WO2017179578A1 - 交流電源装置 - Google Patents

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WO2017179578A1
WO2017179578A1 PCT/JP2017/014838 JP2017014838W WO2017179578A1 WO 2017179578 A1 WO2017179578 A1 WO 2017179578A1 JP 2017014838 W JP2017014838 W JP 2017014838W WO 2017179578 A1 WO2017179578 A1 WO 2017179578A1
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core portion
power supply
magnetic flux
supply device
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浩隆 大嶽
佑輔 中小原
鶴谷 守
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ローム株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to an AC power supply device.
  • Switching power supply devices such as DC / DC converters and DC / AC converters having switch elements and filters are currently applied to a very wide range of fields such as consumer equipment and industrial equipment. In these switching power supply devices, small size, light weight, and high efficiency are emphasized, and the demand is higher as the power is higher.
  • a DC / AC converter used for UPS (uninterruptible power supply), a power conditioner, and the like is described in Patent Document 1 even if the effective value of the output current is the same as that of the DC / DC converter.
  • the crest factor crest factor: current peak value / current effective value
  • the crest factor crest factor: current peak value / current effective value
  • a filter circuit for a very large peak current is required. Therefore, stricter conditions than the DC / DC converter are imposed on the material physical properties and electrical characteristic values of the choke coil and the capacitor.
  • the miniaturization of the power supply by high-frequency driving of the switch element has many tradeoffs such as increased switching loss, increased power consumption of the gate drive circuit, and increased core loss of the choke coil, and the design can be easily changed.
  • the problem is that the filter circuit must be enlarged in order to suppress magnetic saturation.
  • an object of the invention disclosed in this specification is to provide an AC power supply device that is small and highly efficient and has few malfunctions.
  • An AC power supply apparatus disclosed in the present specification includes an AC generation bridge for obtaining an AC output, first and second PWM control bridges each including two switch elements, and the first and second bridges.
  • An AC power supply device having a coupling reactor connected to a PWM control bridge, wherein the coupling reactor has a core and one end connected to an output end of each of the first and second PWM control bridges. And first and second windings coupled to each other via the core, wherein the first and second windings are wound in directions that cancel out the magnetic fluxes generated in the core, respectively.
  • the configuration is the first configuration.
  • the first and second PWM control bridges are configured to turn on / off each switch element with a phase difference corresponding to 1 ⁇ 2 cycle. 2).
  • the core is formed by combining at least a first core portion and a second core portion which is a separate body from the first core portion. And the second winding are wound around the first core portion in directions to cancel the magnetic fluxes generated in the first core portion, respectively, and are wound around the second core portion.
  • the second core portion may be configured (third configuration) in which the leakage inductance of the coupling reactor is generated by the magnetic flux passing through the second core portion.
  • the change frequency of the magnetic flux generated in the second core portion may be higher than the drive frequency of the switch element (fourth configuration).
  • the first core portion may be configured (a fifth configuration) made of a material having isotropic insulation resistance.
  • the first core portion is made of a material having anisotropy in insulation resistance
  • the second core portion is the first core portion. You may make it the structure (6th structure) arrange
  • the core has a path of magnetic flux passing between the first core portion and the second core portion in a side surface direction of the first core portion.
  • a configuration (seventh configuration) that further includes a magnetic shielding part for limiting to the above may be used.
  • the second core portion has a larger cross-sectional area than the portion connected to the first core portion.
  • a configuration (eighth configuration) may be used.
  • the saturation magnetic flux density of the second core portion is equal to or higher than the saturation magnetic flux density of the first core portion (the ninth configuration).
  • Another AC power supply device disclosed in the present specification includes an AC generation bridge for obtaining an AC output, first and second PWM control bridges each including two switch elements, An AC power supply apparatus having a coupling reactor connected to first and second PWM control bridges, wherein the coupling reactor has a core and outputs at the ends of the first and second PWM control bridges, respectively.
  • First and second windings connected to each other and coupled to each other via the core, the core comprising at least a first core portion and a second core portion, wherein the first and second core portions
  • Each of the second core portions is made of the same material having anisotropy in the insulation resistance, and is molded so that the insulation resistance does not change along the direction of the magnetic flux passing therethrough.
  • the second core portion has a configuration (tenth configuration) arranged such that a leakage inductance of the coupling reactor is generated by a magnetic flux passing therethrough.
  • the AC power supply apparatus having any one of the first to tenth configurations may have a configuration (eleventh configuration) in which the drive frequency of the switch element is changed according to the output current.
  • the AC power supply device having any one of the first to eleventh configurations may have a configuration (a twelfth configuration) in which at least one of the switch elements is made of a SiC-based semiconductor or a GaN-based semiconductor.
  • Circuit diagram showing overall configuration of AC power supply Timing chart for explaining basic operation of AC power supply The schematic diagram which shows 1st Embodiment of a coupling reactor.
  • Equivalent circuit diagram of coupled reactor Schematic diagram showing an example of a core material with anisotropy in insulation resistance
  • X1-X2 cross section X1-X2 sectional view showing a first modification X1-X2 sectional view showing a second modification X1-X2 sectional view showing a third modification X1-X2 sectional view showing a fourth modification
  • FIG. 1 is a circuit diagram showing an overall configuration of an AC power supply apparatus.
  • the AC power supply device 1 of this configuration example converts a DC voltage Vdc (for example, DC 320V) supplied from the DC power source E1 into a desired AC voltage Vac (for example, AC 200V) and supplies it to a load RL.
  • Vdc DC voltage supplied from the DC power source E1
  • Vac AC voltage
  • an AC generation bridge 10 PWM [pulse width modulation] control bridges 20 and 30, a coupling reactor 40, an input capacitor 50, and an output capacitor 60.
  • the AC generation bridge 10 includes switch elements 11 and 12 (N-channel type MISFET [metal insulator semiconductor field effect transistor]) connected in series between the positive electrode end and the negative electrode end of the DC power supply E1.
  • the switch elements 11 and 12 are complementarily turned on / off at a predetermined AC frequency (for example, 60 Hz).
  • the PWM control bridges 20 and 30 are respectively connected to the switch elements 21 and 22 and the switch elements 31 and 32 connected in series between the positive electrode end and the negative electrode end of the DC power supply E1 (in the example of FIG. N-channel type MISFETs), and interleave operation is performed by turning on / off each switch element in a complementary manner with a predetermined phase difference (for example, a phase difference of 1 ⁇ 2 period).
  • a predetermined phase difference for example, a phase difference of 1 ⁇ 2 period.
  • the coupling reactor 40 is connected between the output ends of the PWM control bridges 20 and 30 and the load RL, and includes a first winding 41, a second winding 42, and a core 43.
  • the second end of the first winding 41 and the second end of the second winding 42 are commonly connected to the first end of the load RL.
  • the first winding 41 and the second winding 42 are magnetically coupled to each other via the core 43.
  • the input capacitor 50 is connected in series between the positive electrode end and the negative electrode end of the DC power supply E1, and smoothes the DC voltage Vdc.
  • the first end of the output capacitor 60 is connected to the first end of the load RL.
  • the output capacitor 60 connected in this way forms an LC filter together with the leakage inductance of the coupling reactor 40 (details will be described later), and smoothes the AC voltage Vac.
  • FIG. 2 is a timing chart for explaining the basic operation of the AC power supply device 1, and the gate-source voltages Vgs (11) and Vgs (12) of the switch elements 11 and 12, and the switch element 21 in order from the top.
