WO2016204044A1 - インバータ装置 - Google Patents

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WO2016204044A1
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shunt resistor
region
area
conductive pattern
bulging
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弘宜 土居
浩 堂前
卓嗣 児山
美智也 竹添
圭人 小寺
将央 山本
義次 小山
紀雄 鍵村
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ダイキン工業株式会社
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    • H05K2201/09227Layout details of a plurality of traces, e.g. escape layout for Ball Grid Array [BGA] mounting

Definitions

  • the present invention relates to an inverter device, and more particularly to an inverter device in which a shunt resistor is used to detect a motor current.
  • a CT sensor is used to detect a motor current of a large-capacity inverter.
  • the CT sensor is expensive, it causes a cost increase.
  • an inverter device described in Patent Document 1 (Japanese Patent No. 3826749) adopts a method of detecting a current value by connecting a shunt resistor in series with the inverter. is there.
  • a plurality of resistors are arranged in parallel in order to suppress the heat generation of the resistance, so that the number of paths through which the current flows increases accordingly, the angle of the current flow with respect to the resistance, Depending on the distribution, current detection accuracy may be reduced.
  • Patent Document 1 a plate having a high thermal conductivity is fixed to the electrode portion in order to reduce the thermal resistance of the shunt resistor, and the electrode and the shunt resistor are made uniform in order to equalize the load current distribution in the shunt resistor. A constriction is provided between them. Therefore, it cannot be said that the method of Patent Document 1 is realized at low cost.
  • An object of the present invention is to provide an inverter device that improves the accuracy of current detection by suppressing variation in the distribution of current flowing through a shunt resistor without using a separate member.
  • An inverter device is an inverter device that converts a DC voltage supplied from a rectifying unit into an AC voltage by an inverter and applies the AC voltage to an inductive load, and includes a shunt resistor, a first terminal, A second terminal and a printed circuit board are provided.
  • the shunt resistor is provided in a DC link that connects the rectifying unit and the inverter.
  • the first terminal flows current to the shunt resistor.
  • a current from the shunt resistor flows through the second terminal.
  • the printed circuit board is a substrate on which a conductive pattern including a first conductive pattern portion connecting the shunt resistor and the first terminal and a second conductive pattern portion connecting the shunt resistor and the second terminal is formed.
  • the first conductive pattern portion viewed from the position facing the shunt resistor from the first terminal includes a first central region, a first right bulge region, and a first left bulge region.
  • the first central region is a region connecting the right end and left end of the shunt resistor and the right end and left end of the first terminal.
  • the first right-side bulging area is an area that protrudes to the right of the first central area.
  • the first left bulge region is a region that protrudes to the left of the first central region.
  • the ratio SA2 / SA1 of the area SA2 of the first left bulge region to the area SA1 of the first right bulge region is in the range of 0.6 to 1.6.
  • An inverter device is the inverter device according to the first aspect, wherein the second conductive pattern portion viewed from a position facing the second terminal from the shunt resistor includes the second central region, It includes a right bulge area and a second left bulge area.
  • the second center region is a region connecting the right end and left end of the shunt resistor and the right end and left end of the second terminal.
  • the second right bulging area is an area that protrudes to the right of the second central area.
  • the second left bulging area is an area that protrudes to the left of the second central area.
  • the ratio SB2 / SB1 of the area SB2 of the second left bulge region to the area SB1 of the second right bulge region is in the range of 0.6 to 1.6.
  • the ratio SB2 / SB1 of the area SB2 of the second left bulge region to the area SB1 of the second right bulge region Is set within the range of 0.6 to 1.6, variation in the distribution of current flowing through the shunt resistor can be suppressed, and the accuracy of current detection can be improved by inexpensive means.
  • An inverter device is the inverter device according to the first aspect or the second aspect, wherein the first conductive pattern portion and / or the second conductive pattern portion is provided with current correction means. Yes.
  • the current correcting means corrects the direction of the current flowing to and / or from the shunt resistor.
  • the inverter device is the inverter device according to the first aspect, wherein the first conductive pattern portion is provided with current correction means for correcting the direction of the current flowing to the shunt resistor.
  • the area of the first right bulge region is different from the area of the first right bulge region, and the bulge distance of the first right bulge region relative to the right end of the shunt resistor and the left end of the shunt resistor are
  • the current correction means is provided on the side of the first right bulging area and the first left bulging area having a larger area and a larger bulging distance. It is done.
  • the inverter device is the inverter device according to the second aspect, and is provided with current correction means for correcting the direction of the current flowing from the shunt resistor in the second conductive pattern portion.
  • the area of the second right bulge region is different from the area of the second right bulge region, and the bulge distance of the second right bulge region relative to the right end of the shunt resistor and the left end of the shunt resistor are
  • the current correcting means is provided on the side of the second right bulging area and the second left bulging area having a larger area and a larger bulging distance. It is done.
  • the inverter device is the inverter device according to any one of the first to fifth aspects, wherein the shunt resistors are a plurality of resistance groups connected in parallel.
  • each resistor since a plurality of resistors are arranged in parallel in order to correspond to a large current inverter, the distribution of the current flowing through each resistor tends to be non-uniform, but by optimizing the shape of the conductive pattern, each resistor The current imbalance of the current flowing through can be eliminated and the accuracy of current detection can be improved.
  • the first left-side bulging region has an area SA1 with respect to the first right-side bulging region area SA1.
  • the ratio SA2 / SA1 of the area SA2 within the range of 0.6 to 1.6, variation in the distribution of current flowing through the shunt resistor is suppressed, and current detection accuracy is improved by inexpensive means. Can do.
  • the second left side bulge region has an area SB1 with respect to the area SB1 of the second right side bulge region.
  • the current correction means adjusts the current distribution. be able to.
  • the inverter device since a plurality of resistors are arranged in parallel in order to cope with the large current inverter, the distribution of the current flowing through each resistor tends to be uneven, but the shape of the conductive pattern is suitable. As a result, the current imbalance between the resistors can be eliminated and the accuracy of current detection can be improved.
  • FIG. 1 is a block diagram of a system including an inverter device in an embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a graph showing a variation rate of a voltage generated at both ends of the shunt resistor when a minute current is passed between the first terminal and the second terminal for each dimension d2 in FIGS. 3, 4, and 5.
  • the top view of the conductive pattern which concerns on a modification.
  • FIG. 1 is a block diagram of a system 100 including an inverter device 20 according to an embodiment of the present invention.
  • a system 100 includes a motor 71 and an inverter device 20 that drives and controls the motor 71.
  • the motor 71 is a three-phase brushless DC motor, and includes a stator 72 and a rotor 73.
  • the stator 72 includes U-phase, V-phase, and W-phase drive coils Lu, Lv, and Lw that are star-connected.
  • the inverter device 20 includes a rectifying unit 21 connected to a commercial power supply 91, a DC link unit 22 composed of a capacitor 22a, a voltage detecting unit 23, a current detecting unit 24, an inverter 25, and a gate drive circuit. 26 and a controller 35.
  • a commercial power supply 91 the single-phase commercial power supply 91 is described in FIG. 1, it is not limited to this, A three-phase power supply may be sufficient.
