WO2017002513A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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智裕 木間
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株式会社村田製作所
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    • H03H9/6483—Ladder SAW filters

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device used for a resonator, a band filter, and the like.
  • Patent Documents 1 and 2 disclose an acoustic wave device in which an IDT electrode is provided on a piezoelectric substrate.
  • Patent Document 1 describes a laminated metal film in which NiCr, Pt, Ti, AlCu, and Ti are laminated in this order as the IDT electrode.
  • Patent Document 2 describes a laminated metal film in which Al is laminated on Ti as the IDT electrode.
  • the laminated metal film is covered with a coated electrode film.
  • the IDT electrode constituting the acoustic wave device is often exposed to a plasma atmosphere when a dielectric film is formed or when organic residues on the surface are removed.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device that hardly deteriorates in characteristics even when an IDT electrode is exposed to a plasma atmosphere.
  • An acoustic wave device includes a piezoelectric substrate and an IDT electrode provided on the piezoelectric substrate, wherein the IDT electrode includes at least one electrode layer having an outermost electrode layer, and the outermost layer.
  • a ridge line formed by the first main surface and the side surface is covered with the protective electrode layer in the outermost electrode layer.
  • the outermost electrode layer can be effectively protected, and the deterioration of the characteristics is further less likely to occur.
  • the side surface of the outermost electrode layer is covered with the protective electrode layer.
  • the outermost electrode layer can be more reliably protected.
  • the outermost electrode layer has a second main surface facing the first main surface, and the outermost electrode layer The second main surface is covered with the protective electrode layer. In this case, the outermost electrode layer can be more reliably protected.
  • the outermost electrode layer is made of at least one of Al and Cu. In this case, the resistance of the electrode can be lowered and the loss can be reduced.
  • the protective electrode layer is made of at least one of Ti and Mo. In this case, the outermost electrode layer can be more reliably protected.
  • the IDT electrode includes a plurality of electrode layers having the outermost electrode layer, and the protective electrode layer protecting the outermost electrode layer, Have
  • the plurality of electrode layers include a second electrode layer formed under the outermost electrode layer, and the second layer
  • the electrode layer is made of a metal having a density higher than that of the metal constituting the outermost electrode layer.
  • the second electrode layer is made of at least one of Pt and Au.
  • the elastic wave device has a pair of side surface portions that face each other, and faces the first main surface from the second main surface.
  • Each side surface portion is inclined so that the distance between the pair of matching side surface portions becomes narrow.
  • the IDT electrode includes a NiCr layer, the second electrode layer, a Ti layer, the outermost electrode layer, and the protective electrode layer stacked in this order. It is the laminated metal film made.
  • the IDT electrode even when the IDT electrode is exposed to a plasma atmosphere, it is possible to provide an elastic wave device that is unlikely to deteriorate in characteristics.
  • FIG. 1A is a schematic front sectional view of an acoustic wave device according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a schematic plan view showing an electrode structure thereof.
  • FIG. 2 is an enlarged schematic front sectional view of the IDT electrode portion of the acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is an enlarged schematic cross-sectional view of the IDT electrode portion of the acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 1A is a schematic front sectional view of an acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a schematic plan view showing an electrode structure thereof
  • FIG. 2 is an enlarged schematic front sectional view of the IDT electrode portion of the acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • the acoustic wave device 1 has a piezoelectric substrate 2.
  • An IDT electrode 3 is provided on the main surface of the piezoelectric substrate 2.
  • the piezoelectric substrate 2 is a substrate made of LiNbO 3 .
  • a substrate made of another piezoelectric single crystal such as LiTaO 3 or a substrate made of piezoelectric ceramics may be used.
  • the electrode structure shown in FIG. 1B is formed on the piezoelectric substrate 2. That is, the IDT electrode 3 and the reflectors 4 and 5 disposed on both sides of the IDT electrode 3 in the elastic wave propagation direction are formed. Thereby, a 1-port elastic wave resonator is configured.
  • the electrode structure including the IDT electrode in the present invention is not particularly limited.
  • a filter may be configured by combining a plurality of resonators. Examples of such a filter include a ladder type filter, a longitudinally coupled resonator type filter, and a lattice type filter.
  • the IDT electrode 3 has first and second bus bars and a plurality of first and second electrode fingers.
  • the plurality of first and second electrode fingers extend in a direction orthogonal to the elastic wave propagation direction.
  • the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers are interleaved with each other.
  • the plurality of first electrode fingers are connected to the first bus bar, and the plurality of second electrode fingers are connected to the second bus bar.
  • the IDT electrode 3 is formed by stacking a NiCr layer 3E, a third electrode layer 3C, a Ti layer 3D, a first electrode layer 3A, and a second electrode layer 3B in this order. It is a metal film.
