JP2016004155A - 光偏向器および圧電積層構造 - Google Patents
光偏向器および圧電積層構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016004155A JP2016004155A JP2014124354A JP2014124354A JP2016004155A JP 2016004155 A JP2016004155 A JP 2016004155A JP 2014124354 A JP2014124354 A JP 2014124354A JP 2014124354 A JP2014124354 A JP 2014124354A JP 2016004155 A JP2016004155 A JP 2016004155A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- mirror
- piezoelectric actuator
- optical deflector
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
Abstract
【課題】圧電膜による応力の影響を抑制して、圧電アクチュエータ及びセンサの反りの発生を抑制することができる光偏向器および圧電積層構造を提供する。【解決手段】光偏向器は、光を反射するミラー部9と、これを支持する支持部2aと、ミラー部9の回転軸線上でミラー部9及び支持部2aと結合する1対のトーションバー13a,13bと、トーションバー13a,13bを回転軸線回りに往復回動させるPZT膜を有する第1圧電アクチュエータ10a,10bと、支持部2aに対するミラー部9の回転角を検出する回転角センサ100a,100bとを備える。回転角センサ100a,100bは、PZT膜の膜応力を打ち消す膜応力を有する外層膜40を有する。【選択図】図6
Description
本発明は、圧電駆動方式の光偏向器および圧電積層構造に関する。
スキャナや小型プロジェクタでレーザ光を走査するため、ミラー部を回転軸線回りに往復回転させて、光源から入射した光をミラー部で反射させて出射するMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)型の光偏向器が知られている。
1軸型光偏向器として、中央に光を反射する円形状のミラー部と、ミラー部を支持する支持部と、ミラー部の中心を通る軸上に形成され、各々の一端でミラー部を軸支する1対のトーションバーと、ミラー部をトーションバーの軸線回りに往復回転させる圧電アクチュエータと、圧電アクチュエータの先端部近傍にトーションバーと結合するように形成され、トーションバーの回転角を検出する圧電センサとを備える光偏向器がある(例えば、特許文献1)。
光偏向器では、光の走査領域を広くするために、支持部に対するミラー部のより大きな回転角が要求される。その回転角を大きくするには、トーションバーと結合する圧電アクチュエータ及び圧電センサの圧電膜を厚くする必要がある。
しかしながら、当該圧電膜を厚くした場合、圧電アクチュエータを駆動する前の静止状態においても、ミラー部の回転軸線上のトーションバーを中心線として両側に位置する圧電アクチュエータ及びセンサに反りが生じるほど、圧電膜の引張応力が大きくなり、圧電膜と下部電極との密着性が相対的に低下する。
そのため、例えば、圧電アクチュエータを駆動してミラー部を回転軸線回りに往復回動させ、トーションバーがねじられると、トーションバーと結合するセンサの圧電膜と下部電極との密着性が相対的に低いので、圧電膜が下部電極から剥離して、センサの感度が低下する可能性がある。また、振動駆動させる圧電アクチュエータにおいても剥離が生じる可能性がある。さらに、当該反りに起因したポンピング現象が生じる等、所望の動きが得られない可能性がある。
本発明は、圧電膜による応力の影響を抑制して、圧電アクチュエータ及びセンサの反りの発生を抑制することができる光偏向器および圧電積層構造を提供することを目的とする。
第1発明の光偏向器は、光を反射するミラー部と、前記ミラー部を包囲して支持する第1支持部と、前記ミラー部の第1回転軸線上で、一端部が前記ミラー部と結合し、他端部が前記第1支持部と結合する1対のトーションバーと、前記トーションバーを前記第1回転軸線回りに往復回動させるように、先端部が前記トーションバーと結合し、かつ、少なくとも一部分が前記第1支持部と結合する第1圧電アクチュエータと、前記第1圧電アクチュエータの先端部近傍に配設され、前記トーションバーと結合し、かつ、前記第1支持部に対する前記ミラー部の回転角を検出する回転角センサとを備える。
そして、前記回転角センサは、基板上に形成された回転角センサ用積層体で構成され、前記回転角センサ用積層体は、前記基板の一面側に形成された下部電極、前記下部電極の前記基板側とは反対側の面に形成されたPZT膜、前記PZT膜の前記下部電極側とは反対側の面に形成された上部電極、及び、前記基板側とは反対側の外層として形成された外層膜を有し、前記外層膜は前記PZT膜の膜応力を打ち消す膜応力を有するように形成されていることを特徴とする。