  • the rectifying unit 21 is configured in a bridge shape by four diodes D1a, D1b, D2a, and D2b. Specifically, the diodes D1a and D1b and D2a and D2b are respectively connected in series. The cathode terminals of the diodes D1a and D2a are both connected to the reactor 22b and function as positive output terminals of the rectifying unit 21. The anode terminals of the diodes D1b and D2b are both connected to the negative side terminal of the capacitor 22a and function as the negative side output terminal of the rectifying unit 21.
  • connection point of the diode D1a and the diode D1b is connected to one pole of the commercial power supply 91.
  • a connection point between the diode D2a and the diode D2b is connected to the other pole of the commercial power supply 91.
  • the rectifier 21 rectifies the AC voltage output from the commercial power supply 91 to generate a DC power supply, and supplies this to the capacitor 22a.
  • the DC link unit 22 includes a capacitor 22a and a reactor 22b. One end of the capacitor 22a is connected to the positive output terminal side of the rectifying unit 21 in the DC links 801 and 802 connecting the reactor 22b and the inverter 25, and the other end is negative of the rectifying unit 21 in the DC links 801 and 802. It is connected to the side output terminal side. Reactor 22b reduces power factor improvement and harmonic current. The capacitor 22a smoothes the voltage rectified by the rectifying unit 21.
  • DC voltage Vdc the voltage of the DC link unit 22 is referred to as “DC voltage Vdc”.
  • the DC voltage Vdc is applied to the inverter 25 connected to the output side of the capacitor 22a.
  • the commercial power supply 91, the rectifying unit 21, the reactor 22b, and the capacitor 22a constitute a DC power supply unit for the inverter 25.
  • the voltage detector 23 is connected to the output side of the capacitor 22a and detects the voltage across the capacitor 22a, that is, the value of the DC voltage Vdc.
  • the voltage detector 23 is configured, for example, such that two resistors connected in series with each other are connected in parallel to the capacitor 22a and the DC voltage Vdc is divided. The voltage value at the connection point between the two resistors is input to the controller 35.
  • the current detection unit 24 is configured by an amplifier circuit using an operational amplifier that amplifies the voltage across the shunt resistor 31.
  • the current detection unit 24 detects the motor current Im flowing through the motor 71 after the motor 71 is started.
  • the motor current Im detected by the current detection unit 24 is input to the controller 35.
  • an inverter 25 includes a plurality of insulated gate bipolar transistors (hereinafter simply referred to as transistors) Q3a, Q3b, Q4a, Q4b, Q5a, Q5b and a plurality of reflux diodes D3a, D3b, D4a, D4b, D5a, Including D5b.
  • transistors insulated gate bipolar transistors
  • Transistors Q3a and Q3b, Q4a and Q4b, Q5a and Q5b are connected to each other in series.
  • the transistors are connected in parallel so that the emitter terminal of the transistor and the anode terminal of the diode are connected.
  • the inverter 25 is applied with the DC voltage Vdc from the capacitor 22a, and the transistors Q3a to Q5b are turned on and off at the timing instructed by the gate drive circuit 26, whereby the drive voltages SU and SV for driving the motor 71 are driven. , SW are generated.
  • the drive voltages SU, SV, SW are output to the motor 71 from connection points NU, NV, NW of the transistors Q3a and Q3b, Q4a and Q4b, and Q5a and Q5b.
  • Gate drive circuit 26 The gate drive circuit 26 changes the on / off states of the transistors Q3a to Q5b of the inverter 25 based on the drive command value Vpwm from the controller 35. Specifically, the gate drive circuit 26 applies the drive voltages SU, SV, SW having the duty determined by the controller 35 to the gates of the transistors Q3a to Q5b so that the inverter 25 outputs the drive voltages SU, SV, SW to the motor 71. Gate control voltages Gu, Gx, Gv, Gy, Gw, and Gz are generated. The generated gate control voltages Gu, Gx, Gv, Gy, Gw, Gz are applied to the gate terminals of the respective transistors Q3a to Q5b.
  • Controller 35 The controller 35 is connected to the voltage detection unit 23, the current detection unit 24, and the gate drive circuit 26.
  • the controller 35 outputs a drive command value Vpwm to the gate drive circuit 26 based on the result of the voltage detector 23 and the result of the current detector 24.
  • Printed circuit board 40 The rectification unit 21, the DC link unit 22, the voltage detection unit 23, the current detection unit 24, the inverter 25, the gate drive circuit 26, the shunt resistor 31, and the controller 35 are mounted on a single printed board 40. One end of each of the drive coils Lu, Lv, and Lw of the motor 71 is connected to drive coil terminals TU, TV, and TW of U-phase, V-phase, and W-phase wirings extending from the inverter 25, respectively.
  • FIG. 2 is a plan view of the conductive pattern 50 connected to the shunt resistor 31.
  • the 1st conductive pattern part 51 and the 2nd conductive pattern part 52 which were mutually insulated are printed on the board
  • the printed circuit board 40 is a double-sided board or a multilayer board having three or more layers, and conductive patterns corresponding to the first conductive pattern part 51 and the second conductive pattern part 52 are printed on the back surface. Yes.
  • a through hole 55 connecting each layer is provided in the immediate vicinity of the shunt resistor 31, and a current flowing through each layer flows to the shunt resistor 31 through the through hole 55.
  • the shunt resistor 31 has one electrode of the shunt resistor 31 connected to the first conductive pattern portion 51 and the other electrode connected to the second conductive pattern portion 52 by surface mounting. 51 and the second conductive pattern portion 52 are electrically connected via the shunt resistor 31.
  • First conductive pattern portion 51 The function of the first conductive pattern portion 51 is to electrically connect the first terminal 41 and the shunt resistor 31.
  • the first conductive pattern portion 51 is a first connecting the right end and the left end of the shunt resistor 31 to the right end and the left end of the first terminal 41 when viewed from a position facing the shunt resistor 31 from the first terminal 41. It has a central area 510.
  • the first conductive pattern portion 51 includes a first right bulging region 511 that protrudes to the right of the first central region 510 and a first left bulging region 512 that protrudes to the left of the first central region 510. In addition.
  • “d2” written on the first conductive pattern portion 51 side in FIG. 2 is perpendicular to the outermost end of the first left bulging region 512 with respect to the plane including the end surface of the left end of the shunt resistor 31. It represents the length of the line segment dropped.
  • d1 and d2 are referred to as short sides d1 and d2 when each bulging area is set to a rectangle for convenience in the following description, and each bulging area is set to a trapezoid (or a triangle). If so, they are called heights d1 and d2.
  • Second conductive pattern portion 52 The function of the second conductive pattern portion 52 is to electrically connect the shunt resistor 31 and the second terminal 42. When viewed from the position where the second conductive pattern portion 52 faces the second terminal 42 from the shunt resistor 31, the second conductive pattern portion 52 connects the right and left ends of the shunt resistor 31 to the right and left ends of the second terminal 42. It has a central region 520.
  • the second conductive pattern portion 52 further includes a second right bulging region 521 that protrudes to the right of the second central region 520 and a second left bulging region 522 that protrudes to the left of the second central region. Have.
  • the second left bulging region 522 seems to include the non-hatched region 522x in FIG. 2 in the sense that it protrudes to the left of the second central region, but this region 522x is the second terminal. 42, it is located farther than the shunt resistor 31 and can be said to be a region that does not affect the current value flowing from the shunt resistor 31 to the second terminal 42. Not included.
  • the shape of the first conductive pattern portion 51 is limited by the relationship with the peripheral components.
