WO2010087648A2 - 유도결합형 플라즈마 발생소스 전극 및 이를 포함하는 기판처리 장치 - Google Patents

유도결합형 플라즈마 발생소스 전극 및 이를 포함하는 기판처리 장치 Download PDF

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    • H05H1/466—Radiofrequency discharges using capacitive coupling means, e.g. electrodes

Definitions

  • the present invention relates to an inductively coupled plasma generating source electrode and a substrate processing apparatus including the same. More specifically, by applying RF signals traveling in different directions to the front and rear surfaces of the substrate to be processed, it is possible to obtain an even plasma density over the entire area and to prevent the attenuation effect of the signal.
  • An inductively coupled plasma generating source electrode and a substrate processing apparatus comprising the same.
  • RF Plasma Processes or " RF Plasma Processing. &Quot;
  • Such a process is used for etching and deposition using plasma in a semiconductor manufacturing technology such as a large scale integrated circuit, and is particularly useful in manufacturing a display device such as a liquid crystal display (LCD). It is becoming.
  • the process using plasma plays an important role.
  • the use of high frequency in such a process is to reduce the process pressure which is closely related to the improvement of integration level and the miniaturization of semiconductor devices.
  • it is generally required to increase the density of the plasma, that is, the density of charged particles in the plasma, in order to improve process speed and increase productivity.
  • improving process speed and lowering process pressure are in conflict with each other.
  • the number of gas particles decreases as the pressure decreases because it reduces the plasma density.
  • These plasma generation methods include a capacitive coupling method and an inductive coupling method. Since the inductively coupled plasma (ICP) generation method is capable of operating at low pressure and generates a high density of plasma, the conventional capacitively coupled plasma method is possible. (CCP: Capacitively Coupled Plasma).
  • ICP generation method generates an electromagnetic field in a discharge gas through an RF power supply supplying a high frequency voltage, and excites the gas to generate and maintain the plasma to generate a plasma on top of a wafer mounted in the chamber. There is an advantage that can be generated and used directly in the reaction.
  • 1 to 6 is a view showing the structure of a conventional substrate processing apparatus for manufacturing a conventional semiconductor.
  • FIG. 1 is a diagram showing the overall configuration of the substrate processing apparatus 100
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing only the configuration of the plasma generating source electrode 120 in the substrate processing apparatus 100 of FIG.
  • FIG. 3 is a view showing the overall configuration of the substrate processing apparatus 200 composed of a plurality of electrodes 220
  • Figure 4 is only the configuration of the plasma generating source electrode 200 in the substrate processing apparatus 200 of FIG. It is a schematic diagram showing.
  • FIG. 5 is a view showing the overall configuration of another substrate processing apparatus 200a composed of a plurality of electrodes 220a
  • FIG. 6 is a view illustrating the plasma generation source electrode 200 in the substrate processing apparatus 200a of FIG. It is a schematic diagram which shows only a structure.
  • the substrate processing apparatus 100 using plasma includes a chamber 110 providing a substrate processing space and a plasma generating inductively coupled plasma (ICP) in the chamber 110.
  • An RF antenna 130 connected to one end of the generation source electrode 120 and the plasma generation source electrode 120 to generate an electromagnetic field according to the high frequency power in the plasma generation source electrode 120 and the other end of the plasma generation source electrode 120.
  • a susceptor 150 for mounting the substrate 160 in the chamber.
  • the substrate processing apparatus 200 may include a plurality of plasma generating source electrodes 220.
  • power attenuation occurs as the length of the electrode 220 increases.
  • the RF antenna 230 generates an electromagnetic field using a high frequency current applied from an RF power source.
  • the length of the electrode 220 is increased, the strength of the electromagnetic field generated by the RF antenna 230 is increased by the RF antenna ( As it moves away from 230).
  • plasma is generated through the electromagnetic field.
  • the intensity of the electromagnetic field is reduced, the density of the naturally generated plasma is also reduced. Therefore, there is a problem that the plasma density is relatively reduced in the region indicated by reference numeral A in FIG. 4, that is, the region far from the RF antenna 230 and close to the ground 240.
  • a substrate processing apparatus 200a including a plasma generating source electrode arranged in the form as shown in FIG. 5 has been developed.
  • the substrate processing apparatus 200a is reversed by alternating positions where the RF antenna 230a and the ground 240a are provided at both ends of the plurality of plasma generating source electrodes 220a. . That is, if the RF antenna 230a is formed at the left end of the specific plasma generation source electrode 220a and the ground 240a is formed at the right end of the specific plasma generation source electrode 220a, the ground 240a is formed at the left end of the adjacent plasma generation source electrode 220a. At the right end, the RF antenna 230a is formed.
  • the plasma generation source electrode 220a even in a region far from the RF antenna 230a, the plasma generation source electrode 220a is located at a close distance from the RF antenna 230a formed at one end of the adjacent plasma generation source electrode 220a. As a result, there is no specific region with a relatively weak electromagnetic field in the transverse direction.
  • the object of the present invention is to solve all the problems of the prior art described above.
  • the present invention is a substrate processing apparatus using an inductively coupled plasma, the RF signal for generating an electromagnetic field is applied to the front and rear of the substrate in the opposite direction, it is possible to obtain a uniform plasma density over the entire area of the substrate To do so for other purposes.
  • the present invention is a substrate processing apparatus using an inductively coupled plasma, the RF signal in the opposite direction is applied to each of the front and rear of the substrate, so that the signal attenuation does not occur in any area for another object do.
  • the RF signal for generating the electromagnetic field is applied in the opposite direction to the front and rear surfaces of the substrate, a uniform plasma density can be obtained over the entire area of the substrate. It has an effect.
  • the RF signal in the opposite direction is applied from the front and rear surfaces of the substrate, there is an effect that the signal attenuation does not occur in any area.
