JP2016151681A - Mems光スキャナ - Google Patents
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Abstract
【課題】従来よりも高速で、かつ、大きい偏向角でミラーを駆動させることができるMEMS光スキャナを提供する。
【解決手段】MEMS光スキャナ1は、フレーム2、複数のアーム3〜6、複数のトーションバー13〜16、及びミラー10を備える。複数のアーム3〜6は一端側がフレーム2に固定されている。複数のトーションバー13〜16は一端側が複数のアーム3〜6の他端側に接続され、他端側がミラー10に接続されている。ミラー10は照射される光を反射する反射面を有する。ミラー10の反射面とは反対側の面には、ミラー10との接続部よりも先端部が細い、先細り形状を有する補強リブが形成されている。
【選択図】図2
【解決手段】MEMS光スキャナ1は、フレーム2、複数のアーム3〜6、複数のトーションバー13〜16、及びミラー10を備える。複数のアーム3〜6は一端側がフレーム2に固定されている。複数のトーションバー13〜16は一端側が複数のアーム3〜6の他端側に接続され、他端側がミラー10に接続されている。ミラー10は照射される光を反射する反射面を有する。ミラー10の反射面とは反対側の面には、ミラー10との接続部よりも先端部が細い、先細り形状を有する補強リブが形成されている。
【選択図】図2
Description
本発明は、MEMS(Micro Electro Mechanical System)技術を用いたMEMS光スキャナに関する。
プロジェクタやヘッドマウントディスプレイ等の投射型のディスプレイには光スキャナが用いられる。
光スキャナの偏向駆動されているミラーにレーザ光が照射されると、レーザ光はミラーによって反射され、ミラーの偏向方向に走査される。
1つまたは2つの光スキャナを用いてレーザ光を水平方向及び垂直方向に走査させることにより、スクリーン上に画像を表示させることができる。
光スキャナの一形態として、MEMS技術を用いて形成されたMEMS光スキャナがある。MEMS光スキャナは、一般的に、SOI(Silicon on Insulator)ウエハを半導体製造技術を用いて微細加工することで作製される。そのため、MEMS光スキャナは、ポリゴンミラーやガルバノミラー等の他の形態と比較して小型化が容易である。
画像の高解像度化や大画面化に対応させるため、MEMS光スキャナには、高速で、具体的には高い共振周波数で、かつ、大きい偏向角でミラーを駆動させることが要求される。
高解像度化に対しては、例えばWXGA(Wide eXtended Graphics Array)の解像度を得るためには30kHz程度の共振周波数が要求される。大画面化に対しては25°〜40°の偏向角が要求される。
ミラーを高速で、かつ、大きい偏向角で駆動させるためには、ミラーを軽くすることが有効である。ミラーを軽くすることで慣性モーメントを小さくすることができる。ミラーにはレーザ光が所定のスポット径で照射されるため、ミラーはレーザ光のスポット径と同程度の大きさが必要である。
そこで、ミラーを軽くするためにミラーを薄くすると、ミラーを駆動させたときにミラーが撓み変形するという問題が生じる。ミラーが撓み変形すると、特にミラーが大きく振れる画面端部で画像のボケや歪みが生じ、画質を悪化させる要因となる。
特許文献1には、ミラーの撓み変形を抑制するために、ミラーの裏面に補強部材が形成された光スキャナが記載されている。
しかしながら、特許文献1に記載されている光スキャナでは、ミラーの裏面全面に亘って補強部材が形成されている。補強部材によるミラー重量の増加は、例えばミラーの駆動共振周波数を低下させる要因となる。
そこで、本発明は、従来よりも高速で、かつ、大きい偏向角でミラーを駆動させることができるMEMS光スキャナを提供することを目的とする。
本発明は、上述した従来の技術の課題を解決するため、フレームと、前記フレームに一端側がそれぞれ固定された複数のアームと、前記複数のアームの他端側に一端側がそれぞれ対応して接続された複数のトーションバーと、前記複数のトーションバーの他端側が接続され、照射される光を反射する反射面を有するミラーと、前記ミラーの前記反射面とは反対側の面に形成され、前記ミラーとの接続部よりも先端部が細い、先細り形状を有する補強リブと、を備えていることを特徴とするMEMS光スキャナを提供する。
