WO2016186302A1 - 급속 열처리 장치 - Google Patents

급속 열처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
WO2016186302A1
WO2016186302A1 PCT/KR2016/002436 KR2016002436W WO2016186302A1 WO 2016186302 A1 WO2016186302 A1 WO 2016186302A1 KR 2016002436 W KR2016002436 W KR 2016002436W WO 2016186302 A1 WO2016186302 A1 WO 2016186302A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
heat treatment
rapid heat
substrate
wafer
temperature
Prior art date
Application number
PCT/KR2016/002436
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
석창길
공대영
송문규
서규철
Original Assignee
(주)울텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)울텍 filed Critical (주)울텍
Priority to CN201680040232.7A priority Critical patent/CN107836038B/zh
Priority to US15/574,812 priority patent/US10600661B2/en
Publication of WO2016186302A1 publication Critical patent/WO2016186302A1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00Control of temperature
    • G05D23/19Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/1917Control of temperature characterised by the use of electric means using digital means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/0033Heating devices using lamps
    • H05B3/0038Heating devices using lamps for industrial applications
    • H05B3/0047Heating devices using lamps for industrial applications for semiconductor manufacture

Definitions

  • the present invention relates to a rapid heat treatment apparatus, and more particularly, to a rapid heat treatment apparatus capable of accurately measuring non-contact temperature of a substrate being rapidly heat treated.
  • the present invention is an invention developed with the support of the national research and development project, the contents of the national research and development project supporting the present invention are as follows.
  • the temperature of the substrate In the rapid heat treatment process, the temperature of the substrate must be precisely controlled because the temperature is raised and lowered in a relatively wide temperature range for a very short time. In addition, in order to perform a rapid heat treatment process while maintaining a uniform temperature distribution of the substrate, the thermal characteristics of the substrate must be kept the same. In order to achieve a temperature uniformity throughout the substrate, it is necessary to properly arrange the lamps for heating the substrate and to adjust the power supplied to each lamp so that a uniform heat flux can be formed throughout the substrate. However, there are many variables such as the flow rate and flow of gas flowing into the chamber for rapid heat treatment process, and the internal structure of the chamber at the bottom and side of the substrate. It is not easy to ensure temperature uniformity.
  • Examples of the substrate temperature measuring method applied to the non-contact rapid heat treatment apparatus include Korean Patent No. 10-0337107 (Patent Document 1), Korean Patent No. 10-0395662 (Patent Document 2), and Korean Patent Publication No. 10-2002- It is disclosed in 0019016 (Patent Document 3), Korean Patent No. 10-0423184 (Patent Document 4) and Korean Patent No. 10-1097718 (Patent Document 5).
  • the conventional non-contact substrate temperature measuring method disclosed in Patent Documents 1 to 5 uses a pyrometer, for example, during the rapid heat treatment process, for example, the state of the substrate, that is, the emissivity according to the temperature (emissivity), the geometry of the chamber, the spectral wavelength of the pyrometer, and the type and thickness of the film formed on the substrate affect the optical measurement of the pyrometer.
  • the conventional non-contact substrate temperature measuring method is difficult to accurately perform the rapid heat treatment process because the real-time measurement accuracy of the temperature of the substrate, for example, the wafer in rotation is low.
  • the pyrometer is more expensive than the thermocouple, it is difficult to reduce the manufacturing cost of the rapid heat treatment apparatus.
  • an object of the present invention is to accurately measure the temperature of a substrate in a non-contact rapid heat treatment apparatus in real time.
  • Another object of the present invention is to reduce the manufacturing cost of the non-contact rapid heat treatment apparatus.
  • Rapid heat treatment apparatus the rapid heat treatment chamber; A support disposed in the lower side of the chamber to support and rotate the substrate for rapid heat treatment; A heat source device disposed above the inside of the chamber to radiate light to rapidly heat the substrate for rapid heat treatment; A substrate for temperature measurement disposed on a portion of the substrate for rapid heat treatment at a distance and made of the same material as the substrate for rapid heat treatment; A thermocouple thermocouple installed on the temperature measuring substrate to measure a temperature of the temperature measuring substrate; A support part of a light-transmitting material supporting the temperature measuring substrate; And a floodlight plate disposed between the support and the heat source device to insulate both interior spaces of the chamber, wherein the temperature of the temperature measuring substrate measured by the thermocouple is regarded as the temperature of the rapid heat treatment substrate. It is characterized by.
  • the support portion may be a plate having a hollow portion for inserting the temperature measuring substrate.
  • the support portion may be a plate having an upper opening of the hollow portion or a plate having an upper opening and a lower opening of the hollow portion.
  • the temperature measuring substrate can be adhered to the support by a high temperature adhesive.
  • the support portion may be a plate having a hollow portion for inserting one or more substrates for temperature measurement.
  • the support part may be a plate having a fan-shaped hollow part for inserting a fan-shaped temperature measuring substrate.
  • the support portion may have an upper horizontal protrusion and a lower horizontal protrusion spaced apart from each other by a part of the edge portion of the temperature measuring substrate, and a vertical portion integrally connected to the upper horizontal protrusion and the lower horizontal protrusion.
  • thermocouple is composed of one or more thermocouples, each of the thermocouple is a contact portion inserted into a corresponding through hole of the temperature measuring substrate, and a wire (wire) integrally connected to the contact portion It is possible to have one or more thermocouples, and each of the thermocouples may have a contact portion inserted into a corresponding groove of the temperature measuring substrate and a wire connected integrally with the contact portion. Do.
  • the wire may be disposed at a distance from the upper surface of the temperature measuring substrate, or may be disposed in a guide groove formed on the upper surface of the temperature measuring substrate.
  • the rapid heat treatment apparatus of the present invention not only can accurately measure the temperature of the substrate for rapid heat treatment in the non-contact rapid heat treatment apparatus, but also reduce the manufacturing cost of the rapid heat treatment apparatus.
  • FIG. 1 is a configuration diagram schematically showing a rapid heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an exemplary view showing an example in which a wafer for temperature measurement is supported on a support portion of a rapid heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG 3 is an exemplary view showing another example in which a wafer for temperature measurement is supported on a support part of a rapid heat treatment apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • thermocouple 4 is an exemplary view showing an example in which a contact portion of a thermocouple for temperature measurement is disposed in a through hole of a wafer for temperature measurement of a rapid heat treatment apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is an exemplary view showing another example in which a contact portion of a temperature measuring thermocouple is disposed in a through hole of a temperature measuring wafer of a rapid heat treatment apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is an exemplary view showing an example in which a contact portion of a temperature measuring thermocouple is disposed in a groove of a temperature measuring wafer of a rapid heat treatment apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is an exemplary view showing another example in which a contact portion of a temperature measuring thermocouple is disposed in a groove of a temperature measuring wafer of a rapid heat treatment apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is an exemplary view showing an example in which a wire of a thermocouple for temperature measurement of a rapid heat treatment apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention is disposed on a wafer for temperature measurement.
  • thermocouple 9 is an exemplary view showing another example in which the wire of the thermocouple for temperature measurement of the rapid heat treatment apparatus according to the exemplary embodiment of the present invention is disposed on the wafer for temperature measurement.
  • 10 to 12 are cross-sectional views showing the cross-sectional structure of the support of the rapid heat treatment apparatus according to the embodiment of the present invention, respectively.
  • FIG. 13 is an exemplary view showing an example in which a wafer for temperature measurement is supported on another support portion of the rapid heat treatment apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • FIG 14 is an exemplary view showing an example in which a wafer for temperature measurement is supported on another support part of the rapid heat treatment apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a configuration diagram schematically showing a rapid heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • the rapid heat treatment apparatus 100 includes a chamber 10, a heat source device 20, a wafer support 30, a light transmitting plate 40, and a wafer for temperature measurement. 50, the thermocouple 60 for temperature measurement, and the support part 70 are provided.
  • the chamber 10 is a cylinder for securing a sealed space for processing a rapid heat treatment process, for example, a cylinder of approximately circular or rectangular shape, and isolates the space inside the chamber 10 from the atmosphere outside the chamber 10.
  • the wafer 1 for rapid heat treatment in the chamber 10 is not only kept constant in an atmosphere for carrying out the rapid heat treatment process, but also protected from an air pollution source.
  • the heat source device 20 is a light source disposed at one side of the inner space of the chamber 10, for example, the upper side, to emit light, for example, infrared light.
  • the heat source device 20 may, for example, radiate light from a tungsten halogen lamp to rapidly heat the wafer 1 in the chamber 10.
  • a tungsten halogen lamp may be used to rapidly heat the wafer 1 in the chamber 10.
  • the wafer support 30 is a portion that is disposed below the inner space of the chamber 10 to horizontally support the wafer 1 in a mechanical, electromagnetic or vacuum manner. As is known, the wafer support 30 may rotate the wafer 1 horizontally in one direction, for example, in the direction of an arrow, to increase the uniformity of the rapid heat treatment on the wafer 1.
  • the floodlight plate 40 is a portion that is disposed between the heat source device 20 and the wafer support 30 to isolate the divided internal space of the chamber 10 from each other.
  • the light transmitting plate 40 may be made of a light transmitting material, for example, quartz so as to transmit light emitted from the heat source device 20.
  • the support part 70 is a part which stably horizontally supports the temperature measuring wafer 50 at a predetermined distance from the wafer 1 toward the heat source device 20.
  • the support 70 may be mechanically connected to a conventional vertical lifting mechanism (not shown) at both opposite sides of the support 70 to vertically lift the temperature measuring wafer 50.
  • the support part 70 is made of a light-transmitting material, for example, quartz, and the like so as to transfer the light of the heat source device 20 to the wafer 1.
  • the support part 70 may be installed on the wall surface or the bottom surface of the chamber 10 so that the temperature measuring wafer 50 and the wafer 1 are disposed in parallel with each other. That is, the support part 70 is installed on the wall surface or the bottom surface of the chamber 10 in a state in which the temperature measuring wafer 50 is supported, so that the temperature measuring wafer 50 and the wafer 1 It can be arranged parallel to each other.
  • the separation distance between the temperature measuring wafer 50 and the wafer 1 may be minimized to accurately measure the temperature of the wafer 1.
  • the separation distance between the wafer 50 and the wafer 1 increases, the difference in the temperature distribution between the wafer 50 and the wafer 1 increases, but the light loss covered by the wafer 50 decreases.
  • the temperature measuring wafer 50 is provided with a temperature measuring thermocouple 60, which is a temperature measuring medium for measuring the temperature of the rapid heat treatment wafer 1.
  • the thermocouple 60 for temperature measurement extends to be electrically connected to a wafer temperature measuring unit (not shown) installed outside the chamber 10.
  • the temperature measuring wafer 50 may be made of the same material as the wafer 1 for rapid heat treatment, for example, silicon, glass, sapphire, SIC, or the like, and may be formed to the same thickness as the wafer 1.
  • thermocouple 60 is electrically insulated from the support part 70 to convert the temperature of the temperature measuring wafer 50 into an electrical signal and transmit the converted temperature to the temperature measuring part 110.
  • the support part 70 is configured to maintain a pressure difference between the inside and the outside by shielding the inside and the outside of the chamber 10 to be separated. .
  • a user may configure an independent module by assembling the temperature measuring wafer 50, the thermocouple 60, and the support part 70 from the outside of the chamber 10.
  • the chamber 10 is cooled by a refrigerant, and the temperature measuring wafer 50 is heated by the heat source device 20. At this time, the inside and the outside of the chamber 10 are thermally opened so that heat generated in the heat source device 20 does not escape to the outside of the chamber 10 through the temperature measuring wafer 50 and the support part 70. It is separated.
  • the heat treatment apparatus 100 may include a temperature measuring unit 110, a temperature control unit 120, a heat source device driving unit 130, and a display unit 140 installed outside the chamber 10.
  • the temperature measuring unit 110 measures the temperature of the wafer 50 through the thermocouple 60 and transmits a signal corresponding to the temperature of the wafer 50 to the temperature control unit 120.
  • the temperature controller 120 receives the signal corresponding to the temperature of the wafer 50 from the temperature measuring unit 110 to drive the heat source device driver 130 or to display the display unit 140.
  • the heat source device driver 130 may drive the heat source device 20 under the control of the temperature controller 120 to supply power to the heat source device 20 to obtain a desired temperature of the wafer 1.
  • the display unit 140 may display information such as the temperature of the wafer 50 under the control of the temperature controller 120.
  • a gas supply unit for supplying a rapid heat treatment gas into the chamber 10 is provided outside the chamber 10, and the main body of the chamber 10 is a rapid heat treatment process for supplying a gas supply unit.
  • the gas injection port which injects gas into the chamber 10 and the gas discharge port which discharges the gas which processed the rapid heat processing process to the exterior of the chamber 10 are provided. It is a matter of course that there is also a central control unit for controlling the operation of each known part of the rapid heat treatment apparatus including the gas supply unit and the like.
  • the present invention uses the temperature measuring wafer 50 and the rapid heat treatment wafer 1, but the present invention is not limited thereto, and the substrate for temperature measurement and the rapid heat treatment substrate of various materials or shapes may be used. It is also possible.
  • the rapid heat treatment apparatus of the present invention configured as described above measures the temperature of the wafer 50 by contacting the thermocouple 60 to the wafer 50 of the same material as the wafer 1 to measure the temperature of the wafer 50. Can be regarded as the measured temperature value of the wafer 1. Therefore, the present invention can accurately measure the temperature of the wafer 1 without using the thermocouple 60 without contacting the wafer 1. In addition, since the present invention uses an inexpensive thermocouple compared to an expensive pyrometer, the manufacturing cost of the rapid heat treatment apparatus can be reduced.
