WO2017013904A1 - メタルマスク基材、メタルマスク基材の管理方法、メタルマスク、および、メタルマスクの製造方法 - Google Patents

メタルマスク基材、メタルマスク基材の管理方法、メタルマスク、および、メタルマスクの製造方法 Download PDF

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    • H10P76/40—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials
    • H10P76/408—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials characterised by their sizes, orientations, dispositions, behaviours or shapes
    • H10P76/4085—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials characterised by their sizes, orientations, dispositions, behaviours or shapes characterised by the processes involved to create the masks

Definitions

  • the present invention is a metal mask base material having a metal surface on which a resist is arranged, for example, a metal mask base material for forming a metal mask for an organic EL element, and a method for managing the metal mask base material
  • the present invention relates to a metal mask and a metal mask manufacturing method.
  • a metal mask substrate which is a metal plate is used.
  • a coating liquid containing a resist layer forming material is applied to the application surface of the metal mask base material, whereby a resist layer is formed.
  • the resist layer is exposed and developed to form a resist layer having a predetermined pattern, and the metal mask base material is etched through the resist layer, whereby a metal mask is manufactured.
  • the thickness of the resist layer varies depending on the amount of coating liquid applied to the coating surface and the degree to which the coating liquid is dried. May vary.
  • a dry film resist as the resist layer (see, for example, Patent Document 1).
  • the resist layer formed using the coating liquid is a layer in which the coating liquid directly applied to the metal mask substrate is cured on the coating surface, so that it is easy to form a shape following the coating surface. Therefore, it is easy to adhere to the metal mask base material.
  • the resist layer formed from the dry film resist is formed by a coating liquid because a layer that is a separate body from the metal mask base material is affixed to one surface of the metal mask base material. Compared to the resist layer, it has a shape that hardly follows the coated surface, and therefore, a part of the resist layer may be peeled off from the metal mask substrate.
  • the surface in contact with the resist layer is not limited to a metal mask substrate formed of a metal plate, for example, a laminate of a resin layer and a metal layer or a laminate in which a resin layer is sandwiched between metal layers.
  • a metal mask substrate formed of a metal plate
  • the metal mask base material is made of metal or alloy.
  • the above-described circumstances are common in a resist layer having low adhesion to a metal mask substrate.
  • the present invention provides a metal mask substrate having a surface capable of enhancing adhesion at the interface between the resist and the surface, a method for managing the metal mask substrate, a metal mask, and a method for manufacturing the metal mask. Objective.
  • a metal mask base material for solving the above-mentioned problems comprises a metal surface configured to be arranged with a resist, and the reflectance in regular reflection of light incident on the surface is 45.2% or more. is there.
  • the management method of the metal mask base material for solving the said subject prepares a metal mask base material provided with the metal surface comprised so that a resist may be arrange
  • the reflectance in regular reflection is 45.2% or more, it has been found that the surface roughness is reduced to such an extent that adhesion at the interface between the resist and the surface is enhanced, so that the resist is hardly peeled off from the surface. .
  • the reflectance at regular reflection is 45.2% or more for the light incident on the surface, so that the adhesion at the interface between the surface of the metal mask substrate and the resist is improved. Can do.
  • a direction orthogonal to the rolling direction of the metal mask base material is a width direction, and is a first plane perpendicular to the surface, and is within the first plane orthogonal to the rolling direction.
  • the reflectance in the regular reflection is the first reflectance
  • the reflectance in the regular reflection in the second plane perpendicular to the width direction is the second reflectance. It is.
  • the second reflectance may be greater than the first reflectance, and the first reflectance may be 45.2% or more.
  • the adhesion at the interface between the surface of the metal mask base material and the resist is further improved. Can be increased.
  • the surface may include a portion in which a difference obtained by subtracting the first reflectance from the second reflectance is 10.2% or more.
  • the above configuration is more preferable for improving the adhesion at the interface between the surface of the metal mask substrate and the resist because the surface includes a portion where the second reflectance is 10.2% or more larger than the first reflectance. .
  • the surface may have a three-dimensional surface roughness Sa of 0.11 ⁇ m or less and a three-dimensional surface roughness Sz of 3.17 ⁇ m or less.
  • the reflectance in regular reflection is 45.2% or more, and the three-dimensional surface roughness Sa is 0.11 ⁇ m or less. Since the thickness Sz is 3.17 ⁇ m or less, the adhesion at the interface between the resist and the surface is more reliably increased.
  • the surface is a first surface
  • the resist is a first resist
  • a second resist is arranged.
  • the metal second surface may be further provided, and the reflectance in the regular reflection of the light incident on the second surface may be 45.2% or more.
  • the adhesion between the first surface and the first resist and the adhesion between the second surface and the second resist are improved. Therefore, in the etching on the first surface and the second surface, processing is performed. It is possible to improve the accuracy.
  • the surface may be made of Invar. According to the above configuration, since the linear expansion coefficient of the glass substrate and the linear expansion coefficient of Invar are approximately the same, the metal mask formed from the metal mask base material is applied to film formation on the glass substrate, that is, the shape It is possible to apply a metal mask with improved accuracy to film formation on a glass substrate.
  • the resist is preferably a dry film resist, and the surface is preferably configured such that the dry film resist is attached.
  • the resist is a dry film resist and the surface is configured to be attached with the dry film resist.
  • the adhesion between the metal surface configured to be attached with the dry film resist and the dry film resist is enhanced.
  • a metal mask for solving the above-described problems is a metal mask provided with a metal mask base having a metal surface.
  • the metal mask base includes a plurality of through holes having openings on the surface while penetrating the metal mask base along the thickness direction of the metal mask base.
  • a method of manufacturing a metal mask for solving the above-described problem includes a metal surface configured so that a resist is disposed, and the three-dimensional surface roughness Sa of the surface is 0.11 ⁇ m or less, and the surface Preparing a metal mask base material having a three-dimensional surface roughness Sz of 3.17 ⁇ m or less, disposing a resist on the surface, and in the thickness direction of the metal mask base material on the metal mask base material Forming a plurality of recesses in the metal mask base material through the resist, and forming through holes for forming a plurality of recesses having depressions along the surface and having openings on the surface. And comprising.
  • an average value in the dimension of the opening in a plan view facing the surface is A, and a value obtained by multiplying the standard deviation of the dimension by 3 is B.
  • the said recessed part is formed in the said several metal mask base material so that (B / A) * 100 (%) may be 10% or less.
  • the adhesion at the interface between the resist and the surface can be enhanced in the metal mask base material.
  • the management method of the metal mask base material by which the adhesiveness in the interface of a resist and the surface was improved can be provided.
  • FIG. 1 It is a fragmentary perspective view which shows the partial perspective structure of the metal mask base material for dry film resist in one Embodiment which actualized the metal mask base material of this invention as a metal mask base material for dry film resist. It is a fragmentary sectional view which shows the partial cross-section in an example of the metal mask base material for dry film resists. It is a fragmentary sectional view which shows the partial cross-section in an example of the metal mask base material for dry film resists. It is a fragmentary sectional view which shows the partial cross-section in an example of the metal mask base material for dry film resists.
  • FIG. 1 shows the partial perspective structure of the metal mask base material for dry film resist in one Embodiment which actualized the metal mask base material of this invention as a metal mask base material for dry film resist. It is a fragmentary sectional view which shows the partial cross-section in an example of the metal mask base material for dry film resists. It is a fragmentary sectional view which shows the partial cross-section in an example of the metal mask base material
  • FIG. 5 is a process diagram for explaining a method for managing a metal mask substrate for dry film resist in one embodiment in which the method for managing a metal mask substrate of the present invention is embodied as a method for managing a metal mask substrate for dry film resist. is there. It is process drawing for demonstrating the manufacturing method of the metal mask base material for dry film resists, Comprising: It is process drawing which shows the process of rolling the base material formed from the invar. It is process drawing for demonstrating the manufacturing method of the metal mask base material for dry film resists, Comprising: It is process drawing which shows the process of annealing a rolling material. It is process drawing for demonstrating the manufacturing method of a metal mask, Comprising: It is process drawing which shows the process of sticking a dry film resist.
  • the metal mask base material and the metal mask base material management method of the present invention are embodied as a dry film resist metal mask and a dry film resist metal mask management method.
  • a dry film resist metal mask and a dry film resist metal mask management method One embodiment of the metal mask and the method of manufacturing the metal mask will be described.
  • the metal mask manufactured using the metal mask base material for dry film resist in this embodiment is used when the organic material which comprises an organic EL element is vapor-deposited with respect to a glass substrate in the manufacturing process of an organic EL element. It is a mask.
  • the metal mask base material 11 is an example of a metal mask base material for dry film resist, and is a metal layer that spreads along one surface.
  • the metal mask base material 11 is provided with the metal 1st surface 11a, and the 1st surface 11a is an example of the surface comprised so that a resist may be arrange
  • the reflectance in the regular reflection of the light which injected into the 1st surface 11a is 45.2% or more.
  • the reflectance in regular reflection is light emitted from a halogen lamp and incident light having an incident angle of 45 ° ⁇ 0.2 ° with respect to the normal direction of the first surface 11a of the metal mask base 11. It is the reflectance in regular reflection.
  • the first surface 11a of the metal mask base material 11 is attached to the surface.
  • the adhesion at the interface with the first dry film resist 12 which is an example of the attached dry film resist can be improved.
  • the laminated body in which the first dry film resist 12 is attached to the first surface 11a of the metal mask base material 11 is a metal mask forming intermediate 10 that is an intermediate for forming a metal mask.
  • the direction rolled when the metal mask base material 11 is manufactured is a rolling direction
  • the direction orthogonal to the rolling direction is the width direction.
  • the reflectance on the first surface 11a of the metal mask substrate 11 the reflectance in the regular reflection in the first plane perpendicular to the first surface 11a and perpendicular to the rolling direction is the first reflection. Rate.
  • the reflectance in the regular reflection in the second plane perpendicular to the first surface 11a and orthogonal to the width direction is the second reflectance.
  • the second reflectance is larger than the first reflectance, and the first reflectance is 45.2% or more.
  • the relatively small reflectivity is 45.2% or more, so the adhesion at the interface between the surface of the metal mask substrate 11 and the dry film resist 12 is improved. Can be increased.
  • the first surface 11a includes a portion where the difference obtained by subtracting the first reflectance from the second reflectance is 10.2% or more. Since the first surface 11a includes a portion where the second reflectance is 10.2% or more larger than the first reflectance, the adhesion at the interface between the first surface 11a of the metal mask base material 11 and the dry film resist 12 is increased. It is more preferable to increase the value.
  • the three-dimensional surface roughness Sa is 0.11 ⁇ m or less, and the three-dimensional surface roughness Sz is 3.17 ⁇ m or less.
  • the three-dimensional surface roughness Sa and the three-dimensional surface roughness Sz are values measured by a method according to ISO 25178.
  • the three-dimensional surface roughness Sa is the arithmetic average height Sa in the definition region having a predetermined area, and the three-dimensional surface roughness Sz is the maximum height Sz in the definition region having a predetermined area.
  • the three-dimensional surface roughness Sa is 0.11 ⁇ m or less and the three-dimensional surface roughness Sz is 3 while the reflectance in regular reflection is 45.2% or more. Since the thickness is 17 ⁇ m or less, the adhesion at the interface between the first dry film resist 12 and the first surface 11a is more reliably increased.
  • the material for forming the metal layer is, for example, invar, that is, an alloy containing iron and nickel as main components, and is preferably an alloy containing 36% by mass of nickel.
  • the surface of the metal mask base material 11 is preferably made of Invar.
  • the linear expansion coefficient of Invar is about 1.2 ⁇ 10 ⁇ 6 / ° C.
  • the thickness of the metal layer is preferably 10 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less, for example.
  • the material for forming the metal layer is Invar
  • the linear expansion coefficient of the glass substrate and the linear expansion coefficient of Invar are approximately the same, so the metal mask formed from the metal mask base material 11 is applied to film formation on the glass substrate. In other words, it is possible to apply a metal mask whose shape accuracy is improved to film formation on a glass substrate.
  • the first dry film resist 12 is formed of, for example, a negative resist that is an example of a photosensitive material.
  • the material for forming the first dry film resist 12 is, for example, an acrylic resin that is crosslinked by photopolymerization.
  • the thickness of the first dry film resist 12 is preferably 5 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, for example.
  • the first dry film resist 12 may be formed from a positive resist, but in general, a negative resist is often used as a material for forming the first dry film resist 12.
  • FIG. 2 shows a first embodiment in which the metal mask base material 11 is composed of one metal layer
  • FIG. 3 shows that the metal mask base material 11 has one metal layer and one resin layer.
  • the 2nd form which is an example comprised from is shown.
  • FIG. 4 has shown the 3rd form which is an example in which the metal mask base material 11 is comprised from two metal layers and one resin layer.
  • the metal layer 21 includes a second surface 11b that is a surface opposite to the first surface 11a.
  • the first surface 11a is a metal surface configured such that the first dry film resist 12 is attached thereto
  • the second surface 11b is a metal surface configured such that the resist is disposed. Is a metal surface configured such that the second dry film resist 13 is attached thereto.
  • the metal mask forming intermediate 10 includes a metal layer 21, a first dry film resist 12, and a second dry film resist 13.
  • the reflectance in regular reflection is 45.2% or more.
  • the adhesion between the second dry film resist 13 and the metal layer 21 can be enhanced also on the second surface 11 b.
  • the second surface 11b it is preferable that the three-dimensional surface roughness Sa is 0.11 ⁇ m or less and the three-dimensional surface roughness Sz is 3.17 ⁇ m or less, like the first surface 11a.
  • the second surface 11b in addition to the first surface 11a, also has more adhesion at the interface between the second dry film resist 13 and the second surface 11b. Will definitely increase.
  • the material for forming the second dry film resist 13 is an acrylic resin that is cross-linked by, for example, photopolymerization, like the first dry film resist 12.
  • the thickness of the 2nd dry film resist 13 is 5 micrometers or more and 20 micrometers or less, for example.
  • the metal mask base material 11 may include a metal layer 21 and a resin layer 22 located on the opposite side of the metal layer 21 from the first dry film resist 12. It is preferable that the linear expansion coefficient of the resin layer 22 and the linear expansion coefficient of the metal layer 21 have the same tendency as temperature dependence and have the same linear expansion coefficient value.
  • the metal layer 21 is an Invar layer formed from, for example, Invar
  • the resin layer 22 is a polyimide layer formed from, for example, polyimide. According to this metal mask base material 11, warpage of the metal mask base material 11 due to the difference between the linear expansion coefficient of the metal layer 21 and the linear expansion coefficient of the resin layer 22 can be suppressed.
  • the metal mask forming intermediate 10 in the second embodiment is composed of a metal layer 21, a first dry film resist 12, and a resin layer 22.
  • the resin layer 22 may be formed by coating the metal layer 21, or may be formed in a film shape separately from the metal layer 21 and attached to the metal layer 21.
  • the resin layer 22 may include an adhesive layer that exhibits adhesiveness to the metal layer 21, and the adhesive layer may be attached to the metal layer 21.
  • the metal mask base material 11 is opposite to the metal layer 21 with respect to the resin layer 22 in the thickness direction of the metal mask base material 11. You may further provide the other metal layer 23 located in.
  • the surface of the metal mask base material 11 opposite to the first surface 11a and including the metal layer 23 is the second surface 11b.
  • the material for forming the other metal layer 23 is, for example, invar, that is, an alloy containing iron and nickel as main components, like the metal layer 21, and is preferably an alloy containing 36% by mass of nickel.
  • the thickness of the metal layer 23 is preferably 10 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less, for example.
  • the thicknesses of the other metal layers 23 may be the same as or different from the thickness of the metal layer 21.
  • the reflectance in regular reflection is preferably 45.2% or more on the second surface 11b included in the other metal layer 23.