  • the second electrode layer 3B is a protective electrode layer.
  • the first electrode layer 3A is the outermost electrode layer in the laminated metal film excluding the second electrode layer 3B and the Ti layer 3D, which are protective electrode layers.
  • the third electrode layer 3C is the second electrode layer in the laminated metal film excluding the second electrode layer 3B and the Ti layer 3D, which are protective electrode layers.
  • the third electrode layer 3C is formed under the first electrode layer 3A.
  • the first electrode layer 3A has first and second main surfaces 3a and 3b facing each other.
  • the first electrode layer 3A has a side surface 3c that connects the first and second main surfaces 3a and 3b.
  • the side surface 3c has first and second side surface portions 3c1 and 3c2 facing each other.
  • the first and second side surface portions 3c1 and 3c2 are respectively narrowed so that the distance between the first and second side surface portions 3c1 and 3c2 becomes narrower from the second main surface 3b toward the first main surface 3a. It is inclined. As shown in FIG. 2, the NiCr layer 3E, the third electrode layer 3C, and the Ti layer 3D have the same shape as the first electrode layer 3A.
  • the first electrode layer 3A is made of Al.
  • the first electrode layer 3A may be made of another metal such as Cu or an alloy thereof.
  • 3 A of 1st electrode layers are comprised with the metal with a small electrical resistivity.
  • the electrical resistivity of the IDT electrode 3 can be further reduced and the loss can be further reduced.
  • Al, Cu, or these alloys are mentioned.
  • the second electrode layer 3B is laminated on the first main surface 3a of the first electrode layer 3A.
  • the second electrode layer 3B covers the first main surface 3a of the first electrode layer 3A and a region extending from the first main surface 3a to a part of the side surface 3c.
  • the ridgelines R1 and R2 shown in FIG. 2 are also covered with the second electrode layer 3B.
  • the ridge line R1 is a ridge line formed by the first main surface 3a and the first side surface portion 3c1.
  • the ridge line R2 is a ridge line formed by the first main surface 3a and the second side surface portion 3c2.
  • the second electrode layer 3B has a third main surface 3d.
  • the third main surface 3d is a main surface on the opposite side to the main surface on the side in contact with the first main surface 3a in the second electrode layer 3B.
  • the distance between the third main surface 3d and the portion of the second electrode layer 3B closest to the piezoelectric substrate 2 is defined as d1.
  • the distance between the third main surface 3d and the first main surface 3a is d2.
  • the ratio d1 / d2 between d1 and d2 is preferably greater than 1.0 and 7.0 or less.
  • the ratio d1 / d2 is within the above range, damage to the first electrode layer 3A due to plasma can be more effectively suppressed.
  • the IDT electrode 3 does not become so heavy as will be described later, the deterioration of the characteristics is more difficult to occur.
  • d2 is 10 nm
  • d1 can be 10 nm to 70 nm.
  • the second electrode layer 3B is made of Ti.
  • the second electrode layer 3B may be made of another metal such as Mo or an alloy thereof.
  • the 2nd electrode layer 3B is comprised with the metal whose electrical resistivity is larger than 3 A of 1st electrode layers.
  • the metal having a higher electrical resistivity than the first electrode layer 3A include Ti, Mo, and alloys thereof.
  • the third electrode layer 3C is made of Pt. But the 3rd electrode layer 3C may be constituted by other metals, such as Au, or these alloys.
  • the third electrode layer 3C is preferably made of a metal having a higher density than the first electrode layer 3A. Examples of the metal having a density higher than that of the first electrode layer 3A include noble metals such as Pt and Au, or alloys thereof. Note that the third electrode layer 3C is not necessarily provided.
  • a main component shall mean the component contained 50weight% or more.
  • a SiO 2 film as a temperature adjusting film may be formed by sputtering or an organic residue on the surface may be removed.
  • the IDT electrode constituting the acoustic wave device may be exposed to a plasma atmosphere. Therefore, in the conventional acoustic wave device, the electrode layer located above the IDT electrode may be damaged by the plasma and the characteristics may be deteriorated.
  • the first main surface 3a of the first electrode layer 3A and the region extending from the first main surface 3a to a part of the side surface 3c are the second.
  • the electrode layer 3B is covered. Therefore, in the acoustic wave device 1, even when exposed to a plasma atmosphere, the first electrode layer 3A located at the top is hardly damaged. For this reason, the acoustic wave device 1 is unlikely to deteriorate in characteristics even when exposed to a plasma atmosphere.