  • FIG 1 and 2 are views showing the structure of a conventional substrate processing apparatus.
  • 3 and 4 are views showing the configuration of a substrate processing apparatus composed of a plurality of conventional electrodes.
  • 5 and 6 are views showing the structure of a substrate processing apparatus composed of still another conventional plurality of electrodes.
  • FIG. 7 to 10 are views showing the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a view schematically illustrating how an RF signal flows in a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating a configuration around an RF antenna connected to a plasma generation source electrode.
  • a plasma generating source electrode for generating an inductively coupled plasma (ICP) for substrate processing comprising: a bent portion having at least one bent point, and the object to be treated is based on the bent portion.
  • a plasma generating source electrode is provided that includes a first electrode portion positioned above the substrate, and a second electrode portion positioned below the substrate with respect to the bent portion.
  • An end of the first electrode part may be connected to an RF antenna that applies an RF signal to generate an electromagnetic field for plasma generation, and an end of the second electrode part may be connected to ground.
  • the bent portion includes two bent points, and the plasma generation source electrode may have a 'c' or inverted 'c' shape with the substrate interposed therebetween.
  • an inductively coupled plasma substrate processing apparatus comprising a plasma generation source electrode for generating an inductively coupled plasma, comprising a bent portion having one or more bent points
  • an inductively coupled plasma substrate processing apparatus including a plasma generation source electrode capable of interposing a substrate of interest.
  • the plasma generation source electrode may include a first electrode part positioned above the substrate with respect to the bent portion, and a second electrode portion positioned below the substrate with respect to the bent portion.
  • An end of the first electrode part may be connected to an RF antenna that applies an RF signal to generate an electromagnetic field for plasma generation, and an end of the second electrode part may be connected to ground.
  • the bent portion includes two bent points, and the plasma generation source electrode may have a 'c' or inverted 'c' shape with the substrate interposed therebetween.
  • FIG. 7 to 10 are views showing the configuration of a substrate processing apparatus 300 according to an embodiment of the present invention.
  • FIGS. 7 and 8 are perspective views illustrating an external configuration of a substrate processing apparatus 300 according to an embodiment of the present invention. More specifically, FIG. 7 is a perspective view illustrating the front and right sides of the substrate processing apparatus 300, and FIG. 8 is a perspective view illustrating the rear and left surfaces of the substrate processing apparatus 300.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating an internal configuration of a substrate processing apparatus 300 according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 illustrates the substrate 10 of the substrate processing apparatus 300 and the first electrode portion 361 and the second electrode portion 363 of the plasma generating source electrode 360. It is a perspective view which shows the arrangement state of the.
  • the material of the substrate 10 processed by the substrate processing apparatus 300 is preferably a glass substrate 10, but is not limited thereto. Therefore, the substrate 10 of various materials such as plastic, polymer, silicon wafer, stainless steel, etc. can be found in the substrate processing apparatus 300 of the present invention.
  • the substrate processing process performed in the substrate processing apparatus 300 includes various materials that are not particularly limited, such as a metal film, an insulating film, a metal alloy film, an oxide film, a nitride film, and a polymer film, on the substrate 10 as described above. It is to be understood that both the process of depositing a film and the process of etching the film deposited on the substrate 10 described above with various patterns of films are not particularly limited.
  • the substrate processing apparatus 300 may include a chamber 310.
  • the chamber 310 may be configured to substantially seal the internal space while the process is performed to provide a space for processing the substrate 10.
  • the chamber 310 preferably has a rectangular parallelepiped shape, but is not necessarily limited thereto.
  • the chamber 310 may include a door 311 for loading and unloading the substrate 10 and a substrate detection sensor for detecting the presence or absence of the substrate 10 in the chamber 310. 312), a lid open hinge 313 functioning to open the lid of the chamber 310, a vacuum gauge 314 for detecting the degree of vacuum inside the chamber 310, and the chamber 310.
  • View port window 315 to visually check the interior of the, a plurality of spare ports 316 to measure the physical state inside the chamber 310, and to block the heat transfer to the outside of the chamber 310
  • It may be configured to include a heat insulating material (317).
  • the chamber 310 may include a means for supplying and discharging the process gas required for processing the substrate 10 into the chamber 310. More specifically, referring to FIGS. 7 to 10, a gas injection unit 321 for injecting a process gas into the chamber 310, a gas distribution unit 322 for distributing the injected process gas, and a chamber 310. A central gas distribution control unit 323 for controlling or regulating the distribution of the process gas at the center of the chamber, and a side gas distribution control unit 324 for controlling or regulating the distribution of the process gas at the side of the chamber 310, and a lower portion of the chamber 310.
  • a pumping unit 325 for pumping the process gas in the chamber 310, a temperature measuring unit 326 for sensing a temperature in the chamber 310 during the process, and a process gas exiting to the pumping unit 325.
  • the pumping baffle 327 for uniformizing the flow of the gas inside the chamber 310 and distinguishing the plasma reaction space from the non-reaction space, and the flow of process gas flowing into the chamber 310. Process gas valve to control (not shown) ) And the like.
  • the type of process gas that may be supplied into the chamber 310 is not particularly limited, and various process gases may be used according to the purpose of performing the plasma process.
  • the arrangement of the components of the chambers 310 is not limited to those illustrated in FIGS. 7 to 10.
  • the pumping baffle 327 for smoothing the gas flow inside the chamber 310 and distinguishing the plasma reaction space from the non-reaction space, the second electrode part 363 and the susceptor (see FIG. 9).
  • the present invention is not limited thereto, and may be disposed between the second electrode part 363 and the heater 330.
  • the substrate processing apparatus 300 may include a heater 330.
  • the heater 330 may be installed inside or outside the chamber 310 to perform a function of supplying heat required for the plasma process to the substrate 10.