  • the first central region 510, the first right bulge region 511, and the first left bulge region 512 are used. Since a difference occurs in each shape and area, current flows into the shunt resistor 31 at various angles.
  • the current flowing out of the shunt resistor 31 spreads on the second conductive pattern portion 52, and not only from the second central region 520 but also through the second right bulging region 521 and the second left bulging region 522. Enter terminal 2. Then, for the same reason as the first conductive pattern portion 51, a difference occurs in the shape and area of each of the second central region 520, the second right bulge region 521, and the second left bulge region 522. Current flows out at various angles.
  • the angle and current distribution of the current flowing through the shunt resistor 31 are not stable, and the current detection value varies.
  • the first detection is performed so that the current detection value becomes stable by taking into account that the current detection value varies depending on the shape and area of each of the first right bulging region 511 and the first left bulging region 512.
  • the right bulging area 511 and the first left bulging area 512 have different shapes and areas.
  • FIG. 3 is a conceptual diagram of the conductive pattern 50 for the verification experiment 1.
  • a first conductive pattern portion 51 and a second conductive pattern portion 52 that are insulated from each other are printed on the printed circuit board 40 for the verification experiment 1.
  • the second conductive pattern portion 52 is set to have a certain rectangular shape and area.
  • the first conductive pattern portion 51 includes a rectangular first right-side bulging region 511 composed of a long side L having a constant dimension and a short side d1 having a constant dimension, and a rectangular composed of a long side L having a constant dimension and a short side d2 having a variable dimension 1st left side bulging area 512.
  • the short side d2 of the variable dimension of the first left bulging area 512 is 0 ⁇ [0.2 ⁇ d1] ⁇ [0.4 ⁇ d1] ⁇ [0.6 ⁇ d1] ⁇ [0.8 ⁇ d1] ⁇ [D1] ⁇ [1.2 ⁇ d1] ⁇ [1.4 ⁇ d1] ⁇ [1.6 ⁇ d1] ⁇ [1.8 ⁇ d1] ⁇ [2 ⁇ d1]
  • FIG. 4 is a conceptual diagram of the conductive pattern 50 for the verification experiment 2.
  • the first conductive pattern portion 51 and the second conductive pattern portion 52 which are insulated from each other are printed on the printed circuit board 40 for the verification experiment 2.
  • the second conductive pattern portion 52 is set to have a certain rectangular shape and area.
  • the first conductive pattern portion 51 includes a trapezoidal first right-side bulging region 511 having a lower bottom Lb having a predetermined size, an upper base La having a predetermined size and a height d1 having a predetermined size, and a lower base Lb having a predetermined size. It has a trapezoidal first left-side bulging region 512 having an upper base La of dimensions and a height d2 of variable dimensions.
  • variable dimension height d2 of the first left bulging region 512 is 0 ⁇ [0.2 ⁇ d1] ⁇ [0.4 ⁇ d1] ⁇ [0.6 ⁇ d1] ⁇ similarly to the first verification experiment.
  • [0.8 ⁇ d1] ⁇ [d1] ⁇ [1.2 ⁇ d1] ⁇ [1.4 ⁇ d1] ⁇ [1.6 ⁇ d1] ⁇ [1.8 ⁇ d1] ⁇ [2 ⁇ d1] Can be changed as follows.
  • FIG. 5 is a conceptual diagram of the conductive pattern 50 for the verification experiment 3.
  • the first conductive pattern portion 51 and the second conductive pattern portion 52 that are insulated from each other are printed on the printed circuit board 40 for the verification experiment 3.
  • the second conductive pattern portion 52 is set to have a certain rectangular shape and area.
  • the first conductive pattern portion 51 includes a trapezoidal first right-side bulging region 511 having a lower bottom Lb having a certain size, an upper base [Lb-La] having a certain size, and a height d1 having a certain size.
  • a trapezoidal first left-side bulging region 512 having a bottom Lb, a top bottom [Lb-La] having a constant dimension, and a height d2 having a variable dimension is provided.
  • variable dimension height d2 of the first left bulge region 512 is 0 ⁇ [0.2 ⁇ d1] ⁇ [0.4 ⁇ d1] ⁇ [0. 6 ⁇ d1] ⁇ [0.8 ⁇ d1] ⁇ [d1] ⁇ [1.2 ⁇ d1] ⁇ [1.4 ⁇ d1] ⁇ [1.6 ⁇ d1] ⁇ [1.8 ⁇ d1] ⁇ [ 2 ⁇ d1].
  • FIG. 6 shows both ends of the shunt resistor 31 when a minute current is passed between the first terminal 41 and the second terminal 42 for each dimension d2 in FIGS. 3, 4, and 5.
  • 5 is a graph showing the rate of change of the voltage generated at.
  • the horizontal axis represents the dimension d2
  • the vertical axis represents the voltage fluctuation rate across the shunt resistor 31.
  • the voltage fluctuation rate across the shunt resistor 31 decreases as d2 of the first left bulge region 512 increases and approaches d1 of the first right bulge region 511, while d2> d1. In this range, the voltage fluctuation rate tends to approach as little as 0.5%.
  • SA2 / SA1 0.6 to 1.6 It becomes.
  • the area SA2 of the first left bulging region 512 is 0.6 of the area SA1 of the first right bulging region 511. It may be set in a range of up to 1.6 times.
  • the area SA2 of the first left bulge region 512 of the second conductive pattern portion 52 is used as a reference, the area SA1 of the first right bulge region 511 is 0. 0 of the area SA2 of the first left bulge region 512.
  • a range of 6 to 1.6 times may be set.
  • the printed circuit board 40 includes a first conductive pattern portion 51 that connects the shunt resistor 31 and the first terminal 41, and a conductive pattern that includes a second conductive pattern portion 52 that connects the shunt resistor 31 and the second terminal 42. 50 is formed.
  • the first conductive pattern portion 51 viewed from the position facing the shunt resistor 31 from the first terminal 41 includes a first central region 510, a first right bulging region 511, and a first left bulging region 512.
  • the first right bulging region 511 is a region that protrudes to the right side of the first central region 510.
  • the first left side bulging region 512 is a region that protrudes to the left side of the first central region 510.
  • the ratio SA2 / SA1 of the area SA2 of the first left bulge region 512 to the area SA1 of the first right bulge region 511 is set within the range of 0.6 to 1.6, thereby enabling the shunt. Variations in the distribution of current flowing through the resistor 31 can be suppressed, and the accuracy of current detection can be improved with inexpensive means.
  • the second conductive pattern portion 52 viewed from the position facing the second terminal 42 from the shunt resistor 31 includes the second central region 520, the second right bulge region 521, and the second left bulge region 522.
  • the second right bulging area 521 is an area that protrudes to the right of the second central area 520.
  • the second left bulge region 522 is a region that protrudes to the left of the second central region 520.
  • the ratio SB2 / SB1 of the area SB2 of the second left bulge region 522 to the area SB1 of the second right bulge region 521 is set within the range of 0.6 to 1.6, thereby enabling the shunt. Variations in the distribution of current flowing through the resistor 31 can be suppressed, and the accuracy of current detection can be improved with inexpensive means.
  • the shunt resistor 31 is a plurality of resistance groups connected in parallel. Since the plurality of resistors 31a and 31b are arranged in parallel to correspond to the large current inverter, the distribution of the current flowing through the resistors 31a and 31b tends to be non-uniform, but the first conductive pattern portion 51 and / or the second conductive By optimizing the shape of the pattern part 52, the imbalance of the current flowing through the resistors 31a and 31b can be eliminated, and the accuracy of current detection can be improved.
