JP5018960B2 - 絶縁型スイッチング電源装置 - Google Patents
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Description
(1)直流入力電圧Viが入力される直流電源入力部と、
磁気的に結合された第1の1次巻線npと、第1の2次巻線nsと、第2の2次巻線nf1と、第3の2次巻線nf2と、を少なくとも備えた第1のトランスTと、
第1のスイッチング素子Q1と、第1のキャパシタC1と、第1のダイオードD1の並列回路からなる第1のスイッチ回路S1と、
前記直流電源入力部に対して直列に接続される、前記第1の1次巻線npと前記第1のスイッチ回路S1とからなる直列回路と、
前記第2の2次巻線nf1と直列に漏洩インダクタンスとして形成される第1のインダクタLrf1と、
前記第3の2次巻線nf2と直列に漏洩インダクタンスとして形成される第2のインダクタLrf2と、前記第1のインダクタンスLrf1と、前記第2のインダクタLrf2と、ロー・パス・フィルタを構成する第2のキャパシタCoと、
前記第1のスイッチ回路S1のオン/オフ動作に伴って1次側から2次側にエネルギー伝送が行われるように構成された絶縁型スイッチング電源装置であって、
前記第2の2次巻線nf1と前記第3の2次巻線nf2は互いに巻数が等しく、かつ互いの磁気極性が逆極性になるように巻回されており、
前記第1の2次巻線nsと前記第2の2次巻線nf1と前記第3の2次巻線nf2は前記第2のキャパシタCoと閉ループを構成するように直列に接続され、
前記ロー・パス・フィルタの出力端子から出力電圧Voが出力されるように構成したことを特徴とする。
前記第1のスイッチ回路S1がオンである期間にオンとなる第2のダイオードDsと、
前記第1のスイッチ回路S1がオフである期間にオンとなる第3のダイオードDfと、を有するフォワードコンバータを構成したことを特徴とする。
前記第1の2次巻線nsには、前記第1のスイッチ回路S1がオフである期間にオンとなる第1のダイオードDsと、
前記第1のスイッチ回路S1がオンである期間に放電を行い、前記第1のスイッチ回路S1がオフである期間に充電を行う第3のキャパシタCo1と、からなる整流平滑回路を有するフライバックコンバータを構成したことを特徴とする。
第2のスイッチング素子Q2と、第5のキャパシタC2と、第4のダイオードD2の並列回路からなる第2のスイッチ回路S2と、
前記第1の1次巻線npに直列に接続された、前記第1の1次巻線npと直列に漏洩インダクタンスとして形成される第3のインダクタLrと、を有し、
前記直流電源入力部に対して、前記第1の1次巻線npと前記第1のスイッチ回路S1からなる直列回路が接続され、
前記第4のキャパシタと前記第2のスイッチ回路S2からなる直列回路が、前記第1の1次巻線npまたは前記第1のスイッチ回路S1に対して並列に接続されて構成されることを特徴とする。
第6のキャパシタCr1と、
第7のキャパシタCr2と、
前記第1の1次巻線npに直列に接続された、前記第1の1次巻線npのと直列に漏洩インダクタンスとして形成される第3のインダクタLrと、を有し、を有し、
前記直流電源入力部に対して、前記第1のスイッチ回路S1と前記第2のスイッチ回路S2からなる直列回路と、前記第6のキャパシタCr1と前記第7のキャパシタCr2からなる直列回路が互いに並列接続され、
前記第1のスイッチ回路S1と前記第2のスイッチ回路S2との接続点と、前記第6のキャパシタCr1と前記第7のキャパシタCr2との接続点との間に、前記第1の1次巻線npが接続されることで、ハーフブリッジ回路を構成したことを特徴とする。
第3のスイッチング素子Q3と、第8のキャパシタC3と、第5のダイオードD3の並列回路からなる第3のスイッチ回路S3と、
第4のスイッチング素子Q4と、第9のキャパシタC4と、第6のダイオードD4の並列回路からなる第4のスイッチ回路S4と、
前記第1の1次巻線npに直列に接続された、前記第1の1次巻線npと直列に漏洩インダクタンスとして形成される第3のインダクタLrと、を有し、
前記直流電源入力部に対して、前記第1のスイッチ回路S1と前記第2のスイッチ回路S2からなる直列回路と、前記第3のスイッチ回路S3と前記第4のスイッチ回路S4からなる直列回路が互いに並列接続され、
前記第1のスイッチ回路S1と前記第2のスイッチ回路S2との接続点と、前記第3のスイッチ回路S3と前記第4のスイッチ回路S4との接続点との間に、前記第1の1次巻線npが接続されることで、フルブリッジ回路を構成したことを特徴とする。
第2のスイッチング素子Q2と、第5のキャパシタC2と、第4のダイオードD2の並列回路からなる第2のスイッチ回路S2を有し、
前記直流電源入力部に対して、前記第2の1次巻線np1と前記第2のスイッチ回路S2からなる直列回路と、
前記第3の1次巻線np2と前記第1のスイッチ回路S1からなる直列回路が、互いに並列接続されていることを特徴とする。
第2のスイッチング素子Q2と、第5のキャパシタC2と、第4のダイオードD2の並列回路からなる第2のスイッチ回路S2と、
第4のキャパシタCrと、
第10のキャパシタCeと、
前記第1の1次巻線npに直列に接続された、前記第1の1次巻線npと直列に漏洩インダクタンスとして形成される第3のインダクタLrと、
前記第4の1次巻線niに直列に接続された、前記第4の1次巻線niと直列に漏洩インダクタンスとして形成される第4のインダクタLriと、をさらに有し、
前記直流電源入力部に対して、前記第4の1次巻線niと前記第1のスイッチ回路S1とからなる直列回路が接続され、