  • the heater 330 may be installed at a lower side of the second electrode part 363, and may include a plurality of rod-shaped unit heaters (not shown) in which a heating element is inserted into the quartz tube. Can be.
  • the substrate processing apparatus 300 may include a cooling unit 340.
  • the cooling unit 340 may perform a function of cooling the substrate 10 on which the plasma process is completed.
  • the cooling unit 340 may employ a configuration principle of various known cooling means, including water-cooled and air-cooled.
  • the substrate processing apparatus 300 may include a susceptor 350.
  • the susceptor 350 may function to allow the substrate 10 to be seated and supported thereon during the plasma process.
  • the susceptor 350 may be made of a material having excellent heat resistance such as quartz or ceramic.
  • the substrate processing apparatus 300 includes a plasma generation source electrode 360.
  • the plasma generating source electrode 360 has a function of generating a plasma by an inductively coupled plasma (ICP) generating method, that is, a function of generating and maintaining a plasma by receiving an RF power supplying a high frequency voltage to generate an electromagnetic field. Can be done.
  • ICP inductively coupled plasma
  • Plasma generating source electrode 360 of the present invention is characterized by being bent with the substrate 10 interposed therebetween.
  • the plasma generating source electrode 360 of the present invention may include a first electrode portion 361, a bent portion 362, and a second electrode portion 363. More specifically, the plasma generation source electrode 360 is based on the bent portion 362, the first electrode portion 361 that is located on the upper portion of the substrate 10 and the second portion that is lower than the substrate 10. It may be configured to include an electrode portion 363.
  • the bent portion 362 may have one or more bent points, and preferably have two bent points as shown in FIGS. 8 and 9. In the case of two bending points, as illustrated in FIGS. 8 and 9, the plasma generation source electrode 360 may have a 'c' or inverted 'c' shape. At this time, the substrate 10 may be disposed between the 'c' or inverse 'c' shape.
  • the substrate processing apparatus 300 may include an RF antenna 370 and a ground 380.
  • the RF antenna 370 may perform a function of applying an RF signal to the plasma generation source electrode 360
  • the ground 380 may perform a function of allowing the applied RF signal to flow in the plasma generation source electrode 360. can do.
  • the RF antenna 370 may be connected to the end of the first electrode portion 361 disposed on the upper portion of the substrate 10, and the ground 380 may be connected to the second electrode portion (lower portion of the substrate 10). 363).
  • FIG. 11 is a view schematically illustrating how an RF signal flows in the substrate processing apparatus 300 according to an embodiment of the present invention.
  • an RF signal is applied to the first electrode portion 361 of the plasma generation source electrode 360 positioned on the substrate 10, and the plasma generation positioned on the lower portion of the substrate 10.
  • the RF signal may flow to the second electrode portion 363 of the source electrode 360. That is, after the RF signal applied from the RF antenna 370 is applied on the upper portion of the substrate 10, the RF signal may move along the plasma generation source electrode 360 to exit through the ground 380 under the substrate 10. The plasma may be generated and maintained by this process.
  • the RF signal is weakened in any specific region, thereby reducing the plasma density. It will disappear. That is, in the region close to the ground 380 at the position where the substrate 10 is disposed, the intensity of the electromagnetic field may be reduced. However, since the region is also close to the RF antenna 370, the strength of the electromagnetic field is compensated and the bending portion ( In the region close to 362, the electromagnetic field caused by the first electrode part 361 and the electromagnetic field caused by the second electrode part 363 have a compensating effect. Thus, a uniform plasma density is generated over the entire surface of the substrate 10. You can get it.
  • the transmission of the signal through the first electrode portion 361 and the second electrode portion 363 is a substrate Since the signal is attenuated on (10) different surfaces, the signal attenuation does not appear and the strength of the electromagnetic field can be maintained. That is, the direction of the signal transmitted through the first electrode part 361 and the direction of the signal transmitted through the second electrode part 363 are opposite, but the opposite direction is because the substrate 10 is disposed between the two electrode parts. Attenuation due to signal transmission can be prevented.
  • the application direction of the RF signal for generating the electromagnetic field is made in the opposite direction with the substrate 10 interposed therebetween, so as to cover the entire area.
  • a uniform plasma density can be obtained and signal attenuation can be prevented in any region, and accordingly, the amount of RF power required to obtain a desired plasma density can be reduced, thereby reducing power consumption.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating a configuration around the RF antenna 370 connected to the plasma generation source electrode 360.
  • a tube 471 surrounding the RF antenna 370 is formed outside the RF antenna 370, and an insulating part 472 may be formed on the outer circumferential surface of the tube 471.
  • the insulator 472 is in contact with the chamber 310 of the substrate processing apparatus 300, and may be fixed by a flange 473 and a washer 474 for fixing the RF antenna 370.
  • the tube 471 is in contact with the flange 473 by the RF antenna sealing cap 475 and the RF antenna sealing ferrule 476, thereby being able to be fixed to the substrate processing apparatus 300.
  • the RF antenna sealing cap 475 and the RF antenna sealing ferrule 476 may be made of an insulating material.
  • one or more O-rings 477 may be further provided for sealing between the RF antenna 370, the tube 471 surrounding the chamber, and the chamber 310.

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Abstract

유도결합형 플라즈마 발생소스 전극 및 이를 포함하는 기판처리 장치가 개시된다.　 본 발명에 따르면, 기판처리를 위한 유도결합형 플라즈마(ICP; Inductively Coupled Plasma)를 발생시키는 플라즈마 발생소스 전극(360)으로서, 일 이상의 절곡점을 갖는 절곡부(362), 절곡부(362)를 기준으로 처리의 대상이 되는 기판(10)의 상부에 위치하는 제1 전극부(361), 및 절곡부(362)를 기준으로 기판(10)의 하부에 위치하는 제2 전극부(363)를 포함하는 플라즈마 발생소스 전극(360)이 제공된다. 본 발명에 의하면, 처리 대상이 되는 기판의 전 영역에서 균일한 플라즈마 밀도가 얻어질 수 있고 신호의 감쇄 또한 방지될 수 있다.

