WO2016203789A1 - レーザ装置、及び、レーザ装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
レーザモジュール2がヒートシンク3上に設置されるレーザ装置1であって、レーザモジュール2のベースプレート20は、外周部20bがヒートシンク3にねじ止めされることで、ヒートシンク3の設置面3s上に固定される。そして、ベースプレート20の弾性力により、外周部20bで囲まれるベースプレート20の中心部20aには設置面3sに向かう方向の応力がかかることを特徴とする。
Description
本発明は、レーザ装置、及び、レーザ装置の製造方法に関し、出射する光のパワーの経時的な変化を抑制する場合に好適なものである。
レーザ装置に用いられるレーザモジュールの一つとして、レーザダイオードから出射する光が光ファイバを介して出射するレーザモジュールが知られている。このレーザモジュールでは、筐体内から筐体外に光ファイバが導出されており、筐体内には、レーザダイオード、ミラー、レンズ、光ファイバ等の光学部品が配置されている。それぞれのレーザダイオードから出射する光は、集光された後に光ファイバに入射して、筐体外において光ファイバから出射する。
このようなレーザモジュールは、使用時に発熱する傾向があるため、レーザ装置内に搭載される際、一般的にヒートシンク上に設置される。下記特許文献1には、このようなレーザ装置が記載されている。当該文献に記載されているレーザモジュールの底板の底面は平板状に形成されており、レーザモジュールと設置するヒートシンクの設置面もまた平面状に形成されている。
ところで、レーザモジュールでは、一般的に、光学部品が搭載されたサブマウントが筐体の底板上に配置されている。このサブマウントは、使用時に温度が上昇する場合であっても光学部品同士の相対的位置が変化しないよう窒化アルミ等の線膨脹係数の比較的小さな材料から成る。一方、筐体は、一般に、取り扱いの容易性やコストの観点から銅等の比較的線膨脹係数の大きな材料から成る。このためサブマウントを筐体の底板にはんだ付けにより固定した後、サブマウント及び底板の温度が下がると、サブマウントよりも底板の収縮率が高いことに起因するバイメタル効果により、底板におけるサブマウントの中心付近がサブマウント側に盛り上がるようにして底板が撓む傾向がある。
本発明者等の検討の結果、上記のように底板が変形したレーザモジュールをヒートシンクの平面状の設置面上に配置してねじ止めにより固定すると、レーザモジュールから出射する光のパワーが経時的に変化する傾向にあることが見出された。さらに、本発明者等の鋭意検討の結果、レーザモジュールの底板が平板状であっても、ヒートシンクの設置面が凹状とされる場合には、レーザモジュールを設置面上に配置してねじ止めにより固定すると、このような傾向があることが見出された。つまり、レーザモジュールをヒートシンクの設置面上に配置してねじ止めにより固定する際、レーザモジュールの底板における中心部とヒートシンクの設置面との距離が、当該底板の外周部とヒートシンクの設置面との距離よりも大きい場合に、上記傾向があることが見出された。このような傾向を防止するには、上記特許文献1に記載のように、レーザモジュールの底面及びヒートシンクの設置面が共に平面状に形成されれば良い。しかし、製造誤差等の問題から、双方を共に平面とすることは困難である。
そこで、本発明は、出射する光のパワーの経時的な変化を抑制することができるレーザ装置、及び、レーザ装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明者等は、上記のようにレーザモジュールをヒートシンク上に配置してねじ止めにより固定する際、レーザモジュールの底板における中心部とヒートシンクの設置面との距離が、当該底板における外周部とヒートシンクの設置面との距離よりも大きい場合に、レーザモジュールから出射する光のパワーが経時的に変化する原因について鋭意検討した。その結果、次のことが原因であるとの考えに至った。すなわち、底板は、上記のように撓んでいる場合において、ねじによる付勢力により、ねじ止めする前の状態からヒートシンクの設置面に沿った形状に変形する。このように変形すると、底板自身の弾性力により、底板のねじ止めされている部位が基準となり、当該部位よりも中心側の部位には設置面から離れる方向の応力がかかり、当該部位よりも外側の部位には設置面に向かう方向の応力がかかる。一般に、レーザモジュールの光学部品は、底板のねじ止めされる位置よりも中心部側に配置されている。しかし、底板には上記のような応力がかかるため、中心部がヒートシンクの設置面から持ち上がるようにして、底板が経時的に変形する。このため底板上に配置される光学部品間の相対的な位置がずれて、上記のようにレーザモジュールから出射する光のパワーが経時的に変化する。
そこで、本発明のレーザ装置は、レーザモジュールがヒートシンク上に設置されるレーザ装置であって、前記レーザモジュールの底板は、外周部が前記ヒートシンクにねじ止めされることによって、前記ヒートシンクの設置面上に固定される。そして、前記底板の弾性力により、前記外周部で囲まれる前記底板の中心部には前記設置面に向かう方向の応力がかかることを特徴とするものである。
このレーザ装置では、レーザモジュールがヒートシンクに固定された状態で、底板の中心部に設置面に向かう応力がかかるため、底板は、当該中心部が設置面側に移動するように変形しようとする。しかし、このような変形は、設置面により抑制される。このため底板は変形しづらい。こうして、本発明のレーザ装置は、出射する光のパワーの経時的な変化を抑制することができる。
