JP2016143704A - 複合基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 第１基板に対する第２基板の位置精度を高くすることができる複合基板の製造方法を提供する。【解決手段】 複合基板の製造方法は、互いに非平行な第１側面１２０ａ及び第２側面１２０ｂを有する第２基板１２０を第１基板４０上にはんだ付けして成る複合基板ＣＳ１の製造方法であって、第１基板上にはんだ７を介して第２基板を配置する第２基板配置工程と、はんだを加熱して第１基板上に第２基板をはんだつけするはんだ付工程と、を備える。第１基板４０には、第１側面と当接する第１当接面６０ａ及び第２側面と当接する第２当接面６０ｂを有する位置決め部材が固定され、はんだ付工程において、はんだが溶融した状態で、第１側面と第１当接面とが当接し第２側面と第２当接面とが当接するように第２基板を位置決め部材に押し当てると共に第１基板を振動させる。【選択図】 図５

Description

本発明は、複合基板の製造方法に関し、基板同士を高い精度で接続する場合に好適なものである。

光モジュールの一つとして、レーザダイオードから出射する光が光ファイバを介して出射する光モジュールが知られている。この光モジュールでは、筐体内から筐体外に光ファイバが導出されており、筐体内には、レーザダイオード、ミラー、レンズ、光ファイバ等の光学部品が配置されている。レーザダイオードから出射する光は、集光された後に光ファイバに入射して、筐体外において光ファイバから出射する。このときレーザダイオードから出射する光の方向が設計と異なる場合、光ファイバに効率良く光が入射できない場合がある。従って、レーザダイオードのアライメントは重要である。

ところで、光モジュールとして、レーザダイオードが配置されたレーザマウントがサブマウントに配置されるものがある。この場合、上記のようにレーザダイオードから光が所定の方向に出射する必要があるため、サブマウント上におけるレーザマウントのアライメントが重要となる。下記特許文献１には、光素子を基板上にはんだ付けする光素子の実装方法が記載されている。この実装方法では、光素子及び基板のそれぞれに面積の大きな第１の電極と、第１の電極よりも面積の小さな第２の電極とが形成されることで、面方向のセルフアライメントがなされるとされている。

特開２００３−２４３７５７号公報

しかし、上記特許文献１は、溶融したはんだの表面張力によりセルフアライメントを行うため、基板の僅かな傾きや外力により、光素子が基板に対してずれやすい。同様のことが第１基板上に第２基板をはんだ付けして複合基板を製造する場合にも生じる。従って、第２基板をより高い位置精度で第１基板上にはんだ付けしたいという要請がある。

そこで、本発明は、第１基板に対する第２基板の位置精度を高くすることができる複合基板の製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は、互いに非平行な第１側面及び第２側面を有する第２基板を第１基板上にはんだ付けして成る複合基板の製造方法であって、前記第１基板上にはんだを介して前記第２基板を配置する第２基板配置工程と、前記はんだを加熱して前記第１基板上に前記第２基板をはんだつけするはんだ付工程と、を備え、前記第１基板には、前記第１側面と当接する第１当接面及び前記第２側面と当接する第２当接面を有する位置決め部材が固定され、前記はんだ付工程において、前記はんだが溶融した状態で、前記第１側面と前記第１当接面とが当接し前記第２側面と前記第２当接面とが当接するように前記第２基板を前記位置決め部材に押し当てると共に前記第１基板を振動させることを特徴とするものである。

上記複合基板の製造方法によれば、第１基板に第２基板をはんだ付けする際、はんだの溶融状態において、第２基板を位置決め部材に押し当てるため、はんだの表面張力や意図しない第１基板の傾きにより、第２基板の位置が意図せずずれることを抑制することができる。このとき更に、第１基板に振動を加えるため、第２基板の第１側面と位置決め部材の第１当接面との間や、第２基板の第２側面と位置決め部材の第２当接面との間に隙間ができることを抑制することができる。こうして、位置決め部材と第２基板との小さなずれを抑制でき、第２基板を高い位置精度で第１基板にはんだ付けすることができる。従って、本発明の複合基板の製造方法によれば、第１基板に対する第２基板の位置精度が高い複合基板を製造することができる。

また、前記第２基板配置工程より前に前記位置決め部材を前記第１基板上に固定する固定工程を更に備えても良い。

この場合、位置決め部材を扱いやすい形状や大きさの治具とすることができる。また、はんだ付け工程後に位置決め部材を除去可能なように位置決め部材を固定しても良い。

或いは、前記位置決め部材は、前記第１基板と一体形成されても良い。

この場合、位置決め部材を第１基板上に固定する工程を不要とすることができ、複合基板の製造工程を簡易にすることができる。

また、前記はんだ付工程において、前記第１基板を超音波振動させることが好ましい。

超音波振動とは、２０ｋＨｚを超える周波数の振動を指す。このような周波数の振動を加えることで、第１基板と第２基板との間の摩擦力を小さくすることができ、第２基板をより高い精度で位置させることができる。また、超音波で振動させることで、溶融したはんだ内の気泡を外部に放出することができる。

また、前記はんだ付工程において、前記第２基板の自重により前記第２基板が前記位置決め部材に押し当てられるように前記第１基板を傾斜することが好ましい。

このように第１基板が傾斜されることで、第２基板を上記位置決め部材に押圧するための治具を第２基板に接触させる必要が無い。従って、簡易な構成で第２基板の位置調整を精度良く行うことができる。

また、前記はんだ付工程において、前記第１基板を前記第１基板の面方向に垂直な方向に沿って振動させることが好ましい。

この場合、振動方向がアライメント方向と垂直になるため、位置決め部材と第２基板とが接触した状態で、振動により位置決め部材が第２基板を押し返して第２基板が治具から離れることを抑制することができる。

或いは、前記はんだ付工程において、前記第１基板を前記第１基板の面方向に沿って振動させることとしても好ましい。

この場合、第２基板が第１基板に対してスクラブされ、溶融したはんだ内の不要な気泡が外部に放出され易くなる。従って、より強固に第２基板と第１基板とをはんだ付けすることができる。