Description

유도결합형 플라즈마 발생소스 전극 및 이를 포함하는 기판처리 장치
본 발명은 유도결합형 플라즈마 발생소스 전극 및 이를 포함하는 기판처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 처리 대상이 되는 기판의 전면과 후면에 다른 방향으로 진행하는 RF 신호를 인가해줌으로써, 전 영역에 걸쳐 고른 플라즈마 밀도를 얻을 수 있도록 하고, 신호의 감쇄 효과 또한 방지할 수 있도록 하는 유도결합형 플라즈마 발생소스 전극 및 이를 포함하는 기판처리 장치에 관한 것이다.
고주파의 에너지에 의해 발생된 플라즈마를 이용하는 공정은 "고주파 플라즈마 방법(RF Plasma Processes)" 또는 "고주파 플라즈마 처리(RF Plasma Processing)"라 불린다.　 이러한 공정은 대규모 집적회로와 같은 반도체 제조 기술에 있어서 플라즈마를 이용한 식각 및 증착 등의 기술에 이용되고 있으며, 특히 액정 표시 장치(LCD; Liquid Crystal Display)와 같은 디스플레이 장치의 제조에 있어서 매우 실용적으로 이용되고 있다.　 또한, 최근 반도체 소자의 미세화 및 웨이퍼의 대구경화가 요구됨에 따라 이러한 플라즈마를 이용한 공정은 더욱 중요한 역할을 차지하게 되었다.
이와 같은 공정에서 고주파수가 사용되는 것은 집적 수준의 향상 및 반도체 소자의 미세화와 밀접하게 연관되는 공정 압력을 낮추기 위한 것이다.　 한편, 공정 속도의 향상 및 생산성을 높이기 위해 일반적으로 플라즈마의 밀도, 즉, 플라즈마 내에 하전된 입자의 밀도를 증가시키는 것이 요구된다.　 그러나, 공정 속도를 향상시키는 것과 공정 압력을 낮추는 것은 서로 상반된 관계에 있게 된다.　 기체 입자의 수는 압력이 낮아지면 감소하게 되는데, 이는 플라즈마 밀도를 감소시키기 때문이다.
따라서, 공정 압력을 낮추면서도 충분히 높은 플라즈마 밀도를 유지하기 위해 플라즈마 발생 효율을 향상시키는 것이 매우 중요하게 인식되고 있으며, 이 때문에, 고주파수의 신호가 RF 플라즈마 공정에 채택되고 있다.
이러한 플라즈마 발생 방법에는 용량결합방식과 유도결합방식이 있는데 이중 유도결합식 플라즈마(ICP; Inductively Coupled Plasma) 발생 방법은 낮은 압력에서 동작 가능하고 고밀도의 플라즈마 생성이 가능하기 때문에, 기존의 용량결합식 플라즈마(CCP: Capacitively Coupled Plasma) 발생 방법을 대체하고 있다.
유도결합식 플라즈마(ICP) 발생 방법은 고주파 전압을 공급하는 RF 전원을 통하여 방전 가스 내에 전자기장을 생성하고 이를 통해 가스를 여기시켜 플라즈마를 생성하고 유지하는 방식으로 챔버 내에 장착된 웨이퍼의 상부에 플라즈마를 발생시켜 직접 반응에 사용할 수 있다는 장점이 있다.
도 1내지 도 6은 종래의 반도체 제조를 위한 일반적인 기판처리 장치의 구조를 나타내는 도면이다.
도 1는 기판처리 장치(100)의 전체 구성을 나타내는 도면이고, 도 2는 도 1의 기판처리 장치(100)에서 플라즈마 발생소스 전극(120)의 구성만을 나타내는 개략도이다.
또한, 도 3 은 복수개의 전극(220)으로 구성된 기판처리 장치(200)의 전체 구성을 나타내는 도면이고, 도 4는 도 3의 기판처리 장치(200)에서 플라즈마 발생소스 전극(200)의 구성만을 나타내는 개략도이다.
또한, 도 5는 복수개의 전극(220a)으로 구성된 또 다른 기판처리 장치(200a)의 전체 구성을 나타내는 도면이고, 도 6는 도 5의 기판처리 장치(200a)에서 플라즈마 발생소스 전극(200)의 구성만을 나타내는 개략도이다.
먼저, 도 1 및 도 2에 도시되는 바와 같이, 플라즈마를 이용한 기판처리 장치(100)는 기판처리 공간을 제공하는 챔버(110), 챔버(110) 내에 유도결합형 플라즈마(ICP)를 발생시키는 플라즈마 발생소스 전극(120), 플라즈마 발생소스 전극(120)의 일단에 연결되며 플라즈마 발생소스 전극(120)에 고주파 전력에 따른 전자기장을 발생시키는 RF 안테나(130), 플라즈마 발생소스 전극(120)의 타단에 연결되는 그라운드(140), 챔버 내에서 기판(160)을 안착시키는 서셉터(150) 등을 포함한다.
또한, 도 3 및 도 4에 도시되는 바와 같이, 기판처리 장치(200)에는 복수개의 플라즈마 발생소스 전극(220)이 포함될 수 있는데, 이 경우 전극(220)의 길이가 길어짐에 따라 전력 감쇄가 발생하게 된다.　 즉, RF 안테나(230)는 RF 전원으로부터 인가 받은 고주파 전류를 이용하여 전자기장을 발생시키는데, 전극(220)의 길이가 길어지게 되면, RF 안테나(230)에 의해 발생되는 전자기장의 세기가 RF 안테나(230)로부터 멀어짐에 따라 감소되게 된다.
