WO2016178463A1 - 유기광전자소자용 도펀트, 유기광전자소자 및 표시장치 - Google Patents

유기광전자소자용 도펀트, 유기광전자소자 및 표시장치 Download PDF

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    • H10K2101/90—Multiple hosts in the emissive layer

Definitions

  • An organic optoelectronic device dopant an organic optoelectronic device and a display device.
  • An organic optoelectric diode is a device capable of converting electrical energy and light energy.
  • Organic optoelectronic devices can be divided into two types according to the principle of operation.
  • One is an optoelectronic device in which an exciton formed by light energy is separated into electrons and holes, and the electrons and holes are transferred to other electrodes, respectively, to generate electrical energy.
  • It is a light emitting device that generates light energy from electrical energy.
  • Examples of the organic optoelectronic device may be an organic photoelectric device, an organic light emitting device, an organic solar cell and an organic photo conductor drum.
  • organic light emitting element organic light emitting diode,. OLED
  • OLED organic light emitting diode
  • An organic light emitting device converts electrical energy into light by applying a current to an organic light emitting material, and has an organic layer interposed between an anode and a cathode.
  • the performance of the organic light emitting device is greatly influenced by the characteristics of the organic layer, and among them, is affected by the organic material included in the organic layer.
  • high-efficiency light emitting materials are required for the development of large-scale organic light emitting devices, and thus phosphorescent dopants are frequently used.
  • Phosphorescent dopants are not suitable for the use of complexes that include metals or heavy metals such as iridium, platinum, copper or beryllium.
  • a dopant for an organic optoelectronic device which can replace a complex including metal or heavy metal and has high wavelength selectivity and efficiency is provided. It provides an organic optoelectronic device comprising the dopant. According to another exemplary embodiment, a display device including the organic optoelectronic device is provided.
  • a dopant for an organic optoelectronic device represented by Chemical Formula 1 is provided.
  • W 1 and W 2 are each independently a cyano group; Nitro group; Amide group; Sulfonyl group; Phosphine groups; phosphoryl groups; halogen; C1 to C10 alkyl group substituted with cyano group, nitro group, amide group, sulfonyl group, phosphine group, phosphoryl group or halogen; C6 to C30 aryl groups substituted with cyano, nitro, amide, sulfonyl, phosphine, phosphoryl or halogen; C3 to C30 heterocyclic group substituted with a cyano group, nitro group, amide group, sulfonyl group, phosphine group, phosphoryl group or halogen; Or a combination thereof,
  • D 1 and D 2 are each independently a group represented by the following formula (2),
  • R 1 and R 2 are each independently a cyano group; Nitro group; Amide group; Sulfonyl group;
  • a, b, c and d are integers satisfying 0 ⁇ a + b ⁇ 4 and 0 ⁇ c + d ⁇ 2, provided that a + b and c + d are not 0 at the same time, [Formula 2]
  • X 1 to X 8 are each independently N or CR a ,
  • L 1 is N, B, C, CR b or SiR c ,
  • M 1 is a single bond, CR d R e , SiR f R g , NR h , 0 or S,
  • R a is hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, or A substituted or unsubstituted C3 to C30 heterocyclic group,
  • R b to R h are each independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted Substituted C3 to C30 heterocyclic group, substituted or unsubstituted amine group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, substituted or unsubstituted C1 to C30 carbonyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 carbonylamino group, substituted Or an unsubstituted C 1 to C30 sulfamoylamino group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, a substituted or unsubstitute
  • a display device including the organic optoelectronic device is provided.
  • the present invention provides a dopant for an organic optoelectronic device which can replace a complex compound including a metal or a heavy metal and has high wavelength selectivity and efficiency.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode according to an embodiment
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting device according to another embodiment.
  • At least one hydrogen of a substituent or compound is deuterium, a halogen group, a hydroxy group, an amino group, a C 1 to C30 amine group, a nitro group, a C1 to C40 silyl group, C1 to C30 alkyl group, C1 to C10 alkylsilyl group, C6 to C30 aryl group, C2 to C30 heterocyclic group, C 1 to C20 alkoxy group,
  • substituted halogen group hydroxy group, amino group, C 1 to C20 amine group, nitro group, C3 to C40 silyl group, C1 to C30 alkyl group, C1 to C 10 alkylsilyl group, C6 to C30 aryl group, C3 to C30 hetero Cyclic group, C 1 to C20 alkoxy group,
  • Two adjacent substituents among C 1 to C 10 triplefluoroalkyl groups or cyano groups such as a trifluoromethyl group may be fused to form a ring.
  • the substituted C6 to C30 aryl group may be fused to another adjacent substituted C6 to C30 aryl group to form a substituted or unsubstituted ' fluorene ring.
  • hetero means that at least one hetero atom in one functional group is contained and the remainder is carbon.
  • the hetero atom may be selected from N, 0, S, P and Si.
  • aryl group refers to a group having one or more hydrocarbon aromatic moieties, and broadly hydrocarbon aromatic moieties are connected in a single bond. Also included are non-aromatic fused rings in which the form and hydrocarbon aromatic moieties are fused directly or indirectly.
  • Aryl groups include monocyclic, polycyclic or fused polycyclic (ie, rings that divide adjacent pairs of carbon atoms) functional groups.
  • a “heterocyclic group” is a concept including a heteroaryl group, in addition to carbon (C) in a ring compound such as an aryl group, a cycloalkyl group, a fused ring thereof, or a combination thereof. It means that it contains at least one hetero atom selected from N, 0, S, P and Si. In the case where the heterocyclic group is a fused ring, the heterocyclic group may include one or more heteroatoms for all or each ring.
  • a substituted or unsubstituted aryl group and / or a substituted or unsubstituted heterocyclic group is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted anthracenyl group, substituted or Unsubstituted phenanthryl group, substituted or unsubstituted naphthacenyl group, substituted or unsubstituted pyrenyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted terphenyl group, substituted or unsubstituted quarterphenyl group, substituted or Unsubstituted chrysenyl group, substituted or unsubstituted triphenylenyl group, substituted or unsubstituted perenyl group, substituted or unsubstituted indenyl group, substitute
  • the heterocyclic group or heteroaryl group may be a pyridyl group, carbazolyl group or pyridoindole group.
  • a substituted or unsubstituted arylene group or a substituted or unsubstituted heteroarylene group or a substituted or unsubstituted divalent heterocyclic group is a substituted or unsubstituted aryl group or a substituted or unsubstituted heterocyclic group as defined above.
  • linking groups for example, a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted naphthalene group, a substituted or unsubstituted anthracenylene group, a substituted or unsubstituted phenanthrylene group, a substitution Or an unsubstituted naphthaceneylene group, a substituted or unsubstituted pyrenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, a substituted or unsubstituted terphenylene group, a substituted or unsubstituted quarterphenylene group, a substituted or unsubstituted CREE Senylene group, substituted or unsubstituted triphenylenylene group, substituted or unsubstituted perenylene group, substituted or unsubstituted indenylene group, substituted or non A substituted furanylene group, a
  • Oxadiazolylene group substituted or unsubstituted thiadiazolylene group, substituted or unsubstituted pyridinylene group, substituted or unsubstituted pyrimidinylene group, substituted or unsubstituted
  • Benzofuranylene group substituted or unsubstituted benzothiophenylene group, substituted or unsubstituted benzimidazolylene group, substituted or unsubstituted indolylene group, substituted or unsubstituted quinolinylene group, substituted or unsubstituted Isoquinolinylene group, substituted or unsubstituted quinazolinylene group, substituted or unsubstituted quinoxalinylene group, substituted or unsubstituted naphthyridinylene group, substituted or unsubstituted benzoxazinylene group, substituted or unsubstituted A substituted benzthiazinylene group, a substituted or unsubstituted acridinylene group, a substituted or unsubstituted phenazineylene group, a substituted or unsubstituted phenthiazineylene group, a substituted or unsubstit
  • a substituted or unsubstituted arylene group or a substituted or unsubstituted heteroarylene group or a substituted or unsubstituted divalent heterocyclic group is a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenyl It may be any one or a combination of a ethylene group, a substituted or unsubstituted terphenylene group, a substituted or unsubstituted quarterphenylene group, a substituted or unsubstituted naphthalene group, a substituted or unsubstituted pyrimidineene group.
  • the hole characteristic refers to a characteristic capable of forming holes by donating electrons when an electric field is applied, and injecting holes formed at the anode into the light emitting layer having conductive properties along the HOMO level and emitting layer. It refers to a property that facilitates the movement of the hole formed in the anode and movement in the light emitting layer.
  • the electron characteristic refers to a characteristic that can receive electrons when an electric field is applied, and has conductivity characteristics along the LUMO level, injecting electrons formed in the cathode into the light emitting charge, moving electrons formed in the light emitting layer to the cathode, and It means a property that facilitates movement.
  • a dopant is doped in a host
  • a self-luminous material that receives energy or carriers from a host and emits light in a specific wavelength range, which is different from a host that is a source of energy or carriers.
  • Dopant for an organic optoelectronic device according to an embodiment is represented by the formula (1). [Formula 1]
  • W 1 and W 2 are each independently an electron withdrawing group, such as a cyano group; Nitro group; Amide group; Sulfonyl group; Phosphine groups; Phosphoryl group; halogen; A C 1 to C 10 alkyl group substituted with a cyano group, nitro group, amide group, sulfonyl group, phosphine group, phosphoryl group or halogen; C6 to C30 aryl groups substituted with a cyano group, nitro group, amide group, sulfonyl group, phosphine group, phosphoryl group or halogen; Cyano, Nitro, C3 to C30 heterocyclic group substituted with an amide group, sulfonyl group, phosphine group, phosphoryl group or halogen; Or a combination thereof,
  • D 1 and D 2 are electron donating groups, for example, each independently a group represented by the following Chemical Formula 2,
  • R 1 and R 2 are electron acceptor groups or electron donor groups, for example, each independently a cyano group; Nitro group; Amide group; Sulfonyl group; Phosphine groups; Phosphoryl group; halogen; C1 to C10 alkyl group substituted with cyano group nitro group, amide group, sulfonyl group, phosphine group, phosphoryl group or halogen; C6 to C30 aryl groups substituted with a cyano group, nitro group, amide group, sulfonyl group, phosphine group, phosphoryl group or halogen; C3 to C30 substituted with cyano, nitro, amide, sulfonyl, phosphine, phosphoryl or halogen
  • a, b, c and d are integers satisfying 0 ⁇ a + b ⁇ 4 and 03 ⁇ 4 + 2, provided that a + b and c + d are not 0 at the same time,
  • X 1 to X 8 are each independently N or CR a ,
  • L 1 is N, B, C, CR b or SiR c ,
  • M 1 is a single bond, CR d R e , SiR f R g , NR h , 0 or S,
  • R a is hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, or A substituted or unsubstituted C3 to C30 heterocyclic group,
  • R b to R h are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, and a substitution.
  • W 1 and W 2 are each independently an electron acceptor, such as a cyano group; Nitro group; Amide group; Halogen group; May be a cyano group, a nitro group or a C 1 to C5 alkyl group substituted with a halogen,
  • D 1 and D 2 may be a group represented by the following formula (2), each independently an electron donating group,
  • R 1 and R 2 are electron acceptor groups or electron donor groups, for example, each independently a cyano group; Nitro group; halogen; A C1 to C5 alkyl group substituted with a cyano group, a nitro group or a halogen; or a group represented by the following Chemical Formula 2,
  • a, b, c, and d may be integers satisfying 0 ⁇ a + b ⁇ 4 and. ⁇ +, provided that a + b and c + d may not be 0 at the same time,
  • X 1 to X 8 may be each independently N or CR a ,
  • L 1 may be N
  • M 1 may be a single bond, CR d R e , SiR f R g , NR h , 0 or S,
  • R a is hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 1 to C10 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl C3 to C30 or a substituted or unsubstituted group
  • R b to R h are each independently hydrogen, hydrogen, substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, substituted or unsubstituted C 3 to C 30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group, substituted or Unsubstituted C3 to C30 heterocyclic group, substituted or Unsubstituted amine group, substituted or unsubstituted C 1 to C30 ⁇ cock group, substituted or unsubstituted C 1 to C30 carbonyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 carbonylamino group, substituted or unsubstituted C1 to C30 Sulfamoylamino groups, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl groups, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl groups, substituted or unsubstituted silyl groups, substituted or unsubstitute
  • Acylamino group substituted or unsubstituted C 1 to C30 sulfonyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylthiol group, substituted or unsubstituted C 1 to C30 heterocyclothiol group, substituted or unsubstituted C 1 to C30 Urea group, halogen, cyano group, hydroxyl group, amino group, nitro group, carboxyl group or a combination thereof.
  • the dopant represented by Chemical Formula 1 has a structure in which an electron donor group and an electron acceptor group are substituted in a biphenyl core to facilitate HOMO-LUMO separation and energy between singlet energy and triplet energy.