また、前記はんだ付工程において、前記第１基板を下側から振動させることとしても良い。

この場合前記はんだ付工程において、前記第１基板をヒーター上に配置し、前記第１基板を前記ヒーターの振動により振動させることが好ましい。

或いは、前記はんだ付工程において、前記第１基板の上側から前記第１基板を振動させることとしても良い。

また、前記第２基板はレーザダイオードが固定されるレーザマウントであり、前記第１基板は、前記レーザマウントが固定されるサブマウントであることが好ましい。

このようにして製造される複合基板を用いることで、サブマウントを用いた光モジュールを製造することができる。この光モジュールは、レーザマウントが高い位置精度でサブマウント上に固定されるため、光の出射方向を高い精度でコントロールすることができる。

以上のように、本発明によれば、第１基板に対する第２基板の位置精度を高くすることができる複合基板の製造方法が提供される。

本発明の実施形態に係る複合基板の製造方法により製造される複合基板を示す図である。 図１に示す複合基板の製造方法の工程を示すフローチャートである。 位置決め部材固定工程の様子を示す図である。 第２基板配置工程の様子を示す図である。 第２基板はんだ付工程の様子を示す図である。 本発明の実施形態に係る複合基板の製造方法を用いて製造される光モジュールを示す図である。 図１に示す光モジュールを別の視点から示す図である。 光モジュールの蓋体を外した図である。 図１に示す蓋体を裏面から見る図である。 図６の光モジュールの製造方法の工程を示すフローチャートである。 位置決め部材固定工程の様子を示す図である。 第２基板配置工程の様子を示す図である。 第２基板はんだ付工程の様子を示す図である。 部品接着工程の様子を示す図である。 サブマウントはんだ付工程の様子を示す図である。 蓋体固定工程の様子を示す図である。 図３に示す第１基板と位置決め部材とを一体成形した例を示す図である。

以下、本発明に係る複合基板の製造方法およびそれを用いた光モジュールの製造方法の好適な実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。

（１）複合基板の製造方法
図１は、本実施形態に係る複合基板の製造方法により製造される複合基板を示す図である。図１に示すように、本実施形態の複合基板ＣＳ１は、第１基板４０上に第２基板１２０がはんだ７０により固定されて成るものである。

第１基板４０は、第２基板１２０の主面よりも大きな主面を有する平板状の基板であり、配線のパターンが形成され回路基板とされている場合や、当該パターンが形成されない場合がある。本実施形態では第１基板４０にパターンが形成されていない例を示している。また、第１基板４０は、少なくとも第２基板１２０がはんだ付けされる領域を有し、当該領域がはんだ付け可能とされる限りにおいて、当該領域が目視可能に他の領域と区分けされていている場合と区分けされていない場合とがある。第１基板４０の第２基板１２０とはんだ付けされる領域は、例えば、銅や窒化アルミ等のはんだ付け可能な材料からなる。

第２基板１２０は、平板状の基板であり、第２基板１２０を平面視する場合に互いに非平行な第１側面１２０ａ及び第２側面１２０ｂと有している。本実施形態では、第２基板１２０は直方体の形状とされ、第１側面１２０ａと第２側面１２０ｂとが互いに垂直に隣り合っている。また、第２基板１２０は、配線のパターンが形成され回路基板とされている場合や、当該パターンが形成されていない場合とがある。第１基板４０に配線のパターンが形成されている場合、第２基板１２０は底面の第１基板４０の配線と接続される位置がはんだ付けされる構造とされる。上記のように本実施形態では、第１基板４０にパターンが形成されていない例を示しており、第２基板１２０の底面全体が第１基板４０にはんだ付けされている。第２基板１２０は、例えば、銅、窒化アルミ、はんだ付け可能なセラミック等から成る。

次に、図１に示す複合基板ＣＳ１の製造方法について説明する。

図２は、複合基板ＣＳ１の製造方法の工程を示すフローチャートである。図２に示すように、本実施形態の複合基板ＣＳ１の製造方法は、位置決め部材固定工程Ｐ１１と、第２基板配置工程Ｐ１２と、第２基板はんだ付工程Ｐ１３とを備える。

（位置決め部材固定工程Ｐ１１）
位置決め部材固定工程Ｐ１１は、位置決め部材である治具６０を第１基板４０上に固定する工程である。

図３は、本工程の様子を示す図である。ただし、図３では、理解の容易のため、第１基板４０を見る視点を図１に対して第１基板４０の面方向に沿って１８０度変えている。図３に示すように、治具６０は、第２基板１２０の第１側面１２０ａと当接する第１当接面６０ａ及び第２基板１２０の第２側面１２０ｂと当接する第２当接面６０ｂを有している。上記のように、第２基板１２０の第１側面１２０ａと第２側面１２０ｂとは互いに垂直に隣り合っているため、治具６０の第１当接面６０ａと第２当接面６０ｂとは、互いに垂直に隣り合っている。また、本実施形態では、治具６０は、概ねＬ字型の形状をしており、治具６０の厚みは、第２基板１２０の厚みよりも小さくされることが好ましい。

図３において、破線で示す領域１２０ｓは、第２基板１２０が第１基板４０上に固定されるべき位置、第２基板１２０の設計上の固定位置を示す領域である。治具６０は、第２基板１２０が領域１２０ｓに固定される場合に、第２基板１２０の第１側面１２０ａと治具６０の第１当接面６０ａとが当接し第２基板１２０の第２側面１２０ｂと治具６０の第２当接面６０ｂとが当接するように、第１基板４０上の破線で示す領域６０ｓに固定される。治具６０の固定は、例えば、接着剤を用いて固定する。この接着剤は第２基板はんだ付工程Ｐ１３において溶融しないものであり、このような接着剤としては、例えば、熱硬化性の接着剤を挙げることができる。

（第２基板配置工程Ｐ１２）
第２基板配置工程Ｐ１２は、第１基板４０上にはんだ７０を介して第２基板１２０を配置する工程である。

図４は、本工程の様子を示す図である。なお、図４は、図３と異なり、図１と同じ視点で第１基板４０を見る図である。本工程では、まず、第２基板１２０の底面にフィルム状のはんだ７０を貼り付ける。はんだ７０の貼り付けは、スキージ等を用いて第２基板１２０にフィルム状のはんだ７０を押圧することで行う。

次に、図４に示すように、底面にはんだ７０が貼り付けられた第２基板１２０をはんだ７０が第１基板４０側となるように第１基板４０上に配置する。このとき、出来るだけ第２基板１２０が第１基板４０の領域１２０ｓ上に位置するように、第２基板１２０を配置する。また、第１基板４０上に第２基板１２０が配置された後に第２基板１２０の位置を調整しても良い。このとき上記のように治具６０の厚みが第２基板１２０の厚みよりも小さくされていれば、第２基板１２０の位置を調整する場合に、治具６０が邪魔にならず調整し易いため好ましい。こうして、第１基板４０上に第２基板１２０が配置された状態となる。