전술한 바와 같이, 기판처리 장치에서는 전자기장을 통해 플라즈마가 생성되게 되는데, 전자기장의 세기가 감소되게 되면, 자연히 생성되는 플라즈마의 밀도도 감소하게 된다.　 따라서, 도 4에 참조번호 A로 표시된 영역, 즉 RF 안테나(230)와 멀고 그라운드(240)와 가까운 영역에서는 플라즈마 밀도가 상대적으로 감소하게 되는 문제점이 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해서, 도 5에 도시되는 바와 같은 형태로 배치되는 플라즈마 발생소스 전극을 포함하는 기판처리 장치(200a)가 개발되었다.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 기판처리 장치(200a)는 복수개의 플라즈마 발생소스 전극(220a)의 양단에 RF 안테나(230a)와 그라운드(240a)가 구비되는 위치가 번갈아가면서 반대로 되어 있다.　 즉, 특정 플라즈마 발생소스 전극(220a)의 좌측단에는 RF 안테나(230a), 우측단에는 그라운드(240a)가 형성되어 있다면, 인접하는 플라즈마 발생소스 전극(220a)의 좌측단에는 그라운드(240a), 우측단에는 RF 안테나(230a)가 형성되는 구조이다.
이에 따르면, 플라즈마 발생소스 전극(220a)에 있어서, RF 안테나(230a)와 먼 거리에 있는 영역이라 할지라도 인접 플라즈마 발생소스 전극(220a)의 일단에 형성되어 있는 RF 안테나(230a)와는 가까운 거리에 있게 되므로, 횡방향으로는 상대적으로 약한 전자기장을 갖는 특정 영역이 존재하지 않게 된다.
그러나, 인접 플라즈마 발생소스 전극(220a)들을 통해 전달되는 RF 안테나(230a)로부터의 신호 방향은 서로 반대이기 때문에, 플라즈마 발생소스 전극(220a)들 사이에서는 신호의 상쇄가 발생하게 된다.　 즉, 특정 플라즈마 발생소스 전극(220a)에 의해 발생되는 전자기장이 인접 플라즈마 발생소스 전극(220a)에 의해 발생되는 전자기장에 의해 상쇄되게 된다.　 이에 따라, 신호의 상쇄가 일어나는 플라즈마 발생소스 전극(220a) 사이의 영역(도 6에 참조번호 B로 표시된 영역)에서는 플라즈마 밀도가 감소하는 현상이 발생하게 된다.
따라서, 전 영역에 걸쳐 균일한 플라즈마 밀도를 얻을 수 있음과 동시에 신호 상쇄 현상이 방지될 수 있는 유도결합형 플라즈마 발생 기술에 대한 개발이 시급한 실정이다.
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 모두 해결하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 유도결합형 플라즈마를 이용하는 기판처리 장치에 있어서, 전자기장 발생을 위한 RF 신호가 기판의 전면과 후면에 반대 방향으로 인가되도록 함으로써, 기판의 전 영역에 걸쳐서 균일한 플라즈마 밀도를 얻을 수 있도록 하는 것을 다른 목적으로 한다.
한편, 본 발명은 유도결합형 플라즈마를 이용하는 기판처리 장치에 있어서, 반대 방향의 RF 신호가 기판의 전면과 후면에서 각각 인가되도록 함으로써, 어떤 영역에서도 신호의 감쇄가 발생하지 않도록 하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
본 발명에 의하면, 유도결합형 플라즈마를 이용하는 기판처리 장치에 있어서, 전자기장 발생을 위한 RF 신호가 기판의 전면과 후면에 반대 방향으로 인가되기 때문에, 기판의 전 영역에 걸쳐서 균일한 플라즈마 밀도를 얻을 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 유도결합형 플라즈마를 이용하는 기판처리 장치에 있어서, 반대 방향의 RF 신호가 기판의 전면과 후면에서 각각 인가되기 때문에, 어떤 영역에서도 신호의 감쇄가 발생되지 않는 효과가 있다.
도 1 및 도 2는 종래의 기판처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3 및 도 4는 종래의 복수개의 전극으로 구성된 기판처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 5 및 도 6은 종래의 또 다른 복수개의 전극으로 구성된 기판처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 7 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따라 RF 신호가 기판처리 장치 내에서 흐르는 모습을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 12는 플라즈마 발생소스 전극에 연결되는 RF 안테나 주변의 구성을 나타내는 도면이다.
<주요 도면부호에 관한 간단한 설명>
10: 기판
300: 기판처리 장치
310: 챔버
311: 도어
312: 기판 탐지 센서
313: 리드 오픈 힌지
314: 진공 측정 게이지
315: 뷰 포트창
316: 스페어 포트
317: 단열재
321: 가스 주입부
322: 가스 분배부
323: 중앙 가스 분배 제어부
324: 측면 가스 분배 제어부
325: 펌핑부
326: 온도 측정부
327: 펌핑 배플
330: 히터
340: 냉각부
350: 서셉터
360: 플라즈마 발생소스 전극
361: 제1 전극부
362: 절곡부
363: 제2 전극부
370: RF 안테나
371: 튜브
372: 절연부
373: 플랜지
374: 와셔
375: RF 안테나 실링캡
376: RF 안테나 실링 페룰
377: 오-링
380: 그라운드
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 대표적인 구성은 다음과 같다.
본 발명의 일 태양에 따르면, 기판처리를 위한 유도결합형 플라즈마(ICP; Inductively Coupled Plasma)를 발생시키는 플라즈마 발생소스 전극으로서, 일 이상의 절곡점을 갖는 절곡부, 상기 절곡부를 기준으로 처리의 대상이 되는 기판의 상부에 위치하는 제1 전극부, 및 상기 절곡부를 기준으로 상기 기판의 하부에 위치하는 제2 전극부를 포함하는 플라즈마 발생소스 전극이 제공된다.
