基板上のレーザー光の軌跡を示す平面図である。 基準クロックおよび疑似基準クロックを示す図である。 被露光基板の一例を示す断面図である。 図４に示す被露光基板の露光方法を説明する図である。 図４に示す被露光基板の露光方法を説明する図である。 本発明の第２実施形態に係る露光装置の構成図である。 製造物の一例としての振動素子を示し、（ａ）が上面図、（ｂ）が透過図、（ｃ）が断面図である。 製造物の一例としての波長可変フィルターを示す断面図である。 製造物の一例としての発光素子を示す断面図である。 図１１中のＡ−Ａ線断面図である。 製造物の一例としてのインクジェットヘッドを示す断面図である。 製造物の一例としてのメタルマスクを有する基材を示す断面図である。 図１４に示すメタルマスクの製造方法を示す断面図である。

以下、本発明の露光方法および露光装置を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。

＜第１実施形態＞
まず、本発明の露光方法および露光装置の第１実施形態について説明する。

図１は、本発明の第１実施形態に係る露光装置の構成図である。図２は、図１に示す露光装置が有する制御部のブロック図である。図３は、被露光基板上のレーザー光の軌跡を示す平面図である。図４は、基準クロックおよび疑似基準クロックを示す図である。図５は、被露光基板の一例を示す断面図である。図６および図７は、それぞれ、図４に示す被露光基板の露光方法を説明する図である。なお、図１では、説明の便宜上、互いに直交する３軸として、ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸を図示している。また、以下では、ｘ軸に平行な方向を「ｘ軸方向」とも言い、ｙ軸に平行な方向を「ｙ軸方向」とも言い、ｚ軸に平行な方向を「ｚ軸方向」とも言う。

１．露光装置
図１に示す露光装置１００は、被露光基板を露光するための露光装置である。露光装置１００は、保持した被露光基板２００を移動させる保持ユニット１１０と、レーザー光（露光光）ＬＬを走査して被露光基板２００に入射する露光光入射ユニット（露光光入射部）１２０と、露光光入射ユニット１２０の駆動を制御する制御部１９０と、を有している。

≪露光光入射ユニット≫
露光光入射ユニット１２０は、レーザー光ＬＬを出射するレーザー光源１３０と、レーザー光ＬＬを光学補正する光学レンズ系１５０と、レーザー光ＬＬを走査するポリゴンミラー１６０と、を有している。

レーザー光源１３０は、制御部１９０によって制御され、被露光基板２００を決められたパターンで露光できるように所定タイミングでレーザー光ＬＬを出射する。レーザー光源１３０から出射されたレーザー光ＬＬは、ミラー１７０で反射した後、ポリゴンミラー１６０の反射面１６１に入射する。ポリゴンミラー１６０は、モーター等の図示しない駆動源によって軸Ｊまわりに回転駆動しており、入射したレーザー光ＬＬを一次元的に走査（主走査）する。

光学レンズ系１５０は、図１に示すように、レーザー光源１３０とミラー１７０との間に配置されているコリメーターレンズ１５１、第１ズームレンズ１５２、第２ズームレンズ１５３および第１シリンドリカルレンズ１５４と、ポリゴンミラー１６０と保持ユニット１１０との間に配置されているｆθレンズ１５５および第２シリンドリカルレンズ１５６と、を有している。

コリメーターレンズ１５１は、レーザー光ＬＬを平行光とするためのレンズである。また、第１ズームレンズ１５２は、レーザー光ＬＬをｚ軸方向に拡大するレンズであり、第２ズームレンズ１５３は、レーザー光ＬＬをｙ軸方向に拡大するレンズである。レーザー光源１３０から出射されるレーザー光ＬＬの断面形状は、一般的に真円でない（楕円である）ため、第１、第２ズームレンズ１５２、１５３によってレーザー光ＬＬの断面形状（縦横比）を補正し、その断面形状をほぼ真円とする。また、第１シリンドリカルレンズ１５４および第２シリンドリカルレンズ１５６は、ポリゴンミラー１６０の反射面１６１の所謂「面倒れ」によるレーザー光ＬＬの走査位置のずれを補正し、面倒れの有無に関わらず、同じ位置にレーザー光ＬＬを結像させるためのレンズである。また、ｆθレンズ１５５は、レーザー光ＬＬを被露光基板２００上のレジスト膜Ｒに等速で走査するためのレンズである。このような光学レンズ系１５０を設けることで、被露光基板２００に対して精度よくレーザー光ＬＬを入射することができる。