  • the second electrode layer 3B does not exceed the lower end P of the side surface 3c of the first electrode layer 3A. That is, the second electrode layer 3B is not provided so as to cover the NiCr layer 3E, the third electrode layer 3C, and the Ti layer 3D. Therefore, even if the second electrode layer 3B is provided, the IDT electrode 3 does not become so heavy, and the state and frequency of energy distribution hardly change. Therefore, also from this point, the acoustic wave device 1 is unlikely to deteriorate in characteristics.
  • the ridgelines R1 and R2 that are easily damaged by plasma are covered with the second electrode layer 3B.
  • the ridgeline R1, R2 is covered by the 2nd electrode layer 3B.
  • the third electrode layer 3C may not be provided.
  • the IDT electrode 3 may be, for example, a laminated metal film in which a Ti layer 3D, a first electrode layer 3A, and a second electrode layer 3B are laminated in this order.
  • a Ti layer 3D a first electrode layer 3A
  • a second electrode layer 3B a second electrode layer 3B are laminated in this order.
  • Al, Cu, AlCu, or the like can be used as the first electrode layer 3A.
  • Ti, Mo, or the like can be used as the second electrode layer 3B.
  • the IDT electrode 3 may be a laminated metal film including a first electrode layer 3A and a second electrode layer 3B laminated on the first electrode layer 3A.
  • a first electrode layer 3A and a second electrode layer 3B laminated on the first electrode layer 3A for example, Al, Cu, or AlCu can be used as the first electrode layer 3A.
  • Ti, Mo, or the like can be used as the second electrode layer 3B.
  • the IDT electrode 3 includes the first and second electrode layers 3A and 3B, various stacked structures can be adopted.
  • the manufacturing method of the elastic wave apparatus 1 is not specifically limited, For example, it can manufacture by the method shown below.
  • a LiNbO 3 substrate as the piezoelectric substrate 2 is prepared.
  • a resist pattern is formed on the piezoelectric substrate 2 by photolithography.
  • a laminated metal film in which NiCr, Pt, Ti, Al, and Ti are laminated in this order is formed by a vacuum deposition method. Thereafter, unnecessary portions of the laminated metal film are removed together with the resist by a lift-off method. Thereby, the IDT electrode 3 and a wiring electrode (not shown) are formed on the piezoelectric substrate 2.
  • Ti / Al / Ti / Pt / NiCr 10 nm / 150 nm / 10 nm / 80 nm / 10 nm was produced as the laminated metal film constituting the IDT electrode 3.
  • the laminated metal film by vacuum deposition when the uppermost Ti layer (second electrode layer 3B) is formed, a gas is introduced into the chamber to deteriorate the degree of vacuum. Thereby, the vertical incident property of the vapor deposition particles is deteriorated, and the vapor deposition particles are wrapped around and attached to the side surface 3c of the Al layer (first electrode layer 3A). Thereby, the second electrode layer 3B is formed so as to cover the first main surface 3a of the first electrode layer 3A and the region extending from the first main surface 3a to a part of the side surface 3c. Can do.
  • Ar gas can be used as the gas introduced into the chamber.
  • the piezoelectric substrate 2 and the IDT electrode 3 are subjected to ashing treatment that irradiates oxygen plasma. Thereby, the resist remaining on the piezoelectric substrate 2 and the IDT electrode 3 and the residue of the resist stripping solution are removed.
  • a protective film made of a SiO 2 film may be provided on the piezoelectric substrate 2 and the IDT electrode 3 by using an RF sputtering method.
  • the IDT electrode 3 may be exposed to a plasma atmosphere during ashing or sputtering.
  • the first main surface 3a of the first electrode layer 3A and the region extending from the first main surface 3a to a part of the side surface 3c are the second electrode layer. It is covered with 3B. For this reason, the acoustic wave device 1 is unlikely to deteriorate in characteristics even when exposed to a plasma atmosphere.
  • the IDT electrode 3 is manufactured with the same vapor deposition equipment as described above, so that the manufacturing process can be simplified.
  • FIG. 3 is an enlarged schematic cross-sectional view of the IDT electrode portion of the acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.
  • the first electrode layer 3A in the elastic wave device according to the second embodiment, the first main surface 3a and the region extending from the first main surface 3a to the second main surface 3b. Are covered with the second electrode layer 3B. That is, in the acoustic wave device according to the second embodiment, the entire side surface 3c of the first electrode layer 3A is covered with the second electrode layer 3B.
  • Other points are the same as in the first embodiment.
  • the first main surface 3a and the side surface 3c of the first electrode layer 3A are covered with the second electrode layer 3B. Therefore, even when exposed to a plasma atmosphere, the first electrode layer 3A located above the IDT electrode 3 is not easily damaged. Therefore, even in the acoustic wave device according to the second embodiment, the characteristics hardly deteriorate when exposed to a plasma atmosphere.