なお、本実施形態では、はんだ７０は第２基板１２０の底面に貼り付けられたが、第１基板４０の領域１２０ｓ上にはんだ７０が貼り付けられても良い。また、フィルム状のはんだ７０を用いず、クリーム状のはんだを塗布しても良い。

（第２基板はんだ付工程Ｐ１３）
第２基板はんだ付工程Ｐ１３は、はんだ７０を加熱溶融して第２基板１２０を第１基板４０上にはんだ付けする工程である。

図５は、本工程の様子を示す図である。図５に示すように、本実施形態では、ヒーター８０を用いてはんだ付けを行う。ヒーター８０は、加熱面８０ｓが水平に対して傾斜している。加熱面８０ｓの水平に対する傾斜角は、例えば、１度〜２度とされる。また、ヒーター８０には、超音波振動装置８５が接続されている。この超音波振動装置８５が振動することにより、加熱面８０ｓは、加熱面８０ｓに垂直な方向に振動することができる。

本工程では、傾斜した加熱面８０ｓ上に第２基板１２０が配置された第１基板４０を配置する。このとき、図５に示すように、治具６０が第２基板１２０よりも下方側となるように配置する。具体的には、第２基板１２０の第１側面１２０ａよりも治具６０の第１当接面６０ａが下方となるようにし、さらに、第２基板１２０の第２側面１２０ｂよりも治具６０の第２当接面６０ｂが下方となるようにして、第１基板４０を配置する。この状態において、第１基板４０は図示しない手段により加熱面８０ｓ上に固定されている。

次に加熱面８０ｓ上に第１基板４０が配置された状態で、ヒーター８０を加熱する。加熱面８０ｓの加熱により第１基板４０を介してはんだ７０が加熱されて溶融する。溶融したはんだ７０により第２基板１２０は第１基板４０に対して移動し易くなる。このため、第２基板１２０は、自重により下方に移動しようとする。しかし第２基板１２０の下方には治具６０が位置するため、第２基板１２０の第１側面１２０ａと治具６０の第１当接面６０ａとが当接し、第２基板１２０の第２側面１２０ｂと治具６０の第２当接面６０ｂとが当接する。つまり、第２基板１２０は、第１基板４０の傾斜に起因し、自重により、第１基板４０の面方向に沿って治具６０に押し当てられる。

また、このようにはんだ７０が溶融した状態で、超音波振動装置８５を振動させ、ヒーター８０の加熱面８０ｓを介して第１基板４０を下側から超音波振動させる。上記のように超音波振動装置８５の振動により加熱面８０ｓは面方向に垂直な方向に振動するため、第１基板４０は、第１基板４０の面方向に垂直な方向に沿って振動する。こうして、第１基板４０が振動しながら、第２基板１２０は治具６０に押し当てられる。このため、第１基板４０が振動せずに第２基板１２０が治具６０に押し当てられる場合と比べて、第２基板１２０の第１側面１２０ａと治具６０の第１当接面６０ａとがより密着し、第２基板１２０の第２側面１２０ｂと治具６０の第２当接面６０ｂとがより密着する。

その後、ヒーター８０の温度を下げてはんだ７０を固化させ、必要に応じて治具６０を除去することで、図１に示す複合基板ＣＳ１を得る。

本実施形態の複合基板ＣＳ１の製造方法によれば、第１基板４０に第２基板１２０をはんだ付けする際、はんだ７０の溶融状態において、第１基板４０に振動を加えながら第２基板１２０を治具６０に押し当てるため、治具６０と第２基板１２０とが当接する部位の摩擦等を低減することができ、第２基板１２０の第１側面１２０ａと位置決め部材である治具６０の第１当接面６０ａとの間や、第２基板１２０の第２側面１２０ｂと治具６０の第２当接面６０ｂとの間に隙間ができることを抑制することができる。従って、治具６０と第２基板との小さなずれを抑制でき、第２基板１２０を高い位置精度で第１基板４０上にはんだ付けすることができる。

また、本実施形態では第１基板４０を超音波振動させているため、溶融したはんだ７０内の気泡を外部に放出することができる。従って、第１基板４０が振動せずに第２基板１２０が第１基板４０にはんだ付けされる場合と比べて、より強固に第２基板１２０を第１基板４０にはんだ付けすることができる。

また、本実施形態では、第１基板４０が傾斜した状態ではんだ７０が溶融するため、第２基板１２０の自重により第２基板１２０が治具６０に押し当てられる。従って、第２基板１２０を治具６０に押し当てるための他の治具を第２基板１２０に接触させる必要が無い。従って、簡易な構成で第２基板１２０の位置調整を精度良く行うことができる。

また、本実施形態では、第１基板４０を第１基板４０の面方向に垂直な方向に沿って振動させるため、振動方向がアライメント方向と垂直になる。従って、治具６０と第２基板１２０とが接触した状態で、振動により治具６０が第２基板１２０を押し返して第２基板１２０が治具から離れることを抑制することができる。

（２）光モジュールの製造方法
次に本実施形態の複合基板の製造方法を用いた光モジュールの製造方法について説明する。

＜光モジュール＞
まず、光モジュールについて説明する。

図６は、本実施形態に係る光モジュールを示す図であり、図７は、図６に示す光モジュールを別の視点から示す図である。

図６、図７に示すように、本実施形態の光モジュール１は、ベースプレート２及び蓋体３から成る筐体と、筐体内に固定される複合基板及び当該複合基板上に配置される光ファイバ５０を含む光学部品と、一部の光学部品に電力を供給するコネクタ４１とを備えている。

図８は、光モジュール１の蓋体３を外した図である。なお、図８では破線で光の様子が示されている。ベースプレート２は、筐体の底板となる底面が平面状のプレートであり、本実施形態では図８に示すように平板状の部材である。ベースプレート２は金属から成り、ベースプレート２を構成する金属としては銅を挙げることができる。ベースプレート２には外周部に複数のねじ孔２７が形成されている。