  • FIG. 2 is an exemplary view showing an example in which a wafer for temperature measurement is supported on a support of a rapid heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 3 is a temperature measurement for a support portion of a rapid heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention. It is an illustration showing another example in which a wafer is supported.
  • a portion of the support 70 has a width between its two sides as it progresses to the outer circumferential surface of the support 70 in a radial direction near the center O of the support 70, for example.
  • This broadening substantially fan-shaped hollow part (refer to the hollow part 71 of FIGS. 10-12) is formed.
  • a wafer for temperature measurement 50 having a substantially fan shape having a size substantially the same as that of the hollow part is inserted.
  • two hollow portions may be symmetrically formed 180 degrees apart from the support 70, and a wafer 50 is inserted into each hollow portion.
  • each wafer 50 has a predetermined interval as it moves toward the outer circumferential surface of the wafer 50 in the radial direction near the center O of the support part 70.
  • the contact part 61 of three thermocouples 60 is arranged in a line.
  • a wire 63 of each thermocouple 60 is electrically connected to the corresponding contact portion 61 and extends.
  • the larger the size of the wafer 50 the larger the area of the wafer 1 in which the light of the heat source device 20 is blocked by the wafer 50, so that the temperature uniformity is deteriorated over the entire region of the wafer 1, and thus the temperature is increased.
  • the inner end of the wafer 50 is centered ( It is preferred to be spaced radially outward at a certain distance, for example at least 10 mm. In order to reduce the temperature deviation between the wafer 50 and the wafer 1, it is preferable that the outer end of the wafer 50 extends to the outer end of the wafer 1.
  • the two temperature measuring wafers 50 are shown as being provided in the support part 70, more than two temperature measuring wafers 50 may be provided in the support part 70.
  • the support part 70 may be formed in various shapes such as a rectangular shape in addition to the fan shape.
  • FIG. 4 is an exemplary view showing an example in which a contact portion of a thermocouple for temperature measurement is disposed in a through hole of a temperature measuring wafer of a rapid heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 5 is a rapid diagram according to an embodiment of the present invention. It is an exemplary figure which shows the other example in which the contact part of the temperature measuring thermocouple is arrange
  • each thermocouple 60 has a spherical contact portion 61 of approximately the same diameter.
  • the diameter of the through hole 51 of the wafer 50 for example, the circular through hole, is approximately equal to the diameter of the contact portion 61.
  • Each contact portion 61 is inserted into a corresponding through hole 51 of the wafer 50, and each wire 63 is integrally connected to the corresponding contact portion 61 and shown in FIG. 1. It extends outward through the upper opening of the through hole 51 facing the heat source device 20.
  • a portion of the contact portion 61 faces the wafer 1 shown in FIG. 1. It may be located below the lower opening of the, or as shown in Figure 5 the entire contact portion 61 may be located above the lower opening of the through hole 51.
  • the upper portion of the contact portion 61 is exposed through the upper opening or, although not shown in the figure, the upper portion of the contact portion 61 and the high temperature adhesive or wafer 50 and It is also possible to be covered with a piece of wafer of the same material.
  • FIG. 6 is an exemplary view showing an example in which the contact portion of the temperature measuring thermocouple is disposed in the groove of the temperature measuring wafer of the rapid heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention
  • Figure 7 is a rapid heat treatment according to an embodiment of the present invention It is an exemplary figure which shows the other example in which the contact part of the temperature measuring thermocouple is arrange
  • each thermocouple 60 has a spherical contact portion 61 of approximately the same diameter.
  • the diameters of the grooves 53, 55, for example circular grooves, of the wafer 50 are approximately equal to the diameter of the contact portion 61.
  • the contact portion 61 is inserted into the corresponding grooves 53 and 55 of the wafer 50, respectively, and each wire 63 is integrally connected to the corresponding contact portion 61 and the heat source shown in FIG. It extends outward through the upper openings of the grooves 53, 55 facing the device 20.
  • the depth D2 of the groove 55 facing the heat source device 20 shown in FIG. 1 is deeper than the depth D1 of the groove 53, and the depth D1 of the groove 53 is the contact portion 61.
  • the upper portion of the contact portion 61 When smaller than the diameter, as shown in FIG. 6, the upper portion of the contact portion 61 is located above the inlet of the groove 53, or as shown in FIG. 7, the upper portion of the contact portion 61 is the groove. It may be located below the inlet of the (55).
  • the upper portion of the contact portion 61 may be exposed, or although not shown in the figure, the upper portion of the contact portion 61 may be made of the same material as the high temperature adhesive or the wafer 50. It is also possible to be covered with a piece of wafer.
  • FIG. 8 is an exemplary view illustrating an example in which a wire of a thermocouple for temperature measurement of a rapid heat treatment apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention is disposed on a temperature measuring wafer
  • FIG. 9 is a diagram of a rapid heat treatment apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention. It is an exemplary figure which shows the other example in which the wire of the thermocouple for temperature measurement is arrange
  • the wire 63 of the thermocouple may be spaced apart from the upper surface of the wafer 50 by a predetermined distance so as not to directly contact the upper surface of the wafer 50.
  • the temperature measuring wafer 50 may be configured in a fan shape as shown in FIG.
  • the shape of the temperature measuring wafer 50 is not limited thereto.
  • the temperature measuring wafer 50 may be configured in a rectangular parallelepiped shape.
  • the wire 63 may be disposed in the guide groove 57 of the wafer 50 to guide the wire 63 of the thermocouple.
  • Guide grooves 57 are formed in the upper surface of the wafer 50 to guide the wire 63 in the radial direction of the wafer 50 along a predetermined extension path, and the through holes shown in FIGS. 4 to 7.
  • One-to-one correspondence with the 51 or the grooves 53 and 55 is communicated and extended. If a portion of the wire 63 disposed along the guide groove 57 is in contact with the wafer 50 and the wafer 50 is at a high temperature, the wire is formed by reacting with the wafer 50, for example, a silicon wafer, to form an alloy. The corresponding part of (63) may melt and break. Therefore, it is preferable to prevent the wire 63 and the wafer 50 from directly contacting each other by adhering the wire 63 to the guide groove 57 with a high temperature adhesive (not shown) or the like.
  • the wire 63 of each thermocouple 60 is shown as being composed of one wire, but in practice two wires of different materials, for example, made of an alumine material It can consist of wire and chromel wire or any other material, and the ends of the two wires are joined only at the contacts of the thermocouple.
  • the two wires may be physically separated from each other, or the two wires may be wrapped with a protective film made of an insulating material such as quartz or ceramic.
  • 10 to 12 are cross-sectional views showing the cross-sectional structure of the support of the rapid heat treatment apparatus according to the embodiment of the present invention, respectively.
  • the hollow part 71 is formed inside the support part 70.
  • the hollow part 71 has an empty space for accommodating the wafer 50, and may be formed in the same shape as the wafer 50 described with reference to FIG. 2 or 3.
  • the hollow portion 71 is, as shown in Figure 10, both the upper opening and the lower opening communicating with the hollow portion 71 is closed, or as shown in Figure 11 of the hollow portion 71
  • the upper opening 73 and the lower opening 75 are formed in the upper and lower portions, respectively, or as shown in FIG. 12, only the upper opening 73 is formed in the upper portion of the hollow portion 71. There may be.
  • a portion of the wafer 50 for example, opposite edges thereof, for example, is supported by the high temperature adhesive 79 for the stable support of the wafer 50. It may be adhered to the part to be made.
  • the lower surface portions of opposite sides of the wafer 50 may be formed by the mechanical coupling method of the concave convex structure. It is also possible to be supported on the part.
  • FIG. 13 is an exemplary view showing an example in which a wafer for temperature measurement is supported on another support portion of the rapid heat treatment apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • the support 80 is one support that can replace the support 70 shown in FIGS. 2 and 3, and includes a vertical portion 81, an upper horizontal protrusion 83, and a lower horizontal portion. It has the protrusion 85.
  • the vertical portion 81 may be formed of a light-transmitting material, for example, quartz, and is a member extending vertically.
  • the upper horizontal protrusion 83 and the lower horizontal protrusion 85 are integrally connected to the vertical portion 81 and formed of a light-transmitting material, for example, quartz, and are disposed adjacent to the center O of FIG. 1.
  • a portion of the outer edge of the temperature measuring wafer 50 that is wider than the inner edge of the wafer 50 is sandwiched between the upper horizontal protrusion 83 and the lower horizontal protrusion 85 so as to be supported by a predetermined distance up and down. Spaced apart and extend horizontally opposite.
  • the upper horizontal protrusions 83 and the lower horizontal protrusions 85 may be adhered to the upper and lower surfaces of the wafer 50 by the high temperature adhesive 87 for the stable support of the wafer 50.
  • a conventional vertical lifting mechanism (not shown) may be mechanically connected to the lower portion of the vertical portion 81 so as to vertically raise and lower the temperature measuring wafer 50.
  • the user may assemble an independent module by assembling the temperature measuring wafer 50, the thermocouple 60, and the support 80 outside of the chamber 10.
  • the support portion 80 may be provided with two or more horizontally spaced apart from each other, and like the support portion 70, the support portion 80 to vertically lift the wafer 50 for temperature measurement
  • Ordinary vertical lifting mechanism (not shown) can be connected to the vertical portion of 85 by various fastening methods.
  • the support unit 80 is not limited to the illustrated structure, as long as it can stably support the wafer 50 can be configured in a variety of structures.
  • the support part 80 may include a rectangular parallelepiped plate material in which a predetermined groove is formed to provide an accommodation space of the high temperature adhesive 87 and the temperature measuring wafer 50. That is, the temperature measuring wafer 50 is inserted into a groove recessed inward from one surface of the plate, and the high temperature adhesive 87 is formed in a space between the temperature measuring wafer 50 inserted into the groove and the plate. Is placed. Therefore, the high temperature adhesive 87 may thermally or electrically shield the wafer 50 for measuring the temperature and the plate. At this time, the plate material is electrically insulated from the thermocouple 60, it is possible to maintain the pressure difference between the inside and the outside of the chamber by shielding between the inside and the outside of the chamber (10).
  • the temperature measuring wafer 50 may be configured not only in a fan shape but also in a rectangular parallelepiped shape.
  • the high temperature adhesive 87 is made of a material such as ceramic, glass or quartz to thermally or electrically shield the temperature measuring wafer 50 and the plate.
  • the chamber 10 may be made of SUS or Al, and the plate may be made of the same material as the chamber 10.
  • FIG 14 is an exemplary view showing an example in which a wafer for temperature measurement is supported on another support part of the rapid heat treatment apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • the support 90 is one support that can replace the support 70 shown in FIGS. 2 and 3, and is wider than the inner edge adjacent to the center O of FIG. 1. It has a wide outer edge and can be formed of a translucent material, for example quartz.
  • a groove 91 for accommodating the wafer 50 for temperature measurement is formed in the center of the upper surface of the support 90.
  • the groove portion 90 has a wider outer edge portion than the inner edge portion adjacent to the center O of FIG. 1, and has a step portion (not shown) for spreading the temperature measuring wafer 50 on the inner side portion. ) May be formed.
  • the wafer 50 may be attached to the stepped portion of the groove 91 by, for example, a high temperature adhesive (not shown).
  • the support 90 is spaced apart from each other two or more may be installed horizontally.
  • the support 90 may be connected to a conventional vertical lifting mechanism by various fastening methods at the outer edge of the support 90 to vertically lift the temperature measuring wafer 50.
  • the support unit 90 is not limited to the substantially triangular plate structure shown, it is natural that the support can be configured in various shapes as long as the wafer 50 can be stably supported.
  • the wafer 1 is supported on the wafer support 30, and the temperature measuring wafer 50 is supported by the supports 70 and 80.
  • the wafer 1 is rotated horizontally and the light of the heat source device 20 is irradiated to the wafer 1 in accordance with the horizontal rotation of the wafer supporter 30 while being spaced apart and supported at a predetermined distance on (1) and the wafer 50 are rapidly heated.
  • the temperature of the wafer 50 measured by the thermocouple 60 can be considered to be almost the same as the actual temperature of the wafer 1. have. Therefore, it is possible to accurately measure the temperature of the wafer 1 in real time in a non-contact manner.
  • the wafer 50 and the wafer 1 are subjected to simulation or actual experiment.
  • the small temperature deviation between the temperature of the wafer 50 measured by the thermocouple 60 and the actual temperature of the wafer 1 according to the separation distance therebetween is found and the temperature deviation is measured to the measured temperature of the wafer 50. It is also possible to measure the temperature of the wafer 1 more accurately in real time by processing the control part in software so as to be reflected.
  • thermocouple 60 can also be stably supported. Thus, it is possible to accurately measure the temperature of the wafer.
  • thermocouple is used instead of the expensive pyrometer to measure the temperature of the wafer, it is possible to reduce the manufacturing cost of the rapid heat treatment apparatus.
  • the rapid heat treatment apparatus using the rapid heat treatment apparatus according to the present invention, it is possible to ensure uniformity of temperature over the entire area of the large-area substrate, and the deviation between the set temperature and the actual substrate temperature is significantly reduced compared to the prior art, It is possible to accurately measure the temperature of the substrate in real time.
  • the present invention it is possible to accurately measure the temperature of the substrate in the rapid heat treatment apparatus in real time, and reduce the manufacturing cost of the non-contact rapid heat treatment apparatus.
  • the rapid heat treatment apparatus can be used in the impurity diffusion process of the solar cell, the back surface field forming process, the electrode firing process. It can also be used for the heat treatment process of the gas sensor detection electrode material. In addition, it can be used for the heat treatment process in a single or a composite material, such as various metals, metal oxide film, ceramic, glass, quartz, polymer.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