  • And 22 respectively, gate-source voltages Vgs (21) and Vgs (22), switch elements 31 and 32, gate-source voltages Vgs (31) and Vgs (32), and switch element 21 drain current Id (21 ), The drain current Id (31) of the switch element 31, and the inductor currents IL1 and IL2 of each phase.
  • the output behavior when the switch element 11 is turned on and the switch element 12 is turned off is illustrated.
  • a phase difference of 1 ⁇ 2 period is provided between the drive phase of the switch elements 21 and 22 and the drive phase of the switch elements 31 and 32.
  • the inductor currents IL1 and IL2 flowing through the first winding 41 and the second winding 42 both exhibit the same behavior. That is, inductor currents IL1 and IL2 modulated at twice the drive frequency fx flow through the first winding 41 and the second winding 42, respectively.
  • the coupling reactor 40 used in this configuration is less likely to cause magnetic saturation even for an output with a large crest factor, and is necessary for continuous operation over a wide driving range. It is desirable to have inductance.
  • the novel coupling reactor 40 (especially new structure of the core 43) which can satisfy such a request
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing the first embodiment of the coupling reactor 40.
  • the coupling reactor 40 of the present embodiment includes the first winding 41 and the second winding 42 and the core 43.
  • the core 43 is formed by combining a first core portion 43a and a second core portion 43b that is a separate body.
  • the first core portion 43a is an annular member around which the first winding 41 and the second winding 42 are wound, and functions as a magnetic leg portion.
  • the first winding 41 and the second winding 42 are wound around the first core portion 43a in directions in which the magnetic fluxes MF1 and MF2 generated in the first core portion 43a cancel each other.
  • the second core portion 43b is, for example, a rod-shaped member in which neither the first winding 41 nor the second winding 42 is wound, and functions as a so-called pass core.
  • the 2nd core part 43b is arrange
  • the second core portion 43b may be disposed so as to connect the connection portions ⁇ 1 and ⁇ 1 of the first core portion 43a.
  • connection part ⁇ 1 is a part where the magnetic fluxes MF1 and MF2 are shunted from the first core part 43a to the second core part 43b.
  • the lower surface of the upper beam part of the first core part 43a is This is equivalent to this.
  • the connection part ⁇ 1 is a part where the magnetic fluxes MF1 and MF2 are merged from the second core part 43b to the first core part 43a.
  • the upper surface of the lower beam part of the first core part 43a Corresponds to this.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the coupling reactor 40.
  • the coupling reactor 40 includes the exciting inductances Lp1 and Lp2 magnetically coupled to each other, as well as the leakage inductance Ls1 caused by the magnetic flux shunted from the first core portion 43a to the second core portion 43b. Ls2 is generated.
  • leakage inductances Ls1 and Ls2 can be used as a smoothing reactor for forming an LC filter together with the output capacitor 60. Therefore, if the first core portion 43a and the second core portion 43b are separate bodies, the characteristics as a smooth reactor can be obtained by appropriately designing the physical properties of the first core portion 43a and the physical properties and shape of the second core portion 43b. Can be arbitrarily adjusted. As a result, the small coupled reactor 40 having the desired leakage inductances Ls1 and Ls2 can be realized, which can contribute to downsizing of the entire AC power supply device 1.
  • the coupling reactor 40 of the present embodiment is characterized in that the first core portion 43a and the second core portion 43b are provided as separate bodies.
  • the 1st core part 43a and the 2nd core part 43b do not necessarily need to be formed with a different material.
  • the coupling reactor 40 of this embodiment since it is not necessary to necessarily provide a gap in the 2nd core part 43b, the discharge
  • the first core portion 43a can be designed separately from the above-described leakage inductance generation. Therefore, since the degree of freedom in design is improved, for example, it is possible to realize cost reduction in material selection.
  • the description of the coupling reactor 40 will be continued.
  • the second core portion 43b responsible for leakage inductance generation changes the magnetic flux passing therethrough.
  • the inductance values of the leakage inductances Ls1 and Ls2 necessary for forming the LC filter are reduced. Specifically, the required leakage inductance value due to current oscillation at twice the drive frequency fx is reduced, and the voltage applied to each leakage inductance section (the voltage applied to the reactor coupling section from the difference between the input and output voltages) By reducing the required leakage inductance due to the reduction in the value of the value obtained by subtracting 1), the inductance value required to obtain the same output current is approximately 1 compared to the case where a single PWM control bridge and reactor are used. Can be reduced to / 4.
  • the total magnetic flux obtained by adding the magnetic flux MF1 generated by the first winding 41 and the magnetic flux MF2 generated by the second winding 42 penetrates the second core portion 43b. That is, as a result, a magnetic flux having a higher density than that of the first core portion 43a is generated in the second core portion 43b. In view of this, it is desirable that the saturation magnetic flux density of the second core portion 43b is equal to or higher than the saturation magnetic flux density of the first core portion 43a. According to such a core design, since the second core portion 43b having a smaller cross-sectional area can be employed, the coupling reactor 40 can be reduced in size (and hence the AC power supply device 1 can be reduced in size). It becomes possible.
  • the first core portion 43a is preferably made of a material (such as ferrite or dust metal) having isotropic insulation resistance.
  • a material such as ferrite or dust metal
  • the eddy current generated in the first core portion 43a has no dependency on the magnetic flux direction. Accordingly, the connecting portion ⁇ 1 where the magnetic fluxes MF1 and MF2 are diverted from the first core portion 43a to the second core portion 43b, and the magnetic fluxes MF1 and MF2 are merged from the second core portion 43b to the first core portion 43a. Even if the direction of the magnetic fluxes MF1 and MF2 changes in the connected part ⁇ 1, the magnitude of the eddy current does not change, so that it is possible to suppress reaching the Curie temperature and increasing loss due to local heat generation. Become.
  • the coupled reactor 40 of the present embodiment has a leakage inductance Ls1 large enough to continuously operate in a wide driving range while suppressing magnetic saturation for an output having a large crest factor. And a small smoothing reactor having Ls2. Therefore, it is possible to provide a small-sized, high-efficiency AC power supply device with few malfunctions.
  • FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of a core material having anisotropy in insulation resistance.
  • the first core portion 43a shown in the drawing is manufactured by winding a thin strip member a10 formed by laminating a magnetic body a11 (for example, an amorphous alloy) and an insulator a12 around a mold many times. Therefore, when the first core portion 43a is viewed in cross section or in side view, the magnetic body a11 and the insulator a12 overlap each other in the vertical direction.
  • a magnetic body a11 for example, an amorphous alloy
  • the first implementation is performed while minimizing the problem of local heat generation.
  • a novel coupling reactor 40 (especially a new structure of the core 43) that can achieve the same effects as the embodiment is proposed.
  • FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a second embodiment of the coupling reactor 40.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the coupling reactor 40 taken along the line X1-X2.
  • the coupling reactor 40 of the present embodiment is based on the first embodiment, and the first core portion 43a is formed using a material having anisotropy in insulation resistance.
  • a feature is that the arrangement is changed and a magnetic shielding portion 43c is newly provided. Therefore, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those in FIG. 3, and redundant descriptions are omitted.
  • the characteristic portions of the present embodiment are mainly described.
  • the second core portion 43b has an extending portion 43b1 and a main body portion 43b2.
  • the magnetic flux shunted from the first core part 43a to the second core part 43b and the magnetic flux joined from the second core part 43b to the first core part 43a are both magnetoresistive.
