WO2017168745A1 - 導体形成装置及び導体製造方法 - Google Patents
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
Definitions
- the present invention relates to a conductor forming apparatus such as a printed circuit board and a conductor manufacturing method.
- the additive method is known as a method for forming a circuit on a printed circuit board or the like.
- a plating resist having a pattern opposite to the conductive pattern is formed on the conductive thin film on the surface of the object to be processed (development process), and plating on the conductive thin film is performed.
- a conductive pattern is formed on the surface region where the resist is not formed (pattern plating step), the plating resist is peeled off from the conductive thin film (peeling step), and the conductive thin film excluding the region under the conductive pattern Removal by chemical etching using an etching solution (etching process) to form a circuit pattern.
- a conventional general conductor forming apparatus horizontal conveyance for conveying a processing object in a state of lying down substantially horizontally and vertical conveyance for conveying the processing object in an upright state are mixed.
- the processing object is horizontally conveyed in the developing process (developing apparatus), vertically conveyed in the pattern plating process (pattern plating apparatus), and horizontally conveyed in the peeling process (peeling apparatus) and the etching process (etching apparatus).
- the processing object is horizontally transported in each step of the developing device, the peeling device, and the etching device.
- the conveyance roller and the object to be processed are in contact with each other, so that the load on the surface (circuit pattern) of the object to be processed is large. As a result, defects such as pattern disconnection and short circuit are likely to occur.
- the object to be processed is removed from the horizontal conveying type conveying device of the developing device (received from the conveying roller) and reattached to the vertical conveying type conveying device of the pattern plating device.
- the object to be processed is removed from the vertical conveying type conveying apparatus of the pattern plating apparatus and reattached to the horizontal conveying type conveying apparatus of the peeling apparatus (on the conveying roller again). Need to put). For this reason, work efficiency is reduced, man-hours are increased, and the size and complexity of the apparatus are increased due to the division of the transfer apparatus, and defects due to removal and attachment of the processing object are likely to occur.
- an object of the present invention is to provide a conductor forming apparatus and a conductor manufacturing method capable of stabilizing quality and improving work efficiency.
- the conductor forming apparatus of the present invention includes a conveying means, a developing device, a pattern plating device, a peeling device, and an etching device.
- the conveying means conveys the processing object having the conductive thin film on the surface of the insulating substrate from the upstream side to the downstream side along a predetermined conveyance path.
- the developing device forms a plating resist having a pattern opposite to the conductor pattern on the conductive thin film of the object to be processed conveyed along the conveyance path.
- the pattern plating apparatus is disposed on the downstream side of the developing device, and forms a conductor pattern in a surface region where the plating resist in the conductive thin film is not formed.
- the peeling device is disposed on the downstream side of the pattern plating device and peels the plating resist from the conductive thin film.
- the etching apparatus is disposed on the downstream side of the peeling apparatus, and removes the conductive thin film excluding the region under the conductor pattern by chemical etching using a predetermined etching solution.
- the conveying means is at least in the range from the developing apparatus to the pattern plating apparatus in the conveying path from the developing apparatus to the etching apparatus via the pattern plating apparatus and the peeling apparatus. Then, the object to be processed is continuously conveyed in an upright posture.
- the conductor manufacturing method of the present invention includes a development process, a pattern plating process, a peeling process, and an etching process.
- a plating resist having a pattern opposite to the conductor pattern is formed on the conductive thin film of the object to be processed which has a conductive thin film on the surface of the insulating substrate and is transported along a predetermined transport path.
- a conductor pattern is formed in a region where the plating resist is not formed in the conductive thin film of the object to be processed conveyed along the conveyance path from the development process.
- the plating resist is stripped from the conductive thin film of the processing object transported along the transport path from the pattern plating step.
- the conductive thin film excluding the region under the conductor pattern of the object to be processed that is transported along the transport path from the peeling process is removed by chemical etching using a predetermined etching solution.
- the object to be processed is at least in the range from the development step to the pattern plating step in the transport path from the development step to the etching step via the pattern plating step and the peeling step. Is continuously transported in a vertically standing posture.
- the object to be processed is continuously in an upright posture in the range from the developing device (developing step) to the pattern plating device (pattern plating step) in the transport path. Is conveyed. For this reason, in the development process and the pattern plating process, it is possible to prevent contact between the object to be processed and the transfer roller, etc., resist crushing and chipping are less likely to occur, and suppress occurrence of defects such as pattern disconnection and short circuit. can do.
- the conveyance path is continuous between the development process and the pattern plating process, it is not necessary to remove or attach the object to be processed between the processes. For this reason, the work efficiency is not reduced, the number of man-hours is increased, the apparatus is not enlarged or complicated due to the division of the transfer apparatus, and the defect due to the removal and attachment of the processing object does not occur.
- the conveying means is at least in the range from the pattern plating apparatus to the peeling apparatus in the conveyance path from the developing apparatus to the etching apparatus via the pattern plating apparatus and the peeling apparatus. Then, the object to be processed is continuously conveyed in an upright posture.
- the object to be processed is at least in the range from the pattern plating step to the peeling step in the transport path from the development step to the etching step via the pattern plating step and the peeling step. Is continuously transported in a vertically standing posture.
- a process target object is continuous with the attitude
- the conveyance path is continuous between the pattern plating process and the peeling process, there is no need to remove or attach the object to be processed between the processes. For this reason, the work efficiency is not reduced, the number of man-hours is increased, the apparatus is not enlarged or complicated due to the division of the transfer apparatus, and the defect due to the removal and attachment of the processing object does not occur.
- the conveying means has a posture in which the object to be processed stands substantially vertically over the entire conveying path from the developing device to the etching device via the pattern plating device and the peeling device. Convey continuously.
- the object to be processed is continuously raised in a vertically standing position throughout the entire conveyance path from the development process to the etching process via the pattern plating process and the peeling process. Transport.
- the object to be processed is conveyed in a substantially vertically upright position throughout the entire conveyance path from the development process to the etching process via the pattern plating process and the peeling process. Is done. For this reason, it is possible to prevent contact between the object to be processed and the conveying roller, and resist resist crushing, chipping, and the like, and occurrence of defects such as pattern disconnection and short circuit can be suppressed.
- the conductor forming apparatus is the conductor forming apparatus according to the first or third aspect, and is disposed between the developing step and the pattern plating apparatus and is transported along the transport path.
- a first transfer chamber through which the object passes is provided.