第1発明によれば、回転角センサがPZT膜の膜応力を打ち消す膜応力を有するように形成された薄膜を外層膜として有することから、ミラー部が回動する前の静止状態における回転角センサの反りの発生を抑制できる。
また、第1発明によれば、回転角センサをトーションバーから遠ざけることなく、トーションバーのねじれによる回転角センサのPZT膜と下部電極との間の剥離を抑制できるので、圧電膜と電極との剥離を抑制するとともに、センサ感度の低下を抑制し、安定したセンサ出力を得ることができる。
尚、回転角センサ用積層体は、下部電極とPZT膜との間にSRO膜を有してもよい。
第1発明において、前記第1圧電アクチュエータは、前記回転角センサ用積層体と同じ構成の第1圧電アクチュエータ用積層体で構成されることが好ましい。
本発明によれば、第1圧電アクチュエータの駆動前の静止状態において、PZT膜の引張応力による第1圧電アクチュエータ及び回転角センサの反りの発生を抑制できる。光偏向器全体の反りが抑制されることから、トーションバーに結合する回転角センサ及び第1圧電アクチュエータの先端部で、トーションバーのねじれによる応力集中が緩和され、密着強度が他の部分と比較して小さいPZT膜と下部電極の間の剥離を抑制できる。
本発明において、前記第1支持部を包囲して支持する第2支持部と、前記第1支持部と前記第2支持部との間に介在し、かつ、前記第1回転軸線と同一平面で直交する前記ミラー部の第2回転軸線回りに前記ミラー部を往復回動させる第2圧電アクチュエータを備え、前記第2圧電アクチュエータは、前記回転角センサ用積層体と同じ構成の第2圧電アクチュエータ用積層体で構成されることが好ましい。
本発明によれば、第1圧電アクチュエータ及び第2圧電アクチュエータを駆動させて、光を2次元的に走査可能な2軸型光偏向器を提供することができる。特に、第2圧電アクチュエータがミアンダパターン配列で直列に結合している複数の圧電カンチレバーからなる蛇腹状圧電アクチュエータである場合、光偏向器の反りの発生が静止状態で抑制されるので、反りのあるときと比較して、圧電カンチレバーの変位量がより大きくなり、ミラー部の触れ角を大きくすることができる。
尚、光偏向器の反りが静止状態で発生した場合、ミラー部が座屈する。静止状態で座屈したミラー部を回転軸線回りに往復回動させると、ミラー部が支持部に対して上下に振動するポンピング現象が発生することが知られている。
本発明によれば、光偏向器の反りが静止状態で抑制され、ミラー部が座屈しないことから、ポンピング現象の発生を抑制できる。従って、光スキャナに当該光偏向器を利用することにより、画像の解像度を向上させることができる。
また、第2発明の光偏向器は、光を反射するミラー部と、前記ミラー部を包囲して支持する第1支持部と、前記ミラー部を第1回転軸線回りに往復回動させるように、一端部が前記ミラー部と結合し、他端部が前記第1支持部と結合する第1圧電アクチュエータとを備える。
そして、前記第1圧電アクチュエータは、基板上に形成された第1圧電アクチュエータ用積層体で構成され、前記第1圧電アクチュエータ用積層体は、前記基板の一面側に形成された下部電極、前記下部電極の前記基板側とは反対側の面に形成されたPZT膜、前記PZT膜の前記下部電極側とは反対側の面に形成された上部電極、及び、前記基板側とは反対側の外層として形成された外層膜を有し、前記外層膜は前記PZT膜の膜応力を打ち消す膜応力を有するように形成されていることを特徴とする。
第2発明によれば、第1圧電アクチュエータがPZT膜の膜応力を打ち消す膜応力を有するように形成された薄膜を外層膜として有することから、ミラー部が回動する前の静止状態における第1圧電アクチュエータの反りの発生を抑制できる。
また、第2発明において、前記第1回転軸線上で、一端部が前記ミラー部と結合し、他端部が前記第1支持部と結合する1対のトーションバーをさらに有し、前記第1圧電アクチュエータは、前記トーションバーを前記第1回転軸線回りに往復回動させるように、先端部が前記トーションバーと結合し、かつ、少なくとも一部分が前記第1支持部と結合していることが好ましい。
本発明によれば、トーションバーを第1回転軸線回りに往復回動させた場合でも、トーションバーのねじれによる第1圧電アクチュエータのPZT膜と下部電極との間の剥離を抑制できる。
また、第2発明において、前記第1支持部を包囲して支持する第2支持部と、前記第1支持部と前記第2支持部との間に介在し、かつ、前記第1回転軸線と同一平面で直交する前記ミラー部の第2回転軸線回りに前記ミラー部を往復回動させる第2圧電アクチュエータを備え、前記第2圧電アクチュエータは、前記第1圧電アクチュエータ用積層体と同じ構成の第2圧電アクチュエータ用積層体で構成されることが好ましい。