  • a copper plate etc. can be used suitably as the magnetic shielding part 43c.
  • the pair of second core portions 43b are provided so as to sandwich the first core portion 43a from both side surface directions.
  • the pair of main body portions 43b2 are opposed to each other with a gap, but the size of the gap is not limited.
  • the gap itself is not an essential component, and the thicknesses of the main body portions 43b2 may be adjusted so that both the main body portions 43b2 come into contact with each other.
  • the extended portion 43b1 has a shape that partially covers the side surface of the first core portion 43a when viewed in the vertical direction, but it may have a shape that covers the whole.
  • FIG. 8A is an X1-X2 cross-sectional view showing a first modified example of the coupling reactor 40.
  • FIG. 8A the extending portion 43b1 of the second core portion 43b may be tapered in accordance with the magnetic flux path. Thereby, the material cost of the 2nd core part 43b can be reduced.
  • FIG. 8B is an X1-X2 cross-sectional view showing a second modified example of the coupling reactor 40.
  • the second core portion 43b may be formed as a simple plate member without distinguishing between the elongated portion 43b1 and the thick portion 43b2.
  • this configuration is adopted, there is no magnetic flux path from the A1 direction to the B direction in FIG. 5 and no magnetic flux path itself from the B direction to the A1 direction, so that the magnetic shielding portion 43c can be omitted.
  • FIG. 8C is an X1-X2 sectional view showing a third modification of the coupling reactor 40.
  • FIG. This modification is based on the second modification (FIG. 8B), and a magnetic shielding part 43c is provided between the corner of the first core part 43a and the second core part 43b.
  • FIG. 8D is an X1-X2 cross-sectional view showing a fourth modified example of the coupling reactor 40.
  • This modified example is also based on the second modified example (FIG. 8B), and the groove 43b3 is formed at a corresponding portion of the second core part 43b so that the corners of the first core part 43a and the second core part 43b do not come into contact with each other. Is provided.
  • the third modification FIG. 8C
  • FIG. 9 is a schematic diagram showing a third embodiment of the coupling reactor 40.
  • the core 43 is formed by combining a first annular member 43d, a second annular member 43e, and a third annular member 43f.
  • the first annular member 43d, the second annular member 43e, and the third annular member 43f are all made of the same material having anisotropy in insulation resistance (see, for example, FIG. 5).
  • the first annular member 43d and the second annular member 43e are arranged so that parts of each other are adjacent to each other.
  • the third annular member 43f is arranged so as to surround both the first annular member 43d and the second annular member 43e along the outer periphery thereof.
  • the first annular member 43d and the second annular member 43e are individually produced by winding the ribbon member a10 of FIG.
  • the third annular member 43f may be manufactured by winding the ribbon member a10 of FIG.
  • the third annular member 43f functions as the first core portion 43a described above. Further, the first annular member 43d and the second annular member 43e function as the above-described second core portion 43b.
  • winding 42 are wound by the 1st core part 43a in the direction which mutually cancels the magnetic flux generated in the inside.
  • neither the first winding 41 nor the second winding 42 is wound around the second core portion 43b.
  • the 2nd core part 43b is arrange
  • a bent portion corresponding to both ends of the second core portion 43b is a connection in which magnetic flux is divided from the first core portion 43a to the second core portion 43b. It can be understood as the part ⁇ 3 and the connection part ⁇ 3 where the magnetic flux is merged from the second core part 43b to the first core part 43a.
  • the magnetic flux penetrating the first core portion 43a and the second core portion 43b travels along the direction A1 having a high insulation resistance, and the first annular member 43d and the coupling portions ⁇ 3 and ⁇ 3
  • the A1 direction itself changes its direction along the bending direction of the second annular member 43e. Therefore, even when the magnetic flux is divided or merged, the magnetic flux in the B direction with low insulation resistance is not generated.
  • the number of stacked layers is reduced in both the first annular member 43d and the second annular member 43e, or gap portions 43d1 and 43e1 are formed at positions facing each other. And what is necessary is just to provide an appropriate gap in the 2nd core part 43b.
  • the drive frequency fx of the PWM control bridges 20 and 30 is changed according to the AC fluctuation (periodic fluctuation) or peak fluctuation (load fluctuation) of the output current.
  • the drive frequency fx may be changed stepwise according to the output current so that the drive frequency fx decreases when a large current is output and the drive frequency fx increases when a small current is output.
  • a critical mode an operation mode in which the output current instantaneously has a zero value
  • the core loss at the second core portion 43b is designed to be smaller than the core loss at the first core portion 43a, even when the drive frequency fx becomes high at heavy load, Since a reduction in efficiency due to an increase in core loss can be suppressed, a highly efficient AC power supply device 1 can be realized.
  • the second core portion 43b is desirably formed using a material (such as a metal glass core) whose magnetic permeability does not substantially vary within the variable range of the drive frequency fx.
  • At least one of the switch elements 21 and 22 forming the PWM control bridge 20 and the switch elements 31 and 32 forming the PWM control bridge 30 is made of a SiC-based semiconductor or a GaN-based semiconductor. .
  • the switching element is made of a SiC-based semiconductor or a GaN-based semiconductor
  • the parasitic capacitance can be reduced as compared with the switching element made of a Si-based semiconductor. Can be suppressed.
  • the SiC-MISFET has a small reverse recovery current of the body diode and a small parasitic capacitance, the effective value of the current can be kept low, the conduction loss of the switch element and the pattern, and the copper of the coupling reactor 40 Loss can be reduced.
  • the AC power supply device disclosed in this specification can be used in a very wide range of fields such as consumer equipment and industrial equipment.