- the first transfer chamber is provided with a first humidifying means for humidifying the first transfer chamber in order to prevent the processing object from drying.
- the conductor forming apparatus of the fourth aspect it is possible to supply the processing object in a state where substantially the entire surface of the substrate is covered with the water film to the pattern plating apparatus.
- air oxidation on the surface of the substrate can be minimized, and a powerful oxide film removal process using chemicals in the pre-plating process becomes unnecessary.
- the water wettability of the surface of the substrate can be kept good, the amount of water required for the water washing treatment can be greatly reduced.
- the conductor forming apparatus is the conductor forming apparatus according to the second or third aspect, and is disposed between the pattern plating apparatus and the peeling apparatus and is conveyed along the conveyance path.
- a second transfer chamber through which an object passes is provided.
- the second transfer chamber is provided with second humidifying means for humidifying the second transfer chamber in order to prevent the processing object from drying.
- the conductor forming apparatus of the fifth aspect it is possible to supply the non-dry state (wet state) processing object to the peeling step.
- substrate can always be kept in the state wet with water, and water wettability can be kept favorable.
- the object to be processed is sent to the peeling process while a thin water film is formed over the entire area of the substrate after pattern plating, the effect of preventing the adhesion of oil film and foreign matters on the resist film is obtained. Inhibitors that cause the liquid to come into contact with the resist film can be eliminated sufficiently and reliably.
- FIG. 2 is a plan view schematically showing the developing device and the first direction changing mechanism of FIG. 1.
- FIG. 2 is a side view schematically showing the developing device of FIG. 1.
- It is a top view which shows typically the 2nd direction change mechanism, peeling apparatus, and etching apparatus of FIG.
- It is a perspective view which shows typically the state which conveys a process target object vertically.
- a base material (substrate) 1 made of an insulating layer is prepared.
- the substrate 1 is, for example, an insulating thin-walled film or thin plate made of epoxy, polyimide, or other resin.
- the conductive thin film 2 is formed on the surface of the base material 1 with a predetermined film thickness (for example, 10 ⁇ m or less) by sputtering, electroless copper plating, or the like.
- a predetermined film thickness for example, 10 ⁇ m or less
- a dry film or the like is laminated on the conductive thin film 2, and exposure and development are performed, whereby a plating resist having a pattern opposite to that of the conductor pattern 4 formed in a subsequent process is obtained. 3 is formed (developing step).
- a conductive pattern 4 made of copper is formed by electroplating using, for example, a copper sulfate plating solution on the surface region of the conductive thin film 2 where the plating resist 3 is not formed. (Pattern plating process).
- a metal or alloy other than copper may be used as the material of the conductor pattern 4.
- the plating resist 3 is removed by peeling or the like (peeling step).
- the conductive thin film (removed layer) 2 excluding the region under the conductor pattern 4 is chemically treated with a predetermined etching solution (for example, a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide). It is removed by etching (etching process). Thereby, the printed wiring board which has the predetermined conductor pattern 4 on the base material 1 is formed.
- a predetermined etching solution for example, a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide
- the conductor forming apparatus 10 includes a transport device (transport means) 11, a developing device 12, a pattern plating device 13, a peeling device 14, an etching device 15, and a plurality of cleaning devices 16.
- the cleaning device 16 is attached to each of the developing device 12, the pattern plating device 13, the peeling device 14, and the etching device 15.
- 6 illustrates the case where the conductor pattern 4 is formed only on one surface of the base material 1, but in this embodiment, the case where the conductor pattern 4 is formed on both surfaces of the base material 1 will be described. That is, the conductive thin film 2 is formed on both surfaces (surfaces on both sides) of the base material 1, and processing from the development process to the etching process is performed.
- the base material 1 of this embodiment is a flat plate material cut into a predetermined size.
- the transport device 11 transports the base material 1 on which the conductive thin film 2 is formed from the upstream side to the downstream side along a predetermined transport path 20.
- the conveyance path 20 includes a first line 21 that extends linearly, a second line 22 that extends substantially parallel to the first line 21, and one end of the first line 21 and one end of the second line 22. It is a rectangular ring having a third line 23 that connects and a fourth line 24 that connects the other end of the second line 22 and the other end of the first line 21.
- the peeling device 14, the etching device 15, and the developing device 12 are arranged along the first line 21, and the pattern plating device 13 is arranged so as to extend along the second line 22.
- a work supply position 25 where the worker M supplies the base material 1 to the transport path 20 on the upstream side of the developing device 12, and downstream of the etching device 15.
- a workpiece take-out position 26 is set where the operator M takes out the substrate 1 on which the circuit has been formed from the transport path 20.
- the conveyance path 20 returns from the workpiece supply position 25 to the developing device 12 through the developing device 12, the pattern plating device 13, the peeling device 14, and the etching device 15 in order.
- the conveyance device 11 includes a workpiece holding member 30 that holds the base material 1, linear rails 31 (see FIG. 5) provided corresponding to the first line 21 and the second line 22, a third line 23, A first direction changing mechanism 32 and a second direction changing mechanism 33 provided corresponding to the fourth line 24, and a drive mechanism 37 (see FIG. 3) are provided.
- the work holding member 30 includes a work gripping portion 34 that detachably grips the upper edge of the substrate 1, an arm portion 35 that extends from the work gripping portion 34 in a substantially horizontal direction, and a rail 31.
- the movable portion 36 is movable along the rail 31 by a drive mechanism 37 (see FIG. 3). That is, in the first line 21 and the second line 22, the work holding member 30 moves along the rail 31.
- the substrate 1 attached to the workpiece holding member 30 at the workpiece supply position 25 moves to the workpiece removal position 26 while being attached to the workpiece holding member 30, and then is removed from the workpiece holding member 30 at the workpiece removal position 26. Removed.
- the first direction changing mechanism 32 moves the work holding member 30 that has reached one end of the first line 21 along the third line 23 in the first transfer chamber 41 to the second line 22. Slide to one end.
- the second direction changing mechanism 33 moves the work holding member 30 that has reached the other end of the second line 22 along the fourth line 24 in the second transfer chamber 42. Slide to the other end of the line 21. Accordingly, the movement direction 38 of the work holding member 30 is reversed between the first line 21 and the second line 22.
- Nozzles (humidifying means) 43 and 44 are provided.
- the water wettability of the surface of the base material 1 can be kept good, and the conventional excessive water washing treatment can be largely omitted, which can bring about a great effect in saving water resources.
- the base material 1 in a non-dry state (wet state) can be supplied to the peeling step.