급속 열처리 장치는, 급속 열처리용 챔버; 상기 챔버의 내부 하측에 배치되어 급속 열처리용 기판을 지지하며 회전시키는 지지대; 상기 챔버의 내부 상측에 배치되어 광을 방사함으로써 상기 급속 열처리용 기판을 급속 가열하는 열원 장치; 상기 급속 열처리용 기판의 일부분 상에 이격 거리를 두고 배치되며, 상기 급속 열처리용 기판과 같은 재질로 이루어진 온도측정용 기판; 상기 온도측정용 기판에 설치되어 상기 온도측정용 기판의 온도를 측정하는 온도측정용 서모커플; 상기 온도측정용 기판을 지지하는 투광 재질의 지지부; 및 상기 지지부와 상기 열원 장치 사이에 배치되어 챔버의 양쪽 내부 공간을 격리하는 투광판을 포함하며, 상기 서모커플에 의해 측정된 상기 온도측정용 기판의 온도를 상기 급속 열처리용 기판의 온도로 간주하는 것을 특징으로 한다.

Description

급속 열처리 장치
본 발명은, 급속 열처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 급속 열처리되고 있는 기판의 온도를 비접촉식으로 정확하게 측정할 수 있도록 한 급속 열처리 장치에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 국가연구개발사업의 지원을 받아서 개발된 발명으로서, 본 발명을 지원한 국가연구개발사업의 내용은 다음과 같다.
[과제고유번호] 10048649
[부처명] 산업자원부
[연구관리전문기관명] 한국산업기술평가관리원
[연구사업명] 산업핵심기술개발사업
[연구과제명] 동물 섬모구조를 모사한 개방형 접합 네트워크 구조 유해가스 검지 전극의 저온(50℃ 이하) 건식 표면처리기술 개발
[주관기관] (주)울텍
[연구기간] 2015년 6월 1일 ~ 2016년 5월 31일
반도체 장치의 고집적화 및 기판의 대면적화가 심화되어 감에 따라 반도체 장치의 제조 원가를 절감하기 위한 많은 요구가 높아지고 있다. 이러한 요구에 부응하여 열처리 공정 중에서 급속 열처리 공정이 주로 사용되고 있다.
급속 열처리 공정에서는, 매우 짧은 시간 동안에 비교적 넓은 온도 범위에서 기판의 승온 및 강온이 이루어지므로 기판의 온도가 정밀하게 제어되어야 한다. 또한, 기판의 균일한 온도 분포를 유지하면서 급속 열처리 공정을 수행하기 위해서는 기판의 전역에 걸쳐 열적 특성을 동일하게 유지해야 한다. 기판의 전역에 걸쳐 온도 균일성을 이루기 위해 기판의 전역에 걸쳐 균일한 열류(heat flux)가 형성될 수 있도록 기판 가열용 램프를 적절히 배열하고 각각의 램프에 공급하는 전력을 적절히 조절할 필요가 있다. 그런데 급속 열처리 공정용 챔버 안으로 유입되는 가스의 유량 및 흐름, 기판의 아래쪽 및 옆쪽의 챔버 내부 구조 등 여러 가지 변수가 있을 뿐 아니라 가변적이기 때문에 하드웨어적인 챔버 설계의 최적화만을 통해 대면적 기판의 전역에 걸쳐 온도 균일성을 확보하기가 쉽지 않다.
이러한 급속 열처리 공정용 챔버에서 대면적 기판의 온도를 정확하게 측정하는 것은 급속 열처리 공정의 신뢰성과 반도체 장치의 품질을 결정하는 중요한 요소로 인식되고 있다. 급속 열처리 공정용 챔버 내의 기판의 온도를 측정하는 방법은 기판과 온도측정수단의 접촉 여부에 따라 접촉식 또는 비접촉식으로 구분되며, 온도측정수단과 기판의 접촉으로 인한 기판의 손상을 방지하기 위해 비접촉식 온도측정방법이 주로 사용되고 있다. 또한, 기판의 전역에 걸쳐 균일한 공정 특성을 얻기 위해 급속 열처리 공정을 진행하는 동안에 급속 열처리 공정용 챔버 내의 기판을 수평 회전시키지 않고 고정시키는 고정식 급속 열처리 장치 대신에 기판을 회전시키는 회전식 급속 열처리 장치가 주로 사용되고 있다. 비접촉식 급속 열처리 장치에 적용된 기판온도측정방법의 예가 한국등록특허 제10-0337107호 공보(특허문헌 1), 한국등록특허 제10-0395662호 공보(특허문헌 2), 한국공개특허 제10-2002-0019016호 공보(특허문헌 3), 한국등록특허 제10-0423184호 공보(특허문헌 4) 및 한국등록특허 제10-1097718호 공보(특허문헌 5)에 개시되어 있다.
그런데, 특허문헌1 내지 특허문헌5에 개시된 종래의 비접촉식 기판온도측정방법은, 파이로미터(pyrometer)를 이용하기 때문에 급속 열처리 공정을 진행하는 동안에 예를 들어 기판의 상태, 즉 온도에 따른 방사율(emissivity), 챔버의 기하학적 구조 특성, 파이로미터의 스펙트럼 파장, 및 기판 상에 형성된 막의 종류 및 두께 등이 파이로미터의 광학적 측정에 영향을 미친다.
그러므로 종래의 비접촉식 기판온도측정방법은 기판, 예를 들어 회전 중인 웨이퍼의 온도에 대한 실시간 측정 정확도가 낮아서 급속 열처리 공정을 정밀하게 수행하기가 어렵다. 또한, 파이로미터가 서모커플에 비해 고가이기 때문에 급속 열처리 장치의 제조 원가를 절감하기가 어렵다.
따라서 본 발명의 목적은 비접촉식 급속 열처리 장치 내의 기판의 온도를 실시간으로 정확하게 측정하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 비접촉식 급속 열처리 장치의 제조 원가를 절감하는데 있다.
본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치는, 급속 열처리용 챔버; 상기 챔버의 내부 하측에 배치되어 급속 열처리용 기판을 지지하며 회전시키는 지지대; 상기 챔버의 내부 상측에 배치되어 광을 방사함으로써 상기 급속 열처리용 기판을 급속 가열하는 열원 장치; 상기 급속 열처리용 기판의 일부분 상에 이격 거리를 두고 배치되며, 상기 급속 열처리용 기판과 같은 재질로 이루어진 온도측정용 기판; 상기 온도측정용 기판에 설치되어 상기 온도측정용 기판의 온도를 측정하는 온도측정용 서모커플; 상기 온도측정용 기판을 지지하는 투광 재질의 지지부; 및 상기 지지부와 상기 열원 장치 사이에 배치되어 챔버의 양쪽 내부 공간을 격리하는 투광판을 포함하며, 상기 서모커플에 의해 측정된 상기 온도측정용 기판의 온도를 상기 급속 열처리용 기판의 온도로 간주하는 것을 특징으로 한다.
상기 지지부는 상기 온도측정용 기판을 삽입하기 위한 중공부를 갖는 판재인 것이 가능하다.
상기 지지부는 상기 중공부의 상측 개방구를 갖는 판재이거나, 상기 중공부의 상측 개방구 및 하측 개방구를 갖는 판재인 것이 가능하다.
상기 온도측정용 기판이 고온용 접착제에 의해 상기 지지부에 접착되는 것이 가능하다.
상기 지지부는, 1개 이상 복수개의 온도측정용 기판을 삽입하기 위한 중공부를 갖는 판재인 것이 가능하다.
상기 지지부는, 부채꼴 형태의 온도측정용 기판을 삽입하기 위한 부채꼴 형태의 중공부를 갖는 판재인 것이 가능하다.
상기 지지부는 상기 온도측정용 기판의 가장자리부의 일부분을 끼워서 지지하도록 이격거리를 두고 이격된 상측 수평 돌출부 및 하측 수평 돌출부와, 상기 상측 수평 돌출부 및 하측 수평 돌출부에 일체로 연결된 수직부를 갖는 것이 가능하다.
상기 서모커플은 1개 이상 복수개의 서모커플로 구성되고, 상기 서모커플의 각각은 상기 온도측정용 기판의 해당하는 관통홀에 삽입된 접점부와, 상기 접점부에 일체로 연결된 와이어(wire)를 갖는 것이 가능하거나, 1개 이상 복수개의 서모커플로 구성되고, 상기 서모커플의 각각은 상기 온도측정용 기판의 해당하는 홈에 삽입된 접점부와, 상기 접점부에 일체로 연결된 와이어를 갖는 것이 가능하다.
상기 와이어는 상기 온도측정용 기판의 상부면 상에 이격 거리를 두고 배치되거나, 상기 온도측정용 기판의 상부면에 형성된 가이드 홈 내에 배치되는 것이 가능하다.
상기 지지부의 상부면 중앙부에 상기 온도측정용 기판을 수용하기 위한 홈부가 형성되는 것이 가능하다.
본 발명의 급속 열처리 장치에 따르면, 비접촉식 급속 열처리용 장치 내의 급속 열처리용 기판의 온도를 정확하게 측정할 수 있을 뿐 아니라 급속 열처리 장치의 제조 원가를 낮출 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 지지부에 온도측정용 웨이퍼가 지지되어 있는 일례를 나타낸 예시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 지지부에 온도측정용 웨이퍼가 지지되어 있는 다른 예를 나타낸 예시도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 온도측정용 웨이퍼의 관통홀에 온도측정용 서모커플의 접점부가 배치된 일례를 나타낸 예시도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 온도측정용 웨이퍼의 관통홀에 온도측정용 서모커플의 접점부가 배치된 다른 예를 나타낸 예시도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 온도측정용 웨이퍼의 홈에 온도측정용 서모커플의 접점부가 배치된 일례를 나타낸 예시도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 온도측정용 웨이퍼의 홈에 온도측정용 서모커플의 접점부가 배치된 다른 예를 나타낸 예시도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 온도측정용 서모커플의 와이어(wire)가 온도측정용 웨이퍼에 배치된 일례를 나타낸 예시도이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 온도측정용 서모커플의 와이어가 온도측정용 웨이퍼에 배치된 다른 예를 나타낸 예시도이다.