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Abstract

交流電源装置1は、交流出力を得るための交流生成用ブリッジ10と、それぞれ2つのスイッチ素子を含むPWM制御用ブリッジ20及び30と、PWM制御用ブリッジ20及び30に接続された結合リアクトル40と、を有する。結合リアクトル40は、コア43と、各一端がPWM制御ブリッジ20及び30それぞれの出力端に接続されコア43を介して相互に結合された巻線41及び42と、を含む。巻線41及び42は、コア43内に発生させる磁束を互いに打ち消す向きにそれぞれ巻かれている。

Description

交流電源装置
 本発明は、交流電源装置に関する。
 スイッチ素子とフィルタを有するDC/DCコンバータやDC/ACコンバータなどのスイッチング電源装置は、現在、民生機器や産業機器などの非常に幅広い分野に適用されている。これらのスイッチング電源装置は、小型・軽量・高効率が重視されており、大電力装置であるほどその要望は大きい。
 その中でも、例えばUPS[uninterruptible power supply]やパワーコンディショナなどに用いられるDC/ACコンバータは、出力電流の実効値がDC/DCコンバータのそれと同じであっても、特許文献1の従来技術の説明や非特許文献1にあるように、瞬間的に過大な電流が流れることが多く、一般的なDC/ACコンバータのクレストファクタ(波高率:電流ピーク値/電流実効値)は2~3またはそれ以上になることもあり、非常に大きなピーク電流に対するフィルタ回路が必要となる。そのため、チョークコイルやコンデンサの材料物性ないし電気特性値について、DC/DCコンバータよりも厳しい条件を課せられる。
 一方、フィルタ回路を有するDC/ACコンバータのスイッチ素子を従前よりも高周波駆動させることにより、フィルタ回路を形成するチョークコイルのインダクタンス値やコンデンサの容量値を小さくしても、従前と同等の出力リプル電流・電圧を得ることができるので、電源全体の小型・軽量化に繋がる。
特公平7-86784号公報
Tektronix アプリケーション・ノート「電源測定の基礎-電圧、電流、電力測定のポイント」(特に、2.5 クレスト・ファクタ)、[online]、2013年12月3日、インターネット<URL:jp.tek.com/dl/55Z_29828_0_3.pdf>
 しかしながら、スイッチ素子の高周波駆動による電源の小型化には、スイッチング損失の増大、ゲートドライブ回路の消費電力増大、及び、チョークコイルのコア損失増大といった背反も大きく、安易に設計を変更することはできず、特にクレストファクタの大きいDC/ACコンバータにおいては、磁気飽和を抑えるためにフィルタ回路を大型化せざるを得ない点が課題であった。
 本明細書中に開示されている発明は、本願の発明者らにより見出された上記の課題に鑑み、小型・高効率で誤動作の少ない交流電源装置を提供することを目的とする。
 本明細書中に開示されている交流電源装置は、交流出力を得るための交流生成用ブリッジと、それぞれ2つのスイッチ素子を含む第1及び第2のPWM制御用ブリッジと、前記第1及び第2のPWM制御用ブリッジに接続された結合リアクトルと、を有する交流電源装置であって、前記結合リアクトルは、コアと、各一端が前記第1及び第2のPWM制御ブリッジそれぞれの出力端に接続され前記コアを介して相互に結合された第1及び第2の巻線を含み、前記第1及び第2の巻線は、前記コア内に発生させる磁束を互いに打ち消す向きにそれぞれ巻かれている構成(第1の構成)とされている。
 なお、上記第1の構成から成る交流電源装置において、前記第1及び第2のPWM制御用ブリッジは、互いに1/2周期分の位相差を持って各スイッチ素子をオン/オフさせる構成(第2の構成)にするとよい。
 また、上記第1または第2の構成から成る交流電源装置において、前記コアは、第1のコア部と、これとは別体である第2のコア部とを少なくとも組み合わせて成り、前記第1及び第2の巻き線は、前記第1のコア部に対して前記第1のコア部内に発生させる磁束を互いに打ち消す向きにそれぞれ巻かれ、前記第2のコア部に対してはいずれも巻かれておらず、前記第2のコア部は、これを通る磁束によって前記結合リアクトルの漏れインダクタンスが生じるように配置されている構成(第3の構成)にしてもよい。
 また、上記第3の構成から成る交流電源装置において、前記第2のコア部に発生する磁束の変化周波数は、前記スイッチ素子の駆動周波数よりも高い構成(第4の構成)にしてもよい。
 また、上記第3又は第4の構成から成る交流電源装置において、前記第1のコア部は、絶縁抵抗に等方性を持つ材料から成る構成(第5の構成)にしてもよい。
 また、上記第3~第5いずれかの構成から成る交流電源装置において、前記第1のコア部は、絶縁抵抗に異方性を持つ材料から成り、前記第2のコア部は、前記第1のコア部の側面の少なくとも一部を覆うように配置されている構成(第6の構成)にしてもよい。
 また、上記第6の構成から成る交流電源装置において、前記コアは、前記第1のコア部と前記第2のコア部の相互間を通る磁束の経路を、前記第1のコア部の側面方向に制限するための磁気遮蔽部をさらに有する構成(第7の構成)にしてもよい。
 また、上記第6又は第7の構成から成る交流電源装置において、前記第2のコア部は、前記第1のコア部と連結する部位の断面積よりも他の部位の断面積の方が大きい構成(第8の構成)にしてもよい。
 また、上記第3~第8いずれかの構成から成る交流電源装置において、前記第2のコア部の飽和磁束密度は、前記第1のコア部の飽和磁束密度以上である構成(第9の構成)にするとよい。
 また、本明細書中に開示されている別の交流電源装置は、交流出力を得るための交流生成用ブリッジと、それぞれ2つのスイッチ素子を含む第1及び第2のPWM制御用ブリッジと、前記第1及び第2のPWM制御用ブリッジに接続された結合リアクトルとを有する交流電源装置であって、前記結合リアクトルは、コアと、各一端が前記第1及び第2のPWM制御ブリッジそれぞれの出力端に接続され前記コアを介して相互に結合された第1及び第2の巻線を含み、前記コアは、第1のコア部と第2のコア部を少なくとも組み合わせて成り、前記第1及び第2のコア部は、いずれも、絶縁抵抗に異方性を持つ同じ材料から成り、かつ、それを通る磁束の方向に沿ってその絶縁抵抗が変わらないように成型されており、前記第1及び第2の巻線は、前記第1のコア部に対して前記第1のコア部内に発生させる磁束を互いに打ち消す向きにそれぞれ巻かれ、前記第2のコア部に対してはいずれも巻かれておらず、前記第2のコア部は、これを通る磁束によって前記結合リアクトルの漏れインダクタンスが生じるように配置されている構成(第10の構成)とされている。
 なお、上記第1~第10いずれかの構成から成る交流電源装置は、前記スイッチ素子の駆動周波数が出力電流に応じて変化される構成(第11の構成)にするとよい。
 また、上記第1~第11いずれかの構成から成る交流電源装置は、前記スイッチ素子の少なくとも1つがSiC系半導体又はGaN系半導体から成る構成(第12の構成)にするとよい。
 本明細書中に開示されている発明によれば、小型・高効率で誤動作の少ない交流電源装置を提供することが可能となる。
交流電源装置の全体構成を示す回路図 交流電源装置の基本動作を説明するためのタイミングチャート 結合リアクトルの第1実施形態を示す模式図 結合リアクトルの等価回路図 絶縁抵抗に異方性を持つコア材料の一例を示す模式図 結合リアクトルの第2実施形態を示す模式図 X1-X2断面図 第1変形例を示すX1-X2断面図 第2変形例を示すX1-X2断面図 第3変形例を示すX1-X2断面図 第4変形例を示すX1-X2断面図 結合リアクトルの第3実施形態を示す模式図
<交流電源装置(全体構成)>