- the surface of the base material 1 can always be kept wet with water, and water wettability can be kept favorable.
- the means for humidifying the inside of the transfer chambers 41 and 42 is not limited to the spray nozzles 43 and 44 for spraying mist, but may be other means (for example, a humidifier using ultrasonic waves).
- the worker M attaches the upper edge of the substrate 1 to the work gripping portion 34 (see FIG. 5) of the work holding member 30 at the work supply position 25, and as shown in FIG. 4,
- the base material 1 is removed from the workpiece gripping portion 34 (see FIG. 5) of the workpiece holding member 30.
- the base material 1 mounted on the work holding member 30 is suspended from the work gripping portion 34 in a substantially vertical direction.
- the surface direction of the base material 1 is the lines 21, 22 (base In the third line 23 and the fourth line 24, the surface direction of the base material 1 is the lines 23 and 24 (the movement direction 38 of the base material 1). It moves almost horizontally in a substantially orthogonal posture.
- the transport device 11 has a base material in the entire transport path 20 that continues from the work supply position 25 to the work removal position 26 via the developing device 12, the pattern plating device 13, the peeling device 14, and the etching device 15. 1 is conveyed in an upright posture.
- the moving direction 38 of the base material 1 (work holding member 30) of this embodiment is counterclockwise in FIG. 1, the moving direction 38 may be set in the opposite direction (clockwise).
- the developing device 12 forms a plating resist 3 having a pattern opposite to the conductor pattern 4 on the conductive thin film 2 of the substrate 1 conveyed along the conveyance path 20 (development process). Specifically, after laminating a dry film resist on the conductive thin film 2 and performing image exposure by irradiating ultraviolet rays through a photomask, a developer (for example, sodium carbonate) is applied from a plurality of spray nozzles 40. Development is performed by spraying on both surfaces of the material 1 to form a plating resist 3 (see FIG. 3).
- a developer for example, sodium carbonate
- the pattern plating apparatus 13 has a plurality of plating chambers 13a arranged on the downstream side of the developing device 12 and arranged linearly along the second line 22, and in each plating chamber 13a, a plating resist in the conductive thin film 2 is provided.
- Conductive pattern 4 is formed in a surface region where 3 is not formed (pattern plating step). Specifically, the conductor 1 is transported while being immersed in a predetermined plating solution (for example, copper sulfate plating solution) in a plating tank (not shown) while being immersed in an upright state, immersed while being transported, and electroplated. Pattern 4 is formed.
- a predetermined plating solution for example, copper sulfate plating solution
- the pattern plating process performed in the pattern plating apparatus 13 includes pre-plating treatment, plating treatment, and post-plating treatment.
- the base material 1 immersed a plurality of treatment tanks for pre-plating treatment, a plurality of treatment tanks for plating treatment (plating tank), and a plurality of treatment tanks for post-plating treatment in the treatment liquid in each treatment tank.
- the rail 31 of the second line 22 is set at a height position where the base material 1 is sufficiently immersed in the processing liquid in each processing tank, and before and after each processing tank, the base material 1 is charged with respect to the processing liquid.
- An elevating device that performs (down) and takes out (up) is provided.
- the lifting device raises the workpiece holding member 30 to disengage the movable portion 36 from the rail 31, moves the workpiece holding member 30 downstream by a predetermined distance, and lowers the workpiece holding member 30 to place the movable portion 36 on the rail 31 again. .
- the base material 1 that has reached the pre-plating treatment descends at the upstream end of the treatment tank, is immersed in the treatment liquid and moves in the treatment liquid, and rises at the downstream end of the treatment tank to the next treatment tank.
- the operation of moving is repeated from the first (most upstream) treatment tank to the last (most downstream) treatment tank, and then moves to the plating process.
- the base material 1 that has reached the plating process descends at the upstream end of the plating tank, is immersed in the treatment liquid and moves in the treatment liquid, and moves up to the downstream end of the plating tank and moves to the next plating tank. Is repeated from the first (most upstream) plating tank to the last (most downstream) plating tank, and then the process moves to post-plating treatment.
- the base material 1 that has reached the post-plating process descends at the upstream end of the treatment tank and is immersed in the treatment liquid and moves in the treatment liquid, and rises at the downstream end of the treatment tank and moves to the next treatment tank. After the operation is repeated from the first (most upstream) processing tank to the last (most downstream) processing tank, the operation moves to the fourth line 24 (second transfer chamber 42).
- the peeling device 14 is disposed on the downstream side of the pattern plating device 13 and peels the plating resist 3 from the conductive thin film 2 (peeling step). Specifically, a predetermined stripping solution (for example, an amine-based stripping solution) is sprayed from a plurality of spray nozzles (not shown) to both surfaces of the base material 1 in the same manner as in the developing device 12 to form a plating resist. 3 is peeled off.
- a predetermined stripping solution for example, an amine-based stripping solution
- Etching device 15 is arranged on the downstream side of stripping device 14 and removes conductive thin film 2 excluding the region under conductive pattern 4 by chemical etching using a predetermined etching solution (etching step). Specifically, a predetermined etching solution (processing solution) is sprayed toward both surfaces of the substrate 1 from a plurality of spray nozzles (not shown) in the same manner as in the developing device 12, so The conductive thin film 2 excluding the region is removed.
- a predetermined etching solution processing solution
- the cleaning device 16 is downstream of each processing (each process) of each device 12, 13, 14, 15 (the developing device 12 is downstream of the development processing, the pattern plating device 13 is downstream of the plating pretreatment and the plating processing. Attached to the downstream side and the downstream side of the post-plating treatment, the peeling device 14 on the downstream side of the peeling treatment, and the etching device 15 on the downstream side of the etching treatment, and cleans both surfaces of the substrate 1. Specifically, water or hot water is sprayed toward both surfaces of the substrate 1 from a plurality of spray nozzles (not shown) as in the case of the developing device 12 to clean both surfaces of the substrate 1.
- the cleaning device 16 attached to the pattern plating device 13 may be a cleaning tank that stores a cleaning liquid. In this case, before and after the cleaning tank, an elevating device for loading and unloading the base material 1 with respect to the cleaning liquid is provided, and the base material 1 is cleaned while being immersed in the cleaning liquid.