  • the second electrode layer 3B does not exceed the lower end P of the side surface 3c of the first electrode layer 3A. That is, the second electrode layer 3B is not provided so as to cover the NiCr layer 3E, the third electrode layer 3C, and the Ti layer 3D. Therefore, even if the second electrode layer 3B is provided, the IDT electrode 3 does not become so heavy, and the state and frequency of energy distribution hardly change. Therefore, also from this point, the elastic wave device according to the second embodiment is unlikely to deteriorate in characteristics.
  • the ridgelines R1 and R2 that are easily damaged by the plasma are covered with the second electrode layer 3B. Therefore, the deterioration of characteristics when exposed to a plasma atmosphere is less likely to occur.
  • the first electrode layer 3A Corrosion can be suppressed.
  • the second main surface 3b of the first electrode layer 3A is also covered with the same Ti layer as the second electrode layer 3B. That is, in the second embodiment, the first electrode layer 3A is completely covered with the Ti layer. As described above, when the first electrode layer 3A is completely covered with the Ti layer, the corrosion of the first electrode layer 3A can be more reliably suppressed.

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Abstract

ＩＤＴ電極がプラズマ雰囲気下に曝された場合においても、特性の劣化が生じ難い、弾性波装置を提供する。　圧電基板２と、圧電基板２上に設けられたＩＤＴ電極３と、を備え、ＩＤＴ電極３が、最表層の電極層３Ａを有する少なくとも１以上の電極層と、最表層の電極層３Ａを保護する保護電極層３Ｂと、を有しており、保護電極層３Ｂは、最表層の電極層３Ａより電気抵抗率が大きく、最表層の電極層３Ａが、圧電基板２側とは反対側に位置している第１の主面３ａと、第１の主面３ａに連なる側面３ｃとを有し、最表層の電極層３Ａにおける第１の主面３ａと、第１の主面３ａから側面３ｃの少なくとも一部に至る領域とが、保護電極層３Ｂにより覆われており、保護電極層３Ｂが、最表層の電極層３Ａの側面３ｃの下端Ｐを越えていない、弾性波装置１。

Description

弾性波装置
　本発明は、共振子や帯域フィルタなどに用いられる弾性波装置に関する。
　従来、共振子や帯域フィルタとして弾性波装置が広く用いられている。
　下記の特許文献１，２には、圧電基板上に、ＩＤＴ電極が設けられた弾性波装置が開示されている。特許文献１には、上記ＩＤＴ電極として、ＮｉＣｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、ＡｌＣｕ及びＴｉがこの順に積層された積層金属膜が記載されている。他方、特許文献２には、上記ＩＤＴ電極として、Ｔｉ上にＡｌが積層された積層金属膜が記載されている。特許文献２では、上記積層金属膜が、被覆電極膜により覆われている。
特許第５１３１１１７号公報 特開２００１－２１７６７２号公報
　弾性波装置を構成しているＩＤＴ電極は、誘電体膜を形成する場合や、表面の有機残渣を除去する場合などに、しばしばプラズマ雰囲気中に曝されることがある。
　ここで、特許文献１のような積層構造を有するＩＤＴ電極が、プラズマ雰囲気下に曝されると、ＩＤＴ電極の最表層に存在しているＡｌ膜やＣｕ膜等の電極膜がダメージを受けることがあった。その結果、電気特性が劣化することがあった。
　他方、特許文献２のように積層金属膜が被覆金属膜によって完全に覆われている場合、電極の特性が劣化することがあった。