  • the gap can be effectively reduced. This may facilitate reverse intersystem crossing (RIC) from the triplet excited state (T1) to the singlet excited state (S1), so that the work from the triplet excited state with the fluorescence of the singlet excited state (S1) Fluorescence efficiency can be improved by utilizing fluorescence that has undergone reverse interphase transfer in a singlet excited state.
  • RIC reverse intersystem crossing
  • the dopant represented by Chemical Formula 1 introduces a substituent (R ', R 2 ) at position 2 of the biphenyl core, and the number of electron donating groups ( ⁇ ', ⁇ ) 2 ) and electron acceptors (W ⁇ W 2 ).
  • steric hindrance By appropriately controlling the appropriate level of steric hindrance (steric hindrance) can be adjusted to an appropriate level of intermolecular hindrance, thereby effectively reducing the full width at half maximum (FWHM).
  • the half width is a width of a wavelength corresponding to a half of the maximum light emission point, and when the half width is small, it means that light in a narrow wavelength region can be selectively emitted, so that the wavelength selectivity is high and the color purity is high.
  • two phenyl groups are about 30 to about
  • the dopant represented by Chemical Formula 1 may be a fluorescent dopant having a maximum emission wavelength at about 380 to 580 nm.
  • the dopant represented by Chemical Formula 1 may have an energy bandgap of about 2.5 to 3.5 eV.
  • the dopant represented by Chemical Formula 1 may have an energy gap (IS '-T 1 ! Of singlet energy and triplet energy of about 0.2 eV or less.
  • the dopant represented by the expansion equation 1 may have an energy gap between singlet energy and triplet energy of about 0.01 to 0.20 eV.
  • the dopant represented by Chemical Formula 1 may exhibit an emission spectrum having a half width of about 100 nm or less in a thin film state and may exhibit an emission spectrum having a half width of about 80 nm or less within the range.
  • the thin film state is, for example, the thin film of Cary 5000 UV spectroscopy (manufactured by Varian Co., Ltd.) in a device having a thickness of 50 nm to 100 nm prepared by thermal evaporation at a rate of 0.5-1.0 A / s under high vacuum ( ⁇ l (T 7 Torr). ) May be based on irradiation with ultraviolet-visible light (UV-Vis), or where the thin film state may be measured by co-depositing the host and dopant or by dispersing it in polystyrene.
  • UV-Vis ultraviolet-visible light
  • the dopant represented by Chemical Formula 1 may exhibit an emission spectrum having a half width of about 30 nm to 100 nm in a thin film state, and may exhibit an emission spectrum having a half width of about 30 nm to 80 nm within the range.
  • the dopant represented by Chemical Formula 1 may be used as a highly efficient high-purity fluorescent dopant that can replace the phosphorescent dopant including a heavy metal such as iridium, platinum or copper.
  • the substituent at position 2 of the biphenyl core may each independently be an electron donor group or an electron acceptor group, for example, in Formula 1, R 1 may be the same as W 1 or D 1 and R 2 May be the same as W 2 or D 2 .
  • the dopant represented by Chemical Formula 1 may be, for example, represented by any one of the following Chemical Formulas 1-1 to 1-IV.
  • W 1 , W 2 , i, D 2 , a, b, c and d are as described above.
  • a-1 indicates an integer less than the integer a
  • b-1 indicates an integer less than the integer b
  • c-1 indicates an integer less than the integer c
  • d -1 indicates an integer less than one integer d.
  • the total number of D 1 and D 2 may be 3 to 5, and the total number of W 1 and W 2 may be 1 to 3.
  • the total number of D 1 and D 2 may be four, and the total number of W 1 and W 2 may be two. .
  • D 1 and W 1 may be bonded to an ortho position
  • D 2 and W 2 may be bonded to an ortho position
  • two D 1 may be coupled to the ortho position
  • two D 2 may be coupled to the ortho position.
  • W 1 and W 2 are each independently a cyano group; halogen; C1 to C10 alkyl group substituted with a cyano group or halogen; C6 to C30 aryl group substituted with a cyano group or halogen; Or a C3 to C30 heterocyclic group substituted with a cyano group or a halogen.
  • the halogen may for example be fluorine.
  • W 1 and W 2 are each independently a cyano group, a halogen, a methyl group substituted with a cyano group, a methyl group substituted with a halogen,
  • W 1 and W 2 may be each independently selected from a methyl group substituted with a cyano group, a halogen or a cyano group.
  • each of D 1 and D 2 may be independently represented by one of the following Chemical Formulas 2-1 to 2-VI.
  • Chemical Formulas 2-1 to 2-VI [Formula 2-1]
  • Forma 2-II] [Formula 2- ⁇ ]
  • X 1 to X s , R a , R b , R d and R e are as described above.
  • Chemical Formula 2 of the present invention may be Chemical Formula 2-1.
  • X 1 to X 8 may all be CR a , wherein R a may be the same as or different from each other, as described above.
  • X 1 to X s may be N, and the rest may be CR a .
  • R a may be the same or different, and as described above.
  • X 1 to X 4 may be N
  • X 5 to X 8 may be N
  • the other may be CH.
  • the dopant represented by Chemical Formula 1 may be, for example one of the compounds listed in Group 1, but is not limited thereto.
  • Group 1 "Cz"
  • the organic optoelectronic device is not particularly limited as long as the device can switch electrical energy and light energy. Examples thereof include an organic photoelectric device, an organic light emitting device, an organic solar cell, and an organic photosensitive drum.
  • the organic optoelectronic device may include an anode and a cathode facing each other, and an organic layer positioned between the anode and the cathode, and the organic layer may include at least one host and the aforementioned dopant.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode according to an embodiment.
  • an organic light emitting diode 100 includes an anode 1 10 and a cathode 120 facing each other, and an organic layer 105 positioned between the anode 1 10 and the cathode 120.
  • the anode 1 10 may be made of a high work function conductor, for example, to facilitate hole injection, and may be made of metal, metal oxide and / or conductive polymer, for example.
  • the anode 1 10 is, for example, a metal such as nickel, platinum, barn, crumble, copper, zinc, gold or an alloy thereof; Zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide ( ⁇ ),
  • Metal oxides such as indium zinc oxide (IZO); Combinations of oxides with metals such as ZnO and A1 or 0 2 and Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly (3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene Xpolyehtylenedioxythiophene: PEDOT), polypyrrole and polyaniline, and the like. It is not.
  • the cathode 120 may be made of a low work function conductor, for example, to facilitate electron injection, and may be made of metal, metal oxide and / or conductive polymer, for example.
  • the cathode 120 is, for example, a metal such as magnesium, calcium, natcom, potassium, titanium, rhythm, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, lead, cesium, barium, or an alloy thereof; Multilayer structure materials such as LiF / Al, LiCVAl, LiF / Ca, LiF / Al, and BaF 2 / Ca, but are not limited thereto.
  • the organic layer 105 comprises at least one host and the aforementioned dopant.
  • the host may be a single host or a mixed host in which two or more kinds are mixed.
  • the host may be selected from materials with a larger energy bandgap than dopants.
  • the dopant is as described above, and may be mixed with the host to receive energy from the host to emit light in a specific wavelength region.
  • the dopant may be a high efficiency, high color purity fluorescent dopant that may replace the phosphorescent dopant including heavy metal.
  • the dopant may be, for example, a fluorescent dopant having a maximum emission wavelength (U) at about 380 nm to about 580 nm.
  • the dopant may exhibit an emission spectrum having a half width of about 100 nm or less in a thin film state, for example, and may exhibit a light emission spectrum having a half width of about 80 nm or less within the range.
  • the dopant represented by Chemical Formula 1 may exhibit a light emission spectrum having a half width of about 10 nm to about 100 nm in a thin film state, and may exhibit a light emission spectrum having a half width of about 30 nm to about 100 nm. And may exhibit an emission spectrum having a half width of about 30mn to 80nm within the above range.
  • the dopant may be included in a smaller amount than the host.
  • the dopant may be included at about 0.01 to 40% by weight relative to the total amount of the host and the dopant, may be included within the range of about 0.01 to 30% by weight, about 0.01 to 20 parts by weight 0 within this range May be included as / 0 .
  • the organic layer 105 may be formed by a dry film forming method or a solution process.
  • the dry film forming method may be, for example, chemical vapor deposition, sputtering, plasma plating, and ion plating, and two or more compounds are simultaneously deposited or have the same deposition temperature. Can be combined to form a film together.
  • the solution process can be, for example, inkjet printing, spin coating, slit coating, bar coating and / or dip coating.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting device according to another embodiment.
  • the organic light emitting diode 200 like the aforementioned embodiment, has an anode 1 10 and a cathode 120 facing each other, and between the anode 1 10 and the cathode 120. And an organic layer 105 located at.
  • the organic layer 105 includes a light emitting insect 130 and an auxiliary layer 140 positioned between the light emitting layer 130 and the cathode 120.
  • the auxiliary layer 140 may facilitate charge injection and movement between the cathode 120 and the light emitting insect 130.
  • the auxiliary layer 140 may be, for example, an electron transport layer, an electron injection layer, and / or an electron transport auxiliary layer.
  • the organic layer 105 may further include at least one auxiliary layer positioned between the anode 110 and the light emitting layer 130.
  • the organic light emitting diode described above may be applied to an organic light emitting diode display.
  • dopant 11 was obtained by the same method as Synthesis Example 1, except that 9,9-dimethyl-9 and 10-dihydroacridine were used instead of 9H-carbazole.
  • Dopant level measurement is performed using a cyclic voltage current method using an IVIUM instrument.
  • Tetrabutyl ammonium perchloride was dissolved in acetonitrile solution, adjusted to 0.1 molar concentration, and the sample was coated on a carbon electrode to convert the voltage in the order of 0V "3V ⁇ () V to measure the edge (1) of the graph. The voltage was converted again in the order of 0V ⁇ -4V ⁇ 0V to measure the edge of the better graph (2).
  • the reference value was used, and after subtracting the mcp measurement value from 6.1, (1) was added to confirm HOMO energy (3), and the bandgap energy (4) was measured by (1) + (2). After that, LUMO energy (5) was identified by the values (3)-(4).
  • Silver (Ag) was used as the reference electrode
  • platinum (Pt) was used as the counter electrode
  • carbon electrode was used as the working electrode.
  • the luminescent material was dispersed in polystyrene to determine the singlet energy from the PL emission spectrum of the luminescent material, and the triplet energy was determined from the first phosphorescent peak of the low temperature PL.
  • the dopant obtained in Synthesis Examples 1 to 4 is about 380 to
  • the maximum emission wavelength (U represents an energy band gap of about 2.5 to 3.5 eV and an energy gap (! S ⁇ T 1
  • the substituents of the ortho-positioned substituents in the bar o phenyl core of each dopant By utilizing the effects of steric hindrance and controlling the number of substituents on the electron donor and the acceptor, the electron cloud distribution of HOMO energy and LUMO energy and the difference between singlet energy and triplet energy can be controlled. Through this, the half width can be narrowed to synthesize a high purity color dopant.
  • Each thin film was vacuum deposited at a vacuum degree of 5.0x 10 " 4 Pa on a lOOnm thick ⁇ stacked glass substrate.
  • N-bis (4-methylphenyl) benzenamine] EM INDEX, l Onm
  • TCTA 4,4 ', 4 "-Tris (carbazol-9-yl) -triphenylamine, EM INDEX, lOnm)
  • mCP l, 3— Bis (N-carbazolyl) benzene, EM INDEX, l Onm
  • the device was fabricated by changing the doping concentration to 5% and changing the thickness of TSP01 to 20, 30 and 40 nm.
  • the device fabricated using Compound 1 is optimized when the thickness of TSP01 is 30 nm, exhibits a maximum quantum efficiency of 14.02%, and exhibits (0.14, 0.12) color coordinates of deep blue.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the dopant ⁇ obtained in Synthesis Example 2 instead of the dopant 1, using a doping concentration of 1%, 3% 5%, and using a thickness of TSP01 of 30 nm. Produced.
  • the maximum quantum efficiency of the device manufactured according to the doping concentration of 1, 3, 5% is 20.12%
  • Each thin film was vacuumed on a glass substrate laminated with a OO ⁇ thick ⁇ .
  • PEDOT PSS (Sigma aldrich, 60 nm), TAPC, and mCP were formed sequentially on ⁇ . Subsequently, co-deposited dopant 2 obtained in Synthesis Example 3 with mCP (l, 3-Bis (N-carbazolyl) benzene, EMINDEX, 10nm) and DPEPO (25 n)
  • a light emitting layer having a thickness of 25 nm was formed. Subsequently, TSPO1 and TPBi (30 nm) were sequentially formed, and lithium fluoride (LiF) was vacuum deposited thereon at 0.8 nm, and then an aluminum (A1) cathode was formed at a thickness of 100 nm to manufacture an organic light emitting device. Doping concentration is fixed at 5%
  • the device was manufactured by changing the thickness of the electron transport layer (TSP01) to 20,30 nm.
  • the maximum quantum efficiency of the device fabricated using compound 3ol was 4.78% and showed (0.16,0.13) color coordinate. The results are shown in Table 5.
  • the organic light emitting device according to Examples 1 to 3 is a semiconductor
  • the organic light emitting device according to Examples 1 to 3 has a good light emission half-width of about 80nm or less in the blue wavelength region, it can be seen that blue light emission of high color purity.
  • the present invention is not limited to the above embodiments, but may be manufactured in various forms, and a person skilled in the art to which the present invention pertains has another specific form without changing the technical spirit or essential features of the present invention. It will be appreciated that it can be implemented as. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive. [Explanation of code]