また、本発明のレーザ装置の製造方法は、レーザモジュールがヒートシンク上に設置されるレーザ装置の製造方法であって、前記レーザモジュールの底板を前記ヒートシンクの設置面上に配置する配置工程と、前記底板の外周部を前記ヒートシンクにねじ止めして、前記底板を前記設置面上に固定する固定工程と、を備える。そして、前記配置工程において前記底板が前記設置面上に配置された状態で、前記外周部と前記設置面との距離は、前記外周部で囲まれる前記底板の中心部と前記設置面との距離よりも大きく、前記固定工程において、前記ねじ止めによる付勢力により、前記外周部と前記設置面との距離が前記固定工程前よりも小さくなるように前記底板は撓むことを特徴とするものである。
このようなレーザ装置の製造方法によれば、底板の弾性力により、底板の中心部に設置面に向かう方向の応力がかかるレーザ装置を製造することができる。従って、製造されたレーザ装置は、上記のように出射する光のパワーの経時的な変化を抑制することができる。
また、上記レーザ装置、及び、上記レーザ装置の製造方法において、前記設置面は凸状とされることが好ましい。設置面が凸状とされることで、底板が平板状であっても、容易に底板に上記弾性力を付与することができる。
或いは、上記レーザ装置の製造方法において、前記設置面は平面状に形成されており、前記固定工程前での前記底板は前記中心部が前記ヒートシンク側に凸状となるように湾曲していることが好ましい。
この場合、一般にヒートシンクにおけるレーザモジュールの設置面は平面状とされるため、一般に流通しているヒートシンクを用いて、容易に底板に上記弾性力を付与することができる。また、レーザモジュールがヒートシンクに固定された状態で、底板はねじ止めによる付勢力で平板状に近い状態となる。従って、底板上に配置される光学部品の相対的位置等の光学的設計を容易に行うことができる。
また、上記レーザ装置において、前記底板と前記設置面との間にグリスが介在することが好ましく、上記レーザ装置の製造方法において、前記配置工程において、グリスを介して前記底板を前記設置面上に配置することが好ましい。
底板と設置面との間にグリスが介在することで、レーザモジュールからヒートシンクに熱を良好に伝導することができる。また、配置工程後において、底板の外周部と設置面との距離が底板の中心部と設置面との距離よりも大きいため、グリスを介して底板を設置面上に配置する場合に、固定工程において、不要なグリスを中心部から外周部に移動させながら、ねじ止めを行うことができる。このため、底板と設置面との間に介在するグリスを適切な量とすることができる。
また、前記レーザモジュールは、前記底板上に配置されるサブマウントと、前記底板と前記サブマウントとの間に配置され前記底板と前記サブマウントとを固定するはんだと、を有し、前記はんだのヤング率は、前記底板のヤング率及び前記サブマウントのヤング率よりも小さく、前記はんだの外周部の厚みは、当該外周部に囲まれる前記はんだの中心部の厚みよりも大きいことが好ましい。
このようなレーザモジュールでは、はんだの外周部の厚さが中心部の厚さよりも大きくされるため、はんだの外周部ははんだの中心部よりも変形し易い。ところで、ヒートシンクの設置面に固定された底板が熱応力等により変形する場合や、固定工程において底板が変形する場合に、底板とサブマウントとの相対的な位置ずれは、はんだの中心部よりもはんだの外周部の方が大きい。このため、上記のようにはんだの外周部がはんだの中心部よりも変形し易いことにより、クラック等が生じることを抑制することができる。
この場合、前記はんだの前記中心部にはスペーサが配置されることが好ましい。
はんだの中心部にスペーサが配置されることで、中心部におけるはんだの厚みが不要に大きくなることを抑制でき、はんだの外周部の厚みを大きくすることができる。
或いはこの場合に、前記はんだの厚みは、前記はんだの前記中心部から前記はんだの前記外周部にかけて徐々に厚くなることが好ましい。
このような構成によれば、底板とサブマウントとの位置ずれが大きくなるに従いはんだの厚みが増すため、適切にはんだが変形することができる。
以下、本発明に係るレーザ装置及びレーザ装置の製造方法の好適な実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、理解の容易のため、それぞれの図のスケールと、以下の説明に記載のスケールとが異なる場合がある。
(第1実施形態)
<レーザ装置>
図1は、本実施形態に係るレーザ装置を示す側面図である。図1に示すように、レーザ装置1は、レーザモジュール2とヒートシンク3とを主な構成として備える。
<レーザ装置>
図1は、本実施形態に係るレーザ装置を示す側面図である。図1に示すように、レーザ装置1は、レーザモジュール2とヒートシンク3とを主な構成として備える。
まずレーザモジュールの説明をする。
図2は、図1に示すレーザモジュール2を示す斜視図である。図2に示すように、本実施形態のレーザモジュール2は、ベースプレート20及び蓋体30から成る筐体と、筐体内に一方の端部が固定される光ファイバ50を含む後述の光学部品と、一部の光学部品に電力を供給するコネクタ55とを備えている。
蓋体30は、プレス加工によって金属板から作製されており、トッププレート31と、枠体32と、鍔部33とから成る。トッププレート31は、筺体の天板となる部位であり、平板状の部材からなる。枠体32は、トッププレート31の周縁においてトッププレート31に垂直に連結される部位である。また、枠体32には、光ファイバ50を筺体内から筺体外へ導出するための切り欠きおよびコネクタ55を筺体内から筺体外へ導出するための切り欠きが形成されている。鍔部33は、枠体32のトッププレート31側とは反対側において、枠体32に連結される部位であり、トッププレート31と平行な方向に枠体32の外側に広がるように延在している。また、鍔部33には、複数のねじ孔が形成されている。
図3は、図2に示すレーザモジュールの蓋体30を外した図である。なお、図3では破線で光の様子が示されている。なお、図3ではベースプレート20における鍔部33が位置する部位を破線で示している。