  • FIG. 7 is a plan view of a conductive pattern 50 according to a modification.
  • the printed circuit board 40 is provided with slits 53 as current correction means in the first conductive pattern portion 51 and the second conductive pattern portion 52, and the rest is the same as the printed circuit board in FIG. 2. Therefore, only the function of the slit 53 will be described here.
  • the slit 53 is provided in the vicinity of the electrode of the shunt resistor 31 and suppresses the spread of the current path in the immediate vicinity of the shunt resistor 31.
  • the slit 53 is provided along the right end of the shunt resistor 31 when viewed from the first terminal 41.
  • the width of the conductive pattern 50 connected to the shunt resistor 31 is narrowed as it approaches the shunt resistor 31, and the width of the shunt resistor 31 is aligned in the immediate vicinity of the shunt resistor 31.
  • the first left side bulging region 512 is aligned with the left end of the shunt resistor 31 in the vicinity of the shunt resistor 31 when viewed from the first terminal 41 as shown in FIG. There is no current path spread.
  • the slits 53 are provided in the first conductive pattern portion 51 shown in FIGS. 3, 4, and 5, the area SA1 of the first right bulging region 511 and the area SA2 of the first left bulging region 512 are And the bulging distance (corresponding to d1) of the first right bulging region 511 with respect to the right end of the shunt resistor 31, and the first left bulging region 512 with respect to the left end of the shunt resistor 31.
  • the bulge distance (corresponding to d2) is different, the slit 53 should be provided on the side of the first right bulge region 511 and the first left bulge region 512 that has a large area and a large bulge distance. .
  • the second conductive pattern portion 52 The same can be said for the second conductive pattern portion 52. That is, the area SB1 of the second right bulging area 521 is different from the area SB2 of the second left bulging area 522, and the bulging distance of the second right bulging area 521 with the right end of the shunt resistor 31 as a reference. And the swell distance of the second left bulge region 522 relative to the left end of the shunt resistor 31 is different from the slit 53 in the area of the second right bulge region 521 and the second left bulge region 522. Is preferably provided on the side having a large bulge distance.

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Abstract

別部材を用いることなく、シャント抵抗を流れる電流の分布のバラツキを抑制して電流検出の精度を向上させた、インバータ装置を提供することにある。インバータ装置(20)のプリント基板(40)では、シャント抵抗(31)に繋がる第1導電パターン部(51)は、第1中央領域(510)と、第1中央領域(510)よりも右側方にはみ出る第1右側膨出領域(511)と、第1中央領域(510)よりも左側方にはみ出る第1左側膨出領域(512)とを含んでいる。第1右側膨出領域(511)の面積SA1に対する第1左側膨出領域(512)の面積SA2の比率SA2/SA1が0.6~1.6の範囲内に設定することによって、シャント抵抗(31)を流れる電流の分布のバラツキを抑制することができる。

Description

インバータ装置
 本発明は、インバータ装置に関し、特にモータ電流の検出にシャント抵抗が用いられるインバータ装置に関する。
 一般に、大容量インバータのモータ電流の検出にはCTセンサが用いられるが、CTセンサは高価であるため、コスト増大の要因となっている。
 この問題を解決するため、例えば特許文献1(特許第3826749号公報)に記載のインバータ装置のように、インバータと直列にシャント抵抗を接続して電流値を検出する方法を採用しているものもある。
 しかしながら、上記の方法では、抵抗の発熱を抑制するために複数の抵抗体を並列に配置することとなるので、その分、電流の流れる経路が増え、抵抗に対する電流の流れこみの角度、電流の分布次第で電流検出精度が低下する虞がある。
 それゆえ、上記特許文献1では、シャント抵抗の熱抵抗を低減するために熱伝導率の大きいプレートを電極部に固着させ、シャント抵抗内の負荷電流分布を均一化するために電極とシャント抵抗の間にくびれ部を設けている。したがって、上記特許文献1の方法が低コストで実現されているとは言い難い。
 本発明の課題は、別部材を用いることなく、シャント抵抗を流れる電流の分布のバラツキを抑制して電流検出の精度を向上させた、インバータ装置を提供することにある。
 本発明の第1観点に係るインバータ装置は、整流部から供給される直流電圧をインバータで交流電圧に変換して誘導性負荷に印加するインバータ装置であって、シャント抵抗と、第1端子と、第2端子と、プリント基板とを備えている。シャント抵抗は、整流部とインバータとを接続する直流リンクに設けられている。第1端子は、シャント抵抗へ電流を流す。第2端子は、シャント抵抗からの電流が流れる。プリント基板は、シャント抵抗と第1端子とを結ぶ第1導電パターン部、及びシャント抵抗と第2端子とを結ぶ第2導電パターン部を含む導電パターンが形成されている基板である。