　本発明の目的は、ＩＤＴ電極がプラズマ雰囲気下に曝された場合においても、特性の劣化が生じ難い、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、を備え、前記ＩＤＴ電極が、最表層の電極層を有する少なくとも１以上の電極層と、前記最表層の電極層を保護する保護電極層と、を有しており、前記保護電極層は、前記最表層の電極層より電気抵抗率が大きく、前記最表層の電極層が、前記圧電基板側とは反対側に位置している第１の主面と、該第１の主面に連なる側面とを有し、前記最表層の電極層における前記第１の主面と、前記第１の主面から前記側面の少なくとも一部に至る領域とが、前記保護電極層により覆われており、前記保護電極層が、前記最表層の電極層の前記側面の下端を越えていない。
　本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記最表層の電極層において、前記第１の主面と前記側面とのなす稜線が、前記保護電極層により覆われている。この場合、最表層の電極層を効果的に保護することができ、特性の劣化がより一層生じ難い。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記最表層の電極層における前記側面が、前記保護電極層により覆われている。この場合、最表層の電極層をより一層確実に保護することができる。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記最表層の電極層が、前記第１の主面と対向している第２の主面を有し、前記最表層の電極層における前記第２の主面が、前記保護電極層により覆われている。この場合、最表層の電極層をより一層確実に保護することができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記最表層の電極層が、Ａｌ及びＣｕのうち少なくとも一方により構成されている。この場合、電極の抵抗を低くすることができ、低損失とすることができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記保護電極層が、Ｔｉ及びＭｏのうち少なくとも一方により構成されている。この場合、最表層の電極層をより一層確実に保護することができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極が、前記最表層の電極層を有する複数の電極層と、前記最表層の電極層を保護する前記保護電極層と、を有する。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記複数の電極層が、前記最表層の電極層の下に形成されている２層目の電極層を有し、前記２層目の電極層が、前記最表層の電極層を構成している金属よりも密度の大きい金属により構成されている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記２層目の電極層が、Ｐｔ及びＡｕのうち少なくとも一方により構成されている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記側面が対向し合う一対の側面部分を有し、前記第２の主面から前記第１の主面に向かうにつれて、前記対向し合う一対の側面部分間が狭くなるように、各側面部分が傾斜されている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極が、ＮｉＣｒ層、前記２層目の電極層、Ｔｉ層、前記最表層の電極層及び前記保護電極層がこの順に積層された積層金属膜である。
　本発明によれば、ＩＤＴ電極がプラズマ雰囲気下に曝された場合においても、特性の劣化が生じ難い、弾性波装置を提供することができる。
図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図であり、図１（ｂ）は、その電極構造を示す模式的平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置のＩＤＴ電極部を拡大した模式的正面断面図である。 図３は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置のＩＤＴ電極部を拡大した模式的断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　（第１の実施形態）
　図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図であり、図１（ｂ）は、その電極構造を示す模式的平面図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置のＩＤＴ電極部を拡大した模式的正面断面図である。
　弾性波装置１は、圧電基板２を有する。圧電基板２の主面上に、ＩＤＴ電極３が設けられている。
　圧電基板２は、ＬｉＮｂＯ３からなる基板である。もっとも、圧電基板２としては、ＬｉＴａＯ３などの他の圧電単結晶からなる基板を用いてもよいし、圧電セラミックスからなる基板を用いてもよい。
　図１（ａ）では略図的に示しているが、圧電基板２上には、図１（ｂ）に示す電極構造が形成されている。すなわち、ＩＤＴ電極３と、ＩＤＴ電極３の弾性波伝搬方向両側に配置された反射器４，５が形成されている。それによって、１ポート型弾性波共振子が構成されている。もっとも、本発明におけるＩＤＴ電極を含む電極構造は特に限定されない。複数の共振子を組み合わせて、フィルタが構成されていてもよい。このようなフィルタとしては、ラダー型フィルタ、縦結合共振子型フィルタ、ラチス型フィルタ等が挙げられる。