≪保持ユニット≫
保持ユニット１１０は、被露光基板２００を保持した状態で、レーザー光ＬＬの走査方向（主走査方向）に交差（直交）する方向（副走査方向）に移動することができる。なお、保持ユニット１１０の形状としては、特に限定されないが、本実施形態では、被露光基板２００の縁部を保持する構成となっている。これにより、被露光基板２００の両主面（表面および裏面）を共に露出させることができる。そのため、例えば、保持ユニット１１０をひっくり返すだけで、被露光基板２００の裏面を露光光入射ユニット１２０側に向けることができ、表面２０１側の露光を終えた後、速やかに裏面２０２側の露光を行うことができる。また、別の効果として、後述する第２実施形態のように、被露光基板２００の表面２０１側および裏面２０２側を同時（同じ工程中）に露光することができるようになるため、両面露光が必要な場合には被露光基板２００をより少ない工程で露光することができる。

≪制御部≫
制御部１９０は、保持ユニット１１０および露光光入射ユニット１２０の駆動を制御する。具体的には、制御部１９０は、図２に示すように、レーザー光源１３０の駆動を制御するレーザー光源制御部１９０Ａと、ポリゴンミラー１６０の回転を制御するポリゴンミラー制御部１９０Ｂと、保持ユニット１１０の移動を制御する保持ユニット制御部１９０Ｃと、を有している。このような制御部１９０によれば、保持ユニット１１０と露光光入射ユニット１２０の同期を取り、保持ユニット１１０を副走査方向（第２方向）へ移動させつつ、レーザー光ＬＬを主走査方向（第１方向）へ走査することで、保持ユニット１１０に保持された被露光基板２００に対して２次元的にレーザー光ＬＬが入射し、これにより、被露光基板２００を露光することができる。

さらに、レーザー光源制御部１９０Ａは、目的とする被露光基板２００の露光パターン（以下「理想露光パターン」と言う。）に対応する理想露光パターンデータＰＤを記憶する記憶部１９１と、基準クロックＣＬＫを生成する基準クロック生成部１９２と、基準クロックＣＬＫを補正して疑似基準クロックを生成する疑似基準クロック生成部１９３と、理想露光パターンデータＰＤを基準クロックＣＬＫまたは疑似基準クロックＣＬＫ’に基づいて露光光入射ユニット１２０に出力する出力部１９４と、を有している。

理想露光パターンデータＰＤとは、被露光基板２００を理想露光パターンで露光するためのレーザー光ＬＬの出射タイミング（出射／非出射）を定めた駆動信号である。詳細に説明すると、前述したように被露光基板２００の露光は、被露光基板２００を副走査方向に移動させながら、レーザー光ＬＬをポリゴンミラー１６０で主走査方向に走査することで行う。そのため、被露光基板２００上でのレーザー光ＬＬの軌跡Ｋは、図３に示すように、主走査方向に延在し、副走査方向に並ぶ複数の走査線Ｋ’を有するものとなる。そして、例えばコンピューター等の演算機を用いて、被露光基板２００上で軌跡Ｋと理想露光パターンＰ１を重ね合わせ（または、これに準ずる作業を行い）、軌跡Ｋの理想露光パターンＰ１中の露光しない非露光領域Ｓ１と重なる位置ではレーザー光ＬＬを出射せず、露光する露光領域Ｓ２と重なる位置ではレーザー光ＬＬを出射するようなタイミングの駆動信号を生成する。この駆動信号が理想露光パターンデータＰＤである。これにより、駆動信号の生成が容易となる。

基準クロック生成部１９２は、図４（ａ）に示すように、単一の周期Ｔで繰り返される理想的な波形を有する基準クロックＣＬＫを生成する（ジッタ等は考慮しない）。これに対して、疑似基準クロック生成部１９３は、基準クロックＣＬＫを処理して、例えば、図４（ｂ）に示すように、基準クロックＣＬＫの所定の周期Ｔを部分的に長くしたり、短くしたりすることで、疑似基準クロックＣＬＫ’を生成する。このような疑似基準クロックＣＬＫ”を生成し、使用することで、後述するように、被露光基板２００の露光パターンのずれを容易に補正することができる。