 第1端子からシャント抵抗を臨む位置から視た第1導電パターン部は、第1中央領域と、第1右側膨出領域と、第1左側膨出領域とを含んでいる。第1中央領域は、シャント抵抗の右側端及び左側端と、第1端子の右側端及び左側端とを繋いだ領域である。第1右側膨出領域は、第1中央領域よりも右側方にはみ出る領域である。第1左側膨出領域は、第1中央領域よりも左側方にはみ出る領域である。第1右側膨出領域の面積SA1に対する第1左側膨出領域の面積SA2の比率SA2/SA1が0.6~1.6の範囲内である。
 このインバータ装置では、第1端子からシャント抵抗に電流が流れ込む経路を構成する導電パターンが大きい場合でも、第1右側膨出領域の面積SA1に対する第1左側膨出領域の面積SA2の比率SA2/SA1を0.6~1.6の範囲内に設定することによって、シャント抵抗を流れる電流の分布のバラツキを抑制して、安価な手段で電流検出の精度を向上させることができる。
 本発明の第2観点に係るインバータ装置は、第1観点に係るインバータ装置であって、シャント抵抗から第2端子を臨む位置から視た第2導電パターン部は、第2中央領域と、第2右側膨出領域と、第2左側膨出領域とを含んでいる。第2中央領域は、シャント抵抗の右側端及び左側端と、第2端子の右側端及び左側端とを繋いだ領域である。第2右側膨出領域は、第2中央領域よりも右側方にはみ出る領域である。第2左側膨出領域は、第2中央領域よりも左側方にはみ出る領域である。第2右側膨出領域の面積SB1に対する第2左側膨出領域の面積SB2の比率SB2/SB1が0.6~1.6の範囲内である。
 このインバータ装置では、シャント抵抗から第2端子に電流が流れ込む経路を構成する導電パターンが大きい場合でも、第2右側膨出領域の面積SB1に対する第2左側膨出領域の面積SB2の比率SB2/SB1を0.6~1.6の範囲内に設定することによって、シャント抵抗を流れる電流の分布のバラツキを抑制して、安価な手段で電流検出の精度を向上させることができる。
 本発明の第3観点に係るインバータ装置は、第1観点又は第2観点に係るインバータ装置であって、第1導電パターン部及び/又は第2導電パターン部には、電流矯正手段が設けられている。電流矯正手段は、シャント抵抗へ流れる電流及び/又はシャント抵抗から流れる電流の方向を矯正する。
 このインバータ装置では、シャント抵抗を流れる電流の分布の均一化を導電パターンの輪郭形状だけでは調整できないときに、電流矯正手段によって調整することができる。
 本発明の第4観点に係るインバータ装置は、第1観点に係るインバータ装置であって、第1導電パターン部に、シャント抵抗へ流れる電流の方向を矯正する電流矯正手段が設けられている。第1右側膨出領域の面積と第1左側膨出領域の面積とが異なり、且つ、シャント抵抗の右側端を基準とした第1右側膨出領域の膨出距離と、シャント抵抗の左側端を基準とした第1左側膨出領域の膨出距離とが異なるとき、電流矯正手段は、第1右側膨出領域及び第1左側膨出領域のうち面積が大きく且つ膨出距離の大きい側に設けられる。
 このインバータ装置では、シャント抵抗を流れる電流の分布の均一化を導電パターンの輪郭形状だけでは調整できないときに、電流矯正手段によって調整することができる。
 本発明の第5観点に係るインバータ装置は、第2観点に係るインバータ装置であって、第2導電パターン部にシャント抵抗から流れる電流の方向を矯正する電流矯正手段が設けられている。第2右側膨出領域の面積と第2左側膨出領域の面積とが異なり、且つ、シャント抵抗の右側端を基準とした第2右側膨出領域の膨出距離と、シャント抵抗の左側端を基準とした第2左側膨出領域の膨出距離とが異なるとき、電流矯正手段は、第2右側膨出領域及び第2左側膨出領域のうち面積が大きく且つ膨出距離の大きい側に設けられる。
 このインバータ装置では、シャント抵抗を流れる電流の分布の均一化を導電パターンの輪郭形状だけでは調整できないときに、電流矯正手段によって調整することができる。
 本発明の第6観点に係るインバータ装置は、第1観点から第5観点のいずれか1項に係るインバータ装置であって、シャント抵抗が、並列に接続された複数の抵抗群である。
 このインバータ装置では、大電流インバータに対応するために複数の抵抗を並列配置するので、各抵抗を流れる電流の分布が不均一になり易いが、導電パターンの形状を適性化することによって、各抵抗を流れる電流の不均衡を解消して、電流検出の精度を向上させることができる。
 本発明の第1観点に係るインバータ装置では、第1端子からシャント抵抗に電流が流れ込む経路を構成する導電パターンが大きい場合でも、第1右側膨出領域の面積SA1に対する第1左側膨出領域の面積SA2の比率SA2/SA1を0.6~1.6の範囲内に設定することによって、シャント抵抗を流れる電流の分布のバラツキを抑制して、安価な手段で電流検出の精度を向上させることができる。
 本発明の第2観点に係るインバータ装置では、シャント抵抗から第2端子に電流が流れ込む経路を構成する導電パターンが大きい場合でも、第2右側膨出領域の面積SB1に対する第2左側膨出領域の面積SB2の比率SB2/SB1を0.6~1.6の範囲内に設定することによって、シャント抵抗を流れる電流の分布のバラツキを抑制して、安価な手段で電流検出の精度を向上させることができる。
 本発明の第3観点から第5観点のいずれか1つに係るインバータ装置では、シャント抵抗を流れる電流の分布の均一化を導電パターンの輪郭形状だけでは調整できないときに、電流矯正手段によって調整することができる。
 本発明の第6観点に係るインバータ装置では、大電流インバータに対応するために複数の抵抗を並列配置するので、各抵抗を流れる電流の分布が不均一になり易いが、導電パターンの形状を適性化することによって、各抵抗を流れる電流の不均衡を解消して、電流検出の精度を向上させることができる。
本発明の一実施形態にインバータ装置を含むシステムのブロック図。 シャント抵抗に繋がる導電パターンの平面図。 検証実験1用の導電パターンの概念図。 検証実験2用の導電パターンの概念図。 検証実験3用の導電パターンの概念図。 図3、図4、及び図5について寸法d2毎に、第1端子と第2端子と間に微小電流を流したときのシャント抵抗の両端に発生する電圧の変動率を表わしたグラフ。 変形例に係る導電パターンの平面図。
 以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、以下の実施形態は、本発明の具体例であって、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
 (1)概要
 図1は、本発明の一実施形態に係るインバータ装置20を含むシステム100のブロック図である。図1において、システム100は、モータ71と、そのモータ71を駆動制御するインバータ装置20とで構成されている。
 モータ71は、3相のブラシレスDCモータであって、ステータ72と、ロータ73とを備えている。ステータ72は、スター結線されたU相、V相及びW相の駆動コイルLu,Lv,Lwを含む。
 インバータ装置20は、図1に示すように、商用電源91に接続された整流部21、コンデンサ22aにより構成された直流リンク部22、電圧検出部23、電流検出部24、インバータ25、ゲート駆動回路26、及びコントローラ35を備えている。なお、図1には単相の商用電源91が記載されているが、これに限定されるものではなく3相電源であってもよい。
 (2)インバータ装置20の詳細
 (2-1)整流部21
 整流部21は、4つのダイオードD1a,D1b,D2a,D2bによってブリッジ状に構成されている。具体的には、ダイオードD1aとD1b、D2aとD2bは、それぞれ互いに直列に接続されている。ダイオードD1a,D2aの各カソード端子は、共にリアクトル22bに接続されており、整流部21の正側出力端子として機能する。ダイオードD1b,D2bの各アノード端子は、共にコンデンサ22aのマイナス側端子に接続されており、整流部21の負側出力端子として機能する。