도 10 내지 도 12는 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 지지부의 단면 구조를 각각 나타낸 단면도이다.
도 13은, 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 다른 지지부에 온도측정용 웨이퍼가 지지되어 있는 일례를 나타낸 예시도이다.
도 14는, 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 또 다른 지지부에 온도측정용 웨이퍼가 지지되어 있는 일례를 나타낸 예시도이다.
이하, 본 발명에 따른 급속 열처리 장치를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 이하에서는 모든 도면에 걸쳐 동일하거나 동등한 요소에는 동일한 부호를 부여하고 중복되는 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치(100)는, 챔버(10), 열원 장치(20), 웨이퍼 지지대(30), 투광판(40), 온도측정용 웨이퍼(50), 온도측정용 서모커플(60), 및 지지부(70)를 구비하고 있다.
여기서, 챔버(10)는 급속 열처리 공정을 처리하기 위한 밀페된 공간을 확보하는 통체, 예를 들어 대략 원형 또는 사각형의 통체로, 챔버(10) 내부의 공간을 챔버(10) 외부의 대기로부터 격리하여 급속 열처리 공정을 진행하기 위한 분위기로 일정하게 유지할 뿐 아니라 챔버(10) 내의 급속 열처리용 웨이퍼(1)를 대기 중의 오염원으로부터 보호한다.
열원 장치(20)는 챔버(10)의 내부 공간의 일측부, 예를 들어 상측부에 배치되어 광, 예를 들어 적외선을 방사하는 광원이다. 열원 장치(20)는 예를 들어 텅스텐 할로겐 램프로부터 광을 방사하여 챔버(10) 내의 웨이퍼(1)를 급속 가열할 수 있다. 물론, 도면에 도시하지 않았지만 열원 장치(20)를 챔버(10)의 내부 공간의 하측부에 설치하는 것도 가능하다.
웨이퍼 지지대(30)는 챔버(10)의 내부 공간의 하측부에 배치되어 웨이퍼(1)를 기계적 방식, 전자기적 방식 또는 진공 방식으로 수평으로 지지하는 부분이다. 웨이퍼 지지대(30)는 공지된 바와 같이, 웨이퍼(1)에 대한 급속 열처리의 균일성을 높이기 위해 일방향, 예를 들어 화살표 방향으로 웨이퍼(1)를 수평 회전시킬 수 있다.
투광판(40)은 열원 장치(20)와 웨이퍼 지지대(30) 사이에 배치되어 챔버(10)의 양분된 내부 공간을 서로 격리하는 부분이다. 투광판(40)은 열원 장치(20)로부터 방사되는 광을 투과할 수 있도록 투광 재질, 예를 들어 퀄츠 등으로 구성될 수 있다.
지지부(70)는 온도측정용 웨이퍼(50)를 웨이퍼(1)로부터 열원 장치(20)를 향해 일정 거리를 두고 수평으로 안정적으로 지지하는 부분이다. 지지부(70)는 온도측정용 웨이퍼(50)를 수직 승강하도록 지지부(70)의 대향하는 양측부에 통상적인 수직 승강 기구(미도시)가 기계적으로 연결되어 있을 수 있다. 지지부(70)는 열원 장치(20)의 광을 웨이퍼(1)에 전달할 수 있도록 투광 재질, 예를 들어 퀄츠 등으로 이루어지며 예를 들어 대략 원형의 절연성 판재로 구성될 수 있다.
또한, 상기 지지부(70)는, 상기 온도측정용 웨이퍼(50)와 상기 웨이퍼(1)가 서로 평행하게 배치되도록, 상기 챔버(10)의 벽면 또는 바닥면에 설치될 수도 있다. 즉, 상기 지지부(70)는 상기 온도측정용 웨이퍼(50)를 지지한 상태에서 상기 챔버(10)의 벽면 또는 바닥면에 설치됨으로써, 상기 온도측정용 웨이퍼(50)와 상기 웨이퍼(1)가 서로 평행하게 배치될 수 있게 된다.
또한, 온도측정용 웨이퍼(50)와 웨이퍼(1)의 이격 거리는 웨이퍼(1)의 온도를 정확하게 측정할 수 있도록 최소화하는 것이 좋다. 웨이퍼(50)와 웨이퍼(1)의 이격 거리가 작을수록 웨이퍼(50)와 웨이퍼(1)의 온도 분포가 유사하다. 그러므로 웨이퍼(50)는 회전하는 기판(1)의 회전 공차 이상의 이격 거리를 두고 배치되는 것이 바람직하다. 반면에, 웨이퍼(50)와 웨이퍼(1)의 이격 거리가 클수록 웨이퍼(50)와 웨이퍼(1)의 온도 분포 차이가 증가하지만 웨이퍼(50)에 의해 가려지는 광 손실이 감소한다.
또한, 온도측정용 웨이퍼(50)에는 급속 열처리용 웨이퍼(1)의 온도를 측정하는 온도측정매체인 온도측정용 서모커플(60)이 설치되어 있다. 온도측정용 서모커플(60)은 챔버(10)의 외부에 설치된 웨이퍼 온도 측정부(미도시)에 전기적으로 연결되도록 연장된다. 온도측정용 웨이퍼(50)는 급속 열처리용 웨이퍼(1)와 동일한 재질, 예를 들어 실리콘, 유리, 사파이어, SIC 등으로 구성되고 웨이퍼(1)와 동일한 두께로 형성될 수 있다.
상기 서모커플(60)은, 상기 온도측정용 웨이퍼(50)의 온도를 전기 신호로 변환하여 온도 측정부(110)에 전달하기 위해, 상기 지지부(70)와 전기적으로 절연된다. 그리고, 상기 챔버(10)의 내부는 진공 분위기를 가지므로, 상기 지지부(70)는 상기 챔버(10)의 내부와 외부를 분리되도록 차폐함으로써 내부와 외부 사이의 압력 차이를 유지할 수 있도록 구성되어 있다.
또한, 사용자는 상기 챔버(10)의 외부에서 상기 온도측정용 웨이퍼(50)와, 상기 서모커플(60)과 상기 지지부(70)를 조립하여 독립적인 모듈을 구성할 수 있다.
또한, 실제 사용시, 상기 챔버(10)는 냉매에 의해 냉각이 이루어지게 되고, 상기 온도측정용 웨이퍼(50)는 열원 장치(20)에 의해 가열된다. 이때, 상기 열원 장치(20)에서 발생된 열이 상기 온도측정용 웨이퍼(50)와 상기 지지부(70)를 통하여 챔버(10) 외부로 빠져나가지 못하도록 상기 챔버(10)의 내부와 외부가 열적으로 분리되어 있다.
또한, 열처리 장치(100)는, 챔버(10)의 외부에 설치되는 온도 측정부(110), 온도 제어부(120), 열원 장치 구동부(130), 및 디스플레이부(140)를 포함할 수 있다. 온도 측정부(110)는, 서모커플(60)을 매개로 하여 웨이퍼(50)의 온도를 측정하고 웨이퍼(50)의 온도에 해당하는 신호를 온도 제어부(120)에 전송한다. 온도 제어부(120)는 온도 측정부(110)로부터 웨이퍼(50)의 온도에 해당하는 신호를 전송 받아서 열원 장치 구동부(130)를 구동하거나 디스플레이부(140)를 디스플레이하도록 제어한다. 열원 장치 구동부(130)는 웨이퍼(1)의 원하는 온도를 얻기 위해 열원 장치(20)에 전력을 공급하도록 온도 제어부(120)의 제어에 의해 열원 장치(20)를 구동할 수 있다. 디스플레이부(140)는 온도 제어부(120)의 제어에 의해 웨이퍼(50)의 온도 등의 정보를 디스플레이할 수 있다.
또한, 도면에 도시하지 않았지만, 챔버(10)의 외부에, 챔버(10) 안으로 급속 열처리용 가스를 공급하는 가스 공급부를 구비하며, 챔버(10)의 본체에는 가스 공급부가 공급하는 급속 열처리 공정용 가스를 챔버(10)의 내부로 주입하는 가스 주입구와, 급속 열처리 공정을 처리 완료한 가스를 챔버(10)의 외부로 배출하는 가스 배출구가 설치되어 있다. 물론, 가스 공급부 등을 비롯한 급속 열처리 장치의 공지된 각 부분의 동작을 제어하는 중앙 제어부도 구비되어 있음은 당연하다.
한편, 설명의 편의상 본 발명은, 온도측정용 웨이퍼(50)와 급속 열처리용 웨이퍼(1)를 사용하고 있지만, 이에 한정되지 않고 다양한 재질이나 형상의 온도측정용 기판과 급속 열처리용 기판을 사용하는 것도 가능하다.
이와 같이 구성되는 본 발명의 급속 열처리 장치는, 웨이퍼(1)와 동일한 재질의 웨이퍼(50)에 서모커플(60)을 접촉시켜 웨이퍼(50)의 온도를 측정함으로써 웨이퍼(50)의 측정온도값을 웨이퍼(1)의 측정온도값으로 간주할 수 있다. 그러므로 본 발명은 서모커플(60)을 이용하면서도 웨이퍼(1)에 접촉하지 않고 웨이퍼(1)의 온도를 정확하게 측정할 수 있다. 또한, 본 발명은 고가의 파이로미터에 비해 저렴한 서모커플을 사용하기 때문에 급속 열처리 장치의 제조원가를 절감할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 지지부에 온도측정용 웨이퍼가 지지되어 있는 일례를 나타낸 예시도이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 지지부에 온도측정용 웨이퍼가 지지되어 있는 다른 예를 나타낸 예시도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 지지부(70)의 일부분에는 중공부, 예를 들어 지지부(70)의 중심(O) 근처에서 반경방향으로 지지부(70)의 외주면까지 나아감에 따라 그 양측면 사이의 폭이 넓어지는 대략 부채꼴 형태의 중공부(도 10 내지 도 12의 중공부(71) 참조)가 형성되어 있다. 지지부(70)의 중공부에는 중공부와 대략 같은 크기를 갖는 대략 부채꼴 형태의 온도측정용 웨이퍼(50)가 삽입되어 있다. 마찬가지로, 도 3에 도시된 바와 같이, 지지부(70)에 2개의 중공부가 180도 이격되어 대칭으로 형성될 수 있으며, 각각의 중공부에 웨이퍼(50)가 삽입되어 있다.