  • the three-dimensional surface roughness Sa is 0.11 ⁇ m or less and the three-dimensional surface roughness Sz is 3.17 ⁇ m or less.
  • the metal mask base material 11 is a structure in which the metal layer 21 and the resin layer 22 are laminated, and the metal layer 23 and the resin layer 22 are laminated.
  • the same effect as that of the second embodiment of the metal mask base 11, that is, the metal mask base 11 can also be obtained.
  • the metal mask forming intermediate 10 includes metal layers 21 and 23, a first dry film resist 12, a resin layer 22, and a second dry film resist 14.
  • the resin layer 22 may be formed by coating on one of the two metal layers 21 and 23, or may be formed in a film shape separately from the metal layers 21 and 23, and the metal layers 21 and 23. It may be affixed to. And when the resin layer 22 is affixed on the metal layers 21 and 23, the resin layer 22 is the adhesive layer which expresses adhesiveness with the metal layer 21, and the adhesive layer which expresses adhesiveness with the metal layer 23.
  • the adhesive layers may be attached to the two metal layers 21 and 23, respectively.
  • the management method of the metal mask substrate for dry film resist includes a preparation process, an incident process, a measurement process, a calculation process, and a determination process. That is, a method for managing a metal mask substrate for a dry film resist includes preparing a metal mask substrate for a dry film resist having a metal surface configured to be attached with a dry film resist, and a dry film Providing light on the surface of the resist metal mask substrate. Moreover, the management method of the metal mask base material for dry film resists measures the light quantity of the light regularly reflected on the surface out of the light incident on the surface, and the regular reflected light with respect to the light quantity incident on the surface. Calculation of the reflectance in regular reflection as the ratio of the amount of light, and determining whether the reflectance is 45.2% or more are provided.
  • an automatic goniophotometer PM is used in the above-described incident process and measurement process.
  • the automatic goniophotometer PM includes a light source LS that is a halogen lamp and a light receiving unit LR that receives reflected light reflected by a test piece disposed in the automatic goniophotometer PM.
  • test piece T Prior to the incident process, a test piece T obtained by cutting out a part of the metal mask base material for dry film resist is prepared.
  • the test piece T has a measurement surface Ts that is a part of the surface of the metal mask substrate for dry film resist. And the test piece T is arrange
  • the angle formed by the normal direction N of the measurement surface Ts of the test piece T and the incident direction of the light emitted from the light source LS is the incident angle ⁇ of the light emitted from the light source LS.
  • the incident step light is incident on the measurement surface Ts at a predetermined incident angle ⁇ , for example, an incident angle ⁇ of 45 ° ⁇ 0.2 °.
  • the amount of light incident on the measurement surface Ts is the amount of light emitted from the light source LS.
  • the angle formed by the normal direction N of the measurement surface Ts and the emission direction of the light emitted from the measurement surface Ts is the emission angle ⁇ of the light emitted from the measurement surface Ts.
  • the emission angle ⁇ of light regularly reflected on the measurement surface Ts is equal to the incident angle ⁇ of light incident on the measurement surface Ts. That is, the emission angle ⁇ of the regularly reflected light is 45 ° ⁇ 0.2 °.
  • the light receiving element included in the light receiving unit LR receives at least specularly reflected light among the light reflected by the measurement surface Ts.
  • the light receiving element included in the light receiving unit LR generates an analog signal corresponding to the amount of received light
  • the conversion circuit included in the light receiving unit LR converts the analog signal generated by the light receiving element into a digital signal, This digital signal is generated as the amount of reflected light.
  • the light receiving element included in the light receiving unit LR receives, for example, every 0.1 ° from light having an emission angle ⁇ of 0 ° to light having an emission angle ⁇ of 90 °.
  • the light receiving element included in the light receiving unit LR rotates around a rotation axis A that is orthogonal to the normal direction N and extends along the measurement surface Ts of the test piece T.
  • the test piece T is arranged so that the rotation axis A about which the light receiving element rotates is parallel to the measurement surface Ts.
  • the calculation step is performed by, for example, a calculation unit included in the light receiving unit LR built in the automatic variable angle photometer PM based on a signal current obtained by photoelectrically converting the intensity of light received by the light receiving unit LR.
  • This is performed by an arithmetic unit connected to the automatic goniophotometer PM.
  • the calculation unit substitutes the light amount of incident light input in advance and the light amount of reflected light, which is a digital signal generated in the measurement process, into the above-described equation (1) to reflect light at each emission angle ⁇ . Calculate the rate.
  • the automatic variable angle photometer PM outputs the calculated reflectance to the arithmetic device as a digital signal.
  • the arithmetic unit determines whether or not the reflectance of the light in the regular reflection is 45.2% or more based on the digital signal output from the automatic goniophotometer PM. According to such a management method, it is determined whether or not the reflectance of light in regular reflection is 45.2% or more on the surface of the metal mask base material. Therefore, the adhesion at the interface between the dry film resist and the surface is determined.
  • the metal mask base material for dry film resist can be managed in the state provided with the surface which can improve the.
  • the surface state of a metal mask substrate for dry film resist is often managed using surface roughness.
  • the region where the surface roughness can be measured at one time is, for example, a region having a rectangular shape with a side length of about several hundreds ⁇ m and a very small region. Therefore, in order to accurately grasp the surface condition of almost the entire metal mask substrate for dry film resist from the measured value of the surface roughness, the surface roughness of a very large number of locations on the metal mask substrate for dry film resist It is necessary to measure the thickness.
  • the region where the reflectance in regular reflection can be measured at one time is significantly larger than the region where the surface roughness can be measured at once, and it is necessary to obtain the reflectance.
  • the time is also significantly shorter than the time required to obtain the surface roughness.
  • the management of grasping the surface macroscopically is preferable to the measurement of the surface roughness described above.
  • the size of the region where the reflectance in regular reflection can be measured at once is expanded to the extent that affects the adhesion between the surface of the metal mask substrate for dry film resist and the dry film resist. It is also easy to do. Therefore, one value in reflectance is a value reflecting the state of a larger region on the surface of the metal mask substrate for dry film resist as compared with one value in surface roughness, and it is necessary to obtain it.
  • the load is also a small value.
  • the number of measurement points on the surface is smaller than when managing the metal mask substrate for dry film resist using the surface roughness. It becomes possible to grasp the surface state with at least the same degree of accuracy.
  • the metal mask base material for dry film resist is managed by two values of the three-dimensional surface roughness Sa and the three-dimensional surface roughness Sz. There is a case.
  • the metal mask base material for dry film resists using a reflectance management is possible only by the measured value of the reflectance in regular reflection. That is, the metal mask for dry film resist can be managed by one value, and the metal mask for dry film resist is compared with the case where the metal mask base for dry film resist is managed using the surface roughness. The load required for management of the substrate can be reduced.
  • a device other than the automatic goniophotometer PM may perform the calculation process using the measurement result of the automatic goniophotometer PM, or the automatic goniophotometer PM may perform the determination process. Good.
  • the manufacturing method of the metal mask base material for dry film resist is demonstrated.
  • the metal mask base 11 is composed of one metal layer 21, that is, the first mode described with reference to FIG. 2 will be used.
  • the base material 21a is directed toward the rolling device 30 including a pair of rolling rollers 31 and 32 so that the rolling direction D1 of the base material 21a and the transport direction D2 for transporting the base material 21a are parallel to each other. Convey along.
  • the base material 21 a When the base material 21 a reaches between the pair of rolling rollers 31 and 32, the base material 21 a is rolled by the pair of rolling rollers 31 and 32. Thereby, the thickness of the base material 21a is reduced, and the base material 21a is extended along the conveyance direction D2, whereby the rolled material 21b can be obtained.
  • the rolled material 21b is wound around the core C, the rolled material 21b may be handled in a state where the rolled material 21b is stretched into a band shape without being wound around the core C.
  • the thickness of the rolling material 21b is, for example, not less than 10 ⁇ m and not more than 50 ⁇ m.
  • the rolled material 21b is annealed using an annealing device 33.
  • the metal layer 21 as a metal mask base material is obtained. Since the annealing of the rolled material 21b is performed while pulling the rolled material 21b along the transport direction D2, it is possible to obtain the metal layer 21 as a metal mask base material in which the residual stress is reduced compared to the rolled material 21b before the annealing. it can.
  • each of the rolling process and the annealing process described above may be modified as follows. That is, for example, in the rolling process, a rolling device including a plurality of pairs of rolling rollers may be used. Moreover, you may manufacture the metal layer 21 by repeating a rolling process and an annealing process in multiple times. Further, in the annealing step, the rolled material 21b may be annealed with respect to the rolled material 21b wound around the core C, instead of annealing the rolled material 21b while pulling the rolled material 21b along the transport direction D2. .
  • the metal layer 21 is wound around the core C, so that the annealed metal layer 21 includes the metal layer 21.
  • warp wrinkles depending on the diameter of the sticker. Therefore, depending on the size of the diameter when the metal layer 21 is wound around the core C and the material forming the base material 21a, it is preferable to anneal the rolled material 21b while pulling the rolled material 21b along the transport direction D2.
  • the method for producing a metal mask includes preparing a metal mask base material having a metal surface, disposing a resist on the surface, recessing the metal mask base material along the thickness direction of the metal mask base material, and Forming through holes for forming a plurality of recesses having openings on the surface in the resist, and forming a plurality of recesses in the metal mask base material.
  • the size of the opening of the concave portion may be the diameter of the opening.
  • the concave portion of the metal mask base material is a hole that defines a region having a rectangular shape extending along one direction, the dimension at the opening of the concave portion is The dimension along the longitudinal direction of an opening may be sufficient, and the dimension along the transversal direction of an opening may be sufficient.
  • the concave portion of the metal mask base material is a hole that defines an area having a square shape
  • the dimension of the opening of the concave part is the dimension of one side of the opening. I just need it.
  • the concave portion is a hole that divides a rectangular shape extending along one direction or a region having a square shape
  • the corner portion of the region defined by the concave portion is inside the region defined by the concave portion. It may have an arc shape having a center of curvature.
  • the metal mask base material that is the metal layer 21 including the first surface 11a and the second surface 11b described above, and the first surface 11a.
  • a first dry film resist 12 to be attached and a second dry film resist 13 to be attached to the second surface 11b are prepared.
  • Each of the two dry film resists 12 and 13 is a film formed separately from the metal layer 21.
  • the first dry film resist 12 is attached to the first surface 11a, and the second dry film resist 13 is attached to the second surface 11b. That is, the first dry film resist 12 is laminated on the first surface 11a, and the second dry film resist 13 is laminated on the second surface 11b.
  • the first surface 11 a of the metal layer 21 is applied by applying predetermined heat and pressure to the three layers in a state where the metal layer 21 is sandwiched between two dry film resists.
  • the first dry film resist 12 is attached to the second surface 11b, and the second dry film resist 13 is attached to the second surface 11b.
  • the first dry film resist 12 and the second dry film resist 13 may be separately attached to the metal layer 21.
  • each of the first surface 11a and the second surface 11b of the metal layer 21 is preferably a smooth surface.
  • the reflectance in regular reflection is 45.2% or more in each of the first surface 11a and the second surface 11b, the dry film resists 12, 13 and Adhesion with the metal layer 21 is enhanced.
  • the metal mask forming intermediate is manufactured.
  • portions of the dry film resists 12 and 13 other than the portions where the through holes are formed are exposed, and the exposed dry film resist is developed.
  • the first through hole 12 a is formed in the first dry film resist 12
  • the second through hole 13 a is formed in the second dry film resist 13. That is, the first dry film resist 12 and the second dry film resist 13 are patterned.
  • first dry film resist 12 When the first dry film resist 12 is exposed, light is allowed to reach a portion other than the portion where the first through hole 12a is formed on the surface of the first dry film resist 12 opposite to the surface in contact with the metal layer 21. Place the original version configured in.
  • second dry film resist 13 When the second dry film resist 13 is exposed, light is allowed to reach a portion other than the portion where the second through-hole 13a is formed on the surface of the second dry film resist 13 opposite to the surface in contact with the metal layer 21. Place the original version configured in.
  • a sodium carbonate aqueous solution is used as the developer.
  • the first surface 11 a of the metal layer 21 is etched using ferric chloride solution using the first dry film resist 12 as a mask, that is, through the first dry film resist 12. .
  • the second protective layer 41 is formed on the second dry film resist 13 so that the second surface 11b of the metal layer 21 is not etched simultaneously with the first surface 11a.
  • the material for forming the second protective layer 41 may be any material that is difficult to be etched by the ferric chloride solution.
  • a first recess 11c1 that is recessed toward the second surface 11b is formed on the first surface 11a of the metal layer 21 through the first through hole 12a of the first dry film resist 12.
  • the 1st recessed part 11c1 has the 1st opening 51 opened to the 1st surface 11a.
  • the ferric chloride solution contacts the first surface 11 a of the metal layer 21 through the first through-holes 12 a formed in the first dry film resist 12.
  • the ferric chloride solution is prevented from entering the interface between the first dry film resist 12 and the metal layer 21. Therefore, the first recess 11c1 is formed in the metal layer 21 in a state where the accuracy of the shape is enhanced.
  • the first dry film resist 12 formed on the first surface 11a of the metal layer 21 and the second protective layer 41 in contact with the second dry film resist 13 are removed. Further, a first protective layer 42 for preventing the etching of the first surface 11 a is formed on the first surface 11 a of the metal layer 21.
  • the material for forming the first protective layer 42 may be any material that is difficult to be etched by ferric chloride solution.
  • the second surface 11b of the metal layer 21 is etched using a ferric chloride solution using the second dry film resist 13 as a mask.
  • a second recess 11c2 that is recessed toward the first surface 11a is formed on the second surface 11b of the metal layer 21 via the second through hole 13a of the second dry film resist 13.
  • the second recess 11c2 has a second opening 52 that opens to the second surface 11b, and the second opening 52 is larger than the first opening 51 in plan view facing the second surface 11b.
  • the adhesion between the second dry film resist 13 and the metal layer 21 is also improved. Therefore, when the metal layer 21 is exposed to the ferric chloride solution, the ferric chloride solution contacts the second surface 11b of the metal layer 21 through the second through-hole 13a formed in the second dry film resist 13. On the other hand, the ferric chloride solution is prevented from entering the interface between the second dry film resist 13 and the metal layer 21. Therefore, the second concave portion 11c2 is formed in the metal layer 21 in a state where the shape accuracy is enhanced.
  • the metal mask 60 is a processed metal mask base 11 and includes a mask base 61 that is an example of a metal mask base.
  • the mask base 61 includes a first mask surface 61a that is a metal surface corresponding to the first surface 11a of the metal mask base material 11 and from which the first dry film resist 12 has been removed.
  • the mask base 61 includes a second mask surface 61b that is a metal surface corresponding to the second surface 11b of the metal mask base material 11 and from which the second dry film resist 13 has been removed.
  • the through-hole 61c penetrates between the first mask surface 61a and the second mask surface 61b, and the cross-sectional area in the direction perpendicular to the direction in which the through-hole 61c penetrates the mask base 61 is the same as that of the first mask surface 61a and the second mask surface 61b. It is the smallest between the two mask surfaces 61b.
  • the through-hole 61c has the first opening 51 and the first opening 51 in the thickness direction of the mask base 61 in the first opening 51 opening in the first mask surface 61a, the second opening 52 opening in the second mask surface 61b.
  • a constricted portion 53 is provided between the two openings 52.
  • the first opening 51 is smaller than the second opening 52 in a plan view facing the first mask surface 61a.
  • the through hole 61 c has a shape in which the cross-sectional area decreases from the first opening 51 toward the constricted portion 53, and the cross-sectional area decreases from the second opening 52 toward the constricted portion 53.
  • the distance between the 1st opening 51 and the narrow part 53 ie, the distance between the 1st mask surface 61a and the narrow part 53, is so preferable that it is small.
