CN103728017B - 一种基于纳米银膜的光压传感器的光压检测方法 - Google Patents

一种基于纳米银膜的光压传感器的光压检测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103728017B
CN103728017B CN201410023274.2A CN201410023274A CN103728017B CN 103728017 B CN103728017 B CN 103728017B CN 201410023274 A CN201410023274 A CN 201410023274A CN 103728017 B CN103728017 B CN 103728017B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
optical
optical pressure
optical fiber
nanometer silverskin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201410023274.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103728017A (zh
Inventor
徐峰
徐翠萍
时金辉
冯飞
俞本立
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anhui University
Original Assignee
Anhui University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anhui University filed Critical Anhui University
Priority to CN201410023274.2A priority Critical patent/CN103728017B/zh
Publication of CN103728017A publication Critical patent/CN103728017A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103728017B publication Critical patent/CN103728017B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于纳米银膜的光压传感器及其光压检测方法,其特征是:设置一筒体,在筒体的一端支撑有纳米银膜,在筒体的另一端插入柱状插芯,纳米银膜与柱状插芯之间形成一筒状振动光压腔;柱状插芯中固定有光纤,光纤贯穿所述柱状插芯;光纤的插入端光纤端面为斜面;通过光纤传输检测光和产生待测光压的光信号。本发明体积微型化,光压检测为全光结构,且检测灵敏度高,能适用于多种环境的光压检测。