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Abstract

화학식 1로 표현되는 유기광전자소자용 도펀트, 상기 도펀트를 포함하는 유기광전자소자 및 표시 장치에 관한 것이다.

Description

【발명의 설명】
【발명의 명칭】
유기광전자소자용 도편트, 유기광전자소자 및 표시장치
【기술분야】
유기광전자소자용 도편트， 유기광전자소자 및 표시장치에 관한 것이다.
【배경 기술】
유기 광전자 소자 (organic optoelectric diode)는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이다.
유기 광전자 소자는 동작 원리에 따라크게 두 가지로 나눌 수 있다. 하나는 광 에너지에 의해 형성된 액시톤 (exciton)이 전자와 정공으로 분리되고 상기 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되면서 전기 에너지를 발생하는 광전 소자이고, 다른 하나는 전극에 전압또는 전류를 공급하여 전기 에너지로부터 광 에너지를 발생하는 발광 소자이다.
유기 광전자 소자의 예로는 유기 광전 소자, 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 (organic photo conductor drum) 등을 들 수 있다.
이 중, 유기 발광 소자 (organic light emitting diode,. OLED)는 근래 평판 표시 장치 (flat panel display device)의 수요 증가에 따라 크게 주목받고 있다. 유기 발광 소자는 유기 발광 재료에 전류를 가하여 전기 에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서, 통상 애노드와 캐소드 사이에 유기 층이 삽입된 구조로 이루어져 있다. 유기 발광 소자의 성능은 상기 유기 층의 특성에 의해 영향을 많이 받으며， 그 중에서도상기 유기 층에 포함된 유기 재료에 의해 영향을 많이 받는다. 특히 대형 유기 발광 소자의 개발을 위해서는 고효율 발광 재료가 증요하고 그에 따라 인광 도편트가 많이 사용되고 있다. 그러나 인광 도펀트는 예컨대 이리듭， 백금, 구리 또는 베릴륨 등의 금속 또는 중금속을 포함하는 착화합물의 사용이
불가피하며 제조 원가가높다.
【발명의 내용】
[해결하려는 과제】
일 구현예에 따르면, 금속또는 중금속을 포함하는 착화합물을 대체할 수 있고 높은 파장 선택성 및 효율을 가지는 유기광전자소자용 도편트를 제공한다. 상기 도편트를 포함하는 유기광전자소자를 제공한다. 또 다론 구현예에 따르면， 상기 유기광전자소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
【과제의 해결 수단】
일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1로 표현되는 유기광전자소자용 도편트를 제공한다.
[화학식 1]
Figure imgf000003_0001
상기 화학식 1에서,
W1 및 W2는 각각 독립적으로 시아노기; 니트로기; 아미드기; 설포닐기; 포스핀기;포스포릴기; 할로겐; 시아노기, 니트로기, 아미드기, 설포닐기, 포스핀기, 포스포릴기 또는 할로겐으로 치환된 C1 내지 C 10 알킬기; 시아노기, 니트로기, 아미드기, 설포닐기, 포스핀기, 포스포릴기 또는 할로겐으로 치환된 C6 내지 C30 아릴기; 시아노기, 니트로기, 아미드기, 설포닐기, 포스핀기, 포스포릴기 또는 할로겐으로 치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기; 또는 이들의 조합이고,
D1 및 D2는 각각 독립적으로 하기 화학식 2로 표현되는 기이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 시아노기; 니트로기; 아미드기; 설포닐기;
포스핀기; 포스포릴기; 할로겐; 시아노기, 니트로기, 아미드기, 설포닐기, 포스핀기， 포스포릴기 또는 할로겐으로 치환된 C1 내지 C 10 알킬기; 시아노기, 니트로기, 아미드기, 설포닐기, 포스핀기, 포스포릴기 또는 할로겐으로 치환된 C6 내지 C30 아릴기; 시아노기, 니트로기, 아미드기, 설포닐기， 포스핀기, 포스포릴기 또는 할로겐으로 치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기; 이들의 조합; 또는 하기 화학식 2로 표현되는 기이고,
a, b, c 및 d는 0≤a+b≤4 및 0≤c+d≤2를 만족하는 정수이고, 단 a+b와 c+d가 동시에 0은 아니고， [화학식 2]
Figure imgf000004_0001
상기 화학식 2에서,
X1 내지 X8은 각각 독립적으로 N 또는 CRa이고,
L1은 N, B, C, CRb 또는 SiRc이고,
M1은 단일결합, CRdRe, SiRfRg, NRh, 0 또는 S이고,
Ra는 수소, 중수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기이고,
Rb 내지 Rh는 각각 독립적으로, 수소， 중수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기， 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르보닐기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 술파모일아미노기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아실기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실아미노기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬티을기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로사이클로티을기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 우레이드기, 할로겐, 시아노기, 히드록실기, 아미노기 , 니트로기 , 카르복실기 또는 이들의 조합이고,
*는 화학식 1과의 연결 지점이다.
다른 구현예에 따르면, 서로 마주하는 애노드와 캐소드, 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 위치하는 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 상기 도편트를 포함하는 유기광전자소자를 제공한다. 또 다론 구현예에 따르면, 상기 유기광전자소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
【발명의 효과】
금속 또는 중금속을 포함하는 착화합물을 대체할 수 있고 높은 파장 선택성 및 효율을 가지는 유기광전자소자용 도편트를 제공한다.
【도면의 간단한 설명】
도 1은 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 보여주는 단면도이고,
도 2는 다른 구현예에 따른 유기 발광 소자를 보여주는 단면도이다.
【발명을 실시하기 위한 구체적인 내용】
이하， 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만， 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 "치환 "이란 별도의 정의가 없는 한， 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, C 1 내지 C30 아민기， 니트로기， C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기， C1 내지 C10 알킬실릴기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로고리기， C 1 내지 C20 알콕시기,
트리플루오로메틸기 등의 C 1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.
또한 상기 치환된 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, C 1 내지 C20 아민기, 니트로기, C3 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기， C1 내지 C 10 알킬실릴기, C6 내지 C30 아릴기， C3 내지 C30 헤테로고리기， C 1 내지 C20 알콕시기,
트리플루오로메틸기 등의 C 1 내지 C10 트리플투오로알킬기 또는 시아노기 중 인접한 두 개의 치환기가 융합되어 고리를 형성할 수도 있다. 예를 들어， 상기 치환된 C6 내지 C30 아릴기는 인접한 또 다른 치환된 C6 내지 C30 아릴기와 융합되어 치환 또는 비치환된' 플루오렌 고리를 형성할 수 있다.
본 명세서에서 "해테로 "란 별도의 정의가 없는 한， 하나의 작용기 내에 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함하고 나머지는 탄소인 것을 의미한다. 상기 헤테로 원자는 N, 0, S, P 및 Si 에서 선택될 수 있다.
본 명세서에서 "아릴기 (aryl group)"는 탄화수소 방향족 모이어티를 하나 이상 갖는 그룹을 의미하며 넓게는 탄화수소 방향족 모이어티들이 단일 결합으로 연결된 형태 및 탄화수소 방향족 모이어티들이 직접 또는 간접적으로 융합된 비방향족 융합 고리 또한 포함한다. 아릴기는 모노시클릭 , 폴리시클릭 또는 융합된 폴리시클릭 (즉， 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다. 본 명세서에서 "해테로고리기 (heterocyclic group)"는 해테로아릴기를 포함하는 개념이며， 이에 추가하여 아릴기， 사이클로알킬기, 이들의 융합고리 또는 이들의 조합과 같은 고리 화합물 내에서 탄소 (C) 대신에 N, 0, S, P 및 Si에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다. 상기 헤테로고리기가 융합고리인 경우, 상기 헤테로고리기 전체 또는 각각의 고리마다 헤테로 원자를 한 개 이상 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 치환 또는 비치환된 아릴기 및 /또는 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기는， 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, ,치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기， 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기， 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피롤릴기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴기， 치환 또는 비치환된 이미다졸일기， 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기， 치환 또는 비치환된 티아디아졸일기， 치환 또는 비치환된
피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기， 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기， 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 인돌일기， 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된
이소퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기， 치환 또는 비치환된
퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된
벤즈옥사진일기， 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기, 치환 또는 비치환된
아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기 치환 또는 비치환된 페녹사진일기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸릴기, 피리도인돌기, 벤조피리도옥사진일기， 벤조피리도티아진일기， 9,9-디메틸 9, 10디히드로아크리딘일, 이들의 조합 또는 이들의 조합이 융합된 형태일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 본 발명의 일예에서, 헤테로고리기 또는 헤테로아릴기는 피리딜기 , 카바졸릴기 또는 피리도인돌기 일 수 있다.