ベースプレート２上にはサブマウント４が固定されている。本実施形態の光モジュール１では、このサブマウント４が上記複合基板ＣＳ１の第１基板４０に相当する。サブマウント４は、平板状の基板であり、ベースプレート２よりも線膨脹係数が小さな材料から成る。例えば、ベースプレート２が銅から成る場合、サブマウント４は窒化アルミからなる。このようにサブマウント４が小さい線膨脹係数の材料から成る理由は、サブマウント４上には光学部品が配置されるため、使用時において光学部品が発する熱によりサブマウント４が膨張して光モジュール１の光学的特性が変化することを抑制するためである。

サブマウント４上には、光ファイバ５０を含む光学部品が固定されている。本実施形態の光学部品は、複数のレーザダイオード１１、コリメートレンズ１６、ミラー１３、第１集光レンズ１４、第２集光レンズ１５、光ファイバ５０を含んで構成される。本実施形態では、レーザダイオード１１が７つの例を示している。

光源である複数のレーザダイオード１１は、複数の半導体層が積層されて成るファブリペロー構造を有する素子であり、例えば波長が９００ｎｍ帯のレーザ光を出射する。それぞれのレーザダイオード１１はレーザマウント１２上にはんだ等により固定されており、レーザマウント１２を介してサブマウント４上に固定されている。従って、レーザマウント１２の数はレーザダイオード１１と同数とされる。本実施形態の光モジュール１では、それぞれのレーザマウント１２が上記複合基板ＣＳ１の第２基板１２０に相当する。従って、それぞれのレーザマウント１２は、レーザマウント１２を平面視する場合に互いに非平行な第１側面１２ａ及び第２側面１２ｂを有している。本実施形態では、それぞれのレーザマウント１２は直方体の形状とされ、第１側面１２０ａと第２側面１２０ｂとが互いに垂直に隣り合っている。レーザマウント１２は、レーザダイオード１１の高さを調整するための台であり、それぞれのレーザマウント１２は、サブマウント４における外周側の位置に例えばはんだ付け等により固定されている。

本実施形態の光モジュール１では、上記のように、サブマウント４が複合基板ＣＳ１の第１基板４０に相当し、レーザマウント１２が複合基板ＣＳ１の第２基板１２０に相当するため、サブマウント４と複数のレーザマウント１２とにより複合基板ＣＳ２が構成されている。

コリメートレンズ１６は、それぞれのレーザダイオード１１に対応してレーザマウント１２上に配置されている。コリメートレンズ１６は、レーザダイオード１１から出射する光のファスト軸方向の光、スロー軸方向の光をコリメートするレンズであり、一般的にファスト軸方向の光をコリメートするレンズ、スロー軸方向の光のコリメートするレンズの組み合わせからなる。またコリメートレンズ１６は、レーザダイオード１１と共にレーザマウント１２上に接着等により固定されている。なお、上記のようにレーザマウント１２が省略される場合、コリメートレンズ１６は、レーザダイオード１１と共にサブマウント４上に固定される。

ミラー１３は、それぞれのレーザダイオード１１に対応してサブマウント４上に配置されている。それぞれのミラー１３は、対応するレーザダイオード１１から出射しコリメートレンズ１６でコリメートされた光を反射して、ミラー１３に入射する光に対してサブマウント４の面方向に沿って垂直に出射するよう調整されている。本実施形態のミラー１３は、プリズムから構成されており、サブマウント４上に接着剤により固定されている。なお、ミラー１３は、反射膜が形成されたガラス体のように、プリズム以外から構成されても良い。

また、第１集光レンズ１４及び第２集光レンズ１５は、それぞれシリンドリカルレンズから成り、サブマウント４に接着により固定されている。第１集光レンズ１４は、それぞれのミラー１３で反射される光をファスト軸方向に集光し、第２集光レンズ１５は、第１集光レンズ１４から出射する光をスロー軸方向に集光する。こうして、第２集光レンズ１５から出射する光は所定の位置において光を集光する。なお、第２集光レンズ１５から出射する光が所望の位置で集光しない場合には、第２集光レンズ１５から出射する光を集光する集光レンズが更にサブマウント４上に配置されても良い。

光ファイバ５０は、パイプ状のホルダ５１に挿通されて、ホルダ５１に固定されている。本実施形態では、光ファイバ５０の光の入射端となる一端がホルダ５１から僅かに導出されている。ホルダ５１はファイバマウント５２に固定され、ファイバマウント５２はサブマウント４に固定されている。光ファイバ５０の一端は、第２集光レンズ１５から出射する光が、コアに入射可能な位置とされる。なお、本実施形態では、光ファイバ５０はホルダ５１に接着剤やはんだ付けにより固定されており、ホルダ５１はファイバマウント５２に接着されることで固定され、ファイバマウント５２はサブマウント４に接着により固定されている。

コネクタ４１は、一対の棒状の導体から形成されており、それぞれの導体は一対のコネクタホルダ４２に固定されている。それぞれのコネクタホルダ４２は、サブマウント４に接着されて固定されている。コネクタ４１の一方の導体は、コネクタ４１に最も近いレーザダイオード１１と図示しない金線により接続されており、それぞれのレーザダイオード１１は図示しない金線によりデイジーチェーン接続されている。また、コネクタ４１から最も離れたレーザダイオード１１は、コネクタ４１の他方の導体に図示しない金線により接続されている。

図９は、図６、図７に示す蓋体３を裏面から見る図である。図９に示すように、本実施形態の蓋体３は、金属板がプレス加工されて成り、トッププレート３１と、枠体３２と、鍔部３３とから成る。

トッププレート３１は、筺体の天板となる部位であり、平板状の部材からなる。枠体３２は、トッププレート３１の周縁においてトッププレート３１に垂直に連結される部位である。また、枠体３２は、図６、図７に示すように蓋体３がベースプレート２上に配置された状態で、サブマウント４及びサブマウント４上の光学部品等を囲む大きさとされる。また、枠体３２には、光ファイバ５０を筺体内から筺体外に導出するための切り欠き３５ａ、および、コネクタ４１を筺体内から筺体外に導出するための切り欠き３５ｂが形成されている。鍔部３３は、枠体３２のトッププレート３１側とは反対側において、枠体３２に連結される部位であり、枠体３２に対して垂直（トッププレート３１と平行）に枠体３２の外側に広がるように延在している。また、鍔部３３における枠体３２のそれぞれの切り欠き３５ａ，３５ｂと隣り合う位置は、それぞれ切り欠かれている。また、鍔部３３には、複数のねじ孔３７が形成されており、これらのねじ孔３７が形成されている位置は、図６、図７に示すように蓋体３がベースプレート２上に配置された状態で、ベースプレート２に形成されたねじ孔２７と重なる位置とされている。