- the base material 1 stands substantially vertically in the entire conveyance path 20 from the work supply position 25 to the work removal position 26 via the development process, the pattern plating process, the peeling process, and the etching process. It is conveyed in the posture (vertical conveyance). For this reason, a contact with the base material 1 and a conveyance roller etc. can be prevented, and generation
- the present invention has been described based on the above embodiment, but the present invention is not limited to the content of the above embodiment, and can be appropriately changed without departing from the present invention. is there.
- the base material 1 is continuously vertically conveyed over the entire conveyance path 20 from the developing device 12 to the etching device 15 via the pattern plating device 13 and the peeling device 14.
- the substrate 1 may be vertically conveyed in the range up to the pattern plating apparatus 13, and the substrate 1 may be horizontally conveyed in other ranges, and the range from the pattern plating apparatus 13 to the peeling apparatus 14 (or the etching apparatus 15).
- the substrate 1 may be conveyed vertically and the substrate 1 may be conveyed horizontally in other ranges.
- the conveyance path 20 may be linear (for example, straight) instead of being annular.
- the rails may be annular without providing the first direction changing mechanism 32 and the second direction changing mechanism 33.
- the present invention can be widely used as a conductor forming apparatus such as a printed wiring board and a conductor manufacturing method.
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Abstract
搬送装置１１は、現像装置１２からパターンめっき装置１３及び剥離装置１４を経由してエッチング装置１５に至る搬送経路２０の全域のうち、少なくとも現像装置１２からパターンめっき装置１３までの範囲において、基材１を略鉛直に起立した姿勢で連続的に搬送する。
Description
本発明は、プリント基板等の導体形成装置及び導体製造方法に関する。
プリント基板等に回路を形成する方法として、アディティブ法が知られている。アディティブ法では、例えば特許文献１に記載されているように、処理対象物の表面の導電性薄膜上に、導体パターンとは逆パターンのめっきレジストを形成し（現像工程）、導電性薄膜におけるめっきレジストが形成されていない表面領域に、導体パターンを形成し（パターンめっき工程）、導電性薄膜上からめっきレジストを剥離し（剥離工程）、導体パターン下の領域を除く導電性薄膜を、所定のエッチング液を用いた化学エッチングにより除去して（エッチング工程）、回路パターンを形成する。
従来の一般的な導体形成装置では、処理対象物を略水平に倒伏した状態で搬送する水平搬送と、処理対象物を略鉛直に起立した状態で搬送する垂直搬送とが混在する。処理対象物は、例えば現像工程（現像装置）では水平搬送され、パターンめっき工程（パターンめっき装置）では垂直搬送され、剥離工程（剥離装置）及びエッチング工程（エッチング装置）では水平搬送される。
上記従来の一般的な導体形成装置では、現像装置、剥離装置及びエッチング装置の各工程において、処理対象物は水平搬送される。このような水平搬送では、搬送ローラーと処理対象物とが接触するため、処理対象物の表面（回路パターン）への負荷が大きく、細線化になるほど、レジストのつぶれや欠け等が発生し、その結果、パターン断線や短絡等の不良が発生し易くなる。
また、現像装置とパターンめっき装置との間では、処理対象物を、現像装置の水平搬送型の搬送装置から取外し（搬送ローラー上から受け取り）、パターンめっき装置の垂直搬送型の搬送装置に取付け直す必要がある。同様に、パターンめっき装置と剥離装置との間では、処理対象物を、パターンめっき装置の垂直搬送型の搬送装置から取外し、剥離装置の水平搬送型の搬送装置に取付け直す（搬送ローラー上に再び置く）必要がある。このため、作業効率の低下や、工数の増大や、搬送装置の分割による装置の大型化や複雑化を招くとともに、処理対象物の取外し及び取付けによる不良が発生し易くなる。
そこで、本発明は、品質の安定化及び作業効率の向上を図ることが可能な導体形成装置及び導体製造方法の提供を目的とする。
上記目的を達成すべく、本発明の導体形成装置は、搬送手段と、現像装置と、パターンめっき装置と、剥離装置と、エッチング装置とを備える。