  • the metal mask 60 when the average value in the dimension of the first opening 51 in a plan view facing the first mask surface 61a is A and the value obtained by multiplying the standard deviation of the dimension by 3 is B / A) ⁇ 100 (%) is preferably 10% or less. Further, in the metal mask 60, when the average value in the dimension of the second opening 52 in a plan view facing the second mask surface 61b is A and the value obtained by multiplying the standard deviation of the dimension by 3 is B / A) ⁇ 100 (%) is preferably 10% or less.
  • (B / A) ⁇ 100 (%) is 10% or less. Therefore, the accuracy of the dimension of the through hole 61c of the metal mask 60 in the first opening 51 and the dimension of the second opening 52 are High accuracy.
  • the 1st dry film resist 12 is affixed on the 1st surface 11a of the metal mask base material 11, if it is the following premise, various processes, for example, a washing process, etc. may be performed.
  • various processes for example, a washing process, etc. may be performed.
  • the reflectance in regular reflection, the three-dimensional surface roughness Sa, and the three-dimensional surface roughness Sz on the first mask surface 61a are the surfaces before the processing. This is a process that can be maintained substantially at the value in the first surface 11a.
  • each of the reflectance in regular reflection, the three-dimensional surface roughness Sa, and the three-dimensional surface roughness Sz is the surface before the processing on the second mask surface 61b. This is a process that can be substantially maintained at the value on the second surface 11b.
  • the mask base 61 is formed with a plurality of through holes 61c penetrating the mask base 61 along the thickness direction, and the plurality of through holes 61c are opened in the first mask surface 61a.
  • the plurality of through holes 61c are, for example, regularly arranged along one direction along the first mask surface 61a and along a direction orthogonal to the one direction in a plan view facing the first mask surface 61a. Lined up regularly.
  • the metal mask forming intermediate is formed from the metal layer, the resin layer, and the first dry film resist 12. Composed. Etching using the first dry film resist 12 as a mask is performed on such a metal mask forming intermediate, while the resin layer may be perforated by laser processing or the like.
  • the mask base 61 is composed of a metal layer and a resin layer. While the mask base 61 has the first mask surface 61a, the surface opposite to the first mask surface 61a is included in the resin layer, not the metal surface. In such a configuration, it is preferable that the second opening 52 is formed in the first mask surface 61a, and the first opening 51 is formed in the surface included in the resin layer.
  • the metal mask forming intermediate includes a resin layer, two metal layers sandwiching the resin layer, It consists of two dry film resists 12 and 14.
  • the resin layer may be perforated by laser processing or the like.
  • the mask base 61 is composed of a resin layer and two metal layers sandwiching the resin layer.
  • the first mask surface 61a is included in one metal layer
  • the second mask surface 61b is included in the other metal layer.
  • the through-hole 61c penetrates these resin layers and two metal layers.
  • Example The embodiment will be described with reference to FIGS. 15 to 22. Below, the example in which a metal mask base material is comprised from one metal layer is demonstrated.
  • the metal mask base material of Example 1 to Example 4 and the metal mask base material of Comparative Example 1 are prepared as a metal mask base material having a width of 430 mm, and a part of the raw material is 500 mm long. It was obtained by cutting out.
  • the metal mask base material had a thickness of 20 ⁇ m, and the forming material was invar.
  • the length along the width direction of the metal mask base material is 5 cm, and the rolling direction A test piece having a square plate shape having a length along the length of 5 cm was prepared.
  • Each test piece was placed on an automatic goniophotometer (Murakami Color Research Laboratory Co., Ltd., GP-200). The reflectance when light was incident was calculated. In addition, in one test piece, the reflectance at three measurement points was calculated using the above-described equation (1).
  • the light receiving unit received light from the reflected light having an emission angle of 0 ° to the reflected light having an emission angle of 90 ° every 0.1 °.
  • the direction in which the rotation axis A of the light receiving part extends and the rolling direction of the metal mask base material so that the direction in which the rotation axis A of the light receiving part extends and the rolling direction of the metal mask base material are regarded as parallel.
  • Each test piece was placed in an automatic variable angle photometer so that the angle to be formed was within ⁇ 2 °.
  • a halogen lamp was used as the light source, and a light receiving part including a side-on photomultiplier tube was used as the light receiving element.
  • each test piece three different measurement points are the first measurement point, the second measurement point, and the third measurement point, and the reflectance at regular reflection at each of the first measurement point to the third measurement point is The values shown in Table 1 were obtained.
  • the first measurement point is a portion including the center of the test piece, and the second measurement point and the third measurement point are different from the first measurement point in each test piece. And it is a part which does not overlap each other.
  • Example 1 As shown in Table 1, in Example 1, the reflectance at the first measurement point is 62.6%, the reflectance at the second measurement point is 54.4%, and the reflectance at the third measurement point is It was found to be 60.2%. That is, in Example 1, it was confirmed that the minimum value of the reflectance in regular reflection was 54.4%.
  • Example 2 the reflectance at the first measurement point is 48.5%, the reflectance at the second measurement point is 45.2%, and the reflectance at the third measurement point is 49.8%. Was recognized. That is, in Example 2, it was recognized that the minimum value of the reflectance in regular reflection was 45.2%.
  • Example 3 the reflectance at the first measurement point is 73.3%, the reflectance at the second measurement point is 64.4%, and the reflectance at the third measurement point is 54.0%.
  • Example 3 it was recognized that the minimum reflectance value in regular reflection was 54.0%.
  • Example 4 the reflectance at the first measurement point is 83.2%, the reflectance at the second measurement point is 74.0%, and the reflectance at the third measurement point is 85.8%. Was recognized. That is, in Example 4, it was recognized that the minimum value of the reflectance in regular reflection was 74.0%.
  • Comparative Example 1 the reflectance at the first measurement point is 25.8%, the reflectance at the second measurement point is 25.4%, and the reflectance at the third measurement point is 30.0%. Was recognized. That is, in Comparative Example 1, it was confirmed that the minimum value of the reflectance in regular reflection was 25.4%.
  • each of the metal mask base material of Example 5 and the metal mask base material of Comparative Example 2 four test pieces were prepared. At this time, in the same manner as in Example 1, in the metal mask base material of Example 5 and the metal mask base material of Comparative Example 2, a raw material of a metal mask base material having a width of 430 mm was prepared. The part was cut out to a length of 500 mm. And one test piece was cut out from each of arbitrary four positions of the cut out metal mask base material. In addition, each test piece was made into the test piece which has the square shape whose length along the width direction in a metal mask base material is 5 cm and whose length along a rolling direction is 5 cm like Example 1.
  • the direction in which the rotation axis A of the light receiving portion extends and the rolling direction of the metal mask base material so that the direction in which the rotation axis A of the light receiving portion extends and the rolling direction of the metal mask base material are regarded as parallel.
  • the reflectance when each test piece was placed in an automatic variable angle photometer was calculated so that the angle to be formed was within ⁇ 2 °.
  • the first reflectance that is the reflectance in the first plane perpendicular to the rolling direction and perpendicular to the surface of the metal mask substrate was calculated.
  • the direction in which the rotation axis A of the light receiving unit extends and the width direction of the metal mask base material are considered so that the direction in which the rotation axis A of the light receiving unit extends and the width direction of the metal mask base material are considered to be parallel.
  • Each test piece was placed in an automatic variable angle photometer so that the angle to be formed was within ⁇ 2 °.
  • the second reflectance which is the reflectance in the second plane perpendicular to the surface of the metal mask base material and orthogonal to the width direction, was calculated.
  • each test piece The light incident on each test piece is subjected to the same conditions as described above, and light is applied to the center of each test piece both when calculating the first reflectance and when calculating the second reflectance. It was. Moreover, in each test piece, the reflectance in one area
  • the test piece 1 has a first reflectance of 75.9%, a second reflectance of 77.8%, and the test piece 2 has a first reflectance.
  • the first reflectance is 62.8%
  • the second reflectance is 73.0%
  • the first reflectance is 64.8%
  • the second reflectance was found to be 78.5%.
  • Test piece 4 was found to be 13.7%. That is, in Example 5, it was recognized that the second reflectance is larger than the first reflectance. Moreover, in Example 5, it was recognized that the part which the difference which pulled the 1st reflectance from the 2nd reflectance is 10.2% or more is included.
  • the difference obtained by subtracting the first reflectance from the second reflectance is 1.3% for the test piece 1, is -3.8% for the test piece 2, and is -0.3% for the test piece 3. Yes, it was found to be ⁇ 2.3% in the test piece 4. That is, it was recognized that the comparative example 2 includes a portion where the second reflectance is larger than the first reflectance and a portion where the second reflectance is smaller than the first reflectance. Further, it was confirmed that the comparative example 2 includes only a portion where the difference obtained by subtracting the first reflectance from the second reflectance is small as compared with the example 5.
  • the three-dimensional surface roughness Sa and the three-dimensional surface roughness Sz were measured using a shape analysis laser microscope (VK-X210, manufactured by Keyence Corporation) equipped with a 50 ⁇ objective lens.
  • VK-X210 shape analysis laser microscope
  • the three-dimensional surface roughness Sa and the three-dimensional surface roughness Sz the three-dimensional surface roughness Sa in a plane having a width of about 280 ⁇ m in one direction and a width of about 220 ⁇ m in a direction orthogonal to one direction. And the three-dimensional surface roughness Sz was measured. Note that the three-dimensional surface roughness Sa and the three-dimensional surface roughness Sz were measured in directions conforming to ISO 25178.
  • the metal mask base material of Example 1 to Example 4 and the metal mask base material of Comparative Example 1 are prepared in the same manner as when measuring reflectance, and a metal mask base material having a width of 430 mm is prepared. A part of the original fabric was obtained by cutting out with a length of 500 mm.
  • each surface roughness was measured on test pieces cut out from three different places.
  • Each test piece was a test piece having a rectangular plate shape in which the length along the rolling direction of the metal mask base material was 20 mm and the length along the width direction of the metal mask base material was 30 mm.
  • test piece 1 was cut out from a position away from the first end by 100 mm and from the third end by 200 mm.
  • the test piece 2 was cut out from a position away from the second end by 100 mm and from the third end by 70 mm.
  • the test piece 3 was cut out from a position separated from the second end by 100 mm and from the fourth end by 70 mm.
  • each test piece three-dimensional surface roughness Sa and three-dimensional surface roughness Sz at five measurement points were measured.
  • the five measurement points were a central point in each test piece and four points on the outer periphery surrounding the central point.
  • the four points on the outer periphery of each test piece were points located on the diagonal of the test piece, and the distance between the central point and each point on the outer periphery was 10 mm.
  • Example 3 in Example 1, in the test piece 1, the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa is 0.09 ⁇ m, and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz is 2.83 ⁇ m. Admitted. In the test piece 2, the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa is 0.08 ⁇ m, the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz is 2.63 ⁇ m, and in the test piece 3, the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa is The value was 0.09 ⁇ m, and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was found to be 3.17 ⁇ m. That is, in Example 1, it was confirmed that the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa was 0.09 ⁇ m and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was 3.17 ⁇ m.
  • Example 2 it was confirmed that the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa was 0.10 ⁇ m and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was 2.93 ⁇ m in the test piece 1.
  • the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa is 0.11 ⁇ m
  • the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz is 2.84 ⁇ m
  • the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa is The value was 0.10 ⁇ m
  • the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was found to be 2.96 ⁇ m. That is, in Example 2, it was confirmed that the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa was 0.11 ⁇ m and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was 2.96 ⁇ m.
  • Example 3 in the test piece 1, it was confirmed that the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa was 0.07 ⁇ m and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was 1.88 ⁇ m.
  • the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa is 0.07 ⁇ m
  • the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz is 1.56 ⁇ m
  • the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa is The value was 0.06 ⁇ m
  • the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was found to be 1.90 ⁇ m. That is, in Example 3, it was recognized that the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa was 0.07 ⁇ m and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was 1.90 ⁇ m.
  • Example 4 in the test piece 1, it was confirmed that the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa was 0.08 ⁇ m and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was 2.06 ⁇ m.
  • the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa is 0.06 ⁇ m
  • the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz is 1.41 ⁇ m
  • the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa is The value was 0.06 ⁇ m
  • the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was found to be 1.56 ⁇ m. That is, in Example 4, it was confirmed that the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa was 0.08 ⁇ m and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was 2.06 ⁇ m.
  • Comparative Example 1 it was confirmed that the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa was 0.14 ⁇ m and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was 5.10 ⁇ m in the test piece 1.
  • the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa is 0.13 ⁇ m
  • the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz is 5.78 ⁇ m
  • the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa is The value was 0.16 ⁇ m
  • the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was found to be 5.10 ⁇ m. That is, in Example 3, it was confirmed that the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa was 0.16 ⁇ m and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was 5.10 ⁇ m.
  • FIG. 15 shows the first surface in the metal mask manufacturing process using the metal mask substrate of Example 1, after forming the first recess on the first surface and irradiating the first surface with irradiation light. It is the image which imaged the reflected light reflected in.
  • FIG. 16 shows a first step of irradiating the first surface with irradiation light after forming the first recess on the first surface in the manufacturing process of the metal mask using the metal mask base material of Comparative Example 1. It is the image which imaged the reflected light reflected in.
  • the adhesion between the metal mask substrate 11 and the first dry film resist 12 is enhanced. Therefore, in the plan view facing the first surface 11a, it is recognized that the size of the opening in each first recess 11c1 on the first surface 11a is substantially equal to the size of the opening in all other first recesses 11c1. It was.
  • Example 1 the diameters of 24 first recesses were measured.
  • Example 1 the diameter of the first recess 11c1 included in the region surrounded by the two-dot chain line in the first recess 11c1 shown in FIG. 15 is measured.
  • Comparative Example 1 the first recess shown in FIG. The diameter of the 1st recessed part 71c1 contained in the area
  • a first diameter that is a diameter in the vertical direction of the paper surface and a second diameter that is a diameter in the horizontal direction of the paper surface are measured, and for each first recess, the first diameter and the first diameter are measured.
  • the average diameter which is the average value with the two diameters, was calculated.
  • the first diameter, the second diameter, and the average diameter in Example 1 and the first diameter, the second diameter, and the average diameter in Comparative Example 1 were as shown in Table 4 below.
  • the average diameter of the first recess 11c1 of Example 1 is 47.0 ⁇ m or more and 50.4 ⁇ m or less
  • the average diameter of the first recess 71c1 of Comparative Example 1 is 46.0 ⁇ m or more and 64.mu.m. It was found to be 9 ⁇ m or less.
  • Example 1 the average value of the diameter in the opening of the first recess 11c1 in a plan view facing the surface of the metal mask base material 11 is A, and the value obtained by multiplying the standard deviation of the diameter by 3 is (B / A) ⁇ 100 (%) was calculated.
  • (B / A) ⁇ 100 (%) is 8.2%
  • (B / A) ⁇ 100 (%) is 6.6%
  • the average diameter (B / A) ⁇ 100 (%) was found to be 5.9%.
  • Example 1 the average value of the diameters of the openings of the first recesses 71c1 in plan view facing the surface 71a of the metal layer is A, and the value obtained by multiplying the standard deviation of the diameters by 3 is As B, (B / A) ⁇ 100 (%) was calculated. In the first diameter, (B / A) ⁇ 100 (%) is 30.3%, and in the second diameter, (B / A) ⁇ 100 (%) is 26.1%, and the average diameter (B / A) ⁇ 100 (%) was found to be 26.7%.
  • Example 1 In Example 1, (B / A) ⁇ 100 (%) is 8.2% or less, that is, 10% or less. Therefore, the opening of the first concave portion 11c1 included in the metal mask base material 11, and thus the penetration included in the metal mask. It was found that the dimensional accuracy was high in the diameter at the opening of the hole. On the other hand, in Comparative Example 1, (B / A) ⁇ 100 (%) is 30.3% or less, and according to Example 1, the metal mask base material 11 has compared with Comparative Example 1. It was recognized that the dimensional accuracy was greatly increased in the diameter of the opening of the first recess 11c1, and hence the opening of the through hole of the metal mask.