본 명세서에서, 치환 또는 비치환된 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 2가의 해테로고리기는 위에서 정의한 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기에서 연결기가 2개 있는 것을 의미하는 것이며， 예를 들어, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프탈렌기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐렌기, 치환 또는 비치환된 페난트릴렌기， 치환 또는 비치환된 나프타세닐렌기, 치환 또는 비치환된 피레닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 크리세닐렌기， 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐렌기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐렌기, 치환 또는 비치환된 인데닐렌기， 치환 또는 비치환된 퓨라닐렌기, 치환 또는 비치환된 티오페닐렌기, 치환 또는 비치환된 피롤릴렌기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴렌기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일렌기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일렌기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일렌기, 치환 또는 비치환된 티아졸일렌기, 치환 또는 비치환된
옥사디아졸일렌기， 치환 또는 비치환된 티아디아졸일렌기， 치환 또는 비치환된 피리디닐렌기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐렌기, 치환 또는 비치환된
피라지닐렌기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐렌기， 치환 또는 비치환된
벤조퓨라닐렌기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐렌기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일렌기, 치환 또는 비치환된 인돌일렌기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐렌기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐렌기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐렌기， 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐렌기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일렌기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일렌기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐렌기, 치환 또는 비치환된 페나진일렌기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일렌기, 치환 또는 비치환된 페녹사진일렌기， 치환 또는 비치환된 플투오레닐렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐렌기， 치환 또는 비치환된 카바졸렌기， 이들의 조합 또는 이들의 조합이 융합된 형태일 수 있으나， 이에 제한되지는 않는다.
본 발명의 일 예에서, 치환 또는 비치환된 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 2가의 해테로고리기는 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프탈렌기, 치환또는 비치환된 피리미딘렌기 중 어느 하나 또는 이들의 조합일 수 있다. 본 명세서에서, 정공 특성이란， 전기장 (electric field)을 가했을 때 전자를 공여하여 정공을 형성할 수 있는 특성올 말하는 것으로 , HOMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입， 발광층에서 형성된 정공의 양극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
또한 전자 특성이란， 전기장을 가했을 때 전자를 받을 수 있는 특성을 말하는 것으로, LUMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광충으로의 주입, 발광층에서 형성된 전자의 음극으로의 이동 및 발광충에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
본 명세서에서， 도펀트 (dopant)는 호스트 (host)에 도핑 (dopping)되어
호스트로부터 에너지 또는 캐리어를 받아 특정 파장 영역의 빛을 내는 자체 발광물질로, 에너지 또는 캐리어 공급원인 호스트와 상이한 개념이다.
이하 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 도편트를 설명한다.
일 구현예에 따른 유기광전자소자용 도편트는 하기 화학식 1로 표현된다. [화학식 1
Figure imgf000008_0001
상기 화학식 1에서,
W1 및 W2는 각각 독립적으로 전자 수용기 (electron withdrawing group)로, 예컨대 시아노기; 니트로기; 아미드기; 설포닐기; 포스핀기; 포스포릴기; 할로겐; 시아노기， 니르로기, 아미드기, 설포닐기, 포스핀기, 포스포릴기 또는 할로겐으로 치환된 C 1 내지 C10 알킬기; 시아노기, 니트로기， 아미드기, 설포닐기, 포스핀기, 포스포릴기 또는 할로겐으로 치환된 C6 내지 C30 아릴기; 시아노기， 니트로기， 아미드기, 설포닐기, 포스핀기, 포스포릴기 또는 할로겐으로 치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기; 또는 이들의 조합이고，
D1 및 D2는 전자 공여기 (electron donating group)로 예컨대 각각 독립적으로 하기 화학식 2로 표현되는 기이고,
R1 및 R2는 전자 수용기 또는 전자 공여기로 예컨대 각각 독립적으로 시아노기; 니트로기; 아미드기; 설포닐기; 포스핀기; 포스포릴기; 할로겐; 시아노기 니트로기, 아미드기， 설포닐기, 포스핀기, 포스포릴기 또는 할로겐으로 치환된 C1 내지 C10 알킬기; 시아노기, 니트로기, 아미드기, 설포닐기,포스핀기, 포스포릴기 또는 할로겐으로 치환된 C6 내지 C30 아릴기; 시아노기， 니트로기, 아미드기， 설포닐기, 포스핀기, 포스포릴기 또는 할로겐으로 치환된 C3 내지 C30
해테로고리기; 이들의 조합; 또는 하기 화학식 2로 표현되는 기이고,
a, b, c 및 d는 0≤a+b≤4 및 0¾+ 2를 만족하는 정수이고, 단 a+b와 c+d가 동시에 0 아니고,
Figure imgf000009_0001
상기 화학식 2에서,
X1 내지 X8은 각각 독립적으로 N 또는 CRa이고,
L1은 N, B, C, CRb 또는 SiRc이고,
M1은 단일결합, CRdRe, SiRfRg, NRh, 0 또는 S이고，
Ra는 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기이고,
Rb 내지 Rh는 각각 독립적으로， 수소, 중수소， 치환또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환. 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C I 내지 C30 카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 술파모일아미노기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기， 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환또는 비치환된 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 아실기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C20 아실옥시기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20
아실아미노기, 치환또는 비치환된 C 1 내지 C30 술포닐기, 치환또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬티을기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로사이클로티올기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 우레이드기, 할로겐, 시아노기， 히드록실기, 아미노기， 니트로기， 카르복실기 또는 이들의 조합이고，
*는 화학식 1과의 연결 지점이다.
본 발명의 일 예로, 상기 화학식 1에서, W1 및 W2는 각각 독립적으로 전자 수용기로, 예컨대 시아노기; 니트로기; 아미드기; 할로겐기; 시아노기, 니트로기 또는 할로겐으로 치환된 C 1 내지 C5 알킬기일 수 있고,
D1 및 D2는 전자 공여기로 예컨대 각각 독립적으로 하기 화학식 2로 표현되는 기일 수 있고，
1 및 R2는 전자 수용기 또는 전자 공여기로 예컨대 각각 독립적으로 시아노기; 니트로기; 할로겐; 시아노기, 니트로기 또는 할로겐으로 치환된 C1 내지 C5알킬기； 또는 하기 화학식 2로 표현되는 기일 수 있고,
a, b, c 및 d는 0≤a+b≤4 및 。^+ 를 만족하는 정수일 수 있고, 단 a+b와 c+d가 동시에 0은 아닐 수 있고,
상기 화학식 2에서, X1 내지 X8은 각각 독립적으로 N 또는 CRa일 수 있고,
L1은 N일 수 있고,
M1은 단일결합, CRdRe, SiRfRg, NRh, 0 또는 S일 수 있고，
Ra는 수소， 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C 10 알킬기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환또는 비치환된 C3 내지 C30
헤테로고리기일 수 있고,
Rb 내지 Rh는 각각 독립적으로， 수소, 증수소, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 알킬기, 치환또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 , 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기, 치환또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 ^콕시기, 치환또는 비치환된 C 1 내지 C30 카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 술파모일아미노기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 실릴목시기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아실기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20
아실아미노기 , 치환또는 비치환된 C 1 내지 C30 술포닐기, 치환또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬티올기, 치환또는 비치환된 C 1 내지 C30 헤테로사이클로티올기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 우레이드기, 할로겐, 시아노기, 히드록실기， 아미노기， 니트로기 , 카르복실기 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 화학식 1로 표현되는 도편트는 바이페닐 코어에 전자 공여기와 전자 수용기가 치환된 구조를 가짐으로써 HOMO-LUMO 분리가 용이하고 일중항 에너지 (singlet energy)와 삼중항 에너지 (triplet energy) 사이의 에너지 갭을 효과적으로 줄일 수 있다. 이에 따라 삼중항 여기 상태 (T1)로부터 일중항 여기 상태 (S1)로의 역계간 전이 (reverse intersystem crossing, RIC)가 용이해질 수 있으므로 일중항 여기 상태 (S1)의 형광과 함께 삼중항 여기 상태로부터 일중항 여기 상태로 역계간전이된 형광까지 활용할 수 있어 발광 효율을 높일 수 있다.
더구나 상기 화학식 1로 표현되는 도펀트는 바이페닐 코어의 2번 위치에 치환기 (R' , R2)를 도입하고 전자 공여기 (Ο', Ε)2)와 전자 수용기 (W^ W2)의 개수를 적절히 조절함으로써 적절한 수준의 입체 장애 (steric hindrance)를 유발하여 분자 사이의 뒤를림을 적절한 수준으로 조절할 수 있고 이에 따라 반치폭 (full width at half maximum, FWHM)을 효과적으로 줄일 수 있다. 여기서 반치폭은 최대 발광 지점의 반 (half)에 대응하는 파장의 폭 (width)으로, 반치폭이 작으면 좁은 파장 영역의 빛을 선택적으로 발광할 수 있어서 파장 선택성이 높고 색 순도가 높은 것을 의미한다. 일 예로, 상기 화학식 1의 바이페닐 코어에서, 두 개의 페닐기는 약 30 내지
70 도의 사이각을 가지도록 뒤를려 있을 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 1로 표현되는 도펀트는 약 380 내지 580 nm에서 최대발광파장 을 가지는 형광 도편트일 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 1로 표현되는 도편트는 약 2.5 내지 3.5 eV의 에너지 밴드갭을 가질 수 있다.. 일 예로, 상기 화학식 1로 표현되는 도펀트는 약 0.2 eV 이하의 일증항 에너지와 삼중항 에너지의 에너지 갭 ( I S '-T1 ! )을 가질 수 있다. 일 예로，상기 확학식 1로 표현되는 도편트는 약 0.01 내지 0.20 eV의 일중항 에너지와 삼증항 에너지의 에너지 갭을 가질 수 있다ᅳ