搬送手段は、絶縁性の基板の表面に導電性薄膜を有する処理対象物を、所定の搬送経路に沿って上流側から下流側へ搬送する。現像装置は、搬送経路に沿って搬送される処理対象物の導電性薄膜上に、導体パターンとは逆パターンのめっきレジストを形成する。パターンめっき装置は、現像装置の下流側に配置され、導電性薄膜におけるめっきレジストが形成されていない表面領域に、導体パターンを形成する。剥離装置は、パターンめっき装置の下流側に配置され、導電性薄膜上からめっきレジストを剥離する。エッチング装置は、剥離装置の下流側に配置され、導体パターン下の領域を除く導電性薄膜を、所定のエッチング液を用いた化学エッチングにより除去する。
本発明の第１の態様の導体形成装置では、搬送手段は、現像装置からパターンめっき装置及び剥離装置を経由してエッチング装置に至る搬送経路のうち、少なくとも現像装置からパターンめっき装置までの範囲において、処理対象物を略鉛直に起立した姿勢で連続的に搬送する。
また、本発明の導体製造方法は、現像工程と、パターンめっき工程と、剥離工程と、エッチング工程とを備える。
現像工程では、絶縁性の基板の表面に導電性薄膜を有し所定の搬送経路に沿って搬送される処理対象物の導電性薄膜上に、導体パターンとは逆パターンのめっきレジストを形成する。パターンめっき工程では、現像工程から搬送経路に沿って搬送される処理対象物の導電性薄膜におけるめっきレジストが形成されていない領域に、導体パターンを形成する。剥離工程では、パターンめっき工程から搬送経路に沿って搬送される処理対象物の導電性薄膜上からめっきレジストを剥離する。エッチング工程では、剥離工程から搬送経路に沿って搬送される処理対象物の導体パターン下の領域を除く導電性薄膜を、所定のエッチング液を用いた化学エッチングにより除去する。
本発明の第１の態様の導体製造方法では、現像工程からパターンめっき工程及び剥離工程を経由してエッチング工程に至る搬送経路のうち、少なくとも現像工程からパターンめっき工程までの範囲において、処理対象物を略鉛直に起立した姿勢で連続的に搬送する。
上記第１の態様の装置及び方法によれば、処理対象物は、搬送経路のうち現像装置（現像工程）からパターンめっき装置（パターンめっき工程）までの範囲において、略鉛直に起立した姿勢で連続的に搬送される。このため、現像工程及びパターンめっき工程において、処理対象物と搬送ローラー等との接触を防止することができ、レジストのつぶれや欠け等が生じ難くなり、パターン断線や短絡等の不良の発生を抑制することができる。
また、現像工程とパターンめっき工程との間を搬送経路が連続するので、工程間で処理対象物の取外しや取付けを行う必要がない。このため、作業効率の低下や、工数の増大や、搬送装置の分割による装置の大型化や複雑化を招くことがなく、且つ処理対象物の取外し及び取付けによる不良も発生しない。
本発明の第２の態様の導体形成装置では、搬送手段は、現像装置からパターンめっき装置及び剥離装置を経由してエッチング装置に至る搬送経路のうち、少なくともパターンめっき装置から剥離装置までの範囲において、処理対象物を略鉛直に起立した姿勢で連続的に搬送する。
本発明の第２の態様の導体製造方法では、現像工程からパターンめっき工程及び剥離工程を経由してエッチング工程に至る搬送経路のうち、少なくともパターンめっき工程から剥離工程までの範囲において、処理対象物を略鉛直に起立した姿勢で連続的に搬送する。
上記第２の態様の装置及び方法によれば、処理対象物は、搬送経路のうちパターンめっき装置（パターンめっき工程）から剥離装置（剥離工程）までの範囲において、略鉛直に起立した姿勢で連続的に搬送される。このため、パターンめっき工程及び剥離工程において、処理対象物と搬送ローラー等との接触を防止することができ、パターンへのダメージが低減し又は無くなり、パターン断線や短絡等の不良の発生を抑制することができる。
また、パターンめっき工程と剥離工程との間を搬送経路が連続するので、工程間で処理対象物の取外しや取付けを行う必要がない。このため、作業効率の低下や、工数の増大や、搬送装置の分割による装置の大型化や複雑化を招くことがなく、且つ処理対象物の取外し及び取付けによる不良も発生しない。
本発明の第３の態様の導体形成装置では、搬送手段は、現像装置からパターンめっき装置及び剥離装置を経由してエッチング装置に至る搬送経路の全域において、処理対象物を略鉛直に起立した姿勢で連続的に搬送する。
本発明の第３の態様の導体製造方法では、現像工程からパターンめっき工程及び剥離工程を経由してエッチング工程に至る搬送経路の全域において、処理対象物を略鉛直に起立した姿勢で連続的に搬送する。
上記第３の態様の装置及び方法によれば、処理対象物は、現像工程からパターンめっき工程及び剥離工程を経由してエッチング工程まで連続する搬送経路の全域において、略鉛直に起立した姿勢で搬送される。このため、処理対象物と搬送ローラー等との接触を防止することができ、レジストのつぶれや欠け等が生じ難くなり、パターン断線や短絡等の不良の発生を抑制することができる。
また、各工程間を搬送経路が連続するので、工程間で処理対象物の取外しや取付けを行う必要がない。このため、作業効率の低下や、工数の増大や、搬送装置の分割による装置の大型化や複雑化を招くことがなく、且つ処理対象物の取外し及び取付けによる不良も発生しない。
本発明の第４の態様の導体形成装置は、第１又は第３の態様の導体形成装置であって、現像工程とパターンめっき装置との間に配置され、搬送経路に沿って搬送される処理対象物が通過する第１の搬送室を備える。第１の搬送室には、処理対象物の乾燥を防止するために第１の搬送室を加湿する第１の加湿手段が設けられている。
第４の態様の導体形成装置によれば、基板の表面の略全域が水の膜で覆われた状態の処理対象物をパターンめっき装置に供給することができる。これにより、基板の表面の空気酸化を最小限に抑えることができ、めっき前処理での化学薬品による強力な酸化被膜除去処理が不要となる。また、基板の表面の水濡れ性を良好に保つことができるので、水洗処理に要する水量を大幅に削減することができる。
また、現像からパターンめっきまで連続的に基板の全表面が水の膜に覆われた状態に保たれるため、基板表面に形成されたレジスト皮膜回路の凹部に取り込まれた気泡に起因するめっきの析出不良を著しく低減することができる。
本発明の第５の態様の導体形成装置は、第２又は第３の態様の導体形成装置であって、パターンめっき装置と剥離装置の間に配置され、搬送経路に沿って搬送される処理対象物が通過する第２の搬送室を備える。第２の搬送室には、処理対象物の乾燥を防止するために第２の搬送室を加湿する第２の加湿手段が設けられている。
第５の態様の導体形成装置によれば、非乾燥状態（ウェット状態）の処理対象物を剥離工程に供給することができる。これにより、基板の表面を常に水に濡れた状態に保つことができ、水濡れ性を良好に保つことができる。