  • Example 1 For Example 1 and Comparative Example 1, a histogram showing the frequency of the average diameter of the first recesses every 2 ⁇ m and a histogram showing every 1 ⁇ m were prepared.
  • each of several 1st recessed part 11c1 is made. It was observed that the shape was formed with high accuracy.
  • the metal mask base material of Comparative Example 1 it is recognized that the shape accuracy is lowered in the plurality of first recesses 71c1 because the adhesion between the metal mask base material and the dry film resist is low. It was.
  • Example 2 to Example 5 it was confirmed that a shape equivalent to the shape of the plurality of first recesses shown in FIG. 15 was obtained. That is, it was recognized that the adhesion between the metal layer 21 and the first dry film resist 12 was increased when the reflectance at regular reflection was 45.2% or more on one surface of the metal mask substrate 11.
  • the second recess 11c2 is formed on the second surface 11b of the metal mask base material 11
  • the following tendency is obtained as long as the reflectance in the regular reflection on the second surface 11b is included in the above-described range.
  • the tendency which shows that the adhesiveness of the metal mask base material 11 and the 2nd dry film resist 13 is improved similarly to the time of forming the 1st recessed part 11c1 in the 1st surface 11a of the metal mask base material 11 is shown.
  • the reflectance in regular reflection has a negative correlation with respect to each of the three-dimensional surface roughness Sa and the three-dimensional surface roughness Sz. If the reflectance in regular reflection is 45.2% or more, both the value of the three-dimensional surface roughness Sa and the value of the three-dimensional surface roughness Sz are the values for the dry film resist and the dry film resist. It was recognized that the adhesion at the interface with the metal mask base material was increased. That is, as the three-dimensional surface roughness Sa decreases, the reflectance in regular reflection increases, and as the three-dimensional surface roughness Sz decreases, the reflectance in regular reflection increases. It was recognized that
  • the reflection at regular reflection is necessary to manage the state of the surface of the metal mask base material for dry film resist. Management using rate measurements is possible.
  • the metal mask substrate for dry film resist As described above, according to one embodiment, the metal mask substrate for dry film resist, the method for managing the metal mask substrate for dry film resist, the metal mask, and the method for manufacturing the metal mask are listed below. An effect can be obtained.
  • the reflectance in regular reflection is 45.2% or more, and therefore, at the interface between the first surface 11a of the metal mask substrate 11 and the first dry film resist 12. Adhesion can be increased.
  • the relatively small reflectance is 45.2% or more, so the first surface 11a of the metal mask substrate 11 and the dry film resist 12 The adhesion at the interface can be further increased.
  • the first surface 11a includes a portion where the second reflectance is 10.2% or more larger than the first reflectance, the adhesion at the interface between the first surface 11a and the dry film resist 12 is improved. And more preferable.
  • the reflectance in regular reflection is 45.2% or more
  • the three-dimensional surface roughness Sa is 0.11 ⁇ m or less
  • the three-dimensional surface roughness Sz. Is 3.17 ⁇ m or less, the adhesion at the interface between the first dry film resist 12 and the first surface 11a is more reliably increased.
  • the metal mask 60 formed from the metal mask base material 11 is applied to film formation on the glass substrate, that is, the shape
  • the metal mask 60 with improved accuracy can be applied to film formation on a glass substrate.
  • the material for forming the metal layer 21 may be a material other than Invar as long as it is a pure metal having a metallic luster on the surface or an alloy. Moreover, when the forming material of the metal layer 21 is a material other than Invar, the difference in linear expansion coefficient between the forming material of the metal layer 21 and the resin layer in contact with the metal layer 21 is different in the forming material of the metal layer 21. A resin smaller than the difference between the linear expansion coefficient and the linear expansion coefficient of polyimide may be used.
  • the second reflectance on the second surface 11b may be larger than the first reflectance, and the first reflectance may be 45.2% or more.
  • the second surface on the first surface 11a of the metal layer 21, the second surface has the same effect as when the second reflectance is larger than the first reflectance and the first reflectance is 45.2% or more. 11b can be obtained.
  • the second surface 11b may include a portion where the difference obtained by subtracting the first reflectance from the second reflectance is 10.2% or more. According to such a configuration, it is possible to obtain the same effect on the second surface 11b as when the first surface 11a includes a portion in which the difference obtained by subtracting the first reflectance from the second reflectance is 10.2% or more. it can.
  • the reflectance by regular reflection on the second surface 11b may be less than 45.2%. Even with such a configuration, at least the first surface 11 a can improve the adhesion between the metal layer 21 and the first dry film resist 12.
  • the three-dimensional surface roughness measurement region is a very small region compared to the reflectance measurement region.
  • the three-dimensional surface roughness Sz is 3.17 ⁇ m. The following is effective. It is also effective to set the three-dimensional surface roughness Sa to 0.11 ⁇ m or less.
  • the three-dimensional surface roughness Sz on the first surface 11a of the metal mask base material 11 is larger than 3.17 ⁇ m.
  • the reflectance in regular reflection is 45.2% or more, the effect according to the above (1) can be obtained.
  • the 1st surface 11a of the metal mask base material 11 has surface roughness of the grade which cannot specify a rolling direction from the numerical value of 1st reflectance and 2nd reflectance, and 1st reflectance and 2nd If both of the reflectances are 45.2% or more, a portion where the difference obtained by subtracting the first reflectance from the second reflectance is 10.2% or more may not be included. Even if it is such a structure, the effect according to (1) mentioned above can be acquired.
  • the 1st surface 11a of the metal mask base material 11 has surface roughness of the grade which cannot specify a rolling direction from the numerical value of 1st reflectance and 2nd reflectance, and 1st reflectance and 2nd If both reflectivities are 45.2% or more, a portion where the first reflectivity and the second reflectivity are the same or a portion where the first reflectivity is greater than the second reflectivity is included. Also good. Even if it is such a structure, the effect according to (1) mentioned above can be acquired.
  • each through-hole 61c may be substantially the same throughout the thickness direction of the mask base 61.
  • the cross-sectional area of each through-hole 61c may increase from the first mask surface 61a toward the second mask surface 61b in the thickness direction of the mask base 61, or from the first mask surface 61a to the second mask. It may be reduced toward the surface 61b.
  • the metal mask 60 is not limited to the metal mask used when the organic EL element forming material is vapor-deposited on the glass substrate, and other materials such as when various metal materials are formed by vapor deposition or sputtering. It may be a metal mask for the purpose. In this case, the plurality of through holes 61c may be irregularly arranged in a plan view facing the first mask surface 61a.
  • the resist used for etching the metal mask base material is not limited to the dry film resist described above, and may be a resist formed by applying a coating liquid for forming a resist to the metal mask base material. . That is, the resist may be disposed on the surface of the metal mask base material by application, or may be disposed on the surface of the metal mask base material by pasting. Even with such a resist, according to the above-described metal mask base material, when using a resist with low adhesion to the surface of the metal mask base material, it is possible to obtain the same effect as when using a dry film resist. Is possible.

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Abstract

メタルマスク基材は、レジストが配置されるように構成された金属製の表面を備え、表面に入射した光の正反射における反射率が、４５．２％以上である。

Description

メタルマスク基材、メタルマスク基材の管理方法、メタルマスク、および、メタルマスクの製造方法
　本発明は、レジストが配置されるための金属製の表面を備えるメタルマスク基材であって、例えば、有機ＥＬ素子用メタルマスクを形成するためのメタルマスク基材、メタルマスク基材の管理方法、メタルマスク、および、メタルマスクの製造方法に関する。
　有機ＥＬ素子用のメタルマスクの製造には、例えば金属板であるメタルマスク基材が用いられる。メタルマスク基材が有する塗布面には、レジスト層の形成材料を含む塗液が塗布され、それによってレジスト層が形成される。そして、レジスト層に対する露光と現像とが行われることによって、所定のパターンを有したレジスト層が形成され、レジスト層を介してメタルマスク基材がエッチングされることによって、メタルマスクが製造される。
　上述したレジスト層の形成では、塗布面に塗布される塗液の量や、塗液の乾燥される程度がばらつくことによって、レジスト層の厚さがばらついたり、レジスト層の面内において、厚さがばらついたりする場合がある。そこで、レジスト層におけるこうしたばらつきを抑えるために、レジスト層としてドライフィルムレジストを用いることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１３－２０９７１０号公報
　ところで、塗液を用いて形成されるレジスト層は、メタルマスク基材に対して直接塗布された塗液が塗布面で硬化した層であるため、塗布面に追従した形状を形成しやすく、それゆえに、メタルマスク基材に対して密着しやすい。一方で、ドライフィルムレジストから形成されるレジスト層は、メタルマスク基材とは別体である層がメタルマスク基材の１つの面に貼り付けられた層であるため、塗液によって形成されるレジスト層と比べて塗布面に追従しにくい形状を有し、それゆえに、レジスト層の一部がメタルマスク基材から剥がれる場合がある。