Description

一种基于纳米银膜的光压传感器的光压检测方法
技术领域
本发明涉及一种光压传感器及其光压检测方法,特别是基于纳米银膜的光压传感器。
背景技术
19世纪,英国物理学家麦克斯韦创立了电磁理论,指出光的本质是电磁波。同时他还预言:光射到物质表面时,将对这一表面施加压力。在1901年,俄国物理学家彼得·尼古拉耶维奇·列别捷夫首次实验测量出光压。
当平行光垂直照射物体时,单位面积所受光压力为P=I(1+R)/c,式中I为单位时间垂直入射到单位面积的光能量,R为表面的能量反射率,c为真空中的光速。在光子概念提出后,也可用光的粒子性来解释光压现象。光子具有动量hν/c,入射到表面后或被吸收或被反射,入射前光子的总动量与入射后的总动量之差等于表面所受冲量。
目前,虽然利用大功率的激光可以在局部产生光压达上亿个大气压强,但如何在普通条件下研究光压一直是科学实验的重要课题,因为这要求至少达到10-6Pa的高真空条件下,而且真空度和摩擦力的影响是关键问题。
公开号CN102252753A发明专利公开了一种基于光压效应的红外光子探测方法,利用悬臂梁谐振结构作为红外光子探测感应元件来探测红外辐射量。但基于光压效应的红外光子探测方法采用微纳加工技术制作谐振结构,导致制作工艺较复杂,成本高,且悬臂梁的光压感应灵敏度不是很高;同时,系统采用电学系统进行测试,易受外界电磁场干扰。此外,基于光压效应的红外光子探测方法是用于探测红外光子,应用范围有限。
发明内容
为解决上述现有技术所存在的不足之处,本发明提供一种适用于光频波段的基于纳米银膜的光压传感器,以期可以提高检测灵敏度,实时检测光压变化,且能适用于多种环境的光压检测。
本发明为解决技术问题采用如下技术方案:
本发明基于纳米银膜的光压传感器,其特点是:设置一筒体,在所述筒体的一端支撑有纳米银膜,在所述筒体的另一端插入柱状插芯,所述纳米银膜与所述柱状插芯之间形成一筒状振动光压腔;所述柱状插芯中固定有光纤,所述光纤贯穿所述柱状插芯;所述光纤位于振动光压腔中的光纤端面为斜面;通过光纤传输检测光和产生待测光压的光信号。
本发明基于纳米银膜的光压传感器,其特点也在于:所述纳米银膜为厚度在100-500nm的平面薄膜。
所述光纤位于振动光压腔中的光纤端面为倾角不小于8°的斜面。
本发明所述光压传感器的光压检测方法,其特点是:
待测光压信号光源的光信号通过光纤输入到振动光压腔并照射在纳米银膜表面产生光压,激发纳米银膜振动;振动检测光源的光信号分成两路;第一路光信号经光纤输入振动光压腔,并通过纳米银膜反射形成反射光;第二路光信号经压电陶瓷调制,形成相位调制光;所述反射光与所述相位调制光通过光纤耦合器耦合形成干涉光,光相位解调仪解调所述干涉光,从而获得所述干涉光的强度和频率,根据所述干涉光的强度和频率与光压的线性关系,计算获得所述待测光压信号光源的光压。
与已有技术相比,本发明的有益效果体现在:
1、本发明基于纳米银膜的光压传感器,采用纳米银膜作为振动感应膜片进行对光压信号的直接拾取,其感应灵敏度高,同时可以实现微型化的振动光压腔;
2、本发明基于纳米银膜的光压传感器,采用光纤输入/输出光信号,光路简单可靠,感应器体积小;
3、本发明基于纳米银膜的光压传感器,采用全光微振动检测技术,其检测灵敏度更高。附图说明
图1为本发明光压传感器的结构示意图;
图2为本发明光压传感器的检测装置示意图;
图中标号:1振动检测光源,2a第一光纤耦合器,2b第二光纤耦合器,2c第三光纤耦合器,3光纤,4压电陶瓷,5电信号数据线,6光相位解调仪,7光纤环形器,8待测光压信号光源,9光压传感器,10柱状插芯,11筒体,12振动光压腔,13纳米银膜,14光纤端面。 
具体实施方式
本实施例基于纳米银膜的光压传感器实施步骤如下:
如图1所示,本实施例基于纳米银膜的光压传感器的结构为:设置一筒体11,在筒体11的一端支撑有纳米银膜13,在筒体11的另一端插入柱状插芯10,纳米银膜13与柱状插芯10之间形成一筒状振动光压腔12;柱状插芯10中固定有光纤3,光纤贯穿柱状插芯;光纤3位于振动光压腔12中的光纤端面14为斜面;通过光纤3传输检测光和产生待测光压的光信号。
纳米银膜13为平面薄膜,膜厚为100-500nm。薄膜厚度会影响薄膜对压力响应的灵敏度,当薄膜厚度小于100nm时,薄膜难以制备,薄膜光反射率降低,且影响薄膜寿命。薄膜厚度在100-500nm时,薄膜容易实现制作,且具有高压力灵敏度,如厚度为150nm金属银平面薄,具有8.3弧度/Pa的相位灵敏度。
光纤3位于振动光压腔12中的光纤端面14为倾角不小于8°的斜面。当振动检测光源1 的检测光和待测光压信号光源8的光信号通过光纤3导入时,如果光纤端面14为平面,则会在端面处形成菲涅尔反射,反射光将会对光压信号解调带来干扰,影响系统检测灵敏度。当光纤端面14为倾角大于8°的斜面时,光纤端面14的菲涅尔反射光将不会在光纤中传输。
具体实施中,本实施例的光压传感器按如下步骤进行制备:
1、制备纳米银膜:先配置100ml银氨溶液,并将其以体积比2:1的比例,与浓度为7.5g/L的葡萄糖溶液混合,将混合溶液放置于玻璃培养皿内,待反应完成后,培养皿内壁将生长成厚度为150nm左右的纳米银膜。
2、将纳米银膜支撑在筒体一端:选用圆筒状氧化锆陶瓷套筒作为筒体,利用质量浓度为30%的盐酸溶液将该纳米银膜剥离,将此纳米银膜贴放于圆筒状氧化锆陶瓷套筒的一端,放入高低温箱内,70℃下烘30分钟,使纳米银膜支撑在筒体一端;
3、采用陶瓷插芯作为柱状插芯10,在柱状插芯10的中心用固化胶粘结光纤3,并将光纤3位于振动光压腔12一侧的端面与陶瓷插芯端面一起研磨成8°的斜面。将柱状插芯10插入圆筒状氧化锆陶瓷套筒,将一定功率红外激光导入,通过反射回的激光功率来检测柱状插芯插入的距离,用高精度微位移平台控制柱状插芯的位置,实现光纤3端面与纳米银膜间距为300μm。此时,光纤3接受到的反射光最强。光纤3应贯穿柱状插芯10,以满足光可以传输到纳米银膜。
如图2所示,利用本实施例的光压传感器按如下方式测试光压:
待测光压信号光源8的光信号通过光纤3输入到振动光压腔12并照射在纳米银膜13表面产生光压,激发纳米银膜振动;振动检测光源1的光信号分成两路;第一路光信号经光纤输入振动光压腔12,并通过纳米银膜反射形成反射光;第二路光信号经压电陶瓷4调制,形成相位调制光;反射光与相位调制光通过光纤耦合器耦合形成干涉光,光相位解调仪6解调干涉光,从而获得干涉光的强度和频率,根据干涉光的强度和频率与光压的线性关系,计算获得待测光压信号光源8的光压。
具体实施中,振动检测光源1的光信号经过第一光纤耦合器2a分成两路,第一光纤耦合器2a为95:5分光比的保偏光纤耦合器,分光比中95为第一路光信号,5为第二路光信号;第一路光信号经光纤环形器7与待测光压信号光源8的光信号通过第二光纤耦合器2b经光纤3进入振动光压腔12,并通过纳米银膜13反射形成反射光,第二光纤耦合器2b为50:50分光比的保偏光纤耦合器;通过光纤环形器7控制第一路光信号与其反射光的传输方向;第二路光信号经压电陶瓷4调制,形成相位调制光,光相位解调仪6通过电信号数据线5控制压电陶瓷4,第二路光信号的调制频率由光相位解调仪6控制;反射光与相位调制光通过第三光纤耦合器2c耦合形成干涉光,光相位解调仪6解调干涉光,第三光纤耦合器2c为50:50 分光比的保偏光纤耦合器。
振动检测光源1采用窄线宽光纤激光器,激光波长为1541.18nm,线宽为200kHz,光功率为16mW。
干涉光的强度和频率与光压改变量线性关系:
y=a·x+b①
P 0 = y · 10 - 6 · ( 1 + R ) S · c    ②
其中,x为干涉光的强度,单位mV,y为光功率改变量,单位μW,a、b代表y与x的对应关系,a、b是由检测系统光路、光相位解调仪及纳米银膜感应灵敏度共同决定,本检测系统a=1.19、b=-5.64;P0为光压改变量,单体Pa,R为纳米银膜的反射率,R是由纳米银膜本身材质及表面形貌共同决定,本检测系统所采用纳米银膜R=90%,c为真空中的光速,S为待测光压信号光源8的光信号垂直照射在纳米银膜表面的面积,本检测系统S=7.85×10-11m2
光压改变量与光压的线性关系:
P 1 = P 0 A    ③
其中,P1为光压值,A为光功率改变比例,本检测系统A=0.1。
干涉光的频率与光压的频率相同,本方法即可以测试恒定不变的光压,也可以测定变化光压。