また、パターンめっき後の基板全域に亘り薄い水の膜が形成されたまま処理対象物が剥離工程へと送られるため、特にレジスト皮膜上への油膜や異物の付着防止効果が得られ、 レジスト剥離液がレジスト皮膜と接触する阻害因子を十分に且つ確実に排除することができる。
本発明によれば、品質の安定化及び作業効率の向上を図ることができる。
以下、本発明の一実施形態に係る導体形成装置１０について、図面に基づいて説明する。
まず、導体形成装置１０を用いたアディティブ法によるプリント配線板の製造方法の概要について、図６を参照して説明する。
アディティブ法では、図６（ａ）に示すように、絶縁層からなる基材（基板）１を用意する。基材１は、例えばエポキシやポリイミド、その他の樹脂からなる絶縁性の薄肉状のフィルムや薄板等である。なお、銅張積層板又は金属箔からなる基板上に樹脂を塗布することにより基材１を形成してもよい。
次に、図６（ｂ）に示すように、基材１の表面上にスパッタリングや無電解銅めっき等によって導電性薄膜２を所定の膜厚（例えば１０μｍ以下）で形成する。なお、基材１に銅張積層板を使用することで、その銅箔を導電性薄膜２としてもよい。
次に、図６（ｃ）に示すように、導電性薄膜２上に例えばドライフィルム等をラミネートし、露光および現像することにより、後工程で形成される導体パターン４とは逆パターンのめっきレジスト３を形成する（現像工程）。
次に、図６（ｄ）に示すように、導電性薄膜２におけるめっきレジスト３が形成されていない表面領域に、例えば硫酸銅めっき液を用いて電気めっきにより銅からなる導体パターン４を形成する（パターンめっき工程）。導体パターン４の材料として銅以外の金属または合金を用いてもよい。
次に、図６（ｅ）に示すように、めっきレジスト３を剥離等により除去する（剥離工程）。
次に、図６（ｆ）に示すように、導体パターン４下の領域を除く導電性薄膜（被除去層）２を、所定のエッチング液（例えば硫酸過酸化水素水混合液）を用いた化学エッチングにより除去する（エッチング工程）。これにより、基材１上に所定の導体パターン４を有するプリント配線板が形成される。なお、導電性薄膜２が形成された基材１が処理対象物となるが、以下では、処理対象物を単に基材１と称する場合がある。
図１に示すように、導体形成装置１０は、搬送装置（搬送手段）１１と、現像装置１２と、パターンめっき装置１３と、剥離装置１４と、エッチング装置１５と、複数の洗浄装置１６とを備える。洗浄装置１６は、現像装置１２、パターンめっき装置１３、剥離装置１４及びエッチング装置１５の各々に付帯して設けられる。なお、図６では、基材１の一面のみに導体パターン４を形成する場合を例示したが、本実施形態では、基材１の両面に導体パターン４を形成する場合について説明する。すなわち、基材１の両面（両側の表面）に、導電性薄膜２が形成されて、現像工程からエッチング工程までの処理が施される。また、本実施形態の基材１は、所定の大きさに切断された平板材である。
搬送装置１１は、導電性薄膜２が形成された基材１を、所定の搬送経路２０に沿って上流側から下流側へ搬送する。搬送経路２０は、直線状に延びる第１ライン２１と、第１ライン２１と略平行に並んで直線状に延びる第２ライン２２と、第１ライン２１の一端と第２ライン２２の一端とを繋ぐ第３ライン２３と、第２ライン２２の他端と第１ライン２１の他端とを繋ぐ第４ライン２４とを有する矩形環状である。剥離装置１４とエッチング装置１５と現像装置１２とは、第１ライン２１に沿って並び、パターンめっき装置１３は第２ライン２２に沿って延びるように配置されている。第１ライン２１のエッチング装置１５と現像装置１２との間には、現像装置１２の上流側で作業者Ｍが基材１を搬送経路２０に供給するワーク供給位置２５と、エッチング装置１５の下流側で作業者Ｍが搬送経路２０から回路形成済みの基材１を取出すワーク取出位置２６とが設定されている。搬送経路２０は、ワーク供給位置２５から、現像装置１２とパターンめっき装置１３と剥離装置１４とエッチング装置１５とを順次経由して、現像装置１２に戻る。
搬送装置１１は、基材１を保持するワーク保持部材３０と、第１ライン２１及び第２ライン２２に対応してそれぞれ設けられる直線状のレール３１（図５参照）と、第３ライン２３及び第４ライン２４に対応してそれぞれ設けられる第１方向転換機構３２及び第２方向転換機構３３と、駆動機構３７（図３参照）とを備える。
図５に示すように、ワーク保持部材３０は、基材１の上端縁部を着脱自在に把持するワーク把持部３４と、ワーク把持部３４から略水平方向に延びるアーム部３５と、レール３１に沿って移動可能な可動部３６とを有し、可動部３６は、駆動機構３７（図３参照）によってレール３１に沿って移動する。すなわち、第１ライン２１及び第２ライン２２では、ワーク保持部材３０はレール３１に沿って移動する。なお、ワーク供給位置２５でワーク保持部材３０に取付けられた基材１は、当該ワーク保持部材３０に取付けられたままワーク取出位置２６まで移動した後、ワーク取出位置２６でワーク保持部材３０から取外される。
図２に示すように、第１方向転換機構３２は、第１ライン２１の一端に到達したワーク保持部材３０を、第１の搬送室４１内の第３ライン２３に沿って第２ライン２２の一端までスライド移動する。また、図４に示すように、第２方向転換機構３３は、第２ライン２２の他端に到達したワーク保持部材３０を、第２の搬送室４２内の第４ライン２４に沿って第１ライン２１の他端までスライド移動する。従って、第１ライン２１と第２ライン２２とでは、ワーク保持部材３０の移動方向３８が反転する。
また、第１の搬送室４１内と第２の搬送室４２内とには、移動する基材１の乾燥防止を目的として、微細な水（ミスト）を噴霧して室内を加湿する複数の噴霧ノズル（加湿手段）４３，４４がそれぞれ設けられている。第１の搬送室４１内を加湿することにより、表面の略全域が水の膜で覆われた状態の基材１をパターンめっき工程に供給することができる。これにより、基材１の露出銅表面の空気酸化を最小限に抑えることができ、めっき前処理での化学薬品による強力な酸化被膜除去処理が不要となる。また、基材１の表面の水濡れ性を良好に保つことができ、従来の過剰に必要な水洗処理を大幅に省略でき、水資源の節約に極めて大きな効果をもたらすことができる。また、第２の搬送室４２内を加湿することにより、非乾燥状態（ウェット状態）の基材１を剥離工程に供給することができる。これにより、基材１の表面を常に水に濡れた状態に保つことができ、水濡れ性を良好に保つことができる。なお、各搬送室４１，４２内を加湿する手段は、ミストを噴霧する噴霧ノズル４３，４４に限定されず、他の手段（例えば超音波を用いた加湿器など）であってもよい。