図2、図3に示すように、ベースプレート20は、筐体の底板となる底面が平面状のプレートであり、本実施形態では平板状の部材である。ベースプレート20は金属から成り、ベースプレート20を構成する金属としては銅やステンレススチール等を挙げることができる。ベースプレート20には、蓋体30をねじ止めするためのねじ孔21が複数形成されており、ねじ孔21よりも外周側にさらにねじ孔22が複数形成されている。このねじ孔22は、ベースプレート20をヒートシンク3にねじ止めするための孔である。
ベースプレート20上には、サブマウント40が固定されている。サブマウント40は、平板状の基板であり、ベースプレート20よりも線膨脹係数が小さな材料から成る。例えば、ベースプレート20が銅から成る場合、サブマウント40は窒化アルミからなる。このようにサブマウント40が小さい線膨脹係数の材料から成る理由は、サブマウント40上には光学部品が配置されるため、使用時において光学部品が発する熱によりサブマウント40が膨張してレーザモジュール2の光学的特性が変化することを抑制するためである。
サブマウント40上には、光ファイバ50を含む光学部品が固定されている。本実施形態の光学部品は、レーザダイオード11、コリメートレンズ16、ミラー13、第1集光レンズ14、第2集光レンズ15、光ファイバ50を含んで構成される。
光源である複数のレーザダイオード11は、複数の半導体層が積層されて成るファブリペロー構造を有する素子であり、例えば波長が900nm帯のレーザ光を出射する。それぞれのレーザダイオード11は、レーザマウント12上にはんだ等により固定されており、レーザマウント12を介してサブマウント40上に固定されている。レーザマウント12は、レーザダイオード11の高さを調整するための台であり、それぞれのレーザマウント12は、サブマウント40における外周側の位置に例えばはんだ付け等により固定されている。なお、このようにレーザマウント12がサブマウント40と別体とされて、レーザマウント12がサブマウント40上に固定されても良いが、レーザマウント12がサブマウント40と一体に成型されても良い。或いは、レーザダイオード11の高さ調整が不要の場合、このレーザマウント12は省略されても良い。
コリメートレンズ16は、それぞれのレーザダイオード11に対応してレーザマウント12上に配置されている。コリメートレンズ16は、レーザダイオード11から出射する光のファスト軸方向の光、スロー軸方向の光をコリメートするレンズであり、一般的にファスト軸方向の光をコリメートするレンズ、スロー軸方向の光のコリメートするレンズの組み合わせからなる。またコリメートレンズ16は、レーザダイオード11と共にレーザマウント12上に接着等により固定されている。なお、上記のようにレーザマウント12が省略される場合、コリメートレンズ16は、レーザダイオード11と共にサブマウント40上に固定される。
ミラー13は、それぞれのレーザダイオード11に対応してサブマウント40上に配置されている。それぞれのミラー13は、対応するレーザダイオード11から出射しコリメートレンズ16でコリメートされた光を反射して、ミラー13に入射する光に対してサブマウント40の面方向に沿って垂直に出射するよう調整されている。本実施形態のミラー13は、プリズムから構成されており、サブマウント40上に接着剤により固定されている。なお、ミラー13は、反射膜が形成されたガラス体のように、プリズム以外から構成されても良い。
また、第1集光レンズ14及び第2集光レンズ15は、それぞれシリンドリカルレンズから成り、サブマウント40に接着により固定されている。第1集光レンズ14は、それぞれのミラー13で反射される光をファスト軸方向に集光し、第2集光レンズ15は、第1集光レンズ14から出射する光をスロー軸方向に集光する。こうして、第2集光レンズ15から出射する光は所定の位置において光を集光する。なお、第2集光レンズ15から出射する光が所望の位置で集光しない場合には、第2集光レンズ15から出射する光を集光する集光レンズが更にサブマウント40上に配置されても良い。
光ファイバ50は、パイプ状のホルダ51に挿通されて、ホルダ51に固定されている。本実施形態では、光ファイバ50の光の入射端となる一端がホルダ51から僅かに導出されている。ホルダ51はファイバマウント52に固定され、ファイバマウント52はサブマウント40に固定されている。光ファイバ50の一端は、第2集光レンズ15から出射する光が、コアに入射可能な位置とされる。なお、本実施形態では、光ファイバ50はホルダ51に接着剤やはんだ付けにより固定されており、ホルダ51はファイバマウント52に接着されることで固定され、ファイバマウント52はサブマウント40に接着により固定されている。
コネクタ55は、一対の棒状の導体から形成されており、それぞれの導体は一対のコネクタホルダ56に固定されている。それぞれのコネクタホルダ56は、サブマウント40に接着されて固定されている。コネクタ55の一方の導体は、コネクタ55に最も近いレーザダイオード11と図示しない金線により接続されており、それぞれのレーザダイオード11は図示しない金線によりデイジーチェーン接続されている。また、コネクタ55から最も離れたレーザダイオード11は、コネクタ55の他方の導体に図示しない金線により接続されている。
図4は、図3に示す蓋体が外されたレーザモジュールの断面図である。なお、図4は理解の容易のため、特定のレーザダイオード11から出射する光の光路に沿った図3の断面図としている。