일 예로, 상기 화학식 1로 표현되는 도편트는 박막상태에서 약 lOOnm 이하의 반치폭을 가지는 발광 스펙트럼을 나타낼 수 있고 상기 범위 내에서 약 80nm 이하의 반치폭을 가지는 발광 스펙트럼을 나타낼 수 있다. 여기서 박막 상태는 예컨대 고진공 (< l(T7 Torr) 하에서 0.5-1.0 A/s 속도로 열증착 (thermal evaporation)하여 제조한 50nm 내지 lOOnm두께의 소자에서 상기 박막올 Cary 5000 UV spectroscopy (Varian사 제조)를 사용하여 자외선-가시광선 (UV-Vis)을 조사하는 것을 기준으로 할 수 있다. 또는 여기서 박막 상태는 호스트와 도편트를 공증착하여 측정할 수도 있고 폴리스티렌에 분산하여 측정할 수도 있다.
일 예로, 상기 화학식 1로 표현되는 도편트는 박막상태에서 약 30nm 내지 lOOnm의 반치폭을 가지는 발광 스펙트럼을 나타낼 수 있고 상기 범위 내에서 약 30nm 내지 80mn의 반치폭을 가지는 발광 스펙트럼을 나타낼 수 있다.
따라서 상기 화학식 1로 표현되는 도펀트는 기존의 이리듐, 백금 또는 구리 등의 중금속을 포함하는 인광 도펀트를 대체할 수 있는 고효율 고 색순도의 형광 도편트로 사용될 수 있다.
상기 화학식 1에서, 바이페닐 코어의 2번 위치의 치환기 (R R2)는 각각 독립적으로 전자 공여기 또는 전자 수용기일 수 있으며， 예컨대 화학식 1에서 R1은 W1 또는 D1과 같을 수 있고 R2는 W2 또는 D2와 같을 수 있다.
상기 화학식 1로 표현되는 도편트는 예컨대 하기 화학식 1-1 내지 1-IV 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 1-1] [화학식 1-Π]
Figure imgf000012_0001
[화학식 ΐ-πι [화학식 1-IV]
Figure imgf000013_0001
상기 화학식 l-I .내지 1-IV에서, W1, W2, i ,D2, a, b, c 및 d는 전술한 바와 같다. 상기 화학식 1-ΠΙ 또는 1-IV에서, a-1는 정수 a보다 하나 적은 정수를 가리키고 b-1은 정수 b보다 하나 적은 정수를 가리키고, c-1은 정수 c보다 하나 적은 정수를 가리키고, d-1은 정수 d보다 하나 적은 정수를 가리킨다.
일 예로, 상기 화학식 1-1 내지 1-IV에서, D1과 D2의 총 개수는 3개 내지 5개일 수 있고 W1과 W2의 총 개수는 1개 내지 3개일 수 있다. 일 예로 D1과 D2의 총 개수는 4개일 수 있고 W1과 W2의 총 개수는 2개일 수 있다. .
일 예로, 상기 화학식 1-1 내지 1-IV에서, D1과 W1는 오르쏘 (ortho) 위치로 결합될 수 있고 D2와 W2는 오르쏘 위치로 결합될 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 '1-1 내지 1-IV에서, 두 개의 D1은 오르쏘 위치로 결합될 수 있고 두 개의 D2는 오르쏘 위치로 결합될 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 1, 1-1 내지 1-IV에서, W1 및 W2는 각각 독립적으로 시아노기; 할로겐; 시아노기 또는 할로겐으로 치환된 C1 내지 C10 알킬기; 시아노기 또는 할로겐으로 치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 시아노기 또는 할로겐으로 치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기일 수 있다. 상기 할로겐은 예컨대 플루오르일 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 1, 1-1 내지 1-IV에서, W1 및 W2는 각각 독립적으로 시아노기, 할로겐, 시아노기로 치환된 메틸기, 할로겐으로 치환된 메틸기,
시아노기로 치환된 페닐기, 시아노기로 치환된 바이페닐기, 시아노기로 치환된 나프틸기, 할로겐으로 치환된 페닐기, 할로겐으로 치환된 바이페닐기， 할로겐으로 치환된 나프틸기일 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다. 또한 본 발명의 일 예로， 상기 화학식 1, 1-1 내지 1-IV에서, W1 및 W2는 각각 독립적으로 시아노기， 할로겐 또는 시아노기로 치환된 메틸기 중에서 선택된 하나일 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 1 및 1-1 내지 1-IV에서, D1 및 D2는 각각 독립적으로 하기 화학식 2-1 내지 2-VI 증 어느 하나로 표현될 수 있다. [화학식 2-1] [화학식 2-II] [화학식 2-ΠΙ]
Figure imgf000014_0001
[화학식 2-IV] [화학식 2-V] [화학식 2-VI]
Figure imgf000014_0002
상기 화학식 2-1 내지 2-VI에서, X1 내지 Xs, Ra, Rb, Rd 및 Re는 전술한 바와 같다. 일 예로, 본 발명의 화학식 2는 화학식 2-1 일 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 2, 2-1 내지 2-VI에서， X1 내지 X8은 모두 CRa일 수 있고, 여기서 Ra는 각각동일하거나 다를 수 있고 전술한 바와 같다.
일 예로， 상기 화학식 2, 2-1 내지 2-VI에서, X1 내지 Xs 중 1개, 2개 또는 3개는 N일 수 있고 나머지는 CRa일 수 있다. 여기서 Ra는 각각 동일하거나 다를 수 있고 전술한 바와 같다. 또한, 상기 화학식 2, 2-1 내지 2-VI에서， X1 내지 X8 중 1개
N일 수 있고 나머지는 CH일 수 있다. 또한, 상기 화학식 2, 2-1 내지 2-VI에서， X1 내지 X4증 1개는 N일 수 있고, X5 내지 X8 중 1개는 N일 수 있으며, 나머지는 CH일 수 있다.
상기 화학식 1로 표현되는 도펀트는 예컨대 하기 그룹 1에 나열된 화합물 중 하나일 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다. 하기 그룹 1에서 "Cz"는
카바졸릴기를 의미한다.
[그룹 1]
Figure imgf000014_0003
Figure imgf000015_0001
Figure imgf000016_0001
ZZCllO/STOZaM/X3d C9l78.l/9lOZ OAV
Figure imgf000017_0001
Figure imgf000017_0002
69 70
'이하 상기 도편트를 적용한 유기광전자소자에 대하여 설명한다.
상기 유기 광전자 소자는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유기 광전 소자， 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 등을 들 수 있다.
상기 유기 광전자 소자는 서로 마주하는 애노드와 캐소드, 그리고 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 위치하는 유기층을 포함할 수 있고, 상기 유기층은 적어도 1종의 호스트와 전술한 도편트를 포함할 수 있다.
여기서는 유기 광전자 소자의 일 예인 유기 발광 소자를 도면을 참고하여 설명한다.
도 1은 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 보여주는 단면도이다.
도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 발광 소자 (100)는 서로 마주하는 애노드 (1 10)와 캐소드 (120)， 그리고 애노드 (1 10)와 캐소드 (120) 사이에 위치하는 유기층 (105)을 포함한다. 애노드 (1 10)는 예컨대 정공 주입이 원활하도록 일 함수가높은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및 /또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 애노드 (1 10)는 예컨대 니켈， 백금, 바나듬, 크름, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물， 인듭산화물, 인듐주석산화물 (ΠΌ),
인듐아연산화물 (IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO와 A1 또는 02와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리 (3-메틸티오펜), 폴리 (3,4- (에틸렌 -1 ,2- 디옥시)티오펜 Xpolyehtylenedioxythiophene: PEDOT), 폴리피를 및 폴리아닐린과 같은 도전성 고분자 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
캐소드 (120)는 예컨대 전자주입이 원활하도록 일 함수가낮은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및 /또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 캐소드 (120)는 예컨대 마그네슘, 칼슘, 나트콤, 칼륨, 타이타늄, 인듬, 이트륨， 리튬, 가돌리늄， 알루미늄， 은, 주석， 납， 세슘, 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al, LiCVAl, LiF/Ca, LiF/Al 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
유기층 (105)은 적어도 1종의 호스트와 전술한 도편트를 포함하는
발광층 (130)을 포함한다.
호스트는 단독 호스트일 수도 있고 2종 이상이 흔합되어 있는 흔합 호스트 (mixed host)일 수도 있다. 호스트는 도펀트보다 에너지 밴드갭이 큰 물질에서 선택될 수 있다.
도펀트는 전술한 바와 같으며, 호스트와흔합되어 호스트로부터 에너지를 받아 특정 파장 영역의 빛을 낼 수 있다. 전술한 바와 같이, 상기 도편트는 중금속을 포함하는 인광도편트를 대체할 수 있는 고효율 고 색순도의 형광 도편트일 수 있다.
상기 도편트는 예컨대 약 380nm내지 약 580nm에서 최대발광파장 (U을 가지는 형광 도편트일 수 있다.
상기 도편트는 예컨대 박막 상태에서 약 l OOnm 이하의 반치폭을 가지는 발광 스펙트럼을 나타낼 수 있고 상기 범위 내에서 약 80nm 이하의 반치폭을 가지는 발광스펙트럼을 나타낼 수 있다. 일 예로， 상기 화학식 1로 표현되는 도펀트는 박막상태에서 약 10nm 내지 약 l OOnm의 반치폭을 가지는 발광스펙트럼을 나타낼 수 있고， 약 30nm 내지 lOOnm의 반치폭을 가지는 발광 스펙트럼을 나타낼 수 있으며 상기 범위 내에서 약 30mn 내지 80nm의 반치폭을 가지는 발광 스펙트럼을 나타낼 수 있다.
상기 도편트는 상기 호스트보다 적은 함량으로 포함될 수 있다. 예컨대 상기 도펀트는 상기 호스트와 상기 도펀트의 총 함량에 대하여 약 0.01 내지 40중량%로 포함될 수 있고， 상기 범위 내에서 약 0.01 내지 30중량 %로 포함될 수 있고, 상기 범위 내에서 약 0.01 내지 20중량0 /0로 포함될 수 있다.
유기층 (105)은 건식 성막법 또는 용액 공정으로 형성될 수 있다ᅳ 상기 건식 성막법은 예컨대 화학기상증착법， 스퍼터링, 플라즈마 도금 및 이온도금 일 수 있고, 둘 이상의 화합물을 동시에 성막하거나 증착 온도가 같은 화합물을 흔합하여 같이 성막할 수 있다. 상기 용액 공정은 예컨대 잉크젯 인쇄법, 스핀 코팅， 슬릿 코팅, 바코팅 및 /또는 딥 코팅일 수 있다.
도 2는 다른 구현예에 따른 유기 발광 소자를 보여주는 단면도이다.
도 2를 참고하면， 본 구현예에 따른 유기 발광소자 (200)는 전술한 구현예와 마찬가지로 서로 마주하는 애노드 (1 10)와 캐소드 (120), 그리고 애노드 (1 10)와 캐소드 (120) 사이에 위치하는 유기층 (105)을 포함한다.
유기층 (105)은 발광충 (130) 및 발광층 (130)과 캐소드 (120) 사이에 위치하는 보조층 (140)을 포함한다. 보조층 (140)은 캐소드 (120)와 발광충 (130)사이의 전하 주입 및 이동을 용이하게 할 수 있다. 보조층 (140)은 예컨대 전자수송층, 전자주입충 및 /또는 전자수송보조층일 수 있다.
도 1 및 도 2에서, 유기층 (105)오로서 추가로 애노드 (110)와 발광층 (130) 사이에 위치하는 적어도 1층의 보조층을 더 포함할수 있다.
상술한 유기 발광 소자는 유기 발광 표시 장치에 적용될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며， 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
증간체의 합성
중간체 1-1의 합성 [반응식 I]
Figure imgf000020_0001
1 ,5-다이브로모 -2,4-다이플루오로벤젠 (10 g, 36.0 mmol)과 CuCN (5.5g, 60.9 mmol)을 DMF (30 ml)에 녹인 후, 피리딘 3 ml을 넣고 질소 버블링을 통해 용액 내의 산소를 제거하였다. 온도를 올려 섭씨 120도에서 교반하였다. 약 8시간 반웅 후 온도를 내리고, 증류수를 넣어 반웅을 종료 시킨 후, 에틸에테르 (ethyl ether)를 이용해 추출 하였다. 10% 암모니아수용액으로 반응물을 세정한 후,농축된