以上、露光装置１００の構成について説明した。なお、露光装置１００の構成は、光を走査して被露光基板２００を露光することができれば、上記の構成に限定されない。例えば、光学レンズ系１５０は、上記の各種レンズの内の少なくとも１つのレンズが省略されていてもよいし、上記各種レンズ以外の機能を有するレンズが含まれていてもよい。また、レーザー光ＬＬを走査する手段として、ポリゴンミラー１６０に替えて、ミラー面を軸Ｊまわりに回動させて光走査を行うＳｉＭＥＭＳデバイスを用いてもよい。また、上記の構成では、露光光入射ユニット１２０に対して保持ユニット１１０が副走査方向に移動する構成となっているが、反対に、保持ユニット１１０に対して露光光入射ユニット１２０が副走査方向に移動する構成となっていてもよい。

２．露光方法
次に、露光装置１００を用いた被露光基板２００の露光方法について説明する。

まず、図５に基づいて、被露光基板２００の一例について説明する。被露光基板２００は、平面視が矩形状をなし、シリコン、水晶等で構成された基板２１０と、基板２１０上に成膜されている金属膜Ｍと、金属膜Ｍ上に成膜されているレジスト膜Ｒと、を有している。このような被露光基板２００のレジスト膜Ｒを露光することで、金属膜ＭをパターニングするためのレジストマスクＲＭが得られる。なお、レジスト膜Ｒは、露光された部分（レーザー光ＬＬが照射された部分）が除去されるポジ型であってもよいし、露光された部分が残るネガ型であってもよい。このような被露光基板２００は、露光装置１００によって次のように露光される。

このような被露光基板２００の露光方法は、基準クロックＣＬＫに基づいて、テスト用として用意した被露光基板２００を露光するテスト露光工程と、テスト露光工程の結果に基づいて疑似基準クロックＣＬＫ’を生成する疑似基準クロック生成工程と、疑似基準クロックＣＬＫ’に基づいて被露光基板２００を露光する本露光工程と、を含んでいる。以下、各工程について順に説明する。

［テスト露光工程］
テスト露光工程は、後の本露光工程において、被露光基板２００を理想露光パターンＰ１により近い（好ましくは一致する）パターンで露光するために先立って行う工程である。このようなテスト露光工程では、制御部１９０から露光光入射ユニット１２０に、図６（ａ）に示すような基準クロックＣＬＫに基づいて、理想露光パターンデータＰＤを出力し、理想露光パターンデータＰＤに基づいて被露光基板２００を露光する。すなわち、被露光基板２００が理想露光パターンＰ１で露光されるようにレーザー光ＬＬを走査・入射する。理論的には当該工程によって、図６（ｂ）に示すように、被露光基板２００上に理想露光パターンＰ１と同一の露光パターンが形成されるはずである。しかしながら、例えば、ポリゴンミラー１６０の回転時の揺らぎやｆθレンズ１５５等の光学系の歪み等の露光装置１００自体の問題（装置自体の精度の問題）や、被露光基板２００の撓みや熱膨張等による変形等に起因して、被露光基板２００上に形成される露光パターン（以下「現実露光パターンＰ２」と言う。）が理想露光パターンＰ１からずれてしまう場合がある。説明の便宜上、現実露光パターンＰ２を図７（ａ）に示すようなパターンとする。

［疑似基準クロック生成工程］
次に、理想露光パターンＰ１と現実露光パターンＰ２とに基づいて、理想露光パターンＰ１および現実露光パターンＰ２の主走査方向のずれが小さくなるように、好ましくは理想露光パターンＰ１および現実露光パターンＰ２が一致するように、基準クロックＣＬＫを補正して疑似基準クロックＣＬＫ’を生成する。具体的には、図７（ａ）に示すような現実露光パターンＰ２の場合、理想露光パターンＰ１に対してレーザー光ＬＬの出射タイミングが早い領域については、レーザー光ＬＬの出射タイミングを遅らすように基準クロックＣＬＫの周期を部分的に変更し、反対に、理想露光パターンに対してレーザー光ＬＬの出射タイミングが遅い領域については、レーザー光ＬＬの出射タイミングを早めるように基準クロックＣＬＫの周期を部分的に変更する。このように、基準クロックＣＬＫの周期を部分的に変更することで、図７（ｂ）に示すように、疑似基準クロックＣＬＫ’を生成する。