図3、図4に示すように、本実施形態のレーザモジュール2では、ベースプレート20とサブマウント40との間において、サブマウント40の中心部にスペーサ43が配置されている。サブマウント40の中心部は、本実施形態ではサブマウント40の中心を含む領域であり、サブマウント40の外周縁を含む外周部に囲まれる。サブマウント40のベースプレート20側の底面の全面がはんだ付けされて、サブマウント40がベースプレート20に固定されている。従って、はんだ45の外周とサブマウント40の外周とは概ね一致し、スペーサ43ははんだ45の外周部45bに囲まれる中心部45aに配置されている。なお、上記のように、レーザダイオード11は、サブマウント40の外周側の位置に配置されているため、本実施形態では、サブマウント40を平面視する場合に、レーザダイオード11とスペーサ43とは互いに重なっていない。
スペーサ43は、平板状の部材であり、スペーサ43の周囲を囲むはんだ45の厚みよりも薄い厚みとされている。本実施形態では、スペーサ43とベースプレート20との間、及び、スペーサ43とサブマウント40との間のはんだ45により、スペーサ43はベースプレート20及びサブマウント40に固定され、ベースプレート20とスペーサ43とサブマウント40とが一体とされている。このようにスペーサ43が配置されることで、はんだ45の外周部45bの厚みは、スペーサ43が配置される中心部45aにおけるはんだ45の厚みよりも大きくされている。
また、スペーサ43は、例えば、鉄、銅、ステンレススチール等の金属から成り、はんだ45よりも熱伝導性が高い材料から成ることが好ましく、また、はんだ45よりもヤング率が大きい材料から成ることが好ましい。また、上記のようにスペーサ43ははんだ45によりベースプレート20に固定されているが、スペーサ43がベースプレート20と同じ材料から成る場合、ベースプレート20を作製する際に削り出しによりスペーサ43をベースプレート20上に形成して、ベースプレート20とスペーサ43とを一体としても良い。
このように複数の光学部品が配置されたサブマウント40は、蓋体30とベースプレート20上との間の空間に配置されている。蓋体30は、ベースプレート20のそれぞれのねじ孔21と蓋体30の鍔部に形成されたねじ孔とに螺入される複数のねじ25により、図2に示すようにベースプレート20に固定される。なお、特に図示しないが、本実施形態では、ベースプレート20と蓋体30の鍔部33との間にシリコーン樹脂が介在して、ベースプレート20と鍔部33との間の気密が保たれている。
また、このように蓋体30が筐体のベースプレート20上に配置された状態で、図2に示すように、ホルダ51が光ファイバ50と共に蓋体30に形成された切り欠きから導出し、当該切り欠きにおけるホルダ51と枠体32との間には、ブッシュ35が配置されて、ホルダ51と枠体32との間の隙間が埋められている。こうして、切り欠きにおける枠体32と光ファイバとの間の隙間はブッシュ35により封止されている。ブッシュ35は、少なくとも枠体32と接する部位が弾性変形可能な構成とされる。このようなブッシュ35の構成としては、例えば、枠体32と接する部位、ベースプレート20と接する部位及びホルダ51と接する部位が変性シリコーン樹脂を主成分とする接着性の樹脂からなり、当該接着性の樹脂で囲まれる部位がポリエーテルエーテルケトン樹脂(PEEK)等の硬質な樹脂から成ることが挙げられる。なお、ブッシュ35全体が弾性変形可能な樹脂から構成されても良い。
また、上記のように蓋体30がベースプレート20上に配置された状態で、コネクタ55が蓋体30の切り欠きから導出し、コネクタ55と枠体32との間に図示せぬブッシュが配置されて、切り欠きにおける枠体32とコネクタ55との間の隙間が当該ブッシュにより封止されている。このブッシュは、ブッシュ35と同様の樹脂からなる。
次にヒートシンク3及びレーザモジュール2の設置について説明する。
図1に示すようにヒートシンク3は、レーザモジュール2が設置される設置面3sを有している。本実施形態では、この設置面3sは、レーザモジュール2のベースプレート20よりも面積が大きく、凸面状の曲面とされる。また、設置面3sには、ベースプレート20を固定するための図示せぬねじ孔が形成されている。さらにヒートシンク3の内部には、水冷パイプ等といった図示しない冷却機構が配置されている。
レーザ装置1では、このようなヒートシンク3の設置面3s上にレーザモジュール2のベースプレート20が配置されて、図1に示すように固定されている。具体的には、ベースプレート20の外周部20bに形成されたねじ孔22及びヒートシンクの設置面3sに形成されたねじ孔にねじ4が螺入されることで、ベースプレート20はヒートシンク3の設置面3s上に固定される。また、この状態においてベースプレート20のヒートシンク側の面である底面は、概ね凸状の設置面3sに沿っている。前述のようにベースプレート20の底面は平面状とされるが、ベースプレート20の外周部20bが上記のようにねじ止めされることにより、ベースプレート20は、底面が設置面に沿うように撓んでいる。このため、ベースプレート20の弾性力により、図1において矢印で示すように、ベースプレート20の中心部20aには設置面3sに向かう方向の応力がかかり、当該中心部20aを囲むベースプレート20の外周部20bには設置面から離れる方向の応力がかかる。
なお、ベースプレート20はヒートシンク3の設置面3s上に固定された状態において、設置面3sとベースプレートとの間にはグリス5が介在している。グリス5は、熱伝導性に優れる方が好ましい。このようなグリスとしては、熱伝導性の高いフィラー入りのグリスが挙げられ、例えばTIMTRONICS社製の耐熱性・高熱伝導グリスSilver Ice 710NSやArctic Silver社製のAS-05等を挙げることができる。これらのグリスは熱伝導性の高い銀フィラーが多量に含まれているため、一般的に粘度が高くなる傾向にある。粘度が高いグリスを底板とヒートシンクの間に使用する場合、粘度の低いグリスを使用する場合よりも、ベースプレート20の中心部20aにグリスが留まり易く、継時的なベースプレートの変形の抑制が助長される。