作業者Ｍは、図２に示すように、ワーク供給位置２５で、ワーク保持部材３０のワーク把持部３４（図５参照）に基材１の上端縁を装着し、図４に示すように、ワーク取出位置２６で、ワーク保持部材３０のワーク把持部３４（図５参照）から基材１を取外す。ワーク保持部材３０に装着された基材１は、ワーク把持部３４から略鉛直方向に吊り下がり、第１ライン２１及び第２ライン２２では、基材１の面方向が各ライン２１，２２（基材１の移動方向３８）に沿う姿勢で略水平に移動し、第３ライン２３及び第４ライン２４では、基材１の面方向が各ライン２３，２４（基材１の移動方向３８）と略直交する姿勢で略水平に移動する。このように、搬送装置１１は、ワーク供給位置２５から現像装置１２、パターンめっき装置１３、剥離装置１４、エッチング装置１５を経由してワーク取出位置２６まで連続する搬送経路２０の全域において、基材１を略鉛直に起立した姿勢で搬送する。なお、本実施形態の基材１（ワーク保持部材３０）の移動方向３８は、図１において反時計回りであるが、移動方向３８を反対方向（時計回り）に設定してもよい。
現像装置１２は、搬送経路２０に沿って搬送される基材１の導電性薄膜２上に、導体パターン４とは逆パターンのめっきレジスト３を形成する（現像工程）。具体的には、導電性薄膜２上にドライフィルムレジストをラミネートし、フォトマスクを介して紫外線を照射してイメージ露光を行った後、現像液（例えば炭酸ナトリウム）を複数のスプレーノズル４０から基材１の両面に向けて噴射して現像を行い、めっきレジスト３を形成する（図３参照）。
パターンめっき装置１３は、現像装置１２の下流側に配置されて第２ライン２２に沿って直線状に並ぶ複数のめっき室１３ａを有し、各めっき室１３ａ内において、導電性薄膜２におけるめっきレジスト３が形成されていない表面領域に、導体パターン４を形成する（パターンめっき工程）。具体的には、めっき槽（図示省略）内の所定のめっき液（例えば硫酸銅めっき液）に基材１を起立状態で浸漬しながら搬送し、搬送しながら浸漬し、電気めっきすることによって導体パターン４を形成する。
パターンめっき装置１３で行われるパターンめっき工程は、めっき前処理とめっき処理とめっき後処理とを含む。基材１は、めっき前処理用の複数の処理槽とめっき処理用の複数の処理槽（めっき槽）とめっき後処理用の複数の処理槽とを、各処理槽内の処理液に浸漬した状態で順番に移動する。第２ライン２２のレール３１は、基材１を各処理槽内の処理液に十分に浸漬させる高さ位置に設定され、各処理槽の前後には、処理液に対して基材１の投入（下降）及び取出し（上昇）を行う昇降装置が設けられている。昇降装置は、ワーク保持部材３０を上昇させてレール３１から可動部３６を離脱させ、ワーク保持部材３０を下流側へ所定距離移動した後に下降させて、可動部３６をレール３１に再び載置する。これにより、めっき前処理に到達した基材１は、処理槽の上流端で下降して処理液に浸漬して処理液内を移動し、処理槽の下流端で上昇して次の処理槽へ移動するという動作を、最初（最上流）の処理槽から最後（最下流）の処理槽まで繰り返した後、めっき処理へ移動する。めっき処理に到達した基材１は、めっき槽の上流端で下降して処理液に浸漬して処理液内を移動し、めっき槽の下流端で上昇して次のめっき槽へ移動するという動作を、最初（最上流）のめっき槽から最後（最下流）のめっき槽まで繰り返した後、めっき後処理へ移動する。めっき後処理に到達した基材１は、処理槽の上流端で下降して処理液に浸漬して処理液内を移動し、処理槽の下流端で上昇して次の処理槽へ移動するという動作を、最初（最上流）の処理槽から最後（最下流）の処理槽まで繰り返した後、第４ライン２４（第２の搬送室４２）へ移動する。
剥離装置１４は、パターンめっき装置１３の下流側に配置され、導電性薄膜２上からめっきレジスト３を剥離する（剥離工程）。具体的には、所定の剥離液（例えばアミン系剥離液）を、上記現像装置１２の場合と同様に複数のスプレーノズル（図示省略）から基材１の両面に向けて噴射して、めっきレジスト３を剥離する。
エッチング装置１５は、剥離装置１４の下流側に配置され、導体パターン４下の領域を除く導電性薄膜２を、所定のエッチング液を用いた化学エッチングにより除去する（エッチング工程）。具体的には、所定のエッチング液（処理液）を、上記現像装置１２の場合と同様に複数のスプレーノズル（図示省略）から基材１の両面に向けて噴射して、導体パターン４下の領域を除く導電性薄膜２を除去する。
洗浄装置１６は、各装置１２，１３，１４，１５の各処理（各工程）の下流側（現像装置１２では現像処理の下流側、パターンめっき装置１３ではめっき前処理の下流側とめっき処理の下流側とめっき後処理の下流側、剥離装置１４では剥離処理の下流側、エッチング装置１５ではエッチング処理の下流側）にそれぞれ付帯して設けられ、基材１の両面を洗浄する。具体的には、水又は温水を、上記現像装置１２の場合と同様に複数のスプレーノズル（図示省略）から基材１の両面に向けて噴射して、基材１の両面を洗浄する。なお、パターンめっき装置１３に付帯する洗浄装置１６は、洗浄液を貯留する洗浄槽であってもよい。この場合、洗浄槽の前後には、洗浄液に対して基材１の投入及び取出しを行う昇降装置が設けられ、基材１は、洗浄液に浸漬した状態で洗浄される。
本実施形態によれば、ワーク供給位置２５から現像工程、パターンめっき工程、剥離工程及びエッチング工程を経由してワーク取出位置２６まで連続する搬送経路２０の全域において、基材１が略鉛直に起立した姿勢で搬送（垂直搬送）される。このため、基材１と搬送ローラー等との接触を防止することができ、断線等の不良の発生を抑制することができる。
また、各工程間を搬送経路２０が連続するので、工程間で基材１の取外しや取付けを行う必要がない。このため、作業効率の低下や、工数の増大や、搬送装置の分割による装置の大型化や複雑化を招くことがなく、且つ基材１の取外し及び取付けによる不良も発生しない。
以上、本発明について、上記実施形態に基づいて説明を行ったが、本発明は上記実施形態の内容に限定をされるものではなく、当然に本発明を逸脱しない範囲では適宜の変更が可能である。
例えば、上記実施形態では、現像装置１２からパターンめっき装置１３及び剥離装置１４を経由してエッチング装置１５に至る搬送経路２０の全域において基材１を連続的に垂直搬送したが、現像装置１２からパターンめっき装置１３までの範囲において基材１を垂直搬送し、他の範囲では基材１を水平搬送してもよく、また、パターンめっき装置１３から剥離装置１４（又はエッチング装置１５）までの範囲において基材１を垂直搬送し、他の範囲では基材１を水平搬送してもよい。