本発明のMEMS光スキャナによれば、従来よりも高速で、かつ、大きい偏向角でミラーを駆動させることができる。
図1を用いて、実施形態のMEMS光スキャナを説明する。図1(a)はMEMS光スキャナをミラーの反射面側から見た平面図である。図1(b)はMEMS光スキャナをミラーの裏面側から見た平面図である。
図1(a),(b)に示すように、MEMS光スキャナ1は、フレーム2と、アーム3,4,5,6と、トーションバー13,14,15,16と、圧電素子7,8と、ミラー10と、を備えている。
フレーム2は枠状の平面形状を有する。ミラー10は円板形状を有する。
アーム3,4,5,6、トーションバー13,14,15,16、及び、ミラー10は、フレーム2の枠内の空隙部に配置されている。なお、図1(a),(b)において、符号9a,9bを付した略コ字形状部と符号9c,9dを付したT字形状部はそれぞれ空隙部である。
図1(a)において、ミラー10の紙面手前側の面が、外部から照射されたレーザ光を反射する反射面となっている。なお、ミラー10の反射面とは反対側の面(図1(b)における紙面手前側の面)を裏面と称す。
ミラー10の反射面には高反射率の金属膜が形成されている。金属膜の材料として、可視光域での反射率が高く、可視光域全域に亘って反射率が比較的一定であり、高耐蝕性に優れるAlやAlを主成分とする合金を用いることが好ましい。
図1(b)に示すように、ミラー10の裏面には補強リブ30が形成されている。
補強リブ30は、その重心C30の位置が、ミラー10の回動中心軸B−B上に位置するように、ミラー10の裏面の外周に沿ってリング状に形成されている。補強リブ30の重心C30の位置はミラー10の重心C10の位置と一致していることが好ましい。
補強リブ30の外径は、ミラー10の外径に対して80%〜95%の範囲に設定されていることが好ましい。
アーム3は、一端側がフレーム2に固定され、他端側がトーションバー13の一端側に接続されている。
アーム4は、一端側がフレーム2に固定され、他端側がトーションバー14の一端側に接続されている。
アーム5は、一端側がフレーム2に固定され、他端側がトーションバー15の一端側に接続されている。
アーム6は、一端側がフレーム2に固定され、他端側がトーションバー16の一端側に接続されている。
アーム4は、一端側がフレーム2に固定され、他端側がトーションバー14の一端側に接続されている。
アーム5は、一端側がフレーム2に固定され、他端側がトーションバー15の一端側に接続されている。
アーム6は、一端側がフレーム2に固定され、他端側がトーションバー16の一端側に接続されている。
アーム3及びアーム4は、一対のアームを構成し、ミラー10の重心C10を通り、ミラー10の回動中心軸B−Bと直交する中心線A−Aを線対称として対向配置されている。
アーム5及びアーム6は、一対のアームを構成し、中心線A−Aを線対称として対向配置されている。
アーム5及びアーム6は、一対のアームを構成し、中心線A−Aを線対称として対向配置されている。
アーム3とアーム5は、回動中心軸B−Bを線対称として対向配置されている。
アーム4とアーム6は、回動中心軸B−Bを線対称として対向配置されている。
アーム4とアーム6は、回動中心軸B−Bを線対称として対向配置されている。
トーションバー13は、一端側がアーム3に接続され、他端側がミラー10に接続されている。
トーションバー14は、一端側がアーム4に接続され、他端側がミラー10に接続されている。
トーションバー15は、一端側がアーム5に接続され、他端側がミラー10に接続されている。
トーションバー16は、一端側がアーム6に接続され、他端側がミラー10に接続されている。
トーションバー14は、一端側がアーム4に接続され、他端側がミラー10に接続されている。
トーションバー15は、一端側がアーム5に接続され、他端側がミラー10に接続されている。
トーションバー16は、一端側がアーム6に接続され、他端側がミラー10に接続されている。