　ＩＤＴ電極３は、第１，第２のバスバーと、複数本の第１，第２の電極指とを有する。上記複数本の第１，第２の電極指は、弾性波伝搬方向と直交する方向に延びている。上記複数本の第１の電極指と、上記複数本の第２の電極指とは、互いに間挿し合っている。また、複数本の第１の電極指は、第１のバスバーに接続されており、複数本の第２の電極指は、第２のバスバーに接続されている。
　図２に拡大して示すように、ＩＤＴ電極３は、ＮｉＣｒ層３Ｅ、第３の電極層３Ｃ、Ｔｉ層３Ｄ、第１の電極層３Ａ及び第２の電極層３Ｂがこの順に積層された積層金属膜である。
　第２の電極層３Ｂは、保護電極層である。第１の電極層３Ａは、保護電極層である第２の電極層３Ｂ及びＴｉ層３Ｄを除く積層金属膜において、最表層の電極層である。また、第３の電極層３Ｃは、保護電極層である第２の電極層３Ｂ及びＴｉ層３Ｄを除く積層金属膜において、２層目の電極層である。なお、第３の電極層３Ｃは、第１の電極層３Ａの下に形成されている。
　第１の電極層３Ａは、互いに対向している第１及び第２の主面３ａ，３ｂを有する。また、第１の電極層３Ａは、第１及び第２の主面３ａ，３ｂを結ぶ側面３ｃを有する。側面３ｃは、互いに対向している第１及び第２の側面部分３ｃ１，３ｃ２を有する。
　第１及び第２の側面部分３ｃ１，３ｃ２は、それぞれ、第２の主面３ｂから第１の主面３ａに向かうにつれて、第１及び第２の側面部分３ｃ１，３ｃ２間が狭くなるように、傾斜されている。なお、図２に示すように、ＮｉＣｒ層３Ｅ、第３の電極層３Ｃ及びＴｉ層３Ｄも、第１の電極層３Ａと同様の形状とされている。
　第１の電極層３Ａは、Ａｌにより構成されている。第１の電極層３Ａは、Ｃｕなどの他の金属若しくはこれらの合金により構成されていてもよい。なかでも、第１の電極層３Ａは、電気抵抗率の小さい金属により構成されていることが好ましい。この場合、ＩＤＴ電極３の電気抵抗率をより一層低めることができ、より一層低損失とすることができる。なお、上記電気抵抗率の小さい金属としては、Ａｌ、Ｃｕ又はこれらの合金などが挙げられる。
　第１の電極層３Ａの第１の主面３ａ上に、第２の電極層３Ｂが積層されている。第２の電極層３Ｂは、第１の電極層３Ａの第１の主面３ａと、第１の主面３ａから側面３ｃの一部に至る領域とを覆っている。特に、弾性波装置１では、図２に示す稜線Ｒ１，Ｒ２についても、第２の電極層３Ｂにより覆われている。なお、上記稜線Ｒ１とは、第１の主面３ａと、第１の側面部分３ｃ１とのなす稜線である。また、上記稜線Ｒ２とは、第１の主面３ａと、第２の側面部分３ｃ２とのなす稜線である。
　第２の電極層３Ｂは、第３の主面３ｄを有する。第３の主面３ｄは、第２の電極層３Ｂにおいて、第１の主面３ａと接する側の主面とは、反対側の主面である。ここで、第３の主面３ｄと、第２の電極層３Ｂの最も圧電基板２側の部分との間の距離をｄ１とする。また、第３の主面３ｄと、第１の主面３ａとの間の距離をｄ２とする。本発明においては、上記ｄ１とｄ２との比ｄ１/ｄ２が、１．０より大きく、７．０以下であることが好ましい。上記比ｄ１/ｄ２が、上記範囲内にある場合、第１の電極層３Ａのプラズマによるダメージをより一層効果的に抑制することができる。しかも、後述するようにＩＤＴ電極３がさほど重たくならないので、特性の劣化がより一層生じ難い。ｄ１及びｄ２は、例えば、ｄ２が１０ｎｍのとき、ｄ１は１０ｎｍ～７０ｎｍとすることができる。
　第２の電極層３Ｂは、Ｔｉにより構成されている。第２の電極層３Ｂは、Ｍｏなどの他の金属若しくはこれらの合金により構成されていてもよい。なかでも、第２の電極層３Ｂは、第１の電極層３Ａより電気抵抗率の大きい金属により構成されていることが好ましい。上記第１の電極層３Ａより電気抵抗率の大きい金属としては、例えば、Ｔｉ、Ｍｏ又はこれらの合金などが挙げられる。
　第１の電極層３Ａの第２の主面３ｂと圧電基板２との間には、第３の電極層３Ｃが配置されている。第３の電極層３Ｃは、Ｐｔにより構成されている。もっとも、第３の電極層３Ｃは、Ａｕなどの他の金属若しくはこれらの合金により構成されていてもよい。また、第３の電極層３Ｃは、第１の電極層３Ａより密度の大きい金属により構成されていることが好ましい。上記第１の電極層３Ａより密度の大きい金属としては、ＰｔやＡｕなどの貴金属若しくはこれらの合金などが挙げられる。なお、第３の電極層３Ｃは設けなくともよい。
　弾性波装置１のように、第１の電極層３Ａの下に、第１の電極層３Ａよりも密度の大きい金属を主成分とする第３の電極層３Ｃが設けられている場合、第３の電極層３Ｃの密度が高くなるため、弾性波の反射係数を高めることができ、弾性波装置の電気的特性を高めることができる。なお、本明細書において、主成分とは、５０重量％以上含まれている成分のことをいうものとする。
　ところで、弾性波装置を製造する際には、スパッタリング法により温度調整膜としてのＳｉＯ２膜を形成したり、表面の有機残渣を除去したりすることがある。このような場合、弾性波装置を構成するＩＤＴ電極がプラズマ雰囲気下に曝されることがある。そのため、従来の弾性波装置においては、ＩＤＴ電極の上部に位置している電極層がプラズマによりダメージを受け、特性が劣化することがあった。