前記第1のスイッチ回路S1に対して並列に、前記第1の1次巻線npと前記第10のキャパシタCeからなる直列回路が接続され、
前記第2のスイッチ回路S2と前記第4のキャパシタCrからなる直列回路が、前記第1の1次巻線npに対して並列に接続されたことを特徴とする。
前記第1のスイッチ回路S1がオフ、前記第2のスイッチ回路S2がオンである期間に、1次側から2次側にエネルギー伝送が行われるように巻回された第4の2次巻線noと、を有し、
前記第1の2次巻線nsと前記第4の2次巻線noとが直列接続され、
前記第4の2次巻線noと直列に漏洩インダクタンスとして形成される第5のインダクタLroと、を有し、
前記第1のスイッチ回路S1がオンである期間にオンとなる第2のダイオードDsと、
前記第1のスイッチ回路S1がオフである期間にオンとなる第3のダイオードDfと、が接続されたことを特徴とする。
ns:no=2:1としたことを特徴とする。
前記第1の2次巻線nsの前記一端にアノードが接続され、カソードが第3のキャパシタCo1に接続された第3のダイオードDfと、
前記第1の2次巻線nsの他端に、前記第11のキャパシタCo2の他端と、前記第3のキャパシタCo1の他端が接続されて、倍電圧整流回路が構成されていることを特徴とする。
前記第5の2次巻線nf3と前記第6の2次巻線nf4は互いに巻数が等しく、かつ互いの磁気極性が逆極性になるように巻回されており、
前記第2の2次巻線nf1と、前記第3の2次巻線nf2と、前記第5の2次巻線nf3と、前記第6の2次巻線nf4は、前記第1の2次巻線nsに対して直列に接続され、
前記第5の2次巻線nf3に直列に接続された、前記第5の2次巻線nf3と直列に漏洩インダクタンスとして形成される第6のインダクタLrf3と、
前記第6の2次巻線nf4に直列に接続された、前記第6の2次巻線nf4と直列に漏洩インダクタンスとして形成される第7のインダクタLrf4と、
前記第6のインダクタンスLrf3と、前記第7のインダクタLrf4と共に第1のロー・パス・フィルタを構成する第2のキャパシタCoと、
前記第2のインダクタンスLrf1と、前記第3のインダクタLrf2と共に第2のロー・パス・フィルタを構成する第3のキャパシタCo1とをさらに有し、
前記第1のロー・パス・フィルタの出力端子から出力電圧Voが出力されるようにしたことを特徴とする。
前記第5の2次巻線nf3と前記第6の2次巻線nf4は互いに巻数が等しく、かつ互いの磁気極性が逆極性になるように巻回されており、
前記第2の2次巻線nf1と、前記第3の2次巻線nf2と、前記第5の2次巻線nf3と、前記第6の2次巻線nf4は、前記第1の2次巻線nsに対して直列に接続され、
前記第4の2次巻線noに直列に前記第4の2次巻線noと直列に漏洩インダクタンスとして形成される第5のインダクタLroと、
前記第5の2次巻線nf3に直列に前記第5の2次巻線nf3と直列に漏洩インダクタンスとして形成される第6のインダクタLrf3と、
前記第6の2次巻線nf4に直列に前記第6の2次巻線nf4の漏洩インダクタンスで構成される第7のインダクタLrf4と、前記第6のインダクタンスLrf3と、前記第7のインダクタLrf4と共に第1のロー・パス・フィルタを構成する第2のキャパシタCoと、前記第2のインダクタンスLrf1と、前記第3のインダクタLrf2と共に第2のロー・パス・フィルタを構成する第3のキャパシタCo1と、前記第5のインダクタンスLroと共に第3のロー・パス・フィルタを構成する第11のキャパシタCo2と、をさらに有し、
前記第1のロー・パス・フィルタの出力端子から出力電圧Voが出力されるようにしたことを特徴とする。
(a)磁性部品をトランスのみにできるため、外付けインダクタを用いる必要がなく、スイッチング電源装置の小型化を図ることができる。
np−第1の1次巻線
np1−第2の1次巻線
np2−第3の1次巻線
ni−第4の1次巻線
ns−第1の2次巻線
nf1−第2の2次巻線
nf2−第3の2次巻線
no−第4の2次巻線
nf3−第5の2次巻線
nf4−第6の2次巻線
Lrf1−第1のインダクタ
Lrf2−第2のインダクタ
Lr−第3のインダクタ
Lri−第4のインダクタ
Lro−第5のインダクタ
Lrf3−第6のインダクタ
Lrf4−第7のインダクタ
C1−第1のキャパシタ
Co−第2のキャパシタ
Co1−第3のキャパシタ
Cr−第4のキャパシタ
C2−第5のキャパシタ
Cr1−第6のキャパシタ
Cr2−第7のキャパシタ
C3−第8のキャパシタ
C4−第9のキャパシタ
Ce−第10のキャパシタ
Co2−第11のキャパシタ
D1−第1のダイオード
Ds−第2のダイオード
Df−第3のダイオード
D2−第4のダイオード
D3−第5のダイオード
D4−第6のダイオード
Q1−第1のスイッチング素子
Q2−第2のスイッチング素子
Q3−第3のスイッチング素子
Q4−第4のスイッチング素子
S1−第1のスイッチ回路
S2−第2のスイッチ回路
S3−第3のスイッチ回路
S4−第4のスイッチ回路
Vo−出力電圧
Vi−直流電源入力部の入力電圧
Vgs1−スイッチング素子Q1のゲート−ソース間電圧
Vgs2−スイッチング素子Q2のゲート−ソース間電圧
Vds1−スイッチング素子Q1のドレイン−ソース間電圧
Vds2−スイッチング素子Q2のドレイン−ソース間電圧
id1−スイッチ回路S1に流れる電流の電流波形
id2−スイッチ回路S2に流れる電流の電流波形
ip−第1の1次巻線npに流れる電流の電流波形
iL−第5のインダクタLroに流れる電流の電流波形
図5は第1の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の回路図である。