Claims (3)

1.一种基于纳米银膜的光压传感器的光压检测方法,其特征是:
所述基于纳米银膜的光压传感器的结构为:设置一筒体(11),在所述筒体(11)的一端支撑有纳米银膜(13),在所述筒体(11)的另一端插入柱状插芯(10),所述纳米银膜(13)与所述柱状插芯(10)之间形成一筒状振动光压腔(12);所述柱状插芯(10)中固定有光纤(3),所述光纤(3)贯穿所述柱状插芯(10);所述光纤(3)位于振动光压腔(12)中的光纤端面(14)为斜面;通过光纤(3)传输检测光和产生待测光压的光信号;
所述基于纳米银膜的光压传感器的光压检测方法是:待测光压信号光源(8)的光信号通过光纤(3)输入到振动光压腔并照射在纳米银膜(13)表面产生光压,激发纳米银膜振动;振动检测光源(1)的光信号分成两路;第一路光信号经光纤输入振动光压腔(12),并通过纳米银膜(13)反射形成反射光;第二路光信号经压电陶瓷(4)调制,形成相位调制光;所述反射光与所述相位调制光通过光纤耦合器耦合形成干涉光,光相位解调仪(6)解调所述干涉光,从而获得所述干涉光的强度和频率,根据所述干涉光的强度和频率与光压的线性关系,计算获得所述待测光压信号光源(8)的光压。
2.根据权利要求1所述的基于纳米银膜的光压传感器的光压检测方法,其特征是:所述纳米银膜(13)为厚度在100-500nm的平面薄膜。
3.根据权利要求1所述的基于纳米银膜的光压传感器的光压检测方法,其特征是:所述光纤(3)位于振动光压腔(12)中的光纤端面(14)为倾角不小于8°的斜面。
CN201410023274.2A 2014-01-17 2014-01-17 一种基于纳米银膜的光压传感器的光压检测方法 Expired - Fee Related CN103728017B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410023274.2A CN103728017B (zh) 2014-01-17 2014-01-17 一种基于纳米银膜的光压传感器的光压检测方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410023274.2A CN103728017B (zh) 2014-01-17 2014-01-17 一种基于纳米银膜的光压传感器的光压检测方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103728017A CN103728017A (zh) 2014-04-16
CN103728017B true CN103728017B (zh) 2015-08-05