암모늄클로라이드 수용액으로 반응물을 세정하였다. 마지막으로 농축된
중탄산나트륨 수용액으로 세정하고 에틸에테르로 추출하였다. 에틸아세테이트와 노르말핵산을 전개용매로 사용하여 컬럼정제를 하여 3.0g의 5-브로모 -2,4- 다이플투오로벤조나이트릴 3.0g을 얻었다. 5-브로모 -2,4-다이플루오로벤조나이트릴 (3.0 g, 13.8 mmol) Pd(dppf)Cl2 (1.1 g, 1.4 mmol), 세슘플로라이드 (6.3 g, 41.2 mmol)을 넣고 DMSO (20 ml)에 녹인 뒤 질소 분위기에서 섭씨 100도를 유지하며 3시간동안 교반 하였다. 온도를 내리고 증류수를 넣어 반응을 종료 시킨 뒤,
다이클로로메테인을 이용하여 추출하였다. 다이클로로메테인과 노르말핵산을 흔합^매로 전개용매를 사용하여 4 g 의 중간체 i-i을 얻었다.
증간체 1-1 : 질량분석 (FI) m/z 276 [(M+)]. 1H NMR (200 MHz, CDC13): δ 7.69 (t, 2H), 6.92 (t, 2H).
중간체 1-2의 합성
[반응식 2]
Figure imgf000020_0002
1 ,5-다이브로모 -2,4-다이플루오로벤젠 대신에 1 ,2-다이브로모 -4,5- 다이플루오로벤젠을사용하는 것을 제외하고 중간체 1-1의 합성 방법과 동일하게 합성하여 중간체 I-2 0.3g을 얻었다. 중간체 1-2: 질량 분석 (FAB) m/z 276 [(M+)]. 1H NMR (200 MHz, CDC13): δ 7.71- 7.56 (m, 2H), 7.45-7.12 (m, 2H).
중간체 1-3의 합성
[반웅식 3]
1,5-다이브로모 -2,4-다이플루오로벤젠 대신에 1,4-다이브로모 -2,5- 다이플루오로벤젠을 사용하는 것을 제외하고 증간체 1-1의 합성 방법과 동일하게 합성하여 중간체 I-3 0.2g을 얻었다.
중간체 1-3: 질량 분석 (FAB) m/z 276 [(M+)]. 1H NMR (200 MHz, CDC13): δ 7.77- 7.51 (m, 2Η), 7.46-7.23 (m, 2H).
최종화합물의 합성
합성예 1: 도편트 1의 합성
[반응식 4]
Figure imgf000021_0002
소듬하이드라이드 (0.17 g, 4.3 mmol)에 DMF 20ml를 넣고 분산 시킨뒤 9H- 카바졸 (0.6 g, 3.6 mmol)을 넣고 상은에서 교반하고, 카바졸과 소듐하이드라이드가 다 녹으면 중간체 1-1 (0.25 g, 0.7 mmol)을 천천히 반웅물에 적가하였다. 세 시간 반응 후 증류수를 넣어 반응을 종료시키고, 다이클로로메테인을사용하여 추출하였다.
클로로포름과 노르말핵산을 혼합하여 전개용매로 사용하여 컬럼크로마토그래피를 실시하여 도펀트 1 0.7g을 얻었다. 최종적으로 승화정제를 통해 순수한 옅은 노란색 고체를 얻었다. 수율은 89%였다. 화합물 1： 질량분석 (FAB) m/z 865 [(M+H) +]. 1 H NMR (200 MHz, CDC13):8 8.21 (d, 4H, J=8.0 HZ), 7.89 (d, 4H, J=8.8 Hz), 7.76-7.52 (m, 6H), 7.46-7.12 (m, 6H), 7.01 -6.54 (m, 16H)
합성예 2: 도펀트 11의 합성
[반웅식 5]
Figure imgf000022_0001
9H-카바졸 대신 9,9-다이메틸 -9, 10-다이하이드로아크리딘을사용하는 것을 제외하고 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여 도편트 11 0.3g을 얻었다.
최종적으로 승화정제를 통해 순수한 열은 노란색 고체를 얻었다. 수율은 80%였다. 화합물 1 1 : 질량분석 (FAB) m/z 1033 [(M+H) +] . 1H NMR (200 MHz, CDC13):5 7.25 (s, 2H), 7.12-7.01 (m, 16H), 6.98-6.72 (m, 8H), 6.65-6.54 (m, 8H), 6.23 (s, 2H), 1.56 (s, 24H)
합성예 3: 도펀트 ^ 2의 합성
반웅식 6]
Figure imgf000022_0002
중간체 1-1 대신에 중간체 1-2를 사용하는 것을 제외하고 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여 도펀트 2 0.4g을 얻었다. 최종적으로 승화정제를 통해 순수한 옅은 노란색 고체를 얻었다. 수율은 64%였다.
화합물 2： 질량분석 (FAB) m/z 865 [(M+H) +]. 1H NMR (200 MHz, CDC13):6 8.24 (d, 4H, J=8.2 Hz), 7.89 (s, 2H), 7.78-7.57 (m, 10H), 7.48-7.12 (m, 20H)
합성예 4: 도펀트 9의 합성
Figure imgf000023_0001
9
중간체 1-1 대신에 중간체 1-3을 사용하는 것을 제외하고 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여 도편트 9 0.25g를 얻었다. 최종적으로 승화정제를 통해 순수한 옅은 노란색 고체를 얻었다. 수율은 79%였다.
화합물 9: 질량분석 (FAB) m/z 865 [(M+H) +]. 1H NMR (200 MHz, CDC13):6 8.29 (d
4H, J=8.8 Hz), 8.12 (s, 2H), 7.87-7.67 (m, 0H), 7.62-7.20 (m, 20H)
합성예 S: 도펀트 21의 합성
Figure imgf000023_0002
9H-카바졸 대신 10H-펜옥사진 (10H-phenoxazine)을 사용하는 것을 제외하고 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여 도편트 21 0.3g을 얻었다. 최종적으로 승화정제를 통해 순수한 옅은 노란색 고체를 얻었다. 수율은 75%였다.
평가 I
합성예 1 내지 4에서 얻은 도펀트의 에너지 준위를 평가한다.
도판트 준위 측정은 IVIUM 기기를 사용하여 순환 전압 전류방식을
이용하였다. 테트라부틸 암모늄퍼클로라이드를 아세토나이트릴 용액에 녹여 0.1몰 농도로 맞춘 후 카본 전극에 샘플을 코팅하여 전압을 0V " 3V ^ ()V 순으로 변환하여 나온 그래프의 엣지 (1) 를 측정하였다. 그리고， 전압을 다시 0V ^ -4V ^ 0V 순으로 변환하여 나은 그래프의 엣지 (2) 를 측정하였다. 각 측정값을 mCP를 기준값으로 사용하고, 6.1에 mcp 측정값을 뺀 후 (1)을 .더하여 HOMO 에너지 (3)를 확인하였고, (1)+(2) 로 밴드갭에너지 (4)를 측정하였다. 그 후 (3)-(4) 값으로 LUMO 에너지 (5)를 확인하였다. 은 (Ag)을 기준 전극으로, 백금 (Pt)을 카운터 전극으로, 그리고 카본 전극을 워킹 전극으로 사용하였다.
일중항 에너지의 경우는 발광 물질을 폴리스티렌 (polystyrene)에 분산하여 발광물질의 PL 발광 스펙트럼으로부터 일중항 에너지를 결정하고, 저온 PL의 첫번째 인광 피크로부터 삼중항 에너지를 결정하였다.
그 결과는 표 1과 같다.
[표 1]
Figure imgf000024_0001
표 1을 참고하면, 합성예 1 내지 4에서 얻은 도펀트는 약 380 내지
580ηιη에서 최대발광파장 (U을 나타내고 약 2.5 내지 3.5 eV의 에너지 밴드갭 및 약 0.05 내지 0.20eV의 일중항 에너지와 삼중항 에너지의 에너지 갭 ( ! S^T1 | )을 가지는 것을 확인할 수 있다. 이로부터 합성예 1 내지 4에서 얻은 도편트는 청색 형광 발광으로 액시톤의 역계간 전이에 유리할 수 있음을 알 수 있다.
평가 2
합성예 1 내지 4에서 얻은 도편트의 뒤를림 각도를 Gaussian09로 계산하고 그 결과를 표 2에 나타내었다.
[표 2]
Figure imgf000024_0002
표 2를 참고하면, 각 도펀트의 바 o 페닐 코어에서 오르쏘 위치의 치환체의 입체 장애의 효과를 활용하고 전자 주개와 받개의 치환체의 개수를 조절함으로써 HOMO에너지와 LUMO에너지의 전자 구름 분포 및 일중항 에너지와 삼중항 에너지의 차이를 조절할 수 있다. 이를 통해 반치폭을 좁게 하여 색 순도 높은 도펀트를 합성할 수 있다.
유기발광소자의 제작
실시예 1
lOOnm 두께의 ΠΌ가 적층된 유리 기판 위에， 각 박막을 진공도 5.0x 10" 4Pa에서 진공 증착하였다. 우선, ITO 위에 PEDOT:PSS (Sigma aldrich, 60nm), TAPC (4,4'-CyGlohexylidenebis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine] , EM INDEX, l Onm), TCTA (4,4',4"-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine, EM INDEX, lOnm) 및 mCP(l,3— Bis(N- carbazolyl)benzene, EM INDEX, l Onm)를 차례로 형성하였다. 이어서 흔합 호스트인 mCP 및 DPEPO(bis(2-(diphenylphosphino)phenyl)ether oxide, 25nm^ 합성예 1에서 얻은 도펀트 1을 공중착하여 25nm두께의 발광층을 형성하였다. 이때, 화합물 1은 발광층 전체에 대하여 5.0중량0 /。로 고정하였다. 이어서 TSP01(Diphenyl-4- triphenylsilylphenyl-phosphine oxide, P&H Tech, 20~40nm), TPBi( 1 ,3 ,5-Tris( 1 -phenyl- 1 H- benzimidazol-2-yl)benzene, EM INDEX, 30nm)를 차례로 형성하고, 그 위에 불화 리튬 (LiF)을 0.8 nm 진공 증착한 다음, 알루미늄 (A1) 음극을 l OOnm의 두께에 형성하여 유기발광소자를 제작하였다.
도핑 농도는 5%로 고정하고 TSP01의 두께를 20, 30, 40 nm로 변경하여 소자를 제작하였다. 화합물 1을 이용하여 제작한 소자는 TSP01의 두께가 30nm인 경우가 최적화되며, 14.02%의 최대양자효율을 보이며, 심청색의 (0.14, 0.12) 색좌표를 나타냈다.
TSP01의 두께 변화에 따른 결과는 표 3과 같다.
[표 3]
최대 양자 최대 전력 최대 전류
TSP01 두께 색좌표 (x,y)
효율 효율 효율
20 nm 0.14 , 0.10 10.07 % 8.38 lm/w 9.34 cd/A
30 nm 0.14 , 0.12 14.02 % 10.20 lm/w 14.13 cd/A
40 nm 0.14 , 0.16 8.45 % 9.42 lm/w 10.50 cd/A 실시예 1
도편트 1 대신 합성예 2에서 얻은 도편트 Π을 사용하고 도핑농도를 1%, 3% 5%로 다르게 사용하고 TSP01의 두께를 30nm로 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다.
도핑 농도는 1,3, 5%에 따라 제작된 소자의 최대양자효율은 20.12% 이며
(0.18,0.37) 색 좌표를 보였다.
그 결과는 표 4와 같다.
[표 ]
Figure imgf000026_0001
실시예 3
lOOnm 두께의 ΠΌ가 적층된 유리 기판 .위에, 각 박막을 진공도 5.0x10·
4Pa에서 진공 증착하였다. 우선, ΠΌ 위에 PEDOT:PSS(Sigma aldrich, 60nm), TAPC 및 mCP를 차례로 형성하였다. 이어서 흔합 호스트인 mCP (l,3-Bis(N-carbazolyl)benzene, EMINDEX, 10nm)및 DPEPO(25 n)와 합성예 3에서 얻은 도편트 2를 공증착하여
25nm두께의 발광층을 형성하였다. 이어서 TSPOl, TPBi(30nm)를 차례로 형성하고, 그 위에 블화 리튬 (LiF)을 0.8 nm 진공 증착한 다음, 알루미늄 (A1) 음극을 lOOnm의 두께에 형성하여 유기발광소자를 제작하였다. 도핑 농도는 5%로 고정하고
전자수송층 (TSP01) 두께를 20,30nm로 변경하여 소자를 제작하였다. 화합물 3올 이용하여 제작한소자의 최대양자효율은 4.78% 이며 (0.16,0.13) 색좌표를 보였다. 그 결과는 표 5와 같다.
[표 5]
전자수송층 최대 양자 최대 전력 최대 전류
색좌표 (x,y)
두께 효 요ᄋ
율 효율
20 nm 0.16,0.14 4.11 % 4.57 lm/w 5.48 cd/A 30 nm 0.16 , 0.13 4.78 % 4.79 lm/w 6.10 cd/A 평가 3
실시예 1 내지 3에 따른 유기발광소자를 반도체
파라미터 'analyzer (아지렌트.테크놀로지-사제: E5273A), 광파워미터 측정 장치 (뉴 포트 사제: 1930 C) 및 광학 분광기 (대양 옵틱스 사제: USB2000)를 사용하여 광학적 특성 및 효율을 평가하였다.
그 결과는 표 6과 같다.
[표 6]
Figure imgf000027_0001
표 6을 참고하면, 실시예 1 내지 3에 따른 유기발광소자는 청색 파장 영역에서 약 80nm 이하의 양호한 발광 반치폭을 가지므로 높은 색 순도의 청색 발광을 하는 것을 확인할 수 있다. 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있올 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 【부호의 설명】
100, 200: 유기발광소자
105: 유기층
110: 애노드
120: 캐소드
130: 발광층
140: 보조층

