CN102978584A - 一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置 - Google Patents
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Abstract
一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于：包括一真空反应腔；一基片架，设于真空反应腔内，用以放置基片；一基片测温模块，设于基片架上，用以测量基片温度；一气体导入模块，与真空反应腔连接并与基片架相对，用以向真空反应腔内输送N2H4、N2和SiH4气体；一加热用催化器，设于真空反应腔内并位于气体导入模块与基片架之间，用以对输送入真空反应腔内的气体进行加热并加快各气体间的反应以形成SiN薄膜；以及一红外热温测仪，用以检测所述加热用催化器的温度。本发明结构简单，投入成本低，可大大降低企业在购买设备中产生的高昂成本。
Description
技术领域：
本发明涉及一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置。
背景技术：
传统的在基片上形成SiN薄膜的装置，主要为磁控溅射镀膜设备，缺陷是设备投入成本高。故有必要提供一种结构简单，投入成本低的用以在基片上形成SiN薄膜的装置，以满足需求。
发明内容：
本发明的目的在于提供一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，结构简单，投入成本低。
一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于：包括
一真空反应腔；
一基片架，设于真空反应腔内，用以放置基片；
一基片测温模块，设于基片架上，用以测量基片温度；
一气体导入模块，与真空反应腔连接并与基片架相对，用以向真空反应腔内输送N2H4、N2和SiH4气体；
一加热用催化器，设于真空反应腔内并位于气体导入模块与基片架之间，用以对输送入真空反应腔内的气体进行加热并加快各气体间的反应以形成SiN薄膜；以及
一红外热温测仪，用以检测所述加热用催化器的温度。
本发明之一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其结构简单，投入成本低，可大大降低企业在购买设备中产生的高昂成本。
本发明可通过如下方案进行改进：
上述所述基片测温模块为一热电偶，其可将检测到的代表基片温度的热电动势信号发送至外接的电气仪表，电气仪表依据该热电动势信号显示基片的温度值。
上述所述气体导入模块为一伸入真空反应腔内的导气管，该导气管的伸入端沿水平方向横向设置且间隔开设有若干气嘴。
上述所述加热用催化器为由Th、W和Mo材料制成的加热线圈，且该加热线圈与所述基片架平行。
上述所述红外热温测仪设于真空反应腔外，所述真空反应腔的侧壁上对应该红外热温测仪的位置处设有一可供红外热温测仪所发出的红外光穿透进入的透明窗口，红外热温测仪所发出的红外光穿透过透明窗口后投射在所述加热用催化器上。
本发明还包括抽气系统，该抽气系统与真空反应腔连接并抽吸反应尾气。
上述所述抽气系统包括与真空反应腔依次气路连接的电磁阀和真空泵。
附图说明：
图1为本发明示意图。
具体实施方式：
如图1所示，一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，包括一真空反应腔1、一基片架、一基片测温模块2、一气体导入模块3、一加热用催化器4、一红外热温测仪5、以及一抽气系统。
所述基片架，设于真空反应腔1内，用以放置基片10。
所述基片测温模块2，设于基片架上，用以测量基片10温度，其为一热电偶，可将检测到的代表基片温度的热电动势信号发送至外接的电气仪表，电气仪表依据该热电动势信号显示基片的温度值。本实施例中，所述基片10的温度在230~380度之间，优选300度。
所述气体导入模块3，与真空反应腔1连接并与基片架相对，为一伸入真空反应腔内的导气管，该导气管的伸入端沿水平方向横向设置且间隔开设有若干气嘴，用以向真空反应腔内输送N2H4、N2和SiH4气体。本实施例中，所述N2H4和N2气体的气压与SiH4气体的气压比在0~10之间，其中，SiH4气体的气压在7~24Pa，SiH4气体的流量在2~10SCCM。
所述加热用催化器4，为由Th、W和Mo材料制成的加热线圈，设于真空反应腔1内并位于气体导入模块3与基片架之间，且与所述基片架平行，用以对输送入真空反应腔内的气体进行加热并加快各气体间的反应最终在本实施例中所述的基片10上气相沉积形成SiN薄膜，其沉积率为100nm/min。本实施例中，加热用催化器的温度在1200~1390度之间。
所述红外热温测仪5，设于真空反应腔1外，所述真空反应腔1的侧壁上对应该红外热温测仪5的位置处设有一可供红外热温测仪5所发出的红外光穿透进入的透明窗口11，红外热温测仪5所发出的红外光穿透过透明窗口11后投射在所述加热用催化器4上，用以检测所述加热用催化器4的温度。
所述抽气系统，与真空反应腔1连接并抽吸反应尾气，包括与真空反应腔1依次气路连接的电磁阀6和真空泵（图中未示出）。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非用来限定本发明实施的范围，凡依本发明专利范围所做的同等变化与修饰，皆落入本发明专利涵盖的范围。
Claims (7)
1.一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于：包括
一真空反应腔；
一基片架，设于真空反应腔内，用以放置基片；
一基片测温模块，设于基片架上，用以测量基片温度；
一气体导入模块，与真空反应腔连接并与基片架相对，用以向真空反应腔内输送N2H4、N2和SiH4气体；
一加热用催化器，设于真空反应腔内并位于气体导入模块与基片架之间，用以对输送入真空反应腔内的气体进行加热并加快各气体间的反应以形成SiN薄膜；以及
一红外热温测仪，用以检测所述加热用催化器的温度。
2.根据权利要求1所述的一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于：所述基片测温模块为一热电偶，其可将检测到的代表基片温度的热电动势信号发送至外接的电气仪表，电气仪表依据该热电动势信号显示基片的温度值。
3.根据权利要求1或2所述的一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于：所述气体导入模块为一伸入真空反应腔内的导气管，该导气管的伸入端沿水平方向横向设置且间隔开设有若干气嘴。
4.根据权利要求3所述的一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于：所述加热用催化器为由Th、W和Mo材料制成的加热线圈，且该加热线圈与所述基片架平行。
5.根据权利要求4所述的一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于：所述红外热温测仪设于真空反应腔外，所述真空反应腔的侧壁上对应该红外热温测仪的位置处设有一可供红外热温测仪所发出的红外光穿透进入的透明窗口，红外热温测仪所发出的红外光穿透过透明窗口后投射在所述加热用催化器上。
6.根据权利要求5所述的一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于：还包括抽气系统，该抽气系统与真空反应腔连接并抽吸反应尾气。
7.根据权利要求6所述的一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于：所述抽气系统包括与真空反应腔依次气路连接的电磁阀和真空泵。
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