圧電素子7は、アーム3上の領域及びアーム4上の領域を含んで形成されている。図1(a)は、圧電素子7が、アーム3上の領域及びアーム4上の領域を含むコ字状の領域に形成されている形態を示している。
圧電素子8は、アーム5上の領域及びアーム6上の領域を含んで形成されている。図1(a)は、圧電素子8が、アーム5上の領域及びアーム6上の領域を含むコ字状の領域に形成されている形態を示している。
圧電素子7及び圧電素子8は、下電極と圧電膜と上電極とが積層された積層構造をそれぞれ有している。圧電膜の材料として、例えばチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)等の高い圧電特性を有する材料を用いることができる。
フレーム2上には、圧電素子7の上電極から延伸する引き出し電極21、及び、圧電素子7の下電極から延伸する引き出し電極22が、それぞれ形成されている。
フレーム2上には、圧電素子8の下電極から延伸する引き出し電極23、及び、圧電素子8の上電極から延伸する引き出し電極24が、それぞれ形成されている。
フレーム2上には、圧電素子8の下電極から延伸する引き出し電極23、及び、圧電素子8の上電極から延伸する引き出し電極24が、それぞれ形成されている。
図2を用いて、MEMS光スキャナ1の各部位の層構成を説明する。図2は図1(a)及び図1(b)の中心線A−Aにおける断面図である。なお、図2における下側の面を裏面と称す。
MEMS光スキャナ1は、シリコン層(第1のシリコン層)41と埋め込み酸化層42とシリコン層(第2のシリコン層)43とが積層された積層構造を有する。
MEMS光スキャナ1は、例えばSOI(Silicon on Insulator)ウエハを、ボッシュプロセス(Bosch process)を用いて深掘りエッチングすることで作製することができる。
シリコン層41の厚さは例えば50μmである。埋め込み酸化層42の厚さは例えば2μmである。シリコン層43の厚さは例えば400μmである。
フレーム2は、シリコン層41と埋め込み酸化層42とシリコン層43との積層構造を有している。なお、図2中のハードマスク45はMEMS光スキャナ1の製造過程でエッチングマスクとして用いられるものである。そのため、フレーム2の構成上なくてもよい。
アーム3,4,5,6、トーションバー13,14,15,16、及び、ミラー10は、フレーム2の上層と共通のシリコン層41で形成されている。
補強リブ30は、フレーム2の中間層と共通の埋め込み酸化層42と、フレーム2の下層と共通のシリコン層43との積層構造を有している。
補強リブ30は、ミラー10との接続部よりも先端部が細い、先細り形状を有している。
図1(a)及び図1(b)を用いて、MEMS光スキャナ1の駆動方法を説明する。
外部から、引き出し電極21及び引き出し電極22を介して、圧電素子7の上電極及び下電極に、所定の周波数または調整された周波数の交流電圧が印加される。上電極と下電極との間に形成されている圧電膜は、交流電圧値に応じた圧電効果によって変形を繰り返す。
アーム3,4は、圧電素子7の圧電膜の変形の影響を受け、フレーム2に固定された一端側を支点として、それぞれの他端側が図1(a)及び図1(b)における紙面手前奥方向に振動する。
アーム3,4の振動がトーションバー13,14を介してミラー10に伝達される。これにより、ミラー10は回動中心軸B−Bまわりに往復回転駆動する。ミラー10に形成されている補強リブ30もミラー10と共に往復回転駆動する。
圧電素子7に印加される交流電圧の周波数は、ミラー10、トーションバー13,14,15,16、及び、アーム3,4,5,6からなる振動系の共振周波数であり、ミラー10が共振駆動するように設定または調整される。
交流電圧値に応じてミラー10の偏向角を設定または調整することができる。すなわち、交流電圧値を大きくすることでミラー10の偏向角を大きくすることができ、交流電圧値を小さくすることでミラー10の偏向角を小さくすることができる。
ミラー10の往復回転駆動がトーションバー15,16を介してアーム5,6に伝達される。これにより、アーム5,6はアーム3,4とは逆位相に振動する。
アーム5,6の振動により、圧電素子8では、圧電素子7に印加された交流電圧とはほぼ逆位相の関係にある交流電圧が生成される。圧電素子8で生成された交流電圧に基づいて、圧電素子7に印加される交流電圧を調整することができる。