本発明によれば、第1圧電アクチュエータ及び第2圧電アクチュエータを駆動させて、光を2次元的に走査可能な2軸型光偏向器を提供することができる。特に、第2圧電アクチュエータがミアンダパターン配列で直列に結合している複数の圧電カンチレバーからなる蛇腹状圧電アクチュエータである場合、光偏向器の反りの発生が静止状態で抑制されるので、反りのあるときと比較して、圧電カンチレバーの変位量がより大きくなり、ミラー部の触れ角を大きくすることができる。
尚、第2発明でも、光偏向器の反りが静止状態で発生した場合、ミラー部が座屈する可能性がある。静止状態で座屈したミラー部を回転軸線回りに往復回動させると、ミラー部が支持部に対して上下に振動するポンピング現象が発生する場合がある。
本発明によれば、光偏向器の反りが静止状態で抑制され、ミラー部が座屈しないことから、ポンピング現象の発生を抑制できる。従って、光スキャナに当該光偏向器を利用することにより、画像の解像度を向上させることができる。
そして、第3発明の圧電積層構造は、基板と、前記基板の一面側に形成された下部電極、前記下部電極の前記基板側とは反対側の面に形成されたPZT膜、前記PZT膜の前記下部電極側とは反対側の面に形成された上部電極、及び、前記基板側とは反対側の外層として形成された外層膜を有し、前記外層膜は前記PZT膜の膜応力を打ち消す膜応力を有するように形成されていることを特徴とする。
第3発明によれば、PZT膜の膜応力を打ち消す膜応力を有するように形成された薄膜を外層膜として有することから、圧電積層構造の反りの発生を抑制できる。
図1を参照して、光スキャナモジュール1の構成を説明する。光スキャナモジュール1は、例えば、超小型プロジェクタ、バーコードリーダ等に用いられる部品であり、2軸型光偏向器2、レーザ光源3及び制御装置5を備える。
2軸型光偏向器2は、半導体プロセスやMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術を利用して作製され、一定の方向から入射する光を回転するマイクロミラーのミラー部9で反射し、走査光として出射する。
2軸型光偏向器2は、第1支持部2a、ミラー部9、半環状圧電アクチュエータ10a、10b(本発明の「第1圧電アクチュエータ」に相当する。)、トーションバー(弾性梁)13a、13b等からなる。レーザ光源3から入射するレーザ光4aはミラー部9で反射され、反射光(レーザ光4b)が、例えば、超小型プロジェクタの投影面を走査する。
このとき、制御装置5は、第1支持部2a及びレーザ光源3に制御信号を送信する。当該制御信号により第1支持部2aの半環状圧電アクチュエータ10a、10bが駆動され、ミラー部9及び半環状圧電アクチュエータ10a、10bと結合したトーションバー13a、13bがねじれることで、ミラー部9を回動させる。また、当該制御信号により、レーザ光源3において、レーザ光4aのオン・オフ及び輝度が制御される。
次に、図2を参照して、第1支持部2aを含む2軸型光偏向器2について説明する。構造の説明の便宜上、図2を用いて、X−Yの2軸直交座標系を定義する。図2に示されるように、2軸直交座標系において、円形のミラー部9の中心を通る水平方向の回転軸をX軸、垂直方向の回転軸をY軸と定義する。
2軸型光偏向器2は、矩形環状の第2支持部11の中央に第1支持部2aが配設されている。また、第1支持部2aの中心を通るY軸に対して線対称に、蛇腹状圧電アクチュエータ6a、6b(本発明の「第2圧電アクチュエータ」に相当する。)が配設され、第1支持部2aの辺部下端及び第2支持部11と結合している。
蛇腹状圧電アクチュエータ6a、6bは、複数のカンチレバーを長手方向が隣り合う向きに並べて、上下方向端部で折り返して直列結合したミアンダ構造に形成されている。詳細は後述するが、蛇腹状圧電アクチュエータ6a、6bを駆動させることにより、第1支持部2aが水平方向、すなわち、図中のミラー部9の中心を通るX軸線回りを往復回動する。
また、上述したように、半環状圧電アクチュエータ10a、10bを駆動させることにより、ミラー部9がトーションバー13a、13bの軸と一致する、図中のミラー部9の中心を通るY軸線回りを往復回動する。
この結果、2軸型光偏向器2は、レーザ光4aをミラー部9で反射する際、光を2軸型光偏向器2の前方に出射して、さらにX軸方向とY軸方向の2方向に走査することができる。
第2支持部11の下方には、電極パッド7a〜7e(以下、電極パッド7という)と、電極パッド8a〜8e(以下、電極パッド8という。)が配設されている。電極パッド7、8は、蛇腹状圧電アクチュエータ6a、6b及び半環状圧電アクチュエータ10a、10bの各電極に駆動電圧を印加できるように電気的に接続されている。
なお、蛇腹状圧電アクチュエータ6a、6bの部分がなくても光偏向器として機能させることができる。この場合、第1支持部2aの部分が支持体の役割を果たし、ミラー部9がY軸線回りを往復回動する1軸型光偏向器を構成する。
次に、図3を参照して、蛇腹状圧電アクチュエータ6aを例に、蛇腹状圧電アクチュエータの動作を説明する。上述したように、2軸型光偏向器2は、蛇腹状圧電アクチュエータ6a、6bを動作させることにより、ミラー部9のX軸線回りの往復回動を可能としている。