또한, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 각 웨이퍼(50)의 상부면에는 지지부(70)의 중심(O) 근처에서 반경방향으로 웨이퍼(50)의 외주면까지 나아감에 따라 미리 정해진 간격을 두고 복수개 예를 들어 3개의 서모커플(60)의 접점부(61)가 일렬로 배열되어 있다. 각 서모커플(60)의 와이어(wire)(63)는 해당하는 접점부(61)와 전기적으로 연결되며 연장되어 있다.
여기서, 웨이퍼(50)의 크기가 클수록 열원 장치(20)의 광이 웨이퍼(50)에 의해 차단되는 웨이퍼(1)의 면적이 넓어져 웨이퍼(1)의 전역에 걸쳐 온도 균일성이 악화되므로 서모커플(60)의 설치 가능성을 고려하여 가능한 한 웨이퍼(50)를 웨이퍼(1)보다 작게 만들되, 중심(O)에 인접한 웨이퍼(50)의 내측 단부를 가능한 한 최소의 폭으로 만드는 것이 좋다.
또한, 지지부(70)의 중심(O)의 직하에 위치하는 웨이퍼(1)의 해당하는 지점이 회전하는 웨이퍼(50)에 의해 항상 가려지는 것을 방지하기 위해 웨이퍼(50)의 내측 단부가 중심(O)에서 반경방향 외측으로 일정 거리, 예를 들어 10mm 이상으로 이격되어 있는 것이 바람직하다. 웨이퍼(50)와 웨이퍼(1)의 온도 편차를 줄이기 위해, 웨이퍼(50)의 외측 단부가 웨이퍼(1)의 외측 단부까지 연장되는 것이 바람직하다.
한편, 2개의 온도측정용 웨이퍼(50)가 지지부(70)에 설치되어 있는 것처럼 도시되어 있지만, 2개보다 많은 복수개의 온도측정용 웨이퍼(50)가 지지부(70)에 설치되는 것도 가능하다. 또한, 지지부(70)의 중심(O)에서 반경방향으로 웨이퍼(50)의 외측면까지 나아감에 따라 미리 정해진 간격을 두고 3개의 접점부(61)가 배열되어 있는 것처럼 도시되어 있지만, 1개, 2개, 또는 3개보다 많은 복수개의 접점부(61)가 웨이퍼(50)에 배열되는 것도 가능하다. 또한, 지지부(70)의 중공부와 웨이퍼(50)를 부채꼴 외에도 직사각형 등 실시 가능한 다양한 형태로 형성할 수도 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 온도측정용 웨이퍼의 관통홀에 온도측정용 서모커플의 접점부가 배치된 일례를 나타낸 예시도이고, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 온도측정용 웨이퍼의 관통홀에 온도측정용 서모커플의 접점부가 배치된 다른 예를 나타낸 예시도이다.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 각각의 서모커플(60)은 직경이 대략 동일한 구형의 접점부(61)를 갖고 있다. 웨이퍼(50)의 관통홀(51), 예를 들어 원형 관통홀의 직경이 접점부(61)의 직경과 대략 동일하다. 각각의 접점부(61)가 웨이퍼(50)의 해당하는 관통홀(51) 내에 삽입되어 있고, 각각의 와이어(63)는 해당하는 접점부(61)에 일체로 연결되어 있고 도 1에 도시된 열원 장치(20)를 향하는 관통홀(51)의 상측 개구부를 통해 외부로 연장된다. 관통홀(51)의 깊이가 접점부(61)의 직경보다 큰 경우, 도 4에 도시된 바와 같이 접점부(61)의 일부분이 도 1에 도시된 웨이퍼(1)를 향하는 관통홀(51)의 하측 개방구보다 하측에 위치하거나, 도 5에 도시된 바와 같이 접점부(61) 전체가 관통홀(51)의 하측 개방구보다 상측에 위치할 수 있다.
한편, 도면에 도시된 바와 같이 접점부(61)의 상측 부분이 상측 개방구를 통해 노출되어 있거나, 도면에 도시하지 않았지만, 접점부(61)의 상측 부분이 고온용 접착제 또는 웨이퍼(50)와 동일한 재질의 조각 웨이퍼로 덮여 있는 것도 가능하다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 온도측정용 웨이퍼의 홈에 온도측정용 서모커플의 접점부가 배치된 일례를 나타낸 예시도이고, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 온도측정용 웨이퍼의 홈에 온도측정용 서모커플의 접점부가 배치된 다른 예를 나타낸 예시도이다.
도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 각각의 서모커플(60)은 직경이 대략 동일한 구형의 접점부(61)를 갖고 있다. 웨이퍼(50)의 홈(53,55), 예를 들어 원형 홈의 직경이 접점부(61)의 직경과 대략 동일하다. 접점부(61)가 웨이퍼(50)의 해당하는 홈(53,55) 내에 각각 삽입되어 있고, 각각의 와이어(63)는 해당하는 접점부(61)에 일체로 연결되고 도 1에 도시된 열원 장치(20)를 향하는 홈(53,55)의 상측 개구부를 통해 외부로 연장된다. 도 1에 도시된 열원 장치(20)를 향하는 홈(55)의 깊이(D2)가 홈(53)의 깊이(D1)보다 깊고, 홈(53)의 깊이(D1)가 접점부(61)의 직경보다 작을 경우, 도 6에 도시된 바와 같이 접점부(61)의 상측 부분이 홈(53)의 입구보다 상측에 위치하거나, 도 7에 도시된 바와 같이 접점부(61)의 상측 부분이 홈(55)의 입구보다 하측에 위치할 수 있다.
한편, 도면에 도시된 바와 같이 접점부(61)의 상측 부분이 노출되어 있을 수 있거나, 도면에 도시하지 않았지만, 접점부(61)의 상측 부분이 고온용 접착제 또는 웨이퍼(50)와 동일한 재질의 조각 웨이퍼로 덮여 있는 것도 가능하다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 온도측정용 서모커플의 와이어가 온도측정용 웨이퍼에 배치된 일례를 나타낸 예시도이고, 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 온도측정용 서모커플의 와이어가 온도측정용 웨이퍼에 배치된 다른 예를 나타낸 예시도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 서모커플의 와이어(63)를 웨이퍼(50)의 상부면과 직접 접촉하지 않도록 웨이퍼(50)의 상부면에서 상측으로 일정 거리를 두고 이격하여 배치될 수 있다.
또한, 온도측정용 웨이퍼(50)는 도 8과 같이 부채꼴 형상으로 구성될 수 있다. 다만, 상기 온도측정용 웨이퍼(50)의 형상이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 온도측정용 웨이퍼(50)는 직육면체 형상으로 구성될 수도 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 서모커플의 와이어(63)를 가이드하도록 와이어(63)를 웨이퍼(50)의 가이드 홈(57) 내에 배치할 수 있다. 가이드 홈(57)은 와이어(63)를 미리 정해진 연장 경로를 따라 웨이퍼(50)의 반경방향으로 가이드하기 위해 웨이퍼(50)의 상부면에 형성되어 있고, 도 4 내지 도 7에 도시된 관통홀(51) 또는 홈(53,55)과 일대일 대응하여 연통되며 연장된다. 만일 가이드 홈(57)을 따라 배치된 와이어(63)의 일부분이 웨이퍼(50)와 접촉할 경우 웨이퍼(50)가 고온이면 웨이퍼(50), 예를 들어 실리콘 웨이퍼와 반응하여 합금을 형성함으로써 와이어(63)의 해당하는 부분이 녹아서 끊어질 경우가 발생할 수 있다. 따라서 고온용 접착제(미도시) 등으로 와이어(63)를 가이드 홈(57)에 접착하여 와이어(63)와 웨이퍼(50)가 직접 접촉하는 것을 방지하는 것이 바람직하다.
한편, 설명의 편의상 설명의 이해를 돕기 위하여, 각각의 서모커플(60)의 와이어(63)가 1개 와이어로 구성된 것처럼 도시되어 있지만, 실제로는 다른 재질의 2개 와이어, 예를 들어 알루멜 재질의 와이어와 크로멜 재질의 와이어로 구성되거나 그 외의 다른 재질로 구성될 수 있으며 2개 와이어의 선단부가 서모커플의 접점부에서만 접합된다. 접점부를 제외한 2개 와이어의 일부분이 서로 접촉되는 것을 방지하기 위해 2개 와이어를 물리적으로 이격시키거나 2개 와이어를 퀄츠 또는 세라믹과 같은 절연성 재질의 보호막으로 감싸줄 수 있다.
도 10 내지 도 12는 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 지지부의 단면 구조를 각각 나타낸 단면도이다.
도 10 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 지지부(70)의 내부에 중공부(71)가 형성되어 있다. 중공부(71)는, 웨이퍼(50)를 수용할 수 있는 빈 공간을 갖고 있으며, 도 2 또는 도 3에서 설명한 웨이퍼(50)와 같은 형태로 형성될 수 있다.