この蓋体３が、図６、図７に示すように、ベースプレート２上に配置された状態で、ベースプレート２と蓋体３とは、ベースプレート２のそれぞれのねじ孔２７と蓋体３のそれぞれのねじ孔３７とに螺入される複数のねじ２５により固定される。なお、特に図示しないが、本実施形態では、ベースプレート２と蓋体３の鍔部３３との間にシリコーン樹脂が介在して、ベースプレート２と鍔部３３との間の気密が保たれている。

また、このように蓋体３が筐体の底板であるベースプレート２上に配置された状態で、図６に示すように、ホルダ５１が光ファイバ５０と共に切り欠き３５ａから導出している。そして、切り欠き３５ａにおいて、ホルダ５１と枠体３２との間には、ブッシュ５５が配置されて、ホルダ５１と枠体３２との間の隙間が埋められている。こうして、切り欠き３５ａにおける枠体３２と光ファイバとの間の隙間はブッシュ５５により封止されている。ブッシュ５５は、少なくとも枠体３２と接する部位が弾性変形可能な構成とされる。このようなブッシュ５５の構成としては、例えば、枠体３２と接する部位、ベースプレート２と接する部位及びホルダ５１と接する部位が変性シリコーン樹脂を主成分とする接着性の樹脂からなり、当該接着性の樹脂で囲まれる部位がポリエーテルエーテルケトン樹脂（ＰＥＥＫ）等の硬質な樹脂から成ることが挙げられる。なお、ブッシュ５５全体が弾性変形可能な樹脂から構成されても良い。

また、蓋体３がベースプレート２上に配置された状態で、図７に示すように、コネクタ４１が切り欠き３５ｂから導出している。そして、コネクタ４１と枠体３２との間には、ブッシュ４５が配置されており、切り欠き３５ｂにおける枠体３２とコネクタ４１との間の隙間はブッシュ４５により封止されている。ブッシュ４５は、弾性変形可能な樹脂からなり、例えば、ブッシュ５５と同様の樹脂からなる。

次に、光モジュール１の光学的な動作について説明する。

コネクタ４１からそれぞれのレーザダイオード１１に所望の電力が供給されると、図８に示すように、それぞれのレーザダイオード１１は、それぞれのレーザダイオード１１に対応するそれぞれのコリメートレンズ１６に向かって光を出射する。この光は、上記のように例えば波長が９００ｎｍ帯のレーザ光とされる。それぞれのコリメートレンズ１６では、レーザダイオード１１から出射する光をコリメートして出射する。それぞれのコリメートレンズ１６から出射した光は、対応するそれぞれのミラー１３に入射する。それぞれのミラー１３は、入射する光を反射して、ミラー１３に入射する光に対して、ベースプレート２の面方向に沿った垂直な方向に出射する。ミラー１３から出射した光は第１集光レンズ１４に入射して、第１集光レンズ１４により光のファスト軸方向が集光される。第１集光レンズ１４から出射する光は、第２集光レンズ１５に入射して、第２集光レンズ１５により光のスロー軸方向が集光される。第２集光レンズ１５により集光された光は、光ファイバ５０のコアに入射して、光ファイバ５０を伝搬する。こうして、光ファイバ５０の他端から光が出射する。

＜光モジュールの製造方法＞
次に本実施形態の光モジュールの製造方法について説明する。

図１０は、本実施形態の光モジュール１の製造方法の工程を示すフローチャートである。図１０に示すように、本実施形態の光モジュールの製造方法は、位置決め部材固定工程Ｐ２１と、第２基板配置工程Ｐ２２と、第２基板はんだ付工程Ｐ２３と、部品接着工程Ｐ２４と、サブマウントはんだ付工程Ｐ２５と、蓋体固定工程Ｐ２６とを備える。

（位置決め部材固定工程Ｐ２１）
上記のように、サブマウント４が複合基板ＣＳ１の第１基板４０に相当し、サブマウント４が複合基板ＣＳ１の第２基板１２０に相当するレーザマウント１２が複数とされる。従って、本製造方法での位置決め部材固定工程Ｐ２１は、複合基板ＣＳ１の製造方法に用いた治具６０と形状が異なる位置決め部材をサブマウント４上に固定する。

図１１は、本工程の様子を示す図である。ただし、図１１では、理解の容易のため、サブマウント４を見る視点を図８に対してサブマウント４の面方向に沿って１８０度変えている。図１１に示すように、位置決め部材である治具６は、櫛歯状の形状に形成されている。治具６は、それぞれのレーザマウント１２の第１側面１２ａと当接する複数の第１当接面６ａ、及び、それぞれのレーザマウント１２の第２側面１２ｂと当接する複数の第２当接面６ｂを有している。また、上記のようにレーザマウント１２の第１側面１２ａと第２側面１２ｂとは互いに垂直に隣り合っているため、治具６の互いに隣り合う第１当接面６ａと第２当接面６ｂとは、互いに垂直とされている。また、本製造方法では、治具６０の厚みは、図９に示すレーザダイオード１１がレーザマウント１２上に配置された状態でのレーザマウント１２とレーザダイオード１１を合わせた厚みよりも小さくされることが好ましい。

図１１において、破線で示すそれぞれの領域１２ｓは、レーザマウント１２がサブマウント４上に固定されるべき位置、つまりそれぞれのレーザマウント１２の設計上の固定位置を示す領域である。治具６は、レーザマウント１２が領域１２ｓに固定される場合に、それぞれのレーザマウント１２の第１側面１２ａと治具６のそれぞれの第１当接面６ａとが当接し、それぞれのレーザマウント１２の第２側面１２ｂと治具６のそれぞれの第２当接面６ｂとが当接するように、サブマウント４上の破線で示す領域６ｓに固定される。治具６の固定は、上記複合基板ＣＳ１の製造方法において第１基板４０に治具６０が固定された方法と同様に行う。

（第２基板配置工程Ｐ２２）
本製造方法での第２基板配置工程Ｐ２２は、第１基板としてのサブマウント４上にはんだ７０を介して第２基板としてのそれぞれのレーザマウント１２を配置する工程である。