図5に示すように、この絶縁型スイッチング電源装置は、直流入力電圧Viが入力される直流電源入力部の両端に対して第1の1次巻線npと第1のスイッチ回路S1からなる直列回路が接続されている。第1の1次巻線npは、第1の2次巻線nsと、第2の2次巻線nf1と、第3の2次巻線nf2とで複合型トランスTを構成しており、第1の2次巻線nsの一端は、第2の2次巻線nf1の一端及び第3のダイオードDfのカソードに接続され、他端が第2のダイオードDsのカソードに接続されている。第2の2次巻線nf1は、一端が第1の2次巻線nsの高電位側に接続され、他端が出力端子の高電位側に接続される。第3の2次巻線nf2は、一端が第3のダイオードDfのアノード及び第2のダイオードDsのアノードに接続され、他端が出力端子の低電位側に接続される。また、出力端子間には平滑用コンデンサである第2のキャパシタCoが並列接続されている。
図6は第2の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の回路図であり、第1の実施形態における第1の1次巻線npと第1の2次巻線nsとは磁気極性が逆極性になっている。すなわち、第1の実施形態がフォワード方式であったのに対し、第2の実施形態はフライバック方式となっている。これに伴い、第3のダイオードDfが不要となるが、電流リップルを効果的に低減するため、第3のダイオードDfに代わって、第3のキャパシタCo1を接続することが好ましい。これによって、第3のキャパシタCo1によって平滑された後に、第2の2次巻線nf1及び第1のインダクタンスLrf1と第2のキャパシタCoによるロー・パス・フィルタが挿入される回路構成となり、より電流リップルを低減させることができる。
この第2の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の構成による効果は、第1の実施形態で挙げた効果のうち、(a)、(c)、(d)、(e)、(f)、(g)の効果を有する。
図7は第3の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の回路図である。図7に示すように、この絶縁型スイッチング電源装置は、直流電圧Viが供給される電源入力部の+側端子及び−側端子に対して、第3のインダクタLrと、第1の1次巻線npと、第1のスイッチ回路S1とからなる直列回路が接続され、第4のキャパシタCrと第1のスイッチ回路S1との接続点と、第4のキャパシタCrと第2のスイッチ回路S2からなる直列回路が、第1の1次巻線npまたは第1のスイッチ回路S2のどちらか一方に対して並列に接続されている。
初めに第2のスイッチング素子Q2がターンオフした後、第1のスイッチング素子Q1のドレイン−ソース間電圧Vds1がゼロ電圧近傍になると、第1のダイオードD1がターンオンする。このタイミングで、第1のスイッチング素子Q1をターンオンさせ、ゼロ電圧スイッチング(ZVS)動作を行う。
第1のスイッチング素子Q1がターンオンされることにより、第1の1次巻線npには電流が流れ、第1のスイッチング素子Q1に流れる電流id1及び第1の1次巻線npに流れる電流ipは1次関数的に増大する。この時、第1の2次巻線nsはフォワードコンバータとして動作し、第4の2次巻線noは、フライバックコンバータとして動作するため、複合型トランスTの2次側においては、第1の2次巻線nsにのみ電流が流れるため、第3のダイオードDsがターンオンし、第4のダイオードDfはターンオフしている。
第1のスイッチング素子Q1がターンオフすると、第3のインダクタLrに蓄積されたエネルギーによって、第1のキャパシタC1が充電され、それに伴い第1のスイッチング素子Q1のドレイン−ソース間電圧Vds1は上昇する。また、同時に第5のキャパシタC2は放電され、それに伴い第2のスイッチング素子Q2のドレイン−ソース間電圧Vds2は降下する。
第2のスイッチング素子Q2のドレイン−ソース間電圧Vds2がゼロ電圧近傍になると、第4のダイオードD2がターンオンする。このタイミングで、第2のスイッチング素子Q2をターンオンさせ、ゼロ電圧スイッチング(ZVS)動作を行う。
第2のスイッチング素子Q2がターンオンされることにより、第1の1次巻線npは[状態2]の時とは逆方向に励磁される。また、第2のスイッチング素子Q2に流れる電流id2も1次関数的に増大する。この時、第1の2次巻線nsはフォワードコンバータとして動作し、第4の2次巻線noはフライバックコンバータとして動作するため、複合型トランスTの2次側においては、第4の2次巻線noにのみ電流が流れるため、第3のダイオードDsがターンオフし、第4のダイオードDsはターンオンする。よって複合型トランスTの2次側に流れる電流は、第4のダイオードDf→第4の2次巻線no→第5のインダクタLro→第3の2次巻線nf2→第2のインダクタLrf2→第2の2次巻線nf1→第1のインダクタLrf1という順番で流れる。
第2のスイッチング素子Q2がターンオフすると、第3のインダクタLrに蓄積されたエネルギーによって、第5のキャパシタC2が充電され、それに伴い第2のスイッチング素子Q2のドレイン−ソース間電圧Vds2は上昇する。また、同時に第1のキャパシタC1は放電され、それに伴い第1のスイッチング素子Q1のドレイン−ソース間電圧Vds1は降下する。この後、[状態1]の動作に戻る。