 ダイオードD1a及びダイオードD1bの接続点は、商用電源91の一方の極に接続されている。ダイオードD2a及びダイオードD2bの接続点は、商用電源91の他方の極に接続されている。整流部21は、商用電源91から出力される交流電圧を整流して直流電源を生成し、これをコンデンサ22aへ供給する。
 (2-2)直流リンク部22
 直流リンク部22は、コンデンサ22aとリアクトル22bとから成る。コンデンサ22aは、一端がリアクトル22bとインバータ25とを接続する直流リンク801,802のうち整流部21の正側出力端子側に接続され、他端が直流リンク801,802のうち整流部21の負側出力端子側に接続されている。リアクトル22bは、力率改善や高調波電流を低減する。コンデンサ22aは、整流部21によって整流された電圧を平滑する。以下、説明の便宜上、直流リンク部22の電圧を“直流電圧Vdc”という。
 直流電圧Vdcは、コンデンサ22aの出力側に接続されるインバータ25へ印加される。言い換えれば、商用電源91、整流部21、リアクトル22b及びコンデンサ22aは、インバータ25に対する直流電源供給部を構成している。
 (2-3)電圧検出部23
 電圧検出部23は、コンデンサ22aの出力側に接続されており、コンデンサ22aの両端電圧、即ち直流電圧Vdcの値を検出するためのものである。電圧検出部23は、例えば、互いに直列に接続された2つの抵抗がコンデンサ22aに並列接続され、直流電圧Vdcが分圧されるように構成される。それら2つの抵抗同士の接続点の電圧値は、コントローラ35に入力される。
 (2-4)電流検出部24とシャント抵抗31
 電流検出部24は、シャント抵抗31の両端の電圧を増幅させるオペアンプを用いた増幅回路で構成されている。シャント抵抗31は、並列接続された2つの抵抗31a,31bがコンデンサ22a及びインバータ25の間であって且つコンデンサ22aの負側出力端子側に接続されている。電流検出部24は、モータ71の起動後、モータ71に流れるモータ電流Imを検出する。電流検出部24によって検出されたモータ電流Imは、コントローラ35に入力される。
 (2-5)インバータ25
 インバータ25は、コンデンサ22aの出力側に接続される。図1において、インバータ25は、複数の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(以下、単にトランジスタという)Q3a,Q3b,Q4a,Q4b,Q5a,Q5b及び複数の還流用のダイオードD3a,D3b,D4a,D4b,D5a,D5bを含む。
 トランジスタQ3aとQ3b、Q4aとQ4b、Q5aとQ5bは、それぞれ互いに直列に接続されており、各ダイオードD3a~D5bは、各トランジスタQ3a~Q5bに、トランジスタのコレクタ端子とダイオードのカソード端子が、また、トランジスタのエミッタ端子とダイオードのアノード端子が接続されるよう、並列接続されている。
 インバータ25は、コンデンサ22aからの直流電圧Vdcが印加され、かつゲート駆動回路26により指示されたタイミングで各トランジスタQ3a~Q5bがオン及びオフを行うことによって、モータ71を駆動する駆動電圧SU,SV,SWを生成する。この駆動電圧SU,SV,SWは、各トランジスタQ3aとQ3b、Q4aとQ4b、Q5aとQ5bの各接続点NU,NV,NWからモータ71に出力される。
 (2-6)ゲート駆動回路26
 ゲート駆動回路26は、コントローラ35からの駆動指令値Vpwmに基づき、インバータ25の各トランジスタQ3a~Q5bのオン及びオフの状態を変化させる。具体的には、ゲート駆動回路26は、コントローラ35によって決定されたデューティを有する駆動電圧SU,SV,SWがインバータ25からモータ71に出力されるように、各トランジスタQ3a~Q5bのゲートに印加するゲート制御電圧Gu,Gx,Gv,Gy,Gw,Gzを生成する。生成されたゲート制御電圧Gu,Gx,Gv,Gy,Gw,Gzは、それぞれのトランジスタQ3a~Q5bのゲート端子に印加される。
 (2-7)コントローラ35
 コントローラ35は、電圧検出部23、電流検出部24、及びゲート駆動回路26と接続されている。コントローラ35は、電圧検出部23の結果、電流検出部24の結果に基づいて、ゲート駆動回路26に駆動指令値Vpwmを出力する。
 (2-8)プリント基板40
 整流部21、直流リンク部22、電圧検出部23、電流検出部24、インバータ25、ゲート駆動回路26、シャント抵抗31及びコントローラ35は、1枚のプリント基板40上に実装されている。そして、モータ71の駆動コイルLu,Lv,Lwの一方端は、それぞれインバータ25から延びるU相、V相及びW相の各配線の駆動コイル端子TU,TV,TWに接続されている。
 (3)シャント抵抗31に繋がる導電パターン50の形状
 シャント抵抗31と電流検出部24とによって検出されたモータ電流Imは、コントローラ35に入力される。コントローラ35は、モータ電流Imに基づいてゲート駆動回路26の駆動指令値Vpwmを調整するので、モータ電流Imの検出精度がモータ71の回転数制御に影響を及ぼす。
 モータ電流Imの検出精度は、シャント抵抗31に対して流れ込む電流の角度、シャント抵抗31内の電流の分布のバラツキによって変動することが、出願人の研究によって確認されている。以下、図面及びグラフを用いて説明する。
 図2は、シャント抵抗31に繋がる導電パターン50の平面図である。図2において、プリント基板40では、基板上に、互いに絶縁された第1導電パターン部51と第2導電パターン部52とがプリントされている。また、図示していないが、プリント基板40は両面基板あるいは3層以上の多層基板であり、裏面にも第1導電パターン部51及び第2導電パターン部52それぞれに対応する導電パターンがプリントされている。
 それぞれの層の導電パターンに電流が流れるため、シャント抵抗31の直近に各層を接続するスルーホール55を設け、それぞれの層を流れている電流はスルーホール55を介してシャント抵抗31に流れる。
 そして、シャント抵抗31は、面実装によって、シャント抵抗31の一方の電極が第1導電パターン部51に接続され、他方の電極が第2導電パターン部52と接続されており、第1導電パターン部51と第2導電パターン部52とはシャント抵抗31を介して電気的に繋がっている。
 (3-1)第1導電パターン部51
 第1導電パターン部51の機能は、第1端子41とシャント抵抗31とを電気的に接続することである。第1導電パターン部51は、第1端子41からシャント抵抗31を臨む位置から視たとき、シャント抵抗31の右側端及び左側端と第1端子41の右側端及び左側端とを繋いだ第1中央領域510を有している。また、第1導電パターン部51は、第1中央領域510よりも右側方にはみ出る第1右側膨出領域511と、第1中央領域510よりも左側方にはみ出る第1左側膨出領域512とをさらに有している。
 なお、図2の第1導電パターン部51側に記入されている「d1」は、シャント抵抗31の右側端の端面を含む平面に対して第1右側膨出領域511の最外端から垂直に降ろした線分の長さを表わしている。
 同様に図2の第1導電パターン部51側に記入されている「d2」は、シャント抵抗31の左側端の端面を含む平面に対して第1左側膨出領域512の最外端から垂直に降ろした線分の長さを表わしている。
 また、「d1」及び「d2」は、以後の説明において便宜上、各膨出領域が長方形に設定されている場合は短辺d1,d2とよび、各膨出領域が台形(又は三角形)に設定されている場合は高さd1、d2とよぶ。
 (3-2)第2導電パターン部52
 第2導電パターン部52の機能は、シャント抵抗31と第2端子42とを電気的に接続することである。第2導電パターン部52は、シャント抵抗31から第2端子42を臨む位置から視たとき、シャント抵抗31の右側端及び左側端と第2端子42の右側端及び左側端とを繋いだ第2中央領域520を有している。また、第2導電パターン部52は、第2中央領域520よりも右側方にはみ出る第2右側膨出領域521と、第2中央領域よりも左側方にはみ出る第2左側膨出領域522とをさらに有している。