また、搬送経路２０を環状とせず、線状（例えば直線状）としてもよい。また、第１方向転換機構３２及び第２方向転換機構３３を設けず、レールを環状としてもよい。方向転換機構３２，３３を備えない搬送装置（例えば、搬送経路を線状とした場合やレールを環状とした場合など）を用いることにより、ロール材から引き出した基材を長尺状のまま連続して搬送することが可能となる。
本発明は、プリント配線板等の導体形成装置及び導体製造方法として広く用いることができる。
１：基材（基板、処理対象物）
２：導電性薄膜
３：めっきレジスト
４：導体パターン
１０：導体形成装置
１１：搬送装置（搬送手段）
１２：現像装置
１３：パターンめっき装置
１４：剥離装置
１５：エッチング装置
１６：洗浄装置
２０：搬送経路
２１：第１ライン
２２：第２ライン
２３：第３ライン
２４：第４ライン
２５：ワーク供給位置
２６：ワーク取出位置
３０：ワーク保持部材
３１：レール
３２：第１方向転換機構
３３：第２方向転換機構
４１：第１の搬送室
４２：第２の搬送室
４３：噴霧ノズル（第１の加湿手段）
４４：噴霧ノズル（第２の加湿手段）
Ｍ：作業者
２：導電性薄膜
３：めっきレジスト
４：導体パターン
１０：導体形成装置
１１：搬送装置（搬送手段）
１２：現像装置
１３：パターンめっき装置
１４：剥離装置
１５：エッチング装置
１６：洗浄装置
２０：搬送経路
２１：第１ライン
２２：第２ライン
２３：第３ライン
２４：第４ライン
２５：ワーク供給位置
２６：ワーク取出位置
３０：ワーク保持部材
３１：レール
３２：第１方向転換機構
３３：第２方向転換機構
４１：第１の搬送室
４２：第２の搬送室
４３：噴霧ノズル（第１の加湿手段）
４４：噴霧ノズル（第２の加湿手段）
Ｍ：作業者
Claims (6)
- 絶縁性の基板の表面に導電性薄膜を有する処理対象物を、所定の搬送経路に沿って上流側から下流側へ搬送する搬送手段と、
前記搬送経路に沿って搬送される前記処理対象物の前記導電性薄膜上に、導体パターンとは逆パターンのめっきレジストを形成する現像装置と、
前記現像装置の下流側に配置され、前記導電性薄膜における前記めっきレジストが形成されていない表面領域に、前記導体パターンを形成するパターンめっき装置と、
前記パターンめっき装置の下流側に配置され、前記導電性薄膜上からめっきレジストを剥離する剥離装置と、
前記剥離装置の下流側に配置され、前記導体パターン下の領域を除く前記導電性薄膜を、所定のエッチング液を用いた化学エッチングにより除去するエッチング装置と、を備え、
前記搬送手段は、前記現像装置から前記パターンめっき装置及び前記剥離装置を経由して前記エッチング装置に至る前記搬送経路のうち、少なくとも前記現像装置から前記パターンめっき装置までの範囲において、前記処理対象物を略鉛直に起立した姿勢で連続的に搬送する
ことを特徴とする導体形成装置。 - 請求項１に記載の導体形成装置であって、
前記現像工程と前記パターンめっき装置との間に配置され、前記搬送経路に沿って搬送される前記処理対象物が通過する搬送室を備え、
前記搬送室には、前記処理対象物の乾燥を防止するために前記搬送室を加湿する加湿手段が設けられている
ことを特徴とする導体形成装置。 - 請求項１又は請求項２に記載の導体形成装置であって、
前記搬送手段は、前記現像装置から前記パターンめっき装置及び前記剥離装置を経由して前記エッチング装置に至る前記搬送経路の全域において、前記処理対象物を略鉛直に起立した姿勢で連続的に搬送する
ことを特徴とする導体形成装置。 - 絶縁性の基板の表面に導電性薄膜を有する処理対象物を、所定の搬送経路に沿って上流側から下流側へ搬送する搬送手段と、
前記搬送経路に沿って搬送される前記処理対象物の前記導電性薄膜上に、導体パターンとは逆パターンのめっきレジストを形成する現像装置と、
前記現像装置の下流側に配置され、前記導電性薄膜における前記めっきレジストが形成されていない表面領域に、前記導体パターンを形成するパターンめっき装置と、
前記パターンめっき装置の下流側に配置され、前記導電性薄膜上からめっきレジストを剥離する剥離装置と、
前記剥離装置の下流側に配置され、前記導体パターン下の領域を除く前記導電性薄膜を、所定のエッチング液を用いた化学エッチングにより除去するエッチング装置と、を備え、
前記搬送手段は、前記現像装置から前記パターンめっき装置及び前記剥離装置を経由して前記エッチング装置に至る前記搬送経路のうち、少なくとも前記パターンめっき装置から前記剥離装置までの範囲において、前記処理対象物を略鉛直に起立した姿勢で連続的に搬送する
ことを特徴とする導体形成装置。 - 絶縁性の基板の表面に導電性薄膜を有し所定の搬送経路に沿って搬送される処理対象物の前記導電性薄膜上に、導体パターンとは逆パターンのめっきレジストを形成する現像工程と、
前記現像工程から前記搬送経路に沿って搬送される前記処理対象物の前記導電性薄膜における前記めっきレジストが形成されていない表面領域に、前記導体パターンを形成するパターンめっき工程と、
前記パターンめっき工程から前記搬送経路に沿って搬送される前記処理対象物の前記導電性薄膜上から前記めっきレジストを剥離する剥離工程と、
前記剥離工程から前記搬送経路に沿って搬送される前記処理対象物の前記導体パターン下の領域を除く前記導電性薄膜を、所定のエッチング液を用いた化学エッチングにより除去するエッチング工程と、を備え、
前記現像工程から前記パターンめっき工程及び前記剥離工程を経由して前記エッチング工程に至る前記搬送経路のうち、少なくとも前記現像工程から前記パターンめっき工程までの範囲において、前記処理対象物を略鉛直に起立した姿勢で連続的に搬送する
ことを特徴とする導体製造方法。 - 絶縁性の基板の表面に導電性薄膜を有し所定の搬送経路に沿って搬送される処理対象物の前記導電性薄膜上に、導体パターンとは逆パターンのめっきレジストを形成する現像工程と、
前記現像工程から前記搬送経路に沿って搬送される前記処理対象物の前記導電性薄膜における前記めっきレジストが形成されていない表面領域に、前記導体パターンを形成するパターンめっき工程と、
前記パターンめっき工程から前記搬送経路に沿って搬送される前記処理対象物の前記導電性薄膜上から前記めっきレジストを剥離する剥離工程と、
前記剥離工程から前記搬送経路に沿って搬送される前記処理対象物の前記導体パターン下の領域を除く前記導電性薄膜を、所定のエッチング液を用いた化学エッチングにより除去するエッチング工程と、を備え、
前記現像工程から前記パターンめっき工程及び前記剥離工程を経由して前記エッチング工程に至る前記搬送経路のうち、少なくとも前記パターンめっき工程から前記剥離工程までの範囲において、前記処理対象物を略鉛直に起立した姿勢で連続的に搬送する
ことを特徴とする導体製造方法。
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