　これに対して、本実施形態の弾性波装置１では、第１の電極層３Ａの第１の主面３ａと、第１の主面３ａから側面３ｃの一部に至る領域とが、第２の電極層３Ｂにより覆われている。そのため、弾性波装置１では、プラズマ雰囲気下に曝された場合においても、上部に位置している第１の電極層３Ａがダメージを受け難い。そのため、弾性波装置１では、プラズマ雰囲気下に曝されても、特性の劣化が生じ難い。
　また、第２の電極層３Ｂは、第１の電極層３Ａの側面３ｃの下端Ｐを越えていない。すなわち、第２の電極層３Ｂは、ＮｉＣｒ層３Ｅ、第３の電極層３Ｃ及びＴｉ層３Ｄを覆うようには設けられていない。そのため、第２の電極層３Ｂを設けてもＩＤＴ電極３はさほど重たくならず、エネルギー分布の状態や周波数が変化し難い。よって、この点からも、弾性波装置１は、特性の劣化が生じ難い。
　加えて、本実施形態においては、プラズマにより損傷を受けやすい稜線Ｒ１，Ｒ２が、第２の電極層３Ｂにより覆われている。そのため、弾性波装置１では、プラズマ雰囲気下に曝された場合における特性の劣化がより一層生じ難い。このように、本発明においては、稜線Ｒ１，Ｒ２が、第２の電極層３Ｂにより覆われていることが好ましい。
　なお、本発明において、第３の電極層３Ｃは設けなくともよい。ＩＤＴ電極３は、例えば、Ｔｉ層３Ｄ、第１の電極層３Ａ、第２の電極層３Ｂがこの順に積層された積層金属膜であってもよい。この場合、第１の電極層３Ａとしては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ又はＡｌＣｕなどを用いることができる。第２の電極層３Ｂとしては、ＴｉやＭｏなどを用いることができる。
　また、ＩＤＴ電極３は、第１の電極層３Ａと、第１の電極層３Ａ上に積層された第２の電極層３Ｂとからなる積層金属膜であってもよい。この場合においても、第１の電極層３Ａとしては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ又はＡｌＣｕなどを用いることができる。第２の電極層３Ｂとしては、ＴｉやＭｏなどを用いることができる。
　このように、ＩＤＴ電極３は、上記の第１及び第２の電極層３Ａ及び３Ｂを有している限り、さまざまな積層構造を採ることができる。
　（製造方法）
　弾性波装置１の製造方法は、特に限定されないが、例えば以下に示す方法により製造することができる。
　まず、圧電基板２としてのＬｉＮｂＯ３基板を用意する。次に、フォトリソグラフィー法により、レジストのパターンを圧電基板２上に形成する。続いて、真空蒸着法によりＮｉＣｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉがこの順に積層された積層金属膜を形成する。しかる後、リフトオフ法により不要な部分の積層金属膜をレジストごと除去する。それによって、圧電基板２上にＩＤＴ電極３及び図示しない配線電極を形成する。なお、本製造方法では、ＩＤＴ電極３を構成する積層金属膜として、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｔ／ＮｉＣｒ＝１０ｎｍ／１５０ｎｍ／１０ｎｍ／８０ｎｍ／１０ｎｍを作製した。
　また、真空蒸着で積層金属膜を形成するに際しては、最上層のＴｉ層（第２の電極層３Ｂ）を成膜するときに、チャンバー内にガスを導入して真空度を悪化させる。それによって、蒸着粒子の垂直入射性を悪化させ、Ａｌ層（第１の電極層３Ａ）の側面３ｃに蒸着粒子を回り込んで付着させる。これにより、第１の電極層３Ａの第１の主面３ａと、第１の主面３ａから側面３ｃの一部に至る領域とを被覆するように、第２の電極層３Ｂを形成することができる。なお、チャンバー内に導入するガスとしては、例えば、Ａｒガスを用いることができる。
　次に、圧電基板２及びＩＤＴ電極３に酸素プラズマを照射するアッシング処理を施す。それによって、圧電基板２及びＩＤＴ電極３上に残ったレジストやレジスト剥離液の残渣を除去する。
　また、ＩＤＴ電極３を異物などから保護することを目的として、圧電基板２及びＩＤＴ電極３上にＲＦスパッタリング法を用いて、ＳｉＯ２膜からなる保護膜を設けてもよい。
　このように、本製造方法においては、アッシング処理や、スパッタリングに際して、ＩＤＴ電極３がプラズマ雰囲気下に曝されることがある。しかしながら、弾性波装置１では、上記のように第１の電極層３Ａの第１の主面３ａと、第１の主面３ａから側面３ｃの一部に至る領域とが、第２の電極層３Ｂにより覆われている。そのため、弾性波装置１では、プラズマ雰囲気下に曝された場合においても、特性の劣化が生じ難い。
　また、本製造方法においてＩＤＴ電極３は、上記のように、同一の蒸着設備で製造されるため、製造工程を簡略化することができる。
　（第２の実施形態）
　図３は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置のＩＤＴ電極部を拡大した模式的断面図である。図３に示すように、第２の実施形態に係る弾性波装置では、第１の電極層３Ａにおいて、第１の主面３ａと第１の主面３ａから第２の主面３ｂに至る領域とが、第２の電極層３Ｂにより覆われている。すなわち、第２の実施形態に係る弾性波装置においては、第１の電極層３Ａの側面３ｃ全体が、第２の電極層３Ｂに覆われている。その他の点は、第１の実施形態と同様である。