 なお、第2左側膨出領域522は、第2中央領域よりも左側方にはみ出るという意味では、図2のハッチングが施されていない領域522xを含むように思えるが、この領域522xは第2端子42から視て、シャント抵抗31よりも遠くに位置しており、シャント抵抗31から第2端子42に流れる電流値に対して、影響を与えない領域といえるので、第2左側膨出領域522に含めていない。
 (4)シャント抵抗31に流れる電流のバラツキ抑制
 第1端子41からの電流は、第1導電パターン部51上を広がり、第1中央領域510からだけでなく、第1右側膨出領域511、及び第1左側膨出領域512を通ってシャント抵抗31に入る。
 実使用において、第1導電パターン部51については、周辺部品との関係でその形状が制限されており、おのずと第1中央領域510、第1右側膨出領域511、及び第1左側膨出領域512それぞれの形状及び面積に差が生じるので、シャント抵抗31に対して様々な角度で電流が流れ込む。
 シャント抵抗31から電流が流れ出る電流は、第2導電パターン部52上を広がり、第2中央領域520からだけでなく、第2右側膨出領域521、及び第2左側膨出領域522を通って第2端子に入る。そして、第1導電パターン部51と同様の理由で、第2中央領域520、第2右側膨出領域521、及び第2左側膨出領域522それぞれの形状及び面積に差が生じるので、シャント抵抗31に対して様々な角度で電流が流れ出る。
 上記のような理由から、シャント抵抗31内部を流れる電流の角度、電流分布が安定せず、電流検出値にバラツキが生じる。
 そこで、本実施形態では、第1右側膨出領域511及び第1左側膨出領域512それぞれの形状及び面積によって電流検出値にバラツキが生じることを逆手にとって、電流検出値が安定するように第1右側膨出領域511及び第1左側膨出領域512それぞれの形状及び面積に差を持たせることとした。そのための検証として、以下のような3種類の検証実験用の導電パターンについて、シャント抵抗31の両端に発生する電圧の変動率を測定する実験を行った。
 (4-1)検証実験1
 図3は、検証実験1用の導電パターン50の概念図である。図3において、検証実験1用のプリント基板40には、互いに絶縁された第1導電パターン部51と第2導電パターン部52とがプリントされている。第2導電パターン部52は形状及び面積ともに一定の長方形に設定されている。
 第1導電パターン部51は、一定寸法の長辺L及び一定寸法の短辺d1から成る長方形の第1右側膨出領域511と、一定寸法の長辺L及び可変寸法の短辺d2から成る長方形の第1左側膨出領域512とを有している。
 第1左側膨出領域512の可変寸法の短辺d2は、0→[0.2×d1]→[0.4×d1]→[0.6×d1]→[0.8×d1]→[d1]→[1.2×d1]→[1.4×d1]→[1.6×d1]→[1.8×d1]→[2×d1]のように変更することができる。
 (4-2)検証実験2
 図4は、検証実験2用の導電パターン50の概念図である。図4において、検証実験2用のプリント基板40には、互いに絶縁された第1導電パターン部51と第2導電パターン部52とがプリントされている。第2導電パターン部52は形状及び面積ともに一定の長方形に設定されている。
 第1導電パターン部51は、一定寸法の下底Lb、一定寸法の上底La及び一定寸法の高さd1から成る台形状の第1右側膨出領域511と、一定寸法の下底Lb、一定寸法の上底La及び可変寸法の高さd2から成る台形状の第1左側膨出領域512とを有している。
 第1左側膨出領域512の可変寸法の高さd2は、第1検証実験と同様に、0→[0.2×d1]→[0.4×d1]→[0.6×d1]→[0.8×d1]→[d1]→[1.2×d1]→[1.4×d1]→[1.6×d1]→[1.8×d1]→[2×d1]のように変更することができる。
 (4-3)検証実験3
 図5は、検証実験3用の導電パターン50の概念図である。図5において、検証実験3用のプリント基板40には、互いに絶縁された第1導電パターン部51と第2導電パターン部52とがプリントされている。第2導電パターン部52は形状及び面積ともに一定の長方形に設定されている。
 第1導電パターン部51は、一定寸法の下底Lb、一定寸法の上底[Lb-La]及び一定寸法の高さd1から成る台形状の第1右側膨出領域511と、一定寸法の下底Lb、一定寸法の上底[Lb-La]及び可変寸法の高さd2から成る台形状の第1左側膨出領域512を有している。
 第1左側膨出領域512の可変寸法の高さd2は、第1検証実験及び第2検証実験と同様に、0→[0.2×d1]→[0.4×d1]→[0.6×d1]→[0.8×d1]→[d1]→[1.2×d1]→[1.4×d1]→[1.6×d1]→[1.8×d1]→[2×d1]のように変更することができる。
 (4-4)実験結果
 図6は、図3、図4、及び図5について寸法d2毎に、第1端子41と第2端子42と間に微小電流を流したときのシャント抵抗31の両端に発生する電圧の変動率を表わしたグラフである。図6において、横軸は寸法d2、縦軸はシャント抵抗31両端の電圧変動率を示している。ここで、電圧変動率は、d1=d2のときの電圧値を基準値とし、寸法d2毎にn回測定し、n個の測定値について基準値からの増減値を百分率換算した後、それらから二乗平均誤差として算出されたものである。したがって、d1=d2のとき電圧変動率は0である。
 図6に示すように、第1左側膨出領域512のd2が増加して、第1右側膨出領域511のd1に近づくほどシャント抵抗31両端の電圧変動率は低下し、他方、d2>d1の範囲では電圧変動率は0.5%を少し上回る値に漸近する傾向を示している。
 実使用上の電圧変動率の許容範囲は0.5%以内であるので、それを満たすのはd2=[0.6×d1]~[1.6×d1]の範囲である。
 d2=[0.6×d1]のときの第1左側膨出領域512の面積SA2は、
  SA2=0.6×d1×L
 d2=[1.6×d1]のときの第1左側膨出領域512の面積SA2は、
  SA2=1.6×d1×L
であるので、
 第1右側膨出領域511の面積SA1=d1×Lを基準としたとき、
 SA2/SA1=0.6~1.6
となる。
 つまり、第1導電パターン部51の第1右側膨出領域511の面積SA1を基準としたとき、第1左側膨出領域512の面積SA2は第1右側膨出領域511の面積SA1の0.6~1.6倍の範囲に設定すればよい。
 逆に、第2導電パターン部52の第1左側膨出領域512の面積SA2を基準としたとき、第1右側膨出領域511の面積SA1は第1左側膨出領域512の面積SA2の0.6~1.6倍の範囲に設定すればよい。
 なお、第2導電パターン部52に対して第1導電パターン部51と同様の実験を行った場合でも、上記と同様の結果が得られる。
 (5)特徴
 (5-1)
 インバータ装置20では、プリント基板40に、シャント抵抗31と第1端子41とを結ぶ第1導電パターン部51、及びシャント抵抗31と第2端子42とを結ぶ第2導電パターン部52を含む導電パターン50が形成されている。第1端子41からシャント抵抗31を臨む位置から視た第1導電パターン部51は、第1中央領域510と、第1右側膨出領域511と、第1左側膨出領域512とを含んでいる。第1右側膨出領域511は、第1中央領域510よりも右側方にはみ出る領域である。第1左側膨出領域512は、第1中央領域510よりも左側方にはみ出る領域である。
 このインバータ装置20では、第1右側膨出領域511の面積SA1に対する第1左側膨出領域512の面積SA2の比率SA2/SA1が0.6~1.6の範囲内に設定することによって、シャント抵抗31を流れる電流の分布のバラツキを抑制して、安価な手段で電流検出の精度を向上させることができる。
 (5-2)
 インバータ装置20では、シャント抵抗31から第2端子42を臨む位置から視た第2導電パターン部52は、第2中央領域520と、第2右側膨出領域521と、第2左側膨出領域522とを含んでいる。第2右側膨出領域521は、第2中央領域520よりも右側方にはみ出る領域である。第2左側膨出領域522は、第2中央領域520よりも左側方にはみ出る領域である。
 このインバータ装置20では、第2右側膨出領域521の面積SB1に対する第2左側膨出領域522の面積SB2の比率SB2/SB1が0.6~1.6の範囲内に設定することによって、シャント抵抗31を流れる電流の分布のバラツキを抑制して、安価な手段で電流検出の精度を向上させることができる。