図3Aは、2軸型光偏向器2を表側から見たとき、左側に配設される蛇腹状圧電アクチュエータ6aを切り出した図である。蛇腹状圧電アクチュエータ6aは、圧電カンチレバーを4つ並べた形状である。以下では、第1支持部2aから離れた方より順に、圧電カンチレバー6a(1)、6a(2)、6a(3)、6a(4)と呼ぶ。
また、各圧電カンチレバーは、図6を参照して詳細に後述するが、基板20の一面側に形成された下部電極26と、下部電極26における基板20側とは反対側の面に形成された圧電膜であるPZT膜30と、PZT膜30における下部電極26側とは反対側の面に形成された上部電極32と、基板20側とは反対側の面に形成され、かつ、PZT膜30の膜応力を打ち消す膜応力を有する薄膜である外層膜40とを有する積層体で構成される。
例えば、蛇腹状圧電アクチュエータ6aにおいて、奇数番目の圧電カンチレバー6a(1)、6a(3)に第1の電圧を印加する。また、偶数番目の圧電カンチレバー6a(2)、6a(4)に、第1の電圧とは逆位相の第2の電圧を印加する。
このように電圧を印加することで、図3Bに示すように、奇数番目の圧電カンチレバー6a(1)、6a(3)を上方向に屈曲変位させ、偶数番目の圧電カンチレバー6a(2)、6a(4)を下方向に屈曲変位させることができる。
図示しないが、蛇腹状圧電アクチュエータ6bについては、第1支持部2aに近い方より順に、圧電カンチレバー6b(1)、6b(2)、6b(3)、6b(4)とする。このとき、奇数番目の圧電カンチレバー6a(1)、6a(3)を下方向に屈曲変位させ、偶数番目の圧電カンチレバー6a(2)、6a(4)を上方向に屈曲変位させることができる。
これにより、ミラー部9の下側(トーションバー13b側)よりミラー部9の上側(トーションバー13a側)が高くなる(上側が図中のU方向に動く)ように、ミラー部9を変位させることができる。このようにして、ミラー部9をX軸線回りに揺動させることができる。
次に、図4を参照して、第1支持部2aの詳細を説明する。図4は、第1支持部2aを斜め前方から見た斜視図である。円形のミラー部9は、Y軸線上にミラー部9の中心に対して対称な位置に設けられたトーションバー13a、13bに支持され、第1支持部2aの中心に配設される。ミラー部9の反射面は、Au、Pt、Al等の金属薄膜を、例えば、スパッタ法や電子ビーム蒸着法により形成する。なお、ミラー部9の形状は円形に限られず、楕円形やその他の形状であってもよい。
トーションバー13a、13bは、一端がミラー部9、他端が半環状圧電アクチュエータ10a、10bとの結合部を越えて、第1支持部2aと結合している。このように、トーションバー13a、13bが第1支持部2aと結合していることで、Y軸線回りの往復回動が可能になる。
半環状圧電アクチュエータ10a、10bは、ミラー部9を外側から包囲する位置に配設される。半環状圧電アクチュエータ10a、10bは、ミラー部9の中心を通るY軸上でトーションバー13a、13bと結合し、X軸上で第1支持部2aの一部である固定バー14a、14bと結合している。
半環状圧電アクチュエータ10a、10bは、チタン酸ジルコン酸鉛の圧電膜(以下、PZT膜という。)を下部電極及び上部電極で挟み込んだ構造となっている。下部電極及び上部電極を介して圧電膜に電圧を印加することで、半環状圧電アクチュエータ10a、10bを屈曲変形させ、トーションバー13a、13bをねじらせる。
半環状圧電アクチュエータ10a、10bには、それぞれY軸に対して60°傾いた直線上に分断溝18が形成されており、PZT膜が周方向に分断されている。また、トーションバー13a、13bはY軸上に延在しているので、Y軸上の位置でも圧電膜が周方向に分断されている。
MEMS技術による第1支持部2aの作製時には、まず、トーションバー13a、13bの部分を含めた全周に、半環状圧電アクチュエータ10a、10b用のPZT膜を一律に形成する。その後、エッチングによりトーションバー13a、13bの部分、分断溝18の部分のPZT膜を除去する。
半環状圧電アクチュエータ10aは、2つの分断溝18により上側から順番に区域16a〜16cに分けられる。一方、半環状圧電アクチュエータ10bは、2つの分断溝18により上側から順番に区域17a〜17cに分けられる。
これにより、区域16a〜16c、17a〜17cの圧電膜には、個別に駆動電圧を印加可能になる。例えば、区域16a、16c、17bに所定の電圧V1を印加し、区域16b、17a、17cにV1とは逆位相となる電圧V2を印加することにより、ミラー部9をY軸回りに揺動させることができる。また、上記のように圧電膜を分離することで、分離しない場合の約半分の電圧で同じ振れ角が得られ、消費電力を抑えられる。
次に、図5を参照して、第1支持部2aに対するミラー部9の回転角を検出する回転角センサ100a,100bについて説明する。図5は、図4の領域R(破線部分)の拡大図である。
回転角センサ100a,100bは、トーションバー13bと半環状圧電アクチュエータ10a,10bとの結合部に跨る位置に一対の圧電センサとして配設され、半環状圧電アクチュエータ10a,10bの水平方向の歪みに応じた電圧を出力して、ミラー部9の回転角を位相遅れなく検出する。