　なお、金属板から形成されるメタルマスク基材に限らず、例えば、樹脂層と金属層との積層体や、樹脂層が金属層によって挟まれた積層体のように、レジスト層と接する面が金属製あるいは合金製であるメタルマスク基材であれば、上述した事情は共通している。また、レジスト層の形成材料を含む塗液を用いて形成されるレジスト層であっても、メタルマスク基材に対する密着性が低いレジスト層においては、上述した事情は共通している。
　本発明は、レジストと表面との界面における密着性を高めることができる表面を備えたメタルマスク基材、メタルマスク基材の管理方法、メタルマスク、および、メタルマスクの製造方法を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するためのメタルマスク基材は、レジストが配置されるように構成された金属製の表面を備え、前記表面に入射した光の正反射における反射率が、４５．２％以上である。
　上記課題を解決するためのメタルマスク基材の管理方法は、レジストが配置されるように構成された金属製の表面を備えるメタルマスク基材を準備することと、前記表面に光を入射させることと、前記表面に入射した光のうち、前記表面にて正反射した光の光量を測定することと、前記表面に入射した光の光量に対する前記正反射した光の光量の比として、前記正反射における反射率を算出することと、前記正反射における反射率が、４５．２％以上であるか否かを判断することと、を備える。
　本願発明者らは、メタルマスク基材における表面の状態を鋭意研究する中で、表面に入射した光の正反射における反射率が、表面における三次元表面粗さＳａ、および、表面における三次元表面粗さＳｚの各々と以下の相関を有することを見出した。すなわち、三次元表面粗さＳａ、および、三次元表面粗さＳｚの各々が小さくなることに伴って、正反射における反射率が高くなることを見出した。
　そして、正反射における反射率が４５．２％以上であれば、レジストと表面との界面における密着性が高まることで、表面からレジストが剥がれにくくなる程度に表面粗さが小さくなることを見出した。
　この点で、上記構成によれば、表面に入射した光において、正反射における反射率が４５．２％以上であるため、メタルマスク基材の表面と、レジストとの界面における密着性を高めることができる。
　上記メタルマスク基材において、前記メタルマスク基材の圧延方向と直交する方向が幅方向であり、前記表面に垂直な第１平面であって、前記圧延方向と直交する前記第１平面内での前記正反射における反射率が第１反射率であり、前記表面に垂直な第２平面であって、前記幅方向と直交する前記第２平面内での前記正反射における反射率が第２反射率である。前記第２反射率が前記第１反射率よりも大きく、前記第１反射率が、４５．２％以上であってもよい。
　上記構成によれば、表面において得られる２つの反射率のうち、相対的に小さい反射率が４５．２％以上であるため、メタルマスク基材の表面と、レジストとの界面における密着性をより高めることができる。
　上記メタルマスク基材において、前記表面は、前記第２反射率から前記第１反射率を引いた差が１０．２％以上である部分を含んでもよい。
　上記構成は、表面が、第２反射率が第１反射率よりも１０．２％以上大きい部分を含むため、メタルマスク基材の表面と、レジストとの界面における密着性を高める上でより好ましい。
　上記メタルマスク基材では、前記表面において、三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下であってもよい。
　上記構成によれば、メタルマスク基材の表面において、正反射における反射率が４５．２％以上である中で、三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、かつ、三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下であるため、レジストと表面との界面における密着性がより確実に高まる。
　上記メタルマスク基材において、前記表面が第１面であり、前記レジストが第１レジストであり、前記第１面とは反対側の面であって、第２レジストが配置されるように構成された金属製の第２面をさらに備え、前記第２面に入射した光の正反射における反射率が、４５．２％以上であってもよい。
　上記構成によれば、第１面と第１レジストとの密着性、および、第２面と第２レジストとの密着性が高められるため、第１面、および、第２面に対するエッチングにおいて、加工の精度を高めることが可能である。
　上記メタルマスク基材において、前記表面は、インバー製であってもよい。
　上記構成によれば、ガラス基板の線膨張係数とインバーの線膨張係数とが同じ程度であるため、メタルマスク基材から形成されるメタルマスクをガラス基板に対する成膜に適用すること、すなわち、形状の精度が高められたメタルマスクをガラス基板に対する成膜に適用することが可能である。
　上記メタルマスク基材において、前記レジストが、ドライフィルムレジストであり、前記表面が、前記ドライフィルムレジストが貼り付けられるように構成されていることが好ましい。
　上記メタルマスク基材の管理方法において、前記レジストが、ドライフィルムレジストであり、前記表面が、前記ドライフィルムレジストが貼り付けられるように構成されていることが好ましい。
　上記構成によれば、ドライフィルムレジストが貼り付けられるように構成された金属製の表面とドライフィルムレジストとの間の密着性が高められる。
　上記課題を解決するためのメタルマスクは、金属製の表面を有したメタルマスク基体を備えるメタルマスクである。前記メタルマスク基体は、前記メタルマスク基体の厚さ方向に沿って前記メタルマスク基体を貫通するとともに、前記表面に開口を有した複数の貫通孔を備える。前記表面と対向する平面視での前記開口の寸法における平均値をＡとし、前記寸法の標準偏差に３を掛けた値をＢとするとき、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下である。
　上記課題を解決するためのメタルマスクの製造方法は、レジストが配置されるように構成された金属製の表面を備え、前記表面の三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、前記表面の三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下であるメタルマスク基材を準備することと、前記表面にレジストを配置することと、前記メタルマスク基材に前記メタルマスク基材の厚さ方向に沿って窪み、かつ、前記表面に開口を有した複数の凹部を形成するための貫通孔を前記レジストに形成することと、前記レジストを介して、前記メタルマスク基材に複数の前記凹部を形成することと、を備える。前記メタルマスク基材に複数の前記凹部を形成することでは、前記表面と対向する平面視での前記開口の寸法における平均値をＡとし、前記寸法の標準偏差に３を掛けた値をＢとするとき、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下となるように複数の前記メタルマスク基材に前記凹部を形成する。
　上記構成によれば、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下であるため、開口における寸法の精度が高い。
　本発明によれば、メタルマスク基材において、レジストと表面との界面における密着性を高めることができる。また、本発明によれば、レジストと表面との界面における密着性を高められたメタルマスク基材の管理方法を提供することができる。
本発明のメタルマスク基材をドライフィルムレジスト用メタルマスク基材として具体化した１つの実施形態におけるドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の一部斜視構造を示す部分斜視図である。 ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の一例における一部断面構造を示す部分断面図である。 ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の一例における一部断面構造を示す部分断面図である。 ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の一例における一部断面構造を示す部分断面図である。 本発明のメタルマスク基材の管理方法をドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の管理方法として具体化した１つの実施形態におけるドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の管理方法を説明するための工程図である。 ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の製造方法を説明するための工程図であって、インバーから形成された母材を圧延する工程を示す工程図である。 ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の製造方法を説明するための工程図であって、圧延材をアニールする工程を示す工程図である。 メタルマスクの製造方法を説明するための工程図であって、ドライフィルムレジストを貼り付ける工程を示す工程図である。 メタルマスクの製造方法を説明するための工程図であって、ドライフィルムレジストを現像する工程を示す工程図である。 メタルマスクの製造方法を説明するための工程図であって、金属層の第１面をエッチングする工程を示す工程図である。 メタルマスクの製造方法を説明するための工程図であって、第１保護層を形成する工程を示す工程図である。 メタルマスクの製造方法を説明するための工程図であって、金属層の第２面をエッチングする工程を示す工程図である。 メタルマスクの製造方法を説明するための工程図であって、ドライフィルムレジストを除去する工程を示す工程図である。 ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を用いて製造したメタルマスクの一部斜視構造を示す部分斜視図である。 実施例１における複数の第１凹部が形成された第１面の撮像結果を示す画像である。 比較例１における複数の第１凹部が形成された表面の撮像結果を示す画像である。 実施例１における第１凹部の直径の分布を２μｍごとに示すヒストグラムである。 実施例１における第１凹部の直径の分布を１μｍごとに示すヒストグラムである。 比較例１における第１凹部の直径の分布を２μｍごとに示すヒストグラムである。 比較例１における第１凹部の直径の分布を１μｍごとに示すヒストグラムである。 三次元表面粗さＳａと正反射における反射率との相関関係を示すグラフである。 三次元表面粗さＳｚと正反射における反射率との相関関係を示すグラフである。
　図１から図２２を参照して、本発明のメタルマスク基材、および、メタルマスク基材の管理方法を、ドライフィルムレジスト用メタルマスク、および、ドライフィルムレジスト用メタルマスクの管理方法として具体化した１つの実施形態、また、メタルマスク、および、メタルマスクの製造方法の１つの実施形態を説明する。本実施形態におけるドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を用いて製造されたメタルマスクは、有機ＥＬ素子の製造工程において、ガラス基板に対して有機ＥＬ素子を構成する有機材料を蒸着するときに用いられるマスクである。以下では、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の構成、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の管理方法、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の製造方法、メタルマスクの製造方法、および、実施例を順番に説明する。
　［ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の構成］
　図１から図４を参照して、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の構成を説明する。
　図１が示すように、メタルマスク基材１１は、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の一例であり、１つの面に沿って拡がる金属層である。メタルマスク基材１１は、金属製の第１面１１ａを備え、第１面１１ａは、レジストが配置されるように構成された表面の一例、詳細には、ドライフィルムレジストが貼り付けられるように構成された表面の一例である。第１面１１ａにおいて、第１面１１ａに入射した光の正反射における反射率が４５．２％以上である。
　正反射における反射率は、ハロゲンランプから射出された光であって、メタルマスク基材１１の第１面１１ａの法線方向に対して、入射角度が４５°±０．２°である光の正反射における反射率である。また、反射率は、以下の式（１）により算出された値である。
　（反射率）（％）＝
｛（正反射における光の光量）／（入射光の光量）｝×１００　…（１）
　こうしたメタルマスク基材１１によれば、第１面１１ａに入射した光において、正反射における反射率が４５．２％以上であるため、メタルマスク基材１１の第１面１１ａと、表面に貼り付けられるドライフィルムレジストの一例である第１ドライフィルムレジスト１２との界面における密着性を高めることができる。
　なお、メタルマスク基材１１の第１面１１ａに第１ドライフィルムレジスト１２が貼り付けられた積層体は、メタルマスクを形成するための中間体であるメタルマスク形成用中間体１０である。
　メタルマスク基材１１において、メタルマスク基材１１が製造される際に圧延された方向が圧延方向であり、圧延方向と直交する方向が幅方向である。
　メタルマスク基材１１の第１面１１ａにおける反射率のうち、第１面１１ａに垂直な第１平面であって、圧延方向と直交する第１平面内での正反射における反射率が第１反射率である。また、第１面１１ａに垂直な方向であって、幅方向と直交する第２平面内での正反射における反射率が第２反射率である。第１面１１ａにおいて、第２反射率が第１反射率よりも大きく、第１反射率が４５．２％以上である。
　第１面１１ａにおいて得られる２つの反射率のうち、相対的に小さい反射率が４５．２％以上であるため、メタルマスク基材１１の表面と、ドライフィルムレジスト１２との界面における密着性をより高めることができる。
　第１面１１ａは、第２反射率から第１反射率を引いた差が１０．２％以上である部分を含む。第１面１１ａは、第２反射率が第１反射率よりも１０．２％以上大きい部分を含むため、メタルマスク基材１１の第１面１１ａと、ドライフィルムレジスト１２との界面における密着性を高める上でより好ましい。
　また、第１面１１ａにおいて、三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下である。
　三次元表面粗さＳａ、および、三次元表面粗さＳｚは、ＩＳＯ　２５１７８に準拠する方法によって測定された値である。三次元表面粗さＳａは、所定の面積を有する定義領域中の算術平均高さＳａであり、三次元表面粗さＳｚは、所定の面積を有する定義領域中の最大高さＳｚである。
　こうしたメタルマスク基材１１によれば、正反射における反射率が４５．２％以上である中で、三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、かつ、三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下であるため、第１ドライフィルムレジスト１２と第１面１１ａとの界面における密着性がより確実に高まる。
　金属層の形成材料は、例えばインバー、すなわち、鉄とニッケルとを主成分とする合金であり、３６質量％のニッケルを含む合金であることが好ましい。言い換えれば、メタルマスク基材１１の表面は、インバー製であることが好ましい。インバーの線膨張係数は、１．２×１０－６／℃程度である。金属層の厚さは、例えば、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
　金属層の形成材料がインバーであれば、ガラス基板の線膨張係数とインバーの線膨張係数とが同じ程度であるため、メタルマスク基材１１から形成されるメタルマスクをガラス基板に対する成膜に適用すること、すなわち、形状の精度が高められたメタルマスクをガラス基板に対する成膜に適用することが可能である。
　第１ドライフィルムレジスト１２は、例えば、感光性を有する材料の一例であるネガ型レジストから形成されている。第１ドライフィルムレジスト１２の形成材料は、例えば光重合により架橋するアクリル系樹脂である。第１ドライフィルムレジスト１２の厚さは、例えば、５μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。なお、第１ドライフィルムレジスト１２は、ポジ型レジストから形成されてもよいが、一般には、第１ドライフィルムレジスト１２の形成材料として、ネガ型レジストが用いられることが多い。
　図２から図４を参照して、メタルマスク基材１１、および、メタルマスク形成用中間体１０の他の形態を説明する。なお、図２は、メタルマスク基材１１が１つの金属層から構成される例である第１の形態を示し、図３は、メタルマスク基材１１が１つの金属層と１つの樹脂層とから構成される例である第２の形態を示している。また、図４は、メタルマスク基材１１が２つの金属層と１つの樹脂層とから構成される例である第３の形態を示している。
　［第１の形態］
　図２が示すように、金属層２１は、第１面１１ａとは反対側の面である第２面１１ｂを備えている。第１面１１ａは、第１ドライフィルムレジスト１２が貼り付けられるように構成された金属製の表面であり、第２面１１ｂは、レジストが配置されるように構成された金属製の表面、詳細には、第２ドライフィルムレジスト１３が貼り付けられるように構成された金属製の表面である。メタルマスク形成用中間体１０は、金属層２１、第１ドライフィルムレジスト１２、および、第２ドライフィルムレジスト１３から構成されている。
　第２面１１ｂにおいても、第１面１１ａと同様、正反射における反射率が４５．２％以上であることが好ましい。このメタルマスク基材１１によれば、金属層２１のうち、第１面１１ａに加えて、第２面１１ｂにおいても第２ドライフィルムレジスト１３と金属層２１との密着性を高めることができる。
　また、第２面１１ｂにおいて、第１面１１ａと同様、三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、かつ、三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下であることが好ましい。こうしたメタルマスク基材１１によれば、金属層２１のうち、第１面１１ａに加えて、第２面１１ｂにおいても、第２ドライフィルムレジスト１３と第２面１１ｂとの界面における密着性がより確実に高まる。
　なお、第２ドライフィルムレジスト１３の形成材料は、第１ドライフィルムレジスト１２と同じく、例えば光重合により架橋するアクリル系樹脂である。また、第２ドライフィルムレジスト１３の厚さは、例えば、５μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。
　［第２の形態］
　図３が示すように、メタルマスク基材１１は、金属層２１と、金属層２１に対して第１ドライフィルムレジスト１２とは反対側に位置する樹脂層２２とを備えてもよい。樹脂層２２の線膨張係数と、金属層２１の線膨張係数とは、温度の依存性として互いに同じ傾向を示し、かつ、線膨張係数の値が同じ程度であることが好ましい。金属層２１は、例えばインバーから形成されたインバー層であり、樹脂層２２は、例えばポリイミドから形成されたポリイミド層である。このメタルマスク基材１１によれば、金属層２１の線膨張係数と、樹脂層２２の線膨張係数との差によって、メタルマスク基材１１に反りが生じることが抑えられる。
　第２の形態におけるメタルマスク形成用中間体１０は、金属層２１、第１ドライフィルムレジスト１２、および、樹脂層２２から構成されている。なお、樹脂層２２は、金属層２１に対する塗工によって形成されてもよいし、金属層２１とは別にフィルム状に形成されて、金属層２１に貼り付けられてもよい。そして、樹脂層２２は、金属層２１との接着性を発現する接着層を含み、この接着層が金属層２１に貼り付けられた構成であってもよい。
　［第３の形態］
　図４が示すように、メタルマスク基材１１は、金属層２１と樹脂層２２とに加えて、メタルマスク基材１１の厚さ方向において、樹脂層２２に対して金属層２１とは反対側に位置する他の金属層２３をさらに備えてもよい。このメタルマスク基材１１では、メタルマスク基材１１における第１面１１ａとは反対側の面であって、金属層２３の含む面が第２面１１ｂである。
　他の金属層２３の形成材料は、金属層２１と同じく、例えばインバー、すなわち、鉄とニッケルとを主成分とする合金であり、３６質量％のニッケルを含む合金であることが好ましい。金属層２３の厚さは、例えば、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。他の金属層２３の厚さは、金属層２１の厚さと互いに同じであってもよいし、互いに異なってもよい。