또한, 중공부(71)는, 도 10에 도시된 바와 같이 중공부(71)에 연통된 상측 개방구 및 하측 개방구가 모두 밀폐되어 있거나, 도 11에 도시된 바와 같이 중공부(71)의 상측 및 하측 일부분에 상측 개방구(73) 및 하측 개방구(75)가 각각 형성되어 있거나, 도 12에 도시된 바와 같이, 중공부(71)의 상측 일부분에 상측 개방구(73)만이 형성되어 있을 수 있다.
또한, 도 1에 도시된 웨이퍼(1)의 온도를 정확하게 측정하기 위해 웨이퍼(50)와 웨이퍼(1) 사이의 거리를 줄일 수 있도록 웨이퍼(50) 아래에 위치하는 지지부(70)의 몸체부를 가능한 한 얇은 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
한편, 도면에 도시하지 않았지만, 웨이퍼(50)의 안정적인 지지를 위해 웨이퍼(50)의 일부분, 예를 들어 대향하는 양쪽의 가장자리부가 예를 들어 고온용 접착제(79)에 의해 지지부(70)의 해당하는 부분에 접착될 수도 있다. 웨이퍼(50)의 안정적인 지지 및 웨이퍼(50)와 지지부(70)의 접촉 방지를 위해 웨이퍼(50)의 대향하는 양측의 하면부가 오목볼록 구조의 기계적인 결합 방식에 의해 지지부(70)의 해당하는 부분에 지지되는 것도 가능하다.
도 13은, 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 다른 지지부에 온도측정용 웨이퍼가 지지되어 있는 일례를 나타낸 예시도이다.
도 13에 도시된 바와 같이, 지지부(80)는 도 2 및 도 3에 도시된 지지부(70)를 대체할 수 있는 1개의 지지부로서, 수직부(81), 상측 수평 돌출부(83) 및 하측 수평 돌출부(85)를 갖고 있다.
여기서, 수직부(81)는 투광 재질, 예를 들어 퀄츠로 형성될 수 있으며, 수직으로 연장되는 부재이다. 상측 수평 돌출부(83) 및 하측 수평 돌출부(85)는, 수직부(81)에 일체로 연결되며 투광 재질, 예를 들어 퀄츠로 형성되고, 도 1의 중심(O)에 인접하여 배치되는 온도측정용 웨이퍼(50)의 내측 가장자리부보다 폭이 넓은 온도측정용 웨이퍼(50)의 외측 가장자리부의 일부분을 상측 수평 돌출부(83) 및 하측 수평 돌출부(85) 사이에 끼워서 지지 가능하도록 상하로 일정 간격을 두고 이격되고 수평으로 대향하여 연장된다. 또한, 웨이퍼(50)의 안정적인 지지를 위해 상측 수평 돌출부(83) 및 하측 수평 돌출부(85)는 고온 접착제(87)에 의해 웨이퍼(50)의 상면 및 하면에 각각 접착될 수도 있다. 온도측정용 웨이퍼(50)를 수직 승강하도록 수직부(81)의 하부에 통상적인 수직 승강 기구(미도시)가 기계적으로 연결될 수가 있다
또한, 사용자는 챔버(10)의 외부에서 온도측정용 웨이퍼(50)와, 서모커플(60)과, 상기 지지부(80)를 조립하여 독립적인 모듈을 구성할 수 있다.
한편, 도면에 도시하지 않았지만, 지지부(80)는, 서로 이격되며 수평으로 2개 이상 복수개 설치될 수도 있으며, 지지부(70)와 마찬가지로, 온도측정용 웨이퍼(50)를 수직 승강하도록 지지부(80)의 수직부(85)에 다양한 체결 방식에 의해 통상적인 수직 승강 기구(미도시)가 연결될 수 있다. 물론, 지지부(80)는 도시된 구조에 한정되지 않고 웨이퍼(50)를 안정적으로 지지할 수 있으면 다양한 구조로 구성될 수 있음은 당연하다.
다른 예로서, 상기 지지부(80)는 상기 고온 접착제(87) 및 온도측정용 웨이퍼(50)의 수용 공간을 제공하도록 소정의 홈이 형성되는 직육면체 형상의 판재를 포함할 수 있다. 즉, 상기 판재의 일면으로부터 내측으로 함몰되는 홈에는 상기 온도측정용 웨이퍼(50)가 삽입되고, 상기 홈에 삽입된 온도측정용 웨이퍼(50)와 상기 판재 사이의 공간에 상기 고온 접착제(87)가 배치된다. 따라서, 상기 고온 접착제(87)는 상기 온도측정용 웨이퍼(50)와 상기 판재를 열적 또는 전기적으로 차폐시킬 수 있다. 이때, 상기 판재는 서모커플(60)과 전기적으로 절연되어 있으며, 챔버(10)의 내부와 외부 사이를 차폐시킴으로써 상기 챔버의 내부와 외부의 압력 차이를 유지할 수 있게 한다.
상기 온도측정용 웨이퍼(50)는 부채꼴 형상 뿐만 아니라 직육면체 형상으로도 구성될 수도 있다. 또한, 상기 고온 접착제(87)는 상기 온도측정용 웨이퍼(50)와 상기 판재를 열적 또는 전기적으로 차폐시키기 위하여 세라믹, 유리 또는 석영과 같은 재질로 제조된다. 이에 더하여, 상기 챔버(10)는 SUS 또는 Al 재질로 제조되고, 상기 판재는 상기 챔버(10)와 동일한 재질로 제조될 수 있다.
도 14는, 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 또 다른 지지부에 온도측정용 웨이퍼가 지지되어 있는 일례를 나타낸 예시도이다.
도 14에 도시된 바와 같이, 지지부(90)는 도 2 및 도 3에 도시된 지지부(70)를 대체할 수 있는 1개의 지지부로서, 도 1의 중심(O)에 인접한 내측 가장자리부보다 폭이 넓은 외측 가장자리부를 가지며, 투광 재질, 예를 들어 퀄츠로 형성될 수 있다. 지지부(90)의 상부면 중앙부에, 온도측정용 웨이퍼(50)를 수용하기 위한 홈부(91)가 형성되어 있다.
또한, 홈부(90)는, 도 1의 중심(O)에 인접한 내측 가장자리부보다 외측 가장자리부가 폭이 더 넓게 형성되며, 내측면부에 온도측정용 웨이퍼(50)를 걸쳐놓기 위한 단차부(미도시)가 형성될 수 있다. 웨이퍼(50)의 안정적인 지지를 위해 웨이퍼(50)가 예를 들어 고온 접착제(미도시)에 의해 홈부(91)의 단차부에 접착될 수도 있다.
한편, 도면에 도시하지 않았지만, 지지부(90)는 서로 이격되며 수평으로 2개 이상 복수개 설치될 수도 있다. 지지부(90)는 온도측정용 웨이퍼(50)를 수직 승강하도록 지지부(90)의 외측 가장자리부에 다양한 체결 방식에 의해 통상적인 수직 승강 기구가 연결될 수 있다. 물론, 지지부(90)는 도시된 대략 삼각형의 판 구조에 한정되지 않고 웨이퍼(50)를 안정적으로 지지할 수 있으면 다양한 형상의 구조로 구성될 수 있음은 당연하다.
이와 같이 구성되는 본 발명에 따른 급속 열처리 장치(100)의 경우, 웨이퍼(1)가 웨이퍼 지지대(30)에 지지되고, 온도측정용 웨이퍼(50)가 지지부(70,80)에 의해 웨이퍼(1) 상에 일정 거리를 두고 이격하며 지지된 상태에서, 웨이퍼 지지대(30)의 수평 회전에 따라 웨이퍼(1)가 수평 회전하고 이러한 웨이퍼(1)에 열원 장치(20)의 광이 조사되면, 웨이퍼(1)와 웨이퍼(50)가 급속 가열된다.
이때, 웨이퍼(1)와 웨이퍼(50)가 동일 재질로 형성되어 있기 때문에, 서모커플(60)에 의해 측정된 웨이퍼(50)의 온도는, 웨이퍼(1)의 실제 온도와 거의 동일하다고 볼 수 있다. 따라서 웨이퍼(1)의 온도를 비접촉식으로 실시간으로 정확하게 측정하는 것이 가능하다.
또한, 서모커플(60)에 의해 측정된 웨이퍼(50)의 온도를 웨이퍼(1)의 실제 온도와 완전히 동일한 값으로 만들어주기 위해, 시뮬레이션이나 실제의 실험을 통해 웨이퍼(50)와 웨이퍼(1) 사이의 이격 거리에 따라 서모커플(60)에 의해 측정된 웨이퍼(50)의 온도와 웨이퍼(1)의 실제 온도 사이의 미소한 온도편차를 알아내고 이 온도편차를 웨이퍼(50)의 측정 온도에 반영할 수 있도록 제어부를 소프트웨어적으로 처리해줌으로써 웨이퍼(1)의 온도를 실시간으로 더욱 정확하게 측정하는 것도 가능하다.
또한, 온도측정용 웨이퍼(50)가 지지부(70,80)에 의해 안정적으로 지지되기 때문에, 서모커플(60) 또한 안정적으로 지지될 수가 있다. 따라서 웨이퍼의 온도를 정확하게 측정하는 것이 가능하다.
또한, 웨이퍼의 온도를 측정하기 위해 고가의 파이로미터 대신에 서모커플을 사용하기 때문에 급속 열처리 장치의 제조 원가를 절감하는 것이 가능하다.
이와 같이, 본 발명에 따른 급속 열처리 장치를 사용하면, 대면적 기판의 전역에 걸쳐서 온도의 균일성을 확보할 수 있고, 설정 온도와 실제 기판 온도 사이의 편차가 종래 기술에 비해 현저히 감소하게 되므로, 기판의 온도를 실시간으로 정확하게 측정하는 것이 가능하다.
이상으로 본 발명에 따른 실시예에 대해 도면을 참조하여 설명했지만 구체적인 구성은 이러한 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위의 설계 변경 등이 있어도 본 발명에 포함된다.
본 발명에 따르면 급속 열처리 장치 내의 기판의 온도를 실시간으로 정확하게 측정할 수 있고, 비접촉식 급속 열처리 장치의 제조 원가를 절감할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 급속 열처리 장치는 태양전지의 불순물 확산 공정 및 후면 전계 형성 공정, 전극 소성 공정에 이용할 수 있다. 또한, 가스센서 검지 전극 물질의 열처리 공정에 이용할 수 있다. 또한, 각종 금속, 금속 산화막, 세라믹, 유리, 퀄츠, 폴리머 등의 단일 또는 복합 물질에서 열처리 공정에 이용할 수 있다.