図9は第4の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の回路図である。図7に示した回路と異なるのは、2次側回路がセンタータップ型整流回路である点である。すなわち図9では、第1の2次巻線nsと第4の2次巻線noが同極性に巻回され、一端が共通接続され、他端は各々第2のダイオードDsと第3のダイオードDfを介して共通接続されている。また、第2の2次巻線nf1は一端が出力端子の高電位側に接続され、他端が第2のダイオードDs及び第3のダイオードDfのカソードに接続される。また、第3の2次巻線nf2は一端が出力端子の低電位側に接続され、他端が第1の2次巻線ns及び第4の2次巻線noの共通接続点に接続されている。
この第4の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の構成による効果は、第1の実施形態で挙げた効果のうち、(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)の効果を有する。
図10は第5の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の回路図である。図7に示した回路と異なるのは、第2の2次巻線nf1及び第3の2次巻線nf2の接続順である。すなわち、図10においては、第1の2次巻線ns及び第4の2次巻線noを挟んで、第2の2次巻線nf1が高電位側、第3の2次巻線nf2が低電位側に接続されている。
図11は第6の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の回路図である。
この第6の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の構成による効果は、第1の実施形態で挙げた効果のうち、(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)の効果を有する。
図12は第7の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の回路図である。図12に示す絶縁型スイッチング電源装置は、図10に示した第5の実施形態の回路において、第4の2次巻線noの両端に第3のキャパシタCo1を追加した構成である。このような構成とすることで、電流リップルをさらに低減することができる。その他の点については、第1の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第7の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の構成による効果は、第1の実施形態で挙げた効果のうち、(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)の効果を有する。
図13は第8の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の回路図である。
図13に示す絶縁型スイッチング電源装置は、図9に示した第4の実施形態と比べて、第4のキャパシタCrの位置が異なる。すなわち、図13においては、第1の1次巻線npと、第4のキャパシタCrと、第1のスイッチ回路S1からなる直列回路に対して、第2のスイッチ回路S2が並列に接続されている。このような構成とすることで、第1の1次巻線npの両端電圧と第4のキャパシタCrの両端電圧の和が直流入力電圧Viに等しくなり、スイッチ回路S1の両端に印加される電圧を低く設定できるので、スイッチ回路S1に用いられるMOSFET等のスイッチング素子の耐圧を小さくでき、小型化が可能となる。その他の点については、第1の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第8の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の構成による効果は、第1の実施形態で挙げた効果のうち、(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)の効果を有する。
図14は第9の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の回路図である。
図14に示す絶縁型スイッチング電源装置は、第6の実施形態に対して、1次側回路をハーフブリッジ回路ではなくフルブリッジ回路に構成した点で相違する。すなわち、第6のキャパシタCr1及び第7のキャパシタCr2に代えて第3のスイッチ回路S3及び第4のスイッチ回路S4を接続している。その他の点については、第6の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第9の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の構成による効果は、第1の実施形態で挙げた効果のうち、(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)の効果を有する。
図15は第10の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の回路図である。
この第10の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の構成による効果は、第1の実施形態で挙げた効果のうち、(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)の効果を有する。
図16は第11の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の回路図である。