　金属層２１が含む第１面１１ａおよび第２面１１ｂと同様、他の金属層２３の含む第２面１１ｂにおいて、正反射における反射率は４５．２％以上であることが好ましい。また、他の金属層２３の含む第２面１１ｂにおいて、三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、かつ、三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下であることが好ましい。
　こうした他の金属層２３における第２面１１ｂによれば、金属層２１が含む第１面１１ａおよび第２面１１ｂと同等の効果を得ることができる。なお、メタルマスク基材１１は、金属層２１と樹脂層２２とが積層され、また、金属層２３と樹脂層２２とが積層された構造体であるため、図３を用いて先に説明されたメタルマスク基材１１、すなわち、メタルマスク基材１１における第２の形態と同等の効果を得ることもできる。
　第３の形態におけるメタルマスク形成用中間体１０は、金属層２１，２３、第１ドライフィルムレジスト１２、樹脂層２２、および、第２ドライフィルムレジスト１４から構成されている。なお、樹脂層２２は、２つの金属層２１，２３のうちのいずれかに対する塗工によって形成されてもよいし、金属層２１，２３とは別にフィルム状に形成されて、金属層２１，２３に貼り付けられてもよい。そして、樹脂層２２が金属層２１，２３に貼り付けられる場合には、樹脂層２２は、金属層２１との接着性を発現する接着層と、金属層２３との接着性を発現する接着層とを含み、これらの接着層が２つの金属層２１，２３にそれぞれ貼り付けられた構成であってもよい。
　［ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の管理方法］
　図５を参照して、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の管理方法を説明する。
　ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の管理方法は、準備工程、入射工程、測定工程、算出工程、および、判断工程を備える。すなわち、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の管理方法は、ドライフィルムレジストが貼り付けられるように構成された金属製の表面を備えるドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を準備すること、および、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の表面に光を入射させることを備える。また、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の管理方法は、表面に入射した光のうち、表面にて正反射した光の光量を測定すること、表面に入射した光の光量に対する正反射した光の光量の比として、正反射における反射率を算出すること、および、反射率が４５．２％以上であるか否かを判断することを備える。
　図５が示すように、上述した入射工程、および、測定工程では、例えば、自動変角光度計ＰＭを用いる。自動変角光度計ＰＭは、ハロゲンランプである光源ＬＳと、自動変角光度計ＰＭに配置された試験片が反射した反射光を受光する受光部ＬＲとを備えている。
　入射工程に先立ち、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の一部を切り出した試験片Ｔを準備する。試験片Ｔは、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の表面の一部である測定面Ｔｓを有する。そして、測定面Ｔｓに光源ＬＳからの光が入射するように、試験片Ｔを自動変角光度計ＰＭに配置する。
　試験片Ｔの測定面Ｔｓの法線方向Ｎと、光源ＬＳから射出された光の入射方向とが形成する角度が、光源ＬＳから射出された光の入射角度αである。入射工程では、所定の入射角度α、例えば、４５°±０．２°の入射角度αで、測定面Ｔｓに光を入射させる。測定面Ｔｓに入射した光の光量は、光源ＬＳが射出した光の光量である。
　測定面Ｔｓの法線方向Ｎと、測定面Ｔｓから射出される光の射出方向とが形成する角度が、測定面Ｔｓから射出された光の射出角度βである。測定面Ｔｓにおいて正反射された光の射出角度βは、測定面Ｔｓに入射した光の入射角度αと等しい。すなわち、正反射された光の射出角度βは、４５°±０．２°である。
　測定工程では、受光部ＬＲに含まれる受光素子が、測定面Ｔｓにて反射された光のうち、少なくとも正反射された光を受光する。受光部ＬＲに含まれる受光素子は、受光した光の光量に応じたアナログ信号を生成し、かつ、受光部ＬＲに含まれる変換回路は、受光素子の生成したアナログ信号をデジタル信号に変換し、このデジタル信号を反射光の光量として生成する。
　受光部ＬＲに含まれる受光素子は、例えば、射出角度βが０°である光から、射出角度βが９０°である光までにわたって、０．１°ごとに受光する。このとき、受光部ＬＲに含まれる受光素子は、法線方向Ｎに直交し、かつ、試験片Ｔの測定面Ｔｓに沿って延びる回転軸Ａを中心に回転する。言い換えれば、受光素子の回転する回転軸Ａが測定面Ｔｓと平行となるように、試験片Ｔは配置される。これにより、測定工程では、測定面Ｔｓにて反射された光のうち、射出角度βが０°である光から射出角度βが９０°である光までにわたって、０．１°ごとの光の光量が測定される。
　算出工程は、例えば、受光部ＬＲにて受光した光の強度を光電変換した信号電流に基づき、自動変角光度計ＰＭに内蔵された受光部ＬＲに含まれる演算部によって行われ、判断工程は、自動変角光度計ＰＭに接続された演算装置によって行われる。演算部は、例えば、予め入力された入射光の光量と、測定工程において生成したデジタル信号である反射光の光量とを、上述した式（１）に代入して各射出角度βにおける光の反射率を算出する。自動変角光度計ＰＭは、算出した反射率をデジタル信号として演算装置に出力する。
　そして、演算装置は、自動変角光度計ＰＭの出力したデジタル信号に基づき、正反射における光の反射率が、４５．２％以上であるか否かを判断する。こうした管理方法によれば、メタルマスク基材の表面において、正反射における光の反射率が４５．２％以上であるか否かが判断されるため、ドライフィルムレジストと表面との界面における密着性を高めることができる表面を備える状態で、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を管理することができる。
　一般に、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の表面の状態は、表面粗さを用いて管理されることが多い。表面粗さを一度に測定することが可能な領域は、例えば、一辺の長さが数百μｍ程度である矩形状を有した領域であって、非常に小さい領域である。そのため、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材のほぼ全体における表面の状態を表面粗さの測定値から正確に把握するためには、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材における非常に多数の箇所について表面粗さを測定する必要がある。
　これに対して、正反射における反射率を一度に測定することが可能な領域は、表面粗さを一度に測定することが可能な領域と比べて、大幅に大きく、反射率を得ることに要する時間も、表面粗さを得ることに要する時間と比べて、大幅に短い。そして、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の表面と、ドライフィルムレジストとの密着性を確保するべく行われる管理においては、上述した表面粗さの測定よりも表面を巨視的に把握する管理が好ましい。この点で、正反射における反射率を一度に測定することが可能な領域の大きさは、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の表面と、ドライフィルムレジストとの密着性に影響を及ぼす範囲に拡大することも容易である。そのため、反射率における１つの値は、表面粗さにおける１つの値と比べて、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の表面におけるより大きい領域の状態を反映した値であって、それの取得に要する負荷も小さい値である。
　それゆえに、反射率を用いてドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を管理するときには、表面粗さを用いてドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を管理するときと比べて、表面における測定箇所の個数が少なくとも、同程度の正確さで表面の状態を把握することが可能になる。
　また、表面における測定箇所の個数が同じであれば、反射率を用いてドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を管理するときには、表面粗さを用いてドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を管理するときと比べて、より正確に表面の状態を把握することが可能にもなる。
　また、表面粗さを用いてドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を管理するときには、三次元表面粗さＳａと三次元表面粗さＳｚとの２つの値によってドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を管理する場合がある。これに対して、反射率を用いてドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を管理するときには、正反射における反射率の測定値のみによって管理が可能である。すなわち、１つの値によってドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を管理することができる分、表面粗さを用いてドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を管理するときと比べて、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の管理に要する負荷を小さくすることができる。
　なお、自動変角光度計ＰＭ以外の他の装置が、自動変角光度計ＰＭの測定結果を用いて算出工程を行ってもよいし、自動変角光度計ＰＭが、判断工程を行ってもよい。
　［ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の製造方法］
　図６および図７を参照して、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の製造方法を説明する。
　図６および図７を参照して、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の製造方法を説明する。なお、以下では、メタルマスク基材１１が、１つの金属層２１から構成される例、すなわち、図２を参照して説明された第１の形態を用いて説明する。
　図６が示すように、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の製造方法では、まず、インバーから形成された母材２１ａであって、１つの方向である圧延方向Ｄ１に沿って延びる母材２１ａを準備する。次いで、母材２１ａの圧延方向Ｄ１と、母材２１ａを搬送する搬送方向Ｄ２とが平行になるように、母材２１ａを一対の圧延ローラー３１，３２を備える圧延装置３０に向けて搬送方向Ｄ２に沿って搬送する。
　母材２１ａが一対の圧延ローラー３１，３２の間に到達すると、母材２１ａが一対の圧延ローラー３１，３２によって圧延される。これにより、母材２１ａの厚さが低減され、かつ、母材２１ａが搬送方向Ｄ２に沿って伸ばされることで、圧延材２１ｂを得ることができる。圧延材２１ｂはコアＣに巻き取られるが、圧延材２１ｂは、コアＣに巻き取られることなく、帯形状に伸ばされた状態で取り扱われてもよい。圧延材２１ｂの厚さは、例えば、１０μｍ以上５０μｍ以下である。
　図７が示すように、母材２１ａの圧延によって形成された圧延材２１ｂの内部に蓄積された残留応力を取り除くために、アニール装置３３を用いて圧延材２１ｂをアニールする。これにより、メタルマスク基材としての金属層２１が得られる。圧延材２１ｂのアニールは、圧延材２１ｂを搬送方向Ｄ２に沿って引っ張りながら行うため、アニール前の圧延材２１ｂに比べて残留応力が低減されたメタルマスク基材としての金属層２１を得ることができる。
　なお、上述した圧延工程およびアニール工程の各々を、以下のように変更して実施してもよい。すなわち、例えば、圧延工程では、複数対の圧延ローラーを備える圧延装置を用いてもよい。また、圧延工程およびアニール工程を複数回繰り返すことによって、金属層２１を製造してもよい。また、アニール工程では、圧延材２１ｂを搬送方向Ｄ２に沿って引っ張りながら圧延材２１ｂのアニールを行うのではなく、コアＣに巻き取られた状態の圧延材２１ｂに対してアニールを行ってもよい。
　なお、コアＣに巻き取られた状態の圧延材２１ｂに対してアニール工程を行ったときには、金属層２１がコアＣに巻き取られたことにより、アニール後の金属層２１には、金属層２１の径に応じた反りの癖がついてしまう場合がある。そのため、金属層２１がコアＣに巻かれたときの径の大きさや母材２１ａを形成する材料によっては、圧延材２１ｂを搬送方向Ｄ２に沿って引っ張りながら圧延材２１ｂをアニールすることが好ましい。
　［メタルマスクの製造方法］
　図８から図１４を参照して、メタルマスクの製造方法を説明する。なお、以下では、メタルマスクを製造するために使用されるメタルマスク基材１１が、１つの金属層２１から構成される例、すなわち、図２を参照して説明された第１の形態を用いて説明する。また、図８から図１３では、図示の便宜上から、メタルマスクに形成される複数の貫通孔のうち、１つの貫通孔のみを含む部分に対する工程図が示されている。
　メタルマスクの製造方法は、金属製の表面を備えるメタルマスク基材を準備すること、表面にレジストを配置すること、メタルマスク基材に、メタルマスク基材の厚さ方向に沿って窪み、かつ、表面に開口を有する複数の凹部を形成するための貫通孔をレジストに形成すること、および、メタルマスク基材に複数の凹部を形成することを備えている。メタルマスク基材に複数の凹部を形成することでは、表面と対向する平面視での開口の寸法における平均値をＡとし、寸法の標準偏差に３を掛けた値をＢとするとき、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下となるようにメタルマスク基材に複数の凹部を形成することが好ましい。
　なお、メタルマスク基材の表面と対向する平面視において、メタルマスク基材の凹部が円形状を有した領域を区画する孔であれば、凹部の開口における寸法は、開口の直径であればよい。また、メタルマスク基材の表面と対向する平面視において、メタルマスク基材の凹部が１つの方向に沿って延びる矩形状を有した領域を区画する孔であれば、凹部の開口における寸法は、開口の長手方向に沿う寸法であってもよいし、開口の短手方向に沿う寸法であってもよい。またあるいは、メタルマスク基材の表面と対向する平面視において、メタルマスク基材の凹部が正方形状を有した領域を区画する孔であれば、凹部の開口における寸法は、開口における一辺の寸法であればよい。
　なお、凹部が１つの方向に沿って延びる矩形状、あるいは、正方形状を有した領域を区画する孔であるときには、凹部によって区画される領域の角部が、凹部によって区画される領域の内部に曲率の中心を有するような弧状を有してもよい。
　より詳しくは、図８が示すように、メタルマスクを製造するときには、まず、上述した第１面１１ａと第２面１１ｂとを含む金属層２１であるメタルマスク基材と、第１面１１ａに貼り付けられる第１ドライフィルムレジスト１２と、第２面１１ｂに貼り付けられる第２ドライフィルムレジスト１３とを準備する。２つのドライフィルムレジスト１２，１３の各々は、金属層２１とは別に形成されたフィルムである。
　そして、第１面１１ａに第１ドライフィルムレジスト１２を貼り付け、かつ、第２面１１ｂに第２ドライフィルムレジスト１３を貼り付ける。すなわち、第１面１１ａに第１ドライフィルムレジスト１２を積層し、第２面１１ｂに第２ドライフィルムレジスト１３を積層する。例えば、金属層２１の厚さ方向において、金属層２１が２つのドライフィルムレジストに挟まれた状態で、３つの層に所定の熱と圧力とを加えることによって、金属層２１の第１面１１ａに第１ドライフィルムレジスト１２を貼り付け、かつ、第２面１１ｂに第２ドライフィルムレジスト１３を貼り付ける。なお、第１ドライフィルムレジスト１２と第２ドライフィルムレジスト１３とは、金属層２１に対して別々に貼り付けられてもよい。
　ここで、２つのドライフィルムレジスト１２，１３と金属層２１との密着性を高める観点では、金属層２１の第１面１１ａおよび第２面１１ｂの各々が、平滑な面であることが好ましい。この点で、第１面１１ａおよび第２面１１ｂの各々において、正反射における反射率が４５．２％以上であるため、メタルマスクを製造する上で好ましい程度に、ドライフィルムレジスト１２，１３と金属層２１との密着性が高まる。こうしてメタルマスク形成用中間体が製造される。
　図９が示すように、ドライフィルムレジスト１２，１３のうち、貫通孔を形成する部位以外の部分を露光し、露光後のドライフィルムレジストを現像する。これによって、第１ドライフィルムレジスト１２に第１貫通孔１２ａを形成し、かつ、第２ドライフィルムレジスト１３に第２貫通孔１３ａを形成する。すなわち、第１ドライフィルムレジスト１２と第２ドライフィルムレジスト１３とをパターニングする。
　第１ドライフィルムレジスト１２を露光するときには、第１ドライフィルムレジスト１２において金属層２１に接する面とは反対側の面に、第１貫通孔１２ａを形成する部分以外の部分に光を到達させるように構成された原版を載せる。第２ドライフィルムレジスト１３を露光するときには、第２ドライフィルムレジスト１３において金属層２１に接する面とは反対側の面に、第２貫通孔１３ａを形成する部分以外の部分に光を到達させるように構成された原版を載せる。また、露光後のドライフィルムレジストを現像するときには、現像液として、例えば炭酸ナトリウム水溶液を用いる。
　なお、第１ドライフィルムレジスト１２がポジ型レジストから形成されるときには、第１ドライフィルムレジスト１２のうち、第１貫通孔１２ａを形成する部分を露光すればよい。また、第２ドライフィルムレジスト１３がポジ型レジストから形成されるときには、第２ドライフィルムレジスト１３のうち、第２貫通孔１３ａを形成する部分を露光すればよい。
　図１０が示すように、例えば、第１ドライフィルムレジスト１２をマスクとして、すなわち、第１ドライフィルムレジスト１２を介して、塩化第二鉄液を用いて金属層２１の第１面１１ａをエッチングする。このとき、第２ドライフィルムレジスト１３には、金属層２１の第２面１１ｂが第１面１１ａと同時にエッチングされないように、第２保護層４１を形成する。第２保護層４１の形成材料は、塩化第二鉄液によってエッチングされにくい材料であればよい。これによって、金属層２１の第１面１１ａに、第１ドライフィルムレジスト１２の第１貫通孔１２ａを介して、第２面１１ｂに向けて窪む第１凹部１１ｃ１を形成する。第１凹部１１ｃ１は、第１面１１ａに開口する第１開口５１を有する。
　ここで、上述したメタルマスク形成用中間体では、第１ドライフィルムレジスト１２と金属層２１との密着性が高められている。そのため、金属層２１が塩化第二鉄液に曝されたとき、塩化第二鉄液は、第１ドライフィルムレジスト１２に形成された第１貫通孔１２ａを通じて金属層２１の第１面１１ａに接する一方で、塩化第二鉄液が、第１ドライフィルムレジスト１２と金属層２１との界面に入り込むことが抑えられる。それゆえに、金属層２１には、第１凹部１１ｃ１が、形状の精度が高められた状態で形成される。
　また、第１面１１ａと対向する平面視において、第１凹部１１ｃ１が有する開口の寸法における平均値をＡとし、寸法の標準偏差に３を掛けた値をＢとするとき、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下となるように金属層２１に複数の第１凹部１１ｃ１が形成される。
　図１１が示すように、金属層２１の第１面１１ａに形成した第１ドライフィルムレジスト１２と、第２ドライフィルムレジスト１３に接する第２保護層４１とを取り除く。また、金属層２１の第１面１１ａに、第１面１１ａのエッチングを防ぐための第１保護層４２を形成する。第１保護層４２の形成材料は、塩化第二鉄液によってエッチングされにくい材料であればよい。
　図１２が示すように、第２ドライフィルムレジスト１３をマスクとして、塩化第二鉄液を用いて金属層２１の第２面１１ｂをエッチングする。これによって、金属層２１の第２面１１ｂに、第２ドライフィルムレジスト１３の第２貫通孔１３ａを介して、第１面１１ａに向けて窪む第２凹部１１ｃ２を形成する。第２凹部１１ｃ２は、第２面１１ｂに開口する第２開口５２を有し、第２面１１ｂと対向する平面視において、第２開口５２は、第１開口５１よりも大きい。
　ここで、上述したメタルマスク形成用中間体では、第２ドライフィルムレジスト１３と金属層２１との密着性も高められている。そのため、金属層２１が塩化第二鉄液に曝されたとき、塩化第二鉄液は、第２ドライフィルムレジスト１３に形成された第２貫通孔１３ａを通じて金属層２１の第２面１１ｂに接する一方で、塩化第二鉄液が、第２ドライフィルムレジスト１３と金属層２１との界面に入り込むことが抑えられる。それゆえに、金属層２１には、第２凹部１１ｃ２が、形状の精度が高められた状態で形成される。