［本露光工程］
次に、新たな被露光基板２００を保持ユニット１１０にセットする。そして、制御部１９０から露光光入射ユニット１２０に、図７（ｂ）に示すように、疑似基準クロックＣＬＫ’に基づいて理想露光パターンデータＰＤを出力し、理想露光パターンデータＰＤに基づいて被露光基板２００を露光する。これにより、主走査方向に沿った前記ずれが低減（好ましくは解消）され、理想露光パターンＰ１により近い（好ましくは同一の）パターンで被露光基板２００が露光される。すなわち、テスト露光工程における現実露光パターンＰ２に比べて、理想露光パターンＰ１との差が小さいパターンで被露光基板２００を露光することができる。

このような露光方法によれば、例えば被露光基板２００の変形に起因した露光パターンのずれを低減することができ、より理想露光パターンＰ１に近いパターンで被露光基板２００を露光することができる。また、パターンのずれを小さくするために、理想露光パターンデータＰＤを補正するのではなく、基準クロックＣＬＫを補正して疑似基準クロックＣＬＫ’を得るため、パターンのずれを小さくするための補正を比較的簡単に行うことができる。そのため、例えば補正にかかる手間や時間が少なくなり、被露光基板２００を効率的に露光することができる。また、テスト露光工程は、本露光工程と同じ理想露光パターンデータＰＤを用いているため、すなわち、本露光工程での露光パターンに基づいた露光パターンで露光しているため、本露光工程での露光パターンのずれをより効果的に低減することができる。

なお、本実施形態の露光方法では、理想露光パターンＰ１と現実露光パターンＰ２の主走査方向に沿ったずれが小さくなるように疑似基準クロックＣＬＫ’を生成している。一方で、理想露光パターンＰ１と現実露光パターンＰ２の副走査方向に沿ったずれを小さくする場合は、例えば、保持ユニット１１０の移動速度やポリゴンミラー１６０の回転速度を補正すればよい。また、本実施形態の露光方法では、テスト露光工程と疑似基準クロック生成工程を１回しか行っていないが、これら工程を複数回繰り返して行ってもよい。これにより、本露光工程において、より理想露光パターンに近いパターンで被露光基板２００を露光することができる。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の露光方法および露光装置の第２実施形態について説明する。
図８は、本発明の第２実施形態に係る露光装置の構成図である。

本実施形態にかかる露光装置では、露光光入射ユニットが２組設けられており、被露光基板の表裏面上のレジスト膜を同時に露光できること以外は、前述した第１実施形態にかかる露光装置と同様である。

なお、以下の説明では、第２実施形態の露光装置に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図８および図９では前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。

本実施形態の露光装置１００は、図８に示すように、被露光基板２００の表面２０１側にレーザー光ＬＬ１を入射する第１露光光入射ユニット１２０Ａと、被露光基板２００の裏面２０２側にレーザー光ＬＬ２を入射する第２露光光入射ユニット１２０Ｂと、を有し、これら第１、第２露光光入射ユニット１２０Ａ、１２０Ｂは、保持ユニット１１０を介して反対側に配置されている。このように、第１、第２露光光入射ユニット１２０Ａ、１２０Ｂを有することで、被露光基板２００の表面２０１側および裏面２０２側を同時に（同じ工程中で）露光することができるため、露光工程の回数を削減することができる。そのため、被露光基板２００をより迅速に露光することができる。なお、第１、第２露光光入射ユニット１２０Ａ、１２０Ｂは、共に、前述した第１実施形態と同様に、制御部１９０によってその駆動が制御されている。

このような露光装置１００を用いた被露光基板２００の露光方法は、各工程で被露光基板２００の両面を対象とすること以外は、前述した第１実施形態と同様である。すなわち、被露光基板２００の露光方法は、基準クロックＣＬＫに基づいて、テスト用として用意した被露光基板２００の両面（表面および裏面）を露光するテスト露光工程と、テスト露光工程の結果に基づいて、第１露光光入射ユニット１２０Ａ用の疑似基準クロックＣＬＫ’および第２露光光入射ユニット１２０Ｂ用の疑似基準クロックＣＬＫ’を生成する疑似基準クロック生成工程と、それぞれの疑似基準クロックＣＬＫ’に基づいて、被露光基板２００の両面を露光する本露光工程と、を含んでいる。各工程の詳細については、前述した第１実施形態と同様であるため、その説明を省略する。