回転角センサ100a,100bにはそれぞれ、信号線110a、110bが接続されている。信号線110a、110bは、トーションバー13bの軸線に沿って第1支持部2aに引き出され、他端が第2支持部11上の電極パッド8(図2参照)に接続される。
センサ信号は、電極パッド8を介して制御装置5(図1参照)に送信される。これにより、制御装置5は、リアルタイムでミラー部9の回転角をフィードバックして制御することができる。
次に、図6を用いて、回転角センサ100a、100bと、蛇腹状圧電アクチュエータ6a,6bと、半環状圧電アクチュエータ10a,10bとにおいて、PZT膜を有する積層体の積層構造について説明する。図6は、図5のVI−VI線断面図であり、回転角センサ100bの断面図である。
本実施形態の光偏向器2は、回転角センサ100a、100b、蛇腹状圧電アクチュエータ6a,6b、及び、半環状圧電アクチュエータ10a,10bのPZT膜を有する積層体の部分は同じ積層構造で構成される。
積層体は、下層から順に、基板20、層間絶縁膜22、電極と接する薄膜の密着性を高めるための電極密着膜24、下部電極26、層間膜28、PZT膜30、上部電極32、電極密着膜34、水分や金属イオンから配線や回路素子を保護するための機能を持つパッシベーション膜36、導線部38、及び、外層膜40で構成される。
基板20上に形成された積層体の材料として、基板20はSi等、層間絶縁膜22はSiO2等、電極密着膜24,34はPt等、下部電極26及び上部電極32はPt、PZT膜30の配向性を制御する層間膜28はSRO(ルテニウム酸ストロンチウム)、PZT膜30はPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)、パッシベーション膜36はSiO2、SiN等、導線部38はAl等が挙げられる。
積層体は、基板20の上に、例えば、スパッタ法、電子ビーム蒸着法、反応性アーク放電を利用したイオンプレーティング法等の公知の方法を用いて、下層から順に成膜することにより形成される。
外層膜40の材料として、例えばSiN、SiON、TEOS、SiO2、Al2O3等が挙げられるが、外部環境の水分から積層体を保護するために疎水性があり、大気環境に対して膜質が経時変化(応力変化)し難く、不純物の透過率が低い膜応力制御が容易なSiNが好ましい。
本実施形態の外層膜40は、PZT膜30の膜応力を打ち消す膜応力を有するように形成された薄膜である。膜応力は、Zygo社製のレーザー変位測定干渉計システムを用いて、下記のストーニーの式を用いて膜応力を算出することができる。
(膜応力)=ED^2/6(1−v)tR
式中、Eは基板のヤング率、vは基板のポアソン比、Dは基板の厚さ、tは膜の厚さ、Rは曲率半径の変化である。
(膜応力)=ED^2/6(1−v)tR
式中、Eは基板のヤング率、vは基板のポアソン比、Dは基板の厚さ、tは膜の厚さ、Rは曲率半径の変化である。
圧電膜であるPZT膜30含む各膜及び積層膜の引張応力を計算し、反りを抑制するための膜応力(圧縮応力)として外層膜40の膜応力を計算し、PZT膜30を含む積層膜の膜応力を打ち消す膜応力を以下の手順に従い外層膜40に付与した。
1.シミュレーションにより、外層膜40を除く各膜及び積層膜の膜応力を把握する
2.シミュレーションにより、外層膜40の膜応力を把握する
3.上記1の積層膜の膜応力を相殺し得る膜応力(逆応力)の条件を設定する
4.上記1の積層膜に、上記3で設定した条件で外層膜40を成膜する
5.外層膜40を含めた積層膜の膜応力を把握し、応力が相殺され緩和されているか確認する
6.上記1〜5のシミュレーション結果に基づいて.実デバイスで同様の処理を行う
7.3次元光学プロファイルで形状を確認し調整を行う
尚、上記3において、外層膜40の膜応力の値は、外層膜40の成膜条件(材料ガス流量、材料ガス流量比、RFパワー、圧力、温度)を調整することにより制御することができる。
1.シミュレーションにより、外層膜40を除く各膜及び積層膜の膜応力を把握する
2.シミュレーションにより、外層膜40の膜応力を把握する
3.上記1の積層膜の膜応力を相殺し得る膜応力(逆応力)の条件を設定する
4.上記1の積層膜に、上記3で設定した条件で外層膜40を成膜する
5.外層膜40を含めた積層膜の膜応力を把握し、応力が相殺され緩和されているか確認する
6.上記1〜5のシミュレーション結果に基づいて.実デバイスで同様の処理を行う
7.3次元光学プロファイルで形状を確認し調整を行う
尚、上記3において、外層膜40の膜応力の値は、外層膜40の成膜条件(材料ガス流量、材料ガス流量比、RFパワー、圧力、温度)を調整することにより制御することができる。
尚、低周波RFによる圧縮応力膜と高周波RFによる引張応力膜を交互に成膜し、その割合で応力を制御することも可能であり、低周波と高周波の印可時間を調整することにより外層膜40の膜応力の調整を容易に行うことができる。