 図1は、交流電源装置の全体構成を示す回路図である。本構成例の交流電源装置1は、直流電源E1から供給される直流電圧Vdc(例えばDC320V)を所望の交流電圧Vac(例えばAC200V)に変換して負荷RLに供給するDC/ACコンバータ(インバータ)であり、交流生成用ブリッジ10と、PWM[pulse width modulation]制御用ブリッジ20及び30と、結合リアクトル40と、入力コンデンサ50と、出力コンデンサ60と、を有する。
 交流生成用ブリッジ10は、直流電源E1の正極端と負極端との間に直列接続されたスイッチ素子11及び12(本図の例ではNチャネル型のMISFET[metal insulator semiconductor field effect transistor])を含み、交流出力を得るために所定の交流周波数(例えば60Hz)でスイッチ素子11及び12を相補的にオン/オフさせる。
 PWM制御用ブリッジ20及び30は、それぞれ、直流電源E1の正極端と負極端との間に直列接続されたスイッチ素子21及び22、並びに、スイッチ素子31及び32(本図の例では、いずれもNチャネル型のMISFET)を含み、互いに所定の位相差(例えば1/2周期分の位相差)を持って各スイッチ素子を相補的にオン/オフさせることにより、インターリーブ動作を行う。なお、各スイッチ素子のオンデューティ(=一周期に占めるオン期間の割合)は、所望の交流波形が生成されるように適切にPWM制御される。
 結合リアクトル40は、PWM制御用ブリッジ20及び30それぞれの出力端と負荷RLとの間に接続されており、第1巻線41及び第2巻線42とコア43を含む。第1巻線41の第1端は、PWM制御用ブリッジ20の出力端(=スイッチ素子21及び22相互間の接続ノード)に接続されている。第2巻線42の第1端は、PWM制御用ブリッジ20の出力端(=スイッチ素子31及び32相互間の接続ノード)に接続されている。第1巻線41の第2端と第2巻線42の第2端は、負荷RLの第1端に共通接続されている。また、第1巻線41と第2巻線42とは、コア43を介して相互に磁気結合されている。
 入力コンデンサ50は、直流電源E1の正極端と負極端との間に直列接続されており、直流電圧Vdcを平滑化する。
 出力コンデンサ60の第1端は、負荷RLの第1端に接続されている。出力コンデンサ60の第2端は、負荷RLの第2端と交流生成用ブリッジ10の出力端(=スイッチ素子11及び12相互間の接続ノード)に接続されている。このように接続された出力コンデンサ60は、結合リアクトル40の漏れインダクタンス(その詳細については後述)と共にLCフィルタを形成しており、交流電圧Vacを平滑化する。
 図2は、交流電源装置1の基本動作を説明するためのタイミングチャートであり、上から順に、スイッチ素子11及び12それぞれのゲート・ソース間電圧Vgs(11)及びVgs(12)、スイッチ素子21及び22それぞれのゲート・ソース間電圧Vgs(21)及びVgs(22)、スイッチ素子31及び32それぞれのゲート・ソース間電圧Vgs(31)及びVgs(32)、スイッチ素子21のドレイン電流Id(21)、スイッチ素子31のドレイン電流Id(31)、並びに、各相のインダクタ電流IL1及びIL2が描写されている。なお、本図では、スイッチ素子11がオンされており、スイッチ素子12がオフされているときの出力挙動が例示されている。
 本図で示したように、スイッチ素子21及び22、並びに、スイッチ素子31及び32は、各相毎に所定の駆動周波数fx(例えばfx=20kHz)で相補的にオン/オフされている。また、スイッチ素子21及び22の駆動位相と、スイッチ素子31及び32の駆動位相との間には、1/2周期分の位相差が設けられている。
 ここで、結合リアクトル40の第1巻線41と第2巻線42とは、互いに磁気結合されているので、その一方に電流が流れれば、他方にも同じ方向に電流が流れる。その結果、第1巻線41と第2巻線42のそれぞれに流れるインダクタ電流IL1及びIL2は、いずれも同等の挙動を示すことになる。すなわち、第1巻線41と第2巻線42には、それぞれ、駆動周波数fxの2倍で変調されたインダクタ電流IL1及びIL2が流れる。
 なお、本構成例の交流電源装置1では、これに用いられる結合リアクトル40として、クレストファクタの大きい出力に対しても磁気飽和を生じにくく、かつ、広駆動範囲で連続動作するのに必要な漏れインダクタンスを有することが望まれる。以下では、このような要求を満足することのできる新規の結合リアクトル40(特にコア43の新規構造)を提案する。
<結合リアクトル(第1実施形態)>
 図3は、結合リアクトル40の第1実施形態を示す模式図である。本実施形態の結合リアクトル40は、先にも述べたように、第1巻線41及び第2巻線42と、コア43を含む。特に、コア43は、第1コア部43aと、これとは別体である第2コア部43bと、を組み合わせて成る。
 第1コア部43aは、第1巻線41及び第2巻線42がそれぞれ捲回される環状部材であり、磁脚部として機能する。なお、第1巻線41及び第2巻線42は、第1コア部43aに対して、第1コア部43a内に発生させる磁束MF1及びMF2を互いに打ち消す向きにそれぞれ巻かれている。
 このような構成を採用することにより、第1コア部43a内には、第1巻線41に流れるインダクタ電流IL1と、第2巻線42に流れるインダクタ電流IL2との差分に起因する磁束ΔMF(=MF1-MF2)しか発生しないので、磁気飽和し難くなる。
 一方、第2コア部43bは、第1巻線41及び第2巻線42がいずれも捲回されない例えば棒状の部材であり、いわゆるパスコアとして機能する。なお、第2コア部43bは、これを通る磁束MF1及びMF2によって結合リアクトル40の漏れインダクタンスが生じるように配置されている。例えば、第2コア部43bは、本図で示したように、第1コア部43aの連結部位α1及びβ1の相互間を繋ぐように配置するとよい。
 なお、連結部位α1は、第1コア部43aから第2コア部43bに対して磁束MF1及びMF2が分流される部位であり、本図の例では、第1コア部43aの上側梁部下面がこれに相当している。一方、連結部位β1は、第2コア部43bから第1コア部43aに対して磁束MF1及びMF2が合流される部位であり、本図の例では、第1コア部43aの下側梁部上面がこれに相当している。
 図4は、結合リアクトル40の等価回路図である。本図で示したように、結合リアクトル40には、互いに磁気結合された励磁インダクタンスLp1及びLp2のほか、第1コア部43aから第2コア部43bに分流された磁束に起因する漏れインダクタンスLs1及びLs2が生じる。
 これらの漏れインダクタンスLs1及びLs2は、出力コンデンサ60と共にLCフィルタを形成するための平滑リアクトルとして利用することができる。従って、第1コア部43aと第2コア部43bとが別体であれば、第1コア部43aの物性および第2コア部43bの物性や形状を適宜設計することにより、平滑リアクトルとしての特性を任意に調整することが可能となる。その結果、所望の漏れインダクタンスLs1及びLs2を有する小型の結合リアクトル40を実現することができるので、交流電源装置1全体の小型化に貢献することが可能となる。
 このように、本実施形態の結合リアクトル40は、第1コア部43aと第2コア部43bが別体として設けられていることを特徴の一つとする。ただし、第1コア部43aと第2コア部43bは、必ずしも異なる材料で形成されている必要はない。例えば、第1コア部43aと第2コア部43bがいずれも同一の材料で形成されている場合であっても、これらを別体として設けておけば、両者が一体成型されている場合と比べて、第2コア部43bの形状や断面積(=第2コア部43bを貫く磁束の方向に対して垂直な断面の面積)などを変更しやすいので、平滑リアクトルとしての特性を任意に調整することができる。
 なお、磁脚部とパスコアが一体成型された従来のコア(いわゆるE型コア)を用いて、上記と同等の漏れインダクタンスを得ようとすると、パスコアに大きなギャップを設ける必要があるので、空気中への放出磁束が大きくなってしまう。