以上、本発明の露光方法および露光装置を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。

なお、本発明の露光方法および露光装置は、前述した実施形態で説明したようなレジストマスクを形成するのに用いることができるが、それ以外にも、例えば、被露光対象物の感光性を利用して特性変化（導電性、撥水性の付与、表面の活性化、光選択化学反応、光選択性デポ（デポジション））させること等、種々のものに適用することができる。

次に、本発明の露光方法や露光装置を用いて製造することのできる製造物（被露光基板を含む物）の具体的な例を幾つか例示する。ただし、製造物としては、下記に挙げる例に限定されるものではない。

≪振動素子≫
図９は、製造物の一例としての振動素子を示し、（ａ）が上面図、（ｂ）が透過図、（ｃ）が断面図である。

図９に示す振動素子５００は、基部５１０と、基部５１０から延出する一対の振動腕５２０、５３０と、を有する音叉型の水晶基板５４０と、水晶基板５４０上に配置されている一対の励振電極５５１、５５２と、を有している。また、励振電極５５１は、振動腕５２０の上面および下面と振動腕５３０の両側面に配置され、振動腕５３０の両側面に配置されている励振電極５５１同士は、振動腕５３０の先端部に配置されている周波数調整用の錘部（金属膜）５５３を介して電気的に接続されている。一方、励振電極５５２は、振動腕５２０の両側面と振動腕５３０の上面および下面に配置され、振動腕５２０の両側面に配置されている励振電極５５２同士は、振動腕５２０の先端部に配置されている周波数調整用の錘部（金属膜）５５３を介して電気的に接続されている。このような振動素子５００では、励振電極５５１、５５２間に交番電圧を印加することで、振動腕５２０、５３０が面内逆相モードで屈曲振動するようになっている。

以上のような振動素子５００では、水晶基板５４０の外形を形成する際、および、励振電極５５１、５５２および錘部５５３を形成する際に、上述した露光装置１００および露光方法を用いることができる。簡単に説明すると、まず、水晶基板を用意し、その表面にレジスト膜を形成し、上述した露光方法によってレジスト膜を露光して、その後、現像することで、水晶基板５４０の外形形状に対応したレジストマスクが得られる。そして、このレジストマスクを介して水晶基板をエッチングすることで、水晶基板５４０が得られる。次に、水晶基板５４０上に金属膜とレジスト膜を順に成膜し、レジスト膜を上述した露光方法で露光し、その後、現像することで、励振電極５５１、５５２および錘部５５３の外形形状に対応したレジストマスクが得られる。そして、このレジストマスクを介して金属膜をエッチングすることで、励振電極５５１、５５２および錘部５５３が得られ、振動素子５００が得られる。

振動素子５００をこのように製造することで、振動素子５００の歩留まりを向上させることができる。また、製造された振動素子５００の周波数ずれが小さくなるため、その分、周波数調整用の錘部５５３を小さく（薄く）することができる。

なお、図９では、音叉型の振動子について説明したが、振動子の構成はこれに限定されず、例えば、双音叉型の振動子であってもよいし、メサ型、逆メサ型等のＡＴカット水晶振動子であってもよしい、基部と、基部から一方側へ延出する一対の駆動腕と、基部から他方側へ延出する一対の検出腕と、を有するＨ型の振動型ジャイロセンサー素子であってもよいし、基部と、基部から両側へ延出する一対の検出腕と、基部から一対の検出腕と直交する方向の両側へ延出する一対の接続腕と、一方の接続腕の先端部から両側へ延出する一対の駆動腕と、他方の接続腕の先端部から両側へ延出する一対の振動腕と、を有するＷＴ型の振動型ジャイロセンサー素子であってもよい。

≪波長可変フィルター≫
図１０は、製造物の一例としての波長可変フィルターを示す断面図である。
図１０に示す波長可変フィルター６００は、共にガラス板から形成されている固定基板６１０および可動基板６２０を備え、これらが対向して接合されている。また、固定基板６１０は、周囲から突出した凸状の反射膜設置部６１１を有し、反射膜設置部６１１の上面には固定反射膜６３０が設けられている。一方、可動基板６２０は、周囲よりも薄肉な環状の保持部６２１と、この保持部６２１の内側に位置し、保持部６２１を弾性変形させつつ固定基板６１０に対して変位可能な可動部６２２とを有し、可動部６２２の下面には可動反射膜６４０が設けられている。固定反射膜６３０および可動反射膜６４０は、ギャップＧ１を介して対向配置されており、このギャップＧ１は、静電アクチュエーター６５０で調整することができる。