Claims (13)

  1. 급속 열처리용 챔버;
    상기 챔버의 내부 하측에 배치되어 급속 열처리용 기판을 지지하며 회전시키는 지지대;
    상기 챔버의 내부 상측에 배치되어 광을 방사함으로써 상기 급속 열처리용 기판을 급속 가열하는 열원 장치;
    상기 급속 열처리용 기판의 일부분 상에 이격 거리를 두고 배치되며, 상기 급속 열처리용 기판과 같은 재질로 이루어진 온도측정용 기판;
    상기 온도측정용 기판에 설치되어 상기 온도측정용 기판의 온도를 측정하는 온도측정용 서모커플;
    상기 온도측정용 기판을 지지하는 투광 재질의 지지부; 및
    상기 지지부와 상기 열원 장치 사이에 배치되어 챔버의 양쪽 내부 공간을 격리하는 투광판을 포함하며,
    상기 서모커플에 의해 측정된 상기 온도측정용 기판의 온도를 상기 급속 열처리용 기판의 온도로 간주하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 지지부는 상기 온도측정용 기판을 삽입하기 위한 중공부를 갖는 판재인 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 지지부는 상기 중공부의 상측 개방구를 갖는 판재인 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 지지부는 상기 중공부의 상측 개방구 및 하측 개방구를 갖는 판재인 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 온도측정용 기판이 고온용 접착제에 의해 상기 지지부에 접착되는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 지지부는, 1개 이상 복수개의 온도측정용 기판을 삽입하기 위한 중공부를 갖는 판재인 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.
  7. 제2항에 있어서, 상기 지지부는, 부채꼴 형태의 온도측정용 기판을 삽입하기 위한 부채꼴 형태의 중공부를 갖는 판재인 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 지지부는 상기 온도측정용 기판의 가장자리부의 일부분을 끼워서 지지하도록 이격거리를 두고 이격된 상측 수평 돌출부 및 하측 수평 돌출부와, 상기 상측 수평 돌출부 및 하측 수평 돌출부에 일체로 연결된 수직부를 갖는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 서모커플은 1개 이상 복수개의 서모커플로 구성되고, 상기 서모커플의 각각은 상기 온도측정용 기판의 해당하는 관통홀에 삽입된 접점부와, 상기 접점부에 일체로 연결된 와이어를 갖는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 서모커플은 1개 이상 복수개의 서모커플로 구성되고, 상기 서모커플의 각각은 상기 온도측정용 기판의 해당하는 홈에 삽입된 접점부와, 상기 접점부에 일체로 연결된 와이어를 갖는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 와이어는 상기 온도측정용 기판의 상부면 상에 이격 거리를 두고 배치되는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.
  12. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 와이어는 상기 온도측정용 기판의 상부면에 형성된 가이드 홈 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 지지부의 상부면 중앙부에 상기 온도측정용 기판을 수용하기 위한 홈부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.
PCT/KR2016/002436 2015-05-20 2016-03-11 급속 열처리 장치 WO2016186302A1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201680040232.7A CN107836038B (zh) 2015-05-20 2016-03-11 快速热处理设备
US15/574,812 US10600661B2 (en) 2015-05-20 2016-03-11 Rapid heat treatment apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150070619A KR101605079B1 (ko) 2015-05-20 2015-05-20 급속 열처리 장치
KR10-2015-0070619 2015-05-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016186302A1 true WO2016186302A1 (ko) 2016-11-24