次に、図7及び図8を参照して、光偏向器2の変位分布について説明する。図7A、図7Bは、市販のシミュレーションプログラムを用いて算出した、外層膜を有さない静止状態の光偏向器の変位分布であり、図8は外層膜を有する静止状態の光偏向器の変位分布である。尚、図7A,図7B、図8において、色が濃い部分は変位が大きい部分を示している。
光偏向器2は、Siからなる基板20と、SiO2からなる厚さ1000nmの層間絶縁膜22と、Tiからなる厚さ2nmの電極密着膜24と、Ptからなる厚さ100nmの下部電極26と、SROからなる厚さ20nmの層間膜28と、厚さ4μmのPZT膜30と、Ptからなる厚さ150nmの上部電極32と、Tiからなる厚さ50nmの電極密着膜34と、SiO2・SiNからなる厚さ500nmのパッシベーション膜36と、Alからなる厚さ500nmの導線部38と、SiNからなる厚さ500nmの外層膜40とから構成される、回転角センサ100a,100b、蛇腹状圧電アクチュエータ6a,6b、及び半環状圧電アクチュエータ10a,10bを有し、基板20は、ミラー部9、トーションバー13a,13b等の基板として共通することを条件とした。
図7A、図7Bの外層膜を有さない静止状態の光偏向器の変位分布によれば、静止状態において、光偏向器2に反りが発生していることがわかる。また、図7Bから、ミラー部9が第1支持部2aに対して座屈していることがわかる。
これに対して、図8の外層膜を有する静止状態の光偏向器の変位分布によれば、蛇腹状圧電アクチュエータ6a,6b、半環状圧電アクチュエータ10a,10b、第1支持部2aに反りが生じていないことがわかる。また、図8のミラー部9は、図7A及び図7Bのミラー部9より薄い色であり、座屈していないことがわかる。
従って、本実施形態の光偏向器2によれば、光偏向器2の反りが静止状態で抑制され、ミラー部9が座屈しないことから、ミラー部9がX軸線回りを往復回動した場合でも、第1支持部2aに対するポンピング現象の発生を抑制できる。
上記実施例は、本発明の一例であり、これ以外にも様々な変形例が考えられる。例えば、トーションバーの一端が半環状圧電アクチュエータと結合している、すなわち、第2支持部まで伸びていない光偏向器であっても、本発明を適用可能である。
半環状圧電アクチュエータの圧電膜を分離する分断溝はなくてもよい。また、ミラー部や、ミラー部を駆動する圧電アクチュエータは、実施例の形状に限られず、様々な形状を採用することができる。圧電センサは、トーションバーの回転角を検出するために1つ設けてもよい。
尚、本実施形態の光偏向器2は、例えば、ディスプレイ装置、バーコードリーダ、プロジェクタ、光学式タッチパネル等の光走査装置に用いることができる。
1…光スキャナモジュール、2…2軸型光偏向器、2a…第1支持部、3…レーザ光源、4a…レーザ光(入射光)、4b…レーザ光(反射光)、5…制御装置、6a,6b…蛇腹状圧電アクチュエータ(第2圧電アクチュエータ)、7,8…電極パッド、9…ミラー部、10a,10b…半環状圧電アクチュエータ(第1圧電アクチュエータ)、11…第2支持部、13a,13b…トーションバー、14a,14b…固定バー、16a〜16c…区域(半環状圧電アクチュエータ10a)、17a〜17c…区域(半環状圧電アクチュエータ10b)、18…分断溝、20…基板、26…下部電極、28…層間膜(SRO膜)、30…PZT膜、32…上部電極、40…外層膜、100a,100b…回転角センサ。
Claims (8)
- 光を反射するミラー部と、
前記ミラー部を包囲して支持する第1支持部と、
前記ミラー部の第1回転軸線上で、一端部が前記ミラー部と結合し、他端部が前記第1支持部と結合する1対のトーションバーと、
前記トーションバーを前記第1回転軸線回りに往復回動させるように、先端部が前記トーションバーと結合し、かつ、少なくとも一部分が前記第1支持部と結合する第1圧電アクチュエータと、
前記第1圧電アクチュエータの先端部近傍に配設され、前記トーションバーと結合し、かつ、前記第1支持部に対する前記ミラー部の回転角を検出する回転角センサとを備え、
前記回転角センサは、基板上に形成された回転角センサ用積層体で構成され、
前記回転角センサ用積層体は、前記基板の一面側に形成された下部電極、前記下部電極の前記基板側とは反対側の面に形成されたPZT膜、前記PZT膜の前記下部電極側とは反対側の面に形成された上部電極、及び、前記基板側とは反対側の外層として形成された外層膜を有し、
前記外層膜は前記PZT膜の膜応力を打ち消す膜応力を有するように形成されていることを特徴とする光偏向器。 - 請求項1記載の光偏向器であって、
前記第1圧電アクチュエータは、前記回転角センサ用積層体と同じ構成の第1圧電アクチュエータ用積層体で構成されることを特徴とする光偏向器。 - 請求項1又は2記載の光偏向器であって、
前記第1支持部を包囲して支持する第2支持部と、
前記第1支持部と前記第2支持部との間に介在し、かつ、前記第1回転軸線と同一平面で直交する前記ミラー部の第2回転軸線回りに前記ミラー部を往復回動させる第2圧電アクチュエータを備え、