 一方、本実施形態の結合リアクトル40であれば、第2コア部43bに必ずしもギャップを設ける必要がないので、空気中への放出磁束を大幅に抑えることができる。従って、結合リアクトル40の周囲に設けられた制御回路素子の誤動作や回路パターンでの渦電流損失も低減することができるので、誤動作や電力損失の少ない交流電源装置1を実現することが可能となる。
 また、第1コア部43aについては、上記の漏れインダクタンス生成と切り離して設計することができる。従って、その設計自由度が向上するので、例えば、材質選択におけるコスト削減を実現することが可能になる。
 図3に戻り、結合リアクトル40の説明を続ける。本実施形態の結合リアクトル40において、PWM制御用ブリッジ20及び30を互いに1/2周期分の位相差で駆動した場合、漏れインダクタンス生成を担う第2コア部43bは、これを通過する磁束の変化周波数fyがPWM制御用ブリッジ20及び30の駆動周波数fx(例えば20kHz)よりも高い周波数(例えば40kHz(=2×fx))となるように配置されている。
 このような構成とすることにより、LCフィルタの形成に必要な漏れインダクタンスLs1及びLs2のインダクタンス値が小さくなる。具体的には、駆動周波数fxの2倍周波数の電流振動に起因する必要漏れインダクタンス値の低減、及び、それぞれの漏れインダクタンス部に印加される電圧(入出力電圧の差分からリアクトル結合部に掛かる電圧を引いた値)の低減に起因する必要漏れインダクタンスの低減によって、同じ出力電流を得るために必要なインダクタンス値を、単一のPWM制御用ブリッジおよびリアクトルを使用した場合と比較して、約1/4に低減できる。従って、第2コア部43bの断面積縮小による小型化及びコスト削減、並びに、入力コンデンサ50及び出力コンデンサ60の小型化などを実現することが可能となり、逆に、単一のPWM制御用ブリッジを使用した場合と同じコア断面積を使用すれば、約4倍の電流を許容することができる。クレストファクタの大きい交流電源装置1においては、上記した小型化の効果が特に大きいと言える。
 また、本実施形態の結合リアクトル40では、第1巻線41による磁束MF1と、第2巻線42による磁束MF2とを足し合わせた合計磁束が第2コア部43bを貫く。すなわち、第2コア部43bには、第1コア部43aよりも高密度な磁束が結果的に発生する。これを鑑みると、第2コア部43bの飽和磁束密度は、第1コア部43aの飽和磁束密度以上であることが望ましい。このようなコア設計によれば、より小さい断面積の第2コア部43bを採用することができるので、結合リアクトル40の小型化(延いては交流電源装置1の小型化)を実現することが可能となる。
 ただし、第1コア部43aから第2コア部43bに漏れる磁束の量が大き過ぎると、励磁インダクタンスLp1及びLp2が小さくなり、結合リアクトル40を設けた意味がなくなる。そのため、第2コア部43bの比透磁率が大きい場合には、第2コア部43bに必要最小限(=空気中への放出磁束が許容される範囲内)のギャップを設けて、飽和磁束密度と比透磁率とのバランス調整を行えばよい。
 また、本実施形態の結合リアクトル40において、第1コア部43aは、絶縁抵抗に等方性を持つ材料(フェライトや圧粉金属など)から成ることが望ましい。このような材料を用いることにより、第1コア部43aで生じる渦電流が磁束方向の依存性を持たない。従って、第1コア部43aから第2コア部43bに対して磁束MF1及びMF2が分流される連結部位α1、並びに、第2コア部43bから第1コア部43aに対して磁束MF1及びMF2が合流される連結部位β1において、磁束MF1及びMF2の方向が変化しても、渦電流の大きさは変わらないので、局所的な発熱によるキュリー温度への到達や損失の増加を抑制することが可能となる。
 以上で説明したように、本実施形態の結合リアクトル40であれば、クレストファクタの大きい出力に対して磁気飽和を抑制しつつ、広駆動範囲で連続動作するのに十分な大きさの漏れインダクタンスLs1及びLs2を持つ小型の平滑リアクトルを実現することができる。従って、小型・高効率で誤動作の少ない交流電源装置を提供することができる。
<絶縁抵抗に異方性を持つコア材料>
 先の第1実施形態では、その構造上、絶縁抵抗に等方性を持つ材料を用いて第1コア部43aを形成することが望ましい旨を述べた。しかしながら、第1コア部43aを形成する材料としては、絶縁抵抗に異方性を持つ材料もしばしば用いられる。
 図5は、絶縁抵抗に異方性を持つコア材料の一例を示す模式図である。本図で示した第1コア部43aは、磁性体a11(例えばアモルファス合金)と絶縁体a12を積層して成る薄帯部材a10を金型に何周も巻き付けて作製される。従って、第1コア部43aを断面視または側面視すると、その上下方向に磁性体a11と絶縁体a12が何層にも重なった状態となる。
 この第1コア部43aをA1方向またはA2方向(=断面または側面の法線方向)から見た場合には、磁性体a11の断面積が小さいので絶縁抵抗が高くなる。一方、第1コア部43aをB方向(=上面の法線方向)から見た場合には、磁性体a11の断面積が大きいので絶縁抵抗が低くなる。このように、薄帯部材a10は、絶縁抵抗に異方性を持つ材料(=A1方向及びA2方向の絶縁抵抗とB方向の絶縁抵抗が異なる材料)である。従って、これを用いて形成された第1コア部43aでは、これに生じる渦電流が磁束方向の依存性を持つことになる。
 先の第1実施形態に即して述べると、図3の連結部位α1及びβ1では、絶縁抵抗の小さいB方向の磁束が発生して渦電流が大きくなるので、局所的な発熱が問題となり得る。
 そこで、以下では、第1コア部43aを形成する材料として、絶縁抵抗に異方性を持つ材料を用いた場合であっても、局所的な発熱の問題を最小限に抑えつつ、第1実施形態と同様の作用効果を奏することのできる新規の結合リアクトル40(特にコア43の新規構造)を提案する。
<結合リアクトル(第2実施形態)>
 図6は、結合リアクトル40の第2実施形態を示す模式図である。また、図7は、結合リアクトル40のX1-X2断面図である。本実施形態の結合リアクトル40は、第1実施形態をベースとしつつ、絶縁抵抗に異方性を持つ材料を用いて第1コア部43aを形成したことに伴い、第2コア部43bの形状や配置を変更するとともに、別途新たに磁気遮蔽部43cを設けた点に特徴を有する。そこで、第1実施形態と同様の構成要素については、図3と同一の符号を付すことにより重複した説明を割愛し、以下では、本実施形態の特徴部分について重点的な説明を行う。
 本実施形態の結合リアクトル40において、第2コア部43bは、伸長部43b1と主胴体部43b2を持つ。伸長部43b1は、第1コア部43aの上側梁部と下側梁部について、それぞれの側面の少なくとも一部(=連結部位α2及びβ2に相当)を覆うように主胴体部43bから上下方向に張り出している。
 磁気遮蔽部43cは、上記の連結部位α2及びβ2において、第1コア部43aと第2コア部43bの相互間を通る磁束の経路を第1コア部43aの側面方向(=図5のA2方向に相当)に制限するための部材である。見方を変えると、磁気遮蔽部43cは、図5のA1方向とA2方向との間でその向きを変えようとする磁束については、これを遮蔽することなく通過させる一方、A1方向とB方向との間でその向きを変えようとする磁束については、これを遮蔽するための部材であるということもできる。なお、磁気遮蔽部43cは、本図で示したように、第1コア部43aと主胴体43b2との間に設ければよい。