Family

ID=55644909

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2016/002436 WO2016186302A1 (ko) 2015-05-20 2016-03-11 급속 열처리 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10600661B2 (ko)
KR (1) KR101605079B1 (ko)
CN (1) CN107836038B (ko)
WO (1) WO2016186302A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019206137A1 (zh) * 2018-04-23 2019-10-31 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 工艺腔、工艺腔的加热控制方法及装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101949977B1 (ko) * 2018-06-14 2019-02-21 에이에스티엔지니어링(주) 임베디드 써모커플 웨이퍼
JP7278035B2 (ja) * 2018-06-20 2023-05-19 新光電気工業株式会社 静電チャック、基板固定装置
CN111413002A (zh) * 2019-01-08 2020-07-14 日新离子机器株式会社 基板温度测定装置和半导体制造装置
KR102311717B1 (ko) * 2019-12-13 2021-10-13 (주)울텍 급속 열처리장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020026344A (ko) * 2002-03-21 2002-04-09 정기로 온도 균일성을 향상시키는 회전식 급속열처리 장치
JP2002170775A (ja) * 2000-12-01 2002-06-14 Tokyo Electron Ltd 半導体処理装置における温度測定方法および装置並びに半導体処理方法および装置
JP2002353111A (ja) * 2001-05-25 2002-12-06 Tokyo Electron Ltd 熱処理板の温度制御方法及び熱処理装置
KR100423184B1 (ko) * 2001-05-29 2004-03-16 코닉 시스템 주식회사 급속열처리 장치
JP2015046428A (ja) * 2013-08-27 2015-03-12 住友電気工業株式会社 冶具および半導体装置の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10239165A (ja) * 1997-02-27 1998-09-11 Sony Corp 基板の温度測定器、基板の温度を測定する方法および基板の加熱方法
JP2000306855A (ja) * 1999-04-26 2000-11-02 Hitachi Ltd 加熱装置
US6293696B1 (en) 1999-05-03 2001-09-25 Steag Rtp Systems, Inc. System and process for calibrating pyrometers in thermal processing chambers
KR100337107B1 (ko) 2000-12-19 2002-05-16 정기로 급속 열처리 장치용 온도 제어기
JP4099511B2 (ja) * 2004-07-23 2008-06-11 株式会社アイ・ピー・ビー ステージおよびシリコンウエハ基板の温度計測法
US7283734B2 (en) * 2004-08-24 2007-10-16 Fujitsu Limited Rapid thermal processing apparatus and method of manufacture of semiconductor device
KR101097718B1 (ko) 2011-05-31 2011-12-22 에스엔유 프리시젼 주식회사 Cigs 박막 급속 열처리장치
DE102011077005B4 (de) * 2011-06-06 2017-11-16 Rehm Thermal Systems Gmbh Anlage zur Wärmebehandlung von Substraten und Verfahren zum Erfassen von Messdaten darin
CN102978584A (zh) * 2012-11-28 2013-03-20 中山市创科科研技术服务有限公司 一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置
SG11201802148YA (en) * 2015-10-09 2018-04-27 Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd Heating device and heating chamber

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002170775A (ja) * 2000-12-01 2002-06-14 Tokyo Electron Ltd 半導体処理装置における温度測定方法および装置並びに半導体処理方法および装置
JP2002353111A (ja) * 2001-05-25 2002-12-06 Tokyo Electron Ltd 熱処理板の温度制御方法及び熱処理装置
KR100423184B1 (ko) * 2001-05-29 2004-03-16 코닉 시스템 주식회사 급속열처리 장치
KR20020026344A (ko) * 2002-03-21 2002-04-09 정기로 온도 균일성을 향상시키는 회전식 급속열처리 장치
JP2015046428A (ja) * 2013-08-27 2015-03-12 住友電気工業株式会社 冶具および半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019206137A1 (zh) * 2018-04-23 2019-10-31 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 工艺腔、工艺腔的加热控制方法及装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20180144955A1 (en) 2018-05-24
CN107836038B (zh) 2022-04-19
CN107836038A (zh) 2018-03-23
US10600661B2 (en) 2020-03-24
KR101605079B1 (ko) 2016-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2016186302A1 (ko) 급속 열처리 장치
US9948214B2 (en) High temperature electrostatic chuck with real-time heat zone regulating capability
US9706605B2 (en) Substrate support with feedthrough structure
KR20180087411A (ko) 정전 척 기구 및 반도체 처리 장치
US7820118B2 (en) Substrate processing apparatus having covered thermocouple for enhanced temperature control
WO2016056748A1 (ko) 기판 처리용 히터장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치
WO2011052831A1 (ko) 화학기상증착장치의 온도제어방법
JP2016519418A (ja) 効率的な熱サイクリングのためのモジュール式基板ヒータ
WO2023113261A1 (ko) 자기부상 회전 장치 및 이를 이용하는 기판 처리 장치
WO2013048016A2 (ko) 기판지지유닛 및 기판처리장치, 그리고 기판지지유닛을 제조하는 방법
KR20080114554A (ko) 가열 장치 및 이것을 채용한 기판 처리 장치 및 반도체장치의 제조 방법 및 절연체
WO2011136604A2 (ko) 기판 처리 장치
WO2018151376A1 (ko) 막 두께 측정 장치
WO2020226194A1 (ko) 프로브 조립체 및 이를 포함하는 마이크로 진공 프로브 스테이션
WO2019240372A1 (ko) 확장된 검사 영역을 갖는 웨이퍼 센서, 및 이를 이용한 건식 공정 장치
KR102299002B1 (ko) 정전척 테스트 장치
KR101440955B1 (ko) 기판 열처리 장치
KR20200059201A (ko) 기판 가열 유닛
WO2020004708A1 (ko) 피가열부재의 상태를 계측하기 위한 계측장치 및 이의 제어방법
WO2022146060A1 (ko) 레이저 발광 소자를 이용한 기판 열처리 장치
WO2023017908A1 (ko) 기판 처리 장치
WO2010087648A2 (ko) 유도결합형 플라즈마 발생소스 전극 및 이를 포함하는 기판처리 장치
WO2018174508A1 (ko) 반도체 도너 기판, 시스템 및 유기 발광 장치의 제조 방법
WO2022055313A1 (ko) 기판 처리 장치 및 공정 챔버의 누설 감지 방법
US20230066087A1 (en) Quartz susceptor for accurate non-contact temperature measurement

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16796629

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15574812

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16796629

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1