前記第2圧電アクチュエータは、前記回転角センサ用積層体と同じ構成の第2圧電アクチュエータ用積層体で構成されることを特徴とする光偏向器。 - 請求項1〜3のいずれか一項記載の光偏向器であって、
前記回転角センサ用積層体は、前記下部電極と前記PZT膜との間にSRO膜を有することを特徴とする光偏向器。 - 光を反射するミラー部と、
前記ミラー部を包囲して支持する第1支持部と、
前記ミラー部を第1回転軸線回りに往復回動させるように、一端部が前記ミラー部と結合し、他端部が前記第1支持部と結合する第1圧電アクチュエータとを備え、
前記第1圧電アクチュエータは、基板上に形成された第1圧電アクチュエータ用積層体で構成され、
前記第1圧電アクチュエータ用積層体は、前記基板の一面側に形成された下部電極、前記下部電極の前記基板側とは反対側の面に形成されたPZT膜、前記PZT膜の前記下部電極側とは反対側の面に形成された上部電極、及び、前記基板側とは反対側の外層として形成された外層膜を有し、
前記外層膜は前記PZT膜の膜応力を打ち消す膜応力を有するように形成されていることを特徴とする光偏向器。 - 請求項5記載の光偏向器であって、
前記第1回転軸線上で、一端部が前記ミラー部と結合し、他端部が前記第1支持部と結合する1対のトーションバーをさらに有し、
前記第1圧電アクチュエータは、前記トーションバーを前記第1回転軸線回りに往復回動させるように、先端部が前記トーションバーと結合し、かつ、少なくとも一部分が前記第1支持部と結合していることを特徴とする光偏向器。 - 請求項5又は6記載の光偏向器であって、
前記第1支持部を包囲して支持する第2支持部と、
前記第1支持部と前記第2支持部との間に介在し、かつ、前記第1回転軸線と同一平面で直交する前記ミラー部の第2回転軸線回りに前記ミラー部を往復回動させる第2圧電アクチュエータを備え、
前記第2圧電アクチュエータは、前記第1圧電アクチュエータ用積層体と同じ構成の第2圧電アクチュエータ用積層体で構成されることを特徴とする光偏向器。 - 基板と、前記基板の一面側に形成された下部電極、前記下部電極の前記基板側とは反対側の面に形成されたPZT膜、前記PZT膜の前記下部電極側とは反対側の面に形成された上部電極、及び、前記基板側とは反対側の外層として形成された外層膜を有し、
前記外層膜は前記PZT膜の膜応力を打ち消す膜応力を有するように形成されていることを特徴とする圧電積層構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014124354A JP2016004155A (ja) | 2014-06-17 | 2014-06-17 | 光偏向器および圧電積層構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014124354A JP2016004155A (ja) | 2014-06-17 | 2014-06-17 | 光偏向器および圧電積層構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016004155A true JP2016004155A (ja) | 2016-01-12 |
Family
ID=55223470
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014124354A Pending JP2016004155A (ja) | 2014-06-17 | 2014-06-17 | 光偏向器および圧電積層構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016004155A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3301498A1 (en) * | 2016-09-29 | 2018-04-04 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | Optical scanning device and manufacturing method of optical scanning device |
JP2018093028A (ja) * | 2016-12-01 | 2018-06-14 | 新日本無線株式会社 | 圧電素子 |
JP2019139046A (ja) * | 2018-02-09 | 2019-08-22 | スタンレー電気株式会社 | 2次元光偏向器 |
JP2019219549A (ja) * | 2018-06-21 | 2019-12-26 | スタンレー電気株式会社 | 光偏向器 |
JP2020136532A (ja) * | 2019-02-21 | 2020-08-31 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
-
2014