 このような構成とすることにより、第1コア部43aから第2コア部43bに分流される磁束、並びに、第2コア部43bから第1コア部43aに合流される磁束は、いずれも磁気抵抗の変化しない経路(=図5のA1方向からA2方向に至る経路、若しくは、A2方向からA1方向に至る経路)を通ってその向きを変えることになる。従って、第1コア部43aを形成する材料として、絶縁抵抗に異方性を持つ材料を用いた場合であっても、渦電流の発生を抑制することができるので、局所的な発熱の問題を最小限に抑えつつ、第1実施形態と同様の作用効果を奏することが可能となる。なお、磁気遮蔽部43cとしては、銅板などを好適に用いることができる。
 また、主胴体部43b2は、伸長部43b1よりも大きい断面積(=第2コア部43bを貫く磁束に対して垂直な断面の面積)を持つように形成されている。より具体的に述べると、伸長部43b1と主胴体部43b2は、それぞれの外側面が面一となるように形成されており、主胴体部43b2は、第1コア部43aの空洞部を埋めるように、第1コア部43aの内側に向けて突出している。このような構成とすることにより、結合リアクトル40のサイズアップを最小限に抑えつつ、第2コア部43bの断面積を増大することができるので、第2コア部43bでの磁気飽和を生じ難くなる。
 なお、本実施形態では、一対の第2コア部43bが第1コア部43aをその両側面方向から挟み込むように設けられている。ただし、必ずしも第2コア部43bを一対設ける必要はなく、少なくとも一方が設けられていれば上記の機能を発揮することが可能である。
 また、本実施形態では、一対の主胴体部43b2が空隙を隔てて対向しているが、空隙の大きさは不問である。また、そもそも、上記の空隙自体が必須の構成要素ではなく、双方の主胴体部43b2が互いに当接するようにそれぞれの厚さを調整しても構わない。
 また、本実施形態では、伸長部43b1が第1コア部43aの側面を上下方向に見て部分的に覆っている形状にはなっているが、全体を覆う形状になっていても構わない。
 図8Aは、結合リアクトル40の第1変形例を示すX1-X2断面図である。本変形例で示したように、第2コア部43bの伸長部43b1には、磁束経路に合わせてテーパを付けてもよい。これにより、第2コア部43bの材料コストを低減することできる。
 図8Bは、結合リアクトル40の第2変形例を示すX1-X2断面図である。本変形例で示したように、第2コア部43bについては、伸長部43b1と厚肉部43b2との区別を設けることなく、これを単純な板状部材として形成してもよい。本構成を採用する場合には、図5のA1方向からB方向に向かう磁束経路、並びに、B方向からA1方向に向かう磁束経路自体が存在しないので、磁気遮蔽部43cを割愛することができる。
 図8Cは、結合リアクトル40の第3変形例を示すX1-X2断面図である。本変形例は、第2変形例(図8B)をベースとしつつ、第1コア部43aの角部と第2コア部43bとの間に磁気遮蔽部43cが設けられている。このような構成とすることにより、磁束の集中を緩和したり方向を制限したりして局所的な発熱を抑制することが可能となる。
 図8Dは、結合リアクトル40の第4変形例を示すX1-X2断面図である。本変形例も、第2変形例(図8B)をベースとしつつ、第1コア部43aの角部と第2コア部43bが当接しないように、第2コア部43bの該当箇所に溝部43b3が設けられている。このような構成とすることにより、第3変形例(図8C)と同様、磁束の集中を緩和したり方向を制限したりして局所的な発熱を抑制することが可能となる。
<結合リアクトル(第3実施形態)>
 図9は、結合リアクトル40の第3実施形態を示す模式図である。本実施形態の結合リアクトル40において、コア43は、第1環状部材43dと、第2環状部材43eと、第3環状部材43fと、を組み合わせて成る。なお、第1環状部材43d、第2環状部材43e、及び、第3環状部材43fは、いずれも、絶縁抵抗に異方性を持つ同一の材料(例えば図5を参照)から成る。
 第1環状部材43dと第2環状部材43eは、互いの一部分同士が隣接するように配置されている。また、第3環状部材43fは、第1環状部材43dと第2環状部材43eの外周に沿って双方を取り囲むように配置されている。
 このようなコア43の作製手順としては、最初に、図5の薄帯部材a10を金型に何周も巻き付けることにより、第1環状部材43dと第2環状部材43eをそれぞれ個別に作製し、これらを隣り合わせて並べた後、両者を捲芯として、図5の薄帯部材a10をさらに何周も巻き付けることにより、第3環状部材43fを作製すればよい。
 上記構成から成るコア43において、第3環状部材43fは、先述の第1コア部43aとして機能する。また、第1環状部材43dと第2環状部材43eは、先述の第2コア部43bとして機能する。
 なお、第1コア部43aには、その内部に発生させる磁束を互いに打ち消す向きに第1巻線41と第2巻線42が巻かれている。一方、第2コア部43bには、第1巻線41も第2巻線42も巻かれていない。また、第2コア部43bは、これを通る磁束によって結合リアクトル40の漏れインダクタンスが生じるように配置されている。これらの点については、先述の第1実施形態(図3)や第2実施形態(図6)と同様である。
 ここで、第1環状部材43d及び第2環状部材43eのうち、第2コア部43bの両端部に相当する屈曲部位は、第1コア部43aから第2コア部43bに磁束が分流される連結部位α3、及び、第2コア部43bから第1コア部43aに磁束が合流される連結部位β3として理解することができる。
 上記の連結部位α3及びβ3において、第1コア部43aから第2コア部43bに分流される磁束、並びに、第2コア部43bから第1コア部43aに合流される磁束は、いずれも第1環状部材43d及び第2環状部材43eの屈曲方向に沿ってその向きを変えるだけであり、これが貫く方向の絶縁抵抗(=磁性体の断面積)には何ら変化が生じない。
 図5に即して述べると、第1コア部43aと第2コア部43bを貫く磁束は、あくまで絶縁抵抗の高いA1方向に沿って進み、連結部位α3及びβ3では、第1環状部材43d及び第2環状部材43eの屈曲方向に沿ってA1方向自体がその向きを変える。従って、磁束の分流や合流が生じるときでも、絶縁抵抗の低いB方向の磁束が生じることはない。
 このように、本実施形態の結合リアクトル40において、第1コア部43aと第2コア部43bは、それを通る磁束の方向に沿ってその絶縁抵抗が変わらない(=絶縁抵抗が常に高い値に維持される)ように成型されている。従って、第1環状部材43d、第2環状部材43e、及び、第3環状部材43fを形成する材料(延いては、第1コア部43a及び第2コア部43bを形成する材料)として、絶縁抵抗に異方性を持つ材料を用いた場合であっても、渦電流の発生を抑制することができるので、局所的な発熱の問題を最小限に抑えつつ、第1実施形態や第2実施形態と同様の作用効果を奏することが可能となる。
 なお、漏れインダクタンスを調整する必要がある場合には、第1環状部材43dと第2環状部材43eの双方において、積層数を低減するか、もしくは、互いに対向する位置にギャップ部43d1及び43e1を形成し、第2コア部43bに適切なギャップを設けてやればよい。
<駆動周波数制御>
 なお、これまでに説明してきた交流電源装置1において、PWM制御用ブリッジ20及び30の駆動周波数fxは、出力電流の交流変動(周期的変動)ないしはピーク変動(負荷変動)に応じて変化させることが望ましい。例えば、大電流出力時には駆動周波数fxが低くなり、小電流出力時には駆動周波数fxが高くなるように、出力電流に応じて駆動周波数fxを段階的に変化させるとよい。このような駆動周波数制御を行うことにより、広い駆動範囲で高効率な連続モードを維持することができるようになるので、汎用負荷にも対応することが可能となる。
 ただし、交流電源装置1の駆動範囲全域(=負荷領域全域)において、連続モードが完全に成立している必要はない。例えば、軽負荷領域において、臨界モード(=出力電流が瞬間的にゼロ値となる動作モード)でのスイッチング動作を行うことにより、ターンオン時におけるスイッチング損失の低減を図ることができる。