　また、第２面１１ｂと対向する平面視において、第２凹部１１ｃ２が有する開口の寸法における平均値をＡとし、寸法の標準偏差に３を掛けた値をＢとするとき、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下となるように金属層２１に複数の第２凹部１１ｃ２が形成される。
　図１３が示すように、第１保護層４２と第２ドライフィルムレジスト１３とを金属層２１から取り除くことによって、複数の貫通孔６１ｃが形成されたメタルマスク６０が得られる。
　メタルマスク６０は、加工が施されたメタルマスク基材１１であって、メタルマスク基体の一例であるマスク基体６１を備えている。マスク基体６１は、メタルマスク基材１１の第１面１１ａに対応する金属製の面であって、第１ドライフィルムレジスト１２が取り除かれた面である第１マスク面６１ａを含む。また、マスク基体６１は、メタルマスク基材１１の第２面１１ｂに対応する金属製の面であって、第２ドライフィルムレジスト１３が取り除かれた面である第２マスク面６１ｂを含む。
　貫通孔６１ｃは、第１マスク面６１ａと第２マスク面６１ｂとの間を貫通し、貫通孔６１ｃがマスク基体６１を貫通する方向と直交する方向における断面積が、第１マスク面６１ａと第２マスク面６１ｂとの間において最も小さい。
　すなわち、貫通孔６１ｃは、第１マスク面６１ａに開口する第１開口５１、第２マスク面６１ｂに開口する第２開口５２、および、マスク基体６１の厚さ方向において、第１開口５１と第２開口５２との間に位置する括れ部５３を備える。第１マスク面６１ａと対向する平面視において、第１開口５１は第２開口５２よりも小さい。貫通孔６１ｃは、第１開口５１から括れ部５３に向けて断面積が小さくなり、かつ、第２開口５２から括れ部５３に向けて断面積が小さくなる形状を有している。なお、第１開口５１と括れ部５３との間の距離、すなわち、第１マスク面６１ａと括れ部５３との間の距離は小さいほど好ましい。
　また、メタルマスク６０において、第１マスク面６１ａと対向する平面視での第１開口５１の寸法における平均値をＡとし、寸法の標準偏差に３を掛けた値をＢとするとき、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下であることが好ましい。さらに、メタルマスク６０において、第２マスク面６１ｂと対向する平面視での第２開口５２の寸法における平均値をＡとし、寸法の標準偏差に３を掛けた値をＢとするとき、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下であることが好ましい。
　メタルマスク６０において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下であるため、メタルマスク６０が有する貫通孔６１ｃの第１開口５１における寸法の精度、および、第２開口５２における寸法の精度が高い。
　なお、メタルマスク基材１１の第１面１１ａには、第１ドライフィルムレジスト１２が貼り付けられる前に、以下の前提であれば、各種の処理、例えば洗浄処理などが行われてもよい。すなわち、この場合には、各種の処理は、第１マスク面６１ａにおいて、正反射における反射率、三次元表面粗さＳａ、および、三次元表面粗さＳｚの各々が、処理前の面である第１面１１ａにおける値にほぼ維持することができる処理である。
　また、メタルマスク基材１１の第２面１１ｂには、第２ドライフィルムレジスト１３が貼り付けられる前に、以下の前提であれば、各種の処理、例えば洗浄処理などが行われてもよい。すなわち、この場合には、各種の処理は、第２マスク面６１ｂにおいて、正反射における反射率、三次元表面粗さＳａ、および、三次元表面粗さＳｚの各々が、処理前の面である第２面１１ｂにおける値にほぼ維持することができる処理である。
　図１４が示すように、マスク基体６１には、マスク基体６１を厚さ方向に沿って貫通する複数の貫通孔６１ｃが形成され、第１マスク面６１ａに複数の貫通孔６１ｃが開口している。複数の貫通孔６１ｃは、例えば、第１マスク面６１ａと対向する平面視において、第１マスク面６１ａに沿う１つの方向に沿って規則的に並び、かつ、１つの方向と直交する方向に沿って規則的に並んでいる。
　なお、メタルマスクを製造するために使用されるメタルマスク基材１１が上記第２の形態であるとき、メタルマスク形成用中間体は、金属層、樹脂層、および、第１ドライフィルムレジスト１２から構成される。こうしたメタルマスク形成用中間体に対しては、第１ドライフィルムレジスト１２をマスクとしたエッチングが施される一方で、樹脂層に対してはレーザ加工などによる穿孔が行われてもよい。
　そして、マスク基体６１は、金属層と樹脂層とから構成される。こうしたマスク基体６１は、上記第１マスク面６１ａを有する一方で、第１マスク面６１ａとは反対側の面は、金属製の表面ではなく、樹脂層に含まれる。また、こうした構成では、第１マスク面６１ａに第２開口５２が形成され、樹脂層に含まれる面に第１開口５１が形成されることが好ましい。
　また、メタルマスクを製造するために使用されるメタルマスク基材１１が上記第３の形態であるとき、メタルマスク形成用中間体は、樹脂層と、この樹脂層を挟む２つの金属層と、２つのドライフィルムレジスト１２，１４から構成される。こうしたメタルマスク形成用中間体に対しては、各ドライフィルムレジスト１２，１４をマスクとしたエッチングの他に、樹脂層に対してはレーザ加工などによる穿孔が行われてもよい。
　そして、マスク基体６１は、樹脂層と、この樹脂層を挟む２つの金属層とから構成される。こうしたマスク基体６１においては、上記第１マスク面６１ａが一方の金属層に含まれ、上記第２マスク面６１ｂが他方の金属層に含まれる。また、貫通孔６１ｃは、これら樹脂層と２つの金属層とを貫通する。
　［実施例］
　図１５から図２２を参照して、実施例を説明する。以下では、メタルマスク基材が１つの金属層から構成される例を説明する。
　［反射率の測定］
　［正反射における反射率の最小値］
　実施例１から実施例４、および、比較例１のメタルマスク基材の各々における反射率を以下の測定方法を用いて測定した。
　実施例１から実施例４のメタルマスク基材、および、比較例１のメタルマスク基材は、４３０ｍｍの幅を有するメタルマスク基材の原反を準備し、原反の一部を５００ｍｍの長さで切り出すことによって得た。また、メタルマスク基材は、２０μｍの厚さを有するものとし、形成材料をインバーとした。
　そして、切り出したメタルマスク基材において、幅方向の中央を含み、かつ、圧延方向の中央を含む部分であって、メタルマスク基材の幅方向に沿う長さが５ｃｍであり、かつ、圧延方向に沿う長さが５ｃｍである正方形板形状を有する１つの試験片を準備した。
　そして、自動変角光度計（村上色彩技術研究所（株）製、ＧＰ－２００）に各試験片を配置し、試験片の測定面の法線方向に対して４５°±０．２°の光を入射させたときの反射率を算出した。なお、１つの試験片において、３つの測定点における反射率を、上述した式（１）を用いて算出した。
　このとき、試験片のうち、１４ｍｍの直径を有する領域に光を当て、反射光を直径が１１．４ｍｍである受光部の受光面によって受光した。受光部は、射出角度が０°である反射光から、射出角度が９０°である反射光までにわたって、０．１°ごとに受光した。また、受光部の回転軸Ａの延びる方向と、メタルマスク基材の圧延方向とが平行とみなされるように、例えば、受光部の回転軸Ａの延びる方向とメタルマスク基材の圧延方向との形成する角度が±２°以内になるように、各試験片を自動変角光度計に配置した。
　なお、光源としてハロゲンランプを用い、受光部には、受光素子としてサイドオン型光電子増倍管を含む受光部を用いた。
　各試験片において、互いに異なる３つの測定点が第１測定点、第２測定点、および、第３測定点であり、第１測定点から第３測定点の各々における正反射での反射率は、表１に示される値であった。なお、各試験片のうち、第１測定点は、試験片の中央を含む部分であり、第２測定点、および、第３測定点は、各試験片のうちで第１測定点とは異なり、かつ、互いに重ならない部分である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
  
　表１が示すように、実施例１では、第１測定点における反射率が６２．６％であり、第２測定点における反射率が５４．４％であり、第３測定点における反射率が６０．２％であることが認められた。すなわち、実施例１では、正反射における反射率の最小値が５４．４％であることが認められた。
　実施例２では、第１測定点における反射率が４８．５％であり、第２測定点における反射率が４５．２％であり、第３測定点における反射率が４９．８％であることが認められた。すなわち、実施例２では、正反射における反射率の最小値が４５．２％であることが認められた。
　実施例３では、第１測定点における反射率が７３．３％であり、第２測定点における反射率が６４．４％であり、第３測定点における反射率が５４．０％であることが認められた。すなわち、実施例３では、正反射における反射率の最小値が５４．０％であることが認められた。
　実施例４では、第１測定点における反射率が８３．２％であり、第２測定点における反射率が７４．０％であり、第３測定点における反射率が８５．８％であることが認められた。すなわち、実施例４では、正反射における反射率の最小値が７４．０％であることが認められた。
　比較例１では、第１測定点における反射率が２５．８％であり、第２測定点における反射率が２５．４％であり、第３測定点における反射率が３０．０％であることが認められた。すなわち、比較例１では、正反射における反射率の最小値が２５．４％であることが認められた。
　［第１反射率と第２反射率との違い］
　実施例５のメタルマスク基材と比較例２のメタルマスク基材との各々において、４枚の試験片を準備した。このとき、実施例１と同様、実施例５のメタルマスク基材、および、比較例２のメタルマスク基材において、４３０ｍｍの幅を有するメタルマスク基材の原反を準備し、原反の一部を５００ｍｍの長さで切り出した。そして、切り出したメタルマスク基材のうちの任意の４つの位置の各々から、１つの試験片を切り出した。なお、各試験片は、実施例１と同様、メタルマスク基材における幅方向に沿う長さが５ｃｍであり、圧延方向に沿う長さが５ｃｍである正方形形状を有する試験片とした。
　そして、受光部の回転軸Ａの延びる方向と、メタルマスク基材の圧延方向とが平行とみなされるように、例えば、受光部の回転軸Ａの延びる方向とメタルマスク基材の圧延方向との形成する角度が±２°以内になるように、各試験片を自動変角光度計に配置したときの反射率を算出した。言い換えれば、メタルマスク基材の表面に垂直な第１平面であって、圧延方向と直交する第１平面内での反射率である第１反射率を算出した。
　さらに、受光部の回転軸Ａの延びる方向と、メタルマスク基材の幅方向とが平行とみなされるように、例えば、受光部の回転軸Ａの延びる方向とメタルマスク基材の幅方向との形成する角度が±２°以内になるように、各試験片を自動変角光度計に配置した。言い換えれば、メタルマスク基材の表面に垂直な第２平面であって、幅方向と直交する第２平面内での反射率である第２反射率を算出した。
　なお、各試験片に入射させる光は、上述と同様の条件とし、第１反射率を算出するときと、第２反射率を算出するときとの両方において、各試験片における中央に光を当てた。また、各試験片において、光を当てた１つの領域における反射率を、上述した式（１）を用いて算出した。
　各試験片において、第１反射率および第２反射率は、表２に示される値であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
  
　表２が示すように、実施例５では、試験片１において、第１反射率が７５．９％であり、第２反射率が７７．８％であり、試験片２において、第１反射率が５６．１％であり、第２反射率が６７．９％であることが認められた。試験片３において、第１反射率が６２．８％であり、第２反射率が７３．０％であり、試験片４において、第１反射率が６４．８％であり、第２反射率が７８．５％であることが認められた。
　そして、第２反射率から第１反射率を引いた差が、試験片１では１．９％であり、試験片２では１１．８％であり、試験片３では１０．２％であり、試験片４では１３．７％であることが認められた。すなわち、実施例５では、第２反射率が第１反射率よりも大きいことが認められた。また、実施例５では、第２反射率から第１反射率を引いた差が、１０．２％以上である部分が含まれることが認められた。
　比較例２では、試験片１において、第１反射率が３０．１％であり、第２反射率が３１．４％であり、試験片２において、第１反射率が３３．３％であり、第２反射率が２９．５％であることが認められた。試験片３において、第１反射率が３３．１％であり、第２反射率が３２．８％であり、試験片４において、第１反射率が３４．０％であり、第２反射率が３１．７％であることが認められた。
　そして、第２反射率から第１反射率を引いた差が、試験片１では１．３％であり、試験片２では－３．８％であり、試験片３では－０．３％であり、試験片４では－２．３％であることが認められた。すなわち、比較例２には、第２反射率が第１反射率よりも大きい部分と、第２反射率が第１反射率よりも小さい部分とが含まれることが認められた。また、比較例２には、実施例５と比べて、第２反射率から第１反射率を引いた差が小さい部分のみが含まれることが認められた。
　［表面粗さの測定］
　実施例１から実施例４、および、比較例１のメタルマスク基材の各々について、三次元表面粗さＳａ、および、三次元表面粗さＳｚを以下の測定方法を用いて測定した。
　５０倍の対物レンズを装着した形状解析レーザ顕微鏡（ＶＫ－Ｘ２１０、（株）キーエンス製）を用いて、三次元表面粗さＳａ、および、三次元表面粗さＳｚを測定した。三次元表面粗さＳａ、および、三次元表面粗さＳｚとして、１つの方向における約２８０μｍの幅と、１つの方向と直交する方向における約２２０μｍの幅とを有する面における三次元表面粗さＳａおよび三次元表面粗さＳｚを測定した。
　なお、三次元表面粗さＳａおよび三次元表面粗さＳｚは、ＩＳＯ　２５１７８に準拠する方向によって測定した。
　実施例１から実施例４のメタルマスク基材、および、比較例１のメタルマスク基材は、反射率を測定するときと同様、４３０ｍｍの幅を有するメタルマスク基材の原反を準備し、原反の一部を５００ｍｍの長さで切り出すことによって得た。
　実施例１から実施例４、および、比較例１のメタルマスク基材の各々において、互いに異なる３か所の各々から切り出した試験片での各表面粗さを測定した。各試験片は、メタルマスク基材の圧延方向に沿う長さが２０ｍｍであり、メタルマスク基材の幅方向に沿う長さが３０ｍｍである矩形板形状を有する試験片とした。
　メタルマスク基材の圧延方向における２つの端部を第１端部および第２端部とし、幅方向における２つの端部を第３端部および第４端部とするとき、３つの試験片の各々をメタルマスク基材における以下の位置から切り出した。
　すなわち、試験片１を第１端部から１００ｍｍだけ離れ、かつ、第３端部から２００ｍｍだけ離れた位置から切り出した。また、試験片２を第２端部から１００ｍｍだけ離れ、かつ、第３端部から７０ｍｍだけ離れた位置から切り出した。そして、試験片３を第２端部から１００ｍｍだけ離れ、かつ、第４端部から７０ｍｍだけ離れた位置から切り出した。
　なお、各試験片において、５つの測定点における三次元表面粗さＳａと三次元表面粗さＳｚとを測定した。５つの測定点は、各試験片における中央の１点と、中央の１点を囲む外周における４点とした。各試験片における外周の４点は、試験片の対角線上に位置する点とし、かつ、中央の１点と、外周における各点との間の距離は、１０ｍｍとした。
　実施例１から４、および、比較例１の各々において、各試験片における三次元表面粗さＳａの最大値、および、三次元表面粗さＳｚの最大値は、表３に示される値であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
  
　表３が示すように、実施例１では、試験片１において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０９μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．８３μｍであることが認められた。試験片２において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０８μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．６３μｍであり、試験片３において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０９μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が３．１７μｍであることが認められた。すなわち、実施例１において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０９μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が３．１７μｍであることが認められた。
　また、実施例２では、試験片１において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．１０μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．９３μｍであることが認められた。試験片２において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．１１μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．８４μｍであり、試験片３において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．１０μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．９６μｍであることが認められた。すなわち、実施例２において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．１１μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．９６μｍであることが認められた。
　実施例３では、試験片１において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０７μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が１．８８μｍであることが認められた。試験片２において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０７μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が１．５６μｍであり、試験片３において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０６μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が１．９０μｍであることが認められた。すなわち、実施例３において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０７μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が１．９０μｍであることが認められた。
　実施例４では、試験片１において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０８μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．０６μｍであることが認められた。試験片２において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０６μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が１．４１μｍであり、試験片３において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０６μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が１．５６μｍであることが認められた。すなわち、実施例４において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０８μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．０６μｍであることが認められた。
　比較例１では、試験片１において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．１４μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が５．１０μｍであることが認められた。試験片２において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．１３μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が５．７８μｍであり、試験片３において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．１６μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が５．１０μｍであることが認められた。すなわち、実施例３において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．１６μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が５．１０μｍであることが認められた。