圧電素子7,8のいずれ一方はミラー10を偏向駆動させるための駆動手段として機能し、他方はミラー10の偏向駆動の状態を検出する検出手段として機能する。
また、圧電素子7,8の両方に互いに逆位相の交流電圧を印加することで、一方の圧電素子7に交流電圧を印加する場合よりもミラー10の偏向角を大きくすることも可能である。
なお、本実施形態では、ミラーを偏向駆動させるための駆動手段として圧電素子を形成したが、これに限定されるものではない。ミラーを偏向駆動させるための他の駆動手段として、静電力を利用してミラーを偏向駆動させる静電アクチュエータ等を用いることもできる。
また、本実施形態では、ミラーの偏向駆動の状態を検出する検出手段として圧電素子を形成したが、これに限定されるものではない。ミラーの偏向駆動の状態を検出する他の検出手段として、ピエゾ抵抗素子をトーションバーに形成する手段やミラーにレーザ光を照射してその反射角度を検出する手段等を用いることもできる。
往復回転駆動するミラー10の反射面にレーザ光等の光を照射することにより、照射光をミラー10の偏向角に応じて走査させることができる。
図3〜図6を用いて、MEMS光スキャナ1の製造方法を説明する。
図3(a)は図1(a)に対応する平面図である。図3(b)は図3(a)の中心線A−Aにおける断面図であり、図2に対応する。
図4(a)は図3(a)に対応する平面図である。図4(b)は図4(a)の中心線A−Aにおける断面図であり、図3(b)に対応する。
図5(a)は図1(b)に対応する平面図である。図5(b)は図5(a)の中心線A−Aにおける断面図であり、図4(b)に対応する。
図6(a)は図5(a)に対応する平面図である。図6(b)は図6(a)の中心線A−Aにおける断面図であり、図5(b)に対応する。
なお、説明をわかりやすくするために、同じ構成部には同じ符号を付して説明する。
図4(a)は図3(a)に対応する平面図である。図4(b)は図4(a)の中心線A−Aにおける断面図であり、図3(b)に対応する。
図5(a)は図1(b)に対応する平面図である。図5(b)は図5(a)の中心線A−Aにおける断面図であり、図4(b)に対応する。
図6(a)は図5(a)に対応する平面図である。図6(b)は図6(a)の中心線A−Aにおける断面図であり、図5(b)に対応する。
なお、説明をわかりやすくするために、同じ構成部には同じ符号を付して説明する。
図3(a),(b)に示すように、シリコン層41と埋め込み酸化層42とシリコン層43とが積層された積層構造を有するSOIウエハのシリコン層41上に、圧電素子7,8、及び、引き出し電極21,22,23,24を形成する。
図4(a)に示すように、シリコン層41を、フォトリソグラフィを用いてエッチングし、それぞれパターン化されたアーム3,4,5,6、トーションバー13,14,15,16、及び、ミラー10を形成する。
図4(b)に示すように、シリコン層43の裏面側に、フォトリソグラフィを用いてハードマスク45を形成する。ハードマスク45はフレーム2に対応する領域に形成される。
ハードマスク45をエッチングマスクとして、エッチング後のシリコン層43の厚さが例えば190μmとなるように、シリコン層43を裏面側からエッチングする。
なお、エッチング後にハードマスク45を除去してもよい。
なお、エッチング後にハードマスク45を除去してもよい。
図5(a),(b)に示すように、エッチング後のシリコン層43の裏面に、フォトリソグラフィを用いてリング状にパターン化されたレジスト46を形成する。レジスト46は、補強リブ30に対応する領域にパターン形成される。
なお、ハードマスク45が除去されている場合には、ハードマスク45を除去した領域にもレジスト46を形成する。
なお、ハードマスク45が除去されている場合には、ハードマスク45を除去した領域にもレジスト46を形成する。
レジスト46をエッチングマスクとして、エッチング後のシリコン層43をさらにエッチングする。
例えば厚さが190μmと厚いシリコン層43を深掘りエッチングする場合、一般的にボッシュプロセスが用いられる。ボッシュプロセスは、エッチングとエッチング側壁保護とを繰り返しながら行うエッチング方法である。ボッシュプロセスを用いることにより、アスペクト比の高いエッチングが可能になる。