図１２は、本工程の様子を示す図である。なお、図１２は、図１１と異なり、図８と同じ視点でサブマウント４を見る図である。本工程では、まずレーザマウント１２上にレーザダイオード１１及びコリメートレンズ１６を固定する。レーザダイオード１１の固定は、例えばはんだ付けにより行う。コリメートレンズ１６は、レーザダイオード１１からの光がコリメートレンズ１６に入射するようにレーザマウント１２上に配置して固定する。コリメートレンズ１６の固定は、例えば接着により行う。次に、複合基板ＣＳ１の製造方法において第２基板１２０の底面にフィルム状のはんだ７０を貼り付けたのと同様にして、それぞれのレーザマウント１２の底面にはんだ７０を貼り付ける。

次に、図１２に示すように、レーザダイオード１１及びコリメートレンズ１６が搭載され底面にはんだ７０が貼り付けられたそれぞれのレーザマウント１２をはんだ７０がサブマウント４側となるようにサブマウント４上に配置する。このとき、出来るだけそれぞれのレーザマウント１２がサブマウント４の領域１２ｓ上に位置するように、それぞれのレーザマウント１２を配置する。また、サブマウント４上にレーザマウント１２が配置された後にレーザマウント１２の位置を調整しても良い。このとき上記のように治具６の厚みがレーザマウント１２とレーザダイオード１１を合わせた厚みよりも小さくされていれば、レーザマウント１２の位置を調整する場合に、治具６が邪魔にならず調整し易いため好ましい。こうして、サブマウント４上にレーザマウント１２が配置された状態となる。

なお、本実施形態では、はんだ７０はレーザマウント１２の底面に貼り付けられたが、複合基板ＣＳ１の製造方法と同様に、サブマウント４の領域１２ｓ上にはんだ７０が貼り付けられても良い。また、フィルム状のはんだ７０を用いず、クリーム状のはんだを塗布しても良い。

（第２基板はんだ付工程Ｐ２３）
本製造方法での第２基板はんだ付工程Ｐ２３は、はんだ７０を加熱溶融して、第２基板としてのそれぞれのレーザマウント１２を第１基板としてのサブマウント４上にはんだ付けする工程である。

図１３は、本工程の様子を示す図である。図１３に示すように、複合基板ＣＳ１の製造方法と同様に本製造方法においても、超音波振動装置８５が接続され加熱面８０ｓが傾斜したヒーター８０を用いてはんだ付けを行う。

まず、加熱面８０ｓ上にそれぞれのレーザマウント１２が配置されたサブマウント４を配置する。このとき、図１３に示すように、治具６がそれぞれのレーザマウント１２を支えられるよう、治具６がレーザマウント１２よりも下方側となるように配置する。具体的には、それぞれのレーザマウント１２の第１側面１２ａと対向する治具６のそれぞれの第１当接面６ａが下方となるようにし、さらに、それぞれのレーザマウント１２の第２側面１２ｂと対向する治具６のそれぞれの第２当接面６ｂが下方となるようにして、サブマウント４を配置する。この状態において、サブマウント４は図示しない手段により加熱面８０ｓ上に固定されている。

次に加熱面８０ｓ上にサブマウント４が配置された状態で、ヒーター８０を加熱してそれぞれのはんだ７０を加熱し溶融する。溶融したはんだ７０によりそれぞれのレーザマウント１２はサブマウント４に対して移動し易くなる。このため、それぞれのレーザマウント１２は、自重により下方に移動しようとする。しかしそれぞれのレーザマウント１２の下方には治具６が位置するため、それぞれのレーザマウント１２の第１側面１２ａと対向する治具６のそれぞれの第１当接面６ａとが当接し、それぞれのレーザマウント１２の第２側面１２ｂと対向する治具６のそれぞれの第２当接面６ｂとが当接する。つまり、複合基板ＣＳ１の製造方法と同様に、本製造方法においてもレーザマウント１２は、サブマウント４の傾斜に起因して、自重によりサブマウント４の面方向に沿って治具６に押し当てられる。

また、このようにはんだ７０が溶融した状態で、複合基板ＣＳ１の製造方法と同様に超音波振動装置８５を振動させ、ヒーター８０の加熱面８０ｓを介してサブマウント４を下側から超音波振動させる。このため、サブマウント４は、サブマウント４の面方向に垂直な方向に沿って振動する。こうして、サブマウント４が振動しながら、それぞれのレーザマウント１２は治具６に押し当てられる。このため、サブマウント４が振動せずにそれぞれのレーザマウント１２が治具６に押し当てられる場合と比べて、それぞれのレーザマウント１２の第１側面１２ａと治具６のそれぞれの第１当接面６ａとがより密着し、それぞれのレーザマウント１２の第２側面１２ｂと治具６のそれぞれの第２当接面６ｂとがより密着する。

その後、ヒーター８０の温度を下げてはんだ７０を固化させ、必要に応じて治具６を除去することで、サブマウント４とレーザマウント１２とを備える複合基板ＣＳ２を得る。

（部品接着工程Ｐ２４）
部品接着工程Ｐ２４は、サブマウント４上にレーザマウント１２を介して配置されたレーザダイオード１１から出射する光が光ファイバ５０に入射するように、第２基板はんだ付工程Ｐ２３までにサブマウント４に搭載されていない光学部品及び光ファイバ５０の入射端をサブマウント４上に接着して固定する工程である。図１４は、本工程の様子を示す図である。

コネクタ４１は、上記のようにコネクタホルダ４２を介してサブマウント４上に配置される。従って、コネクタ４１をサブマウント４上に配置する前に、それぞれの棒状の導体をコネクタホルダ４２に挿通して、導体をコネクタホルダに固定する。この固定は、例えば接着により行う。そして、導体が固定されたそれぞれのコネクタホルダ４２をサブマウント４上に配置して固定する。この固定は、例えば接着により行う。次に、コネクタ４１の一方の導体と最もコネクタ４１に近いレーザダイオード１１とを金線により接続し、さらに、それぞれのレーザダイオード１１を金線によりデイジーチェーン接続し、さらに、コネクタ４１から最も離れたレーザダイオード１１とコネクタ４１の他方の導体とを金線により接続する。こうして、コネクタ４１とそれぞれのレーザダイオード１１とが電気的に接続され、コネクタ４１を介してそれぞれのレーザダイオード１１に電力を供給可能な状態となる。