 (5-3)
 インバータ装置20では、シャント抵抗31は、並列に接続された複数の抵抗群である。大電流インバータに対応するために複数の抵抗31a,31bを並列配置するので、各抵抗31a,31bを流れる電流の分布が不均一になり易いが、第1導電パターン部51及び/又は第2導電パターン部52の形状を適性化することによって、各抵抗31a,31bを流れる電流の不均衡を解消して、電流検出の精度を向上させることができる。
 (6)変形例
 図7は、変形例に係る導電パターン50の平面図である。図7において、プリント基板40には、第1導電パターン部51及び第2導電パターン部52に電流矯正手段としてのスリット53が設けられており、それ以外は図2のプリント基板と同じである。したがって、ここでは、スリット53の機能についてのみ説明する。
 スリット53は、シャント抵抗31の電極近傍に設けられ、シャント抵抗31直近での電流経路の広がりが抑制する。
 本変形例では、スリット53は、第1端子41から視てシャント抵抗31の右側端に沿って設けられている。それによってシャント抵抗31に繋がる導電パターン50の幅をシャント抵抗31に近づくほど狭くして、シャント抵抗31の直近でシャント抵抗31の幅に揃えることによって、電流経路の広がりを抑制している。
 それゆえ、シャント抵抗31を流れる電流の分布の均一化を導電パターン50の輪郭形状だけではなし得ない微調整をスリット53によって実現することができる。
 他方、第1左側膨出領域512は、図7に示すように第1端子41から視てシャント抵抗31の直近で、シャント抵抗31の左側端に揃えられているので、スリット53を設けるまでもなく、電流経路の広がりを抑制している。
 また、図3、図4及び図5に示す第1導電パターン部51にスリット53を設けるとすれば、第1右側膨出領域511の面積SA1と第1左側膨出領域512の面積SA2とが異なり、且つ、シャント抵抗31の右側端を基準とした第1右側膨出領域511の膨出距離(d1に相当)と、シャント抵抗31の左側端を基準とした第1左側膨出領域512の膨出距離(d2に相当)とが異なるとき、スリット53は、第1右側膨出領域511及び第1左側膨出領域512のうち面積が大きく且つ膨出距離の大きい側に設けられるべきである。
 なぜなら、かかる部分は電流経路が広がり易いからである。シャント抵抗31を流れる電流の分布の均一化を導電パターンの輪郭形状だけでは調整できないときに、このスリット53を設けることによって微調整することができる。
 第2導電パターン部52についても同様のことが言える。即ち、第2右側膨出領域521の面積SB1と第2左側膨出領域522の面積SB2とが異なり、且つ、シャント抵抗31の右側端を基準とした第2右側膨出領域521の膨出距離と、シャント抵抗31の左側端を基準とした第2左側膨出領域522の膨出距離とが異なるとき、スリット53は、第2右側膨出領域521及び第2左側膨出領域522のうち面積が大きく且つ膨出距離の大きい側に設けられるのが好ましい。
20   インバータ装置
21   整流部
25   インバータ
31   シャント抵抗
31a  シャント抵抗
31b  シャント抵抗
41   第1端子
42   第2端子
50   導電パターン
51   第1導電パターン部
510  第1中央領域
511  第1右側膨出領域
512  第1左側膨出領域
52   第2導電パターン部
520  第2中央領域
521  第2右側膨出領域
522  第2左側膨出領域
801  直流リンク
802  直流リンク
特許第3826749号公報

Claims (6)

  1.  整流部(21)から供給される直流電圧をインバータ(25)で交流電圧に変換して誘導性負荷に印加するインバータ装置であって、
     前記整流部(21)と前記インバータ(25)とを接続する直流リンク(801,802)に設けられるシャント抵抗(31)と、
     前記シャント抵抗(31)へ電流を流す第1端子(41)と、
     前記シャント抵抗(31)からの電流が流れる第2端子(42)と、
     前記シャント抵抗(31)と前記第1端子(41)とを結ぶ第1導電パターン部(51)、及び前記シャント抵抗(31)と前記第2端子(42)とを結ぶ第2導電パターン部(52)を含む導電パターン(50)が形成されたプリント基板(40)と、
    を備え、
     前記第1端子(41)から前記シャント抵抗(31)を臨む位置から視た前記第1導電パターン部(51)は、
     前記シャント抵抗(31)の右側端及び左側端と前記第1端子(41)の右側端及び左側端とを繋いだ第1中央領域(510)と、
     前記第1中央領域(510)よりも右側方にはみ出る第1右側膨出領域(511)と、
     前記第1中央領域(510)よりも左側方にはみ出る第1左側膨出領域(512)と、
    を含み、
     前記第1右側膨出領域(511)の面積(SA1)に対する前記第1左側膨出領域(512)の面積(SA2)の比率(SA2/SA1)が0.6~1.6の範囲内である、
    インバータ装置(20)。
  2.  前記シャント抵抗(31)から前記第2端子(42)を臨む位置から視た前記第2導電パターン部(52)は、
     前記シャント抵抗(31)の右側端及び左側端と前記第2端子(42)の右側端及び左側端とを繋いだ第2中央領域(520)と、
     前記第2中央領域(520)よりも右側方にはみ出る第2右側膨出領域(521)と、
     前記第2中央領域(520)よりも左側方にはみ出る第2左側膨出領域(522)と、
    を含み、
     前記第2右側膨出領域(521)の面積(SB1)に対する前記第2左側膨出領域(522)の面積(SB2)の比率(SB2/SB1)が0.6~1.6の範囲内である、
    請求項1に記載のインバータ装置(20)。
  3.  前記第1導電パターン部(51)及び/又は前記第2導電パターン部(52)には、前記シャント抵抗(31)へ流れる電流及び/又は前記シャント抵抗(31)から流れる電流の方向を矯正する電流矯正手段(53)が設けられている、
    請求項1又は請求項2に記載のインバータ装置(20)。
  4.  前記第1導電パターン部(51)に、前記シャント抵抗(31)へ流れる電流の方向を矯正する電流矯正手段(53)が設けられており、
     前記第1右側膨出領域(511)の面積(SA1)と前記第1左側膨出領域(512)の面積(SA2)とが異なり、且つ、
     前記シャント抵抗(31)の右側端を基準とした前記第1右側膨出領域(511)の膨出距離(d1)と、前記シャント抵抗(31)の左側端を基準とした前記第1左側膨出領域(512)の膨出距離(d2)とが異なるとき、
     前記電流矯正手段(53)は、前記第1右側膨出領域(511)及び前記第1左側膨出領域(512)のうち前記面積が大きく且つ前記膨出距離の大きい側に設けられる、
    請求項1に記載のインバータ装置(20)。
  5.  前記第2導電パターン部(52)に前記シャント抵抗(31)から流れる電流の方向を矯正する電流矯正手段(53)が設けられており、
     前記第2右側膨出領域(521)の面積(SB1)と前記第2左側膨出領域(522)の面積(SB2)とが異なり、且つ、
     前記シャント抵抗(31)の右側端を基準とした前記第2右側膨出領域(521)の膨出距離と、前記シャント抵抗(31)の左側端を基準とした前記第2左側膨出領域(522)の膨出距離とが異なるとき、
     前記電流矯正手段(53)は、前記第2右側膨出領域(521)及び前記第2左側膨出領域(522)のうち前記面積が大きく且つ前記膨出距離の大きい側に設けられる、
    請求項2に記載のインバータ装置(20)。
  6.  前記シャント抵抗(31)は、並列に接続された複数の抵抗群(31a,31b)である、
    請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のインバータ装置。
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