図16に示す絶縁型スイッチング電源装置は、1次側回路については図7に示した第3の実施形態と同じであり、2次側回路については図5に示した第1の実施形態と同じである。
この第11の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の構成による効果は、第1の実施形態で挙げた効果のうち、(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)の効果を有する。
図17は第12の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の回路図である。
図17に示す絶縁型スイッチング電源装置は、1次側回路については図7に示した第3の実施形態と同じであり、2次側回路については図6に示した第2の実施形態と同じである。
この第12の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の構成による効果は、第1の実施形態で挙げた効果のうち、(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)の効果を有する。
図18は第13の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の回路図である。
図18に示す絶縁型スイッチング電源装置は、図17に示した第12の実施形態と比べて、2次側回路が倍電圧整流回路で構成されている点が異なる。
この第13の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の構成による効果は、第1の実施形態で挙げた効果のうち、(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)の効果を有する。
図19は第14の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の回路図である。
図19に示す絶縁型スイッチング電源装置は、図18に示した第13の実施形態と比べて、第1のトランスTに第4の2次巻線noを加え、第3のダイオードDfの接続点を第4の2次巻線noの一端に変更したものであり、倍電圧整流回路であることには変わりがない。
この第14の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の構成による効果は、第1の実施形態で挙げた効果のうち、(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)の効果を有する。
図20は第15の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の回路図である。
図20に示す絶縁型スイッチング電源装置は、1次側回路については図13に示した第8の実施形態と同じであり、2次側回路については図9に示した第4の実施形態と同様、センタータップ型整流回路を構成しており、電流リップルをさらに低減するために第4の2次巻線noの両端に第3のキャパシタCo1が接続されている。
この第15の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の構成による効果は、第1の実施形態で挙げた効果のうち、(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)の効果を有する。
図21は第16の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の回路図である。
図21に示す絶縁型スイッチング電源装置は、図10に示した第5の実施形態と比べて、第1の1次巻線npに対して第4の1次巻線niが並列に接続された構成となっている。すなわち、直流入力電源Viの両端に対して、第3のインダクタLrと、第4の1次巻線niと、第1のスイッチ回路S1からなる直列回路が接続され、第4の1次巻線niと第1のスイッチ回路S1との接続点と、直流入力電源Viの−側端子との間に、第1の1次巻線npと第10のキャパシタCeからなる直列回路が接続され、第1の1次巻線npに対して、第2のスイッチ回路S2と第4のキャパシタCrからなる直列回路が並列に接続されている。
この第11の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の構成による効果は、第1の実施形態で挙げた効果のうち、(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)の効果を有する。
図22は第17の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の回路図である。
図22に示す絶縁型スイッチング電源装置は、1次側回路については図21に示した第16の実施形態と比べて、第4のキャパシタCr2の接続位置が異なる。すなわち、第4のキャパシタCrは第1の1次巻線npと第10のキャパシタCeとの間に直列に接続されている。2次側回路については図15に示した第10の実施形態と同様、センタータップ型整流回路を構成している。
この第15の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の構成による効果は、第1の実施形態で挙げた効果のうち、(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)の効果を有する。