상기 제1 전극부의 말단은 플라즈마 생성을 위한 전자기장을 발생시키는 RF(Radio Frequency) 신호를 인가하는 RF 안테나와 연결되고, 상기 제2 전극부의 말단은 그라운드와 연결될 수 있다.
상기 절곡부는 2개의 절곡점을 포함하고, 상기 플라즈마 발생소스 전극은 그 사이에 상기 기판이 개재된 상태로 'ㄷ' 자 또는 역 'ㄷ' 자 형태를 띌 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 태양에 따르면, 유도결합형 플라즈마 기판처리 장치로서, 유도결합형 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생소스 전극으로서, 일 이상의 절곡점을 갖는 절곡부를 포함하여, 상기 절곡부에 의해 처리의 대상이 되는 기판을 사이에 개재할 수 있는 플라즈마 발생소스 전극을 포함하는 유도결합형 플라즈마 기판처리 장치가 제공된다.
상기 플라즈마 발생소스 전극은 상기 절곡부를 기준으로 상기 기판의 상부에 위치하는 제1 전극부, 및 상기 절곡부를 기준으로 상기 기판의 하부에 위치하는 제2 전극부를 포함할 수 있다.
상기 제1 전극부의 말단은 플라즈마 생성을 위한 전자기장을 발생시키는 RF(Radio Frequency) 신호를 인가하는 RF 안테나와 연결되고, 상기 제2 전극부의 말단은 그라운드와 연결될 수 있다.
상기 절곡부는 2개의 절곡점을 포함하고, 상기 플라즈마 발생소스 전극은 그 사이에 상기 기판이 개재된 상태로 'ㄷ' 자 또는 역 'ㄷ' 자 형태를 띌 수 있다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다.　 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다.　 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다.　 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다.　 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다.　 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다.　 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
[본 발명의 바람직한 실시예]
도 7 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치(300)의 구성을 나타내는 도면이다.
먼저, 도 7 및 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치(300)의 외부 구성을 나타내는 사시도이다. 보다 구체적으로, 도 7은 기판처리 장치(300)의 정면과 우측면을 나타내는 사시도이며, 도 8은 기판처리 장치(300)의 후면과 좌측면을 나타내는 사시도이다.
다음으로, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치(300)의 내부 구성을 나타내는 단면도이다.
다음으로, 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치(300)의 기판(10), 및 플라즈마 발생소스 전극(360)의 제1 전극부(361)와 제2 전극부(363)의 배치 상태를 나타내는 사시도이다.
먼저, 기판처리 장치(300)에서 처리되는 기판(10)의 재질은 글래스 기판(10)인 것이 바람직하나 이에 한정되지는 아니한다. 따라서, 플라스틱, 폴리머, 실리콘 웨이퍼, 스테인레스 스틸 등 다양한 재질의 기판(10)이 본 발명의 기판처리 장치(300)에서 처리될 수 있음을 밝혀둔다.
또한, 기판처리 장치(300)에서 수행되는 기판처리 과정이란 상술한 바와 같은 기판(10) 상에 금속막, 절연막, 금속 합금막, 산화물막, 질화물막, 폴리머막 등 특별히 제한되지 않는 다양한 소재의 막을 증착하는 과정과, 상술한 기판(10) 상에 증착된 막을 특별하게 제한되지 않는 다양한 패턴의 막으로 식각하는 과정을 모두 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 7 내지 도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치(300)는 챔버(310)를 포함하여 구성될 수 있다. 챔버(310)는 공정이 수행되는 동안 실질적으로 내부 공간이 밀폐되도록 구성되어 기판(10)을 처리하기 위한 공간을 제공하는 기능을 수행할 수 있다. 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 챔버(310)는 직육면체 형상을 가지는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되지는 아니한다.
또한, 도 7 내지 도 10을 참조하면, 챔버(310)는 기판(10)이 로딩 및 언로딩되기 위한 도어(311), 챔버(310) 내의 기판(10) 존재 여부를 탐지하는 기판 탐지 센서(312), 챔버(310)의 리드(lid)가 개방될 수 있도록 기능하는 리드 오픈 힌지(hinge; 313), 챔버(310) 내부의 진공 정도를 탐지하는 진공 측정 게이지(314), 챔버(310)의 내부를 육안으로 확인할 수 있도록 하는 뷰 포트창(315), 챔버(310) 내부의 물리적인 상태를 측정하는 다수개의 스페어 포트(316), 및 챔버(310) 외부로 열이 전달되는 것을 차단하는 단열재(317) 등을 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 챔버(310)는 기판(10)의 처리에 필요한 공정 가스를 챔버(310) 내부에 공급 및 배출하는 수단을 포함하여 구성될 수 있다. 보다 구체적으로, 도 7 내지 도 10을 참조하면, 챔버(310) 내에 공정 가스를 주입하기 위한 가스 주입부(321), 주입된 공정 가스를 분배하기 위한 가스 분배부(322), 챔버(310)의 중앙에서 공정 가스의 분배를 제어 또는 조절하는 중앙 가스 분배 제어부(323), 챔버(310)의 측부에서 공정 가스의 분배를 제어 또는 조절하는 측면 가스 분배 제어부(324), 챔버(310)의 하부에 형성되며 챔버(310) 내의 공정 가스를 펌핑하기 위한 펌핑부(325), 공정 중 챔버(310) 내의 온도를 센싱하기 위한 온도 측정부(326), 펌핑부(325)로 빠져나가는 공정 가스의 흐름을 균일하게 하여 챔버(310) 내부의 가스 흐름을 균일하게 함과 동시에 플라즈마 반응 공간과 비반응 공간이 구분되도록 하는 펌핑 배플(327), 및 챔버(310) 내부로 흘러 들어가는 공정 가스의 흐름을 제어하는 공정 가스 밸브(미도시) 등을 포함하여 구성될 수 있다.