静電アクチュエーター６５０は、固定基板６１０の上面に反射膜設置部６１１の周囲を囲むように配置された環状の固定電極６５１と、可動基板６２０の下面に固定電極６５１と対向するように配置された環状の可動電極６５２とを有し、固定電極６５１は、引出配線６５３によって引き出され、可動電極６５２は、引出配線６５４によって引き出されている。このような静電アクチュエーター６５０では、固定電極６５１および可動電極６５２の間に電圧を印加することにより発生する静電力を利用してギャップＧ１を調整することができる。このように、ギャップＧ１を調整することで、波長可変フィルター６００に入射した検査対象光から所定の目的波長の光を取り出すことができる。

以上のような波長可変フィルター６００においては、例えば、固定基板６１０や可動基板６２０の外形を形成する際、および、固定電極６５１や可動電極６５２を形成する際に、上述した露光装置１００および露光方法を用いることができる。なお、これらを形成する具体的な方法については、前述した振動素子５００とほぼ同様の手順であるため、その説明を省略する。

≪発光素子≫
図１１は、製造物の一例としての発光素子を示す断面図である。図１２は、図１１中のＡ−Ａ線断面図である。

図１１および図１２に示す発光素子７００は、ＳＬＤ（スーパールミネッセントダイオード）であって、基板７０２と、第１クラッド層７０４と、活性層７０６と、第２クラッド層７０８と、コンタクト層７０９と、第１電極７１２と、第２電極７１４と、絶縁部７２０とが積層した構成となっている。

基板７０２は、例えばｎ型のＧａＡｓ基板である。また、第１クラッド層７０４は、例えばｎ型のＩｎＧａＡｌＰ層である。また、第２クラッド層７０８は、例えばｐ型のＩｎＧａＡｌＰ層である。また、活性層７０６は、例えばＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造である。

活性層７０６は、光出射部７３０が形成される第１側面７３１と、第１側面７３１に対して傾斜した第２側面７３２および第３側面７３３を有している。なお、第２、第３側面７３２、７３３は、それぞれ、発光素子７００を貫通する貫通孔７４１、７４２の内周面で構成されている。このような活性層７０６の一部は、第１利得領域７５１、第２利得領域７５２および第３利得領域７５３からなる利得領域群７５０を構成し、この利得領域群が複数設けられている。

このような構成の発光素子７００では、第１電極７１２と第２電極７１４との間に、第１クラッド層７０４、活性層７０６および第２クラッド層７０８からなるｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、活性層７０６に利得領域７５１、７５２、７５３を生じ、利得領域７５１、７５２、７５３において電子と正孔との再結合が起こって発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、利得領域７５１、７５２、７５３内で光の強度が増幅される。そして、強度が増幅された光は、光出射部７３０から光Ｌとして出射される。

コンタクト層７０９と第２クラッド層７０８の一部とは、柱状部７２２を構成する。柱状部７２２の平面形状は、利得領域群７５０の平面形状と同じである。言い換えれば、柱状部７２２の平面形状によって、第１、第２電極７１２、７１４間の電流経路が決定され、その結果、利得領域群７５０の平面形状が決定される。

第１電極７１２は、基板７０２の下の全面に形成されており、第２電極７１４は、コンタクト層７０９上に形成されている。第２電極７１４の平面形状は、例えば、利得領域群７５０の平面形状と同じである。これら第１、第２電極７１２、７１４は、例えば、Ｃｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順で積層した金属積層体である。

以上のような発光素子７００においては、例えば、第２電極７１４や貫通孔７４１、７４２を形成する際に、上述した露光装置１００および露光方法を用いることができる。なお、これらを形成する具体的な方法については、前述した振動素子５００とほぼ同様の手順であるため、その説明を省略する。