光ファイバ５０は、上記のように、ホルダ５１に固定された状態で、ファイバマウント５２を介して、サブマウント４上に配置される。従って、光ファイバ５０をサブマウント４上に配置する前に、光ファイバ５０をホルダ５１に挿通して固定する。この際、図６に示すように、事前に光ファイバ５０にブッシュ５５を挿通しておく。更に、光ファイバ５０が被覆層で被覆されている場合には、光ファイバ５０の入射端となる一方の端部から所定の距離だけ被覆層を剥離する。そして、光ファイバ５０をホルダ５１に挿通して、光ファイバ５０をホルダに固定する。このとき、本実施形態では、ホルダ５１から光ファイバ５０の入射端が僅かに導出された状態とする。光ファイバ５０のホルダ５１への固定は、はんだ付けや熱硬化性樹脂等の樹脂等により行えばよい。次に、ホルダ５１をファイバマウント５２に固定する。この固定は、例えば接着により行う。なお、ホルダ５１とファイバマウント５２とが一体形成されていても良い。そして、光ファイバ５０が固定されたファイバマウント５２をサブマウント４上に配置して固定する。この固定は、例えば接着により行う。

第１集光レンズ１４、第２集光レンズ１５は、上記のようにサブマウント４上に直接配置され固定される。この固定は、例えば接着により行う。具体的には、サブマウント４上の第１集光レンズ１４、第２集光レンズ１５が配置されるそれぞれの位置に接着剤を塗布して、接着剤が塗布されたサブマウント４上に第１集光レンズ１４、第２集光レンズ１５を配置して、接着剤を固化することで固定する。

それぞれのミラー１３は、上記のようにサブマウント４上に直接配置され固定される。この固定は、例えば接着により行う。具体的には、サブマウント４上のミラー１３が配置されるそれぞれの位置に接着剤を塗布して、接着剤が塗布されたサブマウント４上にミラー１３を配置して、接着剤を固化することで固定する。

なお、全ての光学部品及び光ファイバ５０をサブマウント４上に固定する前に、レーザダイオード１１から出射しコリメートレンズ１６を介してミラー１３に入射する光が光ファイバ５０のコアの入射するように、いずれかの光学部品或いは光ファイバ５０をサブマウント４上において、位置の微調整をする必要がある。ミラー１３の位置を微調整する。具体的には、ミラー１３以外の光学部品及びコネクタ４１がサブマウント４上に固定し、コネクタ４１から電力を供給することでレーザダイオード１１から光が出射可能な状態とする。また、光ファイバ５０をサブマウント４上に固定する。その後、接着剤が塗布されたサブマウント４上にミラー１３を配置して、コネクタ４１から電力をレーザダイオード１１に印加し、それぞれのレーザダイオード１１から光を出射する。このレーザダイオード１１から出射する光が光ファイバ５０のコアに入射するようにそれぞれのミラー１３の位置を微調整する。例えば、光ファイバ５０の他端から出射する光のエネルギーが最大となるように、ミラー１３の位置を微調整する。こうしてミラー１３の位置が確定する。そして、ミラー１３の位置が確定した後に、ミラー１３が配置されている接着剤を固化して、ミラー１３を固定する。

こうして、図８に示すようにそれぞれの光ファイバ５０を含む光学部品、コネクタ４１がサブマウント４上に固定される。

（サブマウントはんだ付工程Ｐ２５）
サブマウントはんだ付工程Ｐ２５は、ベースプレート２上に光学部品が搭載されたサブマウント４及びレーザマウント１２から成る複合基板ＣＳ２を配置してはんだ付けする工程である。図１５は、本工程の様子を示す図である。なお、図１５は、特定のレーザダイオード１１から出射する光の光路に沿った断面で示している。

上記のように本実施形態の光モジュール１では、サブマウント４のベースプレート２側の面の全面がはんだ付けされる。そこで、本工程では、ベースプレート２におけるサブマウント４が配置される領域にはんだペーストを塗布する。

次に、ベースプレート２に塗布されたはんだペースト上に光学部品が搭載されたサブマウント４を配置する。その後、ベースプレート２とサブマウント４とをはんだ付けする。このようにはんだ付けするには、図１５に示すように、ベースプレート２をヒーター８上に配置してヒーター８をはんだペーストが溶融する温度まで加熱して、はんだペーストを溶融する。その後、はんだが固化する温度までヒーター８の温度を下げ、はんだを固化する。なお、少なくともはんだペーストが溶融している状態で、サブマウント４をベースプレート２側に押圧し、振動させることがサブマウント４、ベースプレート２のはんだ濡れ性を向上させ、かつ、溶融したはんだ７内の不要な気泡を外部に放出でき、適切にはんだ付けを行うことができる観点から好ましい。

こうして、図８に示すようにベースプレート２上にサブマウント４がはんだ７により固定された状態となる。

（蓋体固定工程Ｐ２６）
蓋体固定工程Ｐ２６は、枠体３２及びトッププレート３１を含む蓋体３をベースプレート２上に固定する工程である。図１６は、本工程の様子を示す図である。

本工程では、まず、光学部品、コネクタ４１が搭載されたサブマウント４がはんだ７により固定されたベースプレート２上に蓋体３を配置する。このとき、枠体３２がサブマウント４を囲むようにして、切り欠き３５ａからホルダ５１と共に光ファイバ５０を枠体３２の外側に導出させると共に、切り欠き３５ｂからコネクタ４１を枠体３２の外側に導出させる。また、ベースプレート２のそれぞれのねじ孔２７と鍔部３３のそれぞれのねじ孔３７とが貫通するように、ベースプレート２と蓋体３とを位置合わせする。なお、上記のようにベースプレート２と蓋体３の鍔部３３との間にシリコーン樹脂を介在させる場合には、当該シリコーン樹脂を予め鍔部３３におけるベースプレート２側の面に貼り付けておく。こうして、ベースプレート２上に蓋体３が配置される。

次に、互いに貫通したベースプレート２のねじ孔２７と鍔部３３のねじ孔３７のそれぞれにねじ２５を螺入して、蓋体３をベースプレート２上に固定する。更に、上記のように予め光ファイバ５０に挿通しておいたブッシュ５５を切り欠き３５ａに嵌め込んで固定する。また、コネクタ４１のそれぞれの導体をブッシュ４５の孔に挿通して、ブッシュ４５を切り欠き３５ｂに嵌め込んで固定する。ブッシュ５５やブッシュ４５の固定は、例えば接着により行う。