Claims

【청구범위】
【청구항 1】
하기 화학식 1로 표현되는 유기광전자소자용 도편트:
[화학식 1
Figure imgf000028_0001
상기 화학식 1에서,
W1 및 W2는 각각 독립적으로 시아노기 ; 니트로기 ; 아미드기; 설포닐기;ᅳ 포스핀기; 포스포릴기; 할로겐; 시아노기, 니트로기, 아미드기, 설포닐기, 포스핀기， 포스포릴기 또는 할로겐으로 치환된 C1 내지 C10 알킬기; 시아노기， 니트로기, 아미드기， 설포닐기， 포스핀기, 포스포릴기 또는 할로겐으로 치환된 C6 내지 C30 아릴기; 시아노기, 니트로기, 아미드기， 설포닐기,포스핀기, 포스포릴기 또는 할로겐으로 치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기; 또는 이들의 조합이고,
D1 및 D2는 각각 독립적으로 하기 화학식 2로 표현되는 기이고,
R' 및 R2는 각각 독립적으로 시아노기; 니트로기; 아미드기; 설포닐기;
포스핀기; 포스포릴기; 할로겐; 시아노기， 니트로기, 아미드기， 설포닐기, 포스핀기， 포스포릴기 또는 할로겐으로 치환된 C1 내지 C10 알킬기; 시아노기, 니트로기, 아미드기, 설포닐기, 포스핀기, 포스포릴기 또는 할로겐으로 치환된 C6 내지 C30 아릴기; 시아노기, 니트로기， 아미드기, 설포닐기, 포스핀기, 포스포릴기 또는 할로겐으로 치환된 C3 내지 C30 해테로고리기; 이들의 조합; 또는 하기 화학식 2로 표현되는 기이고,
a, b, c 및 d는 0≤a+b≤4 및 0¾+ 2를 만족하는 정수이고, 단 a+b와 c+d가 . 동시에 0은 아니고,
[화학식 2]
Figure imgf000028_0002
상기 화학식 2에서，
X1 내지 X8은 각각 독립적으로 N 또는 CRa이고,
L1은 N, B, C, CRb 또는 SiRc이고，
M1은 단일결합, CRdRe, SiRfRg, NRh, 0 또는 S이고,
Ra는 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 해테로고리기이고,
Rb 내지 Rh는 각각 독립적으로, 수소, 중수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기， 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르보닐아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 실릴기， 치환 또는 비치환된 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아실기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실아미노기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 술포닐기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬티을기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로사이클로티을기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 우레이드기, 할로겐, 시아노기 , 히드록실기, 아미노기, 니트로기, 카르복실기 또는 이들의 조합이고，
*는 화학식 1과의 연결 지점이다.
【청구항 2]
거 U항에서,
R1은 W' 또는 D1과 같고 R2는 W2 또는 D2와 같은 유기광전자소자용 도펀트.
【청구항 3】
거 12항에서,
하기 화학식 1-1 내지 1 -IV 중 어느 하나로 표현되는 유기광전자소자용 도펀트: [화학식 1-1] [화학식 1-II]
Figure imgf000030_0001
상기 화학식 1-1 내지 1-IV에서,
W1 및 W2는 각각 독립적으로 시아노기; 니트로기; 아미드기; 설포닐기;
포스핀기; 포스포릴기; 할로겐; 시아노기, 니트로기, 아미드기， 설포닐기, 포스핀기, 포스포릴기 또는 할로겐으로 치환된 C1 내지 C10 알킬기; 시아노기, 니트로기, 아미드기, 설포닐기, 포스핀기, 포스포릴기 또는 할로겐으로 치환된 C6 내지 C30 아릴기; 시아노기, 니트로기, 아미드기, 설포닐기, 포스핀기, 포스포릴기 또는 할로겐으로 치환된 C3 내지 C30 해테로고리기; 또는 이들의 조합이고,
D1 및 D2는 각각 독립적으로 상기 화학식 2로 표현되는 기이고,
a, b, c 및 d는 0≤a+b≤4 및 0 +(1≤2를 만족하는 정수이고, 단 a+b와 c+d가 동시에 0은 아니다.
【청구항 4】
거 13항에서，
D1과 W' 및 D2와 W2는 각각오르쏘 (ortho) 위치로 결합되어 있거나 두 개의 D1 및 두 개의 D2는 각각 오르쏘 위치로 결합되어 있는 유기광전자소자용 도편트.
【청구항 5】
제 3항에서,
D1과 D2의 총 개수는 3개 내지 5개이고 W1과 W2의 총 개수는 1개 내지 3개인 유기광전자소자용 도펀트.
【청구항 6】
저 U항에서,
상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1 내지 2-VI 중 어느 하나로 표현되는 도편트: [화학식 2-1] [화학식 2-Π] [화학식 2-ΠΙ]
Figure imgf000031_0001
[화학식 2-IV] [화학식 2-V] [화학식 2-VI]
Figure imgf000031_0002
상기 화학식 2-1 내지 2-VI에서，
X1 내지 X8은 각각 독립적으로 Ν 또는 CRa이고,
Ra는 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기 , 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C10 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기이고,
Rb, Rd 및 ！ 는 각각 독립적으로, 수소， 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 술파모일아미노기 , 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기， 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아실기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실아미노기， 치환 또는 .비치환된 C1 내지 C30 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로사이클로티올기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 우레이드기， 할로겐， 시아노기， 히드록실기， 아미노기, 니트로기, 카르복실기 또는 이들의 조합이고,
*는 화학식 1과의 연결 지점이다.
【청구항 7】
제 1항에서,
상기 화학식 1의 두 개의 페닐기는 30 내지 70도의 사이각을 가지도록 뒤를려 있는 유기광전자소자용 도편트.
【청구항 8】
제 1항에서,
상기 도편트는 380nm 내지 580nm에서 최대발광파장 ^^을 가지는 형광 도펀트인 유기광전자소자용 도편트.
【청구항 9】
제 1항에서,
상기 도펀트는 0.2 eV 이하의 일중항 에너지와 삼중항 에너지의 에너지 갭을 가지는 형광 도펀트인 유기광전자소자용 도펀트.
【청구항 10】
저 U항에서,
상기 화학식 1로 표현되는 도편트는 하기 그룹 1에 나열된 화합물 증 하나^ 유기광전자소자용 도편트:
[그룹 1]
Figure imgf000032_0001
Figure imgf000033_0001
ZZCllO/STOZaM/X3d C9l78.l/9lOZ OAV
Figure imgf000034_0001
ZZCllO/STOZaM/X3d C9l78.l/9lOZ OAV
Figure imgf000035_0001
Figure imgf000035_0002
69 70
【청구항 1 1】
서로 마주하는 애노드와 캐소드, 그리고
상기 애노드와상기 캐소드 사이에 위치하는 유기층
을 포함하고，
상기 유기층은
적어도 1종의 호스트, 그리고
저 U:항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 따른 도펀트
를 포함하는 유기광전자소자.
【청구항 12】
제 U항에서,
상기 도편트는 380nm 내지 580nm에서 최대발광파장 (^ )을 가지는 형광 도편트인 유기광전자소자.
【청구항 13】 ' 제 11항에서,
상기 호스트는 상기 도펀트보다 HOMO와 LUMO의 에너지 밴드갭이 큰 화합물에서 선택되는 유기광전자소자.
【청구항 14】
제 11항에서,
상기 도편트는 상기 호스트와 상기 도편트의 총 함량에 대하여 0.01 내지 40중량%로 포함되어 있는 유기광전자소자.
【청구항 15 ]
제 11항에서，
상기 유기광전자소자는 K)nm 내지 lOOnm의 발광 반치폭을 가지는 유기광전자소자.
【청구항 16]
제 11항에 따른 유기광전자소자를 포함하는 표시 장치 .
PCT/KR2015/011322 2015-05-06 2015-10-26 유기광전자소자용 도펀트, 유기광전자소자 및 표시장치 Ceased WO2016178463A1 (ko)