챔버(310) 내부에 공급될 수 있는 공정 가스의 종류는 특별하게 제한되지 아니하며, 플라즈마 공정을 수행하는 목적에 따라 다양한 공정 가스가 이용될 수 있을 것이다.
한편, 도 7 내지 도 10에서 다양한 챔버(310)의 구성요소들의 배치에 대하여 예시적으로 나타내고 있으나, 이러한 챔버(310)의 구성요소들의 배치는 도 7 내지 도 10에 도시된 것으로 한정되지 아니한다. 예를 들면, 챔버(310) 내부의 가스 흐름을 원활하게 함과 동시에 플라즈마 반응 공간과 비반응 공간이 구분되도록 하는 펌핑 배플(327)은, 도 9에서 제2 전극부(363)와 서셉터(350) 사이에 배치된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 전극부(363)와 히터(330) 사이에 배치될 수도 있을 것이다.
다음으로, 도 7 내지 도 10을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 기판처리 장치(300)는 히터(330)를 포함하여 구성될 수 있다. 히터(330)는 챔버(310)의 내부 또는 외부에 설치되어 플라즈마 공정에 필요한 열을 기판(10)에 공급하는 기능을 수행할 수 있다. 이러한 히터(330)는, 도 9에 도시된 바와 같이, 제2 전극부(363)의 하측에 설치될 수 있으며, 석영관 내부에 발열체가 삽입되어 있는 봉형의 단위 히터(미도시) 복수개로 구성될 수 있다.
다음으로, 도 7 내지 도 10을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 기판처리 장치(300)는 냉각부(340)를 포함하여 구성될 수 있다. 냉각부(340)는 플라즈마 공정이 완료된 기판(10)을 냉각하는 기능을 수행할 수 있다. 이를 위하여, 냉각부(340)는 수냉식과 공냉식을 포함한 공지의 여러가지 냉각 수단의 구성 원리를 채용할 수 있다.
다음으로, 도 7 내지 도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치(300)는 서셉터(350)를 포함하여 구성될 수 있다. 서셉터(350)는 플라즈마 공정 동안 기판(10)이 그 위에 안착되어 지지될 수 있도록 하는 기능을 수행할 수 있다. 서셉터(350)는 석영 또는 세라믹과 같은 내열성이 우수한 재질로 구성되는 것이 바람직하다.
다음으로, 도 8 내지 도 10을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 기판처리 장치(300)는 플라즈마 발생소스 전극(360)을 포함하여 구성된다. 플라즈마 발생소스 전극(360)은 유도결합식 플라즈마(ICP) 발생 방법으로 플라즈마가 생성되도록 하는 기능, 즉 고주파 전압을 공급하는 RF 전원을 인가 받아 전자기장이 생성되도록 함으로써 플라즈마가 생성되고 유지되도록 하는 기능을 수행할 수 있다.
본 발명의 플라즈마 발생소스 전극(360)은 기판(10)을 사이에 두고 절곡되어 있는 것을 특징적 구성으로 한다. 이를 위하여, 본 발명의 플라즈마 발생소스 전극(360)은 제1 전극부(361), 절곡부(362) 및 제2 전극부(363)를 포함하여 구성될 수 있다. 보다 구체적으로, 플라즈마 발생소스 전극(360)은 절곡부(362)를 기준으로 하여, 기판(10)의 상부에 존재하는 제1 전극부(361) 및 기판(10)의 하부에 존재하는 제2 전극부(363)를 포함하여 구성될 수 있다. 이러한 절곡부(362)는 일 이상의 절곡점을 가질 수 있으며, 바람직하게는 도 8 및 도 9에 도시되는 바와 같이 두 개의 절곡점을 가질 수 있다.　 절곡점이 두 개인 경우, 도 8 및 도 9에 도시되는 바와 같이, 플라즈마 발생소스 전극(360)은 'ㄷ' 자 또는 역 'ㄷ' 자 형태일 수 있다.　 이 때, 기판(10)은 'ㄷ' 자 또는 역 'ㄷ' 자 형태의 사이에 배치될 수 있을 것이다.
다음으로, 도 7 내지 도 10을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 기판처리 장치(300)는 RF 안테나(370) 및 그라운드(380)를 포함하여 구성될 수 있다. RF 안테나(370)는 RF 신호를 플라즈마 발생소스 전극(360)에 인가하는 기능을 수행할 수 있으며, 그라운드(380)는 인가된 RF 신호가 플라즈마 발생소스 전극(360)에서 흐르도록 하는 기능을 수행할 수 있다. 또한, RF 안테나(370)는 기판(10)의 상부에 위치하는 제1 전극부(361)의 말단과 연결될 수 있으며, 그라운드(380)는 기판(10)의 하부에 위치하는 제2 전극부(363)의 말단과 연결될 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따라 RF 신호가 기판처리 장치(300) 내에서 흐르는 모습을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 11을 참조하면, 기판(10)의 상부에 위치하게 되는 플라즈마 발생소스 전극(360)의 제1 전극부(361)에 RF 신호가 인가되며, 기판(10)의 하부에 위치하게 되는 플라즈마 발생소스 전극(360)의 제2 전극부(363)로 RF 신호가 흘러나갈 수 있다. 즉, RF 안테나(370)로부터 인가되는RF 신호는 기판(10)의 상부에서 인가된 후, 플라즈마 발생소스 전극(360)을 따라 이동하여 기판(10) 하부에서 그라운드(380)를 통해 빠져나갈 수 있으며, 이러한 과정에 의하여 플라즈마가 발생되고 유지될 수 있다.