≪インクジェットヘッド≫
図１３は、製造物の一例としてのインクジェットヘッドを示す断面図である。

図１３に示すインクジェットヘッド８００は、ノズル基板８１１、流路形成基板８１２、振動板８１３、リザーバー形成基板８１４およびコンプライアンス基板８１５が順に積層された積層基板８１０と、振動板８１３上に配置された複数の圧電素子８２０と、圧電素子８２０を覆うように振動板８１３上に設けられた配線形成部８３０と、配線形成部８３０上に配置されたＩＣパッケージ８４０とを有している。このようなインクジェットヘッド８００は、圧電素子８２０が振動板８１３を振動させることで、圧力発生室８９０内の圧力を変化させ、ノズル基板８１１に形成された吐出口８９１からインクＩを液滴として吐出するように構成されている。

配線形成部８３０は、例えば、シリコン基板をウエットエッチング（異方性エッチング）することで、リザーバー形成基板８１４と一括形成されている。このような配線形成部８３０は、一対の傾斜面８３１、８３２と、傾斜面８３１、８３２の上端同士を連結する上面８３３とを有し、傾斜面８３１、８３２の傾斜角が約５４°となっている。また、配線形成部８３０は、下面に開口する凹部を有し、この凹部と振動板８１３とで画成された空間に圧電素子８２０が配置されている。また、配線形成部８３０の上面８３３および傾斜面８３１、８３２には配線８３９が配置されており、この配線８３９が圧電素子８２０に電気的に接続されている。

ＩＣパッケージ８４０は、各圧電素子８２０の駆動を独立して制御することができる回路を含み、半田や金バンプ等の導電性固定部材を介して配線形成部８３０の上面に固定されると共に、配線８３９と電気的に接続されている。

以上のようなインクジェットヘッド８００においては、例えば、ノズル基板８１１、流路形成基板８１２、振動板８１３、リザーバー形成基板８１４、コンプライアンス基板８１５、配線形成部８３０の外形を形成する際、振動板８１３上に圧電素子８２０を形成する際、および、配線形成部８３０に配線８３９を形成する際に、上述した露光装置１００および露光方法を用いることができる。これらを形成する具体的な方法については、前述した振動素子５００とほぼ同様の手順であるため、その説明を省略する。

≪メタルマスク≫
図１４は、製造物の一例としてのメタルマスクを有する基材を示す断面図である。図１５は、図１４に示すメタルマスクの製造方法を示す断面図である。

図１４に示すメタルマスク９１０は、例えば、水晶基板やシリコン基板等の基材９００をドライエッチングによりパターニングする際のマスクである。このようなメタルマスク９１０も上述した露光装置１００および露光方法を用いて形成することができる。簡単に説明すると、まず、基材９００を用意し、図１５（ａ）に示すように、スパッタ、蒸着等によって基材９００の表裏面にめっき成長用のシード層９２０を形成する。次に、シード層９２０上にレジスト膜Ｒを成膜し、このレジスト膜Ｒを上述した露光方法で露光することで、図１５（ｂ）に示すように、メタルマスク９１０の形状に対応した開口を有するレジストマスクＲＭを得る。次に、図１５（ｃ）に示すように、電解めっき、無電解めっき等によって、レジストマスクＲＭの開口内にめっき層９３０を成膜する。次に、レジストマスクＲＭと、めっき層９３０からはみ出ているシード層９２０とを除去することで、図１５（ｄ）に示すように、メタルマスク９１０が得られる。