しかしながら、本工程ではボッシュプロセスを用いずにシリコン層43をエッチングする。具体的には、例えばCF4やSF6等のフッ素系ガスを主成分とし、酸素または塩素ガスが添加された雰囲気中で反応性エッチングを行う。
図6(b)に示すように、反応性エッチングによってシリコン層43がエッチングされることにより、ミラー10の裏面に、ミラー10との接続部よりも先端部が細い、先細り形状を有する補強リブ30が形成される。
反応性エッチングの雰囲気中の酸素または塩素ガスの添加量を制御することにより、補強リブ30の断面形状、例えば補強リブ30の側壁の傾斜角度等を調整することができる。
レジスト46をエッチングマスクとして埋め込み酸化層42をエッチングした後、レジスト46を除去することで、図1(a),(b)、及び図2に示すMEMS光スキャナ1を作製することができる。
[他の実施例]
補強リブ30は、ミラー10との接続部よりも先端部が細い、先細り形状を有していればよく、図2の形状に限定されるものではない。
補強リブ30は、ミラー10との接続部よりも先端部が細い、先細り形状を有していればよく、図2の形状に限定されるものではない。
そこで、図7を用いて、補強リブ30の他の実施例を説明する。
図7(a)の補強リブ30は、図2に示す実施例の補強リブ30と同じものである。なお、図7(a)は、図2の補強リブ30の部分を上下反転させて拡大した断面図である。
図7(b)は他の実施例の補強リブ31である。図7(a)の実施例の補強リブ30が連続的に先細りした形状を有している。それに対して他の実施例の補強リブ31は階段状に先細りした形状を有している。
なお、図7(b)に示す補強リブ31は2箇所の段差を有しているが、これに限定されるものではない。補強リブ31は、ミラー10との接続部よりも先端部が細い、先細り形状を有していればよく、段差の数や程度は特に限定されるものではない。
図7(c)は比較例の補強リブ32である。比較例の補強リブ32は、図7(a),(b)の補強リブ30,31とは異なり、先細りしていない矩形の断面形状を有している。
図8を用いて、他の実施例の補強リブ31の製造方法を説明する。
図5(a)及び(b)に示す実施例と同様に、エッチング後のシリコン層43の裏面に、フォトリソグラフィを用いてリング状にパターン化されたレジスト46を形成する。レジスト46は、補強リブ31が形成される領域にパターン形成される。
図8(a)に示すように、レジスト46をエッチングマスクとして、エッチング後のシリコン層43を、埋め込み酸化層42が露出するまでボッシュプロセスを用いて第1のエッチングを行う。
図8(b)に示すように、レジスト46を除去した後、シリコン層43の裏面(図8(b)における上側の面)に、フォトリソグラフィを用いてリング状にパターン化された、レジスト46よりも幅狭のレジスト47を形成する。レジスト47をエッチングマスクとして、エッチング後のシリコン層43の表面から第1の深さD1までボッシュプロセスを用いて第2のエッチングを行う。
図8(c)に示すように、レジスト47を除去した後、シリコン層43の裏面に、フォトリソグラフィを用いてリング状にパターン化された、レジスト47よりも幅狭のレジスト48を形成する。レジスト48をエッチングマスクとして、エッチング後のシリコン層43の表面から第1の深さD1よりも浅い第2の深さD2までボッシュプロセスを用いて第3のエッチングを行う。
レジスト48及び露出している領域の埋め込み酸化層42を除去することにより、図7(b)に示す他の実施例の補強リブ31を作製することができる。なお、第1のエッチングによって形成された、ミラー10との接続部である幅広のシリコン層43は、第2及び第3のエッチングによっても側壁がエッチングされてしまうため、その分を予め考慮して設計することが好ましい。
比較例の補強リブ32は、図8(a)に示す第1のエッチングによってシリコン層43をエッチングし、さらに、露出している領域の埋め込み酸化層42をエッチングした後にレジスト46を除去することにより、作製することができる。
図9は、実施例及び比較例の補強リブが形成されているミラーの構造解析シミュレーションの比較結果を示す図である。