 また、同条件下において、第2コア部43bでのコア損が第1コア部43aでのコア損より小さくなるように設計されていれば、重負荷時に駆動周波数fxが高くなった場合でも、コア損の増加による効率低下を抑制することができるので高効率な交流電源装置1を実現することが可能となる。
 なお、第2コア部43bは、駆動周波数fxの可変範囲内において、その透磁率がほぼ変動しない材料(金属ガラスコアなど)を用いて形成しておくことが望ましい。
<SiC、GaNの適用>
 また、PWM制御用ブリッジ20を形成するスイッチ素子21及び22、並びに、PWM制御用ブリッジ30を形成するスイッチ素子31及び32については、少なくともその一つがSiC系半導体またはGaN系半導体から成ることが望ましい。
 このように、SiC系半導体またはGaN系半導体から成るスイッチ素子であれば、Si系半導体から成るスイッチ素子と比べて、その寄生容量を低減することができるので、その高周波駆動時におけるスイッチング損失の増大を抑制することが可能となる。
 また、結合リアクトル40については、先の実施形態を採用することにより、電流が大きく(すなわち電力が大きく)、通常のチョークコイルを使用した場合には磁気飽和が発生しやすい場合においても、これを小型に作り込むことができる。従って、小型・高効率で大電力の交流電源装置1を実現することが可能となる。
 また、上記のスイッチ素子としてSiC-MISFETを用いれば、低オン抵抗と縦型構造による高い熱伝導率が得られる。従って、大電流・大電力の交流電源装置1を実現することが可能となる。
 また、SiC-MISFETは、ボディダイオードの逆回復電流が小さく、かつ、寄生容量が小さいので、電流の実効値を低く抑えることができ、スイッチ素子やパターンの導通損失、並びに、結合リアクトル40の銅損を低減することが可能となる。
<その他の変形例>
 なお、本明細書中に開示されている種々の技術的特徴は、上記実施形態のほか、その技術的創作の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
 例えば、上記実施形態では、結合リアクトルを用いて2相のPWM出力を結合する構成を例に挙げたが、例えば、上記と同様の構造を持つ結合リアクトルを複数並列化することにより、3相以上のPWM出力を結合することも可能である。
 このように、上記実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。
 本明細書中に開示されている交流電源装置は、民生機器や産業機器などの非常に幅広い分野で利用することが可能である。
   1  交流電源装置
   10  交流生成用ブリッジ
   20、30  PWM制御用ブリッジ
   11、12、21、22、31、32  スイッチ素子
   40  結合リアクトル
   41  第1巻線
   42  第2巻線
   43  コア
   43a  第1コア部
   43b  第2コア部
   43b1  伸長部(連結部位に相当)
   43b2  主胴体部
   43b3  溝部
   43c  磁気遮蔽部
   43d  第1環状部材
   43d1  ギャップ部
   43e  第2環状部材
   43e1  ギャップ部
   43f  第3環状部材
   50  入力コンデンサ
   60  出力コンデンサ
   E1  直流電源
   RL  負荷
   Lp1、Lp2  励磁インダクタンス
   Ls1、Ls2  漏れインダクタンス(平滑インダクタンス)
   a10  薄帯部材
   a11  磁性体
   a12  絶縁体

Claims (12)

  1.  交流出力を得るための交流生成用ブリッジと、
     それぞれ2つのスイッチ素子を含む第1及び第2のPWM制御用ブリッジと、
     前記第1及び第2のPWM制御用ブリッジに接続された結合リアクトルと、
     を有する交流電源装置であって、
     前記結合リアクトルは、コアと、各一端が前記第1及び第2のPWM制御ブリッジそれぞれの出力端に接続され前記コアを介して相互に結合された第1及び第2の巻線を含み、
     前記第1及び第2の巻線は、前記コア内に発生させる磁束を互いに打ち消す向きにそれぞれ巻かれていることを特徴とする、交流電源装置。
  2.  前記第1及び第2のPWM制御用ブリッジは、互いに1/2周期分の位相差を持って各スイッチ素子をオン/オフさせることを特徴とする、請求項1に記載の交流電源装置。
  3.  前記コアは、第1のコア部と、これとは別体である第2のコア部とを少なくとも組み合わせて成り、
     前記第1及び第2の巻き線は、前記第1のコア部に対して前記第1のコア部内に発生させる磁束を互いに打ち消す向きにそれぞれ巻かれ、前記第2のコア部に対してはいずれも巻かれておらず、
     前記第2のコア部は、これを通る磁束によって前記結合リアクトルの漏れインダクタンスが生じるように配置されていることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の交流電源装置。
  4.  前記第2のコア部に発生する磁束の変化周波数は、前記スイッチ素子の駆動周波数よりも高いことを特徴とする、請求項3に記載の交流電源装置。
  5.  前記第1のコア部は、絶縁抵抗に等方性を持つ材料から成ることを特徴とする、請求項3または請求項4に記載の交流電源装置。
  6.  前記第1のコア部は、絶縁抵抗に異方性を持つ材料から成り、
     前記第2のコア部は、前記第1のコア部の側面の少なくとも一部を覆うように配置されていることを特徴とする、請求項3~請求項5のいずれか一項に記載の交流電源装置。
  7.  前記コアは、前記第1のコア部と前記第2のコア部の相互間を通る磁束の経路を、前記第1のコア部の側面方向に制限するための磁気遮蔽部をさらに有することを特徴とする、請求項6に記載の交流電源装置。
  8.  前記第2のコア部は、前記第1のコア部と連結する部位の断面積よりも、他の部位の断面積の方が大きいことを特徴とする、請求項6または請求項7に記載の交流電源装置。
  9.  前記第2のコア部の飽和磁束密度は、前記第1のコア部の飽和磁束密度以上であることを特徴とする、請求項3~請求項8のいずれか一項に記載の交流電源装置。
  10.  交流出力を得るための交流生成用ブリッジと、
     それぞれ2つのスイッチ素子を含む第1及び第2のPWM制御用ブリッジと、
     前記第1及び第2のPWM制御用ブリッジに接続された結合リアクトルと、
     を有する交流電源装置であって、
     前記結合リアクトルは、コアと、各一端が前記第1及び第2のPWM制御ブリッジそれぞれの出力端に接続され前記コアを介して相互に結合された第1及び第2の巻線を含み、
     前記コアは、第1のコア部と第2のコア部を少なくとも組み合わせて成り、
     前記第1及び第2のコア部は、いずれも、絶縁抵抗に異方性を持つ同じ材料から成り、かつ、それを通る磁束の方向に沿ってその絶縁抵抗が変わらないように成型されており、
     前記第1及び第2の巻線は、前記第1のコア部に対して前記第1のコア部内に発生させる磁束を互いに打ち消す向きにそれぞれ巻かれ、前記第2のコア部に対してはいずれも巻かれておらず、
     前記第2のコア部は、これを通る磁束によって前記結合リアクトルの漏れインダクタンスが生じるように配置されていることを特徴とする、交流電源装置。
  11.  前記スイッチ素子の駆動周波数が出力電流に応じて変化されることを特徴とする、請求項1~請求項10のいずれか一項に記載の交流電源装置。
  12.  前記スイッチ素子の少なくとも1つがSiC系半導体またはGaN系半導体から成ることを特徴とする、請求項1~請求項11のいずれか一項に記載の交流電源装置。
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