次にレーザ装置1の動作について説明する。
レーザ装置1のレーザモジュール2において、コネクタ55からそれぞれのレーザダイオード11に所望の電力が供給されると、図3に示すように、それぞれのレーザダイオード11は、それぞれのレーザダイオード11に対応するそれぞれのコリメートレンズ16に向かって光を出射する。この光は、上記のように例えば波長が900nm帯のレーザ光とされる。それぞれのコリメートレンズ16では、レーザダイオード11から出射する光をコリメートして出射する。それぞれのコリメートレンズ16から出射した光は、対応するそれぞれのミラー13に入射する。それぞれのミラー13は、入射する光を反射して、ミラー13に入射する光に対して、ベースプレート20の面方向に沿った垂直な方向に出射する。ミラー13から出射した光は第1集光レンズ14に入射して、第1集光レンズ14により光のファスト軸方向が集光される。第1集光レンズ14から出射する光は、第2集光レンズ15に入射して、第2集光レンズ15により光のスロー軸方向が集光される。第2集光レンズ15により集光された光は、光ファイバ50のコアに入射して、光ファイバ50を伝搬する。こうして、光ファイバ50の他端から光が出射する。
このとき、レーザモジュール2は発熱する傾向にある。この熱の多くはレーザダイオード11から発生する。レーザダイオード11で発生する熱の多くはサブマウント40、はんだ45を介して筐体の底板であるベースプレート20に伝達する。ベースプレート20に伝達する熱は、ベースプレート20が搭載されるヒートシンク3に伝達しベースプレート20は冷却される。このとき本実施形態では、上記のようにベースプレート20とヒートシンク3との間にグリス5が介在するため、光学部品で発生する熱をベースプレート20を介してヒートシンク3に伝導し易くしている。
以上説明したように本実施形態のレーザ装置1では、上記のように、レーザモジュール2がヒートシンク3に固定された状態で、ベースプレート20の中心部20aにおいては設置面3sに向かう応力がかかる。また、ベースプレート20の外周部20bにおいて設置面から離れる方向の応力がかかる。このため、ベースプレート20は、中心部20aが設置面3s側に移動すると共に外周部20bが設置面から離れる方向に移動するように変形しようとする。しかし、このような変形は、中心部20aにおいては設置面3sによって抑制され、外周部20bにおいてはねじによって抑制される。従って、ベースプレート20は変形しづらい。このため、本発明のレーザ装置は、出射する光のパワーの経時的な変化を抑制することができる。
また、本実施形態では、ヒートシンク3の設置面3sが凸状の形状とされているため、底面が平面状のレーザモジュール2に対して容易に弾性力を付与することができる。また、上記のように、サブマウント40の線膨脹係数がベースプレート20の線膨脹係数よりも小さい場合、サブマウント40をベースプレート20上にはんだ付けすると、線膨脹係数の差により、ベースプレート20の中心がサブマウント側に反る形状となる傾向がある。このような場合であっても、凸状の設置面3sの曲率をベースプレート20の底面の曲率よりも大きくすることで、ベースプレート20の中心部20aに設置面3sに向かう方向の応力がかかるようにすることができる。
また、ベースプレート20がヒートシンク3上に配置されても、レーザダイオード11が発する熱により、サブマウント40及びベースプレート20の温度は上昇する傾向にある。このときサブマウント40とベースプレート20の線膨脹係数が異なると、はんだ45の中心部45a付近ではサブマウント40とベースプレート20との相対的な位置が然程変化しないが、はんだ45の外周部45b付近ではサブマウント40とベースプレート20との相対的な位置が変化し易い。しかし、本実施形態のレーザモジュール2では、中心部45aにスペーサ43が配置されることで、はんだ45の外周部45bの厚みがはんだ45の中心部45aの厚みよりも大きくされている。このため、はんだ45は、中心部45aよりも外周部45bで変形し易く、ベースプレート20及びサブマウント40よりもヤング率の小さなはんだ45が外周部45bで変形することで、はんだ45にクラックが入ることが抑制される。
また、スペーサ43がベースプレート20及びサブマウント40にはんだ45により固定されるため、サブマウント40とベースプレート20とをスペーサ43を介して強固に固定することができる。また、サブマウント40、スペーサ43、ベースプレート20が接続されるため、サブマウント40、スペーサ43、ベースプレート20の何れかが接続されない場合と比べて、サブマウント40からベースプレート20にかけての熱伝導性が向上する。従って、サブマウント40の温度が上昇する場合であっても、熱をベースプレート20から外部に放出し易くすることができる。
<レーザ装置の製造方法>
次に図1に示すレーザ装置の製造方法について説明する。図5はレーザ装置1の製造方法の工程を示すフローチャートである。図5に示すように、本実施形態のレーザ装置1の製造方法は、配置工程P1と、固定工程P2とを備える。
次に図1に示すレーザ装置の製造方法について説明する。図5はレーザ装置1の製造方法の工程を示すフローチャートである。図5に示すように、本実施形態のレーザ装置1の製造方法は、配置工程P1と、固定工程P2とを備える。
(配置工程P1)
まず配置工程P1を行う。本工程は、レーザモジュール2をヒートシンク3上に配置する工程である。
まず配置工程P1を行う。本工程は、レーザモジュール2をヒートシンク3上に配置する工程である。
本工程では、まず、図2~図4に示すレーザモジュール2を準備する。前述のようにレーザモジュール2のベースプレート20の底面は平面状とされる。また、図1に示すヒートシンク3を準備する。前述のようにヒートシンク3の設置面3sは、凸面状とされる。