図23は第18の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の回路図である。
図23に示す絶縁型スイッチング電源装置は、1次側回路については図21に示した第16の実施形態と比べて、第4のキャパシタCr2の接続位置が異なる。すなわち、第4のキャパシタCrは第4の1次巻線niと第1のスイッチ回路S1との間に直列に接続されている。2次側回路については図15に示した第10の実施形態と同様、センタータップ型整流回路を構成している。
この第18の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の構成による効果は、第1の実施形態で挙げた効果のうち、(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)の効果を有する。
図24は第19の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の回路図である。
図24に示す絶縁型スイッチング電源装置は、1次側回路については図21に示した第16の実施形態と同じであり、2次側回路については図16に示した第11の実施形態と同じである。
この第19の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の構成による効果は、第1の実施形態で挙げた効果のうち、(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)の効果を有する。
図25は第20の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の回路図である。
図25に示す絶縁型スイッチング電源装置は、1次側回路については図9に示した第4の実施形態と同じであり、2次側回路については図9に示した第4の実施形態と比べて、第2の2次巻線nf1の高電位側に第5の2次巻線nf3が直列に接続され、第3の2次巻線nf2の低電位側に第6の2次巻線nf4が直列に接続された構成となっており、第5の2次巻線nf3の高電位側端子と第6の2次巻線nf4の低電位側端子との間に、第2のキャパシタCoが接続され、第2の2次巻線nf1の高電位側端子と第3の2次巻線nf2の低電位側端子との間に、第3のキャパシタCo1が接続されている。このような構成とすることによって、ロー・パス・フィルタが2段形成されることになり、リップル電流をさらに低減することができる。
この第20の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の構成による効果は、第1の実施形態で挙げた効果のうち、(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)の効果を有する。
図26は第21の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の回路図である。
図26に示す絶縁型スイッチング電源装置は、1次側回路については図10に示した第5の実施形態と同じであり、2次側回路については図10に示した第5の実施形態と比べて、第2の2次巻線nf1の高電位側に第5の2次巻線nf3が直列に接続され、第3の2次巻線nf2の低電位側に第6の2次巻線nf4が直列に接続された構成となっており、第5の2次巻線nf3の高電位側端子と第6の2次巻線nf4の低電位側端子との間に、第2のキャパシタCoが接続され、第2の2次巻線nf1の高電位側端子と第3の2次巻線nf2の低電位側端子との間に、第11のキャパシタCeが接続され、第4の2次巻線noの両端に第3のキャパシタCo1が接続されている。このような構成とすることによって、ロー・パス・フィルタが3段形成されることになり、リップル電流をさらに低減することができる。
この第21の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の構成による効果は、第1の実施形態で挙げた効果のうち、(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)の効果を有する。
図27は第22の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の回路図である。
図27に示す絶縁型スイッチング電源装置は、1次側回路については図21に示した第16の実施形態と同じであり、2次側回路については図21に示した第16の実施形態と比べて、第4の2次巻線no両端に、第3のキャパシタCo1が接続されている。このような構成とすることによって、ロー・パス・フィルタが2段形成されることになり、リップル電流をさらに低減することができる。
この第22の実施形態に係る絶縁型スイッチング電源装置の構成による効果は、第1の実施形態で挙げた効果のうち、(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)の効果を有する。
Claims (15)
- 直流入力電圧Viが入力される直流電源入力部と、
磁気的に結合された第1の1次巻線npと、第1の2次巻線nsと、第2の2次巻線nf1と、第3の2次巻線nf2と、を少なくとも備えた第1のトランスTと、
第1のスイッチング素子Q1と、第1のキャパシタC1と、第1のダイオードD1の並列回路からなる第1のスイッチ回路S1と、
前記直流電源入力部に対して直列に接続される、前記第1の1次巻線npと前記第1のスイッチ回路S1とからなる直列回路と、
前記第2の2次巻線nf1と直列に漏洩インダクタンスとして形成される第1のインダクタLrf1と、