１００……露光装置
１１０……保持ユニット
１２０……露光光入射ユニット
１２０Ａ……第１露光光入射ユニット
１２０Ｂ……第２露光光入射ユニット
１３０……レーザー光源
１５０……光学レンズ系
１５１……コリメーターレンズ
１５２……第１ズームレンズ
１５３……第２ズームレンズ
１５４……第１シリンドリカルレンズ
１５５……ｆθレンズ
１５６……第２シリンドリカルレンズ
１６０……ポリゴンミラー
１６１……反射面
１７０……ミラー
１９０……制御部
１９０Ａ……レーザー光源制御部
１９０Ｂ……ポリゴンミラー制御部
１９０Ｃ……保持ユニット制御部
１９１……記憶部
１９２……基準クロック生成部
１９３……疑似基準クロック生成部
１９４……出力部
２００……被露光基板
２０１……表面
２０２……裏面
２１０……基板
５００……振動素子
５１０……基部
５２０、５３０……振動腕
５４０……水晶基板
５５１、５５２……励振電極
５５３……錘部
６００……波長可変フィルター
６１０……固定基板
６１１……反射膜設置部
６２０……可動基板
６２１……保持部
６２２……可動部
６３０……固定反射膜
６４０……可動反射膜
６５０……静電アクチュエーター
６５１……固定電極
６５２……可動電極
６５３……引出配線
６５４……引出配線
７００……発光素子
７０２……基板
７０４……第１クラッド層
７０６……活性層
７０８……第２クラッド層
７０９……コンタクト層
７１２……第１電極
７１４……第２電極
７２０……絶縁部
７２２……柱状部
７３０……光出射部
７３１……第１側面
７３２……第２側面
７３３……第３側面
７４１、７４２……貫通孔
７５０……利得領域群
７５１……第１利得領域
７５２……第２利得領域
７５３……第３利得領域
８００……インクジェットヘッド
８１０……積層基板
８１１……ノズル基板
８１２……流路形成基板
８１３……振動板
８１４……リザーバー形成基板
８１５……コンプライアンス基板
８２０……圧電素子
８３０……配線形成部
８３１、８３２……傾斜面
８３３……上面
８３９……配線
８４０……ＩＣパッケージ
８９０……圧力発生室
８９１……吐出口
９００……基材
９１０……メタルマスク
９２０……シード層
９３０……めっき層
ＣＬＫ……基準クロック
ＣＬＫ’……疑似基準クロック
Ｇ１……ギャップ
Ｉ……インク
Ｊ……軸
Ｋ’……走査線
Ｋ……軌跡
Ｌ……光
ＬＬ、ＬＬ１、ＬＬ２……レーザー光
Ｍ……金属膜
Ｐ１……理想露光パターン
Ｐ２……現実露光パターン
ＰＤ……理想露光パターンデータ
Ｒ……レジスト膜
ＲＭ……レジストマスク
Ｓ１……非露光領域
Ｓ２……露光領域
Ｔ……周期

Claims (10)

1. 理想露光パターンで露光されるように、被露光基板に露光光を走査して入射する工程と、
   前記被露光基板に形成される現実露光パターンと前記理想露光パターンとのずれを検知する工程と、
   前記ずれが小さくなるように前記露光光の出射タイミングを調整する工程と、
   前記調整された出射タイミングで別の前記被露光基板に前記露光光を走査して露光する工程と、
   を含むことを特徴とする露光方法。
2. 前記検知する工程では、前記露光する工程での露光パターンに基づいたパターンで前記被露光基板を露光する請求項１に記載の露光方法。
3. 前記露光光を第１方向に走査しながら、前記被露光基板を前記第１方向に交差する方向に移動させる請求項１または２に記載の露光方法。
4. 前記検知する工程では、前記被露光基板の一方の主面および他方の主面の両面について前記ずれを検知する請求項１ないし３のいずれか１項に記載の露光方法。
5. 前記露光する工程では、前記被露光基板の一方の主面側および前記他方の主面側から前記露光光を入射する請求項４に記載の露光方法。
6. 第１方向に走査される露光光を被露光基板に入射する露光光入射部と、
   前記露光光入射部の駆動を制御する制御部と、を有し、
   前記制御部は、設定された理想露光パターンに対応する駆動信号を基準クロックに基づいて前記露光光入射部へ出力し、次に、前記理想露光パターンおよび前記駆動信号による前記露光光入射部の駆動によって前記被露光基板が露光されたときの現実露光パターンに基づいて、前記理想露光パターンと前記現実露光パターンとの差が小さくなるように前記基準クロックを補正した疑似基準クロックに基づいて前記駆動信号を前記露光光入射部へ出力することを特徴とする露光装置。
7. 前記駆動信号は、前記露光光入射部からの前記露光光の出射タイミングが定められている信号である請求項６に記載の露光装置。
8. 前記制御部は、前記現実露光パターンの前記理想露光パターンに対する前記第１方向に沿ったずれ量が小さくなるように前記疑似基準クロックを生成する請求項６または７に記載の露光装置。
9. 前記被露光基板を前記第１方向に交差する方向に移動させる移動部を有している請求項６ないし８のいずれか１項に記載の露光装置。
10. 前記露光光入射部は、前記被露光基板の一方の主面側から前記露光光を入射する第１露光光入射部と、前記被露光基板の他方の主面側から前記露光光を入射する第２露光光入射部と、を有している請求項６ないし９のいずれか１項に記載の露光装置。

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