次に、準備したレーザモジュール2のベースプレート20の底面及びヒートシンク3の設置面3sの少なくとも一方にグリス5を塗布する。そして、グリス5を介してレーザモジュール2をヒートシンク3の設置面3s上に配置する。このときベースプレート20に形成されたねじ孔22と設置面3sに形成されたねじ孔とが重なるようにする。このように配置することで、ベースプレート20全体が設置面3sと重なる。こうして図6に示すように、レーザモジュール2がヒートシンク3上に配置された状態となる。
上記のようにベースプレート20の底面が平面状とされ、設置面3sが凸面状とされるため、ベースプレート20が設置面3s上に配置された状態で、図6に示すように、ベースプレート20の外周部20bと設置面3sとの距離は、ベースプレート20の中心部20aと設置面3sとの距離よりも大きくなる。
(固定工程P2)
次に、固定工程P2を行う。本工程は、レーザモジュール2をヒートシンク3に固定する工程である。
次に、固定工程P2を行う。本工程は、レーザモジュール2をヒートシンク3に固定する工程である。
本工程では、まず、図7に示すように、ヒートシンク3の設置面3s上に配置されたレーザモジュール2のベースプレート20のねじ孔22にねじ4を挿入して、当該ねじ4をヒートシンク3のねじ孔に螺入する。その後、ねじ4を締め付けて、ベースプレート20を設置面3sに沿うように撓ませる。そして、ベースプレート20の外周部20bがねじ4の付勢力で設置面3sに押圧された状態とする。
こうして図1に示すレーザ装置1を得る。
以上説明したように、本実施形態のレーザ装置1の製造方法によれば、ベースプレート20の弾性力により、ベースプレート20の中心部20aに設置面3sに向かう方向の応力がかかるレーザ装置を製造することができる。従って、製造されたレーザ装置1は、上記のように出射する光のパワーの経時的な変化を抑制することができる。
また、設置面3sが凸状とされることで、ベースプレート20の底面が平板状の一般的なレーザモジュール2を用いても、容易にベースプレート20に上記弾性力を付与することができる。
また、配置工程P1後において、ベースプレート20の外周部20bと設置面3sとの距離がベースプレート20の中心部20aと設置面3sとの距離よりも大きいため、固定工程P2において、不要なグリス5を中心部20a側から外周部20bに移動させながら、ねじ止めを行うことができる。このため、ベースプレート20と設置面3sとの間に介在するグリス5を適切な量とすることができる。
また、固定工程P2においてベースプレート20が変形する場合に、ベースプレート20とサブマウント40との相対的な位置ずれは、はんだ45の中心部45aよりもはんだ45の外周部45bの方が大きい。しかし、本実施形態では、レーザモジュール2におけるはんだ45の外周部45bの厚さがはんだ45の中心部45aの厚さよりも大きくされ、はんだ45の外周部45bがはんだ45の中心部45aよりも変形し易いことにより、はんだ45にクラック等が生じることを抑制することができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態について図8を参照して詳細に説明する。なお、第1実施形態と同一又は同等の構成要素については、特に説明する場合を除き、同一の参照符号を付して重複する説明は省略する。
次に、本発明の第2実施形態について図8を参照して詳細に説明する。なお、第1実施形態と同一又は同等の構成要素については、特に説明する場合を除き、同一の参照符号を付して重複する説明は省略する。
図8は、本実施形態に係るレーザ装置を図1と同様の方法で示す図である。図8に示すように、本実施形態のレーザ装置1は、ヒートシンク3の設置面3sが平面状である点において、第1実施形態のレーザ装置1と異なる。
ただし、本実施形態においても、第1実施形態のレーザ装置1と同様にして、ベースプレート20の弾性力により、図8に示すように、ベースプレート20の中心部20aには設置面3sに向かう方向の応力がかかり、当該中心部20aを囲むベースプレート20の外周部20bには設置面3sから離れる方向の応力がかかる。
次に本実施形態のレーザ装置1の製造方法について説明する。
本実施形態のレーザ装置1の製造方法は、第1実施形態のレーザ装置1の製造方法と同様にして、配置工程P1と、固定工程P2とを備える。
(配置工程P1)
図9は、本工程後の様子を示す図である。図9に示すように、本実施形態で準備するレーザモジュール2は、ベースプレート20が外側すなわちヒートシンク3側に凸形状とされる点において第1実施形態のレーザモジュール2と異なる。また、本実施形態で準備するヒートシンク3は、設置面3sが平面状である点において、第1実施形態のヒートシンク3と異なる。
図9は、本工程後の様子を示す図である。図9に示すように、本実施形態で準備するレーザモジュール2は、ベースプレート20が外側すなわちヒートシンク3側に凸形状とされる点において第1実施形態のレーザモジュール2と異なる。また、本実施形態で準備するヒートシンク3は、設置面3sが平面状である点において、第1実施形態のヒートシンク3と異なる。
次に、第1実施形態の配置工程P1と同様に、レーザモジュール2のベースプレート20の底面及びヒートシンク3の設置面3sの少なくとも一方にグリス5を塗布して、レーザモジュール2をヒートシンク3の設置面3s上に配置する。こうして図8に示すように、レーザモジュール2がヒートシンク3上に配置された状態となる。
本実施形態では、上記のようにベースプレート20の底面が凸面状とされ、設置面3sが平面状とされため、ベースプレート20が設置面3s上に配置された状態で、図8に示すように、ベースプレート20の外周部20bと設置面3sとの距離は、ベースプレート20の中心部20aと設置面3sとの距離よりも大きくなる。