前記第3の2次巻線nf2と直列に漏洩インダクタンスとして形成される第2のインダクタLrf2と、前記第1のインダクタンスLrf1と、前記第2のインダクタLrf2と、ロー・パス・フィルタを構成する第2のキャパシタCoと、
前記第1のスイッチ回路S1のオン/オフ動作に伴って1次側から2次側にエネルギー伝送が行われるように構成された絶縁型スイッチング電源装置であって、
前記第2の2次巻線nf1と前記第3の2次巻線nf2は互いに巻数が等しく、かつ互いの磁気極性が逆極性になるように巻回されており、
前記第1の2次巻線nsと前記第2の2次巻線nf1と前記第3の2次巻線nf2は前記第2のキャパシタCoと閉ループを構成するように直列に接続され、
前記ロー・パス・フィルタの出力端子から出力電圧Voが出力されるように構成したことを特徴とする絶縁型スイッチング電源装置。 - 前記第1の1次巻線npと前記第1の2次巻線nsは、互いの磁気極性が同極性になるように巻回され、
前記第1のスイッチ回路S1がオンである期間にオンとなる第2のダイオードDsと、
前記第1のスイッチ回路S1がオフである期間にオンとなる第3のダイオードDfと、を有するフォワードコンバータを構成したことを特徴とする請求項1に記載の絶縁型スイッチング電源装置。 - 前記第1の1次巻線npと前記第1の2次巻線nsは、互いの磁気極性が逆極性になるように巻回され、
前記第1の2次巻線nsには、前記第1のスイッチ回路S1がオフである期間にオンとなる第1のダイオードDsと、
前記第1のスイッチ回路S1がオンである期間に放電を行い、前記第1のスイッチ回路S1がオフである期間に充電を行う第3のキャパシタCo1と、からなる整流平滑回路を有するフライバックコンバータを構成したことを特徴とする請求項1に記載の絶縁型スイッチング電源装置。 - 第4のキャパシタCrと、
第2のスイッチング素子Q2と、第5のキャパシタC2と、第4のダイオードD2の並列回路からなる第2のスイッチ回路S2と、
前記第1の1次巻線npに直列に接続された、前記第1の1次巻線npと直列に漏洩インダクタンスとして形成される第3のインダクタLrと、を有し、
前記直流電源入力部に対して、前記第1の1次巻線npと前記第1のスイッチ回路S1からなる直列回路が接続され、
前記第4のキャパシタと前記第2のスイッチ回路S2からなる直列回路が、前記第1の1次巻線npまたは前記第1のスイッチ回路S1に対して並列に接続されて構成されることを特徴とする請求項1に記載の絶縁型スイッチング電源装置。 - 第2のスイッチング素子Q2と、第5のキャパシタC2と、第4のダイオードD2の並列回路からなる第2のスイッチ回路S2と、
第6のキャパシタCr1と、
第7のキャパシタCr2と、
前記第1の1次巻線npに直列に接続された、前記第1の1次巻線npのと直列に漏洩インダクタンスとして形成される第3のインダクタLrと、を有し、を有し、
前記直流電源入力部に対して、前記第1のスイッチ回路S1と前記第2のスイッチ回路S2からなる直列回路と、前記第6のキャパシタCr1と前記第7のキャパシタCr2からなる直列回路が互いに並列接続され、
前記第1のスイッチ回路S1と前記第2のスイッチ回路S2との接続点と、前記第6のキャパシタCr1と前記第7のキャパシタCr2との接続点との間に、前記第1の1次巻線npが接続されることで、ハーフブリッジ回路を構成したことを特徴とする請求項1に記載の絶縁型スイッチング電源装置。 - 第2のスイッチング素子Q2と、第5のキャパシタC2と、第4のダイオードD2の並列回路からなる第2のスイッチ回路S2と、
第3のスイッチング素子Q3と、第8のキャパシタC3と、第5のダイオードD3の並列回路からなる第3のスイッチ回路S3と、
第4のスイッチング素子Q4と、第9のキャパシタC4と、第6のダイオードD4の並列回路からなる第4のスイッチ回路S4と、
前記第1の1次巻線npに直列に接続された、前記第1の1次巻線npと直列に漏洩インダクタンスとして形成される第3のインダクタLrと、を有し、
前記直流電源入力部に対して、前記第1のスイッチ回路S1と前記第2のスイッチ回路S2からなる直列回路と、前記第3のスイッチ回路S3と前記第4のスイッチ回路S4からなる直列回路が互いに並列接続され、
前記第1のスイッチ回路S1と前記第2のスイッチ回路S2との接続点と、前記第3のスイッチ回路S3と前記第4のスイッチ回路S4との接続点との間に、前記第1の1次巻線npが接続されることで、フルブリッジ回路を構成したことを特徴とする請求項1に記載の絶縁型スイッチング電源装置。 - 前記トランスTは、前記第1の1次巻線npが、互いに一端が接続された第2の1次巻線np1と第3の1次巻線np2から構成され、
第2のスイッチング素子Q2と、第5のキャパシタC2と、第4のダイオードD2の並列回路からなる第2のスイッチ回路S2を有し、
前記直流電源入力部に対して、前記第2の1次巻線np1と前記第2のスイッチ回路S2からなる直列回路と、
前記第3の1次巻線np2と前記第1のスイッチ回路S1からなる直列回路が、互いに並列接続されていることを特徴とする請求項1に記載の絶縁型スイッチング電源装置。 - 第4の1次巻線niをさらに有する前記トランスTと、
第2のスイッチング素子Q2と、第5のキャパシタC2と、第4のダイオードD2の並列回路からなる第2のスイッチ回路S2と、
第4のキャパシタCrと、
第10のキャパシタCeと、
前記第1の1次巻線npに直列に接続された、前記第1の1次巻線npと直列に漏洩インダクタンスとして形成される第3のインダクタLrと、
前記第4の1次巻線niに直列に接続された、前記第4の1次巻線niと直列に漏洩インダクタンスとして形成される第4のインダクタLriと、をさらに有し、