Family

ID=50452192

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410023274.2A Expired - Fee Related CN103728017B (zh) 2014-01-17 2014-01-17 一种基于纳米银膜的光压传感器的光压检测方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103728017B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105527020B (zh) * 2015-11-19 2018-07-31 佛山科学技术学院 一种基于光纤光路的光压演示及测量系统
CN105571770B (zh) 2016-01-19 2018-04-06 西北工业大学 一种基于重力的光压标定装置及标定方法
CN108801598A (zh) * 2018-06-27 2018-11-13 电子科技大学 基于染料光学敏化特性的光功率微波测试装置及方法
CN111289460B (zh) * 2020-03-16 2023-04-25 潍坊歌尔微电子有限公司 气体浓度检测设备及其检测方法、控制装置和存储介质
CN115219024B (zh) * 2022-07-18 2023-06-20 济南大学 一种基于光纤盘式差分测量原理的光压测定装置和方法
CN115219023B (zh) * 2022-07-18 2023-05-30 济南大学 一种基于双芯光纤干涉仪的摆式光压测定装置和方法
CN115235622B (zh) * 2022-07-18 2023-06-02 济南大学 一种基于双芯光纤的摆式光压测定装置和方法
CN115219025B (zh) * 2022-07-18 2023-06-02 济南大学 基于双芯光纤制成的光压测定装置和方法
CN117969456B (zh) * 2024-03-26 2024-05-28 广东海洋大学 补偿温度干扰的光纤盐度传感器及其制备和温度补偿方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102252753A (zh) * 2011-04-18 2011-11-23 中国科学院半导体研究所 基于光压效应的红外光子探测方法
CN103063574A (zh) * 2012-12-21 2013-04-24 安徽大学 一种膜片式微型光声池及其应用

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8040517B1 (en) * 2010-04-30 2011-10-18 General Electric Company Arc flash detection system and method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102252753A (zh) * 2011-04-18 2011-11-23 中国科学院半导体研究所 基于光压效应的红外光子探测方法
CN103063574A (zh) * 2012-12-21 2013-04-24 安徽大学 一种膜片式微型光声池及其应用

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
High-sensitivity fiber-tip pressure sensor with graphene diaphragm;Jun Ma et al;《OPTICS LETTERS》;20120701;第37卷(第13期);第2493-2495页 *
基于银薄膜的微型光纤压力传感器的研究;石晓龙;《中国优秀硕士学位论文全文数据库 信息科技辑》;20120415(第4期);第38-40页,图3.10 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN103728017A (zh) 2014-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103728017B (zh) 一种基于纳米银膜的光压传感器的光压检测方法
CN104215610B (zh) 基于等离子谐振腔的光纤表面等离子体传感器
CN105424605B (zh) 基于低相干光纤微分干涉非接触测振的光声光谱测量装置及方法
CN106124029B (zh) 基于微纳光纤全光相位调制器的光纤水听器系统
CN105954231B (zh) 一种基于模式耦合机理的孔助双芯光纤传感器
CN104950162A (zh) 基于环形腔衰荡光谱技术和磁流体的光纤电流传感器
CN103792201A (zh) 一种检测多组分气体的光压传感器及其检测方法
CN203704884U (zh) 一种基于偏振测定的内嵌式光纤扭曲传感器
CN107843291A (zh) 一种光纤温度压力复合传感器
CN108845387A (zh) 一种能同时测量海水温度盐度压力的楔型微孔光纤光栅
CN109709499B (zh) 一种基于光纤光栅的探针式矢量磁场传感器及其制作方法
CN110927113A (zh) 一种纤维集成氢气传感器及其制作方法
CN110954239A (zh) 一种基于双芯单孔光纤的温度传感器
CN109141491A (zh) 压力型光纤微变传感器
CN105371781B (zh) 一种三维形状测量方法
CN114486019B (zh) 一种消除第三腔干扰的光纤法珀压力传感器及mems制造方法
CN110044441A (zh) 一种多齿型结构的塑料光纤液位传感器及其制备方法
CN103234590B (zh) 一种油田井下光纤流量传感器
CN205482803U (zh) 一种基于空芯光纤与腔衰荡结构的光纤位移检测系统
CN104964762B (zh) 一种光栅结构的铌酸锂-金-铌酸锂表面等离子激元温度传感装置
CN111443429B (zh) 一种薄膜式光纤起偏器件
CN110887515A (zh) 一种基于光纤内平行反射镜的并联式法布里-珀罗干涉仪
CN110160625A (zh) 一种低频声波传感器
CN206146827U (zh) 一种镀钯光纤氢气传感器
CN204269222U (zh) 一种实现准分布式振动传感的装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150805

Termination date: 20160117

EXPY Termination of patent right or utility model