(固定工程P2)
次に、第1実施形態と同様にして固定工程P2を行う。
次に、第1実施形態と同様にして固定工程P2を行う。
図10は本工程の様子を示す図である。本実施形態においても、第1実施形態と同様に固定工程P2前においてベースプレート20の外周部20bと設置面3sとが離れているため、ねじ4を締め付けて、ベースプレート20を設置面3sに沿うように撓ませる。そして、ベースプレート20の外周部20bがねじ4の付勢力で設置面3sに押圧された状態とする。
こうして図8に示すレーザ装置1を得る。
以上説明したように、本実施形態では、設置面3sは平面状に形成されており、固定工程P2前でのベースプレート20は中心部20aがヒートシンク3側に凸状となるように湾曲している。従って、本実施形態のレーザ装置1の製造方法によれば、一般に流通している設置面が平面状のヒートシンクを用いて、容易にベースプレート20に弾性力を付与することができる。また、レーザモジュール2がヒートシンク3に固定された状態で、ベースプレートはねじ止めによる付勢力で平板状に近い状態となる。従って、ベースプレート上に配置される光学部品の相対的位置等の光学的設計を容易に行うことができる。
以上、本発明について、上記実施形態を例に説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、第1実施形態では、配置工程P1にて準備するレーザモジュール2のベースプレート20の底面は平面状であるとした。また、第2実施形態の配置工程P1で準備するレーザモジュール2のベースプレート20の底面は凸状であるとした。しかし、本発明では、配置工程P1においてベースプレート20が設置面3s上に配置された状態で、ベースプレート20の外周部20bと設置面3sとの距離が、ベースプレート20の中心部20aと設置面3sとの距離よりも大きければ良い。従って、このような条件を満たしていれば、第1実施形態の配置工程P1にて準備するレーザモジュール2のベースプレート20の底面が湾曲していても良く、第2実施形態の配置工程P1にて準備するレーザモジュール2のベースプレート20の底面が第2実施形態と異なる状態に湾曲していても良い。
また、上記実施形態では、レーザモジュール2はサブマウント40を有する構成とされたが、サブマウント40は必須では無い。また、サブマウント40を有する構成であっても、スペーサ43は必須では無い。つまり、レーザモジュール2がサブマウント40を有する場合であっても、はんだ45の外周部45bの厚みがはんだ45の中心部45aの厚みよりも大きいという構成は必須では無い。ただし、はんだにクラックが入ることを抑制する観点から、サブマウント40を有する場合には、はんだ45のヤング率がベースプレート20のヤング率及びサブマウント40のヤング率よりも小さく、はんだ45の外周部45bの厚みがはんだ45の中心部の厚みよりも大きいことが好ましい。
図11は、はんだ45の外周部45bの厚みがはんだ45の中心部の厚みよりも大きいレーザモジュールの変形例を図4と同様に示す図である。なお、本変形例を説明するにあたり、第1実施形態と同一又は同等の構成要素については、特に説明する場合を除き、同一の参照符号を付して重複する説明は省略する。図11に示すように本変形例では、ベースプレート20とサブマウント40との間にスペーサ43が配置されていない。このため、本実施形態ではサブマウント40は、ベースプレート20側の底面の全面がはんだ45によりベースプレート20に固定されている。この状態において、ベースプレート20は、サブマウント40の中心付近がサブマウント40側に盛り上がるようにして僅かに反っている。従って、はんだ45の外周部45bの厚みは、はんだ45の中心部45aにおけるはんだ45の厚みよりも大きく、はんだ45は、中心部45aから外周部45bにかけて徐々に厚くされている。レーザモジュール2の発熱や、レーザモジュール2をヒートシンク3に設置することによる、ベースプレート20とサブマウント40との位置ずれの大きさは、はんだ45の中心部45aからはんだ45の外周部45bにかけて徐々に大きくなる。従って、本変形例のようにはんだ45の中心部45aから外周部45bにかけてはんだ45の厚みが徐々に厚くなることで、ベースプレート20とサブマウント40との位置ずれ量に応じてはんだ45の変形のし易さを増すことができる。このため、本変形例のレーザモジュールを用いることにより、適切にはんだ45が変形することができる。
また、上記実施形態では、レーザモジュール2とヒートシンク3との間にグリス5が配置されたが、グリス5は必須の構成では無い。ただし、レーザモジュール2からヒートシンク3に熱を良好に伝導する観点から、グリス5が介在する方が好ましい。
以上説明したように、本発明によるレーザ装置は、例えば、ファイバレーザ装置等の分野において使用することができる。
1・・・レーザ装置
2・・・レーザモジュール
3・・・ヒートシンク
4・・・ねじ
5・・・グリス
20・・・ベースプレート
30・・・蓋体
40・・・サブマウント
43・・・スペーサ
45・・・はんだ
50・・・光ファイバ
P1・・・配置工程
P2・・・固定工程
2・・・レーザモジュール
3・・・ヒートシンク
4・・・ねじ
5・・・グリス
20・・・ベースプレート
30・・・蓋体
40・・・サブマウント
43・・・スペーサ
45・・・はんだ
50・・・光ファイバ
P1・・・配置工程
P2・・・固定工程
Claims (13)
- レーザモジュールがヒートシンク上に設置されるレーザ装置であって、
前記レーザモジュールの底板は、外周部が前記ヒートシンクにねじ止めされることによって、前記ヒートシンクの設置面上に固定され、
前記底板の弾性力により、前記外周部で囲まれる前記底板の中心部には前記設置面に向かう方向の応力がかかる