前記直流電源入力部に対して、前記第4の1次巻線niと前記第1のスイッチ回路S1とからなる直列回路が接続され、
前記第1のスイッチ回路S1に対して並列に、前記第1の1次巻線npと前記第10のキャパシタCeからなる直列回路が接続され、
前記第2のスイッチ回路S2と前記第4のキャパシタCrからなる直列回路が、前記第1の1次巻線npに対して並列に接続されたことを特徴とする請求項1に記載の絶縁型スイッチング電源装置。 - 前記トランスTは、前記第1のスイッチ回路S1がオン、前記第2のスイッチ回路S2がオフである期間に、1次側から2次側にエネルギー伝送が行われるように巻回された第1の2次巻線nsと、
前記第1のスイッチ回路S1がオフ、前記第2のスイッチ回路S2がオンである期間に、1次側から2次側にエネルギー伝送が行われるように巻回された第4の2次巻線noと、を有し、
前記第1の2次巻線nsと前記第4の2次巻線noとが直列接続され、
前記第4の2次巻線noと直列に漏洩インダクタンスとして形成される第5のインダクタLroと、を有し、
前記第1のスイッチ回路S1がオンである期間にオンとなる第2のダイオードDsと、
前記第1のスイッチ回路S1がオフである期間にオンとなる第3のダイオードDfと、が接続されたことを特徴とする請求項4乃至8のいずれかに記載の絶縁型スイッチング電源装置。 - 前記第1の2次巻線nsと前記第4の2次巻線noとの巻数比を、
ns:no=2:1としたことを特徴とする請求項9に記載の絶縁型スイッチング電源装置。 - 前記トランスTは、前記第1の2次巻線nsの一端に一端が接続された第4の2次巻線noを有し、
前記第1の2次巻線nsの他端に第2のダイオードDs、前記第4の2次巻線noの他端に第3のダイオードDfが各々接続されたセンタータップ型整流回路を構成したことを特徴とする請求項4乃至8のいずれかに記載の絶縁型スイッチング電源装置。 - 前記第1の2次巻線nsの一端にカソードが接続され、アノードが第11のキャパシタCo2の一端に接続された第2のダイオードDsと、
前記第1の2次巻線nsの前記一端にアノードが接続され、カソードが第3のキャパシタCo1に接続された第3のダイオードDfと、
前記第1の2次巻線nsの他端に、前記第11のキャパシタCo2の他端と、前記第3のキャパシタCo1の他端が接続されて、倍電圧整流回路が構成されていることを特徴とする請求項4乃至8のいずれかに記載の絶縁型スイッチング電源装置。 - 前記第2の2次巻線nf1は、前記第1の2次巻線nsの一端と前記第2のキャパシタCoの高電位側端子との間に接続され、前記第3の2次巻線nf2は、前記第1の2次巻線nsの他端と前記第2のキャパシタCoの低電位側端子との間に接続されたことを特徴とする請求項1乃至12のいずれかに記載の絶縁型スイッチング電源装置。
- 前記第1のトランスTは、さらに第5の2次巻線nf3と第6の2次巻線nf4を含み、
前記第5の2次巻線nf3と前記第6の2次巻線nf4は互いに巻数が等しく、かつ互いの磁気極性が逆極性になるように巻回されており、
前記第2の2次巻線nf1と、前記第3の2次巻線nf2と、前記第5の2次巻線nf3と、前記第6の2次巻線nf4は、前記第1の2次巻線nsに対して直列に接続され、
前記第5の2次巻線nf3に直列に接続された、前記第5の2次巻線nf3と直列に漏洩インダクタンスとして形成される第6のインダクタLrf3と、
前記第6の2次巻線nf4に直列に接続された、前記第6の2次巻線nf4と直列に漏洩インダクタンスとして形成される第7のインダクタLrf4と、
前記第6のインダクタンスLrf3と、前記第7のインダクタLrf4と共に第1のロー・パス・フィルタを構成する第2のキャパシタCoと、
前記第2のインダクタンスLrf1と、前記第3のインダクタLrf2と共に第2のロー・パス・フィルタを構成する第3のキャパシタCo1とをさらに有し、
前記第1のロー・パス・フィルタの出力端子から出力電圧Voが出力されるようにしたことを特徴とする請求項1に記載の絶縁型スイッチング電源装置。 - 前記第1のトランスTは、さらに第5の2次巻線nf3と第6の2次巻線nf4を含み、
前記第5の2次巻線nf3と前記第6の2次巻線nf4は互いに巻数が等しく、かつ互いの磁気極性が逆極性になるように巻回されており、
前記第2の2次巻線nf1と、前記第3の2次巻線nf2と、前記第5の2次巻線nf3と、前記第6の2次巻線nf4は、前記第1の2次巻線nsに対して直列に接続され、
前記第4の2次巻線noに直列に前記第4の2次巻線noと直列に漏洩インダクタンスとして形成される第5のインダクタLroと、
前記第5の2次巻線nf3に直列に前記第5の2次巻線nf3と直列に漏洩インダクタンスとして形成される第6のインダクタLrf3と、
前記第6の2次巻線nf4に直列に前記第6の2次巻線nf4の漏洩インダクタンスで構成される第7のインダクタLrf4と、前記第6のインダクタンスLrf3と、前記第7のインダクタLrf4と共に第1のロー・パス・フィルタを構成する第2のキャパシタCoと、前記第2のインダクタンスLrf1と、前記第3のインダクタLrf2と共に第2のロー・パス・フィルタを構成する第3のキャパシタCo1と、前記第5のインダクタンスLroと共に第3のロー・パス・フィルタを構成する第11のキャパシタCo2と、をさらに有し、
前記第1のロー・パス・フィルタの出力端子から出力電圧Voが出力されるようにしたことを特徴とする請求項9に記載の絶縁型スイッチング電源装置。
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