　［評価］
　図１５は、実施例１のメタルマスク基材を用いたメタルマスクの製造工程において、第１面に第１凹部を形成した後に、第１面に対して照射光を照射して、第１面にて反射された反射光を撮像した画像である。
　図１６は、比較例１のメタルマスク基材を用いたメタルマスクの製造工程において、第１面に第１凹部を形成した後に、第１面に対して照射光を照射して、第１面にて反射された反射光を撮像した画像である。
　図１５が示すように、実施例１のメタルマスク基材１１によれば、メタルマスク基材１１と第１ドライフィルムレジスト１２との密着性が高められている。そのため、第１面１１ａと対向する平面視において、第１面１１ａでの各第１凹部１１ｃ１における開口の大きさが、他の全ての第１凹部１１ｃ１における開口の大きさとほぼ等しいことが認められた。
　一方で、図１６が示すように、比較例１のメタルマスク基材では、金属層の表面７１ａと対向する平面視において、複数の第１凹部７１ｃ１における開口の大きさが大きくばらついていることが認められた。
　実施例１のメタルマスク基材、および、比較例１のメタルマスク基材の各々において、２４個の第１凹部の直径を測定した。なお、実施例１では、図１５に示される第１凹部１１ｃ１のうち、二点鎖線で囲まれる領域に含まれる第１凹部１１ｃ１の直径を測定し、比較例１では、図１６に示される第１凹部７１ｃ１のうち、二点鎖線で囲まれる領域に含まれる第１凹部７１ｃ１の直径を測定した。
　また、各第１凹部について、紙面の上下方向での直径である第１直径、および、紙面の左右方向での直径である第２直径を測定し、各第１凹部について、第１直径と第２直径との平均値である平均直径を算出した。実施例１における第１直径、第２直径、および、平均直径と、比較例１における第１直径、第２直径、および、平均直径とは、以下の表４に示すとおりであった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
  
　表４が示すように、実施例１の第１凹部１１ｃ１における平均直径は、４７．０μｍ以上５０．４μｍ以下であり、比較例１の第１凹部７１ｃ１における平均直径は、４６．０μｍ以上６４．９μｍ以下であることが認められた。
　実施例１において、メタルマスク基材１１の表面と対向する平面視での第１凹部１１ｃ１の開口における直径の平均値をＡとし、直径の標準偏差に３を掛けた値をＢとし、（Ｂ／Ａ）×１００（％）を算出した。第１直径において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は、８．２％であり、第２直径において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は、６．６％であり、平均直径において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は、５．９％であることが認められた。
　比較例１において、実施例１と同様に、金属層の表面７１ａと対向する平面視での第１凹部７１ｃ１の開口における直径の平均値をＡとし、直径の標準偏差に３を掛けた値をＢとし、（Ｂ／Ａ）×１００（％）を算出した。第１直径において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は、３０．３％であり、第２直径において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は、２６．１％であり、平均直径において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は、２６．７％であることが認められた。
　実施例１において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は８．２％以下、すなわち１０％以下であるため、メタルマスク基材１１が有する第１凹部１１ｃ１の開口、ひいてはメタルマスクが有する貫通孔の開口における直径において、寸法の精度が高いことが認められた。これに対して、比較例１において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は３０．３％以下であり、実施例１によれば、比較例１に比べて、メタルマスク基材１１が有する第１凹部１１ｃ１の開口、ひいてはメタルマスクが有する貫通孔の開口における直径において、寸法の精度が大幅に高まることが認められた。
　また、実施例１および比較例１について、第１凹部の平均直径の頻度を２μｍごとに示すヒストグラムと、１μｍごとに示すヒストグラムとを作成した。
　図１７および図１８が示すように、実施例１では、第１凹部の平均直径の頻度が、５０μｍにおいて最も高いことが認められた。また、図１９および図２０が示すように、比較例１では平均直径の各値における頻度の差が、実施例１よりも小さいことが認められた。
　このように、実施例１のメタルマスク基材１１によれば、メタルマスク基材１１と第１ドライフィルムレジスト１２との密着性が高められているために、複数の第１凹部１１ｃ１の各々が、形状の精度が高い状態で形成されることが認められた。一方で、比較例１のメタルマスク基材によれば、メタルマスク基材とドライフィルムレジストとの密着性が低いために、複数の第１凹部７１ｃ１において、形状の精度が低くなることが認められた。
　なお、実施例２から実施例５の各々においても、図１５に示される複数の第１凹部の形状と同等の形状が得られることが認められた。すなわち、メタルマスク基材１１の１つの面において、正反射における反射率が４５．２％以上であれば、金属層２１と第１ドライフィルムレジスト１２との密着性が高まることが認められた。
　また、メタルマスク基材１１の第２面１１ｂに第２凹部１１ｃ２を形成する際においても、第２面１１ｂでの正反射における反射率が上述した範囲に含まれる構成であれば、以下の傾向が認められた。すなわち、メタルマスク基材１１の第１面１１ａに第１凹部１１ｃ１を形成する際と同様に、メタルマスク基材１１と第２ドライフィルムレジスト１３との密着性が高められていることを示す傾向が認められた。
　［反射率と表面粗さとの相関］
　［反射率と三次元表面粗さＳａ］
　正反射における反射率の最小値と、三次元表面粗さＳａの最大値との相関関係を回帰分析による解析結果として以下に示す。なお、回帰分析には、実施例１から実施例４、および、比較例１の測定結果を用いた。また、説明変数を三次元表面粗さＳａとし、被説明変数を正反射における反射率とし、最小二乗法を用いて、正反射における反射率の最小値と三次元表面粗さＳａの最大値との間における回帰式を算出した。
　図２１が示すように、回帰式は、ｙ＝－４３３．５２ｘ＋９５．６６９であり、決定係数Ｒ２は、０．７４９２であることが認められた。すなわち、正反射における反射率の最小値と、三次元表面粗さＳａの最大値との間には、高い相関があることが認められた。
　［反射率と三次元表面粗さＳｚ］
　正反射における反射率の最小値と、三次元表面粗さＳｚの最大値との相関関係を回帰分析による解析結果として以下に示す。なお、回帰分析には、実施例１から実施例４、および、比較例１の測定結果を用いた。また、説明変数を三次元表面粗さＳｚとし、被説明変数を正反射における反射率とし、最小二乗法を用いて、正反射における反射率の最小値と三次元表面粗さＳｚの最大値との間における回帰式を算出した。
　図２２が示すように、回帰式は、ｙ＝－９．７７１５ｘ＋８１．５９７であり、決定係数Ｒ２は、０．７５０５であることが認められた。すなわち、正反射における反射率の最小値と、三次元表面粗さＳｚの最大値との間には、高い相関があることが認められた。
　このように、正反射における反射率は、三次元表面粗さＳａと三次元表面粗さＳｚの各々に対して負の相関を有することが認められた。そして、正反射における反射率が４５．２％以上であれば、三次元表面粗さＳａの値、および、三次元表面粗さＳｚの値のいずれもが、ドライフィルムレジストと、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材との界面における密着性が高まる値になることが認められた。すなわち、三次元表面粗さＳａが小さくなることに伴って、正反射における反射率が高くなること、および、三次元表面粗さＳｚが小さくなることに伴って、正反射における反射率が高くなることが認められた。
　それゆえに、ドライフィルムレジストと、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材との界面における密着性が高められるように、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の表面における状態を管理する上では、正反射における反射率の測定値を用いた管理が可能である。
　以上説明したように、１つの実施形態におけるドライフィルムレジスト用メタルマスク基材、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の管理方法、メタルマスク、および、メタルマスクの製造方法によれば、以下に列挙する効果を得ることができる。
　（１）第１面１１ａに入射した光において、正反射における反射率が４５．２％以上であるため、メタルマスク基材１１の第１面１１ａと、第１ドライフィルムレジスト１２との界面における密着性を高めることができる。
　（２）第１面１１ａにおいて得られる２つの反射率のうち、相対的に小さい反射率が４５．２％以上であるため、メタルマスク基材１１の第１面１１ａと、ドライフィルムレジスト１２との界面における密着性をより高めることができる。
　（３）第１面１１ａが、第２反射率が第１反射率よりも１０．２％以上大きい部分を含むため、第１面１１ａと、ドライフィルムレジスト１２との界面における密着性を高める上でより好ましい。
　（４）メタルマスク基材１１の表面において、正反射における反射率が４５．２％以上である中で、三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、かつ、三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下であるため、第１ドライフィルムレジスト１２と第１面１１ａとの界面における密着性がより確実に高まる。
　（５）第１の形態および第３の形態では、第１面１１ａと第１ドライフィルムレジスト１２との密着性、および、第２面１１ｂと第２ドライフィルムレジスト１３，１４との密着性が高められるため、第１面１１ａ、および、第２面１１ｂに対するエッチングにおいて、加工の精度を高めることが可能である。
　（６）ガラス基板の線膨張係数とインバーの線膨張係数とが同じ程度であるため、メタルマスク基材１１から形成されるメタルマスク６０をガラス基板に対する成膜に適用すること、すなわち、形状の精度が高められたメタルマスク６０をガラス基板に対する成膜に適用することが可能である。
　なお、上述した実施形態は、以下のように適宜変更して実施することもできる。
　・金属層２１の形成材料は、表面に金属光沢を有する純粋な金属、あるいは、合金であれば、インバー以外の材料であってもよい。また、金属層２１の形成材料がインバー以外の材料であるとき、金属層２１に接する樹脂層として、金属層２１の形成材料との間における線膨張係数の差が、金属層２１の形成材料における線膨張係数と、ポリイミドにおける線膨張係数との差よりも小さい樹脂が用いられてもよい。
　・金属層２１，２３において、第２面１１ｂにおける第２反射率が第１反射率よりも大きく、第１反射率が４５．２％以上であってもよい。こうした構成によれば、金属層２１における第１面１１ａにおいて、第２反射率が第１反射率よりも大きく、第１反射率が４５．２％以上であるときと同等の効果を第２面１１ｂにおいて得ることができる。
　・第２面１１ｂは、第２反射率から第１反射率を引いた差が１０．２％以上である部分を含んでもよい。こうした構成によれば、第１面１１ａが、第２反射率から第１反射率を引いた差が１０．２％以上である部分を含むときと同等の効果を第２面１１ｂにおいて得ることができる。
　・金属層２１，２３において、第２面１１ｂにおける正反射での反射率が４５．２％未満であってもよい。こうした構成であっても、少なくとも第１面１１ａにおいては、金属層２１と第１ドライフィルムレジスト１２との密着性を高めることができる。
　・上述したように、三次元表面粗さの測定領域とは、反射率の測定領域と比べて、非常に小さい領域である。メタルマスク基材の表面とドライフィルムレジストとの密着性を、三次元表面粗さの測定領域の大きさに相当する微視的な範囲で高めるうえでは、三次元表面粗さＳｚを３．１７μｍ以下とすることは有効である。また、三次元表面粗さＳａを０．１１μｍ以下とすることも有効である。ただし、メタルマスク基材の表面とドライフィルムレジストとの密着性を巨視的に高めるうえでは、例えば、メタルマスク基材１１の第１面１１ａにおいて、三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍより大きくても、正反射での反射率が、４５．２％以上であれば、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。また、三次元表面粗さＳａに関しても同様であり、三次元表面粗さＳａが０．１１μｍより大きくても、正反射での反射率が、４５．２％以上であれば、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。
　・メタルマスク基材１１の第１面１１ａが、第１反射率と第２反射率との数値からは圧延方向が特定できない程度の表面粗さを有し、かつ、第１反射率および第２反射率の両方が４５．２％以上であれば、第２反射率から第１反射率を引いた差が、１０．２％以上である部分が含まれていなくてもよい。こうした構成であっても、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。
　・メタルマスク基材１１の第１面１１ａが、第１反射率と第２反射率との数値からは圧延方向が特定できない程度の表面粗さを有し、かつ、第１反射率および第２反射率の両方が４５．２％以上であれば、第１反射率と第２反射率とが同程度である部分、あるいは、第１反射率が第２反射率よりも大きい部分が含まれてもよい。こうした構成であっても、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。
　・各貫通孔６１ｃの断面積は、マスク基体６１の厚さ方向の全体にわたってほぼ同じであってもよい。あるいは、各貫通孔６１ｃの断面積は、マスク基体６１の厚さ方向において、第１マスク面６１ａから第２マスク面６１ｂに向けて大きくなってもよいし、第１マスク面６１ａから第２マスク面６１ｂに向けて小さくなってもよい。
　・メタルマスク６０は、有機ＥＬ素子の形成材料をガラス基板に対して蒸着するときに用いられるメタルマスクに限らず、各種の金属材料を蒸着やスパッタなどで成膜する際などのように、他の用途のメタルマスクであってもよい。この場合には、複数の貫通孔６１ｃが、第１マスク面６１ａと対向する平面視において、不規則に並んでいてもよい。
　・メタルマスク基材のエッチングに用いられるレジストは、上述したドライフィルムレジストに限らず、レジストを形成するための塗液がメタルマスク基材に塗布されることによって形成されるレジストであってもよい。すなわち、レジストは、塗布によってメタルマスク基材の表面に配置されてもよいし、貼り付けによってメタルマスク基材の表面に配置されてもよい。こうしたレジストであっても、上述したメタルマスク基材によれば、メタルマスク基材の表面に対する密着性の低いレジストを用いた場合に、ドライフィルムレジストを用いた場合と同様の効果を得ることは可能である。
　１０…メタルマスク形成用中間体、１１…メタルマスク基材、１１ａ…第１面、１１ｂ…第２面、１１ｃ１，７１ｃ１…第１凹部、１１ｃ２…第２凹部、１２…第１ドライフィルムレジスト、１２ａ…第１貫通孔、１３，１４…第２ドライフィルムレジスト、１３ａ…第２貫通孔、２１，２３…金属層、２１ａ…母材、２１ｂ…圧延材、２２…樹脂層、３０…圧延装置、３１，３２…圧延ローラー、３３…アニール装置、４１…第２保護層、４２…第１保護層、５１…第１開口、５２…第２開口、５３…括れ部、６０…メタルマスク、６１…マスク基体、６１ａ…第１マスク面、６１ｂ…第２マスク面、６１ｃ…貫通孔、７１ａ…表面、ＬＲ…受光部、ＬＳ…光源、ＰＭ…自動変角光度計、Ｔ…試験片、Ｔｓ…測定面。

Claims (11)

  1. 　レジストが配置されるように構成された金属製の表面を備え、
    　前記表面に入射した光の正反射における反射率が、４５．２％以上である
    　メタルマスク基材。
  2. 　前記メタルマスク基材の圧延方向と直交する方向が幅方向であり、
    　前記表面に垂直な第１平面であって、前記圧延方向と直交する前記第１平面内での前記正反射における反射率が第１反射率であり、
    　前記表面に垂直な第２平面であって、前記幅方向と直交する前記第２平面内での前記正反射における反射率が第２反射率であり、
    　前記第２反射率が前記第１反射率よりも大きく、
    　前記第１反射率が、４５．２％以上である
    　請求項１に記載のメタルマスク基材。
  3. 　前記表面は、前記第２反射率から前記第１反射率を引いた差が１０．２％以上である部分を含む
    　請求項２に記載のメタルマスク基材。
  4. 　前記表面において、
    　三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、
    　三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下である
    　請求項１から３のいずれか一項に記載のメタルマスク基材。
  5. 　前記表面が第１面であり、
    　前記レジストが第１レジストであり、
    　前記第１面とは反対側の面であって、第２レジストが配置されるように構成された金属製の第２面をさらに備え、
    　前記第２面に入射した光の正反射における反射率が、４５．２％以上である
    　請求項１から４のいずれか一項に記載のメタルマスク基材。
  6. 　前記表面は、インバー製である
    　請求項１から５のいずれか一項に記載のメタルマスク基材。
  7. 　前記レジストが、ドライフィルムレジストであり、
    　前記表面が、前記ドライフィルムレジストが貼り付けられるように構成されている
    　請求項１から６のいずれか一項に記載のメタルマスク基材。
  8. 　レジストが配置されるように構成された金属製の表面を備えるメタルマスク基材を準備することと、
    　前記表面に光を入射させることと、
    　前記表面に入射した光のうち、前記表面にて正反射した光の光量を測定することと、
    　前記表面に入射した光の光量に対する前記正反射した光の光量の比として、前記正反射における反射率を算出することと、
    　前記正反射における反射率が、４５．２％以上であるか否かを判断することと、を備える
    　メタルマスク基材の管理方法。
  9. 　前記レジストが、ドライフィルムレジストであり、
    　前記表面が、前記ドライフィルムレジストが貼り付けられるように構成されている
    　請求項８に記載のメタルマスク基材の管理方法。
  10. 　金属製の表面を有したメタルマスク基体を備えるメタルマスクであって、
    　前記メタルマスク基体は、前記メタルマスク基体の厚さ方向に沿って前記メタルマスク基体を貫通するとともに、前記表面に開口を有した複数の貫通孔を備え、
    　前記表面と対向する平面視での前記開口の寸法における平均値をＡとし、前記寸法の標準偏差に３を掛けた値をＢとするとき、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下である
    　メタルマスク。
  11. 　レジストが配置されるように構成された金属製の表面を備え、前記表面の三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、前記表面の三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下であるメタルマスク基材を準備することと、
    　前記表面にレジストを配置することと、
    　前記メタルマスク基材に前記メタルマスク基材の厚さ方向に沿って窪み、かつ、前記表面に開口を有した複数の凹部を形成するための貫通孔を前記レジストに形成することと、
    　前記レジストを介して、前記メタルマスク基材に複数の前記凹部を形成することと、を備え、
    　前記メタルマスク基材に複数の前記凹部を形成することでは、前記表面と対向する平面視での前記開口の寸法における平均値をＡとし、前記寸法の標準偏差に３を掛けた値をＢとするとき、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下となるように前記メタルマスク基材に複数の前記凹部を形成する
    　メタルマスクの製造方法。
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