- 2014-06-17 JP JP2014124354A patent/JP2016004155A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3301498A1 (en) * | 2016-09-29 | 2018-04-04 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | Optical scanning device and manufacturing method of optical scanning device |
JP2018054908A (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | ミツミ電機株式会社 | 光走査装置及び光走査装置の製造方法 |
CN107884925A (zh) * | 2016-09-29 | 2018-04-06 | 三美电机株式会社 | 光扫描装置以及光扫描装置的制造方法 |
US10481390B2 (en) | 2016-09-29 | 2019-11-19 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | Optical scanning device and manufacturing method of optical scanning device |
JP2018093028A (ja) * | 2016-12-01 | 2018-06-14 | 新日本無線株式会社 | 圧電素子 |
JP2019139046A (ja) * | 2018-02-09 | 2019-08-22 | スタンレー電気株式会社 | 2次元光偏向器 |
JP7053296B2 (ja) | 2018-02-09 | 2022-04-12 | スタンレー電気株式会社 | 2次元光偏向器 |
JP2019219549A (ja) * | 2018-06-21 | 2019-12-26 | スタンレー電気株式会社 | 光偏向器 |
JP7108477B2 (ja) | 2018-06-21 | 2022-07-28 | スタンレー電気株式会社 | 光偏向器 |
JP2020136532A (ja) * | 2019-02-21 | 2020-08-31 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106814451B (zh) | 带有压电致动器的谐振双轴线mems反射器及包含其的投影mems系统 | |
US8792151B2 (en) | Optical reflection element | |
JP6516516B2 (ja) | 光偏向器 | |
JP5890115B2 (ja) | 光偏向器 | |
JP2016004155A (ja) | 光偏向器および圧電積層構造 | |
JP6447683B2 (ja) | 走査型微小電気機械反射鏡システム、光検出及び測距(lidar)装置、及び走査型微小電気機械反射鏡システムの作動方法 | |
US10371940B2 (en) | Mirror driving device and driving method thereof | |
JP5666955B2 (ja) | 光偏向器 | |
US10365475B2 (en) | Oscillating structure with piezoelectric actuation, system and manufacturing method | |
JPWO2013136759A1 (ja) | 光学反射素子とアクチュエータ | |
JP5816002B2 (ja) | 光偏向器 | |
JP2008139886A (ja) | 2次元マイクロ光スキャナー | |
US20150323783A1 (en) | Optical reflection element | |
US20140320943A1 (en) | Optical scanning device | |
JP6789438B2 (ja) | 光走査装置およびその制御方法 | |
US20170005257A1 (en) | Drive apparatus | |
JP6310786B2 (ja) | 光偏向器 | |
US11644664B2 (en) | Light deflector, optical scanning system, image projection device, image forming apparatus, and lidar device | |
JP2016151681A (ja) | Mems光スキャナ | |
JP6788186B2 (ja) | 光走査装置及び光走査装置の製造方法 | |
JP2015169745A (ja) | 光偏向器 | |
JP2016118726A (ja) | 光偏向器 | |
JP2013083769A (ja) | 光偏向器 | |
JP5506976B2 (ja) | 光偏向器 | |
JP2017102412A (ja) | 光偏向器 |