　第２の実施形態に係る弾性波装置では、第１の電極層３Ａの第１の主面３ａと、側面３ｃとが、第２の電極層３Ｂにより覆われている。そのため、プラズマ雰囲気下に曝されても、ＩＤＴ電極３の上部に位置している第１の電極層３Ａがダメージを受け難い。従って、第２の実施形態に係る弾性波装置においても、プラズマ雰囲気下に曝された場合に、特性の劣化が生じ難い。
　また、第２の電極層３Ｂは、第１の電極層３Ａの側面３ｃの下端Ｐを越えていない。すなわち、第２の電極層３Ｂは、ＮｉＣｒ層３Ｅ、第３の電極層３Ｃ及びＴｉ層３Ｄを覆うようには設けられていない。そのため、第２の電極層３Ｂを設けてもＩＤＴ電極３はさほど重たくならず、エネルギー分布の状態や周波数が変化し難い。よって、この点からも、第２の実施形態に係る弾性波装置は、特性の劣化が生じ難い。
　加えて、第２の実施形態においても、プラズマにより損傷を受けやすい稜線Ｒ１，Ｒ２が、第２の電極層３Ｂにより覆われている。そのため、プラズマ雰囲気下に曝された場合における特性の劣化がより一層生じ難い。
　また、第２の実施形態では、第１の電極層３Ａの第１の主面３ａと、側面３ｃ全体とが、第２の電極層３Ｂにより覆われているため、第１の電極層３Ａの腐食を抑制することができる。
　なお、第２の実施形態では、第１の電極層３Ａの第２の主面３ｂについても、第２の電極層３Ｂと同じＴｉ層により覆われている。すなわち、第２の実施形態では、第１の電極層３ＡがＴｉ層により完全に覆われている。このように、第１の電極層３ＡがＴｉ層により完全に覆われている場合、第１の電極層３Ａの腐食をより一層確実に抑制することができる。
１…弾性波装置
２…圧電基板
３…ＩＤＴ電極
３ａ，３ｂ…第１，第２の主面
３ｃ…側面
３ｄ…第３の主面
３ｃ１，３ｃ２…第１，第２の側面部分
３Ａ～３Ｃ…第１～第３の電極層
３Ｄ…Ｔｉ層
３Ｅ…ＮｉＣｒ層
４，５…反射器

Claims (11)

  1. 　圧電基板と、
    　前記圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、
    　を備え、
    　前記ＩＤＴ電極が、最表層の電極層を有する少なくとも１以上の電極層と、前記最表層の電極層を保護する保護電極層と、を有しており、
    　前記保護電極層は、前記最表層の電極層より電気抵抗率が大きく、
    　前記最表層の電極層が、前記圧電基板側とは反対側に位置している第１の主面と、該第１の主面に連なる側面とを有し、
    　前記最表層の電極層における前記第１の主面と、前記第１の主面から前記側面の少なくとも一部に至る領域とが、前記保護電極層により覆われており、
    　前記保護電極層が、前記最表層の電極層の前記側面の下端を越えていない、弾性波装置。
  2. 　前記最表層の電極層において、前記第１の主面と前記側面とのなす稜線が、前記保護電極層により覆われている、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記最表層の電極層における前記側面が、前記保護電極層により覆われている、請求項１又は２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記最表層の電極層が、前記第１の主面と対向している第２の主面を有し、
    　前記最表層の電極層における前記第２の主面が、前記保護電極層により覆われている、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記最表層の電極層が、Ａｌ及びＣｕのうち少なくとも一方により構成されている、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記保護電極層が、Ｔｉ及びＭｏのうち少なくとも一方により構成されている、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記ＩＤＴ電極が、前記最表層の電極層を有する複数の電極層と、前記最表層の電極層を保護する前記保護電極層と、を有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 　前記複数の電極層が、前記最表層の電極層の下に形成されている２層目の電極層を有し、
    　前記２層目の電極層が、前記最表層の電極層を構成している金属よりも密度の大きい金属により構成されている、請求項７に記載の弾性波装置。
  9. 　前記２層目の電極層が、Ｐｔ及びＡｕのうち少なくとも一方により構成されている、請求項８に記載の弾性波装置。
  10. 　前記側面が対向し合う一対の側面部分を有し、
    　前記第２の主面から前記第１の主面に向かうにつれて、前記対向し合う一対の側面部分間が狭くなるように、各側面部分が傾斜されている、請求項１～９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　前記ＩＤＴ電極が、ＮｉＣｒ層、前記２層目の電極層、Ｔｉ層、前記最表層の電極層及び前記保護電極層がこの順に積層された積層金属膜である、請求項８又は９に記載の弾性波装置。
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