こうして、図６、図７に示す光モジュール１を得る。

以上、本発明について、上記実施形態を例に説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。

例えば、上記光モジュール１は、レーザダイオード１１が複数であり、レーザマウント１２もレーザダイオード１１に対応して複数とされた。しかし、本発明により製造される光モジュールはこれに限らず、例えば、レーザダイオード１１が１つでありレーザマウント１２も１つであっても良い。

また、上記実施形態では、第１基板４０やサブマウント４を傾けることにより、第２基板１２０やレーザマウント１２の自重により、第２基板１２０やレーザマウント１２を治具６０や治具６に押し当てた。しかし、本発明はこれに限らず、例えば、第２基板１２０やレーザマウント１２を治具に押し当てる他の治具が用いられても良い。この場合、ヒーター８０の加熱面８０ｓを傾斜させる必要が無く一般的なヒーターを用いることができる。

また、上記実施形態の第２基板はんだ付工程Ｐ１３，Ｐ２３では、超音波振動装置８５を用いてヒーター８０を振動させることで、第１基板４０やサブマウント４を下側から振動させた。しかし、本発明は、第１基板４０やサブマウント４に超音波振動装置８５を当てて、第１基板４０やサブマウント４を上側から振動させても良い。また、超音波よりも周波数で第１基板４０やサブマウント４を振動させても良い。また、第１基板４０やサブマウント４の面方向に沿って振動させても良い。

また、上記実施形態では、位置決め部材固定工程Ｐ１１，Ｐ２１を備え、当該工程で位置決め部材としての治具６０，６を第１基板４０，４上に固定した。しかし本発明はこれに限らない。例えば、位置決め部材が第１基板と一体成形されるものであっても良い。図１７は、図３に示す第１基板４０と位置決め部材とを一体成形した例を示す図である。図１７において、位置決め部材６００は、治具６０と同じ大きさ同じ形状であり、治具６０の第１当接面６０ａと同様の第１当接面６００ａ、及び、治具６０の第２当接面６０ｂと同様の第１当接面６００ｂを有する。位置決め部材６００は、第１基板４０を製造する過程で、第１基板４０と一体とされて形成される。同様に、図１１に示すサブマウント４と治具６と同じ形状の位置決め部材とを一体成形しても良い。このように第１基板と位置決め部材とが一体とされることで、上記実施形態の位置決め部材固定工程Ｐ１１，Ｐ２１を不要とすることができ、複合基板ＣＳ１，ＣＳ２の製造工程を簡易にすることができる。

以上説明したように、本発明によれば、第１基板に対する第２基板の位置精度を高くすることができる複合基板の製造方法が提供され、例えば、ファイバレーザ装置等の分野において使用することができる。

１・・・光モジュール
２・・・ベースプレート
３・・・蓋体
４・・・サブマウント（第１基板）
６，６０・・・治具
６ａ，６０ａ・・・第１当接面
６ｂ，６０ｂ・・・第２当接面
７・・・はんだ
８，８０・・・ヒーター
１１・・・レーザダイオード
１２・・・レーザマウント（第２基板）
１２ａ・・・第１側面
１２ｂ・・・第２側面
１３・・・ミラー
１４・・・集光レンズ
１５・・・集光レンズ
１６・・・コリメートレンズ
４０・・・第１基板
４５，５５・・・ブッシュ
５０・・・光ファイバ
５２・・・ファイバマウント
８５・・・超音波振動装置
１２０・・・第２基板
１２０ａ・・・第１側面
１２０ｂ・・・第２側面
ＣＳ１，ＣＳ２・・・複合基板
Ｐ１１，Ｐ２１・・・位置決め部材固定工程
Ｐ１２，Ｐ２２・・・第２基板配置工程
Ｐ１３，Ｐ２３・・・第２基板はんだ付け付工程
Ｐ２４・・・部品接着工程
Ｐ２５・・・サブマウントはんだ付工程
Ｐ２６・・・蓋体固定工程

Claims (11)

1. 互いに非平行な第１側面及び第２側面を有する第２基板を第１基板上にはんだ付けして成る複合基板の製造方法であって、
   前記第１基板上にはんだを介して前記第２基板を配置する第２基板配置工程と、
   前記はんだを加熱して前記第１基板上に前記第２基板をはんだつけするはんだ付工程と、
   を備え、
   前記第１基板には、前記第１側面と当接する第１当接面及び前記第２側面と当接する第２当接面を有する位置決め部材が固定され、
   前記はんだ付工程において、前記はんだが溶融した状態で、前記第１側面と前記第１当接面とが当接し前記第２側面と前記第２当接面とが当接するように前記第２基板を前記位置決め部材に押し当てると共に前記第１基板を振動させる
   ことを特徴とする複合基板の製造方法。
2. 前記第２基板配置工程より前に前記位置決め部材を前記第１基板上に固定する固定工程を更に備える
   ことを特徴とする請求項１に記載の複合基板の製造方法。
3. 前記位置決め部材は、前記第１基板と一体形成される
   ことを特徴とする請求項１に記載の複合基板の製造方法。
4. 前記はんだ付工程において、前記第１基板を超音波振動させる
   ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の複合基板の製造方法。
5. 前記はんだ付工程において、前記第２基板の自重により前記第２基板が前記位置決め部材に押し当てられるように前記第１基板を傾斜する
   ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の複合基板の製造方法。
6. 前記はんだ付工程において、前記第１基板を前記第１基板の面方向に垂直な方向に沿って振動させる
   ことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の複合基板の製造方法。
7. 前記はんだ付工程において、前記第１基板を前記第１基板の面方向に沿って振動させる
   ことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の複合基板の製造方法。
8. 前記はんだ付工程において、前記第１基板を下側から振動させる
   ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の複合基板の製造方法。
9. 前記はんだ付工程において、前記第１基板をヒーター上に配置し、前記第１基板を前記ヒーターの振動により振動させる
   ことを特徴とする請求項８に記載の複合基板の製造方法。
10. 前記はんだ付工程において、前記第１基板の上側から前記第１基板を振動させる
    ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の複合基板の製造方法。
11. 前記第２基板はレーザダイオードが固定されるレーザマウントであり、
    前記第１基板は、前記レーザマウントが固定されるサブマウントである
    ことを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の複合基板の製造方法。

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