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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170263871A1 (en) * 2016-12-30 2017-09-14 Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. Organic electroluminescent material and organic optoelectronic device
WO2018001822A1 (de) * 2016-07-01 2018-01-04 Cynora Gmbh Dicarbazolbiphenylderivate zur verwendung in optoelektronischen vorrichtungen
WO2018001820A1 (de) * 2016-07-01 2018-01-04 Cynora Gmbh Dicarbazolbiphenylderivate zur verwendung in optoelektronischen vorrichtungen
WO2018001821A1 (de) * 2016-07-01 2018-01-04 Cynora Gmbh Dicarbazolbiphenyderivate zur verwendung in optoelektronischen vorrichtungen
WO2018037069A1 (de) * 2016-08-24 2018-03-01 Cynora Gmbh Heterozyklisch substituierte biphenyle, insbesondere zur verwendung in optoelektronischen vorrichtungen
CN109553567A (zh) * 2017-09-27 2019-04-02 辛诺拉有限公司 有机分子，特别是用于光电子器件中的有机分子
CN109666025A (zh) * 2017-10-16 2019-04-23 辛诺拉有限公司 有机分子，特别是用于光电子器件中的有机分子
DE102018114290B3 (de) * 2018-06-14 2019-06-06 Cynora Gmbh Organische Moleküle, insbesondere zur Verwendung in optoelektronischen Vorrichtungen
JP2019533739A (ja) * 2017-05-04 2019-11-21 サイノラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 有機分子、特に光電子デバイスに用いる有機分子
US11760761B2 (en) 2020-08-17 2023-09-19 Aligos Therapeutics, Inc. Methods and compositions for targeting PD-L1
US12391668B2 (en) 2018-03-22 2025-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device and polycyclic compound for organic electroluminescence device

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102022438B1 (ko) * 2015-07-03 2019-09-18 시노라 게엠베하 광전자 디바이스에 사용되는 유기 분자
KR102572294B1 (ko) * 2015-09-25 2023-08-30 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102362796B1 (ko) * 2017-07-04 2022-02-15 삼성디스플레이 주식회사 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
EP3617201B1 (en) * 2018-08-27 2021-08-04 Cynora Gmbh Organic molecules for optoelectronic devices
KR102753926B1 (ko) 2019-03-11 2025-01-15 삼성디스플레이 주식회사 헤테로시클릭 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
CN114730849B (zh) * 2019-10-14 2025-10-03 三星显示有限公司 发光性有机电致发光器件
CN113087669B (zh) * 2019-12-23 2023-11-17 南京药石科技股份有限公司 一种4-氰基-5-溴嘧啶的制备方法
EP4402141A1 (en) * 2021-09-13 2024-07-24 Merck Patent GmbH Materials for organic electroluminescent devices
CN115504926B (zh) * 2022-09-30 2024-04-19 中国科学院化学研究所 一种新型低温超长余辉分子材料及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004071380A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
JP2004273190A (ja) * 2003-03-06 2004-09-30 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、表示装置及び照明装置
JP2004311405A (ja) * 2003-03-27 2004-11-04 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2011013507A1 (ja) * 2009-07-31 2011-02-03 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子及びその製造方法
JP2011153276A (ja) * 2010-01-28 2011-08-11 Fujifilm Corp 有機電界発光素子

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4003299B2 (ja) 1998-07-06 2007-11-07 三菱化学株式会社 有機電界発光素子
JP4707082B2 (ja) 2002-11-26 2011-06-22 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置
JP4082297B2 (ja) 2003-07-29 2008-04-30 三菱化学株式会社 有機化合物、電荷輸送材料、有機電界発光素子材料および有機電界発光素子
US20060088728A1 (en) * 2004-10-22 2006-04-27 Raymond Kwong Arylcarbazoles as hosts in PHOLEDs
US8007927B2 (en) * 2007-12-28 2011-08-30 Universal Display Corporation Dibenzothiophene-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
JP4871607B2 (ja) 2006-02-23 2012-02-08 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
JP5619395B2 (ja) 2009-08-31 2014-11-05 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子及びカルバゾール化合物
JP5650932B2 (ja) 2010-01-28 2015-01-07 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子及び電荷輸送材料
JP5620125B2 (ja) 2010-01-28 2014-11-05 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
KR20110117513A (ko) 2010-04-21 2011-10-27 엘지디스플레이 주식회사 인광 호스트 물질 및 이를 이용한 유기전계발광소자
KR101188280B1 (ko) 2010-06-08 2012-10-05 덕산하이메탈(주) 카바졸과 방향족 아민 유도체를 포함하는 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 단말
JP5719125B2 (ja) 2010-06-10 2015-05-13 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 特定構造のカルバゾール系化合物、並びにそれを用いた電荷輸送材料及び有機電界発光素子
JP5951939B2 (ja) 2010-06-30 2016-07-13 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 発光素子用材料、発光素子、表示装置、照明装置、及び発光素子の製造方法。
JP5887872B2 (ja) 2010-11-25 2016-03-16 東ソー株式会社 ２，２’−置換ビフェニル誘導体とその製造方法、及びそれらを構成成分とする有機電界発光素子
JP2014135466A (ja) 2012-04-09 2014-07-24 Kyushu Univ 有機発光素子ならびにそれに用いる発光材料および化合物
US9190623B2 (en) 2012-11-20 2015-11-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102079254B1 (ko) * 2013-06-24 2020-02-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR101576562B1 (ko) 2013-07-19 2015-12-10 주식회사 두산 유기발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
TW201512373A (zh) 2013-08-30 2015-04-01 Kanto Kagaku 化合物及有機電致發光元件
KR102235596B1 (ko) * 2013-12-12 2021-04-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR101783650B1 (ko) 2014-06-24 2017-10-23 제일모직주식회사 화합물, 이를 포함하는 유기광전자소자 및 표시장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004071380A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
JP2004273190A (ja) * 2003-03-06 2004-09-30 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、表示装置及び照明装置
JP2004311405A (ja) * 2003-03-27 2004-11-04 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2011013507A1 (ja) * 2009-07-31 2011-02-03 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子及びその製造方法
JP2011153276A (ja) * 2010-01-28 2011-08-11 Fujifilm Corp 有機電界発光素子

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11380849B2 (en) 2016-07-01 2022-07-05 Cynora Gmbh Organic molecules for use in optoelectronic devices
US11271174B2 (en) 2016-07-01 2022-03-08 Cynora Gmbh Organic molecules for use in organic optoelectronic devices
WO2018001820A1 (de) * 2016-07-01 2018-01-04 Cynora Gmbh Dicarbazolbiphenylderivate zur verwendung in optoelektronischen vorrichtungen
DE102016112082A1 (de) * 2016-07-01 2018-01-04 Cynora Gmbh Organische Moleküle, insbesondere zur Verwendung in organischen optoelektronischen Vorrichtungen
WO2018001821A1 (de) * 2016-07-01 2018-01-04 Cynora Gmbh Dicarbazolbiphenyderivate zur verwendung in optoelektronischen vorrichtungen
DE102016112082B4 (de) * 2016-07-01 2018-01-11 Cynora Gmbh Organische Moleküle, insbesondere zur Verwendung in organischen optoelektronischen Vorrichtungen
CN109415317B (zh) * 2016-07-01 2022-08-16 三星显示有限公司 用于光电器件的二咔唑联苯衍生物
US11136294B2 (en) 2016-07-01 2021-10-05 Cynora Gmbh Organic molecules for use in optoelectronic devices
WO2018001822A1 (de) * 2016-07-01 2018-01-04 Cynora Gmbh Dicarbazolbiphenylderivate zur verwendung in optoelektronischen vorrichtungen
CN109415317A (zh) * 2016-07-01 2019-03-01 辛诺拉有限公司 用于光电器件的二咔唑联苯衍生物
WO2018037069A1 (de) * 2016-08-24 2018-03-01 Cynora Gmbh Heterozyklisch substituierte biphenyle, insbesondere zur verwendung in optoelektronischen vorrichtungen
US20170263871A1 (en) * 2016-12-30 2017-09-14 Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. Organic electroluminescent material and organic optoelectronic device
JP2019533739A (ja) * 2017-05-04 2019-11-21 サイノラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 有機分子、特に光電子デバイスに用いる有機分子
US10981930B2 (en) 2017-05-04 2021-04-20 Cynora Gmbh Organic molecules for use in optoelectronic devices
CN109553567B (zh) * 2017-09-27 2021-12-14 辛诺拉有限公司 有机分子，特别是用于光电子器件中的有机分子
US10978646B2 (en) 2017-09-27 2021-04-13 Cynora Gmbh Organic molecules for use in optoelectronic devices
CN109553567A (zh) * 2017-09-27 2019-04-02 辛诺拉有限公司 有机分子，特别是用于光电子器件中的有机分子
US10998504B2 (en) 2017-10-16 2021-05-04 Cynora Gmbh Organic molecules for use in optoelectronic devices
CN109666025B (zh) * 2017-10-16 2021-12-14 辛诺拉有限公司 有机分子，特别是用于光电子器件中的有机分子
CN109666025A (zh) * 2017-10-16 2019-04-23 辛诺拉有限公司 有机分子，特别是用于光电子器件中的有机分子
US12391668B2 (en) 2018-03-22 2025-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device and polycyclic compound for organic electroluminescence device
CN112334447A (zh) * 2018-06-14 2021-02-05 辛诺拉有限公司 用于光电器件的有机分子
DE102018114290B3 (de) * 2018-06-14 2019-06-06 Cynora Gmbh Organische Moleküle, insbesondere zur Verwendung in optoelektronischen Vorrichtungen
US11760761B2 (en) 2020-08-17 2023-09-19 Aligos Therapeutics, Inc. Methods and compositions for targeting PD-L1

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KR20160131321A (ko) 2016-11-16
KR101910112B1 (ko) 2018-10-19
US20180215711A1 (en) 2018-08-02
US10131632B2 (en) 2018-11-20

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