実施例1の補強リブは高さが190μmである。実施例1の補強リブは、ミラーとの接続部の幅が75μm、高さが120μmであり、先端部の幅が25μm、高さが70μmである階段状の先細り形状を有する。
実施例2の補強リブは高さが190μmである。実施例2の補強リブは、ミラーとの接続部の幅が75μm、高さが100μmであり、先端部の幅が25μm、高さが90μmである階段状先細り形状を有する。
比較例1の補強リブは、幅が25μm、高さが190μmである矩形形状を有する。
比較例2の補強リブは、幅が75μm、高さが190μmである矩形形状を有する。
比較例3の補強リブは、幅が75μm、高さが160μmである矩形形状を有する。
比較例4の補強リブは、幅が75μm、高さが130μmである矩形形状を有する。
比較例5の補強リブは、幅が75μm、高さが100μmである矩形形状を有する。
比較例2の補強リブは、幅が75μm、高さが190μmである矩形形状を有する。
比較例3の補強リブは、幅が75μm、高さが160μmである矩形形状を有する。
比較例4の補強リブは、幅が75μm、高さが130μmである矩形形状を有する。
比較例5の補強リブは、幅が75μm、高さが100μmである矩形形状を有する。
実施例1,2、並びに比較例1〜5の補強リブは、いずれも外径が960μmのリング形状を有し、外径が1100μmのミラーの裏面に形成されている。
相対歪みは、ミラーを所定の偏向角で共振駆動させた場合のミラーの歪みであり、比較例2を100とした場合の相対値として示している。なお、ミラーの歪みはミラーの変形によって生じる状態と理想状態(変形しない状態)との変位である。従って、相対歪みの値が小さいほど、変位が小さく、ミラーの歪みが小さいことを示している。
図9に示すように、実施例1,2ともに比較例1〜5よりもミラーの歪みが低減されている。
共振周波数は、ミラーが共振駆動する共振周波数である。実施例1,2は比較例2と比較して共振周波数が高いにも係わらず、ミラーの歪みが低減されている。
相対駆動感度は、ミラーに所定の力を加えた場合にミラーが振れる大きさ(振れ角に相当する)であり、比較例2を100とした場合の相対値として示している。相対値が大きいほど、ミラーの駆動感度がよいことを示している。
図9に示すように、実施例1,2ともに比較例2よりもミラーの駆動感度が向上している。なお、比較例1は、実施例1,2と同程度の駆動感度を有するものの、ミラーの歪みが増大している。
矩形の断面形状を有する補強リブでは、比較例1と比較例2とからわかるように、補強リブの高さを同じにして幅を小さくすると、相対駆動感度は向上するものの、ミラーの歪みが増大してしまう。
矩形の断面形状を有する補強リブでは、比較例2〜比較例5からわかるように、補強リブの幅を同じにして高さを低くすると、ミラーの歪みが増大してしまう。
それに対して実施例1,2の先細り形状を有する補強リブでは、同じ高さの比較例1,2と比較して、高い駆動感度と維持しつつミラーの歪みを低減させることができる。
なお、本発明に係る実施形態は、上述した構成及び手順に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
1 MEMS光スキャナ
2 フレーム
3,4,5,6 アーム
10 ミラー
13,14,15,16 トーションバー
30,31 補強リブ
2 フレーム
3,4,5,6 アーム
10 ミラー
13,14,15,16 トーションバー
30,31 補強リブ
Claims (2)
- フレームと、
前記フレームに一端側がそれぞれ固定された複数のアームと、
前記複数のアームの他端側に一端側がそれぞれ対応して接続された複数のトーションバーと、
前記複数のトーションバーの他端側が接続され、照射される光を反射する反射面を有するミラーと、
前記ミラーの前記反射面とは反対側の面に形成され、前記ミラーとの接続部よりも先端部が細い、先細り形状を有する補強リブと、
を備えていることを特徴とするMEMS光スキャナ。 - 前記ミラーは、所定の回動中心軸まわりに往復回転駆動され、
前記補強リブは、その重心が前記回動中心軸上に位置するように、前記ミラーの外周に沿って形成されていることを特徴とする請求項1記載のMEMS光スキャナ。
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