ことを特徴とするレーザ装置。 - 前記設置面は凸状とされる
ことを特徴とする請求項1に記載のレーザ装置。 - 前記底板と前記設置面との間にグリスが介在する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のレーザ装置。 - 前記レーザモジュールは、前記底板上に配置されるサブマウントと、前記底板と前記サブマウントとの間に配置され前記底板と前記サブマウントとを固定するはんだと、を有し、
前記はんだのヤング率は、前記底板のヤング率及び前記サブマウントのヤング率よりも小さく、
前記はんだの外周部の厚みは、当該外周部に囲まれる前記はんだの中心部の厚みよりも大きい
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のレーザ装置。 - 前記はんだの前記中心部にはスペーサが配置される
ことを特徴とする請求項4に記載のレーザ装置。 - 前記はんだの厚みは、前記はんだの前記中心部から前記はんだの前記外周部にかけて徐々に厚くなる
ことを特徴とする請求項4に記載のレーザ装置。 - レーザモジュールがヒートシンク上に設置されるレーザ装置の製造方法であって、
前記レーザモジュールの底板を前記ヒートシンクの設置面上に配置する配置工程と、
前記底板の外周部を前記ヒートシンクにねじ止めして、前記底板を前記設置面上に固定する固定工程と、
を備え、
前記配置工程において前記底板が前記設置面上に配置された状態で、前記外周部と前記設置面との距離は、前記外周部で囲まれる前記底板の中心部と前記設置面との距離よりも大きく、
前記固定工程において、前記ねじ止めによる付勢力により、前記外周部と前記設置面との距離が前記固定工程前よりも小さくなるように前記底板は撓む
ことを特徴とするレーザ装置の製造方法。 - 前記設置面は凸状に形成されている
ことを特徴とする請求項7に記載のレーザ装置の製造方法。 - 前記設置面は平面状に形成されており、
前記固定工程前での前記底板は前記中心部が前記ヒートシンク側に凸状となるように湾曲している
ことを特徴とする請求項7に記載のレーザ装置の製造方法。 - 前記配置工程において、グリスを介して前記底板を前記設置面上に配置する
ことを特徴とする請求項7から9のいずれか1項に記載のレーザ装置の製造方法。 - 前記レーザモジュールは、前記底板上に配置されるサブマウントと、前記底板と前記サブマウントとの間に配置され前記底板と前記サブマウントとを固定するはんだと、を有し、
前記はんだのヤング率は、前記底板のヤング率及び前記サブマウントのヤング率よりも小さく、
前記はんだの外周部の厚みは、当該外周部に囲まれる前記はんだの中心部の厚みよりも大きい
ことを特徴とする請求項7から9のいずれか1項に記載のレーザ装置の製造方法。 - 前記はんだの前記中心部にはスペーサが配置される
ことを特徴とする請求項11に記載のレーザ装置の製造方法。 - 前記はんだの厚みは、前記はんだの前記中心部から前記はんだの前記外周部にかけて徐々に厚くなる
ことを特徴とする請求項11に記載のレーザ装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP16811264.7A EP3312950A4 (en) | 2015-06-18 | 2016-02-26 | Laser device and laser device manufacturing method |
CN201680029701.5A CN107615600B (zh) | 2015-06-18 | 2016-02-26 | 激光装置及激光装置的制造方法 |
US15/736,563 US10277003B2 (en) | 2015-06-18 | 2016-02-26 | Laser device and laser device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015123319A JP2017011043A (ja) | 2015-06-18 | 2015-06-18 | レーザ装置、及び、レーザ装置の製造方法 |
JP2015-123319 | 2015-06-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2016203789A1 true WO2016203789A1 (ja) | 2016-12-22 |
Family
ID=57545136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2016/055917 WO2016203789A1 (ja) | 2015-06-18 | 2016-02-26 | レーザ装置、及び、レーザ装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10277003B2 (ja) |
EP (1) | EP3312950A4 (ja) |
JP (1) | JP2017011043A (ja) |
CN (1) | CN107615600B (ja) |
WO (1) | WO2016203789A1 (ja) |
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CN107615600A (zh) | 2018-01-19 |
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EP3312950A1 (en) | 2018-04-25 |
US20180175583A1 (en) | 2018-06-21 |
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