이에 따르면, 제1 전극부(361)와 제2 전극부(363)에서 흐르는 RF 안테나(370)로부터의 신호의 방향이 반대가 되므로, 어느 특정 영역에서 RF 신호가 약해져 플라즈마 밀도가 감소하는 현상이 사라지게 된다.　 즉, 기판(10)이 배치되는 위치에서 그라운드(380)와 가까운 영역에서는 전자기장의 세기가 작아질 수 있지만, 해당 영역은 RF 안테나(370)와도 가까운 영역이므로 전자기장의 세기가 보상되고, 절곡부(362)와 가까운 영역에서는 제1 전극부(361)에 의한 전자기장과 제2 전극부(363)에 의한 전자기장이 서로 보상 효과를 일으키게 되며, 이에 따라 기판(10)의 전면에 걸쳐서 균일한 플라즈마 밀도를 얻을 수 있다.
또한, RF 안테나(370)로부터 인가되는 신호의 방향이 반대이면 서로 상쇄를 일으킬 수 있으나, 본 발명에 의하면, 제1 전극부(361)와 제2 전극부(363)를 통한 신호의 전달이 기판(10)의 서로 다른 면 상에서 이루어지기 때문에 신호의 감쇄 현상이 나타나지 않게 되어서 전자기장의 세기가 유지될 수 있게 된다.　 즉, 제1 전극부(361)를 통해 전달되는 신호의 방향과 제2 전극부(363)를 통해 전달되는 신호의 방향은 반대이나, 두 전극부 사이에 기판(10)이 배치되기 때문에 반대 방향의 신호 전달에 의한 감쇄 현상을 방지할 수 있다.
요컨대, 본 발명에 의하면, 유도결합형 플라즈마를 이용하는 기판처리 장치(300)에 있어서, 전자기장 발생을 위한 RF 신호의 인가 방향을 기판(10)을 사이에 두고 반대 방향으로 해줌으로써, 전 영역에 걸쳐 균일한 플라즈마 밀도를 얻을 수 있음과 동시에 어떤 영역에서도 신호의 감쇄 현상을 방지할 수 있고, 이에 따라 원하는 플라즈마 밀도를 얻기 위해 필요한 RF 전력의 크기도 작아질 수 있어서 전력 소모도 줄일 수 있다.
한편, 도 12는 플라즈마 발생소스 전극(360)에 연결되는 RF 안테나(370) 주변의 구성을 나타내는 도면이다.
도 12에 도시되는 바와 같이, RF 안테나(370)의 외부에는 RF 안테나(370)를 감싸는 튜브(471)가 형성되어 있으며, 튜브(471)의 외주면에는 절연부(472)가 형성되어 있을 수 있다.　 또한, 절연부(472)는 기판처리 장치(300)의 챔버(310)와 접하게 되는데, RF 안테나(370) 고정을 위한 플랜지(473)와 와셔(washer; 474)에 의해 고정될 수 있다.　 한편, 튜브(471)는 RF 안테나 실링캡(475) 및 RF 안테나 실링 페룰(ferrule; 476)에 의해 플랜지(473)와 접하게 되며, 이로써 기판처리 장치(300)에 고정될 수 있게 된다.　 이러한 RF 안테나 실링캡(475)과 RF 안테나 실링 페룰(476)은 절연 물질로 이루어질 수 있다.　 그리고, RF 안테나(370) 및 이를 감싸고 있는 튜브(471)와 챔버(310) 사이의 실링을 위하여 일 이상의 오-링(O-ring; 477)이 더 구비될 수 있다.
끝으로, 플라즈마 발생소스 전극(360)을 제외한 유도결합형 기판처리 장치(300)의 각 구성 및 유도결합형 기판처리 장치(300)를 이용한 기판처리 과정은 공지의 기술이므로 이에 대한 상세한 내용은 본 명세서에서 생략하기로 한다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명이 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등하게 또는 등가적으로 변형된 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.

Claims (7)

  1. 기판처리를 위한 유도결합형 플라즈마(ICP; Inductively Coupled Plasma)를 발생시키는 플라즈마 발생소스 전극으로서,
    일 이상의 절곡점을 갖는 절곡부,
    상기 절곡부를 기준으로 처리의 대상이 되는 기판의 상부에 위치하는 제1 전극부, 및
    상기 절곡부를 기준으로 상기 기판의 하부에 위치하는 제2 전극부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생소스 전극.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극부의 말단은 플라즈마 생성을 위한 전자기장을 발생시키는 RF(Radio Frequency) 신호를 인가하는 RF 안테나와 연결되고, 상기 제2 전극부의 말단은 그라운드와 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생소스 전극.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 절곡부는 2개의 절곡점을 포함하고,
    상기 플라즈마 발생소스 전극은 그 사이에 상기 기판이 개재된 상태로 'ㄷ' 자 또는 역 'ㄷ' 자 형태를 띄는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생소스 전극.
  4. 유도결합형 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생소스 전극으로서, 일 이상의 절곡점을 갖는 절곡부를 포함하여, 상기 절곡부에 의해 처리의 대상이 되는 기판을 사이에 개재할 수 있는 플라즈마 발생소스 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합형 플라즈마 기판처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생소스 전극은,
    상기 절곡부를 기준으로 상기 기판의 상부에 위치하는 제1 전극부, 및
    상기 절곡부를 기준으로 상기 기판의 하부에 위치하는 제2 전극부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합형 플라즈마 기판처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 전극부의 말단은 플라즈마 생성을 위한 전자기장을 발생시키는 RF(Radio Frequency) 신호를 인가하는 RF 안테나와 연결되고, 상기 제2 전극부의 말단은 그라운드와 연결되는 것을 특징으로 하는 유도결합형 플라즈마 기판처리 장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 절곡부는 2개의 절곡점을 포함하고,
    상기 플라즈마 발생소스 전극은 그 사이에 상기 기판이 개재된 상태로 'ㄷ' 자 또는 역 'ㄷ' 자 형태를 띄는 것을 특징으로 하는 유도결합형 플라즈마 기판처리 장치.
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